TWI756702B

TWI756702B - 切換電路

Info

Publication number: TWI756702B
Application number: TW109118454A
Authority: TW
Inventors: 陳智聖; 李宗翰
Original assignee: 立積電子股份有限公司
Priority date: 2020-06-02
Filing date: 2020-06-02
Publication date: 2022-03-01
Also published as: US11228308B2; TW202147789A; CN113765538B; US20210376823A1; CN113765538A

Abstract

本發明提出一種切換電路。切換電路包括第一傳輸端、第二傳輸端、第三傳輸端以及第一可變阻抗電路。第一傳輸端及第二傳輸端耦接共接點，以形成第一傳輸路徑。第三傳輸端耦接共接點，並且與第一傳輸端之間形成第二傳輸路徑。第一可變阻抗電路具有第一端耦接在共接點以及第三傳輸端之間，並且具有第二端耦接第一參考電位端。當第一傳輸路徑傳輸第一信號時，第一可變阻抗電路所提供的第一頻寬範圍依據第一信號的第一頻率來決定，使得第一可變阻抗電路在第一頻寬範圍內提供較低的阻抗，並且第一頻寬範圍涵蓋第一頻率。

Description

切換電路

本發明是有關於一種電路，且特別是有關於一種切換電路。

在傳統用於傳輸射頻信號的切換電路中，通常是經由多個電晶體開關的導通切換，來實現切換不同的傳輸路徑進行信號傳輸。對此，傳統的切換電路通常僅經由被關閉的電晶體開關來隔離不同的傳輸路徑之間的信號能量。然而，由於電晶體開關可能發生電流洩漏情況，因此傳統的切換電路中的不同的傳輸路徑之間通常具有信號隔離度不佳的問題。有鑑於此，以下將提出幾個實施例的解決方案。

須注意的是，「先前技術」段落的內容是用來幫助了解本發明。在「先前技術」段落所揭露的部份內容（或全部內容）可能不是所屬技術領域中具有通常知識者所知道的習知技術。在「先前技術」段落所揭露的內容，不代表該內容在本發明申請前已被所屬技術領域中具有通常知識者所知悉。

本發明提供一種切換電路可提供多個傳輸端以及多個傳輸路徑，以切換傳輸不同頻率的信號，並且不同的傳輸路徑之間可具有良好的信號傳輸品質。

本發明的切換電路包括第一傳輸端、第二傳輸端、第三傳輸端以及第一可變阻抗電路。第一傳輸端耦接共接點。第二傳輸端耦接共接點，並且與第一傳輸端之間形成第一傳輸路徑。第三傳輸端耦接共接點，並且與第一傳輸端之間形成第二傳輸路徑。第一可變阻抗電路具有第一端耦接在共接點以及第三傳輸端之間，並且具有第二端耦接第一參考電位端。當第一傳輸路徑傳輸第一信號時，第一可變阻抗電路所提供的第一頻寬範圍依據第一信號的第一頻率來決定，使得第一可變阻抗電路在第一頻寬範圍內提供較低的阻抗。第一頻寬範圍涵蓋第一頻率。

基於上述，本發明的切換電路可藉由第二信號傳輸電路上所耦接可變阻抗電路來有效降低由第一傳輸路徑洩漏至第二信號傳輸電路的信號能量，以使第一傳輸路徑以及第二傳輸路徑之間可具有良好的信號隔離度。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

在本案說明書全文（包括申請專利範圍）中所使用的「耦接（或連接）」一詞可指任何直接或間接的連接手段。舉例而言，若文中描述第一裝置耦接（或連接）於第二裝置，則應該被解釋成該第一裝置可以直接連接於該第二裝置，或者該第一裝置可以透過其他裝置或某種連接手段而間接地連接至該第二裝置。本案說明書全文（包括申請專利範圍）中提及的「第一」、「第二」等用語是用以命名元件（element）的名稱，或區別不同實施例或範圍，而並非用來限制元件數量的上限或下限，亦非用來限制元件的次序。另外，凡可能之處，在圖式及實施方式中使用相同標號的元件/構件/步驟代表相同或類似部分。不同實施例中使用相同標號或使用相同用語的元件/構件/步驟可以相互參照相關說明。

圖1是依照本發明的一實施例的切換電路的示意圖。參考圖1，切換電路100可例如應用於不同頻段的射頻信號（Radio Frequency，RF）傳輸路徑切換，但本發明並不限於此。在本實施例中，切換電路100包括傳輸端110、120、130、可變阻抗電路140以及電晶體150、160。傳輸端110、120分別耦接至共接點101，並且傳輸端130經由電晶體150耦接至共接點101。可變阻抗電路140經由電晶體160耦接至傳輸端130。電晶體150具有第一端N1耦接共接點101，並且具有第二端N2耦接傳輸端130。電晶體160具有第一端N1耦接電晶體150的第二端N2，並且具有第二端N2耦接可變阻抗電路140。可變阻抗電路140具有第一端N1耦接在電晶體160的第二端N2，並且具有第二端N2耦接參考電位端Vref1。

在本實施例中，傳輸端110、120之間可形成第一傳輸路徑，並且傳輸端110、130之間形成第二傳輸路徑。舉例而言，傳輸端110可耦接至天線，以作為信號傳輸端（Transmitter，TX）或信號接收端（Receiver，RX），並且傳輸端120、130可例如各自耦接至不同的後端信號處理電路，以作為信號接收端或信號傳輸端。所述天線的操作頻段可例如是3G、4G、5G或Wi-Fi等，本發明並不加以限制。當傳輸端110接收信號，以欲經由傳輸端120輸出至後端信號處理電路時，電晶體150以及電晶體160各別的控制端NC可接收控制信號，以使電晶體150被關閉，且電晶體160被導通，以避免所述信號的信號能量洩漏至傳輸端130。並且，可變阻抗電路140可作為洩漏的信號能量的釋放路徑。對此，可變阻抗電路140可依據所述信號的頻率來對應調整阻抗，以使可變阻抗電路140在頻寬範圍內提供較低的阻抗，其中所述頻寬範圍涵蓋所述頻率。因此，洩漏的信號能量可被導向至可變阻抗電路140，而有效避免或降低洩漏的信號能量傳輸至傳輸端130。

換言之，切換電路100除了可透過關閉電晶體150來避免所述信號被傳輸至傳輸端130，並且切換電路100還可依據當前傳輸的信號的頻率來調整可變阻抗電路140的頻寬範圍，使其對應於所述信號的所述頻率而提供較低的阻抗。因此，在第一傳輸路徑傳輸信號的過程中，若所述信號的一部分能量被洩漏至電晶體150的第二端N2，則可變阻抗電路140可將洩漏至電晶體150的第二端N2的能量釋放至參考電位端Vref1。因此，本實施例的切換電路100的第一傳輸路徑以及第二傳輸路徑之間可具有良好的信號隔離度。值得注意的是，本發明的切換電路100的傳輸端110、120、130不限於上述的信號傳輸方向，並且電晶體150、160可為P型半導體或N型半導體，本發明亦不加以限制。此外，關於可變阻抗電路140的具體實施方式，以下將由圖2A至圖2C的實施例來具體說明之。

圖2A是依照本發明的第一實施例的可變阻抗電路的示意圖。參考圖1及圖2A，可變阻抗電路140可例如包括可變電容241以及電感242。可變電容241的第一端耦接可變阻抗電路140的第一端P1，並且可變電容241的第二端耦接電感242的第一端。電感242的第二端耦接可變阻抗電路140的第二端P2。在本實施例中，可變電容241以及電感242組成串聯諧振電路，並且可變電容241可依據控制電壓Vbs1來決定電容值，其中控制電壓Vbs1是依據在傳輸端110、120之間傳輸的信號的頻率來決定。因此，當圖1的切換電路100的傳輸端110、120之間進行信號傳輸時，可變阻抗電路140可經由控制電壓Vbs1調整可變電容241的電容值大小，以對應調整串聯諧振頻率，而使可變阻抗電路140在對應於所述信號的所述頻率的頻寬範圍內可提供較低的阻抗。另外，在另一實施例中，可變電容241與電感242之間還可額外串聯具有固定電容值的電容器。

圖2B是依照本發明的第二實施例的可變阻抗電路的示意圖。參考圖1及圖2B，可變阻抗電路140可例如包括電容341、電感342、電晶體343以及反相器344、345。電容341的第一端耦接可變阻抗電路140的第一端P1，並且電容341的第二端耦接電感342的第一端。電感342的第二端耦接可變阻抗電路140的第二端P2。在本實施例中，電容341以及電感342組成串聯諧振電路。電晶體343的第一端N1耦接可變阻抗電路140的第一端P1，並且電晶體343的第二端N2耦接電容341的第二端。電晶體343的控制端NC耦接反相器344的輸出端，並且反相器344的輸入端耦接反相器345的輸出端。反相器345的輸入端接收控制電壓Vbs2。在本實施例中，電晶體343可為P型半導體或N型半導體，本發明並不加以限制。

在本實施例中，控制電壓Vbs2的大小可決定電晶體343的導通程度，以對應改變電容341的等效電容值。控制電壓Vbs2是依據在傳輸端110、120之間傳輸的信號的頻率來決定。因此，當圖1的切換電路100的傳輸端110、120之間進行信號傳輸時，可變阻抗電路140可經由控制電壓Vbs2調整電容341的等效電容值大小，以對應調整串聯諧振頻率，而使可變阻抗電路140在對應於所述信號的頻率的頻寬範圍內可提供較低的阻抗。

然而，在另一實施例中，控制電壓Vbs2也可僅用於控制電晶體343導通或關閉，而反相器344、345的電源端(圖中未示)分別所接收的第一系統電壓與第二系統電壓的大小可依據在傳輸端110、120之間傳輸的信號的頻率來決定，以對應調經由反相器344、345輸入至電晶體343的控制端NC的控制電壓Vbs2的電壓大小。此外，電容341與電感342之間還可額外串聯具有固定電容值的電容器。

圖2C是依照本發明的第三實施例的可變阻抗電路的示意圖。參考圖1及圖2C，可變阻抗電路140可例如包括電晶體電容441、電感442、電晶體443以及反相器444、445。電晶體電容441的控制端NC耦接可變阻抗電路140的第一端P1，並且電晶體電容441的第一端N1及第二端N2耦接電感442的第一端。電感442的第二端耦接可變阻抗電路140的第二端P2。在本實施例中，電晶體電容441以及電感442組成串聯諧振電路。電晶體443的第一端N1耦接可變阻抗電路140的第一端P1，並且電晶體443的第二端N2耦接電晶體電容441的第一端N1及第二端N2。電晶體443的控制端NC耦接反相器444的輸出端，並且反相器444的輸入端耦接反相器445的輸出端。反相器445的輸入端接收控制電壓Vbs3。在本實施例中，電晶體443可為P型半導體或N型半導體，本發明並不加以限制。

在本實施例中，控制電壓Vbs3的大小可決定電晶體443的導通程度，以對應改變電晶體電容441的等效電容值。控制電壓Vbs3是依據在傳輸端110、120之間傳輸的信號的頻率來決定。因此，當圖1的切換電路100的傳輸端110、120之間進行信號傳輸時，可變阻抗電路140可經由控制電壓Vbs3調整電容441的等效電容值大小，以對應調整串聯諧振頻率，而使可變阻抗電路140在對應於所述信號的頻率的頻寬範圍內可提供較低的阻抗。

然而，在另一實施例中，控制電壓Vbs3也可僅用於控制電晶體443導通或關閉，而反相器444、445的電源端(圖中未示)分別所接收的第一系統電壓與第二系統電壓的大小可依據在傳輸端110、120之間傳輸的信號的頻率來決定，以對應調經由反相器444、445輸入至電晶體443的控制端NC的控制電壓Vbs3的電壓大小。此外，電晶體電容441與電感442之間還可額外串聯具有固定電容值的電容器。

圖3是依照本發明的一實施例的控制電壓產生電路的示意圖。參考圖3，圖3的控制電壓產生電路500可適用於產生上述圖2A至圖2C各實施例中的控制電壓Vbs1、Vbs2、Vbs3。在本實施例中，控制電壓產生電路500包括方向耦合器（Directional coupler）510、頻率偵測器520以及比較器530。方向耦合器510耦接傳輸路徑501，其中傳輸路徑501可例如是指圖1實施例的傳輸端110至傳輸端120之間的第一傳輸路徑。頻率偵測器520耦接方向耦合器510。比較器530的第一輸入端耦接頻率偵測器520，並且比較器530的第二輸入端耦接參考電位端Vref2。比較器530的輸出端輸出控制電壓Vbs。參考電位端Vref2的電壓可對應於傳輸路徑501所傳輸的信號的頻率大小來設計之。當傳輸路徑501傳輸信號時，頻率偵測器520偵測所述信號的頻率來產生電壓，並且比較器530比較所述電壓與參考電位端Vref2的電壓，以產生控制電壓Vbs。因此，控制電壓Vbs可有效地對應於傳輸路徑501所傳輸的信號來產生之。

圖4是依照本發明的一實施例的頻寬範圍的調整示意圖。參考圖1、圖2A、圖3以及圖4。如圖1所示，當傳輸端110、120之間傳輸具有頻率f1的信號時，電晶體150被關閉，並且電晶體160被導通。可變阻抗電路140可依據在傳輸端110、120之間傳輸的所述信號的頻率來對應地調整其阻抗。進一步而言，如圖3所示，控制電壓產生電路500可依據傳輸路徑501所傳輸的所述信號來產生控制電壓Vbs，以使圖2A的可變電容241可依據控制電壓Vbs來決定其電容值。可變阻抗電路140的串聯諧振頻率可被調整為頻率f1，以使可變阻抗電路140在對應於頻率f1的頻寬範圍內可提供較低的阻抗。因此，切換電路100的第一傳輸路徑與第二傳輸路徑之間的信號隔離度可如圖4中對應於頻率f1的曲線變化。切換電路100的第一傳輸路徑與第二傳輸路徑之間對於具有頻率f1的信號可具有良好的信號隔離度。

接著，當傳輸端110、120之間經切換以傳輸具有頻率f2的另一信號時，電晶體150同樣被關閉，並且電晶體160同樣被導通。並且，可變阻抗電路140可依據在傳輸端110、120之間傳輸的所述信號的頻率來對應地調整其阻抗。進一步而言，如圖3所示，控制電壓產生電路500可依據傳輸路徑501所傳輸的所述另一信號來調整控制電壓Vbs，以使圖2A的可變電容241可依據控制電壓Vbs來改變其電容值。可變阻抗電路140的串聯諧振頻率可被調整為頻率f2，以使可變阻抗電路140在對應於頻率f2的頻寬範圍內同樣可提供較低的阻抗。因此，切換電路100的第一傳輸路徑與第二傳輸路徑之間的信號隔離度可如圖4中對應於頻率f2的曲線變化。切換電路100的第一傳輸路徑與第二傳輸路徑之間對於具有頻率f2的信號同樣可具有良好的信號隔離度。

換言之，本實施例的切換電路100可依據當前傳輸的信號的頻率來動態調整可變阻抗電路140的阻抗，以當切換電路100經切換以傳輸不同頻段的信號時，切換電路100當中的不同傳輸路徑之間可仍維持有良好的信號隔離度。此外，在另一實施例中，切換電路100的可變阻抗電路140亦可採用如圖2B或圖2C的方式來實現如上述圖2A所述的可動態調整其阻抗的效果，並且在此不多加贅述。

圖5是依照本發明的另一實施例的切換電路的示意圖。參考圖5，切換電路700包括傳輸端710、720、730、可變阻抗電路740、770以及電晶體750、760、780、790。傳輸端710耦接至共接點701。傳輸端720經由電晶體780耦接至共接點701，並且傳輸端730經由電晶體750耦接至共接點701。可變阻抗電路740經由電晶體760耦接至傳輸端730，並且可變阻抗電路770經由電晶體790耦接至傳輸端720。電晶體750具有第一端N1耦接共接點701，並且具有第二端N2耦接傳輸端730。電晶體760具有第一端N1耦接電晶體750的第二端N2，並且具有第二端N2耦接可變阻抗電路740。電晶體780具有第一端N1耦接共接點701，並且具有第二端N2耦接傳輸端720。電晶體790具有第一端N1耦接電晶體780的第二端N2，並且具有第二端N2耦接可變阻抗電路770。可變阻抗電路740具有第一端耦接在電晶體760的第二端N2，並且具有第二端耦接參考電位端Vref1。可變阻抗電路770具有第一端耦接在電晶體790的第二端N2，並且具有第二端耦接參考電位端Vref1。

在本實施例中，傳輸端710、720之間可形成第一傳輸路徑，並且傳輸端710、730之間形成第二傳輸路徑。舉例而言，傳輸端710可耦接至天線，以作為信號傳輸端或信號接收端，並且傳輸端720、730可例如各自耦接至不同的後端信號處理電路，以作為信號接收端或信號傳輸端。當傳輸端710接收第一信號，以欲經由傳輸端720輸出至後端信號處理電路時，電晶體750、790被關閉，且電晶體760、780被導通，以傳輸第一信號至傳輸端720，並且避免第一信號的信號能量洩漏至傳輸端730。並且，可變阻抗電路740可作為洩漏的信號能量的傳輸電路。對此，可變阻抗電路740可依據所述信號的頻率來對應調整阻抗，以使可變阻抗電路740在第一頻寬範圍內提供較低的阻抗，其中第一頻寬範圍涵蓋第一頻率。因此，洩漏的信號能量可經由可變阻抗電路740釋放，而有效避免或降低洩漏的信號能量傳輸至傳輸端730。

同理，當傳輸端710接收第二信號，以欲經由傳輸端730輸出至後端信號處理電路時，電晶體760、780被關閉，且電晶體750、790被導通，以傳輸第二信號至傳輸端730，並且避免第二信號的信號能量洩漏至傳輸端720。並且，可變阻抗電路770可作為洩漏的信號能量的傳輸電路。對此，可變阻抗電路770可依據所述信號的頻率來對應調整阻抗，以使可變阻抗電路770在第二頻寬範圍內提供較低的阻抗，其中第二頻寬範圍涵蓋第二頻率。因此，洩漏的信號能量可經由可變阻抗電路770釋放，而有效避免或降低洩漏的信號能量傳輸至傳輸端720。

因此，相較於上述圖1的切換電路100，切換電路700可在第一傳輸路徑以及第二傳輸路徑上分別耦接有可變阻抗電路740、770。因此，在第一傳輸路徑傳輸第一信號的過程中，若第一信號的一部分能量被洩漏至電晶體750的第二端N2，則可變阻抗電路740可將洩漏至電晶體750的第二端N2的能量釋放至參考電位端Vref1。在第二傳輸路徑傳輸第二信號的過程中，若第二信號的一部分能量被洩漏至電晶體780的第二端N2，則可變阻抗電路770可將洩漏至電晶體780的第二端N2的能量釋放至參考電位端Vref1。因此，本實施例的切換電路700的第一傳輸路徑以及第二傳輸路徑之間可具有良好的信號隔離度。值得注意的是，本發明的切換電路700的傳輸端710、720、730不限於上述的信號傳輸方向，並且電晶體750、760、780、790可為P型半導體或N型半導體，本發明亦不加以限制。

另外，關於切換電路700以及可變阻抗電路740、770的具體實施方式、電路特徵以及技術功效，可參考上述圖1至圖4實施例的說明而獲致足夠的教示、建議以及實施說明，因此不再多加贅述。

綜上所述，本發明的切換電路可當兩個傳輸路徑的其中之一在傳輸信號的過程中，藉由兩個傳輸路徑的其中之另一所耦接的可變阻抗電路來對應所述信號的頻率來調整其阻抗，以有效地將洩漏至兩個傳輸路徑的其中之另一的信號能量釋放至參考電位端，以使在不同頻段的信號切換傳輸過程中，所述兩個傳輸路徑之間仍可維持良好的信號隔離度。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100、700:切換電路 101、701:共接點 110、120、130、710、720、730:傳輸端 140、740、770:可變阻抗電路 150、160、343、443、750、760、780、790:電晶體 241:可變電容 242、342、442:電感 341:電容 344、345、444、445:反相器 441:電晶體電容 500:控制電壓產生電路 501:傳輸路徑 510:方向耦合器 520:頻率偵測器 530:比較器 f1、f2:頻率 N1、P1:第一端 N2、P2:第二端 Vbs、Vbs1、Vbs2、Vbs3:控制電壓 Vref1、Vref2:參考電位端 NC:控制端

圖1是依照本發明的一實施例的切換電路的示意圖。圖2A是依照本發明的第一實施例的可變阻抗電路的示意圖。圖2B是依照本發明的第二實施例的可變阻抗電路的示意圖。圖2C是依照本發明的第三實施例的可變阻抗電路的示意圖。圖3是依照本發明的一實施例的控制電壓產生電路的示意圖。圖4是依照本發明的一實施例的頻寬範圍的調整示意圖。圖5是依照本發明的另一實施例的切換電路的示意圖。

100:切換電路 101:共接點 110、120、130:傳輸端 140:可變阻抗電路 150、160:電晶體 Vref1:參考電位端 N1:第一端 N2:第二端 NC:控制端

Claims

一種切換電路，包括: 一第一傳輸端，耦接一共接點；一第二傳輸端，耦接該共接點，並且與該第一傳輸端之間形成一第一傳輸路徑；一第三傳輸端，耦接該共接點，並且與該第一傳輸端之間形成一第二傳輸路徑；以及一第一可變阻抗電路，具有一第一端耦接在該共接點以及該第三傳輸端之間，並且具有一第二端耦接一第一參考電位端，其中當該第一傳輸路徑傳輸一第一信號時，該第一可變阻抗電路所提供的一第一頻寬範圍依據該第一信號的一第一頻率來決定，使得該第一可變阻抗電路在該第一頻寬範圍內提供較低的阻抗，並且該第一頻寬範圍涵蓋該第一頻率。
如申請專利範圍第1項所述的切換電路，更包括: 一第一電晶體，具有一第一端耦接該共接點，並且具有一第二端耦接該第三傳輸端；以及一第二電晶體，具有一第一端耦接該第一電晶體的該第二端，並且具有一第二端耦接該第一可變阻抗電路，其中當該第一傳輸路徑傳輸該第一信號時，該第一電晶體被關閉，並且該第二電晶體被導通。
如申請專利範圍第1項所述的切換電路，其中該第一可變阻抗電路包括: 一可變電容，具有一第一端耦接該第一可變阻抗電路的該第一端，用以依據一第一控制電壓來決定一電容值；以及一電感，具有一第一端耦接該可變電容的一第二端，並且具有一第二端耦接該第一可變阻抗電路的該第二端。
如申請專利範圍第3項所述的切換電路，更包括: 一方向耦合器，耦接該第一傳輸路徑；一頻率偵測器，耦接該方向耦合器；以及一比較器，具有一第一輸入端耦接該頻率偵測器，具有一第二輸入端耦接一第二參考電位端，並且具有一輸出端，其中當該第一傳輸路徑傳輸該第一信號時，該頻率偵測器偵測該第一信號的該第一頻率來產生一第一電壓，並且該比較器比較該第一電壓與該第二參考電位端，以產生該第一控制電壓。
如申請專利範圍第3項所述的切換電路，其中該可變電容與該電感之間更包括串聯一電容器。
如申請專利範圍第1項所述的切換電路，其中該第一可變阻抗電路包括: 一電容，具有一第一端耦接該第一可變阻抗電路的該第一端；一第三電晶體，具有一第一端耦接該第一可變阻抗電路的該第一端；以及一電感，具有一第一端耦接該電容的一第二端以及該第三電晶體的一第二端，並且具有一第二端耦接該第一可變阻抗電路的該第二端，其中該電容與該第三電晶體為並聯，並且該第三電晶體的一控制端接收的一第二控制電壓依據該第一信號的該第一頻率來決定。
如申請專利範圍第1項所述的切換電路，其中該第一可變阻抗電路包括: 一電晶體電容，具有一控制端耦接該第一可變阻抗電路的該第一端；一第三電晶體，具有一第一端耦接該第一可變阻抗電路的該第一端；以及一電感，具有一第一端耦接該電晶體電容的一第一端、一第二端以及該第三電晶體的一第二端，並且具有一第二端耦接該第一可變阻抗電路的該第二端，其中該電晶體電容與該第三電晶體為並聯，並且該第三電晶體的一控制端接收的一第二控制電壓依據該第一信號的該第一頻率來決定。
如申請專利範圍第6項或第7項所述的切換電路，其中該第一可變阻抗電路更包括: 一第一反相器，具有一輸出端耦接該第三電晶體的一控制端，用以輸出該第二控制電壓；以及一第二反相器，具有一輸出端耦接該第一反相器的一輸入端。
如申請專利範圍第8項所述的切換電路，其中該第二反相器更包括一輸入端，用以接收一第三控制電壓，並且該第三控制電壓是依據該第一信號的該第一頻率來決定。
如申請專利範圍第8項所述的切換電路，其中該該第一反相器與該第二反相器更分別包括一電源端，用以分別接收一第一系統電壓與一第二系統電壓，並且該第一系統電壓與該第二系統電壓系統是依據該第一信號的該第一頻率來決定。
如申請專利範圍第1項所述的切換電路，其中當該第一傳輸路徑被切換以傳輸一第二信號時，該第一可變阻抗電路所提供的該第一頻寬範圍依據該第二信號的一第二頻率而改變，以使該第一頻寬範圍涵蓋該第二頻率。
如申請專利範圍第1項所述的切換電路，更包括: 一第二可變阻抗電路，具有一第一端耦接在該共接點以及該第二傳輸端之間，並且具有一第二端耦接該第一參考電位端，其中當天線切換電路被切換以經由該第二傳輸路徑傳輸一第二信號時，該第二可變阻抗電路所提供的一第二頻寬範圍依據該第二信號的一第二頻率來決定，使得該第二可變阻抗電路在該第二頻寬範圍內提供較低的阻抗，並且該第二頻寬範圍涵蓋該第二頻率。
如申請專利範圍第12項所述的切換電路，更包括: 一第四電晶體，具有一第一端耦接該共接點，並且具有一第二端耦接該第二傳輸端；以及一第五電晶體，具有一第一端耦接該第四電晶體的該第二端，並且具有一第二端耦接該第二可變阻抗電路，其中當該第二傳輸路徑傳輸該第二信號時，該第四電晶體為被關閉，並且該第五電晶體被導通。