KR20200034346A

KR20200034346A - Substrate processing apparatus

Info

Publication number: KR20200034346A
Application number: KR1020180114043A
Authority: KR
Inventors: 조문기
Original assignee: 주식회사 케이씨텍
Priority date: 2018-09-21
Filing date: 2018-09-21
Publication date: 2020-03-31
Also published as: KR102589149B1

Abstract

The present invention relates to a substrate processing apparatus. The substrate processing apparatus for performing a substrate polishing process includes: a substrate mounting unit on which a substrate is mounted; a retainer assembly provided to surround the periphery of the substrate by corresponding to the size of the substrate; and a polishing unit for polishing the top surface of the substrate. Accordingly, the substrate processing apparatus increases the polishing uniformity of the substrate and minimizes the generation of non-polished regions.

Description

Substrate processing device {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로 기판의 처리 효율을 높이고, 연마 안정성 및 연마 균일도를 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus capable of increasing the processing efficiency of a substrate and improving polishing stability and polishing uniformity.

최근 정보 디스플레이에 관한 관심이 고조되고 휴대가 가능한 정보매체를 이용하려는 요구가 높아지면서 기존의 표시장치인 브라운관(Cathode Ray Tube; CRT)을 대체하는 경량 박형 평판표시장치(Flat Panel Display; FPD)에 대한 연구 및 상업화가 중점적으로 이루어지고 있다.Recently, as interest in information display has increased and the demand to use a portable information medium has increased, it has been applied to a lightweight flat panel display (FPD) that replaces the existing display device, the cathode ray tube (CRT). Korea's research and commercialization are focused.

이러한 평판표시장치 분야에서, 지금까지는 가볍고 전력소모가 적은 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device; LCD)가 가장 주목받는 디스플레이 장치였지만, 액정표시장치는 발광소자가 아니라 수광소자이며, 밝기, 명암비(contrast ratio) 및 시야각 등에 단점이 있기 때문에, 이러한 단점을 극복할 수 있는 새로운 디스플레이 장치에 대한 개발이 활발하게 전개되고 있다. 이중, 최근에 각광받고 있는 차세대 디스플레이 중 하나로서는, 유기발광 디스플레이(OLED: Organic Light Emitting Display)가 있다.In the field of flat panel display devices, a liquid crystal display device (LCD), which is light and has low power consumption, has been the most popular display device, but the liquid crystal display device is not a light emitting device but a light receiving device, and has a brightness and contrast ratio. ratio) and viewing angles, etc., development of a new display device capable of overcoming these disadvantages has been actively developed. Among them, an organic light emitting display (OLED) is one of the next-generation displays that have recently been spotlighted.

일반적으로 디스플레이 장치에서는 강도 및 투과성이 우수한 유리 기판이 사용되고 있는데, 최근 디스플레이 장치는 슬림화 및 고화소(high-pixel)를 지향하기 때문에, 이에 상응하는 유리 기판이 준비될 수 있어야 한다.In general, a glass substrate having excellent strength and transmittance is used in a display device. Recently, since a display device is directed toward slimming and high-pixel, a corresponding glass substrate must be prepared.

일 예로, OLED 공정 중 하나로서, 비정질실리콘(a-Si)에 레이저를 주사하여 폴리실리콘(poly-Si)으로 결정화하는 ELA(Eximer Laser Annealing) 공정에서는 폴리실리콘이 결정화되면서 표면에 돌기가 발생할 수 있고, 이러한 돌기는 무라 현상(mura-effects)을 발생시킬 수 있으므로, 유리 기판은 돌기가 제거되도록 연마 처리될 수 있어야 한다.For example, as one of the OLED processes, in the laser laser annealing (ELA) process in which amorphous silicon (a-Si) is injected and crystallized into polysilicon (poly-Si), protrusions may occur on the surface while polysilicon is crystallized. Since these projections can cause mura-effects, the glass substrate must be polished to remove the projections.

이를 위해, 최근에는 기판의 표면을 효율적으로 연마하기 위한 다양한 검토가 이루어지고 있으나, 아직 미흡하여 이에 대한 개발이 요구되고 있다.To this end, in recent years, various studies have been conducted to efficiently polish the surface of the substrate, but it is still insufficient to develop it.

본 발명은 기판의 처리 효율을 높이고, 연마 안정성 및 연마 균일도를 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of improving the processing efficiency of a substrate and improving polishing stability and polishing uniformity.

특히, 본 발명은 기판의 가장자리 부위에서 연마 유닛이 기판으로부터 리바운드되는 현상을 최소화할 수 있으며, 기판의 가장자리 부위를 보다 효과적으로 연마할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.In particular, the present invention aims to minimize the phenomenon that the polishing unit rebounds from the substrate at the edge of the substrate, and to more effectively polish the edge of the substrate.

또한, 본 발명은 다양한 사이즈의 기판을 처리할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to enable processing of substrates of various sizes.

또한, 본 발명은 기판의 처리 공정을 간소화하고, 처리 시간을 단축할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to simplify the processing process of the substrate and to shorten the processing time.

또한, 본 발명은 기판을 연속적으로 공급하여 처리할 수 있으며, 생산성 및 수율을 향상시킬 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to be able to process by continuously supplying a substrate, and to improve productivity and yield.

또한, 본 발명은 설비를 간소화할 수 있으며, 제조 비용을 절감할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.In addition, the present invention aims to simplify the equipment and to reduce manufacturing costs.

상술한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 본 발명은, 기판이 거치되는 기판거치부와, 기판의 사이즈에 대응하여 기판의 둘레 주변을 감싸도록 구비되는 리테이너 조립체와, 기판의 상면을 연마하는 연마 유닛을 포함하는 기판 처리 장치를 제공한다.The present invention for achieving the above object of the present invention, the substrate mounting portion on which the substrate is mounted, a retainer assembly provided to surround the periphery of the substrate corresponding to the size of the substrate, and a polishing unit for polishing the top surface of the substrate It provides a substrate processing apparatus comprising a.

상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 기판의 연마 효율을 높이고, 연마 안정성 및 연마 균일도를 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.According to the present invention as described above, it is possible to obtain an advantageous effect of increasing the polishing efficiency of the substrate and improving polishing stability and polishing uniformity.

특히, 본 발명에 따르면 기판의 가장자리 부위에서 연마 유닛이 기판으로부터 리바운드되는 현상을 최소화할 수 있으며, 기판의 가장자리 부위를 보다 효과적으로 연마하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In particular, according to the present invention, the phenomenon that the polishing unit is rebound from the substrate at the edge portion of the substrate can be minimized, and an advantageous effect of polishing the edge portion of the substrate more effectively can be obtained.

또한, 본 발명에 따르면 기판의 가장자리 부위에서의 연마가 행해지지 않는 비연마 영역(dead zone)이 발생되는 것을 최소할 수 있으며, 생산성 및 수율을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In addition, according to the present invention, it is possible to minimize the occurrence of a non-polishing zone (dead zone) in which polishing is not performed at the edge portion of the substrate, and advantageous effects of improving productivity and yield can be obtained.

또한, 본 발명은 다양한 사이즈의 기판을 효율적으로 처리하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In addition, the present invention can obtain advantageous effects of efficiently processing substrates of various sizes.

또한, 본 발명에 따르면 기판의 처리 공정을 간소화하고, 처리 시간을 단축하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Further, according to the present invention, it is possible to obtain an advantageous effect of simplifying the processing process of the substrate and shortening the processing time.

또한, 본 발명에 따르면, 기판을 연속적으로 공급하여 처리하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Further, according to the present invention, it is possible to obtain an advantageous effect of continuously supplying and processing the substrate.

또한, 본 발명에 따르면, 설비를 간소화하고, 제조 비용을 절감할 수 있으며, 공간활용성을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In addition, according to the present invention, it is possible to simplify the equipment, reduce manufacturing costs, and obtain an advantageous effect of improving space utilization.

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 도시한 평면도,
도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 연마 파트를 설명하기 위한 사시도,
도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 연마 파트를 설명하기 위한 측면도,
도 4 내지 도 6은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 기판의 로딩 공정을 설명하기 위한 도면,
도 7 및 도 8은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 리테이너 조립체를 설명하기 위한 평면도,
도 9는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 리테이너 조립체를 설명하기 위한 단면도,
도 10은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 연마 유닛의 연마 경로를 설명하기 위한 평면도,
도 11은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 연마 유닛의 연마 경로의 다른 예를 설명하기 위한 평면도,
도 12 내지 도 15는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 리테이너 조립체의 다른 예를 설명하기 위한 평면도,
도 16 및 도 17은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 기판의 언로딩 공정을 설명하기 위한 도면,
도 18은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 리테이너 조립체의 또 다른 예를 설명하기 위한 평면도이다.1 is a plan view showing the configuration of a substrate processing apparatus according to the present invention,
2 is a substrate processing apparatus according to the present invention, a perspective view for explaining a polishing part,
3 is a substrate processing apparatus according to the present invention, a side view for explaining a polishing part,
4 to 6 is a substrate processing apparatus according to the present invention, a view for explaining the loading process of the substrate,
7 and 8 is a substrate processing apparatus according to the present invention, a plan view for explaining the retainer assembly,
9 is a substrate processing apparatus according to the present invention, a cross-sectional view for explaining the retainer assembly,
10 is a substrate processing apparatus according to the present invention, a plan view for explaining the polishing path of the polishing unit,
11 is a substrate processing apparatus according to the present invention, a plan view for explaining another example of the polishing path of the polishing unit,
12 to 15 is a substrate processing apparatus according to the present invention, a plan view for explaining another example of the retainer assembly,
16 and 17 is a substrate processing apparatus according to the present invention, a view for explaining the unloading process of the substrate,
18 is a plan view for explaining another example of a retainer assembly as a substrate processing apparatus according to the present invention.

이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 참고로, 본 설명에서 동일한 번호는 실질적으로 동일한 요소를 지칭하며, 이러한 규칙 하에서 다른 도면에 기재된 내용을 인용하여 설명할 수 있고, 당업자에게 자명하다고 판단되거나 반복되는 내용은 생략될 수 있다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited or limited by the embodiments. For reference, in the present description, the same numbers refer to substantially the same elements, and the contents described in other drawings may be cited and described under these rules, and repeated contents that are deemed to be obvious to those skilled in the art or may be omitted.

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 도시한 평면도이고, 도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 연마 파트를 설명하기 위한 사시도이며, 도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 연마 파트를 설명하기 위한 측면도이다. 또한, 도 4 내지 도 6은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 기판의 로딩 공정을 설명하기 위한 도면이다. 그리고, 도 7 및 도 8은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 리테이너 조립체를 설명하기 위한 평면도이고, 도 9는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 리테이너 조립체를 설명하기 위한 단면도이다. 또한, 도 10은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 연마 유닛의 연마 경로를 설명하기 위한 평면도이고, 도 11은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 연마 유닛의 연마 경로의 다른 예를 설명하기 위한 평면도이다. 또한, 도 12 내지 도 15는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 리테이너 조립체의 다른 예를 설명하기 위한 평면도이고, 도 16 및 도 17은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 기판의 언로딩 공정을 설명하기 위한 도면이다.1 is a plan view showing the configuration of a substrate processing apparatus according to the present invention, FIG. 2 is a substrate processing apparatus according to the present invention, a perspective view for explaining a polishing part, and FIG. 3 is a substrate processing apparatus according to the present invention , It is a side view for explaining the polishing part. 4 to 6 is a substrate processing apparatus according to the present invention, a view for explaining the loading process of the substrate. 7 and 8 are plan views for explaining a retainer assembly as a substrate processing apparatus according to the present invention, and FIG. 9 is a cross-sectional view for explaining a retainer assembly as a substrate processing apparatus according to the present invention. In addition, Figure 10 is a substrate processing apparatus according to the present invention, a plan view for explaining the polishing path of the polishing unit, Figure 11 is a substrate processing apparatus according to the present invention, for explaining another example of the polishing path of the polishing unit It is a top view. In addition, FIGS. 12 to 15 are substrate processing apparatuses according to the present invention, and are plan views for explaining another example of a retainer assembly, and FIGS. 16 and 17 are substrate processing apparatuses according to the present invention. It is a figure for illustration.

도 1 내지 도 17을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(10)는, 기판(W)이 거치되는 기판거치부(201)와, 기판(W)의 사이즈에 대응하여 기판(W)의 둘레 주변을 감싸도록 구비되는 리테이너 조립체(214)와, 기판(W)의 상면을 연마하는 연마 유닛(230)을 포함한다.1 to 17, the substrate processing apparatus 10 according to the present invention includes a substrate mounting portion 201 on which the substrate W is mounted and a size of the substrate W corresponding to the size of the substrate W. It includes a retainer assembly 214 provided to surround the periphery, and a polishing unit 230 for polishing the top surface of the substrate W.

이는, 기판의 처리 효율을 높이고, 연마 안정성 및 연마 균일도를 향상시키기 위함이다.This is to improve the processing efficiency of the substrate, and to improve the polishing stability and polishing uniformity.

즉, 기판거치부에 기판이 거치된 상태에서는 기판이 거치되는 기판거치부의 거치면으로부터 기판이 돌출되게 배치되며, 기판의 내측 영역(기판의 상면)과 기판의 외측 영역의 경계(기판의 가장자리)에서는 단차가 발생하게 된다. 그런데, 연마 유닛에 의한 기판의 연마가 행해지는 중에 연마 유닛의 기판의 가장자리를 통과하게 되면 기판의 가장자리에서의 단차에 의해 연마 유닛이 기판으로부터 리바운드되는 현상이 발생하는 문제점이 있다.That is, in the state where the substrate is mounted on the substrate mounting portion, the substrate is disposed to protrude from the mounting surface of the substrate mounting portion where the substrate is mounted, and at the boundary (the edge of the substrate) between the inner region of the substrate (the upper surface of the substrate) and the outer region of the substrate. Steps will occur. However, when the substrate is polished by the polishing unit and passes through the edge of the substrate of the polishing unit, there is a problem in that the polishing unit is rebound from the substrate due to a step at the edge of the substrate.

특히, 연마 유닛이 기판의 외측 영역에서 기판의 상면보다 낮은 높이에 배치되어 있다가 기판의 내측 영역으로 진입하게 되면, 기판의 가장자리에서의 단차(연마 유닛의 저면과 기판의 상면 간의 높이차)에 의해 연마 유닛이 기판에 부딪히며 기판으로부터 리바운드되는 현상이 발생하게 된다. 이와 같이, 기판의 가장자리 영역에서 연마 유닛의 리바운드 현상이 발생하게 되면, 기판의 가장자리 영역에서의 연마 균일도가 보장되지 못하고, 심한 경우에는 기판의 가장자리 영역에서 비연마 영역(dead zone)(연마패드에 의한 연마가 행해지지 않는 영역)이 발생하게 되는 문제점이 있다. 일 예로, 기판의 가장자리로부터 기판의 내측으로 10㎜ 정도 영역(패턴이 형성되어 있는 영역)에 해당되는 기판의 가장자리 영역이 연마 유닛에 의해 연마되지 못하는 문제점이 있다.In particular, when the polishing unit is disposed at a height lower than the upper surface of the substrate in the outer region of the substrate and then enters the inner region of the substrate, the step at the edge of the substrate (height difference between the bottom surface of the polishing unit and the top surface of the substrate) This causes the polishing unit to strike the substrate and rebound from the substrate. As described above, when the rebound phenomenon of the polishing unit occurs in the edge region of the substrate, polishing uniformity in the edge region of the substrate is not guaranteed, and in severe cases, a dead zone (on the polishing pad) in the edge region of the substrate. There is a problem in that a region where polishing is not performed) occurs. For example, there is a problem in that an edge region of a substrate corresponding to an area (a region where a pattern is formed) of about 10 mm from the edge of the substrate to the inside of the substrate cannot be polished by the polishing unit.

하지만, 본 발명은 기판(W)의 가장자리 주변에 기판(W)과 비슷한 높이를 갖는 리테이너 조립체(214)를 마련하는 것에 의하여, 연마 공정 중에 연마 유닛(230)이 기판(W)의 외측 영역에서 기판(W)의 내측 영역으로 이동하거나, 기판(W)의 내측 영역에서 기판(W)의 외측 영역으로 이동하는 중에, 기판(W)의 내측 영역과 외측 영역 간의 높이 편차에 따른 연마 유닛(230)의 리바운드 현상을 최소화할 수 있으며, 리바운드 현상에 의해 비연마 영역이 발생하는 것을 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.However, the present invention provides a retainer assembly 214 having a height similar to that of the substrate W around the edge of the substrate W, so that the polishing unit 230 is located in the outer region of the substrate W during the polishing process. While moving to the inner region of the substrate W or from the inner region of the substrate W to the outer region of the substrate W, the polishing unit 230 according to the height difference between the inner region and the outer region of the substrate W ), It is possible to minimize the rebound phenomenon, it is possible to obtain an advantageous effect of minimizing the occurrence of the non-polishing region by the rebound phenomenon.

무엇보다도, 본 발명은 리테이너 조립체(214)가 기판(W)의 사이즈에 대응하여 기판의 둘레 주변을 감싸도록 하는 것에 의하여, 기판의 사이즈 변화에 따라 리테이너 조립체(214)의 구조를 가변시킬 수 있으므로, 리테이너 조립체(214)가 장착되는 이송 벨트를 통째로 교체하지 않고도 다양한 사이즈의 기판을 처리할 수 있으므로, 기판의 처리 효율을 높이는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Above all, according to the present invention, the structure of the retainer assembly 214 can be changed according to the size change of the substrate by allowing the retainer assembly 214 to wrap around the periphery of the substrate corresponding to the size of the substrate W. , Since the substrate of various sizes can be processed without having to completely replace the transfer belt on which the retainer assembly 214 is mounted, an advantageous effect of increasing the processing efficiency of the substrate can be obtained.

즉, 단 하나의 리테이너가 이송 벨트에 일체로 고정된 구조에서는 리테이너와 다른 사이즈(예를 들어, 큰 사이즈)를 갖는 기판이 리테이너의 내부에 수용될 수 없고, 다른 사이즈의 기판을 처리하기 위해서는 불가피하게 다른 사이즈의 리테이너(다른 사이즈의 기판이 수용될 수 있는 리테이너)가 장착된 이송 벨트로 교체해야 하는 번거로움이 있다. 하지만, 본 발명은 기판의 사이즈 변화에 대응하여 리테이너 조립체(214)에 의해 형성되는 기판수용부(215a,216a)의 사이즈를 가변시킬 수 있으므로, 리테이너 조립체(214)가 장착되는 이송 벨트(210)를 통째로 교체하지 않고도 다양한 사이즈의 기판을 처리 가능한 이점이 있다.That is, in a structure in which only one retainer is integrally fixed to the transfer belt, a substrate having a size different from the retainer (for example, a large size) cannot be accommodated inside the retainer, and it is inevitable to process a substrate of a different size. There is a hassle that needs to be replaced with a transfer belt equipped with retainers of different sizes (retainers that can accommodate different sizes of substrates). However, the present invention can change the size of the substrate receiving portions 215a and 216a formed by the retainer assembly 214 in response to a change in the size of the substrate, and thus the transfer belt 210 to which the retainer assembly 214 is mounted. It has the advantage of being able to process substrates of various sizes without having to replace the whole.

기판거치부(201)는 로딩 파트(100)와 언로딩 파트(300)의 사이에 배치되고, 로딩 파트(100)에 공급된 기판(W)은 기판거치부(201)로 이송되어 기판거치부(201)에 안착된 상태에서 연마된 후, 언로딩 파트(300)를 통해 언로딩된다.The substrate mounting portion 201 is disposed between the loading part 100 and the unloading part 300, and the substrate W supplied to the loading part 100 is transferred to the substrate mounting portion 201 to thereby transport the substrate mounting portion After being polished while seated at 201, it is unloaded through the unloading part 300.

보다 구체적으로, 로딩 파트(100)는 연마 처리될 기판(W)을 연마 파트(200)에 로딩하기 위해 마련된다.More specifically, the loading part 100 is provided to load the substrate W to be polished to the polishing part 200.

로딩 파트(100)는 연마 파트(200)에 기판(W)을 로딩 가능한 다양한 구조로 형성될 수 있으며, 로딩 파트(100)의 구조에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.The loading part 100 may be formed of various structures capable of loading the substrate W on the polishing part 200, and the present invention is not limited or limited by the structure of the loading part 100.

일 예로, 로딩 파트(100)는 이송 벨트(210)와 동일한 높이에서 기판(W)을 이송하도록 마련되되, 소정 간격을 두고 이격되게 배치되는 복수개의 로딩 이송 롤러(110)를 포함하며, 복수개의 로딩 이송 롤러(110)의 상부에 공급된 기판(W)은 로딩 이송 롤러(110)가 회전함에 따라 복수개의 로딩 이송 롤러(110)에 의해 상호 협조적으로 이송된다. 경우에 따라서는 로딩 파트가 로딩 이송 롤러에 의해 순환 회전하는 순환 벨트를 포함하여 구성되는 것도 가능하다.For example, the loading part 100 is provided to transport the substrate W at the same height as the transport belt 210, and includes a plurality of loading transport rollers 110 spaced apart at predetermined intervals, and a plurality of The substrate W supplied to the upper portion of the loading transfer roller 110 is transported cooperatively by a plurality of loading transfer rollers 110 as the loading transfer roller 110 rotates. In some cases, it is also possible that the loading part comprises a circulating belt that rotates cyclically by a loading conveying roller.

여기서, 로딩 파트(100)와 이송 벨트(210)가 동일한 높이에서 기판(W)을 이송한다 함은, 로딩 파트(100)에서 기판(W)이 이송되는 높이와, 이송 벨트(210)에서 기판(W)이 안착 및 이송되는 높이가 서로 동일한 것으로 정의된다.Here, the loading part 100 and the transfer belt 210 transfer the substrate W at the same height is the height at which the substrate W is transferred from the loading part 100 and the substrate at the transfer belt 210 It is defined that the heights at which the W is settled and transferred are the same.

아울러, 로딩 파트(100)에 공급되는 기판(W)은 로딩 파트(100)로 공급되기 전에 얼라인 유닛(미도시)에 의해 자세 및 위치가 정해진 자세와 위치로 정렬될 수 있다.In addition, the substrate W supplied to the loading part 100 may be aligned in a posture and position in which posture and position are determined by an alignment unit (not shown) before being supplied to the loading part 100.

참고로, 본 발명에서 사용되는 기판(W)으로서는 일측변의 길이가 1m 보다 큰 사각형 기판(W)이 사용될 수 있다. 일 예로, 화학 기계적 연마 공정이 수행되는 피처리 기판(W)으로서, 1500㎜*1850㎜의 사이즈를 갖는 6세대 유리 기판(W)이 사용될 수 있다. 경우에 따라서는 7세대 및 8세대 유리 기판이 피처리 기판(W)으로 사용되는 것도 가능하다. 다르게는, 다르게는 일측변의 길이가 1m 보다 작은 기판(예를 들어, 2세대 유리 기판)이 사용되는 것도 가능하다.For reference, as the substrate W used in the present invention, a rectangular substrate W having a side length greater than 1 m may be used. For example, as the substrate W to which the chemical mechanical polishing process is performed, a 6th generation glass substrate W having a size of 1500 mm * 1850 mm may be used. In some cases, 7th and 8th generation glass substrates may be used as the substrate to be processed (W). Alternatively, alternatively, it is also possible that a substrate having a length of one side smaller than 1 m (for example, a second-generation glass substrate) is used.

기판거치부(201)와, 리테이너 조립체(214)와, 연마 유닛(230)은 로딩 파트(100)와 언로딩 파트(300)의 사이에서 연마 파트(200)를 구성하도록 마련된다.The substrate mounting portion 201, the retainer assembly 214, and the polishing unit 230 are provided to constitute the polishing part 200 between the loading part 100 and the unloading part 300.

기판거치부(201)는 기판을 거치 가능한 다양한 구조로 마련될 수 있으며, 기판거치부(201)의 구조 및 형태는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다.The substrate mounting portion 201 may be provided in various structures capable of mounting the substrate, and the structure and shape of the substrate mounting portion 201 may be variously changed according to required conditions and design specifications.

일 예로, 기판거치부(201)는, 정해진 경로를 따라 순환 회전 가능하게 구비되며 외표면에 기판(W)이 안착되는 이송 벨트(210)와, 이송 벨트(210)의 내부에 배치되며 기판(W)의 저면을 지지하는 기판지지부(220)를 포함한다.For example, the substrate mounting portion 201 is provided to be rotatable along a predetermined path and is disposed inside the transfer belt 210 and the transfer belt 210 on which the substrate W is mounted on the outer surface, and the substrate ( It includes a substrate support 220 for supporting the bottom surface of the W).

참고로, 본 발명에서 연마 파트(200)가 기판(W)을 연마한다 함은, 연마 파트(200)가 기판(W)에 대한 기계적 연마 공정 또는 화학 기계적 연마(CMP) 공정에 의해 기판(W)을 연마하는 것으로 정의된다. 일 예로, 연마 파트(200)에서는 기판(W)에 대한 기계적 연마가 행해지는 동안 화학적 연마를 위한 슬러리가 함께 공급되며 화학 기계적 연마(CMP) 공정이 행해진다.For reference, in the present invention, the polishing part 200 polishes the substrate W means that the polishing part 200 is subjected to a substrate W by a mechanical polishing process for the substrate W or a chemical mechanical polishing (CMP) process. ). As an example, in the polishing part 200, while mechanical polishing is performed on the substrate W, a slurry for chemical polishing is supplied together and a chemical mechanical polishing (CMP) process is performed.

이송 벨트(210)는, 로딩 파트(100)에 인접하게 배치되며, 정해진 경로를 따라 무한 루프 방식으로 순환 회전하도록 구성된다. 로딩 파트(100)에서 이송 벨트(210)로 이송된 기판(W)은 이송 벨트(210)의 외표면에 안착된 상태에서 이송 벨트(210)가 순환 회전함에 따라 이송된다.The transfer belt 210 is disposed adjacent to the loading part 100 and is configured to rotate in an infinite loop manner along a predetermined path. The substrate W transferred from the loading part 100 to the transfer belt 210 is transferred as the transfer belt 210 rotates circulating while seated on the outer surface of the transfer belt 210.

보다 구체적으로, 로딩 파트(100)에서 이송 벨트(210)로 이송된 기판(W)은 이송 벨트(210)가 순환 회전함에 따라 이송 벨트(210)의 외표면에 안착된 상태로 연마 위치(PZ)(기판지지부의 상부 위치)로 이송될 수 있다. 또한, 연마가 완료된 기판(W)은 이송 벨트(210)가 순환 회전함에 따라 연마 위치(PZ)에서 언로딩 파트(300) 측으로 이송될 수 있다.More specifically, the substrate W transferred from the loading part 100 to the transfer belt 210 is a polishing position (PZ) while being seated on the outer surface of the transfer belt 210 as the transfer belt 210 rotates in circulation. ) (Upper position of the substrate support). In addition, the substrate W, which has been polished, may be transferred from the polishing position PZ to the unloading part 300 side as the transport belt 210 rotates.

이송 벨트(210)의 순환 회전은 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양한 방식으로 행해질 수 있다. 일 예로, 이송 벨트(210)는 롤러 유닛(212)에 의해 정해지는 경로를 따라 순환 회전하고, 이송 벨트(210)의 순환 회전에 의하여 이송 벨트(210)에 안착된 기판(W)이 직선 이동 경로를 따라 이송된다.The circulating rotation of the transfer belt 210 can be done in various ways depending on the required conditions and design specifications. For example, the transfer belt 210 rotates circulatingly along a path determined by the roller unit 212, and the substrate W seated on the transfer belt 210 moves linearly by the rotational rotation of the transfer belt 210. It is transported along the path.

이송 벨트(210)의 이동 경로(예를 들어, 순환 경로)는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 일 예로, 롤러 유닛(212)은 제1롤러(212a)와, 제1롤러(212a)로부터 수평하게 이격되게 배치되는 제2롤러(212b)를 포함하며, 이송 벨트(210)는 제1롤러(212a)와 제2롤러(212b)에 의해 무한 루프 방식으로 순환 회전한다.The movement path (eg, a circulation path) of the transfer belt 210 may be variously changed according to required conditions and design specifications. For example, the roller unit 212 includes a first roller 212a and a second roller 212b disposed horizontally spaced from the first roller 212a, and the transfer belt 210 includes a first roller ( 212a) and the second roller 212b rotates in an infinite loop manner.

참고로, 이송 벨트(210)의 외표면이라 함은, 이송 벨트(210)의 외측에 노출되는 외측 표면을 의미하며, 이송 벨트(210)의 외표면에는 기판(W)이 안착된다. 그리고, 이송 벨트(210)의 내표면이라 함은, 제1롤러(212a)와 제2롤러(212b)가 접촉되는 이송 벨트(210)의 내측 표면을 의미한다. For reference, the outer surface of the transfer belt 210 means an outer surface exposed to the outside of the transfer belt 210, and a substrate W is mounted on the outer surface of the transfer belt 210. In addition, the inner surface of the transfer belt 210 means an inner surface of the transfer belt 210 in which the first roller 212a and the second roller 212b contact.

또한, 제1롤러(212a)와 제2롤러(212b) 중 어느 하나 이상은 선택적으로 서로 접근 및 이격되는 방향으로 직선 이동하도록 구성될 수 있다. 일 예로, 제1롤러(212a)는 고정되는 제2롤러(212b)는 제1롤러(212a)에 접근 및 이격되는 방향으로 직선 이동하도록 구성될 수 있다. 이와 같이, 제조 공차 및 조립 공차 등에 따라 제1롤러(212a)에 대해 제2롤러(212b)가 접근 및 이격되도록 하는 것에 의하여, 이송 벨트(210)의 장력을 조절할 수 있다.In addition, any one or more of the first roller 212a and the second roller 212b may be configured to move linearly in a direction that is selectively approached and separated from each other. For example, the first roller 212a is fixed and the second roller 212b may be configured to move linearly in a direction approaching and spaced apart from the first roller 212a. In this way, the tension of the transfer belt 210 can be adjusted by allowing the second roller 212b to approach and be spaced apart from the first roller 212a according to manufacturing tolerances and assembly tolerances.

여기서, 이송 벨트(210)의 장력을 조절한다 함은, 이송 벨트(210)를 팽팽하게 잡아 당기거나 느슨하게 풀어 장력을 조절하는 것으로 정의된다. 경우에 따라서는, 별도의 장력 조절 롤러를 마련하고, 장력 조절 롤러를 이동시켜 이송 벨트의 장력을 조절하는 것도 가능하다. 하지만, 구조 및 공간활용성을 향상시킬 수 있도록 제1롤러와 제2롤러 중 어느 하나 이상을 이동시키는 것이 바람직하다.Here, adjusting the tension of the transfer belt 210 is defined as adjusting the tension by pulling or loosening the transfer belt 210 tautly. In some cases, it is also possible to provide a separate tension adjusting roller and adjust the tension of the transport belt by moving the tension adjusting roller. However, it is preferable to move any one or more of the first roller and the second roller to improve the structure and space utilization.

또한, 도 9를 참조하면, 이송 벨트(210)의 외표면에는 기판(W)에 대한 마찰계수를 높여서 슬립을 억제하는 제1표면층(210b)이 형성된다.In addition, referring to FIG. 9, a first surface layer 210b is formed on the outer surface of the transfer belt 210 to suppress slip by increasing a friction coefficient with respect to the substrate W.

이와 같이, 이송 벨트(210)의 외표면에 제1표면층(210b)을 형성하는 것에 의하여, 기판(W)이 이송 벨트(210)의 외표면에 안착된 상태에서, 이송 벨트(210)에 대한 기판(W)의 이동을 구속(미끄러짐을 구속)할 수 있으며, 기판(W)의 배치 위치를 안정적으로 유지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.As described above, by forming the first surface layer 210b on the outer surface of the transfer belt 210, the substrate W is seated on the outer surface of the transfer belt 210, with respect to the transfer belt 210. It is possible to constrain the movement of the substrate W (constrain slippage), and an advantageous effect of stably maintaining the placement position of the substrate W can be obtained.

제1표면층(210b)은 기판(W)과의 접합성을 갖는 다양한 재질로 형성될 수 있으며, 제1표면층(210b)의 재질에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 일 예로, 제1표면층(210b)은 신축성 및 점착성(마찰력)이 우수한 엔지니어링 플라스틱, 폴리우레탄 중 어느 하나 이상으로 형성된다.The first surface layer 210b may be formed of various materials having bonding properties with the substrate W, and the present invention is not limited or limited by the material of the first surface layer 210b. For example, the first surface layer 210b is formed of any one or more of engineering plastics and polyurethanes having excellent elasticity and adhesion (friction).

더욱이, 신축성을 갖는 제1표면층(210b)을 이송 벨트(210)의 외표면에 형성하는 것에 의하여, 기판(W)과 이송 벨트(210)의 사이에 이물질이 유입되더라도 이물질의 두께만큼 이물질이 위치한 부분에서 제1표면층(210b)이 눌려질 수 있으므로, 이물질에 의한 기판(W)의 높이 편차(이물질에 의해 기판의 특정 부위가 국부적으로 돌출)를 해소할 수 있으며, 기판(W)의 특정 부위가 국부적으로 돌출됨에 따른 연마 균일도 저하를 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Moreover, by forming the first surface layer 210b having elasticity on the outer surface of the transfer belt 210, even if a foreign substance flows between the substrate W and the transfer belt 210, the foreign substance is located by the thickness of the foreign substance. Since the first surface layer 210b may be pressed in the portion, the height deviation of the substrate W due to the foreign material (a specific part of the substrate is locally protruded by the foreign material) can be resolved, and a specific part of the substrate W It is possible to obtain an advantageous effect of minimizing the decrease in polishing uniformity due to the locally protruding.

또한, 이송 벨트(210)의 내표면에는 기판지지부(220)에 대한 마찰계수를 높여서 슬립을 억제하는 제2표면층(210c)이 형성될 수 있다.In addition, a second surface layer 210c may be formed on the inner surface of the transfer belt 210 to suppress slip by increasing the coefficient of friction with respect to the substrate support 220.

이와 같이, 이송 벨트(210)의 내표면에 제2표면층(210c)을 형성하는 것에 의하여, 이송 벨트(210)의 내표면이 기판지지부(220)에 접촉된 상태에서, 기판지지부(220)에 대한 이송 벨트(210)의 이동을 구속(슬립을 구속)할 수 있으며, 이송 벨트(210)의 배치 위치를 안정적으로 유지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In this way, by forming the second surface layer 210c on the inner surface of the transfer belt 210, the inner surface of the transfer belt 210 is in contact with the substrate support portion 220, the substrate support portion 220 It is possible to constrain movement (constrain slip) of the transfer belt 210, and an advantageous effect of stably maintaining the placement position of the transfer belt 210 can be obtained.

제2표면층(210c)은 기판지지부(220)에 대한 마찰력이 우수한 다양한 재질로 형성될 수 있으며, 제2표면층(210c)의 재질에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 일 예로, 제2표면층(210c)은 기판지지부(220)에 대한 마찰력이 우수하며, 기판지지부(220)로부터 쉽게 분리될 수 있는 엔지니어링 플라스틱, 폴리우레탄 중 어느 하나 이상으로 형성된다.The second surface layer 210c may be formed of various materials having excellent frictional force with respect to the substrate support 220, and the present invention is not limited or limited by the material of the second surface layer 210c. For example, the second surface layer 210c is formed of any one or more of engineering plastics and polyurethanes that have excellent frictional force against the substrate support 220 and can be easily separated from the substrate support 220.

바람직하게, 이송 벨트(210)는 제1표면층(210b)과 제2표면층(210c)의 사이에 배치되는 보강층(210a)을 포함한다.Preferably, the transfer belt 210 includes a reinforcing layer 210a disposed between the first surface layer 210b and the second surface layer 210c.

즉, 이송 벨트(210)를 제1표면층(210b)과 제2표면층(210c) 만으로 구성하는 것도 가능하다. 하지만, 이송 벨트(210)가 제1표면층(210b)과 제2표면층(210c) 만으로 구성되면, 연마 공정이 행해지는 중에 이송 벨트(210)의 늘어짐이 과도하게 발생할 수 있으며, 이에 따라 연마 균일도가 저하되는 문제점이 있다. 이에, 본 발명은 제1표면층(210b)과 제2표면층(210c)의 사이에, 높은 내구성 및 강도를 갖는 보강층(210a)을 형성하는 것에 의하여, 연마 공정 중의 이송 벨트(210)의 이동 및 변형을 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.That is, it is also possible to configure the transfer belt 210 only with the first surface layer 210b and the second surface layer 210c. However, if the transfer belt 210 is composed of only the first surface layer 210b and the second surface layer 210c, sagging of the transfer belt 210 may occur excessively during the polishing process, and accordingly the polishing uniformity There is a problem of deterioration. Accordingly, according to the present invention, by forming a reinforcing layer 210a having high durability and strength between the first surface layer 210b and the second surface layer 210c, movement and deformation of the transfer belt 210 during the polishing process The advantageous effect of minimizing can be obtained.

보강층은 높은 내구성 및 강도를 갖는 다양한 재질로 형성될 수 있다. 바람직하게, 보강층은 엔지니어링 플라스틱으로 형성된다. 이때, 보강층은 이송 벨트(210)와 함께 순환 회전하여야 함으로 순환 회전을 보장할 수 있는 두께로 형성될 수 있어야 한다. 일 예로, 엔지니어링 플라스틱 재질의 보강층은 0.1~2㎜의 두께로 형성될 수 있다. 경우에 따라서는, 보강층을 스틸(SUS) 또는 부직포 재질로 형성하는 것도 가능하다.The reinforcing layer may be formed of various materials having high durability and strength. Preferably, the reinforcement layer is formed of engineering plastic. At this time, the reinforcing layer should be able to be formed to a thickness capable of ensuring rotational rotation by rotating together with the transfer belt 210. For example, the reinforcement layer of the engineering plastic material may be formed to a thickness of 0.1 ~ 2㎜. In some cases, the reinforcing layer may be formed of steel (SUS) or a non-woven material.

기판지지부(220)는 이송 벨트(210)의 내부에 배치되며 이송 벨트(210)를 사이에 두고 기판(W)의 저면을 지지하도록 마련된다.The substrate support unit 220 is disposed inside the transfer belt 210 and is provided to support the bottom surface of the substrate W with the transfer belt 210 interposed therebetween.

보다 구체적으로, 기판지지부(220)는 기판(W)의 저면을 마주하도록 이송 벨트(210)의 내부에 배치되며, 이송 벨트(210)의 내표면을 지지한다.More specifically, the substrate support unit 220 is disposed inside the transfer belt 210 to face the bottom surface of the substrate W, and supports the inner surface of the transfer belt 210.

기판지지부(220)는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양한 방식으로 이송 벨트(210)의 내표면을 지지하도록 구성될 수 있다. 일 예로, 기판지지부(220)로서는 석정반이 사용될 수 있으며, 기판지지부(220)는 이송 벨트(210)의 내표면에 밀착되게 배치되어, 이송 벨트(210)의 내표면을 지지한다.The substrate support 220 may be configured to support the inner surface of the transfer belt 210 in various ways depending on the required conditions and design specifications. For example, a crystal plate may be used as the substrate support 220, and the substrate support 220 is disposed in close contact with the inner surface of the transfer belt 210 to support the inner surface of the transfer belt 210.

이와 같이, 기판지지부(220)가 이송 벨트(210)의 내표면을 지지하도록 하는 것에 의하여, 기판(W)의 자중 및 연마 유닛(230)이 기판(W)을 가압함에 따른 이송 벨트(210)의 처짐을 방지할 수 있다.As described above, by allowing the substrate supporter 220 to support the inner surface of the transfer belt 210, the weight of the substrate W and the transfer unit 210 as the polishing unit 230 presses the substrate W Can prevent sagging.

이하에서는 기판지지부(220)가 대략 사각 플레이트 형상으로 형성된 예를 들어 설명하기로 한다. 경우에 따라서는 기판지지부가 여타 다른 형상 및 구조로 형성될 수 있으며, 2개 이상의 기판지지부에 의해 이송 벨트의 내면을 지지하는 것도 가능하다.Hereinafter, an example in which the substrate support part 220 is formed in a substantially rectangular plate shape will be described. In some cases, the substrate support may be formed in other shapes and structures, and it is also possible to support the inner surface of the transfer belt by two or more substrate supports.

한편, 전술 및 도시한 본 발명의 실시예에서는 기판지지부(220)가 접촉 방식으로 이송 벨트(210)의 내표면을 지지하도록 구성된 예를 들어 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 기판지지부가 이송 벨트의 내표면을 비접촉 방식으로 지지하도록 구성하는 것도 가능하다.On the other hand, in the above-described and illustrated embodiment of the present invention, the substrate support 220 is described as an example configured to support the inner surface of the transfer belt 210 in a contact manner, but in some cases, the substrate support is of the transfer belt It is also possible to configure the inner surface to be supported in a non-contact manner.

예를 들어, 기판지지부는 이송 벨트의 내표면에 이격되게 배치되며, 이송 벨트의 내표면을 비접촉 상태로 지지할 수 있다.For example, the substrate support is spaced apart from the inner surface of the transfer belt, and can support the inner surface of the transfer belt in a non-contact state.

기판지지부는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양한 방식으로 이송 벨트의 내표면을 비접촉 방식으로 지지하도록 구성될 수 있다. 일 예로, 기판지지부는 이송 벨트의 내표면에 유체를 분사하고, 유체에 의한 분사력에 의해 이송 벨트의 내표면을 지지하도록 구성된다.The substrate support may be configured to support the inner surface of the transfer belt in a non-contact manner in various ways depending on the required conditions and design specifications. For example, the substrate support portion is configured to inject fluid into the inner surface of the transfer belt, and support the inner surface of the transfer belt by an injection force by the fluid.

이때, 기판지지부는 이송 벨트(210)의 내표면에 기체(예를 들어, 공기)와 액체(예를 들어, 순수) 중 적어도 어느 하나를 분사할 수 있으며, 유체의 종류는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다.At this time, the substrate support portion may inject at least one of a gas (for example, air) and a liquid (for example, pure water) to the inner surface of the transfer belt 210. It can be changed in various ways depending on the specifications.

이와 같이, 이송 벨트의 내표면을 비접촉 상태로 지지하는 것에 의하여, 마찰 저항(이송 벨트의 이동(회전)을 방해하는 인자)에 의한 처리 효율 저하를 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Thus, by supporting the inner surface of the conveyance belt in a non-contact state, an advantageous effect of minimizing the reduction in processing efficiency due to frictional resistance (a factor that prevents movement (rotation) of the conveyance belt) can be obtained.

경우에 따라서는, 기판지지부가 자기력(예를 들어, 척력; repulsive force) 또는 초음파 진동에 의한 부상력을 이용하여 이송 벨트의 내표면을 비접촉 방식으로 지지하도록 구성하는 것도 가능하다.In some cases, it is also possible to configure the substrate support to support the inner surface of the transfer belt in a non-contact manner by using a magnetic force (for example, repulsive force) or a floating force caused by ultrasonic vibration.

연마 유닛(230)은 기판(W)의 표면에 접촉된 상태로 기판(W)의 표면을 연마하도록 마련된다.The polishing unit 230 is provided to polish the surface of the substrate W in contact with the surface of the substrate W.

일 예로, 연마 유닛(230)은 기판(W)보다 작은 사이즈로 형성되며, 기판(W)에 접촉된 상태로 자전하면서 이동하는 연마패드(232)를 포함한다.For example, the polishing unit 230 is formed to have a smaller size than the substrate W, and includes a polishing pad 232 that moves while rotating in contact with the substrate W.

보다 구체적으로, 연마패드(232) 캐리어(미도시)에 장착되며, 기판(W)의 표면에 접촉된 상태로 자전하면서 기판(W)의 표면을 선형 연마(평탄화)한다.More specifically, the polishing pad 232 is mounted on a carrier (not shown), and linearly polishes (flattens) the surface of the substrate W while rotating in contact with the surface of the substrate W.

연마패드(232) 캐리어는 연마패드(232)를 자전시킬 수 있는 다양한 구조로 형성될 수 있으며, 연마패드(232) 캐리어의 구조에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 일 예로, 연마패드(232) 캐리어는 하나의 몸체로 구성되거나, 복수개의 몸체가 결합되어 구성될 수 있으며, 구동 샤프트(미도시)와 연결되어 회전하도록 구성된다. 또한, 연마패드(232) 캐리어에는 연마패드(232)를 기판(W)의 표면에 가압하기 위한 가압부(예를 들어, 공압으로 연마패드(232)를 가압하는 공압가압부)가 구비된다.The polishing pad 232 carrier may be formed of various structures capable of rotating the polishing pad 232, and the present invention is not limited or limited by the structure of the polishing pad 232 carrier. As an example, the carrier of the polishing pad 232 may be configured as one body, or may be configured by combining a plurality of bodies, and is configured to rotate in connection with a drive shaft (not shown). In addition, the carrier of the polishing pad 232 is provided with a pressing portion (for example, a pneumatic pressing portion for pressing the polishing pad 232 with pneumatic pressure) for pressing the polishing pad 232 to the surface of the substrate W.

연마패드(232)는 기판(W)에 대한 기계적 연마에 적합한 재질로 형성된다. 예를 들어, 연마패드(232)는 폴리우레탄, 폴리유레아(polyurea), 폴리에스테르, 폴리에테르, 에폭시, 폴리아미드, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 플루오르중합체, 비닐 중합체, 아크릴 및 메타아크릴릭 중합체, 실리콘, 라텍스, 질화 고무, 이소프렌 고무, 부타디엔 고무, 및 스티렌, 부타디엔 및 아크릴로니트릴의 다양한 공중합체를 이용하여 형성될 수 있으며, 연마패드(232)의 재질 및 특성은 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다.The polishing pad 232 is formed of a material suitable for mechanical polishing of the substrate W. For example, the polishing pad 232 is polyurethane, polyurea, polyester, polyether, epoxy, polyamide, polycarbonate, polyethylene, polypropylene, fluoropolymer, vinyl polymer, acrylic and methacrylic polymer, Silicone, latex, nitride rubber, isoprene rubber, butadiene rubber, and may be formed using various copolymers of styrene, butadiene, and acrylonitrile, and the material and properties of the polishing pad 232 are subject to required conditions and design specifications. It can be changed in various ways.

바람직하게 연마패드(232)로서는 기판(W)보다 작은 크기를 갖는 원형 연마패드(232)가 사용된다. 즉, 기판(W)보다 큰 크기를 갖는 연마패드(232)를 사용하여 기판(W)을 연마하는 것도 가능하나, 기판(W)보다 큰 크기를 갖는 연마패드(232)를 사용하게 되면, 연마패드(232)를 자전시키기 위해 매우 큰 회전 장비 및 공간이 필요하기 때문에, 공간효율성 및 설계자유도가 저하되고 안정성이 저하되는 문제점이 있다.Preferably, as the polishing pad 232, a circular polishing pad 232 having a smaller size than the substrate W is used. That is, it is also possible to polish the substrate W using the polishing pad 232 having a size larger than the substrate W, but when using the polishing pad 232 having a size larger than the substrate W, polishing Since a very large rotating equipment and space are required to rotate the pad 232, there is a problem in that space efficiency, design freedom, and stability decrease.

실질적으로, 기판(W)은 적어도 일측변의 길이가 1m 보다 큰 크기를 갖기 때문에, 기판(W)보다 큰 크기를 갖는 연마패드(예를 들어, 1m 보다 큰 직경을 갖는 연마패드)를 자전시키는 것 자체가 매우 곤란한 문제점이 있다. 또한, 비원형 연마패드(예를 들어, 사각형 연마패드)를 사용하면, 자전하는 연마패드에 의해 연마되는 기판(W)의 표면이 전체적으로 균일한 두께로 연마될 수 없다. 하지만, 본 발명은, 기판(W)보다 작은 크기를 갖는 원형 연마패드(232)를 자전시켜 기판(W)의 표면을 연마하도록 하는 것에 의하여, 공간효율성 및 설계자유도를 크게 저하하지 않고도 연마패드(232)를 자전시켜 기판(W)을 연마하는 것이 가능하고, 연마패드(232)에 의한 연마량을 전체적으로 균일하게 유지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Substantially, the substrate W rotates a polishing pad (eg, a polishing pad having a diameter greater than 1 m) having a size larger than the substrate W because at least one side has a size greater than 1 m. There is a very difficult problem itself. In addition, when a non-circular polishing pad (for example, a rectangular polishing pad) is used, the surface of the substrate W polished by the rotating polishing pad cannot be polished to a uniform thickness as a whole. However, the present invention, by rotating the circular polishing pad 232 having a smaller size than the substrate (W) to polish the surface of the substrate (W), without significantly reducing the space efficiency and design freedom polishing pad ( It is possible to polish the substrate W by rotating 232, and an advantageous effect of keeping the amount of polishing by the polishing pad 232 uniform throughout can be obtained.

이때, 연마 유닛(230)의 연마 경로는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다.At this time, the polishing path of the polishing unit 230 may be variously changed according to required conditions and design specifications.

일 예로, 도 10을 참조하면, 연마패드(232)는 기판(W)의 일변에 대해 경사진 제1사선경로(L1)와, 제1사선경로(L1)의 반대 방향으로 경사진 제2사선경로(L2)를 따라 반복적으로 지그재그 이동하면서 기판(W)의 표면을 연마하도록 구성된다.For example, referring to FIG. 10, the polishing pad 232 has a first oblique path L1 inclined with respect to one side of the substrate W and a second oblique inclined in the opposite direction of the first oblique path L1 It is configured to polish the surface of the substrate W while repeatedly zigzag along the path L2.

여기서, 제1사선경로(L1)라 함은, 예를 들어 기판(W)의 밑변에 대해 소정 각도(θ)로 경사진 경로를 의미한다. 또한, 제2사선경로(L2)라 함은, 제1사선경로(L1)와 교차하도록 제1사선경로(L1)의 반대 방향을 향해 소정 각도로 경사진 경로를 의미한다.Here, the first diagonal path L1 means a path inclined at a predetermined angle θ with respect to the underside of the substrate W, for example. In addition, the second diagonal path L2 means a path inclined at a predetermined angle toward the opposite direction of the first diagonal path L1 so as to intersect with the first diagonal path L1.

또한, 본 발명에서 연마패드(232)가 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 따라 반복적으로 지그재그 이동한다 함은, 연마패드(232)가 기판(W)의 표면에 접촉된 상태로 이동하는 중에 기판(W)에 대한 연마패드(232)의 이동 경로가 중단되지 않고 다른 방향으로 전환(제1사선경로에서 제2사선경로로 전환)되는 것으로 정의된다. 다시 말해서, 연마패드(232)는 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 따라 연속적으로 이동하며 연속적으로 연결된 파도 형태의 이동 궤적을 형성한다.In addition, in the present invention, that the polishing pad 232 repeatedly zigzag moves along the first diagonal path L1 and the second diagonal path L2, the polishing pad 232 contacts the surface of the substrate W It is defined that the movement path of the polishing pad 232 with respect to the substrate W is not interrupted while moving to the other state (conversion from the first diagonal path to the second diagonal path) without being interrupted. In other words, the polishing pad 232 continuously moves along the first diagonal path L1 and the second diagonal path L2 and forms a moving trajectory of continuously connected waves.

보다 구체적으로, 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)는 기판(W)의 일변을 기준으로 선대칭이며, 연마패드(232)는 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 따라 반복적으로 지그재그 이동하며 기판(W)의 표면을 연마한다. 이때, 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)가 기판(W)의 일변을 기준으로 선대칭이라 함은, 기판(W)의 일변(11)을 중심으로 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 대칭시켰을 때, 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)가 완전히 겹쳐지는 것을 의미하고, 기판(W)의 일변과 제1사선경로(L1)가 이루는 각도와, 기판(W)의 일변과 제2사선경로(L2)가 이루는 각도가 서로 동일한 것으로 정의된다.More specifically, the first diagonal path L1 and the second diagonal path L2 are line-symmetrical based on one side of the substrate W, and the polishing pad 232 has a first diagonal path L1 and a second diagonal path The surface of the substrate W is polished while repeatedly zigzag along (L2). In this case, the first diagonal path L1 and the second diagonal path L2 are referred to as line symmetry based on one side of the substrate W, and the first diagonal path L1 is centered around one side 11 of the substrate W. ) And the second diagonal path (L2) are symmetrical, it means that the first diagonal path (L1) and the second diagonal path (L2) overlap completely, and one side of the substrate (W) and the first diagonal path (L1) ) And the angle formed by one side of the substrate W and the second diagonal path L2 are defined to be the same.

바람직하게, 연마패드(232)는, 연마패드(232)의 직경보다 작거나 같은 길이를 왕복 이동 피치로 하여 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 따라 기판(W)에 대해 왕복 이동한다. 이하에서는 연마패드(232)가 연마패드(232)의 직경 만큼의 길이를 왕복 이동 피치(P)로 하여 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 따라 기판(W)에 대해 규칙적으로 왕복 이동하는 예를 설명하기로 한다.Preferably, the polishing pad 232 has a length less than or equal to the diameter of the polishing pad 232 as a reciprocating pitch to the substrate W along the first diagonal path L1 and the second diagonal path L2. About to go back and forth. Hereinafter, the length of the polishing pad 232 is equal to the diameter of the polishing pad 232 as a reciprocating pitch P, with respect to the substrate W along the first diagonal path L1 and the second diagonal path L2. An example of regular round trip movement will be described.

이와 같이, 기판(W)에 대해 연마패드(232)가 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 따라 반복적으로 지그재그 이동하면서 기판(W)의 표면을 연마하되, 연마패드(232)가 연마패드(232)의 직경보다 작거나 같은 길이를 왕복 이동 피치(P)로 하여 기판(W)에 대해 전진 이동하도록 하는 것에 의하여, 기판(W)의 전체 표면 영역에서 연마패드(232)에 의한 연마가 누락되는 영역없이 기판(W)의 전체 표면을 규칙적으로 균일하게 연마하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.As described above, the surface of the substrate W is polished while the polishing pad 232 repeatedly zigzag moves along the first and second diagonal paths L1 and L2 with respect to the substrate W. The polishing pad 232 in the entire surface area of the substrate W is allowed to move forward with respect to the substrate W by making the length 232 equal to or smaller than the diameter of the polishing pad 232 as the reciprocating pitch P. It is possible to obtain an advantageous effect of regularly and uniformly polishing the entire surface of the substrate W without a region where polishing by) is omitted.

여기서, 기판(W)에 대해 연마패드(232)가 전진 이동한다 함은, 연마패드(232)가 제1사선경로(L1)와 제2사선경로(L2)를 따라 기판(W)에 대해 이동하면서 기판(W)의 전방을 향해(예를 들어, 도 10을 기준으로 기판의 밑변에서 윗변을 향해) 직진 이동하는 것으로 정의된다. 다시 말해서, 밑변, 빗변, 대변으로 이루어진 직각삼각형을 예를 들면, 직각삼각형의 밑변은 기판(W)의 밑변으로 정의되고, 직각삼각형의 빗변은 제1사선경로(L1) 또는 제2사선경로(L2)로 정의될 수 있으며, 직각삼각형의 대변은 기판(W)에 대한 연마패드(232)의 전진 이동 거리로 정의될 수 있다.Here, when the polishing pad 232 moves forward with respect to the substrate W, the polishing pad 232 moves with respect to the substrate W along the first diagonal path L1 and the second diagonal path L2. While it is defined as moving forward toward the front of the substrate W (for example, from the bottom side to the top side of the substrate based on FIG. 10). In other words, a right triangle having a base, a hypotenuse, and a stool, for example, the base of the right triangle is defined as the base of the substrate W, and the hypotenuse of the right triangle is the first diagonal path L1 or the second diagonal path ( L2), and a right triangle can be defined as a forward movement distance of the polishing pad 232 with respect to the substrate W.

다시 말해서, 연마패드(232)의 직경보다 작거나 같은 길이를 왕복 이동 피치로 하여 기판(W)에 대해 연마패드(232)가 반복적으로 지그재그 이동(제1사선경로와 제2사선경로를 따라 이동)하면서 기판(W)을 연마하도록 하는 것에 의하여, 기판(W)의 전체 표면 영역에서 연마패드(232)에 의한 연마가 누락되는 영역이 발생하는 것을 방지할 수 있으므로, 기판(W)의 두께 편차를 균일하게 제어하고, 기판(W)의 두께 분포를 2차원 판면에 대하여 균일하게 조절하여 연마 품질을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In other words, the polishing pad 232 is repeatedly moved in a zigzag manner with respect to the substrate W by moving the length smaller than or equal to the diameter of the polishing pad 232 to the reciprocating pitch (moving along the first and second diagonal paths) ), By polishing the substrate W, it is possible to prevent the occurrence of a region where polishing by the polishing pad 232 is omitted in the entire surface area of the substrate W, and thus the thickness variation of the substrate W And uniformly control the thickness distribution of the substrate W with respect to the two-dimensional plate surface, thereby obtaining an advantageous effect of improving the polishing quality.

다른 일 예로, 도 11을 참조하면, 연마패드(232)는 기판(W)의 일변 방향을 따른 제1직선경로(L1')와, 제1직선경로(L1')의 반대 방향인 제2직선경로(L2')를 따라 반복적으로 지그재그 이동하면서 기판(W)의 표면을 연마하는 것도 가능하다.As another example, referring to FIG. 11, the polishing pad 232 includes a first straight path L1 'along one side direction of the substrate W and a second straight line opposite to the first straight path L1'. It is also possible to polish the surface of the substrate W while repeatedly zigzag moving along the path L2 '.

여기서, 제1직선경로(L1')라 함은, 예를 들어 기판(W)의 밑변의 일단에서 다른 일단을 향하는 방향을 따른 경로를 의미한다. 또한, 제2직선경로(L2')라 함은, 제1직선경로(L1')와 반대 방향을 향하는 경로를 의미한다.Here, the first linear path L1 'means a path along a direction from one end of the substrate W to the other end, for example. Also, the second straight path L2 'refers to a path directed in a direction opposite to the first straight path L1'.

한편, 전술 및 도시한 본 발명의 실시예에서는, 연마 파트(200)가 기판(W)에 접촉된 상태로 자전하면서 이동하는 연마패드(232)에 의해 기판(W)을 연마하는 예를 들어 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 연마 파트가 무한 루프 방식으로 순환 회전하는 연마 벨트를 이용하여 기판을 연마하는 것도 가능하다.On the other hand, in the above-described and illustrated embodiment of the present invention, the polishing part 200 is polished by a polishing pad 232 that moves while rotating while being in contact with the substrate W, for example, polishing the substrate W However, in some cases, it is also possible to polish a substrate using an abrasive belt in which the abrasive part rotates in an infinite loop manner.

또한, 기판 처리 장치는 연마패드(232)의 외표면(기판에 접촉되는 표면)을 개질하는 컨디셔너(미도시)를 포함할 수 있다.In addition, the substrate processing apparatus may include a conditioner (not shown) that modifies the outer surface (surface contacting the substrate) of the polishing pad 232.

일 예로, 컨디셔너는 기판의 외측 영역에 배치될 수 있으며, 연마패드(232)의 표면(저면)을 미리 정해진 가압력으로 가압하며 미세하게 절삭하여 연마패드(232)의 표면에 형성된 미공이 표면에 나오도록 개질한다. 다시 말해서, 컨디셔너는 연마패드(232)의 외표면에 연마제와 화학 물질이 혼합된 슬러리를 담아두는 역할을 하는 수많은 발포 미공들이 막히지 않도록 연마패드(232)의 외표면을 미세하게 절삭하여, 연마패드(232)의 발포 기공에 채워졌던 슬러리가 기판에 원활하게 공급되도록 한다. 바람직하게 컨디셔너는 회전 가능하게 구비되며, 연마패드(232)의 외표면(저면)에 회전 접촉한다.For example, the conditioner may be disposed in the outer region of the substrate, and press the surface (bottom) of the polishing pad 232 with a predetermined pressing force to finely cut the pores formed on the surface of the polishing pad 232 to the surface. To be modified. In other words, the conditioner finely cuts the outer surface of the polishing pad 232 to prevent clogging of a large number of foam pores that serve to contain a slurry of a mixture of abrasive and chemical substances on the outer surface of the polishing pad 232, so that the polishing pad The slurry filled in the foamed pores of 232 is smoothly supplied to the substrate. Preferably, the conditioner is rotatably provided, and is in rotation contact with the outer surface (bottom surface) of the polishing pad 232.

리테이너 조립체(214)는 기판(W)의 사이즈에 대응하여 기판의 둘레 주변을 감싸도록 구비된다.The retainer assembly 214 is provided to surround the periphery of the substrate corresponding to the size of the substrate W.

여기서, 리테이너 조립체(214)가 기판의 사이즈에 대응하여 기판의 둘레 주변을 감싸도록 구비된다 함은, 기판의 크기 변화 또는 길이 변화에 따라 리테이너 조립체(214)가 기판을 수용 가능한 구조(기판의 둘레 주변을 감싸는 구조)로 가변되는 것으로 정의된다.Here, the retainer assembly 214 is provided to wrap around the periphery of the substrate corresponding to the size of the substrate. The structure in which the retainer assembly 214 can accommodate the substrate according to the size change or length change of the substrate (circumference of the substrate It is defined as variable as a structure surrounding the periphery.

이는, 기판(W)의 연마 효율을 높이고, 연마 안정성 및 연마 균일도를 향상시키기 위해 마련된다.This is provided to improve the polishing efficiency of the substrate W, and to improve polishing stability and polishing uniformity.

무엇보다도, 본 발명은 리테이너 조립체(214)가 기판(W)의 사이즈에 대응하여 기판의 둘레 주변을 감싸도록 하는 것에 의하여, 기판의 사이즈 변화에 따라 리테이너 조립체(214)의 구조를 가변시킬 수 있으므로, 리테이너 조립체(214)가 장착되는 이송 벨트를 통째로 교체하지 않고도 다양한 사이즈의 기판을 처리할 수 있으며, 기판의 처리 효율을 높이는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Above all, according to the present invention, the structure of the retainer assembly 214 can be changed according to the size change of the substrate by allowing the retainer assembly 214 to wrap around the periphery of the substrate corresponding to the size of the substrate W. , Retainer assembly 214 can be processed a substrate of various sizes without replacing the transfer belt is mounted, it is possible to obtain an advantageous effect of increasing the processing efficiency of the substrate.

즉, 리테이너가 이송 벨트에 일체로 고정된 구조에서는 리테이너와 다른 사이즈(예를 들어, 큰 사이즈)를 갖는 기판이 리테이너의 내부에 수용될 수 없고, 다른 사이즈의 기판을 처리하기 위해서는 불가피하게 다른 사이즈의 리테이너(다른 사이즈의 기판이 수용될 수 있는 리테이너)가 장착된 이송 벨트로 교체해야 하는 번거로움이 있다. 하지만, 본 발명은 기판의 사이즈 변화에 대응하여 리테이너 조립체(214)에 의해 형성되는 기판수용부(215a,216a)의 사이즈를 가변시킬 수 있으므로, 리테이너 조립체(214)가 장착되는 이송 벨트(210)를 통째로 교체하지 않고도 다양한 사이즈의 기판을 처리 가능한 이점이 있다.That is, in a structure in which the retainer is integrally fixed to the transfer belt, a substrate having a size different from the retainer (for example, a large size) cannot be accommodated inside the retainer, and inevitably different sizes are required to process substrates of different sizes. There is a hassle that needs to be replaced with a transfer belt equipped with a retainer (retainer that can accommodate different sized substrates). However, the present invention can change the size of the substrate receiving portions 215a and 216a formed by the retainer assembly 214 in response to a change in the size of the substrate, and thus the transfer belt 210 to which the retainer assembly 214 is mounted. It has the advantage of being able to process substrates of various sizes without having to replace the whole.

리테이너 조립체(214)는 기판의 사이즈에 따라 기판의 둘레 주변을 감쌀 수 있는 다양한 구조로 형성될 수 있다.The retainer assembly 214 may be formed in various structures that can wrap around the periphery of the substrate according to the size of the substrate.

일 예로, 리테이너 조립체(214)는 기판이 수용되는 제1기판수용부(215a)가 형성된 제1리테이너(215)와, 제1기판수용부(215a)에 수용되되 제1기판수용부(215a)와 다른 사이즈를 갖는 기판이 수용되는 제2기판수용부(216a)가 형성된 제2리테이너(216)를 포함한다. 이때, 제2기판수용부(216a)는 제1기판수용부(215a)보다 작은 사이즈로 형성된다.As an example, the retainer assembly 214 is accommodated in the first retainer 215 in which the first substrate accommodating portion 215a in which the substrate is accommodated is formed, and in the first substrate accommodating portion 215a, but the first substrate accommodating portion 215a is accommodated. And a second retainer 216 on which a substrate having a different size is accommodated. At this time, the second substrate receiving portion 216a is formed to have a smaller size than the first substrate receiving portion 215a.

참고로, 본 발명에서는 리테이너 조립체(214)가 2개의 리테이너를 포함하는 예를 들어 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 리테이너 조립체가 3개 이상의 리테이너를 포함하는 것도 가능하며 리테이너의 개수에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.For reference, the present invention describes an example in which the retainer assembly 214 includes two retainers, but in some cases, the retainer assembly may also include three or more retainers, and the present invention is determined by the number of retainers. It is not limited or limited.

보다 구체적으로, 도 7 및 도 8을 참조하면, 리테이너 조립체(214)는, 내부에 제1기판수용부(215a)가 관통 형성된 중공의 링 형태의 제1리테이너(215)와, 제1기판수용부(215a)에 수용되는 중공의 링 형태로 형성되며 내부에 제2기판수용부(216a)가 관통 형성된 제2리테이너(216)를 포함한다.More specifically, referring to FIGS. 7 and 8, the retainer assembly 214 includes a first ring retainer 215 in the form of a hollow ring having a first substrate receiving portion 215a formed therein, and a first substrate receiving It is formed in the form of a hollow ring accommodated in the portion 215a and includes a second retainer 216 formed therein with a second substrate receiving portion 216a.

리테이너 조립체(214)는 기판의 둘레 주변을 감싸도록 돌출된 형태로 이송 벨트(210)의 외표면에 구비된다. 일 예로, 제1리테이너(215)와 제2리테이너(216)는 서로 다른 사이즈를 갖는 사각링 형태로 형성될 수 있다.The retainer assembly 214 is provided on the outer surface of the transfer belt 210 in a protruding form to surround the periphery of the substrate. For example, the first retainer 215 and the second retainer 216 may be formed in a square ring shape having different sizes.

제1리테이너(215)와 제2리테이너(216)는, 연마 공정 중에 연마 유닛(230)의 연마패드(232)가 기판(W)의 외측 영역에서 기판(W)의 내측 영역으로 진입(외는 기판의 내측 영역에서 기판의 외측 영역으로 진입)할 시, 기판(W)의 가장자리 부위에서 연마패드(232)가 리바운드되는 현상(튀어오르는 현상)을 최소화하고, 연마패드(232)의 리바운드 현상에 의한 기판(W)의 가장자리 부위에서의 비연마 영역(dead zone)(연마패드에 의한 연마가 행해지지 않는 영역)을 최소화하기 위해 마련된다.In the first retainer 215 and the second retainer 216, the polishing pad 232 of the polishing unit 230 enters the inner region of the substrate W from the outer region of the substrate W during the polishing process (other substrate) When entering from the inner region of the substrate to the outer region of the substrate, the phenomenon that the polishing pad 232 is rebound at the edge portion of the substrate W (rebound phenomenon) is minimized, due to the rebound phenomenon of the polishing pad 232 It is provided to minimize the dead zone (the area where polishing by the polishing pad is not performed) at the edge portion of the substrate W.

도 7을 참조하면, 제2기판수용부(216a)에 대응하는 사이즈를 갖는 기판(W)의 처리시에는, 제1리테이너(215)의 내부에 제2리테이너(216)가 배치된 상태에서 기판(W)은 제2기판수용부(216a)의 내부에서 이송 벨트(210)의 외표면에 안착된다.Referring to FIG. 7, during processing of the substrate W having a size corresponding to the second substrate receiving portion 216a, the substrate in a state in which the second retainer 216 is disposed inside the first retainer 215 (W) is seated on the outer surface of the transfer belt 210 inside the second substrate receiving portion 216a.

기판(W)이 제2기판수용부(216a)에 수용된 상태에서 제2리테이너(216)(또는 제1리테이너)의 표면 높이는 기판(W)의 가장자리의 표면 높이와 비슷한 높이를 가진다. 이와 같이, 기판(W)의 가장자리 부위와 기판(W)의 가장자리 부위에 인접한 기판(W)의 외측 영역(제2리테이너(216)의 상면)이 서로 비슷한 높이를 가지도록 하는 것에 의하여, 연마 공정 중에 연마패드(232)가 기판(W)의 외측 영역에서 기판(W)의 내측 영역으로 이동하거나, 기판(W)의 내측 영역에서 기판(W)의 외측 영역으로 이동하는 중에, 기판(W)의 내측 영역과 외측 영역 간의 높이 편차에 따른 연마패드(232)의 리바운드 현상을 최소화할 수 있으며, 리바운드 현상에 의한 비연마 영역의 발생을 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.The surface height of the second retainer 216 (or the first retainer) while the substrate W is accommodated in the second substrate receiving portion 216a has a height similar to the surface height of the edge of the substrate W. As described above, the polishing process is performed such that the edge portion of the substrate W and the outer region of the substrate W adjacent to the edge portion of the substrate W (the upper surface of the second retainer 216) have similar heights to each other. While the polishing pad 232 is moving from the outer region of the substrate W to the inner region of the substrate W, or while moving from the inner region of the substrate W to the outer region of the substrate W, the substrate W The rebound phenomenon of the polishing pad 232 according to the height deviation between the inner region and the outer region of the can be minimized, and an advantageous effect of minimizing the occurrence of the non-abrasive region due to the rebound phenomenon can be obtained.

바람직하게, 제2리테이너(216)는 기판(W,W')보다 얇거나 같은 두께(T1≥T2)를 갖도록 형성된다. 이와 같이, 제2리테이너(216)를 기판(W)보다 얇거나 같은 두께(T2)를 갖도록 형성하는 것에 의하여, 연마패드(232)가 기판(W,W')의 외측 영역에서 기판(W,W')의 내측 영역으로 이동하는 중에, 연마패드(232)와 제2리테이너(216)의 충돌에 의한 연마패드(232)의 리바운드 현상의 발생을 방지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Preferably, the second retainer 216 is formed to have a thickness T1 ≧ T2 that is less than or equal to that of the substrates W and W '. As described above, by forming the second retainer 216 to have a thickness T2 that is less than or equal to that of the substrate W, the polishing pad 232 in the outer region of the substrate W, W 'is the substrate W, While moving to the inner region of W '), an advantageous effect of preventing the occurrence of rebounding of the polishing pad 232 due to the collision of the polishing pad 232 and the second retainer 216 can be obtained.

또한, 제2기판수용부(216a)의 측면과 기판(W)의 측면 사이에는 이격된 간극(G)이 형성된다. 이와 같이, 제2기판수용부(216a)의 측면과 기판(W)의 측면 사이에 간극이 형성되도록 하는 것에 의하여, 제2기판수용부(216a)로부터 기판(W)을 보다 원활하게 분리할 수 있다.Further, a spaced gap G is formed between the side surface of the second substrate receiving portion 216a and the side surface of the substrate W. As described above, by forming a gap between the side surface of the second substrate receiving portion 216a and the side surface of the substrate W, the substrate W can be more smoothly separated from the second substrate receiving portion 216a. have.

일 예로, 제2기판수용부(216a)의 측면과 기판(W)의 측면 사이의 간극(G)은 0.1~5㎜로 형성된다. 이와 같이, 제2기판수용부(216a)의 측면과 기판(W)의 측면 사이의 간극(G)이 0.1~5㎜가 되도록 하는 것에 의하여, 연마 중에는 기판(W)의 배치 상태를 안정적으로 유지하면서 연마 유닛(230)의 리바운드 현상을 최소화할 수 있고, 연마 후에는 기판(W)이 제2기판수용부(216a)로부터 원활하게 분리될 수 있다.For example, the gap G between the side surface of the second substrate receiving portion 216a and the side surface of the substrate W is formed to be 0.1 to 5 mm. Thus, by setting the gap G between the side surface of the second substrate receiving portion 216a and the side surface of the substrate W to be 0.1 to 5 mm, the arrangement state of the substrate W is stably maintained during polishing. While it is possible to minimize the rebound phenomenon of the polishing unit 230, after polishing, the substrate W can be smoothly separated from the second substrate receiving portion 216a.

또한, 도 8을 참조하면, 제1리테이너(215)로부터 제2리테이너(216)를 분리하는 것에 의하여, 제1기판수용부(215a)에 대응하는 사이즈(제2기판수용부(216a)보다 큰 사이즈)를 갖는 다른 기판(W')을 처리할 수 있다.Further, referring to FIG. 8, by separating the second retainer 216 from the first retainer 215, a size corresponding to the first substrate receiving portion 215a (larger than the second substrate receiving portion 216a) Size) may be processed.

즉, 제1기판수용부(215a)에 대응하는 사이즈를 갖는 기판(W')의 처리시에는, 제1리테이너(215)로부터 제2리테이너(216)를 분리시킨 상태에서 기판(W')은 제1기판수용부(215a)의 내부에서 이송 벨트(210)의 외표면에 안착된다.That is, when processing the substrate W 'having a size corresponding to the first substrate accommodating portion 215a, the substrate W' is detached from the first retainer 215 and the second retainer 216 is removed. It is seated on the outer surface of the transfer belt 210 inside the first substrate receiving portion 215a.

기판(W')이 제1기판수용부(215a)에 수용된 상태에서 제1리테이너(215)의 표면 높이는 기판(W')의 가장자리의 표면 높이와 비슷한 높이를 가진다. 이와 같이, 기판(W')의 가장자리 부위와 기판(W')의 가장자리 부위에 인접한 기판(W')의 외측 영역(제1리테이너(215)의 상면)이 서로 비슷한 높이를 가지도록 하는 것에 의하여, 연마 공정 중에 연마패드(232)가 기판(W')의 외측 영역에서 기판(W)의 내측 영역으로 이동하거나, 기판(W)의 내측 영역에서 기판(W')의 외측 영역으로 이동하는 중에, 기판(W')의 내측 영역과 외측 영역 간의 높이 편차에 따른 연마패드(232)의 리바운드 현상을 최소화할 수 있으며, 리바운드 현상에 의한 비연마 영역의 발생을 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다. 바람직하게, 제1리테이너(215)는 기판(W,W')보다 얇거나 같은 두께(T1≥T2)를 갖도록 형성된다.When the substrate W 'is accommodated in the first substrate receiving portion 215a, the surface height of the first retainer 215 has a height similar to the surface height of the edge of the substrate W'. In this way, by making the edge portion of the substrate W 'and the outer region of the substrate W' adjacent to the edge portion of the substrate W '(the upper surface of the first retainer 215) have a similar height to each other. During the polishing process, while the polishing pad 232 moves from the outer region of the substrate W 'to the inner region of the substrate W, or from the inner region of the substrate W to the outer region of the substrate W' , It is possible to minimize the rebound phenomenon of the polishing pad 232 according to the height deviation between the inner region and the outer region of the substrate W ', and it is possible to obtain an advantageous effect of minimizing the occurrence of the non-abrasive region due to the rebound phenomenon. Preferably, the first retainer 215 is formed to have a thickness T1 ≧ T2 that is less than or equal to that of the substrates W and W '.

또한, 제1기판수용부(215a)의 측면과 기판(W')의 측면 사이에는 이격된 간극(G)이 형성된다. 이와 같이, 제1기판수용부(215a)의 측면과 기판(W')의 측면 사이에 간극이 형성되도록 하는 것에 의하여, 제1기판수용부(215a)로부터 기판(W')을 보다 원활하게 분리할 수 있다. 일 예로, 제1기판수용부(215a)의 측면과 기판(W')의 측면 사이의 간극(G)은 0.1~5㎜로 형성된다.Further, a spaced gap G is formed between the side surface of the first substrate receiving portion 215a and the side surface of the substrate W '. As described above, by forming a gap between the side surface of the first substrate receiving portion 215a and the side surface of the substrate W ', the substrate W' is more smoothly separated from the first substrate receiving portion 215a. can do. For example, the gap G between the side surface of the first substrate receiving portion 215a and the side surface of the substrate W 'is formed to be 0.1 to 5 mm.

리테이너 조립체(214)는 기판(W,W')이 거치되는 기판거치부(201)의 거치면(예를 들어, 이송벨트의 상면)으로부터 돌출되게 구비되고, 연마 유닛(230)의 연마패드(232)는 리테이너 조립체(214)의 상면(제1리테이너(215)의 상면 또는 제2리테이너(216)의 상면)과 기판(W,W')의 상면에 함께 접촉된 상태로 기판(W)의 가장자리를 통과하며 기판(W)의 상면을 연마하도록 구성된다.The retainer assembly 214 is provided to protrude from the mounting surface (for example, the upper surface of the transfer belt) of the substrate mounting portion 201 on which the substrates W and W 'are mounted, and the polishing pads 232 of the polishing unit 230 ) Is the edge of the substrate W in contact with the top surface of the retainer assembly 214 (the top surface of the first retainer 215 or the top surface of the second retainer 216) and the top surface of the substrates W and W ' It is configured to pass through and polish the upper surface of the substrate (W).

바람직하게, 연마 유닛(230)의 연마패드(232)에 의한 기판(W,W')의 연마 공정이 시작되는 연마시작위치(도 7 및 도 8의 SP)에서, 연마패드(232)의 일부는 리테이너 조립체(214)의 상면에 접촉되고, 연마패드(232)의 다른 일부는 기판(W,W')의 상면에 접촉된 상태로 배치된다.Preferably, a part of the polishing pad 232 at the polishing start position (SP of FIGS. 7 and 8) where the polishing process of the substrates W and W 'by the polishing pad 232 of the polishing unit 230 starts. Is in contact with the top surface of the retainer assembly 214, and the other part of the polishing pad 232 is disposed in contact with the top surface of the substrates W and W '.

이와 같이, 연마시작위치(SP)에서 연마 유닛(230)의 연마패드(232)가 기판(W,W')의 상면과 리테이너 조립체(214)의 상면에 동시에 접촉된 상태에서 연마가 시작되도록 하는 것에 의하여, 연마 유닛(230)의 연마패드(232)가 기판(W,W')의 가장자리를 통과할 시 연마패드(232)가 기판(W,W')으로부터 리바운드되는 현상을 보다 억제하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.As described above, the polishing pad 232 of the polishing unit 230 at the polishing start position SP is simultaneously brought into contact with the upper surface of the substrates W and W 'and the upper surface of the retainer assembly 214 so that polishing starts. By this, when the polishing pad 232 of the polishing unit 230 passes through the edge of the substrate W, W ', the polishing pad 232 is advantageously further suppressed from being rebound from the substrate W, W'. You can get the effect.

아울러, 리테이너 조립체(214)는 이송 벨트(210)의 순환 방향을 따라 이송 벨트(210)의 외표면에 복수개가 구비될 수 있다. 이와 같이, 이송 벨트(210)의 외표면에 복수개의 리테이너 조립체(214)를 형성하는 것에 의하여, 인라인 방식으로 서로 다른 기판(W)을 연속적으로 처리할 수 있는 이점이 있다.In addition, a plurality of retainer assemblies 214 may be provided on the outer surface of the transfer belt 210 along the circulation direction of the transfer belt 210. As described above, by forming a plurality of retainer assemblies 214 on the outer surface of the transfer belt 210, there is an advantage in that different substrates W can be continuously processed in an in-line manner.

리테이너 조립체(214)는 요구되는 조건에 따라 다양한 재질로 형성될 수 있다. 다만, 리테이너 조립체(214)에는 연마 패드(232)가 접촉되므로, 연마 공정시 비교적 갈림이 적은 폴리에틸렌(PE), 불포화 폴리에스테르(unsaturated polyester ; UPE) 등과 같은 재질로 리테이너 조립체(214)를 형성하는 것이 바림직하다.The retainer assembly 214 may be formed of various materials depending on the required conditions. However, since the retainer assembly 214 is in contact with the polishing pad 232, the retainer assembly 214 is formed of a material such as polyethylene (PE), unsaturated polyester (unsaturated polyester; UPE), which has relatively little cracking during the polishing process. It is desirable.

한편, 본 발명의 실시예에서는 기판거치부가 이송 벨트를 포함하고, 리테이너가 이송 벨트의 외표면에 형성된 예를 들어 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 이송 벨트없이 기판지지부(도 2의 220 참조)만으로 기판거치부를 구성하는 것이 가능하고, 리테이너 조립체는 기판지지부만으로 구성된 기판거치부의 상면에 형성될 수 있다.On the other hand, in the embodiment of the present invention, the substrate mounting portion includes a transfer belt, and the retainer is described as an example formed on the outer surface of the transfer belt. It is possible to configure the substrate mounting portion, and the retainer assembly may be formed on the upper surface of the substrate mounting portion composed of only the substrate supporting portion.

또한, 제1리테이너(215)와 제2리테이너(216) 중 어느 하나에는 구속돌기(216b)가 형성되고, 제1리테이너(215)와 제2리테이너(216) 중 다른 하나에는 구속돌기(216b)가 구속되는 구속홈(215b)이 형성된다.In addition, one of the first retainer 215 and the second retainer 216 is formed with a restraining protrusion 216b, and the other of the first retainer 215 and the second retainer 216 has a restraining protrusion 216b. A restraining groove 215b is formed.

이하에서는 제1리테이너(215)에 구속홈(215b)이 형성되고, 제2리테이너(216)에 구속돌기(216b)가 형성된 예를 들어 설명하기로 한다. 경우에 따라서는 제1리테이너에 구속돌기를 형성하고 제2리테이너에 구속홈을 형성하는 것도 가능하다. 일 예로, 제2리테이너의 네변에는 각각 구속돌기가 형성되고, 제1리테이너에는 각 구속돌기에 대응되게 4개의 구속홈이 형성된다.Hereinafter, an example in which the confinement groove 215b is formed in the first retainer 215 and the concave protrusion 216b is formed in the second retainer 216 will be described. In some cases, it is also possible to form a restraining protrusion in the first retainer and a restraining groove in the second retainer. For example, constraining protrusions are formed on four sides of the second retainer, and four constraining grooves are formed on the first retainer to correspond to the constraining protrusions.

참고로, 리테이너 조립체(214) 중 최외각에 배치되는 리테이너(예를 들어, 제1리테이너(215))는 접착제 등에 의해 이송 벨트의 외표면에 일체로 고정될 수 있다.For reference, the retainer (for example, the first retainer 215) disposed at the outermost of the retainer assembly 214 may be integrally fixed to the outer surface of the transfer belt by an adhesive or the like.

이와 같이, 제1리테이너(215)(또는 제2리테이너)에 구속홈(215b)을 형성하고 제2리테이너(216)(또는 제1리테이너)에 구속돌기(216b)를 형성하는 것에 의하여, 제1리테이너(215)에 대한 제2리테이너(216)의 배치 상태를 안정적으로 유지하고, 제2리테이너(216)의 이동을 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.As described above, the first retainer 215 (or the second retainer) is provided with a restraining groove 215b and the second retainer 216 (or the first retainer) is provided with a restraining protrusion 216b. An advantageous effect of stably maintaining the arrangement state of the second retainer 216 with respect to the retainer 215 and minimizing the movement of the second retainer 216 can be obtained.

한편, 전술 및 도시한 본 발명의 실시예에서는 리테이너 조립체를 구성하는 제1리테이너와 제2리테이너가 각각 링 형태로 형성된 예를 들어 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 제2리테이너를 독립적으로 분할된 복수개의 분할 리테이너를 이용하여 형성하는 것도 가능하다.On the other hand, in the above-described and illustrated embodiments of the present invention, the first retainer and the second retainer constituting the retainer assembly are described as an example in which each is formed in a ring shape, but in some cases, the second retainer is independently divided into a plurality It is also possible to form using two split retainers.

도 12 내지 도 15를 참조하면, 리테이너 조립체(214)는, 기판이 수용되는 제1기판수용부(215a)가 형성된 제1리테이너(215)와, 제1기판수용부(215a)의 내부에 배치되는 복수개의 분할 리테이너(216-1~216-4)를 포함하며 제1기판수용부(215a)보다 작은 사이즈를 갖는 기판이 수용되는 제2기판수용부(216a)를 형성하는 제2리테이너(216)를 포함한다.12 to 15, the retainer assembly 214 is disposed inside the first retainer 215 and the first substrate receiving portion 215a on which the first substrate receiving portion 215a on which the substrate is accommodated is formed. A second retainer 216 that includes a plurality of divided retainers 216-1 to 216-4 to form a second substrate receiving portion 216a in which a substrate having a size smaller than the first substrate receiving portion 215a is accommodated. ).

보다 구체적으로, 제1리테이너(215)는 내부에 제1기판수용부(215a)가 형성된 링 형태로 형성되며, 분할 리테이너(216-1~216-4)는 제1기판수용부(215a)의 내벽면을 따라 배치되어 상호 협조적으로 제2기판수용부(216a)를 형성한다.More specifically, the first retainer 215 is formed in a ring shape in which the first substrate receiving portion 215a is formed, and the split retainers 216-1 to 216-4 are of the first substrate receiving portion 215a. It is disposed along the inner wall surface to form a second substrate receiving portion 216a in a mutually cooperative manner.

일 예로, 제2리테이너(216)는 일(ㅡ)자 형태로 형성된 4개의 분할 리테이너(216-1~216-4)를 포함하며, 4개의 분할 리테이너(216-1~216-4)는 제1리테이너(215)의 각 변을 따라 배치된다. 분할 리테이너(216-1~216-4)에 의해 형성되는 제2기판수용부(216a)의 내부에는 기판이 수용된다.For example, the second retainer 216 includes four divided retainers 216-1 to 216-4 formed in a single (-) shape, and the four divided retainers 216-1 to 216-4 are made of One retainer 215 is disposed along each side. The substrate is accommodated inside the second substrate receiving portion 216a formed by the split retainers 216-1 to 216-4.

반면, 제1기판수용부(215a)와 다른 사이즈의 기판(W")을 처리하기 위해서는 제1리테이너(215)로부터 분할 리테이너(216-1~216-4)를 분리하여 다른 사이즈의 기판(W")을 배치시킬 수 있다. 일 예로, 도 13을 참조하면, 4개의 분할 리테이너(216-1~216-4) 중 일부(도 13을 기준으로 좌측 분할 리테이너(216-1~216-4)와 우측 분할 리테이너(216-1~216-4))를 제1리테이너(215)로부터 분리하는 것에 의하여, 다른 사이즈의 기판(W")을 배치하는 것이 가능하다. 다르게는 제1리테이너(215)로부터 4개의 분할 리테이너(216-1~216-4)를 모두 분리하여 또 다른 사이즈의 기판을 배치하는 것도 가능하다.On the other hand, in order to process the substrate W of the different size from the first substrate receiving portion 215a, the divided retainers 216-1 to 216-4 are separated from the first retainer 215 to have different sized substrates W "). As an example, referring to FIG. 13, some of the four split retainers 216-1 to 216-4 (left split retainers 216-1 to 216-4 and the right split retainer 216-1 based on FIG. 13) ~ 216-4)) by separating from the first retainer 215, it is possible to place a substrate W "of a different size. Alternatively, the four divided retainers 216- from the first retainer 215 It is also possible to dispose all 1 to 216-4) to place another sized substrate.

다른 일 예로, 도 14를 참조하면, 제2리테이너(216)는, "L"자 형태로 형성된 2개의 분할 리테이너(216-1',216-2')를 포함하며, 2개의 분할 리테이너(216-1',216-2')는 상호 협조적으로 제2기판수용부(도 12의 216a 참조)를 형성한다. 마찬가지로, 기판의 사이즈에 따라 제1리테이너(215)로부터 분할 리테이너(216-1',216-2')를 분리하거나 분할 리테이너(216-1',216-2')를 제1리테이너(215)의 내부에 배치하는 것에 의하여 서로 다른 사이즈를 갖는 기판을 처리할 수 있다.As another example, referring to FIG. 14, the second retainer 216 includes two divided retainers 216-1 'and 216-2' formed in an "L" shape, and the two divided retainers 216 -1 ', 216-2') form a second substrate accommodating portion (see 216a in FIG. 12) in cooperation with each other. Similarly, the split retainers 216-1 'and 216-2' are separated from the first retainer 215 according to the size of the substrate, or the split retainers 216-1 'and 216-2' are first retainers 215. The substrates having different sizes can be processed by arranging them in the interior.

또 다른 일 예로, 도 15를 참조하면, 제2리테이너(216)는, "U"자 형태로 형성된 분할 리테이너(216-1")와, 일(ㅡ)자 형태로 형성된 분할 리테이너(216-2")를 포함하며, 2개의 분할 리테이너(216-1",216-2")는 상호 협조적으로 제2기판수용부(도 12의 216a 참조)를 형성한다.As another example, referring to FIG. 15, the second retainer 216 includes a split retainer 216-1 formed in a “U” shape and a split retainer 216-2 formed in a single (—) shape. "), And the two split retainers 216-1" and 216-2 "form a second substrate accommodating portion (see 216a in FIG. 12) in cooperation with each other.

다르게는 제2리테이너(216)를 구성하는 분할 리테이너(216-1~216-4)가 여타 다른 형태 또는 구조로 형성될 수 있으며, 분할 리테이너(216-1~216-4)의 형태 및 구조에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.Alternatively, the split retainers 216-1 to 216-4 constituting the second retainer 216 may be formed in other shapes or structures, and the split retainers 216-1 to 216-4 may have different shapes and structures. Therefore, the present invention is not limited or limited.

아울러, 제1리테이너(215)와 분할 리테이너(216-1~216-4, 216-1',216-2', 216-1",216-2") 중 어느 하나에는 구속돌기(216b)가 형성되고, 제1리테이너(215)와 분할 리테이너(216-1~216-4, 216-1',216-2', 216-1",216-2") 중 다른 하나에는 구속돌기(216b)가 구속되는 구속홈(215b)이 형성된다.(도 7 참조)In addition, one of the first retainer 215 and the split retainers 216-1 to 216-4, 216-1 ', 216-2', 216-1 ", 216-2" has a restraining protrusion 216b. Formed, the first retainer 215 and the divided retainers 216-1 to 216-4, 216-1 ', 216-2', and 216-1 ", 216-2" are restrained projections 216b A restraining groove 215b to be constrained is formed. (See Fig. 7)

또한, 기판 처리 장치(10)는 기판(W)의 사이즈에 따라 연마 유닛(230)이 기판의 가장자리에서 연마를 시작하도록 연마 유닛(230)의 위치를 제어하는 제어부(240)를 포함한다.In addition, the substrate processing apparatus 10 includes a control unit 240 that controls the position of the polishing unit 230 so that the polishing unit 230 starts polishing at the edge of the substrate according to the size of the substrate W.

제어부(240)는 기판의 사이즈에 따라 연마 유닛(230)의 연마패드(232)가 기판의 가장자리에서부터 기판을 연마하도록 연마 유닛(230)의 위치를 자동으로 제어한다.The control unit 240 automatically controls the position of the polishing unit 230 so that the polishing pad 232 of the polishing unit 230 polishes the substrate from the edge of the substrate according to the size of the substrate.

여기서, 연마 유닛(230)의 연마패드(232)가 기판의 가장자리에서부터 기판을 연마한다 함은, 연마 유닛(230)의 연마패드(232)가 기판(W)의 상면과 리테이너 조립체(214)의 상면에 동시에 접촉된 상태(연마시작위치)에서 연마가 시작되는 것으로 정의된다.Here, when the polishing pad 232 of the polishing unit 230 polishes the substrate from the edge of the substrate, the polishing pad 232 of the polishing unit 230 includes the top surface of the substrate W and the retainer assembly 214. It is defined that polishing starts in a state where the top surface is simultaneously contacted (the starting position of polishing).

이때, 제어부(240)에 의한 연마 유닛(230)의 위치 제어는 미리 정해진 공정 순서에 따라 행해지거나, 센서 등을 이용하여 기판 또는 리테이너 조립체(214)를 감지하여 기판의 사이즈를 검출하고 센서에서 검출된 신호에 따라 행해질 수 있다.At this time, the control of the position of the polishing unit 230 by the control unit 240 is performed according to a predetermined process sequence, or a sensor or the like is used to detect the substrate or retainer assembly 214 to detect the size of the substrate and detect it from the sensor It can be done according to the signal.

또한, 기판 처리 장치(10)는 이송 벨트(210)가 순환 회전함에 따라 이송 벨트(210)에 안착된 기판(W)이 연마 위치(PZ)로 이송되면, 이송 벨트(210)를 고정시키는 고정 유닛(미도시)을 포함할 수 있다.In addition, the substrate processing apparatus 10 is fixed to fix the transfer belt 210 when the substrate W seated on the transfer belt 210 is transferred to the polishing position PZ as the transfer belt 210 rotates cyclically. It may include a unit (not shown).

이는, 기판(W)에 대한 연마가 행해지는 중에 이송 벨트(210)의 유동 및 이동에 따른 기판(W)의 유동을 억제하고, 기판(W)의 연마 균일도를 향상시키기 위함이다.This is to suppress the flow of the substrate W according to the flow and movement of the transfer belt 210 while the substrate W is being polished, and to improve the polishing uniformity of the substrate W.

즉, 기판(W)은 이송 벨트(210)에 안착된 상태에서 연마가 행해지므로, 이송 벨트(210)에 유동이 발생하게 되면, 이송 벨트(210)에 안착된 기판(W)이 함께 유동되기 때문에, 기판(W)에 대한 연마가 행해지는 중에는 이송 벨트(210)의 유동이 구속될 수 있어야 한다.That is, since the substrate W is polished while seated on the transfer belt 210, when a flow occurs in the transfer belt 210, the substrate W mounted on the transfer belt 210 flows together. Therefore, the flow of the transfer belt 210 must be restrained while the substrate W is being polished.

고정 유닛은 이송 벨트(210)를 고정할 수 있는 다양한 구조로 형성될 수 있으며, 고정 유닛의 구조에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 일 예로, 고정 유닛은 이송 벨트(210)의 상부에 승강 가능하게 마련되며, 선택적으로 이송 벨트(210)의 외표면을 가압하는 가압부재(미도시)를 포함한다.The fixing unit may be formed of various structures capable of fixing the transfer belt 210, and the present invention is not limited or limited by the structure of the fixing unit. For example, the fixing unit is provided to be elevated on the upper portion of the transfer belt 210, and optionally includes a pressing member (not shown) that presses the outer surface of the transfer belt 210.

바람직하게, 가압부재는 이송 벨트(210)의 폭 방향을 따라 연속적으로 이송 벨트(210)의 외표면을 가압하도록 구성된다. 이와 같이, 이송 벨트(210)의 폭 방향을 따라 이송 벨트(210)의 외표면이 연속적으로 가압되도록 하는 것에 의하여 이송 벨트(210)의 유동을 보다 확실하게 구속하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Preferably, the pressing member is configured to continuously press the outer surface of the conveying belt 210 along the width direction of the conveying belt 210. As such, an advantageous effect of constraining the flow of the conveyance belt 210 more reliably can be obtained by continuously pressing the outer surface of the conveyance belt 210 along the width direction of the conveyance belt 210.

한편, 기판 처리 장치(10)는, 기판(W)을 로딩 파트(100)에서 연마 파트(200)로 이송하는 로딩 이송 공정 중에, 로딩 파트(100)가 기판(W)을 이송하는 로딩 이송 속도와, 이송 벨트(210)가 기판(W)을 이송하는 벨트 이송 속도를 동기화하는 로딩 제어부(120)를 포함한다.On the other hand, the substrate processing apparatus 10, during the loading transfer process for transferring the substrate (W) from the loading part 100 to the polishing part 200, the loading transfer speed at which the loading part 100 transfers the substrate (W) And, a loading control unit 120 that synchronizes a belt transfer speed at which the transfer belt 210 transfers the substrate W.

보다 구체적으로, 로딩 제어부(120)는, 기판(W)의 일단이 이송 벨트(210)에 미리 정의된 안착 시작 위치(SP)에 배치되면, 로딩 이송 속도와 벨트 이송 속도를 동기화시킨다.More specifically, the loading control unit 120, when one end of the substrate (W) is disposed at a predetermined seating start position (SP) on the transfer belt 210, synchronizes the loading transfer speed and the belt transfer speed.

여기서, 이송 벨트(210)에 미리 안착 시작 위치(SP)라 함은, 이송 벨트(210)의 순환 회전에 의해 기판(W)이 이송되기 시작할 수 있는 위치로 정의되며, 안착 시작 위치(SP)에서는 이송 벨트(210)와 기판(W) 간의 접합성이 부여된다. 일 예로, 안착 시작 위치(SP)는 로딩 파트(100)에서부터 이송되는 기판(W)의 선단을 마주하는 기판수용부의 일변(또는 기판수용부의 일변에 인접한 위치)에 설정될 수 있다.Here, the seating start position (SP) in advance to the transfer belt 210 is defined as a position where the substrate (W) can start to be transferred by cyclic rotation of the transfer belt 210, and the seating start position (SP) In, the bonding property between the transfer belt 210 and the substrate W is given. For example, the seating start position SP may be set at one side of the substrate receiving portion (or a position adjacent to one side of the substrate receiving portion) facing the distal end of the substrate W transferred from the loading part 100.

참고로, 센서 또는 비젼 카메라와 같은 통상의 감지수단에 의하여 기판수용부의 일변이 안착 시작 위치(SP)에 위치된 것으로 감지되면, 기판수용부의 일변이 안착 시작 위치(SP)에 위치된 상태가 유지되도록 이송 벨트(210)의 회전이 정지된다.For reference, if one side of the substrate receiving portion is sensed to be located at the seating start position (SP) by a conventional sensing means such as a sensor or a vision camera, one side of the substrate receiving portion is maintained at the seating start position (SP). The rotation of the conveying belt 210 is stopped as much as possible.

그 후, 이송 벨트(210)의 회전이 정지된 상태에서, 감지수단에 의해 기판(W)의 선단이 안착 시작 위치(SP)에 배치된 것으로 감지되면, 로딩 제어부(120)는 로딩 파트(100)가 기판(W)을 이송하는 로딩 이송 속도와, 이송 벨트(210)가 기판(W)을 이송하는 벨트 이송 속도가 서로 동일한 속도가 되도록 이송 벨트(210)를 회전(동기화 회전)시켜 기판(W)이 연마 위치(PZ)로 이송되게 한다.Then, when the rotation of the transport belt 210 is stopped, when it is sensed that the tip of the substrate W is disposed at the seating start position SP by the sensing means, the loading control unit 120 loads the loading part 100 ) Rotate the transfer belt 210 (synchronized rotation) so that the loading transfer speed at which the substrate W transfers and the belt transfer speed at which the transfer belt 210 transfers the substrate W are the same speed as each other (synchronized rotation) W) to be transferred to the polishing position (PZ).

그리고, 언로딩 파트(300)는 연마 처리가 완료된 기판(W)을 연마 파트(200)에서 언로딩하기 위해 마련된다.In addition, the unloading part 300 is provided to unload the substrate W on which the polishing process is completed in the polishing part 200.

언로딩 파트(300)는 연마 파트(200)에서 기판(W)을 언로딩 가능한 다양한 구조로 형성될 수 있으며, 언로딩 파트(300)의 구조에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.The unloading part 300 may be formed of various structures capable of unloading the substrate W from the polishing part 200, and the present invention is not limited or limited by the structure of the unloading part 300.

일 예로, 언로딩 파트(300)는 이송 벨트(210)와 동일한 높이에서 기판(W)을 이송하되, 소정 간격을 두고 이격되게 배치되는 복수개의 언로딩 이송 롤러(310)를 포함하며, 복수개의 언로딩 이송 롤러(310)의 상부에 공급된 기판(W)은 언로딩 이송 롤러(310)가 회전함에 따라 복수개의 언로딩 이송 롤러(310)에 의해 상호 협조적으로 이송된다. 경우에 따라서는 언로딩 파트가 언로딩 이송 롤러에 의해 순환 회전하는 순환 벨트를 포함하여 구성되는 것도 가능하다.For example, the unloading part 300 conveys the substrate W at the same height as the conveyance belt 210, and includes a plurality of unloading conveying rollers 310 spaced apart at predetermined intervals, and a plurality of The substrate W supplied to the upper portion of the unloading transfer roller 310 is transferred cooperatively by a plurality of unloading transfer rollers 310 as the unloading transfer roller 310 rotates. In some cases, it is also possible that the unloading part comprises a circulating belt that circulates and rotates by an unloading transfer roller.

여기서, 언로딩 파트(300)와 이송 벨트(210)가 동일한 높이에서 기판(W)을 이송한다 함은, 언로딩 파트(300)에서 기판(W)이 이송되는 높이와, 이송 벨트(210)에서 기판(W)이 안착 및 이송되는 높이가 서로 동일한 것으로 정의된다.Here, the unloading part 300 and the transfer belt 210 transfer the substrate W at the same height is the height at which the substrate W is transferred from the unloading part 300 and the transfer belt 210 In, the heights at which the substrates W are seated and transferred are defined to be the same.

또한, 기판 처리 장치(10)는, 기판(W)을 연마 파트(200)에서 언로딩 파트(300)로 이송하는 언로딩 이송 공정 중에, 이송 벨트(210)가 기판(W)을 이송하는 벨트 이송 속도와 언로딩 파트(300)가 기판(W)을 이송하는 언로딩 이송 속도를 동기화하는 언로딩 제어부(320)를 포함한다.In addition, the substrate processing apparatus 10, during the unloading transfer process of transferring the substrate W from the polishing part 200 to the unloading part 300, a belt through which the transfer belt 210 transfers the substrate W It includes an unloading control unit 320 for synchronizing the transfer speed and the unloading transfer speed in which the unloading part 300 transfers the substrate W.

일 예로, 언로딩 제어부(320)는 기판(W)의 일단이 감지되면, 이송 벨트(210)가 기판(W)을 이송하는 벨트 이송 속도와 동일한 속도로 언로딩 이송 속도를 동기화시킨다. 경우에 따라서는, 기판의 일단의 감지 여부와 관계없이, 벨트 이송 속도와 언로딩 이송 속도가 동일하도록 언로딩 이송 롤러를 회전시키고 있는 상태에서 이송 벨트를 회전시켜 기판을 언로딩 파트로 언로딩하는 것도 가능하다.For example, when one end of the substrate W is detected, the unloading control unit 320 synchronizes the unloading transfer speed at the same speed as the belt transfer speed at which the transfer belt 210 transfers the substrate W. In some cases, regardless of whether or not one end of the substrate is detected, unloading the substrate into the unloading part by rotating the conveying belt while rotating the unloading conveying roller so that the belt conveying speed and the unloading conveying speed are the same. It is also possible.

아울러, 도 17을 참조하면, 이송 벨트(210)는 정해진 경로를 따라 순환 회전하며 기판(W)을 이송하도록 구성되는 바, 기판(W)은 이송 벨트(210)가 회전 경로를 따라 이동하기 시작하는 위치(이송 벨트가 제2롤러의 외표면을 따른 곡선 경로를 따라 이동하기 시작하는 위치)에서, 이송 벨트(210)가 기판(W)의 저면으로부터 이격되는 방향으로 이동함에 따라 이송 벨트(210)로부터 분리된다.In addition, referring to FIG. 17, the transfer belt 210 is configured to rotate and rotate the substrate W along a predetermined path, and the substrate W starts to move the transfer belt 210 along the rotation path. In the position (the position where the transport belt starts to move along a curved path along the outer surface of the second roller), the transport belt 210 is moved as the transport belt 210 moves in a direction away from the bottom surface of the substrate W ).

이와 같이, 기판(W)을 이송하는 이송 벨트(210)가 기판(W)을 일정 구간 이상 이송시킨 상태에서는, 이송 벨트(210)가 기판(W)의 저면으로부터 이격되는 방향으로 이동되게 하는 것에 의하여, 별도의 픽업 공정(예를 들어, 기판 흡착 장치를 이용한 픽업 공정)없이 이송 벨트(210)로부터 기판(W)을 자연스럽게 분리하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.As described above, in a state in which the transport belt 210 for transporting the substrate W transports the substrate W for a predetermined period or more, the transport belt 210 is moved in a direction away from the bottom surface of the substrate W. By this, it is possible to obtain an advantageous effect of naturally separating the substrate W from the transfer belt 210 without a separate pickup process (for example, a pickup process using a substrate adsorption device).

기존에는 로딩 파트로 공급된 기판을 연마 파트로 로딩시키기 위하여, 별도의 픽업 장치(예를 들어, 기판 흡착 장치)를 이용하여 로딩 파트에서 기판을 픽업한 후, 다시 기판을 연마 파트에 내려놓아야 했기 때문에, 기판을 로딩하는데 소요되는 시간이 수초~수십초가 걸릴 정도로 처리 시간이 증가하는 문제점이 있다. 더욱이, 기존에는 연마가 완료된 기판을 언로딩 파트로 언로딩시키기 위하여, 별도의 픽업 장치(예를 들어, 기판 흡착 장치)를 이용하여 연마 파트에서 기판(W)을 픽업한 후, 다시 기판을 언로딩 파트에 내려놓아야 했기 때문에, 기판(W)을 언로딩하는데 소요되는 시간이 수초~수십초가 걸릴 정도로 처리 시간이 증가하는 문제점이 있다.Conventionally, in order to load the substrate supplied to the loading part into the polishing part, the substrate had to be picked up from the loading part using a separate pickup device (for example, a substrate adsorption device), and then the substrate had to be put down on the polishing part again. Therefore, there is a problem that the processing time increases so that the time required to load the substrate takes several seconds to several tens of seconds. Moreover, in order to unload the substrate having been previously polished into an unloading part, the substrate W is picked up from the polishing part using a separate pickup device (for example, a substrate adsorption device), and then the substrate is unloaded again. Since it had to be put on the loading part, there is a problem in that the processing time increases so that the time required to unload the substrate W takes several seconds to several tens of seconds.

하지만, 본 발명은 로딩 파트에 공급된 기판(W)이 순환 회전하는 이송 벨트(210)로 직접 이송된 상태에서, 기판(W)에 대한 연마 공정이 행해지고, 기판(W)이 이송 벨트(210) 상에서 직접 언로딩 파트(300)로 이송되도록 하는 것에 의하여, 기판(W)의 처리 공정을 간소화하고, 처리 시간을 단축하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.However, in the present invention, in a state in which the substrate W supplied to the loading part is directly transferred to the transfer belt 210 that rotates and rotates, a polishing process for the substrate W is performed, and the substrate W is transferred to the transfer belt 210 By transferring directly to the unloading part 300 on), an advantageous effect of simplifying the processing process of the substrate W and shortening the processing time can be obtained.

또한, 본 발명은 기판(W)의 로딩 및 언로딩시 별도의 픽업 공정을 배제하고, 순환 회전하는 이송 벨트(210)를 이용하여 인라인 방식으로 기판(W)이 처리되도록 하는 것에 의하여, 기판(W)의 로딩 시간 및 언로딩 공정을 간소화하고, 기판(W)의 로딩 및 언로딩에 소요되는 시간을 단축하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In addition, the present invention excludes a separate pick-up process when loading and unloading the substrate W, and allows the substrate W to be processed in an in-line manner using a transfer belt 210 that rotates and rotates. It is possible to obtain an advantageous effect of simplifying the loading time and unloading process of W) and shortening the time required for loading and unloading the substrate W.

더욱이, 본 발명에서는 기판(W)의 로딩 및 언로딩시 기판(W)을 픽업하기 위한 픽업 장치를 마련할 필요가 없기 때문에, 장비 및 설비를 간소화할 수 있으며, 공간활용성을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Moreover, in the present invention, since there is no need to provide a pick-up device for picking up the substrate W when loading and unloading the substrate W, it is possible to simplify equipment and equipment, and advantageous effect of improving space utilization. Can get

한편, 이송 벨트의 다른 일 예로, 이송 벨트는 일 방향에서 다른 일 방향으로 권취되며 기판(W)을 이송하도록 구성되는 것도 가능하다.(미도시)On the other hand, as another example of the transfer belt, the transfer belt is wound from one direction to another, and it is also possible to be configured to transfer the substrate W. (not shown)

여기서, 이송 벨트가 일 방향에서 다른 일 방향으로 권취된다 함은, 이송 벨트가 통상의 카세트 테이프의 릴 투 릴(reel to reel) 권취 방식(제1릴에 권취되었다가 다시 제2릴에 반대 방향으로 권취되는 방식)으로 오픈 루프 형태의 이동 궤적을 따라 이동(권취)하는 것으로 정의된다.Here, when the conveying belt is wound from one direction to the other, the conveying belt is a reel-to-reel winding method of a conventional cassette tape (wound on the first reel and then back to the second reel) It is defined as moving (winding) along an open loop-shaped movement trajectory in a manner that is wound up with a winding.

이때, 기판은 이송 벨트의 이동 경로가 꺽여지는 위치(예를 들어, 도 17과 같이, 이송 벨트가 롤러의 외표면을 따른 곡선 경로를 따라 이동하기 시작하는 위치)에서, 이송 벨트가 기판의 저면으로부터 이격되는 방향으로 이동함에 따라 이송 벨트로부터 분리될 수 있다.At this time, the substrate is at a position where the movement path of the transfer belt is bent (for example, as shown in FIG. 17, where the transfer belt begins to move along a curved path along the outer surface of the roller), the transfer belt of the substrate It can be separated from the transfer belt as it moves in a direction away from the bottom.

또한, 본 발명의 실시예에서는 이송 벨트가 일단과 타단이 연속적으로 연결된 링 형상의 엔드리스(endless) 구조로 형성된 예를 들어 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 이송 벨트를 일단과 타단이 분리 가능한 구조로 형성하는 것도 가능하다. 이송 벨트의 일단과 타단이 분리되는 구조에서 체결부재를 이용한 통상의 패스너에 의해 이송 벨트의 일단과 타단이 선택적으로 분리 결합될 수 있다.In addition, the embodiment of the present invention has been described as an example in which the transfer belt is formed in an endless structure of a ring shape in which one end and the other end are continuously connected, but in some cases, the transfer belt has a structure in which one end and the other end are separable. It is also possible to form. In a structure in which one end and the other end of the transport belt are separated, one end and the other end of the transport belt may be selectively separated and coupled by a common fastener using a fastening member.

또한, 전술 및 도시한 본 발명의 실시예에서는 리테이너 조립체가 2개 이상의 리테이너를 조립하여 구성된 예를 들어 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 기판의 사이즈에 따라 신축되는 단일 리테이너를 이용하여 리테이너 조립체를 구성하는 것도 가능하다.In addition, in the above-described and illustrated embodiments of the present invention, an example in which a retainer assembly is constructed by assembling two or more retainers is described, but in some cases, a retainer assembly is constructed using a single retainer that expands and contracts depending on the size of a substrate It is also possible.

도 18을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 리테이너 조립체(214)는 기판(W,W')의 사이즈에 대응하여 선택적으로 신축되는 리테이너링(217)을 포함한다.Referring to FIG. 18, according to another embodiment of the present invention, the retainer assembly 214 includes a retainer ring 217 that selectively expands and contracts in response to the size of the substrates W and W '.

리테이너링(217)은 탄성적으로 신축 가능한 재질로 형성되며, 그 내부에는 기판(W,W')이 수용되는 기판수용부(217a)가 관통 형성된다. 리테이너링(217)은 기판(W,W')의 사이즈에 따라 신장되거나 수축될 수 있으며, 리테이너링(217)이 신축됨에 따라 기판수용부(217a)도 역시 신장되거나 수축되며 서로 다른 사이즈의 기판(W,W')을 수용할 수 있다.The retainer ring 217 is formed of an elastically stretchable material, and a substrate receiving portion 217a in which the substrates W and W 'are accommodated is formed therein. The retainer ring 217 may be stretched or contracted according to the size of the substrates W and W ', and as the retainer ring 217 is stretched, the substrate receiving portion 217a is also stretched or contracted and the substrates of different sizes (W, W ') can be accommodated.

이와 같이, 선택적으로 신축되는 단일 리테이너링(217)으로 리테이너 조립체(214)를 구성하는 것에 의하여, 리테이너 조립체의 구조를 간소화하고, 보다 다양한 사이즈의 기판을 수용하여 처리할 수 있도록 하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In this way, by constructing the retainer assembly 214 with a single retainer ring 217 that is selectively stretched, an advantageous effect is obtained that simplifies the structure of the retainer assembly and accommodates and processes substrates of various sizes. You can.

경우에 따라서는 리테이너링을 이종 재질로 형성하는 것도 가능하다. 가령, 리테이너링의 최외각 가장자리를 형성하는 외측 부위는 리지드(rigid)한 재질로 형성하고, 기판수용부를 형성하는 내측 부위는 선택적으로 신축 가능한 탄성 재질로 형성할 수 있다.In some cases, it is also possible to form the retainer ring with a different material. For example, the outer portion forming the outermost edge of the retainer ring may be formed of a rigid material, and the inner portion forming the substrate receiving portion may be formed of an elastic material that is selectively stretchable.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.As described above, it has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, but those skilled in the art can variously modify the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the claims below. You will understand that you can change it.

10 : 기판 처리 장치 100 : 로딩 파트
110 : 로딩 이송 롤러 200 : 연마 파트
201 : 기판거치부 210 : 이송 벨트
212 : 롤러 유닛 212a : 제1롤러
212b : 제2롤러 214 : 리테이너 조립체
215 : 제1리테이너 215a : 제1기판수용부
215b : 구속홈 216 : 제2리테이너
216a : 제2기판수용부 216b :구속돌기
216-1~216-4 : 분할 리테이너 220,220' : 기판지지부
230 : 연마 유닛 232 : 연마패드
240 : 제어부 300 : 언로딩 파트
310 : 언로딩 이송 롤러10: substrate processing apparatus 100: loading part
110: loading transfer roller 200: polishing parts
201: substrate mounting portion 210: transfer belt
212: roller unit 212a: first roller
212b: second roller 214: retainer assembly
215: first retainer 215a: first substrate receiving portion
215b: Restraint groove 216: Second retainer
216a: second substrate receiving portion 216b: constrained projection
216-1 ~ 216-4: Split retainer 220,220 ': Substrate support
230: polishing unit 232: polishing pad
240: control unit 300: unloading parts
310: unloading transfer roller

Claims

A substrate processing apparatus for performing a substrate polishing process,
A substrate mounting portion on which the substrate is mounted;
A retainer assembly provided to surround the periphery of the substrate corresponding to the size of the substrate;
A polishing unit for polishing the top surface of the substrate;
A substrate processing apparatus comprising a.

According to claim 1,
The retainer assembly,
A first retainer in which a first substrate receiving portion in which the substrate is accommodated is formed;
A second retainer accommodated in the first substrate accommodating portion and having a second substrate accommodating portion accommodating the substrate having a different size from the first substrate accommodating portion;
A substrate processing apparatus comprising a.

According to claim 2,
The second substrate receiving portion is a substrate processing apparatus, characterized in that formed in a smaller size than the first substrate receiving portion.

According to claim 2,
The first retainer is formed in a ring shape,
The second retainer is a substrate processing apparatus, characterized in that formed in a ring shape accommodated in the first substrate receiving portion.

According to claim 2,
A restraining protrusion formed on any one of the first retainer and the second retainer;
A restraining groove formed in the other of the first retainer and the second retainer, the restraining protrusion being restrained;
A substrate processing apparatus comprising a.

According to claim 1,
The retainer assembly,
A first retainer in which a first substrate receiving portion in which the substrate is accommodated is formed;
A second retainer including a plurality of divided retainers disposed inside the first substrate accommodating portion, and forming a second substrate accommodating portion in which the substrate having a size smaller than the first substrate accommodating portion is accommodated;
A substrate processing apparatus comprising a.

The method of claim 6,
The divided retainer is disposed along the inner wall surface of the first substrate receiving portion,
The division retainer is a substrate processing apparatus characterized in that to form the second substrate receiving portion in cooperation with each other.

The method of claim 6,
A restraining protrusion formed on any one of the first retainer and the divided retainer;
A restraining groove formed in the other of the first retainer and the divided retainer, the restraining protrusion being restrained;
A substrate processing apparatus comprising a.

The method according to any one of claims 2 to 8,
And a spaced apart between the side surfaces of the first substrate accommodating portion or the second substrate accommodating portion and the side surfaces of the substrate.

The method of claim 9,
The gap is 0.1 to 5 mm, characterized in that the substrate processing apparatus.

The method according to any one of claims 1 to 8,
The retainer assembly is provided to protrude from the mounting surface of the substrate mounting portion on which the substrate is mounted,
The polishing unit passes through the edge of the substrate while in contact with the upper surface of the retainer assembly and the upper surface of the substrate, the substrate processing apparatus, characterized in that for polishing the upper surface of the substrate.

The method of claim 11,
At a polishing start position at which the polishing process of the substrate by the polishing unit starts, a portion of the polishing unit is placed in contact with the top surface of the retainer assembly, and another portion of the polishing unit is placed in contact with the top surface of the substrate. It characterized in that the substrate processing apparatus.

The method of claim 11,
And a control unit controlling a position of the polishing unit so that the polishing unit starts polishing at an edge of the substrate according to the size of the substrate.

The method according to any one of claims 1 to 8,
The substrate mounting portion,
A transport belt moving along a predetermined path and having the substrate mounted on an outer surface;
A substrate support portion disposed inside the transfer belt and supporting the bottom surface of the substrate with the transfer belt interposed therebetween;
A substrate processing apparatus comprising a.

The method of claim 14,
The transfer belt is a substrate processing apparatus, characterized in that circulating rotation along a predetermined path.

The method of claim 14,
A first surface layer is formed on the outer surface of the transfer belt to suppress slip by increasing a friction coefficient with respect to the substrate,
A substrate processing apparatus characterized in that a second surface layer is formed on the inner surface of the transfer belt to suppress slip by increasing a friction coefficient with respect to the substrate support.

The method according to any one of claims 1 to 8,
The polishing unit,
And a polishing pad formed to have a smaller size than the substrate and rotating while moving in contact with the substrate.

The method according to any one of claims 1 to 8,
The retainer assembly is a substrate processing apparatus, characterized in that formed to have a thickness equal to or less than the substrate.

According to claim 1,
The retainer assembly includes a retainer ring selectively stretched and corresponding to the size of the substrate.