KR20200032572A - 열전도성 고분자 히트싱크 경량 방열 구조 및 제조방법 - Google Patents

열전도성 고분자 히트싱크 경량 방열 구조 및 제조방법 Download PDF

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Abstract

베이스판; 상기 베이스판의 하부에 이격 형성된 복수의 방열핀; 상기 베이스판 상부에 연결되는 기판; 및 상기 기판 상에 연결되는 광원;을 포함하고, 상기 복수의 방열핀 중 상기 광원의 하방에 형성된 방열핀의 단면적은 이웃하는 방열핀 단면적보다 넓은 열전도성 고분자 히트싱크 경량 방열 구조가 소개된다.

Description

열전도성 고분자 히트싱크 경량 방열 구조 및 제조방법{LIGHT WEIGHT RADIANT HEAT STRUCTURE OF THERMOELECTRIC POLYMER HEAT SINK AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME}
본 발명은 열전도성 고분자 히트싱크 경량 방열 구조 및 제조방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 열포화도가 충분해짐으로써 방열 성능이 향상되고, 경량화가 가능한 열전도성 고분자 히트싱크 경량 방열 구조 및 제조방법에 관한 것이다.
기존에 라이팅 혹은 램프는 빛을 발산하는 광원으로써 LED(라이트 에미팅 다이오드)를 사용한다. 주행 안전을 위한 헤드램프는 이러한 빛의 밝기가 점차 높아짐에 따라서 LED에서 발생하는 열이 커지게 된다. LED는 작동 한계 온도 이상에서 밝기가 저하되는 문제점이 있다. 따라서 기존 산업에서는 각종 조명기구물에 금속재질로 만든 방열 구조, 일명 ‘히트싱크’를 제조하여 LED 광원이 전기회로로 실장 된 PCB(Printed circuit board) 기판 밑에 부착시킨다.
히트싱크는 피시비(PCB) 기판 또는 엘이디(LED) 기판 등의 발열부품에 밀착되도록 설치되어 이들로부터 발생되는 열을 방열시키도록 구성되는 장치이다.
PCB 기판에 실장(Mounted) 된 각종 능동 및 소동 소자들 및 회로는 전원이 인가되어 작동할 때 많은 열이 발생 된다. 이러한 발생 열은 전자부품의 작동성능에 큰 영향을 미친다. 만약, 각종 능동 및 수동 소자와 회로로부터 발생하는 열을 적절히 방출하지 못할 경우에는 전체 부품의 오작동을 유발할 수 있기 때문에 발생한 열의 온도를 낮춰주는 것이 매우 중요하다. 특히, 전자기기의 지능화로 인해 고집적/고성능의 부품이 개발되고 있고, 동시에 발열온도가 크게 증가하기 때문에 온도를 낮춰 주는 ‘방열’에 대한 기술은 중요성이 매우 커지고 있다.
빛을 내는 광원인 LED와 전원을 연결해주는 PCB 기판 및 방열을 해주는 히트싱크가 결합된 방열 구조에서 LED는 에너지 중 열로 방출되는 비율이 높고 이러한 방출열은 효율과 수명에 절대적인 영향을 미친다.
기존의 경우, 도 1과 같이 알루미늄으로 된 금속 히트싱크를 사용한다. 알루미늄은 열전도율이 높고, 비중이 높아서 중량이 크며, 가공에 따른 비용 상승이 큰 단점이 있다. 또한, 알루미늄 히트싱크는 알루미늄으로 만들어진 메탈코어 PCB를 부착시켜야 하기 때문에 계면 열저항이 크다.
구체적으로, 알루미늄 히트싱크의 경우, 열전도율은 높지만 공기 중으로 방출하는 방사율은 낮기 때문에 최대한 표면적을 높이는 것이 중요하다. 따라서 방열핀 높이를 길게 만들어야 한다. 방열핀을 짧게 만들게 되면 표면적이 작아져서 방열성능이 저하 된다. 하지만 방열성능의 향상을 위해서 방열핀의 개수를 늘리고, 방열핀 높이를 길게 만들게 되면 높은 비중의 알루미늄 사용량이 늘어나게 되어 중량이 크게 증가한다.
본 발명은 열포화도가 충분해짐으로써 방열 성능이 향상되고, 경량화가 가능한 열전도성 고분자 히트싱크 경량 방열 구조 및 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 의한 열전도성 고분자 히트싱크 경량 방열 구조는 베이스판; 상기 베이스판의 하부에 이격 형성된 복수의 방열핀; 상기 베이스판 상부에 연결되는 기판; 및 상기 기판 상에 연결되는 광원;을 포함하고, 상기 복수의 방열핀 중 상기 광원의 하방에 형성된 방열핀의 단면적은 이웃하는 방열핀 단면적보다 넓다.
상기 베이스판의 상부에는 하방으로 만입된 안착부가 마련되고, 상기 기판은 상기 안착부에 안착될 수 있다.
상기 베이스판 및 상기 복수의 방열핀은 플라스틱 재질로 형성될 수 있다.
상기 플라스틱 재질은 PA6(Poly Amide 6), MPPO(Modifide Poly Phenylene Oxide), PMMA(Poly Methyl Methacrylate), PPS(Poly Phenylene Sulfide), PC(Poly Carbonate), PBT(Poly Butylene Terephthalate), ABS(Acrylonitrile Butadiene Styrene), PP(Polyp Propylene) 중에서 1종 이상을 포함할 수 있다.
상기 플라스틱 재질은 카본파이버, 흑연, 팽창흑연, 그래핀 중에서 1종 이상을 더 포함할 수 있다.
상기 베이스판의 상면으로부터 하면까지의 두께는 2 내지 3.5mm일 수 있다.
상기 광원의 하방에 형성된 방열핀은 제1방열핀이고, 상기 이웃하는 방열핀은 제2방열핀이며, 상기 제1방열핀이 상기 베이스판으로부터 하방으로 연장된 길이는 상기 제2방열핀이 하방으로 연장된 길이보다 길 수 있다.
상기 광원의 하방에 형성된 방열핀은 제1방열핀이고, 상기 이웃하는 방열핀은 제2방열핀이며, 상기 제1방열핀의 좌우로 형성된 폭은 상기 제2방열핀의 폭보다 두꺼울 수 있다.
상기 제1방열핀의 폭은 4 내지 10mm이고, 상기 제2방열핀의 폭은 2 내지 3mm일 수 있다.
상기 복수의 방열핀 간에 이격된 거리는 6 내지 10mm일 수 있다.
상기 복수의 방열핀이 상기 베이스판으로부터 하방으로 연장된 길이는 10 내지 15mm일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 열전도성 고분자 히트싱크 경량 방열 구조 제조방법은 기판을 인서트 사출하여 상부에 기판이 연결되고, 하부에 복수의 방열핀이 이격 형성된 베이스판을 성형하는 단계; 및 상기 기판 상에 광원을 연결하는 단계를 포함하며, 상기 베이스판을 성형하는 단계에서, 상기 복수의 방열핀 중 상기 광원의 하방에 형성된 방열핀의 단면적은 이웃하는 방열핀 단면적보다 넓게 형성되도록 성형한다.
본 발명의 일 실시예에 의한 열전도성 고분자 히트싱크 경량 방열 구조는 베이스판 중 광원의 직하방에 방열핀을 배치시키되, 광원의 하방에 형성된 방열핀의 단면적을 이웃하는 방열핀의 단면적보다 넓게 구성함에 따라 열포화도가 충분해짐으로써 방열 성능이 향상될 수 있고, 이웃하는 방열핀은 단면적을 상대적으로 작게 구성하여 과도하게 중량이 증대되는 문제를 방지할 수 있다.
도 1은 기존의 알루미늄 히트싱크를 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 열전도성 고분자 히트싱크 경량 방열 구조를 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 열전도성 고분자 히트싱크 경량 방열 구조의 측단면도를 나타낸 도면이다.
도 4는 비교예에 따른 히트싱크를 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 히트싱크를 나타낸 도면이다.
제1, 제2 및 제3 등의 용어들은 다양한 부분, 성분, 영역, 층 및/또는 섹션들을 설명하기 위해 사용되나 이들에 한정되지 않는다. 이들 용어들은 어느 부분, 성분, 영역, 층 또는 섹션을 다른 부분, 성분, 영역, 층 또는 섹션과 구별하기 위해서만 사용된다. 따라서, 이하에서 서술하는 제1 부분, 성분, 영역, 층 또는 섹션은 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 범위 내에서 제2 부분, 성분, 영역, 층 또는 섹션으로 언급될 수 있다.
여기서 사용되는 전문 용어는 단지 특정 실시예를 언급하기 위한 것이며, 본 발명을 한정하는 것을 의도하지 않는다. 여기서 사용되는 단수 형태들은 문구들이 이와 명백히 반대의 의미를 나타내지 않는 한 복수 형태들도 포함한다. 명세서에서 사용되는 “포함하는”의 의미는 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소 및/또는 성분을 구체화하며, 다른 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소 및/또는 성분의 존재나 부가를 제외시키는 것은 아니다.
어느 부분이 다른 부분의 "위에" 또는 "상에" 있다고 언급하는 경우, 이는 바로 다른 부분의 위에 또는 상에 있을 수 있거나 그 사이에 다른 부분이 수반될 수 있다. 대조적으로 어느 부분이 다른 부분의 "바로 위에" 있다고 언급하는 경우, 그 사이에 다른 부분이 개재되지 않는다.
다르게 정의하지는 않았지만, 여기에 사용되는 기술용어 및 과학용어를 포함하는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 일반적으로 이해하는 의미와 동일한 의미를 가진다. 보통 사용되는 사전에 정의된 용어들은 관련기술문헌과 현재 개시된 내용에 부합하는 의미를 가지는 것으로 추가 해석되고, 정의되지 않는 한 이상적이거나 매우 공식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
열전도성 고분자 히트싱크 경량 방열 구조
본 발명의 일 실시예에 의한 열전도성 고분자 히트싱크 경량 방열 구조는 도 2 및 도 3과 같이, 베이스판(100), 베이스판(100)의 하부에 이격 형성된 복수의 방열핀(200), 베이스판(100) 상부에 연결되는 기판(300) 및 기판(300) 상에 연결되는 광원(400)을 포함하고, 복수의 방열핀(200) 중 광원(400)의 하방에 형성된 방열핀(200)의 단면적은 이웃하는 방열핀(200) 단면적보다 넓게 형성된다.
베이스판(100)은 상부에 기판(300)이 연결되며, 하부에 복수의 방열핀(200)이 형성된다. 구체적으로, 베이스판(100)의 상면으로부터 하면까지의 두께(t)는 2 내지 3.5mm일 수 있다.
방열핀(200)은 복수로 구성되어 베이스판(100)의 하부에 이격 형성된다. 구체적으로, 베이스판(100)의 하면으로부터 하방으로 연장 형성될 수 있다. 광원(400)으로부터 발생되는 열을 외부로 방출시킬 수 있다.
구체적으로, 복수의 방열핀(200) 간에 이격된 거리 즉, 방열핀(200) 간의 간격(s)은 6 내지 10mm일 수 있다. 방열핀(200) 간의 간격(s)이 6mm 미만일 경우, 방열핀(200) 사이에서 열갇힘 현상이 발생할 수 있다. 반면, 방열핀(200) 간의 간격(s)이 10mm를 초과할 경우, 표면적이 저하되는 문제가 있다.
또한, 복수의 방열핀(200)이 베이스판(100)으로부터 하방으로 연장된 길이(h)는 10 내지 15mm일 수 있다. 방열핀(200)의 연장된 길이(h)가 10mm 미만일 경우, 방열핀(200) 사이에서 열갇힘 현상이 발생할 수 있다. 반면, 방열핀(200)의 연장된 길이(h)가 15mm를 초과할 경우, 방열 성능의 향상 효과가 크지 않으며, 중량만 증대될 수 있다.
베이스판(100) 및 복수의 방열핀(200)은 일체로 구성되며, 플라스틱 재질로 형성될 수 있다. 구체적으로, PA6(Poly Amide 6), MPPO(Modifide Poly Phenylene Oxide), PMMA(Poly Methyl Methacrylate), PPS(Poly Phenylene Sulfide), PC(Poly Carbonate), PBT(Poly Butylene Terephthalate), ABS(Acrylonitrile Butadiene Styrene), PP(Polyp Propylene) 중에서 1종 이상을 포함하는 재질로 이루어질 수 있다. 보다 구체적으로, 카본파이버, 흑연, 팽창흑연, 그래핀 중에서 1종 이상을 더 포함하여 복합체 재질로 형성될 수 있다. 플라스틱 재질은 10W/mk 이상의 열전도도를 가질 수 있다.
이와 같이 비중이 낮으면서도 방사율이 높은 플라스틱 재질이 이용될 수 있다. 이에 따라 중량 및 부피를 최소화하는 것이 가능하다.
기판(300)은 베이스판(100)의 상부에 연결되며, 메탈코어 PCB로 구성될 수 있다. 알루미늄 A1050 또는 알루미늄과 마그네슘 합금인 A5052로 형성될 수 있다. 구체적으로, 베이스판(100)의 상부에는 하방으로 만입된 안착부가 마련되고, 기판(300)은 안착부에 안착될 수 있다.
특히, 열전도성 고분자 히트싱크 경량 방열 구조의 제조과정에서 기판(300)이 인서트 사출되어 베이스판(100)과 연결됨으로써 기판(300)과 베이스판(100) 사이에 별도의 열전도 접착제 혹은 계면열전달소재(TIM)와 같은 별도의 열전달 매개체가 필요 없다. 이에 따라 계면 저항이 최소화될 수 있고, 열전달 효율이 향상될 수 있다. 자세한 내용은 후술하기로 한다. 광원(400)은 기판(300) 상에 연결되며, LED 광원(400)으로 구성될 수 있다. LED 광원(400)은 기본적으로 1chip 패키지로 사용되며, 2chip, 3chip, 4chip, 5chip 등이 포함된 패키지가 사용될 수 있다.
베이스판(100) 하부에 형성된 복수의 방열핀(200)은 측단면을 기준으로 광원(400)의 하방에 형성된 방열핀(200)과 이웃하는 방열핀(200)으로 구분된다. 베이스판(100) 중 광원(400)의 하방 부분은 광원(400)으로 인한 집중 발열부이기 때문에 방열 성능 향상을 위해서 열포화도가 충분해야 한다. 따라서 광원(400)의 직하방에 방열핀(200)을 배치시키되, 광원(400)의 하방에 형성된 방열핀(200)의 단면적은 이웃하는 방열핀(200)의 단면적보다 넓게 구성한다.
방열핀(200)의 단면적은 방열핀(200)의 길이 연장된 길이(h)와 폭(d)을 곱한 값으로 계산될 수 있다.
이로써 열포화도가 충분해짐으로써 방열 성능이 향상될 수 있고, 이웃하는 방열핀(200)은 단면적을 상대적으로 작게 구성하여 과도하게 중량이 증대되는 문제를 방지할 수 있다. 광원(400)의 하방에 형성된 방열핀(200)의 개수는 기판(300) 상에 연결된 LED 광원(400)의 개수에 따라 변할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 열전도성 고분자 히트싱크 경량 방열 구조는 자동차 헤드램프를 구성하는 로우빔(Low beam) 모듈에 적용되며, 하이빔(High beam) 및 DRL(Daytime running Lamp)에도 적용 가능하다.
구체적으로, 광원(400)의 하방에 형성된 방열핀(200)은 제1방열핀(210)이고, 이웃하는 방열핀(200)은 제2방열핀(220)이라 할 때, 제1방열핀(210)이 베이스판(100)으로부터 하방으로 연장된 길이를 제2방열핀(220)이 베이스판(100)으로부터 하방으로 연장된 길이보다 길게 형성하여 제1방열핀(210)의 열포화도를 증대시킬 수 있다. 이때, 제1방열핀(210)의 폭과, 제2방열핀(220)의 폭은 동일한 채, 길이만 다를 수 있다.
또는 제1방열핀(210)의 좌우로 형성된 폭을 제2방열핀(220)의 폭보다 두껍게 형성하여 제1방열핀(210)의 열포화도를 증대시킬 수 있다. 이때, 1방열핀(210)의 길이와, 제2방열핀(220)의 길이는 동일한 채, 폭만 다를 수 있으며, 제1방열핀(210)의 폭은 4 내지 10mm이고, 제2방열핀(220)의 폭은 2 내지 3mm일 수 있다.
제1방열핀(210)의 폭이 4mm 미만일 경우, 열포화도 향상 효과가 충분하지 않을 수 있다. 반면, 제1방열핀(210)의 폭이 10mm을 초과할 경우, 방열 성능의 향상 효과가 크지 않으며, 중량만 증대될 수 있다.
한편, 제2방열핀(220)의 폭이 2mm 미만일 경우, 사출성 저하 현상이 발생할 수 있다. 반면, 제2방열핀(220)의 폭이 3mm을 초과할 경우, 마찬가지로 방열 성능의 향상 효과가 크지 않으며, 중량만 증대될 수 있다.
열전도성 고분자 히트싱크 경량 방열 구조 제조방법
본 발명의 일 실시예에 의한 열전도성 고분자 히트싱크 경량 방열 구조 제조방법은 기판을 인서트 사출하여 상부에 기판이 연결되고, 하부에 복수의 방열핀이 이격 형성된 베이스판을 성형하는 단계, 기판 상에 광원을 연결하는 단계를 포함하며, 베이스판을 성형하는 단계에서, 복수의 방열핀 중 광원의 하방에 형성된 방열핀의 단면적은 이웃하는 방열핀 단면적보다 넓게 형성되도록 성형한다.
먼저, 베이스판을 성형하는 단계에서는 금형 내에 기판을 배치시키고, 인서트 사출 성형하여 상부에는 기판이 연결되고, 하부에는 복수의 방열핀이 형성된 베이스판을 성형한다. 다만, 이때, 금형을 통해 복수의 방열핀 중 광원의 하방에 형성된 방열핀의 단면적은 이웃하는 방열핀 단면적보다 넓게 형성되도록 성형한다.
이와 같이, 기판이 인서트 사출되어 베이스판과 연결됨으로써 기판과 베이스판 사이에 별도의 열전도 접착제 혹은 계면열전달소재(TIM)와 같은 별도의 열전달 매개체가 필요 없다. 이에 따라 계면 저항이 최소화될 수 있고, 열전달 효율이 향상될 수 있다. 이외 베이스판, 방열핀 및 기판에 대한 설명은 중복되는 설명을 피하기 위해 상기한 설명으로 대신하기로 한다. 다음으로, 기판 상에 광원을 전기적으로 연결한다.
이하 본 발명의 구체적인 실시예를 기재한다. 그러나 하기 실시예는 본 발명의 구체적인 일 실시예일뿐 본 발명이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
실시예
(1) 열전도성 고분자 히트싱크 경량 방열 구조의 제조
하기의 표 1에 개시된 조건에 맞추어 본 발명에 따른 실시예 및 비교예의 열전도성 고분자 히트싱크 경량 방열 구조를 제조하였다.
CASE 재질 연결방식 길이
(mm)
간격
(mm)

(mm)
두께
(mm)
비고
1 PA6/MPPO+카본필러 인서트사출 10 2 1 2.5 비교예
2 PA6/MPPO+카본필러 인서트사출 10 2 2 2.5 비교예
3 PA6/MPPO+카본필러 인서트사출 10 2 4 2.5 비교예
4 PA6/MPPO+카본필러 인서트사출 10 4 2 2.5 비교예
5 PA6/MPPO+카본필러 인서트사출 10 6 2 2.5 비교예
6 PA6/MPPO+카본필러 인서트사출 30 2 2 2.5 비교예
7 PA6/MPPO+카본필러 인서트사출 30 4 2 2.5 비교예
8 PA6/MPPO+카본필러 인서트사출 30 4 4 2.5 비교예
9 PA6/MPPO+카본필러 인서트사출 30 6 2 2.5 비교예
10 PA6/MPPO+카본필러 인서트사출 30 6 2 3.5 비교예
11 PA6/MPPO+카본필러 인서트사출 30 6 4 3.5 비교예
12 ADC12(알루미늄) 접착제부착 10 6 4/2 2.0 실시예
13 PA6/MPPO+카본필러 인서트사출 10 6 4/2 2.0 실시예
14 PA6/MPPO+카본필러 인서트사출 10 6 4/2 2.0 실시예
15 PA6/MPPO+카본필러 인서트사출 10 6 11/2 2.0 실시예
16 PA6/MPPO+카본필러 인서트사출 10 6 9/3 2.0 실시예
17 PA6/MPPO+카본필러 인서트사출 10 6 9/4 2.0 실시예
18 PA6/MPPO+카본필러 인서트사출 10 6 10/3 2.0 실시예
상기 표 1에서 연결방식은 기판과 베이스판의 연결방식을 의미하고, 길이, 간격 폭은 각각 방열핀의 길이, 간격, 폭을 의미한다. 폭은 방열핀이 제1방열핀 및 제2방열핀을 포함하는 경우, 왼쪽부터 순서대로 제1방열핀의 폭과 제2방열핀의 폭을 기재하였다. 두께는 베이스판의 두께를 의미한다.
(2) 열전도성 고분자 히트싱크 경량 방열 구조의 평가
실시예와 비교예의 방열 효과를 알아보기 위해 광원의 정션온도를 측정하였고, 열전도성 고분자 히트싱크 경량 방열 구조의 중량을 측정하였다.
구체적으로, 베이스판 및 방열핀을 구성하는 플라스틱 재질은 열전도율이 15W/mK의 방열 플라스틱 재질이었다. 기판의 재질은 Al1050의 알루미늄 합금이 사용되었고, 광원은 오스람社의 LUW CEUP 모델이 사용되었다. 외기온도는 헤드램프 내의 환경을 반영하여 105℃로 실시하였고, 중력방향은 -Y axis gravity-9.8m/s2으로 실시하였으며, 외부 하우징 또는 Case가 없는 상태로 실시하였고, 열원은 LED 1.533W 급 1chip 5개로 실시하였다.
이에 따른 결과는 하기의 표 2와 같다.
CASE LED 정션온도(℃) 중량(g) 비고
1 131.04 205.90 비교예
2 131.05 252.05 비교예
3 130.71 303.12 비교예
4 130.89 199.52 비교예
5 131.08 175.66 비교예
6 129.45 557.83 비교예
7 129.31 422.74 비교예
8 129.22 551.75 비교예
9 129.15 357.39 비교예
10 128.92 392.56 비교예
11 128.51 482.03 비교예
12 130.44 301.40 실시예
13 130.21 157.87 실시예
14 130.06 277.62 실시예
15 130.05 302.73 실시예
16 130.08 300.94 실시예
17 130.08 352.11 실시예
18 129.93 324.26 실시예
상기 표 2에서 LED 정션온도는 5개의 chip의 평균온도를 의미하며, 중량은 열전도성 고분자 히트싱크 경량 방열 구조의 중량을 의미한다.
상기 표 2, 도 4 및 도 5를 참고할 때, 비교예인 CASE 1 내지 5의 LED 정션온도(℃)는 실시예들인 CASE 12 내지 18의 LED 정션온도(℃)보다 높은 온도 값이 측정되었다. 이는 방열 효과가 실시예에 비해 충분하지 않은 것을 의미할 수 있으며, 이는 기판 하방에 충분한 열포화도를 갖는 방열핀의 부재로부터 기인될 수 있다.
비교예인 CASE 6 내지 11의 LED 정션온도(℃)는 130℃ 이하로 측정되어 우수한 방열 효과를 가짐을 알 수 있으나, 중량이 357g 이상이므로 실시예들보다 큰 중량을 가짐을 확인할 수 있다. 이는 방열핀의 길이가 과도하게 증가하였기 때문이다.
실시예 중에서도 베이스판과 방열핀이 플라스틱 재질로 형성되고, 인서트 사출 성형으로 베이스판에 기판이 연결되었으며, 기판 하방에 단면적이 넓은 제1방열핀이 형성되되, 최적화된 길이, 간격, 폭으로 형성된 CASE 13의 경우, 다른 실시예들과 동등한 방열 효과를 보이는 동시에, 중량이 158g 이하로 가장 가벼운 것을 알 수 있었다.
본 발명은 상기 구현예 및/또는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 구현예 및/또는 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100: 베이스판 200: 방열핀
210: 제1방열판 220: 제2방열핀
300: 기판 400: 광원

Claims (12)

  1. 베이스판;
    상기 베이스판의 하부에 이격 형성된 복수의 방열핀;
    상기 베이스판 상부에 연결되는 기판; 및
    상기 기판 상에 연결되는 광원;을 포함하고,
    상기 복수의 방열핀 중 상기 광원의 하방에 형성된 방열핀의 단면적은 이웃하는 방열핀 단면적보다 넓은 열전도성 고분자 히트싱크 경량 방열 구조.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 베이스판의 상부에는 하방으로 만입된 안착부가 마련되고,
    상기 기판은 상기 안착부에 안착되는 열전도성 고분자 히트싱크 경량 방열 구조.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 베이스판 및 상기 복수의 방열핀은 플라스틱 재질로 형성된 열전도성 고분자 히트싱크 경량 방열 구조.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 플라스틱 재질은 PA6(Poly Amide 6), MPPO(Modifide Poly Phenylene Oxide), PMMA(Poly Methyl Methacrylate), PPS(Poly Phenylene Sulfide), PC(Poly Carbonate), PBT(Poly Butylene Terephthalate), ABS(Acrylonitrile Butadiene Styrene), PP(Polyp Propylene) 중에서 1종 이상을 포함하는 열전도성 고분자 히트싱크 경량 방열 구조.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 플라스틱 재질은 카본파이버, 흑연, 팽창흑연, 그래핀 중에서 1종 이상을 더 포함하는 열전도성 고분자 히트싱크 경량 방열 구조.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 베이스판의 상면으로부터 하면까지의 두께는 2 내지 3.5mm인 열전도성 고분자 히트싱크 경량 방열 구조.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 광원의 하방에 형성된 방열핀은 제1방열핀이고, 상기 이웃하는 방열핀은 제2방열핀이며,
    상기 제1방열핀이 상기 베이스판으로부터 하방으로 연장된 길이는 상기 제2방열핀이 하방으로 연장된 길이보다 긴 열전도성 고분자 히트싱크 경량 방열 구조.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 광원의 하방에 형성된 방열핀은 제1방열핀이고, 상기 이웃하는 방열핀은 제2방열핀이며,
    상기 제1방열핀의 좌우로 형성된 폭은 상기 제2방열핀의 폭보다 두꺼운 열전도성 고분자 히트싱크 경량 방열 구조.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1방열핀의 폭은 4 내지 10mm이고,
    상기 제2방열핀의 폭은 2 내지 3mm인 열전도성 고분자 히트싱크 경량 방열 구조.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 방열핀 간에 이격된 거리는 6 내지 10mm인 열전도성 고분자 히트싱크 경량 방열 구조.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 방열핀이 상기 베이스판으로부터 하방으로 연장된 길이는 10 내지 15mm인 열전도성 고분자 히트싱크 경량 방열 구조.
  12. 기판을 인서트 사출하여 상부에 기판이 연결되고, 하부에 복수의 방열핀이 이격 형성된 베이스판을 성형하는 단계; 및
    상기 기판 상에 광원을 연결하는 단계를 포함하며,
    상기 베이스판을 성형하는 단계에서,
    상기 복수의 방열핀 중 상기 광원의 하방에 형성된 방열핀의 단면적은 이웃하는 방열핀 단면적보다 넓게 형성되도록 성형하는 열전도성 고분자 히트싱크 경량 방열 구조 제조방법.
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