KR20200030500A - 도전성 접착제 조성물 및 이것을 사용한 접속 구조체 - Google Patents

도전성 접착제 조성물 및 이것을 사용한 접속 구조체 Download PDF

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KR20200030500A
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신이치로 스카타
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히타치가세이가부시끼가이샤
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Abstract

(A) 도전성 입자, (B) 열경화성 수지, (C) 플럭스 활성제, 및 (D) 경화 촉매를 함유하는 도전성 접착제 조성물이 개시된다. 도전성 입자가, 융점 200 ℃ 이하의 금속을 함유한다. 도전성 입자의 평균 입경이 0.01 ∼ 10 ㎛ 이다. 플럭스 활성제가, 수산기 및 카르복실기를 갖는 화합물을 함유한다. 도전성 접착제 조성물은, 회로 기판 (2) 과 회로 기판 (2) 에 탑재되는 전자 부품 (3) 을 전기적으로 접속하기 위해서 사용된다.

Description

도전성 접착제 조성물 및 이것을 사용한 접속 구조체
본 발명은, 전자 부품과 회로 기판을 전기적으로 접속하기 위해서 사용되는 도전성 접착제 조성물, 및 이것을 사용한 접속 구조체에 관한 것이다.
최근, 전자 디바이스의 소형, 박형화, 및 전자 부품의 고집적화에 수반하여 전자 부품과 회로 기판에 배치된 전극 패드 사이즈의 소면적화, 그리고 전극 패드간의 협피치화가 추진되고 있다. 이와 같은 전자 디바이스의 미세한 배선 패턴에 전자 부품을 고밀도 실장하는 것이 요구된다. 그 때문에, 협피치로 배치된 전극을 갖는 기판에 전자 부품을 실장하는 경우에, 전극간 쇼트를 일으키지 않고 기판과 전자 부품을 접속하는 것이 가능한 접속재가 제안되어 있다 (특허문헌 1 참조).
그러나, 전극간이 더욱 협피치화됨과 동시에, 전극 패드 사이즈가 더욱 소형화된 경우, 종래의 접속재를 사용한 경우에서는 전극간 쇼트를 일으켜, 도통 불량을 일으키는 것이 과제로 되어 있다. 또, 전자 디바이스의 박형화에 수반하여, 가열 접속시의 열이력에 의해 휨이 현재화되어, 이것을 저감시키는 것도 큰 과제로 되어 있다. 그 때문에, 협피치 접속성과 휨 내성을 양립하는 접합법 그리고 접속재가 요구되고 있다.
전자 부품을 회로 기판 등에 실장하려면, 납프리 땜납인 Sn-Ag-Cu 땜납 등을 사용한 접합법이 널리 알려져 있다. 그런데, Sn-Ag-Cu 땜납은, 접속 온도가 260 ℃ 로 높아, 전자 디바이스가 박형화된 경우, 그 열이력에 의해 휨이 현저하게 증대되는 문제가 있다. 또, 휨을 저감시키기 위해서, 보다 저온에서 접속 가능한 납프리 땜납으로서, 융점이 138 ℃ 인 Sn-Bi 땜납도 사용되고 있다. 그러나, Sn-Bi 땜납에 의한 접속법에서는, 기판의 휨은 저감시킬 수 있지만, Sn-Bi 땜납 자체의 취약성에 의해, 온도 사이클 시험시에 금속 접합부가 파괴되어, 도통 불량이 되는 문제가 있다.
이러한 문제를 극복하기 위해서 열경화성 수지에 Sn-Bi 금속 입자를 분산시켜 페이스트상으로 한 도전성의 접착제가 제안되어 있다 (특허문헌 2 참조). 이러한 열경화형의 도전성 접착제는, 열경화성 수지를 바인더 성분으로 함으로써, 온도 사이클 시험 내성을 향상시킬 수 있다.
일본 공개특허공보 2014-17248호 일본 공개특허공보 2006-199937호
소사이즈화된 전극 패드, 또는 협피치로 배치된 전극의 접속을 위해서 도전성 접착제 조성물을 적용하는 데에 있어서, 전극간 브릿지에 의한 쇼트의 방지, 및 소량의 도포로의 충분한 도통을 실현하기 위해서는, 도전성 접착제 조성물 중의 도전성 입자를 소사이즈화하는 것이, 어느 정도 유효하다.
그러나, 평균 입경 10 ㎛ 이하의 도전성 입자의 경우, 비표면적이 크기 때문에, 그 표면에 형성되는 산화막의 양이 증가하고, 그것에 의해 용융성 및 접합성이 현저하게 저하되는 경향이 있다. 용융성 및 접합성이 저하되면, 도전성 접착제의 도전성이 저하된다. 또, 미용융의 도전성 입자가 전극 패드 외의 영역까지 부유하고, 이것이 전극간의 쇼트를 일으킬 가능성이 있다. 도전성 입자의 용융성 및 접합성을 유지하기 위해서, 도전성 입자 표면의 산화막을 제거하기 위해서 첨가되는 플럭스 활성제를 다량으로 첨가하면, 도전성 접착제의 경화성이 저하되어, 경화 후의 접착 강도의 저하가 현재화되는 경향이 있다.
본 발명은, 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 금속을 함유하는 평균 입경 10 ㎛ 이하의 도전성 입자를 함유하고, 회로 기판과 그 회로 기판에 탑재되는 전자 부품을 전기적으로 접속하기 위해서 사용되는 도전성 접착제 조성물에 관하여, 전극간의 쇼트를 억제함과 함께, 접착 강도 및 도통성의 추가적인 개선을 도모하는 것에 있다.
본 발명의 일 측면은, (A) 도전성 입자, (B) 열경화성 수지, (C) 플럭스 활성제, 및 (D) 경화 촉매를 함유하는 도전성 접착제 조성물을 제공한다. 도전성 입자가, 융점 200 ℃ 이하의 금속을 함유한다. 도전성 입자의 평균 입경이 0.01 ∼ 10 ㎛ 인 입자이다. 플럭스 활성제가, 수산기 및 카르복실기를 갖는 화합물을 함유한다. 당해 도전성 접착제 조성물은, 회로 기판과 그 회로 기판에 탑재되는 전자 부품을 전기적으로 접속하기 위해서 사용된다. 바꾸어 말하면, 본 발명의 일 측면은, 상기 도전성 접착제 조성물의, 회로 기판과 그 회로 기판에 탑재되는 전자 부품을 전기적으로 접속하기 위한 응용, 또는 상기 도전성 접착제 조성물의, 회로 기판과 그 회로 기판에 탑재된 전자 부품을 갖는 접속 구조체를 제조하기 위한 응용에 관한 것이다.
상기 본 발명에 관련된 도전성 접착제 조성물은, 금속을 함유하는 평균 입경 10 ㎛ 이하의 도전성 입자를 함유하면서, 회로 기판과 그 회로 기판에 탑재되는 전자 부품을 전기적으로 접속하기 위해서 사용되었을 때에, 전극간의 쇼트를 억제하면서, 접착 강도 및 도통성의 추가적인 개선을 도모할 수 있다. 예를 들어, 도전성 입자가 소입경이어도, 용융성이 저하되지 않고 양호한 도전성을 부여할 수 있다. 또한, 협피치로 배치된 전극 (접속 단자) 을 브릿지하지 않고 분리하면서, 쇼트되지 않고 양호한 접속 상태를 형성하는 도전성 접착제 조성물이 제공된다.
플럭스 활성제의 함유량이, 도전성 입자의 질량에 대해 4.0 ∼ 8.5 질량% 여도 된다.
도전성 입자에 함유되는 융점 200 ℃ 이하의 금속이, 비스무트, 인듐, 주석 및 아연에서 선택되는 적어도 1 종이어도 된다. 도전성 입자의 비표면적이 0.060 ∼ 90 ㎡/g 여도 된다.
경화성 수지가 에폭시 수지를 함유하고 있어도 된다.
도전성 접착제 조성물이, 25 ℃ 에서 페이스트상이어도 된다.
도전성 접착제 조성물이, 회로 기판이 기재 및 그 기재의 주면 상에 배치된 2 이상의 접속 단자를 갖고, 그 2 이상의 접속 단자와 상기 전자 부품의 접속 단자를 전기적으로 접속하기 위해서 사용되어도 된다. 이 경우, 회로 기판의 2 이상의 접속 단자가, 200 ㎛ 이하의 간격을 두고 기재의 주면 상에 배치되어 있어도 된다.
본 발명의 다른 일 측면은, 기재 및 그 기재의 주면 상에 형성된 2 이상의 접속 단자를 갖는 회로 기판과, 회로 기판의 2 이상의 접속 단자와 대향하는 2 이상의 접속 단자를 갖는 전자 부품과, 회로 기판과 전자 부품 사이에 배치되고, 이것들을 접합하고 있는 접속부를 구비하는 접속 구조체를 제공한다. 접속부가, 회로 기판의 접속 단자와 전자 기판의 접속 단자 사이에 배치되고, 그것들을 전기적으로 접속하고 있는 도전부를 포함하고, 그 도전부가, 상기 본 발명에 관련된 도전성 접착제 조성물에 함유되어 있던 도전성 입자를 함유한다. 접속부가, 도전부의 주위에 형성된 수지부를 추가로 포함하고 있어도 된다. 전자 부품은, 드라이버 IC, 센서 소자를 내장한 모듈 부품, 쇼트키 배리어 다이오드, 및 열전 변환 소자로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 포함하고 있어도 된다. 기재가 플렉시블 기재여도 된다.
본 발명에 관련된 도전성 접착제 조성물은, 금속을 함유하는 평균 입경 10 ㎛ 이하의 도전성 입자를 함유하면서, 회로 기판과 그 회로 기판에 탑재되는 전자 부품을 전기적으로 접속하기 위해서 사용되었을 때에, 전극간의 쇼트를 억제하면서, 접착 강도 및 도통성의 추가적인 개선을 도모할 수 있다. 본 발명에 관련된 도전성 접착제 조성물은, 회로 기판에 전자 부품을 실장하는 공정에 있어서의, 리플로 가열 온도의 저온화, 및 소형 및 박형 디바이스의 휨 억제 면에서도 유리하다. 본 발명에 관련된 도전성 접착제 조성물은, 낮은 점도를 갖기 쉬운 점에서, 소량의 도포에 의해 미세한 접속 단자의 접속을 위해서도 적합하다.
도전성 접착제 조성물에 의해 형성된 접속부를 갖는 접속 구조체는, 신축과 굴곡에 대한 내성뿐만 아니라, 온도 사이클 시험에 대한 내성 면에서도 우수하다.
도 1 은, 접속 구조체의 일 실시형태를 나타내는 모식 단면도이다.
도 2 는, 접속 구조체의 일 실시형태를 나타내는 모식 단면도이다.
이하, 본 발명의 몇 가지의 실시형태에 대해 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 실시형태에 한정되는 것은 아니다.
일 실시형태에 관련된 도전성 접착제 조성물은, (A) 도전성 입자, (B) 열경화성 수지, (C) 플럭스 활성제, 및 (D) 경화 촉매를 함유한다.
(A) 도전성 입자는, 융점 200 ℃ 이하의 금속을 함유한다. 도전성 입자에 함유되는 금속의 융점은, 180 ℃ 이하, 또는 150 ℃ 이하여도 된다. 도전성 입자에 있어서의 금속의 융점의 하한은, 특별히 한정되지 않지만, 100 ℃ 정도이다. 이와 같은 도전성 입자를 도전성 접착제 조성물에 사용하면, 비교적 낮은 온도에서 용융되어 응집되고, 이 응집체가 접속 단자의 전기적 접속에 공헌하는 것으로 생각된다. 도전성 입자에 함유되는 금속이 2 이상의 금속종을 함유하는 합금인 경우, 합금의 융점이 200 ℃ 이하이면 된다.
도전성 입자에 있어서의 금속은, 환경 부하의 저감의 관점에서, 납 이외의 금속으로 구성되어도 된다. 도전성 입자에 함유되는 금속으로는, 예를 들어, 주석 (Sn), 비스무트 (Bi), 인듐 (In), 및 아연 (Zn) 등에서 선택되는 1 종의 금속 단체, 또는 이것들에서 선택되는 2 이상의 금속종을 함유하는 합금을 들 수 있다. 합금은, 보다 양호한 접속 신뢰성을 얻을 수 있는 점에서, 도전성 입자에 있어서의 금속 전체로서의 융점이 200 ℃ 이하가 되는 범위에서, 플라티나 (Pt), 금 (Au), 은 (Ag), 구리 (Cu), 니켈 (Ni), 팔라듐 (Pd), 알루미늄 (Al) 등에서 선택되는 고융점의 성분을 추가로 함유해도 된다.
도전성 입자를 구성하는 금속으로는, 구체적으로는, Sn42-Bi58 땜납 (융점 138 ℃), Sn48-In52 땜납 (융점 117 ℃), Sn42-Bi57-Ag1 땜납 (융점 139 ℃), Sn90-Ag2-Cu0.5-Bi7.5 땜납 (융점 189 ℃), Sn96-Zn8-Bi3 땜납 (융점 190 ℃), Sn91-Zn9 땜납 (융점 197 ℃) 등을 들 수 있다. 이것들은, 명확한 융해 후의 고화 거동을 나타낸다. 고화 거동이란, 금속이 용융 후에 식어 굳어지는 것을 말한다. 이것들 중에서도 입수 용이성 및 효과의 관점에서 Sn42-Bi58 땜납을 사용해도 된다. 이것들은 단독 또는 2 종 이상을 조합하여 사용된다.
도전성 입자의 평균 입경은, 0.01 ∼ 10 ㎛ 여도 된다. 이 평균 입경이 0.01 ㎛ 이상이면, 도전성 접착제 조성물의 점도가 지나치게 높아지지 않기 때문에 작업성이 향상되는 경향, 및 도전성 입자 표면에 형성되는 금속 산화막의 양이 억제되고, 그것에 의해 도전성 입자가 용융되기 쉬워지기 때문에, 원하는 접속 상태를 유지하기 쉬운 경향이 있다. 도전성 입자의 평균 입경이 10 ㎛ 이하이면, 협피치로 배치된 전극과 전자 부품의 접속시에, 이웃하는 전극끼리가 브릿지되어 전극간에 쇼트가 일어날 가능성이 저하된다. 도전성 접착제 조성물을 도포하는 경우, 인쇄법, 전사법, 디스펜스법 중 어느 방법에 의해서도, 소면적의 전극 패드에 대해 소량의 도포가 곤란해지는 경향이 있다. 도전성 접착제 조성물의 도포성 및 작업성을 더욱 양호하게 하는 관점에서, 도전성 입자의 평균 입경은 0.1 ∼ 10 ㎛ 또는 0.1 ∼ 8 ㎛ 여도 된다. 특히, 도전성 접착제 조성물의 보존 안정성 및 경화물의 실장 신뢰성을 향상시키는 관점에서, 도전성 입자의 평균 입경은 1 ∼ 5 ㎛ 여도 된다. 여기서, 도전성 입자의 평균 입경은, 레이저 회절·산란법에 의해 구해지는 값이다.
도전성 입자의 비표면적이, 0.060 ㎡/g ∼ 90 ㎡/g 여도 된다.
도전성 입자는, 금속만으로 구성되는 금속 입자여도 되고, 세라믹스, 실리카, 수지 재료 등의 금속 이외의 고체 재료로 이루어지는 핵입자와, 핵입자의 표면을 피복하여, 융점 200 ℃ 이하의 금속으로 이루어지는 금속막을 갖는 복합 입자여도 되고, 금속 입자와 복합 입자의 조합이어도 된다.
도전성 입자의 함유량은, 도전성 접착제 조성물의 전체 질량에 대해 5 ∼ 95 질량% 여도 된다. 도전성 입자의 함유량이 5 질량% 이상인 경우, 도전성 접착제 조성물의 경화물의 도전성이 향상되는 경향이 있다. 도전성 입자의 함유량이 95 질량% 이하이면, 도전성 접착제 조성물의 점도가 낮아지기 때문에, 작업성이 향상되는 경향, 및 상대적으로 도전성 접착제 조성물 중의 접착제 성분이 많아지기 때문에, 경화물의 실장 신뢰성이 향상되는 경향이 있다. 도전성 입자의 함유량은, 작업성 또는 도전성을 향상시키는 관점에서, 10 ∼ 90 질량% 여도 되고, 도전성 접착제 조성물의 경화물의 실장 신뢰성을 높이는 관점에서, 15 ∼ 85 질량% 여도 된다. 여기서, 도전성 접착제 조성물이 후술하는 희석제를 함유하는 경우, 각 성분의 함유량은, 희석제 이외의 성분의 질량을 기준으로 하여 정해진다. 여기서의 희석제는, 후술하는 반응성 희석제 이외의 유기 용제 등의 성분을 의미한다.
융점 200 ℃ 이하의 금속을 함유하는 도전성 입자에 추가로, (a1) 200 ℃ 를 초과하는 융점을 갖는 금속을 함유하는 고융점의 도전성 입자를 도전성 접착제 조성물이 함유하고 있어도 된다. 융점이 200 ℃ 보다 높은 금속으로는, 예를 들어, Pt, Au, Ag, Cu, Ni, Pd, Al 등에서 선택되는 1 종의 금속 단체 또는 2 이상의 금속종으로 이루어지는 합금을 들 수 있다. 고융점의 도전성 입자의 구체예로는 Au 분말, Ag 분말, Cu 분말, Ag 도금 Cu 분말을 들 수 있다. 고융점의 도전성 입자의 시판품으로는, 도은 (鍍銀) 구리 분말인 「MA05K」(히타치 화성 주식회사 제조, 상품명) 가 입수 가능하다.
(A) 융점 200 ℃ 이하의 금속을 함유하는 도전성 입자와, (a1) 200 ℃ 를 초과하는 융점을 갖는 금속을 함유하는 도전성 입자를 조합하는 경우, (A) : (a1) 의 질량비가 99 : 1 ∼ 50 : 50, 또는 99 : 1 ∼ 60 : 40 의 범위 내여도 된다.
(B) 열경화성 수지는, 피착체를 접착하는 작용을 가짐과 함께, 도전성 접착제 조성물 중의 도전성 입자 및 필요에 따라 첨가되는 필러를 서로 결합하는 바인더 성분으로서 작용한다. 이와 같은 열경화성 수지로는, 예를 들어 에폭시 수지, (메트)아크릴 수지, 말레이미드 수지 및 시아네이트 수지 등의 열경화성의 유기 고분자 화합물, 그리고 그것들의 전구체를 들 수 있다. 여기서 (메트)아크릴 수지란, 메타크릴 수지 및 아크릴 수지를 나타낸다. 열경화성 수지는, (메트)아크릴 수지 및 말레이미드 수지로 대표되는, 중합 가능한 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물, 또는 에폭시 수지여도 된다. 이들 열경화성 수지는, 내열성 및 접착성이 우수하고, 또한 필요에 따라 유기 용제 중에 용해 또는 분산시키면 액체인 상태에서 취급할 수도 있기 때문에, 작업성도 우수하다. 입수 용이성과 신뢰성의 관점에서 에폭시 수지를 사용해도 된다. 상기 서술한 열경화성 수지는 1 종을 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용된다.
에폭시 수지는, 그 1 분자 중에 2 개 이상의 에폭시기를 갖는 화합물이면 특별히 제한되지 않는다. 에폭시 수지로는, 예를 들어, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 AD 등과 에피클로로하이드리돈으로 유도되는 에폭시 수지 등을 들 수 있다.
에폭시 수지는 시판되는 것을 입수할 수 있다. 그 구체예로는, 비스페놀 A 형 에폭시 수지인 AER-X8501 (아사히 화성 주식회사 제조, 상품명), R-301 (미츠비시 케미컬 주식회사 제조, 상품명), YL-980 (미츠비시 케미컬 주식회사 제조, 상품명), 비스페놀 F 형 에폭시 수지인 YDF-170 (토토 화성 주식회사 제조, 상품명), YL-983U (미츠비시 케미컬 주식회사 제조, 상품명), 비스페놀 AD 형 에폭시 수지인 R-1710 (미츠이 화학 주식회사 제조, 상품명), 페놀 노볼락형 에폭시 수지인 N-730S (DIC 주식회사 제조, 상품명), Quatrex-2010 (다우·케미컬 주식회사 제조, 상품명), 크레졸 노볼락형 에폭시 수지인 YDCN-702S (신닛테츠 주금 화학 주식회사 제조, 상품명), EOCN-100 (닛폰 화약 주식회사 제조, 상품명), 다관능 에폭시 수지인 EPPN-501 (닛폰 화약사 제조, 상품명), TACTIX-742 (다우·케미컬 주식회사 제조, 상품명), VG-3010 (미츠이 화학 주식회사 제조, 상품명), 1032S (미츠비시 케미컬 주식회사 제조, 상품명), 나프탈렌 골격을 갖는 에폭시 수지인 HP-4032 (DIC 주식회사 제조, 상품명), 지환식 에폭시 수지인 EHPE-3150, CEL-3000 (모두 주식회사 다이셀 제조, 상품명), DME-100 (신니혼 이화 주식회사 제조, 상품명), EX-216L (나가세 화성 공업 주식회사 제조, 상품명), 지방족 에폭시 수지인 W-100 (신니혼 이화 주식회사 제조, 상품명), 아민형 에폭시 수지인 ELM-100 (스미토모 화학 주식회사 제조, 상품명), YH-434L (신닛테츠 주금 화학 주식회사 제조, 상품명), TETRAD-X, TETRAD-C (모두 미츠비시 가스 화학 주식회사 제조, 상품명), 630, 630 LSD (모두 미츠비시 케미컬 주식회사 제조, 상품명), 레조르신형 에폭시 수지인 데나콜 EX-201 (나가세 화성 공업 주식회사 제조, 상품명), 네오펜틸글리콜형 에폭시 수지인 데나콜 EX-211 (나가세 화성 공업 주식회사 제조, 상품명), 1,6-헥산디올디글리시딜에테르인 데나콜 EX-212 (나가세 화성 공업 주식회사 제조, 상품명), 에틸렌·프로필렌글리콜형 에폭시 수지인 데나콜 EX 시리즈 (EX-810, 811, 850, 851, 821, 830, 832, 841, 861 (모두 나가세 화성 공업 주식회사 제조, 상품명)), 하기 일반식 (I) 로 나타내는 에폭시 수지 E-XL-24, E-XL-3L (모두 미츠이 화학 주식회사 제조, 상품명) 을 들 수 있다. 이들 에폭시 수지 중에서도, 이온성 불순물이 적고, 또한 반응성이 우수한 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 비스페놀 F 형 에폭시 수지, 비스페놀 AD 형 에폭시 수지, 및 아민형 에폭시 수지에서 선택되는 1 종 이상을 선택해도 된다.
[화학식 1]
Figure pct00001
식 (I) 중, k 는 1 ∼ 5 의 정수를 나타낸다.
상기 서술한 에폭시 수지는 1 종을 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용된다.
열경화성 수지가 에폭시 수지를 함유하는 경우, 반응성 희석제로서, 1 분자 중에 1 개만 에폭시기를 갖는 에폭시 화합물을 도전성 접착제 조성물이 추가로 함유해도 된다. 그러한 에폭시 화합물은 시판품으로서 입수 가능하다. 그 구체예로는, PGE (닛폰 화약 주식회사 제조, 상품명), PP-101 (신닛테츠 주금 화학 주식회사 제조, 상품명), ED-502, ED-509, ED-509S (주식회사 ADEKA 제조, 상품명), YED-122 (미츠비시 케미컬 주식회사 제조, 상품명), KBM-403 (신에츠 화학 공업 주식회사 제조, 상품명), TSL-8350, TSL-8355, TSL-9905 (토시바 실리콘 주식회사 제조, 상품명) 를 들 수 있다. 이것들은 1 종을 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용된다.
반응성 희석제를 도전성 접착제 조성물이 함유하는 경우, 그 함유량은, 본 발명에 의한 효과를 현저하게 저해하지 않는 범위이면 되고, 에폭시 수지의 전체량에 대해 0.1 ∼ 30 질량% 여도 된다.
열경화성 수지는 (메트)아크릴 수지를 함유해도 된다. (메트)아크릴 수지는, 중합 가능한 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물로 구성된다. 이러한 화합물로는, 예를 들어, 모노아크릴레이트 화합물, 모노메타크릴레이트 화합물, 디아크릴레이트 화합물, 및 디메타크릴레이트 화합물을 들 수 있다.
모노아크릴레이트 화합물로는, 예를 들어, 메틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 프로필아크릴레이트, 이소프로필아크릴레이트, n-부틸아크릴레이트, 이소부틸아크릴레이트, t-부틸아크릴레이트, 아밀아크릴레이트, 이소아밀아크릴레이트, 헥실아크릴레이트, 헵틸아크릴레이트, 옥틸아크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트, 노닐아크릴레이트, 데실아크릴레이트, 이소데실아크릴레이트, 라우릴아크릴레이트, 트리데실아크릴레이트, 헥사데실아크릴레이트, 스테아릴아크릴레이트, 이소스테아릴아크릴레이트, 시클로헥실아크릴레이트, 이소보르닐아크릴레이트, 디에틸렌글리콜아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜아크릴레이트, 2-메톡시에틸아크릴레이트, 2-에톡시에틸아크릴레이트, 2-부톡시에틸아크릴레이트, 메톡시디에틸렌글리콜아크릴레이트, 메톡시폴리에틸렌글리콜아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시에틸아크릴레이트, 2-페녹시에틸아크릴레이트, 페녹시디에틸렌글리콜아크릴레이트, 페녹시폴리에틸렌글리콜아크릴레이트, 2-벤조일옥시에틸아크릴레이트, 2-하이드록시-3-페녹시프로필아크릴레이트, 벤질아크릴레이트, 2-시아노에틸아크릴레이트, γ-아크릴옥시에틸트리메톡시실란, 글리시딜아크릴레이트, 테트라하이드로푸르푸릴아크릴레이트, 디메틸아미노에틸아크릴레이트, 디에틸아미노에틸아크릴레이트, 아크릴옥시에틸포스페이트 및 아크릴옥시에틸페닐애시드포스페이트를 들 수 있다.
모노메타크릴레이트 화합물로는, 예를 들어, 메틸메타크릴레이트, 에틸메타크릴레이트, 프로필메타크릴레이트, 이소프로필메타크릴레이트, n-부틸메타크릴레이트, 이소부틸메타크릴레이트, t-부틸메타크릴레이트, 아밀메타크릴레이트, 이소아밀메타크릴레이트, 헥실메타크릴레이트, 헵틸메타크릴레이트, 옥틸메타크릴레이트, 2-에틸헥실메타크릴레이트, 노닐메타크릴레이트, 데실메타크릴레이트, 이소데실메타크릴레이트, 라우릴메타크릴레이트, 트리데실메타크릴레이트, 헥사데실메타크릴레이트, 스테아릴메타크릴레이트, 이소스테아릴메타크릴레이트, 시클로헥실메타크릴레이트, 이소보르닐메타크릴레이트, 디에틸렌글리콜메타크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜메타크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜메타크릴레이트, 2-메톡시에틸메타크릴레이트, 2-에톡시에틸메타크릴레이트, 2-부톡시에틸메타크릴레이트, 메톡시디에틸렌글리콜메타크릴레이트, 메톡시폴리에틸렌글리콜메타크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시에틸메타크릴레이트, 2-페녹시에틸메타크릴레이트, 페녹시디에틸렌글리콜메타크릴레이트, 페녹시폴리에틸렌글리콜메타크릴레이트, 2-벤조일옥시에틸메타크릴레이트, 2-하이드록시-3-페녹시프로필메타크릴레이트, 벤질메타크릴레이트, 2-시아노에틸메타크릴레이트, γ-메타크릴옥시에틸트리메톡시실란, 글리시딜메타크릴레이트, 테트라하이드로푸르푸릴메타크릴레이트, 디메틸아미노에틸메타크릴레이트, 디에틸아미노에틸메타크릴레이트, 메타크릴옥시에틸포스페이트 및 메타크릴옥시에틸페닐애시드포스페이트를 들 수 있다.
디아크릴레이트 화합물로는, 예를 들어, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,4-부탄디올디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 1,9-노난디올디아크릴레이트, 1,3-부탄디올디아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리프로필렌글리콜디아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디아크릴레이트, 비스페놀 A, 비스페놀 F 또는 비스페놀 AD 1 몰과 글리시딜아크릴레이트 2 몰의 반응물, 비스페놀 A, 비스페놀 F 또는 비스페놀 AD 의 폴리에틸렌옥사이드 부가물의 디아크릴레이트, 비스페놀 A, 비스페놀 F 또는 비스페놀 AD 의 폴리프로필렌옥사이드 부가물의 디아크릴레이트, 비스(아크릴옥시프로필)폴리디메틸실록산 및 비스(아크릴옥시프로필)메틸실록산-디메틸실록산 코폴리머를 들 수 있다.
디메타크릴레이트 화합물로는, 예를 들어, 에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 1,4-부탄디올디메타크릴레이트, 1,6-헥산디올디메타크릴레이트, 1,9-노난디올디메타크릴레이트, 1,3-부탄디올디메타크릴레이트, 네오펜틸글리콜디메타크릴레이트, 디에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 트리프로필렌글리콜디메타크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디메타크릴레이트, 비스페놀 A, 비스페놀 F 또는 비스페놀 AD 1 몰과 글리시딜메타크릴레이트 2 몰의 반응물, 비스페놀 A, 비스페놀 F 또는 비스페놀 AD 의 폴리에틸렌옥사이드 부가물의 디메타크릴레이트, 비스페놀 F 또는 비스페놀 AD 의 폴리프로필렌옥사이드 부가물, 비스(메타크릴옥시프로필)폴리디메틸실록산 및 비스(메타크릴옥시프로필)메틸실록산-디메틸실록산 코폴리머를 들 수 있다.
이들 화합물은 1 종을 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용된다. 열경화성 수지가 (메트)아크릴 수지를 함유하는 경우, 이들 화합물을 미리 중합하고 나서 사용해도 되고, 이들 화합물을 도전성 입자, 플럭스 활성제 등과 함께 혼합하고, 혼합과 동시에 중합을 실시해도 된다. 이들 분자 중에 중합 가능한 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물은 1 종을 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용된다.
열경화성 수지가 (메트)아크릴 수지를 함유하는 경우, 도전성 접착제 조성물은 라디칼 중합 개시제를 함유해도 된다. 라디칼 중합 개시제는, 보이드를 유효하게 억제하는 관점 등으로부터, 유기 과산화물이어도 된다. 접착제 성분의 경화성 및 점도 안정성을 향상시키는 관점에서, 유기 과산화물의 분해 온도가 130 ℃ ∼ 200 ℃ 여도 된다.
라디칼 중합 개시제로는, 통상적으로 사용되고 있는 것을 사용할 수 있다. 그 예로는, 과산화벤조일, t-부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트 등의 과산화물, 아조비스이소부티로니트릴, 아조비스디메틸발레로니트릴 등의 아조 화합물 등을 들 수 있다.
라디칼 중합 개시제의 함유량은, 도전성 접착제 조성물의 총량에 대해 0.01 ∼ 20 질량%, 0.1 ∼ 10 질량%, 또는 0.5 ∼ 5 질량% 여도 된다.
(메트)아크릴 수지로는 시판되는 것을 사용할 수 있다. 그 구체예로는, FINEDIC A-261 (DIC 주식회사 제조, 상품명), FINEDIC A-229-30 (DIC 주식회사 제조, 상품명) 등을 들 수 있다.
도전성 접착제 조성물에 있어서의 열경화성 수지의 함유량은, 도전성 접착제 조성물의 전체 질량에 대해, 1 ∼ 60 질량%, 5 ∼ 40 질량%, 또는 10 ∼ 30 질량% 여도 된다.
(C) 플럭스 활성제는, 도전성 입자의 표면에 형성된 산화막을 제거하는 기능을 나타내는 성분이다. 이와 같은 플럭스 활성제를 사용함으로써, 도전성 입자의 용융 응집의 방해가 되는 산화막이 제거된다. 일 실시형태에 관련된 플럭스 활성제는, 수산기 및 카르복실기를 함유하는 화합물을 함유한다. 이 화합물은, 양호한 플럭스 활성을 나타내고, 또한 열경화성 수지로서 사용할 수 있는 에폭시 수지와 반응성을 나타낼 수 있다. 수산기 및 카르복실기를 갖는 화합물은, 도전성 입자의 입경이 작고, 산화막량이 많은 경우여도 양호한 산화막 제거능을 나타내는 점에서, 지방족 디하이드록시카르복실산이어도 된다. 구체적으로는, 플럭스 활성제는, 하기 일반식 (V) 로 나타내는 화합물 또는 타르타르산을 함유해도 된다.
[화학식 2]
Figure pct00002
식 (V) 중, R5 는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기를 나타낸다. 본 발명에 의한 상기 서술한 효과를 보다 유효하게 발휘하는 관점에서, R5 가 메틸기, 에틸기 또는 프로필기여도 된다. m 및 n 은 각각 독립적으로 0 ∼ 5 의 정수를 나타낸다. 본 발명에 의한 상기 서술한 효과를 보다 유효하게 발휘하는 관점에서, m 이 0 이고 n 이 1 이어도 되고, 또는 m 및 n 의 양방이 1 이어도 된다.
상기 일반식 (V) 로 나타내는 화합물로는, 예를 들어, 2,2-비스(하이드록시메틸)프로피온산, 2,2-비스(하이드록시메틸)부탄산, 2,2-비스(하이드록시메틸)펜탄산 등을 들 수 있다. 플럭스 활성제는, 이것들에서 선택되는 적어도 1 종의 화합물을 함유하고 있어도 된다.
플럭스 활성제의 함유량은, 본 발명에 의한 상기 효과를 보다 유효하게 발휘하는 관점에서, 도전성 입자의 질량에 대해, 0.5 ∼ 50 질량%, 0.5 ∼ 40 질량%, 또는 4.0 ∼ 8.5 질량% 여도 된다. 또한, 보존 안정성, 도전성의 관점에서, 플럭스 활성제의 함유량은 1 ∼ 35 질량% 여도 된다. 플럭스 활성제의 함유량이 0.5 질량% 이상이면, 금속의 용융성이 증가하기 때문에 도전성 향상의 효과가 작지 않은 경향이 있다. 플럭스 활성제의 함유량이 50 질량% 이하이면, 보존 안정성, 인쇄성이 향상되는 경향이 있다.
(D) 경화 촉매는, (B) 열경화성 수지의 경화를 촉진시키는 성분이다. (D) 경화 촉매는, 원하는 경화 온도에 있어서의 경화성, 가사 (可使) 시간의 길이, 경화물의 내열성 등의 관점에서 이미다졸기를 갖는 화합물이어도 되고, 이미다졸계 에폭시 수지 경화제여도 된다. 이미다졸계 에폭시 수지 경화제의 시판품으로는, 2P4MHZ-PW (2-페닐-4-메틸-5-하이드록시메틸이미다졸), 2PHZ-PW (2-페닐-4,5-디하이드록시메틸이미다졸), C11Z-CN (1-시아노에틸-2-운데실이미다졸), 2E4MZ-CN (1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸), 2PZ-CN (1-시아노에틸-2-페닐이미다졸), 2 MZ-A (2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진), 2E4MZ-A (2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진), 2MAOK-PW (2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진이소시아누르산 부가물) (모두 시코쿠 화성 공업 주식회사 제조, 상품명) 등을 들 수 있다. 이들 경화 촉매는 1 종을 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용된다.
경화 촉매의 함유량은, 에폭시 수지 100 질량부에 대해 0.01 ∼ 90 질량부, 또는 0.1 ∼ 50 질량부여도 된다. 경화 촉매의 함유량이 0.01 질량부 이상이면 경화성이 향상되는 경향이 있다. 경화 촉매의 함유량이 90 질량부 이하이면, 도전성 접착제 조성물을 취급할 때의 작업성이 향상되는 경향이 있다.
도전성 접착제 조성물은, 상기 서술한 각 성분 외에, 필요에 따라, 응력 완화를 위한 가요제, 작업성 향상을 위한 희석제, 접착력 향상제, 젖음성 향상제 및 소포제로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 첨가제를 함유해도 된다. 이들 성분 외에, 본 발명에 의한 효과를 저해하지 않는 범위에 있어서 각종 첨가제를 도전성 접착제 조성물이 함유하고 있어도 된다.
도전성 접착제 조성물은, 접착력 향상의 목적에서, 실란 커플링제, 티탄 커플링제 등의 커플링제를 함유하고 있어도 된다. 실란 커플링제로는, 예를 들어, 신에츠 화학 공업 주식회사 제조, 상품명 「KBM-573」등을 들 수 있다. 젖음성 향상의 목적에서, 아니온계 계면 활성제, 불소계 계면 활성제 등을 도전성 접착제 조성물이 함유해도 된다. 도전성 접착제 조성물은, 소포제로서 실리콘 오일 등을 함유해도 된다. 접착력 향상제, 젖음성 향상제, 소포제는, 각각 1 종을 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용된다. 이것들의 함유량은, 도전성 접착제 조성물의 전체 질량에 대해, 0.1 ∼ 10 질량% 여도 된다.
가요제로는, 액상 폴리부티디엔 (우베 흥산 주식회사 제조, 상품명 「CTBN-1300Х31」, 「CTBN-1300Х9」, 닛폰 조달 주식회사 제조, 상품명 「NISSO-PB-C-2000」) 등을 들 수 있다. 가요제의 함유량은, 열경화성 수지의 질량 100 질량부에 대해, 0.1 ∼ 500 질량부여도 된다.
도전성 접착제 조성물은, 페이스트 조성물의 제조시의 작업성 및 사용시의 도포 작업성을 보다 양호하게 하기 위해, 필요에 따라 희석제를 함유할 수 있다. 희석제는, 부틸카르비톨, 부틸카르비톨아세테이트, 부틸셀로솔브, 카르비톨, 아세트산부틸셀로솔브, 아세트산카르비톨, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜디에틸에테르, α-테르피네올 등의 비교적 비점이 높은 유기 용제여도 된다. 희석제의 함유량은, 도전성 접착제 조성물의 전체 질량에 대해 0.1 ∼ 30 질량% 여도 된다.
도전성 접착제 조성물은, 필러를 함유해도 된다. 필러로는, 예를 들어, 아크릴 고무, 폴리스티렌 등의 폴리머 입자, 다이아몬드, 질화붕소, 질화알루미늄, 알루미나, 실리카 등의 무기 입자를 들 수 있다. 이들 필러는 1 종을 단독으로 또는 2 종 이상을 혼합하여 사용해도 된다.
도전성 접착제 조성물은, 에폭시 수지의 경화 속도를 조정하기 위해서 경화제를 추가로 함유해도 된다.
경화제로는, 종래 사용되는 것이면 특별히 한정되지 않고, 시판되는 것을 입수 가능하다. 시판되는 경화제로는, 예를 들어, 페놀 노볼락 수지인 H-1 (메이와 화성 주식회사 제조, 상품명), VR-9300 (미츠이 화학 주식회사 제조, 상품명), 페놀아르알킬 수지인 XL-225 (미츠이 화학 주식회사 제조, 상품명), 하기 일반식 (II) 로 나타내는 p-크레졸 노볼락 수지인 MTPC (혼슈 화학 공업 주식회사 제조, 상품명), 알릴화페놀 노볼락 수지인 AL-VR-9300 (미츠이 화학 주식회사 제조, 상품명), 하기 일반식 (III) 으로 나타내는 특수 페놀 수지인 PP-700-300 (JXTG 에너지 주식회사 제조, 상품명) 을 들 수 있다.
[화학식 3]
Figure pct00003
식 (II) 중, 복수의 R1 은, 각각 독립적으로 1 가의 탄화수소기를 나타낸다. R1 은 메틸기 또는 알릴기여도 된다. q 는 1 ∼ 5 의 정수를 나타낸다. 식 (III) 중, R2 는 알킬기를 나타낸다. R2 는 메틸기 또는 에틸기여도 된다. R3 은 수소 원자 또는 1 가의 탄화수소기를 나타낸다. p 는 2 ∼ 4 의 정수를 나타낸다.
경화제로는, 디시안디아미드 등, 종래 경화제로서 사용되고 있는 것을 사용할 수 있고, 시판품을 입수 가능하다. 시판품으로는, 예를 들어, 하기 일반식 (IV) 로 나타내는 이염기산 디하이드라지드인 ADH, PDH 및 SDH (모두 주식회사 니혼 파인캠 제조, 상품명), 에폭시 수지와 아민 화합물의 반응물로 이루어지는 마이크로 캡슐형 경화제인 노바큐어 (아사히 화성 주식회사 제조, 상품명) 를 들 수 있다. 이들 경화제는 1 종을 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용된다.
[화학식 4]
Figure pct00004
식 (IV) 중, R4 는 2 가의 방향족기 또는 탄소수 1 ∼ 12 의 직사슬 혹은 분기사슬의 알킬렌기를 나타낸다. R4 는 m-페닐렌기 또는 p-페닐렌기여도 된다.
보존 안정성 및 경화 시간의 관점에서는, 도전성 접착제는 경화제를 실질적으로 함유하지 않아도 된다. 「실질적으로 함유하지 않는다」란, 도전성 접착제 조성물의 전체 질량에 대해 0.05 질량% 이하인 것을 말한다.
도전성 접착제 조성물에 있어서, 상기 효과를 보다 유효하게 발휘하는 관점에서, (A) 도전성 입자에 대한 (A) 도전성 입자 이외의 성분 (이하, 접착제 성분이라고 한다) 의 배합비 (접착제 성분/도전성 입자) 는, 이것들의 합계를 100 으로 했을 때에, 질량비로 5/95 ∼ 50/50 이어도 된다. 접착성, 도전성 및 작업성의 관점에서, 상기 배합비는 10/90 ∼ 30/70 이어도 된다. 이 배합비가 5/95 이상이면, 도전성 접착제 조성물의 점도가 지나치게 높아지기 때문에 작업성이 확보되기 쉬운 경향, 및 접착성 향상의 효과가 커지는 경향이 있다. 이 배합 비율이 50/50 이상이면, 도전성 향상의 효과가 커지는 경향이 있다.
이상 설명한 각 성분은, 각각에 있어서 예시된 것 중 어느 것을 조합해도 된다.
도전성 접착제 조성물은, 상기 서술한 각 성분을 한 번에 또는 복수 회로 나누어, 필요에 따라 가열함과 함께, 혼합, 용해, 해립 혼련 또는 분산함으로써 얻어진다. 도전성 접착제 조성물은, 각 성분이 균일하게 분산된 페이스트상이어도 된다. 이 때에 사용되는 분산·용해 장치로는, 통상적인 교반기, 뇌궤기, 3 본롤, 플래너터리 믹서 등을 들 수 있다. 도전성 접착제 조성물은, 25 ℃ 에서 페이스트상이어도 된다. 도전성 접착제 조성물의 점도가 25 ℃ 에서 5 ∼ 400 Pa·s 여도 된다.
이상 설명한 본 실시형태의 도전성 접착제 조성물에 의하면, 소면적의 전극 패드, 또는 협피치로 배치된 전극을 갖는 회로 기판에 대해, 전극간의 쇼트를 일으키지 않고 탑재 부품을 양호한 도전성으로 접속하는 것이 가능하다. 본 실시형태의 도전성 접착제 조성물은, 협피치로 배치된 전극을 갖는 회로 기판에 전자 부품을 실장하는 공정에 있어서, 리플로 가열 온도를 저온화시킬 수 있다. 저온화시키면 회로 기판의 휨을 억제할 수 있다. 본 실시형태의 도전성 접착제 조성물에 의해 형성되는 접속부는, 도전성 입자를 함유하는 도전부와 절연성의 접착제 성분으로 형성된 수지부를 가질 수 있다. 수지부에 의한 보강은, 접속 구조체의 온도 사이클 시험 내성 향상에 기여할 수 있다.
다음으로, 접속 구조체의 일례로서의 전자 부품 탑재 기판에 대해, 도 1 및 도 2 를 참조하여 설명한다.
도 1 은, 접속 구조체의 일 실시형태를 나타내는 모식 단면도이다. 도 1 에 나타내는 접속 구조체 (1) 는, 기재 (5) 및 기재 (5) 의 주면 상에 형성된 2 이상의 접속 단자 (7) 을 갖는 회로 기판 (2) 과, 회로 기판 (2) 과 대향하는 전자 부품 (3) 과, 회로 기판 (2) 과 전자 부품 (3) 사이에 배치되어, 이것들을 접합하고 있는 접속부 (8) 를 구비하는, 전자 부품 탑재 기판이다. 전자 부품 (3) 은, 본체부 (4) 및 2 이상의 접속 단자 (6) 를 갖는다. 접속부 (8) 는, 도전부 (8a) 와, 도전부 (8a) 의 주위에 형성된 수지부 (8b) 로 구성된다. 접속부 (8) 는, 회로 기판 (2) 의 접속 단자 (7) 와 전자 부품 (3) 의 접속 단자 (6) 사이에 배치되고, 그것들을 전기적으로 접속하고 있다. 접속부 (8) 는, 상기 서술한 실시형태에 관련된 도전성 접착제 조성물의 경화물이다. 도전부 (8a) 는, 주로, 도전성 접착제 조성물에 함유되어 있던 도전성 입자의 응집체를 함유한다. 수지부 (8b) 는, 주로, 도전성 접착제 조성물에 함유되어 있던, 열경화성 수지 및 경화 촉매를 함유하는 접착제 성분의 경화물을 함유한다. 단, 적절한 절연성이 유지되는 범위에서, 수지부 (8b) 가 소량의 도전성 입자를 함유할 수 있다. 회로 기판 (2) 과 전자 부품 (3) 은, 접속부 (8) 에 의해 서로 접합됨과 함께 전기적으로 접속되어 있다.
접속 구조체 (1) 는, 예를 들어, 각각 2 이상의 접속 단자 (7, 6) 를 갖는 회로 기판 (2) 및 전자 부품 (3) 을 준비하고, 회로 기판 (2) 의 접속 단자 (7) 또는 전자 부품 (3) 의 접속 단자 (6) 상에 도전성 접착제 조성물을 도포하는 공정과, 도포된 도전성 접착제 조성물을 개재하여 회로 기판 (2) 의 접속 단자 (7) 와 전자 부품 (3) 의 접속 단자 (6) 가 대향하도록, 회로 기판 (2) 상에 전자 부품 (3) 을 배치하여, 회로 기판 (2), 도전성 접착제 조성물 및 전자 부품 (3) 을 갖는 임시 접속체를 얻는 공정과, 임시 접속체를 가열함으로써, 도전성 접착제 조성물을 경화함과 함께, 도전성 접착제 조성물 중의 도전성 입자를 함유하여 회로 기판 (2) 의 접속 단자 (7) 와 전자 부품 (3) 의 접속 단자 (6) 를 전기적으로 접속하는 도전부 (8a) 를 형성하고, 그것에 의해, 도전부 (8a) 를 포함하는 접속부 (8) 에 의해 회로 기판 (2) 과 전자 부품 (3) 이 접합되어 있는 접속 구조체를 얻는 공정을 포함하는 방법에 의해, 제조할 수 있다.
도전성 접착제 조성물은, 디스펜스법, 스크린 인쇄법, 스탬핑법 등의 방법에 의해 회로 기판 또는 전자 부품의 접속 단자에 도포할 수 있다. 임시 접속체의 가열은, 오븐 또는 리플로노 등의 가열 장치를 사용하여 실시할 수 있다. 필요에 따라 임시 접속체를 가압 하에서 가열해도 된다. 도전성 접착제 조성물의 가열 경화의 과정에서, 통상적으로, 도전부 (8a) 및 수지부 (8b) 를 갖는 접속부 (8) 가 형성된다. 도전부 (8a) 는, 가열에 의해 용융한 도전성 입자가 융합됨으로써 형성된 응집체를 함유한다. 이 응집체가 회로 기판 및 전자 부품의 접속 단자와 접합하여 금속 접속 패스를 형성한다.
도 2 에 나타내는 접속 구조체 (1) 의 경우, 도전성 접착제 조성물로 형성된 도전부 (8a) 와, 땜납 볼 (10) 이 형성되어 있다. 땜납 볼 (10) 은, 전자 부품 (3) 의 접속 단자 (6) 상에 형성되어 있다. 땜납 볼 (10) 과 회로 기판 (2) 의 접속 단자 (7) 가, 도전부 (8a) 에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 즉, 도전부 (8a) 및 땜납 볼 (10) 을 개재하여, 회로 기판 (2) 의 접속 단자 (7) 와 전자 부품 (3) 의 접속 단자 (6) 가 전기적으로 접속되어 있다. 회로 기판 (2) 의 접속 단자 (7) 는, 서로 200 ㎛ 이하의 간격을 두고 기재 (5) 의 주면 상에 배치되어 있어도 된다.
이들 접속 구조체에 있어서, 수지부 (8b) 에 의해 도전부 (8a) 가 보강되어 있다. 접속 구조체가 온도 사이클 시험에 의한 열 이력을 받으면, 휨의 발생 등 때문에, 접속부 및 그 밖의 구성 부재에 큰 변형이 가해진다. 도전부 (8a) 가 수지부 (8b) 에 의해 보강되어 있는 점에서, 기재의 변형이 수지부 (7b) 에서 저지되어, 접속부에 있어서의 크랙의 발생이 억제된다.
접속 구조체의 두께 방향을 따른 단면을, 전자 부품의 접속 단자가 최대폭을 나타내는 위치에서 보았을 때에, 도전부와 수지부의 면적비가, 5 : 95 ∼ 80 : 20 이어도 된다.
이상, 본 발명의 실시형태에 대해 설명했지만, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 본 발명은, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지 변형이 가능하다.
예를 들어, 회로 기판이 LED 탑재용의 지지 기판이고, 전자 부품이 LED 소자이면, LED 탑재용의 지지 기판과, LED 소자와, 지지 기판과 LED 소자를 접착함과 함께 전기적으로 접속하는 접속부를 구비하는 LED 장치가 구성된다. 접속부는, 도전성 접착제 조성물의 경화물이다. LED 탑재용의 지지 기판 및 LED 소자는, 특별히 제한되지 않는다.
회로 기판이 센서 소자 탑재용의 지지 기판이고, 전자 부품이 센서 소자이면, 센서 소자 탑재용의 지지 기판과, 센서 소자와, 지지 기판과 센서 소자를 접착함과 함께 전기적으로 접속하는 접속부를 구비하는, 센서 소자를 내장한 모듈이 구성된다. 접속부는, 도전성 접착제 조성물의 경화물이다. 센서 소자 탑재용의 지지 기판 및 센서 소자는, 특별히 제한되지 않는다.
전자 부품은, 드라이버 IC, 센서 소자를 내장한 모듈 부품, 쇼트키 배리어 다이오드, 및 열전 변환 소자로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이어도 된다. 기재가 플렉시블 기재여도 된다. 접속 구조체는, 수지부의 주위에 형성된 봉지 부재를 추가로 가지고 있어도 된다.
실시예
이하, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다. 실시예 및 비교예에서 사용한 재료는, 하기 방법으로 제조한 것, 혹은 입수한 것이다.
[실시예 1]
YL980 (미츠비시 케미컬 주식회사 제조, 비스페놀 F 형 에폭시 수지의 상품명) 17.7 질량부와, 2P4MHZ-PW (시코쿠 화성 공업 주식회사 제조, 이미다졸 화합물의 상품명) 0.9 질량부와, 플럭스 활성제로서의 BHPA (2,2-비스(하이드록시메틸)프로피온산) 6.4 질량부를 혼합하고, 혼합물을 3 본롤에 3 회 통과시켜, 접착제 성분을 조제하였다.
다음으로, 접착제 성분 20 질량부에 대해, 도전성 입자인 Sn42-Bi58 입자 (평균 입경 5 ㎛, 미츠이 금속 광업 주식회사 제조, 융점 : 138 ℃) 75 질량부를 첨가하고, 얻어진 혼합물을 플래너터리 믹서를 사용하여 교반하여, 500 Pa 이하에서 10 분간 탈포 처리를 실시함으로써 도전성 접착제 조성물을 얻었다.
[실시예 2 ∼ 9, 비교예 1 ∼ 9]
표 1 에 나타내는 조성으로 변경한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 실시예 2 ∼ 9 및 비교예 1 ∼ 6 의 도전성 접착제 조성물을 얻었다. 비교예 7 ∼ 9 에서는 하기의 시판되는 도전성 접착제를 사용하였다.
<도전성 입자>
Sn42-Bi58 땜납 입자 (미츠이 금속 광업 주식회사 제조, 융점 138 ℃)
·Sn42-Bi58 10 ㎛ 입자 : 평균 입경 10 ㎛
·Sn42-Bi58 10 ∼ 25 ㎛ 입자 : 평균 입경 10 ㎛ 를 초과하고 25 ㎛ 이하
·Sn42-Bi58 20 ∼ 38 ㎛ 입자 : 평균 입경 20 ∼ 38 ㎛
Sn42-Bi57-Ag1 땜납 입자 (미츠이 금속 광업 주식회사 제조, 융점 139 ℃)
·Sn42-Bi57-Ag1 5 ㎛ 입자 : 평균 입경 5 ㎛
<플럭스 활성제>
BHBA : 2,2-비스하이드록시메틸부탄산
타르타르산
글루타르산
아디프산
<그 밖의 도전성 접착제>
Ag 페이스트 : 후지쿠라 화성 주식회사 제조, 도타이트 (상품명)
Sn42-Bi58 크림 땜납 : 센쥬 금속 공업 주식회사 제조, 에코솔더 (상품명)
Sn96.5-Ag3-Cu0.5 크림 땜납 : 센쥬 금속 공업 주식회사 제조, 에코솔더 (상품명)
(접착성, 도전성, 내 TCT 성의 평가)
실시예 1 ∼ 9, 비교예 1 ∼ 9 에 관련된 도전성 접착제 조성물의 특성을 하기 방법으로 측정하였다. 그 결과를 표 1, 표 2 에 정리하여 나타내었다. 표 중, 「플럭스/금속 비율 (%)」는, 도전성 입자에 대한 플럭스 활성제의 비율 (질량%) 을 의미한다.
(1) 접착성 (접착 강도)
도전성 접착제 조성물을 은 도금 형성 구리판 상에 약 0.5 mg 도포하고, 그 위에 2 ㎜ × 2 ㎜ × 0.25 ㎜ 의 사각형 평판상의 주석 도금 형성 구리판을 압착하여 시험편을 얻었다. 그 후, 실시예 1 ∼ 9 및 비교예 1 ∼ 8 에 관련된 시험편에 대해서는, 150 ℃, 10 분간의 열이력을 가하였다. 비교예 9 의 시험편에 대해서는, 260 ℃, 10 분간의 열이력을 가하였다. 열이력을 가한 후의 각 시험편의 25 ℃ 에 있어서의 접착 강도 (시어 강도) 를, 쉐어 속도 500 ㎛/sec, 클리어런스 100 ㎛ 의 조건에서 본드 테스터 (DAGE 사 제조, 2400) 를 사용하여 측정하였다.
(2) 도전성 (체적 저항률)
1 ㎜ × 50 ㎜ × 0.03 ㎜ 의 띠상의 금 도금 형성 구리판 2 장을, 상기 도전성 접착제 조성물을 개재하여, 서로 직교하도록 첩합 (貼合) 하여 시험편을 얻었다. 구리판의 직교 부분에 있어서의 접착제의 층의 치수는 1 ㎜ × 1 ㎜ × 0.03 ㎜ 였다. 계속해서, 상기 (1) 과 동일한 열이력을 시험편에 가하였다. 그 후의 시험편에 대해, 사단자법으로 체적 저항률을 측정하였다.
(3) 내 TCT 성
이웃하는 2 개의 동박 랜드 (0.2 ㎜ × 0.4 ㎜) 를 구비하고, 동박 랜드간의 거리가 100 ㎛ 인, 100 ㎜ × 50 ㎜ × 0.5 ㎜ 의 사각형 평판상의 박형 FR4 기판을 준비하였다. 이어서, 동박 랜드 상에 도전성 접착제 조성물을 메탈 마스크 (두께 100 ㎛, 개구 치수 0.2 ㎜ × 0.3 ㎜) 를 사용하여 인쇄하였다. 그 위에, 전극간 거리가 100 ㎛ 인 소형 칩 저항 (0.2 ㎜ × 0.4 ㎜) 을, 도전성 접착제 조성물을 개재하여 전극과 동박 랜드가 대향하도록 올렸다. 얻어진 부품 탑재 기판에 상기 (1) 과 동일한 열이력을 가하여, 내 TCT 성 평가용의 시험 기판을 얻었다. 이 시험 기판의 초기 저항을 간이 테스터를 사용하여 확인하였다. 그 후, 시험 기판을, 열충격 시험기를 사용하여, ―55 ℃ 에서 30 분간 유지, 125 ℃ 까지 5 분 동안 승온, 125 ℃ 에서 30 분간 유지, 및 ―55 ℃ 까지 5 분 동안 강온의 순서의 온도 변화를 1 사이클로 하는 열충격 시험에 제공하였다. 열충격 시험 후의 시험 기판의 접속 저항을 측정하였다. 사이클 수를 늘리면서 시험 기판의 접속 저항을 측정하고, 초기 저항에 대해 ±10 % 이내의 저항 변화율을 나타낸 시점까지의 사이클 수를, 내 TCT 성의 지표로 하였다. 표 중, 「초기 오픈」은 초기 도통성이 현저하게 낮았던 것을 의미한다. 「초기 쇼트」는 열충격 시험 전에 쇼트가 발생하고 있던 것을 의미한다.
Figure pct00005
Figure pct00006
실시예 1 ∼ 9 는 모두 양호한 접착 강도, 체적 저항율, 및 내 TCT 성을 나타냈다. 시험 기판의 휨도 거의 관찰되지 않았다.
비교예 1 에서는 도전성 입자가 응집되지 않기 때문에 체적 저항율이 크고, 접속성에 문제가 있는 것이 확인되었다. 비교예 2 는 낮은 체적 저항율을 나타내지만, 실시예 1 ∼ 8 과 비교하여 내 TCT 성이 저하되는 것이 확인되었다.
비교예 3, 4 는 체적 저항율이 크고, 내 TCT 성에 관해서는, 초기 도통성이 현저하게 저하되어, 절연되어 있는 것이 확인되었다. 비교예 5, 6 은 접착 강도, 체적 저항율은 양호했지만, 내 TCT 성 샘플 제조 후에 전극간에서 쇼트되어 있는 것이 확인되었다.
비교예 7 은 접착 강도가 낮고, 내 TCT 성도 현저하게 저하되었다. 비교예 8 에 관해서는 접착 강도, 체적 저항율 모두 비교적 양호했지만, 내 TCT 성은 저하되었다.
비교예 9 는 260 ℃ 에서 가열 접속했을 때에, 기판이 크게 휘어, 접속부가 파손되었기 때문에 내 TCT 성은 측정 불가였다.
1 : 접속 구조체
2 : 회로 기판
3 : 전자 부품
4 : 전자 부품의 본체부
5 : 기재
6 : 전자 부품의 접속 단자
7 : 회로 기판의 접속 단자
8 : 접속부
8a : 도전부
8b : 수지부
10 : 땜납 볼

Claims (12)

  1. (A) 도전성 입자, (B) 열경화성 수지, (C) 플럭스 활성제, 및 (D) 경화 촉매를 함유하고,
    상기 도전성 입자가, 융점 200 ℃ 이하의 금속을 함유하고,
    상기 도전성 입자의 평균 입경이 0.01 ∼ 10 ㎛ 이고,
    상기 플럭스 활성제가, 수산기 및 카르복실기를 갖는 화합물을 함유하고,
    회로 기판과 그 회로 기판에 탑재되는 전자 부품을 전기적으로 접속하기 위해서 사용되는, 도전성 접착제 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 플럭스 활성제의 함유량이, 상기 도전성 입자의 질량에 대해 4.0 ∼ 8.5 질량% 인, 도전성 접착제 조성물.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 도전성 입자에 함유되는 융점 200 ℃ 이하의 상기 금속이, 비스무트, 인듐, 주석 및 아연에서 선택되는 적어도 1 종을 함유하는, 도전성 접착제 조성물.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 도전성 입자의 비표면적이 0.060 ∼ 90 ㎡/g 인, 도전성 접착제 조성물.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 열경화성 수지가 에폭시 수지를 함유하는, 도전성 접착제 조성물.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    당해 도전성 접착제 조성물이, 25 ℃ 에서 페이스트상인, 도전성 접착제 조성물.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 회로 기판이 기재 및 그 기재의 주면 상에 배치된 2 이상의 접속 단자를 갖고, 그 2 이상의 접속 단자와 상기 전자 부품의 접속 단자를 전기적으로 접속하기 위해서 사용되는, 도전성 접착제 조성물.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 회로 기판의 상기 2 이상의 접속 단자가, 서로 200 ㎛ 이하의 간격을 두고 상기 기재의 주면 상에 배치되어 있는, 도전성 접착제 조성물.
  9. 기재 및 그 기재의 주면 상에 형성된 2 이상의 접속 단자를 갖는 회로 기판과,
    상기 회로 기판의 2 이상의 상기 접속 단자와 대향하는 2 이상의 접속 단자를 갖는 전자 부품과,
    상기 회로 기판과 상기 전자 부품 사이에 배치되어, 이것들을 접합하고 있는 접속부를 구비하고,
    상기 접속부가, 상기 회로 기판의 상기 접속 단자와 상기 전자 부품의 상기 접속 단자 사이에 배치되어, 그것들을 전기적으로 접속하고 있는 도전부를 포함하고,
    상기 도전부가, 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 도전성 접착제 조성물에 함유되어 있던 도전성 입자를 함유하는, 접속 구조체.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 접속부가, 상기 도전부의 주위에 형성된 수지부를 추가로 포함하는, 접속 구조체.
  11. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 전자 부품이, 드라이버 IC, 센서 소자를 내장한 모듈 부품, 쇼트키 배리어 다이오드, 및 열전 변환 소자로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 포함하는, 접속 구조체.
  12. 제 9 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기재가 플렉시블 기재인, 접속 구조체.
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