KR20200030161A - 디스플레이 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 제조과정에서 열에 의한 표시영역의 손상을 최소화하면서 데드영역을 줄일 수 있는 디스플레이 장치를 위하여, 하부기판, 상부기판, 화소회로 및 상기 화소회로에 전기적으로 연결된 표시소자를 포함하는 표시부, 상기 표시부를 둘러싸도록 배치되어 상기 하부기판과 상기 상부기판을 접합하는 실링부, 상기 실링부와 적어도 일부가 중첩되도록 상기 하부기판과 상기 실링부 사이에 배치되는 전원공급배선 및 상기 전원공급배선의 일단부와 적어도 일부가 중첩되어 상기 하부기판의 가장자리 측으로 연장되며 상기 전원공급배선과 상기 하부기판 사이에 개재되며, 상기 전원공급배선과 연결되는, 제1 열전도층;을 구비하는, 디스플레이 장치를 제공한다.
Description
본 발명은 디스플레이 장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 제조과정에서 열에 의한 표시영역의 손상을 최소화하면서 데드영역을 줄일 수 있는 디스플레이 장치에 관한 것이다.
자발광형 디스플레이 장치인 유기 발광 디스플레이 장치는 별도의 광원이 불필요하므로 저전압으로 구동이 가능하고 경량의 박형으로 구성할 수 있으며, 넓은 시야각, 높은 콘트라스트(contrast) 및 빠른 응답 속도 등의 고품위 특성으로 인해 차세대 표시 장치로 주목받고 있다.
유기 발광 디스플레이 장치 등의 다양한 종류의 디스플레이 장치는, 사용자에게 소정의 이미지를 표시하고 있으며, 점차 다양화되는 소비자의 요구에 맞추어 이미지를 표시하지 않는 영역인 데드영역(dead area)를 줄이는 연구가 지속되고 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 제조과정에서 열에 의한 표시영역의 손상을 최소화하면서 데드영역을 줄일 수 있는 디스플레이 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 관점에 따르면, 표시영역 및 상기 표시영역 주변의 외곽영역을 갖는, 하부기판; 상기 하부기판과 대향하도록 배치되는, 상부기판; 및 상기 표시영역 상에 배치되고, 화소회로 및 상기 화소회로에 전기적으로 연결된 표시소자를 포함하는, 표시부; 상기 표시부를 둘러싸도록 상기 외곽영역 상에 배치되어 상기 하부기판과 상기 상부기판을 접합하는, 실링부; 상기 실링부와 적어도 일부가 중첩되도록 상기 하부기판과 상기 실링부 사이에 배치되는, 전원공급배선; 및 상기 전원공급배선의 일단부와 적어도 일부가 중첩되어 상기 하부기판의 가장자리 측으로 연장되며 상기 전원공급배선과 상기 하부기판 사이에 개재되며, 상기 전원공급배선과 연결되는, 제1 열전도층;을 구비하는, 디스플레이 장치가 제공된다.
본 실시예에 따르면, 상기 전원공급배선과 상기 제1 열전도층 사이에 개재되는 제1 연결층을 더 포함하고, 상기 제1 연결층을 통해 상기 전원공급배선과 상기 제1 열전도층이 서로 연결될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 제1 연결층은 상기 하부기판의 가장자리까지 연장되어, 상기 제1 연결층의 단부면과 상기 하부기판의 가장자리의 단부면이 서로 일치할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 제1 열전도층의 일단부의 단부면은 외곽으로 노출될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 제1 열전도층의 단부면을 포함하는 적어도 일부는 패턴된 형태를 가질 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 제1 열전도층의 일단부의 단부면과 상기 실링부의 외측벽은 동일 평면일 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 실링부와 중첩되도록 상기 전원공급배선 하부에 배치되고, 상기 제1 열전도층과 상기 표시부 사이에 배치되는 제1 구동부를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 전원공급배선의 타단부와 적어도 일부가 중첩되도록 상기 전원공급배선과 상기 하부기판 사이에 개재되며, 상기 전원공급배선과 연결되는 제2 열전도층을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 제2 열전도층은 상기 제1 열전도층과 동일물질을 포함할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 전원공급배선과 상기 제2 열전도층 사이에 개재되는 제2 연결층을 더 포함하고, 상기 제2 연결층을 통해 상기 전원공급배선과 상기 제2 열전도층은 연결될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 제2 연결층은 상기 실링부와 상기 표시부 사이에 위치할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 실링부와 중첩되도록 상기 전원공급배선 하부의 상기 제1 열전도층과 상기 제2 열전도층 사이 영역에 배치되는 제1 구동부 및 상기 표시부와 상기 제2 열전도층 사이 영역에 배치되는 제2 구동부를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 제2 열전도층은 상기 제1 구동부 측으로 연장될되수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 제1 구동부는 발광 제어 구동회로이고, 상기 제2 구동부는 스캔 구동회로일 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 표시부의 상기 화소회로는, 반도체층, 반도체층과 적어도 일부가 중첩되는 게이트전극 및 소스전극 및 드레인전극 중 적어도 하나를 포함하는 제1 도전층을 포함하는, 박막트랜지스터; 상기 게이트전극과 제1 도전층 사이에 개재되며, 상기 게이트전극과 적어도 일부가 중첩되는 상부전극을 포함하는, 스토리지 커패시터; 및 상기 제1 도전층 상에 배치되는, 제2 도전층;을 포함할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 전원공급배선은 상기 제2 도전층과 동일 물질을 포함할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 제1 열전도층은 상기 상부전극과 동일 물질을 포함할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 게이트전극과 상기 상부전극 사이에 개재되는 제1 층간절연층; 상기 상부전극과 상기 전극층 사이에 개재되는 제2 층간절연층; 및 상기 전극층과 상기 제2 도전층 사이에 개재되는 무기 절연층;을 더 포함하고, 상기 제1 층간절연층, 상기 제2 층간절연층 및 무기 절연층은 상기 하부기판의 가장자리까지 연장되고, 상기 전원공급배선은 상기 무기 절연층 상에 배치될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 하부기판, 상기 상부기판 및 상기 실링부의 외측벽은 서로 일치할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 제1 열전도층은 상기 전원공급배선에 비해 반응성이 작은 금속 물질을 포함할 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점은 이하의 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용, 청구범위 및 도면으로부터 명확해질 것이다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 제조과정에서 열에 의한 표시영역의 손상을 최소화하면서 데드영역을 줄일 수 있는 디스플레이 장치를 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 어느 하나의 화소의 등가 회로도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 4는 도 1의 디스플레이 장치의 제조 과정의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 어느 하나의 화소의 등가 회로도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 4는 도 1의 디스플레이 장치의 제조 과정의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등이 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소들이 직접적으로 연결된 경우뿐만 아니라 막, 영역, 구성요소들 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소들이 개재되어 간접적으로 연결된 경우도 포함한다. 예컨대, 본 명세서에서 막, 영역, 구성 요소 등이 전기적으로 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소 등이 직접 전기적으로 연결된 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 간접적으로 전기적 연결된 경우도 포함한다.
표시 장치는 화상을 표시하는 장치로서, 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display), 전기영동 표시 장치(Electrophoretic Display), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display), 무기 EL 표시 장치(Inorganic Light Emitting Display), 전계 방출 표시 장치(Field Emission Display), 표면 전도 전자 방출 표시 장치(Surface-conduction Electron-emitter Display), 플라즈마 표시 장치(Plasma Display), 음극선관 표시 장치(Cathode Ray Display) 등 일 수 있다.
이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치로서, 유기 발광 디스플레이 장치를 예로 하여 설명하지만, 본 발명의 디스플레이 장치는 이에 제한되지 않으며, 다양한 방식의 디스플레이 장치일 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 평면도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 어느 하나의 화소의 등가 회로도이다.
도 1을 참조하면, 디스플레이 장치(1)는 하부기판(100) 상에 배치된 표시부(10)를 포함한다. 표시부(10)는 y방향으로 연장된 스캔선(SL) 및 y방향과 교차하는 x방향으로 연장된 데이터선(DL)에 연결된 화소(P)들을 포함한다. 표시부(10)는 화소(P)들에서 방출되는 빛을 통해 소정의 이미지를 제공하며, 표시영역(DA)을 정의한다.
각 화소(P)는 예컨대, 적색, 녹색, 청색, 또는 백색의 빛을 방출할 수 있다. 각 화소(P)는 표시소자를 포함하며, 표시소자는 유기발광소자(organic light emitting diode)를 포함할 수 있다. 본 명세서에서의 화소(P)라 함은 전술한 바와 같이 적색, 녹색, 청색, 또는 백색 중 어느 하나의 색상의 빛을 방출하는 화소를 나타낸다.
도 2를 참조하면, 화소(P)는 스캔선(SL) 및 데이터선(DL)에 연결된 화소회로(PC) 및 화소회로(PC)에 연결된 유기발광소자(OLED)를 포함할 수 있다. 화소회로(PC)는 구동 박막 트랜지스터(Td), 스위칭 박막 트랜지스터(Ts), 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함한다. 스위칭 박막 트랜지스터(Ts)는 스캔선(SL) 및 데이터선(DL)에 연결되며, 스캔선(SL)을 통해 입력되는 스캔 신호에 따라 데이터선(DL)을 통해 입력된 데이터 신호를 구동 박막 트랜지스터(Td)로 전달한다.
스토리지 커패시터(Cst)는 스위칭 박막 트랜지스터(Ts) 및 구동전압선(PL)에 연결되며, 스위칭 박막 트랜지스터(Ts)로부터 전달받은 전압과 구동전압선(PL)에 공급되는 구동전압(ELVDD)의 차이에 해당하는 전압을 저장한다.
구동 박막 트랜지스터(Td)는 구동전압선(PL)과 스토리지 커패시터(Cst)에 연결되며, 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압 값에 대응하여 구동전압선(PL)으로부터 유기발광소자(OLED)를 흐르는 구동 전류를 제어할 수 있다. 유기발광소자(OLED)는 구동 전류에 의해 소정의 휘도를 갖는 빛을 방출할 수 있다. 유기발광소자(OLED)는 예컨대, 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 빛을 방출할 수 있다
도 2에서는 화소(P)가 2개의 박막 트랜지스터 및 1개의 스토리지 박막 트랜지스터를 포함하는 경우를 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 다른 실시예로, 화소(P)의 화소회로(PC)는 3개 이상의 박막 트랜지스터를 포함하거나, 2개 이상의 스토리지 박막 트랜지스터를 포함하는 것과 같이 다양하게 변경될 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, 외곽영역(PA)은 표시영역(DA)의 외측에 배치된다. 예컨대, 외곽영역(PA)은 표시영역(DA)을 둘러쌀 수 있다. 외곽영역(PA)은 화소(P)들이 배치되지 않은 영역으로, 이미지를 제공하지 않는 비표시영역에 해당한다.
외곽영역(PA)에는 구동회로(drive circuit), 예컨대 제1 구동부(30, 32), 제2 구동부(20, 22), 단자부(40), 구동 전원공급배선(60), 및 공통 전원공급배선(70)이 배치될 수 있다. 제1 구동부(30, 32)는 제1 및 제2 발광 구동회로(30, 32) 일 수 있고, 제2 구동부(30, 32)는 제1 및 제2 스캔 구동회로(20, 22)일 수 있다.
제1 및 제2 스캔 구동회로(20, 22)는 하부기판(100)의 외곽영역(PA) 상에 배치되며, 스캔선(SL)을 통해 각 화소(P)에 스캔 신호를 생성하여 전달한다. 일 예로, 제1 스캔 구동회로(20)는 표시부(10)의 좌측에, 제2 스캔 구동회로(22)는 표시부(10)의 우측에 배치될 수 있으나, 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 다른 실시예로, 스캔 구동회로는 하나만 구비될 수 있다.
단자부(40)는 하부기판(100)의 일 단부에 배치되며, 복수의 단자(41, 42, 43, 44, 45)를 포함한다. 단자부(40)는 절연층에 의해 덮이지 않고 노출되어, 플렉서블 인쇄회로기판(FPCB)과 전기적으로 연결될 수 있다. 단자부(40)는 제1 및 제2 스캔 구동회로(20, 22)이 위치하지 않은 하부기판(100)의 일 측에 배치될 수 있다.
플렉서블 인쇄회로기판(FPCB)은 제어부(55)와 단자부(40)를 전기적으로 연결하며, 제어부(55)로부터 전달된 신호 또는 전원은 단자부(40)에 연결된 연결배선(21, 31, 41, 51, 61, 71)들을 통해 이동한다.
제어부(55)는 수직동기신호, 수평동기신호, 및 클럭신호를 전달받아 제1 및 제2 스캔 구동회로(20, 22)의 구동을 제어하기 위한 제어 신호를 생성하고, 생성된 신호는 플렉서블 인쇄회로기판(FPCB)과 연결된 단자(44) 및 연결배선(21, 31)을 통해 제1 및 제2 스캔 구동회로(20, 22) 각각에 전달될 수 있고, 제1 및 제2 스캔 구동회로(20, 22)의 스캔 신호는 스캔선(SL)을 통해 각 화소(P)에 제공될 수 있다. 그리고, 제어부(55)는 플렉서블 인쇄회로기판(FPCB)과 연결된 단자(42, 45) 및 연결배선(61, 71)을 통해 구동 전원공급배선(60) 및 공통 전원공급배선(70) 각각에 구동전원(ELVDD) 및 공통전원(ELVSS)을 제공한다. 구동전원(ELVDD)은 구동전압선(PL)을 통해 각 화소(P)에 제공되고, 공통전원(ELVSS)은 화소(P)의 공통전극에 제공될 수 있다.
플렉서블 인쇄회로기판(FPCB)에는 데이터 구동회로(50)가 배치될 수 있다. 데이터 구동회로(50)는 데이터 신호를 각 화소(P)에 제공한다. 데이터 구동회로(50)의 데이터 신호는 단자(41)에 연결된 연결배선(51) 및 연결배선(51)과 연결된 데이터선(DL)을 통해 각 화소(P)에 제공된다. 도 1에서는 데이터 구동회로(50)가 플렉서블 인쇄회로기판(FPCB) 상에 배치된 것을 도시하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 다른 실시예로, 데이터 구동회로(50)는 하부기판(100)의 외곽영역(PA) 상에 배치될 수 있다.
구동 전원공급배선(60)은 외곽영역(PA) 상에 배치될 수 있다. 예컨대, 구동 전원공급배선(60)은 단자부(40)와 인접한 표시부(10)의 일측과 단자부(40) 사이에 배치될 수 있다. 단자(41)와 연결된 연결배선(61)을 통해 제공된 구동전원(ELVDD)은 구동전압선(PL)을 통해 각 화소(P)들에 제공될 수 있다.
공통 전원공급배선(70)은 외곽영역(PA) 상에 배치되며, 표시부(10)를 부분적으로 둘러쌀 수 있다. 예컨대, 공통 전원공급배선(70)은 단자부(40)와 인접한 표시부(10)의 일측이 개방된 루프 형태로서, 단자부(40)를 제외한 하부기판(100)의 가장자리를 따라 연장될 수 있다.
공통 전원공급배선(70)은 단자(45)와 연결된 연결배선(71)에 전기적으로 연결되며, 화소(P)의 유기발광소자의 공통전극(예컨대, 캐소드)에 공통전원(ELVSS)을 제공한다. 도 1에서는, 연결배선(71)이 공통 전원공급배선(70)의 일측 및 타측 단부에서 컨택하는 것을 도시하고 있다. 다른 실시예로, 연결배선(71)은 표시부(10)를 부분적으로 둘러싸는 일측이 개방된 루프 형태로 구비될 수도 있다. 연결배선(71)이 공통 전원공급배선(70)의 일측 및 타측 단부에서 컨택하는 경우 및 표시부(10)를 부분적으로 둘러싸는 경우 모두 공통적으로, 연결배선(71)은 하부기판(100)의 단부, 예컨대 단자부(40)를 향해 공통 전원공급배선(70)보다 더 연장될 수 있다.
제1 및 제2 발광 구동회로(30, 32)는 하부기판(100)의 외곽영역(PA) 상에 배치되며, 발광 제어선(미도시)을 통해 각 화소(P)에 발광 제어 신호를 생성하여 전달한다. 일 예로, 제1 발광 구동회로(30)는 표시부(10)의 좌측에, 제2 발광 구동회로(32)는 표시부(10)의 우측에 배치될 수 있으나, 본 발명은 이에 제안되지 않는다. 다른 실시예로, 발광 구동회로는 하나만 구비될 수도 있다.
도 1을 참조하면, 제1 및 제2 스캔 구동회로(20, 22)는 표시부(10)에 인접하여 배치되고, 제1 및 제2 발광 구동회로(30, 32)는 상대적으로 하부기판(100)의 가장자리에 인접하여 배치된다. 이때, 제1 및 제2 발광 구동회로(30, 32)는 공통 전원공급배선(70)와 중첩되어, 공통 전원공급배선(70) 하부에 배치될 수 있다.
전술한 구성을 포함한 하부기판(100) 상에는 상부기판(300)이 하부기판(100)과 마주보도록 배치되며, 하부기판(100)과 상부기판(300) 사이에는 실링부(400)가 배치된다. 실링부(400)는 도 1에 도시된 바와 같은 평면도 상에서 표시부(10)를 둘러쌀 수 있다. 하부기판(100), 상부기판(300) 및 실링부(400)에 의해 정의된 공간은 외부와 공간적으로 분리되어 외부의 수분이나 불순물들이 침투하는 것을 방지할 수 있다. 실링부(400)는 예컨대 프릿과 같은 무기물일 수 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 다른 실시예로 실링부(400)는 에폭시 등을 사용할 수 있다.
도 1에는 실링부(400)가 표시부(10)와 제1 및 제2 스캔 구동회로(20, 22)을 전체적으로 둘러싸는 것으로 도시되어 있으며, 하부기판(100), 상부기판(300) 및 실링부(400)에 의해 정의된 공간(내측 공간)에 표시부(10)와 제1 및 제2 스캔 구동회로(20, 22)가 배치되는 것으로 이해할 수 있다.
실링부(400)는 공통 전원공급배선(70)와 적어도 일부가 중첩되도록 배치될 수 있다. 이때, 제1 및 제2 발광 구동회로(30, 32)는 공통 전원공급배선(70)과 중첩되도록 공통 전원공급배선(70)의 하부에 위치할 수 있으며, 실링부(400)와도 중첩될 수 있다.
제1 열전도층(80)은 하부기판(100)의 외곽영역(PA)에 배치되며, 실링부(400) 및 공통 전원공급배선(70)과 일부가 중첩되도록 배치될 수 있다. 제1 열전도층(80)은 하부기판(100)의 가장자리를 포함한 최외곽까지 연장될 수 있다. 제1 열전도층(80)은 실링부(400) 경화를 위해 조사되는 레이저의 열이 외부로 배출되도록 할 수 있다.
도 1에서 제1 열전도층(80)의 개방된 루프 형태로 표시부(10)의 일부를 둘러싸도록 배치된다. 제1 열전도층(80)의 하부기판(100)의 3면의 가장자리를 따라 배치될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 요구되는 방열 효율에 따라 제1 열전도층(80)의 폭 및 구조는 변형가능하다.
이에 대하여 도 3 등의 이하 도면에서 상세하게 설명한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다. 도 3은 도 1의 III-III'에 대응될 수 있다.
도 3을 참조하면, 표시 장치는 표시영역(DA)과 외곽영역(PA)을 구비한다. 하부기판(100)과 상부기판(300) 모두 표시영역(DA) 및 외곽영역(PA)에 대응하는 영역을 구비할 수 있다.
하부기판(100)은 글라스재, 금속재, 또는 PET(Polyethylen terephthalate), PEN(Polyethylen naphthalate), 폴리이미드(Polyimide) 등과 같은 플라스틱재 등, 다양한 재료로 형성된 것일 수 있다. 상부기판(300)은 투명한 소재를 포함할 수 있다. 예컨대 상부기판(300)은 글라스재, 또는 PET(Polyethylen terephthalate), PEN(Polyethylen naphthalate), 폴리이미드(Polyimide) 등과 같은 플라스틱재 등, 다양한 재료로 형성된 것일 수 있다. 하부기판(100)과 상부기판(300)은 동일한 재료를 포함하거나, 서로 상이한 재료를 포함할 수 있다.
도 3의 표시영역(DA)을 참조하면, 하부기판(100) 상에 버퍼층(101)이 형성될 수 있다. 버퍼층(101)은 하부기판(100)을 통하여 침투하는 이물 또는 습기를 차단할 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(101)은 산화규소(SiOx), 질화규소(SiNx) 또는/및 산질화규소(SiON)와 같은 무기물을 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
하부기판(100) 상에는 표시영역(DA)과 대응되는 위치에 구비된 박막트랜지스터(130) 및 스토리지 커패시터(140), 및 이들과 전기적으로 연결된 표시소자(200)인 유기발광소자(OLED)가 위치할 수 있다. 도 3의 박막트랜지스터(130)는 도 2를 참조하여 설명한 화소회로(PC)에 구비된 박막트랜지스터들 중 어느 하나, 예컨대 구동 박막 트랜지스터(Td)에 해당할 수 있으며, 도 3의 스토리지 커패시터(140)는 도 2를 참조하여 설명한 스토리지 커패시터(Cst)에 해당한다.
박막트랜지스터(130)는 반도체층(134) 및 게이트전극(136)을 포함한다. 반도체층(134)은 예컨대 폴리실리콘을 포함할 수 있다. 반도체층(134)은 게이트전극(136)과 중첩하는 채널영역(131) 및 채널영역(131)의 양측에 배치되되 채널영역(131)보다 고농도의 불순물을 포함하는 소스영역(132) 및 드레인영역(133)을 포함할 수 있다. 여기서, 불순물은 N형 불순물 또는 P형 불순물을 포함할 수 있다. 소스영역(132)과 드레인영역(133)은 박막트랜지스터(130)의 소스전극과 드레인전극으로 이해할 수 있다.
본 실시예에서 반도체층(134)은 폴리실리콘을 함유하는 경우를 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정하지 않는다. 다른 실시예로, 반도체층(134)은 아모퍼스 실리콘을 포함하거나, 유기 반도체물질을 포함할 수 있다. 또 다른 실시예로, 반도체층(134)는 산화물 반도체를 포함할 수 있다.
화소회로(PC)는 앞서 도 2를 참조 하여 설명한 구동 박막 트랜지스터(Td) 및 스위칭 박막 트랜지스터(Ts)를 포함할 수 있으며, 구동 박막 트랜지스터(Td)의 반도체층과 스위칭 박막 트랜지스터(Ts)의 반도체층은 서로 다른 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 박막 트랜지스터(Td)의 반도체층과 스위칭 박막 트랜지스터(Ts)의 반도체층 중 어느 하나는 산화물 반도체를 포함하고, 나머지 하나는 폴리실리콘을 포함할 수 있다.
반도체층(134)과 게이트전극(136) 사이에는 게이트절연층(103)이 배치될 수 있다. 게이트절연층(103)은 산질화규소(SiON), 산화규소(SiOx) 및/또는 질화규소(SiNx)와 같은 무기 절연층일 수 있으며, 무기 절연층층은 단층 또는 다층일 수 있다.
스토리지 커패시터(140)는 서로 중첩하는 하부전극(144) 및 상부전극(146)을 포함한다. 하부전극(144)과 상부전극(146) 사이에는 제1 층간절연층(105)이 배치될 수 있다.
제1 층간절연층(105)은 소정의 유전율을 갖는 층으로서, 산질화규소(SiON), 산화규소(SiOx) 및/또는 질화규소(SiNx)와 같은 무기 절연층일 수 있으며, 단층 또는 다층일 수 있다. 도 3에서는 스토리지 커패시터(140)가 박막트랜지스터(130)와 중첩하며, 제1 하부전극(144)이 박막트랜지스터(130)의 게이트전극(136)인 경우를 도시하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 다른 실시예로, 스토리지 커패시터(140)는 박막트랜지스터(130)와 중첩하지 않을 수 있으며, 제1 하부전극(144)은 박막트랜지스터(130)의 게이트전극(136)과 별개의 독립된 구성요소일 수 있다.
스토리지 커패시터(140)는 제2 층간절연층(107)으로 커버될 수 있다. 제2 층간절연층(107)은 산질화규소(SiON), 산화규소(SiOx) 및/또는 질화규소(SiNx)와 같은 무기 절연층일 수 있으며, 단층 또는 다층일 수 있다.
구동전압선(PL)은 제1 유기 절연층(111) 상에 배치될 수 있다. 구동전압선(PL)은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하며, 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일 실시예로, 구동전압선(PL)은 Ti/Al/Ti의 다층 구조로 이루어질 수 있다.
도 3은 제1 유기 절연층(111)의 아래에 배치된 하부 구동전압선(PL1)이 더 포함된 것을 도시하고 있다. 하부 구동전압선(PL1)은 제1 유기 절연층(111)을 관통하는 컨택홀을 통해 구동전압선(PL)과 전기적으로 연결되어, 구동전압선(PL)을 통해 제공되는 구동전압(ELVDD)의 전압 강하를 방지할 수 있다. 하부 구동전압선(PL1)은 데이터선(DL)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 하부 구동전압선(PL1) 및 데이터선(DL)은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하며, 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일 실시예로, 하부 구동전압선(PL1) 및 데이터선(DL)은, Ti/Al/Ti 또는 TiN/Al/Ti과 같은 다층 구조로 이루어질 수 있다.
제1 유기 절연층(111)은 유기절연물을 포함한다. 유기절연물은 이미드계 고분자, Polymethylmethacrylate(PMMA)나, Polystylene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 제1 유기 절연층(111)은 폴리이미드를 포함할 수 있다.
구동전압선(PL)은 제2 유기 절연층(113)으로 커버되며, 제2 유기 절연층(113)은 이미드계 고분자, Polymethylmethacrylate(PMMA)나, Polystylene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 제2 유기 절연층(113)은 폴리이미드를 포함할 수 있다.
제2 유기 절연층(113) 상에는 화소전극(210)이 배치된다. 화소전극(210) 상에는 화소정의막(120)이 배치되며, 화소정의막(120)은 각 부화소에 대응하는 개구, 즉 적어도 화소전극(210)의 중앙부가 노출되도록 하는 개구를 가짐으로써 화소를 정의할 수 있다. 또한, 화소정의막(120)은 화소전극(210)의 가장자리와 공통전극(230) 사이의 거리를 증가시킴으로써, 이들 사이에서 아크 등이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 화소정의막(120)은 예컨대 폴리이미드 또는 HMDSO(hexamethyldisiloxane) 등과 같은 유기물로 형성될 수 있다.
중간층(220)은 저분자 또는 고분자 물질을 포함할 수 있다. 저분자 물질을 포함할 경우, 중간층(220)은 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer), 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer), 발광층(EML: Emission Layer), 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer), 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층된 구조를 가질 수 있으며, 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB) , 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯해 다양한 유기물질을 포함할 수 있다. 이러한 층들은 진공증착의 방법으로 형성될 수 있다.
중간층(220)이 고분자 물질을 포함할 경우에는, 중간층(220)은 대개 홀 수송층(HTL) 및 발광층(EML)을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 이 때, 홀 수송층은 PEDOT을 포함하고, 발광층은 PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등 고분자 물질을 포함할 수 있다. 중간층(220)의 구조는 전술한 바에 한정되는 것은 아니고, 다양한 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 중간층(220)을 이루는 층들 중 적어도 어느 하나는 복수개의 화소전극(210)들에 걸쳐서 일체(一體)로 형성될 수 있다. 또는, 중간층(220)은 복수개의 화소전극(210)들 각각에 대응하도록 패터닝된 층을 포함할 수 있다.
공통전극(230)은 표시영역(DA) 상부에 배치되며, 표시영역(DA)을 덮도록 배치될 수 있다. 즉, 공통전극(230)은 복수개의 화소들을 커버하도록 일체(一體)로 형성될 수 있다.
공통전극(230)과 상부기판(300) 사이에는 충전재(미도시)가 배치될 수 있다. 충전재(미도시)는 예컨대, 광경화성 에폭시계 물질 또는 아크릴레이트계 물질 중 하나 이상을 포함할 수 있으나 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
도 3의 외곽영역(PA)을 참조하면, 하부기판(100) 상에 구동회로, 제1 구동부(30) 및 제2 구동부(20)가 배치된다. 예컨대, 제1 구동부(30)는 제1 발광 구동회로(30)이고, 제2 구동부(20)는 제1 스캔 구동회로(20)일 수 있다.
제1 스캔 구동회로(20) 및 제1 발광 구동회로(30)는 박막트랜지스터(TFT)들을 포함하며, 박막트랜지스터(TFT)들과 연결된 배선(미도시)을 포함할 수 있다. 박막트랜지스터(TFT)는 화소회로(PC)의 박막트랜지스터(130)와 동일한 공정에서 형성될 수 있다.
제1 스캔 구동회로(20) 및 제1 발광 구동회로(30)는 박막트랜지스터(TFT)를 이루는 요소(예컨대, 반도체층, 게이트전극 등)들 사이에 개재되는 절연층을 포함한다. 예컨대, 버퍼층(101), 게이트절연층(103), 제1 및 제2 층간절연층(105, 107) 중 적어도 어느 하나가 외곽영역(PA)으로 연장되어 절연층(110)을 이룰 수 있다. 절연층(110)은 무기 절연재를 포함한다.
제1 스캔 구동회로(20)는 제1 발광 구동회로(30)보다 상대적으로 표시영역(DA)에 인접하게 배치될 수 있다. 따라서, 도 1와 같이 제1 스캔 구동회로(20) 상부에 제1 및 제2 유기 절연층(111, 113)의 일부가 외곽영역(PA) 측으로 연장되어 제1 스캔 구동회로(20)를 커버할 수 있다. 다른 실시예로, 제1 및 제2 유기 절연층(111, 113)은 제1 스캔 구동회로(20)를 커버하지 않을 수 있으며, 제1 스캔 구동회로(20) 상에는 무기 절연층(109)만이 위치할 수도 있다.
제1 스캔 구동회로(20) 및 제1 발광 구동회로(30)는 무기 절연층(109)으로 커버될 수 있다. 무기 절연층(109)은 디스플레이 장치의 제조 공정에서 알루미늄과 같이 에천트에 의해 손상될 수 있는 금속을 포함하는 연결배선(71)이 에칭 환경에 노출되는 것을 방지할 수 있다. 도 3에는 무기 절연층(109)이 표시영역(DA) 상에도 배치된 것을 도시하고 있다.
무기 절연층(109)은 산화규소(SiOx), 질화규소(SiNx) 또는/및 산질화규소(SiON)와 같은 무기물을 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 일 실시예로, 무기 절연층(109)은 질화규소(SiNx)를 포함할 수 있다. 무기 절연층(109)은 약 500Å이상의 두께를 가질 수 있다. 또 다른 실시예로, 무기 절연층(109)은 1,000Å 이상이거나, 1,500Å 이상이거나, 2,000Å 이상이거나, 2,500Å 이상이거나, 3,000Å 이상이거나, 3,500Å 이상이거나, 4,000Å 이상이거나, 4,500Å 이상이거나, 5,000Å 이상이거나, 5,500Å 이상이거나, 6,000Å 이상이거나, 6,500Å 이상일 수 있다. 또는, 무기 절연층(109)은 7,000Å 내지 10,000Å의 두께를 가질 수 있다.
공통 전원공급배선(70)은 무기 절연층(109)을 사이에 두고 제1 발광 구동회로(30)와 중첩하도록 배치된다. 공통 전원공급배선(70)은 구동전압선(PL)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 공통 전원공급배선(70)의 일단부(70E1)는 실링부(400)에 의해 커버되고, 일단부(70E1)의 반대편인 타단부(70E2)는 표시영역(DA) 측으로 연장되어 도전막(212)에 의해 커버된다.
다른 실시예로, 공통 전원공급배선(70)의 타단부(70E2)는 표시영역(DA) 측으로 더욱 연장되어 제1 유기 절연층(111) 및/또는 제2 유기 절연층(113)과 접촉할 수 있다. 다른 실시예로, 공통 전원공급배선(70)의 타단부(70E2)는 일 단부(70E1)와 마찬가지로 실링부(400)에 의해 커버될 수 있다.
실링부(400)는 제1 발광 구동회로(30) 및 공통 전원공급배선(70)과 중첩되어 배치된다. 실링부(400)는 제1 발광 구동회로(30) 및 공통 전원공급배선(70)을 사이에 두고 하부기판(100)과 상부기판(300)을 접합하는 역할을 한다.
본 실시예예서, 디스플레이 장치는 실링부(400)를 포함하여 패널을 커팅하는 방식으로 제조되기 때문에, 제조과정에서 하부기판(100), 실링부(400), 상부기판(300)은 커팅라인(CL)을 따라 함께 커팅된다. 따라서, 하부기판(100)의 에지(100E), 상부기판(300)의 에지(300E), 실링부(400)의 외측벽(400OE)은 서로 일치할 수 있으며, 다시 말해 동일 평면에 위치할 수 있다.
한편, 공통 전원공급배선(70)과 하부기판(100) 사이에는 제1 열전도층(80)이 배치된다. 제1 열전도층(80)은 공통 전원공급배선(70)의 일단부(70E1)와 적어도 일부가 중첩된다. 제1 열전도층(80)은 하부기판(100)의 에지(100E)까지 연장된다. 따라서, 제1 열전도층(80)의 일단부의 단부면(80E)은 패널의 외곽으로 노출된다. 또한 상술한 것과 마찬가지로, 제1 열전도층(80)의 단부면(80E)도 하부기판(100)의 에지(100E), 상부기판(300)의 에지(300E), 실링부(400)의 외측벽(400OE)과 서로 일치하도록 구비된다.
도 1에서 제1 열전도층(80)은 표시영역(DA)의 화소회로(PC)의 상부전극(146)과 동일층에 위치하고, 동일 물질을 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 제1 열전도층(80)은 화소회로(PC)의 데이터라인(DL), 상부전극(146) 또는 게이트전극(135) 중 적어도 하나와 동일층에 위치하고, 동일 물질을 포함할 수 있다.
제1 열전도층(80)은 제1 연결층(82)을 사이에 두고 공통 전원공급배선(70)과 물리적으로 연결될 수 있다. 도 1에서 제1 연결층(82)은 화소회로(PC)의 데이터라인(DL)과 동일층에 위치하고, 동일 물질을 포함한다. 제1 연결층(82)은 제1 발광 구동회로(30)와 하부기판(100)의 에지(100E) 사이 영역에 위치할 수 있다.
종래에는, 본 발명과 달리 제1 발광 구동회로와 같은 구동부 및 공통 전원공급배선을 실링부와 분리한 영역에 배치하였고, 이러한 구조는 비발광부인 데드 영역을 증가시키는 주요 요인이 되었다.
이에 본 발명에서는 데드 영역을 감소시키기 위하여 외곽영역(PA)에 배치된 제1 발광 구동회로(30)를 공통 전원공급배선(70) 하부에 위치하도록 하여, 제1 발광 구동회로(30)와 공통 전원공급배선(70)이 중첩하며, 실링부(400)가 공통 전원공급배선(70)의 적어도 일부가 중첩하도록 배치함으로써, 데드 영역을 축소하였다.
다만, 이러한 구조에서, 실링부(400)를 통해 하부기판(100)과 상부기판(300)을 접합시키기 위해 실링부(400) 상부에 레이저를 조사하여 경화시키는 과정에서, 실링부(400) 하부에 배치된 구동회로(30)가 열에 의해 손상되는 문제점이 발생할 수 있다. 실링부(400)와 구동회로(30) 사이에 공통 전원공급배선(70)의 폭(W1)을 넓게 커버하여 구동회로(30)의 손상을 방지한다고 하더라도, 공통 전원공급배선(70)에 전달된 열은 외부로 방열되지 못하고 결국 하부의 구동회로(30)로 전달되는 문제점이 있다.
이에 본 발명의 일 실시예에 관한 디스플레이 장치에서는, 공통 전원공급배선(70)의 하부에 제1 열전도층(80)을 배치함으로써, 상부기판(300) 합착 후 실링부(400) 경화 시 레이저에 의해 공통 전원공급배선(70)에 가해지는 열을 용이하게 패널 외부로 확산시킬 수 있다.
도 4는 도 1의 디스플레이 장치의 제조 과정의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 4를 참조하면, 디스플레이 장치의 외곽영역(PA)에 있어서, 상부기판(300) 합착 후 레이저(L)를 조사하여 실링부(400)를 경화시키는 과정을 거친다. 그 후에는 커팅 라인(CL)을 따라 상부기판(300), 실링부(400), 하부기판(100) 및 제1 열전도층(80)을 동시에 커팅하여 디스플레이 패널을 형성한다.
도 4에서 레이저(L)는 상부기판(300)에서 실링부(400) 방향으로 조사된다. 레이저(L)는 고온의 열(H)을 수반하므로, 실링부(400)의 경화를 위해 전달된 열(H)은 실링부(400)과 면접촉하는 도전층인 공통 전원공급배선(70)으로 그대로 전달된다.
본 실시예예서는, 공통 전원공급배선(70)에 전달된 열(H)은 제1 연결층(82)을 통해 연결된 제1 열전도층(80)으로 전달되고, 제1 열전도층(80)을 따라 패널 외부로 확산된다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치는 실링부(400)와 공통 전원공급배선(70) 및 구동회로(30)를 중첩하여 배치해 데드 영역을 줄임과 동시에, 제1 열전도층(80)을 방열 구조로 구비함으로써 실링부(400) 경화 시 구동회로(30)가 열화 손상되는 것을 방지할 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 5의 디스플레이 장치(2)는 도 3의 실시예와 비교할 때, 공통 전원공급배선(70) 하부에 제2 열전도층(90)을 더 구비한다. 외곽영역(PA)을 제외한 표시영역(DA)은 도 3의 실시예와 동일한 바, 이하 중복되는 내용은 생략하고 차이점을 중심으로 설명하도록 한다.
도 5에서 공통 전원공급배선(70)과 하부기판(100) 사이에는 제2 열전도층(90)이 배치된다. 제2 열전도층(90)은 공통 전원공급배선(70)의 타단부(70E2)와 중첩된다. 제2 열전도층(90)의 일측은 공통 전원공급배선(70)의 타단부(70E2)와 대략 일치하도록 배치되며, 제2 열전도층(90)의 타측은 제1 발광 구동회로(30)가 위치한 방향으로 연장될 수 있다. 이때, 제2 열전도층(90)은 제1 발광 구동회로(30)와는 소정 간격 이격되도록 구비될 수 있다.
도 5에서, 제2 열전도층(90)은 표시영역(DA)의 화소회로(PC)의 상부전극(146)과 동일층에 위치하고, 동일 물질을 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 제2 열전도층(90)은 화소회로(PC)의 데이터라인(DL), 상부전극(146) 또는 게이트전극(135) 중 적어도 하나와 동일층에 위치하고, 동일 물질을 포함할 수 있다.
도 5에서 제1 열전도층(80)과 제2 열전도층(90)은 동일층에 배치된 것으로 도시되나, 다른 실시예로 제1 열전도층(80)과 제2 열전도층(90)은 다른 층에 배치될 수도 있다.
제2 열전도층(90)은 제2 연결층(92)을 사이에 두고 공통 전원공급배선(70)과 물리적으로 연결될 수 있다. 이때, 물리적으로 연결된다고 함은 제2 연결층(92)을 통해 공통 전원공급배선(70)에 전달된 열이 제2 열전도층(90)으로 확산될 수 있음으로 이해될 수 있다.
즉, 제2 열전도층(90) 및 제2 연결층(92)은 제1 열전도층(80) 및 제1 연결층(82)과 마찬가지로, 상부기판(300) 합착 후 실링부(400) 경화 시 레이저에 의해 공통 전원공급배선(70)에 가해지는 열을 확산시키는 기능을 한다. 다만, 제1 열전도층(80)의 단부면(80E)이 패널 외부로 노출되는 반면, 제2 열전도층(90)은 외부로 노출되는 부분이 없기 때문에, 제1 열전도층(80)이 메인 방열 기능을 수행하고, 제2 열전도층(90)은 보조 방열 기능을 할 수 있다.
이러한 제1 연결층(82)은 화소회로(PC)의 데이터라인(DL)과 동일층에 위치하고, 동일 물질을 포함한다. 제1 연결층(82)은 제1 발광 구동회로(30)와 하부기판(100)의 에지(100E) 사이 영역에 위치할 수 있다.
한편, 도 5에서 공통 전원공급배선(70)의 제1 폭(W1)은 제1 발광 구동회로(30) 영역의 폭보다 크게 형성될 수 있다. 공통 전원공급배선(70)은 제1 발광 구동회로(30)를 커버하며, 일단부(70E1)는 하부기판(100)의 에지(100E) 측으로 연장되고, 타단부(70E2)는 제1 스캔 구동회로(20) 측으로 연장될 수 있다.
공통 전원공급배선(70)의 타단부(70E2)를 기준으로 제2 연결층(92) 및 제2 열전도층(90)의 일단부는 대략 서로 일치하도록 구비된다. 제2 연결층(92) 및 제2 열전도층(90)은 열이 확산되는 경로를 제공하는 것으로, 제2 연결층(92) 및 제2 열전도층(90)의 일단부가 공통 전원공급배선(70)의 타단부(70E2)를 기준으로 대략 서로 일치하도록 구비됨에 따라, 실링부(400)의 열이 표시영역(DA)에 인접하게 배치된 제1 스캔 구동회로(20)에 전달되는 것을 방지할 수 있다.
공통 전원공급배선(70)의 타단부(70E2)와 제1 연결층(92)은 무기 절연층(109)에 형성된 제1 컨택홀(CH1)을 통해 연결되고, 제1 연결층(92)은 제2 층간절연층(107)에 형성된 제2 컨택홀(CH2)를 통해 연결될 수 있다. 도 5에서 제1 컨택홀(CH1)과 제2 컨택홀(CH2)는 서로 중첩되는 위치에 형성된다.
다른 실시예로, 제1 컨택홀(CH1)과 제2 컨택홀(CH2)이 서로 중첩되지 않을 수 있으나, 이 경우에도 제1 컨택홀(CH1)과 제2 컨택홀(CH2)은 실링부(400)와는 중첩되지 않는다. 제1 컨택홀(CH1)과 제2 컨택홀(CH2)은 실링부(400)의 열이 확산되는 경로를 제공하는 것으로, 제1 컨택홀(CH1)과 제2 컨택홀(CH2)이 실링부(400)와 중첩되지 않음으로써 더욱 우수한 방열 효과를 구현할 수 있다.
제1 컨택홀(CH1)과 제2 컨택홀(CH2)의 위치는 결국 제2 연결층(92)의 위치에 의해 결정된다. 따라서, 제1 컨택홀(CH1)과 제2 컨택홀(CH2)이 실링부(400)와 중첩되지 않는다고 함은, 제2 연결층(92)가 실링부(400)와 중첩되지 않는 것을 의미할 수 있다. 즉, 제2 연결층(92)는 실링부(400)의 내측면(400IE)과 제1 스캔 구동회로(20) 영역 사이에 위치할 수 있다.
도 6은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(1A)의 일부를 개략적으로 도시하는 평면도이고, 도 7은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(1B)의 일부를 개략적으로 도시하는 평면도이다. 도 6 및 도 7은 공통 전원공급배선(70)의 일단부(70E1)와 중첩된 제1 열전도층(80)의 평면 구조에 대응된다.
도 6을 참조하면, 제1 열전도층(80)의 적어도 일부는 공통 전원공급배선(70)과 중첩되고, 사이에는 제1 연결층(82)이 배치될 수 있다. 제1 열전도층(80)의 단부면(80E)은 하부기판(100)의 에지(100E)와 일치하고, 도 3에서와 같이 외부로 노출된다.
도 6을 기준으로, 공통 전원공급배선(70)의 좌측의 일부분과 제1 열전도층(80)의 우측의 일부분은 서로 중첩될 수 있다. 공통 전원공급배선(70)과 제1 열전도층(80)이 중첩된 부분의 사이에는 제1 연결층(82)이 개재될 수 있다. 제1 연결층(82)은 컨택홀(CH)을 통해 공통 전원공급배선(70) 및 제1 열전도층(80)과 연결된다.
제1 열전도층(80)은 효과적인 방열을 위하여, 별도의 패턴 형상 없이 일체로 형성될 수 있다. 즉, 제1 열전도층(80)의 면적이 넓을수록 열을 확산시키기에 더 유리한 바, 제1 열전도층(80)은 도 1의 전체 평면도와 같이 일체로 형성될 수 있다.
변형 실시예로서, 도 7의 제1 열전도층(80)의 단부면(80E)을 포함하는 적어도 일부는 패턴(80P)되어 형성될 수 있다. 도 3에서 전술한 것과 같이, 커팅 라인(CL)을 따라 상부기판(300), 실링부(300), 하부기판(100)과 하부기판(100) 상에 위치한 제1 열전도층(80)이 모두 동시에 커팅된다. 이때 금속을 포함하는 제1 열전도층(80)은 커팅 단계에서 다른 구조물들에 비해 자르기 어렵고, 이 과정에서 금속 파편 등의 패널 내부로 유입될 수 있는 문제가 발생할 수 있다.
따라서, 커팅 라인(CL)에 대응되는 부분을 패터닝하여 부분적으로 제1 열전도층(80)의 일부를 제거함으로써, 커팅 과정에서 제1 열전도층(80)의 커팅을 용이하게 할 수 있다.
도 7에서는 제1 열전도층(80)의 일부가 패턴(80P)된 슬릿 형태를 갖는 것을 도시하나, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니며 패턴은 다양한 형상으로 이루어 질 수 있다.
도 8은 도 7의 또 다른 변형예(1B')로서, 커팅하기 전의 단계를 도시한다. 도 8을 참조하면, 제1 열전도층(80)의 단부면(80E)은 즉, 커팅 라인(CL)과 일치한다. 따라서, 제1 열전도층(80)의 패턴은 결국 커팅 라인(CL)과 대응하여 형성되는 것이 바람직하다. 커팅 라인(CL)에 대응되는 부분에 홀패턴(HP)을 연속적으로 형성하여, 커팅 시 제1 열전도층(80)으로 인한 불량을 방지할 수 있다. 또한, 커팅 라인(CL)에 대응되는 부분에 홀패턴(HP) 면적을 최소화시켜 결과적으로 제1 열전도층(80)의 면적을 최대한 확보함으로써, 제1 열전도층(80)의 방열 효과도 함께 구현할 수 있다.
도 9는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(1C)의 일부를 개략적으로 도시하는 평면도이다. 도 9는 공통 전원공급배선(70)의 타단부(70E2)와 중첩된 제2 열전도층(90)의 평면 구조에 대응된다.
도 9를 기준으로, 공통 전원공급배선(70)의 우측의 일부분과 제2 열전도층(90)은 서로 완전히 중첩되며, 그 사이에 제2 연결층(92)이 개재된다. 제2 연결층(92)은 컨택홀(CH)을 통해 공통 전원공급배선(70) 및 제2 열전도층(90)과 연결된다.
제2 열전도층(90)은 제1 열전도층(80)과는 달리 커팅 이슈가 없으므로, 패턴 부분 없이 일체로 형성되는 것이 바람직하다. 제2 열전도층(90)은 제2 열전도층(90)으로 전달되는 열에 의해 주변의 구동회로의 손상을 최소화하기 위하여 표시영역이 아닌 그 반대측인 하부기판(100)의 에지 방향으로 연장되되, 제1 발광 구동회로와(30)는 소정 간격(D)으로 이격되어 형성될 수 있다.
도 10은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(3)의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도이다. 도 10은 실링부(400)의 일부 및 하부기판(100)의 에지(100E)를 포함한 외곽영역(PA)의 일부와 대응된다.
도 10의 실시예는 제1 연결층(82)을 제외하고, 나머지 부분은 전술한 실시예들 중 하나와 동일하다.
도 10에서 제1 연결층(82)은 하부기판(100)의 에지(100E)까지 연장된다. 제1 연결층(82)의 단부면(82E)과 하부기판(100)의 에지(100E)는 서로 일치하도록 형성된다.
제1 연결층(82)의 단부면(82E)은 제1 열전도층(80)의 단부면(80E)과 마찬가지로 외부로 노출된다. 따라서, 제1 연결층(82)의 단부면(82E)과 제1 열전도층(80)의 단부면(80E)은 서로 일치하며, 동일 평면 상에 형성되는 것으로 이해될 수 있다.
이와 같이 제1 연결층(82)이 제1 열전도층(80)과 동일하게 하부기판(100)의 에지(100E)까지 연장되고, 패널 외측으로 노출됨에 따라, 더욱 우수한 방열 효과를 나타낼 수 있다.
한편, 제1 연결층(82) 및 제1 열전도층(80)의 단부면(82E, 80E)이 패널 외부로 그대로 노출됨에 따라, 단부면(82E, 80E)에 산화가 진행되는 문제점이 발생할 수 있다. 이 경우, 본 실시예에 따른 제1 연결층(82) 및 제1 열전도층(80)에 포함되는 금속 물질은 공통 전원공급배선(70)에 포함되는 금속 물질보다 반응성이 작은 금속을 사용할 수 있다. 예컨대, 공통 전원공급배선(70)이 알루미늄(Al)을 포함하는 경우, 제1 연결층(82) 및 제1 열전도층(80)는 알루미늄(Al) 보다 반응성이 작은 몰리브덴(Mo)을 포함하도록 한다.
이러한 구성은 전술한 실시예와 같이, 제1 열전도층(80)의 단부면(80E) 만이 패널 외부로 노출되는 경우에도 물론 동일하게 적용될 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것 이다.
10: 표시부
20: 제1 스캔 구동회로
30: 제1 발광 구동회로
40: 단자부
50: 데이터 구동회로
60: 구동 전원공급배선
70: 공통 전원공급배선
80: 제1 열전도층
82: 제1 연결층
90: 제2 열전도층
92: 연결층
100: 하부기판
110: 절연층
120: 화소정의막
130: 박막트랜지스터
140: 스토리지 커패시터
200: 표시소자
300: 상부기판
400: 실링부
20: 제1 스캔 구동회로
30: 제1 발광 구동회로
40: 단자부
50: 데이터 구동회로
60: 구동 전원공급배선
70: 공통 전원공급배선
80: 제1 열전도층
82: 제1 연결층
90: 제2 열전도층
92: 연결층
100: 하부기판
110: 절연층
120: 화소정의막
130: 박막트랜지스터
140: 스토리지 커패시터
200: 표시소자
300: 상부기판
400: 실링부
Claims (20)
- 표시영역 및 상기 표시영역 주변의 외곽영역을 갖는, 하부기판;
상기 하부기판과 대향하도록 배치되는, 상부기판;
상기 표시영역 상에 배치되고, 화소회로 및 상기 화소회로에 전기적으로 연결된 표시소자를 포함하는, 표시부;
상기 표시부를 둘러싸도록 상기 외곽영역 상에 배치되어 상기 하부기판과 상기 상부기판을 접합하는, 실링부;
상기 실링부와 적어도 일부가 중첩되도록 상기 하부기판과 상기 실링부 사이에 배치되는, 전원공급배선; 및
상기 전원공급배선의 일단부와 적어도 일부가 중첩되어 상기 하부기판의 가장자리 측으로 연장되며 상기 전원공급배선과 상기 하부기판 사이에 개재되며, 상기 전원공급배선과 연결되는, 제1 열전도층;
를 구비하는, 디스플레이 장치. - 제1항에 있어서,
상기 전원공급배선과 상기 제1 열전도층 사이에 개재되는 제1 연결층을 더 포함하고, 상기 제1 연결층을 통해 상기 전원공급배선과 상기 제1 열전도층이 서로 연결되는, 디스플레이 장치. - 제2항에 있어서,
상기 제1 연결층은 상기 하부기판의 가장자리까지 연장되어, 상기 제1 연결층의 단부면과 상기 하부기판의 가장자리의 단부면이 서로 일치하는, 디스플레이 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제1 열전도층의 일단부의 단부면은 외곽으로 노출되는, 디스플레이 장치. - 제4항에 있어서,
상기 제1 열전도층의 단부면을 포함하는 적어도 일부는 패턴된 형태를 갖는, 디스플레이 장치. - 제4항에 있어서,
상기 제1 열전도층의 일단부의 단부면과 상기 실링부의 외측벽은 동일 평면인, 디스플레이 장치. - 제1항에 있어서,
상기 실링부와 중첩되도록 상기 전원공급배선 하부에 배치되고, 상기 제1 열전도층과 상기 표시부 사이에 배치되는 제1 구동부를 더 포함하는, 디스플레이 장치. - 제1항에 있어서,
상기 전원공급배선의 타단부와 적어도 일부가 중첩되도록 상기 전원공급배선과 상기 하부기판 사이에 개재되며, 상기 전원공급배선과 연결되는 제2 열전도층을 더 포함하는, 디스플레이 장치. - 제8항에 있어서,
상기 제2 열전도층은 상기 제1 열전도층과 동일물질을 포함하는, 디스플레이 장치. - 제8항에 있어서,
상기 전원공급배선과 상기 제2 열전도층 사이에 개재되는 제2 연결층을 더 포함하고, 상기 제2 연결층을 통해 상기 전원공급배선과 상기 제2 열전도층은 연결되는, 디스플레이 장치. - 제10항에 있어서,
상기 제2 연결층은 상기 실링부와 상기 표시부 사이에 위치하는, 디스플레이 장치. - 제8항에 있어서,
상기 실링부와 중첩되도록 상기 전원공급배선 하부의 상기 제1 열전도층과 상기 제2 열전도층 사이 영역에 배치되는 제1 구동부 및 상기 표시부와 상기 제2 열전도층 사이 영역에 배치되는 제2 구동부를 더 포함하는, 디스플레이 장치. - 제12항에 있어서,
상기 제2 열전도층은 상기 제1 구동부 측으로 연장되는, 디스플레이 장치. - 제12항에 있어서,
상기 제1 구동부는 발광 제어 구동회로이고, 상기 제2 구동부는 스캔 구동회로인, 디스플레이 장치. - 제1항에 있어서,
상기 표시부의 상기 화소회로는,
반도체층, 반도체층과 적어도 일부가 중첩되는 게이트전극 및 소스전극 및 드레인전극 중 적어도 하나를 포함하는 제1 도전층을 포함하는, 박막트랜지스터;
상기 게이트전극과 제1 도전층 사이에 개재되며, 상기 게이트전극과 적어도 일부가 중첩되는 상부전극을 포함하는, 스토리지 커패시터; 및
상기 제1 도전층 상에 배치되는, 제2 도전층;을 포함하는, 디스플레이 장치. - 제15항에 있어서,
상기 전원공급배선은 상기 제2 도전층과 동일 물질을 포함하는, 디스플레이 장치. - 제15항에 있어서,
상기 제1 열전도층은 상기 상부전극과 동일 물질을 포함하는, 디스플레이 장치. - 제15항에 있어서,
상기 게이트전극과 상기 상부전극 사이에 개재되는 제1 층간절연층;
상기 상부전극과 상기 제1 도전층 사이에 개재되는 제2 층간절연층; 및
상기 전극층과 상기 제2 도전층 사이에 개재되는 무기 절연층;을 더 포함하고,
상기 제1 층간절연층, 상기 제2 층간절연층 및 무기 절연층은 상기 하부기판의 가장자리까지 연장되고, 상기 전원공급배선은 상기 무기 절연층 상에 배치되는, 디스플레이 장치. - 제1항에 있어서,
상기 하부기판, 상기 상부기판 및 상기 실링부의 외측벽은 서로 일치하는, 디스플레이 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제1 열전도층은 상기 전원공급배선에 비해 반응성이 작은 금속 물질을 포함하는, 디스플레이 장치.
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