KR20200029248A - Temperature-humidity control structure of bowl for wafer handling device - Google Patents

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Abstract

A disclosed temperature and humidity controlling structure of a bowl for a substrate processing apparatus includes: a bowl; and a heating member for controlling temperature and humidity, thereby allowing gas passing between a substrate placed on a chuck member and the bowl to be heated by heating of the heating member for controlling temperature and humidity. Therefore, the temperature and the humidity of the gas passing between the substrate placed on the chuck member and the bowl can be controlled, and particle accumulation can be suppressed on an edge area of the substrate.

Description

기판 처리 장치용 바울의 온습도 제어 구조{Temperature-humidity control structure of bowl for wafer handling device}Paul's temperature-humidity control structure of bowl for wafer handling device

본 발명은 기판 처리 장치용 바울의 온습도 제어 구조에 관한 것이다.The present invention relates to a temperature and humidity control structure of the Paul for a substrate processing apparatus.

반도체 및 디스플레이 제조 설비에는 반도체 및 디스플레이 제조를 위한 기판(wafer)의 처리, 예를 들어 세정을 위한 기판 처리 장치이 적용되는데, 이러한 기판 처리 장치은 기판이 올려지는 척 부재와, 상기 척 부재에 올려진 상기 기판을 향해 처리액을 공급해주는 처리액 공급 부재와, 상기 처리액 공급 부재에서 상기 척 부재 상의 상기 기판으로 공급되었다가 상기 기판으로부터 이탈되는 세정액을 수용하는 바울(bowl)을 포함한다.The semiconductor and display manufacturing equipment is applied to a substrate processing apparatus for processing, for example, cleaning of a wafer for manufacturing semiconductors and displays, and the substrate processing apparatus includes a chuck member on which a substrate is placed and a chuck member mounted on the chuck member. It includes a processing liquid supply member for supplying a processing liquid toward the substrate, and a bowl for receiving a cleaning liquid supplied from the processing liquid supply member to the substrate on the chuck member and separated from the substrate.

상기 바울의 예로 제시될 수 있는 것이 아래 제시된 특허문헌의 그 것들이다.Those that can be presented as examples of Paul are those of the patent documents presented below.

그러나, 종래의 기판 처리 장치에 있어서는, 상기 기판의 엣지(edge) 영역에 대한 습도 조절이 제대로 되지 못하여, 상기 기판의 중앙 영역 등에 비해 기판의 엣지 영역에 상대적으로 파티클이 더 많이 쌓이게 되고, 이 것이 상기 기판의 수율을 떨어뜨리는 원인이 되고 있다.However, in the conventional substrate processing apparatus, the humidity control of the edge region of the substrate is not properly controlled, so that more particles are accumulated in the edge region of the substrate compared to the central region of the substrate, etc. This has caused the yield of the substrate to drop.

공개특허 제 10-2004-0017127호, 공개일자: 2004.02.26., 발명의 명칭: 보울 세정부를 구비한 웨이퍼 코팅 장치Published Patent No. 10-2004-0017127, Publication date: 2004.02.26., Title of the invention: Wafer coating device having a bowl cleaning part 공개특허 제 10-2005-0109099호, 공개일자: 2005.11.17., 발명의 명칭: 반도체용 스핀 코터의 보울Publication No. 10-2005-0109099, Publication date: November 17, 2005, Title of invention: Bowl of spin coater for semiconductor

본 발명은 기판의 엣지 영역에 파티클 누적이 억제될 수 있도록 상기 기판의 엣지 영역에 대한 온습도 조절이 가능한 기판 처리 장치용 바울의 온습도 제어 구조를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a temperature and humidity control structure of Paul for a substrate processing apparatus capable of adjusting the temperature and humidity of the edge region of the substrate so that particle accumulation in the edge region of the substrate can be suppressed.

본 발명의 일 측면에 따른 기판 처리 장치용 바울의 온습도 제어 구조는 기판이 올려지는 척 부재와, 상기 척 부재에 올려진 상기 기판을 향해 처리액을 공급해주는 처리액 공급 부재를 포함하는 기판 처리 장치에 적용되는 것으로서,The temperature and humidity control structure of Paul for a substrate processing apparatus according to an aspect of the present invention is a substrate processing apparatus including a chuck member on which a substrate is placed and a processing liquid supply member for supplying a processing liquid toward the substrate on the chuck member. As applied to,

상기 처리액 공급 부재에서 상기 척 부재 상의 상기 기판으로 공급되었다가 상기 기판으로부터 이탈되는 상기 처리액을 수용하는 바울; 및 상기 척 부재에 올려진 상기 기판과 상기 바울 사이를 통과하는 기체의 온습도가 제어될 수 있도록, 상기 바울에 배치되어, 상기 척 부재에 올려진 상기 기판과 상기 바울 사이를 통과하는 기체를 가열하기 위하여 발열할 수 있는 온습도 제어용 발열 부재;를 포함한다.A Paul that receives the processing liquid supplied from the processing liquid supply member to the substrate on the chuck member and then detached from the substrate; And heating the gas passing between the substrate and the Paul mounted on the chuck member so that the temperature and humidity of the gas passing between the substrate and the Paul mounted on the chuck member can be controlled. In order to control heat and humidity, the heat generating member can generate heat.

본 발명의 일 측면에 따른 기판 처리 장치용 바울의 온습도 제어 구조에 의하면, 기판 처리 장치용 바울의 온습도 제어 구조가 바울과, 온습도 제어용 발열 부재를 포함함에 따라, 상기 온습도 제어용 발열 부재의 발열에 의해, 척 부재에 올려진 기판과 상기 바울 사이를 통과하는 기체가 가열됨으로써, 상기 척 부재에 올려진 상기 기판과 상기 바울 사이를 통과하는 기체의 온습도가 제어될 수 있게 되고, 그에 따라 상기 기판의 엣지 영역에 파티클 누적이 억제될 수 있게 되는 효과가 있다.According to the temperature and humidity control structure of the Paul for a substrate processing apparatus according to an aspect of the present invention, as the temperature and humidity control structure of the Paul for a substrate processing apparatus includes a Paul and a heating member for controlling the temperature and humidity, heat generated by the heating member for controlling the temperature and humidity , By heating the gas passing between the substrate and the paul on the chuck member, the temperature and humidity of the gas passing between the substrate and the paul on the chuck member can be controlled, and accordingly, the edge of the substrate There is an effect that particle accumulation in the region can be suppressed.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치용 바울의 온습도 제어 구조가 적용된 기판 처리 장치를 보이는 도면.
도 2는 도 1에 도시된 A부분을 확대한 도면.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치용 바울의 온습도 제어 구조가 적용된 기판 처리 장치의 일부를 확대한 도면.
1 is a view showing a substrate processing apparatus to which the temperature and humidity control structure of Paul for a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention is applied.
FIG. 2 is an enlarged view of part A shown in FIG. 1.
3 is an enlarged view of a portion of a substrate processing apparatus to which the temperature and humidity control structure of Paul for a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention is applied.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 기판 처리 장치용 바울의 온습도 제어 구조에 대하여 설명한다.Hereinafter, a structure for controlling the temperature and humidity of the Paul for a substrate processing apparatus according to embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치용 바울의 온습도 제어 구조가 적용된 기판 처리 장치를 보이는 도면이고, 도 2는 도 1에 도시된 A부분을 확대한 도면이다.1 is a view showing a substrate processing apparatus to which the temperature and humidity control structure of Paul for a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention is applied, and FIG. 2 is an enlarged view of part A shown in FIG. 1.

도 1 및 도 2를 함께 참조하면, 본 실시예에 따른 기판 처리 장치용 바울의 온습도 제어 구조는 기판 처리 장치(100)에 적용되는 것으로, 바울(150)과, 온습도 제어용 발열 부재(190)를 포함한다.1 and 2, the temperature and humidity control structure of the Paul for a substrate processing apparatus according to the present embodiment is applied to the substrate processing apparatus 100, the Paul 150 and the heating member 190 for controlling the temperature and humidity Includes.

상기 기판 처리 장치(100)는 척 부재(120)와, 처리액 공급 부재(180)를 포함한다.The substrate processing apparatus 100 includes a chuck member 120 and a processing liquid supply member 180.

상기 기판 처리 장치(100)는 척 핀(130, 140)과, 바울 승강 부재(170)와, 척 회전 부재(125)를 더 포함할 수 있다.The substrate processing apparatus 100 may further include chuck pins 130 and 140, a Paul lifting member 170, and a chuck rotating member 125.

도면 번호 110은 상기 척 부재(120), 상기 처리액 공급 부재(180), 상기 바울(150), 상기 바울 승강 부재(170) 및 상기 척 회전 부재(125)가 내부에 배치되고 외부에 대해 격리되는 케이스이고, 도면 번호 101은 상기 기판 처리 장치(100)의 각 구성 요소를 제어할 수 있는 제어 부재(101)이다.Reference numeral 110 denotes the chuck member 120, the processing liquid supply member 180, the paul 150, the paul lifting member 170, and the chuck rotating member 125 disposed therein and isolated from the outside. It is a case, and reference numeral 101 is a control member 101 capable of controlling each component of the substrate processing apparatus 100.

상기 척 부재(120)는 상기 기판(10)이 올려질 수 있는 것으로, 원형 플레이트 형태로 형성되고, 그 내부에 히터 등이 내장된 것이다.The chuck member 120 is a substrate on which the substrate 10 can be raised, formed in a circular plate shape, and a heater or the like embedded therein.

상기 척 회전 부재(125)는 상기 척 부재(120)를 회전시켜줄 수 있는 것으로, 상기 척 부재(120)의 하부와 연결되는 척 회전 축(126)과, 상기 척 회전 축(126)을 회전시켜줄 수 있는 전기 모터 등의 척 회전 수단(127)을 포함한다.The chuck rotating member 125 is capable of rotating the chuck member 120, and the chuck rotating shaft 126 connected to a lower portion of the chuck member 120 and the chuck rotating shaft 126 are rotated. Chuck rotating means 127 such as an electric motor.

상기 처리액 공급 부재(180)는 상기 척 부재(120)에 올려진 상기 기판(10)을 향해 처리액을 공급해주는 것으로, 세정액 등의 상기 처리액을 상기 척 부재(120) 쪽으로 공급하는 처리액 공급관(181)과, 상기 처리액 공급관(181)을 통해 공급된 상기 처리액을 상기 척 부재(120) 상의 상기 기판(10) 상에 분사하는 분사 노즐(182)과, 상기 처리액 공급관(181)과 연결되는 공급관 회전 축(183)과, 상기 공급관 회전 축(183)을 일정 각도 범위 내에서 회전시켜줄 수 있는 전기 모터 등의 공급관 회전 수단(184)을 포함한다.The processing liquid supply member 180 is for supplying a processing liquid toward the substrate 10 mounted on the chuck member 120, and the processing liquid for supplying the processing liquid such as a cleaning solution toward the chuck member 120 A supply pipe 181, an injection nozzle 182 for spraying the processing liquid supplied through the processing liquid supply pipe 181 onto the substrate 10 on the chuck member 120, and the processing liquid supply pipe 181 It includes a supply pipe rotating shaft 183 connected to the supply pipe rotating means 184, such as an electric motor capable of rotating the supply pipe rotating shaft 183 within a certain angle range.

상기 바울(150)은 상기 처리액 공급 부재(180)에서 상기 척 부재(120) 상의 상기 기판(10)으로 공급되었다가 상기 기판(10)으로부터 이탈되는 처리액을 수용하는 것으로, 상기 척 부재(120)로부터 상대적으로 가장 외곽에 배치되는 제 1 바울(151)과, 상기 척 부재(120)로부터 상대적으로 가장 내곽에 배치되는 제 3 바울(157)과, 상기 제 1 바울(151)과 상기 제 3 바울(157) 사이에 배치되는 제 2 바울(154)을 포함한다.The Paul 150 receives the processing liquid supplied from the processing liquid supply member 180 to the substrate 10 on the chuck member 120 and then separated from the substrate 10, and the chuck member ( 120), the first Paul 151 is disposed relatively outermost, the third Paul 157 disposed relatively innermost from the chuck member 120, the first Paul 151 and the first It includes a second Paul 154 disposed between three Pauls 157.

상기 제 1 바울(151)은 그 상부가 개방된 원형 실린더 형태로 형성되는 제 1 바울 몸체(152)와, 상기 제 1 바울 몸체(152)의 상단으로부터 그 상측으로 갈수록 점진적으로 상기 척 부재(120) 쪽으로 향하여 좁아지도록 그 상부가 개방된 고깔 형태로 형성되는 제 1 바울 입사체(153)를 포함한다.The first Paul 151 is a first Paul body 152 formed in the shape of a circular cylinder with an upper portion thereof open, and the chuck member 120 gradually increases toward the upper side from the top of the first Paul body 152. It includes a first Paul incidence body 153 that is formed in the form of an open top so that it narrows toward the).

상기 제 3 바울(157)은 그 상부가 개방된 원형 실린더 형태로 형성되는 제 3 바울 몸체(158)와, 상기 제 3 바울 몸체(158)의 상단으로부터 그 상측으로 갈수록 점진적으로 상기 척 부재(120) 쪽으로 향하여 좁아지도록 그 상부가 개방된 고깔 형태로 형성되는 제 3 바울 입사체(159)를 포함한다.The third Paul 157 is the third Paul body 158 is formed in the shape of a circular cylinder with an upper portion thereof open, and the chuck member 120 gradually increases toward the upper side from the top of the third Paul body 158. It includes a third Paul incidence member 159 is formed in the form of an open top so that it narrows toward the).

상기 제 2 바울(154)은 그 상부가 개방된 원형 실린더 형태로 형성되는 제 2 바울 몸체(155)와, 상기 제 2 바울 몸체(155)의 상단으로부터 그 상측으로 갈수록 점진적으로 상기 척 부재(120) 쪽으로 향하여 좁아지도록 그 상부가 개방된 고깔 형태로 형성되는 제 2 바울 입사체(156)를 포함한다.The second Paul 154 is a second Paul body 155 is formed in the shape of a circular cylinder with its upper open, and the chuck member 120 gradually increases toward the upper side from the top of the second Paul body 155 It includes a second Paul incident body 156 is formed in the form of an open top so that it narrows toward the).

여기서, 상기 제 1 바울 몸체(152), 상기 제 2 바울 몸체(155) 및 상기 제 3 바울 몸체(158)는 그 상부가 개방된 원형 실린더 형태로 형성되는 바울 몸체로 정의되고, 상기 제 1 바울 입사체(153), 상기 제 2 바울 입사체(156) 및 상기 제 3 바울 입사체(159)는 상기 바울 몸체의 상단으로부터 그 상측으로 갈수록 점진적으로 상기 척 부재(120) 쪽으로 향하여 좁아지도록 그 상부가 개방된 고깔 형태로 형성되는 바울 입사체로 정의된다.Here, the first Paul body 152, the second Paul body 155 and the third Paul body 158 is defined as a Paul body formed in a circular cylinder shape with an upper portion thereof, the first Paul The incidence body 153, the second Paul incidence body 156, and the third Paul incidence body 159 are gradually moved upward from the upper end of the Paul body toward the chuck member 120 toward the upper side thereof, thereby gradually narrowing toward the upper side thereof. Is defined as the incidence of Paul formed in the shape of an open cowl.

상기 제 1 바울 몸체(152)와 상기 제 3 바울 몸체(158) 사이에 각각 간격을 두고 상기 제 2 바울 몸체(155)가 위치되고, 상기 제 1 바울 입사체(153)와 상기 제 3 바울 입사체(159) 사이에 각각 간격을 두고 상기 제 2 바울 입사체(156)가 위치된다. 그러면, 상기 척 부재(120) 상의 상기 기판(10)이 상기 제 1 바울 입사체(153)와 상기 제 2 바울 입사체(156) 사이의 입구 높이에 배치된 상태에서 상기 척 회전 부재(125)에 의해 상기 척 부재(120)가 회전되면, 상기 처리액 중 제 1 액이 상기 제 1 바울 입사체(153)와 상기 제 2 바울 입사체(156) 사이의 입구를 통해 유입되어 상기 제 1 바울 몸체(152) 내부에 수용되고, 상기 바울(150)이 상기 바울 승강 부재(170)에 의해 상승되면서, 상기 척 부재(120) 상의 상기 기판(10)이 상기 제 2 바울 입사체(156)와 상기 제 3 바울 입사체(159) 사이의 입구 높이에 배치된 상태에서 상기 척 회전 부재(125)에 의해 상기 척 부재(120)가 회전되면, 상기 처리액 중 제 2 액이 상기 제 2 바울 입사체(156)와 상기 제 3 바울 입사체(159) 사이의 입구를 통해 유입되어 상기 제 2 바울 몸체(155) 내부에 수용되고, 상기 바울(150)이 상기 바울 승강 부재(170)에 의해 다시 상승되면서, 상기 척 부재(120) 상의 상기 기판(10)이 상기 제 3 바울 입사체(159) 하측의 입구 높이에 배치된 상태에서 상기 척 회전 부재(125)에 의해 상기 척 부재(120)가 회전되면, 상기 처리액 중 제 3 액이 상기 제 3 바울 입사체(159) 하측의 입구를 통해 유입되어 상기 제 3 바울 몸체(158) 내부에 수용된다.The second Paul body 155 is positioned with a gap between the first Paul body 152 and the third Paul body 158, and the first Paul incident body 153 and the third Paul incident The second Paul incidence bodies 156 are positioned at intervals between the sieve 159, respectively. Then, the chuck rotating member 125 in the state in which the substrate 10 on the chuck member 120 is disposed at the entrance height between the first Paul incident body 153 and the second Paul incident body 156. When the chuck member 120 is rotated by, a first liquid among the treatment liquids flows through an inlet between the first Paul incidence body 153 and the second Paul incidence body 156, so that the first Paul While being accommodated inside the body 152, and the paul 150 is raised by the paul elevating member 170, the substrate 10 on the chuck member 120 and the second paul incident body 156 When the chuck member 120 is rotated by the chuck rotating member 125 while being disposed at the entrance height between the third Paul incidence bodies 159, a second liquid in the processing liquid enters the second Paul It is introduced through the entrance between the sieve 156 and the third Paul incidence body 159 and accommodated inside the second Paul body 155 And, as the Paul 150 is raised again by the Paul elevating member 170, the substrate 10 on the chuck member 120 is disposed at the entrance height below the third Paul incidence body 159 When the chuck member 120 is rotated by the chuck rotating member 125 in the state, a third liquid of the treatment liquid is introduced through the inlet of the lower side of the third paul incidence body 159, and the third paul body 158 is accommodated inside.

도면 번호 160, 161 및 162는 상기 제 1 바울 몸체(152), 상기 제 2 바울 몸체(155) 및 상기 제 3 바울 몸체(158)의 바닥에 각각 형성되어, 상기 제 1 바울 몸체(152), 상기 제 2 바울 몸체(155) 및 상기 제 3 바울 몸체(158)에 각각 수용된 액을 외부로 유출시키는 제 1 배출관, 제 2 배출관 및 제 3 배출관이다.Reference numerals 160, 161, and 162 are respectively formed on the bottom of the first Paul body 152, the second Paul body 155, and the third Paul body 158, the first Paul body 152, It is a first discharge pipe, a second discharge pipe, and a third discharge pipe that discharges the liquid respectively accommodated in the second Paul body 155 and the third Paul body 158 to the outside.

상기 바울 승강 부재(170)는 상기 바울(150)을 승강시킬 수 있는 것으로, 상기 제 1 바울(151)에 연결된 바울 연결체(171)와, 상기 바울 연결체(171)에서 굽혀진 형태로 연장되되 상기 제 1 바울(151)과 평행하게 형성되는 바울 승강 축(172)과, 상기 바울 승강 축(172)을 승강시킬 수 있는 유공압 실린더 등의 바울 승강 수단(173)을 포함한다.The Paul elevating member 170 is capable of elevating the Paul 150, and extends in a bent form from the Paul connector 171 connected to the first Paul 151 and the Paul connector 171. However, it includes a Paul elevating shaft 172 formed parallel to the first Paul 151, and a Paul elevating means 173 such as a pneumatic cylinder capable of elevating the Paul elevating shaft 172.

상기 척 핀(130, 140)은 상기 척 부재(120)에서 일정 높이로 돌출되어 상기 척 부재(120)에 올려진 상기 기판(10)을 지지해주되, 상기 기판(10)의 정전기 제거를 위해 전도성을 가지도록 탄소나노튜브(CNT)가 혼합되어 성형된 것이다.The chuck pins 130 and 140 protrude to a predetermined height from the chuck member 120 to support the substrate 10 mounted on the chuck member 120, for removing static electricity from the substrate 10 It is formed by mixing carbon nanotubes (CNT) to have conductivity.

상세히, 상기 척 핀(130, 140)은 상기 탄소나노튜브와 폴리에테르에테르케톤(PEEK)이 혼합 성형되어 이루어진다.In detail, the chuck pins 130 and 140 are formed by mixing and molding the carbon nanotubes and polyether ether ketone (PEEK).

상기와 같이 구성되면, 상기 척 핀(130, 140)이 상기 기판(10)의 정전기 제거를 위해 전도성을 가지고, 그 저항값이 10^3Ω 이하가 되도록 이루어질 수 있다.When configured as described above, the chuck pins 130 and 140 may have conductivity for removing static electricity from the substrate 10, and may have a resistance value of 10 ^ 3Ω or less.

상기 척 핀(130, 140)이 상기 탄소나노튜브와 상기 폴리에테르에테르케톤의 혼합물이 사출 성형되어 제조된다. 그러면, 상기 척 핀(130, 140)의 균일도가 향상될 수 있다.The chuck pins 130 and 140 are manufactured by injection molding a mixture of the carbon nanotubes and the polyether ether ketone. Then, the uniformity of the chuck pins 130 and 140 may be improved.

상기 척 핀(130, 140)은 서포트 핀 부재(130)와, 외곽 척 핀 부재(140)를 포함한다.The chuck pins 130 and 140 include a support pin member 130 and an outer chuck pin member 140.

상기 서포트 핀 부재(130)는 상기 기판(10)의 저면에서 상기 기판(10)을 받쳐주는 것이다.The support pin member 130 supports the substrate 10 on the bottom surface of the substrate 10.

상기 외곽 척 핀 부재(140)는 상기 척 부재(120)의 회전 시에 상기 기판(10)이 상기 척 부재(120)로부터의 임의 이탈이 방지되도록, 상기 기판(10)의 측면에서 상기 기판(10)을 지지해주는 것이다.The outer chuck pin member 140 is disposed on the side of the substrate 10 so that the substrate 10 is prevented from being detached from the chuck member 120 when the chuck member 120 is rotated. 10).

상기 서포트 핀 부재(130)와 상기 외곽 척 핀 부재(140)가 상기 탄소나노튜브와 상기 폴리에테르에테르케톤의 혼합물이 각각 사출 성형되어 각각 일체로 제조될 수 있다.The support pin member 130 and the outer chuck pin member 140 may each be integrally manufactured by injection-molding a mixture of the carbon nanotubes and the polyether ether ketone.

상기 서포트 핀 부재(130)와 상기 외곽 척 핀 부재(140)는 상기 척 부재(120) 상에 복수 개가 배열되고, 상기 서포트 핀 부재(130)가 상기 외곽 척 핀 부재(140)에 비해 상대적으로 상기 척 부재(120)이 중심 쪽으로 편심된 위치에 배치된다.A plurality of the support pin member 130 and the outer chuck pin member 140 are arranged on the chuck member 120, and the support pin member 130 is relatively compared to the outer chuck pin member 140. The chuck member 120 is disposed in an eccentric position toward the center.

본 실시예에서, 상기 온습도 제어용 발열 부재(190)는 상기 척 부재(120)에 올려진 상기 기판(10)과 상기 바울(150) 사이를 통과하는 기체의 온습도가 제어될 수 있도록, 상기 바울(150)에 배치되어, 상기 척 부재(120)에 올려진 상기 기판(10)과 상기 바울(150) 사이를 통과하는 기체를 가열하기 위하여 발열할 수 있는 것이다.In this embodiment, the heating and humidity control member 190 for the temperature and humidity control, so that the temperature and humidity of the gas passing between the substrate 10 and the Paul 150 mounted on the chuck member 120 can be controlled, the Paul ( 150), it is capable of generating heat to heat the gas passing between the substrate 10 and the Paul 150 mounted on the chuck member 120.

상기 온습도 제어용 발열 부재(190)는 외부 전원(미도시)와 연결되어 발열될 수 있다.The heat and humidity control member 190 may be connected to an external power source (not shown) to generate heat.

상기 온습도 제어용 발열 부재(190)는 탄성중합체(elastomer polymer)와 카본류 물질이 혼합 또는 합성된 것인 발열 부재 형성 물질로 이루어질 수 있다.The heating element 190 for temperature and humidity control may be formed of a heating element forming material in which an elastomer polymer and a carbon material are mixed or synthesized.

여기서, 상기 탄성중합체는 실리콘, 에틸렌프로필렌고무(EPDM), 불소고무(FKM, FPM) 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 카본류 물질은 그라파이트, 카본섬유, 카본블랙, 탄소나노튜브(CNT) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.Here, the elastomer includes at least one of silicone, ethylene propylene rubber (EPDM), and fluorine rubber (FKM, FPM), and the carbonaceous material is at least one of graphite, carbon fiber, carbon black, and carbon nanotube (CNT). It can contain one.

상기와 같이, 상기 온습도 제어용 발열 부재(190)가 상기 탄성중합체와 상기 카본류 물질이 혼합 또는 합성된 것인 상기 발열 부재 형성 물질로 이루어짐으로써, 가열체를 지지하기 위한 별도 부재가 필요없으며, 균일한 발열이 가능하게 된다.As described above, since the heating element 190 for controlling temperature and humidity is made of the heating element forming material in which the elastomer and the carbon materials are mixed or synthesized, there is no need for a separate member for supporting the heating element, and is uniform. One fever is possible.

또한, 상기 탄성중합체와 상기 카본류 물질의 혼합 또는 합성만으로 전기전도성을 가지는 상기 발열 부재 형성 물질이 형성되어 상기 발열 부재 형성 물질이 면상 히터 형태 등으로 상기 바울(150)에 간편하게 적용될 수 있게 되므로, 상기 바울(150)의 전기에너지 소모량이 감소되어 상기 바울(150)의 작동 효율이 향상될 수 있으며, 상기 바울(150)의 단선 가능성이 극히 낮아져서 기존 열선 형태의 가열체의 단점인 짧은 수명 문제를 해소하여 가열체의 수명을 반영구적으로 향상시킬 수 있고, 그에 따라 상기 바울(150)의 유지 보수 등의 애프터서비스 비용 및 애프터서비스 작업량이 현저하게 감소될 수 있게 된다.In addition, since the heating member forming material having electrical conductivity is formed only by mixing or synthesizing the elastomer and the carbon materials, the heating member forming material can be easily applied to the Paul 150 in the form of a planar heater, etc. The electrical energy consumption of the Paul 150 is reduced, and thus the operational efficiency of the Paul 150 can be improved, and the possibility of disconnection of the Paul 150 is extremely low, thereby shortening the short life problem, which is a disadvantage of the heating element in the form of a conventional heating wire. By resolving it, the life of the heating element can be semi-permanently improved, and accordingly, the after-service cost such as maintenance of the Paul 150 and the after-service work amount can be significantly reduced.

본 실시예에서는, 상기 온습도 제어용 발열 부재(190)가 상기 바울 입사체(153, 156, 159)의 내면에 형성되되, 상기 척 부재(120)에 올려지는 상기 기판(10)을 향하도록 배치된다.In this embodiment, the heating and humidity control member 190 is formed on the inner surface of the Paul incidence body (153, 156, 159), it is disposed to face the substrate (10) mounted on the chuck member (120). .

상세히, 상기 온습도 제어용 발열 부재(190)는 상기 제 1 바울 입사체(153)의 내면에 일정 면적으로 넓은 플레이트 형태로 형성되는 제 1 온습도 제어용 발열 부재(191)와, 상기 제 2 바울 입사체(156)의 내면에 일정 면적으로 넓은 플레이트 형태로 형성되는 제 2 온습도 제어용 발열 부재(192)와, 상기 제 3 바울 입사체(159)의 내면에 일정 면적으로 넓은 플레이트 형태로 형성되는 제 3 온습도 제어용 발열 부재(193)를 포함한다.In detail, the heating element 190 for controlling temperature and humidity has a heating element 191 for controlling temperature and humidity, which is formed in a wide plate shape with a certain area on the inner surface of the first Paul incident body 153, and the second Paul incident body ( 156) the second heat and humidity control heating element 192 formed in a wide plate shape with a certain area on the inner surface, and the third temperature and humidity control formed in a wide plate shape with a certain area on the inner surface of the third Paul incident body 159 It includes a heating member 193.

상기 제 1 바울 입사체(153), 상기 제 2 바울 입사체(156) 및 상기 제 3 바울 입사체(159)에 상기 제 1 온습도 제어용 발열 부재(191), 상기 제 2 온습도 제어용 발열 부재(192) 및 상기 제 3 온습도 제어용 발열 부재(193)가 각각 형성됨에 따라, 상기 제 1 바울 입사체(153), 상기 제 2 바울 입사체(156) 및 상기 제 3 바울 입사체(159)와 상기 척 부재(120)에 올려진 상기 기판(10) 사이를 통과하는 기체가 가열될 수 있고, 그에 따라 상기 제 1 바울 입사체(153), 상기 제 2 바울 입사체(156) 및 상기 제 3 바울 입사체(159)와 상기 척 부재(120)에 올려진 상기 기판(10) 사이를 통과하는 기체의 온습도가 제어될 수 있게 된다.The first and second temperature-humidity control heating elements 191 and the second and second temperature-humidity control heating elements 192 to the first Paul incident body 153, the second Paul incident body 156, and the third Paul incident body 159. ) And the third heat and humidity control heating member 193 are formed, respectively, the first Paul incidence body 153, the second Paul incidence body 156, and the third Paul incidence body 159 and the chuck. The gas passing between the substrates 10 mounted on the member 120 may be heated, and accordingly, the first Paul incident body 153, the second Paul incident body 156, and the third Paul incident The temperature and humidity of the gas passing between the sieve 159 and the substrate 10 mounted on the chuck member 120 can be controlled.

이하에서는 도면을 참조하여 본 실시예에 따른 기판 처리 장치용 바울의 온습도 제어 구조가 적용된 상기 기판 처리 장치(100)의 작동에 대하여 설명한다.Hereinafter, an operation of the substrate processing apparatus 100 to which the temperature and humidity control structure of Paul for the substrate processing apparatus according to this embodiment is applied will be described with reference to the drawings.

상기 척 부재(120)의 상기 척 핀(130, 140)에 상기 기판(10)이 지지되고 고정된 상태에서, 상기 척 회전 부재(125)가 작동되면, 상기 척 부재(120)와 상기 기판(10)이 회전하게 된다.When the substrate 10 is supported and fixed to the chuck pins 130 and 140 of the chuck member 120, when the chuck rotating member 125 is operated, the chuck member 120 and the substrate ( 10) will rotate.

이러한 상태에서 상기 처리액 공급 부재(180)가 상기 처리액을 상기 기판(10) 상에 공급하면, 상기 처리액이 상기 기판(10) 상에서 스퍼터링되면서 상기 기판(10)에 대한 세정 등의 처리가 이루어진다.In this state, when the processing liquid supply member 180 supplies the processing liquid on the substrate 10, the processing liquid is sputtered on the substrate 10, and processing such as cleaning of the substrate 10 is performed. Is done.

상기 기판(10)에 대한 세정 등의 처리를 완료한 상기 처리액은 상기 바울(150)의 해당 바울에 환수된다.The treatment liquid, which has completed processing such as cleaning of the substrate 10, is returned to the corresponding Paul of the Paul 150.

이러한 과정 중에, 상기 온습도 제어용 발열 부재(190)가 발열됨에 따라, 상기 척 부재(120)에 올려진 상기 기판(10)과 상기 바울(150) 사이를 통과하는 기체가 가열될 수 있고, 그에 따라 상기 척 부재(120)에 올려진 상기 기판(10)과 상기 바울(150) 사이를 통과하는 기체의 온습도가 제어될 수 있게 된다.During this process, as the heating element 190 for controlling the temperature and humidity is heated, the gas passing between the substrate 10 and the Paul 150 mounted on the chuck member 120 may be heated, and accordingly The temperature and humidity of the gas passing between the substrate 10 and the paul 150 mounted on the chuck member 120 can be controlled.

상기와 같이, 상기 기판 처리 장치용 바울의 온습도 제어 구조가 상기 바울(150)과, 상기 온습도 제어용 발열 부재(190)를 포함함에 따라, 상기 온습도 제어용 발열 부재(190)의 발열에 의해, 상기 척 부재(120)에 올려진 상기 기판(10)과 상기 바울(150) 사이를 통과하는 기체가 가열됨으로써, 상기 척 부재(120)에 올려진 상기 기판(10)과 상기 바울(150) 사이를 통과하는 기체의 온습도가 제어될 수 있게 되고, 그에 따라 상기 기판(10)의 엣지 영역에 파티클 누적이 억제될 수 있게 된다.As described above, as the temperature and humidity control structure of the Paul for the substrate processing apparatus includes the Paul 150 and the heating member 190 for controlling the temperature and humidity, the chuck is generated by the heating of the heating member 190 for controlling the temperature and humidity. As the gas passing between the substrate 10 and the paul 150 mounted on the member 120 is heated, it passes between the substrate 10 and the paul 150 mounted on the chuck member 120. The temperature and humidity of the gas to be controlled can be controlled, so that particle accumulation in the edge region of the substrate 10 can be suppressed.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치용 바울의 온습도 제어 구조에 대하여 설명한다. 이러한 설명을 수행함에 있어서, 상기된 본 발명의 일 실시예에서 이미 기재된 내용과 중복되는 설명은 그에 갈음하고, 여기서는 생략하기로 한다.Hereinafter, a temperature and humidity control structure of the Paul for a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In carrying out this description, a description overlapping with the contents already described in one embodiment of the present invention will be replaced with it, and will be omitted here.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치용 바울의 온습도 제어 구조가 적용된 기판 처리 장치의 일부를 확대한 도면이다.3 is an enlarged view of a part of the substrate processing apparatus to which the temperature and humidity control structure of Paul for the substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention is applied.

도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 기판 처리 장치용 바울의 온습도 제어 구조는 바울 및 온습도 제어용 발열 부재와 함께, 이물질 세정 부재를 더 포함한다.Referring to FIG. 3, the temperature and humidity control structure of the Paul for a substrate processing apparatus according to the present embodiment further includes a foreign material cleaning member, together with the heating member for controlling the temperature and humidity.

상기 이물질 세정 부재는 바울 입사체를 관통하여 배치되고, 외부에서 공급되는 세정수를 상기 바울 입사체의 표면으로 공급함으로써, 상기 바울 입사체의 표면에 묻은 이물질을 상기 세정수로 세정시키는 것이다.The foreign material cleaning member is disposed through the Paul incidence, and by supplying the washing water supplied from the outside to the surface of the Paul incidence, the foreign material on the surface of the Paul incidence is cleaned with the washing water.

본 실시예에서는, 상기 이물질 세정 부재는 상기 온습도 제어용 발열 부재를 관통하여 배치됨으로써, 상기 세정수가 상기 이물질 세정 부재를 통하여 유동되는 과정에서 상기 온습도 제어용 발열 부재에 의해 가열된 상태로 상기 바울 입사체의 표면으로 공급된다.In the present embodiment, the foreign substance cleaning member is disposed through the heating element for controlling the temperature and humidity, so that the cleaning member flows through the foreign substance cleaning member and is heated by the heating element for temperature and humidity control in the process of flowing through the foreign substance cleaning member. To the surface.

이하에서는 도 3을 참조하여, 상기 온습도 제어용 발열 부재 중 제 1 바울 입사체(253)에 형성되는 제 1 온습도 제어용 발열 부재(291)와, 상기 이물질 세정 부재 중 상기 제 1 온습도 제어용 발열 부재(291)를 관통하여 배치되는 제 1 이물질 세정 부재(295)에 대하여 설명하나, 이러한 설명은 상기 온습도 제어용 발열 부재 중 제 2 바울 입사체 및 제 3 바울 입사체에 각각 형성되는 제 2 온습도 제어용 발열 부재 및 제 3 온습도 제어용 발열 부재와, 상기 이물질 세정 부재 중 상기 제 2 온습도 제어용 발열 부재 및 상기 제 3 온습도 제어용 발열 부재를 각각 관통하여 배치되는 제 2 이물질 세정 부재 및 제 3 이물질 세정 부재에 대하여도 동일하게 적용되고, 그 중복되는 설명은 생략한다.Hereinafter, with reference to FIG. 3, the first heat and humidity control heating member 291 formed on the first Paul incidence body 253 among the heat and humidity control heating members and the first heat and humidity control heating member 291 among the foreign material cleaning members ) Will be described with respect to the first foreign substance cleaning member 295 disposed through, but this description is a second heat and humidity control heating member formed on the second and third Paul incidence bodies among the heat and humidity control heating elements, and The same applies to the second foreign substance cleaning member and the third foreign substance cleaning member disposed through the third heat and humidity control heating member and the second temperature and humidity control heating member and the third temperature and humidity control heating member among the foreign material cleaning members, respectively. Applied, the overlapping description is omitted.

상세히, 상기 제 1 이물질 세정 부재(295)는 상기 제 1 온습도 제어용 발열 부재(291)를 상기 제 1 바울 입사체(253)의 길이 방향으로 관통하고 외부에서 공급되는 상기 세정수가 그 내부를 통해 유동되는 제 1 세정수 유동 관(295a)과, 상기 제 1 세정수 유동 관(295a)에서 서로 이격되게 분지되어 상기 제 1 바울 입사체(253)의 저면으로 상기 세정수를 분출하도록 상기 제 1 바울 입사체(253)의 저면과 연통되는 복수 개의 제 1 세정수 분사 노즐(295b)을 포함한다.In detail, the first foreign substance cleaning member 295 penetrates the first temperature and humidity control heating member 291 in the longitudinal direction of the first Paul incident body 253 and the cleaning water supplied from the outside flows through the inside. The first washing water flow pipe (295a) and the first washing water flow pipe (295a) are branched apart from each other to eject the washing water to the bottom surface of the first Paul incidence body (253) It includes a plurality of first cleaning water jet nozzle 295b in communication with the bottom surface of the incidence body 253.

상기 제 1 세정수 유동 관(295a)은 상기 제 1 바울 입사체(253)를 관통한 다음 상기 제 1 바울 입사체(253)의 말단까지 연장되어, 상기 제 1 바울 입사체(253)의 말단면을 통해 상기 세정수를 분출한다.The first flushing water flow pipe 295a penetrates through the first Paul incidence 253 and then extends to the end of the first Paul incidence 253, the end of the first Paul incidence 253 The washing water is jetted through a cross section.

상기와 같이 형성되면, 상기 제 1 세정수 유동 관(295a)을 통해 유동된 상기 세정수가 그러한 유동 과정에서 상기 제 1 온습도 제어용 발열 부재(291)에 의해 가열되어 온수화되고, 그러한 상태로 상기 제 1 세정수 유동 관(295a)의 말단 및 상기 각 제 1 세정수 분사 노즐(295b)을 통해 분사되어 상기 제 1 바울 입사체(253)의 표면에 묻은 이물질을 씻어내릴 수 있게 되고, 그러한 세정 과정 중에 상기 세정수를 히팅시킬 별도의 히팅 수단이 구비될 필요가 없이 상기 제 1 온습도 제어용 발열 부재(291)에 의해 히팅될 수 있게 되어, 상기 제 1 온습도 제어용 발열 부재(291)에 의한 온습도 제어가 더욱 정확하게 이루어질 수 있게 된다.When formed as described above, the washing water flowing through the first washing water flow pipe 295a is heated by the first heating and humidity control heating member 291 during such a flow process to be heated and heated, and in such a state, the washing water is heated. 1 can be washed through the end of the washing water flow pipe (295a) and each of the first washing water spray nozzle (295b) to wash away foreign substances on the surface of the first Paul incident body (253), such a washing process In the meantime, it is possible to be heated by the heating element 291 for controlling the first temperature and humidity without having to be provided with a separate heating means for heating the washing water, thereby controlling the temperature and humidity by the heating element 291 for controlling the first temperature and humidity. It can be done more accurately.

즉, 상기 제 1 온습도 제어용 발열 부재(291)는 척 부재에 올려진 기판과 상기 바울 사이를 통과하는 기체를 가열시킴과 함께, 상기 세정수도 동시에 가열할 수 있게 된다.That is, the first heat and humidity control heating member 291 is capable of heating the gas passing between the substrate and the paul on the chuck member, and at the same time heating the washing water.

한편, 상기 제 1 세정수 유동 관(295a)의 말단에는 제 1 세정수 유동 말단 덮개(296)가 형성된다.Meanwhile, a first washing water flow end cover 296 is formed at an end of the first washing water flow tube 295a.

상기 제 1 세정수 유동 말단 덮개(296)는 상기 제 1 세정수 유동 관(295a)의 말단과 일정 간격 이격되면서 상기 제 1 세정수 유동 관(295a)의 상공을 덮어서, 상기 제 1 세정수 유동 관(295a)을 통해 분사되는 상기 세정수가 상기 제 1 바울 입사체(253)의 표면으로 유도되도록 함과 함께, 상기 제 1 세정수 유동 관(295a)을 통해 상기 이물질이 유입되지 않도록 막아주게 된다.The first washing water flow end cover 296 covers the upper portion of the first washing water flow tube 295a while being spaced apart from the end of the first washing water flow tube 295a by a predetermined distance, so that the first washing water flow The cleaning water sprayed through the pipe 295a is guided to the surface of the first Paul incidence body 253, and the foreign material is prevented from flowing through the first cleaning water flow pipe 295a. .

특히, 상기 제 1 세정수 유동 말단 덮개(296)의 외면이 상기 제 1 세정수 유동 관(295a)의 외측 방향으로 돌출 만곡된 곡면 형태로 형성되고, 상기 제 1 세정수 유동 말단 덮개(296)의 내면이 상기 제 1 세정수 유동 관(295a)의 외측 방향으로 함몰 만곡된 곡면 형태로 형성됨으로써, 상기 제 1 세정수 유동 말단 덮개(296)가 초승달 단면 형태로 이루어질 수 있고, 그에 따라 상기 세정수에 대한 상기 제 1 바울 입사체(253)의 표면으로의 유도 및 상기 이물질 유입 방지 기능이 더욱 향상될 수 있게 된다.In particular, the outer surface of the first washing water flow end cover 296 is formed in a curved shape protruding outwardly of the first washing water flow tube 295a, and the first washing water flow end cover 296 Since the inner surface of the first washing water flow tube 295a is formed in a curved shape recessed in the outward direction, the first washing water flow end cover 296 may be formed in a crescent cross-section, and accordingly the washing It is possible to further improve the induction of the first Paul incident body 253 to the surface of the water and the prevention of the foreign matter from entering.

상기 각 제 1 세정수 분사 노즐(295b)의 말단에는 제 1 세정수 분사 덮개(297)가 형성된다.A first washing water jet cover 297 is formed at an end of each of the first washing water jet nozzles 295b.

상기 제 1 세정수 분사 덮개(297)는 상기 제 1 세정수 분사 노즐(295b)의 말단과 일정 간격 이격되면서 상기 제 1 세정수 분사 노즐(295b)의 상공을 덮어서, 상기 제 1 세정수 분사 노즐(295b)을 통해 분사되는 상기 세정수가 상기 제 1 바울 입사체(253)의 표면으로 유도되도록 함과 함께, 상기 제 1 세정수 분사 노즐(295b)을 통해 상기 이물질이 유입되지 않도록 막아주게 된다.The first washing water spraying cover 297 covers the upper portion of the first washing water jetting nozzle 295b while being spaced apart from the end of the first washing water jetting nozzle 295b by a predetermined distance, thereby allowing the first washing water jetting nozzle The cleaning water sprayed through 295b is guided to the surface of the first Paul incidence body 253, and the foreign material is prevented from flowing through the first cleaning water spray nozzle 295b.

특히, 상기 제 1 세정수 분사 덮개(297)의 외면이 상기 제 1 세정수 분사 노즐(295b)의 외측 방향으로 돌출 만곡된 곡면 형태로 형성되고, 상기 제 1 세정수 분사 덮개(297)의 내면이 상기 제 1 세정수 분사 노즐(295b)의 외측 방향으로 함몰 만곡된 곡면 형태로 형성됨으로써, 상기 제 1 세정수 분사 덮개(297)가 초승달 단면 형태로 이루어질 수 있고, 그에 따라 상기 세정수에 대한 상기 제 1 바울 입사체(253)의 표면으로의 유도 및 상기 이물질 유입 방지 기능이 더욱 향상될 수 있게 된다.In particular, the outer surface of the first washing water spray cover 297 is formed in a curved shape protruding outwardly of the first washing water spray nozzle 295b, and the inner surface of the first washing water spray cover 297 The first washing water spray nozzle 297b may be formed in a curved shape that is recessed and curved in the outward direction of the first washing water spray nozzle 295b, so that the first washing water spray cover 297 may be formed in a crescent cross-section, and accordingly, for the washing water It is possible to further improve the induction of the first Paul incident body 253 to the surface and the prevention of foreign matter inflow.

상기에서 본 발명은 특정한 실시예에 관하여 도시되고 설명되었지만, 당업계에서 통상의 지식을 가진 자라면 이하의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 알 수 있을 것이다. 그렇지만 이러한 수정 및 변형 구조들은 모두 본 발명의 권리범위 내에 포함되는 것임을 분명하게 밝혀두고자 한다.Although the present invention has been shown and described in relation to specific embodiments, those skilled in the art variously modify the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the claims below. And can be changed. However, it is intended to clarify that all of these modifications and variations are included within the scope of the present invention.

본 발명의 일 측면에 따른 기판 처리 장치용 바울의 온습도 제어 구조에 의하면, 기판의 엣지 영역에 파티클 누적이 억제될 수 있도록 상기 기판의 엣지 영역에 대한 온습도 조절이 가능할 수 있으므로, 그 산업상 이용가능성이 높다고 하겠다.According to the temperature and humidity control structure of Paul for a substrate processing apparatus according to an aspect of the present invention, it is possible to control the temperature and humidity of the edge region of the substrate so that particle accumulation in the edge region of the substrate can be suppressed, so industrial applicability I would say this is high.

100 : 기판 처리 장치
120 : 척 부재
150 : 바울
180 : 처리액 공급 부재
190 : 온습도 제어용 발열 부재
100: substrate processing apparatus
120: chuck member
150: Paul
180: processing liquid supply member
190: heating element for temperature and humidity control

Claims (5)

기판이 올려지는 척 부재와, 상기 척 부재에 올려진 상기 기판을 향해 처리액을 공급해주는 처리액 공급 부재를 포함하는 기판 처리 장치에 적용되는 것으로서,
상기 처리액 공급 부재에서 상기 척 부재 상의 상기 기판으로 공급되었다가 상기 기판으로부터 이탈되는 상기 처리액을 수용하는 바울; 및
상기 척 부재에 올려진 상기 기판과 상기 바울 사이를 통과하는 기체의 온습도가 제어될 수 있도록, 상기 바울에 배치되어, 상기 척 부재에 올려진 상기 기판과 상기 바울 사이를 통과하는 기체를 가열하기 위하여 발열할 수 있는 온습도 제어용 발열 부재;를 포함하는 기판 처리 장치용 바울의 온습도 제어 구조.
As being applied to a substrate processing apparatus including a chuck member on which a substrate is placed and a processing liquid supply member for supplying a processing liquid toward the substrate mounted on the chuck member,
A Paul that receives the processing liquid supplied from the processing liquid supplying member to the substrate on the chuck member and detached from the substrate; And
In order to control the temperature and humidity of the gas passing between the substrate and the Paul mounted on the chuck member, it is disposed in the Paul to heat the gas passing between the substrate and the Paul mounted on the chuck member. The heat-humidity control structure of Paul for a substrate processing apparatus comprising a; heating member for controlling the temperature and humidity to generate heat.
제 1 항에 있어서,
상기 온습도 제어용 발열 부재는 탄성중합체(elastomer polymer)와 카본류 물질이 혼합 또는 합성된 것인 발열 부재 형성 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치용 바울의 온습도 제어 구조.
According to claim 1,
The heat and humidity control structure of the temperature and humidity control of the substrate processing apparatus Paul, characterized in that the heating element for controlling the temperature and humidity is made of a heating material forming material that is a mixture or synthesis of an elastomer and carbon materials.
제 2 항에 있어서,
상기 탄성중합체는 실리콘, 에틸렌프로필렌고무(EPDM), 불소고무(FKM, FPM) 중 적어도 하나를 포함하고,
상기 카본류 물질은 그라파이트, 카본섬유, 카본블랙, 탄소나노튜브(CNT) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치용 바울의 온습도 제어 구조.
According to claim 2,
The elastomer includes at least one of silicone, ethylene propylene rubber (EPDM), and fluorine rubber (FKM, FPM),
The carbon-like material includes at least one of graphite, carbon fiber, carbon black, and carbon nanotubes (CNT).
제 1 항에 있어서,
상기 바울은
그 상부가 개방된 원형 실린더 형태로 형성되는 바울 몸체와,
상기 바울 몸체의 상단으로부터 그 상측으로 갈수록 점진적으로 상기 척 부재 쪽으로 향하여 좁아지도록 그 상부가 개방된 고깔 형태로 형성되는 바울 입사체를 포함하고,
상기 온습도 제어용 발열 부재는 상기 바울 입사체에 형성되되, 상기 척 부재에 올려지는 상기 기판을 향하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치용 바울의 온습도 제어 구조.
According to claim 1,
Paul said
The upper body is formed in the form of an open circular cylinder cylinder,
And a Paul incidence body formed in an open top shape to gradually narrow toward the chuck member from the top of the Paul body toward the upper side,
The heat-generating member for controlling the temperature and humidity is formed on the incidence of the Paul, and is arranged to face the substrate that is mounted on the chuck member.
제 4 항에 있어서,
상기 기판 처리 장치용 바울의 온습도 제어 구조는
상기 바울 입사체를 관통하여 배치되고, 외부에서 공급되는 세정수를 상기 바울 입사체의 표면으로 공급함으로써, 상기 바울 입사체의 표면에 묻은 이물질을 상기 세정수로 세정시키는 이물질 세정 부재;를 포함하고,
상기 이물질 세정 부재는 상기 온습도 제어용 발열 부재를 관통하여 배치됨으로써, 상기 세정수가 상기 이물질 세정 부재를 통하여 유동되는 과정에서 상기 온습도 제어용 발열 부재에 의해 가열된 상태로 상기 바울 입사체의 표면으로 공급되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치용 바울의 온습도 제어 구조.
The method of claim 4,
The temperature and humidity control structure of the substrate processing device Paul
It includes a foreign material cleaning member disposed through the Paul incident body and supplying cleaning water supplied from the outside to the surface of the Paul incident body to clean the foreign matter on the surface of the Paul incident body with the cleaning water. ,
The foreign material cleaning member is disposed through the heating member for controlling the temperature and humidity, so that the cleaning water is supplied to the surface of the Paul incident body while being heated by the heating member for controlling temperature and humidity in the process of flowing through the foreign material cleaning member. Characterized by Paul's temperature and humidity control structure for a substrate processing apparatus.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04348513A (en) * 1991-05-27 1992-12-03 Nec Yamagata Ltd Spin coater for manufacture of semiconductor
KR20040017127A (en) 2002-08-20 2004-02-26 삼성전자주식회사 Wafer coating apparatus equipped bowl cleaning part
KR20050109099A (en) 2004-05-13 2005-11-17 삼성전자주식회사 Bowl of spin coater
KR20110042014A (en) * 2009-10-16 2011-04-22 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Liquid processing apparatus, liquid processing method and storage medium
JP2013169500A (en) * 2012-02-20 2013-09-02 Ricoh Co Ltd Spin cup washing method
KR20170066078A (en) * 2015-12-04 2017-06-14 삼성전자주식회사 Paste composition, and heating element, planar heaing composite and heating apparatus using the past composition, and manufacturing methods thereof

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04348513A (en) * 1991-05-27 1992-12-03 Nec Yamagata Ltd Spin coater for manufacture of semiconductor
KR20040017127A (en) 2002-08-20 2004-02-26 삼성전자주식회사 Wafer coating apparatus equipped bowl cleaning part
KR20050109099A (en) 2004-05-13 2005-11-17 삼성전자주식회사 Bowl of spin coater
KR20110042014A (en) * 2009-10-16 2011-04-22 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Liquid processing apparatus, liquid processing method and storage medium
JP2013169500A (en) * 2012-02-20 2013-09-02 Ricoh Co Ltd Spin cup washing method
KR20170066078A (en) * 2015-12-04 2017-06-14 삼성전자주식회사 Paste composition, and heating element, planar heaing composite and heating apparatus using the past composition, and manufacturing methods thereof

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11845113B2 (en) 2020-11-27 2023-12-19 Semes Co., Ltd. Unit for recycling treating liquid of substrate and apparatus for treating substrate with the unit

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