KR102126590B1 - Apparatus for liquid treatment of wafer shaped articles and heating system for use in such apparatus - Google Patents

Apparatus for liquid treatment of wafer shaped articles and heating system for use in such apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR102126590B1
KR102126590B1 KR1020140058460A KR20140058460A KR102126590B1 KR 102126590 B1 KR102126590 B1 KR 102126590B1 KR 1020140058460 A KR1020140058460 A KR 1020140058460A KR 20140058460 A KR20140058460 A KR 20140058460A KR 102126590 B1 KR102126590 B1 KR 102126590B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
spin chuck
wafer
housing
heater
heating elements
Prior art date
Application number
KR1020140058460A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20140135127A (en
Inventor
안터 프라조닉
비제이 쿠마르 바담
마이클 브루거
Original Assignee
램 리서치 아게
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 램 리서치 아게 filed Critical 램 리서치 아게
Publication of KR20140135127A publication Critical patent/KR20140135127A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102126590B1 publication Critical patent/KR102126590B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/0033—Heating devices using lamps
    • H05B3/0038—Heating devices using lamps for industrial applications
    • H05B3/0047—Heating devices using lamps for industrial applications for semiconductor manufacture
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B5/00—Muffle furnaces; Retort furnaces; Other furnaces in which the charge is held completely isolated
    • F27B5/06—Details, accessories, or equipment peculiar to furnaces of these types
    • F27B5/14—Arrangements of heating devices
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
    • F27D3/00—Charging; Discharging; Manipulation of charge
    • F27D2003/0085—Movement of the container or support of the charge in the furnace or in the charging facilities
    • F27D2003/0087—Rotation about a vertical axis
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning

Abstract

디스크 형상 물체를 처리하는 장치는 스핀 척 및 적어도 3 개의 개별적으로 제어가능한 적외선 가열 요소들을 포함한다. 적외선 가열 요소들은 상기 스핀 척의 회전에 대하여 정지되는 방식으로 장착된다. 상기 적외선 가열 요소들과 웨이퍼의 하측면 간에 위치한 적어도 투명 플레이트가 스핀 척과 함께 회전하도록 장착된다. 이와 달리, 투명 플레이트는 적외선 가열 요소들을 둘러싸며 가열 요소들이 스핀 척에 대해서 정지된 때에 상기 스핀 척에 대해서 회전하는 하우징의 일부이다.The apparatus for processing a disc-shaped object includes a spin chuck and at least three individually controllable infrared heating elements. The infrared heating elements are mounted in a stationary manner with respect to the rotation of the spin chuck. At least a transparent plate located between the infrared heating elements and the lower side of the wafer is mounted to rotate with a spin chuck. Alternatively, the transparent plate is part of the housing surrounding the infrared heating elements and rotating about the spin chuck when the heating elements are stationary relative to the spin chuck.

Description

웨이퍼 형상 물체의 액체 처리를 위한 장치 및 이러한 장치에서 사용되는 가열 시스템{APPARATUS FOR LIQUID TREATMENT OF WAFER SHAPED ARTICLES AND HEATING SYSTEM FOR USE IN SUCH APPARATUS}Apparatus for liquid processing of wafer-shaped objects and a heating system used in such apparatus{APPARATUS FOR LIQUID TREATMENT OF WAFER SHAPED ARTICLES AND HEATING SYSTEM FOR USE IN SUCH APPARATUS}

본 발명은 웨이퍼 형상 물체들의 액체 처리를 위한 장치 및 이러한 장치에서 사용되는 가열 시스템에 관한 것이다.
The present invention relates to an apparatus for liquid processing of wafer-shaped objects and a heating system used in such apparatus.

액체 처리는 습식 에칭 및 습식 세정 양자를 포함하며, 처리될 웨이퍼의 표면 구역이 처리 액체로 웨팅되고 (wetted) 이로써 웨이퍼의 층이 제거되거나 이로써 불순물들이 제거된다. 액체 처리를 위한 디바이스는 미국 특허 번호 4,903,717에 기술된다. 이 디바이스에서 액체의 분배는 웨이퍼에 부여되는 회전 운동에 의해서 지원될 수도 있다.Liquid processing includes both wet etching and wet cleaning, where the surface area of the wafer to be treated is wetted with the processing liquid, thereby removing the layer of wafer or thereby removing impurities. Devices for liquid processing are described in US Pat. No. 4,903,717. The distribution of liquid in this device may be supported by the rotational motion imparted to the wafer.

디스크 형상 물체의 표면을 프로세싱하기 위한 기술들은 통상적으로 반도체 산업에서 예를 들어서 300 mm 또는 450 mm 직경의 실리콘 웨이퍼 상에서 사용된다. 그러나, 이러한 기술들은 컴팩트 디스크, 포토 마스크, 레티클, 자기 디스크 또는 플랫 패널 디스플레이와 같은 다른 플레이트 형태의 물체들에 대해서도 적용될 수 있다. 이러한 기술들이 반도체 산업에서 사용되는 경우에, 이들은 (예를 들어서, 실리콘-온-절연체 프로세스에서) 유리 기판, III-V 기판 (예를 들어서, GaAs) 또는 직접 회로를 생산하기 위해서 사용되는 임의의 다른 기판 또는 캐리어에 대해서 적용될 수도 있다.Techniques for processing the surface of a disk-shaped object are commonly used in the semiconductor industry, for example, on a 300 mm or 450 mm diameter silicon wafer. However, these techniques can also be applied to other plate-shaped objects such as compact discs, photo masks, reticles, magnetic discs or flat panel displays. When these techniques are used in the semiconductor industry, they can be used to produce glass substrates (eg, in silicon-on-insulator processes), III-V substrates (eg, GaAs), or integrated circuits. It may be applied to other substrates or carriers.

가열된 프로세스 액체를 사용할 때에, 웨이퍼의 표면에 걸쳐서 온도 균일성을 달성하는 데에 문제가 있으며, 이러한 문제를 처리하기 위한 필요성은 웨이퍼 직경이 증가함에 따라서 보다 심각해지고 있다. When using heated process liquids, there is a problem in achieving temperature uniformity across the surface of the wafer, and the need to address this problem becomes more serious as the wafer diameter increases.

특히, 웨이퍼의 직경이 커짐에 따라서, 액체가 웨이퍼의 중앙 영역에서 도포된 시점에서의 액체와 액체가 웨이퍼의 주변부를 향해서 방사상 외측으로 이동한 후의 동일한 액체 간의 온도 차가 커질 것이다. 이는 웨이퍼의 중앙으로부터의 거리의 함수로서 변하는 에칭 레이트를 낳으며 이로써 불량한 프로세스 균일성을 낳는다.In particular, as the diameter of the wafer increases, the temperature difference between the liquid at the time when the liquid is applied in the central region of the wafer and the same liquid after the liquid moves radially outward toward the periphery of the wafer will increase. This results in a varying etch rate as a function of distance from the center of the wafer, resulting in poor process uniformity.

이러한 문제를 완화하기 위한 통상적인 방식들은 이른바 "붐 스윙 (boom swing)" 디스펜서들과 같은, 이동가능한 암들로부터 프로세스 액체를 분사하는 것을 포함하지만, 이는 디바이스 및 동작에 있어서 비용 및 복잡성을 증가시킨다. 이 문제는 프로세스 액체의 플로우를 증가시키고/시키거나 탈이온수와 같은 고온 액체를 웨이퍼의 대향 측 상에 분사함으로써 어느 정도까지는 처리될 수 있으나, 이러한 기술들은 보다 많은 프로세스 액체 소비를 낳는다.Conventional ways to alleviate this problem include spraying process liquids from movable arms, such as so-called "boom swing" dispensers, but this increases cost and complexity in device and operation. This problem can be addressed to some extent by increasing the flow of the process liquid and/or by spraying hot liquids such as deionized water onto the opposite side of the wafer, but these techniques result in more process liquid consumption.

미국 특허 출원 공개 번호 2013/0061873은 프로세스 균일성을 증가시키기 위해서 웨이퍼를 가열하는 적외선 가열기를 구비한 개선된 장치를 설명한다. 이 특허 출원의 디바이스가 통상적인 기술들에 비해서 개선을 나타낼지라도, 보다 개선된 프로세스 균일성 및 보다 견고하고 유지하기 용이한 장비를 제공할 필요가 남아 있다.
US Patent Application Publication No. 2013/0061873 describes an improved device with an infrared heater that heats a wafer to increase process uniformity. Although the device of this patent application represents an improvement over conventional techniques, there remains a need to provide improved process uniformity and more robust and easy to maintain equipment.

따라서, 일 양태에서, 본 발명은 웨이퍼 형상 물체를 처리하는 장치에 관한 것이며, 이 장치는 사전결정된 배향으로 웨이퍼 형상 물체를 홀딩하기 위한 스핀 척으로서, 상기 웨이퍼 형상 물체의 하부 표면이 상기 스핀 척의 상부 표면으로부터 사전결정된 거리만큼 이격된, 상기 스핀 척을 포함한다. 적어도 하나의 적외선 가열기가 상기 스핀 척의 상기 상부 표면 위에 장착되며 웨이퍼 형상 물체가 상기 스핀 척 상에 장착된 때에 상기 웨이퍼 형상 물체 아래에 놓이며, 상기 적어도 하나의 적외선 가열기는 상기 스핀 척의 회전에 대해서 정지한다. 상기 적어도 하나의 적외선 가열기에 의해서 방출된 적외선 방사 (infrared radiation) 에 대해서 투명한 플레이트가 상기 스핀 척과 함께 회전하도록 장착되며 웨이퍼 형상 물체가 상기 스핀 척 상에 위치한 때에 상기 웨이퍼 형상 물체와 상기 적어도 하나의 적외선 가열기 간에 위치한다.Accordingly, in one aspect, the present invention relates to an apparatus for processing a wafer-shaped object, the apparatus being a spin chuck for holding a wafer-shaped object in a predetermined orientation, wherein a lower surface of the wafer-shaped object is an upper portion of the spin chuck. And the spin chuck spaced a predetermined distance from the surface. At least one infrared heater is mounted on the upper surface of the spin chuck and a wafer-shaped object is placed under the wafer-shaped object when mounted on the spin chuck, and the at least one infrared heater is stationary against rotation of the spin chuck do. The wafer-shaped object and the at least one infrared ray when a plate transparent to the infrared radiation emitted by the at least one infrared heater is mounted to rotate with the spin chuck and a wafer-shaped object is positioned on the spin chuck. Located between heaters.

본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시예들에서, 상기 플레이트는 상기 적어도 하나의 적외선 가열기를 둘러싸는 하우징의 일부이며, 상기 하우징은 상기 스핀 척과 함께 회전하도록 장착된다.In preferred embodiments of the device according to the invention, the plate is part of a housing surrounding the at least one infrared heater, the housing being mounted to rotate with the spin chuck.

본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시예들에서, 상기 하우징은 상기 적어도 하나의 가열기를 둘러싸며 상기 적어도 하나의 적외선 가열기와 상기 스핀 척의 상기 상부 표면 간에 위치하는 하부 쉘 (shell) 을 포함하고, 상기 하부 쉘은 반사성 내측 표면을 갖는다.In preferred embodiments of the device according to the invention, the housing comprises a lower shell surrounding the at least one heater and positioned between the at least one infrared heater and the upper surface of the spin chuck, the lower The shell has a reflective inner surface.

본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시예들에서, 상기 스핀 척은 중앙 정지된 포스트 (post) 를 둘러싸는 회전가능한 척 바디를 포함하며, 상기 적어도 하나의 적외선 가열기는 상기 중앙 정지된 포스트의 상부 단부에 장착된다.In preferred embodiments of the device according to the invention, the spin chuck comprises a rotatable chuck body surrounding a central stationary post, wherein the at least one infrared heater is at the upper end of the central stationary post. It is mounted.

본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시예들에서, 상기 적어도 하나의 적외선 가열기는 적어도 2 개 및 바람직하게는 적어도 3 개의 독립적으로 제어가능한 적외선 가열 요소들을 포함하는 가열 어셈블리의 일부이다.In preferred embodiments of the device according to the invention, the at least one infrared heater is part of a heating assembly comprising at least two and preferably at least three independently controllable infrared heating elements.

본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시예들에서, 상기 하우징은 상기 스핀 척의 회전 축 상에 센터링되며 (centered), 상기 스핀 척은 폐쇄된 위치에서 웨이퍼 형상 물체의 에지와 접촉하도록 구성된 원형으로 배열된 핀들 (circular series of pins) 을 포함하며, 상기 핀들은 상기 하우징의 주변부에 형성된 대응하는 일련의 개구들을 통과한다.In preferred embodiments of the device according to the invention, the housing is centered on the axis of rotation of the spin chuck, and the spin chuck is arranged in circularly arranged pins configured to contact the edge of the wafer-shaped object in a closed position. (circular series of pins), the pins passing through a corresponding series of openings formed in the periphery of the housing.

본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시예들에서, 상기 독립적으로 제어가능한 가열 요소들 각각은 적어도 하나의 곡선 부분을 포함한다.In preferred embodiments of the device according to the invention, each of the independently controllable heating elements comprises at least one curved part.

본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시예들에서, 하부 쉘이 상기 적어도 하나의 적외선 가열기를 둘러싸며 상기 적어도 하나의 적외선 가열기와 상기 스핀 척의 상기 상부 표면 간에 위치하며, 상기 하부 쉘은 반사성 내측 표면을 가지며 상기 스핀 척의 회전에 대하여 정지한다.In preferred embodiments of the device according to the invention, a lower shell surrounds the at least one infrared heater and is located between the at least one infrared heater and the upper surface of the spin chuck, the lower shell having a reflective inner surface It stops with respect to the rotation of the spin chuck.

다른 양태에서, 본 발명은 웨이퍼 형상 물체를 처리하는 장치에서 사용되는 적외선 가열 어셈블리에 관한 것이다. 이 적외선 가열 어셈블리는 상기 적외선 가열 어셈블리에 의해서 방출된 적외선 방사에 대하여 투명한 상부 플레이트 및 반사성 내측 표면을 갖는 하부 쉘을 포함하는 하우징을 포함한다. 복수의 적외선 가열 요소들이 상기 하우징과 함께 위치하는 공통 프레임 상에 장착되며, 상기 공통 프레임은 상기 하부 쉘 내의 중앙 개구를 통과하여 아래로 돌출된 커넥터 부분을 포함한다. 로터리 베어링 (rotary bearing) 이 상기 커넥터 부분의 외측 및 상기 중앙 개구의 내측에 위치하여서, 상기 공통 프레임 및 상기 복수의 적외선 가열 요소들에 대한 상기 하우징의 회전을 가능하게 한다.In another aspect, the present invention relates to an infrared heating assembly used in an apparatus for processing wafer-shaped objects. This infrared heating assembly includes a housing comprising a top plate transparent to the infrared radiation emitted by the infrared heating assembly and a bottom shell having a reflective inner surface. A plurality of infrared heating elements are mounted on a common frame co-located with the housing, the common frame including a connector portion protruding downward through a central opening in the lower shell. A rotary bearing is located outside the connector portion and inside the central opening, enabling rotation of the housing relative to the common frame and the plurality of infrared heating elements.

본 발명에 따른 적외선 가열 어셈블리의 바람직한 실시예들에서, 상기 적외선 가열 요소들 각각은 독립적으로 제어가능하며 적어도 하나의 곡선형 부분을 포함한다.In preferred embodiments of the infrared heating assembly according to the invention, each of the infrared heating elements is independently controllable and comprises at least one curved part.

본 발명에 따른 적외선 가열 어셈블리의 바람직한 실시예들에서, 인접하는 적외선 가열 요소들의 상기 곡선형 부분들은 동심 원들을 따라서 연장된다.In preferred embodiments of the infrared heating assembly according to the invention, the curved portions of adjacent infrared heating elements extend along concentric circles.

본 발명에 따른 적외선 가열 어셈블리의 바람직한 실시예들에서, 상기 커넥터 부분은 상기 복수의 적외선 가열 요소들의 개수와 동일한 개수를 갖는 복수의 전기 커넥터들을 포함하여, 이로써 상기 복수의 적외선 가열 요소들 각각이 상기 복수의 적외선 가열 요소들 각각을 개별적으로 에너자이징 (energizing) 하기 위한 제어기에 개별적으로 접속되게 한다.In preferred embodiments of the infrared heating assembly according to the present invention, the connector portion comprises a plurality of electrical connectors having the same number of the plurality of infrared heating elements, whereby each of the plurality of infrared heating elements is the Each of the plurality of infrared heating elements is individually connected to a controller for energizing individually.

본 발명에 따른 적외선 가열 어셈블리의 바람직한 실시예들에서, 상기 하우징은 상기 공통 프레임 및 상기 복수의 적외선 가열 요소들에 대하여 상기 상부 플레이트에 대해 수직인 축을 중심으로 회전가능하다.In preferred embodiments of the infrared heating assembly according to the invention, the housing is rotatable about an axis perpendicular to the upper plate with respect to the common frame and the plurality of infrared heating elements.

본 발명에 따른 적외선 가열 어셈블리의 바람직한 실시예들에서, 상기 적외선 가열 요소들 각각은 적어도 하나의 곡선형 부분을 포함하며, 상기 적외선 가열 요소들 각각의 상기 적어도 하나의 곡선형 부분은 상기 축으로부터 오프셋된 중심을 갖는 원의 호 (arc) 를 따라서 연장된다.In preferred embodiments of the infrared heating assembly according to the invention, each of the infrared heating elements comprises at least one curved portion, and the at least one curved portion of each of the infrared heating elements is offset from the axis. The arc extends along the arc of the circle with the center.

본 발명에 따른 적외선 가열 어셈블리의 바람직한 실시예들에서, 상기 하우징은 상기 적외선 가열 어셈블리가 스핀 척에 장착된 때에 그립핑 핀들 (gripping pins) 의 통과를 허용하는 원형으로 배열된 복수의 주변 개구들을 포함한다.In preferred embodiments of the infrared heating assembly according to the invention, the housing comprises a plurality of peripheral openings arranged in a circle allowing passage of gripping pins when the infrared heating assembly is mounted on a spin chuck. do.

본 발명의 다른 목적들, 특징들 및 장점들이 첨부 도면들을 참조하여서 주어진, 본 발명의 바람직한 실시예들의 다음의 상세한 설명을 독해한 후에 보다 명백해질 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 디스크 형상 물체들을 처리하기 위한 장치의 분해 사시도이다.
도 2는 도 1의 실시예의 상단 평면도이다.
도 3은 도 2의 라인 III-III을 따라서 취해진, 도 1 및 도 2에서 도시된 척을 통한 축방향 단면도이다.
도 4는 도 3에서 지정된 세부부분 IV의 확대도이다.
도 5는 도 3에서 지정된 세부부분 V의 확대도이다.
도 6은 본 발명에 따른 디스크 형상 물체들을 처리하기 위한 장치의 다른 실시예의, 도 3의 축방향 단면도와 유사한 축방향 단면도이다.Other objects, features and advantages of the present invention will become more apparent after reading the following detailed description of preferred embodiments of the present invention, given with reference to the accompanying drawings.
1 is an exploded perspective view of an apparatus for processing disk-shaped objects according to an embodiment of the present invention.
2 is a top plan view of the embodiment of FIG. 1.
FIG. 3 is an axial cross-section through the chuck shown in FIGS. 1 and 2, taken along line III-III of FIG. 2.
4 is an enlarged view of detail IV designated in FIG. 3.
5 is an enlarged view of the detail V designated in FIG. 3.
FIG. 6 is an axial sectional view similar to the axial sectional view of FIG. 3 of another embodiment of an apparatus for processing disc shaped objects according to the present invention.

이제 도면들을 참조하면, 도 1 및 도 2는 말하자면 베이스 스핀 척 (10) 및 모듈식 적외선 가열 어셈블리 (20) 인 2 개의 주요 서브어셈블리들로 구성된 장치를 도시한다. 스핀 척 (10) 은 정지된 중앙 중공형 포스트 (14) 를 중심으로 회전하기 위해서 장착된 로터리 메인 바디 (rotary main body) (12) 를 포함한다. 다음으로, 이 포스트 (14) 는 스핀 척 상에 장착된 때에 프로세스 액체 또는 가스를 웨이퍼의 하측면 (underside) 으로 분사하기 위한 중앙 노즐 (18) 및 포스트 (14) 의 쇼율더 (shoulder) 에서의 일련의 피메일 (female) 전기 소켓들 (15) 을 포함하며, 이 소켓들은 가열 어셈블리 (20) 로부터 아래방향으로 달려있고 어셈블리 (20) 내측의 IR 가열 램프들로 구동 전류를 공급하는 대응하는 메일 (male) 커넥터들 (미도시) 을 수용한다. Referring now to the figures, FIGS. 1 and 2 show a device composed of two main subassemblies, namely a base spin chuck 10 and a modular infrared heating assembly 20. The spin chuck 10 includes a rotary main body 12 mounted to rotate about a stationary central hollow post 14. Next, this post 14 is mounted on the spin chuck at the center nozzle 18 and the shoulder of the post 14 for ejecting process liquid or gas to the underside of the wafer. It comprises a series of female electrical sockets 15, which sockets hung downward from the heating assembly 20 and correspond to a corresponding mail supplying drive current to IR heating lamps inside the assembly 20. (male) accepts connectors (not shown).

척 바디 (12) 는 일련의 그립핑 (gripping) 핀들 (16) 이 이 핀들의 상부 단부들이 처리될 디스크 형상 물체의 에지와 인게이지되는 (engage) 방사상 내측 폐쇄 위치와 방사상 외측 개방 위치 간의 공통 링 기어에 의해서 동시에 (in unison) 구동된다는 점에서, 대체적으로 전술한 미국 특허 번호 4,903,717 에서 설명된 바와 같이 동작하는 일련의 그립핑 (gripping) 핀들 (16) 을 그 내에 장착하고 있다. 척 바디 (12) 는 척 바디 (12) 에 대한 그의 정확한 배향으로 가열 어셈블리 (20) 를 포지셔닝 및 지지하는 것을 지원하도록 가열 어셈블리 (20) 로부터 아래방향으로 달려있는 대응하는 포지셔닝 보스들 (positioning bosses) (미도시) 을 수용하는 평탄-벽의 보어들 (smooth-walled bores) (13) 을 더 포함한다.The chuck body 12 has a common ring between a radially inner closed position and a radially outer open position where a series of gripping pins 16 engage the edge of the disk-shaped object to which the upper ends of these pins are to be processed. In that it is driven in unison by a gear, it is generally equipped therein with a series of gripping pins 16 which operate as described in the above-mentioned U.S. Patent No. 4,903,717. The chuck body 12 supports corresponding positioning bosses running downward from the heating assembly 20 to assist in positioning and supporting the heating assembly 20 in its correct orientation relative to the chuck body 12. It further includes smooth-walled bores 13 for receiving (not shown).

본 실시예에서 가열 어셈블리 (20) 는 IR 램프들 (21, 23, 25) 을 포함하는 하부 접시형 하우징 또는 쉘 (shell) (22) 을 포함하는 모듈식 유닛으로서 형성된다. 커버 (24) 는 본 실시예에서 6 개인 일련의 주변부 스크루들 (26) 에 의해서 하부 하우징 (22) 상에 스크루 고정된다. 스크루들 (26) 은 상단에서 하단까지 가열 어셈블리 (20) 를 완전히 통과하며 그립핑 핀들 (16) 의 통과를 허용하는 6 개의 노치들 또는 개구들 (17) 과 교번 배치된다. The heating assembly 20 in this embodiment is formed as a modular unit comprising a lower dish-like housing or shell 22 comprising IR lamps 21, 23, 25. The cover 24 is screwed onto the lower housing 22 by a series of six peripheral screws 26 in this embodiment. The screws 26 pass through the heating assembly 20 from top to bottom and are alternately arranged with six notches or openings 17 allowing passage of the gripping pins 16.

도 1에서 파선은 웨이퍼 W의 하측면이 커버 (24) 로부터 작은 규정된 갭만큼 이격된 상태에서, 웨이퍼 W가 장치에 의해서 유지될 때에, 웨이퍼가 관통 보어들 또는 노치들 (17) 을 통과하여 위로 돌출된 그립핑 핀들 (16) 의 원위 단부들에 의해서 그의 주변부 에지들에서 지지되는 위치에서 웨이퍼의 위치를 지정한다. The broken line in FIG. 1 shows that when the wafer W is held by the device, the wafer passes through the through-bore or notches 17, with the lower side of the wafer W spaced by a small defined gap from the cover 24. Position the wafer in a position supported at its peripheral edges by the distal ends of the gripping pins 16 projecting upward.

커버 (24) 는 본 실시예에서 램프들 (21, 23, 25) 에 의해서 방출되는 IR 방사선의 파장들에 대해 투명한 재료로부터 형성된 플레이트이며, 이 플레이트 (24) 는 본 기술 분야의 당업자에게 알려진 바와 같은 예를 들어서 사파이어 또는 석영 유리로 형성될 수 있다. 플레이트 (24) 는 그 내에서 형성되어서 분사 노즐 (18) 의 상부 단부의 통과를 허용하는 작은 중앙 개구 (19) 를 갖는다.The cover 24 is a plate formed from a material transparent to the wavelengths of IR radiation emitted by the lamps 21, 23, 25 in this embodiment, which plate 24 is known to those skilled in the art. For example, it may be formed of sapphire or quartz glass. The plate 24 has a small central opening 19 formed therein to allow passage of the upper end of the spray nozzle 18.

가열 어셈블리 (20) 의 하우징 내에, 즉 하부 하우징 (22) 내에 그리고 투명 플레이트 (24) 아래에, 3 개의 적외선 가열 램프 세트 (21, 23, 25) 가 존재하며, 이 램프들은 해당 전기 공급 배선 (미도시) 을 또한 포함하는 공통 프레임 (29) 에 의해서 유지된다. 본 실시예에서 프레임 (29) 및 램프들 (21, 23, 25) 에 의해서 형성된 어셈블리는 정지된 포스트 (14) 에 강하게 장착되는 한편, 하부 쉘 (22) 및 상부 플레이트 (24) 로 형성된 하우징은 로터리 척 바디 (12) 에 강하게 장착된다. 이로써, 프레임 (29) 및 이로써 이 프레임이 유지하는 램프들 (21, 23, 25) 도 이하에서 보다 자세하게 기술될 바와 같이 컴포넌트들 (22,24) 로 형성된 둘러싸는 하우징에 대한 회전을 위해서 장착된다. In the housing of the heating assembly 20, i.e. in the lower housing 22 and below the transparent plate 24, there are three sets of infrared heating lamps 21, 23, 25, which are connected to the corresponding electrical supply wiring ( (Not shown) is also held by a common frame 29. In this embodiment, the assembly formed by the frame 29 and the lamps 21, 23, 25 is strongly mounted to the stationary post 14, while the housing formed by the lower shell 22 and the upper plate 24 is It is strongly mounted on the rotary chuck body (12). Thereby, the frame 29 and thus the lamps 21, 23, 25 it retains are also mounted for rotation relative to the surrounding housing formed of the components 22, 24 as will be described in more detail below. .

이제 도 2를 참조하면, 웨이퍼 W가 가열 어셈블리 (20) 내의 개구들 또는 노치들 (17) 을 통과하여 돌출된 핀들 (16) 의 단부들에 의해서 지지되는 것이 보여질 수 있다. 웨이퍼 W는 가열 어셈블리 (20) 상에서 센터링되며, 이어서 가열 어셈블리 (20) 는 그 아래에 있는 스핀 척의 회전 축 상에 센터링된다. 따라서, 스핀 척 (10) 은 특정 직경의 웨이퍼 W를 홀딩하도록 설계됨이 이해될 것이다. 본 명세서에서 설명된 실시예들에서, 이 직경은 현재 실리콘 웨이퍼의 통상적인 직경인 300 mm이다. 그러나, 물론 본 장치는 200 mm 및 450 mm와 같은 다른 직경들을 갖는 디스크 형상 물체들을 홀딩하도록 설계될 수도 있다.Referring now to FIG. 2, it can be seen that the wafer W is supported by the ends of the pins 16 protruding through openings or notches 17 in the heating assembly 20. The wafer W is centered on the heating assembly 20, and then the heating assembly 20 is centered on the axis of rotation of the spin chuck below it. Therefore, it will be understood that the spin chuck 10 is designed to hold a wafer W of a specific diameter. In the embodiments described herein, this diameter is 300 mm, which is the typical diameter of current silicon wafers. However, of course, the apparatus may also be designed to hold disc-shaped objects having different diameters, such as 200 mm and 450 mm.

도 2의 평면도에서, 본 실시예에서 3 개의 가열 요소들 (21, 23, 25) 각각은 연속하는 곡선 관형 요소임이 보일 수 있다. 또한, 이러한 가열 요소들은 대체적으로 원형 호 (circular arc) 를 따르고 이 모든 가열 요소들은 바람직하게는 실질적으로 동심이지만, 이러한 가열 요소들에 의해서 기술되는 원들은 본 실시예에서 가열 어셈블리 (20) 의 중심과 동심이지 않으며 따라서 스핀 척의 회전 축과도 동심이지 않다.In the plan view of Fig. 2, it can be seen that in this embodiment each of the three heating elements 21, 23, 25 is a continuous curved tubular element. Further, these heating elements generally follow a circular arc and all of these heating elements are preferably substantially concentric, but the circles described by these heating elements are the center of the heating assembly 20 in this embodiment. And not concentric with the axis of rotation of the spin chuck.

따라서, 본 실시예에서, 가열 요소들 (21, 232, 25) 의 위치 및 형상 모두는, 웨이퍼 W가 척 (10) 에 의해서 가열 요소들 (21, 232, 25) 에 대해서 회전할 때에, 각 가열 요소가 가열 요소들의 단면적 직경보다 매우 큰 방사상 크기를 갖는 환형 영역을 가열한다는 점에서, 각 가열 요소가 회전하는 웨이퍼 W에 대해서 효과적으로 방사상으로 "이동 (travel)" 하도록 된다. Thus, in this embodiment, both the position and the shape of the heating elements 21, 232, 25, each when the wafer W rotates with respect to the heating elements 21, 232, 25 by the chuck 10, In that the heating element heats an annular area having a radial size much larger than the cross-sectional diameter of the heating elements, each heating element is effectively “traveled” radially with respect to the rotating wafer W.

도 3에서, 프레임 (29) 및 램프들 (21, 23, 25) 이 포스트 (14) 에 대해서 정지된 방식으로 장착된 상태에서 가열 어셈블리 (20) 의 하우징이 정지된 포스트 (14) 에 대해서 회전하도록 하게 하는 적합한 로터리 베어링 (33) 에 의해서 프레임 (29) 이 하우징 (22,24) 내에서 지지되도록 보일 수 있다. 하부 하우징 또는 쉘 (22) 의 상향 표면에 바람직하게는 적합한 IR 반사성 코팅 (31) 이 제공되어서, 램프들 (21, 23, 25) 에 의해서 방출된 IR 방사선이 투명 플레이트 (24) 를 통과하여서 상향으로 그리고 웨이퍼 W의 하향 표면 상으로 향하게 한다.In Fig. 3, the housing of the heating assembly 20 rotates relative to the stationary post 14, with the frame 29 and lamps 21, 23, 25 mounted in a stationary manner relative to the post 14 The frame 29 can be seen to be supported within the housings 22 and 24 by suitable rotary bearings 33 that allow it to. A suitable IR reflective coating 31 is preferably provided on the bottom housing or the upward surface of the shell 22 so that the IR radiation emitted by the lamps 21, 23, 25 passes through the transparent plate 24 and upwards. And direct it onto the downward surface of the wafer W.

정지된 포스트 (14) 는 본 실시예에서 스테이터 (34) 를 유지하는, 장치의 프레임 (32) 상에 장착된다. 다음으로, 스테이터 (34) 는 스핀 척 (10) 의 바디 (12) 에 부착된 로터 (36) 를 구동시킨다. 그립핑 핀들 (16) 을 동시에 구동시키는, 상술한 바와 같은 링 기어 (11) 를 또한 도 3에서 볼 수 있다.The stationary post 14 is mounted on the frame 32 of the device, which holds the stator 34 in this embodiment. Next, the stator 34 drives the rotor 36 attached to the body 12 of the spin chuck 10. A ring gear 11 as described above, which simultaneously drives the gripping pins 16 can also be seen in FIG. 3.

도 4는 프레임 (29) 내에 있고 포스트 (14) 의 유출구와 연통하며, 가열 어셈블리 (20) 의 내부가 예를 들어서 질소 가스를 사용하여서 퍼지 (purge) 될 수 있게 하는 유입구 (37) 를 도시한다. 또한, 포스트 (14) 의 쇼울더 상에서, 척 바디 (12) 의 상부 표면과 하우징 쉘 (22) 의 하부 표면 간에 규정된 소형 갭 (39) 내로 개방된 도관 (35) 이 또한 도 4에 도시된다. 도관 (35) 은 가열 동작 완료 시에 가열 어셈블리 (20) 를 냉각시키고 가열 동작 동안에 가열 어셈블리에 의해서 생성된 온도를 조절하도록, 탈이온수를 갭 (39) 으로 공급하는데 유리하게 사용될 수 있다.FIG. 4 shows an inlet 37 that is in the frame 29 and communicates with the outlet of the post 14 and allows the interior of the heating assembly 20 to be purged using, for example, nitrogen gas. . In addition, on the shoulder of the post 14, a conduit 35 opened into the small gap 39 defined between the upper surface of the chuck body 12 and the lower surface of the housing shell 22 is also shown in FIG. Conduit 35 can be advantageously used to supply deionized water to gap 39 to cool the heating assembly 20 upon completion of the heating operation and to regulate the temperature produced by the heating assembly during the heating operation.

투명 커버 (24) 와 하부 쉘 하우징 (22) 간에 제공되며, 하우징 내에 도입된 질소 퍼지 가스가 그로부터 외측으로 배기되게 하는 갭 (41) 을 도 5에서 볼 수 있다. 마찬가지로, 도 5에 도시된 갭 (43) 은 쉘 (22) 의 하단과 척 바디 (12) 의 상부 표면 간의 갭 (39) 내로 도입된 탈이온수 (또는, 필요하다면, 질소 가스) 의 유출을 가능하게 한다.The gap 41 provided between the transparent cover 24 and the lower shell housing 22 and allowing nitrogen purge gas introduced into the housing to be exhausted out therefrom can be seen in FIG. 5. Likewise, the gap 43 shown in FIG. 5 allows outflow of deionized water (or nitrogen gas, if desired) introduced into the gap 39 between the bottom of the shell 22 and the top surface of the chuck body 12. To do.

도 6의 다른 실시예에서, 투명 플레이트 (24') 도 역시 스핀 척 (10) 과 함께 회전하며 핀들 (16') 도 역시 투명 플레이트 (24') 내에 형성된 개구들을 통과하여서 위로 돌출된다. 그러나, 본 실시예의 하부 쉘 (22') 은 프레임 (29) 및 램프들 (21, 23, 25) 과 함께 포스트 (14) 에 캔틸레버 방식 (cantilever manner) 으로 강하게 고정된다. 본 실시예는 선행하는 실시예와 관련하여서 상술한 것과는 다르다.In another embodiment of FIG. 6, the transparent plate 24' also rotates with the spin chuck 10 and the pins 16' also protrude upward through openings formed in the transparent plate 24'. However, the lower shell 22' of this embodiment is strongly fixed in a cantilever manner to the post 14 together with the frame 29 and the lamps 21, 23, 25. This embodiment is different from the one described above in connection with the preceding embodiment.

이러한 실시예들에서와 같이 투명 플레이트 (24,24') 이 스핀 척 (10) 과 함께 회전하는 것이 유리한데, 그 이유는 투명 플레이트 (24,24') 에 부착된 프로세스 액체의 임의의 액적들이 이로써 회전 분리될 것이기 때문이다. 그러나, 또 다른 실시예에서, 전체 가열 어셈블리가 예를 들어서 공동 소유된 공동 계류 중인 미국 특허 출원 공개 번호 2013/0061873에서 개시된 가열 어셈블리과 관련하여서 기술된 바와 같이, 포스트 (14) 상에서 정지된 방식으로 장착될 수도 있다.As in these embodiments, it is advantageous for the transparent plate 24,24' to rotate with the spin chuck 10, because any droplets of process liquid attached to the transparent plate 24,24' are This is because it will be separated by rotation. However, in another embodiment, the entire heating assembly is mounted in a stationary manner on post 14, for example as described in connection with the co-owned co-pending U.S. Patent Application Publication No. 2013/0061873. It may be.

선행하는 실시예들 각각에서 가열 램프들이 바람직하게는 개별적으로 제어가능하다는 것이 주목되어야 한다. 각 램프가 서로 독립적으로 스위치 온 및 스위치 오프될 수 있을 뿐만 아니라 각 램프에 대한 전력량 (wattage) 도 독립적으로 변하는 것이 특히 바람직하다. 이로써, 다양한 유리한 프로세스 제어가 가능해진다.It should be noted that in each of the preceding embodiments the heating lamps are preferably individually controllable. It is particularly preferable that not only each lamp can be switched on and off independently of each other, but also that the wattage for each lamp is independently changed. Thereby, various advantageous process control becomes possible.

본 발명이 본 발명의 다양한 바람직한 실시예들과 관련하여서 기술되었지만, 이러한 실시예들은 단지 본 발명을 예시하기 위해서 제공되었으며 첨부된 청구항들의 진정한 범위 및 사상에 의해서 부여되는 보호 범위를 한정하는 구실로서 사용되어서는 안 된다.Although the present invention has been described in connection with various preferred embodiments of the present invention, these embodiments have been provided merely to illustrate the present invention and are used as an excuse to limit the scope of protection afforded by the true scope and spirit of the appended claims. It should not be.

Claims (16)

사전결정된 배향으로 웨이퍼 형상 물체를 홀딩하기 위한 스핀 척으로서, 상기 웨이퍼 형상 물체의 하부 표면이 상기 스핀 척의 상부 표면으로부터 사전결정된 거리만큼 이격된, 상기 스핀 척;
상기 스핀 척의 상기 상부 표면 위에 장착되며 상기 스핀 척 상에 장착된 때에 상기 웨이퍼 형상 물체 아래에 놓인 (underlying), 방사선 (radiation) 을 방출하는 적어도 하나의 가열기; 및
상기 적어도 하나의 가열기에 의해서 방출된 방사선의 적어도 하나의 파장에 대해서 투명한 플레이트를 포함하고,
상기 플레이트는 상기 스핀 척과 함께 회전하도록 장착되며 상기 스핀 척 상에 위치한 때에 상기 웨이퍼 형상 물체와 상기 적어도 하나의 가열기 간에 위치하고,
상기 플레이트는 상기 적어도 하나의 가열기를 둘러싸는 하우징의 일부이고, 그리고
상기 하우징은 상기 스핀 척과 함께 회전하도록 장착되고,
상기 적어도 하나의 가열기는 상기 하우징 및 상기 스핀 척의 회전에 대해 정지하는 (stationary), 장치.A spin chuck for holding a wafer-shaped object in a predetermined orientation, wherein the lower surface of the wafer-shaped object is spaced a predetermined distance from the upper surface of the spin chuck;
At least one heater which is mounted on the upper surface of the spin chuck and which emits radiation when mounted on the spin chuck; And
A plate transparent to at least one wavelength of radiation emitted by the at least one heater,
The plate is mounted to rotate with the spin chuck and positioned between the wafer-shaped object and the at least one heater when located on the spin chuck,
The plate is part of a housing surrounding the at least one heater, and
The housing is mounted to rotate with the spin chuck,
And the at least one heater is stationary with respect to the rotation of the housing and the spin chuck. 제 1 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 가열기는 적어도 2 개의 독립적으로 제어가능한 가열 요소들을 포함하는, 장치.According to claim 1,
Wherein the at least one heater comprises at least two independently controllable heating elements. 제 1 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 가열기는 램프를 포함하는, 장치.According to claim 1,
And the at least one heater comprises a lamp. 제 1 항에 있어서,
상기 웨이퍼 형상 물체의 에지와 접촉하도록 구성된 적어도 하나의 핀을 더 포함하고,
상기 적어도 하나의 핀의 적어도 일부는 상기 하우징의 주변부에 위치되는, 장치.According to claim 1,
And at least one pin configured to contact the edge of the wafer-shaped object,
And at least a portion of the at least one pin is located on the periphery of the housing. 제 4 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 핀의 상부 단부가 상기 웨이퍼 형상 물체의 상기 에지에 인게이지하도록 상기 적어도 하나의 핀을 구동하도록 구성된 기어를 더 포함하는, 장치.The method of claim 4,
And a gear configured to drive the at least one pin such that an upper end of the at least one pin is engaged to the edge of the wafer-shaped object. 제 1 항에 있어서,
상기 플레이트는 석영 또는 사파이어를 포함하는, 장치.According to claim 1,
The plate comprises quartz or sapphire. 제 1 항에 있어서,
상기 스핀 척은 중앙 정지된 포스트 (post) 를 둘러싸는 회전가능한 척 바디를 포함하며, 상기 적어도 하나의 가열기는 상기 중앙 정지된 포스트의 일부에 장착되는, 장치.According to claim 1,
The spin chuck includes a rotatable chuck body surrounding a central stationary post, wherein the at least one heater is mounted to a portion of the central stationary post. 제 2 항에 있어서,
상기 적어도 2 개의 독립적으로 제어가능한 가열 요소들은 상기 하우징 내에 위치된 공통 프레임 상에 장착되고,
상기 공통 프레임은, 상기 적어도 2 개의 독립적으로 제어가능한 가열 요소들 각각을 개별적으로 에너자이징 (energizing) 하기 위한 제어기에 상기 적어도 2 개의 독립적으로 제어가능한 가열 요소들 각각의 개별 접속을 허용하도록, 복수의 전기 커넥터들을 포함하는, 장치.According to claim 2,
The at least two independently controllable heating elements are mounted on a common frame located in the housing,
The common frame allows a plurality of electricity to allow separate connection of each of the at least two independently controllable heating elements to a controller for individually energizing each of the at least two independently controllable heating elements. A device comprising connectors. 제 1 항에 있어서,
상기 하우징은 상기 스핀 척의 회전 축 상에 센터링되는 (centered), 장치.According to claim 1,
And the housing is centered on the axis of rotation of the spin chuck. 제 2 항에 있어서,
상기 하우징은 상기 플레이트에 수직인 축을 중심으로 상기 적어도 하나의 가열기 및 상기 적어도 2 개의 독립적으로 제어가능한 가열 요소들에 대해 회전가능한, 장치.According to claim 2,
Wherein the housing is rotatable about the at least one heater and the at least two independently controllable heating elements about an axis perpendicular to the plate. 제 1 항에 있어서,
상기 하우징은 하부 쉘을 포함하고,
상기 하부 쉘은 상기 적어도 하나의 가열기의 적어도 일부분을 냉각시키기 위한 갭을 제공하도록 위치되는, 장치.According to claim 1,
The housing includes a lower shell,
And the lower shell is positioned to provide a gap for cooling at least a portion of the at least one heater. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
KR1020140058460A 2013-05-15 2014-05-15 Apparatus for liquid treatment of wafer shaped articles and heating system for use in such apparatus KR102126590B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/894,950 2013-05-15
US13/894,950 US9245777B2 (en) 2013-05-15 2013-05-15 Apparatus for liquid treatment of wafer shaped articles and heating system for use in such apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140135127A KR20140135127A (en) 2014-11-25
KR102126590B1 true KR102126590B1 (en) 2020-06-25

Family

ID=51894963

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140058460A KR102126590B1 (en) 2013-05-15 2014-05-15 Apparatus for liquid treatment of wafer shaped articles and heating system for use in such apparatus

Country Status (3)

Country Link
US (2) US9245777B2 (en)
KR (1) KR102126590B1 (en)
TW (1) TWI614827B (en)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9748120B2 (en) * 2013-07-01 2017-08-29 Lam Research Ag Apparatus for liquid treatment of disc-shaped articles and heating system for use in such apparatus
KR102258246B1 (en) * 2013-12-06 2021-05-31 세메스 주식회사 Substrate heating unit
KR102440986B1 (en) * 2015-08-31 2022-09-08 세메스 주식회사 Apparatus and method for treating a substrate
JP6556945B2 (en) * 2015-10-04 2019-08-07 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ Substrate support and baffle equipment
US9972514B2 (en) * 2016-03-07 2018-05-15 Lam Research Ag Apparatus for liquid treatment of wafer shaped articles
US10720343B2 (en) 2016-05-31 2020-07-21 Lam Research Ag Method and apparatus for processing wafer-shaped articles
US20180040502A1 (en) * 2016-08-05 2018-02-08 Lam Research Ag Apparatus for processing wafer-shaped articles
US10446416B2 (en) 2016-08-09 2019-10-15 Lam Research Ag Method and apparatus for processing wafer-shaped articles
US10312117B2 (en) * 2016-08-10 2019-06-04 Lam Research Ag Apparatus and radiant heating plate for processing wafer-shaped articles
US10658204B2 (en) 2017-08-08 2020-05-19 Lam Research Ag Spin chuck with concentrated center and radial heating
CN108682635B (en) * 2018-05-03 2021-08-06 拓荆科技股份有限公司 Wafer seat with heating mechanism and reaction cavity comprising wafer seat
TW202143380A (en) * 2020-03-21 2021-11-16 美商應用材料股份有限公司 Pedestal geometry for fast gas exchange
KR102504568B1 (en) * 2020-05-20 2023-03-02 세메스 주식회사 Substrate heating unit
KR102624578B1 (en) * 2020-09-14 2024-01-15 세메스 주식회사 Facility for treating substrate and method for treating substrate
CN113373284A (en) * 2021-05-26 2021-09-10 上海恩耀机电有限公司 Mold surface strengthening treatment process and system

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000164555A (en) * 1998-11-30 2000-06-16 Ebara Corp Substrate drying device and method therefor
JP2005032933A (en) 2003-07-10 2005-02-03 Hitachi Kokusai Electric Inc Substrate processor
US20130061805A1 (en) 2010-08-19 2013-03-14 Jiangsu Zhongsheng Semiconductor Equipment Co., Ltd. Epitaxial wafer susceptor and supportive and rotational connection apparatus matching the susceptor

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4081313A (en) * 1975-01-24 1978-03-28 Applied Materials, Inc. Process for preparing semiconductor wafers with substantially no crystallographic slip
JPS592318A (en) * 1982-06-28 1984-01-07 Toshiba Mach Co Ltd Semiconductor vapor growth apparatus
AT389959B (en) 1987-11-09 1990-02-26 Sez Semiconduct Equip Zubehoer DEVICE FOR SETTING DISC-SHAPED OBJECTS, ESPECIALLY SILICONE DISC
GB9412918D0 (en) * 1994-06-28 1994-08-17 Baxendine Alar R Apparatus for uniformly heating a substrate
JP3360098B2 (en) * 1995-04-20 2002-12-24 東京エレクトロン株式会社 Shower head structure of processing equipment
US6121579A (en) * 1996-02-28 2000-09-19 Tokyo Electron Limited Heating apparatus, and processing apparatus
US6198074B1 (en) * 1996-09-06 2001-03-06 Mattson Technology, Inc. System and method for rapid thermal processing with transitional heater
US5965047A (en) * 1997-10-24 1999-10-12 Steag Ast Rapid thermal processing (RTP) system with rotating substrate
KR100498609B1 (en) * 2002-05-18 2005-07-01 주식회사 하이닉스반도체 Batch type atomic layer deposition equipment
US8277569B2 (en) * 2004-07-01 2012-10-02 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treating apparatus and substrate treating method
US7509035B2 (en) * 2004-09-27 2009-03-24 Applied Materials, Inc. Lamp array for thermal processing exhibiting improved radial uniformity
US7112763B2 (en) * 2004-10-26 2006-09-26 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for low temperature pyrometry useful for thermally processing silicon wafers
US7914626B2 (en) * 2005-11-24 2011-03-29 Tokyo Electron Limited Liquid processing method and liquid processing apparatus
KR101061945B1 (en) * 2005-11-24 2011-09-05 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Liquid processing method, liquid processing apparatus and computer readable medium with controlling program therefor
US8254767B2 (en) * 2008-08-29 2012-08-28 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for extended temperature pyrometry
JP5195175B2 (en) * 2008-08-29 2013-05-08 東京エレクトロン株式会社 Film forming apparatus, film forming method, and storage medium
US8294068B2 (en) * 2008-09-10 2012-10-23 Applied Materials, Inc. Rapid thermal processing lamphead with improved cooling
JP5141607B2 (en) * 2009-03-13 2013-02-13 東京エレクトロン株式会社 Deposition equipment
JP5696619B2 (en) * 2011-08-17 2015-04-08 東京エレクトロン株式会社 Deposition equipment
US9355883B2 (en) * 2011-09-09 2016-05-31 Lam Research Ag Method and apparatus for liquid treatment of wafer shaped articles
US9316443B2 (en) * 2012-08-23 2016-04-19 Lam Research Ag Method and apparatus for liquid treatment of wafer shaped articles
US9093482B2 (en) * 2012-10-12 2015-07-28 Lam Research Ag Method and apparatus for liquid treatment of wafer shaped articles
US9748120B2 (en) * 2013-07-01 2017-08-29 Lam Research Ag Apparatus for liquid treatment of disc-shaped articles and heating system for use in such apparatus
TWI722978B (en) * 2013-04-16 2021-04-01 美商應用材料股份有限公司 Lamp heater for atomic layer deposition

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000164555A (en) * 1998-11-30 2000-06-16 Ebara Corp Substrate drying device and method therefor
JP2005032933A (en) 2003-07-10 2005-02-03 Hitachi Kokusai Electric Inc Substrate processor
US20130061805A1 (en) 2010-08-19 2013-03-14 Jiangsu Zhongsheng Semiconductor Equipment Co., Ltd. Epitaxial wafer susceptor and supportive and rotational connection apparatus matching the susceptor

Also Published As

Publication number Publication date
TW201513250A (en) 2015-04-01
US20140339215A1 (en) 2014-11-20
US20160118278A1 (en) 2016-04-28
US9245777B2 (en) 2016-01-26
US9685358B2 (en) 2017-06-20
TWI614827B (en) 2018-02-11
KR20140135127A (en) 2014-11-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102126590B1 (en) Apparatus for liquid treatment of wafer shaped articles and heating system for use in such apparatus
TWI602253B (en) Apparatus for liquid treatment of disc-shaped articles and heating system for use in such apparatus
KR102343226B1 (en) Spot heater and Device for cleaning wafer using the same
JP6073894B2 (en) Method and apparatus for liquid processing of wafer-like articles
CN104078326B (en) Substrate board treatment and substrate processing method using same
US20170345681A1 (en) Method and apparatus for processing wafer-shaped articles
US9748120B2 (en) Apparatus for liquid treatment of disc-shaped articles and heating system for use in such apparatus
US9093482B2 (en) Method and apparatus for liquid treatment of wafer shaped articles
KR102096672B1 (en) Method and appratus for liquid treatment of wafer shaped articles
KR20160024759A (en) Method and apparatus for processing wafer-shaped articles
KR20170070812A (en) Spin chuck with in situ cleaning capability
TWI460807B (en) Method and apparatus for liquid treatment of wafer shaped articles
TW201702420A (en) Spin chuck with rotating gas showerhead
TW201816912A (en) Apparatus for processing wafer-shaped articles
KR20200118401A (en) Apparatus for liquid treatment of wafer shaped articles
US10312117B2 (en) Apparatus and radiant heating plate for processing wafer-shaped articles
KR20160042688A (en) Heater apparatus for substrate processing and liquid processing apparatus for substrate comprising the same
KR20200006801A (en) Apparatus for processing substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant