KR20160042688A - Heater apparatus for substrate processing and liquid processing apparatus for substrate comprising the same - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a heater apparatus for processing a substrate, which heats a substrate to process the substrate, and a substrate liquid processing apparatus including the same. The heater apparatus comprises: a heater part configured to have an opposite surface having a size not less than the size of a process surface of the substrate; and a lamp part including a plurality of lamp units arranged on the opposite surface of the heater part to be adjacent to each other. Accordingly, the opposite surface of the heater part is formed to have a size not less than the size of the process surface of the substrate, and the lamp units are arranged on the opposite surface to be adjacent to each other, to prevent non-uniform treatment with respect to the treatment surface of the substrate by uniformly maintaining a heating temperature on the treatment surface of the substrate, thereby improving the efficiency of processing the substrate.

Description

기판 처리용 히터장치 및 이를 구비한 기판 액처리 장치{HEATER APPARATUS FOR SUBSTRATE PROCESSING AND LIQUID PROCESSING APPARATUS FOR SUBSTRATE COMPRISING THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a heater for a substrate processing apparatus,

본 발명은 기판 처리용 히터장치 및 이를 구비한 기판 액처리 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판을 처리하도록 기판을 가열하는 기판 처리용 히터장치 및 이를 구비한 기판 액처리 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a heater apparatus for processing a substrate and a substrate liquid processing apparatus having the same, and more particularly, to a heater apparatus for processing a substrate for processing a substrate and a substrate liquid processing apparatus having the same.

반도체 소자 제조를 위해서는 기판 상에 다층의 박막을 형성하는데 있어 식각 및 세정 공정은 필수적이다.In order to manufacture a semiconductor device, etching and cleaning processes are essential for forming a multilayer thin film on a substrate.

매엽식 습식 식각 및 세정 장치 등과 같은 기판 액처리 장치는, 기판을 지지하는 척이 설치된 테이블을 회전시키면서, 처리액을 기판에 공급하여 식각, 세정 및 건조 공정을 수행하고, 테이블 둘레에 컵 구조를 갖는 처리액 회수부를 이용하여 처리액을 회수한다.A substrate liquid processing apparatus such as a single wafer type wet etching and cleaning apparatus performs etching, cleaning and drying processes by supplying a process liquid to a substrate while rotating a table provided with a chuck for supporting the substrate, And the process liquid is recovered by using the process liquid recovery unit.

한편, 기판에 증착된 질화막, 산화막, 금속막 등의 박막이나 포토레지스트 등을 기판으로부터 제거함에 있어 처리 효율을 향상시키기 위한 목적으로, 기판의 상부 또는 테이블의 하부에 히터를 설치하거나, 처리액의 온도를 고온으로 가열하여 분사하거나, 가열 후 분사 직전에 처리액의 혼합으로 발생하는 반응열을 이용하는 방법으로 고온에서 액처리하였다.On the other hand, for the purpose of improving processing efficiency in removing a thin film such as a nitride film, an oxide film, a metal film, or the like, or a photoresist from a substrate, a heater may be provided on the top of the substrate or a lower portion of the table, The solution was treated at a high temperature by a method in which the temperature was heated and injected at a high temperature or the heat of reaction generated by the mixing of the treatment liquid immediately before spraying after heating was used.

특히, 히터장치를 사용하는 종래의 히터식 기판 액처리 장치는, 히터의 크기가 기판의 처리면 크기 보다 작게 형성되어 기판의 처리면의 가열온도가 불균일하여 기판의 액처리시 처리불량의 원인을 제공하는 문제가 있었다.Particularly, in a conventional heater type substrate liquid processing apparatus using a heater device, the size of the heater is formed smaller than the processing surface size of the substrate, and the heating temperature of the processing surface of the substrate is uneven, There was a problem to provide.

또한, 기판의 처리면에 대해 일정한 배열로 히터를 배치한 경우에는, 히터의 가열범위가 동일하게 중첩되거나 이중 삼중으로 반복적으로 중복되어 기판의 처리면의 가열온도가 불균일하게 분포되는 문제점도 있었다.Further, in the case where the heaters are arranged in a constant arrangement with respect to the processing surface of the substrate, there is a problem that the heating ranges of the heaters are overlapped with each other or repeatedly overlapping with the triple of the heating ranges.

본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해소하기 위해 안출한 것으로서, 기판의 처리면 상에 가열온도를 균일하게 유지하여 기판 처리면에 대한 불균일한 처리를 방지하여 기판의 처리효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리용 히터장치 및 이를 구비한 기판 액처리 장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the conventional problems as described above, and it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a semiconductor device which can uniformly maintain a heating temperature on a processing surface of a substrate, It is an object of the present invention to provide a heater apparatus for substrate processing and a substrate liquid processing apparatus having the same.

또한, 본 발명은 히터부의 발열을 기판의 처리면에만 집중하여 히터부의 가열효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리용 히터장치 및 이를 구비한 기판 액처리 장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.It is still another object of the present invention to provide a heater for a substrate processing apparatus and a substrate liquid processing apparatus having the same, which can improve the heating efficiency of the heater unit by concentrating heat generated by the heater unit only on the processed surface of the substrate.

또한, 본 발명은 램프유닛의 가열범위가 서로 동일하게 중복되지 않도록 배치되어 기판 처리면 상의 가열온도의 불균일을 감소시킬 수 있는 기판 처리용 히터장치 및 이를 구비한 기판 액처리 장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.It is another object of the present invention to provide a heater for a substrate processing apparatus and a substrate liquid processing apparatus having the same that can reduce the unevenness of the heating temperature on the substrate processing surface by being arranged so that the heating ranges of the lamp units do not overlap each other For other purposes.

또한, 본 발명은 기판의 처리면의 중심부위에 대한 가열온도 상승을 방지할 수 있는 기판 처리용 히터장치 및 이를 구비한 기판 액처리 장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.It is still another object of the present invention to provide a heater for substrate processing capable of preventing a heating temperature from rising above a central portion of a processing surface of a substrate, and a substrate liquid processing apparatus having the same.

또한, 본 발명은 고온으로 발열하는 발열램프의 열기를 기판 방향으로 반사하여 발열효율을 향상시키는 동시에 하우징의 열해를 방지할 수 있는 기판 처리용 히터장치 및 이를 구비한 기판 액처리 장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.It is another object of the present invention to provide a heater apparatus for substrate processing capable of improving the heat generating efficiency by reflecting the heat of a heat generating lamp that generates heat at a high temperature toward the substrate and preventing the housing from being damaged, and a substrate liquid processing apparatus having the same For another purpose.

또한, 본 발명은 발열램프의 열기를 균일하게 발산시키는 동시에 램프유닛의 유지보수를 용이하게 할 수 있는 기판 처리용 히터장치 및 이를 구비한 기판 액처리 장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a heater for a substrate processing apparatus and a substrate liquid processing apparatus having the same that can uniformly dissipate the heat of a heat generating lamp and facilitate the maintenance of the lamp unit.

또한, 본 발명은 대향면에 배치된 램프유닛에 대해 구역별로 발열제어를 할 수 있는 기판 처리용 히터장치 및 이를 구비한 기판 액처리 장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.It is still another object of the present invention to provide a heater for substrate processing capable of controlling the heat generation for each of the lamp units arranged on the opposite surface and a substrate liquid processing apparatus having the same.

또한, 본 발명은 기판 처리면의 중앙부위와 외곽부위에 대한 램프유닛의 발열을 다양하게 제어하여 기판 처리면의 부위별로 가열온도 편차를 감소시킬 수 있는 기판 처리용 히터장치 및 이를 구비한 기판 액처리 장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.The present invention also provides a heater apparatus for substrate processing capable of reducing the heating temperature deviation for each part of the substrate processing surface by variously controlling the heat generation of the lamp unit with respect to the central portion and the peripheral portion of the substrate processing surface, It is still another object to provide a processing apparatus.

또한, 본 발명은 기판의 액처리시 히터장치의 오염을 방지하고 액처리효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리용 히터장치 및 이를 구비한 기판 액처리 장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.It is still another object of the present invention to provide a heater apparatus for substrate processing capable of preventing contamination of a heater apparatus during liquid processing of a substrate and improving liquid processing efficiency and a substrate liquid processing apparatus having the same.

또한, 본 발명은 기판의 처리면에 대한 가열온도를 램프유닛의 램프군 별로 더욱 정밀하게 제어할 수 있는 기판 처리용 히터장치 및 이를 구비한 기판 액처리 장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.It is still another object of the present invention to provide a heater for a substrate processing apparatus and a substrate liquid processing apparatus having the same that can more precisely control the heating temperature of the processing surface of the substrate for each lamp group of the lamp unit.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 기판의 처리를 위해 기판을 가열하는 히터장치로서, 기판의 처리면 크기 이상의 대향면을 갖도록 형성되어 기판을 가열하는 히터부; 및 상기 히터부의 대향면에 서로 인접하게 배치되는 복수의 램프유닛을 구비한 램프부;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 상기 대향면은, 기판의 처리면 형상과 동일한 형상으로 형성되어 있는 것을 특징으로 한다. According to an aspect of the present invention, there is provided a heater apparatus for heating a substrate for processing a substrate, the apparatus comprising: a heater unit configured to have a surface opposite to a processing surface size of the substrate to heat the substrate; And a lamp unit having a plurality of lamp units disposed adjacent to each other on the opposite surface of the heater unit. The opposing surface of the present invention is characterized by being formed in the same shape as the processed surface shape of the substrate.

본 발명의 상기 램프부는, 기판 처리면의 중심에 대응하는 상기 대향면의 중심을 기준해서 편심으로 배치되어 있는 기준 램프유닛; 및 상기 기준 램프유닛을 중심으로 해서 상기 대향면의 중심과의 이격거리가 서로 동일하게 배치되거나 서로 다르게 배치되어 있는 복수의 주변 램프유닛;을 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 상기 기준 램프유닛의 편심범위는, 램프유닛 직경의 ⅔ 이내 인 것을 특징으로 한다.The lamp unit of the present invention includes: a reference lamp unit disposed eccentrically with respect to a center of the opposed surface corresponding to the center of the substrate processing surface; And a plurality of peripheral lamp units having the same distance from the center of the opposed surface with respect to the reference lamp unit, the plurality of peripheral lamp units having the same spacing or being different from each other. The eccentric range of the reference lamp unit of the present invention is characterized by being within 2/3 of the lamp unit diameter.

본 발명의 상기 램프유닛은, 기판을 향해 발열하는 발열램프; 상기 발열램프의 발열을 기판으로 향하도록 반사하는 리플렉터; 및 상기 발열램프의 외곽 둘레에 설치된 하우징;을 포함하는 것을 특징으로 한다.The lamp unit of the present invention comprises: a heat generating lamp which generates heat toward a substrate; A reflector for reflecting the heat of the heat generating lamp toward the substrate; And a housing disposed around the outer periphery of the heat generating lamp.

본 발명의 상기 발열램프는, 기판의 처리면과 평행하도록 필라멘트가 배치되어 있는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 상기 램프유닛은, 상기 발열램프의 필라멘트가 서로 평행하게 배치되도록 상기 대향면에 끼워맞춤되어 결합되는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 상기 발열램프는, 적외선 램프로 이루어져 있는 것을 특징으로 한다.The heat generating lamp of the present invention is characterized in that filaments are arranged so as to be parallel to the processing surface of the substrate. The lamp unit of the present invention is characterized in that the filaments of the heat generating lamp are fitted and fitted to the opposed surface so as to be arranged in parallel with each other. The heat generating lamp of the present invention is characterized by being composed of an infrared lamp.

본 발명의 상기 램프부는, 하나 이상의 램프유닛이 하나의 램프군으로 형성된 복수개의 램프군이 형성되며, 램프군 별로 램프유닛의 발열이 제어되는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 상기 대향면의 중앙부위에는 하나의 램프유닛이 하나의 램프군으로 형성되어 있고, 상기 대향면의 외곽부위에는 복수개의 램프유닛이 하나의 램프군으로 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.The lamp unit of the present invention is characterized in that a plurality of lamp groups in which at least one lamp unit is formed of one lamp group is formed and the heat generation of the lamp unit is controlled by each lamp group. In the present invention, one lamp unit is formed as one lamp group on the central portion of the opposed surface, and a plurality of lamp units are formed as one lamp group on the outer periphery of the opposed surface.

또한, 본 발명은 기판에 처리액을 공급하여 액처리하는 기판 액처리 장치로서, 기판을 척킹하여 회전시키는 테이블부; 상기 기판에 처리액을 분사하는 분사부; 상기 기판에 분사된 처리액을 회수하는 회수부; 상기 기판의 처리면 크기 이상의 대향면을 갖도록 형성되어 기판을 가열하는 히터부; 및 상기 히터부의 대항면에 서로 인접하게 배치되는 복수의 램프유닛을 구비한 램프부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a substrate liquid processing apparatus for supplying a processing liquid to a substrate to perform liquid processing, the substrate processing apparatus comprising: a table portion for chucking and rotating the substrate; A jetting portion for jetting a treatment liquid onto the substrate; A recovery unit for recovering the treatment liquid sprayed onto the substrate; A heater portion formed to have a surface opposite to the processing surface size of the substrate and heating the substrate; And a lamp unit having a plurality of lamp units arranged adjacent to each other on a counter surface of the heater unit.

본 발명의 상기 테이블부는 상기 기판의 처리면을 상부로 향하도록 척킹하고, 상기 분사부는 상기 기판의 처리면에 처리액을 분사하도록 상기 기판의 상부에 설치되어 있고, 상기 히터부는 상기 기판과 처리액을 가열하도록 상기 기판의 상부에 설치되어 있는 것을 특징으로 한다.The table portion of the present invention chucks the processing surface of the substrate to face upward and the jetting portion is provided on the top of the substrate so as to jet the processing solution onto the processing surface of the substrate, Is mounted on the top of the substrate to heat the substrate.

본 발명의 상기 테이블부는 상기 기판의 처리면을 하부로 향하도록 척킹하고, 상기 분사부는 상기 기판의 처리면에 처리액을 분사하도록 상기 기판의 하부에 설치되고, 상기 히터부는 상기 기판을 가열하도록 상기 기판의 상부에 설치되어 있는 것을 특징으로 한다.The table portion of the present invention chucks the processing surface of the substrate downward, and the injection portion is installed at a lower portion of the substrate to spray the processing solution onto the processing surface of the substrate, And is provided on the top of the substrate.

또한, 본 발명은 램프부의 발열을 제어하도록 기판의 가열온도를 측정하는 센서부를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명은 램프부의 발열을 램프유닛의 램프군 별로 제어하는 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. The present invention further includes a sensor unit for measuring a heating temperature of the substrate to control the heat generation of the lamp unit. Further, the present invention is characterized by further comprising a controller for controlling the heat generation of the lamp unit for each lamp group of the lamp unit.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명은 히터부의 대향면을 기판의 처리면 크기 이상으로 형성하고 대향면에 복수개의 램프유닛을 서로 인접하게 배치함으로써, 기판의 처리면 상에 가열온도를 균일하게 유지하여 기판 처리면에 대한 불균일한 처리를 방지하여 기판의 처리효율을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.As described above, according to the present invention, the opposing surface of the heater portion is formed to be equal to or larger than the processing surface size of the substrate, and the plurality of lamp units are disposed adjacent to each other on the opposing surface to uniformly maintain the heating temperature on the processing surface of the substrate It is possible to prevent nonuniform processing on the substrate processing surface and to improve the processing efficiency of the substrate.

또한, 히터부의 대향면의 형상을 기판의 처리면 형상과 동일한 형상으로 형성함으로써, 히터부의 발열을 기판의 처리면에만 집중하여 히터부의 가열효율을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.In addition, by forming the shape of the opposing face of the heater portion to be the same as the shape of the processing face of the substrate, the heating efficiency of the heater portion can be improved by concentrating heat generated by the heater portion only on the processed face of the substrate.

또한, 대향면의 중심을 기준해서 기준 램프유닛을 편심으로 배치하고 대향면의 중심과의 이격거리가 서로 다르게 주변 램프유닛을 배치함으로써, 램프유닛의 가열범위가 서로 동일하게 중복되지 않도록 배치되어 기판 처리면 상의 가열온도의 불균일을 감소시킬 수 있는 효과를 제공한다.Further, by arranging the reference lamp units eccentrically with respect to the center of the opposed surface and the peripheral lamp units with different distances from the center of the opposed surfaces, the heating ranges of the lamp units are arranged so as not to overlap each other, It is possible to reduce the unevenness of the heating temperature on the processing surface.

또한, 기준 램프유닛의 편심범위를 소정수치로 한정함으로써, 기판의 처리면의 중심부위에 대한 가열온도 상승을 방지할 수 있는 효과를 제공한다.Further, by limiting the eccentric range of the reference lamp unit to a predetermined value, it is possible to prevent an increase in the heating temperature on the central portion of the processed surface of the substrate.

또한, 램프유닛으로서 발열램프와 리플렉터와 하우징으로 구성함으로써, 고온으로 발열하는 발열램프의 열기를 기판 방향으로 반사하여 발열효율을 향상시키는 동시에 하우징의 열해를 방지할 수 있게 된다.The lamp unit includes a heat generating lamp, a reflector, and a housing. The heat generated by the heat generating lamp, which generates heat at a high temperature, is reflected toward the substrate, thereby improving heat efficiency and preventing the housing from being damaged.

또한, 발열램프로서 필라멘트가 기판의 처리면과 평행하고 각각의 필라멘트도 서로 평행하도록 설치되거나 적외선 램프를 사용함으로써, 발열램프의 열기를 균일하게 발산시키는 동시에 램프유닛의 유지보수를 용이하게 할 수 있는 효과를 제공한다.Further, as the exothermic lamp, the filaments are parallel to the processing surface of the substrate and the respective filaments are parallel to each other, or by using an infrared lamp, the heat of the exothermic lamp can be uniformly diffused and the maintenance of the lamp unit can be facilitated Effect.

또한, 하나 이상의 램프유닛이 하나의 램프군으로 형성된 복수개의 램프군을 램프군 별로 발열 제어함으로써, 대향면에 배치된 램프유닛에 대해 구역별로 발열제어를 할 수 있는 효과를 제공한다.In addition, by controlling the plurality of lamp groups in which at least one lamp unit is formed by one lamp group, the heat generation control can be performed for each lamp unit arranged on the opposing surface by each lamp group.

또한, 기판의 중앙부위에는 하나의 램프유닛이 하나의 램프군으로 형성되고 외곽부위에는 복수의 램프유닛이 하나의 램프군으로 형성됨으로써, 기판 처리면의 중앙부위와 외곽부위에 대한 램프유닛의 발열을 다양하게 제어하여 기판 처리면의 부위별로 가열온도 편차를 감소시킬 수 있게 된다.In addition, since one lamp unit is formed as one lamp unit on the central part of the substrate and a plurality of lamp units are formed as one lamp unit on the outer part, heat generation of the lamp unit with respect to the central part and the outer part of the substrate processing surface It is possible to reduce the heating temperature deviation for each part of the substrate processing surface.

또한, 기판 액처리 장치에서 기판의 상부에 히터장치를 설치하고 기판의 하부에 분사부를 설치함으로써, 기판의 액처리시 히터장치의 오염을 방지하고 액처리효율을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.Further, in the substrate liquid processing apparatus, the heater device is provided on the upper part of the substrate, and the jet part is provided on the lower part of the substrate, thereby preventing contamination of the heater device during liquid processing of the substrate and improving liquid treatment efficiency.

또한, 기판 액처리 장치에 센서부나 제어부를 더 구비함으로써, 기판의 처리면에 대한 가열온도를 램프유닛의 램프군 별로 더욱 정밀하게 제어할 수 있는 효과를 제공한다.Further, since the substrate liquid processing apparatus is further provided with the sensor unit and the control unit, the heating temperature of the processing surface of the substrate can be controlled more precisely for each lamp group of the lamp unit.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리용 히터장치를 구비한 기판 액처리 장치를 나타내는 구성도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리용 히터장치를 나타내는 구성도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리용 히터장치의 히터유닛을 나타내는 상세도.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리용 히터장치의 제어상태를 나타내는 블럭도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a configuration diagram showing a substrate liquid processing apparatus provided with a heater for substrate processing according to an embodiment of the present invention; Fig.
2 is a configuration diagram showing a heater apparatus for processing a substrate according to an embodiment of the present invention;
3 is a detailed view showing a heater unit of a heater apparatus for substrate processing according to an embodiment of the present invention;
4 is a block diagram showing a control state of a heater for substrate processing according to an embodiment of the present invention;

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 일실시예를 더욱 상세히 설명한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리용 히터장치를 구비한 기판 액처리 장치를 나타내는 구성도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리용 히터장치를 나타내는 구성도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리용 히터장치의 히터유닛을 나타내는 상세도이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리용 히터장치의 제어상태를 나타내는 블럭도이다.Fig. 1 is a configuration diagram showing a substrate liquid processing apparatus having a heater apparatus for substrate processing according to an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a configuration diagram showing a heater apparatus for substrate processing according to an embodiment of the present invention FIG. 3 is a detailed view showing a heater unit of a heater for substrate processing according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a block diagram showing a control state of a heater for substrate processing according to an embodiment of the present invention .

도 1 및 도 2에 나타낸 바와 같이, 본 실시예에 의한 기판 처리용 히터장치는, 히터부(10)와 램프부(20)를 포함하여 이루어져, 기판을 처리하도록 기판을 가열하는 히터장치이다. 본 실시예에서 처리하는 기판으로는, 반도체 소자에 사용되는 반도체 웨이퍼 등과 같은 원형의 박판을 사용하는 것이 바람직하다.As shown in Figs. 1 and 2, the heater apparatus for processing a substrate according to the present embodiment is a heater apparatus including a heater unit 10 and a lamp unit 20, which heats the substrate to process the substrate. As the substrate to be processed in this embodiment, it is preferable to use a circular thin plate such as a semiconductor wafer used for a semiconductor device.

히터부(10)는, 기판(W)의 처리면 크기 이상의 대향면을 갖도록 형성되어 기판을 가열하는 히팅수단으로서, 기판(W)의 처리면 형상과 동일한 형상으로 형성되어 있는 것이 바람직하다.The heater portion 10 is preferably formed to have the same shape as the processed surface shape of the substrate W as a heating means for heating the substrate so as to have an opposite surface larger than the processing surface size of the substrate W. [

구체적으로, 기판(W)의 처리면 형상이 원형으로 되어 있는 경우에 히터부(10)의 형상은 기판(W)의 원형 형상의 크기 이상의 대향면이 형성된 원형 형상으로 형성되어 있다. Specifically, when the processed surface shape of the substrate W is circular, the shape of the heater portion 10 is formed into a circular shape in which the opposing surface of the substrate W is larger than the circular shape.

이러한 히터부(10)는, 기판(W)의 상부에서 선회하여 출입하도록 설치되어 있거나 기판(W)의 상부에 고정되도록 설치되어 있는 것도 가능함은 물론이다. 따라서 기판(W)의 처리면이 하방을 향하도록 설치되어 있는 경우에는 기판(W)의 이면을 가열하게 되고, 기판(W)의 처리면이 상방으로 향하도록 설치되어 있는 경우에는 기판(W)의 처리면을 가열하게 된다.It is needless to say that such a heater unit 10 may be provided so as to swing out from the upper portion of the substrate W or to be fixed to the upper portion of the substrate W. [ Therefore, when the processing surface of the substrate W is provided so as to face downward, the back surface of the substrate W is heated. In the case where the processing surface of the substrate W is provided so as to face upward, Is heated.

램프부(20)는, 히터부(10)의 대향면에 서로 인접하게 배치되는 복수의 램프유닛을 구비하며 기판(W)의 처리면을 향해 발열하는 발열수단으로서, 기준 램프유닛(21)과 주변 램프유닛(22)으로 이루어져 있다.The lamp unit 20 includes a plurality of lamp units disposed adjacent to each other on the opposing surface of the heater unit 10 and generates heat toward the processed surface of the substrate W. The lamp unit 20 includes a reference lamp unit 21, And an ambient lamp unit 22.

기준 램프유닛(21)은, 기판(W)의 처리면의 중심에 대응하는 대향면의 중심을 기준해서 편심으로 배치되어 있는 것이 바람직하다. 특히 이러한 기준 램프유닛(21)의 편심범위는, 즉 대향면의 중심과 기준 램프유닛(21)의 중심 사이의 이격거리는, 램프유닛 직경의 ⅔ 이내로 설정하는 것이 더욱 바람직하다. 그 이유는 편심범위가, 램프유닛 직경의 ⅔ 보다 크게 되면 기판의 처리면의 중심부위에 대한 발열성능이 저하되어 기판의 처리면이 불균일하게 가열되기 때문이다.It is preferable that the reference lamp unit 21 is disposed eccentrically with reference to the center of the opposed surface corresponding to the center of the processing surface of the substrate W. [ More preferably, the eccentric range of the reference lamp unit 21, that is, the distance between the center of the opposed surface and the center of the reference lamp unit 21 is set to be within two-thirds of the lamp unit diameter. This is because if the eccentric range is larger than 2/3 of the diameter of the lamp unit, the heat generation performance on the central portion of the processing surface of the substrate is lowered and the processing surface of the substrate is heated unevenly.

주변 램프유닛(22)은, 기준 램프유닛(21)을 중심으로 해서 대향면의 중심(C)과의 이격거리가 서로 동일하게 복수개가 배치되어 있거나 서로 다르도록 복수개가 배치되어 있다. A plurality of the peripheral lamp units 22 are arranged so that a distance from the center C of the opposite surface is the same as each other with respect to the reference lamp unit 21 as a center.

구체적으로 2번으로 마킹된 제2 램프유닛의 이격거리(d1)와 6번으로 마킹된 제6 램프유닛의 이격거리(d2)가 서로 다르게 배치되어 있는 것처럼 다른 복수개의 주변 램프유닛들도 이격거리가 서로 다르게 배치되어 있다. 또한, 일부의 주변 램프유닛들은 대향면의 중심(C)과의 이격거리가 서로 동일하게 배치되어 있는 것도 가능함은 물론이다.Specifically, as the distance d1 between the second lamp unit marked 2 and the distance d2 between the sixth lamp unit marked 6 are different from each other, a plurality of other peripheral lamp units are spaced apart from each other Are arranged differently from each other. It goes without saying that some of the peripheral lamp units may have the same distance from the center C of the opposed surface.

따라서, 1번 내지 n-8번으로 마킹된 주변 램프유닛(22)의 이격거리가 서로 다르게 배치되도록 주변 램프유닛(22)이 히터부(10)의 대향면에 배치되므로, 기판의 처리면에 대응하는 대향면의 중심(C)으로부터 이격거리가 서로 다른 다양한 지점에서 램프유닛이 발열하여 기판(W)의 처리면을 균일하게 가열시킬 수 있게 된다.Therefore, since the peripheral lamp unit 22 is disposed on the opposite surface of the heater unit 10 so that the spacing distances of the peripheral lamp units 22 marked with No. 1 through No. 8 are different from each other, The lamp unit generates heat at various points at different distances from the center C of the corresponding opposing surface so that the treated surface of the substrate W can be uniformly heated.

또한, 램프부(20)는, 하나 이상의 램프유닛이 하나의 램프군으로 형성된 복수개의 램프군이 형성되며, 각각의 램프군 별로 램프유닛의 발열이 제어되는 것이 바람직하다. 구체적으로, 도 2 및 도 4에 나타낸 바와 같이 제1 내지 제n-8 램프유닛으로 이루어진 n개의 램프군이 형성되어 램프군 별로 발열이 제어된다.In addition, the lamp unit 20 may include a plurality of lamp groups in which at least one lamp unit is formed of one lamp group, and the heat generation of the lamp unit may be controlled for each lamp group. Specifically, as shown in FIG. 2 and FIG. 4, n lamp groups including the first through the n-8 lamp units are formed, and the heat generation is controlled for each lamp group.

또한, 대향면의 중앙부위에는 하나의 램프유닛이 하나의 램프군으로 형성되어 있고, 대향면의 외곽부위에는 복수개의 램프유닛이 하나의 램프군으로 형성되어 있는 것도 가능함은 물론이다.It goes without saying that one lamp unit may be formed as one lamp group on the central portion of the opposed surface and a plurality of lamp units may be formed as one lamp group on the outer periphery of the opposed surface.

구체적으로 대향면의 중앙부위에 배치된 1번 내지 12번으로 마킹된 제1 내지 제12 램프유닛은 하나의 램프유닛이 하나의 램프군으로 형성되어 각각의 램프군 별로 램프유닛의 발열이 제어된다. Specifically, the first to twelfth lamp units 1 to 12, which are arranged at the central portion of the opposing surface, are formed into one lamp group, and the heat generation of the lamp unit is controlled for each lamp group .

또한, 대향면의 외곽부위에 배치된 13-1번 내지 n-8번으로 마킹된 제13-1 내지 제n-8 램프유닛은 복수개의 램프유닛이 하나의 램프군으로 형성되어 각각의 램프군 별로 램프유닛의 발열이 제어된다.The 13th to (n-8) th lamp units marked 13-1 to n-8 arranged on the outer peripheral portion of the opposite surface include a plurality of lamp units formed as one lamp group, The heat generation of the lamp unit is controlled.

또한, 이러한 램프부(20)의 램프유닛은, 도 3에 나타낸 바와 같이 발열램프(20a)와 리플렉터(20b)와 하우징(20c)으로 이루어져 있고, 하우징(20c)에는 발열램프(20a)를 끼워맞춤하여 결합하도록 램프소켓이 형성되어 있고, 램프소켓에는 외부로부터 전력을 발열램프(20a)에 공급하도록 전력배선이 설치되어 있다.3, the lamp unit of the lamp unit 20 includes a heat generating lamp 20a, a reflector 20b and a housing 20c. The heat generating lamp 20a is inserted into the housing 20c And the lamp socket is provided with electric power wiring for supplying electric power from the outside to the heat generating lamp 20a.

발열램프(20a)는, 히터부(10)의 대향면에 설치되어 대향면를 기준해서 기판(W)의 처리면을 향해 조사하여 발열하는 램프수단으로서, 기판(W)의 처리면과 평행하도록 필라멘트가 배치되어 있는 것이 바람직하다.The heat generating lamp 20a is a lamp means provided on the opposing face of the heater unit 10 and generating heat by irradiating the face of the substrate W with reference to the opposing face as a reference, Is preferably disposed.

또한, 램프부(20)의 램프유닛은, 발열램프(20a)의 필라멘트가 서로 평행하게 배치되도록 대향면에 끼워맞춤되어 결합되는 것도 가능함은 물론이다.It goes without saying that the lamp unit of the lamp unit 20 may be fitted and fitted to the opposing face so that the filaments of the heat generating lamp 20a are arranged parallel to each other.

이러한 발열램프(20a)로는, 적외선 파장을 방사하는 램프로서 칸탈 램프, 할로겐 램프, 텅스텐 램프 등과 같은 다양한 적외선 램프를 사용하는 것이 가능하지만, 본 실시예에서는 기판의 액처리를 위해 500℃ 이상으로 발열하는 텅스텐-할로겐 램프를 사용하는 것이 더욱 바람직하다.As the heat generating lamp 20a, it is possible to use various infrared lamps such as a cantalum lamp, a halogen lamp, and a tungsten lamp as a lamp emitting an infrared ray. In this embodiment, however, It is more preferable to use a tungsten-halogen lamp.

리플렉터(20b)는, 발열램프(20a)로부터 발산된 발열을 기판으로 향하도록 반사하는 반사부재로서, 발열램프(20a)의 둘레에 반구 형상으로 만곡 형성되어 발열램프(20a)의 발열을 기판을 향해 반사하여 발열램프(20a)의 가열효율을 향상시키게 된다.The reflector 20b is a reflecting member that reflects the heat emitted from the heat generating lamp 20a toward the substrate and is curved in a hemispherical shape around the heat generating lamp 20a to heat the heat generating lamp 20a So that the heating efficiency of the heat generating lamp 20a is improved.

하우징(20c)은, 발열램프(20a)의 외곽 둘레에 설치된 커버부재로서, 내부에 발열램프(20a)와 리플렉터(20b)를 내장하도록 대략 원통형상으로 형성되어 있는 것이 바람직하다.The housing 20c is preferably a cover member provided around the periphery of the heat generating lamp 20a and is formed in a substantially cylindrical shape so as to house the heat generating lamp 20a and the reflector 20b therein.

이하 도면을 참조해서 본 실시예의 기판 처리용 히터장치를 구비한 기판 액처리 장치를 구체적으로 설명한다.Hereinafter, a substrate liquid processing apparatus provided with the substrate processing heater apparatus of this embodiment will be described in detail with reference to the drawings.

도 1에 나타낸 바와 같이, 본 실시예의 기판 처리용 히터장치를 구비한 기판 액처리 장치는, 테이블부(110), 분사부(120), 회수부(130), 히터부(10) 및 램프부(20)를 포함하여 이루어져, 기판(W)에 처리액을 공급하여 액처리하는 기판 액처리 장치이다.1, the substrate liquid processing apparatus having the heater apparatus for substrate processing according to the present embodiment includes a table unit 110, a jetting unit 120, a collecting unit 130, a heater unit 10, (20), and is a substrate liquid processing apparatus for supplying a processing liquid to a substrate (W) to perform liquid processing.

테이블부(110)는, 기판(W)을 척킹하여 회전시키는 회전지지수단으로서, 기판(W)의 처리면을 상방으로 향하도록 척킹 지지하여 회전시키거나 기판(W)의 처리면을 하방으로 향하도록 척킹 지지하여 회전시키는 것도 가능함은 물론이다.The table portion 110 is a rotation supporting means for chucking and rotating the substrate W. The table portion 110 is a rotation supporting means for supporting the substrate W by chucking and rotating the processing surface of the substrate W upwardly or by rotating the processing surface of the substrate W downward It is also possible to rotate the chucking support.

특히, 본 실시예의 테이블부(110)는, 분사부(120)에 의해 기판(W)의 하부에서 처리액을 분사하도록 기판(W)의 처리면을 하방으로 향하도록 척킹하여 지지하는 것이 바람직하다.Particularly, in the table portion 110 of the present embodiment, it is preferable that the processing surface of the substrate W is chucked and supported so as to downwardly direct the processing liquid to be sprayed from the lower portion of the substrate W by the jetting portion 120 .

분사부(120)는, 기판(W)의 처리면에 처리액을 공급하도록 분사하는 공급수단으로서, 테이블부(110)에 기판(W)의 처리면을 상방으로 향하도록 척킹하여 지지하는 경우에는 기판(W)의 상부에 설치되어 있고, 테이블부(110)에 기판(W)의 처리면을 하방으로 향하도록 척킹하여 지지하는 경우에는 기판(W)의 하부에 설치되어 있는 것도 가능함은 물론이다.The jetting section 120 is a feeding means for jetting the processing liquid to supply the processing liquid to the processing surface of the substrate W. When the processing surface of the substrate W is chucked and supported on the table section 110 in an upward direction It goes without saying that it may be provided on the lower part of the substrate W when it is installed on the upper part of the substrate W and is supported on the table part 110 by chucking the processing surface of the substrate W downward .

이러한 본 실시예의 분사부(120)는, 테이블부(110)에 기판(W)의 처리면을 하방으로 향하도록 척킹하여 지지하도록 기판(W)의 하부에서 처리액을 분사하여 공급하는 것이 바람직하다.It is preferable that the spraying section 120 of this embodiment injects the treatment liquid from the lower portion of the substrate W so as to support the table section 110 by chucking the treatment surface of the substrate W downward .

회수부(130)는, 테이블부(110)의 외곽 둘레에 설치되어 기판(W)에 분사된 처리액을 회수하는 회수수단으로서, 기판(W)의 처리면에 분사된 처리액이 기판(W)의 회전시 원심력에 의해 외곽둘레를 따라 배출되므로, 이를 회수하도록 원통형상의 컵형상으로 형성되어 있다.The recovery unit 130 is a recovery unit that is disposed around the outer periphery of the table unit 110 and collects the treatment liquid sprayed on the substrate W. The recovery unit 130 is a recovery unit that collects treatment liquid sprayed on the treatment surface of the substrate W, Is discharged along the outer periphery by the centrifugal force when rotating, and is formed into a cylindrical cup shape to recover it.

또한, 이러한 회수부(130)는, 기판(W)의 처리면에 공급되는 처리액이 다양한 경우에 이들을 각각 회수하도록 동심원 형상으로 형성된 복수개의 컵형상으로 이루어져 있는 것도 가능함은 물론이다.It is needless to say that the recovery unit 130 may have a plurality of cup shapes formed concentrically so as to recover the processing liquid supplied to the processing surface of the substrate W, respectively.

히터부(10)와 램프부(20)는, 기판(W)을 가열하는 가열수단으로서, 본 실시예의 기판 처리용 히터장치로 이루어지며, 기판(W)의 상부에 설치되어 기판(W)과 처리액을 가열하게 된다.The heater unit 10 and the lamp unit 20 are heating means for heating the substrate W. The heater unit 10 and the lamp unit 20 are provided on the upper surface of the substrate W, The treatment liquid is heated.

이러한 히터부(10)와 램프부(20)는, 기판(W)의 상부에서 선회하여 출입하도록 설치되어 있거나 기판(W)의 상부에 고정 지지되도록 설치되어 있는 것도 가능함은 물론이다.It is needless to say that the heater unit 10 and the lamp unit 20 may be provided so as to swing out from the upper portion of the substrate W or be fixedly supported on the upper portion of the substrate W. [

본 실시예의 기판 액처리 장치는, 램프부(20)의 발열을 제어하도록 기판의 가열온도를 측정하는 센서부(30)를 더 포함하는 것도 가능함은 물론이다.It goes without saying that the substrate liquid processing apparatus of the present embodiment may further include a sensor unit 30 for measuring the heating temperature of the substrate so as to control the heat generation of the lamp unit 20. [

센서부(30)는, 히터부(10)의 대향면에 설치되어 있는 하나 이상의 온도센서로 이루어져, 기판(W)의 처리면에 대한 가열온도를 측정하여 램프부(20)의 램프유닛의 발열을 제어하도록 온도정보를 제공하게 된다.The sensor unit 30 includes at least one temperature sensor provided on the opposite surface of the heater unit 10 and measures the heating temperature with respect to the processing surface of the substrate W to measure the heating temperature of the lamp unit of the lamp unit 20 Temperature information to control the temperature.

이러한 센서부(30)는, 테이블부(110)에 의해 회전되는 기판(W)의 처리면 둘레를 따라 가열온도를 측정하도록 히터부(10)의 대향면의 반경의 소정위치에 복수개의 온도센서가 어긋나게 배치되거나 반경을 따라 복수개의 온도센서가 등간격으로 일렬로 배치되어 있다.The sensor unit 30 is provided at a predetermined position of the radius of the opposing surface of the heater unit 10 so as to measure the heating temperature around the processing surface of the substrate W rotated by the table unit 110, Or a plurality of temperature sensors are arranged in a line at regular intervals along a radius.

또한, 본 실시예의 기판 액처리 장치는, 램프부(20)의 발열을 램프유닛의 램프군 별로 제어하는 제어부(40)를 더 포함하는 것이 가능함은 물론이다.It is needless to say that the substrate liquid processing apparatus of the present embodiment may further include a control unit 40 for controlling the heat generation of the lamp unit 20 for each lamp group of the lamp unit.

도 4에 나타낸 바와 같이, 제어부(40)는, 램프부(20)의 발열을 램프유닛의 램프군 별로 제어하도록 제1 내지 제m 제어기로 구성된 복수개의 제어기로 이루어지는 것이 바람직하다.As shown in Fig. 4, the control unit 40 preferably includes a plurality of controllers configured by first to m-th controllers for controlling the heat generation of the lamp unit 20 for each lamp group of the lamp unit.

따라서 이러한 제어부(40)는, 센서부(30)에 의해 측정된 기판(W)의 처리면에 대한 온도정보를 근거로 해서 램프부(20)의 램프유닛의 발열을 램프군 별로 제어하게 된다.Therefore, the controller 40 controls the heat generation of the lamp unit of the lamp unit 20 for each lamp group based on the temperature information of the processing surface of the substrate W measured by the sensor unit 30.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 히터부의 대향면을 기판의 처리면 크기 이상으로 형성하고 대향면에 복수개의 램프유닛을 서로 인접하게 배치함으로써, 기판의 처리면 상에 가열온도를 균일하게 유지하여 기판 처리면에 대한 불균일한 처리를 방지하여 기판의 처리효율을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.As described above, according to the present invention, by arranging the opposing surface of the heater portion to be equal to or larger than the processing surface size of the substrate, and arranging the plurality of lamp units adjacent to each other on the opposite surface, the heating temperature is uniformly maintained It is possible to prevent nonuniform processing on the substrate processing surface and to improve the processing efficiency of the substrate.

또한, 히터부의 대향면의 형상을 기판의 처리면 형상과 동일한 형상으로 형성함으로써, 히터부의 발열을 기판의 처리면에만 집중하여 히터부의 가열효율을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.In addition, by forming the shape of the opposing face of the heater portion to be the same as the shape of the processing face of the substrate, the heating efficiency of the heater portion can be improved by concentrating heat generated by the heater portion only on the processed face of the substrate.

또한, 대향면의 중심을 기준해서 기준 램프유닛을 편심으로 배치하고 대향면의 중심과의 이격거리가 서로 다르게 주변 램프유닛을 배치함으로써, 램프유닛의 가열범위가 서로 동일하게 중복되지 않도록 배치되어 기판 처리면 상의 가열온도의 불균일을 감소시킬 수 있는 효과를 제공한다.Further, by arranging the reference lamp units eccentrically with respect to the center of the opposed surface and the peripheral lamp units with different distances from the center of the opposed surfaces, the heating ranges of the lamp units are arranged so as not to overlap each other, It is possible to reduce the unevenness of the heating temperature on the processing surface.

또한, 기준 램프유닛의 편심범위를 소정수치로 한정함으로써, 기판의 처리면의 중심부위에 대한 가열온도 상승을 방지할 수 있는 효과를 제공한다.Further, by limiting the eccentric range of the reference lamp unit to a predetermined value, it is possible to prevent an increase in the heating temperature on the central portion of the processed surface of the substrate.

또한, 램프유닛으로서 발열램프와 리플렉터와 하우징으로 구성함으로써, 고온으로 발열하는 발열램프의 열기를 기판 방향으로 반사하여 발열효율을 향상시키는 동시에 하우징의 열해를 방지할 수 있게 된다.The lamp unit includes a heat generating lamp, a reflector, and a housing. The heat generated by the heat generating lamp, which generates heat at a high temperature, is reflected toward the substrate, thereby improving heat efficiency and preventing the housing from being damaged.

또한, 발열램프로서 필라멘트가 기판의 처리면과 평행하고 각각의 필라멘트도 서로 평행하도록 설치되거나 적외선 램프를 사용함으로써, 발열램프의 열기를 균일하게 발산시키는 동시에 램프유닛의 유지보수를 용이하게 할 수 있는 효과를 제공한다.Further, as the exothermic lamp, the filaments are parallel to the processing surface of the substrate and the respective filaments are parallel to each other, or by using an infrared lamp, the heat of the exothermic lamp can be uniformly diffused and the maintenance of the lamp unit can be facilitated Effect.

또한, 하나 이상의 램프유닛이 하나의 램프군으로 형성된 복수개의 램프군을 램프군 별로 발열 제어함으로써, 대향면에 배치된 램프유닛에 대해 구역별로 발열제어를 할 수 있는 효과를 제공한다.In addition, by controlling the plurality of lamp groups in which at least one lamp unit is formed by one lamp group, the heat generation control can be performed for each lamp unit arranged on the opposing surface by each lamp group.

또한, 기판의 중앙부위에는 하나의 램프유닛이 하나의 램프군으로 형성되고 외곽부위에는 복수의 램프유닛이 하나의 램프군으로 형성됨으로써, 기판 처리면의 중앙부위와 외곽부위에 대한 램프유닛의 발열을 다양하게 제어하여 기판 처리면의 부위별로 가열온도 편차를 감소시킬 수 있게 된다.In addition, since one lamp unit is formed as one lamp unit on the central part of the substrate and a plurality of lamp units are formed as one lamp unit on the outer part, heat generation of the lamp unit with respect to the central part and the outer part of the substrate processing surface It is possible to reduce the heating temperature deviation for each part of the substrate processing surface.

또한, 기판 액처리 장치에서 기판의 상부에 히터장치를 설치하고 기판의 하부에 분사부를 설치함으로써, 기판의 액처리시 히터장치의 오염을 방지하고 액처리효율을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.Further, in the substrate liquid processing apparatus, the heater device is provided on the upper part of the substrate, and the jet part is provided on the lower part of the substrate, thereby preventing contamination of the heater device during liquid processing of the substrate and improving liquid treatment efficiency.

또한, 기판 액처리 장치에 센서부나 제어부를 더 구비함으로써, 기판의 처리면에 대한 가열온도를 램프유닛의 램프군 별로 더욱 정밀하게 제어할 수 있는 효과를 제공한다.Further, since the substrate liquid processing apparatus is further provided with the sensor unit and the control unit, the heating temperature of the processing surface of the substrate can be controlled more precisely for each lamp group of the lamp unit.

이상 설명한 본 발명은 그 기술적 사상 또는 주요한 특징으로부터 벗어남이 없이 다른 여러 가지 형태로 실시될 수 있다. 따라서 상기 실시예는 모든 점에서 단순한 예시에 지나지 않으며 한정적으로 해석되어서는 안 된다. The present invention may be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. Therefore, the above embodiments are merely illustrative in all respects and should not be construed as limiting.

10: 히터부 20: 램프부
30: 센서부 40: 제어부
110: 테이블부 120: 분사부
130: 회수부 10: heater part 20: lamp part
30: sensor unit 40:
110: table part 120: dispensing part
130:

Claims (15)

기판의 처리를 위해 기판을 가열하는 히터장치로서,
기판의 처리면 크기 이상의 대향면을 갖도록 형성되어 기판을 가열하는 히터부; 및
상기 히터부의 대향면에 서로 인접하게 배치되는 복수의 램프유닛을 구비한 램프부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 히터장치.A heater apparatus for heating a substrate for processing a substrate,
A heater portion formed to have a surface opposite to the processing surface size of the substrate and heating the substrate; And
And a lamp unit having a plurality of lamp units arranged adjacent to each other on the opposed surface of the heater unit. 제 1 항에 있어서,
상기 대향면은, 기판의 처리면 형상과 동일한 형상으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 히터장치.The method according to claim 1,
Wherein the opposing surface is formed in the same shape as the processed surface shape of the substrate. 제 1 항에 있어서,
상기 램프부는,
기판의 처리면의 중심에 대응하는 상기 대향면의 중심을 기준해서 편심으로 배치되어 있는 기준 램프유닛; 및
상기 기준 램프유닛을 중심으로 해서 상기 대향면의 중심과의 이격거리가 서로 동일하게 배치되거나 서로 다르게 배치되어 있는 복수의 주변 램프유닛;을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 히터장치.The method according to claim 1,
The lamp unit includes:
A reference lamp unit disposed eccentrically with respect to the center of the opposed surface corresponding to the center of the processing surface of the substrate; And
And a plurality of peripheral lamp units arranged at different distances from the center of the opposed surface with respect to the reference lamp unit, or arranged differently from each other. 제 3 항에 있어서,
상기 기준 램프유닛의 편심범위는, 램프유닛 직경의 ⅔ 이내 인 것을 특징으로 하는 기판 처리용 히터장치.The method of claim 3,
Wherein the eccentric range of the reference lamp unit is within 2/3 of the lamp unit diameter. 제 1 항에 있어서,
상기 램프유닛은,
기판을 향해 발열하는 발열램프;
상기 발열램프의 발열을 기판으로 향하도록 반사하는 리플렉터; 및
상기 발열램프의 외곽 둘레에 설치된 하우징;을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 히터장치.The method according to claim 1,
The lamp unit includes:
A heat generating lamp which generates heat toward the substrate;
A reflector for reflecting the heat of the heat generating lamp toward the substrate; And
And a housing provided around the outer periphery of the heat generating lamp. 제 5 항에 있어서,
상기 발열램프는, 기판의 처리면과 평행하도록 필라멘트가 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 히터장치.6. The method of claim 5,
Wherein the heating lamp has filaments arranged parallel to the processing surface of the substrate. 제 6 항에 있어서,
상기 램프유닛은, 상기 발열램프의 필라멘트가 서로 평행하게 배치되도록 상기 대향면에 끼워맞춤되어 결합되는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 히터장치.The method according to claim 6,
Wherein the lamp unit is fitted to the opposing surface so that the filaments of the heat generating lamp are arranged parallel to each other. 제 5 항에 있어서,
상기 발열램프는, 적외선 램프로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 히터장치.6. The method of claim 5,
Wherein the heat generating lamp comprises an infrared lamp. 제 1 항에 있어서,
상기 램프부는, 하나 이상의 램프유닛이 하나의 램프군으로 형성된 복수개의 램프군이 형성되며, 램프군 별로 램프유닛의 발열이 제어되는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 히터장치.The method according to claim 1,
Wherein the lamp unit includes a plurality of lamp groups in which at least one lamp unit is formed of one lamp group, and the heat generation of the lamp unit is controlled for each lamp group. 제 9 항에 있어서,
상기 대향면의 중앙부위에는 하나의 램프유닛이 하나의 램프군으로 형성되어 있고, 상기 대향면의 외곽부위에는 복수개의 램프유닛이 하나의 램프군으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 히터장치.10. The method of claim 9,
Wherein one lamp unit is formed as one lamp group on a central portion of the opposed surface, and a plurality of lamp units are formed as one lamp group on an outer periphery of the opposed surface. 기판에 처리액을 공급하여 액처리하는 기판 액처리 장치로서,
기판을 척킹하여 회전시키는 테이블부;
상기 기판에 처리액을 분사하는 분사부;
상기 기판에 분사된 처리액을 회수하는 회수부;
상기 기판의 처리면 크기 이상의 대향면을 갖도록 형성되어 기판을 가열하는 히터부; 및
상기 히터부의 대향면에 서로 인접하게 배치되는 복수의 램프유닛을 구비한 램프부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.1. A substrate liquid processing apparatus for supplying a processing liquid to a substrate to perform liquid processing,
A table portion for chucking and rotating the substrate;
A jetting portion for jetting a treatment liquid onto the substrate;
A recovery unit for recovering the treatment liquid sprayed onto the substrate;
A heater portion formed to have a surface opposite to the processing surface size of the substrate and heating the substrate; And
And a lamp unit having a plurality of lamp units arranged adjacent to each other on the opposed surface of the heater unit. 제 11 항에 있어서,
상기 테이블부는 상기 기판의 처리면을 상부로 향하도록 척킹하고,
상기 분사부는 상기 기판의 처리면에 처리액을 분사하도록 상기 기판의 상부에 설치되어 있고,
상기 히터부는 상기 기판과 처리액을 가열하도록 상기 기판의 상부에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.12. The method of claim 11,
The table portion chucking the processing surface of the substrate upward,
Wherein the jetting portion is provided on an upper portion of the substrate to jet a treatment liquid onto a treatment surface of the substrate,
Wherein the heater unit is installed on the substrate to heat the substrate and the treatment liquid. 제 11 항에 있어서,
상기 테이블부는 상기 기판의 처리면을 하부로 향하도록 척킹하고,
상기 분사부는 상기 기판의 처리면에 처리액을 분사하도록 상기 기판의 하부에 설치되어 있고,
상기 히터부는 상기 기판을 가열하도록 상기 기판의 상부에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.12. The method of claim 11,
The table portion chucking the processing surface of the substrate downward,
Wherein the jetting portion is provided at a lower portion of the substrate to jet the treatment liquid onto the treatment surface of the substrate,
Wherein the heater unit is installed on the substrate to heat the substrate. 제 11 항에 있어서,
상기 램프부의 발열을 제어하도록 기판의 가열온도를 측정하는 센서부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.12. The method of claim 11,
Further comprising a sensor unit for measuring a heating temperature of the substrate to control the heat generation of the lamp unit. 제 11 항에 있어서,
상기 램프부의 발열을 램프유닛의 램프군 별로 제어하는 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.12. The method of claim 11,
Further comprising a control unit for controlling the heat generation of the lamp unit by each lamp group of the lamp unit.
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