KR20190060415A - Antistatic bowl - Google Patents
Antistatic bowl Download PDFInfo
- Publication number
- KR20190060415A KR20190060415A KR1020170158590A KR20170158590A KR20190060415A KR 20190060415 A KR20190060415 A KR 20190060415A KR 1020170158590 A KR1020170158590 A KR 1020170158590A KR 20170158590 A KR20170158590 A KR 20170158590A KR 20190060415 A KR20190060415 A KR 20190060415A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- liquid
- substrate
- pole
- chuck
- surface cleaning
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
Abstract
Description
본 발명은 대전 방지용 바울에 관한 것이다.The present invention relates to an anti-static pole.
반도체 및 디스플레이 제조 설비에는 반도체 및 디스플레이 제조를 위한 기판의 처리, 예를 들어 세정을 위한 기판 처리 유닛이 적용되는데, 이러한 기판 처리 유닛은 기판이 올려지는 척 부재와, 상기 척 부재에 올려진 상기 기판을 향해 처리액을 공급해주는 처리액 공급 부재와, 상기 처리액 공급 부재에서 상기 척 부재 상의 상기 기판으로 공급되었다가 상기 기판으로부터 이탈되는 세정액을 수용하는 바울(bowl)을 포함한다.Semiconductor and display manufacturing facilities are equipped with a substrate processing unit for processing substrates, for example cleaning, for manufacturing semiconductors and displays, wherein the substrate processing unit comprises a chuck member on which a substrate is lifted, And a bowl for receiving a cleaning liquid supplied from the processing liquid supply member to the substrate on the chuck member and separated from the substrate.
상기 바울의 예로 제시될 수 있는 것이 아래 제시된 특허문헌의 그 것들이다.Examples of the above-mentioned Pauls are those of patent documents presented below.
그러나, 종래의 바울에 의하면, 바울이 수지 재질로 이루어지기 때문에, 기판 처리 유닛의 작동에 따라 상기 바울에 정전기가 발생되었고, 그에 따라 그 정전기로 인해 웨이퍼 등의 기판이 영향을 받아서 불량이 발생되고, 먼지 등의 이물질이 상기 바울에 들러붙는 문제가 있었다.However, according to the conventional pawl, since the pawl is made of a resin material, static electricity is generated in the pawl by the operation of the substrate processing unit, and the substrate such as a wafer is affected by the static electricity, , There is a problem that foreign matter such as dust adheres to the above-mentioned Paul.
본 발명은 바울에 발생된 정전기가 제거될 수 있는 대전 방지용 바울을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide an anti-static pole capable of eliminating the static electricity generated in the Paul.
본 발명의 일 측면에 따른 대전 방지용 바울은 기판이 올려지는 척 부재와, 상기 척 부재에 올려진 상기 기판을 향해 처리액을 공급해주는 처리액 공급 부재를 포함하는 기판 처리 유닛에 적용되는 것으로서,An antistatic paw according to an aspect of the present invention is applied to a substrate processing unit including a chuck member on which a substrate is lifted and a process liquid supply member for supplying a process liquid toward the substrate mounted on the chuck member,
상기 처리액 공급 부재에서 상기 척 부재 상의 상기 기판으로 공급되었다가 상기 기판으로부터 이탈되는 상기 처리액을 수용하되, 적어도 일부가 정전기 제거를 위해 전도성을 가지는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 한다.Wherein the processing solution supply member is made of a material having conductivity for at least a portion of the processing solution supply member to receive the processing solution supplied to the substrate on the chuck member and separated from the substrate.
본 발명의 일 측면에 따른 대전 방지용 바울에 의하면, 대전 방지용 바울이 처리액 공급 부재에서 척 부재 상의 기판으로 공급되었다가 상기 기판으로부터 이탈되는 처리액을 수용하되, 적어도 일부가 정전기 제거를 위해 전도성을 가지는 물질로 이루어짐으로써, 상기 대전 방지용 바울에 발생된 정전기가 제거될 수 있고, 그에 따라 그러한 정전기로 인해 웨이퍼 등의 상기 기판이 영향을 받아서 발생되던 불량이 방지될 수 있고, 먼지 등의 이물질이 상기 대전 방지용 바울에 들러붙는 현상이 방지될 수 있는 효과가 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided an antistatic pole, wherein the antistatic pole is provided with a treatment liquid which is supplied from the treatment liquid supply member to the substrate on the chuck member and is separated from the substrate, wherein at least a portion of the treatment liquid is conductive The electrostatic charge generated in the antistatic pawl can be removed so that defects such as those caused by the influence of the substrate such as the wafer due to the static electricity can be prevented, There is an effect that the phenomenon of sticking to the antistatic pawl can be prevented.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 대전 방지용 바울이 적용된 기판 처리 유닛의 구성을 개략적으로 보이는 단면도.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 대전 방지용 바울이 적용된 기판 처리 유닛을 구성하는 서포트 핀 부재를 보이는 도면.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 대전 방지용 바울이 적용된 기판 처리 유닛을 구성하는 척 핀 부재를 보이는 도면.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 대전 방지용 바울이 적용된 기판 처리 유닛을 구성하는 척 핀 부재의 내부를 보이는 단면도.
도 5는 도 4에 도시된 척 핀 부재의 회전 중일 때 내부 모습을 보이는 단면도.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 대전 방지용 바울의 일부에 대한 단면도.
도 7은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 대전 방지용 바울의 일부에 대한 단면도.
도 8은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 대전 방지용 바울의 일부에 대한 단면도.
도 9는 도 8에 도시된 대전 방지용 바울에서의 처리액 흐름을 보이는 단면도.1 is a sectional view schematically showing a configuration of a substrate processing unit to which an antistatic pole according to a first embodiment of the present invention is applied;
2 is a view showing a support pin member constituting a substrate processing unit to which an anti-static bar according to the first embodiment of the present invention is applied;
3 is a view showing a chuck pin member constituting a substrate processing unit to which an anti-static bar according to the first embodiment of the present invention is applied.
4 is a sectional view showing the inside of a chuck pin member constituting a substrate processing unit to which an antistatic pole according to the first embodiment of the present invention is applied.
FIG. 5 is a cross-sectional view showing the inside of the chuck pin member shown in FIG. 4 when the chuck pin member is rotating;
6 is a cross-sectional view of a portion of an antistatic pole according to a second embodiment of the present invention;
7 is a cross-sectional view of a portion of an antistatic pole according to a third embodiment of the present invention.
8 is a cross-sectional view of a portion of an antistatic pole according to a fourth embodiment of the present invention.
9 is a cross-sectional view showing the flow of the treatment liquid in the antistatic pole shown in Fig.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 대전 방지용 바울에 대하여 설명한다.Hereinafter, an anti-static pole according to embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 대전 방지용 바울이 적용된 기판 처리 유닛의 구성을 개략적으로 보이는 단면도이고, 도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 대전 방지용 바울이 적용된 기판 처리 유닛을 구성하는 서포트 핀 부재를 보이는 도면이고, 도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 대전 방지용 바울이 적용된 기판 처리 유닛을 구성하는 척 핀 부재를 보이는 도면이고, 도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 대전 방지용 바울이 적용된 기판 처리 유닛을 구성하는 척 핀 부재의 내부를 보이는 단면도이고, 도 5는 도 4에 도시된 척 핀 부재의 회전 중일 때 내부 모습을 보이는 단면도이다.FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a substrate processing unit to which an anti-static bar according to the first embodiment of the present invention is applied, FIG. 2 is a sectional view of a substrate processing unit to which an anti- FIG. 3 is a view showing a chuck pin member constituting a substrate processing unit to which an anti-static bar according to the first embodiment of the present invention is applied, and FIG. 4 is a cross- FIG. 5 is a cross-sectional view showing the inside of the chuck pin member shown in FIG. 4 when the chuck pin member is rotating. FIG.
도 1 내지 도 5를 함께 참조하면, 본 실시예에 따른 대전 방지용 바울(150)은 기판 처리 유닛(100)에 적용되는 것이다.Referring to FIGS. 1 to 5 together, the anti-static bar 150 according to the present embodiment is applied to the
상기 기판 처리 유닛(100)은 척 부재(120)와, 대전 방지용 척 핀(130, 140)과, 처리액 공급 부재(180)와, 바울 승강 부재(170)와, 척 회전 부재(125)를 포함한다.The
도면 번호 110은 상기 척 부재(120), 상기 처리액 공급 부재(180), 상기 대전 방지용 바울(150), 상기 바울 승강 부재(170) 및 상기 척 회전 부재(125)가 내부에 배치되고 외부에 대해 격리되는 케이스이고, 도면 번호 101은 상기 기판 처리 유닛(100)의 각 구성 요소를 제어할 수 있는 제어 부재(101)이다.
상기 척 부재(120)는 상기 기판(10)이 올려질 수 있는 것으로, 원형 플레이트 형태로 형성되고, 그 내부에 히터 등이 내장된 것이다.The
상기 척 회전 부재(125)는 상기 척 부재(120)를 회전시켜줄 수 있는 것으로, 상기 척 부재(120)의 하부와 연결되는 척 회전 축(126)과, 상기 척 회전 축(126)을 회전시켜줄 수 있는 전기 모터 등의 척 회전 수단(127)을 포함한다.The
상기 처리액 공급 부재(180)는 상기 척 부재(120)에 올려진 상기 기판(10)을 향해 처리액을 공급해주는 것으로, 세정액 등의 상기 처리액을 상기 척 부재(120) 쪽으로 공급하는 처리액 공급관(181)과, 상기 처리액 공급관(181)을 통해 공급된 상기 처리액을 상기 척 부재(120) 상의 상기 기판(10) 상에 분사하는 분사 노즐(182)과, 상기 처리액 공급관(181)과 연결되는 공급관 회전 축(183)과, 상기 공급관 회전 축(183)을 일정 각도 범위 내에서 회전시켜줄 수 있는 전기 모터 등의 공급관 회전 수단(184)을 포함한다.The treatment
상기 대전 방지용 바울(150)은 상기 처리액 공급 부재(180)에서 상기 척 부재(120) 상의 상기 기판(10)으로 공급되었다가 상기 기판(10)으로부터 이탈되는 처리액을 수용하는 것으로, 상기 척 부재(120)로부터 상대적으로 가장 외곽에 배치되는 외곽 바울(151)과, 상기 척 부재(120)로부터 상대적으로 가장 내곽에 배치되는 내곽 바울(157)과, 상기 외곽 바울(151)과 상기 내곽 바울(157) 사이에 배치되는 중간 바울(154)을 포함한다.The antistatic pawl 150 is supplied to the
상기 외곽 바울(151)은 그 상부가 개방된 원형 실린더 형태로 형성되는 외곽 몸체(152)와, 상기 외곽 몸체(152)의 상단으로부터 그 상측으로 갈수록 점진적으로 상기 척 부재(120) 쪽으로 향하여 좁아지도록 그 상부가 개방된 고깔 형태로 형성되는 외곽 입사체(153)를 포함한다.The
상기 내곽 바울(157)은 그 상부가 개방된 원형 실린더 형태로 형성되는 내곽 몸체(158)와, 상기 내곽 몸체(158)의 상단으로부터 그 상측으로 갈수록 점진적으로 상기 척 부재(120) 쪽으로 향하여 좁아지도록 그 상부가 개방된 고깔 형태로 형성되는 내곽 입사체(159)를 포함한다.The inner ear pawl 157 has an
상기 중간 바울(154)은 그 상부가 개방된 원형 실린더 형태로 형성되는 중간 몸체(155)와, 상기 중간 몸체(155)의 상단으로부터 그 상측으로 갈수록 점진적으로 상기 척 부재(120) 쪽으로 향하여 좁아지도록 그 상부가 개방된 고깔 형태로 형성되는 중간 입사체(156)를 포함한다.The intermediate pawl 154 is formed to have an
상기 외곽 몸체(152)와 상기 내곽 몸체(158) 사이에 각각 간격을 두고 상기 중간 몸체(155)가 위치되고, 상기 외곽 입사체(153)와 상기 내곽 입사체(159) 사이에 각각 간격을 두고 상기 중간 입사체(156)가 위치된다. 그러면, 상기 척 부재(120) 상의 상기 기판(10)이 상기 외곽 입사체(153)와 상기 중간 입사체(156) 사이의 입구 높이에 배치된 상태에서 상기 척 회전 부재(125)에 의해 상기 척 부재(120)가 회전되면, 상기 처리액 중 제 1 액이 상기 외곽 입사체(153)와 상기 중간 입사체(156) 사이의 입구를 통해 유입되어 상기 외곽 몸체(152) 내부에 수용되고, 상기 대전 방지용 바울(150)이 상기 바울 승강 부재(170)에 의해 상승되면서, 상기 척 부재(120) 상의 상기 기판(10)이 상기 중간 입사체(156)와 상기 내곽 입사체(159) 사이의 입구 높이에 배치된 상태에서 상기 척 회전 부재(125)에 의해 상기 척 부재(120)가 회전되면, 상기 처리액 중 제 2 액이 상기 중간 입사체(156)와 상기 내곽 입사체(159) 사이의 입구를 통해 유입되어 상기 중간 몸체(155) 내부에 수용되고, 상기 대전 방지용 바울(150)이 상기 바울 승강 부재(170)에 의해 다시 상승되면서, 상기 척 부재(120) 상의 상기 기판(10)이 상기 내곽 입사체(159) 하측의 입구 높이에 배치된 상태에서 상기 척 회전 부재(125)에 의해 상기 척 부재(120)가 회전되면, 상기 처리액 중 제 3 액이 상기 내곽 입사체(159) 하측의 입구를 통해 유입되어 상기 내곽 몸체(158) 내부에 수용된다.The
도면 번호 160, 161 및 162는 상기 외곽 몸체(152), 상기 중간 몸체(155) 및 상기 내곽 몸체(158)의 바닥에 각각 형성되어, 상기 외곽 몸체(152), 상기 중간 몸체(155) 및 상기 내곽 몸체(158)에 각각 수용된 액을 외부로 유출시키는 외곽 배출관, 중간 배출관 및 내곽 배출관이다.
상기 바울 승강 부재(170)는 상기 대전 방지용 바울(150)을 승강시킬 수 있는 것으로, 상기 외곽 바울(151)에 연결된 바울 연결체(171)와, 상기 바울 연결체(171)에서 굽혀진 형태로 연장되되 상기 외곽 바울(151)과 평행하게 형성되는 바울 승강 축(172)과, 상기 바울 승강 축(172)을 승강시킬 수 있는 유공압 실린더 등의 바울 승강 수단(173)을 포함한다.The
상기 대전 방지용 척 핀(130, 140)은 상기 척 부재(120)에서 일정 높이로 돌출되어 상기 척 부재(120)에 올려진 상기 기판(10)을 지지해주되, 상기 기판(10)의 정전기 제거를 위해 전도성을 가지도록 탄소나노튜브(CNT)가 혼합되어 성형된 것이다.The
상세히, 상기 대전 방지용 척 핀(130, 140)은 상기 탄소나노튜브와 폴리에테르에테르케톤(PEEK)이 혼합 성형되어 이루어진다.In detail, the
상기와 같이 구성되면, 상기 대전 방지용 척 핀(130, 140)이 상기 기판(10)의 정전기 제거를 위해 전도성을 가지고, 그 저항값이 10^3Ω 이하가 되도록 이루어질 수 있다.The
상기 대전 방지용 척 핀(130, 140)이 상기 탄소나노튜브와 상기 폴리에테르에테르케톤의 혼합물이 사출 성형되어 제조된다. 그러면, 상기 대전 방지용 척 핀(130, 140)의 균일도가 향상될 수 있다.The
상기 대전 방지용 척 핀(130, 140)은 서포트 핀 부재(130)와, 척 핀 부재(140)를 포함한다.The antistatic chuck pins (130, 140) include a support pin member (130) and a chuck pin member (140).
상기 서포트 핀 부재(130)는 상기 기판(10)의 저면에서 상기 기판(10)을 받쳐주는 것이다.The
상세히, 상기 서포트 핀 부재(130)는 일정 길이로 길게 형성되는 서포트 핀 몸체(131)와, 상기 서포트 핀 몸체(131)의 하부에서 외곽으로 연장된 형태로 형성되어 상기 척 부재(120)의 표면과 접하는 서포트 핀 플레이트(133)와, 상기 서포트 핀 플레이트(133) 저면에서 하방으로 연장되어 상기 척 부재(120) 표면에 함몰된 홀에 삽입되는 서포트 핀 삽입부(134)와, 상기 서포트 핀 몸체(131)의 상부에 그 상부로 갈수록 점진적으로 뾰족해져 상기 기판(10)의 저면이 받쳐지게 되는 기판 지지부(132)를 포함한다.The
상기 척 핀 부재(140)는 상기 척 부재(120)의 회전 시에 상기 기판(10)이 상기 척 부재(120)로부터의 임의 이탈이 방지되도록, 상기 기판(10)의 측면에서 상기 기판(10)을 지지해주는 것이다.The
상세히, 상기 척 핀 부재(140)는 일정 길이로 길게 형성되는 척 핀 몸체(141)와, 상기 척 핀 몸체(141)의 하부에서 외곽으로 연장된 형태로 형성되어 상기 척 부재(120)의 표면과 접하는 척 핀 플레이트(143)와, 상기 척 핀 플레이트(143) 저면에서 하방으로 연장되어 상기 척 부재(120) 표면에 함몰된 홀에 삽입되는 척 핀 삽입부(144)와, 상기 척 핀 삽입부(144)에 관통 형성되는 척 핀 이동용 홀(145)과, 상기 척 핀 몸체(141)의 상부에 오목하게 함몰되어 상기 기판(10)의 측면이 접하여 지지되는 기판 접촉부(142)를 포함한다.The
상기 기판 접촉부(142)에 상기 기판(10)의 측면이 접한 상태에서 상기 척 부재(120)가 회전되면, 상기 척 핀 부재(140)에 의해 상기 기판(10)이 지지되어, 임의로 상기 척 부재(120) 외부로 이탈되지 아니하게 된다.The
상기 척 핀 이동용 홀(145)에는 상기 척 핀 부재(140)를 상기 척 부재(120) 내외부로 일정 간격 이동시키기 위한 막대 형태 등의 이동 수단(미도시)이 관통된다. 상기 이동 수단에 의해 상기 척 핀 부재(140)가 상기 척 부재(120) 내측으로 향하도록 밀리면, 상기 척 핀 부재(140)가 상기 기판(10)의 측면에 접촉되어 지지하게 되고, 상기 이동 수단에 의해 상기 척 핀 부재(140)가 상기 척 부재(120) 외측으로 향하도록 당겨지면, 상기 척 핀 부재(140)와 상기 기판(10)의 접촉이 해제되어 상기 기판(10)이 상기 척 부재(120)로부터 이탈될 수 있게 된다.(Not shown) such as a rod for moving the
상기 서포트 핀 부재(130)와 상기 척 핀 부재(140)가 상기 탄소나노튜브와 상기 폴리에테르에테르케톤의 혼합물이 각각 사출 성형되어 각각 일체로 제조될 수 있다.The
상기 서포트 핀 부재(130)와 상기 척 핀 부재(140)는 상기 척 부재(120) 상에 복수 개가 배열되고, 상기 서포트 핀 부재(130)가 상기 척 핀 부재(140)에 비해 상대적으로 상기 척 부재(120)이 중심 쪽으로 편심된 위치에 배치된다.A plurality of
한편, 본 실시예에서는, 상기 척 핀 부재(140)가 상기 척 핀 몸체(141) 내부에 배치되어, 상기 척 핀 몸체(141)의 자세가 요구되는 자세로 유지되는지 여부를 감지하는 척 핀 자세 감지 부재(190)를 포함한다.In the present embodiment, the
상세히, 상기 척 핀 자세 감지 부재(190)는 상기 척 핀 몸체(141) 내부에 수직으로 세워지고 그 내부가 빈 형태로 형성되는 감지 하우징(191)과, 상기 감지 하우징(191)의 내측벽 중 상기 척 부재(120)의 중심 쪽에 상대적으로 근접된 측면에서 돌출되는 감지 축 지지부(192)와, 상기 감지 축 지지부(192)에 회전 가능하게 연결되는 감지 축(193)과, 상기 감지 축(193)의 하부에 배치되어 하중을 가하되 영구 자석이 구비된 하중체(194)와, 상기 감지 하우징(191)의 바닥면 상에 배치되어 상기 척 부재(120)가 정지 상태여서 상기 감지 축(193)이 중력 방향으로 늘어졌을 때의 상기 하중체(194)에 구비된 상기 영구 자석의 자력을 감지하는 홀 센서(hall sensor) 등의 정지 자세 감지 수단(195)과, 상기 감지 하우징(191)의 내측벽 중 상기 감지 축 지지부(192)와 대면되고 상기 척 부재(120)의 중심 쪽에서 상대적으로 이격된 측면에 배치되어 상기 척 부재(120)가 회전 상태여서 상기 감지 축(193)이 원심력에 의해 외측을 향할 때의 상기 하중체(194)에 구비된 상기 영구 자석의 자력을 감지하는 홀 센서 등의 회전 자세 감지 수단(196)과, 상기 감지 하우징(191)의 상면에 배치되어 상기 척 부재(120)가 회전 상태이면서 상기 척 핀 몸체(141)가 상기 척 부재(120)에서 임의로 기울어지는 등 비정상 자세가 되어 상기 하중체(194)가 과도하게 회동되어 접촉되는 것을 감지하는 접촉 감지 센서, 압력 감지 센서 등의 비정상 접촉 감지 수단(197)을 포함한다.In detail, the chuck pin
상기 척 부재(120)가 정지 상태인 경우, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 하중체(194)가 중력에 의해 늘어져서 상기 정지 자세 감지 수단(195)에 의해 감지되고, 상기 척 부재(120)가 정상 회전 상태인 경우, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 하중체(194)가 원심력에 의해 외측으로 향하게 되어 상기 회전 자세 감지 수단(196)에 의해 감지되며, 상기 척 부재(120)가 비정상 회전 상태인 경우, 상기 하주에가 상기 비정상 접촉 감지 수단(197)과 접촉되어 그 비정상 상태가 감지될 수 있게 된다.4, when the
상기 정지 자세 감지 수단(195), 상기 회전 자세 감지 수단(196) 및 상기 비정상 접촉 감지 수단(197)의 감지값은 상기 제어 부재(101)로 전달되어, 외부로 디스플레이되거나 외부에 알람 표시 등으로 알려질 수 있다.The sensed values of the stop position sensing means 195, the rotation position sensing means 196 and the abnormal contact sensing means 197 are transmitted to the
상기와 같이 구성됨으로써, 상기 척 핀 부재(140)의 정상 상태 및 상기 척 부재(120)의 회전 및 정지 상태가 실시간으로 감지될 수 있게 된다.With this configuration, the steady state of the
한편, 본 실시예에서는, 상기 기판 접촉부(142) 상에 배치되어, 상기 척 핀 부재(140)에 접촉되는 상기 기판(10)의 접촉 압력을 감지하는 압력 감지 센서 등의 기판 접촉 압력 감지 부재(199)를 더 포함한다.In the present embodiment, a substrate contact pressure sensing member (not shown) such as a pressure sensing sensor disposed on the
상기 기판 접촉 압력 감지 부재(199)에서 상기 기판(10)이 상기 기판 접촉부(142)에 접촉되어 가압하는 압력을 실시간으로 감지함으로써, 상기 기판 접촉부(142)가 상기 기판(10)을 과도하게 가압하여 상기 기판(10)이 손상되거나 휘어지는 현상이 방지될 수 있다.The
상기 기판 접촉 압력 감지 부재(199)의 감지값은 상기 제어 부재(101)로 전달되어, 외부로 디스플레이되거나 외부에 알람 표시 등으로 알려질 수 있다.The sensed value of the substrate contact
이하에서는 도면을 참조하여 본 실시예에 따른 대전 방지용 바울(150)이 적용된 상기 기판 처리 유닛(100)의 작동에 대하여 설명한다.Hereinafter, the operation of the
상기 척 부재(120)의 상기 대전 방지용 척 핀(130, 140)에 상기 기판(10)이 지지되고 고정된 상태에서, 상기 척 회전 부재(125)가 작동되면, 상기 척 부재(120)와 상기 기판(10)이 회전하게 된다.When the
이러한 상태에서 상기 처리액 공급 부재(180)가 상기 처리액을 상기 기판(10) 상에 공급하면, 상기 처리액이 상기 기판(10) 상에서 스퍼터링되면서 상기 기판(10)에 대한 세정 등의 처리가 이루어진다.In this state, when the processing
상기 기판(10)에 대한 세정 등의 처리를 완료한 상기 처리액은 상기 대전 방지용 바울(150)의 해당 바울에 환수된다.The treatment liquid that has been subjected to the cleaning treatment or the like with respect to the
상기와 같이, 상기 대전 방지용 척 핀(130, 140)이 상기 척 부재(120)에서 일정 높이로 돌출되어 상기 척 부재(120)에 올려진 상기 기판(10)을 지지해주되, 상기 기판(10)의 정전기 제거를 위해 전도성을 가지도록 탄소나노튜브(CNT)가 혼합되어 성형됨으로써, 상기 기판(10)의 정전기가 원활하게 처리될 수 있으면서도, 사용 시간 경과에 따른 품질 저하가 방지될 수 있게 된다.As described above, the antistatic chuck pins 130 and 140 protrude at a predetermined height from the
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 제 2 실시예에 따른 대전 방지용 바울에 대하여 설명한다. 이러한 설명을 수행함에 있어서, 상기된 본 발명의 제 1 실시예에서 이미 기재된 내용과 중복되는 설명은 그에 갈음하고, 여기서는 생략하기로 한다.Hereinafter, an antistatic pole according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In carrying out these explanations, the description overlapping with the content already described in the first embodiment of the present invention described above will be omitted and omitted here.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 대전 방지용 바울의 일부에 대한 단면도이다.6 is a cross-sectional view of a portion of an antistatic pole according to a second embodiment of the present invention.
도 6을 참조하면, 본 실시예에 따른 대전 방지용 바울(250)은 처리액 공급 부재에서 척 부재 상의 기판으로 공급되었다가 상기 기판으로부터 이탈되는 처리액을 수용하되, 적어도 일부가 정전기 제거를 위해 전도성을 가지는 물질로 이루어진다.6, an
본 실시예에서는, 상기 대전 방지용 바울(250)의 일부인 상부가 전도성을 가지는 물질로 이루어진다.In this embodiment, the upper portion of the
상세히, 상기 대전 방지용 바울(250)은 외곽 바울(251), 중간 바울(254) 및 내곽 바울(257)로 구성되고, 상기 외곽 바울(251), 상기 중간 바울(254) 및 상기 내곽 바울(257)을 각각 구성하는 외곽 몸체(252), 중간 몸체(255) 및 내곽 몸체(258)는 각각 수지 등 다른 물질로 이루어지더라도, 상기 대전 방지용 바울(250)에서 상기 기판의 상공에 해당되는 부분들인 외곽 입사체(253), 중간 입사체(256) 및 내곽 입사체(259)가 전도성을 가지는 물질로 이루어질 수 있다.In detail, the
상기 대전 방지용 바울(250), 상세히는 상기 외곽 입사체(253), 상기 중간 입사체(256) 및 상기 내곽 입사체(259)는 탄소나노튜브(CNT)가 혼합되어 성형된 것일 수 있다.The
상기 대전 방지용 바울(250)에서 정전기 제거를 위해 전도성을 가지는 물질로 이루어지는 부분, 여기서는 상기 외곽 입사체(253), 상기 중간 입사체(256) 및 상기 내곽 입사체(259)는 외부 그라운드 등에 접지(205)된다.The
상기와 같이, 상기 대전 방지용 바울(250)이 상기 처리액 공급 부재에서 상기 척 부재 상의 상기 기판으로 공급되었다가 상기 기판으로부터 이탈되는 처리액을 수용하되, 적어도 일부가 정전기 제거를 위해 전도성을 가지는 물질로 이루어짐으로써, 상기 대전 방지용 바울(250)에 발생된 정전기가 제거될 수 있고, 그에 따라 그러한 정전기로 인해 웨이퍼 등의 상기 기판이 영향을 받아서 발생되던 불량이 방지될 수 있고, 먼지 등의 이물질이 상기 대전 방지용 바울(250)에 들러붙는 현상이 방지될 수 있다.As described above, the
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 제 3 실시예 및 제 4 실시예에 따른 대전 방지용 바울에 대하여 설명한다. 이러한 설명을 수행함에 있어서, 상기된 본 발명의 제 1 실시예 및 상기된 본 발명의 제 2 실시예에서 이미 기재된 내용과 중복되는 설명은 그에 갈음하고, 여기서는 생략하기로 한다.Hereinafter, an antistatic pole according to a third embodiment and a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In carrying out these explanations, the description of the first embodiment of the present invention and the description of the second embodiment of the present invention which are the same as those already described will be omitted.
도 7은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 대전 방지용 바울의 일부에 대한 단면도이다.7 is a cross-sectional view of a portion of an antistatic pole according to a third embodiment of the present invention.
도 7을 참조하면, 본 실시예에서는, 대전 방지용 바울(350)이 전체적으로 정전기 제거를 위해 전도성을 가지는 물질, 상세히는 탄소나노튜브가 혼합된 물질로 성형된다.Referring to FIG. 7, in this embodiment, the
도 8은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 대전 방지용 바울의 일부에 대한 단면도이고, 도 9는 도 8에 도시된 대전 방지용 바울에서의 처리액 흐름을 보이는 단면도이다.FIG. 8 is a cross-sectional view of a portion of an antistatic pole according to a fourth embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a cross-sectional view showing a flow of a processing liquid in the antistatic pole shown in FIG.
도 8 및 도 9를 함께 참조하면, 본 실시예에 따른 대전 방지용 바울(450)은 외곽 바울(451), 중간 바울(454) 및 내곽 바울(457)과 함께, 외곽 세정관(510), 외곽 외면 세정 노즐(515), 외곽 내면 세정 노즐(518), 중간 외면 세정관(511), 중간 외면 세정 노즐(512), 중간 내면 세정관(530), 중간 내면 세정 노즐(535), 내곽 외면 세정관(531), 내곽 외면 세정 노즐(532), 내곽 내면 세정관(550) 및 내곽 내면 세정 노즐(555)을 포함한다.8 and 9, the
도면 번호 500은 상기 외곽 바울(451)의 바닥부에 배치되어, 처리액 중 상기 외곽 바울(451)에 수용된 액 중 일부를 펌핑할 수 있는 외곽 펌프이고, 도면 번호 520은 상기 중간 바울(454)의 바닥부에 배치되어, 상기 처리액 중 상기 중간 바울(454)에 수용된 액 중 일부를 펌핑할 수 있는 중간 펌프이고, 도면 번호 540은 상기 내곽 바울(457)의 바닥부에 배치되어, 상기 처리액 중 상기 내곽 바울(457)에 수용된 액 중 일부를 펌핑할 수 있는 내곽 펌프이다.
상기 외곽 세정관(510)은 상기 외곽 펌프(500)와 연결되어, 상기 처리액 중 상기 외곽 바울(451)에 수용된 액 중 일부를 상기 외곽 바울(451)의 벽체 내부를 따라 상기 외곽 바울(451)의 상부까지 환류시키는 것이다.The
상기 외곽 외면 세정 노즐(515)은 상기 외곽 바울(451)의 외면에 묻은 이물질이 제거되도록, 상기 외곽 세정관(510)을 통해 환류된 액을 상기 외곽 바울(451)의 외면으로 흘려주는 것이다.The outer circumferential outer
도면 번호 517은 상기 외곽 바울(451)의 하부에서 상기 외곽 바울(451)의 내외부를 연통시키는 환류 홀이고, 도면 번호 516은 상기 환류 홀(517) 부근에 형성되어 상기 환류 홀(517) 쪽으로 처리액을 유도하는 유도 가이드이다.
상기 외곽 외면 세정 노즐(515)을 통해 분사되어 상기 외곽 바울(451)을 따라 유동된 처리액이 상기 유도 가이드(516)에 의해 유도된 다음 상기 환류 홀(517)을 통해 상기 외곽 바울(451) 내부로 재유입된다.The processing liquid injected through the outer outer
상기 외곽 내면 세정 노즐(518)은 상기 외곽 바울(451)의 내면에 묻은 이물질이 제거되도록, 상기 외곽 세정관(510)을 통해 환류된 액을 상기 외곽 바울(451)의 내면으로 흘려주는 것이다.The outer circumferential
상기 중간 외면 세정관(511)은 상기 외곽 펌프(500)와 연결되어, 상기 처리액 중 상기 외곽 바울(451)에 수용된 액 중 일부를 상기 중간 바울(454)의 벽체 내부를 따라 상기 중간 바울(454)의 상부까지 환류시키는 것이다.The intermediate outer
상기 중간 외면 세정 노즐(512)은 상기 중간 바울(454)의 외면에 묻은 이물질이 제거되도록, 상기 중간 외면 세정관(511)을 통해 환류된 액을 상기 중간 바울(454)의 외면으로 흘려주는 것이다.The intermediate outer
상기 중간 내면 세정관(530)은 상기 중간 펌프(520)와 연결되어, 상기 처리액 중 상기 중간 바울(454)에 수용된 액 중 일부를 상기 중간 바울(454)의 벽체 내부를 따라 상기 중간 바울(454)의 상부까지 환류시키는 것이다.The intermediate inner
상기 중간 내면 세정 노즐(535)은 상기 중간 바울(454)의 내면에 묻은 이물질이 제거되도록, 상기 중간 내면 세정관(530)을 통해 환류된 액을 상기 중간 바울(454)의 내면으로 흘려주는 것이다.The intermediate inner
상기 내곽 외면 세정관(531)은 상기 중간 펌프(520)와 연결되어, 상기 처리액 중 상기 중간 바울(454)에 수용된 액 중 일부를 상기 내곽 바울(457)의 벽체 내부를 따라 상기 내곽 바울(457)의 상부까지 환류시키는 것이다.The inner and outer
상기 내곽 외면 세정 노즐(532)은 상기 내곽 바울(457)의 외면에 묻은 이물질이 제거되도록, 상기 내곽 외면 세정관(531)을 통해 환류된 액을 상기 내곽 바울(457)의 외면으로 흘려주는 것이다.The inner circumference outer
상기 내곽 내면 세정관(550)은 상기 내곽 펌프(540)와 연결되어, 상기 처리액 중 상기 내곽 바울(457)에 수용된 액 중 일부를 상기 내곽 바울(457)의 벽체 내부를 따라 상기 내곽 바울(457)의 상부까지 환류시키는 것이다.The inside
상기 내곽 내면 세정 노즐(555)은 상기 내곽 바울(457)의 내면에 묻은 이물질이 제거되도록, 상기 내곽 내면 세정관(550)을 통해 환류된 액을 상기 내곽 바울(457)의 내면으로 흘려주는 것이다.The inner circumference inner
상기와 같이 구성됨으로써, 상기 외곽 바울(451), 상기 중간 바울(454) 및 상기 내곽 바울(457)에 각각 수용된 처리액에 의해 상기 외곽 바울(451), 상기 중간 바울(454) 및 상기 내곽 바울(457)의 각 표면의 이물질이 세정되어 제거될 수 있게 된다.The
상기에서 본 발명은 특정한 실시예에 관하여 도시되고 설명되었지만, 당업계에서 통상의 지식을 가진 자라면 이하의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 알 수 있을 것이다. 그렇지만 이러한 수정 및 변형 구조들은 모두 본 발명의 권리범위 내에 포함되는 것임을 분명하게 밝혀두고자 한다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it will be understood by those of ordinary skill in the art that various changes in form and detail may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the following claims And can be changed. However, it is intended that the present invention covers the modifications and variations of this invention provided they come within the scope of the appended claims and their equivalents.
본 발명의 일 측면에 따른 대전 방지용 바울에 의하면, 바울에 발생된 정전기가 제거될 수 있으므로, 그 산업상 이용가능성이 높다고 하겠다.According to one aspect of the present invention, since the static electricity generated in the pawl can be removed, the potential for industrial use is high.
100 : 기판 처리 유닛
150 : 대전 방지용 바울
151 : 외곽 바울
154 : 중간 바울
157 : 내곽 바울100: substrate processing unit
150: Anti-
151: Outskirts of Paul
154: Intermediate Paul
157: Paul the Hollow
Claims (5)
상기 처리액 공급 부재에서 상기 척 부재 상의 상기 기판으로 공급되었다가 상기 기판으로부터 이탈되는 상기 처리액을 수용하되, 적어도 일부가 정전기 제거를 위해 전도성을 가지는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 대전 방지용 바울.A chuck member on which a substrate is mounted and a processing liquid supply member for supplying a processing liquid toward the substrate placed on the chuck member,
Wherein at least a part of the processing liquid is supplied from the processing liquid supply member to the substrate on the chuck member and is detached from the substrate, and at least a part of the processing liquid is made of a material having conductivity for removing static electricity.
상기 대전 방지용 바울은 탄소나노튜브(CNT)가 혼합되어 성형된 것을 특징으로 하는 대전 방지용 바울.The method according to claim 1,
Wherein the antistatic pole is formed by mixing carbon nanotubes (CNTs).
상기 대전 방지용 바울에서 상기 기판의 상공에 해당되는 부분이 정전기 제거를 위해 전도성을 가지는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 대전 방지용 바울.The method according to claim 1,
Wherein the portion of the antistatic pole corresponding to the upper portion of the substrate is made of a material having conductivity to remove static electricity.
상기 대전 방지용 바울에서 정전기 제거를 위해 전도성을 가지는 물질로 이루어지는 부분은 접지되는 것을 특징으로 하는 대전 방지용 바울.The method according to claim 1,
Wherein a part made of a conductive material is grounded for removing static electricity in the antistatic pole.
상기 대전 방지용 바울은
상기 척 부재로부터 상대적으로 가장 외곽에 배치되는 외곽 바울;
상기 척 부재로부터 상대적으로 가장 내곽에 배치되는 내곽 바울;
상기 외곽 바울과 상기 내곽 바울 사이에 배치되는 중간 바울;
상기 처리액 중 상기 외곽 바울에 수용된 액 중 일부를 상기 외곽 바울의 상부까지 환류시키는 외곽 세정관;
상기 외곽 바울의 외면에 묻은 이물질이 제거되도록, 상기 외곽 세정관을 통해 환류된 액을 상기 외곽 바울의 외면으로 흘려주는 외곽 외면 세정 노즐;
상기 외곽 바울의 내면에 묻은 이물질이 제거되도록, 상기 외곽 세정관을 통해 환류된 액을 상기 외곽 바울의 내면으로 흘려주는 외곽 내면 세정 노즐;
상기 처리액 중 상기 외곽 바울에 수용된 액 중 일부를 상기 중간 바울의 상부까지 환류시키는 중간 외면 세정관;
상기 중간 바울의 외면에 묻은 이물질이 제거되도록, 상기 중간 외면 세정관을 통해 환류된 액을 상기 중간 바울의 외면으로 흘려주는 중간 외면 세정 노즐;
상기 처리액 중 상기 중간 바울에 수용된 액 중 일부를 상기 중간 바울의 상부까지 환류시키는 중간 내면 세정관;
상기 중간 바울의 내면에 묻은 이물질이 제거되도록, 상기 중간 내면 세정관을 통해 환류된 액을 상기 중간 바울의 내면으로 흘려주는 중간 내면 세정 노즐;
상기 처리액 중 상기 중간 바울에 수용된 액 중 일부를 상기 내곽 바울의 상부까지 환류시키는 내곽 외면 세정관;
상기 내곽 바울의 외면에 묻은 이물질이 제거되도록, 상기 내곽 외면 세정관을 통해 환류된 액을 상기 내곽 바울의 외면으로 흘려주는 내곽 외면 세정 노즐;
상기 처리액 중 상기 내곽 바울에 수용된 액 중 일부를 상기 내곽 바울의 상부까지 환류시키는 내곽 내면 세정관; 및
상기 내곽 바울의 내면에 묻은 이물질이 제거되도록, 상기 내곽 내면 세정관을 통해 환류된 액을 상기 내곽 바울의 내면으로 흘려주는 내곽 내면 세정 노즐;을 포함하는 것을 특징으로 하는 대전 방지용 바울.The method according to claim 1,
The anti-
An outer brick disposed on the outermost side relative to the chuck member;
An inner ear pawl disposed at the innermost position relative to the chuck member;
A middle pole disposed between the outer Paul and the inner Paul;
An outer squeeze pipe for refluxing part of the liquid contained in the outer paul to the upper part of the outer paul of the treatment liquid;
An outer surface cleaning nozzle for allowing the refluxed liquid to flow to the outer surface of the outer pouring pole through the outer squeeze pipe so as to remove foreign matter adhering to the outer surface of the outer pouring pole;
An inner surface cleaning nozzle which flows the refluxed liquid through the outer surface cleaning tube to the inner surface of the outer peripheral pail so that foreign matter adhered to the inner surface of the outer surface paul is removed;
An intermediate outer surface cleaning tube for refluxing some of the liquid contained in the outer peripheral pawls of the treatment liquid to an upper portion of the intermediate pawl;
An intermediate outer surface cleaning nozzle for flowing a refluxed liquid through the intermediate outer surface cleaning tube to the outer surface of the intermediate pawl so that foreign matter adhering to the outer surface of the intermediate pawl is removed;
An intermediate inner surface cleaning tube for refluxing a part of the liquid contained in the intermediate liquid in the treatment liquid to an upper portion of the intermediate pawl;
An intermediate inner surface cleaning nozzle for allowing a liquid refluxed through the intermediate inner surface cleaning tube to flow to the inner surface of the middle pawl so as to remove foreign matter adhering to the inner surface of the middle pawl;
An inner and outer surface washing tub for refluxing a part of the liquid contained in the treating liquid to the upper portion of the inner bottom pole;
An outer surface cleaning nozzle for flowing refluxed liquid through the inner and outer surface cleaning tubes to the outer surface of the inner pouring pole so as to remove foreign matter adhering to the outer surface of the inner pouring pole;
An inner circumferential inner surface cleaning tube for refluxing some of the liquid contained in the inner circumferential surface of the processing solution to an upper portion of the inner circumferential surface; And
And an inner circumferential surface cleaning nozzle for flowing the refluxed liquid through the inner circumferential inner surface cleaning tube to the inner surface of the inner circumferential surface of the inner circumferential surface of the inner circumferential surface of the inner circumferential surface of the inner circumferential surface of the inner circumferential surface.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020170158590A KR102052536B1 (en) | 2017-11-24 | 2017-11-24 | Antistatic bowl |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020170158590A KR102052536B1 (en) | 2017-11-24 | 2017-11-24 | Antistatic bowl |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20190060415A true KR20190060415A (en) | 2019-06-03 |
KR102052536B1 KR102052536B1 (en) | 2019-12-05 |
Family
ID=66849359
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020170158590A KR102052536B1 (en) | 2017-11-24 | 2017-11-24 | Antistatic bowl |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102052536B1 (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021013019A (en) * | 2019-07-08 | 2021-02-04 | サムス カンパニー リミテッド | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
KR102236595B1 (en) * | 2019-12-18 | 2021-04-06 | (주)동인 | Method for Manufacturing Antistatic Bowl Using Mold for Fluororesin Bowl |
KR20230029172A (en) * | 2021-08-24 | 2023-03-03 | (주) 디바이스이엔지 | Substrate treating apparatus including bowl assembly |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09115873A (en) * | 1995-10-20 | 1997-05-02 | Mitsubishi Electric Corp | Method and system for producing semiconductor |
KR20050109099A (en) | 2004-05-13 | 2005-11-17 | 삼성전자주식회사 | Bowl of spin coater |
KR100674391B1 (en) | 1999-12-23 | 2007-01-26 | 램 리써치 코포레이션 | Bowl, spin, rinse and dry module, and method for loading a semiconductor wafer into a spin, rinse and dry module |
JP2008004762A (en) * | 2006-06-22 | 2008-01-10 | Nippon Valqua Ind Ltd | Spin cup of wafer cleaning/drying device |
JP2008098594A (en) * | 2006-09-15 | 2008-04-24 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP2015173261A (en) * | 2014-02-24 | 2015-10-01 | ラム・リサーチ・アーゲーLam Research Ag | Device for treating liquid of wafer-like article |
-
2017
- 2017-11-24 KR KR1020170158590A patent/KR102052536B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09115873A (en) * | 1995-10-20 | 1997-05-02 | Mitsubishi Electric Corp | Method and system for producing semiconductor |
KR100674391B1 (en) | 1999-12-23 | 2007-01-26 | 램 리써치 코포레이션 | Bowl, spin, rinse and dry module, and method for loading a semiconductor wafer into a spin, rinse and dry module |
KR20050109099A (en) | 2004-05-13 | 2005-11-17 | 삼성전자주식회사 | Bowl of spin coater |
JP2008004762A (en) * | 2006-06-22 | 2008-01-10 | Nippon Valqua Ind Ltd | Spin cup of wafer cleaning/drying device |
JP2008098594A (en) * | 2006-09-15 | 2008-04-24 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP2015173261A (en) * | 2014-02-24 | 2015-10-01 | ラム・リサーチ・アーゲーLam Research Ag | Device for treating liquid of wafer-like article |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021013019A (en) * | 2019-07-08 | 2021-02-04 | サムス カンパニー リミテッド | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
KR102236595B1 (en) * | 2019-12-18 | 2021-04-06 | (주)동인 | Method for Manufacturing Antistatic Bowl Using Mold for Fluororesin Bowl |
KR20230029172A (en) * | 2021-08-24 | 2023-03-03 | (주) 디바이스이엔지 | Substrate treating apparatus including bowl assembly |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102052536B1 (en) | 2019-12-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR20190060415A (en) | Antistatic bowl | |
CN100550291C (en) | Liquid handling device and method for treating liquids | |
CN100573819C (en) | Substrate board treatment and substrate processing method using same | |
TWI448334B (en) | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method | |
CN104952771A (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
CN101905205A (en) | Film formation device and film build method | |
CN108074858A (en) | Base plate wet processing unit | |
US20060046413A1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
TW200919570A (en) | Substrate treatment apparatus, substrate treatment method, and storage medium | |
CN113843235B (en) | Wafer cassette cleaning device and control method thereof | |
TW466665B (en) | Cleaner of plate part and its method | |
CN105321852A (en) | Method and apparatus for liquid treatment of wafer shaped articles | |
JP2012064800A5 (en) | ||
KR20090070663A (en) | Apparatus for treating substrate | |
JP3979595B2 (en) | Treatment liquid supply nozzle, treatment liquid supply apparatus, and nozzle cleaning method | |
KR101034507B1 (en) | Unit for providing chemical liquid, apparatus and method for treating substrate using the same | |
CN108417510A (en) | Liquid handling device | |
JP2008098425A (en) | Equipment and method for processing substrate | |
KR102387540B1 (en) | Apparatus to clean substrate and method to clean substrate for reduction chemical | |
JP7137420B2 (en) | Brush cleaning device, substrate processing device and brush cleaning method | |
KR101647632B1 (en) | Automatic cleaning apparatus for container | |
KR20160007231A (en) | Spin drying apparatus and drying method with preventing water drops | |
JP4036331B2 (en) | Treatment liquid supply nozzle, treatment liquid supply apparatus, and nozzle cleaning method | |
JP2005252137A (en) | Cleaning method for substrate, and apparatus for substrate | |
JP7152918B2 (en) | Brush cleaning device, substrate processing device and brush cleaning method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right |