KR101987711B1 - Nozzle capable of fluid spray at entire substrate and substrate cleaning system using the same - Google Patents

Nozzle capable of fluid spray at entire substrate and substrate cleaning system using the same Download PDF

Info

Publication number
KR101987711B1
KR101987711B1 KR1020170058480A KR20170058480A KR101987711B1 KR 101987711 B1 KR101987711 B1 KR 101987711B1 KR 1020170058480 A KR1020170058480 A KR 1020170058480A KR 20170058480 A KR20170058480 A KR 20170058480A KR 101987711 B1 KR101987711 B1 KR 101987711B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
nozzle
nozzle body
fluid
substrate
steam
Prior art date
Application number
KR1020170058480A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20180124266A (en
Inventor
최대규
이대우
Original Assignee
(주)엔피홀딩스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)엔피홀딩스 filed Critical (주)엔피홀딩스
Priority to KR1020170058480A priority Critical patent/KR101987711B1/en
Publication of KR20180124266A publication Critical patent/KR20180124266A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101987711B1 publication Critical patent/KR101987711B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02043Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052Wet cleaning only
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명의 기판 전체에 유체 분사가 가능한 노즐은 유체 공급원과 연결되어 유체를 공급받는 노즐몸체; 및 상기 노즐몸체에 구비되며 상기 유체 공급원으로부터 공급된 유체를 기판 전체에 분사하는 하나 이상의 개구부를 갖는 배플판을 포함한다. 본 발명의 실시 예들 중 적어도 하나에 의하면, 유체가 분사되는 노즐을 이동시키지 않고 한번에 세정대상인 기판 전체에 유체를 분사할 수 있어, 한번에 분사되는 유체로 기판 전체를 세정할 수 있다. 본 발명의 실시 예들 중 적어도 하나에 의하면, 기판 전체를 한번에 세정할 수 있어 세정 시간을 절감할 수 있다.A nozzle capable of injecting fluid onto the entire substrate of the present invention includes: a nozzle body connected to a fluid supply source to receive a fluid; And a baffle plate provided on the nozzle body and having at least one opening for spraying the fluid supplied from the fluid supply source to the entire substrate. According to at least one of the embodiments of the present invention, the fluid can be injected into the entire substrate to be cleaned at one time without moving the nozzle from which the fluid is ejected, and the entire substrate can be cleaned with the fluid to be ejected at one time. According to at least one of the embodiments of the present invention, the entire substrate can be cleaned at a time, thereby reducing the cleaning time.

Description

기판 전체에 유체 분사가 가능한 노즐 및 이를 이용한 기판 세정 시스템{NOZZLE CAPABLE OF FLUID SPRAY AT ENTIRE SUBSTRATE AND SUBSTRATE CLEANING SYSTEM USING THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a nozzle for cleaning a substrate,

본 발명은 기판 전체에 유체 분사가 가능한 노즐 및 이를 이용한 기판 세정 시스템에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판에 유체를 분사하여 기판을 세정할 수 있는 기판 전체에 유체 분사가 가능한 노즐 및 이를 이용한 기판 세정 시스템에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a nozzle capable of fluid ejection over a substrate and a substrate cleaning system using the same, more particularly, to a nozzle capable of cleaning a substrate by spraying a fluid onto the substrate, ≪ / RTI >

반도체 소자를 제조하기 위해선 반도체 기판 또는 디스플레이 기판 상에 다층의 박막을 형성하는데 박막 형성에는 에칭 및 세정 공정이 필수적으로 채택되는 것이 일반적이다. 에칭 및 세정 공정에 있어서 기판의 이면에 증착된 질화막 등의 박막과 파티클 등은 후속 공정에서 이물질로 작용하게 된다. 이러한 기판 이면의 불필요한 박막 등과 같은 이물질은 기판 세정 장치를 이용하여 제거하게 된다.In order to manufacture a semiconductor device, a multilayer thin film is formed on a semiconductor substrate or a display substrate, and etching and cleaning processes are generally adopted for thin film formation. In the etching and cleaning processes, a thin film such as a nitride film deposited on the back surface of the substrate and particles act as a foreign substance in a subsequent process. Such unnecessary foreign matters such as thin films on the back surface of the substrate are removed using a substrate cleaning apparatus.

특히, 세정 공정은 이들 단위 공정들을 수행할 때 반도체 기판의 표면에 잔류하는 작은 파티클(small particles) 이나 오염물(contaminants) 및 불필요한 막을 제거한다. 최근, 반도체 기판에 형성되는 패턴이 미세화됨에 따라 세정 공정의 중요도는 더욱 커지고 있다.In particular, the cleaning process removes small particles, contaminants and unnecessary film remaining on the surface of the semiconductor substrate when performing these unit processes. In recent years, as the pattern formed on the semiconductor substrate has become finer, the importance of the cleaning process has increased.

이러한 세정 공정은, 반도체 기판 상의 오염물질을 화학적 반응에 의해 식각 또는 박리시키는 화학 용액 처리 공정, 화학 용액 처리 공정에 의해 약액 처리된 반도체 웨이퍼를 순수(deionizewater; DIW)로 세척하는 린스 공정, 및 린스 처리된 반도체 웨이퍼를 건조하는 건조 공정으로 이루어진다.Such a cleaning process includes a chemical solution treatment process for etching or removing contaminants on a semiconductor substrate by a chemical reaction, a rinsing process for cleaning a semiconductor wafer treated with a chemical solution by a chemical solution treatment process with deionizewater (DIW) And a drying step of drying the processed semiconductor wafer.

일반적으로, 화학 용액 처리 공정은 약액을 공급하는 노즐을 반도체 기판의 상부에 배치시키고, 노즐은 반도체 기판의 상면에 약액을 분사하여 반도체 기판을 세척한다. 이러한 화학 용액 처리 공정은 사용된 약액에 따라 환경 오염을 유발할 수 있고, 환경 오염을 방지하기 위한 공정 등이 요구되어 세정 비용이 고가인 경우가 많다.Generally, in the chemical solution treatment process, a nozzle for supplying a chemical liquid is disposed on an upper portion of a semiconductor substrate, and a nozzle cleans the semiconductor substrate by spraying a chemical solution on an upper surface of the semiconductor substrate. Such a chemical solution treatment process can cause environmental pollution in accordance with the used chemical solution, and a process for preventing environmental pollution is required, so that the cleaning cost is often high.

한편, 이러한 화학 용액을 사용하지 않고 반도체 기판을 세정하는 기술이 개발되고 있는데, 일 예로, 순수와 스팀이 반도체 기판으로 분사되어, 세정면을 세정하는 기술이 개발되고 있다.On the other hand, a technique for cleaning a semiconductor substrate without using such a chemical solution has been developed. For example, pure water and steam are injected into a semiconductor substrate to clean a washing surface.

순수와 스팀을 이용한 세정장치는 노즐을 이용하여 순수와 스팀을 기판 상에 분사하여 기판을 세정한다. 이때, 노즐은 선형 또는 회전하며 기판 상부를 이동하며 순수 또는 스팀을 분사하는 구조이다. 그러므로 기판 전체를 처리하기 위해서는 노즐을 여러 번 이동시켜야 한다. 이때, 노즐이 이동되는 동선에 포함되지 않은 기판 상부는 세정이 제대로 이루어지지 않을 수 있다. 또한 노즐을 여러 번 이동시켜야 하므로 세정장치의 구조가 복잡해지고, 이를 구동하기 위한 전력 소비가 큰 단점이 존재한다. 또한 기판 세정시간이 늘어나게 되므로 전체 공정 시간이 늘어난다.The pure water and steam cleaning apparatus clean the substrate by spraying pure water and steam onto the substrate using a nozzle. At this time, the nozzle is linear or rotating, moving on the upper part of the substrate, and spraying pure water or steam. Therefore, in order to process the entire substrate, the nozzle must be moved several times. At this time, the upper portion of the substrate not included in the copper line through which the nozzle is moved may not be cleaned properly. Further, since the nozzle has to be moved several times, the structure of the cleaning device is complicated and power consumption for driving the cleaning device is large. In addition, since the substrate cleaning time is increased, the entire process time is increased.

본 발명의 목적은 노즐을 이동시키지 않고 한번에 세정 대상인 기판 전체에 유체를 분사할 수있는 기판 전체에 유체 분사가 가능한 노즐 및 이를 이용한 기판 세정 시스템을 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a nozzle capable of jetting fluid onto the entire substrate to be cleaned at one time without moving the nozzle, and a substrate cleaning system using the same.

상기와 같은 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 전체에 유체 분사가 가능한 노즐은 유체 공급원과 연결되어 유체를 공급받는 노즐몸체; 및 상기 노즐몸체에 구비되며 상기 유체 공급원으로부터 공급된 유체를 기판 전체에 분사하는 하나 이상의 개구부를 갖는 배플판을 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a nozzle comprising: a nozzle body connected to a fluid supply source and supplied with a fluid; And a baffle plate provided on the nozzle body and having at least one opening for spraying the fluid supplied from the fluid supply source to the entire substrate.

일 실시예에 있어서, 상기 배플판과 상기 기판은, 중앙영역과 주변영역 사이의 거리가 동일하거나 또는 상기 중앙영역에서 에지영역으로 갈수록 거리가 좁아진다.In one embodiment, the distance between the central region and the peripheral region is the same, or the distance from the central region to the edge region becomes narrower.

일 실시예에 있어서, 상기 개구부는, 슬릿 형상으로 형성된다.In one embodiment, the opening is formed in a slit shape.

일 실시예에 있어서, 상기 개구부는 상기 배플판의 중앙영역에 형성되는 센터 개구부; 및 상기 배플판의 중앙영역을 제외한 영역에 형성되는 에지 개구부를 포함한다.In one embodiment, the opening has a center opening formed in a central region of the baffle plate; And an edge opening formed in an area except for a central area of the baffle plate.

일 실시예에 있어서, 상기 노즐몸체는, 내부에 유체가 머무는 중공의 공간을 갖는 제1 노즐몸체; 및 상기 제1 노즐몸체와 이격되도록 상기 제1 노즐몸체가 내부에 구비되는 제2 노즐몸체를 포함하고, 상기 노즐몸체로 공급된 유체는, 상기 제1 노즐몸체를 통해 분사되고, 상기 제1노즐몸체와 상기 제2 노즐몸체 사이의 이격된 공간을 통해 분사된다.In one embodiment, the nozzle body includes: a first nozzle body having a hollow space in which a fluid remains; And a second nozzle body in which the first nozzle body is spaced apart from the first nozzle body, wherein fluid supplied to the nozzle body is injected through the first nozzle body, And is injected through a spaced space between the body and the second nozzle body.

일 실시예에 있어서, 상기 제1 노즐몸체로 공급되는 유체는 상기 제1 노즐몸체와 상기 제2 노즐몸체 사이의 이격된 공간으로 공급되는 유체와 동일한 시간에 공급되거나 또는 다른 시간에 공급된다.In one embodiment, the fluid supplied to the first nozzle body is supplied at the same time as the fluid supplied to the spaced space between the first nozzle body and the second nozzle body, or at another time.

일 실시예에 있어서, 상기 기판으로 분사된 유체를 다시 흡입하는 흡입부를 더 포함한다.In one embodiment, the apparatus further includes a suction unit for sucking the fluid injected into the substrate again.

일 실시예에 있어서, 상기 배플판은, 내부에 열선을 포함한다.In one embodiment, the baffle plate includes a hot wire inside.

본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 전체에 유체 분사가 가능한 노즐을 이용한 기판 세정 시스템은 유체를 공급받아 가열하여 스팀을 생성하는 스팀 생성부; 상기 스팀 생성부와 연결되며, 스팀을 분사하는 노즐; 및 상기 노즐이 설치되며, 내부에 기판을 지지하기 위한 서셉터가 구비되는 챔버를 포함한다. According to an embodiment of the present invention, there is provided a substrate cleaning system using a nozzle capable of fluid injection on an entire substrate, comprising: a steam generator for generating a steam by supplying a fluid; A nozzle connected to the steam generator and spraying steam; And a chamber provided with the nozzle and including a susceptor for supporting the substrate therein.

일 실시예에 있어서, 상기 서셉터는, 상기 노즐에서 스팀이 분사되는 동안 회전한다. In one embodiment, the susceptor rotates while steam is injected from the nozzle.

본 발명에 따른 기판 전체에 유체 분사가 가능한 노즐 및 이를 이용한 기판 세정 시스템의 효과에 대해 설명하면 다음과 같다.Effects of a nozzle capable of fluid spraying on the entire substrate according to the present invention and a substrate cleaning system using the same will be described below.

본 발명의 실시 예들 중 적어도 하나에 의하면, 유체가 분사되는 노즐을 이동시키지 않고 한번에 세정대상인 기판 전체에 유체를 분사할 수 있어, 한번에 분사되는 유체로 기판 전체를 세정할 수 있다. According to at least one of the embodiments of the present invention, the fluid can be injected into the entire substrate to be cleaned at one time without moving the nozzle from which the fluid is ejected, and the entire substrate can be cleaned with the fluid to be ejected at one time.

본 발명의 실시 예들 중 적어도 하나에 의하면, 기판 전체를 한번에 세정할 수 있어 세정 시간을 절감할 수 있다. According to at least one of the embodiments of the present invention, the entire substrate can be cleaned at a time, thereby reducing the cleaning time.

도 1은 스팀을 이용하여 기판을 처리하는 기판 세정 시스템을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 분사 노즐부의 실시예를 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 분사 노즐부를 도시한 단면도이다.
도 4 및 도 5는 분사 노즐부에서 개구부의 다양한 실시예를 도시한 평면도이다.
도 6은 중앙영역과 주변영역을 갖는 분사 노즐부의 실시예를 도시한 평면도이다.
도 7은 다양한 사이즈의 개구부를 갖는 분사 노즐부의 실시예를 도시한 평면도이다.
도 8은 다양한 형상의 개구부를 도시한 단면도이다.
도 9및 도 10은 분사 노즐부의 다른 실시예를 도시한 도면이다.
도 11은 도 10에 도시된 분사 노즐부를 통해 스팀을 분사하는 과정을 도시한 도면이다.
도 12는 기판과의 간격이 비균일한 분사 노즐부의 실시예를 도시한 도면이다.
도 13은 흡입부가 장착된 분사 노즐부의 실시예를 도시한 도면이다.
1 is a schematic view of a substrate cleaning system for treating a substrate using steam.
2 is a view showing an embodiment of the spray nozzle unit according to the preferred embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view illustrating an injection nozzle unit according to a preferred embodiment of the present invention.
Figs. 4 and 5 are plan views showing various embodiments of openings in the injection nozzle portion. Fig.
6 is a plan view showing an embodiment of an injection nozzle portion having a central region and a peripheral region.
7 is a plan view showing an embodiment of an injection nozzle portion having openings of various sizes.
8 is a cross-sectional view showing openings of various shapes.
9 and 10 are views showing another embodiment of the jet nozzle unit.
11 is a view illustrating a process of spraying steam through the spray nozzle unit shown in FIG.
12 is a view showing an embodiment of an ejection nozzle unit in which the distance from the substrate is nonuniform.
Fig. 13 is a view showing an embodiment of the injection nozzle portion equipped with the suction portion.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되지 않으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, wherein like reference numerals are used to designate identical or similar elements, and redundant description thereof will be omitted. The suffix "module" and " part "for the components used in the following description are given or mixed in consideration of ease of specification, and do not have their own meaning or role. In the following description of the embodiments of the present invention, a detailed description of related arts will be omitted when it is determined that the gist of the embodiments disclosed herein may be blurred. It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description are exemplary and explanatory and are intended to provide further explanation of the invention as claimed. , ≪ / RTI > equivalents, and alternatives.

제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.Terms including ordinals, such as first, second, etc., may be used to describe various elements, but the elements are not limited to these terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.It is to be understood that when an element is referred to as being "connected" or "connected" to another element, it may be directly connected or connected to the other element, . On the other hand, when an element is referred to as being "directly connected" or "directly connected" to another element, it should be understood that there are no other elements in between.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise.

본 출원에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.In the present application, the terms "comprises", "having", and the like are used to specify that a feature, a number, a step, an operation, an element, a component, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof.

이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예에 대해 상세히 설명하기로 한다. 본 발명은 본 발명의 정신 및 필수적 특징을 벗어나지 않는 범위에서 다른 특정한 형태로 구체화될 수 있음은 당업자에게 자명하다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. It will be apparent to those skilled in the art that the present invention may be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.

도 1은 스팀을 이용하여 기판을 처리하는 기판 세정 시스템을 개략적으로 도시한 도면이다. 1 is a schematic view of a substrate cleaning system for treating a substrate using steam.

도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 세정 시스템(100)은 스팀을 생성하기 위한 스팀 생성부(104)와 기판 처리 챔버(101) 및 스팀을 분사하기 위한 분사 노즐부(110)를 포함할 수 있다. 1, a substrate cleaning system 100 according to the present invention includes a steam generator 104 for generating steam, a substrate processing chamber 101, and a spray nozzle unit 110 for spraying steam .

스팀 생성부(104)는 유체 공급원(106)으로부터 물 또는 세정액과 같은 유체를 공급받아 가열하여 스팀을 생성하기 위한 구성이다. 스팀 생성부(104)는 유체를 고온으로 가열하기 위한 가열 장치를 포함할 수 있다. 또는 스팀 생성부(104)는 유체를 고온으로 가열하여 증기(스팀)을 생성하고, 생성된 증기를 다시 가열하여 과열된 증기로 생성할 수 있다. The steam generating unit 104 is configured to generate steam by supplying fluid such as water or a cleaning liquid from the fluid supply source 106 and heating it. The steam generating section 104 may include a heating device for heating the fluid to a high temperature. Alternatively, the steam generating unit 104 may generate steam by heating the fluid to a high temperature, and generate steam by reheating the steam.

기판 처리 챔버(101)는 내부에 피처리 기판(103)을 지지하기 위한 서셉터(102)를 구비할 수 있다. 기판 처리 챔버(101)는 피처리 기판(103)을 처리하기 위한 공정챔버일 수도 있고, 피처리 기판(103)의 세정 공정을 위한 별도의 챔버일 수도 있다. 기판 처리 챔버(101)의 상부에는 피처리 기판(103)으로 스팀을 분사하기 위한 분사 노즐부(110)가 구비될 수 있다. The substrate processing chamber 101 may have a susceptor 102 for supporting the substrate 103 to be processed therein. The substrate processing chamber 101 may be a processing chamber for processing the target substrate 103 or a separate chamber for cleaning the target substrate 103. The upper portion of the substrate processing chamber 101 may be provided with a spray nozzle unit 110 for spraying steam onto the substrate 103.

분사 노즐부(110)는 스팀 생성부(104)와 연결되고, 기판 처리 챔버(101)의 상부에 설치될 수 있다. 분사 노즐부(110)는 서셉터(102)의 상부에 위치하며, 분사 노즐부(110)에서 분사된 스팀은 서셉터(102)에 장착된 피처리 기판(103)의 상면에 분사되어 피처리 기판(103)의 표면을 세정한다. The injection nozzle unit 110 is connected to the steam generating unit 104 and may be installed at an upper portion of the substrate processing chamber 101. The spray nozzle unit 110 is positioned above the susceptor 102. The steam sprayed from the spray nozzle unit 110 is sprayed onto the upper surface of the target substrate 103 mounted on the susceptor 102, The surface of the substrate 103 is cleaned.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 분사 노즐부의 실시예를 도시한 도면이다. 2 is a view showing an embodiment of the spray nozzle unit according to the preferred embodiment of the present invention.

본 발명에서의 분사 노즐부(110)는 유체를 분사하기 위한 구성으로 하기에서는 스팀을 분사하는 것을 예로 설명한다. In the present invention, the injection nozzle unit 110 is configured to inject fluid, and in the following description, steam is injected as an example.

도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 분사 노즐부(210)는 스팀 생성부(104)와 연결된 공급라인(208)을 통해 스팀을 공급받을 수 있다. 분사 노즐부(210)는 전체적인 형상이 원뿔(210), 사각뿔(250) 또는 원통(260) 중 어느 하나의 형상으로 형성될 수 있다. 분사 노즐부(210)는 처리하고자 하는 기판의 형상에 따라 다른 형태로 형성될 수 있다. 예를 들어, 분사 노즐부(210)는 웨이퍼와 같은 기판을 처리하기 위해서 원뿔 또는 원통 형상으로 형성될 수 있고, 글라스와 같은 기판을 처리하기 위해서 사각뿔 형상으로 형성될 수 있다. Referring to FIG. 2, the injection nozzle unit 210 according to the present invention can receive steam through a supply line 208 connected to the steam generating unit 104. The injection nozzle unit 210 may be formed in a shape of a cone 210, a quadrangular pyramid 250, or a cylinder 260 as a whole. The injection nozzle unit 210 may be formed in a different shape depending on the shape of the substrate to be processed. For example, the injection nozzle unit 210 may be formed in a conical or cylindrical shape to process a substrate such as a wafer, and may be formed in a quadrangular pyramid shape to process a substrate such as a glass.

본 발명에서는 원뿔 형상으로 형성된 분사 노즐부(210)를 예를 들어 설명한다. In the present invention, the injection nozzle unit 210 formed in a conical shape will be described as an example.

도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 분사 노즐부를 도시한 단면도이다. 3 is a cross-sectional view illustrating an injection nozzle unit according to a preferred embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 분사 노즐부(210)는 노즐몸체(312) 및 배플판(320)으로 구성될 수 있다. 노즐몸체(312)는 상부에 공급라인(308)과 연결되며, 중공의 내부를 구비하는 원뿔 형상으로 형성될 수 있다. 스팀 생성부(104)에서 생성된 스팀은 공급라인(308)을 통해 노즐몸체(312) 내부로 공급된다. 노즐몸체(312)의 하단(하면)에는 배플판(320)이 구비될 수 있다. Referring to FIG. 3, the injection nozzle unit 210 may include a nozzle body 312 and a baffle plate 320. The nozzle body 312 is connected to the supply line 308 at an upper portion thereof and may be formed in a conical shape having a hollow interior. The steam generated in the steam generator 104 is supplied into the nozzle body 312 through the supply line 308. A baffle plate 320 may be provided at a lower end (lower surface) of the nozzle body 312.

배플판(320)은 판형상으로 노즐몸체(312)의 하면과 동일한 형상으로 형상인 원형으로 형상된다. 배플판(320)에는 하나 이상의 개구부(322)가 구비될 수 있다. 개구부(322)는 원형 또는 슬릿 형상으로 형성될 수 있으며, 개구부(322)의 형상 및 크기에 따라 분사되는 스팀의 양을 조절할 수 있다. 개구부(322)의 다양한 변형 실시예는 하기에서 설명한다. The baffle plate 320 is shaped like a circular plate having the same shape as the lower surface of the nozzle body 312. The baffle plate 320 may be provided with one or more openings 322. The opening 322 may be formed in a circular or slit shape, and the amount of steam injected may be adjusted according to the shape and size of the opening 322. Various modified embodiments of the opening 322 are described below.

노즐몸체(312) 내부로 공급된 스팀은 개구부(322)를 통해 피처리 기판(303)으로 분사될 수 있다. 개구부(322)는 다수의 홀로 형성될 수 있으며, 여기서, 홀의 형상은 원형, 삼각형, 사각형 등 다양한 형상으로 형성될 수 있다. The steam supplied into the nozzle body 312 may be injected into the substrate 303 through the opening 322. [ The opening 322 may be formed in a plurality of holes, and the shape of the hole may be various shapes such as a circle, a triangle, and a square.

배플판(320) 내부에는 열선(324)이 삽입될 수 있다. 열선(324)은 배플판(320)을 적정 온도로 가열하는 기능을 한다, 열선(324)에 의해 배플판(320)이 가열됨으로써, 배플판(320)의 개구부(322)를 통해 분사되는 스팀의 온도를 다시 상승시키는 기능을 수행할 수 있다. 그러므로 개구부(322)를 통해 분사되는 스팀은 과열되어 분사됨으로써 피처리 기판(303)의 세정 효율을 향상시킬 수 있다. 또한 개구부(322)가 물방울에 의해 막히는 경우, 열선(324)에 의해 배플판(320)이 적정 온도로 가열됨으로써 개구부(322)를 막은 물방울을 기화시켜 제거할 수 있다. A heat ray 324 may be inserted into the baffle plate 320. The heating wire 324 functions to heat the baffle plate 320 to an appropriate temperature. The baffle plate 320 is heated by the heating wire 324 so that the steam that is sprayed through the opening 322 of the baffle plate 320 The function of the temperature sensor can be improved. Therefore, the steam injected through the opening 322 is overheated and sprayed, thereby improving the cleaning efficiency of the substrate 303. [ Further, when the opening 322 is blocked by the water droplet, water droplets covering the opening 322 can be vaporized and removed by heating the baffle plate 320 to an appropriate temperature by the heat ray 324.

배플판(320)의 크기는 피처리 기판(303)의 크기와 동일하거나 더 크게 형성될 수 있다. 특히, 배플판(320)의 개구부(322)을 통해 분사되는 스팀은 피처리 기판(303)의 전체에 면상으로 분사될 수 있다. 다시 말해, 분사 노즐부(310)로 공급된 스팀은 배플판(320)을 통해 한번에 피처리 기판(303)으로 분사할 수 있다. The size of the baffle plate 320 may be the same as or larger than the size of the substrate 303. Particularly, the steam injected through the opening 322 of the baffle plate 320 can be sprayed on the entire surface of the substrate 303 to be processed. In other words, the steam supplied to the spray nozzle unit 310 can be sprayed onto the substrate 303 at a time through the baffle plate 320.

종래에는 스팀을 분사하는 노즐의 크기가 처리하고자 하는 기판에 비하여 매우 작았기 때문에 기판을 세정하기 위해서는 노즐을 이동시켜야하는 문제가 발생하였다. 그러나, 본 발명에서는 분사 노즐부(310)를 이동시키기 않고, 한번에 피처리 기판(303) 전체에 스팀을 분사할 수 있어 세정 시간을 절감할 수 있다. Conventionally, since the size of the nozzle for spraying steam is very small as compared with the substrate to be processed, there is a problem that the nozzle must be moved in order to clean the substrate. However, according to the present invention, steam can be sprayed to the entire substrate to be treated 303 at once without moving the spray nozzle unit 310, thereby reducing the cleaning time.

피처리 기판(303)이 놓이는 서셉터(302)는 도 3(a)에 도시된 바와 같이, 고정되거나, 도 3(b)에 도시된 바와 같이, 모터(330)에 의해 회전 구동될 수 있다. 도면에서는 도시하지 않았으나, 도 3(a)와 같이, 서셉터(302)는 고정되고 분사 노즐부(310)가 회전할 수 있다. 또한 도 3(b)와 같이 서셉터(302)가 회전할 때, 분사 노즐부(310)가 함께 회전할 수 있다. The susceptor 302 on which the substrate 303 is placed may be fixed as shown in Fig. 3 (a) or may be rotationally driven by the motor 330, as shown in Fig. 3 (b) . Although not shown in the drawing, the susceptor 302 is fixed and the spray nozzle unit 310 can rotate, as shown in Fig. 3 (a). 3 (b), when the susceptor 302 rotates, the jetting nozzle unit 310 can rotate together.

도면에서는 도시하지 않았으나, 배플판(320)은 노즐몸체(312)와 탈착 가능하게 설치됨으로써, 피처리 기판(303)을 처리하는 공정에 따라 설치되거나 제거할 수 있다. 또한 배플판(320)을 교환하여 사용할 수 있다. Although not shown in the drawing, the baffle plate 320 is detachably installed to the nozzle body 312, so that the baffle plate 320 can be installed or removed according to a process of processing the substrate 303. Further, the baffle plate 320 can be exchanged and used.

도 4 및 도 5는 분사 노즐부에서 개구부의 다양한 실시예를 도시한 평면도이다.Figs. 4 and 5 are plan views showing various embodiments of openings in the injection nozzle portion. Fig.

도 4를 참조하면, 배플판(420)은 다양한 형상의 개구부(422)가 구비될 수 있다. 개구부(422)는 다수 개의 슬릿 형상으로 제작될 수 있다. 개구부의 패턴에 따라 스팀이 분사되는 형태도 다양하게 변형된다.Referring to FIG. 4, the baffle plate 420 may have openings 422 of various shapes. The opening 422 may be formed in a plurality of slit shapes. The shape in which the steam is sprayed according to the pattern of the opening portion is also variously deformed.

일 실시예로써(도 4(a)를 참조), 다수 개의 슬릿 형상의 개구부(422)는 일단이 중앙에서 모이고, 타단이 배플판(420)의 가장자리에 소정의 간격으로 이격되어 위치되도록 형성될 수 있다. 여기서, 슬릿 형상의 개구부(422)는 곡선으로 형성될 수 있다. 곡선으로 형성된 개구부(422)는 회전하는 서셉터와 동일한 방향 또는 역방향으로 스팀이 분사되도록 형성될 수 있다. 다수 개의 개구부(422) 사이의 간격은 일정할 수도 있고, 상이할 수도 있다. 또한 개구부(422)의 개수도 한정하지 않는다. 4A), a plurality of slit-shaped openings 422 are formed such that one end is collected at the center and the other end is spaced apart from the edge of the baffle plate 420 by a predetermined distance . Here, the slit-shaped opening 422 may be formed as a curved line. The curved opening 422 may be formed to spray steam in the same or opposite direction as the rotating susceptor. The spacing between the plurality of openings 422 may be constant or may be different. The number of openings 422 is also not limited.

다른 일 실시예로써(도4(b)를 참조), 다수 개의 슬릿 형상의 개구부(424)는 중앙을 중심으로 가장자리를 향해 선형으로 형성될 수 있다. 다수 개의 개구부(424) 사이의 간격은 일정할 수도 있고, 상이할 수도 있다. 또한 개구부(424)의 개수도 한정하지 않는다.As another embodiment (see Fig. 4 (b)), the plurality of slit-shaped openings 424 may be formed linearly toward the edge around the center. The spacing between the plurality of openings 424 may be constant or may be different. The number of openings 424 is also not limited.

또 다른 일 실시예로써(도 4(c)를 참조), 슬릿 형상의 개구부(426)는 나선형으로 형성될 수 있다. 도면에서는 개구부(426)를 하나만 도시하였으나, 다수 개의 개구부(426)가 소정의 간격으로 이격되어 형성될 수 있다. As another embodiment (see Fig. 4 (c)), the slit-shaped opening 426 may be formed in a spiral shape. Although only one opening 426 is shown in the drawing, a plurality of openings 426 may be formed at predetermined intervals.

또 다른 일 실시예로써(도 4(d)를 참조), 개구부(428)는 다수 개의 홀로 형성될 수 있다. 개구부(428)는 다수 개의 홀이 배플판(420) 전체에 형성됨으로써 배플판(420)이 샤워헤드 형상으로 형성될 수 있다. As another embodiment (see Fig. 4 (d)), the opening 428 may be formed with a plurality of holes. The baffle plate 420 may be formed in a showerhead shape by forming a plurality of holes in the entire baffle plate 420 in the opening 428.

도 5를 참조하면, 개구부(522, 524, 526)는 부분적으로 슬릿 형상으로 형성될 수 있다. 여기서, 전체적인 배치 구조는 도 4에 도시된 개구부(422, 424, 426)와 동일하다. 개구부(522, 524, 526)의 개수 및 크기에 의해 분사되는 스팀의 양을 조절할 수 있다. Referring to FIG. 5, the openings 522, 524, and 526 may be partially formed in a slit shape. Here, the overall arrangement structure is the same as the openings 422, 424 and 426 shown in Fig. The amount of steam injected by the number and size of the openings 522, 524, and 526 can be adjusted.

도 6은 중앙영역과 주변영역을 갖는 분사 노즐부의 실시예를 도시한 평면도이다. 6 is a plan view showing an embodiment of an injection nozzle portion having a central region and a peripheral region.

도 6을 참조하면, 분사 노즐부(610)는 노즐몸체(612)와 배플판(620)을 포함할 수 있다. 여기서, 배플판(620)에 형성된 개구부는 중앙영역에 형성된 센터 개구부(622)와 주변영역(624)에 형성된 에지 개구부(624)로 구분될 수 있다. 센터 개구부(622)는 피처리 기판의 중앙영역(센터영역)으로 스팀을 분사하고, 에지 개구부(624)는 피처리 기판의 중앙영역을 제외한 나머지 영역(에지영역)으로 스팀을 분사할 수 있다. 공급라인(628)을 통해 공급된 스팀은 중앙영역에서 가장 많은 양이 강한 압력으로 분사되고, 주변영역으로 갈수록 적은 양이 약한 압력(중앙에서 분사되는 압력과 비교하여)으로 분사된다. 이로 인해, 피처리 기판의 중앙영역과 주변영역에서의 기판 처리 효율이 달라질 수 있다. 그러므로 센터 개구부(622)와 에지 개구부(624)의 크기 또는 개수를 조절함으로써 피처리 기판으로 분사되는 스팀의 양을 조절할 수 있고, 피처리 기판 전체면에서 균일한 처리 효율을 이룰 수 있다. 센터 개구부(622)와 에지 개구부(624) 사이의 간격은 조절될 수 있다. Referring to FIG. 6, the injection nozzle unit 610 may include a nozzle body 612 and a baffle plate 620. The opening formed in the baffle plate 620 may be divided into a center opening 622 formed in the central region and an edge opening 624 formed in the peripheral region 624. The center opening 622 injects steam into a central region (center region) of the substrate to be processed, and the edge opening 624 can inject steam into a region (edge region) other than the central region of the substrate. The steam supplied through the supply line 628 is injected with the greatest amount of pressure in the central region, and a small amount is injected into the peripheral region as a weak pressure (compared to the pressure at the center). Therefore, the substrate processing efficiency in the central region and the peripheral region of the substrate to be processed can be varied. Therefore, by regulating the size or the number of the center opening 622 and the edge opening 624, the amount of steam injected to the substrate can be controlled, and uniform processing efficiency can be achieved on the entire surface of the substrate. The distance between the center opening 622 and the edge opening 624 can be adjusted.

도 7은 다양한 사이즈의 개구부를 갖는 분사 노즐부의 실시예를 도시한 평면도이다.  7 is a plan view showing an embodiment of an injection nozzle portion having openings of various sizes.

도7을 참조하면, 배플판(710)은 동심원 형상의 제1, 2, 3 분사영역(722, 724, 726)으로 구분될 수 있다. 제1, 2, 3 분사영역(722, 724, 726)에는 서로 다른 크기의 개구부가 형성될 수 있다. 예를 들어, 가장 중심인 제1 분사영역(722)에서 제2, 3 분사영역(724, 726)으로 갈수록 점점 더 큰 크기의 개구부가 형성될 수 있다. 그러면 중앙영역으로 분사되는 스팀의 양(강한 압력으로 분사)과 주변영역으로 분사되는 스팀의 양(약한 압력으로 분사)이 거의 동일해지므로 배플판(710) 전체적으로 균일하게 스팀이 분사될 수 있다. Referring to FIG. 7, the baffle plate 710 may be divided into first, second, and third ejection regions 722, 724, and 726 having concentric circles. Openings of different sizes may be formed in the first, second, and third injection regions 722, 724, and 726. For example, an opening having a gradually larger size may be formed in the first and second injection regions 722 and 724 and 726, which are at the center. The amount of steam injected into the central region (injection with a strong pressure) and the amount of steam injected into the peripheral region (injection with a weak pressure) are almost the same, so steam can be uniformly sprayed throughout the baffle plate 710.

또는 제1, 2, 3 분사영역(722, 724, 726)에 형성되는 개구부의 개수 및 개구부의 조밀도를 조절할 수 있다. 예를 들어, 가장 중심인 제1 분사영역(722)에서 제2, 3 분사영역(724, 726)으로 갈수록 개구부가 점점 더 조밀하게 형성될 수 있다. 그러면 중앙영역으로 분사되는 스팀의 양(강한 압력으로 분사)과 주변영역으로 분사되는 스팀의 양(약한 압력으로 분사)이 거의 동일해지므로 배플판(710) 전체적으로 균일하게 스팀이 분사될 수 있다.Or the number of openings formed in the first, second, and third injection regions 722, 724, and 726 and the density of the openings can be controlled. For example, the opening may be formed more densely toward the second and third ejection regions 724 and 726 in the first ejection region 722, which is the most central portion. The amount of steam injected into the central region (injection with a strong pressure) and the amount of steam injected into the peripheral region (injection with a weak pressure) are almost the same, so steam can be uniformly sprayed throughout the baffle plate 710.

도 8은 다양한 형상의 개구부를 도시한 단면도이다. 8 is a cross-sectional view showing openings of various shapes.

도 8(a)를 참조하면, 개구부(822)는 배플판(820)에 수직으로 관통 형성될 수 있다. 또는 도 8(b)를 참조하면, 개구부(824)는 단면이 역 사다리꼴 형상을 갖도록 형성될 수 있다. 즉, 개구부(824)의 상부 사이즈가 개구부(824)의 하부 사이즈보다 더 크게 형성될 수 있다. 그러면 분사되는 스팀은 개구부(824)를 통해 집중적으로 분사될 수 있다. 또는 도 8(c)를 참조하면, 개구부(826)는 단면이 사다리꼴 형상을 갖도록 형성될 수 있다. 즉, 개구부(826)는 상부 사이즈가 하부 사이즈보다 더 작게 형성될 수 있다. 그러면 분사되는 스팀은 개구부(826)를 통해 확산되면서 분사될 수 있다. 또는 도 8(d)를 참조하면, 개구부(828)는 기울기를 갖도록 비스듬하게 형성될 수 있다. 그러면 분사되는 스팀은 개구부(828)가 기울어진 방향으로 분사될 수 있다. 8 (a), the opening 822 may be formed through the baffle plate 820 vertically. Or 8 (b), the opening 824 may be formed to have an inverted trapezoidal shape in section. That is, the upper size of the opening 824 may be larger than the lower size of the opening 824. The injected steam can then be injected intensively through the opening 824. 8 (c), the opening 826 may be formed to have a trapezoidal cross section. That is, the opening 826 may be formed such that the upper size is smaller than the lower size. Then, the injected steam can be sprayed while diffusing through the opening portion 826. Or 8 (d), the opening 828 may be formed obliquely to have a slope. The sprayed steam can then be sprayed in the direction in which the opening 828 is tilted.

도 8에 도시된 다양한 형상의 개구부(822, 824, 826, 828)는 하나의 배플판에 혼합되어 형성될 수도 있다.The openings 822, 824, 826, and 828 of various shapes shown in FIG. 8 may be formed by mixing in one baffle plate.

도 9및 도 10은 분사 노즐부의 다른 실시예를 도시한 도면이고, 도 11은 도 10에 도시된 분사 노즐부를 통해 스팀을 분사하는 과정을 도시한 도면이다.FIGS. 9 and 10 are views showing another embodiment of the spray nozzle unit, and FIG. 11 is a view illustrating a process of spraying steam through the spray nozzle unit shown in FIG.

도 9 및 도 10을 참조하면, 분사 노즐부(910)는 다수 개의 노즐몸체(912, 914, 916)를 포함할 수 있다. 제1 노즐몸체(912)는 내부에 유체가 머무는 중공의 공간을 갖는다. 제2 노즐몸체(914)는 제1 노즐몸체(912)와 소정의 간격으로 이격되며 제1 노즐몸체(912)가 내부에 포함된다. 제3 노즐몸체(916)는 제2 노즐몸체(916)와 소정의 간격으로 이격되며 제2 노즐몸체(916)가 내부에 포함된다.9 and 10, the injection nozzle unit 910 may include a plurality of nozzle bodies 912, 914, and 916. The first nozzle body 912 has a hollow space in which the fluid remains. The second nozzle body 914 is spaced apart from the first nozzle body 912 by a predetermined distance and includes a first nozzle body 912 therein. The third nozzle body 916 is spaced apart from the second nozzle body 916 by a predetermined distance and includes a second nozzle body 916 therein.

다수 개의 노즐몸체(912, 914, 916) 사이에는 소정의 공간이 형성된다. 제1 노즐몸체(912)의 내부, 제1 노즐몸체(912)와 제2 노즐몸체(914) 사이의 공간, 및 제2 노즐몸체(914)와 제3 노즐몸체(916) 사이의 공간을 통해 스팀이 이동된다. 다수 개의 노즐몸체(912, 914, 916) 사이로 공급된 스팀은 배플판(920)의 개구부(922)를 통해 피처리 기판으로 분사된다. A predetermined space is formed between the plurality of nozzle bodies 912, 914, and 916. Through the space between the first nozzle body 912 and the first nozzle body 912 and the second nozzle body 914 and between the second nozzle body 914 and the third nozzle body 916 Steam is moved. The steam supplied to the space between the plurality of nozzle bodies 912, 914 and 916 is injected into the substrate through the opening 922 of the baffle plate 920.

다수 개의 노즐몸체(912, 914, 916) 사이로 공급되는 스팀은 동일한 시간에 공급될 수도 있고, 시간차이를 두고 공급될 수도 있다. 예를 들어, 도 11에 도시된 바와 같이, 가장 내측에 위치하는 제1 노즐몸체(912)로 스팀을 공급하여 1차로 스팀을 분사하고, 제1 노즐몸체(912)와 제2 노즐몸체(914) 사이의 공간을 통해 스팀을 공급하여 2차로 스팀을 분사하며, 2 노즐몸체(914)와 제3 노즐몸체(916) 사이의 공간을 통해 스팀을 공급하여 3차로 스팀을 분사할 수 있다. 다수 개의 노즐몸체(912, 914, 916) 내측에서 외측으로 스팀을 분사함으로써, 스팀을 피처리 기판 전체에 확산시키며 분사할 수 있다. 그러면 스팀에 의해 세정된 파티클(이물질)을 피처리 기판의 외부로 밀어내는 효과를 갖는다.The steam supplied between the plurality of nozzle bodies 912, 914 and 916 may be supplied at the same time or may be supplied with a time difference. For example, as shown in FIG. 11, steam is firstly supplied to the innermost first nozzle body 912 to spray steam, and the first nozzle body 912 and the second nozzle body 914 The steam is supplied through the space between the second nozzle body 914 and the third nozzle body 916 and the steam is injected through the space between the second nozzle body 914 and the third nozzle body 916. By spraying steam from the inside to the outside of the plurality of nozzle bodies 912, 914 and 916, the steam can be diffused and sprayed over the entire substrate to be treated. This has the effect of pushing the particles (foreign matter) cleaned by the steam to the outside of the substrate to be treated.

도 12는 기판과의 간격이 비균일한 분사 노즐부의 실시예를 도시한 도면이다. 12 is a view showing an embodiment of an ejection nozzle unit in which the distance from the substrate is nonuniform.

도 12를 참조하면, 분사 노즐부(1210)는 중앙영역이 상부로 오목하게 형성된 배플판(1220)이 노즐몸체(1212)에 설치되어 형성될 수 있다. 배플판(1220)의 중앙영역과 서셉터(1202)에 안착된 피처리 기판(1203) 사이의 거리(d1)는 배플판(1220)의 주변영역과 피처리 기판(1203) 사이의 거리(d2) 보다 더 멀다. 다시 말해, 배플판(1220)은 가장자리(에지)로 갈수록 피처리 기판(1203)과의 거리가 좁아진다. 상기에서 설명한 바와 같이, 분사 노즐부(1210)의 개구부(1222)를 통해 중앙영역에서 분사되는 스팀의 양은 에지영역에서 분사되는 스팀의 양보다 더 많기 때문에 배플판(1220)을 오목한 형상으로 형성함으로써, 배플판(1220) 전체적으로 스팀이 균일하게 분사되도록 조절할 수 있다. Referring to FIG. 12, the injection nozzle unit 1210 may be formed by providing a baffle plate 1220 having a concave upward central region on a nozzle body 1212. The distance d1 between the center area of the baffle plate 1220 and the substrate 1203 placed on the susceptor 1202 is equal to the distance d2 between the peripheral area of the baffle plate 1220 and the substrate 1203 ). In other words, the distance between the baffle plate 1220 and the substrate 1203 becomes narrower toward the edge (edge). As described above, since the amount of steam injected from the central region through the opening 1222 of the injection nozzle unit 1210 is larger than the amount of steam injected from the edge region, the baffle plate 1220 is formed into a concave shape The steam can be uniformly injected into the baffle plate 1220 as a whole.

도 13은 흡입부가 장착된 분사 노즐부의 실시예를 도시한 도면이다.Fig. 13 is a view showing an embodiment of the injection nozzle portion equipped with the suction portion.

도 13을 참조하면, 분사 노즐부(1310)는 흡입부(1350)를 더 포함할 수 있다. 흡입부(1350)는 노즐몸체(1312)의 외측 둘레를 따라 설치되며 펌프(1360)와 연결된다. 분사 노즐부(1310)로 공급된 스팀은 피처리 기판(1303)의 상면 전체에 분사된다. 그러면 분사된 스팀에 의해 피처리 기판(1303)에 포함되어있던 파티클(이물질)은 스팀에 의해 세정되어 피처리 기판(1303)과 분리된다. 피처리 기판(1303)에서 분리된 파티클과 분사된 스팀은 분사 노즐부(1310)의 흡입부(1350)로 흡입되어 외부로 배출되거나, 필터링 후 재사용된다. Referring to FIG. 13, the injection nozzle unit 1310 may further include a suction unit 1350. The suction portion 1350 is installed along the outer periphery of the nozzle body 1312 and connected to the pump 1360. The steam supplied to the spray nozzle unit 1310 is sprayed on the entire upper surface of the target substrate 1303. Particles (foreign substances) contained in the target substrate 1303 are then cleaned by steam and separated from the target substrate 1303 by the sprayed steam. The particles separated from the target substrate 1303 and the sprayed steam are sucked into the suction unit 1350 of the spray nozzle unit 1310 and discharged to the outside or are filtered and reused.

분사 노즐부(1310)를 이용하여 피처리 기판(1303)에 스팀을 분사하여 파티클을 피처리 기판(1303)과 분리하고, 흡입부(1350)를 이용하여 분리된 파티클을 흡입함으로써 피처리 기판(1303)을 완전하게 세정할 수 있다. 또한 분리된 파티클을 제거하기 위한 별도의 공정을 수행할 필요가 없다. The particles are separated from the target substrate 1303 by spraying steam on the target substrate 1303 using the spray nozzle unit 1310 and the separated particles are sucked by using the suction unit 1350, 1303 can be completely cleaned. Further, there is no need to perform a separate process for removing the separated particles.

흡입부(1305)는 분사 노즐부(1310)에서 스팀을 분사하는 동시에 구동할 수도 있고, 분사 노즐부(1310)에서 스팀을 분사하여 파티클을 피처리 기판(1303)에서 분리한 후 구동할 수도 있다. The suction unit 1305 can be driven simultaneously with the spraying of the steam from the spray nozzle unit 1310 or the particles can be separated from the target substrate 1303 by spraying steam from the spray nozzle unit 1310 .

이상의 상세한 설명은 모든 면에서 제한적으로 해석되어서는 아니되고 예시적인 것으로 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 첨부된 청구항의 합리적 해석에 의해 결정되어야 하고, 본 발명의 등가적 범위 내에서의 모든 변경은 본 발명의 범위에 포함된다.The foregoing detailed description should not be construed in any way as being restrictive and should be considered illustrative. The scope of the present invention should be determined by rational interpretation of the appended claims, and all changes within the scope of equivalents of the present invention are included in the scope of the present invention.

Claims (10)

유체 공급원과 연결되어 유체를 공급받는 노즐몸체; 및
상기 노즐몸체에 구비되며 상기 유체 공급원으로부터 공급된 유체를 기판 전체에 분사하는 하나 이상의 개구부를 갖고, 상부방향으로 오목한 형태를 갖는 배플판을 포함하고,
상기 배플판으로부터 상기 기판까지의 거리는, 상기 배플판의 중앙영역에서 상기 배플판의 에지영역으로 갈수록 짧아지는 것을 특징으로 하는 기판 전체에 유체 분사가 가능한 노즐.
A nozzle body connected to the fluid supply source and supplied with the fluid; And
And a baffle plate provided in the nozzle body and having one or more openings for spraying the fluid supplied from the fluid supply source to the entire substrate, the baffle plate having an upwardly concave shape,
Wherein the distance from the baffle plate to the substrate is reduced from a central region of the baffle plate to an edge region of the baffle plate.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 개구부는,
슬릿 형상으로 형성된 기판 전체에 유체 분사가 가능한 노즐.
The method according to claim 1,
The opening
A nozzle capable of jetting fluid across a substrate formed in a slit shape.
제1항에 있어서,
상기 개구부는
상기 배플판의 중앙영역에 형성되는 센터 개구부; 및
상기 배플판의 중앙영역을 제외한 영역에 형성되는 에지 개구부를 포함하는 기판 전체에 유체 분사가 가능한 노즐.
The method according to claim 1,
The opening
A center opening formed in a central region of the baffle plate; And
Wherein the baffle plate has an edge opening formed in an area except for the central area of the baffle plate.
제1항에 있어서,
상기 노즐몸체는,
내부에 유체가 머무는 중공의 공간을 갖는 제1 노즐몸체; 및
상기 제1 노즐몸체와 이격되도록 상기 제1 노즐몸체가 내부에 구비되는 제2 노즐몸체를 포함하고,
상기 노즐몸체로 공급된 유체는,
상기 제1 노즐몸체를 통해 분사되고, 상기 제1노즐몸체와 상기 제2 노즐몸체 사이의 이격된 공간을 통해 분사되는 기판 전체에 유체 분사가 가능한 노즐.
The method according to claim 1,
The nozzle body includes:
A first nozzle body having a hollow space in which a fluid remains; And
And a second nozzle body in which the first nozzle body is disposed so as to be spaced apart from the first nozzle body,
The fluid supplied to the nozzle body is supplied to the nozzle body,
Wherein the nozzle is sprayed through the first nozzle body and is capable of jetting fluid across the substrate that is ejected through a spaced space between the first nozzle body and the second nozzle body.
제5항에 있어서,
상기 제1 노즐몸체로 공급되는 유체는 상기 제1 노즐몸체와 상기 제2 노즐몸체 사이의 이격된 공간으로 공급되는 유체와 동일한 시간에 공급되거나 또는 다른 시간에 공급되는 기판 전체에 유체 분사가 가능한 노즐.
6. The method of claim 5,
The fluid supplied to the first nozzle body may be supplied at the same time as the fluid supplied to the spaced space between the first nozzle body and the second nozzle body or may be supplied to the nozzle .
제1항에 있어서,
상기 기판으로 분사된 유체를 다시 흡입하는 흡입부를 더 포함하는 기판 전체에 유체 분사가 가능한 노즐.
The method according to claim 1,
And a suction part for sucking the fluid ejected from the substrate again.
제1항에 있어서,
상기 배플판은,
내부에 열선을 포함하는 기판 전체에 유체 분사가 가능한 노즐.
The method according to claim 1,
The baffle plate
A nozzle capable of fluid ejection over an entire substrate including a hot wire therein.
유체를 공급받아 가열하여 스팀을 생성하는 스팀 생성부;
상기 스팀 생성부와 연결되며, 제1항, 제3항 내지 제 8항 중 어느 하나로 형성되어 스팀을 분사하는 노즐; 및
상기 노즐이 설치되며, 내부에 기판을 지지하기 위한 서셉터가 구비되는 챔버를 포함하는 기판 전체에 유체 분사가 가능한 노즐을 이용한 기판 세정 시스템.
A steam generator for supplying steam to the steam generator to generate steam;
A nozzle connected to the steam generator and configured to spray steam by any one of the first to third aspects; And
Wherein a nozzle capable of ejecting fluid is used over the entire substrate including the chamber provided with the nozzle and the susceptor for supporting the substrate therein.
제9항에 있어서,
상기 서셉터는,
상기 노즐에서 스팀이 분사되는 동안 회전하는 기판 전체에 유체 분사가 가능한 노즐을 이용한 기판 세정 시스템.
10. The method of claim 9,
Wherein the susceptor comprises:
And a nozzle capable of jetting fluid onto the entire substrate rotated while the steam is sprayed from the nozzle.
KR1020170058480A 2017-05-11 2017-05-11 Nozzle capable of fluid spray at entire substrate and substrate cleaning system using the same KR101987711B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170058480A KR101987711B1 (en) 2017-05-11 2017-05-11 Nozzle capable of fluid spray at entire substrate and substrate cleaning system using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170058480A KR101987711B1 (en) 2017-05-11 2017-05-11 Nozzle capable of fluid spray at entire substrate and substrate cleaning system using the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180124266A KR20180124266A (en) 2018-11-21
KR101987711B1 true KR101987711B1 (en) 2019-06-11

Family

ID=64602420

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170058480A KR101987711B1 (en) 2017-05-11 2017-05-11 Nozzle capable of fluid spray at entire substrate and substrate cleaning system using the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101987711B1 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102232495B1 (en) * 2019-03-19 2021-03-26 무진전자 주식회사 Substrate drying chamber
KR102155962B1 (en) * 2019-05-21 2020-09-14 중앙대학교 산학협력단 Perforated vane assembly for semiconductor process to improve flow distribution
KR102682161B1 (en) * 2019-09-09 2024-07-08 주식회사 케이씨텍 Chamber cleaning device

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003309100A (en) * 2002-04-16 2003-10-31 Uct Kk Resist film removing device and method and organic matter removing device and method therefor
KR101095687B1 (en) * 2010-10-25 2011-12-20 주식회사 케이씨텍 Showerhead of atomic layer deposition apparatus

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101133285B1 (en) * 2009-03-25 2012-04-06 엘아이지에이디피 주식회사 Chemical vapor deposition appratus
KR101698433B1 (en) * 2015-04-30 2017-01-20 주식회사 에이씨엔 Plasma apparatus for vapor phase etching and cleaning

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003309100A (en) * 2002-04-16 2003-10-31 Uct Kk Resist film removing device and method and organic matter removing device and method therefor
KR101095687B1 (en) * 2010-10-25 2011-12-20 주식회사 케이씨텍 Showerhead of atomic layer deposition apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180124266A (en) 2018-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104014497B (en) Nozzle assembly, substrate treatment apparatus, and method of treating substrate
JP5732376B2 (en) Two-fluid nozzle, substrate liquid processing apparatus, and substrate liquid processing method
KR101828103B1 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method and non-transitory computer-readable storage medium
KR101987711B1 (en) Nozzle capable of fluid spray at entire substrate and substrate cleaning system using the same
TWI620238B (en) Substrate processing method and substrate processing device
WO2016158410A1 (en) Substrate treatment device and substrate treatment method
JP2009076918A (en) Substrate machining method, spin unit, and substrate machining device using the spin unit
KR19990013579A (en) Liquid treatment device
US20070125400A1 (en) In-line wafer cleaning system and method
KR100710803B1 (en) Apparatus for cleaning substrates
KR100695228B1 (en) Apparatus and method for treating a substrate
KR100749543B1 (en) A method and apparatus for cleaning substrates
KR100749544B1 (en) Apparatus and method for cleaning a substrate
CN111106033B (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP6329342B2 (en) Cleaning method and cleaning device
KR100672942B1 (en) Apparatus and method for drying substrates used in manufacturing semiconductor devices
TWI567847B (en) Wafer cleaning device and cleaning method
JP3979595B2 (en) Treatment liquid supply nozzle, treatment liquid supply apparatus, and nozzle cleaning method
JP2006061786A (en) Two-fluid jetting nozzle apparatus
KR101951764B1 (en) Nozzle capable of hitting power control of fluid and substrate cleaning system using the same
JP2009117826A (en) Substrate processing apparatus and method
KR102250362B1 (en) Predischarging unit, Apparatus and Method for treating substrate with the unit
JP6069398B2 (en) Two-fluid nozzle, substrate liquid processing apparatus, and substrate liquid processing method
JP2003017462A (en) Injector for glass substrate of for wafer treatment
CN211125592U (en) Substrate processing apparatus for removing impurities

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant