KR20200025542A - 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물 - Google Patents
화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20200025542A KR20200025542A KR1020180103031A KR20180103031A KR20200025542A KR 20200025542 A KR20200025542 A KR 20200025542A KR 1020180103031 A KR1020180103031 A KR 1020180103031A KR 20180103031 A KR20180103031 A KR 20180103031A KR 20200025542 A KR20200025542 A KR 20200025542A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- acid
- cmp
- slurry composition
- weight
- compound
- Prior art date
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 81
- 239000002002 slurry Substances 0.000 title claims abstract description 74
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 73
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract description 12
- -1 amine compound Chemical class 0.000 claims abstract description 90
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 47
- 150000001767 cationic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 33
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 claims abstract description 18
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims abstract description 13
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 35
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 12
- HEBKCHPVOIAQTA-UHFFFAOYSA-N meso ribitol Natural products OCC(O)C(O)C(O)CO HEBKCHPVOIAQTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 7
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N D-glucitol Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N 0.000 claims description 5
- HEBKCHPVOIAQTA-ZXFHETKHSA-N ribitol Chemical compound OC[C@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO HEBKCHPVOIAQTA-ZXFHETKHSA-N 0.000 claims description 5
- FBPFZTCFMRRESA-KAZBKCHUSA-N D-altritol Chemical compound OC[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-KAZBKCHUSA-N 0.000 claims description 4
- UNXHWFMMPAWVPI-UHFFFAOYSA-N Erythritol Natural products OCC(O)C(O)CO UNXHWFMMPAWVPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000000832 lactitol Substances 0.000 claims description 4
- 235000010448 lactitol Nutrition 0.000 claims description 4
- VQHSOMBJVWLPSR-JVCRWLNRSA-N lactitol Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]([C@H](O)CO)O[C@@H]1O[C@H](CO)[C@H](O)[C@H](O)[C@H]1O VQHSOMBJVWLPSR-JVCRWLNRSA-N 0.000 claims description 4
- 229960003451 lactitol Drugs 0.000 claims description 4
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 4
- 235000000346 sugar Nutrition 0.000 claims description 4
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 3
- FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N D-Glucitol Natural products OC[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N 0.000 claims description 3
- FBPFZTCFMRRESA-KVTDHHQDSA-N D-Mannitol Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-KVTDHHQDSA-N 0.000 claims description 3
- 229930195725 Mannitol Natural products 0.000 claims description 3
- JVWLUVNSQYXYBE-UHFFFAOYSA-N Ribitol Natural products OCC(C)C(O)C(O)CO JVWLUVNSQYXYBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FBPFZTCFMRRESA-GUCUJZIJSA-N galactitol Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-GUCUJZIJSA-N 0.000 claims description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 3
- 239000000594 mannitol Substances 0.000 claims description 3
- 235000010355 mannitol Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000000600 sorbitol Substances 0.000 claims description 3
- SERLAGPUMNYUCK-DCUALPFSSA-N 1-O-alpha-D-glucopyranosyl-D-mannitol Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO[C@H]1O[C@H](CO)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H]1O SERLAGPUMNYUCK-DCUALPFSSA-N 0.000 claims description 2
- FBPFZTCFMRRESA-FBXFSONDSA-N Allitol Chemical compound OC[C@H](O)[C@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-FBXFSONDSA-N 0.000 claims description 2
- HEBKCHPVOIAQTA-QWWZWVQMSA-N D-arabinitol Chemical compound OC[C@@H](O)C(O)[C@H](O)CO HEBKCHPVOIAQTA-QWWZWVQMSA-N 0.000 claims description 2
- OXQKEKGBFMQTML-UHFFFAOYSA-N D-glycero-D-gluco-heptitol Natural products OCC(O)C(O)C(O)C(O)C(O)CO OXQKEKGBFMQTML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FBPFZTCFMRRESA-ZXXMMSQZSA-N D-iditol Chemical compound OC[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-ZXXMMSQZSA-N 0.000 claims description 2
- UNXHWFMMPAWVPI-QWWZWVQMSA-N D-threitol Chemical compound OC[C@@H](O)[C@H](O)CO UNXHWFMMPAWVPI-QWWZWVQMSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004386 Erythritol Substances 0.000 claims description 2
- OXQKEKGBFMQTML-WAHCGKIUSA-N Perseitol Natural products OC[C@H](O)[C@H](O)C(O)[C@H](O)[C@H](O)CO OXQKEKGBFMQTML-WAHCGKIUSA-N 0.000 claims description 2
- TVXBFESIOXBWNM-UHFFFAOYSA-N Xylitol Natural products OCCC(O)C(O)C(O)CCO TVXBFESIOXBWNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UNXHWFMMPAWVPI-ZXZARUISSA-N erythritol Chemical compound OC[C@H](O)[C@H](O)CO UNXHWFMMPAWVPI-ZXZARUISSA-N 0.000 claims description 2
- 235000019414 erythritol Nutrition 0.000 claims description 2
- 229940009714 erythritol Drugs 0.000 claims description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 2
- 239000000905 isomalt Substances 0.000 claims description 2
- 235000010439 isomalt Nutrition 0.000 claims description 2
- HPIGCVXMBGOWTF-UHFFFAOYSA-N isomaltol Natural products CC(=O)C=1OC=CC=1O HPIGCVXMBGOWTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000845 maltitol Substances 0.000 claims description 2
- 235000010449 maltitol Nutrition 0.000 claims description 2
- VQHSOMBJVWLPSR-WUJBLJFYSA-N maltitol Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]([C@H](O)CO)O[C@H]1O[C@H](CO)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H]1O VQHSOMBJVWLPSR-WUJBLJFYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940035436 maltitol Drugs 0.000 claims description 2
- OXQKEKGBFMQTML-BIVRFLNRSA-N perseitol Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO OXQKEKGBFMQTML-BIVRFLNRSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000811 xylitol Substances 0.000 claims description 2
- 235000010447 xylitol Nutrition 0.000 claims description 2
- HEBKCHPVOIAQTA-SCDXWVJYSA-N xylitol Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)CO HEBKCHPVOIAQTA-SCDXWVJYSA-N 0.000 claims description 2
- 229960002675 xylitol Drugs 0.000 claims description 2
- 125000003275 alpha amino acid group Chemical group 0.000 claims 3
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 31
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 27
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 description 17
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 16
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 11
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 11
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 9
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 229940024606 amino acid Drugs 0.000 description 7
- 235000001014 amino acid Nutrition 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 7
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 5
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N D-gluconic acid Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N 0.000 description 4
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OTBHHUPVCYLGQO-UHFFFAOYSA-N bis(3-aminopropyl)amine Chemical compound NCCCNCCCN OTBHHUPVCYLGQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 4
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 4
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 4
- HBXWUCXDUUJDRB-UHFFFAOYSA-N 1-octadecoxyoctadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCOCCCCCCCCCCCCCCCCCC HBXWUCXDUUJDRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-tetramine Chemical compound NCCNCCNCCN VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZAXCZCOUDLENMH-UHFFFAOYSA-N 3,3,3-tetramine Chemical compound NCCCNCCCNCCCN ZAXCZCOUDLENMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XZIIFPSPUDAGJM-UHFFFAOYSA-N 6-chloro-2-n,2-n-diethylpyrimidine-2,4-diamine Chemical compound CCN(CC)C1=NC(N)=CC(Cl)=N1 XZIIFPSPUDAGJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N L-aspartic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(O)=O CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N 0.000 description 3
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N Terephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 3
- 235000003704 aspartic acid Nutrition 0.000 description 3
- 229960005261 aspartic acid Drugs 0.000 description 3
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 3
- OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N beta-carboxyaspartic acid Natural products OC(=O)C(N)C(C(O)=O)C(O)=O OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 3
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- SIOXPEMLGUPBBT-UHFFFAOYSA-N picolinic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=N1 SIOXPEMLGUPBBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 229940035044 sorbitan monolaurate Drugs 0.000 description 3
- PFNFFQXMRSDOHW-UHFFFAOYSA-N spermine Chemical compound NCCCNCCCCNCCCN PFNFFQXMRSDOHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N (S)-camphorsulfonic acid Chemical compound C1C[C@@]2(CS(O)(=O)=O)C(=O)C[C@@H]1C2(C)C MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N 0.000 description 2
- LDVVTQMJQSCDMK-UHFFFAOYSA-N 1,3-dihydroxypropan-2-yl formate Chemical compound OCC(CO)OC=O LDVVTQMJQSCDMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WXTMDXOMEHJXQO-UHFFFAOYSA-N 2,5-dihydroxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=CC=C1O WXTMDXOMEHJXQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JTGCXYYDAVPSFD-UHFFFAOYSA-N 4-(4-hydroxyphenyl)benzoic acid Chemical compound C1=CC(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(O)C=C1 JTGCXYYDAVPSFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCXJEYYXVJIFCE-UHFFFAOYSA-N 4-acetamidobenzoic acid Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(C(O)=O)C=C1 QCXJEYYXVJIFCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KMMMWIFBVVBJOD-UHFFFAOYSA-N 6-methylheptoxycyclohexane Chemical compound CC(C)CCCCCOC1CCCCC1 KMMMWIFBVVBJOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 description 2
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N D-gluconic acid Natural products OCC(O)C(O)C(O)C(O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N Glutamic acid Natural products OC(=O)C(N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N Glycolic acid Chemical compound OCC(O)=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N L-glutamic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N N-Vinyl-2-pyrrolidone Chemical compound C=CN1CCCC1=O WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PVNIIMVLHYAWGP-UHFFFAOYSA-N Niacin Chemical compound OC(=O)C1=CC=CN=C1 PVNIIMVLHYAWGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001213 Polysorbate 20 Polymers 0.000 description 2
- 229920001214 Polysorbate 60 Polymers 0.000 description 2
- LCTONWCANYUPML-UHFFFAOYSA-N Pyruvic acid Chemical compound CC(=O)C(O)=O LCTONWCANYUPML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N Trifluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 description 2
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 2
- XXROGKLTLUQVRX-UHFFFAOYSA-N allyl alcohol Chemical compound OCC=C XXROGKLTLUQVRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AWUCVROLDVIAJX-UHFFFAOYSA-N alpha-glycerophosphate Natural products OCC(O)COP(O)(O)=O AWUCVROLDVIAJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002280 amphoteric surfactant Substances 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 2
- RWZYAGGXGHYGMB-UHFFFAOYSA-N anthranilic acid Chemical compound NC1=CC=CC=C1C(O)=O RWZYAGGXGHYGMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UCMIRNVEIXFBKS-UHFFFAOYSA-N beta-alanine Chemical compound NCCC(O)=O UCMIRNVEIXFBKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MRNZSTMRDWRNNR-UHFFFAOYSA-N bis(hexamethylene)triamine Chemical compound NCCCCCCNCCCCCCN MRNZSTMRDWRNNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VHRGRCVQAFMJIZ-UHFFFAOYSA-N cadaverine Chemical compound NCCCCCN VHRGRCVQAFMJIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 2
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 2
- DTPCFIHYWYONMD-UHFFFAOYSA-N decaethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCOCCOCCOCCOCCOCCOCCOCCO DTPCFIHYWYONMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GHVNFZFCNZKVNT-UHFFFAOYSA-N decanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCC(O)=O GHVNFZFCNZKVNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- JXTHNDFMNIQAHM-UHFFFAOYSA-N dichloroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(Cl)Cl JXTHNDFMNIQAHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Natural products C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002016 disaccharides Chemical class 0.000 description 2
- POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N dodecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCC(O)=O POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium dioxide Chemical compound O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000174 gluconic acid Substances 0.000 description 2
- 235000012208 gluconic acid Nutrition 0.000 description 2
- 235000013922 glutamic acid Nutrition 0.000 description 2
- 229960002989 glutamic acid Drugs 0.000 description 2
- 239000004220 glutamic acid Substances 0.000 description 2
- MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-N heptanoic acid Chemical compound CCCCCCC(O)=O MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N hexadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- SUMDYPCJJOFFON-UHFFFAOYSA-N isethionic acid Chemical compound OCCS(O)(=O)=O SUMDYPCJJOFFON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002772 monosaccharides Chemical class 0.000 description 2
- LSHROXHEILXKHM-UHFFFAOYSA-N n'-[2-[2-[2-(2-aminoethylamino)ethylamino]ethylamino]ethyl]ethane-1,2-diamine Chemical compound NCCNCCNCCNCCNCCN LSHROXHEILXKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XTEGVFVZDVNBPF-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,5-disulfonic acid Chemical compound C1=CC=C2C(S(=O)(=O)O)=CC=CC2=C1S(O)(=O)=O XTEGVFVZDVNBPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BDJRBEYXGGNYIS-UHFFFAOYSA-N nonanedioic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCCCC(O)=O BDJRBEYXGGNYIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FBUKVWPVBMHYJY-UHFFFAOYSA-N nonanoic acid Chemical compound CCCCCCCCC(O)=O FBUKVWPVBMHYJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 2
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N octanoic acid Chemical compound CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002114 octoxynol-9 Polymers 0.000 description 2
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- PXQPEWDEAKTCGB-UHFFFAOYSA-N orotic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(=O)NC(=O)N1 PXQPEWDEAKTCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WLJVNTCWHIRURA-UHFFFAOYSA-N pimelic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCC(O)=O WLJVNTCWHIRURA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003209 poly(hydridosilsesquioxane) Polymers 0.000 description 2
- 229920000259 polyoxyethylene lauryl ether Polymers 0.000 description 2
- 239000000256 polyoxyethylene sorbitan monolaurate Substances 0.000 description 2
- 235000010486 polyoxyethylene sorbitan monolaurate Nutrition 0.000 description 2
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 2
- CYIDZMCFTVVTJO-UHFFFAOYSA-N pyromellitic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(C(O)=O)=C(C(O)=O)C=C1C(O)=O CYIDZMCFTVVTJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N salicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CXMXRPHRNRROMY-UHFFFAOYSA-N sebacic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCCCCC(O)=O CXMXRPHRNRROMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- AWUCVROLDVIAJX-GSVOUGTGSA-N sn-glycerol 3-phosphate Chemical compound OC[C@@H](O)COP(O)(O)=O AWUCVROLDVIAJX-GSVOUGTGSA-N 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- TYFQFVWCELRYAO-UHFFFAOYSA-N suberic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCCC(O)=O TYFQFVWCELRYAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000008163 sugars Chemical class 0.000 description 2
- UODZHRGDSPLRMD-UHFFFAOYSA-N sym-homospermidine Chemical compound NCCCCNCCCCN UODZHRGDSPLRMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAGUFWYHJQFNRV-UHFFFAOYSA-N tetraethylenepentamine Chemical compound NCCNCCNCCNCCN FAGUFWYHJQFNRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ARCGXLSVLAOJQL-UHFFFAOYSA-N trimellitic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 ARCGXLSVLAOJQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XFNJVJPLKCPIBV-UHFFFAOYSA-N trimethylenediamine Chemical compound NCCCN XFNJVJPLKCPIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N valeric acid Chemical compound CCCCC(O)=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QBYIENPQHBMVBV-HFEGYEGKSA-N (2R)-2-hydroxy-2-phenylacetic acid Chemical compound O[C@@H](C(O)=O)c1ccccc1.O[C@@H](C(O)=O)c1ccccc1 QBYIENPQHBMVBV-HFEGYEGKSA-N 0.000 description 1
- MTCFGRXMJLQNBG-REOHCLBHSA-N (2S)-2-Amino-3-hydroxypropansäure Chemical compound OC[C@H](N)C(O)=O MTCFGRXMJLQNBG-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- JNYAEWCLZODPBN-JGWLITMVSA-N (2r,3r,4s)-2-[(1r)-1,2-dihydroxyethyl]oxolane-3,4-diol Chemical compound OC[C@@H](O)[C@H]1OC[C@H](O)[C@H]1O JNYAEWCLZODPBN-JGWLITMVSA-N 0.000 description 1
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- FFJCNSLCJOQHKM-CLFAGFIQSA-N (z)-1-[(z)-octadec-9-enoxy]octadec-9-ene Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCOCCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC FFJCNSLCJOQHKM-CLFAGFIQSA-N 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M .beta-Phenylacrylic acid Natural products [O-]C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M 0.000 description 1
- 150000000178 1,2,4-triazoles Chemical class 0.000 description 1
- ZPFAVCIQZKRBGF-UHFFFAOYSA-N 1,3,2-dioxathiolane 2,2-dioxide Chemical compound O=S1(=O)OCCO1 ZPFAVCIQZKRBGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LKLLNYWECKEQIB-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-triazinane Chemical compound C1NCNCN1 LKLLNYWECKEQIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWGJDPKCLMLPJW-UHFFFAOYSA-N 1,8-diaminooctane Chemical compound NCCCCCCCCN PWGJDPKCLMLPJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FDCJDKXCCYFOCV-UHFFFAOYSA-N 1-hexadecoxyhexadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCOCCCCCCCCCCCCCCCC FDCJDKXCCYFOCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJJCQDRGABAVBB-UHFFFAOYSA-N 1-hydroxy-2-naphthoic acid Chemical compound C1=CC=CC2=C(O)C(C(=O)O)=CC=C21 SJJCQDRGABAVBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 1-methylsulfonylpiperidin-4-one Chemical compound CS(=O)(=O)N1CCC(=O)CC1 RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNETULKMXZVUST-UHFFFAOYSA-N 1-naphthoic acid Chemical compound C1=CC=C2C(C(=O)O)=CC=CC2=C1 LNETULKMXZVUST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FRPZMMHWLSIFAZ-UHFFFAOYSA-N 10-undecenoic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCCCCC=C FRPZMMHWLSIFAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWENRTYMTSOGBR-UHFFFAOYSA-N 1H-1,2,3-Triazole Chemical compound C=1C=NNN=1 QWENRTYMTSOGBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTMRRSWNXVJMBA-UHFFFAOYSA-N 2,2-diethylpropanedioic acid Chemical compound CCC(CC)(C(O)=O)C(O)=O LTMRRSWNXVJMBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UWMHHZFHBCYGCV-UHFFFAOYSA-N 2,3,2-tetramine Chemical compound NCCNCCCNCCN UWMHHZFHBCYGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NMSBTWLFBGNKON-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hexadecoxyethoxy)ethanol Chemical group CCCCCCCCCCCCCCCCOCCOCCO NMSBTWLFBGNKON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ILCOCZBHMDEIAI-UHFFFAOYSA-N 2-(2-octadecoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCOCCOCCO ILCOCZBHMDEIAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1h-imidazole Chemical compound FC1=CC=CC(C=2NC=CN=2)=C1 JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MMEDJBFVJUFIDD-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(carboxymethyl)phenyl]acetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=CC=C1CC(O)=O MMEDJBFVJUFIDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZHMUMDLGQBRJIW-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[2-[2-[2-[2-[2-[2-[2-[2-[2-[2-[2-[2-[2-[2-[2-[2-[2-(2-hydroxyethoxy)ethoxy]ethoxy]ethoxy]ethoxy]ethoxy]ethoxy]ethoxy]ethoxy]ethoxy]ethoxy]ethoxy]ethoxy]ethoxy]ethoxy]ethoxy]ethoxy]ethoxy]ethoxy]ethanol Chemical compound OCCOCCOCCOCCOCCOCCOCCOCCOCCOCCOCCOCCOCCOCCOCCOCCOCCOCCOCCOCCO ZHMUMDLGQBRJIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RFVNOJDQRGSOEL-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl octadecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OCCO RFVNOJDQRGSOEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBMHZKUEKASKNY-UHFFFAOYSA-N 2-nonylphenol Chemical compound CCCCCCCCCC1=CC=CC=C1O.CCCCCCCCCC1=CC=CC=C1O HBMHZKUEKASKNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KPGXRSRHYNQIFN-UHFFFAOYSA-N 2-oxoglutaric acid Chemical compound OC(=O)CCC(=O)C(O)=O KPGXRSRHYNQIFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WLJVXDMOQOGPHL-PPJXEINESA-N 2-phenylacetic acid Chemical compound O[14C](=O)CC1=CC=CC=C1 WLJVXDMOQOGPHL-PPJXEINESA-N 0.000 description 1
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RXFCIXRFAJRBSG-UHFFFAOYSA-N 3,2,3-tetramine Chemical compound NCCCNCCNCCCN RXFCIXRFAJRBSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQTWXIRTTKHYSK-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(3-carboxypropyl)phenyl]butanoic acid Chemical compound OC(=O)CCCC1=CC=CC=C1CCCC(O)=O FQTWXIRTTKHYSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUBBRNOQWQTFEX-UHFFFAOYSA-N 4-aminosalicylic acid Chemical compound NC1=CC=C(C(O)=O)C(O)=C1 WUBBRNOQWQTFEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJZRECIVHVDYJC-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxybutyric acid Chemical compound OCCCC(O)=O SJZRECIVHVDYJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODHCTXKNWHHXJC-VKHMYHEASA-N 5-oxo-L-proline Chemical compound OC(=O)[C@@H]1CCC(=O)N1 ODHCTXKNWHHXJC-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- JCJUKCIXTRWAQY-UHFFFAOYSA-N 6-hydroxynaphthalene-1-carboxylic acid Chemical compound OC1=CC=C2C(C(=O)O)=CC=CC2=C1 JCJUKCIXTRWAQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVZFHCZCIBYFMZ-UHFFFAOYSA-N 6-methylheptoxybenzene Chemical compound CC(C)CCCCCOC1=CC=CC=C1 ZVZFHCZCIBYFMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PLLBRTOLHQQAQQ-UHFFFAOYSA-N 8-methylnonan-1-ol Chemical compound CC(C)CCCCCCCO PLLBRTOLHQQAQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004475 Arginine Substances 0.000 description 1
- DCXYFEDJOCDNAF-UHFFFAOYSA-N Asparagine Natural products OC(=O)C(N)CC(N)=O DCXYFEDJOCDNAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- QYOVMAREBTZLBT-KTKRTIGZSA-N CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCOCCOCCOCCOCCOCCOCCOCCOCCOCCOCCO Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCOCCOCCOCCOCCOCCOCCOCCOCCOCCOCCO QYOVMAREBTZLBT-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- LSPHULWDVZXLIL-UHFFFAOYSA-N Camphoric acid Natural products CC1(C)C(C(O)=O)CCC1(C)C(O)=O LSPHULWDVZXLIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005632 Capric acid (CAS 334-48-5) Substances 0.000 description 1
- 239000005635 Caprylic acid (CAS 124-07-2) Substances 0.000 description 1
- KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N Carbamic acid Chemical class NC(O)=O KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-SREVYHEPSA-N Cinnamic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-SREVYHEPSA-N 0.000 description 1
- AEMOLEFTQBMNLQ-AQKNRBDQSA-N D-glucopyranuronic acid Chemical compound OC1O[C@H](C(O)=O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H]1O AEMOLEFTQBMNLQ-AQKNRBDQSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPVVYTCTZKCSOJ-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol distearate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OCCOC(=O)CCCCCCCCCCCCCCCCC FPVVYTCTZKCSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical group C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 1
- DSLZVSRJTYRBFB-UHFFFAOYSA-N Galactaric acid Natural products OC(=O)C(O)C(O)C(O)C(O)C(O)=O DSLZVSRJTYRBFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IAJILQKETJEXLJ-UHFFFAOYSA-N Galacturonsaeure Natural products O=CC(O)C(O)C(O)C(O)C(O)=O IAJILQKETJEXLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- DJOWTWWHMWQATC-KYHIUUMWSA-N Karpoxanthin Natural products CC(=C/C=C/C=C(C)/C=C/C=C(C)/C=C/C1(O)C(C)(C)CC(O)CC1(C)O)C=CC=C(/C)C=CC2=C(C)CC(O)CC2(C)C DJOWTWWHMWQATC-KYHIUUMWSA-N 0.000 description 1
- XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N L-Cysteine Chemical compound SC[C@H](N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- ONIBWKKTOPOVIA-BYPYZUCNSA-N L-Proline Chemical compound OC(=O)[C@@H]1CCCN1 ONIBWKKTOPOVIA-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 1
- QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N L-alanine Chemical compound C[C@H](N)C(O)=O QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-P L-argininium(2+) Chemical compound NC(=[NH2+])NCCC[C@H]([NH3+])C(O)=O ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-P 0.000 description 1
- DCXYFEDJOCDNAF-REOHCLBHSA-N L-asparagine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(N)=O DCXYFEDJOCDNAF-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- ZDXPYRJPNDTMRX-VKHMYHEASA-N L-glutamine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(N)=O ZDXPYRJPNDTMRX-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- HNDVDQJCIGZPNO-YFKPBYRVSA-N L-histidine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CN=CN1 HNDVDQJCIGZPNO-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- AGPKZVBTJJNPAG-WHFBIAKZSA-N L-isoleucine Chemical compound CC[C@H](C)[C@H](N)C(O)=O AGPKZVBTJJNPAG-WHFBIAKZSA-N 0.000 description 1
- ROHFNLRQFUQHCH-YFKPBYRVSA-N L-leucine Chemical compound CC(C)C[C@H](N)C(O)=O ROHFNLRQFUQHCH-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- KDXKERNSBIXSRK-YFKPBYRVSA-N L-lysine Chemical compound NCCCC[C@H](N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- FFEARJCKVFRZRR-BYPYZUCNSA-N L-methionine Chemical compound CSCC[C@H](N)C(O)=O FFEARJCKVFRZRR-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 1
- COLNVLDHVKWLRT-QMMMGPOBSA-N L-phenylalanine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CC=CC=C1 COLNVLDHVKWLRT-QMMMGPOBSA-N 0.000 description 1
- AYFVYJQAPQTCCC-GBXIJSLDSA-N L-threonine Chemical compound C[C@@H](O)[C@H](N)C(O)=O AYFVYJQAPQTCCC-GBXIJSLDSA-N 0.000 description 1
- QIVBCDIJIAJPQS-VIFPVBQESA-N L-tryptophane Chemical compound C1=CC=C2C(C[C@H](N)C(O)=O)=CNC2=C1 QIVBCDIJIAJPQS-VIFPVBQESA-N 0.000 description 1
- OUYCCCASQSFEME-QMMMGPOBSA-N L-tyrosine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CC=C(O)C=C1 OUYCCCASQSFEME-QMMMGPOBSA-N 0.000 description 1
- KZSNJWFQEVHDMF-BYPYZUCNSA-N L-valine Chemical compound CC(C)[C@H](N)C(O)=O KZSNJWFQEVHDMF-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 1
- 239000005639 Lauric acid Substances 0.000 description 1
- ROHFNLRQFUQHCH-UHFFFAOYSA-N Leucine Natural products CC(C)CC(N)C(O)=O ROHFNLRQFUQHCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N Lysine Natural products NCCCCC(N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004472 Lysine Substances 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000131360 Morinda citrifolia Species 0.000 description 1
- RMIVMBYMDISYFZ-UHFFFAOYSA-N N-methylputrescine Chemical compound CNCCCCN RMIVMBYMDISYFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WCWOEQFAYSXBRK-UHFFFAOYSA-N NC(C(C1O)O)OC(CO)C1O Chemical compound NC(C(C1O)O)OC(CO)C1O WCWOEQFAYSXBRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000305 Nylon 6,10 Polymers 0.000 description 1
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000021314 Palmitic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000005643 Pelargonic acid Substances 0.000 description 1
- 229920000362 Polyethylene-block-poly(ethylene glycol) Polymers 0.000 description 1
- ONIBWKKTOPOVIA-UHFFFAOYSA-N Proline Natural products OC(=O)C1CCCN1 ONIBWKKTOPOVIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODHCTXKNWHHXJC-GSVOUGTGSA-N Pyroglutamic acid Natural products OC(=O)[C@H]1CCC(=O)N1 ODHCTXKNWHHXJC-GSVOUGTGSA-N 0.000 description 1
- IWYDHOAUDWTVEP-UHFFFAOYSA-N R-2-phenyl-2-hydroxyacetic acid Natural products OC(=O)C(O)C1=CC=CC=C1 IWYDHOAUDWTVEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTCFGRXMJLQNBG-UHFFFAOYSA-N Serine Natural products OCC(N)C(O)=O MTCFGRXMJLQNBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M Sodium laurylsulphate Chemical compound [Na+].CCCCCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- BCKXLBQYZLBQEK-KVVVOXFISA-M Sodium oleate Chemical compound [Na+].CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC([O-])=O BCKXLBQYZLBQEK-KVVVOXFISA-M 0.000 description 1
- IYFATESGLOUGBX-YVNJGZBMSA-N Sorbitan monopalmitate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](O)[C@H]1OC[C@H](O)[C@H]1O IYFATESGLOUGBX-YVNJGZBMSA-N 0.000 description 1
- HVUMOYIDDBPOLL-XWVZOOPGSA-N Sorbitan monostearate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](O)[C@H]1OC[C@H](O)[C@H]1O HVUMOYIDDBPOLL-XWVZOOPGSA-N 0.000 description 1
- PRXRUNOAOLTIEF-ADSICKODSA-N Sorbitan trioleate Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(=O)OC[C@@H](OC(=O)CCCCCCC\C=C/CCCCCCCC)[C@H]1OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)CCCCCCC\C=C/CCCCCCCC PRXRUNOAOLTIEF-ADSICKODSA-N 0.000 description 1
- 239000004147 Sorbitan trioleate Substances 0.000 description 1
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AYFVYJQAPQTCCC-UHFFFAOYSA-N Threonine Natural products CC(O)C(N)C(O)=O AYFVYJQAPQTCCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004473 Threonine Substances 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QIVBCDIJIAJPQS-UHFFFAOYSA-N Tryptophan Natural products C1=CC=C2C(CC(N)C(O)=O)=CNC2=C1 QIVBCDIJIAJPQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZSNJWFQEVHDMF-UHFFFAOYSA-N Valine Natural products CC(C)C(N)C(O)=O KZSNJWFQEVHDMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RKZXQQPEDGMHBJ-LIGJGSPWSA-N [(2s,3r,4r,5r)-2,3,4,5,6-pentakis[[(z)-octadec-9-enoyl]oxy]hexyl] (z)-octadec-9-enoate Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(=O)OC[C@@H](OC(=O)CCCCCCC\C=C/CCCCCCCC)[C@@H](OC(=O)CCCCCCC\C=C/CCCCCCCC)[C@H](OC(=O)CCCCCCC\C=C/CCCCCCCC)[C@@H](OC(=O)CCCCCCC\C=C/CCCCCCCC)COC(=O)CCCCCCC\C=C/CCCCCCCC RKZXQQPEDGMHBJ-LIGJGSPWSA-N 0.000 description 1
- QLBRROYTTDFLDX-UHFFFAOYSA-N [3-(aminomethyl)cyclohexyl]methanamine Chemical compound NCC1CCCC(CN)C1 QLBRROYTTDFLDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OXIKYYJDTWKERT-UHFFFAOYSA-N [4-(aminomethyl)cyclohexyl]methanamine Chemical compound NCC1CCC(CN)CC1 OXIKYYJDTWKERT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODHCTXKNWHHXJC-UHFFFAOYSA-N acide pyroglutamique Natural products OC(=O)C1CCC(=O)N1 ODHCTXKNWHHXJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 1
- 235000004279 alanine Nutrition 0.000 description 1
- 229960003767 alanine Drugs 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 125000005037 alkyl phenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005211 alkyl trimethyl ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229960004909 aminosalicylic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- BTBJBAZGXNKLQC-UHFFFAOYSA-N ammonium lauryl sulfate Chemical compound [NH4+].CCCCCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O BTBJBAZGXNKLQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940063953 ammonium lauryl sulfate Drugs 0.000 description 1
- JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N anhydrous glutaric acid Natural products OC(=O)CCCC(O)=O JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N anhydrous quinoline Natural products N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940058302 antinematodal agent piperazine and derivative Drugs 0.000 description 1
- ODKSFYDXXFIFQN-UHFFFAOYSA-N arginine Natural products OC(=O)C(N)CCCNC(N)=N ODKSFYDXXFIFQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000009697 arginine Nutrition 0.000 description 1
- 229960003121 arginine Drugs 0.000 description 1
- 235000010323 ascorbic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229960005070 ascorbic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000011668 ascorbic acid Substances 0.000 description 1
- 235000009582 asparagine Nutrition 0.000 description 1
- 229960001230 asparagine Drugs 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000686 benzalkonium chloride Drugs 0.000 description 1
- SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N benzenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940092714 benzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- CADWTSSKOVRVJC-UHFFFAOYSA-N benzyl(dimethyl)azanium;chloride Chemical compound [Cl-].C[NH+](C)CC1=CC=CC=C1 CADWTSSKOVRVJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSWZFWKMSRAUBD-UHFFFAOYSA-N beta-D-galactosamine Natural products NC1C(O)OC(CO)C(O)C1O MSWZFWKMSRAUBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940000635 beta-alanine Drugs 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- LSPHULWDVZXLIL-QUBYGPBYSA-N camphoric acid Chemical compound CC1(C)[C@H](C(O)=O)CC[C@]1(C)C(O)=O LSPHULWDVZXLIL-QUBYGPBYSA-N 0.000 description 1
- KHAVLLBUVKBTBG-UHFFFAOYSA-N caproleic acid Natural products OC(=O)CCCCCCCC=C KHAVLLBUVKBTBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010980 cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 235000013985 cinnamic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229930016911 cinnamic acid Natural products 0.000 description 1
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000000975 co-precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000000625 cyclamic acid and its Na and Ca salt Substances 0.000 description 1
- HCAJEUSONLESMK-UHFFFAOYSA-N cyclohexylsulfamic acid Chemical compound OS(=O)(=O)NC1CCCCC1 HCAJEUSONLESMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000018417 cysteine Nutrition 0.000 description 1
- 229960002433 cysteine Drugs 0.000 description 1
- XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N cysteine Natural products SCC(N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 1
- RMGVZKRVHHSUIM-UHFFFAOYSA-N dithionic acid Chemical class OS(=O)(=O)S(O)(=O)=O RMGVZKRVHHSUIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GVGUFUZHNYFZLC-UHFFFAOYSA-N dodecyl benzenesulfonate;sodium Chemical compound [Na].CCCCCCCCCCCCOS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 GVGUFUZHNYFZLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MOTZDAYCYVMXPC-UHFFFAOYSA-N dodecyl hydrogen sulfate Chemical compound CCCCCCCCCCCCOS(O)(=O)=O MOTZDAYCYVMXPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002296 dynamic light scattering Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- ZNSMQAWUTCXMJI-UHFFFAOYSA-N ethane-1,2-diamine;2-methyloxirane;oxirane Chemical compound C1CO1.CC1CO1.NCCN ZNSMQAWUTCXMJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SUHUKEQAOUOUJO-UHFFFAOYSA-N ethane-1,2-diol;2,4,7,9-tetramethyldec-5-yne-4,7-diol Chemical compound OCCO.CC(C)CC(C)(O)C#CC(C)(O)CC(C)C SUHUKEQAOUOUJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFAXGSQYZLGZPG-UHFFFAOYSA-N ethanedisulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)CCS(O)(=O)=O AFAXGSQYZLGZPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CCIVGXIOQKPBKL-UHFFFAOYSA-M ethanesulfonate Chemical compound CCS([O-])(=O)=O CCIVGXIOQKPBKL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940052303 ethers for general anesthesia Drugs 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- 235000011087 fumaric acid Nutrition 0.000 description 1
- ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-f][2]benzofuran-1,3,5,7-tetrone Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC2=C1C(=O)OC2=O ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DSLZVSRJTYRBFB-DUHBMQHGSA-N galactaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)C(O)=O DSLZVSRJTYRBFB-DUHBMQHGSA-N 0.000 description 1
- 229960005219 gentisic acid Drugs 0.000 description 1
- 229960002442 glucosamine Drugs 0.000 description 1
- 229940097043 glucuronic acid Drugs 0.000 description 1
- ZDXPYRJPNDTMRX-UHFFFAOYSA-N glutamine Natural products OC(=O)C(N)CCC(N)=O ZDXPYRJPNDTMRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000004554 glutamine Nutrition 0.000 description 1
- 229960002743 glutamine Drugs 0.000 description 1
- 150000004676 glycans Chemical class 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 229960002449 glycine Drugs 0.000 description 1
- 229940100608 glycol distearate Drugs 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 229940093915 gynecological organic acid Drugs 0.000 description 1
- PWSKHLMYTZNYKO-UHFFFAOYSA-N heptane-1,7-diamine Chemical compound NCCCCCCCN PWSKHLMYTZNYKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004312 hexamethylene tetramine Substances 0.000 description 1
- 235000010299 hexamethylene tetramine Nutrition 0.000 description 1
- VKYKSIONXSXAKP-UHFFFAOYSA-N hexamethylenetetramine Chemical compound C1N(C2)CN3CN1CN2C3 VKYKSIONXSXAKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diamine Chemical compound NCCCCCCN NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000014304 histidine Nutrition 0.000 description 1
- 229960002885 histidine Drugs 0.000 description 1
- HNDVDQJCIGZPNO-UHFFFAOYSA-N histidine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CN=CN1 HNDVDQJCIGZPNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229960000310 isoleucine Drugs 0.000 description 1
- AGPKZVBTJJNPAG-UHFFFAOYSA-N isoleucine Natural products CCC(C)C(N)C(O)=O AGPKZVBTJJNPAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-L isophthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=CC(C([O-])=O)=C1 QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- GKQPCPXONLDCMU-CCEZHUSRSA-N lacidipine Chemical compound CCOC(=O)C1=C(C)NC(C)=C(C(=O)OCC)C1C1=CC=CC=C1\C=C\C(=O)OC(C)(C)C GKQPCPXONLDCMU-CCEZHUSRSA-N 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000000787 lecithin Substances 0.000 description 1
- 235000010445 lecithin Nutrition 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 235000018977 lysine Nutrition 0.000 description 1
- 229960003646 lysine Drugs 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229960002510 mandelic acid Drugs 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- RTWNYYOXLSILQN-UHFFFAOYSA-N methanediamine Chemical compound NCN RTWNYYOXLSILQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 229930182817 methionine Natural products 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-UHFFFAOYSA-N methyl p-hydroxycinnamate Natural products OC(=O)C=CC1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- DTSDBGVDESRKKD-UHFFFAOYSA-N n'-(2-aminoethyl)propane-1,3-diamine Chemical compound NCCCNCCN DTSDBGVDESRKKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQKGNRMGQFTFIU-UHFFFAOYSA-N n'-(5-aminopentyl)pentane-1,5-diamine Chemical compound NCCCCCNCCCCCN LQKGNRMGQFTFIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AQGNVWRYTKPRMR-UHFFFAOYSA-N n'-[2-[2-[2-[2-(2-aminoethylamino)ethylamino]ethylamino]ethylamino]ethyl]ethane-1,2-diamine Chemical compound NCCNCCNCCNCCNCCNCCN AQGNVWRYTKPRMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCSRPJMGDRNYCY-UHFFFAOYSA-N n'-[2-[bis(3-aminopropyl)amino]ethyl]propane-1,3-diamine Chemical compound NCCCNCCN(CCCN)CCCN YCSRPJMGDRNYCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XVQKINPUNPALRP-UHFFFAOYSA-N n'-[3-[bis(3-aminopropyl)amino]propyl]propane-1,3-diamine Chemical compound NCCCNCCCN(CCCN)CCCN XVQKINPUNPALRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPSHOHKFHRFBAZ-UHFFFAOYSA-N n'-[4-(4-aminobutylamino)butyl]butane-1,4-diamine Chemical compound NCCCCNCCCCNCCCCN RPSHOHKFHRFBAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DFPGBRPWDZFIPP-UHFFFAOYSA-N n'-butylethane-1,2-diamine Chemical compound CCCCNCCN DFPGBRPWDZFIPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SCZVXVGZMZRGRU-UHFFFAOYSA-N n'-ethylethane-1,2-diamine Chemical compound CCNCCN SCZVXVGZMZRGRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHDAZBOLBZOFHJ-UHFFFAOYSA-N n'-methyldecane-1,10-diamine Chemical compound CNCCCCCCCCCCN KHDAZBOLBZOFHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KFIGICHILYTCJF-UHFFFAOYSA-N n'-methylethane-1,2-diamine Chemical compound CNCCN KFIGICHILYTCJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYEIRLHVLCIHCN-UHFFFAOYSA-N n'-methylheptane-1,7-diamine Chemical compound CNCCCCCCCN YYEIRLHVLCIHCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYFWLCJAPSAGCG-UHFFFAOYSA-N n'-methylhexane-1,6-diamine Chemical compound CNCCCCCCN OYFWLCJAPSAGCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJYJPJFYKNOGEK-UHFFFAOYSA-N n'-methylnonane-1,9-diamine Chemical compound CNCCCCCCCCCN GJYJPJFYKNOGEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYZLXDXICHITBR-UHFFFAOYSA-N n'-methyloctane-1,8-diamine Chemical compound CNCCCCCCCCN HYZLXDXICHITBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BYVVEGMFBFDFHN-UHFFFAOYSA-N n'-methylpentane-1,5-diamine Chemical compound CNCCCCCN BYVVEGMFBFDFHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QHJABUZHRJTCAR-UHFFFAOYSA-N n'-methylpropane-1,3-diamine Chemical compound CNCCCN QHJABUZHRJTCAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXLXOYCUZBLQAR-UHFFFAOYSA-N n'-methylundecane-1,11-diamine Chemical compound CNCCCCCCCCCCCN HXLXOYCUZBLQAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFNHVUGPXZUTRR-UHFFFAOYSA-N n'-propylethane-1,2-diamine Chemical compound CCCNCCN CFNHVUGPXZUTRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODBJKENDOPPIFT-UHFFFAOYSA-N n,n'-bis(2-aminoethyl)butane-1,4-diamine Chemical compound NCCNCCCCNCCN ODBJKENDOPPIFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KGHYGBGIWLNFAV-UHFFFAOYSA-N n,n'-ditert-butylethane-1,2-diamine Chemical compound CC(C)(C)NCCNC(C)(C)C KGHYGBGIWLNFAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMQSHEKGGUOYJS-UHFFFAOYSA-N n,n,n',n'-tetramethylpropane-1,3-diamine Chemical compound CN(C)CCCN(C)C DMQSHEKGGUOYJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N n-Pentadecanoic acid Natural products CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DFFZOPXDTCDZDP-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,5-dicarboxylic acid Chemical compound C1=CC=C2C(C(=O)O)=CC=CC2=C1C(O)=O DFFZOPXDTCDZDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RXOHFPCZGPKIRD-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2,6-dicarboxylic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C=CC2=CC(C(=O)O)=CC=C21 RXOHFPCZGPKIRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000001968 nicotinic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229960003512 nicotinic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000011664 nicotinic acid Substances 0.000 description 1
- 235000017524 noni Nutrition 0.000 description 1
- LUZHBLZCTFCXSQ-UHFFFAOYSA-N nonoxycyclohexane Chemical compound CCCCCCCCCOC1CCCCC1 LUZHBLZCTFCXSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960002446 octanoic acid Drugs 0.000 description 1
- ZPIRTVJRHUMMOI-UHFFFAOYSA-N octoxybenzene Chemical compound CCCCCCCCOC1=CC=CC=C1 ZPIRTVJRHUMMOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940049964 oleate Drugs 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 229960005010 orotic acid Drugs 0.000 description 1
- 125000006353 oxyethylene group Chemical group 0.000 description 1
- WLJNZVDCPSBLRP-UHFFFAOYSA-N pamoic acid Chemical compound C1=CC=C2C(CC=3C4=CC=CC=C4C=C(C=3O)C(=O)O)=C(O)C(C(O)=O)=CC2=C1 WLJNZVDCPSBLRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N papa-hydroxy-benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- COLNVLDHVKWLRT-UHFFFAOYSA-N phenylalanine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CC=CC=C1 COLNVLDHVKWLRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229940081066 picolinic acid Drugs 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229920001515 polyalkylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920001282 polysaccharide Polymers 0.000 description 1
- 239000005017 polysaccharide Substances 0.000 description 1
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 1
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 1
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 1
- WSHYKIAQCMIPTB-UHFFFAOYSA-M potassium;2-oxo-3-(3-oxo-1-phenylbutyl)chromen-4-olate Chemical compound [K+].[O-]C=1C2=CC=CC=C2OC(=O)C=1C(CC(=O)C)C1=CC=CC=C1 WSHYKIAQCMIPTB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 229960002429 proline Drugs 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- KIDHWZJUCRJVML-UHFFFAOYSA-N putrescine Chemical compound NCCCCN KIDHWZJUCRJVML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940107700 pyruvic acid Drugs 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- WWYDYZMNFQIYPT-UHFFFAOYSA-N ru78191 Chemical compound OC(=O)C(C(O)=O)C1=CC=CC=C1 WWYDYZMNFQIYPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960004889 salicylic acid Drugs 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000004400 serine Nutrition 0.000 description 1
- 229960001153 serine Drugs 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- BTURAGWYSMTVOW-UHFFFAOYSA-M sodium dodecanoate Chemical compound [Na+].CCCCCCCCCCCC([O-])=O BTURAGWYSMTVOW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940080264 sodium dodecylbenzenesulfonate Drugs 0.000 description 1
- 229940082004 sodium laurate Drugs 0.000 description 1
- 235000019333 sodium laurylsulphate Nutrition 0.000 description 1
- LLHSEQCZSNZLRI-UHFFFAOYSA-M sodium;3,5-bis(methoxycarbonyl)benzenesulfonate Chemical compound [Na+].COC(=O)C1=CC(C(=O)OC)=CC(S([O-])(=O)=O)=C1 LLHSEQCZSNZLRI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000001570 sorbitan monopalmitate Substances 0.000 description 1
- 235000011071 sorbitan monopalmitate Nutrition 0.000 description 1
- 229940031953 sorbitan monopalmitate Drugs 0.000 description 1
- 239000001587 sorbitan monostearate Substances 0.000 description 1
- 235000011076 sorbitan monostearate Nutrition 0.000 description 1
- 229940035048 sorbitan monostearate Drugs 0.000 description 1
- 235000019337 sorbitan trioleate Nutrition 0.000 description 1
- 229960000391 sorbitan trioleate Drugs 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 229940063675 spermine Drugs 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 1
- 229960004274 stearic acid Drugs 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- TUNFSRHWOTWDNC-HKGQFRNVSA-N tetradecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCC[14C](O)=O TUNFSRHWOTWDNC-HKGQFRNVSA-N 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJRXVEJTAYWCQJ-UHFFFAOYSA-N thiomalic acid Chemical compound OC(=O)CC(S)C(O)=O NJRXVEJTAYWCQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000008521 threonine Nutrition 0.000 description 1
- 229960002898 threonine Drugs 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- VSRBKQFNFZQRBM-UHFFFAOYSA-N tuaminoheptane Chemical compound CCCCCC(C)N VSRBKQFNFZQRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960003986 tuaminoheptane Drugs 0.000 description 1
- 235000002374 tyrosine Nutrition 0.000 description 1
- 229960004441 tyrosine Drugs 0.000 description 1
- OUYCCCASQSFEME-UHFFFAOYSA-N tyrosine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CC=C(O)C=C1 OUYCCCASQSFEME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 229960002703 undecylenic acid Drugs 0.000 description 1
- 229940005605 valeric acid Drugs 0.000 description 1
- 239000004474 valine Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1409—Abrasive particles per se
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
본 발명은 연마 입자 약 0.1 중량% 내지 약 10 중량%; 아민 화합물 약 0.001 중량% 내지 약 1 중량%; 아미노산인 제 1 양이온성 화합물 약 0.001 중량% 내지 약 1 중량%; 유기산인 제 2 양이온성 화합물 약 0.001 중량% 내지 약 1 중량%; 및 둘 이상의 히드록시기들을 포함하는 다가 알코올 약 1 중량% 내지 약 5 중량%를 포함하는 화학적 기계적 연마(chemical mechanical polishing, CMP)용 슬러리 조성물을 제공한다.
Description
본 발명은 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 연마 속도를 희생하지 않으면서도 실리콘 질화물-실리콘 산화물 연마 선택비가 우수하고 디싱 현상이 효과적으로 억제되는 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물에 관한 것이다.
반도체 소자 제조 공정에서, 기판 상에 형성된 막들 사이의 단차를 제거하기 위한 평탄화 기술로서 화학적 기계적 연마(chemical mechanical polishing, CMP) 공정이 널리 활용되고 있다. 연마 입자를 포함하는 슬러리 조성물을 기판과 연마 패드 사이에 개재시켜 상기 기판 상에 형성된 막들을 평탄화할 수 있다. 그런데, 연마 속도, 연마 선택도, 디싱(dishing) 억제의 관점에서 상기 슬러리 조성물을 개선할 필요가 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 연마 속도를 희생하지 않으면서도 실리콘 질화물-실리콘 산화물 연마 선택비가 우수하고 디싱 현상이 효과적으로 억제되는 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명은 상기 기술적 과제를 이루기 위하여, 연마 입자 약 0.1 중량% 내지 약 10 중량%; 아민 화합물 약 0.001 중량% 내지 약 1 중량%; 아미노산인 제 1 양이온성 화합물 약 0.001 중량% 내지 약 1 중량%; 유기산인 제 2 양이온성 화합물 약 0.001 중량% 내지 약 1 중량%; 및 둘 이상의 히드록시기들을 포함하는 비이온성의 다가 알코올 약 1 중량% 내지 약 5 중량%를 포함하는 화학적 기계적 연마(chemical mechanical polishing, CMP)용 슬러리 조성물을 제공한다.
본 발명의 다른 태양은 연마 입자 약 0.1 중량% 내지 약 10 중량%; 아민 화합물 약 0.001 중량% 내지 약 1 중량%; 아미노산인 제 1 양이온성 화합물 약 0.001 중량% 내지 약 1 중량%; 및 둘 이상의 히드록시기들을 포함하는 비이온성의 다가 알코올 약 1 중량% 내지 약 5 중량%를 포함하고, pH가 약 2 내지 약 6인 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물을 제공한다.
본 발명의 또 다른 태양은 연마 입자 약 0.1 중량% 내지 약 10 중량%; 아민 화합물 약 0.001 중량% 내지 약 1 중량%; 아미노산인 제 1 양이온성 화합물 약 0.001 중량% 내지 약 1 중량%; 및 비이온성의 다가 알코올 약 1 중량% 내지 약 5 중량%를 포함하고, 상기 다가 알코올은 탄소수 4 내지 20의 탄화수소로서 히드록시기를 4개 내지 14개 포함하는 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물을 제공한다.
본 발명의 실시예들에 따른 CMP용 슬러리 조성물을 사용하면 물질막의 연마 속도를 희생하지 않으면서도 실리콘 질화물-실리콘 산화물 연마 선택비가 우수하고 디싱 현상이 효과적으로 억제되는 효과가 있다. 또한 콜로이드 연마 입자를 사용하기 때문에 스크래치가 적은 고품질의 표면을 얻을 수 있는 효과가 있다.
도 1은 화학적 기계적 연마를 수행할 수 있는 연마 장치를 개념적으로 나타낸 사시도이다.
도 2a 내지 도 2c는 패턴 제거 시험을 위한 시편의 제조와 시험 방법을 나타낸 단면도이다.
도 3a 내지 도 3g는 예시적인 일 실시예에 따른 막 연마 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 2a 내지 도 2c는 패턴 제거 시험을 위한 시편의 제조와 시험 방법을 나타낸 단면도이다.
도 3a 내지 도 3g는 예시적인 일 실시예에 따른 막 연마 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 1은 화학적 기계적 연마를 수행할 수 있는 연마 장치(100)를 개념적으로 나타낸 사시도이다.
도 1을 참조하면, 연마 장치(100)는 연마 패드(110)가 놓이는 회전식 디스크 형상의 플래튼(platen, 120)을 포함한다. 상기 플래튼은 축(125)에 대하여 회전하도록 동작가능하다. 예를 들어, 모터(121)는 상기 플래튼(120)을 회전시키기 위해 구동 축(124)을 돌릴 수 있다. 상기 연마 패드(110)는 외측 연마 층(112) 및 더 연성인 후면 층(backing layer)(114)을 갖는 둘 이상의 층을 갖는 연마 패드일 수 있다.
상기 연마 장치(100)는 슬러리와 같은 연마제(132)를 상기 연마 패드(110)를 향해 패드 상에 제공(dispense)하기 위한 슬러리 포트(130)를 포함할 수 있다. 연마 장치는 또한 연마 패드(110)를 일관된 연마 상태로 유지하기 위해 연마 패드(110)를 연삭하기 위한 연마 패드 컨디셔너(160)를 포함할 수 있다.
상기 연마 장치(100)는 적어도 하나의 캐리어 헤드(140)를 포함한다. 상기 캐리어 헤드(140)는 기판(10)을 연마 패드(110)에 대고 유지(hold against)하도록 동작할 수 있다. 캐리어 헤드(140)는 각각의 개별 기판에 연관된 연마 파라미터들, 예를 들어 압력을 독립적으로 제어할 수 있다.
특히, 캐리어 헤드(140)는 가요성 멤브레인 아래에 기판(10)을 유지하기 위해 리테이닝 링(retaining ring)(142)을 포함할 수 있다. 상기 캐리어 헤드(140)는 또한 상기 가요성 멤브레인에 의해 정의되는 복수의 독립적으로 제어가능한 가압 챔버(pressurizable chambers)를 포함할 수 있는데, 이들은 상기 가요성 멤브레인 상의, 그리고 그에 따른 기판(10) 상의 관련 구역들에 독립적으로 제어가능한 압력들을 가할 수 있다.
상기 캐리어 헤드(140)는 지지 구조물(150), 예를 들어 캐러셀(carousel) 또는 트랙에 매달려서, 구동 축(152)에 의해 캐리어 헤드 회전 모터(154)에 접속되므로, 캐리어 헤드는 축(155)에 대하여 회전할 수 있다. 선택적으로, 캐리어 헤드(140)는 측방향으로, 예를 들어 캐러셀(150) 또는 트랙 상의 슬라이더 상에서, 또는 캐러셀 자체의 회전 진동에 의해 진동할 수 있다. 동작 시에, 플래튼은 그의 중심 축(125)에 대하여 회전되며, 캐리어 헤드는 그의 중심 축(155)에 대하여 회전되고, 연마 패드의 최상부면을 가로질러 측방향으로 병진된다.
도 1에는 하나의 캐리어 헤드(140)만이 도시되어 있지만, 연마 패드(110)의 표면적이 효율적으로 사용될 수 있도록 추가의 기판들을 유지하기 위해, 둘 이상의 캐리어 헤드가 제공될 수 있다.
상기 연마 장치(100)는 또한 상기 플래튼(120)의 회전을 제어하기 위한 제어 시스템을 포함한다. 상기 제어 시스템은 범용의 프로그램 가능한(programmable) 디지털 컴퓨터와 같은 컨트롤러(190), 출력을 위한 출력 장치(192), 예컨대 모니터 및 입력을 위한 입력 장치(194), 예컨대 키보드를 포함할 수 있다.
도 1에서는 상기 제어 시스템이 모터(121)에만 연결된 것으로 도시되었지만, 상기 캐리어 헤드(140)에도 연결되어 헤드 압력이나 캐리어 헤드의 회전 속도를 조절하도록 구성될 수도 있다. 나아가, 상기 제어 시스템은 슬러리 포트(130)에 연결되어 슬러리의 공급을 조절할 수도 있다.
본 발명의 일 실시예는 상기 연마 장치(100)에 사용될 수 있는 화학적 기계적 연마(chemical mechanical polishing, CMP)용 슬러리 조성물을 제공한다.
상기 CMP용 슬러리 조성물은 연마 입자 약 0.1 중량% 내지 약 10 중량%, 아민 화합물 약 0.001 중량% 내지 약 1 중량%, 아미노산인 제 1 양이온성 화합물 약 0.001 중량% 내지 약 1 중량%, 유기산인 제 2 양이온성 화합물 약 0.001 중량% 내지 약 1 중량%, 및 다가 알코올 약 1 중량% 내지 약 5 중량%을 포함할 수 있다.
연마 입자
상기 연마 입자는 금속의 산화물, 금속의 질화물 또는 금속의 산질화물 등일 수 있으며, 특별히 한정되지 않는다. 특히, 상기 금속은 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 세륨(Ce), 지르코늄(Zr), 저머늄(Ge), 망간(Mn), 마그네슘(Mg), 및 티타늄(Ti)으로 구성되는 군으로부터 선택되는 1종 이상일 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 연마 입자는 실리카, 세리아, 지르코니아, 알루미나, 티타니아, 바륨티타니아, 게르마니아, 망가니아 및 마그네시아로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상일 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 연마 입자는 세리아, 특히 콜로이드로부터 합성된 콜로이드 세리아(colloidal ceria)일 수 있다.
상기 연마 입자의 1차 입자 사이즈는 5 nm 내지 150 nm의 평균 입경을 지닐수 있고, 2차 입자 사이즈는 30 nm 내지 300 nm의 평균 입경을 지닐 수 있다. 상기 연마 입자의 평균 입경의 측정은, 주사전자현미경 분석, BET 분석 또는 동적광산란으로 측정될 수 있는 시야 범위 내에 있는 복수의 입자의 입경의 평균값이다. 상기 1차 입자의 크기에 있어서, 입자 균일성을 확보하기 위해서 150 nm 이하일 수 있고, 5 nm 미만인 경우에는 연마율이 저하될 수 있다. 상기 2차 입자의 크기가 30 nm 미만인 경우 밀링으로 인하여 작은 입자가 과도하게 발생하면 세정성이 저하될 수 있고, 연마 공정에 이용되는 기판, 웨이퍼 등의 표면에 과량의 결함이 발생할 수 있으며, 300 nm를 초과하는 경우 과잉 연마가 이루어져 선택비 조절이 어려워지고, 디싱, 침식 및 표면 결함이 발생할 가능성이 있다. 상기 연마 입자의 '입경'은 각 연마 입자의 가장 먼 두 점 사이의 거리일 수 있으며, 평균 입경은 이러한 입경을 산술평균한 것일 수 있다.
상기 연마입자는 액상법에 의해 제조된 것을 포함하는 것일 수 있다. 액상법은 연마 입자 전구체를 수용액 중에서 화학적 반응을 발생시키고, 결정을 성장시켜 미립자를 얻는 졸-겔(sol-gel)법이나 연마입자 이온을 수용액에서 침전시키는 공침법, 및 고온 및 고압 하에서 연마입자를 형성하는 수열합성법 등을 적용하여 제조될수 있다. 액상법으로 제조된 연마입자는 연마입자 표면이 양전하를 갖도록 분산되어 있다.
상기 연마 입자는 구형, 각형, 침상(針狀) 형상 또는 판상(板狀) 형상을 가질 수 있으며, 특별히 제한되지 않는다.
상기 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물은 상기 연마 입자들을 분산시키기 위한 분산매를 더 포함할 수 있다.
상기 분산매는 상기 연마 입자들을 실질적으로 균일하게 분산시킬 수 있는 임의의 액체일 수 있고, 특별히 한정되는 것은 아니다. 상기 분산매는 수계 용매일 수도 있고, 유기 용매일 수도 있다. 보다 구체적으로, 상기 분산매는 물, 탈이온수, 초순수 등의 수계 용매일 수 있다. 선택적으로, 상기 분산매는 탄소수 1 내지 15의 지방족 알코올류, 탄소수 2 내지 20의 에테르류 등의 유기 용매일 수 있다.
상기 CMP용 슬러리 조성물 내의 상기 연마 입자의 함량은 상기 CMP용 슬러리 조성물의 전체 중량에 대하여 약 0.1 중량% 내지 약 10 중량%일 수 있다. 또는, 상기 CMP용 슬러리 조성물 내의 상기 연마 입자의 함량은 상기 CMP용 슬러리 조성물의 전체 중량에 대하여 약 0.3 중량부 내지 약 8 중량부일 수 있다. 또는, 상기 CMP용 슬러리 조성물 내의 상기 연마 입자의 함량은 상기 CMP용 슬러리 조성물의 전체 중량에 대하여 약 0.5 중량부 내지 약 7 중량부일 수 있다.
상기 CMP용 슬러리 조성물 내의 상기 연마 입자의 함량이 너무 낮으면 연마 속도가 미흡할 수 있다. 상기 CMP용 슬러리 조성물 내의 상기 연마 입자의 함량이 너무 높으면 연마 선택비가 저하되고 연마 품질과 연마 속도의 제어가 어려울 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 연마 입자의 표면은 양전하를 띠도록 유기물 또는 무기물로 코팅될 수 있다.
상기 연마 입자의 표면을 코팅하는 유기물은, 예를 들면, 아미노산, 폴리알킬렌글리콜, 글루코사민류 화합물이 결합된 고분자 다당체, 및 아민기를 포함하는 고분자로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나일 수 있다.
아민 화합물
상기 아민 화합물은, 하나의 분자 내에 둘 이상의 아민기를 갖는 탄소수 1 내지 20의 화합물일 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 아민 화합물은 디아민, 트리아민, 테트라민(tetramines), 펜타민(pentamines), 헥사민(hexamine), 헵타민(heptamine) 등일 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 아민 화합물은 탄소수가 2 내지 20이고, 탄소의 주사슬 내에 질소를 적어도 하나 포함하는 아민 화합물일 수 있다.
상기 아민 화합물은, 예를 들면, 스페르민(spermine), 메탄 디아민, 에탄-1,2-디아민, 프로판-1,3-디아민, 부탄-1,4-디아민, 펜탄-1,5-디아민, 헥산-1,6-디아민, 헵탄-1,7-디아민, 옥탄-1,8-디아민, 디에틸렌 트리아민, 디프로필렌 트리아민, 트리에틸렌 테트라민(triethylenetetramine, TETA), 트리프로필렌 테트라민, 테트라에틸렌 펜타민(tetraethylenepentamine, TEPA), 펜타에틸렌 헥사민(pentaethylenehexamine, PEHA), 헥사에틸렌 헵타민, 비스(헥사메틸렌)트리아민, N-(3-아미노프로필)에틸렌디아민, N,N'-비스(3-아미노프로필)에틸렌디아민, N,N'-비스(2-아미노에틸)-1,3-프로판디아민, N,N,N'-트리스(3-아미노프로필)에틸렌디아민, N-3-아미노프로필-1,3-디아미노프로판, N,N'-비스(3-아미노프로필)-1,3-디아미노프로판, N,N,N'-트리스(3-아미노프로필)-1,3-디아미노프로판, 비스-(3-아미노프로필)아민, N,N,N'N'-테트라키스(2-히드록실프로필) 에틸렌디아민, N,N,N',N'-테트라메틸프로판디아민, 디-t-부틸에틸렌디아민, 3,3'-이미노비스(프로필아민), N-메틸-3,3'-이미노비스(프로필아민), N,N'-비스(3-아미노프로필)-1,3-프로필렌디아민, N,N'-비스(3-아미노프로필)-1,4-부틸렌디아민, N,N'-비스(4-아미노부틸)-1,4-부탄디아민, N,N'-비스(2-아미노에틸)-1,4-부탄디아민, N,N'-비스(2-아미노에틸)에틸렌디아민, 비스(3-아미노프로필)아민, 비스(4-아미노부틸)아민, 비스(5-아미노펜틸)아민, N-(6-아미노헥실)-1,6-헥산디아민, 헥사하이드로-1,3,5-트리아진, N-메틸에틸렌디아민, N-에틸에틸렌디아민, N-프로필에틸렌디아민, N-부틸에틸렌디아민, N-메틸-1,3-디아미노프로판, N-메틸-1,4-디아미노부탄, N-메틸-1,5-디아미노펜탄, N-메틸-1,6-디아미노헥산, N-메틸-1,7-디아미노헵탄, N-메틸-1,8-디아미노옥탄, N-메틸-1,9-디아미노노난, N-메틸-1,10-디아미노데칸, N-메틸-1,11-디아미노운데칸, N-메틸-1,12-디아미노도데칸, 1,3-비스(아미노메틸)시클로헥산, 1,4-비스(아미노메틸)시클로헥산, 피페라진 및 이의 유도체로 구성되는 군으로부터 선택된 1종 이상일 수 있으나, 이들에 한정되는 것은 아니다.
상기 아민 화합물의 함량은 상기 CMP용 슬러리 조성물의 전체 중량에 대하여 약 0.001 중량% 내지 약 1 중량%일 수 있다. 또는, 상기 아민 화합물의 함량은 상기 CMP용 슬러리 조성물의 전체 중량에 대하여 약 0.005 중량% 내지 약 0.5 중량%일 수 있다. 또는, 상기 아민 화합물의 함량은 상기 CMP용 슬러리 조성물의 전체 중량에 대하여 약 0.01 중량% 내지 약 0.1 중량%일 수 있다.
상기 아민 화합물은 실리콘 산화물 표면에 디싱(dishing)이 발생하는 것을 억제할 수 있다.
상기 CMP용 슬러리 조성물 내의 상기 아민 화합물의 함량이 너무 낮으면 디싱 현상이 과도하게 발생할 수 있다. 상기 CMP용 슬러리 조성물 내의 상기 아민 화합물의 함량이 너무 높으면 조성물의 안정성이 저하될 수 있다.
제 1 양이온성 화합물
상기 제 1 양이온성 화합물은 아미노산 화합물일 수 있으며, 예를 들면, 아르기닌, 라이신, 히스티딘, 아스파르트산, 글루타민산, 아스파라긴, 글루타민, 티로신, 세린, 시스테인, 트레오닌, 글리신, 알라닌, β-알라닌, 프롤린, 트립토판, 메티오닌, 페닐알라닌, 발린, 류신 및 이소류신으로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상일 수 있다. 하지만 본 발명이 여기에 한정되는 것은 아니다.
상기 제 1 양이온성 화합물은 양전하를 띠는 아민기와 음전하를 띠는 카르복실산을 포함하기 때문에 실리콘 산화물 및 실리콘 질화물의 표면을 보호하는 역할을 할 수 있다.
상기 제 1 양이온성 화합물의 함량은 상기 CMP용 슬러리 조성물의 전체 중량에 대하여 약 0.001 중량% 내지 약 1 중량%일 수 있다. 또는, 상기 제 1 양이온성 화합물의 함량은 상기 CMP용 슬러리 조성물의 전체 중량에 대하여 약 0.005 중량% 내지 약 0.5 중량%일 수 있다. 또는, 상기 제 1 양이온성 화합물의 함량은 상기 CMP용 슬러리 조성물의 전체 중량에 대하여 약 0.01 중량% 내지 약 0.1 중량%일 수 있다.
상기 CMP용 슬러리 조성물 내의 상기 제 1 양이온성 화합물의 함량이 너무 낮으면 연마 정지층의 연마 정지 성능이 저하되어 연마선택성이 열화될 수 있다. 상기 CMP용 슬러리 조성물 내의 상기 제 1 양이온성 화합물의 함량이 너무 높으면 조성물의 안정성이 저하될 수 있다.
제 2 양이온성 화합물
제 2 양이온성 화합물은 유기산일 수 있으며, 상기 CMP용 슬러리 조성물의 pH를 조절하는 역할을 할 수 있다.
상기 제 2 양이온성 화합물은, 예를 들면, 피멜린산(pimelic acid), 말산, 말론산, 말레산, 아세트산, 2,2-디클로로아세트산, 트리플루오로아세트산, 펠라르곤산(pelargonic acid), 발레르산(valeric acid), 에난트산(enanthic acid), 미리스트산(myristic acid), 아젤라산(azelaic acid), 아디프산, 오로트산(orotic acid), 옥살산, 숙신산, 머캅토숙신산, 아르긴산, 타르타르산, 탄산, 신남산, 시트르산, 락트산, 락토바이오산, 글루타르산(glutaric acid), 2-옥소-글루타르산, 글루코헵톤산(glucoheptonic acid), 글루콘산(gluconic acid), 글루쿠론산(glucuronic acid), 글루탐산, 피로글루탐산, 글리콜산, 포름산, 푸마르산, 팔미트산, 파모산(pamoic acid), 프로피온산, 부티르산, 히드록시부티르산, 아스코르브산, 아스파르트산, 아스파라긴산, 스테아르산, 티오시안산, 이타콘산, 트리카발산, 피루브산, 수베르산, 벤젠설폰산, 벤조산, 4-아세트아미도벤조산, 4-(4-히드록시페닐)벤조산, 페닐아세트산, 페닐렌 디아세트산, 디에틸말론산, 페닐말론산, 페닐렌 디부티르산, p-페닐렌 디카르복실산, 4,4'-디페닐에테르 카르복실산, 1,5-나프탈렌 디카르복실산, 2,6-나프탈렌 디카르복실산, 4'-하이드록시-4-바이페닐카르복실산, 나프토산, 1-하이드록시-2-나프토산, 6-하이드록시-1-나프토산, 만델산, 피콜린산, 겐티스산, 니코틴산, 이소니코틴산, 퀴놀린산, 안트라닐산, 푸자르산, 카프르산(capric acid), 카프로산(caproic acid), 카프릴산(caprylic acid), 도데실황산(dodecylsulfuric acid), 캄포르산(camphoric acid), 캄포르-10-설폰산(camphor-10-sulfonic acid), 에탄-1,2-디설폰산, 메탄설폰산, 에탄설폰산, 2-하이드록시에탄설폰산, p-톨루엔설폰산, 나프탈렌-1,5-디설폰산, 나프탈렌-2-설폰산, 프탈산, 이소프탈산, 살리실산, 4-아미노살리실산, 테레프탈산, 라우르산, 뮤신산, 올레산, 사이클라민산(cyclamic acid), 갈락타르산(galactaric acid), 히푸르산(hippuric acid), 글리세로포스포르산(glycerophosphoric acid), 세바스산(sebacic acid), 운데실렌산(undecylenic acid), 멜리트산(mellitic acid), 트리멜리트산(trimellitic acid), 파이로멜리트산(pyromellitic acid), 파이로멜리트산 무수물, 및 피리딘카르복실산으로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상일 수 있다. 그러나 본 발명이 이들 유기산에 한정되는 것은 아니다.
상기 제 2 양이온성 화합물의 함량은 상기 CMP용 슬러리 조성물의 pH가 약 2 내지 약 6이 되도록 조절될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 제 2 양이온성 화합물의 함량은 상기 CMP용 슬러리 조성물의 전체 중량에 대하여 약 0.001 중량% 내지 약 1 중량%일 수 있다.
만일 상기 CMP용 슬러리 조성물 내의 상기 제 2 양이온성 화합물의 함량이 너무 많거나 너무 적어서 상기 CMP용 슬러리 조성물의 pH가 너무 낮거나 너무 높으면 연마 속도가 미흡하거나 디싱이 과도하게 발생할 수 있다.
당알코올 화합물
상기 당알코올 화합물은 당류, 특히 단당류 또는 이당류를 환원하여 수득되는 다가 알코올로서 비이온성의 화합물일 수 있다. 상기 당알코올 화합물은 비이온성의 화합물이기 때문에 연마 표면과의 정전기적 반응이 실질적으로 배제될 수 있다. 또한, 상기 당알코올 화합물은 실리콘 질화물 표면의 질소 말단 및/또는 실리콘 산화물 표면의 산소 말단과 수소 결합을 형성할 수 있다.
상기 당알코올 화합물은 히드록시기를 둘 이상 포함하는 다가 알코올일 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 당알코올 화합물은 탄소수 4 내지 20의 탄화수소 화합물로서 히드록시기를 4개 내지 14개 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 당알코올 화합물은 하기 화학식 1의 구조를 가질 수 있다.
[화학식 1]
(여기서, n은 2 내지 12의 정수)
일부 실시예들에 있어서, 상기 당알코올 화합물은 하기 화학식 2의 구조를 갖는 화합물일 수 있다.
[화학식 2]
(여기서, n은 2 내지 12의 정수이고, R은 각각 독립적으로 수소이거나 화학식 3의 치환기)
[화학식 3]
일부 실시예들에 있어서, 상기 화학식 2의 화합물이 갖는 다수의 R들(즉, (n+2)개의 R들) 중에서 화학식 3의 치환기인 것은 2개 이하일 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 화학식 2의 화합물이 갖는 다수의 R들(즉, (n+2)개의 R들) 중 적어도 하나는 화학식 3의 치환기일 수 있다.
화학식 1에서 보는 바와 같이 상기 당알코올 화합물은 탄소 4개가 연속으로 직쇄 형태로 연결된 C4 모이어티를 적어도 하나 포함할 수 있다. 구체적으로, 하기 화학식 4에 보인 바와 같이 화학식 1 및 화학식 2의 예시적인 화합물들에 있어서, 탄소 4개가 연속으로 직쇄 형태로 연결된 C4 모이어티를 적어도 하나 갖는다(적색 사각형 내부 참조).
[화학식 4]
일부 실시예들에 있어서, 상기 당알코올 화합물은, 예를 들면, 말티톨(maltitol), 락티톨(lactitol), 트레이톨(threitol), 에리트리톨(erythritol), 리비톨(ribitol), 자일리톨(xylitol), 아라비톨(arabitol), 아도니톨(adonitol), 소르비톨(sorbitol)(=글루시톨(glucitol)), 탈리톨(talitol)(=알트리톨(altritol)), 아이소몰트(isomalt), 만니톨(mannitol), 이디톨(iditol), 알로둘시톨(allodulcitol), 둘시톨(dulcitol)(=갈락티톨(galactitol)), 세도헵티톨(sedoheptitol)(=볼레미톨(volemitol)), 및 페르세이톨(perseitol)로 구성되는 군으로부터 선택된 1종 이상일 수 있다. 그러나 본 발명의 당알코올 화합물이 이들에 한정되는 것은 아니다.
위에서 언급한 바와 같이 상기 당알코올 화합물은 비이온성으로서 연마 표면과의 정전기적 반응이 실질적으로 배제되고, 실리콘 산화물 및/또는 실리콘 질화물 표면과 수소 결합을 이룰 수 있다.
본 발명이 특정 이론에 의하여 한정되는 것은 아니나, 상기 당알코올 화합물과 실리콘 질화물의 질소가 이루는 수소 결합의 강도(약 29 kJ/몰)는 상기 당알코올 화합물과 실리콘 산화물의 산소가 이루는 수소 결합의 강도(약 21 kJ/몰)보다 강하기 때문에 실리콘 질화물의 연마선택비를 개선하는 데 기여할 수 있는 것으로 이해된다.
또한, CMP용 슬러리 조성물의 pH를 2 내지 6으로 조절하면 실리콘 산화물의 제타 전위(zeta potential)은 음의 값을 갖는데, 상기 제 1 양이온성 화합물의 양전하와 상기 당알코올 화합물의 히드록시기가 경쟁적으로 실리콘 산화물에 흡착한다. 그 결과 당알코올 화합물의 히드록시기와 실리콘 산화물 사이에 수소 결합이 다소간 형성되더라도 실리콘 산화물의 연마속도는 희생되지 않는 것으로 추정된다.
즉, 상기 당알코올 화합물은 실리콘 질화물의 표면에 결합되어 상기 제 1 양이온성 화합물 및 아민 화합물과 함께 연마선택성을 높이고, 나아가 실리콘 산화물 표면에 디싱이 발생하는 것을 효과적으로 억제하는 것이 발견되었다.
상기 당알코올 화합물의 함량은 상기 CMP용 슬러리 조성물의 전체 중량에 대하여 약 1 중량% 내지 약 5 중량%일 수 있다. 또는, 상기 당알코올 화합물의 함량은 상기 CMP용 슬러리 조성물의 전체 중량에 대하여 약 1.3 중량% 내지 약 4.5 중량%일 수 있다. 또는, 상기 당알코올 화합물의 함량은 상기 CMP용 슬러리 조성물의 전체 중량에 대하여 약 1.5 중량% 내지 약 4.0 중량%일 수 있다.
상기 CMP용 슬러리 조성물 내의 상기 당알코올 화합물의 함량이 너무 낮으면 연마선택비의 개선에 기여하는 바가 미흡할 수 있다. 상기 CMP용 슬러리 조성물 내의 상기 당알코올 화합물의 함량이 너무 높으면 연마 속도가 과도하게 느려질 수 있다.
기타 본 발명의 실시예들에 따른 CMP용 슬러리 조성물은 계면활성제, 분산안정제, 연마억제제, 평탄화제 등을 더 포함할 수 있다.
계면활성제
상기 CMP용 슬러리 조성물은 필요에 따라 계면활성제를 더 포함할 수 있다. 상기 계면활성제로서는 비이온계 계면활성제, 양이온계 계면활성제, 음이온계 계면활성제 및 양성 계면활성제 중 적절한 것을 선택하여 사용할 수 있다.
상기 비이온계 계면활성제로서는 폴리옥시에틸렌라우릴에테르, 폴리옥시에틸렌스테아릴에테르 등의 폴리옥시에틸렌알킬에테르류, 폴리옥시에틸렌옥틸페닐에테르, 폴리옥시에틸렌노니에르페닐에테르 등의 폴리옥시에틸렌알킬페닐에테르류, 소르비탄모노라우레이트, 소르비탄모노스테아레이트, 소르비탄트리올레에이트 등의 소르비탄 고급 지방산 에스테르류, 폴리옥시에틸렌소르비탄모노라우레이트 등의 폴리옥시에틸렌소르비탄 고급 지방산 에스테르류, 폴리옥시에틸렌모노라우레이트, 폴리옥시에틸렌모노스테아레이트 등의 폴리옥시에틸렌 고급 지방산 에스테르류; 예를 들면, 올레산모노글리세라이드, 스테아르산모노글리세라이드 등의 글리세린 고급 지방산 에스테르류, 폴리옥시에틸렌, 폴리옥시프로필렌, 폴리옥시부틸렌 등의 폴리옥시알킬렌류 및 그들의 블록 코폴리머를 들 수 있다.
상기 양이온계 계면활성제로서는 염화알킬트리메틸암모늄, 염화디알킬디메틸암모늄, 염화벤잘코늄염, 알킬디메틸암모늄에토설페이트 등을 들 수 있다.
상기 음이온계 계면활성제로서는 라우르산나트륨, 올레산나트륨, N-아실-N-메틸글리신나트륨염, 폴리옥시에틸렌라우릴에테르카르복실산나트륨 등의 카르복실산염, 도데실벤젠술폰산나트륨, 디알킬술포숙신산에스테르염, 디메틸-5-술포이소프탈레이트나트륨 등의 술폰산염, 라우릴황산나트륨, 폴리옥시에틸렌라우릴에테르황산나트륨, 폴리옥시에틸렌노닐페닐에테르황산나트륨 등의 황산에스테르염, 폴리옥시에틸렌라우릴인산나트륨, 폴리옥시에틸렌노닐페닐에테르인산나트륨 등의 인산에스테르염 등을 들 수 있다.
상기 양성 계면활성제로서는 카르복시베타인형 계면활성제, 아미노카르복실산염, 이미다졸리늄페타인, 레시틴, 알킬아민옥사이드를 들 수 있다.
상기 계면활성제는 상기 CMP용 슬러리 조성물에 약 0.001 중량% 내지 0.5 중량% 정도의 혼합비로 혼합될 수 있다.
분산 안정제
상기 CMP용 슬러리 조성물은 연마 입자들의 분산 안정성을 확보하기 위하여 분산 안정제를 더 포함할 수 있다. 상기 분산 안정제는 비이온성 고분자 또는 양이온(cationic) 유기 화합물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 분산 안정제는 에틸렌 옥사이드(ethylene oxide), 에틸렌 글리콜(ethylene glycol), 글리콜디스테아레이트(glycol distearate), 글리콜 모노스테아레이트(glycol monostearate), 글리콜 폴리머레이트(glycol polymerate), 글리콜 에테르(glycol ether)류, 알킬아민(alkylamine)을 포함하는 알코올(alcohol)류, 폴리머레이트에테르(polymerate ether)를 포함하는 화합물, 비닐 피롤리돈(vinyl pyrrolidone), 셀룰로스(cellulose)류, 에톡시레이트(ethoxylate) 계열의 화합물을 포함하는 군에서 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있다. 구체적으로, 분산 안정제는 디에틸렌 글리콜 헥사데실 에테르(diethylene glycol hexadecyl ether), 데카에틸렌 글리콜 헥사데실 에테르(decaethylene glycol hexadecyl ether), 디에틸렌 글리콜 옥타데실 에테르(diethylene glycol octadecyl ether), 이오코사에틸렌 글리콜 옥타데실 에테르(eicosaethylene glycol octadecyl ether), 디에틸렌글리콜 올레일 에테르(diethylene glycol oleyl ether), 데카에틸렌 글리콜 올레일 에테르(decaethylene glycol oleyl ether), 데카에틸렌글리콜 옥타데실 에테르(decaethylene glycol octadecyl ether), 노닐페놀 폴리에틸렌글리콜 에테르(nonylphenol polyethylene glycol ether), 에틸렌디아민 테트라키스(에톡시레이트-블록-프로폭시레이트)테트롤 (ethylenediamine tetrakis(ethoxylate-block- propoxylate) tetrol), 에틸렌디아민 테트라키스(프로폭실레이트-블록-에톡시레이트) 테트롤(ethylenediamine tetrakis(propoxylate-block-ethoxylate) tetrol), 폴리에틸렌-블록-폴리(에틸렌글리콜)(polyethylene-block-poly(ethylene glycol)), 폴리옥시에틸렌 이소옥틸페닐 에테르(polyoxyethylene isooctylphenyl ether), 폴리옥시에틸렌 옥틸페닐 에테르(polyoxyethylene octylphenyl ether), 폴리옥시에틸렌 트리데실 에테르(polyoxyethylene tridecyl ether), 폴리옥시에틸렌 솔비탄 테트라올리에이트(polyoxyethylene sorbitan tetraoleate), 폴리옥시에틸렌 솔비톨 헥사올리에이트(polyoxyethylene sorbitol hexaoleate), 폴리에틸렌글리콜 솔비탄 모노라우레이트(polyethylene glycol sorbitan monolaurate), 폴리옥시에틸렌 솔비탄 모놀라우레이트(polyoxyethylene sorbitan monolaurate), 솔비탄 모노팔미테이트(sorbitan monopalmitate), 에프에스-300 비이온성 플루오로서팩턴트(FS-300 nonionic fluorosurfactant), 에프에스엔 비이온성 플루오로서팩턴트(FSN nonionic fluorosurfactant), 에프에스오 비이온성 에톡실레이티드 플루오로서팩턴트(FSO nonionic ethoxylated fluorosurfactant), 비닐 피롤리돈(vinyl pyrrolidone), 2,4,7,9,-테트라메틸-5-데신-4,7-디올 에톡실레이트(2,4,7,9-tetramethyl-5-decyne-4,7-diol ethoxylate), 8-메틸-1-노나놀-프로폭시레이트-블록-에톡시레이트(8-methyl-1-nonanol propoxylate-block-ethoxylate), 알릴 알코올 1,2-부톡시레이트-블록-에톡시레이트(allyl alcohol 1,2-butoxylate-block-ethoxylate), 폴리옥시에틸렌 브랜치드 노닐사이클로헥실 에테르(polyoxyethylene branched nonylcyclohexyl ether), 및 폴리옥시에틸렌 이소옥틸사이클로헥실 에테르(polyoxyethylene isooctylcyclohexyl ether)의 군에서 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 분산 안정제는 상기 CMP용 슬러리 조성물에 약 0.1 중량% 내지 1 중량% 정도의 혼합비로 혼합될 수 있다.
연마 억제제
상기 CMP용 슬러리 조성물은 필요에 따라 연마 억제제를 더 포함할 수 있다.
상기 연마 억제제의 비한정적인 예는 질소 함유 화합물, 예를 들어, 아민 및 저분자량의 질소 함유 헤테로사이클릭 화합물, 예컨대 벤조트리아졸, 1,2,3-트리아졸, 또는 1,2,4-트리아졸을 포함할 수 있다.
상기 연마 억제제는 상기 CMP용 슬러리 조성물에 약 0.1 중량% 내지 1 중량% 정도의 혼합비로 혼합될 수 있다.
평탄화제
상기 CMP용 슬러리 조성물은 필요에 따라 피연마 표면의 요철을 저감시키는 평탄화제(leveling agent)를 더 포함할 수 있다.
상기 평탄화제의 비한정적인 예는 염화암모늄, 라우릴황산암모늄, 폴리에틸렌글리콜, 폴리옥시에틸렌알킬에테르황산트리에탄올아민, 폴리비닐피롤리돈, 폴리아크롤레인 등을 포함할 수 있다.
상기 평탄화제는 상기 CMP용 슬러리 조성물에 약 0.1 중량% 내지 1 중량% 정도의 혼합비로 혼합될 수 있다.
이하, 구체적인 실험예 및 비교예를 가지고 본 발명의 구성 및 효과를 보다 상세히 설명하지만, 이들 실시예는 단지 본 발명을 보다 명확하게 이해시키기 위한 것일 뿐 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다.
탈이온수 내에 콜로이드 세리아(colloidal ceria), 제 1 양이온성 화합물, 아민 화합물, 및 당알코올 화합물을 하기 표 1과 같은 배합비로 혼합한 후 pH가 3이 되도록 옥살산을 첨가하였다. 콜로이드 세리아의 함량은 4 중량%로서 일정하게 하였다.
[표 1]
표 1과 같은 배합비로 조제된 CMP용 슬러리 조성물을 이용하여 연마 실험을 수행하였다.
비패턴 제거 속도를 시험하기 위한 시편들은 실리콘 기판 위에 실리콘 산화물(Si oxide)과 실리콘 질화물(Si nitride)이 형성된 시편을 사용하였다. 연마 전후의 실리콘 산화물 및 실리콘 질화물의 두께 변화를 측정하고 제거 속도(removal rate)를 계산하여 하기 표 2에 정리하였다.
패턴 제거 시험을 위한 시편들은 100㎛ 실리콘 산화물과 100㎛ 실리콘 질화물이 라인/스페이스 형태로 교대로 형성된 시편, 및 90㎛ 실리콘 산화물과 10㎛ 실리콘 질화물이 라인/스페이스 형태로 교대로 형성된 시편이 사용되었다.
도 2a 내지 도 2c는 패턴 제거 시험을 위한 시편의 제조와 시험 방법을 나타낸 단면도이다.
도 2a를 참조하면, 실리콘 기판(20) 상에 제 1 폭(W1)을 갖는 실리콘 질화물의 라인 패턴들(21)을 제 2 폭(W2)의 간격을 두고 형성한다. 상기 실리콘 질화물의 라인 패턴들(21)은 제 1 높이(H1)을 갖는다. 그리고 그 위에 실리콘 산화물층(23)을 제 2 높이(H2)를 갖도록 형성할 수 있다.
본 시험에서 제 1 높이(H1)는 1000 옹스트롬이고, 제 2 높이(H2)는 2000 옹스트롬이었다. 또, 제 1 폭(W1)과 제 2 폭(W2)이 각각 100㎛인 시편(100㎛/100㎛)과 제 1 폭(W1)과 제 2 폭(W2)이 각각 10㎛, 90㎛인 시편(10㎛/90㎛)을 각각 제조하였다.
도 2b를 참조하면, 초기 단차를 제거하기 위하여 상기 실리콘 산화물층(23)의 상부를 일부 제거하여 상기 실리콘 산화물층(23b)의 높이(H2b)가 대략 1300 옹스트롬이 되도록 하였다.
도 2c를 참조하면, 상기 실험예들 및 비교예들에 따른 CMP용 슬러리 조성물을 이용하여 연마를 수행하였다.
연마 장비로는 AP-300(CTS사 제품)을 이용하였고, 60초 동안 테이블 RPM은 47, 스핀들 RPM은 53으로 조정하였다. 슬러리 조성물의 공급 유속은 300 ml/분으로 하였고, 패드에 가해지는 압력은 4.0 psi였다.
그 결과 실리콘 질화물의 라인 패턴들(21c)의 상부는 높이(H1c)에 대응하는 만큼의 손실이 발생하였다. 한편 실리콘 산화물층(23c)은 상기 라인 패턴들(21c)의 상부가 노출된 이후에도 다소간 과잉 연마(over-polishing)되어 약간의 디싱과 함께 잔여 높이(H2c)를 갖는 실리콘 산화물층(23c)이 얻어졌다.
100㎛/100㎛ 시편에 대한 높이 H1c(①), H2c(②), 및 10㎛/90㎛ 시편에 대한 H2c(③)를 측정하여 하기 표 2에 정리하였다.
[표 2]
상기 표 2에서 보는 바와 같이 본 발명의 실시예들에 따른 CMP용 슬러리 조성물들은 대체로 양호한 제거 속도 및 디싱 억제 효과를 얻을 수 있었다. 반면, 당알코올 화합물을 포함하지 않는 경우(비교예 1, 비교예 5) 및 당알코올 화합물(솔비톨)을 포함하더라도 함량이 너무 낮은 경우(비교예 2)는 디싱이 과도하게 일어나 잔여 산화물의 높이가 상당히 낮은 것이 관찰되었다.
또 당알코올 화합물(솔비톨)을 과도하게 많이 포함하는 경우(비교예 3)는 비패턴 제거 속도 시험 결과 연마선택비가 현저히 나빠졌고 제거 속도도 과도하게 느려졌다. 비교예 3의 경우에는 물질막의 제거 속도가 지나치게 느리기 때문에 패턴 제거 시험은 수행하지 않았다.
막 연마 방법
도 3a 내지 도 3g는 예시적인 일 실시예에 따른 막 연마 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 예를 들면, 도 3a 내지 도 3g는 위에서 설명한 예시적인 실시예들에 따른 CMP용 슬러리 조성물을 활용한 STI(shallow trench insulation) 공정을 도시하고 있다.
도 3a를 참조하면, 기판(200) 상에 패드 산화막(210) 및 마스크 막(220)을 형성할 수 있다.
기판(200)으로서 실리콘 기판, 게르마늄 기판 또는 실리콘-게르마늄 기판과 같은 반도체 기판, 실리콘-온-인슐레이터(Silicon-On-Insulator: SOI) 기판, 게르마늄-온-인슐레이터(Germanium-On-Insulator: GOI) 기판 등이 사용될 수 있다. 기판(200)은 InP, GaP, GaAs, GaSb 등과 같은 III-V족 화합물을 포함할 수도 있다. 한편, 도시하지는 않았으나, 기판(200) 상부에 p형 혹은 n형 불순물을 주입하여 웰(well)을 형성할 수도 있다.
기판(200)은 제1 영역(I) 및 제2 영역(II)으로 구분될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 기판(200)의 제1 영역(I)은 메모리 소자, 로직 소자 등이 형성되는 소자 영역으로 할당될 수 있다. 기판(200)의 제2 영역(II)은 주변 회로 영역으로 할당될 수 있다.
패드 산화막(210) 및 마스크막(220)은 각각 실리콘 산화물 및 실리콘 질화물을 포함하도록 형성될 수 있다. 패드 산화막(210) 및 마스크막(220)은 화학 기상 증착(chemical vapor deposition: CVD) 공정, 스퍼터링(sputtering) 공정, 원자층 증착(atomic layer deposition: ALD) 공정 등과 같은 증착 공정을 통해 형성될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 패드 산화막(210)은 기판(200) 상면에 대한 열 산화 공정 등을 통해 형성될 수도 있다.
도 3b를 참조하면, 기판(200) 상부를 식각하여 트렌치들(230, 235)을 형성할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 포토리소그래피 공정을 통해 마스크 막(220) 및 패드 산화막(210)을 부분적으로 제거하여 마스크 패턴(225) 및 패드 산화막 패턴(215)을 형성할 수 있다. 마스크 패턴(225) 및 패드 산화막 패턴(215)을 식각 마스크로 사용한 STI 공정을 통해 기판(200) 상부를 제거하여 제1 트렌치(230) 및 제2 트렌치(235)를 형성할 수 있다.
제1 트렌치(230) 및 제2 트렌치(235)는 각각 기판(200)의 제1 영역(I) 및 제2 영역(II)에 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 주변 회로 영역에 형성되는 제2 트렌치(235)는 상기 소자 영역에 형성되는 제1 트렌치(230) 보다 큰 너비로 형성될 수 있다.
일부 예시적인 실시예들에 있어서, 기판(200)의 단위 면적 대비 트렌치들(230, 235)의 총 면적 비율로 정의되는 패턴 밀도는 약 5% 내지 약 10% 범위일 수 있다.
도 3c를 참조하면, 트렌치들(230, 235)의 측벽 상에 라이너를 형성할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 예를 들면 열 산화 공정을 통해 제1 및 제2 트렌치들(230, 235)의 노출된 측벽 상에 제1 라이너(240)를 형성할 수 있다. 예를 들면, 제1 라이너(240)는 실리콘 산화물을 포함할 수 있다.
이후, 제1 라이너(240), 패드 산화막 패턴(215) 및 마스크 패턴(225)의 표면들을 따라 컨포멀하게 제2 라이너(245)를 형성할 수 있다. 제2 라이너(245)는 실리콘 질화물을 포함하도록, 예를 들면 CVD 공정, ALD 공정 등을 통해 형성될 수 있다.
도 3d를 참조하면, 제2 라이너(245) 상에 제1 및 제2 트렌치들(230, 235)을 충분히 채우는 소자 분리막(250)을 형성할 수 있다. 소자 분리막(250)은 피이오엑스(plasma enhanced oxide: PEOX), 테오스(tetraethyl orthosilicate: TEOS), 에프오엑스(flowable oxide: FOX)와 같은 실리콘 산화물 계열 물질을 사용하여 CVD 공정을 통해 형성될 수 있다.
도 3e를 참조하면, 위에서 설명한 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 CMP 슬러리 조성물을 사용하여 소자 분리막(250) 상부를 평탄화할 수 있다. 예를 들면, 상기 CMP 슬러리 조성물을 사용한 CMP 공정을 통해 제2 라이너(245) 또는 마스크 패턴(225)을 연마 정지막으로 사용하여 소자 분리막(250)의 상부를 제거할 수 있다.
이에 따라, 소자 분리막(250)은 제1 영역(I)에서 제1 트렌치(230)를 채우는 제1 소자 분리막(255a) 및 제2 영역(II)에서 제2 트렌치(235)를 채우는 제2 소자 분리막(255b)로 구분될 수 있다.
위에서 설명한 바와 같이, 상기 CMP용 슬러리 조성물은 연마 입자 약 0.1 중량% 내지 약 10 중량%; 아민 화합물 약 0.001 중량% 내지 약 1 중량%; 아미노산인 제 1 양이온성 화합물 약 0.001 중량% 내지 약 1 중량%; 및 둘 이상의 히드록시기들을 포함하는 비이온성의 다가 알코올 약 1 중량% 내지 약 5 중량%를 포함할 수 있다. 또한 상기 CMP용 슬러리 조성물은 pH를 조절하기 위한 유기산을 제 2 양이온성 화합물로서 더 포함할 수 있다.
상기 연마 입자는 표면이 양전하를 띠도록 분산 처리된 콜로이드 연마 입자일 수 있으며, 약 2 내지 약 6의 pH 범위에서 실리콘 산화물을 비교적 신속하게 제거하면서도 스크래치가 적은 고품질의 표면을 얻을 수 있다.
또한, 단당류나 이당류와 같은 당을 환원시켜 얻은 당 알코올 화합물은 비이온성을 띠기 때문에 실리콘 질화물 표면과 수소 결합을 이루어 연마 선택비를 개선시킬 수 있다.
또한, 제1 양이온성 화합물이 실리콘 산화물의 표면에 부착되어 연마 속도를 조절함으로써 실리콘 산화물에 디싱이 발생하는 현상이 억제될 수 있다.
상술한 바와 같이, 상기 제 1 양이온성 화합물, 아민 화합물, 및 비이온성의 당 알코올 화합물의 상호작용에 의해 상기 CMP용 슬러리 조성물은 높은 질화막 대비 산화막의 연마 선택비, 및 산화막의 낮은 디싱 발생의 효과를 가질 수 있다.
이에 따라, 상기 패턴 너비(예를 들면, 트렌치의 너비)가 상대적으로 넓은 제2 영역(II)에서도 디싱 발생이 억제되어 제1 영역(I) 및 제2 영역(II)에서 실질적으로 서로 균일한 상면을 갖는 제1 소자 분리막(255a) 및 제2 소자 분리막(255b)이 형성될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 제1 소자 분리막(255a) 및 제2 소자 분리막(255b)의 상기 상면들은 마스크 패턴(225)의 상면과 실질적으로 동일한 높이를 가질 수 있다.
도 3f를 참조하면, 예를 들면 에치-백(etch-back) 공정 또는 추가적인 CMP 공정을 통해 제1 소자 분리막(255a) 및 제2 소자 분리막(255b)의 상부를 제거할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 제1 소자 분리막(255a) 및 제2 소자 분리막(255b)의 상면들은 패드 산화막 패턴(215)의 상면과 동일 평면 상에 위치할 수 있다.
도 3g를 참조하면, 제2 라이너(245)의 상부, 하드 마스크 패턴(225) 및 패드 산화막 패턴(215)을 제거할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 제1 소자 분리막(255a) 및 제2 소자 분리막(255b)이 기판(200) 상면이 노출될 때까지 추가적으로 연마 또는 평탄화될 수 있다.
이에 따라, 제1 및 제2 트렌치(230, 235) 내에는 제1 라이너(240) 및 제2 라이너 패턴(247)이 잔류하며 실질적으로 기판(200)의 상기 상면과 동일한 평면 상에 위치하는 제1 소자 분리막(255a) 및 제2 소자 분리막(255b)이 형성될 수 있다.
상술한 바와 같이, 예시적인 실시예들에 따른 연마용 조성물을 사용하여 산화막(예를 들면, 소자 분리막(250))의 디싱을 억제하면서 연마 효율을 향상시킬 수 있다. 이에 따라, 예를 들면 도 3f 및 도 3g를 참조로 설명한 후속 공정 시, 제1 소자 분리막(255a) 및 제2 소자 분리막(255b)의 연마 콘트롤이 가능해지며, 신뢰성 있는 소자 분리 공정이 구현될 수 있다.
이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명의 실시예들에 대해 상세히 기술되었지만, 본 발명이 속하는 기술분야에 있어서 통상의 지식을 가진 사람이라면, 첨부된 청구 범위에 정의된 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 본 발명을 여러 가지로 변형하여 실시할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 앞으로의 실시예들의 변경은 본 발명의 기술을 벗어날 수 없을 것이다.
100: 연마 장치
110: 연마 패드
112: 외측 연마 층 114: 후면층
120: 플래튼 121: 모터
125: 중심 축 130: 슬러리 포트
132: 연마제 140: 캐리어 헤드
142: 리테이닝 링 150: 지지 구조물
152: 구동 축 160: 연마 패드 컨디셔너
190: 컨트롤러
112: 외측 연마 층 114: 후면층
120: 플래튼 121: 모터
125: 중심 축 130: 슬러리 포트
132: 연마제 140: 캐리어 헤드
142: 리테이닝 링 150: 지지 구조물
152: 구동 축 160: 연마 패드 컨디셔너
190: 컨트롤러
Claims (10)
- 연마 입자 약 0.1 중량% 내지 약 10 중량%;
아민 화합물 약 0.001 중량% 내지 약 1 중량%;
아미노산인 제 1 양이온성 화합물 약 0.001 중량% 내지 약 1 중량%;
유기산인 제 2 양이온성 화합물 약 0.001 중량% 내지 약 1 중량%; 및
둘 이상의 히드록시기들을 포함하는 비이온성의 다가 알코올 약 1 중량% 내지 약 5 중량%;
를 포함하는 화학적 기계적 연마(chemical mechanical polishing, CMP)용 슬러리 조성물. - 제 1 항에 있어서,
상기 다가 알코올은 당(sugar)을 환원시켜서 얻어진 당 알코올 화합물인 것을 특징으로 하는 CMP용 슬러리 조성물. - 제 2 항에 있어서,
상기 다가 알코올은 말티톨(maltitol), 락티톨(lactitol), 트레이톨(threitol), 에리트리톨(erythritol), 리비톨(ribitol), 자일리톨(xylitol), 아라비톨(arabitol), 아도니톨(adonitol), 소르비톨(sorbitol), 탈리톨(talitol), 아이소몰트(isomalt), 만니톨(mannitol), 이디톨(iditol), 알로둘시톨(allodulcitol), 둘시톨(dulcitol), 세도헵티톨(sedoheptitol), 및 페르세이톨(perseitol)로 구성되는 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 CMP용 슬러리 조성물. - 제 1 항에 있어서,
상기 연마 입자는 콜로이드 세리아인 것을 특징으로 하는 CMP용 슬러리 조성물. - 제 1 항에 있어서,
pH가 약 2 내지 약 6인 것을 특징으로 하는 CMP용 슬러리 조성물. - 연마 입자 약 0.1 중량% 내지 약 10 중량%;
아민 화합물 약 0.001 중량% 내지 약 1 중량%;
아미노산인 제 1 양이온성 화합물 약 0.001 중량% 내지 약 1 중량%; 및
둘 이상의 히드록시기들을 포함하는 비이온성의 다가 알코올 약 1 중량% 내지 약 5 중량%;
를 포함하고,
pH가 약 2 내지 약 6인 화학적 기계적 연마(chemical mechanical polishing, CMP)용 슬러리 조성물. - 제 6 항에 있어서,
상기 다가 알코올은 화학식 1의 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 CMP용 슬러리 조성물.
[화학식 1]
(여기서, n은 2 내지 12의 정수) - 제 6 항에 있어서,
상기 다가 알코올은 화학식 2의 구조를 갖는 화합물인 것을 특징으로 하는 CMP용 슬러리 조성물.
[화학식 2]
(여기서, n은 2 내지 12의 정수이고, R은 각각 독립적으로 수소이거나 화학식 3의 치환기)
[화학식 3]
- 연마 입자 약 0.1 중량% 내지 약 10 중량%;
아민 화합물 약 0.001 중량% 내지 약 1 중량%;
아미노산인 제 1 양이온성 화합물 약 0.001 중량% 내지 약 1 중량%; 및
비이온성의 다가 알코올 약 1 중량% 내지 약 5 중량%;
를 포함하고,
상기 다가 알코올은 탄소수 4 내지 20의 탄화수소로서 히드록시기를 4개 내지 14개 포함하는 화학적 기계적 연마(chemical mechanical polishing, CMP)용 슬러리 조성물. - 제 9 항에 있어서,
상기 다가 알코올은 적어도 탄소 4개가 직쇄형으로 연결된 C4 모이어티를 포함하는 것을 특징으로 하는 CMP용 슬러리 조성물.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180103031A KR20200025542A (ko) | 2018-08-30 | 2018-08-30 | 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물 |
| US16/553,623 US20200071566A1 (en) | 2018-08-30 | 2019-08-28 | Slurry composition for chemical mechanical polishing |
| CN201910813838.5A CN110872473A (zh) | 2018-08-30 | 2019-08-30 | 用于化学机械抛光的浆料组合物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180103031A KR20200025542A (ko) | 2018-08-30 | 2018-08-30 | 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20200025542A true KR20200025542A (ko) | 2020-03-10 |
Family
ID=69642132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020180103031A KR20200025542A (ko) | 2018-08-30 | 2018-08-30 | 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20200071566A1 (ko) |
| KR (1) | KR20200025542A (ko) |
| CN (1) | CN110872473A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20220160361A (ko) * | 2021-05-27 | 2022-12-06 | 주식회사 케이씨텍 | Cmp 슬러리 조성물 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11718767B2 (en) * | 2018-08-09 | 2023-08-08 | Versum Materials Us, Llc | Chemical mechanical planarization composition for polishing oxide materials and method of use thereof |
| US10763119B2 (en) | 2018-12-19 | 2020-09-01 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Polishing compositions and methods of using same |
| JP6756422B1 (ja) * | 2019-02-21 | 2020-09-16 | 三菱ケミカル株式会社 | シリカ粒子とその製造方法、シリカゾル、研磨組成物、研磨方法、半導体ウェハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 |
| TW202138532A (zh) * | 2020-03-25 | 2021-10-16 | 日商福吉米股份有限公司 | 研磨用組合物、其製造方法、研磨方法及半導體基板的製造方法 |
| US11264474B1 (en) * | 2020-08-18 | 2022-03-01 | Nanya Technology Corporation | Semiconductor device with boron nitride layer and method for fabricating the same |
| US11680186B2 (en) | 2020-11-06 | 2023-06-20 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Polishing compositions and methods of using same |
| WO2023013059A1 (ja) * | 2021-08-06 | 2023-02-09 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | Ｃｍｐ用研磨液、ｃｍｐ用研磨液セット及び研磨方法 |
| CN113637413A (zh) * | 2021-09-02 | 2021-11-12 | 万华化学集团电子材料有限公司 | 一种硅抛光组合物、制备方法及其应用 |
| KR20230063182A (ko) * | 2021-11-01 | 2023-05-09 | 주식회사 케이씨텍 | 연마용 슬러리 조성물 |
| CN115725241B (zh) * | 2022-11-17 | 2024-05-03 | 万华化学集团电子材料有限公司 | 一种多晶硅抛光组合物及其应用 |
-
2018
- 2018-08-30 KR KR1020180103031A patent/KR20200025542A/ko unknown
-
2019
- 2019-08-28 US US16/553,623 patent/US20200071566A1/en not_active Abandoned
- 2019-08-30 CN CN201910813838.5A patent/CN110872473A/zh not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20220160361A (ko) * | 2021-05-27 | 2022-12-06 | 주식회사 케이씨텍 | Cmp 슬러리 조성물 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20200071566A1 (en) | 2020-03-05 |
| CN110872473A (zh) | 2020-03-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20200025542A (ko) | 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물 | |
| US7005382B2 (en) | Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing, chemical mechanical polishing process, production process of semiconductor device and material for preparing an aqueous dispersion for chemical mechanical polishing | |
| TWI541335B (zh) | Silicon wafer polishing composition | |
| US11572490B2 (en) | Polishing liquid, polishing liquid set, and polishing method | |
| JP5133874B2 (ja) | 高段差酸化膜の平坦化のための自動研磨停止機能を有する化学機械的研磨組成物 | |
| EP2346069A1 (en) | Abrasive, polishing method, method for manufacturing semiconductor integrated circuit device | |
| EP2999762A1 (en) | Cmp compositions selective for oxide and nitride with high removal rate and low defectivity | |
| TWI783236B (zh) | 化學機械研磨組合物、清洗組合物、化學機械研磨方法及清洗方法 | |
| EP3230395B1 (en) | Cmp compositons exhibiting reduced dishing in sti wafer polishing | |
| JP7056728B2 (ja) | 研磨液、研磨液セット及び研磨方法 | |
| TW201634657A (zh) | 研磨劑、研磨方法及半導體積體電路裝置之製造方法 | |
| JP7021073B2 (ja) | 改善された安定性及び改善された研磨特性を有する、選択的窒化物スラリー | |
| JP2010028086A (ja) | Ｃｍｐ研磨剤、このｃｍｐ研磨剤を用いた研磨方法 | |
| JP2016069622A (ja) | 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法 | |
| CN111492024A (zh) | 用于sti工艺的抛光浆科组合物 | |
| WO2016067923A1 (ja) | 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法 | |
| TW202138501A (zh) | Cmp研磨液及研磨方法 | |
| KR20040013299A (ko) | 연마 입자, 이를 포함하는 슬러리 조성물 및 이의 제조방법 그리고 이를 사용한 연마 방법 | |
| JP2001031951A (ja) | 研磨剤及び基板の研磨方法 | |
| JP7236270B2 (ja) | 研磨液組成物 | |
| EP3149101A1 (en) | Cmp compositions selective for oxide over polysilicon and nitride with high removal rate and low defectivity | |
| EP3400266A1 (en) | Method of polishing a low-k substrate | |
| TW202142644A (zh) | 研磨用組合物、研磨方法及半導體基板之製造方法 | |
| KR102213533B1 (ko) | Sti 공정용 연마 슬러리 조성물 | |
| KR20230103348A (ko) | 절연막 버핑 공정용 연마슬러리 조성물 |