KR20200017348A - Backgrind tape - Google Patents

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가츠토시 가메이
다카토시 사사키
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

The present invention relates to a back-grinding tape used in a back-grinding process performed after dicing and, more specifically, to a back-grinding tape which prevents chip dropping which may occur during back-grinding. The back-grinding tape of the present invention comprises an adhesive layer, an intermediate layer, and a first substrate in this order, wherein a material constituting the intermediate layer is an acrylic resin having a carboxyl group and not cross-linked, and the initial adhesive strength is 1 to 30 N per 20 mm, when the adhesive layer is adhered to a Si mirror wafer.

Description

백그라인드 테이프{BACKGRIND TAPE}Backgrinding Tape {BACKGRIND TAPE}

본 발명은, 백그라인드 테이프에 관한 것이다. 더 상세하게는, 다이싱 공정 후에 행해지는 백그라인드 공정에서, 적합하게 사용되는 백그라인드 테이프에 관한 것이다.The present invention relates to a backgrinding tape. More specifically, it is related with the backgrinding tape used suitably in the backgrinding process performed after a dicing process.

전자 부품의 집합체인 워크(예를 들어, 반도체 웨이퍼)는, 대직경으로 제조되고, 소자 소편으로 절단 분리(다이싱)되어, 다시 마운트 공정으로 이행된다. 이 다이싱 공정에서는 워크를 절단하여, 소편화한다. 다이싱 후의 워크를 고정하기 위해, 통상, 워크에 점착 테이프(다이싱 테이프)를 접합한 후, 다이싱을 행한다(예를 들어, 특허문헌 1). 다이싱의 방법 중 하나로서, 레이저광에 의해 워크를 다이싱하는 방법이 알려져 있다. 이러한 다이싱 방법으로서는, 레이저광을 워크의 표면에 집광시켜, 당해 워크의 표면에 홈을 형성한 후, 워크를 절단하는 방법이 다용되고 있다. 한편, 근년, 레이저광을 워크의 내부에 집광시키고, 당해 개소에서 워크를 개질시킨 후에, 워크를 절단하는 스텔스 다이싱도 제안되어 있다.A workpiece (for example, a semiconductor wafer), which is an assembly of electronic components, is manufactured with a large diameter, cut off (dicing) into element pieces, and then proceeds to the mounting process again. In this dicing process, a workpiece is cut | disconnected and small-sized. In order to fix the workpiece | work after dicing, after dicing an adhesive tape (dicing tape) normally, a dicing is performed (for example, patent document 1). As one of the dicing methods, the method of dicing a workpiece | work by a laser beam is known. As such a dicing method, the laser beam is condensed on the surface of a workpiece | work, the groove | channel is formed in the surface of the said workpiece | work, and the method of cutting | disconnecting a workpiece | work is used abundantly. On the other hand, in recent years, stealth dicing which condenses a laser beam inside a workpiece | work and modifies a workpiece | work at the said location, and cuts a workpiece | work is also proposed.

또한, 통상, 반도체 웨이퍼의 가공에서는, 소정의 두께(예를 들어, 100㎛∼600㎛)까지 이면을 연삭하는 것이 행해진다(백그라인드 공정). 종래, 반도체 웨이퍼의 표면에 패턴을 형성한 후에, 표면을 백그라인드 테이프에 고정하여 이면 연삭(백그라인드)을 행하고, 그 후, 다이싱 공정이 행해지고 있다. 한편, 근년, 상기 스텔스 다이싱의 유용성을 높이기 위해, 스텔스 다이싱을 행한 후에, 표면을 백그라인드 테이프에 고정하여 백그라인드 공정을 행하는 기술이 검토되고 있다.In general, in the processing of a semiconductor wafer, grinding the back surface to a predetermined thickness (for example, 100 µm to 600 µm) is performed (backgrinding step). Conventionally, after forming a pattern on the surface of a semiconductor wafer, the surface is fixed to a backgrinding tape and back grinding (backgrinding) is performed, and the dicing process is performed after that. On the other hand, in recent years, in order to improve the usefulness of the said stealth dicing, after performing a stealth dicing, the technique of fixing a surface to a backgrinding tape and performing a backgrinding process is examined.

일본 특허 공개 제2003-007646호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2003-007646

상기한 바와 같이 백그라인드 공정 전에 다이싱을 행하면, 백그라인드 시에, 소편화된 칩끼리가 간섭하여 칩 떨어짐이 발생한다고 하는 새로운 과제가 발생한다.As mentioned above, when dicing is performed before the backgrinding process, a new problem arises in that chipped chips interfere with each other at the time of backgrinding, resulting in chip falling.

본 발명의 과제는, 다이싱 후에 행해지는 백그라인드 공정에 사용되는 백그라인드 테이프이며, 백그라인드 시에 발생할 수 있는 칩 떨어짐을 방지하는 백그라인드 테이프를 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide a backgrinding tape, which is a backgrinding tape used in a backgrinding process performed after dicing, and which prevents chip fall that may occur during backgrinding.

본 발명의 백그라인드 테이프는, 점착제층과, 중간층과, 제1 기재를 이 순서로 구비하고, 당해 중간층을 구성하는 재료가, 카르복실기를 갖고, 또한 가교되어 있지 않은 아크릴계 수지이며, 당해 점착제층을 Si 미러 웨이퍼에 접착시켰을 때의 초기 점착력이, 1N/20㎜∼30N/20㎜이다.The backgrinding tape of this invention is equipped with an adhesive layer, an intermediate | middle layer, and a 1st base material in this order, The material which comprises the said intermediate | middle layer is acrylic resin which has a carboxyl group and is not bridge | crosslinked, The said adhesive layer The initial adhesive force at the time of adhering to a Si mirror wafer is 1N / 20mm-30N / 20mm.

하나의 실시 형태에 있어서는, 상기 백그라인드 테이프는, 제2 기재를 더 구비하고, 당해 제2 기재가, 상기 제1 기재의 중간층과는 반대측에 배치된다.In one embodiment, the said backgrinding tape further has a 2nd base material, and the said 2nd base material is arrange | positioned on the opposite side to the intermediate | middle layer of the said 1st base material.

하나의 실시 형태에 있어서는, 상기 제1 기재가, 폴리에틸렌테레프탈레이트로 구성된다.In one embodiment, the said 1st base material is comprised from polyethylene terephthalate.

하나의 실시 형태에 있어서는, 상기 제2 기재가, 폴리올레핀계 수지로 구성된다.In one embodiment, the said 2nd base material is comprised from polyolefin resin.

하나의 실시 형태에 있어서는, 상기 점착제층의 두께가, 1㎛∼50㎛이다.In one embodiment, the thickness of the said adhesive layer is 1 micrometer-50 micrometers.

하나의 실시 형태에 있어서는, 상기 중간층의 두께가, 5㎛∼50㎛이다.In one embodiment, the thickness of the said intermediate | middle layer is 5 micrometers-50 micrometers.

하나의 실시 형태에 있어서는, 상기 백그라인드 테이프는, 스텔스 다이싱된 반도체 웨이퍼를 이면 연삭할 때에 사용된다.In one embodiment, the said backgrinding tape is used when back-grinding a stealth diced semiconductor wafer.

본 발명에 따르면, 백그라인드 시에 발생할 수 있는 칩 떨어짐을 방지하는 백그라인드 테이프를 제공할 수 있다. 본 발명의 백그라인드 테이프는, 다이싱(바람직하게는, 스텔스 다이싱) 후에 행해지는 백그라인드 공정에 사용되는 백그라인드 테이프로서 특히 유용하다.According to the present invention, it is possible to provide a backgrinding tape which prevents chip falling that may occur during backgrinding. The backgrinding tape of this invention is especially useful as a backgrinding tape used for the backgrinding process performed after dicing (preferably stealth dicing).

도 1은 본 발명의 하나의 실시 형태에 의한 백그라인드 테이프의 개략 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시 형태에 의한 백그라인드 테이프의 개략 단면도이다.
1 is a schematic cross-sectional view of a backgrinding tape according to one embodiment of the present invention.
2 is a schematic cross-sectional view of a backgrinding tape according to another embodiment of the present invention.

A. 백그라인드 테이프의 개요A. Overview of Backgrind Tape

도 1은, 본 발명의 하나의 실시 형태에 의한 백그라인드 테이프의 개략 단면도이다. 이 실시 형태에 의한 백그라인드 테이프(100)는, 점착제층(10)과, 중간층(20)과, 제1 기재(31)를 구비한다. 도시하지 않았지만, 본 발명의 백그라인드 테이프는, 사용에 제공할 때까지의 동안, 점착면을 보호할 목적으로, 점착제층의 외측에 박리 라이너가 마련되어 있어도 된다(도시하지 않음). 또한, 백그라인드 테이프는, 본 발명의 효과가 얻어지는 한, 임의의 적절한 그 밖의 층을 더 포함하고 있어도 된다. 바람직하게는, 중간층은, 제1 기재에 직접 배치된다. 또한, 바람직하게 점착제층은 중간층에 직접 배치된다.1 is a schematic cross-sectional view of a backgrinding tape according to one embodiment of the present invention. The backgrinding tape 100 which concerns on this embodiment is equipped with the adhesive layer 10, the intermediate | middle layer 20, and the 1st base material 31. FIG. Although not shown in figure, the peeling liner may be provided in the outer side of an adhesive layer for the purpose of protecting an adhesive surface, until it uses for the backgrinding tape of this invention (not shown). In addition, as long as the effect of this invention is acquired, the backgrinding tape may further contain arbitrary other appropriate layers. Preferably, the intermediate layer is disposed directly on the first substrate. Also preferably, the pressure-sensitive adhesive layer is disposed directly on the intermediate layer.

본 발명의 백그라인드 테이프는, 다이싱된 반도체 웨이퍼를 이면 연삭(백그라인드)할 때, 당해 반도체 웨이퍼를 고정하기 위해 적합하게 사용될 수 있고, 상기 다이싱으로서 스텔스 다이싱을 채용하는 경우에 특히 적합하게 사용될 수 있다. 스텔스 다이싱이라 함은, 레이저광의 조사에 의해, 반도체 웨이퍼의 내부에 개질층을 형성하는 것을 의미한다. 반도체 웨이퍼는 당해 개질층을 기점으로 하여, 할단될 수 있다.The backgrinding tape of the present invention can be suitably used to fix the semiconductor wafer when the diced semiconductor wafer is back ground (backgrinded), and is particularly suitable when employing stealth dicing as the dicing. Can be used. Stealth dicing means forming a modified layer in the inside of a semiconductor wafer by irradiation of a laser beam. The semiconductor wafer can be cut from the modified layer as a starting point.

본 발명에 있어서는, 점착제층과 중간층을 조합하여 형성하고, 중간층을 구성하는 재료로서, 카르복실기를 갖고, 가교되어 있지 않은 아크릴계 수지를 사용함으로써, 다이싱 후에 행해지는 백그라인드 공정에 사용되는 백그라인드 테이프이며, 백그라인드 시에 발생할 수 있는 칩 떨어짐을 방지하는 백그라인드 테이프를 제공할 수 있다. 상기한 바와 같이 구성된 본 발명의 백그라인드 테이프는, 면 방향의 외력에 대해, 변형되기 어렵고, 또한 변형되어도 그 후에 원래의 형상으로 돌아가기 어렵다고 하는 특징을 갖는다. 이러한 백그라인드 테이프를 사용하면, 다이싱 후에 소편화된 칩이 과도하게 서로 간섭하는 것을 방지하고, 당해 칩이 떨어지는 등의 문제를 방지하여 백그라인드를 행할 수 있다. 본 발명의 백그라인드 테이프는, 스텔스 다이싱을 포함하는 반도체 웨이퍼 가공에 특히 유용하다.In this invention, the backgrinding tape used for the backgrinding process performed after dicing by using the adhesive layer and the intermediate | middle layer, combining, and using acrylic resin which has a carboxyl group and is not crosslinked as a material which comprises an intermediate | middle layer is used. It is possible to provide a backgrinding tape that prevents chip falling that may occur during backgrinding. The backgrinding tape of the present invention configured as described above has a feature that it is difficult to be deformed to the external force in the surface direction, and it is difficult to return to its original shape after deformation. By using such a backgrinding tape, it is possible to prevent chips that have been fragmented after dicing from excessively interfering with each other and to prevent problems such as falling of the chips and backgrinding. The backgrinding tape of the present invention is particularly useful for semiconductor wafer processing including stealth dicing.

도 2는, 본 발명의 다른 실시 형태에 의한 백그라인드 테이프의 개략 단면도이다. 이 실시 형태에 의한 백그라인드 테이프(200)는, 기재가 2층 구성이며, 제2 기재(32)를 더 구비한다. 제2 기재(32)는, 제1 기재(31)의 중간층(20)과는 반대측에 배치된다. 즉, 백그라인드 테이프(200)는, 점착제층(10)과, 중간층(20)과, 제1 기재(31)와, 제2 기재(32)를 이 순서로 구비한다. 바람직하게는, 제2 기재로서, 제1 기재보다 유연한(예를 들어, 탄성률이 낮은) 기재가 사용된다. 본 실시 형태에 의한 백그라인드 테이프는, 백그라인드 시에 있어서의 칩 떨어짐 등의 문제를 더 바람직하게 방지할 수 있다. 스텔스 다이싱을 포함하는 반도체 웨이퍼 가공은 레이저광에 의해 형성된 변질층으로부터 웨이퍼 표면으로 연장되는 균열(이른바 BHC)을 발생시켜, 반도체 웨이퍼를 소편화시키는 것이지만, 백그라인드 전에 당해 균열을 발생시키는 실시 형태는 물론, 가공이 더 곤란해지는 실시 형태, 즉, 당해 균열을 백그라인드 시에 발생시키는 실시 형태에 있어서도, 칩 떨어짐 등의 문제를 방지할 수 있다. 또한, 기재는 3층 이상의 구성이어도 된다.2 is a schematic cross-sectional view of a backgrinding tape according to another embodiment of the present invention. In the backgrinding tape 200 according to this embodiment, the substrate has a two-layer structure, and further includes a second substrate 32. The second base material 32 is disposed on the side opposite to the intermediate layer 20 of the first base material 31. That is, the backgrinding tape 200 is equipped with the adhesive layer 10, the intermediate | middle layer 20, the 1st base material 31, and the 2nd base material 32 in this order. Preferably, as the second substrate, a substrate that is more flexible (eg, lower modulus of elasticity) than the first substrate is used. The backgrinding tape according to the present embodiment can more preferably prevent problems such as chipping off during backgrinding. Semiconductor wafer processing including stealth dicing generates cracks (so-called BHCs) extending from the deteriorated layer formed by the laser beam to the wafer surface to fragment the semiconductor wafer, but embodiments in which the cracks are generated before backgrinding Of course, also in embodiment which becomes more difficult to process, ie, embodiment which generate | occur | produces the said crack at the time of backgrinding, the problem of chip | tip fall etc. can be prevented. In addition, the structure of the base material may be three or more layers.

본 발명의 백그라인드 테이프의 점착제층을 Si 미러 웨이퍼에 접착시켰을 때의 초기 점착력은, 바람직하게는 1N/20㎜∼30N/20㎜이고, 보다 바람직하게는 2N/20㎜∼20N/20㎜이고, 더욱 바람직하게는 3N/20㎜∼15N/20㎜이고, 특히 바람직하게는 4N/20㎜∼10N/20㎜이다. 이러한 범위이면, 백그라인드 시에 반도체 웨이퍼를 양호하게 고정할 수 있는 백그라인드 테이프를 얻을 수 있다. 또한, 본 발명의 백그라인드 테이프는, 활성 에너지선(예를 들어, 자외선)의 조사에 의해 점착력이 저하될 수 있는 테이프로 할 수 있지만, 상기 「초기 점착력」이라 함은, 활성 에너지선을 조사하기 전의 점착력을 의미한다. 본 발명에 있어서, 점착력은, JIS Z 0237: 2000에 준하여 측정된다. 구체적으로는, 점착력은, 인장 시험기(텐실론, 시마즈 세이사쿠쇼사 제조)를 사용하여 23℃, 박리 속도 300㎜/min, 박리 각도: 180°의 조건에서 측정된다.The initial adhesive force at the time of adhering the adhesive layer of the backgrinding tape of the present invention to the Si mirror wafer is preferably 1 N / 20 mm to 30 N / 20 mm, more preferably 2 N / 20 mm to 20 N / 20 mm. More preferably, they are 3N / 20mm-15N / 20mm, Especially preferably, they are 4N / 20mm-10N / 20mm. If it is such a range, the backgrinding tape which can fix | immobilize a semiconductor wafer favorably at the time of backgrinding can be obtained. In addition, although the backgrinding tape of this invention can be made into the tape whose adhesive force may fall by irradiation of an active energy ray (for example, ultraviolet-ray), the said "initial stage adhesive force" irradiates an active energy ray It means the adhesive force before the following. In the present invention, the adhesive force is measured according to JIS Z 0237: 2000. Specifically, adhesive force is measured on the conditions of 23 degreeC, peeling speed 300mm / min, and peeling angle: 180 degree using the tensile tester (Tensilon, Shimadzu Corporation make).

백그라인드 테이프의 두께는, 바람직하게는 35㎛∼500㎛이고, 보다 바람직하게는 60㎛∼300㎛이고, 더욱 바람직하게는 80㎛∼200㎛이다.The thickness of the backgrinding tape is preferably 35 µm to 500 µm, more preferably 60 µm to 300 µm, still more preferably 80 µm to 200 µm.

B. 기재B. Description

B-1. 제1 기재B-1. First description

상기 제1 기재로서는, 수지 필름이 바람직하게 사용된다. 수지 필름을 구성하는 수지로서는, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 등의 폴리에스테르계 수지, 폴리프로필렌(PP) 등의 폴리올레핀계 수지, 폴리이미드(PI), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리페닐렌술피드(PPS), 폴리술폰(PSF), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리아릴레이트(PAR) 등을 들 수 있다. 그 중에서도 바람직하게는, 폴리에스테르계 수지이고, 특히 바람직하게는 폴리에틸렌테레프탈레이트이다. 폴리에틸렌테레프탈레이트로 구성되는 제1 기재를 사용하면, 백그라인드 시에 있어서의 칩 떨어짐 등의 문제를 더 바람직하게 방지할 수 있는 백그라인드 테이프를 얻을 수 있다.As said 1st base material, a resin film is used preferably. As resin which comprises a resin film, For example, polyester-based resins, such as polyethylene terephthalate (PET), polyolefin-based resins, such as polypropylene (PP), polyimide (PI), polyetherimide (PEI), polyphenyl Ren sulfide (PPS), polysulfone (PSF), polyether ether ketone (PEEK), polyarylate (PAR) and the like. Among these, Preferably, it is polyester-type resin, Especially preferably, it is polyethylene terephthalate. By using the first base material composed of polyethylene terephthalate, a backgrinding tape can be obtained that can more preferably prevent problems such as chipping off during backgrinding.

상기 제1 기재의 23℃에 있어서의 인장 탄성률은, 바람직하게는 50㎫∼10000㎫이고, 더 바람직하게는 100㎫∼5000㎫이다. 제1 기재(및 백그라인드 테이프를 구성하는 각 층(후술))의 인장 탄성률의 측정은, 인장 시험기(SHIMADZU사 제조, 「AG-IS」)를 사용하여, 척간 거리: 50㎜, 인장 속도: 300㎜/min, 샘플 폭: 10㎜의 조건에서 행해진다.The tensile modulus at 23 ° C. of the first substrate is preferably 50 MPa to 10000 MPa, more preferably 100 MPa to 5000 MPa. The measurement of the tensile elasticity modulus of the 1st base material (and each layer (after-mentioned) which comprises a backgrinding tape) measured the distance between chucks using a tensile tester ("AG-IS" by Shimadzu), 50 mm, tensile speed: 300 mm / min, sample width: 10 mm.

상기 제1 기재의 두께는, 바람직하게는 25㎛∼200㎛이고, 보다 바람직하게는 30㎛∼150㎛이고, 더욱 바람직하게는 40㎛∼100㎛이고, 특히 바람직하게는 40㎛∼80㎛이다.The thickness of the first substrate is preferably 25 µm to 200 µm, more preferably 30 µm to 150 µm, still more preferably 40 µm to 100 µm, and particularly preferably 40 µm to 80 µm. .

상기 제1 기재는, 임의의 적절한 첨가제를 더 포함할 수 있다. 첨가제로서는, 예를 들어 활제, 산화 방지제, 자외선 흡수제, 가공 보조제, 충전제, 대전 방지제, 안정제, 항균제, 난연제, 착색제 등을 들 수 있다.The first substrate may further include any suitable additive. As an additive, a lubricating agent, antioxidant, a ultraviolet absorber, a processing aid, a filler, an antistatic agent, a stabilizer, an antibacterial agent, a flame retardant, a coloring agent, etc. are mentioned, for example.

B-2. 제2 기재B-2. 2nd base

상기 제2 기재로서는, 수지 필름이 바람직하게 사용된다. 수지 필름을 구성하는 수지로서는, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 등의 폴리에스테르계 수지, 폴리프로필렌(PP) 등의 폴리올레핀계 수지, 폴리이미드(PI), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리페닐렌술피드(PPS), 폴리술폰(PSF), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리아릴레이트(PAR) 등을 들 수 있다. 그 중에서도 바람직하게는, 폴리올레핀계 수지이다.As said 2nd base material, a resin film is used preferably. As resin which comprises a resin film, For example, polyester-based resins, such as polyethylene terephthalate (PET), polyolefin-based resins, such as polypropylene (PP), polyimide (PI), polyetherimide (PEI), polyphenyl Ren sulfide (PPS), polysulfone (PSF), polyether ether ketone (PEEK), polyarylate (PAR) and the like. Especially, polyolefin resin is preferable.

하나의 실시 형태에 있어서는, 상기 제2 기재는, 폴리에틸렌계 수지 또는 폴리프로필렌계 수지를 포함한다. 폴리에틸렌계 수지로서는, 예를 들어 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄상 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌 등을 들 수 있다. 폴리에틸렌계 수지 중, 에틸렌 유래의 구성 단위의 함유 비율은, 바람직하게는 80몰% 이상이고, 보다 바람직하게는 90몰% 이상이고, 더욱 바람직하게는 95몰% 이상이다. 에틸렌 유래의 구성 단위 이외의 구성 단위로서는, 에틸렌과 공중합체와 공중합 가능한 단량체 유래의 구성 단위를 들 수 있고, 예를 들어 프로필렌, 1-부텐, 이소부텐, 1-펜텐, 2-메틸-1-부텐, 3-메틸-1-부텐, 1-헥센, 3-메틸-1-펜텐, 4-메틸-1-펜텐, 1-헵텐, 1-옥텐, 1-데센, 1-도데센, 1- 테트라데센, 1- 헥사데센, 1-옥타데센, 1-이코센 등을 들 수 있다.In one embodiment, the said 2nd base material contains polyethylene resin or polypropylene resin. As polyethylene-type resin, a low density polyethylene, linear polyethylene, a medium density polyethylene, a high density polyethylene, an ultra low density polyethylene, etc. are mentioned, for example. In polyethylene-type resin, the content rate of the structural unit derived from ethylene becomes like this. Preferably it is 80 mol% or more, More preferably, it is 90 mol% or more, More preferably, it is 95 mol% or more. As structural units other than the structural unit derived from ethylene, the structural unit derived from the monomer copolymerizable with ethylene and a copolymer is mentioned, For example, propylene, 1-butene, isobutene, 1-pentene, 2-methyl-1- Butene, 3-methyl-1-butene, 1-hexene, 3-methyl-1-pentene, 4-methyl-1-pentene, 1-heptene, 1-octene, 1-decene, 1-dodecene, 1-tetra Decene, 1-hexadecene, 1-octadecene, 1-icocene and the like.

하나의 실시 형태에 있어서는, 제1 기재로서 폴리에틸렌테레프탈레이트로 구성되는 기재를 사용하고, 또한 제2 기재로서 폴리올레핀계 수지(바람직하게는, 상기 폴리에틸렌계 수지 또는 폴리프로필렌계 수지)로 구성되는 기재를 사용한다. 이들 기재를 사용하면, 백그라인드 시에 있어서의 칩 떨어짐 등의 문제를 더 바람직하게 방지할 수 있다.In one embodiment, the base material comprised from polyethylene terephthalate is used as a 1st base material, and the base material comprised from polyolefin resin (preferably the said polyethylene type resin or polypropylene resin) is used as a 2nd base material. use. Use of these substrates can more preferably prevent problems such as chipping off during backgrinding.

상기 제2 기재의 23℃에 있어서의 인장 탄성률은, 바람직하게는 50㎫∼2000㎫이고, 더 바람직하게는 100㎫∼1000㎫이다.The tensile modulus at 23 ° C of the second substrate is preferably 50 MPa to 2000 MPa, more preferably 100 MPa to 1000 MPa.

상기 제2 기재의 23℃에 있어서의 인장 탄성률은, 상기 제1 기재의 23℃에 있어서의 인장 탄성률보다 작은 것이 바람직하다. 제2 기재의 23℃에 있어서의 인장 탄성률은, 상기 제1 기재의 23℃에 있어서의 인장 탄성률에 대해, 바람직하게는 0.5%∼100%이고, 보다 바람직하게는 0.5% 이상 100% 미만이고, 더욱 바람직하게는 1%∼50%이다.It is preferable that the tensile elasticity modulus at 23 degreeC of a said 2nd base material is smaller than the tensile elasticity modulus at 23 degreeC of a said 1st base material. The tensile modulus at 23 ° C of the second base material is preferably 0.5% to 100%, more preferably 0.5% or more and less than 100%, relative to the tensile modulus at 23 ° C of the first base material, More preferably, they are 1%-50%.

상기 제2 기재의 두께는, 바람직하게는 25㎛∼200㎛이고, 보다 바람직하게는 30㎛∼150㎛이고, 더욱 바람직하게는 40㎛∼100㎛이고, 특히 바람직하게는 40㎛∼80㎛이다.The thickness of the second substrate is preferably 25 µm to 200 µm, more preferably 30 µm to 150 µm, still more preferably 40 µm to 100 µm, and particularly preferably 40 µm to 80 µm. .

상기 제2 기재는, 임의의 적절한 첨가제를 더 포함할 수 있다. 첨가제로서는, 예를 들어 활제, 산화 방지제, 자외선 흡수제, 가공 보조제, 충전제, 대전 방지제, 안정제, 항균제, 난연제, 착색제 등을 들 수 있다.The second substrate may further include any suitable additive. As an additive, a lubricating agent, antioxidant, a ultraviolet absorber, a processing aid, a filler, an antistatic agent, a stabilizer, an antibacterial agent, a flame retardant, a coloring agent, etc. are mentioned, for example.

제1 기재와 제2 기재는, 임의의 적절한 접착제층을 통해 적층될 수 있다. 이들 기재 사이의 접착제층의 두께는, 예를 들어 2㎛∼10㎛이다.The first substrate and the second substrate may be laminated through any suitable adhesive layer. The thickness of the adhesive bond layer between these base materials is 2 micrometers-10 micrometers, for example.

C. 중간층C. Middle Layer

상기 중간층은, 카르복실기를 갖고, 가교(예를 들어, 에폭시 가교)되어 있지 않은 아크릴계 수지로 구성된다. 이러한 중간층은, 측쇄에 카르복실기를 갖는 아크릴계 수지를 포함하고, 당해 카르복실기와 반응하여 가교 구조를 형성시키는 가교제 등의 가교성 화합물을 포함하지 않는 중간층 형성용 조성물에 의해 형성될 수 있다. 중간층을 구성하는 아크릴계 수지는, (메트)아크릴산알킬에스테르 및 카르복실기 함유 모노머를 포함하는 모노머 성분을 중합하여 얻어지고, (메트)아크릴산알킬에스테르 유래의 구성 단위 및 카르복실기 함유 모노머 유래의 구성 단위(측쇄에 카르복실기를 갖는 구성 단위)를 포함한다. 아크릴계 수지의 가교의 유무는, 열분해 GC/MS 분석에 의해 확인할 수 있다.The said intermediate | middle layer is comprised with acrylic resin which has a carboxyl group and is not bridge | crosslinking (for example, epoxy bridge | crosslinking). Such an intermediate layer may be formed of an intermediate layer forming composition containing an acrylic resin having a carboxyl group in the side chain and not containing a crosslinking compound such as a crosslinking agent that reacts with the carboxyl group to form a crosslinked structure. Acrylic resin which comprises an intermediate | middle layer is obtained by superposing | polymerizing the monomer component containing a (meth) acrylic-acid alkylester and a carboxyl group-containing monomer, and the structural unit derived from the (meth) acrylic-acid alkylester and the structural unit derived from a carboxyl group-containing monomer (on a side chain) Structural unit having a carboxyl group). The presence or absence of crosslinking of acrylic resin can be confirmed by thermal decomposition GC / MS analysis.

상기 (메트)아크릴산알킬에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산n-부틸, (메트)아크릴산이소부틸, (메트)아크릴산s-부틸, (메트)아크릴산t-부틸, (메트)아크릴산펜틸, (메트)아크릴산이소펜틸, (메트)아크릴산헥실, (메트)아크릴산헵틸, (메트)아크릴산옥틸, (메트)아크릴산2-에틸헥실, (메트)아크릴산이소옥틸, (메트)아크릴산노닐, (메트)아크릴산이소노닐, (메트)아크릴산데실, (메트)아크릴산이소데실, (메트)아크릴산운데실, (메트)아크릴산도데실, (메트)아크릴산트리데실, (메트)아크릴산테트라데실, (메트)아크릴산펜타데실, (메트)아크릴산헥사데실, (메트)아크릴산헵타데실, (메트)아크릴산옥타데실, (메트)아크릴산노나데실, (메트)아크릴산에이코실 등의 알킬기의 탄소수가 4∼20인 직쇄 또는 분지쇄상의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴산알킬에스테르 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 피착체에 대한 접착성이나 접합 작업성의 관점에서, 알킬기의 탄소수가 5∼12인 (메트)아크릴산알킬에스테르가 바람직하고, 더 바람직하게는, 아크릴산n-부틸 또는 아크릴산2-에틸헥실(2EHA)이다. (메트)아크릴산알킬에스테르는, 1종만을 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.As said (meth) acrylic-acid alkylester, For example, n-butyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, s-butyl (meth) acrylate, t-butyl (meth) acrylate, pentyl (meth) acrylate, ( Isopentyl methacrylate, hexyl (meth) acrylate, heptyl (meth) acrylate, octyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, isooctyl (meth) acrylate, nonyl acrylate (meth) acrylic acid Isononyl, decyl acrylate, isodecyl (meth) acrylate, undecyl (meth) acrylate, dodecyl (meth) acrylate, tridecyl (meth) acrylate, tetradecyl (meth) acrylate, penta (meth) acrylate Straight or branched chain having 4 to 20 carbon atoms of alkyl groups such as decyl, hexadecyl (meth) acrylate, heptadecyl (meth) acrylate, octadecyl (meth) acrylate, nonadecyl (meth) acrylate, and echoyl (meth) acrylate Alkyl (meth) acrylate having an alkyl group And the like. Among these, from the viewpoint of adhesion to the adherend and bonding workability, alkyl (meth) acrylates having 5 to 12 carbon atoms in the alkyl group are preferable, and more preferably n-butyl acrylate or 2-ethylhexyl acrylate ( 2EHA). (Meth) acrylic-acid alkylester can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.

상기 아크릴계 수지 중, (메트)아크릴산알킬에스테르 유래의 구성 단위의 함유 비율은, 아크릴계 수지 100중량부에 대해, 바람직하게는 70중량부∼98중량부이고, 더 바람직하게는 85중량부∼96중량부이다.In the said acrylic resin, the content rate of the structural unit derived from (meth) acrylic-acid alkylester becomes like this. Preferably it is 70 weight part-98 weight part with respect to 100 weight part of acrylic resin, More preferably, it is 85 weight part-96 weight part It is wealth.

상기 카르복시기 함유 모노머로서는, 예를 들어 아크릴산(AA), 메타크릴산(MAA), 크로톤산 등의 에틸렌성 불포화 모노카르복실산; 말레산, 이타콘산, 시트라콘산 등의 에틸렌성 불포화 디카르복실산 등을 들 수 있다. 상기 아크릴계 수지는 측쇄에 카르복실기를 갖고, 이러한 아크릴계 수지로 구성된 중간층을 구비하는 백그라인드 테이프는, 백그라인드 시에 발생할 수 있는 칩 떨어짐을 방지한다. 카르복시기 함유 모노머는, 1종만을 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.As said carboxyl group-containing monomer, For example, ethylenic unsaturated monocarboxylic acids, such as acrylic acid (AA), methacrylic acid (MAA), crotonic acid; And ethylenically unsaturated dicarboxylic acids such as maleic acid, itaconic acid and citraconic acid. The acrylic resin has a carboxyl group in the side chain, and the backgrinding tape having an intermediate layer composed of such an acrylic resin prevents chip falling that may occur during backgrinding. A carboxyl group-containing monomer can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.

상기 아크릴계 수지 중, 카르복실기 함유 모노머 유래의 구성 단위의 함유 비율은, 아크릴계 수지 100중량부에 대해, 바람직하게는 2중량부∼30중량부이고, 보다 바람직하게는 4중량부∼15중량부이고, 특히 바람직하게는 4중량부∼8중량부이다. 또한, 카르복실기 함유 모노머 유래의 구성 단위의 함유 비율은, (메트)아크릴산알킬에스테르 유래의 구성 단위 100중량부에 대해, 바람직하게는 2중량부∼30중량부이고, 보다 바람직하게는 5중량부∼20중량부이고, 더욱 바람직하게는 5중량부∼10중량부이다.In the said acrylic resin, the content rate of the structural unit derived from a carboxyl group-containing monomer becomes like this. Preferably it is 2 weight part-30 weight part, More preferably, it is 4 weight part-15 weight part, with respect to 100 weight part of acrylic resin, Especially preferably, they are 4 weight part-8 weight part. Moreover, the content rate of the structural unit derived from a carboxyl group-containing monomer becomes like this. Preferably it is 2 weight part-30 weight part with respect to 100 weight part of structural units derived from (meth) acrylic-acid alkylester, More preferably, it is 5 weight part- It is 20 weight part, More preferably, it is 5 weight part-10 weight part.

상기 아크릴계 수지는, 필요에 따라서, 상기 (메트)아크릴산알킬에스테르와 공중합 가능한 그 밖의 모노머 유래의 구성 단위를 포함하고 있어도 된다. 그 밖의 모노머로서는, 하기의 모노머를 들 수 있다. 이들 모노머는, 1종만을 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.The said acrylic resin may contain the structural unit derived from the other monomer copolymerizable with the said (meth) acrylic-acid alkylester as needed. As another monomer, the following monomers are mentioned. These monomers can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.

수산기 함유 모노머: 예를 들어 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 3-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-히드록시부틸(메트)아크릴레이트 등의 히드록시알킬(메트)아크릴레이트류; 비닐알코올, 알릴알코올 등의 불포화 알코올류; 2-히드록시에틸비닐에테르, 4-히드록시부틸비닐에테르, 디에틸렌글리콜모노비닐에테르 등의 에테르계 화합물;Hydroxyl-containing monomers: for example 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2-hydroxybutyl (meth) acrylate Hydroxyalkyl (meth) acrylates such as these; Unsaturated alcohols such as vinyl alcohol and allyl alcohol; Ether compounds such as 2-hydroxyethyl vinyl ether, 4-hydroxybutyl vinyl ether and diethylene glycol monovinyl ether;

아미노기 함유 모노머: 예를 들어 아미노에틸(메트)아크릴레이트, N,N-디메틸아미노에틸(메트)아크릴레이트, t-부틸아미노에틸(메트)아크릴레이트;Amino group-containing monomers: for example, aminoethyl (meth) acrylate, N, N-dimethylaminoethyl (meth) acrylate, t-butylaminoethyl (meth) acrylate;

시아노기 함유 모노머: 예를 들어 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴;Cyano group-containing monomers: for example acrylonitrile, methacrylonitrile;

케토기 함유 모노머: 예를 들어 디아세톤(메트)아크릴아미드, 디아세톤(메트)아크릴레이트, 비닐메틸케톤, 비닐에틸케톤, 알릴아세토아세테이트, 비닐아세토아세테이트;Keto group-containing monomers: diacetone (meth) acrylamide, diacetone (meth) acrylate, vinyl methyl ketone, vinyl ethyl ketone, allyl acetoacetate, vinyl acetoacetate;

질소 원자 함유 환을 갖는 모노머: 예를 들어 N-비닐-2-피롤리돈, N-메틸비닐피롤리돈, N-비닐피리딘, N-비닐피페리돈, N-비닐피리미딘, N-비닐피페라진, N-비닐피라진, N-비닐피롤, N-비닐이미다졸, N-비닐옥사졸, N-비닐모르폴린, N-비닐카프로락탐, N-(메트)아크릴로일모르폴린;Monomers having a nitrogen atom-containing ring: for example N-vinyl-2-pyrrolidone, N-methylvinylpyrrolidone, N-vinylpyridine, N-vinylpiperidone, N-vinylpyrimidine, N-vinyl pipepe Razin, N-vinylpyrazine, N-vinylpyrrole, N-vinylimidazole, N-vinyloxazole, N-vinylmorpholine, N-vinylcaprolactam, N- (meth) acryloylmorpholine;

알콕시실릴기 함유 모노머: 예를 들어 3-(메트)아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-(메트)아크릴옥시프로필트리에톡시실란, 3-(메트)아크릴옥시프로필메틸디메톡시실란, 3-(메트)아크릴옥시프로필메틸디에톡시실란.Alkoxysilyl group containing monomer: For example, 3- (meth) acryloxypropyl trimethoxysilane, 3- (meth) acryloxypropyl triethoxysilane, 3- (meth) acryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3- (Meth) acryloxypropylmethyldiethoxysilane.

상기 아크릴계 수지 중, 그 밖의 모노머 유래의 구성 단위의 함유 비율은, 아크릴계 수지 100중량부에 대해, 바람직하게는 40중량부 이하이고, 더 바람직하게는 20중량부 이하이고, 더욱 바람직하게는 10 중량부 이하이다.In the said acrylic resin, the content rate of the structural unit derived from another monomer becomes like this. Preferably it is 40 weight part or less, More preferably, it is 20 weight part or less, More preferably, 10 weight part with respect to 100 weight part of acrylic resin. Or less.

상기 아크릴계 수지의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 20만∼300만이고, 보다 바람직하게는 25만∼150만이다. 중량 평균 분자량은, GPC(용매: THF)에 의해 측정될 수 있다.The weight average molecular weight of the said acrylic resin becomes like this. Preferably it is 200,000-3 million, More preferably, it is 250,000-1,500,000. The weight average molecular weight can be measured by GPC (solvent: THF).

상기 중간층 형성용 조성물은, 임의의 적절한 첨가제를 더 포함하고 있어도 된다. 상기 첨가제로서는, 예를 들어 가소제, 점착성 부여제, 노화 방지제, 충전제, 착색제, 대전 방지제, 계면 활성제 등을 들 수 있다. 상기 첨가제는 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상 조합하여 사용해도 된다. 2종 이상의 첨가제를 사용하는 경우, 1종씩 첨가해도 되고, 2종 이상의 첨가제를 동시에 첨가해도 된다. 상기 첨가제의 배합량은, 임의의 적절한 양으로 설정될 수 있다.The said intermediate | middle layer forming composition may further contain arbitrary appropriate additives. As said additive, a plasticizer, a tackifier, an antioxidant, a filler, a coloring agent, an antistatic agent, surfactant, etc. are mentioned, for example. The additives may be used alone or in combination of two or more thereof. When using 2 or more types of additives, you may add individually, and may add 2 or more types of additives simultaneously. The compounding quantity of the said additive can be set to arbitrary appropriate amounts.

상기 중간층의 두께는, 바람직하게는 5㎛∼50㎛이고, 보다 바람직하게는 10㎛∼40㎛이고, 더욱 바람직하게는 15㎛∼30㎛이다. 이러한 범위이면, 백그라인드 시에 있어서의 칩 떨어짐 등의 문제를 더 바람직하게 방지할 수 있다.The thickness of the intermediate layer is preferably 5 µm to 50 µm, more preferably 10 µm to 40 µm, and still more preferably 15 µm to 30 µm. Within such a range, problems such as chip falling off during backgrinding can be more preferably prevented.

상기 중간층의 두께는, 상기 점착제층의 두께에 대해, 2배∼20배인 것이 바람직하고, 3배∼10배인 것이 보다 바람직하고, 3배∼7배인 것이 더욱 바람직하다. 이러한 두께의 관계로 중간층과 점착제층을 구성하면, 면 방향의 외력에 대해, 변형되기 어렵고, 또한 변형되어도 그 후에 원래의 형상으로 돌아가기 어려운 백그라인드 테이프를 얻을 수 있다.It is preferable that the thickness of the said intermediate | middle layer is 2 times-20 times with respect to the thickness of the said adhesive layer, It is more preferable that it is 3 times-10 times, It is further more preferable that it is 3 times-7 times. If an intermediate | middle layer and an adhesive layer are comprised by such a thickness, the backgrinding tape which is hard to deform | transform with respect to the external force of a surface direction, and is hard to return to an original shape after deformation can be obtained.

상기 중간층의 23℃에 있어서의 저장 탄성률 E'은, 바람직하게는 200㎫ 이하이고, 보다 바람직하게는 30㎫∼180㎫이고, 더욱 바람직하게는 50㎫∼160㎫이다. 이러한 범위이면, 요철면에 대한 추종성이 특히 우수한 백그라인드 테이프를 얻을 수 있다. 저장 탄성률 E'은, 나노 인덴테이션법에 의해 측정될 수 있다. 측정 조건은 이하와 같다.Storage elastic modulus E 'at 23 degrees C of the said intermediate | middle layer becomes like this. Preferably it is 200 Mpa or less, More preferably, it is 30 Mpa-180 Mpa, More preferably, it is 50 Mpa-160 Mpa. If it is this range, the backgrinding tape which is especially excellent in the tracking property with respect to the uneven surface can be obtained. The storage modulus E 'can be measured by the nanoindentation method. Measurement conditions are as follows.

(측정 장치 및 측정 조건)(Measurement device and measurement conditions)

장치: Hysitron Inc. 제조 Tribo IndenterDevice: Hysitron Inc. Manufacture Tribo Indenter

사용 압자: Berkovich(삼각뿔형)Indenter: Berkovich

측정 방법: 단일 압입 측정Measuring method: single indentation measurement

측정 온도: 25℃Measuring temperature: 25 ℃

압입 깊이 설정: 약 300㎚Indentation depth setting: approx. 300 nm

압입 속도: 약 10㎚/secIndentation rate: about 10 nm / sec

주파수: 100㎐Frequency: 100 Hz

측정 분위기: 공기 중Measuring atmosphere: in air

시료 사이즈: 약 1㎝×약 1㎝Sample size: 1 cm x 1 cm

상기 중간층의 23℃에 있어서의 인장 탄성률은, 바람직하게는 0.05㎫∼10㎫이고, 보다 바람직하게는 0.1㎫∼5㎫이고, 더욱 바람직하게는 0.2㎫∼3㎫이다. 이러한 범위이면, 중간층을 구성하는 재료로서 특정 재료를 채용하는 것과 더불어, 백그라인드 시에 있어서의 칩 떨어짐 등의 문제를 더 바람직하게 방지할 수 있다.The tensile modulus at 23 ° C. of the intermediate layer is preferably 0.05 MPa to 10 MPa, more preferably 0.1 MPa to 5 MPa, still more preferably 0.2 MPa to 3 MPa. If it is such a range, while using a specific material as a material which comprises an intermediate | middle layer, the problem of chip | tip fall at the time of backgrinding, etc. can be prevented more preferably.

D. 점착제층D. Adhesive layer

상기 점착제층은, 임의의 적절한 점착제에 의해 구성될 수 있다. 점착제로서는, 예를 들어 아크릴계 점착제, 고무계 점착제, 실리콘계 점착제, 폴리비닐에테르계 점착제 등을 들 수 있다. 상기 점착제는, 열경화형 점착제, 활성 에너지선 경화형 점착제 등의 경화형 점착제여도 되고, 감압형 점착제여도 된다. 바람직하게는 경화형 점착제가 사용된다. 경화형 점착제를 사용하면, 백그라인드 시에는 반도체 웨이퍼를 양호하게 고정하고, 그 후, 박리가 필요한 때에는 점착제층을 경화시켜 용이하게 박리될 수 있는 백그라인드 테이프를 얻을 수 있다.The pressure-sensitive adhesive layer may be composed of any suitable pressure-sensitive adhesive. As an adhesive, an acrylic adhesive, a rubber adhesive, a silicone adhesive, a polyvinyl ether-type adhesive etc. are mentioned, for example. The said adhesive may be curable adhesives, such as a thermosetting adhesive and an active-energy-ray-curable adhesive, and a pressure-sensitive adhesive may be sufficient as it. Preferably, a curable pressure sensitive adhesive is used. By using a curable pressure sensitive adhesive, a semiconductor wafer can be satisfactorily fixed during backgrinding, and then a backgrinding tape can be obtained that can be easily peeled off by curing the pressure sensitive adhesive layer when peeling is required.

하나의 실시 형태에 있어서는, 상기 점착제로서, 아크릴계 점착제가 사용된다. 바람직하게는, 상기 아크릴계 점착제는, 경화형이다.In one embodiment, an acrylic adhesive is used as said adhesive. Preferably, the acrylic pressure sensitive adhesive is curable.

아크릴계 점착제는 베이스 폴리머로서, 아크릴계 폴리머를 포함한다. 아크릴계 폴리머는, (메트)아크릴산알킬에스테르 유래의 구성 단위를 가질 수 있다. 상기 (메트)아크릴산알킬에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산n-부틸, (메트)아크릴산이소부틸, (메트)아크릴산s-부틸, (메트)아크릴산t-부틸, (메트)아크릴산펜틸, (메트)아크릴산이소펜틸, (메트)아크릴산헥실, (메트)아크릴산헵틸, (메트)아크릴산옥틸, (메트)아크릴산2-에틸헥실, (메트)아크릴산이소옥틸, (메트)아크릴산노닐, (메트)아크릴산이소노닐, (메트)아크릴산데실, (메트)아크릴산이소데실, (메트)아크릴산운데실, (메트)아크릴산도데실, (메트)아크릴산트리데실, (메트)아크릴산테트라데실, (메트)아크릴산펜타데실, (메트)아크릴산헥사데실, (메트)아크릴산헵타데실, (메트)아크릴산옥타데실, (메트)아크릴산노나데실, (메트)아크릴산에이코실 등의 알킬기의 탄소수가 4∼20인 직쇄 또는 분지쇄상의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴산알킬에스테르 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 피착체에 대한 접착성이나 접합 작업성의 관점에서, 알킬기의 탄소수가 5∼12인 (메트)아크릴산알킬에스테르가 바람직하고, 더 바람직하게는, 아크릴산n-부틸 또는 아크릴산2-에틸헥실(2EHA)이다. (메트)아크릴산알킬에스테르는, 1종만을 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.The acrylic pressure sensitive adhesive includes a base polymer as the base polymer. An acryl-type polymer can have a structural unit derived from (meth) acrylic-acid alkylester. As said (meth) acrylic-acid alkylester, For example, n-butyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, s-butyl (meth) acrylate, t-butyl (meth) acrylate, pentyl (meth) acrylate, ( Isopentyl methacrylate, hexyl (meth) acrylate, heptyl (meth) acrylate, octyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, isooctyl (meth) acrylate, nonyl acrylate (meth) acrylic acid Isononyl, decyl acrylate, isodecyl (meth) acrylate, undecyl (meth) acrylate, dodecyl (meth) acrylate, tridecyl (meth) acrylate, tetradecyl (meth) acrylate, penta (meth) acrylate Straight or branched chain having 4 to 20 carbon atoms of alkyl groups such as decyl, hexadecyl (meth) acrylate, heptadecyl (meth) acrylate, octadecyl (meth) acrylate, nonadecyl (meth) acrylate, and echoyl (meth) acrylate Alkyl (meth) acrylate having an alkyl group And the like. Among these, from the viewpoint of adhesion to the adherend and bonding workability, alkyl (meth) acrylates having 5 to 12 carbon atoms in the alkyl group are preferable, and more preferably n-butyl acrylate or 2-ethylhexyl acrylate ( 2EHA). (Meth) acrylic-acid alkylester can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.

상기 아크릴계 폴리머는, 필요에 따라서, 상기 (메트)아크릴산알킬에스테르와 공중합 가능한 그 밖의 모노머 유래의 구성 단위를 포함하고 있어도 된다. 그 밖의 모노머로서는, 하기의 모노머를 들 수 있다. 이들 모노머는, 1종만을 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.The said acryl-type polymer may contain the structural unit derived from the other monomer copolymerizable with the said (meth) acrylic-acid alkylester as needed. As another monomer, the following monomers are mentioned. These monomers can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.

카르복시기 함유 모노머 및 그의 무수물: 예를 들어 아크릴산(AA), 메타크릴산(MAA), 크로톤산 등의 에틸렌성 불포화 모노카르복실산; 말레산, 이타콘산, 시트라콘산 등의 에틸렌성 불포화 디카르복실산 및 그의 무수물(무수 말레산, 무수 이타콘산 등);Carboxyl group-containing monomers and their anhydrides: For example, ethylenically unsaturated monocarboxylic acids such as acrylic acid (AA), methacrylic acid (MAA), crotonic acid; Ethylenic unsaturated dicarboxylic acids such as maleic acid, itaconic acid and citraconic acid and anhydrides thereof (maleic anhydride, itaconic anhydride, etc.);

수산기 함유 모노머: 예를 들어 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 3-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-히드록시부틸(메트)아크릴레이트 등의 히드록시알킬(메트)아크릴레이트류; 비닐알코올, 알릴알코올 등의 불포화 알코올류; 2-히드록시에틸비닐에테르, 4-히드록시부틸비닐에테르, 디에틸렌글리콜모노비닐에테르 등의 에테르계 화합물;Hydroxyl-containing monomers: for example 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2-hydroxybutyl (meth) acrylate Hydroxyalkyl (meth) acrylates such as these; Unsaturated alcohols such as vinyl alcohol and allyl alcohol; Ether compounds such as 2-hydroxyethyl vinyl ether, 4-hydroxybutyl vinyl ether and diethylene glycol monovinyl ether;

아미노기 함유 모노머: 예를 들어 아미노에틸(메트)아크릴레이트, N,N-디메틸아미노에틸(메트)아크릴레이트, t-부틸아미노에틸(메트)아크릴레이트;Amino group-containing monomers: for example, aminoethyl (meth) acrylate, N, N-dimethylaminoethyl (meth) acrylate, t-butylaminoethyl (meth) acrylate;

에폭시기 함유 모노머: 예를 들어 글리시딜(메트)아크릴레이트, 메틸글리시딜(메트)아크릴레이트, 알릴글리시딜에테르;Epoxy group containing monomers: For example, glycidyl (meth) acrylate, methylglycidyl (meth) acrylate, allyl glycidyl ether;

시아노기 함유 모노머: 예를 들어 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴;Cyano group-containing monomers: for example acrylonitrile, methacrylonitrile;

케토기 함유 모노머: 예를 들어 디아세톤(메트)아크릴아미드, 디아세톤(메트)아크릴레이트, 비닐메틸케톤, 비닐에틸케톤, 알릴아세토아세테이트, 비닐아세토아세테이트;Keto group-containing monomers: diacetone (meth) acrylamide, diacetone (meth) acrylate, vinyl methyl ketone, vinyl ethyl ketone, allyl acetoacetate, vinyl acetoacetate;

질소 원자 함유 환을 갖는 모노머: 예를 들어 N-비닐-2-피롤리돈, N-메틸비닐피롤리돈, N-비닐피리딘, N-비닐피페리돈, N-비닐피리미딘, N-비닐피페라진, N-비닐피라진, N-비닐피롤, N-비닐이미다졸, N-비닐옥사졸, N-비닐모르폴린, N-비닐카프로락탐, N-(메트)아크릴로일모르폴린;Monomers having a nitrogen atom-containing ring: for example N-vinyl-2-pyrrolidone, N-methylvinylpyrrolidone, N-vinylpyridine, N-vinylpiperidone, N-vinylpyrimidine, N-vinyl pipepe Razin, N-vinylpyrazine, N-vinylpyrrole, N-vinylimidazole, N-vinyloxazole, N-vinylmorpholine, N-vinylcaprolactam, N- (meth) acryloylmorpholine;

알콕시실릴기 함유 모노머: 예를 들어 3-(메트)아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-(메트)아크릴옥시프로필트리에톡시실란, 3-(메트)아크릴옥시프로필메틸디메톡시실란, 3-(메트)아크릴옥시프로필메틸디에톡시실란;Alkoxysilyl group containing monomer: For example, 3- (meth) acryloxypropyl trimethoxysilane, 3- (meth) acryloxypropyl triethoxysilane, 3- (meth) acryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3- (Meth) acryloxypropylmethyldiethoxysilane;

이소시아네이트기 함유 모노머: (메트)아크릴로일이소시아네이트, 2-(메트)아크릴로일옥시에틸이소시아네이트, m-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트.Isocyanate group containing monomers: (meth) acryloyl isocyanate, 2- (meth) acryloyloxyethyl isocyanate, m-isopropenyl (alpha), (alpha)-dimethylbenzyl isocyanate.

상기 아크릴계 폴리머중, 상기 그 밖의 모노머 유래의 구성 단위의 함유 비율은, 아크릴계 폴리머 100중량부에 대해, 50중량부 미만이고, 보다 바람직하게는 2중량부∼40중량부이고, 더욱 바람직하게는 5중량부∼30중량부이다.In the said acrylic polymer, the content rate of the structural unit derived from the said other monomer is less than 50 weight part with respect to 100 weight part of acrylic polymer, More preferably, it is 2 weight part-40 weight part, More preferably, 5 Parts by weight to 30 parts by weight.

상기 아크릴계 폴리머의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 20만∼300만이고, 보다 바람직하게는 25만∼150만이다.The weight average molecular weight of the said acrylic polymer becomes like this. Preferably it is 200,000-3 million, More preferably, it is 250,000-1,500,000.

상기 점착제는, 임의의 적절한 첨가제를 더 포함하고 있어도 된다. 상기 첨가제로서는, 예를 들어 광 중합 개시제, 가교제, 가소제, 점착성 부여제, 노화 방지제, 충전제, 착색제, 대전 방지제, 계면 활성제 등을 들 수 있다. 상기 첨가제는 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상 조합하여 사용해도 된다. 2종 이상의 첨가제를 사용하는 경우, 1종씩 첨가해도 되고, 2종 이상의 첨가제를 동시에 첨가해도 된다. 상기 첨가제의 배합량은, 임의의 적절한 양으로 설정될 수 있다.The said adhesive may further contain arbitrary appropriate additives. As said additive, a photoinitiator, a crosslinking agent, a plasticizer, a tackifier, an antioxidant, a filler, a coloring agent, an antistatic agent, surfactant, etc. are mentioned, for example. The additives may be used alone or in combination of two or more thereof. When using 2 or more types of additives, you may add individually, and may add 2 or more types of additives simultaneously. The compounding quantity of the said additive can be set to arbitrary appropriate amounts.

하나의 실시 형태에 있어서는, 상기 점착제는, 광 중합 개시제를 더 포함한다. 광 중합 개시제로서는, 임의의 적절한 개시제를 사용할 수 있다. 광 중합 개시제로서는, 예를 들어 에틸2,4,6-트리메틸벤질페닐포스피네이트, (2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥시드 등의 아실포스핀옥시드계 광 개시제; 4-(2-히드록시에톡시)페닐(2-히드록시-2-프로필)케톤, α-히드록시-α,α'-디메틸아세토페논, 2-메틸-2-히드록시프로피오페논, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 α-케톨계 화합물; 메톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)-페닐]-2-모르폴리노프로판-1 등의 아세토페논계 화합물; 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 아니소인메틸에테르 등의 벤조인에테르계 화합물; 벤질디메틸케탈 등의 케탈계 화합물; 2-나프탈렌술포닐클로라이드 등의 방향족 술포닐클로라이드계 화합물; 1-페논-1,1-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심 등의 광 활성 옥심계 화합물; 벤조페논, 벤조일벤조산, 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논 등의 벤조페논계 화합물; 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 2,4-디클로로티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤 등의 티오크산톤계 화합물; 캄포퀴논; 할로겐화 케톤; 아실포스포네이트 등을 들 수 있다. 그 중에서도 바람직하게는, 아실포스핀옥시드계 광 개시제이다. 광 중합 개시제의 사용량은, 아크릴계 폴리머 100중량부에 대해, 바람직하게는 1중량부∼20중량부이고, 보다 바람직하게는 2중량부∼15중량부이고, 더욱 바람직하게는 3중량부∼10중량부이다.In one embodiment, the said adhesive further contains a photoinitiator. Arbitrary suitable initiator can be used as a photoinitiator. As a photoinitiator, For example, Acyl phosphine oxide type photoinitiators, such as ethyl 2,4,6-trimethylbenzylphenyl phosphinate and (2,4,6- trimethylbenzoyl) -phenylphosphine oxide; 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl (2-hydroxy-2-propyl) ketone, α-hydroxy-α, α'-dimethylacetophenone, 2-methyl-2-hydroxypropiophenone, 1 Α-ketol compounds such as hydroxycyclohexylphenyl ketone; Methoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 2-methyl-1- [4- (methylthio) -phenyl] -2-morpholinopropane Acetophenone compounds such as -1; Benzoin ether compounds such as benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether and anisoin methyl ether; Ketal compounds such as benzyl dimethyl ketal; Aromatic sulfonyl chloride compounds such as 2-naphthalenesulfonyl chloride; Optically active oxime compounds such as 1-phenone-1,1-propanedione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime; Benzophenone compounds such as benzophenone, benzoylbenzoic acid and 3,3'-dimethyl-4-methoxybenzophenone; Thioxanthone, 2-chloro thioxanthone, 2-methyl thioxanthone, 2,4-dimethyl thioxanthone, isopropyl thioxanthone, 2, 4- dichloro thioxanthone, 2, 4- diethyl thioxide Thioxanthone type compounds, such as a santone and 2, 4- diisopropyl thioxanthone; Camphorquinone; Halogenated ketones; Acyl phosphonate etc. are mentioned. Especially, it is an acyl phosphine oxide type photoinitiator. The amount of the photopolymerization initiator used is preferably 1 part by weight to 20 parts by weight, more preferably 2 parts by weight to 15 parts by weight, and even more preferably 3 parts by weight to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the acrylic polymer. It is wealth.

하나의 실시 형태에 있어서는, 상기 점착제는, 가교제를 더 포함한다. 상기 가교제로서는, 임의의 적절한 가교제를 사용할 수 있다. 예를 들어, 이소시아네이트계 가교제, 에폭시계 가교제, 멜라민계 가교제, 과산화물계 가교제, 요소계 가교제, 금속 알콕시드계 가교제, 금속 킬레이트계 가교제, 금속염계 가교제, 카르보디이미드계 가교제, 옥사졸린계 가교제, 아지리딘계 가교제, 아민계 가교제 등을 들 수 있다. 가교제는 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상 조합하여 사용해도 된다. 또한, 가교제의 사용량은, 사용 용도에 따라서 임의의 적절한 값으로 설정될 수 있다. 가교제의 사용량은, 아크릴계 폴리머 100중량부에 대해, 바람직하게는 0.1중량부∼10중량부이고, 보다 바람직하게는 0.5중량부∼5중량부이고, 더욱 바람직하게는 1중량부∼3중량부이다.In one embodiment, the said adhesive further contains a crosslinking agent. Arbitrary suitable crosslinking agents can be used as said crosslinking agent. For example, isocyanate crosslinking agent, epoxy crosslinking agent, melamine crosslinking agent, peroxide crosslinking agent, urea crosslinking agent, metal alkoxide crosslinking agent, metal chelate crosslinking agent, metal salt crosslinking agent, carbodiimide crosslinking agent, oxazoline crosslinking agent, aziri A dine crosslinking agent, an amine crosslinking agent, etc. are mentioned. Only 1 type may be used for a crosslinking agent, and may be used for it in combination of 2 or more type. In addition, the usage-amount of a crosslinking agent can be set to arbitrary appropriate values according to a use use. The amount of the crosslinking agent used is preferably 0.1 part by weight to 10 parts by weight, more preferably 0.5 part by weight to 5 parts by weight, and still more preferably 1 part by weight to 3 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the acrylic polymer. .

하나의 실시 형태에 있어서는, 이소시아네이트계 가교제가 바람직하게 사용된다. 이소시아네이트계 가교제는, 다종의 관능기와 반응할 수 있는 점에서 바람직하다. 상기 이소시아네이트계 가교제의 구체예로서는, 부틸렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트 등의 저급 지방족 폴리이소시아네이트류; 시클로펜틸렌디이소시아네이트, 시클로헥실렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트 등의 지환족 이소시아네이트류; 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 크실릴렌디이소시아네이트 등의 방향족 이소시아네이트류; 트리메틸올프로판/톨릴렌디이소시아네이트 3량체 부가물(닛본 폴리우레탄 고교사 제조, 상품명 「코로네이트 L」), 트리메틸올프로판/헥사메틸렌디이소시아네이트 3량체 부가물(닛본 폴리우레탄 고교사 제조, 상품명 「코로네이트 HL」), 헥사메틸렌디이소시아네이트의 이소시아누레이트체(닛본 폴리우레탄 고교사 제조, 상품명 「코로네이트 HX」) 등의 이소시아네이트 부가물; 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 이소시아네이트기를 3개 이상 갖는 가교제가 사용된다.In one embodiment, an isocyanate crosslinking agent is used preferably. An isocyanate type crosslinking agent is preferable at the point which can react with various functional groups. As a specific example of the said isocyanate type crosslinking agent, Lower aliphatic polyisocyanates, such as butylene diisocyanate and hexamethylene diisocyanate; Alicyclic isocyanates such as cyclopentylene diisocyanate, cyclohexylene diisocyanate and isophorone diisocyanate; Aromatic isocyanates such as 2,4-tolylene diisocyanate, 4,4'-diphenylmethane diisocyanate and xylylene diisocyanate; Trimethylolpropane / tolylene diisocyanate trimer adduct (the Nippon Polyurethane high school company make, brand name "coronate L"), trimethylol propane / hexamethylene diisocyanate trimer adduct (The Nippon polyurethane high school make, brand name "Koro Isocyanate adducts, such as isocyanurate body (made by Nippon Polyurethane Co., Ltd., brand name "coronate HX") of hexamethylene diisocyanate; Etc. can be mentioned. Preferably, a crosslinking agent having three or more isocyanate groups is used.

상기 점착제층의 두께는, 바람직하게는 1㎛∼50㎛이고, 보다 바람직하게는 1㎛∼25㎛이고, 더욱 바람직하게는 1㎛∼5㎛이다. 이러한 범위라면, 백그라인드 시에 있어서의 칩 떨어짐 등의 문제를 더 바람직하게 방지할 수 있다.The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is preferably 1 µm to 50 µm, more preferably 1 µm to 25 µm, and still more preferably 1 µm to 5 µm. Within this range, problems such as chip falling off during backgrinding can be more preferably prevented.

상기 점착제층의 23℃에 있어서의 저장 탄성률 E'은, 바람직하게는 15㎫∼200㎫이고, 보다 바람직하게는 20㎫∼150㎫이고, 더욱 바람직하게는 30㎫∼120㎫이다. 이러한 범위이면, 요철면에 대한 추종성이 특히 우수한 백그라인드 테이프를 얻을 수 있다.Storage elastic modulus E 'at 23 degrees C of the said adhesive layer becomes like this. Preferably it is 15 Mpa-200 Mpa, More preferably, it is 20 Mpa-150 Mpa, More preferably, it is 30 Mpa-120 Mpa. If it is this range, the backgrinding tape which is especially excellent in the tracking property with respect to the uneven surface can be obtained.

상기 점착제층의 23℃에 있어서의 인장 탄성률은, 바람직하게는 0.01㎫∼2㎫이고, 보다 바람직하게는 0.05㎫∼1㎫이고, 더욱 바람직하게는 0.1㎫∼0.5㎫이다. 이러한 범위이면, 백그라인드 시에 있어서의 칩 떨어짐 등의 문제를 더 바람직하게 방지할 수 있다. 또한, 점착제층이 경화형인 경우, 경화 전의 점착제층 인장 탄성률이 상기 범위인 것이 바람직하다.The tensile elasticity modulus at 23 degrees C of the said adhesive layer becomes like this. Preferably it is 0.01 Mpa-2 Mpa, More preferably, it is 0.05 Mpa-1 Mpa, More preferably, it is 0.1 Mpa-0.5 Mpa. Within such a range, problems such as chip falling off during backgrinding can be more preferably prevented. Moreover, when an adhesive layer is curable, it is preferable that the adhesive layer tensile elasticity modulus before hardening is the said range.

E. 백그라인드 테이프의 제조 방법E. Method of Making Backgrind Tape

상기 백그라인드 테이프는, 임의의 적절한 방법에 의해 제조될 수 있다. 백그라인드 테이프는, 예를 들어 기재(제1 기재) 상에, 상기 중간층 형성용 조성물을 도공(도포, 건조)하여 중간층을 형성하고, 이어서 중간층 상에 상기 점착제를 도공(도포, 건조)하여 점착제층을 형성함으로써 얻어질 수 있다. 도공 방법으로서는, 바 코터 도공, 에어 나이프 도공, 그라비아 도공, 그라비아 리버스 도공, 리버스 롤 도공, 립 도공, 다이 도공, 딥 도공, 오프셋 인쇄, 플렉소 인쇄, 스크린 인쇄 등 다양한 방법을 채용할 수 있다. 또한, 점착제층 및 중간층 각각을, 별도로 박리 라이너 상에 형성한 후, 그것을 전사하여 접합하는 방법 등을 채용해도 된다.The backgrinding tape can be produced by any suitable method. The backgrind tape is, for example, coated (coated and dried) the composition for forming an intermediate layer on a substrate (first substrate) to form an intermediate layer, and then the adhesive is coated (coated and dried) on the intermediate layer. It can be obtained by forming a layer. As the coating method, various methods such as bar coater coating, air knife coating, gravure coating, gravure reverse coating, reverse roll coating, lip coating, die coating, dip coating, offset printing, flexo printing, and screen printing can be adopted. In addition, after forming an adhesive layer and an intermediate | middle layer separately on a peeling liner, you may employ | adopt the method etc. which transfer and bond it.

[실시예]EXAMPLE

이하, 실시예에 의해 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다. 실시예에 있어서의 시험 및 평가 방법은 이하와 같다. 또한, 특별히 명기하지 않는 한, 「부」 및 「%」는 중량 기준이다.Hereinafter, although an Example demonstrates this invention concretely, this invention is not limited by these Examples. The test and evaluation method in an Example are as follows. In addition, "part" and "%" are basis of weight unless there is particular notice.

(1) 점착력(1) adhesion

백그라인드 테이프를 폭 20㎜의 직사각형으로 절단하여, 샘플을 제작하였다.The backgrinding tape was cut into the rectangle of width 20mm, and the sample was produced.

상기 샘플에 대해, JIS Z 0237에 준거하여, 하기의 조건에서 180° 박리 시험을 행하여 백그라인드 테이프의 점착력을 측정하였다.The sample was subjected to a 180 ° peel test under the following conditions in accordance with JIS Z 0237 to measure the adhesive force of the backgrinding tape.

<180° 박리 시험><180 ° peel test>

피착체: Si 미러 웨이퍼Substrate: Si Mirror Wafer

반복 시험 수: 3회Number of replicate exams: 3

온도: 23℃Temperature: 23 ℃

박리 각도: 180도Peeling Angle: 180 Degree

박리 속도: 300㎜/minPeeling Speed: 300 mm / min

초기 길이(척 간격): 150㎜Initial length (chuck spacing): 150 mm

(2) 크랙(칩 떨어짐) 평가(2) Crack (chip fall) evaluation

12인치 Si 미러 웨이퍼(두께: 775㎛)의 편면에, 하기의 조건에서 백그라인드 테이프를 접착하고, 이어서 백그라인드 테이프의 접착면과는 반대측의 면으로부터, 하기의 조건에서 스텔스 다이싱을 행하고, 8㎜×12㎜의 소편을 680개 얻을 것을 예정하여, 미러 웨이퍼의 내부에 개질층을 형성시켰다.On one side of a 12-inch Si mirror wafer (thickness: 775 μm), a backgrinding tape was adhered under the following conditions, and then stealth dicing was performed under the following conditions from the side opposite to the adhesive side of the backgrinding tape, 680 small pieces of 8 mm x 12 mm were expected to be obtained, and a modified layer was formed inside the mirror wafer.

이어서, 하기의 조건에서, 미러 웨이퍼의 두께가 25㎛가 되도록, 백그라인드를 행하였다.Next, backgrinding was performed so that the thickness of a mirror wafer might be set to 25 micrometers on condition of the following.

이어서, 인라인 반송으로, 백그라인드 후의 미러 웨이퍼를, 다이싱 테이프(닛토덴코사 제조, 상품명 「NLS-516P」) 및 링 프레임에 마운트하였다.Next, the mirror wafer after backgrinding was mounted in dicing tape (Nitto Denko Corporation make, brand name "NLS-516P") and a ring frame by inline conveyance.

그 후, 다이싱 테이프 너머로 미러 웨이퍼 표면을 광학 현미경(×200)으로 관찰하여, 크랙 발생 유무를 확인하고, 전체 소편 수(680개)에 대한 크랙 발생 수(크랙이 발생한 소편의 수)의 비율에 의해, 크랙 평가를 행하였다.Thereafter, the surface of the mirror wafer was observed with an optical microscope (× 200) over a dicing tape to confirm the occurrence of cracks, and the ratio of the number of cracks (number of cracked pieces) to the total number of pieces (680). The crack evaluation was performed by this.

<스텔스 다이싱 조건><Stealth dicing condition>

장치: 디스코사 제조, DFL7361 SDE06Equipment: Disco company, DFL7361 SDE06

처리 조건: BHC, Non BHCTreatment Condition: BHC, Non BHC

<백그라인드 테이프 첩부 조건><Backgrinding tape sticking condition>

장치: 닛토 세이키 DR-3000IIIDevice: Nitto Seiki DR-3000III

압력: 0.3㎫Pressure: 0.3MPa

온도: 실온Temperature: room temperature

속도: 10㎜/minSpeed: 10mm / min

<백그라인드 조건><Backgrinding condition>

장치: 디스코사 제조, DGP8761 DFM2800 인라인 그라인더Equipment: Disco company, DGP8761 DFM2800 inline grinder

Z1(#360), Z2(#2000)로 박막 후, GDP(게터링 DP 처리)를 실시After thin film with Z1 (# 360) and Z2 (# 2000), GDP (gettering DP processing) is performed.

(3) 저장 탄성률(3) storage modulus

중간층 및 점착제층의 저장 탄성률 E'을, 나노 인덴테이션법에 의해 하기 조건에서 측정하였다.The storage elastic modulus E 'of an intermediate | middle layer and an adhesive layer was measured by the nanoindentation method on condition of the following.

<저장 탄성률 E' 측정><Measurement of storage modulus E '>

장치: Hysitron Inc. 제조 Tribo IndenterDevice: Hysitron Inc. Manufacture Tribo Indenter

사용 압자: Berkovich(삼각뿔형)Indenter: Berkovich

측정 방법: 단일 압입 측정Measuring method: single indentation measurement

측정 온도: 23℃Measuring temperature: 23 ℃

압입 깊이 설정: 약 300㎚Indentation depth setting: approx. 300 nm

압입 속도: 약 10㎚/secIndentation rate: about 10 nm / sec

주파수: 100㎐Frequency: 100 Hz

측정 분위기: 공기 중Measuring atmosphere: in air

시료 사이즈: 약 1㎝×약 1㎝Sample size: 1 cm x 1 cm

[제조예 1] 중간층 형성용 조성물 M1의 조제Preparation Example 1 Preparation of Composition M1 for Intermediate Layer Formation

2에틸헥실아크릴레이트 30중량부와, 메틸아크릴레이트 70중량부와, 아크릴산 10중량부와, 아조비스이소부티로니트릴 0.1중량부와, 아세트산에틸 100중량부를 혼합하여 얻어진 혼합물을, 질소 분위기하, 60℃에서 6시간 중합하여, 중량 평균 분자량·50만의 아크릴계 수지 M1을 얻었다.A mixture obtained by mixing 30 parts by weight of 2ethylhexyl acrylate, 70 parts by weight of methyl acrylate, 10 parts by weight of acrylic acid, 0.1 part by weight of azobisisobutyronitrile, and 100 parts by weight of ethyl acetate was prepared under a nitrogen atmosphere. It superposed | polymerized at 60 degreeC for 6 hours, and obtained the weight average molecular weight and 500,000 acrylic resin M1.

상기 조작에 의해 얻어진 중합액을 중간층 형성용 조성물 M1로 하였다.The polymerization liquid obtained by the said operation was made into composition M1 for intermediate | middle layer formation.

[제조예 2] 중간층 형성용 조성물 M2의 조제Preparation Example 2 Preparation of Composition M2 for Interlayer Formation

부틸아크릴레이트 50중량부와, 에틸아크릴레이트 50중량부와, 아크릴산 5중량부와, 아조비스이소부티로니트릴 0.1중량부와, 아세트산에틸 100중량부를 혼합하여 얻어진 혼합물을, 질소 분위기하, 60℃에서 6시간 중합하여, 중량 평균 분자량 65만의 아크릴계 수지 M2를 얻었다.A mixture obtained by mixing 50 parts by weight of butyl acrylate, 50 parts by weight of ethyl acrylate, 5 parts by weight of acrylic acid, 0.1 part by weight of azobisisobutyronitrile, and 100 parts by weight of ethyl acetate, was subjected to a nitrogen atmosphere at 60 ° C. It superposed | polymerized in 6 hours and obtained acrylic resin M2 of the weight average molecular weight 650,000.

상기 조작에 의해 얻어진 중합액을 중간층 형성용 조성물 M2로 하였다.The polymerization liquid obtained by the said operation was made into composition M2 for intermediate | middle layer formation.

[제조예 3] 중간층 형성용 조성물 M3의 조제Preparation Example 3 Preparation of Composition M3 for Interlayer Formation

트리메틸올프로판/톨릴렌디이소시아네이트의 어덕트체(닛본 폴리우레탄 고교사 제조, 상품명 「코로네이트 L」) 1중량부와, 폴리에테르 폴리올(ADEKA사 제조, 상품명 「아데카 폴리에테르 EDP-300」) 0.05중량부를 혼합하고, 이들 화합물이 반응하여 생성된 반응물을 포함하는 조성물을 얻었다.1 weight part of adduct body (Nipbon polyurethane high school company make, brand name "coronate L") of trimethylol propane / tolylene diisocyanate, and polyether polyol (ADEKA company make, brand name "adeka polyether EDP-300") 0.05 parts by weight were mixed, and a composition containing the reactants produced by the reaction of these compounds was obtained.

얻어진 조성물 1.05중량부를, 제조예 1에서 조제한 중간층 형성용 조성물 M1(아크릴계 수지 M1 함유량 100중량부)에 첨가하여, 중간층 형성용 조성물 M3을 조제하였다.1.05 weight part of obtained composition was added to the composition M1 for intermediate | middle layer formation (100 weight part of acrylic resin M1 content) prepared in the manufacture example 1, and the composition M3 for intermediate | middle layer formation was prepared.

또한, 상기 반응물은 아크릴계 수지를 가교하는 것은 아니다.In addition, the reactant does not crosslink the acrylic resin.

[제조예 4] 중간층 형성용 조성물 M1'의 조제Production Example 4 Preparation of Composition M1 ′ for Intermediate Layer Formation

상기 중간층 형성용 조성물 M1에, 아크릴계 수지 100중량부에 대해 에폭시계 가교제(미쓰비시 가스사 제조, 상품명 「테트라드 C」) 1중량부를 첨가하여, 중간층 형성용 조성물 M1'을 얻었다.1 weight part of epoxy type crosslinking agents (Mitsubishi Gas Corporation make, brand name "Tetrad C") was added to the said composition M1 for intermediate | middle layer forming, and the composition M1 'for intermediate | middle layer forming was obtained.

[제조예 5] 점착제 A1의 조제Production Example 5 Preparation of Adhesive A1

2에틸헥실아크릴레이트 100중량부와, 아크릴로일모르폴린 26중량부와, 히드록시에틸아크릴레이트 18중량부와, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트 12중량부와, 아조비스이소부티로니트릴 0.2중량부와, 아세트산에틸 500중량부를 혼합하여 얻어진 혼합물을, 질소 분위기하, 60℃에서 24시간 중합하여, 중량 평균 분자량 90만의 아크릴계 폴리머 A를 얻었다.100 parts by weight of 2ethylhexyl acrylate, 26 parts by weight of acryloyl morpholine, 18 parts by weight of hydroxyethyl acrylate, 12 parts by weight of 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, and azobisisobutyronitrile The mixture obtained by mixing 0.2 weight part and 500 weight part of ethyl acetate was polymerized at 60 degreeC for 24 hours in nitrogen atmosphere, and the acrylic polymer A of the weight average molecular weight 900,000 was obtained.

상기 조작에 의해 얻어진 중합액(아크릴계 폴리머 A 함유량: 100중량부)에, 광 중합 개시제(IGM Resines사 제조, 상품명 「OmniradTPO」) 7중량부와, 이소시아네이트계 가교제(닛본 폴리우레탄 고교사 제조, 상품명 「코로네이트 C」) 2중량부를 첨가하여, 점착제 A1을 얻었다.To the polymerization liquid (acrylic-polymer A content: 100 weight part) obtained by the said operation, 7 weight part of photoinitiators (IGM Resines company make, brand name "OmniradTPO"), and an isocyanate type crosslinking agent (Nippon Polyurethane Co., Ltd. make, brand name) 2 parts by weight of "coronate C") was added to obtain an adhesive A1.

[제조예 6] 점착제 A2의 조제Preparation Example 6 Preparation of Adhesive A2

광 중합 개시제의 배합량을 3중량부로 한 것 이외에는, 제조예 5와 마찬가지로 하여, 점착제 A2를 얻었다.Except having made the compounding quantity of a photoinitiator into 3 weight part, it carried out similarly to manufacture example 5, and obtained adhesive A2.

[제조예 7] 점착제 A2'의 조제Production Example 7 Preparation of Adhesive A2 '

광 중합 개시제의 배합량을 3중량부로 하고, 가교 보조제(ADEKA사 제조, 상품명 「아데카 폴리에테르 EDP-300」)를 더 첨가한 것 이외에는, 제조예 5와 마찬가지로 하여, 점착제 A2'을 얻었다.The pressure-sensitive adhesive A2 'was obtained in the same manner as in Production Example 5 except that the blending amount of the photoinitiator was 3 parts by weight and a crosslinking aid (manufactured by ADEKA Corporation, trade name "adeka polyether EDP-300") was further added.

[제조예 8] 점착제 B1의 조제Preparation Example 8 Preparation of Adhesive B1

부틸아크릴레이트 100중량부와, 에틸아크릴레이트 78중량부와, 히드록시에틸 아크릴레이트 40중량부와, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트 44중량부와, 아조비스이소부티로니트릴 0.2중량부와, 아세트산에틸 500중량부를 혼합하여 얻어진 혼합물을, 질소 분위기하, 60℃에서 24시간 중합하여, 중량 평균 분자량 50만의 아크릴계 폴리머 B를 얻었다.100 parts by weight of butyl acrylate, 78 parts by weight of ethyl acrylate, 40 parts by weight of hydroxyethyl acrylate, 44 parts by weight of 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, 0.2 parts by weight of azobisisobutyronitrile, The mixture obtained by mixing 500 weight part of ethyl acetate was polymerized at 60 degreeC for 24 hours in nitrogen atmosphere, and the acrylic polymer B of the weight average molecular weight 500,000 was obtained.

상기 조작에 의해 얻어진 중합액(아크릴계 폴리머 B 함유량: 100중량부)에, 광 중합 개시제(IGM Resines사 제조, 상품명 「OmniradTPO」) 3중량부와, 이소시아네이트계 가교제(닛본 폴리우레탄 고교사 제조, 상품명 「코로네이트 C」) 2.5중량부를 첨가하여, 점착제 B1을 얻었다.3 weight part of photoinitiators (IGM Resines, make, brand name "OmniradTPO"), and an isocyanate type crosslinking agent (made by Nippon Polyurethane Co., Ltd.), to a polymerization liquid (acrylic-polymer B content: 100 weight part) obtained by the said operation. 2.5 weight part of "coronate C") was added, and adhesive B1 was obtained.

[제조예 9] 점착제 B2의 조제Preparation Example 9 Preparation of Adhesive B2

가교제의 배합량을 0.2중량부로 한 것 이외에는, 제조예 8과 마찬가지로 하여, 점착제 B2를 얻었다.Except having made the compounding quantity of a crosslinking agent into 0.2 weight part, it carried out similarly to manufacture example 8, and obtained adhesive B2.

[실시예 1]Example 1

제1 기재로서의 폴리에틸렌테레프탈레이트 기재(도레이사 제조, 상품명 「S105 #50」, 두께: 50㎛)와, 제2 기재로서의 폴리에틸렌 기재(후타무라 가가쿠사 제조, 상품명 「LL-XMTN #50」, 두께: 50㎛)를, 접착제(두께: 2㎛)를 통해 적층하였다.Polyethylene terephthalate base material (Toray Corporation make, brand name "S105 # 50", thickness: 50 micrometers) as a 1st base material, and a polyethylene base material (Futamura Kagaku Corporation make, brand name "LL-XMTN # 50", thickness as a 2nd base material) : 50 µm) was laminated through an adhesive (thickness: 2 µm).

이어서, 제1 기재 상에, 중간층 형성용 조성물 M1을 도공하여, 두께 28㎛의 중간층을 형성하였다. 그 후, 중간층 상에, 점착제 A1을 도공하여, 두께 5㎛의 점착제층을 형성하였다.Next, the composition M1 for intermediate | middle layer forming was coated on the 1st base material, and the intermediate | middle layer of thickness 28micrometer was formed. Then, the adhesive A1 was coated on the intermediate | middle layer, and the adhesive layer of thickness 5micrometer was formed.

상기한 바와 같이 하여, 백그라인드 테이프 A를 얻었다. 얻어진 백그라인드 테이프 A를 상기 평가에 제공하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.As described above, a backgrinding tape A was obtained. Obtained backgrinding tape A was provided for the said evaluation. The results are shown in Table 1.

[실시예 2]Example 2

중간층 형성용 조성물 M1 대신에, 중간층 형성용 조성물 M2를 사용하여 중간층(두께: 28㎛)을 형성한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 백그라인드 테이프 B를 얻었다. 얻어진 백그라인드 테이프 B를 상기 평가에 제공하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.The backgrinding tape B was obtained like Example 1 except having formed the intermediate | middle layer (thickness: 28 micrometers) using the intermediate | middle layer forming composition M2 instead of the intermediate | middle layer forming composition M1. Obtained backgrinding tape B was provided for the said evaluation. The results are shown in Table 1.

[실시예 3]Example 3

중간층의 두께를 18㎛로 하고, 또한 점착제 A1 대신에 점착제 A2를 사용하여 점착제층(두께: 5㎛)을 형성한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 백그라인드 테이프 C를 얻었다. 얻어진 백그라인드 테이프 C를 상기 평가에 제공하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.The backgrinding tape C was obtained like Example 1 except having set the thickness of the intermediate | middle layer to 18 micrometers, and using the adhesive A2 instead of adhesive A1 and forming the adhesive layer (thickness: 5 micrometers). Obtained backgrinding tape C was provided for the said evaluation. The results are shown in Table 1.

[실시예 4]Example 4

중간층 형성용 조성물 M1 대신에, 중간층 형성용 조성물 M3을 사용한 것, 중간층의 두께를 18㎛로 한 것, 및 점착제 A1 대신에 점착제 A2'을 사용하여 점착제층(두께: 5㎛)을 형성한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여 백그라인드 테이프 D를 얻었다. 얻어진 백그라인드 테이프 D를 상기 평가에 제공하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.Instead of the intermediate layer formation composition M1, the intermediate layer formation composition M3 was used, the thickness of the intermediate layer was 18 micrometers, and the adhesive layer (thickness: 5 micrometers) was formed using adhesive A2 'instead of adhesive A1. A backgrinding tape D was obtained in the same manner as in Example 1 except for the above. The obtained backgrinding tape D was provided for the above evaluation. The results are shown in Table 1.

[실시예 5]Example 5

제1 기재로서의 폴리에틸렌테레프탈레이트 기재(도레이사 제조, 상품명 「S105 #50」, 두께: 50㎛) 상에 중간층 형성용 조성물 M1을 도공하여, 두께 25㎛의 중간층을 형성하였다. 그 후, 중간층 상에, 점착제 A1을 도공하여, 두께 5㎛의 점착제층을 형성하였다.The composition M1 for intermediate | middle layer forming was coated on the polyethylene terephthalate base material (Toray Corporation make, brand name "S105 # 50", thickness: 50 micrometers) as a 1st base material, and the intermediate | middle layer of thickness 25micrometer was formed. Then, the adhesive A1 was coated on the intermediate | middle layer, and the adhesive layer of thickness 5micrometer was formed.

상기한 바와 같이 하여, 백그라인드 테이프 E를 얻었다. 얻어진 백그라인드 테이프 E를 상기 평가에 제공하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.As described above, the backgrinding tape E was obtained. The obtained backgrinding tape E was provided for the said evaluation. The results are shown in Table 1.

[실시예 6]Example 6

점착제 A1 대신에, 점착제 A2를 사용한 것 이외에는, 실시예 5와 마찬가지로 하여, 백그라인드 테이프 F를 얻었다. 얻어진 백그라인드 테이프 F를 상기 평가에 제공하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.Backgrinding tape F was obtained like Example 5 except having used adhesive A2 instead of adhesive A1. The obtained backgrinding tape F was provided for the said evaluation. The results are shown in Table 1.

[비교예 1]Comparative Example 1

제1 기재로서의 폴리에틸렌테레프탈레이트 기재(도레이사 제조, 상품명 「S105 #50」, 두께: 50㎛) 상에 점착제 A2를 도공하여, 두께 30㎛의 점착제층을 형성하였다.Adhesive A2 was coated on the polyethylene terephthalate base material (Toray Corporation make, brand name "S105 # 50", thickness: 50 micrometers) as a 1st base material, and the adhesive layer of thickness 30micrometer was formed.

상기한 바와 같이 하여, 백그라인드 테이프 G를 얻었다. 얻어진 백그라인드 테이프 G를 상기 평가에 제공하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.As described above, the backgrinding tape G was obtained. Obtained backgrinding tape G was provided for the said evaluation. The results are shown in Table 1.

[비교예 2]Comparative Example 2

점착제 A2 대신에, 점착제 B1을 사용한 것 이외에는, 비교예 1과 마찬가지로 하여 백그라인드 테이프 H를 얻었다. 백그라인드 테이프 H를 상기 평가에 제공하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.The backgrinding tape H was obtained like Comparative Example 1 except having used the adhesive B1 instead of the adhesive A2. Backgrinding tape H was provided for this evaluation. The results are shown in Table 1.

[비교예 3]Comparative Example 3

점착제 A2 대신에, 점착제 B2를 사용한 것 이외에는, 비교예 1과 마찬가지로 하여, 백그라인드 테이프 J를 얻었다. 백그라인드 테이프 J를 상기 평가에 제공하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.A backgrinding tape J was obtained in the same manner as in Comparative Example 1 except that the adhesive B2 was used instead of the adhesive A2. Backgrinding tape J was provided for this evaluation. The results are shown in Table 1.

[비교예 4][Comparative Example 4]

제1 기재로서의 폴리에틸렌테레프탈레이트 기재(도레이사 제조, 상품명 「S105 #50」, 두께: 50㎛) 상에 중간층 형성용 조성물 M1'을 도공하여, 두께 28㎛의 중간층을 형성하였다. 그 후, 중간층 상에 점착제 A2를 도공하여, 두께 5㎛의 점착제층을 형성하였다.The composition M1 'for intermediate | middle layer forming was coated on the polyethylene terephthalate base material (Toray Corporation make, brand name "S105 # 50", thickness: 50 micrometers) as a 1st base material, and the intermediate | middle layer of thickness 28micrometer was formed. Thereafter, pressure-sensitive adhesive A2 was coated on the intermediate layer to form a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 5 μm.

상기한 바와 같이 하여, 백그라인드 테이프 K를 얻었다. 얻어진 백그라인드 테이프 K를 상기 평가에 제공하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.As described above, the backgrinding tape K was obtained. The obtained backgrinding tape K was provided for the above evaluation. The results are shown in Table 1.

[비교예 5][Comparative Example 5]

제1 기재로서의 폴리에틸렌테레프탈레이트 기재(도레이사 제조, 상품명 「루미러 ES10#75」, 두께: 75㎛) 상에 아크릴 우레탄 수지를 포함하는 중간층 형성용 조성물 M4를 도공하여, 두께 75㎛의 중간층을 형성하였다. 그 후, 중간층 상에 점착제 B2를 도공하여, 두께 50㎛의 점착제층을 형성하였다. 또한, 중간층 형성용 조성물 M4의 조제는 하기와 같이 행하였다.Coating composition M4 for intermediate | middle layer forming containing an acrylic urethane resin on the polyethylene terephthalate base material (Toray Corporation make, brand name "Lumier ES10 # 75", thickness: 75 micrometers) as a 1st base material, Formed. Then, adhesive B2 was coated on the intermediate | middle layer, and the adhesive layer of thickness 50micrometer was formed. In addition, preparation of the composition M4 for intermediate | middle layer forming was performed as follows.

상기한 바와 같이 하여, 백그라인드 테이프 L을 얻었다. 얻어진 백그라인드 테이프 L을 상기 평가에 제공하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.As described above, a backgrinding tape L was obtained. The obtained backgrinding tape L was provided for the said evaluation. The results are shown in Table 1.

<중간층 형성용 조성물 M4의 조제><Preparation of composition M4 for intermediate layer formation>

폴리테트라메틸렌에테르글리콜 70중량부와, tert-부틸아크릴레이트 50중량부와, 아크릴산 30중량부와, 부틸아크릴레이트 20중량부와, 이소시아네이트계 화합물(미쓰이 가가쿠사 제조, 상품명 「타케네이트 500」) 25중량부와, 아조비스이소부티로니트릴 0.1중량부와, 아세트산에틸 100중량부를 혼합하여 얻어진 혼합물을, 질소 분위기하, 60℃에서 6시간 중합하여 아크릴 우레탄 수지를 포함하는 중합액을 얻었다.70 parts by weight of polytetramethylene ether glycol, 50 parts by weight of tert-butyl acrylate, 30 parts by weight of acrylic acid, 20 parts by weight of butyl acrylate, and an isocyanate compound (Mitsui Chemical Co., Ltd., trade name "Takenate 500") The mixture obtained by mixing 25 weight part, 0.1 weight part of azobisisobutyronitrile, and 100 weight part of ethyl acetate was superposed | polymerized at 60 degreeC under nitrogen atmosphere for 6 hours, and obtained the polymerization liquid containing an acrylic urethane resin.

상기 중합액에, 아크릴 우레탄 수지 100중량부에 대해 가교제(트리메틸올프로판트리아크릴레이트) 5중량부를 첨가하여, 중간층 형성용 조성물 M4를 얻었다.5 weight part of crosslinking agents (trimethylol propane triacrylate) were added with respect to 100 weight part of acrylic urethane resins, and the composition M4 for intermediate | middle layer formation was obtained to the said polymerization liquid.

Figure pat00001
Figure pat00001

10 : 점착제층
20 : 중간층
31 : 제1 기재
32 : 제2 기재
100 : 백그라인드 테이프
10: adhesive layer
20: middle layer
31: first description
32: second description
100: backgrinding tape

Claims (8)

점착제층과, 중간층과, 제1 기재를 이 순서로 구비하고,
당해 중간층을 구성하는 재료가, 카르복실기를 갖고, 또한 가교되어 있지 않은 아크릴계 수지이며,
당해 점착제층을 Si 미러 웨이퍼에 접착시켰을 때의 초기 점착력이, 1N/20㎜∼30N/20㎜인, 백그라인드 테이프.
An adhesive layer, an intermediate | middle layer, and a 1st base material are provided in this order,
The material which comprises the said intermediate | middle layer is acrylic resin which has a carboxyl group and is not crosslinked,
The backgrinding tape whose initial adhesive force at the time of sticking the said adhesive layer to a Si mirror wafer is 1N / 20mm-30N / 20mm.
제1항에 있어서,
제2 기재를 더 구비하고,
당해 제2 기재가, 상기 제1 기재의 중간층과는 반대측에 배치되는, 백그라인드 테이프.
The method of claim 1,
Further provided with a 2nd base material,
The said back base tape is arrange | positioned on the opposite side to the intermediate | middle layer of the said 1st base material.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1 기재가, 폴리에틸렌테레프탈레이트로 구성되는, 백그라인드 테이프.
The method according to claim 1 or 2,
A backgrinding tape, wherein the first base material is made of polyethylene terephthalate.
제2항에 있어서,
상기 제2 기재가, 폴리올레핀계 수지로 구성되는, 백그라인드 테이프.
The method of claim 2,
The backgrinding tape of which the said 2nd base material is comprised from polyolefin resin.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 점착제층의 두께가, 1㎛∼50㎛인, 백그라인드 테이프.
The method according to claim 1 or 2,
The backgrinding tape whose thickness of the said adhesive layer is 1 micrometer-50 micrometers.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 중간층의 두께가, 5㎛∼50㎛인, 백그라인드 테이프.
The method according to claim 1 or 2,
The backgrinding tape whose thickness of the said intermediate | middle layer is 5 micrometers-50 micrometers.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 아크릴계 수지가, 카르복실기 함유 모노머 유래의 구성 단위를 갖고,
당해 카르복실기 함유 모노머 유래의 구성 단위의 함유 비율이, 당해 아크릴계 수지 100중량부에 대해, 2중량부∼30중량부인, 백그라인드 테이프.
The method according to claim 1 or 2,
The acrylic resin has a structural unit derived from a carboxyl group-containing monomer,
The backgrinding tape whose content rate of the structural unit derived from the said carboxyl group-containing monomer is 2 weight part-30 weight part with respect to 100 weight part of said acrylic resins.
제1항 또는 제2항에 있어서,
스텔스 다이싱된 반도체 웨이퍼를 이면 연삭할 때에 사용되는, 백그라인드 테이프.
The method according to claim 1 or 2,
A backgrinding tape used for backside grinding stealth diced semiconductor wafers.
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