KR20200014873A - 고온 금속용 샘플러 - Google Patents

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KR20200014873A
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드라이스 베엔즈
진-폴 버호벤
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헤라우스 일렉트로-나이트 인터내셔날 엔. 브이.
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Abstract

용융 금속 베스, 특히 용선으로부터 샘플을 취하는 샘플러는 덮개판과 하우징을 갖는 샘플 챔버 조립체를 포함한다. 하우징은 유입 도관 및 가스 커플러 각각을 위한 제1 및 제2 개구를 구비한다. 제1 면은 분석 구역, 통기 구역, 및 분배 구역을 갖는다. 분석 구역의 깊이는 0.5 mm 내지 1.5 mm이다. 덮개판과 하우징은 함께 조립되어 샘플 캐비티를 형성한다. 샘플 챔버 조립체는 내부에 수용된 용선을 고체화된 백색 구조 금속 샘플로 냉각시킨다. 샘플의 분석 표면은 제1 평면에 있다. 용선의 유동 방향에서, 샘플 캐비티의 폭 치수는 증가하지 않고 샘플 캐비티의 길이 대 깊이의 비가 증가된다.

Description

고온 금속용 샘플러{SAMPLER FOR HOT METAL}
본 발명은 발광 분광계(optical emission spectrometer)에서 직접 분석될 수 있는 고온 금속, 특히 높은 탄소 함량의 용선(molten iron)의 크랙없이 고체화된 샘플에 관한 것이다. 본 발명은 또한 크랙 없이 그리고 표면 준비 없이 신속한 로봇식 분석에 적합한 금속 쿠폰을 생성하도록 급속 냉각될 수 있는 용융 샘플을 회수하기 위한 고온 금속 침지 샘플링 디바이스의 물리적인 구성에 관한 것이다.
강의 야금 처리 중에, 용광로에서 획득된 일반적으로 고온 금속으로 알려진 용선은 컨버터에서 수행되는 후속 제강 프로세스에서 원료 공급물로 사용된다. 용광로에서 배치 수량으로 획득되었만, 고온 금속은 때때로 다른 철 배치와 혼합되거나 컨버터에 장입되기 전에 화학적 성질을 변경하기 위해 처리된다. 따라서, 처리 동안 그리고 컨버터 프로세스의 질량 및 에너지 균형에서의 사용을 위해 그 화학적 조성을 결정하도록 고온 금속의 샘플을 추출하는 것이 유리하다. 화학적 분석을 위해 고온 금속의 샘플을 추출하는 디바이스는 당해 분야에 널리 알려져 있다. 그러한 종래 기술 인용 문헌의 일례로는 미국 특허 제3,996,803호가 있다.
제철소의 화학 실험실에는 금속 샘플의 원소 조성을 결정하기 위해 다양한 분석 장비가 있다. 금속 샘플을 분석하기 위해 가장 광범위하게 사용되는 프로세스는 발광 분광기(optical emission spectroscopy)(이후, OES로 명명됨)에 의한 것이다. 신속한 분석 시간 및 고유의 정확도로 인해, OES 시스템은 금속 샘플의 화학적 조성을 결정하고 용융 금속의 처리를 제어하는 가장 효과적인 시스템이다. 그러나, 고농도의 탄소와 실리콘을 함유하는 용광로의 고온 금속에서 획득된 샘플은 통상적으로 OES에 의해서가 아니라 X선 형광 분광기에 의해 분석된다.
고온 금속 샘플과 함께 사용하기 위해 OES 이외의 분석 장비를 선택하는 것은 추출된 샘플의 금속 조직학적 구조에 의해 결정된다. 통상적으로, 고온 금속 샘플러는 캐리어 튜브 상에 장착되고 2개의 두꺼운 금속 냉각 플레이트에 의해 형성된 샘플링 챔버에 고온 금속이 들어가는 측면 입구를 갖는 저비용 샘플링 디바이스이다. 샘플은 핫멜트로부터 샘플러 디바이스를 취출한 후에 샘플링 챔버를 둘러싸는 샌드바디(sandbody)를 분쇄하여 쉽게 회수될 수 있다. 고온 금속은 샘플링 챔버에 들어감에 따라 즉시 고체화된다. 고체화 동안, 기포 및 원하지 않는 개재물이 샘플의 상단부로 올라가므로, 고체화된 샘플의 바닥면이 분석에 사용된다. 급속 냉각으로 인해 샘플이 균일하게 냉각됨으로써, 발광 분광계를 이용한 신뢰성 있는 분석을 위한 모든 사양을 만족시킨다.
당해 분야에 공지된 고온 금속 샘플러는 통상적으로 4 mm 내지 12 mm의 두께를 갖는 35 mm의 둥근 코인 샘플을 제공하고, 선택적으로 연소 분석을 위해 4 mm 또는 6 mm의 핀을 갖는다. 고체로 냉각하는 동안, 용융 샘플은 다수의 석출 반응을 겪을 수 있고, 그에 따라 철의 화학적 조성 및 액체 금속을 고체화 온도로 냉각시키는 속도로 인해 상이한 고체화 구조를 초래한다는 것이 당해 분야에 공지되어 있다. 샘플링시의 베스 온도는 1250℃ 내지 1500℃일 수 있기 때문에, 단일의 종래 기술 샘플링 디바이스는 서로 다른 고체화 구조를 초래할 수 있다.
지배적인 고체화 구조는 주조 금속에서 탄소의 형태로 인한 파쇄 표면의 외관으로부터 명칭을 받는다.
구체적으로, 공융 조성물 이상의 고탄소 철의 경우, 흑연 플레이크(graphite flake)의 형태로 냉각되는 동안 탄소가 용액에서 석출되어 그 외관과 명칭인 회색 철을 발생시킨다. 공융 조성물보다 적은 철 조성에서, 금속이 흑연을 함유하는 경우에 회색 철이 여전히 생성될 수 있다. 촉진제(예컨대, 규소 및 인과 같은 원소)는 용광로 철과 같은 적절한 조성으로 존재할 때에 회색 철 구조에 대한 고체화에 영향을 주기 위해 사용된다. 회색 철은 발광 분광계에서의 분석에 적합하지 않다.
또 다른 고체화 구조는 철의 급속 냉각 동안 발생하며, 용해된 탄소는 그 빛나는 은 외관의 결과로서 백색 철 또는 칠드 철(chilled iron)로서 석출된다. 백색 또는 칠드 철은 주철이 철 카바이드/오스테나이트 공융 혼합물의 석출에 의해 고체화될 때에 발생한다. 백색 구조가 형성되기 위해서는, 지배적인 회색 철 공융 혼합물이 백색 철 공융 혼합물 아래의 온도로 과냉각하여 억제되어야 한다. 그러한 냉각의 정도는 백색 철 공융 조성물이 핵 생성되고 회색 철 공융 혼합물보다 우선하여 성장하도록 되어야 한다. 냉각에 의한 억제가 약간 불충분하거나 너무 늦게 발생하여 흑연 석출이 이미 시작된 경우, 금속은 냉각되어 백색 구조를 갖지만 흑연이 산재될 것이다. 이것은 회색 또는 백색이 아니라는 것을 의미하는 반점 철이라고 불린다. 반점 철의 특성은 조기 냉각 속도와 접종(inoculation)의 정도에 따라 달라진다. 이러한 유형의 철 구조의 분석은 분석 지점과 냉각 표면에 대한 근접도에 따라 부정확한 결과를 산출한다.
미국 특허 제3,406,736호에는 첨가제를 사용하여 반점을 피하는 디바이스가 개시되어 있다. 그러나, 접종은 침지 샘플링 디바이스에서 균일하게 달성하기 어려운 금속에 대한 첨가제로 인해 생긴 프로세스이고 초기 고온 금속에 존재하지 않았던 원소를 샘플에 추가하는 결과를 초래한다.
첨가제를 사용하지 않고 고온 금속 샘플링 디바이스에서 백색 고체화를 촉진시키기 위해서는, 고온 금속이 주조되는 몰드를 형성하는 데 높은 질량 및/또는 높은 전도성 고체 금속을 사용하여 필요한 냉각을 제공해야 한다. 직접 분석(DA; direct analysis) 샘플러라고 명명되는 매우 높은 고체화 속도의 샘플링 장치로부터 놀랄만한 결과를 획득하였다. 그 결과에 따르면, 순수한 백색 철 구조가 흑연 촉진 원소를 함유하는 용광로 철부터 획득되고, 1525℃ 만큼 높은 온도로부터 냉각되며, 발광 분광계에 의해 정확하게 분석된다.
대개, OES 분석 절차는 OES 기기, 즉 발광 분광계의 스테이지의 예정된 영역 상에 분석 표면이 아래를 향하도록 전도성 금속 샘플이 위치 설정되는 것으로 시작한다. 보다 구체적으로, 샘플은 분광계의 분석 개구를 가로질러 폐쇄하도록 위치 설정되고, 애노드는 샘플의 분석 표면에 거의 접한다. 일단 샘플의 원하는 위치 설정 및 애노드와 분석 표면의 근접이 달성되면, 애노드와 분광계 스테이지에 전기적으로 연결된 전도성 금속 샘플 사이에 스파크가 방전된다. 이 연결은 대부분의 경우 작은 하중과 함께 중력에 의해 이루어진다. 발광 분광계의 분석 개구의 폭은 통상적으로 약 12 mm이다. 이 거리는 애노드와 기기 하우징 사이의 스파크 아크를 방지한다. 광 검출기는 샘플 표면의 천공된 재료로부터 방출된 광을 수신한다. 애노드와 금속 샘플 사이의 공간에 의해 부분적으로 형성된 스파크 챔버는 잘못된 분석값을 초래하는 공기 침투를 방지하도록 아르곤 또는 다른 불활성 가스로 연속적으로 퍼지된다.
분광계의 분석 개구를 가로질러 평평하게 놓기 위해, 금속 샘플은 어떠한 연장부도 가질 수 없으며 금속 샘플의 분석 표면은 평탄해야 한다(즉, 샘플 하우징의 어떤 부분도 분석 표면의 평면을 파손시키면 안됨). 샘플은 분광계의 분석 개구에 걸쳐 있어야 하고, 스파크 챔버의 불활성 가스 퍼지를 용이하게 하며 애노드를 향해 인접한 샘플 표면을 제공하기에 충분한 평평도를 가져야 한다.
DA(Direct Analysis) 샘플러는 새로 개발된 유형의 용융 금속 침지 샘플러로서 DA 샘플을 생성한다. DA 샘플은 분석되기 전에 어떤 종류의 표면 준비도 필요로 하지 않으므로, OES 분석 방법을 사용하여 적시에 화학적 결과를 얻을 수 있고 뿐만 아니라 실험실 시간을 절약할 수 있다는 점에서 상당한 경제적 이점을 초래할 수 있다.
미국 특허 제9,128,013호에는 용강 베스로부터 DA 타입 샘플을 수집하기 위한 샘플링 디바이스가 개시되어 있다. 샘플링 디바이스는 적어도 2개의 부품에 의해 형성되는 샘플 챔버를 포함한다. 유사한 DA 타입 샘플러가 미국 특허 출원 공개 제2014/318276호에 공지되어 있다. 이 DA 타입 샘플러의 샘플 캐비티의 일단부는 유입 도관을 통해 샘플러의 침지 중에 용융 금속 베스에 연결되고, 샘플 캐비티의 대향 단부는 커플링 디바이스와 연통한다. 침지 동안 그러나 샘플 캐비티를 용융 금속으로 채우기 전에, 샘플 캐비티는 샘플링된 재료의 조기 충진 및 산화를 피하기 위해 불활성 가스로 퍼지된다. 유입 도관은 샘플 캐비티의 평평한 표면에 수직으로 배치된다. 샘플 캐비티의 통기는 침지 방향에 대해 샘플 캐비티의 분석 표면 아래에 배치된다.
그러한 종래의 샘플링 디바이스는 준비없는 OES 분석에 적합한 강 샘플을 회수하는 데에 적절할 수 있지만, 흑연화 원소를 함유하는 고온 금속으로부터 순수한 백색 고체화 구조를 생성하는 데에 요구되는 필수적인 냉각 속도가 결과적인 샘플의 표면을 따른 크랙, 뿐만 아니라 결과적인 샘플의 두께를 가로지르는 크랙을 초래한다고 판명되었다. 이는 크랙된 표면에 OES의 여기 스파크가 입사될 때에 잘못된 결과를 산출하기 때문에 문제가 된다. 또한, OES에 의해 분석될 금속 샘플은 분석 표면이 아래를 향한 상태로 위치된다. 가장 극단적인 경우, 크랙은 금속 조각이 샘플의 본체에서 이탈되어 OES 스파크 영역으로 떨어지게 할 수 있다. 통상적인 제철소의 로봇 장비는 이러한 유형의 장비 오염을 처리하는 장비가 없다.
또한, 종래의 샘플링 디바이스에 의해 생성된 샘플은 분광계 개구에 평행한 방향으로 적어도 32 mm의 직경을 갖고, 분광계 개구에 수직인 방향으로 4-12 mm의 두께를 갖는다. 그러한 치수는 금속 샘플의 분석 표면을 기계적으로 연마하여 표면에서 산화물을 제거하고 필수적인 평평한 토포그래피를 제공하는 사전 분석 준비 장비로 쉽게 처리될 수 있다. 이러한 기하학적 형태는 또한 샘플을 준비로부터 분석 및 제거를 통해 전진시키고 다음 샘플을 기다리는 로봇 조작기에 편리하다. 통상적인 제철소 실험실의 로봇 장비는 근본적으로 다른 샘플 기하학적 형태를 수용하도록 수정하기가 어렵다.
그러나, 종래 기술의 샘플 용적은 필요한 최소한의 분석된 표면적에 도달하는 데에 필요한 금속의 최소 체적보다 과치수이다. 따라서, 종래 기술 디바이스의 샘플 용적은 산화물없는 표면을 얻는 데에 필요한 용융 금속 샘플의 급속 고체화를 배제한다. 이와 같이, 종래의 디바이스는 표면 준비없이 OES에 의해 신뢰성 있게 분석될 수 없다. 대형 냉각판과 샘플러 하우징을 사용하여 대량의 금속 샘플을 회수 후에 저온으로 만드는 것은 급속한 탈형을 위해서는 비실용적이며 침지 샘플링 디바이스로서 사용하기에 비경제적이다.
따라서, 고온 금속을 샘플링하고 크랙 없이 고체화된 고온 금속 샘플을 형성하는 데에 사용될 수 있는 OES 분석용 DA 타입 샘플을 제공하는 것이 유리할 것이다. 순수한 백색 고체화 구조(즉, 흑연 석출이 없는 구조)를 촉진하는 데에 필요한 급속 냉각 정도를 받을 수 있고 크랙 없이 유지되며, 이에 따라 OES에 의한 분석에 적합한 고온 금속의 준비없는 샘플을 생성하는 DA 타입 샘플러를 제공하는 것이 유리할 것이다.
또한, 공압식 불활성 가스 퍼지 장치에 신속하게 연결될 수 있고 감소된 압력의 금속 흡수를 보이는 야금 용기 내의 고온 금속으로부터 준비없는 샘플을 회수하기 위한 용융 금속 침지 디바이스를 제공하는 것이 유리할 것이다. 특히, 용이하게 획득되고 침지 디바이스 하우징으로부터 신속하게 제거되며, 샘플 챔버로부터 탈형되어, 추가적인 냉각 또는 준비없이 OES 상에서 직접 분석됨으로써 비용 효과적인 용융 금속 샘플을 생성하기 위한 용융 금속 침지 디바이스를 제공하는 것이 유리할 것이다.
본 발명은 종축에 평행한 침지 방향으로 고온 금속이 채워지고 국부적으로 분석된 백색 구조의 고온 금속 샘플을 생성하는 급속 냉각식 샘플러에 관한 것이다. 이 구성은, 본 명세서에 보다 상세하게 설명되는 바와 같이, 현재 분석 가능한 표면이 특정한 치수가 될 것을 필요로 하는 기존의 발광 분광기에 대한 최대 효융성을 제공하고, 또한 최소의 노력으로 금속 샘플을 제거하고 탈형하도록 전술한 캐리어 튜브에 끼워지는 최적의 기하학적 형태를 제공한다.
요약하면, 아래의 실시예들이 본 발명의 범위 내에서 특히 바람직한 것으로 제안된다.
실시예 1: 용융 금속 베스, 특히 용선(molten iron)으로부터 샘플을 취하는 샘플러로서,
침지 단부를 갖는 캐리어 튜브;
캐리어 튜브의 침지 단부 상에 배치된 샘플 챔버 조립체를 포함하고, 샘플 챔버 조립체는 덮개판과 하우징을 포함하며,
상기 하우징은,
유입 도관을 위한 제1 개구를 갖는 침지 단부와 가스 커플러를 위한 제2 개구를 갖는 대향 단부; 및
침지 단부와 대향 단부 사이에서 연장되는 제1 면을 포함하고, 제1 면은 침지 단부 근처의 제1 오목부 및 제2 오목부를 가지며, 제1 오목부는 분석 구역이고 제2 오목부는 통기 구역이고, 분석 구역의 일부는 분배 구역의 위에 있어 제1 개구와 직접 유동 연통하고 유입 도관으로부터 용선을 받아들이도록 구성되며,
분석 구역의 깊이는 0.5 mm 내지 1.5 mm이고,
상기 덮개판과 하우징은 함께 조립되어 분배 구역, 분석 구역, 및 통기 구역을 포함하는 샘플 캐비티를 형성하도록 구성되며,
조립된 덮개판과 하우징은 내부에 받아들인 용선을 고체화된 백색 구조 금속 샘플로 냉각시키도록 구성되어, 고체화된 백색 구조 금속 샘플의 분석 표면이 제1 평면에 있으며,
제1 및 제2 개구는 제1 평면으로부터 떨어져 있는 것을 특징으로 하는 샘플러.
실시예 2: 실시예 1에 있어서, 샘플 캐비티와 제1 및 제2 개구는 공통의 종축을 따라 정렬되는 것을 특징으로 하는 샘플러.
실시예 3: 이전 실시예들 중 어느 하나에 있어서, 분석 구역, 분배 구역 및 통기 구역은 복수 개의 연속적인 세그먼트로서 구조화되고, 각각의 세그먼트는 길이 대 깊이비를 가지며, 복수 개의 세그먼트의 길이 대 깊이비의 총합은 25보다 큰 것을 특징으로 하는 샘플러.
실시예 4: 이전 실시예들 중 어느 하나에 있어서, 분배 구역, 분석 구역 및 통기 구역은 복수 개의 연속적인 세그먼트로서 구조화되고, 각각의 세그먼트는 길이 대 깊이비를 가지며, 세그먼트의 길이 대 깊이비는 제1 개구로부터의 거리가 증가함에 따라 연속적으로 증가하는 것을 특징으로 하는 샘플러.
실시예 5: 이전 실시예들 중 어느 하나에 있어서, 분배 구역의 단부로부터 가스 커플러를 향하는 용선의 유동 방향에서 샘플 캐비티의 폭 치수가 증가하지 않는 것을 특징으로 하는 샘플러.
실시예 6: 이전 실시예들 중 어느 하나에 있어서, 분석 구역과 통기 구역의 총 길이는 20 내지 50 mm, 바람직하게는 30 mm 길이인 것을 특징으로 하는 샘플러.
실시예 7: 이전 실시예들 중 어느 하나에 있어서, 분석 구역은 분배 구역 위에 균일한 깊이를 갖는 것을 특징으로 하는 샘플러.
실시예 8: 이전 실시예들 중 어느 하나에 있어서, 분석 구역의 적어도 일부의 단면적은 용선의 유동 방향으로 점진적으로 테이퍼지는 것을 특징으로 하는 샘플러.
실시예 9: 이전 실시예들 중 어느 하나에 있어서, 통기 구역의 단면적은 용선의 유동 방향으로 점진적으로 테이퍼지는 것을 특징으로 하는 샘플러.
실시예 10: 이전 실시예들 중 어느 하나에 있어서, 샘플 챔버의 질량 대 샘플 수집 용적 내에 수용된 금속의 질량의 비는 9 내지 12, 바람직하게는 10인 것을 특징으로 하는 샘플러.
실시예 11: 이전 실시예들 중 어느 하나에 있어서, 덮개판은 샘플 챔버의 질량의 10 내지 20%를 차지하는 것을 특징으로 하는 샘플러.
실시예 12: 이전 실시예들 중 어느 하나에 있어서, 유입 도관의 단면적은 분배 구역의 단면적의 0.20 내지 0.70배, 바람직하게는 0.55배인 것을 특징으로 하는 샘플러.
실시예 13: 이전 실시예들 중 어느 하나에 있어서, 분배 구역의 바닥 표면은 분석 구역의 폐쇄된 바닥 단부와 40 내지 90°, 바람직하게는 60°의 각도로 교차하는 것을 특징으로 하는 샘플러.
실시예 14: 이전 실시예들 중 어느 하나에 있어서, 덮개판은 덮개판과 하우징 사이에 실질적으로 기밀식 시일을 제공하도록 구성된 밀봉 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 샘플러.
실시예 15: 이전 실시예들 중 어느 하나에 있어서, 덮개판은 샘플 챔버를 형성하도록 금속 클램프에 의해 하우징에 고정되는 것을 특징으로 하는 샘플러.
실시예 16: 이전 실시예들 중 어느 하나에 있어서, 제1 및 제2 개구는 샘플 캐비티에 형성된 유일한 개구들이고, 유입 도관의 단부는 제1 개구 내에 고정되며 가스 커플러의 단부는 제2 개구 내에 고정되는 것을 특징으로 하는 샘플러.
실시예 17: 이전 실시예들 중 어느 하나에 있어서, 유입 도관의 단면적은 분석 구역의 단면적의 0.5 내지 2배인 것을 특징으로 하는 샘플러.
실시예 18: 이전 실시예들 중 어느 하나에 있어서, 유입 도관, 분배 구역, 분석 구역, 통기 구역 및 가스 커플러는 용선의 유동 방향에서 이 순서대로 순차적으로 배열되는 것을 특징으로 하는 샘플러.
실시예 19: 이전 실시예들 중 어느 하나에 있어서, 하우징의 제1 면은 이 제1 면으로부터 돌출되고 통기 구역, 분석 구역 및 분배 구역을 둘러싸는 릿지를 포함하는 것을 특징으로 하는 샘플러.
실시예 20: 이전 실시예들 중 어느 하나에 있어서, 덮개판과 하우징이 함께 조립될 때에, 덮개판은 제1 평면을 따라 하우징의 릿지에 대해 동일한 높이로 안착되는 것을 특징으로 하는 샘플러.
전술한 요약, 뿐만 아니라 본 발명의 바람직한 실시예의 아래의 상세한 설명은 첨부된 도면과 함께 읽으면 더 양호하게 이해될 것이다. 예시를 위해, 도면에 바람직한 실시예가 도시되어 있다. 그러나, 디바이스 및 방법은 도시된 것과 정확한 배열 및 기기로 제한되지 않는다는 것을 이해해야 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따라 침지 방향으로 배향된 침지 샘플링 프로브의 측면도이다.
도 2는 도 1의 침지 샘플링 프로브의 평면도이다.
도 3은 공압 라인을 수용하는 프로브 홀더에 연결하기 위한 가스 커넥터가 마련된 도 1의 침지 샘플링 프로브의 측면도이다.
도 4는 도 1의 침지 샘플링 프로브의 2 부품 샘플 챔버의 하우징의 정면도이다.
도 4a는 도 4에 도시된 샘플 챔버 하우징의 저면도이다.
도 5는 도 1의 침지 샘플링 프로브의 2 부품 샘플 챔버의 덮개판의 정면도이다.
도 5a는 도 5에 도시된 샘플 챔버 덮개판의 저면도이다.
도 6은 샘플 캐비티의 종축에 평행한 평면을 따라 취한 도 3의 침지 샘플링 프로브의 측단면도이다.
도 7은 고체화된 고온 금속 샘플을 내부에 수용하고 준비 없이 OES 분석에 적합한 샘플 챔버 하우징의 정면도이다.
도 7a는 도 7에 도시된 샘플 챔버 하우징의 측면도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 2 부품 샘플 챔버의 하우징의 정면도이다.
도 8a는 도 8에 도시된 샘플 챔버 하우징의 저면도이다.
도 9는 도 8 및 도 8a의 샘플 챔버 하우징과 조립되도록 구성된 덮개판의 정면도이다.
도 9a는 도 9에 도시된 샘플 챔버 덮개판의 저면도이다.
도 10은 샘플 캐비티의 종축에 수직인 평면을 따라 취한 도 4의 샘플 챔버 하우징의 샘플 캐비티의 단면도이다.
도 11는 샘플 캐비티의 종축에 평행한 평면을 따라 취한 도 4의 샘플 챔버 하우징의 샘플 캐비티의 실척이 아닌 단면도이다.
본 발명은 OES에 의한 직접 분석을 위해 고온 금속의 샘플에 엑세스하기 위한 침지 샘플링 프로브에 관한 것이다.
도 1을 참조하면, 침지 샘플링 프로브(10), 보다 구체적으로는 고온 금속 샘플링 프로브(10)가 도시되어 있다. 가장 바람직하게는, 프로브(10)는 고온 금속 내의 침지 및 고온 금속의 샘플링에 적합하다. 프로브(10)는 측정 헤드(5)를 포함한다. 측정 헤드(5)는 바람직하게는 수지 결합 실리카 샌드(resin bonded silica sand)로 제조된다. 그러나, 측정 헤드(5)는 고온 금속 내에 침지되는 본체를 형성하기에 적합한 것으로 공지된 임의의 재료로 제조될 수 있다는 것이 당해 분야의 숙련자에 의해 이해될 것이다.
측정 헤드(5)는 캐리어 튜브(1) 상에 지지된다. 바람직하게는, 캐리어 튜브(1)는 페이퍼 캐리어 튜브이다. 사용 시에, 프로브 홀더 또는 랜스(도시 생략)는 바람직하게는 캐리어 튜브(1)의 내부 용적 내에 삽입되어 침지 방향(1)으로 고온 금속(도시 생략)의 베스 표면 아래에 측정 헤드(5)를 잠기게 하는 데에 필요한 기계적 작용을 제공한다.
측정 헤드(5)는 고온 금속 샘플의 수집 및 회수를 위한 샘플링 챔버(3)를 포함한다. 당해 분야의 숙련자라면, 샘플 챔버(3)가 침지 샘플링 프로브(10)와 관련하여 본 명세서에 설명되어 있지만, 샘플 챔버(3)는 임의의 유형의 용융 금속 샘플링 디바이스와 함께 사용될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 따라서, 본 명세서에 설명된 샘플 챔버(3)의 조립 및 구성은 침지 샘플링 프로브(10)만이 아니라 임의의 유형의 용융 금속 샘플링 디바이스에 적용될 수 있다.
바람직하게는, 샘플 챔버(3)는 2 부품 샘플링 챔버이다. 보다 구체적으로, 도 2를 참조하면, 샘플 챔버(3)는 하우징(30)과 덮개판(32)으로 구성된다. 하우징(30)은 바람직하게는, 제한되지 않지만, 알루미늄, 구리 및 회수된 금속 샘플에 전기적으로 연결되기 위한 유사한 열적 및 전기적 전도성을 갖는 다른 금속과 같은 양호한 열적 및 전기적 도체인 하나 이상의 재료로 형성된다. 바람직하게는, 하우징(30)은 알루미늄으로 제조된다. 폐쇄용 덮개판(32)의 질량은 바람직하게는 샘플 챔버(3)의 총 질량의 10 내지 20%를 차지한다. 하우징(30)은 식별 수단을 이용하여 파괴 불가능한 방법으로 마킹될 수 있다.
샘플 챔버(3)의 2개의 부품(30, 32)은 샘플 챔버(3) 내로 유입되어 샘플 챔버를 채우는 고온 금속의 힘으로 인해 샘플링 챔버(3)의 2개의 부품(30, 32)이 분리되는 경향에 저항하기에 충분한 압축력으로 클램프(4; 클립이라고도 지칭됨)에 의해 함께 유지되는 것이 바람직하다. 클램프(4)는 바람직하게는 금속 클램프이다. 그러나, 당해 분야의 숙련자라면, 클램프(4)가 고온 금속 내에 침지 가능하고 필수적인 압축력을 제공하는 다른 적절한 재료로 제조될 수 있다는 것을 이해할 것이다.
도 1을 참조하면, 측정 헤드(5)는 제1 단부(12) 및 대향하는 제2 단부(14)를 갖는다. 측정 헤드(5)의 제1 단부(12)는 침지 단부에 대응한다. 측정 헤드(5)의 제2 단부(14)는 랜스 또는 프로브 홀더를 향하도록 구성된다. 샘플 챔버(3)는 제1 단부(16) 및 대향하는 제2 단부(18)를 갖는다. 샘플 챔버(3)의 제1 단부(16)는 침지 단부에 대응한다. 당해 분야의 숙련자라면, "침지 단부"라는 문구가 침지 방향(1)으로 고온 금속 내에 맨 먼저 침지되는 본체의 단부를 의미한다는 것을 이해할 것이다.
샘플 챔버(3)는 본 명세에서 더 상세하게 설명되는 바와 같이 용융 금속을 수용하도록 구성된 샘플 캐비티를 포함한다. 샘플 캐비티는 제1 단부(16) 근처로부터 종축(X; 도 4 참조)을 따라 샘플 챔버(3)의 제2 단부(18)를 향해 연장된다.
샘플 챔버(3)의 제1 단부(16)는 바람직하게는 유입 도관(7)에 부착되거나 달리 유입 도관을 구비한다. 보다 구체적으로, 샘플 하우징(30)의 제1 단부(16)는 유입 도관(7)을 수용하기 위한 제1 개구(20; 도 4 참조)를 갖는다. 제1 개구(20) 및 이에 따라 유입 도관(7)은 바람직하게는 샘플 챔버(3), 및 보다 구체적으로 샘플 캐비티와 정렬된다. 유입 도관(7)은 고온 금속의 유동이 고온 금속 베스로부터 샘플 챔버(3) 내로 가능하게 한다. 따라서, 고온 금속은 샘플 캐비티의 종축(X)에 평행한 침지 방향으로 샘플 챔버(3)의 샘플 캐비티 내로 도입된다. 유입 도관(7)은 바람직하게는 석영 재료, 보다 바람직하게는 용융 석영 재료로 제조된다. 그러나, 유입 도관(7)은, 제한하지 않지만, 세라믹 재료를 비롯한 임의의 다른 적절한 재료로 제조될 수 있다는 것을 이해할 것이다.
유입 도관(7)은 제1 단부(도시 생략) 및 대향하는 제2 단부(22; 도 4 및 도 4a 참조)를 갖는다. 일 실시예에서, 유입 도관(7)은 부싱(6; 도 1 참조)에 의해 측정 헤드(5) 내에 고정된다. 부싱(6)은 바람직하게는 시멘트 재료로 제조된다. 유입 도관(7)의 제2 단부(22)는 실질적으로 기밀식으로 접착제(27)에 의해 샘플 챔버(3) 내에 접착 또는 부착된다. 보다 구체적으로, 유입 도관(7)의 제2 단부(22)는 샘플 챔버(3)의 하우징(30)의 제1 개구(20) 내에 전체적으로 위치 설정되고 접착제(27)에 의해 제1 개구 내에 접착되어 실질적으로 기밀식 접합을 달성한다. "실질적으로 기밀식"이라 함은 시일 또는 조인트가 완벽하게 기밀식이거나 상당한 정도까지 기밀식일 수 있다는 것을 의미한다. 특히, 유입 도관(7)과 가스 커플러(2; 본 명세서에서 설명됨)의 결합과 관련하여, 형성된 조인트는 바람직하게는 샘플 캐비티가 침지 깊이에서의 압력 레벨 이상으로 가압될 수 있는 정도까지 기밀식이다.
도 1 및 도 3을 참조하면, 유입 도관(7)의 제1 단부는 침지 단부에 대응한다. 제1 단부는 제1 보호 캡(8)에 의해 덮여 있기 때문에 도 1 및 도 3에서 보이지 않는다. 보다 구체적으로, 제1 보호 캡(8)은 접착제(11)에 의해 실질적으로 기밀식으로 유입 도관(7)의 제1 단부에 부착된다. 제1 보호 캡(8)은 바람직하게는 금속, 보다 바람직하게는 강으로 제조된다. 제1 보호 캡(8)은 샘플 캐비티가 충분히 퍼지되고 모든 포착된 공기가 배출될 수 있는 것을 보장하도록 개구(도시 생략)(예컨대, 1 mm 직경의 홀)를 포함할 수 있다. 제2 보호 캡(9)이 다시 제1 보호 캡(8)을 덮는다(보다 구체적으로는 포위한다). 제2 보호 캡(9)은 측정 헤드(5)의 제1 단부(12)에 부착된다. 바람직하게는, 제2 보호 캡(9)은 금속, 보다 바람직하게는 강으로 제조된다. 일 실시예에서, 제2 보호 캡(9)은 또한 페이퍼의 덮개(도시 생략)에 의해 보호된다.
도 1, 도 2 및 도 4를 참조하면, 샘플 하우징(30)의 제2 단부(18)는 커플러(2), 및 보다 구체적으로는 가스 커플러(2)를 수용하기 위한 제2 개구(33)를 포함한다. 따라서, 제2 개구(33)는 바람직하게는 하우징(30) 내에 전체적으로 수용되는 가스 포트이다. 커플러(2)는 샘플 챔버의 제2 단부(18)에 있는 가스 포트(33) 내에서 접착제(26)에 의해 하우징(30)에 대해 밀봉되어 실질적으로 기밀식 접합을 달성한다. 따라서, 커플러(2)의 단부는 샘플 챔버(3)의 하우징(30)의 본체 내에 전체적으로 위치 설정된다.
커플러(2)는 도관(도시 생략), 보다 구체적으로는 가스 도관과 정합하도록 구성된다. 보다 구체적으로, 가스 도관의 제1 단부는 커플러(2)에 부착되고 가스 도관의 대향하는 제2 단부는 공압 시스템(도시 생략)에 부착된다. 공압 시스템은 바람직하게는 샘플 챔버(3)를 퍼지 및 가압하도록 가스 도관을 통해 불활성 가스를 샘플 챔버(3)에 공급한다. 샘플 챔버(3)를 퍼지하고 가압하는 데에 사용될 수 있는 불활성 가스의 예는, 제한하지 않지만, 질소 또는 아르곤을 포함한다. 바람직하게는, 불활성 가스(예컨대, 질소 또는 아르곤)는 2 bar의 압력으로 있다. 공압 시스템은 또한 가스 도관을 통해 샘플 챔버(3)로부터 배기 가스의 제거를 용이하게 한다. 공압 시스템이 커플러(2)를 통해 프로브(10)의 샘플링 챔버(3)와 연통하는 경우, 유입 도관(7)의 침지 단부로부터 샘플링 챔버(3)까지(즉, 종축(X)을 따라) 실질적으로 누출없는 지속적인 가스 경로가 존재하고, 그렇지만 샘플 챔버(3)는 샘플에 엑세스하도록 쉽게 분해된다.
도 3을 참조하면, 일 실시예에서, 커플러(2)에는 프로브 홀더 상의 대응하는 리셉터클과 정합하도록 구성된 가스 커넥터(23)가 마련된다. 보다 구체적으로, 가스 커넥터(23)는 푸시-온/풀-오프 유형의 커넥터 조립체이고 프로브 홀더 상의 정합 표면에 대한 가스 밀봉을 위해 O링(24)을 포함한다.
사용 시에, 측정 헤드(5)는 고온 금속 베스 내에 침지되고 샘플 챔버(3)는 공압 시스템에 의해 공급되고 커플러(2)로부터 종축(X)을 따라 유입 도관(7)을 향해 이동하는 불활성 가스에 의해 퍼지 및 가압된다. 측정 헤드(5)가 고온 금속 베스의 표면 아래에 침지된 후에, 제2 보호 캡(9) 및 페이퍼의 덮개(존재한다면)가 고온 금속의 열로 인해 융용됨으로써, 제1 보호 캡(8)을 고온 금속에 노출시킨다. 이어서, 제1 보호 캡(8)이 또한 용융되어 샘플 챔버(3)를 유입 도관(7)을 통해 고온 금속 베스와 유체 연통 상태에 둔다. 보다 구체적으로, 제2 보호 캡(8)이 일단 용융되면, 불활성 가스의 압력은 공압 시스템이 퍼지 모드로부터 배기 또는 진공 모드로 역전될 때까지 개방된 유입 도관(7)을 통해[즉, 유입 도관(7)의 제1 단부를 통해] 샘플 챔버(3)로부터 빠져나간다. 이어서, 고온 금속은 유입 도관(7)을 통해, 구체적으로 제1 단부로부터 제2 단부(22)로 그리고 이후에 샘플 챔버(3)의 샘플 캐비티 내로 샘플 챔버(3)에 들어가고, 가스는 커플러(2)를 통해 샘플 챔버(3) 밖으로 배출된다. 가스는 바람직하게는 충전 용융 금속의 자연적인 페로스태틱 압력(ferro-static pressure)에 의해 배출되지만 원격 장비에 의해 가스 도관에 인가되는 약간의 진공에 의해 배출될 수도 있다.
도 4 내지 도 6은 프로브(10)의 2 부품 샘플 챔버(3)를 보다 상세하게 도시한다. 샘플 챔버(3)의 하우징(30)은 제1 측면 또는 면(40) 및 대향하는 제2 측면 또는 면(42)을 갖는다(도 4a 및 도 6 참조). 제1 면(40)은 분석면이고, 샘플이 수집되고 이에 따라 분석 중에 발광 분광기의 스테이지에서 면이 아래를 향해 위치 설정되도록 구성되는, 하우징(30)의 기하학적 측면이 있다는 것을 의미한다. 이 경우에, 아래쪽 방향은 OES 시스템의 스파크 소스를 향한 방향이다. 제1 면(40)은 하우징(30)의 침지 단부와 대향 단부 사이에서 연장된다. 보다 구체적으로, 제1 면(40)은 샘플 챔버(3)의 제1 단부(16)로부터 제2 단부(18)를 향해 제1 평면(AF)에서 연장된다. 샘플 챔버(3)의 제2 단부(18)에는, 바람직하게는 하우징(30) 내에 전체적으로 수용되는 가스 포트(33)가 제공된다. 가스 포트(33)는, 본 명세서에 설명된 바와 같이, 접착제(26)에 의해 실질적으로 기밀식으로 하우징(30)에 대해 밀봉되는 커플러(2; 도 1 또는 도 3에 도시됨)를 수용한다(도 3 참조).
도 4 및 도 6을 참조하면, 제1 면(40)의 부분은 고온 금속의 통기 및 수집을 위해 샘플 챔버(3)의 상이한 영역 또는 구역을 형성하도록 중공형으로 되어 있다. 보다 구체적으로, 하우징(30)의 제1 면(40)은 아래와 같이 샘플 챔버(3)의 샘플 캐비티를 집합적으로 형성하는 다양한 오목부를 포함한다: 샘플 챔버(3)의 제1 단부(16) 근처에 있고 유입 도관(7)과 직접 연통하는 제1 영역(34), 제1 영역(34) 위에 있는 제2 영역(35), 제2 영역(35)에 인접한 제3 영역(36)을 집합적으로 형성하는 다양한 오목부를 포함한다. 제1 면(40)은 또한 샘플 챔버(3)의 제2 단부(18) 근처에 있고 가스 포트(33)와 직접 연통하는 제4 영역(38) 형태의 추가 오목부를 포함한다. 가스 포트(33)[및 이에 따라 커플러(2)]와 유입 도관(7)은 하우징(30) 내에 배치되어, 이들은 샘플 챔버(3)의 샘플 캐비티와 직접 연통하고 정렬된다. 보다 구체적으로, 가스 포트(33)와 유입 도관(7)은 바람직하게는 샘플 챔버(3)의 샘플 캐비티에 평행하게 연장되고, 보다 바람직하게는 가스 포트(33)와 유입 도관(7)은 샘플 챔버(3)의 샘플 캐비티의 공통 종축(X)을 따라 연장된다.
도 6을 참조하면, 제4 영역(38)은 샘플 챔버(3)의 하우징(30)의 제1 면(40)에 형성된 함침부 또는 오목부에 의해 획정되는 연결 용적이다. 따라서, 연결 용적(38)은 제1 면(40)에 개방 단부(38a)를 갖는다. 연결 용적(38)은 가스 포트(33)와 기체 연통한다. 본 명세서에 설명되는 바와 같이, 고온 금속이 일반적으로 제3 영역(36)에서 고체화될 때에, 연결 용적(38)은 일반적으로 고온 금속을 수용하기 위한 샘플 하우징 캐비티의 일부인 것으로 고려되지 않는다.
제3 영역(36)은 연결 용적(38)과 기체 연통하는 통기 구역이다. 통기 구역(36)은 하우징(30)의 제1 면(40)에 형성된 함침부 또는 오목부에 의해 획정된다. 따라서, 통기 구역(36)은 제1 면(40)에 있는 개방 단부(36a) 및 대향하는 폐쇄된 바닥 단부(36d)를 갖는다. 통기 구역(36)의 중앙선은 바람직하게는 제2 영역(35) 및 가스 커플러(2)와 정렬된다.
제2 영역(35)은 분석 구역이다. 분석 구역(35)은 하우징(30)의 제1 면(40)에 형성된 세장형 함침부 또는 오목부에 의해 획정된다. 따라서, 분석 구역(35)은 제1 면(40)에 있는 개방 단부(35a) 및 대향하는 부분적으로 폐쇄된 바닥 단부(36b)를 갖는다. 보다 구체적으로, 폐쇄된 바닥 단부(35b)의 물리적 경계는 분석 구역(35)의 길이의 일부를 가로질러서만 연장된다.
일 실시예에서, 분석 구역(35)의 대향 단부(즉, 침지 방향(I)과 관련하여 선단 단부와 후단 단부)는 기계 가공을 용이하게 하도록 라운드 가공된다. 그러나, 당해 분야의 숙련자라면 단부들이 임의의 형상일 수 있다는 것을 이해할 것이다.
분석 구역(35)의 일부는 샘플 챔버(3)의 제1 영역(34) 위에 있다. 보다 구체적으로, 분석 구역(35)의 선단 단부[즉, 샘플 챔버(3)의 침지 단부(16) 근처의 분석 구역(35)의 선단 단부]는 제1 영역(34) 위에 있고 직접 연통한다. 따라서, 제1 영역(34) 위에 있는 분석 구역(35)의 부분은 폐쇄된 바닥 단부(35b)에 의해 물리적으로 경계 설정되지 않는다. 제1 영역(34)은 유입 도관(7)과 직접 연통하는 분배 구역이다. 보다 구체적으로, 고온 금속은 유입 도관(7)의 제2 단부(22)로부터 분배 구역(34)으로 직접 도입된다. 따라서, 유입 도관(7)은 종축(X)에 평행한 방향으로 분배 구역(34)과 직접 유동 연통하도록 배치된다.
다시, 분석 구역(35)과 분배 구역(34) 사이에 물리적인 묘사가 존재하지 않는다. 그러나, 이들 구역은 본 발명의 실시를 위해 미리 규정된 치수와 관련하여 별개의 구역으로 고려된다. 구체적으로, 도 6에 점선(35c)으로 나타낸 바와 같이, 분석 구역(35)과 분배 구역(34) 사이의 가상 경계는 폐쇄된 바닥 단부(35b)의 본질적인 연장이고, 분석 구역(35)과 분배 구역(34) 사이의 경계(35c)가 폐쇄된 바닥 단부(35b)와 동일하게 놓인다. 분석 구역(35)은 본 명세서에서 더 상세하게 설명되는 바와 같이 분배 구역(34) 위에 있는 균일한 깊이로 되는 것이 바람직하다.
집합적으로, 연결 용적(38), 통기 구역(36), 분석 구역(35) 및 분배 구역(34)은 샘플 챔버(3)의 중공 용적을 형성한다. 통기 구역(36), 분석 구역(35) 및 분배 구역(34)은 집합적으로 고온 금속을 수용하는 캐비티를 포함하고, 이는 고온 금속이 종축(X)을 따라 도입되고 수집된 후에, 고체화되어 고체화된 금속 샘플(S)을 형성하고, 결국 직접적으로 분석되는 샘플 캐비티를 의미한다. 통기 구역(36), 분석 구역(35) 및 분배 구역(34)은 연속적인 영역들이다.
도 4 및 도 6을 참조하면, 하우징(30)의 제1 면(40)은 연결 용적(38), 통기 구역(36), 분석 구역(35) 및 분배 구역(34)의 오목부를 포위하는 상승된 부분(39)을 포함한다. 보다 구체적으로, 본 명세서에서 릿지(39)로 지칭되는 상승된 부분은 연결 용적(38), 통기 구역(36), 분석 구역(35) 및 분배 구역(34)의 전체 용적을 주위에서 둘러싼다. 릿지(39)의 상부 또는 원위 림(39a)은 바람직하게는 제1 면(40)의 나머지에 대해[즉, 제1 평면(AF)에 대해] 0.2 mm 내지 0.5 mm, 보다 바람직하게는 0.3 mm의 높이에 있다. 따라서, 주변 릿지(39)의 원위 림(39a)은 제1 면(40)의 제1 평면(AF)으로부터 떨어져 있는 제2 평면(AP)에 있다. 제2 평면(AP)은 본 명세서에서 분석 평면으로 지칭된다. 샘플 챔버(3)가 금속으로 채워지면, 고체화된 금속 샘플(AS)의 분석 표면(AS)은 본 명세서에서 더 상세하게 설명되는 바와 같이 분석 평면(AP)에 있다.
도 5 및 도 5a를 참조하면, 덮개판(32)은 하우징(30)과 동일한 재료로 형성되지 않아도 된다. 하우징(30)과 달리, 덮개판(32)은 양호한 전기적 도체인 재료로 형성될 필요가 없다. 예컨대, 덮개판(32)은 용융 실리카 또는 내화성 세라믹 재료로 형성될 수 있다. 그러나, 바람직하게는, 덮개판(32)은 하우징(30)과 동일한 재료로 형성된다.
바람직하게는, 실제 조립 목적을 위해, 덮개판(32)은 하우징(30)과 대략 동일한 폭 및 길이를 갖는다. 그러나, 덮개판(32)은 그러한 치수로 제한되지 않고, 하우징(30)보다 크거나 작은 폭 및 길이를 가질 수 있다.
덮개판(32)은 제1 측면 또는 면(44) 및 대향하는 제2 측면 또는 면(46)을 갖는다. 덮개판(32)은 바람직하게는 제1 면(44)으로부터 제2 면(46)까지 연장되는 1 mm 내지 5 mm의 두께를 갖는다. 덮개판(32)의 제1 면(44)은 샘플 챔버(3)의 조립된 형태에서 하우징(30), 보다 구체적으로 하우징(30)의 제1 면(40)을 향하도록 구성된다. 밀봉 부재(31)가 샘플 챔버(3)의 조립된 형태에서 하우징(30)과 덮개판(32) 사이에 위치 설정되도록 덮개판(32)의 제1 면(44) 상에 마련된다. 밀봉 부재(31)는 바람직하게는 가스 밀봉 부재이다. 보다 구체적으로, 밀봉 부재(31)는 가스킷이다. 가스킷(31)은 바람직하게는 샘플 챔버(3)의 조립된 형태에서 릿지(39)를 포위하거나 둘러싸도록 치수 설정된다. 가스킷(31)은 임의의 형상일 수 있다. 그러나, 바람직하게는, 가스킷(31)은 하우징(30)의 제1 면(40)의 릿지(39)와 동일한 형상으로 형성된다.
일 실시예에서, 가스킷(31)은 바람직하게는 실리콘 또는 임의의 유사한 폴리머로 형성된다. 당해 분야의 숙련자라면 가스킷(31)이 덮개판(32)과 하우징(30) 사이에 기밀식 시일을 제공하는 임의의 재료로 형성될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 가스킷(31)의 재료가 덮개판(32)의 제1 면(44)에 적용된 후에, 가스킷(31)은 덮개판(32)이 하우징(30)과 조립되고 함께 클램프(4)에 의해 고정되기 전에 건조하게 되고, 이에 따라 가스킷(31)이 하우징(30)에 들러붙지 않는 것을 보장한다.
당해 분야의 숙련자라면 가스킷(31)이 대안으로 본 발명의 범위로부터 벗어남이 없이 O링 또는 평평한 가스킷 재료로 형성될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예컨대, 다른 실시예에서, 가스킷(31)은 바람직하게는 0.04 내지 0.1 mm의 두께를 갖는 평평한 가스킷으로서 적용된 플라스틱 포일이다. 예컨대, 평평한 가스킷은 3M™에 의해 제조된 표면 보호 테이프(제품 번호 4011a)로 형성될 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 샘플 챔버(3)의 조립된 형태에서, 덮개판(32)과 하우징(30)은 함께 조립되어 분배 구역(34), 분석 구역(35) 및 통기 구역(36)을 포함하는 샘플 캐비티를 형성한다. 바람직하게는, 덮개판(32)은 하우징(30)의 릿지(39) 상에[분석 평면(AP)에] 안착되고 가스킷(31)은 하우징(30)의 제1 면(40)과 접촉하여 가스킷(31)은 릿지(39)를 둘러싸거나 포위한다. 보다 구체적으로, 샘플 챔버(3)의 조립된 형태에서, 덮개판(32)은 바람직하게는 분석 평면(AP)에서 릿지(39)에 대해 동일한 높이로 안착되고 제1 면(40)에 대한 가스킷(31)의 시일로 인해 가스킷형 끼워맞춤으로 하우징(30)의 제1 면(40)에 밀봉된다. 그러나, 덮개판(32)과 하우징(30)은 릿지(39)와 분석 평면(AP) 위에서 연장되는 평면을 따라 함께 조립될 수 있다는 것이 이해될 것이다.
따라서, 덮개판(32)은 샘플 챔버(3)의 샘플 캐비티를 폐쇄한다. 다시, 샘플 챔버(3)의 샘플 캐비티는 고온 금속이 유입 도관(7)으로부터 종축(X)을 따라 도입되어 수집된 후에 금속 냉각되어 고체화된 금속 샘플(S)을 형성하는 용적이다. 따라서, 조립된 샘플 챔버(3)에 단 2개의 개구, 즉 유입 도관(7)과 연통하는 제1 개구(20) 및 커플러(2)와 연통하는 가스 포트(33)의 개구만이 형성된다. 샘플 캐비티 내에 수용된 고체화된 금속 샘플(S)의 분석 표면은 분석 평면(AP)에 있다. 또한, 제1 개구(20) 및 관련 유입 도관(7)과 가스 포트(33) 및 관련 커플러(2)는 분석 평면(AP)으로부터 떨어져 있어 분석 평면과 교차하지 않는다.
이후, 각 구역(34, 35, 36)의 길이(L)가 샘플 캐비티의 종축(X)에 평행하고 종축과 정렬된 치수와 관련하여 설명되고, 각 구역(34, 35, 36)의 폭(W)이 종축(X)에 수직인 치수와 관련하여 설명되며, 각 구역(34, 35, 36)의 깊이(D)가 종축(X)에 수직이고 폭 치수에 수직인 치수와 관련하여 설명된다. 보다 구체적으로, 각 구역(34, 35, 36)의 깊이는 분석 평면(AP)을 따른 지점으로부터 각 구역(34, 35, 36)의 바닥 단부 또는 경계까지 측정되는데, 샘플 챔버(3)의 샘플 캐비티는 일단부가 구역(34, 35, 36)에 의해 경계 설정되고 타단부가 분석 평면에 있는 덮개판(32)에 의해 경계 설정되기 때문이다.
길이(L), 폭(W) 및 깊이(D)의 치수는 도 4, 도 6 및 도 11에 가장 명확하게 도시되어 있다. 본 명세서에서 설명되는 단면적 치수는 폭(D) 치수에 깊이(D) 치수를 곱한 것과 동일하다(도 10 참조).
분석 구역(35)은 8 내지 12 mm, 바람직하게는 10 mm의 폭(WA)을 갖는다. 선단 단부로부터 후단 단부[통기 구역(36)의 선단 단부에 대응하는 분석 구역의 후단 단부]까지 연장되는 분석 구역(35)의 길이(LA)는 25 내지 35 mm, 바람직하게는 30 mm이다. 분석 구역(35)의 깊이(DA)는 분석 평면(AP)을 따른 지점으로부터 폐쇄된 바닥 단부(35b) 및 경계(35c)(즉, 오목부의 베이스)까지 연장된다. 분석 구역(35)의 깊이(DA)는 0.5 내지 1.5 mm, 바람직하게는 1 mm이다. 분석 구역(35)의 깊이(DA)가 1.5 mm보다 크면, 철 샘플(S)의 고체화된 백색 구조는 크랙 발생이 방지될 수 없다. 즉, 분석 구역(35)의 0.5 ㎜ 내지 1.5 ㎜의 깊이(DA)는 본 발명의 중요한 양태이다.
일 실시예에서, 분석 구역(35)의 폭(WA)은 분배 구역(34) 위에 있는 부분에 대응하는 거리 동안 침지 단부(16) 근처로부터 대향 단부(18)를 향해 점진적으로 증가된다. 최대 폭(WA)에 도달하면, 분석 구역(35)의 폭(WA)이 종축(X)을 따라 약간 테이퍼져서, 분석 구역(35)의 단면적[즉, 도 10에 도시된 바와 같이 종축(X)에 수직인 평면을 따라 취한 분석 구역(35)의 단면적]은 분포 구역(34)이 종료되고 통기 구역(36)을 향해 약간 테이퍼진 곳에서 최대가 된다. 보다 구체적으로, 분석 구역(35)의 폭을 획정하는 벽[즉, 제1 면(40)에 수직으로 연장되는 벽]이 종축(X)의 방향으로 약간 테이퍼져서, 분석 구역(35)의 폭은 분배 구역(34)의 단부에서 더 크고 통기 구역(36)을 향해 종축(X)의 방향으로 감소된다. 따라서, 분석 구역(35)은 고체화된 금속 샘플(S)의 얇은 단면에 과도한 응력없이 고체화하는 고온 금속의 수축을 수용할 수 있다.
유입 도관(7)의 단면적, 즉 도 10에 도시된 바와 같이 종축(X)에 수직인 평면을 따라 취한 유입 도관(7)의 단면은 분석 구역(35)과 분배 구역(34)의 단면적에 따라 좌우된다. 바람직하게는, 유입 도관(7)의 단면적은 분석 구역(35)의 단면적의 0.5 내지 2배이다. 바람직하게는, 유입 도관(7)의 단면적은 분배 구역(34)의 최대 단면적의 0.20 내지 0.70배이며, 이에 따라 금속 혼합에 필요한 유입 속도를 떨어뜨린다. 보다 바람직하게는, 유입 도관(7)의 단면적은 분배 구역(34)의 최대 단면적의 0.55배이다. 유입 도관(7)의 단면적이 너무 작으면[즉, 분석 구역(35)의 단면적의 0.5배 미만 및/또는 분배 구역(34)의 최대 단면적의 0.20배 미만], 최적 혼합을 달성하고 난류를 감소시키기 위해 유입되는 용융 금속의 감속이 충분하지 않고 충진성이 떨어진다. 유입 도관(7)의 단면적이 너무 크면[즉, 분석 구역(35)의 단면적의 2배 초과 및/또는 분배 구역(34)의 최대 단면적의 0.70배 초과), 분배 구역(34)은 채워질 때에 더 많은 하우징(30)의 질량에 의해 제거되어야 하는 현열(sensible heat)을 고온 금속 샘플에 추가하므로, 경제적인 해법에서 더 멀어진다.
전술한 바와 같이, 분배 구역(34)은 분석 구역(35) 아래에 있고, 이에 따라 분석 구역(35)의 전체 길이(LA)에 영향을 미치지 않는다. 분배 구역(34)의 용적은 그 상단부에서 분석 구역(35), 보다 구체적으로는 경계부(35c)에 의해, 뿐만 아니라 대향하는 측벽(34a, 34b) 및 그 바닥 표면(34c)에 의해 경계 설정된다(도 10 참조). 측벽(34a, 34b)은 분석 평면(AP)에 실질적으로 수직이다. 분포 구역(34)의 폭(WD)[즉, 측벽(34a, 34b)에 걸쳐 있는 거리)은 분석 구역(35)의 폭(WA)을 초과하지 않는 것이 바람직하며, 바람직하게는 유입 도관(7)의 내부 직경보다 작지 않다. 바람직하게는, 분배 구역(34)의 폭(WD)은 유입 도관(7)의 내부 직경과 동일하다. 분배 구역(34)의 바닥 표면(34c)[즉, 분석 구역(35)에 대향하는 표면]의 제1 부분은 종축(X)에 평행한 수평면에서 연장된다. 바닥 표면(34c)의 제2 부분은 각을 이루고, 보다 구체적으로는 각도(α)로 상방으로 연장되며, 40°내지 90°의 각도(α), 바람직하게는 60°로 분석 구역(35)의 폐쇄된 바닥 단부(35b)와 교차한다. 분배 구역(35)은 이 교차점에서 종결된다. 따라서, 분배 구역(34)의 깊이는 유입 도관(7)으로부터 가스 커플러(2)를 향해 고온 금속의 유동 방향으로 감소된다.
통기 구역(36)의 깊이(DV)는 대략 0.1 내지 1 mm에 달하고, 통기 구역(36)의 길이(LV)는 대략 5 mm이며, 통기 구역(36)의 폭(WV)은 바람직하게는 분석 구역(35)의 폭(WA)과 동일하거나 그보다 작다. 통기 구역(36)의 깊이(DV)는 그 최대가 샘플 챔버(3)의 침지 단부(16)에 가까운 단부에 있다. 즉, 통기 구역(36)의 깊이(DV)는 침지 방향(I)으로부터 연결 용적(38)을 향해 약간 감소된다. 보다 구체적으로, 분석 구역(35)의 후단 단부로부터 통기 구역(36)의 단부까지 통기 구역(36)의 깊이(DV)에 있어서의 점진적인 감소는 1 mm 내지 0.2 mm가 바람직하다.
분배 구역의 단부로부터 가스 커플러(2)까지 샘플 캐비티의 폭의 증가, 또는 유입 도관(7)으로부터 가스 커플러(2)를 향한 용강의 유동 방향으로 샘플 캐비티의 깊이 치수의 증가가 없으므로, 고체화 중에 수축하는 금속이 유입 도관(7)을 향해 자유롭게 이동할 수 있다.
분석 구역(35)의 단면적[즉, 분석 구역(35)의 폭(WA)에 분석 구역(35)의 깊이(DA)를 곱한 값)은 통기 구역(36)의 단면적(즉, 통기 구역(36)의 폭(WV)에 통기 구역(36)의 깊이(DV)를 곱한 값)의 2.5 내지 10배이다. 따라서, 통기 구역(36)의 최대 단면적은 2 내지 8 ㎟이다.
도 8 내지 도 9a는 이후에 설명되는 바와 같이 하우징(60)과 덮개판(62)의 형태에 있어서 특정한 차이를 제외하고는 샘플 챔버(3)와 본질적으로 동일한 대안적인 샘플 챔버를 도시한다. 하우징(60)은 하우징(30)의 연결 용적(38), 통기 구역(36), 분석 구역(35) 및 분배 구역(34)과 각각 동일한 연결 용적(68), 통기 구역(66), 분석 구역(65) 및 분배 구역(64)을 포함한다. 하우징(60)에는 또한 일단부에 샘플 챔버(3)의 가스 포트(33)와 유사한 가스 포트(63), 및 샘플 챔버(3)의 유입 도관(7)과 유사한 유입 도관(67)이 마련된다. 하우징(60)은 또한 분석면이고 제1 평면(AF)에서 연장되는 제1 측면 또는 면(70), 및 대향하는 제2 면(72)을 갖는다. 하우징(30)과 달리, 하우징(60)은 상승된 릿지[즉, 하우징(30)의 상승된 릿지(39)]를 포함하지 않는다. 도 9 및 도 9a를 참조하면, 덮개판(62)은 샘플 챔버의 조립된 형태에서 하우징(60)을 향하도록 구성된 제1 면(74)을 갖는다. 가스킷(31)이 샘플 챔버의 조립된 형태에서 하우징(60)과 덮개판(62) 사이에 위치 설정되도록 덮개판(62)의 제1 면(74) 상에 마련된다. 샘플 챔버(3)의 덮개판(32)과 달리, 덮개판(62)은 그 제1 면(74)으로부터 연장되는 상승된 중앙부(69)를 더 포함한다. 상승된 중앙부(69)는 0.2 mm 내지 0.5 mm, 바람직하게는 0.3 mm의 높이를 갖는다. 가스킷(61)은 상승된 중앙부(69)를 둘러싸거나 포위한다.
샘플 챔버의 조립된 형태에서, 덮개판(62)의 상승된 중앙부(69)는 하우징(60)의 제1 면(70)에 밀봉되는 가스킷(61)을 이용하여 하우징(60)에 대해 동일한 높이로 안착된다. 따라서, 덮개판(62)은 연결 용적(68), 통기 구역(66), 분석 구역(65) 및 분배 구역(64)을 형성하도록 하우징(60)의 재료로부터 중공된 샘플링 챔버의 개방 체적을 폐쇄한다. 이 실시예에서, 분석 평면은 분석면의 평면(AF)과 동일하다.
OES에서의 분석에 적합한 본 발명의 백색 구조 고온 금속 샘플을 고온 금속 베스로부터 회수하는 것은 아래의 절차에 의해 달성된다. 프로브(10)는 간단한 푸시-온, 풀 오프 커넥터(23)를 이용하여 프로브 홀더에 공압식으로 결합된다. 커넥터(23)는 커플러(2)에 의해 샘플링 챔버(3)에 직접 부착되거나 공압 라인에 의해 일정 거리를 두고 결합된다. 가스 회로의 폐쇄는 불활성 퍼지 가스의 약간의 과압을 제공한다. 기계적 이점을 위해 프로브 홀더를 사용하여, 프로브(10)는 고온 금속 베스 내에 침지되고 특정한 시간 동안 금속 표면 아래의 예정된 거리에 유지된다. 이 침지 동안, 금속 표면 상에 부유하는 슬래그를 통과하면서 파괴를 견디도록 설계된 측정 헤드(5)의 보호 캡(9)은 차츰 용융되어 유입 도관(7)의 보다 작은 보호 캡(8)을 노출시킨다. 제1 보호 캡(4)이 또한 나중에 용융됨에 따라, 불활성 가스의 과압이 해제되고 불활성 퍼지 가스가 프로브 홀더로부터 가스 커넥터(23)(존재하는 경우) 및 커플러(2)를 통해 연결 체적(38), 통기 구역(36), 분석 구역(35), 분석 구역(35) 아래에 있는 분배 구역(34), 및 유입 도관의 내부 용적(7a)으로 유동한다. 가스 커넥터(23)(존재하는 경우) 및 커플러(2)는 접착제(26)에 의해 실질적으로 기밀식으로 하우징(30)에 접착되고, 유입 도관(7)은 접착제(27)에 의해 실질적으로 기밀식으로 하우징(30)에 접착된다. 보다 구체적으로, 유입 도관(7)의 제2 단부(22)는 전체적으로 하우징(30) 내에 수용되고 그 내부에서 접착제(27)에 의해 실질적으로 기밀식으로 접착된다.
이 퍼지 가스는 초기에 샘플링 챔버(3) 내에서 잠재적으로 산화하는 대기 분위기를 제거하고 몇 초 동안 계속 유동하여, 제2 보호 캡(9)의 나머지 및 끌려내려가 측정 헤드(5)에 부착된 임의의 슬래그가 떨어져 나가게 한다. 이어서, 공압 밸브는 퍼지에서 배기 또는 진공으로 순간적으로 전환되어 퍼지 가스의 방향이 역전되므로, 특히 샘플 챔버(3) 내의 과도한 압력이 전술한 바와 같이 역방향 경로에 의해 배출되고 샘플 챔버(3)를 빠져나가게 함으로써 과압을 제거한다. 이에 의해, 고온 금속 베스(도시 생략)로부터의 고온 금속은 유입 도관(7)에 들어가서 유입 도관을 채우고 유입 도관(7)의 용적(7a)으로부터 샘플 챔버(3)의 분배 구역(34)으로 흘러나온다. 다음에, 고온 금속은 분배 구역(34) 위에 있는 분석 구역(35)에 공급되어 분석 구역(35)을 채운다. 고온 금속의 일부는 샘플 챔버(3)의 제2 단부에 있는 커플러(2)를 향해 계속 유동함으로써, 좁은 통기 구역(36)을 적어도 부분적으로 또는 심지어는 완전히 채운다. 프로브 홀더는 이제 반대 방향으로 이동하여 충진된 샘플 챔버를 용융 베스로부터 제거한다. 당해 분야의 숙련자라면, 공압식 샘플링을 수행하는 데에 필요한 프로브 홀더와 공압 밸브 및 스위치의 기본적인 설명이 당해 분야에 공지되어 있고 본 발명의 부분이 아니라는 것을 인지할 것이다.
회수된 액체 고온 금속의 작은 크기는 측정 프로브가 처리 용기로부터 제거될 때에 하우징(30) 및 덮개판(32)에 의해 백색 고체화 구조로 냉각된다. 용융 샘플의 열 추출 속도는 고온 금속을 실온으로 1 분 이내에 냉각시키고, 이는 종래의 샘플링에 필요한 모든 외부 냉각을 본질적으로 제거하고 고온의 금속 표면을 산소 함유 분위기에 노출시킬 때에 일반적으로 발생하는 표면 산화의 가능성 없이 즉각적인 탈형을 허용한다. 또한, 샘플 챔버(3)는 1500℃ 내지 100℃ 만큼 높은 온도로부터 고온 금속을 냉각시키는 데에 적합한 질량비(즉, 9 내지 12)로 되어 있어 1 분 이내에 순수한 백색 고체화 구조를 촉진시킨다.
통기 구역(36)에서의 약간의 테이퍼는 고온 금속이 가스 커플러(2)에 도달하기 전에 고온 금속의 냉각을 촉진하고 고체화된 금속 샘플이 분석 구역(35)을 향해 수축될 수 있는 것을 보장한다. 보다 구체적으로, 통기 구역(36)을 채우는 고온 금속은 통기 구역(36)에서 응결된다. 이는 고온 금속이 연결 용적(38)에 들어갈 때에 샘플(S)이 크랙될 수 있기 때문이다.
샘플 챔버(3) 내에 수집된 고온 금속의 급속한 냉각은 샘플 챔버(3)의 질량[즉, 덮개판(32)의 질량에 하우징(30)의 질량을 더한 값]과 질량으로 변환된 수집된 고온 금속의 체적 사이의 관계로 인해 대부분 달성된다. 근사 용융 밀도가 6.8 g/㎤인 고온 금속의 경우, 샘플 챔버(3)의 질량 대 샘플 챔버(3) 내에 수집된 고온 금속의 질량(내부에 수집된 체적에 기초하여 계산됨)의 비는 바람직하게는 산화물없는 분석 표면(AS)을 보장하기 위해 9 내지 12, 보다 바람직하게는 10이다.
따라서, 분석 구역(35), 통기 구역(36) 및 분배 구역(34)의 내부 공극은 특정 치수 기준을 만족해야 하지만, 샘플 챔버(3)[덮개판(2) 및 하우징(30)으로 구성됨]의 전체 치수는 또한 샘플 챔버(3)의 질량 대 샘플 챔버(3) 내에 수집된 고온 금속의 질량의 바람직한 질량비를 달성하도록 특정 기준을 만족시켜야 한다. 당해 분야의 숙련자라면, 하우징(30) 또는 덮개판(32)의 전체 폭, 깊이 및/또는 길이가 샘플 캐비티를 생성하는 데에 필요한 내부 공극을 변화시키지 않고 하우징(30)의 질량을 증가 또는 감소시키도록 필요에 따라 조정될 수 있다는 것을 이해할 것이다.
특히, 유입 도관(7)의 제2 단부(22) 및 가스 커플러(2) 모두의 외부 직경에 대한 허용치가 유입 도관의 제2 단부 및 가스 커플러 모두가 샘플 하우징 내에 완전히 수용되도록 이루어지면, 하우징(30)의 하나 이상의 치수가 질량비 요건을 만족시키도록 쉽게 조정되어 샘플 챔버(3)의 질량[덮개판(32)이 샘플 챔버(3)의 질량의 10 내지 20%를 차지함]이 금속 샘플(S)의 질량의 9 내지 12배가 되도록 될 수 있다.
바람직하게는, 고온 금속은 분석 구역(35)에서 덮개판(32)에 대해, 보다 구체적으로는 덮개판(32)의 제1 표면(44)에 대해 응결되어, 샘플(S)의 분석 동안 발광 분광기의 스테이지에서 면이 아래로 위치 설정되도록 구성된 표면인 샘플(S)의 분석 표면(AS)을 형성한다. 분석 표면(AS)은 덮개판(32)의 제1 면(44)이 릿지(39)에 의해 형성된 표면과 직접 접촉하는 평면[즉, 분석 평면(AP)]에서 연장된다. 예컨대, 도 1 내지 도 7A의 실시예에서, 분석 표면(AS)은 하우징(30)의 릿지(39)와 동일한 평면, 즉 분석 평면(AP)에서 연장된다. 보다 구체적으로, 고체화된 금속 샘플(S)의 분석 표면(AS) 및 주위의 금속 릿지(39) 모두는 분석 평면(AP)을 연장시켜 OES의 개구를 폐쇄하는 데에 일조한다. 도 8 및 도 8a의 실시예에서, 본 명세서에서 더 상세하게 설명되는 바와 같이, 분석 표면(AS)은 덮개판(62)의 상승된 중앙 부분(69)이 하우징(60)의 제1 면(70)에 대해 동일한 높이로 안착되는 평면에서 연장된다.
고온 금속이 이와 같이 샘플 챔버(3)에서 응결되면, 고체화된 금속 샘플(S)은 하우징(30)으로부터 분리 불가능하게 형성된다. 측정 헤드(5)는 용이하게 파단되어 캐리어 튜브(1)로부터 전방의 침지 방향(I)으로 샘플링 챔버(3)를 제거하게 한다. 2 부품 샘플 챔버(3)를 유지하는 클립(4)이 제거된다. 종래의 샘플링 디바이스와 달리, 샘플(S)은 샘플링 하우징(30)에 부착된 상태로 있다. 그러므로, "샘플"이란 용어는, 본 명세서에서 OES로 운반된 금속 쿠폰을 지칭할 때, 회수된 고체화된 샘플과 샘플 하우징(30)의 분리 불가능한 조합을 가리킨다.
이어서, 샘플(S)은 종래의 수단에 의해 OES로 운반되고 표면 준비없이 OES에 의해 직접 분석된다. 샘플(S)의 급속 냉각은 탈형 단계 중에 일반적으로 발생되는 표면 산화를 피한다. 이는 기계적 연마에 대한 필요성을 제거하고 샘플(S)의 신속한 분석 및 그 결과를 기다리고 있는 금속 프로세스에 화학 물질을 보고하는 것을 용이하게 한다. 유입 도관(7) 및 가스 포트(33)[뿐만 아니라 가스 커플러(2)]는, 종래 기술의 클램쉘 몰드에서 일반적으로 조우되는 바와 같이 양측면에 걸쳐 있기보다는 분석 평면으로부터 떨어져 있는, 그리고 보다 구체적으로는 그 아래(뿐만 아니라 분석면(40) 아래)의 하우징(30) 내에 위치되기 때문에, 산화물없는 표면을 얻기 위해 유입 도관(7) 및 가스 커플러(2)를 하우징(30)으로부터 제거할 필요가 없고, 이에 따라 준비없이 OES 상에 직접 위치될 수 있는 백색 철 고체화된 샘플을 생성할 수 있다. 즉, 유입 도관(7) 및 가스 포트(33)/가스 커플러(2) 중 어떤 부품도 분석 평면(AP)과 교차하지 않으므로, 유입 도관(7) 및 가스 포트(33)/가스 커플러(2)가 분석 평면(AP)을 방해하지 않는다.
샘플(S)과 하우징(30)의 분리 불가능성(inseparability)은 분석 평면을 따라 고체화된 금속의 양측부 상에 [즉, 릿지(39)에 의해] 하우징(30)의 연장을 초래하여 종래 기술에 비해 다수의 개선점을 제공한다. 관습적인 종래 기술 샘플은 OES의 분석 개구를 완전히 덮으므로, 수용 가능한 금속 샘플에 필요한 것보다 많은 재료를 갖는 샘플 크기를 갖는다. OES 동안, 스파크는 OES 샘플 스테이지의 에지 재료로 튀어서는 안되므로, 이 개구부는 전술한 바와 같이 의도적으로 약간 크다. 분석 동안 불활성 가스가 스파크 챔버 내로 퍼지되므로, 분석될 샘플(S)와 분광계 스테이지 사이의 누출이 용인될 수 없다.
본 발명은 분석 개구를 덮기 위한 하우징(30)의 부분을 또한 제공하도록 샘플(S)과 하우징(30)의 분리 불가능성을 이용한다. 연장축에 수직으로 연장되는 샘플러 하우징(30)은 분석 구역이 OES 스파크의 연소 영역보다 단지 약간 더 크게 한다. 샘플러 하우징(30)에 의한 분석 평면(AP)의 이러한 연장 때문에, 샘플러 하우징(30)의 분석 구역(35)을 채우는 고온 금속의 체적은 훨씬 작을 수 있다. 이러한 감소된 체적은 감소된 열 입력으로 변환되어, 분배 구역(34), 분석 구역(35), 및 통기 구역(36)을 채우는 용융 금속의 열이 종래 기술의 디바이스보다 실질적으로 작고, 이에 따라 급속 냉각되어 원하는 백색 철 구조를 달성할 수 있다.
도 7 및 도 7a를 참조하면, 분해된 샘플 챔버(3)가 도시되어 있다. 보다 구체적으로, 도 7 및 도 7a는 내부에 분리 불가능하게 수용된 고체화된 금속 샘플(S)을 수용하는 하우징(30)을 도시하는데, 덮개판(32)은 하우징(30)으로부터 분해되었으므로 도시되어 있지 않다. 도 7 및 도 7a에 도시된 형태로 된, 고체화된 금속 샘플(S)을 수용하는 하우징(30)은 OES에 의한 직접 분석에 사용될 수 있다. 분석 표면(AS)은 금속 충진 분배 구역(34) 위에 위치하는 분석 구역(35)에 형성된 샘플(S)의 부분(55)의 표면을 포함한다. 분석 구역 부분(55)으로부터 연장되고 이 부분과 연속되는 샘플(S)의 나머지 부분(56)은, 통기 구역(36) 및 마지막 수단으로서 가능하게는 연결 용적(38) 내로 유입되고 고체화된 금속으로 구성된다. 따라서, 샘플(S)의 나머지 부분(56)은 이후의 OES 분석에 영향을 미치지 않는 불규칙 구조(58)와 같은 불규칙부를 포함할 수 있다. 분석 표면(AS)은 분석 평면(AP)에 있고, 분석 평면(AP)을 손상시킬 수 있는 부품 또는 외부 부착 물질이 없다.
전술한 바와 같이, 샘플 챔버(3)의 다양한 구역(34, 35, 36)은 샘플 챔버(3)에 형성된 고체화된 금속 샘플(S)의 상이한 부분에 대응한다. 이와 같이, 통기 구역(36), 분석 구역(35) 및 분배 구역(34)의 치수는 내부에 형성된 고체화된 금속 샘플(S)의 다양한 부분의 치수에 대응한다. 예컨대, 각각의 구역(36, 35, 34)의 깊이는 고체화된 금속 샘플(S)의 대응 부분의 두께에 대응한다. 특히, 각각의 구역(34, 35, 36)의 길이(L) 대 깊이(D)의 비(이에 따라, 샘플(S)의 다양한 세그먼트들의 대응 비율)는 본 발명의 주요 파라미터이다. 특히, 분배 구역(34), 분석 구역(35) 및 통기 구역(36)은 바람직하게는 침지 단부(16) 근처로부터 대향 단부(18) 근처까지 연장되는 복수 개의 연속적인 세그먼트로서 구조화된다. 각각의 세그먼트는 길이 대 깊이(L/D) 비를 갖는다. 세그먼트들의 L/D 비는 제1 개구(20)로부터의 거리가 증가함에 따라 연속적으로 증가한다. 즉, 하나의 세그먼트의 L/D 비는 침지 단부(16)로부터 대향 단부(18)를 향한 방향으로 동일한 길이의 인접한 선행 세그먼트의 L/D 비보다 크다. 이는 결과적인 샘플(S)의 두께가 한 세그먼트에서 다음 세그먼트로 동일한 방향으로(즉, 유동 방향으로) 감소된다는 것을 의미한다.
전술한 바와 같이 샘플 챔버(3)의 다양한 구역(34, 35, 36)의 모든 기본적인 기하 형태가 계산되고, 설계 파라미터의 경제적인 선택을 이용하는 경우, 전술한 임의의 구역 또는 세그먼트의 각 단면에서, 샘플 챔버 하우징(30)은, 유입 도관(7)으로부터 시작하여 가스 커플러(2)로 연장되는 종축(X)을 따른 방향에서 샘플 캐비티의 깊이(D) 치수 뿐만 아니라 동일한 방향에서 샘플(S)의 두께 치수의 변경(특히, 증가) 없이 금속 샘플(S)의 고체화를 용이하게 한다는 것을 알면, L/D 비의 주요 파라미터가 충족될 수 있다.
고체화 및 실온으로의 냉각 동안 샘플(S)에서 크랙 형성을 피하기 위해, 샘플 캐비티의 총 길이[즉, 분석 구역(35)의 길이(LA)에 통기 구역(36)의 길이(LV)를 더한 값]를 따른, 본 명세서에 더 상세하게 설명된 바와 같은, 샘플 캐비티의 모든 세그먼트들의 L/D 비의 총합을 대응하는 세그먼트의 깊이(D)로 나눈 값(즉, L/D 비)은 25보다 커야 한다. 즉, 샘플 캐비티의 각각의 개별적인 세그먼트들의 L/D 비의 총합은 25보다 커야 한다. 개별적인 세그먼트들의 L/D 비는 샘플 캐비티의 전체 길이(L)가 고려되는 한 동일한 간격의 세그먼트 또는 소집된 그룹으로서 선택될 수 있다. 세그먼트(34)의 경우, 나중에 입증되는 바와 같이 2개의 섹션으로서 계산하는 것이 용이한데, 샘플의 두께가 변화하는, 즉 캐비티의 깊이가 세그먼트 내에서 변화하는 섹션에서, D는 세그먼트의 침지 단부로부터의 방향에서 최대 깊이에 세그먼트의 침지 단부에 대향하는 단부에서의 최대 깊이를 더한 총합을 2로 나눈 값으로 취한다. 이 계산은 길이에 걸쳐 깊이 변화를 보이는 모든 세그먼트에 대해 사용될 수 있다. 바람직하게는, 각각의 개별적인 세그먼트의 L/D 비는 침지 단부 및 유입 도관(7)으로부터 가스 커플러(2)를 향한 방향으로 증가된다(즉, 샘플 캐비티의 깊이 및 이에 따라 샘플(S)의 두께가 감소된다).
L/D 비를 더 양호하게 설명하기 위하여, 도 11은 분배 구역(34), 분석 구역(35) 및 통기 구역(36)을 포함하는 샘플 캐비티의 복수 개의 세그먼트를 도시한다. 총 L/D 비를 계산하기 위해, 샘플 캐비티[및 이에 따라 또한 샘플(S)]는 아래와 같이 분할될 수 있지만, 다른 방식으로 분할될 수도 있다.
샘플 캐비티의 제1 세그먼트(S1)는 분석 구역(35)의 제1 부분 및 그 아래에 있는 분배 구역(34)의 제1 부분을 포함한다. 제1 세그먼트(S1)는 분석 구역(35)의 제1 단부(80) 및 유입 도관(7) 근처의 분배 구역(34)으로부터 제1 중간 지점(84)까지 연장되는 길이(LS1)를 갖는다. 제1 중간 지점(84)은 분배 구역(34)의 바닥면(34c)이 통기 구역(36)을 향해 상방으로 각을 이루기 시작하기 바로 전에 하우징(30)의 지점에 대응한다. 일반적으로, 제1 세그먼트(S1)의 길이(LS1)는 유입 도관(7)의 직경, 보다 구체적으로는 내부 직경과 동일하거나 그보다 작다. 다른 거리가 가능하지만, 보다 바람직하게는, 제1 세그먼트(S1)의 길이(LS1)는 유입 도관(7)의 반경과 동일하다. 제1 세그먼트(S1)의 깊이는 제1 세그먼트(S1)가 형성된 분석 구역(35)과 분배 구역(34)의 대응 부분들의 깊이의 합이다. 제1 세그먼트(S1)에 대응하는 분배 구역(34)의 깊이는 경계(35c)로부터 수평 배향된 바닥 표면(34c)까지 측정되고, 계산된 유입 도관(7)의 직경에 1 mm를 더한 값과 동일하다.
샘플 캐비티의 제2 세그먼트(S2)는 분석 구역(35)의 제2 부분 및 그 아래에 있는 분배 구역(34)의 제1 부분을 포함한다. 제2 세그먼트(S2)는 제1 세그먼트(S1), 보다 구체적으로 제1 중간 지점(84)으로부터 바닥 표면(34c)이 분석 구역(35)의 바닥 단부(35b)와 교차하는 하우징(30)의 지점에 대응하는 제2 중간 지점(86)까지 연장되는 길이(LS2)를 갖는다. 교차 각도는 일반적으로 공지되어 있기 때문에(예컨대, 각도는 바람직하게는 60°임), 제2 세그먼트(S2)의 길이(LS2)가 계산될 수 있다. 제2 세그먼트(S2)의 깊이는, 전술한 바와 같이, 분석 구역(35)과 분배 구역(34)의 대응 부분들의 84를 따라 최대 깊이 및 86을 따른 최대 깊이 모두를 2로 나눈 값에 의해 정의된다.
샘플 캐비티의 제3 세그먼트(S3)는 분석 구역(35)의 나머지 부분을 포함하고, 제2 중간 지점(86)으로부터 제3 중간 지점(88)까지 연장되는 길이(LS3)를 갖는데, 제3 중간 지점은 분석 구역(35)의 단부 및 하우징(30)의 통기 구역(36)의 시작부에 대응한다. 제3 세그먼트(S3)의 길이(LS3)는 일반적으로 분석 구역(35)의 총 길이가 공지되어 있으므로 쉽게 계산될 수 있다. 제3 세그먼트(S3)는 분석 구역(35)의 대응 부분의 깊이와 동일한 깊이를 갖는다.
샘플 캐비티의 제4 세그먼트(S4)는 통기 구역(36)을 포함한다. 통기 구역(36)의 깊이는 기계 가공을 쉽게 하도록 선택되었지만, 이 매개 변수의 범위 내에서 동등하게 유효한 다른 깊이가 선택될 수 있다.
본 발명에 따라 고온 금속을 높은 균질성의 백색 카바이드 구조의 크랙없는 샘플로 고체화시킬 샘플 하우징(30)을 생성하기 위해, 아래의 예는 본 발명에 따른 예시적인 구성을 제공하지만, 많은 다른 구성이 본 발명의 범위 내에서 가능하다는 것을 이해할 것이다.
예 1
알루미늄의 샘플 하우징(30)이 도 1 내지 도 6에 따라 기계 가공된다. 분석 구역(35)은 분배 구역(34) 위에서 1 mm의 균일한 깊이(DA)를 갖는다. 예컨대, 분석 구역(35)의 표면적은 OES 분석을 위해 희망하는 분석 스폿의 갯수로부터 결정된다. 더 많은 표면적이 제공될 수 있지만, 2 내지 4개의 분석 스폿이 일반적이고, 4개의 분석 스폿이 바람직하다. 통상적인 OES 분석 스폿은 6-8 mm일 수 있고 스폿들이 중첩되는 것은 바람직하지 않기 때문에, 분석 구역(35)의 길이(LA)는 3개의 분석 스폿을 수용하도록 25 mm로 선택된다. 당해 분야의 숙련자라면 더 많은 스폿을 선택할 수 있기 때문에, 선택된 스폿들의 갯수가 본 발명을 변경시키지 않고, 샘플(S) 및 이에 따라 샘플 챔버(3)의 모든 구성요소의 길이를 증가시키는 것은 분광기의 크기에 대한 실제적인 고려에 의해서만 제한된다는 것을 이해할 것이다. 또한, 샘플 챔버(3)의 크기가 증가함에 따라, 재료 비용이 증가함으로써, 경제적 해법의 제공으로부터 멀어진다. 더 적은 분석 스폿이 또한 선택될 수 있지만, 일반적으로 2개의 스폿이 최소이다.
분석 구역(35)의 폭(WA)은 유사하게 최대 단면적(즉, 깊이에 폭을 곱한 값)이 침지 방향(I)을 향하도록 단면이 약간의 테이퍼를 갖는 상태로 10 mm로 선택된다. 따라서, 침지 방향(I), 보다 구체적으로는 유입 도관(7) 근처에 위치하는 분석 구역(35)의 최대 단면적은 10 ㎟(즉, 1 mm의 깊이에 10 mm의 폭을 곱한 값)이다. 유입 도관(7)의 단면적이 분석 구역(35)의 단면적의 0.5 내지 2배이기 때문에, 이 예의 유입 도관(7)의 단면적은 5 내지 20 ㎟일 수 있다. 유입 도관(7)은 석영 튜브이다. 따라서, 유입 도관(7)의 내부 직경은 2.5 내지 5.1 mm이다. 이 예에서, 유입 도관(7)은 5 mm의 내부 직경(즉, 19.6 ㎟의 단면적)을 갖는다. 유입 도관(7)의 단면적이 분배 구역(34)의 최대 단면적의 0.20 내지 0.70배이기 때문에, 라운딩이 있는 분배 구역(34)의 단면적은 대략 28 내지 98 ㎟일 수 있다. 분배 구역(34)의 바닥 표면(34c)의 제2 부분은 60°의 각도로 분석 구역(35)의 바닥 단부(35b)와 교차한다.
가장 큰 영역에서 통기 구역(36)의 단면적은 1 ㎟이다. 분석 구역(35)의 폭은 10 mm이기 때문에, 통기 구역(36)의 평균 깊이(DV)는 0.2 mm이다.
따라서, 예 1의 하우징(30)을 사용하여 생성된 샘플(S)의 분석 부분은 25 mm의 길이 및 1 mm의 두께(즉, 분석 구역(35)의 치수에 대응)를 갖는다. L/D 비는 먼저 분배 구역(34)에 대해 계산된다. 분배 구역(34)은 분석 구역(35)의 경계(35c)로부터 분배 구역(34)의 수평 바닥 표면(34c)까지의 제1 깊이를 갖는데, 이 깊이는 계산된 유입 도관(7)의 내부 직경(즉, 4 mm)에 1 mm을 더한 값과 동일하다. 이 깊이는 유입 도관(7)의 제2 단부(22)로부터 유입 도관(7)의 내부 직경(즉, 5 mm)과 동일한 거리에 걸쳐 계속된다. 제1 세그먼트(S1)의 L/D1은, 5 mm인 제1 세그먼트(S1)의 길이(LS1)를 1 mm에 1 mm를 더하고 5 mm의 유입 도관 내부 직경을 더한 분석 깊이인 제1 세그먼트(S1)의 총 깊이로 나눈 값이고, 이는 5/7 또는 0.71이다.
분배 구역 바닥은 이제 분석 구역 바닥과 교차할 때까지 바람직하게는 60도로 경사지게 된다. 분배 구역(34)의 바닥 표면(34c)과 분석 구역의 바닥 단부(35) 사이의 교차 각도가 60°라는 것을 알면, 제2 세그먼트(S2)의 경사진 부분은 지점(84)로부터 3.5 mm 후에 분석 구역 지점(86)의 바닥과 교차할 것이고, 84를 따른 최대 깊이에 86을 따른 최대 깊이를 더하고 2로 나눈 값이 (7+1)/2=4 mm로서 계산될 수 있다. 따라서, 제2 세그먼트(S2)의 L/D2는 3.5 mm인 제2 세그먼트의 길이(LS2)를 제2 세그먼트(S2)의 계산된 깊이로 나눈 값으로서, 3.5/4 또는 0.87이다.
제3 세그먼트(S3)는 오직 분석 구역(35)의 깊이(즉, 1 mm)와 동일한 깊이 및 분석 구역(35)의 종방향 표면의 원래 계산된 25mm의 나머지 길이에 대응하는 길이(LS3)(즉, 25 mm - 8.5 mm = 16.5 mm)를 갖는다. 따라서, 제3 세그먼트(S3)의 L/D3은 16.5이다.
이 샘플 하우징(30)을 설계하기 위해 계산하는 제4 세그먼트(S4)는 통기 구역(36)에 대응한다. 제4 세그먼트(S4)의 길이[즉, 통기 구역(36)의 길이]는 미지수이고 모든 세그먼트의 L/D의 합이 25보다 크다는 규칙에 대한 적합성에 의해 결정된다. 예컨대, 통기 구역이 길이가 2 mm이고 깊이가 0.2 mm이면, L/D4 값이 10이 되고 이에 따라 샘플(S)의 모든 세그먼트들의 L/D 비의 합계(즉, 0.71 + 0.87 + 16.5 + 10)는 28이 된다. 이 합계가 25보다 크기 때문에, 2 mm의 통기 구역(36)의 길이는 이 예에서는 용인될 수 없다는 것이 명백하다. 이 예에서, 통기 구역(36)의 길이는 5 mm로 선택되고, 따라서 모든 경제적 가능성의 범위 내에 있는 합계(L/D) = 43(즉, 25 < 합계(L/D) < 50)이다.
따라서, 각 세그먼트의 길이는 측정 가능한 만큼 작을 수 있으며 여전히 필요한 출력을 제공할 수 있다. 더 작은 세그먼트는 설계자가 개별 세그먼트(L/D)가 유입 도관(7)에서 가스 커플러(2)로의 방향으로 값이 감소할 수 없다는 기준에 순응하는 것이 바람직하다.
필요한 질량비가 9 내지 12인 것을 고려하면, 이 예의 샘플 챔버(3)는 6 g의 샘플의 회수 및 냉각을 위해 대략 57 g의 질량의 하우징(30) 및 약 9.4 g의 질량을 갖는 덮개판을 갖는다(즉, 11.1의 질량비).
예 1은 본 발명의 특히 바람직한 실시예를 나타낸다.
예 2
알루미늄의 샘플 하우징(30)이 도 1 내지 도 6에 따라 기계 가공된다. 분석 구역(35)은 분배 구역(34) 위에서 0.8 mm의 균일한 깊이(DA)를 갖는다. 분석 구역(35)의 길이(LA)는 4개의 분석 스폿을 수용하도록 32 mm로 선택된다.
분석 구역(35)의 폭(WA)은 유사하게 최대 단면적(즉, 깊이에 폭을 곱한 값)이 침지 방향(I)을 향하도록 단면이 약간의 테이퍼를 갖는 상태로 8 mm로 선택된다. 따라서, 침지 방향(I), 보다 구체적으로는 유입 도관(7) 근처에 위치하는 분석 구역(35)의 최대 단면적은 10 ㎟(즉, 0.8 mm의 깊이에 10 mm의 폭을 곱한 값)이다. 유입 도관(7)의 단면적이 분석 구역(35)의 단면적의 0.5 내지 2배이기 때문에, 유입 도관(7)의 단면적은 4 내지 16 ㎟일 수 있다. 유입 도관(7)은 석영 튜브이다. 따라서, 유입 도관(7)의 내부 직경은 2.5 내지 5.1 mm이다. 이 예에서, 유입 도관(7)은 4 mm의 내부 직경(즉, 12.6 ㎟의 단면적)을 갖는다. 유입 도관(7)의 단면적이 분배 구역(34)의 최대 단면적의 0.20 내지 0.70배이기 때문에, 라운딩이 있는 분배 구역(34)의 단면적은 대략 18 내지 63 ㎟일 수 있다. 분배 구역(34)의 바닥 표면(34c)의 제2 부분은 60°의 각도로 분석 구역(35)의 바닥 단부(35b)와 교차한다.
가장 큰 영역에서 통기 구역(36)의 단면적은 0.8 ㎟이다. 분석 구역(35)의 폭은 10 mm이기 때문에, 통기 구역(36)의 평균 깊이(DV)는 0.2 mm이다.
따라서, 예 1의 하우징(30)을 사용하여 생성된 샘플(S)의 분석 부분은 32 mm의 길이 및 0.8 mm의 두께(즉, 분석 구역(35)의 치수에 대응)를 갖는다. L/D 비는 먼저 분배 구역(34)에 대해 계산된다. 분배 구역(34)은 분석 구역(35)의 경계(35c)로부터 분배 구역(34)의 수평 바닥 표면(34c)까지의 제1 깊이를 갖는데, 이 깊이는 계산된 유입 도관(7)의 내부 직경(즉, 4 mm)에 1 mm을 더한 값과 동일하다. 이 깊이는 유입 도관(7)의 제2 단부(22)로부터 유입 도관(7)의 내부 직경(즉, 4 mm)과 동일한 거리에 걸쳐 계속되지만, 다른 거리가 가능하다. 제1 세그먼트(S1)의 L/D1은, 4 mm인 제1 세그먼트(S1)의 길이(LS1)를 0.8 mm에 1 mm를 더하고 4 mm의 유입 도관 내부 직경을 더한 깊이인 제1 세그먼트(S1)의 총 깊이로 나눈 값이고, 이는 4/5.8 또는 0.69이다.
분배 구역 바닥은 이제 분석 구역 바닥과 교차할 때까지 바람직하게는 60도로 경사지게 된다. 분배 구역(34)의 바닥 표면(34c)과 분석 구역의 바닥 단부(35) 사이의 교차 각도가 60°라는 것을 알면, 제2 세그먼트(S2)의 경사진 부분은 라인(84)으로부터 2.9 mm의 거리를 두고 분석 구역의 바닥과 라인(86)에서 교차할 것이고, 84를 따른 최대 깊이에 86을 따른 최대 깊이를 더하고 2로 나눈 값이 (5.8+0.8)/2=3.3으로서 계산될 수 있다. 따라서, 제2 세그먼트(S2)의 L/D2는 2.9 mm인 제2 세그먼트의 길이(LS2)를 제2 세그먼트(S2)의 총 깊이로 나눈 값으로서, 2.9/3.3 또는 0.88이다.
제3 세그먼트(S3)는 오직 분석 구역(35)의 깊이(즉, 2 mm)와 동일한 깊이 및 분석 구역(35)의 종방향 표면의 원래 계산된 32 mm의 나머지 길이에 대응하는 길이(LS3)(즉, 32 mm - 6.9 mm = 25.1 mm)를 갖는다. 따라서, 제3 세그먼트(S3)의 L/D3은 31.4이다.
이 샘플 하우징(30)을 설계하기 위해 계산하는 제4 세그먼트(S4)는 통기 구역(36)에 대응한다. 제4 세그먼트(S4)의 길이[즉, 통기 구역(36)의 길이]는 미지수이고 모든 세그먼트의 L/D의 합이 25보다 크다는 규칙에 대한 적합성에 의해 결정된다. 예컨대, 통기 구역이 길이가 2 mm이고 깊이가 0.2 mm이면, L/D4 값이 10이 되고 이에 따라 샘플(S)의 모든 세그먼트들의 L/D 비의 합계(즉, 0.69 + 0.88 + 31.4 + 10)는 43이 되고, 이는 모든 경제적인 선호도의 범위 내에 있다(즉, 25 ＜ 합계(L/D) ＜ 50).
따라서, 각 세그먼트의 길이는 측정 가능한 만큼 작을 수 있으며 여전히 필요한 출력을 제공할 수 있다. 더 작은 세그먼트는 설계자가 개별 세그먼트(L/D)가 유입 도관(7)에서 가스 커플러(2)로의 방향으로 값이 감소할 수 없다는 기준에 순응하는 것이 바람직하다.
당해 분야의 숙련자라면 상기 예들로부터 금속 샘플(S)의 모든 치수가 하우징(30)의 치수에 기초하여 계산될 수 있다는 것을 이해할 수 있다.
프로브(10) 및 특히 샘플 챔버(3)는 종래 기술의 통상적인 샘플링 디바이스가 채용되는 모든 샘플링 용례에 사용될 수 있다. 본 발명의 이점은 매우 빠른 고온 금속 프로세스의 관점에서 가장 잘 이해되고 금속의 과잉 처리 및/또는 열의 과도한 처리는 프로세스 위치에서 쉽게 사용 가능한 금속 화학 물질에 의해 회피될 수 있는 시간 및 재료 면에서 높은 추가 비용을 초래할 수 있다.
본 발명은 아래의 요건을 만족시키는 고체화된 고온 금속 샘플을 제공함으로써 종래 기술의 단점에 대한 해법을 제공한다:
- 발광 분광계에서 분석되는 금속 샘플,
- 가스 다공성 및 슬래그 포착이 없는 고체 금속 샘플,
- OES의 표면에서 양극까지의 거리를 고정시키는 유체 유동 라인이 없는 평평한, 회수된 분석 표면,
- 산화가 없는 샘플 분석 표면,
- 금속 및 비금속 분리 영역을 제거하기 위해 분석 평면에 수직인 최대 두께의 균질한 금속 샘플,
- 대략 10 mm x 30 mm를 가로질러서 적어도 2개, 바람직하게는 4개의 스파크를 얻기에 충분한 표면적을 제공하는 샘플 분석 표면, 및
- 샘플 분석 표면의 평면이 변형이 0.1 mm 미만인 상태로 샘플 하우징(30)[즉, 릿지(39)]에 의해 양쪽 표면 방향으로 중단 없이 연장되도록 샘플 금속이 냉각된 샘플 하우징으로 샘플 평면에 있는 샘플 표면.
전술한 실시예에 대한 변화가 본 발명의 광범위한 독창적인 개념으로부터 벗어남이 없이 이루어질 수 있다는 것을 당해 분야의 숙련자라면 인지할 것이다. 따라서, 본 발명은 개시된 특정한 실시예로 제한되지 않고, 첨부된 청구범위에 의해 한정되는 본 발명의 사상 및 범위 내의 수정을 포함하도록 의도된다는 점이 이해된다.

Claims (20)

  1. 용융 금속 베스, 특히 용선(molten iron)으로부터 샘플을 취하는 샘플러로서,
    침지 단부를 갖는 캐리어 튜브;
    캐리어 튜브의 침지 단부 상에 배치된 샘플 챔버 조립체를 포함하고, 상기 샘플 챔버 조립체는 덮개판과 하우징을 포함하며,
    상기 하우징은,
    유입 도관을 위한 제1 개구를 갖는 침지 단부와 가스 커플러를 위한 제2 개구를 갖는 대향 단부; 및
    상기 침지 단부와 대향 단부 사이에서 연장되는 제1 면을 포함하고, 상기 제1 면은 침지 단부 근처의 제1 오목부 및 제2 오목부를 가지며, 상기 제1 오목부는 분석 구역이고 제2 오목부는 통기 구역이고, 분석 구역의 일부는 분배 구역의 위에 있어 제1 개구와 직접 유동 연통하고 유입 도관으로부터 용선을 받아들이도록 구성되며,
    상기 분석 구역의 깊이는 0.5 mm 내지 1.5 mm이고,
    상기 덮개판과 하우징은 함께 조립되어 분배 구역, 분석 구역, 및 통기 구역을 포함하는 샘플 캐비티를 형성하도록 구성되며,
    조립된 덮개판과 하우징은 내부에 받아들인 용선을 고체화된 백색 구조 금속 샘플로 냉각시키도록 구성되어, 고체화된 백색 구조 금속 샘플의 분석 표면이 제1 평면에 있으며,
    제1 및 제2 개구는 제1 평면으로부터 떨어져 있는 것을 특징으로 하는 샘플러.
  2. 제1항에 있어서, 상기 샘플 캐비티와 제1 및 제2 개구는 공통의 종축을 따라 정렬되는 것을 특징으로 하는 샘플러.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 분석 구역, 분배 구역 및 통기 구역은 복수 개의 연속적인 세그먼트로서 구조화되고, 각각의 세그먼트는 길이 대 깊이비를 가지며, 상기 복수 개의 세그먼트의 길이 대 깊이비의 총합은 25보다 큰 것을 특징으로 하는 샘플러.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 분배 구역, 분석 구역 및 통기 구역은 복수 개의 연속적인 세그먼트로서 구조화되고, 각각의 세그먼트는 길이 대 깊이비를 가지며, 세그먼트의 길이 대 깊이비는 제1 개구로부터의 거리가 증가함에 따라 연속적으로 증가하는 것을 특징으로 하는 샘플러.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 분배 구역의 단부로부터 제2 개구를 향해 연장되는 용선의 유동 방향에서 샘플 캐비티의 적어도 일부의 폭 치수가 증가하지 않는 것을 특징으로 하는 샘플러.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 분석 구역과 통기 구역의 총 길이는 20 내지 50 mm, 바람직하게는 30 mm 길이인 것을 특징으로 하는 샘플러.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 분석 구역은 분배 구역 위에 균일한 깊이를 갖는 것을 특징으로 하는 샘플러.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 분석 구역의 적어도 일부의 단면적은 용선의 유동 방향으로 점진적으로 테이퍼지는 것을 특징으로 하는 샘플러.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 통기 구역의 단면적은 용선의 유동 방향으로 점진적으로 테이퍼지는 것을 특징으로 하는 샘플러.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 샘플 챔버의 질량 대 샘플 수집 용적 내에 수용된 금속의 질량의 비는 9 내지 12, 바람직하게는 10인 것을 특징으로 하는 샘플러.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 덮개판은 샘플 챔버의 질량의 10 내지 20%를 차지하는 것을 특징으로 하는 샘플러.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유입 도관의 단면적은 분배 구역의 단면적의 0.25 내지 0.5배인 것을 특징으로 하는 샘플러.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 분배 구역의 바닥 표면은 분석 구역의 폐쇄된 바닥 단부와 40 내지 90°, 바람직하게는 60°의 각도로 교차하는 것을 특징으로 하는 샘플러.
  14. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 덮개판은 덮개판과 하우징 사이에 실질적으로 기밀식 시일을 제공하도록 구성된 밀봉 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 샘플러.
  15. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 덮개판은 샘플 챔버를 형성하도록 금속 클램프에 의해 하우징에 고정되는 것을 특징으로 하는 샘플러.
  16. 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 개구는 샘플 캐비티에 형성된 유일한 개구들이고, 유입 도관의 단부는 제1 개구 내에 고정되며 가스 커플러의 단부는 제2 개구 내에 고정되는 것을 특징으로 하는 샘플러.
  17. 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유입 도관의 단면적은 분석 구역의 단면적의 0.5 내지 2배인 것을 특징으로 하는 샘플러.
  18. 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유입 도관, 분배 구역, 분석 구역, 통기 구역 및 가스 커플러는 용선의 유동 방향에서 이 순서대로 순차적으로 배열되는 것을 특징으로 하는 샘플러.
  19. 제1항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 하우징의 제1 면은 이 제1 면으로부터 돌출되고 통기 구역, 분석 구역 및 분배 구역을 둘러싸는 릿지를 포함하는 것을 특징으로 하는 샘플러.
  20. 제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 덮개판과 하우징은 함께 조립되고, 덮개판은 제1 평면을 따라 하우징의 릿지에 대해 동일한 높이로 안착되는 것을 특징으로 하는 샘플러.
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