KR20190143679A - Treating Substrate Chamber and the Method for Treating Substrate - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a chamber for processing a substrate and a substrate processing method, which prevent decrease in temperature in a chamber to which process fluid of high pressure is supplied and maintain a stable substrate processing environment. The chamber for processing a substrate of the present invention includes a second housing coupled to a first housing and forming a substrate processing space therein. One of the first housing and the second housing moves in the other one thereof. The substrate processing method of the present invention includes: a step a) that the first housing and the second housing are coupled such that process fluid is supplied to a chamber forming a substrate processing space therein; a step b) that one of the first housing and the second housing moves in the other one t hereof; and a step c) of performing a substrate processing process.

Description

기판 처리용 챔버 및 기판 처리 방법{Treating Substrate Chamber and the Method for Treating Substrate}Processing Substrate Chamber and the Method for Treating Substrate

본 발명은 기판 처리용 챔버 및 이를 이용하는 기판 처리 방법에 관한 것으로서, 고압의 공정유체가 공급되는 챔버 내부의 온도 저하를 방지하고 안정적인 기판 처리 환경을 유지하는 기판 처리용 챔버 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate processing chamber and a substrate processing method using the same, and to a substrate processing chamber and a substrate processing method for preventing a temperature drop inside a chamber supplied with a high-pressure process fluid and maintaining a stable substrate processing environment. .

최근 정보 통신 분야의 급속한 발달과, 컴퓨터와 같은 정보 매체의 대중화에 따라 반도체 장치도 비약적으로 발전하고 있다. 또한, 그 기능적인 면에 있어서 반도체 장치의 소자 고집적화 경향에 따라 기판에 형성되는 개별 소자의 크기를 줄이면서 한편으로 소자 성능을 극대화시키기 위해 여러 가지 방법이 연구 개발되고 있다. Recently, with the rapid development of the information and communication field and the popularization of information media such as computers, semiconductor devices are also rapidly developing. In addition, various methods have been researched and developed in order to reduce the size of individual devices formed on a substrate and maximize device performance in accordance with the trend of device integration of semiconductor devices.

일반적으로 반도체 소자는 리소그래피(Lithography), 증착(Deposition) 및 식각(Etching), 감광제(Photoresist)의 도포(Coating), 현상(Develop), 세정 및 건조공정 등의 복수의 기판 처리를 반복적으로 진행하여 제조된다.In general, a semiconductor device repeatedly processes a plurality of substrates such as lithography, deposition and etching, coating of photoresist, development, cleaning, and drying. Are manufactured.

각 공정은 각각의 목적에 적합한 공정유체를 이용하여 이루어지며, 각 공정마다 적합한 공정 환경이 요구된다. Each process is made using a process fluid suitable for each purpose, and a suitable process environment is required for each process.

각 공정은 해당하는 공정 환경이 조성되는 챔버 또는 배스에 기판을 수용하여 이루어지는 것이 일반적이며, 외부 파티클의 유입을 방지하기 위해 밀폐된 챔버 내부에 기판을 수용하여 이루어질 수 있다.Each process is generally made by accommodating a substrate in a chamber or bath in which a corresponding process environment is formed, and may be made by accommodating a substrate in a sealed chamber to prevent the inflow of external particles.

각 공정을 수행하는 기판상에는 금속 불순물, 유기물 등의 파티클이 잔존하게 되는데, 이와 같은 오염물질은 기판의 공정 불량을 일으키고 제품의 수율 및 신뢰성에 악영향을 미치게 된다. Particles such as metal impurities and organic matter remain on the substrate to perform each process. Such contaminants cause process defects of the substrate and adversely affect product yield and reliability.

따라서 파티클을 제거하기 위해 각 공정의 완료시마다 반복적으로 수행되는 세정 및 건조공정이 매우 중요하게 다뤄지고 있다.Therefore, the cleaning and drying process that is repeatedly performed at the completion of each process in order to remove the particles is very important.

세정은 습식세정과 건식세정으로 분류될 수 있으며, 그 중에서도 습식세정이 반도체 제조분야에서 널리 이용되고 있다. Cleaning may be classified into wet cleaning and dry cleaning, among which wet cleaning is widely used in the semiconductor manufacturing field.

습식세정은 각각의 단계마다 오염물질에 맞는 화학물질을 사용하여 연속적으로 오염물질을 제거하는 방식으로, 산과 알칼리 용액 등을 다량 사용하여 기판에 잔류하는 오염물질을 제거하게 된다.In wet cleaning, contaminants are continuously removed by using chemicals suitable for contaminants at each step, and a large amount of acid and alkaline solutions are used to remove contaminants remaining on the substrate.

건조공정에는 초임계 유체가 많이 이용된다. 특히, 최근 반도체 소자의 디자인 룰(design rule)이 지속적으로 감소하여 미세구조 패턴이 주를 이루면서 패턴의 종횡비(Aspect Ratio)가 급격히 증가하고 있어, 식각 또는 세정 등의 습식 공정이 완료된 후 약액을 건조하는 과정에서 발생하는 패턴 무너짐(Pattern leaning) 현상의 해결 방법으로 초임계 유체가 이용되고 있다. Supercritical fluids are often used in the drying process. In particular, as the design rules of semiconductor devices have been continuously decreasing, the aspect ratio of the patterns is rapidly increasing as the fine structure patterns are predominant, and the chemical liquid is dried after the completion of the wet process such as etching or cleaning. Supercritical fluid is used as a solution to the pattern leaning phenomenon occurring in the process.

물질은 임계점(critical point)이라고 불리는 일정한 고온·고압의 한계를 넘으면 기체와 액체의 구별을 할 수 없는 상태인 초임계상태가 되는데, 이 상태에 있는 물질을 초임계 유체라고 한다.When a substance exceeds a certain high temperature and high pressure limit called a critical point, it becomes a supercritical state in which gas and liquid cannot be distinguished, and the substance in this state is called a supercritical fluid.

초임계 유체는 분자의 밀도 변화가 큰 특징을 가진다. 분자의 밀도는 액체에 가깝지만, 점성도는 낮아 기체에 가깝기 때문이다. 또 기체처럼 확산이 빨라 열전도성이 물 만큼이나 높지만, 액체처럼 용매로 사용되어 용질 주변의 용매 농도가 극히 높아지는 특이한 성질을 가지고 있고, 표면장력의 영향을 받지 않는다. 따라서 초임계 유체는 화학반응에 아주 유용하며 혼합물에서 특정 성분을 추출·분리하는 성질이 강해 여러 분야에서 활용되고 있고, 특히 임계온도가 상온에 비교적 가까우며 비극성 물질인 초임계 이산화탄소의 활용도가 높다. Supercritical fluids are characterized by large changes in molecular density. This is because the density of the molecules is close to liquid, but the viscosity is low and close to gas. In addition, the thermal conductivity is as high as water as fast diffusion, but as a liquid, it is used as a solvent has a unique property of extremely high solvent concentration around the solute, and is not affected by surface tension. Therefore, supercritical fluids are very useful for chemical reactions and have strong properties for extracting and separating specific components from mixtures. They are used in various fields.

도 1을 참조하여 종래 기술에 의한 기판 처리용 챔버(1)에 대해 설명한다. A substrate processing chamber 1 according to the prior art will be described with reference to FIG. 1.

종래 기술에 의한 기판 처리용 챔버(1)는, 제1하우징(10)과 제2하우징(20)이 결합되어 내부에 기판(W)이 수용되는 밀폐된 기판 처리 공간(S)을 형성하도록 이루어지며, 상기 제1하우징(10)과 제2하우징(20) 사이를 밀폐하는 씰링부재(30) 및 상기 제2하우징(20)을 지지하며 승강 이동시켜 상기 챔버(1)를 개폐하기 위한 구동부(40)를 포함한다.The substrate processing chamber 1 according to the related art is configured such that the first housing 10 and the second housing 20 are combined to form an enclosed substrate processing space S in which the substrate W is accommodated. A driving unit for opening and closing the chamber 1 by lifting and moving the sealing member 30 and the second housing 20 which seal between the first housing 10 and the second housing 20. 40).

상기 챔버(1)는 기판(W)이 챔버(1) 내부에 유입되거나 챔버(1) 내부로부터 외부로 반출되는 경우 개방되며, 상기 챔버(1) 내부에서 기판(W)의 처리가 수행되는 동안 밀폐 상태를 유지한다.The chamber 1 is opened when the substrate W is introduced into the chamber 1 or taken out of the chamber 1 to the outside, while the processing of the substrate W is performed in the chamber 1. Keep sealed.

상기 구동부(40)는 유압실린더로 이루어져, 상기 제2하우징(20)을 하강시켜 상기 제1하우징(10)으로부터 분리시킴으로써 상기 챔버(1)를 개방하고, 상기 제2하우징(20)을 상승시켜 상기 제1하우징(10)과 결합시킴으로써 상기 챔버(1)를 밀폐한다.The drive unit 40 is composed of a hydraulic cylinder, by lowering the second housing 20 to separate from the first housing 10 to open the chamber (1), to raise the second housing 20 The chamber 1 is sealed by combining with the first housing 10.

상기 제1하우징(10)과 결합되는 제2하우징(20)의 결합면을 따라 그루브(21)가 형성되며, 상기 그루브(21)에는 고리 형태의 씰링부재(30)가 구비되어 상기 제1하우징(10)과 상기 제2하우징(20) 사이를 밀폐한다.A groove 21 is formed along an engagement surface of the second housing 20 coupled to the first housing 10, and the groove 21 is provided with a ring-shaped sealing member 30 to provide the first housing. Seal between the 10 and the second housing (20).

상기 씰링부재(30)는 복원성을 가지는 수지 소재로 이루어질 수 있다.The sealing member 30 may be made of a resin material having resilience.

상기 챔버(1)에는, 상기 챔버(1) 내부에 상기 기판(W)을 처리하기 위한 공정유체를 공급하는 유체공급부(50)가 구비된다.The chamber 1 is provided with a fluid supply unit 50 for supplying a process fluid for processing the substrate W inside the chamber 1.

상기 유체공급부(50)는 상기 챔버(1)를 관통하여 상기 챔버(1)의 내부와 외부를 연결하도록 좁은 관 형태로 이루어지며, 상기 공정유체는 상기 기판(W)의 처리에 적합한 온도와 압력으로 공급된다.The fluid supply unit 50 is formed in a narrow tube shape to connect the inside and the outside of the chamber 1 through the chamber 1, and the process fluid is a temperature and pressure suitable for processing the substrate W. Supplied by.

이때, 상기 공정유체가 좁은 관 형태의 상기 유체공급부(50)를 유동하여 상대적으로 넓은 상기 기판 처리 공간(S)에 유입되면 줄-톰슨 효과(Joule-Thomson　effect)에 의한 온도 변화가 발생할 수 있다.In this case, when the process fluid flows through the fluid supply unit 50 having a narrow tube shape and flows into the relatively wide substrate processing space S, a temperature change may occur due to a Joule-Thomson effect. .

특히 초임계 유체와 같은 고온 고압의 공정유체가 공급되는 경우, 상기 공정유체는 상기 기판 처리 공간(S)에 유입될 때 온도가 급속도로 낮아지며 상태 변화가 일어날 수 있으며, 이 경우 기판 처리 공정에 악영향을 끼치고 공정 불량을 유발할 수 있다.In particular, when a process fluid of high temperature and high pressure, such as a supercritical fluid, is supplied, the temperature of the process fluid rapidly decreases when the fluid flows into the substrate processing space S, and a state change may occur. Can cause process failure.

줄-톰슨 효과는 압축된 기체가 단열된 좁은 구멍을 통해 넓은 공간으로 분출되는 경우에 갑작스러운 압력차로 인한 분자간 상호작용으로 온도가 낮아지는 현상으로, 공기를 액화시킬 때나 냉매의 냉각에 응용되는 것이 일반적이다. The Joule-Thompson effect is a phenomenon in which the temperature is lowered due to intermolecular interactions due to sudden pressure difference when compressed gas is ejected into a large space through a narrow insulated hole. It is common.

도 2를 참조하여 줄-톰슨 효과가 적용되는 공정유체의 온도 변화에 대해 설명한다.Referring to Figure 2 will be described for the temperature change of the process fluid to which the Joule-Thompson effect is applied.

상기 공정유체는 상기 기판(W) 처리에 적합한 초기압력(P1)과 초기온도(T1)로 설정되어 상기 챔버(1)에 공급된다.The process fluid is set to an initial pressure P1 and an initial temperature T1 suitable for processing the substrate W, and is supplied to the chamber 1.

상기 공정유체는 상기 유체공급부(50)를 통해 상기 기판 처리 공간(S)에 유입되며 압력과 온도가 낮아져, 상기 챔버(1) 내부에는 상기 초기압력(P1)보다 낮은 도달압력(P2)과 상기 초기온도(T1)보다 낮은 도달온도(T2)로 이루어지는 환경이 형성된다.The process fluid is introduced into the substrate processing space (S) through the fluid supply unit 50 and the pressure and temperature are lowered, so that the reaching pressure P2 and the initial pressure P1 are lower than the initial pressure P1 inside the chamber 1. An environment consisting of the attainment temperature T2 lower than the initial temperature T1 is formed.

상기 공정유체로 초임계 유체를 이용하는 기판 처리 공정의 경우, 상기 초기압력(P1)은 임계압력(Pc) 이상으로, 상기 초기온도(T1)는 임계온도(Tc) 이상으로 설정하여 초임계상태의 공정유체를 상기 챔버(1) 내부에 공급하게 되나, 상기 줄-톰슨 효과에 의해 상기 도달압력(P2)이 임계압력(Pc) 미만으로 낮아지거나 상기 도달온도(T2)가 임계온도(Tc) 미만으로 낮아지는 경우에는 상기 공정유체가 기체 또는 액체로 상변화하여 기판 처리 공정에 악영향을 줄 수 있다. In a substrate processing process using a supercritical fluid as the process fluid, the initial pressure P1 is set above the critical pressure Pc and the initial temperature T1 is set above the critical temperature Tc. Process fluid is supplied into the chamber 1, but the Joule-Thomson effect causes the attainment pressure P2 to be lower than the critical pressure Pc or the attainment temperature T2 to be below the critical temperature Tc. When lowered to the process fluid phase change to gas or liquid may adversely affect the substrate processing process.

상기한 바와 같은 기판 처리용 챔버에 대한 선행기술의 일례로 대한민국 공개특허 제10-2015-0064494호가 있다.An example of the prior art for the substrate processing chamber as described above is the Republic of Korea Patent Publication No. 10-2015-0064494.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 공정유체가 기판 처리용 챔버에 유입되며 줄-톰슨 효과에 의해 온도가 낮아지는 현상을 방지하고 이로 인한 공정 불량을 방지할 수 있는 기판 처리용 챔버 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made to solve the above problems, the process fluid is introduced into the substrate processing chamber and the substrate processing to prevent the phenomenon that the temperature is lowered by the Joule-Thomson effect and thereby prevent the process failure An object of the present invention is to provide a chamber and a substrate processing method.

상술한 바와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명의 기판 처리용 챔버는, 제1하우징과 제2하우징이 결합되어 내부에 기판이 수용되는 밀폐된 기판 처리 공간을 형성하는 챔버에 있어서, 상기 제2하우징은 상기 제1하우징에 삽입되며, 상기 제1하우징 내부에서 이동하여 상기 기판 처리 공간의 체적을 변화시키도록 이루어질 수 있다.The substrate processing chamber of the present invention for realizing the object as described above, the second housing in the chamber to form a closed substrate processing space in which the first housing and the second housing is coupled to accommodate the substrate therein, May be inserted into the first housing and moved inside the first housing to change a volume of the substrate processing space.

상기 제2하우징은, 상승이동하여 상기 기판 처리 공간의 체적을 줄이고, 하강이동하여 상기 기판 처리 공간의 체적을 늘이도록 구비될 수 있다.The second housing may be provided to move up and down to reduce the volume of the substrate processing space, and to move down to increase the volume of the substrate processing space.

상기 챔버에 공정유체를 공급하는 유체공급부는 기판 처리를 위해 요구되는 압력 이하의 압력으로 상기 공정유체를 공급하며, 상기 제2하우징은, 상승이동하여 상기 기판 처리를 위해 요구되는 압력 이하의 압력으로 형성되는 상기 기판 처리 공간의 압력이 상기 기판 처리를 위해 요구되는 압력에 이르도록 할 수 있다.The fluid supply unit supplying the process fluid to the chamber supplies the process fluid at a pressure below the pressure required for substrate processing, and the second housing is moved up and down to a pressure below the pressure required for the substrate processing. The pressure in the substrate processing space to be formed may reach a pressure required for the substrate processing.

상기 유체공급부는, 기판 처리를 위해 요구되는 압력으로 상기 공정유체를 공급하며, 상기 제2하우징은, 상기 공정유체가 공급됨에 따라 상기 기판 처리 공간의 압력이 기판 처리를 위해 요구되는 압력에 이르면 하강이동하여 상기 기판 처리 공간의 체적을 늘리도록 할 수 있다.The fluid supply unit supplies the process fluid at a pressure required for substrate processing, and the second housing is lowered when the pressure in the substrate processing space reaches a pressure required for substrate processing as the process fluid is supplied. It can be moved to increase the volume of the substrate processing space.

상기 제2하우징은, 상기 기판 처리 공간의 체적이 변화하도록 반복적으로 승강이동하여 상기 챔버 내부의 상기 공정유체를 교반하도록 할 수 있으며, 이때 상기 공정유체가 상기 챔버 내부에 추가로 공급되며 동시에 상기 챔버 내부의 유체가 배출되도록 할 수 있다.The second housing may be moved up and down repeatedly to change the volume of the substrate processing space to agitate the process fluid inside the chamber, wherein the process fluid is further supplied into the chamber and at the same time the chamber The fluid inside can be discharged.

상기한 기판 처리용 챔버를 이용하는 기판 처리 방법은, a) 상기 챔버에 공정유체가 공급되는 단계와, b) 상기 제2하우징이 상기 제1하우징 내부에서 이동하여 상기 기판 처리 공간의 체적을 변화시키는 단계와, c) 기판 처리 공정이 이루어지는 단계를 포함하여 이루어질 수 있다. In the substrate processing method using the substrate processing chamber, a) a process fluid is supplied to the chamber, and b) the second housing is moved inside the first housing to change the volume of the substrate processing space. And c) performing a substrate processing process.

본 발명에 따른 기판 처리용 챔버 및 기판 처리 방법에 의하면, 기판 처리용 챔버의 체적(부피)을 가변 가능하도록 구성하여 고압의 초임계 유체가 공급되는 초기에 챔버 내부의 온도가 낮아지는 현상을 방지할 수 있다.According to the substrate processing chamber and the substrate processing method according to the present invention, the volume (volume) of the substrate processing chamber is configured to be variable to prevent the phenomenon that the temperature inside the chamber is lowered at the initial stage when the high-pressure supercritical fluid is supplied. can do.

또한, 챔버에 유입되는 공정유체의 압력을 기판 처리에 요구되는 압력보다 낮게 설정하여 공급할 수 있어 공정유체가 유입되며 받는 압력차를 줄임으로써 공정유체의 상변화 및 이에 따른 공정 불량 발생을 방지할 수 있다.In addition, since the pressure of the process fluid flowing into the chamber can be set lower than the pressure required for substrate processing, the process fluid is introduced and the pressure difference received can be reduced to prevent the phase change of the process fluid and the occurrence of process defects. have.

또한, 공정유체가 유입되는 기판 처리 공간의 초기 체적을 줄여 공정유체가 유입되며 받는 압력차를 줄임으로써 공정유체의 상변화를 방지하여 챔버 내부의 기판 처리 공간을 초임계 상태로 유지할 수 있다.In addition, by reducing the initial volume of the substrate processing space into which the process fluid is introduced, by reducing the pressure difference received by the process fluid, it is possible to prevent the phase change of the process fluid to maintain the substrate processing space inside the chamber in a supercritical state.

또한, 기판 처리 공간의 체적 변화에 관계 없이 압력과 온도를 유지하도록 하여 기판 처리 환경을 유지할 수 있다.In addition, the substrate processing environment can be maintained by maintaining the pressure and the temperature regardless of the volume change of the substrate processing space.

또한, 기판 처리 공간의 체적을 가변시켜 압력 펄스를 줌으로써 기판 처리 공간 내부 유체의 교반 효과에 의해 기판 처리 효율을 향상시킬 수 있다.Further, by varying the volume of the substrate processing space and applying a pressure pulse, the substrate processing efficiency can be improved by the stirring effect of the fluid inside the substrate processing space.

또한, 공정유체의 교반이 이루어지는 챔버에 공정유체를 추가로 공급하는 동시에 챔버 내부의 유체를 배출함으로써 기판 처리 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, the substrate processing efficiency may be improved by additionally supplying the process fluid to the chamber in which the process fluid is agitated and simultaneously discharging the fluid inside the chamber.

도 1은 종래 기술에 의한 기판 처리용 챔버를 개략적으로 나타내는 도면.
도 2는 종래 기술에 의해 기판 처리용 챔버에 유입되는 공정유체의 온도와 압력이 챔버 내부에 유입되며 변화하는 것을 개략적으로 나타내는 도면.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 의한 기판 처리용 챔버를 개략적으로 나타내는 도면.
도 4는 본 발명의 제1실시예에 의한 기판 처리용 챔버 내부의 온도와 압력의 변화를 개략적으로 나타내는 도면.
도 5는 본 발명의 제2실시예에 의한 기판 처리용 챔버를 개략적으로 나타내는 도면.
도 6은 본 발명의 제2실시예에 의한 기판 처리용 챔버 내부의 온도와 압력의 변화를 개략적으로 나타내는 도면.
도 7은 본 발명의 제3실시예에 의한 기판 처리용 챔버를 개략적으로 나타내는 도면.
도 8은 본 발명의 제3실시예에 의한 기판 처리용 챔버 내부의 온도와 압력의 변화를 개략적으로 나타내는 도면.
도 9는 본 발명의 제4실시예에 의한 기판 처리용 챔버를 개략적으로 나타내는 도면.
도 10은 본 발명의 제5실시예에 의한 기판 처리용 챔버를 개략적으로 나타내는 도면.
도 11은 본 발명의 제6실시예에 의한 기판 처리용 챔버를 개략적으로 나타내는 도면.
도 12는 본 발명에 의한 기판 처리 방법을 나타내는 순서도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The figure which shows schematically the chamber for substrate processing by a prior art.
Figure 2 is a view schematically showing that the temperature and pressure of the process fluid flowing into the chamber for processing the substrate flows into the chamber by the prior art changes.
3 is a schematic view showing a substrate processing chamber according to a first embodiment of the present invention.
4 is a view schematically showing changes in temperature and pressure in a substrate processing chamber according to a first embodiment of the present invention.
5 is a schematic view showing a substrate processing chamber according to a second embodiment of the present invention.
6 is a view schematically showing changes in temperature and pressure inside a substrate processing chamber according to a second embodiment of the present invention.
7 is a schematic view showing a substrate processing chamber according to a third embodiment of the present invention.
8 is a view schematically showing changes in temperature and pressure inside a chamber for processing a substrate according to a third embodiment of the present invention.
9 is a schematic view showing a substrate processing chamber according to a fourth embodiment of the present invention.
10 is a schematic view showing a substrate processing chamber according to a fifth embodiment of the present invention.
FIG. 11 schematically shows a substrate processing chamber according to a sixth embodiment of the present invention. FIG.
12 is a flowchart showing a substrate processing method according to the present invention.

이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 의한 기판 처리용 챔버의 구성 및 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the configuration and operation of the substrate processing chamber according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 의한 기판 처리용 챔버(100)는, 제1하우징(110)과, 상기 제1하우징(110)과 결합하여 내부에 기판 처리 공간(S)을 형성하는 제2하우징(120)을 포함하되, 상기 제1하우징(110)과 상기 제2하우징(120) 중 어느 하나의 내부에서 다른 하나가 이동하도록 이루어진다.The substrate processing chamber 100 according to the present invention includes a first housing 110 and a second housing 120 which is coupled to the first housing 110 to form a substrate processing space S therein. However, the other one inside the one of the first housing 110 and the second housing 120 is made to move.

상기 기판(W)은 반도체 기판이 되는 실리콘 웨이퍼일 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 기판(W)은 LCD(liquid crystal display), PDP(plasma display panel)와 같은 평판 디스플레이 장치용으로 사용하는 유리 등의 투명 기판일 수 있다. 상기 기판(W)의 형상 및 크기는 본 발명의 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 원형 및 사각형 플레이트 등 실질적으로 다양한 형상과 크기를 가질 수 있다.The substrate W may be a silicon wafer serving as a semiconductor substrate. However, the present invention is not limited thereto, and the substrate W may be a transparent substrate such as glass used for a flat panel display device such as a liquid crystal display (LCD) or a plasma display panel (PDP). The shape and size of the substrate W are not limited by the drawings of the present invention, and may have substantially various shapes and sizes, such as circular and rectangular plates.

상기 기판(W)에는, 상기 기판(W) 상의 오염물질을 제거하기 위한 액체 또는 기체 상태의 세정제가 공급된다. 세정제는 처리 대상이 되는 종류에 따라 복수의 세정제가 사용될 수 있다. 예를 들면, 레지스트를 제거하기 위해서는 유기용제, 질소(N2) 가스가 사용될 수 있다. 또한, 산화 실리콘(SiO)를 제거하기 위해서는 물, 불화수소(HF), 이소프로필 알코올(IPA) 및 질소(N2) 가스 등이 사용될 수 있다. 또한, 금속을 제거하기 위해서는 염산(HCl), 오존(O3), 질소(N2) 가스가 사용될 수 있다. 또한, 레지스트 이외의 유기물을 제거하기 위해서는 오존(O3), 질소(N2) 가스 가스를 사용할 수 있다. 이외에도, 그 밖의 파티클을 제거하기 위해서는 암모니아 가수(加水)(APM), 질소(N2) 가스, 또는 질소(N2) 가스 혹은 아르곤(Ar)을 사용할 수 있다. 또한, 불소(F), 염소(Cl), 암모니아(NH4)의 이온을 제거하기 위해서는 물, 이소프로필 알코올(IPA) 및 질소(N2) 가스를 사용할 수 있다. The substrate W is supplied with a liquid or gaseous cleaner for removing contaminants on the substrate W. The cleaning agent may be a plurality of cleaning agents depending on the kind to be treated. For example, an organic solvent and nitrogen (N 2) gas may be used to remove the resist. In addition, water, hydrogen fluoride (HF), isopropyl alcohol (IPA), nitrogen (N 2) gas, or the like may be used to remove silicon oxide (SiO). In addition, hydrochloric acid (HCl), ozone (O 3), nitrogen (N 2) gas may be used to remove the metal. In addition, in order to remove organic substances other than a resist, ozone (O3) and nitrogen (N2) gas gas can be used. In addition, to remove other particles, ammonia water (APM), nitrogen (N 2) gas, nitrogen (N 2) gas, or argon (Ar) may be used. In addition, in order to remove ions of fluorine (F), chlorine (Cl) and ammonia (NH 4), water, isopropyl alcohol (IPA) and nitrogen (N 2) gas may be used.

상기 세정제가 공급된 상기 기판(W)에는 건조를 위한 건조제가 공급될 수 있다. 건조제는 상기 기판(W)상에 공급된 세정제의 종류에 대응하여 구비되며, 이산화탄소(CO2), 물(H2O), 메탄(CH4), 에탄(C2H6), 프로판(C3H8), 에틸렌(C2H4), 프로필렌(C2H2), 메탄올(C2H3OH), 에탄올(C2H5OH), 육불화황(SF6), 아세톤(C3H8O) 등의 초임계유체가 이용될 수 있다. 이하, 이러한 세정제 및 건조제를 통틀어 공정유체라 칭하기로 한다.A drying agent for drying may be supplied to the substrate W to which the cleaning agent is supplied. Desiccant is provided corresponding to the type of cleaning agent supplied on the substrate (W), carbon dioxide (CO2), water (H2O), methane (CH4), ethane (C2H6), propane (C3H8), ethylene (C2H4), Supercritical fluids such as propylene (C2H2), methanol (C2H3OH), ethanol (C2H5OH), sulfur hexafluoride (SF6), acetone (C3H8O) and the like may be used. Hereinafter, these cleaning agents and drying agents will be collectively referred to as process fluid.

상기 챔버(100)에는 상기 챔버(100)를 관통하여 상기 챔버(100)의 외부로부터 내부로 상기 공정유체를 공급하는 유체공급부(150)가 구비되며, 상기 챔버(100)의 내부로부터 외부로 상기 챔버(100) 내부의 유체를 배출하는 유체배출부(160)가 더 구비될 수 있다.The chamber 100 includes a fluid supply unit 150 penetrating through the chamber 100 to supply the process fluid from the outside of the chamber 100 to the inside of the chamber 100, and from the inside of the chamber 100 to the outside of the chamber 100. The fluid discharge unit 160 for discharging the fluid inside the chamber 100 may be further provided.

상기 기판 처리 공간(S)에는, 상기 기판(W)의 처리에 요구되는 환경이 조성된다.In the substrate processing space S, an environment required for processing the substrate W is created.

상기 기판 처리 환경은 상기 기판(W) 상에 공급되는 상기 공정유체의 종류에 따라 다르게 적용되며, 이때 상기 기판 처리 공간(S)의 압력은 상기 기판 처리 환경에 맞는 기판 처리 압력(P)으로 형성될 것이 요구된다.The substrate processing environment is applied differently according to the type of the process fluid supplied on the substrate W, wherein the pressure in the substrate processing space S is formed at a substrate processing pressure P suitable for the substrate processing environment. To be required.

일례로, 초임계 유체를 이용하는 기판 처리의 경우, 유체가 초임계 상태를 유지할 수 있는 고온 고압의 기판 처리 환경이 요구된다. For example, in the case of substrate processing using a supercritical fluid, a high temperature and high pressure substrate processing environment in which the fluid can maintain a supercritical state is required.

따라서, 상기 기판 처리 압력(P)은 임계점(C)에서의 유체의 압력인 임계압력(Pc) 이상으로 설정되며, 상기 기판 처리 온도(T)는 임계점(C)에서의 유체의 온도인 임계온도(Tc) 이상으로 설정된다.Therefore, the substrate processing pressure P is set above the critical pressure Pc which is the pressure of the fluid at the critical point C, and the substrate processing temperature T is the critical temperature which is the temperature of the fluid at the critical point C. It is set to (Tc) or more.

상기 챔버(100)는 상기 기판 처리 환경을 견딜 수 있도록 소정의 두께를 갖는 높은 강성을 가진 재질로 구성되며, 온도와 압력의 변화를 견디기 위한 높은 내열성 및 내압성과, 유체에 반응하여 변질되거나 부식이 일어나 기판 처리 공정에 영향을 끼치지 않도록 내화학성 및 내식성을 가지는 재질로 구성된다.The chamber 100 is made of a material having a high rigidity having a predetermined thickness to withstand the substrate processing environment, and has high heat resistance and pressure resistance to withstand changes in temperature and pressure, and deterioration or corrosion in response to a fluid. It is composed of a material having chemical resistance and corrosion resistance so as not to affect the substrate processing process occurs.

상기 조건들을 만족하는 재질로는 스테인리스강(SUS)이 있다. 스테인리스강은 강성이 높고 내열성, 내식성, 내화학성이 우수하며 접근성이 좋고 경제적인 장점이 있어 상기 챔버(100)를 구성하는 데 가장 많이 이용되고 있는 재질 중 하나이다.The material satisfying the above conditions is stainless steel (SUS). Stainless steel is one of the most used materials for constituting the chamber 100 due to its high rigidity, excellent heat resistance, corrosion resistance, chemical resistance, accessibility and economic advantages.

상기 챔버(100)는 상기 기판(W)이 상기 챔버(100) 내부에 유입되거나 상기 챔버(100) 내부로부터 반출될 때 개방되며, 상기 기판(W)이 인입된 후 상기 제1하우징(110)과 상기 제2하우징(120)이 결합하여 밀폐되고, 상기 기판(W)의 처리가 수행되는 동안 밀폐 상태가 유지된다.The chamber 100 is opened when the substrate W is introduced into the chamber 100 or taken out from the chamber 100, and the first housing 110 after the substrate W is drawn in. And the second housing 120 are combined and sealed, The sealed state is maintained while the processing of the substrate W is performed.

상기 기판 처리 공간(S)은 상기 챔버(100)의 외부로부터 인입되는 기판(W)을 수용하여 처리하기 위한 공간으로, 결합된 상태의 상기 제1하우징(110)과 상기 제2하우징(120) 사이에 형성된다. The substrate processing space S is a space for accommodating and processing the substrate W introduced from the outside of the chamber 100. The first housing 110 and the second housing 120 in a coupled state are provided. It is formed between.

따라서, 상기 기판 처리 공간(S)의 체적은 상기 제1하우징(110)과 상기 제2하우징(120) 중 어느 하나의 내부에서 다른 하나가 이동함에 따라 변화한다.Therefore, the volume of the substrate processing space S changes as the other moves inside one of the first housing 110 and the second housing 120.

즉, 상기 제1하우징(110)과 상기 제2하우징(120)의 상대적 위치 변화에 따라 상기 기판 처리 공간(S)의 체적이 변화하며, 상기 제1하우징(110)과 상기 제2하우징(120) 중 어느 하나의 내부에서 이동하는 다른 하나는 상기 기판 처리 공간(S)의 체적을 늘리는 방향 또는 줄이는 방향으로 이동할 수 있다.That is, the volume of the substrate processing space S changes according to a change in the relative position of the first housing 110 and the second housing 120, and the first housing 110 and the second housing 120 are changed. The other moving inside any one of may be moved in the direction of increasing or decreasing the volume of the substrate processing space (S).

상기 기판 처리 공간(S)의 체적을 줄이는 방향과 상기 기판 처리 공간(S)의 체적을 늘리는 방향은 서로 반대방향일 수 있다.The direction of decreasing the volume of the substrate processing space S and the direction of increasing the volume of the substrate processing space S may be opposite to each other.

또한, 상기 제1하우징(110) 또는 상기 제2하우징(120)을 이동시키는 구동부(124)가 구비될 수 있다.In addition, the driving unit 124 for moving the first housing 110 or the second housing 120 may be provided.

또한, 상기 기판 처리 공간(S)의 체적 변화는 해당 기판 처리 공간(S)의 압력 및 온도에 영향을 끼치게 된다.In addition, the volume change of the substrate processing space S affects the pressure and temperature of the substrate processing space S. FIG.

상기 제1하우징(110) 또는 상기 제2하우징(120)의 이동하여 상기 기판 처리 공간(S)의 체적 변화가 일어나기 전에 형성되는 상기 기판 처리 공간(S)의 체적을 초기체적(V11,V21,V31)이라 하고, 해당 기판 처리 공간(S)의 압력과 온도를 각각 초기압력(P11,P21,P31)과 초기온도(T11,T21,T31)라 한다.The volume of the substrate processing space S, which is formed before the volume change of the substrate processing space S occurs by moving the first housing 110 or the second housing 120, may be performed using initial volumes V11, V21, V31), the pressure and temperature of the substrate processing space S are referred to as the initial pressures P11, P21 and P31 and the initial temperatures T11, T21 and T31, respectively.

또한, 상기 제1하우징(110) 또는 상기 제2하우징(120)의 이동하여 상기 기판 처리 공간(S)의 체적 변화가 일어난 후에 형성되는 상기 기판 처리 공간(S)의 체적을 도달체적(V12,V22,V32)이라 하고, 해당 기판 처리 공간(S)의 압력과 온도를 각각 도달압력(P12,P22,P32)과 도달온도(T12,T22,T32)라 한다.In addition, the volume of the substrate processing space S, which is formed after the volume change of the substrate processing space S occurs due to the movement of the first housing 110 or the second housing 120, reaches a volume V12, V22 and V32 are referred to as pressures and temperatures in the substrate processing space S, respectively, as arrival pressures P12, P22 and P32 and arrival temperatures T12, T22 and T32.

일반적으로 밀폐된 공간의 체적이 줄어들면 해당 공간의 압력 및 온도가 상승하며, 체적이 늘어나면 해당 공간의 압력 및 온도가 하강한다.In general, as the volume of an enclosed space decreases, the pressure and temperature of the space increase, and as the volume increases, the pressure and temperature of the space decreases.

따라서, 상기 제1하우징(110) 또는 상기 제2하우징(120)이 상기 기판 처리 공간(S)의 체적을 줄이는 방향으로 이동하여 상기 도달체적(V12,V22,V32)이 상기 초기체적(V11,V21,V31)보다 줄어들면 상기 도달압력(P12,P22,P32) 및 상기 도달온도(T12,T22,T32)는 상기 초기압력(P11,P21,P31) 및 상기 초기온도(T11,T21,T31)보다 높아지게 된다.Therefore, the first housing 110 or the second housing 120 is moved in a direction of decreasing the volume of the substrate processing space S so that the arrival volumes V12, V22, and V32 are the initial volumes V11,. When the pressure decreases from V21 and V31, the attained pressures P12, P22 and P32 and the attained temperatures T12, T22 and T32 are the initial pressures P11, P21 and P31 and the initial temperatures T11, T21 and T31. Higher.

또한, 상기 제1하우징(110) 또는 상기 제2하우징(120)이 상기 기판 처리 공간(S)의 체적을 늘리는 방향으로 이동하여 상기 상기 도달체적(V12,V22,V32)이 상기 초기체적(V11,V21,V31)보다 커지면 상기 상기 도달압력(P12,P22,P32) 및 상기 도달온도(T12,T22,T32)는 상기 초기압력(P11,P21,P31) 및 상기 초기온도(T11,T21,T31)보다 낮아지게 된다.In addition, the first housing 110 or the second housing 120 is moved in the direction of increasing the volume of the substrate processing space (S) so that the reaching volumes (V12, V22, V32) is the initial volume (V11). When larger than V21 and V31, the attained pressures P12, P22, and P32 and the attained temperatures T12, T22, and T32 are the initial pressures P11, P21, and P31 and the initial temperatures T11, T21, and T31. Will be lower than).

도 3과 도 4를 참조하여 본 발명의 제1실시예에 대해 설명한다.A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3 and 4.

본 발명의 제1실시예에 의한 기판 처리용 챔버(100)는, 상기 제1하우징(110)의 위치가 상측에 고정되고, 상기 제2하우징(120)이 상기 제1하우징(110)의 하측으로부터 결합되어 상기 제1하우징(110)의 내부에서 이동하도록 이루어진다.In the substrate processing chamber 100 according to the first embodiment of the present invention, the position of the first housing 110 is fixed to the upper side, and the second housing 120 is lower than the first housing 110. Is coupled from the made to move inside the first housing (110).

상기 제2하우징은 상기 제1하우징(110)의 내부에 삽입되는 형태로 상기 제1하우징(110)의 내측면에 결합되며, 상기 구동부(124)의 구동에 의해 상하로 이동하여 상기 기판 처리 공간(S)의 체적을 변화시킨다.The second housing is coupled to the inner surface of the first housing 110 in the form of being inserted into the first housing 110 and moved up and down by the driving of the driving unit 124 to the substrate processing space. Change the volume of (S).

즉, 상기 기판 처리 공간(S)은, 상기 구동부(124)가 상승구동하여 상기 제2하우징(120)이 상기 제1하우징(110)의 내부에서 상승이동하면 체적이 줄어들고, 상기 구동부(124)가 하강구동하여 상기 제2하우징(120)이 상기 제1하우징(110)의 내부에서 하강이동하면 체적이 늘어나게 된다. That is, in the substrate processing space S, when the driving unit 124 moves up and the second housing 120 moves up inside the first housing 110, the volume decreases, and the driving unit 124. When the second housing 120 descends and moves downward in the interior of the first housing 110, the volume increases.

상기 구동부(124)는 상기 제2하우징(120)을 지지하며 승강이동시키는 실린더로 이루어질 수 있다.The driving unit 124 may be formed of a cylinder supporting and moving the second housing 120.

상기 제1하우징(110)의 내측벽과 상기 제2하우징(120) 사이에는 상기 기판 처리 공간(S)을 밀폐하여 외기 및 파티클의 유입을 차단하는 씰링부재(200)가 구비된다.A sealing member 200 is provided between the inner wall of the first housing 110 and the second housing 120 to seal the substrate processing space S to block inflow of outside air and particles.

상기 씰링부재(200)는 오링 형태로 구비될 수 있으며, 상기 제1하우징(110)과 상기 제2하우징(120)의 결합부를 따라 형성되는 그루브(121)에 결합되어 상기 제1하우징(110)의 내측면과 상기 제2하우징(120) 사이의 틈새를 밀폐하도록 이루어진다.The sealing member 200 may be provided in the form of an O-ring, coupled to the groove 121 formed along the coupling portion of the first housing 110 and the second housing 120, the first housing 110 It is made to seal the gap between the inner side of the and the second housing 120.

상기 씰링부재(200)는 높은 신축성과 복원성을 지닌 재질로 이루어지며, 일반적으로 수지 재질이 이용된다.The sealing member 200 is made of a material having high elasticity and resilience, and generally a resin material is used.

상기 챔버(100)의 내부에는 상기 기판(W)을 지지하는 척(113)과, 상기 척(113)에 구비되어 상기 기판(W)이 안착되는 복수의 척핀(112)이 구비될 수 있으며, 상기 척핀(112)은 원주방향을 따라 등간격으로 배치될 수 있다.Inside the chamber 100, a chuck 113 supporting the substrate W and a plurality of chuck pins 112 provided on the chuck 113 and seating the substrate W may be provided. The chuck pins 112 may be arranged at equal intervals along the circumferential direction.

상기 기판(W)의 형상 및 크기에 따라 상기 척(113)의 크기와 형상 및 상기 척핀(112)의 개수와 형상이 다양하게 변경될 수 있다.According to the shape and size of the substrate W, the size and shape of the chuck 113 and the number and shape of the chuck pins 112 may be variously changed.

상기 척(113)은 상기 제2하우징(120)에 구비되어 상기 제2하우징(120)과 함께 승강이동하도록 구비될 수 있다. The chuck 113 may be provided in the second housing 120 to move up and down together with the second housing 120.

또한, 상기 기판 처리 공간(S)의 내부 압력을 측정하는 압력감지부(미도시)가 구비될 수 있으며, 상기 유체공급부(150)를 통해 상기 챔버(100) 내부에 유입되는 상기 공정유체의 압력을 측정하는 압력감지부(미도시)가 구비될 수도 있다.In addition, a pressure sensing unit (not shown) may be provided to measure the internal pressure of the substrate processing space S, and the pressure of the process fluid introduced into the chamber 100 through the fluid supply unit 150 may be provided. Pressure sensing unit (not shown) for measuring the may be provided.

상기 압력감지부의 압력 측정값은 제어부에 전달되며, 상기 제어부는 상기 압력 측정값에 따라 상기 제2하우징(120)의 이동을 제어하여 상기 기판 처리 공간(S)의 체적을 변화시키고 기판 처리를 진행하도록 이루어질 수 있다.The pressure measurement value of the pressure sensing unit is transmitted to the control unit, and the control unit controls the movement of the second housing 120 according to the pressure measurement value to change the volume of the substrate processing space S and proceed with substrate processing. It can be made to.

또한, 상기 기판 처리 공간(S)의 내부 온도를 측정하는 온도감지부(미도시)가 구비될 수 있으며, 상기 유체공급부(150)를 통해 상기 챔버(100) 내부에 유입되는 상기 공정유체의 온도를 측정하는 온도감지부(미도시)가 구비될 수도 있다.In addition, a temperature sensing unit (not shown) for measuring an internal temperature of the substrate processing space S may be provided, and the temperature of the process fluid introduced into the chamber 100 through the fluid supply unit 150. Temperature sensing unit (not shown) for measuring the may be provided.

상기 온도감지부의 온도 측정값은 제어부에 전달되며, 상기 제어부는 상기 온도 측정값에 따라 상기 제2하우징(120)의 이동을 제어하여 상기 기판 처리 공간(S)의 체적을 변화시키고 기판 처리를 진행하도록 이루어질 수 있다.The temperature measurement value of the temperature sensing unit is transmitted to the control unit, and the control unit controls the movement of the second housing 120 according to the temperature measurement value to change the volume of the substrate processing space S and proceed with substrate processing. It can be made to.

도 3-(a)는, 상기 챔버(100) 내부에 상기 공정유체가 공급되어 초기체적(V11)을 갖는 상기 기판 처리 공간(S)에 초기압력(P11) 및 초기온도(T11)의 환경이 형성되는 상태를 나타내는 도면이다.3- (a) shows that the process fluid is supplied into the chamber 100 so that an environment of an initial pressure P11 and an initial temperature T11 is provided in the substrate processing space S having an initial volume V11. It is a figure which shows the state formed.

상기 공정유체는 상기 기판 처리 공간(S)의 압력이 상기 초기압력(P11)에 이를 때까지 상기 챔버(100) 내부에 공급된다. The process fluid is supplied into the chamber 100 until the pressure in the substrate processing space S reaches the initial pressure P11.

상기 초기압력(P11)은 상기 기판 처리 압력(P)보다 낮은 압력으로 설정되며, 상기 공정유체는 상기 유체공급부(150)로부터 상기 기판 처리 압력(P) 이하의 압력으로 상기 기판 처리 공간(S)에 공급될 수 있다.The initial pressure P11 is set to a pressure lower than the substrate processing pressure P, and the process fluid is the substrate processing space S at a pressure equal to or less than the substrate processing pressure P from the fluid supply unit 150. Can be supplied to.

일례로, 상기 공정유체로 초임계 유체를 이용하는 기판 처리의 경우, 상기 공정유체는 임계압력(Pc) 이하의 압력으로 상기 챔버(100) 내부에 공급되어, 일정한 초기체적(V11)을 가지는 상기 기판 처리 공간(S)의 환경이 임계압력(Pc) 이하의 초기압력(P11)과 임계온도(Tc) 이하의 초기온도(T11)로 형성되도록 할 수 있다. For example, in the case of a substrate processing using a supercritical fluid as the process fluid, the process fluid is supplied into the chamber 100 at a pressure equal to or less than a critical pressure Pc, and the substrate has a constant initial volume V11. The environment of the processing space S can be formed with an initial pressure P11 below the critical pressure Pc and an initial temperature T11 below the critical temperature Tc.

이때, 상기 기판 처리 공간(S)에 공급된 상기 공정유체는 기체 또는 액체 상태로 존재하게 된다.At this time, the process fluid supplied to the substrate processing space S is present in a gas or liquid state.

도 3-(b)는, 상기 제2하우징(120)이 상승이동하여 도달체적(V12)을 갖는 상기 기판 처리 공간(S)에 도달압력(P12) 및 도달온도(T12)의 환경이 형성되는 상태를 나타내는 도면이다.3- (b) shows that the environment of the reaching pressure P12 and the reaching temperature T12 is formed in the substrate processing space S having the reaching volume V12 as the second housing 120 moves upward. It is a figure which shows the state.

상기 구동부(124)는 상기 도달압력(P12) 및 도달온도(T12)가 각각 상기 기판 처리 압력(P) 및 상기 기판 처리 온도(T)를 만족할 때까지 상기 제2하우징(120)을 상승이동시키도록 이루어진다.The driving unit 124 moves the second housing 120 upwardly until the attainment pressure P12 and the attainment temperature T12 satisfy the substrate processing pressure P and the substrate processing temperature T, respectively. Is made.

즉, 밀폐된 상기 기판 처리 공간(S)의 체적을 줄임으로써 압력과 온도를 높여 상기 기판 처리 공간(S)에 상기 기판 처리 압력(P) 및 상기 기판 처리 온도(T)를 만족하는 기판 처리 환경을 형성한다.That is, a substrate processing environment that satisfies the substrate processing pressure P and the substrate processing temperature T in the substrate processing space S by increasing the pressure and temperature by reducing the volume of the enclosed substrate processing space S. To form.

일례로, 상기 공정유체로 초임계 유체를 이용하는 기판 처리의 경우, 상기 제2하우징(120)의 상승이동에 의해 상기 기판 처리 공간(S)의 체적이 상기 초기체적(V11)으로부터 도달체적(V12)으로 일정량 줄어들며, 이에 따라 상기 기판 처리 공간(S)의 환경이 임계압력(Pc) 이상의 도달압력(P12)과 임계온도(Tc) 이상의 도달온도(T12)로 형성되도록 할 수 있다. For example, in the case of substrate processing using a supercritical fluid as the process fluid, the volume of the substrate processing space S reaches the initial volume V11 from the initial volume V11 due to the upward movement of the second housing 120. A predetermined amount is reduced, so that the environment of the substrate processing space S can be formed at an attainment pressure P12 equal to or greater than the critical pressure Pc and an attainment temperature T12 equal to or greater than the critical temperature Tc.

이때, 상기 공정유체는 상기 밀폐된 기판 처리 공간(S)에 고온 고압의 환경이 형성됨에 따라 기체 또는 액체 상태에서 초임계 상태로 변화하며, 상기 기판 처리 공간(S)에 초임계 유체를 이용하는 기판 처리 환경이 형성된다.In this case, the process fluid changes from a gas or liquid state to a supercritical state as an environment of high temperature and high pressure is formed in the closed substrate processing space S, and a substrate using a supercritical fluid in the substrate processing space S. The processing environment is formed.

즉, 본 제1실시예에 의하면, 상기 공정유체가 저압 저온의 상태로 상기 기판 처리 공간(S)에 공급되도록 함으로써 줄-톰슨 효과에 의한 온도 변화가 발생하는 것을 최소화하고 공정유체의 상태 변화를 방지하여 공정 불량을 방지할 수 있다.That is, according to the first embodiment, the process fluid is supplied to the substrate processing space S at a low pressure and a low temperature, thereby minimizing the temperature change caused by the Joule-Thomson effect and minimizing the state change of the process fluid. This can prevent process failure.

또한, 밀폐된 상기 기판 처리 공간(S)의 체적을 가변하여 고온 고압의 환경을 형성함으로써 적절한 기판 처리 압력(P) 및 기판 처리 온도(T)를 만족하는 기판 처리 환경이 형성되도록 할 수 있다.In addition, by varying the volume of the closed substrate processing space (S) to form an environment of high temperature and high pressure, it is possible to form a substrate processing environment that satisfies the appropriate substrate processing pressure (P) and substrate processing temperature (T).

도 4는 본 제1실시예에 의해 초임계 유체를 이용하는 기판 처리 환경이 형성되는 상기 기판 처리 공간(S)의 온도와 압력의 변화를 가시적으로 보여주는 상태도이다.4 is a state diagram visually showing changes in temperature and pressure of the substrate processing space S in which a substrate processing environment using a supercritical fluid is formed according to the first embodiment.

상기 상태도에는 상기 초기체적(V11)을 가지는 상기 기판 처리 공간(S)의 초기압력(P11)과 초기온도(T11) 및 상기 도달체적(V12)을 가지는 상기 기판 처리 공간(S)의 도달압력(P12)과 도달온도(T12)가 나타나 있다.In the state diagram, an initial pressure P11 of the substrate processing space S having the initial volume V11 and an initial pressure P11 of the substrate processing space S having an initial temperature T11 and the arrival volume V12 ( P12) and the reaching temperature T12 are shown.

도 5와 도 6을 참조하여 본 발명의 제2실시예에 대해 설명한다.A second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 5 and 6.

본 제2실시예는 상기한 제1실시예의 장치 구성을 따르되, 기판 처리 공간(S)의 체적 변화의 작용에 있어서 차이가 있다.This second embodiment follows the device configuration of the first embodiment described above, but there is a difference in the action of the volume change of the substrate processing space S. FIG.

도 5-(a)는, 상기 챔버(100) 내부에 상기 공정유체가 공급되어 초기체적(V21)을 갖는 상기 기판 처리 공간(S)에 초기압력(P21) 및 초기온도(T21)의 환경이 형성되는 상태를 나타내는 도면이다.5 (a) shows that the process fluid is supplied into the chamber 100 to provide an initial pressure P21 and an initial temperature T21 in the substrate processing space S having an initial volume V21. It is a figure which shows the state formed.

상기 공정유체는 상기 기판 처리 공간(S)의 압력이 상기 초기압력(P21)에 이를 때까지 상기 챔버(100) 내부에 공급된다. The process fluid is supplied into the chamber 100 until the pressure in the substrate processing space S reaches the initial pressure P21.

상기 초기압력(P21) 및 상기 초기온도(T21)는 상기 기판 처리 압력(P) 및 상기 기판 처리 온도(T)로 설정되며, 상기 공정유체는 상기 유체공급부(150)로부터 상기 기판 처리 압력(P)과 상기 기판 처리 온도(T)로 상기 기판 처리 공간(S)에 공급될 수 있다.The initial pressure P21 and the initial temperature T21 are set to the substrate processing pressure P and the substrate processing temperature T, and the process fluid is supplied from the fluid supply unit 150 to the substrate processing pressure P. ) And the substrate processing temperature T may be supplied to the substrate processing space S.

이때, 상기 초기체적(V21)은 상기 제2하우징(120)이 상기 제1하우징(110)의 내부에서 최대한 상승한 위치에서 형성되는 상기 기판 처리 공간(S)의 최소 체적일 수 있다.In this case, the initial volume V21 may be a minimum volume of the substrate processing space S formed at a position where the second housing 120 is ascended as much as possible within the first housing 110.

일례로, 상기 공정유체로 초임계 유체를 이용하는 기판 처리의 경우, 상기 초임계 유체는 초기체적(V21)이 상기 기판 처리 공간(S)의 최소 체적을 만족하는 기판 처리 공간(S)에 임계압력(Pc) 이상의 압력과 임계온도(Tc) 이상의 온도로 공급되며, 초기압력(P21)이 임계압력(Pc)을 이상이 되고 초기온도(T11)가 임계온도(Tc) 이상이 되는 기판 처리 공간(S)을 형성하여, 초임계 유체를 이용하는 기판 처리 환경을 제공하게 된다. For example, in the case of substrate processing using a supercritical fluid as the process fluid, the supercritical fluid has a critical pressure in the substrate processing space S whose initial volume V21 satisfies the minimum volume of the substrate processing space S. A substrate processing space in which the pressure of Pc or higher and the temperature of the critical temperature Tc are supplied, and the initial pressure P21 becomes the critical pressure Pc or higher and the initial temperature T11 becomes the critical temperature Tc or higher ( S) is formed to provide a substrate processing environment using a supercritical fluid.

즉, 상기 초기체적(V21)을 최대한 작게 설정하여 상기 공정유체가 상기 기판 처리 공간(S)에 공급되며 줄-톰슨 효과에 의한 온도 변화가 발생하는 것을 최소화함으로써 공정유체의 상태 변화를 방지하고 공정 불량을 방지할 수 있다.In other words, by setting the initial volume (V21) as small as possible, the process fluid is supplied to the substrate processing space (S) to minimize the temperature change caused by the Joule-Thompson effect to prevent the state change of the process fluid and process Defects can be prevented.

도 5-(b)는, 상기 제2하우징(120)이 하강이동하여 도달체적(V22)을 갖는 상기 기판 처리 공간(S)에 도달압력(P22) 및 도달온도(T22)의 환경이 형성되는 상태를 나타내는 도면이다.5 (b) shows that the environment of the reaching pressure P22 and the reaching temperature T22 is formed in the substrate processing space S having the reaching volume V22 by the second housing 120 moving downward. It is a figure which shows the state.

상기 제2하우징(120)은, 상기 구동부(124)의 구동에 의해 하강이동하여, 상기 도달체적(V22)이 기판의 처리 공간으로 적절한 체적을 만족하도록 한다.The second housing 120 moves downward by the driving of the driving unit 124 so that the arrival volume V22 satisfies an appropriate volume as the processing space of the substrate.

이때, 상기 도달체적(V22)은 상기 제2하우징(120)이 상기 제1하우징(110)의 내부에서 최대한 하강한 위치에서 형성되는 상기 기판 처리 공간(S)의 최대 체적일 수 있다.In this case, the reaching volume V22 may be the maximum volume of the substrate processing space S formed at the position where the second housing 120 descends as much as possible within the first housing 110.

상기 공정유체는 상기 제2하우징(120)이 하강이동하는 동안 상기 챔버(100)에 추가적으로 공급된다. The process fluid is additionally supplied to the chamber 100 while the second housing 120 moves downward.

상기 추가 공급되는 공정유체는 기판 처리 압력(P)과 기판 처리 온도(T)로 상기 챔버(100) 내부에 공급되어, 상기 기판 처리 공간(S)의 체적이 늘어나는 동안 압력과 온도를 일정하게 유지시킴으로써 적절한 기판 처리 환경을 유지할 수 있다.The additionally supplied process fluid is supplied into the chamber 100 at a substrate processing pressure P and a substrate processing temperature T to maintain a constant pressure and temperature while the volume of the substrate processing space S is increased. By doing so, an appropriate substrate processing environment can be maintained.

즉, 상기 도달압력(P22)은 상기 초기압력(P21)과 같이 기판 처리 압력(P)을 만족하고, 상기 도달온도(T22)은 상기 초기온도(T21)과 같이 기판 처리 온도(T)을 만족하게 된다. That is, the arrival pressure P22 satisfies the substrate processing pressure P as the initial pressure P21, and the arrival temperature T22 satisfies the substrate processing temperature T as the initial temperature T21. Done.

일례로, 상기 공정유체로 초임계 유체를 이용하는 기판 처리의 경우, 상기 제2하우징(120)의 하강이동에 의해 상기 기판 처리 공간(S)의 체적이 최소 체적을 만족하는 초기체적(V21)으로부터 최대 체적을 만족하는 도달체적(V22)으로 늘어날 수 있으며, 상기 제2하우징(120)이 하강이동하는 동안 상기 기판 처리 공간(S)에 임계압력(Pc) 이상의 압력과 임계온도(Tc) 이상의 온도로 초임계 유체가 추가로 공급되어, 상기 기판 처리 공간(S)에 초임계 유체를 이용하는 적절한 기판 처리 환경이 형성된다.For example, in the case of substrate processing using a supercritical fluid as the process fluid, the volume of the substrate processing space S satisfies the minimum volume due to the downward movement of the second housing 120. It may be increased to the reaching volume V22 that satisfies the maximum volume, and the pressure above the critical pressure Pc and the temperature above the critical temperature Tc in the substrate processing space S while the second housing 120 descends. The supercritical fluid is further supplied to the furnace, thereby creating a suitable substrate processing environment utilizing the supercritical fluid in the substrate processing space (S).

도 6은 본 제2실시예에 의해 초임계 유체를 이용하는 기판 처리 환경이 형성되는 상기 기판 처리 공간(S)의 온도와 압력의 변화를 가시적으로 보여주는 상태도이다.6 is a state diagram visually showing changes in temperature and pressure of the substrate processing space S in which a substrate processing environment using a supercritical fluid is formed according to the second embodiment.

상기 상태도에는 상기 초기체적(V21)을 가지는 상기 기판 처리 공간(S)의 초기압력(P21)과 초기온도(T21) 및 상기 도달체적(V22)을 가지는 상기 기판 처리 공간(S)의 도달압력(P22)과 도달온도(T22)가 나타나 있다.In the state diagram, an initial pressure P21 of the substrate processing space S having the initial volume V21 and an initial pressure P21 of the substrate processing space S having an initial temperature T21 and the arrival volume V22 ( P22) and the attainment temperature T22 are shown.

도 7과 도 8을 참조하여 본 발명의 제3실시예에 대해 설명한다.A third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 7 and 8.

본 실시예는 상기한 제1실시예의 구성을 따른다.This embodiment follows the configuration of the first embodiment described above.

도 7-(a)는 상기 챔버(100) 내부에 상기 공정유체가 공급되어 상기 기판 처리 공간(S)이 초기체적(V31)과 초기압력(P31) 및 초기온도(T31)를 갖춘 상태를 나타내며, 도 7-(b)는 상기 제2하우징(120)이 이동하여 상기 기판 처리 공간(S)이 도달체적(V32)과 도달압력(P32) 및 도달온도(T32)를 갖춘 상태를 나타낸다.7- (a) shows a state in which the process fluid is supplied into the chamber 100 so that the substrate processing space S has an initial volume V31, an initial pressure P31, and an initial temperature T31. 7- (b) shows a state in which the second housing 120 is moved so that the substrate processing space S has an arrival volume V32, an arrival pressure P32, and an arrival temperature T32.

상기 제2하우징(120)은 반복적으로 승강 이동하여 상기 기판 처리 공간(S)의 체적이 번갈아 상기 초기체적(V31)과 상기 도달체적(V32)이 되도록 한다.The second housing 120 is repeatedly moved up and down so that the volume of the substrate processing space S alternately becomes the initial volume V31 and the arrival volume V32.

상기 기판 처리 공간(S)의 체적 변화는 상기 기판 처리 공간(S)에 압력 펄스를 형성하게 되며, 이에 의해 상기 공정유체가 교반되며 상기 기판 처리 공간(S) 전체 영역에 걸쳐서 균등한 기판 처리 환경을 형성하여 기판 처리 효율을 높일 수 있다.The volume change of the substrate processing space S forms a pressure pulse in the substrate processing space S, whereby the process fluid is agitated and the substrate processing environment is uniform over the entire area of the substrate processing space S. It is possible to increase the substrate processing efficiency by forming a.

이때, 상기 도달체적(V32)이 상기 초기체적(V31)보다 작은 경우, 상기 도달압력(P32)은 상기 초기압력(P31)보다 높아지고, 상기 도달온도(T32) 또한 상기 초기온도(T31)보다 높아지게 된다. 이와 반대로, 상기 도달체적(V32)이 상기 초기체적(V31)보다 큰 경우, 상기 도달압력(P32)은 상기 초기압력(P31)보다 낮아지며, 상기 도달온도(T32) 또한 상기 초기온도(T31)보다 낮아지게 된다.In this case, when the arrival volume V32 is smaller than the initial volume V31, the arrival pressure P32 is higher than the initial pressure P31, and the arrival temperature T32 is also higher than the initial temperature T31. do. On the contrary, when the arrival volume V32 is larger than the initial volume V31, the arrival pressure P32 is lower than the initial pressure P31, and the arrival temperature T32 is also lower than the initial temperature T31. Will be lowered.

상기 기판 처리 공간(S)의 체적 변화에 의한 공정유체 교반은 기판 처리의 단계에 관계없이 이루어질 수 있다.The process fluid agitation due to the volume change of the substrate processing space S may be performed regardless of the step of substrate processing.

단, 상기 초기압력(P31)과 상기 도달압력(P32) 및 상기 초기온도(T31)와 상기 도달온도(T32)를 적절하게 설정하여 기판 처리의 단계에 따라 상기 공정유체의 상태변화 등을 제어할 수 있다.However, the initial pressure P31, the attained pressure P32, the initial temperature T31, and the attained temperature T32 are appropriately set to control the state change of the process fluid according to the substrate processing step. Can be.

또한, 상기 유체공급부(150)는 상기 공정유체의 교반이 수행되는 상기 챔버(100)의 내부에 상기 공정유체를 공급하고, 동시에 상기 유체배출부(160)는 상기 챔버(100) 내부의 유체를 배출하여, 상기 챔버(100) 내부에 신선한 공정유체를 연속적으로 공급함으로써 기판 처리 효율을 높일 수 있다. In addition, the fluid supply unit 150 supplies the process fluid to the interior of the chamber 100 in which the stirring of the process fluid is performed, and at the same time, the fluid discharge unit 160 supplies the fluid inside the chamber 100. By discharging, the substrate processing efficiency may be increased by continuously supplying fresh process fluid into the chamber 100.

이때, 기판 처리 환경이 형성된 상기 기판 처리 공간(S)의 공정유체에 대해 교반이 이루어지는 경우, 상기 추가 공급되는 공정유체는 기판 처리 압력(P)과 기판 처리 온도(T)로 상기 챔버(100) 내부에 공급되어 상기 기판 처리 공간(S)에 적절한 기판 처리 환경이 유지되도록 할 수 있다.In this case, when stirring is performed on the process fluid of the substrate processing space S in which the substrate processing environment is formed, the additionally supplied process fluid is the chamber 100 at the substrate processing pressure P and the substrate processing temperature T. It may be supplied inside to maintain a suitable substrate processing environment in the substrate processing space (S).

일례로, 상기 공정유체로 초임계유체를 이용하는 기판 처리 에 있어서, 상기 기판 처리 공간(S)의 초임계 유체에 대해 교반이 이루어지는 경우, 상기 도 7-(a)에 나타난 바와 같이, 상기 초기압력(P31)은 임계압력(Pc) 이상으로, 상기 초기온도(T31) 또한 임계온도(Tc) 이상으로 형성된다. For example, in a substrate processing using a supercritical fluid as the process fluid, when stirring is performed on the supercritical fluid in the substrate processing space S, as shown in FIG. 7- (a), the initial pressure P31 is formed above the critical pressure Pc, and the initial temperature T31 is also formed above the critical temperature Tc.

또한, 상기 도 7-(b)에 나타난 바와 같이, 상기 도달압력(P32)을 임계압력(Pc) 이상으로, 상기 도달온도(T32) 또한 임계온도(Tc) 이상으로 형성하여, 상기 기판 처리 공간(S)의 체적 변화에도 불구하고 상기 공정유체가 초임계 상태를 유지하도록 할 수 있다. In addition, as shown in FIG. 7- (b), the attainment pressure P32 is formed above the critical pressure Pc, and the attainment temperature T32 is also above the critical temperature Tc, thereby forming the substrate processing space. In spite of the volume change of (S), the process fluid can be maintained in a supercritical state.

도 8은 본 제3실시예에 의해 초임계 유체를 이용하는 기판 처리 환경에서, 상기 기판 처리 공간(S)의 체적 변화에 의해 교반되는 내부의 초임계 유체의 온도와 압력의 변화를 가시적으로 보여주는 상태도이다.FIG. 8 is a state diagram showing a change in temperature and pressure of an internal supercritical fluid stirred by a volume change of the substrate processing space S in a substrate processing environment using a supercritical fluid according to the third embodiment. to be.

상기 상태도에는 상기 초기체적(V31)을 가지는 상기 기판 처리 공간(S)의 초기압력(P31)과 초기온도(T31) 및 상기 도달체적(V32)을 가지는 상기 기판 처리 공간(S)의 도달압력(P32)과 도달온도(T32)가 나타나 있다.The state diagram includes an initial pressure P31 of the substrate processing space S having the initial volume V31 and an initial pressure P31 of the substrate processing space S having an initial temperature T31 and the arrival volume V32. P32) and arrival temperature T32 are shown.

도 9를 참조하여 본 발명의 제4실시예에 대해 설명한다.A fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

본 발명에 의한 기판 처리용 챔버(100)는, 상기한 제1실시예의 구성을 따르되, 상기 제1하우징(110)의 위치가 고정되고, 상기 제2하우징(120)이 상기 제1하우징(110)의 수평방향 일측으로부터 결합되어 상기 제1하우징(110)의 내부에서 이동하도록 이루어질 수 있다.In the substrate processing chamber 100 according to the present invention, the configuration of the first embodiment is described, but the position of the first housing 110 is fixed, and the second housing 120 is connected to the first housing 110. It may be coupled to the horizontal direction of one side) to move in the interior of the first housing (110).

이때, 상기 제2하우징은 상기 구동부(124)의 구동에 의해 수평방향으로 이동하여 상기 기판 처리 공간(S)의 체적을 변화시키도록 이루어진다.In this case, the second housing is moved in the horizontal direction by the driving of the driving unit 124 to change the volume of the substrate processing space (S).

즉, 상기 기판 처리 공간(S)은, 상기 구동부(124)가 수평방향 외측으로(R) 구동하여 상기 제2하우징(120)이 상기 제1하우징(110)의 내측로부터 외측으로(R) 밀려나면 체적이 늘어나고(도 9-(a)), 상기 구동부(124)가 수평방향 내측으로(L) 구동하여 상기 제2하우징(120)이 상기 제1하우징(110)의 외측으로부터 내측으로(L) 삽입되면 체적이 줄어들도록(도 9-(b)) 이루어질 수 있다. That is, in the substrate processing space S, the driving unit 124 is driven outward in the horizontal direction (R) so that the second housing 120 is pushed outward from the inside of the first housing 110 (R). After that, the volume is increased (FIG. 9-(a)), and the driving unit 124 is driven inward in the horizontal direction (L) so that the second housing 120 is moved from the outside of the first housing 110 to the inside (L). Once inserted, the volume can be reduced (Fig. 9- (b)).

또한, 상기 기판 처리 공간(S)의 체적 가변성을 이용하여 상기 제1실시예 내지 제3실시예에서 설명한 바와 같은 작용에 의한 효과를 얻을 수 있다.In addition, by using the volume variability of the substrate processing space (S) it can be obtained by the effect as described in the first to third embodiments.

도 10을 참조하여 본 발명의 제5실시예에 대해 설명한다.A fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

본 발명에 의한 기판 처리용 챔버(100)는, 상기한 제1실시예의 구성을 따르되, 상기 제2하우징(120)의 일부(120a)가 상기 제1하우징(110)의 내부에 삽입되어 상기 제1하우징(110)의 내측면에 결합되도록 이루어질 수 있다.The substrate processing chamber 100 according to the present invention follows the configuration of the first embodiment, but a part of the second housing 120 (120a) is inserted into the interior of the first housing 110, the first 1 may be made to be coupled to the inner surface of the housing (110).

즉, 상기 제2하우징(120)은 상기 제1하우징(110)의 내측면에 결합되는 일부(120a)와, 상기 제1하우징(110)의 외부에 위치하는 일부(120b)로 이루어질 수 있다.That is, the second housing 120 may include a portion 120a coupled to the inner side surface of the first housing 110 and a portion 120b positioned outside the first housing 110.

상기 제1하우징(110)의 외부에 위치하는 상기 제2하우징(120)의 일부(120b)는 상기 제1하우징(110)의 외측면에 결합될 수 있다.A portion 120b of the second housing 120 located outside the first housing 110 may be coupled to an outer surface of the first housing 110.

도 10-(a)는 상기 제2하우징(120)이 하강하여 상기 기판 처리 공간(S)의 체적이 늘어난 것을 보여주는 도면이며, 도 10-(b)는 상기 제2하우징(120)이 상승하여 상기 기판 처리 공간(S)의 체적이 줄어든 것을 보여주는 도면이다.10- (a) is a view showing that the volume of the substrate processing space S is increased by the second housing 120 descending, and FIG. 10- (b) shows that the second housing 120 is raised. The figure shows that the volume of the substrate processing space S is reduced.

이때, 상기 제1하우징(110)의 외측면과 상기 제1하우징(110)의 외측면과 결합하는 상기 제2하우징(120)의 일부(120b) 사이를 밀폐하는 씰링부재(200a)가 구비될 수 있다.In this case, a sealing member 200a may be provided to seal between the outer surface of the first housing 110 and the portion 120b of the second housing 120 that is coupled to the outer surface of the first housing 110. Can be.

상기 씰링부재(200b)는, 상기 제1하우징(110) 또는 상기 제2하우징(120)의 결합부에 형성되는 그루브(121b)에 결합되는 형태로 이루어질 수 있으며, 상기 제1하우징(110)과 상기 제2하우징(120)의 결합부를 외부에서 감싸는 형태로 이루어질 수도 있다(미도시).The sealing member 200b may be formed to be coupled to the groove 121b formed at the coupling portion of the first housing 110 or the second housing 120, and the first housing 110. The coupling part of the second housing 120 may be formed to surround the outside (not shown).

또한, 상기 기판 처리 공간(S)의 체적 가변성을 이용하여 상기 제1실시예 내지 제3실시예에서 설명한 바와 같은 작용에 의한 효과를 얻을 수 있다.In addition, by using the volume variability of the substrate processing space (S) it can be obtained by the effect as described in the first to third embodiments.

도 11을 참조하여 본 발명의 제6실시예에 대해 설명한다.A sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

본 발명에 의한 기판 처리용 챔버(100)는, 상기한 제5실시예의 구성을 따르되, 상기 제1하우징(110)의 내측면에 결합되는 상기 제2하우징(120)의 일부(120a)가 상기 구동부(124)의 구동에 의해 독립적으로 이동하도록 이루어질 수 있다.The substrate processing chamber 100 according to the present invention follows the configuration of the fifth embodiment, but the portion 120a of the second housing 120 coupled to the inner surface of the first housing 110 is It may be made to move independently by the drive of the drive unit 124.

즉, 상기 제1하우징(110)과 상기 제2하우징(120)이 결합하여 상기 기판 처리 공간(S)을 형성하고(도 11-(a)), 상기 제1하우징(110)의 내측면에 결합되는 상기 제2하우징(120)의 일부(120a)가 상기 제1하우징(110)의 내부에서 독립적으로 이동하여 상기 기판 처리 공간(S)의 체적을 변화시킬 수 있다(도 11-(b)).That is, the first housing 110 and the second housing 120 are combined to form the substrate processing space S (FIG. 11- (a)), and on the inner surface of the first housing 110. A portion 120a of the second housing 120 to be coupled may independently move inside the first housing 110 to change the volume of the substrate processing space S (FIG. 11-(b)). ).

또한, 상기 기판 처리 공간(S)의 체적 가변성을 이용하여 상기 제1실시예 내지 제3실시예에서 설명한 바와 같은 작용에 의한 효과를 얻을 수 있다.In addition, by using the volume variability of the substrate processing space (S) it can be obtained by the effect as described in the first to third embodiments.

도 12를 참조하여 본 발명의 기판 처리용 챔버를 이용하는 기판 처리 방법에 대해 설명한다.The substrate processing method using the substrate processing chamber of this invention is demonstrated with reference to FIG.

단계 S10은, 제1하우징(110)과 제2하우징(120)이 결합되어 내부에 기판(W)이 수용되는 밀폐된 기판 처리 공간(S)을 형성하는 챔버(100)에 공정유체가 공급되는 단계이다.In step S10, the process fluid is supplied to the chamber 100 in which the first housing 110 and the second housing 120 are coupled to form an enclosed substrate processing space S in which the substrate W is accommodated. Step.

상기 기판(W)의 처리에는 상기 공정유체에 따른 기판 처리 환경이 요구되며, 상기 기판 처리 공간(S)에 상기 기판 처리 환경에 맞는 기판 처리 압력(P)이 형성될 것이 요구된다.The processing of the substrate W requires a substrate processing environment according to the process fluid, and a substrate processing pressure P suitable for the substrate processing environment is required to be formed in the substrate processing space S.

상기 공정유체는, 도 3과 도 4에 나타난 바와 같은 본 발명의 제1실시예에 의해, 상기 기판 처리 압력(P) 이하의 압력으로 상기 챔버(100) 내부에 공급되며, 이에 따라 초기 체적(V11)을 가지는 상기 기판 처리 공간(S)에 초기압력(P11)과 초기온도(T11)로 이루어지는 환경이 형성된다.The process fluid is supplied into the chamber 100 at a pressure equal to or less than the substrate processing pressure P according to the first embodiment of the present invention as shown in FIGS. An environment consisting of an initial pressure P11 and an initial temperature T11 is formed in the substrate processing space S having V11.

또한, 상기 공정유체는, 도 5와 도 6에 나타난 바와 같은 본 발명의 제2실시예에 의해, 상기 기판 처리 압력(P)으로 상기 챔버(100) 내부에 공급되며, 이에 따라 초기 체적(V21)을 가지는 상기 기판 처리 공간(S)에 상기 기판 처리 압력(P)과 같은 초기압력(P21)과 초기온도(T21)로 이루어지는 환경이 형성된다.In addition, the process fluid is supplied into the chamber 100 at the substrate processing pressure P by the second embodiment of the present invention as shown in FIGS. 5 and 6, and thus the initial volume V21. An environment composed of an initial pressure P21 equal to the substrate processing pressure P and an initial temperature T21 is formed in the substrate processing space S having a).

단계 S20은, 상기 제2하우징(120)이 상기 제1하우징(110) 내부에서 승강 이동하여 상기 기판 처리 공간(S)의 체적을 변화시키는 단계이다.In step S20, the second housing 120 moves up and down inside the first housing 110 to change the volume of the substrate processing space S. FIG.

상기 제2하우징(120)은, 상승이동하여 상기 기판 처리 공간(S)의 체적을 줄이고, 하강이동하여 상기 기판 처리 공간(S)의 체적을 늘이도록 이루어질 수 있다.The second housing 120 may move upward to reduce the volume of the substrate processing space S, and move downward to increase the volume of the substrate processing space S. FIG.

단계 S20의 제1실시예의 경우, 상기 제2하우징(120)은 기판 처리 공간(S)의 압력이 초기압력(P12)을 만족할 때까지 상기 기판 처리 공간(S)의 체적을 줄이는 방향으로 이동할 수 있다. In the case of the first embodiment of step S20, the second housing 120 may move in a direction of decreasing the volume of the substrate processing space S until the pressure of the substrate processing space S satisfies the initial pressure P12. have.

즉, 상기 제2하우징(120)이 상승 이동하여 상기 기판 처리 공간(S)의 체적을 줄임으로써, 상기 기판 처리 공간(S)의 체적이 도달체적(V12)에 이르면 상기 기판 처리 압력(P)을 만족하는 상기 도달압력(P12)과 도달온도(T12)로 이루어지는 환경이 형성된다.That is, when the second housing 120 moves upward to reduce the volume of the substrate processing space S, when the volume of the substrate processing space S reaches the reaching volume V12, the substrate processing pressure P An environment made up of the attained pressure P12 and the attained temperature T12 is satisfied.

제1실시예에 의하면, 유입되는 상기 공정유체의 압력을 상기 기판 처리 압력(P)보다 낮게 설정하여 상기 공정유체가 유입되며 받는 압력차를 줄임으로써, 줄-톰슨 효과에 의한 상기 공정유체의 온도 저하를 방지하고 상기 공정유체의 상변화 및 이에 따른 공정 불량 발생을 방지할 수 있다.According to the first embodiment, by setting the pressure of the incoming process fluid to be lower than the substrate processing pressure (P) to reduce the pressure difference received by the process fluid, the temperature of the process fluid by the Joule-Thompson effect It is possible to prevent the degradation and to prevent the phase change of the process fluid and the resulting process failure.

단계 S20의 제2실시예의 경우, 상기 제2하우징(120)은 기판 처리 공간(S)의 압력이 상기 기판 처리 압력(P)에 이르면 상기 기판 처리 공간(S)의 체적을 늘리는 방향으로 이동하며, 상기 기판 처리 공간(S)의 압력이 상기 기판 처리 압력(P)을 유지하도록 할 수 있다.In the case of the second embodiment of step S20, the second housing 120 moves in a direction of increasing the volume of the substrate processing space S when the pressure in the substrate processing space S reaches the substrate processing pressure P. The pressure in the substrate processing space S may maintain the substrate processing pressure P. FIG.

상기 공정유체는 상기 챔버(100) 내부에 지속적으로 공급되며, 이에 따라 상기 제2하우징(120)은 연속적으로 하향 이동하게 된다.The process fluid is continuously supplied into the chamber 100, and the second housing 120 is continuously moved downward.

즉, 상기 공정유체를 지속적으로 상기 챔버(100) 내부에 공급하며 상기 기판 처리 공간(S)의 체적을 늘려, 상기 기판 처리 공간(S)의 체적이 도달체적(V22)에 이르면 상기 기판 처리 압력(P)을 만족하는 도달압력(P22)과 도달온도(T22)로 이루어지는 환경이 형성된다. 이 경우, 상기 공정유체는 상기 제2하우징(120)이 하강 이동되어 상기 기판 처리 공간(S)의 체적이 최대가 될 때까지 공급되도록 구성할 수 있다.That is, the process fluid is continuously supplied into the chamber 100 and the volume of the substrate processing space S is increased to increase the volume of the substrate processing space S when the volume of the substrate processing space S reaches the reaching volume V22. An environment composed of the attainment pressure P22 and the attainment temperature T22 satisfying (P) is formed. In this case, the process fluid may be configured to be supplied until the second housing 120 is moved downward so that the volume of the substrate processing space S becomes maximum.

제2실시예에 의하면, 상기 공정유체가 유입되는 상기 기판 처리 공간(S)의 초기체적(V21)을 줄임으로써 줄-톰슨 효과에 의한 상기 공정유체의 온도 저하를 방지하고 상기 공정유체의 상변화와 이에 따른 공정 불량 발생을 방지할 수 있다.According to the second embodiment, by reducing the initial volume (V21) of the substrate processing space (S) in which the process fluid is introduced to prevent the temperature drop of the process fluid due to the Joule-Thomson effect and the phase change of the process fluid And it can prevent the occurrence of process defects accordingly.

이를 효과적으로 수행하기 위해 상기 제2하우징(120)은 상기 단계 S10에 의해 상기 공정유체가 공급되기 전 상기 기판 처리 공간(S)의 체적이 최소가 되는 위치로 이동하여 상기 초기체적(V21)이 상기 기판 처리 공간(S)의 최소 체적을 만족하도록 할 수 있다.In order to effectively do this, the second housing 120 moves to a position where the volume of the substrate processing space S is minimized before the process fluid is supplied by the step S10, so that the initial volume V21 is increased. The minimum volume of the substrate processing space S can be satisfied.

단계 S20의 제3실시예의 경우, 상기 제2하우징(120)은, 도 7과 도 8에 나타난 바와 같이 상기 기판 처리 공간(S)의 체적을 변화시키는 방향으로 한 번 이상 반복적으로 이동하여 상기 챔버(100) 내부의 공정유체를 교반하도록 할 수 있다.In the case of the third embodiment of step S20, the second housing 120 is repeatedly moved at least once in the direction of changing the volume of the substrate processing space S as shown in FIGS. The process fluid inside the 100 may be stirred.

즉, 상기 제2하우징(120)은 반복적으로 이동하여 상기 기판 처리 공간(S)의 체적이 번갈아 상기 초기체적(V31)과 상기 도달체적(V32)이 되도록 할 수 있다.That is, the second housing 120 may be repeatedly moved to alternately form the initial volume V31 and the arrival volume V32 in the substrate processing space S. FIG.

상기 기판 처리 공간(S)에는 상기 제2하우징(120)의 이동에 따라 초기압력(P31)과 초기온도(T31)로 이루어지는 환경과 도달압력(P32)과 도달온도(T32)를 갖춘 환경이 번갈아 형성되며, 압력과 온도 변화에 따라 상기 챔버(100) 내부의 공정유체가 유동하며 교반된다.In the substrate processing space S, an environment consisting of an initial pressure P31 and an initial temperature T31 and an environment having an arrival pressure P32 and an arrival temperature T32 alternate with each other by the movement of the second housing 120. The process fluid inside the chamber 100 flows and is stirred according to pressure and temperature change.

즉, 제3실시예에 의하면, 상기 기판 처리 공간(S)의 체적을 변화시켜 상기 챔버(100) 내부의 상기 공정유체를 교반하고 상기 기판 처리 공간(S) 전체 영역에 걸쳐서 균등한 기판 처리 환경을 형성하여 기판 처리 효율을 높일 수 있다.That is, according to the third embodiment, the volume of the substrate processing space S is changed to stir the process fluid inside the chamber 100, and the substrate processing environment is uniform over the entire area of the substrate processing space S. It is possible to increase the substrate processing efficiency by forming a.

또한, 상기 유체공급부(150)는 상기 공정유체의 교반이 수행되는 상기 챔버(100)의 내부에 상기 공정유체를 공급하며, 동시에 상기 유체배출부(160)는 상기 챔버(100) 내부의 유체를 배출하여, 상기 챔버(100) 내부에 신선한 공정유체를 연속적으로 공급함으로써 기판 처리 효율을 높일 수 있다. In addition, the fluid supply unit 150 supplies the process fluid to the interior of the chamber 100 in which the stirring of the process fluid is performed, and at the same time, the fluid discharge unit 160 supplies the fluid inside the chamber 100. By discharging, the substrate processing efficiency may be increased by continuously supplying fresh process fluid into the chamber 100.

단계 S30은, 상기 기판(W)의 처리 공정이 이루어지는 단계이다.Step S30 is a step in which the substrate W is processed.

상기 제1실시예와 제2실시예 및 제3실시예를 통해 적절한 기판 처리 환경이 형성된 상기 기판 처리 공간(S)에서 상기 기판(W)의 처리 공정이 이루어진다.Through the first, second and third embodiments, the substrate W is processed in the substrate processing space S in which an appropriate substrate processing environment is formed.

본 발명의 기판 처리용 챔버(100)에는 상기 기판 처리 공간(S)의 내부 압력을 측정하는 압력감지부(미도시)가 구비될 수 있으며, 상기 유체공급부(150)를 통해 상기 챔버(100) 내부에 유입되는 상기 공정유체의 압력을 측정하는 압력감지부(미도시)가 구비될 수도 있다.The substrate processing chamber 100 of the present invention may be provided with a pressure sensing unit (not shown) for measuring the internal pressure of the substrate processing space (S), the chamber 100 through the fluid supply unit 150 A pressure sensing unit (not shown) for measuring the pressure of the process fluid flowing into the interior may be provided.

상기 압력감지부의 압력 측정값은 제어부에 전달되며, 상기 제어부는 상기 압력 측정값에 따라 상기 제2하우징(120)의 이동을 제어하여 상기 기판 처리 공간(S)의 체적을 변화시킴으로써 상기 단계 S10 내지 단계 S30을 진행하도록 이루어질 수 있다.The pressure measurement value of the pressure sensing unit is transmitted to the control unit, and the control unit controls the movement of the second housing 120 according to the pressure measurement value to change the volume of the substrate processing space S to the steps S10 to. It may be made to proceed to step S30.

또한, 상기 기판 처리 공간(S)의 내부 온도를 측정하는 온도감지부(미도시)가 구비될 수 있으며, 상기 유체공급부(150)를 통해 상기 챔버(100) 내부에 유입되는 상기 공정유체의 온도를 측정하는 온도감지부(미도시)가 구비될 수도 있다.In addition, a temperature sensing unit (not shown) for measuring an internal temperature of the substrate processing space S may be provided, and the temperature of the process fluid introduced into the chamber 100 through the fluid supply unit 150. Temperature sensing unit (not shown) for measuring the may be provided.

상기 온도감지부의 온도 측정값은 상기 제어부에 전달되며, 상기 제어부는 상기 온도 측정값에 따라 상기 제2하우징(120)의 이동을 제어하여 상기 기판 처리 공간(S)의 체적을 변화시킴으로써 상기 단계 S10 내지 단계 S30을 진행하도록 이루어질 수 있다.The temperature measurement value of the temperature sensing unit is transmitted to the control unit, and the control unit controls the movement of the second housing 120 according to the temperature measurement value to change the volume of the substrate processing space S, in step S10. To step S30 may be made.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 기판 처리용 챔버 및 기판 처리 방법에 의하면, 유입되는 공정유체의 압력을 기판 처리 압력(P)보다 낮게 설정하여 상기 공정유체가 유입되며 받는 압력차를 줄임으로써, 줄-톰슨 효과에 의한 상기 공정유체의 온도 저하를 방지하고 상기 공정유체의 상변화와 이에 따른 공정 불량 발생을 방지할 수 있다.As described above, according to the substrate processing chamber and the substrate processing method of the present invention, by setting the pressure of the incoming process fluid to be lower than the substrate processing pressure (P) by reducing the pressure difference received by the process fluid, It is possible to prevent the temperature drop of the process fluid due to the Thompson effect and to prevent the phase change of the process fluid and the occurrence of process defects.

또한, 상기 공정유체가 유입되는 상기 기판 처리 공간(S)의 초기체적(V21)을 줄여 상기 공정유체가 유입되며 받는 압력차를 줄임으로써, 줄-톰슨 효과에 의한 상기 공정유체의 온도 저하를 방지하고 상기 공정유체의 상변화와 이에 따른 공정 불량 발생을 방지할 수 있다.In addition, by reducing the initial volume (V21) of the substrate processing space (S) in which the process fluid is introduced to reduce the pressure difference received by the process fluid, it prevents the temperature drop of the process fluid by the Joule-Thompson effect And it can prevent the phase change of the process fluid and the resulting process failure.

또한, 상기 기판 처리 공간(S)의 체적을 변화시켜 상기 챔버(100) 내부의 상기 공정유체를 교반하고 상기 기판 처리 공간(S)에 균등한 기판 처리 환경을 형성하여 기판 처리 효율을 높일 수 있다.In addition, by changing the volume of the substrate processing space (S), the process fluid in the chamber 100 is stirred, and an even substrate processing environment may be formed in the substrate processing space (S) to increase substrate processing efficiency. .

또한, 상기 공정유체의 교반이 이루어지는 상기 챔버(100)에 공정유체를 추가로 공급하는 동시에 상기 챔버(100) 내부의 유체를 배출하여, 상기 챔버(100) 내부에 신선한 공정유체를 연속적으로 공급함으로써 기판 처리 효율을 높일 수 있다. In addition, the process fluid is additionally supplied to the chamber 100 where the process fluid is agitated and the fluid inside the chamber 100 is discharged to continuously supply fresh process fluid to the chamber 100. Substrate processing efficiency can be improved.

본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구되는 본 발명의 기술적 사상에 벗어남 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 자명한 변형실시가 가능하고, 이러한 변형실시는 본 발명의 범위에 속한다.The present invention is not limited to the above-described embodiment, and obvious modifications can be made by those skilled in the art to which the present invention pertains without departing from the technical spirit of the present invention as claimed in the claims. Implementation is within the scope of the present invention.

W : 기판 100 : 챔버
110 : 제1하우징 120 : 제2하우징
124 : 구동부 112 : 척핀
113 : 척 121 : 그루브
150 : 유체공급부 160 : 유체배출부
200 : 씰링부재 P : 기판 처리 압력
P11,P21,P31 : 초기압력 P12,P22,P32 : 도달압력
V11,V21,V31 : 초기체적 V12,V22,V32 : 도달체적
T11,T21,T31 : 초기온도 T12,T22,T32 : 도달온도W: Substrate 100: Chamber
110: first housing 120: second housing
124: drive 112: chuck pin
113: Chuck 121: Groove
150: fluid supply unit 160: fluid discharge unit
200: sealing member P: substrate processing pressure
P11, P21, P31: Initial pressure P12, P22, P32: Reach pressure
V11, V21, V31: Initial volume V12, V22, V32: Reach volume
T11, T21, T31: Initial temperature T12, T22, T32: Reach temperature

Claims (50)

제1하우징;과
상기 제1하우징과 결합하여 내부에 기판 처리 공간을 형성하는 제2하우징;을 포함하되,
상기 제1하우징과 상기 제2하우징 중 어느 하나의 내부에서 다른 하나가 이동하도록 이루어지는 기판 처리용 챔버.First housing; and
And a second housing coupled to the first housing to form a substrate processing space therein.
A substrate processing chamber configured to move the other one inside any one of the first housing and the second housing. 제1항에 있어서,
상기 제1하우징과 상기 제2하우징 중 어느 하나의 내부에서 다른 하나가 이동하여 상기 기판 처리 공간의 체적을 변화시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.The method of claim 1,
The chamber for processing a substrate, wherein the other of the first housing and the second housing is moved to change the volume of the substrate processing space. 제1항에 있어서,
상기 제1하우징과 상기 제2하우징 중 어느 하나의 내부에 다른 하나가 삽입되도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.The method of claim 1,
The chamber for processing a substrate, characterized in that the other one is inserted into one of the first housing and the second housing. 제1항에 있어서,
상기 제1하우징과 상기 제2하우징 중 어느 하나의 위치가 고정되고;
상기 제1하우징과 상기 제2하우징 중 위치가 고정되지 않은 다른 하나를 이동시키는 구동부가 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.The method of claim 1,
A position of any one of the first housing and the second housing is fixed;
And a driving part for moving the other of the first housing and the second housing, the position of which is not fixed. 제1항에 있어서,
상기 챔버 내부에 공정유체를 공급하는 유체공급부가 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.The method of claim 1,
And a fluid supply unit for supplying a process fluid into the chamber. 제1항에 있어서,
상기 챔버 내부로부터 외부로 상기 챔버 내부의 유체를 배출하는 유체배출부가 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.The method of claim 1,
And a fluid discharge part for discharging the fluid inside the chamber from the inside to the outside of the chamber. 제2항에 있어서,
상기 제1하우징과 상기 제2하우징 중 어느 하나의 내부에서 이동하는 다른 하나는,
수직 방향으로 이동하여 상기 기판 처리 공간의 체적을 변화시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.The method of claim 2,
The other one moving in one of the first housing and the second housing,
The chamber for processing a substrate, characterized in that to move in the vertical direction to change the volume of the substrate processing space. 제2항에 있어서,
상기 제1하우징과 상기 제2하우징 중 어느 하나의 내부에서 이동하는 다른 하나는,
수평 방향으로 이동하여 상기 기판 처리 공간의 체적을 변화시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.The method of claim 2,
The other one moving in one of the first housing and the second housing,
A chamber for processing a substrate, characterized in that to move in a horizontal direction to change the volume of the substrate processing space. 제5항에 있어서,
상기 유체공급부는, 기판 처리를 위해 요구되는 압력 이하의 압력으로 상기 공정유체를 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.The method of claim 5,
The fluid supply unit is a substrate processing chamber, characterized in that for supplying the process fluid at a pressure less than the pressure required for substrate processing. 제9항에 있어서,
상기 제1하우징과 상기 제2하우징 중 어느 하나의 내부에서 이동하는 다른 하나는, 상기 기판 처리 공간의 체적을 줄이는 방향으로 이동하여, 상기 기판 처리를 위해 요구되는 압력 이하의 압력으로 형성되는 상기 기판 처리 공간의 압력이 상기 기판 처리를 위해 요구되는 압력에 이르도록 하는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.The method of claim 9,
The other one moving inside one of the first housing and the second housing is moved in a direction of reducing the volume of the substrate processing space, and the substrate is formed at a pressure below the pressure required for processing the substrate. And the pressure in the processing space reaches a pressure required for processing the substrate. 제5항에 있어서,
상기 유체공급부는, 기판 처리를 위해 요구되는 압력으로 상기 공정유체를 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.The method of claim 5,
The fluid supply unit is a substrate processing chamber, characterized in that for supplying the process fluid at a pressure required for substrate processing. 제11항에 있어서,
상기 제1하우징과 상기 제2하우징 중 어느 하나의 내부에서 이동하는 다른 하나는, 상기 공정유체가 공급됨에 따라 상기 기판 처리 공간의 압력이 기판 처리를 위해 요구되는 압력에 이르면 상기 기판 처리 공간의 체적을 늘리는 방향으로 이동하는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.The method of claim 11,
The other moving inside one of the first housing and the second housing, the volume of the substrate processing space when the pressure of the substrate processing space reaches the pressure required for substrate processing as the process fluid is supplied The chamber for processing a substrate, characterized in that to move in the direction of increasing. 제5항에 있어서,
상기 제1하우징과 상기 제2하우징 중 어느 하나의 내부에서 이동하는 다른 하나는, 상기 기판 처리 공간의 체적이 반복적으로 변하도록 이동하여 상기 챔버 내부의 상기 공정유체를 교반하는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.The method of claim 5,
The other, which moves inside one of the first housing and the second housing, is moved so that the volume of the substrate processing space is changed repeatedly to agitate the process fluid inside the chamber. Chamber. 제13항에 있어서,
상기 유체공급부는, 상기 챔버 내부의 상기 공정유체의 교반이 이루어지는 동안 상기 챔버 내부에 상기 공정유체를 추가로 공급하고;
상기 챔버 내부의 유체를 배출하는 유체배출부가 구비되어, 상기 공정유체가 추가로 공급되는 동안 상기 유체배출부를 통해 상기 챔버 내부의 유체를 배출하는;
것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.The method of claim 13,
The fluid supply unit further supplies the process fluid into the chamber while the process fluid in the chamber is stirred;
A fluid discharge part for discharging the fluid inside the chamber, and discharging the fluid inside the chamber through the fluid discharge part while the process fluid is additionally supplied;
A substrate processing chamber, characterized in that. 제1항에 있어서,
상기 제1하우징과 상기 제2하우징 사이를 밀폐하는 씰링부재가 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.The method of claim 1,
And a sealing member sealing the space between the first housing and the second housing. 제15항에 있어서,
상기 씰링부재는 상기 제1하우징과 상기 제2하우징의 결합부를 외부에서 감싸 상기 제1하우징과 상기 제2하우징 사이를 밀폐하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.The method of claim 15,
The sealing member is a substrate processing chamber characterized in that it is formed to seal between the first housing and the second housing to surround the coupling portion of the first housing and the second housing from the outside. 제15항에 있어서,
상기 씰링부재는 오링 형태로 이루어지고;
상기 제1하우징 또는 상기 제2하우징에는 상기 제1하우징과 상기 제2하우징의 결합면을 따라 그루브가 형성되며;
상기 씰링부재가 상기 그루브에 결합되어 상기 제1하우징과 상기 제2하우징 사이를 밀폐하는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.The method of claim 15,
The sealing member has an O-ring shape;
Grooves are formed in the first housing or the second housing along a joining surface of the first housing and the second housing;
And the sealing member is coupled to the groove to seal between the first housing and the second housing. 제1항에 있어서,
상기 제1하우징 및 상기 제2하우징은 스테인레스강 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.The method of claim 1,
And the first housing and the second housing are made of stainless steel. 제5항에 있어서,
상기 공정유체는 초임계 유체인 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.The method of claim 5,
The processing fluid is a substrate processing chamber, characterized in that the supercritical fluid. 제19항에 있어서,
상기 초임계 유체는 초임계 이산화탄소인 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.The method of claim 19,
The supercritical fluid is substrate processing, characterized in that the supercritical carbon dioxide chamber. 제1항에 있어서,
상기 기판 처리 공간의 압력을 측정하는 압력감지부가 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.The method of claim 1,
And a pressure sensing unit for measuring the pressure in the substrate processing space. 제1항에 있어서,
상기 챔버 내부에 공급되는 상기 공정유체의 압력을 측정하는 압력감지부가 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.The method of claim 1,
And a pressure sensing unit for measuring a pressure of the process fluid supplied into the chamber. 제1항에 있어서,
상기 기판 처리 공간의 온도를 측정하는 온도감지부가 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.The method of claim 1,
And a temperature sensing unit for measuring a temperature of the substrate processing space. 제1항에 있어서,
상기 챔버 내부에 공급되는 상기 공정유체의 온도를 측정하는 온도감지부가 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.The method of claim 1,
And a temperature sensing unit for measuring a temperature of the process fluid supplied into the chamber. 제21항 또는 제22항에 있어서,
상기 압력감지부의 압력 측정값에 따라 상기 제1하우징 또는 상기 제2하우징의 이동을 제어하여 기판 처리를 진행하는 제어부가 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.The method of claim 21 or 22,
And a control unit configured to control the movement of the first housing or the second housing according to the pressure measurement value of the pressure sensing unit to perform substrate processing. 제23항 또는 제24항에 있어서,
상기 온도감지부의 온도 측정값에 따라 상기 제1하우징 또는 상기 제2하우징의 이동을 제어하여 기판 처리를 진행하는 제어부가 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.The method of claim 23 or 24,
And a control unit configured to control the movement of the first housing or the second housing according to the temperature measurement value of the temperature sensing unit to perform substrate processing. a) 제1하우징과 제2하우징이 결합되어 내부에 기판 처리 공간을 형성하는 챔버에 공정유체가 공급되는 단계;
b) 상기 제1하우징과 상기 제2하우징 중 어느 하나의 내부에서 다른 하나가 이동하는 단계;
c) 기판 처리 공정이 이루어지는 단계;
를 포함하여 이루어지는 기판 처리 방법.a) supplying a process fluid to a chamber in which the first housing and the second housing are combined to form a substrate processing space therein;
b) moving the other inside of one of the first housing and the second housing;
c) a substrate processing process is performed;
Substrate processing method comprising a. 제27항에 있어서,
상기 단계 b)는, 상기 제1하우징과 상기 제2하우징 중 어느 하나가 다른 하나의 내부에서 이동하여 상기 기판 처리 공간의 체적을 변화시키는 단계인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method of claim 27,
The step b) is a substrate processing method, characterized in that any one of the first housing and the second housing is moved inside the other to change the volume of the substrate processing space. 제27항에 있어서,
상기 제1하우징과 상기 제2하우징 중 어느 하나의 위치가 고정되고,
상기 단계 b)는, 상기 제1하우징과 상기 제2하우징 중 위치가 고정되지 않은 다른 하나가 구동부의 구동에 의해 이동하는 단계인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method of claim 27,
The position of any one of the first housing and the second housing is fixed,
The step b) is a substrate processing method, characterized in that the other of the position of the first housing and the second housing is not fixed is moved by the drive of the drive unit. 제28항에 있어서,
상기 단계 b)는, 상기 제1하우징과 상기 제2하우징 중 어느 하나의 내부에서 다른 하나가 이동하여 상기 기판 처리 공간의 체적을 줄이는 단계인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method of claim 28,
The step b) is a step of reducing the volume of the substrate processing space by moving the other one of the one of the first housing and the second housing. 제28항에 있어서,
상기 단계 b)는, 상기 제1하우징과 상기 제2하우징 중 어느 하나의 내부에서 다른 하나가 이동하여 상기 기판 처리 공간의 체적을 늘리는 단계인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method of claim 28,
The step b) is a step of increasing the volume of the substrate processing space by moving the other one of any one of the first housing and the second housing. 제27항에 있어서,
상기 단계 a)에서, 상기 공정유체는 상기 단계 c)에서 요구되는 압력 이하의 압력으로 상기 챔버에 공급되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method of claim 27,
In said step a), said process fluid is supplied to said chamber at a pressure below said pressure required in said step c). 제27항에 있어서,
상기 단계 a)는, 상기 기판 처리 공간의 압력이 초기압력에 이를 때까지 수행되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method of claim 27,
And said step a) is performed until the pressure in said substrate processing space reaches an initial pressure. 제27항에 있어서,
상기 단계 b)는, 상기 기판 처리 공간의 압력이 상기 단계 c)에서 요구되는 기판처리압력에 이를 때까지 수행되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method of claim 27,
And said step b) is performed until the pressure in said substrate processing space reaches the substrate processing pressure required in said step c). 제27항에 있어서,
상기 단계 b)는, 상기 제1하우징과 상기 제2하우징 중 어느 하나의 내부에서 다른 하나가 이동하는 동안 상기 공정유체가 상기 챔버 내부에 공급되는 단계인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method of claim 27,
The step b) is a substrate processing method, characterized in that the process fluid is supplied to the inside of the chamber while the other of the inside of one of the first housing and the second housing. 제30항에 있어서,
상기 단계 a)에 선행하여, 상기 제1하우징과 상기 제2하우징 중 어느 하나의 내부에서 다른 하나가 이동하여 상기 기판 처리 공간의 체적이 최대가 되도록 하는 단계가 수행되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method of claim 30,
Prior to the step a), the step of moving the other inside one of the first housing and the second housing to maximize the volume of the substrate processing space, characterized in that the substrate processing method . 제30항에 있어서,
상기 단계 b)는, 상기 제1하우징과 상기 제2하우징 중 어느 하나의 내부에서 다른 하나가 이동하여 상기 기판 처리 공간의 체적이 최소가 되도록 하는 단계인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method of claim 30,
The step b) is a substrate processing method, characterized in that to move the other inside of one of the first housing and the second housing to minimize the volume of the substrate processing space. 제31항에 있어서,
상기 단계 a)에 선행하여, 상기 제1하우징과 상기 제2하우징 중 어느 하나의 내부에서 다른 하나가 이동하여 상기 기판 처리 공간의 체적이 최소가 되도록 하는 단계가 더 수행되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method of claim 31, wherein
Prior to the step a), further comprising the step of moving the other inside of one of the first housing and the second housing to minimize the volume of the substrate processing space, substrate processing, characterized in that Way. 제31항에 있어서,
상기 단계 b)는, 상기 제1하우징과 상기 제2하우징 중 어느 하나의 내부에서 다른 하나가 이동하여 상기 기판 처리 공간의 체적이 최대가 되도록 하는 단계인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method of claim 31, wherein
The step b) is a substrate processing method, characterized in that the other inside of one of the first housing and the second housing is moved to maximize the volume of the substrate processing space. 제27항에 있어서,
상기 단계 b)는, 상기 제1하우징과 상기 제2하우징 중 어느 하나의 내부에서 다른 하나가 반복적으로 왕복 이동하여 상기 챔버 내부의 공정유체를 교반하는 단계인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method of claim 27,
The step b) is a substrate processing method, characterized in that the step of stirring the process fluid inside the chamber by repeatedly reciprocating the other in one of the first housing and the second housing. 제40항에 있어서,
상기 단계 b)가 수행되는 동안 유체배출부를 통해 상기 챔버 내부의 유체가 배출되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method of claim 40,
And the fluid inside the chamber is discharged through the fluid discharge part while the step b) is performed. 제27항에 있어서,
압력감지부에서 상기 기판 처리가 이루어지는 기판 처리 공간의 압력을 측정하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method of claim 27,
A substrate processing method comprising measuring a pressure in a substrate processing space in which the substrate processing is performed in a pressure sensing unit. 제27항에 있어서,
압력감지부에서 상기 챔버 내부에 공급되는 상기 공정유체의 압력을 측정하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method of claim 27,
And a pressure sensing unit measures a pressure of the process fluid supplied into the chamber. 제42항 또는 제43항에 있어서,
상기 압력감지부에서 측정된 압력 측정값은 제어부에 전달되며, 상기 제어부는 상기 압력 측정값에 따라 상기 제1하우징 또는 상기 제2하우징 및 상기 챔버에 상기 공정유체를 공급하는 유체공급부를 제어하여 상기 단계 a) 내지 단계 c)를 포함하는 기판 처리가 진행되도록 하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method of claim 42 or 43, wherein
The pressure measurement value measured by the pressure sensing unit is transmitted to a control unit, and the control unit controls the fluid supply unit supplying the process fluid to the first housing or the second housing and the chamber according to the pressure measurement value. A substrate processing method characterized by causing a substrate processing comprising steps a) to c) to proceed. 제27항에 있어서,
온도감지부에서 상기 기판 처리가 이루어지는 기판 처리 공간의 온도를 측정하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method of claim 27,
A substrate processing method characterized by measuring the temperature of the substrate processing space in which the substrate processing is performed in a temperature sensing unit. 제27항에 있어서,
온도감지부에서 상기 챔버 내부에 공급되는 상기 공정유체의 온도를 측정하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method of claim 27,
And a temperature sensing unit measures a temperature of the process fluid supplied into the chamber. 제45항 또는 제46항에 있어서,
상기 온도감지부에서 측정된 온도 측정값은 제어부에 전달되며, 상기 제어부는 상기 온도 측정값에 따라 상기 제1하우징 또는 상기 제2하우징 및 상기 챔버에 상기 공정유체를 공급하는 유체공급부 제어하여 상기 단계 a) 내지 단계 c)를 포함하는 기판 처리가 진행되도록 하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.47. The method of claim 45 or 46,
The temperature measurement value measured by the temperature sensing unit is transmitted to the control unit, wherein the control unit controls the fluid supply unit for supplying the process fluid to the first housing or the second housing and the chamber according to the temperature measurement value; A substrate processing method characterized by causing the substrate processing comprising a) to step c) to proceed. 제27항에 있어서,
상기 공정유체는 초임계 유체인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method of claim 27,
And the process fluid is a supercritical fluid. 제48항에 있어서,
상기 초임계 유체는 초임계 이산화탄소인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method of claim 48,
And said supercritical fluid is supercritical carbon dioxide. 제27항에 있어서,
상기 단계 b)는 상기 제1하우징과 상기 제2하우징 중 어느 하나의 내부에 다른 하나가 삽입되어 이동하도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
The method of claim 27,
The step b) is a substrate processing method characterized in that the other one is inserted into the inside of one of the first housing and the second housing to move.
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