KR20190141293A - Optical waveguide sensor and measuring compound detecting system with it - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 광 도파로 센서 및 이를 이용한 측정 물질 검출 시스템에 관한 것으로, 특히, 표면 플라즈몬 공명 현상을 이용하여 측정 물질에 중금속이 포함되었는지 검출 할 수 있는 센서 및 시스템에 관한 것이다. The present invention relates to an optical waveguide sensor and a measurement material detection system using the same, and more particularly, to a sensor and a system capable of detecting whether heavy metal is included in a measurement material by using surface plasmon resonance.
일반적으로 광 섬유로 대표되는 광 도파로를 이용한 센서는 광 도파로를 지나가는 빛의 세기, 광 도파로의 굴절률 및 길이, 모드, 및 편광 상태의 변화 등 다양한 변인을 이용하여 전압, 전류, 온도, 농도, 압력 등 다양한 정보를 측정할 수 있다. 광 도파로 센서는 초정밀광대역 측정이 가능하며, 전자파의 영향을 받지 않으며, 원격 측정이 용이하다는 장점이 있다. 또한, 측정부에서 전기를 사용하지 않으며 실리카 재질의 뛰어난 내부식성을 가지기 때문에 사용 환경에 대한 제약이 거의 존재하지 않다는 장점이 있다.In general, an optical waveguide sensor represented by an optical fiber uses voltage, current, temperature, concentration, and pressure using various variables such as the intensity of light passing through the optical waveguide, the refractive index and length of the optical waveguide, the mode, and the change in polarization state. Various information can be measured. The optical waveguide sensor has the advantage of being able to measure ultra-precise broadband, is not affected by electromagnetic waves, and is easy to measure remotely. In addition, since the measurement unit does not use electricity and has excellent corrosion resistance of the silica material, there is an advantage that there are almost no restrictions on the use environment.
한편, 일반적인 농도 측정용 화학 센서 또는 바이오 센서 등은, 측정 물질의 전기적 성질을 이용하기 위해 전극을 포함한다. 이 경우, 전극으로부터 전기를 전달받아야 하며, 측정부에서 측정된 전기신호를 외부의 측정기에 전달하기 위해 전선 등의 전도체가 요구되기 때문에 사용 환경에 대한 문제점이 존재한다.On the other hand, a general chemical sensor or biosensor for concentration measurement includes an electrode in order to use the electrical properties of the measurement material. In this case, since electricity must be transmitted from an electrode, and a conductor such as an electric wire is required to transmit the electrical signal measured by the measuring unit to an external measuring instrument, there is a problem in the use environment.
또, 중금속을 신속히 현장에서 간단한 검사 장비를 이용하여 검출하는 기술에 대한 수요가 증가하고 있다. 현재 중금속을 검출할 수 있는 다양한 장비가 개발되어 있지만, 이동성, 민감도 및 낮은 단가를 모두 만족하는 장비에 대한 소요가 존재한다.In addition, there is an increasing demand for a technique for rapidly detecting heavy metals in the field using simple inspection equipment. Currently, a variety of equipment for detecting heavy metals has been developed, but there is a need for equipment that satisfies mobility, sensitivity, and low cost.
최근, 표면 증강 라만 분광 기술을 이용하여 중금속을 초 민감도로 검출하는 기술이 개발되었지만, 라만 신호는 재현성이 매우 부족하다는 문제점이 존재한다.Recently, a technique for detecting heavy metals with super sensitivity using surface enhanced Raman spectroscopy has been developed, but there is a problem in that the Raman signal is very lacking in reproducibility.
상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해, 본 발명의 일 실시예는 이동성, 민감도 및 낮은 단가를 모두 만족하며 중금속을 검출할 수 있는 광 도파로 센서 및 광 도파로 센서를 이용한 측정 물질 검출 시스템을 제공하고자 한다.In order to solve the above problems of the prior art, an embodiment of the present invention provides an optical waveguide sensor and a measurement material detection system using an optical waveguide sensor capable of detecting heavy metals satisfying both mobility, sensitivity, and low cost. I would like to.
또, 본 발명의 일 실시예는 재현성이 뛰어난 광 도파로 센서 및 광 도파로 센서를 이용한 측정 물질 검출 시스템을 제공하고자 한다.In addition, an embodiment of the present invention is to provide an optical waveguide sensor and a measurement material detection system using the optical waveguide sensor with excellent reproducibility.
위와 같은 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 측면에 따르면, 광 도파로 센서가 제공된다. 상기 광 도파로 센서는 광원과 연결된 일 측으로부터 제 1광을 획득하여 타 측으로 제 2광을 전달하는 광 도파로; 상기 광 도파로의 외부에 형성되는 내피; 및 상기 광 도파로의 일부가 외부에 노출되도록 상기 내피의 일부가 제거되어 형성되는 측정부;를 포함하며, 상기 측정부는, 단일 DNA 가닥을 이용하여 농도를 측정하고자 하는 측정 물질과 접촉한다.According to an aspect of the present invention for solving the above problems, there is provided an optical waveguide sensor. The optical waveguide sensor may include an optical waveguide configured to acquire a first light from one side connected to a light source and to transmit a second light to the other side; An endothelial formed on the outside of the optical waveguide; And a measuring part formed by removing a part of the endothelium so that a part of the optical waveguide is exposed to the outside, wherein the measuring part contacts the measuring material to measure the concentration using a single DNA strand.
상기 측정부는, 적어도 하나의 상기 단일 DNA 가닥과 결합하기 위해 상기 외부에 노출된 상기 광 도파로의 표면에 형성되는 도금층;을 더 포함할 수 있다.The measurement unit may further include a plating layer formed on a surface of the optical waveguide exposed to the outside to bond with at least one single DNA strand.
상기 도금층은, 상기 광 도파로의 표면에 형성되는 제 1층인 크롬 도금층; 및 상기 크롬 도금의 표면에 형성되는 제 2층인 금 도금층;으로 형성될 수 있다.The plating layer is a chromium plating layer which is a first layer formed on the surface of the optical waveguide; And a gold plating layer which is a second layer formed on the surface of the chromium plating.
상기 단일 DNA 가닥은 서열번호 1 내지 5 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.The single DNA strand may consist of any one of SEQ ID NOs: 1-5.
상기 광 도파로는, 타 측이 상기 제 2광의 출력을 측정하는 광 출력 측정기와 연결되도록 구비될 수 있다.The optical waveguide may be provided such that the other side thereof is connected to an optical output meter for measuring the output of the second light.
상기 광원은 헬륨-네온 레이저 또는 텅스텐-할로겐 램프일 수 있다.The light source may be a helium-neon laser or a tungsten-halogen lamp.
상기 측정 물질은 중금속이며, 상기 측정부의 검출 한계가 하기 수학식으로 표현될 수 있다.The measurement material is a heavy metal, the detection limit of the measurement unit can be expressed by the following equation.
(여기서, LOD는 검출 한계, SD = 제 1 농도에서의 출력 표준 편차, ΔP = 제 1 농도의 출력, ΔC = 제 1 농도와 제 2 농도의 농도 차)Where LOD is the limit of detection, SD = standard deviation of output at the first concentration, ΔP = output of the first concentration, ΔC = concentration difference between the first and second concentrations)
상기 측정 물질은 수은일 수 있다.The measurement material may be mercury.
본 발명의 일 측면에 따르면, 광 도파로 센서를 이용한 측정 물질 검출 시스템이 제공된다. 상기 광 도파로 센서를 이용한 측정 물질 검출 시스템은, 일정 세기의 제 1광을 발생시키는 광원; 상기 광원으로부터 상기 제 1광을 전달 받고, 측정 물질을 이용하여 상기 제 1광을 제 2광으로 변환시키는 광 도파로 센서; 및 상기 광 도파로 센서로부터 상기 제 2광을 전달받아 상기 측정 물질에 측정하고자 하는 중금속이 포함되었는지 단일 DNA 가닥을 이용하여 검출하는 검출 장치;를 포함한다. According to an aspect of the present invention, a measurement material detection system using an optical waveguide sensor is provided. A measurement material detection system using the optical waveguide sensor, the light source for generating a first light of a certain intensity; An optical waveguide sensor receiving the first light from the light source and converting the first light into a second light by using a measurement material; And a detection device that receives the second light from the optical waveguide sensor and detects whether the measurement material contains a heavy metal to be measured using a single DNA strand.
상기 광원은, 헬륨-네온 레이저 또는 텅스텐-할로겐 램프일 수 있다.The light source may be a helium-neon laser or a tungsten-halogen lamp.
상기 광원과 연결된 일 측으로부터 상기 제 1광을 획득하여 타 측으로 상기 제 2광을 전달하는 광 도파로; 상기 광 도파로의 외부에 형성되는 내피; 및 상기 광 도파로의 일부가 외부에 노출되도록 상기 내피의 일부가 제거되어 형성되는 측정부;를 포함하며, 상기 측정부는, 상기 단일 DNA 가닥을 이용하여 농도를 측정하고자 하는 측정 물질과 접촉할 수 있다.An optical waveguide for obtaining the first light from one side connected to the light source and transferring the second light to the other side; An endothelial formed on the outside of the optical waveguide; And a measuring part formed by removing a part of the endothelium so that a part of the optical waveguide is exposed to the outside, wherein the measuring part may contact the measuring material to measure the concentration using the single DNA strand. .
상기 측정부는, 적어도 하나의 상기 단일 DNA 가닥과 결합하기 위해 상기 외부에 노출된 상기 광 도파로의 표면에 형성되는 도금층;을 더 포함할 수 있다.The measurement unit may further include a plating layer formed on a surface of the optical waveguide exposed to the outside to bond with at least one single DNA strand.
상기 도금층은, 상기 광 도파로의 표면에 형성되는 제 1층인 크롬 도금층; 및 상기 크롬 도금의 표면에 형성되는 제 2층인 금 도금층;으로 형성될 수 있다.The plating layer is a chromium plating layer which is a first layer formed on the surface of the optical waveguide; And a gold plating layer which is a second layer formed on the surface of the chromium plating.
상기 단일 DNA 가닥은 서열번호 1 내지 5 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.The single DNA strand may consist of any one of SEQ ID NOs: 1-5.
상기 광 도파로는, 타 측이 상기 제 2광의 출력을 측정하는 광 출력 측정기와 연결되도록 구비될 수 있다.The optical waveguide may be provided such that the other side thereof is connected to an optical output meter for measuring the output of the second light.
상기 광원은 헬륨-네온 레이저 또는 텅스텐-할로겐 램프일 수 있다.The light source may be a helium-neon laser or a tungsten-halogen lamp.
상기 측정 물질은 중금속이며, 상기 측정부의 검출 한계가 하기 수학식으로 표현될 수 있다.The measurement material is a heavy metal, the detection limit of the measurement unit can be expressed by the following equation.
(여기서, LOD는 검출 한계, SD = 제 1 농도에서의 출력 표준 편차, ΔP = 제 1 농도의 출력, ΔC = 제 1 농도와 제 2 농도의 농도 차)Where LOD is the limit of detection, SD = standard deviation of output at the first concentration, ΔP = output of the first concentration, ΔC = concentration difference between the first and second concentrations)
상기 측정 물질은 수은일 수 있다.The measurement material may be mercury.
본 발명의 일 실시예에 따른 광 도파로 센서 및 이를 이용한 측정 물질 검출 시스템은 반복하여 측정 물질을 검출하는 경우 높은 재현성을 가지는 효과가 있다.The optical waveguide sensor and the measurement material detection system using the same according to an embodiment of the present invention have an effect of having high reproducibility when repeatedly detecting the measurement material.
또, 본 발명의 일 실시예에 따른 광 도파로 센서 및 이를 이용한 측정 물질 검출 시스템은 낮은 비용으로 중금속의 존재 여부를 검출할 수 있는 효과가 있다.In addition, the optical waveguide sensor and the measurement material detection system using the same according to an embodiment of the present invention has the effect of detecting the presence of heavy metal at low cost.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 광 도파로 센서 및 이를 이용한 측정 물질 검출 시스템은 중금속의 농도를 실시간으로 측정할 수 있는 효과가 있다.In addition, the optical waveguide sensor and the measurement material detection system using the same according to an embodiment of the present invention has the effect of measuring the concentration of heavy metal in real time.
또한, 광 도파로 센서 및 이를 이용한 측정 물질 검출 시스템은 높은 민감도로 중금속을 검출할 수 있는 효과가 있다. In addition, the optical waveguide sensor and the measurement material detection system using the same have an effect of detecting heavy metals with high sensitivity.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 광 도파로 센서를 나타낸 도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 단일 DNA 가닥이 결합된 광 도파로 센서를 나타낸 도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 (a) 서열번호 1의 단일 DNA 가닥의 기본 형태 및 (b) 수은 이온을 감지하는 경우 단일 DNA 가닥의 형태 변화를 나타낸 도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 (a) 서열번호 2의 단일 DNA 가닥의 기본 형태 및 (b) 수은 이온을 감지하는 경우 단일 DNA 가닥의 형태 변화를 나타낸 도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 (a) 서열번호 3의 단일 DNA 가닥의 기본 형태 및 (b) 수은 이온을 감지하는 경우 단일 DNA 가닥의 형태 변화를 나타낸 도이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 (a) 서열번호 4의 단일 DNA 가닥의 기본 형태 및 (b) 수은 이온을 감지하는 경우 단일 DNA 가닥의 형태 변화를 나타낸 도이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 (a) 서열번호 5의 단일 DNA 가닥의 기본 형태 및 (b) 수은 이온을 감지하는 경우 단일 DNA 가닥의 형태 변화를 나타낸 도이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 서열번호 1의 단일 DNA 가닥에 대한 검출 한계 실험 결과를 나타낸 도이다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 서열번호 2의 단일 DNA 가닥에 대한 검출 한계 실험 결과를 나타낸 도이다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 서열번호 3의 단일 DNA 가닥에 대한 검출 한계 실험 결과를 나타낸 도이다.
도 11은 본 발명의 실시예에 따른 서열번호 4의 단일 DNA 가닥에 대한 검출 한계 실험 결과를 나타낸 도이다.
도 12는 본 발명의 실시예에 따른 서열번호 5의 단일 DNA 가닥에 대한 검출 한계 실험 결과를 나타낸 도이다.
도 13은 본 발명의 실시예에 따른 서열번호 1 내지 서열번호 5의 검출 한계 실험 결과를 요약표로 나타낸 도이다.
도 14는 본 발명의 실시예에 따른 광 도파로 센서를 이용한 측정 물질 검출 시스템을 나타낸 도이다.
도 15는 본 발명의 실시예에 따른 광 도파로 센서를 이용한 측정 물질 검출 시스템을 나타낸 도이다.1 is a view showing an optical waveguide sensor according to an embodiment of the present invention.
2 is a view showing an optical waveguide sensor coupled to a single DNA strand according to an embodiment of the present invention.
Figure 3 is a diagram showing the change in form of a single DNA strand (a) the basic form of a single DNA strand of SEQ ID NO: 1 and (b) mercury ions according to an embodiment of the present invention.
Figure 4 is a diagram showing the change in form of a single DNA strand (a) the basic form of a single DNA strand of SEQ ID NO: 2 and mercury ions according to an embodiment of the present invention.
5 is a diagram showing the change in form of a single DNA strand (a) the basic form of a single DNA strand of SEQ ID NO: 3 and (b) mercury ions according to an embodiment of the present invention.
Figure 6 is a diagram showing the change in form of a single DNA strand (a) the basic form of a single DNA strand of SEQ ID NO: 4 and (b) mercury ions according to an embodiment of the present invention.
Figure 7 is a diagram showing the change in form of a single DNA strand (a) the basic form of a single DNA strand of SEQ ID NO: 5 and (b) mercury ions according to an embodiment of the present invention.
8 is a diagram showing the results of detection limits for a single DNA strand of SEQ ID NO: 1 according to an embodiment of the present invention.
9 is a diagram showing the results of detection limits for a single DNA strand of SEQ ID NO: 2 according to an embodiment of the present invention.
Figure 10 is a diagram showing the results of detection limits for a single DNA strand of SEQ ID NO: 3 according to an embodiment of the present invention.
11 is a diagram showing the results of detection limits for a single DNA strand of SEQ ID NO: 4 according to an embodiment of the present invention.
12 is a diagram showing the results of detection limits for a single DNA strand of SEQ ID NO: 5 according to an embodiment of the present invention.
13 is a diagram showing the results of detection limit experiment of SEQ ID NO: 1 to SEQ ID NO: 5 according to an embodiment of the present invention in a summary table.
14 is a view showing a measurement material detection system using an optical waveguide sensor according to an embodiment of the present invention.
15 is a diagram illustrating a measurement material detection system using an optical waveguide sensor according to an exemplary embodiment of the present invention.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 붙였다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention. In the drawings, parts irrelevant to the description are omitted in order to clearly describe the present invention, and like reference numerals designate like elements throughout the specification.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 광 도파로 센서를 나타낸 도이고, 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 단일 DNA 가닥이 결합된 광 도파로 센서를 나타낸 도이며, 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 (a) 서열번호 1의 단일 DNA 가닥의 기본 형태 및 (b) 수은 이온을 감지하는 경우 단일 DNA 가닥의 형태 변화를 나타낸 도이고, 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 (a) 서열번호 2의 단일 DNA 가닥의 기본 형태 및 (b) 수은 이온을 감지하는 경우 단일 DNA 가닥의 형태 변화를 나타낸 도이며, 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 (a) 서열번호 3의 단일 DNA 가닥의 기본 형태 및 (b) 수은 이온을 감지하는 경우 단일 DNA 가닥의 형태 변화를 나타낸 도이고, 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 (a) 서열번호 4의 단일 DNA 가닥의 기본 형태 및 (b) 수은 이온을 감지하는 경우 단일 DNA 가닥의 형태 변화를 나타낸 도이며, 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 (a) 서열번호 5의 단일 DNA 가닥의 기본 형태 및 (b) 수은 이온을 감지하는 경우 단일 DNA 가닥의 형태 변화를 나타낸 도이고, 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 서열번호 1의 단일 DNA 가닥에 대한 검출 한계 실험 결과를 나타낸 도이며, 도 9는 본 발명의 실시예에 따른 서열번호 2의 단일 DNA 가닥에 대한 검출 한계 실험 결과를 나타낸 도이고, 도 10은 본 발명의 실시예에 따른 서열번호 3의 단일 DNA 가닥에 대한 검출 한계 실험 결과를 나타낸 도이며, 도 11은 본 발명의 실시예에 따른 서열번호 4의 단일 DNA 가닥에 대한 검출 한계 실험 결과를 나타낸 도이고, 도 12는 본 발명의 실시예에 따른 서열번호 5의 단일 DNA 가닥에 대한 검출 한계 실험 결과를 나타낸 도이며, 도 13은 본 발명의 실시예에 따른 서열번호 1 내지 서열번호 5의 검출 한계 실험 결과를 요약표로 나타낸 도이다.1 is a view showing an optical waveguide sensor according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a view showing an optical waveguide sensor coupled to a single DNA strand according to an embodiment of the present invention, Figure 3 is an embodiment of the present invention According to (a) the basic form of a single DNA strand of SEQ ID NO: 1 and (b) the shape change of a single DNA strand when detecting mercury ions, Figure 4 is a sequence according to an embodiment of the present invention (a) Figure 2 shows the basic shape of a single DNA strand of
이하에서는 도 1 내지 도 8을 이용하여 본 발명의 실시예에 따른 광 도파로 센서를 보다 상세히 설명하도록 한다.Hereinafter, an optical waveguide sensor according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to FIGS. 1 to 8.
도 1을 참고하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 광 도파로 센서(100)는 광 도파로(110), 측정부(120) 및 외피(130)를 포함한다. 이때, 광 도파로 센서(100)는 광 도파로(110)의 외부에 외피(130)를 구비하여 형성될 수 있다. 또, 광 도파로(110)는 일 예로 실리카 계열로 형성될 수 있고, 외피(130)는 폴리머 종류로 형성될 수 있으며, 광 도파로(110)의 굴절률은 외피(130)의 굴절률보다 크게 형성될 수 있다.Referring to FIG. 1, an
측정부(120)는 시료와 접촉하고 시료에 포함된 측정 물질을 검출한다. 이를 위해 측정부(120)는 광 도파로 센서(100)의 외피(130)가 일부 제거되어 노출된 광 도파로(110)에 제 1 도금층(121) 및 제 2 도금층(123)을 포함하도록 형성된다. The measuring
다시 말해, 측정부(120)는 광 도파로(110)가 외부로 노출된 후 제 1 금속층(121) 및 제 2 금속층(123)이 순서대로 적층되어 형성되는 부분이며, 특히 도 2에 도시된 바와 같이 단일 DNA 가닥(210)의 일 측이 제 2 금속층(123)에 결합하도록 형성될 수 있다. 또, 제 1 도금층(121)은 바람직하게는 크롬 도금층일 수 있으며, 제 2 도금층(123)은 금 도금층일 수 있다.In other words, the measuring
단일 DNA 가닥(210)은 적어도 하나가 구비되며, 일 측이 제 2 금속층(123)에 결합한다. 이때, 제 2 금속층(123)에 결합하는 단일 DNA 가닥(210)의 일 측은 시올기(SH-)가 결합된 5'측일 수 있으며, 3'측은 시료(230)에 접하도록 형성될 수 있다. 또, 본 발명의 일 실시예에 따른 단일 DNA 가닥(210)은 후술되는 5개의 서열부호의 단일 DNA 가닥 중 어느 하나를 사용하는 것이 가장 바람직하지만 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.At least one
도 1 및 도 2에서는 설명 및 이해의 편의를 위해 광 도파로 센서(100)의 단면도를 도시하였으며, 본 발명은 외피(130)가 제거되어 외부에 드러나는 광 도파로(110)가 원통 형태로 나타날 수도 있다. 또, 본 발명의 광 도파로 센서(100)는 일 예로 광 도파로(110)의 지름이 200um 내외로 형성될 수도 있으며, 외피의 두께가 15um 내외로 형성될 수도 있다. 1 and 2 illustrate a cross-sectional view of the
나아가 측정부(120)는 4cm의 길이를 가질 수 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 사용자의 설정에 따라 다양한 길이로 형성될 수도 있다. 또, 시료(230)에 포함되는 측정 물질은 중금속일 수 있으며, 특히 바람직하게는 수은일 수 있다.Furthermore, the measuring
한편, 도 3 내지 도 7에는 본 발명의 일 실시예에 따른 광 도파로 센서(100)에 사용되는 5개의 단일 DNA 가닥의 기본 형태 및 수은 이온을 감지하였을 때의 형태가 각각 도시되고 있다.Meanwhile, FIGS. 3 to 7 illustrate the basic shape and the shape when mercury ions are detected, respectively, of five single DNA strands used in the
하기 표 1에는 도 3 내지 도 7에 도시된 5개의 단일 DNA 가닥의 염기서열이 나타나고 있다.Table 1 below shows the nucleotide sequences of the five single DNA strands shown in FIGS.
도 3a를 살펴보면 상기 서열번호 1의 단일 DNA는 5'측이 제 2 도금층(123)과 접촉하는 형태로 형성되며, 내부 염기서열은 TTG TTT GTT GCC CCC TTC TTT CTT 순서로 형성된다.Referring to FIG. 3A, the single DNA of SEQ ID NO: 1 is formed in a form in which the 5 'side is in contact with the
이때, 측정부(120)가 시료(230)와 접촉하게 되면, 도 3a의 서열번호 1의 단일 DNA는 수은 이온이 두 개의 티민과 결합하도록 도 3b의 헤어핀 형태로 변형된다. 이때, 티민과 티민 사이에는 수은 이온이 결합하며, 구아닌과 사이토신이 서로 결합되는 형태로 형성된다. 즉, 도 3에 도시된 서열번호 1의 단일 DNA는 총 7개의 티민-티민 결합과 3개의 구아닌-사이토신 결합을 가지도록 형성된다.At this time, when the measuring
도 4a를 살펴보면 상기 서열번호 2의 단일 DNA는 5'측이 제 2 도금층(123)과 접촉하는 형태로 형성되며, 내부 염기서열은 TTC TTT CTT CCC CCC TTC TTT CTT 순서로 형성된다.Referring to FIG. 4A, the single DNA of SEQ ID NO: 2 is formed in a form in which the 5 ′ side is in contact with the
이때, 측정부(120)가 시료(230)와 접촉하게 되면, 도 4a의 서열번호 2의 단일 DNA는 수은 이온이 두 개의 티민과 결합하도록 도 4b의 헤어핀 형태로 변형된다. 이때, 티민과 티민 사이에는 수은 이온이 결합하며, 구아닌과 사이토신이 서로 결합되는 형태로 형성된다. 즉, 도 4에 도시된 서열번호 2의 단일 DNA는 총 7개의 티민-티민 결합을 가지게 되며 서열번호 1의 단일 DNA와 달리 구아닌-사이토신 결합이 존재하지 않도록 형성된다.At this time, when the measuring
도 5a를 살펴보면 상기 서열번호 3의 단일 DNA는 5'측이 제 2 도금층(123)과 접촉하는 형태로 형성되며, 내부 염기서열은 TCG TTC GTC GCC CCC CTC CTT CCT 순서로 형성된다.Referring to FIG. 5A, the single DNA of SEQ ID NO: 3 is formed in a form in which the 5 ′ side is in contact with the
이때, 측정부(120)가 시료(230)와 접촉하게 되면, 도 5a의 서열번호 3의 단일 DNA는 수은 이온이 두 개의 티민과 결합하도록 도 5b의 헤어핀 형태로 변형된다. 이때, 티민과 티민 사이에는 수은 이온이 결합하며, 구아닌과 사이토신이 서로 결합되는 형태로 형성된다. 즉, 도 5에 도시된 서열번호 3의 단일 DNA는 총 4개의 티민-티민 결합과 3개의 구아닌-사이토신 결합을 가지게 되며 서열번호 1의 단일 DNA보다 티민-티민 결합이 3개 모자라도록 형성된다.At this time, when the measuring
도 6a를 살펴보면 상기 서열번호 4의 단일 DNA는 5'측이 제 2 도금층(123)과 접촉하는 형태로 형성되며, 내부 염기서열은 TTG TCC GCC GCC CCC CCC CCT CTT 순서로 형성된다.Referring to FIG. 6A, the single DNA of SEQ ID NO: 4 is formed in a form in which the 5 ′ side is in contact with the
이때, 측정부(120)가 시료(230)와 접촉하게 되면, 도 6a의 서열번호 4의 단일 DNA는 수은 이온이 두 개의 티민과 결합하도록 도 6b의 헤어핀 형태로 변형된다. 이때, 티민과 티민 사이에는 수은 이온이 결합하며, 구아닌과 사이토신이 서로 결합되는 형태로 형성된다. 즉, 도 6에 도시된 서열번호 4의 단일 DNA는 총 3개의 티민-티민 결합과 3개의 구아닌-사이토신 결합을 가지게 되며 서열번호 1의 단일 DNA보다 티민-티민 결합이 4개 모자라도록 형성된다.At this time, when the measuring
도 7a를 살펴보면 상기 서열번호 5의 단일 DNA는 5'측이 제 2 도금층(123)과 접촉하는 형태로 형성되며, 내부 염기서열은 CCG CCT GTT GCC CCC TTC TCC CCC 순서로 형성된다.Referring to FIG. 7A, the single DNA of SEQ ID NO: 5 is formed in a form in which the 5 ′ side is in contact with the
이때, 측정부(120)가 시료(230)와 접촉하게 되면, 도 7a의 서열번호 5의 단일 DNA는 수은 이온이 두 개의 티민과 결합하도록 도 7b의 헤어핀 형태로 변형된다. 이때, 티민과 티민 사이에는 수은 이온이 결합하며, 구아닌과 사이토신이 서로 결합되는 형태로 형성된다. 즉, 도 7에 도시된 서열번호 5의 단일 DNA는 총 3개의 티민-티민 결합과 3개의 구아닌-사이토신 결합을 가지게 되며 서열번호 1의 단일 DNA보다 티민-티민 결합이 4개 모자라도록 형성된다.At this time, when the measuring
여기서, 서열번호 4의 단일 DNA와 서열번호 5의 단일 DNA의 구조는, 꼬리 부분에 티민-티민 결합이 존재하는지, 헤어핀 부분에 티민-티민 결합이 존재하는지에 따라 구분될 수 있다.Here, the structures of the single DNA of SEQ ID NO: 4 and the single DNA of SEQ ID NO: 5 may be classified according to whether thymine-thymine bond exists in the tail portion or whether thymine-thymine bond exists in the hairpin portion.
한편, 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 서열번호 1의 단일 DNA 가닥에 대한 검출 한계 실험 결과, 도 9는 본 발명의 실시예에 따른 서열번호 2의 단일 DNA 가닥에 대한 검출 한계 실험 결과, 도 10은 본 발명의 실시예에 따른 서열번호 3의 단일 DNA 가닥에 대한 검출 한계 실험 결과, 도 11은 본 발명의 실시예에 따른 서열번호 4의 단일 DNA 가닥에 대한 검출 한계 실험 결과, 도 12는 본 발명의 실시예에 따른 서열번호 5의 단일 DNA 가닥에 대한 검출 한계 실험 결과 및 도 13은 본 발명의 실시예에 따른 서열번호 1 내지 서열번호 5의 검출 한계 실험 결과를 요약표로 나타낸 도이다. 이때, 검출 한계는 일반적으로 LOD(Limit of Detection)으로 불리우며, 표준편차를 이용하는 하기 수학식을 통해 계산될 수 있다.On the other hand, Figure 8 is a detection limit test results for a single DNA strand of SEQ ID NO: 1 according to an embodiment of the present invention, Figure 9 is a detection limit test results for a single DNA strand of SEQ ID NO: 2, according to an embodiment of the present invention, 10 is a detection limit test result for a single DNA strand of SEQ ID NO: 3 according to an embodiment of the present invention, Figure 11 is a detection limit test result for a single DNA strand of SEQ ID NO: 4 according to an embodiment of the present invention, Figure 12 Is a limit detection result of a single DNA strand of SEQ ID NO: 5 according to an embodiment of the present invention and Figure 13 is a view showing a summary of the detection limit experiment results of SEQ ID NO: 1 to SEQ ID NO: 5 according to an embodiment of the present invention. . In this case, the detection limit is generally called a limit of detection (LOD), and may be calculated through the following equation using a standard deviation.
수학식 1
여기서, LOD는 검출 한계이며, SD는 제 1 농도에서의 출력의 표준편차이고, ΔP는 제 1 농도의 출력값이며, ΔC는 제 1 농도와 제 2 농도의 농도 차일 수 있다.Where LOD is the detection limit, SD is the standard deviation of the output at the first concentration, ΔP is the output value of the first concentration, and ΔC is the concentration difference between the first and second concentrations.
도 8에는 서열번호 1의 단일 DNA 가닥을 이용한 검출 한계 실험 결과가 나타나고 있다. 도 8의 출력-수은 이온 농도 그래프는 수은 이온 농도 변화에 따른 측정 출력값을 나타낸 그래프이며, 오른쪽 표로 그 값을 정리하였다.8 shows the results of detection limit experiments using a single DNA strand of SEQ ID NO: 1. The output-mercury ion concentration graph of FIG. 8 is a graph showing the measured output value according to the mercury ion concentration change, and the values are summarized in the table to the right.
이때, 서열번호 1의 단일 DNA 가닥의 검출 한계는 하기 수학식 2로 계산될 수 있다.At this time, the detection limit of the single DNA strand of SEQ ID NO: 1 can be calculated by the following formula (2).
수학식 2
즉, 계산 결과, 서열번호 1의 단일 DNA는 약 
다음으로 도 9에는 서열번호 2의 단일 DNA 가닥을 이용한 검출 한계 실험 결과가 나타나고 있다. 도 9의 출력-수은 이온 농도 그래프는 수은 이온 농도 변화에 따른 측정 출력값을 나타낸 그래프이며, 오른쪽 표로 그 값을 정리하였다.Next, Fig. 9 shows the results of detection limit experiments using a single DNA strand of SEQ ID NO. The output-mercury ion concentration graph of FIG. 9 is a graph showing the measured output value according to the mercury ion concentration change, and the values are summarized in the table to the right.
이때, 서열번호 2의 단일 DNA 가닥의 검출 한계는 하기 수학식 3으로 계산될 수 있다.At this time, the detection limit of the single DNA strand of SEQ ID NO: 2 can be calculated by the following equation (3).
수학식 3
즉, 계산 결과, 서열번호 2의 단일 DNA는 약 
다음으로 도 10에는 서열번호 3의 단일 DNA 가닥을 이용한 검출 한계 실험 결과가 나타나고 있다. 도 10의 출력-수은 이온 농도 그래프는 수은 이온 농도 변화에 따른 측정 출력값을 나타낸 그래프이며, 오른쪽 표로 그 값을 정리하였다.Next, Fig. 10 shows the results of the detection limit experiment using a single DNA strand of SEQ ID NO. The output-mercury ion concentration graph of FIG. 10 is a graph showing the measured output value according to the mercury ion concentration change, and the values are summarized in the table to the right.
이때, 서열번호 3의 단일 DNA 가닥의 검출 한계는 하기 수학식 4로 계산될 수 있다.At this time, the detection limit of the single DNA strand of SEQ ID NO: 3 can be calculated by the following equation (4).
수학식 4
즉, 계산 결과, 서열번호 3의 단일 DNA는 약 
다음으로 도 11에는 서열번호 4의 단일 DNA 가닥을 이용한 검출 한계 실험 결과가 나타나고 있다. 도 11의 출력-수은 이온 농도 그래프는 수은 이온 농도 변화에 따른 측정 출력값을 나타낸 그래프이며, 오른쪽 표로 그 값을 정리하였다.Next, Fig. 11 shows the results of detection limits using a single DNA strand of SEQ ID NO. The output-mercury ion concentration graph of FIG. 11 is a graph showing the measured output value according to the mercury ion concentration change, and the values are summarized in the table to the right.
이때, 서열번호 4의 단일 DNA 가닥의 검출 한계는 하기 수학식 5로 계산될 수 있다.At this time, the detection limit of the single DNA strand of SEQ ID NO: 4 can be calculated by the following equation (5).
수학식 5
즉, 계산 결과, 서열번호 4의 단일 DNA는 약 
마지막으로 도 12에는 서열번호 5의 단일 DNA 가닥을 이용한 검출 한계 실험 결과가 나타나고 있다. 도 12의 출력-수은 이온 농도 그래프는 수은 이온 농도 변화에 따른 측정 출력값을 나타낸 그래프이며, 오른쪽 표로 그 값을 정리하였다.Finally, Fig. 12 shows the results of detection limits using a single DNA strand of SEQ ID NO. The output-mercury ion concentration graph of FIG. 12 is a graph showing the measured output value according to the mercury ion concentration change, and the values are summarized in the table to the right.
이때, 서열번호 5의 단일 DNA 가닥의 검출 한계는 하기 수학식 6으로 계산될 수 있다.At this time, the detection limit of the single DNA strand of SEQ ID NO: 5 can be calculated by the following equation (6).
수학식 6
즉, 계산 결과, 서열번호 5의 단일 DNA는 약 
한편, 상술한 도 8 내지 도 12의 결과가 도 13에 표로 정리되어 있다. 이때, 서열번호 1과 서열번호 2를 비교하면, 동일한 개수의 티민-티민 결합을 가지고 있지만, 구아닌-사이토신 결합이 서열번호 2에 존재하지 않음으로써, 서열번호 2의 단일 DNA 구조는 수은 이온 검출 능력이 서열번호 1의 단일 DNA 구조보다 떨어지는 것을 확인할 수 있었다.In addition, the result of FIGS. 8-12 mentioned above is put together in the table | surface in FIG. In this case, when comparing SEQ ID NO: 1 and SEQ ID NO: 2, the same number of thymine-thymine bonds, but since guanine-cytosine bond is not present in SEQ ID NO: 2, the single DNA structure of SEQ ID NO: 2 detects mercury ions The ability was found to be lower than the single DNA structure of SEQ ID NO: 1.
또, 서열번호 1과 서열번호 3을 비교하면, 두 단일 DNA는 동일한 개수의 구아닌-사이토신 결합을 가지고 있지만, 서열번호 3이 서열번호 1보다 티민-티민 결합이 3개 적게 형성되며, 따라서 수은 이온 검출 능력이 서열번호 1의 단일 DNA 구조보다 떨어지는 것을 확인할 수 있었다. 나아가, 서열번호 2와의 검출 한계값의 비교를 통해, 티민-티민 결합 개수가 검출 한계에 더욱 직접적인 영향을 미치는 것으로 확인할 수 있었다.In addition, when comparing SEQ ID NO: 1 and SEQ ID NO: 3, two single DNAs have the same number of guanine-cytosine bonds, but SEQ ID NO: 3 forms three fewer thymine-thymine bonds than SEQ ID NO: 1, thus mercury It was confirmed that the ion detection ability is inferior to the single DNA structure of SEQ ID NO: 1. Furthermore, it was confirmed that the number of thymine-thymine bonds had a more direct effect on the detection limit through a comparison of the detection limit with SEQ ID NO.
또한, 서열번호 4와 서열번호 5를 비교하면, 도 6 및 도 7에서 확인한 바와 같이 서열번호 4는 꼬리 쪽에 티민-티민 결합이 형성되며, 서열번호 5는 헤어핀 측에 티민-티민 결합이 형성되는데, 결과적으로 서열번호 4가 서열번호 5보다 민감하게 수은 이온을 검출할 수 있는 것으로 확인되었다.In addition, when comparing SEQ ID NO: 4 and SEQ ID NO: 5, as shown in Figures 6 and 7, SEQ ID NO: 4 is the thymine-thymine bond is formed on the tail side, SEQ ID NO: 5 is the thymine-thymine bond is formed on the hairpin side As a result, it was confirmed that the mercury ion could be detected more sensitively than SEQ ID NO: 4.
즉 도 8 내지 도 12의 모의실험을 정리하면, 본 발명의 광 도파로 센서(100)는 측정부(120)에 결합하는 단일 DNA 구조가 티민-티민 결합이 많을수록, 구아닌-사이토신 결합이 많을수록 더욱 민감하게 수은 이온을 검출할 수 있으며, 동일한 개수의 결합 수를 가지는 경우, 티민-티민 결합이 꼬리 쪽에 존재하는 단일 DNA 구조가 수은 이온을 민감하게 검출할 수 있는 것으로 확인되었다.That is, the summary of the simulation of Figures 8 to 12, the
한편, 도 14에는 본 발명의 실시예에 따른 광 도파로 센서를 이용한 측정 물질 검출 시스템이 도시되고 있다.On the other hand, Figure 14 shows a measurement material detection system using an optical waveguide sensor according to an embodiment of the present invention.
도 14를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 광 도파로 센서를 이용한 측정 물질 검출 시스템(1400)은, 광원(1410), 광 변환부(1420), 광 도파로 센서(100) 및 광 측정부(1430)를 포함한다.Referring to FIG. 14, a measurement
광원(1410)은, 내부에서 제 1광을 생성하여 광 변환부(1420)로 전달한다. 이때, 광원(210)에서 생성되는 제 1광의 출력은 사용자의 설정에 따라 조절 가능하며, 가시광선인 것인 것이 바람직하다. 이는, 가시광선 영역의 빛은 수용액에 의해 흡수되는 양이 거의 존재하지 않기 때문이다. 따라서 광원(210)은 레이저 다이오드, LED 등 가시광선을 생성하여 방출하는 장치일 수 있으며, 본 발명의 일 실시예 중 어느 하나에서는 헬륨-네온 레이저(He-Ne laser) 또는 텅스텐-할로겐 램프일 수 있다. The
다음으로 광 변환부(1420)는 제 1광을 전달 받아 광 도파로 센서(100)에 평행광을 전달하기 위한 광 변환을 수행한다. 이때, 광 변환부(1420)는 일 예로 다양한 곡률을 가지는 렌즈를 이용하여 평행광을 제공할 수도 있고, 거울과 1/4 파장판, 그리고 광 분리기 등을 이용하여 평행광을 광 도파로 센서(100)에 전달할 수 있다. 나아가, 본 발명은 이에 제한되지 않으며 사용자의 설정에 따라 충분히 생략될 수도 있다.Next, the
광 도파로 센서(100)는 광 변환부(1420)로부터 제 1광을 전달 받아 제 2광을 방출하며, 광 측정부(1430)는 제 2광을 전달 받아 제 2광의 출력과 제 1광의 출력을 비교하여 수은 이온이 시료에 포함되었는지 확인한다. 이때, 제 1광의 출력과 비교하여 제 2광의 출력이 감소한 경우, 광 측정부(1430)는 시료에 수은 이온이 포함된 것으로 판단할 수 있다.The
이상에서 본 발명의 일 실시예에 대하여 설명하였으나, 본 발명의 사상은 본 명세서에 제시되는 실시 예에 제한되지 아니하며, 본 발명의 사상을 이해하는 당업자는 동일한 사상의 범위 내에서, 구성요소의 부가, 변경, 삭제, 추가 등에 의해서 다른 실시 예를 용이하게 제안할 수 있을 것이나, 이 또한 본 발명의 사상범위 내에 든다고 할 것이다.Although one embodiment of the present invention has been described above, the spirit of the present invention is not limited to the embodiments set forth herein, and those skilled in the art who understand the spirit of the present invention, within the scope of the same idea, the addition of components Other embodiments may be easily proposed by changing, deleting, adding, and the like, but this will also fall within the spirit of the present invention.
100 : 광 도파로 센서
110 : 광 도파로
120 : 측정부
121 : 제 1 금속층
123 : 제 2 금속층
130 : 외피
210 : 단일 DNA 가닥
230 : 시료
1400 : 광 도파로 센서를 이용한 측정 물질 검출 시스템
1410 : 광원
1420 : 광 변환부
1430 : 광 측정부100: optical waveguide sensor 110: optical waveguide
120: measuring unit 121: first metal layer
123: second metal layer 130: shell
210: single DNA strand 230: sample
1400: measuring material detection system using optical waveguide sensor
1410: light source 1420: light conversion unit
1430: light measuring unit
<110> Gachon University of Industry-Academic cooperation Foundation <120> Optical waveguide sensor and measuring compound detecting system with in <130> 180604-0001 <160> 5 <170> KoPatentIn 3.0 <210> 1 <211> 24 <212> DNA <213> Artificial Sequence <220> <223> Thiol-modified ssDNA <400> 1 ttctttcttc cccccttctt tctt 24 <210> 2 <211> 24 <212> DNA <213> Artificial Sequence <220> <223> Thiol-modified ssDNA <400> 2 ttctttcttc cccccttctt tctt 24 <210> 3 <211> 24 <212> DNA <213> Artificial Sequence <220> <223> Thiol-modified ssDNA <400> 3 tcgttcgtcg cccccctcct tcct 24 <210> 4 <211> 24 <212> DNA <213> Artificial Sequence <220> <223> Thiol-modified ssDNA <400> 4 ttgtccgccg cccccccccc tctt 24 <210> 5 <211> 24 <212> DNA <213> Artificial Sequence <220> <223> Thiol-modified ssDNA <400> 5 ccgcctgttg cccccttctc cccc 24 <110> Gachon University of Industry-Academic Cooperation Foundation <120> Optical waveguide sensor and measuring compound detecting system with in <130> 180604-0001 <160> 5 <170> KoPatentIn 3.0 <210> 1 <211> 24 <212> DNA <213> Artificial Sequence <220> <223> Thiol-modified ssDNA <400> 1 ttctttcttc cccccttctt tctt 24 <210> 2 <211> 24 <212> DNA <213> Artificial Sequence <220> <223> Thiol-modified ssDNA <400> 2 ttctttcttc cccccttctt tctt 24 <210> 3 <211> 24 <212> DNA <213> Artificial Sequence <220> <223> Thiol-modified ssDNA <400> 3 tcgttcgtcg cccccctcct tcct 24 <210> 4 <211> 24 <212> DNA <213> Artificial Sequence <220> <223> Thiol-modified ssDNA <400> 4 ttgtccgccg cccccccccc tctt 24 <210> 5 <211> 24 <212> DNA <213> Artificial Sequence <220> <223> Thiol-modified ssDNA <400> 5 ccgcctgttg cccccttctc cccc 24
Claims (18)
상기 광 도파로의 외부에 형성되는 내피; 및
상기 광 도파로의 일부가 외부에 노출되도록 상기 내피의 일부가 제거되어 형성되는 측정부;를 포함하며,
상기 측정부는, 단일 DNA 가닥을 이용하여 농도를 측정하고자 하는 측정 물질과 접촉하는 광 도파로 센서.An optical waveguide for obtaining a first light from one side connected to the light source and transferring a second light to the other side;
An endothelial formed on the outside of the optical waveguide; And
And a measuring unit formed by removing a portion of the endothelium so that a portion of the optical waveguide is exposed to the outside.
The measuring unit, the optical waveguide sensor in contact with the measurement material to measure the concentration using a single DNA strand.
상기 측정부는, 적어도 하나의 상기 단일 DNA 가닥과 결합하기 위해 상기 외부에 노출된 상기 광 도파로의 표면에 형성되는 도금층;을 더 포함하는 광 도파로 센서.The method of claim 1,
The measuring unit further comprises: a plating layer formed on a surface of the optical waveguide exposed to the outside to bond with at least one single DNA strand.
상기 도금층은, 상기 광 도파로의 표면에 형성되는 제 1층인 크롬 도금층; 및
상기 크롬 도금의 표면에 형성되는 제 2층인 금 도금층;으로 형성되는 광 도파로 센서.The method of claim 2,
The plating layer is a chromium plating layer which is a first layer formed on the surface of the optical waveguide; And
And a gold plating layer, which is a second layer formed on the surface of the chromium plating.
상기 단일 DNA 가닥은 서열번호 1 내지 5 중 어느 하나로 이루어지는 광 도파로 센서.The method of claim 3, wherein
The single DNA strand is an optical waveguide sensor consisting of any one of SEQ ID NOs: 1 to 5.
상기 광 도파로는, 타 측이 상기 제 2광의 출력을 측정하는 광 출력 측정기와 연결되도록 구비되는 광 도파로 센서.The method of claim 4, wherein
The optical waveguide, the optical waveguide sensor is provided so that the other side is connected to the optical output meter for measuring the output of the second light.
상기 광원은 헬륨-네온 레이저 또는 텅스텐-할로겐 램프인 광 도파로 센서.The method of claim 5,
And the light source is a helium-neon laser or a tungsten-halogen lamp.
상기 측정 물질은 중금속이며, 상기 측정부의 검출 한계가 하기 수학식으로 표현되는 광 도파로 센서.
(여기서, LOD는 검출 한계, SD = 제 1 농도에서의 출력 표준 편차, ΔP = 제 1 농도의 출력, ΔC = 제 1 농도와 제 2 농도의 농도 차)The method of claim 6,
The measurement material is a heavy metal, optical waveguide sensor in which the detection limit of the measurement unit is expressed by the following equation.
Where LOD is the limit of detection, SD = standard deviation of output at the first concentration, ΔP = output of the first concentration, ΔC = concentration difference between the first and second concentrations)
상기 측정 물질은 수은인 광 도파로 센서.The method of claim 7, wherein
The measuring material is mercury optical waveguide sensor.
상기 광원으로부터 상기 제 1광을 전달 받고, 측정 물질을 이용하여 상기 제 1광을 제 2광으로 변환시키는 광 도파로 센서; 및
상기 광 도파로 센서로부터 상기 제 2광을 전달받아 상기 측정 물질에 측정하고자 하는 중금속이 포함되었는지 단일 DNA 가닥을 이용하여 검출하는 검출 장치;를 포함하는 광 도파로 센서를 이용한 측정 물질 검출 시스템.A light source generating a first light of a constant intensity;
An optical waveguide sensor receiving the first light from the light source and converting the first light into a second light by using a measurement material; And
And a detection device that receives the second light from the optical waveguide sensor and detects whether the heavy metal to be measured is contained in the measurement material by using a single DNA strand.
상기 광원은, 헬륨-네온 레이저 또는 텅스텐-할로겐 램프인 광 도파로 센서를 이용한 측정 물질 검출 시스템.The method of claim 9,
The light source is a measurement material detection system using an optical waveguide sensor that is a helium-neon laser or a tungsten-halogen lamp.
상기 광원과 연결된 일 측으로부터 상기 제 1광을 획득하여 타 측으로 상기 제 2광을 전달하는 광 도파로;
상기 광 도파로의 외부에 형성되는 내피; 및
상기 광 도파로의 일부가 외부에 노출되도록 상기 내피의 일부가 제거되어 형성되는 측정부;를 포함하며,
상기 측정부는, 상기 단일 DNA 가닥을 이용하여 농도를 측정하고자 하는 측정 물질과 접촉하는 광 도파로 센서를 이용한 측정 물질 검출 시스템.The method of claim 10,
An optical waveguide for obtaining the first light from one side connected to the light source and transferring the second light to the other side;
An endothelial formed on the outside of the optical waveguide; And
And a measuring unit formed by removing a portion of the endothelium so that a portion of the optical waveguide is exposed to the outside.
The measuring unit, measuring material detection system using an optical waveguide sensor in contact with the measuring material to measure the concentration using the single DNA strand.
상기 측정부는, 적어도 하나의 상기 단일 DNA 가닥과 결합하기 위해 상기 외부에 노출된 상기 광 도파로의 표면에 형성되는 도금층;을 더 포함하는 광 도파로 센서를 이용한 측정 물질 검출 시스템.The method of claim 11,
The measurement unit, measuring material detection system using an optical waveguide sensor further comprises; a plating layer formed on the surface of the optical waveguide exposed to the outside in order to combine with at least one single DNA strand.
상기 도금층은, 상기 광 도파로의 표면에 형성되는 제 1층인 크롬 도금층; 및 상기 크롬 도금의 표면에 형성되는 제 2층인 금 도금층;으로 형성되는 광 도파로 센서를 이용한 측정 물질 검출 시스템.The method of claim 12,
The plating layer is a chromium plating layer which is a first layer formed on the surface of the optical waveguide; And a gold plating layer, which is a second layer formed on the surface of the chromium plating.
상기 단일 DNA 가닥은 서열번호 1 내지 5 중 어느 하나로 이루어지는 광 도파로 센서를 이용한 측정 물질 검출 시스템.The method of claim 13,
The single DNA strand is a measurement material detection system using an optical waveguide sensor consisting of any one of SEQ ID NOs: 1 to 5.
상기 광 도파로는, 타 측이 상기 제 2광의 출력을 측정하는 광 출력 측정기와 연결되도록 구비되는 광 도파로 센서를 이용한 측정 물질 검출 시스템.The method of claim 14,
The optical waveguide, the measurement material detection system using the optical waveguide sensor is provided so that the other side is connected to the optical output meter for measuring the output of the second light.
상기 광원은 헬륨-네온 레이저 또는 텅스텐-할로겐 램프인 광 도파로 센서를 이용한 측정 물질 검출 시스템.The method of claim 15,
And the light source is a helium-neon laser or a tungsten-halogen lamp.
상기 측정 물질은 중금속이며, 상기 측정부의 검출 한계가 하기 수학식으로 표현되는 광 도파로 센서를 이용한 측정 물질 검출 시스템.
(여기서, LOD는 검출 한계, SD = 제 1 농도에서의 출력 표준 편차, ΔP = 제 1 농도의 출력, ΔC = 제 1 농도와 제 2 농도의 농도 차)The method of claim 16,
The measurement material is a heavy metal, the measurement material detection system using an optical waveguide sensor in which the detection limit of the measurement unit is expressed by the following equation.
Where LOD is the limit of detection, SD = standard deviation of output at the first concentration, ΔP = output of the first concentration, ΔC = concentration difference between the first and second concentrations)
상기 측정 물질은 수은인 광 도파로 센서를 이용한 측정 물질 검출 시스템.The method of claim 17,
And a measuring material detection system using an optical waveguide sensor.
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| KR1020180067848A KR102097421B1 (en) | 2018-06-14 | 2018-06-14 | An optical waveguide based sensor and an analyte detection system using it as a key constituent |
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- 2018-06-14 KR KR1020180067848A patent/KR102097421B1/en active IP Right Grant
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