KR20190138470A - Electroluminescent Display Device - Google Patents

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KR20190138470A
KR20190138470A KR1020180064956A KR20180064956A KR20190138470A KR 20190138470 A KR20190138470 A KR 20190138470A KR 1020180064956 A KR1020180064956 A KR 1020180064956A KR 20180064956 A KR20180064956 A KR 20180064956A KR 20190138470 A KR20190138470 A KR 20190138470A
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송은지
김범식
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Abstract

The present invention relates to an electroluminescent display device including a pixel structure capable of reducing the unit cost of production. The electroluminescent display device comprises: a light emitting element receiving a drive current and emitting light; a drive transistor adjusting the drive current according to a voltage difference between a gate and a source; a first switching means charging a reference voltage to one end of a capacitor connected to the gate of the drive transistor according to a scan signal; a second switching means charging a data voltage to the other end of the capacitor according to the scan signal; and a third switching means connecting the other end of the capacitor and the source of the drive transistor according to an emission signal.

Description

전계발광 표시장치{Electroluminescent Display Device}Electroluminescent Display Device

본 발명은 전계발광 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to an electroluminescent display.

전계발광 표시장치는 발광층의 재료에 따라 무기 발광 표시장치와 유기 발광 표시장치로 대별된다. 이 중에서, 액티브 매트릭스 타입(active matrix type)의 유기발광 표시장치는 스스로 발광하는 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode: 이하, "OLED"라 함)를 포함한다.Electroluminescent displays are roughly classified into inorganic light emitting displays and organic light emitting displays according to materials of the light emitting layer. Among these, the organic light emitting display of the active matrix type includes an organic light emitting diode (hereinafter, referred to as "OLED") that emits light by itself.

유기발광 표시장치는 OLED를 각각 포함한 화소들을 매트릭스 형태로 배열하고 영상 데이터의 계조에 따라 화소들의 휘도를 조절한다. 화소들 각각은 기본적으로 게이트-소스 간 전압에 따라 OLED에 흐르는 구동전류를 제어하는 구동 TFT(Thin Film Transistor)와, 구동 TFT의 게이트-소트 간 전압을 프로그래밍하기 위한 하나 이상의 스위치 TFT를 포함한다.The OLED display arranges pixels including OLEDs in a matrix form and adjusts luminance of the pixels according to the gray level of the image data. Each of the pixels basically includes a driving thin film transistor (TFT) for controlling a driving current flowing through the OLED according to the gate-source voltage, and one or more switch TFTs for programming the gate-sort voltage of the driving TFT.

유기발광 표시장치는 박형화에 유리하고 소비전력이 낮음은 물론, 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 크다는 장점이 있어 다양한 분야에 적용되고 있다. The organic light emitting display device is advantageous in thinning, low power consumption, fast response speed, high luminous efficiency, high luminance, and wide viewing angle.

이에, 유기발광 표시장치의 장점들을 유지하면서 박형화 설계가 가능하고 생산 단가도 감소시킬 수 있는 화소 구조에 대한 기술 개발이 요구되고 있다.Accordingly, there is a need for a technology development for a pixel structure that can reduce the cost and reduce the production cost while maintaining the advantages of the organic light emitting display device.

본 발명은 박형화 설계가 가능하고 생산 단가도 감소시킬 수 있는 화소 구조를 포함하는 전계발광 표시장치를 제공한다.The present invention provides an electroluminescent display device including a pixel structure that enables a thinner design and can reduce production costs.

본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치는 구동 전류를 공급받아 발광하는 발광 소자; 게이트와 소스 간 전압 차에 따라 상기 구동전류를 조절하는 구동 트랜지스터; 스캔신호에 따라 상기 구동 트랜지스터의 상기 게이트에 연결된 커패시터의 일단에 기준 전압을 충전하는 제1 스위칭수단; 상기 스캔신호에 따라 상기 커패시터의 타단에 데이터 전압을 충전하는 제2 스위칭수단; 및 에미션신호에 따라 상기 커패시터의 타단과 상기 구동 트랜지스터의 소스를 연결하는 제3스위칭수단을 포함한다.An electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention includes a light emitting device for emitting light by receiving a driving current; A driving transistor adjusting the driving current according to a voltage difference between a gate and a source; First switching means for charging a reference voltage to one end of a capacitor connected to the gate of the driving transistor according to a scan signal; Second switching means for charging a data voltage at the other end of the capacitor according to the scan signal; And third switching means for connecting the other end of the capacitor and the source of the driving transistor according to an emission signal.

본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치는, 데이터 전압이 공급되는 데이터 라인과 기준 전압이 공급되는 기준전원라인과 고전위 전원전압이 공급되는 고전위 전원전압 라인에 복수의 화소들이 연결된 표시패널을 구비하고, 상기 화소들 중에서 n(n은 자연수)번째 화소 행에 배치된 각 화소는, 고전위 전원전압이 입력되는 입력단에 접속된 발광 TFT; 저전위 구동전압의 입력단에 접속된 캐소드전극과 제3 노드에 접속된 애노드전극을 갖는 발광소자; 제1 노드에 접속된 게이트 전극, 상기 제3 노드에 접속된 소스 전극 및 상기 고전위 전원전압이 입력되는 드레인 전극을 포함하여 상기 발광소자에 인가되는 구동전류를 제어하는 구동 TFT; 상기 제1 노드와 상기 기준전원라인 사이에 접속된 제1TFT; 제2 노드와 상기 데이터 라인 사이에 접속된 제2 TFT; 상기 제1 노드에 일단이 연결되고 상기 제2 노드에 타단이 연결된 커패시터; 및 상기 제2 노드와 상기 제3 노드 사이에 접속된 제3 TFT를 포함한다.An electroluminescent display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes a display panel in which a plurality of pixels are connected to a data line supplied with a data voltage, a reference power line supplied with a reference voltage, and a high potential power voltage line supplied with a high potential power voltage. Each pixel arranged in an n (n is a natural number) pixel row among the pixels includes: a light emitting TFT connected to an input terminal to which a high potential power voltage is input; A light emitting element having a cathode electrode connected to an input terminal of a low potential driving voltage and an anode electrode connected to a third node; A driving TFT controlling a driving current applied to the light emitting device, including a gate electrode connected to a first node, a source electrode connected to the third node, and a drain electrode to which the high potential power voltage is input; A first TFT connected between the first node and the reference power line; A second TFT connected between a second node and the data line; A capacitor having one end connected to the first node and the other end connected to the second node; And a third TFT connected between the second node and the third node.

본 발명의 전계발광 표시장치는 화소 구동을 위한 데이터 전압을 인가하기 위한 스캔 라인과 기준 전압을 인가하기 위한 스캔 라인을 분리하지 않고 공통으로 사용하기 때문에, 베젤 영역을 늘릴 필요가 없고, 협 베젤(Narrow Bezel)을 구현하는 데 유리한 장점이 있다.Since the electroluminescent display of the present invention uses a scan line for applying a data voltage for driving a pixel and a scan line for applying a reference voltage in common, the electroluminescent display does not need to increase the bezel area, and the narrow bezel ( Narrow Bezel) has the advantage of implementing.

본 발명의 전계발광 표시장치는 각 화소의 OLED의 전류를 직접 감지할 수 있어 화질보장을 위한 보상의 정확도를 높일 수 있다.The electroluminescent display device of the present invention can directly sense the current of the OLED of each pixel, thereby improving the accuracy of compensation for image quality.

본 발명의 전계발광 표시장치는 화소 구동을 위해 포저티브 드라이브 IC를 적용하므로, 네거티브 드라이브 IC를 적용하는 것에 비해 생산 단가를 감소시키고 구동 안정성을 높일 수 있다. Since the electroluminescent display device of the present invention applies a positive drive IC to drive a pixel, the electroluminescent display device can reduce production cost and improve driving stability compared to applying a negative drive IC.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치를 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 전계발광 표시장치에 포함된 화소 행을 보여주는 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 화소의 구동 파형을 보여 주는 파형도이다.
도 4a는 도 3의 데이터 기입기간(t1)에 대응되는 화소의 등가 회로도이다.
도 4b는 도 3의 화소의 구동 파형에서 데이터 기입기간(t1)과 각 노드의 전압 상태를 표시한 구동 파형도이다.
도 5a는 도 3의 데이터 전달기간(t3)에 대응되는 화소의 등가 회로도이다.
도 5b는 도 3의 화소의 구동 파형에서 데이터 전달기간(t3)과 각 노드의 전압 상태를 표시한 구동 파형도이다.
도 6a는 도 3의 발광기간(t4)에 대응되는 화소의 등가 회로도이다.
도 6b는 도 3의 화소의 구동 파형에서 발광기간(t4)과 각 노드의 전압 상태를 표시한 구동 파형도이다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 시뮬레이션 결과를 보여 주는 도면들이다.
도 9는 본 발명의 제2 실시예에 전계발광 표시장치에 포함된 화소 행을 보여주는 도면이다.
도 10은 도 9에 도시된 픽셀의 구동 파형을 보여 주는 파형도이다.
1 is a diagram illustrating an electroluminescent display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
2 is a diagram illustrating a pixel row included in an electroluminescent display according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a waveform diagram illustrating driving waveforms of the pixel illustrated in FIG. 2.
FIG. 4A is an equivalent circuit diagram of a pixel corresponding to the data writing period t1 of FIG. 3.
4B is a drive waveform diagram showing the data writing period t1 and the voltage state of each node in the drive waveform of the pixel of FIG.
FIG. 5A is an equivalent circuit diagram of a pixel corresponding to the data transfer period t3 of FIG. 3.
FIG. 5B is a driving waveform diagram showing a data transfer period t3 and a voltage state of each node in the driving waveform of the pixel of FIG. 3.
FIG. 6A is an equivalent circuit diagram of a pixel corresponding to the light emission period t4 of FIG. 3.
FIG. 6B is a drive waveform diagram showing the light emission period t4 and the voltage state of each node in the drive waveform of the pixel of FIG.
7 and 8 are diagrams showing the simulation results of the present invention.
9 is a diagram illustrating a pixel row included in an electroluminescent display according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a waveform diagram illustrating driving waveforms of a pixel illustrated in FIG. 9.

본 명세서의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 명세서는 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 명세서의 개시가 완전하도록 하며, 본 명세서가 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 명세서는 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Advantages and features of the present specification, and a method of accomplishing the same will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present disclosure is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various forms, and the present embodiments are merely provided to make the disclosure of the present disclosure complete, and those of ordinary skill in the art to which the present disclosure belongs. It is provided to fully inform the person having the scope of the invention, which is defined only by the scope of the claims.

본 명세서의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 명세서가 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 ' ~ 만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다. Shapes, sizes, ratios, angles, numbers, and the like disclosed in the drawings for describing the embodiments of the present specification are exemplary, and thus, the present specification is not limited thereto. Like reference numerals refer to like elements throughout. When 'comprises', 'haves', 'consists of' and the like mentioned in the present specification are used, other parts may be added unless 'only' is used. In the case where the component is expressed in the singular, the plural includes the plural unless specifically stated otherwise.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting a component, it is interpreted to include an error range even if there is no separate description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, ' ~ 상에', ' ~ 상부에', ' ~ 하부에', ' ~ 옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다. In the case of the description of the positional relationship, for example, if the positional relationship of two parts is described as 'on top', 'on top', 'on bottom', 'next to', etc. Alternatively, one or more other parts may be located between the two parts unless 'direct' is used.

제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용될 수 있으나, 이 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 명세서의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.The first, second, etc. may be used to describe various components, but these components are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another. Therefore, the first component referred to below may be a second component within the spirit of the present specification.

명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 실질적으로 동일 구성 요소를 지칭한다.Like reference numerals refer to like elements throughout.

본 명세서에서 표시패널의 기판 상에 형성되는 픽셀 회로와 게이트 드라이버는 n 타입 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 구조의 TFT로 구현될 수 있으나 이에 한정되지 않고 p 타입 MOSFET 구조의 TFT로 구현될 수도 있다. TFT는 게이트(gate), 소스(source) 및 드레인(drain)을 포함한 3 전극 소자이다. 소스는 캐리어(carrier)를 트랜지스터에 공급하는 전극이다. TFT 내에서 캐리어는 소스로부터 흐르기 시작한다. 드레인은 TFT에서 캐리어가 외부로 나가는 전극이다. 즉, MOSFET에서의 캐리어의 흐름은 소스로부터 드레인으로 흐른다. n 타입 TFT (NMOS)의 경우, 캐리어가 전자(electron)이기 때문에 소스에서 드레인으로 전자가 흐를 수 있도록 소스 전압이 드레인 전압보다 낮은 전압을 가진다. n 타입 TFT에서 전자가 소스로부터 드레인 쪽으로 흐르기 때문에 전류의 방향은 드레인으로부터 소스 쪽으로 흐른다. 이에 반해, p 타입 TFT(PMOS)의 경우, 캐리어가 정공(hole)이기 때문에 소스로부터 드레인으로 정공이 흐를 수 있도록 소스 전압이 드레인 전압보다 높다. p 타입 TFT에서 정공이 소스로부터 드레인 쪽으로 흐르기 때문에 전류가 소스로부터 드레인 쪽으로 흐른다. MOSFET의 소스와 드레인은 고정된 것이 아니라는 것에 주의하여야 한다. 예컨대, MOSFET의 소스와 드레인은 인가 전압에 따라 변경될 수 있다. 따라서, 본 명세서의 실시예에 대한 설명에서는 소스와 드레인 중 어느 하나를 제1 전극, 소스와 드레인 중 나머지 하나를 제2 전극으로 기술한다. In the present specification, the pixel circuit and the gate driver formed on the substrate of the display panel may be implemented as TFTs having an n-type MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) structure, but are not limited thereto and may be implemented with TFTs having a p-type MOSFET structure. have. The TFT is a three-electrode element that includes a gate, a source, and a drain. The source is an electrode that supplies a carrier to the transistor. In the TFT, carriers start to flow from the source. The drain is an electrode from which the carrier goes out of the TFT. That is, the carrier flow in the MOSFET flows from the source to the drain. In the case of an n-type TFT (NMOS), since the carrier is an electron, the source voltage has a voltage lower than the drain voltage so that electrons can flow from the source to the drain. Since electrons flow from the source to the drain in the n-type TFT, the direction of the current flows from the drain to the source. In contrast, in the case of the p-type TFT (PMOS), since the carrier is a hole, the source voltage is higher than the drain voltage so that holes can flow from the source to the drain. In the p-type TFT, current flows from the source to the drain because holes flow from the source to the drain. Note that the source and drain of the MOSFET are not fixed. For example, the source and drain of the MOSFET can be changed according to the applied voltage. Therefore, in the description of the embodiments of the present specification, one of the source and the drain is described as the first electrode, and the other of the source and the drain as the second electrode.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서의 실시예를 상세히 설명한다. 이하의 실시예에서, 표시장치는 유기발광 물질을 포함한 유기발광 표시장치를 중심으로 설명한다. 하지만, 본 명세서의 기술적 사상은 유기발광 표시장치에 국한되지 않고, 무기발광 물질을 포함한 무기발광 표시장치에 적용될 수 있음에 주의하여야 한다.Hereinafter, embodiments of the present disclosure will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following embodiments, the display device will be described based on an organic light emitting display device including an organic light emitting material. However, it should be noted that the technical spirit of the present disclosure is not limited to an organic light emitting display device, but may be applied to an inorganic light emitting display device including an inorganic light emitting material.

이하의 설명에서, 본 명세서와 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 명세서의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다. In the following description, when it is determined that a detailed description of known functions or configurations related to the present disclosure may unnecessarily obscure the subject matter of the present disclosure, the detailed description thereof will be omitted.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치를 보여주는 도면이다.1 is a diagram illustrating an electroluminescent display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광 표시장치는 화소들(PXL)이 형성된 표시패널(10)과, 데이터 라인들(14)을 구동시키기 위한 데이터 구동회로(12)와, 게이트 라인들(15)을 구동시키기 위한 게이트 구동회로(13)와, 데이터 구동회로(12) 및 게이트 구동회로(13)의 구동 타이밍을 제어하기 위한 타이밍 콘트롤러(11)를 구비한다.Referring to FIG. 1, an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes a display panel 10 in which pixels PXL are formed, a data driving circuit 12 for driving data lines 14, A gate driving circuit 13 for driving the gate lines 15 and a timing controller 11 for controlling the driving timing of the data driving circuit 12 and the gate driving circuit 13 are provided.

표시패널(10)에는 다수의 데이터 라인들(14)과 다수의 게이트 라인들(15)이 교차되고, 이 교차영역마다 화소(PXL)들이 매트릭스 형태로 배치된다. 동일 수평라인 상에 배치된 화소(PXL)들은 하나의 화소 행을 이룬다. 일 화소 행에 배치된 화소(PXL)들은 일 게이트 라인(15)에 접속되며, 일 게이트 라인(15)은 적어도 하나 이상의 스캔라인과 적어도 하나 이상의 에미션라인을 포함할 수 있다. 즉, 각 화소(PXL)는 1개의 데이터 라인(14)과, 적어도 하나 이상의 스캔라인 및 에미션라인에 접속될 수 있다. 화소(PXL)들은 고전위 및 저전위 구동전압(EVDD, EVSS)과 기준 전압(Vref)을 공통으로 공급받을 수 있다. In the display panel 10, a plurality of data lines 14 and a plurality of gate lines 15 intersect each other, and pixels PXL are arranged in a matrix form at each of the crossing regions. Pixels PXL arranged on the same horizontal line form one pixel row. Pixels PXL arranged in one pixel row may be connected to one gate line 15, and one gate line 15 may include at least one scan line and at least one emission line. That is, each pixel PXL may be connected to one data line 14 and at least one scan line and an emission line. The pixels PXL may be supplied with the high potential and low potential driving voltages EVDD and EVSS and the reference voltage Vref in common.

화소들(PXL)은 OLED를 포함할 수 있다. 자발광 소자인 OLED는 애노드전극 및 캐소드전극과, 이들 사이에 형성된 유기 화합물층을 포함한다. 유기 화합물층은 정공주입층(Hole Injection layer, HIL), 정공수송층(Hole Transport Layer, HTL), 발광층(Emission Layer, EML), 전자수송층(Electron Transport Layer, ETL) 및 전자주입층(Electron Injection Layer, EIL)으로 이루어진다. 애노드전극과 캐소드전극에 전원전압이 인가되면 정공수송층(HTL)을 통과한 정공과 전자수송층(ETL)을 통과한 전자가 발광층(EML)으로 이동되어 여기자를 형성하고, 그 결과 발광층(EML)이 가시광을 발생하게 된다.The pixels PXL may include an OLED. The OLED, which is a self-luminous element, includes an anode electrode and a cathode electrode, and an organic compound layer formed therebetween. The organic compound layer includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), an electron transport layer (ETL) and an electron injection layer (Electron Injection Layer, EIL). When a power supply voltage is applied to the anode electrode and the cathode electrode, holes passing through the hole transport layer (HTL) and electrons passing through the electron transport layer (ETL) are moved to the emission layer EML to form excitons, and as a result, the emission layer EML becomes Visible light is generated.

화소들(PXL) 각각은 적색 화소, 녹색 화소, 청색 화소, 및 백색 화소 중 어느 하나일 수 있다. 적색 화소, 녹색 화소, 청색 화소, 및 백색 화소는 컬러 구현을 위하여 하나의 단위 화소를 구성할 수 있다. 단위 화소에서 구현되는 컬러는 적색 화소, 녹색 화소, 청색 화소, 및 백색 화소의 발광 비율에 따라 결정될 수 있다. 한편, 단위 화소에서 백색 화소는 생략될 수 있다.Each of the pixels PXL may be one of a red pixel, a green pixel, a blue pixel, and a white pixel. The red pixel, the green pixel, the blue pixel, and the white pixel may constitute one unit pixel for color implementation. The color implemented in the unit pixel may be determined according to the emission ratio of the red pixel, the green pixel, the blue pixel, and the white pixel. Meanwhile, the white pixel may be omitted from the unit pixel.

타이밍 콘트롤러(11)는 외부로부터 입력되는 디지털 비디오 데이터(RGB)를 표시패널(10)의 해상도에 맞게 재정렬하여 데이터 구동회로(12)에 공급한다. 또한, 타이밍 콘트롤러(11)는 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 도트클럭신호(DCLK) 및 데이터 인에이블신호(DE) 등의 타이밍 신호들에 기초하여 데이터 구동회로(12)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 제어신호(DDC)와, 게이트 구동회로(13)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 제어신호(GDC)를 발생한다.The timing controller 11 rearranges the digital video data RGB input from the outside to the data driving circuit 12 in accordance with the resolution of the display panel 10. In addition, the timing controller 11 may use the data driving circuit 12 based on timing signals such as a vertical synchronization signal Vsync, a horizontal synchronization signal Hsync, a dot clock signal DCLK, and a data enable signal DE. A data control signal DDC for controlling the operation timing of the gate signal and a gate control signal GDC for controlling the operation timing of the gate driving circuit 13 are generated.

데이터 구동회로(12)는 데이터 제어신호(DDC)를 기반으로 타이밍 콘트롤러(11)로부터 입력되는 디지털 비디오 데이터(RGB)를 아날로그 데이터 전압(VD)으로 변환한다. The data driving circuit 12 converts the digital video data RGB input from the timing controller 11 into an analog data voltage VD based on the data control signal DDC.

데이터 구동회로(12)는 전원 생성부를 더 포함할 수 있다. 전원 생성부는 초기화 전압을 생성하여 데이터 라인(14)에 공급하고, 기준 전압(Vref)을 생성하여 기준 전원라인에 공급할 수 있다. 기준 전압(Vref)은 샘플링 기간 및 데이터 기입 기간 동안에 불필요한 OLED의 발광이 방지되도록 OLED의 동작점 전압보다 충분히 낮은 전압 범위로 설정될 수 있다.The data driving circuit 12 may further include a power generator. The power generator may generate an initialization voltage to supply the data line 14, and generate a reference voltage Vref to supply the reference voltage to the reference power line. The reference voltage Vref may be set to a voltage range sufficiently lower than the operating point voltage of the OLED so as to prevent unnecessary light emission of the OLED during the sampling period and the data writing period.

게이트 구동회로(13)는 게이트 제어신호(GDC)를 기반으로 스캔신호와 에미션신호를 생성할 수 있다. 게이트 구동회로(13)는 스캔신호를 생성하는 스캔 구동부와 에미션 신호를 생성하는 에미션 구동부를 포함할 수 있다. 스캔 구동부와 에미션 구동부는 화소 구조에 따라 다양한 변형이 가능하다. 스캔 구동부는 각 화소 행마다 연결된 적어도 하나 이상의 스캔라인을 구동하기 위해 행 순차 방식으로 스캔신호를 생성하여 스캔라인들에 공급할 수 있다. 에미션 구동부는 각 화소 행마다 연결된 적어도 하나 이상의 에미션라인을 구동하기 위해 행 순차 방식으로 에미션신호를 생성하여 에미션라인들에 공급할 수 있다. 이러한 게이트 구동회로(13)는 GIP(Gate-driver In Panel) 방식에 따라 표시패널(10)의 비 표시영역 상에 직접 형성될 수 있다. The gate driving circuit 13 may generate a scan signal and an emission signal based on the gate control signal GDC. The gate driving circuit 13 may include a scan driver generating a scan signal and an emission driver generating an emission signal. The scan driver and the emission driver may be modified in various ways according to the pixel structure. The scan driver generates scan signals in a row sequential manner and supplies the scan lines to the at least one scan line connected to each pixel row. The emission driver may generate an emission signal in a row sequential manner and supply the emission lines to drive at least one emission line connected to each pixel row. The gate driving circuit 13 may be directly formed on the non-display area of the display panel 10 according to a gate-driver in panel (GIP) method.

도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 전계발광 표시장치에 포함된 화소 행(Pixel array)을 보여주는 도면이다.FIG. 2 illustrates a pixel array included in an electroluminescent display according to a first embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 화소 행(Pixel array)에는 다수의 데이터 라인들(14)과 다수의 게이트 라인들(15)이 교차되고, 각 교차영역마다 화소(PXL)들이 매트릭스 형태로 배치된다. Referring to FIG. 2, a plurality of data lines 14 and a plurality of gate lines 15 intersect each other in a pixel array, and pixels PXL are arranged in a matrix form at each intersection area.

게이트 라인(15)은 스캔신호(SCAN)가 입력되는 스캔라인과 적어도 하나 이상의 에미션 신호(EM)이 입력되는 에미션 라인을 포함할 수 있다. 데이터 라인(14)은 데이터 구동회로(12)에서 출력된 데이터 전압(VDR, VDG, VDB)이 입력되는 데이터 라인을 포함할 수 있다. 또한, 화소(PXL)들은 도시하지 않은 전원발생부로부터 고전위 및 저전위 구동전압(EVDD, EVSS)과 기준 전압(VREF)을 공통으로 공급받을 수 있다.The gate line 15 may include a scan line to which the scan signal SCAN is input and an emission line to which at least one emission signal EM is input. The data line 14 may include a data line to which data voltages VD R , VD G , and VD B output from the data driving circuit 12 are input. In addition, the pixels PXL may be commonly supplied with the high potential and low potential driving voltages EVDD and EVSS and the reference voltage V REF from a power generator not shown.

i 번째 화소 행에 배치된 화소(PXL)는 게이트 라인(15)을 통해 제i 스캔신호(SCAN[i]), 제i 에미션신호(EM[i]) 및 i 번째의 바로 이전 단의 에미션신호인 제i-1 에미션신호(EM[i-1])을 입력받을 수 있다. 데이터 라인(14)을 통해서는 데이터 전압(VD)을 입력받을 수 있다. R, G, B, 데이터 전압(VDR, VDG, VDB)이 입력되는 경우 해당 색상으로 발광하는 화소에 해당되는 데이터 전압(VDR, VDG, VDB)이 입력될 수 있다. The pixel PXL disposed in the i-th pixel row is connected to the i-th scan signal SCAN [i], the i-th emission signal EM [i], and the emi of the immediately preceding stage through the gate line 15. An i-1 emission signal EM [i-1] that is a selection signal may be input. The data voltage VD may be input through the data line 14. R, G, B, has a data voltage corresponding to the pixel which emits light of a corresponding color (VD R, VD G, VD B) it can be input when the data voltage (VD R, VD G, VD B) are inputted.

각각의 화소들은 구동 전류를 공급받아 발광하는 발광 소자(OLED), 게이트와 소스 간 전압 차에 따라 상기 구동전류를 조절하는 구동 트랜지스터(DR), 스캔신호(SCAN[i])에 따라 구동 트랜지스터(DR)의 게이트에 연결된 커패시터(Cst)의 일단에 기준 전압(VREF)을 충전하는 경로를 제공하는 제1 스위칭수단(SW1), 스캔신호(SCAN[i])에 따라 커패시터(Cst)의 타단에 데이터 전압(VD)을 충전하는 경로를 제공하는 제2 스위칭수단(SW2) 및 이전 단의 에미션신호(EM[i-1])에 따라 커패시터의(Cst)의 타단과 구동 트랜지스터(DR)의 소스를 연결하는 제3스위칭수단(SW3)을 포함할 수 있다. 또한, 제i 에미션신호(EM[i])에 따라 발광소자(OLED)를 턴온시키는 발광 트랜지스터(EM)를 포함할 수 있다. 여기서, 발광 트랜지스터(EM)는 각 화소별(PXL)로 구비될 수 있고, 하나의 화소를 R, G, B 단위화소들(PXLR, PXLG, PXLB)로 그룹핑하여 제어하는 경우 구성된 경우, 하나의 에미션신호(EM[i])로 R, G, B 단위화소들(PXLR, PXLG, PXLB)이 동시에 온/오프 되도록 구성할 수 있다.Each pixel receives a driving current and emits light, the driving transistor DR for adjusting the driving current according to a voltage difference between a gate and a source, and the driving transistor according to a scan signal SCAN [i]. The other end of the capacitor Cst according to the first switching means SW1 and the scan signal SCAN [i] which provide a path for charging the reference voltage V REF to one end of the capacitor Cst connected to the gate of the DR. The other end of the capacitor Cst and the driving transistor DR according to the second switching means SW2 and the previous stage emission signal EM [i-1] that provide a path for charging the data voltage VD. It may include a third switching means (SW3) for connecting the source of. The light emitting transistor EM may include a light emitting transistor EM that turns on the light emitting device OLED according to the i th emission signal EM [i]. In this case, the light emitting transistor EM may be provided for each pixel PXL and configured to control one pixel grouped into R, G, and B unit pixels PXL R , PXL G , and PXL B. In addition, one emission signal EM [i] may be configured such that R, G, and B unit pixels PXL R , PXL G , and PXL B are simultaneously turned on and off.

본 발명의 실시예에 따르면, i 번째 화소 행에 배치된 화소(PXL)는 제i 스캔신호(SCAN[i])와 제i 에미션신호(EM[i]) 및 제i-1 에미션신호(EM[i-1])을 입력받는다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the pixel PXL disposed in the i-th pixel row includes the i-th scan signal SCAN [i], the i-th emission signal EM [i], and the i-1th emission signal. Enter (EM [i-1]).

제i 스캔신호(SCAN[i])는 제1 스위칭수단(SW1) 및 제2 스위칭수단(SW2)에 공유되어 제1 스위칭수단(SW1) 및 제2 스위칭수단(SW2)은 동시에 턴온 및 턴오프 된다. 이와 같이 제1 스위칭수단(SW1) 및 제2 스위칭수단(SW2)이 스캔신호(SCAN)를 공유함으로써 스캔라인의 개수를 절반으로 감소시킬 수 있다.The i-th scan signal SCAN [i] is shared by the first switching means SW1 and the second switching means SW2 so that the first switching means SW1 and the second switching means SW2 are simultaneously turned on and off. do. As described above, the number of scan lines can be reduced by half by sharing the scan signal SCAN between the first switching means SW1 and the second switching means SW2.

제1 스위칭수단(SW1) 및 제2 스위칭수단(SW2)이 턴온 되면 커패시터의(Cst)의 일단은 기준전원라인에 연결되고 타단은 데이터 라인에 연결된다. 이에, 커패시터의(Cst)에는 데이터 전압(VDR)이 충전될 수 있다. When the first switching means SW1 and the second switching means SW2 are turned on, one end of the capacitor Cst is connected to the reference power line and the other end is connected to the data line. Accordingly, the data voltage VD R may be charged in the capacitor Cst.

제1 스위칭수단(SW1) 및 제2 스위칭수단(SW2)이 턴오프 되면 제3 스위칭수단(SW3)이 턴온된다. 이에, 커패시터의(Cst)의 일단은 구동 트랜지스터(DR)의 게이트에 연결되고 타단은 소스단에 연결된다. 이에, 커패시터의(Cst)에 충전된 데이터 전압(VDR)이 구동 트랜지스터(DR)의 게이트와 소스 간 전위에 반영될 수 있다. 이러한 원리로 구동 트랜지스터(DR)에 데이터 전압을 인가하므로 포저티브 드라이브 IC를 적용하여 데이터를 기입하는 것이 가능하다. 따라서, 네거티브 드라이브 IC를 적용하는 것에 비해 생산 단가를 감소시킬 수 있고 구동 안정성을 높일 수 있다. When the first switching means SW1 and the second switching means SW2 are turned off, the third switching means SW3 is turned on. Thus, one end of the capacitor Cst is connected to the gate of the driving transistor DR and the other end is connected to the source terminal. Accordingly, the data voltage VD R charged in the capacitor Cst may be reflected in the potential between the gate and the source of the driving transistor DR. In this principle, since a data voltage is applied to the driving transistor DR, data can be written by applying a positive drive IC. Therefore, the production cost can be reduced and the driving stability can be improved compared to the application of the negative drive IC.

도 3은 도 2에 도시된 화소의 구동 파형을 보여 주는 파형도이다.FIG. 3 is a waveform diagram illustrating driving waveforms of the pixel illustrated in FIG. 2.

도 3을 참조하면, i 번째 화소 행에 배치된 화소(PXL)를 구동하기 위한 1 프레임 기간은 커패시터의(Cst)에 데이터 전압(VDR)이 충전되는 데이터 기입기간(t1), 데이터 기입이 완료된 후 커패시터의(Cst)의 데이터 전압(VDR)이 유지되는 데이터 유지기간(t2), 커패시터의(Cst)에 충전된 데이터 전압(VDR)이 구동 트랜지스터(DR)의 게이트와 소스 간 전위에 반영되는 데이터 전달기간(t3) 및 발광 소자를 발광시키는 발광기간(t4)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3, one frame period for driving the pixels PXL arranged in the i-th pixel row includes a data writing period t1 in which a data voltage VD R is charged in a capacitor Cst, and a data writing period. After completion, the data holding period t2 during which the data voltage VD R of the capacitor Cst is maintained, and the potential between the gate and the source of the driving transistor DR are the data voltage VD R charged in the capacitor Cst. It may include a data transfer period (t3) and a light emitting period (t4) for emitting a light emitting element reflected in.

데이터 기입기간(t1)에서 제i-1 에미션신호(EM[i-1])와 제i 에미션신호(EM[i])는 하이 레벨로 인가된다. 에미션신호의 경우 로우 레벨은 온 레벨이고 하이 레벨은 오프 레벨이다. 따라서, 제3 스위칭수단(SW3)과 발광 트랜지스터(EM)는 오프된다. 제i 스캔신호(SCAN[i])는 하이 레벨로 인가된다. 스캔신호의 경우 하이 레벨이 온 레벨이고 로우 레벨이 오프 레벨이다. 따라서, 데이터 기입기간(t1)에서 제1 스위칭수단(SW1) 및 제2 스위칭수단(SW2)은 동시에 턴온된다.In the data writing period t1, the i-th emission signal EM [i-1] and the i-th emission signal EM [i] are applied at a high level. In the case of the emission signal, the low level is on level and the high level is off level. Therefore, the third switching means SW3 and the light emitting transistor EM are turned off. The i th scan signal SCAN [i] is applied at a high level. In the case of a scan signal, the high level is on level and the low level is off level. Therefore, in the data writing period t1, the first switching means SW1 and the second switching means SW2 are turned on at the same time.

데이터 유지기간(t2)에서 제i-1 에미션신호(EM[i-1])와 제i 에미션신호(EM[i])는 하이 레벨로 유지된다. 따라서, 제3 스위칭수단(SW3)과 발광 트랜지스터(EM)는 오프 상태로 유지된다. 제i 스캔신호(SCAN[i])는 로우 레벨로 인가된다. 스캔신호의 경우 하이 레벨이 온 레벨이고 로우 레벨이 오프 레벨이다. 따라서, 데이터 기입기간(t2)에서 제1 스위칭수단(SW1) 및 제2 스위칭수단(SW2)은 동시에 오프된다.In the data retention period t2, the i-th emission signal EM [i-1] and the i-th emission signal EM [i] are maintained at a high level. Therefore, the third switching means SW3 and the light emitting transistor EM are kept in the off state. The i th scan signal SCAN [i] is applied at a low level. In the case of a scan signal, the high level is on level and the low level is off level. Therefore, in the data writing period t2, the first switching means SW1 and the second switching means SW2 are turned off at the same time.

데이터 전달기간(t3)에서 제i-1 에미션신호(EM[i-1])는 로우 레벨로 전환되고 제i 에미션신호(EM[i])는 하이 레벨로 유지된다. 에미션신호의 경우 로우 레벨은 온 레벨이고 하이 레벨은 오프 레벨이다. 따라서, 제3 스위칭수단(SW3)은 턴온되고 발광 트랜지스터(EM)는 오프 상태로 유지된다. 제i 스캔신호(SCAN[i])는 로우 레벨로 유지된다. 따라서, 제1 스위칭수단(SW1) 및 제2 스위칭수단(SW2)은 오프 상태로 유지된다.In the data transfer period t3, the i-th emission signal EM [i-1] is switched to the low level and the i-th emission signal EM [i] is maintained at the high level. In the case of the emission signal, the low level is on level and the high level is off level. Accordingly, the third switching means SW3 is turned on and the light emitting transistor EM is kept in the off state. The i th scan signal SCAN [i] is maintained at a low level. Therefore, the first switching means SW1 and the second switching means SW2 are kept in the off state.

발광기간(t4)에서 제i-1 에미션신호(EM[i-1])는 로우 레벨로 유지되고 제i 에미션신호(EM[i])는 로우 레벨로 전환된다. 에미션신호의 경우 로우 레벨은 온 레벨이고 하이 레벨은 오프 레벨이다. 따라서, 제3 스위칭수단(SW3)과 발광 트랜지스터(EM)가 모두 턴온된다. 제i 스캔신호(SCAN[i])는 로우 레벨로 유지된다. 따라서, 제1 스위칭수단(SW1) 및 제2 스위칭수단(SW2)은 오프 상태로 유지된다.In the light emission period t4, the i-th emission signal EM [i-1] is kept at a low level and the i-th emission signal EM [i] is switched to a low level. In the case of the emission signal, the low level is on level and the high level is off level. Therefore, both the third switching means SW3 and the light emitting transistor EM are turned on. The i th scan signal SCAN [i] is maintained at a low level. Therefore, the first switching means SW1 and the second switching means SW2 are kept in the off state.

이상과 같이, 본 발명의 구동 파형의 실시예에 따르면, 제n 스캔신호는 데이터 기입기간 동안에만 제1 스위칭수단(SW1) 및 제2 스위칭수단(SW2)가 턴온되도록 입력되고, 제n 에미션신호는 상기 발광기간 동안에만 발광 트랜지스터(EM)가 턴온되도록 입력되며, 제n-1 에미션신호는 데이터 전달기간에만 제3 스위칭수단(SW3)가 턴온되도록 입력될 수 있다.As described above, according to the embodiment of the driving waveform of the present invention, the nth scan signal is input so that the first switching means SW1 and the second switching means SW2 are turned on only during the data writing period, and the nth emission The signal may be input so that the light emitting transistor EM is turned on only during the light emission period, and the n−1th emission signal may be input so that the third switching means SW3 is turned on only during the data transfer period.

도 4 내지 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 화소의 구동 방법을 설명하기 위한 도면이다.4 to 6 are diagrams for describing a method of driving a pixel according to an exemplary embodiment of the present invention.

본 발명의 실시예에 따른 화소에서 제1 내지 제3 스위칭 수단(SW1~SW3), 구동 트랜지스터(DR), 발광 트랜지스터(EM)들은 n 타입 MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor), p 타입 MOSFET, CMOS(complementary metal semiconductor) TFT 등으로 구현될 수 있다. 이하 실시 예에서는, 발광 TFT(EM)와 제3 TFT(SW3)는 p 타입으로 구현되고, 제1TFT(SW1), 제2 TFT(SW2) 및 구동 TFT(DR)는 n 타입으로 구현된 경우를 설명하기로 한다.In the pixel according to the embodiment of the present invention, the first to third switching means SW1 to SW3, the driving transistor DR, and the light emitting transistors EM are n-type MOSFETs (metal-oxide-semiconductor field-effect transistors) and p. It may be implemented as a type MOSFET, a complementary metal semiconductor (CMOS) TFT, or the like. In the following embodiment, the light emitting TFT (EM) and the third TFT (SW3) is implemented in the p type, the first TFT (SW1), the second TFT (SW2) and the driving TFT (DR) is implemented in the n type Let's explain.

이에, 본 발명의 화소는, 고전위 전원전압(EVDD)이 입력되는 입력단에 접속된 발광 TFT(EM), 저전위 구동전압(EVSS)의 입력단에 접속된 캐소드전극과 제3 노드(N3)에 접속된 애노드전극을 갖는 발광소자(OLED), 제1 노드(N1)에 접속된 게이트 전극, 상기 제3 노드(N3)에 접속된 소스 전극 및 고전위 전원전압(EVDD)이 입력되는 드레인 전극을 포함하여 발광소자(OLED)에 인가되는 구동전류를 제어하는 구동 TFT(DR)를 포함할 수 있다. 제1TFT(SW1)은 제1 노드(N1)와 기준 전압(VREF)의 공급라인 사이에 접속된다. 제2 TFT(SW2)는 제2 노드(N2)와 데이터 라인(VDR) 사이에 접속된다. 커패시터(Cst)의 일단은 제1 노드(N1)에 연결되고 타단은 제2 노드(N2)에 연결된다. 제3 TFT(SW3)는 제2 노드(N2)와 제3 노드(N3) 사이에 연결된다.Therefore, the pixel of the present invention is connected to the light emitting TFT (EM) connected to the input terminal to which the high potential power voltage EVDD is input, and to the cathode electrode and the third node N3 connected to the input terminal of the low potential driving voltage EVSS. The light emitting device OLED having the connected anode electrode, the gate electrode connected to the first node N1, the source electrode connected to the third node N3, and the drain electrode to which the high potential power voltage EVDD is inputted are provided. And a driving TFT DR for controlling a driving current applied to the light emitting device OLED. The first TFT SW1 is connected between the first node N1 and the supply line of the reference voltage V REF . The second TFT SW2 is connected between the second node N2 and the data line VD R. One end of the capacitor Cst is connected to the first node N1 and the other end is connected to the second node N2. The third TFT SW3 is connected between the second node N2 and the third node N3.

제1TFT(SW1)와 제2 TFT(SW2)의 게이트 전극은 동일한 스캔라인(SCAN[i])을 공유한다. 발광 TFT(EM)의 게이트 전극에는 제i 에미션신호(EM[i])가 입력되고, 제3 TFT(SW3)의 게이트에는 제i-1 에미션신호(EM[i-1])가 공급된다. The gate electrodes of the first TFT SW1 and the second TFT SW2 share the same scan line SCAN [i]. The i-th emission signal EM [i] is input to the gate electrode of the light emitting TFT EM, and the i-1th emission signal EM [i-1] is supplied to the gate of the third TFT SW3. do.

도 4a는 데이터 기입기간(t1)에 대응되는 화소의 등가 회로도이고, 도 4b는 화소의 구동 파형에서 데이터 기입기간(t1)과 각 노드의 전압 상태를 표시한 구동 파형도이다.4A is an equivalent circuit diagram of a pixel corresponding to the data writing period t1, and FIG. 4B is a driving waveform diagram showing the data writing period t1 and the voltage state of each node in the driving waveform of the pixel.

데이터 기입기간(t1)에서, 제i-1 에미션신호(EM[i-1])와 제i 에미션신호(EM[i])는 하이 레벨로 인가된다. 에미션신호(EM[i], EM[i-1])를 입력받는 발광 TFT(EM)와 제3 TFT(SW3)는 p 타입으로 구현되었으므로, 에미션신호(EM[i], EM[i-1])의 경우 로우 레벨은 온 레벨이고 하이 레벨은 오프 레벨이다. 따라서, 데이터 기입기간(t1)에 발광 TFT(EM)와 제3 TFT(SW3)는 오프된다. 따라서 발광소자(OLED)는 오프 상태로 유지되고 제2 노드(N2)와 제3 노드(N3)는 단절된다.In the data writing period t1, the i-th emission signal EM [i-1] and the i-th emission signal EM [i] are applied at a high level. Since the light emitting TFT EM and the third TFT SW3 that receive the emission signals EM [i] and EM [i-1] are implemented in p type, the emission signals EM [i] and EM [i -1]), the low level is on level and the high level is off level. Therefore, the light emitting TFT EM and the third TFT SW3 are turned off in the data writing period t1. Therefore, the light emitting device OLED is maintained in the off state and the second node N2 and the third node N3 are disconnected.

제i 스캔신호(SCAN[i])는 하이 레벨로 인가된다. 스캔신호(SCAN[i])를 입력받는 제1TFT(SW1)와 제2 TFT(SW2)는 n 타입으로 구현되었으므로, 스캔신호(SCAN[i])의 경우 하이 레벨은 온 레벨이고 로우 레벨은 오프 레벨이다. 따라서, 데이터 기입기간(t1)에 제1TFT(SW1)와 제2 TFT(SW2)는 턴온된다. The i th scan signal SCAN [i] is applied at a high level. Since the first TFT SW1 and the second TFT SW2 that receive the scan signal SCAN [i] are implemented in n type, the high level is on and the low level is off in the case of the scan signal SCAN [i]. Level. Therefore, the first TFT SW1 and the second TFT SW2 are turned on in the data writing period t1.

제1TFT(SW1)가 턴온 되면 커패시터의(Cst)의 일단은 기준전원라인에 연결되고 타단은 데이터 라인에 연결된다. 제2 TFT(SW2)가 턴온 되면 커패시터의(Cst)의 타단은 데이터 라인에 연결된다. 이에 커패시터(Cst)가 연결된 제1 노드(N1)에는 기준 전압(VREF)이 인가되고 제2 노드(N2)에는 데이터 전압(VDR)이 인가된다. 이에, 커패시터의(Cst)에는 데이터 전압(VDR)이 충전될 수 있다. 여기서, 기준 전압(VREF)은 7-8V정도로 설정될 수 있으며, 데이터 전압(VDR)은 기준 전압(VREF)보다 낮은 전압으로 설정될 수 있다. When the first TFT SW1 is turned on, one end of the capacitor Cst is connected to the reference power line and the other end is connected to the data line. When the second TFT SW2 is turned on, the other end of the capacitor Cst is connected to the data line. Accordingly, the reference voltage V REF is applied to the first node N1 to which the capacitor Cst is connected, and the data voltage VD R is applied to the second node N2. Accordingly, the data voltage VD R may be charged in the capacitor Cst. Here, the reference voltage V REF may be set to about 7-8V, and the data voltage VD R may be set to a voltage lower than the reference voltage V REF .

이상의 과정을 통해 데이터 기입기간(t1)에 발광소자(OLED)는 오프 상태로 유지된 상태에서 커패시터의(Cst)에는 데이터 전압(VDR)이 충전될 수 있다.Through the above process, the data voltage VD R may be charged in the capacitor Cst while the light emitting device OLED is maintained in the off state during the data writing period t1.

이 후, 제i 스캔신호(SCAN[i])가 로우 레벨로 전환되면 제1 노드(N1)의 전압과 제2 노드(N2)의 전압이 서서히 감소되나, 커패시터의(Cst)에 저장된 전위차는 유지될 수 있다(t2 구간).After that, when the i th scan signal SCAN [i] is switched to the low level, the voltage of the first node N1 and the voltage of the second node N2 are gradually decreased, but the potential difference stored in the capacitor Cst is It can be maintained (t2 interval).

도 5a는 데이터 전달기간(t3)에 대응되는 화소의 등가 회로도이고, 도 5b는 화소의 구동 파형에서 데이터 전달기간(t3)과 각 노드의 전압 상태를 표시한 구동 파형도이다.FIG. 5A is an equivalent circuit diagram of a pixel corresponding to the data transfer period t3, and FIG. 5B is a drive waveform diagram showing the data transfer period t3 and the voltage state of each node in the driving waveform of the pixel.

데이터 전달기간(t3)에서 제i-1 에미션신호(EM[i-1])는 로우 레벨로 전환되고 제i 에미션신호(EM[i])는 하이 레벨로 유지된다. 따라서, 제3 TFT(SW3)는 턴온되고 발광 TFT(EM)는 오프 상태로 유지된다. 결과적으로 데이터 전달기간(t3)에 발광소자(OLED)는 오프 상태로 유지되고 제2 노드(N2)와 제3 노드(N3)가 연결된다.In the data transfer period t3, the i-th emission signal EM [i-1] is switched to the low level and the i-th emission signal EM [i] is maintained at the high level. Thus, the third TFT SW3 is turned on and the light emitting TFT EM is kept in the off state. As a result, in the data transfer period t3, the light emitting device OLED is maintained in the off state and the second node N2 and the third node N3 are connected.

제i 스캔신호(SCAN[i])는 로우 레벨로 유지된다. 따라서, 제1TFT(SW1) 및 제2 TFT(SW2)는 모두 오프 상태로 유지된다.The i th scan signal SCAN [i] is maintained at a low level. Therefore, both the first TFT SW1 and the second TFT SW2 are kept in the off state.

제1TFT(SW1)가 오프 되면 커패시터(Cst)가 연결된 제1 노드(N1)는 구동TFT(DR)의 게이트 전극과 연결된다. 제2 TFT(SW2)가 오프 되면 커패시터의(Cst)의 제2 노드(N2)는 제3 TFT(SW3)을 통해 구동TFT(DR)의 소스 전극과 연결된다. 즉, 구동TFT(DR)의 게이트 전극 및 소스 전극이 커패시터의(Cst)를 통해 연결된다.When the first TFT SW1 is turned off, the first node N1 to which the capacitor Cst is connected is connected to the gate electrode of the driving TFT DR. When the second TFT SW2 is turned off, the second node N2 of the capacitor Cst is connected to the source electrode of the driving TFT DR through the third TFT SW3. That is, the gate electrode and the source electrode of the driving TFT DR are connected through the capacitor Cst.

이상의 과정을 통해 데이터 전달기간(t3)에 발광소자(OLED)는 오프 상태로 유지된 상태에서, 커패시터의(Cst)에 저장된 데이터 전압(VDR)이 구동TFT(DR)의 게이트 전극 및 소스 전극 간 전위차로 반영될 수 있다.Through the above process, the data voltage VD R stored in the capacitor Cst is driven by the gate electrode and the source electrode of the driving TFT DR while the light emitting device OLED is kept off in the data transfer period t3. It can be reflected as the potential difference between the liver.

도 6a는 발광기간(t4)에 대응되는 화소의 등가 회로도이고, 도 6b는 화소의 구동 파형에서 발광기간(t4)과 각 노드의 전압 상태를 표시한 구동 파형도이다.6A is an equivalent circuit diagram of a pixel corresponding to the light emission period t4, and FIG. 6B is a drive waveform diagram showing the light emission period t4 and the voltage state of each node in the drive waveform of the pixel.

발광기간(t4)에서 제i-1 에미션신호(EM[i-1])는 로우 레벨로 유지되고 제i 에미션신호(EM[i])도 로우 레벨로 전환된다. 따라서, 제3 TFT(SW3)와 발광 TFT(EM)가 모두 턴온 된다. 발광 TFT(EM)가 턴온되면 발광소자(OLED)에 고전위 전원 전압(EVDD)이 공급된다.In the light emission period t4, the i-th emission signal EM [i-1] is maintained at a low level, and the i-th emission signal EM [i] is also switched to a low level. Thus, both the third TFT SW3 and the light emitting TFT EM are turned on. When the light emitting TFT EM is turned on, the high potential power voltage EVDD is supplied to the light emitting device OLED.

제i 스캔신호(SCAN[i])는 로우 레벨로 유지된다. 따라서, 제1TFT(SW1) 및 제2 TFT(SW2)는 모두 오프 상태로 유지된다.The i th scan signal SCAN [i] is maintained at a low level. Therefore, both the first TFT SW1 and the second TFT SW2 are kept in the off state.

제1TFT(SW1)가 오프 되면 커패시터(Cst)가 연결된 제1 노드(N1)는 구동TFT(DR)의 게이트 전극과 연결된다. 제2 TFT(SW2)가 오프 되면 커패시터의(Cst)의 제2 노드(N2)는 제3 TFT(SW3)을 통해 구동TFT(DR)의 소스 전극과 연결된다. When the first TFT SW1 is turned off, the first node N1 to which the capacitor Cst is connected is connected to the gate electrode of the driving TFT DR. When the second TFT SW2 is turned off, the second node N2 of the capacitor Cst is connected to the source electrode of the driving TFT DR through the third TFT SW3.

이상의 과정을 통해 발광기간(t4)에는 고전위 전원전압(EVDD)이 구동TFT(DR)에 의해 제어되어 발광소자(OLED)로 공급된다. 구동TFT(DR)의 게이트 전극 및 소스 전극 간에는 커패시터(Cst)가 연결되어 커패시터의(Cst)에 저장된 데이터 전압(VDR)에 따라 발광소자(OLED)로 공급되는 구동전류의 량이 조절될 수 있다.Through the above process, during the light emitting period t4, the high potential power voltage EVDD is controlled by the driving TFT DR and supplied to the light emitting device OLED. A capacitor Cst may be connected between the gate electrode and the source electrode of the driving TFT DR to adjust the amount of driving current supplied to the light emitting device OLED according to the data voltage VD R stored in the capacitor Cst. .

도 7 및 도 8은 본 발명의 시뮬레이션 결과를 보여 주는 도면들이다.7 and 8 are diagrams showing the simulation results of the present invention.

도 7은 R, G, B 화소에 따라 인가되는 데이터 전압과 발광소자(OLED)로 공급되는 전류량과의 관계를 시뮬레이션한 결과 그래프이다. FIG. 7 is a graph showing a result of simulating the relationship between the data voltage applied to the R, G, and B pixels and the amount of current supplied to the light emitting device OLED.

시뮬레이션 시 고전위 전원전압(EVDD)은 8V, 저전위 전원전압(EVSS)은 -1.5V로 인가하고, 기준 전압(VREF)은 7V로 설정하고, R, G, B 화소에 대한 데이터 전압(VDR, VDG, VDB)은 +5 ~ +9V로 인가하였을 때, 각 발광소자(OLED)로 공급되는 전류량을 시뮬레이션한 결과는 그래프에 도시된 것과 같다.In the simulation, the high potential supply voltage (EVDD) is 8V, the low potential supply voltage (EVSS) is applied at -1.5V, the reference voltage (V REF ) is set at 7V, and the data voltage (for R, G, B pixels) When VD R , VD G , and VD B ) are applied at +5 to + 9V, the results of simulation of the amount of current supplied to each light emitting device OLED are as shown in the graph.

그래프를 참조하면, R, G, B 화소 모두 기준 전압(VREF)인 7V 이상의 데이터 전압은 발광소자(OLED)의 전류량에 거의 영향을 주지 않는 것으로 볼 수 있다. Referring to the graph, it can be seen that the data voltage of 7 V or more, which is the reference voltage V REF , for all of the R, G, and B pixels has little effect on the amount of current of the light emitting device OLED.

실험 결과, 기준 전압(VREF)인 7V 이하의 데이터 전압에서 Blue 화소의 경우 약 5.2V, Red 화소의 경우 약 5.9V, Green 화소의 경우 약 6.3V 정도의 데이터 전압이 인가될 때, peak 값을 기록하는 것으로 확인되었다.As a result, when the data voltage of 7V or less, which is the reference voltage V REF , the peak value is applied when data voltages of about 5.2V for blue pixels, about 5.9V for red pixels, and about 6.3V for green pixels are applied. It was confirmed to record.

도 8은 본 발명의 실시예에 따른 화소 구조를 구동시키는 경우 각 노드에서의 전압 변화를 시뮬레이션한 그래프이다.8 is a graph simulating a voltage change at each node when driving a pixel structure according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 8에 도시된 바와 같이, 실제 각 노드에서 감지된 전압값의 변화는 도 4b, 도 5b, 도 6b에 도시된 그래프와 거의 유사한 변화값을 나타내는 것으로 확인되었다. 즉, 데이터 기입기간(t1)에 커패시터의(Cst)에 충전된 데이터 전압(VDR)이, 데이터 유지기간(t2) 후, 데이터 전달기간(t3) 기간에 구동 트랜지스터(DR)의 게이트와 소스 간 전위에 반영되어 발광기간(t4)에 작용하는 것을 확인할 수 있다.As shown in FIG. 8, it is confirmed that the change in voltage value sensed at each node actually shows a change value almost similar to the graphs shown in FIGS. 4B, 5B, and 6B. That is, the data voltage VD R charged in the capacitor Cst in the data writing period t1 is the gate and the source of the driving transistor DR in the data transfer period t3 after the data holding period t2. It can be seen that it is reflected in the liver potential and acts in the light emission period t4.

도 9는 본 발명의 제2 실시예에 전계발광 표시장치에 포함된 화소 행을 보여주는 도면이고, 도 10은 도 9에 도시된 픽셀의 구동 파형을 보여 주는 파형도이다. FIG. 9 is a diagram illustrating a pixel row included in an electroluminescent display according to a second exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 10 is a waveform diagram illustrating driving waveforms of the pixel illustrated in FIG. 9.

본 발명의 제2실시예에 따른 화소는 제1 내지 제3 스위칭 수단(SW1~SW3), 구동 트랜지스터, 발광 트랜지스터들이 모두 n 타입 MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)구현될 수 있다.In the pixel according to the second exemplary embodiment of the present invention, all of the first to third switching means SW1 to SW3, the driving transistor, and the light emitting transistors may be implemented with an n-type MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor).

도 9를 참조하면, i 번째 화소 행에 배치된 화소(PXL)는 제i 스캔신호(SCAN[i]), 제i 에미션신호(EM[i]) 및 i 번째의 바로 이전 단의 에미션신호인 제i-1 에미션신호(EM[i-1])을 입력받을 수 있다. 데이터 라인을 통해서는 데이터 전압(VD)을 입력받을 수 있다. R, G, B, 데이터 전압(VDR, VDG, VDB)이 입력되는 경우 해당 색상으로 발광하는 화소에 해당되는 데이터 전압(VDR, VDG, VDB)이 입력될 수 있다.Referring to FIG. 9, the pixel PXL disposed in the i-th pixel row includes the i-th scan signal SCAN [i], the i-th emission signal EM [i], and the emission immediately before the i-th stage. The signal i-1 may receive an emission signal EM [i-1]. The data voltage VD may be input through the data line. R, G, B, has a data voltage corresponding to the pixel which emits light of a corresponding color (VD R, VD G, VD B) it can be input when the data voltage (VD R, VD G, VD B) are inputted.

제2 실시예에 따른 각각의 화소들은 구동 전류를 공급받아 발광하는 발광 소자(OLED), 게이트와 소스 간 전압 차에 따라 상기 구동전류를 조절하는 구동 트랜지스터(DR), 스캔신호(SCAN[i])에 따라 구동 트랜지스터(DR)의 게이트에 연결된 커패시터(Cst)의 일단에 기준 전압(VREF)을 충전하는 경로를 제공하는 제1 스위칭수단(SW1), 스캔신호(SCAN[i])에 따라 커패시터(Cst)의 타단에 데이터 전압을 충전하는 경로를 제공하는 제2 스위칭수단(SW2) 및 이전 단의 에미션신호(EM[i-1])에 따라 커패시터의(Cst)의 타단과 구동 트랜지스터(DR)의 소스를 연결하는 제3스위칭수단(SW3)을 포함할 수 있다. 또한, 제i 에미션신호(EM[i])에 따라 발광소자(OLED)를 턴온시키는 발광 트랜지스터(EM)를 포함할 수 있다. 발광 트랜지스터(EM)는 각 화소별(PXL)로 구비될 수 있고, 하나의 화소를 R, G, B 단위화소들(PXLR, PXLG, PXLB)로 그룹핑하여 제어하는 경우 구성된 경우, 하나의 에미션신호(EM[i])로 R, G, B 단위화소들(PXLR, PXLG, PXLB)이 동시에 온/오프 되도록 구성할 수 있다.Each pixel according to the second exemplary embodiment of the present invention is configured to emit light by receiving a driving current, a driving transistor DR, and a scan signal SCAN [i] which adjust the driving current according to a voltage difference between a gate and a source. According to the first switching means SW1 and the scan signal SCAN [i] that provide a path for charging the reference voltage V REF to one end of the capacitor Cst connected to the gate of the driving transistor DR. The other end of the capacitor Cst and the driving transistor according to the second switching means SW2 and the previous stage of the emission signal EM [i-1] which provide a path for charging the data voltage at the other end of the capacitor Cst. Third switching means (SW3) for connecting the source of the (DR). The light emitting transistor EM may include a light emitting transistor EM that turns on the light emitting device OLED according to the i th emission signal EM [i]. The light emitting transistor EM may be provided for each pixel PXL, and when configured to control one pixel grouped into R, G, and B unit pixels PXL R , PXL G , and PXL B , one The emission signals EM [i] of R, G, and B unit pixels PXL R , PXL G , and PXL B may be configured to be turned on / off at the same time.

본 발명의 제2 실시예에 따르면, 발광 TFT(EM), 구동 TFT(DR) 및 제1 내지 제3 TFT는 모두 n 타입 MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)구현될 수 있다.According to the second embodiment of the present invention, the light emitting TFT (EM), the driving TFT (DR), and the first to third TFTs may all be n-type MOSFETs (metal-oxide-semiconductor field-effect transistors).

도 10을 참조하면, i 번째 화소 행에 배치된 화소(PXL)를 구동하기 위한 1 프레임 기간은 커패시터의(Cst)에 데이터 전압(VDR)이 충전되는 데이터 기입기간(t1), 데이터 기입이 완료된 후 커패시터의(Cst)의 데이터 전압(VDR)이 유지되는 데이터 유지기간(t2), 커패시터의(Cst)에 충전된 데이터 전압(VDR)이 구동 트랜지스터(DR)의 게이트와 소스 간 전위에 반영되는 데이터 전달기간(t3) 및 발광 소자를 발광시키는 발광기간(t4)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 10, one frame period for driving the pixels PXL arranged in the i-th pixel row includes a data writing period t1 in which a data voltage VD R is charged in a capacitor Cst, and a data writing period. After completion, the data holding period t2 during which the data voltage VD R of the capacitor Cst is maintained, and the potential between the gate and the source of the driving transistor DR are the data voltage VD R charged in the capacitor Cst. It may include a data transfer period (t3) and a light emitting period (t4) for emitting a light emitting element reflected in.

데이터 기입기간(t1)에서 제i-1 에미션신호(EM[i-1])와 제i 에미션신호(EM[i])는 로우 레벨로 인가된다. 에미션신호의 경우 하이 레벨은 온 레벨이고 로우 레벨은 오프 레벨이다. 따라서, 제3 스위칭수단(SW3)과 발광 트랜지스터(EM)는 오프된다. 제i 스캔신호(SCAN[i])는 하이 레벨로 인가된다. 스캔신호의 경우 하이 레벨이 온 레벨이고 로우 레벨이 오프 레벨이다. 따라서, 데이터 기입기간(t1)에서 제1 스위칭수단(SW1) 및 제2 스위칭수단(SW2)은 동시에 턴온된다.In the data writing period t1, the i-1 th emission signal EM [i-1] and the i th emission signal EM [i] are applied at a low level. In the case of the emission signal, the high level is on level and the low level is off level. Therefore, the third switching means SW3 and the light emitting transistor EM are turned off. The i th scan signal SCAN [i] is applied at a high level. In the case of a scan signal, the high level is on level and the low level is off level. Therefore, in the data writing period t1, the first switching means SW1 and the second switching means SW2 are turned on at the same time.

데이터 유지기간(t2)에서 제i-1 에미션신호(EM[i-1])와 제i 에미션신호(EM[i])는 로우 레벨로 유지된다. 따라서, 제3 스위칭수단(SW3)과 발광 트랜지스터(EM)는 오프 상태로 유지된다. 제i 스캔신호(SCAN[i])는 로우 레벨로 인가된다. 스캔신호의 경우 하이 레벨이 온 레벨이고 로우 레벨이 오프 레벨이다. 따라서, 데이터 기입기간(t2)에서 제1 스위칭수단(SW1) 및 제2 스위칭수단(SW2)은 동시에 오프된다.In the data retention period t2, the i-th emission signal EM [i-1] and the i-th emission signal EM [i] are maintained at a low level. Therefore, the third switching means SW3 and the light emitting transistor EM are kept in the off state. The i th scan signal SCAN [i] is applied at a low level. In the case of a scan signal, the high level is on level and the low level is off level. Therefore, in the data writing period t2, the first switching means SW1 and the second switching means SW2 are turned off at the same time.

데이터 전달기간(t3)에서 제i-1 에미션신호(EM[i-1])는 하이 레벨로 전환되고 제i 에미션신호(EM[i])는 로우 레벨로 유지된다. 에미션신호의 경우 하이 레벨은 온 레벨이고 로우 레벨은 오프 레벨이다. 따라서, 제3 스위칭수단(SW3)은 턴온되고 발광 트랜지스터(EM)는 오프 상태로 유지된다. 제i 스캔신호(SCAN[i])는 로우 레벨로 유지된다. 따라서, 제1 스위칭수단(SW1) 및 제2 스위칭수단(SW2)은 오프 상태로 유지된다.In the data transfer period t3, the i-th emission signal EM [i-1] is switched to the high level and the i-th emission signal EM [i] is maintained at the low level. In the case of the emission signal, the high level is on level and the low level is off level. Accordingly, the third switching means SW3 is turned on and the light emitting transistor EM is kept in the off state. The i th scan signal SCAN [i] is maintained at a low level. Therefore, the first switching means SW1 and the second switching means SW2 are kept in the off state.

발광기간(t4)에서 제i-1 에미션신호(EM[i-1])는 하이 레벨로 유지되고 제i 에미션신호(EM[i])는 하이 레벨로 전환된다. 에미션신호의 경우 하이 레벨은 온 레벨이고 로우 레벨은 오프 레벨이다. 따라서, 제3 스위칭수단(SW3)과 발광 트랜지스터(EM)가 모두 턴온된다. 제i 스캔신호(SCAN[i])는 로우 레벨로 유지된다. 따라서, 제1 스위칭수단(SW1) 및 제2 스위칭수단(SW2)은 오프 상태로 유지된다.In the light emission period t4, the i-th emission signal EM [i-1] is maintained at a high level and the i-th emission signal EM [i] is switched to a high level. In the case of the emission signal, the high level is on level and the low level is off level. Therefore, both the third switching means SW3 and the light emitting transistor EM are turned on. The i th scan signal SCAN [i] is maintained at a low level. Therefore, the first switching means SW1 and the second switching means SW2 are kept in the off state.

이상과 같이, 본 발명의 제2실시예에 따른 구동 파형의 실시예에 따르면, 제n 스캔신호는 데이터 기입기간 동안에만 제1 스위칭수단(SW1) 및 제2 스위칭수단(SW2)가 턴온되도록 입력되고, 제n 에미션신호는 상기 발광기간 동안에만 발광 트랜지스터(EM)가 턴온되도록 입력되며, 제n-1 에미션신호는 데이터 전달기간에만 제3 스위칭수단(SW3)가 턴온되도록 입력될 수 있다.As described above, according to the embodiment of the driving waveform according to the second embodiment of the present invention, the nth scan signal is input such that the first switching means SW1 and the second switching means SW2 are turned on only during the data writing period. The nth emission signal may be input so that the light emitting transistor EM is turned on only during the light emission period, and the n−1th emission signal may be input so that the third switching means SW3 is turned on only during the data transfer period. .

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 명세서의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 명세서의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present specification. Therefore, the technical scope of the present specification should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.

10 : 표시패널 11 : 타이밍 콘트롤러
12 : 데이터 구동부 13 : 게이트 구동부
10: display panel 11: timing controller
12: data driver 13: gate driver

Claims (15)

구동 전류를 공급받아 발광하는 발광 소자;
게이트와 소스 간 전압 차에 따라 상기 구동전류를 조절하는 구동 트랜지스터;
스캔신호에 따라 상기 구동 트랜지스터의 상기 게이트에 연결된 커패시터의 일단에 기준 전압을 충전하는 제1 스위칭수단;
상기 스캔신호에 따라 상기 커패시터의 타단에 데이터 전압을 충전하는 제2 스위칭수단; 및
에미션신호에 따라 상기 커패시터의 타단과 상기 구동 트랜지스터의 소스를 연결하는 제3스위칭수단를 포함하는 전계발광 표시장치.
A light emitting device that receives a driving current and emits light;
A driving transistor configured to adjust the driving current according to a voltage difference between a gate and a source;
First switching means for charging a reference voltage to one end of a capacitor connected to the gate of the driving transistor according to a scan signal;
Second switching means for charging a data voltage at the other end of the capacitor according to the scan signal; And
And a third switching means for connecting the other end of the capacitor and the source of the driving transistor in accordance with an emission signal.
제1항에 있어서,
상기 구동 트랜지스터의 드레인에 고전위 전압을 공급하는 발광 트랜지스터를 더 포함하는 전계발광 표시장치.
The method of claim 1,
And a light emitting transistor supplying a high potential voltage to a drain of the driving transistor.
제2항에 있어서,
상기 제3스위칭수단은 상기 발광 트랜지스터를 턴온시키는 N번째 에미션 신호의 이전 신호인 N-1번째 신호에 의해 턴온되는 전계발광 표시장치.
The method of claim 2,
And the third switching means is turned on by an N-1th signal, which is a previous signal of an Nth emission signal for turning on the light emitting transistor.
제1항에 있어서,
상기 제1스위칭 수단 및 상기 제2스위칭 수단이 턴온되면 제3스위칭 수단은 턴오프 상태를 유지하여 상기 커패시터에 상기 데이터 전압이 충전되고,
상기 제3 스위칭 수단이 턴온되면 상기 제1스위칭 수단 및 상기 제2스위칭 수단이 턴오프 상태를 유지하여 상기 커패시터에 저장된 상기 데이터 전압이 상기 구동 트랜지스터의 게이트와 소스 간 전위에 반영되는 전계발광 표시장치.
The method of claim 1,
When the first switching means and the second switching means are turned on, the third switching means remains turned off to charge the data voltage to the capacitor.
When the third switching means is turned on, the first switching means and the second switching means maintain the turn-off state so that the data voltage stored in the capacitor is reflected in the potential between the gate and the source of the driving transistor. .
제4항에 있어서,
상기 커패시터에 상기 데이터 전압이 충전되고, 상기 커패시터에 저장된 상기 데이터 전압이 상기 구동 트랜지스터의 게이트와 소스 간 전위에 반영되는 동안 상기 발광 트랜지스터는 턴오프 상태를 유지하는 전계발광 표시장치.
The method of claim 4, wherein
And the light emitting transistor is turned off while the data voltage is charged in the capacitor and the data voltage stored in the capacitor is reflected in the potential between the gate and the source of the driving transistor.
데이터 전압이 공급되는 데이터 라인과 기준 전압이 공급되는 기준전원라인과 고전위 전원전압이 공급되는 고전위 전원전압 라인에 복수의 화소들이 연결된 표시패널을 구비하고,
상기 화소들 중에서 n(n은 자연수)번째 화소 행에 배치된 각 화소는,
상기 고전위 전원전압이 입력되는 입력단에 접속된 발광 TFT;
저전위 구동전압의 입력단에 접속된 캐소드전극과 제3 노드에 접속된 애노드전극을 갖는 발광소자;
제1 노드에 접속된 게이트 전극, 상기 제3 노드에 접속된 소스 전극 및 상기 고전위 전원전압이 입력되는 드레인 전극을 포함하여 상기 발광소자에 인가되는 구동전류를 제어하는 구동 TFT;
상기 제1 노드와 상기 기준전원라인 사이에 접속된 제1TFT;
제2 노드와 상기 데이터 라인 사이에 접속된 제2 TFT;
상기 제1 노드에 일단이 연결되고 상기 제2 노드에 타단이 연결된 커패시터; 및
상기 제2 노드와 상기 제3 노드 사이에 접속된 제3 TFT를 포함하는 전계발광 표시장치.
A display panel having a plurality of pixels connected to a data line supplied with a data voltage, a reference power line supplied with a reference voltage, and a high potential power voltage line supplied with a high potential power voltage;
Of the pixels, each pixel disposed in an n (n is a natural number) pixel row includes:
A light emitting TFT connected to an input terminal to which the high potential power voltage is input;
A light emitting element having a cathode electrode connected to an input terminal of a low potential driving voltage and an anode electrode connected to a third node;
A driving TFT controlling a driving current applied to the light emitting device, including a gate electrode connected to a first node, a source electrode connected to the third node, and a drain electrode to which the high potential power voltage is input;
A first TFT connected between the first node and the reference power line;
A second TFT connected between a second node and the data line;
A capacitor having one end connected to the first node and the other end connected to the second node; And
And a third TFT connected between the second node and the third node.
제6항에 있어서,
상기 제1TFT와 상기 제2 TFT는 동일한 신호가 공급되는 게이트 전극을 포함하는 전계발광 표시장치.
The method of claim 6,
And the first TFT and the second TFT include a gate electrode to which the same signal is supplied.
제6항에 있어서,
상기 발광 TFT는 n번째 에미션신호가 공급되는 게이트 전극을 포함하고,
상기 제3 TFT는 n-1번째 에미션신호가 공급되는 게이트 전극을 포함하는 전계발광 표시장치
The method of claim 6,
The light emitting TFT includes a gate electrode to which an nth emission signal is supplied;
The third TFT includes an electroluminescence display device including a gate electrode to which an n-1th emission signal is supplied.
제6항에 있어서,
상기 제1TFT와 상기 제2 TFT가 턴온되면 상기 제3 TFT는 턴오프 상태를 유지하여 상기 커패시터에 상기 데이터 전압이 충전되고,
상기 제3 TFT가 턴온되면 상기 제1TFT와 상기 제2 TFT가 턴오프 상태를 유지하여 상기 커패시터에 저장된 상기 데이터 전압이 상기 구동TFT의 게이트와 소스의 전위에 반영되는 전계발광 표시장치.
The method of claim 6,
When the first TFT and the second TFT are turned on, the third TFT maintains a turn-off state so that the data voltage is charged in the capacitor.
And turning on the first TFT and the second TFT so that the data voltage stored in the capacitor is reflected to the potentials of the gate and the source of the driving TFT when the third TFT is turned on.
제6항에 있어서,
1 프레임 기간은,
상기 커패시터에 상기 데이터 전압이 충전되는 데이터 기입기간;
상기 커패시터에 저장된 상기 데이터 전압이 상기 구동TFT의 게이트와 소스의 전위에 반영되는 데이터 전달기간; 및
상기 구동TFT의 게이트와 소스의 전위에 따라 상기 발광 소자를 발광시키는 발광기간을 포함하는 전계발광 표시장치.
The method of claim 6,
1 frame period,
A data writing period in which the data voltage is charged in the capacitor;
A data transfer period in which the data voltage stored in the capacitor is reflected in the potential of the gate and the source of the driving TFT; And
And a light emitting period for emitting the light emitting device according to the potentials of the gate and the source of the driving TFT.
제10항에 있어서,
상기 제1TFT와 상기 제2 TFT는 제n 스캔신호에 따라 스위칭되고,
상기 발광TFT는 제n 에미션신호를 입력받아 스위칭되고,
상기 제3 TFT는 제n-1 에미션신호를 입력받아 스위칭되는 전계발광 표시장치.
The method of claim 10,
The first TFT and the second TFT are switched according to an nth scan signal,
The light emitting TFT is switched by receiving an nth emission signal,
And the third TFT is switched upon receiving an n-1 emission signal.
제11항에 있어서,
상기 데이터 기입기간에서,
상기 제n 스캔신호는 온 레벨로 입력되고,
상기 제n 에미션신호는 오프 레벨로 입력되며,
상기 제n-1 에미션신호도 오프 레벨로 입력되는 전계발광 표시장치.
The method of claim 11,
In the data writing period,
The n-th scan signal is input at an on level,
The n-th emission signal is input at an off level,
And an n-th emission signal input to an off level.
제11항에 있어서,
상기 데이터 전달기간에서,
상기 제n 스캔신호는 오프 레벨로 입력되고,
상기 제n 에미션신호는 오프 레벨로 입력되며,
상기 제n-1 에미션신호는 온 레벨로 입력되는 전계발광 표시장치.
The method of claim 11,
In the data transfer period,
The n-th scan signal is input at an off level,
The n-th emission signal is input at an off level,
And the n-th emission signal is input at an on level.
제11항에 있어서,
상기 발광기간에서,
상기 제n 스캔신호는 오프 레벨로 입력되고,
상기 제n 에미션신호는 온 레벨로 입력되며,
상기 제n-1 에미션신호는 온 레벨로 입력되는 전계발광 표시장치.
The method of claim 11,
In the light emitting period,
The n-th scan signal is input at an off level,
The nth emission signal is input at an on level,
And the n-th emission signal is input at an on level.
제11항에 있어서,
상기 제n 스캔신호는 상기 데이터 기입기간 동안에만 상기 제1TFT와 상기 제2 TFT가 턴온되도록 입력되고,
상기 제n 에미션신호는 상기 발광 기간동안에만 상기 발광TFT가 턴온되도록 입력되며,
상기 제n-1 에미션신호는 상기 데이터 전달기간에만 상기 제3 TFT가 턴온되도록 입력되는 전계발광 표시장치.
The method of claim 11,
The nth scan signal is input such that the first TFT and the second TFT are turned on only during the data writing period.
The nth emission signal is input so that the light emitting TFT is turned on only during the light emitting period.
And the n-th emission signal is input such that the third TFT is turned on only during the data transfer period.
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