KR20190138104A - SAW device package and manufacturing method thereof - Google Patents

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KR20190138104A
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Abstract

A surface acoustic wave device package according to an aspect of the present invention comprises a surface acoustic wave device; a package substrate on which the surface acoustic wave device is flip-bonded; an encapsulation part formed to surround the upper surface and side surface of the surface acoustic wave device on the package substrate; and a metal protective layer formed to surround the upper surface and side surface of the encapsulation part, the side boundary part of the encapsulation part and the package substrate, and at least a part of the side surface of the package substrate. The reliability of the surface acoustic wave device package can be improved.

Description

표면탄성파 소자 패키지 및 그 제작 방법{SAW device package and manufacturing method thereof}Surface acoustic wave device package and its manufacturing method {SAW device package and manufacturing method

본 발명은 표면탄성파 소자 패키지 및 표면탄성파 소자 패키지의 제작 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a surface acoustic wave device package and a method of manufacturing the surface acoustic wave device package.

통신산업이 발달되면서, 무선통신 제품은 점차 소형화, 고품질화 및 다기능화되어 가고 있다. 이러한 경향에 맞추어 무선통신 제품에 사용되는 부품, 예를 들어, 필터, 듀플렉서등에 대해서도 소형화 및 다기능화가 요구되고 있다.As the communication industry develops, wireless communication products are gradually becoming smaller, higher quality and more versatile. In accordance with this trend, miniaturization and multifunctionality are also required for components used in wireless communication products, such as filters and duplexers.

이러한 부품의 일예로서, 도 1에 도시된 바와 같이 표면탄성파 소자(10)는 압전 단결정 베어칩인 압전기판(1)과, 그 상부면에 빗살형태로 서로 마주하도록 형성되는 한쌍의 IDT(Inter digital transducer)전극(2)과, 이에 연결된 입,출력 전극(3)(4)으로 이루어진다.As an example of such a component, as shown in FIG. 1, the surface acoustic wave element 10 includes a piezoelectric plate 1, which is a piezoelectric single crystal bare chip, and a pair of IDTs formed to face each other in a comb-tooth form on an upper surface thereof. and an input / output electrode (3) (4) connected to the electrode (2).

상기 입력 전극(3)을 통해 전기적인 신호를 인가하면, 상기 서로 마주하는 IDT 전극(2)간의 겹쳐지는 전극길이만큼 압전효과에 의한 압전왜곡이 발생되고, 상기 압전왜곡에 의하여 압전기판(1)에 전달되는 표면탄성파가 발생되고, 이를 출력 전극(4)을 통해 전기신호로 변환하여 출력하는 것으로서, 이때, 상기 IDT 전극(2)의 간격, 전극폭이나 길이 등과 같은 여러 인자들에 의해서 결정된 소정 주파수 대역의 전기신호만이 필터링된다.When an electrical signal is applied through the input electrode 3, piezoelectric distortion due to the piezoelectric effect is generated by overlapping electrode lengths between the IDT electrodes 2 facing each other, and the piezoelectric plate 1 is caused by the piezoelectric distortion. The surface acoustic wave is transmitted to and generated by converting it into an electrical signal through the output electrode (4), wherein the predetermined value determined by various factors such as the interval, the electrode width or length of the IDT electrode (2) Only electrical signals in the frequency band are filtered out.

이러한 표면탄성파 소자(10)의 압전기판(1)상에 형성된 IDT 전극(2)의 전극폭, 길이, 간격 등에 의해서 소자의 특성이 결정되기 때문에, 상기 IDT 전극(2)에 손상이 있거나, 먼지나 티끌과 같은 미세한 크기의 이물질이 묻을 경우 소자의 특성이 변하게 된다. 따라서, 표면탄성파 소자(10)의 전극을 외부 환경으로 보호하기 위하여 다양한 형태의 구조가 요구된다.Since the characteristics of the device are determined by the electrode width, length, spacing, etc. of the IDT electrode 2 formed on the piezoelectric plate 1 of the surface acoustic wave element 10, the IDT electrode 2 is damaged or dusty. If foreign matters such as dust or small particles are attached, the characteristics of the device will change. Therefore, various types of structures are required to protect the electrodes of the surface acoustic wave element 10 from the external environment.

도 2는 표면탄성파 소자(10)의 전극을 외부 환경으로부터 보호하기 위한 표면탄성파 소자 패키지 구조의 일 예를 나타낸다.2 illustrates an example of a surface acoustic wave device package structure for protecting an electrode of the surface acoustic wave device 10 from an external environment.

도 2에 도시된 바와 같이 표면탄성파 소자 패키지(30)는, 표면탄성파 소자(10)가 플립칩 본딩 방식으로 실장되며 입,출력 전극(3)(4)에 대응되는 단자(6)를 구비하는 패키지용 기판(7)과, 상기 입,출력 전극(3)(4)과 단자(6)에 접합되는 범프(5) 및, 패키지용 기판(7) 상에 표면탄성파 소자(10)의 윗면 및 측면을 감싸도록 형성되는 봉지부(20)를 더 포함한다. 상기 범프(5)에 의해 IDT 전극(2) 등 표면탄성파 발생 영역을 위한 공간이 제공되며, 상기 봉지부(20)는 표면탄성파 발생 영역을 외부 환경으로부터 보호하는 역할을 한다. 여기서 봉지부(20)로 에폭시, 메탈, 세라믹 등의 재질이 사용된다.As shown in FIG. 2, the surface acoustic wave device package 30 includes a terminal 6 in which the surface acoustic wave device 10 is mounted by flip chip bonding and corresponding to the input and output electrodes 3 and 4. A package 5, a bump 5 bonded to the input / output electrodes 3, 4, and a terminal 6, and an upper surface of the surface acoustic wave element 10 on the package substrate 7; It further includes an encapsulation portion 20 formed to surround the side. The bump 5 provides a space for a surface acoustic wave generation region such as an IDT electrode 2, and the encapsulation portion 20 serves to protect the surface acoustic wave generation region from an external environment. As the encapsulation portion 20, a material such as epoxy, metal, ceramic, or the like is used.

이러한 종래의 표면탄성파 소자 패키지(30)에 의하면, 패키지용 기판(7)과 봉지부(20)의 접합 부분이 견고하게 유지되어야 표면탄성파 소자(10)의 전극을 외부 환경으로부터 보호할 수 있다. 그러나 가혹한 사용 환경 또는 피로 누적으로 인하여 도 3에 도시된 바와 같이 봉지부(20)와 패키지용 기판(7)의 접합 부분에 박리(delamination)가 발생할 수 있다. 이렇게 되면 표면탄성파 소자 패키지(30) 안쪽의 공간으로 수분이나 이물질이 침투할 수 있고, 심지어는 표면탄성파 소자(10)의 전극이나 범프(50)가 손상되어 심각한 불량을 초래할 수 있다. According to the conventional surface acoustic wave device package 30, the junction portion of the package substrate 7 and the encapsulation unit 20 is firmly maintained to protect the electrode of the surface acoustic wave device 10 from the external environment. However, due to the severe use environment or fatigue accumulation, delamination may occur at the junction between the encapsulation portion 20 and the package substrate 7 as shown in FIG. 3. As a result, moisture or foreign matter may penetrate into the space inside the surface acoustic wave device package 30, and even damage the electrode or the bump 50 of the surface acoustic wave device 10 may cause serious defects.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 표면탄성파 소자 패키지의 봉지부와 패키지용 기판 사이의 접합 부분을 견고하게 유지하여 신뢰성을 향상시킨 표면탄성파 소자 패키지 및 표면탄성파 소자 패키지의 제작 방법을 제공하는 데 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to provide a surface acoustic wave device package and a method for manufacturing the surface acoustic wave device package having improved reliability by maintaining a tightly bonded portion between an encapsulation portion of a surface acoustic wave device package and a package substrate.

상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 표면탄성파 소자 패키지는, 표면탄성파 소자; 상기 표면탄성파 소자가 플립 본딩된 패키지용 기판; 상기 패키지용 기판 상에 상기 표면탄성파 소자의 윗면 및 측면을 감싸도록 형성되는 봉지부; 및 상기 봉지부의 윗면 및 측면, 상기 봉지부와 상기 패키지용 기판의 측면 경계 부분 및 상기 패키지용 기판의 측면의 적어도 일부를 감싸도록 형성되는 금속 보호층을 포함한다.Surface acoustic wave device package according to an aspect of the present invention for solving the technical problem, the surface acoustic wave device; A package substrate on which the surface acoustic wave elements are flip bonded; An encapsulation portion formed to surround the top and side surfaces of the surface acoustic wave device on the package substrate; And a metal protective layer formed to surround the top and side surfaces of the encapsulation portion, the side boundary portion of the encapsulation portion and the package substrate, and at least a portion of the side surface of the package substrate.

상기 금속 보호층은, 상기 봉지부와 상기 패키지용 기판의 측면 경계 부분으로부터 상기 패키지용 기판의 측면의 일 지점까지 연장될 수 있다.The metal protective layer may extend from a side boundary portion of the encapsulation portion and the package substrate to one point of the side surface of the package substrate.

상기 금속 보호층은, 상기 봉지부의 윗면 및 측면, 상기 봉지부와 상기 패키지용 기판의 측면 경계 부분 및 상기 패키지용 기판의 측면의 적어도 일부를 감싸도록 형성되는 제1층과, 상기 제1층을 감싸도록 형성되는 제2층과, 상기 제2층을 감싸도록 형성되는 제3층을 포함할 수 있다.The metal protective layer may include a first layer formed to cover an upper surface and a side surface of the encapsulation portion, a side boundary portion of the encapsulation portion and the package substrate, and at least a portion of a side surface of the package substrate, and the first layer. It may include a second layer formed to surround, and a third layer formed to surround the second layer.

상기 제1층은 SUS 또는 티타늄을 포함하고, 상기 제2층은 구리를 포함하고, 상기 제3층은 SUS 또는 니켈을 포함할 수 있다.The first layer may include SUS or titanium, the second layer may include copper, and the third layer may include SUS or nickel.

상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 표면탄성파 소자 패키지 제작 방법은, 복수 개의 표면탄성파 소자들을 패키지용 기판 원자재에 플립 본딩하는 단계; 상기 복수 개의 표면탄성파 소자들이 플립 본딩된 상기 패키지용 기판 원자재 상에 상기 복수 개의 표면탄성파 소자들의 윗면 및 측면을 감싸도록 봉지부를 형성하는 단계; 서로 인접한 표면탄성파 소자들 사이로 상기 봉지부와 상기 패키지용 기판 원자재를 가로질러 절단하여, 각각이 표면탄성파 소자, 상기 표면탄성파 소자가 플립 본딩된 패키지용 기판, 및 상기 패키지용 기판 상에 상기 표면탄성파 소자의 윗면 및 측면을 감싸도록 형성되는 봉지부를 포함하는 복수 개의 표면탄성파 소자 패키지들을 얻는 단계; 및 상기 복수 개의 표면탄성파 소자 패키지들 각각에 대하여, 상기 봉지부의 윗면 및 측면, 상기 봉지부와 패키지용 기판의 측면 경계 부분 및 상기 패키지용 기판의 측면의 적어도 일부를 감싸도록 금속 보호층을 형성하는 단계를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a surface acoustic wave device package, comprising: flip bonding a plurality of surface acoustic wave devices to a substrate material for a package; Forming an encapsulation portion surrounding the top and side surfaces of the plurality of surface acoustic wave elements on the package substrate raw material in which the plurality of surface acoustic wave elements are flip bonded; The surface acoustic wave elements are cut across the encapsulation portion and the package substrate raw material between adjacent surface acoustic wave elements, and each of the surface acoustic wave elements, the package substrate on which the surface acoustic wave elements are flip-bonded, and the surface acoustic wave on the package substrate Obtaining a plurality of surface acoustic wave device packages including an encapsulation portion formed to surround the top and side surfaces of the device; And forming a metal protective layer on each of the plurality of surface acoustic wave device packages to cover the top and side surfaces of the encapsulation portion, the side boundary portion of the encapsulation portion and the package substrate, and at least a portion of the side surface of the package substrate. Steps.

상기 금속 보호층을 형성하는 단계는, 상기 봉지부와 상기 패키지용 기판의 측면 경계 부분으로부터 상기 패키지용 기판의 측면의 일 지점까지 연장되도록 금속 보호층을 형성할 수 있다.In the forming of the metal protective layer, the metal protective layer may be formed to extend from the side boundary portion of the encapsulation portion and the package substrate to one point of the side surface of the package substrate.

상기 금속 보호층을 형성하는 단계는, 상기 복수 개의 표면탄성파 소자 패키지들을 각각의 패키지용 기판의 하면으로부터 측면의 일 지점까지 감싸지도록 구조물에 고정시키는 단계; 상기 구조물에 고정된 상기 복수 개의 표면탄성파 소자 패키지들에 상기 금속 보호층을 형성하는 단계; 및 상기 복수 개의 표면탄성파 소자 패키지들로부터 상기 구조물을 분리하는 단계를 포함할 수 있다.The forming of the metal protective layer may include fixing the plurality of surface acoustic wave device packages to a structure such that the plurality of surface acoustic wave device packages are wrapped from a bottom surface of each package substrate to a point of a side surface thereof; Forming the metal protective layer on the plurality of surface acoustic wave device packages fixed to the structure; And separating the structure from the plurality of surface acoustic wave device packages.

상기 금속 보호층을 형성하는 단계는, 상기 봉지부의 윗면 및 측면, 상기 봉지부와 패키지용 기판의 측면 경계 부분 및 상기 패키지용 기판의 측면의 적어도 일부를 감싸도록 SUS 또는 티타늄으로 제1층을 형성하고, 상기 제1층 위에 구리로 제2층을 형성하고, 상기 제2층 위에 SUS 또는 니켈로 제3층을 형성할 수 있다.The forming of the metal protective layer may include forming a first layer of SUS or titanium to cover the top and side surfaces of the encapsulation portion, the side boundary portion of the encapsulation portion and the package substrate, and at least a portion of the side surface of the package substrate. The second layer may be formed of copper on the first layer, and the third layer may be formed of SUS or nickel on the second layer.

상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 일 측면에 따른 표면탄성파 소자 패키지는, 표면탄성파 소자; 상기 표면탄성파 소자가 플립 본딩된 패키지용 기판; 상기 패키지용 기판 상에 상기 표면탄성파 소자의 윗면이 노출되도록 하면서 상기 표면탄성파 소자의 측면을 감싸도록 형성되는 봉지부; 및 상기 표면탄성파 소자의 윗면, 상기 봉지부의 윗면 및 측면, 상기 봉지부와 상기 패키지용 기판의 측면 경계 부분 및 상기 패키지용 기판의 측면의 적어도 일부를 감싸도록 형성되는 금속 보호층을 포함한다.According to another aspect of the present invention, a surface acoustic wave device package includes: a surface acoustic wave device; A package substrate on which the surface acoustic wave elements are flip bonded; An encapsulation portion formed to surround a side surface of the surface acoustic wave element while exposing an upper surface of the surface acoustic wave element on the package substrate; And a metal protective layer formed to cover an upper surface of the surface acoustic wave device, an upper surface and a side surface of the encapsulation portion, a side boundary portion of the encapsulation portion and the package substrate, and at least a portion of the side surface of the package substrate.

상기 금속 보호층은, 상기 봉지부와 상기 패키지용 기판의 측면 경계 부분으로부터 상기 패키지용 기판의 측면의 일 지점까지 연장될 수 있다.The metal protective layer may extend from a side boundary portion of the encapsulation portion and the package substrate to one point of the side surface of the package substrate.

상기 금속 보호층은, 상기 표면탄성파 소자의 윗면, 상기 봉지부의 윗면 및 측면, 상기 봉지부와 상기 패키지용 기판의 측면 경계 부분 및 상기 패키지용 기판의 측면의 적어도 일부를 감싸도록 형성되는 제1층과, 상기 제1층을 감싸도록 형성되는 제2층과, 상기 제2층을 감싸도록 형성되는 제3층을 포함할 수 있다.The metal protective layer may include a first layer formed to cover an upper surface of the surface acoustic wave device, an upper surface and a side surface of the encapsulation portion, a side boundary portion of the encapsulation portion and the package substrate, and at least a portion of the side surface of the package substrate. And a second layer formed to surround the first layer, and a third layer formed to surround the second layer.

상기 제1층은 SUS 또는 티타늄을 포함하고, 상기 제2층은 구리를 포함하고, 상기 제3층은 SUS 또는 니켈을 포함할 수 있다.The first layer may include SUS or titanium, the second layer may include copper, and the third layer may include SUS or nickel.

상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 일 측면에 따른 표면탄성파 소자 패키지 제작 방법은, 복수 개의 표면탄성파 소자들을 패키지용 기판 원자재에 플립 본딩하는 단계; 상기 복수 개의 표면탄성파 소자들이 플립 본딩된 상기 패키지용 기판 원자재 상에 상기 복수 개의 표면탄성파 소자들의 윗면 및 측면을 감싸도록 봉지부를 형성하는 단계; 상기 복수 개의 표면탄성파 소자들의 윗면이 노출되도록 상기 형성된 봉지부의 윗부분 일부를 제거하는 단계; 서로 인접한 표면탄성파 소자들 사이로 상기 봉지부와 상기 패키지용 기판 원자재를 가로질러 절단하여, 각각이 표면탄성파 소자, 상기 표면탄성파 소자가 플립 본딩된 패키지용 기판, 및 상기 패키지용 기판 상에 상기 표면탄성파 소자의 윗면이 노출되도록 하면서 상기 표면탄성파 소자의 측면을 감싸도록 형성되는 봉지부를 포함하는 복수 개의 표면탄성파 소자 패키지들을 얻는 단계; 및 상기 복수 개의 표면탄성파 소자 패키지들 각각에 대하여, 상기 표면탄성파 소자의 윗면, 상기 봉지부의 윗면 및 측면, 상기 봉지부와 상기 패키지용 기판의 측면 경계 부분 및 상기 패키지용 기판의 측면의 적어도 일부를 감싸도록 금속 보호층을 형성하는 단계를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a surface acoustic wave device package, including: flip bonding a plurality of surface acoustic wave devices to a substrate material for a package; Forming an encapsulation portion surrounding the top and side surfaces of the plurality of surface acoustic wave elements on the package substrate raw material in which the plurality of surface acoustic wave elements are flip bonded; Removing a portion of an upper portion of the formed encapsulation portion so that upper surfaces of the plurality of surface acoustic wave elements are exposed; The surface acoustic wave elements are cut across the encapsulation portion and the package substrate raw material between adjacent surface acoustic wave elements, and each of the surface acoustic wave elements, the package substrate on which the surface acoustic wave elements are flip-bonded, and the surface acoustic wave on the package substrate Obtaining a plurality of surface acoustic wave device packages including an encapsulation portion formed to surround the side surface of the surface acoustic wave device while exposing an upper surface of the device; And for each of the surface acoustic wave device packages, an upper surface of the surface acoustic wave device, an upper surface and a side surface of the encapsulation portion, a side boundary portion of the encapsulation portion and the package substrate, and at least a portion of the side surface of the package substrate. Forming a metal protective layer to wrap.

상기 금속 보호층을 형성하는 단계는, 상기 봉지부와 상기 패키지용 기판의 측면 경계 부분으로부터 상기 패키지용 기판의 측면의 일 지점까지 연장되도록 금속 보호층을 형성할 수 있다.In the forming of the metal protective layer, the metal protective layer may be formed to extend from the side boundary portion of the encapsulation portion and the package substrate to one point of the side surface of the package substrate.

상기 금속 보호층을 형성하는 단계는, 상기 복수 개의 표면탄성파 소자 패키지들을 각각의 패키지용 기판의 하면으로부터 측면의 일 지점까지 감싸지도록 구조물에 고정시키는 단계; 상기 구조물에 고정된 상기 복수 개의 표면탄성파 소자 패키지들에 상기 금속 보호층을 형성하는 단계; 및 상기 복수 개의 표면탄성파 소자 패키지들로부터 상기 구조물을 분리하는 단계를 포함할 수 있다.The forming of the metal protective layer may include fixing the plurality of surface acoustic wave device packages to a structure such that the plurality of surface acoustic wave device packages are wrapped from a bottom surface of each package substrate to a point of a side surface thereof; Forming the metal protective layer on the plurality of surface acoustic wave device packages fixed to the structure; And separating the structure from the plurality of surface acoustic wave device packages.

상기 금속 보호층을 형성하는 단계는, 상기 표면탄성파 소자의 윗면, 상기 봉지부의 윗면 및 측면, 상기 봉지부와 상기 패키지용 기판의 측면 경계 부분 및 상기 패키지용 기판의 측면의 적어도 일부를 감싸도록 SUS 또는 티타늄으로 제1층을 형성하고, 상기 제1층 위에 구리로 제2층을 형성하고, 상기 제2층 위에 SUS 또는 니켈로 제3층을 형성할 수 있다.The forming of the metal protective layer may include SUS so as to surround at least a portion of an upper surface of the surface acoustic wave device, an upper surface and a side surface of the encapsulation portion, a side boundary portion of the encapsulation portion and the package substrate, and a side surface of the package substrate. Alternatively, a first layer may be formed of titanium, a second layer may be formed of copper on the first layer, and a third layer may be formed of SUS or nickel on the second layer.

상기된 본 발명에 의하면, 표면탄성파 소자 패키지의 봉지부와 패키지용 기판의 경계 부분 및 패키지용 기판의 측면의 적어도 일부를 감싸도록 금속 보호층을 형성함으로써, 봉지부와 패키지용 기판 사이의 접합 부분을 견고하게 유지하여 신뢰성을 향상시킬 수 있다.According to the present invention described above, a bonding portion between the encapsulation portion and the package substrate is formed by forming a metal protective layer so as to enclose a boundary portion between the encapsulation portion of the surface acoustic wave device package and at least a portion of the side surface of the package substrate. It can keep reliability firmly and improve reliability.

도 1은 표면탄성파 소자의 일 예를 나타낸다.
도 2는 표면탄성파 소자의 전극을 외부 환경으로부터 보호하기 위한 기존 표면탄성파 소자 패키지 구조의 일 예를 나타낸다.
도 3은 기존 표면탄성파 소자 패키지 구조에서 봉지부(20)와 패키지용 기판(7)의 접합 부분에 박리(delamination)가 발생한 모습의 예를 보여준다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 표면탄성파 소자 패키지의 구조를 나타낸다.
도 5 내지 10은 본 발명의 제1 실시예에 따른 표면탄성파 소자 패키지의 제작 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 표면탄성파 소자 패키지의 구조를 나타낸다.
도 12 내지 16은 본 발명의 제2 실시예에 따른 표면탄성파 소자 패키지의 제작 방법을 설명하기 위한 도면이다.1 shows an example of a surface acoustic wave device.
2 illustrates an example of an existing surface acoustic wave device package structure for protecting an electrode of a surface acoustic wave device from an external environment.
FIG. 3 shows an example in which delamination has occurred at a junction between the encapsulation portion 20 and the package substrate 7 in the existing surface acoustic wave device package structure.
4 shows the structure of the surface acoustic wave device package according to the first embodiment of the present invention.
5 to 10 are views for explaining the manufacturing method of the surface acoustic wave device package according to the first embodiment of the present invention.
11 shows a structure of a surface acoustic wave device package according to a second embodiment of the present invention.
12 to 16 illustrate a method of manufacturing a surface acoustic wave device package according to a second embodiment of the present invention.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 이하 설명 및 첨부된 도면들에서 실질적으로 동일한 구성요소들은 각각 동일한 부호들로 나타냄으로써 중복 설명을 생략하기로 한다. 또한 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description and the accompanying drawings, the substantially identical components are represented by the same reference numerals, and thus redundant description will be omitted. In addition, in the following description of the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 표면탄성파 소자 패키지의 구조를 나타낸다.4 shows the structure of the surface acoustic wave device package according to the first embodiment of the present invention.

본 실시예에 따른 표면탄성파 소자 패키지는, 표면탄성파 소자(10), 패키지용 기판(7), 봉지부(20) 및 금속 보호층(40)을 포함한다.The surface acoustic wave element package according to the present embodiment includes a surface acoustic wave element 10, a substrate for package 7, an encapsulation portion 20, and a metal protective layer 40.

표면탄성파 소자(10)는 압전기판(1) 및 압전기판(1) 상에 형성되는 IDT 전극(2)과 복수 개의 전극들(3, 4)을 포함한다. 패키지용 기판(7)은 표면탄성파 소자(10)의 전극들(3, 4)에 각각 대응되는 복수 개의 단자들(6)을 구비한다. 표면탄성파 소자(10)는 패키지용 기판(7) 위에 플립 본딩되며, 이를 위해 범프(5)가 표면탄성파 소자(10)의 전극들(3, 4)과 패키지용 기판(7)의 단자(6) 사이에 접합된다. 봉지부(20)는 패키지용 기판(7) 상에 표면탄성파 소자(10)의 윗면 및 측면을 감싸도록 형성된다.The surface acoustic wave element 10 includes a piezoelectric plate 1, an IDT electrode 2 formed on the piezoelectric plate 1, and a plurality of electrodes 3 and 4. The package substrate 7 includes a plurality of terminals 6 corresponding to the electrodes 3 and 4 of the surface acoustic wave element 10, respectively. The surface acoustic wave element 10 is flip-bonded on the package substrate 7, and the bumps 5 are connected to the electrodes 3 and 4 of the surface acoustic wave element 10 and the terminals 6 of the package substrate 7. ) Is joined between. The encapsulation part 20 is formed to surround the top and side surfaces of the surface acoustic wave element 10 on the package substrate 7.

금속 보호층(40)은 봉지부(20)의 윗면 및 측면, 봉지부(20)와 패키지용 기판(7)의 측면 경계 부분 및 패키지용 기판(7)의 측면의 적어도 일부를 감싸도록 형성된다. 이러한 금속 보호층(40)으로 인해, 봉지부(20) 전체가 외부 충격으로부터 보호되고 봉지부(20)와 패키지용 기판(7) 사이의 접합 부분이 견고하게 유지된다.The metal protective layer 40 is formed to surround at least a portion of the top and side surfaces of the encapsulation portion 20, the side boundary portions of the encapsulation portion 20 and the package substrate 7, and the side surfaces of the package substrate 7. . Due to this metal protective layer 40, the entire encapsulation portion 20 is protected from external impact and the bonding portion between the encapsulation portion 20 and the package substrate 7 is firmly maintained.

금속 보호층(40)은 도시된 바와 같이, 봉지부(20)와 패키지용 기판(7)의 측면 경계 부분으로부터 패키지용 기판(7)의 측면의 최하단까지 연장되지 않고 패키지용 기판(7)의 측면의 일 지점까지만 연장되는 것이 바람직하다. 이것은 표면탄성파 소자 패키지를 모듈 기판에 실장하는 경우 패키지용 기판(7)의 하부면에 마련되는 단자(미도시)의 솔더링 시에, 솔더링과 금속 보호층(40)이 전기적으로 단락되는 것을 방지하기 위함이다. 또한 만일 패키지용 기판(7)의 측면에 그라운드 패턴이 노출되어 있는 경우, 금속 보호층(40)은 그라운드 패턴과 접촉되지 않도록 그라운드 패턴 상부의 일 지점까지만 연장되는 것이 바람직하다.As shown, the metal protective layer 40 does not extend from the side boundary portion of the encapsulation portion 20 and the package substrate 7 to the lowest end of the side surface of the package substrate 7. It is preferred to extend only to one point on the side. This prevents the electrical short-circuit of the solder and the metal protective layer 40 during soldering of terminals (not shown) provided on the lower surface of the package substrate 7 when the surface acoustic wave device package is mounted on the module substrate. For sake. In addition, if the ground pattern is exposed on the side surface of the package substrate 7, the metal protective layer 40 preferably extends only to one point above the ground pattern so as not to contact the ground pattern.

금속 보호층(40)은 예컨대 스퍼터링(Sputtering), 플레이팅(Plating), 스프레이 코팅(Spray Coating) 등의 방법을 통해 형성될 수 있으며, 구리(Cu)를 포함할 수 있다. 구체적으로 금속 보호층(40)은, 봉지부(20)의 윗면, 측면, 봉지부(20)와 패키지용 기판(7)의 측면 경계 부분 및 패키지용 기판(7)의 측면의 적어도 일부를 감싸도록 형성되는 제1층(41)과, 제1층(41)을 감싸도록 형성되는 제2층(42)과, 제2층(42)을 감싸도록 형성되는 제3층(43)을 포함할 수 있다. 여기서 제2층(42)은 구리(Cu)를 포함할 수 있고, 제1층(41)은 봉지부(20)와의 접합력을 강화시키기 위한 것으로 SUS 또는 티타늄(Ti)을 포함할 수 있으며, 제3층(43)은 제2층(42)의 구리가 산화되는 것을 방지하기 위한 것으로 SUS 또는 니켈(Ni)을 포함할 수 있다. The metal protective layer 40 may be formed by, for example, sputtering, plating, spray coating, or the like, and may include copper (Cu). Specifically, the metal protective layer 40 surrounds at least a portion of the upper surface, the side surface of the encapsulation portion 20, the side boundary portion of the encapsulation portion 20 and the package substrate 7, and the side surface of the package substrate 7. A first layer 41 formed to cover the first layer 41, a second layer 42 formed to surround the first layer 41, and a third layer 43 formed to surround the second layer 42. Can be. Here, the second layer 42 may include copper (Cu), and the first layer 41 may include SUS or titanium (Ti) to strengthen the bonding force with the encapsulation portion 20. The third layer 43 is to prevent the copper of the second layer 42 from being oxidized and may include SUS or nickel (Ni).

도 5 내지 10은 본 발명의 제1 실시예에 따른 표면탄성파 소자 패키지의 제작 방법을 설명하기 위한 도면이다.5 to 10 are views for explaining the manufacturing method of the surface acoustic wave device package according to the first embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 다수의 행과 열로 표면탄성파 소자들(10a, 10b, 10c, ...)을 패키지용 기판 원자재(7_1)에 범프에 의해 플립 본딩한다.Referring to FIG. 5, the surface acoustic wave elements 10a, 10b, 10c,... Are flip-bonded by bump to the package substrate material 7_1 in a plurality of rows and columns.

도 6을 참조하면, 표면탄성파 소자들(10a, 10b, 10c, ...)이 플립 본딩된 패키지용 기판 원자재(7_1) 상에 표면탄성파 소자들(10a, 10b, 10c, ...)의 윗면 및 측면을 감싸도록 봉지부(20_1)를 형성한다. Referring to FIG. 6, the surface acoustic wave devices 10a, 10b, 10c,... Of the surface acoustic wave devices 10a, 10b, 10c,... On the flip-bonded package substrate raw material 7_1. An encapsulation portion 20_1 is formed to surround the top and side surfaces.

도 7을 참조하면, 서로 인접한 표면탄성파 소자들 사이로 봉지부(20_1)와 패키지용 기판 원자재(7_1)를 가로질러 절단하여, 각각이 표면탄성파 소자, 패키지용 기판, 봉지부를 포함하는 다수의 표면탄성파 소자 패키지들(30a, 30b, 30c, ...)을 얻는다.Referring to FIG. 7, a plurality of surface acoustic waves are cut across the encapsulation portion 20_1 and the package substrate raw material 7_1 between adjacent surface acoustic wave elements, each including a surface acoustic wave element, a substrate for package, and an encapsulation portion. Device packages 30a, 30b, 30c, ... are obtained.

다음으로, 도 8 내지 도 10에 도시된 바와 같이, 다수의 표면탄성파 소자 패키지들(30a, 30b, 30c, ...) 각각에 대하여, 봉지부의 윗면 및 측면, 봉지부와 패키지용 기판의 측면 경계 부분 및 패키지용 기판의 측면의 적어도 일부를 감싸도록 금속 보호층(40a, 40b, 40c)을 형성한다. 여기서 금속 보호층(40a, 40b, 40c)은, 봉지부와 패키지용 기판의 측면 경계 부분으로부터 패키지용 기판의 측면의 최하단까지 연장되지 않고 패키지용 기판의 측면의 일 지점까지만 연장되도록 형성되는 것이 바람직하다.Next, as shown in FIGS. 8 to 10, for each of the plurality of surface acoustic wave device packages 30a, 30b, 30c, ..., the top and side surfaces of the encapsulation portion, the side surfaces of the encapsulation portion and the package substrate. Metal protective layers 40a, 40b, and 40c are formed to surround at least a portion of the boundary portion and the side surface of the package substrate. Here, the metal protective layers 40a, 40b, and 40c are preferably formed so as not to extend from the side boundary portions of the encapsulation portion and the package substrate to the lowest point of the side surface of the package substrate, but to only one point of the side surface of the package substrate. Do.

도 8을 참조하면, 다수의 표면탄성파 소자 패키지들(30a, 30b, 30c, ...)을 각각의 패키지용 기판의 하면으로부터 측면의 일 지점까지 감싸지도록 구조물(50)에 고정시킨다. 여기서 구조물(50)로는 예컨대 UV 테이프 또는 PI(폴리이미드) 테이프 등이 사용될 수 있다. Referring to FIG. 8, a plurality of surface acoustic wave device packages 30a, 30b, 30c,... Are fixed to the structure 50 so as to be wrapped from a lower surface of each package substrate to a point on the side surface. As the structure 50, for example, UV tape or PI (polyimide) tape may be used.

도 9를 참조하면, 구조물(50)에 고정된 다수의 표면탄성파 소자 패키지들(30a, 30b, 30c, ...)에, 각각의 표면탄성파 소자 패키지에 봉지부의 윗면 및 측면, 봉지부와 패키지용 기판의 측면 경계 부분 및 패키지용 기판의 측면의 일 지점까지 감싸는 금속 보호층(40a, 40b, 40c)을 형성한다. 금속 보호층(40a, 40b, 40c)은 예컨대 스퍼터링(Sputtering), 플레이팅(Plating), 스프레이 코팅 (Spray Coating) 등의 방법을 통해 형성될 수 있다. 이때 구조물(50)에 의해 감싸진 패키지용 기판의 하면 및 그로부터 측면의 일 지점까지는 스퍼터링, 플레이팅, 스프레이 코팅 등이 되지 않으므로 금속 보호층(40a, 40b, 40c)이 형성되지 않게 된다. 9, in the surface acoustic wave device packages 30a, 30b, 30c, ... fixed to the structure 50, the top and side surfaces of the encapsulation part, the encapsulation part and the package in each surface acoustic wave device package. Metal protective layers 40a, 40b, and 40c are formed to cover up to one side of the side boundary portion of the substrate and the side surface of the package substrate. The metal protective layers 40a, 40b, and 40c may be formed by, for example, sputtering, plating, spray coating, or the like. At this time, since the sputtering, plating, spray coating, etc. are not formed on the lower surface of the package substrate wrapped by the structure 50 and one point on the side thereof, the metal protective layers 40a, 40b, and 40c are not formed.

금속 보호층 형성 과정에서는, SUS 또는 티타늄으로 제1층을 형성하고, 그 위에 구리로 제2층을 형성하고, 그 위에 SUS 또는 니켈로 제3층을 형성할 수 있다. In the metal protective layer forming process, the first layer may be formed of SUS or titanium, the second layer may be formed of copper thereon, and the third layer may be formed of SUS or nickel thereon.

금속 보호층 형성 후에, 도 10에 도시된 바와 같이 표면탄성파 소자 패키지들로부터 구조물(50)을 분리해 내면 본 발명의 제1 실시예에 따른 표면탄성파 소자 패키지가 완성된다. After forming the metal protective layer, as shown in FIG. 10, the structure 50 is separated from the surface acoustic wave device packages to complete the surface acoustic wave device package according to the first embodiment of the present invention.

도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 표면탄성파 소자 패키지의 구조를 나타낸다. 이하에서는 편의상 제1 실시예와의 차이점을 위주로 설명하기로 한다. 11 shows a structure of a surface acoustic wave device package according to a second embodiment of the present invention. Hereinafter, for convenience, differences from the first embodiment will be described.

본 실시예에 따른 표면탄성파 소자 패키지는, 표면탄성파 소자(10), 패키지용 기판(7), 봉지부(21) 및 금속 보호층(40′)을 포함한다.The surface acoustic wave element package according to the present embodiment includes a surface acoustic wave element 10, a package substrate 7, an encapsulation portion 21, and a metal protective layer 40 ′.

본 실시예에서, 봉지부(21)는 패키지용 기판(7) 상에 표면탄성파 소자(10)의 윗면이 노출되도록, 즉 압전기판(1)에서 IDT 전극(2)과 복수 개의 전극들(3, 4)이 형성된 면의 반대면이 노출되도록 하면서 표면탄성파 소자(10)의 측면을 감싸도록 형성된다. In the present embodiment, the encapsulation portion 21 exposes the top surface of the surface acoustic wave element 10 on the package substrate 7, that is, the IDT electrode 2 and the plurality of electrodes 3 on the piezoelectric substrate 1. , 4) is formed to surround the side surface of the surface acoustic wave device 10 while exposing the opposite surface of the formed surface.

금속 보호층(40′)은 표면탄성파 소자(10)의 윗면, 봉지부(21)의 윗면 및 측면, 봉지부(21)와 패키지용 기판(7)의 측면 경계 부분 및 패키지용 기판(7)의 측면의 적어도 일부를 감싸도록 형성된다. 이러한 금속 보호층(40′)으로 인해, 표면탄성파 소자(10)의 윗면과 봉지부(21) 전체가 외부 충격으로부터 보호되고 봉지부(21)와 패키지용 기판(7) 사이의 접합 부분이 견고하게 유지된다.The metal protective layer 40 ′ includes a top surface of the surface acoustic wave element 10, a top surface and side surfaces of the encapsulation portion 21, a side boundary portion of the encapsulation portion 21 and the package substrate 7, and the package substrate 7. It is formed to surround at least a portion of the side. Due to the metal protective layer 40 ′, the upper surface of the surface acoustic wave element 10 and the entire sealing portion 21 are protected from external impact, and the bonding portion between the sealing portion 21 and the package substrate 7 is firm. Is maintained.

특히 봉지부(21)는 제1 실시예의 봉지부(20)와 달리 표면탄성파 소자(10)의 윗면을 덮고 있지 않으므로, 표면탄성파 소자 패키지의 전체 높이가 감소되고 방열 성능이 개선될 수 있다.In particular, since the encapsulation portion 21 does not cover the upper surface of the surface acoustic wave element 10 unlike the encapsulation portion 20 of the first embodiment, the total height of the surface acoustic wave element package may be reduced and heat dissipation performance may be improved.

금속 보호층(40′)은 예컨대 스퍼터링(Sputtering), 플레이팅(Plating), 스프레이 코팅(Spray Coating) 등의 방법을 통해 형성될 수 있으며, 구리(Cu)를 포함할 수 있다. 구체적으로 금속 보호층(40′)은, 표면탄성파 소자(10)의 윗면, 봉지부(21)의 윗면 및 측면, 봉지부(21)와 패키지용 기판(7)의 측면 경계 부분 및 패키지용 기판(7)의 측면의 적어도 일부를 감싸도록 형성되는 제1층(41′)과, 제1층(41′)을 감싸도록 형성되는 제2층(42′)과, 제2층(42′)을 감싸도록 형성되는 제3층(43′)을 포함할 수 있다. 여기서 제2층(42′)은 구리(Cu)를 포함할 수 있고, 제1층(41′)은 표면탄성파 소자(10)의 윗면 및 봉지부(21)와의 접합력을 강화시키기 위한 것으로 SUS 또는 티타늄(Ti)을 포함할 수 있으며, 제3층(43′)은 제2층(42′)의 구리가 산화되는 것을 방지하기 위한 것으로 SUS 또는 니켈(Ni)을 포함할 수 있다. The metal protective layer 40 ′ may be formed by, for example, sputtering, plating, spray coating, or the like, and may include copper (Cu). Specifically, the metal protective layer 40 'includes a top surface of the surface acoustic wave element 10, a top surface and a side surface of the encapsulation portion 21, a side boundary portion of the encapsulation portion 21 and the package substrate 7, and a package substrate. The first layer 41 'formed to surround at least a part of the side surface of (7), the second layer 42' formed to surround the first layer 41 ', and the second layer 42'. It may include a third layer (43 ') formed to surround the. Here, the second layer 42 ′ may include copper (Cu), and the first layer 41 ′ may be used to reinforce the bonding force between the top surface of the surface acoustic wave element 10 and the encapsulation portion 21. Titanium (Ti) may be included, and the third layer 43 'is to prevent the copper of the second layer 42' from being oxidized and may include SUS or nickel (Ni).

도 12 내지 16은 본 발명의 제2 실시예에 따른 표면탄성파 소자 패키지의 제작 방법을 설명하기 위한 도면이다.12 to 16 illustrate a method of manufacturing a surface acoustic wave device package according to a second embodiment of the present invention.

도 5 및 도 6의 과정은 제2 실시예에 따른 표면탄성파 소자 패키지의 제작 방법에도 동일하게 적용된다.5 and 6 are similarly applied to the manufacturing method of the surface acoustic wave device package according to the second embodiment.

도 6 및 도 12를 참조하면, 도 6과 같이 형성된 봉지부(20_1)로부터 표면탄성파 소자들(10a, 10b, 10c, ...)의 윗면이 노출되도록 봉지부(20_1)의 윗부분 일부를 예컨대 그라인딩을 통해 제거함으로써, 도 12에 도시된 바와 같이 표면탄성파 소자들(10a, 10b, 10c, ...)의 윗면이 노출되도록 하면서 표면탄성파 소자들(10a, 10b, 10c, ...)의 측면을 감싸는 봉지부(21_1)를 형성한다. 6 and 12, a portion of the upper portion of the encapsulation portion 20_1 is exposed to expose the top surface of the surface acoustic wave elements 10a, 10b, 10c,... From the encapsulation portion 20_1 formed as shown in FIG. 6. By removing through grinding, the top surface of the surface acoustic wave elements 10a, 10b, 10c, ... is exposed while the surface acoustic wave elements 10a, 10b, 10c, ... are exposed as shown in FIG. The encapsulation portion 21_1 surrounding the side is formed.

도 13을 참조하면, 서로 인접한 표면탄성파 소자들 사이로 봉지부(21_1)와 패키지용 기판 원자재(7_1)를 가로질러 절단하여, 각각이 표면탄성파 소자, 패키지용 기판, 그리고 패키지용 기판 상에 표면탄성파 소자의 윗면이 노출되도록 하면서 표면탄성파 소자의 측면을 감싸도록 형성되는 봉지부를 포함하는 복수 개의 표면탄성파 소자 패키지들(31a, 31b, 31c, ...)을 얻는다.Referring to FIG. 13, the surface acoustic wave elements are cut across the encapsulation portion 21_1 and the package substrate raw material 7_1 between adjacent surface acoustic wave elements, and the surface acoustic wave elements on the surface acoustic wave element, the package substrate, and the package substrate are respectively cut. A plurality of surface acoustic wave device packages 31a, 31b, 31c, ... are obtained, including an encapsulation portion formed to surround the surface acoustic wave device while the top surface of the device is exposed.

도 14를 참조하면, 다수의 표면탄성파 소자 패키지들(31a, 31b, 31c, ...)을 각각의 패키지용 기판의 하면으로부터 측면의 일 지점까지 감싸지도록 구조물(50)에 고정시킨다.Referring to FIG. 14, a plurality of surface acoustic wave device packages 31a, 31b, 31c,..., Are fixed to the structure 50 so as to be wrapped from a lower surface of each package substrate to a point of the side surface.

도 15를 참조하면, 구조물(50)에 고정된 다수의 표면탄성파 소자 패키지들(31a, 31b, 31c, ...)에, 각각의 표면탄성파 소자 패키지에 표면탄성파 소자의 윗면, 봉지부의 윗면 및 측면, 봉지부와 패키지용 기판의 측면 경계 부분 및 패키지용 기판의 측면의 일 지점까지 감싸는 금속 보호층(40′a, 40′b, 40′c)을 형성한다. 금속 보호층(40′a, 40′b, 40′c)은 예컨대 스퍼터링(Sputtering), 플레이팅(Plating), 스프레이 코팅 (Spray Coating) 등의 방법을 통해 형성될 수 있다. 이때 구조물(50)에 의해 감싸진 패키지용 기판의 하면 및 그로부터 측면의 일 지점까지는 스퍼터링, 플레이팅, 스프레이 코팅 등이 되지 않으므로 금속 보호층(40′a, 40′b, 40′c)이 형성되지 않게 된다. 15, in the surface acoustic wave device packages 31a, 31b, 31c, ... fixed to the structure 50, the top surface of the surface acoustic wave device in each surface acoustic wave device package, the top surface of the encapsulation portion, and The metal protective layers 40'a, 40'b, and 40'c are formed to surround the side, the side boundary portions of the encapsulation portion and the package substrate, and to one point of the side surface of the package substrate. The metal protective layers 40'a, 40'b, and 40'c may be formed by, for example, sputtering, plating, spray coating, or the like. At this time, since the sputtering, plating, spray coating, etc. are not formed on the lower surface of the package substrate wrapped by the structure 50 and one point on the side thereof, the metal protective layers 40'a, 40'b, and 40'c are formed. Will not be.

금속 보호층 형성 후에, 도 16에 도시된 바와 같이 표면탄성파 소자 패키지들로부터 구조물(50)을 분리해 내면 본 발명의 제2 실시예에 따른 표면탄성파 소자 패키지가 완성된다. After the formation of the metal protective layer, the structure 50 is separated from the surface acoustic wave device packages as shown in FIG. 16 to complete the surface acoustic wave device package according to the second embodiment of the present invention.

상기된 본 발명의 실시예들에 의하면, 표면탄성파 소자 패키지의 봉지부와 패키지용 기판의 경계 부분 및 패키지용 기판의 측면의 적어도 일부를 감싸도록 금속 보호층을 형성함으로써, 봉지부와 패키지용 기판 사이의 접합 부분을 견고하게 유지하여 열, 진동과 같은 외부 충격으로부터 보호할 수 있어 신뢰성을 향상시킬 수 있다. According to the above-described embodiments of the present invention, the encapsulation portion and the package substrate are formed by forming a metal protective layer to surround the boundary portion of the encapsulation portion of the surface acoustic wave device package and the at least a portion of the side surface of the package substrate. The joints between them can be held firmly to protect against external shocks such as heat and vibration, thereby improving reliability.

이제까지 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예들을 중심으로 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.So far I looked at the center of the preferred embodiment for the present invention. Those skilled in the art will appreciate that the present invention can be implemented in a modified form without departing from the essential features of the present invention. Therefore, the disclosed embodiments should be considered in descriptive sense only and not for purposes of limitation. The scope of the present invention is shown in the claims rather than the foregoing description, and all differences within the scope will be construed as being included in the present invention.

Claims (16)

표면탄성파 소자;
상기 표면탄성파 소자가 플립 본딩된 패키지용 기판;
상기 패키지용 기판 상에 상기 표면탄성파 소자의 윗면 및 측면을 감싸도록 형성되는 봉지부; 및
상기 봉지부의 윗면 및 측면, 상기 봉지부와 상기 패키지용 기판의 측면 경계 부분 및 상기 패키지용 기판의 측면의 적어도 일부를 감싸도록 형성되는 금속 보호층을 포함하는 표면탄성파 소자 패키지.Surface acoustic wave elements;
A package substrate on which the surface acoustic wave elements are flip bonded;
An encapsulation portion formed to surround the top and side surfaces of the surface acoustic wave device on the package substrate; And
Surface acoustic wave device package including a metal protective layer formed to cover the upper and side surfaces of the encapsulation portion, the side boundary portion of the encapsulation portion and the package substrate and at least a portion of the side surface of the package substrate. 제1항에 있어서,
상기 금속 보호층은, 상기 봉지부와 상기 패키지용 기판의 측면 경계 부분으로부터 상기 패키지용 기판의 측면의 일 지점까지 연장되는 표면탄성파 소자 패키지.The method of claim 1,
The metal protective layer extends from the side boundary portion of the encapsulation portion and the package substrate to one point of the side surface of the package substrate. 제1항에 있어서,
상기 금속 보호층은, 상기 봉지부의 윗면 및 측면, 상기 봉지부와 상기 패키지용 기판의 측면 경계 부분 및 상기 패키지용 기판의 측면의 적어도 일부를 감싸도록 형성되는 제1층과, 상기 제1층을 감싸도록 형성되는 제2층과, 상기 제2층을 감싸도록 형성되는 제3층을 포함하는 표면탄성파 소자 패키지.The method of claim 1,
The metal protective layer may include a first layer formed to cover an upper surface and a side surface of the encapsulation portion, a side boundary portion of the encapsulation portion and the package substrate, and at least a portion of a side surface of the package substrate, and the first layer. A surface acoustic wave device package comprising a second layer formed to surround and a third layer formed to surround the second layer. 제3항에 있어서,
상기 제1층은 SUS 또는 티타늄을 포함하고, 상기 제2층은 구리를 포함하고, 상기 제3층은 SUS 또는 니켈을 포함하는 표면탄성파 소자 패키지.The method of claim 3,
The first layer includes SUS or titanium, the second layer comprises copper, and the third layer comprises SUS or nickel. 복수 개의 표면탄성파 소자들을 패키지용 기판 원자재에 플립 본딩하는 단계;
상기 복수 개의 표면탄성파 소자들이 플립 본딩된 상기 패키지용 기판 원자재 상에 상기 복수 개의 표면탄성파 소자들의 윗면 및 측면을 감싸도록 봉지부를 형성하는 단계;
서로 인접한 표면탄성파 소자들 사이로 상기 봉지부와 상기 패키지용 기판 원자재를 가로질러 절단하여, 각각이 표면탄성파 소자, 상기 표면탄성파 소자가 플립 본딩된 패키지용 기판, 및 상기 패키지용 기판 상에 상기 표면탄성파 소자의 윗면 및 측면을 감싸도록 형성되는 봉지부를 포함하는 복수 개의 표면탄성파 소자 패키지들을 얻는 단계; 및
상기 복수 개의 표면탄성파 소자 패키지들 각각에 대하여, 상기 봉지부의 윗면 및 측면, 상기 봉지부와 패키지용 기판의 측면 경계 부분 및 상기 패키지용 기판의 측면의 적어도 일부를 감싸도록 금속 보호층을 형성하는 단계를 포함하는 표면탄성파 소자 패키지 제작 방법.Flip bonding a plurality of surface acoustic wave elements to a substrate material for a package;
Forming an encapsulation portion surrounding the top and side surfaces of the plurality of surface acoustic wave elements on the package substrate raw material in which the plurality of surface acoustic wave elements are flip bonded;
The surface acoustic wave elements are cut across the encapsulation portion and the package substrate raw material between adjacent surface acoustic wave elements, and each of the surface acoustic wave elements, the package substrate on which the surface acoustic wave elements are flip-bonded, and the surface acoustic wave on the package substrate. Obtaining a plurality of surface acoustic wave device packages including an encapsulation portion formed to surround the top and side surfaces of the device; And
Forming a metal protective layer on each of the plurality of surface acoustic wave device packages to cover top and side surfaces of the encapsulation portion, side boundary portions of the encapsulation portion and the package substrate, and at least a portion of the side surface of the package substrate; Surface acoustic wave device package manufacturing method comprising a. 제5항에 있어서,
상기 금속 보호층을 형성하는 단계는, 상기 봉지부와 상기 패키지용 기판의 측면 경계 부분으로부터 상기 패키지용 기판의 측면의 일 지점까지 연장되도록 금속 보호층을 형성하는 표면탄성파 소자 패키지 제작 방법.The method of claim 5,
The forming of the metal protective layer may include forming a metal protective layer to extend from the side boundary portion of the encapsulation portion and the package substrate to a point of the side surface of the package substrate. 제6항에 있어서,
상기 금속 보호층을 형성하는 단계는,
상기 복수 개의 표면탄성파 소자 패키지들을 각각의 패키지용 기판의 하면으로부터 측면의 일 지점까지 감싸지도록 구조물에 고정시키는 단계;
상기 구조물에 고정된 상기 복수 개의 표면탄성파 소자 패키지들에 상기 금속 보호층을 형성하는 단계; 및
상기 복수 개의 표면탄성파 소자 패키지들로부터 상기 구조물을 분리하는 단계를 포함하는 표면탄성파 소자 패키지 제작 방법.The method of claim 6,
Forming the metal protective layer,
Fixing the plurality of surface acoustic wave device packages to a structure to be wrapped from a lower surface of each package substrate to a point on a side surface thereof;
Forming the metal protective layer on the plurality of surface acoustic wave device packages fixed to the structure; And
And separating the structure from the plurality of surface acoustic wave device packages. 제5항에 있어서,
상기 금속 보호층을 형성하는 단계는, 상기 봉지부의 윗면 및 측면, 상기 봉지부와 패키지용 기판의 측면 경계 부분 및 상기 패키지용 기판의 측면의 적어도 일부를 감싸도록 SUS 또는 티타늄으로 제1층을 형성하고, 상기 제1층 위에 구리로 제2층을 형성하고, 상기 제2층 위에 SUS 또는 니켈로 제3층을 형성하는 표면탄성파 소자 패키지 제작 방법.The method of claim 5,
The forming of the metal protective layer may include forming a first layer of SUS or titanium to surround at least a portion of the top and side surfaces of the encapsulation portion, the side boundary portion of the encapsulation portion and the package substrate, and the side surface of the package substrate. And forming a second layer of copper on the first layer and forming a third layer of SUS or nickel on the second layer. 표면탄성파 소자;
상기 표면탄성파 소자가 플립 본딩된 패키지용 기판;
상기 패키지용 기판 상에 상기 표면탄성파 소자의 윗면이 노출되도록 하면서 상기 표면탄성파 소자의 측면을 감싸도록 형성되는 봉지부; 및
상기 표면탄성파 소자의 윗면, 상기 봉지부의 윗면 및 측면, 상기 봉지부와 상기 패키지용 기판의 측면 경계 부분 및 상기 패키지용 기판의 측면의 적어도 일부를 감싸도록 형성되는 금속 보호층을 포함하는 표면탄성파 소자 패키지.Surface acoustic wave elements;
A package substrate on which the surface acoustic wave elements are flip bonded;
An encapsulation portion formed to surround a side surface of the surface acoustic wave device while exposing an upper surface of the surface acoustic wave device on the package substrate; And
A surface acoustic wave device comprising a top surface of the surface acoustic wave device, an upper surface and a side surface of the encapsulation part, a metal protective layer formed to surround at least a portion of a side boundary portion of the encapsulation part and the package substrate and a side surface of the package substrate. package. 제9항에 있어서,
상기 금속 보호층은, 상기 봉지부와 상기 패키지용 기판의 측면 경계 부분으로부터 상기 패키지용 기판의 측면의 일 지점까지 연장되는 표면탄성파 소자 패키지.The method of claim 9,
The metal protective layer extends from the side boundary portion of the encapsulation portion and the package substrate to one point of the side surface of the package substrate. 제9항에 있어서,
상기 금속 보호층은, 상기 표면탄성파 소자의 윗면, 상기 봉지부의 윗면 및 측면, 상기 봉지부와 상기 패키지용 기판의 측면 경계 부분 및 상기 패키지용 기판의 측면의 적어도 일부를 감싸도록 형성되는 제1층과, 상기 제1층을 감싸도록 형성되는 제2층과, 상기 제2층을 감싸도록 형성되는 제3층을 포함하는 표면탄성파 소자 패키지.The method of claim 9,
The metal protective layer may include a first layer formed to cover an upper surface of the surface acoustic wave device, an upper surface and a side surface of the encapsulation portion, a side boundary portion of the encapsulation portion and the package substrate, and at least a portion of the side surface of the package substrate. And a second layer formed to surround the first layer, and a third layer formed to surround the second layer. 제11항에 있어서,
상기 제1층은 SUS 또는 티타늄을 포함하고, 상기 제2층은 구리를 포함하고, 상기 제3층은 SUS 또는 니켈을 포함하는 표면탄성파 소자 패키지.The method of claim 11,
The first layer includes SUS or titanium, the second layer comprises copper, and the third layer comprises SUS or nickel. 복수 개의 표면탄성파 소자들을 패키지용 기판 원자재에 플립 본딩하는 단계;
상기 복수 개의 표면탄성파 소자들이 플립 본딩된 상기 패키지용 기판 원자재 상에 상기 복수 개의 표면탄성파 소자들의 윗면 및 측면을 감싸도록 봉지부를 형성하는 단계;
상기 복수 개의 표면탄성파 소자들의 윗면이 노출되도록 상기 형성된 봉지부의 윗부분 일부를 제거하는 단계;
서로 인접한 표면탄성파 소자들 사이로 상기 봉지부와 상기 패키지용 기판 원자재를 가로질러 절단하여, 각각이 표면탄성파 소자, 상기 표면탄성파 소자가 플립 본딩된 패키지용 기판, 및 상기 패키지용 기판 상에 상기 표면탄성파 소자의 윗면이 노출되도록 하면서 상기 표면탄성파 소자의 측면을 감싸도록 형성되는 봉지부를 포함하는 복수 개의 표면탄성파 소자 패키지들을 얻는 단계; 및
상기 복수 개의 표면탄성파 소자 패키지들 각각에 대하여, 상기 표면탄성파 소자의 윗면, 상기 봉지부의 윗면 및 측면, 상기 봉지부와 상기 패키지용 기판의 측면 경계 부분 및 상기 패키지용 기판의 측면의 적어도 일부를 감싸도록 금속 보호층을 형성하는 단계를 포함하는 표면탄성파 소자 패키지 제작 방법.Flip bonding a plurality of surface acoustic wave elements to a substrate material for a package;
Forming an encapsulation portion surrounding the top and side surfaces of the plurality of surface acoustic wave elements on the package substrate raw material in which the plurality of surface acoustic wave elements are flip bonded;
Removing a portion of an upper portion of the formed encapsulation portion so that upper surfaces of the plurality of surface acoustic wave elements are exposed;
The surface acoustic wave elements are cut across the encapsulation portion and the package substrate raw material between adjacent surface acoustic wave elements, and each of the surface acoustic wave elements, the package substrate on which the surface acoustic wave elements are flip-bonded, and the surface acoustic wave on the package substrate. Obtaining a plurality of surface acoustic wave device packages including an encapsulation portion formed to surround the side surface of the surface acoustic wave device while exposing an upper surface of the device; And
Each of the plurality of surface acoustic wave device packages surrounds an upper surface of the surface acoustic wave device, an upper surface and a side surface of the encapsulation portion, a side boundary portion of the encapsulation portion and the package substrate, and at least a portion of the side surface of the package substrate. Method of manufacturing a surface acoustic wave device package comprising the step of forming a metal protective layer. 제13항에 있어서,
상기 금속 보호층을 형성하는 단계는, 상기 봉지부와 상기 패키지용 기판의 측면 경계 부분으로부터 상기 패키지용 기판의 측면의 일 지점까지 연장되도록 금속 보호층을 형성하는 표면탄성파 소자 패키지 제작 방법.The method of claim 13,
The forming of the metal protective layer may include forming a metal protective layer to extend from the side boundary portion of the encapsulation portion and the package substrate to a point of the side surface of the package substrate. 제14항에 있어서,
상기 금속 보호층을 형성하는 단계는,
상기 복수 개의 표면탄성파 소자 패키지들을 각각의 패키지용 기판의 하면으로부터 측면의 일 지점까지 감싸지도록 구조물에 고정시키는 단계;
상기 구조물에 고정된 상기 복수 개의 표면탄성파 소자 패키지들에 상기 금속 보호층을 형성하는 단계; 및
상기 복수 개의 표면탄성파 소자 패키지들로부터 상기 구조물을 분리하는 단계를 포함하는 표면탄성파 소자 패키지 제작 방법.The method of claim 14,
Forming the metal protective layer,
Fixing the plurality of surface acoustic wave device packages to a structure to be wrapped from a lower surface of each package substrate to a point on a side surface thereof;
Forming the metal protective layer on the plurality of surface acoustic wave device packages fixed to the structure; And
And separating the structure from the plurality of surface acoustic wave device packages. 제13항에 있어서,
상기 금속 보호층을 형성하는 단계는, 상기 표면탄성파 소자의 윗면, 상기 봉지부의 윗면 및 측면, 상기 봉지부와 상기 패키지용 기판의 측면 경계 부분 및 상기 패키지용 기판의 측면의 적어도 일부를 감싸도록 SUS 또는 티타늄으로 제1층을 형성하고, 상기 제1층 위에 구리로 제2층을 형성하고, 상기 제2층 위에 SUS 또는 니켈로 제3층을 형성하는 표면탄성파 소자 패키지 제작 방법.The method of claim 13,
The forming of the metal protective layer may include SUS so as to surround at least a portion of an upper surface of the surface acoustic wave device, an upper surface and a side surface of the encapsulation portion, a side boundary portion of the encapsulation portion and the package substrate, and a side surface of the package substrate. Or forming a first layer of titanium, forming a second layer of copper on the first layer, and forming a third layer of SUS or nickel on the second layer.
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