KR20120051407A - High frequency module having surface acoustic wave device and method for manufacturing the same - Google Patents

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KR20120051407A KR1020100112835A KR20100112835A KR20120051407A KR 20120051407 A KR20120051407 A KR 20120051407A KR 1020100112835 A KR1020100112835 A KR 1020100112835A KR 20100112835 A KR20100112835 A KR 20100112835A KR 20120051407 A KR20120051407 A KR 20120051407A
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Abstract

PURPOSE: A high frequency module having a surface acoustic wave device capable and a manufacturing method thereof are provided to improve the shielding performance of electromagnetic waves by electrically connecting ground patterns and an electromagnetic wave shielding layer formed on a molding layer. CONSTITUTION: A radio frequency module including a surface acoustic wave device includes a substrate(10) and one or more SAW(Surface Acoustic Wave) devices(20) mounted on the substrate. The radio frequency module including the surface acoustic wave device includes an electromagnetic wave shielding layer(40) formed on a surface of a molding layer(30) and the molding layer formed on the substrate to cover the SAW device. The substrate is composed of a multilayer wiring substrate including a ceramic substrate or a PCB substrate, etc. Upper ground patterns(11) are formed on both side top portions of the substrate. An upper side of the upper ground patterns is exposed to the outside of the substrate.

Description

표면 탄성파 소자를 포함한 고주파 모듈 및 그 제조방법{High frequency module having surface acoustic wave device and method for manufacturing the same}High frequency module having surface acoustic wave device and method for manufacturing the same

본 발명은 표면 탄성파 소자를 포함한 고주파 모듈 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판에 구비된 그라운드 패턴과 몰딩층 상에 형성된 전자파 차폐층이 서로 전기적으로 연결되도록 함으로써 전자파 차폐 성능을 향상시킨 표면 탄성파 소자를 포함한 고주파 모듈 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a high frequency module including a surface acoustic wave device and a method of manufacturing the same. More particularly, the electromagnetic wave shielding performance is improved by allowing the ground pattern provided on the substrate and the electromagnetic shielding layer formed on the molding layer to be electrically connected to each other. A high frequency module including a surface acoustic wave device and a method of manufacturing the same.

통신산업이 발달되면서 무선통신 제품은 점차 소형화, 고품질화 및 다기능화되어 가고 있다. 이러한 경향에 맞추어 무선통신 제품에 사용되는 부품, 예를 들어 필터, 듀플렉서 등에 대해서도 소형화 및 다기능화가 요구되고 있다. 이러한 부품의 일례로서, 표면 탄성파(surface acoustic wave; SAW) 소자가 사용되고 있다.With the development of the telecommunications industry, wireless communication products are becoming smaller, higher quality and more versatile. In accordance with this trend, miniaturization and multifunctionality are also required for components used in wireless communication products such as filters and duplexers. As an example of such a component, a surface acoustic wave (SAW) element is used.

표면 탄성파 소자는 압전성 기판 상에 설치된 박막 금속으로 이루어지는 빗살형상 전극(Inter Digital Transducer; IDT)에 의해 전기적 신호와 표면 탄성파의 변환을 실시하고, 신호를 송수신하는 소자이다.A surface acoustic wave element is an element which converts an electrical signal and a surface acoustic wave by an interdigital transducer (IDT) made of a thin film metal provided on a piezoelectric substrate, and transmits and receives a signal.

이러한 표면 탄성파 소자는 소형, 경량, 고신뢰성, 우수한 대역외 감쇠특성 등의 특징을 갖기 때문에, 영상기기나 이동통신기기의 분야에서 주파수 필터, 공진기 등으로서 널리 이용되고 있다. Since such surface acoustic wave elements have characteristics such as small size, light weight, high reliability, and excellent out-of-band attenuation characteristics, they are widely used as frequency filters and resonators in the field of video equipment and mobile communication equipment.

이에 따라, 최근에는 노이즈 신호의 유입 및 유출을 효과적으로 막을 수 있는 전자파 차폐 능력이 우수한 고주파 모듈의 개발이 지속적으로 요구되고 있는 실정이다. 그 일례로 GPS용 고주파 모듈이 있다.Accordingly, in recent years, the development of a high frequency module having excellent electromagnetic shielding ability to effectively prevent the inflow and outflow of the noise signal is continuously required. One example is a high frequency module for GPS.

따라서, 본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 이루어진 것으로서, 본 발명의 목적은, 기판에 구비된 그라운드 패턴과 몰딩층 상에 형성된 전자파 차폐층이 서로 전기적으로 연결되도록 함으로써 전자파 차폐 성능을 향상시킬 수 있도록 한 표면 탄성파 소자를 포함한 고주파 모듈 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to improve the electromagnetic shielding performance by allowing the ground pattern provided on the substrate and the electromagnetic shielding layer formed on the molding layer to be electrically connected to each other. A high frequency module including a surface acoustic wave device and a method of manufacturing the same are provided.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 의한 표면 탄성파 소자를 포함한 고주파 모듈은, 양측 상부에 상부 그라운드 패턴이 구비되고, 내부에 비아 전극을 통해 상기 상부 그라운드 패턴과 전기적으로 연결된 내부 그라운드 패턴이 구비된 기판; 상기 기판 상에 실장된 적어도 하나의 SAW 소자; 상기 SAW 소자를 덮도록 상기 기판 상에 형성되며 양측에 상기 상부 그라운드 패턴을 노출키는 홈부를 구비한 몰딩층; 및 상기 홈부의 내부를 포함한 상기 몰딩층의 표면을 덮도록 형성된 전자파 차폐층;을 포함할 수 있다.The high frequency module including the surface acoustic wave device according to an embodiment of the present invention for achieving the above object, the upper ground pattern is provided on both sides, the inner ground pattern is electrically connected to the upper ground pattern through a via electrode therein A substrate provided; At least one SAW element mounted on the substrate; A molding layer formed on the substrate so as to cover the SAW element and having groove portions at both sides thereof exposing the upper ground pattern; And an electromagnetic shielding layer formed to cover the surface of the molding layer including the inside of the groove.

여기서, 상기 홈부는 상기 기판의 내부까지 하부로 연장 형성되어 상기 내부 그라운드 패턴을 노출시킬 수 있다.The groove may extend downwardly to the inside of the substrate to expose the internal ground pattern.

또한, 상기 홈부는 상기 기판의 저면까지 하부로 연장 형성되어 상기 내부 그라운드 패턴을 포함한 상기 기판의 양측면을 노출시킬 수 있다.In addition, the groove may extend downward to the bottom of the substrate to expose both side surfaces of the substrate including the internal ground pattern.

또한, 상기 SAW 소자는 SAW 필터 및 SAW 듀플렉서 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.In addition, the SAW device may include at least one of a SAW filter and a SAW duplexer.

또한, 상기 전자파 차폐층은 Ag 및 Cu 중 적어도 어느 하나를 포함하는 재질로 이루어질 수 있다.In addition, the electromagnetic shielding layer may be made of a material containing at least one of Ag and Cu.

또한, 상기 전자파 차폐층은 도금 방식, 스프레이 방식 및 스퍼터 방식 중 적어도 어느 하나의 방식에 의해 형성된 것일 수 있다.
In addition, the electromagnetic shielding layer may be formed by at least one of a plating method, a spray method and a sputter method.

그리고, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 의한 표면 탄성파 소자를 포함한 고주파 모듈의 제조방법은, 상부에 복수의 상부 그라운드 패턴이 구비되고, 내부에 비아 전극을 통해 상기 상부 그라운드 패턴과 전기적으로 연결된 복수의 내부 그라운드 패턴이 구비된 기판을 준비하는 단계; 상기 기판의 상면에 1개 이상의 SAW 소자를 실장하는 단계; 상기 기판 상에 상기 SAW 소자를 덮도록 몰딩층을 형성하는 단계; 상기 SAW 소자 사이의 상기 몰딩층의 일부분을 제거하여 상기 상부 그라운드 패턴을 노출시키는 홈부를 형성하는 단계; 상기 홈부의 내부를 포함한 상기 몰딩층의 표면에 전자파 차폐층을 형성하는 단계; 및 상기 결과물을 다이싱 라인을 따라 절단하여 개별 고주파 모듈 단위로 분리하는 단계;를 포함할 수 있다.In addition, the method of manufacturing a high frequency module including a surface acoustic wave device according to an embodiment of the present invention for achieving the above object, a plurality of upper ground patterns are provided on the upper, and the upper ground pattern through a via electrode therein; Preparing a substrate having a plurality of internal ground patterns electrically connected thereto; Mounting at least one SAW device on an upper surface of the substrate; Forming a molding layer on the substrate to cover the SAW device; Removing a portion of the molding layer between the SAW elements to form a groove portion exposing the upper ground pattern; Forming an electromagnetic shielding layer on a surface of the molding layer including the inside of the groove; And cutting the resultant along a dicing line and separating the resultant into individual high frequency module units.

또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 의한 표면 탄성파 소자를 포함한 고주파 모듈의 제조방법은, 상부에 복수의 상부 그라운드 패턴이 구비되고, 내부에 비아 전극을 통해 상기 상부 그라운드 패턴과 전기적으로 연결된 복수의 내부 그라운드 패턴이 구비된 기판을 준비하는 단계; 상기 기판의 상면에 1개 이상의 SAW 소자를 실장하는 단계; 상기 기판 상에 상기 SAW 소자를 덮도록 몰딩층을 형성하는 단계; 상기 SAW 소자 사이의 상기 몰딩층 및 상기 기판의 일부분을 제거하여 상기 상부 그라운드 패턴 및 상기 내부 그라운드 패턴을 노출시키는 홈부를 형성하는 단계; 상기 홈부의 내부를 포함한 상기 몰딩층의 표면에 전자파 차폐층을 형성하는 단계; 및 상기 결과물을 다이싱 라인을 따라 절단하여 개별 고주파 모듈 단위로 분리하는 단계;를 포함할 수 있다.In addition, the method for manufacturing a high frequency module including a surface acoustic wave device according to another embodiment of the present invention for achieving the above object, a plurality of upper ground patterns are provided on the upper, and the upper ground pattern through a via electrode therein; Preparing a substrate having a plurality of internal ground patterns electrically connected thereto; Mounting at least one SAW device on an upper surface of the substrate; Forming a molding layer on the substrate to cover the SAW device; Removing a portion of the molding layer and the substrate between the SAW elements to form a groove portion exposing the upper ground pattern and the inner ground pattern; Forming an electromagnetic shielding layer on a surface of the molding layer including the inside of the groove; And cutting the resultant along a dicing line and separating the resultant into individual high frequency module units.

여기서, 상기 SAW 소자 사이의 상기 몰딩층 및 상기 기판의 일부분을 제거하여 상기 상부 그라운드 패턴 및 상기 내부 그라운드 패턴을 노출시키는 홈부를 형성하는 단계에서, 상기 기판은 일부 두께 또는 전체 두께 만큼 제거될 수 있다.Here, in the forming of the groove portion exposing the upper ground pattern and the inner ground pattern by removing the molding layer and the portion of the substrate between the SAW device, the substrate may be removed by a partial thickness or the entire thickness. .

또한, 상기 다이싱 라인은 상기 홈부의 중앙부를 지나는 것을 특징으로 할 수 있다.In addition, the dicing line may be characterized in that passing through the center of the groove portion.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 표면 탄성파 소자를 포함한 고주파 모듈 및 그 제조방법에 의하면, 기판에 구비된 그라운드 패턴과 몰딩층 상에 형성된 전자파 차폐층이 서로 전기적으로 연결되도록 함으로써 노이즈 신호의 유입 및 유출을 효과적으로 막을 수 있는 효과가 있다.As described above, according to the high frequency module including the surface acoustic wave device and the manufacturing method thereof according to the present invention, the ground pattern provided on the substrate and the electromagnetic shielding layer formed on the molding layer are electrically connected to each other to introduce the noise signal. And it is effective to effectively prevent the outflow.

따라서, 본 발명은 전자파 차폐 성능이 우수한 표면 탄성파 소자를 포함한 고주파 모듈을 제공할 수 있는 효과가 있다.Therefore, the present invention has the effect of providing a high frequency module including a surface acoustic wave device having excellent electromagnetic shielding performance.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 표면 탄성파 소자를 포함한 고주파 모듈의 구조를 나타낸 단면도.
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 표면 탄성파 소자를 포함한 고주파 모듈의 구조를 나타낸 단면도.
도 3은 본 발명의 제3 실시예에 따른 표면 탄성파 소자를 포함한 고주파 모듈의 구조를 나타낸 단면도.
도 4a 내지 도 4g는 본 발명의 제1 실시예에 따른 표면 탄성파 소자를 포함한 고주파 모듈의 제조방법을 설명하기 위해 순차적으로 나타낸 공정 단면도.
도 5a 내지 도 5g는 본 발명의 제2 실시예에 따른 표면 탄성파 소자를 포함한 고주파 모듈의 제조방법을 설명하기 위해 순차적으로 나타낸 공정 단면도.
도 6a 내지 도 6e는 본 발명의 제3 실시예에 따른 표면 탄성파 소자를 포함한 고주파 모듈의 제조방법을 설명하기 위해 순차적으로 나타낸 공정 단면도.
1 is a cross-sectional view showing the structure of a high frequency module including a surface acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view showing the structure of a high frequency module including a surface acoustic wave device according to a second embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view showing the structure of a high frequency module including a surface acoustic wave device according to a third embodiment of the present invention.
4A to 4G are cross-sectional views sequentially illustrating a method of manufacturing a high frequency module including a surface acoustic wave device according to a first exemplary embodiment of the present invention.
5A to 5G are cross-sectional views sequentially illustrating a method of manufacturing a high frequency module including a surface acoustic wave device according to a second exemplary embodiment of the present invention.
6A through 6E are cross-sectional views sequentially illustrating a method of manufacturing a high frequency module including a surface acoustic wave device according to a third exemplary embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 실시예들은 표면 탄성파 소자를 포함한 고주파 모듈 및 그 제조방법의 도면을 참고하여 상세하게 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되어지는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 장치의 크기 및 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings of a high frequency module including a surface acoustic wave device and a method of manufacturing the same. The following embodiments are provided as examples to sufficiently convey the spirit of the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the invention is not limited to the embodiments described below and may be embodied in other forms. In the drawings, the size and thickness of the device may be exaggerated for convenience. Like reference numerals designate like elements throughout the specification.

먼저, 도 1을 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 표면 탄성파 소자를 포포함한 고주파 모듈에 대하여 상세히 설명한다.First, a high frequency module including a surface acoustic wave device according to a first exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 1.

도 1은 본 발명의 제1 실시에에 따른 표면 탄성파 소자를 포함한 고주파 모듈의 구조를 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing the structure of a high frequency module including a surface acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표면 탄성파 소자를포함한 고주파 모듈은, 크게 기판(10)과, 상기 기판(10) 상에 실장된 적어도 하나의 표면 탄성파(sur+face acoustic wave; 이하, "SAW" 라 칭함) 소자(20)와, 상기 SAW 소자(20)를 덮도록 상기 기판(10) 상에 형성된 몰딩층(30), 및 상기 몰딩층(30)의 표면에 형성된 전자파 차폐층(40)을 포함하여 구성될 수 있다.As shown in FIG. 1, the high frequency module including the surface acoustic wave device according to the first embodiment of the present invention includes a substrate 10 and at least one surface acoustic wave (sur +) mounted on the substrate 10. face acoustic wave (hereinafter referred to as " SAW ") device 20, a molding layer 30 formed on the substrate 10 to cover the SAW device 20, and a surface of the molding layer 30 It may be configured to include an electromagnetic shielding layer 40 formed in.

상기 기판(10)은 세라믹 기판 또는 PCB 기판 등과 같은 다층 배선 기판 등으로 이루어질 수 있다.The substrate 10 may be formed of a multilayer wiring substrate such as a ceramic substrate or a PCB substrate.

상기 기판(10)의 양측 상부에는 상부 그라운드 패턴(top ground pattern; 11)이 구비되어 있다. 상기 상부 그라운드 패턴(11)의 상면은 기판(10) 외부로 노출되어 있다.Top ground patterns 11 are provided on both sides of the substrate 10. An upper surface of the upper ground pattern 11 is exposed to the outside of the substrate 10.

그리고 상기 기판(10)의 내부에는, 상기 기판(10)의 일부분을 관통하도록 형성된 비아(via) 전극(12)을 통해 상기 상부 그라운드 패턴(11)과 전기적으로 연결된 내부 그라운드 패턴(inner ground pattern; 13)이 구비되어 있다.An inner ground pattern electrically connected to the upper ground pattern 11 through a via electrode 12 formed to penetrate a portion of the substrate 10; 13) is provided.

즉 상기 상부 그라운드 패턴(11)과 내부 그라운드 패턴(13)은 서로 다른 층에 구비되어 있으며, 이들은 상기 기판(10)의 일부분을 관통하도록 형성된 상기 비아 전극(12)에 의해 서로 전기적으로 연결되어 있다.That is, the upper ground pattern 11 and the inner ground pattern 13 are provided on different layers, and they are electrically connected to each other by the via electrode 12 formed to pass through a portion of the substrate 10. .

이때 도면에서는 상기 내부 그라운드 패턴(13)이 상기 기판(10) 내부의 서로 다른 층에 두 개 구비된 경우를 도시하였으나, 상기 내부 그라운드 패턴(13)의 갯수가 이에 한정되는 것은 아니다.In this case, although the inner ground patterns 13 are provided in two different layers in the substrate 10, the number of the inner ground patterns 13 is not limited thereto.

상기 기판(10)의 상면에는 전극 패턴(21)이 구비되어 있고, 상기 전극 패턴(21) 상에 SAW 소자(20)가 실장되어 있다.An electrode pattern 21 is provided on an upper surface of the substrate 10, and a SAW element 20 is mounted on the electrode pattern 21.

상기 SAW 소자(20)는 SAW 필터(filter) 및 SAW 듀플렉서(duplexer) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The SAW device 20 may include at least one of a SAW filter and a SAW duplexer.

즉, 도 1에는 기판(10) 상에 한 개의 SAW 소자(20), 예컨대 한 개의 SAW 필터가 실장되거나, 또는 한 개의 SAW 듀플렉서가 실장되는 경우를 도시하였으나, 상기 기판(10) 상에는 SAW 소자(20)로서 SAW 필터와 SAW 듀플렉서가 모두 실장되어 있을 수도 있다.1 illustrates a case in which one SAW element 20, for example, one SAW filter or one SAW duplexer is mounted on the substrate 10, the SAW element ( 20, both the SAW filter and the SAW duplexer may be mounted.

상기 SAW 필터는 압전 기판의 표면에 IDT(Inter Digital Transducer) 전극을 형성한 후, 상기 IDT 전극에 인가된 전기적 신호를 압전 효과에 의해 압전체의 기계적 에너지로 변환시키는 원리를 이용하는 것으로서, 인가된 주파수 중에서 필요한 주파수만 선택적으로 받아들이고 나머지 신호는 차단하는 역할을 할 수 있다.The SAW filter uses an IDT (Inter Digital Transducer) electrode formed on a surface of a piezoelectric substrate, and then converts an electrical signal applied to the IDT electrode into mechanical energy of a piezoelectric body by a piezoelectric effect. It can selectively accept only the necessary frequencies and block the rest of the signal.

그리고, 상기 SAW 듀플렉서는 안테나에서 들어오는 신호 중 송신과 수신 주파수를 분리해주는 역할을 하며, 동시에 SAW 필터와 같이 인접 주파수의 노이즈(noise)를 차단하는 역할을 할 수 있다.In addition, the SAW duplexer serves to separate transmission and reception frequencies among the signals coming from the antenna, and at the same time, may block the noise of adjacent frequencies like the SAW filter.

뿐만 아니라, 도 1에 도시된 바와 같이 상기 기판(10) 상에는 상기한 SAW 필터 및 SAW 듀플렉서 등과 같은 SAW 소자(20) 이외에도 능동 소자(22) 및 수동 소자(24) 등이 더 실장될 수 있다.In addition, as illustrated in FIG. 1, the active element 22 and the passive element 24 may be further mounted on the substrate 10 in addition to the SAW element 20 such as the SAW filter and the SAW duplexer.

상기 능동 소자(22)의 예로서 LNA(low noise amplifier), 스위치(switch) 및 PA(power amplifier) 등의 부품이 탑재될 수 있으며, 이러한 능동 소자(22)는 그 하면에 구비된 도전 범프(23) 등을 이용하여 기판(10) 상에 실장될 수 있다.As an example of the active element 22, components such as a low noise amplifier (LNA), a switch, and a power amplifier (PA) may be mounted. The active element 22 may include a conductive bump disposed on a lower surface thereof. 23) may be mounted on the substrate 10.

상기 수동 소자(24)의 예로서 저항(resistor), 인덕터(inductor) 및 캐패시터(capacitor) 등의 부품이 탑재될 수 있다.As an example of the passive element 24, components such as a resistor, an inductor, and a capacitor may be mounted.

상기한 바와 같은, SAW 소자(20), 능동 소자(22) 및 수동 소자(24)가 실장된 상기 기판(10) 상에는 상기 SAW 소자(20), 능동 소자(22) 및 수동 소자(24)를 덮고, 상기 기판(10)의 양측 상부에 구비되어 있는 상기 상부 그라운드 패턴(11)의 상면 일부를 노출시키는 홈부(31)가 양측에 구비된 몰딩층(30)이 형성되어 있다.As described above, the SAW element 20, the active element 22, and the passive element 24 are mounted on the substrate 10 on which the SAW element 20, the active element 22, and the passive element 24 are mounted. The molding layer 30 is formed on both sides of the groove portion 31 covering the upper surface of the upper ground pattern 11 provided on both sides of the substrate 10.

상기 몰딩층(30)은 기판(10) 상에 실장된 SAW 소자(20), 능동 소자(22) 및 수동 소자(24) 등을 보호하는 역할을 할 수 있으며, 이는 액상 에폭시 또는 EMC(Epoxy Molding Compound) 등으로 이루어질 수 있다.The molding layer 30 may serve to protect the SAW device 20, the active device 22, and the passive device 24 mounted on the substrate 10, which may be liquid epoxy or epoxy molding (EMC). Compound) and the like.

그리고 본 발명의 제1 실시예에 의한 표면 탄성파 소자를 포함한 고주파 모듈에 있어서, 상기 몰딩층(30)의 양측에 상기 상부 그라운드 패턴(11)의 상면을 노출시키도록 구비된 상기 홈부(31)의 내부를 포함한 상기 몰딩층(30)의 표면에는 전자파 차폐층(40)이 형성되어 있다.In the high frequency module including the surface acoustic wave device according to the first embodiment of the present invention, the groove portion 31 provided to expose the upper surface of the upper ground pattern 11 on both sides of the molding layer 30. The electromagnetic shielding layer 40 is formed on the surface of the molding layer 30 including the inside.

상기 전자파 차폐층(40)은 SAW 소자(20)에 대한 EMI(Electro Magnetic Interference) 영향을 막기 위한 것으로서, 금속 재질, 예컨대 Ag 및 Cu 중 적어도 어느 하나를 포함하는 재질 등으로 이루어질 수 있다.The electromagnetic shielding layer 40 is to prevent the effects of Electro Magnetic Interference (EMI) on the SAW device 20, and may be made of a metal material, for example, a material including at least one of Ag and Cu.

이때 상기 전자파 차폐층(40)은 도금 방식, 스프레이 방식 및 스퍼터 방식 중 적어도 어느 하나의 방식 등에 의해 형성될 수 있다.In this case, the electromagnetic shielding layer 40 may be formed by at least one of plating, spraying and sputtering.

상기 기판의 하면에는 복수의 외부 전극(14)이 형성되어 있다.A plurality of external electrodes 14 are formed on the bottom surface of the substrate.

상술한 바와 같은 본 발명의 제1 실시예에 따르면 상기 전자파 차폐층(40)이 상기 몰딩층(30)의 표면을 덮을 뿐만 아니라, 상기 홈부(31)에 노출된 상기 상부 그라운드 패턴(11)의 상면까지 덮도록 형성됨으로써, 상기 상부 그라운드 패턴(11)과 직접적으로 접속될 수 있다.According to the first embodiment of the present invention as described above, the electromagnetic shielding layer 40 not only covers the surface of the molding layer 30, but also the upper ground pattern 11 exposed to the groove 31. It is formed to cover the upper surface, it can be directly connected to the upper ground pattern (11).

이와 같이 본 발명의 제1 실시예에 의하면 기판(10)에 구비된 상부 그라운드 패턴(11)과 전자파 차폐층(40)이 직접 접속됨으로써 외부신호의 고주파 모듈 내부로의 유입과, 고주파 모듈 내부신호의 외부 방출을 효과적으로 억제할 수 있는 효과가 있다.As described above, according to the first exemplary embodiment of the present invention, the upper ground pattern 11 provided on the substrate 10 and the electromagnetic shielding layer 40 are directly connected to each other so that an external signal flows into the high frequency module and the internal signal of the high frequency module. There is an effect that can effectively suppress the external emission of the.

따라서, 본 발명의 제1 실시예에 따르면 전자파 차폐 성능이 우수한 표면 탄성파 소자를 포함한 고주파 모듈을 제공할 수 있으며, 이에 따라 약전계를 수신해야 하는 GPS 기능을 가진 단말기 등에 적용될 수 있다.
Therefore, according to the first embodiment of the present invention, it is possible to provide a high frequency module including a surface acoustic wave device having excellent electromagnetic shielding performance, and thus, it can be applied to a terminal having a GPS function for receiving a weak electric field.

다음으로, 도 2를 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 표면 탄성파 소자를 포함한 고주파 모듈에 대하여 상세히 설명한다.Next, a high frequency module including the surface acoustic wave device according to the second embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 2.

도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 표면 탄성파 소자를 포함한 고주파 모듈의 구조를 나타낸 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing the structure of a high frequency module including a surface acoustic wave device according to a second embodiment of the present invention.

도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 표면 탄성파 소자를포함한 고주파 모듈은, 본 발명의 제1 실시예에 따른 고주파 모듈과 대부분의 구성이 동일하고, 다만, 상기 홈부(31)가 상기 상기 기판(10)의 내부까지 하부로 연장 형성되어 상기 내부 그라운드 패턴(13)의 상면을 더 노출시키고 있으며, 이에 따라 상기 전자파 차폐층(40)이 상기 기판(10)의 내부까지 연장 형성된 상기 홈부(31)의 내부를 포함한 상기 몰딩층(30)의 표면을 덮도록 형성된다는 점에서만 제1 실시예와 다르다.As shown in FIG. 2, the high frequency module including the surface acoustic wave device according to the second embodiment of the present invention has the same configuration as that of the high frequency module according to the first embodiment of the present invention, except that the groove portion ( 31 extends downward to the inside of the substrate 10 to further expose an upper surface of the internal ground pattern 13, whereby the electromagnetic shielding layer 40 extends to the inside of the substrate 10. It differs from the first embodiment only in that it is formed to cover the surface of the molding layer 30 including the inside of the extended groove portion 31.

이러한 본 발명의 제2 실시예에 따른 표면 탄성파 소자를 포함한 고주파 모듈은, 상기 기판(10)의 내부까지 하부로 연장 형성된 상기 홈부(31)에 의해 상기 상부 그라운드 패턴(11)의 일측면 및 상기 내부 그라운드 패턴(13)의 상면이 노출됨으로써, 상기 전자파 차폐층(40)이 상기 상부 그라운드 패턴(11) 및 내부 그라운드 패턴(13)의 노출된 면과 직접적으로 접속될 수 있다.In the high frequency module including the surface acoustic wave device according to the second exemplary embodiment of the present invention, one side surface of the upper ground pattern 11 is formed by the groove part 31 extending downward to the inside of the substrate 10. As the upper surface of the inner ground pattern 13 is exposed, the electromagnetic shielding layer 40 may be directly connected to the exposed surface of the upper ground pattern 11 and the inner ground pattern 13.

따라서 본 발명의 제2 실시예에 따른 표면 탄성파 소자를 포함한 고주파 모듈은, 본 발명의 제1 실시예에서와 동일한 작용 및 효과를 얻을 수 있으며, 전자파 차폐층(40)이 상부 그라운드 패턴(11) 뿐만 아니라 내부 그라운드 패턴(13)과도 직접적으로 접속됨으로써 전차파 차폐 성능이 더욱 우수한 고주파 모듈을 구현할 수 있는 장점이 있다.
Therefore, in the high frequency module including the surface acoustic wave device according to the second embodiment of the present invention, the same operation and effect as in the first embodiment of the present invention can be obtained, and the electromagnetic shielding layer 40 has the upper ground pattern 11. In addition, by directly connecting to the internal ground pattern 13, there is an advantage that can implement a high-frequency module with better electric wave shielding performance.

다음으로, 도 3을 참조하여 본 발명의 제3 실시예에 따른 표면 탄성파 소자를 포함한 고주파 모듈에 대하여 상세히 설명한다.Next, a high frequency module including the surface acoustic wave device according to the third embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 3.

도 3은 본 발명의 제3 실시예에 따른 표면 탄성파 소자를 포함한 고주파 모듈의 구조를 나타낸 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating a structure of a high frequency module including a surface acoustic wave device according to a third exemplary embodiment of the present invention.

도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제3 실시예에 따른 표면 탄성파 소자를포함한 고주파 모듈은, 본 발명의 제1 실시예에 따른 고주파 모듈과 대부분의 구성이 동일하고, 다만, 상기 홈부(31)가 상기 기판(10)의 저면까지 하부로 연장 형성되어 상기 내부 그라운드 패턴(13)을 포함한 상기 기판(10)의 양측면을 더 노출시키고 있으며, 이에 따라 상기 전자파 차폐층(40)이 상기 기판(10)의 양측면을 포함한 몰딩층(30)의 표면을 덮도록 형성된다는 점에서만 제1 실시예와 다르다.As shown in FIG. 3, the high frequency module including the surface acoustic wave device according to the third embodiment of the present invention has the same configuration as that of the high frequency module according to the first embodiment of the present invention. 31 extends downward to the bottom surface of the substrate 10 to further expose both sides of the substrate 10 including the internal ground pattern 13, whereby the electromagnetic shielding layer 40 is exposed to the substrate. It differs from the first embodiment only in that it is formed to cover the surface of the molding layer 30 including both sides of (10).

이러한 본 발명의 제3 실시예에 따른 표면 탄성파 소자를 포함한 고주파 모듈은, 상기 기판(10)의 저면까지 하부로 연장 형성된 상기 홈부(31)에 의해 상기 상부 그라운드 패턴(11) 및 내부 그라운드 패턴(13)의 일측면이 노출됨으로써, 상기 전자파 차폐층(40)이 상기 상부 및 내부 그라운드 패턴(11,13)의 노출된 면과 직접적으로 접속될 수 있다.In the high frequency module including the surface acoustic wave device according to the third exemplary embodiment of the present invention, the upper ground pattern 11 and the inner ground pattern may be formed by the groove 31 extending downward to the bottom of the substrate 10. 13, the electromagnetic shielding layer 40 may be directly connected to exposed surfaces of the upper and inner ground patterns 11 and 13.

따라서 본 발명의 제3 실시예에 따른 표면 탄성파 소자를 포함한 고주파 모듈은 본 발명의 제1 실시예에서와 동일한 작용 및 효과를 얻을 수 있으며, 전자파 차폐층(40)이 기판(10)의 양측면에도 형성됨으로써 기판(10) 측면에서 발생되는 노이즈 신호까지 차폐하여 전차파 차폐 성능이 더욱 우수한 고주파 모듈을 구현할 수 있는 장점이 있다.
Therefore, the high frequency module including the surface acoustic wave device according to the third embodiment of the present invention can obtain the same operation and effect as in the first embodiment of the present invention, and the electromagnetic shielding layer 40 is applied to both sides of the substrate 10. Since the shield is formed to shield even the noise signal generated from the side of the substrate 10, there is an advantage that can implement a high frequency module with excellent electric wave shielding performance.

이하, 도 4a 내지 도 4g를 참조하여, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표면 탄성파 소자를 포함한 고주파 모듈의 제조방법에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing the high frequency module including the surface acoustic wave device according to the first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 4A to 4G.

도 4a 내지 도 4g는 본 발명의 제1 실시예에 따른 표면 탄성파 소자를 포함한 고주파 모듈의 제조방법을 설명하기 위해 순차적으로 나타낸 공정 단면도이다.4A to 4G are cross-sectional views sequentially illustrating a method of manufacturing a high frequency module including a surface acoustic wave device according to a first exemplary embodiment of the present invention.

먼저 도 4a에 도시된 바와 같이 기판(10)을 준비한다. 상기 기판(10)은 세라믹 기판 또는 PCB 기판 등으로 이루어질 수 있다.First, as shown in FIG. 4A, the substrate 10 is prepared. The substrate 10 may be formed of a ceramic substrate or a PCB substrate.

상기 기판(10)의 상부에는 상면이 외부로 노출된 복수의 상부 그라운드 패턴(11)이 구비되어 있고, 상기 기판(10)의 내부에는 상기 기판(10)의 일부분을 관통하도록 형성된 비아 전극(12)을 통해 상기 상부 그라운드 패턴(11)과 전기적으로 연결된 복수의 내부 그라운드 패턴(13)이 구비되어 있다.A plurality of upper ground patterns 11 having upper surfaces exposed to the outside are provided on the substrate 10, and via electrodes 12 formed in the substrate 10 to penetrate a portion of the substrate 10. A plurality of internal ground patterns 13 are electrically connected to the upper ground patterns 11 through the.

즉 상기 상부 그라운드 패턴(11)과 내부 그라운드 패턴(13)은 서로 다른 층에 구비되어 있으며, 이들은 상기 기판(10)의 일부분을 관통하도록 형성된 상기 비아 전극(12)에 의해 서로 전기적으로 연결되어 있다.That is, the upper ground pattern 11 and the inner ground pattern 13 are provided on different layers, and they are electrically connected to each other by the via electrode 12 formed to pass through a portion of the substrate 10. .

상기 상부 및 내부 그라운드 패턴(11,13) 및 비아 전극(12)이 구비된 기판(10)을 준비한 다음, 상기 기판(10)의 하면에 복수의 외부 전극(14)을 형성한다.After preparing the substrate 10 including the upper and inner ground patterns 11 and 13 and the via electrode 12, a plurality of external electrodes 14 are formed on the bottom surface of the substrate 10.

그 다음에, 도 4b에 도시된 바와 같이 상기 기판(10)의 상면에 전극 패턴(21)을 개재하여 1개 이상의 SAW 소자(20)를 실장한다.Next, as shown in FIG. 4B, at least one SAW element 20 is mounted on the upper surface of the substrate 10 via the electrode pattern 21.

상기 SAW 소자(20)는 SAW 필터 및 SAW 듀플렉서 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The SAW device 20 may include at least one of a SAW filter and a SAW duplexer.

그런 다음, 상기 기판(10) 상에 복수의 능동 소자(22) 및 복수의 수동 소자(24) 등을 실장한다. 상술한 바와 같이 상기 능동 소자(22)로는 LNA, 스위치 및 PA 등의 부품이 실장될 수 있고, 상기 수동 소자(24)로는 저항, 인덕터 및 캐패시터 등의 부품이 실장될 수 있다.Then, a plurality of active elements 22, a plurality of passive elements 24 and the like are mounted on the substrate 10. As described above, components such as an LNA, a switch, and a PA may be mounted in the active element 22, and components such as a resistor, an inductor, and a capacitor may be mounted in the passive element 24.

상기 능동 소자(22) 및 수동 소자는 상기한 바와 같이 SAW 소자(20)를 실장한 다음에 실장될 수도 있으나, 상기 SAW 소자(20)를 실장하기 전에 실장될 수도 있다.The active element 22 and the passive element may be mounted after the SAW element 20 is mounted as described above, but may be mounted before the SAW element 20 is mounted.

다음으로, 도 4c에 도시된 바와 같이, 상기 SAW 소자(20), 능동 소자(22) 및 수동 소자(24)가 실장된 상기 기판(10) 상에, 상기 SAW 소자(20), 능동 소자(22) 및 수동 소자(24)를 덮도록 몰딩층(30)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 4C, on the substrate 10 on which the SAW element 20, the active element 22, and the passive element 24 are mounted, the SAW element 20 and the active element ( The molding layer 30 is formed to cover 22 and the passive element 24.

상기 몰딩층(30)은 상기 SAW 소자(20), 능동 소자(22) 및 수동 소자(24) 등을 보호하는 역할을 할 수 있으며, 이는 액상 에폭시 또는 EMC 등으로 형성할 수 있다.The molding layer 30 may serve to protect the SAW device 20, the active device 22, the passive device 24, and the like, which may be formed of a liquid epoxy or EMC.

그런 다음, 도 4d에 도시된 바와 같이, 상기 SAW 소자(20) 사이의 몰딩층(30)의 일부분을 제거하여 상기 상부 그라운드 패턴(11)의 상면 일부를 노출시키는 홈부(31)를 형성한다.Next, as shown in FIG. 4D, a portion of the molding layer 30 between the SAW elements 20 is removed to form a groove 31 exposing a portion of the upper surface of the upper ground pattern 11.

그 다음에, 도 4e에 도시된 바와 같이, 상기 홈부(31)의 내부를 포함한 상기 몰딩층(30)의 표면에 전자파 차폐층(40)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 4E, the electromagnetic shielding layer 40 is formed on the surface of the molding layer 30 including the inside of the groove 31.

상기 전자파 차폐층(40)은 SAW 소자(20)에 대한 EMI(Electro Magnetic Interference) 영향을 막기 위한 것으로서, 금속 재질, 예컨대 Ag 및 Cu 중 적어도 어느 하나를 포함하는 재질 등으로 이루어질 수 있다.The electromagnetic shielding layer 40 is to prevent the effects of Electro Magnetic Interference (EMI) on the SAW device 20, and may be made of a metal material, for example, a material including at least one of Ag and Cu.

이때 상기 전자파 차폐층(40)은 도금 방식, 스프레이 방식 및 스퍼터 방식 중 적어도 어느 하나의 방식 등에 의해 형성될 수 있다.In this case, the electromagnetic shielding layer 40 may be formed by at least one of plating, spraying and sputtering.

본 발명의 제1 실시예에 따른 표면 탄성파 소자를 포함한 고주파 모듈의 제조방법에 따르면, 상기 전자파 차폐층(40)이 상기 상부 그라운드 패턴(11)을 노출시키는 홈부(31)를 포함한 몰딩층(30) 상에 형성됨으로써, 상기 전자파 차폐층(40)과 상부 그라운드 패턴(11)이 서로 직접적으로 접속될 수 있다.According to the manufacturing method of the high frequency module including the surface acoustic wave device according to the first embodiment of the present invention, the molding layer 30 including the groove portion 31 through which the electromagnetic shielding layer 40 exposes the upper ground pattern 11. The electromagnetic wave shielding layer 40 and the upper ground pattern 11 may be directly connected to each other.

따라서 본 발명의 제1 실시예에 따른 표면 탄성파 소자를 포함한 고주파 모듈의 제조방법에 의하면 노이즈 신호의 유입 및 유출을 효과적으로 막아 전자파 차폐 성능이 우수한 고주파 모듈을 제공할 수 있게 된다.Therefore, according to the manufacturing method of the high frequency module including the surface acoustic wave device according to the first embodiment of the present invention, it is possible to effectively prevent the inflow and outflow of the noise signal, thereby providing a high frequency module having excellent electromagnetic shielding performance.

다음으로, 도 4f에 도시된 바와 같이 상기 결과물을 다이싱 라인(dicing line)(D)을 따라 절단하여 도 4g에 도시된 바와 같이 개별 고주파 모듈 단위로 분리한다.Next, as shown in FIG. 4F, the resultant is cut along a dicing line D and separated into individual high frequency module units as shown in FIG. 4G.

즉 상기 홈부(31)의 중앙부를 지나는 선을 다이싱 라인(D)으로 하여 상기 전자파 차폐층(40) 및 기판(10)을 절단함으로써 복수의 고주파 모듈을 얻을 수 있게 된다.That is, a plurality of high frequency modules can be obtained by cutting the electromagnetic shielding layer 40 and the substrate 10 using a line passing through the center of the groove 31 as the dicing line D. FIG.

이와 같이 본 발명의 제1 실시예에 따른 표면 탄성파 소자를 포함한 고주파 모듈의 제조방법에 의하면, 상기 절단 공정을 통해 복수의 고주파 모듈을 동시에 얻을 수 있으므로 대량 생산에 유리한 장점이 있다.
As described above, according to the manufacturing method of the high frequency module including the surface acoustic wave device according to the first embodiment of the present invention, a plurality of high frequency modules can be simultaneously obtained through the cutting process, which is advantageous in mass production.

다음으로, 도 5a 내지 도 5g를 참조하여, 본 발명의 제2 실시예에 따른 표면 탄성파 소자를 포함한 고주파 모듈의 제조방법에 대하여 상세히 설명한다.Next, a method of manufacturing a high frequency module including a surface acoustic wave device according to a second exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 5A to 5G.

도 5a 내지 도 5g는 본 발명의 제2 실시예에 따른 표면 탄성파 소자를 포함한 고주파 모듈의 제조방법을 설명하기 위해 순차적으로 나타낸 공정 단면도이다.5A to 5G are cross-sectional views sequentially illustrating a method of manufacturing a high frequency module including a surface acoustic wave device according to a second exemplary embodiment of the present invention.

먼저 도 5a에 도시된 바와 같이 기판(10)을 준비한다. 상기 기판(10)의 상부에는 복수의 상부 그라운드 패턴(11)이 구비되어 있고, 상기 기판(10)의 내부에는 상기 기판(10)의 일부분을 관통하도록 형성된 비아 전극(12)을 통해 상기 상부 그라운드 패턴(11)과 전기적으로 연결된 복수의 내부 그라운드 패턴(13)이 구비되어 있다.First, the substrate 10 is prepared as shown in FIG. 5A. A plurality of upper ground patterns 11 are provided on the substrate 10, and the upper ground is formed through the via electrode 12 formed in the substrate 10 to penetrate a portion of the substrate 10. A plurality of internal ground patterns 13 electrically connected to the pattern 11 are provided.

즉 상기 상부 그라운드 패턴(11)과 내부 그라운드 패턴(13)은 서로 다른 층에 구비되어 있으며, 이들은 상기 기판(10)의 일부분을 관통하도록 형성된 상기 비아 전극(12)에 의해 서로 전기적으로 연결되어 있다.That is, the upper ground pattern 11 and the inner ground pattern 13 are provided on different layers, and they are electrically connected to each other by the via electrode 12 formed to pass through a portion of the substrate 10. .

상기 상부 및 내부 그라운드 패턴(11,13) 및 비아 전극(12)이 구비된 기판(10)을 준비한 다음, 상기 기판(10)의 하면에 복수의 외부 전극(14)을 형성한다.After preparing the substrate 10 including the upper and inner ground patterns 11 and 13 and the via electrode 12, a plurality of external electrodes 14 are formed on the bottom surface of the substrate 10.

그 다음에, 도 5b에 도시된 바와 같이 상기 기판(10)의 상면에 전극 패턴(21)을 개재하여 1개 이상의 SAW 소자(20)를 실장한다.Next, as illustrated in FIG. 5B, one or more SAW elements 20 are mounted on the upper surface of the substrate 10 via the electrode pattern 21.

상기 SAW 소자(20)는 SAW 필터 및 SAW 듀플렉서 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The SAW device 20 may include at least one of a SAW filter and a SAW duplexer.

그런 다음, 상기 기판(10) 상에 복수의 능동 소자(22) 및 복수의 수동 소자(24) 등을 실장한다. 상술한 바와 같이 상기 능동 소자(22)로는 LNA, 스위치 및 PA 등의 부품이 실장될 수 있고, 상기 수동 소자(24)로는 저항, 인덕터 및 캐패시터 등의 부품이 실장될 수 있다.Then, a plurality of active elements 22, a plurality of passive elements 24 and the like are mounted on the substrate 10. As described above, components such as an LNA, a switch, and a PA may be mounted in the active element 22, and components such as a resistor, an inductor, and a capacitor may be mounted in the passive element 24.

상기 능동 소자(22) 및 수동 소자는 상기한 바와 같이 SAW 소자(20)를 실장한 다음에 실장될 수도 있으나, 상기 SAW 소자(20)를 실장하기 전에 실장될 수도 있다.The active element 22 and the passive element may be mounted after the SAW element 20 is mounted as described above, but may be mounted before the SAW element 20 is mounted.

다음으로, 도 5c에 도시된 바와 같이, 상기 SAW 소자(20), 능동 소자(22) 및 수동 소자(24)가 실장된 상기 기판(10) 상에, 상기 SAW 소자(20), 능동 소자(22) 및 수동 소자(24)를 덮도록 몰딩층(30)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 5C, on the substrate 10 on which the SAW element 20, the active element 22, and the passive element 24 are mounted, the SAW element 20 and the active element ( The molding layer 30 is formed to cover 22 and the passive element 24.

상기 몰딩층(30)은 액상 에폭시 또는 EMC 등으로 형성할 수 있다.The molding layer 30 may be formed of a liquid epoxy or EMC.

그런 다음, 도 5d에 도시된 바와 같이, 상기 SAW 소자(20) 사이의 상기 몰딩층(30) 및 기판(10)의 일부분을 제거하여 상기 상부 그라운드 패턴(11) 및 상기 내부 그라운드 패턴(13)의 일부를 노출시키는 홈부(31)를 형성한다.Then, as shown in FIG. 5D, the molding layer 30 and the portion of the substrate 10 between the SAW elements 20 are removed to remove the upper ground pattern 11 and the inner ground pattern 13. The groove part 31 which exposes a part of is formed.

여기서, 본 발명의 제2 실시예에서는 상기 홈부(31)를 형성할 때에, 상기 홈부(31)가 몰딩층(30) 및 상기 몰딩층(30) 하부의 기판(10)의 내부까지 연장 형성되도록, 상기 몰딩층(30)과 함께 상기 기판(10)의 일부 두께를 제거함으로써, 상기 기판(10)의 내부에 형성되는 홈부(31)가 상부 그라운드 패턴(11)의 일측면 및 내부 그라운드 패턴(11)의 상면을 노출시키도록 한다.Here, in the second embodiment of the present invention, when the groove portion 31 is formed, the groove portion 31 extends to the inside of the molding layer 30 and the substrate 10 under the molding layer 30. By removing a part of the thickness of the substrate 10 together with the molding layer 30, the groove part 31 formed in the substrate 10 may have one side and an internal ground pattern of the upper ground pattern 11. Expose the top of 11).

그 다음에, 도 5e에 도시된 바와 같이, 상기 홈부(31)의 내부를 포함한 상기 몰딩층(30)의 표면에 전자파 차폐층(40)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 5E, the electromagnetic shielding layer 40 is formed on the surface of the molding layer 30 including the inside of the groove 31.

상기 전자파 차폐층(40)은 Ag 및 Cu 중 적어도 어느 하나를 포함하는 재질 등으로 이루어질 수 있으며, 도금 방식, 스프레이 방식 및 스퍼터 방식 중 적어도 어느 하나의 방식 등에 의해 형성될 수 있다.The electromagnetic shielding layer 40 may be formed of a material including at least one of Ag and Cu, and may be formed by at least one of plating, spraying, and sputtering.

본 발명의 제2 실시예에 따른 표면 탄성파 소자를 포함한 고주파 모듈의 제조방법에 따르면, 상기 전자파 차폐층(40)이 상기 상부 그라운드 패턴(11) 및 내부 그라운드 패턴(13)과 직접적으로 접속될 수 있다.According to the manufacturing method of the high frequency module including the surface acoustic wave device according to the second embodiment of the present invention, the electromagnetic shielding layer 40 may be directly connected to the upper ground pattern 11 and the inner ground pattern 13. have.

따라서 본 발명의 제2 실시예에 따른 표면 탄성파 소자를 포함한 고주파 모듈의 제조방법에 의하면 본 발명의 제1 실시예에서와 동일한 작용 및 효과를 얻을 수 있으며, 전자파 차폐층(40)이 상부 그라운드 패턴(11) 뿐만 아니라 내부 그라운드 패턴(13)과도 직접 접속됨으로써 전차파 차폐 성능이 더욱 우수한 고주파 모듈을 구현할 수 있다.Therefore, according to the manufacturing method of the high frequency module including the surface acoustic wave device according to the second embodiment of the present invention, the same operation and effect as in the first embodiment of the present invention can be obtained, and the electromagnetic shielding layer 40 has an upper ground pattern. Direct connection with the internal ground pattern 13 as well as the (11) can implement a high-frequency module with better electric wave shielding performance.

다음으로, 도 5f에 도시된 바와 같이 상기 결과물을 다이싱 라인(dicing line)(D)을 따라 절단하여 도 5g에 도시된 바와 같이 개별 고주파 모듈 단위로 분리한다.Next, as illustrated in FIG. 5F, the resultant is cut along a dicing line D and separated into individual high frequency module units as illustrated in FIG. 5G.

즉 상기 홈부(31)의 중앙부를 지나는 선을 다이싱 라인(D)으로 하여 상기 전자파 차폐층(40) 및 기판(10)을 절단함으로써 복수의 고주파 모듈을 얻을 수 있게 된다.That is, a plurality of high frequency modules can be obtained by cutting the electromagnetic shielding layer 40 and the substrate 10 using a line passing through the center of the groove 31 as the dicing line D. FIG.

이와 같이 본 발명의 제2 실시예에 따른 표면 탄성파 소자를 포함한 고주파 모듈의 제조방법은 제1 실시예와 마찬가지로 다이싱 라인을 따라 자르는 절단 공정을 통해 복수의 고주파 모듈을 동시에 얻을 수 있으므로 대량 생산에 유리한 장점이 있다.
As described above, in the method of manufacturing the high frequency module including the surface acoustic wave device according to the second embodiment of the present invention, a plurality of high frequency modules can be simultaneously obtained through a cutting process cut along a dicing line as in the first embodiment. There is an advantage.

다음으로, 도 6a 내지 도 6e를 참조하여, 본 발명의 제3 실시예에 따른 표면 탄성파 소자를 포함한 고주파 모듈의 제조방법에 대하여 상세히 설명한다.Next, a method of manufacturing a high frequency module including a surface acoustic wave device according to a third embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 6A to 6E.

도 6a 내지 도 6e는 본 발명의 제3 실시예에 따른 표면 탄성파 소자를 포함한 고주파 모듈의 제조방법을 설명하기 위해 순차적으로 나타낸 공정 단면도이다.6A through 6E are cross-sectional views sequentially illustrating a method of manufacturing a high frequency module including a surface acoustic wave device according to a third exemplary embodiment of the present invention.

먼저 도 6a에 도시된 바와 같이 기판(10)을 준비한다. 상기 기판(10)의 상부에는 복수의 상부 그라운드 패턴(11)이 구비되어 있고, 상기 기판(10)의 내부에는 상기 기판(10)의 일부분을 관통하도록 형성된 비아 전극(12)을 통해 상기 상부 그라운드 패턴(11)과 전기적으로 연결된 복수의 내부 그라운드 패턴(13)이 구비되어 있다.First, as shown in FIG. 6A, the substrate 10 is prepared. A plurality of upper ground patterns 11 are provided on the substrate 10, and the upper ground is formed through the via electrode 12 formed in the substrate 10 to penetrate a portion of the substrate 10. A plurality of internal ground patterns 13 electrically connected to the pattern 11 are provided.

즉 상기 상부 그라운드 패턴(11)과 내부 그라운드 패턴(13)은 서로 다른 층에 구비되어 있으며, 이들은 상기 기판(10)의 일부분을 관통하도록 형성된 상기 비아 전극(12)에 의해 서로 전기적으로 연결되어 있다.That is, the upper ground pattern 11 and the inner ground pattern 13 are provided on different layers, and they are electrically connected to each other by the via electrode 12 formed to pass through a portion of the substrate 10. .

상기 상부 및 내부 그라운드 패턴(11,13) 및 비아 전극(12)이 구비된 기판(10)을 준비한 다음, 상기 기판(10)의 하면에 복수의 외부 전극(14)을 형성한다.After preparing the substrate 10 including the upper and inner ground patterns 11 and 13 and the via electrode 12, a plurality of external electrodes 14 are formed on the bottom surface of the substrate 10.

그 다음에, 도 6b에 도시된 바와 같이 상기 기판(10)의 상면에 전극 패턴(21)을 개재하여 1개 이상의 SAW 소자(20)를 실장한다.Next, as illustrated in FIG. 6B, one or more SAW elements 20 are mounted on the upper surface of the substrate 10 via the electrode pattern 21.

상기 SAW 소자(20)는 SAW 필터 및 SAW 듀플렉서 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The SAW device 20 may include at least one of a SAW filter and a SAW duplexer.

그런 다음, 상기 기판(10) 상에 복수의 능동 소자(22) 및 복수의 수동 소자(24) 등을 실장한다. 상술한 바와 같이 상기 능동 소자(22)로는 LNA, 스위치 및 PA 등의 부품이 실장될 수 있고, 상기 수동 소자(24)로는 저항, 인덕터 및 캐패시터 등의 부품이 실장될 수 있다.Then, a plurality of active elements 22, a plurality of passive elements 24 and the like are mounted on the substrate 10. As described above, components such as an LNA, a switch, and a PA may be mounted in the active element 22, and components such as a resistor, an inductor, and a capacitor may be mounted in the passive element 24.

상기 능동 소자(22) 및 수동 소자는 상기한 바와 같이 SAW 소자(20)를 실장한 다음에 실장될 수도 있으나, 상기 SAW 소자(20)를 실장하기 전에 실장될 수도 있다.The active element 22 and the passive element may be mounted after the SAW element 20 is mounted as described above, but may be mounted before the SAW element 20 is mounted.

다음으로, 도 6c에 도시된 바와 같이, 상기 SAW 소자(20), 능동 소자(22) 및 수동 소자(24)가 실장된 상기 기판(10) 상에, 상기 SAW 소자(20), 능동 소자(22) 및 수동 소자(24)를 덮도록 몰딩층(30)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 6C, on the substrate 10 on which the SAW element 20, the active element 22, and the passive element 24 are mounted, the SAW element 20 and the active element ( The molding layer 30 is formed to cover 22 and the passive element 24.

상기 몰딩층(30)은 액상 에폭시 또는 EMC 등으로 형성할 수 있다.The molding layer 30 may be formed of a liquid epoxy or EMC.

그런 다음, 도 6d에 도시된 바와 같이, 상기 SAW 소자(20) 사이의 상기 몰딩층(30) 및 기판(10)의 일부분을 제거하여, 상기 몰딩층(30) 및 상기 기판(10)을 모두 관통하면서 상기 상부 그라운드 패턴(11) 및 상기 내부 그라운드 패턴(13)의 일측 끝단을 노출시키는 홈부(31)를 형성한다.Then, as shown in FIG. 6D, the molding layer 30 and the portion of the substrate 10 between the SAW elements 20 are removed to remove both the molding layer 30 and the substrate 10. Groove portions 31 are formed to expose one end of the upper ground pattern 11 and the inner ground pattern 13 while penetrating.

여기서, 본 발명의 제3 실시예에서는 상기 홈부(31)를 형성할 때에, 상기 홈부(31)가 몰딩층(30) 및 상기 몰딩층(30) 하부의 기판(10)을 모두 관통하도록, 상기 몰딩층(30)과 함께 상기 기판(10)의 전체 두께를 제거함으로써, 상기 홈부(31)가 상기 상부 및 내부 그라운드 패턴(11,13)의 일측 끝단을 노출시키도록 한다.In the third embodiment of the present invention, when the groove 31 is formed, the groove 31 passes through both the molding layer 30 and the substrate 10 under the molding layer 30. By removing the entire thickness of the substrate 10 together with the molding layer 30, the groove 31 exposes one end of the upper and inner ground patterns 11 and 13.

그 다음에, 도 6e에 도시된 바와 같이, 상기 홈부(31)의 내부를 포함한 상기 몰딩층(30)의 표면에 전자파 차폐층(40)을 형성한 후, 상기 홈부(31)의 중앙부를 지나는 선을 다이싱 라인으로 하여 상기 결과물을 절단하여 개별 고주파 모듈 단위로 분리한다.Next, as shown in FIG. 6E, the electromagnetic shielding layer 40 is formed on the surface of the molding layer 30 including the inside of the groove 31, and then passes through the center of the groove 31. The resultant is cut using a line as a dicing line and separated into individual high frequency module units.

상기 전자파 차폐층(40)은 Ag 및 Cu 중 적어도 어느 하나를 포함하는 재질 등으로 이루어질 수 있으며, 도금 방식, 스프레이 방식 및 스퍼터 방식 중 적어도 어느 하나의 방식 등에 의해 형성될 수 있다.The electromagnetic shielding layer 40 may be formed of a material including at least one of Ag and Cu, and may be formed by at least one of plating, spraying, and sputtering.

본 발명의 제3 실시예에 따른 표면 탄성파 소자를 포함한 고주파 모듈의 제조방법에 따르면, 상기 전자파 차폐층(40)이 상기 상부 그라운드 패턴(11) 및 내부 그라운드 패턴(13)과 직접적으로 접속될 수 있다.According to the manufacturing method of the high frequency module including the surface acoustic wave device according to the third embodiment of the present invention, the electromagnetic shielding layer 40 may be directly connected to the upper ground pattern 11 and the inner ground pattern 13. have.

따라서 본 발명의 제3 실시예에 따른 표면 탄성파 소자를 포함한 고주파 모듈의 제조방법에 의하면 본 발명의 제2 실시예에서와 동일한 작용 및 효과를 얻을 수 있으며, 전자파 차폐층(40)이 기판(10)의 측면 전체를 덮도록 형성됨으로써 기판(10) 측면에서 발생되는 노이즈 신호까지 차폐하여 전차파 차폐 성능이 더욱 우수한 고주파 모듈을 구현할 수 있는 장점이 있다.
Therefore, according to the manufacturing method of the high frequency module including the surface acoustic wave device according to the third embodiment of the present invention, the same operation and effect as in the second embodiment of the present invention can be obtained, and the electromagnetic wave shielding layer 40 is provided on the substrate 10. It is formed to cover the entire side of the) to shield the noise signal generated from the side of the substrate 10 there is an advantage that can implement a high-frequency module with more excellent electric wave shielding performance.

이상에서 설명한 본 발명의 바람직한 실시예들은 예시의 목적을 위해 개시된 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러가지 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이나, 이러한 치환, 변경 등은 이하의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.Preferred embodiments of the present invention described above are disclosed for the purpose of illustration, and various substitutions, modifications, and changes within the scope without departing from the spirit of the present invention for those skilled in the art to which the present invention pertains. It will be possible, but such substitutions, changes and the like should be regarded as belonging to the following claims.

10: 기판
11: 상부 그라운드 패턴
12: 비아 전극
13: 내부 그라운드 패턴
14: 외부 전극
20: SAW 소자
21: 전극 패턴
22: 능동 소자
23: 도전 범프
24: 수동 소자
30: 몰딩층
31: 홈부
40: 전자파 차폐층
D: 다이싱 라인
10: Substrate
11: upper ground pattern
12: via electrode
13: internal ground pattern
14: external electrode
20: SAW element
21: electrode pattern
22: active element
23: challenge bump
24: Passive Element
30: molding layer
31: home
40: electromagnetic shielding layer
D: Dicing Line

Claims (9)

양측 상부에 상부 그라운드 패턴이 구비되고, 내부에 비아 전극을 통해 상기 상부 그라운드 패턴과 전기적으로 연결된 내부 그라운드 패턴이 구비된 기판;
상기 기판 상에 실장된 적어도 하나의 SAW 소자;
상기 SAW 소자를 덮도록 상기 기판 상에 형성되며 양측에 상기 상부 그라운드 패턴을 노출키는 홈부를 구비한 몰딩층; 및
상기 홈부의 내부를 포함한 상기 몰딩층의 표면을 덮도록 형성된 전자파 차폐층;
을 포함하는 표면 탄성파 소자를 포함한 고주파 모듈.
A substrate having an upper ground pattern disposed on upper sides thereof, and having an inner ground pattern electrically connected to the upper ground pattern through a via electrode therein;
At least one SAW element mounted on the substrate;
A molding layer formed on the substrate so as to cover the SAW element and having groove portions at both sides thereof exposing the upper ground pattern; And
An electromagnetic shielding layer formed to cover the surface of the molding layer including the inside of the groove;
High frequency module including a surface acoustic wave device comprising a.
제1항에 있어서,
상기 홈부는 상기 기판의 내부까지 하부로 연장 형성되어 상기 내부 그라운드 패턴을 노출시키는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 소자를 포함한 고주파 모듈.
The method of claim 1,
The groove part extends downward to the inside of the substrate to expose the internal ground pattern, the high frequency module including a surface acoustic wave device.
제1항에 있어서,
상기 홈부는 상기 기판의 저면까지 하부로 연장 형성되어 상기 내부 그라운드 패턴을 포함한 상기 기판의 양측면을 노출시키는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 소자를 포함한 고주파 모듈.
The method of claim 1,
And the groove portion extends downward to the bottom surface of the substrate to expose both sides of the substrate including the internal ground pattern.
제1항에 있어서,
상기 SAW 소자는 SAW 필터 및 SAW 듀플렉서 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 소자를 포함한 고주파 모듈.
The method of claim 1,
The SAW device includes a surface acoustic wave device comprising at least one of a SAW filter and a SAW duplexer.
제1항에 있어서,
상기 전자파 차폐층은 Ag 및 Cu 중 적어도 어느 하나를 포함하는 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 소자를 포함한 고주파 모듈.
The method of claim 1,
The electromagnetic wave shielding layer is a high frequency module including a surface acoustic wave device, characterized in that made of a material containing at least one of Ag and Cu.
제1항에 있어서,
상기 전자파 차폐층은 도금 방식, 스프레이 방식 및 스퍼터 방식 중 적어도 어느 하나의 방식에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 소자를 포함한 고주파 모듈.
The method of claim 1,
The electromagnetic wave shielding layer is a high frequency module including a surface acoustic wave device, characterized in that formed by at least one of the plating method, spray method and sputter method.
상부에 복수의 상부 그라운드 패턴이 구비되고, 내부에 비아 전극을 통해 상기 상부 그라운드 패턴과 전기적으로 연결된 복수의 내부 그라운드 패턴이 구비된 기판을 준비하는 단계;
상기 기판의 상면에 1개 이상의 SAW 소자를 실장하는 단계;
상기 기판 상에 상기 SAW 소자를 덮도록 몰딩층을 형성하는 단계;
상기 SAW 소자 사이의 상기 몰딩층의 일부분을 제거하여 상기 상부 그라운드 패턴을 노출시키는 홈부를 형성하는 단계;
상기 홈부의 내부를 포함한 상기 몰딩층의 표면에 전자파 차폐층을 형성하는 단계; 및
상기 결과물을 다이싱 라인을 따라 절단하여 개별 고주파 모듈 단위로 분리하는 단계;
를 포함하는 표면 탄성파 소자를 포함한 고주파 모듈의 제조방법.
Preparing a substrate having a plurality of upper ground patterns formed thereon and having a plurality of inner ground patterns electrically connected to the upper ground patterns through via electrodes therein;
Mounting at least one SAW device on an upper surface of the substrate;
Forming a molding layer on the substrate to cover the SAW device;
Removing a portion of the molding layer between the SAW elements to form a groove portion exposing the upper ground pattern;
Forming an electromagnetic shielding layer on a surface of the molding layer including the inside of the groove; And
Cutting the resultant along a dicing line to separate the individual high frequency module units;
Method of manufacturing a high frequency module including a surface acoustic wave device comprising a.
상부에 복수의 상부 그라운드 패턴이 구비되고, 내부에 비아 전극을 통해 상기 상부 그라운드 패턴과 전기적으로 연결된 복수의 내부 그라운드 패턴이 구비된 기판을 준비하는 단계;
상기 기판의 상면에 1개 이상의 SAW 소자를 실장하는 단계;
상기 기판 상에 상기 SAW 소자를 덮도록 몰딩층을 형성하는 단계;
상기 SAW 소자 사이의 상기 몰딩층 및 상기 기판의 일부분을 제거하여 상기 상부 그라운드 패턴 및 상기 내부 그라운드 패턴을 노출시키는 홈부를 형성하는 단계;
상기 홈부의 내부를 포함한 상기 몰딩층의 표면에 전자파 차폐층을 형성하는 단계; 및
상기 결과물을 다이싱 라인을 따라 절단하여 개별 고주파 모듈 단위로 분리하는 단계;
를 포함하는 표면 탄성파 소자를 포함한 고주파 모듈의 제조방법.
Preparing a substrate having a plurality of upper ground patterns formed thereon and having a plurality of inner ground patterns electrically connected to the upper ground patterns through via electrodes therein;
Mounting at least one SAW device on an upper surface of the substrate;
Forming a molding layer on the substrate to cover the SAW device;
Removing a portion of the molding layer and the substrate between the SAW elements to form a groove portion exposing the upper ground pattern and the inner ground pattern;
Forming an electromagnetic shielding layer on a surface of the molding layer including the inside of the groove; And
Cutting the resultant along a dicing line to separate the individual high frequency module units;
Method of manufacturing a high frequency module including a surface acoustic wave device comprising a.
제8항에 있어서
상기 SAW 소자 사이의 상기 몰딩층 및 상기 기판의 일부분을 제거하여 상기 상부 그라운드 패턴 및 상기 내부 그라운드 패턴을 노출시키는 홈부를 형성하는 단계에서,
상기 기판은 일부 두께 또는 전체 두께 만큼 제거되는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 소자를 포함한 고주파 모듈의 제조방법.
The method of claim 8, wherein
Removing a portion of the molding layer and the substrate between the SAW elements to form a groove portion exposing the upper ground pattern and the inner ground pattern;
The substrate is a method of manufacturing a high frequency module including a surface acoustic wave device, characterized in that removed by a portion thickness or the entire thickness.
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