KR100986331B1 - Ceramic Package - Google Patents

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Abstract

본 발명은 칩과 그라운드 패턴, 신호 패턴이 형성되어 적층된 복수개의 유전체를 포함하는 세라믹 패키지에 있어서, 상기 세라믹 패키지의 맨위층 그라운드 전극과 하부 풋패드의 그라운드 전극을 연결하는 연결수단간의 면에 대하여 전도성 물질을 인쇄하여 전극 처리를 하는 것으로서, 제품이 소형화되어도, 필터 특성 중 저지 대역의 감쇄 특성이 좋아진다.
According to an aspect of the present invention, there is provided a ceramic package including a plurality of dielectrics in which a chip, a ground pattern, and a signal pattern are formed and stacked. The present invention relates to a surface between a connecting means for connecting a top electrode of the ceramic package and a ground electrode of a lower foot pad. By conducting electrode treatment by printing a conductive material, even if the product is downsized, the attenuation characteristic of the stop band is improved among the filter characteristics.

세라믹 패키지, 리드Ceramic package, lead

Description

세라믹 패키지{Ceramic Package} Ceramic Package {Ceramic Package}             

도 1은 SAW 듀플렉서를 나타낸 도면. 1 shows a SAW duplexer.

도 2는 종래의 세라믹 패키지와 리드가 castillation에 의해 전기적으로 연결된 쏘 듀플렉서의 외부 옆면을 나타낸 도면.FIG. 2 shows the outer side of a saw duplexer with a conventional ceramic package and leads electrically connected by castillation. FIG.

도 3a는 종래의 쏘 듀플렉서의 평면도.3A is a top view of a conventional saw duplexer.

도 3b는 종래의 쏘 듀플렉서의 저면도. 3B is a bottom view of a conventional saw duplexer.

도 4는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 쏘 듀플렉서의 외부 옆면을 나타낸 도면.4 illustrates an outer side surface of a saw duplexer in accordance with a preferred embodiment of the present invention.

도 5a는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 쏘 듀플렉서의 평면도.5A is a top view of a saw duplexer in accordance with a preferred embodiment of the present invention.

도 5b는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 쏘 듀플렉서의 저면도.
5B is a bottom view of a saw duplexer in accordance with a preferred embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

100 : 칩 110 : 세라믹 패키지100: chip 110: ceramic package

112 : 풋패드 114, 400 : castillation112: footpad 114, 400: castillation

120 : 와이어 130, 410 : 리드120: wire 130, 410: lead

420 : 전극처리부
420: electrode treatment unit

본 발명은 세락믹 패키지의 Castillation간의 면에 전극을 형성하여 필터 특성 중 저지 대역의 감쇄 특성을 향상시키는 세라믹 패키지에 관한 것이다. The present invention relates to a ceramic package which improves the attenuation characteristic of the stop band among the filter characteristics by forming an electrode on the surface between the castings of the ceramic package.

최근 이동통신 시스템의 발전에 따라 휴대전화, 휴대형 정보 단말기 등의 이동 통신 기기가 급속히 보급되어, 이들 기기의 소형화 및 고성능화의 요구로부터 이들에 사용되는 부품의 소형화 및 고성능화가 요구되고 있다. 또한, 휴대전화에 있어서는 아날로그 방식과 디지털 방식의 무선 통신 시스템에 이용되고 있고, 무선 통신에 사용되는 주파수도 800MHz-1GHz, 1.5GHz-2.0GHz대로 다방면에 걸쳐 있다. Recently, with the development of mobile communication systems, mobile communication devices such as mobile phones and portable information terminals are rapidly spreading, and the demand for miniaturization and high performance of these devices has been required to reduce the size and performance of components used therein. In addition, mobile phones are used in analog and digital wireless communication systems, and the frequencies used for wireless communication are also broadly in the 800 MHz-1 GHz and 1.5 GHz-2.0 GHz bands.

특히 통신 장치 및 다른 전자 장치에서 대역 통과 필터로서 SAW필터가 널리 사용되고 있다. 쏘 필터로는 압전 기판상에 소정 거리로 배열된 두개의 인터디지털 트랜스듀서(IDT)를 가지는 횡형 쏘 필터와 압전 기판상에 공진자를 구성하는 쏘 공진자 필터가 있다.In particular, SAW filters are widely used as band pass filters in communication devices and other electronic devices. A saw filter includes a horizontal saw filter having two interdigital transducers (IDTs) arranged at a predetermined distance on a piezoelectric substrate and a saw resonator filter constituting a resonator on the piezoelectric substrate.

최근에는 통신 기기에서 신호를 송수신할 때 신호의 일정 대역 주파수만 필터하여 송신하거나 일정한 주파수 대역의 신호만을 수신할때 사용될수 있도록 듀플렉서를 칩으로 제조하여 사용하고 있다. Recently, a duplexer is manufactured and used as a chip so that when a signal is transmitted or received by a communication device, only a predetermined band frequency of the signal may be filtered or transmitted.

이하 도면을 참조하여 쏘 듀플렉서에 대하여 설명하기로 한다. Hereinafter, a saw duplexer will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 SAW 듀플렉서를 나타낸 도면이다. 1 is a diagram illustrating a SAW duplexer.                         

도 1을 참조하면, SAW 듀플렉서(FBAR 듀플렉서)는 필터 역할을 하는 칩(100), 세라믹 패키지(110), 칩(100)과 세라믹 패키지(110)를 연결하는 와이어(120), 리드(Lid)(130)로 구성된다.Referring to FIG. 1, a SAW duplexer (FBAR duplexer) includes a chip 100 serving as a filter, a ceramic package 110, a wire 120 connecting the chip 100 and the ceramic package 110, and a lid. It consists of 130.

여기서 리드(130)는 세라믹 패키지(110)의 cavity에 있는 칩을 외부 환경으로부터 보호해 주는 기능을 하는 한편, 와이어(120)간의 기생 결합을 그라운드로 뽑아 제거해주는 기능을 한다.Here, the lead 130 serves to protect the chip in the cavity of the ceramic package 110 from the external environment, while removing the parasitic coupling between the wires 120 to the ground.

따라서, 상기 리드(130)는 세라믹 패키지(110)의 맨 위층 그라운드 패턴에 전기적으로 연결되어 있고, 이 맨 위층 그라운드 패턴과 풋패드(112)의 그라운드 패턴 사이의 연결은 castillation(114)과 via를 통해 이루어진다.Accordingly, the lead 130 is electrically connected to the top ground pattern of the ceramic package 110, and the connection between the top ground pattern and the ground pattern of the foot pad 112 connects the castillation 114 and the via. Is done through.

즉, 세라믹 패키지(110)의 맨위층 그라운드 전극과 하부 풋패드(112)의 그라운드 전극을 연결하기 위한 수단으로서 castillation(114)이 사용된다. That is, the castillation 114 is used as a means for connecting the ground electrode of the top layer ground electrode of the ceramic package 110 and the ground electrode of the lower foot pad 112.

상기 castillation(114)은 세라믹 패키지(110)의 맨위층 그라운드 패턴과 하부 풋패드(112)의 단자 사이에 형성되어 그라운드 패턴내 전극 패턴과 다수의 단자(그라운드/신호)를 필요에 따라 전기적으로 연결하는 역할을 한다. The castillation 114 is formed between the top layer ground pattern of the ceramic package 110 and the terminals of the lower foot pad 112 to electrically connect the electrode pattern in the ground pattern and a plurality of terminals (ground / signal) as necessary. It plays a role.

상기 리드(130)가 castillation(114)에 의해서 세라믹 패키지(110)에 전기적으로 연결되는 것에 대한 상세한 설명은 도 2를 참조한다. See FIG. 2 for a detailed description of the lead 130 being electrically connected to the ceramic package 110 by the castillation 114.

도 2는 종래의 세라믹 패키지와 리드가 castillation에 의해 전기적으로 연결된 쏘 듀플렉서의 외부 옆면을 나타낸 도면, 도 3a는 종래의 쏘 듀플렉서의 평면도이고, 도 3b는 종래의 쏘 듀플렉서의 저면도이다. 2 is a view showing an outer side of a saw duplexer in which a conventional ceramic package and leads are electrically connected by castillation, FIG. 3A is a plan view of a conventional saw duplexer, and FIG. 3B is a bottom view of a conventional saw duplexer.

도 2를 참조하면, 쏘 듀플렉서를 외부에서 보면, castillation부(114), 세라 믹부(116), 리드(130)를 포함한다. Referring to FIG. 2, when viewed from the outside, the saw duplexer includes a castillation unit 114, a ceramic unit 116, and a lead 130.

상기 castillation부(114)는 세라믹 패키지(110)의 맨위층 그라운드 패턴과 하부 풋패드(112)의 단자 사이에 형성되어 그라운드 패턴내 전극 패턴과 다수의 단자(그라운드/신호)를 필요에 따라 전기적으로 연결하는 것으로서, 전도체이다.The castillation part 114 is formed between the top layer ground pattern of the ceramic package 110 and the terminals of the lower foot pad 112 to electrically connect the electrode pattern and the plurality of terminals (ground / signal) in the ground pattern as necessary. As a connection, it is a conductor.

도 3a를 참조하면, 상기 castillation(114)은 송신 신호부와 수신 신호부, 안테나신호부를 제외한 쏘 듀플렉서 전체 주위에 일정 간격으로 분포한다. Referring to FIG. 3A, the castillation 114 is distributed at regular intervals around the entire saw duplexer except for the transmission signal unit, the reception signal unit, and the antenna signal unit.

상기 세라믹부(116)는 쏘 듀플렉서 세라믹 패키지의 부분으로서, 부도체이다.The ceramic portion 116 is a portion of the saw duplexer ceramic package and is an insulator.

도 3b를 참조하면, 상기 쏘 듀플렉서의 저면에 형성되는 풋패드(112)는 세라믹 패키지의 하부 면적과 동일하게 대략 사각형으로 형성되고, 각 면에는 그라운드 전극과 신호 전극이 일정 간격으로 배열되어지며, 중앙부에 하부 그라운드 패턴이 형성된다. 즉, 상기 풋패드(112)상에는 신호 단자, 그라운드 단자, 하부 그라운드 패턴이 공존하게 된다. Referring to FIG. 3B, the foot pad 112 formed on the bottom surface of the saw duplexer is formed in a substantially rectangular shape with the bottom area of the ceramic package, and ground and signal electrodes are arranged at predetermined intervals on each surface. The lower ground pattern is formed in the center portion. That is, a signal terminal, a ground terminal, and a lower ground pattern coexist on the foot pad 112.

그리고 쏘 듀플렉서의 PCB실장시 상기 풋 패드(112)의 신호 단자와 하부 그라운드 패턴 사이의 전기적인 쇼트를 방지하기 위해서 상기 풋패드(112)의 신호 단자와 그라운드 단자 및 신호 단자와 그라운드 패턴간의 갭을 제외한 나머지 부분에 대해서 유리 성분으로 오버 글래이징을 실시한다.In order to prevent an electrical short between the signal terminal of the foot pad 112 and the lower ground pattern when mounting the PCB of the saw duplexer, a gap between the signal terminal and the ground terminal and the signal terminal and the ground pattern of the foot pad 112 is formed. Overglaze is performed with the glass component about the remainder excepting.

즉, 쏘듀플렉서 상단에 형성된 그라운드 전극과 리드가 전기적으로 연견되고, 이를 위한 전기적 연결은 castillation(114)과 비아를 통해서 이루어진다. That is, the ground electrode and the lead formed on the top of the saw duplexer are electrically connected to each other, and the electrical connection for this is made through the castillation 114 and the via.

상기 castillation(114)은 각각의 시트 적층시마다 각각의 시트상에 접지단 을 인쇄시켜서 구성된다.The castillation 114 is constructed by printing a ground end on each sheet for each sheet stacking.

그러나 상기와 같은 종래에는 제품이 소형화될수록 castillation과 via 및 세라믹 패키지 내부의 그라운드 전극 패턴만으로는 리드의 그라운드가 제대로 잡히지 않아 필터 특성 중 저지대역 감쇄 특성이 좋지 않는 문제점이 있다.
However, in the conventional art as described above, as the product is miniaturized, the ground of the lead is not properly caught only by the castillation, the ground electrode pattern inside the via and the ceramic package, and thus the stopband attenuation characteristic is not good among the filter characteristics.

따라서, 본 발명의 목적은 제품이 소형화되어도, 필터 특성 중 저지 대역의 감쇄 특성이 좋아지는 세라믹 패키지를 제공하는데 있다.
Accordingly, an object of the present invention is to provide a ceramic package in which the attenuation characteristic of the stop band is improved among the filter characteristics even if the product is downsized.

상기 목적들을 달성하기 위하여 본 발명의 일 측면에 따르면, 칩과 그라운드 패턴, 신호 패턴이 형성되어 적층된 복수개의 유전체를 포함하는 세라믹 패키지에 있어서, 상기 세라믹 패키지의 맨위층 그라운드 전극과 하부 풋패드의 그라운드 전극을 연결하는 연결수단간의 면에 대하여 전도성 물질로 인쇄하여 전극 처리를 하는 것을 특징으로 하는 세라믹 패키지가 제공된다. According to an aspect of the present invention to achieve the above object, in a ceramic package including a plurality of dielectrics formed by stacking a chip, a ground pattern, a signal pattern, the top layer of the ground electrode of the ceramic package and the lower foot pad There is provided a ceramic package characterized in that the electrode treatment by printing with a conductive material on the surface between the connecting means for connecting the ground electrode.

상기 전도성 물질은 송신 신호부, 수신 신호부, 안테나 신호부를 제외한 그라운드 전극간에 인쇄된다.
The conductive material is printed between the ground electrodes except for the transmission signal unit, the reception signal unit, and the antenna signal unit.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.                     

도 4는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 쏘 듀플렉서의 외부 옆면을 나타낸 도면, 도 5a는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 쏘 듀플렉서의 상면도, 도 5b는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 쏘 듀플렉서의 저면도이다.Figure 4 is a view showing the outer side of the saw duplexer according to a preferred embodiment of the present invention, Figure 5a is a top view of a saw duplexer according to a preferred embodiment of the present invention, Figure 5b is a preferred embodiment of the present invention Bottom view of a saw duplexer according to.

도 4를 참조하면, 쏘 듀플렉서의 외부는 castillation부(400), 전극처리부(420), 리드(410)를 포함한다.Referring to FIG. 4, the outside of the saw duplexer includes a castillation unit 400, an electrode processing unit 420, and a lead 410.

상기 castillation부(400)는 세라믹 패키지의 맨위층 그라운드 패턴과 하부 풋패드(112)의 단자 사이에 형성되어 그라운드 패턴내 전극 패턴과 다수의 단자(그라운드/신호)를 필요에 따라 전기적으로 연결하는 것으로서, 전도체이다. 그리고, 상기 castillation(400)사이의 세라믹 패키지는 전극 처리가 된 상태이다.The castillation part 400 is formed between the top layer ground pattern of the ceramic package and the terminals of the lower foot pad 112 to electrically connect the electrode pattern in the ground pattern and a plurality of terminals (ground / signal) as necessary. , Conductor. In addition, the ceramic package between the castillation 400 is an electrode treatment state.

상기 castillation(400)사이의 세라믹 패키지 즉, 전극 처리부(420)는 Ag 전극을 인쇄한 방법으로 전극 처리가 된 상태이다.The ceramic package between the castillation 400, that is, the electrode processing unit 420 is in a state of being electrode treated by printing Ag electrodes.

즉, 상기 castillation(400) 사이의 세라믹 패키지는 Ag등의 전도성 물질이 인쇄된 상태로 전극 처리가 된 것으로서, 리드(410)의 그라운드가 잘 잡혀서 필터 저지대역의 감쇄 특성을 좋게 한다.That is, the ceramic package between the castillation 400 is an electrode treatment in which a conductive material such as Ag is printed, so that the ground of the lead 410 is well caught to improve attenuation characteristics of the filter stop band.

도 5a와 5b를 참조하면, 쏘 듀플렉서의 상면과 저면의 송신 신호부, 수신 신호부, 안테나 신호부를 제외한 castillation(400) 사이의 세라믹 패키지는 전극 처리된 상태이다.Referring to FIGS. 5A and 5B, the ceramic package between the castillation 400 except for the transmission signal part, the reception signal part, and the antenna signal part of the top and bottom surfaces of the saw duplexer is electrode-treated.

쏘 듀플렉서의 저면에 형성되는 풋패드는 세라믹 패키지의 하부 면적과 동일하게 대략 사각형으로 형성되고 각 면에는 그라운드 전극 및 신호 전극이 일정 간격으로 배열되어지며, 중앙부에 하부 그라운드 패턴이 형성된다. The foot pad formed on the bottom of the saw duplexer is formed in a substantially rectangular shape with the bottom area of the ceramic package, and the ground electrode and the signal electrode are arranged at regular intervals on each side, and a lower ground pattern is formed at the center.                     

그리고 세라믹 패키지의 필터 특성 중 저지대역 감쇄 특성을 향상시키기 위해서 신호 단자와 그라운드 단자간의 갭을 제외한 그라운드 castillation(400)간의 면에 대해서 전극 처리를 한다.In order to improve the stopband attenuation characteristics of the filter of the ceramic package, electrodes are processed on the surface between the ground castillation 400 except the gap between the signal terminal and the ground terminal.

본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 많은 변형이 본 발명의 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 가능함은 물론이다.
The present invention is not limited to the above embodiments, and many variations are possible by those skilled in the art within the spirit of the present invention.

상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 제품이 소형화되어도, 필터 특성 중 저지 대역의 감쇄 특성이 좋아지는 세라믹 패키지를 제공할 수 있다.

According to the present invention as described above, even if the product is downsized, it is possible to provide a ceramic package in which the attenuation characteristic of the stop band is improved among the filter characteristics.

Claims (2)

칩과 그라운드 패턴, 신호 패턴이 형성되어 적층된 복수개의 유전체를 포함하는 세라믹 패키지에 있어서,A ceramic package including a plurality of dielectrics in which a chip, a ground pattern, and a signal pattern are formed and stacked, 상기 세라믹 패키지의 맨위층 그라운드 전극과 하부 풋패드의 그라운드 전극을 연결하는 연결수단간의 면에 대하여 전도성 물질인 Ag를 인쇄하여 전극 처리를 하는 것을 특징으로 하는 세라믹 패키지.The ceramic package, characterized in that the electrode processing by printing a conductive material Ag on the surface between the connecting means for connecting the ground electrode of the top layer and the bottom foot pad of the ceramic package. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전도성 물질은 송신 신호부, 수신 신호부, 안테나 신호부를 제외한 그라운드 전극간에 인쇄되는 것을 특징으로 하는 세라믹 패키지.The conductive material is a ceramic package, characterized in that printed between the ground electrode excluding the transmission signal portion, the reception signal portion, the antenna signal portion.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07273594A (en) * 1994-06-06 1995-10-20 Ngk Insulators Ltd Surface acoustic wave device
KR20000009486A (en) * 1998-07-24 2000-02-15 구자홍 Package structure of surface acoustic wave filter
KR20030028436A (en) * 2001-10-01 2003-04-08 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 Monolithic electronic component

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07273594A (en) * 1994-06-06 1995-10-20 Ngk Insulators Ltd Surface acoustic wave device
KR20000009486A (en) * 1998-07-24 2000-02-15 구자홍 Package structure of surface acoustic wave filter
KR20030028436A (en) * 2001-10-01 2003-04-08 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 Monolithic electronic component

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