KR20190137217A - 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR20190137217A
KR20190137217A KR1020180063114A KR20180063114A KR20190137217A KR 20190137217 A KR20190137217 A KR 20190137217A KR 1020180063114 A KR1020180063114 A KR 1020180063114A KR 20180063114 A KR20180063114 A KR 20180063114A KR 20190137217 A KR20190137217 A KR 20190137217A
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substrate processing
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최주현
박체영
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주식회사 케이씨텍
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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 기판의 상면에 분사된 유체가 기판의 측면 둘레에서 흡입되도록 하는 것에 의하여 비정상적인 유체 유동에 의한 기판의 2차 오염을 방지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로 기판의 건조 공정시 비정상적인 유체 유동에 의한 기판의 2차 오염을 방지할 수 있는 스핀식 헹굼 건조 장치에 관한 것이다.
화학 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing; CMP) 공정은 연마층이 구비된 반도체 제작을 위한 웨이퍼와 연마 정반의 사이에 슬러리를 공급한 상태로 상대 회전시킴으로써 웨이퍼의 표면을 평탄화하는 공정이다.
화학 기계식 연마 시스템은 웨이퍼 등의 기판을 화학 기계적으로 연마하는 다수의 연마 스테이션, 연마 공정 이후에 웨이퍼의 표면에 부착된 연마 입자 및 슬러리를 세정하는 세정 스테이션, 세정 스테이션에서 세정된 웨이퍼를 헹굼 건조시키는 헹굼 건조 스테이션으로 구성될 수 있다.
여기서, 세정 공정은 2단계로 분류되어 수행될 수 있으며, 제1세정 스테이션에서는 암모니아액을 분사하면서 브러싱하여 1차적으로 세정하고, 제2세정 스테이션에서는 불산용액을 분사하면서 브러싱하여 2차적으로 세정하는 것에 의해 웨이퍼의 표면에 부착된 연마 입자와 슬러리를 제거한다. 그리고, 헹굼 건조 스테이션에서는 암모니아액 등의 약액을 헹구어 제거하고 웨이퍼를 건조시킬 수 있다.
도 1은 종래의 화학 기계적 연마시스템의 스핀식 헹굼 건조 장치의 구성을 도시한 도면이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 건조 스테이션에서의 웨이퍼 스핀식 헹굼 건조 장치(1)는, 둘레가 커버(10)로 둘러싸인 공간 내에서 웨이퍼(W)를 파지하여 회전축(21)을 중심으로 모터에 의해 스핀 회전하는 웨이퍼 거치부(20)가 구비되고, 기체 분사 유닛(50)이 설치되어 웨이퍼(W)의 표면에 기체를 분사하여 웨이퍼(W)의 표면에 잔류하는 세정액이나 불순물을 제거한다.
또한, 기체 공급부(30)로부터 케이싱(5)의 내부에 공기가 유입되면, 상단(44)보다 좁은 단면적의 하단(42)을 갖도록 형성된 유동 안내부(40)에 의하여 공기가 가속되면서 케이싱(5)의 내부로 배기됨으로써, 케이싱(5)의 내부에는 하방으로의 공기 유동장이 형성될 수 있고, 이를 통해 웨이퍼(W)의 표면으로부터 주변으로 튀어나가는 액적이 케이싱(5) 내에서 부유하는 것을 방지할 수 있다.
그러나, 기존에는 기판의 표면에 기체가 분사될 시 발생하는 난기류에 의해 상승 기류가 발생하는 문제점이 있고, 이와 같은 상승 기류에 의하여 케이싱(5)의 내부의 파티클(웨이퍼 거치부의 하부 파티클)과 웨이퍼(W)로부터 비산된 액적이 상부 방향으로 이동(비산 높이 증가)하면 웨이퍼(W)의 2차 오염이 발생하는 문제점이 있다.
특히, 먼지 등의 이물질이 포함된 액적이 상승된 후 웨이퍼(W)의 표면으로 낙하할 경우에는, 웨이퍼(W)에 반점(watermark)이 생기는 치명적인 문제가 발생할 수 있다.
더욱이, 기존에는 웨이퍼(W)의 저면 세정 공정 중에, 웨이퍼(W)의 저면으로 분사된 세정 유체에서 발생된 흄(fume)이 기판이 고속으로 회전함에 따라 상부 방향으로 이동하며 웨이퍼(W)의 상면을 오염시키는 문제점이 있다.
이를 위해, 최근에는 케이싱 내부에서의 비정상적인 상승 기류를 방지하고, 비정상적 유동에 의한 웨이퍼의 2차 오염을 방지하기 위한 다양한 검토가 이루어지고 있으나, 아직 미흡하여 이에 대한 개발이 요구되고 있다.
본 발명은 케이싱 내부에서의 비정상적 유체 유동을 방지하고, 비정상적 유체 유동에 의한 기판의 2차 오염을 방지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
특히, 본 발명은 기판의 표면에 분사되는 유체에 의한 비정상적인 상승 기류의 발생을 최소화할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 기판의 세정 및 건조 공정 중에 기판에 오염된 액적이 낙하함에 따른 반점 발생을 방지하며, 건조 공정에 소요되는 시간을 단축할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 안정성 및 신뢰성을 향상시키고, 수율을 향상시킬 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.
상술한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 본 발명은, 상부에 기판이 안착되며 회전 가능하게 마련되는 기판거치부와, 기판의 상면에 유체를 분사하는 분사구와 기판의 측면 둘레에서 유체를 흡입하는 흡입구가 형성된 커버부재를 포함하는 기판 처리 장치를 제공한다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 기판의 헹굼 건조 공정 중에 비정상적 유체 유동을 최소화하고, 비정상적인 유체 유동에 의한 기판의 2차 오염을 줄이는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
도 1은 기존 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면,
도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면,
도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 커버부재를 설명하기 위한 도면,
도 4는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 커버부재의 다른 실시예를 설명하기 위한 도면,
도 5는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 세정유닛을 설명하기 위한 도면이다.
이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 참고로, 본 설명에서 동일한 번호는 실질적으로 동일한 요소를 지칭하며, 이러한 규칙 하에서 다른 도면에 기재된 내용을 인용하여 설명할 수 있고, 당업자에게 자명하다고 판단되거나 반복되는 내용은 생략될 수 있다.
도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이고, 도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 커버부재를 설명하기 위한 도면이다. 또한, 도 4는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 커버부재의 다른 실시예를 설명하기 위한 도면이고, 도 5는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 세정유닛을 설명하기 위한 도면이다.
도 2 내지 도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(10)는, 상부에 기판(W)이 안착되며 회전 가능하게 마련되는 기판거치부(100)와, 기판(W)의 상면에 유체를 분사하는 분사구(210)와 기판(W)의 측면 둘레에서 유체를 흡입하는 흡입구(220)가 형성된 커버부재(200)를 포함한다.
이는, 기판의 헹굼 건조 공정 중에 비정상적 유체 유동을 최소화하고, 비정상적인 유체 유동에 의한 기판의 2차 오염을 줄이기 위함이다.
즉, 기판의 상면에 기체가 분사될 시 발생하는 난기류에 의해 상승 기류가 발생하는 문제점이 있고, 이와 같은 상승 기류에 의하여 기판 주변의 파티클과 기판으로부터 비산된 액적이 상부 방향으로 이동(비산 높이 증가)하면 기판의 2차 오염이 발생하는 문제점이 있다. 특히, 먼지 등의 이물질이 포함된 액적이 상승된 후 기판의 표면으로 낙하할 경우에는, 기판에 반점(watermark)이 생기는 치명적인 문제가 발생할 수 있다.
그러나, 본 발명은 기판(W)의 상면에 분사된 유체가 기판(W)의 측면 둘레에서 흡입되도록 하는 것에 의하여, 기판의 주변에서 비정상적(과도한)인 상승 기류가 발생하는 것을 최소화할 수 있으므로, 다시 말해서, 기판의 상면에 발생된 난류에 의해 상승 기류가 발생하기 전에 기판의 가장자리에서 곧바로 난류를 흡입할 수 있으므로, 파티클과 기판(W)으로부터 비산된 액적이 상승 기류를 따라 상승된 후 기판(W)에 다시 달라붙는 기판(W)의 2차 오염을 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
더욱이, 본 발명은 강제적으로 차압(하방으로의 공기 유동장)을 형성하기 위한 기체 공급부를 마련하지 않고도 파티클 및 액적의 부유를 최소화할 수 있으므로, 구조를 간소화하고, 공간활용성 및 설계 자유도를 높이는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
본 발명에서 기판(W)이라 함은, 기판 처리 장치(10)를 이용하여 헹굼 및 건조 처리될 수 있는 처리대상물로 이해될 수 있으며, 기판(W)의 종류 및 특성에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 일 예로, 기판(W)으로서는 웨이퍼가 사용될 수 있다.
도 2를 참조하면, 기판거치부(100)는 케이싱(50)의 내부에 회전 가능하게 제공되며, 기판거치부(100)의 상부에는 기판(W)이 거치된다.
케이싱(50)은 내부에 소정 처리 공간을 갖도록 제공되며, 케이싱(50)의 사이즈 및 구조는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다.
여기서, 케이싱(50)의 내부 처리 공간은, 외부와 완전히 밀폐된 공간, 및 외부와 연통될 수 있는 하나 또는 복수개의 구멍이 형성된 개방 공간을 모두 포함하는 개념으로 이해된다.
기판거치부(100)는 기판을 회전 가능하게 거치하도록 마련된다.
기판거치부(100)는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 기판(W)을 지지 가능한 다양한 구조로 제공될 수 있다. 일 예로, 기판거치부(100)는, 케이싱(50)의 내부에 회전 가능하게 배치되는 스핀 플레이트(미도시)와, 스핀 플레이트의 상부에 구비되며 기판(W)를 지지하는 기판지지부(미도시)를 포함한다.
일 예로, 스핀 플레이트는 대략 십자 형태를 이루도록 제공될 수 있다. 경우에 따라서는 스핀 플레이트가 원판 형태로 형성되거나 다각형 또는 여타 다른 기하학적 형태로 형성되는 것도 가능하며, 스핀 플레이트의 형상 및 구조에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.
기판지지부는 기판(W)을 지지 가능한 다양한 구조로 형성될 수 있다. 일 예로, 기판지지부는 기판(W)의 가장자리를 지지하도록 구비된다. 바람직하게, 고속 회전중에 기판(W)이 요동하는 것을 방지할 수 있도록 기판지지부에는 기판(W)의 외주 끝단을 수용 지지하기 위한 요입부(미도시)가 형성될 수 있다.
또한, 스핀 플레이트의 상면에는 소정 간격을 두고 이격되게 복수개의 거치핀(미도시)이 구비될 수 있으며, 기판(W)의 저면은 거치핀의 상단에 거치될 수 있다. 이때, 거치핀의 갯수 및 배치구조는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다.
참고로, 기판거치부(100)에는 화학 기계적 연마 공정을 마친 기판(W)이 거치(화학 기계적 연마 공정에서 연마된 연마면이 상면을 이루도록 거치)될 수 있고, 기판거치부(100)에 거치된 기판(W)은 300rpm ~ 2500rpm의 속도로 회전하게 된다.
커버부재(200)는 기판의 상면에 유체를 분사함과 동시에 기판의 주변에서 유체를 흡입하도록 마련되며, 기판의 상면에 유체(F)를 분사하는 분사구(210)와, 기판의 측면 둘레에서 유체(F')를 흡입하는 흡입구(220)를 포함한다.
여기서, 유체(F,F')라 함은 기상 유체 및 액상 유체 중 어느 하나일 수 있으며, 유체의 종류는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 일 예로, 커버부재(200)의 분사구(210)에서는 기판의 상면에 건조를 위한 기상 유체(예를 들어, N2)가 분사될 수 있다.
보다 구체적으로, 커버부재(200)는, 기판의 상면을 덮도록 배치되며 분사구(210)가 형성된 커버 본체(201)와, 기판의 측면 둘레를 감싸도록 상부 커버 본체(201)에 일체로 연장되며 흡입구(220)가 형성된 연장부(202)를 포함한다.
이하에서는 커버 본체(201)가 기판의 상면을 전체적으로 덮도록 형성되고, 연장부(202)는 기판의 측면 둘레를 전체적으로 덮도록 형성된 예를 들어 설명하기로 한다. 경우에 따라서는 커버 본체가 기판의 상면 일부만을 부분적으로 덮도록 형성되는 것도 가능하다.
분사구(210)는 원형홀 형태로 형성되며, 기판의 반경 방향 또는 원주 방향을 따라 이격되게 복수개가 마련된다. 경우에 따라서는 폭보다 긴 길이를 갖는 슬릿 형태로 분사구를 형성하는 것도 가능하며, 분사구의 형태 및 개수는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 분사구(210,210')는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 기판의 상면에 다양한 각도로 유체(F)를 분사하도록 구성될 수 있다.
일 예로, 도 3을 참조하면, 분사구(210)는 기판(W)의 상면에 수직하게 유체(F)를 분사한다.
다른 일 예로, 도 4를 참조하면, 분사구(210')는 기판(W)의 상면에 경사지게 유체를 분사한다. 바람직하게, 분사구(210')는 기판(W)의 중앙부에서 기판(W)의 가장자리를 향하도록 경사지게 형성되어 기판(W)의 가장자리 방향을 향해 유체(F)를 분사한다.
이와 같이, 기판(W)의 중앙부에서 가장자리를 향해 유체(F)를 분사하는 것에 의하여, 기판(W)의 상면에 분사된 유체(F)가 기판(W)의 상면에 정체되지 않고 곧바로 가장자리 측으로 이동하도록 하는 것에 의하여, 기판(W)의 건조 효율을 높이고 이물질의 제거 효율을 높이는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
흡입구(220)는 기판(W)의 가장자리 둘레에서 유체(F')를 흡입하도록 마련된다.
여기서, 흡입구(220)에 흡입되는 유체(F')라 함은, 분사구(210)를 통해 기판(W)의 상면에 분사된 기상 유체, 기판(W)의 회전에 의한 원심력에 의해 기판(W)으로 배출되는 액상 유체(예를 들어, 헹굼액 또는 세정액)를 모두 포함하는 것으로 정의된다.
이때, 흡입구(220)에는 흡입압(진공압)을 인가하는 흡입압 발생부(300)가 연결될 수 있다. 경우에 따라서는 흡입구에 흡입압을 인가하지 않고 기판의 회전에 의한 원심력에 의해 유체가 흡입구에 흡입되도록 하는 것도 가능하다.
바람직하게, 흡입구(220)는 기판(W)의 원주 방향을 따라 연속적인 링 형태로 형성된다. 더욱 바람직하게, 흡입구(220)는 기판(W)의 상면과 대응되는 높이에 형성된다. 이와 같이, 흡입구(220)를 기판(W)의 상면과 대응되는 높이로 형성하는 것에 의하여, 원심력에 의해 기판(W)으로 배출되는 유체의 흡입 효율을 높이는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
또한, 커버 본체(201)에는 흡입구(220)과 연통되는 흡입유로(222)가 형성되며, 흡입구(220)로 흡입된 유체는 흡입유로(222)를 따라 커버부재(200)의 외부로 안내된다.
흡입유로(222)는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양한 구조로 형성될 수 있으며, 흡입유로(222)의 형태 및 구조에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.
이와 같이, 기판의 상면에 유체를 분사함과 동시에, 기판(W)의 가장자리 둘레에서 유체의 흡입이 이루어지도록 하는 것에 의하여, 기판(W)의 주변에서 비정상적(과도한)인 상승 기류가 발생하는 것을 최소화할 수 있으므로, 파티클과 기판(W)으로부터 비산된 액적이 상승 기류를 따라 상승된 후 기판(W)에 다시 달라붙는 기판(W)의 2차 오염을 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
즉, 기판의 상면에 유체를 분사하면, 유체의 분사 지점(유체가 분사되는 위치)에서 발생되는 난류에 의해 상승 기류가 발생하는 문제점이 있고, 이와 같은 상승 기류에 의하여 기판 주변의 파티클과 기판으로부터 비산된 액적이 상부 방향으로 이동(비산 높이 증가)하면 기판의 2차 오염이 발생하는 문제점이 있다.
하지만, 본 발명은, 기판(W)의 상면에 분사된 유체에 의한 난류가 기판(W)의 측면 둘레에서 곧바로 흡입되도록 하는 것에 의하여, 기판(W)의 주변에서 비정상적인 상승 기류가 발생하는 것을 최소화할 수 있으므로, 파티클과 기판(W)으로부터 비산된 액적이 상승 기류를 따라 상승된 후 기판(W)에 다시 달라붙는 기판(W)의 2차 오염을 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 기판이 고속 회전하는 조건에서도 안정적인 챔버 분위기(안정적인 기류 흐름)를 조성할 수 있으며, 안정성 및 신뢰성을 향상시키고, 수율을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
또한, 기존에는 파티클 및 액적이 기판의 상부에 부유하는 것을 억제하기 위하여, 케이싱 내부에 강제적으로 차압(하방으로의 공기 유동장)을 형성하기 위한 기체 공급부가 마련되어야 하기 때문에, 구조가 복잡하고 공간활용성 및 설계 자유도가 저하되는 문제점이 있다.
하지만, 본 발명은 기판(W)의 상면에 발생된 난류에 의해 상승 기류가 발생하기 전에 기판(W)의 가장자리에서 곧바로 난류를 흡입하는 것에 의하여, 기체 공급부(도 1 참조)를 마련하지 않고도 파티클 및 액적의 부유를 최소화할 수 있으므로, 구조를 간소화하고, 공간활용성 및 설계 자유도를 높이는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(10)는, 기판(W)이 회전하는 중에, 기판(W)의 저면에 세정 유체를 분사하는 세정 유닛(400)을 포함할 수 있다.
세정 유닛(400)은 기판의 저면에 세정 유체를 분사하여 기판의 저면을 세정한다.
여기서, 세정 유체라 함은, 세정 유체는 액상 유체와 기상 유체 중 어느 하나 이상을 포함한다. 일 예로, 세정 유닛(400)은, 세정액(예를 들어, 순수), 스팀, 이종 유체(순수 및 질소) 등과 같은 세정 유체를 분사하여 기판의 저면을 세정할 수 있으며, 세정 유체의 종류의 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.
이때, 세정 유닛(400)은 기판의 저면에 존재하는 이물질을 충분한 타격력으로 타격할 수 있도록 고압으로 분사되는 것이 바람직하다. 경우에 따라서는 세정 유닛이 세정 유체를 오실레이션 분사(oscillation spray)하도록 구성되는 것도 가능하다.
바람직하게 기판 저면의 세정은 기판의 상면에 대한 건조가 행해지는 중에 함께 행해진다. 이와 같이, 기판 처리 장치(10)에서 기판의 저면 세정이 함께 이루어지도록 하는 것에 의하여, 기판의 저면에 잔류된 이물질에 의한 기판이송장비 및 주변 장치의 2차 오염을 방지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
더욱 바람직하게, 기판의 저면에 세정 유체가 분사됨에 따라 발생된 흄(fume)(FC)은 흡입구(220)를 통해 흡입된다. 이와 같이, 세정 유체에 의해 발생된 흄(FC)이 기판의 상부로 이동하기 전에 흡입구(220)를 통해 흡입되도록 하는 것에 의하여, 흄(FC)에 의한 기판의 2차 오염을 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
또한, 기판거치부(100)의 하부에 드레인포트(미도시)가 배치된 구조에 있어서는, 기판거치부(100)가 회전함에 따라 기판거치부(100)의 하부에 부압(음압)이 형성되고, 이 부압에 의해 기판거치부(100)의 하부에 구비된 드레인포트에서 흄(fume)이 역류하는 문제점이 있다. 하지만, 본 발명은 기판(W)의 가장자리 둘레에 흡입구(220)를 형성하는 것에 의하여, 기판거치부(100)의 하부에 부압이 발생하더라도 드레인포트에서 역류된 흄을 효과적으로 제거하고, 흄에 의한 기판의 오염 및 손상을 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
한편, 전술 및 도시한 본 발명의 실시예에서는 기판의 상면에 대한 건조가 행해지는 중에 기판의 저면 세정이 행해지는 예를 들어 설명하고 있지만, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 기판의 상면에 대한 건조 공정을 행하지 않고, 기판의 저면 세정만이 단독적으로 행해지는 것도 가능하다.
아울러, 기판의 저면 세정만이 단독적으로 행해지는 경우에도, 기판의 저면에 세정 유체가 분사됨에 따라 발생된 흄(fume)은 흡입구(220)를 통해 흡입될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
10 : 기판 처리 장치 100 : 기판거치부
200 : 커버부재 201 : 커버 본체
202 : 연장부 210,210' : 분사구
220 : 흡입구 222 : 흡입유로
300 : 흡입압 발생부 400 : 세정 유닛

Claims (16)

  1. 기판 처리 장치로서,
    상부에 기판이 안착되며, 회전 가능하게 마련되는 기판거치부와;
    상기 기판의 상면에 유체를 분사하는 분사구와, 상기 기판의 측면 둘레에서 상기 유체를 흡입하는 흡입구가 형성된 커버부재를;
    포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 커버부재는,
    상기 분사구가 형성되며, 상기 기판의 상면을 덮도록 배치되는 커버 본체와;
    상기 흡입구가 형성되며, 상기 기판의 측면 둘레를 감싸도록 상기 상부 커버 본체에 일체로 연장되는 연장부를;
    포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 흡입구는 상기 기판의 상면과 대응되는 높이에 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 커버 본체는 상기 기판의 상면을 전체적으로 덮도록 형성되고,
    상기 연장부는 상기 기판의 측면 둘레를 전체적으로 덮도록 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 흡입구는 상기 기판의 원주 방향을 따라 연속적인 링 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 커버 본체에는 상기 흡입구에 흡입된 유체를 상기 커버부재의 외부로 안내하는 흡입유로가 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 분사구는 상기 기판의 가장자리를 향하도록 경사지게 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제2항에 있어서,
    상기 분사구는 이격되게 복수개가 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 분사구는 상기 기판의 상면에 기상 유체를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판이 회전하는 중에, 상기 기판의 저면에 세정 유체를 분사하는 세정 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 세정 유체는 액상 유체와 기상 유체 중 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 흡입구에는 상기 세정 유체에 의해 발생된 흄(fume)이 흡입되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  13. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판거치부는 내부에 처리 공간을 갖는 케이싱의 내부에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  14. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 흡입구에 연결되며, 상기 흡입구에 흡입압을 인가하는 흡입압 발생부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.

  15. 기판 처리 장치로서,
    상부에 기판이 안착되며, 회전 가능하게 마련되는 기판거치부와;
    상기 기판이 회전하는 중에, 상기 기판의 저면에 세정 유체를 분사하는 세정 유닛과;
    상기 기판의 측면 둘레에서 상기 세정 유체에 의해 발생된 흄(fume)을 흡입하는 흡입구가 형성된 커버부재를;
    포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 커버부재는,
    상기 기판의 상면을 덮도록 배치되는 커버 본체와;
    상기 흡입구가 형성되며, 상기 기판의 측면 둘레를 감싸도록 상기 상부 커버 본체에 일체로 연장되는 연장부를;
    포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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