KR20190136927A - Substrate treatment apparatus and substrate treatment method - Google Patents
Substrate treatment apparatus and substrate treatment method Download PDFInfo
- Publication number
- KR20190136927A KR20190136927A KR1020190055109A KR20190055109A KR20190136927A KR 20190136927 A KR20190136927 A KR 20190136927A KR 1020190055109 A KR1020190055109 A KR 1020190055109A KR 20190055109 A KR20190055109 A KR 20190055109A KR 20190136927 A KR20190136927 A KR 20190136927A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- floating
- nozzle
- measuring device
- moving
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
- H01L21/02307—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
Description
본 발명은, 기판을 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 특히, 부상력이 부여되어 반송되는 기판에 대한 처리액의 도포를 바람직하게 실시하는 기술에 관한 것이다. 처리 대상이 되는 기판에는, 예를 들어, 반도체 기판, 액정 표시 장치 및 유기 EL (Electroluminescence) 표시 장치 등의 FPD (Flat Panel Display) 용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광 자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판, 태양 전지용 기판이 포함된다.TECHNICAL FIELD This invention relates to the substrate processing apparatus and substrate processing method which process a board | substrate. Specifically, It is related with the technique of performing application | coating of the processing liquid to the board | substrate conveyed with the floating force. Examples of the substrate to be processed include a semiconductor substrate, a liquid crystal display device and a substrate for flat panel display (FPD) such as an organic EL (Electroluminescence) display device, an optical disk substrate, a magnetic disk substrate, and an optical magnetic disk. Substrates, substrates for photomasks, ceramic substrates, and substrates for solar cells are included.
반도체 장치나 액정 표시 장치 등의 전자 부품 등의 제조 공정에서는, 기판의 표면에 도포액을 도포하는 도포 장치가 이용되고 있다. 이와 같은 도포 장치로서, 기판의 이면에 에어를 분사하여 기판을 부상시킨 상태에서 당해 기판을 반송하면서, 당해 기판의 표면 (기판의 주면에 상당) 에 대하여 기판의 폭 방향으로 연장되는 노즐로부터 도포액을 토출하여 기판에 도포액을 도포하는 장치가 알려져 있다 (예를 들어, 특허문헌 1).In manufacturing processes, such as an electronic component, such as a semiconductor device and a liquid crystal display device, the coating apparatus which apply | coats a coating liquid to the surface of a board | substrate is used. In such a coating apparatus, the coating liquid is supplied from a nozzle extending in the width direction of the substrate with respect to the surface (corresponding to the main surface of the substrate) of the substrate while conveying the substrate while injecting air onto the back surface of the substrate to make the substrate float. The apparatus which apply | coats a coating liquid to a board | substrate by discharging a metal is known (for example, patent document 1).
특허문헌 1 에 기재된 기판 처리 장치에서는, 부상 스테이지 상에서 기판을 수평 자세로 부상시키면서, 기판의 주연부를 유지하여 수평 방향으로 주행시킴으로써 당해 기판을 반송하고, 기판 반송 경로의 상방에 배치된 슬릿 노즐로부터 도포액을 토출시킨다.In the substrate processing apparatus of
특허문헌 1 의 기판 처리 장치에서는, 기판의 상방에 있어서, 기판의 부상고를 측정하는 광학식 거리 센서가 구비되어 있다. 기판의 부상고에 따라, 슬릿 노즐의 높이를 조정함으로써, 적절한 높이로부터 도포액을 공급하는 것이 가능하게 되어 있다.In the substrate processing apparatus of
상기 종래 기술에서는, 광학식 거리 센서가 연직 위치를 측정하는 영역의 수평 위치는, 노즐로부터의 처리액이 기판에 부착하는 수평 위치보다 반송 방향의 상류측이다. 즉, 종래 기술에서는, 처리액이 기판에 부착하는 수평 위치가, 광학식 거리 센서가 측정하는 영역의 수평 위치로부터 멀리 떨어져 있었다. 이 때문에, 예를 들어 처리액이 부착하는 수평 위치에 있어서, 기판의 높이에 이상이 있었다고 해도, 당해 이상을 상기 광학식 거리 센서에서는 검출하는 것이 곤란하기 때문에, 도포 불량이 발생할 우려가 있었다.In the said prior art, the horizontal position of the area | region where an optical distance sensor measures a vertical position is an upstream side of a conveyance direction rather than the horizontal position which the process liquid from a nozzle adheres to a board | substrate. That is, in the prior art, the horizontal position where the processing liquid adheres to the substrate was far from the horizontal position of the area measured by the optical distance sensor. For this reason, even if there existed an abnormality in the height of a board | substrate in the horizontal position to which a process liquid adheres, for example, since the said abnormality was difficult to detect with the said optical distance sensor, there existed a possibility that coating defect might arise.
그래서, 본 발명은, 부상력이 부여되어 반송되는 기판에 처리액을 양호하게 도포하는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.Then, an object of this invention is to provide the technique of apply | coating a process liquid favorable to the board | substrate conveyed with a floating force.
상기 과제를 해결하기 위해서, 제 1 양태는, 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖는 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서, 상기 제 1 주면이 연직 방향의 상향인 상기 기판에 부상력을 부여하는 부상 기구와, 상기 부상력이 부여되어 있는 상기 기판인 부상 기판을 수평 방향인 제 1 방향으로 이동시키는 반송 기구와, 상기 제 1 방향에 직교하는 수평 방향인 제 2 방향으로 연장되는 토출구를 갖고, 상기 부상 기판의 제 1 주면을 향하여 처리액을 상기 토출구로부터 토출 가능한 노즐과, 상기 부상 기판의 상기 제 1 주면의 연직 위치를 측정하는 측정기와, 상기 노즐로부터의 상기 처리액이 상기 부상 기판에 부착하는 수평 위치인 부착 수평 위치가, 상기 측정기가 상기 부상 기판의 상기 연직 위치를 미리 측정하는 영역의 수평 위치인 측정 수평 위치에 가까워지도록, 상기 노즐 및 상기 측정기를 이동시키는 이동 기구를 구비한다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM In order to solve the said subject, 1st aspect is a substrate processing apparatus which processes the board | substrate which has a 1st main surface and a 2nd main surface, The floating mechanism which gives a floating force to the said board | substrate whose said 1st main surface is a perpendicular upward direction. And a conveying mechanism for moving the floating substrate, which is the substrate to which the floating force is applied, in a first direction in a horizontal direction, and a discharge port extending in a second direction in a horizontal direction orthogonal to the first direction. A nozzle capable of discharging the processing liquid from the discharge port toward the first main surface of the substrate, a measuring unit for measuring the vertical position of the first main surface of the floating substrate, and a horizontal surface of the processing liquid from the nozzle attached to the floating substrate Position so that the attachment horizontal position is close to the measurement horizontal position which is the horizontal position of the region where the measuring device measures the vertical position of the floating substrate in advance. And a moving mechanism for moving the nozzle and the measuring device.
제 2 양태는, 제 1 양태의 기판 처리 장치로서, 상기 이동 기구는, 상기 부착 수평 위치가 상기 측정 수평 위치에 일치하도록, 상기 노즐 및 상기 측정기를 이동시킨다.2nd aspect is a substrate processing apparatus of a 1st aspect, The said moving mechanism moves the said nozzle and the said measuring device so that the said attachment horizontal position may correspond to the said measurement horizontal position.
제 3 양태는, 제 1 양태 또는 제 2 양태의 기판 처리 장치로서, 상기 부상 기구는, 상면을 갖는 스테이지와, 상기 상면에 형성되고, 상기 연직 방향의 상측을 향하여 에어를 분출하는 복수의 분출구와, 상기 상면에 형성되고, 상기 연직 방향의 상측의 에어를 흡인하는 복수의 흡인구를 포함한다.A 3rd aspect is a substrate processing apparatus of a 1st aspect or 2nd aspect, Comprising: The said floating mechanism is the stage which has an upper surface, The some surface which is formed in the said upper surface, and blows air toward the upper side of the said vertical direction, And a plurality of suction ports formed on the upper surface and sucking air above the vertical direction.
제 4 양태는, 제 1 양태 내지 제 3 양태의 어느 1 개의 기판 처리 장치로서, 상기 이동 기구는, 상기 노즐을 이미 정해진 수평 위치인 도포 위치에 위치 결정함과 함께, 상기 노즐을 상기 도포 위치로부터 수평 방향으로 떨어진 위치로 이동 가능하다.A fourth aspect is any one of the substrate processing apparatuses of the first to third aspects, wherein the moving mechanism positions the nozzle at an application position that is a predetermined horizontal position, and the nozzle is moved from the application position. It can be moved to a position away from the horizontal direction.
제 5 양태는, 제 1 양태 내지 제 4 양태의 어느 1 개의 기판 처리 장치로서, 상기 이동 기구는, 상기 측정기를 이미 정해진 수평 위치인 측정 위치에 위치 결정함과 함께, 상기 측정기를 상기 측정 위치로부터 수평 방향으로 떨어진 위치로 이동 가능하다.A fifth aspect is the substrate processing apparatus in any one of the first aspect to the fourth aspect, wherein the moving mechanism positions the measuring instrument at a measurement position that is a predetermined horizontal position, and the measuring instrument is located from the measuring position. It can be moved to a position away from the horizontal direction.
제 6 양태는, 제 1 양태 내지 제 5 양태의 어느 1 개의 기판 처리 장치로서, 상기 노즐과 상기 측정기를 연결하는 연결구를 추가로 구비하고, 상기 이동 기구는 상기 연결구에 의해 연결된 상기 노즐과 상기 측정기를 일체로 이동시킨다.A sixth aspect is the substrate processing apparatus of any one of the first to fifth aspects, further comprising a connector for connecting the nozzle and the measuring device, and the moving mechanism includes the nozzle and the measuring device connected by the connector. Move all together.
제 7 양태는, 제 6 양태의 기판 처리 장치로서, 상기 연결구는, 상기 측정기를 상기 노즐에 대하여 상기 제 1 방향의 상류측에 연결하고, 상기 이동 기구는, 상기 노즐 및 상기 측정기를 상기 제 1 방향의 상기 상류측으로 이동시킨다.A seventh aspect is the substrate processing apparatus of a sixth aspect, wherein the connector connects the measuring device to an upstream side in the first direction with respect to the nozzle, and the moving mechanism includes the nozzle and the measuring device in the first direction. Move to the upstream side in the direction.
제 8 양태는, 제 1 양태 내지 제 7 양태의 어느 1 개의 기판 처리 장치로서, 상기 측정기는, 상기 부상 기판의 상기 제 1 주면에서 반사하는 광을 검출하는 반사형 센서를 포함한다.An eighth aspect is any one of the first to seventh substrate processing apparatuses, wherein the measuring device includes a reflective sensor that detects light reflected from the first main surface of the floating substrate.
제 9 양태는, 제 1 양태 내지 제 8 양태의 어느 1 개의 기판 처리 장치로서, 상기 반송 기구는, 상기 부상 기판을 이미 정해진 위치까지 이동시키고 나서 정지시키고, 상기 이동 기구는, 상기 부상 기판이 상기 이미 정해진 위치에서 정지하고 있는 상태에서, 상기 부상 기판의 상기 측정 수평 위치에서의 연직 위치를 측정한 상기 측정기를 다른 위치로 이동시킴과 함께, 상기 노즐을 상기 측정 수평 위치에 접근시킨다.A ninth aspect is any one of the first to eighth substrate processing apparatuses, wherein the conveying mechanism is stopped after the floating substrate is moved to a predetermined position, and the moving mechanism is the floating substrate. In the state where it has stopped at a predetermined position, while moving the measuring device which measured the vertical position in the said measurement horizontal position of the said floating board to another position, the nozzle is made to approach the said measurement horizontal position.
제 10 양태는, 제 9 양태의 기판 처리 장치로서, 상기 이동 기구는, 상기 이미 정해진 위치에서 정지하고 있는 상기 부상 기판의 상기 측정 수평 위치에서의 연직 위치를 측정한 상기 측정기를 상기 제 1 방향의 상류측의 위치로 이동시키고, 상기 측정기는, 상기 제 1 방향의 상류측의 위치를 향하여 이동하는 동안에, 상기 부상 기판의 연직 위치를 측정한다.A tenth aspect is a substrate processing apparatus of a ninth aspect, wherein the moving mechanism is configured to measure the vertical position at the measurement horizontal position of the floating substrate stationary at the predetermined position in the first direction. While moving to an upstream position, the measuring device measures the vertical position of the floating substrate while moving toward the upstream position in the first direction.
제 11 양태는, 제 1 양태 내지 제 10 양태의 어느 1 개의 기판 처리 장치로서, 상기 이동 기구는, 상기 측정기에 의해 측정된 상기 부상 기판의 연직 위치에 따라, 상기 노즐의 연직 위치를 변경한다.The eleventh aspect is any one of the substrate processing apparatuses of the first to tenth aspects, wherein the moving mechanism changes the vertical position of the nozzle in accordance with the vertical position of the floating substrate measured by the measuring device.
제 12 양태는, 제 1 양태 내지 제 11 양태의 어느 1 개의 기판 처리 장치로서, 복수의 상기 측정기가 상기 제 2 방향으로 간격을 두고 형성되어 있고, 상기 복수의 측정기는, 상기 부상 기판에 있어서의 상기 제 2 방향으로 상이한 복수 지점의 연직 위치를 측정 가능하다.A twelfth aspect is any one of the first to eleventh aspects of the substrate processing apparatus, wherein the plurality of measuring devices are formed at intervals in the second direction, and the plurality of measuring devices are used in the floating substrate. Vertical positions of a plurality of different points in the second direction can be measured.
제 13 양태는, 제 12 양태의 기판 처리 장치로서, 상기 복수의 측정기에 의해 측정된 상기 복수 지점의 연직 위치의 차분치를 취득하는 차분 취득부를 추가로 구비한다.A thirteenth aspect is a substrate processing apparatus of a twelfth aspect, further comprising a difference obtaining portion that obtains a difference value of the vertical positions of the plurality of points measured by the plurality of measuring devices.
제 14 양태는, 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖는 기판을 처리하는 기판 처리 방법으로서, 상기 제 1 주면이 연직 방향의 상향인 상태에서 부상력이 부여되어 있는 상기 기판인 부상 기판을 수평 방향인 제 1 방향으로 이동시키는 반송 공정과, 상기 부상 기판의 상기 제 1 주면의 연직 위치를 측정하는 측정 공정과, 상기 측정 공정 후에, 상기 반송 공정에 의해 상기 제 1 방향으로 이동되는 상기 부상 기판의 상기 제 1 주면에 노즐로부터 처리액을 공급하는 도포 공정과, 상기 측정 공정 후이고 또한 상기 도포 공정 전에, 상기 처리액이 상기 부상 기판에 부착하는 수평 위치인 부착 수평 위치가, 상기 측정 공정에 있어서 상기 측정기가 상기 부상 기판의 상기 연직 위치를 미리 측정한 영역의 수평 위치인 측정 수평 위치에 가까워지도록, 상기 노즐 및 상기 측정기를 이동시키는 이동 공정을 포함한다.A fourteenth aspect is a substrate processing method for treating a substrate having a first main surface and a second main surface, wherein the floating substrate, which is the substrate to which the floating force is applied in a state where the first main surface is upward in the vertical direction, is a horizontal direction. The conveyance process of moving to a 1st direction, the measuring process of measuring the vertical position of the said 1st main surface of the said floating substrate, and the said of the said floating substrate moved to the said 1st direction by the said conveyance process after the said measuring process The application | coating process which supplies a process liquid from a nozzle to a 1st main surface, and the horizontal position where the process liquid adheres to the said floating substrate after the said measurement process and before the said application process are the said in a said measurement process, The nozzle and the measurement such that a meter approaches a measurement horizontal position that is a horizontal position of an area where the vertical position of the floating substrate is previously measured A migration process for moving the group.
제 15 양태는, 제 14 양태의 기판 처리 방법으로서, 상기 반송 공정은, 상기 부상 기판을 이미 정해진 위치까지 이동시키고 나서 정지시키는 단계를 포함하고, 상기 이동 공정은, 상기 부상 기판이 상기 이미 정해진 위치에서 정지하고 있는 상태에서, 상기 측정 수평 위치에 있어서의 연직 위치를 측정한 상기 측정기를 다른 위치로 이동시키는 단계와, 상기 부상 기판이 상기 이미 정해진 위치에서 정지하고 있는 상태에서, 상기 노즐을 상기 측정 수평 위치에 접근시키는 단계를 포함한다.A fifteenth aspect is the substrate processing method of the fourteenth aspect, wherein the conveying step includes a step of moving the floating substrate to a predetermined position and then stopping, and the moving step includes the position where the floating substrate is already determined. Moving the measuring device that measured the vertical position in the measurement horizontal position to another position in a stopped state, and in the state where the floating substrate is stopped at the predetermined position, measuring the nozzle Approaching a horizontal position.
제 1 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 측정기가 부상 기판의 연직 위치를 측정하는 영역의 수평 위치 (측정 수평 위치) 에, 노즐로부터의 처리액이 부상 기판에 부착하는 수평 위치 (부착 수평 위치) 를 접근시킨다. 이 때문에, 측정기가 부상 기판의 연직 방향이 측정되는 영역 또는 여기에 가까운 영역에서, 처리액을 부상 기판에 공급할 수 있다. 따라서, 처리액을 부상 기판에 대하여 양호하게 도포할 수 있다.According to the substrate processing apparatus of the first aspect, the horizontal position (attachment horizontal position) at which the processing liquid from the nozzle adheres to the floating substrate at the horizontal position (measuring horizontal position) of the area where the measuring device measures the vertical position of the floating substrate. Approach For this reason, the processing liquid can supply the processing liquid to the floating substrate in a region where the vertical direction of the floating substrate is measured or near thereto. Therefore, the processing liquid can be favorably applied to the floating substrate.
제 2 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 측정기가 부상 기판의 연직 방향을 측정하는 영역에서, 처리액이 부상 기판에 공급된다. 따라서, 처리액을 부상 기판에 대하여 양호하게 도포할 수 있다.According to the substrate processing apparatus of the second aspect, the processing liquid is supplied to the floating substrate in a region where the measuring device measures the vertical direction of the floating substrate. Therefore, the processing liquid can be favorably applied to the floating substrate.
제 3 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 복수의 분출구로부터의 에어로 기판에 부상력을 부여하면서 흡인구로부터의 에어의 흡인으로 밸런스를 취함으로써, 부상 기판을 소정의 연직 위치에 안정적으로 유지할 수 있다.According to the substrate processing apparatus of the third aspect, the floating substrate can be stably held at a predetermined vertical position by balancing the suction by the air from the suction port while applying the floating force to the aero substrates from the plurality of jet ports.
제 4 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 노즐을 도포 위치에 위치 결정하여, 처리액을 부상 기판에 공급할 수 있다. 또한, 노즐을 도포 위치로부터 수평 방향으로 떨어진 위치로 이동시킬 수 있다.According to the substrate processing apparatus of the fourth aspect, the nozzle is positioned at the application position, and the processing liquid can be supplied to the floating substrate. In addition, the nozzle can be moved to a position away from the application position in the horizontal direction.
제 5 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 측정기를 측정 위치에 위치 결정하여, 부상 기판의 연직 위치를 측정할 수 있다. 또한, 측정기를 측정 위치로부터 수평 방향으로 떨어진 위치로 이동시킬 수 있다.According to the substrate processing apparatus of the fifth aspect, the measuring device is positioned at the measurement position, and the vertical position of the floating substrate can be measured. In addition, the measuring device can be moved to a position away from the measuring position in the horizontal direction.
제 6 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 노즐과 측정기가 연결되어 있기 때문에, 이동 기구가 이들을 일체로 이동시킬 수 있다. 이 때문에, 노즐과 측정기를 개별적으로 이동시키는 경우에 비하여, 이동 기구를 간이하게 구성할 수 있다.According to the substrate processing apparatus of the sixth aspect, since the nozzle and the measuring device are connected, the moving mechanism can move them integrally. For this reason, compared with the case where a nozzle and a measuring device are moved individually, a movement mechanism can be comprised simply.
제 7 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 측정기가 측정 위치에서 부상 기판의 연직 위치를 측정한 후, 이동 기구가 노즐 및 측정기를 제 1 방향의 상류측으로 이동시키는 것에 의해, 부착 예정 위치를 측정 위치에 접근시킬 수 있다.According to the substrate processing apparatus of the seventh aspect, after the measuring device measures the vertical position of the floating substrate at the measuring position, the moving mechanism moves the nozzle and the measuring device to the upstream side in the first direction, thereby moving the attachment scheduled position to the measuring position. I can approach it.
제 8 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 부상 기판의 제 1 주면에서 반사한 광을 수광 센서로 검출함으로써, 제 1 주면의 연직 위치를 측정할 수 있다.According to the substrate processing apparatus of the eighth aspect, the vertical position of the first main surface can be measured by detecting the light reflected from the first main surface of the floating substrate with the light receiving sensor.
제 9 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 부상 기판을 정지시킨 상태에서, 부상 기판의 측정 수평 위치에서의 연직 위치를 측정한 측정기가 다른 위치로 이동되고, 노즐이 그 측정 수평 위치에 접근된다. 이 때문에, 연직 위치가 미리 측정된 위치에 노즐을 접근시켜 배치할 수 있다. 이에 의해, 부상 기판에 대하여 처리액을 적절히 도포할 수 있다.According to the substrate processing apparatus of the ninth aspect, in the state where the floating substrate is stopped, the measuring device which measures the vertical position at the measuring horizontal position of the floating substrate is moved to another position, and the nozzle approaches the measuring horizontal position. For this reason, it can arrange | position so that a nozzle may approach the position which a vertical position measured beforehand. Thereby, the processing liquid can be appropriately applied to the floating substrate.
제 10 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 측정 수평 위치로부터 당해 측정 수평 위치보다 상류측의 위치까지의 수평 범위에 있어서, 부상 기판의 연직 위치를 측정할 수 있다.According to the substrate processing apparatus of the tenth aspect, the vertical position of the floating substrate can be measured in the horizontal range from the measurement horizontal position to the position upstream from the measurement horizontal position.
제 11 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 측정기에 의해 측정된 부상 기판의 연직 위치에 맞추어, 노즐의 연직 위치가 조절된다. 이에 의해, 적절한 연직 위치의 노즐로부터 부상 기판에 처리액을 공급할 수 있기 때문에, 부상 기판에 대하여 처리액을 양호하게 도포할 수 있다.According to the substrate processing apparatus of the eleventh aspect, the vertical position of the nozzle is adjusted in accordance with the vertical position of the floating substrate measured by the measuring device. As a result, the processing liquid can be supplied to the floating substrate from the nozzle at the appropriate vertical position, so that the processing liquid can be favorably applied to the floating substrate.
제 12 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 부상 기판 중 제 2 방향으로 상이한 복수 지점의 연직 위치를 측정할 수 있다.According to the substrate processing apparatus of the twelfth aspect, the vertical positions of a plurality of points different in the second direction among the floating substrates can be measured.
제 13 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 복수 지점에서 측정된 연직 위치의 차분치를 취득함으로써, 부상 기판의 연직 위치에 이상이 있는 지점을 용이하게 검출할 수 있다.According to the substrate processing apparatus of the thirteenth aspect, by obtaining the difference value of the vertical positions measured at a plurality of points, it is possible to easily detect the point where the abnormal position is at the vertical position of the floating substrate.
제 14 양태의 기판 처리 방법에 의하면, 측정기가 부상 기판의 연직 위치를 측정하는 영역의 수평 위치 (측정 수평 위치) 에, 노즐로부터의 처리액이 부상 기판에 부착하는 수평 위치 (부착 수평 위치) 를 접근시킨다. 이 때문에, 측정기가 부상 기판의 연직 방향을 측정하는 영역 또는 여기에 가까운 영역에서, 처리액을 부상 기판에 공급할 수 있다. 따라서, 처리액을 부상 기판에 대하여 양호하게 도포할 수 있다.According to the substrate processing method of the fourteenth aspect, the horizontal position (attachment horizontal position) at which the processing liquid from the nozzle adheres to the floating substrate at the horizontal position (measurement horizontal position) of the area where the measuring device measures the vertical position of the floating substrate. Approach For this reason, a process liquid can be supplied to a floating board in the area | region where the measuring device measures the perpendicular direction of a floating board | substrate, or near this. Therefore, the processing liquid can be favorably applied to the floating substrate.
제 15 양태의 기판 처리 방법에 의하면, 부상 기판을 정지시킨 상태에서, 부상 기판의 측정 수평 위치에서의 연직 위치를 측정한 측정기가 다른 위치로 이동되고, 노즐이 그 측정 수평 위치에 접근된다. 이 때문에, 연직 위치가 미리 측정된 위치에 노즐을 접근시켜 배치할 수 있다. 이에 의해, 부상 기판에 대하여 처리액을 적절히 도포할 수 있다.According to the substrate processing method of the fifteenth aspect, in the state where the floating substrate is stopped, the measuring device which measures the vertical position in the measuring horizontal position of the floating substrate is moved to another position, and the nozzle approaches the measuring horizontal position. For this reason, it can arrange | position so that a nozzle may approach the position which a vertical position measured beforehand. Thereby, the processing liquid can be appropriately applied to the floating substrate.
도 1 은 실시형태의 기판 처리 장치의 일례인 도포 장치 (1) 의 전체 구성을 모식적으로 나타내는 측면도이다.
도 2 는 실시형태의 도포 장치 (1) 를 연직 방향의 상측으로부터 본 개략 평면도이다.
도 3 은 실시형태의 도포 기구 (6) 를 제외한 도포 장치 (1) 를 나타내는 개략 평면도이다.
도 4 는 도 2 에 나타내는 A-A 선을 따른 위치에 있어서의 도포 장치 (1) 의 개략 단면도이다.
도 5 는 실시형태의 부상 스테이지부 (3) 의 일부를 나타내는 개략 평면도이다.
도 6 은 실시형태의 노즐 (61) 을 나타내는 개략 평면도이다.
도 7 은 실시형태의 제어 유닛 (9) 을 나타내는 개략 블록도이다.
도 8 은 실시형태의 도포 장치 (1) 가 실행하는 기판 처리 동작의 각 공정을 나타내는 도면이다.
도 9 는 실시형태의 도포 장치 (1) 의 동작의 변형예를 나타내는 도면이다.
도 10 은 실시형태의 도포 장치 (1) 의 동작의 변형예를 나타내는 도면이다.FIG. 1: is a side view which shows typically the whole structure of the
2 is a schematic plan view of the
3 is a schematic plan view of the
4 is a schematic cross-sectional view of the
5 is a schematic plan view showing a part of the floating
6 is a schematic plan view of the
7 is a schematic block diagram showing a
FIG. 8: is a figure which shows each process of the substrate processing operation which the
9 is a diagram illustrating a modification of the operation of the
FIG. 10: is a figure which shows the modification of the operation | movement of the
이하, 첨부의 도면을 참조하면서, 본 발명의 실시형태에 대하여 설명한다. 또한, 이 실시형태에 기재되어 있는 구성 요소는 어디까지나 예시이고, 본 발명의 범위를 그들만으로 한정하는 취지의 것은 아니다. 도면에 있어서는, 이해의 용이함을 위해서, 필요에 따라 각 부의 치수나 수가 과장 또는 간략화하여 도시되어 있는 경우가 있다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described, referring an accompanying drawing. In addition, the component described in this embodiment is an illustration to the last, and is not the meaning which limits the scope of this invention only to them. In the drawings, the size and number of each part may be exaggerated or simplified for convenience in understanding.
상대적 또는 절대적인 위치 관계를 나타내는 표현 (예를 들어 「평행」 「직교」 「중심」 「동심」 「동축」 등) 은, 특별히 언급이 없는 한, 그 위치 관계를 엄밀하게 나타낼 뿐만 아니라, 공차 혹은 동일한 정도의 기능이 얻어지는 범위에서 상대적으로 각도 또는 거리에 관해서 변위된 상태도 나타내는 것으로 한다. 동등한 상태인 것을 나타내는 표현 (예를 들어 「동일」 「동등하다」 「균질」 「일치」 등) 은, 특별히 언급이 없는 한, 정량적으로 엄밀하게 동등한 상태를 나타낼 뿐만 아니라, 공차 혹은 동일한 정도의 기능이 얻어지는 차가 존재하는 상태도 나타내는 것으로 한다. 형상을 나타내는 표현 (예를 들어, 「사각 형상」 또는 「원통 형상」 등) 은, 특별히 언급이 없는 한, 기하학적으로 엄밀하게 그 형상을 나타낼 뿐만 아니라, 동일한 정도의 효과가 얻어지는 범위에서, 예를 들어 요철이나 모따기 등을 갖는 형상도 나타내는 것으로 한다. 「∼ 상」 이란, 특별히 언급이 없는 한, 2 개의 요소가 접하고 있는 경우 외에, 2 개의 요소가 떨어져 있는 경우도 포함한다.Expressions representing relative or absolute positional relationships (e.g., "parallel", "orthogonal", "center", "concentric", "coaxial", etc.), unless specifically stated otherwise, not only express the positional relationship strictly, In the range in which the function of accuracy is obtained, the state displaced with respect to angle or distance is also to be shown. Expressions that indicate equal status (for example, "identical", "equal", "homogeneous" "match", etc.), unless specifically stated otherwise, exhibit not only quantitatively strictly equivalent states, but also tolerances or equivalent functions It shall also show the state in which this obtained difference exists. The expression representing the shape (for example, "square shape" or "cylindrical shape", etc.), unless specifically stated, indicates the shape strictly geometrically, and in the range where an effect of the same degree is obtained, for example, For example, the shape which has unevenness, chamfering, etc. shall also be shown. Unless otherwise indicated, "to phase" includes the case where two elements are apart from each other in addition to the case where two elements are in contact.
도 1 은, 실시형태의 기판 처리 장치의 일례인 도포 장치 (1) 의 전체 구성을 모식적으로 나타내는 측면도이다. 도 2 는, 실시형태의 도포 장치 (1) 를 연직 방향의 상측으로부터 본 개략 평면도이다. 도 3 은, 실시형태의 도포 기구 (6) 를 제외한 도포 장치 (1) 를 나타내는 개략 평면도이다. 도 4 는, 도 2 에 나타내는 A-A 선을 따른 위치에 있어서의 도포 장치 (1) 의 개략 단면도이다. 도 5 는, 실시형태의 부상 스테이지부 (3) 의 일부를 나타내는 개략 평면도이다. 도 6 은, 실시형태의 노즐 (61) 을 나타내는 개략 평면도이다.FIG. 1: is a side view which shows typically the whole structure of the
도포 장치 (1) 는, 사각 형상의 기판 (W) 을 수평 자세 (기판 (W) 의 상면 (Wf) (제 1 주면) 및 하면 (제 2 주면) 이 수평면 (XY 평면) 에 대하여 평행이 되는 자세) 로 반송함과 함께, 당해 기판 (W) 의 상면 (Wf) 에 처리액 (도포액) 을 도포하는 슬릿 코터이다. 각 도면에 있어서, 도포 장치 (1) 의 각 부의 위치 관계를 명확하게 하기 위하여, 기판 (W) 이 반송되는 제 1 방향 (D1) 에 평행한 방향을 「X 방향」 이라고 하고, 입력 컨베이어 (100) 로부터 출력 컨베이어 (110) 를 향하는 방향을 「+X 방향」, 그 반대 방향을 「-X 방향」 이라고 한다. X 방향과 직교하는 수평 방향을 「Y 방향」 이라고 하고, 도 1 의 앞쪽을 향하는 방향을 「-Y 방향」, 그 반대 방향을 「+Y 방향」 이라고 한다. X 방향 및 Y 방향에 직교하는 연직 방향을 Z 방향이라고 하고, 부상 스테이지부 (3) 로부터 보아 도포 기구 (6) 측을 향하는 상향을 「+Z 방향」, 그 반대 방향을 「-Z 방향」 이라고 한다.The
도포 장치 (1) 의 기본적 구성이나 동작 원리는, 일본 공개특허공보 2010-227850호, 일본 공개특허공보 2010-240550에 기재된 것과, 부분적으로 공통 또는 유사하다. 그래서, 본 명세서에서는, 도포 장치 (1) 의 각 구성 중 이들 공지 문헌에 기재된 것과 동일 또는 기술 상식 등에 기초하여 용이하게 유추할 수 있는 구성에 대해서는, 적절히 생략하는 경우가 있다.The basic structure and operating principle of the
도포 장치 (1) 는, 기판 (W) 이 반송되는 제 1 방향 (D1) (+X 방향) 을 따라, 순서대로, 입력 컨베이어 (100), 입력 이동 탑재부 (2), 부상 스테이지부 (3), 출력 이동 탑재부 (4), 출력 컨베이어 (110) 를 구비한다. 이들은, 서로 근접하도록 배치되어 있고, 이들에 의해, 기판 (W) 의 반송 경로가 형성된다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 기판의 반송 방향인 제 1 방향 (D1) 과 관련지어 위치 관계를 나타낼 때, 「제 1 방향 (D1) 의 상류측」 을 간단히 「상류측」 이라고, 「제 1 방향 (D1) 의 하류측」 을 「하류측」 이라고 약기하는 경우가 있다. 본 예에서는, 어느 기준 위치로부터 보아, -X 측이 「상류측」 이고, +X 측이 「하류측」 이다.The
입력 컨베이어 (100) 는, 롤러 컨베이어 (101) 와, 이 롤러 컨베이어 (101) 를 회전 구동하는 회전 구동 기구 (102) 를 구비한다. 롤러 컨베이어 (101) 의 회전에 의해, 기판 (W) 은 수평 자세로 하류측 (+X 측) 으로 반송된다.The
입력 이동 탑재부 (2) 는, 롤러 컨베이어 (21) 와, 이 롤러 컨베이어 (21) 를 회전시키는 회전 구동 기구 (22) 를 구비한다. 롤러 컨베이어 (21) 가 회전함으로써, 기판 (W) 은 +X 방향으로 반송된다. 또한, 롤러 컨베이어 (21) 가 승강함으로써, 기판 (W) 의 연직 위치 (연직 방향에 있어서의 위치) 가 변경된다. 입력 이동 탑재부 (2) 의 동작에 의해, 기판 (W) 은, 입력 컨베이어 (100) 로부터 부상 스테이지부 (3) 에 이동 탑재된다.The input
부상 스테이지부 (3) 는, 제 1 방향 (D1) 을 따라, 3 개의 평판상의 스테이지를 포함한다. 구체적으로는, 부상 스테이지부 (3) 는, 제 1 방향 (D1) 을 따라 순서대로 입구 부상 스테이지 (31), 도포 스테이지 (32), 출구 부상 스테이지 (33) 를 구비한다. 이들 각 스테이지의 상면은, 동일 평면 상에 있다. 각 스테이지의 상면은, 예를 들어, 수평면이면 된다.The floating
입구 부상 스테이지 (31) 및 출구 부상 스테이지 (33) 의 각각의 상면에는, 부상 제어 기구 (35) 로부터 공급되는 에어 (압축 공기) 를 분출하는 복수의 분출구 (31h, 33h) 가 매트릭스상으로 형성되어 있다. 복수의 분출구 (31h, 33h) 로부터 분출되는 압축 공기에 의해, 기판 (W) 에 부상력이 부여되고, 기판 (W) 의 하면 (제 2 주면) 이 각 스테이지 (31, 33) 의 상면으로부터 이간한 상태에서, 기판 (W) 이 수평 자세로 지지된다. 기판 (W) 의 하면과 스테이지 (31, 33) 의 상면의 거리는, 예를 들어 10 ㎛ (마이크로미터) 내지 500 ㎛ 로 해도 된다.On each of the upper surfaces of the
도포 스테이지 (32) 의 상면에는, 에어 (압축 공기) 를 분출하는 복수의 분출구 (321h) 와, 도포 스테이지 (32) 의 상방의 분위기를 흡인하는 복수의 흡인구 (322h) 가 형성되어 있다. 도포 스테이지 (32) 의 상면에서는, 분출구 (321h) 와 흡인구 (322h) 가, X 방향 및 Y 방향을 따라 교대로 형성되어 있다. 부상 제어 기구 (35) 가 각 분출구 (321h) 로부터의 압축 공기의 분출량과 각 흡인구 (322h) 로의 분위기의 흡인량이 밸런스를 갖도록 제어함으로써, 기판 (W) 의 하면과 도포 스테이지 (32) 의 상면의 거리가 정밀하게 제어된다. 이에 의해, 도포 스테이지 (32) 의 상방을 통과하는 기판 (W) 의 상면 (Wf) 의 연직 위치가 이미 정해진 값으로 제어된다. 부상 스테이지부 (3) 의 구성으로는, 일본 공개특허공보 2010-227850호에 기재된 것을 적용해도 된다.The upper surface of the
입력 이동 탑재부 (2) 를 통하여 부상 스테이지부 (3) 에 반입된 기판 (W) 은, 롤러 컨베이어 (21) 의 회전에 의해, +X 방향으로의 추진력을 얻어, 입구 부상 스테이지 (31) 상에 반송된다. 부상 스테이지부 (3) 에 있어서의 기판 (W) 의 반송은, 반송 기구 (5) 에 의해 실시된다.The board | substrate W carried in to the floating
반송 기구 (5) 는, 척 (51) 및 흡착·주행 제어 기구 (52) 를 구비한다. 척 (51) 은, 기판 (W) 의 하면 주연부에 부분적으로 맞닿는 것에 의해 기판 (W) 을 하방으로부터 지지한다. 흡착·주행 제어 기구 (52) 는, 척 (51) 상단의 지지 부위에 형성된 흡착 패드에 부압을 부여하여, 척 (51) 에 기판 (W) 을 흡착 유지시키는 기능을 구비한다. 또한, 흡착·주행 제어 기구 (52) 는, 척 (51) 을 X 방향을 따라 직선상으로 왕복 주행시키는 기능을 구비한다.The
척 (51) 이 기판 (W) 을 유지하는 상태에서는, 기판 (W) 의 하면은, 부상 스테이지부 (3) 의 각 스테이지 (31, 32, 33) 의 상면보다 +Z 측에 위치한다. 기판 (W) 은, 척 (51) 에 의해 주연부를 흡착 유지하고, 부상 스테이지부 (3) 로부터 부여되는 부상력에 의해 전체적으로 수평 자세를 유지한다.In the state where the
입력 이동 탑재부 (2) 로부터 부상 스테이지부 (3) 에 반입된 기판 (W) 을 척 (51) 이 유지하고, 이 상태에서 척 (51) 이 +X 방향으로 이동함으로써, 기판 (W) 이 입구 부상 스테이지 (31) 의 상방으로부터, 도포 스테이지 (32) 의 상방을 경유하여, 출구 부상 스테이지 (33) 의 상방으로 반송된다. 기판 (W) 은, 출구 부상 스테이지 (33) 의 +X 측에 배치된 출력 이동 탑재부 (4) 에 전달된다.The
출력 이동 탑재부 (4) 는, 롤러 컨베이어 (41) 와, 이 롤러 컨베이어 (41) 를 회전 구동하는 회전 구동 기구 (42) 를 구비한다. 롤러 컨베이어 (41) 가 회전함으로써, 기판 (W) 에 +X 방향으로의 추진력이 부여되고, 기판 (W) 이 제 1 방향 (D1) 으로 반송된다. 출력 이동 탑재부 (4) 의 동작에 의해, 기판 (W) 은, 출구 부상 스테이지 (33) 의 상방으로부터 출력 컨베이어 (110) 에 이동 탑재된다.The output
출력 컨베이어 (110) 는, 롤러 컨베이어 (111) 와, 이 롤러 컨베이어 (111) 를 회전시키는 회전 구동 기구 (112) 를 구비한다. 롤러 컨베이어 (111) 의 회전에 의해, 기판 (W) 은 +X 방향으로 반송되어 도포 장치 (1) 의 외부로 보내진다. 입력 컨베이어 (100) 및 출력 컨베이어 (110) 는, 도포 장치 (1) 의 일부로서 형성되어 있어도 되지만, 도포 장치 (1) 와는 별체여도 된다. 예를 들어, 입력 컨베이어 (100) 는, 도포 장치 (1) 의 상류측에 형성되는 별도 유닛의 기판 이송 기구여도 된다. 또한, 출력 컨베이어 (110) 는, 도포 장치 (1) 의 하류측에 형성되는 별도 유닛의 기판 수용 기구여도 된다.The
기판 (W) 의 반송계로 상에는, 기판 (W) 의 상면 (Wf) 에 처리액을 도포하는 도포 기구 (6) 가 형성되어 있다. 도포 기구 (6) 는, 처리액을 토출하는 노즐 (61) 을 포함하는 노즐 유닛 (60), 노즐 (61) 을 위치 결정하는 이동 기구 (63), 노즐 (61) 을 메인터넌스하는 메인터넌스 유닛 (65) 을 구비한다.On the conveyance system of the board | substrate W, the
노즐 (61) 은, 제 1 방향 (D1) 에 직교하는 수평 방향인 제 2 방향 (D2) (Y 방향) 으로 연장되는 부재이다. 노즐 (61) 의 하단부는, 폭 방향 (Y 방향) 으로 연장됨과 함께 하향 (-Z 측) 으로 개구하는 토출구 (611) 를 갖는다. 토출구 (611) 로부터는, 처리액이 토출된다.The
이동 기구 (63) 는, 노즐 (61) 에 대하여, X 방향 및 Z 방향으로 이동시켜 위치 결정한다. 이동 기구 (63) 의 동작에 의해, 노즐 (61) 은, 도포 스테이지 (32) 의 상방의 도포 위치 (L11) 및 하류 위치 (L12) 에 위치 결정된다. 도포 위치 (L11) 및 하류 위치 (L12) 의 각각의 수평 위치 (수평 방향에 있어서의 위치) 는, 이미 정해진 수평 위치에 설정된다. 노즐 (61) 이 도포 위치 (L11) 에 위치 결정된 상태에서, 노즐 (61) 이 기판 (W) 의 상면 (Wf) 을 향하여 처리액을 토출함으로써, 기판 (W) 에 처리액이 도포된다. 이와 같이, 도포 위치 (L11) 는, 도포를 실행할 때의 노즐 (61) 의 위치이다. 하류 위치 (L12) 는, 도포 위치 (L11) 로부터 하류측 (+X 측) 으로 떨어진 위치이다.The moving
메인터넌스 유닛 (65) 은, 배트 (651), 예비 토출 롤러 (652), 노즐 클리너 (653) 및 메인터넌스 제어 기구 (654) 를 구비한다. 배트 (651) 는, 노즐 (61) 의 세정에 사용되는 세정액을 저류한다. 메인터넌스 제어 기구 (654) 는, 예비 토출 롤러 (652) 및 노즐 클리너 (653) 를 제어한다. 메인터넌스 유닛 (65) 의 구성으로서, 예를 들어 일본 공개특허공보 2010-240550호에 기재된 구성을 적용해도 된다.The
이동 기구 (63) 는, 노즐 (61) 을, 토출구 (611) 가 예비 토출 롤러 (652) 의 상방에서 그 예비 토출 롤러 (652) 의 표면에 대향하는 예비 토출 위치 (L13) 에 위치 결정한다. 노즐 (61) 은, 예비 토출 위치 (L13) 에서, 토출구 (611) 로부터 예비 토출 롤러 (652) 의 표면에 대하여 처리액을 토출한다 (예비 토출 처리). 노즐 (61) 은, 상기 서술한 도포 위치 (L11) 에 위치 결정되기 전에 예비 토출 위치 (L13) 에 위치 결정되어 예비 토출 처리를 실행한다. 이에 의해, 기판 (W) 으로의 처리액의 토출을, 초기 단계부터 안정시킬 수 있다. 메인터넌스 제어 기구 (654) 가 예비 토출 롤러 (652) 를 회전시키면, 노즐 (61) 로부터 토출된 처리액은, 배트 (651) 에 저류된 세정액에 혼합되어 회수된다.The moving
이동 기구 (63) 는, 노즐 (61) 을, 그 노즐 (61) 의 선단부 (토출구 (611) 및 그 근처의 영역을 포함한다) 가 노즐 클리너 (653) 의 상방에 대향하는 세정 위치 (L14) 에 위치 결정한다. 노즐 (61) 이 세정 위치 (L14) 에 있는 상태에서, 노즐 클리너 (653) 가 세정액을 토출하면서 노즐 (61) 의 폭 방향 (Y 방향) 으로 이동하는 것에 의해, 노즐 (61) 의 선단부에 부착된 처리액 등이 씻겨나간다.The
이동 기구 (63) 는, 노즐 (61) 을, 세정 위치 (L14) 보다 하방이고, 노즐 (61) 의 하단부가 배트 (651) 내에 수용되는 대기 위치에 위치 결정해도 된다. 도포 장치 (1) 에 있어서 노즐 (61) 을 사용한 도포 처리가 실행되지 않을 때에, 노즐 (61) 이 당해 대기 위치에 위치 결정되어도 된다. 도시를 생략하지만, 대기 위치에 위치 결정된 노즐 (61) 의 토출구 (611) 에 있어서의 처리액의 건조를 방지하기 위한 대기 포드가 구비되어 있어도 된다.The moving
도 1 에서는, 예비 토출 위치 (L13) 에 있는 노즐 (61) 이 실선으로, 도포 위치 (L11), 하류 위치 (L12) 및 세정 위치 (L14) 에 있는 노즐 (61) 이 파선으로 각각 나타나 있다.In FIG. 1, the
본 실시형태의 도포 기구 (6) 는, 1 개의 노즐 (61) 만을 구비하고 있지만, 복수의 노즐 (61) 을 구비하고 있어도 된다. 복수의 노즐 (61) 은, 제 1 방향 (D1) 을 따라 간격을 두고 구비되어 있어도 된다. 이 경우에 있어서, 복수의 노즐 (61) 에 대하여 상이한 처리액을 공급함으로써, 상이한 처리액을 기판 (W) 에 도포하도록 해도 된다. 또한, 각 노즐 (61) 에 대응하는 이동 기구 (63) 및 메인터넌스 유닛 (65) 을 각각 형성해도 된다. 또한, 메인터넌스 유닛 (65) 은, 2 개 이상의 노즐 (61) 이 공유하여 이용할 수 있도록 해도 된다.Although the
도 4 에 나타내는 바와 같이, 노즐 유닛 (60) 은, 부상 스테이지부 (3) 의 상방에서 Y 방향으로 연장되는 빔 부재 (631) 와, 당해 빔 부재 (631) 의 양측 단부 (양측의 단부) 를 지지하는 2 개의 기둥 부재 (632, 633) 를 포함하는 가교 구조를 갖는다. 기둥 부재 (632, 633) 는, 기대 (10) 로부터 상방으로 세워 형성되어 있다. 기둥 부재 (632) 에는 승강 기구 (634) 가 장착되어 있고, 기둥 부재 (633) 에는 승강 기구 (635) 가 장착되어 있다. 각 승강 기구 (634, 635) 는, 예를 들어 볼 나사 기구를 포함한다. 승강 기구 (634) 에는 빔 부재 (631) 의 +Y 측 단부 (+Y 측의 단부) 를, 승강 기구 (635) 에는 빔 부재 (631) 의 -Y 측 단부 (-Y 측의 단부) 가 장착되어 있고, 승강 기구 (634, 635) 에 의해 빔 부재 (631) 가 지지된다. 제어 유닛 (9) 으로부터의 제어 지령에 따라 승강 기구 (634, 635) 가 연동함으로써, 빔 부재 (631) 가 수평 자세인 채로 연직 방향 (Z 방향) 으로 이동한다.As shown in FIG. 4, the
빔 부재 (631) 의 중앙 하부에는, 토출구 (611) 를 하향으로 한 자세의 노즐 (61) 이 장착되어 있다. 승강 기구 (634, 635) 가 작동함으로써, 노즐 (61) 의 연직 방향 (Z 방향) 에 있어서의 이동이 실현된다.The
기둥 부재 (632, 633) 는, 기대 (10) 상에 있어서 이동 가능하게 구성되어 있다. X 방향으로 연장되는 2 개의 주행 가이드 (81L, 81R) 가, 기대 (10) 의 상면에 있어서의 +Y 측 단부 (+Y 측의 단부) 및 -Y 측 단부 (-Y 측의 단부) 에 형성되어 있다. 기둥 부재 (632) 는 그 기둥 부재 (632) 의 하부에 장착된 슬라이더 (636) 를 통하여 +Y 측의 주행 가이드 (81L) 에 걸어 맞춤되어 있고, 기둥 부재 (633) 는 그 기둥 부재 (633) 의 하부에 장착된 슬라이더 (637) 를 통하여 -Y 측의 주행 가이드 (81R) 에 걸어 맞춤되어 있다. 슬라이더 (636, 637) 는, 주행 가이드 (81L, 81R) 를 따라 X 방향으로 자유롭게 이동할 수 있다.The
기둥 부재 (632, 633) 는, 리니어 모터 (82L, 82R) 의 작동에 의해 X 방향으로 이동한다. 리니어 모터 (82L, 82R) 는, 고정자로서의 마그넷 모듈과, 이동자로서의 코일 모듈을 구비한다. 마그넷 모듈은, 기대 (10) 에 형성되어 있고, X 방향으로 연장되어 있다. 코일 모듈은, 기둥 부재 (632, 633) 의 각각의 하부에 장착되어 있다. 제어 유닛 (9) 으로부터의 제어 지령에 따라 리니어 모터 (82L, 82R) 의 이동자가 작동함으로써, 노즐 유닛 (60) 전체가 X 방향을 따라 이동한다. 이에 의해, 노즐 (61) 의 X 방향 (제 1 방향 (D1)) 으로의 이동이 실현된다. 기둥 부재 (632, 633) 의 X 방향 위치 (X 방향에 있어서의 위치) 는, 슬라이더 (636, 637) 의 근방에 형성된 리니어 스케일 (83L, 83R) 에 의해 검출된다.The
이와 같이, 노즐 (61) 은, 승강 기구 (634, 635) 의 작동에 의해 Z 방향으로 이동하고, 리니어 모터 (82L, 82R) 의 작동에 의해 X 방향으로 이동한다. 즉, 제어 유닛 (9) 이 승강 기구 (634, 635) 및 리니어 모터 (82L, 82R) 를 제어함으로써, 노즐 (61) 의 각 정지 위치 (L11, L12, L13, L14) 로의 위치 결정이 실현된다. 따라서, 승강 기구 (634, 635) 및 리니어 모터 (82L, 82R) 는, 이동 기구 (63) 로서 기능한다.In this way, the
메인터넌스 유닛 (65) 으로는, 일본 공개특허공보 2010-240550호에 기재된 것을 채용해도 된다. 배트 (651) 는 Y 방향으로 연장되는 빔 부재 (661) 에 의해 지지된다. 빔 부재 (661)의 양단부 중, 일단부는 기둥 부재 (662) 로 지지되고, 타단부는 기둥 부재 (663) 로 지지되어 있다. 기둥 부재 (662, 663) 는, Y 방향으로 연장되는 플레이트 (664) 의 Y 방향 양단부 (Y 방향에 있어서의 양단부) 에 각각 장착되어 있다.As the
플레이트 (664) 의 양단부의 하방에는, 각각, X 방향으로 연장되는 2 개의 주행 가이드 (84L, 84R) 가 형성되어 있다. 2 개의 주행 가이드 (84L, 84R) 는, 기대 (10) 의 상면에 형성되어 있다. 플레이트 (664) 의 하면의 Y 방향 양단부 중, +Y 측 단부에는 슬라이더 (666) 가 형성되고, -Y 측 단부에는 슬라이더 (667) 가 형성되어 있다. 슬라이더 (666, 667) 는, 주행 가이드 (84L, 84R) 에 걸어 맞춤되어, X 방향으로 자유롭게 이동할 수 있게 되어 있다.Below the both ends of the
플레이트 (664) 의 하방에는, 리니어 모터 (85) 가 형성되어 있다. 리니어 모터 (85) 는, 고정자인 마그넷 모듈 및 이동자인 코일 모듈을 구비한다. 마그넷 모듈은 기대 (10) 에 형성되어 있고, X 방향으로 연장되어 있다. 코일 모듈은 메인터넌스 유닛 (65) (여기서는, 플레이트 (664)) 의 하부에 형성되어 있다.The
제어 유닛 (9) 으로부터의 제어 지령에 따라 리니어 모터 (85) 가 작동함으로써, 메인터넌스 유닛 (65) 전체가 X 방향으로 이동한다. 메인터넌스 유닛 (65) 의 X 방향 위치는, 슬라이더 (666, 667) 의 근방에 형성된 리니어 스케일 (86) 에 의해 검출된다.The
도 4 에 나타내는 바와 같이, 척 (51) 은, 2 개의 척 부재 (51L, 51R) 를 구비한다. 척 부재 (51L, 51R) 는, XZ 평면에 관해서 서로 대칭인 형상을 가지고 있고, Y 방향으로 떨어져 배치되어 있다.As shown in FIG. 4, the
+Y 측에 배치된 척 부재 (51L) 는, 기대 (10) 에 형성되어 X 방향으로 연장되는 주행 가이드 (87L) 에 지지된다. 척 부재 (51L) 는, X 방향으로 위치를 상이하게 하여 형성된 2 개의 수평한 플레이트부와, 이들 플레이트부를 접속하는 접속부를 포함하는 베이스부 (512) 를 구비한다 (도 2 참조). 베이스부 (512) 의 2 개의 플레이트부의 하부에는 슬라이더 (511) 가 1 개씩 형성되어 있다. 슬라이더 (511) 는 주행 가이드 (87L) 에 걸어 맞춤되어 있고, 이에 의해 척 부재 (51L) 는 주행 가이드 (87L) 를 따라 X 방향으로 주행 가능하다.The
베이스부 (512) 의 2 개의 플레이트부의 상부 각각에는, 지지부 (513) 가 1 개씩 형성되어 있다. 지지부 (513) 는, 상방으로 연장되어 있고, 그 상단부에 흡착 패드 (도시 생략) 를 갖는다. 베이스부 (512) 가 주행 가이드 (87L) 를 따라 X 방향으로 이동하면, 이것과 일체적으로 2 개의 지지부 (513) 가 X 방향으로 이동한다. 또한, 베이스부 (512) 의 2 개의 플레이트 부위는 서로 분리되고, 이들 플레이트 부위가 X 방향으로 일정한 거리를 유지하면서 이동함으로써, 겉보기 상, 일체의 베이스부로서 기능하는 구조로 해도 된다. 이 거리를 기판의 길이에 따라 설정하면, 다양한 길이의 기판에 대응하는 것이 가능해진다.On each of the upper portions of the two plate portions of the
척 부재 (51L) 는, 리니어 모터 (88L) 에 의해 X 방향으로 이동한다. 리니어 모터 (88L) 는, 고정자인 마그넷 모듈 및 이동자인 코일 모듈을 구비한다. 마그넷 모듈은 기대 (10) 에 형성되어 있고, X 방향으로 연장된다. 코일 모듈은 척 부재 (51L) 의 하부에 형성되어 있다. 제어 유닛 (9) 으로부터의 제어 지령에 따라 리니어 모터 (88L) 가 작동함으로써, 척 부재 (51L) 가 X 방향을 따라 이동한다. 척 부재 (51L) 의 X 방향 위치는, 주행 가이드 (87L) 의 근방에 형성된 리니어 스케일 (89L) 에 의해 검출된다.The
-Y 측에 형성된 척 부재 (51R) 는, 척 부재 (51L) 와 동일하게, 베이스부 (512) 와, 2 개의 지지부 (513, 513) 를 구비하고 있다. 또한, 척 부재 (51R) 의 형상은, XZ 평면에 관해서 척 부재 (51L) 와는 대칭이다. 척 부재 (51R) 의 베이스부 (512) 의 2 개의 플레이트부의 하부에는 슬라이더 (511) 가 1 개씩 형성되어 있다. 슬라이더 (511) 는 주행 가이드 (87R) 에 걸어 맞춤되어 있고, 이에 의해 척 부재 (51R) 는 주행 가이드 (87R) 를 따라 X 방향으로 주행 가능하다.The
척 부재 (51R) 는, 리니어 모터 (88R) 에 의해 X 방향으로 이동 가능하다. 리니어 모터 (88R) 는, X 방향으로 연장됨과 함께 기대 (10) 에 형성된 고정자로서의 마그넷 모듈과, 척 부재 (51R) 의 하부에 형성된 이동자로서의 코일 모듈을 포함한다. 제어 유닛 (9) 으로부터의 제어 지령에 따라 리니어 모터 (88R) 가 작동함으로써, 척 부재 (51R) 가 X 방향으로 이동한다. 척 부재 (51R) 의 X 방향 위치는, 주행 가이드 (87R) 의 근방에 형성된 리니어 스케일 (89R) 에 의해 검출된다.The
제어 유닛 (9) 은, 척 부재 (51L, 51R) 가 X 방향에 있어서 항상 동일 위치가 되도록, 이들의 위치 제어를 실시한다. 이에 의해, 1 쌍의 척 부재 (51L, 51R) 가 겉보기 상 일체의 척 (51) 으로서 이동하게 된다. 이에 의해, 척 부재 (51L, 51R) 를 기계적으로 결합하는 경우에 비하여, 척 (51) 과 부상 스테이지부 (3) 의 간섭이 용이하게 회피될 수 있다.The
도 3 에 나타내는 바와 같이, 4 개의 지지부 (513) 는 각각, 유지되는 기판 (W) 의 4 모서리에 대응하여 배치된다. 즉, 척 부재 (51L) 의 2 개의 지지부 (513) 는, 기판 (W) 의 +Y 측 주연부 (+Y 측의 주연부) 이고 제 1 방향 (D1) 에 있어서의 상류측 단부 (상류측의 단부) 와 하류측 단부 (하류측의 단부) 를 각각 유지한다. 척 부재 (51R) 의 2 개의 지지부 (513, 513) 는, 기판 (W) 의 -Y 측 주연부 (-Y 측의 주연부) 이고 제 1 방향 (D1) 에 있어서의 상류측 단부와 하류측 단부를 각각 유지한다. 각 지지부 (513) 의 흡착 패드에는 필요에 따라 부압이 공급되고, 이에 의해 기판 (W) 의 4 모서리가 척 (51) 에 의해 하방으로부터 흡착 유지된다.As shown in FIG. 3, four
척 (51) 이 기판 (W) 을 유지하면서 X 방향으로 이동함으로써 기판 (W) 이 반송된다. 이와 같이, 리니어 모터 (88L, 88R), 각 지지부 (513) 에 부압을 공급하기 위한 기구 (도시 생략) 는, 도 1 에 나타내는 흡착·주행 제어 기구 (52) 로서 기능한다.The substrate W is conveyed by the
도 1 및 도 4 에 나타내는 바와 같이, 척 (51) 은, 입구 부상 스테이지 (31), 도포 스테이지 (32) 및 출구 부상 스테이지 (33) 의 상면보다 상방으로 떨어트려 기판 (W) 을 유지한다. 척 (51) 은, 기판 (W) 의 하면을 유지하여, 기판 (W) 을 반송한다. 척 (51) 은, 기판 (W) 중 각 스테이지 (31, 32, 33) 와 대향하는 중앙 부분보다 Y 방향 외측 (Y 방향에 있어서의 외측) 의 주연부의 일부만을 유지한다. 이 때문에, 기판 (W) 의 중앙부는 주연부에 대하여 하방으로 휜다. 부상 스테이지부 (3) 는, 이 상태의 기판 (W) 의 중앙부에 부상력을 부여함으로써, 기판 (W) 의 연직 위치를 제어하고, 기판 (W) 을 수평 자세로 유지한다.As shown in FIG. 1 and FIG. 4, the
<측정기><Measurement machine>
도포 장치 (1) 는, 복수 (여기서는 2 개) 의 측정기 (70) 를 구비한다. 측정기 (70) 는, 부상 스테이지부 (3) 에 의해 부상력이 부여되어 있는 기판 (W) 의 상면 (Wf) 의 연직 위치를 측정한다. 상세하게는, 측정기 (70) 는, 이미 정해진 연직 방향의 기준 위치로부터, 상면 (Wf) 의 연직 위치까지의 거리를 측정함으로써, 상면 (Wf) 의 연직 위치를 측정한다.The
측정기 (70) 에 의해 측정되는 상면 (Wf) 의 연직 위치로부터, 도포 스테이지 (32) 의 상면의 높이 (연직 위치) 를 기준으로 한 상면 (Wf) 의 높이를 구할 수 있다. 또한, 이 상면 (Wf) 의 높이와, 기판 (W) 의 두께로부터 기판 (W) 의 부상량 (도포 스테이지 (32) 의 상면으로부터 부상 기판 (W) 의 하면까지의 거리) 을 구하는 것이 가능하다.From the vertical position of the upper surface Wf measured by the measuring
각 측정기 (70) 는, 소정 파장의 광을 출력하는 투광부 (70a) 와, 투광부 (70a) 로부터 출력되어 기판 (W) 에서 반사한 광을 검출하는 광 센서 (예를 들어, 라인 센서) 를 포함하는 수광부 (70b) 를 구비한다 (도 7 참조). 이와 같이, 각 측정기 (70) 는, 상면 (Wf) 의 연직 위치를 비접촉으로 측정할 수 있는 반사형 센서를 포함한다.Each measuring
또한, 상면 (Wf) 의 연직 위치는, 광으로 측정되는 대신에 초음파로 측정되어도 된다. 이 경우, 각 측정기 (70) 는, 초음파를 출력하는 출력부와, 상면 (Wf) 에서 반사한 초음파를 검출하는 검출부를 구비하고 있으면 된다.In addition, the vertical position of the upper surface Wf may be measured by ultrasonic waves instead of being measured by light. In this case, each measuring
각 측정기 (70) 는, 연결구 (72) 를 통하여 노즐 (61) 에 연결되어 있다. 연결구 (72) 의 양측 단부 (X 방향에 있어서의 양측의 단부) 중, 일단부 (+X 측의 단부) 는 노즐 (61) 의 상류측 측면 (상류측의 측면) 에 장착 가능한 구조를 가지고 있고, 타단부 (-X 측의 단부) 는 측정기 (70) 에 장착 가능한 구조를 갖는다. 각 측정기 (70) 는, 연결구 (72) 에 지지됨으로써, 노즐 (61) 보다 상류측 (-X 측) 에 배치된다.Each measuring
각 측정기 (70) 는, 연결구 (72) 를 통하여 노즐 (61) 에 연결되어 있기 때문에, 노즐 (61) 에 추종하여 이동한다. 즉, 노즐 (61) 이 이동 기구 (63) 에 의해 수평 방향 또는 연직 방향으로 이동하면, 각 측정기 (70) 도 이것에 추종하여 동일 방향으로 이동한다.Since each measuring
본 실시형태에서는, 이동 기구 (63) 의 동작에 의해, 각 측정기 (70) 는, 도포 스테이지 (32) 의 상방의 측정 위치 (L21a, L21b) 및 상류 위치 (L22a, L22b) 에 위치 결정된다 (도 8 참조). 측정 위치 (L21a, L21b) 및 상류 위치 (L22a, L22b) 의 각각의 수평 위치는, 이미 정해진 수평 위치에 설정된다. 각 측정기 (70) 가 측정 위치 (L21a, L21b) 에 위치 결정된 상태에서, 각 측정기 (70) 는 기판 (W) 의 상면 (Wf) 의 연직 위치를 측정한다. 상류 위치 (L22a, L22b) 는, 측정 위치 (L21a, L21b) 로부터 제 1 방향 (D1) 의 상류측 (-X 측) 으로 떨어진 위치이다. 본 실시형태에서는, 노즐 (61) 이 하류 위치 (L12) 에 배치되면 각 측정기 (70) 가 측정 위치 (L21a, L21b) 에 배치되고, 노즐 (61) 이 도포 위치 (L11) 에 배치되면 각 측정기 (70) 가 상류 위치 (L22a, L22b) 에 배치된다 (도 8 참조).In this embodiment, each measuring
연결구 (72) 는, 본 실시형태와 같이 측정기 (70) 를 노즐 (61) 에 직접 연결해도 되지만, 당해 측정기 (70) 를 다른 부재를 통하여 노즐 (61) 에 간접적으로 연결해도 된다. 예를 들어, 연결구 (72) 는, 노즐 (61) 이 장착되는 빔 부재 (631) 에 장착 가능한 구조를 가지고 있어도 된다. 이 경우, 연결구 (72) 는, 빔 부재 (631) 를 통하여 측정기 (70) 를 노즐 (61) 에 연결한다.The
도 6 에 나타내는 바와 같이, 2 개의 측정기 (70) 는, 제 2 방향 (D2) 에 있어서, 기판 (W) 의 폭 (폭 방향의 길이) 보다 짧은 간격을 두고 형성되어 있다. 이 2 개의 측정기 (70) 를 구비함으로써, 기판 (W) 에 있어서의 폭 방향으로 상이한 2 개의 지점의 연직 위치를 측정하는 것이 가능하다. 또한, 측정기 (70) 의 수는, 2 개에 한정되는 것이 아니고, 단일이어도 되고, 혹은, 3 개 이상으로 해도 된다.As shown in FIG. 6, the two
도 7 은, 실시형태의 제어 유닛 (9) 을 나타내는 개략 블록도이다. 도포 장치 (1) 는, 각 부의 동작을 제어하기 위한 제어 유닛 (9) 을 구비한다. 제어 유닛 (9) 의 하드웨어 구성은, 일반적인 컴퓨터와 동일하게 해도 된다. 제어 유닛 (9) 은, 각종 연산 처리를 실시하는 CPU (91), 기본 프로그램을 기억하는 판독 전용의 메모리인 ROM, 각종 정보를 기억하는 자유롭게 읽고 쓰기 할 수 있는 메모리 (92), 각종 정보를 표시하는 디스플레이를 포함하는 표시부 (93) 를 구비한다. 메모리 (92) 로는, 주기억 장치 (RAM) 외에, 제어용 어플리케이션 (프로그램) 및 데이터 등을 기억하는 고정 디스크가 포함된다. 제어 유닛 (9) 은, 유저나 외부 장치와의 정보 교환을 담당하는 인터페이스부, 및, 가반성을 갖는 기억 매체 (광학식 미디어, 자기 미디어, 반도체 메모리 등) 에 보존된 정보 (프로그램) 를 판독하는 판독 장치를 구비하고 있어도 된다.7 is a schematic block diagram showing the
후술하는 바와 같이, 제어 유닛 (9) 의 CPU (91) 는, 프로그램에 따라 동작함으로써, 2 개의 측정기 (70) 에 의해 측정된 기판 (W) 의 상면 (Wf) 에 있어서의 2 개 지점의 연직 위치의 차분치를 취득한다. 이와 같이, CPU (91) 는, 차분 취득부로서 기능한다. 또한, 차분 취득부는, 전용 회로로 구성되어 있어도 된다.As will be described later, the
도 8 은, 실시형태의 도포 장치 (1) 가 실행하는 기판 처리 동작의 각 공정을 나타내는 도면이다. 기판 처리 동작은, 먼저, 도 8(a) 에 나타내는 바와 같이, 반송 공정 S11 을 포함한다. 반송 공정 S11 에서는, 제어 유닛 (9) 이 반송 기구 (5) 를 제어하여, 부상 스테이지부 (3) 로부터 부상력이 부여되어 있는 기판 (W) (이하, 「부상 기판 (W)」 이라고도 칭한다) 을, 제 1 방향 (D1) 의 하류측 (+X 방향) 을 향하여 반송한다. 요컨대, 이 때, 부상 기판 (W) 의 상면 (Wf) (제 1 주면) 은, 연직 방향의 상향이고, 부상 기판 (W) 의 하면 (제 2 주면) 에 부상 스테이지부 (3) 로부터 부상력이 부여되어 있다.FIG. 8: is a figure which shows each process of the substrate processing operation which the
반송 공정 S11 은, 도 8(b) 에 나타내는 바와 같이, 정지 단계 S111 을 포함한다. 정지 단계 S111 에서는, 제어 유닛 (9) 이 반송 기구 (5) 를 제어하여, 부상 기판 (W) 을 이미 정해진 위치 (LW1) 까지 반송하여, 그 부상 기판 (W) 을 이미 정해진 위치 (LW1) 에서 정지시킨다.As shown to FIG. 8 (b), conveyance process S11 includes the stop step S111. In the stop step S111, the
여기서는, 이미 정해진 위치 (LW1) 에 배치되어 있는 부상 기판 (W) 은, 도포 스테이지 (32) 및 입구 부상 스테이지 (31) 에 걸쳐 있다. 또한, 이미 정해진 위치 (LW1) 에 배치되어 있는 부상 기판 (W) 의 상류측 단부 (상류측의 단부) 의 수평 위치 (수평 방향에 있어서의 위치) 는, 도포 스테이지 (32) 의 중앙보다 상류측이 되어 있다.Here, the floating board | substrate W arrange | positioned at the predetermined position LW1 spans the application | coating
도 8(b) 에 나타내는 바와 같이, 정지 단계 S111 에 의해 부상 기판 (W) 이 이미 정해진 위치 (LW1) 에 정지하고 있는 상태에서, 측정 공정 S12 가 실시된다. 측정 공정 S12 는, 각 측정기 (70) 가, 부상 기판 (W) 의 연직 위치를 측정하는 공정이다. 각 측정기 (70) 는, 부상 기판 (W) 에 있어서의 측정 수평 위치 (XM1) 에서의 연직 위치를 측정한다. 측정 수평 위치 (XM1) 는, 측정 위치 (L21a, L21b) 에 배치되어 있는 각 측정기 (70) 가 부상 기판 (W) 의 연직 위치를 측정하는 영역의 제 1 방향 (D1) (X 방향) 에 있어서의 수평 위치이다. 여기서는, 측정 수평 위치 (XM1) 는, 부상 기판 (W) 을 정밀한 연직 위치에 유지할 수 있는 도포 스테이지 (32) (여기서는, 도포 스테이지 (32) 에 있어서의 제 1 방향 (D1) 의 중앙 위치) 에 설정되어 있다. 본 실시형태에서는, 정지한 상태의 부상 기판 (W) 에 대하여 연직 위치를 측정하기 때문에, 이동 중인 부상 기판 (W) 을 대상으로 하는 경우보다, 양호한 정밀도로 측정할 수 있다.As shown in FIG.8 (b), the measurement process S12 is performed in the state in which the floating board | substrate W has stopped in the position LW1 already determined by the stop step S111. Measuring step S12 is a step in which each measuring
측정 공정 S12 후, 각 측정기 (70) 가 측정한 부상 기판 (W) 의 연직 위치에 대하여 이상이 있는지 여부를 제어 유닛 (9) 이 판정하는 제 1 판정 공정이 실시되어도 된다. 각 측정기 (70) 가 측정한 부상 기판 (W) 의 연직 위치의 값을 A1, A2 라고 한 경우, 제 1 판정 공정에서는, 이들 값 (A1, A2) 이 이미 정해진 기준 범위 내에 있는지 여부가 판정되는 것이 바람직하다. 값 (A1, A2) 중 어느 것, 또는, 쌍방이 기준 범위 외인 경우에는, 제어 유닛 (9) 이 소정의 출력 수단 (표시부 (93) 나 램프, 스피커 등) 으로 그 취지를 외부에 통지해도 된다. 또한, 이 때, 오퍼레이터가 확인할 수 있도록, 제어 유닛 (9) 이 도포 장치 (1) 의 동작을 정지시켜도 된다.After measurement process S12, the 1st determination process which the
부상 기판 (W) 의 연직 위치가 이상인 이유로는, 예를 들어, 도포 스테이지 (32) 의 상면에 형성된 복수의 분출구 (321h) 또는 복수의 흡인구 (322h) 의 어느 것에 있어서의 막힘 등에 의한 부상 기판 (W) 의 부상량의 이상을 생각할 수 있다. 또한, 다른 이유로서, 부상 기판 (W) 의 두께 이상 (부상 기판 (W) 자체의 두께 이상 외에, 부상 기판 (W) 의 상면 (Wf) 의 연직 위치를 물리적으로 변동시키는 이상을 포함한다) 을 생각할 수 있다. 부상 기판 (W) 의 연직 위치의 이상을 검출함으로써, 부상 기판 (W) 상에서의 처리액의 도포 불량의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 각 측정기 (70) 에 의해 제 2 방향 (D2) 으로 상이한 복수 지점에서 부상 기판 (W) 의 연직 위치를 측정함으로써, 복수의 분출구 (321h) 또는 복수의 흡인구 (322h) 중 막힘이 발생해 있는 영역의 특정, 혹은, 두께 이상이 발생해 있는 부상 기판 (W) 의 부분의 특정을 용이하게 실시할 수 있다.The reason why the vertical position of the floating substrate W is abnormal is, for example, the floating substrate due to clogging in any of the plurality of
측정 공정 S12 후, 제어 유닛 (9) 이, 각 측정기 (70) 에 의해 측정된 부상 기판 (W) 의 연직 위치의 값 (A1, A2) 으로부터 차분치를 구하고, 그 차분치가 기준 범위 내에 있는지 여부를 판정하는 제 2 판정 공정이 실시되어도 된다. 차분치에는, 값 (A1) 과 값 (A2) 의 차분의 값이 적용될 수 있다. 차분치를 취득함으로써, 연직 위치가 이상한 지점을 용이하게 특정할 수 있다. 제 2 판정 공정에 있어서, 차분치가 기준 범위 외에 있다고 제어 유닛 (9) 이 판정한 경우, 제어 유닛 (9) 이 소정의 출력 수단으로 그 취지를 외부에 통지해도 된다. 또한, 오퍼레이터가 확인할 수 있도록, 제어 유닛 (9) 이 도포 장치 (1) 의 동작을 정지시켜도 된다.After the measuring process S12, the
측정 공정 S12 가 완료되면, 도 8(c) 에 나타내는 바와 같이, 제어 유닛 (9) 이 이동 공정 S13 을 실시한다. 이동 공정 S13 은, 측정기 이동 단계 S131 과, 노즐 이동 단계 S132 를 포함한다. 측정기 이동 단계 S131 에서는, 이동 기구 (63) 가, 각 측정기 (70) 를 측정 위치 (L21a, L21b) 와는 다른 위치인 상류 위치 (L22a, L22b) 를 향하여 이동시킨다. 노즐 이동 단계 S132 에서는, 이동 기구 (63) 가, 노즐 (61) 을 하류 위치 (L12) 로부터 측정 수평 위치 (XM1) 에 접근시킨다.When the measurement process S12 is completed, as shown to FIG. 8 (c), the
여기서는, 각 측정기 (70) 는, 각각 연결구 (72) 에 의해 노즐 (61) 의 상류측에 연결되어 있다. 이 때문에, 이동 기구 (63) 에 의해, 노즐 (61) 을 하류 위치 (L12) 로부터 상류측의 측정 수평 위치 (XM1) 에 접근시키는 노즐 이동 단계 S132 가 실행됨으로써, 각 측정기 (70) 가 상류측으로 이동하는 측정기 이동 단계 S131 도 동시 병행적으로 실행된다.Here, each measuring
이 때, 노즐 (61) 의 토출구 (611) 의 제 1 방향 (D1) 에 있어서의 수평 위치가, 측정 수평 위치 (XM1) 에 일치된다.At this time, the horizontal position in the first direction D1 of the
이동 공정 S13 이 완료되면, 도 8(d) 에 나타내는 바와 같이, 도포 공정 S14 가 실시된다. 도포 공정 S14 에서는, 노즐 (61) 이 토출구 (611) 로부터 처리액을 토출하여, 부상 기판 (W) 의 상면 (Wf) 에 처리액이 공급됨과 함께, 반송 기구 (5) 가 부상 기판 (W) 을 제 1 방향 (D1) 으로 반송한다. 이에 의해, 부상 기판 (W) 의 상면 (Wf) 중, 제 2 방향 (D2) 에 있어서의 규정폭의 영역 내에 처리액이 도포된다.When the moving step S13 is completed, as shown in FIG. 8 (d), the coating step S14 is performed. In the coating step S14, the
도 8(c) 에 나타내는 바와 같이, 여기서는, 이동 공정 S13 에 의해, 각 측정기 (70) 가 이미 정해진 상류 위치 (L22a, L22b) 에 도달하면, 노즐 (61) 의 토출구 (611) 의 제 1 방향 (D1) 에 있어서의 수평 위치가, 측정 수평 위치 (XM1) 에 일치된다. 여기서, 노즐 (61) 의 토출구 (611) 는, 연직 하향으로 개구하고 있기 때문에, 처리액은 연직 하향으로 토출된다. 그러면, 노즐 (61) 로부터 토출된 처리액이 부상 기판 (W) 의 상면 (Wf) 에 부착하는 제 1 방향 (D1) 의 수평 위치인 부착 수평 위치는, 측정 수평 위치 (XM1) 와 일치한다 (연직 방향과 겹친다). 이와 같이, 본 실시형태에서는, 부상 기판 (W) 의 연직 위치가 측정되는 영역에서, 부상 기판 (W) 에 처리액을 공급할 수 있기 때문에, 처리액을 부상 기판 (W) 에 대하여 양호하게 도포할 수 있다.As shown in FIG.8 (c), in this case, when each measuring
또한, 부착 수평 위치를 측정 수평 위치 (XM1) 와 일치시키는 것은 필수는 아니다. 부착 수평 위치를 측정 수평 위치 (XM1) 의 근처 (측정 수평 위치 (XM1) 를 중심으로 하는 일정한 영역 내) 로 해도 된다.In addition, it is not essential to make the attachment horizontal position coincide with the measurement horizontal position XM1. The adhesion horizontal position may be set near the measurement horizontal position XM1 (in a constant region centered on the measurement horizontal position XM1).
도 9 는, 실시형태의 도포 장치 (1) 의 동작의 변형예를 나타내는 도면이다. 이 변형예에서는, 이동 공정 S13 에 있어서, 측정기 이동 단계 S131 및 노즐 이동 단계 S132 후 (도 8(c) 참조), 도 9 에 나타내는 바와 같이, 노즐 연직 위치 조절 단계 S133 이 실시된다.9 is a diagram illustrating a modification of the operation of the
노즐 연직 위치 조절 단계 S133 에서는, 각 측정기 (70) 에 의해 측정된 부상 기판 (W) 의 연직 위치에 따라, 노즐 (61) 의 연직 위치가 조절된다. 노즐 연직 위치 조절 단계 S133 에서는, 각 측정기 (70) 의 측정 결과로부터, 제어 유닛 (9) 의 CPU (91) 가 소정의 연산에 의해 상면 (Wf) 의 연직 위치를 산출한다. 연직 위치를 구하는 방법으로서, 예를 들어, 2 개의 측정기 (70) 에 의해 측정된 부상 기판 (W) 의 연직 위치의 값을 A1, A2 라고 한 경우, 이들 값 (A1, A2) 의 평균치를 부상 기판 (W) 의 연직 위치로 하면 된다. 또는, 어느 일방의 값을 부상 기판 (W) 의 연직 위치로 해도 된다. 구해진 부상 기판 (W) 의 연직 위치에 대하여 노즐 (61) 이 적합한 연직 위치에 배치되도록, 제어 유닛 (9) 이 승강 기구 (634, 635) 를 제어하여 빔 부재 (631) 를 승강시킨다. 노즐 연직 위치 조절 단계 S133 이 완료되면, 도 8(d) 에 나타내는 바와 같이, 도포 공정 S14 가 실시되는 것이 바람직하다.In the nozzle vertical position adjusting step S133, the vertical position of the
노즐 연직 위치 조절 단계 S133 에 의해, 부상 기판 (W) 의 연직 위치에 따라 노즐 (61) 의 연직 위치를 최적화할 수 있다. 이에 의해, 부상 기판 (W) 에 대하여 최적의 연직 위치로부터 처리액을 공급할 수 있기 때문에, 부상 기판 (W) 에 대하여 처리액을 양호하게 도포할 수 있다.By the nozzle vertical position adjusting step S133, the vertical position of the
또한, 노즐 연직 위치 조절 단계 S133 은, 노즐 (61) 을 상류측으로 이동시키는 노즐 이동 단계 S132 보다 전 (여기서는, 측정기 이동 단계 S131 보다 전) 에 실시되어도 되고, 노즐 이동 단계 S132 와 병행 (여기서는, 측정기 이동 단계 S131 과 병행) 하여 실시되어도 된다. 후자의 경우에 있어서, 노즐 (61) 의 연직 위치를 조절할 필요가 있을 때, 노즐 (61) 은 수평 방향 및 연직 방향의 합성 방향으로 이동하게 된다.In addition, nozzle vertical position adjustment step S133 may be performed before nozzle movement step S132 which moves the
도 10 은, 실시형태의 도포 장치 (1) 의 동작의 변형예를 나타내는 도면이다. 이 변형예에서는, 측정기 이동 단계 S131 에 있어서, 각 측정기 (70) 가, 측정 위치 (L21a, L21b) 로부터 상류 위치 (L22a, L22b) 로 이동하는 동안에, 부상 기판 (W) 의 연직 위치를 측정한다. 이 경우, 측정 수평 위치 (XM1) 로부터 상류측의 소정 위치까지의 수평 범위에 있어서, 처리액이 미도포인 부상 기판 (W) 의 연직 위치를 측정할 수 있다. 이 수평 범위에 있어서 부상 기판 (W) 의 연직 위치에 이상이 있는지 여부를 제어 유닛 (9) 이 판정하는 제 3 판정 공정이 실시되어도 된다. 예를 들어, 제어 유닛 (9) 이, 각 측정기 (70) 가 측정한 전체 지점에서의 연직 위치가, 이미 정해진 기준 범위 내에 있는지 여부를 판정하는 것이 바람직하다. 또한, 제어 유닛 (9) 은, 제 1 방향 (D1) 으로 상이한 지점간의 부상 기판 (W) 의 연직 위치의 차분치를 구하여, 당해 차분치가 이미 정해진 기준 범위 내에 있는지 여부를 판정해도 된다.FIG. 10: is a figure which shows the modification of the operation | movement of the
본 실시형태에서는, 노즐 (61) 및 각 측정기 (70) 가 연결구 (72) 로 연결되어 있고, 이동 기구 (63) 가 이들을 일체로 수평 방향 및 연직 방향으로 이동시키는 것이 가능하게 되어 있다. 그러나, 노즐 (61) 및 각 측정기 (70) 를 서로 분리하고, 이동 기구가 이들을 서로 간섭하지 않도록 개별적으로 이동시키도록 해도 된다. 단, 본 실시형태와 같이, 각 측정기 (70) 를 노즐 (61) 에 대하여 연결하여 일체로 이동시킴으로써, 이동 기구의 구성을 간략화할 수 있다.In this embodiment, the
이 발명은 상세하게 설명되었지만, 상기의 설명은, 모든 국면에 있어서, 예시이고, 이 발명이 거기에 한정되는 것은 아니다. 예시되어 있지 않은 무수한 변형예가, 이 발명의 범위로부터 벗어나지 않고 상정될 수 있는 것으로 해석된다. 상기 각 실시형태 및 각 변형예에서 설명한 각 구성은, 서로 모순되지 않는 한 적절히 조합하거나, 생략할 수 있다.Although this invention was demonstrated in detail, the said description is an illustration in all the aspects, This invention is not limited to it. It is construed that numerous modifications not illustrated are contemplated without departing from the scope of this invention. Each structure described by each said embodiment and each modified example can be combined suitably, or abbreviate | omitted unless there is a contradiction.
1 ; 도포 장치 (기판 처리 장치)
3 ; 부상 스테이지부 (부상 기구)
32 ; 도포 스테이지
31h, 321h, 33h ; 분출구
322h ; 흡인구
5 ; 반송 기구
51 ; 척
52 ; 흡착·주행 제어 기구
6 ; 도포 기구
61 ; 노즐
611 ; 토출구
63 ; 이동 기구
634, 635 ; 승강 기구
70 ; 측정기
70a ; 투광부
70b ; 수광부
72 ; 연결구
88L, 88R ; 리니어 모터
9 ; 제어 유닛
91 ; CPU
D1 ; 제 1 방향
D2 ; 제 2 방향
L11 ; 도포 위치
L12 ; 하류 위치
L21a, L21b ; 측정 위치
L22a, L22b ; 상류 위치
LW1 ; 이미 정해진 위치
S11 ; 반송 공정
S111 ; 정지 단계
S12 ; 측정 공정
S13 ; 이동 공정
S131 ; 측정기 이동 단계
S132 ; 노즐 이동 단계
S133 ; 노즐 연직 위치 조절 단계
S14 ; 도포 공정
W ; 기판, 부상 기판
Wf ; 상면 (제 1 주면)
XM1 ; 측정 수평 위치One ; Coating device (substrate processing device)
3; Floating Stage (Injury Mechanism)
32; Application stage
31h, 321h, 33h; vent
322h; Suction port
5; Conveying mechanism
51; chuck
52; Adsorption, running control mechanism
6; Applicator
61; Nozzle
611; Outlet
63; Moving mechanism
634, 635; Lifting mechanism
70; Measuring instrument
70a; Floodlight
70b; Receiver
72; Connector
88L, 88R; Linear motor
9; Control unit
91; CPU
D1; First direction
D2; Second direction
L11; Application location
L12; Downstream position
L21a, L21b; Measuring position
L22a, L22b; Upstream position
LW1; Already defined location
S11; Conveying process
S111; Stop phase
S12; Measuring process
S13; Moving process
S131; Meter move step
S132; Nozzle moving stage
S133; Nozzle Vertical Positioning Step
S14; Application process
W; Board, Floating Board
Wf; Top face (first face)
XM1; Measuring horizontal position
Claims (15)
상기 제 1 주면이 연직 방향의 상향인 상기 기판에 부상력을 부여하는 부상 기구와,
상기 부상력이 부여되어 있는 상기 기판인 부상 기판을 수평 방향인 제 1 방향으로 이동시키는 반송 기구와,
상기 제 1 방향에 직교하는 수평 방향인 제 2 방향으로 연장되는 토출구를 갖고, 상기 부상 기판의 제 1 주면을 향하여 처리액을 상기 토출구로부터 토출 가능한 노즐과,
상기 부상 기판의 상기 제 1 주면의 연직 위치를 측정하는 측정기와,
상기 노즐로부터의 상기 처리액이 상기 부상 기판에 부착하는 수평 위치인 부착 수평 위치가, 상기 측정기가 상기 부상 기판의 상기 연직 위치를 미리 측정하는 영역의 수평 위치인 측정 수평 위치에 가까워지도록, 상기 노즐 및 상기 측정기를 이동시키는 이동 기구를 구비하는, 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus for processing a substrate having a first main surface and a second main surface,
A floating mechanism for applying a floating force to the substrate having the first main surface upward in the vertical direction;
A conveying mechanism for moving the floating substrate, which is the substrate to which the floating force is applied, in a first direction in a horizontal direction;
A nozzle having a discharge port extending in a second direction, which is a horizontal direction orthogonal to the first direction, and capable of discharging the processing liquid from the discharge port toward the first main surface of the floating substrate;
A measuring device for measuring a vertical position of the first main surface of the floating substrate;
The nozzle so that the attachment horizontal position, which is a horizontal position at which the processing liquid from the nozzle attaches to the floating substrate, is close to a measurement horizontal position that is a horizontal position of an area where the measuring device measures the vertical position of the floating substrate in advance; And a moving mechanism for moving the measuring device.
상기 이동 기구는, 상기 부착 수평 위치가 상기 측정 수평 위치에 일치하도록, 상기 노즐 및 상기 측정기를 이동시키는, 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The moving mechanism moves the nozzle and the measuring device such that the attachment horizontal position coincides with the measurement horizontal position.
상기 부상 기구는,
상면을 갖는 스테이지와,
상기 상면에 형성되고, 상기 연직 방향의 상측을 향하여 에어를 분출하는 복수의 분출구와,
상기 상면에 형성되고, 상기 연직 방향의 상측의 에어를 흡인하는 복수의 흡인구를 포함하는, 기판 처리 장치.The method according to claim 1 or 2,
The injury mechanism,
A stage having an upper surface,
A plurality of ejection openings formed on the upper surface, for ejecting air toward the upper side in the vertical direction;
It is formed in the said upper surface, The substrate processing apparatus containing the some suction port which sucks the air of the upper side of the said vertical direction.
상기 이동 기구는, 상기 노즐을 이미 정해진 수평 위치인 도포 위치에 위치 결정함과 함께, 상기 노즐을 상기 도포 위치로부터 수평 방향으로 떨어진 위치로 이동 가능한, 기판 처리 장치.The method according to claim 1 or 2,
The moving mechanism is capable of moving the nozzle to a position away from the application position in a horizontal direction while positioning the nozzle at an application position that is a predetermined horizontal position.
상기 이동 기구는, 상기 측정기를 이미 정해진 수평 위치인 측정 위치에 위치 결정함과 함께, 상기 측정기를 상기 측정 위치로부터 수평 방향으로 떨어진 위치로 이동 가능한, 기판 처리 장치.The method according to claim 1 or 2,
And the moving mechanism is capable of moving the measuring device to a position away from the measuring position in a horizontal direction while positioning the measuring device at a measuring position which is a predetermined horizontal position.
상기 노즐과 상기 측정기를 연결하는 연결구를 추가로 구비하고,
상기 이동 기구는 상기 연결구에 의해 연결된 상기 노즐과 상기 측정기를 일체로 이동시키는, 기판 처리 장치.The method according to claim 1 or 2,
Further provided with a connector for connecting the nozzle and the measuring instrument,
And the movement mechanism integrally moves the nozzle and the meter connected by the connector.
상기 연결구는, 상기 측정기를 상기 노즐에 대하여 상기 제 1 방향의 상류측에 연결하고,
상기 이동 기구는, 상기 노즐 및 상기 측정기를 상기 제 1 방향의 상기 상류측으로 이동시키는, 기판 처리 장치.The method of claim 6,
The connector connects the measuring device to an upstream side in the first direction with respect to the nozzle,
The moving mechanism moves the nozzle and the measuring device to the upstream side in the first direction.
상기 측정기는, 상기 부상 기판의 상기 제 1 주면에서 반사하는 광을 검출하는 반사형 센서를 포함하는, 기판 처리 장치.The method according to claim 1 or 2,
And the measuring device includes a reflective sensor that detects light reflected from the first main surface of the floating substrate.
상기 반송 기구는, 상기 부상 기판을 이미 정해진 위치까지 이동시키고 나서 정지시키고,
상기 이동 기구는, 상기 부상 기판이 상기 이미 정해진 위치에서 정지하고 있는 상태에서, 상기 부상 기판의 상기 측정 수평 위치에서의 연직 위치를 측정한 상기 측정기를 다른 위치로 이동시킴과 함께, 상기 노즐을 상기 측정 수평 위치에 접근시키는, 기판 처리 장치.The method according to claim 1 or 2,
The conveyance mechanism is stopped after moving the floating substrate to a predetermined position,
The moving mechanism moves the measuring device that measured the vertical position at the measurement horizontal position of the floating substrate to another position while the floating substrate is stopped at the predetermined position. A substrate processing apparatus, which approximates a measurement horizontal position.
상기 이동 기구는, 상기 이미 정해진 위치에서 정지하고 있는 상기 부상 기판의 상기 측정 수평 위치에서의 연직 위치를 측정한 상기 측정기를 상기 제 1 방향의 상류측의 위치로 이동시키고,
상기 측정기는, 상기 제 1 방향의 상류측의 위치를 향하여 이동하는 동안에, 상기 부상 기판의 연직 위치를 측정하는, 기판 처리 장치.The method of claim 9,
The said moving mechanism moves the said measuring device which measured the vertical position in the said measurement horizontal position of the said floating board stopped at the said predetermined position to the position of the upstream of a said 1st direction,
The measuring device measures the vertical position of the floating substrate while moving toward the position on the upstream side in the first direction.
상기 이동 기구는, 상기 측정기에 의해 측정된 상기 부상 기판의 연직 위치에 따라, 상기 노즐의 연직 위치를 변경하는, 기판 처리 장치.The method according to claim 1 or 2,
The said moving mechanism changes the vertical position of the said nozzle according to the vertical position of the said floating substrate measured by the said measuring device.
복수의 상기 측정기가 상기 제 2 방향으로 간격을 두고 형성되어 있고,
상기 복수의 측정기는, 상기 부상 기판에 있어서의 상기 제 2 방향으로 상이한 복수 지점의 연직 위치를 측정 가능한, 기판 처리 장치.The method according to claim 1 or 2,
A plurality of said measuring devices are formed at intervals in said second direction,
The plurality of measuring devices can measure vertical positions of a plurality of points that are different in the second direction on the floating substrate.
상기 복수의 측정기에 의해 측정된 상기 복수 지점의 연직 위치의 차분치를 취득하는 차분 취득부를 추가로 구비하는, 기판 처리 장치.The method of claim 12,
The substrate processing apparatus further equipped with the difference acquisition part which acquires the difference value of the perpendicular position of the said several points measured by the said some measuring machine.
상기 제 1 주면이 연직 방향의 상향인 상태에서 부상력이 부여되어 있는 상기 기판인 부상 기판을 수평 방향인 제 1 방향으로 이동시키는 반송 공정과,
상기 부상 기판의 상기 제 1 주면의 연직 위치를 측정하는 측정 공정과,
상기 측정 공정 후에, 상기 반송 공정에 의해 상기 제 1 방향으로 이동되는 상기 부상 기판의 상기 제 1 주면에 노즐로부터 처리액을 공급하는 도포 공정과,
상기 측정 공정 후이고 또한 상기 도포 공정 전에, 상기 처리액이 상기 부상 기판에 부착하는 수평 위치인 부착 수평 위치가, 상기 측정 공정에 있어서 측정기가 상기 부상 기판의 상기 연직 위치를 미리 측정한 영역의 수평 위치인 측정 수평 위치에 가까워지도록, 상기 노즐 및 상기 측정기를 이동시키는 이동 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.A substrate processing method for processing a substrate having a first main surface and a second main surface,
A conveying step of moving the floating substrate, which is the substrate to which the floating force is applied, in the state in which the first main surface is upward in the vertical direction, in the first direction in the horizontal direction;
A measuring step of measuring a vertical position of the first main surface of the floating substrate;
An application step of supplying a processing liquid from a nozzle to the first main surface of the floating substrate that is moved in the first direction after the measurement step;
After the measuring step and before the coating step, the horizontal position where the treatment liquid adheres to the floating substrate is the horizontal position of the area where the measuring device previously measured the vertical position of the floating substrate in the measuring step. And a moving step of moving the nozzle and the measuring device so as to be close to the measuring horizontal position which is the position.
상기 반송 공정은, 상기 부상 기판을 이미 정해진 위치까지 이동시키고 나서 정지시키는 단계를 포함하고,
상기 이동 공정은,
상기 부상 기판이 상기 이미 정해진 위치에서 정지하고 있는 상태에서, 상기 측정 수평 위치에 있어서의 연직 위치를 측정한 상기 측정기를 다른 위치로 이동시키는 단계와,
상기 부상 기판이 상기 이미 정해진 위치에서 정지하고 있는 상태에서, 상기 노즐을 상기 측정 수평 위치에 접근시키는 단계를 포함하는, 기판 처리 방법.The method of claim 14,
The conveying process includes moving the floating substrate to a predetermined position and then stopping,
The moving step,
Moving the measuring device that has measured the vertical position in the measurement horizontal position to another position while the floating substrate is stopped at the predetermined position;
And bringing the nozzle close to the measurement horizontal position while the floating substrate is stationary at the already predetermined position.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018104960A JP6738373B2 (en) | 2018-05-31 | 2018-05-31 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JPJP-P-2018-104960 | 2018-05-31 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20190136927A true KR20190136927A (en) | 2019-12-10 |
KR102474713B1 KR102474713B1 (en) | 2022-12-05 |
Family
ID=68805684
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020190055109A KR102474713B1 (en) | 2018-05-31 | 2019-05-10 | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6738373B2 (en) |
KR (1) | KR102474713B1 (en) |
CN (1) | CN209785888U (en) |
TW (1) | TWI745691B (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11964471B2 (en) | 2021-10-29 | 2024-04-23 | Semes Co., Ltd. | Substrate treating apparatus and substrate treating method using the same |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007111612A (en) * | 2005-10-19 | 2007-05-10 | Tokyo Electron Ltd | Coating method and coating device |
KR20100108238A (en) * | 2009-03-27 | 2010-10-06 | 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤 | Substrate coating apparatus and substrate coating method |
JP2012142583A (en) | 2012-02-15 | 2012-07-26 | Tokyo Electron Ltd | Coating device |
KR101276444B1 (en) * | 2005-10-13 | 2013-06-19 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Coating apparatus and coating method |
-
2018
- 2018-05-31 JP JP2018104960A patent/JP6738373B2/en active Active
-
2019
- 2019-05-10 KR KR1020190055109A patent/KR102474713B1/en active IP Right Grant
- 2019-05-16 TW TW108116954A patent/TWI745691B/en active
- 2019-05-21 CN CN201920736103.2U patent/CN209785888U/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101276444B1 (en) * | 2005-10-13 | 2013-06-19 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Coating apparatus and coating method |
JP2007111612A (en) * | 2005-10-19 | 2007-05-10 | Tokyo Electron Ltd | Coating method and coating device |
KR20100108238A (en) * | 2009-03-27 | 2010-10-06 | 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤 | Substrate coating apparatus and substrate coating method |
JP2012142583A (en) | 2012-02-15 | 2012-07-26 | Tokyo Electron Ltd | Coating device |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11964471B2 (en) | 2021-10-29 | 2024-04-23 | Semes Co., Ltd. | Substrate treating apparatus and substrate treating method using the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2019209229A (en) | 2019-12-12 |
JP6738373B2 (en) | 2020-08-12 |
TW202000562A (en) | 2020-01-01 |
CN209785888U (en) | 2019-12-13 |
TWI745691B (en) | 2021-11-11 |
KR102474713B1 (en) | 2022-12-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101299816B1 (en) | Coating method and coating apparatus | |
JP4673180B2 (en) | Coating apparatus and coating method | |
JP2005062819A (en) | High-precision gas bearing axially divided stage for conveyance and restraint of large-sized flat-plate flexible medium in processing | |
KR20180082959A (en) | Substrate processing apparatus | |
JP5303129B2 (en) | Coating apparatus and coating method | |
KR102308585B1 (en) | Stage measuring jig, coating apparatus and stage measuring method | |
KR20190136927A (en) | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method | |
KR20120116880A (en) | Coating apparatus | |
KR20090014983A (en) | Coating applicator and method of coating | |
KR102525265B1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP4435730B2 (en) | Board inspection equipment | |
JP6890438B2 (en) | Floating amount calculation device, coating device and coating method | |
JP2003258078A (en) | Substrate supporting device and transport device using it | |
JP2003243286A (en) | Substrate processing apparatus | |
KR20180082961A (en) | Substrate processing apparatus and abnormality detection method of the same | |
KR102323710B1 (en) | Coating apparatus, height detecting method and coating method | |
KR20180082960A (en) | Substrate transport apparatus, substrate transport method and substrate processing apparatus | |
JP2009022822A (en) | Coating apparatus and coating method | |
JP2004087798A (en) | Substrate treating device | |
JP2004087906A (en) | Substrate-processing equipment | |
JP4477573B2 (en) | Board inspection equipment | |
KR20180014424A (en) | An Apparatus for Grinding a Surface of a Lead Frame | |
JP2003243489A (en) | Substrate treatment device | |
KR100731166B1 (en) | Substrate processing apparatus | |
KR20220089426A (en) | Position measuring device and substrate processing apparatus including the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |