KR20190135196A - Light emitting device package and method of producing the same - Google Patents
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Abstract
Description
실시예는 발광소자 패키지 및 이를 제조 방법에 관한 것이다.An embodiment relates to a light emitting device package and a method of manufacturing the same.
GaN, AlGaN 등의 화합물을 포함하는 반도체 소자는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점을 가져서 발광소자, 수광 소자 및 각종 다이오드 등으로 다양하게 사용될 수 있다.A semiconductor device including a compound such as GaN, AlGaN, etc. has many advantages, such as having a wide and easy to adjust band gap energy, and can be used in various ways as a light emitting device, a light receiving device, and various diodes.
특히, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드(Laser Diode)와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 황색, 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 파장 대역의 빛을 구현할 수 있는 장점이 있다. 또한, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광원도 구현이 가능하다. 이러한 발광소자는, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저 소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성의 장점을 가진다. In particular, light emitting devices such as light emitting diodes or laser diodes using Group 3-Group 5 or Group 2-6 compound semiconductor materials have been developed using thin film growth technology and device materials. There is an advantage that can implement light of various wavelength bands such as green, blue and ultraviolet. In addition, a light emitting device such as a light emitting diode or a laser diode using a
뿐만 아니라, 광검출기나 태양 전지와 같은 수광 소자도 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용하여 제작하는 경우 소자 재료의 개발로 다양한 파장 영역의 빛을 흡수하여 광 전류를 생성함으로써 감마선부터 라디오 파장 영역까지 다양한 파장 영역의 빛을 이용할 수 있다. 또한, 이와 같은 수광 소자는 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성 및 소자 재료의 용이한 조절의 장점을 가져 전력 제어 또는 초고주파 회로나 통신용 모듈에도 용이하게 이용될 수 있다.In addition, when a light-receiving device such as a photodetector or a solar cell is also fabricated using a Group 3-5
따라서, 반도체 소자는 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등 및 가스(Gas)나 화재를 감지하는 센서 등에까지 응용이 확대되고 있다. 또한, 반도체 소자는 고주파 응용 회로나 기타 전력 제어 장치, 통신용 모듈에까지 응용이 확대될 수 있다.Therefore, the semiconductor device may replace a light emitting diode backlight, a fluorescent lamp, or an incandescent bulb, which replaces a cold cathode tube (CCFL) constituting a backlight module of an optical communication means, a backlight of a liquid crystal display (LCD) display device. Applications are expanding to include white light emitting diode lighting devices, automotive headlights and traffic lights, and sensors that detect gas or fire. In addition, the semiconductor device may be extended to high frequency application circuits, other power control devices, and communication modules.
발광소자(Light Emitting DeVice)는 예로서 주기율표상에서 3족-5족 원소 또는 2족-6족 원소를 이용하여 전기에너지가 빛 에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드로 제공될 수 있고, 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 파장 구현이 가능하다.The light emitting device (Light Emitting DeVice) can be provided as a pn junction diode of the characteristic that the electrical energy is converted to light energy using, for example, Group 3-5 elements or Group 2-6 elements on the periodic table. Various wavelengths can be realized by adjusting the composition ratio.
예를 들어, 질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭 넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 자외선(UV) 발광소자, 청색(Blue) 발광소자, 녹색(Green) 발광소자, 노란색(Yellow) 발광소자, 적색(RED) 발광소자 등은 상용화되어 널리 사용되고 있다.For example, nitride semiconductors are receiving great attention in the field of optical devices and high power electronic devices due to their high thermal stability and wide bandgap energy. In particular, ultraviolet (UV) light emitting devices, blue light emitting devices, green light emitting devices, yellow light emitting devices, and red light emitting devices using nitride semiconductors are commercially used and widely used.
예를 들어, 자외선 발광소자의 경우, 200nm~400nm의 파장대에 분포되어 있는 빛을 발생하는 발광 다이오드로서, 상기 파장대역에서, 단파장의 경우, 살균, 정화 등에 사용되며, 장파장의 경우 노광기 또는 경화기 등에 사용될 수 있다.For example, in the case of an ultraviolet light emitting device, a light emitting diode which emits light distributed in a wavelength range of 200 nm to 400 nm, and is used in the wavelength band, for short wavelengths, for sterilization and purification, and for long wavelengths, an exposure machine or a curing machine. Can be used.
자외선은 파장이 긴 순서대로 UV-A(315nm~400nm), UV-B(280nm~315nm), UV-C (200nm~280nm) 세 가지로 나뉠 수 있다. UV-A(315nm~400nm) 영역은 산업용 UV 경화, 인쇄 잉크 경화, 노광기, 위폐 감별, 광촉매 살균, 특수조명(수족관/농업용 등) 등의 다양한 분야에 응용되고 있고, UV-B(280nm~315nm) 영역은 의료용으로 사용되며, UV-C(200nm~280nm) 영역은 공기 정화, 정수, 살균 제품 등에 적용되고 있다. Ultraviolet rays can be classified into UV-A (315nm ~ 400nm), UV-B (280nm ~ 315nm), and UV-C (200nm ~ 280nm) in order of long wavelength. The UV-A (315nm ~ 400nm) area is applied to various fields such as industrial UV curing, printing ink curing, exposure machine, forgery discrimination, photocatalyst sterilization, special lighting (aquarium / agriculture, etc.), and UV-B (280nm ~ 315nm). ) Area is used for medical purposes, UV-C (200nm ~ 280nm) area is applied to air purification, water purification, sterilization products.
한편, 고출력을 제공할 수 있는 발광소자가 요구됨에 따라 고전원을 인가하여 출력을 높일 수 있는 발광소자에 대한 연구가 진행되고 있다.Meanwhile, as a light emitting device capable of providing high output is required, research on a light emitting device capable of increasing output by applying a high power source is being conducted.
또한, 발광소자 패키지에 있어서, 지향각 및 광속(luminous flux)을 향상시켜 광 특성을 개선할 수 있고, 패키지 단에서의 광도를 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.In addition, in the light emitting device package, research has been conducted on ways to improve optical characteristics by improving the directivity angle and luminous flux and to improve the brightness at the package stage.
또한, 발광소자 패키지를 제조하는 데 있어, 구조 변경을 통하여 제조 단가를 줄일 수 있고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.In addition, in manufacturing a light emitting device package, research has been conducted on a method for reducing manufacturing cost and improving manufacturing yield through structural change.
실시예는 광속을 향상시킬 수 있고 다양한 지향각을 가질 수 있는 발광소자 패키지 및 이의 제조방법을 제공하고자 한다.The embodiment is to provide a light emitting device package and a method of manufacturing the same that can improve the luminous flux and have various directing angles.
또한, 실시예는 발광소자 패키지와 회로기판 사이의 신뢰성을 향상시킬 수 있고, 틸트(tilt) 되는 것을 방지할 수 있는 발광소자 패키지 및 이의 제조방법을 제공하고자 한다.In addition, the embodiment can improve the reliability between the light emitting device package and the circuit board, and to provide a light emitting device package and a method of manufacturing the same that can prevent the tilt (tilt).
또한, 실시예는 별도의 반사판을 생략할 수 있고 발광소자로부터 방출된 광을 다양한 각도로 반사시킬 수 있는 발광소자 패키지 및 이의 제조방법을 제공하고자 한다.In addition, the embodiment is to provide a light emitting device package and a method of manufacturing the same that can omit a separate reflector and can reflect the light emitted from the light emitting device at various angles.
실시예에 따른 발광소자 패키지는 제 1 및 제 2 본딩부를 포함하는 발광소자, 상기 발광소자를 감싸는 몰딩부, 상기 몰딩부의 측면 상에 배치되며 상기 발광소자와 이격되는 몸체부를 포함하고, 상기 제 1 및 제 2 본딩부는 상기 몰딩부의 배면으로부터 노출되고, 상기 몸체부는, 상기 몰딩부의 제 1 측면 상에 배치되는 제 1 몸체부 및 상기 몰딩부의 제 1 측면과 마주하는 제 2 측면 상에 배치되는 제 2 몸체부를 포함하고, 상기 제 1 및 제 2 몸체부는 상기 제 1 및 제 2 몸체부 각각의 배면에 제공되는 오목부를 포함하고, 상기 오목부는 상기 제 1 및 제 2 몸체부 각각의 배면에서 상면을 향하는 방향으로 오목하다.The light emitting device package according to the embodiment includes a light emitting device including first and second bonding parts, a molding part surrounding the light emitting device, a body part disposed on a side of the molding part and spaced apart from the light emitting device, And a second bonding portion is exposed from the rear surface of the molding portion, and the body portion is disposed on a first side of the molding portion and a second side facing the first side of the molding portion. A body portion, wherein the first and second body portions include a recess provided on a rear surface of each of the first and second body portions, and the recess portion faces upward from a rear surface of each of the first and second body portions. Concave in the direction.
또한, 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조방법은, 기재 상에 제1 및 제 2 본딩부를 포함하는 발광소자를 배치하는 단계, 상기 기재 및 상기 발광소자 상에 몰딩부를 형성하는 단계, 상기 몰딩부 상에 패턴을 형성하는 단계 및 상기 패턴 상에 몸체부를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 몸체부를 형성하는 단계에서, 상기 몸체부의 상면에는 오목부가 형성되고, 상기 오목부는 상기 몸체부의 상면에서 배면을 향하는 방향으로 오목하다.In addition, the method of manufacturing a light emitting device package according to the embodiment, disposing a light emitting device comprising a first and second bonding portion on the substrate, forming a molding on the substrate and the light emitting device, the molding part And forming a body portion on the pattern, wherein in the forming of the body portion, a concave portion is formed on an upper surface of the body portion, and the concave portion faces the rear surface from an upper surface of the body portion. Concave in the direction.
실시예에 따른 발광소자 패키지는 경사각을 가지는 몸체부를 포함할 수 있고, 상기 몸체부에 의해 발광소자 패키지의 광속(luminous flux)을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 몸체부의 경사각을 쉽게 제어할 수 있고, 상기 발광소자 패키지는 다양한 지향각을 가질 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may include a body portion having an inclination angle, thereby improving the luminous flux of the light emitting device package. In addition, the inclination angle of the body portion can be easily controlled, and the light emitting device package may have various directing angles.
또한, 상기 발광소자 패키지의 몸체부는 발광소자로부터 출사된 광을 반사시킬 수 있는 재질을 포함할 수 있다. 이에 따라 별도의 반사판을 생략할 수 있어 패키지의 무게 및 부피를 감소시킬 수 있다.In addition, the body portion of the light emitting device package may include a material capable of reflecting light emitted from the light emitting device. Accordingly, the separate reflector can be omitted, thereby reducing the weight and volume of the package.
또한, 상기 발광소자 패키지의 몸체부는 오목부를 포함할 수 있고, 상기 패키지가 기판 상에 배치될 때 상기 오목부의 일부 또는 전체 영역에는 수지가 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 발광소자 패키지가 틸트(tilt)되는 것을 방지할 수 있고 상부 방향으로 광을 균일하게 출사할 수 있다.In addition, the body portion of the light emitting device package may include a recess, and when the package is disposed on a substrate, a resin may be disposed in a part or the entire area of the recess. Accordingly, the light emitting device package can be prevented from being tilted, and light can be emitted uniformly in an upward direction.
또한, 상기 발광소자 패키지는 서로 마주보는 제 1 및 제 2 몸체부를 포함할 수 있고, 상기 제 1 및 제 2 몸체부의 경사각을 조절하여 발광소자의 편중 배치를 보상할 수 있다.In addition, the light emitting device package may include first and second body parts facing each other, and the bias angle of the first and second body parts may be adjusted to compensate for a biased arrangement of the light emitting devices.
또한, 실시예는 몸체부를 포함하는 복수 개의 발광소자 패키지를 동시에 제조할 수 있다. 즉, 실시예는 발광소자 패키지의 제조공정을 단순화하여 패키지의 전체적인 제조 시간 및 비용을 감소시킬 수 있어 공정 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, the embodiment may simultaneously manufacture a plurality of light emitting device packages including a body portion. That is, the embodiment can simplify the manufacturing process of the light emitting device package, thereby reducing the overall manufacturing time and cost of the package, thereby improving process efficiency.
도 1은 제 1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 분해 사시도이다.
도 2는 제 1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 평면도이다.
도 3은 제 1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 배면도이다.
도 4는 도 2의 A-A' 단면도이다.
도 5는 제 2 실시예에 따른 발광소자 패키지의 평면도이다.
도 6은 도 5의 B-B' 단면도이다.
도 7은 제 3 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도이다.
도 8은 제 4 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도이다.
도 9는 제 5 실시예에 따른 발광소자 패키지의 분해 사시도이다.
도 10은 제 5 실시예에 따른 발광소자 패키지의 평면도이다.
도 11은 제 5 실시예에 따른 발광소자 패키지의 다른 평면도이다.
도 12는 제 6 실시예에 따른 발광소자 패키지의 평면도이다.
도 13은 실시예에 따른 발광소자 패키지가 회로 기판에 배치된 모듈의 예를 도시한 도면이다.
도 14는 실시예에 따른 발광소자의 측단면도이다.
도 15 내지 도 20은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조방법을 도시한 도면이다.1 is an exploded perspective view of a light emitting device package according to a first embodiment.
2 is a plan view of a light emitting device package according to the first embodiment.
3 is a rear view of the light emitting device package according to the first embodiment.
4 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 2.
5 is a plan view of a light emitting device package according to a second embodiment.
FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line BB ′ of FIG. 5.
7 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to a third embodiment.
8 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to a fourth embodiment.
9 is an exploded perspective view of a light emitting device package according to a fifth embodiment.
10 is a plan view of a light emitting device package according to a fifth embodiment.
11 is another plan view of the light emitting device package according to the fifth embodiment.
12 is a plan view of a light emitting device package according to a sixth embodiment.
13 is a diagram illustrating an example of a module in which a light emitting device package according to an embodiment is disposed on a circuit board.
14 is a side cross-sectional view of a light emitting device according to the embodiment.
15 to 20 are views illustrating a method of manufacturing a light emitting device package according to the embodiment.
발명의 실시예는 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 발명의 실시예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명하나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.Embodiments of the invention will be described with reference to the accompanying drawings. In the description of an embodiment of the invention, each layer (film), region, pattern or structures may be “on / over” or “under” the substrate, each layer (film), region, pad or pattern. "On / over" and "under" are defined as being "directly" or "indirectly" through another layer. It includes everything. In addition, the reference to the top / top or bottom of each layer will be described based on the drawings, but embodiments are not limited thereto.
발명의 실시예에 따른 반도체 소자는 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다. 발명에서 소자는 반도체 소자나 자외선, 적외선 또는 가시광선의 광을 발광하는 발광 소자를 포함할 수 있다. 이하에서는 반도체 소자의 예로서 발광 소자가 적용된 경우를 기반으로 설명하며, 상기 발광 소자가 적용된 패키지 또는 광원 장치에 비 발광소자 예컨대, 제너 다이오드와 같은 소자나 파장이나 열을 감시하는 센싱 소자를 포함할 수 있다. 이하에서는 반도체 소자의 예로서 발광 소자가 적용된 경우를 기반으로 설명하며, 발광소자 패키지에 대해 상세히 설명하도록 한다.A semiconductor device according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the present invention, the device may include a semiconductor device or a light emitting device that emits light of ultraviolet, infrared, or visible light. Hereinafter, an example of a semiconductor device will be described based on a case where a light emitting device is applied, and the package or light source device to which the light emitting device is applied may include a non-light emitting device such as a Zener diode or a sensing device that monitors a wavelength or heat. Can be. Hereinafter, a description will be given based on a case where a light emitting device is applied as an example of a semiconductor device, and the light emitting device package will be described in detail.
실시예예 따른 발광소자 패키지를 설명하기 앞서, 제 1 방향은 도면에 도시된 x축 방향일 수 있고, 제 2 방향은 도면에 도시된 y축 방향일 수 있다. 또한, 상기 제 1 방향 및 상기 제 2 방향은 서로 교차하는 방향일 수 있고, 일례로 직교하는 방향일 수 있다. 또한, 상기 제 3 방향은 도면에 도시된 z축 방향으로 상기 x축 및 y축과 교차하는 방향일 수 있고, 일례로 직교하는 방향일 수 있다.Before describing the light emitting device package according to the embodiment, the first direction may be the x-axis direction shown in the drawings, and the second direction may be the y-axis direction shown in the drawings. In addition, the first direction and the second direction may be directions crossing each other, for example, a direction perpendicular to each other. In addition, the third direction may be a direction crossing the x-axis and the y-axis in the z-axis direction illustrated in the drawings, and may be a direction orthogonal to one another.
도 1 내지 도 4는 제 1 실시예에 따른 발광소자 패키지를 도시한 도면이다. 자세하게, 도 1은 제 1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 사시도이고, 도 2는 제 1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 평면도이고, 도 3은 제 1 실시예에 따른 발광소자 패키지의 배면도이고, 도 4는 도 2의 A-A' 단면도이다.1 to 4 are diagrams illustrating a light emitting device package according to the first embodiment. In detail, FIG. 1 is a perspective view of a light emitting device package according to a first embodiment, FIG. 2 is a plan view of a light emitting device package according to a first embodiment, and FIG. 3 is a rear view of the light emitting device package according to a first embodiment. 4 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 2.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 제 1 실시예에 따른 발광소자 패키지(1000)는 발광소자(500), 몰딩부(300) 및 몸체부(100)를 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 발광소자 패키지(1000)는 발광소자(500) 상기 발광소자(500)를 감싸는 몰딩부(300) 및 상기 몰딩부(300)의 측면에 배치되는 몸체부(100)를 포함할 수 있다.1 to 4, the light emitting
상기 발광소자(500)는 기판(501), 발광 구조물(520), 제 1 본딩부(510) 및 제 2 본딩부(520)를 포함할 수 있다. The
상기 기판(501)는 투광층으로서, 절연성 재질 또는 반도체 재질로 형성될 수 있다. 또한, 상기 기판(501)은 표면에 요철 패턴이 형성될 수 있다.The
상기 발광 구조물(520)은 화합물 반도체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 발광 구조물(520)은 예로서 2족-6족 또는 3족-5족 화합물 반도체로 제공될 수 있다.The
상기 발광 구조물(520)은 제 1 도전형 반도체층(521), 활성층(522), 제 2 도전형 반도체층(523)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 도전형 반도체층(521) 및 상기 제 2 도전형 반도체층(523)은 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 또한, 상기 활성층(522)은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 활성층(522)은 예로서 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다.The
상기 발광소자(500)는 내부에 하나 또는 복수의 발광 셀을 포함할 수 있다. 상기 발광 셀은 n-p 접합, p-n 접합, n-p-n 접합, p-n-p 접합 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 복수의 발광 셀은 하나의 발광소자 내에서 서로 직렬로 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 발광소자(500)는 하나 또는 복수의 발광 셀을 가질 수 있으며, 하나의 발광소자에 n개의 발광 셀이 배치된 경우 n배의 구동 전압으로 구동될 수 있다. 예컨대, 하나의 발광 셀의 구동 전압이 3V이고, 2개의 발광 셀이 하나의 발광소자에 배치된 경우, 각 발광소자는 6V의 구동 전압으로 구동될 수 있다. 또는 하나의 발광 셀의 구동 전압이 3V이고, 3개의 발광 셀이 하나의 발광소자에 배치된 경우, 각 발광소자는 9V의 구동 전압으로 구동될 수 있다. 상기 발광소자(500)에 배치된 발광 셀의 개수는 1개 또는 2개 내지 5개일 수 있다. 상기 발광소자(500)는 후술할 도 9를 이용하여 보다 자세히 설명하기로 한다.The
상기 발광소자(500)는 제 1 방향 및 제 2 방향의 길이를 가질 수 있다. 상기 발광소자(500)의 제 1 방향의 길이는 제 2 방향의 길이와 같거나 상이할 수 있다. 예를 들어, 상기 발광소자 패키지(1000)의 제 1 방향의 길이가 제 2 방향의 길이보다 긴 경우, 상기 발광소자(500)의 제 1 방향의 길이는 제 2 방향의 길이보다 길 수 있다.The
상기 제 1 본딩부(510)는 상기 제 1 도전형 반도체층(521)과 전기적으로 연결될 수 있고, 상기 제 2 본딩부(520)는 상기 제 2 도전형 반도체층(523)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제 1 본딩부(510) 및 상기 제 2 본딩부(520)는 탑뷰 형상이 원 형상, 타원 형상, 다각형 형상, 직선과 곡선을 갖는 비정형 형상 중 적어도 하나를 가질 수 있다.The
상기 제 1 본딩부(510) 및 상기 제 2 본딩부(520)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 본딩부(510) 및 상기 제 2 본딩부(520) 사이에는 갭(gap)이 형성될 수 있다. 상기 제 1 본딩부(510)는 상기 발광소자(500)와 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치될 수 있다. 상기 제 2 본딩부(520)는 상기 발광소자(500)와 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치될 수 있다.The
상기 제 1 본딩부(510) 및 상기 제 2 본딩부(520)는 전도성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 본딩부(510) 및 상기 제 2 본딩부(520)는 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 인듐(In), 이리듐(Ir), 탄탈럼(Ta), 팔라듐(Pd), 코발트(Co), 크롬(Cr), 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 니켈(Ni), 실리콘(Si), 저마늄(Ge), 은(Ag), 은 합금(Ag alloy), 금(Au), 하프늄(Hf), 백금(Pt), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, Ni/IrOx/Au/ITO를 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나 이상의 물질 또는 합금을 이용하여 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 즉, 상기 제 1 본딩부(510) 및 상기 제 2 본딩부(520)는 전극 또는 패드일 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 본딩부(510) 및 상기 제 2 본딩부(520)를 통하여 공급되는 구동 전원에 의해 상기 발광소자(500)가 구동될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(500)에서 발광된 빛은 상부 방향으로 추출될 수 있다.The
상기 제 1 본딩부(510) 및 제 2 본딩부(520) 각각의 제 1 방향의 길이는 상기 발광소자(500)의 제 1 방향의 길이보다 짧을 수 있다. 또한, 상기 제 1 본딩부(510) 및 제 2 본딩부(520) 각각의 제 2 방향의 길이는, 상기 발광소자(500)의 제 2 방향의 길이보다 짧거나 같을 수 있다.The length of each of the
상기 몰딩부(300)는 상기 발광소자(500) 상에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(300)는 절연물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부(300)는 상기 발광소자(500)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 몰딩부(300)는 형광체, 양자점 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 할 수 있다. 상기 발광소자(500)는 황색, 청색, 녹색, 적색, 백색, 적외선 또는 자외선의 광을 발광할 수 있다. 상기 형광체, 또는 양자점은 청색, 녹색, 적색의 광을 발광할 수 있다. 상기 몰딩부(300)는 형성하지 않을 수 있다.The
상기 몰딩부(300) 내부 또는 하부에 배치되는 형광체는, 불화물(fluoride) 화합물의 형광체를 포함할 수 있으며, 예컨대 MGF계 형광체, KSF계 형광체 또는 KTF계 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 형광체는 서로 다른 피크 파장을 발광할 수 있으며, 상기 발광소자로부터 방출된 광을 서로 다른 황색과 적색 또는 서로 다른 적색 피크 파장으로 발광할 수 있다. 상기 형광체 중 한 종류는 적색 형광체를 포함할 수 있다. 상기 적색 형광체는 610nm에서 650nm까지의 파장범위를 가질 수 있으며, 상기 파장은 10nm 미만의 반치폭을 가질 수 있다. 상기 적색 형광체는 플루오라이트(fluoride)계 형광체를 포함할 수 있다. 상기 플루오라이트계 형광체는, KSF계 적색 K2SiF6:Mn4+, K2TiF6:Mn4+, NaYF4:Mn4+, NaGdF4:Mn4+, K3SiF=:Mn4+ 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 KSF계 형광체 예컨대, KaSi1-cFb:Mn4+ c의 조성식을 가질 수 있으며, 상기 a는 1 ≤ a ≤ 2.5, 상기 b는 5 ≤ b ≤ 6.5, 상기 c는 0.001 ≤ c ≤ 0.1를 만족할 수 있다. 또한 상기 플루오라이트계 적색 형광체는 고온/고습에서의 신뢰성 향상을 위하여 각각 Mn을 함유하지 않는 불화물로 코팅되거나 형광체 표면 또는 Mn을 함유하지 않는 불화물 코팅 표면에 유기물 코팅을 더 포함할 수 있다. 상기와 같은 플루어라이트계 적색 형광체의 경우 기타 형광체와 달리 10nm 이하의 협반치폭을 구현할 수 있기 때문에, 고해상도 장치에 활용될 수 있다. The phosphor disposed inside or below the
실시예에 따른 형광체 조성은 기본적으로 화학양론(Stoichiometry)에 부합하여야 하며, 각 원소들은 주기율표상 각 족들내 다른 원소로 치환이 가능하다. 예를 들어, Sr은 알카리토류(II)족의 Ba, Ca, Mg 등으로, Y는 란탄계열의 Tb, Lu, Sc, Gd 등으로 치환이 가능하다. 또한, 활성제인 Eu 등은 원하는 에너지 준위에 따라 Ce, Tb, Pr, Er, Yb 등으로 치환이 가능하며, 활성제 단독 또는 특성 변형을 위해 부활성제 등이 추가로 적용될 수 있다.The phosphor composition according to the embodiment should basically conform to stoichiometry, and each element may be substituted with another element in each group on the periodic table. For example, Sr may be substituted with Ba, Ca, Mg, or the like of the alkaline earth (II) group, and Y may be substituted with Tb, Lu, Sc, Gd, etc. of the lanthanide series. In addition, the active agent Eu, etc. may be substituted by Ce, Tb, Pr, Er, Yb, etc. according to a desired energy level, and an active agent alone or a deactivator may be additionally applied to modify properties.
상기 양자점 형광체는, Ⅱ-Ⅵ족 화합물, 또는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체를 포함할 수 있으며, 적색 광을 발광할 수 있다. 상기 양자점은 예컨대, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, In,Sb, AlS, AlP, AlAs, PbS, PbSe, Ge, Si, CuInS2, CuInSe2 등과 같은 것들 및 이들의 조합이 될 수 있다.The quantum dot phosphor may include a II-VI compound or a III-V compound semiconductor, and may emit red light. The quantum dots are, for example, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, In, Sb, AlS, AlP, AlAs, PbS, PbSe, Ge, Si, CuInS 2 , Such as CuInSe 2 and the like, and combinations thereof.
상기 몰딩부(300)는 제 1 방향 및 제 2 방향의 길이를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 몰딩부(300)는 평면에서 보았을 때 다각형 형상을 가질 수 있다. 자세하게, 상기 몰딩부(300)는 사각형 형상을 가질 수 있다. 상기 몰딩부(300)의 제 1 방향의 길이는 상기 발광소자(500)의 제 1 방향의 길이보다 길 수 있다. 상기 몰딩부(300)의 제 2 방향의 길이는 상기 발광소자(500)의 제 2 방향의 길이보다 길 수 있다. 상기 몰딩부(300)의 제 3 방향의 길이는 상기 발광소자(500)의 제 3 방향의 길이보다 길 수 있다. 이에 따라, 상기 몰딩부(300)는 상기 발광소자(500)를 감싸며 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(300)는 상기 발광소자(500)의 상면 및 복수 개의 측면들 중 적어도 하나의 면과 접촉하면 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 몰딩부(300)는 상기 발광소자(500)의 상면 및 측면들을 감싸며 배치될 수 있고, 상기 발광소자(500)의 배면과 이격되어 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 발광소자(500)의 배면은 상기 몰딩부(300)로부터 노출될 수 있다. 또한, 상기 제 1 본딩부(510) 및 상기 제 2 본딩부(520)는 상기 몰딩부(300)의 배면으로부터 노출될 수 있다. The
자세하게, 상기 제 1 본딩부(510) 및 상기 제 2 본딩부(520)는 상기 몰딩부(300)의 배면으로부터 돌출되어 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(300)의 배면은 상기 제 1 및 제 2 본딩부들(510, 520)의 배면보다 수직 방향으로 상부에 위치할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부(300)의 배면은 상기 발광소자(500)의 배면과 동일 평면 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 몰딩부(300)의 배면은 상기 제 1 본딩부(510) 및/또는 제 2 본딩부(520)의 상면과 동일 평면 상에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 발광소자(500)의 배면 전체 영역은 상기 몰딩부(300)로부터 노출될 수 있고, 상기 몰딩부(300)는 상기 제 1 본딩부(510) 및 상기 제 2 본딩부(520)와 이격되어 배치될 수 있다. In detail, the
상기 몰딩부(300)는 복수 개의 측면들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 평면에서 보았을 때 상기 몰딩부(300)가 사각형일 경우 상기 몰딩부(300)는 제 1 내지 제 4 측면들(S1, S2, S3, S4)을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 몰딩부(300)는 제 1 측면(S1), 상기 제 1 측면(S1)과 마주하는 제 2 측면(S2), 상기 제 1 및 제 2 측면들(S1, S2)을 연결하는 제 3 측면(S3)과 제 4 측면(S4)을 포함할 수 있다. 상기 제 3 측면(S3)과 상기 제 4 측면(S4)은 서로 마주하는 측면일 수 있다. 상기 몰딩부(300)의 측면들(S1, S2, S3, S4)은 상기 몰딩부(300)의 배면에 대해 경사각을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 몰딩부(300)의 각각의 측면과 상기 몰딩부(300)의 배면 사이의 경사각은 수직일 수 있다.The
상기 제 1 측면(S1)과 상기 제 2 측면(S2) 사이의 거리는 상기 제 3 측면(S3) 및 상기 제 4 측면(S4) 사이의 거리와 같거나 상이할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 측면(S1)과 상기 제 2 측면(S2) 사이의 거리는 상기 제 3 측면(S3) 및 상기 제 4 측면(S4) 사이의 거리보다 길거나 같을 수 있다.The distance between the first side surface S1 and the second side surface S2 may be the same as or different from the distance between the third side surface S3 and the fourth side surface S4. For example, the distance between the first side surface S1 and the second side surface S2 may be longer than or equal to the distance between the third side surface S3 and the fourth side surface S4.
또한, 상기 몰딩부(300) 각각의 측면과 상기 발광소자(500) 사이의 거리는 같거나 서로 상이할 수 있다. 예를 들어, 상기 발광소자(500)와 상기 제 1 측면(S1) 사이의 거리는 상기 발광소자(500)와 상기 제 2 측면(S2) 사이의 거리와 대응될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(500)와 상기 제 3 측면(S3) 사이의 거리는 상기 발광소자(500)와 상기 제 4 측면(S4) 사이의 거리와 대응될 수 있다. 또한, 발광소자(500)와 상기 제 1 측면(S1) 사이의 거리는 상기 발광소자(500)와 상기 제 3 측면(S3) 사이의 거리, 상기 발광소자(500)와 상기 제 4 측면(S4) 사이의 거리보다 클 수 있다.In addition, the distance between each side of the
상기 몸체부(100)는 상기 몰딩부(300) 상에 배치될 수 있다. 상기 몸체부(100)는 수지 재질 또는 절연성 수지 재질일 수 있다. 상기 몸체부(100)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), 세라믹, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 몸체부(100)는 백색 재질이거나 흑색 재질일 수 있다. 일례로, 상기 몸체부가 백색 재질일 경우, 상기 몸체부(100)는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있고, 흑색 재질일 경우 카본 블랙, 산화철, 산화티탄, 크롬, 은 미립자 등을 포함할 수 있다. 상기 몸체부(100)가 백색 재질인 경우 상기 발광소자(500)로부터 방출된 광을 반사시켜 줄 수 있어 광 반사 효율을 개선할 수 있다. 또한, 상기 몸체부(100)가 흑색 재질인 경우 광을 흡수할 수 있어 명암도 특성을 개선할 수 있다.The
상기 몸체부(100)는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 그 내부에 TiO2와 SiO2와 같은 고굴절 재질의 필러를 포함할 수 있다. 상기 몸체부(100)는 열가소성 수지로 형성될 수 있으며, 상기 열 가소성 수지는 가열하면 물러지고 냉각하면 다시 굳어지는 물질이므로, 열에 의해 팽창 또는 수축할 때 상기 몸체부(100)가 완충 작용을 할 수 있다. The
또한, 상기 몸체부(100)가 상기 완충 작용을 할 경우, 솔더계 페이스트, Ag계 페이스트, SAC(Sn-Ag-Cu)계 페이스트와 같은 도전부가 파손되는 것을 방지할 수 있다. 상기 패키지에서 열 팽창 및 수축에 따른 열팽창 계수(CTE: coefficient of Thermal expansion)은 상기 제 1 방향이 상기 제 2 방향보다 클 수 있다. 실시예에 따른 상기 몸체부(100)는 바람직하게 PCT 또는 PPA 재질을 포함할 수 있으며, 상기 PCT 또는 상기 PPA 재질은 융점이 높고 열 가소성 수지이다.In addition, when the
상기 몸체부(100)의 높이는 상기 몰딩부(300)의 높이와 대응될 수 있다. 예를 들어, 상기 몸체부(100)의 수직 방향 최대 높이는, 상기 몰딩부(300)의 높이와 대응될 수 있다. 또한, 상기 몸체부(100)는 상기 몰딩부(300)의 측면 상에 배치될 수 있다. 상기 몸체부(100)는 상기 몰딩부(300)의 측면과 직접 접촉할 수 있다. 상기 몰딩부(300)의 측면과 직접 접촉하는 상기 몸체부(100)의 내측면은, 상기 몰딩부(300)의 측면과 동일한 평면적을 가질 수 있다. The height of the
상기 몸체부(100)는 상기 몰딩부(300)의 측면 상에 배치되는 복수 개의 몸체부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 몸체부(100)는 상기 몰딩부(300)의 제 1 측면(S1) 상에 배치되는 제 1 몸체부(110) 및 상기 몰딩부(300)의 제 2 측면(S2) 상에 배치되는 제 2 몸체부(120)를 포함할 수 있다. 이때, 상기 몰딩부(300)의 제 3 측면(S3) 및 제 4 측면(S4)은 몸체부(100)가 배치되지 않는 오픈 영역일 수 있다.The
상기 제 1 몸체부(110)는 상기 몰딩부(300)의 제 1 측면(S1)과 직접 접촉할 수 있다. 상기 제 1 몸체부(110)는 상기 몰딩부(300)와 대응되는 길이를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 몸체부(110)의 제 2 방향 길이는 상기 몰딩부(300)의 제 2 방향 길이와 대응될 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 몸체부(110)의 제 2 방향의 길이는 상기 제 1 측면(S1)의 제 2 방향 길이와 대응될 수 있다. 또한, 상기 제 1 몸체부(110)의 제 3 방향 길이는 상기 몰딩부(300)의 제 3 방향 길이와 대응될 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 몸체부(110)의 제 3 방향 길이는 상기 제 1 측면(S1)의 제 3 방향 길이와 대응될 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 몸체부(110)의 상면은 상기 몰딩부(300)의 상면과 동일 평면 상에 배치될 수 있다.The
상기 제 1 몸체부(110)는 상기 몰딩부(300)의 측면과 대응되는 경사각을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 몰딩부(300)의 제 1 측면(S1)과 상기 몰딩부(300)의 배면이 수직을 형성할 경우, 상기 제 1 몸체부(110)의 제 1 내측면은 상기 몰딩부(300)의 배면과 수직을 형성할 수 있다.The
상기 제 2 몸체부(120)는 상기 몰딩부(300)의 제 2 측면(S2)과 직접 접촉할 수 있다. 상기 제 2 몸체부(120)는 상기 몰딩부(300)와 대응되는 길이를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 몸체부(120)의 제 2 방향 길이는 상기 몰딩부(300)의 제 2 방향 길이와 대응될 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 몸체부(120)의 제 2 방향의 길이는 상기 제 2 측면(S2)의 제 2 방향 길이와 대응될 수 있다. 즉, 상기 제 1 몸체부(110)와 상기 제 2 몸체부(120)의 제 2 방향의 길이는 동일할 수 있다. 또한, 상기 제 2 몸체부(120)의 제 3 방향 길이는 상기 몰딩부(300)의 제 3 방향 길이와 대응될 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 몸체부(110)의 제 3 방향 길이는 상기 제 2 측면(S2)의 제 3 방향 길이와 대응될 수 있다. 즉, 상기 제 1 몸체부(110)와 상기 제 2 몸체부(120)의 제 3 방향의 길이는 동일할 수 있다. 이에 따라, 상기 제 2 몸체부(120)의 상면은 상기 몰딩부(300)의 상면과 동일 평면 상에 배치될 수 있다.The
상기 제 2 몸체부(120)는 상기 몰딩부(300)의 측면과 대응되는 경사각을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 몰딩부(300)의 제 2 측면(S2)과 상기 몰딩부(300)의 배면이 수직을 형성할 경우, 상기 제 2 몸체부(120)의 제 2 내측면은 상기 몰딩부(300)의 배면과 수직을 형성할 수 있다. 즉, 상기 제 2 몸체부(120)의 제 2 내측면은 상기 제 1 몸체부(110)의 제 1 내측면과 동일한 경사각을 가질 수 있다. 또한, 상기 제 1 몸체부(110) 및 상기 제 2 몸체부(120) 사이의 거리는 일정할 수 있다. 상기 제 1 몸체부(110) 및 상기 제 2 몸체부(120) 사이의 거리는 상기 몰딩부(300)의 배면에서 상면 방향으로 이동하여도 변화하지 않고 일정할 수 있다. 즉, 상기 제 1 몸체부(110) 및 상기 제 2 몸체부(120)는 서로 평행할 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 몸체부(110)의 내측면과 상기 제 2 몸체부(120)의 내측면은 상기 몰딩부(300)의 배면에 대해 수직을 형성함에 따라 상기 제 1 몸체부(110) 및 상기 제 2 몸체부(120)는 일정한 간격을 유지하며 서로 평행할 수 있다.The
상기 몸체부(100)의 폭은 균일할 수 있다. 예를 들어, 상기 몸체부(100)의 폭은 배면 영역과 상면 영역이 대응될 수 있다. 즉, 상기 몸체부(100)의 폭은 상기 몸체부(100)의 배면에서 상면 방향으로 갈수록 변화하지 않고 일정할 수 있다.The width of the
상기 몸체부(100)는 상기 발광소자(500)와 이격하여 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 몸체부(110) 및 상기 제 2 몸체부(120)는 상기 발광소자(500)와 이격되어 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 발광소자(500)는 상기 제 1 몸체부(110)의 제 1 내측면과 제 1 간격(d1)으로 정의되는 거리만큼 이격되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(500)는 상기 제 2 몸체부(120)의 제 2 내측면과 제 2 간격(d2)으로 정의되는 거리만큼 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 간격들(d1, d2)은 상기 발광소자(500)와 상기 몰딩부(300)의 제 1 및 제 2 측면들(S1, S2) 사이의 거리와 대응될 수 있다.The
상기 제 1 간격(d1) 및 상기 제 2 간격(d2)은 대응될 수 있다. 상기 제 1 간격(d1) 및 상기 제 2 간격(d2)은 약 15㎛ 내지 약 220㎛일 수 있다. 자세하게, 상기 간격들(d1, d2)은 약 20㎛ 내지 약 200㎛일 수 있다. 더 자세하게, 상기 간격들(d1, d2)은 약 30㎛ 내지 약 150㎛일 수 있다. 상기 간격들(d1, d2)이 약 15㎛ 미만일 경우 상기 발광소자(500)와 상기 몸체부(100) 사이의 간격이 너무 가까워 상기 발광소자(500)로부터 방출되는 광을 효과적으로 반사시키기 어려울 수 있고, 상기 간격들(d1, d2)이 약 220㎛를 초과할 경우 상기 발광소자(500)와 상기 몸체부(100) 사이의 간격이 너무 멀어 상기 몸체부(100)의 효과가 미미할 수 있다. 따라서, 상기 제 1 간격(d1) 및 상기 제 2 간격(d2)은 상술한 범위를 만족하는 것이 바람직할 수 있다.The first interval d1 and the second interval d2 may correspond to each other. The first interval d1 and the second interval d2 may be about 15 μm to about 220 μm. In detail, the intervals d1 and d2 may be about 20 μm to about 200 μm. In more detail, the intervals d1 and d2 may be about 30 μm to about 150 μm. When the distances d1 and d2 are less than about 15 μm, the distance between the light emitting
상기 몸체부(100)는 오목부(150)를 포함할 수 있다. 상기 몸체부(100)의 배면은 오목부를 포함할 수 있다. 상기 몸체부(100)는 상기 몸체부(100)의 배면에서 상면을 향하는 방향으로 오목한 오목부(150)를 포함할 수 있다. 상기 오목부(150)는 상기 몰딩부(300)의 배면보다 수직 방향으로 상부에 위치할 수 있다. The
상기 오목부(150)의 너비는 상기 몸체부(100)의 너비보다 작거나 같을 수 있다. 자세하게, 상기 오목부(150)의 제 1 방향 길이는 상기 몸체부(100)의 제 1 방향 길이보다 작거나 같을 수 있다.The width of the
상기 오목부(150)의 너비가 상기 몸체부(100)의 너비보다 작을 경우, 상기 오목부(150)의 끝단은 상기 몸체부(100)의 배면과 동일 선상에 배치될 수 있다. 이와 다르게, 상기 오목부(150)의 너비가 상기 몸체부(100)의 너비와 같을 경우, 상기 오목부(150)의 끝단은 상기 몰딩부(300)의 끝단과 동일 선상에 배치될 수 있다. When the width of the
상기 오목부(150)의 제 2 방향 길이는 상기 몸체부(100)의 제 2 방향의 길이와 같을 수 있다. 즉, 상기 오목부(150)는 상기 몸체부(100)의 배면 전체 영역에 형성될 수 있다. 상기 오목부(150)는 상기 몸체부(100)의 배면 전체 영역 상에 제 2 방향으로 연장하며 형성될 수 있다.The length of the second direction of the
상기 오목부(150)의 깊이는 상기 발광소자(500)의 높이보다 작을 수 있다. 또한, 상기 오목부(150)의 깊이는 상기 발광소자(500)로부터 멀어질수록 변화할 수 있다. 예를 들어, 상기 오목부(150)의 깊이는 상기 발광소자(500)로부터 멀어질수록 깊어질 수 있다. 즉, 상기 오목부(150)의 깊이는 상기 발광소자(500) 및 상기 몰딩부(300)와 최인접한 영역에서 최소값을 가질 수 있다. 또한, 상기 오목부(150)의 깊이는 상기 발광소자(500) 및 상기 몰딩부(300)와 가장 멀리 떨어진 가장자리 영역에서 최대값을 가질 수 있다.The depth of the
상기 오목부(150)의 깊이(h1)는 약 10㎛ 내지 약 70㎛일 수 있다. 자세하게, 상기 오목부(150)의 깊이(h1)는 약 15㎛ 내지 약 65㎛일 수 있다. 바람직하게, 상기 오목부(150)의 깊이는 약 20㎛ 내지 약 60㎛일 수 있다. 상기 오목부(150)의 깊이(h1)가 약 10㎛ 미만인 경우 상기 발광소자 패키지(1000)의 신뢰성이 저하될 수 있고, 상기 오목부(150)의 깊이(h1)가 약 70㎛를 초과할 경우 상기 발광소자 패키지(1000)의 전체적인 부피가 증가할 수 있다. 따라서, 상기 오목부(150)의 깊이(h1)는 상술한 범위를 만족하는 것이 바람직하다.The depth h1 of the
상기 오목부(150)는 제 1 오목부(151) 및 제 2 오목부(152)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 오목부(151)는 상기 제 1 몸체부(110)의 배면에 제공될 수 있다. 상기 제 1 오목부(151)는 상기 제 1 몸체부(110)의 배면에서 상면을 향하는 방향으로 오목할 수 있다. 또한, 상기 제 2 오목부(152)는 상기 제 2 몸체부(120)의 배면에 제공될 수 있다. 상기 제 2 오목부(152)는 상기 제 2 몸체부(120)의 배면에서 상면을 향하는 방향으로 오목할 수 있다.The
상기 제 1 오목부(151) 및 상기 제 2 오목부(152)는 대응되는 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 오목부(151)의 제 1 방향의 길이는 상기 제 2 오목부(152)의 제 1 방향의 길이와 대응될 수 있다. 또한, 상기 제 1 오목부(151)의 제 2 방향의 길이는 상기 제 2 오목부(152)의 제 2 방향의 길이와 대응될 수 있다. 또한, 상기 제 1 오목부(151)의 깊이는 상기 제 2 오목부(152)의 깊이와 대응될 수 있다. 여기서 대응되는 것은, 상기 제 1 오목부(151) 및 상기 제 2 오목부(152) 형성 공정 상의 오차 범위를 만족하는 범위 내에서 서로 동일한 것을 의미할 수 있다.The first
이와 다르게, 상기 제 1 오목부(151)는 상기 제 2 오목부(152)와 상이한 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 오목부(151)의 제 1 방향의 길이는 상기 제 2 오목부(152)의 제 1 방향의 길이와 대응될 수 있다. 또한, 상기 제 1 오목부(151)의 제 2 방향의 길이는 상기 제 2 오목부(152)의 제 2 방향의 길이와 대응될 수 있다. 또한, 상기 제 1 오목부(151)의 깊이는 상기 제 2 오목부(152)의 깊이와 상이할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 오목부(151)의 깊이는 상기 제 2 오목부(152)의 깊이보다 깊을 수 있다. 즉, 상기 제 1 오목부(151)의 배면은 상기 제 2 오목부(152)의 배면보다 수직 방향으로 상부에 위치할 수 있다.Alternatively, the first
즉, 실시예는 상기 발광소자(500)로부터 방출되는 광을 효과적으로 상부로 출사시킬 수 있다. 자세하게, 상기 몰딩부(300)의 측면 상에는 광을 반사시키는 몸체부(100)가 배치됨에 따라, 상기 발광소자(500)로부터 방출되는 광을 상부로 반사시킬 수 있다. 이에 따라, 실시예는 발광소자 패키지의 광속을 향상시킬 수 있다.That is, the embodiment can effectively emit the light emitted from the
도 5 및 도 6을 이용하여 제 2 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명한다. 제 2 실시예에 따른 발광소자 패키지에 대한 설명에서는 앞서 설명한 제 1 실시예에 따른 발광소자 패키지와 동일 유사한 구성에 대해서는 설명을 생략하며, 동일 유사한 구성에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여한다.A light emitting device package according to a second embodiment will be described with reference to FIGS. 5 and 6. In the description of the light emitting device package according to the second embodiment, the description of the same or similar components as those of the light emitting device package according to the first embodiment will be omitted, and the same reference numerals will be given to the same and similar components.
도 5는 제 2 실시예에 따른 발광소자 패키지(1100)의 평면도이고, 도 6은 도 5의 B-B' 단면도이다.5 is a plan view of a light emitting
도 5 및 도 6을 참조하면, 상기 몰딩부(300)는 평면에서 보았을 때 다각형 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 몰딩부(300)는 사각형 형상을 가질 수 있다. 상기 몰딩부(300)는 복수 개의 측면들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 몰딩부(300)는 제 1 측면(S1), 상기 제 1 측면(S1)과 마주하는 제 2 측면(S2), 상기 제 1 및 제 2 측면들(S1, S2)을 연결하는 제 3 측면(S3)과 제 4 측면(S4)을 포함할 수 있다. 상기 몰딩부(300)의 측면들(S1, S2, S3, S4)은 상기 몰딩부(300)의 배면에 대해 경사각을 가질 수 있다. 5 and 6, the
상기 제 1 측면(S1)은 상기 몰딩부(300)의 배면에 대해 제 1 경사각(θ1)을 가질 수 있고, 상기 제 2 측면(S2)은 상기 몰딩부(300)의 배면에 대해 제 2 경사각(θ2)을 가질 수 있다. 또한, 상기 제 3 측면(S3) 및 상기 제 4 측면(S4) 각각은 상기 몰딩부(300)의 배면에 대해 제 3 경사각(θ3) 및 제 4 경사각(θ4)을 가질 수 있다.The first side surface S1 may have a first inclination angle θ1 with respect to the rear surface of the
상기 제 1 경사각(θ1)은 상기 제 2 경사각(θ2)과 대응될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 경사각(θ1) 및 상기 제 2 경사각(θ2)은 약 125도 내지 약 145도일 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 및 제 2 경사각들(θ1, θ2)은 약 130도 내지 140도일 수 있다. 즉, 상기 제 1 측면(S1) 및 상기 제 2 측면(S2)은 상기 몰딩부(300)의 배면에 대해 둔각일 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 경사각들(θ1, θ2)이 약 125도 미만이거나 약 145도를 초과하는 경우 상기 발광소자(500)로부터 방출되는 광을 상부 방향으로 반사시키는 효율이 저하될 수 있다. 따라서, 상기 제 1 및 제 2 경사각들(θ1, θ2)은 상술한 범위를 만족하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 제 1 경사각(θ1) 및 상기 제 2 경사각(θ2)은 상술한 범위 내에서 서로 상이한 경사각을 가질 수 있다. 예를 들어, 도면에는 도시하지 않았으나, 상기 제 1 경사각(θ1)은 상기 제 2 경사각(θ2)보다 클 수 있다.The first inclination angle θ1 may correspond to the second inclination angle θ2. For example, the first inclination angle θ1 and the second inclination angle θ2 may be about 125 degrees to about 145 degrees. In detail, the first and second inclination angles θ1 and θ2 may be about 130 degrees to about 140 degrees. That is, the first side surface S1 and the second side surface S2 may be obtuse angles with respect to the rear surface of the
상기 제 3 경사각(θ3) 및 상기 제 4 경사각(θ4)은 서로 대응될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 3 경사각(θ3) 및 상기 제 4 경사각(θ4) 각각은 약 90도일 수 있다. 즉, 상기 제 3 측면(S3) 및 상기 제 4 측면(S4)은 상기 몰딩부(300)의 배면에 대해 수직일 수 있다.The third inclination angle θ3 and the fourth inclination angle θ4 may correspond to each other. For example, each of the third tilt angle θ3 and the fourth tilt angle θ4 may be about 90 degrees. That is, the third side surface S3 and the fourth side surface S4 may be perpendicular to the rear surface of the
상기 몰딩부(300)의 측면과 상기 발광소자 사이의 거리는 서로 같거나 상이할 수 있다. 예를 들어, 상기 발광소자(500)와 상기 몰딩부(300)의 제 1 측면(S1) 사이의 거리는 상기 발광소자(500)와 제 2 측면(S2) 사이의 거리와 대응될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(500)와 제 3 측면(S3) 사이의 거리는 상기 발광소자(500)와 제 4 측면(S4) 사이의 거리와 대응될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(500)와 제 1 측면(S1) 사이의 거리는 상기 발광소자(500)와 제 3 측면(S3) 사이의 거리보다 길거나 같을 수 있고 짧을 수 있다. 즉, 상기 사이 거리는 상기 제 1 경사각(θ1) 및 상기 제 2 경사각(θ2)에 의해 변화할 수 있다.The distance between the side surface of the
상기 몸체부(100)는 상기 몰딩부(300)의 측면 상에 배치될 수 있다. 상기 몸체부(100)는 상기 몰딩부(300)의 측면과 직접 접촉할 수 있다. 상기 몸체부(100)는 상기 몰딩부(300)의 측면 상에 배치되는 복수 개의 몸체부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 몸체부(100)는 상기 몰딩부(300)의 제 1 측면(S1) 상에 배치되는 제 1 몸체부(110) 및 상기 몰딩부(300)의 제 2 측면(S2) 상에 배치되는 제 2 몸체부(120)를 포함할 수 있다. 이때, 상기 몰딩부(300)의 제 3 측면(S3) 및 제 4 측면(S4)은 몸체부(100)가 배치되지 않는 오픈 영역일 수 있다.The
상기 제 1 몸체부(110)는 상기 몰딩부(300)의 제 1 측면(S1)과 직접 접촉할 수 있다. 상기 제 1 몸체부(110)는 상기 몰딩부(300)와 대응되는 길이를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 몸체부(110)의 제 2 방향 길이는 상기 몰딩부(300)의 제 2 방향 길이와 대응될 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 몸체부(110)의 제 2 방향의 길이는 상기 제 1 측면(S1)의 제 2 방향 길이와 대응될 수 있다. 또한, 상기 제 1 몸체부(110)의 제 3 방향 길이는 상기 몰딩부(300)의 제 3 방향 길이와 대응될 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 몸체부(110)의 제 3 방향 길이는 상기 제 1 측면(S1)의 제 3 방향 길이와 대응될 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 몸체부(110)의 상면은 상기 몰딩부(300)의 상면과 동일 평면 상에 배치될 수 있다.The
상기 제 1 몸체부(110)는 상기 몰딩부(300)의 측면과 대응되는 경사각을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 몰딩부(300)의 제 1 측면(S1)이 제 1 경사각(θ1)을 가질 경우, 상기 제 1 몸체부(110)의 제 1 내측면은 상기 제 1 경사각(θ1)을 가질 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 몸체부(110)의 제 1 내측면은 상기 몰딩부(300)의 배면에 대해 제 1 경사각(θ1)을 가질 수 있다. 또한, 상기 제 1 몸체부(110)의 상면과 상기 제 1 내측면 사이의 경사각은 상기 제 1 경사각(θ1)의 엇각으로, 상기 제 1 경사각(θ1)과 대응되는 경사각을 가질 수 있다. 또한, 상기 제 1 몸체부(110)의 외측면은 상기 제 1 몸체부(110)의 상면에 대해 수직일 수 있다. 여기서 상기 제 1 몸체부(110)의 외측면은 상기 제 1 내측면과 마주하는 면일 수 있다.The
상기 제 2 몸체부(120)는 상기 몰딩부(300)의 제 2 측면(S2)과 직접 접촉할 수 있다. 상기 제 2 몸체부(120)는 상기 몰딩부(300)와 대응되는 길이를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 몸체부(120)의 제 2 방향 길이는 상기 몰딩부(300)의 제 2 방향 길이와 대응될 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 몸체부(120)의 제 2 방향의 길이는 상기 제 2 측면(S2)의 제 2 방향 길이와 대응될 수 있다. 또한, 상기 제 2 몸체부(120)의 제 3 방향 길이는 상기 몰딩부(300)의 제 3 방향 길이와 대응될 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 몸체부(120)의 제 3 방향 길이는 상기 제 2 측면(S2)의 제 3 방향 길이와 대응될 수 있다. 이에 따라, 상기 제 2 몸체부(120)의 상면은 상기 몰딩부(300)의 상면과 동일 평면 상에 배치될 수 있다.The
상기 제 2 몸체부(120)는 상기 몰딩부(300)의 측면과 대응되는 경사각을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 몰딩부(300)의 제 2 측면(S2)이 제 2 경사각(θ2)을 가질 경우, 상기 제 2 몸체부(120)의 제 2 내측면은 상기 제 2 경사각(θ2)을 가질 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 몸체부(120)의 제 2 내측면은 상기 몰딩부(300)의 배면에 대해 제 2 경사각(θ2)을 가질 수 있다. 또한, 상기 제 2 몸체부(120)의 상면과 상기 제 2 내측면 사이의 경사각은 상기 제 2 경사각(θ2)의 엇각으로, 상기 제 2 경사각(θ2)과 대응되는 경사각을 가질 수 있다. 또한, 상기 제 2 몸체부(120)의 외측면은 상기 제 2 몸체부(120)의 상면에 대해 수직일 수 있다. 여기서 상기 제 2 몸체부(120)의 외측면은 상기 제 2 내측면과 마주하는 면일 수 있다.The
상기 몸체부(100)의 폭은 변화할 수 있다. 예를 들어, 상기 몸체부(100)의 폭은 상기 몸체부(100)의 배면에서 상면 방향으로 갈수록 변화할 수 있다. 자세하게, 상기 몸체부(100)의 폭은 상기 몸체부(100)의 배면에서 상면 방향으로 갈수록 작아질 수 있다. The width of the
상기 제 1 몸체부(110) 및 상기 제 2 몸체부(120)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제 1 몸체부(110)는 상기 제 2 몸체부(120)와 일정 거리 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제 1 몸체부(110) 및 상기 제 2 몸체부(120) 사이의 간격은 변화할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 몸체부(110) 및 상기 제 2 몸체부(120) 각각은 상술한 내측면을 가짐에 따라 상기 제 1 몸체부(110) 및 상기 제 2 몸체부(120) 사이의 간격은 증가할 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 몸체부(110) 및 상기 제 2 몸체부(120) 사이의 간격은 상기 몰딩부(300)의 배면에서 상면 방향으로 갈수록 증가할 수 있다.The
상기 몸체부(100)는 상기 발광소자(500)와 이격하여 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 몸체부(110) 및 상기 제 2 몸체부(120)는 상기 발광소자(500)와 이격되어 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 발광소자(500)와 상기 제 1 내측면은 제 1 간격(d1)으로 정의되는 거리만큼 이격되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(500)와 상기 제 2 내측면은 제 2 간격(d2)으로 정의되는 거리만큼 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제 1 간격(d1) 및 상기 제 2 간격(d2)은 상기 발광소자(500)에서 상기 몰딩부(300)의 제 1 측면(S1) 및 제 2 측면(S2) 사이의 거리와 대응될 수 있다.The
상기 제 1 간격(d1) 및 상기 제 2 간격(d2)은 약 15㎛ 내지 약 220㎛일 수 있다. 자세하게, 상기 간격들(d1, d2)은 약 20㎛ 내지 약 200㎛일 수 있다. 더 자세하게, 상기 간격들(d1, d2)은 약 30㎛ 내지 약 150㎛일 수 있다. 상기 간격들(d1, d2)이 약 15㎛ 미만일 경우 상기 발광소자(500)와 상기 몸체부(100) 사이의 간격이 너무 가까워 상기 발광소자(500)로부터 방출되는 광을 효과적으로 반사시키기 어려울 수 있고, 상기 간격들(d1, d2)이 약 220㎛를 초과할 경우 상기 발광소자(500)와 상기 몸체부(100) 사이의 간격이 너무 멀어 상기 몸체부(100)의 효과가 미미할 수 있다. 따라서, 상기 제 1 간격(d1) 및 상기 제 2 간격(d2)은 상술한 범위를 만족하는 것이 바람직할 수 있다.The first interval d1 and the second interval d2 may be about 15 μm to about 220 μm. In detail, the intervals d1 and d2 may be about 20 μm to about 200 μm. In more detail, the intervals d1 and d2 may be about 30 μm to about 150 μm. When the distances d1 and d2 are less than about 15 μm, the distance between the light emitting
상기 제 1 간격(d1) 및 상기 제 2 간격(d2)은 서로 대응될 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 간격(d1) 및 상기 제 2 간격(d2)은 상술한 범위 내에서 서로 동일한 간격을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 몰딩부(300)의 배면으로부터 동일 수직 방향의 높이(z축)에서 상기 제 1 간격(d1) 및 상기 제 2 간격은 서로 대응될 수 있다.The first interval d1 and the second interval d2 may correspond to each other. In detail, the first interval d1 and the second interval d2 may have the same interval as each other within the above-described range. For example, the first interval d1 and the second interval may correspond to each other at the same height (z-axis) from the rear surface of the
이와 다르게, 상기 제 1 간격(d1) 및 상기 제 2 간격(d2)은 서로 상이할 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 간격(d1) 및 상기 제 2 간격(d2)은 상술한 범위 내에서 서로 상이한 간격을 가질 수 있다. 예를 들어, 도면에는 도시하지 않았으나, 상기 몰딩부(300)의 배면으로부터 동일 수직 방향의 높이(z축)에서 상기 제 1 간격(d1)은 상기 제 2 간격(d2)보다 클 수 있다. 즉, 발광소자(500)와 몸체부(100) 사이의 간격과 상기 몸체부(100)의 경사각을 조절하여 상기 발광소자(500)에서 방출되는 광을 특정 방향으로 치우치게 할 수 있다. 따라서, 상기 발광소자의 편중 배치를 보상할 수 있어 광 효율을 향상시킬 수 있다.Alternatively, the first interval d1 and the second interval d2 may be different from each other. In detail, the first interval d1 and the second interval d2 may have different intervals within the above-described range. For example, although not shown in the drawing, the first interval d1 may be greater than the second interval d2 at the same height (z-axis) in the same vertical direction from the rear surface of the
상기 몸체부(100)는 오목부(150)를 포함할 수 있다. 상기 몸체부(100)는 상기 몸체부(100)의 하면에서 상면 방향으로 오목한 오목부(150)를 포함할 수 있다. 상기 오목부(150)의 깊이는 상기 발광소자(500)의 높이보다 작을 수 있다. 또한, 상기 오목부(150)의 깊이(h1)는 상기 발광소자(500)로부터 멀어질수록 깊어질 수 있다. 예를 들어, 상기 오목부(150)의 깊이(h1)는 상기 발광소자(500) 및 상기 몰딩부(300)와 최인접한 영역에서 최소값을 가질 수 있다. 또한, 상기 오목부(150)의 깊이(h1)는 상기 발광소자(500) 및 상기 몰딩부(300)와 가장 멀리 떨어진 가장자리 영역에서 최대값을 가질 수 있다.The
상기 오목부(150)는 제 1 오목부(151) 및 제 2 오목부(152)를 포함할 수 있다. 상기 오목부(150)는 상기 제 1 몸체부(110)의 배면에 형성되는 제 1 오목부(151) 및 상기 제 2 몸체부(120)의 배면에 형성되는 제 2 오목부(152)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 오목부(151)는 상기 제 1 몸체부(110)의 배면에서 상면을 향하는 방향으로 오목할 수 있다.또한, 상기 제 2 오목부(152)는 상기 제 2 몸체부(120)의 배면에서 상면을 향하는 방햐는 방향으로 오목할 수 있다. 상기 제 1 오목부(151) 및 상기 제 2 오목부(152)의 깊이는 약 10㎛ 내지 약 70㎛일 수 있다. 자세하게, 상기 오목부(150)의 깊이(h1)는 약 15㎛ 내지 약 65㎛일 수 있다. 바람직하게, 상기 오목부(150)의 깊이는 약 20㎛ 내지 약 60㎛일 수 있다. 상기 오목부(150)의 깊이(h1)가 약 10㎛ 미만인 경우 상기 발광소자 패키지(1100)의 신뢰성이 저하될 수 있고, 상기 오목부(150)의 깊이(h1)가 약 70㎛를 초과할 경우 상기 발광소자 패키지(1100)의 전체적인 부피가 증가할 수 있다. 따라서, 상기 오목부(150)의 깊이(h1)는 상술한 범위를 만족하는 것이 바람직하다. 상기 제 1 오목부(151) 및 상기 제 2 오목부(152)는 대응되는 형상을 가질 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 경사각(θ1) 및 상기 제 2 경사각(θ2)이 서로 대응되고 상기 제 1 간격(d1) 및 상기 제 2 간격(d2)이 서로 대응될 경우, 상기 제 1 오목부(151) 및 상기 제 2 오목부(152)는 대응되는 형상을 가질 수 있다. 이와 다르게, 상기 경사각들(θ1, θ2) 및/또는 상기 간격들(d1, d2)이 서로 상이할 경우 상기 제 1 오목부(151) 및 상기 제 2 오목부(152)는 서로 상이한 형상을 가질 수 있다. 이 경우, 상기 제 1 오목부(151) 및 상기 제 2 오목부(152)의 깊이는 서로 상이할 수 있다.The
즉, 실시예는 상기 발광소자(500)로부터 방출되는 광을 효과적으로 상부로 출사시킬 수 있다. 자세하게, 상기 몰딩부(300)의 측면은 상술한 경사각을 가지며 상기 몰딩부(300)의 측면 상에 몸체부(100)가 상기 경사각으로 배치됨에 따라, 광을 효과적으로 상부로 반사시킬 수 있다. 이에 따라, 발광소자 패키지의 광 출력을 향상시킬 수 있다. 또한, 실시예에 따른 발광소자 패키지는 상기 경사각을 제어하여 다양한 조사각을 가질 수 있다.That is, the embodiment can effectively emit the light emitted from the
도 7을 이용하여 제 3 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명한다. 제 3 실시예에 따른 발광소자 패키지에 대한 설명에서는 앞서 설명한 제 1 및 제 2 실시예에 따른 발광소자 패키지와 동일 유사한 구성에 대해서는 설명을 생략하며, 동일 유사한 구성에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여한다.A light emitting device package according to a third embodiment will be described with reference to FIG. 7. In the description of the light emitting device package according to the third embodiment, the description of the same or similar components to those of the light emitting device packages according to the first and second embodiments described above will be omitted, and the same reference numerals will be given to the same and similar components.
도 7은 제 3 실시예에 대한 발광소자 패키지(1200)의 단면도이다. 도 7을 참조하면, 상기 몰딩부(300)는 평면에서 보았을 때 다각형 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 몰딩부(300)는 사각형 형상을 가질 수 있다. 상기 몰딩부(300)의 높이는 상기 몸체부(100)의 높이보다 높을 수 있다. 자세하게, 상기 몰딩부(300)의 제 3 방향 길이는 상기 몸체부(100)의 제 3 방향 길이보다 길 수 있다. 이에 따라, 상기 몰딩부(300)의 상면은 상기 몸체부(100)의 상면보다 수직 방향으로 상부에 위치할 수 있다.7 is a cross-sectional view of a light emitting
또한, 상기 몰딩부(300)는 상기 몸체부(100)의 상면 상에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(300)는 상기 몸체부(100)의 상면과 직접 접촉할 수 있다. 상기 몰딩부(300)는 상기 몸체부(100)의 상면 전체 영역과 직접 접촉할 수 있다. 상기 몰딩부(300)의 측면은 상기 몸체부(100)의 외측면과 동일 평면 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 몰딩부(300)의 상면은 상기 몸체부(100)의 상면과 평행할 수 있다.In addition, the
상기 몰딩부(300)는 몸체부(100)와 대응되는 측면을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 몰딩부(300)는 상기 제 1 몸체부(110)와 마주하는 제 1 측면(S1) 및 상기 제 2 몸체부(120)와 마주하는 제 2 측면(S2)을 포함할 수 있다.The
상기 제 1 측면(S1)은 상기 제 1 몸체부(110)와 대응되는 형상을 가질 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 측면(S1)은 상기 제 1 측면(S1)과 마주하는 상기 제 1 몸체부(110)의 제 1 내측면과 대응되는 형상을 가질 수 있다. 상기 제 1 측면(S1)은 상기 제 1 내측면과 대응되는 평면적을 가질 수 있다. 상기 제 1 측면(S1)은 상기 제 1 내측면과 직접 접촉할 수 있다.The first side surface S1 may have a shape corresponding to the
상기 제 2 측면(S2)은 상기 제 2 몸체부(120)와 대응되는 형상을 가질 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 측면(S2)은 상기 제 2 측면(S2)과 마주하는 상기 제 2 몸체부(120)의 제 2 내측면과 대응되는 형상을 가질 수 있다. 상기 제 2 측면(S2)은 상기 제 2 내측면과 대응되는 평면적을 가질 수 있다. 상기 제 2 측면(S2)은 상기 제 2 내측면과 직접 접촉할 수 있다.The second side surface S2 may have a shape corresponding to the
상기 몸체부(100)는 상기 몸체부(100)의 하면에서 상면 방향으로 오목한 오목부(150)를 포함할 수 있다. 상기 오목부(150)의 깊이(h1)는 상기 발광소자(500)로부터 멀어질수록 깊어질 수 있다. 예를 들어, 상기 오목부(150)의 깊이(h1)는 상기 발광소자(500) 및 상기 몰딩부(300)와 최인접한 영역에서 최소값을 가질 수 있다. 또한, 상기 오목부(150)의 깊이(h1)는 상기 발광소자(500) 및 상기 몰딩부(300)와 가장 멀리 떨어진 가장자리 영역에서 최대값을 가질 수 있다.The
상기 오목부(150)는 제 1 오목부(151) 및 제 2 오목부(152)를 포함할 수 있다. 상기 오목부(150)는 상기 제 1 몸체부(110)의 배면에 형성되는 제 1 오목부(151) 및 상기 제 2 몸체부(120)의 배면에 형성되는 제 2 오목부(152)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 오목부(151)는 상기 제 1 몸체부(110)의 배면에서 상면을 향하는 방향으로 오목할 수 있다. 또한, 상기 제 2 오목부(152)는 상기 제 2 몸체부(120)의 배면에서 상면을 향하는 방향으로 오목할 수 있다. 상기 제 1 오목부(151) 및 상기 제 2 오목부(152)의 깊이는 약 10㎛ 내지 약 70㎛일 수 있다. 자세하게, 상기 오목부(150)의 깊이(h1)는 약 15㎛ 내지 약 65㎛일 수 있다. 바람직하게, 상기 오목부(150)의 깊이는 약 20㎛ 내지 약 60㎛일 수 있다. 상기 오목부(150)의 깊이(h1)가 약 10㎛ 미만인 경우 상기 발광소자 패키지(1200)의 신뢰성이 저하될 수 있고, 상기 오목부(150)의 깊이(h1)가 약 70㎛를 초과할 경우 상기 발광소자 패키지(1200)의 전체적인 부피가 증가할 수 있다. 따라서, 상기 오목부(150)의 깊이(h1)는 상술한 범위를 만족하는 것이 바람직하다. The
즉, 실시예는 상기 발광소자(500)로부터 방출되는 광을 효과적으로 상부로 출사시킬 수 있다. 자세하게, 상기 몰딩부(300)의 측면은 상술한 경사각을 가지며 상기 몰딩부(300)의 측면 상에 상기 몸체부(100)가 배치됨에 따라 광을 효과적으로 반사시킬 수 있다. 또한, 파장변환 수단을 포함하는 상기 몰딩부(300)가 상기 몸체부(100) 상에 더 배치될 수 있다. 이에 따라, 발광소자 패키지의 광 출력을 향상시킬 수 있다. That is, the embodiment can effectively emit the light emitted from the
도 8을 이용하여 제 4 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명한다. 제 4 실시예에 따른 발광소자 패키지에 대한 설명에서는 앞서 설명한 제 1 내지 제 3 실시예에 따른 발광소자 패키지와 동일 유사한 구성에 대해서는 설명을 생략하며, 동일 유사한 구성에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여한다.A light emitting device package according to a fourth embodiment will be described with reference to FIG. 8. In the description of the light emitting device package according to the fourth embodiment, the description of the same or similar components to those of the light emitting device packages according to the first to third embodiments will be omitted, and the same reference numerals are assigned to the same or similar components.
도 8은 제 4 실시예에 대한 발광소자 패키지(1300)의 단면도이다. 도 8을 참조하면, 상기 몰딩부(300)는 평면에서 보았을 때 다각형 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 몰딩부(300)는 사각형 형상을 가질 수 있다. 상기 몰딩부(300)의 높이는 상기 몸체부(100)의 높이보다 높을 수 있다. 자세하게, 상기 몰딩부(300)의 제 3 방향 길이는 상기 몸체부(100)의 제 3 방향 길이보다 길 수 있다. 이에 따라, 상기 몰딩부(300)의 상면은 상기 몸체부(100)의 상면보다 수직 방향으로 상부에 위치할 수 있다.8 is a cross-sectional view of a light emitting
또한, 상기 몰딩부(300)는 상기 몸체부(100)의 상면 상에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(300)는 상기 몸체부(100)의 상면과 직접 접촉할 수 있다. 상기 몰딩부(300)는 상기 몸체부(100)의 상면 전체 영역과 직접 접촉할 수 있다. 상기 몰딩부(300)의 측면은 상기 몸체부(100)의 외측면과 동일 평면 상에 배치될 수 있다.In addition, the
상기 몸체부(100)의 상면은 상기 몰딩부(300)의 상면에 대해 경사지게 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 몸체부(110)의 상면은 상기 제 1 몸체부(110)의 제 1 내측면과 제 5 경사각(θ5)을 가질 수 있다. 또한, 상기 제 2 몸체부(120)의 상면은 상기 제 2 몸체부(120)의 제 2 내측면과 제 5 경사각(θ5)을 가질 수 있다.The upper surface of the
즉, 상기 몰딩부(300)의 배면과 상기 몰딩부(300)의 제 1 측면(S1)은 제 1 경사각(θ1)을 가질 수 있고, 상기 제 1 몸체부(110)의 제 1 내측면과 상기 제 1 몸체부(110)의 상면은 제 5 경사각을 가질 수 있다. 또한, 상기 몰딩부(300)의 배면과 상기 몰딩부(300)의 제 2 측면(S2)은 제 2 경사각(θ2)을 가질 수 있고, 상기 제 2 몸체부(120)의 제 2 내측면과 상기 제 2 몸체부(120)의 상면은 제 5 경사각을 가질 수 있다.That is, the rear surface of the
상기 제 5 경사각(θ5)은 상기 몰딩부(300)의 배면과 측면 사이의 경사각보다 클 수 있다. 예를 들어, 상기 제 5 경사각(θ5)은 상기 제 1 경사각(θ1) 및 제 2 경사각(θ2)보다 클 수 있다. 이에 따라, 상기 몸체부(100)의 상면은 상기 몰딩부(300)의 상면과 평행하지 않을 수 있다. 또한, 상기 몸체부(100)의 상면과 상기 몰딩부(300)의 상면 사이의 거리는 상기 발광소자의 가장자리 영역으로 갈수록 가까워질 수 있다.The fifth inclination angle θ5 may be greater than the inclination angle between the rear surface and the side surface of the
상기 몸체부(100)는 상기 몸체부(100)의 하면에서 상면 방향으로 오목한 오목부(150)를 포함할 수 있다. 상기 오목부(150)의 깊이(h1)는 상기 발광소자(500)로부터 멀어질수록 깊어질 수 있다. 예를 들어, 상기 오목부(150)의 깊이(h1)는 상기 발광소자(500) 및 상기 몰딩부(300)와 최인접한 영역에서 최소값을 가질 수 있다. 또한, 상기 오목부(150)의 깊이(h1)는 상기 발광소자(500) 및 상기 몰딩부(300)와 가장 멀리 떨어진 가장자리 영역에서 최대값을 가질 수 있다.The
상기 오목부(150)는 제 1 오목부(151) 및 제 2 오목부(152)를 포함할 수 있다. 상기 오목부(150)는 상기 제 1 몸체부(110)의 배면에 형성되는 제 1 오목부(151) 및 상기 제 2 몸체부(120)의 배면에 형성되는 제 2 오목부(152)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 오목부(151)는 상기 제 1 몸체부(110)의 배면에서 상면을 향하는 방향으로 오목할 수 있다. 또한, 상기 제 2 오목부(152)는 상기 제 2 몸체부(120)의 배면에서 상면을 향하는 방향으로 오목할 수 있다. 상기 제 1 오목부(151) 및 상기 제 2 오목부(152)의 깊이는 약 10㎛ 내지 약 70㎛일 수 있다. 자세하게, 상기 오목부(150)의 깊이(h1)는 약 15㎛ 내지 약 65㎛일 수 있다. 바람직하게, 상기 오목부(150)의 깊이는 약 20㎛ 내지 약 60㎛일 수 있다. 상기 오목부(150)의 깊이(h1)가 약 10㎛ 미만인 경우 상기 발광소자 패키지(1300)의 신뢰성이 저하될 수 있고, 상기 오목부(150)의 깊이(h1)가 약 70㎛를 초과할 경우 상기 발광소자 패키지(1300)의 전체적인 부피가 증가할 수 있다. 따라서, 상기 오목부(150)의 깊이(h1)는 상술한 범위를 만족하는 것이 바람직하다.The
이에 따라, 실시예에 따른 발광소자 패키지(1300)는 다양한 각도로 광을 방출할 수 있다. 자세하게, 상기 발광소자(500)로부터 방출되는 광을 효과적으로 상부로 출사시킬 수 있다. 또한, 상기 몸체부(100)의 상면은 제 5 경사각(θ5)을 가짐에 따라 상기 발광소자(500)의 조사각을 넓힐 수 있고 다양한 각도로 광을 출사시킬 수 있다.Accordingly, the light emitting
도 9 내지 도 11를 이용하여 제 5 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명한다. 제 5 실시예에 따른 발광소자 패키지에 대한 설명에서는 앞서 설명한 제 1 내지 제 4 실시예에 따른 발광소자 패키지와 동일 유사한 구성에 대해서는 설명을 생략하며, 동일 유사한 구성에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여한다.A light emitting device package according to a fifth embodiment will be described with reference to FIGS. 9 through 11. In the description of the light emitting device package according to the fifth embodiment, the description of the same or similar components as those of the light emitting device packages according to the first to fourth embodiments will be omitted, and the same reference numerals are assigned to the same or similar components.
도 9는 제 5 실시예에 따른 발광소자 패키지(1400)의 분해 사시도이고, 도 10 및 도 11은 제 5 실시예에 따른 발광소자 패키지(1400)의 평면도이다.9 is an exploded perspective view of the light emitting
도 9 내지 도 11을 참조하면, 상기 몰딩부(300)는 평면에서 보았을 때 다각형 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 몰딩부(300)는 사각형 형상을 가질 수 있다. 상기 몰딩부(300)는 복수 개의 측면들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 몰딩부(300)는 제 1 측면(S1), 상기 제 1 측면(S1)과 마주하는 제 2 측면(S2), 상기 제 1 및 제 2 측면들(S1, S2)을 연결하는 제 3 측면(S3)과 제 4 측면(S4)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 측면(S1) 및 상기 제 2 측면(S2)은 제 1 방향으로 마주하는 측면일 수 있고, 상기 제 3 측면(S3) 및 상기 제 4 측면(S4)은 제 2 방향으로 마주하는 측면일 수 있다. 9 to 11, the
상기 몰딩부(300)의 측면들(S1, S2, S3, S4)은 상기 몰딩부(300)의 배면에 대해 경사각을 가질 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 측면(S1)은 상기 몰딩부(300)의 배면에 대해 제 1 경사각(θ1)을 가질 수 있고, 상기 제 2 측면(S2)은 상기 몰딩부(300)의 배면에 대해 제 2 경사각(θ2)을 가질 수 있다. 또한, 상기 제 3 측면(S3) 및 상기 제 4 측면(S4) 각각은 상기 몰딩부(300)의 배면에 대해 제 3 경사각(θ3) 및 제 4 경사각(θ4)을 가질 수 있다.Side surfaces S1, S2, S3, and S4 of the
상기 몸체부(100)는 상기 몰딩부(300)의 측면 상에 배치될 수 있다. 상기 몸체부(100)는 상기 몰딩부(300)의 측면과 직접 접촉할 수 있다. 상기 몰딩부(300)의 측면과 직접 접촉하는 상기 몸체부(100)의 내측면은, 상기 몰딩부(300)의 측면과 동일한 평면적을 가질 수 있다.The
상기 몸체부(100)는 상기 몰딩부(300)의 측면 상에 각각 배치되는 복수 개의 몸체부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 몸체부(100)는 상기 제 1 측면(S1) 상에 배치되는 제 1 몸체부(110), 상기 제 2 측면(S2) 상에 배치되는 제 2 몸체부(120), 상기 제 3 측면(S3) 상에 배치되는 제 3 몸체부(130) 및 상기 제 4 측면(S4) 상에 배치되는 제 4 몸체부(140)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 내지 제 4 몸체부들(110, 120, 130, 140)은 일체로 형성될 수 있다.The
도 10을 참조하면, 상기 제 1 내지 제 4 경사각(θ1, θ2, θ3, θ4)은 서로 대응 될 수 있다. 일례로, 상기 제 1 내지 제 4 경사각(θ1, θ2, θ3, θ4) 각각은 약 90도일 수 있다. 즉, 상기 제 1 내지 제 4 측면들(S1, S2, S3, S4)은 상기 몰딩부(300)의 배면에 대해 수직일 수 있다.Referring to FIG. 10, the first to fourth inclination angles θ1, θ2, θ3, and θ4 may correspond to each other. For example, each of the first to fourth inclination angles θ1, θ2, θ3, and θ4 may be about 90 degrees. That is, the first to fourth side surfaces S1, S2, S3, and S4 may be perpendicular to the rear surface of the
상기 몸체부(100)는 상기 몰딩부(300)의 측면과 대응되는 경사각을 가질 수 있다. 자세하게, 상기 몸체부(100)의 내측면은 상기 몰딩부(300)의 측면과 대응되는 경사각을 가질 수 있다. 즉, 상기 몸체부(100)의 내측면은 상기 몰딩부(300)의 배면에 대해 수직일 수 있다.The
상기 제 1 몸체부(110) 및 상기 제 2 몸체부(120) 사이의 거리는 상기 제 3 몸체부(130) 및 상기 제 4 몸체부(140) 사이의 거리보다 길거나 같을 수 있다. 예를 들어, 상기 발광소자(500)의 제 1 방향의 길이가 상기 제 2 방향의 길이보다 길 경우, 상기 제 1 몸체부(110) 및 상기 제 2 몸체부(120) 사이의 거리는 상기 제 3 몸체부(130) 및 상기 제 4 몸체부(140) 사이의 거리보다 길 수 있다.The distance between the
또한, 도 11을 참조하면, 상기 몰딩부(300)의 제 1 내지 제 4 경사각(θ1, θ2, θ3, θ4)은 둔각일 수 있다. 이때, 상기 제 1 내지 제 4 경사각(θ1, θ2, θ3, θ4)은 서로 대응될 수 있다. In addition, referring to FIG. 11, the first to fourth inclination angles θ1, θ2, θ3, and θ4 of the
상기 몸체부(100)는 상기 몰딩부(300)의 측면과 대응되는 경사각을 가질 수 있다. 자세하게, 상기 몸체부(100)의 내측면은 상기 몰딩부(300)의 측면과 대응되는 경사각을 가질 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 내지 제 4 몸체부(140) 걱걱의 상면과 내측면들 사이의 경사각은 서로 대응될 수 있다.The
이와 다르게, 상기 제 1 경사각(θ1)은 상기 제 2 경사각(θ2)과 대응될 수 있고, 상기 제 3 경사각(θ3) 및 상기 제 4 경사각(θ4)은 대응될 수 있다. 이때, 상기 제 3 경사각(θ3) 및 상기 제 4 경사각(θ4)은 상기 제 1 경사각(θ1) 및 상기 제 2 경사각(θ2)과 상이할 수 있다. 이에 따라, 서로 마주하는 몸체부는 서로 대응되는 경사각을 가질 수 있고, 마주하지 않는 경사부는 서로 상이한 경사각을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 발광소자(500)와 상기 제 1 몸체부(110) 사이의 간격이 상기 발광소자(500)와 상기 제 3 몸체부(130) 사이의 간격보다 작을 경우, 상기 제 1 경사각(θ1)은 상기 제 3 경사각(θ3)보다 클 수 있다. 이에 따라, 상기 발광소자(500)로부터 방출되는 광을 효과적으로 상부로 반사시킬 수 있어 발광 효율을 향상시킬 수 있다. Alternatively, the first inclination angle θ1 may correspond to the second inclination angle θ2, and the third inclination angle θ3 and the fourth inclination angle θ4 may correspond to each other. In this case, the third inclination angle θ3 and the fourth inclination angle θ4 may be different from the first inclination angle θ1 and the second inclination angle θ2. Accordingly, the body parts facing each other may have inclination angles corresponding to each other, and the inclination parts not facing each other may have different inclination angles. For example, when the distance between the light emitting
또한, 상기 몸체부(100)는 오목부를 포함할 수 있다. 상기 오목부는 상기 몸체부(100)의 배면에 제공될 수 있다. 상기 오목부는 상기 몸체부(100)의 배면에서 상면을 향하는 방향으로 오목할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 몸체부(110)의 배면에는 제 1 오목부가 제공될 수 있고, 상기 제 1 오목부는 상기 제 1 몸체부(110)의 배면에서 상면을 향하는 방향으로 오목할 수 있다. 상기 제 2 몸체부(120)의 배면에는 제 2 오목부가 제공될 수 있고, 상기 제 2 오목부는 상기 제 2 몸체부(120)의 배면에서 상면을 향하는 방향으로 오목할 수 있다. 상기 제 3 몸체부(130)의 배면에는 제 3 오목부가 제공될 수 있고, 상기 제 3 오목부는 상기 제 3 몸체부(130)의 배면에서 상면을 향하는 방향으로 오목할 수 있다. 상기 제 4 몸체부(140)의 배면에는 제 4 오목부가 제공될 수 있고, 상기 제 4 오목부는 상기 제 4 몸체부(140)의 배면에서 상면을 향하는 방향으로 오목할 수 있다.In addition, the
상기 제 1 내지 제 4 오목부의 깊이는 상기 발광소자(500)로부터 멀어질수록 깊어질 수 있다. 또한, 상기 제 1 내지 제 4 오목부 각각의 깊이는 상기 몰딩부(300)와 최인접한 영역에서 최소값을 가질 수 있다.The depth of the first to fourth concave portions may become deeper as the distance from the
상기 제 1 내지 제 4 오목부의 깊이는 약 10㎛ 내지 약 70㎛일 수 있다. 자세하게, 상기 오목부의 깊이는 약 15㎛ 내지 약 65㎛일 수 있다. 바람직하게, 상기 오목부의 깊이는 약 20㎛ 내지 약 60㎛일 수 있다. 상기 오목부의 깊이가 약 10㎛ 미만인 경우 상기 발광소자 패키지(1400)의 신뢰성이 저하될 수 있고, 상기 오목부의 깊이가 약 70㎛를 초과할 경우 상기 발광소자 패키지(1400)의 전체적인 부피가 증가할 수 있다. 따라서, 상기 오목부의 깊이는 상술한 범위를 만족하는 것이 바람직하다.The depth of the first to fourth recesses may be about 10 μm to about 70 μm. In detail, the depth of the recess may be about 15 μm to about 65 μm. Preferably, the depth of the recess may be about 20㎛ to about 60㎛. If the depth of the recess is less than about 10㎛ the reliability of the light emitting
이에 따라, 실시예에 따른 발광소자 패키지는 제 1 내지 제 4 몸체부에 의해 상기 발광소자(500)로부터 방출되는 광을 효과적으로 상부로 출사시킬 수 있다. 또한, 상기 발광소자 패키지를 상기 회로기판 상에 배치할 경우, 상기 제 1 내지 제 4 오목부에 의해 상기 발광소자 패키지가 틸트되는 것을 방지할 수 있고, 상기 회로기판과의 결합력을 향상시킬 수 있다.Accordingly, the light emitting device package according to the embodiment can effectively emit the light emitted from the
도 12를 이용하여 제 6 실시예에 따른 발광소자 패키지를 설명한다. 제 6 실시예에 따른 발광소자 패키지에 대한 설명에서는 앞서 설명한 제 1 내지 제 5 실시예에 따른 발광소자 패키지와 동일 유사한 구성에 대해서는 설명을 생략하며, 동일 유사한 구성에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여한다.A light emitting device package according to a sixth embodiment will be described with reference to FIG. 12. In the description of the light emitting device package according to the sixth embodiment, the description of the same or similar components to those of the light emitting device packages according to the first to fifth embodiments will be omitted, and the same reference numerals will be given to the same or similar components.
도 12는 제 6 실시예에 따른 발광소자 패키지의 평면도이다. 도 12를 참조하면, 평면에서 보았을 때 상기 몰딩부(300)는 원형일 수 있다. 상기 몰딩부(300)는 상기 발광소자(500)를 감싸며 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(300)는 상기 발광소자(500)의 상면 및 측면들을 감싸며 배치될 수 있다.12 is a plan view of a light emitting device package according to a sixth embodiment. Referring to FIG. 12, the
상기 몰딩부(300)의 측면은 복수 개의 영역을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 몰딩부(300)의 측면은 상기 발광소자(500)에서 제 1 방향으로 서로 마주보는 제 1 및 제 2 측면과 각각 대응되는 위치의 제 1 및 제 2 영역들(R1, R2)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부(300)의 측면은 상기 발광소자(500)에서 제 2 방향으로 서로 마주보는 제 3 및 제 4 측면과 각각 대응되는 위치의 제 3 및 제 4 영역들(R3, R4)을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 제 1 내지 제 4 영역들(R1, R2, R3, R4)은 상기 몰딩부(300)를 평면에서 보았을 때 중심각이 90도인 4개의 부채꼴의 호와 대응되는 영역일 수 있다.Side surfaces of the
상기 몰딩부(300)의 측면은 상기 몰딩부(300)의 배면에 대해 경사질 수 있다. 예를 들어, 상기 몰딩부(300)의 측면은 상기 몰딩부(300)의 배면에 대해 엇각의 경사각을 가질 수 있고 상기 경사각은 약 125도 내지 약 145도일 수 있다.The side surface of the
상기 몸체부(100)는 상기 몰딩부(300)의 측면 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 몸체부(100)는 상기 제 1 내지 제 4 영역들(R1, R2, R3, R4) 상에 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 몸체부(100)는 상기 제 1 영역(R1) 상에 배치되는 제 1 몸체부(110), 상기 제 2 영역(R2) 상에 배치되는 제 2 몸체부(120), 상기 제 3 영역(R3) 상에 배치되는 제 3 몸체부(130) 및 상기 제 4 영역(R4) 상에 배치되는 제 4 몸체부(140)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 내지 제 4 몸체부들(110, 120, 130, 140)은 일체로 형성되어 상기 몰딩부(300)의 측면을 감싸며 배치될 수 있다. 자세하게, 평면에서 보았을 때 상기 몸체부(100)는 원 형태를 가질 수 있고 상기 몰딩부(300)의 측면 전체를 감싸며 배치될 수 있다. 상기 몸체부(100)의 상면은 상기 몸체부(100)의 상면과 동일 평면 상에 배치될 수 있다.The
또한, 상기 몸체부(100)의 내측면은 상기 몰딩부(300)의 측면과 접촉할 수 있다. 이에 따라, 상기 몸체부(100)의 내측면은 상기 몰딩부(300)의 배면과 경사각을 가질 수 있다. 즉, 상기 몸체부(100)의 내측면은 상기 몰딩부(300)의 측면과 대응되는 경사각을 가질 수 있고, 상기 경사각은 약 125도 내지 약 145도일 수 있다. 자세하게, 상기 경사각은 약 130도 내지 약 140도일 수 있다. 상기 경사각이 약 125도 미만이거나 약 145도를 초과하는 경우 상기 발광소자(500)로부터 방출되는 광을 상부 방향으로 반사시키는 효율이 저하될 수 있다. 따라서, 상기 경사각은 상술한 범위를 만족하는 것이 바람직하다.In addition, the inner surface of the
상기 몸체부(100)는 상기 발광소자(500)와 이격되어 배치될 수 있다. 상기 몸체부(100)와 상기 발광소자(500) 사이의 간격은 약 15㎛ 내지 약 220㎛일 수 있다. 자세하게, 상기 간격은 약 20㎛ 내지 약 200㎛일 수 있다. 더 자세하게, 상기 간격은 약 30㎛ 내지 약 150㎛일 수 있다. 상기 간격이 약 15㎛ 미만일 경우 상기 발광소자(500)와 상기 몸체부(100) 사이의 간격이 너무 가까워 상기 발광소자(500)로부터 방출되는 광을 효과적으로 반사시키기 어려울 수 있고, 상기 간격이 약 220㎛를 초과할 경우 상기 발광소자(500)와 상기 몸체부(100) 사이의 간격이 너무 멀어 상기 몸체부(100)의 효과가 미미할 수 있다. 따라서, 상기 간격은 상술한 범위를 만족하는 것이 바람직할 수 있다.The
또한, 도면에는 도시하지 않았으나 상기 몸체부(100)의 배면에는 상술한 오목부를 포함할 수 있다. 이때, 상기 오목부의 깊이는 상기 발광소자로부터 멀어질수록 깊어질 수 있고, 상술한 깊이를 가질 수 있다.In addition, although not shown in the drawings, the back of the
따라서, 실시예는 상기 발광소자(500)로부터 방출되는 광을 효과적으로 상부로 반사시킬 수 있다. 이에 따라, 발광소자 패키지의 광 출력을 향상시킬 수 있다. 또한, 다양한 조사각으로 광을 출사시킬 수 있다.Therefore, the embodiment can effectively reflect the light emitted from the
도 13은 실시예에 따른 발광소자 패키지가 회로기판에 배치된 모듈의 예를 도시한 도면이다.FIG. 13 is a diagram illustrating an example of a module in which a light emitting device package is disposed on a circuit board.
도 13을 참조하면, 실시예에 따른 광원 모듈은 회로기판(700) 상에 하나 또는 복수 개의 발광소자가 배치될 수 있다. Referring to FIG. 13, in the light source module according to the embodiment, one or more light emitting devices may be disposed on the
상기 발광소자 패키지는 상기 회로기판(700) 상에 배치될 수 있다. 상기 회로기판(700)에는 상기 발광소자(500)의 구동을 제어하는 전원 공급 회로가 제공될 수 있다. The light emitting device package may be disposed on the
상기 회로기판(700)은 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 상기 회로기판(700)은 수지 재질의 PCB, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB), 리지드 PCB(rigid PCB), 세라믹, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC) 중 적어도 하나를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 상기 회로기판(700)은 카본(carbon)을 포함하는 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC)일 수 있다. 이에 따라, 상기 회로기판(700)은 흑색일 수 있고 상기 카본에 의해 강성이 향상될 수 있다.The
상기 회로기판(700)은 수지 또는 금속 재질의 베이스층 상에 절연층 또는 보호층이 배치되며, 상기 절연층 또는 보호층으로부터 노출된 복수 개의 패드를 포함할 수 있다. 상기 패드는 하나 또는 복수의 발광소자 패키지를 전기적으로 연결시켜줄 수 있고, 상기 회로기판(700) 상에 배치되는 보호소자(600)를 연결시켜줄 수 있다. 상기 절연층 또는 보호층은 솔더 레지스트 재질이거나, 수지 재질일 수 있다.The
상기 패드는 Ti, Cu, Ni, Au, Cr, Ta, Pt, Sn, Ag, P, Fe, Sn, Zn, Al를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다.The pad may include at least one material selected from the group consisting of Ti, Cu, Ni, Au, Cr, Ta, Pt, Sn, Ag, P, Fe, Sn, Zn, Al, or an alloy thereof.
상기 패드는 제 1 패드(711) 및 제 2 패드(712)를 포함할 수 있다. 상기 패드는 서로 이격되는 제 1 패드(711) 및 제 2 패드(712)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 패드(711)는 상기 제 1 본딩부(510)와 수직 방향(제 3 방향)으로 대응되는 위치에 배치될 수 있다. 상기 제 2 패드(712)는 상기 제 2 본딩부(520)와 수직 방향(제 3 방향)으로 대응되는 위치에 배치될 수 있다.The pad may include a
상기 제 1 패드(711)는 상기 제 1 본딩부(510)와 전기적으로 연결될 수 있고, 상기 제 2 패드(712)는 상기 제 2 본딩부(520)와 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 제 1 패드(711) 및 상기 제 1 본딩부(510) 사이에는 제 1 도전부(731)가 배치될 수 있고 상기 제 2 패드(712) 및 상기 제 2 본딩부(520) 사이에는 제 2 도전부(732)가 배치될 수 있다.The
상기 제 1 및 제 2 도전부들(731, 732)은 액상의 재질로, 상기 회로기판(700)의 제 1 패드(711) 및 제 2 패드(712) 상에 위치시킨 후, 상기 회로기판(700) 상에 정렬된 발광소자(500)를 결합하게 된다.The first and second
상기 회로기판(700) 상에는 보호소자(600)가 더 배치될 수 있다. 상기 보호소자(600)는 상기 발광소자 패키지와 이격하여 배치될 수 있다. 상기 보호소자(600)는 상기 발광소자 패키지와 인접하여 배치될 수 있다. 상기 보호소자(600)는 상기 회로기판(700)에 플립 본딩되어 배치될 수 있다. 상기 보호소자(600)는 상기 회로기판(700)의 제 3 패드(713) 상에 배치될 수 있다. 상기 보호소자(600)는 상기 제 3 패드(713)와 수직 방향으로 대응되는 위치에 배치될 수 있다. 상기 제 3 패드(713)는 상기 제 1 및 제 2 패드들(711, 712)과 동일 물질을 포함할 수 있다. 상기 제 3 패드(713) 및 상기 보호소자(600) 사이에는 제 3 도전부(733)가 배치될 수 있다. 상기 제 3 도전부(733)는 상기 제 1 및 제 2 도전부들(731, 732)과 동일한 재질을 포함할 수 있다.The
상기 보호소자(600)는 싸이리스터, 제너 다이오드, 및 TVS(Transient voltage suppression) 등 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 보호소자(600)는 상기 발광소자(500)를 ESD(electro static discharge)로부터 보호할 수 있다. 상기 보호소자(600)는 상기 발광소자(500)의 연결 회로에 병렬로 연결됨으로써 상기 발광소자(500)를 보호할 수 있다.The
상기 보호소자(600) 상에는 제 1 수지(200)가 배치될 수 있다. 상기 제 1 수지(200)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), 세라믹, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 1 수지(200)는 반사 기능을 포함하는 경우 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제 1 수지(200)는 상기 몸체부(100)와 동일한 물질을 포함할 수 있다.The
상기 제 1 수지(200)는 상기 보호소자(600)를 감싸며 배치될 수 있다. 상기 제 1 수지(200)는 상기 회로기판(700)의 상면과 상기 보호소자(600)의 노출된 면을 감싸며 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 수지(200)는 상기 보호소자(600)의 상면 및 측면들을 감싸며 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 보호소자(600)는 상기 제 1 수지(200)에 의해 밀봉될 수 있고, 상기 제 1 수지(200) 내에 임베디드될 수 있다. 즉, 상기 제 1 수지(200)는 상기 몸체부(100)의 재질로 상기 보호소자(600)를 감싸기 때문에 상기 보호소자(600)에 의해 상기 발광소자(500)의 광이 손실되는 것을 감소시킬 수 있다. The
또한, 상기 제 1 수지(200)의 상면은 상기 몸체부(100) 및 상기 몰딩부(300)의 상면과 동일 평면 상에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 발광소자(500)에서 출사되는 광을 상부 방향으로 효과적으로 반사시킬 수 있다. In addition, the upper surface of the
또한, 상기 제 1 수지(200)는 제 1 서브 수지(210)를 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 수지(200)는 상기 발광소자 패키지의 오목부(150) 내에 배치되는 제 1 서브 수지(210)를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 보호소자(600)가 상기 제 1 몸체부(110)와 나란히 배치될 경우, 상기 제 1 수지(200)는 상기 제 1 몸체부(110)와 나란히 배치될 수 있다. 상기 제 1 수지(200)는 상기 제 1 몸체부(110)와 직접 접촉할 수 있다. 또한, 상기 제 1 서브 수지(210)는 상기 제 1 오목부(151) 내에 배치될 수 있다. 상기 제 1 서브 수지(210)는 상기 제 1 오목부(151)의 일부 영역 또는 전체 영역과 직접 접촉할 수 있다. 또한, 상기 제 1 서브 수지(210)는 제 1 방향(x축) 길이는 상기 제 1 몸체부(110)의 제 1 방향 길이보다 길 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 서브 수지(210)는 상기 몰딩부(300)의 배면 및 상기 회로기판(700)의 상면과 직접 접촉할 수 있다.In addition, the
즉, 상기 제 1 수지(200)는 상기 몸체부(100)와 동일 물질을 포함할 수 있으며 상기 몸체부(100)와 견고하게 결합할 수 있다. 또한, 상기 제 1 수지(200)는 상기 오목부(150) 상에 배치되는 제 1 서브 수지(210)를 포함할 수 있고, 상기 제 1 서브 수지(210)가 상기 오목부(150)의 일부 또는 전체 영역에 배치됨에 따라 상기 발광소자 패키지가 틸트되는 것을 방지할 수 있고 회로기판(700) 상에 견고하게 결합될 수 있다. 또한, 상기 제 1 서브 수지(210)는 상기 몰딩부(300)의 배면 상에 배치되어 상기 발광소자(500)로부터 출사되는 광을 상부 방향으로 반사시킬 수 있고 이에 따라 광 효율을 향상시킬 수 있다.That is, the
또한, 도면에는 도시하지 않았으나, 상기 제 2 몸체부(120)와 나란히 배치되는 제 2 수지를 더 포함할 수 있고, 상기 제 2 수지는 상기 제 2 오목부(152)의 일부 영역 또는 전체 영역과 직접 접촉하는 제 2 서브 수지를 더 포함할 수 있다.In addition, although not shown in the drawing, it may further include a second resin disposed in parallel with the
또한, 도면에는 도시하지 않았으나, 상기 몸체부(100)가 제 5 실시예와 같이 제 1 내지 제 4 몸체부(140)를 포함하는 경우 상기 제 3 몸체부(130)와 나란히 배치되는 제 3 수지 및 제 4 몸체부(140)와 나란히 배치되는 제 4 수지를 더 포함할 수 있다. 또한, 상기 제 3 수지는 상기 제 3 오목부(150)의 일부 영역 또는 전체 영역과 접촉하는 제 3 서브 수지를 더 포함할 수 있고, 상기 제 4 수지는 상기 제 4 오목부(150)의 일부 영역 또는 전체 영역과 접촉하는 제 4 서브 수지를 더 포함할 수 있다. 이에 따라, 발광소자 패키지가 틸트되는 것을 방지할 수 있고 상기 회로기판(700) 상에 견고하게 결합될 수 있다. 또한, 상기 오목부들을 통해 상기 몰딩부(300)의 배면 상에 제 1 내지 제 4 서브 수지들이 배치될 수 있어 상기 발광소자(500)로부터 출사되는 광을 상부 방향으로 효과적으로 반사시킬 수 있다.In addition, although not shown in the drawings, when the
도 14는 실시예에 따른 발광소자의 예를 나타낸 측단면도이다.14 is a side sectional view showing an example of a light emitting device according to the embodiment.
도 14를 참조하면, 발광소자(500)는 제 1 전극(550)과 제 2 전극(570)의 상대적인 배치 관계 만을 개념적으로 도시하였다. 상기 제 1 전극(550)은 제 1 본딩부(551)와 제 1 가지전극(553)을 포함할 수 있다. 상기 제 2 전극(570)은 제 2 본딩부(571)와 제 2 가지전극(573)을 포함할 수 있다. 여기서 상기 제 1 본딩부(551)는 상술한 제 1 본딩부(510)와 대응될 수 있고, 상기 제 2 본딩부(571)는 상술한 제 2 본딩부(520)와 대응될 수 있다.Referring to FIG. 14, the
상기 발광소자(500) 기판(501) 위에 배치된 발광 구조물(520)을 포함할 수 있다. 상기 기판(501)은 투광층으로써 절연성 재질 또는 반도체 재질로 형성될 수 있다. 상기 기판(501)은 사파이어 기판(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge을 포함하는 그룹 중에서 선택될 수 있다. 예로서, 상기 기판(501)은 상부 면에 요철 패턴이 형성된 PSS(Patterned Sapphire Substrate)로 제공될 수 있다.The
상기 발광 구조물(520)은 화합물 반도체를 포함할 수 있다. 상기 발광 구조물(520)은 예로서 2족-6족 또는 3족-5족 화합물 반도체로 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 발광 구조물(520)은 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In), 인(P), 비소(As), 질소(N)로부터 선택된 적어도 두 개 이상의 원소를 포함하여 제공될 수 있다.The
상기 발광 구조물(520)은 제 1 도전형 반도체층(521), 활성층(522), 제 2 도전형 반도체층(523)을 포함할 수 있다. 상기 활성층(522)은 상기 제 1 도전형 반도체층(521)과 상기 제 2 도전형 반도체층(523) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제 1 도전형 반도체층(521) 위에 상기 활성층(522)이 배치되고, 상기 활성층(522) 위에 상기 제 2 도전형 반도체층(523)이 배치될 수 있다.The
상기 제 1 도전형 반도체층(521) 및 상기 제 2 도전형 반도체층(523)은 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 도전형 반도체층은 예컨대 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 제 1 도전형 반도체층(521) 및 제 2 도전형 반도체층(523)은 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제 1 도전형 반도체층(521)은 Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑된 n형 반도체층일 수 있다. 상기 제 2 도전형 반도체층(523)은 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑된 p형 반도체층일 수 있다. 이와 다르게, 상기 제 1 도전형 반도체층(521)이 p형 반도체층으로 제공될 수 있고, 상기 제 2 도전형 반도체층(523)이 n형 반도체층으로 제공될 수도 있다. The first conductivity-
상기 활성층(522)은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 활성층(522)은 예로서 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 상기 활성층(522)이 다중 우물 구조로 구현된 경우, 상기 활성층(522)은 교대로 배치된 복수의 우물층과 복수의 장벽층을 포함할 수 있고, InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 배치될 수 있다. 예컨대, 상기 활성층(522)은 InGaN/GaN, GaN/AlGaN, AlGaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, AlGaAs/GaAs, InGaAs/GaAs, InGaP/GaP, AlInGaP/InGaP, InP/GaAs을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.The
상기 제 1 전극(550)은 상기 제 2 도전형 반도체층(523)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제 1 가지전극(553)은 상기 제 1 본딩부(551)로부터 분기되어 배치될 수 있다. 상기 제 1 가지전극(553)은 상기 제 1 본딩부(551)로부터 분기된 복수의 가지전극을 포함할 수 있다. 상기 제 2 전극(570)은 제 2 본딩부(571)와 제 2 가지전극(573)을 포함할 수 있다. 상기 제 2 전극(570)은 상기 제 1 도전형 반도체층(521)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제 2 가지전극(573)은 상기 제 2 본딩부(571)로부터 분기되어 배치될 수 있다. 상기 제 2 가지전극(573)은 상기 제 2 본딩부(571)로부터 분기된 복수의 가지전극을 포함할 수 있다.The
상기 제 1 가지전극(553)와 상기 제 2 가지전극(573)은 핑거(finger) 형상으로 서로 엇갈리게 배치될 수 있다. 상기 제 1 가지전극(553)과 상기 제 2 가지전극(573)에 의하여 상기 제 1 본딩부(551)와 상기 제 2 본딩부(571)를 통하여 공급되는 전원이 상기 발광 구조물(520) 전체로 확산되어 제공될 수 있게 된다.The
상기 제 1 전극(550)과 상기 제 2 전극(570)은 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 전극(550)과 상기 제 2 전극(570)은 오믹 전극일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 전극(550)과 상기 제 2 전극(570)은 ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나 또는 이들 중 2개 이상의 물질의 합금일 수 있다.The
한편, 상기 발광 구조물(520)에 보호층이 더 제공될 수도 있다. 상기 보호층은 상기 발광 구조물(520)의 상면에 제공될 수 있다. 또한, 상기 보호층은 상기 발광 구조물(520)의 측면에 제공될 수도 있다. 상기 보호층은 상기 제 1 본딩부(551)와 상기 제 2 본딩부(571)가 노출되도록 제공될 수 있다. 또한, 상기 보호층은 상기 기판(501)의 둘레 및 하면에도 선택적으로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 보호층은 절연물질로 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 보호층은 SixOy, SiOxNy, SixNy, AlxOy를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.Meanwhile, a protective layer may be further provided on the
실시예에 따른 발광소자(500)는, 상기 활성층(522)에서 생성된 빛이 발광소자의 6면 방향으로 발광될 수 있다. 상기 활성층(522)에서 생성된 빛이 발광소자의 상면, 하면, 4개의 측면을 통하여 6면 방향으로 방출될 수 있다.In the
상기 발광소자(500)는 하나의 발광 셀을 갖는 구조로 설명되었다. 이는 발광 셀이 상기의 발광 구조물을 포함하는 경우, 발광소자의 구동 전압은 하나의 발광 셀에 걸리는 전압일 수 있다. 실시예에 따른 발광소자(500)의 예로서, 2개 또는 3개 이상의 발광 셀을 갖는 발광소자를 포함할 수 있다. 이에 따라 고전압의 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.The
도 15 내지 도 20은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조방법을 도시한 도면이다.15 to 20 are views illustrating a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment.
도 15 내지 도 20을 참조하면, 실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조방법은 발광소자(500)를 배치하는 단계, 몰딩부(300)를 형성하는 단계, 패턴(P)을 형성하는 단계 및 몸체부(100)를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.15 to 20, a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment may include disposing a
먼저, 도 15를 참조하면, 발광소자(500)를 배치하는 단계는 적어도 하나의 발광소자(500)를 제 1 지지시트(10) 상에 배치하는 단계일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 지지시트(10)는 실리콘(Si)을 포함할 수 있고 상기 발광소자(500)를 고정하기 위한 점착 필름일 수 있다. 상기 발광소자(500)를 배치하는 단계에서 상기 발광소자(500)는 제 1 본딩부(510) 및 제 2 본딩부(520)가 상기 제 1 지지시트(10)와 마주하게 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 1 본딩부(510) 및 상기 제 2 본딩부(520)는 상기 제 1 지지시트(10) 표면으로부터 삽입되어 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 지지시트(10)의 표면은 상기 발광소자(500)로부터 돌출된 상기 제 1 및 제 2 본딩부들(510, 520)의 압력에 의해 의해 오목부가 형성될 수 있고, 상기 제 1 및 상기 제 2 본딩부들(510, 520)은 상기 오목부에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 발광소자(500)의 배면은 상기 제 1 지지시트(10)의 상면과 동일 평면 상에 배치될 수 있다.First, referring to FIG. 15, the disposing of the
이어서 몰딩부(300)를 형성하는 단계가 진행될 수 있다. 상기 몰딩부(300)를 형성하는 단계는 상기 제 1 지지시트(10) 및 상기 발광소자(500) 상에 몰딩부(300)를 형성하는 단계일 수 있다. 상기 몰딩부(300)는 상기 발광소자(500)의 상면 및 측면들을 감싸며 형성될 수 있다.Subsequently, the forming of the
상기 몰딩부(300)는 절연 물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부(300)는 상기 발광소자(500)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 몰딩부(300)는 형광체, 양자점 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 파장변환 수단을 포함할 수 있다.The
상기 몰딩부(300)를 형성하는 단계 이후에 상기 제 1 지지시트(10)는 제거될 수 있다. 이에 따라, 상기 몰딩부(300)는 상기 제 1 본딩부(510) 및 상기 제 2 본딩부(520) 상에 형성되지 않을 수 있고, 상기 발광소자(500)의 배면, 상기 제 1 및 제 2 본딩부들(510, 520)은 외부에 노출될 수 있다. 또한, 상기 몰딩부(300)를 형성하는 단계 이후에 상기 몰딩부(300)를 경화하는 단계가 더 진행될 수 있다.After forming the
이어서 패턴(P)을 형성하는 단계가 진행될 수 있다. 도 16 내지 도 18을 참조하면 상기 패턴(P)을 형성하는 단계는 상기 몰딩부(300)에 패턴(P)을 형성하는 단계일 수 있다. 상기 몰딩부(300)를 형성하는 단계를 통해 제조된 예비 발광소자는 제 2 지지시트(20) 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 지지시트(20)는 실리콘(Si)을 포함할 수 있고 상기 발광소자(500) 및 상기 몰딩부(300)를 고정하기 위한 점착 필름일 수 있다. 상기 몰딩부(300)의 상면은 상기 제 2 지지시트(20) 상면과 마주하게 배치될 수 있다. 즉, 예비 발광소자 패키지는 상면과 하면이 반전되어 상기 제 2 지지시트(20) 상에 배치될 수 있다.Subsequently, the step of forming the pattern P may proceed. 16 to 18, the forming of the pattern P may be a step of forming the pattern P in the
상기 패턴(P)을 형성하는 단계에서 상기 몰딩부(300)에는 패턴(P)이 형성될 수 있다. 상기 패턴(P)을 형성하는 단계는 일방향으로 패턴(P)을 형성하는 단계일 수 있다. 자세하게, 상기 단계는 후술할 몸체부(100)를 제 1 내지 제 4 실시예와 같이 상기 몰딩부(300)의 두 측면 상에 형성하기 위해 일방향으로 패턴(P)을 형성하는 단계일 수 있다. 또한, 상기 패턴(P)을 형성하는 단계는 일방향 및 상기 일방향과 수직인 타방향으로 패턴(P)을 형성하는 단계일 수 있다. 자세하게, 상기 단계는 후술할 몸체부(100)를 제 5 실시예와 같이 상기 몰딩부(300)의 네 측면 상에 형성하기 위해 일방향 및 타방향으로 패턴(P)을 형성하는 단계일 수 있다.In the forming of the pattern P, a pattern P may be formed in the
상기 단계는 블레이드 등을 이용하여 상기 몰딩부(300) 상에 물리적으로 패턴(P)을 형성하는 단계일 수 있다. 이때, 상기 블레이드의 끝단은 다양한 형태를 가질 수 있다. 또한, 상기 블레이드를 통해 다양한 깊이로 패턴(P)을 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 블레이드의 끝단은 단면이 일자형일 수 있다. 또한, 상기 패턴(P)의 깊이는 상기 몰딩부(300)의 두께와 대응될 수 있다. 이에 따라, 상기 몰딩부(300)의 측면은 도 4의 제 1 실시예와 같이 상기 몰딩부(300)의 배면과 수직을 이룰 수 있다. 다른 예로, 상기 블레이드의 끝단은 단면이 V자형일 수 있다. 또한, 상기 패턴(P)의 깊이는 상기 몰딩부(300)의 두께와 대응될 수 있다. 이에 따라, 상기 몰딩부(300)의 측면은 도 6의 제 2 실시예와 같이 상기 몰딩부(300)의 배면과 엇각을 이룰 수 있다. 또 다른 예로, 상기 블레이드의 끝단은 V자형일 수 있고, 상기 패턴(P)의 깊이는 상기 몰딩부(300)의 두께보다 작을 수 있다. 이에 따라, 상기 몰딩부(300)의 측면은 도 7의 제 3 실시예와 같이 몰딩부(300)의 배면과 엇각을 이룰 수 있고, 몸체부(100)의 상면을 덮으며 배치될 수 있다. 또 다른 예로, 상기 블레이드의 끝단은 단면이 V자형일 수 있다. 또한, 상기 패턴(P)의 깊이는 상기 몰딩부(300)의 두께보다 작을 수 있다. 이때, 상기 블레이드의 끝단은 단면이 서로 다른 각도를 가진 복수 개의 V자형일 수 있다. 이에 따라, 상기 몰딩부(300)의 측면은 도 8의 제 4 실시예와 같이 복수 개의 경사각을 가질 수 있고, 상기 몸체부(100)의 상면을 덮으며 배치될 수 있다. The step may be a step of physically forming a pattern P on the
이어서 몸체부(100)를 형성하는 단계가 진행될 수 있다. 도 19를 참조하면, 상기 몸체부(100)를 형성하는 단계는 상기 패턴(P) 내에 몸체부(100)를 충진하는 단계일 수 있다.Subsequently, the forming of the
상기 몸체부(100)는 수지 재질 또는 절연성 수지 재질을 포함할 수 있다. 상기 몸체부(100)는 백색 재질일 수 있다. 일례로, 상기 몸체부가 백색 재질일 경우, 상기 몸체부(100)는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다. 상기 몸체부(100)가 백색 재질인 경우 상기 발광소자(500)로부터 방출된 광을 반사시켜 줄 수 있어 광 반사 효율을 개선할 수 있다. 또한, 상기 몸체부(100)는 그 내부에 TiO2와 SiO2와 같은 고굴절 재질의 필러를 포함할 수 있다. The
또한, 상기 몸체부(100)를 형성하는 단계에서 상기 몸체부(100)의 상면에는 오목부(150)가 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 몸체부(100)의 상면에는 상기 몸체부(100)의 상면에서 배면을 향하는 방향으로 오목한 오목부(150)가 형성될 수 있다. 상기 오목부(150)의 깊이(h1)는 약 10㎛ 내지 약 70㎛일 수 있다. 자세하게, 상기 오목부(150)의 깊이(h1)는 약 15㎛ 내지 약 65㎛일 수 있다. 바람직하게, 상기 오목부(150)의 깊이는 약 20㎛ 내지 약 60㎛일 수 있다. 상기 오목부(150)의 깊이(h1)가 약 10㎛ 미만인 경우 상기 발광소자 패키지의 신뢰성이 저하될 수 있고, 상기 오목부(150)의 깊이(h1)가 약 70㎛를 초과할 경우 상기 발광소자 패키지의 전체적인 부피가 증가할 수 있다. 따라서, 상기 오목부(150)의 깊이(h1)는 상술한 범위를 만족하는 것이 바람직하다. 상기 몸체부(100)를 형성하는 단계 이후에 상기 몸체부(100)를 경화하는 단계가 더 진행될 수 있다.In addition, a
이어서, 몸체부(100)를 절단하는 단계가 진행될 수 있다. 도 20을 참조하면 상기 몸체부(100)를 절단하는 단계 이전에 상기 제 2 지지시트(20)는 제거될 수 있고, 예비 발광소자 패키지는 상면과 하면이 반전되어 상기 제 3 지지시트 상에 배치될 수 있다. 이후 상기 몸체부(100)는 커팅 라인(C/L)을 따라 절단될 수 있다. 이에 따라, 상기 복수 개의 발광소자 패키지를 제조할 수 있다. 이와 다르게, 도면에는 도시하지 않았으나 상기 절단하는 단계는 제 2 지지시트(20) 제거 및 예비 발광소자 패키지의 상하 반전 없이 바로 절단되어 복수 개의 발광소자 패키지를 제조할 수 있다. 즉, 도 19의 상태에서 도 20의 커팅 라인(C/L)을 추가하여 절단이 진행되어 복수 개의 발광소자 패키지를 제조할 수 있다.Subsequently, the cutting of the
즉, 실시예는 몸체부(100)를 포함하는 복수 개의 발광소자 패키지를 동시에 제조할 수 있다. 또한, 공정 중에 상기 몸체부의 간격 및 각도를 쉽게 조절할 수 있어 발광소자 패키지의 광속을 향상시킬 수 있다. 또한, 발광소자 패키지의 제조공정을 단순화하여 패키지의 전체적인 제조 시간 및 비용을 감소시킬 수 있으며 공정 효율을 향상시킬 수 있다.That is, the embodiment may simultaneously manufacture a plurality of light emitting device packages including the
이하 실시예와 비교예를 통하여 본 발명의 작용 및 효과를 보다 상세하게 설명한다.Through the following examples and comparative examples will be described in more detail the operation and effect of the present invention.
실시예 1Example 1
상술한 제조방법으로 발광소자 상에 상기 발광소자를 감싸는 몰딩부를 형성하였다. 이때, 상기 몰딩부는 평면에서 보았을 때 사각형 형상을 가지도록 형성하였다. 이어서, 상기 몰딩부의 제 1 측면과 제 2 측면 상에 제 1 몸체부 및 제 2 몸체부를 형성하였다. 상기 몰딩부의 제 3 측면과 제 4 측면 상에는 몸체부를 형성하지 않고 오픈 영역으로 형성하였다.A molding part surrounding the light emitting device was formed on the light emitting device by the above-described manufacturing method. At this time, the molding part was formed to have a rectangular shape when viewed in plan. Subsequently, a first body portion and a second body portion were formed on the first side and the second side of the molding part. On the third side and the fourth side of the molding part, the body part was formed as an open area without forming a body part.
이때, 상기 몰딩부의 제 1 측면은 상기 몰딩부의 배면과 약 138.1도의 경사각(제 1 경사각)을 가지도록 형성하였고, 상기 제 2 측면은 상기 몰딩부의 배면과 약 138.1도의 경사각(제 2 경사각)을 가지도록 형성하였다. 이에 따라, 상기 제 1 몸체부와 상기 몰딩부의 배면, 상기 제 2 몸체부와 상기 몰딩부의 배면이 약 138.1도의 경사각을 가지도록 형성하였다. 또한, 상기 발광소자와 상기 제 1 몸체부 사이의 간격(제 1 간격), 상기 발광소자와 상기 제 2 몸체부 사이의 간격(제 2 간격)이 약 20㎛ 갖도록 형성하였다. In this case, the first side of the molding part is formed to have an inclination angle (first inclination angle) of about 138.1 degrees with the rear surface of the molding part, and the second side has an inclination angle (second inclination angle) of about 138.1 degrees with the back surface of the molding part. It was formed to. Accordingly, the rear surface of the first body portion and the molding portion, and the rear surface of the second body portion and the molding portion are formed to have an inclination angle of about 138.1 degrees. In addition, the gap between the light emitting element and the first body portion (first interval) and the distance between the light emitting element and the second body portion (second interval) is formed to have about 20㎛.
이어서 실시예에 따른 발광소자 패키지의 광속을 측정하였다.Subsequently, the luminous flux of the light emitting device package according to the embodiment was measured.
실시예 2Example 2
제 1 경사각 및 제 2 경사각이 약 137도를 갖도록 형성하여, 상기 제 1 몸체부와 상기 몰딩부의 배면, 상기 제 2 몸체부와 상기 몰딩부의 배면이 약 137도의 경사각을 가지도록 형성하였다. 또한, 제 1 간격 및 제 2 간격이 약 50㎛ 갖도록 형성되는 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 발광소자 패키지를 제조하였다.The first inclination angle and the second inclination angle were formed to have about 137 degrees, so that the rear surface of the first body portion and the molding portion and the rear surface of the second body portion and the molding portion had an inclination angle of about 137 degrees. In addition, a light emitting device package was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the first and second intervals were formed to have about 50 μm.
이어서 실시예에 따른 발광소자 패키지의 광속을 측정하였다.Subsequently, the luminous flux of the light emitting device package according to the embodiment was measured.
실시예 3Example 3
제 1 경사각 및 제 2 경사각이 약 135도를 갖도록 형성하여, 상기 제 1 몸체부와 상기 몰딩부의 배면, 상기 제 2 몸체부와 상기 몰딩부의 배면이 약 135도의 경사각을 가지도록 형성하였다. 또한, 제 1 간격 및 제 2 간격이 약 100㎛ 갖도록 형성되는 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 발광소자 패키지를 제조하였다.The first inclination angle and the second inclination angle were formed to have about 135 degrees, so that the rear surface of the first body portion and the molding portion and the rear surface of the second body portion and the molding portion had an inclination angle of about 135 degrees. In addition, a light emitting device package was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the first and second intervals were about 100 μm.
이어서 실시예에 따른 발광소자 패키지의 광속을 측정하였다.Subsequently, the luminous flux of the light emitting device package according to the embodiment was measured.
실시예 4Example 4
제 1 경사각 및 제 2 경사각이 약 130.6도를 갖도록 형성하여, 상기 제 1 몸체부와 상기 몰딩부의 배면, 상기 제 2 몸체부와 상기 몰딩부의 배면이 약 130.6도의 경사각을 가지도록 형성하였다. 또한, 제 1 간격 및 제 2 간격이 약 200㎛ 갖도록 형성되는 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 발광소자 패키지를 제조하였다.The first inclination angle and the second inclination angle were formed to have about 130.6 degrees, and the rear surface of the first body portion and the molding portion and the rear surface of the second body portion and the molding portion were formed to have an inclination angle of about 130.6 degrees. In addition, a light emitting device package was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the first and second intervals were about 200 μm.
이어서 실시예에 따른 발광소자 패키지의 광속을 측정하였다.Subsequently, the luminous flux of the light emitting device package according to the embodiment was measured.
비교예 1Comparative Example 1
제 1 경사각 및 제 2 경사각이 약 90도를 갖도록 형성하여, 상기 제 1 몸체부와 상기 몰딩부의 배면, 상기 제 2 몸체부와 상기 몰딩부의 배면이 약 90도의 경사각을 가지도록 형성하였다. 또한, 제 1 간격 및 제 2 간격이 약 20㎛ 갖도록 형성되는 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 발광소자 패키지를 제조하였다.The first inclination angle and the second inclination angle were formed to have about 90 degrees, so that the rear surface of the first body portion and the molding portion and the rear surface of the second body portion and the molding portion had an inclination angle of about 90 degrees. In addition, a light emitting device package was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the first and second intervals were about 20 μm.
(°, 도)First inclination angle
(°, degree)
(°, 도)Second inclination angle
(°, degree)
(㎛)1st thickness
(Μm)
(㎛)2nd thickness
(Μm)
표 1에서 실시예 1 내지 실시예 4의 광속은 비교예 1의 광속 값을 100%로 하였을 때의 광속 값의 비율을 퍼센트(%)로 표시한 것을 의미할 수 있다. In Table 1, the luminous fluxes of Examples 1 to 4 may mean that the ratio of luminous flux values when the luminous flux value of Comparative Example 1 is 100% is expressed as a percentage (%).
표 1을 참조하면, 실시예에 따른 발광소자 패키지는 약 125도 내지 약 145도의 경사각을 가지는 몸체부를 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 발광소자 패키지는 약 130도 내지 140도일 수 있다. 또한, 발광소자와 몸체부 사이의 간격은 약 15㎛ 내지 약 220㎛일 수 있다. 자세하게, 상기 발광소자와 몸체부 사이의 간격은 약 약 20㎛ 내지 약 200㎛일 수 있다. Referring to Table 1, the light emitting device package according to the embodiment may include a body portion having an inclination angle of about 125 degrees to about 145 degrees. In detail, the light emitting device package may be about 130 degrees to about 140 degrees. In addition, the distance between the light emitting device and the body portion may be about 15㎛ to about 220㎛. In detail, the distance between the light emitting device and the body portion may be about 20 μm to about 200 μm.
상기 표 1을 참조하면 실시예에 따른 발광소자 패키지는 비교예에 따른 발광소자 패키지보다 향상된 광속을 가지는 것을 알 수 있다. 자세하게, 발광소자와 몸체부 사이의 간격이 동일한 실시예 1과 비교예 1을 참조하면 몸체부가 경사각을 가짐에 따라 광속이 약 5% 향상되는 것을 알 수 있다. 또한, 상기 경사각이 상술한 범위 중 약 137도이고, 상기 간격이 상술한 범위 중 약 50㎛를 만족하는 경우 가장 향상된 광속 값을 가지는 것을 알 수 있다.Referring to Table 1, it can be seen that the light emitting device package according to the embodiment has an improved luminous flux than the light emitting device package according to the comparative example. In detail, referring to Example 1 and Comparative Example 1 having the same spacing between the light emitting element and the body portion, it can be seen that the luminous flux is improved by about 5% as the body portion has an inclination angle. In addition, it can be seen that the inclination angle is about 137 degrees among the above-mentioned ranges, and when the interval satisfies about 50 μm among the above-mentioned ranges, it has the most improved luminous flux value.
즉, 실시예예 따른 발광소자 패키지는 상술한 발광소자와 몸체부 사이의 간격을 가지고, 상기 몸체부가 상술한 경사각을 가짐에 따라 발광소자로부터 방출되는 광을 상부 방향으로 효과적으로 반사시킬 수 있고 보다 향상된 광속을 가질 수 있다. That is, the light emitting device package according to the embodiment has a gap between the above-described light emitting device and the body portion, and as the body portion has the aforementioned inclination angle, it is possible to effectively reflect the light emitted from the light emitting device in the upward direction and more improved luminous flux Can have
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, and the like described in the above embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, contents related to such combinations and modifications should be construed as being included in the scope of the present invention.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In addition, the above description has been made with reference to the embodiment, which is merely an example, and is not intended to limit the present invention. Those skilled in the art to which the present invention pertains will be illustrated as above without departing from the essential characteristics of the present embodiment. It will be appreciated that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified. And differences relating to such modifications and applications will have to be construed as being included in the scope of the invention defined in the appended claims.
Claims (11)
상기 발광소자를 감싸는 몰딩부; 및
상기 몰딩부의 측면 상에 배치되며 상기 발광소자와 이격되는 몸체부를 포함하고,
상기 제 1 및 제 2 본딩부는 상기 몰딩부의 배면으로부터 노출되고,
상기 몸체부는, 상기 몰딩부의 제 1 측면 상에 배치되는 제 1 몸체부 및 상기 몰딩부의 제 1 측면과 마주하는 제 2 측면 상에 배치되는 제 2 몸체부를 포함하고,
상기 제 1 및 제 2 몸체부는, 상기 제 1 및 제 2 몸체부 각각의 배면에 제공되는 오목부를 포함하고,
상기 오목부는 상기 제 1 및 제 2 몸체부 각각의 배면에서 상면을 향하는 방향으로 오목한 발광소자 패키지.A light emitting device including first and second bonding parts;
A molding part surrounding the light emitting device; And
A body part disposed on a side of the molding part and spaced apart from the light emitting device;
The first and second bonding portions are exposed from the rear surface of the molding portion,
The body portion includes a first body portion disposed on a first side of the molding portion and a second body portion disposed on a second side facing the first side of the molding portion,
The first and second body parts, including a recess provided on the back of each of the first and second body parts,
The concave portion recessed in the direction toward the upper surface from the back surface of each of the first and second body portion package.
상기 몰딩부의 상면은 상기 몸체부의 상면과 동일 평면 상에 배치되고,
상기 몰딩부의 배면은 상기 오목부보다 수직 방향으로 하부에 위치하는 발광소자 패키지.The method of claim 1,
The upper surface of the molding portion is disposed on the same plane as the upper surface of the body portion,
The back surface of the molding portion is a light emitting device package located below the recess in a vertical direction.
상기 오목부의 깊이는 상기 발광소자로부터 멀어질수록 깊어지는 발광소자 패키지.The method of claim 1,
The concave portion is deeper away from the light emitting device is a light emitting device package.
상기 오목부의 깊이는 20㎛ 내지 60㎛인 발광소자 패키지.The method of claim 1,
The concave portion has a depth of 20㎛ 60㎛ light emitting device package.
상기 몸체부는 상기 몰딩부와 접하는 내측면을 포함하고,
상기 몸체부의 내측면과 상기 몰딩부의 배면 사이의 경사각은, 130도 내지 140도인 발광소자 패키지.The method of claim 1,
The body portion includes an inner surface in contact with the molding portion,
The inclination angle between the inner surface of the body portion and the rear surface of the molding portion, 130 to 140 degrees light emitting device package.
상기 몸체부의 내측면과 상기 발광소자 사이의 간격은, 상기 몰딩부의 배면으로부터 멀어질수록 증가하는 발광소자 패키지.The method of claim 5,
The distance between the inner surface of the body portion and the light emitting device, the light emitting device package increases as the distance from the back surface of the molding.
상기 몸체부의 내측면과 상기 발광소자 사이의 간격은, 15㎛ 내지 220㎛인 발광소자 패키지.The method of claim 5,
The interval between the inner surface of the body portion and the light emitting device, the light emitting device package is 15㎛ to 220㎛.
상기 몸체부는 상기 몰딩부와 접하는 내측면을 포함하고,
상기 몸체부의 내측면과 상기 몰딩부의 배면은 수직인 발광소자 패키지.The method of claim 1,
The body portion includes an inner surface in contact with the molding portion,
The inner surface of the body portion and the back of the molding portion is a vertical light emitting device package.
평면에서 보았을 때, 상기 몰딩부는 사각형 형상을 가지고,
상기 몰딩부는 상기 제 1 및 제 2 측면을 연결하는 제 3 및 제 4 측면을 더 포함하고,
상기 몸체부는, 상기 제 3 측면 상에 배치되는 제 3 몸체부 및 상기 제 4 측면 상에 배치되는 제 4 몸체부를 더 포함하는 발광소자 패키지.The method of claim 1,
When viewed in plan, the molding part has a rectangular shape,
The molding part further includes third and fourth side surfaces connecting the first and second side surfaces,
The body portion further comprises a third body portion disposed on the third side and a fourth body portion disposed on the fourth side.
상기 제 1 내지 제 4 몸체부는 일체로 형성되는 발광소자 패키지.The method of claim 9,
The first to fourth body parts are integrally formed light emitting device package.
상기 기재 및 상기 발광소자 상에 몰딩부를 형성하는 단계;
상기 몰딩부 상에 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 패턴 상에 몸체부를 형성하는 단계를 포함하고,
상기 몸체부를 형성하는 단계에서, 상기 몸체부의 상면에는 오목부가 형성되고, 상기 오목부는 상기 몸체부의 상면에서 배면을 향하는 방향으로 오목한 발광소자 패키지의 제조방법.Disposing a light emitting device including first and second bonding parts on a substrate;
Forming a molding part on the substrate and the light emitting device;
Forming a pattern on the molding part; And
Forming a body portion on the pattern;
In the step of forming the body portion, a concave portion is formed on the upper surface of the body portion, the concave portion is a manufacturing method of the light emitting device package concave in the direction toward the rear surface from the upper surface.
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