KR20190134445A - 성막 장치, 성막 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법 - Google Patents

성막 장치, 성막 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법 Download PDF

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KR20190134445A
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캐논 톡키 가부시키가이샤
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Abstract

[과제] 성막 장치의 성막 처리에 있어서의 생산성의 향상을 도모할 수 있는 기술을 제공한다.
[해결 수단] 진공으로 유지되는 기판 반송실(12)과, 기판(10)을 반입 및 반출하기 위한 반입출구(22a, 22b)를 가지는 제1 진공 성막실(20a, 20b)과, 기판(10)을 반입하기 위한 반입구(32)와, 기판(10)을 반출하기 위한 반출구(34)를 따로따로 가지는 제2 진공 성막실(30)을 구비하고, 제1 진공 성막실(20a, 20b)은, 반입출구(22a, 22b)를 거쳐서 기판 반송실(12)과의 사이에서 기판(10)이 반입 및 반출되고, 제2 진공 성막실(30)은, 반입구(32)를 거쳐서 기판 반송실(12)로부터 기판(10)이 반입되고, 반입구(10)를 거쳐서 기판 반송실(12)로 기판(10)이 반출되지 않는 것을 특징으로 한다.

Description

성막 장치, 성막 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법{FILM FORMATION APPARATUS, FILM FORMATION METHOD AND MANUFACTURING METHOD OF ELECTRONIC DEVICE}
본 발명은, 성막 장치, 성막 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법에 관한 것이다.
전자 디바이스의 제조에 있어서 기판에 성막 처리를 행하는 성막 장치의 구성으로서, 반송실을 중심으로, 그 주위에 각종의 성막실을 클러스터 형상으로 배치하고, 반송실을 기점으로 하여 기판을 각 성막실로 순차 반송하여 성막 처리를 행하는 구성이 알려져 있다. 또한, 특허문헌 1에는, 클러스터식의 배치와 인라인식의 배치를 조합한 성막 장치의 구성이 개시되어 있다. 구체적으로는, 반송실에 대해서 클러스터식으로 배치되는 성막실 가운데, 스퍼터링을 행하는 스퍼터실을, 각각 타겟 재료가 다른 복수의 스퍼터 에리어가 직렬로 연속 배치되도록 구성한 성막 장치이다.
국제공개 제2010/044237호
성막 장치에 있어, 반송실 및 각 성막실은, 소정의 압력으로 되어 기판의 반송 및 성막 처리가 행해지는데, 성막실마다 압력의 설정이 다르기 때문에, 기판을 각 성막실 사이에서 이동시킬 때에 조압(調壓)이 필요하게 된다. 이 조압 공정은, 제조 택트나 수율 등 생산성을 저하시키는 요인이 된다. 또한, 특허문헌 1에 개시된 구성에 있어서는, 인라인식으로 구성된 스퍼터실의 가장 안쪽의 스퍼터 에리어까지 반송하여 성막 처리를 끝낸 기판은, 지금까지의 경로를 되돌려 반송실까지 되돌릴 필요가 있다. 이 귀로의 기판 반송 공정이, 생산성을 저하시키는 요인이 된다.
본 발명은, 성막 장치의 성막 처리에 있어서의 생산성의 향상을 도모할 수 있는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 측면으로서의 성막 장치는,
진공으로 유지되는 기판 반송실과,
기판을 반입 및 반출하기 위한 반입출구를 가지는 제1 진공 성막실과,
기판을 반입하기 위한 반입구와, 기판을 반출하기 위한 반출구를 따로따로 가지는 제2 진공 성막실
을 구비하고,
상기 제1 진공 성막실은, 상기 반입출구를 거쳐서 상기 기판 반송실과의 사이에서 기판이 반입 및 반출되고,
상기 제2 진공 성막실은, 상기 반입구를 거쳐서 상기 기판 반송실로부터 기판이 반입되고, 상기 반입구를 거쳐서 상기 기판 반송실로 기판이 반출되지 않는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 다른 일 측면으로서의 성막 방법은,
기판을, 기판 반송실로부터 제1 진공 성막실로 반입하여 성막 처리를 행하는 제1 성막 공정과,
상기 제1 진공 성막실에서 성막 처리된 기판을, 상기 기판 반송실을 경유하여 제2 진공 성막실로 반입하여 성막 처리를 행하는 제2 성막 공정과,
상기 제2 진공 성막실에서 성막 처리된 기판을, 상기 기판 반송실을 경유하지 않고 상기 제2 진공 성막실로부터 반출하는 반출 공정
을 구비하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 다른 일 측면으로서의 전자 디바이스의 제조 방법은,
기판을, 기판 반송실로부터 제1 진공 성막실로 반입하여 성막 처리를 행하는 제1 성막 공정과,
상기 제1 진공 성막실에서 성막 처리된 기판을, 상기 기판 반송실을 경유하여 제2 진공 성막실로 반입하고 성막 처리를 행하는 제2 성막 공정과,
상기 제2 진공 성막실에서 성막 처리된 기판을, 상기 기판 반송실을 경유하지 않고 상기 제2 진공 성막실로부터 반출하는 반출 공정과,
상기 제2 진공 성막실로부터 반출된 기판을 봉지하는 봉지 공정
을 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 성막 장치의 성막 처리에 있어서의 생산성의 향상을 도모할 수 있다.
[도 1] 본 발명의 실시예 1에 관한 성막 장치의 구성을 나타내는 모식적 평면도이다.
[도 2] 본 발명의 실시예 1에 있어서의 성막 처리의 흐름도이다.
[도 3] 본 발명의 실시예 1에 관한 성막 장치의 증착실의 구성을 나타내는 모식적 평면도이다.
[도 4] 본 발명의 실시예 1에 관한 성막 장치의 스퍼터실의 구성을 나타내는 모식적 평면도이다.
[도 5] 본 발명의 실시예 2에 관한 성막 장치의 구성을 나타내는 모식적 평면도이다.
[도 6] 본 발명의 실시예 2에 있어서의 성막 처리의 흐름도이다.
[도 7] 본 발명의 비교예에 관한 성막 장치의 구성을 나타내는 모식적 평면도이다.
[도 8] 본 발명의 비교예에 있어서의 성막 처리의 흐름도이다.
이하에 도면을 참조하여, 이 발명을 실시하기 위한 형태를, 실시예에 기초하여 예시적으로 상세히 설명한다. 다만, 이 실시형태에 기재되어 있는 구성부품의 치수, 재질, 형상, 그들의 상대 배치 등은, 발명이 적용되는 장치의 구성이나 각종 조건에 따라 적절히 변경되어야 하는 것이다. 즉, 이 발명의 범위를 이하의 실시형태에 한정하는 취지의 것이 아니다.
본 발명은, 기판 상에 박막을 형성하는 성막 장치 및 그 제어 방법에 관한 것이다. 본 발명은, 평행 평판의 기판의 표면에 소망하는 패턴의 박막(재료층)을 형성하는 성막 처리실로서, 진공 증착에 의해 박막의 형성을 행하는 증착실과, 스퍼터링에 의해 박막의 형성을 행하는 스퍼터실을 구비하는 성막 장치에 바람직하게 적용할 수 있다. 기판의 재료로서는, 글라스, 수지, 금속 등의 임의의 재료를 선택할 수 있으며, 또한, 증착 재료나 스퍼터링의 타겟 재료로서도, 유기 재료, 무기 재료(금속, 금속 산화물 등) 등의 임의의 재료를 선택할 수 있다. 본 발명의 기술은, 구체적으로는, 발광소자나 광전변환 소자, 터치 패널 등의 전자 디바이스나, 광학 부재 등의 제조에 적용할 수 있다. 그 중에서, 본 발명의 기술은, 유기 EL(ErectroLuminescence) 소자 등의 유기 발광소자나, 유기 박막 태양 전지 등의 유기 광전변환 소자의 제조에 바람직하게 적용할 수 있다. 또한, 본 발명에 있어서의 전자 디바이스는, 발광소자를 구비한 표시장치(예를 들어 유기 EL 표시장치)나 조명장치(예를 들어 유기 EL 조명장치), 광전변환 소자를 구비한 센서(예를 들어 유기 CMOS 이미지 센서)도 포함하는 것이다.
[실시예 1］
＜성막 장치 및 성막 프로세스＞
도 1은, 본 발명의 실시예 1에 관한 성막 장치(1a)의 구성을 나타내는 모식적 평면도이다. 도 1의 성막 장치(1a)는, 예를 들어, 각종 반도체 디바이스, 자기 디바이스, 전자 부품, 광학 부품 등의 전자 디바이스의 제조 장치(100)에 있어, 기판(10)에 대한 성막 처리의 역할을 담당하는 구성이다. 제조 장치(100)에 있어서는, 예를 들어, 스마트폰용의 표시 패널의 제조의 경우, 예를 들어 약 1800mm × 약 1500mm, 두께 약 0.5mm 사이즈의 기판에 유기 EL을 구성하는 각 층의 성막을 행한 후, 당해 기판을 다이싱하여 복수의 소 사이즈의 패널이 제작된다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 성막 장치(1a)는, 개략, LL(로드락)실(11a)과, 반송실(12)과, 스톡실(13)(버퍼실이라고도 칭함)과, 증착실(20a, 20b)과, 스퍼터실(30)과, 후 처리실(40)과, LL실(11b)을 구비한다. 본 실시예에 있어서는, 증착실(20a, 20b)은 기판(10)에 유기 재료로 이루어지는 막의 성막을 행하는 성막실이며, 스퍼터실(30)은 기판(10)에 무기 재료로 이루어지는 막의 성막을 행하는 성막실이지만, 이에 한정되지 않는다. 또한, 본 명세서에 있어서, 「기판에 막의 성막을 행한다」란, 기판의 표면에 직접 막을 성막하는 경우, 및, 기판의 표면에 형성된 막 위에 다른 막을 성막하는 경우의 양방을 포함한다. 반송실(12)을 중심으로 하여, 반송실(12)을 둘러싸도록 LL실(11a), 스톡실(13), 2개의 증착실(20a, 20b), 스퍼터실(30)이 클러스터 형상으로 배치되어 있다. 반송실(12)을 기점으로 한, LL실(11a), 스톡실(13), 2개의 증착실(20a, 20b), 스퍼터실(30)에 대한 기판(10)의 반송(반출·반입)은, 반송실(12)에 배치한 로봇 핸드(12a)가 기판(10)을 담지하여 행한다. 또한, 스퍼터실(30) 이후는 인라인식으로 구성되어 있다. 스퍼터실(30) 내에 있어서의 기판(10)의 반송 및 스퍼터실(30)로부터 후 처리실(40), LL실(11b)로의 반송은, 기판(10)을 보유지지하는 기판 홀더(12b)(도4 참조)를 도시하지 않는 반송 기구에 의해 반송함으로써 행한다. 또한, 여기에 나타내는 기판 반송 수단은 어디까지나 일례이며, 이들에 한정되는 것이 아니며, 기존의 기술을 적절히 채용해도 좋다.
성막 장치(1a)에 있어서의 각 실(室)에는, 조압 수단으로서, 크라이오 펌프나 TMP(터보 몰레큘러 펌프) 등으로 이루어지는 배기 장치가 각각 접속되어 있어, 각 실의 압력이 조정 가능하게 구성되어 있다. 본 실시예의 성막 장치(1a)는, 반송실(12)의 실내 압력을 제1 진공 성막실로서의 증착실(20a, 20b)의 실내 압력과 동등(진공)으로 유지하고, 제2 진공 성막실로서의 스퍼터실(30)의 실내 압력을 적절히 조정하여, 기판(10)의 반송·성막 처리를 행하는 구성으로 되어 있다. 또한, 본 명세서에 있어서 「진공」이란, 대기압보다 낮은 압력의 기체로 채워진 공간 내의 상태를 말한다.
도 2도 참조하면서, 본 실시예의 성막 장치(1a)에 있어서의 성막 처리(기판 반송)의 흐름에 대해 설명한다. 도 2는, 본 발명의 실시예 1에 있어서의 성막 처리의 흐름도이다.
성막 처리를 실시하는 대상물인 기판(10)은, 스톡실(13) 내에 복수 반입되어, 스탠바이 된다. 구체적으로는, 기판(10)은, 먼저, 외부로부터 LL실(11a)로 반입된다. LL실(11a)은, 도시하지 않는 상기 배기 장치에 의해, 실내 압력을 대기압으로부터 반송실(12)의 실내 압력과 동등의 압력으로 조압된다. LL실(11a)의 실내 압력이 소정의 압력으로 되면, 기판(10)은, LL실(11a)로부터 반출되어, 기판 반송실로서의 반송실(12)을 경유하여, 스톡실(13)로 반입된다. 이와 같이 하여, 복수의 기판(10)이 스톡실(13)로 반입된다.
또한, 본 실시예에서는 LL실(11a)로부터 반입된 기판(10)이 스톡실(13)로 반입되는 것으로 하였지만, 이에 한정되지 않으며, LL실(11a)로부터 반입된 기판(10)은 반송실(12)을 경유하여 직접, 제1 증착실(20a)로 반입되어도 좋다. 또한, 스톡실(13)은 증착실(20a, 20b)에 있어서의 성막 처리 전에 기판(10)을 수용해도 좋고, 성막 처리 후에 기판(10)을 수용해도 좋다. 증착실(20a, 20b)에 있어서의 성막 처리 전에 기판(10)을 수용함으로써, 스톡실(13) 내에서 기판(10)의 탈가스 등의 전 처리를 행할 수도 있다. 증착실(20a, 20b)에 있어서의 성막 처리 후에 기판(10)을 수용함으로써, 예를 들어 그 후의 공정(스퍼터실(30)에 있어서의 성막 처리 등)에서 트러블이 있었을 경우 등에, 증착실(20a, 20b)에 있어서의 성막 처리가 이루어진 기판(10)을 대기시켜 둘 수 있다.
스톡실(13)에 담겨진 복수의 기판(10)은, 1매씩 순차, 스톡실(13)로부터 반출되어, 반송실(12)을 경유하여 제1 증착실(20a)로 반입되고, 증착 처리에 의한 성막이 실시된다(S101: 제1 성막 공정). 반송실(12)의 실내 압력과 증착실(20a, 20b)의 실내 압력은 동등으로 유지되고 있으므로, 반송실(12)과 증착실(20a, 20b)과의 사이에 있어서의 기판의 반송에 있어, 특단의 조압 공정을 필요로 하지 않는다. 반송실(12)과 증착실(20a, 20b)의 실내 압력은, 본 실시예에 있어서는, 약 1×10－ 5 Pa 정도로 유지되고 있다.
또한, 반송실(12)과 증착실(20a, 20b)의 각각의 실내 압력은, 기판(10)의 성막 처리나 반송에 영향을 미치지 않는 범위에서, 다소의 압력차가 있어도 된다.
도 3은, 본 실시예와 관련되는 성막 장치의 증착실(20a, 20b)의 구성을 나타내는 모식적 평면도이다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 증착실(20a)은, 증착실(20a)을 구획하는 하우징(21a)과, 게이트 밸브가 설치된 반입출구(22a)와, 증착 재료로서 유기 재료가 수용된 증착원 용기(23a)와, 증착실(20a)의 실내 압력을 조정하기 위한 배기 장치(25a)를 구비한다. 증착원 용기(23a)에는, 수용한 증착 재료를 증발시키기 위한 히터(도시하지 않음)가 일체로 설치되어 있다.
본 실시예의 증착실(20a)은, 한 번에 2매의 기판(10a, 10b)을 수용가능하고, 일방의 기판(10a)의 증착 처리를 행하고 있는 동안에, 타방의 기판(10b)의 반입(기판(10b)의 후에 증착 처리를 행하는 경우) 혹은 반출(증착 처리를 끝내어 있는 경우)이 가능하다. 즉, 수용한 2매의 기판(10a, 10b)에 대해서 교대로 증착 처리를 행할 수 있도록 구성되어 있다. 일방의 기판(10a)은, 증착실(20a) 내에 있어서의 일방의 측(도3 좌측)에, 반입출구(22a)를 거쳐서, 도 3 중의 화살표 A 방향으로 반입·반출된다. 타방의 기판(10b)은, 기판(10a)과는 반대 측의 증착실(20a) 내에 있어서의 타방의 측(도3 우측)에, 반입출구(22a)를 거쳐서, 도 3 중의 화살표 B 방향으로 반입·반출된다. 기판(10a, 10b)은, 반입된 각각의 위치에 있어, 증착 처리가 실시된다.
증착원 용기(23a)는, 증착실(20a) 내에 배치된 기판(10a, 10b)에 대해서 상대 이동하려고 증착실(20a) 내를 이동 가능하게 구성되어 있다. 일방의 기판(10a)에 대한 증착 처리에서는, 기판(10a) 하면의 피처리면(피성막면)과 도시하지 않는 마스크를 거쳐 대향하는 위치에 있어서, 기판(10a)과의 상대 위치를, 기판(10a)의 종 방향(기판 장변 방향(화살표 Y1 방향))으로 변화시키도록 이동(왕복 이동)한다. 이에 의해, 히터의 가열에 의해 증착원 용기(23a)로부터 증발한 증착 재료를 기판(10a)의 피처리면에 골고루 부착·퇴적시킨다. 일방의 기판(10a)에 대한 증착 처리를 끝내면, 타방의 기판(10b) 하면의 피처리면과 도시하지 않는 마스크를 거쳐서 대향하는 위치로 이동한다. 그리고, 기판(10b)의 피처리면과 대향하는 위치에 있어, 기판(10b)과의 상대 위치를, 기판(10b)의 종 방향(화살표 Y2 방향)으로 변화시키도록 이동(왕복 이동)한다. 이에 의해, 히터 가열에 의해 증착원 용기(23a)로부터 증발한 증착 재료를 기판(10b)의 피처리면에 골고루 부착·퇴적시킨다.
본 실시예에서는, 기판(10a, 10b)을 횡치(橫置), 즉 기판 피처리면이 수평 방향으로 연장하고, 또한 하방을 향하는 자세로 반송되고, 증착원 용기(23a)가, 기판(10a, 10b)에 대해서 하방에 배치되는 구성으로 하고 있지만, 이러한 구성으로 한정되는 것이 아니다.
기판(10a, 10b)을 종치(縱置), 즉 기판 피처리면이 연직 방향으로 연장하고, 또한 수평 방향을 향하는 자세로 반송되고, 증착원 용기(23a)가, 기판 피처리면에 대해서 수평 방향으로 대향하도록 배치되는 구성으로 해도 된다.
또한, 증착실(20a)에 수용 가능한 기판의 매수는, 3매 이상으로 해도 좋고, 1매만 수용 가능한 구성으로 해도 좋다.
이상과 같이, 제1 증착실(20a)에 있어서의 증착 처리를 실시한 기판(10)은, 증착실(20a)로부터 반출되고, 반송실(12)을 경유하여 제2 증착실(20b)로 반입되고, 증착실(20a)과는 다른 증착 재료에 의한 증착 처리가 실시된다(S102).
증착실(20b)은, 증착실(20a)과 마찬가지로, 하우징(21b)과, 반입출구(22b)와, 증착원 용기(23b)와, 배기 장치(25b)를 구비한다. 이들 각 구성은, 증착 재료의 종류가 다른 것을 제외하고는, 증착실(20a)의 하우징(21a), 반입출구(22a), 증착원 용기(23a), 배기 장치(25a)와 마찬가지로 구성되어 있어, 설명을 생략한다.
증착실(20a, 20b)에 의한 성막 처리는, 예를 들어, 스마트폰이나 텔레비젼, 카메라 등에 이용되는 표시 패널에 있어서의 유기 재료로 이루어지는 각종 발광층 등의 형성에 적합하게 이용된다.
또한, 상기 설명에서는 제1 증착실(20a) 및 제2 증착실(20b)을 통틀어서 제1 진공 성막실로서 설명했지만, 제1 증착실(20a)은 제3 진공 성막실, 제2 증착실(20b)은 제1 진공 성막실로서 파악할 수도 있다. 즉, 제3 진공 성막실인 제1 증착실(20a)에서 성막 처리된 기판(10)은, 반송실(12)을 거쳐서 제1 진공 성막실인 제2 증착실(20b)로 반입되고, 제1 진공 성막실에서 성막 처리된다.
제2 증착실(20b)에 있어서의 증착 처리를 끝낸 기판(10)은, 증착실(20a)로부터 반출되고, 반송실(12)을 경유하여, 미리 반송실(12)(증착실(20a, 20b))의 실내 압력과 동등의 실내 압력으로 조압된 스퍼터실(30)로 반입된다(S103).
또한, 반송실(12)과 스퍼터실(30) 각각의 실내 압력은, 기판(10)의 성막 처리나 반송에 영향을 미치지 않는 범위에서, 다소의 압력차가 있어도 된다. 조압 후(감압 후)의 스퍼터실(30)과 반송실(12)의 압력차(압력비)는, 성막 처리 시에 있어서의 스퍼터실(30)과 반송실(12)의 압력차(압력비)보다 작아진다.
도 4는, 본 실시예에 관한 성막 장치의 스퍼터실(30)의 구성을 나타내는 모식적 평면도이다. 도 4에 나타내는 바와 같이, 스퍼터실(30)은, 스퍼터실(30)을 구획하는 하우징(31)과, 각각 게이트 밸브가 설치된 반입구(32) 및 반출구(34)와, 캐소드 유닛(33)과, 스퍼터실(30)의 실내 압력을 조정하기 위한 배기 장치(35)를 구비한다.
스퍼터실(30)에 의한 성막 처리는, 예를 들어, 스마트폰이나 텔레비젼, 카메라 등에 이용되는 표시 패널에 있어서의 전극이나 배선의 형성에 적합하게 이용된다.
캐소드 유닛(33)은, 스퍼터링에 의한 성막 재료로서의 타겟, 자석 유닛, 캐소드 전극 등을 구비하고, 도시하지 않은 고주파 전원에 접속되어 있다. 타겟의 재료로서는, 예를 들어, Cu, Al, Ti, Mo, Cr, Ag, Au, Ni 등의 금속 타겟과 그 합금재를 들 수 있다.
스퍼터실(30)은, 실내 상방에 기판(10)의 반송 경로가 설치되고, 그 하방에 캐소드 유닛(33)이 배치되어 있다. 스퍼터실(30)은, 반입구(32), 반출구(34)의 각각의 게이트 밸브가 닫혀진 상태에서, 배기 장치(35)에 의해, 스퍼터링 프로세스에 적합한 실내 압력으로 조정(전형적으로는 증압)된다. 스퍼터링 프로세스에 적합한 실내 압력은, 1×10－ 2 Pa~1×101 Pa 정도이며, 전형적으로는 약 1×10－ 1 Pa 정도이다. 그와 함께, 가스 공급원(36)으로부터, 스퍼터링 가스가 유량 제어되어 스퍼터실(30) 내로 공급된다. 이에 의해, 스퍼터실(30)의 내부에 스퍼터링 분위기가 형성된다. 스퍼터링 가스로서는, 예를 들어 Ar, Kr, Xe 등의 희가스나 성막용의 반응성 가스가 이용된다. 또한, 스퍼터실(30)의 실내 압력의 조정(조압)은, 배기 장치(35)에 의해서만 행하여도 좋고, 배기 장치(35)와 가스 공급원(36)을 병용하여 행하여도 좋다(이하 마찬가지이다). 이와 같이 하여, 스퍼터실(30)이 조압된다(S104).
상술한 스퍼터링 분위기의 형성과, 캐소드 유닛(33)에 설치된 캐소드 전극을 음극으로 하고, 스퍼터실(30)의 벽부인 하우징(31)을 양극으로 한, 도시하지 않는 고주파 전원으로부터의 전압 인가에 의해, 타겟의 표면 근방에 플라스마 영역이 생성된다. 플라스마 영역의 생성에 의해 생성되는 스퍼터링 가스 이온과 타겟과의 충돌에 의해, 타겟 입자가 타겟 표면으로부터 방출된다. 타겟으로부터 방출된 타겟 입자가 기판(10)을 향해 비상, 퇴적함으로써 기판(10)의 피성막면에 성막이 이루어진다(S105：제2 성막 공정).
캐소드 유닛(33)은, 스퍼터실(30) 내에 배치된 기판(10)에 대해 상대 이동하려고 스퍼터실(30) 내를 이동 가능하게 구성되어 있다. 기판(10)의 피처리면(하면)과 대향하는 위치에 있어, 기판(10)과의 상대 위치를, 스퍼터실(30)에 있어서의 기판(10)의 반송 경로(화살표 C, D 방향)와 직교하는 방향(화살표 Z 방향)으로 변화시키도록 이동(왕복 이동)한다. 이에 의해, 기판(10)의 피처리면에 골고루 성막을 행한다.
본 실시예의 스퍼터실(30)에서는, 기판(10)의 반송 방향을 기판(10)의 장변 방향에 맞추는 구성으로 하고 있다. 이렇게 함으로써 스퍼터실(30)에 있어서의 기판의 반송 스페이스를 좁게 할 수 있다. 또한, 캐소드 유닛(33)의 기판(10)에 대한 주사 방향을 기판(10)의 단변 방향에 맞춤으로써 성막 얼룩을 저감할 수 있다.
또한 본 실시예의 스퍼터실(30)에서는, 증착실(20)과 마찬가지로, 기판(10)을 횡치로 하고, 캐소드 유닛(33)이, 기판(10)에 대해서 하방에 배치되는 구성으로 하고 있지만, 이러한 구성으로 한정되는 것이 아니다. 기판(10)을 횡치로 하고, 캐소드 유닛(22)이 기판(10)에 대해서 상방에 배치되는 구성(기판(10)의 피처리면이 상면이 되는 구성)이여도 좋고, 기판(10)을 종치로 하는 구성이여도 좋다.
본 실시예에 있어서의 스퍼터실(30)은, 반입구(32)가 게이트 밸브를 거쳐서 반송실(12)과 접속되고, 반출구(34)가 게이트 밸브를 거쳐서 처리실(40)과 접속되어 있다. 즉, 스퍼터실(30)은, 증착실(20a, 20b)과 달리, 기판의 반입구(32)와 기판의 반출구(34)를 따로따로 가지고 있고, 반출구(34)는 반송실(12)과 연결되지 않았다. 환언하면, 반출구(34)는 반입구(32)를 거쳐서 반송실(12)과 연결되어 있다. 본 실시예에 있어서의 스퍼터실(30)은, 반송실(12)과 후 처리실(40)과의 사이에 인 라인식으로 접속되고, 반송실(12)로부터 후 처리실(40)까지의 기판(10)의 반송의 흐름이, 일 방향(반송실(12)→스퍼터실(30)→후 처리실(40))이 되도록 구성되어 있다. 즉, 스퍼터실(30)의 반입구(32)를 통과하여 스퍼터실(30) 내로 반입된 기판(10)은, 그 후, 반입구(32)를 통과하는 일은 없다. 보다 구체적으로는, 스퍼터실(30)의 전후에 있어서, 기판(10)은, 반입구(32), 스퍼터실(30), 반출구(34)를 이 순서로 경유하여 반송되고, 반출구(34)로부터 반출된 후에는, 반입구(32) 및 반출구(34)를 통과하는 일은 없다.
스퍼터실(30)에서의 스퍼터링에 의한 기판(10)의 성막 처리를 끝내면, 스퍼터실(30)의 실내 압력은, 반출처의 실로서의 후 처리실(40)의 실내 압력으로 맞추기 위해, 배기 장치(35)에 의해 조압된다(S106). 조압 후의 스퍼터실(30)과 후 처리실(40)의 각각의 실내 압력은, 기판(10)의 성막 처리나 반송에 영향을 미치지 않는 범위에서, 다소의 압력차가 있어도 된다. 조압 후의 스퍼터실(30)과 후 처리실(40)과의 압력차(압력비)는, 성막 처리 시에 있어서의 스퍼터실(30)과 후 처리실(40)과의 압력차(압력비)보다 작아진다. 조압이 완료하면 반출구(34)의 게이트 밸브가 열리고, 반출구(34)를 거쳐서 스퍼터실(30)로부터 후 처리실(40)로 기판(10)이 반출된다(S107: 반출 공정). 이상의 구성에 의해, 전자 디바이스의 제조 장치(100)의 성막 장치(1a)에 있어서의 성막 처리가 완료한다. 스퍼터실(30)의 실내 압력은, 기판(10)이 후 처리실(40)로 반출된 후, 다음의 성막 처리에 대비하여, 소정의 압력으로 되돌려진다.
후 처리실(40)에서는, 성막 장치(1a)에 있어서의 각종 성막 처리를 끝낸 기판(10)에 대한 후 처리나 검사 등의 후 공정이 행해진다. 후 공정으로서는, 특히 한정되지 않지만, 예를 들어, 막두께 검사 공정이나 봉지 공정, 패터닝 공정, 절단 공정 등을 들 수 있다. 후 처리실(40)에 있어서의 후 공정은, 증착실(20a, 20b)(제1 진공 성막실) 및 반송실(12)의 실내 압력보다 높은 압력 하에서 행해진다. 후 처리실(40)에 있어서의 후 처리를 끝낸 기판은, LL실(11b)로부터 제조 장치(100)의 외부로 반출된다. 이상의 일련의 공정을 거쳐, 전자 디바이스가 제조된다.
봉지 공정은, 스퍼터실(30)로부터 반출된 기판(10)을 봉지하는 공정이다. 봉지 공정으로서는, 기판(10) 표면에 보호막을 성막하는 보호막 성막 공정이나, 봉지용 글라스 등의 봉지 부재(봉지판)와 기판(10)을 붙여 맞추고 접착제를 이용하여 접착하는, 맞붙임 공정(접착 공정) 등이 있다. 즉, 후 처리실(40)에는, 봉지실로서 보호막 성막실이나 접착실 등이 포함되며, 그들 각 실에 있어서의 성막 처리 시나 접착 처리 시에 있어서의 실내 압력은, 증착실(20a, 20b)(제1 진공 성막실) 및 반송실(12)의 실내 압력보다 높다. 보호막 성막 공정에 있어서의 성막 처리로서는, 플라스마 화학 기상 성장법(PECVD)이나 스퍼터링, 원자층 퇴적(ALD)이 바람직하게 이용된다. 형성되는 보호막은, 무기막이여도 되고, 유기막이여도 되고, 무기막과 유기막이 교대로 적층된 하이브리드막이여도 된다. 무기막의 형성에는 플라스마 화학 기상 성장법(PECVD)이나 스퍼터링, 원자층 퇴적(ALD)이 바람직하게 이용되고, 유기막의 형성에는 잉크젯법이 바람직하게 이용된다. 또한, 플라스마 화학 기상 성장법(PECVD) 및 원자층 퇴적(ALD)은, 전형적으로는 1×101 Pa~1×102 Pa 정도의 압력 하에서 행해진다. 또한, 잉크젯법을 따른 성막은, 전형적으로는 대기압 하(105 Pa 정도)에서 행해진다.
패터닝 공정은, 기판(10) 상에 형성된 막의 적어도 일부를 패터닝하는 공정이다. 패터닝의 방법은 특히 한정되지 않고, 전형적으로는 포토리소그래피를 이용할 수 있다. 절단 공정은, 전형적으로는, 기판(10)을 소망하는 사이즈로 절단하는 다이싱 공정이다. 이들 공정은, 전형적으로는 대기압 하(105 Pa 정도)에서 행해진다.
(본 실시예가 우수한 점)
본 실시예에 관한 성막 장치(1a)는, 상술한 바와 같이, 스퍼터실(30)의 반입구(32)는, 문자 그대로 반송실(12)로부터 스퍼터실(30)로의 기판(10)의 반입에만 이용되는 연통구로 되어 있고, 스퍼터실(30)에서 성막 처리를 끝낸 기판(10)은 반송실(12)로 돌아오는 일이 없다. 즉, 스퍼터실(30)에 있어서 성막 장치(1a)에 있어서의 최후의 성막 처리를 끝낸 기판(10)은, 반송실(12)을 경유하지 않고, 직접, 후 처리실(40)로 반출되는 반송(반출) 경로에 의해, 성막 장치(1a)로부터 반출되는 구성으로 되어 있다. 이러한 구성에 의해, 종래의 클러스터식 성막 장치와 비교하여, 성막 공정에 있어서의 공정 수의 삭감을 도모할 수 있어, 성막 장치의 성막 처리에 있어서의 생산성(제조 택트나 수율 등)의 향상을 도모할 수 있다.
본 실시예가 우수한 점에 관하여, 비교예를 이용하여, 이하 설명한다. 또한, 비교예의 성막 장치(1c)에 있어서, 실시예 1의 성막 장치(1a)와 같은 구성에 대해서는, 같은 부호를 부여하고, 상세한 설명은 생략한다.
＜비교예＞
도 7은, 본 발명의 실시예의 비교예에 관한 성막 장치(1c)의 구성을 나타내는 모식적 평면도이다. 도 7에 나타내는 바와 같이, 비교예에 관한 성막 장치(1c)는, 최후의 성막 처리를 행하는 스퍼터실(30)이, 반입출구(35)를 거쳐서, 반송실(12)과만 접속되어 있고, 본 실시예의 스퍼터실(30)과 같이 후 처리실(40)과 직접 접속되어 있지 않다. 후 처리실(40)은, 인도실(14)을 거쳐서 반송실(12)과 접속하여 있다. 즉, 비교예에 관한 성막 장치(1c)에서는, 스퍼터실(30)에 있어서 최후의 성막 처리를 끝낸 기판(10)은, 스퍼터실(30)로부터 반송실(12), 인도실(14)을 경유하여 후 처리실(40)로 반출되게 된다. 인도실(14)은, 다른 실과 마찬가지로, 도시하지 않은 배기 장치가 설치되어, 실내 압력을 조정 가능하게 구성되어 있고, 반송실(12)의 실내 압력을 증착실(20a, 20b)의 실내 압력과 동일한 정도로 유지하기 위하여, 반송실(12)과 후 처리실(40)과의 사이의 버퍼실로서 설치되어 있다. 이와 같은 구성에 의해, 비교예의 성막 장치(1c)는, 실시예 1의 성막 장치(1a)와 비교하여, 성막 처리에 있어서의 공정 수가 증가되어 버린다. 또한, 상기 선행문헌에 기재된 장치 구성도, 본 비교예와 마찬가지로 구성되어 있다.
도 8을 참조하여, 비교예의 성막 장치(1c)에 있어서의 성막 처리(기판 반송)의 흐름에 대해 설명한다. 도 8은, 본 발명의 실시예의 비교예에 있어서의 성막 처리의 흐름도이다. 또한, 비교예의 흐름도에 있어서, S301~S305까지는, 실시예 1의 흐름도에 있어서의 S101~S105까지와 같다. 즉, 최후의 성막 처리를 스퍼터실(30)에서 끝낼 때까지의 공정에 있어서, 비교예와 실시예 1과의 사이에 차이는 없다. 양자 사이에는, 스퍼터실(30)에 있어서 성막 처리를 끝내고 나서, 후 처리실(40)로 기판(10)을 반출할 때까지의 공정에 있어 차이가 있다.
비교예의 성막 장치(1c)에서는, 스퍼터실(30)에서 성막 처리를 끝낸 후, 기판(10)을 반송실(12)로 반출하기 위해서, 스퍼터실(30)의 실내 압력을 반송실(12)의 실내 압력으로 맞추는 조압(감압)이 필요하게 된다(S306). 그리고, 기판(10)을, 스퍼터실(30)로부터, 반송실(12)을 경유하여, 인도실(14)로 반입한 후(S307), 이번에는, 인도실(14)의 실내 압력을 후 처리실(40)의 실내 압력으로 맞추는 조압(증압)이 필요하게 된다(S308).
이에 대해, 실시예 1의 성막 장치(1a)에서는, 스퍼터실(30)에서 최후의 성막 처리를 끝낸 후의 조압 공정은, 스퍼터실(30)의 실내 압력을 후 처리실(40)의 실내 압력으로 맞추는 조압 공정(S106)만으로 끝난다. 즉, 실시예 1의 성막 장치(1a)에 의하면, 비교예의 성막 장치(1c)와 비교하여, 공정 수의 삭감을 도모할 수 있어서, 제조 택트나 수율 등의 향상을 도모할 수 있다. 반송실(12)의 실내 압력은 특히 낮기 때문에(본 실시예에서는 약 1×10－ 5 Pa 정도) 반송실(12)의 실내 압력에 맞추어 감압할 때에는 다대한 시간을 필요로 한다. 비교예에 있어서는 이 감압을 2회 실시할 필요가 있지만, 실시예 1에 있어서는 이 감압을 1회 실시하는 것만으로 좋기 때문에, 제조 택트를 큰 폭으로 단축할 수 있다.
또한, 실시예 1에 의하면, 예를 들어, 스퍼터실(30)을 선행문헌의 스퍼터실과 같이 인라인식으로 구성했을 경우에 있어서, 선행문헌과 같이 성막 처리 완료 후에 기판을 지금까지의 반송 경로를 되돌리게 할 필요가 없어, 제조 택트를 큰 폭으로 단축할 수 있다.
＜실시예 2＞
도 5, 도 6을 참조하여, 본 발명의 실시예 2에 관한 성막 장치(1b)에 대해 설명한다. 또한, 실시예 2에 있어 실시예 1의 구성과 공통되는 구성은, 같은 부호를 부여하고, 반복 설명을 생략한다. 실시예 2에 있어 여기서 특히 설명하지 않는 사항은, 실시예 1과 같다.
도 5는, 본 발명의 실시예 2에 관한 성막 장치(1b)의 구성을 나타내는 모식적 평면도이다. 도 5의 성막 장치(1b)는, 성막 장치(1a)의 구성에 있어서, 반송실(12)과 스퍼터실(30)과의 사이에, 버퍼실로서의 인도실(14)을 끼워넣은 구성으로 되어 있다. 또한, 인도실(14)은, 연결하는 실 사이의 조압뿐만 아니라, 기판(10)의 반송 자세를 변환하기 위해 이용할 수 있다. 즉, 인도실(14) 내에 기판(10)의 반송 자세를 변환 가능한 기구를 마련함으로써, 예를 들어, 증착실(20a, 20b)에서는 기판(10)을 횡치로 반송하고, 스퍼터실(30)에서는 종치로 반송한다라고 하는 반송 구성으로 할 수 있다.
도 6을 참조하여, 실시예 2의 성막 장치(1b)에 있어서의 성막 처리(기판 반송)의 흐름에 대해 설명한다. 도 6은, 실시예 2에 있어서의 성막 처리의 흐름도이다. 또한, 실시예 2의 흐름도에 있어서, S201~S202까지는, 실시예 1의 흐름도에 있어서의 S101~S102까지와 같다.
제2 유기실(20b)에 있어서 증착에 의한 성막 처리를 끝낸 기판(10)을, 제2 유기실(20b)로부터 반송실(12)을 경유하여, 반송실(12)(유기실(20a, 20b))의 실내 압력과 동등한 실내 압력으로 조압된 인도실(14)로 반입한다(S203). 그리고, 인도실(14)의 실내 압력을 스퍼터실(30)의 실내 압력과 동등한 압력으로 조압(증압)한다(S204). 인도실(14)로부터 스퍼터실(30)로 반입구(32)를 거쳐서 기판(10)을 반송하고, 스퍼터실(30)에 있어서 기판(10)에 스퍼터링 처리를 행한다(S205). 스퍼터실(30)에서의 스퍼터링에 의한 기판(10)의 성막 처리를 끝내면, 스퍼터실(30)의 실내 압력을 후 처리실(40)의 실내 압력으로 맞출 수 있도록, 배기 장치(35)에 의해 조압한다(S206). 조압이 완료되면 반출구(34)의 게이트 밸브가 열리고, 반출구(34)를 거쳐서 스퍼터실(30)로부터 후 처리실(40)로 기판(10)이 반출된다(S207). 이상의 구성에 의해, 전자 디바이스의 제조 장치(100)의 성막 장치(1b)에 있어서의 성막 처리가 완료한다.
실시예 2에 의하면, 실시예 1과 마찬가지로, 비교예와 비교하여, 공정 수의 삭감을 도모할 수 있어서, 제조 택트나 수율 등의 향상을 도모할 수 있다.
나아가, 실시예 2에 의하면, 실시예 1과 비교하여, 스퍼터실(30)의 조압 회수를 줄일 수 있다(실시예 1에서는 S104와 S106의 2회에 대해, 실시예 2에서는 S206의 1회). 이에 의해, 스퍼터실(30)에 있어서의 성막 처리를 실시하고 있는 동안에, 다른 기판을 인도실(14)로 반입하여 인도실(14)의 조압을 행하는 등과 같이 하여, 제조 택트를 보다 더 향상시킬 수 있다.
이상의 설명에서는, 제1 진공 성막실에 있어서의 성막 처리로서 증착을 행하고, 제2 진공 성막에 있어서의 성막 처리로서 스퍼터링을 행하는 예에 대해 설명하였지만, 이에 한정되지 않는다. 제1 진공 성막실의 성막 처리 시에 있어서의 실내 압력이 제2 진공 성막실의 성막 처리 시에 있어서의 실내 압력보다 낮은 경우에, 본 발명의 효과가 현저하게 된다. 따라서, 예를 들어, 제1 진공 성막실에 있어서의 성막 처리로서 스퍼터링을 행하고, 제2 진공 성막에 있어서의 성막 처리로서 화학 기상 성장법(CVD)을 행하는 구성이여도 좋다.
1a: 성막 장치
10: 기판
12: 반송실
20a, 20b: 증착실
22a, 22b: 반출입구
30: 스퍼터실
32: 반입구
34: 반출구

Claims (20)

  1. 성막 장치로서,
    진공으로 유지되는 기판 반송실과,
    기판을 반입 및 반출하기 위한 반입출구를 가지는 제1 진공 성막실과,
    기판을 반입하기 위한 반입구와, 기판을 반출하기 위한 반출구를 따로따로 가지는 제2 진공 성막실
    을 구비하고,
    상기 제1 진공 성막실은, 상기 반입출구를 거쳐서 상기 기판 반송실과의 사이에서 기판이 반입 및 반출되고,
    상기 제2 진공 성막실은, 상기 반입구를 거쳐서 상기 기판 반송실로부터 기판이 반입되고, 상기 반입구를 거쳐서 상기 기판 반송실로 기판이 반출되지 않는
    것을 특징으로 하는 성막 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2 진공 성막실의 상기 반출구는, 상기 반입구를 거쳐서 상기 기판 반송실과 연결되어 있는
    것을 특징으로 하는 성막 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    성막 처리 시에 있어서의 상기 제1 진공 성막실과 상기 기판 반송실과의 사이의 압력차는, 성막 처리 시에 있어서의 상기 제2 진공 성막실과 상기 기판 반송실과의 사이의 압력차보다 작은
    것을 특징으로 하는 성막 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제2 진공 성막실은, 조압(調壓) 수단을 갖고,
    상기 제2 진공 성막실은, 상기 제2 진공 성막실과 상기 기판 반송실과의 사이의 압력차가, 성막 처리 시에 있어서의 상기 제2 진공 성막실과 상기 기판 반송실과의 사이의 압력차보다 작아지도록, 상기 조압 수단으로 조압되고 나서, 상기 반입구를 거쳐서 상기 기판 반송실로부터 기판이 반입되는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제2 진공 성막실은, 상기 반출구와 연결된 실(室)과의 압력차가, 성막 처리 시에 있어서의 상기 실과의 압력차보다 작아지도록, 상기 조압 수단으로 조압되고 나서, 상기 반출구를 거쳐서 상기 실로 기판이 반출되는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    성막 처리 시에 있어서의 상기 제1 진공 성막실의 압력은, 성막 처리 시에 있어서의 상기 제2 진공 성막실의 압력보다 낮은 것을 특징으로 하는 성막 장치.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    기판을 반입 및 반출하기 위한 반입출구를 가지는 제3 진공 성막실을 더 구비하고,
    상기 제3 진공 성막실은, 상기 제3 진공 성막실이 가지는 상기 반입출구를 거쳐서 상기 기판 반송실과의 사이에서 기판이 반입 및 반출되고,
    상기 제3 진공 성막실에서 성막 처리된 기판은, 상기 기판 반송실을 경유하여 상기 제1 진공 성막실로 반입되는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 진공 성막실에서 성막 처리된 기판은, 상기 기판 반송실을 경유하여 상기 제2 진공 성막실로 반입되는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 진공 성막실은, 기판에 유기 재료로 이루어지는 막의 성막을 행하는 성막실이고,
    상기 제2 진공 성막실은, 기판에 무기 재료로 이루어지는 막의 성막을 행하는 성막실인 것을 특징으로 하는 성막 장치.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 진공 성막실은, 증착 처리에 의해 기판에 성막을 행하는 성막실이고,
    상기 제2 진공 성막실은, 스퍼터링에 의해 기판에 성막을 행하는 성막실인 것을 특징으로 하는 성막 장치.
  11. 성막 방법으로서,
    기판을, 기판 반송실로부터 제1 진공 성막실로 반입하여 성막 처리를 행하는 제1 성막 공정과,
    상기 제1 진공 성막실에서 성막 처리된 기판을, 상기 기판 반송실을 경유하여 제2 진공 성막실로 반입하고 성막 처리를 행하는 제2 성막 공정과,
    상기 제2 진공 성막실에서 성막 처리된 기판을, 상기 기판 반송실을 경유하지 않고 상기 제2 진공 성막실로부터 반출하는 반출 공정
    을 구비하는
    것을 특징으로 하는 성막 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제2 성막 공정에 있어서, 상기 제2 진공 성막실과 상기 기판 반송실과의 사이의 압력차가, 성막 처리 시에 있어서의 상기 제2 진공 성막실과 상기 기판 반송실과의 사이의 압력차보다 작아지도록, 상기 제2 진공 성막실의 압력을 조압하고 나서, 기판을 상기 제2 진공 성막실로 반입하고,
    성막 처리 시에 있어서의 상기 제1 진공 성막실과 상기 기판 반송실과의 사이의 압력차는, 성막 처리 시에 있어서의 상기 제2 진공 성막실과 상기 기판 반송실과의 사이의 압력차보다 작은 것을 특징으로 하는 성막 방법.
  13. 제11항 또는 제12항에 있어서,
    상기 반출 공정에 있어서, 상기 제2 진공 성막실과 반출처의 실과의 사이의 압력차가, 성막 처리 시에 있어서의 상기 제2 진공 성막실과 상기 실과의 사이의 압력차보다 작아지도록, 상기 제2 진공 성막실의 압력을 조압하고 나서, 기판을 상기 반출구로부터 상기 실로 반출하는 것을 특징으로 하는 성막 방법.
  14. 제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
    제1 성막 공정의 성막 처리 시에 있어서의 상기 제1 진공 성막실의 압력은, 제2 성막 공정의 성막 처리 시에 있어서의 상기 제2 진공 성막실의 압력보다 낮은 것을 특징으로 하는 성막 방법.
  15. 제11항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 성막 공정은, 기판에 유기 재료로 이루어지는 막의 성막을 행하는 성막 공정이며,
    상기 제2 성막 공정은, 기판에 무기 재료로 이루어지는 막의 성막을 행하는 성막 공정인
    것을 특징으로 하는 성막 방법.
  16. 제11항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 성막 공정에 있어서의 성막 처리는, 증착 처리이며,
    상기 제2 성막 공정에 있어서의 성막 처리는, 스퍼터링인
    것을 특징으로 하는 성막 방법.
  17. 전자 디바이스의 제조 방법으로서,
    기판을, 기판 반송실로부터 제1 진공 성막실로 반입하여 성막 처리를 행하는 제1 성막 공정과,
    상기 제1 진공 성막실에서 성막 처리된 기판을, 상기 기판 반송실을 경유하여 제2 진공 성막실로 반입하여 성막 처리를 행하는 제2 성막 공정과,
    상기 제2 진공 성막실에서 성막 처리된 기판을, 상기 기판 반송실을 경유하지 않고 상기 제2 진공 성막실로부터 반출하는 반출 공정과,
    상기 제2 진공 성막실로부터 반출된 기판을 봉지하는 봉지 공정
    을 구비하는
    것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 봉지 공정은, 상기 제2 진공 성막실로부터 반출된 기판을 봉지실로 반입하여 봉지판과 접착하는 접착 공정을 포함하고,
    상기 접착 공정에 있어서의 접착 처리 시의 상기 봉지실의 압력은, 상기 제1 성막 공정에 있어서의 성막 처리 시의 상기 제1 진공 성막실의 압력보다 높은 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.
  19. 제17항 또는 제18항에 있어서,
    상기 봉지 공정은, 상기 제2 진공 성막실로부터 반출된 기판을 보호막 성막실로 반입하고 보호막을 성막하는 성막 처리를 행하는 보호막 성막 공정을 포함하고,
    상기 보호막 성막 공정에 있어서의 성막 처리 시의 상기 보호막 성막실의 압력은, 상기 제1 성막 공정에 있어서의 성막 처리 시의 상기 제1 진공 성막실의 압력보다 높은 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.
  20. 제19항에 있어서,
    보호막 성막 공정에 있어서의 성막 처리는, 플라스마 화학 기상 성장법, 스퍼터링 및 원자층 퇴적 중 어느 것인 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.
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