KR20190129016A - 유도 가열을 이용한 급속 웨이퍼 건조 - Google Patents

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KR20190129016A
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데렉 바셋
안토니오 로톤다로
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

모세관 패턴 붕괴가 발생하기 전에 액체를 증발시키도록 표면 액체를 급속 비등시킴으로써 기판을 건조하는 방법 및 장치가 제공된다. 보다 구제척으로, 전자기 유도 가열을 이용하여 기판 표면을 가로지르는 진동 자기장을 제공하여 기판을 급속 가열하는 전기 와전류를 기판 내에 유도한다. 이에 의해, 액체는 패턴 붕괴를 초래하지 않으면서 빠르게 증발된다. 이러한 기술은 IPA 건조에 특히 유용하다.

Description

유도 가열을 이용한 급속 웨이퍼 건조{RAPID WAFER DRYING USING INDUCTION HEATING}
관련 출원의 상호 참조
본원은 2018년 5월 9일 출원되고 발명의 명칭이 “Rapid Wafer Drying Using Induction Heating”인 미국 가출원 번호 62/668,841를 우선권으로 주장하며, 이 출원의 개시 내용은 전체적으로 본 명세서에 명시적으로 참조로 인용된다.　 본원은 2018년 6월 25일 출원되고 발명의 명칭이 “Rapid Wafer Drying Using Induction Heating”인 미국 가출원 번호 62/689,302를 우선권으로 주장하며, 이 출원의 개시 내용은 전체적으로 본 명세서에 명시적으로 참조로 인용된다.
본 개시는 기판의 처리에 관한 것이다.　 특히, 본 개시는 기판을 건조하는 장치 및 방법을 제공한다.　 예시적인 일 실시형태에서, 반도체 웨이퍼의 건조를 설명한다.
기판 처리는 기판 처리 플로우를 형성하는 다양한 처리 스텝을 포함한다.　 기판 처리 플로우는, 당업자에게 잘 알려진 바와 같이, 층을 형성하고, 패턴을 형성하고, 층을 제거하고, 층을 평탄화하고, 종(spices) 등을 기판 내에 및/또는 상에 주입하는 것들을 포함하지만, 이들로 한정되는 것은 아니다.　 기판 처리 플로우 중의 많은 지점에서, 기판을 건조할 필요가 있다.　 예컨대, 많은 처리 스텝은, 린스 및 건조 작업의 사용을 필요로 한다.　 기판 처리 플로우의 다양한 스테이지에서, 기판 표면은 광범위한 노출면 재료 및 패턴을 가질 수 있다.　 한정의 의도는 없는, 스핀 건조, 증기 건조, 이소프로필 알콜(IPA) 건조, 마란고니 건조(Marangoni drying), 초임계 건조 등을 포함하는 처리의 이들 다양한 스테이지에서 기판을 건조할 때에 사용되는 다양한 기술이 알려져 있다.　
종래의 기술에서는 다양한 문제점이 발견되었다.　 예컨대, IPA 건조에서는, 최종의 액체 스텝이 유체의 분배 및 건조를 포함할 수 있다.　 이러한 건조의 일례에 있어서는, 이용되는 최종의 액체 스텝은 IPA의 분배를 포함할 수 있고, 기판은 IPA를 건조하도록 기판 위에 공기/질소를 블로잉하는 중에 급속하게 회전될 수 있다.　 그러나 이러한 기술은, 기판 상의 패턴이 모세관 응력 효과에 기인하여 변형되거나 개질되는 모세관 패턴의 붕괴를 초래한다.　 이러한 변형 또는 개질 문제는 높은 어스펙스트 비(aspect ratio)의 작은 형상의 구조체에서 특히 일반적이다.　 다른 건조 기술에 있어서는, 이산화탄소에 의한 초임계 건조가 사용될 수 있지만, 이러한 기술은 속도가 느리고 고가이다.
본 명세서에서 설명하는 바와 같이, 비용 효율적인 방식으로 종래 기술에 있어서의 패턴 붕괴를 피할 수 있는 건조 기술이 제공된다.
액체가 모세관 패턴 붕괴를 초래할 수 있기 전에 액체를 기화시키도록 기판 액체를 급속 비등시킴으로써 기판의 건조를 실행하는 공정 및 장치가 제공된다.　 보다 구체적으로, 전자기 유도 가열을 이용하여 기판 표면을 가로지르는 진동 자기장을 제공하여 기판을 급속 가열하는 전기 와전류를 기판 내에 유도한다.　 그리고, 액체는 패턴 붕괴를 초래하지 않으면서 빠르게 기화된다.　 이러한 기술은 IPA 건조에 특히 유용하다.
일 실시형태에서, 기판을 건조하는 방법이 제공된다.　 이 방법은 기판 상에 유체를 제공하는 스텝을 포함할 수 있다.　 이 방법은, 전자기 유도 가열을 이용하여 기판을 가열하는 스텝과, 전자기 유도 가열을 이용하여 기판의 표면으로부터 유체를 제거하는 스텝을 또한 포함할 수 있다.
다른 실시형태에서, 기판을 건조하는 장치가 제공된다.　 이 장치는, 처리 챔버와, 기판을 처리 챔버 내에 유지하기 위한 척을 구비할 수 있다.　 이 장치는, 에너지원과, 처리 챔버 및 에너지원에 결합된 에너지 트랜스미터를 더 구비할 수 있고, 에너지 트랜스미터는 전자기 에너지를 방출하도록 구성되어 있다.　 에너지 트랜스미터로부터 방출된 전자기 에너지는, 기판을 가열하여 기판에 건조 효과를 제공하도록 기판 내에 자속을 유도함으로써 기판에 전자기 유도 가열을 제공한다.　
다른 실시형태에서, 기판을 건조하는 장치가 제공된다.　 이 장치는, 원통형의 처리 챔버와, 기판을 원통형의 처리 챔버 내에 유지하기 위한 척과, 마이크로파 에너지원, 및 마이크로파 에너지원 및 원통형의 처리 챔버에 결합된 마그네트론을 구비할 수 있고, 마그네트론으로부터의 에너지는 기판에 전자기 유도 가열을 제공할 수 있다.　
다른 실시형태에서, 기판을 건조하는 장치가 제공된다.　 이 장치는, 처리 챔버와, 처리 챔버 내로 연장되는 안테나와, 안테나에 결합된 고주파(RF) 소스를 구비할 수 있고, 안테나에 의해 여기된 RF 자속은 기판 내에 자속을 유도하여 기판을 가열하여 기판 건조 효과를 제공한다.
동일 도면 부호가 동일 특징을 가리키고 있는 첨부 도면을 참고로 하는 이하의 상세한 설명을 참조함으로써 본 발명 및 그 이점을 보다 완전하게 이해할 수 있을 것이다.　 그러나 첨부 도면이 단지 개시된 개념의 예시적인 실시형태를 나타내는 것이고, 이에 따라, 범위를 한정하는 것으로 고려되어서는 안 되며, 개시된 개념은 다른 등가의 유효한 실시형태를 인정하는 것에 유의해야 한다.
도 1은 본 명세서에서 설명하는 기판 건조기의 일 실시형태를 예시한다.
도 2는 본 명세서에서 설명하는 기판 건조기의 다른 실시형태를 예시한다.
도 3은 도 2의 기판 건조기에 의해 생성된 자기력선을 나타낸다.
도 4는 본 명세서에서 설명하는 기술을 활용하기 위한 예시적인 방법을 나타낸다.
모세관 패턴 붕괴를 일으키기 전에 표면 액체를 급속 비등시켜 액체를 기화시킴으로써 기판의 건조를 달성하는 공정 및 장치를 제공한다.　 보다 구체적으로, 기판 표면을 가로지르는 진동 자기장을 제공하는 전자기 유도 가열을 활용하여 기판을 급속히 가열시키는 와전류를 기판 내에 유도한다.　 이어서, 액체가 패턴 붕괴를 초래하지 않으면서 급속 기화한다.　 이러한 기술은 특히 IPA 건조에 유용하다.
예시적인 일 실시형태에 있어서, 본 명세서에서 설명하는 개념은 IPA를 활용하는 기판 건조 공정의 문맥에서 설명한다.　 그러나 인식하고 있는 바와 같이, 본 명세서에서 개시하고 있는 개념은 IPA를 활용하지 않는 건조 기술에 사용될 수도 있다.　 따라서 본 명세서에서 설명하는 개념은, 기판으로부터 건조되어야 하는 다른 물질과 조합하여 활용될 수도 있다.　 이와 관련하여, 본 명세서에서 제공하는 발명의 이득을 갖는 경우, 본 명세서에서 설명하는 기술을 넓은 범위의 건조 용례에 걸쳐 기판을 가열하는데 활용할 수 있다는 것을 인식할 것이다.　 예컨대, 본 명세서에서 설명하는 건조 기술은, IPA를 사용하지 않고 기판으로부터 물을 건조할 때에 활용할 수 있다.
전술한 바와 같이, 예시적인 일 실시형태에 있어서, 건조할 기판에 IPA를 도포할 수 있다.　 일 실시형태에 있어서, IPA는 기판을 회전시키지 않으면서 기판 상에 분배되는 IPA의 두꺼운 유체층으로서 도포되어, 전체 상면을 IPA로 젖은 상태로 확실히 유지할 수 있다.　 그러나 본 명세서에서 설명하는 기술은, IPA의 비회전 유체 도포(non-spinning fluid applications)로 한정되지 않는다.　 설명하는 예시적인 실시형태에서는, IPA의 도포 후에, 기판이 자속(magnetic flux)에 노출된다.　 암페어의 법칙 및 패러데이의 법칙으로 인하여, 상기 노출에 의해 기판에 전류 흐름을 유도한다.　 전자와 격자간의 오옴 충돌(ohmic collision)로 인하여, 이들 와전류는 열에너지로 급속 변환되어, 기판 온도의 상승을 야기한다.　 예시적인 실시형태에 있어서, 기판은 반도체 기판일 수 있다.　 보다 구체적인 실시예에서, 기판은 실리콘 기판, 예컨대 실리콘 웨이퍼일 수 있다.　 식 1(이하에 제공)은, 실리콘 웨이퍼인 기판에 있어서 기판 내의 전력 흡수(power absorption)를 설명한다.　 다른 기판을 활용하여 다른 전력 흡수를 제공할 수 있다는 것을 인식할 것이다.　 표피 깊이(skin depth)는 자속이 관통하는 기판 내로의 깊이로 고려될 수 있다.　 실리콘 웨이퍼의 표피 깊이는, 식 (2)에 의해 주어진다.
Figure pat00001
Figure pat00002
여기서,
r 웨이퍼 반경 [m]
t 웨이퍼 두께 [m]
ρ Si 저항율 [Ω·m]
σ 표피 깊이 [m]
H0 자기장 세기 [A/m]
ω 주파수 [라디안]
μ Si 투자율 [H/m]
기판에 자속을 제공하기 위하여 다양한 기술 중 하나를 사용할 수 있다.　 일 실시형태에서, 마그네트론을 사용할 수 있다.　 다른 실시형태에서, 안테나를 사용할 수 있다.　 시스템에 자속을 제공하는 다른 기술을 또한 사용할 수도 있다.　 일 실시형태에서, 기판은 웨이퍼 표면을 가로지르는 진동 자속에 노출된다.　 진동 자속은 10 MHz 미만으로부터 100 GHz 초과에 이르는 주파수를 가질 수 있다.　 반도체 웨이퍼에서 통상적으로 직면하게 되는 기판의 두께 및 기판의 도전성으로 인하여, 이러한 공정은 더 높은 주파수 파장에서 보다 효율적일 수 있다.　 반도체 웨이퍼와 함께 사용되는 일 실시형태에서, 10 MHz 내지 100 GHz의 주파수, 또는 10 MHz 초과의 주파수가 사용될 수 있다.　 일부 실시형태에서는, 13.56 MHz 내지 2.45 GHz의 주파수가 사용될 수도 있다.　 그러나 이러한 범위는 단지 예시적인 것이며, 다른 주파수를 사용할 수도 있다.　 자속에 의하여 기판의 자기 유도 가열이 발생하고, 이러한 자기 유도 가열은 기판을 건조하는 데에 유리하게 사용될 수 있다.　 이와 같이, 전자기 에너지를 활용하여 전자기 유도 가열을 달성하여 기판을 건조한다.
본 명세서에서 설명하는 건조 기술은 특정의 건조 장치로 한정되지 않는다.　 도 1 및 도 2는 2개의 예시적인 장치를 제공하고 있다.　 그러나 다양한 다른 장치 및 기술을 이용하여 기판에 자속을 제공할 수 있다.　 도 1에 도시된 바와 같이, 건조기(100)는 챔버 측벽(105)을 갖는 처리 챔버(102)를 구비한다.　 일 실시형태에서, 처리 챔버는 원통형일 수 있다.　 처리 챔버(102)의 바닥의 척(115)에 의해 기판(110; 예컨대, 반도체 웨이퍼)을 적소에 유지할 수 있다.　 일 실시형태에서, 척(11)은 석영일 수 있다.　 척(115)은 회전하도록 구성될 수도 있고, 회전하지 않도록 구성될 수도 있다.　 처리 챔버(102)의 일측에는, 에너지원(150)에 결합된 마그네트론(130)에 도파관(140)이 연결되어 처리 공간(125)에 전자기 에너지(예컨대, 마이크로파 에너지)를 제공한다.　 레이디얼 튜너(135)가 제공되어 마그네트론(130)으로부터 제공된 전자기 에너지의 주파수 및 위상을 튜닝할 수 있다.
처리 공간(125)의 높이는, 도면에 도시된 바와 같이 상하로 이동 가능한 조정 가능 탑(120)을 사용하여 조정 가능할 수 있다.　 조정 가능 탑(120)을 조정하여. 처리 공간(125)의 체적을 변경할 수 있다.　 처리 챔버(102)의 조정 가능 탑(120)은, 기판에 있어서의 설계된 유도 모드를 튜닝하도록 높이가 조정 가능하다.　 보다 구체적으로, 처리 챔버의 기하형상은 웨이퍼에 있어서의 자력선에 영향을 끼치며, 조정 가능한 높이를 활용하여 이들 자기장을 튜닝할 수 있다.　 도 1의 건조기(100)와 같은 건조기 설계의 이점은, 건조기(100)가 매우 높은 주파수를 사용할 수 있다는 점과, 전자기파 및 플럭스를 미세 튜닝하여 기판(110)에 (진동 모드와 유사한) 원하는 유도 모드를 야기할 수 있다는 점이다.　 도 1의 장치의 일부 실시형태에서, 처리 챔버는 대형일 수 있으며, 액체 분배 아암, 스핀 척, 드레인 등과 같은 다른 처리 툴의 고유의 특징으로 인하여 그러한 구조를 상기 다른 처리 툴과 기계적으로 결합하는 것이 곤란할 수 있다.　 따라서 도 1의 실시형태는, 독립적인 형성이 필수적인 것은 아니지만, 독립적으로 형성하는 것이 보다 적합할 수 있다.　 건조기(100)는 처리 챔버[102; 및 예컨대 조정 가능 탑(120) 및 척(115)과 같은 처리 챔버 (102) 내의 다른 부품], 마그네트론(130), 에너지원(150), 레이디얼 튜너(135) 및 건조기(100)의 다른 부품 내외로의 피드백 및 제어를 제공하도록 결합된 제어기(145)를 더 구비할 수 있다.　 예시적인 일 실시형태에서, 제어기(145)는, 메모리, I/O 포트 등과 같은 다른 회로와 조합되는 프로세서, 마이크로콘트롤러 또는 프로그램 가능 로직 디바이스일 수 있다.　 일 실시형태에서, 프로세서, 마이크로콘트롤러 또는 프로그램 가능 로직 디바이스는, 본 명세서에서 설명하는 유도 가열 기능을 수행하는 명령 또는 구성 파일을 실행하도록 구성될 수도 있다.
대안의 장치로서, 처리 챔버(202)를 구비하는 건조기(200)가 도 2에 도시되어 있다.　 도 2의 건조기(200)의 구조에서는, 웨이퍼 위에 안테나(205)가 매달려 있다.　 안테나(205)는, 예컨대 고주파수로 동작하는 교류 발생기와 같은 전원(210)에 연결되어 있다.　 일례로서, 나선형의 구리 안테나가 이용될 수도 있다.　 일 실시형태에서, 안테나(205)는 유전체 재료 내에 매립될 수 있다.　 나선형의 구리 안테나는 단지 예시적인 것이며, 광범위한 유형의 안테나 및 광범위한 안테나 구조를 이용할 수 있다는 것을 알 수 있을 것이다.　 따라서 광범위한 안테나 형상 및 설계를 활용하여 건조기(200)에 전자기 에너지를 제공할 수 있고, 도시된 특정의 실시형태는 단지 예시적인 것이다.　 도 1의 실시형태에서와 같이, 제어기(145)는, 본 명세서에서 설명하는 기능들을 실행하기 위하여 건조기(200)의 다양한 부품 내외로의 피드백 및 제어를 제공할 수 있다.　
도 3은 도 2의 실시형태에 있어서 기판(110) 내에 자속을 제공하기 위한 자력선(305)의 형성을 나타내고 있다.　 도 1의 실시형태는 기판(110) 내에 자속을 제공하는 자기장을 유사하게 갖는 것을 알 수 있을 것이다.　 도 3에 도시된 바와 같이, 전원(210) 및 안테나(205)는 기판(110)에 이르기까지 연장되는 자력선을 발생시킨다.
도 2의 실시형태에서, 기판(110; 예컨대 실리콘 웨이퍼) 위의 안테나(205)에 의해 고주파(RF) 자속이 여기되어 기판 내에 자속을 유도한다.　 이러한 구조는, 종래의 기판 액처리 툴의 일부인 다른 기계 장치(액체 스트림 분배 기구, 스프레이 분배 기구, 드레인 기구, 스핀 척 기구, 기체 유동 입구 및 출구 등)와 보다 용이하게 통합될 수 있다는 점에서 유리할 수 있다.　 예컨대, 안테나는 다른 처리 스텝 중에 위로 이동하여 방해가 되지 않도록 구현될 수 있다.　 따라서 건조기(200)를 다른 액처리 툴에 통합하는 것을 돕기 위하여 신축 가능한 안테나가 제공될 수 있다.　 그러나 도 1 및 도 2의 구조의 특정의 구현에 따라, 도 2의 구조는 기판 내에 균일한 자속을 형성하는 데에 곤란함을 더할 수 있고, 최대 주파수는 전용의 원통형 챔버 기법(dedicated cylindrical chamber approach)보다 제한될 수 있다.　 그러나 안테나 구조를 특정의 툴 용례에 적합하게 함으로써 자속 균일성을 향상시킬 수 있다.
도 1 및 도 2의 건조기의 양자의 경우에 있어서, 에너지원에 결합된 에너지 트랜스미터는 처리 챔버에 전자기 에너지를 제공한다.　 도 1의 경우에는, 도파관 및 마그네트론이 전자기 에너지를 처리 챔버에 결합하는 트랜스미터로서 작동한다.　 도 2의 경우에는, 안테나가 전자기 에너지를 처리 챔버에 결합하는 에너지 트랜스미터로서 작동한다.　 기판 건조 공정의 일부로서 전자기 유도 가열에 의해 기판을 가열하도록 많은 다른 에너지 트랜스미터를 사용하여 전자기 에너지를 처리 챔버에 결합할 수 있다는 것을 알 수 있을 것이다.
(어떠한 기술을 사용해서든) 기판에 자속을 인가함으로써, 기판은, 예시적인 일 실시형태에 있어서, 100 ℃/sec를 초과하는 소정의 비율로 원하는 설정 온도까지 급속 가열될 수 있다.　 이와 같이, 자기 유도 가열은 예컨대 반도체 웨이퍼와 같은 기판을 급속 가열할 수 있다.　 일례로서, 가열에 이용되는 설정 온도는 200℃ 내지 500℃의 범위 또는 400℃ 내지 500℃의 범위일 수 있다.　 일부 실시형태에서, 400℃의 설정 온도가 이용될 수 있다.　 그러나 이용되는 온도가, 기판을 형성하는 것, 기판 표면으로부터 어떤 액체가 건조되는가, 그리고 자속을 인가하기 위해 사용되는 장치 등에 의존하는 것을 알 수 있을 것이다.　 이러한 급속 가열에 의해, 기판 표면과 접촉하고 있는 액체가 즉시 비등하여, 기판과 나머지 액체 사이에 얇은 증기층을 형성한다.　 급속 비등과 얇은 증기층의 형성은 라이덴프로스트 효과(Leidenfrost effect)로서 알려져 있으며, 나머지 액체가 기판의 실질적으로 마찰이 없는 표면 상을 부유하기 때문에 기판 표면으로부터 유출될 수 있게 한다.　 기판 표면으로부터 액체의 흐름은 기판을 회전시킴으로써 촉진될 수 있지만, 회전이 필수적인 것은 아니다.　 이와 같이, 유도 가열은 라인프로스트 효과를 유리하게 활용하여 기판을 건조시킬 수 있다.　 모든 액체가 표면으로부터 증발되거나 흘러 나가므로, 기판은 완전히 건조되고 모세관력에 기인한 구조의 변형 또는 개질의 위험이 없다.　 이어서, 기판은 후속 처리 스텝을 위해 건조 장치로부터 제거될 수 있다.　 IPA의 경우에, 급속 비등에 의해 얇은 IPA 증기층이 생성되고, IPA는 기판 표면으로부터 증발되거나 흘러 나간다.
본 명세서에서 설명하는 바와 같이, 건조 기술은, 기판 처리 플로우에 활용되는 다양한 공정 스텝 중 임의의 것에 사용될 수 있다.　 일 실시형태에서, 기판은 반도체 웨이퍼일 수 있다.　 건조 기술은, 반도체 웨이퍼 처리 스텝의 백 엔드 라인 및 프론트 엔드 라인을 포함한 임의의 수의 공정 스텝에서 구현될 수 있다.
전술한 방법이 단지 예시적인 것이며, 많은 다른 공정 및 용례에 본 명세서에 개시된 기술을 유리하게 사용할 수 있다는 것을 알 수 있을 것이다.　 도 4는 본 명세서에서 설명하는 처리 기술의 예시적인 사용 방법을 나타낸다.　 도 4의 실시형태가 단지 예시적인 것이며, 추가의 방법에 본 명세서에 개시된 기술을 사용할 수 있다는 것을 알 수 있을 것이다.　 또한, 설명한 스텝이 배타적인 것으로 의도되지 않으므로, 도 4에 도시된 방법에 추가의 처리 스텝이 부가될 수 있다.　 또한, 상이한 순서가 발생할 수 있고 및/또는 다양한 스텝이 조합으로 또는 동시에 실행될 수 있으므로, 스텝의 순서는 도면에 도시된 순서로 한정되지 않는다.
도 4에는, 기판 건조 방법이 도시되어 있다.　 이 방법은, 기판 상에 유체를 제공하는 스텝(405)을 포함할 수 있다.　 이 방법은, 전자기 유도 가열을 이용하여 기판을 가열하는 스텝(410)을 더 포함할 수 있다.　 이 방법은, 전자기 유도 가열을 이용하여 기판의 표면으로부터 유체를 제거하는 스텝(415)을 또한 포함할 수 있다.
본 발명의 추가의 수정 및 대체의 실시형태는 상기 설명을 감안하여 당업자에게 명백하게 될 것이다.　 따라서 이러한 설명은 단지 예시적인 것으로 해석되어야 하며, 당업자에게 발명을 실시하는 방식을 교시하기 위한 것이다.　 본 명세서에서 설명 및 도시하는 발명의 형태 및 방법은 현재에 바람직한 실시형태로서 고려되는 것을 이해해야 한다.　 본 발명의 이러한 설명의 혜택을 받은 후에 당업자에게 모두 명백한 바와 같이, 본 명세서에서 설명 및 예시된 것들은 등가의 기술로 대체될 수 있으며, 발명의 어떤 특징들은 다른 특징과는 독립적으로 활용될 수 있다.

Claims (20)

  1. 기판 건조 방법으로서,
    기판 상에 유체를 제공하는 단계;
    전자기 유도 가열을 이용하여 기판을 가열하는 단계;
    전자기 유도 가열을 이용하여 기판의 표면으로부터 유체를 제거하는 단계
    를 포함하는 기판 건조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 유체를 제거하는 단계는, 상기 기판 상에서의 모세관 패턴 붕괴가 발생하기 전에 일어나는 것인 기판 건조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 기판은 반도체 웨이퍼인 것인 기판 건조 방법.
  4. 제3항에 있어서, 10 MHz 초과의 주파수를 갖는 전자기 에너지를 활용하여 전자기 유도 가열을 달성하는 것인 기판 건조 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 유체는 이소프로필 알콜(IPA)인 것인 기판 건조 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 전자기 유도 가열은 상기 기판을 400℃ 내지 500℃의 범위의 온도로 가열하는 것인 기판 건조 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 유체는 이소프로필 알콜(IPA)인 것인 기판 건조 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 전자기 유도 가열은 상기 기판을 400℃ 내지 500℃의 범위의 온도로 가열하는 것인 기판 건조 방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 전자기 유도 가열에 마그네트론을 이용하는 것인 기판 건조 방법.
  10. 제7항에 있어서, 상기 전자기 유도 가열에 안테나를 이용하는 것인 기판 건조 방법.
  11. 제7항에 있어서, 제어기가, 모세관 응력 효과에 기인한 기판에 있어서의 구조의 변형 또는 개질을 피하기 위하여 기판 내의 자기 플럭스를 제어하도록 구성되는 것인 기판 건조 방법.
  12. 기판 건조 장치로서,
    처리 챔버;
    상기 처리 챔버 내에서 기판을 유지하는 척;
    에너지원; 및
    상기 처리 챔버 및 에너지원에 결합되고 전자기 에너지를 방출하도록 구성된 에너지 트랜스미터
    를 구비하고,
    상기 에너지 트랜스미터로부터 방출된 전자기 에너지는, 기판을 가열하여 기판에 건조 효과를 제공하도록 기판 내에 자기 플럭스를 유도함으로써 기판에 전자기 유도 가열을 제공하는 것인 기판 건조 장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 처리 챔버의 체적은 조정 가능한 것인 기판 건조 장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 처리 챔버의 탑(top)은 조정 가능한 것인 기판 건조 장치.
  15. 제12항에 있어서, 상기 에너지 트랜스미터는 마그네트론인 것인 기판 건조 장치.
  16. 제12항에 있어서, 상기 에너지 트랜스미터는 안테나인 것인 기판 건조 장치.
  17. 제16항에 있어서, 상기 안테나는 신축 가능한 것인 기판 건조 장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 건조 장치는 기판액 처리 툴인 것인 기판 건조 장치.
  19. 제12항에 있어서, 상기 전자기 에너지는 10 MHz 내지 100 GHz의 범위의 주파수를 갖는 것인 기판 건조 장치.
  20. 제19항에 있어서, 모세관 응력 효과에 기인한 구조의 개질 또는 기판의 구조의 변형을 피하기 위하여 기판 내의 자기 플럭스를 제어하도록 구성되는 제어기를 더 구비하는 기판 건조 장치.
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