KR20190125556A - 표시 장치 - Google Patents

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KR20190125556A
KR20190125556A KR1020180049227A KR20180049227A KR20190125556A KR 20190125556 A KR20190125556 A KR 20190125556A KR 1020180049227 A KR1020180049227 A KR 1020180049227A KR 20180049227 A KR20180049227 A KR 20180049227A KR 20190125556 A KR20190125556 A KR 20190125556A
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박도영
류현수
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Abstract

표시 장치가 제공된다. 표시 장치는, 표시 영역 및 주변 영역을 포함하는 베이스 기판, 상기 베이스 기판의 상기 주변 영역 상에 위치하는 스캔 구동부, 및 상기 스캔 구동부에 중첩 배치되는 스페이서를 포함하되, 상기 스페이서는 서로 이격되며, 높이를 달리하는 제1 스페이서와 제2 스페이서를 포함한다.

Description

표시 장치 {DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다.
표시 장치는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 증대되고 있다. 이에 부응하여 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display, LCD), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display, OLED) 등과 같은 여러 종류의 표시 장치가 사용되고 있다.
표시 장치 중 액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 화소 전극과 공통 전극 등 전기장 생성 전극이 형성되어 있는 두 장의 기판과 그 사이에 삽입되어 있는 액정층으로 이루어지며, 전기장 생성전극에 전압을 인가하여 액정층에 전기장을 생성하고 이를 통하여 액정층의 액정 분자들의 배향을 결정하고 입사광의 편광을 제어함으로써 영상을 표시한다.
한편, 표시 장치는 영상을 표시하는 표시 영역과, 표시 영역 주변에 배치되며 영상을 표시하지 않는 주변 영역을 포함할 수 있다. 주변 영역에는 영상을 표시하는데 필요한 배선, 소자 등의 회로가 위치할 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 표시 장치의 표시 영역과 주변 영역 사이의 단차를 제거하는 것이다. 또한, 테두리 얼룩 불량이 제거된 표시 장치를 제공한다.
아울러, 제조 공정이 단순화된 표시 장치를 제공한다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 표시 영역 및 주변 영역을 포함하는 베이스 기판, 상기 베이스 기판의 상기 주변 영역 상에 위치하는 스캔 구동부, 및 상기 스캔 구동부에 중첩 배치되는 스페이서를 포함하되, 상기 스페이서는 서로 이격되며, 높이를 달리하는 제1 스페이서와 제2 스페이서를 포함한다.
상기 베이스 기판과 대향하며, 이격 배치되는 대향 기판을 더 포함하되, 상기 스페이서는 상기 베이스 기판과 상기 대향 기판 사이의 간격을 유지할 수 있다.
여기서, 상기 제1 스페이서는 상기 대향 기판과 접하고, 상기 제2 스페이서는 상기 대향 기판과 이격될 수 있다.
또한, 상기 대향 기판은 파장 변환 패턴을 포함하는 포함할 수 있다.
상기 제1 스페이서의 높이는 상기 제2 스페이서의 높이에 비하여 높을 수 있다.
이 경우, 상기 제1 스페이서와 상기 제2 스페이서의 높이 차는 0.3㎛ 내지 0.7㎛일 수 있다.
또한, 상기 제2 스페이서의 평면상 면적은 상기 제1 스페이서의 평면상 면적보다 넓을 수 있다.
아울러, 상기 제1 스페이서는 상기 제2 스페이서에 의하여 둘러싸일 수 있다.
상기 스캔 구동부의 평면상 면적을 기준으로, 상기 스페이서와 상기 스캔 구동부의 중첩 비율은 80% 이상일 수 있다.
상기 스페이서의 적어도 일 측면은 상기 스캔 구동부의 일 측면보다 외측에 배치될 수 있다.
상기 제1 스페이서와 상기 제2 스페이서 사이의 이격 거리는 10㎛ 내지 30㎛일 수 있다.
상기 스페이서는 중심 파장이 약 420nm 내지 480nm인 청색 광을 차폐할 수 있다.
이 경우, 상기 스페이서의 광 투과율은 10% 이하일 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는, 표시 영역 및 주변 영역을 포함하는 베이스 기판, 상기베이스 기판과 대향하는 대향 기판, 상기 베이스 기판 상의 상기 표시 영역 상에 위치하는 컬럼 스페이서, 상기 베이스 기판 상의 상기 주변 영역 상에 위치하는 스캔 구동부 및 상기 베이스 기판 상의 상기 주변 영역 상에 위치하며, 상기 스캔 구동부와 중첩하는 스페이서를 포함하되, 상기 컬럼 스페이서는 서로 이격되며, 높이는 달리하는 메인 컬럼 스페이서 및 서브 컬럼 스페이서를 포함하고, 상기 스페이서는 서로 이격되며, 높이를 달리하는 제1 스페이서 및 제2 스페이서를 포함한다.
상기 메인 컬럼 스페이서 및 상기 제1 스페이서는 상기 대향 기판에 접할 수 있다.
반면, 상기 서브 컬럼 스페이서 및 상기 제2 스페이서는 상기 대향 기판과 이격될 수 있다.
상기 스페이서는 중심 파장이 약 420nm 내지 480nm인 청색 광을 차폐할 수 있다.
이 경우, 상기 스페이서의 광 투과율은 10% 이하일 수 있다.
상기 스캔 구동부의 평면상 면적을 기준으로, 상기 스페이서와 상기 스캔 구동부의 중첩 비율은 80% 이상일 수 있다.
나아가, 상기 스페이서의 적어도 일 측면은 상기 스캔 구동부의 일 측면보다 외측에 배치될 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면, 표시 영역과 주변 영역 사이의 단차가 제거되어, 테두리 얼룩 불량이 개선될 수 있다.
또한, 표시 장치의 제조 공정을 단순화하여, 비용이 절감되고, 제조 시간을 단축할 수 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 어레이 기판에 대한 개념적인 평면도이다.
도 2는 도 1의 표시 장치의 어레이 기판의 임의의 화소들을 나타낸 레이아웃도이다.
도 3은 도 2의 III-III'을 따라 자른 단면도이고,
도 4는 도 2의 IV-IV'를 따라 자른 단면도이다.
도 5는 도 1의 V-V'를 따라 자른 단면도이다.
도 6은 스캔 구동부와 스페이서의 관계를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 7은 도 6의 A 영역을 확대한 도면이다.
도 8은 도 7의 VIII-VIII'을 따라 자른 단면도이다.
도 9 및 도 10은 다른 실시예들에 따른 스페이서의 도 6의 A 영역에 대응되는 영역의 확대도이다.
도 11 및 도 12는 또 다른 실시예들에 따른 스캔 구동부와 스페이서의 관계를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "위(on)", "상(on)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위"에 놓여질 수 있다. 또한 도면을 기준으로 다른 소자의 "좌측"에 위치하는 것으로 기술된 소자는 시점에 따라 다른 소자의 "우측"에 위치할 수도 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있으며, 이 경우 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는다.
명세서 전체를 통하여 동일하거나 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 어레이 기판에 대한 개념적인 평면도이다. 도 2는 도 1의 표시 장치의 어레이 기판의 임의의 화소들을 나타낸 레이아웃도이다. 도 3은 도 2의 III-III'을 따라 자른 단면도이고, 도 4는 도 2의 IV-IV'를 따라 자른 단면도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 예시적인 실시에에 따른 표시 장치(1)는 표시 패널(1000) 및 백라이트 유닛(2000)을 포함한다.
표시 패널(1000)은 화상을 표시한다. 표시 패널(1000)은 어레이 기판(100), 어레이 기판(100)과 대향하는 대향 기판(200) 및 어레이 기판(100)과 대향 기판(200) 사이에 개재된 액정층(300)을 포함할 수 있다. 액정층(300)은 복수의 액정 분자(310)를 포함할 수 있다. 어레이 기판(100)은 일 실시예로 대향 기판(200)과 실링을 통해 합착될 수 있다.
이하, 어레이 기판(100)의 대략적인 평면 구조에 대하여 도 1을 참조하여 설명한다.
어레피 기판(100)은 도 1에 도시된 바와 같이 표시 영역(DA)과 표시 영역(DA) 주변의 주변 영역(PA)이 정의된 제1 기판(1000)을 포함한다.
표시 영역(DA)은 영상을 표시하는 영역일 수 있으며, 주변 영역(PA)은 영상을 표시하지 않는 영역일 수 있다. 몇몇 실시예에서 주변 영역(PA)에는 영상을 표시하는데 필요한 배선, 소자 등의 회로가 위치할 수 있다.
도면에는 주변 영역(PA)이 표시 영역(DA) 외측에 위치하는 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한 도면에는 평면 시점에서 주변 영역(PA)이 표시 영역(DA)의 외측을 감싸는 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 몇몇 실시예에서 주변 영역(PA)은 표시 영역(DA)의 외측 일부만을 감쌀수도 있다.
주변 영역(PA)에는 스캔 구동부(10)가 배치될 수 있다. 스캔 구동부(10)는 타이밍 제어부(미도시)로부터 제공받은 제어 신호를 기초로, 스캔 신호를 생성할 수 있다. 스캔 구동부(10)는 생성된 스캔 신호를 표시 영역(DA)에 배치된 복수의 화소부(PX)에 제공할 수 있다. 스캔 구동부(10)는 일 실시예로 복수의 스위칭 소자를 통해 형성될 수도 있으며, 다른 실시예로 집적 회로일 수도 있다.
도면에 도시하지는 않았으나, 주변 영역(PA)에는 데이터 구동부(미도시)가 배치될 수 있다. 데이터 구동부는 타이밍 제어부로부터 제공 받은 제어 신호 및 영상 데이터를 기초로 데이터 신호를 생성할 수 있다. 데이터 구동부는 생성된 데이터 신호를 표시 영역(DA)의 복수의 화소부(PX)에 제공할 수 있다.
도 2를 참조하면, 복수의 화소부(PX)는 인접한 제1 화소부(PX1)와 제2 화소부(PX2)를 포함할 수 있다. 제1 화소부(PX1)와 제2 화소부(PX2)는 서로 다른 데이터 라인(DL1, DL2) 각각으로부터 서로 다른 데이터 신호를 제공받을 수 있다.
서로 동일한 행에 배치되는 화소부 간에는 서로 동일한 스캔 라인으로부터 동일한 스캔 신호를 제공받을 수 있다. 예를 들어, 제1 화소부(PX1)와 제2 화소부(PX2)는 제1 스캔 라인(SL1)으로부터 스캔 신호를 제공받을 수 있다. 여기서, 제1 스캔 라인(SL1)은 스캔 구동부(10)에 연결되며, 스캔 구동부(10)로부터 스캔 신호를 제공받아 제1 화소부(PX1) 및 제2 화소부(PX2)에 제공한다. 이하, 도 3 및 도 4를 참조하여 각 화소부(PX1, PX2)의 구체적 구성에 대하여 설명한다.
도 3은 제1 화소부(PX1)를 이루는 구체적인 구성을 나타낸다. 먼저, 어레이 기판(100)에 대하여 자세히 설명하며, 제1 화소부(PX1)를 기준으로 하여 설명한다.
어레이 기판(100)은 제1 기판(110), 게이트 절연층(120), 제1 스위칭 소자(TR1), 패시베이션막(150, 170), 유기 절연막(160), 제1 화소 전극(PE1), 및 메인 컬럼 스페이서(MCS)를 포함할 수 있다.
제1 기판(110)은 일 실시예로 투명 절연 기판일 수 있다. 여기서 투명 절연 기판은 유리 재료, 석영 재료 또는 투광성 플라스틱 재료를 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 제1 기판(210)은 플렉서블(flexible) 기판이거나, 복수의 필름 등이 적층된 형상일 수도 있다.
제1 게이트 전극(GE1)은 제1 기판(110) 상에 배치될 수 있다. 제1 게이트 전극(GE1)은 제1 스캔 라인(SL1)을 포함하는 복수의 스캔 라인과 동일 층에 배치될 수 있다. 제1 게이트 전극(GE1)과 복수의 스캔 라인은 동일한 마스크 공정을 통해 동시에 형성될 수 있다.
제1 게이트 전극(GE1)은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 몰디브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 몰리텅스텐(MoW), 몰리티타늄(MoTi), 구리/몰리티타늄(Cu/MoTi)을 포함하는 도전성 금속 중에서 선택되는 단일 막, 적어도 두 개로 구성되는 이중 막 또는 세 개로 구성되는 삼중 막으로 형성될 수 있다.
게이트 절연층(120)은 제1 게이트 전극(GE1) 상에 배치될 수 있다. 게이트 절연층(120)은 일 실시예로 질화 규소 또는 산화 규소 등으로 형성될 수 있다. 게이트 절연층(120)은 물리적 성질이 다른 두 개의 절연층을 포함하는 다중 막 구조를 가질 수도 있다.
게이트 절연층(120) 상에는 제1 반도체 패턴(130a)을 갖는 반도체층(130)이 배치될 수 있다.
반도체층(130)은 일 실시예로, 비정질 규소, 다결정 규소 등으로 형성될 수도 있다. 다른 실시예로, 반도체층(130)은 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 반도체층(130)이 산화물 반도체를 포함하는 경우, 반도체층(130)은 IGZO(In-Ga-Zinc-Oxide), ZnO, ZnO2, CdO, SrO, SrO2, CaO, CaO2, MgO, MgO2, InO, In2O2, GaO, Ga2O, Ga2O3, SnO, SnO2, GeO, GeO2, PbO, Pb2O3, Pb3O4, TiO, TiO2, Ti2O3, 및 Ti3O5을 포함한 산화물 반도체 중에서 선택되는 하나로 형성될 수 있다.
상기 반도체층(130) 중 제1 반도체 패턴(130a)은 제1 스위칭 소자(TR1)의 채널 영역을 형성할 수 있다.
반도체층(130) 상에는 저항성 접촉층이 배치될 수 있다. 저항성 접촉층(140)은 인(phosphorus)과 같은 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어지거나 실리사이드(silicide)로 만들어질 수 있다. 다만, 저항성 접촉층(140)은 반도체층(130)이 산화물 반도체로 이루어지는 경우라면, 생략될 수 있다.
제1 데이터 라인(DL1), 제1 소스 전극(SE1) 및 제1 드레인 전극(DE1)은 게이트 절연층(120) 및 저항성 접촉층(140) 상에 배치될 수 있다. 제1 소스 전극(SE1), 제1 드레인 전극(DE1), 제1 반도체 패턴(130a)은 동일한 마스크 공정을 통해 동시에 형성될 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 1 소스 전극(SE1), 제1 드레인 전극(DE1), 제1 반도체 패턴(130a)은 서로 다른 마스크 공정을 통해 형성될 수도 있다.
도면에서, 제1 소스 전극(SE1)의 모양이 U자이며, 제1 드레인 전극(DE1)이 제1 소스 전극(SE1)에 의해 둘러싸인 것으로 도시하였으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 제1 소스 전극(SE1), 제1 드레인 전극(DE1), 제1 반도체 패턴(130a) 및 제1 게이트 전극(GE1)은 전술한 제1 스위칭 소자(TR1)를 형성한다.
제1 패시베이션막(150)은 제1 소스 전극(SE1) 및 제1 드레인 전극(DE1) 상에 배치될 수 있다. 제1 패시베이션막(150)은 제1 드레인 전극(DE1)의 적어도 일부를 노출시키는 개구부를 포함한다. 제1 패시베이션막(150)은 일 실시예로 질화 규소와 산화 규소 등의 무기 절연물로 형성될 수 있다. 제1 패시베이션막(150)은 후술하는 유기 절연막(160)의 안료가 제1 반도체 패턴(130a)으로 유입되는 것을 방지할 수 있다.
유기 절연막(160)은 제1 패시베이션막(150) 상에 배치될 수 있다. 유기 절연막(160)은 제1 패시베이션막(150)의 개구부와 중첩되며, 제1 드레인 전극(DE1)의 적어도 일부를 노출시키는 개구부를 포함한다. 유기 절연막(160)은 평탄화 특성이 우수하며, 감광성(photosensitivity)을 가지는 유기 물질을 포함할 수 있다.
제2 패시베이션막(170)은 유기 절연막(160) 상에 배치될 수 있다. 제2 패시베이션막(170)은 일 실시예로 질화 규소와 산화 규소 등의 무기 절연물로 형성될 수 있다. 제2 패시베이션막(170)은 생략될 수도 있다.
전술한 제1 패시베이션막(150)의 개구부, 유기 절연막(160)의 개구부 및 제2 패시베이션막(170)의 개구부는 제1 컨택홀(CNT1)을 형성할 수 있다.
제1 화소 전극(PE1)은 제2 패시베이션막(170) 상에 배치될 수 있다. 제1 화소 전극(PE1)은 투명 도전 물질을 포함할 수 있다. 여기서, 투명 도전 물질은 다결정, 단결정 또는 비정질의 ITO(Indium Tin Oxide)를 포함할 수 있다.
제2 패시베이션막(170) 상에는 메인 컬럼 스페이서(MCS)가 배치될 수 있다. 몇몇 실시예에서, 메인 컬럼 스페이서(MCS)는 제1 화소 전극(PE1)과 중첩할 수 있으며, 제1 화소 전극(PE1) 상부에 배치될 수 있다.
메인 컬럼 스페이서(MCS)는 어레이 기판(100)과 대향 기판(200) 사이의 간격을 유지할 수 있으며, 대향 기판(200)의 하부와 직접 맞닿을 수 있다.
제1 화소 전극(PE1)은 제1 컨택홀(CNT1)을 통해 노출된 제1 드레인 전극(DE1)과 직접 접촉될 수 있다. 또한, 제1 화소 전극(PE1)은 공통 전극(CE)과 중첩된다.
이하, 대향 기판(200)에 대하여 설명한다.
일 실시예에서, 대향 기판(200)은 제2 기판(210), 블랙 매트릭스(BM), 제1 파장 변환 패턴(WC1), 평탄화층(260), 절연층(270), 편광층(280), 공통 전극(CE) 및 배향막(290)을 포함할 수 있다.
다른 실시예에서, 대향 기판(200)은 제1 파장 변환 패턴(WC1)과 평탄화층(260), 절연층(270), 및 편광층(280) 등을 포함하지 않을 수 있다. 이 경우, 어레이 기판(100)은 컬러 필터를 더 포함할 수 있다.
대향 기판(200)은 어레이 기판(100)과 대향되도록 배치된다. 제2 기판(210)은 투명한 유리 또는 플라스틱 등으로 형성될 수 있으며, 일 실시예로 제1 기판(110)과 동일한 재질로 형성될 수 있다.
블랙 매트릭스(BM)는 제2 기판(210) 상에 배치될 수 있다. 블랙 매트릭스(BM)는 복수의 화소부 간의 경계에 배치되며, 광의 투과를 차단하여 이웃한 화소부들 간의 혼색을 방지할 수 있다.
블랙 매트릭스(BM) 상에는 제1 파장 변환 패턴(WC1)이 배치될 수 있다. 제1 파장 변환 패턴(WC1)은 블랙 매트릭스(BM) 및 블랙 매트릭스의 이격 공간에 의해 노출된 제2 기판(200)의 하면에 접할 수 있다. 제1 파장 변환 패턴(WC1)은 제1 화소 전극(PE1)과 어레이 기판(100)을 기준으로 수직 방향으로 중첩될 수 있다.
제1 파장 변환 패턴(WC1)은 외부로부터 제공받은 광의 파장 대역을 변환 또는 시프트 시킬 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 이에 따라, 제1 파장 변환 패턴(WC1)은 외부로 방출되는 광의 표시 색을 파장 변환 패턴(WC)으로 입사되는 광의 표시 색과 다르게 변환시킬 수 있다.
예를 들어, 제1 파장 변환 패턴(WC1)은 후술할 백라이트 유닛(2000)으로부터 특정 파장 대역을 갖는 광(L)을 제공받아, 중심 파장을 변환 또는 시프트(shift)시켜 외부로 방출할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 파장 변환 패턴(WC1)은 백라이트 유닛(2000)으로부터 중심 파장이 약 420nm 내지 480nm인 청색 광을 제공 받아, 중심 파장이 약 600nm 내지 670nm 범위의 적색 광으로 변환시킬 수 있다.
제1 파장 변환 패턴(WC1)은 파장 변환 물질을 포함할 수 있다. 파장 변환 물질을 특정 파장 대역을 갖는 광(L)을 다른 파장 대역을 갖는 광으로 변환시키는 물질일 수 있다. 일 실시에로, 파장 변환 물질은 퀀텀도트(quantumdot)일 수 있다.
제1 파장 변환 패턴(WC1) 상에는 평탄화층(260)이 배치될 수 있다. 평탄화층(260)은 후술하는 편광층(280)에 대해 평탄성을 제공할 수 있다.
평탄화층(260) 상에는 절연층(270)이 배치될 수 있다. 절연층(270)은 절연성 무기 물질을 갖는 적어도 하나의 층으로 형성될 수 있다. 절연층(270)은 후술하는 편광층(280)의 형성 과정에서, 평탄화층(260)이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 한편, 절연층(270)은 생략될 수도 있다.
편광층(280)은 절연층(270) 상에 배치될 수 있다. 편광층(280)은 일 실시에로 와이어 그리드 편광자(wire grid polarizer)일 수 있다. 편광층(280)은 복수의 선 격자 패턴을 포함할 수 있다. 상기 복수의 선 격자 패턴은 일 실시예로 전류가 흐르는 전도성 물질을 포함할 수 있다. 한편, 도면에서는 단일의 선 격자 패턴이 배치된 경우를 예시하고 있으나, 이에 제한되는 것은 아니며 복수의 선 격자 패턴은 적어도 두개의 패턴 층이 적층된 구조일 수도 있다.
캡핑층(281)은 편광층(280) 상에 배치될 수 있다. 캡핑층(281)은 편광층(280)의 복수의 선 격자 패턴 상에 직접 배치되어, 복수의 선 격자 패턴을 커버 및 보호할 수 있다.
공통 전극(CE)은 캡핑층(281) 상에 배치될 수 있다. 공통 전극(CE)은 제1 화소 전극(PE1)과 적어도 일부가 중첩되도록 배치될 수 있다. 공통 전극(CE)은 일 실시예로 통판 형태일 수 있다.
배향막(290)은 공통 전극(CE) 상에 배치될 수 있다. 배향막(290)은 액정층(300) 내의 복수의 액정 분자(310)의 초기 배향을 유도할 수 있다. 배향막(290)은 일 실시예로 주쇄의 반복 단위 내에 이미드기를 갖는 고분자 유기 재료를 포함하여 이루어질 수 있다.
이어서 액정층(300)에 대하여 설명한다. 액정층(300)은 초기 배향된 복수의 액정 분자(310)를 포함한다. 복수의 액정 분자(310)는 음의 유전율 이방성을 가지고 초기 배향 상태에서 수직 배향될 수 있다. 복수의 액정 분자(310)는 초기 배향 상태에서 소정의 선 경사(pretilt) 각도를 가질 수도 있다. 복수의 액정 분자(310)의 초기 배향은 배향막(290)에 의해 유도될 수 있다. 복수의 액정 분자(310)는 어레이 기판(100)과 대향 기판(200) 사이에 전계가 형성되면, 특정 방향으로 기울어지거나 또는 회전함으로써 액정층(300)을 투과하는 광의 편광 상태를 변화시킬 수 있다.
표시 패널(1000)의 하부에는 백라이트 유닛(2000)이 배치될 수 있다. 백라이트 유닛(2000)은 표시 패널(1000)에 광을 제공한다. 보다 상세하게는 백라이트 유닛(2000)은 표시 패널(1000)의 하부에 배치되어, 특정 파장 대역을 갖는 광(L)을 표시 패널(1000)에 제공할 수 있다. 일 실시예에서, 특정 파장 대역을 갖는 광(L)은 약 420nm 내지 약 480nm 범위의 중심 파장을 갖는 청색(blue) 광일 수 있다. 상기 중심 파장은 피크 파장으로도 표현될 수 있다. 다시 말해, 특정 파장 대역을 갖는 광(L)은 중심 파장이 약 420nm 내지 480nm의 범위인 청색 광으로도 정의될 수 있다. 즉, 백라이트 유닛(2000)은 청색 광을 표시 패널(1000)로 제공할 수 있다. 표시 패널(1000)은 백라이트 유닛(2000)으로부터 방출되는 특정 파장 대역을 갖는 광(L)의 광 경로 상에 배치되어, 제공받은 광을 기초로 화상을 표시한다. 표시 패널(1000)이 백라이트 유닛(2000)으로부터 제공되는 광 경로 상에 배치되는 경우라면, 표시 패널(1000) 및 백라이트 유닛(2000) 간의 배치 관계는 도 3 또는 도 4에 도시된 것으로 제한되지 않는다.
이하, 도 4를 참조하여 제2 화소부(PX2)에 대하여 설명한다. 제1 화소부(PX1)와 동일한 구성에 대해서는 설명을 생략하거나 간략화하고, 차이점을 위주로 설명하기로 한다.
제2 화소부(PX2)에서 제2 패시베이션막(170) 상에는 서브 컬럼 스페이서(SCS)가 배치될 수 있다.
서브 컬럼 스페이서(SCS)는 메인 컬럼 스페이서(MCS)와 달리 대향 기판(200)과 일정 간격 이격되어 배치될 수 있다. 다시 말해, 서브 컬럼 스페이서(SCS)의 두께는 메인 컬럼 스페이서(MCS)의 두께보다 얇을 수 있다. 이에 따라, 어레이 기판(100)과 대향 기판(200)의 간격은 일차적으로 메인 컬럼 스페이서(MCS)에 의해 유지될 수 있으며, 표시 장치(1)에 가압이 이루어진 경우, 이차적으로 서브 컬럼 스페이서(SCS)에 의해 어레이 기판(100)과 대향 기판(200)의 간격이 유지될 수 있다.
제2 화소부(PX2)의 대향 기판(200)에는 제2 파장 변환 패턴(WC2)이 배치될 수 있다. 제2 파장 변환 패턴(WC2)은 제2 화소 전극(PE2)과 어레이 기판(100)을 기준으로 수직 방향으로 중첩할 수 있다.
제2 파장 변환 패턴(WC2)은 제1 파장 변환 패턴(WC1)과 마찬가지로 백라이트 유닛(2000)으로부터 특정 파장 대역을 갖는 광(L)을 제공받아, 중심 파장을 변환 또는 시프트(shift)시켜 외부로 방출할 수 있다. 제1 파장 변환 패턴(WC1)과 제2 파장 변환 패턴(WC2)은 각각 다른 파장을 갖는 광으로 변환 또는 시프트(shift) 시킨다. 예를 들어, 제1 파장 변환 패턴(WC1)이 청색 광을 제공 받아 적색 광으로 변환시키는 경우, 제2 파장 변환 패턴(WC2)은 청색 광을 제공 받아 녹색 광으로 변환시킬 수 있다.
도면에 도시하지는 않았는데, 제1 파장 변환 패턴(WC1) 또는 제2 파장 변환 패턴(WC2)은 광 투과 패턴일 수 있다. 광 투과 패턴은 제1, 제2 파장 변환 패턴(WC1, WC2)과 달리 특정 파장 대역을 갖는 광(L)의 파장을 변환없이 그대로 투과시킬 수 있다. 예를 들어, 광 투과 패턴은 청색 광을 제공 받아, 파장 변환 없이 청색 광 그대로 내보낼 수 있다.
이하, 표시 장치(1)의 주변 영역(PA)에 배치된 스페이서(CS)에 대한 설명을 위하여 도 5 내지 도 8이 참조된다.
도 5는 도 1의 V-V'를 따라 자른 단면도이다. 도 6은 스캔 구동부와 스페이서의 관계를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 도 7은 도 6의 A 영역을 확대한 도면이다. 도 8은 도 7의 VIII-VIII'을 따라 자른 단면도이다.
도 5 내지 도 8을 참조하면, 표시 장치(1)는 스캔 구동부(10) 상에 중첩 배치되는 스페이서(SC)를 더 포함할 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이, 스캔 구동부(10)는 제1, 제2 스위칭 소자(TR1, TR2)와 같은 스위칭 소자를 통해 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 스캔 구동부(10)는 ASG(Amorphous Silicon Gate)구조를 가질 수 있다.
스페이서(SC)는 서로 상이한 높이를 가지며, 서로 이격된 제1 스페이서(SC1)와 제2 스페이서(SC2)를 포함한다. 제1 스페이서(SC1)와 제2 스페이서(SC2)는 하프톤(half-tone) 마스크를 이용하여 동일한 마스크 공정을 통해 동시에 형성될 수 있다.
제1 스페이서(SC1)는 대향 기판(200)과 접하도록 배치될 수 있다. 제1 스페이서(SC1)는 메인 컬럼 스페이서(MCS)와 동일한 높이를 가질 수 있다. 다시 말해, 제1 컬럼 스페이서(SC1)의 높이(h1)는 메인 컬럼 스페이서(MCS)의 높이(h3)와 동일할 수 있다.
제2 스페이서(SC2)는 대향 기판(200)의 하면과 일정 간격 이격 배치된다. 제2 스페이서(SC2)의 높이(h2)는 제1 스페이서(SC1)의 높이(h1)보다 낮다. 일 실시예에서, 제2 스페이서(SC2)의 높이(h2)는 서브 컬럼 스페이서(SCS)의 높이(h4)와 동일할 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 제2 스페이서(SC2)의 높이(h2)와 서브 컬럼 스페이서(SCS)의 높이(h4)는 서로 상이할 수 있다. 다만, 제2 스페이서(SC2)와 서브 컬럼 스페이서(SCS)는 모두 대향 기판(200)에 접하지 않는다.
제1 스페이서(SC1)는 메인 컬럼 스페이서(MCS)와 유사한 기능을 수행할 수 있다. 즉, 제1 스페이서(SC1)는 어레이 기판(100)과 대향 기판(200) 사이의 간격을 유지할 수 있다. 또한, 제2 스페이서(SC2)는 서브 컬럼 스페이서(SCS)와 유사한 기능을 수행할 수 있다. 즉, 제2 스페이서(SC2)는 표시 장치(1)가 가압될 때, 어레이 기판(100)과 대향 기판(200) 사이의 간격을 유지할 수 있다.
제1 스페이서(SC1)의 높이(h1)와 제2 스페이서(SC2)의 높이(h2) 사이의 차는 약 0.3㎛ 내지 약 0.7㎛일 수 있다. 예시적인 실시에에서, 제1 스페이서(SC1)의 높이(h1)와 제2 스페이서(SC2)의 높이(h2) 사이의 차는 약 0.5㎛일 수 있다.
제1 스페이서(SC1)의 높이(h1)와 제2 스페이서(SC2)의 높이(h2) 사이의 차이 0.3㎛ 이상인 경우, 제2 스페이서(SC1)는 제1 스페이서(SC1)와 각각의 기능이 명확히 구별될 수 있다. 즉, 제2 스페이서(SC1)는 앞서 설명한 바와 같이 표시 장치(1)에 압력이 가해졌을 때 어레이 기판(100)과 대향 기판(200) 사이의 간격을 유지하는 기능을 수행할 수 있는데, 제1 스페이서(SC1)와 제2 스페이서(SC2)의 높이(h1, h2)가 유사한 경우, 제2 스페이서(SC2)는 제1 스페이서(SC1)와 유사한 기능을 갖게 된다. 이러한 관점에서, 제1 스페이서(SC1)와 제2 스페이서(SC2)의 높이(h1, h2) 차가 0.3㎛ 이상일 수 있다.
제1 스페이서(SC1)의 높이(h1)와 제2 스페이서(SC2)의 높이(h2) 사이의 차이 가 0.7㎛ 이하이면, 표시 장치(1)에 압력이 가해졌을 때 제2 스페이서(SC2)가 어레이 기판(100)과 대향 기판(200) 사이의 간격을 충분히 유지할 수 있다.
제1 스페이서(SC1)는 제2 스페이서(SC2)와 이격 배치된다. 표시 영역(DA)에 배치된 메인 컬럼 스페이서(MCS)와 서브 컬럼 스페이서(SCS)가 이격배치 되는 것처럼, 주변 영역(PA)에 배치된 제1 스페이서(SC1)와 제2 스페이서(SC2) 역시 이격배치될 수 있다.
일반적으로, 표시 장치(1)에 외부 압력이 가해질 때, 스페이서(SC) 및 컬럼 스페이서(PCS)의 압축 특성은 스페이서(SC) 및 컬럼 스페이서(PCS)의 면적에 의존한다. 예를 들어, 스페이서(SC)의 면적이 넓을수록 압축되는 정도가 감소할 수 있다. 다시 말해, 스페이서(SC)의 면적이 넓을수록 어레이 기판(100)과 대향 기판(200) 사이의 간격이 가압전과 비슷하게 유지될 수 있다.
만약, 제1 스페이서(SC1)와 제2 스페이서(SC2)가 연결된다면, 서로 이격 배치된 메인 컬럼 스페이서(MCS)와 서브 컬럼 스페이서(SCS)와 다른 압축 특성을 갖게 된다. 이 경우, 표시 장치(1)에 압력이 가해지면, 주변 영역(PA) 대비 표시 영역(DA)에서 어레이 기판(100)과 대향 기판(200) 사이의 간격이 더 많이 감소하게 되어, 표시 영역(DA)과 주변 영역(PA)이 압축되는 정도가 달라질 수 있다.
이에 반하여, 제1 스페이서(SC1)와 제2 스페이서(SC2)가 서로 이격배치되면, 표시 영역(DA)의 메인 컬럼 스페이서(MCS)와 서브 컬럼 스페이서(SCS)와 유사한 압축 특성을 가질 수 있다. 이 경우, 표시 영역(DA)과 주변 영역(PA)의 압축 특성이 유사해져, 표시 장치(1)의 전체 영역에서 어레이 기판(100)과 대향 기판(200) 사이의 간격이 일정하게 유지될 수 있다.
제1 스페이서(SC1)는 기둥(column) 형상으로, 평면상에서 스캔 구동부(10) 상에 일정 패턴을 갖도록 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 스페이서(SC1)는 제1 열 및 제2 열을 따라 복수개 배치될 때, 동일 행에는 배치되지 않도록 교차하여 배치될 수 있다. 다른 실시예에서, 제1 스페이서(SC1)는 매트릭스 형상으로 배치될 수도 있다. 제1 스페이서(SC1)의 배치는 상기 예시에 제한되는 것은 아니며, 표시 장치(1)의 주변 영역(PA)에서 어레이 기판(100)과 대향 기판(200) 사이의 간격을 유지할 수 있다면 제1 스페이서(SC1)의 배치는 자유롭게 변경가능하다.
제2 스페이서(SC2)는 평면상에서 스캔 구동부(10) 대부분을 덮도록 배치될 수 있다. 즉, 스캔 구동부(10)는 대부분의 영역은 제2 스페이서(SC2)에 대하여 중첩할 수 있다.
일 실시예에서, 제2 스페이서(SC2)는 스캔 구동부(10)의 대부분을 덮고 외측으로 더 연장될 수 있다. 제2 스페이서(SC2)의 테두리는 스캔 구동부(10)의 테두리보다 외측에 배치될 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 제2 스페이서(SC2)의 테두리는 스캔 구동부(10)의 테두리에 실질적으로 정렬될 수 있다.
평면 시점에서 바라보았을 때, 제1 스페이서(SC1)는 원 형상으로 구현될 수 있으며, 제2 스페이서(SC2)는 사각형 형상으로 제1 스페이서(SC1)를 둘러쌀 수 있다. 다시 말해, 제2 스페이서(SC2)의 내측벽은 평면상 사각형 형상일 수 있으며, 원 형상의 제1 스페이서(SC1)는 제2 스페이서(SC2)의 내측벽 내에 삽입 배치될 수 있다. 다만, 제1 스페이서(SC1)와 제2 스페이서(SC2)의 형상은 이에 제한되는 것은 아니며, 이에 대하여는 도 9 및 도 10에서 후술하도록 한다.
스캔 구동부(10)와 스페이서(SC)의 중첩 비율은 약 80% 이상일 수 있다. 즉, 스페이서(SC)는 스캔 구동부(10)의 약 80% 이상을 커버할 수 있다.
스캔 구동부(10)의 전체 면적을 기준으로 스페이서(SC)와 중첩된 비중이 약 80% 이상인 경우, 스페이서(SC)에 의한 스캔 구동부(10)로의 반사광 유입이 충분히 차단될 수 있다.
구체적으로 설명하면, 스페이서(SC) 즉, 제1 스페이서(SC1)와 제2 스페이서(SC2)는 백라이트 유닛(2000)의 광(L)이 대향 기판(200)의 편광층(280)에서 반사되어 스캔 구동부(10)로 입사되는 것을 방지할 수 있다. 특히, 제2 스페이서(SC2)는 스캔 구동부(10)의 대부분의 영역을 커버하므로, 편광층(280)에 의해 반사된 광이 스캔 구동부(10)로 입사되는 것을 더욱 확실히 방지할 수 있다.
스페이서(SC)의 광 투과율은 약 10% 이하일 수 있다. 특히, 중심 파장이 약 420nm 내지 480nm인 청색 광에 대한 스페이서(SC)의 광 투과율은 약 10%이하일 수 있다. 구체적으로, 백라이트 유닛(2000)에서 출사된 광(L)중 편광층(280)에 의해 반사되어 스캔 구동부(10)로 입사되는 광 중 약 90% 이상이 스페이서(SC)에 의하여 차단될 수 있다.
스캔 구동부(10)를 구성하는 스위칭 소자는 외부 광에 노출되는 경우 쉽게 열화될 수 있다. 예를 들어, 편광층(280)에 의해 반사된 백라이트 유닛(2000)의 광(L)이 스캔 구동부(10)로 유입되는 경우 스캔 구동부(10)의 스위칭 소자가 열화되어 표시 장치(1)의 내구성이 감소할 수 있다.
스페이서(SC)는 이러한 반사된 광이 스캔 구동부(10)로 유입되는 것을 방지하여 스캔 구동부(10)의 열화를 방지하고 표시 장치(1)의 내구성을 개선한다. 스페이서(SC)에 의한 광 투과율이 약 10% 이하인 경우, 반사 광에 의한 스캔 구동부(10)의 열화를 충분히 방지할 수 있다.
스페이서(SC)는 백라이트 유닛(2000)에서 출사되는 광(L)이 갖는 파장 영역대를 효과적으로 차단할 수 있는 색을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 백라이트 유닛(2000)이 중심 파장이 약 420nm 내지 480nm인 청색 광(L)을 출사할 때, 스페이서(SC)는 적색(red), 오렌지색(orange), 노란색(yellow), 또는 검정색(black) 등을 갖도록 형성될 수 있다. 다만, 스페이서(SC)의 색상은 상기 예시에 제한되는 것은 아니며, 스캔 구동부(10)로 유입되는 광을 차단하기에 적절한 색상이라면 특별히 제한되지 않는다.
몇몇 실시예에서 스페이서(SC)는 청색광을 흡수하는 안료를 포함할 수 있다. 스페이서(SC)은 420 nm 내지 480 nm의 중심 파장을 갖는 청색광을 흡수할 수 있다.
상기 안료는 적색 안료, 주황색 안료 및 황색 안료 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 구체적으로 상기 안료는 하기 화학식 1 내지 8로 표현되는 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
Figure pat00001
[화학식 1]
Figure pat00002
[화학식 2]
Figure pat00003
[화학식 3]
Figure pat00004
[화학식 4]
Figure pat00005
[화학식 5]
Figure pat00006
[화학식 6]
Figure pat00007
[화학식 7]
Figure pat00008
[화학식 8]
또한 본 명세서는 청색광을 흡수하는 안료에 대해 설명하였으나, 이에 제한되지 않고 실시예에 따라 적색광을 흡수하거나 녹색광을 흡수하는 안료를 포함할 수eh 있다. 이는 인접한 화소 간의 혼색을 방지하기 위함이며, 일 예로 하기 화학식 9로 표현되는 화합물 또는 하기 화학식 10으로 표현되는 화합물을 포함할 수 있다.
Figure pat00009
[화학식 9]
Figure pat00010
[화학식 10]
상기 안료는 스페이서(SC)의 전체 함량 대비 약 5 내지 30 중량% 포함될 수 있다. 상기 안료가 5 중량% 미만으로 포함되는 경우 청색광의 흡수 효과가 미미할 수 있으며, 상기 안료가 30 중량% 초과로 포함되는 경우 스페이서(SC)의 제조 공정에 대한 신뢰성이 저하될 수 있다. 안료가 과다하게 포함되는 경우 스페이서를 형성하는 식각 공정이 정밀하게 이루어지지 않을 가능성이 있다.
일반적인 스페이서는 투명한 재질로 형성될 수 있으나, 일 실시예에 따른 스페이서(SC)는 안료를 포함함으로써 액정층(300)의 갭을 유지하면서도 스캔 구동부(10)를 향하는 청색광을 흡수하여 스캔 구동부(10)의 특성 또는 스캔 구동부(10)가 포함하는 스위칭 소자의 특성이 나빠지는 것을 방지할 수 있다.
제1 스페이서(SC1)와 제2 스페이서(SC2) 사이의 이격 거리(d)는 약 10㎛ 내지 30㎛일 수 있다. 바람직하게는 약 15㎛ 내지 25㎛일 수 있다. 예시적인 실시예에서 제1 스페이서(SC1)와 제2 스페이서(SC2) 사이의 이격 거리(d)는 약 20㎛일 수 있다. 여기서, 이격 거리(d)라 함은 제1 스페이서(SC1)와 제2 스페이서(SC2) 사이의 최단 거리를 기준으로 한다.
제1 스페이서(SC1)와 제2 스페이서(SC2) 사이의 이격 거리(d)가 지나치게 가까운 경우, 표시 장치(1)가 가압될 때 서로 접하게 되어 스페이서로서의 기능을 충분히 수행하기 어려울 수 있다. 제1 스페이서(SC1)와 제2 스페이서(SC2) 사이의 이격 거리(d)가 먼 경우, 제1 스페이서(SC1)와 제2 스페이서(SC2) 사이의 이격 공간으로 반사광이 유입될 수 있어, 스페이서(SC)의 광 차단율이 감소할 수 있다. 이러한 관점에서 제1 스페이서(SC1)와 제2 스페이서(SC2) 사이의 이격 거리(d)는 상기 범위를 만족할 수 있다.
제1 스페이서(SC1)와 제2 스페이서(SC2)는 어레이 기판(100)과 대향 기판(200)의 간격을 유지하는 스페이서 기능과 스캔 구동부(10)로 유입되는 반사광을 차단하는 기능을 수행할 수 있다. 이에 따라, 스캔 구동부(10)로 유입되는 광을 차단하기 위한 별도의 광 차폐층을 형성할 필요가 없어, 제조 공정이 단순화되고 원가를 절감할 수 있다.
이하, 스페이서(CS)의 다른 실시예에 대해 설명한다. 이하의 실시예에서, 이미 설명한 실시예와 동일한 구성에 대해서는 설명을 생략하거나 간략화하고, 차이점을 위주로 설명하기로 한다.
도 9 및 도 10은 다른 실시예에 따른 스페이서의 도 6의 A 영역에 대응되는 영역의 확대도이다.
도 9를 참조하면, 평면 시점에서 바라보았을 때, 제1 스페이서(SC1_2)는 사각형 형상으로 구현될 수 있다. 여기서, 제1 스페이서(SC1_2)와 제2 스페이서(SC2_2) 사이의 이격 거리(d)는 일 실시예에 따른 제1 스페이서(SC1)와 제2 스페이서(SC2) 사이의 이격 거리(d)와 실질적으로 동일한 범위를 가질 수 있다.
도 10을 참조하면, 평면 시점에서 바라보았을 때, 제1 스페이서(SC1_3)는 원 형상으로 구현되며, 제2 스페이서(SC2_3) 또한 원형 형상으로 제1 스페이서(SC1_3)를 둘러쌀 수 있다. 다시 말해, 제2 스페이서(SC2_3)의 내측벽은 평면상 원 형상일 수 있다. 제1 스페이서(SC1_3)와 제2 스페이서(SC2_3) 사이의 이격 공간은 링 형상과 유사할 수 있다.
제1 스페이서(SC1_3)와 제2 스페이서(SC2_3) 사이의 이격 거리(d) 또한 일 실시예에 따른 제1 스페이서(SC1)와 제2 스페이서(SC2) 사이의 이격 거리(d)와 실질적으로 동일한 범위를 가질 수 있다.
도 11 및 도 12는 또 다른 실시예에 따른 스캔 구동부와 스페이서의 관계를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 11을 참조하면, 제2 스페이서(SC2_4)의 테두리는 스캔 구동부(10_4)의 테두리보다 내측에 배치될 수 있다.
도 12를 참조하면, 제2 스페이서(SC2_5)의 테두리 중 일 장변과 양 단변은 스캔 구동부(10_5)의 테두리보다 외측에 배치되나, 제2 스페이서(SC2_5)의 타 장변은 스캔 구동부(10_5) 상에 배치될 수 있다.
제1 스페이서(SC1_4, SC1_5) 및 제2 스페이서(SC2_4, SC2_5)의하여 스캔 구동부(10_4, 10_5)가 커버되는 영역이 약 80% 이상을 만족하는 범위내에서, 제2 스페이서(SC2_4, SC2_5)의 테두리의 위치는 스캔 구동부(10_4, 10_5)의 테두리에 대하여 자유롭게 배치될 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 어레이 기판
200: 대향 기판
300: 액정층
10: 스캔 구동부
SC: 스페이서
SC1: 제1 스페이서
SC2: 제2 스페이서

Claims (20)

  1. 표시 영역 및 주변 영역을 포함하는 베이스 기판;
    상기 베이스 기판의 상기 주변 영역 상에 위치하는 스캔 구동부; 및
    상기 스캔 구동부에 중첩 배치되는 스페이서;를 포함하되,
    상기 스페이서는 서로 이격되며, 높이를 달리하는 제1 스페이서와 제2 스페이서를 포함하는 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 베이스 기판과 대향하며, 이격 배치되는 대향 기판을 더 포함하되,
    상기 스페이서는 상기 베이스 기판과 상기 대향 기판 사이의 간격을 유지하는 표시 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 스페이서는 상기 대향 기판과 접하고, 상기 제2 스페이서는 상기 대향 기판과 이격된 표시 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 대향 기판은 파장 변환 패턴을 포함하는 표시 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 스페이서의 높이는 상기 제2 스페이서의 높이에 비하여 높은 표시 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 스페이서와 상기 제2 스페이서의 높이 차는 0.3㎛ 내지 0.7㎛인 표시 장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 제2 스페이서의 평면상 면적은 상기 제1 스페이서의 평면상 면적보다 넓은 표시 장치.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 제1 스페이서는 상기 제2 스페이서에 의하여 둘러싸인 표시 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 스캔 구동부의 평면상 면적을 기준으로, 상기 스페이서와 상기 스캔 구동부의 중첩 비율은 80% 이상인 표시 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 스페이서의 적어도 일 측면은 상기 스캔 구동부의 일 측면보다 외측에 배치되는 표시 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제1 스페이서와 상기 제2 스페이서 사이의 이격 거리는 10㎛ 내지 30㎛인 표시 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 스페이서는 중심 파장이 약 420nm 내지 480nm인 청색 광을 차폐하는 표시 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 스페이서의 광 투과율은 10% 이하인 표시 장치.
  14. 표시 영역 및 주변 영역을 포함하는 베이스 기판;
    상기베이스 기판과 대향하는 대향 기판;
    상기 베이스 기판 상의 상기 표시 영역 상에 위치하는 컬럼 스페이서;
    상기 베이스 기판 상의 상기 주변 영역 상에 위치하는 스캔 구동부; 및
    상기 베이스 기판 상의 상기 주변 영역 상에 위치하며, 상기 스캔 구동부와 중첩하는 스페이서;를 포함하되,
    상기 컬럼 스페이서는 서로 이격되며, 높이는 달리하는 메인 컬럼 스페이서 및 서브 컬럼 스페이서를 포함하고,
    상기 스페이서는 서로 이격되며, 높이를 달리하는 제1 스페이서 및 제2 스페이서를 포함하는 표시 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 메인 컬럼 스페이서 및 상기 제1 스페이서는 상기 대향 기판에 접하는 표시 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 서브 컬럼 스페이서 및 상기 제2 스페이서는 상기 대향 기판과 이격된 표시 장치.
  17. 제14항에 있어서,
    상기 스페이서는 중심 파장이 약 420nm 내지 480nm인 청색 광을 차폐하는 표시 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 스페이서의 광 투과율은 10% 이하인 표시 장치.
  19. 제14항에 있어서,
    상기 스캔 구동부의 평면상 면적을 기준으로, 상기 스페이서와 상기 스캔 구동부의 중첩 비율은 80% 이상인 표시 장치.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 스페이서의 적어도 일 측면은 상기 스캔 구동부의 일 측면보다 외측에 배치되는 표시 장치.
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