KR20190122152A - 전자 장치 및 타일링 전자 장치 - Google Patents

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KR20190122152A
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Abstract

전자 장치 및 타일링 전자 장치가 개시되고, 베이스 기판, 제1 회로층 및 복수의 발광 소자를 포함한다. 베이스 기판은 서로 대향하는 제1 표면 및 제2 표면을 갖는다. 제1 회로층은 제1 부분 및 제2 부분을 포함한다. 제1 부분은 베이스 기판의 제1 표면 상에 배치되고, 제2 부분은 베이스 기판의 제2 표면 상에 배치된다. 발광 소자는 제1 회로층의 제1 부분 상에 배치된다. 베이스 기판의 제2 표면 및 제1 회로층의 제1 부분 중 적어도 하나는 적어도 하나의 미세구조를 포함한다.

Description

전자 장치 및 타일링 전자 장치{ELECTRONIC DEVICE AND TILING ELECTRONIC APPARATUS}
본 출원은 2018년 9월 20일자로 출원된 중국 특허 출원 제201811103070.4호 및 2018년 4월 19일자로 출원된 미국 가출원 제62/660,222호의 이점을 주장하고, 그 전체 내용은 본 명세서에 참고로 포함된다.
본 발명은 전자 장치 및 타일링 전자 장치에 관한 것으로, 특히 플렉시블 전자 장치 및 플렉시블 타일링 전자 장치에 관한 것이다.
디스플레이 기술의 진보에 따라, 대형 디스플레이 장치가 점점 더 많은 장소에서 사용되어, 더 많은 소비자가 동일한 이미지를 동시에 볼 수 있다. 대형 디스플레이 장치의 크기는 일반적으로 제조될 수 있는 디스플레이 장치의 크기를 초과하므로, 대형 디스플레이를 달성하기 위해, 디스플레이 장치는 복수의 디스플레이 장치를 결합하는 것에 의해 형성된다. 디스플레이 장치가 다수 디스플레이 장치에 의해 형성되기 때문에, 제조 비용이 비교적 높고, 따라서 디스플레이 장치 중 하나가 대미지를 받으면, 다른 대미지를 받지 않은 디스플레이 장치는 수리를 위해 여전히 격리되어질 필요가 있다. 따라서, 대형 타일링 디스플레이 장치를 수리하는 것은 편리하지 않다.
본 발명은 플렉시블 전자 장치 및 플렉시블 타일링 전자 장치를 제공함에 그 목적이 있다.
본 발명의 실시 예는 베이스 기판, 제1 회로층 및 복수의 발광 소자를 구비하는 전자 장치를 제공한다. 베이스 기판은 서로 대향하는 제1 표면 및 제2 표면을 갖는다. 제1 회로층은 제1 부분 및 제2 부분을 구비하고, 제1 부분은 베이스 기판의 제1 표면 상에 배치되고, 제2 부분은 베이스 기판의 제2 표면 상에 배치된다. 발광 소자는 제1 회로층의 제1 부분 상에 배치된다. 베이스 기판의 제2 표면 및 제1 회로층의 제1 부분 중 적어도 하나는 적어도 하나의 미세구조를 구비한다.
본 발명의 다른 실시 예는 제1 기판 및 복수의 전자 장치를 구비하는 타일링 전자 장치를 제공한다. 제1 기판은 복수의 돌출부를 구비한다. 전자 장치 중 적어도 하나는 베이스 기판, 제1 회로층 및 복수의 발광 소자를 구비한다. 베이스 기판은 서로 대향하는 제1 표면 및 제2 표면을 갖는다. 제1 회로층은 제1 부분 및 제2 부분을 구비하고, 제1 부분은 베이스 기판의 제1 표면 상에 배치되고, 제2 부분은 베이스 기판의 제2 표면 상에 배치된다. 발광 소자는 제1 회로층 상에 배치된다. 돌출부 중 적어도 하나는 발광 소자의 인접하는 2개 사이에서 맞물린다.
본 개시의 이들 및 다른 목적은 다양한 도면에 예시된 실시 예의 다음의 상세한 설명을 읽은 후 당업자에게 명백할 것이다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 전자 장치의 단면도를 예시한다.
도 2는 본 발명의 제1 실시 예의 변형 실시 예에 따른 전자 장치의 단면도를 예시한다.
도 3은 본 발명의 제1 실시 예의 다른 변형 실시 예에 따른 전자 장치의 단면도를 예시한다.
도 4 및 도 5는 각각 본 발명의 제2 실시 예에 따른 타일링 전자 장치의 단면도 및 상면도를 예시한다.
도 6은 본 발명의 제2 실시 예의 변형 실시 예에 따른 타일링 전자 장치의 단면도를 예시한다.
도 7은 본 발명의 제2 실시 예의 다른 변형 실시 예에 따른 타일링 전자 장치의 단면도를 예시한다.
도 8은 본 발명의 제2 실시 예의 다른 변형 실시 예에 따른 타일링 전자 장치의 단면도를 예시한다.
도 9는 본 발명의 제2 실시 예의 다른 변형 실시 예에 따른 타일링 전자 장치의 단면도를 예시한다.
본 발명은 이하 설명되는 바와 같이 도면과 관련하여 취해진 다음의 상세한 설명을 참조함으로써 이해될 수 있다. 설명을 명확하게 하고 독자가 쉽게 이해하기 위한 목적으로, 본 발명의 다양한 도면은 디스플레이 장치의 일부를 도시하고, 다양한 도면에서의 소정 소자는 일정한 비율로 그려지지 않을 수 있다. 또한, 도면에 도시된 각 장치의 개수 및 치수는 예시적인 것이고 본 발명의 범위를 한정하는 것으로 의도되지는 않는다.
소정 용어는 특정 구성요소를 언급하도록 상세한 설명 및 청구 범위를 통해 사용된다. 당업자가 이해할 수 있는 바와 같이, 전자 장비 제조업자는 다른 이름으로 구성요소를 언급할 수 있다. 이 문서는 이름은 다르지만 기능은 그렇지 않은 구성요소 간에서 구별하도록 의도되지는 않는다. 이하의 설명 및 청구의 범위에서, 용어 "포함하는" 및 "구비하는"은 제한없는 방식으로 사용되고, 따라서 "포함하지만 이에 한정되는 것은 아니다"를 의미하는 것으로 해석되어야 한다. 구성요소가 다른 구성요소(또는 그 변형)와 "결합(coupled to)"되는 것으로 언급될 때, 이는 다른 구성요소에 직접 연결될 수 있거나 또는 하나 이상의 중개 구성요소를 통해 다른 구성요소에 간접적으로 연결(예컨대 전기적으로 연결)될 수 있음을 이해할 것이다. 그러나, 다른 실시 예의 도면에서 동일한 및/또는 대응하는 도면 부호의 사용은 다른 실시 예 사이에서 소정 상관 관계를 제안하지는 않는다. 또한, 본 명세서에서, "제2 재료 층의 위에/상에/걸쳐서 배치된 제1 재료 층"과 같은 표현은 제1 재료 층과 제2 재료 층의 직접 접촉을 나타낼 수도 있고, 또는 제1 재료 층과 제2 재료 층 사이에서 하나 이상의 중간층을 갖는 비접촉 상태를 나타낼 수도 있다. 상기 상황에서, 제1 재료 층은 제2 재료 층과 직접 접촉하지 않을 수 있다.
이하 설명하는 여러 실시 예에서의 기술적 특징은 본 발명의 사상을 벗어나는 것 없이 다른 실시 예를 구성하도록 서로 대체, 재결합 또는 혼합될 수 있음을 주지해야 한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 전자 장치의 단면도를 예시한다. 전자 장치(10A)는 베이스 기판(12; base substrate), 제1 회로층(14; first circuit layer) 및 복수의 발광 소자(16; plurality of light-emitting elements)를 포함한다. 베이스 기판(12)은 서로 대향하는 제1 표면(S1) 및 제2 표면(S2)을 갖는다. 제1 회로층(14)은 제1 표면(S1) 상에 배치되고 베이스 기판(12)의 에지(edge)를 통해 제1 표면(S1)으로부터 제2 표면(S2)으로 연장된다. 발광 소자(16)는 제1 표면(S1)상의 제1 회로층(14)의 일부 상에 배치된다. 제1 회로층(14)은 베이스층(도면에 도시되지 않았음) 및 베이스층 상에 배치된 회로(도면에 도시되지 않았음)를 구비한다. 몇몇 실시 예에 있어서, 베이스층은 폴리머층(polymer layer)을 구비할 수 있다. 예컨대, 베이스 기판(12)의 재료 및 베이스층의 재료는 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리카보네이트(PC), 폴리(에틸렌 숙시네이트)(PES), 폴리부틸렌 테레프탈레이트(PBT), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리아릴레이트(PAR), 다른 적절한 재료, 또는 그 조합을 포함할 수 있지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 더욱이, 몇몇 실시 예에 있어서, 발광 소자(16)는 발광 다이오드(LED), 마이크로 LED, 미니 LED, 다른 디스플레이 매체, 또는 그 조합 중 하나를 포함하지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 발광 소자(16)는 예컨대 LED 패키지 또는 LED 칩일 수 있다. 또한, 발광 소자(16)는 일면(상부면) 조명 형태, 4면(4측 표면) 조명 형태 또는 5면(상부면 및 4측 표면) 조명 형태일 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 전자 장치(10A)는 디스플레이 장치일 수 있다. 각 발광 소자(16)는 픽셀(pixel) 또는 서브-픽셀(sub-pixel)과 같은 디스플레이 유닛(display unit)으로서 기능할 수 있지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 몇몇 실시 예에 있어서, 전자 장치(10A)는 예컨대 센싱 장치(sensing device) 또는 안테나(antenna)일 수 있다. 본 실시 예에 있어서, 제1 회로층(14)은 제1 부분(14a), 제2 부분(14b) 및 제3 부분(14c)을 포함할 수 있다. 제1 부분(14a)은 제1 표면(S1) 상에 배치된 제1 회로층(14)의 일부일 수 있고, 제2 부분(14b)은 제2 표면(S2) 상에 배치된 제1 회로층(14)의 일부일 수 있으며, 제3 부분(14c)은 제1 부분(14a)과 제2 부분(14b)을 연결하는 제1 회로층(14)의 일부이다. 더욱이, 발광 소자(16)는 제1 부분(14a) 상에 배치된다. 본 실시 예에 있어서, 전자 장치(10A)는 발광 소자(16)를 구동시키기 위한 구동 유닛(18; driving unit)을 더 구비할 수 있다. 구동 유닛(18)은 베이스 기판(12)의 제2 표면(S2) 상으로 만곡된 제1 회로층(14)의 일부(제2 부분(14b)) 상에 배치되고, 제1 회로층(14)의 제1 부분(14a) 상에 배치된 발광 소자(16)는 제1 회로층(14)의 제2 부분(14b) 상에 배치된 구동 유닛(18)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예컨대, 구동 유닛(18)은 게이트 구동 유닛(gate driving unit) 및 소스 구동 유닛(source driving unit)을 구비할 수 있다. 제1 회로층(14)이 베이스 기판(12)의 제2 표면(S2) 상으로 만곡되어 연장되는 것에 의해, 그 위에 배치된 구동 유닛(18)을 갖는 제1 회로층(14)의 일부(예컨대, 제2 부분(14b))가 베이스 기판(12) 아래에 배치될 수 있어, 이미지를 디스플레이하지 않는 전자 장치(10A)의 영역이 감소될 수 있고, 2개의 인접하는 전자 장치(10A) 사이의 갭(gap)이 또한 줄어들 수 있다. 일 실시 예에 있어서, 2개의 인접하는 전자 장치(10A)에서 2개의 인접하는 발광 소자(16) 각각의 사이의 공간(spacing)은 동일한 하나의 전자 장치(10A)에서 2개의 인접하는 발광 소자(16) 사이의 갭에 가깝거나 동일할 수 있고, 따라서 인접하는 전자 장치(10A) 사이의 갭은 사용자에 의해 쉽게 보이지 않는다. 몇몇 실시 예에 있어서, 제1 회로층(14)의 회로는 어레이 회로(array circuit)를 구비할 수 있다. 예컨대, 어레이 회로는 복수의 주사선(plurality of scan lines), 복수의 데이터선, 복수의 전원선, 복수의 구동 트랜지스터 및 복수의 스위치 트랜지스터를 구비할 수 있고, 발광 소자(16) 중 하나는 대응하는 주사선, 대응하는 데이터선, 대응하는 전원선, 대응하는 구동 트랜지스터 및 대응하는 스위치 트랜지스터에 의해 제어될 수 있다. 제1 회로층(14)은 예컨대 박막 트랜지스터 공정(thin-film transistor process)에 의해 형성될 수 있다. 몇몇 실시 예에 있어서, 전자 장치(10A)는 제1 회로층(14)의 회로를 차폐(shielding)하기 위해 노출된 제1 회로층(14) 상에 배치된 차폐층(SL; shielding layer)을 선택적으로 더 구비할 수 있다. 일 실시 예에 있어서, 차폐층(SL)은 발광 소자(16)가 배치되지 않은 제1 회로층(14)의 제1 부분(14a)의 일부 상에 배치될 수 있다. 차폐층(SL)은 노출된 제2 부분(14b) 상에 배치될 수 있다. 차폐층(SL)의 재료는 유기 재료(organic material)와 같은 절연 재료(insulating material)를 구비할 수 있다.
본 실시 예에 있어서, 전자 장치(10A)는 베이스 기판(12)의 제2 표면(S2) 상에 배치되고 제1 회로층(14)에 전기적으로 연결된 제2 회로층(20)을 선택적으로 구비할 수 있다. 특히, 제2 회로층(20)은 도전성 접착제(conductive adhesive) 또는 커넥터(connector)를 통해 구동 유닛(18) 및 제1 회로층(14)에 전기적으로 연결될 수 있다. 커넥터는 예컨대 슬롯(slot)일 수 있다. 제2 회로층(20)에 의해, 여러 전자 장치(10A)는 서로 전기적으로 연결될 수 있어, 다수 전자 장치(10A)는 풀 이미지(full image)를 디스플레이할 수 있다. 일 실시 예에 있어서, 제2 회로층(20)의 구성은 제1 회로층(14)의 구성과 다를 수 있다. 제2 회로층(20), 베이스 기판(12)의 제2 표면(S2), 및 발광 소자(16)와 면하는 제1 회로층(14)의 표면 중 적어도 하나는 적어도 하나의 미세구조(microstructure)를 구비한다. 미세구조는 예컨대 오목부(recess), 범프(bump) 또는 관통 구멍(through hole)일 수 있고, (수평 방향(H)과 같은) 방향을 따라 취해진 오목부 또는 범프의 단면 형상은 원호(arc), 삼각형(triangle), 직사각형(rectangular), 다각형(polygonal) 또는 다른 적절한 형상일 수 있다. 몇몇 실시 예에 있어서, 미세구조는 그 내에 배치된 범프를 갖는 오목부(도면에는 도시되지 않았음)를 또한 구비할 수 있다. 미세구조의 배치에 의해, 전자 장치(10A)는 전자 장치(10A)가 만곡될 때 더 나은 유연성(flexibility)을 가질 수 있고 만곡(bending)에 기인하는 대미지를 받지 않을 수 있다.
본 실시 예에 있어서, 제2 회로층(20)은 적어도 하나의 제1 미세구조(MS1)를 구비할 수 있다. 오목부 또는 범프 외에, 제1 미세구조(MS1)는 예컨대, 제1 미세구조(MS1)가 베이스 기판(12)과 접촉하지 않을 수 있도록 제2 표면(S2)으로부터 멀어지는 방향을 향해 돌출되는 제2 회로층(20)의 만곡 구조(bent structure)일 수 있다. 이러한 이유에 대해, 전자 장치(10A)가 만곡될 때, 제1 미소구조(MS1)는 제2 회로층(20)을 위한 신축 공간(stretchable space)을 제공할 수 있다. 본 실시 예에 있어서, 제1 미세 구조(MS1)의 개수는 다수일 수 있고, 다수 제1 미세구조(MS1)는 제1 회로층(14)이 그 위에 배치되는 것 없이 제2 표면(S2) 상에 분산(dispersed)된다. 공간(G1)은 2개의 인접하는 제1 미세구조(MS1)의 중심점 사이에 존재할 수 있다. 본 실시 예에 있어서, 다수 제1 미세구조(MS1)의 공간(G1)은 서로 가깝거나 같을 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 공간(G1)이 서로 가까울 때, 두 공간(G1) 사이의 차이의 절대 값은 전자 장치(10A)가 만곡될 때 전자 장치(10A)의 곡률 반경의 0.5배보다 작을 수 있다. 다른 실시 예에 있어서, 제1 미세 구조(MS1)의 공간(G1)은 제1 미세 구조(MS1)가 그에 대응하는 전자 장치(10A)의 위치를 기초로 결정될 수 있다. 예컨대, 에지에 인접하는 주변 영역에서의 전자 장치(10A)의 만곡 범위는 에지로부터 멀리 떨어진 중심 영역에서의 전자 장치(10A)의 만곡 범위보다 더 클 수 있으므로, 전자 장치(10A)의 주변 영역에서의 제1 미세구조(MS1)의 공간(G1)은 전자 장치(10A)의 중심 영역에서의 미세 구조(MS1)의 공간(G1)보다 더 작을 수 있다.
베이스 기판(12)의 제2 표면(S2)은 선택적으로 적어도 하나의 제2 미세 구조(MS2)를 구비할 수 있고, 발광 소자(16)와 면하는 제1 회로층(14)의 표면은 선택적으로 적어도 하나의 제3 미세 구조(MS3)를 구비할 수 있으며, 제1 미세 구조(MS1)는 제2 미세 구조(MS2) 및 제3 미세 구조(MS3) 중 적어도 하나에 대응할 수 있다. 본 실시 예에 있어서, 제1 미세구조(MS1) 중 하나는 탑-뷰 방향(top-view direction)(V)에서 제2 미세구조(MS2) 및 제3 미세구조(MS3) 중 적어도 하나와 중첩될 수 있고, 예컨대 제1 미세구조(MS1)의 중심점(center point)은 탑-뷰 방향(V)에서 제2 미세구조(MS2)의 중심점에 가까울 수 있다. 예로서, 베이스 기판(12)의 제2 표면(S2)은 복수의 제2 미세구조(MS2)를 구비할 수 있고, 제1 회로층(14)의 제1 부분(14a)은 복수의 제3 미세 구조(MS3)를 구비할 수 있다. 공간(G2)은 2개의 인접하는 제2 미세구조(MS2)의 중심점 사이에 존재한다. 공간(G1)은 공간(G2)의 0.9 내지 1.1배일 수 있다. 두 공간(G2)의 차이의 절대 값은 전자 장치(10A)가 만곡될 때 전자 장치(10A)의 곡률 반경의 0.5배보다 작을 수 있어, 만곡된 전자 장치(10A)의 곡률 반경은 균일할 수 있다. 다른 공간(G3)이 2개의 인접하는 제3 미세구조(MS3)의 중심점 사이에 존재한다. 본 실시 예에 있어서, 공간(G2)은 공간(G3)과 다를 수 있다. 따라서, 제3 미세 구조(MS3) 중 하나가 대응하는 제1 미세 구조(MS1)와 중첩될 때, 제3 미세 구조(MS3) 중 하나의 일부는 대응하는 제1 미세 구조(MS1)와 중첩될 수 있고, 제3 미세 구조(MS3)의 다른 일부는 대응하는 제1 미세구조(MS1)와 중첩되지 않는다. 몇몇 실시 예에 있어서, 공간(G3)은 공간(G2)과 동일할 수 있다.
몇몇 실시 예에 있어서, 제2 미세구조(MS2)는 복수의 제1 서브-미세구조(MS21) 및 복수의 제2 서브-미세구조(MS22)를 구비할 수 있고, 2개의 인접하는 제1 서브-미세구조(MS21) 사이의 공간(G21)은 2개의 인접하는 제2 서브-미세구조(MS22) 사이의 공간(G22)과 다를 수 있다. 예컨대, 제1 서브-미세구조(MS21)는 에지로부터 멀리 떨어진 전자 장치(10A)의 중심 영역에 배치될 수 있고, 제2 서브-미세구조(MS22)는 에지에 인접하는 전자 장치(10A)의 주변 영역에 배치될 수 있으며, 공간(G21)은 공간(G22)보다 더 크다. 더욱이, 각 제1 서브-미세구조(MS21)의 크기는 또한 각 제2 서브-미세구조(MS22)의 크기와 다를 수 있다. 예컨대, 수평 방향(H)에서 각 제1 서브-미세구조(MS21)의 폭은 수평 방향(H)에서 각 제2 서브-미세구조(MS22)의 폭보다 더 클 수 있다. 미세구조의 폭은 예컨대 수평 방향(H)에서 미세구조의 가장 큰 폭일 수 있다. 미세구조가 불규칙한 형상을 갖을 때, 미세구조의 폭은 미세구조의 개구(opening)에서 2개 지점에 의해 형성된 수평 방향(H)에서 가장 큰 길이일 수 있다. 대안적으로, 각 제1 서브-미세구조(MS21)의 표면 영역은 각 제2 서브-미세구조(MS22)의 표면 영역보다 더 클 수 있다. 몇몇 실시 예에 있어서, 제1 미세구조(MS1) 및 제3 미세구조(MS3)는 각각 제1 서브-미세구조 및 제2 서브-미세구조를 또한 구비할 수 있고, 제1 서브-미세구조 및 제2 서브-미세구조의 제1 서브-미세구조와 제2 서브-미세구조 사이의 상대적 관계는 제2 미세구조(MS2)의 제1 서브-미세구조(MS21)와 제2 서브-미세구조(MS22) 사이의 상대적 관계와 유사할 수 있다.
본 실시 예에 있어서, 전자 장치(10A)는 제1 회로층(14)에 배치된 만곡(bending) 중심 축(CA; center axis)을 가질 수 있다. 예컨대, 전자 장치(10A)가 만곡될 때, 압축(compression)이나 장력(tension)이 만곡 중심 축(CA)의 전자 장치(10A)에서 용이하게 발생되지는 않는다. 특히, 만곡 중심 축(CA)과 각 발광 소자(16)의 상부 표면 사이의 거리는 베이스 기판(12)으로부터 멀리 떨어지는 제2 회로층(20)의 표면과 만곡 중심 축(CA) 사이의 거리와 실질적으로 동일 할 수 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 공간이 만곡 중심 축(CA)으로부터 더 멀어 질수록, 공간은 더 작아 질 수 있다. 즉, 전자 장치(10A)의 일부가 만곡 중심 축(CA)으로부터 더 멀어질 때, 전자 장치(10A)의 일부에 대한 응력(stress)은 전자 장치(10A)가 만곡될 때 더 크다. 따라서, 공간의 크기를 감소시킴으로써, 전자 장치(10A)가 받는 응력이 감소될 수 있다. 예컨대, 제1 미세 구조(MS1)와 만곡 중심 축(CA) 사이의 거리가 제3 미세구조(MS3)와 만곡 중심 축(CA) 사이의 거리보다 더 크게 될 수 있을 때, 제1 미세구조(MS1)의 공간(G1)은 제3 미세구조(MS3)의 공간(G3) 보다 더 작을 수 있다. 본 실시 예에 있어서, 제1 미세 구조(MS1)의 공간(G1)은 제1 서브-미세구조(MS21)의 공간(G21)과 동일할 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 몇몇 실시 예에 있어서, 제1 미세구조(MS1)의 공간(G1)은 제1 서브-미세구조(MS21)의 공간(G21)보다 작을 수 있다.
부가적으로, 미세구조의 크기는 미세구조가 만곡 중심 축(CA)으로부터 더 멀리 떨어질 때 더 클 수 있다. 예컨대, 제1 미세구조(MS1)와 만곡 중심 축(CA) 사이의 거리가 제2 미세구조(MS2)와 만곡 중심 축(CA) 사이의 거리 및 제3 미세구조(MS3)와 만곡 중심 축(CA) 사이의 거리보다 더 크므로, 제1 표면(S1)에 평행하는 수평 방향(H)에서 각 제1 미세구조(MS1)의 폭은 수평 방향(H)에서 제2 미세구조(MS2)의 폭 및 수평 방향(H)에서 제3 미세구조(MS3)의 폭 보다 더 클 수 있다. 몇몇 실시 예에 있어서, 제2 미세구조(MS2)와 만곡 중심 축(CA) 사이의 거리는 제3 미세구조(MS3)와 만곡 중심 축(CA) 사이의 거리보다 더 클 수 있어, 수평 방향(H)에서 각 제2 미세구조(MS2)의 폭은 수평 방향(H)에서 각 제3 미세구조(MS3)의 폭보다 더 클 수 있다. 대안적으로, 몇몇 실시 예에 있어서, 각 제1 미세구조(MS1)의 표면 영역은 각 제2 미세구조(MS2)의 표면 영역보다 더 클 수 있고 각 제3 미세구조(MS3)의 표면 영역보다 더 클 수 있다. 몇몇 실시 예에 있어서, 전자 장치(10A)는 제1 미세구조(MS1), 제2 미세구조(MS2), 제3 미세구조(MS3), 또는 이들 중 소정의 2개를 가질 수 있다.
전자 장치는 상기한 실시 예에 의해 한정되지 않고, 다른 여러 변형 실시 예 또는 실시 예들을 가질 수 있다. 설명을 단순화하기 위해, 다음의 변형 실시 예 또는 실시 예들의 각각의 동일한 구성요소는 동일한 기호로 표시된다. 제1 실시 예와 변형 실시 예 간의 차이 및 제1 실시 예와 다른 실시 예 간의 차이를 비교하기 쉽게 하기 위해, 이하의 설명은 여러 변형 실시 예 또는 실시 예들 사이의 비유사성을 상세히 설명할 것이고, 동일한 특징은 중복하여 설명되지 않을 것이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시 예의 변형 실시 예에 따른 전자 장치의 단면도를 예시한다. 본 변형 실시 예에서 제공되는 전자 장치(10B)는 제1 미세구조(MS1b) 중 적어도 하나가 탑-뷰 방향(V)에서 제2 미세구조(MS2b)와 중첩되지 않는다는 점에서 이전의 실시 예와 다르다. 즉, 제1 미세구조(MS1b) 및 제2 미세구조(MS2b)는 탑-뷰 방향(V)에서 엇갈려있다(staggered). 예컨대, 제1 미세구조(MS1b)는 탑-뷰 방향(V)에서 제1 미세구조(MS21b)와 중첩되지 않는다. 다른 실시 예에 있어서, 제1 미세구조(MS1b) 중 적어도 하나는 대응하는 제2 미세구조(MS2b)와 중첩될 수 있고, 다른 제1 미세구조(MS1b)는 제2 미세구조(MS2b)와 중첩되지 않을 수 있다. 몇몇 실시 예에 있어서, 제1 미세구조(MS1b) 중 적어도 하나는 또한 탑-뷰 방향(V)에서 제3 미세구조(MS3)와 중첩되지 않을 수 있다. 대안적으로, 제1 미세구조(MS1b) 중 적어도 하나는 탑-뷰 방향(V)에서 제3 미세구조(MS3)의 일부와 중첩될 수 있고, 다른 제1 미세구조(MS1b)는 제3 미세구조(MS3)와 중첩되지 않을 수 있다. 마찬가지로, 제2 미세구조(MS2b) 및 제3 미세구조(MS3)는 그들 사이에서 유사한 상대적 관계를 가질 수 있다. 본 발명에 있어서, 여기서 설명되는 용어 "중첩(overlap)"은 2개의 구성요소 사이에서 적어도 부분적 중첩을 언급한다.
도 3은 본 발명의 제1 실시 예의 다른 변형 실시 예에 따른 전자 장치의 단면도를 예시한다. 본 변형 실시 예에서 제공되는 전자 장치(10C)는 본 변형 실시 예의 베이스 기판(12C)이 도 2에 도시된 반구형 구조(hemispherical structures)와는 다른 복수의 필러(pillar) 또는 스트립(strip) 구조(22)를 구비하는 점에서 이전의 실시 예와는 다르다. 다른 실시 예에 있어서, 베이스 기판(12C)은 블록 형상 구조(block-shaped structure) 및 메시 형상 구조(mesh-shaped structure) 중 적어도 하나를 또한 구비할 수 있다. 예컨대, 베이스 기판(12C)은 서로 분리된 복수의 필러 구조(22)를 구비하여, 베이스 기판(12C)의 유연성(flexibility)이 증가될 수 있다. 지지 효과(supporting effect)를 달성하기 위해, 필러 구조(22)의 제1 표면(S1)은 제1 회로층(14)과 접촉될 수 있고, 필러 구조(22)의 제2 표면(S2)은 제2 회로층(20)과 접촉될 수 있다. 본 실시 예에 있어서, 각 제2 미세 구조(MS2c)는 베이스 기판(12C)을 통해 관통하는 관통 구멍(through hole)일 수 있고, 관통 구멍은 2개의 인접하는 필러 구조(22) 사이에 배치된다. 더욱이, 제2 미세구조(MS2c)는 서로 그리고 메시 형상 구조, 홈 형상 구조(groove-shaped structure), 다른 적절한 구조 또는 그 조합으로부터 연결될 수 있다. 다른 실시 예에 있어서, 수평 방향(H)에서 각 필러 구조(22)의 단면 형상은, 예컨대 직사각형, 사다리꼴, 삼각형, 타원형, 반원형, 다각형 또는 다른 적절한 형상일 수 있다. 발광 소자(16)와 면하는 필러 구조(22)의 표면의 영역은 제2 회로층(20)과 면하는 필러 구조(22)의 표면의 영역보다 더 크거나 작을 수 있다. 예컨대, 삼각형 필러 구조(22)의 배치는 직립(upright)이거나 반전(inverted)될 수 있다. 몇몇 실시 예에 있어서, 필러 구조, 블록-형상 구조 또는 스트립 구조는 고체 구조 또는 3차원 메쉬형상 구조를 구비할 수 있다. 3차원 메쉬-형상 구조는 다수의 기공(pores)을 가질 수 있다. 예컨대, 3차원 메쉬 형상 구조는 스폰지(sponge)를 구비한다. 기공은 예컨대 공기 또는 압축성 재료(compressible material)로 채워질 수 있다.
상기한 실시 예의 전자 장치는, 프로젝션 스크린(projection screen)을 대체하는 말려질 수 있는 디스플레이 스크린(rollable display screen)과 같은, 타일링 전자 장치(tiling electronic apparatus)에 적용될 수 있다. 도 4 및 도 5를 참조하면, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 타일링 전자 장치의 단면도 및 상면도를 각각 예시한다. 본 실시 예에 의해 제공되는 타일링 전자 장치(100A)는 복수의 전자 장치(102A) 및 제1 기판(104)을 구비하고, 전자 장치(102A)는 큰 크기를 갖는 이미지를 디스플레이하기 위해 어셈블리로 결합될 수 있다. 일 실시 예에 있어서, 전자 장치(102A)는 미세구조를 갖지 않을 수 있지만, 본 발명은 이에 한정되지는 않는다. 몇몇 실시 예에 있어서, 전자 장치(102A)는 상기한 소정의 일 실시 예의 전자 장치를 채택할 수 있다.
본 실시 예에 있어서, 제1 기판(104)은 제1 수평 방향(H1)을 따라 배열된 복수의 돌출부(106; plurality of protrusion parts)를 구비하고, 돌출부(106) 중 하나는 각 전자 장치(102A)의 2개의 인접하는 발광 소자(16) 사이에서 맞물릴 수 있다. 몇몇 실시 예에 있어서, 전자 장치(102A)는 돌출부(106)와 발광 소자 사이에서 맞물림(engagement)을 통해 제1 기판(104) 상에 고정될 수 있다. 전자 장치(102A)는 또한 다른 구성요소를 통해 제1 기판(104)에 고정될 수 있다. 제1 기판(104)은 제1 오목부(R1)가 돌출부(106) 사이에 형성된 다수의 제1 오목부(R1)를 구비할 수 있고, 각 전자 장치(102A)의 발광 소자(16) 중 하나는 대응하는 제1 오목부(R1)에 배치될 수 있다. 특히, 제1 기판(104)은 맞물림 층(108; engaging layer)을 구비할 수 있고, 전자 장치(102A)와 면하는 맞물림 층(108)의 표면은 돌출부(106)를 갖는다. 제1 수평 방향(H1)에서 각 돌출부(106)의 폭은 2개의 인접하는 발광 소자(16) 사이의 갭보다 근소하게 크거나 같을 수 있다. 제1 수평 방향(H1)에서 각 제1 오목부(R1)의 폭은 제1 수평 방향(H1)에서 각 발광 소자(16)의 폭보다 근소하게 작거나 같을 수 있고, 따라서 각 돌출부(106)의 측벽(sidewalls)은 압축을 통해 2개의 인접하는 발광 소자(16)의 측벽 사이에서 맞물릴 수 있다. 몇몇 실시 예에 있어서, 맞물림 층(108)의 재료는 실리콘, 폴리우레탄(PU), 또는 다른 적절한 재료와 같은, 압축성 재료(compressible material)를 구비할 수 있다. 대안적으로, 맞물림 층(108)은 단단한 재료(hard material)를 구비할 수 있고, 단단한 재료는 돌출부(106) 사이에서 갭으로부터 공간지워져 멀어지는 다수의 기공을 가질 수 있으며; 즉 단단한 재료는 3차원 메쉬 형상을 가질 수 있다. 예컨대, 맞물림 층(108)의 재료는 스펀지(sponge)를 구비할 수 있다. 기공은 예컨대 공기(air) 또는 압축성 재료(compressible material)로 채워질 수 있다. 돌출부(106)의 압축성에 의해, 돌출부(106)가 발광 소자(16) 사이에서 맞물려질 수 있을 뿐만 아니라, 발광 소자(16)가 맞물림 공정 동안 대미지를 받는 것으로부터 방지될 수 있다. 몇몇 실시 예에 있어서, 제1 기판(104)은 돌출부(104)를 지지하기 위한 베이스 기판으로서 기능하는 베이스 층(110)을 더 구비할 수 있다. 베이스 층(110)의 재료는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)를 구비할 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 전자 장치(102A)가 돌출부(106)와 독립적으로 맞물리기 때문에, 전자 장치(102A) 중 단일의 하나는 돌출부(106)로부터 단독으로 분리될 수 있고, 그에 의해 단일 전자 장치(102A)에 대한 수리 또는 교환을 용이하게 한다. 일 실시 예에 있어서, 돌출부(106)는 간격(intervals)을 두고 배치될 수 있다. 다른 실시 예에 있어서, 복수의 발광 소자(16)는 하나의 오목부(R)에 배치될 수 있다.
본 실시 예에 있어서, 각 전자 장치(102A)의 제1 회로층(14)은 베이스 기판(12)의 제2 표면(S2) 상으로 만곡될 수 있어, 제1 회로층(14)의 제2 부분(14b)이 베이스 기판(12)의 제2 표면(S2) 상에 고정될 수 있다. 다른 실시 예에 있어서, 각 전자 장치(102A)의 제1 회로층(14)의 제2 부분(14b)은 그에 인접하는 다른 전자 장치(102A) 아래로 되도록 연장되어 그에 인접하는 베이스 기판(12)의 제 2 표면(S2)에 접착될 수 있다. 이러한 상황에 있어서, 제1 회로층(14)의 제1 부분(14a)과 제2 부분(14b) 사이의 경계(boundary)는 2개의 인접하는 전자 장치(102A)의 조립을 용이하게 하기 위한 정렬 개구(alignment opening)를 가질 수 있다.
본 실시 예에 있어서, 타일링 전자 장치(100A)는 선택적으로 제2 오목부(R2)를 갖는 제2 기판(112A)을 구비할 수 있고, 각 제1 회로층(14)의 제2 부분(14b)의 일부는 제2 오목부(R2)와 맞물린다. 도 5를 참조하면, 특히 제2 오목부(R2)는 메시 형상일 수 있고, 제1 수평 방향(H1)을 따라 연장되는 복수의 제1 서브-오목부(R21) 및 제2 수평 방향(H2)을 따라 연장되는 복수의 제2 서브-오목부(R22)를 구비하고, 제1 서브-오목부(R21)와 제2 서브-오목부는 메쉬 형상을 형성하기 위해 서로 교차(cross)한다. 예컨대, 제1 수평 방향(H1)은 제2 수평 방향(H2)에 대해 실질적으로 수직일 수 있다. 제1 수평 방향(H1)과 제2 수평 방향(H2) 사이에 포함된 각도는 60도 내지 120도 범위일 수 있다. 각 제1 회로층(14)의 제2 부분(14b)은 대응하는 제2 서브-오목부(R22)에 배치될 수 있다. 제1 수평 방향(H1)에서 각 제1 회로층(14)의 제2 부분(14b)의 폭은 제1 수평 방향(H1)에서 대응하는 제2 서브-오목부(R22)의 폭보다 근소하게 크거나 같을 수 있어서, 제2 부분(14b)은 제2 서브-오목부(R22)와 맞물릴 수 있다. 몇몇 실시 예에 있어서, 제2 오목부(R2) 중 하나는 대응하는 구동 유닛(18)과 맞물릴 수 있고; 즉 제1 수평 방향(H1)에서 제2 서브-오목부(R22)의 폭은 제1 수평 방향(H1)에서 대응하는 구동 유닛(18)의 폭보다 근소하게 작거나 같을 수 있다. 몇몇 실시 예에 있어서, 제2 기판(112A)의 재료는 실리콘, PU, 또는 다른 적절한 재료와 같은, 압축성 재료를 구비할 수 있다. 대안적으로, 제2 기판(112A)의 재료는 단단한 재료를 구비할 수 있다. 제2 기판(112A)의 재료는 복수의 기공을 가질 수 있고, 3차원 메쉬 형상을 가질 수 있다. 예컨대, 제2 기판(112A)은 스폰지를 구비할 수 있다. 기공은 예컨대 공기 또는 압축성 재료로 채워질 수 있다.
부가적으로, 본 실시 예에 있어서, 각 제2 회로층(20)은 대응하는 제1 서브-오목부(R21) 또는 대응하는 제2 서브-오목부(R22)에 배치될 수 있고, 서로에 대해 인접하는 전자 장치(102A)를 전기적으로 연결할 수 있다. 예컨대, 제2 회로층(20) 중 하나는 커넥터(CN)를 통해 제1 회로층(14) 중 하나와 전기적으로 연결될 수 있다. 커넥터(CN)는 예컨대 제1 회로층(14) 상에 배치된 연결 패드(connecting pad) 또는 슬롯(slot)일 수 있다. 제2 회로층(20)은 제1 수평 방향(H1) 또는 제2 수평 방향(H2)을 따라 연장되고, 제1 수평 방향(H1)을 따라 배열된 전자 장치(102A) 또는 제2 수평 방향(H2)을 따라 배열된 전자 장치(102A)를 전기적으로 연결할 수 있다. 몇몇 실시 예에 있어서, 제2 회로층(20)은 제2 기판(112A)에 집적될 수 있고; 즉, 제2 기판(112A)은 전자 장치(102A)를 연결하기 위한 연결 회로를 구비할 수 있고, 그에 의해 제2 회로층(20)을 절약할 수 있다.
도 6은 본 발명의 제2 실시 예의 변형 실시 예에 따른 타일링 전자 장치의 단면도를 예시한다. 본 변형 실시 예에 의해 제공되는 타일링 전자 장치(100B)는 각 전자 장치(102B)의 베이스 기판(12B)의 제2 표면(S2B)이 제2 기판(112B)과 면하는 제1 요철부(114B)를 갖고, 제2 기판(112B)이 베이스 기판(12B)과 면하는 복수의 제2 요철 부(116B)를 갖으며, 제1 요철부(114B)가 본 실시 예에 있어서 각각의 제2 요철부(116B)와 맞물릴 수 있다는 점에서 이전의 실시 예와는 다르다. 예컨대, 각 제1 요철부(114B)는 복수의 오목부(R3B)를 구비하고, 각 제2 요철부(116B)는 복수의 돌출부(PB)를 구비하며, 돌출부(PB)는 각각의 오목부(R3B)와 맞물릴 수 있다. 몇몇 실시 예에 있어서, 각 제1 요철부(114B)는 또한 돌출부를 구비할 수 있고, 각 제2 요철부(116B)는 오목부를 구비하며, 따라서 돌출부는 각각의 오목부와 맞물린다. 몇몇 실시 예에 있어서, 전자 장치(102B)는 또한 소정의 하나의 상기한 실시 예의 전자 장치를 채택할 수 있다.
도 7은 본 발명의 제2 실시 예의 다른 변형 실시 예에 따른 타일링 전자 장치의 단면도를 예시한다. 본 변형 실시 예에 의해 제공되는 타일링 전자 장치(100C)는 본 변형 실시 예의 제1 오목부(R1C) 중 하나의 바닥이 대응하는 발광 소자(16)의 상부 표면으로부터 공간지워져 멀어지고, 따라서 캐비티(cavity)가 제1 오목부(R1C)와 대응하는 발광 소자(16) 사이에 형성된다는 점에서 이전의 실시 예와는 다르다. 예컨대, 캐비티(C)는 발광 소자(16)로부터의 출력 광(output light)의 공간 분포(spatial distribution)를 조정할 수 있고 렌즈로서 기능할 수 있다. 다른 실시 예에 있어서, 출력 광의 공간 분포는 캐비티(C)를 광학 재료로 채우거나 캐비티(C)의 형상을 변경시키는 것에 의해 조정될 수 있다. 몇몇 실시 예에 있어서, 제1 오목부(R1C)의 바닥은 예컨대 오목 원호 형상(concave arc shape), 볼록 원호 형상(convex arc shape), 평면 형상(planar shape) 또는 그 조합일 수 있다.
도 8은 본 발명의 제2 실시 예의 다른 변형 실시 예에 따른 타일링 전자 장치의 단면도를 예시한다. 본 변형 실시 예가 제공하는 타일링 전자 장치(100D)는 전자 장치(102D) 중 하나가 베이스 기판(12)의 제2 표면(S2) 상에 배치된 맞물림 부재(24; engaging member)를 더 구비하고, 맞물림 부재(24)는 제2 기판(112D)과 면하는 제1 요철부(114D)를 갖을 수 있다는 점에서 이전의 실시 예와는 다르다. 제2 기판(112D)은 맞물림 부재(24)와 면하는 복수의 제2 요철부(116D)를 가질 수 있다. 제1 요철부(114D)는 대응하는 제2 요철부(116D)와 맞물릴 수 있다. 예컨대, 제1 요철부(114D)는 복수의 돌출부(PD)를 구비하고, 각 제2 요철부(116D)는 복수의 오목부(R3D)를 구비하며, 각 돌출부(PD)는 각각의 오목부(R3D)와 맞물릴 수 있다. 맞물림 부재(24)의 돌출부(PD)는 압축성(compressibility)을 가질 수 있다. 몇몇 실시 예에 있어서, 제1 요철부(114D)는 또한 오목부를 구비할 수 있고, 각 제2 요철부(116D)는 돌출부를 구비하며, 따라서 돌출부가 각각의 오목부와 맞물린다. 몇몇 실시 예에 있어서, 전자 장치(102D)는 또한 소정의 하나의 상기한 실시 예의 전자 장치를 채택할 수 있다.
도 9는 본 발명의 제2 실시 예의 다른 변형 실시 예에 따른 타일링 전자 장치의 단면도를 예시한다. 본 변형 실시 예에 의해 제공되는 타일링 전자 장치(100E)는 본 변형 실시 예의 전자 장치(102E)가 접착제 층(118; adhesive layer)을 통해 기판(120) 상에 고정될 수 있다는 점에서 이전의 실시 예와는 다르다. 몇몇 실시 예에 있어서, 전자 장치(102E)의 타일링은 기판(120)의 돌출부를 발광 소자(16)와 맞물리는 방법 및 전자 장치(102E)를 접착제 층(118)을 통해 기판(120)에 접착하는 방법을 채택할 수 있다. 접착제 층(118)은 기판(120)의 돌출부 중 적어도 하나와 제1 회로층(14) 사이에 배치될 수 있다. 예컨대, 타일링 전자 장치(100E)의 중심에서의 전자 장치(100E)는 맞물림 방법을 채택할 수 있고, 타일링 전자 장치(100E)의 주변에서의 전자 장치(100E)는 전자 장치(102E)가 헐거워지는(loosed off) 경우에 접착 방법을 채택할 수 있다. 접착층(118)은 발광 소자(16) 사이의 갭을 메울 수 없고, 보이드(voids)가 접착제 층(118)과 제1 회로층(14) 사이에서 발생될 수 있어, 발광 소자(16)로부터의 광이 보이드를 통해 산란(diffused)될 수 있고, 그에 의해 방사 각도(emitting angle)를 넓히고 타일링 전자 장치(100E)의 시야각(viewing angle)을 증가시킴을 주지해야 한다. 몇몇 실시 예에 있어서, 전자 장치(102E)는 또한 소정의 하나의 상기한 실시 예의 전자 장치를 채택할 수 있다.
상기한 바와 같이, 본 발명의 타일링 전자 장치에 있어서, 전자 장치가 제1 기판의 돌출부와 독립적으로 맞물리므로, 단일의 하나의 전자 장치가 돌출부로부터 단독으로 분리되며, 그에 의해 단일 전자 장치에 대한 수리 또는 교환을 용이하게 한다. 더욱이, 본 발명의 전자 장치에 있어서, 제2 회로층, 베이스 기판의 제2 표면 및 발광 소자와 면하는 제1 회로층의 표면 중 적어도 하나는 적어도 하나의 미세구조를 구비하고, 따라서 전자 장치는 전자 장치가 만곡될 때 더 나은 유연성을 가질 수 있고 만곡에 기인하는 대미지를 받지 않을 수 있다.
당업자는 장치 및 방법의 많은 수정 및 변경이 본 발명의 교시를 유지하면서 이루어질 수 있음을 용이하게 알 수 있을 것이다. 따라서, 상기 개시는 첨부된 청구범위의 범위 및 경계에 의해서만 한정되는 것으로 해석되어야 한다.

Claims (20)

  1. 제1 표면 및 제1 표면에 대향하는 제2 표면을 갖춘 베이스 기판과;
    베이스 기판의 제1 표면 상에 배치된 제1 부분과,
    베이스 기판의 제2 표면 상에 배치된 제2 부분을 포함하는 제1 회로층; 및
    제1 회로층의 제1 부분 상에 배치된 복수의 발광 소자;를 구비하고,
    베이스 기판의 제2 표면과 제1 회로층의 제1 부분 중 적어도 하나가 적어도 하나의 미세구조를 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    제2 표면 상에 배치된 제2 회로층을 더 구비하고, 제2 회로층은 제1 회로층의 제2 부분에 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    제2 회로층이 적어도 하나의 미세구조를 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    베이스 기판의 제2 표면이 적어도 하나의 미세구조를 구비하고, 제1 표면에 평행하는 방향에서 제2 회로층의 적어도 하나의 미세구조의 폭이 상기 방향에서 제2 표면의 적어도 하나의 미세구조의 폭보다 더 큰 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    제2 회로층의 적어도 하나의 미세구조가 복수의 미세구조를 구비하고, 공간이 제2 회로층의 복수의 미세구조 중 인접하는 2개의 중심점 사이에 존재하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  6. 제3항에 있어서,
    제2 회로층의 적어도 하나의 미세구조가 베이스 기판의 제2 표면 및 제1 회로층의 제1 부분 중 적어도 하나에 대응하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    제2 회로층의 적어도 하나의 미세구조가 복수의 미세구조를 구비하고, 제2 회로층의 복수의 미세구조 중 하나가 탑-뷰 방향에서 베이스 기판과 제1 회로층의 적어도 하나 중 적어도 하나의 미세구조와 중첩되는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    베이스 기판의 제2 표면이 제1 요철부를 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    베이스 기판과 면하는 제2 요철부를 갖춘 제2 기판을 더 구비하고, 제1 요철부가 제2 요철부와 맞물리는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  10. 제8항에 있어서,
    베이스 기판과 면하는 제2 요철부를 갖춘 제2 기판을 더 구비하되, 제1 요철부가 복수의 오목부를 구비하고, 제2 요철부가 복수의 돌출부를 구비하고, 제2 요철부의 돌출부가 각각 제1 요철부의 오목부와 맞물리는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    베이스 기판이 블록 형상 구조 및 메쉬 형상 구조 중 적어도 하나를 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    제1 회로층이 복수의 미세구조를 구비하고, 제1 회로층의 복수의 미세구조가 발광 소자에 대응하여 배치되는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    베이스 기판이 복수의 미세구조를 구비하고, 공간이 베이스 기판의 복수의 미세구조 중 인접하는 2개의 미세구조의 중심점 사이에 존재하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  14. 제1항에 있어서,
    베이스 기판이 다수의 미세구조를 구비하고, 베이스 기판의 복수의 미세구조의 두 공간 사이의 차이의 절대 값이 전자 장치가 만곡될 때 전자 장치의 곡률 반경의 0.5배 보다 작은 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  15. 복수의 돌출부를 구비하는 제1 기판과;
    복수의 전자 장치;를 구비하여 구성되고, 전자 장치 중 적어도 하나가:
    제1 표면 및 제1 표면에 대향하는 제2 표면을 갖춘 베이스 기판과;
    베이스 기판의 제1 표면 상에 배치된 제1 부분과,
    베이스 기판의 제2 표면 상에 배치된 제2 부분을 구비하는 제1 회로층; 및
    제1 회로층 상에 배치된 복수의 발광 소자;를 구비하고,
    복수의 돌출부 중 적어도 하나가 복수의 발광 소자 중 인접하는 2개 사이에서 맞물리는 것을 특징으로 하는 타일링 전자 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    복수의 돌출부 중 적어도 하나와 제1 회로층 사이에 배치된 접착제 층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 타일링 전자 장치.
  17. 제15항에 있어서,
    복수의 돌출부가 복수의 제1 오목부를 형성하고, 복수의 제1 오목부 중 하나의 바닥이 발광 소자의 대응하는 하나로부터 떨어져 공간지워지는 것을 특징으로 하는 타일링 전자 장치.
  18. 제15항에 있어서,
    제2 오목부를 갖춘 제2 기판을 더 구비하고, 제1 회로층의 제2 부분이 제2 오목부와 맞물리는 것을 특징으로 하는 타일링 전자 장치.
  19. 제18항에 있어서,
    베이스 기판이 제1 요철부를 갖추고, 제2 기판이 제2 요철부를 갖추며, 제1 요철부가 제2 요철부와 맞물리는 것을 특징으로 하는 타일링 전자 장치.
  20. 제15항에 있어서,
    제1 회로층의 제2 부분 상에 배치된 구동 유닛을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 타일링 전자 장치.
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