KR20190121969A - 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 Download PDF

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KR20190121969A
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pressure
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엄영제
이태림
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세메스 주식회사
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Abstract

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 챔버의 내부에 배치되며 기판이 안착되는 재치대; 재치대를 회전시키는 재치대 회전부; 기판으로 처리액을 공급하는 처리액 공급부; 챔버의 내부로 가스를 공급하는 가스 공급부; 및 챔버의 내부의 가스를 외부로 배출하여 챔버 내에 가스 유동을 형성하는 가스 배출부를 포함할 수 있다.

Description

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
본 발명은 기판에 처리액을 도포하는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자는 실리콘 웨이퍼(이하, '기판'이라 함) 상에 박막을 순차적으로 적층하여 기판 상에 소정의 회로 패턴을 형성하는 과정을 통해 제조된다. 기판 상에 박막을 형성하고 적층하기 위해, 증착 공정, 포토리소그래피 공정, 식각 공정 등 다수의 단위 공정이 반복적으로 수행된다.
이러한 단위 공정 중, 포토리소그래피 공정은 기판 상에 소정의 패턴을 형성하는 공정이다. 포토리소그래피 공정은 감광액 도포 공정, 노광 공정, 현상 공정 등을 포함한다.
감광액 도포 공정은 빛에 민감한 물질인 감광액(photoresist (PR))을 스핀 코터(spin coater)를 사용하여 기판의 표면에 도포하는 공정이다. 스핀 코터는 기판을 고속으로 회전시키면서 기판의 표면에 감광액을 공급하여, 기판 상에 감광액을 원하는 두께로 도포하는 장치이다.
감광액 도포 공정과 관련하여, 기판 상에 감광액을 보다 균일하게 도포하면서 감광액 도포 공정에 요구되는 시간을 줄일 수 있는 기술이 요구되고 있다.
대한민국 공개특허 제10-2008-0009836호
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은, 기판 상에 감광액과 같은 처리액을 보다 균일하게 도포하면서 기판 상에 처리액을 도포하는 데에 요구되는 시간을 줄일 수 있는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공하는 데에 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 방법은, (a) 챔버의 내부로 가스를 공급하여 챔버의 외부의 압력에 비하여 높은 압력으로 챔버의 내부를 가압하는 단계; (b) 챔버를 개방하여 챔버의 내부로 기판을 반입하는 단계; (c) 챔버를 폐쇄하는 단계; 및 (d) 기판을 회전시키면서 기판으로 처리액을 공급하여 기판에 처리액을 도포하는 단계를 포함할 수 있다.
(a) 단계는, 챔버의 내부의 압력을 측정하는 단계; 및 챔버의 압력을 기준으로 챔버로 공급되는 가스의 양을 조절하거나, 챔버로부터 배출되는 가스의 양을 조절하거나, 챔버로 공급되는 가스의 양 및 챔버로부터 배출되는 가스의 양을 조절하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 방법은, (e) 챔버의 내부로 가스를 공급하여 챔버의 내부를 가압하면서, 챔버를 개방하여 처리액이 도포된 기판을 챔버로부터 반출하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 챔버의 내부에 배치되며 기판이 안착되는 재치대; 재치대를 회전시키는 재치대 회전부; 기판으로 처리액을 공급하는 처리액 공급부; 챔버의 내부로 가스를 공급하는 가스 공급부; 및 챔버의 내부의 가스를 외부로 배출하여 챔버 내에 가스 유동을 형성하는 가스 배출부를 포함할 수 있다.
가스 공급부는 챔버의 내부로 가스를 공급하여 챔버의 외부의 압력에 비하여 높은 압력으로 챔버의 내부를 가압할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 챔버의 내부의 압력을 측정하는 압력 센서; 및 압력 센서에 의해 측정된 챔버의 내부의 압력을 기준으로 가스 공급부, 가스 배출부, 또는 가스 공급부 및 가스 배출부를 제어하는 제어부를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 챔버의 내부에 배치되며 기판이 안착되는 재치대; 재치대를 회전시키는 재치대 회전부; 기판으로 처리액을 공급하는 처리액 공급부; 및 챔버의 내부로 가스를 공급하여 챔버의 외부의 압력에 비하여 높은 압력으로 챔버의 내부를 가압하는 가스 공급부를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 챔버의 내부의 압력을 측정하는 압력 센서; 및 압력 센서에 의해 측정된 챔버의 내부의 압력을 기준으로 가스 공급부를 제어하는 제어부를 더 포함할 수 있다.
처리액 공급부는, 챔버의 내부에 배치되는 처리액 공급 노즐; 처리액 공급 노즐과 처리액 공급 라인을 통하여 연결되는 처리액 공급기; 및 처리액 공급 노즐을 재치대를 향하는 방향 및 재치대로부터 이격되는 방향으로 이동시키는 노즐 이동부를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 재치대를 둘러싸도록 배치되어 기판으로부터 분리된 처리액을 수용하는 처리액 수용기; 및 처리액 수용기와 연결되어 처리액 수용기에 수용된 처리액을 외부로 배출하는 처리액 배출부를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 챔버의 내부가 챔버의 외부의 압력에 비하여 높은 기준 압력으로 가압된 상태에서, 기판이 챔버의 내부로 반입될 수 있고, 기판 상에 처리액이 도포될 수 있으며, 기판이 챔버로부터 반출될 수 있다. 따라서, 챔버의 외부의 이물질이 챔버의 내부로 유입되는 것이 방지될 수 있고, 기판 상으로 공급된 처리액이 쉽게 증발하거나 역류하는 것을 방지할 수 있으며, 기판 상에 처리액을 균일하게 도포할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치가 개략적으로 도시된 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 제어 블록도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 방법의 순서도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에서의 처리액 도포 공정에서 시간 변화에 따른 챔버 내부 압력의 변화 및 기판 회전 속도의 변화를 나타내는 그래프이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치에 대하여 설명한다.
본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판으로 처리액(예를 들면, 감광액)을 공급하여 기판 상에 액막을 형성하는 공정에 사용된다. 특히, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치는 기판을 회전시키면서 기판의 중심으로 처리액을 공급하여 기판 상면을 처리액으로 균일하게 도포하는 공정에 사용된다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 밀폐형 챔버(10)와, 챔버(10)의 내부에 배치되며 처리액을 수용하는 처리액 수용기(20)와, 처리액 수용기(20)와 연결되어 처리액 수용기(20)에 수용된 처리액을 외부로 배출하는 처리액 배출부(30)와, 챔버(10)의 내부에 배치되며 기판(S)이 안착되는 재치대(40)와, 재치대(40)를 회전시키는 재치대 회전부(50)와, 기판(S)으로 처리액을 공급하는 처리액 공급부(60)와, 챔버(10)의 내부로 가스를 공급하는 가스 공급부(70)와, 챔버(10) 내부의 가스를 외부로 배출하여 챔버(10) 내에 가스 유동을 형성하는 가스 배출부(80)와, 기판 처리 장치의 각 구성 요소의 동작을 제어하는 제어부(90)를 포함할 수 있다.
챔버(10)에는 기판(S)이 챔버(10)의 내부로 반입되거나 챔버(10)의 내부로부터 반출될 때 기판(S)이 통과하는 개구(11)가 형성될 수 있다. 챔버(10)에는 개구(11)를 개방시키거나 폐쇄시키는 게이트 밸브(12)가 설치될 수 있다. 챔버(10)의 개구(11)를 통하여 기판 반송부의 아암이 기판(S)을 파지한 상태에서 챔버(10)의 내부로 인입되거나 챔버(10)의 내부로부터 인출될 수 있다. 따라서, 기판(S)이 챔버(10)의 내부로 반입되거나 챔버(10)의 내부로부터 반출될 수 있다.
처리액 수용기(20)는 재치대(40)를 둘러싸도록 배치될 수 있다. 처리액 수용기(20)는 기판(S)으로 공급된 후 기판(S)으로부터 분리된 처리액을 수용하는 역할을 한다. 또한, 처리액 수용기(20)의 외면은 챔버(10)의 내면과 함께 가스가 유동하는 가스 유동 통로(P)를 형성한다. 가스 유동 통로(P)는 재치대(40)(즉, 기판(S))의 둘레에 형성될 수 있다. 가스 유동 통로(P)는 챔버(10)의 수직 중심축의 둘레 방향으로 형성될 수 있다.
가스 공급부(70)로부터 공급된 가스가 챔버(10)의 내부를 통과하여 가스 배출부(80)로 원활하게 유동할 수 있도록 처리액 수용기(20)의 외면은 만곡되게 형성되는 것이 바람직하다.
처리액 배출부(30)는 기판(S)으로부터 이탈된 처리액을 외부로 배출하는 역할을 한다. 처리액 배출부(30)는, 처리액 수용기(20)와 연결되는 처리액 배출관(31)과, 처리액 배출관(31)과 처리액 배출 라인(32)을 통하여 연결되는 처리액 배출기(33)를 포함할 수 있다. 예를 들면, 처리액 배출기(33)는 펌프로 구성될 수 있다.
재치대(40)는 기판(S)을 수평 상태로 유지하는 역할을 한다. 재치대(40)는 기판(S)을 흡착하도록 구성될 수 있다. 이를 위해, 재치대(40)의 상면에는 다수의 홀이나 슬릿이 형성될 수 있고, 다수의 홀이나 슬릿은 가스 흡입 기구에 연결될 수 있다.
재치대 회전부(50)는 재치대(40)를 수직축을 중심으로 회전시키는 역할을 한다. 재치대(40)가 재치대 회전부(50)에 의해 회전됨에 따라, 재치대(40)에 탑재된 기판(S)이 회전될 수 있다. 재치대 회전부(50)는, 재치대(40)와 연결되는 연결 로드(51)와, 연결 로드(51)와 연결되는 모터(52)를 포함할 수 있다. 연결 로드(51)는 재치대(40)로부터 연장될 수 있다. 연결 로드(51)는 챔버(10)의 벽을 관통하여 외부로 연장될 수 있다. 모터(52)는 챔버(10)의 외부에 배치될 수 있다.
처리액 공급부(60)는, 챔버(10)의 내부에 배치되어 처리액을 토출하는 처리액 공급 노즐(61)과, 처리액 공급 노즐(61)과 처리액 공급 라인(62)을 통하여 연결되는 처리액 공급기(63)를 포함할 수 있다. 예를 들면, 처리액 공급기(63)는, 처리액을 저장하는 처리액 저장기와, 처리액 저장기에 저장된 처리액을 가압하여 처리액 저장기로부터 배출하는 처리액 가압기를 포함할 수 있다.
처리액 공급 노즐(61)은 기판(S)의 중심부의 상부에 배치될 수 있다. 따라서, 처리액 공급 노즐(61)은 기판(S)의 중심부에 처리액을 공급할 수 있다. 처리액 공급 노즐(61)로부터 기판(S)의 중심부로 공급된 처리액은 원심력에 의해 기판(S)의 반경 방향으로 유동하며, 이에 따라, 처리액이 기판(S)의 상면에서 균일하게 분포될 수 있다.
처리액 공급부(60)는 처리액 공급 노즐(61)을 재치대(40)를 향하는 방향 및 재치대(40)로부터 이격되는 방향으로 이동시키는 노즐 이동부(69)를 포함할 수 있다. 노즐 이동부(69)는 처리액 공급 노즐(61)과 연결되며 공압 또는 유압에 의하여 작동하는 액추에이터, 전자기적 상호 작용에 의해 작동되는 리니어 모터, 또는 볼 스크류 기구와 같은 직선 이동 기구로 구성될 수 있다. 노즐 이동부(69)에 의해 처리액 공급 노즐(61)이 재치대(40)와 인접되게 이동될 수 있고, 이에 따라, 처리액 공급 노즐(61)이 재치대(40)에 탑재된 기판(S)에 인접하게 배치되어 기판(S)으로 처리액을 토출할 수 있다. 또한, 노즐 이동부(69)에 의해 처리액 공급 노즐(61)이 재치대(40)로부터 이격되게 이동될 수 있고, 이에 따라, 기판(S)의 반입 또는 반출 시, 기판(S) 및 처리액 공급 노즐(61) 사이의 간섭을 방지할 수 있다.
가스 공급부(70)에 의해 공급되는 가스는 비활성 가스일 수 있다. 즉, 가스 공급부(70)는 챔버(10)의 내부로 비활성 가스를 공급하여, 챔버(10)의 내부를 반응성이 낮은 비활성 분위기로 조성할 수 있다. 또한, 가스 공급부(70)는 챔버(10)의 내부로 비활성 가스를 공급하여, 챔버(10)의 내부를 챔버(10)의 외부의 압력(예를 들면, 대기압)에 비하여 높은 압력으로 설정하는 역할을 한다. 예를 들면, 가스 공급부(70)에 공급되는 비활성 가스는 질소 가스 또는 아르곤 가스일 수 있다.
가스 공급부(70)는, 챔버(10)의 내부에 배치되어 가스를 토출하는 가스 공급 노즐(71)과, 가스 공급 노즐(71)과 가스 공급 라인(72)을 통하여 연결되는 가스 공급기(73)를 포함할 수 있다.
예를 들면, 가스 공급기(73)는, 가스를 저장하는 가스 저장기와, 가스 저장기에 저장된 가스를 가압하여 가스 저장기로부터 배출하는 가스 가압기를 포함할 수 있다.
가스 공급 노즐(71)은 챔버(10)의 내부에 복수로 배치될 수 있다. 가스 공급 노즐(71)은, 챔버(10)의 내면 및 처리액 수용기(20)의 외면 사이의 가스 유동 통로(P)에 대향하는 위치에 형성될 수 있다.
가스 공급 노즐(71)로부터 배출된 가스가 가스 유동 통로(P)로 유입된 후 가스 배출부(80)에 의해 외부로 배출됨에 따라, 챔버(10)의 내부에는 가스 공급 노즐(71)로부터 가스 배출부(80)를 향하는 가스 유동이 형성될 수 있다. 챔버(10)의 내부에 형성되는 가스 유동에 의해 챔버(10)의 내부는 챔버(10)의 외부의 압력(예를 들면, 대기압)에 비하여 높은 압력이 형성될 수 있다. 따라서, 챔버(10)의 내부로 이물질이 유입되는 것이 방지될 수 있다.
특히, 챔버(10)의 내부에 기판(S)이 반입되기 전에, 가스 공급 노즐(71)로부터 챔버(10)의 내부로 가스가 공급되어 챔버(10)의 내부가 챔버(10)의 외부의 압력에 비하여 높은 압력으로 가압될 수 있다. 따라서, 챔버(10)의 내부에 기판(S)을 반입하기 위해 개구(11)가 개방되는 경우에도, 개구(11)를 통하여 외부의 이물질이 챔버(10)의 내부로 유입되는 것이 방지될 수 있다.
또한, 기판(S)을 회전시키면서 기판(S)으로 처리액을 공급하여 처리액을 기판(S) 상에 도포하는 과정에서, 가스 공급 노즐(71)로부터 챔버(10)의 내부로 가스가 공급되어 챔버(10)의 내부가 챔버(10)의 외부의 압력에 비하여 높은 압력으로 가압될 수 있다. 따라서, 기판(S) 상에 도포된 처리액이 쉽게 증발하거나 역류하는 것을 방지할 수 있고, 이에 따라, 처리액의 손실을 방지할 수 있다.
가스 배출부(80)는, 챔버(10)의 내면 및 처리액 수용기(20)의 외면 사이의 가스 유동 통로(P)와 연결되는 가스 배출관(81)과, 가스 배출관(81)과 연결되는 가스 배출기(83)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 가스 배출기(83)는 압축기 또는 펌프로 구성될 수 있다.
가스 배출부(80)는 챔버(10)의 내부의 가스를 외부로 배출하여 챔버(10)의 내부의 가스 유동 통로(P)에 가스 유동을 형성하는 역할을 한다. 또한, 가스 배출부(80)는 챔버(10)의 내부의 가스를 외부를 배출하여 챔버(10)의 내부의 압력을 낮추는 역할을 한다.
즉, 가스 공급부(60)는 챔버(10)의 내부로 가스를 공급하여 챔버(10)의 내부의 압력을 증가시키며, 가스 배출부(80)는 챔버(10)의 내부의 가스를 외부로 배출하여 챔버(10) 내부의 압력을 감소시킨다. 따라서, 챔버(10)의 내부의 압력은 가스 공급부(60) 및 가스 배출부(80)에 의해 조절될 수 있다.
한편, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치는 챔버(10)의 내부에 설치되어 챔버(10)의 내부의 압력을 측정하는 압력 센서(19)를 더 포함할 수 있다. 예를 들면, 압력 센서(19)는 챔버(10)의 내면에 부착될 수 있다. 챔버(10)의 내부에는 복수의 압력 센서(19)가 설치될 수 있다.
제어부(90)는 압력 센서(19)에 의해 측정된 챔버(10) 내부의 압력을 기준으로 가스 공급부(60) 및 가스 배출부(80)를 제어하여, 챔버(10) 내부의 압력을 제어하는 역할을 한다.
압력 센서(19)에 의해 측정된 챔버(10) 내부의 압력이 기준 압력에 비하여 낮은 경우, 제어부(90)는 가스 공급부(60)를 제어하여 가스 공급부(60)에 의해 챔버(10)의 내부로 공급되는 가스의 양을 증가시키고/증가시키거나, 가스 배출부(80)를 제어하여 가스 배출부(80)에 의해 챔버(10)의 내부로부터 배출되는 가스의 양을 감소시켜, 챔버(10) 내부의 압력이 기준 압력으로 되도록 할 수 있다. 또한, 압력 센서(19)에 의해 측정된 챔버(10) 내부의 압력이 기준 압력에 비하여 높은 경우, 제어부(90)는 가스 공급부(60)를 제어하여 가스 공급부(60)에 의해 챔버(10)의 내부로 공급되는 가스의 양을 감소시키고/감소시키거나, 가스 배출부(80)를 제어하여 가스 배출부(80)에 의해 챔버(10)의 내부로부터 배출되는 가스의 양을 증가시켜, 챔버(10) 내부의 압력이 기준 압력이 되도록 할 수 있다.
이하, 도 3 및 도 4를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 방법에 대하여 설명한다.
먼저, 기판(S)이 챔버(10)의 내부로 반입되기 전에, 가스 공급부(60)에 의해 챔버(10)의 내부로 가스가 공급되며 챔버(10)의 내부가 가압된다(S10). 이에 따라, 챔버(10)의 내부의 압력이 챔버(10)의 외부의 압력에 비하여 높은 기준 압력으로 조절될 수 있다. 이때, 챔버(10)의 내부의 압력이 압력 센서(19)에 의해 측정될 수 있다. 압력 센서(19)에 의해 측정된 압력을 기준으로, 제어부(90)는 가스 공급부(60) 및/또는 가스 배출부(80)를 제어할 수 있으며, 이에 따라, 챔버(10) 내부의 압력이 일정하게 조절될 수 있다.
이러한 상태에서, 챔버(10)의 개구(11)가 개방되며, 기판(S)이 개구(11)를 통하여 챔버(10)의 내부로 반입될 수 있다(S20). 이때, 처리액 공급 노즐(61)은 노즐 이동부(69)에 의해 재치대(40)로부터 이격되게 이동되며, 이에 따라, 기판(S)의 반입 시, 기판(S)과 처리액 공급 노즐(61) 사이의 간섭을 방지할 수 있다. 또한, 가스 공급부(60)에 의해 챔버(10)의 내부로 가스가 계속 공급될 수 있다. 따라서, 챔버(10)의 내부의 압력이 챔버(10)의 외부의 압력에 비하여 높은 압력으로 유지될 수 있으며, 이에 따라, 기판(S)의 반입 시, 챔버(10)의 외부의 이물질이 개구(11)를 통해 챔버(10)의 내부로 유입되는 것이 방지될 수 있다. 기판(S)은 기판 반송부의 아암에 지지된 상태로 챔버(10)의 내부로 반입될 수 있다. 챔버(10)의 내부로 반입된 기판(S)은 재치대(40)의 상면에 탑재될 수 있다.
이러한 상태에서, 챔버(10)의 개구(11)가 폐쇄된다(S30). 이때, 가스 공급부(60)에 의해 챔버(10)의 내부로 가스가 계속 공급될 수 있다.
이러한 상태에서, 재치대 회전부(50)에 의해 재치대(40)가 회전되며, 이에 따라, 재치대(40) 상에 탑재된 기판(S)이 회전될 수 있다. 그리고, 처리액 공급부(60)에 의해 기판(S)으로 처리액이 공급된다(S40). 따라서, 기판(S)으로 공급된 처리액은 원심력에 의해 기판(S)의 반경 방향으로 유동하며, 이에 따라, 처리액이 기판(S)의 상면에서 균일하게 분포될 수 있다. 이때, 처리액 공급 노즐(61)은 노즐 이동부(69)에 의해 재치대(40)를 향하여 이동될 수 있으며, 이에 따라, 처리액 공급 노즐(61)이 기판(S)에 인접된 상태에서, 처리액이 기판(S)으로 공급될 수 있다. 따라서, 처리액이 기판(S)과 충돌하여 비산되는 것을 방지할 수 있다. 이때, 가스 공급부(60)에 의해 챔버(10)의 내부로 가스가 계속 공급될 수 있다. 따라서, 챔버(10)의 내부의 압력이 기준 압력으로 계속 유지될 수 있다. 따라서, 기판(S)으로 공급된 처리액이 쉽게 증발하거나 역류하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 가스 공급부(60)에 의해 기판(S)으로 공급되는 가스의 유동에 의해 기판(S) 상에 공급된 처리액이 가압됨에 따라, 기판(S) 상에 처리액이 균일하게 도포될 수 있다.
기판(S) 상에 처리액을 도포하는 과정이 완료되면, 챔버(10)의 개구(11)가 개방되고, 처리액이 도포된 기판(S)이 개구(11)를 통해 챔버(10)의 외부로 반출될 수 있다(S50). 이때에도, 가스 공급부(60)에 의해 챔버(10)의 내부로 가스가 계속 공급될 수 있다. 기판(S)의 반출 시, 챔버(10)의 외부의 이물질이 개구(11)를 통해 챔버(10)의 내부로 유입되는 것이 방지될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 도 4에 도시된 바와 같이, 챔버(10)의 내부가 챔버(10)의 외부의 압력에 비하여 높은 기준 압력으로 가압된 상태에서, 즉, 챔버(10)의 내부의 압력이 일정하게 유지된 상태(도 4의 이점 쇄선 참조)에서, 기판(S)이 챔버(10)의 내부로 반입될 수 있고, 기판(S) 상에 처리액이 도포될 수 있으며, 기판(S)이 챔버(10)로부터 반출될 수 있다. 따라서, 챔버(10)의 외부의 이물질이 챔버(10)의 내부로 유입되는 것이 방지될 수 있고, 기판(S) 상으로 공급된 처리액이 쉽게 증발하거나 역류하는 것을 방지할 수 있으며, 기판(S) 상에 처리액을 균일하게 도포할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 기판(S)을 반입한 상태에서 챔버(10)의 내부의 압력을 낮춰 감압 분위기로 조성하는 경우에 발생할 수 있는 처리액의 증발의 가속화와 관련한 문제를 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 챔버(10)의 내부를 진공 상태로 만들지 않으므로, 챔버(10)의 내부를 진공 상태로 만드는 데에 요구되는 시간(즉, 챔버(10)의 내부를 배기하는 데에 요구되는 시간)만큼, 기판(S) 상에 처리액을 도포되는 데에 요구되는 시간을 줄일 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 챔버(10)의 내부로 공급되는 가스로서, 비활성 가스가 사용되므로, 친환경적인 공정을 수행할 수 있고, 가스가 처리액과 반응하는 것을 방지할 수 있고, 가스로 인한 처리액의 증발을 방지할 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예가 예시적으로 설명되었으나, 본 발명의 범위는 이와 같은 특정 실시예에 한정되지 않으며, 특허청구범위에 기재된 범주 내에서 적절하게 변경될 수 있다.
10: 챔버 19: 압력 센서
20: 처리액 수용기 30: 처리액 배출부
40: 재치대 50: 재치대 회전부
60: 처리액 공급부 70: 가스 공급부
80: 가스 배출부 90: 제어부

Claims (10)

  1. (a) 챔버의 내부로 가스를 공급하여 상기 챔버의 외부의 압력에 비하여 높은 압력으로 상기 챔버의 내부를 가압하는 단계;
    (b) 상기 챔버를 개방하여 상기 챔버의 내부로 기판을 반입하는 단계;
    (c) 상기 챔버를 폐쇄하는 단계; 및
    (d) 상기 기판을 회전시키면서 상기 기판으로 처리액을 공급하여 상기 기판에 처리액을 도포하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 (a) 단계는,
    상기 챔버의 내부의 압력을 측정하는 단계; 및
    상기 챔버의 압력을 기준으로, 상기 챔버로 공급되는 가스의 양을 조절하거나, 상기 챔버로부터 배출되는 가스의 양을 조절하거나, 상기 챔버로 공급되는 가스의 양 및 상기 챔버로부터 배출되는 가스의 양을 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  3. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    (e) 상기 챔버의 내부로 가스를 공급하여 상기 챔버의 내부를 가압하면서, 상기 챔버를 개방하여 상기 처리액이 도포된 기판을 상기 챔버로부터 반출하는 단계를 더 포함하는 기판 처리 방법.
  4. 챔버의 내부에 배치되며 기판이 안착되는 재치대;
    상기 재치대를 회전시키는 재치대 회전부;
    상기 기판으로 처리액을 공급하는 처리액 공급부;
    상기 챔버의 내부로 가스를 공급하는 가스 공급부; 및
    상기 챔버의 내부의 가스를 외부로 배출하여 상기 챔버 내에 가스 유동을 형성하는 가스 배출부를 포함하는 기판 처리 장치.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 가스 공급부는 상기 챔버의 내부로 가스를 공급하여 상기 챔버의 외부의 압력에 비하여 높은 압력으로 상기 챔버의 내부를 가압하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 청구항 4 또는 5에 있어서,
    상기 챔버의 내부의 압력을 측정하는 압력 센서; 및
    상기 압력 센서에 의해 측정된 상기 챔버의 내부의 압력을 기준으로 상기 가스 공급부, 상기 가스 배출부, 또는 상기 가스 공급부 및 상기 가스 배출부를 제어하는 제어부를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  7. 챔버의 내부에 배치되며 기판이 안착되는 재치대;
    상기 재치대를 회전시키는 재치대 회전부;
    상기 기판으로 처리액을 공급하는 처리액 공급부; 및
    상기 챔버의 내부로 가스를 공급하여 상기 챔버의 외부의 압력에 비하여 높은 압력으로 상기 챔버의 내부를 가압하는 가스 공급부를 포함하는 기판 처리 장치.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 챔버의 내부의 압력을 측정하는 압력 센서; 및
    상기 압력 센서에 의해 측정된 상기 챔버의 내부의 압력을 기준으로 상기 가스 공급부를 제어하는 제어부를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  9. 청구항 4 또는 7에 있어서,
    상기 처리액 공급부는,
    상기 챔버의 내부에 배치되는 처리액 공급 노즐;
    상기 처리액 공급 노즐과 처리액 공급 라인을 통하여 연결되는 처리액 공급기; 및
    상기 처리액 공급 노즐을 상기 재치대를 향하는 방향 및 상기 재치대로부터 이격되는 방향으로 이동시키는 노즐 이동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 청구항 4 또는 7에 있어서,
    상기 재치대를 둘러싸도록 배치되어 상기 기판으로부터 분리된 처리액을 수용하는 처리액 수용기; 및
    상기 처리액 수용기와 연결되어 상기 처리액 수용기에 수용된 처리액을 외부로 배출하는 처리액 배출부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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