KR20190119483A - 액정 조성물 및 이를 포함하는 액정 디스플레이 - Google Patents

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KR20190119483A
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Abstract

본 발명은 액정 조성물 및 이를 포함하는 액정디스플레이에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 우수한 응답특성을 가질 수 있다.

Description

액정 조성물 및 이를 포함하는 액정 디스플레이{LIQUID CRYSTAL COMPOSITION AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY CONTAINING THE SAME}
본 발명은 액정 조성물 및 이를 포함하는 액정 디스플레이에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 응답특성이 우수한 액정 조성물 및 이를 포함하는 액정 디스플레이에 관한 것이다.
액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD)는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치(flat panel display) 중 하나이다. 액정 표시 장치는 전기장 생성 전극에 전압을 인가하여 액정층에 전기장을 생성함으로써 액정층의 액정 분자들의 방향을 결정하고 액정층을 통과하는 빛의 투과율을 조절함으로써, ON/OFF 표시가 가능하다. 이에 적용할 수 있는 모드에는 TN(Twisted Nematic), IPS(In-Plane Switching), VA(Vertically Aligned), ECB(Electrically Controlled Birefringence), OCB(Optically Compensatory Bend), STN(Super Twisted Nematic), PSA(Polymer Stabilized Alignment), PS-VA(Polymer Stabilized-Vertical Aligned) 등과 같은 다양한 액정 표시 장치가 개발되고 있다.
액정 표시 장치에 있어서, 유전율 이방성, 굴절률 이방성, 회전점도, 탄성계수 등 제품의 요구 특성을 맞추기 위하여 통상 7 내지 20가지의 단일 액정 화합물을 혼합하여 액정 혼합물을 제조한다. 단일 액정 화합물은 분자량이 200 내지 600g/mol인 유기 물질로 길다란 막대모양의 분자구조를 가진다. 액정 화합물은 직진성을 유지하는 중심그룹(core group), 유연성을 가지는 말단그룹(terminal group)과 특정 용도를 위한 연결그룹(linkage group)으로 구분될 수 있다. 말단 부분은 한쪽 또는 양쪽에 휘어지기 쉬운 사슬형태(알킬, 알콕시, 알케닐 등)로 이루어져 유연성을 유지할 수 있고, 다른 한쪽은 극성기(F, CN, OCF3 등)를 도입하여 유전율과 같은 액정의 물성을 조절할 수 있다.
한국 공개특허 2006-0030552
본 발명의 일 실시형태의 목적은 응답 특성이 우수한 액정 조성물 및 이를 포함하는 액정 디스플레이를 제공하는 것이다.
그러나 본원이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 기술한 과제로 제한되지 않으며, 기술되지 않은 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 측면은 하기 화학식 1-1로 표시되는 화합물을 포함하며, 하기 식 1로 정의되는 FoM (Figure of Merit) 지수가 0.43 이상인 액정 조성물을 제공한다.
[화학식 1-1]
Figure pat00001
[식 1]
Figure pat00002
상기 식 1에서,
Ktotal은 탄성 계수 K1, K2, 및 K3의 합으로, K1은 액정 분자의 단축방향으로 벌어지는 정도를 나타내는 탄성계수이고, K2는 액정 분자가 장축 방향으로 꼬이는 정도를 나타내는 탄성계수이며, K3은 액정 분자가 장축방향으로 휘어지는 정도를 나타내는 탄성계수이고, Δn은 굴절율 이방성이며, γ1은 회전점도이다.
본 발명의 일 측면은, 상기 액정 조성물을 포함하는 액정 디스플레이를 제공한다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 액정 디스플레이에서 요구되는 광학 이방성을 가지며, 동시에 낮은 회전점도를 가질 수 있어 짧은 응답특성을 가질 수 있다. 또한, 액정 디스플레이로 사용될 수 있는 적절한 상전이 온도를 가지며, 동시에 충분한 전압 보전율을 가져 잔상 혹은 플리커(fliker)와 같은 바람직하지 않은 현상을 최소화할 수 있다.
도 1은 본원의 일 구현예에 따른 액정 디스플레이를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는바, 특정 실시예들을 표로 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대한 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 "약", "실질적으로" 등은 언급된 의미에 고유한 제조 및 물질 허용오차가 제시될 때 그 수치에서 또는 그 수치에 근접한 의미로 사용되고, 본원의 이해를 돕기 위해 정확하거나 절대적인 수치가 언급된 개시 내용을 비양심적인 침해자가 부당하게 이용하는 것을 방지하기 위해 사용된다. 본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 "~(하는) 단계" 또는 "~의 단계"는 "~ 를 위한 단계"를 의미하지 않는다.
본원 명세서 전체에서, 마쿠시 형식의 표현에 포함된 "이들의 조합"의 용어는 마쿠시 형식의 표현에 기재된 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 혼합 또는 조합을 의미하는 것으로서, 상기 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 의미한다.
본원 명세서 전체에서, "A 및/또는 B"의 기재는, "A 또는 B, 또는 A 및 B"를 의미한다.
본원 명세서 전체에서, 용어 "알킬"은 선형 또는 분지형의, 포화 또는 불포화의 C1-C12 알킬을 포함하는 것일 수 있으며, 예를 들어 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 헥실, 헵틸, 옥틸, 노닐 또는 이들의 가능한 모든 이성질체를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
또한, 본원 명세서 전체에서 동일한 기호는 특별히 언급하지 않는 한 같은 의미를 가질 수 있다.
본 발명의 일 측면은 하기 화학식 1-1로 표시되는 화합물을 포함하며, 하기 식 1로 정의되는 FoM 지수가 0.43 이상인 액정 조성물을 제공한다.
[화학식 1-1]
Figure pat00003
[식 1]
Figure pat00004
상기 식 1에서,
K는 탄성 계수이고, Δn은 굴절율 이방성이며, γ1은 회전점도이다.
액정 디스플레이에서 요구되는 여러 특성 중 응답특성은 가장 중요한 물성으로, 응답특성은 일반적으로 셀 갭(Cell gap)과 탄성 계수에 비례하며, 회전점도에 반비례 하는 특성을 가지고 있다. 본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 식 1로 정의되는 FoM 지수가 0.43 이상을 가져 응답특성이 우수할 수 있다. 구체적으로, 상기 FoM 지수는 0.43 내지 0.71, 보다 구체적으로는 0.50 내지 0.71 일 수 있다.
일반적으로 굴절율 이방성은 액정 디스플레이의 휘도 및 셀 갭(cell gap)을 결정하는 요소로 0.07 이상을 기준 값으로 하고 있다. 또한, 회전 점도는 응답시간을 결정하는 요소로 최대한 낮게 설정하고 있다. 또한, 탄성 계수는 응답 시간, 문턱전압, 및 휘도 특성을 결정하는 요소로 8 내지 18pN을 기준 값으로 하고 있다.
본 발명에서는 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물을 포함하고, 탄성 계수, 굴절율 이방성 및 회전 점도로 결정되는 액정 조성물의 FoM 지수를 0.43 이상으로 조절하여 액정디스플레이장치에서 사용될 수 있는 적절한 상전이 온도와 전압 보전율을 갖고 있으며 동시에 응답특성이 우수한 액정 조성물을 제공하고 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물은 액정 조성물 100 중량부에 대하여 30 내지 48 중량부로 포함될 수 있다. 구체적으로는 40 내지 48 중량부로 포함될 수 있다. 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물은 투명점이 낮으면서 중성 화합물로는 드물게 네마틱 상을 나타난다. 따라서 저온 안정성이 향상되며 해당 물질은 유전율이 0에 가깝고, 회전점도가 낮아 빠른 응답시간 구현에 유리한 물질이다. 상기 화합물의 함량이 30 중량부 미만인 경우 빠른 응답시간 구현에 불리하며 48 중량부 이상인 경우 단일 물질의 과다로 인하여 저온안정성이 떨어질 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 액정 조성물은 하기 화학식 1-2로 표시되는 화합물을 추가로 포함할 수있다.
[화학식 1-2]
Figure pat00005
상기 화학식 1-2로 표시되는 화합물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물에 비하여 회전점도를 감소시키는 폭은 다소 낮으나, 액정 조성물의 투명점을 높일 수 있다. 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물과 함께 상기 화학식 1-2로 표시되는 화합물을 포함하는 경우 FoM 지수를 증가시킬 수 있어 응답특성을 개선할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 화학식 1-2로 표시되는 화합물은 액정 조성물 100 중량부에 대하여, 10 중량부 이하로 포함될 수 있다. 구체적으로는 5 내지 8 중량부로 포함될 수 있다. 상기 화합물의 함량이 10 중량부를 초과하면 저온 안정성에 취약할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 1-2로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 액정 조성물은 하기 화학식 2-1로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 2-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물을 추가로 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시형태에 따르면, 하기 화학식 2-1로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 2-2로 표시되는 화합물을 모두 포함할 수 있다.
[화학식 2-1]
Figure pat00006
상기 화학식 2-1에서,
고리 A, B 및 C는 각각 독립적으로 1,4-페닐렌 또는 1,4-시클로헥실렌이고,
X는 H 또는 F이며,
R1은 탄소수 1~5의 알킬기이고,
R2는 탄소수 1~5의 알킬기 또는 탄소수 2~5의 알케닐기이며,
n 및 m은 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이며, n이 2인 경우 고리 A는 서로 같거나 다를 수 있고, m이 2인 경우 고리 B는 서로 같거나 다를 수 있다.
단, n 및 m이 0이고 고리 C가 1,4-시클로헥실렌인 경우, R2는 탄소수 1~5의 알킬기이거나, n 및 m이 0이고 고리 C가 1,4-시클로헥실렌이고, R2가 탄소수 2~5의 알케닐기인 경우, R1은 탄소수 4~5의 알킬기이다.
상기 화학식 2-1로 표시되는 화합물은 비극성 물질이고, 단일 물질의 상전이 온도가 160~330℃이며, 액정 조성물의 상전이 온도를 높일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 2-1 및 2-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물, 상기 화학식 1-2로 표시되는 화합물, 및 상기 화학식 2-1 및 2-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 화학식 2-1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 [2-1-1] 내지 [2-1-12] 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[2-1-1]
Figure pat00007
[2-1-2]
Figure pat00008
[2-1-3]
Figure pat00009
[2-1-4]
Figure pat00010
[2-1-5]
Figure pat00011
[2-1-6]
Figure pat00012
[2-1-7]
Figure pat00013
[2-1-8]
Figure pat00014
[2-1-9]
Figure pat00015
[2-1-10]
Figure pat00016
[2-1-11]
Figure pat00017
[2-1-12]
Figure pat00018
본 발명의 일 구현예에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 [2-1-9] 및 [2-1-10] 중 어느 하나로 표시되는 화합물 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 화학식 2-1로 표시되는 화합물은 액정 조성물 100 중량부에 대하여 20 중량부 이하로 포함될 수 있다. 보다 구체적으로 5 내지 13 중량부로 포함될 수 있다. 상기 화합물은 유전율 이방성 4 미만의 중성 화합물로써 조성물의 함량이 20 중량부를 초과하면 액정 디스플레이에서 요구하는 높은 유전율 이방성을 유지하기 어려울 수 있고, 전압 인가 후 투과율을 상승시키는데 필요한 시간(Ton)이 증가할 수 있다.
[화학식 2-2]
Figure pat00019
상기 화학식 2-2에서,
R3 및 R4는 각각 독립적으로 탄소수 1~5의 알킬기 또는 탄소수 2~5의 알케닐기이다. 구체적으로, R3 및 R4 중 하나 이상은 탄소수 2~5의 알케닐일 수 있으며, 보다 구체적으로 R3 및 R4 중 어느 하나는 탄소수 2~5의 알케닐이고, 다른 하나는 탄소수 1~5의 알킬기일 수 있다.
상기 화학식 2-2로 표시되는 화합물은 비극성 물질이고, 굴절율 이방성이 0.26~0.29의 범위를 가지며, 액정 조성물의 굴절율 이방성을 높일 수 있다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 화학식 2-2로 표시되는 화합물은 하기 화학식 [2-2-1] 내지 [2-2-7] 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[2-2-1]
Figure pat00020
[2-2-2]
Figure pat00021
[2-2-3]
Figure pat00022
[2-2-4]
[2-2-5]
Figure pat00024
[2-2-6]
Figure pat00025
[2-2-7]
Figure pat00026
본 발명의 일 구현예에서, 상기 화학식 2-2로 표시되는 화합물은 액정 조성물 100 중량부에 대하여 16 중량부 이하로 포함될 수 있다. 보다 구체적으로 5 내지 10 중량부로 포함될 수 있다. 상기 화합물의 함량이 16 중량부를 초과하게 되면 액정 조성물의 저온 안정성이 저하되거나, 액정 디스플레이에서 요구되는 위상차(Cell gap X 굴절율 이방성)를 최적화하기 어려울 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 액정 조성물은 하기 화학식 3-1 내지 3-4로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물을 추가로 포함할 수 있다.
[화학식 3-1]
Figure pat00027
[화학식 3-2]
Figure pat00028
[화학식 3-3]
Figure pat00029
[화학식 3-4]
Figure pat00030
상기 화학식 3-1 내지 화학식 3-4에서,
R5 및 R6은 각각 독립적으로 탄소수 1~5의 알킬기이고,
(CH3)은 H 또는 CH3을 의미한다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 [3-1] 및 화학식 [3-2]로 표시되는 화합물 중 1종 이상을 포함할 수 있으며, 상기 화학식 3-1 및 화학식 3-2에서, R5 및 R6은 각각 독립적으로 탄소수 1~3의 알킬기일 수 있다.
상기 화학식 3-1 내지 3-4로 표시되는 화합물은 극성 물질이며, 이 물질은 높은 유전율 이방성과 낮은 회전점도를 가져 액정 조성물의 빠른 응답특성을 구현할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 3-1 내지 3-4로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물, 상기 화학식 1-2로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 3-1 내지 3-4로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물, 상기 화학식 2-1 및 2-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물 및 상기 화학식 3-1 내지 3-4로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물, 상기 화학식 1-2로 표시되는 화합물, 상기 화학식 2-1 및 화학식 2-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물 및 상기 화학식 3-1 내지 3-4로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 화학식 3-1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 [3-1-1] 내지 [3-1-8] 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[3-1-1]
Figure pat00031
[3-1-2]
Figure pat00032
[3-1-3]
Figure pat00033
[3-1-4]
Figure pat00034
[3-1-5]
Figure pat00035
[3-1-6]
Figure pat00036
[3-1-7]
Figure pat00037
[3-1-8]
Figure pat00038
본 발명의 일 구현예에서, 상기 화학식 3-2로 표시되는 화합물은 하기 화학식 [3-2-1] 내지 [3-2-4] 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[3-2-1]
Figure pat00039
[3-2-2]
Figure pat00040
[3-2-3]
Figure pat00041
[3-2-4]
Figure pat00042
본 발명의 일 구현예에서, 상기 화학식 3-3으로 표시되는 화합물은 하기 화학식 [3-3-1] 및 [3-3-2] 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[3-3-1]
Figure pat00043
[3-3-2]
Figure pat00044
본 발명의 일 구현예에서, 상기 화학식 3-4로 표시되는 화합물은 하기 화학식 [3-4-1] 및 [3-4-2] 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[3-4-1]
Figure pat00045
[3-4-2]
Figure pat00046
본 발명의 일 구현예에서, 상기 화학식 3-1 내지 3-4로 표시되는 화합물은 액정 조성물 100 중량부에 대하여 15 내지 40 중량부를 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 15 내지 28 중량부를 포함할 수 있다. 특히 상기 화학식 3-1 내지 3-4로 표시되는 화합물은 유전율 이방성이 25 이상이고 광학 이방성이 0.15~0.20의 물질들로 유전율 이방성과 광학 이방성을 높이는데 매우 유리할 수 있다. 상기 화합물의 함량이 15 중량부 미만인 경우, 액정 디스플레이에서 요구되는 충분한 유전율 이방성 대비 알맞은 회전점도에 도달하거나 충분한 응답특성을 유지하기 어려울 수 있고, 상기 화합물의 함량이 40 중량부를 초과하면 액정 조성물의 저온 안정성을 저하시키거나 알맞은 전압보전율을 유지하기 어려울 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 있어서, 상기 액정 조성물은 하기 화학식 4-1 내지 4-3으로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물을 추가로 포함할 수 있다.
[화학식 4-1]
Figure pat00047
[화학식 4-2]
Figure pat00048
[화학식 4-3]
Figure pat00049
상기 화학식 4-1 내지 화학식 4-3에서,
R7,R8및 R9는 각각 독립적으로 탄소수 1~5의 알킬기이고,
X1내지 X4는 각각 독립적으로 H 또는 F이며,
Y는 H, F 또는 OCF3다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 [4-2] 및 화학식 [4-3]으로 표시되는 화합물 1 종 이상의 화합물을 포함할 수 있고, 상기 화학식 4-2 및 화학식 4-3에서, R8및 R9는 각각 독립적으로 탄소수 1~4의 알킬기이고, X1및 X2는 F이고, X3및 X4는 각각 독립적으로 H 또는 F 이며, Y는 F 또는 OCF3일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 4-1 내지 4-3으로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물, 상기 화학식 1-2로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 4-1 내지 4-3으로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물, 상기 화학식 2-1 및 2-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물 및 상기 화학식 4-1 내지 4-3으로 표시되는 화합물 1종 또는 2종 이상의 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물, 상기 화학식 1-2로 표시되는 화합물, 상기 화학식 2-1 및 2-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물 및 상기 화학식 4-1 내지 4-3으로 표시되는 화합물 1종 또는 2종 이상의 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물, 상기 화학식 3-1 내지 3-4로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물 및 상기 화학식 4-1 내지 4-3으로 표시되는 화합물 1종 또는 2종 이상의 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물, 상기 화학식 1-2로 표시되는 화합물, 상기 화학식 3-1 내지 3-4로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물 및 상기 화학식 4-1 내지 4-3으로 표시되는 화합물 1종 또는 2종 이상의 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물, 상기 화학식 2-1 및 2-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물, 상기 화학식 3-1 내지 3-4로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물 및 상기 화학식 4-1 내지 4-3으로 표시되는 화합물 1종 또는 2종 이상의 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물, 상기 화학식 1-2로 표시되는 화합물, 상기 화학식 2-1 및 2-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물, 상기 화학식 3-1 내지 3-4로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물 및 상기 화학식 4-1 내지 4-3으로 표시되는 화합물 1종 또는 2종 이상의 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 화학식 4-1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 [4-1-1] 내지 [4-1-3] 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[4-1-1]
Figure pat00050
[4-1-2]
Figure pat00051
[4-1-3]
Figure pat00052
본 발명의 일 구현예에서, 상기 화학식 4-2로 표시되는 화합물은 하기 화학식 [4-2-1] 및 [4-2-2] 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[4-2-1]
Figure pat00053
[4-2-2]
Figure pat00054
본 발명의 일 구현예에서, 상기 화학식 4-3으로 표시되는 화합물은 하기 화학식 [4-3-1] 내지 [4-3-3] 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[4-3-1]
Figure pat00055
[4-3-2]
Figure pat00056
[4-3-3]
Figure pat00057
상기 화학식 4-1 내지 4-3으로 표시되는 화합물은 유전율 이방성이 4~10이며 상전이 온도가 60~200℃인 물질로 액정 조성물의 특성인 광학 이방성, 상전이온도, 유전율 이방성, 회전점도를 조절하는데 매우 유용한 물질이며, 액정 디스플레이에서 요구되는 다양한 물성을 조절할 수 있고, 동시에 적절한 저온 안정성을 지니고 있다. 상기 화합물은 29 중량부 이하를 포함할 수 있다. 상기 화합물의 함량이 29 중량부를 초과하면 액정 조성물의 저온 안정성이 낮아질 수 있고, 액정 디스플레이에서 요구되는 빠른 응답특성의 조건을 충족하기 어려울 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 있어서, 상기 액정 조성물은 하기 화학식 5-1 또는 하기 화학식 5-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물을 추가로 포함할 수 있다.
[화학식 5-1]
Figure pat00058
[화학식 5-2]
Figure pat00059
상기 화학식 5-1 또는 화학식 5-2에서,
R10및 R11은 각각 독립적으로 탄소수 1~5의 알킬기이고,
(CH3)은 H 또는 CH3을 의미한다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 5-1 및 5-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물, 상기 화학식 1-2로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 5-1 및 5-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물, 상기 화학식 2-1로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 2-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물, 및 상기 화학식 5-1 및 5-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물, 상기 화학식 3-1 내지 3-4로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물, 및 상기 화학식 5-1 및 5-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물, 상기 화학식 1-2로 표시되는 화합물, 상기 화학식 3-1 내지 3-4로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물 및 상기 화학식 5-1 및 5-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물, 상기 화학식 2-1 및 2-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물, 상기 화학식 3-1 내지 3-4로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물 및 상기 화학식 5-1 및 5-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물, 상기 화학식 1-2로 표시되는 화합물, 상기 화학식 2-1 및 2-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물, 상기 화학식 3-1 내지 3-4로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물 및 상기 화학식 5-1 및 5-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물, 상기 화학식 4-1 내지 4-3으로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물 및 상기 화학식 5-1 및 5-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물, 상기 화학식 1-2로 표시되는 화합물, 상기 화학식 4-1 내지 4-3으로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물 및 상기 화학식 5-1 및 5-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물, 상기 화학식 2-1 및 2-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물, 상기 화학식 4-1 내지 4-3으로 표시되는 화합물 1종 또는 2종 이상의 화합물 및 상기 화학식 5-1 및 5-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물, 상기 화학식 1-2로 표시되는 화합물, 상기 화학식 2-1 및 2-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물, 상기 화학식 4-1 내지 4-3으로 표시되는 화합물 1종 또는 2종 이상의 화합물 및 상기 화학식 5-1 및 5-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물, 상기 화학식 3-1 내지 3-4로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물, 상기 화학식 4-1 내지 4-3으로 표시되는 화합물 1종 또는 2종 이상의 화합물 및 상기 화학식 5-1 및 5-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물, 상기 화학식 1-2로 표시되는 화합물, 상기 화학식 3-1 내지 3-4로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물, 상기 화학식 4-1 내지 4-3으로 표시되는 화합물 1종 또는 2종 이상의 화합물 및 상기 화학식 5-1 및 5-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물, 상기 화학식 2-1 및 2-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물, 상기 화학식 3-1 내지 3-4로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물, 상기 화학식 4-1 내지 4-3으로 표시되는 화합물 1종 또는 2종 이상의 화합물 및 상기 화학식 5-1 및 5-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물, 상기 화학식 1-2로 표시되는 화합물, 상기 화학식 2-1 및 2-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물, 상기 화학식 3-1 내지 3-4로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물, 상기 화학식 4-1 내지 4-3으로 표시되는 화합물 1종 또는 2종 이상의 화합물 및 상기 화학식 5-1 및 5-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 화학식 5-1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 [5-1-1] 내지 [5-1-4] 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[5-1-1]
Figure pat00060
[5-1-2]
Figure pat00061
[5-1-3]
Figure pat00062
[5-1-4]
Figure pat00063
본 발명의 일 구현예에서, 상기 화학식 5-2로 표시되는 화합물은 하기 화학식 [5-2-1] 내지 [5-2-4] 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[5-2-1]
Figure pat00064
[5-2-2]
Figure pat00065
[5-2-3]
Figure pat00066
[5-2-4]
Figure pat00067
상기 화학식 5-1 또는 5-2로 표시되는 화합물은 상전이 온도범위가 2~110℃ 로 네마틱 온도 범위가 매우 넓어 액정 조성물의 저온 안정성에 유리하다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 화학식 5-1 또는 5-2로 표시되는 화합물은 액정 조성물 100 중량부에 대하여 17 중량부 이하를 포함할 수 있다. 상기 화합물의 함량이 17 중량부를 초과하게 되면 액정 디스플레이에서 요구되는 적절한 상전이 온도 유지에 어려움이 있을 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 액정 조성물은 하기 화학식 6으로 표시되는 화합물을 1종 또는 2종 이상 추가로 포함할 수 있다.
[화학식 6]
Figure pat00068
상기 화학식 6에서,
R12는 탄소수 1~5의 알킬기이고,
X5는 H 또는 F이다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 6으로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물, 상기 화학식 1-2로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 6으로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물, 상기 화학식 2-1 및 2-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물 및 상기 화학식 6으로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물, 상기 화학식 3-1 내지 3-4로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물 및 상기 화학식 6으로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물, 상기 화학식 1-2로 표시되는 화합물, 상기 화학식 3-1 내지 3-4로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물 및 상기 화학식 6으로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물, 상기 화학식 2-1 및 2-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물, 상기 화학식 3-1 내지 3-4로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물 및 상기 화학식 6으로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물, 상기 화학식 1-2로 표시되는 화합물, 상기 화학식 2-1 및 2-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물, 상기 화학식 3-1 내지 3-4로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물 및 상기 화학식 6으로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물, 상기 화학식 4-1 내지 4-3으로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물 및 상기 화학식 6으로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물, 상기 화학식 1-2로 표시되는 화합물, 상기 화학식 4-1 내지 4-3으로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물 및 상기 화학식 6으로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물, 상기 화학식 2-1 및 2-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물, 상기 화학식 4-1 내지 4-3으로 표시되는 화합물 1종 또는 2종 이상의 화합물 및 상기 화학식 6으로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물, 상기 화학식 1-2로 표시되는 화합물, 상기 화학식 2-1 및 2-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물, 상기 화학식 4-1 내지 4-3으로 표시되는 화합물 1종 또는 2종 이상의 화합물 및 상기 화학식 6으로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물, 상기 화학식 3-1 내지 3-4로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물, 상기 화학식 4-1 내지 4-3으로 표시되는 화합물 1종 또는 2종 이상의 화합물 및 상기 화학식 6으로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물, 상기 화학식 1-2로 표시되는 화합물, 상기 화학식 3-1 내지 3-4로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물, 상기 화학식 4-1 내지 4-3으로 표시되는 화합물 1종 또는 2종 이상의 화합물 및 상기 화학식 6으로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물, 상기 화학식 2-1 및 2-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물, 상기 화학식 3-1 내지 3-4로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물, 상기 화학식 4-1 내지 4-3으로 표시되는 화합물 1종 또는 2종 이상의 화합물 및 상기 화학식 6으로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물, 상기 화학식 1-2로 표시되는 화합물, 상기 화학식 2-1 및 2-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물, 상기 화학식 3-1 내지 3-4로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물, 상기 화학식 4-1 내지 4-3으로 표시되는 화합물 1종 또는 2종 이상의 화합물 및 상기 화학식 6으로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물, 상기 화학식 5-1 및 5-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물 및 상기 화학식 6으로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물, 상기 화학식 1-2로 표시되는 화합물, 상기 화학식 5-1 및 5-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물 및 상기 화학식 6으로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물, 상기 화학식 2-1 및 2-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물, 상기 화학식 5-1 및 5-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물 및 상기 화학식 6으로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물, 상기 화학식 3-1 내지 3-4로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물, 상기 화학식 5-1 및 5-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물 및 상기 화학식 6으로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물, 상기 화학식 1-2로 표시되는 화합물, 상기 화학식 3-1 내지 3-4로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물, 상기 화학식 5-1 및 5-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물 및 상기 화학식 6으로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물, 상기 화학식 2-1 및 2-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물, 상기 화학식 3-1 내지 3-4로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물, 상기 화학식 5-1 및 5-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물 및 상기 화학식 6으로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물, 상기 화학식 1-2로 표시되는 화합물, 상기 화학식 2-1 및 2-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물, 상기 화학식 3-1 내지 3-4로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물, 상기 화학식 5-1 및 5-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물 및 상기 화학식 6으로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물, 상기 화학식 4-1 내지 4-3으로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물, 상기 화학식 5-1 및 5-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물 및 상기 화학식 6으로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물, 상기 화학식 1-2로 표시되는 화합물, 상기 화학식 4-1 내지 4-3으로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물, 상기 화학식 5-1 및 5-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물 및 상기 화학식 6으로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물, 상기 화학식 2-1 및 2-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물, 상기 화학식 4-1 내지 4-3으로 표시되는 화합물 1종 또는 2종 이상의 화합물, 상기 화학식 5-1 및 5-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물 및 상기 화학식 6으로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물, 상기 화학식 1-2로 표시되는 화합물, 상기 화학식 2-1 및 2-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물, 상기 화학식 4-1 내지 4-3으로 표시되는 화합물 1종 또는 2종 이상의 화합물, 상기 화학식 5-1 및 5-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물 및 상기 화학식 6으로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물, 상기 화학식 3-1 내지 3-4로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물, 상기 화학식 4-1 내지 4-3으로 표시되는 화합물 1종 또는 2종 이상의 화합물 및 상기 화학식 5-1 및 5-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물 및 상기 화학식 6으로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물, 상기 화학식 1-2로 표시되는 화합물, 상기 화학식 3-1 내지 3-4로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물, 상기 화학식 4-1 내지 4-3으로 표시되는 화합물 1종 또는 2종 이상의 화합물, 상기 화학식 5-1 및 5-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물 및 상기 화학식 6으로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물, 상기 화학식 2-1 및 2-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물, 상기 화학식 3-1 내지 3-4로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물, 상기 화학식 4-1 내지 4-3으로 표시되는 화합물 1종 또는 2종 이상의 화합물, 상기 화학식 5-1 및 5-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물 및 상기 화학식 6으로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물, 상기 화학식 1-2로 표시되는 화합물, 상기 화학식 2-1 및 2-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물, 상기 화학식 3-1 내지 3-4로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물, 상기 화학식 4-1 내지 4-3으로 표시되는 화합물 1종 또는 2종 이상의 화합물, 상기 화학식 5-1 및 5-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물 및 상기 화학식 6으로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 화학식 6으로 표시되는 화합물은 하기 화학식
[6-1] 내지 [6-4] 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[6-1]
Figure pat00069
[6-2]
Figure pat00070
[6-3]
Figure pat00071
[6-4]
Figure pat00072
상기 화학식 6으로 표시되는 화합물은 유전율 이방성이 8~10이므로 액정 조성물의 적절한 유전율 이방성을 유지시킬 수 있고, 높은 투명점을 가지므로 액정 조성물의 상전이 온도를 높일 수 있다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 화학식 6으로 표시되는 화합물은 전체 액정 조성물 100 중량부에 대하여 6 중량부 이하로 포함될 수 있다. 상기 화합물의 함량이 6 중량부를 초과하게 되면 저온안정성과 빠른 응답특성을 유지하기 어려울 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 액정 조성물 100 중량부는 액정 조성물에 포함되는 액정 화합물의 함량으로 산정될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 액정 조성물은 하기 화학식 7로 표시되는 화합물을 추가로 포함할 수 있다.
[화학식 7]
Figure pat00073
상기 화학식 7에서,
고리 D는 페닐렌, 사이클로헥실렌, 테트라하이드로피라닐렌(tetrahydropyranylene) 또는 다이옥세이닐렌(dioxanylene)이고,
R13은 탄소수 1~15의 알킬 라디칼이며,
o는 0 또는 1이다.
상술한 본 발명의 모든 실시형태에 따른 액정 조성물에 상기 화학식 7로 표시되는 화합물은 추가로 포함될 수 있다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 화학식 7로 표시되는 화합물은 하기 화학식
[7-1] 내지 [7-3] 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[7-1]
Figure pat00074
[7-2]
Figure pat00075
[7-3]
Figure pat00076
상기 화학식 7로 표시되는 화합물은 액정 조성물의 열 안정성을 높일 수 있으며 이를 통해 액정 디스플레이에서 요구되는 적절한 전압 보전율 (VHR)을 유지하도록 하는데 유리한 물질이다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 화학식 7로 표시되는 화합물은 액정 조성물 100 중량부에 대하여 0.01 내지 0.2 중량부로 포함될 수 있다. 구체적으로, 0.01 내지 0.03 중량부로 포함될 수 있다. 상기 화합물의 함량이 0.01 중량부 미만인 경우, 해당 화합물을 통한 열 안정성을 기대하기 어렵고 0.2 중량부를 초과하면 열 안정성이 저해될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, ‘액정 조성물 100 중량부’는 액정 화합물의 함량으로 산정될 수 있으며, ‘액정 조성물 100 중량부’에는 상기 화학식 7로 표시되는 화합물의 함량은 포함하지 않을 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 액정 조성물은 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물, 상기 화학식 1-2로 표시되는 화합물, 상기 화학식 2-1 및 2-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물, 상기 화학식 3-1 내지 3-4로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물, 상기 화학식 4-1 내지 4-3으로 표시되는 화합물 1종 또는 2종 이상의 화합물을 포함할 수 있다. 또한, 상기 화학식 5-1 및 5-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물 및 상기 화학식 6으로 표시되는 화합물을 더욱 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 액정 조성물은 상기 하기 화학식 [2-1-9] 및 화학식 [2-1-10]로 표시되는 화합물 중 하나 이상, 하기 화학식 [2-2]로 표시되는 화합물 중 1 종 이상, 하기 화학식 [3-1] 및 화학식 [3-2]로 표시되는 화합물 중 1 종 이상, 하기 화학식 [4-2] 및 화학식 [4-3]으로 표시되는 화합물 1 종 이상의 화합물을 포함할 수 있다.
[2-1-9]
Figure pat00077
[2-1-10]
Figure pat00078
[화학식 2-2]
Figure pat00079
[화학식 3-1]
Figure pat00080
[화학식 3-2]
Figure pat00081
[화학식 4-2]
Figure pat00082
[화학식 4-3]
Figure pat00083
상기 화학식 2-2에서,
R3및 R4는 각각 독립적으로 탄소수 1~5의 알킬기 또는 탄소수 2~5의 알케닐기이고,
상기 화학식 3-1 및 화학식 3-2에서,
R5및 R6은 각각 독립적으로 탄소수 1~3의 알킬기이고,
상기 화학식 4-2 및 화학식 4-3에서,
R8및 R9는 각각 독립적으로 탄소수 1~4의 알킬기이고,
X1및 X2는 F이고, X3및 X4는 각각 독립적으로 H 또는 F 이며,
Y는 F 또는 OCF3다.
본 발명의 다른 측면은 상기 액정 조성물을 포함하는 액정 디스플레이를 제공한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 액정 디스플레이의 단면도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 일 구현예에 따른 액정 디스플레이는 제1 기판(SUB1)과 상기 제1 기판(SUB1)에 대향하는 제2 기판(SUB2), 및 상기 제1 기판(SUB1)과 상기 제2 기판(SUB2) 사이에 형성된 액정층(LC)을 포함한다.
상기 제1 기판(SUB1)은 제1 베이스 기판(BS1) 상에 제공된 배선부와, 상기 배선부에 연결된 트랜지스터(TR), 상기 트랜지스터(TR)에 연결된 화소 전극(PE), 및 상기 화소 전극(PE)과 이격되어 절연된 공통 전극(CE)을 포함한다.
제1 베이스 기판(BS1)은 대략 사각 형상을 가지며 투명 절연 물질로 이루어진다. 상기 배선부는 게이트 라인(GL) 및 데이터 라인(DL)을 포함한다.
상기 게이트 라인(GL)이 형성된 상기 제1 베이스 기판(BS1) 상에는 게이트 절연막(GI)이 제공된다. 상기 게이트 절연막(GI)은 절연 물질로 이루어질 수 있는 바, 예를 들어, 실리콘 질화물이나, 실리콘 산화물을 포함할 수 있다.
상기 데이터 라인(DL)은 상기 게이트 라인(GL)과 상기 게이트 절연막(GI)을 사이에 두고 상기 제1 방향(D1)에 교차하는 제2 방향(D2)으로 연장되어 제공된다.
상기 트랜지스터(TR)은 상기 게이트 라인(GL)과 상기 데이터 라인(GL)에 연결된다. 상기 트랜지스터(TR)는 게이트 전극(GE), 반도체 패턴(SM), 소스 전극(SE), 및 드레인 전극(DE)을 포함한다.
상기 트랜지스터(TR)는 게이트 전극(GE), 반도체 패턴(SM), 소스 전극(SE), 및 드레인 전극(DE)을 포함한다.
상기 게이트 전극(GE)은 상기 게이트 라인(GL)으로부터 돌출되거나 상기 게이트 라인(GL)의 일부 영역 상에 제공된다.
상기 소스 전극(SE)과 상기 드레인 전극(DE) 상에는 층간막(IL)이 제공된다. 상기 층간막(IL) 상에는 보호막(PSV)이 제공되고, 상기 층간막(IL) 및 상기 보호막(PSV)에는 상기 드레인 전극(DE)의 상면의 일부를 노출하는 콘택홀(CH)이 제공된다.
상기 제2 기판(SUB2)은 상기 제1 기판(SUB1)에 대향하여 구비된다. 상기 제2 기판(SUB2)은 제2 베이스 기판(BS2), 컬러 필터 (CF), 및 블랙 매트릭스(BM)를 포함할 수 있다.
상기 액정층(LC)는 상술한 본 발명의 일 구현예에 따른 액정 조성물을 포함할 수 있다.
상기 액정 디스플레이는 TN(Twisted Nematic) 모드, IPS(In-Plane Switching) 모드, FFS(Fringe field switching) 모드 또는 PLS(Plane to Line Switching) 모드일 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.
이하, 발명의 구체적인 실시예를 통해 발명의 작용, 효과를 보다 구체적으로 설명하기로 한다. 다만, 이는 발명의 예시로서 제시된 것으로 이에 의해 발명의 권리범위가 어떠한 의미로든 한정되는 것은 아니다.
[ 실시예 ]
액정 조성물의 특성 평가
하기 비교예 및 실시예에서 얻어진 액정 조성물의 특성을 평가하기 위한 평가 항목 및 평가 방법은 하기와 같다.
(1) 액정의 투명점(Tni)
편광 현미경을 장치한 융점 측정 장치의 핫 플레이트에 액정 조성물을 놓고, 3℃/분의 속도로 가열하여 액정 조성물의 일부가 결정상에서 액정상 또는 등방성 액체로 변화했을 때의 온도를 관찰하여 측정하였다.
(2) 액정의 굴절률 이방성[Δn]
20℃에서 589nm 파장의 광을 사용하여 접안경에 편광판을 장착한 아베 굴절계로 측정하였다. 주프리즘의 표면을 한 방향으로 러빙한 후, 액정 조성물을 주프리즘에 적하하였다. 이후, 편광의 방향이 러빙의 방향과 평행할 때의 굴절률(ne)과 편광의 방향이 러빙의 방향과 수직일 때의 굴절률(no)을 측정하였다. 그리고, 상기 굴절률 값을 하기 식 2에 대입하여 굴절률 이방성(Δn)을 계산하였다.
Δn = ne - no [식 2]
(3) 액정의 유전율 이방성[Δε]
하기와 같이 측정된 ε∥ 및 ε⊥를 하기 식 3에 대입하여 계산하였다.
Δε = ε∥ - ε⊥ [식 3]
1) 유전율 ε∥ 의 측정
2 장의 유리 기판의 ITO 패턴이 형성된 면에 수직 배향제를 도포하여 수직 배향막을 형성하였다. 이어서, 수직 배향막이 서로 마주보며 2 장의 유리 기판 사이의 간격(셀 갭)이 4㎛가 되도록 2 장의 유리 기판 중 어느 하나의 기판에 스페이서를 도포한 후 2 장의 유리 기판을 합착시켰다. 그런 다음, 이 소자에 액정 조성물을 주입하고, 자외선으로 경화시키는 접착제로 밀폐하였다. 이후, Agilent에서 제조한 4294A 장비에 사용하여, 이 소자의 20℃에서 유전율ε∥ 을 측정하였다.
2) 유전율 ε⊥ 의 측정
2 장의 유리 기판의 ITO 패턴이 형성된 면에 수평 배향제를 도포하여 수평 배향막을 형성하였다. 이어서, 수평 배향막이 서로 마주보며 2 장의 유리 기판 사이의 간격(셀 갭)이 4㎛가 되도록 2 장의 유리 기판 중 어느 하나의 기판에 스페이서를 도포한 후 2 장의 유리 기판을 합착시켰다. 그리고, 이 소자에 액정 조성물을 주입하고, 자외선으로 경화시키는 접착제로 밀폐하였다. 이후, Agilent에서 제조한 4294A 장비에 사용하여, 이 소자의 20℃에서 유전율ε⊥ 을 측정하였다.
(4) 액정의 회전점도[γ1]
다음과 같은 방법으로 소자를 제조하였다. 2 장의 유리 기판의 ITO 패턴이 형성된 면에 수평배향제를 도포하여 수평 배향막을 형성하였다. 이어서, 수평 배향막이 서로 마주보며 2 장의 유리 기판 사이의 간격(셀 갭)이 20㎛가 되도록 2 장의 유리 기판 중 어느 하나의 기판에 스페이서를 도포한 후 2 장의 유리 기판을 합착시켰다. 그리고, 이 소자에 액정 조성물을 주입하고, 자외선으로 경화시키는 접착제로 밀폐하였다. 이후, ESPEC Corp.에서 제조한 온도 controller(Model SU-241)를 장착한 Toyo Corp.의 Model 6254 장비를 사용하여,이 소자의 20℃에서 회전 점도를 측정하였다.
(5) 액정의 탄성계수[K1, K2, K3]
다음과 같은 방법으로 소자를 제조하고, 탄성계수(K1, K2, K3)를 측정하였다. 2 장의 유리 기판의 ITO 패턴이 형성된 면에 수평배향제를 도포하여 수평 배향막을 형성하였다. 이어서, 수평 배향막이 서로 마주보며 2 장의 유리 기판 사이의 간격(셀 갭)이 20㎛가 되도록 2 장의 유리 기판 중 어느 하나의 기판에 스페이서를 도포한 후 2 장의 유리 기판을 합착시켰다. 그리고, 이 소자에 액정 조성물을 주입하고, 자외선으로 경화시키는 접착제로 밀폐하였다. 이후, ESPEC Corp.에서 제조한 온도 controller(Model SU-241)를 장착한 Toyo Corp.의 EC1 장비를 사용하여,이 소자의 20℃에서 탄성계수를 측정하였다.
(6) 액정의 전압보전율(VHR, %)
유전율 ε⊥의 측정 시 사용한 소자에 액정 조성물을 주입 후 1.0볼트를 가하여 액정의 전기 용량(C1)을 측정하고, 60Hz 후에 전기 용량(C2)를 측정하여 하기 식 5에 대입하면 전압 보전율(VHR, %)를 측정할 수 있다.
VHR = C2/C1 [식5]
◎: > 99.5%
○: > 99.0%
△: > 98.5%
(7) 액정의 응답시간(Ttotal, ms)
액정의 응답시간 측정은 사나이시스템社 의 TECHWIZ 2D 프로그램을 이용하여 Cell Gap 4.0 um 구동전압 4.0 V 를 인가하여 측정하였다.
(8) 액정의 저온안정성
액정 조성물의 저온안정성은 응답시간을 측정하였던 Cell 에 편광필름을 부착한 후 -30℃저온고에 넣어 육안관찰을 진행하였으며, 결정화가 발생되는 시간을 기준으로 하기와 같이 평가하였다.
◎: 10일 이상
○: < 10일
△: < 5일
액정 화합물의 기호화
본 실시예의 액정 조성물에 포함되는 화합물은 하기 표 1과 같이 기호화 하여 표시하였다.
Figure pat00084
* 액정화합물의 화학구조를 표시하는 경우 아래의 규칙을 따른다.
- 말단그룹의 기호 “n”은 알킬기에서 탄소의 숫자를 의미
- 중심그룹과 연결그룹 사이에는 별도의 표시 없음
- 중심그룹과 말단그룹 사이는 “-“으로 구분
- 오른쪽 말단그룹과 왼쪽 말단그룹은 “.”으로 구분하고,
왼쪽 말단그룹부터 기재
예를 들면, 다음과 같음
Figure pat00085
: BB- 3.V
Figure pat00086
: BA - 3.O2
Figure pat00087
: ACEXE1 - 3.F
Figure pat00088
: DTBH
Figure pat00089
: DTBCP
비교예 1 내지 16과 실시예 1 내지 실시예 47
비교예 1 내지 16과 실시예 1 내지 47의 액정 조성물에 포함되는 화합물의 종류 및 함량을 하기 표 2 내지 표 14에 기재하였다.
화합물 Code 비교예 1 비교예 2 비교예 3 비교예 4 비교예 5
화학식 1-1
유사화합물		 BB-3.V 　 　 　 　 　
BB-4.V 　 　 　 20 　
BB-5.V 　 　 　 　 20
BB-2.3 　 　 　 　 　
BB-3.4 20 20 20 　 　
화학식 1-2 BB-3.U1 　 　 　 　 　
화학식 2-1
또는 2-2		 BAA-3.1 　 　 　 　 　
BAA-3.2 10 10 3 　 　
BAA-5.2 　 　 　 　 　
BBA-3.1 10 10 10 10 10
BBA-V.1 10 10 10 10 　
BBA-W.1 　 　 　 10 10
ACA-2.3 　 　 　 　 　
ACA-2.4 　 　 　 　 　
ACA-3.3 　 　 　 　 　
ACA-2.W 　 　 　 　 　
BAAB-3.3 　 　 　 　 　
소계-1 50 50 43 50 40
화학식 4-1
내지 4-3		 ACA-2.F 　 　 　 　 　
ACA-3.F 10 10 　 　 　
BAC-3.F 　 　 　 　 　
BAE-3.F 　 10 3 8 10
BBA-3.OCF3 10 　 6 　 10
BBE-2.F 　 　 10 11 10
BBE-3.F 10 10 10 11 10
화학식 5-1
또는 5-2		 BBXE-3.F 　 　 　 　 　
AEXE-2.F 　 　 8 2 5
AEXE-3.F 10 10 10 10 10
AEXE1-2.F 　 　 　 　 　
AEXE1-3.F 　 　 　 　 　
AEXE1-4.F 　 　 　 　 　
화학식 6 BBAE-3.F 　 　 　 　 　
BBCE-3.F 　 　 　 　 　
화학식 3-1
내지 3-3		 ACEXE-3.F 10 10 10 8 　
ACEXE-4.F 　 　 　 　 　
ACEXE-5.F 　 　 　 　 　
ACEXE1-2.F 　 　 　 　 　
ACEXE1-3.F 　 　 　 　 　
ACEXE1-4.F 　 　 　 　 　
IaAEXE1-2.F 　 　 　 　 　
IaAEXE-2.F 　 　 　 　 5
IaAEXE-3.F 　 　 　 　 　
PACEXE-H.F 　 　 　 　 　
화학식 7 DTBH 　 　 　 　 　
DTBCP 　 　 　 　 　
소계-2 50 50 57 50 60
합 계 100 100 100 100 100
화합물 Code 비교예 6 비교예 7 비교예 8 비교예 9 비교예 10
화학식 1-1 유사화합물 BB-3.V 　 　 　 　 　
BB-4.V 　 　 20 　 　
BB-5.V 　 　 　 20 　
BB-2.3 20 10 　 　 23
BB-3.4 　 10 　 　 　
화학식 1-2 BB-3.U1 　 　 　 　 　
화학식 2-1
또는 2-2		 BAA-3.1 　 　 　 　 　
BAA-3.2 　 3 3 3 　
BAA-5.2 　 　 　 　 　
BBA-3.1 10 6 10 10 10
BBA-V.1 10 8 10 10 10
BBA-W.1 5 5 　 　 　
ACA-2.3 　 　 　 　 　
ACA-2.4 　 　 　 　 　
ACA-3.3 　 　 　 　 　
ACA-2.W 　 　 　 　 　
BAAB-3.3 　 　 　 　 　
소계-1 45 42 43 43 43
화학식 4-1
내지 4-3		 ACA-2.F 2 　 　 　 　
ACA-3.F 　 3 　 　 　
BAC-3.F 　 　 　 　 　
BAE-3.F 8 5 3 3 3
BBA-3.OCF3 7 10 4 6 4
BBE-2.F 8 9 11 10 11
BBE-3.F 10 10 11 10 11
화학식 5-1
또는 5-2		 BBXE-3.F 　 　 　 　 　
AEXE-2.F 7 8 8 8 8
AEXE-3.F 7 8 10 10 10
AEXE1-2.F 　 　 　 　 　
AEXE1-3.F 　 　 　 　 　
AEXE1-4.F 　 　 　 　 　
화학식 6 BBAE-3.F 　 　 　 　 　
BBCE-3.F 　 　 　 　 　
화학식 3-1
내지 3-3		 ACEXE-3.F 6 5 10 10 10
ACEXE-4.F 　 　 　 　 　
ACEXE-5.F 　 　 　 　 　
ACEXE1-2.F 　 　 　 　 　
ACEXE1-3.F 　 　 　 　 　
ACEXE1-4.F 　 　 　 　 　
IaAEXE1-2.F 　 　 　 　 　
IaAEXE-2.F 　 　 　 　 　
IaAEXE-3.F 　 　 　 　 　
PACEXE-H.F 　 　 　 　 　
화학식 7 DTBH 　 　 　 　 　
DTBCP 　 　 　 　 　
소계-2 55 58 57 57 57
합 계 100 100 100 100 100
화합물 Code 비교예 11 비교예 12 비교예 13 비교예 14 비교예 15
화학식 1-1 유사화합물 BB-3.V 20 22.5 20 23 23
BB-4.V 　 　 　 　 　
BB-5.V 　 　 　 　 　
BB-2.3 　 　 　 　 　
BB-3.4 　 　 　 　 　
화학식 1-2 BB-3.U1 3 　 5 　 　
화학식 2-1
또는 2-2		 BAA-3.1 　 　 　 　 　
BAA-3.2 2 　 3 3 　
BAA-5.2 　 3.1 3 3 　
BBA-3.1 10 10.2 　 　 5
BBA-V.1 10 10.2 5 5 5
BBA-W.1 　 　 5 5 5
ACA-2.3 　 　 　 　 　
ACA-2.4 　 　 　 　 　
ACA-3.3 　 　 　 　 　
ACA-2.W 　 　 　 　 　
BAAB-3.3 　 　 2 3 　
소계-1 45 46 43 42 38
화학식 4-1
내지 4-3		 ACA-2.F 　 　 　 　 　
ACA-3.F 3 　 1 1 　
BAC-3.F 　 　 　 　 　
BAE-3.F 10 3.1 7 10 10
BBA-3.OCF3 3 7.4 3 　 10
BBE-2.F 10 10 12 12 12
BBE-3.F 10 10 11 11 11
화학식 5-1
또는 5-2		 BBXE-3.F 　 　 　 　 2
AEXE-2.F 6 8.2 6 7 5
AEXE-3.F 8 9.2 8 7 5
AEXE1-2.F 　 　 　 　 　
AEXE1-3.F 　 　 　 　 　
AEXE1-4.F 　 　 　 　 　
화학식 6 BBAE-3.F 　 　 　 2 2
BBCE-3.F 　 　 5 3 3
화학식 3-1
내지 3-3		 ACEXE-3.F 5 6.1 　 　 　
ACEXE-4.F 　 　 　 2 2
ACEXE-5.F 　 　 　 　 　
ACEXE1-2.F 　 　 4 　 　
ACEXE1-3.F 　 　 　 3 　
ACEXE1-4.F 　 　 　 　 　
IaAEXE1-2.F 　 　 　 　 　
IaAEXE-2.F 　 　 　 　 　
IaAEXE-3.F 　 　 　 　 　
PACEXE-H.F 　 　 　 　 　
화학식 7 DTBH 　 　 　 　 　
DTBCP 　 　 　 　 　
소계-2 55 54 57 58 62
합 계 100 100 100 100 100
화합물 Code 비교예 16 실시예 1 실시예 2 실시예 3 실시예 4
화학식 1-1 유사화합물 BB-3.V 23 30 33 35 38.6
BB-4.V 　 　 　 　 　
BB-5.V 　 　 　 　 　
BB-2.3 　 　 　 　 　
BB-3.4 　 　 　 　 　
화학식 1-2 BB-3.U1 　 6 5 5 5
화학식 2-1
또는 2-2		 BAA-3.1 　 　 　 　 5
BAA-3.2 　 5 4 　 　
BAA-5.2 2 　 　 　 　
BBA-3.1 　 4 2 　 　
BBA-V.1 10 　 8 8 　
BBA-W.1 10 3 　 　 3
ACA-2.3 　 　 　 　 　
ACA-2.4 　 　 　 　 　
ACA-3.3 　 　 　 　 　
ACA-2.W 　 　 　 　 　
BAAB-3.3 2 　 　 5 　
소계-1 47 48 52 53 51.6
화학식 4-1
내지 4-3		 ACA-2.F 　 2 　 　 　
ACA-3.F 　 6 　 2 5
BAC-3.F 　 　 2 　 　
BAE-3.F 7 5 2 　 　
BBA-3.OCF3 3 3 6 2 5
BBE-2.F 12 3 　 　 　
BBE-3.F 11 10 　 3 　
화학식 5-1
또는 5-2		 BBXE-3.F 　 　 　 　 　
AEXE-2.F 　 　 　 　 　
AEXE-3.F 　 5 　 　 6
AEXE1-2.F 　 　 6 6 　
AEXE1-3.F 12 　 8 8 　
AEXE1-4.F 　 　 　 3 　
화학식 6 BBAE-3.F 　 　 　 　 　
BBCE-3.F 2 　 4 3 6
화학식 3-1
내지 3-3		 ACEXE-3.F 　 3 　 　 8.8
ACEXE-4.F 　 4 　 　 8.8
ACEXE-5.F 　 4 　 　 8.8
ACEXE1-2.F 6 　 10 10 　
ACEXE1-3.F 　 　 10 10 　
ACEXE1-4.F 　 　 　 　 　
IaAEXE1-2.F 　 　 　 　 　
IaAEXE-2.F 　 3 　 　 　
IaAEXE-3.F 　 　 　 　 　
PACEXE-H.F 　 4 　 　 　
화학식 7 DTBH 　 　 　 　 　
DTBCP 0.03 　 　 　 　
소계-2 53 52 48 47 48.4
합 계 100 100 100 100 100
화합물 Code 실시예 5 실시예 6 실시예 7 실시예 8 실시예 9
화학식 1-1 유사화합물 BB-3.V 38 40 40 41 41
BB-4.V 　 　 　 　 　
BB-5.V 　 　 　 　 　
BB-2.3 　 　 　 　 　
BB-3.4 　 　 　 　 　
화학식 1-2 BB-3.U1 6 5 6 5 5
화학식 2-1
또는 2-2		 BAA-3.1 　 　 　 　 　
BAA-3.2 　 6 　 　 　
BAA-5.2 　 　 　 　 　
BBA-3.1 　 　 　 　 　
BBA-V.1 　 　 　 　 　
BBA-W.1 7 5 6 6 5
ACA-2.3 　 　 6 　 7
ACA-2.4 　 　 　 　 　
ACA-3.3 　 　 6 　 7
ACA-2.W 　 　 　 　 　
BAAB-3.3 　 　 　 　 　
소계-1 51 56 64 52 65
화학식 4-1
내지 4-3		 ACA-2.F 5 　 　 5 　
ACA-3.F 4 5 3 3 　
BAC-3.F 　 　 　 　 　
BAE-3.F 3 6.2 　 3 　
BBA-3.OCF3 8 5 　 10 4
BBE-2.F 7 　 　 　 　
BBE-3.F 　 3 　 　 　
화학식 5-1
또는 5-2		 BBXE-3.F 　 　 　 　 　
AEXE-2.F 　 　 　 　 　
AEXE-3.F 　 4.8 4 　 4
AEXE1-2.F 　 　 　 　 　
AEXE1-3.F 　 　 　 6 　
AEXE1-4.F 　 　 　 　 　
화학식 6 BBAE-3.F 　 　 　 5 　
BBCE-3.F 2 5 5 　 5
화학식 3-1
내지 3-3		 ACEXE-3.F 　 5 5 　 6
ACEXE-4.F 　 5 5 　 6
ACEXE-5.F 　 5 5 　 5
ACEXE1-2.F 7 　 　 5 　
ACEXE1-3.F 6 　 　 6 　
ACEXE1-4.F 　 　 　 　 　
IaAEXE1-2.F 7 　 　 5 　
IaAEXE-2.F 　 　 4 　 5
IaAEXE-3.F 　 　 5 　 　
PACEXE-H.F 　 　 　 　 　
화학식 7 DTBH 　 　 　 　 　
DTBCP 　 　 　 　 　
소계-2 49 44 36 48 35
합 계 100 100 100 100 100
화합물 Code 실시예 10 실시예 11 실시예 12 실시예 13 실시예 14
화학식 1-1 유사화합물 BB-3.V 41.2 42 43 43.8 45
BB-4.V 　 　 　 　 　
BB-5.V 　 　 　 　 　
BB-2.3 　 　 　 　 　
BB-3.4 　 　 　 　 　
화학식 1-2 BB-3.U1 4 5 6 5 4
화학식 2-1
또는 2-2		 BAA-3.1 4.6 　 　 　 　
BAA-3.2 　 4.7 3 　 3
BAA-5.2 　 　 　 　 　
BBA-3.1 　 3.7 　 　 　
BBA-V.1 　 　 　 　 　
BBA-W.1 2.9 　 5 6.2 6
ACA-2.3 　 　 5 5.5 　
ACA-2.4 　 　 　 　 　
ACA-3.3 　 　 5 5.5 　
ACA-2.W 　 　 　 　 　
BAAB-3.3 　 　 　 　 　
소계-1 52.7 55.4 67 66 58
화학식 4-1
내지 4-3		 ACA-2.F 　 　 　 　 5
ACA-3.F 4.8 　 　 　 3
BAC-3.F 　 　 　 　 　
BAE-3.F 　 　 　 　 　
BBA-3.OCF3 4.8 　 　 　 5
BBE-2.F 　 　 　 　 　
BBE-3.F 　 4.9 　 　 　
화학식 5-1
또는 5-2		 BBXE-3.F 　 　 　 　 　
AEXE-2.F 　 　 　 　 　
AEXE-3.F 6.2 　 6 4.8 　
AEXE1-2.F 　 　 　 　 　
AEXE1-3.F 　 10.4 　 　 5
AEXE1-4.F 　 　 　 　 　
화학식 6 BBAE-3.F 　 　 　 　 3
BBCE-3.F 5.7 3.2 　 　 3
화학식 3-1
내지 3-3		 ACEXE-3.F 8.6 　 7 6.8 　
ACEXE-4.F 8.6 9.3 7 6 　
ACEXE-5.F 8.6 　 7 6 　
ACEXE1-2.F 　 8.4 　 　 6
ACEXE1-3.F 　 8.4 　 　 6
ACEXE1-4.F 　 　 　 　 　
IaAEXE1-2.F 　 　 　 　 6
IaAEXE-2.F 　 　 6 4.2 　
IaAEXE-3.F 　 　 　 4.2 　
PACEXE-H.F 　 　 　 2 　
화학식 7 DTBH 　 　 　 　 　
DTBCP 0.03 　 　 　 　
소계-2 47.3 44.6 33 34 42
합 계 100 100 100 100 100
화합물 Code 실시예 15 실시예 16 실시예 17 실시예 18 실시예 19
화학식 1-1 유사화합물 BB-3.V 45 45 45 45 47
BB-4.V 　 　 　 　 　
BB-5.V 　 　 　 　 　
BB-2.3 　 　 　 　 　
BB-3.4 　 　 　 　 　
화학식 1-2 BB-3.U1 5 5 5 6 5
화학식 2-1
또는 2-2		 BAA-3.1 　 　 　 　 　
BAA-3.2 　 　 　 　 7
BAA-5.2 　 5 　 　 　
BBA-3.1 　 　 5 　 8
BBA-V.1 5 　 　 　 　
BBA-W.1 　 　 　 3 　
ACA-2.3 　 　 　 5 　
ACA-2.4 　 　 　 　 　
ACA-3.3 　 　 　 5 　
ACA-2.W 　 　 　 　 5
BAAB-3.3 　 　 　 　 　
소계-1 55 55 55 64 72
화학식 4-1
내지 4-3		 ACA-2.F 5 5 5 　 　
ACA-3.F 5 5 5 　 5
BAC-3.F 　 　 　 　 　
BAE-3.F 4 4 4 　 　
BBA-3.OCF3 5 5 5 　 2
BBE-2.F 　 　 　 　 　
BBE-3.F 　 　 　 　 　
화학식 5-1
또는 5-2		 BBXE-3.F 　 　 　 　 　
AEXE-2.F 　 　 　 　 　
AEXE-3.F 　 　 　 3 　
AEXE1-2.F 　 　 　 　 　
AEXE1-3.F 　 　 　 　 　
AEXE1-4.F 　 　 　 　 　
화학식 6 BBAE-3.F 　 　 　 　 　
BBCE-3.F 5 5 5 5 　
화학식 3-1
내지 3-3		 ACEXE-3.F 　 　 　 7 7
ACEXE-4.F 　 　 　 7 7
ACEXE-5.F 　 　 　 7 7
ACEXE1-2.F 7 7 7 　 　
ACEXE1-3.F 7 7 7 　 　
ACEXE1-4.F 　 　 　 　 　
IaAEXE1-2.F 7 7 7 　 　
IaAEXE-2.F 　 　 　 　 　
IaAEXE-3.F 　 　 　 　 　
PACEXE-H.F 　 　 　 7 　
화학식 7 DTBH 　 　 　 　 　
DTBCP 　 　 　 　 　
소계-2 45 45 45 36 28
합 계 100 100 100 100 100
화합물 Code 실시예 20 실시예 21 실시예 22 실시예 23 실시예 24
화학식 1-1 유사화합물 BB-3.V 47 47 48 40 46
BB-4.V 　 　 　 　 　
BB-5.V 　 　 　 　 　
BB-2.3 　 　 　 　 　
BB-3.4 　 　 　 　 　
화학식 1-2 BB-3.U1 6 7 7 8 　
화학식 2-1
또는 2-2		 BAA-3.1 　 　 　 　 　
BAA-3.2 5 6 5 　 　
BAA-5.2 　 　 　 　 　
BBA-3.1 　 6 　 　 6
BBA-V.1 　 　 　 　 6
BBA-W.1 　 　 　 3 　
ACA-2.3 　 　 　 4 　
ACA-2.4 　 　 　 4 　
ACA-3.3 　 　 　 4 　
ACA-2.W 4 5 5 4 　
BAAB-3.3 　 　 　 　 　
소계-1 62 71 65 67 58
화학식 4-1
내지 4-3		 ACA-2.F 　 　 　 　 　
ACA-3.F 6 5 5 　 1.0
BAC-3.F 　 　 　 　 　
BAE-3.F 　 　 　 　 　
BBA-3.OCF3 3 3 3 　 　
BBE-2.F 　 　 　 　 　
BBE-3.F 　 　 　 　 　
화학식 5-1
또는 5-2		 BBXE-3.F 5 　 3 　 　
AEXE-2.F 　 　 　 　 　
AEXE-3.F 　 　 　 4 　
AEXE1-2.F 　 　 　 　 　
AEXE1-3.F 　 　 　 　 10
AEXE1-4.F 　 　 　 　 　
화학식 6 BBAE-3.F 　 　 　 　 　
BBCE-3.F 　 　 　 5 3
화학식 3-1
내지 3-3		 ACEXE-3.F 8 7 8 8 　
ACEXE-4.F 8 7 8 8 10
ACEXE-5.F 8 7 8 8 　
ACEXE1-2.F 　 　 　 　 9
ACEXE1-3.F 　 　 　 　 9
ACEXE1-4.F 　 　 　 　 　
IaAEXE1-2.F 　 　 　 　 　
IaAEXE-2.F 　 　 　 　 　
IaAEXE-3.F 　 　 　 　 　
PACEXE-H.F 　 　 　 　 　
화학식 7 DTBH 　 　 0.03 　 　
DTBCP 　 　 　 　 　
소계-2 38 29 35 33 42
합 계 100 100 100 100 100
화합물 Code 실시예 25 실시예 26 실시예 27 실시예 28 실시예 29
화학식 1-1 유사화합물 BB-3.V 46 46 43 48 48
BB-4.V 　 　 　 　 　
BB-5.V 　 　 　 　 　
BB-2.3 　 　 　 　 　
BB-3.4 　 　 　 　 　
화학식 1-2 BB-3.U1 　 　 9 　 　
화학식 2-1
또는 2-2		 BAA-3.1 　 　 　 　 　
BAA-3.2 　 4 3 4 4
BAA-5.2 　 　 　 　 　
BBA-3.1 6 　 4 3 1
BBA-V.1 　 4 　 3 　
BBA-W.1 6 　 　 　 5
ACA-2.3 　 　 　 　 　
ACA-2.4 　 　 　 　 　
ACA-3.3 　 　 　 　 　
ACA-2.W 　 　 　 　 　
BAAB-3.3 　 　 　 　 　
소계-1 58 54 59 58 58
화학식 4-1
내지 4-3		 ACA-2.F 　 1 　 　 　
ACA-3.F 1 　 　 　 　
BAC-3.F 　 　 　 　 　
BAE-3.F 　 　 　 　 　
BBA-3.OCF3 　 5 　 3 3
BBE-2.F 　 　 　 　 　
BBE-3.F 　 5 　 3 3
화학식 5-1
또는 5-2		 BBXE-3.F 　 　 　 　 　
AEXE-2.F 　 　 　 　 　
AEXE-3.F 　 　 　 　 　
AEXE1-2.F 　 　 　 　 　
AEXE1-3.F 10 6 9 6 6
AEXE1-4.F 　 　 　 　 　
화학식 6 BBAE-3.F 　 　 　 　 　
BBCE-3.F 3 　 4 　 　
화학식 3-1
내지 3-3		 ACEXE-3.F 　 　 　 　 　
ACEXE-4.F 10 6 10 8 8
ACEXE-5.F 　 　 　 　 　
ACEXE1-2.F 9 11 9 10 10
ACEXE1-3.F 9 12 9 12 12
ACEXE1-4.F 　 　 　 　 　
IaAEXE1-2.F 　 　 　 　 　
IaAEXE-2.F 　 　 　 　 　
IaAEXE-3.F 　 　 　 　 　
PACEXE-H.F 　 　 　 　 　
화학식 7 DTBH 　 　 　 　 　
DTBCP 　 　 　 　 　
소계-2 42 46 41 42 42
합 계 100 100 100 100 100
화합물 Code 실시예 30 실시예 31 실시예 32 실시예 33 실시예 34
화학식 1-1 유사화합물 BB-3.V 46.1 42 46.9 46.9 40
BB-4.V 　 　 　 　 　
BB-5.V 　 　 　 　 　
BB-2.3 　 　 　 　 　
BB-3.4 　 　 　 　 　
화학식 1-2 BB-3.U1 　 9 　 　 10
화학식 2-1
또는 2-2		 BAA-3.1 　 　 　 　 　
BAA-3.2 3.7 6 3.8 3.8 6
BAA-5.2 　 　 　 　 　
BBA-3.1 4.6 4 4.7 2.5 4
BBA-V.1 2.7 　 2.8 　 　
BBA-W.1 　 　 　 5 　
ACA-2.3 　 　 　 　 　
ACA-2.4 　 　 　 　 　
ACA-3.3 　 　 　 　 　
ACA-2.W 　 　 　 　 　
BAAB-3.3 　 　 　 　 　
소계-1 57.1 61 58.2 58.2 60
화학식 4-1
내지 4-3		 ACA-2.F 　 　 　 　 　
ACA-3.F 　 　 　 　 　
BAC-3.F 　 　 　 　 　
BAE-3.F 　 　 　 　 　
BBA-3.OCF3 2.7 　 2.8 2.8 　
BBE-2.F 　 　 　 　 　
BBE-3.F 2.7 　 2.8 2.8 　
화학식 5-1
또는 5-2		 BBXE-3.F 　 　 　 　 　
AEXE-2.F 　 　 　 　 　
AEXE-3.F 　 　 　 　 　
AEXE1-2.F 　 　 　 　 　
AEXE1-3.F 5.6 8 5.7 5.7 10
AEXE1-4.F 　 　 　 　 　
화학식 6 BBAE-3.F 　 　 　 　 　
BBCE-3.F 　 2 　 　 3
화학식 3-1
내지 3-3		 ACEXE-3.F 　 　 　 　 　
ACEXE-4.F 10 6 　 　 3
ACEXE-5.F 　 　 　 　 　
ACEXE1-2.F 9.1 11 15.2 15.2 12
ACEXE1-3.F 12.8 12 15.3 15.3 12
ACEXE1-4.F 　 　 　 　 　
IaAEXE1-2.F 　 　 　 　 　
IaAEXE-2.F 　 　 　 　 　
IaAEXE-3.F 　 　 　 　 　
PACEXE-H.F 　 　 　 　 　
화학식 7 DTBH 　 　 　 　 　
DTBCP 　 　 　 　 　
소계-2 42.9 39 41.8 41.8 40
합 계 100 100 100 100 100
화합물 Code 실시예 35 실시예 36 실시예 37 실시예 38 실시예 39
화학식 1-1 유사화합물 BB-3.V 44 45 43 43.4 43
BB-4.V 　 　 　 　 　
BB-5.V 　 　 　 　 10
BB-2.3 　 　 　 　 　
BB-3.4 　 　 　 　 　
화학식 1-2 BB-3.U1 6 8 8.2 9 3
화학식 2-1
또는 2-2		 BAA-3.1 　 　 　 2 　
BAA-3.2 2 　 7.1 5 6
BAA-5.2 　 　 　 　 　
BBA-3.1 3 1 2 　 　
BBA-V.1 2 　 　 　 　
BBA-W.1 　 5 　 　 　
ACA-2.3 　 　 　 　 　
ACA-2.4 　 　 　 　 　
ACA-3.3 　 　 　 　 　
ACA-2.W 　 　 　 　 　
BAAB-3.3 　 　 　 　 　
소계-1 57 59 60.3 59.4 62
화학식 4-1
내지 4-3		 ACA-2.F 　 　 　 　 　
ACA-3.F 　 　 　 　 　
BAC-3.F 　 　 　 　 　
BAE-3.F 　 　 　 　 　
BBA-3.OCF3 3 　 　 　 　
BBE-2.F 　 　 　 5 　
BBE-3.F 2 　 　 　 　
화학식 5-1
또는 5-2		 BBXE-3.F 　 　 　 　 　
AEXE-2.F 　 　 　 　 　
AEXE-3.F 　 　 　 　 　
AEXE1-2.F 　 　 　 　 　
AEXE1-3.F 5 4.6 7.1 　 　
AEXE1-4.F 　 　 　 　 　
화학식 6 BBAE-3.F 　 　 　 　 　
BBCE-3.F 　 2.4 2 　 　
화학식 3-1
내지 3-3		 ACEXE-3.F 　 　 　 　 　
ACEXE-4.F 11 12 6.6 10.3 11
ACEXE-5.F 　 　 　 　 　
ACEXE1-2.F 11 10 7.7 10 11
ACEXE1-3.F 11 12 10.2 10.3 11
ACEXE1-4.F 　 　 　 　 　
IaAEXE1-2.F 　 　 6.1 5 5
IaAEXE-2.F 　 　 　 　 　
IaAEXE-3.F 　 　 　 　 　
PACEXE-H.F 　 　 　 　 　
화학식 7 DTBH 　 　 　 　 　
DTBCP 　 　 　 　 　
소계-2 43 41 39.7 40.6 38
합 계 100 100 100 100 100
화합물 Code 실시예 40 실시예 41 실시예 42 실시예 43 실시예 44
화학식 1-1 유사화합물 BB-3.V 43 43.4 43 43.4 43.3
BB-4.V 　 　 5 　 6
BB-5.V 5 3.7 　 3.7 　
BB-2.3 　 　 　 　 　
BB-3.4 　 　 　 　 　
화학식 1-2 BB-3.U1 8 8.8 8 8.8 8
화학식 2-1
또는 2-2		 BAA-3.1 　 2 　 　 　
BAA-3.2 6 2 1.8 2 1.8
BAA-5.2 　 　 　 　 　
BBA-3.1 　 1.8 2.2 1.8 2.2
BBA-V.1 　 　 　 　 　
BBA-W.1 　 　 　 　 　
ACA-2.3 　 　 　 　 　
ACA-2.4 　 　 　 　 　
ACA-3.3 　 　 　 　 　
ACA-2.W 　 　 　 　 　
BAAB-3.3 　 　 　 　 　
소계-1 62 61.7 60 59.7 61.3
화학식 4-1
내지 4-3		 ACA-2.F 　 　 　 　 　
ACA-3.F 　 　 　 　 　
BAC-3.F 　 　 　 　 　
BAE-3.F 　 　 　 　 　
BBA-3.OCF3 　 　 　 　 　
BBE-2.F 　 　 　 1.5 　
BBE-3.F 　 　 　 　 　
화학식 5-1
또는 5-2		 BBXE-3.F 　 　 　 　 　
AEXE-2.F 　 　 　 　 　
AEXE-3.F 　 　 　 　 　
AEXE1-2.F 　 　 　 　 　
AEXE1-3.F 　 　 　 　 　
AEXE1-4.F 　 　 　 　 　
화학식 6 BBAE-3.F 　 　 　 　 　
BBCE-3.F 　 　 　 　 　
화학식 3-1
내지 3-3		 ACEXE-3.F 　 　 　 　 　
ACEXE-4.F 11 9.6 10 9.6 10.1
ACEXE-5.F 　 　 　 5.5 　
ACEXE1-2.F 11 10.1 9 10.1 9
ACEXE1-3.F 11 11 11 11 11.1
ACEXE1-4.F 　 　 10 　 8.5　
IaAEXE1-2.F 5 7.6 　 2.6 　
IaAEXE-2.F 　 　 　 　 　
IaAEXE-3.F 　 　 　 　 　
PACEXE-H.F 　 　 　 　 　
화학식 7 DTBH 　 　 　 　 　
DTBCP 　 　 　 　 　
소계-2 38 38.3 40 40.3 38.7
합 계 100 100 100 100 100
화합물 Code 실시예 45 실시예 46 실시예 47
화학식 1-1 유사화합물 BB-3.V 46 45 46
BB-4.V 　 　 　
BB-5.V 　 　 　
BB-2.3 　 　 　
BB-3.4 　 　 　
화학식 1-2 BB-3.U1 6 8 7
화학식 2-1
또는 2-2		 BAA-3.1 5 5 5
BAA-3.2 5 5 5
BAA-5.2 　 　 　
BBA-3.1 　 　 　
BBA-V.1 　 　 　
BBA-W.1 　 　 　
ACA-2.3 5 5 5
ACA-2.4 　 　 　
ACA-3.3 　 　 　
ACA-2.W 5 5 5
BAAB-3.3 　 　 　
소계-1 72 73 73
화학식 4-1
내지 4-3		 ACA-2.F 5 　 　
ACA-3.F 5 5 4
BAC-3.F 　 　 　
BAE-3.F 　 　 　
BBA-3.OCF3 　 　 　
BBE-2.F 　 　 　
BBE-3.F 　 　 　
화학식 5-1
또는 5-2		 BBXE-3.F 　 　 　
AEXE-2.F 　 　 　
AEXE-3.F 　 　 　
AEXE1-2.F 　 　 　
AEXE1-3.F 　 5 3
AEXE1-4.F 　 　 　
화학식 6 BBAE-3.F 　 　 　
BBCE-3.F 　 2 2
화학식 3-1
내지 3-3		 ACEXE-3.F 　 　 　
ACEXE-4.F 6 5 6
ACEXE-5.F 　 　 　
ACEXE1-2.F 6 5 6
ACEXE1-3.F 6 5 6
ACEXE1-4.F 　 　 　
IaAEXE1-2.F 　 　 　
IaAEXE-2.F 　 　 　
IaAEXE-3.F 　 　 　
PACEXE-H.F 　 　 　
화학식 7 DTBH 　 　 　
DTBCP 　 　 　
소계-2 28 27 27
합 계 100 100 100
상기 표에 기재한 바와 같이 비교예 16, 실시예 10 및 실시예 22의 경우에는첨가제 투입에 따른 열 안정성 확인을 위해 액정 조성물 100 중량부에 대하여 화학식 7로 표시되는 화합물(DTBH 또는 DTBCP)을 각각 0.03 중량부씩 첨가하였다. 상기 표에 기재된 합계는 액정 화합물들의 함량의 합계로 화학식 7로 표시되는 화합물의 함량은 포함하지 않았다.
평가 결과
상기 비교예 1 내지 비교예 16과 실시예 1 내지 47의 액정 조성물의 물성을 평가하고, 이의 결과를 하기 표 15 내지 표 27에 기재하였다.
평가항목 비교예 1 비교예 2 비교예 3 비교예 4 비교예 5
VHR(%)_60Hz 　 　 　 ○ ○
저온안정성(-30℃) 　 　 　 △ △
Tni 상온석출 상온석출 상온석출 91.9 87.5
Δn 　 　 　 0.1019 0.0967
ne 　 　 　 1.5912 1.5807
no 　 　 　 1.4893 1.4840
Δε 　 　 　 10.1 10.6
ε// 　 　 　 13.33 13.94
εㅗ 　 　 　 3.20 3.34
γ1 　 　 　 140.1 150.9
K1 　 　 　 13.8 13.7
K2 　 　 　 6.3 6.2
K3 　 　 　 16.9 17.0
Ktotal 　 　 　 37.0 37.0
FoM 　 　 　 0.27 0.23
Ton 　 　 　 23.7 26.2
Toff 　 　 　 39.4 42.9
Ttotal 　 　 　 63.1 69.0
평가항목 비교예 6 비교예 7 비교예 8 비교예 9 비교예 10
VHR(%)_60Hz ○ ○ △ △ △
저온안정성(-30℃) △ △ △ △ △
Tni 85.5 87.2 82.8 86.3 81.8
Δn 0.1010 0.1035 0.1030 0.1067 0.1014
ne 1.5902 1.5891 1.5920 1.5933 1.5881
no 1.4892 1.4856 1.4890 1.4866 1.4867
Δε 10.1 10.4 12.2 12.3 12.1
ε// 13.32 13.69 15.54 15.78 15.54
εㅗ 3.25 3.27 3.33 3.45 3.47
γ1 129.6 130.8 133.6 138.8 134.1
K1 13.6 13.3 12.5 13.2 12.5
K2 6.2 6.0 5.7 6.0 5.9
K3 15.0 14.4 13.8 14.3 13.2
Ktotal 34.8 33.7 32.0 33.5 31.6
FoM 0.27 0.28 0.25 0.27 0.24
Ton 23.6 23.3 23.0 22.7 23.7
Toff 37.7 38.9 40.4 41.2 38.8
Ttotal 61.3 62.2 63.4 63.8 62.5
평가항목 비교예 11 비교예 12 비교예 13 비교예 14 비교예 15
VHR(%)_60Hz ○ ○ ○ ○ ◎
저온안정성(-30℃) ○ ○ ○ ○ ○
Tni 80.7 82.6 85.2 84.5 87.7
Δn 0.1021 0.0995 0.1037 0.1068 0.0940
ne 1.5870 1.5855 1.5905 1.5963 1.5771
no 1.4849 1.4860 1.4868 1.4895 1.4831
Δε 10.1 10.1 10.2 10.7 8.7
ε// 13.28 13.42 13.56 14.15 11.72
εㅗ 3.14 3.36 3.38 3.45 3.07
γ1 122.6 112.4 117.1 120.3 103.5
K1 13.1 12.5 12.5 11.9 12.2
K2 5.9 5.7 5.7 5.4 5.5
K3 13.2 15.4 15.0 14.7 16.2
Ktotal 32.3 33.6 33.1 32.0 33.9
FoM 0.27 0.30 0.30 0.30 0.29
Ton 23.3 23.2 22.2 21.7 24.2
Toff 37.4 36.0 37.3 39.9 34.1
Ttotal 60.7 59.2 59.5 61.6 58.3
평가항목 비교예 16 실시예 1 실시예 2 실시예 3 실시예 4
VHR(%)_60Hz ◎ ○ ○ △ ○
저온안정성(-30℃) ○ ◎ ◎ ◎ ◎
Tni 93.8 82.8 80.9 80.3 86.8
Δn 0.1023 0.1151 0.1126 0.1134 0.1180
ne 1.5896 1.6031 1.5987 1.6000 1.6024
no 1.4873 1.4880 1.4861 1.4866 1.4844
Δε 9.8 10.2 11.7 12.1 11.8
ε// 12.98 13.44 14.84 15.29 15.08
εㅗ 3.22 3.22 3.15 3.18 3.31
γ1 133.9 110.1 90.5 93.3 112.3
K1 13.9 14.0 12.1 12.5 14.3
K2 6.3 6.4 5.5 5.7 6.5
K3 17.8 15.2 13.7 13.9 15.9
Ktotal 38.0 35.5 31.3 32.1 36.7
FoM 0.30 0.43 0.44 0.44 0.46
Ton 23.0 15.1 16.8 16.6 13.9
Toff 37.5 30.7 30.1 29.9 30.4
Ttotal 60.6 45.9 46.9 46.5 44.2
평가항목 실시예 5 실시예 6 실시예 7 실시예 8 실시예 9
VHR(%)_60Hz ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
저온안정성(-30℃) ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
Tni 83.3 83.6 84.4 82.9 85.4
Δn 0.1062 0.1096 0.1224 0.1066 0.1226
ne 1.5912 1.5954 1.6110 1.5916 1.6086
no 1.4850 1.4858 1.4886 1.4850 1.4860
Δε 9.0 8.5 9.7 8.9 9.3
ε// 12.23 11.51 12.9 12.06 12.5
εㅗ 3.18 3.01 3.2 3.15 3.2
γ1 88.8 95.9 101.1 86.2 96.5
K1 13.6 14.5 15.5 13.7 15.1
K2 6.2 6.6 7.0 6.2 6.8
K3 16.5 16.6 16.8 16.6 16.7
Ktotal 36.3 37.7 39.3 36.6 38.6
FoM 0.46 0.47 0.58 0.48 0.60
Ton 17.5 16.4 9.5 17.0 9.3
Toff 26.2 26.2 24.9 25.2 24.5
Ttotal 43.7 42.6 34.4 42.2 33.7
평가항목 실시예 10 실시예 11 실시예 12 실시예 13 실시예 14
VHR(%)_60Hz ◎ ○ ○ ○ ◎
저온안정성(-30℃) ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
Tni 84.4 73.8 76.7 78.6 82.9
Δn 0.1196 0.1105 0.1197 0.1203 0.1072
ne 1.6048 1.5970 1.6084 1.6091 1.5930
no 1.4852 1.4865 1.4887 1.4888 1.4858
Δε 11.6 11.7 10.0 10.7 8.7
ε// 14.84 14.94 13.2 14.0 11.83
εㅗ 3.28 3.29 3.2 3.3 3.14
γ1 106.3 76.0 88.4 90.8 82.9
K1 14.1 12.3 14.1 14.1 13.7
K2 6.4 5.6 6.4 6.4 6.2
K3 15.9 13.4 14.4 15.7 16.5
Ktotal 36.3 31.3 34.9 36.2 36.5
FoM 0.49 0.50 0.57 0.58 0.51
Ton 12.6 15.3 10.8 10.5 16.4
Toff 29.2 25.3 24.7 25.2 24.3
Ttotal 41.8 40.7 35.5 35.7 40.7
평가항목 실시예 15 실시예 16 실시예 17 실시예 18 실시예 19
VHR(%)_60Hz ◎ ◎ ◎ ○ ◎
저온안정성(-30℃) ◎ ◎ ◎ ○ ◎
Tni 80.8 81.1 82.2 81.6 85.3
Δn 0.1090 0.1116 0.1090 0.1223 0.1156
ne 1.5952 1.5982 1.5952 1.6101 1.6040
no 1.4862 1.4866 1.4862 1.4878 1.4884
Δε 8.8 8.8 8.8 10.2 6.7
ε// 11.96 12.02 11.99 13.46 9.48
εㅗ 3.18 3.18 3.17 3.25 2.84
γ1 79.8 82.5 80.6 93.7 89.6
K1 13.1 13.3 13.5 13.4 14.8
K2 5.9 6.1 6.1 6.1 6.7
K3 16.0 15.4 16.0 14.2 16.2
Ktotal 35.0 34.8 35.7 33.7 37.7
FoM 0.52 0.53 0.53 0.54 0.54
Ton 15.5 14.5 15.4 10.3 13.3
Toff 24.6 24.9 24.0 27.1 25.7
Ttotal 40.1 39.3 39.4 37.4 39.0
평가항목 실시예 20 실시예 21 실시예 22 실시예 23 실시예 24
VHR(%)_60Hz ◎ ◎ ◎ ◎ ○
저온안정성(-30℃) ◎ ◎ ◎ ○ ○
Tni 78.4 84.1 78.1 83.9 75.1
Δn 0.1154 0.1151 0.1153 0.1296 0.1104
ne 1.6032 1.6032 1.6022 1.6188 1.5961
no 1.4878 1.4881 1.4869 1.4892 1.4857
Δε 8.0 6.7 7.8 9.0 11.5
ε// 11.08 9.55 10.78 12.20 14.74
εㅗ 3.04 2.85 3.01 3.15 3.24
γ1 85.1 85.6 83.6 89.8 61.7
K1 14.6 15.1 14.9 14.5 12.3
K2 6.6 6.9 6.8 6.6 5.6
K3 15.2 15.8 15.4 14.0 13.4
Ktotal 36.4 37.8 37.1 35.1 31.3
FoM 0.54 0.55 0.56 0.66 0.62
Ton 12.9 13.3 12.8 7.0 13.4
Toff 25.2 25.0 24.7 23.0 20.8
Ttotal 38.1 38.3 37.5 30.0 34.1
평가항목 실시예 25 실시예 26 실시예 27 실시예 28 실시예 29
VHR(%)_60Hz ◎ ○ ○ ○ ○
저온안정성(-30℃) ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
Tni 75.1 74.0 74.0 74.3 74.3
Δn 0.1104 0.1095 0.1086 0.1088 0.1088
ne 1.5961 1.5940 1.5923 1.5932 1.5932
no 1.4857 1.4845 1.4837 1.4844 1.4844
Δε 11.5 11.3 11.2 11.2 11.2
ε// 14.45 14.54 14.33 14.48 14.11
εㅗ 2.97 3.24 3.13 3.28 2.94
γ1 61.7 61.1 56.4 58.8 58.8
K1 12.9 12.3 12.3 12.3 13.2
K2 5.9 5.6 5.6 5.6 6.0
K3 13.6 13.4 13.4 13.4 13.9
Ktotal 32.4 31.3 31.3 31.3 33.1
FoM 0.64 0.61 0.65 0.63 0.67
Ton 13.3 13.6 13.1 13.3 13.1
Toff 19.7 20.6 19.1 19.9 18.4
Ttotal 33.1 34.2 32.2 33.2 31.5
평가항목 실시예 30 실시예 31 실시예 32 실시예 33 실시예 34
VHR(%)_60Hz ○ ○ ○ ○ ○
저온안정성(-30℃) ○ ◎ ◎ ◎ ◎
Tni 76.8 75.4 76.5 76.5 75.4
Δn 0.1122 0.1126 0.1107 0.1107 0.1121
ne 1.5973 1.5976 1.5963 1.5963 1.5977
no 1.4851 1.4850 1.4856 1.4856 1.4856
Δε 11.8 11.2 11.3 11.3 11.4
ε// 14.90 14.36 14.37 14.23 14.55
εㅗ 3.15 3.16 3.07 2.95 3.15
γ1 63.5 63.0 64.4 64.4 63.0
K1 12.3 12.3 13.0 13.0 13.0
K2 5.6 5.6 5.9 5.9 5.9
K3 13.4 13.4 13.5 13.5 13.5
Ktotal 31.3 31.3 32.4 32.4 32.4
FoM 0.62 0.63 0.62 0.62 0.65
Ton 13.1 12.9 13.4 13.6 12.7
Toff 21.3 21.1 20.4 20.4 20.0
Ttotal 34.4 34.0 33.9 34.0 32.6
평가항목 실시예 35 실시예 36 실시예 37 실시예 38 실시예 39
VHR(%)_60Hz ○ ○ ○ ○ ○
저온안정성(-30℃) ◎ ○ ○ ◎ ◎
Tni 75.2 75.7 74.5 76.4 74.6
Δn 0.1108 0.1111 0.1108 0.1109 0.1100
ne 1.5940 1.5943 1.5954 1.5952 1.5941
no 1.4832 1.4832 1.4846 1.4843 1.4841
Δε 11.7 11.7 11.3 11.2 11.5
ε// 14.75 14.75 14.41 14.11 14.74
εㅗ 3.05 3 3.11 2.94 3.24
γ1 57.9 62.5 62.6 59.8 62.0
K1 13.0 13.2 13.1 12.9 13.0
K2 5.9 6.0 6.0 5.9 5.9
K3 13.5 13.7 13.9 13.6 13.1
Ktotal 32.4 32.9 33.0 32.4 32.0
FoM 0.69 0.65 0.65 0.67 0.62
Ton 12.5 13.1 13.0 12.8 13.2
Toff 18.4 19.5 19.7 19.1 19.8
Ttotal 30.9 32.6 32.6 31.9 33.0
평가항목 실시예 40 실시예 41 실시예 42 실시예 43 실시예 44
VHR(%)_60Hz ○ ○ ○ ○ ○
저온안정성(-30℃) ◎ ◎ ○ ○ ◎
Tni 75.9 76.7 75.4 75.1 74.6
Δn 0.1115 0.1091 0.1127 0.1105 0.1105
ne 1.5954 1.5923 1.5954 1.5939 1.5939
no 1.4839 1.4832 1.4827 1.4834 1.4834
Δε 11.6 11.6 12.0 11.7 11.3
ε// 14.83 14.74 15.20 14.80 14.34
εㅗ 3.22 3.19 3.25 3.11 3.09
γ1 63.6 64.2 68.5 60.4 59.0
K1 13.4 13.6 13.2 13.0 13.0
K2 6.1 6.2 6.0 5.9 5.9
K3 13.6 13.4 13.7 13.6 13.3
Ktotal 33.1 33.2 32.9 32.5 32.2
FoM 0.65 0.61 0.61 0.66 0.67
Ton 12.7 13.5 13.2 12.9 12.6
Toff 19.6 19.6 21.3 19.2 18.8
Ttotal 32.3 33.1 34.5 32.1 31.4
평가항목 실시예 45 실시예 46 실시예 47
VHR(%)_60Hz ◎ ◎ ◎
저온안정성(-30℃) ◎ ◎ ◎
Tni 78.1 79.7 80.8
Δn 0.1205 0.1214 0.1280
ne 1.6103 1.6114 1.6216
no 1.4898 1.4900 1.4936
Δε 6.5 6.9 6.5
ε// 9.45 9.81 9.48
εㅗ 2.95 2.94 3.03
γ1 82.2 84.6 85.8
K1 14.3 14.5 15.3
K2 6.5 6.6 7.0
K3 14.7 14.8 15.1
Ktotal 35.5 35.8 37.4
FoM 0.63 0.62 0.71
Ton 10.0 9.6 7.1
Toff 22.2 22.5 20.8
Ttotal 32.1 32.1 27.9
상기 표 15 내지 표 27을 보면, 실시예 1 내지 실시예 47은 액정 조성물에 포함되는 액정 화합물 및 그 함량을 조절하여 FoM 지수가 0.43 내지 0.71의 범위를 가질 수 있었고, 액정 조성물에 요구되는 유전율 이방성, 굴절율 이방성을 만족시키며, 70도 이상의 투명점 온도 및 높은 전압 보전율을 가질 수 있었다. 이에 반하여 비교예 1 내지 16의 경우 FoM 지수가 0.43 이상으로 형성되지 못한 것을 확인할 수 있었고, 화학식 1-1 물질이 포함되지 않음으로 적절하지 않은 회전점도 및 탄성계수를 가져 실시예 1 내지 47에 비하여 응답속도가 저하된 것을 확인 할 수 있었다.
본원의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위, 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
SUB1: 제1 기판
SUB2: 제2 기판
LC: 액정층
PE: 화소 전극
CE: 공통 전극
BS1: 제1 베이스 기판
BS2: 제2 베이스 기판
GI: 게이트 절연막
GE: 게이트 전극
SM: 반도체 패턴
SE: 소스 전극
DE: 드레인 전극
IL: 층간막
PSV: 보호막
CH: 콘택홀
CF: 컬러 필터

Claims (15)

  1. 하기 화학식 1-1로 표시되는 화합물을 포함하며, 하기 식 1로 정의되는 FoM 지수가 0.43 이상인 액정 조성물:
    [화학식 1-1]
    Figure pat00090

    [식 1]
    Figure pat00091

    상기 식 1에서,
    Ktotal은 탄성 계수 K1, K2, 및 K3의 합으로, K1은 액정 분자의 단축방향으로 벌어지는 정도를 나타내는 탄성계수이고, K2는 액정 분자가 장축 방향으로 꼬이는 정도를 나타내는 탄성계수이며, K3은 액정 분자가 장축방향으로 휘어지는 정도를 나타내는 탄성계수이고, Δn은 굴절율 이방성이며, γ1은 회전점도이다.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 액정 조성물은 하기 화학식 1-2로 표시되는 화합물을 추가로 포함하는 액정 조성물.
    [화학식 1-2]
    Figure pat00092
  3. 제1항에 있어서,
    상기 액정 조성물은 하기 화학식 2-1로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 2-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물을 추가로 포함하는 액정 조성물.
    [화학식 2-1]
    Figure pat00093

    [화학식 2-2]
    Figure pat00094

    상기 화학식 2-1 또는 화학식 2-2에서,
    고리 A, B 및 C는 각각 독립적으로 1,4-페닐렌 또는 1,4-시클로헥실렌이고,
    X는 H 또는 F이며,
    R1은 각각 독립적으로 탄소수 1~5의 알킬기이고,
    R2 내지 R4는 각각 독립적으로 탄소수 1~5의 알킬기 또는 탄소수 2~5의 알케닐기이며,
    n 및 m은 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이며, n이 2인 경우 고리 A는 서로 같거나 다를 수 있고 m이 2인 경우 고리 B는 서로 같거나 다를 수 있다.
    단, n 및 m이 0이고, 고리 C가 1,4-시클로헥실렌인 경우 R2는 탄소수 1~5의 알킬기이거나, n 및 m이 0이고 고리 C가 1,4-시클로헥실렌이고 R2가 탄소수 2~5의 알케닐기인 경우, R1은 탄소수 4~5의 알킬기이다.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 액정 조성물은 하기 화학식 2-1로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 2-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물을 추가로 포함하는 액정 조성물.
    [화학식 2-1]
    Figure pat00095

    [화학식 2-2]
    Figure pat00096

    상기 화학식 2-1 또는 화학식 2-2에서,
    고리 A, B 및 C는 각각 독립적으로 1,4-페닐렌 또는 1,4-시클로헥실렌이고,
    X는 H 또는 F이며,
    R1은 각각 독립적으로 탄소수 1~5의 알킬기이고,
    R2 내지 R4는 각각 독립적으로 탄소수 1~5의 알킬기 또는 탄소수 2~5의 알케닐기이며,
    n 및 m은 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이며, n이 2인 경우 고리 A는 서로 같거나 다를 수 있고 m이 2인 경우 고리 B는 서로 같거나 다를 수 있다.
    단, n 및 m이 0이고, 고리 C가 1,4-시클로헥실렌인 경우 R2는 탄소수 1~5의 알킬기이거나, n 및 m이 0이고 고리 C가 1,4-시클로헥실렌이고 R2가 탄소수 2~5의 알케닐기인 경우, R1은 탄소수 4~5의 알킬기이다.
  5. 제3항 또는 제4항에 있어서,
    상기 화학식 2-1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 [2-1-1] 내지 [2-1-12] 중 어느 하나로 표시되고, 상기 화학식 2-2로 표시되는 화합물은 하기 화학식 [2-2-1] 내지 [2-2-7] 중 어느 하나로 표시되는 액정 조성물.
    [2-1-1]
    Figure pat00097

    [2-1-2]
    Figure pat00098

    [2-1-3]
    Figure pat00099

    [2-1-4]
    Figure pat00100

    [2-1-5]
    Figure pat00101

    [2-1-6]
    Figure pat00102

    [2-1-7]
    Figure pat00103

    [2-1-8]
    Figure pat00104

    [2-1-9]
    Figure pat00105

    [2-1-10]
    Figure pat00106

    [2-1-11]
    Figure pat00107

    [2-1-12]
    Figure pat00108

    [2-2-1]
    Figure pat00109

    [2-2-2]
    Figure pat00110

    [2-2-3]
    Figure pat00111

    [2-2-4]
    Figure pat00112

    [2-2-5]
    Figure pat00113

    [2-2-6]
    Figure pat00114

    [2-2-7]
    Figure pat00115

  6. 제4항에 있어서,
    상기 액정 조성물은 하기 화학식 3-1 내지 3-4로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물을 추가로 포함하는 액정 조성물.
    [화학식 3-1]
    Figure pat00116

    [화학식 3-2]
    Figure pat00117

    [화학식 3-3]
    Figure pat00118

    [화학식 3-4]
    Figure pat00119

    상기 화학식 3-1 내지 화학식 3-4에서,
    R5 및 R6은 각각 독립적으로 탄소수 1~5의 알킬기이고,
    (CH3)은 H 또는 CH3을 의미한다.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 화학식 3-1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 [3-1-1] 내지 [3-1-8] 중 어느 하나로 표시되고, 상기 화학식 3-2로 표시되는 화합물은 하기 화학식 [3-2-1] 내지 [3-2-4] 중 어느 하나로 표시되며, 상기 화학식 3-3으로 표시되는 화합물은 하기 화학식 [3-3-1] 및 [3-3-2] 중 어느 하나로 표시되고, 상기 화학식 3-4로 표시되는 화합물은 하기 화학식 [3-4-1] 및 [3-4-2] 중 어느 하나로 표시되는 액정 조성물.
    [3-1-1]
    Figure pat00120

    [3-1-2]
    Figure pat00121

    [3-1-3]
    Figure pat00122

    [3-1-4]
    Figure pat00123

    [3-1-5]
    Figure pat00124

    [3-1-6]
    Figure pat00125

    [3-1-7]
    Figure pat00126

    [3-1-8]
    Figure pat00127

    [3-2-1]
    Figure pat00128

    [3-2-2]
    Figure pat00129

    [3-2-3]
    Figure pat00130

    [3-2-4]
    Figure pat00131

    [3-3-1]
    Figure pat00132

    [3-3-2]
    Figure pat00133

    [3-4-1]
    Figure pat00134

    [3-4-2]
    Figure pat00135
  8. 제6항에 있어서,
    상기 액정 조성물은 하기 화학식 4-1 내지 4-3으로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물을 추가로 포함하는 액정 조성물.
    [화학식 4-1]
    Figure pat00136

    [화학식 4-2]
    Figure pat00137

    [화학식 4-3]
    Figure pat00138

    상기 화학식 4-1 또는 화학식 4-3에서,
    R7, R8 및 R9는 각각 독립적으로 탄소수 1~5의 알킬기이고,
    X1 내지 X4는 각각 독립적으로 H 또는 F이며,
    Y는 H, F 또는 OCF3다.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 화학식 4-1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 [4-1-1] 내지 [4-1-3] 중 어느 하나로 표시되고, 상기 화학식 4-2로 표시되는 화합물은 하기 화학식 [4-2-1] 및 [4-2-2] 중 어느 하나로 표시되며, 상기 화학식 4-3으로 표시되는 화합물은 하기 화학식 [4-3-1] 내지 [4-3-3] 중 어느 하나로 표시되는 액정 조성물.
    [4-1-1]
    Figure pat00139

    [4-1-2]
    Figure pat00140

    [4-1-3]
    Figure pat00141

    [4-2-1]
    Figure pat00142

    [4-2-2]
    Figure pat00143

    [4-3-1]
    Figure pat00144

    [4-3-2]
    Figure pat00145

    [4-3-3]
    Figure pat00146
  10. 제8항에 있어서,
    상기 액정 조성물은 하기 화학식 5-1 및 하기 화학식 5-2로 표시되는 화합물 중 1종 또는 2종 이상의 화합물을 추가로 포함하는 액정 조성물.
    [화학식 5-1]
    Figure pat00147

    [화학식 5-2]
    Figure pat00148

    상기 화학식 5-1 또는 화학식 5-2에서,
    R10 및 R11은 각각 독립적으로 탄소수 1~5의 알킬기이고,
    (CH3)은 H 또는 CH3을 의미한다.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 액정 조성물은 하기 화학식 6으로 표시되는 화합물을 1종 또는 2종 이상 추가로 포함하는 액정 조성물.
    [화학식 6]
    Figure pat00149

    상기 화학식 6에서,
    R12는 탄소수 1~5의 알킬기이고,
    X5는 H 또는 F이다.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 액정 조성물은 하기 화학식 7로 표시되는 화합물을 추가로 포함하는 액정 조성물.
    [화학식 7]
    Figure pat00150

    상기 화학식 7에서,
    고리 D는 페닐렌, 사이클로헥실렌, 테트라하이드로피라닐렌(tetrahydropyranylene) 또는 다이옥세이닐렌(dioxanylene)이고,
    R13은 탄소수 1~15의 알킬 라디칼이며,
    o는 0 또는 1이다.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 액정 조성물 100 중량부에 대하여,
    상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물은 30 내지 48 중량부, 상기 화학식 1-2로 표시되는 화합물은 10 중량부 이하, 상기 화학식 2-1로 표시되는 화합물은 20중량부 이하, 상기 화학식 2-2로 표시되는 화합물은 16 중량부 이하, 상기 화학식 3-1 내지 3-4로 표시되는 화합물은 15 내지 40 중량부, 상기 화학식 4-1 내지 4-3으로 표시되는 화합물은 29 중량부 이하, 화학식 5-1 또는 5-2로 표시되는 화합물은 17 중량부 이하, 상기 화학식 6으로 표시되는 화합물은 6 중량부 이하, 및 상기 화학식 7로 표시되는 화합물은 0.01 내지 0.2 중량부로 포함되는 액정 조성물.
  14. 제8항에 있어서,
    상기 액정 조성물은 상기 하기 화학식 [2-1-9] 및 화학식 [2-1-10]로 표시되는 화합물 중 하나 이상, 하기 화학식 [2-2]로 표시되는 화합물 중 1 종 이상, 하기 화학식 [3-1] 및 화학식 [3-2]로 표시되는 화합물 중 1 종 이상, 하기 화학식 [4-2] 및 화학식 [4-3]으로 표시되는 화합물 1 종 이상의 화합물을 포함하는 액정 조성물.
    [2-1-9]
    Figure pat00151

    [2-1-10]
    Figure pat00152

    [화학식 2-2]
    Figure pat00153

    [화학식 3-1]
    Figure pat00154

    [화학식 3-2]
    Figure pat00155

    [화학식 4-2]
    Figure pat00156

    [화학식 4-3]
    Figure pat00157

    상기 화학식 2-2에서,
    R3 및 R4는 각각 독립적으로 탄소수 1~5의 알킬기 또는 탄소수 2~5의 알케닐기이고,
    상기 화학식 3-1 및 화학식 3-2에서,
    R5 및 R6은 각각 독립적으로 탄소수 1~3의 알킬기이고,
    상기 화학식 4-2 및 화학식 4-3에서,
    R8 및 R9는 각각 독립적으로 탄소수 1~4의 알킬기이고,
    X1 및 X2는 F이고, X3 및 X4는 각각 독립적으로 H 또는 F이며,
    Y는 F 또는 OCF3다.
  15. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 따른 액정 조성물을 포함하는 액정 디스플레이.
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