KR20190117315A - Light emitting device package and light source unit - Google Patents
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Abstract
Description
발명의 실시 예는 발광소자 패키지, 발광소자 패키지 제조방법, 및 이를 갖는 광원 장치에 관한 것이다.An embodiment of the present invention relates to a light emitting device package, a light emitting device package manufacturing method, and a light source device having the same.
발명의 실시 예는 반도체 소자 패키지, 반도체 소자 패키지 제조방법, 및 이를 갖는 광원 장치에 관한 것이다.An embodiment of the present invention relates to a semiconductor device package, a method for manufacturing a semiconductor device package, and a light source device having the same.
GaN, AlGaN 등의 화합물을 포함하는 반도체 소자는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점을 가져서 발광소자, 수광 소자 및 각종 다이오드 등으로 다양하게 사용될 수 있다.A semiconductor device including a compound such as GaN, AlGaN, etc. has many advantages, such as having a wide and easy to adjust band gap energy, and can be used in various ways as a light emitting device, a light receiving device, and various diodes.
특히, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드(Laser Diode)와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 파장 대역의 빛을 구현할 수 있는 장점이 있다. 또한, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광원도 구현이 가능하다. 이러한 발광소자는, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저 소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성의 장점을 가진다. Particularly, light emitting devices such as light emitting diodes or laser diodes using group 3-5 or 2-6 compound semiconductor materials have been developed using thin film growth technology and device materials. There is an advantage that can implement light of various wavelength bands such as blue and ultraviolet. In addition, a light emitting device such as a light emitting diode or a laser diode using a
뿐만 아니라, 광검출기나 태양 전지와 같은 수광 소자도 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용하여 제작하는 경우 소자 재료의 개발로 다양한 파장 영역의 빛을 흡수하여 광 전류를 생성함으로써 감마선부터 라디오 파장 영역까지 다양한 파장 영역의 빛을 이용할 수 있다. 또한, 이와 같은 수광 소자는 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성 및 소자 재료의 용이한 조절의 장점을 가져 전력 제어 또는 초고주파 회로나 통신용 모듈에도 용이하게 이용될 수 있다.In addition, when a light-receiving device such as a photodetector or a solar cell is also fabricated using a Group 3-5
따라서, 반도체 소자는 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등 및 가스(Gas)나 화재를 감지하는 센서 등에까지 응용이 확대되고 있다. 또한, 반도체 소자는 고주파 응용 회로나 기타 전력 제어 장치, 통신용 모듈에까지 응용이 확대될 수 있다.Therefore, the semiconductor device may replace a light emitting diode backlight, a fluorescent lamp, or an incandescent bulb which replaces a cold cathode tube (CCFL) constituting a backlight module of an optical communication means, a backlight of a liquid crystal display (LCD) display device. Applications are expanding to include white light emitting diode lighting devices, automotive headlights and traffic lights, and sensors that detect gas or fire. In addition, the semiconductor device may be extended to high frequency application circuits, other power control devices, and communication modules.
발광소자(Light Emitting Device)는 예로서 주기율표상에서 3족-5족 원소 또는 2족-6족 원소를 이용하여 전기에너지가 빛 에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드로 제공될 수 있고, 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 파장 구현이 가능하다.The light emitting device may be provided as a pn junction diode having a characteristic in which electrical energy is converted into light energy using, for example, a group 3-5 element or a group 2-6 element on the periodic table. Various wavelengths can be realized by adjusting the composition ratio.
예를 들어, 질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭 넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 청색(Blue) 발광소자, 녹색(Green) 발광소자, 자외선(UV) 발광소자, 적색(RED) 발광소자 등은 상용화되어 널리 사용되고 있다.For example, nitride semiconductors are receiving great attention in the field of optical devices and high power electronic devices due to their high thermal stability and wide bandgap energy. In particular, a blue light emitting device, a green light emitting device, an ultraviolet light emitting device, a red light emitting device using a nitride semiconductor, and the like are commercially used and widely used.
예를 들어, 자외선 발광소자의 경우, 200nm~400nm의 파장대에 분포되어 있는 빛을 발생하는 발광 다이오드로서, 상기 파장대역에서, 단파장의 경우, 살균, 정화 등에 사용되며, 장파장의 경우 노광기 또는 경화기 등에 사용될 수 있다.For example, in the case of an ultraviolet light emitting device, a light emitting diode which emits light distributed in a wavelength range of 200 nm to 400 nm, and is used in the wavelength band, for short wavelengths, for sterilization and purification, and for long wavelengths, an exposure machine or a curing machine. Can be used.
자외선은 파장이 긴 순서대로 UV-A(315nm~400nm), UV-B(280nm~315nm), UV-C (200nm~280nm) 세 가지로 나뉠 수 있다. UV-A(315nm~400nm) 영역은 산업용 UV 경화, 인쇄 잉크 경화, 노광기, 위폐 감별, 광촉매 살균, 특수조명(수족관/농업용 등) 등의 다양한 분야에 응용되고 있고, UV-B(280nm~315nm) 영역은 의료용으로 사용되며, UV-C(200nm~280nm) 영역은 공기 정화, 정수, 살균 제품 등에 적용되고 있다. Ultraviolet rays can be classified into UV-A (315nm ~ 400nm), UV-B (280nm ~ 315nm), and UV-C (200nm ~ 280nm) in order of long wavelength. The UV-A (315nm ~ 400nm) area is applied to various fields such as industrial UV curing, printing ink curing, exposure machine, forgery discrimination, photocatalyst sterilization, special lighting (aquarium / agriculture, etc.), and UV-B (280nm ~ 315nm). ) Area is used for medical purposes, UV-C (200nm ~ 280nm) area is applied to air purification, water purification, sterilization products.
한편, 고 출력을 제공할 수 있는 반도체 소자가 요청됨에 따라 고 전원을 인가하여 출력을 높일 수 있는 반도체 소자에 대한 연구가 진행되고 있다. Meanwhile, as a semiconductor device capable of providing a high output is requested, research on a semiconductor device capable of increasing output by applying a high power source is being conducted.
또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 반도체 소자의 광 추출 효율을 향상시키고, 패키지 단에서의 광도를 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다. 또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 패키지 전극과 반도체 소자 간의 본딩 결합력을 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.In addition, in the semiconductor device package, research has been conducted on a method of improving light extraction efficiency of the semiconductor device and improving brightness at the package end. In addition, in the semiconductor device package, research is being conducted to improve the bonding strength between the package electrode and the semiconductor device.
또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 공정 효율 향상 및 구조 변경을 통하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.In addition, in the semiconductor device package, research has been conducted on a method for reducing manufacturing cost and improving manufacturing yield by improving process efficiency and structural change.
발명의 실시 예는 반도체 소자 또는 발광소자와 중첩되는 프레임들 상에 스페이서가 배치된 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.An embodiment of the present invention may provide a semiconductor device package or a light emitting device package in which a spacer is disposed on frames overlapping the semiconductor device or the light emitting device.
발명의 실시 예는 반도체 소자 또는 발광소자의 외측부와 중첩된 프레임들 상에 스페이서를 배치하고, 반사성 수지로 상기 발광소자와 프레임 및 몸체 사이를 접착시킨 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.An embodiment of the present invention may provide a semiconductor device package or a light emitting device package in which a spacer is disposed on frames overlapping with an outer portion of a semiconductor device or a light emitting device, and the light emitting device is adhered between the frame and the body with a reflective resin. .
발명의 실시 예는 사이드뷰 타입의 패키지에서 소자와 중첩되는 프레임들 상에 수지 재질의 스페이서를 배치한 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.An embodiment of the present invention may provide a semiconductor device package or a light emitting device package in which a spacer made of a resin material is disposed on frames overlapping with a device in a side view type package.
발명의 실시 예는 프레임을 절곡시켜 스페이서를 지지할 수 있는 지지An embodiment of the present invention is a support that can support the spacer by bending the frame
발명의 실시 예는 프레임 상에 하나 또는 복수의 소자가 배치된 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.An embodiment of the present invention may provide a semiconductor device package or a light emitting device package in which one or a plurality of devices are disposed on a frame.
발명의 실시 예는 서로 이격된 프레임들 사이의 몸체와 반도체 소자 또는 발광소자 사이에 접착되는 제1수지를 배치한 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.Embodiments of the present disclosure may provide a semiconductor device package or a light emitting device package including a body between frames spaced apart from each other, and a first resin adhered between the semiconductor device or the light emitting device.
발명의 실시 예는 서로 이격된 프레임들 사이의 몸체에 제1리세스를 갖고, 상기 제1리세스에 제1수지를 배치하여 소자를 접착시킨 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.An embodiment of the present invention may provide a semiconductor device package or a light emitting device package having a first recess in a body between frames spaced apart from each other, and having a first resin disposed on the first recess to bond a device thereto.
발명의 실시 예는 광 추출 효율 및 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.An embodiment of the present invention may provide a semiconductor device package or a light emitting device package capable of improving light extraction efficiency and electrical characteristics.
발명의 실시 예는 공정 효율을 향상시키고 새로운 패키지 구조를 제시하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.An embodiment of the present invention can provide a semiconductor device package or a light emitting device package that can improve process efficiency and propose a new package structure to reduce manufacturing cost and improve manufacturing yield.
발명의 실시 예는 소자 패키지가 기판 등에 재 본딩되는 과정에서 소자 패키지의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있는 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.An embodiment of the present invention may provide a semiconductor device package or a light emitting device package capable of preventing re-melting from occurring in a bonding region of the device package while the device package is rebonded to a substrate or the like.
발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 서로 이격된 제1 프레임 및 제2 프레임; 상기 제1 프레임 및 상기 제2프레임 사이에 배치된 몸체; 상기 제1 프레임의 상면과 대면하는 제1 본딩부 및 상기 제2프레임의 상면과 대면하는 제2 본딩부를 포함하는 발광소자; 상기 제1프레임 상에 배치된 제1연장부; 상기 제2프레임 상에 배치된 제2연장부; 및 상기 발광소자와 상기 몸체 사이에 제1수지를 포함하며, 상기 제1연장부는 상기 발광소자와 수평 방향으로 중첩된 제1스페이서를 포함하며, 상기 제2연장부는 상기 발광소자와 수평 방향으로 중첩된 제2스페이서를 포함하며, 상기 제1프레임은 상기 제1스페이서와 상기 몸체 사이에 배치되며, 상기 제2프레임은 상기 제2스페이서와 상기 몸체 사이에 배치될 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment of the present invention, the first frame and the second frame spaced apart from each other; A body disposed between the first frame and the second frame; A light emitting device including a first bonding portion facing the top surface of the first frame and a second bonding portion facing the top surface of the second frame; A first extension part disposed on the first frame; A second extension part disposed on the second frame; And a first resin between the light emitting device and the body, wherein the first extension part includes a first spacer overlapping with the light emitting device in a horizontal direction, and the second extension part overlaps with the light emitting device in a horizontal direction. And a second spacer, wherein the first frame is disposed between the first spacer and the body, and the second frame is disposed between the second spacer and the body.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2스페이서의 높이는 상기 제1 및 제2연장부의 두께와 동일하며, 상기 제1 및 제2연장부는 상기 몸체와 동일한 수지 재질을 포함할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the heights of the first and second spacers are the same as the thicknesses of the first and second extensions, and the first and second extensions may include the same resin material as the body.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 제1연장부는 상기 제1본딩부의 둘레에 배치되며, 상기 제2연장부는 상기 제2본딩부의 둘레에 배치되며, 상기 제1본딩부와 상기 제1프레임 사이에 제1도전부; 및 상기 제2본딩부와 상기 제2프레임 사이에 제2도전부를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the first extension part is disposed around the first bonding part, the second extension part is disposed around the second bonding part, and is formed between the first bonding part and the first frame. 1 conductive part; And a second conductive part between the second bonding part and the second frame.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 제1연장부는 상기 제1본딩부의 외측 방향으로 갈수록 점차 폭이 좁은 제1오목부를 포함하며, 상기 제2연장부는 상기 제2본딩부의 외측 방향으로 갈수록 점차 폭이 좁은 제2오목부를 포함할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the first extension part includes a first recessed part that is gradually narrower toward an outer direction of the first bonding part, and the second extension part is gradually narrower toward an outer direction of the second bonding part. It may include a second recess.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2오목부의 일부는 상기 발광소자의 측면보다 더 외측에 배치되며, 상기 제1 및 제2오목부에 제2수지가 배치될 수 있다.According to an embodiment of the present disclosure, a part of the first and second recesses may be disposed outside the side surface of the light emitting device, and a second resin may be disposed in the first and second recesses.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2스페이서의 높이는 상기 제1 및 제2연장부로부터 돌출되며, 상기 제1 및 제2연장부와 상기 제1 및 제2스페이서는 상기 몸체와 동일한 수지 재질을 포함할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, heights of the first and second spacers protrude from the first and second extensions, and the first and second extensions and the first and second spacers are made of the same resin as the body. It may include a material.
발명의 실시 예에 의하면, 제1방향으로 상기 제1 및 제2스페이서 간의 최소 간격은 상기 발광소자의 길이보다 짧고, 최대 간격은 상기 발광소자의 길이보다 클 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the minimum distance between the first and second spacers in the first direction may be shorter than the length of the light emitting device, and the maximum distance may be larger than the length of the light emitting device.
발명의 실시 예에 의하면, 수평 방향으로 상기 제1프레임으로부터 상기 몸체의 후면 방향으로 절곡된 제1지지부와, 상기 제2프레임으로부터 상기 몸체의 후면 방향으로 절곡된 제2지지부를 포함하며, 상기 제1지지부는 상기 제1스페이서와 수평 방향으로 중첩되며, 상기 제2지지부는 상기 제2스페이서와 수평 방향으로 중첩될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a first support portion bent in the horizontal direction of the body from the first frame in the horizontal direction, and a second support portion bent in the rear direction of the body from the second frame, The first support part may overlap the first spacer in a horizontal direction, and the second support part may overlap the second spacer in a horizontal direction.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2연장부 상에 제2수지를 포함하며, 상기 제2수지는 상기 발광소자의 하면 및 측면에 접착될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a second resin is included on the first and second extension parts, and the second resin may be adhered to the bottom and side surfaces of the light emitting device.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 제1본딩부와 상기 제1프레임 사이에 제1도전부; 및 상기 제2본딩부와 상기 제2프레임 사이에 제2도전부를 포함하며, 상기 제1 및 제2프레임은 상기 제1 및 제2본딩부가 배치된 영역의 양측에 수용 영역을 구비하며, 상기 수용 영역에는 상기 제1 및 제2도전부가 배치될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a first conductive part is disposed between the first bonding part and the first frame; And a second conductive part between the second bonding part and the second frame, wherein the first and second frames have accommodation areas on both sides of an area where the first and second bonding parts are disposed. The first and second conductive parts may be disposed in an area.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 몸체는 전면과 후면을 포함하고, 상기 전면에 캐비티를 포함하며, 상기 후면에 리세스를 포함하며, 상기 제1연장부는 상기 캐비티의 제1내측면으로부터 연장되며, 상기 제2연장부는 상기 캐비티의 제2내측면으로부터 연장되며, 상기 제 1 및 제2내측면은 서로 대면하게 배치될 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the body includes a front side and a rear side, includes a cavity in the front side, includes a recess in the rear side, the first extension extends from the first inner side of the cavity, The second extension part extends from the second inner side surface of the cavity, and the first and second inner side surfaces may be disposed to face each other.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 몸체는 상기 전면과 후면 사이에 복수의 측면을 포함하며, 상기 제1프레임 및 상기 제2프레임은 상기 복수의 측면 중 제1측면으로 노출된 제1 및 제2리드부를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the body includes a plurality of side surfaces between the front and rear surfaces, and the first frame and the second frame are first and second leads exposed to the first side of the plurality of side surfaces. It may include wealth.
발명의 실시 예에 의하면, 상기 몸체는 상기 제1 및 제2리드부 사이에 상기 제1측면 방향으로 돌출된 돌출부를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the body may include a protrusion protruding in the first side direction between the first and second lead portions.
발명의 실시 예에 따른 광원 장치는, 회로 기판; 및 상기 회로 기판에 상기의 발광소자 패키지가 하나 또는 복수로 배치될 수 있다.A light source device according to an embodiment of the present invention includes a circuit board; One or more light emitting device packages may be disposed on the circuit board.
발명의 실시 예에 의하면, 반도체 소자 또는 발광소자의 하면 주변에 반사성 또는 접착성 수지를 배치하여, 소자의 접착력을 개선시켜 줄 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the reflective or adhesive resin may be disposed around the lower surface of the semiconductor device or the light emitting device to improve the adhesion of the device.
발명의 실시 예에 의하면, 반도체 소자 또는 발광소자와 프레임 사이의 스페이서로 소자 하면을 프레임들로부터 이격시켜 줄 수 있고, 이격된 공간으로 접착성 또는 반사성 수지를 배치하여 소자를 고정할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the bottom surface of the device may be spaced apart from the frames by a spacer between the semiconductor device or the light emitting device and the frame, and the device may be fixed by disposing an adhesive or reflective resin in the spaced space.
발명의 실시 예에 의하면, 프레임들 상에 플립 칩으로 배치된 발광소자 패키지의 광속, 순방향 전압 및 내열 특성을 개선시켜 줄 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the luminous flux, forward voltage, and heat resistance of the light emitting device package disposed as flip chips on the frames may be improved.
발명의 실시 예에 의하면, 프레임들 사이의 몸체 면적을 줄여 열 팽창 계수의 차이에 따른 열 충격을 개선시켜 줄 수 있다.According to an embodiment of the present invention, it is possible to reduce the body area between the frames to improve the thermal shock according to the difference in the coefficient of thermal expansion.
발명의 실시 예에 의하면, 반도체 소자 또는 발광소자와 몸체 사이에 접착을 위한 제1수지를 배치하여 발광소자의 접착력 및 지지력을 개선시켜 줄 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the first resin for adhesion between the semiconductor device or the light emitting device and the body may be disposed to improve the adhesion and the supporting force of the light emitting device.
발명의 실시 예에 의하면, 반도체 소자 또는 발광소자와 대면하는 몸체의 제1리세스에 제1수지를 배치하여, 발광소자의 접착력 및 지지력을 개선시켜 줄 수 있다.According to the embodiment of the present invention, the first resin may be disposed in the first recess of the body facing the semiconductor device or the light emitting device, thereby improving the adhesive force and the supporting force of the light emitting device.
발명의 실시 예에 의하면, 광 추출 효율 및 전기적 특성과 신뢰성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.According to the embodiment of the present invention, there is an advantage to improve light extraction efficiency, electrical characteristics and reliability.
발명의 실시 예에 의하면, 패키지의 공정 효율을 향상시키고 새로운 패키지 구조를 제시하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.According to the embodiment of the present invention, the process efficiency of the package is improved and a new package structure is proposed to reduce the manufacturing cost and improve the manufacturing yield.
발명의 실시 예에 의하면, 반사율이 높은 몸체를 제공함으로써, 반사체가 변색되지 않도록 방지할 수 있어 반도체 소자 패키지의 신뢰성을 개선할 수 있는 장점이 있다.According to an embodiment of the present invention, by providing a body having a high reflectance, it is possible to prevent the reflector from being discolored, thereby improving the reliability of the semiconductor device package.
발명의 실시 예에 의하면, 반도체 소자 패키지가 기판 등에 재 본딩되는 과정에서 반도체 소자 패키지의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있는 장점이 있다.According to an embodiment of the present invention, there is an advantage in that a re-melting phenomenon may be prevented from occurring in the bonding region of the semiconductor device package while the semiconductor device package is rebonded to the substrate.
발명의 실시 예에 의하면, 반도체 소자 패키지 또는 발광소자 패키지의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다. According to an embodiment of the invention, it is possible to improve the reliability of the semiconductor device package or the light emitting device package.
도 1은 발명의 제1실시 예에 따른 발광소자 패키지의 정면도이다.
도 2는 도 1의 발광소자 패키지에서 발광소자가 배치된 영역을 설명하기 위한 확대도이다.
도 3은 도 1의 발광소자 패키지의 A-A측 단면도이다.
도 4는 도 1의 발광소자 패키지의 B-B측 단면도이다.
도 5는 도 1의 발광소자 패키지에서 몸체의 제1리세스를 나타낸 도면이다.
도 6은 도 5의 몸체의 리세스를 갖는 패키지의 측 단면도이다.
도 7은 발명의 제2실시 예에 따른 발광소자 패키지의 정면도이다.
도 8은 도 7의 발광소자 패키지에서 캐비티 내부를 나타낸 도면이다.
도 9는 도 7의 발광소자 패키지의 C-C측 단면도이다.
도 10은 제2실시 예에 따른 발광소자 패키지의 변형 예를 나타낸 정면도이다.
도 11은 도 1의 발광소자 패키지를 갖는 광원 장치의 예이다.
도 12는 발명의 실시 예(들)에 적용된 발광소자의 예이다.1 is a front view of a light emitting device package according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an enlarged view illustrating a region in which a light emitting device is disposed in the light emitting device package of FIG. 1.
3 is a cross-sectional view taken along the AA side of the light emitting device package of FIG.
4 is a cross-sectional view taken along the BB side of the light emitting device package of FIG. 1.
5 is a view illustrating a first recess of a body in the light emitting device package of FIG. 1.
6 is a side cross-sectional view of a package having a recess of the body of FIG. 5.
7 is a front view of a light emitting device package according to a second embodiment of the present invention.
8 is a view illustrating a cavity inside the light emitting device package of FIG. 7.
9 is a cross-sectional view of the CC side of the light emitting device package of FIG. 7.
10 is a front view illustrating a modified example of the light emitting device package according to the second embodiment.
11 is an example of a light source device having the light emitting device package of FIG. 1.
12 is an example of a light emitting device applied to the embodiment (s) of the invention.
이하 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명하나 실시 예가 이에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, embodiments will be described with reference to the accompanying drawings. In the description of an embodiment, each layer, region, pattern, or structure is “on / over” or “under” the substrate, each layer, layer, pad, or pattern. In the case where it is described as being formed at, "on / over" and "under" include both "directly" or "indirectly" formed. do. In addition, the criteria for the top / top or bottom of each layer will be described based on the drawings, but the embodiment is not limited thereto.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지에 대해 상세히 설명하도록 한다. 상기 소자 패키지의 반도체 소자는 자외선, 적외선 또는 가시광선의 광을 발광하는 발광소자를 포함할 수 있다. 이하에서는 반도체 소자의 예로서 발광소자가 적용된 경우를 기반으로 설명하며, 상기 발광소자가 적용된 패키지 또는 광원 장치에 비 발광소자 예컨대, 제너 다이오드와 같은 소자나 파장이나 열을 감시하는 센싱 소자를 포함할 수 있다. 이하에서는 반도체 소자의 예로서 발광소자가 적용된 경우를 기반으로 설명하며, 발광소자 패키지에 대해 상세히 설명하도록 한다. Hereinafter, a semiconductor device package according to an exemplary embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The semiconductor device of the device package may include a light emitting device for emitting light of ultraviolet, infrared or visible light. Hereinafter, a description will be given based on a case in which a light emitting device is applied as an example of a semiconductor device. The light emitting device may include a non-light emitting device such as a zener diode or a sensing device that monitors a wavelength or heat. Can be. Hereinafter, a description will be given based on a case in which a light emitting device is applied as an example of a semiconductor device, and the light emitting device package will be described in detail.
<제1실시예><First Embodiment>
도 1은 발명의 제1실시 예에 따른 발광소자 패키지의 정면도이고, 도 2는 도 1의 발광소자 패키지에서 발광소자가 배치된 영역을 설명하기 위한 확대도이며, 도 3은 도 1의 발광소자 패키지의 A-A측 단면도이고, 도 4는 도 1의 발광소자 패키지의 B-B측 단면도이다.1 is a front view of a light emitting device package according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is an enlarged view illustrating a region in which a light emitting device is disposed in the light emitting device package of FIG. 1, and FIG. 3 is a light emitting device of FIG. 1. AA side cross-sectional view of the package, Figure 4 is a BB side cross-sectional view of the light emitting device package of FIG.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 발광소자 패키지(100)는, 패키지 몸체(110), 및 발광소자(120)를 포함할 수 있다.1 to 4, the light emitting
상기 패키지 몸체(110)는 복수의 프레임을 포함할 수 있다. 상기 복수의 프레임은 예컨대, 제1 프레임(111)과 제2 프레임(113)을 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(113)은 제1방향(X)으로 서로 이격되어 배치될 수 있다.The
상기 패키지 몸체(110)는 몸체(115)를 포함할 수 있다. 상기 몸체(115)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(113) 사이에 배치될 수 있다. 상기 몸체(115)는 복수의 프레임 사이에서 전극 분리선의 기능을 수행할 수 있다. 상기 몸체(115)는 절연부재로 지칭될 수도 있다.The
상기 몸체(115)는 상기 제1 프레임(111) 위에 배치될 수 있다. 또한, 상기 몸체(115)는 상기 제2 프레임(113) 위에 배치될 수 있다. 상기 몸체(115)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(113) 위에 배치된 경사진 내측면(132)을 제공할 수 있다. 상기 몸체(115)의 경사진 내측면(132)에 의하여 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(113) 위에 캐비티(102)가 제공될 수 있다. 발명의 실시 예에 의하면, 상기 패키지 몸체(110)는 캐비티(102)가 있는 구조로 제공될 수도 있으며, 캐비티(102) 없이 상면이 평탄한 구조로 제공될 수도 있다. 상기 몸체(115) 상에는 상부 몸체(110A)가 배치되며, 상기 상부 몸체(110A)는 캐비티(102)를 가질 수 있다. 상기 상부 몸체(110A)는 상기 몸체(115)과 동일한 재질이거나 별도의 재질로 배치될 수 있다. The
예로서, 상기 몸체(115)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), 세라믹, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3)을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 몸체(115)는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 그 내부에 Al2O3, TiO2와 SiO2 중 적어도 하나의 필러를 포함할 수 있다.For example, the
상기 상부 몸체(110A)는 수지 또는 절연 재질로 형성될 수 있다. 상기 상부 몸체(110A)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), 세라믹, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 상부 몸체(110A)는 반사 몸체로 기능할 수 있다.The
상기 패키지 몸체(110)의 제1방향(X)의 길이는 제2방향(Z)의 길이보다 2배 이상 길게 배치될 수 있다. 여기서, 상기 제1방향은 상기 발광소자(120)의 제1,2방향의 길이 중에서 더 긴 길이를 갖는 변의 방향일 수 있다. 상기 제2방향(Z)은 짧은 변의 방향이며 상기 제1방향(X)에 수직한 방향일 수 있으며, 제3방향(Y)은 전면(S0)에서 후면(S6)으로 진행되는 방향 또는 그 반대 방향일 수 있다.The length of the first direction X of the
상기 패키지 몸체(110) 또는 몸체(115)는 전면(S0), 복수의 측면(S1,S2,S3,S4), 후면(S6)을 포함할 수 있다. 상기 전면(S0)은 상기 캐비티(102)가 배치되는 면일 수 있으며, 광이 출사되는 면일 수 있다. 상기 후면(S6)은 상기 패키지 몸체(110)에서 상기 전면(S0)의 반대측 면일 수 있다. 상기 캐비티(102)는 상기 전면(S0)으로부터 후면 방향으로 함몰될 수 있다. 상기 후면(S6)에서 상기 발광소자(120)와 대응되는 영역에는 오목한 오목부(R2)가 배치될 수 있다. 상기 몸체(115)의 측면(S1,S2,S3,S4)은 제2 방향(Y)의 양측에 배치된 제1 및 제2측면(S1,S2)과, 제1 방향(X)의 양측에 배치된 제3 및 제4측면(S3,S4)을 포함할 수 있다. 상기 제1측면(S1)은 도 1에서 패키지 몸체(110) 또는 몸체(115)의 바닥부일 수 있다. 상기 제1측면(S1)은 회로 기판(도 11의 201)과 대면되는 면일 수 있다. 상기 제2측면(S2)는 도 1에서 패키지 몸체(110) 또는 몸체(115)의 상면부일 수 있다. 상기 제3측면(S3)과 상기 제4측면(S4)는 상기 제 1 및 제2측면(S1,S2)의 양단부에 연결될 수 있다.The
상기 캐비티(102)의 바닥에는 제1 및 제2프레임(111,113)과, 몸체(115) 및 발광소자(120)가 배치될 수 있다. 상기 패키지 몸체(110)의 두께(T1)는 제1 및 제2측면(S1,S2) 사이의 간격으로서, 1.2mm 이하 예컨대, 1mm 이하일 수 있다. 상기 패키지 몸체(110)의 제1 방향의 길이는 두께(T1)보다 3배 이상 예컨대, 4배 이상일 수 있다. 상기 패키지 몸체(110)의 제1 방향의 길이는 2.5mm 이상 예컨대, 2.7mm 내지 4.5mm 범위일 수 있다. 상기 발광소자 패키지(100)는 제1 방향의 길이를 길게 제공함으로써, 제1 방향으로 상기 발광소자 패키지(100)들을 배열될 때, 발광소자 패키지(100)의 개수를 줄여줄 수 있다. 상기 발광소자 패키지(100)는 두께(T1)를 상대적으로 얇게 제공할 수 있어, 상기 발광소자 패키지(100)를 갖는 라이트 유닛의 두께를 줄여줄 수 있다. 상기 캐비티(102)는 전면(S0)이 개방되고 광이 출사되므로, 상기 제1측면(S1)을 기준으로 사이드 뷰 타입으로 광을 방출하는 영역일 수 있다.First and
상기 캐비티(102)의 외측 둘레에 배치된 내측면(132)은 경사지거나 수직할 수 있으며, 예컨대 경사진 면은 1단 이상 또는 2단 이상으로 경사지게 배치될 수 있다. 상기 경사진 내측면(132)는 제1방향으로 서로 대면하는 제1내측면(S11)과 제2내측면(S12)를 포함할 수 있으며, 상기 제1내측면(S11)은 제3측면(S3)에 인접하며, 제2내측면(S12)은 제4측면(S4)에 인접할 수 있다. 상기 제1 및 제2내측면(S11,S12)은 경사 각도가 제1 및 제2측면(S1,S2)에 인접한 내측면의 경사각도보다 더 작을 수 있어, 완만한 경사면을 통해 반사 효율을 높여줄 수 있다. The
발광소자(120)는 제2 방향(Z축)으로 프레임(111,113)과 상기 몸체(115)와 중첩될 수 있다. 상기 프레임(111,113)과 상기 몸체(115)는 상기 발광소자(120)와 후면(S6) 사이에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 프레임(111,113)과 수평 방향 또는 제2 방향(Z 축)으로 중첩될 수 있다. The
상기 제1프레임(111)은 제3측면(S3) 방향으로 연장된 부분에서 절곡되어 제1측면(S1)의 일측으로 돌출된 제1리드부(17)를 포함하며, 상기 제1리드부(17)는 본딩 패드로 기능할 수 있다. 상기 제1프레임(111)은 상기 제1리드부(17)로부터 절곡되고 제3측면(S3)의 후면부에 배치된 제1방열부(17A)를 포함할 수 있다. 상기 제2프레임(113)은 제4측면(S4) 방향으로 연장된 부분에서 절곡되어 제1측면(S1)의 타측으로 돌출된 제2리드부(37)를 포함하며, 상기 제2리드부(37)는 본딩 패드로 기능할 수 있다. 상기 제2프레임(113)에는 상기 제2리드부(37)로부터 절곡되고 제4측면(S3)의 후면부에 배치된 제2방열부(37A)를 포함할 수 있다. 상기 제1측면(S1)에서 일측 영역은 제3측면(S3)에 인접한 영역이며, 타측 영역은 제4측면(S4)에 인접한 영역일 수 있다. The
상기 몸체(115) 또는 패키지 몸체(110)에는 제3측면(S3) 및 제4측면(S4)에 사출 성형시 결합되는 행거가 배치된 홈(Rf1,Rf2)를 포함할 수 있다. 상기 홈(Rf1,Rf2)은 제3,4측면(S3,S4)에서 내측 방향으로 오목하게 배치될 수 있다. The
도 1과 같이, 상기 몸체(115)는 제2측면(S2)에서 제1측면(S1) 방향으로 돌출되며, 상기 제1 및 제2리드부(17,37) 상에 돌출될 돌출부(105)를 포함할 수 있다. 상기 돌출부(105)의 바닥 즉, 제1측면(S1)은 플랫한 면으로 제공될 수 있다. 상기 돌출부(105)의 바닥은 제1,2리드부(17,37)가 배치된 상기 제1측면(S1)의 양측 영역보다 더 돌출될 수 있다. As shown in FIG. 1, the
상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(113)은 도전성 프레임으로 제공될 수도 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(113)은 금속 프레임으로 제공될 수 있다. 상기 금속 프레임은 예컨대, 구리(Cu), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag) 중에서 선택될 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2프레임(111,113)의 두께는 방열 특성 및 전기 전도 특성을 고려하여 형성될 수 있으며, 120 마이크로 미터 이상 예컨대 120 내지 250 마이크로 미터의 범위로 형성될 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(113)은 상기 패키지 몸체(110)의 구조적인 강도를 안정적으로 제공할 수 있으며, 상기 발광소자(120)에 전기적으로 연결될 수 있다. The
다른 예로서, 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(113)은 절연성 프레임으로 제공될 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(113)은 상기 패키지 몸체(110)의 구조적인 강도를 안정적으로 제공할 수 있다. 상기 프레임(111,113)이 절연성 재질인 경우, 수지 재질 또는 절연 재질일 수 있으며, 예컨대, 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), 세라믹, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다.As another example, the
발명의 실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)는 제1 본딩부(121), 제2 본딩부(122), 및 발광 구조물(123)을 포함할 수 있다. 상기 발광소자(120)는 기판(124)을 포함할 수 있다. 도 2와 같이, 상기 발광소자(120)는 한 변의 길이(x1) 또는 장변의 길이가 다른 변의 길이(y1) 또는 단변의 길이보다 더 클수 있다. 제3방향으로 상기 길이 y1는 캐비티(102)의 바닥 너비(a1)보다는 작을 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the
상기 발광 구조물(123)은 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 배치된 활성층을 포함할 수 있다. 발명의 실시 예에 의하면, 상기 발광 구조물(123)은 화합물 반도체로 제공될 수 있다. 상기 발광 구조물(123)은 예로서 2족-6족 또는 3족-5족 화합물 반도체로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 발광 구조물(123)은 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In), 인(P), 비소(As), 질소(N)로부터 선택된 적어도 두 개 이상의 원소를 포함하여 제공될 수 있다.The
상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 예컨대 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층은 Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑된 n형 반도체층일 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층은 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑된 p형 반도체층일 수 있다. The first and second conductivity-type semiconductor layers may be implemented as at least one of a compound semiconductor of Groups 3-5 or 2-6. The first and second conductivity-type semiconductor layers are formed of a semiconductor material having, for example, a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ x + y ≦ 1). Can be. For example, the first and second conductivity-type semiconductor layers may include at least one selected from the group consisting of GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, and the like. . The first conductive semiconductor layer may be an n-type semiconductor layer doped with n-type dopants such as Si, Ge, Sn, Se, Te, or the like. The second conductive semiconductor layer may be a p-type semiconductor layer doped with p-type dopants such as Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba.
상기 활성층은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 활성층은 예로서 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 상기 활성층이 다중 우물 구조로 구현된 경우, 상기 활성층은 교대로 배치된 복수의 우물층과 복수의 장벽층을 포함할 수 있고, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 배치될 수 있다. 예컨대, 상기 활성층은 InGaN/GaN, GaN/AlGaN, AlGaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, AlGaAs/GaAs, InGaAs/GaAs, InGaP/GaP, AlInGaP/InGaP, InP/GaAs을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.The active layer may be implemented with a compound semiconductor. The active layer may be implemented as at least one of a compound semiconductor of Group 3-Group 5 or Group 2-6, for example. When the active layer is implemented as a multi-well structure, the active layer may include a plurality of well layers and a plurality of barrier layers that are alternately arranged, and In x Al y Ga 1 -x- y N (0 ≦ x ≦ 1 , 0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ x + y ≦ 1). For example, the active layer is selected from the group comprising InGaN / GaN, GaN / AlGaN, AlGaN / AlGaN, InGaN / AlGaN, InGaN / InGaN, AlGaAs / GaAs, InGaAs / GaAs, InGaP / GaP, AlInGaP / InGaP, InP / GaAs. It may include at least one.
상기 활성층은 상기 발광 구조물(123)의 상면보다 상기 제1 및 제2프레임(111,113)에 더 인접하게 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)는 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다.The active layer may be disposed closer to the first and
상기 기판(124)는 투광 층으로서, 절연성 재질 또는 반도체 재질로 형성될 수 있다. 상기 기판(124)는 예컨대, 사파이어 기판(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge을 포함하는 그룹 중에서 선택될 수 있다. 예로서, 상기 기판(124)은 표면에 요철 패턴이 형성될 수 있다.The
상기 발광소자(120)는 상기 패키지 몸체(110) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(113) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 몸체(115) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 패키지 몸체(110)에 의해 제공되는 상기 캐비티(102) 내에 배치될 수 있다. 상기 캐비티(102)는 패키지 몸체(110)의 상부 몸체(110A)에 의해 형성될 수 있다. 상기 상부 몸체(110A)는 상기 발광소자(120)의 둘레에 배치될 수 있다. The
상기 제1 본딩부(121)와 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)는 상기 제1 프레임(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 프레임(113) 위에 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)는 상기 제1프레임(111)과 대향되며, 상기 제2본딩부(122)는 상기 제2프레임(113)과 대향될 수 있다. The
발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 상기 제1프레임(111)을 통해 상기 발광소자(120)의 제1 본딩부(121)에 전원이 연결되고, 상기 제2 프레임(113)를 통해 상기 발광소자(120)의 제2 본딩부(122)에 전원이 연결될 수 있다. 상기 제1,2본딩부(121,352)는 전극 또는 패드일 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제2 본딩부(122)을 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다. In the light emitting
상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 제1 프레임(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 제2 프레임(113) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)과 상기 제2 본딩부(122)는 금속 재질일 수 있다. 상기 제1,2본딩부(121,122)는 Ti, Al, In, Ir, Ta, Pd, Co, Cr, Mg, Zn, Ni, Si, Ge, Ag, Ag alloy, Au, Hf, Pt, Ru, Rh, ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, Ni/IrOx/Au/ITO를 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나 이상의 물질 또는 합금을 이용하여 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.The
상기 발광소자(120)는 내부에 하나 또는 복수의 발광 셀을 포함할 수 있다. 상기 발광 셀은 n-p 접합, p-n 접합, n-p-n 접합, p-n-p 접합 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 복수의 발광 셀은 하나의 발광소자 내에서 서로 직렬로 연결될 수 있다. 이에 따라 상기 발광소자는 하나 또는 복수의 발광 셀을 가질 수 있으며, 하나의 발광소자에 n개의 발광 셀이 배치된 경우 n배의 구동 전압으로 구동될 수 있다. 예컨대, 하나의 발광 셀의 구동 전압이 3V이고, 2개의 발광 셀이 하나의 발광소자에 배치된 경우, 각 발광소자는 6V의 구동 전압으로 구동될 수 있다. 또는 하나의 발광 셀의 구동 전압이 3V이고, 3개의 발광 셀이 하나의 발광소자에 배치된 경우, 각 발광소자는 9V의 구동 전압으로 구동될 수 있다. 상기 발광소자에 배치된 발광 셀의 개수는 1개 또는 2개 내지 5개일 수 있다. The
발명의 발광소자 패키지(100)는 도 2 내지 4와 같이, 상기 몸체(115)와 상기 발광소자(120) 사이에 접착성 재질의 제1수지(160)를 포함할 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 몸체(115)와 상기 발광소자(120) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 몸체(115)의 상면과 상기 발광소자(120)의 하면 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120)와 수평 방향 또는 Z축 방향으로 중첩될 수 있다. 예로서, 상기 제1수지(160)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한 예로서, 상기 제1수지(160)가 반사 기능을 포함하는 경우 상기 접착제는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다. 상기 제1수지(160)는 내부에 TiO2, SiO2, 또는 Al2O3와 같은 필러를 포함할 수 있다.2 to 4, the light emitting
상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(115)에 접착될 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120)의 제1본딩부(121)과 제2본딩부(122) 사이에 배치되거나 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)에 접촉될 수 있다. 이러한 상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120)의 하면과 프레임(111,113) 사이의 영역과, 상기 발광소자(120)과 상기 몸체(115) 사이의 영역에 접착될 수 있다. 이에 따라 제1수지(160)는 상기 발광소자(120)의 하부 접착력 및 지지력을 강화시켜 줄 수 있다. 상기 발광소자(120)의 본딩부(121,122)를 본딩하는 공정이나 회로 기판 상에 본딩될 때 상기 발광소자(120)가 틸트되는 문제를 방지할 수 있다. 상기 제1수지(160)는 반사성 수지 재질로 형성되어 광을 확산시키고 반사 효율을 개선시켜 줄 수 있다. The
발명에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 2 내지 도 4와 같이, 제1스페이서(55)와 제2스페이서(57)를 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2스페이서(55,57)는 상기 발광소자(120)의 하면의 코너영역을 제1 및 제2프레임(111,113)의 상면으로부터 이격시켜 줄 수 있다. The light emitting
상기 캐비티(102)의 바닥에는 상기 캐비티(102)의 제1내측면(S11)으로부터 제2내측면(S12) 방향으로 연장된 제1연장부(135)와, 제2내측면(S12)으로부터 제1내측면(S11) 방향으로 연장된 제2연장부(137)를 포함할 수 있다. 상기 제1연장부(135)는 상기 제1프레임(111) 상에 배치되며, 상기 캐비티(102)의 제1내측면(S11)으로부터 연장될 수 있다. At the bottom of the
상기 제2연장부(137)는 상기 제2프레임(113) 상에 배치되며, 상기 캐비티(102)의 제2내측면(S12)으로 연장될 수 있다. 상기 제1연장부(135)는 상기 캐비티(102)의 바닥에 노출된 제1프레임(111)과 상기 제1내측면(S11) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2연장부(137)는 상기 캐비티(102)의 바닥에 노출된 제2프레임(113)과 상기 제2내측면(S12) 사이에 배치될 수 있다. The
상기 제1연장부(135)는 상기 캐비티(102)의 제1내측면(S11)으로부터 상기 발광소자(120)의 제1본딩부(121) 방향으로 연장될 수 있다. 상기 제2연장부(137)는 상기 캐비티(102)의 제2내측면(S12)으로부터 상기 발광소자(120)의 제2본딩부(122) 방향으로 연장될 수 있다. The
상기 제1연장부(135)는 상기 발광소자(120)와 수평 방향 또는 제3 방향(Z축)으로 중첩된 제1스페이서(55)를 포함할 수 있다. 상기 제2연장부(137)는 상기 발광소자(120)와 수평 방향 또는 제3방향으로 중첩된 제2스페이서(57)를 포함할 수 있다. The
상기 제1 및 제2스페이서(55,57)는 상기 발광소자(120)의 하면과, 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)의 하면을 상기 제1 및 제2프레임(111,113)으로부터 이격시켜 줄 수 있다. 상기 제1스페이서(55)는 상기 제1연장부(135) 중에서 발광소자(120)과 중첩된 부분이며, 상기 제2스페이서(57)는 상기 제2연장부(137) 중에서 발광소자(120)과 중첩된 부분일 수 있다. 상기 제1 및 제2스페이서(55,57)는 상기 발광소자(120)과 대면할 수 있다. 상기 제3방향은 도 1과 같은 패키지가 배치될 때, 수평 방향이며, 도 3과 같이 패키지가 배치될 때, 수직 방향일 수 있다. 설명의 편의를 위해, 도 1과 같이 패키지가 탑재되는 형태를 기준으로, 제3방향은 수평 방향으로 설명하기로 한다. The first and
도 3 및 도 4와 같이, 상기 제1 및 제2연장부(135,137)는 상기 제1프레임(111,113)의 상면으로부터 소정 두께(T2)로 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2연장부(135,137)는 상기 제1 및 제2스페이서(55,57)의 두께(T2)와 동일한 두께로 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2연장부(135,137)의 두께(T2)는 60 마이크로 미터 이하 예컨대, 40 내지 60 마이크로 미터의 범위일 수 있다. 상기 제1 및 제2연장부(135,137)의 두께(T2)가 상기 범위로 배치된 경우, 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)와 상기 제1 및 제2프레임(111,113) 사이에 배치된 도전부(181,183)가 균일한 두께를 제공될 수 있다. 따라서, 제1 및 제2프레임(111,113) 상에 배치된 도전부(181,183)에 의한 오픈 불량을 방지하여 본딩부(121,122)와의 전기적인 신뢰성이 개선될 수 있다. 3 and 4, the first and
여기서, 상기 제1스페이서(55)는 상기 발광소자(120)의 측면 중에서 제1내측면(S11)에 인접한 측면 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1스페이서(55)는 상기 발광소자(120)의 측면 중에서 제1내측면(S11)에 인접한 측면의 양 코너와 중첩되게 배치될 수 있다. 상기 제1스페이서(55)는 상기 제1본딩부(121)의 외측 코너와 대응되는 영역에 배치될 수 있다. 상기 제1스페이서(55)는 상기 발광소자(120)의 하면 또는 제1본딩부(121)를 제1프레임(111)의 상면으로부터 이격시켜 주게 된다. 여기서, 상기 제1스페이서(55)와 상기 발광소자(120)의 중첩 방향은 도 1을 기준으로 수평 방향이며, 도 3 및 도 4을 기준으로 수직 방향일 수 있다. The
여기서, 상기 제2스페이서(57)는 상기 발광소자(120)의 측면 중에서 제2내측면(S12)에 인접한 측면 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2스페이서(57)는 상기 발광소자(120)의 측면 중에서 제2내측면(S12)에 인접한 측면의 양 코너와 중첩되게 배치될 수 있다. 상기 제2스페이서(57)는 상기 제2본딩부(122)의 외측 코너와 대응되게 배치될 수 있다. 상기 제2스페이서(57)는 상기 발광소자(120)의 하면 또는 제2본딩부(122)를 제2프레임(113)의 상면으로부터 이격시켜 주게 된다. 여기서, 상기 제2스페이서(57)와 상기 발광소자(120)의 중첩 방향은 도 1을 기준으로 수평 방향이며, 도 3 및 도 4을 기준으로 수직 방향일 수 있다. The
도 2와 같이, 상기 제1연장부(135)에서 제2 방향(Y축)으로 이격된 제1스페이서(55)들 간의 최소 간격은 상기 발광소자(120)의 변들 중에서 단변의 길이(y1)보다 짧을 수 있어, 발광소자(120)의 양 코너를 지지할 수 있다. 상기 제2연장부(137)에서 Y축 방향으로 이격된 제2스페이서(57)들 간의 최소 간격은 상기 발광소자(120)의 변들 중에서 단변의 길이(y1)보다 짧을 수 있어, 발광소자(120)의 양 코너를 지지할 수 있다.As shown in FIG. 2, the minimum distance between the
캐비티(102)의 바닥에서, 상기 몸체(115)의 상면, 상기 제1 및 제2프레임(111,113)의 상면은 동일한 수평 면으로 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2스페이서(55,57)는 상기 몸체(115)의 상면보다 더 높거나 Z축 방향으로 돌출될 수 있다. At the bottom of the
상기 제1 및 제2연장부(135,137)는 캐비티(102)의 다른 내측면들로부터 연장된 제3 및 제4연장부(138,139)를 통해 서로 연결될 수 있다. 상기 제3 및 제4연장부(138,139)는 발광소자(120)의 장변측과 대응되어 댐 역할을 수행할 수 있다. The first and
도 2를 참조하여 제1 및 제2연장부(135,137) 사이의 영역에 대해 설명하면, 상기 몸체(115)와 상기 제1연장부(135) 사이의 제1영역(50)은 상기 제1프레임(111)의 상면이 노출된 영역일 수 있다. 상기 제1영역(50)은 제1연장부(135)보다 낮은 영역이며, 상기 제1본딩부(121)가 배치될 수 있다. 상기 제1영역(50)은 상기 제1내측면(S11) 방향으로 오목한 제1오목부(Rc1)를 포함하며, 상기 제1오목부(Rc1)에는 제2수지(162)가 배치될 수 있다. 상기 제2수지(162)는 상기 제1오목부(Rc1)에 배치되어 상기 발광소자(120)의 하면에 접착될 수 있다. 상기 제1오목부(Rc1)의 단부는 상기 발광소자(120)의 측면보다 더 외측에 배치되거나, 발광소자(120)와 중첩되지 않는 영역일 수 있다. 상기 제2수지(162)는 상기 발광소자(120)의 하부 둘레에서 상기 제1영역(50)을 따라 연장될 수 있다.Referring to FIG. 2, the area between the first and
상기 제1연장부(135)의 일부 즉, 제1스페이서(55)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1프레임(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2연장부(137)의 일부 즉, 제2스페이서(57)는 상기 발광소자(120)와 상기 제2프레임(113) 사이에 배치될 수 있다.A part of the
여기서, 상기 몸체(115)와 상기 제2연장부(137) 사이의 제2영역(52)은 상기 제2프레임(113)의 상면이 노출된 영역일 수 있다. 상기 제2영역(52)은 제2연장부(137)보다 낮은 영역이며, 상기 제2본딩부(122)가 배치될 수 있다. 상기 제2영역(52)은 상기 제2내측면(S12) 방향으로 오목한 제2오목부(Rc2)를 포함하며, 상기 제2오목부(Rc2)에는 제2수지(162)가 배치될 수 있다. Here, the
상기 제2수지(162)는 상기 제2오목부(Rc2)에 배치되어 상기 발광소자(120)의 하면에 접착될 수 있다. 상기 제2오목부(Rc2)의 단부는 상기 발광소자(120)의 측면보다 더 외측에 배치되거나, 발광소자(120)와 중첩되지 않는 영역일 수 있다. 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)의 측면은 상기 제2수지(162)와 접촉될 수 있다. 상기 제2수지(162)는 상기 발광소자(120)의 하부 둘레에서 상기 제2영역(52)을 따라 연장될 수 있다. 상기 제2수지(162)는 제1 및 제2영역(50,52)을 통해 연장되어, 제1수지(160)과 연결될 수 있다. The
상기 제2수지(162)는 예로서, 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제2수지(162)는 상기 발광소자(120)에서 방출되는 광을 반사하는 연장부일 수 있고, 예로서 TiO2 등의 반사 물질을 포함하는 수지일 수 있고 또는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다. 상기 제2수지(162)는 몰딩부(190)와 다른 재질이거나, 상기 몰딩부(190)에 첨가될 수 있는 불순물(예: 형광체)의 종류와 다른 종류의 불순물(예: 금속 산화물)을 포함할 수 있다. 상기 제2수지(162)는 상기 제1수지(160)과 동일한 재질로 형성될 수 있으며, 동일하거나 서로 다른 불순물을 포함할 수 있다. The
상기 제1영역(50)은 X축 방향으로 구분하면, 몸체(115)에 인접하며 Y축 방향으로 동일한 폭을 갖는 본딩 영역(Ra)과, 상기 동일한 폭을 기준으로 점차 좁은 폭을 갖고 상기 제1내측면(S11) 방향으로 연장되는 지지 및 접착 영역(Rb)을 포함할 수 있다. 상기 지지 및 접착 영역(Rb)에는 상기 제1오목부(Rc1)가 배치되고, 상기 제1오목부(Rc1)의 양측에 제1스페이서(55)가 배치될 수 있다. 상기 제2영역(52)은 X축 방향으로 구분하면, 제1영역(50)과 동일할 수 있으며, 예컨대 동일한 폭을 갖는 본딩 영역과, 상기 동일한 폭을 기준으로 점차 좁은 폭을 갖고 상기 제2내측면(S12) 방향으로 연장되는 지지 및 접착 영역을 포함할 수 있다. 상기 지지 및 접착 영역에는 상기 제2오목부(Rc2)가 배치되고, 상기 제2오목부(Rc2)의 양측에 제2스페이서(57)가 배치될 수 있다.When the
상기 제1 및 제2영역(50,52)에서 동일한 폭은 상기 발광소자(120)의 단변의 길이(y2)와 동일하거나 더 클 수 있다. 이에 따라 상기 제1 및 제2영역(50,52)의 양측에는 상기 발광소자(120)의 하면을 따라 제2수지(162)가 접착될 수 있다. 제1방향으로 상기 제1 또는 제2영역(50,52) 각각의 최대 길이(b2)는 상기 몸체(115)와 제1 또는 제2연장부(135,137) 사이의 최대 간격이며, 상기 제1 또는 제2본딩부(121,122)의 길이(x2)보다 클 수 있다. 제1 방향으로 상기 제1 또는 제2영역(50,52) 각각의 최대 길이(b2)는 상기 발광소자(120)의 중심에서 어느 한 단변까지의 거리보다 클 수 있다. 이에 따라 제1,2영역(50,52)에 각각에 제1,2본딩부(121,122)를 각각 배치할 수 있고, 제1 및 제2수지(160,162)로 발광소자(120)를 접착시키고, 제1,2스페이서(55,57)로 발광소자(120)를 이격시켜 줄 수 있다.The same width in the first and
도 2와 같이, 제1 방향으로 상기 제1 또는 제2영역(50,52) 간의 최대 길이(b1)는 상기 발광소자(120)의 제1방향의 길이(x1)보다 클 수 있어, 상기 제1 및 제2오목부(Rc1,Rc2)의 일부가 발광소자(120)로부터 노출될 수 있다. 상기 제1 및 제2영역(50,52)은 제1 및 제2내측면(S11,S12)으로 갈수록 점차 좁은 간격으로 배치되고 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)의 Y 방향의 폭보다 좁게 배치되므로, 제1,2본딩부(121,122)가 틸트되는 것을 억제할 수 있다. As shown in FIG. 2, the maximum length b1 between the first or
여기서, 상기 제1 및 제2프레임(111,113) 사이에 노출된 상기 몸체(115)는 Y축 방향으로 상기 캐비티(102)의 바닥 너비(a1)보다 작을 수 있다. 이는 상기 몸체(115)의 Y축 방향에는 캐비티(102)의 내측면이 연장된 제3,4연장부(138,139)가 배치될 수 있어, 제1,2수지(160,162)나 도전부(181,182)가 넘치는 것을 방지하기 위해 댐 역할을 수행할 수 있다. 상기 제1 및 제2연장부(135,137) 및 제3 및 제4연장부(138,139)는 상기 제2수지(162)나 도전부(181,182)가 넘치는 것을 방지하기 위한 댐 역할을 수행할 수 있다. Here, the
상기 각 프레임(111,113)과 상기 각 본딩부(121,122) 사이에는 도전부(181,182)가 배치될 수 있다. 상기 도전부(181,182)는 Ag, Au, Pt, Sn, Cu, Zn, In, Bi, 접촉, Ti 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 상기 도전부(181,183)은 도전성 페이스트로서, 파우더 입자 또는 파티클 입자와 플럭스의 혼합으로 형성될 수 있다. 상기 솔더 페이스트는 Sn-Ag-Cu를 포함할 수 있으며, 각 금속의 중량%는 달라질 수 있다. 상기 도전부(181,183)은 SAC(Sn-Ag-Cu) 또는 SAC계열의 물질을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 도전부(181,183)은 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다. The
상기 각 프레임(111,113)과 상기 각 본딩부(121,122)는 금속간 화합물층에 의해 결합될 수 있다. 상기 금속간 화합물은 CuxSny, AgxSny, AuxSny 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 상기 x는 0<x<1, y=1-x, x>y의 조건을 만족할 수 있다.Each of the
상기 제1프레임(111)은 제1본딩부(121)과 제1도전부(181)에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2프레임(113)은 제2본딩부(122)과 제2도전부(183)에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1프레임(111)과 제1본딩부(121)는 제1도전부(181)와 접촉될 수 있다. 상기 제2프레임(113)과 제2본딩부(122)은 제2도전부(183)와 접촉될 수 있다.The
리플로우 공정에서, 상기 제1 및 제2도전부(181,183)이 리멜팅될 경우, 상기 제1도전부(181)의 외측 둘레에 배치된 수지 재질의 제1연장부(135)는 상기 제1도전부(181)의 유동을 억제시켜 줄 수 있다. 상기 제2도전부(183)의 외측 둘레에 배치된 수지 재질의 제2연장부(137)는 상기 제2도전부(183)의 유동을 억제시켜 줄 수 있다. 또한 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)와, 상기 발광소자(120)의 하면은 제1 및 제2수지에 접착되므로, 리플로우 공정을 수행하더라도, 상기 발광소자(120)가 틸트되거나 유동되는 것을 억제할 수 있다.In the reflow process, when the first and second
상기 발광소자(120)의 본딩부(121,122)는 상기 도전부(181,183)을 구성하는 물질과 상기 도전부(181,183)을 형성되는 과정 또는 상기 도전부(181,183)이 제공된 후 열처리 과정에서, 상기 도전부(181,183)과 상기 프레임(111,113) 사이에 금속간 화합물(IMC; intermetallic compound)층이 형성될 수 있다.The
여기서, 상기 도전부(181,183)을 이루는 물질과 상기 프레임(111,113)의 금속 간의 결합에 의해 합금층이 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 도전부(181,183)과 상기 프레임(111,113)이 물리적으로 또한 전기적으로 안정하게 결합될 수 있게 된다. 상기 도전부(181,183), 합금층 및 상기 프레임이 물리적으로 또한 전기적으로 안정하게 결합될 수 있게 된다. 상기 합금층이 AgSn, CuSn, AuSn 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 금속간 화합물층을 포함할 수 있다. 상기 금속간 화합물층은 제1 물질과 제2 물질의 결합으로 형성될 수 있으며, 제1 물질은 도전부(181,183)으로부터 제공될 수 있고, 제2 물질은 상기 본딩부(121,122) 또는 상기 프레임(111,113)로부터 제공될 수 있다. Here, an alloy layer may be formed by bonding between the materials constituting the
상기 도전부(181,183)이 Sn 물질을 포함하고 상기 금속층이 Ag 물질을 포함하는 경우, 상기 도전부(181,183)이 제공되는 과정 또는 제공된 후의 열처리 과정에서 Sn 물질과 Ag 물질의 결합에 의하여 AgSn의 금속간 화합물층이 형성될 수 있다.When the
또는, 상기 도전부(181,183)이 Sn 물질을 포함하고 상기 금속층이 Au 물질을 포함하는 경우, 상기 도전부(181,183)이 제공되는 과정 또는 제공된 후의 열처리 과정에서 Sn 물질과 Au 물질의 결합에 의하여 AuSn의 금속간 화합물층이 형성될 수 있다. Alternatively, when the
또는, 상기 도전부(321, 323)이 Sn 물질을 포함하고 상기 프레임(111,113)의 금속층이 Cu 물질을 포함하는 경우, 상기 도전부(181,183)이 제공되는 과정 또는 제공된 후의 열처리 과정에서 Sn 물질과 Cu 물질의 결합에 의하여 CuSn의 금속간 화합물층이 형성될 수 있다.Alternatively, when the conductive parts 321 and 323 include a Sn material, and the metal layers of the
또는 상기 도전부(181,183)이 Ag 물질을 포함하고 상기 금속층 또는 상기 프레임(111,113)의 일부 층이 Sn 물질을 포함하는 경우, 상기 도전부(181,183)이 제공되는 과정 또는 제공된 후의 열처리 과정에서 Ag 물질과 Sn 물질의 결합에 의하여 AgSn의 금속간 화합물층이 형성될 수 있다.Alternatively, when the
이상에서 설명된 금속간 화합물층은 다른 본딩 물질에 비해 더 높은 용융점을 가질 수 있다. 또한, 상기 금속한 화합물층이 형성되는 열처리 공정은 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 낮은 온도에서 수행될 수 있다. 따라서, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.The intermetallic compound layer described above may have a higher melting point than other bonding materials. In addition, the heat treatment process in which the metal compound layer is formed may be performed at a lower temperature than the melting point of the general bonding material. Therefore, the light emitting
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 패키지 몸체가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 패키지 몸체가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 몸체(115)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 몸체(115)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.Further, according to the light emitting
상기 제2수지(162)는 상기 발광소자(120)의 하부 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제2수지(162)는 프레임(111,113)과 몸체(115) 상에 배치될 수 있다. 상기 제2수지(162)는 상기 발광소자(120)의 하면과 접촉될 수 있다. 상기 제2수지(162)의 일부는 상기 발광소자(120)의 측면 하부에 접촉될 수 있다. 상기 제2수지(162)는 상기 발광소자(120)로부터 측 방향으로 방출된 광을 반사시켜 줄 수 있다. 상기 제2수지(162)의 두께는 발광소자(120)와 프레임(111,113) 사이의 간격과 같거나 작을 수 있으며, 그 상면 높이는 상기 발광소자(120)의 발광 구조물(123)의 상면보다 낮게 배치될 수 있다. The
발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 몰딩부(190)를 포함할 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 상기 패키지 몸체(110)에 의하여 제공된 캐비티(102)에 배치될 수 있다. The light emitting
상기 몰딩부(190)는 투명한 재질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부(190)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 몰딩부(190)는 형광체, 양자점 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 할 수 있다. 상기 발광소자(120)는 청색, 녹색, 적색, 백색, 적외선 또는 자외선의 광을 발광할 수 있다. 상기 형광체 또는 양자점은 청색, 녹색, 적색의 광을 발광할 수 있다. 상기 몰딩부(190)는 형성하지 않을 수 있다. The
상기 발광소자 패키지(100)에서 캐비티(102)에서 플립 칩 본딩으로 배치된 발광 소자(120)는 프레임(111,113) 상에 배치되고 및 수지로 고정되며, 하부의 리드부(17,37)는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다. 그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 (re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있게 된다.In the light emitting
발명의 실시 예에 따른 발광소자(120)의 제1 본딩부(121)와 제2 본딩부(122)는 프레임(111,113)과 및 도전부(181,183) 중 적어도 하나 또는 모두를 통하여 구동 전원을 제공받을 수 있다. 그리고, 상기 도전부(181,183)의 용융점이 다른 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. 따라서, 발명의 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지(100)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다. 또한, 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 패키지 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 발명의 실시 예에 의하면, 패키지 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. The
이에 따라, 몸체(115)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 발명의 실시 예에 의하면, 상기 몸체(115)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다. 예를 들어, 상기 몸체(115)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.Accordingly, the range of selection for the material constituting the
도 5 및 도 6을 참조하면, 발광소자 패키지는 제1리세스(R1)를 포함할 수 있다. 상기 제1리세스(R1)는 상기 제1 및 제2프레임(111,113) 사이에 배치된 몸체(115) 또는 몸체(115)의 상부에 제공될 수 있다. 상기 제1리세스(R1)는 상기 제1프레임(111)과 제2프레임(113) 사이의 몸체(115) 상에서 상기 발광소자(120)와 수평 방향으로 중첩될 수 있다. 5 and 6, the light emitting device package may include a first recess R1. The first recess R1 may be provided on the
상기 몸체(115)의 제1리세스(R1)는 상기 제1 프레임(111)과 제2프레임(113) 사이의 센터 영역에 배치될 수 있다. 상기 제1리세스(R1)는 상기 몸체(115)의 상면에서 하면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제1리세스(R1)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1리세스(R1)의 적어도 일부 또는 전부는 상기 발광소자(120)와 Z 방향으로 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제1리세스(R1)는 Y 방향의 길이가 X 방향의 폭보다 클 수 있다. 상기 제1리세스(R1)의 Y 방향 길이는 상기 캐비티(102)의 바닥 폭보다 작을 수 있다. 상기 제1리세스(R1)의 Y 방향 길이는 상기 발광소자(120)의 Y 방향 길이보다 작을 수 있다. 상기 제1리세스(R1)가 상기 몸체(115) 상에 배치되므로, 상기 제1수지(160)는 상기 제1리세스(R1) 내에 배치될 수 있다. 상기 제1리세스(R1) 내에 배치된 제1수지(160)는 지지 돌기로 기능할 수 있다. 상기 몸체(115)의 제1리세스(R1)는 상기 제1프레임(111)과 제2프레임(113)으로부터 이격될 수 있다. The first recess R1 of the
상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120)와 상기 패키지 몸체(110) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(115) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 제1수지(160)는 예로서 상기 몸체(115)의 상면에 직접 접촉되고 상기 제1리세스(R1) 내에 배치되고, 상기 발광소자(120)의 하부 면에 접촉되어, 상기 발광소자(120)를 지지할 수 있다.The
상기 제1수지(160)는 상기 몸체(115)와 상기 발광소자(120) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있고, 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출되는 경우, 상기 발광소자(120)와 상기 몸체(115) 사이에서 광 확산 기능을 제공할 수 있다. 상기 발광소자(120)로부터 상기 발광소자(120)의 하면으로 광이 방출될 때 상기 제1수지(160)는 광 확산 기능을 제공함으로써 상기 발광소자 패키지(100)의 광 추출 효율을 개선할 수 있다. 또한, 상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120)에서 방출하는 광을 반사할 수 있다. The
발명의 실시 예에 의하면, 상기 제1리세스(R1)의 깊이는 상기 제1 및 제2 프레임(111,113)의 두께에 비해 작게 제공될 수 있다. 상기 제1리세스(R1)의 깊이는 제1수지(160)의 접착력을 고려하여 결정될 수 있다. 상기 제1리세스(R1)의 깊이는 예컨대, 10 마이크로 미터 이상 예컨대, 10 내지 50 마이크로 미터의 범위일 수 있다. 또한, 상기 제1리세스(R1)이 깊이는 상기 몸체(115)의 안정적인 강도를 고려하거나 및/또는 상기 발광소자(120)에서 방출되는 열에 의해 상기 발광소자 패키지(100)에 크랙(crack)이 발생하지 않도록 결정될 수 있다. According to an embodiment of the present disclosure, the depth of the first recess R1 may be provided smaller than the thickness of the first and
상기 제1리세스(R1)는 상기 발광소자(120) 하부에 일종의 언더필(under fill) 공정이 수행될 수 있는 적정 공간을 제공할 수 있다. 여기서, 상기 언더필(Under fill) 공정은 발광소자(120)를 패키지 몸체(110)에 실장한 후 상기 제1수지(160)를 상기 발광소자(120) 하부에 배치하는 공정일 수 있고, 상기 발광소자(120)를 패키지 몸체(110)에 실장하는 공정에서 상기 제1수지(160)를 통해 실장하기 위해 상기 제1수지(160)를 상기 제1리세스(R1)에 배치 후 상기 발광소자(120)를 배치하는 공정일 수 있다. 상기 제1수지(160)는 상기 발광소자(120)를 상기 몸체(115)에 부착시켜 주어, 리플로우 공정에서 발광소자(120)의 본딩된 부분이 리멜팅되더라도, 상기 몸체(115)에 상기 발광소자(120)를 고정시켜 줄 수 있다.The first recess R1 may provide an appropriate space in which a kind of under fill process may be performed under the
상기 제1리세스(R1)의 제3방향(Y)의 길이는 상기 발광소자(120)의 Y 방향의 길이보다 작게 배치되어, 상기 발광소자(120)의 하부에서 제1수지(160)의 지지 돌기로서 기능하거나, 발광소자(120)과의 접착력을 강화시켜 줄 수 있다. The length of the third direction Y of the first recess R1 is smaller than the length of the Y direction of the
상기 제1리세스(R1)는 탑뷰 형상이, 원형, 타원형 또는 다각형 형상일 수 있으며, 예컨대 삼각형, 사각형, 또는 오각형 형상일 수 있다. 다른 예로서, 제1리세스(R1)은 원 형상이거나 타원 형상일 수 있고 상기 제1수지(160)를 담을 수 있는 형상으로 제공될 수 있다. 상기 제1리세스(R1)은 측 단면 형상이 다각형 형상 또는 곡면 형상일 수 있으며, 예컨대 삼각형 형상이거나 사각형 형상 또는 반구형 형상일 수 있다. 상기 제1리세스(R1)의 구조는 몸체(115)에 영향을 줄이면서 지지력이 저하되지 않는 구조로 제공될 수 있다.The first recess R1 may have a top view shape, a circular shape, an oval shape, or a polygonal shape, for example, a triangular shape, a rectangular shape, or a pentagonal shape. As another example, the first recess R1 may be circular or elliptical and may be provided in a shape capable of holding the
상기 제1리세스(R1)는 제1방향(X)으로 상부 너비가 하부 너비보다 넓을 수 있다. 상기 제1리세스(R1)는 제1 및 제3방향(X,Y)으로 상부 너비가 하부 너비보다 넓을 수 있다. 상기 제1리세스(R1)는 제1방향으로 상부 너비가 하부 너비보다 넓은 형상으로 형성될 수 있다. 상기 제1리세스(R1)은 다각형 형상을 갖고 상부 너비가 하부 너비보다 넓게 배치되므로, 내부가 경사진 면으로 제공될 수 있다. 이에 따라 상기 제1리세스(R1)에 제1수지(160)의 가이드 및 지지를 할 수 있다. 다른 예로서, 상기 제1리세스(R1)는 상기 몸체(115) 상에서 제거될 수 있으며, 상기 몸체(115)의 상면과 상기 발광소자(120) 사이에 상기 제1수지(160)가 배치될 수 있다. The first recess R1 may have an upper width wider than a lower width in the first direction X. FIG. The first recess R1 may have an upper width greater than a lower width in the first and third directions X and Y. The first recess R1 may have a shape in which an upper width is wider than a lower width in a first direction. Since the first recess R1 has a polygonal shape and an upper width is wider than a lower width, the first recess R1 may be provided as an inclined surface. Accordingly, the
제2수지(162)는 상기 제1 및 제2연장부(135,137) 상에 더 연장될 수 있다. 상기 제2수지는 상기 발광소자(120)의 측면에 접촉될 수 있다. The
<제2실시 예>Second Embodiment
도 7은 발명의 제2실시 예에 따른 발광소자 패키지의 정면도이며, 도 8은 도 7의 발광소자 패키지에서 캐비티 내부를 나타낸 도면이고, 도 9는 도 7의 발광소자 패키지의 C-C측 단면도이다. 제2실시 예를 설명함에 있어서, 제1실시 예와 동일한 부분은 제1실시 예의 구성을 참조하여 선택적으로 적용하기로 한다.7 is a front view of a light emitting device package according to a second embodiment of the present invention, FIG. 8 is a view illustrating a cavity inside the light emitting device package of FIG. 7, and FIG. 9 is a cross-sectional view of the light emitting device package of FIG. In describing the second embodiment, the same parts as the first embodiment will be selectively applied with reference to the configuration of the first embodiment.
도 7 내지 도 9를 참조하면, 발광소자 패키지(100A)는 패키지 몸체(110) 및 발광소자(120)를 포함할 수 있다. 상기 패키지 몸체(110)는 제1프레임(111), 제2프레임(113) 및 몸체(115)를 포함할 수 있다.7 to 9, the light emitting
상기 제1프레임(111)은 발광소자(120)의 제1본딩부(121)에 대응되며, 제1도전부(181)를 통해 제1본딩부(121)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2프레임(113)은 발광소자(120)의 제2본딩부(122)와 대응되며, 제2도전부(182)를 통해 제2본딩부(122)와 전기적으로 연결될 수 있다.The
제1스페이서(55A)는 상기 제1프레임(111)과 캐비티(102)의 제1내측면(S11) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1스페이서(55A)는 캐비티(102) 바닥에 배치된 제1연장부(115A)로부터 돌출될 수 있다. 상기 제1스페이서(55A)는 캐비티(102)의 내측면들로부터 이격되며, 단차진 구조를 갖고 돌출될 수 있다. 상기 제1스페이서(55A)는 상기 캐비티(102)의 내측면들로부터 연장된 제1연장부(115A)가 배치되어, 상기 제1스페이서(55A)를 지지할 수 있다. 상기 제1연장부(115A)와 상기 제1스페이서(55A)는 서로 동일한 재질이거나, 상기 몸체(115)와 동일한 재질일 수 있다.The
제2스페이서(57A)는 상기 제2프레임(113)과 캐비티(102)의 제2내측면(S12) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2스페이서(57A)는 캐비티(102)의 바닥에 배치된 제2연장부(115B)로부터 돌출될 수 있다. 상기 제2스페이서(57A)는 캐비티(102)의 내측면들로부터 이격되며, 단차진 구조를 갖고 돌출될 수 있다. 상기 제2스페이서(57A)와 캐비티(102)의 내측면들 사이에는 제2연장부(115B)가 배치되어, 상기 제2스페이서(57A)를 지지할 수 있다. 상기 제1 및 제2스페이서(55A,57A)는 상기 몸체(115)와 동일한 재질로 형성될 수 있다. 상기 제2연장부(115B)와 상기 제2스페이서(57A)는 서로 동일한 재질이거나, 상기 몸체(115)와 동일한 재질일 수 있다.The
상기 제1연장부(115A)는 제1스페이서(55A)를 포함할 수 있다. 상기 제2연장부(115B)는 상기 제2스페이서(55B)를 포함할 수 있다. The
상기 제1스페이서(55A)는 상기 캐비티(102)의 바닥에 노출된 제1프레임(111)의 상면으로부터 제1내측면(S11) 방향으로 이격될 수 있다. 상기 제2스페이서(57A)는 상기 캐비티(102)의 바닥에 노출된 제2프레임(113)의 상면으로부터 제2내측면(S12) 방향으로 이격될 수 있다. 상기 캐비티(102)의 바닥에 노출된 상기 제1 및 제2프레임(111,113)은 상기 각 본딩부(121,122)와 대응되는 영역에 배치되고, 제1 및 제2스페이서(55A,57A) 간의 간격보다 좁은 영역을 차지하게 되므로, 프레임(111,113)에 의한 열 팽창 문제를 줄여줄 수 있다. The
상기 제1 및 제2연장부(115A,115B)의 일부는 상기 각 스페이서(55A,57A)와 상기 각 프레임(111,113) 사이에 배치될 수 있어, 도전부(181,183)이 스페이서(55A,57A) 방향으로 확산되는 것을 차단할 수 있다. 상기 제1 및 제2연장부(115A,115B)의 일부는 상기 발광소자(120)과 수평 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제1연장부(115A)의 일부는 상기 발광소자(120)과 상기 제1프레임(111)의 제1지지부(13) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2연장부(115B)의 일부는 상기 발광소자(120)과 상기 제2프레임(113)의 제2지지부(33) 사이에 배치될 수 있다.A portion of the first and
상기 제1 및 제2스페이서(55A,57A)는 상기 발광소자(120)를 제1 및 제2프레임(111,113)의 상면으로부터 이격시켜 줄 수 있다. 상기 제1 및 제2스페이서(55A,57A)는 상기 발광소자(120)의 제1 및 제2본딩부(121,122)를 제1 및 제2프레임(111,113)의 상면으로부터 이격시켜 줄 수 있다. 이에 따라 제1 및 제2도전부(181,183)는 균일한 두께로 제공될 수 있어, 발광소자(120)의 전기적인 신뢰성이 개선될 수 있다.The first and
상기 제1 및 제2스페이서(55A,57A)의 탑뷰 형상은 원 형상이거나, 타원 또는 다각형 형상일 수 있다. 상기 타원 형상의 스페이서(55A,57A)인 경우, 작은 면적으로 상기 발광소자(120)를 지지할 수 있다. 상기 제1 및 제2스페이서(55A,57A)는 상기 캐비티 바닥에 배치된 몸체(115) 재질로부터 돌출되므로, 강성 저하나 파손되는 문제를 방지할 수 있다. Top view shapes of the first and
상기 제1 및 제2스페이서(55A,57A)의 둘레에는 상기 제1 및 제2스페이서(55A,57A)보다 낮은 연장부(155A,155B)가 배치될 수 있다. 이러한 연장부(155A,155B)의 상면은 상기 제1 및 제2프레임(111,113)의 상면과 같은 평면 상에 배치될 수 있다. 상기 제1프레임(111) 및 제2프레임(113)은 캐비티 바닥에 배치될 수 있다.Extension portions 155A and 155B lower than the first and
도 8 및 도 9를 참조하면, 상기 제1프레임(111)은 캐비티(102)의 바닥에서 후면 방향으로 절곡된 제1지지부(13)를 포함할 수 있다. 상기 제1지지부(13)는 상기 제1스페이서(55A)와 수평 방향 또는 Z축 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제1지지부(13)는 상기 캐비티(102)의 바닥에 노출되지 않고, 캐비티(102)의 바닥과 몸체(115)의 후면 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1지지부(33)는 상기 몸체(115)의 후면보다 캐비티 바닥에 더 인접하게 배치될 수 있다. 상기 제1지지부(33)의 양단부(13A,13B)는 절곡된 부분으로서, 캐비티(102)의 바닥에 배치된 제1프레임(111)과 몸체 내부에 배치된 내부 프레임(15)에 연결되며, 상기 절곡된 양단부(13A,13B)는 상기 제1프레임(111)의 두께(T0)보다 얇은 두께로 제공될 수 있다. 상기 제1지지부(13)는 상기 캐비티(102)의 제1내측면(S11)과 상기 제1스페이서(55A)에 수평 방향 또는 Z축 방향으로 중첩되게 배치될 수 있다.8 and 9, the
상기 제2프레임(113)은 캐비티(102)의 바닥에서 후면 방향으로 절곡된 제2지지부(33)를 포함할 수 있다. 상기 제2지지부(33)는 상기 제2스페이서(57A)와 수평 방향 또는 Z축 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제2지지부(33)는 상기 캐비티(102)의 바닥에 노출되지 않고, 캐비티(102)의 바닥과 몸체(115)의 후면 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2지지부(33)는 상기 몸체(115)의 후면보다 캐비티 바닥에 더 인접하게 배치될 수 있다. 상기 제2지지부(33)의 양단부(33A,33B)는 절곡된 부분으로서, 캐비티 바닥에 배치된 제2프레임(113)과 몸체 내부에 배치된 내부 프레임(35)에 연결될 수 있다. 상기 절곡된 양단부(33A,33B)은 상기 제2프레임(115)의 두께(T0)보다 얇은 두께로 제공될 수 있다. 상기 제2지지부(35)는 상기 캐비티(102)의 제2내측면(S12)과 상기 제2스페이서(57A)에 수평 방향 또는 Z축 방향으로 중첩되게 배치될 수 있다.The
상기 제1 및 제2지지부(13,33)는 상기 캐비티(102)의 내측면과 수평 방향 또는 Z축 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제1 및 제2지지부(13,33)는 제1 방향의 길이(d3)가 상기 스페이서(55A,57A)의 너비(d2)보다는 클 수 있어, 상기 스페이서(55A,57A)를 캐비티(102)의 내측면(S11,S12)으로부터 안정적으로 연장시키고 돌출시켜 줄 수 있다. The first and
상기 제1 및 제2지지부(13,33)가 후방으로 연장되므로, 캐비티 바닥에 배치된 제1 및 제2프레임(111,113)의 면적이 줄어들 수 있다. 상기 제1 및 제2지지부(13,33)의 깊이(d4)는 상기 캐비티 바닥에 배치된 제1 및 제2프레임(111,113)의 상면으로부터 상기 프레임(111,113)의 두께(T0) 미만의 깊이로 절곡될 수 있다. 상기 제1 및 제2지지부(13,33)의 깊이(d4)가 프레임(111,113)의 두께 이상으로 깊을 경우, 절곡 부분의 강성이 저하될 수 있다.Since the first and
도 8과 같이, 캐비티(102)의 바닥에 배치된 제1 및 제2프레임(111,113)에서 각 본딩부(121,122)가 배치된 영역은, 제3 방향(Y축)으로 수용 영역(11A,11B,31A,31B)을 구비할 수 있다. 상기 수용 영역(11A,11B,31A,31B)을 갖는 제1 및 제2프레임(111,113)은 제3방향의 너비(C1, C1>C2)를 보다 넓게 제공할 수 있고, 도전부(181,182)가 수용 영역(11A,11B,31A,31B)으로 확산되는 경로를 제공할 수 있다. 이에 따라 도전부(181,182)가 캐비티 측면으로 타고 오르는 문제를 방지할 수 있다.As illustrated in FIG. 8, regions in which the
상기 제1프레임(111)과 상기 제1스페이서(55A) 사이의 영역, 및 상기 제2프레임(113)과 제2스페이서(57A) 사이의 영역은 상기 너비(C1) 보다 작은 너비(C2)로 제공되어, 상기 각 본딩부(111,113)가 상기 영역 외측에 배치된 연장부(115A,115B)에 의해 틸트되는 것을 방지할 수 있다. The area between the
상기 제1 및 제2스페이서(55A,57A) 간의 최소 거리(d1)는 상기 발광소자(120)의 장변 방향 또는 X 방향의 길이(x1)보다 작을 수 있고, 최대 거리는 상기 발광소자(120)의 장변 방향 또는 X 방향의 길이보다 클 수 있다. 이에 따라 제1 및 제2스페이서(55A,57A)의 일부 상에 발광소자(120)의 하면 외측이 놓일 수 있다. The minimum distance d1 between the first and
상기 제1 및 제2스페이서(55A,57A)의 너비(d2)는 150 마이크로 미터 이상 예컨대, 150 내지 250 마이크로 미터의 범위일 수 있다. 상기 제1 및 제2스페이서(55A,57A)의 너비(d2)가 상기 범위보다 작은 경우, 발광소자(120)를 지지력이 저하되거나 틸트될 수 있다.The width d2 of the first and
상기 캐비티 바닥에서 상기 제1 및 제2프레임(111,113)의 Y축 방향의 너비는 상기 캐비티(102)의 바닥 너비(a1) 보다 작게 배치될 수 있다. 이는 캐비티 바닥에 배치된 제1 및 제2프레임(111,113)의 면적이 줄어들기 때문에, 제1 및 제2프레임(111,113) 사이의 몸체(115)로 전달되는 열 팽창력이 줄어들 수 있다. 이에 따라 몸체(115)와 프레임(111,113)들 간의 열 팽창 계수의 차이에 따른 문제를 줄여줄 수 있다. A width in the Y-axis direction of the first and
도 9와 같이, 상기 몸체(115)와 발광소자(120) 사이에는 제1수지(160)가 배치되며, 상기 제1 및 제2스페이서(55A,57A)의 둘레 상에는 제2수지(162)가 배치될 수 있다. 상기 제2수지(162)는 상기 제1 및 제2스페이서(55A,57A)의 둘레에서 상기 연장부(115A,115B) 상에 배치되어, 발광소자(120)의 하면에 접착될 수 있다. 상기 제2수지(162)는 상기 발광소자(120)의 측면에 접착될 수 있다. As shown in FIG. 9, a
이 경우, 상기 제2수지(162)의 일부는 상기 제1 및 제2스페이서(55A,57A)의 상면보다 높게 배치되어, 상기 발광소자(120)와 상기 제1 및 제2스페이서(55A,57A) 사이를 접착시켜 줄 수 있다.In this case, a part of the
상기 제1 및 제2스페이서(55A,57A)의 높이(t3)는 60 마이크로 미터 이하 예컨대, 40 내지 60 마이크로 미터의 범위일 수 있다. 상기 제1 및 제2스페이서(55A,57A)의 높이(t3)가 상기 범위로 배치된 경우, 상기 제1 및 제2본딩부(121,122)와 상기 제1 및 제2프레임(111,113) 사이에 배치된 도전부(181,183)가 균일한 두께를 제공될 수 있다. 따라서, 제1 및 제2프레임(111,113) 상에 배치된 도전부(181,183)에 의한 오픈 불량을 방지하여 본딩부(121,122)와의 전기적인 신뢰성이 개선될 수 있다. 상기 제1 및 제2스페이서(55A,57A)의 높이(t3)가 상기 범위를 초과한 경우 도전부(181,183)의 양이 증가될 수 있고 전기적인 신뢰성의 개선이 미미할 수 있으며, 상기 범위 미만인 경우 균일한 두께의 도전부(181,183)를 제공할 수 없고 전기적인 오픈 불량 문제가 발생될 수 있다.The height t3 of the first and
상기 제1 및 제2수지(160,162)는 상기 도전부(181,183) 및 본딩부(121,122)를 감싸게 되므로, 상기 도전부(181,183)가 캐비티(102)의 내측면으로 확산되는 문제를 방지할 수 있다. 상기 제2수지(162)는 상기 제1수지(160)의 두께보다 두꺼울 수 있어, 제1,2스페이서(55A,57A)를 덮을 수 도 있다. 이 경우, 제1 및 제2스페이서(55A,57A)가 돌출되고 노출된 구조보다 제2수지(162)로 덮혀질 경우 반사율이 더 개선될 수 있다.Since the first and
도 10은 제2실시 예의 발광소자 패키지의 변형 예이다. 도 10은 제2실시 예의 프레임 구조와, 제1실시 예의 연장부 구조를 포함한 구성이다.10 is a modified example of the light emitting device package of the second embodiment. 10 is a configuration including the frame structure of the second embodiment and the extension structure of the first embodiment.
도 10을 참조하면, 발광소자(120)는 제1 및 제2프레임(111,113) 상에 배치되며, 상기 발광소자(120)가 배치된 캐비티(102) 내에는 연장부(135,137)가 배치된다. 상기 연장부(135,137)는 제1 및 제2스페이서(55,57)를 포함하며, 발광소자(120)의 양측면 코너에 각각 배치될 수 있다. Referring to FIG. 10, the
상기 연장부(135,137)의 제1프레임(111) 상에 제1영역(50)과, 제2프레임(113) 상에 제2영역(52)이 오픈된다. 상기 제1영역(50)에는 캐비티(102)의 제1내측면(S11) 방향에 제1오목부(Rc1)를 배치하여, 제2수지(도 2의 162)가 배치될 수 있다. 상기 제2영역(52)에는 캐비티(102)의 제2내측면(S12) 방향에 제2오목부(Rc2)를 배치하여, 제2수지(162)가 배치될 수 있다. 상기 제2수지(162)는 상기에 개시된 바와 같이, 발광소자(120)의 하면에 접착될 수 있다. The
상기 제1프레임(111)은 캐비티 바닥에 배치되며, 발광소자(120)의 제1본딩부(121)와 대면하며, 제1지지부(13)는 상기 제1프레임(111)으로부터 후면 방향으로 절곡되어 배치될 수 있다. 상기 제1지지부(13)는 상기 제1오목부(Rc1)와 수평 방향 또는 Z축 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제2프레임(113)은 캐비티 바닥에 배치되며, 발광소자(120)의 제2본딩부(122)와 대면하며, 제2지지부(33)는 상기 제2프레임(113)으로부터 후면 방향으로 절곡되어 배치될 수 있다. 상기 제2지지부(33)는 상기 제2오목부(Rc2)와 수평 방향 또는 Z축 방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제1 및 제2지지부(13,33)가 상기 캐비티 바닥에서 후면 방향으로 절곡되어 배치되므로, 상기 연장부(135,137)의 강성 저하를 방지할 수 있다. The
발명의 실시 예는 발광소자(120)가 제1 및 제2본딩부(121,122)를 갖고, 제1 및 제2프레임(111,113) 상에 플립 칩 본딩될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 패키지 몸체(110)의 전면으로 광을 방출하며 바닥부에 회로 기판에 본딩되는 사이드 뷰 타입의 패키지로 제공될 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the
이 경우, 상기 제1 및 제2프레임(111,113)은 Y축 방향 너비가 상기 캐비티의 바닥 너비보다 클 수 있어, 반사 몸체 내부와 결합될 수 있다.In this case, the first and
도 10은 도 3의 발광소자 패키지를 갖는 광원 장치 또는 광원 모듈의 예이다. 일 예로서, 도 10은 실시 예의 발광소자 패키지를 갖는 광원 장치로 구현될 수 있으며, 상기에 개시된 설명 및 도면을 참조하여 후술하기로 한다. 상기의 발광소자 패키지는 상기에 개시된 실시 예(들)을 선택적으로 적용할 수 있다.FIG. 10 is an example of a light source device or a light source module having the light emitting device package of FIG. 3. As an example, FIG. 10 may be implemented as a light source device having a light emitting device package according to an embodiment, which will be described below with reference to the description and drawings disclosed above. The light emitting device package may selectively apply the embodiment (s) disclosed above.
도 3 및 도 10를 참조하면, 실시 예에 따른 광원 모듈은 회로기판(201) 상에 하나 또는 복수의 발광소자 패키지(100)가 배치될 수 있다.3 and 10, in the light source module according to the embodiment, one or a plurality of light emitting device packages 100 may be disposed on the
상기 회로 기판(201)은 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 상기 회로 기판(201)은 수지 재질의 PCB, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB), 비연성 PCB, 리지드 PCB(rigid PCB) 중 적어도 하나를 포함할 수도 있다.The
상기 회로기판(201)은 패드(211,213)을 갖는 기판 부재를 포함할 수 있다. 상기 회로 기판(201)에 상기 발광소자(120)의 구동을 제어하는 전원 공급 회로가 제공될 수 있다. 발광소자 패키지(100)의 각 프레임(111,113)은 회로 기판(201)의 각 패드(211,213)들과 본딩층(221,223)로 연결될 수 있다. 이에 따라 발광소자 패키지(100)의 발광소자(120)는 회로 기판(201)의 각 패드(211,213)들로부터 전원을 공급받을 수 있다. 상기 회로 기판(201)의 각 패드(211,213)는 예컨대, Ti, Cu, Ni, Au, Cr, Ta, Pt, Sn, Ag, P, Fe, Sn, Zn, Al를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. The
상기 회로 기판(201)의 각 패드(211,213)는 상기 프레임(111,113)의 관통홀(TH1,TH2)와 중첩되게 배치될 수 있다. 상기 각 패드(211,213)와 상기 프레임(111,113) 사이는 본딩층(221,223)이 제공될 수도 있다. 상기 본딩층(221,223)은 상기 프레임(111,113) 및/또는 관통홀(TH1,TH2)의 도전부(321, 323 도 3 참조)에 연결될 수 있다.Each of the
실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 발광소자(120)의 본딩부(121,122)는 프레임(111,113)에 배치된 도전부(181,183)를 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 도전부(181,183)의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 패키지 몸체(110) 및 몸체(115)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 패키지 몸체(110) 및 몸체(115)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. According to the light emitting device package according to the embodiment, the
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 서브 마운트 또는 회로기판(201) 등에 실장되어 공급될 수도 있다. 그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있고 이에 따라 상기 발광소자의 위치가 변할 수 있어, 상기 발광소자 패키지의 광학적, 전기적 특성 및 신뢰성이 저하될 수 있다. 따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지(100)는 발광소자(120)를 제1수지(160)로 부착시켜 주어, 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.The light emitting
도 11은 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 발광소자의 예를 나타낸 단면도이다.11 is a cross-sectional view showing an example of a light emitting device applied to the light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
도 11을 참조하면, 발광소자는 제1 전극(627)과 제2 전극(628)의 상대적인 배치 관계 만을 개념적으로 도시하였다. 상기 제1 전극(627)은 제1 본딩부(621)와 제1 가지전극(625)을 포함할 수 있다. 상기 제2 전극(628)은 제2 본딩부(622)와 제2 가지전극(626)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 11, the light emitting device conceptually illustrates only a relative arrangement relationship between the
발광소자는 기판(624) 위에 배치된 발광 구조물(623)을 포함할 수 있다. 상기 기판(624)은 사파이어 기판(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge을 포함하는 그룹 중에서 선택될 수 있다. 예로서, 상기 기판(624)은 상부 면에 요철 패턴이 형성된 PSS(Patterned Sapphire Substrate)로 제공될 수 있다.The light emitting device may include a
상기 발광 구조물(623)은 제1 도전형 반도체층(623a), 활성층(623b), 제2 도전형 반도체층(623c)을 포함할 수 있다. 상기 활성층(623b)은 상기 제1 도전형 반도체층(623a)과 상기 제2 도전형 반도체층(623c) 사이에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 도전형 반도체층(623a) 위에 상기 활성층(623b)이 배치되고, 상기 활성층(623b) 위에 상기 제2 도전형 반도체층(623c)이 배치될 수 있다.The
실시 예에 의하면, 상기 제1 도전형 반도체층(623a)은 n형 반도체층으로 제공되고, 상기 제2 도전형 반도체층(623c)은 p형 반도체층으로 제공될 수 있다. 물론, 다른 실시 예에 의하면, 상기 제1 도전형 반도체층(623a)이 p형 반도체층으로 제공되고, 상기 제2 도전형 반도체층(623c)이 n형 반도체층으로 제공될 수도 있다. In example embodiments, the first conductivity-
발광소자는 제1 전극(627)과 제2 전극(628)을 포함할 수 있다. 상기 제1 전극(627)은 제1 본딩부(621)와 제1 가지전극(625)을 포함할 수 있다. 상기 제1 전극(627)은 상기 제2 도전형 반도체층(623c)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 가지전극(625)은 상기 제1 본딩부(621)로부터 분기되어 배치될 수 있다. 상기 제1 가지전극(625)은 상기 제1 본딩부(621)로부터 분기된 복수의 가지전극을 포함할 수 있다. 상기 제2 전극(628)은 제2 본딩부(622)와 제2 가지전극(626)을 포함할 수 있다. 상기 제2 전극(628)은 상기 제1 도전형 반도체층(623a)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 가지전극(626)은 상기 제2 본딩부(622)로부터 분기되어 배치될 수 있다. 상기 제2 가지전극(626)은 상기 제2 본딩부(622)로부터 분기된 복수의 가지전극을 포함할 수 있다.The light emitting device may include a
상기 제1 가지전극(625)와 상기 제2 가지전극(626)은 핑거(finger) 형상으로 서로 엇갈리게 배치될 수 있다. 상기 제1 가지전극(625)과 상기 제2 가지전극(626)에 의하여 상기 제1 본딩부(621)와 상기 제2 본딩부(622)를 통하여 공급되는 전원이 상기 발광 구조물(623) 전체로 확산되어 제공될 수 있게 된다. The
상기 제1 전극(627)과 상기 제2 전극(628)은 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극(627)과 상기 제2 전극(628)은 오믹 전극일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극(627)과 상기 제2 전극(628)은 ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나 또는 이들 중 2개 이상의 물질의 합금일 수 있다.The
한편, 상기 발광 구조물(623)에 보호층이 더 제공될 수도 있다. 상기 보호층은 상기 발광 구조물(623)의 상면에 제공될 수 있다. 또한, 상기 보호층은 상기 발광 구조물(623)의 측면에 제공될 수도 있다. 상기 보호층은 상기 제1 본딩부(621)와 상기 제2 본딩부(622)가 노출되도록 제공될 수 있다. 또한, 상기 보호층은 상기 기판(624)의 둘레 및 하면에도 선택적으로 제공될 수 있다.Meanwhile, a protective layer may be further provided on the
예로서, 상기 보호층은 절연물질로 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 보호층은 SixOy, SiOxNy, SixNy, AlxOy 를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.For example, the protective layer may be provided as an insulating material. For example, the protective layer is Si x O y , SiO x N y , Si x N y , Al x O y It may be formed of at least one material selected from the group containing.
실시 예에 따른 발광소자는, 상기 활성층(623b)에서 생성된 빛이 발광소자의 6면 방향으로 발광될 수 있다. 상기 활성층(623b)에서 생성된 빛이 발광소자의 상면, 하면, 4개의 측면을 통하여 6면 방향으로 방출될 수 있다.In the light emitting device according to the embodiment, the light generated in the
상기 발광소자는 하나의 발광 셀을 갖는 구조로 설명되었다. 이는 발광 셀이 상기의 발광 구조물을 포함하는 경우, 발광소자의 구동 전압은 하나의 발광 셀에 걸리는 전압일 수 있다. 실시 예에 개시된 발광소자의 예로서, 2개 또는 3개 이상의 발광 셀을 갖는 발광소자를 포함할 수 있다. 이에 따라 고전압의 발광소자 패키지를 제공할 수 있다.The light emitting device has been described as having a light emitting cell. When the light emitting cell includes the light emitting structure, the driving voltage of the light emitting device may be a voltage applied to one light emitting cell. Examples of the light emitting device disclosed in the embodiment may include a light emitting device having two or three or more light emitting cells. Accordingly, a high voltage light emitting device package can be provided.
한편, 이상에서 설명된 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다. 그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있고 이에 따라 상기 발광소자의 위치가 변할 수 있어, 상기 발광소자 패키지의 광학적, 전기적 특성 및 신뢰성이 저하될 수 있다. 그러나, 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 발명의 실시 예에 따른 발광소자의 본딩부들은 도전부를 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있고 접착성 수지로 고정될 수 있다. 그리고, 도전부의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다. 따라서, 발명의 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.On the other hand, the light emitting
또한, 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 패키지 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 발명의 실시 예에 의하면, 패키지 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 몸체(115)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 발명의 실시 예에 의하면, 상기 몸체(115)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다. 예를 들어, 상기 몸체(115)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.In addition, according to the light emitting device package and the light emitting device package manufacturing method according to an embodiment of the present invention, the
한편, 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 하나 또는 복수개가 회로 기판에 배치되어 광원 장치에 적용될 수 있다. 또한, 광원 장치는 산업 분야에 따라 표시 장치, 조명 장치, 헤드 램프 등을 포함할 수 있다. On the other hand, one or more light emitting device packages according to an embodiment of the present invention may be disposed on a circuit board and applied to a light source device. In addition, the light source device may include a display device, a lighting device, a head lamp, or the like according to an industrial field.
광원 장치의 예로, 표시 장치는 바텀 커버와, 바텀 커버 위에 배치되는 반사판과, 광을 방출하며 발광소자를 포함하는 발광 모듈과, 반사판의 전방에 배치되며 발광 모듈에서 발산되는 빛을 전방으로 안내하는 도광판과, 도광판의 전방에 배치되는 프리즘 시트들을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널과, 디스플레이 패널과 연결되고 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로와, 디스플레이 패널의 전방에 배치되는 컬러 필터를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다. 또한, 표시 장치는 컬러 필터를 포함하지 않고, 적색(Red), 녹색(Gren), 청색(Blue) 광을 방출하는 발광소자가 각각 배치되는 구조를 이룰 수도 있다.As an example of the light source device, the display device includes a bottom cover, a reflector disposed on the bottom cover, a light emitting module emitting light and including a light emitting element, and a light disposed in front of the reflector and guiding light emitted from the light emitting module to the front. An optical sheet including a light guide plate, prism sheets disposed in front of the light guide plate, a display panel disposed in front of the optical sheet, an image signal output circuit connected to the display panel and supplying an image signal to the display panel; It may include a color filter disposed in front. The bottom cover, the reflector, the light emitting module, the light guide plate, and the optical sheet may form a backlight unit. In addition, the display device does not include a color filter and may have a structure in which light emitting devices emitting red, green, and blue light are disposed.
광원 장치의 또 다른 예로, 헤드 램프는 기판 상에 배치되는 발광소자 패키지를 포함하는 발광 모듈, 발광 모듈로부터 조사되는 빛을 일정 방향, 예컨대, 전방으로 반사시키는 리플렉터(reflector), 리플렉터에 의하여 반사되는 빛을 전방으로 굴절시키는 렌즈, 및 리플렉터에 의하여 반사되어 렌즈로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 쉐이드(shade)를 포함할 수 있다.As another example of the light source device, the head lamp includes a light emitting module including a light emitting device package disposed on a substrate, a reflector reflecting light emitted from the light emitting module in a predetermined direction, for example, a front reflector. It may include a lens for refracting the light forward, and a shade for blocking or reflecting a portion of the light reflected by the reflector toward the lens to achieve a light distribution pattern desired by the designer.
광원 장치의 다른 예인 조명 장치는 커버, 광원 모듈, 방열체, 전원 제공부, 내부 케이스, 소켓을 포함할 수 있다. 또한, 발명의 실시 예에 따른 광원 장치는 부재와 홀더 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈은 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.Another example of a light source device may be a lighting device including a cover, a light source module, a heat sink, a power supply, an inner case, and a socket. In addition, the light source device according to the embodiment of the present invention may further include any one or more of a member and a holder. The light source module may include a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, etc. described in the above embodiments are included in at least one embodiment, but are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be interpreted that the contents related to such a combination and modification are included in the scope of the embodiments.
이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시 예를 한정하는 것이 아니며, 실시 예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 특허청구범위에서 설정하는 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the above description has been made with reference to the embodiments, these are only examples and are not intended to limit embodiments. It will be appreciated that eggplant modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified. And differences related to such modifications and applications will have to be construed as being included in the scope of the embodiments set out in the appended claims.
Claims (14)
상기 제1 프레임 및 상기 제2프레임 사이에 배치된 몸체;
상기 제1 프레임의 상면과 대면하는 제1 본딩부 및 상기 제2프레임의 상면과 대면하는 제2 본딩부를 포함하는 발광소자;
상기 제1프레임 상에 배치된 제1연장부;
상기 제2프레임 상에 배치된 제2연장부; 및
상기 발광소자와 상기 몸체 사이에 제1수지를 포함하며,
상기 제1연장부는 상기 발광소자와 수평 방향으로 중첩된 제1스페이서를 포함하며,
상기 제2연장부는 상기 발광소자와 수평 방향으로 중첩된 제2스페이서를 포함하며,
상기 제1프레임은 상기 제1스페이서와 상기 몸체 사이에 배치되며,
상기 제2프레임은 상기 제2스페이서와 상기 몸체 사이에 배치되는 발광소자 패키지.A first frame and a second frame spaced apart from each other;
A body disposed between the first frame and the second frame;
A light emitting device including a first bonding portion facing the top surface of the first frame and a second bonding portion facing the top surface of the second frame;
A first extension part disposed on the first frame;
A second extension part disposed on the second frame; And
A first resin between the light emitting device and the body,
The first extension part includes a first spacer overlapping the light emitting device in a horizontal direction.
The second extension part includes a second spacer overlapping the light emitting device in a horizontal direction.
The first frame is disposed between the first spacer and the body,
The second frame is a light emitting device package disposed between the second spacer and the body.
상기 제1 및 제2연장부는 상기 몸체와 동일한 수지 재질을 포함하는 발광소자 패키지.The method of claim 1, wherein the heights of the first and second spacers are the same as the thicknesses of the first and second extensions.
The first and second extension parts of the light emitting device package including the same resin material as the body.
상기 제1본딩부와 상기 제1프레임 사이에 제1도전부; 및
상기 제2본딩부와 상기 제2프레임 사이에 제2도전부를 포함하는 발광소자 패키지.The method of claim 2, wherein the first extension part is disposed around the first bonding part, and the second extension part is disposed around the second bonding part.
A first conductive part between the first bonding part and the first frame; And
The light emitting device package including a second conductive portion between the second bonding portion and the second frame.
상기 제2연장부는 상기 제2본딩부의 외측 방향으로 갈수록 점차 폭이 좁은 제2오목부를 포함하는 발광소자 패키지.The method of claim 3, wherein the first extension portion comprises a first recessed portion gradually narrower toward the outer side of the first bonding portion,
The second extension part includes a second recessed portion gradually narrower toward the outer direction of the second bonding portion.
상기 제1 및 제2오목부에 제2수지가 배치되는 발광소자 패키지.The method of claim 4, wherein a part of the first and second recesses is disposed outside the side of the light emitting device,
A light emitting device package, wherein the second resin is disposed in the first and second recesses.
상기 제1 및 제2연장부와 상기 제1 및 제2스페이서는 상기 몸체와 동일한 수지 재질을 포함하는 발광소자 패키지.The method of claim 1, wherein the heights of the first and second spacers protrude from the first and second extensions,
The light emitting device package of claim 1, wherein the first and second extension parts and the first and second spacers include the same resin material as the body.
상기 제1지지부는 상기 제1스페이서와 수평 방향으로 중첩되며,
상기 제2지지부는 상기 제2스페이서와 수평 방향으로 중첩되는 발광소자 패키지.The method of claim 7, further comprising a first support bent in the horizontal direction from the first frame in the rear direction of the body, and a second support bent in the rear direction of the body from the second frame,
The first support portion overlaps with the first spacer in a horizontal direction,
The second support portion is a light emitting device package overlapping with the second spacer in a horizontal direction.
상기 제2수지는 상기 발광소자의 하면 및 측면에 접착되는 발광소자 패키지.The method of claim 8, further comprising a second resin on the first and second extensions,
The second resin is a light emitting device package is bonded to the bottom and side of the light emitting device.
상기 제2본딩부와 상기 제2프레임 사이에 제2도전부를 포함하며,
상기 제1 및 제2프레임은 상기 제1 및 제2본딩부가 배치된 영역의 양측에 수용 영역을 구비하며,
상기 수용 영역에는 상기 제1 및 제2도전부가 배치되는 발광소자 패키지.The semiconductor device of claim 9, further comprising: a first conductive portion between the first bonding portion and the first frame; And
A second conductive part between the second bonding part and the second frame,
The first and second frames have accommodation areas on both sides of an area where the first and second bonding parts are disposed.
The light emitting device package in which the first and second conductive parts are disposed in the receiving area.
상기 제1연장부는 상기 캐비티의 제1내측면으로부터 연장되며,
상기 제2연장부는 상기 캐비티의 제2내측면으로부터 연장되며,
상기 제 1 및 제2내측면은 서로 대면하게 배치되는 발광소자 패키지.The apparatus of claim 1, wherein the body includes a front side and a rear side, a cavity in the front side, a recess in the rear side,
The first extension portion extends from the first inner side surface of the cavity,
The second extension portion extends from the second inner side surface of the cavity,
The first and second inner surface is a light emitting device package disposed facing each other.
상기 제1프레임 및 상기 제2프레임은 상기 복수의 측면 중 제1측면으로 노출된 제1 및 제2리드부를 포함하는 발광소자 패키지.The method of claim 11, wherein the body includes a plurality of side surfaces between the front and rear,
The first frame and the second frame includes a first and second lead portion exposed to the first side of the plurality of side surfaces.
상기 회로 기판에 하나 또는 복수의 발광소자 패키지가 배치되며,
상기 발광소자 패키지는, 청구항 1 내지 10 중 어느 하나의 발광소자 패키지인 광원 장치.A circuit board; And
One or a plurality of light emitting device packages are disposed on the circuit board,
The light emitting device package is a light source device of any one of claims 1 to 10.
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