KR20190112532A - 저전도성 액체 누설 감지 센서 - Google Patents

저전도성 액체 누설 감지 센서 Download PDF

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Abstract

본 발명은 일반 수지 또는 불소 수지를 포함하는 비도전성 물질로 이루어진 베이스층; 상기 베이스층 상에 직선 형태로 형성된 제1 센서 라인 및 상기 베이스층 상에 소정의 면적을 갖도록 구부러진 형태로 형성되고 누설된 액체와의 접촉에 의해 자체의 저항값이 변화하는 제2 센서 라인을 구비한 센서부; 및 상기 제1 센서 라인과 상기 제2 센서 라인이 누설된 액체에 의해 쇼트가 발생하지 않도록 상기 제1 센서 라인과 상기 제2 센서 라인을 전기화학적으로 분리시키는 분리 수단을 포함하는 저전도성 액체 누설 감지 센서에 관한 것이다.

Description

저전도성 액체 누설 감지 센서{Leak detector for less conductive liquid}
본 발명은 오일 또는 화학 약품 중 저전도성을 갖는 액체의 누설을 감지할 수 있는 저전도성 액체 누설 감지 센서에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 제조 공정에는 많은 화학 물질들이 이용된다. 예를 들면, 웨이퍼의 절단 및 연마 후 세정 공정에 사용되는 세정액, 웨이퍼의 감광 공정에 사용되는 감광액, 웨이퍼의 현상 공정에 사용되는 현상액, 웨이퍼 식각 공정에 사용되는 식각액 등이 반도체 제조 공정에 이용된다.
한편, 일반화학 또는 석유화학 및 철강제조를 위한 산업시설에도 다양한 종류의 제품 생산 및 가공에 필요한 황산, 불산, 질산, 가성소다 등의 다양한 종류의 산과 염기성 화학물질 저장시설이 옥외에 설치 및 운영된다.
이러한 화학 물질들은 이송관 또는 저장 탱크의 불량, 열화, 과압 또는 조작 실수 등 예측하기 어려운 상황에 의해 화학 물질이 외부로 누액되는 일이 발생할 수 있다. 누액된 화학 물질은 폭발, 화재로 이어져 사람은 물론 제조 현장의 다른 장치나 부품들에 악영향을 끼치므로, 약품의 누액을 감지하여 빠르게 조치를 취할 필요가 있다.
약품의 누액 감지는 일반적으로 플러스(+) 도체선과 마이너스(-) 도체선을 나란히 또는 교차 배치하고, 이 두 도체선들 사이에 전도성 용액이 접촉하여 쇼트가 발생함으로써 전체 저항값이 변화하는 것을 감지한다.
이러한 도체선들의 쇼트에 의한 저항값 변화를 이용한 누액 감지 센서가 대한민국 공개특허공보 제10-2007-0005234호 및 일본 공개실용신안공보 평01-171340호에 개시되어 있다.
그런데, 이러한 누액 감지 센서들은 도체선들과 누설 액체의 접촉에 의한 쇼트에 의해 전도성 액체의 누설 검출이 가능하지만, 오일 또는 화학 약품 중 전도성이 상대적으로 낮은 저전도성 액체의 누설 검출이 불가능하였다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 발명된 것으로서, 오일 또는 화학 약품 중 전도성이 상대적으로 낮은 저전도성 액체의 누설 여부를 감지할 수 있는 저전도성 액체 누설 감지 센서를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 제1 실시예에 따른 저전도성 액체 누설 감지 센서는, 일반 수지 또는 불소 수지를 포함하는 비도전성 물질로 이루어진 베이스층; 상기 베이스층 상에 직선 형태로 형성된 제1 센서 라인 및 상기 베이스층 상에 소정의 면적을 갖도록 구부러진 형태로 형성되고 누설된 액체와의 접촉에 의해 자체의 저항값이 변화하는 제2 센서 라인을 구비한 센서부; 및 상기 제1 센서 라인과 상기 제2 센서 라인이 누설된 액체에 의해 쇼트가 발생하지 않도록 상기 제1 센서 라인과 제2 센서 라인을 전기화학적으로 분리시키는 분리 수단을 포함한다. 바람직하게는, 상기 분리 수단은 상기 제1 센서 라인의 상부에 적층 또는 코팅되는 절연층일 수 있다. 더 바람직하게는, 상기 제1 센서 라인은 상기 제2 센서 라인과는 다른 층 또는 다른 면에 형성될 수 있다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 저전도성 액체 누설 감지 센서는, 일반 수지 또는 불소 수지를 포함하는 비도전성 물질로 이루어진 베이스층; 및 감지 대상 액체를 수용하는 구조물을 둘러싸도록 상기 베이스층 상에 한 줄로 형성되고, 누설된 액체와의 접촉에 의해 자체의 저항값이 변화하는 센서 라인을 구비한 센서부를 포함한다.
본 발명의 제3 실시예에 따른 저전도성 액체 누설 감지 센서는, 일반 수지 또는 불소 수지를 포함하는 비도전성 물질로 이루어진 베이스층; 감지 대상 액체를 수용하는 구조물의 적어도 일부를 둘러싸도록 상기 베이스층 상에 형성되고 누설된 액체와의 접촉에 의해 자체의 저항값이 변화하는 제1 센서 라인 및 상기 제1 센서 라인과 평행하게 상기 베이스층 상에 형성되고 누설된 액체와의 접촉에 의해 자체의 저항값이 변화하는 제2 센서 라인을 구비한 센서부를 포함하고, 상기 제1 센서 라인 및 제2 센서 라인은 각각 서로 다른 종류의 액체에 반응하여 자체의 저항값이 변화하는 물질로 이루어진다.
본 발명의 제4 실시예에 따른 저전도성 액체 누설 감지 센서는, 일반 수지 또는 불소 수지를 포함하는 비도전성 물질로 이루어진 베이스층; 상기 베이스층 상에 직선 형태로 형성되고 누설된 액체와의 접촉에 의해 자체의 저항값이 변화하는 제1 센서 라인 및 상기 제1 센서 라인과 연결되는 제2 센서 라인을 구비한 센서부; 및 상기 제1 센서 라인과 제2 센서 라인을 연결하여 폐회로가 구성되도록 하는 종단 저항을 포함한다.
본 발명의 다른 형태에 따른 저전도성 액체 누설 감지 센서는, 일반 수지 또는 불소 수지를 포함하는 비도전성 물질로 이루어진 베이스층; 상기 베이스층 상에 직선 형태로 형성되고 누설된 액체와의 접촉에 의해 자체의 저항값이 변화하는 제1 센서 라인 및 제2 센서 라인을 구비한 센서부; 및 상기 제1 센서 라인과 제2 센서 라인을 연결하여 폐회로가 구성되도록 하는 종단 저항을 포함한다.
바람직하게는, 상기 베이스층은 PP, PE, PVC, POM, PC, PU 중 적어도 하나를 포함하는 일반 수지 또는 PFA, PCTFE, ETFE, FEP 중 적어도 하나를 포함하는 불소 수지 계열의 소재로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 센서부는 PP, PE, PVC, POM, PC, PU 중 적어도 하나를 포함하는 일반 수지 또는 PFA, PCTFE, ETFE, FEP 중 적어도 하나를 포함하는 불소 수지 성분과 이 수지 성분을 용해시키는 성분이 혼합된 도전성 잉크를 상기 베이스층 상에 도포 또는 인쇄한 후 고주파 용착하여 형성되는 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 센서부는 각각 서로 다른 종류의 액체와 반응하여 자체의 저항값이 변화하는 물질로 이루어진 복수의 센서 라인들을 포함하는 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 센서부는 상기 제1 센서 라인 및 제2 센서 라인과 반응하는 액체 이외에 또 다른 종류의 액체와 반응하여 자체의 저항값이 변화하는 물질로 이루어진 추가의 센서 라인을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
추가적으로, 상기 센서부는 누설된 액체와의 접촉에 의해 자체의 저항값이 변화하는 센서 라인을 추가하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 저전도성 액체 누설 감지 센서는 센서 라인 자체의 저항값 변화에 의해 저전도성 액체의 누설을 감지할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 저전도성 액체 누설 감지 센서는 산성 약품, 염기성 약품, 유기 약품 또는 오일 등의 다양한 종류의 저전도성 액체의 누설을 감지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 저전도성 액체 누설 감지 센서를 개략적으로 도시한 도면,
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 저전도성 액체 누설 감지 센서를 개략적으로 도시한 도면,
도 3은 본 발명의 제3 실시예에 따른 저전도성 액체 누설 감지 센서를 개략적으로 도시한 도면,
도 4는 본 발명의 제4 실시예에 따른 저전도성 액체 누설 감지 센서를 개략적으로 도시한 도면,
도 5는 본 발명의 제4 실시예에 따른 저전도성 액체 누설 감지 센서의 회로 구성을 도시한 도면.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 저전도성 액체 누설 감지 센서에 대한 바람직한 실시예를 설명한다. 참고로, 아래에서 본 발명을 설명함에 있어서, 본 발명의 구성요소를 지칭하는 용어들은 각각의 구성 요소들의 기능을 고려하여 명명된 것이므로, 본 발명의 기술적 구성요소를 한정하는 의미로 이해되어서는 안 될 것이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 저전도성 액체 누설 감지 센서는 비도전성 물질로 이루어진 베이스층(100), 베이스층(100) 상에 형성되고 도전성 물질로 이루어진 센서부(200) 및 센서부(200)의 일부를 전기화학적으로 분리시키는 분리 수단(300)을 포함한다.
베이스층(100)은 PP, PE, PVC, POM, PC, PU 등의 일반 수지 또는 PFA, PCTFE, ETFE, FEP 등의 불소 수지 계열의 소재를 포함하는 비도전성 물질로 이루어진다.
센서부(200)는 베이스층(100) 상에 소정의 패턴을 갖도록 형성된 제1 센서 라인(210)과 제2 센서 라인(220)을 포함하고, 도전성 물질을 베이스층(100) 상에 도포 또는 인쇄하여 형성된다. 제1 센서 라인(210)은 베이스층(100) 상에 직선 형태로 형성된다. 그리고 제2 센서 라인(220)은 제1 센서 라인(210)으로부터 연장되어 베이스층(100) 상에 소정의 면적을 갖도록 구부러진 형태로 형성된다. 이때, 센서부(200)는 종단 저항을 사용하지 않고, 제1 센서 라인(210)과 제2 센서 라인(220)에 의해 폐회로를 구성한다. 또한, 제2 센서 라인(220)은 누설된 액체와 접촉 반응하여 자체의 저항값이 변화하도록 구성된다.
여기서, 센서부(200)는 PP, PE, PVC, POM, PC, PU 등의 일반 수지 또는 PFA, PCTFE, ETFE, FEP 등의 불소 수지 성분과 이 수지 성분을 용해시키는 성분이 혼합된 도전성 잉크를 베이스층(100) 상에 도포 또는 인쇄하여 형성된다. 또한, 베이스층(100) 상에 도포 또는 인쇄된 도전성 잉크는 고주파 용착을 통해 베이스층(100) 상에 견고하게 결합된다.
분리 수단은 제1 센서 라인(210)과 제2 센서 라인(220)을 전기화학적으로 분리시킨다. 이 분리 수단에 의해 제1 센서 라인(210)과 제2 센서 라인(220)이 누설된 액체와 동시에 접촉하는 것이 방지된다. 이에 따라, 누설된 액체에 의해 제1 센서 라인(210)과 제2 센서 라인(220)이 쇼트되는 것이 방지된다.
여기서, 분리 수단은 제1 센서 라인(210)의 상부에 적층 또는 코팅되는 절연층(300)일 수 있다. 절연층(300)은 비도전성 물질로 이루어지고 베이스층(100) 상에서 제1 센서 라인(210)의 상부에 적층되어 제1 센서 라인(210)을 보호한다. 즉, 절연층(300)은 제1 센서 라인(210)이 외부로 노출되지 않도록 함으로써, 제1 센서 라인(210)과 제2 센서 라인(220)이 동시에 누설된 액체와 접촉하는 것을 방지한다. 이에 따라, 누설된 액체에 의해 제1 센서 라인(210)과 제2 센서 라인(220)이 쇼트되는 것이 방지된다.
또한, 도면에 도시하지는 않았지만, 제1 센서 라인(210)은 제2 센서 라인(22)과는 다른 층 또는 다른 면에 형성될 수 있다. 예를 들면, 베이스층(100)은 2개의 층으로 이루어지고, 제1 센서 라인(210)은 2개의 층 사이에 형성되고, 제2 센서 라인(220)은 2개의 층 위에 형성된 후, 제1 및 제2 센서 라인을 연결하여 구성할 수 있다. 또한, 제1 센서 라인(210)은 베이스층(100)의 전면에 형성되고, 제2 센서 라인(220)은 베이스층(100)의 배면에 형성된 후, 제1 및 제2 센서 라인을 연결하여 구성할 수 있다. 이와 같이, 제1 센서 라인(210)과 제2 센서 라인(220)이 다른 층 또는 다른 면에 형성됨으로써, 제1 센서라인(210)과 제2 센서라인(220)이 동시에 누설된 액체와 접촉하는 것이 방지된다. 이에 따라, 누설된 액체에 의해 제1 센서 라인(210)과 제2 센서 라인(220)이 쇼트되는 것이 방지된다.
이러한 구성에 의해, 베이스층(100) 상에 저전도성 액체가 누설되는 경우, 누설된 액체는 절연층(300)에 의해 제1 센서 라인(210)과는 접촉하지 않고 제2 센서 라인(220)과 접촉하여 제2 센서 라인(220) 자체의 저항값을 변화시킨다. 따라서, 본 발명의 제1 실시예에 따른 저전도성 액체 누설 감지 센서는 제2 센서 라인(220)의 저항값 변화에 기초하여 저전도성 액체의 누설을 감지할 수 있다.
이때, 제1 센서 라인과 제2 센서 라인의 단선여부 확인 및 컨트롤러의 동작에 필요한 기준 저항값 설정을 위해 종단저항을 연결하여 폐회로를 구성한다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 저전도성 액체 누설 감지 센서는 제1 실시예와 같은 면적형 센서가 아니라 필름이나 테이프와 같은 라인형 센서로 구성된다. 구체적으로, 본 발명의 제2 실시예에 따른 저전도성 액체 누설 감지 센서는 비도전성 물질로 이루어진 베이스층(100) 및 베이스층(100) 상에 형성되고 도전성 물질로 이루어진 센서부(200)를 포함한다.
베이스층(100)은 PP, PE, PVC, POM, PC, PU 등의 일반 수지 또는 PFA, PCTFE, ETFE, FEP 등의 불소 수지 계열의 소재를 포함하는 비도전성 물질로 이루어진다.
센서부(200)는 베이스층(100) 상에 하나의 센서 라인으로 이루어지고, 이 센서 라인(200)은 도전성 물질을 베이스층(100) 상에 도포 또는 인쇄하여 형성된다. 또한, 센서 라인(200)은 누설된 액체와의 접촉 반응하여 자체의 저항값이 변화하도록 구성된다.
여기서, 센서부(200)의 센서 라인은 PP, PE, PVC, POM, PC, PU 등의 일반 수지 또는 PFA, PCTFE, ETFE, FEP 등의 불소 수지 성분과 이 수지 성분을 용해시키는 성분이 혼합된 도전성 잉크를 베이스층(100) 상에 도포 또는 인쇄하여 형성된다. 또한, 베이스층(100) 상에 도포 또는 인쇄된 도전성 잉크는 고주파 용착을 통해 베이스층(100) 상에 견고하게 결합된다.
이러한 센서 라인(200)은 집수정, 약품 저장 탱크와 같이 감지 대상 액체를 수용하는 구조물(400)을 둘러싸도록 베이스층(100) 상에 한 줄로 형성되어, 구조물(400)로 유입되는 저전도성 액체를 감지할 수 있다.
이때, 센서 라인의 단선여부 확인 및 컨트롤러의 동작에 필요한 기준 저항값 설정을 위해 종단저항을 연결하여 폐회로를 구성한다.
바람직하게는, 센서부(200)는 각각 서로 다른 종류의 액체와 반응하여 자체의 저항값이 변화하는 물질로 이루어진 복수의 센서 라인들(미도시)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 센서 라인들은 각각 산성 약품, 염기성 약품, 유기 약품 또는 오일에 의해 용해되는 물질로 이루어질 수 있다.
이러한 구성에 의해, 산성 약품, 염기성 약품, 유기 약품 또는 오일 등의 누설된 액체가 센서부(200)에 접촉하면, 누설된 액체와 센서부(200)의 센서 라인들 중 하나가 반응하여 센서 라인 자체의 저항값이 변화하고, 이에 따라 액체의 누액이 감지된다.
이때, 복수의 센서 라인들은 각각 또는 전체를 한데 묶는 방식으로 회로를 구성할 수 있으며, 회로의 단선여부 확인 및 컨트롤러의 동작에 필요한 기준 저항값 설정을 위해 종단저항을 연결하여 폐회로를 구성한다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 저전도성 액체 누설 감지 센서는 비도전성 물질로 이루어진 베이스층(100) 및 베이스층(100) 상에 형성되고 도전성 물질로 이루어진 센서부(200)를 포함한다.
베이스층(100)은 PP, PE, PVC, POM, PC, PU 등의 일반 수지 또는 PFA, PCTFE, ETFE, FEP 등의 불소 수지 계열의 소재를 포함하는 비도전성 물질로 이루어진다.
센서부(200)는 베이스층(100) 상에 서로 인접하여 평행하게 배치된 제1 센서 라인(210)과 제2 센서 라인(220)으로 이루어지고, 이 센서 라인들(210, 220)은 도전성 물질을 베이스층(100) 상에 도포 또는 인쇄하여 형성된다. 또한, 센서 라인들(210, 220)은 누설된 액체와의 접촉 반응하여 자체의 저항값이 변화하도록 구성된다.
센서부(200)의 센서 라인들(210, 220)은 PP, PE, PVC, POM, PC, PU 등의 일반 수지 또는 PFA, PCTFE, ETFE, FEP 등의 불소 수지 성분과 이 수지 성분을 용해시키는 성분이 혼합된 도전성 잉크를 베이스층(100) 상에 도포 또는 인쇄하여 형성된다. 또한, 베이스층(100) 상에 도포 또는 인쇄된 도전성 잉크는 고주파 용착을 통해 베이스층(100) 상에 견고하게 결합된다.
또한, 제1 센서 라인(210)과 제2 센서 라인(220)은 감지 대상 액체를 수용하는 구조물(400)의 적어도 일부를 둘러싸도록 베이스층(100) 상에 도포 또는 인쇄되어 고주파 용착된다. 도 3에는, 제1 센서 라인(210)과 제2 센서 라인(220)이 2개의 측면 주변에 배치된 형태를 도시하지만, 센서 라인들(210, 220)은 구조물(400)의 모양 및 현장 설치여건에 따라 1개의 측면 또는 3개 이상의 측면 주변에 배치될 수도 있다.
여기서, 센서부(200)의 제1 센서 라인(210)과 제2 센서 라인(220)은 각각 서로 다른 종류의 액체에 반응하여 자체의 저항값이 변화하는 물질로 이루어진다. 예를 들면, 센서 라인들(210, 220)은 각각 산성 약품, 염기성 약품, 유기 약품 또는 오일에 의해 용해되는 물질로 이루어질 수 있다.
이러한 구성에 의해, 산성 약품, 염기성 약품, 유기 약품 또는 오일 등의 누설된 액체가 센서부(200)에 접촉하면, 누설된 액체와 센서부(200)의 센서 라인들(210, 220) 중 하나가 반응하여 센서 라인 자체의 저항값이 변화하고, 이에 따라 액체의 누액이 감지된다.
바람직하게는, 센서부(200)는 제1 센서 라인(210) 및 제2 센서 라인(220)과는 다른 종류의 액체와 반응하여 자체의 저항값이 변화하는 물질로 이루어진 적어도 하나 이상의 추가의 센서 라인(미도시)을 더 포함할 수 있다. 이러한 추가의 센서 라인을 이용하여 하나의 센서로 여러 종류의 액체의 누액을 감지할 수 있다.
이때, 각각의 센서 라인들은 각각 또는 전체를 한데 묶는 방식으로 회로를 구성할 수 있으며, 회로의 단선여부 확인 및 컨트롤러의 동작에 필요한 기준 저항값 설정을 위해 종단저항을 연결하여 폐회로를 구성한다.
도 4 내지 5를 참조하면, 본 발명의 제4 실시예에 따른 저전도성 액체 누설 감지 센서는 비도전성 물질로 이루어진 베이스층(100), 베이스층(100) 상에 형성되고 도전성 물질로 이루어진 센서부(200) 및 센서부(200)의 센서 라인들(210, 220)을 폐회로로 만드는 종단 저항(500)을 포함한다.
베이스층(100)은 PP, PE, PVC, POM, PC, PU 등의 일반 수지 또는 PFA, PCTFE, ETFE, FEP 등의 불소 수지 계열의 소재를 포함하는 비도전성 물질로 이루어진다.
센서부(200)는 베이스층(100) 상에 서로 평행하게 배치된 제1 센서 라인(210)과 제2 센서 라인(220)으로 이루어지고, 이 센서 라인들(210, 220)은 도전성 물질을 베이스층(100) 상에 도포 또는 인쇄하여 형성된다. 여기서, 센서 라인들(210, 220) 중 제1 센서 라인(210)은 누설된 액체와의 접촉 반응하여 자체의 저항값이 변화하도록 구성된 검출 라인으로서 역할을 하고, 제2 센서 라인(220)은 제1 센서 라인(210)과 콘트롤러(600)를 연결하여 감지 신호를 전달하는 복귀 라인으로서 역할을 한다.
또한, 도시하지는 않았지만 센서부(200)는 베이스층(100) 상에 서로 평행하게 배치된 복수의 센서 라인들로 구성되고, 이 센서 라인들은 도전성 물질을 베이스층(100) 상에 도포 또는 인쇄하여 형성된다. 여기서, 복수의 센서 라인들은 다양한 종류의 저전도성 누설 액체와 접촉 반응하여 자체의 저항값이 변화하는 물질로 형성한다. 이때, 복수의 센서 라인들은 각각 또는 전체를 한데 묶는 방식으로 회로를 구성할 수 있으며, 회로의 단선여부 확인 및 컨트롤러의 동작에 필요한 기준 저항값 설정을 위해 종단저항을 연결하여 폐회로를 구성한다.
이상에서 설명된 본 발명의 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 보여준 것에 불과하며, 본 발명의 보호 범위는 이하 특허청구범위에 의하여 해석되어야 마땅할 것이다. 또한, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것인 바, 본 발명과 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (12)

  1. 일반 수지 또는 불소 수지를 포함하는 비도전성 물질로 이루어진 베이스층;
    상기 베이스층 상에 직선 형태로 형성된 제1 센서 라인 및 상기 베이스층 상에 소정의 면적을 갖도록 구부러진 형태로 형성되고 누설된 액체와의 접촉에 의해 자체의 저항값이 변화하는 제2 센서 라인을 구비한 센서부; 및
    상기 제1 센서 라인과 상기 제2 센서 라인이 누설된 액체에 의해 쇼트가 발생하지 않도록 상기 제1 센서 라인과 상기 제2 센서 라인을 전기화학적으로 분리시키는 분리 수단을 포함하는 저전도성 액체 누설 감지 센서.
  2. 일반 수지 또는 불소 수지를 포함하는 비도전성 물질로 이루어진 베이스층; 및
    감지 대상 액체를 수용하는 구조물을 둘러싸도록 상기 베이스층 상에 한 줄로 형성되고, 누설된 액체와의 접촉에 의해 자체의 저항값이 변화하는 센서 라인을 구비한 센서부를 포함하는 저전도성 액체 누설 감지 센서.
  3. 일반 수지 또는 불소 수지를 포함하는 비도전성 물질로 이루어진 베이스층;
    감지 대상 액체를 수용하는 구조물의 적어도 일부를 둘러싸도록 상기 베이스층 상에 형성되고 누설된 액체와의 접촉에 의해 자체의 저항값이 변화하는 제1 센서 라인 및 상기 제1 센서 라인과 평행하게 상기 베이스층 상에 형성되고 누설된 액체와의 접촉에 의해 자체의 저항값이 변화하는 제2 센서 라인을 구비한 센서부를 포함하고,
    상기 제1 센서 라인 및 제2 센서 라인은 각각 서로 다른 종류의 액체에 반응하여 자체의 저항값이 변화하는 물질로 이루어진 저전도성 액체 누설 감지 센서.
  4. 일반 수지 또는 불소 수지를 포함하는 비도전성 물질로 이루어진 베이스층;
    상기 베이스층 상에 직선 형태로 형성되고 누설된 액체와의 접촉에 의해 자체의 저항값이 변화하는 제1 센서 라인 및 상기 제1 센서 라인과 연결되는 제2 센서 라인을 구비한 센서부; 및
    상기 제1 센서 라인과 제2 센서 라인을 연결하여 폐회로가 구성되도록 하는 종단 저항을 포함하는 저전도성 액체 누설 감지 센서.
  5. 일반 수지 또는 불소 수지를 포함하는 비도전성 물질로 이루어진 베이스층;
    상기 베이스층 상에 직선 형태로 형성되고 누설된 액체와의 접촉에 의해 자체의 저항값이 변화하는 제1 센서 라인 및 제2 센서 라인을 구비한 센서부; 및
    상기 제1 센서 라인과 제2 센서 라인을 연결하여 폐회로가 구성되도록 하는 종단 저항을 포함하는 저전도성 액체 누설 감지 센서.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 분리 수단은 상기 제1 센서 라인의 상부에 적층 또는 코팅되는 절연층인 것을 특징으로 하는 저전도성 액체 누설 감지 센서.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 센서 라인과 상기 제2 센서 라인은 서로 다른 층 또는 서로 다른 면에 형성되는 것을 특징으로 하는 저전도성 액체 누설 감지 센서.
  8. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 베이스층은 PP, PE, PVC, POM, PC, PU 중 적어도 하나를 포함하는 일반 수지 또는 PFA, PCTFE, ETFE, FEP 중 적어도 하나를 포함하는 불소 수지 계열의 소재로 이루어지는 것을 특징으로 하는 저전도성 액체 누설 감지 센서.
  9. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 센서부는 PP, PE, PVC, POM, PC, PU 중 적어도 하나를 포함하는 일반 수지 또는 PFA, PCTFE, ETFE, FEP 중 적어도 하나를 포함하는 불소 수지 성분과 이 수지 성분을 용해시키는 성분이 혼합된 도전성 잉크를 상기 베이스층 상에 도포 또는 인쇄한 후 고주파 용착하여 형성되는 것을 특징으로 하는 저전도성 액체 누설 감지 센서.
  10. 제2항에 있어서,
    상기 센서부는 각각 서로 다른 종류의 액체와 반응하여 자체의 저항값이 변화하는 물질로 이루어진 복수의 센서 라인들을 포함하는 것을 특징으로 하는 저전도성 액체 누설 감지 센서.
  11. 제3항에 있어서,
    상기 센서부는 상기 제1 센서 라인 및 제2 센서 라인과 반응하는 액체 이외에 또 다른 종류의 액체와 반응하여 자체의 저항값이 변화하는 물질로 이루어진 추가의 센서 라인을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저전도성 액체 누설 감지 센서.
  12. 제4항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 센서부는 누설된 액체와의 접촉에 의해 자체의 저항값이 변화하는 센서 라인을 추가하는 것을 특징으로 하는 저전도성 액체 누설 감지 센서.
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EP4230984A1 (en) * 2022-02-21 2023-08-23 Univerzita Pardubice Electronic sensor for the selective detection of liquids

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