KR20190111100A - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

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가부시키가이샤 스크린 홀딩스
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Abstract

기판 처리 장치는, 처리실 내에서 기판의 표면에 처리액을 공급하여, 기판의 표면에 처리액 막을 형성하는 액처리 유닛과, 고체화실 내에서 상기 처리액 막을 고체화시켜 상기 기판의 표면에 고체화 막을 형성하는 고체화 유닛과, 제거실 내에서 상기 고체화 막을 제거하기 위한 제거액을 상기 기판의 표면에 공급하는 제거 처리 유닛과, 상기 처리실로 기판을 반입하고, 상기 제거실로부터 기판을 반출하는 주반송 유닛과, 상기 처리실로부터 기판을 반출하여 상기 고체화실로 기판을 반입하는 로컬 반송 유닛을 포함한다.A substrate processing apparatus includes a liquid processing unit for supplying a processing liquid to a surface of a substrate in a processing chamber to form a processing liquid film on the surface of the substrate, and solidifying the processing liquid film in a solidification chamber to form a solidified film on the surface of the substrate. A solidification unit for supplying the substrate, a removal processing unit for supplying a removal liquid for removing the solidification film in the removal chamber to the surface of the substrate, a main transport unit for carrying the substrate into the processing chamber and carrying out the substrate from the removal chamber; And a local transfer unit for carrying out the substrate from the processing chamber and bringing the substrate into the solidification chamber.

Figure P1020197025384
Figure P1020197025384

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법Substrate processing apparatus and substrate processing method

이 발명은, 기판을 처리하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다. 처리 대상이 되는 기판에는, 예를 들어, 반도체 웨이퍼, 액정 표시 장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, FED(Field Emission Display)용 기판, 광디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판, 태양 전지용 기판 등이 포함된다. This invention relates to an apparatus and a method for processing a substrate. Examples of the substrate to be processed include a semiconductor wafer, a substrate for a liquid crystal display, a substrate for a plasma display, a substrate for a field emission display (FED), a substrate for an optical disk, a substrate for a magnetic disk, a substrate for a magneto-optical disk, and a photo. Mask substrates, ceramic substrates, solar cell substrates, and the like.

반도체 장치 등의 제조 공정에서는, 기판의 표면에 부착된 이물을 제거하기 위한 세정 처리가 행해진다. 예를 들어, 특허문헌 1은, 기판의 주면에 휘발 성분을 포함하는 성막용 처리액을 공급하는 공정과, 휘발 성분을 증발시켜 성막용 처리액을 고체화 또는 경화시킴으로써 기판의 주면에 막을 형성하는 공정과, 제거액에 의해서 기판 주면 상의 막을 제거하는 공정을 실행하는 기판 세정 시스템을 개시하고 있다. 성막용 처리액이 고체화 또는 경화할 때에 체적 수축이 생기고, 또 제거액이 공급되면 막의 팽윤에 의해서 체적 팽창이 생긴다. 체적 수축 및 팽창시에 기판 상의 파티클에 대해서 인장력이 작용하여, 기판 주면(패턴의 표면을 포함한다)으로부터 파티클이 떼어 놓아진다. 그것에 의해, 기판 주면의 파티클을 제거할 수 있다.In manufacturing processes, such as a semiconductor device, the washing process for removing the foreign material adhering to the surface of a board | substrate is performed. For example, Patent Literature 1 provides a step of supplying a film forming processing liquid containing a volatile component to a main surface of the substrate, and a step of forming a film on the main surface of the substrate by evaporating the volatile component to solidify or cure the film forming processing liquid. And the substrate cleaning system which performs the process of removing the film | membrane on a board | substrate main surface with a removal liquid is disclosed. When the film forming treatment liquid solidifies or hardens, volume shrinkage occurs, and when the removal solution is supplied, volume expansion occurs due to swelling of the film. A tensile force acts on the particles on the substrate at the time of volume shrinkage and expansion, and the particles are separated from the substrate main surface (including the surface of the pattern). Thereby, the particle | grains of a board | substrate main surface can be removed.

특허문헌 1의 도 14에는, 제1 처리부, 제2 처리부 및 제3 처리부를 구비한 기판 세정 장치가 개시되어 있다. 캐리어로부터 취출된 기판은, 기판 반송 장치에 의해서 제1 처리부에 반입된다. 제1 처리부는, 기판에 성막용 처리액으로서 탑코팅액을 공급한다. 탑코팅액이 공급된 기판은, 상기 기판 반송 장치에 의해서 제1 처리부로부터 취출되고, 제3 처리부에 반입된다. 제3 처리부는, 핫 플레이트에 의해서 기판을 가열하여, 탑코팅액 중의 휘발 성분을 휘발시킨다. 그것에 의해, 탑코팅액이 체적 수축하면서 고체화 또는 경화하여, 탑코팅 막이 형성된다. 탑코팅 막이 형성된 기판은, 상기 기판 반송 장치에 의해서 제3 처리부로부터 취출되고, 제2 처리부에 반입된다. 제2 처리부는, 기판에 제거액으로서의 알칼리 현상액을 공급함으로써, 탑코팅 막을 제거한다. 그 후, 제2 처리부에 있어서 기판의 세정이 행해지고, 그 세정 후의 기판은, 상기 기판 반송 장치에 의해서 제2 처리부로부터 취출된다. 그 처리 후의 기판은, 캐리어에 수용된다.In FIG. 14 of patent document 1, the board | substrate cleaning apparatus provided with the 1st process part, the 2nd process part, and the 3rd process part is disclosed. The substrate taken out from the carrier is carried into the first processing unit by the substrate transfer device. The first processing unit supplies the top coating liquid to the substrate as the processing liquid for film formation. The board | substrate with which the top coating liquid was supplied is taken out from a 1st process part by the said board | substrate conveyance apparatus, and is carried in to a 3rd process part. The third processing unit heats the substrate by a hot plate to volatilize the volatile components in the top coating liquid. As a result, the top coating liquid solidifies or hardens while shrinking in volume to form a top coating film. The board | substrate with a top coating film is taken out from a 3rd process part by the said board | substrate conveyance apparatus, and is carried in to a 2nd process part. The second processing unit removes the top coat film by supplying the alkaline developer as a removal solution to the substrate. Subsequently, the substrate is cleaned in the second processing unit, and the substrate after the cleaning is taken out from the second processing unit by the substrate transfer device. The board | substrate after the process is accommodated in a carrier.

일본국 특허공개 2015-62259호 공보(도 14)Japanese Patent Application Laid-Open No. 2015-62259 (Fig. 14)

특허문헌 1의 선행 기술에서는, 동일 기판 반송 장치가, 미처리의 기판을 제1 처리부에 반입하고, 성막용 처리액이 도포된 기판을 제1 처리부로부터 제3 처리부에 반송하며, 제3 처리부에서 가열 처리를 받아 막이 형성된 기판을 제3 처리부로부터 제2 처리부로 반송하고, 또한 제2 처리부에서의 처리를 끝낸 기판을 당해 제2 처리부로부터 반출하고 있다.In the prior art of patent document 1, the same board | substrate conveying apparatus carries in an unprocessed board | substrate to a 1st process part, conveys the board | substrate with which the film-forming process liquid was apply | coated from a 1st process part, and heats it by a 3rd process part The board | substrate which received the process and formed the film | membrane is conveyed from the 3rd process part to the 2nd process part, and the board | substrate which finished the process in the 2nd process part is carried out from the said 2nd process part.

제1 처리부에서의 처리 후의 기판의 표면은 미경화의 성막용 처리액으로 젖어 있기 때문에, 그 성막용 처리액이 기판 반송 장치에 부착될 우려가 있다. 그 부착된 처리액은, 그 후에 기판 반송 장치가 유지하는 다른 기판으로 전이하여, 그 기판을 오염한다. 특히, 처리가 종료한 기판으로의 처리액의 전이는, 기판 처리의 품질을 해친다. 또, 성막용 처리액의 분위기가, 기판 반송 장치에 의해서 기판이 반송되는 공간에 감돌기 때문에, 그 분위기에 의한 기판으로의 악영향이 생길 우려도 있다.Since the surface of the board | substrate after the process by a 1st process part is wet with the uncured film-forming processing liquid, there exists a possibility that the film-forming processing liquid may adhere to a board | substrate conveying apparatus. The attached processing liquid then transfers to another substrate held by the substrate transfer device and contaminates the substrate. In particular, the transfer of the processing liquid to the substrate on which the processing is completed impairs the quality of the substrate processing. Moreover, since the atmosphere of the film-forming processing liquid permeates the space where a board | substrate is conveyed by a board | substrate conveying apparatus, there exists a possibility that the bad influence to the board | substrate by the atmosphere may arise.

그래서, 이 발명 중 1개의 목적은, 기판 표면에 고체화 막을 형성하기 위한 처리의 영향이 다른 기판에 미치는 것을 억제한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것이다.Therefore, one object of this invention is to provide the substrate processing apparatus and substrate processing method which suppressed the influence of the process for forming a solidified film on a substrate surface from affecting another substrate.

이 발명의 일실시 형태는, 처리실 내에서 기판의 표면에 처리액을 공급하여, 기판의 표면에 처리액 막을 형성하는 액처리 유닛과, 고체화실 내에서 상기 처리액 막을 고체화시켜 상기 기판의 표면에 고체화 막을 형성하는 고체화 유닛과, 제거실 내에서 상기 고체화 막을 제거하기 위한 제거액을 상기 기판의 표면에 공급하는 제거 처리 유닛과, 상기 처리실로 기판을 반입하고, 상기 제거실로부터 기판을 반출하는 주반송 유닛과, 상기 처리실로부터 기판을 반출하여 상기 고체화실로 기판을 반입하는 로컬 반송 유닛을 포함하는, 기판 처리 장치를 제공한다.An embodiment of the present invention is a liquid processing unit for supplying a processing liquid to a surface of a substrate in a processing chamber to form a processing liquid film on the surface of the substrate, and solidifying the processing liquid film in a solidification chamber to a surface of the substrate. A solidification unit for forming a solidification film, a removal processing unit for supplying a removal liquid for removing the solidification film in the removal chamber to the surface of the substrate, a main transport for carrying the substrate into the processing chamber and carrying out the substrate from the removal chamber; It provides a substrate processing apparatus including a unit and a local conveyance unit which carries out a board | substrate from the said process chamber and carries in a board | substrate to the said solidification chamber.

이 구성에 의해, 기판 상의 처리액 막이 형성된 후, 그 기판은, 로컬 반송 유닛에 의해서 고체화실로 반입된다. 따라서, 주반송 유닛이 처리액에 의해서 오염되는 것을 회피할 수 있으므로, 그 처리액이 다른 기판으로 전이하는 것을 억제 또는 방지할 수 있다. 또, 주반송 유닛에 의해서 기판이 반송되는 공간에 처리액의 분위기가 감도는 것을 억제 또는 방지할 수 있으므로, 처리액의 분위기에 의한 기판으로의 악영향도 회피할 수 있다. 이렇게 하여, 기판 처리 품질을 향상할 수 있다. 또, 주반송 유닛의 동작 상태에 관계없이, 처리실에서의 처리를 끝낸 기판을 신속하게 고체화실로 반송할 수 있다.By this structure, after the process liquid film | membrane on a board | substrate is formed, the board | substrate is carried in to a solidification chamber by a local conveyance unit. Therefore, since the main transport unit can be avoided from being contaminated with the processing liquid, it is possible to suppress or prevent the processing liquid from transferring to another substrate. Further, since the atmosphere of the processing liquid can be suppressed or prevented from being absorbed in the space where the substrate is conveyed by the main transport unit, adverse effects on the substrate due to the atmosphere of the processing liquid can also be avoided. In this way, the substrate processing quality can be improved. Moreover, the board | substrate which finished the process in a process chamber can be conveyed to a solidification chamber quickly regardless of the operation state of a main conveyance unit.

이 기판 처리 장치는, 기판의 표면의 이물을 제거하는 세정 처리를 위해서 사용되어도 된다. 기판의 표면에서 처리액 막이 고체화할 때에 체적 수축이 생긴다. 또, 기판의 표면에 형성된 고체화 막을 제거하기 위해서 제거액이 공급되면, 고체화 막이 팽윤하여, 체적 팽창이 생긴다. 이 체적 수축 및 팽창시에, 기판 표면의 이물(파티클 등)에 인장력이 작용하여, 그것에 의해, 기판 표면의 이물을 박리시킬 수 있다. 박리된 이물은, 고체화 막과 함께 기판 밖으로 제거할 수 있다.This substrate processing apparatus may be used for the washing | cleaning process which removes the foreign material of the surface of a board | substrate. When the treatment liquid film solidifies on the surface of the substrate, volume shrinkage occurs. Moreover, when a removal liquid is supplied in order to remove the solidified film formed in the surface of a board | substrate, a solidified film will swell and volume expansion will arise. At this volume shrinkage and expansion, a tensile force acts on foreign matter (particles, etc.) on the substrate surface, whereby foreign matter on the substrate surface can be peeled off. The exfoliated foreign matter can be removed out of the substrate together with the solidified film.

이 발명의 일실시 형태에서는, 상기 고체화 유닛이, 상기 기판을 가열하는 가열 유닛을 포함한다. 이로써, 기판 상의 처리액 막을 가열하여 고체화시킬 수 있다.In one embodiment of this invention, the said solidification unit contains the heating unit which heats the said board | substrate. Thereby, the process liquid film on a board | substrate can be solidified by heating.

보다 구체적으로는, 상기 고체화 유닛은, 기판을 유지하는 기판 유지 유닛과, 상기 기판 유지 유닛에 유지된 기판을 가열하는 상기 가열 유닛을 포함하고 있어도 된다.More specifically, the solidification unit may include a substrate holding unit for holding a substrate and the heating unit for heating a substrate held in the substrate holding unit.

상기 고체화 유닛은, 고체화실 내를 대기압보다 낮은 압력으로 감압하는 감압 유닛을 포함하고 있어도 된다. 또 상기 고체화 유닛은, 고체화실 내를 환기하는 환기 유닛을 포함하고 있어도 된다. 환기 유닛은, 고체화실 내에 저습도 가스(예를 들어 불활성 가스)를 공급하는 저습도 가스 공급 유닛을 포함하고 있어도 된다. 그것에 의해, 기판 상의 성막 처리액 막의 건조를 촉진하여, 그 고체화를 촉진할 수 있다.The solidification unit may include a pressure reduction unit that reduces the pressure in the solidification chamber to a pressure lower than atmospheric pressure. Moreover, the said solidification unit may contain the ventilation unit which ventilates the inside of a solidification chamber. The ventilation unit may include a low humidity gas supply unit for supplying a low humidity gas (for example, an inert gas) into the solidification chamber. Thereby, drying of the film-forming liquid film on a board | substrate can be accelerated | stimulated, and the solidification can be accelerated.

이 발명의 일실시 형태에서는, 상기 주반송 유닛이 주반송실에 배치되어 있고, 상기 로컬 반송 유닛이, 상기 주반송실로부터 이격된 로컬 반송실에 배치되어 있다. 이로써, 처리액의 분위기가 주반송실에 감도는 것을 보다 확실히 억제 또는 방지할 수 있으므로, 주반송 유닛에 의해서 반송되는 기판이 처리액의 분위기의 영향을 받는 것을 억제 또는 방지할 수 있다.In one embodiment of this invention, the said main conveyance unit is arrange | positioned at the main conveyance chamber, and the said local conveyance unit is arrange | positioned at the local conveyance chamber separated from the said main conveyance chamber. Thereby, since the atmosphere of a process liquid can be suppressed or prevented more reliably from a main transport chamber, it can suppress or prevent that the board | substrate conveyed by a main transport unit is influenced by the atmosphere of a process liquid.

이 발명의 일실시 형태에서는, 상기 로컬 반송 유닛이, 또한, 상기 고체화실로부터 기판을 반출하고, 상기 제거실로 기판을 반입한다. 이로써, 주반송 유닛이 고체화 처리 후의 기판으로부터 영향을 받는 것을 회피할 수 있다. 예를 들어, 고체화 처리 후의 기판이 고온이 되어 있다고 해도, 주반송 유닛이 축열하는 것을 회피할 수 있다.In one embodiment of this invention, the said local conveyance unit carries out a board | substrate from the said solidification chamber further, and carries in a board | substrate to the said removal chamber. In this way, the main transport unit can be avoided from being affected by the substrate after the solidification treatment. For example, even if the board | substrate after a solidification process becomes high temperature, thermal storage of a main transport unit can be avoided.

전술의 특허문헌 1의 구성에서는, 제3 처리부에 있어서 기판이 가열되므로, 그 가열된 기판을 기판 반송 장치가 유지함으로써, 기판 반송 장치에 열이 축적될 우려가 있다. 축적된 열은, 기판 반송 장치가 반송하는 기판으로 전해지기 때문에, 그것에 의해, 기판에 악영향이 미칠 우려가 있다.In the structure of patent document 1 mentioned above, since a board | substrate is heated in a 3rd process part, heat may accumulate in a board | substrate conveying apparatus by holding a board | substrate conveying apparatus which heated this board | substrate. Since accumulated heat is transmitted to the board | substrate which a board | substrate conveyance apparatus conveys, there exists a possibility that it may have a bad influence on a board | substrate by this.

그래서, 로컬 반송 유닛에 의해서 고체화실로부터 제거실로 기판을 반송함으로써, 주반송 유닛에 열이 축적되는 것을 회피할 수 있기 때문에, 주반송 유닛이 반송하는 기판에 대한 열의 영향을 억제할 수 있다.Therefore, by transporting the substrate from the solidification chamber to the removal chamber by the local transport unit, heat can be prevented from being accumulated in the main transport unit, so that the influence of heat on the substrate transported by the main transport unit can be suppressed.

이 발명의 일실시 형태에서는, 상기 로컬 반송 유닛이, 상기 처리실로부터 기판을 반출하여 상기 고체화실로 기판을 반입하는 제1 반송 아암과, 상기 고체화실로부터 기판을 반출하여 상기 제거실로 기판을 반입하는 제2 반송 아암을 포함한다.In one embodiment of this invention, the said local conveyance unit carries out the board | substrate from the said process chamber, and the 1st conveyance arm which carries in a board | substrate to the said solidification chamber, and the agent which carries out a board | substrate from the said solidification chamber and carries in a board | substrate to the said removal chamber. Includes two carrier arms.

이 구성에 의해, 처리액 막이 형성된 기판은 제1 반송 아암으로 반송되고, 고체화 막이 형성된 기판은 제2 반송 아암으로 반송된다. 따라서, 제1 반송 아암에 처리액이 부착되었다고 해도, 그 처리액이 고체화 처리 후의 기판으로 전이하는 것을 억제 또는 방지할 수 있다.By this structure, the board | substrate with a process liquid film | membrane is conveyed by a 1st conveyance arm, and the board | substrate with a solidification film | membrane is conveyed by a 2nd conveyance arm. Therefore, even if the process liquid adheres to the 1st conveyance arm, it can suppress or prevent the process liquid from transferring to the board | substrate after a solidification process.

제2 반송 아암은 제1 반송 아암보다 상방에 배치되는 것이 바람직하고, 그것에 의해, 제1 반송 아암에 의해서 유지되는 기판 상의 처리액이 제2 반송 아암에 부착하는 것을 억제 또는 방지할 수 있다.It is preferable that a 2nd conveyance arm is arrange | positioned above a 1st conveyance arm, and it can suppress or prevent adhering of the processing liquid on the board | substrate hold | maintained by a 1st conveyance arm to a 2nd conveyance arm.

이 발명의 일실시 형태에서는, 상기 액처리 유닛이, 기판을 수평으로 유지하는 기판 유지 유닛과, 상기 기판 유지 유닛에 유지된 기판에 처리액을 토출하는 처리액 토출 유닛을 포함한다. 이 구성에 의해, 수평으로 유지된 기판 상에 처리액을 퍼지게 하여, 기판의 표면을 덮는 처리액 막을 형성할 수 있다.In one embodiment of this invention, the said liquid processing unit contains the board | substrate holding unit which hold | maintains a board | substrate horizontally, and the process liquid discharge unit which discharges a process liquid to the board | substrate hold | maintained by the said board | substrate holding unit. With this configuration, the processing liquid can be spread over the substrate held horizontally, so that the processing liquid film covering the surface of the substrate can be formed.

이 발명의 일실시 형태에서는, 상기 처리실과 상기 제거실이 동일한 실이다. 즉, 처리액 및 제거실은, 별도의 실이어도 되고, 동일한 실이어도 된다.In one embodiment of the present invention, the treatment chamber and the removal chamber are the same yarn. That is, a separate chamber may be sufficient as a process liquid and a removal chamber, and the same thread may be sufficient as it.

이 발명의 일실시 형태에서는, 상기 로컬 반송 유닛이, 기판을 유지하여 로컬 반송실을 통과하는 반송 아암을 갖고 있고, 상기 기판 처리 장치가, 상기 로컬 반송실에 설치되며, 상기 반송 아암을 세정하는 세정액을 토출하는 아암 세정 노즐을 더 포함한다.In one embodiment of this invention, the said local conveyance unit has the conveyance arm which hold | maintains a board | substrate, and passes through a local conveyance chamber, The said substrate processing apparatus is provided in the said local conveyance chamber, and wash | cleans the said conveyance arm. An arm cleaning nozzle for discharging the cleaning liquid is further included.

이 구성에 의해, 로컬 반송 유닛의 반송 아암을 세정할 수 있으므로, 반송 아암을 청정한 상태로 유지할 수 있다. 그것에 의해, 반송 아암에 처리액의 오염이 축적되는 것을 회피할 수 있고, 처리액에 의한 오염을 억제하면서, 기판을 반송할 수 있다. 게다가, 반송 아암의 세정은 로컬 반송실에서 행해지므로, 주반송 유닛에 의해서 반송되는 기판에 세정액 또는 처리액의 영향이 미치는 것을 억제 또는 방지할 수 있다.By this structure, since the conveyance arm of a local conveyance unit can be wash | cleaned, a conveyance arm can be kept clean. As a result, it is possible to avoid the accumulation of contamination of the processing liquid on the transfer arm, and to transport the substrate while suppressing the contamination by the processing liquid. In addition, since the cleaning of the transport arm is performed in the local transport chamber, the influence of the cleaning liquid or the processing liquid on the substrate conveyed by the main transport unit can be suppressed or prevented.

이 발명의 일실시 형태에서는, 상기 로컬 반송실은, 상기 세정액을 받는 저부(底部)와, 상기 저부에 받아진 세정액을 배액하는 배액 유닛을 포함한다. 이로써, 반송 아암을 세정한 후의 세정액을 로컬 반송실 밖으로 배출할 수 있으므로, 로컬 반송실 내의 분위기를 청정하게 유지할 수 있다. 그것에 의해, 기판으로의 처리액 분위기의 영향을 한층 억제할 수 있다.In one embodiment of this invention, the said local conveyance chamber contains the bottom part which receives the said washing | cleaning liquid, and the drainage unit which drains the washing | cleaning liquid received by the said bottom part. Thereby, since the washing | cleaning liquid after wash | cleaning a conveyance arm can be discharged out of a local conveyance chamber, the atmosphere in a local conveyance chamber can be kept clean. Thereby, the influence of the processing liquid atmosphere on a board | substrate can be suppressed further.

이 발명의 일실시 형태에서는, 상기 로컬 반송 유닛이, 기판을 유지하는 반송 아암을 갖고 있고, 상기 기판 처리 장치가, 상기 반송 아암에 설치되며, 당해 반송 아암을 세정하기 위한 세정액을 토출하는 아암 세정 노즐을 더 포함한다. 이 구성에 의해, 반송 아암에 설치된 아암 세정 노즐로부터 세정액을 토출함으로써, 반송 아암을 확실히 세정할 수 있다. 따라서, 반송 아암에 처리액의 오염이 축적되는 것을 회피할 수 있고, 처리액에 의한 오염을 억제하면서, 기판을 반송할 수 있다. 또, 주반송 유닛에 의해서 반송되는 기판에 세정액 또는 처리액의 영향이 미치는 것을 억제 또는 방지할 수 있다.In one embodiment of this invention, the said local conveyance unit has the conveyance arm which hold | maintains a board | substrate, The said substrate processing apparatus is provided in the said conveyance arm, Arm cleaning which discharges the washing | cleaning liquid for cleaning the said conveyance arm It further comprises a nozzle. By this structure, a conveyance arm can be wash | cleaned reliably by discharging a washing | cleaning liquid from the arm washing nozzle provided in the conveyance arm. Therefore, it is possible to avoid the accumulation of contamination of the processing liquid on the transfer arm, and to transport the substrate while suppressing the contamination by the processing liquid. In addition, the influence of the cleaning liquid or the processing liquid on the substrate conveyed by the main transport unit can be suppressed or prevented.

이 발명의 일실시 형태에서는, 상기 로컬 반송 유닛이, 기판을 유지하여 로컬 반송실을 통과하는 반송 아암을 갖고 있고, 상기 기판 처리 장치가, 상기 로컬 반송실에 인접해서 설치된 아암 세정실과, 상기 아암 세정실 내에 배치되며, 상기 반송 아암을 세정하기 위한 세정액을 토출하는 아암 세정 노즐과, 상기 아암 세정실 내를 대기압보다 저압으로 감압하여 상기 반송 아암을 건조시키는 감압 유닛을 더 포함한다.In one embodiment of this invention, the said local conveyance unit has the conveyance arm which hold | maintains a board | substrate, and passes through a local conveyance chamber, The said substrate processing apparatus is the arm cleaning chamber provided adjacent to the said local conveyance chamber, and the said arm. An arm cleaning nozzle disposed in the cleaning chamber for discharging a cleaning liquid for cleaning the transport arm, and a pressure reducing unit for drying the transport arm by depressurizing the inside of the arm cleaning chamber to a pressure lower than atmospheric pressure.

이 구성에 의해, 로컬 반송실에 인접해서 아암 세정실이 설치되어 있으므로, 로컬 반송 유닛이 기판을 반송하고 있지 않을 때에, 아암 세정실 내에 있어서 반송 아암을 세정할 수 있다. 아암 세정실에 아암 세정 노즐이 배치되어 있으므로, 로컬 반송실 내에 세정액이 들어가는 것을 억제하면서, 반송 아암을 세정할 수 있다. 그것에 의해, 세정액에 의한 기판으로의 영향을 억제할 수 있다. 또, 아암 세정실이 감압됨으로써, 세정액에 의해서 세정된 후의 반송 아암을 신속하게 건조할 수 있다.By this structure, since the arm washing chamber is provided adjacent to the local conveyance chamber, when a local conveyance unit does not convey a board | substrate, a conveyance arm can be wash | cleaned in an arm washing chamber. Since the arm cleaning nozzle is arranged in the arm cleaning chamber, the transport arm can be cleaned while suppressing the cleaning liquid from entering the local transport chamber. Thereby, the influence on the board | substrate by a washing | cleaning liquid can be suppressed. Moreover, since the arm washing chamber is depressurized, the conveyance arm after washing | cleaning with a washing | cleaning liquid can be dried quickly.

이 발명의 일실시 형태에서는, 상기 제거 처리 유닛이, 상기 제거실 내에서 기판을 수평으로 유지하는 기판 유지 유닛과, 상기 기판 유지 유닛에 유지된 기판에 제거액을 토출하는 제거액 토출 유닛을 포함한다. 이 구성에 의해, 수평으로 유지된 기판에 제거액이 공급되므로, 기판 표면에 제거액을 용이하게 널리 퍼지게 하여, 고체화 막의 제거 처리를 효율적으로 진행시킬 수 있다.In one embodiment of this invention, the said removal processing unit contains the board | substrate holding unit which hold | maintains a board | substrate horizontally in the said removal chamber, and the removal liquid discharge unit which discharges a removal liquid to the board | substrate hold | maintained by the said board | substrate holding unit. With this configuration, since the removal liquid is supplied to the substrate held horizontally, the removal liquid can be easily spread over the substrate surface, and the removal treatment of the solidified film can be efficiently carried out.

이 발명의 일실시 형태는, 기판의 표면에 처리실 내에서 처리액을 공급하여, 기판의 표면에 처리액 막을 형성하는 처리액 막 형성 공정과, 상기 처리액 막 형성 공정 후, 상기 기판을 고체화실로 반송하는 제1 로컬 반송 공정과, 상기 고체화실 내에서 상기 처리액 막을 고체화시켜 상기 기판의 표면에 고체화 막을 형성하는 고체화 막 형성 공정과, 상기 고체화 막 형성 공정 후, 상기 기판을 제거실로 반송하는 제2 로컬 반송 공정과, 상기 제거실 내에서 상기 고체화 막을 제거하기 위한 제거액을 상기 기판의 표면에 공급하는 제거 처리 공정과, 주반송 유닛에 의해서, 상기 처리실에 기판을 반입하고, 상기 제거실로부터 기판을 반출하는 주반송 공정을 포함하는, 기판 처리 방법을 제공한다.In one embodiment of the present invention, the substrate is converted into a solidification chamber after the treatment liquid film forming step of supplying the treatment liquid to the surface of the substrate in the treatment chamber to form the treatment liquid film on the surface of the substrate, and the treatment liquid film forming step. An agent for conveying the substrate to the removal chamber after the first local conveyance step to convey, the solidification film forming step of solidifying the processing liquid film in the solidification chamber to form a solid film on the surface of the substrate, and the solidification film forming step 2 A local conveyance process, the removal process which supplies the removal liquid for removing the said solidified film in the said removal chamber to the surface of the said board | substrate, and a main conveying unit carry in a board | substrate to the said process chamber, and a board | substrate from the removal chamber Provided is a substrate processing method including a main transport step for carrying out a process.

이 발명의 일실시 형태에서는, 상기 고체화 막 형성 공정이, 상기 기판을 가열 유닛에 의해서 가열하는 가열 공정을 포함한다.In one Embodiment of this invention, the said solidification film formation process includes the heating process which heats the said board | substrate with a heating unit.

이 발명의 일실시 형태에서는, 상기 주반송 공정에 있어서 상기 기판이 주반송실을 통과하여 반송되고, 상기 제1 로컬 반송 공정에 있어서, 상기 기판이 상기 주반송실로부터 이격된 로컬 반송실을 통과하여 반송된다.In one embodiment of the present invention, the substrate is conveyed through the main transport chamber in the main transport step, and in the first local transport process, the substrate passes through the local transport chamber spaced apart from the main transport chamber. Is returned.

이 발명의 일실시 형태에서는, 상기 제1 로컬 반송 공정 및 상기 제2 로컬 반송 공정이, 공통의 로컬 반송 유닛에 의해서 실행된다.In one embodiment of this invention, the said 1st local conveyance process and the said 2nd local conveyance process are performed by a common local conveyance unit.

이 발명의 일실시 형태에서는, 상기 제1 로컬 반송 공정이, 상기 로컬 반송 유닛의 제1 반송 아암에 의해서 행해지고, 상기 제2 로컬 반송 공정이, 상기 로컬 반송 유닛의 제2 반송 아암에 의해서 행해진다.In one embodiment of this invention, the said 1st local conveyance process is performed by the 1st conveyance arm of the said local conveyance unit, and the said 2nd local conveyance process is performed by the 2nd conveyance arm of the said local conveyance unit. .

이 발명의 일실시 형태의 방법은, 상기 로컬 반송 유닛의 반송 아암에 세정액을 공급하는 아암 세정 공정을 더 포함한다.The method of one Embodiment of this invention further includes the arm washing process of supplying a washing | cleaning liquid to the conveyance arm of the said local conveyance unit.

이 발명의 일실시 형태에서는, 상기 처리실 및 상기 제거실이, 공통의 실이다.In one Embodiment of this invention, the said processing chamber and the said removal chamber are common threads.

이 발명의 일실시 형태에서는, 상기 처리액 막 형성 공정 전에, 기판을 세정하는 세정 공정이 실행된다.In one embodiment of this invention, the washing | cleaning process which wash | cleans a board | substrate is performed before the said process liquid film formation process.

본 발명에 있어서의 상술의, 또는 또 다른 목적, 특징 및 효과는, 첨부 도면을 참조하여 다음에 기술하는 실시 형태의 설명에 의해 밝혀진다.The above-mentioned or another object, a characteristic, and an effect in this invention are revealed by description of embodiment described below with reference to an accompanying drawing.

도 1a는, 이 발명의 제1 실시 형태에 따르는 기판 처리 장치의 구성을 설명하기 위한 평면도이다.
도 1b는, 상기 제1 실시 형태에 따르는 기판 처리 장치의 구성을 설명하기 위한 도해적인 입면도이다.
도 2는, 상기 기판 처리 장치에 구비된 액처리 유닛의 구성예를 설명하기 위한 도해적인 단면도이다.
도 3은, 상기 기판 처리 장치에 구비된 고체화 유닛의 구성예를 설명하기 위한 도해적인 단면도이다.
도 4는, 상기 기판 처리 장치에 구비된 로컬 반송 로봇의 구성예를 설명하기 위한 도면이다.
도 5a는, 이 발명의 제2 실시 형태에 따르는 기판 처리 장치의 구성을 설명하기 위한 도해적인 평면도이다.
도 5b는, 상기 제2 실시 형태에 따르는 기판 처리 장치의 구성을 설명하기 위한 도해적인 입면도이다.
도 6a는, 이 발명의 제3 실시 형태에 따르는 기판 처리 장치의 구성을 설명하기 위한 도해적인 평면도이다.
도 6b는, 상기 제3 실시 형태에 따르는 기판 처리 장치의 구성을 설명하기 위한 도해적인 입면도이다.
도 7은, 이 발명의 제4 실시 형태에 따르는 기판 처리 장치의 구성을 설명하기 위한 도해적인 입면도이며, 주반송실의 일방측의 구성이 도시되어 있다.
도 8은, 이 발명의 제5 실시 형태에 따르는 기판 처리 장치의 구성을 설명하기 위한 도해적인 평면도이다.
도 9는, 이 발명의 제6 실시 형태에 따르는 기판 처리 장치의 구성을 설명하기 위한 도면이고, 고체화 유닛의 구성예를 도시한다.
도 10은, 이 발명의 제7 실시 형태를 설명하기 위한 도면이고, 로컬 반송 로봇의 핸드를 세정하는 핸드 세정 유닛의 구성을 도시한다.
도 11은, 이 발명의 제8 실시 형태에 따르는 기판 처리 장치의 구성을 설명하기 위한 도면이고, 고체화 유닛의 또 다른 구성예를 도해적으로 도시하는 단면도이다.1: A is a top view for demonstrating the structure of the substrate processing apparatus which concerns on 1st Embodiment of this invention.
FIG. 1B is a schematic elevation view for explaining the configuration of the substrate processing apparatus according to the first embodiment.
2 is a schematic cross-sectional view for illustrating a configuration example of a liquid processing unit included in the substrate processing apparatus.
3 is a schematic cross-sectional view for illustrating a configuration example of the solidification unit included in the substrate processing apparatus.
It is a figure for demonstrating the structural example of the local conveyance robot with which the said substrate processing apparatus was equipped.
5A is a schematic plan view for explaining the configuration of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
5B is an illustrative elevation view for explaining the configuration of the substrate processing apparatus according to the second embodiment.
6A is a schematic plan view for explaining the configuration of a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.
6B is a schematic elevation view for explaining the configuration of the substrate processing apparatus according to the third embodiment.
Fig. 7 is a schematic elevation view for explaining the configuration of the substrate processing apparatus according to the fourth embodiment of the present invention, and the configuration of one side of the main transport chamber is shown.
8 is a schematic plan view for explaining the configuration of a substrate processing apparatus according to a fifth embodiment of the present invention.
9 is a view for explaining the configuration of the substrate processing apparatus according to the sixth embodiment of the present invention, and shows a structural example of the solidification unit.
FIG. 10 is a view for explaining a seventh embodiment of the present invention and shows the configuration of a hand washing unit for washing a hand of a local transfer robot.
FIG. 11: is a figure for demonstrating the structure of the substrate processing apparatus which concerns on 8th Embodiment of this invention, and is sectional drawing which shows still another structural example of a solidification unit.

이하에서는, 이 발명의 실시 형태를, 첨부 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described in detail with reference to an accompanying drawing.

[제1 실시 형태][First Embodiment]

도 1a는, 이 발명의 제1 실시 형태에 따르는 기판 처리 장치(1)의 구성을 설명하기 위한 평면도이며, 도 1b는 그 입면도이다. 기판 처리 장치(1)는, 캐리어 유지부(2)와, 인덱서 로봇(IR)과, 복수의 액처리 유닛(M11~M14, M21~M24)(총칭할 때에는 「액처리 유닛(M)」이라고 한다)과, 복수의 고체화 유닛(D11~D14, D21~D24)(총칭할 때에는 「고체화 유닛(D)」이라고 한다)과, 주반송 로봇(CR)과, 로컬 반송 로봇(LR11~LR14, LR21~LR24)(총칭할 때에는 「로컬 반송 로봇(LR)」이라고 한다)을 포함한다. 주반송 로봇(CR)은 주반송 유닛의 일례이며, 로컬 반송 로봇(LR)은 로컬 반송 유닛의 일례이다.1: A is a top view for demonstrating the structure of the substrate processing apparatus 1 which concerns on 1st Embodiment of this invention, and FIG. 1B is an elevation view. The substrate processing apparatus 1 is referred to as a carrier holding unit 2, an indexer robot IR, and a plurality of liquid processing units M11 to M14 and M21 to M24 (collectively referred to as "liquid processing unit M"). And a plurality of solidification units D11 to D14 and D21 to D24 (collectively referred to as "solidification unit D"), main transport robot CR, and local transport robots LR11 to LR14 and LR21. LR24) (collectively referred to as "local carrier robot LR"). The main transport robot CR is an example of the main transport unit, and the local transport robot LR is an example of the local transport unit.

캐리어 유지부(2)는, 복수 장의 기판(W)을 적층 상태로 유지하는 기판 용기인 캐리어(3)를 유지한다. 이 실시 형태에서는, 캐리어 유지부(2)는, 복수의 캐리어(3)를 유지 가능하게 구성되어 있다. 인덱서 로봇(IR)은, 캐리어 유지부(2)에 유지된 캐리어(3)에 액세스하여 기판(W)을 출납하고, 또한 주반송 로봇(CR)과의 사이에서 기판(W)의 수도(受渡)를 행한다.The carrier holding part 2 holds the carrier 3 which is a board | substrate container which holds the several board | substrate W in a laminated state. In this embodiment, the carrier holding part 2 is comprised so that holding of the some carrier 3 is possible. The indexer robot IR accesses the carrier 3 held by the carrier holding unit 2 to withdraw the substrate W, and also transfers the substrate W to the main transport robot CR. ).

복수의 액처리 유닛(M) 및 복수의 고체화 유닛(D)은, 이 실시 형태에서는, 복수 층 구조(이 실시 형태에서는 2층 구조)를 이루도록 입체적으로 배치되어 있다. 구체적으로는, 도 1a에 도시되어 있는 바와 같이, 평면에서 볼 때, 캐리어 유지부(2)로부터 직선 형상으로 연장된 주반송실(5)에 주반송 로봇(CR)이 배치되어 있고, 주반송실(5)의 양측에 2개씩의 적층 유닛군(G1, G2；G3, G4)이 주반송실(5)을 따라서 배치되어 있다. 그것에 의해, 평면에서 볼 때, 주반송 로봇(CR)의 주위에 4개의 적층 유닛군(G1~G4)이 배치되어 있다.In this embodiment, the plurality of liquid processing units M and the plurality of solidification units D are three-dimensionally arranged so as to form a plural layer structure (two layer structure in this embodiment). Specifically, as shown in FIG. 1A, in a plan view, the main transport robot CR is disposed in the main transport chamber 5 extending linearly from the carrier holding unit 2, and the main transport is performed. Two lamination unit groups G1, G2; G3, G4 are arranged along the main transport chamber 5 on both sides of the yarn 5. Thereby, four laminated unit groups G1-G4 are arrange | positioned around the main transport robot CR in planar view.

기판 처리 장치(1)의 제1 층(S1) 및 제2 층(S2)에 각 4개의 액처리 유닛(M11~M14, M21~M24)이 배치되어 있고, 기판 처리 장치(1)는, 합계로 8개의 액처리 유닛(M)을 구비하고 있다. 제1 층(S1)에 있어서, 주반송실(5)의 양측에 2개씩의 액처리 유닛(M11, M12；M13, M14)이 주반송실(5)을 따라서 배치되어 있다. 이들 4개의 액처리 유닛(M11~M14) 위에 4개의 고체화 유닛(D11~D14)이 각각 배치되어 있다. 또한, 제2 층(S2)에 있어서, 주반송실(5)의 양측에 2개씩의 액처리 유닛(M21, M22；M23, M24)이 주반송실(5)을 따라서 배치되어 있다. 이들 4개의 액처리 유닛(M21~M24) 위에 4개의 고체화 유닛(D21~D24)이 각각 배치되어 있다. 1개의 액처리 유닛(M)과, 그 위에 배치된 고체화 유닛(D)이, 대응하는 쌍을 이루고 있다.Four liquid processing units M11-M14, M21-M24 are arrange | positioned at the 1st layer S1 and the 2nd layer S2 of the substrate processing apparatus 1, and the substrate processing apparatus 1 is a total. The furnace is provided with eight liquid processing units (M). In the 1st layer S1, the two liquid processing units M11, M12; M13, M14 are arrange | positioned along the main transport chamber 5 by the both sides of the main transport chamber 5, respectively. Four solidification units D11-D14 are arrange | positioned on these four liquid processing units M11-M14, respectively. In the second layer S2, two liquid processing units M21, M22; M23 and M24 are arranged along the main transport chamber 5 on both sides of the main transport chamber 5, respectively. Four solidification units D21-D24 are arrange | positioned on these four liquid processing units M21-M24, respectively. One liquid processing unit M and the solidification unit D arrange | positioned on it form the corresponding pair.

적층 유닛군(G1)은, 밑에서부터 차례로, 액처리 유닛(M11), 고체화 유닛(D11), 액처리 유닛(M21) 및 고체화 유닛(D21)을 적층하여 구성되어 있다. 적층 유닛군(G2)은, 밑에서부터 차례로, 액처리 유닛(M12), 고체화 유닛(D12), 액처리 유닛(M22) 및 고체화 유닛(D22)을 적층하여 구성되어 있다. 적층 유닛군(G3)은, 밑에서부터 차례로, 액처리 유닛(M13), 고체화 유닛(D13), 액처리 유닛(M23) 및 고체화 유닛(D23)을 적층하여 구성되어 있다. 적층 유닛군(G4)은, 밑에서부터 차례로, 액처리 유닛(M14), 고체화 유닛(D14), 액처리 유닛(M24) 및 고체화 유닛(D24)을 적층하여 구성되어 있다.The stacking unit group G1 is configured by stacking the liquid processing unit M11, the solidifying unit D11, the liquid processing unit M21, and the solidifying unit D21 in order from the bottom. The stacking unit group G2 is configured by stacking the liquid processing unit M12, the solidifying unit D12, the liquid processing unit M22, and the solidifying unit D22 in order from the bottom. The stacking unit group G3 is configured by stacking the liquid processing unit M13, the solidifying unit D13, the liquid processing unit M23, and the solidifying unit D23 in order from the bottom. The stacking unit group G4 is configured by stacking the liquid processing unit M14, the solidifying unit D14, the liquid processing unit M24, and the solidifying unit D24 in order from the bottom.

주반송 로봇(CR)은, 합계 8개의 액처리 유닛(M)에 액세스하여 기판(W)을 건네줄 수 있고, 또한 인덱서 로봇(IR)과의 사이에서 기판(W)을 수도할 수 있다. 주반송 로봇(CR)은, 합계 8개의 고체화 유닛(D)에 액세스하여 기판(W)을 취출할 수 있도록 구성되어 있어도 된다.The main transport robot CR can access the eight liquid processing units M in total, can pass the board | substrate W, and can also transfer the board | substrate W between the indexer robot IR. The main transport robot CR may be comprised so that the board | substrate W may be taken out by accessing eight solidification units D in total.

로컬 반송 로봇(LR)은, 이 실시 형태에서는, 제1 층(S1)에 4개 구비되고, 제2 층(S2)에 4개 구비되어 있다. 보다 구체적으로는, 평면에서 볼 때, 제1 층(S1)에는, 주반송실(5)의 양측에 2개씩의 로컬 반송 로봇(LR11, LR12；LR13, LR14)이 배치되어 있다. 더 구체적으로는, 주반송실(5)의 일방측에 있어서, 제1 층(S1)에는, 캐리어 유지부(2)와 액처리 유닛(M11) 사이에 1개의 로컬 반송 로봇(LR11)이 배치되어 있고, 캐리어 유지부(2)로부터 먼 쪽의 단부에 또 1개의 로컬 반송 로봇(LR12)이 배치되어 있다. 주반송실(5)의 타방측에 있어서의 2개의 로컬 반송 로봇(LR13, LR14)의 배치도 동일하다. 그리고, 제2 층(S2)에 있어서의 4개의 로컬 반송 로봇(LR21, LR22；LR23, LR24)도 동일하게 배치되어 있다. 로컬 반송 로봇(LR11~LR14, LR21~LR24)은, 로컬 반송실(C11~C14, C21~C24)(총칭할 때에는 「로컬 반송실(C)」이라고 한다) 내에 각각 배치되어 있다. 로컬 반송실(C)은, 주반송실(5)로부터 분리(이격)하도록 구획된 반송 공간을 형성하고 있다.In this embodiment, four local conveyance robots LR are provided in the 1st layer S1, and four are provided in the 2nd layer S2. More specifically, in plan view, two local transfer robots LR11, LR12; LR13, and LR14 are disposed on both sides of the main transport chamber 5 in the first layer S1. More specifically, on one side of the main transport chamber 5, one local transport robot LR11 is disposed between the carrier holding unit 2 and the liquid processing unit M11 in the first layer S1. Another local transfer robot LR12 is disposed at the end of the carrier holder 2. The arrangement of the two local transfer robots LR13 and LR14 on the other side of the main transport chamber 5 is also the same. The four local carrier robots LR21, LR22; LR23, and LR24 in the second layer S2 are also arranged in the same manner. The local transfer robots LR11 to LR14 and LR21 to LR24 are disposed in the local transfer chambers C11 to C14 and C21 to C24 (generally referred to as "local transfer chambers C"). The local conveyance chamber C forms the conveyance space partitioned so that it may separate (separately) from the main conveyance chamber 5.

이렇게 하여, 각 쌍의 액처리 유닛(M) 및 고체화 유닛(D)에 대해서, 1개의 로컬 반송 로봇(LR)이 설치되어 있다. 로컬 반송 로봇(LR)은, 액처리 유닛(M)에 의해서 처리된 후의 기판(W)을 당해 액처리 유닛(M)으로부터 취출하여, 대응하는 고체화 유닛(D)으로 반송한다.In this way, one local transfer robot LR is provided for each pair of liquid processing unit M and solidification unit D. FIG. The local transfer robot LR takes out the board | substrate W after having been processed by the liquid processing unit M from the said liquid processing unit M, and conveys it to the corresponding solidification unit D. FIG.

인덱서 로봇(IR), 주반송 로봇(CR) 및 로컬 반송 로봇(LR)의 동작예를 개설(槪說)하면, 다음과 같다.The operation examples of the indexer robot IR, the main transport robot CR, and the local transport robot LR will be outlined as follows.

즉, 인덱서 로봇(IR)은, 어느 한 캐리어(3)로부터 미처리의 기판(W)을 취출하여, 주반송 로봇(CR)에 건네준다. 주반송 로봇(CR)은, 인덱서 로봇(IR)으로부터 수취한 기판(W)을 어느 한 액처리 유닛(M)에 반입한다. 액처리 유닛(M)은, 반입된 기판(W)에 대한 처리를 실행한다. 액처리 유닛(M)은, 구체적으로는, 기판 표면에 대해서 전(前)세정 처리를 실시한 후, 성막용의 처리액을 기판(W)에 공급하여, 그 처리액의 액막을 기판(W)의 표면에 형성한다. 액처리 유닛(M)에 의해서 처리된 기판(W), 즉, 표면에 처리액 막이 형성된 기판(W)은, 로컬 반송 로봇(LR)에 의해서 반출되고, 그 바로 위에 배치된 고체화 유닛(D)으로 반송된다. 고체화 유닛(D)은, 반입된 기판(W)의 표면의 처리액 막을 고체화시켜 고체화 막을 기판(W)의 표면에 형성한다. 이 고체화 처리 후의 기판(W)은, 로컬 반송 로봇(LR)에 의해서 액처리 유닛(M)으로 반송된다. 액처리 유닛(M)은, 기판(W)에 제거액을 공급하여, 기판(W)의 표면의 고체화 막을 제거하고(제거 처리), 또한 후(後)세정 처리를 실행한다. 그 후, 기판(W)은, 액처리 유닛(M)으로부터 주반송 로봇(CR)에 의해서 반출된다. 주반송 로봇(CR)은, 그 기판(W)을 인덱서 로봇(IR)에 건네준다. 인덱서 로봇(IR)은, 건네받은 기판(W)을 어느 한 캐리어(3)에 수납한다.That is, the indexer robot IR takes out the unprocessed board | substrate W from either carrier 3, and passes it to the main transport robot CR. The main transport robot CR loads the substrate W received from the indexer robot IR into any liquid processing unit M. As shown in FIG. The liquid processing unit M performs a process on the loaded substrate W. FIG. Specifically, after performing pre-cleaning process on the surface of a board | substrate, the liquid processing unit M supplies the processing liquid for film-forming to the board | substrate W, and supplies the liquid film of the processing liquid to the board | substrate W. Form on the surface of the. The substrate W processed by the liquid processing unit M, that is, the substrate W on which the processing liquid film is formed, is carried out by the local transfer robot LR and the solidification unit D disposed thereon. Is returned. The solidification unit D solidifies the processing liquid film on the surface of the loaded substrate W to form the solidified film on the surface of the substrate W. As shown in FIG. The substrate W after this solidification process is conveyed to the liquid processing unit M by the local transfer robot LR. The liquid processing unit M supplies the removal liquid to the substrate W, removes the solidified film on the surface of the substrate W (removal treatment), and further performs post-cleaning treatment. Subsequently, the substrate W is carried out from the liquid processing unit M by the main transport robot CR. The main transport robot CR passes the substrate W to the indexer robot IR. The indexer robot IR accommodates the passed-in board | substrate W in one carrier 3.

고체화 유닛(D)에 의한 처리 후의 기판(W)은, 주반송 로봇(CR)에 의해서 반송되어도 된다. 즉, 주반송 로봇(CR)은, 고체화 유닛(D)에 의한 처리 후의 기판(W)을 고체화 유닛(D)으로부터 반출하고, 제거 처리를 위해서, 어느 한 액처리 유닛(M)에 반입해도 된다. 이 경우, 성막용의 처리액을 기판(W)에 공급하는 액처리 유닛(M)과, 제거 처리를 실행하는 액처리 유닛(M)은, 상이한 액처리 유닛일 수 있다.The board | substrate W after the process by the solidification unit D may be conveyed by main transport robot CR. That is, the main transport robot CR may carry out the board | substrate W after the process by the solidification unit D from the solidification unit D, and may carry it in any liquid processing unit M for a removal process. . In this case, the liquid processing unit M which supplies the processing liquid for film-forming to the board | substrate W, and the liquid processing unit M which performs a removal process may be different liquid processing units.

인덱서 로봇(IR)은, 미처리의 기판(W)을 주반송 로봇(CR)에 건네주고, 그 직전, 직후 또는 동시에, 처리가 끝난 기판(W)을 주반송 로봇(CR)으로부터 수취하도록 동작해도 된다. 마찬가지로, 주반송 로봇(CR)은, 미처리의 기판(W)을 인덱서 로봇(IR)으로부터 수취하고, 그 직전, 직후 또는 동시에, 처리가 끝난 기판(W)을 인덱서 로봇(IR)에 건네주도록 동작해도 된다. 또한, 주반송 로봇(CR)은, 미처리의 기판(W)을 액처리 유닛(M)에 반입하고, 그 직후 또는 직전에 액처리 유닛(M)으로부터 처리가 끝난 기판(W)(후세정 처리 후의 기판(W))을 반출하도록 동작해도 된다.The indexer robot IR may pass the unprocessed substrate W to the main transport robot CR, and may operate to receive the processed substrate W from the main transport robot CR immediately before, immediately after, or at the same time. do. Similarly, the main transport robot CR receives the unprocessed substrate W from the indexer robot IR, and immediately before, immediately after or at the same time, passes the processed substrate W to the indexer robot IR. You may also In addition, the main transport robot CR carries the unprocessed substrate W into the liquid processing unit M, and the substrate W (post-cleaning processing) which has been processed from the liquid processing unit M immediately after or immediately before. You may operate so that the following board | substrate W may be carried out.

이와 같이, 이 실시 형태에서는, 1개의 액처리 유닛(M)에 대해서 1개의 고체화 유닛(D)이 대응되어 있다. 그리고, 액처리 유닛(M)과 고체화 유닛(D)이 적층되어 있다. 또한, 1개의 액처리 유닛(M) 및 1개의 고체화 유닛(D)의 쌍에 대해서, 1개의 로컬 반송 로봇(LR)이 설치되어 있고, 로컬 반송 로봇(LR)은, 그들 액처리 유닛(M) 및 고체화 유닛(D)에 액세스 가능하다. 로컬 반송 로봇(LR)은, 액처리 유닛(M)에 의해서 처리된 기판(W)을 액처리 유닛(M)으로부터 반출하여, 그 액처리 유닛(M)에 대응하는 고체화 유닛(D)으로 반송하며, 그 고체화 유닛(D)에 반입한다. 구체적으로는, 로컬 반송 로봇(LR)은, 액처리 유닛(M)으로부터 취출한 기판(W)을 수직 방향(더 구체적으로는 상방)으로 반송한다. 또, 로컬 반송 로봇(LR)은, 고체화 유닛(D)에 의해서 처리된 기판(W)을 고체화 유닛(D)으로부터 반출하여, 그 고체화 유닛(D)에 대응하는 액처리 유닛(M)으로 반송하며, 그 액처리 유닛(M)에 반입한다. 구체적으로는, 로컬 반송 로봇(LR)은, 고체화 유닛(D)으로부터 취출한 기판(W)을 수직 방향(더 구체적으로는 하방)으로 반송한다. 주반송 로봇(CR)은, 미처리의 기판(W)을 액처리 유닛(M)에 반입하고, 액처리 유닛(M)으로부터 처리 후의 기판(W)을 반출한다.Thus, in this embodiment, one solidification unit D corresponds to one liquid processing unit M. As shown in FIG. And liquid processing unit M and solidification unit D are laminated | stacked. Moreover, one local conveyance robot LR is provided with respect to the pair of one liquid processing unit M and one solidification unit D, and the local conveyance robot LR is those liquid processing units M ) And the solidification unit (D). The local transfer robot LR carries out the board | substrate W processed by the liquid processing unit M from the liquid processing unit M, and conveys it to the solidification unit D corresponding to the liquid processing unit M. It carries out to the solidification unit (D). Specifically, the local transfer robot LR conveys the substrate W taken out from the liquid processing unit M in the vertical direction (more specifically, upward). Moreover, the local transfer robot LR carries out the board | substrate W processed by the solidification unit D from the solidification unit D, and conveys it to the liquid processing unit M corresponding to this solidification unit D. And carry it into the liquid processing unit (M). Specifically, the local transfer robot LR conveys the substrate W taken out from the solidification unit D in the vertical direction (more specifically, downward). The main transport robot CR carries in the unprocessed board | substrate W to the liquid processing unit M, and carries out the processed board | substrate W from the liquid processing unit M. FIG.

액처리 유닛(M)은, 이 실시 형태에서는, 제거 처리 유닛으로서의 기능도 갖고 있다.In this embodiment, the liquid processing unit M also has a function as a removal processing unit.

도 2는, 액처리 유닛(M)의 구성예를 설명하기 위한 도해적인 단면도이다. 액처리 유닛(M)은, 처리실(11)을 구비하고 있다. 처리실(11)은, 기판(W)의 표면에 처리액 막을 형성하는 처리실의 일례이며, 또한 기판(W)의 표면의 고체화 막을 제거하는 제거실의 일례이기도 하다. 처리실(11) 내에는, 기판(W)을 수평으로 유지하고 회전 가능한 기판 유지 유닛으로서의 스핀척(12)과, 스핀척(12)을 둘러싸는 컵(13)과, 약액 노즐(14)과, 처리액 토출 유닛으로서의 성막 처리액 노즐(15)과, 제거액 토출 유닛으로서의 제거액 노즐(16)과, 린스 노즐(29)과, 차단판(19)이 설치되어 있다. 스핀척(12)은, 기판 회전 유닛의 일례인 모터(17)에 의해서 연직인 회전축선(18) 둘레로 회전된다.2 is a schematic cross-sectional view for illustrating a configuration example of the liquid processing unit M. As shown in FIG. The liquid processing unit M is provided with the processing chamber 11. The process chamber 11 is an example of the process chamber which forms a process liquid film on the surface of the board | substrate W, and is also an example of the removal chamber which removes the solidified film of the surface of the board | substrate W. As shown in FIG. In the processing chamber 11, the spin chuck 12 serving as the substrate holding unit which can hold the substrate W horizontally and rotate, the cup 13 surrounding the spin chuck 12, the chemical liquid nozzle 14, The film formation processing liquid nozzle 15 as the processing liquid discharge unit, the removal liquid nozzle 16 as the removal liquid discharge unit, the rinse nozzle 29 and the blocking plate 19 are provided. The spin chuck 12 is rotated around the vertical axis of rotation 18 by a motor 17 which is an example of a substrate rotating unit.

약액 노즐(14)에는, 약액 배관(21)이 결합되어 있다. 약액 배관(21)의 도중에는, 약액 통로를 개폐하는 약액 밸브(22)가 끼워 설치되어 있다. 약액 배관(21)에는, 약액 공급원(23)으로부터 약액이 공급된다. 약액의 예로는, HF(불산), SC1(암모니아과산화수소수), SC2(염산과산화수소수), SPM(황산과산화수소수), 인산, 불질산, FPM(불산과산화수소수), FOM(불산오존수), AOM(암모니아오존수) 등을 들 수 있다. 약액 노즐(14)은, 스핀척(12)에 유지된 기판(W)의 상방으로 이동 가능한 이동 노즐이어도 된다. 또, 도 2의 약액 노즐(14)은, 차단판(19)과는 별도로 설치되어 있는데, 약액 노즐은 차단판(19)에 장착되어도 된다.The chemical liquid piping 21 is coupled to the chemical liquid nozzle 14. In the middle of the chemical liquid piping 21, a chemical liquid valve 22 for opening and closing the chemical liquid passage is fitted. The chemical liquid is supplied to the chemical liquid pipe 21 from the chemical liquid supply source 23. Examples of chemical solutions include HF (hydrofluoric acid), SC1 (ammonia hydrogen peroxide), SC2 (hydrochloric acid peroxide), SPM (sulfuric acid peroxide), phosphoric acid, hydrofluoric acid, FPM (hydrogen peroxide), FOM (hydrofluoric acid ozone), AOM (Ammonia ozone water) etc. are mentioned. The chemical liquid nozzle 14 may be a moving nozzle which is movable above the substrate W held by the spin chuck 12. In addition, although the chemical liquid nozzle 14 of FIG. 2 is provided separately from the blocking plate 19, the chemical liquid nozzle may be attached to the blocking plate 19. As shown in FIG.

성막 처리액 노즐(15)에는, 성막 처리액 배관(26)이 결합되어 있다. 성막 처리액 배관(26)의 도중에는, 성막 처리액 통로를 개폐하는 성막 처리액 밸브(27)가 끼워 설치되어 있다. 성막 처리액 배관(26)에는, 성막 처리액 공급원(28)으로부터, 성막 처리액이 공급된다. 성막 처리액은, 가열이나 감압 등의 소정의 고체화 처리에 의해서 고체화하여 고체화 막을 형성할 수 있고, 소정의 제거액에 의해서 그 고체화 막을 제거할 수 있는 액체이다. 구체적으로는, 성막 처리액으로는, 탑코팅액, 레지스트액, 페놀수지액 등을 이용할 수 있다. 탑코팅액이란, 레지스트 막 위에 형성되는 보호막을 형성하기 위한 액체이다. 성막 처리액 노즐(15)은, 스핀척(12)에 유지된 기판(W)의 상방으로 이동 가능한 이동 노즐이어도 된다. The film forming liquid treatment pipe 26 is coupled to the film forming liquid nozzle 15. In the middle of the film forming liquid piping 26, a film forming liquid valve 27 is formed to open and close the film forming liquid passage. The film forming process liquid is supplied from the film forming process liquid supply source 28 to the film forming process piping 26. The film forming liquid is a liquid which can be solidified by a predetermined solidification treatment such as heating or reduced pressure to form a solidified film, and the solidified film can be removed by a predetermined removal liquid. Specifically, a top coating liquid, a resist liquid, a phenol resin liquid, or the like can be used as the film forming processing liquid. The top coating liquid is a liquid for forming a protective film formed on a resist film. The film formation processing liquid nozzle 15 may be a moving nozzle which is movable above the substrate W held by the spin chuck 12.

제거액 노즐(16)에는, 제거액 배관(101)이 결합되어 있다. 제거액 배관(101)의 도중에는 제거액 통로를 개폐하는 제거액 밸브(102)가 끼워 설치되어 있다. 제거액 배관(101)에는, 제거액 공급원(103)으로부터, 제거액이 공급된다. 제거액은, 성막 처리액을 고체화하여 형성한 고체화 막을 제거할 수 있는 액체이다. 구체적으로는, 제거액으로서, 알칼리 현상액이나 SC1(암모니아과산화수소수)이 이용되어도 된다. 알칼리 현상액은, 암모니아수, TMAH(수산화테트라메틸암모늄 수용액), 콜린 수용액 등을 포함하고 있어도 된다. 제거액 노즐(16)은, 스핀척(12)에 유지된 기판(W)의 상방으로 이동 가능한 이동 노즐이어도 된다.The removal liquid piping 101 is coupled to the removal liquid nozzle 16. In the middle of the removal liquid piping 101, the removal liquid valve 102 which opens and closes a removal liquid path | pass is provided. The removal liquid is supplied to the removal liquid piping 101 from the removal liquid supply source 103. The removal liquid is a liquid which can remove the solidified film formed by solidifying the film forming process liquid. Specifically, an alkaline developer or SC1 (ammonia hydrogen peroxide solution) may be used as the removal solution. The alkaline developer may contain ammonia water, TMAH (tetramethylammonium hydroxide aqueous solution), choline aqueous solution, or the like. The removal liquid nozzle 16 may be a moving nozzle which is movable above the substrate W held by the spin chuck 12.

린스 노즐(29)에는, 린스액 배관(31A) 및 유기용제 배관(31B)이 결합되어 있다. 보다 구체적으로는, 이 실시 형태에서는, 린스액 배관(31A)이 린스 노즐(29)에 결합되어 있고, 유기용제 배관(31B)이 린스액 배관(31A)에 합류하고 있다. 린스액 배관(31A)의 도중에는, 린스액 배통로를 개폐하는 린스액 밸브(32A)가 끼워 설치되어 있다. 유기용제 배관(31B)의 도중에는, 유기용제 통로를 개폐하는 유기용제 밸브(32B)가 끼워 설치되어 있다. 린스액 배관(31A)에는, 린스액 공급원(33A)으로부터 린스액이 공급된다. 린스액은, 이 실시 형태에서는 DIW(탈이온수)이다. 물론, 탄산수 등의 상이한 린스액이 이용되어도 된다. 유기용제 배관(31B)에는, 유기용제 공급원(33B)으로부터 유기용제가 공급된다. 유기용제는, 린스액보다 표면장력이 작은 저표면장력 액체의 일례이다. 이 실시 형태에서는, 린스액 및 유기용제가 배관(31A)을 통과하여 공통의 노즐(29)로부터 공급되고 있는데, 린스액 및 유기용제를 각각 공급하는 개별의 독립된 배관 및 노즐이 설치되어도 된다.A rinse liquid pipe 31A and an organic solvent pipe 31B are coupled to the rinse nozzle 29. More specifically, in this embodiment, 31 A of rinse liquid piping is couple | bonded with the rinse nozzle 29, and the organic-solvent piping 31B joins the rinse liquid piping 31A. In the middle of the rinse liquid piping 31A, a rinse liquid valve 32A for opening and closing the rinse liquid passage is provided. In the middle of the organic-solvent piping 31B, the organic-solvent valve 32B which opens and closes an organic-solvent channel | path is interposed. The rinse liquid is supplied to the rinse liquid pipe 31A from the rinse liquid supply source 33A. The rinse liquid is DIW (deionized water) in this embodiment. Of course, different rinse liquids, such as carbonated water, may be used. The organic solvent is supplied to the organic solvent piping 31B from the organic solvent supply source 33B. The organic solvent is an example of a low surface tension liquid having a smaller surface tension than the rinse liquid. In this embodiment, the rinse liquid and the organic solvent are supplied from the common nozzle 29 through the pipe 31A, and individual independent pipes and nozzles respectively supplying the rinse liquid and the organic solvent may be provided.

유기용제는, 린스액과 치환 가능한 유기용제이며, 보다 구체적으로는, 물과의 친화성이 있는 유기용제이다. 이들 유기용제로는, 이소프로필알코올(IPA), 메탄올, 에탄올, 부탄올, 아세톤, PGMEA(프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트), EGMEA(에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트) 등을 예시할 수 있다.The organic solvent is an organic solvent which can be substituted with a rinse liquid, and more specifically, an organic solvent having affinity with water. As these organic solvents, isopropyl alcohol (IPA), methanol, ethanol, butanol, acetone, PGMEA (propylene glycol monomethyl ether acetate), EGMEA (ethylene glycol monoethyl ether acetate), etc. can be illustrated.

차단판(19)은, 스핀척(12)에 유지되는 기판(W)의 상면에 대향하는 대향면(19a)을 갖고 있다. 차단판(19)은, 차단판 구동 유닛(20)에 의해서 구동된다. 차단판 구동 유닛(20)은, 차단판 승강 유닛(20A)과, 차단판 회전 유닛(20B)을 포함한다. 차단판 승강 유닛(20A)은, 차단판(19)을 상하 이동시켜, 대향면(19a)을 스핀척(12)에 유지된 기판(W)에 접근시키거나 이격시킨다. 차단판 회전 유닛(20B)은, 스핀척(12)과 공통의 회전축선(18) 둘레로 차단판(19)을 회전 구동한다. 보다 구체적으로는, 차단판 회전 유닛(20B)은, 차단판(19)을 지지하고 있는 회전축(25)에 회전력을 부여한다. 차단판(19)의 대향면(19a)의 중앙, 즉, 회전축선(18) 상에, 린스 노즐(29)이 배치되어 있다. 회전축(25)은, 중공축이며, 그 내부를 린스액 배관(31A)이 삽입 통과하고 있다.The blocking plate 19 has an opposing surface 19a facing the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 12. The blocking plate 19 is driven by the blocking plate driving unit 20. The blocking plate drive unit 20 includes a blocking plate elevating unit 20A and a blocking plate rotating unit 20B. The blocking plate elevating unit 20A moves the blocking plate 19 up and down to allow the opposing surface 19a to approach or space the substrate W held by the spin chuck 12. The blocking plate rotating unit 20B rotationally drives the blocking plate 19 around the rotation axis 18 common to the spin chuck 12. More specifically, the blocking plate rotating unit 20B imparts rotational force to the rotating shaft 25 supporting the blocking plate 19. The rinse nozzle 29 is arrange | positioned at the center of the opposing surface 19a of the blocking plate 19, ie, the rotation axis 18. As shown in FIG. The rotating shaft 25 is a hollow shaft, and 31 A of rinse liquid piping passes through the inside.

대향면(19a)의 중앙에는, 린스 노즐(29)을 하방을 향해서 노출시키는 개구(19b)가 형성되어 있다. 이 개구(19b)는, 회전축(25)의 내부 공간과 연통하고 있다. 린스액 배관(31A)과 회전축(25)의 내벽 사이에는, 불활성 가스를 유통시키기 위한 불활성 가스 유로(45)가 형성되어 있다. 이 불활성 가스 유로(45)에는, 불활성 가스 배관(46)이 접속되어 있다. 불활성 가스 배관(46)의 도중에는, 유로를 개폐하는 불활성 가스 밸브(47)가 끼워 설치되어 있다. 불활성 가스 배관(46)은, 불활성 가스 공급원(48)에 결합되어 있다. 불활성 가스 공급원(48)은, 불활성 가스를 공급한다. 불활성 가스는, 기판(W)의 표면의 물질에 대해서 불활성인 가스이며, 예를 들어 질소 가스여도 된다. 약액 노즐을 차단판(19)에 장착한 경우에는, 회전축(25)에는 또한 약액 배관이 삽입 통과되고, 약액 노즐은, 개구(19b)로부터 하방을 향해서 노출된다.The opening 19b which exposes the rinse nozzle 29 downward is formed in the center of the opposing surface 19a. This opening 19b communicates with the internal space of the rotation shaft 25. An inert gas flow path 45 for flowing inert gas is formed between the rinse liquid pipe 31A and the inner wall of the rotating shaft 25. An inert gas pipe 46 is connected to this inert gas flow path 45. The inert gas valve 47 which opens and closes a flow path is provided in the middle of the inert gas piping 46. The inert gas pipe 46 is coupled to the inert gas supply source 48. The inert gas supply source 48 supplies an inert gas. The inert gas is a gas that is inert to the substance on the surface of the substrate W, and may be, for example, nitrogen gas. When the chemical liquid nozzle is attached to the blocking plate 19, the chemical liquid pipe is further inserted through the rotation shaft 25, and the chemical liquid nozzle is exposed downward from the opening 19b.

차단판 승강 유닛(20A)에 의해서 차단판(19)을 상하 이동시킴으로써, 린스 노즐(29)이 동시에 승강하고, 그것에 의해, 스핀척(12)에 유지된 기판(W)으로부터 린스 노즐(29)까지의 높이가 변동한다.By moving the blocking plate 19 up and down by the blocking plate elevating unit 20A, the rinse nozzle 29 moves up and down simultaneously, thereby rinsing the nozzle 29 from the substrate W held by the spin chuck 12. The height to fluctuates.

스핀척(12)의 회전축(130)은, 중공축으로 구성되어 있다. 이 회전축(130)에는, 이면 노즐(131)이 삽입 통과되어 있다. 이면 노즐(131)의 상단은, 기판(W) 하면의 회전 중심을 향해 린스액을 토출하는 토출구(132)를 형성하고 있다. 이면 노즐(131)에는, 린스액 공급 배관(133)이 결합되어 있다. 린스액 공급 배관(133)은, 린스액 밸브(134)를 개재하여 린스액 공급원(135)에 결합되고, 또한 유기용제 밸브(136)를 개재하여 유기용제 공급원(137)에 결합되어 있다. 린스액 공급원(135)은, DIW 그 외의 린스액을 공급한다. 유기용제 공급원(137)은, IPA 그 외의 유기용제를 공급한다.The rotating shaft 130 of the spin chuck 12 is composed of a hollow shaft. The back nozzle 131 is inserted through this rotating shaft 130. The upper end of the back surface nozzle 131 forms the discharge port 132 which discharges a rinse liquid toward the rotation center of the lower surface of the board | substrate W. As shown in FIG. The rinse liquid supply pipe 133 is coupled to the back nozzle 131. The rinse liquid supply pipe 133 is coupled to the rinse liquid supply source 135 via the rinse liquid valve 134, and is coupled to the organic solvent supply source 137 via the organic solvent valve 136. The rinse liquid supply source 135 supplies DIW and other rinse liquids. The organic solvent supply source 137 supplies an organic solvent other than IPA.

이면 노즐(131)과 회전축(130) 사이의 공간은, 기판(W)의 하면을 향해서 불활성 가스를 공급하기 위한 불활성 가스 유로(140)를 형성하고 있다. 불활성 가스 유로(140)에는, 불활성 가스 공급 배관(141)이 결합되어 있다. 불활성 가스 공급 배관(141)의 도중에 불활성 가스 밸브(142)가 끼워 설치되어 있다. 불활성 가스 공급 배관(141)은, 불활성 가스 공급원(143)에 결합되어 있다. 불활성 가스 공급원(143)은, 불활성 가스를 공급한다. 불활성 가스는, 기판(W)을 구성하는 물질에 대해서 불활성인 가스이며, 예를 들어 질소 가스여도 된다.The space between the back nozzle 131 and the rotation shaft 130 forms an inert gas flow path 140 for supplying an inert gas toward the bottom surface of the substrate W. As shown in FIG. An inert gas supply pipe 141 is coupled to the inert gas flow path 140. An inert gas valve 142 is fitted in the middle of the inert gas supply pipe 141. The inert gas supply pipe 141 is coupled to the inert gas supply source 143. The inert gas supply source 143 supplies an inert gas. The inert gas is a gas that is inert with respect to the substance constituting the substrate W, and may be, for example, nitrogen gas.

처리실(11)의 측벽(35, 36)에는, 주반송 로봇(CR)에 의해서 기판(W)이 반입/반출되는 기판 반입/반출 개구(37)와, 로컬 반송 로봇(LR)에 의해서 기판(W)이 반입/반출되는 기판 반입/반출 개구(38)가 각각 형성되어 있다. 기판 반입/반출 개구(37) 및 기판 반입/반출 개구(38)에는, 그들을 개폐하는 셔터(39, 40)가 각각 배치되어 있다. 셔터(39, 40)는, 셔터 구동 유닛(41, 42)에 의해서, 각각 개폐 구동된다. 기판 반입/반출 개구(37)는, 주반송실(5)과 처리실(11)을 연통시키는 개구이고, 주반송실(5)과 처리실(11)을 구획하는 측벽(35)으로 형성되어 있다. 기판 반입/반출 개구(38)는, 처리실(11)과 로컬 반송실(C)을 연통시키는 개구이고, 처리실(11)과 로컬 반송실(C)을 구획하는 측벽(36)으로 형성되어 있다.The sidewalls 35 and 36 of the processing chamber 11 have a substrate import / export opening 37 in which the substrate W is loaded / exported by the main transport robot CR, and the substrate (by the local transport robot LR). Substrate carrying in / out openings 38 to which W) is carried in and out are formed, respectively. In the board | substrate carrying-in / out opening 37 and the board | substrate carrying-in / out opening 38, the shutters 39 and 40 which open and close them are arrange | positioned, respectively. The shutters 39 and 40 are opened and closed by the shutter drive units 41 and 42, respectively. The board | substrate carrying in / out opening 37 is an opening which communicates the main conveyance chamber 5 and the process chamber 11, and is formed with the side wall 35 which divides the main conveyance chamber 5 and the process chamber 11. The board | substrate carrying in / out opening 38 is an opening which communicates the process chamber 11 and the local conveyance chamber C, and is formed with the side wall 36 which divides the process chamber 11 and the local conveyance chamber C. As shown in FIG.

액처리 유닛(M)의 동작을 개설하면 다음과 같다.The operation of the liquid processing unit M is outlined as follows.

주반송 로봇(CR)이 미처리의 기판(W)을 반입할 때, 셔터(39)가 기판 반입/반출 개구(37)를 연다. 미처리의 기판(W)을 유지한 주반송 로봇(CR)의 핸드(HC)(아암)가 기판 반입/반출 개구(37)로부터 처리실(11) 내로 진입하여, 스핀척(12)에, 그 기판(W)을 건네준다. 기판(W)의 수도를 위해서, 필요에 따라서, 컵(13) 또는 스핀척(12)이 상하 이동되어도 된다. 기판(W)을 스핀척(12)에 건네준 주반송 로봇(CR)의 핸드(HC)는, 기판 반입/반출 개구(37)를 통과하여 처리실(11)로부터 퇴출한다. 그 후, 셔터 구동 유닛(41)은, 셔터(39)를 구동하여, 기판 반입/반출 개구(37)를 닫는다.When the main transport robot CR carries in the unprocessed substrate W, the shutter 39 opens the substrate import / export opening 37. The hand HC (arm) of the main transport robot CR holding the unprocessed substrate W enters the processing chamber 11 from the substrate loading / unloading opening 37 and enters the substrate into the spin chuck 12. Pass (W). In order to supply the substrate W, the cup 13 or the spin chuck 12 may be moved up and down as necessary. The hand HC of the main conveyance robot CR which handed the board | substrate W to the spin chuck 12 passes through the board | substrate carrying-in / out opening 37, and exits from the process chamber 11. Thereafter, the shutter drive unit 41 drives the shutter 39 to close the substrate loading / unloading opening 37.

이어서, 모터(17)에 의해서 스핀척(12)이 회전되어 약액 밸브(22)가 열린다. 그것에 의해, 회전 상태의 기판(W)의 표면에 약액이 공급되고, 원심력에 의해서 기판(W) 표면의 전역에 약액이 널리 퍼진다. 이렇게 하여, 기판(W)을 약액으로 처리하는 약액 공정(전세정을 위한 약액 공정)이 실행된다. 약액 밸브(22)를 닫음으로써 약액의 공급이 정지하여, 약액 공정이 종료한다.Subsequently, the spin chuck 12 is rotated by the motor 17 to open the chemical liquid valve 22. Thereby, the chemical liquid is supplied to the surface of the substrate W in the rotating state, and the chemical liquid is widely spread over the entire surface of the substrate W by centrifugal force. In this way, the chemical liquid process (chemical liquid process for pre-cleaning) which processes the board | substrate W with chemical liquid is performed. The supply of the chemical liquid is stopped by closing the chemical liquid valve 22, and the chemical liquid process ends.

약액 공정 후, 스핀척(12)의 회전을 계속하면서, 린스액 밸브(32A, 134)가 열린다. 그것에 의해, 회전 상태의 기판(W)의 표면 및 이면에 린스액이 공급된다. 기판(W)의 표면에 공급된 린스액은, 기판(W) 표면의 전역에 퍼져, 기판(W) 표면의 약액을 치환한다. 또, 기판(W)의 이면에 공급된 린스액은, 기판(W) 이면의 전역에 퍼져, 기판(W)의 이면에 부착한 린스액을 씻어 낸다. 이렇게 하여 린스 공정이 실행된다. 린스액 밸브(32A)를 닫음으로써 린스액의 공급이 정지하여, 린스 공정이 종료한다.After the chemical liquid process, the rinse liquid valves 32A and 134 open while continuing the rotation of the spin chuck 12. Thereby, the rinse liquid is supplied to the front surface and back surface of the board | substrate W of a rotating state. The rinse liquid supplied to the surface of the substrate W spreads over the entire surface of the substrate W to replace the chemical liquid on the surface of the substrate W. Moreover, the rinse liquid supplied to the back surface of the board | substrate W spreads over the whole surface of the back surface of the board | substrate W, and wash | cleans the rinse liquid attached to the back surface of the board | substrate W. In this way, a rinse process is performed. By closing the rinse liquid valve 32A, the supply of the rinse liquid is stopped, and the rinse step is completed.

이 린스 공정의 종료 후, 또는 린스 공정의 종료 직전에, 유기용제 밸브(32B)가 열린다. 그것에 의해, 기판(W) 표면에 유기용제가 공급된다. 스핀척(12)은 회전 상태로 유지된다. 따라서, 유기용제는, 기판(W) 표면의 전역에 퍼져, 기판(W) 표면의 린스액을 치환한다. 이때, 차단판 구동 유닛(20)은, 차단판(19)을 하강시켜, 대향면(19a)을 기판(W)의 표면에 근접한 처리 위치에 배치한다.After the end of the rinse step or immediately before the end of the rinse step, the organic solvent valve 32B is opened. Thereby, the organic solvent is supplied to the surface of the board | substrate W. The spin chuck 12 is kept in rotation. Therefore, the organic solvent spreads over the entire surface of the substrate W and replaces the rinse liquid on the surface of the substrate W. As shown in FIG. At this time, the blocking plate drive unit 20 lowers the blocking plate 19 and arranges the opposing surface 19a at a processing position close to the surface of the substrate W. As shown in FIG.

다음으로, 유기용제 밸브(32B)가 닫히고, 차단판(19)이 상승된다. 또한, 기판(W)의 상방에 성막 처리액 노즐(15)이 배치되고, 그 상태로, 성막 처리액 밸브(27)가 열린다. 그것에 의해, 기판(W) 표면에 성막 처리액이 공급된다. 스핀척(12)은 회전 상태로 유지된다. 따라서, 성막 처리액은, 기판(W) 표면의 전역에 퍼져, 기판(W) 표면의 전역에 걸친 액 막(10)을 형성한다. 이 성막 처리액 막(10)이 형성된 후, 성막 처리액 밸브(27)가 닫힌다.Next, the organic solvent valve 32B is closed, and the blocking plate 19 is raised. Moreover, the film-forming process liquid nozzle 15 is arrange | positioned above the board | substrate W, and the film-formation process liquid valve 27 opens in that state. As a result, the film forming processing liquid is supplied to the substrate W surface. The spin chuck 12 is kept in rotation. Therefore, the film formation processing liquid spreads over the entire surface of the substrate W to form the liquid film 10 over the whole surface of the substrate W surface. After the film forming liquid film 10 is formed, the film forming liquid valve 27 is closed.

다음으로, 성막 처리액 노즐(15)이 퇴피한 후, 차단판(19)이 하강되어, 대향면(19a)이 기판(W)에 근접한 처리 위치에 배치된다. 또한, 유기용제 밸브(136)가 열린다. 그것에 의해, 이면 노즐(131)로부터 기판(W) 이면(하면)에 유기용제가 공급되고, 그 유기용제는, 원심력에 의해서 기판(W)의 이면의 전역에 널리 퍼져, 기판(W)의 이면에 부착된 성막 처리액을 씻어 낸다.Next, after the film formation processing liquid nozzle 15 is evacuated, the blocking plate 19 is lowered, and the opposing surface 19a is disposed at the processing position close to the substrate W. Next, as shown in FIG. In addition, the organic solvent valve 136 is opened. As a result, an organic solvent is supplied from the back nozzle 131 to the back surface (lower surface) of the substrate W, and the organic solvent is spread widely throughout the back surface of the substrate W by centrifugal force, so that the back surface of the substrate W is provided. Rinse off the film forming solution attached to the

그 후, 유기용제 밸브(136)가 닫히고, 스핀척(12)의 회전이 가속된다. 그것에 의해, 기판(W)의 이면의 액 성분이 흩뿌려진다. 이때, 불활성 가스 밸브(47 및 142)가 열려도 된다. 그것에 의해, 기판(W)의 표면측에서는, 성막 처리액 막(10)중의 휘발 성분의 휘발이 촉진되어, 그것에 의해, 성막 처리액 막(10)의 고체화가 진행된다. 또, 기판(W)의 이면측에서는, 건조가 촉진된다.Thereafter, the organic solvent valve 136 is closed, and the rotation of the spin chuck 12 is accelerated. Thereby, the liquid component of the back surface of the board | substrate W is scattered. At this time, the inert gas valves 47 and 142 may be opened. As a result, volatilization of the volatile components in the film forming liquid film 10 is promoted on the surface side of the substrate W, whereby the film forming liquid film 10 is solidified. Moreover, drying is accelerated in the back surface side of the board | substrate W. FIG.

그 후, 차단판 구동 유닛(20)이 차단판(19)을 상방으로 퇴피시킨다. 그리고, 스핀척(12)의 회전이 정지되고, 성막 처리액 막(10)을 형성하기 위한 처리가 종료한다.Thereafter, the blocking plate drive unit 20 retracts the blocking plate 19 upwards. Then, the rotation of the spin chuck 12 is stopped, and the process for forming the film forming liquid film 10 ends.

다음으로, 셔터 구동 유닛(42)은, 셔터(40)를 구동하여, 기판 반입/반출 개구(38)를 연다. 이 기판 반입/반출 개구(38)로부터, 로컬 반송 로봇(LR)의 핸드(LH)(아암)가 처리실(11) 내에 진입하여, 스핀척(12)으로부터 기판(W)을 수취하고, 기판 반입/반출 개구(38)를 통해, 당해 기판(W)을 처리실(11) 밖으로 반출한다. 기판(W)의 수도를 위해서, 필요에 따라서, 컵(13) 또는 스핀척(12)이 상하 이동되어도 된다. 로컬 반송 로봇(LR)은, 표면에 성막 처리액 막(10)이 형성된 상태의 기판(W)을, 고체화 유닛(D)까지 반송한다.Next, the shutter drive unit 42 drives the shutter 40 to open the substrate loading / unloading opening 38. From this board | substrate carrying-in / out opening 38, the hand LH (arm) of the local transport robot LR enters into the process chamber 11, receives the board | substrate W from the spin chuck 12, and carries in a board | substrate The substrate W is carried out of the processing chamber 11 through the / out port opening 38. In order to supply the substrate W, the cup 13 or the spin chuck 12 may be moved up and down as necessary. The local conveyance robot LR conveys the board | substrate W of the state in which the film-forming process liquid film 10 was formed in the surface to the solidification unit D.

고체화 유닛(D)에서 성막 처리액 막(10)이 고체화되어 고체화 막(10S)이 된 후, 그 고체화 막(10S)이 형성된 기판(W)은, 로컬 반송 로봇(LR)에 의해서, 액 처리 유닛(M)으로 반송된다. 이때, 셔터 구동 유닛(42)은, 셔터(40)를 구동하여, 기판 반입/반출 개구(38)를 연다. 이 기판 반입/반출 개구(38)로부터, 로컬 반송 로봇(LR)의 핸드(LH)(아암)가 처리실(11) 내에 진입하여, 스핀척(12)에 기판(W)을 건네준 후에, 처리실(11) 밖으로 퇴출한다. 기판(W)의 수도를 위해서, 필요에 따라서, 컵(13) 또는 스핀척(12)이 상하 이동되어도 된다.After the film forming processing liquid film 10 is solidified in the solidifying unit D to become the solidified film 10S, the substrate W on which the solidified film 10S is formed is subjected to liquid processing by the local transfer robot LR. It is conveyed to the unit M. At this time, the shutter drive unit 42 drives the shutter 40 to open the substrate loading / unloading opening 38. From the substrate loading / unloading opening 38, the hand LH (arm) of the local transfer robot LR enters the processing chamber 11, passes the substrate W to the spin chuck 12, and then the processing chamber. (11) Eject out. In order to supply the substrate W, the cup 13 or the spin chuck 12 may be moved up and down as necessary.

액처리 유닛(M)은, 이렇게 하여 도입된 기판(W)에 대해서, 그 표면의 고체화 막(10S)을 제거하기 위한 제거 공정과, 그 후의 세정 공정(후세정 공정)을 실행한다.The liquid processing unit M performs the removal process for removing the solidified film 10S of the surface, and the subsequent washing process (post-cleaning process) with respect to the board | substrate W introduced in this way.

구체적으로는, 모터(17)에 의해서 스핀척(12)이 회전되고, 또한, 제거 공정을 실행하기 위해서, 스핀척(12)에 유지된 기판(W)의 상방에 제거액 노즐(16)이 배치된다. 그리고, 제거액 밸브(102)가 열린다. 그것에 의해, 기판(W)의 표면에 제거액이 공급되어, 그 제거액은 원심력에 의해서 기판(W)의 표면의 전역에 널리 퍼진다. 이 제거액의 작용에 의해서, 기판(W)의 표면의 고체화 막(10S)이 박리된다.Specifically, the spin chuck 12 is rotated by the motor 17, and the removal liquid nozzle 16 is disposed above the substrate W held by the spin chuck 12 in order to execute the removal process. do. And the removal liquid valve 102 opens. Thereby, a removal liquid is supplied to the surface of the board | substrate W, and this removal liquid spreads widely over the whole surface of the board | substrate W by centrifugal force. By the action of this removal liquid, the solidified film 10S on the surface of the substrate W is peeled off.

다음으로, 제거액 밸브(102)를 닫고, 제거액 노즐(16)을 기판(W)의 상방으로부터 퇴피시킨 후에, 후세정 공정이 실행된다. 구체적으로는, 약액 노즐(14)이 기판(W)의 상방에 배치되고, 스핀척(12)이 회전되고 있는 상태로, 약액 밸브(22)가 열린다. 그것에 의해, 회전 상태의 기판(W)의 표면에 약액이 공급되고, 원심력에 의해서 기판(W) 표면의 전역에 약액이 널리 퍼진다. 이렇게 하여, 기판(W)을 약액으로 처리하는 약액 공정(후세정을 위한 약액 공정)이 실행된다. 약액 밸브(22)를 닫음으로써 약액의 공급이 정지하여, 약액 공정이 종료한다. 약액 노즐(14)은, 스핀척(12)의 상방으로부터 퇴피된다.Next, after removing the removal liquid valve 102 and removing the removal liquid nozzle 16 from the upper side of the board | substrate W, a post-cleaning process is performed. Specifically, the chemical liquid nozzle 14 is disposed above the substrate W, and the chemical liquid valve 22 is opened while the spin chuck 12 is being rotated. Thereby, the chemical liquid is supplied to the surface of the substrate W in the rotating state, and the chemical liquid is widely spread over the entire surface of the substrate W by centrifugal force. In this way, the chemical liquid process (chemical liquid process for post-cleaning) which processes the board | substrate W with chemical liquid is performed. The supply of the chemical liquid is stopped by closing the chemical liquid valve 22, and the chemical liquid process ends. The chemical liquid nozzle 14 is withdrawn from above the spin chuck 12.

약액 공정 후, 스핀척(12)의 회전을 계속하면서, 린스액 밸브(32A, 134)가 열린다. 그것에 의해, 회전 상태의 기판(W)의 표면 및 이면에 린스액이 공급된다. 기판(W)의 표면에 공급된 린스액은, 기판(W) 표면의 전역에 퍼져, 기판(W) 표면의 약액을 치환한다. 또, 기판(W)의 이면에 공급된 린스액은, 기판(W) 이면의 전역에 퍼져, 기판(W)의 이면에 부착된 린스액을 씻어 낸다. 이렇게 하여 린스 공정이 실행된다. 린스액 밸브(32A)를 닫음으로써 린스액의 공급이 정지하여, 린스 공정이 종료한다.After the chemical liquid process, the rinse liquid valves 32A and 134 open while continuing the rotation of the spin chuck 12. Thereby, the rinse liquid is supplied to the front surface and back surface of the board | substrate W of a rotating state. The rinse liquid supplied to the surface of the substrate W spreads over the entire surface of the substrate W to replace the chemical liquid on the surface of the substrate W. Moreover, the rinse liquid supplied to the back surface of the board | substrate W spreads over the whole surface of the back surface of the board | substrate W, and wash | cleans the rinse liquid attached to the back surface of the board | substrate W. In this way, a rinse process is performed. By closing the rinse liquid valve 32A, the supply of the rinse liquid is stopped, and the rinse step is completed.

이 린스 공정의 종료 후, 또는 린스 공정의 종료 직전에, 유기용제 밸브(32B, 136)가 열린다. 그것에 의해, 기판(W) 표면 및 이면에 유기용제가 공급된다. 스핀척(12)은 회전 상태로 유지된다. 따라서, 유기용제는, 기판(W) 표면 및 이면의 전역에 퍼져, 기판(W) 표면 및 이면의 린스액을 치환한다. 이때, 차단판 구동 유닛(20)은, 차단판(19)을 하강시켜, 대향면(19a)을 기판(W)의 표면에 근접한 처리 위치에 배치한다.Organic solvent valves 32B and 136 are opened after the end of the rinse step or immediately before the end of the rinse step. Thereby, the organic solvent is supplied to the front surface and back surface of the board | substrate W. As shown in FIG. The spin chuck 12 is kept in rotation. Therefore, the organic solvent spreads over the entire surface of the front surface and the rear surface of the substrate W to replace the rinse liquid on the front surface and the rear surface of the substrate W. At this time, the blocking plate drive unit 20 lowers the blocking plate 19 and arranges the opposing surface 19a at a processing position close to the surface of the substrate W. As shown in FIG.

다음으로, 유기용제 밸브(32B, 136)가 닫히고, 이를 대신하여, 불활성 가스 밸브(47, 142)가 열려, 기판(W)의 표면 및 이면에 불활성 가스가 공급된다. 또, 스핀척(12)의 회전이 가속된다. 그것에 의해, 기판(W)의 표면 및 이면의 액 성분이 흩뿌려진다. 기판(W)의 표리면에 공급되는 불활성 가스는, 기판(W)의 건조를 촉진한다.Next, the organic solvent valves 32B and 136 are closed, and instead, the inert gas valves 47 and 142 are opened to supply the inert gas to the front and rear surfaces of the substrate W. As shown in FIG. In addition, the rotation of the spin chuck 12 is accelerated. Thereby, the liquid component of the front surface and back surface of the board | substrate W is scattered. The inert gas supplied to the front and back of the substrate W promotes drying of the substrate W. As shown in FIG.

건조 처리가 종료하면, 스핀척(12)의 회전이 정지되어, 불활성 가스 밸브(47, 142)가 닫힌다. 또한, 차단판 구동 유닛(20)이 차단판(19)을 상방으로 퇴피시킨다.When the drying process is completed, the rotation of the spin chuck 12 is stopped, and the inert gas valves 47 and 142 are closed. In addition, the blocking plate driving unit 20 retracts the blocking plate 19 upwards.

다음으로, 셔터 구동 유닛(41)은, 셔터(39)를 구동하여, 기판 반입/반출 개구(37)를 연다. 이 기판 반입/반출 개구(37)로부터, 주반송 로봇(CR)의 핸드(HC)(아암)가 처리실(11) 내에 진입하여, 스핀척(12)으로부터 기판(W)을 수취하고, 기판 반입/반출 개구(37)를 통해, 당해 기판(W)을 처리실(11) 밖으로 반출한다. 기판(W)의 수도를 위해서, 필요에 따라서, 컵(13) 또는 스핀척(12)이 상하 이동되어도 된다.Next, the shutter drive unit 41 drives the shutter 39 to open the substrate loading / unloading opening 37. From this board | substrate carrying-in / out opening 37, the hand HC (arm) of the main transport robot CR enters into the process chamber 11, receives the board | substrate W from the spin chuck 12, and carries in a board | substrate The substrate W is carried out of the processing chamber 11 through the / out opening 37. In order to supply the substrate W, the cup 13 or the spin chuck 12 may be moved up and down as necessary.

기판(W) 상의 고체화 막(10S)의 제거는, 그 고체화 막(10S)의 종류에 따라서는, 약액 노즐(14)로부터 공급되는 약액에 의해서 행할 수도 있다. 즉, 약액 노즐(14)로부터 공급되는 약액이 제거액으로서 이용되어도 된다. 이 경우에는, 제거액 노즐(16) 및 그것에 관련하는 구성을 생략할 수 있어, 제거 공정과 후 세정 공정을 구별할 필요가 없다.Removal of the solidified film 10S on the substrate W may be performed by a chemical liquid supplied from the chemical liquid nozzle 14 depending on the type of the solidified film 10S. That is, the chemical liquid supplied from the chemical liquid nozzle 14 may be used as the removal liquid. In this case, the removal liquid nozzle 16 and the structure related to it can be abbreviate | omitted, and it is not necessary to distinguish a removal process from a post-cleaning process.

또, 성막 처리액 막(10)을 형성하기 전의 전세정 공정은, 생략되어도 된다.In addition, the pre-cleaning process before forming the film-forming process liquid film 10 may be abbreviate | omitted.

또, 약액 노즐이 차단판(19)에 장착되는 경우에는, 차단판(19)은, 처리 중에, 시종, 기판(W)에 근접한 근접 위치에 위치한다.In addition, when the chemical liquid nozzle is attached to the blocking plate 19, the blocking plate 19 is always positioned at a proximal position close to the substrate W during processing.

도 3은, 고체화 유닛(D)의 구성예를 설명하기 위한 도해적인 단면도이다. 고체화 유닛(D)은, 밀폐 가능한 감압 챔버(진공 챔버)로 이루어지는 고체화실(51)을 갖고 있다. 고체화실(51)의 용적은, 액처리 유닛(M)의 처리실(11)의 용적보다 작아, 그것에 의해, 고체화실(51)은, 내부 공간을 효율적으로 감압할 수 있는 구조를 갖고 있다. 고체화실(51) 내에, 기판(W)을 유지하는 기판 유지 유닛으로서의 기판 홀더(52)가 배치되어 있다. 기판 홀더(52)에는, 기판 가열 유닛으로서의 히터(53H)와, 기판 냉각 유닛으로서의 냉각 유닛(53C)이 내장되어 있고, 그것에 의해, 온도 조절 플레이트가 구성되어 있다. 히터(53H)는, 전열 또는 열복사에 의해서 기판(W)을 가열한다. 히터(53H)를 대신하여, 전자파(자외선, 적외선, 마이크로파, 레이저광 등)를 조사하여 기판을 가열하는 전자파 조사 유닛을 기판 가열 유닛으로서 이용해도 된다. 또, 플래시 램프를 기판 가열 유닛으로서 이용해도 된다. 냉각 유닛(53C)은, 기판 홀더(52) 내를 통과하는 냉매 통로를 갖고 있어도 되고, 전자 냉열 소자를 갖고 있어도 된다.3 is a schematic cross-sectional view for illustrating a configuration example of the solidification unit D. FIG. The solidification unit D has a solidification chamber 51 which consists of a decompression chamber (vacuum chamber) which can be sealed. The volume of the solidification chamber 51 is smaller than the volume of the process chamber 11 of the liquid processing unit M, whereby the solidification chamber 51 has a structure which can reduce the internal space efficiently. In the solidification chamber 51, the board | substrate holder 52 as a board | substrate holding unit which hold | maintains the board | substrate W is arrange | positioned. In the substrate holder 52, a heater 53H as the substrate heating unit and a cooling unit 53C as the substrate cooling unit are incorporated, whereby a temperature control plate is formed. The heater 53H heats the substrate W by heat transfer or heat radiation. Instead of the heater 53H, an electromagnetic wave irradiation unit that radiates electromagnetic waves (ultraviolet rays, infrared rays, microwaves, laser beams, etc.) to heat the substrate may be used as the substrate heating unit. Moreover, you may use a flash lamp as a board | substrate heating unit. The cooling unit 53C may have a refrigerant passage passing through the substrate holder 52 or may have an electronic cooling element.

기판 홀더(52)를 관통하여 복수(3개 이상)의 리프트 핀(54)이 배치되어 있다. 리프트 핀(54)은, 리프트 핀 승강 유닛(55)에 의해서 상하 이동되고, 그것에 의해, 기판 홀더(52) 상에서 기판(W)을 상하 이동시킨다.A plurality of (three or more) lift pins 54 are disposed through the substrate holder 52. The lift pin 54 is moved up and down by the lift pin elevating unit 55, thereby moving the substrate W up and down on the substrate holder 52.

고체화실(51)은, 베이스부(511)와, 베이스부(511)에 대해서 상하 이동하는 가동 덮개부(512)를 갖고 있다. 가동 덮개부(512)는, 덮개부 구동 유닛(56)에 의해서, 베이스부(511)에 대해서 상하 이동된다. 베이스부(511)와 가동 덮개부(512) 사이에 고체화 처리 공간(50)이 구획된다. 가동 덮개부(512)의 하단 가장자리부(58)는, 베이스부(511)의 상면(59)에 모방하는 평면을 따라서 형성되어 있다. 베이스부(511)에 있어서, 가동 덮개부(512)의 하단 가장자리부(58)에 대향하는 위치에는, 씰 부재로서의 O링(60)이 배치되어 있다. 가동 덮개부(512)를 베이스부(511)에 접근시켜, 베이스부(511)를 향해서 누르면, 가동 덮개부(512)와 베이스부(511) 사이가 O링(60)에 의해서 밀폐된다. 이렇게 하여, 밀폐된 고체화 처리 공간(50)이 형성된다.The solidification chamber 51 has a base part 511 and the movable cover part 512 which moves up and down with respect to the base part 511. The movable cover part 512 is moved up and down with respect to the base part 511 by the cover part drive unit 56. The solidification treatment space 50 is partitioned between the base portion 511 and the movable lid portion 512. The lower edge part 58 of the movable cover part 512 is formed along the plane which emulates the upper surface 59 of the base part 511. In the base part 511, the O-ring 60 as a seal member is arrange | positioned in the position which opposes the lower edge part 58 of the movable cover part 512. As shown in FIG. The movable lid portion 512 is brought close to the base portion 511 and pressed toward the base portion 511 to seal the O-ring 60 between the movable lid portion 512 and the base portion 511. In this way, the sealed solidification process space 50 is formed.

베이스부(511)에는, 배기 배관(62)이 결합되어 있다. 배기 배관(62)은, 고체화 처리 공간(50)에 연통하고 있다. 배기 배관(62)은, 진공 펌프 등의 배기 유닛(63)에 접속되어 있다. 배기 배관(62)에는, 배기 밸브(64)가 끼워 설치되어 있다. 배기 유닛(63)은 감압 유닛의 일례이며, 배기 밸브(64)를 열어 배기 유닛(63)을 구동함으로써, 고체화 처리 공간(50)을 대기압보다 낮은 기압(예를 들어 0.01Torr 이하)으로 감압할 수 있다.The exhaust pipe 62 is coupled to the base portion 511. The exhaust pipe 62 communicates with the solidification processing space 50. The exhaust pipe 62 is connected to an exhaust unit 63 such as a vacuum pump. An exhaust valve 64 is fitted to the exhaust pipe 62. The exhaust unit 63 is an example of a decompression unit, and the exhaust valve 64 is opened to drive the exhaust unit 63, thereby reducing the solidification treatment space 50 to an air pressure lower than atmospheric pressure (for example, 0.01 Torr or less). Can be.

가동 덮개부(512)에는, 고체화 처리 공간(50)에 불활성 가스를 도입하기 위한 불활성 가스 노즐(71)이 설치되어 있다. 불활성 가스 노즐(71)에는, 불활성 가스 배관(72)이 결합되어 있다. 불활성 가스 배관(72)의 도중에는, 불활성 가스 밸브(73)가 끼워 설치되어 있다. 불활성 가스 배관(72)은, 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급원(74)에 결합되어 있다. 불활성 가스는 저습도 가스의 일례이며, 불활성 가스 노즐(71) 등은 저습도 가스 공급 유닛의 일례이다. 예를 들어, 기판(W)이 고체화 처리 공간(50)에 반입되기 전부터, 불활성 가스 노즐(71)로부터 불활성 가스를 공급해 둠으로써, 고체화실(51) 내를 환기할 수 있고, 성막 처리액 막(10)이 건조하기 쉬운 분위기를 형성할 수 있다.The movable lid part 512 is provided with an inert gas nozzle 71 for introducing an inert gas into the solidification processing space 50. An inert gas pipe 72 is coupled to the inert gas nozzle 71. An inert gas valve 73 is fitted in the middle of the inert gas pipe 72. The inert gas pipe 72 is coupled to an inert gas supply source 74 for supplying an inert gas. An inert gas is an example of low humidity gas, and the inert gas nozzle 71 etc. are an example of a low humidity gas supply unit. For example, since the inert gas is supplied from the inert gas nozzle 71 before the substrate W is carried into the solidification processing space 50, the inside of the solidification chamber 51 can be ventilated, and the film formation liquid film The atmosphere which is easy to dry can be formed (10).

고체화 유닛(D)의 동작을 개설하면, 다음과 같다.The operation | movement of the solidification unit D is outlined as follows.

로컬 반송 로봇(LR)의 핸드(LH)는, 표면에 성막 처리액 막(10)이 형성된 상태의 기판(W)을 고체화 유닛(D)에 반입한다. 기판(W)이 반입될 때, 가동 덮개부(512)는 베이스부(511)로부터 떨어진 개방 위치에 있으며, 그것에 의해, 가동 덮개부(512)와 베이스부(511) 사이에 기판 반입 개구가 형성된다. 이때, 리프트 핀(54)은, 그 선단이 기판 홀더(52)의 표면으로부터 상방으로 이격한 상승 위치에 있다. 그 상태로, 로컬 반송 로봇(LR)의 핸드(LH)가, 가동 덮개부(512)와 베이스부(511) 사이에 진입하여, 리프트 핀(54)에 기판(W)을 건네준다. 기판(W)을 건네받은 리프트 핀(54)은, 하강하여, 기판 홀더(52)의 상면에 기판(W)을 올려놓는다.The hand LH of the local transfer robot LR carries in the solidification unit D the board | substrate W of the state in which the film-forming process liquid film 10 was formed in the surface. When the substrate W is loaded, the movable lid portion 512 is in an open position away from the base portion 511, whereby a substrate carrying opening is formed between the movable lid portion 512 and the base portion 511. do. At this time, the lift pin 54 is in a raised position where the tip thereof is spaced apart upward from the surface of the substrate holder 52. In this state, the hand LH of the local transfer robot LR enters between the movable lid portion 512 and the base portion 511 and passes the substrate W to the lift pins 54. The lift pin 54 which passed the board | substrate W descends, and mounts the board | substrate W on the upper surface of the board | substrate holder 52. As shown in FIG.

덮개부 구동 유닛(56)은, 가동 덮개부(512)를 하강시켜, O링(60)을 개재하여 베이스부(511)에 누른다. 이로써, 고체화 처리 공간(50)이 밀폐 공간이 된다. 또한, 배기 밸브(64)가 열려, 배기 유닛(63)이 구동됨으로써, 고체화 처리 공간(50) 내의 분위기가 배기되어, 고체화 처리 공간(50)이 감압된다. 감압을 저해하지 않도록, 불활성 가스 밸브(73)는 닫힘 상태가 된다. The lid part drive unit 56 lowers the movable lid part 512 and presses on the base part 511 via the O-ring 60. Thereby, the solidification process space 50 turns into a sealed space. In addition, when the exhaust valve 64 is opened and the exhaust unit 63 is driven, the atmosphere in the solidification processing space 50 is exhausted, and the solidification processing space 50 is reduced in pressure. The inert gas valve 73 is in a closed state so as not to inhibit the depressurization.

고체화 처리 공간(50) 내가 감압됨으로써, 기판(W)의 표면의 성막 처리액 막(10)의 증발이 촉진된다. 또한, 히터(53H)를 구동하여 기판 홀더(52)가 가열되고, 베이크 처리가 행해진다. 이렇게 하여, 기판(W)의 분위기의 감압과 기판(W)의 가열을 병용하여, 성막 처리액 막(10)이 신속하게 고체화한다. 고체화란, 여기에서는, 고체화 또는 경화하는 것을 의미하고, 성막 처리액 중의 용매 성분이 증발하여 건조되어 고체화 또는 경화해도 되고, 성막 처리액 중의 분자들이 결합하여 고분자화하거나 고체화 또는 경화해도 된다. 이 고체화시에 체적 수축이 생김으로써, 기판(W)의 표면에 부착되어 있는 파티클 등의 이물에 힘이 작용하여, 그것에 의해, 이물이 기판(W)의 표면으로부터 떼어 놓아진다.By depressurizing the inside of the solidification process space 50, evaporation of the film-forming liquid film 10 on the surface of the board | substrate W is accelerated | stimulated. In addition, the substrate holder 52 is heated by driving the heater 53H, and a baking process is performed. In this way, the pressure reduction of the atmosphere of the board | substrate W and heating of the board | substrate W are used together, and the film-forming process film 10 solidifies rapidly. Solidification means here solidifying or hardening, and the solvent component in a film-forming process liquid may evaporate and dry and solidify or harden | cure, or the molecule | numerator in a film-forming process liquid may bond and polymerize, or solidify or harden. By the volume shrinkage at the time of solidification, a force acts on foreign materials, such as a particle adhering to the surface of the board | substrate W, and a foreign material is separated from the surface of the board | substrate W by this.

성막 처리액 막(10)의 고체화가 종료한 후, 배기 유닛(63)이 정지되고, 필요에 따라서 불활성 가스 밸브(73)를 엶으로써, 고체화 처리 공간(50) 내가 대기압까지 가압된다. 그리고, 히터(53H)가 구동 정지하고, 이를 대신하여, 냉각 유닛(53C)이 작동되어, 기판 홀더(52)가 냉각된다. 그것에 의해, 기판(W)이 예를 들어 상온까지 냉각된다. 그 후, 덮개부 구동 유닛(56)이, 가동 덮개부(512)를 상승시켜, 베이스부(511)로부터 이격시킨다. 또한, 리프트 핀(54)이 상승하여, 기판 홀더(52)의 상면으로부터 상방으로 떨어진 높이까지 기판(W)을 들어올린다. 이 상태로, 로컬 반송 로봇(LR)의 핸드(LH)가 가동 덮개부(512)와 베이스부(511) 사이에 진입하여, 리프트 핀(54)으로부터 처리 후의 기판(W)을 걷어 내어, 로컬 반송실(C)로 퇴출한다. 고체화 처리 후의 기판(W)을 주반송 로봇(CR)이 반송하는 경우에는, 주반송 로봇(CR)의 핸드(HC)가 가동 덮개부(512)와 베이스부(511) 사이에 진입하여, 리프트 핀(54)으로부터 처리 후의 기판(W)을 걷어내어, 주반송실(5)로 퇴출한다.After solidification of the film-forming liquid film 10 is complete | finished, the exhaust unit 63 is stopped and the inside of the solidification process space 50 is pressurized to atmospheric pressure by removing the inert gas valve 73 as needed. Then, the heater 53H stops driving, and instead, the cooling unit 53C is operated to cool the substrate holder 52. Thereby, the board | substrate W is cooled to normal temperature, for example. Then, the lid part drive unit 56 raises the movable lid part 512, and separates it from the base part 511. As shown in FIG. Moreover, the lift pin 54 raises and raises the board | substrate W to the height which moved away from the upper surface of the board | substrate holder 52 to upper direction. In this state, the hand LH of the local transport robot LR enters between the movable lid portion 512 and the base portion 511 to remove the processed substrate W from the lift pins 54 and then locally. Exit to the transfer room C. When the main transport robot CR transports the substrate W after the solidification process, the hand HC of the main transport robot CR enters between the movable lid part 512 and the base part 511 and lifts it. The board | substrate W after a process is pulled out from the pin 54, and it exits to the main conveyance chamber 5.

도 4는, 로컬 반송 로봇(LR)의 구성예를 설명하기 위한 도면이다. 로컬 반송 로봇(LR)은, 로컬 반송실(C) 내에 배치되어 있다. 로컬 반송실(C)은, 액처리 유닛(M)의 처리실(11)과, 당해 처리실(11) 위에 배치된 고체화 유닛(D)의 고체화실(51)에 대향하여, 고체화실(51)이 열려 있을 때, 고체화실(51)과 연통한다.4 is a diagram for explaining a configuration example of the local transport robot LR. Local transfer robot LR is arrange | positioned in local transfer room C. As shown in FIG. The local conveyance chamber C opposes the processing chamber 11 of the liquid processing unit M and the solidification chamber 51 of the solidification unit D arrange | positioned on the said processing chamber 11, and the solidification chamber 51 When open, it communicates with the solidification chamber 51.

로컬 반송 로봇(LR)은, 기판(W)을 유지하기 위한 핸드(LH)(아암)와, 핸드(LH)를 구동하는 핸드 구동 유닛(90)을 포함한다. 이 예에서는, 핸드(LH)는, 한 쌍의 핸드(LH1, LH2)를 포함하고, 이들은 상하 방향으로 어긋나게(또한 필요에 따라서 수평 방향으로 어긋나게) 배치되어 있다. 핸드 구동 유닛(90)은, 핸드(LH1, LH2)를 수평 이동 및 수직 이동시키고, 또한 필요에 따라서, 핸드(LH1, LH2)를 연직인 회전축선(89) 둘레로 회동시킨다.The local transfer robot LR includes the hand LH (arm) for holding the board | substrate W, and the hand drive unit 90 which drives the hand LH. In this example, the hand LH includes a pair of hands LH1 and LH2, which are arranged to shift in the vertical direction (or shift in the horizontal direction as necessary). The hand drive unit 90 horizontally and vertically moves the hands LH1 and LH2 and further rotates the hands LH1 and LH2 around the vertical rotation axis 89 as necessary.

그것에 의해, 핸드(LH1, LH2)는, 액처리 유닛(M)의 처리실(11) 내에 진입하여 스핀척(12)으로부터 기판(W)을 수취하고, 그 기판(W)을 고체화 유닛(D)까지 반송하며, 고체화실(51) 내로 그 기판(W)을 반입하여 리프트 핀(54)(도 3 참조)에 건네주고, 그 후에 로컬 반송실(C)로 퇴출할 수 있다. 또, 핸드(LH1, LH2)는, 고체화 유닛(D)의 고체화실(51) 내에 진입하여 리프트 핀(54)으로부터 기판(W)을 수취하고, 그 기판(W)을 액처리 유닛(M)까지 반송하며, 그 기판(W)을 처리실(11) 내로 반입하여 스핀척(12)에 건네주고, 그 후에 로컬 반송실(C)로 퇴출할 수 있다.As a result, the hands LH1 and LH2 enter the processing chamber 11 of the liquid processing unit M to receive the substrate W from the spin chuck 12, and the substrate W is solidified. The substrate W can be conveyed to the solidification chamber 51 and brought into the lift pin 54 (see FIG. 3), and then exited into the local transfer chamber C. In addition, the hands LH1 and LH2 enter the solidification chamber 51 of the solidification unit D, receive the substrate W from the lift pins 54, and replace the substrate W with the liquid processing unit M. FIG. The substrate W can be transported to the processing chamber 11, passed into the spin chuck 12, and then discharged into the local transfer chamber C.

핸드 구동 유닛(90)은, 적어도 액처리 유닛(M) 및 고체화 유닛(D)에 액세스할 때에, 한 쌍의 핸드(LH1, LH2)를 그들의 유닛에 대해서 독립하여 진퇴시킬 수 있다. 예를 들어, 핸드(LH1)는, 성막 처리액 막(10)이 형성된 기판(W)을 액처리 유닛(M)으로부터 고체화 유닛(D)에 반송할 때에 이용되고, 핸드(LH2)는, 고체화 막(10S)이 형성된 기판(W)을 고체화 유닛(D)으로부터 액처리 유닛(M)에 반송할 때에 이용되어도 된다. 이 경우, 성막 처리액 막(10)으로부터의 액 흘러내림을 고려하여, 고체화 유닛(D)에서의 처리 후의 기판(W)을 유지하는 핸드(LH2)는, 성막 처리액 막(10)이 형성된 기판(W)을 유지하는 핸드(LH1)보다 상방에 배치되어 있는 것이 바람직하다.When the hand drive unit 90 accesses at least the liquid processing unit M and the solidification unit D, the hand drive unit 90 can advance the pair of hands LH1 and LH2 independently of those units. For example, the hand LH1 is used when conveying the board | substrate W in which the film-forming process liquid film 10 was formed from the liquid processing unit M to the solidification unit D, and the hand LH2 solidifies. You may use when conveying the board | substrate W in which the film 10S was formed from the solidification unit D to the liquid processing unit M. FIG. In this case, the liquid LH2 holding the substrate W after the processing in the solidification unit D is formed in consideration of the flow of the liquid from the film forming liquid film 10, where the film forming liquid film 10 is formed. It is preferable to arrange | position above the hand LH1 holding the board | substrate W. As shown in FIG.

고체화 유닛(D)은, 액처리 유닛(M) 위에 배치되어 있으므로, 로컬 반송 로봇(LR)은, 액처리 유닛(M)으로부터 기판(W)을 반출한 후, 핸드(LH)를 고체화 유닛(D)의 높이까지 상승시키도록 동작한다. 또, 로컬 반송 로봇(LR)은, 고체화 유닛(D)으로부터 기판(W)을 반출한 후, 핸드(LH)를 액처리 유닛(M)의 높이까지 하강시키도록 동작한다.Since the solidification unit D is arrange | positioned on the liquid processing unit M, the local transfer robot LR carries out the board | substrate W from the liquid processing unit M, and then moves the hand LH to the solidification unit ( It operates to raise to the height of D). Moreover, after carrying out the board | substrate W from the solidification unit D, the local transfer robot LR operates so that the hand LH may be lowered to the height of the liquid processing unit M. FIG.

로컬 반송 로봇(LR)은, 또한, 액처리 유닛(M)에 의해서 성막 처리액 막(10)이 형성된 기판(W)을 보온 또는 가열하기 위해서 핸드(LH1)를 가열하는 핸드 가열 유닛(97A)(아암 가열 유닛)을 구비하고 있어도 된다. 핸드 가열 유닛(97A)은, 핸드(LH1)에 형성된 열매 통로(98A)에 열매를 순환시키도록 구성되어 있어도 된다. 이러한 열매 통로(98A)를 갖는 구성을 대신하여, 핸드(LH1)를 가열하는 히터(도시 생략)를 핸드(LH1)에 구비해도 된다. 또, 핸드 가열 유닛(97A)은, 로컬 반송실(C)에 구비된 가열 플레이트(99A)를 가열하도록 구성되어 있어도 된다. 이 경우, 핸드(LH1)가 기판(W)을 유지하고 있지 않은 기간에, 핸드(LH1)가 가열 플레이트(99A)에 접촉된다. 그것에 의해, 핸드(LH1)의 비가동 동기간에 핸드(LH1)가 가열된다. 그 가열된 핸드(LH1)에 의해서 기판(W)을 반송함으로써, 반송 중에 기판(W)을 가열할 수 있으므로, 기판(W)이 가열되어, 성막 처리액 막(10)의 건조 고체화를 진행시킬 수 있다.The local transfer robot LR further heats the hand LH1 in order to heat or heat the substrate W on which the film forming liquid film 10 is formed by the liquid processing unit M. (Arm heating unit) may be provided. The hand heating unit 97A may be configured to circulate the fruit in the fruit passage 98A formed in the hand LH1. Instead of the structure having such a heat passage 98A, the hand LH1 may be provided with a heater (not shown) for heating the hand LH1. In addition, the hand heating unit 97A may be configured to heat the heating plate 99A provided in the local transport chamber C. In this case, the hand LH1 is in contact with the heating plate 99A in the period where the hand LH1 is not holding the substrate W. As shown in FIG. Thereby, the hand LH1 is heated between non-operational synchronouss of the hand LH1. Since the board | substrate W can be heated during conveyance by conveying the board | substrate W by the heated hand LH1, the board | substrate W is heated and it can advance the dry solidification of the film-forming liquid film 10. Can be.

로컬 반송 로봇(LR)은, 또한, 고체화 유닛(D)에 의해서 고체화 막(10S)이 형성된 기판(W)을 냉각하기 위해서 핸드(LH2)를 냉각하는 핸드 냉각 유닛(97B)(아암 냉각 유닛)을 구비하고 있어도 된다. 핸드 냉각 유닛(97B)은, 핸드(LH2)에 형성된 냉매 통로(98B)에 냉매를 순환시키도록 구성되어 있어도 된다. 이러한 냉매 통로(98B)를 갖는 구성을 대신하여, 핸드(LH2)를 냉각하는 전자 냉열 소자(도시 생략)를 핸드(LH2)에 구비해도 된다. 또, 핸드 냉각 유닛(97B)은, 로컬 반송실(C)에 구비된 냉각 플레이트(99B)를 냉각하도록 구성되어 있어도 된다. 이 경우, 핸드(LH2)가 기판(W)을 유지하고 있지 않은 기간에, 핸드(LH2)가 냉각 플레이트(99B)에 접촉된다. 그것에 의해, 핸드(LH2)의 비가동 동기간에 핸드(LH2)가 냉각된다. 그 냉각된 핸드(LH2)에 의해서 기판(W)을 반송함으로써, 반송 중에 기판(W)을 냉각할 수 있으므로, 충분히 냉각된 기판(W)을 액처리 유닛(M)에 반입할 수 있다. 덧붙여, 고체화 유닛(D)에서의 냉각 처리 시간을 단축할 수 있다.The local transfer robot LR further has a hand cooling unit 97B (arm cooling unit) that cools the hand LH2 in order to cool the substrate W on which the solidification film 10S is formed by the solidification unit D. You may be provided. The hand cooling unit 97B may be configured to circulate the refrigerant in the refrigerant passage 98B formed in the hand LH2. Instead of the structure having such a coolant passage 98B, an electronic cooling element (not shown) for cooling the hand LH2 may be provided in the hand LH2. Moreover, the hand cooling unit 97B may be comprised so that the cooling plate 99B with which local transfer chamber C was equipped may be cooled. In this case, the hand LH2 is in contact with the cooling plate 99B in the period where the hand LH2 is not holding the substrate W. As shown in FIG. Thereby, the hand LH2 is cooled between non-operational synchronouss of the hand LH2. Since the board | substrate W can be cooled during conveyance by conveying the board | substrate W by the cooled hand LH2, the fully cooled board | substrate W can be carried in to the liquid processing unit M. FIG. In addition, the cooling process time in the solidification unit D can be shortened.

핸드(LH1, LH2)에 유지된 기판(W)을 효율적으로 가열/냉각하기 위해서, 핸드(LH1, LH2)는, 기판(W)의 형상에 대응한 플레이트 형상으로 구성되어 있어도 된다. 이러한 플레이트 형상의 핸드(LH1, LH2)는, 스핀척(12)과의 기판(W)의 수도를 위해서, 스핀척(12)에 구비된 척 핀을 회피하는 절결이 주위에 형성된 절결이 달린 플레이트 형상을 갖고 있어도 된다.In order to heat / cool the board | substrate W hold | maintained at the hands LH1 and LH2 efficiently, the hands LH1 and LH2 may be comprised in the plate shape corresponding to the shape of the board | substrate W. FIG. These plate-shaped hands LH1 and LH2 have a notched plate with a notch around the chuck pin provided in the spin chuck 12 for the number of the substrates W and the spin chuck 12. You may have a shape.

예를 들어, 도 4에 도시한 바와 같이, 로컬 반송 로봇(LR)의 핸드(LH)(또는 핸드(LH)의 이동에 의하지 않고 핸드(LH)와의 상대 위치가 크게 변화하지 않는 가동 부위)에는, 핸드(LH)를 세정하기 위한 세정액을 공급하는 세정액 노즐(91)이 배치되어도 된다. 세정액 노즐(91)은, 세정액 배관(92)에 접속되어 있다. 세정액 배관(92)에는, 세정액 밸브(93)가 끼워 설치되어 있다. 세정액 배관(92)은, 세정액공급원(94)에 접속되어 있다. 세정액 공급원(94)은, 핸드(LH)를 세정하기 위한 세정액을 공급한다. 이 세정액은, 성막용 처리액과 친화성이 있는 액체, 예를 들어 유기용제인 것이 바람직하다.For example, as shown in FIG. 4, the hand LH of the local transport robot LR (or the movable part where the relative position with the hand LH does not change significantly without the movement of the hand LH) is present. The cleaning liquid nozzle 91 for supplying the cleaning liquid for cleaning the hand LH may be disposed. The cleaning liquid nozzle 91 is connected to the cleaning liquid pipe 92. The cleaning liquid valve 93 is fitted to the cleaning liquid piping 92. The cleaning liquid pipe 92 is connected to the cleaning liquid supply source 94. The washing liquid supply source 94 supplies a washing liquid for washing the hand LH. It is preferable that this washing | cleaning liquid is a liquid which has affinity with the processing liquid for film-forming, for example, an organic solvent.

도 4에 도시한 바와 같이, 핸드(LH)에 세정액 노즐(91)을 구비하는 대신에, 또는 그 세정액 노즐(91)에 더해, 로컬 반송실(C) 내에 세정액 노즐(91A)이 장착되어도 된다.As shown in FIG. 4, instead of providing the cleaning liquid nozzle 91 in the hand LH, or in addition to the cleaning liquid nozzle 91, the cleaning liquid nozzle 91A may be mounted in the local transport chamber C. .

로컬 반송 로봇(LR)이 기판(W)을 반송하고 있지 않은 기간에, 세정액 밸브(93)를 엶으로써, 세정액 노즐(91, 91A)로부터 세정액을 토출시켜, 그 세정액에 의해서 핸드(LH)를 세정할 수 있다. 그것에 의해, 특히 핸드(LH)에 부착하는 성막용 처리액이나 그 외의 물질을 제거하여, 핸드(LH)를 청정한 상태로 유지할 수 있다.During the period when the local transfer robot LR is not conveying the substrate W, the cleaning liquid valve 93 is opened to discharge the cleaning liquid from the cleaning liquid nozzles 91 and 91A, and the hand LH is opened by the cleaning liquid. It can be washed. Thereby, in particular, the film forming process liquid and other substances adhering to the hand LH can be removed to keep the hand LH in a clean state.

로컬 반송실(C)의 저부(160)는, 세정액을 받는다. 저부(160)에는, 배액 유닛으로서의 배액 배관(161)이 접속되어 있다. 저부(160)에서 받아진 세정액은, 배액 배관(161)을 통과하여 배액된다.The bottom part 160 of the local conveyance chamber C receives a washing | cleaning liquid. The drainage pipe 161 as the drainage unit is connected to the bottom 160. The washing liquid received at the bottom 160 passes through the drainage pipe 161 and is drained.

로컬 반송실(C) 내에 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 노즐(165)이 설치되어도 된다. 불활성 가스 노즐(165)에는, 불활성 가스 배관(166)이 접속되어 있다. 불활성 가스 배관(166)의 도중에는, 불활성 가스 밸브(167)가 끼워 설치되어 있다. 불활성 가스 배관(166)에는, 불활성 가스 공급원(168)이 접속되어 있다. 불활성 가스 공급원(168)은, 질소 가스 그 외의 불활성 가스를 공급한다. 불활성 가스 밸브(167)를 엶으로써, 로컬 반송실(C) 내에 불활성 가스를 공급할 수 있다. 그것에 의해, 세정 후의 핸드(LH)의 건조를 촉진할 수 있다. 또, 핸드(LH)에 유지된 기판(W)의 부근에 불활성 가스를 공급할 수 있기 때문에, 특히 핸드(LH1)에 유지되는 기판(W) 상의 성막 처리액 막(10)의 건조를 촉진하여, 그 고체화를 촉진할 수 있다.The inert gas nozzle 165 which supplies an inert gas in the local conveyance chamber C may be provided. An inert gas pipe 166 is connected to the inert gas nozzle 165. An inert gas valve 167 is fitted in the middle of the inert gas pipe 166. An inert gas supply source 168 is connected to the inert gas pipe 166. The inert gas supply source 168 supplies inert gas other than nitrogen gas. By removing the inert gas valve 167, the inert gas can be supplied into the local transfer chamber C. Thereby, drying of the hand LH after washing can be promoted. In addition, since the inert gas can be supplied in the vicinity of the substrate W held by the hand LH, in particular, the drying of the film forming liquid film 10 on the substrate W held by the hand LH1 is promoted, The solidification can be promoted.

불활성 가스 노즐(165)은, 핸드(LH)(또는 핸드(LH)의 이동에 의하지 않고 핸드(LH)와의 상대 위치가 크게 변화하지 않는 가동 부위)에 배치되어도 된다. 그것에 의해, 핸드(LH) 및 핸드(LH)에 유지된 기판(W)의 표면에 효율적으로 불활성 가스를 공급할 수 있다.The inert gas nozzle 165 may be disposed at the hand LH (or a movable site where the relative position with the hand LH does not change significantly without the movement of the hand LH). Thereby, the inert gas can be efficiently supplied to the surface of the hand LH and the substrate W held by the hand LH.

또한, 고체화 유닛(D)에서의 처리 후의 기판(W)을 주반송 로봇(CR)에 의해서 반출시키는 경우에는, 로컬 반송 로봇(LR)은 핸드(LH1) 및 그것에 관한 구성을 갖고 있으면 충분하다. 즉, 핸드(LH2) 및 그것에 관한 구성을 생략할 수 있다.In addition, when carrying out the board | substrate W after the process in the solidification unit D by the main transport robot CR, it is sufficient that the local transport robot LR has the hand LH1 and the structure regarding it. That is, the hand LH2 and its configuration can be omitted.

또, 고체화 유닛(D)에서의 처리 후의 기판(W)을 로컬 반송 로봇(LR)에 의해서 반송하는 경우에도, 핸드(LH2) 및 그것에 관련하는 구성을 생략해도 된다. 즉, 동일 핸드(LH1)로, 성막 처리액 막(10)이 형성된 기판(W)의 반송과, 고체화 막(10S)이 형성된 기판(W)의 반송을 행해도 된다. 이 경우, 액처리 유닛(M)으로부터 고체화 유닛(D)으로 기판(W)을 반송한 후에, 핸드(LH1)를 세정하고, 그 후에, 당해 핸드(LH1)로 고체화 유닛(D)으로부터 액처리 유닛(M)으로 표면에 고체화 막(10S)이 형성된 기판(W)을 반송해도 된다.Moreover, even when conveying the board | substrate W after the process in the solidification unit D with the local transfer robot LR, you may abbreviate | omit the hand LH2 and the structure related to it. That is, you may convey the board | substrate W in which the film-forming process liquid film 10 was formed, and the board | substrate W in which the solidified film 10S was formed by the same hand LH1. In this case, after conveying the board | substrate W from the liquid processing unit M to the solidification unit D, the hand LH1 is wash | cleaned and after that, the liquid process from the solidification unit D with the said hand LH1. You may convey the board | substrate W in which the solidified film 10S was formed in the surface in the unit M. As shown in FIG.

이상과 같이, 이 실시 형태에 의하면, 액처리 유닛(M)의 처리실에 있어서 기판(W) 상에 성막 처리액 막(10)이 형성된 후, 그 기판(W)이, 로컬 반송 로봇(LR)에 의해서, 고체화 유닛(D)의 고체화실(51)로 반입된다. 따라서, 주반송 로봇(CR)이 성막 처리액에 의해서 오염되는 것을 회피할 수 있으므로, 그 성막 처리액이, 주반송 로봇(CR)에 의해서 반송되는 다른 기판으로 전이하는 것을 억제 또는 방지할 수 있다. 또, 주반송 로봇(CR)에 의해서 기판(W)이 반송되는 공간에 성막 처리액의 분위기가 감도는 것을 억제 또는 방지할 수 있으므로, 성막 처리액의 분위기에 의한 기판(W)으로의 악영향도 회피할 수 있다. 이렇게 하여, 기판 처리 품질을 향상할 수 있다. 또한, 주반송 로봇(CR)의 동작 상태에 관계없이, 로컬 반송 로봇(LR)에 의해서, 처리실(11)로부터 고체화실(51)로 기판(W)을 신속하게 반송할 수 있다. 따라서, 반송 시간을 단축할 수 있다.As described above, according to this embodiment, after the film forming processing liquid film 10 is formed on the substrate W in the processing chamber of the liquid processing unit M, the substrate W is replaced by the local transfer robot LR. Is carried into the solidification chamber 51 of the solidification unit D. Therefore, since the main transport robot CR can be avoided from being contaminated by the film forming processing liquid, it is possible to suppress or prevent the film forming processing liquid from transferring to another substrate conveyed by the main transport robot CR. . In addition, since the atmosphere of the film forming processing liquid can be suppressed or prevented from being absorbed in the space where the substrate W is conveyed by the main transport robot CR, the adverse effect on the substrate W due to the atmosphere of the film forming processing liquid is also reduced. Can be avoided. In this way, the substrate processing quality can be improved. In addition, regardless of the operating state of the main transport robot CR, the local transport robot LR can quickly transport the substrate W from the processing chamber 11 to the solidification chamber 51. Therefore, the conveyance time can be shortened.

특히, 이 실시 형태에서는, 주반송 로봇(CR)이 주반송실(5)에 배치되어 있고, 로컬 반송 로봇(LR)은, 주반송실(5)로부터 이격된 로컬 반송실(C)에 배치되어 있다. 그것에 의해, 성막 처리액의 분위기가 주반송실(5)에 감도는 것을 보다 확실히 억제 또는 방지할 수 있으므로, 주반송 로봇(CR)에 의해서 반송되는 기판(W)이 성막 처리액의 분위기의 영향을 받는 것을 억제 또는 방지할 수 있다.In particular, in this embodiment, the main transport robot CR is disposed in the main transport chamber 5, and the local transport robot LR is disposed in the local transport chamber C spaced apart from the main transport chamber 5. It is. As a result, since the atmosphere of the film forming liquid can be more reliably suppressed or prevented from being sensitive to the main transport chamber 5, the substrate W conveyed by the main transport robot CR influences the atmosphere of the film forming liquid. Can be suppressed or prevented.

또, 이 실시 형태에서는, 고체화 유닛(D)은, 고체화실(51) 내의 처리 공간(50)을 감압하고, 또한 기판(W)을 히터(53H)로 가열함으로써, 기판(W) 상의 성막 처리액 막(10)을 고체화시킨다. 따라서, 성막 처리액 막(10)을 신속하게 고체화하여, 고체화 막(10S)을 형성할 수 있다. 이 과정에 있어서, 성막 처리액 막(10)이 고체화하면서 체적 수축한다. 그것에 의해, 기판(W) 표면의 파티클 등의 이물에 인장력이 작용하여, 기판(W) 표면으로부터 이물을 박리시킬 수 있다.Moreover, in this embodiment, the solidification unit D decompresses the process space 50 in the solidification chamber 51, and heats the board | substrate W by the heater 53H, and the film-forming process on the board | substrate W is carried out. The liquid film 10 is solidified. Therefore, the film forming processing liquid film 10 can be solidified quickly to form the solidified film 10S. In this process, the film forming liquid film 10 shrinks in volume while solidifying. Thereby, a tensile force acts on foreign materials, such as a particle | grains of the surface of the board | substrate W, and can remove a foreign material from the surface of the board | substrate W.

액처리 유닛(M)은, 처리실(11) 내에 스핀척(12) 및 차단판(19)을 갖고 있고, 그 용적이 비교적 크다. 그로 인해, 처리실(11) 내의 공간을 감압하여 성막 처리액 막(10)을 건조시키는 것은 실제적이지 않고, 만일 가능하다고 해도, 큰 용적의 공간의 감압에는 긴 시간이 걸린다. 그것에 비해, 이 실시 형태에서는, 액처리 유닛(M)에서 처리를 끝낸 후의 기판(W)을, 보다 용적이 작은 고체화실(51)에 반입하여, 고체화실(51) 내에서의 감압 건조 처리를 행하고 있다. 이로써, 성막 처리액 막(10)을 단시간에 고체화 할 수 있다.The liquid processing unit M has the spin chuck 12 and the blocking plate 19 in the processing chamber 11, and its volume is relatively large. Therefore, it is not practical to decompress the space in the process chamber 11 and dry the film-forming processing film 10, and even if it is possible, it takes a long time to decompress the large volume of space. On the other hand, in this embodiment, the board | substrate W after completion | finish of processing in the liquid processing unit M is carried in to the solidification chamber 51 with a smaller volume, and the pressure reduction drying process in the solidification chamber 51 is performed. Doing. Thereby, the film-forming process liquid film 10 can be solidified in a short time.

고체화 막(10S)이 형성된 기판(W)은, 로컬 반송 로봇(LR) 또는 주반송 로봇(CR)에 의해서, 고체화실(51)로부터 액처리 유닛(M)의 처리실(11)로 반입된다. 이때, 액처리 유닛(M)은, 고체화 막(10S)을 제거하는 제거 유닛으로서 기능하고, 처리실(11)은 제거 처리가 행해지는 공간을 제공하는 제거실로서 기능한다. 액처리 유닛(M)은, 기판(W)에 제거액을 공급하여 기판(W) 상의 고체화 막(10S)을 제거한다. 이때, 고체화 막(10S)이 제거액으로 팽윤하여 체적 팽창한다. 그것에 의해, 기판(W) 표면의 이물에 인장력이 작용하여, 이물이 기판(W) 표면으로부터 박리 된다. 박리된 이물은, 고체화 막(10S)과 더불어 기판(W) 밖으로 배제된다. 이렇게 하여, 기판(W)의 표면의 이물을 제거하는 세정 처리가 달성된다.The substrate W on which the solidification film 10S is formed is carried into the processing chamber 11 of the liquid processing unit M from the solidification chamber 51 by the local transfer robot LR or the main transport robot CR. At this time, the liquid processing unit M functions as a removal unit for removing the solidified film 10S, and the processing chamber 11 functions as a removal chamber for providing a space in which the removal processing is performed. The liquid processing unit M supplies the removal liquid to the substrate W to remove the solidified film 10S on the substrate W. FIG. At this time, the solidified film 10S swells with the removal liquid and expands in volume. Thereby, a tensile force acts on the foreign material on the surface of the board | substrate W, and a foreign material peels from the surface of the board | substrate W. The exfoliated foreign matter is taken out of the substrate W together with the solidified film 10S. In this way, the cleaning process which removes the foreign material on the surface of the board | substrate W is achieved.

로컬 반송 로봇(LR)이, 고체화 유닛(D)에서의 고체화 처리를 끝낸 기판(W)을 고체화실(51)로부터 반출하고, 제거 처리를 위해서, 액처리 유닛(M)의 처리실(11)에 반입하는 경우에는, 주반송 로봇(DR)이 고체화 처리 후의 기판(W)으로부터 영향을 받는 것을 회피할 수 있다. 특히, 고체화 유닛(D)에서의 처리 후의 기판(W)이 고온이 되어 있을 때에는, 그 고온의 기판(W)이 발하는 열을 주반송 로봇(CR)이 축적하는 것을 회피할 수 있다. 그것에 의해, 주반송 로봇(CR)에 의해서 반송되는 기판(W)에 대해서 열의 영향이 미치는 것을 억제 또는 방지할 수 있다.The local transfer robot LR carries out the board | substrate W which completed the solidification process in the solidification unit D from the solidification chamber 51, and to the process chamber 11 of the liquid processing unit M for a removal process. When carrying in, it can avoid that main transport robot DR is influenced from the board | substrate W after the solidification process. In particular, when the substrate W after the processing in the solidification unit D is at a high temperature, it is possible to avoid the main transport robot CR from accumulating heat generated by the substrate W at a high temperature. Thereby, the influence of heat on the board | substrate W conveyed by the main transport robot CR can be suppressed or prevented.

또, 이 실시 형태에서는, 로컬 반송 로봇(LR)은, 한 쌍의 핸드(LH1, LH2)를 갖고, 제1 반송 아암으로서의 핸드(LH1)에 의해서 처리실(11)로부터 기판(W)을 반출하여 고체화실(51)에 반입하고, 제2 반송 아암으로서의 핸드(LH2)에 의해서 고체화실(51)로부터 고체화 처리 후의 기판(W)을 반출하여, 제거 처리를 위해서 처리실(11)로 반입한다. 따라서, 핸드(LH1)에 성막 처리액이 부착했다고 해도, 그 처리액이 고체화 처리 후의 기판(W)에 전이하는 것을 억제 또는 방지할 수 있다. 또한, 이 실시 형태에서는, 핸드(LH2)가 핸드(LH1)보다 상방에 배치되어 있으므로, 핸드(LH1)에 의해서 유지되는 기판(W) 상의 성막 처리액이 핸드(LH2)에 부착하는 것을 한층 확실히 억제 또는 방지할 수 있다.In addition, in this embodiment, the local transfer robot LR has a pair of hands LH1 and LH2, and carries out the board | substrate W from the process chamber 11 by the hand LH1 as a 1st transfer arm. It carries in to the solidification chamber 51, the board | substrate W after the solidification process is carried out from the solidification chamber 51 by the hand LH2 as a 2nd conveyance arm, and is carried in to the process chamber 11 for a removal process. Therefore, even if the film-forming process liquid adheres to the hand LH1, it can suppress or prevent the process liquid from transferring to the board | substrate W after the solidification process. In addition, in this embodiment, since the hand LH2 is arrange | positioned above the hand LH1, it is more reliably that the film-forming processing liquid on the board | substrate W hold | maintained by the hand LH1 adheres to the hand LH2. Can be suppressed or prevented.

또, 이 실시 형태에서는, 로컬 반송실(C)에는, 세정액 노즐(91, 91A)이 설치되어 있고, 그 세정액 노즐(91, 91A)로부터 세정액을 토출하여, 핸드(LH)를 세정할 수 있다. 그것에 의해, 핸드(LH)를 청정한 상태로 유지할 수 있으므로, 핸드(LH)에 기인하는 기판(W)의 오염을 억제하면서, 기판(W)을 반송할 수 있다. 게다가, 핸드(LH)의 세정은 로컬 반송실(C)에서 행해지므로, 주반송 로봇(CR)에 의해서 반송되는 기판(W)에 세정액 또는 성막 처리액의 영향이 미치는 것을 억제 또는 방지할 수 있다.Moreover, in this embodiment, the cleaning liquid nozzles 91 and 91A are provided in the local conveyance chamber C, The cleaning liquid can be discharged from the cleaning liquid nozzles 91 and 91A, and the hand LH can be wash | cleaned. . Thereby, since the hand LH can be kept in a clean state, the board | substrate W can be conveyed, suppressing the contamination of the board | substrate W resulting from the hand LH. In addition, since the cleaning of the hand LH is performed in the local transport chamber C, it is possible to suppress or prevent the influence of the cleaning liquid or the film forming processing liquid on the substrate W conveyed by the main transport robot CR. .

특히, 로컬 반송 로봇(LR)의 핸드(LH)(또는 핸드(LH)의 이동에 의하지 않고 핸드(LH)와의 상대 위치가 크게 변화하지 않는 가동 부위)에 세정액 노즐(91)을 설치하는 경우에는, 핸드(LH)를 보다 확실히 세정할 수 있다. 따라서, 핸드(LH)에 성막 처리액 등의 오염이 축적되는 것을 회피할 수 있고, 성막 처리액에 의한 오염을 억제하면서, 기판(W)을 반송할 수 있다. 또, 주반송 로봇(CR)에 의해서 반송되는 기판(W)에 세정액 또는 성막 처리액의 영향이 미치는 것을 억제 또는 방지할 수 있다.In particular, when the cleaning liquid nozzle 91 is installed in the hand LH of the local transport robot LR (or a moving part where the relative position with the hand LH does not change significantly without the movement of the hand LH). The hand LH can be cleaned more reliably. Therefore, accumulation of contamination, such as a film forming liquid, can be avoided in the hand LH, and the substrate W can be conveyed while suppressing contamination by the film forming liquid. In addition, the influence of the cleaning liquid or the film forming processing liquid on the substrate W conveyed by the main transport robot CR can be suppressed or prevented.

그리고, 이 실시 형태에서는, 로컬 반송실(C)은, 세정액을 받는 저부(160)와, 저부(160)에 받아진 세정액을 배액하는 배액 배관(161)을 포함한다. 이로써, 핸드(LH)를 세정한 후의 세정액을 로컬 반송실(C) 밖으로 배출할 수 있으므로, 로컬 반송실(C) 내의 분위기를 청정하게 유지할 수 있다. 그것에 의해, 기판(W)으로의 성막 처리액 분위기의 영향을 한층 억제할 수 있다.And in this embodiment, the local conveyance chamber C contains the bottom part 160 which receives a washing | cleaning liquid, and the drainage piping 161 which drains the washing | cleaning liquid received by the bottom part 160. FIG. Thereby, since the washing | cleaning liquid after washing the hand LH can be discharged out of the local conveyance chamber C, the atmosphere in the local conveyance chamber C can be kept clean. Thereby, the influence of the film-forming process liquid atmosphere on the board | substrate W can be suppressed further.

이 실시 형태에 의해서 실행되는 기판 처리 방법은, 기판(W)의 표면에 처리실(11) 내에서 성막 처리액을 공급하여, 기판(W)의 표면에 성막 처리액 막(10)을 형성하는 처리액 막 형성 공정과, 이 처리액 막 형성 공정 후, 기판(W)을 고체화실(51)로 반송하는 제1 로컬 반송 공정과, 고체화실(51) 내에서 성막 처리액 막(10)을 고체화시켜 당해 기판(W)의 표면에 고체화 막(10S)을 형성하는 고체화 막 형성 공정과, 이 고체화 막 형성 공정 후, 기판(W)을 제거실로서의 처리실(11)로 반송하는 제2 로컬 반송 공정과, 그 처리실(11)(제거실) 내에서 고체화 막(10S)을 제거하기 위한 제거액을 기판(W)의 표면에 공급하는 제거 처리 공정과, 주반송 로봇(CR)에 의해서, 처리실(11)로 미처리의 기판(W)을 반입하고, 제거 처리 공정 후에, 상기 처리실(11)(제거실)로부터 기판(W)을 반출하는 주반송 공정을 포함한다.The substrate processing method performed by this embodiment is a process of supplying the film forming processing liquid in the processing chamber 11 to the surface of the substrate W to form the film forming liquid film 10 on the surface of the substrate W. FIG. After the liquid film forming step, the processing liquid film forming step, the first local conveying step of conveying the substrate W to the solidification chamber 51, and the film forming process liquid film 10 is solidified in the solidification chamber 51. 2nd local conveyance process which conveys the board | substrate W to the process chamber 11 as a removal chamber after the solidification film formation process which forms the solidification film 10S on the surface of the said substrate W, and this solidification film formation process. And the removal processing step of supplying the removal liquid for removing the solidified film 10S in the processing chamber 11 (removal chamber) to the surface of the substrate W, and the processing chamber 11 by the main transport robot CR. Into the untreated substrate W, and the substrate W is taken out of the processing chamber 11 (removing chamber) after the removal processing step. It comprises a conveying step.

이 실시 형태에서는, 상기 고체화 막 형성 공정이, 기판(W)을 가열 유닛으로서의 히터(53H)에 의해서 가열하는 가열 공정을 포함한다. 또, 상기 고체화 막 형성 공정은, 기판(W)이 처리되는 고체화 처리 공간(50)을 감압하는 감압 공정을 포함한다.In this embodiment, the said solidification film formation process includes the heating process which heats the board | substrate W by the heater 53H as a heating unit. Moreover, the said solidification film formation process includes the pressure reduction process of depressurizing the solidification process space 50 with which the board | substrate W is processed.

상기 주반송 공정에서는, 기판(W)은, 주반송실(5)을 통과하여 반송되고, 상기 제1 로컬 반송 공정에 있어서는, 기판(W)은, 주반송실(5)로부터 이격된 로컬 반송실(C)을 통과하여 반송된다.In the main transport step, the substrate W is transported through the main transport chamber 5, and in the first local transport process, the substrate W is transported locally from the main transport chamber 5. It is conveyed through the yarn (C).

상기 제1 로컬 반송 공정 및 상기 제2 로컬 반송 공정은, 공통의 로컬 반송 로봇(LR)에 의해서 행해지는 경우가 있다. 이 경우에, 상기 제1 로컬 반송 공정이, 로컬 반송 로봇(LR)의 핸드(LH1)에 의해서 행해지고, 상기 제2 로컬 반송 공정이, 로컬 반송 로봇(LR)의 핸드(LH2)에 의해서 행해진다.The first local transfer step and the second local transfer step may be performed by a common local transfer robot LR. In this case, the said 1st local conveyance process is performed by the hand LH1 of the local conveyance robot LR, and the said 2nd local conveyance process is performed by the hand LH2 of the local conveyance robot LR. .

또, 상기 제1 로컬 반송 공정이 로컬 반송 로봇(LR)에 의해서 행해지고, 상기 제2 로컬 반송 공정이 주반송 로봇(CR)에 의해서 행해지는 경우가 있다.Moreover, the said 1st local conveyance process may be performed by the local conveyance robot LR, and the said 2nd local conveyance process may be performed by the main conveyance robot CR.

또, 이 실시 형태의 기판 처리 방법은, 로컬 반송 로봇(LR)의 핸드(LH)에 세정액을 공급하는 핸드 세정 공정(아암 세정 공정)을 포함한다.Moreover, the substrate processing method of this embodiment includes the hand washing process (arm washing process) which supplies a washing | cleaning liquid to the hand LH of the local transfer robot LR.

상기 처리액 막 형성 공정과 상기 제거 처리 공정이, 공통의 처리실(11) 내에서 행해지는 경우가 있다. 또, 상기 처리액 막 형성 공정과 상기 제거 처리 공정이 상이한 액처리 유닛(M)에서 행해지는 경우에는, 그들 처리는 상이한 실에서 행해지게 된다.The processing liquid film forming step and the removing processing step may be performed in a common processing chamber 11. Moreover, when the said process liquid film formation process and the said removal process are performed in different liquid processing unit M, those processes will be performed in a different chamber.

[제2 실시 형태]Second Embodiment

도 5a는, 이 발명의 제2 실시 형태에 따르는 기판 처리 장치(1A)의 구성을 설명하기 위한 도해적인 평면도이며, 도 5b는 그 입면도이다. 도 5a 및 도 5b에 있어서, 전술의 도 1a 및 도 1b의 각 부의 대응 부분에는 동일 참조 부호를 붙인다.FIG. 5: A is a schematic plan view for demonstrating the structure of the substrate processing apparatus 1A which concerns on 2nd Embodiment of this invention, and FIG. 5B is an elevation view. 5A and 5B, the same reference numerals are given to corresponding parts of the above-described parts of Figs. 1A and 1B.

이 실시 형태에서는, 평면에서 볼 때, 주반송실(5)의 일방측에 배치된 2개의 적층 유닛군(G1, G2)의 사이에 로컬 반송실(C)이 배치되고, 그 로컬 반송실(C)에 로컬 반송 로봇(LR)이 배치되어 있다. 마찬가지로, 주반송실(5)의 타방측에 배치된 2개의 적층 유닛군(G3, G4)의 사이에 로컬 반송실(C)이 배치되고, 그 로컬 반송실(C)에 로컬 반송 로봇(LR)이 배치되어 있다. 적층 유닛군(G1~G4)을 구성하는 복수의 유닛 및 그들의 적층 상태는, 제1 실시 형태의 경우와 동일하다.In this embodiment, the local conveyance chamber C is arrange | positioned between two laminated unit groups G1 and G2 arrange | positioned at one side of the main conveyance chamber 5 in plan view, and the local conveyance chamber ( Local transport robot LR is arrange | positioned at C). Similarly, the local conveyance chamber C is arrange | positioned between the two laminated unit groups G3 and G4 arrange | positioned on the other side of the main conveyance chamber 5, and the local conveyance robot LR in the local conveyance chamber C. ) Is arranged. The plurality of units constituting the stacking unit groups G1 to G4 and their stacked states are the same as those in the first embodiment.

주반송 로봇(CR)은, 제1 실시 형태의 경우와 동일하게, 합계 8개의 액처리 유닛(M)에 액세스하여 기판(W)을 건네줄 수 있고, 또한 인덱서 로봇(IR)과의 사이에서 기판(W)을 수도할 수 있다. 또, 액처리 유닛(M)은, 합계 8개의 고체화 유닛(D)에 액세스하여 기판(W)을 취출할 수 있도록 구성되어 있어도 된다.As in the case of the first embodiment, the main transport robot CR can access the total eight liquid processing units M and pass the substrate W to each other, and also with the indexer robot IR. The substrate W may also be used. Moreover, the liquid processing unit M may be comprised so that the board | substrate W may be taken out by accessing eight solidification units D in total.

로컬 반송 로봇(LR)은, 이 실시 형태에서는, 제1 층(S1)에 2개 구비되고, 제2 층(S2)에 2개 구비되어 있다. 보다 구체적으로는, 평면에서 볼 때, 제1 층(S1)에는, 주반송실(5)의 양측에 1개씩의 로컬 반송 로봇(LR11, LR12)이 배치되어 있다. 더 구체적으로는, 주반송실(5)의 일방측에 있어서, 제1 층(S1)에는, 액처리 유닛(M11, M12)의 사이에 1개의 로컬 반송 로봇(LR11)이 배치되어 있다. 주반송실(5)의 타방측에도 동일하게, 액처리 유닛(M13, M14)의 사이에 1개의 로컬 반송 로봇(LR12)이 배치되어 있다. 제2 층(S2)에 있어서의 2개의 로컬 반송 로봇(LR21, LR22)도 동일하게 배치되어 있다. 로컬 반송 로봇(LR11, LR12, LR21, LR22)은, 로컬 반송실(C11, C12, C21, C22) 내에 각각 배치되어 있다. 로컬 반송실(C)은, 주반송실(5)로부터 분리(이격)하도록 구획된 반송 공간을 형성하고 있다.In this embodiment, two local carrier robots LR are provided in the 1st layer S1, and two in the 2nd layer S2. More specifically, in plan view, one local transport robots LR11 and LR12 are arranged on both sides of the main transport chamber 5 in the first layer S1. More specifically, on one side of the main transport chamber 5, one local transport robot LR11 is disposed in the first layer S1 between the liquid processing units M11 and M12. Similarly, on the other side of the main transport chamber 5, one local transport robot LR12 is disposed between the liquid processing units M13 and M14. Two local transfer robots LR21 and LR22 in the second layer S2 are also arranged in the same manner. The local transfer robots LR11, LR12, LR21, and LR22 are disposed in the local transfer chambers C11, C12, C21, and C22, respectively. The local conveyance chamber C forms the conveyance space partitioned so that it may separate (separately) from the main conveyance chamber 5.

제1 층(S1)에 있어서, 주반송실(5)의 일방측에 배치된 로컬 반송 로봇(LR11)은, 2개의 액처리 유닛(M11, M12)에 의해서 공유된다.In the 1st layer S1, the local conveyance robot LR11 arrange | positioned at one side of the main conveyance chamber 5 is shared by two liquid processing units M11 and M12.

즉, 로컬 반송 로봇(LR11)은, 캐리어 유지부(2)에 가까운 쪽의 액처리 유닛(M11)에서의 처리를 끝낸 기판(W)을 취출하고, 수직 방향(보다 구체적으로는 상방)으로 반송하여, 그 액처리 유닛(M11) 위의 고체화 유닛(D11)으로 반입한다. 또, 로컬 반송 로봇(LR11)은, 캐리어 유지부(2)로부터 먼 쪽의 액처리 유닛(M12)에서의 처리를 끝낸 기판(W)을 취출하고, 수직 방향(보다 구체적으로는 상방)으로 반송하여, 그 액처리 유닛(M12) 위의 고체화 유닛(D12)으로 반입한다.That is, the local conveyance robot LR11 takes out the board | substrate W which finished the process in the liquid processing unit M11 near the carrier holding part 2, and conveys it to a vertical direction (more specifically upward). And carry-in into the solidification unit D11 on the liquid processing unit M11. Moreover, the local transfer robot LR11 takes out the board | substrate W which finished the process in the liquid processing unit M12 far from the carrier holding part 2, and conveys it to a vertical direction (more specifically, upward). And carry-in into the solidification unit D12 on the liquid processing unit M12.

로컬 반송 로봇(LR11)은, 캐리어 유지부(2)에 가까운 쪽의 액처리 유닛(M11)에서의 처리를 끝낸 기판(W)을, 캐리어 유지부(2)로부터 먼 쪽의 액처리 유닛(M12) 위의 고체화 유닛(D12)에 반송해도 된다. 마찬가지로, 로컬 반송 로봇(LR11)은, 캐리어 유지부(2)로부터 먼 쪽의 액처리 유닛(M12)에서의 처리를 끝낸 기판(W)을 캐리어 유지부(2)에 가까운 쪽의 액처리 유닛(M11) 위의 고체화 유닛(D11)에 반송해도 된다.The local transfer robot LR11 moves the substrate W which has completed the processing in the liquid processing unit M11 closer to the carrier holding unit 2 away from the carrier holding unit 2. ) May be conveyed to the solidification unit (D12) above. Similarly, the local transfer robot LR11 moves the substrate W which has completed the processing in the liquid processing unit M12 far from the carrier holding unit 2 to the liquid processing unit closer to the carrier holding unit 2 ( You may convey to the solidification unit D11 on M11).

보다 일반화하면, 로컬 반송 로봇(LR11)은, 제1 층(S1)에 있어서 주반송실(5)의 일방측에 배치된 2개의 액처리 유닛(M11, M12)과, 그들 위에 각각 배치된 2개의 고체화 유닛(D11, D12)에 액세스 가능하다. 그리고, 1개의 액처리 유닛(M11, M12)에서 처리를 끝낸 기판(W)은, 로컬 반송 로봇(LR11)에 의해서, 2개의 고체화 유닛(D11, D12) 중 어느 한쪽으로 반입되어, 그 표면의 성막 처리액 막을 고체화하기 위한 고체화 처리를 받는다.In general, the local transport robot LR11 includes two liquid processing units M11 and M12 disposed on one side of the main transport chamber 5 in the first layer S1, and two disposed above them. Two solidification units D11 and D12 are accessible. And the board | substrate W which completed the process in one liquid processing unit M11, M12 is carried in by either of the two solidification units D11, D12 by the local transfer robot LR11, The film forming treatment liquid is subjected to a solidification treatment for solidifying the film.

한편, 로컬 반송 로봇(LR11)은, 캐리어 유지부(2)에 가까운 쪽의 고체화 유닛(D11)에서의 고체화 처리를 끝낸 기판(W)을 취출하고, 수직 방향(보다 구체적으로는 하방)으로 반송하여, 그 고체화 유닛(D11) 아래의 액처리 유닛(M11)으로 반입한다. 또, 로컬 반송 로봇(LR11)은, 캐리어 유지부(2)로부터 먼 쪽의 고체화 유닛(D12)에서의 고체화 처리를 끝낸 기판(W)을 취출하고, 수직 방향(보다 구체적으로는 하방)으로 반송하여, 그 고체화 유닛(D12) 아래의 액처리 유닛(M12)으로 반입한다.On the other hand, the local transfer robot LR11 takes out the board | substrate W which completed the solidification process in the solidification unit D11 near the carrier holding part 2, and conveys it to a vertical direction (more specifically, downward). And carry-in into the liquid processing unit M11 under the solidification unit D11. Moreover, the local transfer robot LR11 takes out the board | substrate W which completed the solidification process in the solidification unit D12 far from the carrier holding part 2, and conveys it to a vertical direction (more specifically, downward). And carry-in into the liquid processing unit M12 under the solidification unit D12.

로컬 반송 로봇(LR11)은, 캐리어 유지부(2)에 가까운 쪽의 고체화 유닛(D11)에서의 처리를 끝낸 기판(W)을, 캐리어 유지부(2)로부터 먼 쪽의 액처리 유닛(M12) 아래의 액처리 유닛(M12)에 반송해도 된다. 마찬가지로, 로컬 반송 로봇(LR11)은, 캐리어 유지부(2)로부터 먼 쪽의 고체화 유닛(D12)에서의 처리를 끝낸 기판(W)을 캐리어 유지부(2)에 가까운 쪽의 고체화 유닛(D11) 아래의 액처리 유닛(M11)에 반송해도 된다. 보다 일반화하면, 1개의 고체화 유닛(D11, D12)에서의 고체화 처리를 끝낸 기판(W)은, 로컬 반송 로봇(LR11)에 의해서, 2개의 액처리 유닛(M11, M12) 중 어느 한쪽으로 반입되어, 그 표면의 고체화 막을 제거하기 위한 제거 처리를 받는다.The local transfer robot LR11 moves the substrate W which has completed the processing in the solidification unit D11 closer to the carrier holding part 2 away from the carrier holding part 2 with the liquid processing unit M12. You may convey to the following liquid processing unit M12. Similarly, local transfer robot LR11 solidifies unit D11 of the board | substrate W which has completed the process in the solidification unit D12 far from carrier holding part 2 closer to carrier holding part 2. You may convey to the following liquid processing unit M11. In general, the board | substrate W which completed the solidification process in one solidification unit D11, D12 is carried in by either of the two liquid processing units M11, M12 by the local conveyance robot LR11, And a removal treatment for removing the solidified film on the surface thereof.

제1 층(S1)에 있어서 주반송실(5)의 타방측에 배치된 로컬 반송 로봇(LR12)의 동작도 동일하다. 즉, 로컬 반송 로봇(LR12)은, 2개의 액처리 유닛(M13, M14) 및 2개의 고체화 유닛(D13, D14)에 액세스 가능하게 구성되어 있고, 그들에 대해서, 주반송실(5)의 반대측의 로컬 반송 로봇(LR11)과 동일한 동작을 행한다.The operation of the local transfer robot LR12 arranged on the other side of the main transport chamber 5 in the first layer S1 is also the same. That is, the local conveyance robot LR12 is comprised so that two liquid processing units M13 and M14 and two solidification units D13 and D14 are accessible, and with respect to them, the opposite side of the main conveyance chamber 5 is made. The same operation as that of the local transfer robot LR11 is performed.

제2 층(S2)에 배치된 로컬 반송 로봇(LR21, LR22)의 동작도 동일하다. 즉, 로컬 반송 로봇(LR21)은, 2개의 액처리 유닛(M21, M22) 및 2개의 고체화 유닛(D21, D22)에 액세스 가능하게 구성되어 있고, 그들에 대해서, 로컬 반송 로봇(LR11)과 동일한 동작을 행한다. 또, 로컬 반송 로봇(LR22)은, 2개의 액처리 유닛(M23, M24) 및 2개의 고체화 유닛(D23, D24)에 액세스 가능하게 구성되어 있고, 그들에 대해서, 로컬 반송 로봇(LR11)과 동일한 동작을 행한다.The operations of the local transfer robots LR21 and LR22 arranged on the second layer S2 are also the same. That is, the local conveyance robot LR21 is comprised so that the two liquid processing units M21 and M22 and the two solidification units D21 and D22 are accessible, About them, it is the same as the local conveyance robot LR11. Perform the operation. Moreover, the local conveyance robot LR22 is comprised so that two liquid processing units M23 and M24 and two solidification units D23 and D24 are accessible, and it is the same as the local conveyance robot LR11 about them. Perform the operation.

주반송실(5)의 일방측에 배치된 2개의 로컬 반송 로봇(LR11, LR21)은, 이 실시 형태에서는, 평면에서 볼 때 서로 겹치는 2개의 로컬 반송실(C11, C21)에 각각 배치되어 있다. 마찬가지로, 주반송실(5)의 타방측에 배치된 2개의 로컬 반송 로봇(LR12, LR22)은, 이 실시 형태에서는, 평면에서 볼 때 서로 겹치는 2개의 로컬 반송실(C12, C22)에 각각 배치되어 있다.In this embodiment, two local transfer robots LR11 and LR21 arranged on one side of the main transport chamber 5 are arranged in two local transfer chambers C11 and C21 which overlap each other in plan view. . Similarly, the two local transfer robots LR12 and LR22 arranged on the other side of the main transport chamber 5 are each arranged in two local transfer chambers C12 and C22 which overlap each other in plan view. It is.

상하에 서로 겹친 2개의 로컬 반송실(C11, C21；C12, C22)을, 상하에 연통한 1개의 로컬 반송실로 해도 된다. 그리고, 이 1개의 로컬 반송실(C) 내에 1개의 로컬 반송 로봇(LR)을 배치해도 된다.Two local conveyance chambers C11, C21; C12, C22 which overlapped each other up and down may be used as one local conveyance chamber which communicated up and down. And one local transfer robot LR may be arrange | positioned in this one local transfer room C. As shown in FIG.

이 경우, 주반송실(5)의 일방측에서는, 로컬 반송실(C)에 대해서 캐리어 유지부(2)측에는, 액처리 유닛(M11), 고체화 유닛(D11), 액처리 유닛(M21) 및 고체화 유닛(D21)이 이 순으로 적층된 적층 유닛군(G1)이 위치하고, 캐리어 유지부(2)로부터 먼 쪽에도, 액처리 유닛(M12), 고체화 유닛(D12), 액처리 유닛(M22) 및 고체화 유닛(D22)이 이 순으로 적층된 적층 유닛군(G2)이 위치한다. 로컬 반송실(C)에 배치된 1개의 로컬 반송 로봇(LR)은, 이들 한 쌍의 적층 유닛군(G1, G2)을 구성하는 합계 8개의 유닛에 대해서 액세스할 수 있다.In this case, on one side of the main transport chamber 5, the liquid processing unit M11, the solidification unit D11, the liquid processing unit M21, and the solidification are performed on the carrier holding unit 2 side with respect to the local transport chamber C. The stacking unit group G1 in which the units D21 are stacked in this order is located, and the liquid treatment unit M12, the solidification unit D12, the liquid treatment unit M22, and the solidification are also located away from the carrier holding unit 2. The stacked unit group G2 in which the units D22 are stacked in this order is located. One local conveyance robot LR arrange | positioned in the local conveyance chamber C can access eight units in total which comprise these pair of laminated unit groups G1 and G2.

이 경우, 로컬 반송 로봇(LR)은, 어느 액처리 유닛(M11, M12, M21, M22)에서 성막 처리액 막 형성 처리가 종료한 1개의 기판(W)을 그 바로 위에 적층된 고체화 유닛(D11, D12, D21, D22)에 반입하도록 동작해도 된다. 또, 로컬 반송 로봇(LR)은, 어느 액처리 유닛(M11, M12, M21, M22)에서 성막 처리액 막 형성 처리가 종료한 1개의 기판(W)을, 액세스 가능한 4개의 고체화 유닛(D11, D12, D21, D22) 중 임의의 1개에 반입해도 된다. 일반적으로는, 처리를 위해서 사용되고 있지 않은 고체화 유닛(D)에 기판(W)을 반입함으로써, 생산성을 높일 수 있다.In this case, the local transfer robot LR solidifies the unit D11 in which one substrate W whose film-forming liquid film forming process has been completed in one of the liquid processing units M11, M12, M21, and M22 is stacked thereon. , D12, D21, D22). In addition, the local transfer robot LR can access the four solidification units D11, which can access one board | substrate W in which the film-forming process liquid film formation process was completed in some liquid processing units M11, M12, M21, and M22. You may carry in into any one of D12, D21, D22). Generally, productivity can be improved by carrying in the board | substrate W to the solidification unit D which is not used for the process.

또, 로컬 반송 로봇(LR)은, 어느 고체화 유닛(D11, D12, D21, D22)에서 고체화 처리가 종료한 1개의 기판(W)을 그 바로 아래에 적층된 액처리 유닛(M11, M12, M21, M22)에 반입하도록 동작해도 된다. 또, 로컬 반송 로봇(LR)은, 어느 고체화 유닛(D11, D12, D21, D22)에서 고체화 처리가 종료한 1개의 기판(W)을, 액세스 가능한 4개의 액처리 유닛(M11, M12, M21, M22) 중 임의의 1개에 반입해도 된다. 일반적으로는, 처리를 위해서 사용되고 있지 않은 액처리 유닛(M)에 기판(W)을 반입하여 제거 처리를 행하게 함으로써, 생산성을 높일 수 있다.Moreover, the local transfer robot LR has the liquid-processing unit M11, M12, M21 which laminated | stacked one board | substrate W in which solidification process was complete | finished in some solidification unit D11, D12, D21, D22 directly under it. , M22). Moreover, the local transfer robot LR can access four board | substrates W11, M12, M21, which can access one board | substrate W in which the solidification process was complete | finished in any solidification unit D11, D12, D21, D22. You may carry in to any one of M22). Generally, productivity can be improved by carrying in the removal process by carrying in the board | substrate W to the liquid processing unit M which is not used for the process.

주반송실(5)의 타방측에 대해서도, 동일한 구성이며, 2개의 적층 유닛군(G3, G4)에 의해서 공유되는 1개의 로컬 반송 로봇(LR)을 동일하게 동작시킬 수 있다.The other side of the main conveyance chamber 5 is also the same structure, and can operate the one local conveyance robot LR shared by two laminated unit groups G3 and G4 similarly.

도 1a 및 도 5a의 비교로부터 이해되는 바와 같이, 이 실시 형태의 구성에 의해, 기판 처리 장치(1A)의 점유 면적(풋 프린트)을 작게 할 수 있다.As understood from the comparison of FIG. 1A and FIG. 5A, the area (footprint) of the substrate processing apparatus 1A can be reduced by the configuration of this embodiment.

또한, 고체화 유닛(D)에서의 고체화 처리를 종료한 기판(W)의 반송은, 주반송 로봇(CR)에 의해서 행해도 된다. 이 경우, 주반송 로봇(CR)은, 임의의 액처리 유닛(M)에 당해 기판(W)을 반입하여 제거 처리를 행하게 하도록 동작해도 된다.In addition, you may perform the conveyance of the board | substrate W which completed the solidification process in solidification unit D by main transport robot CR. In this case, the main transport robot CR may operate so as to carry in the removal process by carrying in the said board | substrate W to the arbitrary liquid processing units M. As shown in FIG.

[제3 실시 형태][Third Embodiment]

도 6a는, 이 발명의 제3 실시 형태에 따르는 기판 처리 장치(1B)의 구성을 설명하기 위한 도해적인 평면도이며, 도 6b는, 그 입면도이다. 이 실시 형태의 기판 처리 장치(1B)에서는, 유닛의 배치가, 제1 층(S1), 제2 층(S2) 및 제3 층(S3)을 포함하는 3층 구조를 형성하고 있다.FIG. 6A is a schematic plan view for explaining the configuration of the substrate processing apparatus 1B according to the third embodiment of the present invention, and FIG. 6B is an elevation view thereof. In the substrate processing apparatus 1B of this embodiment, the arrangement of the units forms a three-layer structure including the first layer S1, the second layer S2, and the third layer S3.

이 실시 형태에서는, 평면에서 볼 때, 주반송실(5)의 일방측에 3개의 적층 유닛군(G11, G12, G13)이 주반송실(5)을 따라서 배치되고, 주반송실(5)의 타방측에 3개의 적층 유닛군(G14, G15, G16)이 주반송실(5)을 따라서 배치되어 있다.In this embodiment, three laminated unit groups G11, G12, and G13 are arrange | positioned along the main conveyance chamber 5 at one side of the main conveyance chamber 5 in plan view, and the main conveyance chamber 5 is shown. Three stacking unit groups G14, G15, and G16 are arranged along the main transport chamber 5 on the other side of the cross section.

적층 유닛군(G11)은, 3개의 액처리 유닛(M11, M21, M31)을 밑에서부터 차례로 적층하여 구성되어 있다. 적층 유닛군(G13)은, 3개의 액처리 유닛(M12, M22, M32)을 밑에서부터 차례로 적층하여 구성되어 있다. 적층 유닛군(G11, G13)의 사이에 배치된 적층 유닛군(G12)은, 6개의 고체화 유닛(D11, D12, D21, D22, D31, D32)을 밑에서부터 차례로 적층하여 구성되어 있다. 적층 유닛군(G11, G13)의 사이에는, 또한, 로컬 반송실(C11, C21, C31)이 밑에서부터 차례로 적층하여 배치되어 있고, 그들 중에, 로컬 반송 로봇(LR11, LR21, LR31)이 각각 배치되어 있다. 로컬 반송실(C11, C21, C31)은, 이 실시 형태에서는, 적층 유닛군(G12)에 대해서, 주반송실(5)과는 반대측에 배치되어 있다.The stacking unit group G11 is configured by stacking three liquid processing units M11, M21, and M31 sequentially from the bottom. The stacking unit group G13 is configured by stacking three liquid processing units M12, M22, and M32 sequentially from the bottom. The stacking unit group G12 disposed between the stacking unit groups G11 and G13 is configured by stacking six solidification units D11, D12, D21, D22, D31, and D32 in order from the bottom. Between the stacking unit groups G11 and G13, the local transfer chambers C11, C21, and C31 are further stacked in order from the bottom, and among them, the local transfer robots LR11, LR21, and LR31 are arranged, respectively. It is. In this embodiment, local conveyance chambers C11, C21, and C31 are arrange | positioned on the opposite side to the main conveyance chamber 5 with respect to the lamination unit group G12.

적층 유닛군(G14)은, 3개의 액처리 유닛(M13, M23, M33)을 밑에서부터 차례로 적층하여 구성되어 있다. 적층 유닛군(G16)은, 3개의 액처리 유닛(M14, M24, M34)을 밑에서부터 차례로 적층하여 구성되어 있다. 적층 유닛군(G14, G16)의 사이에 배치된 적층 유닛군(G15)은, 6개의 고체화 유닛(D13, D14, D23, D24, D33, D34)을 밑에서부터 차례로 적층하여 구성되어 있다. 적층 유닛군(G14, G16)의 사이에는, 또한, 로컬 반송실(C12, C22, C32)이 밑에서부터 차례로 적층하여 배치되어 있고, 그들 중에, 로컬 반송 로봇(LR12, LR22, LR32)이 각각 배치되어 있다. 로컬 반송실(C12, C22, C32)은, 이 실시 형태에서는, 적층 유닛군(G15)에 대해서, 주반송실(5)과는 반대측에 배치되어 있다.The stacking unit group G14 is configured by stacking three liquid processing units M13, M23, and M33 sequentially from the bottom. The stacking unit group G16 is configured by stacking three liquid processing units M14, M24, and M34 sequentially from the bottom. The stacking unit group G15 disposed between the stacking unit groups G14 and G16 is configured by stacking six solidification units D13, D14, D23, D24, D33, and D34 sequentially from the bottom. Between the stacking unit groups G14 and G16, the local transfer chambers C12, C22, and C32 are further stacked in order from the bottom, and among them, the local transfer robots LR12, LR22, and LR32 are arranged, respectively. It is. In this embodiment, local conveyance chambers C12, C22, and C32 are arrange | positioned on the opposite side to the main conveyance chamber 5 with respect to lamination unit group G15.

각 층의 구성에 착목하면, 제1 층(S1)에 있어서, 주반송실(5)의 일방측에는, 주반송실(5)의 평면에서 볼 때의 길이 방향을 따라서, 한 쌍의 액처리 유닛(M11, M12)이 배치되어 있고, 이 한 쌍의 액처리 유닛(M11, M12)의 사이에, 한 쌍의 고체화 유닛(D11, D12)과, 1개의 로컬 반송 로봇(LR11)이 배치되어 있다. 한 쌍의 고체화 유닛(D11, D12)은, 이 실시 형태에서는, 상하로 적층되어 있다. 고체화 유닛(D11, D12)은, 주반송실(5)에 가까운 위치에 배치되어 있고, 고체화 유닛(D11, D12)에 대해서 주반송실(5)과는 반대측에 로컬 반송 로봇(LR11)이 배치되어 있다.When the structure of each layer is taken into consideration, in the 1st layer S1, one side of the main conveyance chamber 5 is a pair of liquid processing unit along the longitudinal direction as seen from the plane of the main conveyance chamber 5. M11 and M12 are arrange | positioned, and a pair of solidification unit D11 and D12 and one local transfer robot LR11 are arrange | positioned between these pair of liquid processing units M11 and M12. . The pair of solidification units D11 and D12 are stacked up and down in this embodiment. The solidification units D11 and D12 are arranged at positions close to the main transport chamber 5, and the local transport robot LR11 is disposed on the side opposite to the main transport chamber 5 with respect to the solidification units D11 and D12. It is.

로컬 반송 로봇(LR11)은, 로컬 반송실(C11) 내에 배치되어 있다. 로컬 반송 로봇(LR11)은, 한 쌍의 액처리 유닛(M11, M12) 및 한 쌍의 고체화 유닛(D11, D12)에 액세스 가능하다.Local conveyance robot LR11 is arrange | positioned in local conveyance room C11. The local transfer robot LR11 is accessible to the pair of liquid processing units M11 and M12 and the pair of solidification units D11 and D12.

로컬 반송 로봇(LR11)은, 1개의 액처리 유닛(M11, M12)에서 성막 처리액 막 형성 처리를 끝낸 기판(W)을 반출하고, 한 쌍의 고체화 유닛(D11, D12) 중 어느 한쪽으로 그 기판(W)을 반입하도록 동작한다. 또, 로컬 반송 로봇(LR11)은, 1개의 고체화 유닛(D11, D12)에서 고체화 처리를 끝낸 기판(W)을 반출하고, 한 쌍의 액처리 유닛(M11, M12) 중 어느 한쪽으로 그 기판(W)을 반입하여 제거 처리를 행하게 하도록 동작한다.The local transfer robot LR11 carries out the board | substrate W which completed the film-forming process liquid film formation process in one liquid processing unit M11, M12, and carries it to either of a pair of solidification unit D11, D12. It operates to carry in the board | substrate W. Moreover, the local transfer robot LR11 carries out the board | substrate W which completed the solidification process in one solidification unit D11, D12, and the board | substrate (to any one of a pair of liquid processing unit M11, M12). Operation to carry out the removal process by importing W).

제1 층(S1)에 있어서, 주반송실(5)의 타방측의 유닛 배치도 동일하다. 즉, 주반송실(5)의 타방측에는, 주반송실(5)의 평면에서 볼 때의 길이 방향을 따라서, 한 쌍의 액처리 유닛(M13, M14)이 배치되어 있고, 이 한 쌍의 액처리 유닛(M13, M14)의 사이에 한 쌍의 고체화 유닛(D13, D14)과 1개의 로컬 반송 로봇(LR12)이 배치되어 있다. 한 쌍의 고체화 유닛(D13, D14)은 상하로 적층되어 있다. 그들 고체화 유닛(D13, D14)은, 주반송실(5)에 가까운 위치에 배치되고, 고체화 유닛(D13, D14)에 대해서 주반송실(5)과는 반대측에 로컬 반송실(C12)이 구획되며, 그곳에 로컬 반송 로봇(LR12)이 수용되어 있다.In the 1st layer S1, the unit arrangement | positioning on the other side of the main transport chamber 5 is also the same. That is, on the other side of the main transport chamber 5, a pair of liquid processing units M13 and M14 are arrange | positioned along the longitudinal direction in the plane view of the main transport chamber 5, and this pair of liquid A pair of solidification units D13 and D14 and one local conveyance robot LR12 are arrange | positioned between processing units M13 and M14. The pair of solidification units D13 and D14 are stacked up and down. These solidification units D13 and D14 are disposed at a position close to the main transport chamber 5, and the local transport chamber C12 is partitioned on the side opposite to the main transport chamber 5 with respect to the solidification units D13 and D14. The local transport robot LR12 is housed there.

로컬 반송 로봇(LR12)은, 한 쌍의 액처리 유닛(M13, M14) 및 한 쌍의 고체화 유닛(D13, D14)에 액세스 가능하다. 로컬 반송 로봇(LR12)은, 1개의 액처리 유닛(M13, M14)에서 처리를 끝낸 기판(W)을 반출하고, 한 쌍의 고체화 유닛(D13, D14) 중 어느 한쪽으로 그 기판(W)을 반입하도록 동작한다. 또, 로컬 반송 로봇(LR12)은, 1개의 고체화 유닛(D13, D14)에서 고체화 처리를 끝낸 기판(W)을 반출하고, 한 쌍의 액처리 유닛(M13, M14) 중 어느 한쪽으로 그 기판(W)을 반입하여 제거 처리를 행하게 하도록 동작한다.The local transfer robot LR12 is accessible to the pair of liquid processing units M13 and M14 and the pair of solidification units D13 and D14. The local transfer robot LR12 carries out the board | substrate W which processed the process by one liquid processing unit M13, M14, and transfers the board | substrate W to one of a pair of solidification units D13 and D14. Operate to import Moreover, the local transfer robot LR12 carries out the board | substrate W which completed the solidification process in one solidification unit D13, D14, and carries out the board | substrate (to any one of a pair of liquid processing unit M13, M14). Operation to carry out the removal process by importing W).

제2 층(S2) 및 제3 층(S3)의 유닛 배치 및 각 층의 로컬 반송 로봇(LR)의 동작도 동일하다. 제2 층(S2)은, 주반송실(5)의 일방측에 배치된 한 쌍의 액처리 유닛(M21, M22), 한 쌍의 고체화 유닛(D21, D22) 및 1개의 로컬 반송 로봇(LR21)을 포함하고, 또한, 주반송실(5)의 타방측에 배치된 한 쌍의 액처리 유닛(M23, M24), 한 쌍의 고체화 유닛(D23, D24) 및 1개의 로컬 반송 로봇(LR22)을 포함한다. 제3 층(S3)은, 주반송실(5)의 일방측에 배치된 한 쌍의 액처리 유닛(M31, M32), 한 쌍의 고체화 유닛(D31, D32) 및 1개의 로컬 반송 로봇(LR31)을 포함하고, 또한, 주반송실(5)의 타방측에 배치된 한 쌍의 액처리 유닛(M33, M34), 한 쌍의 고체화 유닛(D33, D34) 및 1개의 로컬 반송 로봇(LR32)을 포함한다.The unit arrangement of the 2nd layer S2 and the 3rd layer S3, and the operation | movement of the local conveyance robot LR of each layer are also the same. The second layer S2 includes a pair of liquid processing units M21 and M22 disposed on one side of the main transport chamber 5, a pair of solidification units D21 and D22, and a local transport robot LR21. ), And a pair of liquid processing units M23 and M24, a pair of solidification units D23 and D24 and one local transfer robot LR22 disposed on the other side of the main transport chamber 5. It includes. The third layer S3 includes a pair of liquid processing units M31 and M32 disposed on one side of the main transport chamber 5, a pair of solidification units D31 and D32, and one local transfer robot LR31. ), And a pair of liquid processing units (M33, M34), a pair of solidification units (D33, D34) and one local transfer robot (LR32) disposed on the other side of the main transport chamber (5). It includes.

이와 같이, 이 실시 형태에서는, 액처리 유닛(M)과 고체화 유닛(D)이 평면적으로 배치(수평 배치)되어 있고, 그것에 의해, 기판 처리 장치(1B)의 전체 높이를 억제하면서, 다수의 액처리 유닛(M) 및 고체화 유닛(D)을 구비할 수 있다.As described above, in this embodiment, the liquid processing unit M and the solidification unit D are arranged in a plane (horizontal arrangement), whereby a large number of liquids are suppressed while suppressing the overall height of the substrate processing apparatus 1B. The processing unit M and the solidification unit D may be provided.

주반송실(5)의 일방측에 배치된 3개의 로컬 반송 로봇(LR11, LR21, LR31)은, 이 실시 형태에서는, 평면에서 볼 때, 서로 겹치는 3개의 로컬 반송실(C11, C21, C31)에 각각 배치되어 있다. 이 3개의 로컬 반송실(C11, C21, C31)을 상하에 연통한 1개의 로컬 반송실(C)로 해도 된다. 또, 이 1개의 로컬 반송실(C) 내에 1개의 로컬 반송 로봇(LR)을 배치해도 된다. 이 경우, 로컬 반송실(C)에 대해서 캐리어 유지부(2)측에는, 3개의 액처리 유닛(M11, M21, M31)이 적층된 적층 유닛군(G11)이 위치하고, 캐리어 유지부(2)로부터 먼 쪽에는, 3개의 액처리 유닛(M12, M22, M32)이 적층된 적층 유닛군(G13)이 위치하며, 주반송실(5)측에는 6개의 고체화 유닛(D11, D12, D21, D22, D31, D32)이 적층된 적층 유닛군(G12)이 위치한다. 로컬 반송실(C)에 배치된 1개의 로컬 반송 로봇(LR)은, 이들 3개의 적층 유닛군(G11~G13)을 구성하는 합계 12개의 유닛에 대해서 액세스할 수 있다.Three local transfer robots LR11, LR21, and LR31 arranged on one side of the main transport chamber 5 are three local transfer chambers C11, C21, and C31 overlapping each other in this embodiment in plan view. Are arranged in each. It is good also as one local conveyance room C which communicated these three local conveyance chambers C11, C21, and C31 up and down. Moreover, you may arrange | position one local conveyance robot LR in this one local conveyance chamber C. As shown in FIG. In this case, the stacking unit group G11 in which the three liquid processing units M11, M21, and M31 are stacked is located on the carrier holding unit 2 side with respect to the local transport chamber C. On the far side, a stacking unit group G13 in which three liquid processing units M12, M22, and M32 are stacked is located, and six solidifying units D11, D12, D21, D22, and D31 are located on the main transport chamber 5 side. , The stacking unit group G12 on which D32 is stacked is located. One local conveyance robot LR arrange | positioned in the local conveyance chamber C can access 12 units in total which comprise these three lamination | stacking unit groups G11-G13.

이 경우, 로컬 반송 로봇(LR)은, 어느 액처리 유닛(M)에서 성막 처리액 막 형성이 종료한 1개의 기판(W)을 동일층 내에 위치하는 고체화 유닛(D)에 반입하도록 동작해도 된다. 또, 로컬 반송 로봇(LR)은, 어느 고체화 유닛(D)에서 고체화 처리가 종료한 1개의 기판(W)을, 제거 처리를 위해서, 동일층 내에 위치하는 액처리 유닛(M)에 반입하도록 동작해도 된다. 또, 로컬 반송 로봇(LR)은, 어느 액처리 유닛(M)에서 성막 처리액 막 형성이 종료한 1개의 기판(W)을, 액세스 가능한 6개의 고체화 유닛(D) 중 임의의 1개에 반입해도 된다. 일반적으로는, 처리를 위해서 사용되고 있지 않은 고체화 유닛(D)에 기판(W)을 반입함으로써, 생산성을 높일 수 있다. 그리고, 로컬 반송 로봇(LR)은, 어느 고체화 유닛(D)에서 고체화 처리가 종료한 1개의 기판(W)을, 제거 처리를 위해서, 액세스 가능한 6개의 액처리 유닛(M) 중 임의의 1개에 반입해도 된다. 일반적으로는, 처리를 위해서 사용되고 있지 않은 액처리 유닛(M)에 기판(W)을 반입함으로써, 생산성을 높일 수 있다. 물론, 주반송실(5)의 반대측에 관해서도, 동일한 구성으로 할 수 있다.In this case, the local transfer robot LR may operate to carry in the solidification unit D located in the same layer one board | substrate W in which the film-forming process liquid film formation was complete in some liquid processing unit M. In FIG. . Moreover, the local transfer robot LR operates to carry in one liquid-crystal unit M which is located in the same layer for removal process, the one board | substrate W in which solidification process was complete in one solidification unit D. You may also Moreover, the local transfer robot LR carries in one arbitrary one of six accessible solidification units D the one board | substrate W in which the film-forming process liquid film formation was complete in some liquid processing unit M. You may also Generally, productivity can be improved by carrying in the board | substrate W to the solidification unit D which is not used for the process. The local transfer robot LR is any one of six liquid processing units M that can be accessed for removal processing of one substrate W whose solidification process is completed in one solidification unit D. You may bring in. Generally, productivity can be improved by carrying in the board | substrate W to the liquid processing unit M which is not used for the process. Of course, the same structure can also be provided with respect to the other side of the main conveyance chamber 5.

도 1a 및 도 6a의 비교로부터 이해되는 바와 같이, 이 실시 형태의 구성에 의해, 기판 처리 장치(1B)의 점유 면적(풋 프린트)을 작게 할 수 있다. 또한, 도 5b 및 도 6b 등의 비교로부터 이해되는 바와 같이, 이 실시 형태의 구성에 의해, 동일 높이의 스페이스에, 보다 많은 유닛을 배치할 수 있다. 바꾸어 말하면, 동일 유닛수의 기판 처리 장치를, 보다 낮은 높이로 구성할 수 있다.As understood from the comparison of FIG. 1A and FIG. 6A, by the structure of this embodiment, the occupation area (footprint) of the substrate processing apparatus 1B can be made small. Moreover, as understood from the comparison of FIG. 5B, FIG. 6B, etc., by the structure of this embodiment, more units can be arrange | positioned in the space of the same height. In other words, the substrate processing apparatus of the same unit number can be comprised with a lower height.

[제4 실시 형태][4th Embodiment]

도 7은, 이 발명의 제4 실시 형태에 따르는 기판 처리 장치(1C)의 구성을 설명하기 위한 도해적인 입면도이며, 주반송실의 일방측의 구성이 도시되어 있다. 주반송실(5)(도 5a 등 참조)의 일방측에, 한 쌍의 적층 유닛군(G21, G22)이 배치되어 있고, 그들 사이에 로컬 반송 로봇(LR1, LR2)이 배치되어 있다. 이 예에서는, 1개의 적층 유닛군(G21)은 3개의 액처리 유닛(M1, M2, M3)을 3층으로 적층하여 구성되어 있다. 또 1개의 적층 유닛군(G22)은, 1개의 액처리 유닛(M4)과. 그 위에 차례로 적층된 4개의 고체화 유닛(D1~D4)을 포함한다. 주반송실(5)의 반대측에도 동일한 구성이 설치되어 있다. 주반송 로봇(CR)은, 주반송실(5)의 일방측에 배치된 4개의 액처리 유닛(M1~M4)에 액세스 가능하고, 또한 주반송실(5)의 반대측에도 동일하게 배치된 4개의 액처리 유닛에 액세스 가능하다. 주반송 로봇(CR)은, 주반송실(5)의 일방측에 배치된 4개의 고체화 유닛(D1~D4)에 액세스 가능하고, 또한 주반송실(5)의 반대측에도 동일하게 배치된 4개의 고체화 유닛에 액세스 가능하게 구성되어 있어도 된다.FIG. 7 is an illustrative elevation view for explaining the configuration of the substrate processing apparatus 1C according to the fourth embodiment of the present invention, and the configuration of one side of the main transport chamber is shown. On one side of the main transport chamber 5 (refer FIG. 5A etc.), a pair of laminated unit group G21 and G22 are arrange | positioned, and local transfer robots LR1 and LR2 are arrange | positioned between them. In this example, one stacking unit group G21 is configured by stacking three liquid processing units M1, M2, and M3 in three layers. In addition, one stacking unit group G22 includes one liquid processing unit M4. Four solidification units D1-D4 laminated | stacked on it in turn are included. The same structure is provided also in the other side of the main conveyance room 5. The main transport robot CR is accessible to four liquid processing units M1 to M4 arranged on one side of the main transport chamber 5, and 4 arranged on the opposite side of the main transport chamber 5 in the same manner. Access to two liquid processing units. The main transport robot CR is accessible to the four solidification units D1 to D4 arranged on one side of the main transport chamber 5, and the four transporters 5 are similarly arranged on the opposite side of the main transport chamber 5. The solidification unit may be configured to be accessible.

이 예에서는, 주반송실(5)의 일방측에, 2개의 로컬 반송 로봇(LR1, LR2)이 설치되어 있고, 그들은, 1개의 로컬 반송실(C) 내에 배치되어 있다. 예를 들어, 하측의 로컬 반송 로봇(LR1)은, 3개의 액처리 유닛(M1, M2, M4) 및 2개의 고체화 유닛(D1, D2)에 액세스 가능해도 된다. 그리고, 상측의 로컬 반송 로봇(LR2)은, 2개의 액처리 유닛(M2, M3) 및 4개의 고체화 유닛(D1~D4)에 액세스 가능해도 된다. 이들의 로컬 반송 로봇(LR1, LR2)은, 액처리 유닛(M1~M4)에서 성막 처리액이 형성된 후의 기판(W)을 어느 한 고체화 유닛(D1~D4)에 반입하도록 동작한다. 또, 로컬 반송 로봇(LR1, LR2)은, 고체화 유닛(D1~D4)에서 고체화 처리된 후의 기판(W)을, 제거 처리를 위해서, 어느 한 액처리 유닛(M1~M4)에 반입하도록 동작한다. 주반송실(5)의 반대측에도 동일한 구성이 설치되어 있고, 2개의 로컬 반송 로봇의 동작도 동일하다. 고체화 처리 후의 기판(W)의 반송은, 주반송 로봇(CR)이 행해도 된다. 즉, 주반송 로봇(CR)은, 어느 고체화 유닛(D)에서 고체화 처리된 기판(W)을, 어느 한 액처리 유닛(M)에 반입하도록 동작해도 된다.In this example, two local transfer robots LR1 and LR2 are provided on one side of the main transport chamber 5, and they are arranged in one local transfer chamber C. For example, the lower local transfer robot LR1 may be accessible to three liquid processing units M1, M2, and M4 and two solidification units D1 and D2. The upper local transport robot LR2 may be accessible to two liquid processing units M2 and M3 and four solidification units D1 to D4. These local transfer robots LR1 and LR2 operate to carry the substrate W after the film forming processing liquid is formed in the liquid processing units M1 to M4 into one of the solidification units D1 to D4. In addition, the local transfer robots LR1 and LR2 operate to carry the substrate W after the solidification process in the solidification units D1 to D4 into one of the liquid processing units M1 to M4 for the removal process. . The same structure is provided also in the other side of the main conveyance room 5, and the operation of two local transfer robots is also the same. The main transport robot CR may convey the substrate W after the solidification treatment. That is, the main transport robot CR may operate to carry the board | substrate W solidified by any solidification unit D into any one liquid processing unit M. As shown in FIG.

[제5 실시 형태][Fifth Embodiment]

도 8은, 이 발명의 제5 실시 형태에 따르는 기판 처리 장치(1D)의 구성을 설명하기 위한 도해적인 평면도이다. 이 실시 형태에서는, 3개의 적층 유닛군(G31, G32, G33)이 설치되어 있다. 제1 적층 유닛군(G31)은, 액처리 유닛(M11, M21, M31)을 복수 층(이 실시 형태에서는 3층)으로 적층하여 구성되어 있다. 제2 적층 유닛군(G32)은, 캐리어 유지부(2)에 있어서의 캐리어(3)의 정렬 방향을 따라서, 제1 적층 유닛군(G31)에 대향하고 있다. 이 제2 적층 유닛군(G32)은, 액처리 유닛(M12, M22, M32)을 복수 층으로 적층하여 구성되어 있다. 제3 적층 유닛군(G33)은, 제1 및 제2 적층 유닛군(G31, G32)의 사이에 배치되어 있다. 제3 적층 유닛군(G33)은, 고체화 유닛(D1~D6)을 복수 층(이 실시 형태에서는 6층)으로 적층하여 구성되어 있고, 도 6a 및 도 6b에 도시한 적층 유닛군(G12, G15)과 유사한 구성을 갖고 있다. 고체화 유닛(D1~D6)에 대해서 주반송 로봇(CR)과는 반대측에 로컬 반송실(C)이 배치되어 있다. 로컬 반송실(C)에는, 로컬 반송 로봇(LR)이 배치되어 있다. 로컬 반송 로봇(LR)은, 액처리 유닛(M11, M12；M12, M22；M31, M32)에 대응한 각 층에 1개씩 설치되어 있어도 된다. 또, 복수 층(예를 들어 모든 층)으로 배치된 액처리 유닛(M)에 대해서 공통으로 이용되는 1개의 로컬 반송 로봇(LR)이 설치되어 있어도 된다.8 is a schematic plan view for explaining the configuration of the substrate processing apparatus 1D according to the fifth embodiment of the present invention. In this embodiment, three stacking unit groups G31, G32, and G33 are provided. The first stacking unit group G31 is configured by stacking the liquid processing units M11, M21, and M31 in plural layers (three layers in this embodiment). The second stacking unit group G32 is opposed to the first stacking unit group G31 along the alignment direction of the carrier 3 in the carrier holding unit 2. The second stacking unit group G32 is configured by stacking liquid processing units M12, M22, and M32 in plural layers. The third stacking unit group G33 is disposed between the first and second stacking unit groups G31 and G32. The third stacking unit group G33 is configured by stacking the solidification units D1 to D6 in a plurality of layers (six layers in this embodiment), and the stacking unit groups G12 and G15 shown in FIGS. 6A and 6B. Has a configuration similar to). The local conveyance chamber C is arrange | positioned on the opposite side to the main conveyance robot CR about solidification unit D1-D6. Local conveyance robot LR is arrange | positioned in the local conveyance room C. FIG. One local transfer robot LR may be provided in each floor corresponding to liquid processing units M11, M12; M12, M22; M31, M32. In addition, one local transfer robot LR commonly used may be provided for the liquid processing unit M disposed in a plurality of layers (for example, all layers).

주반송 로봇(CR)은, 주반송실(5A)에 배치되어 있다. 주반송실(5)은, 제1~ 제3 적층 유닛군(G31~G33)과 인덱서 로봇(IR) 사이에 구획되어 있다. 인덱서 로봇(IR)과 주반송 로봇(CR) 사이의 기판(W)의 수도는, 일시적으로 기판(W)을 유지하는 기판 수도 유닛(7)을 개재하여 행해져도 된다. 주반송 로봇(CR)은, 인덱서 로봇(IR)으로부터 기판 수도 유닛(7)을 개재하여 수취한 미처리의 기판(W)을, 제1 또는 제2 적층 유닛군(G31, G32)에 포함되는 1개의 액처리 유닛(M)에 반입한다. 그 액처리 유닛(M)에서 처리된 후의 기판(W)은, 로컬 반송 로봇(LR)에 의해서 반출되고, 당해 로컬 반송 로봇(LR)이 액세스 가능한 고체화 유닛(D1~D6) 중 어느 한쪽으로 반입된다. 그 고체화 유닛(D)에서 처리된 후의 기판(W)은, 로컬 반송 로봇(LR)에 의해서 취출되고, 제거 처리를 위해서, 당해 로컬 반송 로봇(LR)이 액세스 가능한 액처리 유닛(M)에 반입된다. 그 액처리 유닛(M)에서 제거 처리 등을 끝낸 기판(W)은, 주반송 로봇(CR)에 의해서 취출되고, 기판 수도 유닛(7)을 개재하여, 인덱서 로봇(IR)으로 건네진다.The main transport robot CR is disposed in the main transport room 5A. The main transport chamber 5 is partitioned between the first to third stacked unit groups G31 to G33 and the indexer robot IR. The water transfer of the substrate W between the indexer robot IR and the main transport robot CR may be performed via the substrate water transfer unit 7 holding the substrate W temporarily. The main transport robot CR includes one of the unprocessed substrates W received from the indexer robot IR via the substrate water supply unit 7 in the first or second stacked unit groups G31 and G32. Carried in two liquid processing units (M). The board | substrate W after having been processed by the liquid processing unit M is carried out by the local conveyance robot LR, and is carried in to any one of the solidification units D1-D6 which the said local conveyance robot LR can access. do. The substrate W after being processed in the solidification unit D is taken out by the local transfer robot LR and carried in the liquid processing unit M accessible by the local transfer robot LR for removal processing. do. The board | substrate W which removed the removal process etc. by the liquid processing unit M is taken out by the main conveyance robot CR, and is handed over to the indexer robot IR through the board | substrate water supply unit 7.

고체화 유닛(D)에서의 고체화 처리 후의 기판(W)은, 주반송 로봇(CR)에 의해서, 제거 처리를 위해서, 액처리 유닛(M)에 반입되어도 된다.The board | substrate W after the solidification process in the solidification unit D may be carried in to the liquid processing unit M for the removal process by the main transport robot CR.

[제6 실시 형태][Sixth Embodiment]

도 9는, 이 발명의 제6 실시 형태에 따르는 기판 처리 장치의 구성을 설명하기 위한 도면이고, 고체화 유닛(D)의 구성예를 도시한다. 이 고체화 유닛(D)은, 진공 챔버를 구성하는 고체화실(111)을 갖고 있다. 고체화실(111)에는, 배기관(112)이 접속되어 있다. 배기관(112)은, 진공 펌프 등의 배기 유닛(113)에 접속되어 있다. 배기관(112)에는, 배기 밸브(110)가 끼워 설치되어 있다.FIG. 9: is a figure for demonstrating the structure of the substrate processing apparatus which concerns on 6th Embodiment of this invention, and shows the structural example of the solidification unit D. FIG. This solidification unit D has the solidification chamber 111 which comprises a vacuum chamber. The exhaust pipe 112 is connected to the solidification chamber 111. The exhaust pipe 112 is connected to an exhaust unit 113 such as a vacuum pump. An exhaust valve 110 is fitted to the exhaust pipe 112.

고체화실(111)에는, 로컬 반송 로봇(LR)에 의해서 기판(W)을 반입/반출하기 위한 기판 반입/반출 개구(114)가 측벽(115)에 형성되어 있다.In the solidification chamber 111, the board | substrate carrying in / out opening 114 for carrying in / out of the board | substrate W by the local transfer robot LR is formed in the side wall 115.

또한, 고체화실(111)에는, 주반송 로봇(CR)에 의해서, 고체화 처리 후의 기판(W)을 반출하기 위한 기판 반출 개구(116)가 측벽(117)에 형성되어 있어도 된다. 이 경우, 기판 반출 개구(116)를 개폐하기 위한 셔터(118)가 설치되고, 셔터(118)가 셔터 구동 유닛(119)에 의해서 구동되도록 구성되는 것이 바람직하다. 또, 셔터(118)의 고체화실(111)에 대향하는 표면에는, 씰 부재로서의 O링(120)이 설치되어 있는 것이 바람직하다. 이 경우, 셔터(118)는, 고체화실(111)의 측벽(117)에 눌려, 그것에 의해, O링(120)을 개재하여 기판 반출 개구(116)를 기밀하게 밀폐한다. 주반송 로봇(CR)이 고체화 유닛(D)에 의한 처리가 끝난 기판(W)을 반출할 때에는, 셔터 구동 유닛(119)은 셔터(118)를 구동하여 기판 반출 개구(116)를 개방한다. 그 개방된 기판 반출 개구(116)에 주반송 로봇(CR)의 핸드(HC)가 진입한다.Moreover, in the solidification chamber 111, the board | substrate carrying out opening 116 for carrying out the board | substrate W after the solidification process may be formed in the side wall 117 by the main transport robot CR. In this case, it is preferable that the shutter 118 for opening and closing the substrate carrying opening 116 is provided, and the shutter 118 is configured to be driven by the shutter drive unit 119. Moreover, it is preferable that the O-ring 120 as a sealing member is provided in the surface which opposes the solidification chamber 111 of the shutter 118. In this case, the shutter 118 is pressed against the side wall 117 of the solidification chamber 111, thereby hermetically sealing the substrate carrying-out opening 116 via the O-ring 120. When the main transport robot CR carries out the processed substrate W by the solidification unit D, the shutter drive unit 119 drives the shutter 118 to open the substrate transport opening 116. The hand HC of the main transport robot CR enters into the opened substrate carrying opening 116.

한편, 기판 반입/반출 개구(114)는, 로컬 반송 로봇(LR)의 핸드(LH)에 구비된 덮개 부재(125)에 의해서 개폐된다. 덮개 부재(125)의 고체화실(111)에 대향하는 표면에는, 씰 부재로서의 O링(126)이 설치되어 있다. 로컬 반송 로봇(LR)은, 액처리 유닛(M)에서 성막 처리액 막(10)이 형성된 후의 기판(W)을 고체화실(111)에 반입하고, 또한, 덮개 부재(125)를 O링(126)을 개재하여 고체화실(111)의 측벽(115)에 누르도록 동작한다. 그것에 의해, 기판 반입/반출 개구(114)가 기밀하게 폐색된다.On the other hand, the board | substrate carrying in / out opening 114 is opened and closed by the cover member 125 with which the hand LH of the local conveyance robot LR was equipped. An O-ring 126 as a seal member is provided on the surface of the lid member 125 that faces the solidification chamber 111. The local conveyance robot LR carries in the solidification chamber 111 the board | substrate W after the film-forming process liquid film 10 is formed in the liquid processing unit M, and O-rings the lid member 125 ( 126 is pressed against the side wall 115 of the solidification chamber 111. As a result, the substrate loading / unloading opening 114 is hermetically closed.

고체화실(111)의 천정면에는, 고체화실(111) 내의 공간에 불활성 가스를 도입하기 위한 불활성 가스 노즐(71A)이 설치되어 있다. 이 불활성 가스 노즐(71A)에 관해서, 도 3에 도시한 고체화 유닛의 경우와 동일한 구성이 구비되어 있고, 불활성 가스 노즐(71A)에 불활성 가스가 공급되어 있다. 도 9에 있어서, 도 3의 각 부에 대응하는 부분에 동일 참조 부호를 붙이고 설명을 생략한다.On the ceiling surface of the solidification chamber 111, an inert gas nozzle 71A for introducing an inert gas into the space in the solidification chamber 111 is provided. 71 A of this inert gas nozzles are provided with the structure similar to the case of the solidification unit shown in FIG. 3, and an inert gas is supplied to 71 A of inert gas nozzles. In FIG. 9, the same reference numerals are attached to the parts corresponding to the respective parts in FIG. 3, and description thereof is omitted.

고체화 유닛(D)의 동작의 개요는 다음과 같다.The outline of the operation of the solidification unit D is as follows.

기판 반출 개구(116)가 셔터(118)에 의해서 폐색된 상태로, 로컬 반송 로봇(LR)이 기판(W)을 고체화실(111)에 반입한다. 이 기판(W)은, 그 상면에 성막 처리액 막(10)이 형성된 상태의 기판이다. 로컬 반송 로봇(LR)은, 핸드(LH)를 고체화실(111) 내에 진입시키고, 또한, 덮개 부재(125)를 고체화실(111)의 측벽(115)의 외면에 눌러 기판 반입/반출 개구(114)를 폐색한다. 이렇게 하여, 고체화실(111) 내는 기밀인 밀폐 공간이 된다. 이 상태로, 배기 밸브(110)가 열려, 배기 유닛(113)이 작동됨으로써, 고체화실(111) 내의 공간이 대기압보다 저압으로 감압된다. 그것에 의해, 기판(W) 상의 성막 처리액 막(10)이 건조하여 고체화한다.In the state where the board | substrate carrying out opening 116 is closed by the shutter 118, the local conveyance robot LR carries in the board | substrate W to the solidification chamber 111. FIG. This board | substrate W is a board | substrate of the state in which the film-forming process liquid film 10 was formed in the upper surface. The local transfer robot LR enters the hand LH into the solidification chamber 111, and presses the lid member 125 against the outer surface of the side wall 115 of the solidification chamber 111. Occlude 114). In this way, the solidification chamber 111 becomes a hermetically sealed space. In this state, the exhaust valve 110 is opened and the exhaust unit 113 is operated, whereby the space in the solidification chamber 111 is reduced to a pressure lower than atmospheric pressure. As a result, the film forming liquid film 10 on the substrate W is dried and solidified.

고체화실(111) 내의 공간의 감압이 개시될 때까지의 기간에는, 불활성 가스 밸브(73)가 열려, 불활성 가스 노즐(71)로부터 고체화실(111) 내에 불활성 가스가 공급된다. 그것에 의해, 고체화실(111) 내가 저습도의 공간으로 유지된다. 고체화실(111) 내의 감압이 개시되면, 감압을 저해하지 않도록, 불활성 가스 밸브(73)가 닫힌다.In the period until the decompression of the space in the solidification chamber 111 is started, the inert gas valve 73 is opened, and the inert gas is supplied from the inert gas nozzle 71 into the solidification chamber 111. As a result, the solidification chamber 111 is maintained in a space of low humidity. When the decompression in the solidification chamber 111 starts, the inert gas valve 73 is closed so as not to inhibit the decompression.

이렇게 하여 기판(W) 상의 성막 처리액 막(10)의 고체화가 종료하면, 배기 유닛(113)이 동작 정지되고, 필요에 따라서 불활성 가스 밸브(73)가 열린다. 그것에 의해, 고체화실(111) 내의 공간이 대기압으로 돌아온다. 이어서, 로컬 반송 로봇(LR)은, 고체화 막(10S)이 형성된 기판(W)을 유지하고 있는 핸드(LH)를 후퇴시켜 고체화실(111)로부터 퇴출시킨다. 그리고, 로컬 반송 로봇(LR)은, 그 기판(W)을, 제거 처리를 위해서 액처리 유닛(M)에 반송한다.In this way, when solidification of the film-forming process film 10 on the board | substrate W is complete | finished, the exhaust unit 113 will stop operation | movement and the inert gas valve 73 will open as needed. Thereby, the space in the solidification chamber 111 returns to atmospheric pressure. Next, the local transfer robot LR retreats the hand LH holding the substrate W on which the solidification film 10S is formed, and leaves it from the solidification chamber 111. And local transfer robot LR conveys the board | substrate W to liquid processing unit M for a removal process.

고체화 처리 후의 기판(W)의 반송을 주반송 로봇(CR)에서 행할 때에는, 셔터 구동 유닛(119)이 셔터(118)를 기판 반출 개구(116)로부터 퇴피시켜, 그것에 의해, 기판 반출 개구(116)가 열린다. 그 후, 주반송 로봇(CR)이 핸드(HC)를 고체화실(111) 내에 진입시켜, 로컬 반송 로봇(LR)의 핸드(LH)로부터, 고체화 처리가 끝난 기판(W)을 수취하고, 기판 반출 개구(116)로부터 그 기판(W)을 반출한다.When carrying out the conveyance of the board | substrate W after the solidification process by the main transport robot CR, the shutter drive unit 119 retracts the shutter 118 from the board | substrate carrying out opening 116, and thereby the board | substrate carrying out opening 116. ) Opens. Subsequently, the main transport robot CR enters the hand HC into the solidification chamber 111 and receives the substrate W that has been solidified from the hand LH of the local transport robot LR. The substrate W is carried out from the carrying out opening 116.

이와 같이, 로컬 반송 로봇(LR)의 핸드(LH)에 덮개 부재(125)를 설치함으로써, 기판 반입/반출 개구(114)를 개폐하기 위한 셔터 구동 기구를 생략할 수 있다. 또, 고체화실(111) 내에서의 기판(W)의 유지를 로컬 반송 로봇(LR)의 핸드(LH)로 행할 수 있으므로, 고체화실(111) 내에 기판 유지 기구를 설치할 필요가 없다. 감압에 의한 성막 처리액 막(10)의 고체화는 단시간에 행할 수 있으므로, 로컬 반송 로봇(LR)의 핸드(LH)에 의한 고체화 처리 중의 기판(W)의 유지가 원인으로 생산성에 큰 영향이 생길 우려는 없다.Thus, by providing the cover member 125 in the hand LH of the local transfer robot LR, the shutter drive mechanism for opening and closing the board | substrate carrying-in / out opening 114 can be abbreviate | omitted. Moreover, since holding of the board | substrate W in the solidification chamber 111 can be performed by the hand LH of the local transfer robot LR, it is not necessary to provide a board | substrate holding mechanism in the solidification chamber 111. FIG. Since the solidification of the film-forming liquid film 10 by pressure reduction can be performed in a short time, productivity may be largely influenced by the holding of the substrate W during the solidification process by the hand LH of the local transfer robot LR. There is no concern.

또, 고체화실(111)에 핸드(LH)로 기판(W)을 반송하는 동작에 의해, 덮개 부재(125)에 의해서 기판 반입/반출 개구(114)를 밀폐할 수 있어, 그대로, 고체화실(111) 내에서 기판(W)을 유지하여 고체화 처리를 행할 수 있다. 따라서, 기판 반입/반출 개구(114)의 개폐 전용의 동작 및 기판(W)의 수도 동작을 생략할 수 있기 때문에, 공정 전체의 소요 시간을 단축할 수 있어, 생산성을 향상할 수 있다. 구체적으로는, 기판 반입/반출 개구를 위한 셔터 개폐 시간, 기판 반입시에 핸드(LH)가 고체화실(111)로부터 퇴출하는 시간, 기판 반출시에 핸드(LH)가 고체화실(111)에 진입하는 시간, 기판을 리프트 핀에 두는 동작을 위한 시간, 기판을 리프트 핀으로부터 수취하는 동작을 위한 시간, 리프트 핀을 상승 및 하강시키는 시간 등을 생략할 수 있다. 또한, 고체화 처리 후의 기판(W)을 로컬 반송 로봇(LR)으로 반송할 때에는, 기판 반입/반출 개구(114)의 개폐 시간, 주반송 로봇(CR)과의 기판(W)의 수도에 필요로 하는 시간 등도 생략할 수 있다.Moreover, by the operation | movement which conveys the board | substrate W to the solidification chamber 111 by the hand LH, the board | substrate carrying in / out opening 114 can be sealed by the lid member 125, and the solidification chamber ( The substrate W can be held in the 111 to perform a solidification process. Therefore, since the operation | movement only for opening and closing of the board | substrate carrying-in / out opening 114, and the operation | movement of the board | substrate W can also be abbreviate | omitted, the time required for the whole process can be shortened and productivity can be improved. Specifically, the shutter opening / closing time for the substrate carrying in / out opening, the time when the hand LH exits from the solidification chamber 111 at the time of carrying in the substrate, and the hand LH enters the solidification chamber 111 at the time of carrying out the substrate. The time for performing, the time for the operation of placing the substrate on the lift pin, the time for the operation of receiving the substrate from the lift pin, the time for raising and lowering the lift pin, and the like can be omitted. In addition, when conveying the board | substrate W after the solidification process to the local conveyance robot LR, it is necessary for opening / closing time of the board | substrate carrying-in / out opening 114, and water supply of the board | substrate W with main transport robot CR. The time to perform may be omitted.

또한, 감압에 의한 고체화 처리와 병행하여, 기판(W)을 가열해도 된다. 구체적으로는, 로컬 반송 로봇(LR)의 핸드(LH)를 핸드 가열 유닛(97A)(도 4 참조)에서 가열함으로써, 기판(W)을 가열해도 된다. 또, 고체화실(111) 내에 복사열 또는 전자파 조사에 의해서 기판(W)을 가열하는 가열 유닛(127)을 구비하고, 이 가열 유닛(127)에 의해서, 핸드(LH)에 유지되어 있는 기판(W)을 가열해도 된다.Moreover, you may heat the board | substrate W in parallel with the solidification process by pressure_reduction | reduced_pressure. Specifically, you may heat the board | substrate W by heating the hand LH of the local carrier robot LR by the hand heating unit 97A (refer FIG. 4). Moreover, the board | substrate W provided in the solidification chamber 111 by the heating unit 127 which heats the board | substrate W by radiant heat or electromagnetic wave irradiation, and is hold | maintained in the hand LH by this heating unit 127. FIG. ) May be heated.

[제7 실시 형태][Seventh Embodiment]

도 10은, 이 발명의 제7 실시 형태를 설명하기 위한 도면이고, 로컬 반송 로봇(LR)의 핸드(LH)를 세정하는 핸드 세정 유닛(아암 세정 유닛)의 구성을 도시한다.FIG. 10: is a figure for demonstrating 7th Embodiment of this invention, and shows the structure of the hand washing | cleaning unit (arm washing unit) which wash | cleans the hand LH of the local carrier robot LR.

전술의 실시 형태에서는, 핸드(LH)를 세정하기 위한 구성이 로컬 반송실(C) 내에 구비되어 있다. 이에 비해, 이 실시 형태에서는, 예를 들어 도 8에 가상선으로 나타낸 바와 같이, 로컬 반송실(C)에 인접해서 핸드 세정 유닛(170)이 설치되어 있다.In the above-mentioned embodiment, the structure for washing the hand LH is provided in the local conveyance chamber C. As shown in FIG. On the other hand, in this embodiment, as shown, for example by the virtual line in FIG. 8, the hand washing unit 170 is provided adjacent to the local conveyance chamber C. As shown in FIG.

핸드 세정 유닛(170)은, 로컬 반송실(C)에 인접해서 설치된 핸드 세정실(171)과, 핸드 세정실 내에 배치된 핸드 세정 노즐(172)과, 핸드 세정실(171) 내를 대기압보다 저압으로 감압하기 위한 배기 유닛(173)을 포함한다.The hand washing unit 170 includes a hand washing chamber 171 provided adjacent to the local transport chamber C, a hand washing nozzle 172 disposed in the hand washing chamber, and an inside of the hand washing chamber 171 than atmospheric pressure. And exhaust unit 173 for depressurizing to low pressure.

핸드 세정실(171)은, 진공 챔버를 구성하고 있다. 핸드 세정실(171)의 저부(175)에는, 배기/배액관(176)이 접속되어 있다. 배기/배액관(176)은, 배기관(176A)을 개재하여, 진공 펌프 등의 배기 유닛(173)에 접속되어 있다. 배기관(176A)에는, 배기 밸브(177)가 끼워 설치되어 있다. 배기/배액관(176)은, 또한, 배액 밸브(178)를 개재하여 배액관(176B)에 접속되어 있다.The hand washing chamber 171 constitutes a vacuum chamber. An exhaust / drain pipe 176 is connected to the bottom 175 of the hand washing chamber 171. The exhaust / drain pipe 176 is connected to an exhaust unit 173 such as a vacuum pump via the exhaust pipe 176A. An exhaust valve 177 is fitted to the exhaust pipe 176A. The exhaust / drainage pipe 176 is further connected to the drainage pipe 176B via the drainage valve 178.

핸드 세정실(171)에는, 로컬 반송 로봇(LR)의 핸드(LH)를 속에 넣기 위한 개구(180)가 측벽(181)에 형성되어 있다. 개구(180)는, 로컬 반송 로봇(LR)의 핸드(LH)에 구비된 덮개 부재(125)에 의해서 개폐된다. 덮개 부재(125)의 핸드 세정실(171)에 대향하는 표면에는, 씰 부재로서의 O링(126)이 설치되어 있다. 로컬 반송 로봇(LR)은, 기판(W)을 반송하고 있지 않을 때에, 핸드(LH)를 개구(180)로부터 핸드 세정실(171) 속에 넣고, 또한, 덮개 부재(125)를 O링(126)을 개재하여 핸드 세정실(171)의 측벽(174)에 누르도록 동작한다. 그것에 의해, 개구(180)가 기밀하게 폐색된다.In the hand washing chamber 171, an opening 180 for enclosing the hand LH of the local transfer robot LR is formed in the side wall 181. The opening 180 is opened and closed by the lid member 125 provided in the hand LH of the local transport robot LR. An O-ring 126 as a seal member is provided on a surface of the lid member 125 that faces the hand cleaning chamber 171. When the local conveyance robot LR is not conveying the board | substrate W, the hand LH is put in the hand washing chamber 171 from the opening 180, and the O-ring 126 is further attached to the cover member 125. FIG. ) Is pressed against the side wall 174 of the hand cleaning chamber 171. As a result, the opening 180 is hermetically closed.

핸드 세정 노즐(172)은, 예를 들어, 핸드 세정실(171)의 천정면에 배치되어 있다. 핸드 세정 노즐(172)은, 핸드 세정실(171)에 꽂아 넣어진 핸드(LH)에 대해서 세정액을 토출한다. 핸드 세정 노즐(172)은, 세정액을 샤워 형상으로 토출하는 샤워 노즐이어도 된다. 핸드 세정 노즐(172)에는, 세정액 배관(185)이 접속되어 있다. 세정액 배관(185)은, 세정액 공급원(186)에 접속되어 있다. 세정액 공급원(186)은, 성막 처리액을 용해시킬 수 있는 세정액, 예를 들어 유기용제를 공급한다. 세정액 배관(185)에는, 세정액 유로를 개폐하는 세정액 밸브(187)가 끼워 설치되어 있다.The hand washing nozzle 172 is disposed on the ceiling surface of the hand washing chamber 171, for example. The hand washing nozzle 172 discharges the washing liquid to the hand LH inserted into the hand washing chamber 171. The hand washing nozzle 172 may be a shower nozzle for discharging the cleaning liquid in a shower shape. The washing liquid piping 185 is connected to the hand washing nozzle 172. The cleaning liquid pipe 185 is connected to the cleaning liquid supply source 186. The cleaning liquid supply source 186 supplies a cleaning liquid, for example, an organic solvent, capable of dissolving the film formation processing liquid. The cleaning liquid pipe 185 is provided with a cleaning liquid valve 187 that opens and closes the cleaning liquid flow path.

핸드 세정 유닛(170)의 동작의 개요는 다음과 같다.The outline of the operation of the hand cleaning unit 170 is as follows.

로컬 반송 로봇(LR)은, 핸드(LH)를 핸드 세정실(171) 내에 진입시키고, 또한, 덮개 부재(125)를 핸드 세정실(171)의 측벽(181)의 외면에 눌러 개구(180)를 폐색한다. 이렇게 하여, 핸드 세정실(171) 내는 기밀인 밀폐 공간이 된다. 이 상태로, 배액 밸브(178)가 열린다. 그리고, 세정액 밸브(187)가 열림으로써, 핸드 세정 노즐(172)로부터 핸드(LH)에 세정액이 공급된다. 그것에 의해, 핸드(LH)가 세정된다. 세정액은, 저부(175)로 낙하하여, 배기/배액관(176)을 통과하고, 또한 배액 밸브(178)를 통과하여 배액관(176B)으로 배액된다.The local transfer robot LR enters the hand LH into the hand washing chamber 171, and also presses the lid member 125 against the outer surface of the side wall 181 of the hand washing chamber 171, and opens the opening 180. Occupies. In this way, the inside of the hand washing chamber 171 becomes a hermetically sealed space. In this state, the drain valve 178 is opened. And the washing | cleaning liquid valve 187 opens and the washing | cleaning liquid is supplied from the hand washing nozzle 172 to the hand LH. Thereby, the hand LH is washed. The washing liquid falls to the bottom 175, passes through the exhaust / drain pipe 176, and passes through the drain valve 178 to be drained to the drain pipe 176B.

핸드 세정 노즐(172)로부터 소정 시간만큼 세정액이 토출되면, 세정액 밸브(187)가 닫혀, 세정액의 토출이 정지된다. 그리고, 배액 밸브(178)가 닫히고, 그것을 대신하여 배기 밸브(177)가 열려, 배기 유닛(173)이 작동된다. 이로써, 핸드 세정실(171) 내의 공간이 대기압보다 저압으로 감압된다. 그것에 의해, 핸드(LH) 상의 액성분이 증발하여, 핸드(LH)가 건조한다.When the cleaning liquid is discharged from the hand cleaning nozzle 172 for a predetermined time, the cleaning liquid valve 187 is closed, and the discharge of the cleaning liquid is stopped. Then, the drain valve 178 is closed, and the exhaust valve 177 is opened instead, and the exhaust unit 173 is operated. As a result, the space in the hand washing chamber 171 is reduced to a pressure lower than atmospheric pressure. Thereby, the liquid component on the hand LH evaporates, and the hand LH dries.

이렇게 하여 핸드(LH)의 세정 및 건조가 종료하면, 배기 유닛(173)이 동작 정지되고, 필요에 따라서 배액 밸브(178)가 열린다. 그것에 의해, 핸드 세정실(171) 내의 공간이 대기압으로 되돌아온다. 이어서, 로컬 반송 로봇(LR)은, 핸드(LH)를 후퇴시켜 핸드 세정실(171)로부터 퇴출시킨다.In this way, when the washing | cleaning and drying of the hand LH are complete | finished, the exhaust unit 173 will stop operation | movement and the drain valve 178 will open as needed. Thereby, the space in the hand washing chamber 171 returns to atmospheric pressure. Subsequently, the local transfer robot LR retreats the hand LH from the hand washing chamber 171.

핸드 세정실(171)의 감압과 병행하여, 기판(W)을 가열해도 된다. 구체적으로는, 로컬 반송 로봇(LR)의 핸드(LH)를 핸드 가열 유닛(97A)(도 4 참조)으로 가열함으로써, 기판(W)을 가열해도 된다. 그것에 의해, 핸드(LH)의 건조를 촉진할 수 있다. 또, 핸드 세정실(171) 내에 복사열 또는 전자파 조사에 의해서 핸드(LH)를 가열하는 가열 유닛(188)을 구비하고, 핸드(LH)의 건조를 촉진해도 된다.The substrate W may be heated in parallel with the depressurization of the hand cleaning chamber 171. Specifically, the substrate W may be heated by heating the hand LH of the local transfer robot LR with the hand heating unit 97A (see FIG. 4). Thereby, drying of the hand LH can be promoted. Moreover, the heating unit 188 which heats the hand LH by radiant heat or electromagnetic wave irradiation in the hand washing chamber 171 may be provided, and drying of the hand LH may be accelerated | stimulated.

이와 같이, 이 실시 형태에서는, 로컬 반송실(C)에 인접해서 핸드 세정실(171)(아암 세정실)이 설치되어 있으므로, 로컬 반송 로봇(LR)이 기판(W)을 반송하고 있지 않을 때에, 핸드 세정실(171)에 있어서 핸드(LH)를 세정할 수 있다. 그리고, 핸드 세정실(171)에 핸드 세정 노즐(172)(아암 세정 노즐)이 배치되어 있으므로, 로컬 반송실(C) 내에 세정액이 들어가는 것을 억제하면서, 핸드(LH)를 세정할 수 있다. 그것에 의해, 세정액에 의한 기판(W)으로의 영향을 억제할 수 있다. 또, 핸드 세정실(171)이 감압됨으로써, 세정액에 의해서 세정된 후의 핸드(LH)를 신속하게 건조할 수 있다.Thus, in this embodiment, since the hand washing chamber 171 (arm washing chamber) is provided adjacent to the local conveyance chamber C, when the local conveyance robot LR does not convey the board | substrate W, In the hand washing chamber 171, the hand LH can be washed. And since the hand washing nozzle 172 (arm washing nozzle) is arrange | positioned in the hand washing chamber 171, the hand LH can be wash | cleaned, restraining entry of the washing | cleaning liquid in the local conveyance chamber C. As shown in FIG. Thereby, the influence on the board | substrate W by the washing | cleaning liquid can be suppressed. In addition, when the hand washing chamber 171 is depressurized, the hand LH after being washed with the washing liquid can be quickly dried.

[제8 실시 형태][Eighth Embodiment]

도 11은, 이 발명의 제7 실시 형태에 따르는 기판 처리 장치의 구성을 설명하기 위한 도면이고, 전술의 고체화 유닛을 대신하여 이용할 수 있는, 고체화 유닛의 구성예를 도해적으로 도시한 단면도이다.FIG. 11 is a view for explaining the configuration of the substrate processing apparatus according to the seventh embodiment of the present invention, and is a sectional view schematically showing a configuration example of the solidification unit that can be used in place of the above-mentioned solidification unit.

이 실시 형태에서는, 고체화 유닛(D)은, 도 3에 도시한 구성과 유사한 구성을 갖고 있고, 또한, 기판 냉각 유닛으로서의 냉각 플레이트(80)를 구비하고 있다. 도 3에 도시한 구성을 대신하여, 도 9에 도시한 구성과 유사한 구성을 이용할 수도 있다. 도 10에는, 도 3에 도시한 구성과 유사한 구성을 구비한 예를 도시한다.In this embodiment, the solidification unit D has a structure similar to that shown in FIG. 3, and further includes a cooling plate 80 as a substrate cooling unit. Instead of the configuration shown in FIG. 3, a configuration similar to the configuration shown in FIG. 9 may be used. In FIG. 10, the example provided with the structure similar to the structure shown in FIG. 3 is shown.

냉각 플레이트(80)는, 베이스부(81) 상에 배치되어 있고, 그 상면에 기판(W)을 유지하여 하면으로부터 냉각한다. 냉각 플레이트(80)를 관통하여 복수(3개 이상)의 리프트 핀(84)이 배치되어 있다. 리프트 핀(84)은, 리프트 핀 승강 유닛(85)에 의해서 상하 이동되고, 그것에 의해, 냉각 플레이트(80) 상에서 기판(W)을 상하 이동시킨다.The cooling plate 80 is arrange | positioned on the base part 81, and keeps the board | substrate W in the upper surface, and cools from the lower surface. A plurality of (three or more) lift pins 84 are disposed through the cooling plate 80. The lift pin 84 is moved up and down by the lift pin elevating unit 85, thereby moving the substrate W up and down on the cooling plate 80.

기판 처리 장치는, 또한, 고체화실(51)에 있어서의 고체화 처리가 종료한 기판(W)을 냉각 플레이트(80)까지 반송하는 제2 로컬 반송 로봇(150)을 구비하고 있다. 제2 로컬 반송 로봇(150)은, 기판(W)을 유지하는 핸드(151)와, 핸드(151)를 이동시키는 핸드 구동 유닛(152)을 포함한다. 핸드 구동 유닛(152)은, 기판 홀더(52)의 상방(제1 기판 유지 위치)과 냉각 플레이트(80)의 상방(제2 기판 유지 위치) 사이에서 핸드(151)를 왕복 이동시킨다. 핸드(151)와 리프트 핀(54, 84)의 기판(W)의 수도시에는, 리프트 핀(54, 84)이 승강된다. 물론, 핸드 구동 유닛(152)이 기판(W)을 승강시켜 리프트 핀(54, 84)과 기판(W)을 수도하는 구성으로 할 수도 있다.The substrate processing apparatus further includes a second local transfer robot 150 that transfers the substrate W on which the solidification process in the solidification chamber 51 is completed, to the cooling plate 80. The second local transfer robot 150 includes a hand 151 holding the substrate W and a hand drive unit 152 for moving the hand 151. The hand drive unit 152 reciprocates the hand 151 between the upper side of the substrate holder 52 (first substrate holding position) and the upper side of the cooling plate 80 (second substrate holding position). When the hand 151 and the substrate W of the lift pins 54 and 84 are transferred, the lift pins 54 and 84 are raised and lowered. Of course, the hand drive unit 152 may be configured to lift and lower the substrate W to lift pins 54 and 84 and the substrate W as well.

고체화실(51)에서는, 기판 홀더(52)에 의해서 기판(W)을 가열하면서, 고체화실(51) 내의 고체화 처리 공간(50)을 감압하여, 기판(W)의 표면의 성막 처리액 막(10)이 고체화되어, 고체화 막(10S)이 형성된다.In the solidification chamber 51, while heating the substrate W by the substrate holder 52, the solidification treatment space 50 in the solidification chamber 51 is decompressed to form a film forming liquid film on the surface of the substrate W ( 10) is solidified to form a solidified film 10S.

이 고체화 처리 후, 고체화 처리 공간(50)이 대기압으로 되돌아와, 가동 덮개부(512)가 개방된다. 그렇게 하여 베이스부(511)와 가동 덮개부(512) 사이에 기판(W)을 반출하기 위한 개구가 형성된다. 그리고, 리프트 핀(54)에 의해서, 고체화 처리가 끝난 기판(W)이 기판 홀더(52)의 상방으로 들어 올려진다. 그러자, 제2 로컬 반송 로봇(150)은, 베이스부(511)와 가동 덮개부(512)의 사이에 형성된 개구를 개재하여 그 핸드(151)를 진입시킨다. 그 후, 리프트 핀(54)이 하강함으로써, 고체화 처리가 끝난 기판(W)이 핸드(151)에 건네진다. 그리고, 제2 로컬 반송 로봇(150)은, 핸드(151)를 구동하여, 그 기판(W)을 냉각 플레이트(80)의 상방까지 이동시킨다. 그 상태로, 리프트 핀 승강 유닛(85)이 리프트 핀(84)을 상승시킴으로써, 핸드(151)로부터 기판(W)을 수취한다. 핸드(151)가 냉각 플레이트(80)의 상방으로부터 퇴피한 후, 리프트 핀(84)이 하강하여, 그것에 의해, 냉각 플레이트(80) 상에 기판(W)이 올려놓여진다.After this solidification process, the solidification process space 50 returns to atmospheric pressure, and the movable lid part 512 is opened. Thus, an opening for carrying out the substrate W is formed between the base portion 511 and the movable lid portion 512. And the board | substrate W after the solidification process is lifted up above the board | substrate holder 52 by the lift pin 54. As shown in FIG. Then, the 2nd local conveyance robot 150 enters the hand 151 through the opening formed between the base part 511 and the movable cover part 512. FIG. Thereafter, the lift pins 54 are lowered, so that the solidified substrate W is handed to the hand 151. And the 2nd local conveyance robot 150 drives the hand 151, and moves the board | substrate W to the upper direction of the cooling plate 80. FIG. In that state, the lift pin elevating unit 85 raises the lift pin 84 to receive the substrate W from the hand 151. After the hand 151 withdraws from above the cooling plate 80, the lift pin 84 is lowered, whereby the substrate W is placed on the cooling plate 80.

냉각 플레이트(80)는 기판(W)을 상온까지 냉각한다. 그 후, 리프트 핀(84)이 기판(W)을 들어올려, 로컬 반송 로봇(LR)의 핸드(LH)가 그 기판(W)을 수취하여 고체화 유닛(D) 밖으로 반출한다. 고체화 처리 후의 기판(W)의 반송을 주반송 로봇(CR)으로 행하는 경우에는, 주반송 로봇(CR)의 핸드(HC)가 리프트 핀(84)으로부터 기판(W)을 수취하여 고체화 유닛(D) 밖으로 반출한다.The cooling plate 80 cools the substrate W to room temperature. Thereafter, the lift pin 84 lifts the substrate W, and the hand LH of the local transfer robot LR receives the substrate W and takes it out of the solidification unit D. When carrying out the conveyance of the board | substrate W after the solidification process by the main transport robot CR, the hand HC of the main transport robot CR receives the board | substrate W from the lift pin 84, and solidifies the unit D Take out).

이와 같이, 고체화 처리 후의 기판(W)을 냉각 플레이트(80)에서 냉각하는 구성이므로, 고체화 유닛(D)에서의 처리 시간을 단축할 수 있기 때문에, 생산성을 높일 수 있다. 고체화실(51)에서 가열된 기판(W)의 반송을 주반송 로봇(CR)과는 별도의 제2 로컬 반송 로봇(150)으로 행하므로, 주반송 로봇(CR)에 과잉인 열이 축적되는 것을 회피할 수 있고, 주반송 로봇(CR)이 반송하는 기판(W)에 대한 열의 영향을 억제할 수 있다.Thus, since the board | substrate W after the solidification process is cooled by the cooling plate 80, since the processing time in the solidification unit D can be shortened, productivity can be improved. Since the transfer of the substrate W heated in the solidification chamber 51 is performed by the second local transfer robot 150 separate from the main transfer robot CR, excess heat is accumulated in the main transfer robot CR. Can avoid, and the influence of the heat on the board | substrate W which the main transport robot CR conveys can be suppressed.

이상, 이 발명의 실시 형태에 대해 설명해 왔는데, 이 발명은, 또 다른 형태로 실시할 수 있다.As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention can be implemented in another form.

예를 들어, 전술의 실시 형태에서는, 고체화 유닛(D)은, 고체화실(51, 111) 내를 감압하여 감압 건조를 행하도록 구성되어 있는데, 고체화 유닛(D)은 감압을 위한 구성을 구비하고 있을 필요는 없다. 예를 들어, 고체화 유닛(D)은, 대기압 중에서 기판(W)을 가열하여, 성막 처리액 막(10)을 고체화하도록 구성되어 있어도 된다. 또, 불활성 가스 공급원(74)으로부터 가열된 불활성 가스를 공급하여, 그 불활성 가스에 의한 온풍에 의해서 성막 처리액 막(10)의 건조 및 고체화를 촉진하는 구성으로 해도 된다.For example, in the above-mentioned embodiment, although the solidification unit D is comprised so that pressure reduction drying may be performed by depressurizing the inside of the solidification chambers 51 and 111, the solidification unit D is equipped with the structure for pressure reduction, It doesn't have to be. For example, the solidification unit D may be configured to heat the substrate W at atmospheric pressure to solidify the film forming liquid film 10. Moreover, it is good also as a structure which supplies the inert gas heated from the inert gas supply source 74, and promotes drying and solidification of the film-forming process film 10 by the warm air by the inert gas.

전술의 도 1a, 1b, 도 5a, 5b, 도 6a, 6b, 도 7의 구성에 있어서, 인덱서 로봇(IR)과 주반송 로봇(CR)의 사이에, 기판(W)을 일시적으로 유지하는 기판 수도 유닛을 배치하고, 도 8의 구성의 경우와 동일하게, 그들 사이의 기판 수도를 행해도 된다.1A, 1B, 5A, 5B, 6A, 6B, and 7 in the above-described configuration, the substrate temporarily holding the substrate W between the indexer robot IR and the main transport robot CR. You may arrange a water supply unit and perform the board | substrate water between them similarly to the case of the structure of FIG.

이 출원은, 2017년 3월 27일에 일본국 특허청에 제출된 특허출원 2017-061381호에 대응하고 있으며, 이 출원의 전체 개시는 여기에 인용에 의해 편입되는 것으로 한다.This application corresponds to Japanese Patent Application No. 2017-061381 filed with the Japan Patent Office on March 27, 2017, and the entire disclosure of this application is incorporated herein by reference.

본 발명의 실시 형태에 대해 상세하게 설명해 왔는데, 이들은 본 발명의 기술적 내용을 분명히 하기 위해서 이용된 구체적인 예에 지나지 않고, 본 발명은 이들 구체예에 한정하여 해석되어야 하는 것이 아니며, 본 발명의 범위는 첨부의 청구의 범위에 의해서만 한정된다.Although embodiments of the present invention have been described in detail, these are merely specific examples used to clarify the technical contents of the present invention, and the present invention should not be construed as being limited to these specific examples. It is limited only by the appended claims.

W 기판
IR 인덱서 로봇
S1 제1 층
S2 제2 층
S3 제3 층
M, M1-M4, M11-M14, M21-M24, M31-M34 액처리 유닛
D, D1-D6, D11-D14, D21-D24, D31-D34 고체화 유닛
LR, LR1, LR2, LR11-LR14, LR21-LR24, LR31, LR32 로컬 반송 로봇
LH, LH1, LH2 로컬 반송 로봇의 핸드
C, C11-C14, C21-C24 로컬 반송실
G1-G4, G11-G16, G21, G22, G31-G33 적층 유닛군
CR 주반송 로봇
HC 주반송 로봇의 핸드
1, 1A, 1B, 1C, 1D 기판 처리 장치
2 캐리어 유지부
3 캐리어
5, 5A 주반송실
7 기판 수도 유닛
10 성막 처리액 막
10S 고체화 막
11 처리실
12 스핀척
13 컵
14 약액 노즐
15 성막 처리액 노즐
16 제거액 노즐
17 모터
18 회전축선
19 차단판
19a 대향면
19b 개구
20 차단판 구동 유닛
20A 차단판 승강 유닛
20B 차단판 회전 유닛
21 약액 배관
22 약액 밸브
23 약액 공급원
25 차단판의 회전축
26 성막 처리액 배관
27 성막 처리액 밸브
28 성막 처리액 공급원
29 린스 노즐
31A 린스액 배관
31B 유기용제 배관
32A 린스액 밸브
32B 유기용제 밸브
33A 린스액 공급원
33B 유기용제 공급원
37 기판 반입/반출 개구
38 기판 반입/반출 개구
39, 40 셔터
41, 42 셔터 구동 유닛
45 불활성 가스 유로
46 불활성 가스 배관
47 불활성 가스 밸브
48 불활성 가스 공급원
50 고체화 처리 공간
51 고체화실
511 베이스부
512 가동 덮개부
52 기판 홀더
53H 히터
53C 냉각 유닛
54 리프트 핀
55 리프트 핀 승강 유닛
56 덮개부 구동 유닛
62 배기 배관
63 배기 유닛
64 배기 밸브
71, 71A 불활성 가스 노즐
72 불활성 가스 배관
73 불활성 가스 밸브
74 불활성 가스 공급원
80 냉각 플레이트
81 베이스부
84 리프트 핀
85 리프트 핀 승강 유닛
89 회전축선
90 핸드 구동 유닛
91, 91A 세정액 노즐
92 세정액 배관
93 세정액 밸브
94 세정액 공급원
97A 핸드 가열 유닛
97B 핸드 냉각 유닛
98A 열매 통로
98B 냉매 통로
99A 가열 플레이트
99B 냉각 플레이트
101 제거액 배관
102 제거액 밸브
103 제거액 공급원
110 배기 밸브
111 고체화실
112 배기관
113 배기 유닛
114 기판 반입/반출 개구
116 기판 반출 개구
118 셔터
125 덮개 부재
126 O링
127 가열 유닛
131 이면 노즐
132 토출구
133 린스액 공급 배관
134 린스액 밸브
135 린스액 공급원
136 유기용제 밸브
137 유기용제 공급원
140 불활성 가스 유로
141 불활성 가스 공급 배관
142 불활성 가스 밸브
143 불활성 가스 공급원
150 제2 로컬 반송 로봇
151 핸드
152 핸드 구동 유닛
160 저부
161 배액 배관
165 불활성 가스 노즐
166 불활성 가스 배관
167 불활성 가스 밸브
168 불활성 가스 공급원
170 핸드 세정 유닛
171 핸드 세정실
172 핸드 세정 노즐
173 배기 유닛
175 저부
176 배기/배액관
177 배기 밸브
178 배액 밸브
180 개구
181 측벽
185 세정액 배관
186 세정액 공급원
187 세정액 밸브
188 가열 유닛W board
IR indexer robot
S1 first layer
S2 second layer
S3 third layer
M, M1-M4, M11-M14, M21-M24, M31-M34 Liquid Treatment Units
D, D1-D6, D11-D14, D21-D24, D31-D34 Solidification Unit
LR, LR1, LR2, LR11-LR14, LR21-LR24, LR31, LR32 local carrier robots
Hand of LH, LH1, LH2 local carrier robot
C, C11-C14, C21-C24 Local Return Office
G1-G4, G11-G16, G21, G22, G31-G33 Stacking Units
CR main transport robot
HC main transport robot hand
1, 1A, 1B, 1C, 1D Substrate Processing Unit
2 carrier holder
3 carrier
5, 5A main transport room
7 PCB Water Unit
10 film-forming treatment film
10S solidification membrane
11 treatment rooms
12 spin chuck
13 cups
14 Chemical Nozzle
15 film-forming liquid nozzle
16 Removal Liquid Nozzle
17 motor
18 axis of rotation
19 blocking plate
19a facing side
19b opening
20 Block plate drive unit
20A blocking plate elevating unit
20B Blocking Plate Rotating Unit
21 Chemical Piping
22 Chemical Valve
23 Chemical Source
25 Shaft's axis of rotation
26 Deposition process liquid piping
27 Deposition fluid valve
28 Deposition Process
29 Rinse Nozzle
31A rinse liquid piping
31B organic solvent piping
32 A Rinse Fluid Valve
32B organic solvent valve
33A rinse source
33B Organic Solvent Source
37 Board Entry / Exit Opening
38 Board Entry / Export Opening
39, 40 shutter
41, 42 shutter drive unit
45 inert gas flow path
46 Inert Gas Tubing
47 inert gas valve
48 Inert Gas Source
50 solidification treatment space
51 solidification chamber
511 base part
512 movable cover
52 board holder
53H heater
53C cooling unit
54 lift pins
55 lift pin lifting units
56 Drive unit
62 exhaust piping
63 exhaust unit
64 exhaust valve
71, 71A inert gas nozzle
72 inert gas piping
73 inert gas valve
74 Inert Gas Source
80 cooling plate
81 Base
84 lift pins
85 lift pin lifting units
89 axis of rotation
90 hand drive unit
91, 91A Cleaning Liquid Nozzles
92 Cleaning liquid piping
93 Cleaning Fluid Valve
94 Cleaning Solution Source
97A hand heating unit
97B Hand Cooling Unit
98A fruit passage
98B refrigerant passage
99A heating plate
99B cooling plate
101 Removal liquid piping
102 Removal Fluid Valve
103 Removal fluid source
110 exhaust valve
111 Solidification Chamber
112 exhaust pipe
113 exhaust unit
114 Board Entry / Export Opening
116 substrate export opening
118 shutter
125 cover member
126 O ring
127 heating units
131 back nozzle
132 outlet
133 Rinse solution supply piping
134 Rinse Liquid Valve
135 Rinse Solution Source
136 Organic Solvent Valve
137 Sources of Organic Solvents
140 inert gas flow path
141 Inert Gas Supply Line
142 inert gas valve
143 Inert Gas Source
150 Second Local Carrier Robot
151 hand
152 hand drive unit
160 bottom
161 drainage piping
165 inert gas nozzle
166 inert gas piping
167 inert gas valve
168 Inert Gas Source
170 Hand Wash Unit
171 Hand Wash Room
172 Hand Wash Nozzle
173 exhaust unit
175 bottom
176 Exhaust / Drain
177 exhaust valve
178 drain valve
180 opening
181 sidewalls
185 Cleaning liquid piping
186 Cleaning solution source
187 cleaning fluid valve
188 heating unit

Claims (20)

처리실 내에서 기판의 표면에 처리액을 공급하여, 기판의 표면에 처리액 막을 형성하는 액처리 유닛과,
고체화실 내에서 상기 처리액 막을 고체화시켜 상기 기판의 표면에 고체화 막을 형성하는 고체화 유닛과,
제거실 내에서 상기 고체화 막을 제거하기 위한 제거액을 상기 기판의 표면에 공급하는 제거 처리 유닛과,
상기 처리실에 기판을 반입하고, 상기 제거실로부터 기판을 반출하는 주반송 유닛과,
상기 처리실로부터 기판을 반출하여 상기 고체화실에 기판을 반입하는 로컬 반송 유닛을 포함하는, 기판 처리 장치.A liquid processing unit for supplying a processing liquid to the surface of the substrate in the processing chamber to form a processing liquid film on the surface of the substrate;
A solidification unit for solidifying the treatment liquid film in a solidification chamber to form a solidification film on the surface of the substrate;
A removal processing unit for supplying a removal liquid for removing the solidified film to the surface of the substrate in the removal chamber;
A main transport unit carrying a substrate into the processing chamber and carrying out a substrate from the removal chamber;
And a local transfer unit for carrying out the substrate from the processing chamber and bringing the substrate into the solidification chamber. 청구항 1에 있어서,
상기 고체화 유닛이 상기 기판을 가열하는 가열 유닛을 포함하는, 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
And the solidifying unit includes a heating unit for heating the substrate. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 주반송 유닛이 주반송실에 배치되어 있고, 상기 로컬 반송 유닛이, 상기 주반송실로부터 이격된 로컬 반송실에 배치되어 있는, 기판 처리 장치.The method according to claim 1 or 2,
The said main conveyance unit is arrange | positioned at the main conveyance chamber, The said local conveyance unit is arrange | positioned at the local conveyance chamber spaced apart from the said main conveyance chamber. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 로컬 반송 유닛이, 또한, 상기 고체화실로부터 기판을 반출하고, 상기 제거실로 기판을 반입하는, 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 1 to 3,
The said local conveyance unit carries out a board | substrate from the said solidification chamber, and carries in a board | substrate to the said removal chamber further. 청구항 4에 있어서,
상기 로컬 반송 유닛이, 상기 처리실로부터 기판을 반출하여 상기 고체화실로 기판을 반입하는 제1 반송 아암과, 상기 고체화실로부터 기판을 반출하여 상기 제거실로 기판을 반입하는 제2 반송 아암을 포함하는, 기판 처리 장치.The method according to claim 4,
The board | substrate containing the 1st conveyance arm which carries out a board | substrate from the said process chamber and carries in a board | substrate to the said solidification chamber, and the 2nd conveyance arm which carries out a board | substrate from the said solidification chamber and carries in a board | substrate to the said removal chamber, The said board | substrate contains a board | substrate. Processing unit. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
상기 액처리 유닛이,
기판을 수평으로 유지하는 기판 유지 유닛과,
상기 기판 유지 유닛에 유지된 기판에 처리액을 토출하는 처리액 토출 유닛을 포함하는, 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 1 to 5,
The liquid processing unit,
A substrate holding unit for holding the substrate horizontally;
And a processing liquid discharging unit for discharging the processing liquid to the substrate held by the substrate holding unit. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리실과 상기 제거실이 동일한 실인, 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 1 to 5,
A substrate processing apparatus, wherein the processing chamber and the removal chamber are the same chamber. 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서,
상기 로컬 반송 유닛이, 기판을 유지하여 로컬 반송실을 통과하는 반송 아암을 갖고 있고,
상기 로컬 반송실에 설치되며, 상기 반송 아암을 세정하는 세정액을 토출하는 아암 세정 노즐을 더 포함하는, 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 1 to 7,
The said local conveyance unit has a conveyance arm which hold | maintains a board | substrate and passes through a local conveyance chamber,
And an arm cleaning nozzle disposed in the local transport chamber and discharging a cleaning liquid for cleaning the transport arm. 청구항 8에 있어서,
상기 로컬 반송실은, 상기 세정액을 받는 저부(底部)와, 상기 저부에 받아진 세정액을 배액하는 배액 유닛을 포함하는, 기판 처리 장치.The method according to claim 8,
The said local conveyance chamber includes the bottom part which receives the said washing | cleaning liquid, and the drainage unit which drains the washing | cleaning liquid received by the said bottom part. 청구항 1 내지 청구항 9 중 어느 한 항에 있어서,
상기 로컬 반송 유닛이, 기판을 유지하는 반송 아암을 갖고 있고,
상기 반송 아암에 설치되며, 당해 반송 아암을 세정하기 위한 세정액을 토출하는 아암 세정 노즐을 더 포함하는, 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 1 to 9,
The local transport unit has a transport arm for holding a substrate,
The substrate processing apparatus further provided with the arm cleaning nozzle provided in the said conveyance arm and discharges the washing | cleaning liquid for cleaning the said conveying arm. 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서,
상기 로컬 반송 유닛이, 기판을 유지하여 로컬 반송실을 통과하는 반송 아암을 갖고 있고,
상기 로컬 반송실에 인접해서 설치된 아암 세정실과,
상기 아암 세정실 내에 배치되며, 상기 반송 아암을 세정하기 위한 세정액을 토출하는 아암 세정 노즐과,
상기 아암 세정실 내를 대기압보다 저압으로 감압하여 상기 반송 아암을 건조시키는 감압 유닛을 더 포함하는, 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 1 to 7,
The said local conveyance unit has a conveyance arm which hold | maintains a board | substrate and passes through a local conveyance chamber,
An arm cleaning chamber provided adjacent to the local transfer chamber,
An arm cleaning nozzle disposed in the arm cleaning chamber and discharging a cleaning liquid for cleaning the transport arm;
And a pressure reduction unit configured to dry the conveyance arm by reducing the inside of the arm cleaning chamber to a pressure lower than atmospheric pressure. 청구항 1 내지 청구항 11 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제거 처리 유닛이,
상기 제거실 내에서 기판을 수평으로 유지하는 기판 유지 유닛과,
상기 기판 유지 유닛에 유지된 기판에 제거액을 토출하는 제거액 토출 유닛을 포함하는, 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 1 to 11,
The removal processing unit,
A substrate holding unit which holds the substrate horizontally in the removal chamber;
And a removal liquid discharge unit for discharging the removal liquid to the substrate held by the substrate holding unit. 기판의 표면에 처리실 내에서 처리액을 공급하여, 기판의 표면에 처리액 막을 형성하는 처리액 막 형성 공정과,
상기 처리액 막 형성 공정 후, 상기 기판을 고체화실로 반송하는 제1 로컬 반송 공정과,
상기 고체화실 내에서 상기 처리액 막을 고체화시켜 상기 기판의 표면에 고체화 막을 형성하는 고체화 막 형성 공정과,
상기 고체화 막 형성 공정 후, 상기 기판을 제거실로 반송하는 제2 로컬 반송 공정과,
상기 제거실 내에서 상기 고체화 막을 제거하기 위한 제거액을 상기 기판의 표면에 공급하는 제거 처리 공정과,
주반송 유닛에 의해서, 상기 처리실로 기판을 반입하고, 상기 제거실로부터 기판을 반출하는 주반송 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.A processing liquid film forming step of supplying the processing liquid to the surface of the substrate in the processing chamber to form the processing liquid film on the surface of the substrate;
A first local conveyance step of conveying the substrate to the solidification chamber after the treatment liquid film formation step;
A solidification film formation process of solidifying the treatment liquid film in the solidification chamber to form a solidification film on the surface of the substrate;
A second local conveyance step of conveying the substrate to the removal chamber after the solidification film formation step;
A removal treatment step of supplying a removal liquid for removing the solidified film to the surface of the substrate in the removal chamber;
And a main transport step of carrying a substrate into the processing chamber by the main transport unit and carrying the substrate out of the removal chamber. 청구항 13에 있어서,
상기 고체화 막 형성 공정이, 상기 기판을 가열 유닛에 의해서 가열하는 가열 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.The method according to claim 13,
The said solidification film formation process includes the heating process which heats the said board | substrate with a heating unit. 청구항 13 또는 청구항 14에 있어서,
상기 주반송 공정에 있어서 상기 기판이 주반송실을 통과하여 반송되고, 상기 제1 로컬 반송 공정에 있어서, 상기 기판이 상기 주반송실로부터 이격된 로컬 반송실을 통과하여 반송되는, 기판 처리 방법.The method according to claim 13 or 14,
In the main transport step, the substrate is conveyed through the main transport chamber, and in the first local transport process, the substrate is transported through the local transport chamber spaced apart from the main transport chamber. 청구항 13 내지 청구항 15 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 로컬 반송 공정 및 상기 제2 로컬 반송 공정이, 공통의 로컬 반송 유닛에 의해서 실행되는, 기판 처리 방법.The method according to any one of claims 13 to 15,
The said 1st local conveyance process and the said 2nd local conveyance process are performed by a common local conveyance unit. 청구항 16에 있어서,
상기 제1 로컬 반송 공정이, 상기 로컬 반송 유닛의 제1 반송 아암에 의해서 행해지고, 상기 제2 로컬 반송 공정이, 상기 로컬 반송 유닛의 제2 반송 아암에 의해서 행해지는, 기판 처리 방법.The method according to claim 16,
The said 1st local conveyance process is performed by the 1st conveyance arm of the said local conveyance unit, and the said 2nd local conveyance process is performed by the 2nd conveyance arm of the said local conveyance unit. 청구항 13 내지 청구항 17 중 어느 한 항에 있어서,
상기 로컬 반송 유닛의 반송 아암에 세정액을 공급하는 아암 세정 공정을 더 포함하는, 기판 처리 방법.The method according to any one of claims 13 to 17,
A substrate processing method further comprising an arm cleaning step of supplying a cleaning liquid to a transport arm of the local transport unit. 청구항 13 내지 청구항 18 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리실 및 상기 제거실이 공통의 실인, 기판 처리 방법.The method according to any one of claims 13 to 18,
The processing method of the said process chamber and the said removal chamber is a common chamber. 청구항 13 내지 청구항 19 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리액 막 형성 공정의 전에, 기판을 세정하는 세정 공정을 실행하는, 기판 처리 방법.The method according to any one of claims 13 to 19,
The substrate processing method of performing the washing | cleaning process which wash | cleans a board | substrate before the said process liquid film formation process.
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