KR20190108664A - 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

일 실시예의 표시 패널 및 표시 장치는 회로층을 포함하는 기판, 기판 상에 배치되고 홀이 정의된 절연층, 절연층 상에 배치되고 홀에서 회로층과 전기적으로 접속하는 제1 전극, 홀과 중첩하고 제1 전극 상에 배치되는 광흡수층, 절연층 상에 배치되며 제1 전극의 상부면을 노출시키는 개구부가 정의된 화소 정의막, 개구부 내에 배치된 적어도 하나의 유기층 및 적어도 하나의 유기층 상에 배치된 제2 전극을 포함하여 외부광에 의한 반사율을 저감시켜 개선된 표시 품질을 나타낼 수 있다.

Description

표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치{DISPLAY PANEL AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME}
본 발명은 표시 패널 및 표시 장치에 대한 것으로, 보다 상세하게는 전극의 단차부를 커버하는 광흡수층을 포함하는 표시 패널 및 표시 장치에 관한 것이다.
텔레비전, 휴대 전화, 태블릿 컴퓨터, 네비게이션, 게임기 등과 같은 멀티 미디어 장치에 사용되는 다양한 표시 장치들이 개발되고 있다. 이러한 표시 장치의 사용시 외부광이 표시 장치 내로 제공되는 경우 제공된 외부광이 표시 패널 내의 전극 등에서 반사되어 표시 장치의 표시 품질이 저하되게 된다.
이에 따라, 외부에서 제공되는 광에 의한 반사도를 저감시켜 표시 장치의 표시품질을 개선하기 위한 연구가 요구되고 있다.
본 발명의 목적은 반사도가 높은 전극의 단차부에서의 외부광 반사율을 감소시킨 표시 패널을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명은 전극의 단차부에서의 외부광 반사율을 저감시켜 표시 품질이 개선된 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
일 실시예는 회로층을 포함하는 기판; 상기 기판 상에 배치되고 홀이 정의된 절연층; 상기 절연층 상에 배치되고, 상기 홀에서 상기 회로층과 전기적으로 접속하는 제1 전극; 상기 홀과 중첩하고, 상기 제1 전극 상에 배치되는 광흡수층; 상기 절연층 상에 배치되며, 상기 제1 전극의 상부면을 노출시키는 개구부가 정의된 화소 정의막; 상기 개구부 내에 배치된 발광층을 포함하는 적어도 하나의 유기층; 및 상기 적어도 하나의 유기층 상에 배치된 제2 전극; 을 포함하는 표시 패널을 제공한다.
상기 광흡수층은 몰리브덴(Mo) 산화물을 포함할 수 있다.
상기 광흡수층은 바나듐(V), 니어븀(Nb), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 저마늄(Ge), 주석(Sn), 셀레늄(Se), 및 지르코늄(Zr) 중 적어도 어느 하나의 산화물을 더 포함할 수 있다.
상기 광흡수층은 몰리브덴(Mo) 산화물 및 탄탈륨(Ta) 산화물을 포함할 수 있다.
상기 광흡수층은 상기 제1 전극 상에 직접 배치될 수 있다.
상기 광흡수층은 상기 화소 정의막으로 커버되고, 상기 발광층과 비중첩할 수하는 있다.
상기 광흡수층은 상기 제1 전극 및 상기 화소 정의막과 중첩할 수 있다.
상기 광흡수층의 두께는 350Å 이상 800Å 미만일 수 있다.
상기 광흡수층은 상기 절연층 상으로 연장되고, 상기 발광층과 비중첩하는 연장 흡수부를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 전극은 반사 전극이고, 상기 제2 전극은 투과 전극일 수 있다.
상기 제1 전극은 ITO/Ag/ITO의 다층 금속막일 수 있다.
상기 제1 전극은 상기 홀의 단차를 따라 배치된 단차 전극부; 및 상기 단차 전극부에서 연장되고 상기 절연층 상에 배치된 평탄 전극부를 포함할 수 있다.
상기 적어도 하나의 유기층은 상기 제1 전극과 상기 발광층 사이에 배치된 정공 수송 영역; 및 상기 발광층과 상기 제2 전극 사이에 배치된 전자 수송 영역; 을 포함할 수 있다.
상기 제2 전극 상에 봉지층을 더 포함할 수 있다.
다른 실시예는 회로층을 포함하는 기판; 상기 기판 상에 배치된 절연층; 상기 절연층 상에 배치되고 적어도 하나의 단차부를 포함하는 제1 전극; 상기 적어도 하나의 단차부 상에 배치된 광흡수층; 상기 절연층 상에 배치되며, 상기 제1 전극의 상부면을 노출시키는 개구부가 정의된 화소 정의막; 상기 개구부 내에 배치되고, 상기 개구부에서 노출된 상기 제1 전극 상에 배치된 발광층을 포함하는 적어도 하나의 유기층; 및 상기 적어도 하나의 유기층 상에 배치된 제2 전극; 을 포함하는 표시 패널을 제공한다.
상기 절연층에 홀이 정의되고, 상기 적어도 하나의 단차부는 상기 홀에 중첩할 수 있다.
상기 광흡수층은 몰리브덴(Mo) 산화물 및 탄탈륨(Ta) 산화물을 포함할 수 있다.
다른 실시예는 표시 패널 및 상기 표시 패널 상에 배치된 편광 부재를 포함하고, 상기 표시 패널은 회로층을 포함하는 기판; 상기 기판 상에 배치되고 홀이 정의된 절연층; 상기 절연층 상에 배치되고, 상기 홀에서 상기 회로층과 전기적으로 접속하는 제1 전극; 상기 홀과 중첩하고, 상기 제1 전극 상에 배치되는 광흡수층; 상기 절연층 상에 배치되며, 상기 제1 전극의 상부면을 노출시키는 개구부가 정의된 화소 정의막; 상기 개구부 내에 배치된 발광층을 포함하는 적어도 하나의 유기층; 및 상기 적어도 하나의 유기층 상에 배치된 제2 전극; 을 포함하는 표시 장치를 제공한다.
상기 편광 부재는 선편광자 및 상기 선편광자와 상기 표시 패널 사이에 배치된 λ/4 위상자를 포함할 수 있다.
상기 광흡수층은 몰리브덴(Mo) 산화물 및 탄탈륨(Ta) 산화물을 포함할 수 있다.
일 실시예는 전극의 단차부 상에 광흡수층을 배치하여 외부광에 의한 반사도를 감소시킨 표시 패널을 제공할 수 있다.
일 실시예는 전극의 단차부 상에 광흡수층을 포함한 표시 패널과 표시 패널 상에 배치된 편광 부재를 포함하여 외부광에 의한 반사도를 저감시킴으로써 표시 품질을 개선한 표시 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 일 실시예의 표시 장치의 사시도이다.
도 2는 일 실시예의 표시 장치에 포함된 표시 패널의 일부를 나타낸 평면도이다.
도 3은 도 2의 I-I'에 대응하는 부분의 단면도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 화소의 등가회로도이다.
도 5는 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 6은 도 5의 AA영역을 보다 상세히 나타낸 단면도이다.
도 7은 도 6의 BB영역을 보다 상세히 나타낸 단면도이다.
도 8 및 도 9는 광차단층의 두께에 따른 평균 반사율을 나타낸 그래프이다.
도 10은 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 11은 파장 영역에 따른 반사율을 나타낸 그래프이다.
도 12는 일 실시예의 표시 장치의 단면도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
본 출원에서, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "상에" 또는 "상부에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "하에" 또는 "하부에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 또한, 본 출원에서 "상에" 배치된다고 하는 것은 상부뿐 아니라 하부에 배치되는 경우도 포함하는 것일 수 있다.
한편, 본 출원에서 "직접 배치"된다는 것은 층, 막, 영역, 판 등의 부분과 다른 부분 사이에 추가되는 층, 막, 영역, 판 등이 없는 것을 의미하는 것일 수 있다. 예를 들어, "직접 배치"된다는 것은 두 개의 층 또는 두 개의 부재들 사이에 접착 부재 등의 추가 부재를 사용하지 않고 배치하는 것을 의미하는 것일 수 있다.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치(DD)의 사시도이다. 일 실시예의 표시 장치(DD)는 표시 패널(DP), 표시 패널(DP) 상에 배치된 입력 감지 유닛(TSU), 표시 패널(DP) 상에 배치된 편광 부재(PM)를 포함할 수 있다. 편광 부재(PM)는 입력 감지 유닛(TSU) 상에 배치될 수 있다.
일 실시예에서 표시 패널(DP)은 유기 전계 발광 표시 패널일 수 있다. 편광 부재(PM)는 외부에서 표시 패널(DP)로 제공되는 외부광을 차단하는 것일 수 있다. 편광 부재(PM)는 외부광에 의해 표시 패널(DP)에서 발생하는 반사광을 저감시키는 것일 수 있다.
입력 감지 유닛(TSU)은 사용자의 직접 터치, 사용자의 간접 터치, 물체의 직접 터치 또는 물체의 간접 터치를 인식하는 것일 수 있다. 한편, 입력 감지 유닛(TSU)은 외부에서 인가되는 터치의 위치 및 터치의 세기(압력) 중 적어도 어느 하나를 감지할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서의 입력 감지 유닛(TSU)은 다양한 구조를 갖거나 다양한 물질로 구성될 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다. 예를 들어, 일 실시예의 표시 장치(DD)에서 입력 감지 유닛(TSU)은 터치를 감지하는 터치 감지 유닛일 수 있다.
한편, 도 1의 사시도에서는 표시 장치(DD)가 입력 감지 유닛(TSU)과 편광 부재(PM)를 모두 포함하는 것으로 도시되고 있으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 일 실시예의 표시 장치(DD)에서 입력 감지 유닛(TSU)이 생략될 수 있다.
도 2는 도 1에 도시된 일 실시예의 표시 장치(DD)에 포함된 표시 패널(DP)의 일부를 나타낸 평면도이다. 도 3은 도 2의 I-I'선에 대응하는 면을 나타낸 단면도이다. 도 2 및 도 3을 참조하면, 표시 패널(DP)은 비발광영역(NPXA) 및 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)을 포함할 수 있다. 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 각각은 이후 도 5 등에서 보다 상세히 설명하는 발광영역(PXA)에 대응할 수 있다. 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 각각은 이후 도 4 및 도 5 등에서 설명하는 유기 전계 발광 소자(OEL)에서 생성된 광이 방출되는 영역일 수 있다.
발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 유기 전계 발광 소자(OEL)에서 생성되는 광의 컬러에 따라 복수 개의 그룹으로 구분될 수 있다. 도 2 및 도 3에 도시된 일 실시예의 표시 패널(DP)에는 레드광, 그린광, 블루광을 발광하는 3개의 그룹으로 구분되는 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)을 예시적으로 도시하였다.
발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 유기 전계 발광 소자(OEL)의 발광층(EML)에서 발광하는 컬러에 따라 다른 면적을 가질 수 있다. 예를 들어, 도 2를 참조하면, 일 실시예의 표시 패널(DP)에서는 블루광을 방출하는 유기 전계 발광 소자의 발광영역(PXA-B)이 가장 큰 면적을 갖고, 그린광을 생성하는 유기 전계 발광 소자의 발광영역(PXA-G)이 가장 작은 면적을 가질 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 레드광, 그린광, 블루광 이외의 다른 색의 광을 발광하는 것이거나, 또는 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 동일한 면적을 가지거나, 또는 도 2에서 도시된 것과 다른 면적 비율로 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)이 제공될 수 있다.
일 실시예의 표시 패널(DP)은 제3 방향축(DR3) 방향으로 순차적으로 배치된 기판(SUB)과 표시 소자층(DP-OEL)을 포함할 수 있다. 표시 소자층(DP-OEL) 상에는 봉지층(TFE)이 배치될 수 있다. 기판(SUB)은 베이스층(BL) 및 회로층(DP-CL)을 포함할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소(PX)의 등가회로도이다. 도 5는 일 실시예의 표시 패널의 단면도이다. 도 6은 도 5의 AA 영역을 보다 상세히 나타낸 단면도이고, 도 7은 도 6의 BB 영역을 보다 상세히 나타낸 단면도이다.
도 4에는 어느 하나의 주사 라인(GL), 어느 하나의 데이터 라인(DL), 전원 라인(PL), 및 이들에 연결된 화소(PX)를 도시하였다. 한편, 화소(PX)의 구성은 도 4에 도시된 것에 제한되지 않고 변형되어 실시될 수 있다.
화소(PX)는 유기 전계 발광 소자(OEL)를 구동하기 위한 화소 구동회로로써 제1 트랜지스터(T1, 또는 스위칭 트랜지스터), 제2 트랜지스터(T2, 또는 구동 트랜지스터), 및 캐패시터(Cst)를 포함한다. 제1 전원 전압(ELVDD)은 제2 트랜지스터(T2)에 제공되고, 제2 전원 전압(ELVSS)은 유기 전계 발광 소자(OEL)에 제공된다. 제2 전원 전압(ELVSS)은 제1 전원 전압(ELVDD) 보다 낮은 전압일 수 있다.
제1 트랜지스터(T1)는 주사 라인(GL)에 인가된 주사 신호에 응답하여 데이터 라인(DL)에 인가된 데이터 신호를 출력한다. 캐패시터(Cst)는 제1 트랜지스터(T1)로부터 수신한 데이터 신호에 대응하는 전압을 충전한다. 제2 트랜지스터(T2)는 유기 전계 발광 소자(OEL)에 연결된다. 제2 트랜지스터(T2)는 캐패시터(Cst)에 저장된 전하량에 대응하여 유기 전계 발광 소자(OEL)에 흐르는 구동전류를 제어한다.
등가회로는 하나의 일 실시예에 불과하며 도시된 것에 제한되지 않는다. 화소(PX)는 복수 개의 트랜지스터들을 더 포함할 수 있고, 더 많은 개수의 캐패시터들을 포함할 수 있다. 유기 전계 발광 소자(OEL)는 전원 라인(PL)과 제2 트랜지스터(T2) 사이에 접속될 수도 있다.
도 5는 도 4에 도시된 등가회로에 대응하는 일 실시예의 표시 패널(DP)의 부분 단면을 나타낸 도면이다. 일 실시예의 표시 패널(DP)은 회로층(DP-CL)을 포함하는 기판(SUB), 기판(SUB) 상에 배치된 절연층(IL), 절연층(IL) 상에 배치된 제1 전극(EL1)과 화소 정의막(PDL), 제1 전극(EL1) 상에 배치된 적어도 하나의 유기층(HTR, EML, ETR), 및 적어도 하나의 유기층(HTR, EML, ETR) 상에 배치된 제2 전극(EL2)을 포함할 수 있다.
일 실시예의 표시 패널(DP)에서 기판(SUB)은 베이스층(BL) 및 베이스층(BL)상에 배치된 회로층(DP-CL)을 포함하는 것일 수 있다.
베이스층(BL)은 유기 전계 발광 소자(OEL)가 배치되는 베이스 면을 제공하는 부재일 수 있다. 베이스층(BL)은 유리기판, 금속기판, 플라스틱기판 등일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 베이스층(BL)은 무기층 또는 유기층 또는 복합재료층일 수 있다.
일 실시예에서 회로층(DP-CL)은 베이스층(BL) 상에 배치되고, 회로층(DP-CL)은 무기막인 버퍼막(BFL)을 포함할 수 있다. 버퍼막(BFL)은 제1 및 제2 트랜지스터(T1, T2)에 불순물이 확산되는 것을 막는 것일 수 있다. 버퍼막(BFL)은 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx), 질산화규소(SiOxNy) 등으로 형성될 수 있다. 한편, 버퍼막(BFL)은 베이스층(BL)의 재료 및 공정 조건에 따라 생략될 수도 있다.
버퍼막(BFL) 상에 제1 트랜지스터(T1)의 반도체 패턴(SP1: 이하 제1 반도체 패턴) 및 제2 트랜지스터(T2)의 반도체 패턴(SP2: 이하 제2 반도체 패턴)이 배치될 수 있다. 제1 반도체 패턴(SP1) 및 제2 반도체 패턴(SP2)은 아모포스(Amorphous) 실리콘, 폴리(poly) 실리콘, 또는 금속 산화물 반도체에서 선택될 수 있다.
제1 반도체 패턴(SP1) 및 제2 반도체 패턴(SP2) 상에 제1 중간 무기막(10)이 배치될 수 있다. 제1 중간 무기막(10) 상에는 제1 트랜지스터(T1)의 제어전극(GE1: 이하, 제1 제어전극) 및 제2 트랜지스터(T2)의 제어전극(GE2: 이하, 제2 제어전극)이 배치될 수 있다. 제1 제어전극(GE1) 및 제2 제어전극(GE2)은 주사 라인들(GL, 도 4 참조)과 동일한 포토리소그래피(photolithography) 공정에 따라 제조될 수 있다.
제1 중간 무기막(10) 상에는 제1 제어전극(GE1) 및 제2 제어전극(GE2)을 커버하는 제2 중간 무기막(20)이 배치될 수 있다. 제2 중간 무기막(20) 상에 제1 트랜지스터(T1)의 입력전극(DE1: 이하, 제1 입력전극) 및 출력전극(SE1: 제1 출력전극), 제2 트랜지스터(T2)의 입력전극(DE2: 이하, 제2 입력전극) 및 출력전극(SE2: 제2 출력전극)이 배치될 수 있다.
제1 입력전극(DE1)과 제1 출력전극(SE1)은 제1 중간 무기막(10) 및 제2 중간 무기막(20)을 관통하는 제1 컨텍홀(CH1)과 제2 컨텍홀(CH2)을 통해 제1 반도체 패턴(SP1)에 각각 연결된다. 제2 입력전극(DE2)과 제2 출력전극(SE2)은 제1 중간 무기막(10) 및 제2 중간 무기막(20)을 관통하는 제3 컨텍홀(CH3)과 제4 컨텍홀(CH4)을 통해 제2 반도체 패턴(SP2)에 각각 연결된다. 한편, 본 발명의 다른 실시예에서 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2) 중 일부는 바텀 게이트 구조로 변형되어 실시될 수 있다.
회로층(DP-CL)을 포함하는 기판(SUB) 상에는 절연층(IL)이 배치될 수 있다. 도 5를 참조하면, 제2 중간 무기막(20) 상에 제1 입력전극(DE1), 제2 입력전극(DE2), 제1 출력전극(SE1), 및 제2 출력전극(SE2)을 커버하는 절연층(IL)이 배치될 수 있다. 절연층(IL)에는 홀(HL)이 정의될 수 있다. 또한, 절연층(IL)은 홀(HL)을 제외한 부분에서 회로층(DP-CL)에 평탄면을 제공할 수 있다. 절연층(IL)은 유기막일 수 있다. 예를 들어, 절연층(IL)은 폴리이미드(polyimide) 등을 포함하여 형성된 것일 수 있다. 절연층(IL)에 정의된 홀(HL)은 절연층을 관통하는 것으로 비아홀(Via hole)일 수 있다. 절연층(IL)은 홀(HL) 부분과 평탄면 사이에 높낮이 차를 가짐으로써 단차 영역을 갖는 것일 수 있다.
회로층(DP-CL) 상에는 표시 소자층(DP-OEL)이 배치될 수 있다. 표시 소자층(DP-OEL)은 절연층(IL) 상에 배치될 수 있다. 표시 소자층(DP-OEL)은 화소 정의막(PDL) 및 유기 전계 발광 소자(OEL)를 포함할 수 있다.
유기 전계 발광 소자(OEL)는 서로 마주하는 제1 전극(EL1)과 제2 전극(EL2), 및 제1 전극(EL1)과 제2 전극(EL2) 사이에 배치되는 적어도 하나의 유기층(HTR, EML, ETR) 을 포함하는 것일 수 있다. 적어도 하나의 유기층(HTR, EML, ETR)은 발광층(EML), 정공 수송 영역(HTR), 및 전자 수송 영역(ETR)을 포함하는 것일 수 있다. 유기 전계 발광 소자(OEL)의 구성에 대하여는 이후 보다 상세히 설명한다.
유기 전계 발광 소자(OEL)의 제1 전극(EL1)은 절연층(IL) 상에 배치될 수 있다. 제1 전극(EL1)은 절연층(IL)에 정의된 홀(HL)에서 회로층(DP-CL)과 전기적으로 접속하는 것일 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(EL1)은 절연층(IL)에 정의된 홀(HL)에서 제2 출력전극(SE2)과 전기적으로 접속하는 것일 수 있다.
제1 전극(EL1)은 절연층(IL)에 정의된 홀(HL)의 단차 형상을 따라 제공되는 것일 수 있다. 제1 전극(EL1)은 홀(HL)의 단차 형상을 따라 배치되어 제2 출력전극(SE2)과 접속하고 평탄면을 제공하는 절연층(IL)의 상부면 상으로 연장되어 배치되는 것일 수 있다. 즉, 제1 전극(EL1)은 홀(HL)의 단차 형상을 따라 배치되는 적어도 하나의 단차부를 포함하는 것일 수 있다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 제1 전극(EL1)은 홀(HL)에 의해 노출된 회로층(DP-CL)과 접촉하는 바닥 전극부(EL1-B), 홀(HL)의 측면 상에 배치된 측면 전극부(EL1-S), 및 측면 전극부(EL1-S)에서 연장되어 절연층(IL) 상부에 제공되는 커버 전극부(EL1-T1, EL1-T2)를 포함하는 것일 수 있다. 바닥 전극부(EL1-B), 측면 전극부(EL1-S), 및 커버 전극부(EL1-T1, EL1-T2)는 일체로 제공되는 것일 수 있다. 한편, 바닥 전극부(EL1-B), 측면 전극부(EL1-S), 및 커버 전극부(EL1-T1, EL1-T2)는 홀(HL)의 형상을 따라 제공되며, 이는 제1 전극(EL1)의 단차부에 해당되는 것일 수 있다. 즉, 제1 전극(EL1)은 적어도 하나의 단차부를 포함하는 것일 수 있다. 제1 전극(EL1)의 단차부는 단차 전극부(EL1-H)일 수 있다. 제1 전극(EL1)은 홀(HL)에 대응하여 배치된 단차 전극부(EL1-H) 및 단차 전극부(EL1-H)의 일단에서 연장된 평탄 전극부(EL1-E)를 포함할 수 있다.
또한, 제1 전극(EL1)에서 평탄 전극부(EL1-E)는 발광층(EML)과 중첩하도록 절연층(IL) 상으로 연장된 것일 수 있다. 평탄 전극부(EL1-E)는 단차 전극부(EL1-H)에서 연장되어 절연층(IL) 상에 배치되고, 평탄 전극부(EL1-E)의 상부면은 화소 정의막(PDL)에 정의된 개구부(OH)에서 노출되는 것일 수 있다.
도 5 및 도 6 등에 도시된 일 실시예에서 제1 전극(EL1)은 절연층(IL)에 정의된 홀(HL)의 형상에 대응한 단차 전극부(EL1-H) 또는 단차부를 포함하는 것으로 도시되었으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 일 실시예의 표시 패널(DP)에서 제1 전극(EL1)은 절연층(IL)의 하부에 배치된 회로층(DP-CL)의 형상에 따라 복수 개의 단차부 또는 단차 전극부를 포함할 수 있다.
제1 전극(EL1)은 화소 정의막(PDL)에 정의된 개구부(OH)에서 상부면이 노출될 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(EL1)의 평탄 전극부(EL1-E)는 화소 정의막(PDL)에 정의된 개구부(OH)에서 상부면이 노출될 수 있으며, 평탄 전극부(EL1-E)의 노출된 상부면 상에 적어도 하나의 유기층(HTR, EML, ETR)이 배치될 수 있다.
화소 정의막(PDL)은 고분자 수지로 형성될 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(PDL)은 폴리아크릴레이트(Polyacrylate)계 수지 또는 폴리이미드(Polyimide)계 수지를 포함하여 형성될 수 있다. 또한, 화소 정의막(PDL)은 고분자 수지 이외에 무기물을 더 포함하여 형성될 수 있다. 한편, 화소 정의막(PDL)은 광흡수 물질을 포함하여 형성되거나, 블랙 안료 또는 블랙 염료를 포함하여 형성될 수 있다. 블랙 안료 또는 블랙 염료를 포함하여 형성된 화소 정의막(PDL)은 블랙화소정의막을 구현할 수 있다. 화소 정의막(PDL) 형성 시 블랙 안료 또는 블랙 염료로는 카본 블랙 등이 사용될 수 있으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 화소 정의막(PDL)은 무기물로 형성될 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(PDL)은 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx), 질산화규소(SiOxNy) 등을 포함하여 형성되는 것일 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 발광영역(PXA)을 정의하는 것일 수 있다. 화소 정의막(PDL)에 의해 발광영역(PXA)과 비발광영역(NPXA)이 구분될 수 있다.
유기 전계 발광 소자(OEL)를 구성하는 제1 전극(EL1)은 도전성을 갖는다. 제1 전극(EL1)은 금속 합금 또는 도전성 화합물로 형성될 수 있다. 제1 전극(EL1)은 애노드(anode)일 수 있다. 제1 전극(EL1)은 화소 전극일 수 있다. 상술한 바와 같이, 제1 전극(EL1)은 절연층(IL)에 형성되는 홀(HL)을 통해 회로층(DP-CL)과 전기적으로 연결될 수 있다.
일 실시예의 표시 패널(DP)에서 제1 전극(EL1)은 반사형 전극일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 전극(EL1)은 투과형 전극 또는 반투과형 전극 등일 수 있다. 제1 전극(EL1)이 반투과형 전극 또는 반사형 전극인 경우, 제1 전극(EL1)은 Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti 또는 이들의 화합물이나 혼합물(예를 들어, Ag와 Mg의 혼합물)을 포함할 수 있다. 또는 상기 예시된 물질로 형성된 반사막이나 반투과막 및 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 형성된 투명 도전막을 포함하는 복수의 층 구조일 수 있다.
예를 들어, 제1 전극(EL1)은 3개의 도전층(EL-a, EL-b, EL-c)이 적층된 구조일 수 있다. 제1 전극(EL1)은 ITO/Ag/ITO의 다층 금속막일 수 있다. 구체적으로 제1 전극(EL1)은 제1 도전층(EL-a) 및 제3 도전층(EL-c)은 ITO층이고, 제2 도전층(EL-b)은 Ag층인 적층 구조를 갖는 것일 수 있다.
일 실시예의 표시 패널(DP)은 광흡수층(OBL)을 포함한다. 광흡수층(OBL)은 절연층(IL)의 홀(HL)과 중첩하고 제1 전극(EL1) 상에 배치되는 것일 수 있다. 광흡수층(OBL)은 홀(HL)의 단차 형상을 따라 제공되는 것일 수 있다. 광흡수층(OBL)은 홀(HL)의 단차 형상을 따라 배치된 제1 전극(EL1) 상에서 제1 전극(EL1)의 단차 형상을 따라 배치되는 것일 수 있다. 광흡수층(OBL)은 바닥부(OBL-B), 측면부(OBL-S), 및 커버부(OBL-T1, OBL-T2)를 포함할 수 있다. 광흡수층(OBL)의 바닥부(OBL-B), 바닥부(OBL-B)에서 연장된 측면부(OBL-S), 및 측면부(OBL-S)에서 연장된 커버부(OBL-T1, OBL-T2)가 전체로 제1 전극(EL1)에 대응하여 단차 형상을 갖는 것일 수 있다. 즉, 광흡수층(OBL)은 제1 전극(EL1)의 단차부를 커버하는 것일 수 있다. 광흡수층(OBL)은 제1 전극(EL1)의 단차 전극부(EL1-H) 상에 배치되는 것일 수 있다.
광흡수층(OBL)의 바닥부(OBL-B), 측면부(OBL-S), 및 커버부(OBL-T1, OBL-T2)는 각각 제1 전극(EL1)의 바닥 전극부(EL1-B), 측면 전극부(EL1-S), 및 커버 전극부(EL1-T1, EL1-T2) 상에 배치되는 것일 수 있다. 한편, 광흡수층(OBL)의 커버부(OBL-T2)는 절연층(IL) 상에 노출된 제1 전극(EL1)의 커버 전극부(EL1-T2)를 커버하는 것일 수 있다.
광흡수층(OBL)은 표시 패널(DP)의 외부에서 제공되는 광을 흡수하는 층일 수 있다. 광흡수층(OBL)은 금속산화물층일 수 있다. 광흡수층(OBL)은 금속산화물을 포함한 블랙층일 수 있다. 광흡수층(OBL)은 외부광이 제1 전극(EL1)으로 제공되는 것을 차단하는 광차단층일 수 있다. 일 실시예의 표시 패널(DP)에서는 광흡수층(OBL)이 금속산화물을 포함하여 제공됨으로써 금속층을 광차단층으로 사용한 경우에 비하여 반사율이 저감될 수 있으며, 광차단층으로 유기층을 사용한 경우에 비하여 아웃개싱(Out-gassing)을 줄여 표시 패널(DP)의 신뢰도를 개선할 수 있다.
광흡수층(OBL)은 몰리브덴(Mo) 산화물을 포함하는 것일 수 있다. 예를 들어, 광흡수층(OBL)은 MoO2 및 MoO3를 포함하는 것일 수 있다. 한편, 광흡수층(OBL)에서 MoO2와 MoO3는 다양한 비율로 존재할 수 있으며, 구체적으로 MoO2가 MoO3 보다 상대적으로 많은 양으로 광흡수층(OBL)에 포함될 수 있다.
광흡수층(OBL)은 몰리브덴 산화물 이외에 5족 금속 원소의 산화물을 더 포함할 수 있다. 또한, 광흡수층(OBL)은 몰리브덴 산화물 이외에 바나듐(V), 니어븀(Nb), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 텅스텐(W) 저마늄(Ge), 주석(Sn), 셀레늄(Se), 지르코늄(Zr) 중 적어도 어느 하나의 산화물을 더 포함할 수 있다.
예를 들어, 광흡수층(OBL)은 몰리브덴 산화물 및 탄탈륨 산화물을 포함하는 것일 수 있다. 한편, 광흡수층(OBL)에 포함되는 탄탈륨 산화물은 Ta2O5일 수 있다.
광흡수층(OBL)이 몰리브덴 산화물과 탄탈륨 산화물을 포함한 경우 몰리브덴, 탄탈륨, 및 산소를 포함한 전체 광흡수층(OBL)에서 탄탈륨의 함량은 2 at% 이상 7 at% 이하일 수 있다. 탄탈륨의 함량이 2 at% 미만일 경우 수용성이 증가되어 금속산화물층인 광흡수층(OBL)의 안정성이 저하될 수 있으며, 탄탈륨의 함량이 7 at% 초과인 경우 광흡수층(OBL)의 패턴닝 공정에서 에칭 공정의 공정성이 저하될 수 있다.
광흡수층(OBL)은 제1 전극(EL1) 상에 직접 배치될 수 있다. 본 명세서에서 "직접 배치"는 두 개의 부재 사이에 다른 층이 포함되지 않는 것을 의미하는 것일 수 있다. 광흡수층(OBL)은 제1 전극(EL1) 상에 직접 배치되어 표시 패널(DP)의 외부에서 제공되는 광이 광흡수층(OBL)에 의해 커버되는 제1 전극(EL1)으로 전달되지 않도록 하는 것일 수 있다. 즉, 광흡수층(OBL)은 표시 패널(DP)의 외부에서 제공되는 광을 흡수하여 제1 전극(EL1) 측으로 전달되는 외부광의 광량을 감소시키는 것일 수 있다. 구체적으로 광흡수층(OBL)은 홀(HL) 형상에 따라 배치된 제1 전극(EL1)의 단차부에서의 외부광의 반사를 방지하는 역할을 하는 것일 수 있다.
광흡수층(OBL)은 절연층(IL)에 정의된 홀(HL)의 단차 형상을 따라 제공되며, 제1 전극(EL1)의 단차부 상에 배치되고 화소 정의막(PDL)으로 커버되는 것일 수 있다. 광흡수층(OBL)은 화소 정의막(PDL)으로 커버되며 유기 전계 발광 소자(OEL)의 발광층(EML)과 비중첩하도록 배치되는 것일 수 있다.
한편, 광흡수층(OBL)은 제1 전극(EL1) 및 화소 정의막(PDL)과 중첩하는 것일 수 있다. 광흡수층(OBL)은 절연층(IL)에 정의된 홀(HL)의 단차 형상을 따라 배치된 제1 전극(EL1)과 제1 전극(EL1) 상에 배치된 화소 정의막(PDL) 사이에 제공되는 것일 수 있다.
광흡수층(OBL)은 외부광을 흡수하여 광흡수층(OBL)으로 커버된 제1 전극(EL1) 측으로 제공되는 광을 차단하는 역할을 하는 것일 수 있다. 광흡수층(OBL)이 흡수하는 외부광의 파장은 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 광흡수층(OBL)은 350nm 이상 파장 영역의 광을 흡수하는 것일 수 있다. 또한, 광흡수층(OBL)은 350nm 이상 780nm 이하 파장 영역의 광을 흡수하는 것일 수 있다. 광흡수층(OBL)에서의 광흡수도는 광흡수층(OBL)의 두께에 따라 달라질 수 있다.
광흡수층(OBL)의 두께(t)는 350Å 이상 800Å 미만일 수 있다. 예를 들어, 광흡수층(OBL)의 두께(t)는 400Å 이상 700Å 이하일 수 있다. 구체적으로, 광흡수층(OBL)의 두께(t)는 450Å 이상 650Å 이하일 수 있다. 광흡수층(OBL)의 두께(t)가 350Å 미만이거나, 800Å 이상일 경우 전체 파장 영역에서 광흡수층(OBL)에서의 반사율이 증가되어 외부광에 의한 반사율 저감 효과가 감소될 수 있다.
도 8 및 도 9는 광흡수층(OBL)의 두께에 따른 평균 반사율(%)을 나타낸 그래프이다. 도 8 및 도 9에 도시된 그래프에서 평균 반사율은 380nm 이상 780nm 이하의 파장 영역에서 각 파장별 외부광의 반사율을 평균하여 나타낸 것이다. 도 8은 도 5 내지 도 7에 도시된 것과 같이 제1 전극(EL1) 상에 광흡수층(OBL)이 배치된 일 실시예의 표시 패널(DP)에 대한 평균 반사율을 나타낸 것으로, 제1 전극(EL1)이 ITO/Ag/ITO의 적층 구조를 가지며, 광흡수층(OBL)이 몰리브덴 산화물과 탄탈륨 산화물을 포함한 경우에서의 평균 반사율을 나타낸 것이다. 또한, 도 9는 제1 전극(EL1) 상에 광흡수층(OBL)이 배치되고, 광흡수층(OBL) 상에 유기막이 배치된 경우에 대한 평균 반사율을 나타낸 것이다. 한편 유기막은 본 발명의 일 실시예에서 화소 정의막(PDL)에 대응하는 것으로 볼 수 있다.
도 8 및 도 9의 그래프를 참조하면, 광흡수층(OBL)의 두께가 350Å 이상인 경우 외부광에 대한 평균 반사율이 20% 이하로 감소되는 것을 확인할 수 있다. 또한, 도 8 등을 참조하면, 광흡수층(OBL)의 두께가 800Å 이상인 경우 외부광에 대한 평균 반사율이 20% 이상으로 다시 증가되는 것을 확인할 수 있다. 따라서, 광흡수층(OBL)의 두께가 350Å 이상 800Å 미만인 경우 광흡수층(OBL)에서의 반사율이 저감되어 광흡수층(OBL)을 포함하는 표시 패널(DP)의 표시 품질을 개선할 수 있다.
한편, 유기막인 화소 정의막(PDL)이 적층된 구조를 나타낸 도 9의 그래프에서도 도 8과 유사한 경향을 나타내었다. 즉, 화소 정의막(PDL)이 광흡수층(OBL)을 커버하는 경우에도 광흡수층(OBL) 두께가 350Å 이상 800Å 미만인 경우에 낮은 평균 반사율 값을 유지함으로써 외부광을 효과적으로 차단하여 개선된 표시 품질을 갖는 표시 패널(DP)을 구현할 수 있다.
또한, 도 5 내지 도 7의 도면을 참조하면, 광흡수층(OBL)은 유기 전계 발광 소자(OEL)의 발광 경로 상에 배치되지 않으므로, 발광층(EML)에서 방출되는 광의 발광 특성에 영향을 미치지 않으면서, 제1 전극(EL1)의 단차부로 제공되는 외부광을 차단할 수 있다. 따라서, 일 실시예의 표시 패널(DP)에서 광흡수층(OBL)은 유기 전계 발광 소자(OEL)의 발광 특성에 영향을 주지 않으므로 표시 품질의 저하 없이 외부광에 의한 반사율을 저감시킬 수 있다.
다시 도 5를 참조하면, 일 실시예의 표시 패널(DP)에서 유기 전계 발광 소자(OEL)는 제1 전극(EL1), 제1 전극(EL1) 상에 배치된 정공 수송 영역(HTR), 정공 수송 영역(HTR) 상에 배치된 발광층(EML), 발광층(EML) 상에 배치된 전자 수송 영역(ETR), 및 전자 수송 영역(ETR) 상에 배치된 제2 전극(EL2)을 포함할 수 있다.
정공 수송 영역(HTR)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 정공 수송 영역(HTR)은, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층들의 구조를 갖거나, 제1 전극(EL1)으로부터 차례로 적층된 정공 주입층/정공 수송층, 정공 주입층/정공 수송층/버퍼층, 정공 주입층/버퍼층, 정공 수송층/버퍼층 또는 정공 주입층/정공 수송층/전자 저지층들의 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 정공 수송 영역(HTR)은 정공 주입층 및 정공 수송층을 포함할 수 있고, 정공 주입층과 정공 수송층에는 각각 공지의 정공 주입 물질과 공지의 정공 수송 물질이 사용될 수 있다.
한편, 정공 수송 영역(HTR)은 화소 정의막(PDL)에 정의된 개구부(OH) 내에서 제1 전극(EL1) 상에 배치되고 화소 정의막(PDL) 상부로 연장되어 배치된 것일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 정공 수송 영역(HTR)은 개구부(OH) 내부에 배치되도록 패터닝되는 것일 수 있다.
발광층(EML)은 정공 수송 영역(HTR) 상에 제공된다. 발광층(EML)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.
발광층(EML)은 통상적으로 사용하는 물질이라면 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 적색, 녹색 및 청색을 발광하는 물질로 이루어질 수 있으며, 형광 물질 또는 인광물질을 포함할 수 있다. 또한, 발광층(EML)은 호스트 및 도펀트를 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광층(EML)은 화소 정의막(PDL)에 정의된 개구부(OH) 내에 배치될 수 있으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
전자 수송 영역(ETR)은 발광층(EML) 상에 제공된다. 전자 수송 영역(ETR)은, 정공 저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
전자 수송 영역(ETR)이 전자 주입층 및 전자 수송층을 포함하는 경우, 전자 주입층 및 전자 수송층에는 각각 공지의 전자 주입 물질과 공지의 전자 수송 물질이 사용될 수 있다.
제2 전극(EL2)은 전자 수송 영역(ETR) 상에 제공된다. 제2 전극(EL2)은 공통 전극 또는 캐소드일 수 있다. 제2 전극(EL2)은 금속 합금 또는 도전성 화합물로 형성될 수 있다. 제2 전극(EL2)은 투과형 전극, 반투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다. 제2 전극(EL2)이 투과형 전극인 경우, 제2 전극(EL2)은 투명 금속 산화물, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 이루어질 수 있다.
제2 전극(EL2)이 반투과형 전극 또는 반사형 전극인 경우, 제2 전극(EL2)은 Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti 또는 이들의 화합물이나 혼합물(예를 들어, Ag와 Mg의 혼합물)을 포함할 수 있다. 또는 상기 예시된 물질로 형성된 반사막이나 반투과막 및 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 형성된 투명 도전막을 포함하는 복수의 층 구조일 수 있다.
도 5를 참조하면, 전자 수송 영역(ETR) 및 제2 전극(EL2)은 제1 전극(EL1)과 중첩하는 영역뿐 아니라 화소 정의막(PDL) 상으로 더 연장되어 배치될 수 있다. 한편, 도시하지는 않았으나, 제2 전극(EL2)은 보조 전극과 연결될 수 있다. 제2 전극(EL2)이 보조 전극과 연결되면, 제2 전극(EL2)의 저항을 감소 시킬 수 있다.
일 실시예의 표시 패널(DP)에서 서로 마주하는 제1 전극(EL1)과 제2 전극(EL2) 중 제1 전극(EL1)은 반사형 전극이고, 제2 전극(EL2)은 투과형 전극일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
제2 전극(EL2) 상에는 봉지층(TFE)이 제공될 수 있다. 봉지층(TFE)은 제2 전극(EL2)을 커버하고 배치될 수 있다. 봉지층(TFE)은 하나의 층 또는 복수의 층들이 적층된 것일 수 있다. 봉지층(TFE)은 유기층 및 무기층 중 적어도 하나의 층을 포함할 수 있다. 봉지층(TFE)은 적어도 하나의 유기층 및 적어도 하나의 무기층을 포함하여 형성될 수 있다.
봉지층(TFE)은 예를 들어 박막 봉지층일 수 있다. 봉지층(TFE)은 유기 전계 발광 소자(OEL)를 보호한다. 봉지층(TFE)은 개구부(OH)에 배치된 제2 전극(EL2)의 상부면을 커버하고, 개구부(OH)를 채울 수 있다. 한편, 봉지층(TFE)은 생략될 수 있으며, 별도의 봉지 부재가 유기 전계 발광 소자(OEL) 상에 추가될 수 있다.
도 10은 일 실시예의 표시 패널을 나타낸 단면도이다. 한편, 도 10에 대한 설명에 있어서는 상술한 도 1 내지 도 7에서 설명한 내용과 중복되는 내용은 다시 설명하지 않으며 차이점을 위주로 설명한다.
도 10에 도시된 일 실시예의 표시 패널(DP-a)은 상술한 도 5 내지 도 7에서 설명한 일 실시예의 표시 패널(DP)과 비교하여 광흡수층(OBL-a)의 형태에 있어서 일부 차이가 있다. 도 10에 도시된 일 실시예의 표시 패널(DP-a)에서 광흡수층(OBL-a)은 절연층(IL)에 정의된 홀(HL)에 중첩한 단차 흡수부(OBL-H) 및 단차 흡수부(OBL-H)에서 연장되어 절연층(IL)의 상부면(IL-T) 상에 배치된 연장 흡수부(OBL-E)를 포함하는 것일 수 있다.
광흡수층(OBL-a)의 연장 흡수부(OBL-E)는 단차 흡수부(OBL-H)에서 연장되어 제1 및 제2 트랜지스터(T1, T2) 상에 배치되는 것일 수 있다. 광흡수층(OBL-a)의 연장 흡수부(OBL-E)는 절연층(IL) 및 화소 정의막(PDL) 사이에 배치되는 것일 수 있다. 또한, 연장 흡수부(OBL-E)는 발광층(EML)과 비중첩하는 것일 수 있다.
일 실시예의 표시 패널은 반사율이 높은 전극의 단차부 상에 광흡수층을 배치하여 전극 단차부에서 발생하는 외부광의 반사를 저감시킴으로써 개선된 표시 품질을 나타낼 수 있다. 또한, 일 실시예의 표시 패널은 광흡수층에 금속산화물을 포함하여 유기물을 광차단층을 사용한 경우와 비교하여 아웃개싱(Out-gassing) 등의 문제를 방지할 수 있어 높은 신뢰성을 나타낼 수 있다.
도 11은 파장에 따른 반사율 값을 나타낸 그래프이다. 도 11의 반사율 값은 알루미늄(Al)의 반사도를 100% 할 때의 상대적인 반사율 값을 나타낸 것이다. 도 11에서 비교예는 광흡수층을 포함하지 않는 경우의 표시 패널에서의 파장에 따른 반사율 값을 나타낸 것이고, 실시예는 일 실시예의 표시 패널에서와 같이 제1 전극의 단차부 상에 광흡수층이 제공된 경우의 표시 패널에서의 파장에 따른 반사율 값을 나타낸 것이다.
도 11의 결과를 참조하면, 광흡수층이 포함된 실시예의 경우 비교예 대비 반사율이 전 파장 영역에서 감소하는 것을 확인할 수 있다. 비교예의 경우 전체 파장 영역에서의 평균 반사율은 103.1% 정도의 값을 나타내며 550nm 파장에서 103.4%의 반사율을 나타내었다. 이와 비교하여 실시예는 전체 파장 영역에서 평균 반사율은 10.3% 정도의 값을 나타내며 550nm 파장에서 0.6%의 반사율을 나타내었다. 즉, 실시예의 경우 비교예 대비 1/10 이하 수준의 반사율을 나타내는 것을 확인할 수 있다.
즉, 일 실시예의 표시 패널은 금속산화물을 포함한 광흡수층을 전극 상에 배치하여 전극으로 제공되는 외부광을 차단함으로써 외부광에 의한 표시 패널에서의 반사율을 감소시킬 수 있다.
도 12는 일 실시예의 표시 장치를 나타낸 단면도이다. 일 실시예의 표시 장치(DD)는 광흡수층(OBL)을 포함하는 일 실시예의 표시 패널(DP), 표시 패널(DP) 상에 배치된 편광 부재(PM)를 포함하는 것일 수 있다.
일 실시예의 표시 장치(DD)에 포함된 표시 패널(DP)은 상술한 일 실시예의 표시 패널이 적용될 수 있다. 일 실시예의 표시 장치(DD)에 포함된 표시 패널(DP)에 대하여는 상술한 일 실시예의 표시 패널(DP)에 대한 내용과 동일한 내용이 적용될 수 있다.
일 실시예의 표시 장치(DD)에서 표시 패널(DP)은 회로층(DP-CL)을 포함한 기판(SUB), 기판(SUB) 상에 배치되고 홀(HL)이 정의된 절연층(IL), 절연층(IL) 상에 배치된 표시 소자층(DP-OEL)을 포함할 수 있다. 표시 소자층(DP-OEL)은 발광영역(PXA)을 정의하는 화소 정의막(PDL)과 유기 전계 발광 소자(OEL)를 포함할 수 있다. 표시 소자층(DP-OEL) 상에는 봉지층(TFE)가 배치될 수 있다.
한편, 일 실시예에서 표시 패널(DP)은 절연층(IL)의 홀(HL)에서 회로층(DP-CL)과 전기적으로 접속하는 제1 전극(EL1), 및 홀(HL)과 중첩하고 제1 전극(EL1) 상에 배치된 광흡수층(OBL)을 포함하는 것일 수 있다. 광흡수층(OBL)은 금속산화물층일 수 있다. 광흡수층(OBL)은 제1 전극(EL1)의 단차부를 커버하여 외부광이 제1 전극(EL1) 측으로 전달되는 것을 방지하는 광차단 기능을 하는 것일 수 있다.
광흡수층(OBL)은 몰리브덴 산화물을 포함하는 것일 수 있으며, 예를 들어, 광흡수층(OBL)은 몰리브덴 산화물과 탄탈륨 산화물을 포함하는 것일 수 있다.
표시 패널(DP) 상에는 편광 부재(PM)가 배치될 수 있다. 편광 부재(PM)는 표시 장치(DD)의 외부에서 제공되는 광이 표시 패널(DP)로 입사되어 다시 출사되는 경우의 반사광을 차단하는 기능을 하는 것일 수 있다.
편광 부재(PM)는 반사 방지 기능을 갖는 원편광자일 수 있다. 또한, 편광 부재(PM)는 선편광자(POL)와 λ/4 위상 지연자(RL)를 포함하는 것일 수 있다. 선편광자(POL)는 λ/4 위상 지연자(RL) 상에 배치되는 것일 수 있다. 편광 부재(PM)에서 선편광자(POL)와 λ/4 위상 지연자(RL) 사이에는 λ/2 위상 지연자(미도시)가 더 배치될 수 있다. 선편광자(POL)와 λ/4 위상 지연자(RL)를 포함하는 편광 부재(PM)는 반사 방지 기능을 하는 것일 수 있다.
일 실시예의 표시 장치(DD)는 표시 패널(DP) 상에 편광 부재(PM)를 배치하여 외부광에 의한 반사도를 저감시킬 수 있으며, 또한 제1 전극(EL1)의 단차부 상에 제공되는 광흡수층(OBL)을 표시 패널(DP) 내에 포함하여 단차가 있는 전극 부분에서도 외부광을 효과적으로 차단하여 외부광의 반사에 의한 표시 품질의 저하를 최소화할 수 있다.
즉, 표시 패널(DP) 제1 전극(EL1)의 단차부에서는 편광 부재(PM)에 의한 편광된 광의 편광 상태가 변형될 수 있으며, 이 경우에는 편광 부재(PM)에 의한 외부광의 반사도를 저감시키는 효과가 감소될 수 있다. 하지만, 일 실시예의 표시 장치(DD)에서는 표시 패널(DP)의 제1 전극(EL1)의 단차 부분을 커버하는 광흡수층(OBL)을 포함하여, 단차 부분에서 편광 상태가 변형된 경우에도 광흡수층(OBL)이 외부광을 흡수하여 광흡수층(OBL) 하부에 배치된 제1 전극(EL1)의 단차 부분으로 제공되는 외부광을 차단함으로써 외부광에 의한 표시 패널(DP)에서의 반사율을 감소시킬 수 있다.
일 실시예의 표시 장치(DD)는 표시 패널(DP)과 편광 부재(PM) 사이에 배치된 입력 감지 유닛(TSU)을 포함할 수 있다. 입력 감지 유닛(TSU)은 표시 패널(DP)의 봉지층(TFE) 상에 직접 배치될 수 있다. 즉, 입력 감지 유닛(TSU)은 별도의 접착 부재 없이 표시 패널(DP) 상에 직접 배치될 수 있다. 한편, 일 실시예에서 입력 감지 유닛(TSU)은 생략될 수 있다.
일 실시예의 표시 패널은 금속산화물을 포함한 광흡수층을 반사도가 높은 전극 상에 배치하여 외부광에 의한 반사율을 저감시켜 개선된 표시 품질을 나타낼 수 있다. 또한, 일 실시예의 표시 장치는 금속산화물을 포함한 광흡수층을 전극 상에 배치하고, 표시 패널 상에 편광 부재를 배치하여 외부광에 의한 반사를 줄여 개선된 표시 품질을 나타낼 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
DD : 표시 장치 DP, DP-a : 표시 패널
OBL, OBL-a : 광흡수층 OEL : 유기 전계 발광 소자

Claims (20)

  1. 회로층을 포함하는 기판;
    상기 기판 상에 배치되고 홀이 정의된 절연층;
    상기 절연층 상에 배치되고, 상기 홀에서 상기 회로층과 전기적으로 접속하는 제1 전극;
    상기 홀과 중첩하고, 상기 제1 전극 상에 배치되는 광흡수층;
    상기 절연층 상에 배치되며, 상기 제1 전극의 상부면을 노출시키는 개구부가 정의된 화소 정의막;
    상기 개구부 내에 배치된 발광층을 포함하는 적어도 하나의 유기층; 및
    상기 적어도 하나의 유기층 상에 배치된 제2 전극; 을 포함하는 표시 패널.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 광흡수층은 몰리브덴(Mo) 산화물을 포함한 표시 패널.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 광흡수층은 바나듐(V), 니어븀(Nb), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 저마늄(Ge), 주석(Sn), 셀레늄(Se), 및 지르코늄(Zr) 중 적어도 어느 하나의 산화물을 더 포함하는 표시 패널.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 광흡수층은 몰리브덴(Mo) 산화물 및 탄탈륨(Ta) 산화물을 포함하는 표시 패널.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 광흡수층은 상기 제1 전극 상에 직접 배치된 표시 패널.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 광흡수층은 상기 화소 정의막으로 커버되고, 상기 발광층과 비중첩하는 표시 패널.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 광흡수층은 상기 제1 전극 및 상기 화소 정의막과 중첩하는 표시 패널.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 광흡수층의 두께는 350Å 이상 800Å 미만인 표시 패널.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 광흡수층은 상기 절연층 상으로 연장되고, 상기 발광층과 비중첩하는 연장 흡수부를 더 포함하는 표시 패널.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 전극은 반사 전극이고, 상기 제2 전극은 투과 전극인 표시 패널.
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 전극은 ITO/Ag/ITO의 다층 금속막인 표시 패널.
  12. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 전극은 상기 홀의 단차를 따라 배치된 단차 전극부; 및
    상기 단차 전극부에서 연장되고 상기 절연층 상에 배치된 평탄 전극부를 포함하는 표시 패널.
  13. 제 1항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 유기층은 상기 제1 전극과 상기 발광층 사이에 배치된 정공 수송 영역; 및
    상기 발광층과 상기 제2 전극 사이에 배치된 전자 수송 영역; 을 포함하는 표시 패널.
  14. 제 1항에 있어서,
    상기 제2 전극 상에 봉지층을 더 포함하는 표시 패널.
  15. 회로층을 포함하는 기판;
    상기 기판 상에 배치된 절연층;
    상기 절연층 상에 배치되고 적어도 하나의 단차부를 포함하는 제1 전극;
    상기 적어도 하나의 단차부 상에 배치된 광흡수층;
    상기 절연층 상에 배치되며, 상기 제1 전극의 상부면을 노출시키는 개구부가 정의된 화소 정의막;
    상기 개구부 내에 배치되고, 상기 개구부에서 노출된 상기 제1 전극 상에 배치된 발광층을 포함하는 적어도 하나의 유기층; 및
    상기 적어도 하나의 유기층 상에 배치된 제2 전극; 을 포함하는 표시 패널.
  16. 제 15항에 있어서,
    상기 절연층에 홀이 정의되고, 상기 적어도 하나의 단차부는 상기 홀에 중첩하는 표시 패널.
  17. 제 15항에 있어서,
    상기 광흡수층은 몰리브덴(Mo) 산화물 및 탄탈륨(Ta) 산화물을 포함하는 표시 패널.
  18. 표시 패널 및 상기 표시 패널 상에 배치된 편광 부재를 포함하고,
    상기 표시 패널은
    회로층을 포함하는 기판;
    상기 기판 상에 배치되고 홀이 정의된 절연층;
    상기 절연층 상에 배치되고, 상기 홀에서 상기 회로층과 전기적으로 접속하는 제1 전극;
    상기 홀과 중첩하고, 상기 제1 전극 상에 배치되는 광흡수층;
    상기 절연층 상에 배치되며, 상기 제1 전극의 상부면을 노출시키는 개구부가 정의된 화소 정의막;
    상기 개구부 내에 배치된 발광층을 포함하는 적어도 하나의 유기층; 및
    상기 적어도 하나의 유기층 상에 배치된 제2 전극; 을 포함하는 표시 장치.
  19. 제 18항에 있어서,
    상기 편광 부재는 선편광자 및 상기 선편광자와 상기 표시 패널 사이에 배치된 λ/4 위상자를 포함한 표시 장치.
  20. 제 18항에 있어서,
    상기 광흡수층은 몰리브덴(Mo) 산화물 및 탄탈륨(Ta) 산화물을 포함한 표시 장치.
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