KR20190108553A - Apparatus and Method for Automatic Optical Inspection of Substrates - Google Patents

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KR20190108553A
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마티아스 헤이만스
슈테판 방게르트
톰마소 베르세시
세바스티안 군터 장
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

기판의 광학 검사를 위한 시스템이 제공된다. 시스템은 적어도 제1 프로세싱 챔버 및 제2 프로세싱 챔버를 포함한다. 시스템은 적어도, 제1 프로세싱 챔버로부터 기판을 수용하고 그리고 상기 기판을 제2 프로세싱 챔버로 전달하기 위한 전달 챔버(transfer chamber)를 포함한다. 전달 챔버에는, 제1 프로세싱 챔버 내에서 프로세싱된 기판에 대한 광학 검사를 수행하기 위한 검사 디바이스가 제공된다.A system for optical inspection of a substrate is provided. The system includes at least a first processing chamber and a second processing chamber. The system includes at least a transfer chamber for receiving a substrate from the first processing chamber and for transferring the substrate to the second processing chamber. The transfer chamber is provided with an inspection device for performing optical inspection on the substrate processed in the first processing chamber.

Figure P1020197005214
Figure P1020197005214

Description

기판의 자동 광학 검사를 위한 장치 및 방법Apparatus and Method for Automatic Optical Inspection of Substrates

[0001] 본 개시내용의 실시예들은, 기판의 광학 검사를 위한 장치들, 시스템들, 및 방법들에 관한 것으로, 더 구체적으로는 증착 재료로 코팅된 대면적 기판에 관한 것이다. 또한, 본 개시내용의 실시예들은, 프로세싱 시스템 내의 기판 인라인(substrate inline)의 광학 검사를 위한 장치들, 시스템들, 및 방법들, 및 마스크 엘리먼트에 대한 기판의 포지션을 정렬하기 위한 시스템들에 관한 것이다.[0001] Embodiments of the present disclosure relate to apparatus, systems, and methods for optical inspection of a substrate, and more particularly to a large area substrate coated with a deposition material. Embodiments of the present disclosure also relate to apparatuses, systems, and methods for optical inspection of substrate inline in a processing system, and systems for aligning a position of a substrate relative to a mask element. will be.

[0002] 재료를 기판 상에 증착하기 위한 몇몇 방법들이 알려져 있다. 예로서, 기판들은 증발(evaporation) 프로세스, 물리 기상 증착(PVD; physical vapor deposition) 프로세스, 이를테면, 스퍼터링 프로세스, 스프레잉(spraying) 프로세스 등, 또는 화학 기상 증착(CVD; chemical vapor deposition) 프로세스를 사용하여 코팅될 수 있다. 프로세스는, 코팅될 기판이 로케이팅되는 증착 장치의 프로세싱 챔버 내에서 수행될 수 있다. 증착 재료가 프로세싱 챔버에 제공된다. 복수의 재료들, 이를테면, 유기 재료, 분자들, 금속들, 옥사이드들, 나이트라이드들, 및 카바이드들이 기판 상에 증착을 위해 사용될 수 있다. 또한, 에칭, 구조화, 어닐링 등과 같은 다른 프로세스들이 프로세싱 챔버들 내에서 수행될 수 있다.[0002] Several methods are known for depositing a material onto a substrate. For example, substrates may use an evaporation process, a physical vapor deposition (PVD) process, such as a sputtering process, a spraying process, or the like, or a chemical vapor deposition (CVD) process. Can be coated. The process can be performed in the processing chamber of the deposition apparatus in which the substrate to be coated is located. Deposition material is provided to the processing chamber. A plurality of materials, such as organic materials, molecules, metals, oxides, nitrides, and carbides, can be used for the deposition on the substrate. In addition, other processes such as etching, structuring, annealing, and the like may be performed within the processing chambers.

[0003] 예컨대, 코팅 프로세스들은, 예컨대 디스플레이 제조 기술에서 대면적 기판들에 대해 고려될 수 있다. 코팅된 기판들은 여러 애플리케이션들 및 여러 기술 분야들에서 사용될 수 있다. 예컨대, 애플리케이션은 유기 발광 다이오드(OLED: organic light emitting diode) 패널들일 수 있다. 추가 애플리케이션들은 절연 패널들, 마이크로일렉트로닉스, 이를테면, 반도체 디바이스들, 박막 트랜지스터(TFT: thin film transistor)들을 가진 기판들, 컬러 필터들 등을 포함한다. OLED들은 전기의 인가로 광을 생성하는 (유기) 분자들의 박막들로 이루어진 고체-상태 디바이스들이다. 예로서, OLED 디스플레이들은 전자 디바이스들 상에 밝은 디스플레이들을 제공할 수 있고, 예컨대, 액정 디스플레이(LCD: liquid crystal display)들과 비교하여 감소된 전력을 사용할 수 있다. 프로세싱 챔버 내에서, 유기 분자들이 생성(예컨대, 증발, 스퍼터링, 또는 스프레잉 등)되고, 기판들 상에 층으로서 증착된다. 입자들은, 예컨대, 기판 상의 원하는 포지션들에 재료를 증착하기 위해, 예컨대 기판 상에 OLED 패턴을 형성하기 위해, 경계 또는 특정한 패턴을 갖는 마스크를 통과할 수 있다.[0003] For example, coating processes may be considered for large area substrates, for example in display manufacturing techniques. Coated substrates may be used in many applications and in various technical fields. For example, the application may be organic light emitting diode (OLED) panels. Further applications include insulating panels, microelectronics such as semiconductor devices, substrates with thin film transistors (TFTs), color filters, and the like. OLEDs are solid-state devices made of thin films of (organic) molecules that produce light by the application of electricity. By way of example, OLED displays can provide bright displays on electronic devices, for example, using reduced power compared to liquid crystal displays (LCDs). Within the processing chamber, organic molecules are produced (eg, evaporated, sputtered, or sprayed, etc.) and deposited as layers on the substrates. The particles may pass through a mask having a boundary or a specific pattern, for example to deposit material at desired positions on the substrate, such as to form an OLED pattern on the substrate.

[0004] 프로세싱된 기판, 특히 증착된 층의 품질과 관련된 양상은 마스크에 대한 기판의 정렬이다. 예로서, 정렬은 우수한 프로세스 결과들을 달성하기 위해 정확하고 안정적이어야 한다. 이러한 목적을 위해, 기판 상에 그리고 마스크 상에 존재하는 기준점(reference point)들(기점(fiducial)들)은, 증착 프로세스 전에 마스크와 기판을 정확하게 정렬하는 데 사용된다. 그러나, 이러한 기준점들 사이의 관계는 외부 간섭들, 이를테면, 진동들, 제조 허용오차들, 핸들링, 변형 등에 예민할 수 있다. 따라서, 마스크 패턴을 백플레인(예컨대, 기판) 패턴과 매칭시키기 위해 마스크와 기판이 어떻게 정렬되어야 하는지를 정의하는 소위 "오프셋 값(offset value)들"을 획득하기 위해, 자동 광학 검사(AOI; automated optical inspection)가 제공될 수 있다.[0004] An aspect related to the quality of the processed substrate, especially the deposited layer, is the alignment of the substrate with respect to the mask. As an example, the alignment should be accurate and stable to achieve good process results. For this purpose, reference points (fiducials) present on the substrate and on the mask are used to accurately align the mask and the substrate before the deposition process. However, the relationship between these reference points can be sensitive to external interferences such as vibrations, manufacturing tolerances, handling, deformation, and the like. Thus, to obtain so-called "offset values" that define how the mask and substrate should be aligned to match the mask pattern with the backplane (eg substrate) pattern, automated optical inspection (AOI). ) May be provided.

[0005] 자동 광학 검사를 사용하는 접근법은, 기판이 수평 포지션에서 코팅될 때 효과적이다. 예컨대, 수평 포지션에서의 AOI 체크는, 마스크 오프셋을 조정하기 위한 피드백을 전송하기 위해, 더미 유리 증착(dummy glass deposition)의 제조 라인의 종단(end)에서의 측정의 결과들을 사용할 수 있다.[0005] An approach using automatic optical inspection is effective when the substrate is coated in the horizontal position. For example, the AOI check in the horizontal position can use the results of the measurement at the end of the manufacturing line of dummy glass deposition to send feedback to adjust the mask offset.

[0006] 기판 및 마스크가 증착 동안 본질적으로 수직 포지션으로 유지되는 경우, 마스크와 기판 사이의 정렬에 영향을 미치는 추가적인 양상들이 나타난다. 종래의 라인 종단(end of line) 자동 광학 검사는 덜 효과적이다. 실제로, 수직 시스템에서, 기판과 마스크 둘 모두는 시스템 구성의 동일한 방향으로 작용하는 중력을 받기 때문에, 이러한 힘은, 특히 대면적 기판들의 경우, 기판과 마스크 사이의 상대적인 드리프트를 야기할 수 있다. 게다가, 프로세싱 동안, 기판은 수평 구성으로부터 수직 구성으로 이동될 수 있고 그 반대의 경우도 가능하다. 이는 마스크에 대한 기판 정렬에 영향을 미칠 수 있다. 이 경우, 예컨대 더미 유리 증착을 사용하는 라인 종단에서, 챔버 내에서의 표준 AOI 체크는 충분하지 않을 수 있다.[0006] When the substrate and the mask remain in essentially vertical position during deposition, additional aspects appear that affect the alignment between the mask and the substrate. Conventional end of line automatic optical inspection is less effective. Indeed, in a vertical system, since both the substrate and the mask are subjected to gravity acting in the same direction of the system configuration, this force can cause relative drift between the substrate and the mask, especially for large area substrates. In addition, during processing, the substrate can be moved from the horizontal configuration to the vertical configuration and vice versa. This may affect substrate alignment with respect to the mask. In this case, for example, at line terminations using dummy glass deposition, a standard AOI check in the chamber may not be sufficient.

[0007] 상기 내용을 고려하면, 심지어 기판이 수직 포지션에서 코팅되는 경우에도 기판의 개선된 자동 광학 검사를 제공할 수 있는 장치들, 시스템들, 및 방법들이 필요하다.[0007] In view of the above, there is a need for devices, systems, and methods that can provide improved automated optical inspection of a substrate even when the substrate is coated in a vertical position.

[0008] 일 실시예에 따르면, 광학 검사를 위한 장치가 제공된다. 장치는, 적어도 제1 프로세싱 챔버 및 제2 프로세싱 챔버 내에서 프로세싱된 기판을 검사하도록 구성된다. 장치는, 제1 프로세싱 챔버와 제2 프로세싱 챔버 사이에서, 제1 프로세싱 챔버 내에서 프로세싱된 기판에 대해 광학 검사를 수행하기 위한 검사 디바이스를 포함한다.[0008] According to one embodiment, an apparatus for optical inspection is provided. The apparatus is configured to inspect the substrate processed in at least the first processing chamber and the second processing chamber. The apparatus includes an inspection device for performing an optical inspection on a substrate processed in the first processing chamber, between the first processing chamber and the second processing chamber.

[0009] 다른 실시예에 따르면, 기판의 광학 검사를 위한 시스템이 제공된다. 시스템은, 적어도 제1 프로세싱 챔버 및 제2 프로세싱 챔버, 및 적어도, 제1 프로세싱 챔버로부터 기판을 수용하고 그리고 상기 기판을 제2 프로세싱 챔버로 전달하기 위한 전달 챔버(transfer chamber)를 포함하며, 전달 챔버에는 제1 프로세싱 챔버 내에서 프로세싱된 기판에 대한 광학 검사를 수행하기 위한 검사 디바이스가 제공된다.[0009] According to another embodiment, a system for optical inspection of a substrate is provided. The system includes at least a first processing chamber and a second processing chamber, and at least a transfer chamber for receiving a substrate from the first processing chamber and transferring the substrate to the second processing chamber. There is provided an inspection device for performing an optical inspection on a substrate processed in a first processing chamber.

[0010] 또 다른 실시예에 따르면, 기판의 인-라인 광학 검사를 위한 방법이 제공된다. 방법은, 기판을 제1 프로세싱 챔버로부터 수용하는 단계, 증착 파라미터들에 따라 제1 프로세싱 챔버 내에서 프로세싱된 기판에 대한 광학 검사를 수행하는 단계, 기판의 품질에 대한 정보 데이터를 획득하는 단계, 상기 정보 데이터를 제1 프로세싱 챔버에 다시(back) 전송하는 단계, 및 제1 프로세싱 챔버 내에서 후속적인 기판을 프로세싱하기 위해 증착 파라미터들을 적응시키는 단계를 포함한다.[0010] According to yet another embodiment, a method for in-line optical inspection of a substrate is provided. The method includes receiving a substrate from a first processing chamber, performing an optical inspection on a substrate processed in the first processing chamber in accordance with deposition parameters, obtaining information data about the quality of the substrate, and Transmitting the information data back to the first processing chamber, and adapting the deposition parameters to process subsequent substrates in the first processing chamber.

[0011] 또 다른 실시예에 따르면, 기판에 커플링된 마스크 엘리먼트에 대한 상기 기판의 포지션을 정렬하기 위한 시스템이 제공된다. 기판 및 마스크 엘리먼트는 본질적으로 수직 포지션에 있다. 시스템은, 기판에 대한 마스크 엘리먼트의 상대적 포지션을 광학적으로 검사하기 위한 검사 디바이스 ― 마스크 엘리먼트는 프로세싱 챔버 내에서 기판을 프로세싱하는 데 사용되고, 그리고 검사 디바이스는 상기 프로세싱 챔버 다음에 로케이팅됨 ―, 대응하는 오프셋 마스크 값(offset mask value)을 계산하기 위한 프로세싱 디바이스, 및 상기 계산된 오프셋 마스크 값에 대한 응답으로, 기판에 대한 마스크 엘리먼트의 포지션을 조정하기 위한 조정 디바이스를 포함한다.[0011] According to yet another embodiment, a system for aligning a position of a substrate relative to a mask element coupled to the substrate is provided. The substrate and mask element are in essentially vertical position. The system includes an inspection device for optically inspecting the relative position of the mask element relative to the substrate, the mask element being used to process the substrate within the processing chamber, and the inspection device located after the processing chamber, with a corresponding offset. A processing device for calculating an offset mask value, and an adjustment device for adjusting the position of the mask element relative to the substrate in response to the calculated offset mask value.

[0012] 본 개시내용의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된 본 개시내용의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있다. 첨부 도면들은 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이고, 하기에서 설명된다:
도 1은 수직 포지션의 기판을 프로세싱하기 위한 제조 시스템의 개략적인 측면도를 도시하고;
도 2는 기판 상에 OLED들을 제조하기 위한 증착 프로세스의 개략도를 도시하고;
도 3a는 프로세싱 챔버 내에서의 층 증착 동안에 기판 및 마스크를 수직 배향으로 지지하기 위한 홀딩 어레인지먼트의 개략적인 정면도를 도시하고;
도 3b는 도 3a의 홀딩 어레인지먼트의 개략적인 측면도를 도시하고;
도 4는 마스크와 커플링된 기판 및 기판의 코너 상의 세부사항의 개략도를 도시하고;
도 5는 본 개시내용의 실시예에 따른, 기판의 광학 검사를 위한 장치의 개략적인 표현을 도시하고;
도 6은 본 개시내용의 실시예에 따른 검사 디바이스의 개략적인 표현을 도시하고;
도 7은 본 개시내용의 실시예에 따른, 기판의 광학 검사를 위한 시스템의 개략적인 표현을 도시하고;
도 8은 본 개시내용의 실시예에 따른, 기판의 인-라인 광학 검사를 위한 방법을 예시하기 위한 흐름도를 도시하고; 그리고
도 9는 본 개시내용의 실시예에 따라, 마스크 엘리먼트에 대해 기판의 포지션을 정렬하기 위한 시스템의 개략적인 표현을 도시하고;
도 10a는 2개 이상의 진공 클러스터 챔버들 및 진공 클러스터 챔버들 중 하나 이상에 연결된 복수의 프로세싱 챔버들을 갖는, 본 개시내용의 실시예들에 따른 진공 프로세싱 시스템의 개략도이고; 그리고
도 10b는 도 10a의 진공 프로세싱 시스템의 개략도이고, 그리고 본 개시내용의 실시예들에 따른 진공 프로세싱 시스템 내에서의 예시적인 기판 트래픽 또는 기판들의 흐름을 예시한다.
In a manner in which the above-listed features of the present disclosure may be understood in detail, a more specific description of the disclosure briefly summarized above may be made with reference to the embodiments. The accompanying drawings relate to embodiments of the present disclosure and are described below:
1 shows a schematic side view of a manufacturing system for processing a substrate in a vertical position;
2 shows a schematic diagram of a deposition process for fabricating OLEDs on a substrate;
3A shows a schematic front view of a holding arrangement for supporting a substrate and a mask in a vertical orientation during layer deposition in a processing chamber;
FIG. 3B shows a schematic side view of the holding arrangement of FIG. 3A;
4 shows a schematic view of a substrate coupled with a mask and details on a corner of the substrate;
5 shows a schematic representation of an apparatus for optical inspection of a substrate, in accordance with an embodiment of the present disclosure;
6 shows a schematic representation of an inspection device according to an embodiment of the disclosure;
7 shows a schematic representation of a system for optical inspection of a substrate, in accordance with an embodiment of the present disclosure;
8 shows a flowchart to illustrate a method for in-line optical inspection of a substrate, in accordance with an embodiment of the present disclosure; And
9 shows a schematic representation of a system for aligning a position of a substrate with respect to a mask element, in accordance with an embodiment of the present disclosure;
10A is a schematic diagram of a vacuum processing system according to embodiments of the present disclosure having two or more vacuum cluster chambers and a plurality of processing chambers connected to one or more of the vacuum cluster chambers; And
10B is a schematic diagram of the vacuum processing system of FIG. 10A, and illustrates an example substrate traffic or flow of substrates within a vacuum processing system in accordance with embodiments of the present disclosure.

[0013] 이제 본 개시내용의 다양한 실시예들이 상세하게 참조될 것이며, 다양한 실시예들의 하나 이상의 예들이 도면들에서 예시된다. 도면들의 다음의 설명 내에서, 동일한 참조 번호들은 동일한 컴포넌트들을 지칭한다. 개별적인 실시예들에 대한 차이들만이 설명된다. 각각의 예는 본 개시내용의 설명으로 제공되며, 본 개시내용의 제한으로서 의도되지 않는다. 또한, 일 실시예의 부분으로서 예시되거나 또는 설명되는 피처(feature)들은, 또 다른 추가적인 실시예를 산출하기 위해, 다른 실시예들에 대해 또는 다른 실시예들과 함께 사용될 수 있다. 설명은 그러한 수정들 및 변형들을 포함하도록 의도된다.[0013] Reference will now be made in detail to various embodiments of the present disclosure, in which one or more examples of various embodiments are illustrated in the drawings. Within the following description of the drawings, like reference numerals refer to like components. Only differences to individual embodiments are described. Each example is provided by way of explanation of the disclosure and is not intended as a limitation of the disclosure. In addition, features illustrated or described as part of one embodiment may be used with or with other embodiments to yield another additional embodiment. The description is intended to include such modifications and variations.

[0014] 본원에서 설명되는 실시예들은, 예컨대, 제조되는 디스플레이들을 위한 대면적 코팅된 기판들을 검사하는 데 활용될 수 있다. 기판들 또는 기판 수용 영역들 ― 이들을 위해, 본원에서 설명되는 장치들 및 방법들이 구성됨 ― 은, 예컨대, 1 m² 또는 그 초과의 사이즈를 갖는 대면적 기판들일 수 있다. 예컨대, 대면적 기판 또는 캐리어는 대략 0.67 ㎡ 기판들(0.73 × 0.92m)에 대응하는 GEN 4.5, 대략 1.4 ㎡ 기판들(1.1m × 1.3m)에 대응하는 GEN 5, 대략 4.29 ㎡ 기판들(1.95m × 2.2m)에 대응하는 GEN 7.5, 대략 5.7㎡ 기판들(2.2m × 2.5m)에 대응하는 GEN 8.5, 또는 심지어 대략 8.7㎡ 기판들(2.85m × 3.05m)에 대응하는 GEN 10일 수 있다. GEN 11 및 GEN 12와 같은 훨씬 더 큰 세대(generation)들 및 대응하는 기판 면적들이 유사하게 구현될 수 있다. 예컨대, OLED 디스플레이 제조의 경우, GEN 6을 포함하여, 위에서 언급된 기판 세대들의 절반 사이즈들이, 재료를 증발시키기 위한 장치의 증발에 의해 코팅될 수 있다. 기판 세대의 절반 사이즈들은, 전체 기판 사이즈에 대해 실행되는 일부 프로세스들, 및 이전에 프로세싱된 기판의 절반에 대해 실행되는 후속적인 프로세스들로부터 초래될 수 있다.[0014] Embodiments described herein can be utilized, for example, to inspect large area coated substrates for manufactured displays. Substrates or substrate receiving regions, for which the apparatuses and methods described herein are constructed, can be, for example, large area substrates having a size of 1 m 2 or more. For example, a large area substrate or carrier may comprise GEN 4.5 corresponding to approximately 0.67 m 2 substrates (0.73 × 0.92 m), GEN 5 corresponding to approximately 1.4 m 2 substrates (1.1 m × 1.3 m), approximately 4.29 m 2 substrates (1.95). GEN 7.5 corresponding to m × 2.2 m), GEN 8.5 corresponding to approximately 5.7 m 2 substrates (2.2 m × 2.5 m), or even GEN 10 corresponding to approximately 8.7 m 2 substrates (2.85 m × 3.05 m) have. Even larger generations and corresponding substrate areas such as GEN 11 and GEN 12 can be similarly implemented. For example, in the case of OLED display manufacture, half sizes of the substrate generations mentioned above, including GEN 6, can be coated by evaporation of the device for evaporating the material. Half sizes of substrate generation may result from some processes executed for the entire substrate size, and subsequent processes executed for half of the previously processed substrate.

[0015] 본원에서 사용되는 바와 같은 "기판"이라는 용어는 특히, 실질적으로 비가요성 기판들, 예컨대 웨이퍼, 사파이어 등과 같은 투명한 크리스털의 슬라이스들, 또는 유리 플레이트를 포괄할 수 있다. 그러나, 본 개시내용은 이들로 제한되지 않으며, "기판"이라는 용어는, 가요성 기판들, 이를테면, 웹 또는 포일을 포괄할 수 있다. "실질적으로 비가요성"이라는 용어는 "가요성"과 구별되는 것으로 이해된다. 구체적으로, 실질적으로 비가요성 기판은 소정의 정도의 유연성, 예컨대 0.5 mm 또는 그 미만의 두께를 갖는 유리 플레이트를 가질 수 있으며, 실질적으로 비가요성 기판의 유연성은 가요성 기판들에 비해 작다.[0015] The term "substrate" as used herein may encompass, in particular, substantially inflexible substrates such as slices of transparent crystals, such as wafers, sapphires, or the like, or glass plates. However, the present disclosure is not limited to these, and the term "substrate" may encompass flexible substrates, such as a web or a foil. The term "substantially inflexible" is understood to be distinguished from "flexible". In particular, the substantially inflexible substrate may have a glass plate having a certain degree of flexibility, such as a thickness of 0.5 mm or less, and the flexibility of the substantially inflexible substrate is small compared to flexible substrates.

[0016] 기판은 재료 증착에 적합한 임의의 재료로 제조될 수 있다. 예컨대, 기판은, 증착 프로세스에 의해 코팅될 수 있는 유리(예컨대, 소다-석회 유리, 보로실리케이트 유리 등), 금속, 폴리머, 세라믹, 화합물 재료들, 탄소 섬유 재료들, 금속 또는 임의의 다른 재료 또는 재료들의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 재료로 제조될 수 있다.[0016] The substrate can be made of any material suitable for material deposition. For example, the substrate may be a glass (eg, soda-lime glass, borosilicate glass, etc.), metal, polymer, ceramic, compound materials, carbon fiber materials, metal or any other material that may be coated by a deposition process or It may be made of a material selected from the group consisting of a combination of materials.

[0017] 도 1은 수직 포지션의 기판을 프로세싱하기 위한 제조 시스템(1000)을 예시한다. 본 개시내용에 따른 장치들, 시스템들, 및 방법들은 그러한 제조 시스템(1000) 또는 유사한 제조 시스템의 부분일 수 있다. 특히, 제조 시스템(1000)은 로드 록 챔버(1010)를 포함하며, 로드 록 챔버(1010)는 수평 기판 핸들링 챔버(1020)에 연결된다. 기판은 유리 핸들링 챔버(1020)로부터 진공 스윙 모듈(vacuum swing module)(1030)로 전달될 수 있으며, 기판은 캐리어 상에 수평 포지션으로 로딩된다. 캐리어 상에 수평 포지션으로 기판을 로딩한 후에, 진공 스윙 모듈(1030)은, 기판이 상부에 제공된 캐리어를 수직 또는 본질적으로 수직 배향으로 회전시킨다.[0017] 1 illustrates a manufacturing system 1000 for processing a substrate in a vertical position. The apparatus, systems, and methods in accordance with the present disclosure may be part of such a manufacturing system 1000 or similar manufacturing system. In particular, manufacturing system 1000 includes a load lock chamber 1010, which is connected to a horizontal substrate handling chamber 1020. The substrate may be transferred from the glass handling chamber 1020 to a vacuum swing module 1030, which is loaded in a horizontal position on the carrier. After loading the substrate in a horizontal position on the carrier, the vacuum swing module 1030 rotates the carrier provided with the substrate in a vertical or essentially vertical orientation.

[0018] 이어서, 기판이 상부에 제공된 캐리어는, 본질적으로 수직 배향을 갖는, 제1 회전 및 이송 챔버(1040) 및 적어도 하나의 추가의 회전 및 이송 챔버(1041-1045)를 통해 전달된다. 회전 및 이송 챔버들(1040-1045) 내에서, 기판은, 예컨대, 기판이 프로세싱 챔버로부터 수용될 때, 90°, 180°, 270°, 또는 360°만큼 회전될 수 있고, 다른 진공 챔버로 전달될 수 있으며, 기판은 수직 포지션으로 유지된다. 하나 이상의 증착 장치들(1050)이 회전 및 이송 챔버들에 연결될 수 있다. 또한, 다른 기판 프로세싱 챔버들 또는 다른 진공 챔버들이 회전 및 이송 챔버들 중 하나 이상에 연결될 수 있다.[0018] The carrier, on which the substrate is provided, is then transferred through the first rotational and transfer chamber 1040 and at least one additional rotational and transfer chamber 1041-1045 having an essentially vertical orientation. Within the rotation and transfer chambers 1040-1045, the substrate can be rotated by 90 °, 180 °, 270 °, or 360 °, for example when the substrate is received from the processing chamber, and transferred to another vacuum chamber. The substrate is held in a vertical position. One or more deposition apparatuses 1050 may be connected to the rotating and transfer chambers. Also, other substrate processing chambers or other vacuum chambers may be connected to one or more of the rotating and transfer chambers.

[0019] 도 10a 및 10b와 관련하여 설명되는 바와 같이, 회전 챔버는 또한, 클러스터 챔버 또는 진공 회전 모듈로 지칭될 수 있다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 2개 이상의 클러스터 챔버들, 즉, 회전 챔버들 또는 진공 회전 챔버들이 인-라인 어레인지먼트 내에 제공될 수 있다.[0019] As described in connection with FIGS. 10A and 10B, the rotating chamber may also be referred to as a cluster chamber or a vacuum rotating module. According to embodiments described herein, two or more cluster chambers, ie rotation chambers or vacuum rotation chambers, may be provided in the in-line arrangement.

[0020] 기판의 프로세싱 후에, 기판이 상부에 있는 캐리어는 회전 및 이송 챔버로부터 진공 스윙 모듈(1030) 또는 선택적인 추가의 진공 스윙 모듈(1031)로 수직 배향으로 전달된다. 다시 말해, 프로세싱된 기판은 시스템에서 나가서 진공 스윙 모듈(1030)로 다시(back) 전달되거나 또는 추가의 진공 스윙 모듈(1031)을 포함하는 시스템의 선택적인 부분(1070)을 통과할 수 있다. 진공 스윙 모듈(1030) 또는 추가의 진공 스윙 모듈(1031)은, 기판을 상부에 갖는 캐리어를 수직 배향으로부터 수평 배향으로 회전시킬 수 있다. 그 후에, 기판은 유리 핸들링 챔버(1020) 또는 추가의 수평 유리 핸들링 챔버(1021) 내로 언로딩될 수 있다. 프로세싱된 기판은, 예컨대, 제조된 디바이스가 박막 캡슐화 챔버(thin-film encapsulation chamber)들(1060 또는 1061) 중 하나에서 캡슐화된 후에, 로드 록 챔버, 예컨대 로드 록 챔버(1010) 또는 로드 록 챔버(1011)를 통해 프로세싱 시스템(1000)으로부터 언로딩될 수 있다.[0020] After processing of the substrate, the carrier on which the substrate is on top is transferred in a vertical orientation from the rotating and transfer chamber to the vacuum swing module 1030 or optional additional vacuum swing module 1031. In other words, the processed substrate may exit the system and pass back to the vacuum swing module 1030 or pass through an optional portion 1070 of the system that includes an additional vacuum swing module 1031. The vacuum swing module 1030 or additional vacuum swing module 1031 can rotate the carrier with the substrate thereon from vertical orientation to horizontal orientation. Thereafter, the substrate can be unloaded into the glass handling chamber 1020 or additional horizontal glass handling chamber 1021. The processed substrate may be, for example, a load lock chamber such as a load lock chamber 1010 or a load lock chamber after the fabricated device is encapsulated in one of the thin-film encapsulation chambers 1060 or 1061. 1011 may be unloaded from the processing system 1000.

[0021] 프로세싱 챔버는 진공 챔버 또는 진공 증착 챔버일 수 있다. 본원에서 사용되는 바와 같은 "진공"이라는 용어는, 예컨대 10 mbar 미만의 진공 압력을 갖는 기술적 진공의 의미로 이해될 수 있다. 시스템(1000)은 진공 챔버 내부의 진공의 생성을 위해 진공 챔버에 연결된 하나 이상의 진공 펌프들, 이를테면, 터보 펌프들 및/또는 크라이오-펌프(cryo-pump)들을 포함할 수 있다.[0021] The processing chamber may be a vacuum chamber or a vacuum deposition chamber. The term "vacuum" as used herein may be understood in the sense of a technical vacuum having a vacuum pressure of less than 10 mbar, for example. System 1000 may include one or more vacuum pumps, such as turbo pumps and / or cryo-pumps, connected to a vacuum chamber for the creation of a vacuum inside the vacuum chamber.

[0022] 일부 실시예들에 따르면, 그리고 도 1에 도시된 바와 같이, 하나 이상의 회전 및 이송 챔버들(1040-1045)은, 시스템의 인-라인(in-line) 이송 시스템 부분을 제공하기 위한 라인을 따라 제공된다.[0022] According to some embodiments, and as shown in FIG. 1, one or more rotational and transfer chambers 1040-1045 are along a line to provide an in-line transfer system portion of the system. Is provided.

[0023] 도 2는 기판(10) 상에 OLED들을 제조하기 위한 증착 프로세스의 개략도를 도시하는 반면, 도 3a 및 3b는 프로세싱 챔버 내에서의 층 증착 동안에 기판(10)을 기판 캐리어(11) 상에 지지하고 그리고 마스크(20)를 마스크 캐리어(21) 상에 지지하기 위한 홀딩 어레인지먼트(40)의 예를 도시하며, 기판(10) 및 마스크(20)는 본질적으로 수직 포지션으로 유지된다.[0023] FIG. 2 shows a schematic diagram of a deposition process for fabricating OLEDs on substrate 10, while FIGS. 3A and 3B support substrate 10 on substrate carrier 11 during layer deposition in a processing chamber. And an example of a holding arrangement 40 for supporting the mask 20 on the mask carrier 21, wherein the substrate 10 and the mask 20 remain essentially in a vertical position.

[0024] 도 2에 도시된 바와 같이, OLED들을 제조하는 경우, 유기 분자들이 증착 소스(30)에 의해 제공되어(예컨대, 증발됨) 기판(10) 상에 증착된다. 마스크(20)를 포함하는 마스크 어레인지먼트는 기판(10)과 증착 소스(30) 사이에 포지셔닝된다. 마스크(20)는, 예컨대, 복수의 개구들 또는 홀들(22)에 의해 제공되는 특정 패턴을 가져서, 유기 분자들이 (예컨대, 경로(32)를 따라) 개구들 또는 홀들(22)을 통과하여 기판(10) 상에 유기 화합물의 패터닝된 층 또는 막을 증착한다. 예컨대, 복수의 층들 또는 막들은, 예컨대 상이한 컬러 특성들을 갖는 픽셀들을 생성하기 위해, 기판(10)에 대해 상이한 마스크들 또는 마스크(20) 포지션들을 사용하여 기판(10) 상에 증착될 수 있다. 예로서, 제1 층 또는 막은 적색 픽셀들(34)을 생성하도록 증착될 수 있고, 제2 층 또는 막은 녹색 픽셀들(36)을 생성하도록 증착될 수 있고, 제3 층 또는 막은 청색 픽셀들(38)을 생성하도록 증착될 수 있다. 층(들) 또는 막(들), 예컨대 유기 재료는 2개의 전극들, 이를테면, 애노드와 캐소드(도시되지 않음) 사이에 배열될 수 있다. 2개의 전극들 중 적어도 하나의 전극은 투명할 수 있다.[0024] As shown in FIG. 2, when manufacturing OLEDs, organic molecules are provided by the deposition source 30 (eg, evaporated) and deposited onto the substrate 10. A mask arrangement comprising the mask 20 is positioned between the substrate 10 and the deposition source 30. The mask 20 has, for example, a particular pattern provided by the plurality of openings or holes 22 such that organic molecules pass through the openings or holes 22 (eg, along the path 32) to the substrate. A patterned layer or film of organic compound is deposited on (10). For example, a plurality of layers or films may be deposited on the substrate 10 using different masks or mask 20 positions relative to the substrate 10, for example, to produce pixels with different color characteristics. By way of example, the first layer or film may be deposited to produce red pixels 34, the second layer or film may be deposited to produce green pixels 36, and the third layer or film may be deposited by blue pixels ( 38). Layer (s) or film (s), such as an organic material, may be arranged between two electrodes, such as an anode and a cathode (not shown). At least one of the two electrodes may be transparent.

[0025] 기판(10) 및 마스크(20)는 증착 프로세스 동안 수직 배향으로 배열될 수 있다. 도 2에서, 화살표들은 수직 방향(Y) 및 수평 방향(X)을 표시한다. 본 개시내용 전반에 걸쳐 사용되는 바와 같이, "수직 방향" 또는 "수직 배향"이라는 용어는 "수평 방향" 또는 "수평 배향"과 구별되는 것으로 이해된다. 즉, "수직 방향" 또는 "수직 배향"은, 예컨대, 홀딩 어레인지먼트 및 기판의 실질적으로 수직 배향과 관련되며, 정확한 수직 방향 또는 수직 배향으로부터의 수 도, 예컨대 최대 10° 또는 심지어 최대 15°의 편차는 여전히 "실질적으로 수직 방향" 또는 "실질적으로 수직 배향"으로서 고려된다. 수직 방향은 중력에 실질적으로 평행할 수 있다.[0025] Substrate 10 and mask 20 may be arranged in a vertical orientation during the deposition process. In FIG. 2, the arrows indicate the vertical direction (Y) and the horizontal direction (X). As used throughout this disclosure, the terms "vertical direction" or "vertical orientation" are understood to be distinct from "horizontal direction" or "horizontal orientation". That is, the "vertical direction" or "vertical orientation" relates to, for example, the substantially vertical orientation of the holding arrangement and the substrate, and the deviation from the exact vertical direction or vertical orientation, for example up to 10 ° or even up to 15 °. Is still considered as "substantially vertical" or "substantially vertical". The vertical direction may be substantially parallel to gravity.

[0026] 도 3a는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 시스템들 및 장치들에서 사용될 수 있는, 프로세싱 챔버 내에서의 층 증착 동안에 기판 캐리어(11) 및 마스크 캐리어(21)를 지지하기 위한 홀딩 어레인지먼트(40)의 개략도를 도시한다. 도 3b는 도 3a에 도시된 홀딩 어레인지먼트(40)의 측면도를 도시한다.[0026] 3A shows a holding arrangement 40 for supporting a substrate carrier 11 and a mask carrier 21 during layer deposition in a processing chamber, which may be used in systems and apparatuses in accordance with embodiments described herein. A schematic diagram of the is shown. 3B shows a side view of the holding arrangement 40 shown in FIG. 3A.

[0027] 수직-동작식 툴들 상에서 사용되는 정렬 시스템들은 프로세싱 챔버의 외부로부터, 즉, 대기 측(atmospheric side)으로부터 작동할 수 있다. 정렬 시스템은, 예컨대 프로세싱 챔버의 벽을 통해 연장되는 강성 아암(stiff arm)들로 기판 캐리어 및 마스크 캐리어에 연결될 수 있다. 진공 외부의 정렬 시스템의 경우, 마스크 캐리어 또는 마스크와 기판 캐리어 또는 기판 사이의 기계적인 경로는 길어서, 시스템을 외부 간섭(진동들, 가열 등) 및 허용오차들에 대해 민감하게 만든다.[0027] Alignment systems used on vertically-actuated tools can operate from outside of the processing chamber, ie from the atmospheric side. The alignment system may be connected to the substrate carrier and the mask carrier with, for example, stiff arms extending through the wall of the processing chamber. In the case of an alignment system outside the vacuum, the mechanical path between the mask carrier or mask and the substrate carrier or substrate is long, making the system sensitive to external interference (vibrations, heating, etc.) and tolerances.

[0028] 부가적으로 또는 대안적으로, 정렬 시스템의 액추에이터가 진공 챔버 내에 포함될 수 있다. 따라서, 강성 아암의 길이가 감소될 수 있다. 예컨대, 기판 캐리어 및 마스크 캐리어와 기계적으로 접촉할 수 있는 액추에이터는, 마스크 캐리어를 위한 트랙과 기판 캐리어를 위한 트랙 사이에 적어도 부분적으로 제공될 수 있다.[0028] Additionally or alternatively, an actuator of the alignment system may be included in the vacuum chamber. Thus, the length of the rigid arm can be reduced. For example, an actuator capable of mechanical contact with the substrate carrier and the mask carrier may be provided at least partially between the track for the mask carrier and the track for the substrate carrier.

[0029] 홀딩 어레인지먼트(40)는, 기판 캐리어(11)와 마스크 캐리어(21) 중 적어도 하나에 연결가능한 2개 이상의 정렬 액추에이터들을 포함할 수 있으며, 홀딩 어레인지먼트(40)는 제1 평면에서 또는 제1 평면과 평행하게 기판 캐리어(11)를 지지하도록 구성되며, 2개 이상의 정렬 액추에이터들 중 제1 정렬 액추에이터(41)는, 적어도 제1 방향(Y)으로, 기판 캐리어(11) 및 마스크 캐리어(21)를 서로에 대해 이동시키도록 구성될 수 있으며, 2개 이상의 정렬 액추에이터들 중 제2 정렬 액추에이터(42)는, 적어도 제1 방향(Y) 및 제1 방향(Y)과 상이한 제2 방향(X)으로, 기판 캐리어(11) 및 마스크 캐리어(21)를 서로에 대해 이동시키도록 구성될 수 있으며, 제1 방향(Y) 및 제2 방향(X)은 제1 평면에 있다. 2개 이상의 정렬 액추에이터들은 또한, "정렬 블록들"로 지칭될 수 있다. 따라서, 정렬 블록들 또는 정렬 액추에이터들은 마스크(20)에 대해 기판(10)의 포지션을 변경할 수 있다. 예컨대, 마스크 캐리어 및/또는 기판 캐리어는 프로세싱 영역에서 부상된 상태로 이송되어서 입자 생성을 감소시킬 수 있다. 프로세싱 영역에서, 마스크 캐리어 및 기판 캐리어는 하나 이상의 정렬 액추에이터들에 의해 기계적으로 접촉될 수 있다.[0029] The holding arrangement 40 may comprise two or more alignment actuators connectable to at least one of the substrate carrier 11 and the mask carrier 21, the holding arrangement 40 being in a first plane or with a first plane. Configured to support the substrate carrier 11 in parallel, wherein the first alignment actuator 41 of the two or more alignment actuators, at least in the first direction Y, holds the substrate carrier 11 and the mask carrier 21. Can be configured to move relative to each other, wherein the second alignment actuator 42 of the two or more alignment actuators is at least in a first direction Y and in a second direction X different from the first direction Y The substrate carrier 11 and the mask carrier 21 can be configured to move relative to each other, wherein the first direction Y and the second direction X are in the first plane. Two or more alignment actuators may also be referred to as “align blocks”. Thus, alignment blocks or alignment actuators may change the position of the substrate 10 relative to the mask 20. For example, the mask carrier and / or substrate carrier may be transported in a floating state in the processing area to reduce particle generation. In the processing area, the mask carrier and the substrate carrier may be mechanically contacted by one or more alignment actuators.

[0030] 도 3b에 도시된 바와 같이, 마스크(20)는 마스크 캐리어(21)에 부착될 수 있고, 홀딩 어레인지먼트(40)는, 특히 층 증착 동안, 기판 캐리어(11) 및 마스크 캐리어(21) 중 적어도 하나, 특히 기판 캐리어(11) 및 마스크 캐리어(21) 둘 모두를 실질적으로 수직 배향으로 지지하도록 구성된다. 증착은 도 3b에 예시된 화살표에 따른 방향(Z)을 따라 발생한다.[0030] As shown in FIG. 3B, the mask 20 can be attached to the mask carrier 21, and the holding arrangement 40 is at least one of the substrate carrier 11 and the mask carrier 21, especially during layer deposition. , In particular, is configured to support both the substrate carrier 11 and the mask carrier 21 in a substantially vertical orientation. Deposition occurs along the direction Z according to the arrows illustrated in FIG. 3B.

[0031] 2개 이상의 정렬 액추에이터들을 사용하여, 적어도 제1 방향(Y) 및 제2 방향(X)으로, 기판 캐리어(11) 및 마스크 캐리어(21)를 서로에 대해 이동시킴으로써, 기판 캐리어(11)는 마스크 캐리어(21) 또는 마스크(20)에 대해 정렬될 수 있고, 증착되는 층들의 품질이 개선될 수 있다.[0031] By moving the substrate carrier 11 and the mask carrier 21 relative to each other in at least the first direction Y and the second direction X using two or more alignment actuators, the substrate carrier 11 is a mask It may be aligned with respect to the carrier 21 or the mask 20 and the quality of the layers deposited may be improved.

[0032] 정렬 블록들의 작동에 의해, 기판(10)에 대해 마스크(20)의 포지션의 조정을 수행하는 경우, 정확한 정렬에 대한 가능한 가변도(variance)들 또는 편차(deviation)들을 체크하기 위해, 광학 검사가 수행될 수 있다. 위에서 언급된 바와 같이, 이러한 목적을 위해 기점 기준점들이 고려될 수 있다. 기점들은, 예컨대 중앙에 원형 순 구리(round bare copper)가 있는, 예컨대 솔더 마스크 개구들일 수 있는 패턴 인식 마커들이다. 예컨대, 기점들은 기판/마스크 엘리먼트의 코너 에지들 근처에 로케이팅되며, 검출된 이미지들을 저장된 정보 데이터와 비교하는 이미지 검출 시스템을 사용하여 인식된다. 기판에 대한 기점들의 위치 ― 예컨대, 시스템의 메모리에 저장됨 ― 를 측정함으로써, 정확한 배치를 보장하기 위해 부분들, 예컨대 마스크가 기판에 대해 이동되는 정도를 컴퓨팅하는 것이 가능하다.[0032] When performing the adjustment of the position of the mask 20 relative to the substrate 10 by the operation of the alignment blocks, an optical inspection is performed to check for possible variations or deviations for correct alignment. Can be performed. As mentioned above, origin reference points may be considered for this purpose. The origins are pattern recognition markers, which may be, for example, solder mask openings with round bare copper in the center. For example, the origins are located near the corner edges of the substrate / mask element and recognized using an image detection system that compares the detected images with stored information data. By measuring the location of the origins relative to the substrate, such as stored in the memory of the system, it is possible to compute the extent to which the portions, such as the mask, are moved relative to the substrate to ensure accurate placement.

[0033] 도 4는, 예컨대, 본 개시내용에 따른 장치들 및 시스템들에서 이용되는 상이한 특성들을 갖는 픽셀들을 갖는 디바이스들(12)을 형성하기 위하여, 유기 재료의 증착을 위해 마스크(20)와 커플링된 기판(10)의 예를 도시한다. 도 4에 도시된 바와 같이, 마스크(20)에는, 증착 전에 기판(10)을 마스크(20)에 대해 정렬하기 위해, 코너들에 기점들(22)이 제공된다.[0033] 4 is coupled with a mask 20 for the deposition of an organic material, for example, to form devices 12 having pixels with different characteristics used in apparatuses and systems according to the present disclosure. An example of the substrate 10 is shown. As shown in FIG. 4, the mask 20 is provided with starting points 22 at corners to align the substrate 10 with respect to the mask 20 prior to deposition.

[0034] 도 5는 본 개시내용의 실시예에 따른 광학 검사를 위한 장치(50)를 도시한다. 장치(50)는, 적어도 제1 프로세싱 챔버(51) 및 제2 프로세싱 챔버(52) 내에서 프로세싱된 기판(10)을 광학적으로 검사하도록 구성될 수 있다. 장치(50)는, 제1 프로세싱 챔버(51)와 제2 프로세싱 챔버(52) 사이에서, 제1 프로세싱 챔버(51) 내에서 프로세싱된 기판(10)에 대해 광학 검사를 수행하기 위한 검사 디바이스(60)를 포함할 수 있다. 다시 말해, 장치(50)는, 예컨대, 기판(10)의 인-라인 프로세싱 시스템의 이송 경로, 즉, 제1 프로세싱 챔버(51)와 제2 프로세싱 챔버(52) 사이의 이송 경로를 따라 로케이팅될 수 있다.[0034] 5 shows an apparatus 50 for optical inspection according to an embodiment of the disclosure. The apparatus 50 may be configured to optically inspect the substrate 10 processed in at least the first processing chamber 51 and the second processing chamber 52. The apparatus 50 includes an inspection device for performing optical inspection on the substrate 10 processed in the first processing chamber 51, between the first processing chamber 51 and the second processing chamber 52. 60). In other words, the device 50 is located along a transfer path of, for example, the in-line processing system of the substrate 10, ie, the transfer path between the first processing chamber 51 and the second processing chamber 52. Can be.

[0035] 도 5의 제1 및 제2 프로세싱 챔버들 내의 점선들(10' 및 10'')은, 장치(50)가 제1 프로세싱 챔버(51)로부터 프로세싱된 기판을 수용할 수 있고 그 기판은 제2 프로세싱 챔버(52)에 전달될 것임을 도시한다. 제1 프로세싱 챔버(51)와 장치(50) 사이에는, 추가의 중간 챔버들이 제공될 수 있다. 유사한 방식으로, 장치(50)와 제2 프로세싱 챔버(52) 사이에는, 추가의 중간 챔버들이 제공될 수 있다. 유리하게, 장치(50)는 적어도 프로세싱 챔버(51) 다음에 그리고 프로세싱 챔버(52) 전에 로케이팅된다. 도 1을 참조하면, 장치(50)는 마지막 프로세싱 챔버(1050)와 선택적인 진공 스윙 모듈(1031) 사이의 라인의 종단에 로케이팅될 수 있다. 장치(50)가 라인의 종단에 로케이팅되는 경우, 광학 검사는 진공 챔버, 즉, 회전 및 이송 챔버 내에서 수행될 수 있다. 이러한 방식으로, 프로세싱된 기판은 유기 재료의 증착/증발 동안과 동일한 압력 컨디션들 하에서 광학적으로 검사된다.[0035] Dotted lines 10 ′ and 10 ″ in the first and second processing chambers of FIG. 5 allow the device 50 to receive a substrate processed from the first processing chamber 51 and the substrate is second. It will be delivered to the processing chamber 52. Between the first processing chamber 51 and the apparatus 50, additional intermediate chambers may be provided. In a similar manner, additional intermediate chambers may be provided between the apparatus 50 and the second processing chamber 52. Advantageously, the device 50 is located at least after the processing chamber 51 and before the processing chamber 52. Referring to FIG. 1, the device 50 may be located at the end of the line between the last processing chamber 1050 and the optional vacuum swing module 1031. When the device 50 is located at the end of the line, optical inspection can be performed in a vacuum chamber, ie a rotation and transfer chamber. In this way, the processed substrate is optically inspected under the same pressure conditions as during deposition / evaporation of the organic material.

[0036] 광학 검사는 프로세싱 후에 발생하며, 따라서, 프로세싱된 기판(10)에 대해 수행된다. 예컨대, 더미 기판을 프로세싱하기 위해 생산 라인을 중단시킬 필요가 없으며, 검사는 실제 프로세싱된 기판에 대해 (즉, 더미 증착을 갖는 기판에 대해서가 아님) 수행될 수 있다. 증착 동안에 기판(10)에 대한 마스크(20)의 정렬에 영향을 미치는 파라미터들이 고려될 수 있다. 특히, 본 개시내용에 따른 광학 검사를 위한 장치(50)는 실제 기판과의 픽셀 포지션 정확도를 체크한다. 광학 검사는 특히, 정지되어 있는 프로세싱된 기판(10)에 대해 수행될 수 있는데, 즉, 프로세싱된 기판(10)은 검사 디바이스(60)에 대해 정지되어 있다.[0036] Optical inspection occurs after processing and, therefore, is performed on the processed substrate 10. For example, there is no need to interrupt the production line to process the dummy substrate, and the inspection can be performed on the actual processed substrate (ie not on a substrate with dummy deposition). Parameters that affect the alignment of the mask 20 with respect to the substrate 10 during deposition can be considered. In particular, the apparatus 50 for optical inspection according to the present disclosure checks the pixel position accuracy with the actual substrate. Optical inspection can in particular be performed on a processed substrate 10 that is stationary, that is, the processed substrate 10 is stationary relative to the inspection device 60.

[0037] "프로세싱된 기판"이라는 용어는 적어도 프로세싱, 예컨대 층 재료(유기 또는 비-유기)의 증착에 종속되는 기판으로 본원에서 의도될 수 있으며, 적어도 마스크 엘리먼트는 기판에 커플링되고, 마스크 엘리먼트는 특정 패턴을 가지며, 재료의 입자들이 그 특정 패턴을 통해 전달되어 기판의 원하는 부분들에 층 재료가 증착된다.[0037] The term “processed substrate” may be intended herein as a substrate that is subject to at least processing, such as deposition of layer material (organic or non-organic), at least the mask element being coupled to the substrate, the mask element being a particular pattern And particles of material are transferred through the particular pattern to deposit the layer material on the desired portions of the substrate.

[0038] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는, 본 개시내용의 일부 실시예들에 따르면, 검사 디바이스(60)는, 본질적으로 수직 포지션의 프로세싱된 기판(10)의 광학 검사를 위해 구성될 수 있다.[0038] According to some embodiments of the present disclosure, which may be combined with other embodiments described herein, the inspection device 60 may be configured for optical inspection of the processed substrate 10 in an essentially vertical position. Can be.

[0039] 유리하게, 제1 프로세싱 챔버(51)로부터 장치(50)로 전달함으로써, 프로세싱된 기판(10)은 임의의 상당한 배향 변화 또는 기판 스윙을 겪지 않는데, 즉, 프로세싱된 기판(10)은 본질적으로 수직 포지션으로 유지된다. 이러한 방식으로, 기판(10)을 프로세싱한 후에, 어떤 불필요한 지연 없이, 광학 검사가 수행될 수 있다.[0039] Advantageously, by transferring from the first processing chamber 51 to the device 50, the processed substrate 10 does not undergo any significant orientation change or substrate swing, ie the processed substrate 10 is essentially vertical. It stays in position. In this way, after processing the substrate 10, optical inspection can be performed without any unnecessary delay.

[0040] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는, 본 개시내용의 일부 실시예들에 따르면, 검사 디바이스(60)는 오프셋 마스크 값을 검출할 수 있고, 상기 오프셋 마스크 값은 마스크 엘리먼트(20)에 대한 기판(10)의 상대적 포지션에 대응한다.[0040] According to some embodiments of the present disclosure, which may be combined with other embodiments described herein, the inspection device 60 may detect an offset mask value, the offset mask value being the mask element 20. Corresponds to the relative position of the substrate 10 relative to.

[0041] 본 개시내용에 따른 검사 디바이스(60)를 사용하여, 프로세싱된 기판(10)에 대한 오프셋 마스크 값을 검출함으로써, 증착 동안의 기판(10)에 대한 마스크(20)의 정렬을 제어하는 것이 가능하다. 이 오프셋 값이, 미리 결정된 허용오차 값들을 초과하는 오정렬을 초래하면, 장치(50)는 이러한 정보를 이전의 프로세싱 챔버(즉, 제1 프로세싱 챔버(51))에 피드백하도록 구성될 수 있다. 피드백은 검출된 오프셋 마스크 값을 보상하도록 정렬 블록들에 작용할 수 있다.[0041] By using the inspection device 60 according to the present disclosure, it is possible to control the alignment of the mask 20 with respect to the substrate 10 during deposition by detecting an offset mask value for the processed substrate 10. . If this offset value results in misalignment exceeding predetermined tolerance values, the apparatus 50 may be configured to feed this information back to the previous processing chamber (ie, the first processing chamber 51). Feedback may act on the alignment blocks to compensate for the detected offset mask value.

[0042] 상기 결정된 허용오차 값들은, 검출된 오프셋 마스크 값이 최종 제품에 대해 여전히 허용가능한 것으로 고려될 수 있도록 또는 오프셋 마스크 값이 최종 제품에 대해 허용가능하지 않도록, 설정될 수 있다. 두 경우들 모두에서, 이전의 프로세싱 챔버 내에 존재하는 기판 캐리어 또는 마스크 캐리어에 대한 정렬 액추에이터들이 작동되어, 검출된 오프셋을 보상한다. 그러나, 제1 경우에서, 광학 검사된 기판은 결국, 생산 프로세스를 완료하기 위해 추가의 프로세싱 챔버(들)에 전달될 수 있는 반면, 제2 경우에서, 광학적으로 검사된 기판은 상기 기판이 폐기(dismiss)될 수 있는 챔버에 전달될 수 있다.[0042] The determined tolerance values may be set such that the detected offset mask value may still be considered acceptable for the final product or so that the offset mask value is not acceptable for the final product. In both cases, alignment actuators for the substrate carrier or mask carrier present in the previous processing chamber are activated to compensate for the detected offset. In the first case, however, the optically inspected substrate may in turn be transferred to additional processing chamber (s) to complete the production process, while in the second case, the optically inspected substrate is discarded ( can be delivered to a chamber that can be dismissed.

[0043] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는, 본 개시내용의 일부 실시예들에 따르면, 검사 디바이스(60)는 적어도, 프로세싱된 기판(10)을 일루미네이팅(illuminating)하기 위한 광원(62), 기판(10)의 적어도 일부의 하나 이상의 이미지들을 취하기 위한 하나 이상의 캡처 디바이스들(64), 및 캡처된 이미지들을 프로세싱하기 위한 프로세싱 디바이스(66)를 포함할 수 있다. 이는 도 6에 개략적으로 도시된다.[0043] According to some embodiments of the present disclosure, which may be combined with other embodiments described herein, the inspection device 60 includes at least a light source for illuminating the processed substrate 10. 62, one or more capture devices 64 for taking one or more images of at least a portion of the substrate 10, and a processing device 66 for processing the captured images. This is shown schematically in FIG. 6.

[0044] 적어도 광원(62) 및 이미지 캡처 디바이스(64)는, 조사될 프로세싱된 기판(10)의 부분의 이미지들을 정확하게 일루미네이팅 및 캡처하기 위한 결정된 포지션들에 따라, 기판(10)의 프로세싱된 표면의 전방에 로케이팅될 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 입사 광 및 측정된 광 신호는 광섬유에 의해 기판으로 그리고 기판으로부터 안내될 수 있다.[0044] At least the light source 62 and the image capture device 64 of the processed surface of the substrate 10 are in accordance with the determined positions for accurately illuminating and capturing images of the portion of the processed substrate 10 to be irradiated. It can be located forward. Additionally or alternatively, the incident light and the measured light signal can be guided to and from the substrate by the optical fiber.

[0045] 광원(62)은 백열성, 형광성, IR, UV 광들 또는 LED(백색, 적색, 녹색, 청색) 광원들 중 임의의 하나를 포함할 수 있다. 상이한 광 컨디션들을 수행하기 위해, 프로세싱된 기판(10)에 대해 상이한 포지션들에 로케이팅되고 그리고 상이한 성질을 갖는 복수의(2개 이상의) 광원들(62)이 이용될 수 있다. 예컨대, 하나 이상의 광원들은 레이저일 수 있다.[0045] The light source 62 may include any one of incandescent, fluorescent, IR, UV lights or LED (white, red, green, blue) light sources. To perform different light conditions, a plurality of (two or more) light sources 62 located at different positions and having different properties with respect to the processed substrate 10 may be used. For example, one or more light sources can be a laser.

[0046] 이미지 캡처 디바이스(64)는 프로세싱된 기판(10)의 부분들에 걸쳐 스캐닝할 수 있는 비디오 카메라 또는 포토 카메라일 수 있다. 검사 디바이스(60)는, 단일 이미지 캡처 디바이스(64)를 갖는 단일-카메라 시스템, 또는 복수의 이미지 캡처 디바이스들(64)을 갖는 다중-카메라 시스템을 포함할 수 있다. 특히, 본 개시내용의 일 실시예에 따른 검사 디바이스(60)는 4개의 이미지 캡처 디바이스들(64)을 포함한다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 검사 디바이스는 카메라, 이를테면, 가시광을 위한 카메라, UV 카메라, 및/또는 IR 카메라를 포함할 수 있다.[0046] Image capture device 64 may be a video camera or a photo camera capable of scanning across portions of the processed substrate 10. Inspection device 60 may include a single-camera system with a single image capture device 64, or a multi-camera system with a plurality of image capture devices 64. In particular, inspection device 60 according to one embodiment of the disclosure includes four image capture devices 64. According to some embodiments, which can be combined with other embodiments described herein, the inspection device can include a camera, such as a camera for visible light, a UV camera, and / or an IR camera.

[0047] 프로세싱 디바이스(66)는 이미지 캡처 디바이스(64)에 의해 캡처된 이미지들을 분석하고, 광원(62)의 일루미네이션 컨디션(illumination condition)들을 제어한다. 따라서, 프로세싱 디바이스(66)는 이미지 캡처 디바이스(64)뿐만 아니라 광원에 연결된 프로세싱 유닛, 이를테면, CPU를 포함할 수 있다. 구체적으로, 프로세싱 디바이스(66)는, 예컨대 오프셋 마스크 값을 통해, 프로세싱된 기판(10)의 품질에 대한 정보 데이터를 획득하기 위해, 캡처된 이미지들을 저장된 데이터 또는 다른 캡처된 이미지와 비교할 수 있다. 프로세싱 디바이스는 획득된 정보 데이터를 제1 프로세싱 챔버(51)에 다시(back) 전송할 수 있다. 그 정보는 정렬 블록들에 작용할 수 있다. 이와 관련하여, 정렬 블록들에는 장치(50)로부터 정보 데이터를 수신하는 전용 제어 유닛이 제공될 수 있다. 제어 유닛은 기판(10)에 대한 마스크(20)의 포지션을 조정하기 위해 기판 캐리어 및/또는 마스크 캐리어 상의 정렬 액추에이터들을 직접적으로 제어할 수 있다.[0047] The processing device 66 analyzes the images captured by the image capture device 64 and controls the illumination conditions of the light source 62. Thus, the processing device 66 may include a processing unit, such as a CPU, connected to the light source as well as the image capture device 64. Specifically, the processing device 66 may compare the captured images with the stored data or other captured images to obtain information data about the quality of the processed substrate 10, for example, via an offset mask value. The processing device may send back the obtained information data to the first processing chamber 51. That information can act on the alignment blocks. In this regard, the alignment blocks may be provided with a dedicated control unit for receiving information data from the device 50. The control unit can directly control the alignment carriers on the substrate carrier and / or the mask carrier to adjust the position of the mask 20 relative to the substrate 10.

[0048] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는, 본 개시내용의 일부 실시예들에 따르면, 검사 디바이스(60)는 적어도, 형광성 광을 검출하기 위한 옵틱스(optics)(68)를 더 포함할 수 있다. 특히, 옵틱스(68)는 형광성 광을 격리시키기 위해 필터들을 사용하는 필터 형광계(filter fluorimeter)들 또는 형광성 광을 격리시키기 위해 회절 격자 모노크로메이터(diffraction grating monochromator)들을 사용하는 분광형광계(spectrofluorometer)들을 포함할 수 있다. 유기 재료들의 형광성 특성들로 인해, 프로세싱된 기판(10)은 형광성 광들로 일루미네이팅될 수 있고, 이미지들은 전용 디바이스, 이를테면, CCD 카메라 모듈을 사용하여 캡처될 수 있다. 결과적으로, 픽셀 패턴이 더 정확하게 식별될 수 있다.[0048] According to some embodiments of the present disclosure, which may be combined with other embodiments described herein, the inspection device 60 may further include at least optics 68 for detecting fluorescent light. Can be. In particular, optics 68 can be used to filter fluorimeters using filters to isolate fluorescent light or spectrofluorometers using diffraction grating monochromators to isolate fluorescent light. Can include them. Due to the fluorescent properties of the organic materials, the processed substrate 10 can be illuminated with fluorescent lights and images can be captured using a dedicated device, such as a CCD camera module. As a result, the pixel pattern can be identified more accurately.

[0049] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는, 본 개시내용의 일부 실시예들에 따르면, 검사 디바이스(60)는 진공 컨디션들 하에서 유지되는 프로세싱된 기판(10)을 검사하도록 포지셔닝될 수 있다. 유리하게, 상기 진공 컨디션들은 제1 프로세싱 챔버(51) 내에서와 동일하다. 따라서, 광학 검사 동안의 프로세싱된 기판(10)에 대한 압력 컨디션들은, 기판 상에 유기 층을 증착하는 동안의 압력 컨디션들과 유사하거나 동일하다.[0049] According to some embodiments of the present disclosure, which may be combined with other embodiments described herein, the inspection device 60 may be positioned to inspect the processed substrate 10 maintained under vacuum conditions. . Advantageously, the vacuum conditions are the same as in the first processing chamber 51. Thus, the pressure conditions for the processed substrate 10 during optical inspection are similar or identical to the pressure conditions during the deposition of the organic layer on the substrate.

[0050] 추가의 실시예에 따르면, 기판(10)은 진공 컨디션들 하에서 유지되는 반면, 검사 디바이스(60)의 일부 컴포넌트들, 이를테면, 예컨대, 광원(62) 및 이미지 캡처 디바이스(64)는 정상 공기 압력 컨디션들 또는 더 낮은 진공 컨디션들의 별개의 공간 내에 로케이팅될 수 있다. 유리하게, 검사 디바이스(60)의 이러한 컴포넌트들의 유지보수 절차들이 용이해질 것이다.[0050] According to a further embodiment, the substrate 10 is maintained under vacuum conditions, while some components of the inspection device 60, such as for example the light source 62 and the image capture device 64, are at normal air pressure conditions. Or lower vacuum conditions can be located in a separate space. Advantageously, maintenance procedures of these components of inspection device 60 will be facilitated.

[0051] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는, 본 개시내용의 일부 실시예들에 따르면, 검사 디바이스(60)는 인-라인 검사 시스템일 수 있다. 인-라인 검사 시스템은 프로세싱 라인 내에서, 즉, 2개의 프로세싱 동작들 사이에서 검사를 제공한다. 라인의 종단에서의 검사와 비교하여, 피드백 지연 시간이 감소될 수 있다. 감소된 피드백 지연 시간은 프로세싱 시스템의 개선된 수율을 가져온다.[0051] According to some embodiments of the present disclosure, which may be combined with other embodiments described herein, the inspection device 60 may be an in-line inspection system. The in-line inspection system provides inspection within the processing line, ie between two processing operations. Compared with the inspection at the end of the line, the feedback delay time can be reduced. Reduced feedback delay time results in an improved yield of the processing system.

[0052] 결과적으로, 장치(50)는 기판 상에 유기 막들을 증착하기 위한 생산 라인에 삽입될 수 있다. 도 5를 다시 참조하면, 프로세싱된 기판(10)이 장치(50)의 검사 디바이스(60)에 의해 광학적으로 검사되는 동안, 새로운 기판(예컨대, 10')이 제1 프로세싱 챔버(51) 내에서 프로세싱될 수 있거나 또는 프로세싱될 것이다. 동시에, 제1 프로세싱 챔버(51) 내에서 이미 프로세싱되고, 이어서, 장치(50)의 검사 디바이스(60)에 의해 검사되는 이전의 기판(예컨대, 10'')은 제2 프로세싱 챔버(52) 내에서 추가로 프로세싱될 수 있거나 또는 프로세싱될 것이다.[0052] As a result, the device 50 can be inserted into a production line for depositing organic films on a substrate. Referring again to FIG. 5, while the processed substrate 10 is optically inspected by the inspection device 60 of the apparatus 50, a new substrate (eg, 10 ′) is introduced into the first processing chamber 51. May or may be processed. At the same time, the previous substrate (eg, 10 ") already processed in the first processing chamber 51 and then inspected by the inspection device 60 of the apparatus 50 is in the second processing chamber 52. May be processed further or will be processed.

[0053] 유리하게, 장치(50)에 의해 수행되는 광학 검사의 결과들은, 제1 프로세싱 챔버(51) 내에서의 프로세싱 동안에, 예컨대 증착 파라미터들, 이를테면, 정렬 파라미터들을 조정하기 위해 실시간으로 사용될 수 있다.[0053] Advantageously, the results of the optical inspection performed by the apparatus 50 can be used in real time during processing in the first processing chamber 51, for example to adjust deposition parameters, such as alignment parameters.

[0054] "실시간으로"라는 용어는, 광학 검사가, 기판(10)의 프로세싱 직후에, 예컨대, 기판(10) 상의 유기 층의 증착 직후에, 수행될 수 있는 것으로 본원에서 의도된다. 결과적으로, 마스크 오프셋 값에 대한 피드백은, 프로세싱 후에, 감소된 지연으로, 프로세싱 챔버, 예컨대 대응하는 정렬 액추에이터들에 전송될 수 있다. 또한, 피드백은 그 특정 유기 층의 증착을 나타낼 것이다. 예컨대, 피드백은 기판 상의 유기 층의 증착으로부터 대략 1분 내지 5분 후에 프로세싱 챔버에 전송될 수 있다.[0054] The term “in real time” is intended herein to allow optical inspection to be performed immediately after processing of the substrate 10, such as immediately after deposition of an organic layer on the substrate 10. As a result, feedback on the mask offset value may be sent to the processing chamber, for example corresponding alignment actuators, with reduced delay after processing. In addition, the feedback will indicate the deposition of that particular organic layer. For example, feedback may be sent to the processing chamber approximately 1 to 5 minutes after deposition of the organic layer on the substrate.

[0055] 도 7은 본 개시내용의 일 실시예에 따른 시스템(70)을 도시한다. 시스템(70)은 기판(10)(도면에 도시되지 않음)을 프로세싱하기 위해 적어도 제1 프로세싱 챔버(71) 및 제2 프로세싱 챔버(72)를 포함할 수 있다. 시스템(70)은, 프로세싱된 기판(10)을 제1 프로세싱 챔버(71)로부터 수용하기 위해 그리고 프로세싱되고 광학적으로 검사된 기판(10)을 제2 프로세싱 챔버(72)에 전달하기 위해, 전달 챔버(73)를 더 포함할 수 있다. 특히, 전달 챔버(73)에는, 제1 프로세싱 챔버(71)에서 프로세싱된 기판(10)의 광학 검사를 수행하기 위한 검사 디바이스(도면에 도시되지 않음)가 제공된다.[0055] 7 illustrates a system 70 in accordance with one embodiment of the present disclosure. System 70 may include at least a first processing chamber 71 and a second processing chamber 72 to process substrate 10 (not shown in the figure). The system 70 includes a transfer chamber for receiving the processed substrate 10 from the first processing chamber 71 and for transferring the processed and optically inspected substrate 10 to the second processing chamber 72. (73) may be further included. In particular, the transfer chamber 73 is provided with an inspection device (not shown in the figure) for performing optical inspection of the substrate 10 processed in the first processing chamber 71.

[0056] 시스템(70)의 검사 디바이스는 도 5 및 도 6에서 설명된 검사 디바이스(60)로서 동작할 수 있다. 다시 말해, 전달 챔버(73)는 광학 검사를 위해 위에서-언급된 장치(50)를 포함할 수 있다. 결과적으로, 위에서 설명된 검사 디바이스(60)(및 장치(50))의 피처들 및 장점들은 또한, 시스템(70)의 검사 디바이스에 적용된다.[0056] The inspection device of the system 70 may operate as the inspection device 60 described in FIGS. 5 and 6. In other words, the transfer chamber 73 may include the above-mentioned device 50 for optical inspection. As a result, the features and advantages of inspection device 60 (and apparatus 50) described above also apply to inspection device of system 70.

[0057] 예컨대, 광학 검사는, 프로세싱 후에 전달 챔버(73) 내에서 프로세싱된 (실제) 기판(10)에 대해 수행될 수 있다. 특히, 검사 디바이스는, 본질적으로 수직 포지션의 프로세싱된 기판(10)의 광학 검사를 위해 구성될 수 있다. 검사 디바이스는 오프셋 마스크 값을 검출할 수 있고, 상기 오프셋 마스크 값은 마스크 엘리먼트(20)에 대한 기판(10)의 상대적 포지션에 대응한다. 검사 디바이스는 적어도, 프로세싱된 기판(10)을 일루미네이팅하기 위한 광원, 프로세싱된 기판(10)의 적어도 일부의 하나 이상의 이미지들을 취하기 위한 하나 이상의 캡처 디바이스, 및 캡처된 이미지들을 프로세싱하기 위한 프로세싱 디바이스를 포함할 수 있다. 특히, 전달 챔버 내에 로케이팅되기 때문에, 검사 디바이스는, 제1 프로세싱 챔버(71) 내에서와 동일한 진공 컨디션들 하에서 유지되고 있는 프로세싱된 기판(10)을 검사하도록 포지셔닝된다.[0057] For example, optical inspection can be performed on the (actual) substrate 10 processed in the transfer chamber 73 after processing. In particular, the inspection device may be configured for optical inspection of the processed substrate 10 in an essentially vertical position. The inspection device may detect an offset mask value, which corresponds to the relative position of the substrate 10 relative to the mask element 20. The inspection device includes at least a light source for illuminating the processed substrate 10, one or more capture devices for taking one or more images of at least a portion of the processed substrate 10, and a processing device for processing the captured images. It may include. In particular, because it is located in the transfer chamber, the inspection device is positioned to inspect the processed substrate 10 that is being maintained under the same vacuum conditions as in the first processing chamber 71.

[0058] 도 7에 도시된 바와 같이, 검사 디바이스는 제조 시스템 내의 전달 챔버(73) 내에 포지셔닝된 인-라인 검사 시스템일 수 있다. 전달 챔버(73)는 2개의 회전 챔버들(78) 사이에 로케이팅될 수 있다. 회전 챔버들(78)은, 기판(10)이 프로세싱 챔버(즉, 71)로부터 다른 프로세싱 챔버(즉, 72)로 전달될 때, 기판(10)을, 예컨대 90°, 180°, 270°, 또는 360°만큼 회전시키도록 구성될 수 있다. 회전은, 기판(10)을 본질적으로 수직 포지션으로 유지하면서 발생한다. 시스템(70)은 추가의 프로세싱 챔버들(74, 76) 및 추가의 전달 챔버들(75, 77)을 포함할 수 있으며, 프로세싱된 기판(10)은 프로세싱 챔버(예컨대, 71)로부터, 전달 챔버(예컨대, 73) 및 회전 챔버들(예컨대, 78)을 통과해 다른 프로세싱 챔버(예컨대, 72)로 이송될 수 있다. 프로세싱 챔버들(72, 74 및 76)은 기판(10) 상에 특정 타입의 유기 층을 증착하기 위한 전용일 수 있다. 예컨대, 프로세싱 챔버(72)는 청색 발광층(B-EML; blue emission layer)의 증착을 위해 구성되고, 챔버(74)는 녹색 발광층(G-EML; green emission layer)의 증착을 위해 구성되고, 챔버(76)는 적색 발광층(R-EML; red emission layer)의 증착을 위해 구성될 수 있다. 다른 예로서, 프로세싱 챔버(71)는 전자 수송층(ETL; electron transport layer)을 증착하도록 구성될 수 있다. 프로세싱 챔버들의 품질은, 증착 또는 증발 동안의 전용 마스크 엘리먼트(20)와 기판(10) 사이의 정확한 정렬에 기반할 수 있다. 따라서, 검사 디바이스는, 각각의 증착 후에, 층의 품질, 즉, 마스크 오프셋 값들을 체크하기 위해, 각각의 프로세싱 챔버 다음의 또는 바로 다음의 전달 챔버 내에 로케이팅될 수 있다. 도 7은, 광학 검사가, 프로세싱 챔버(71) 다음의 그리고 프로세싱 챔버(72) 이전의 전달 챔버(73) 내에서 수행되는 시스템(70)을 도시한다. 그러나, 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는, 본 개시내용의 일부 실시예들에 따르면, 광학 검사는 또한, 증착 후에 패터닝 품질을 제어할 필요가 있을 때, 전달 챔버(75) 내에서, 전달 챔버(77) 내에서, 또는 프로세싱 챔버 다음의 임의의 전달 챔버 내에서 수행될 수 있다.[0058] As shown in FIG. 7, the inspection device may be an in-line inspection system positioned within the delivery chamber 73 in the manufacturing system. The transfer chamber 73 can be located between two rotating chambers 78. Rotating chambers 78 may move substrate 10, such as 90 °, 180 °, 270 °, when substrate 10 is transferred from processing chamber (ie, 71) to another processing chamber (ie, 72). Or rotate by 360 °. Rotation occurs while maintaining the substrate 10 in an essentially vertical position. System 70 may include additional processing chambers 74, 76 and additional transfer chambers 75, 77, wherein the processed substrate 10 is from a processing chamber (eg, 71), a transfer chamber. (Eg, 73) and rotating chambers (eg, 78) may be transferred to another processing chamber (eg, 72). Processing chambers 72, 74, and 76 may be dedicated to depositing a particular type of organic layer on substrate 10. For example, the processing chamber 72 is configured for the deposition of a blue emission layer (B-EML), the chamber 74 is configured for the deposition of a green emission layer (G-EML), and the chamber 76 may be configured for deposition of a red emission layer (R-EML). As another example, the processing chamber 71 may be configured to deposit an electron transport layer (ETL). The quality of the processing chambers may be based on the exact alignment between the dedicated mask element 20 and the substrate 10 during deposition or evaporation. Thus, the inspection device can be located in the transfer chamber next to or immediately after each processing chamber to check the quality of the layer, ie mask offset values, after each deposition. 7 shows a system 70 in which optical inspection is performed in the transfer chamber 73 after the processing chamber 71 and before the processing chamber 72. However, in accordance with some embodiments of the present disclosure, which may be combined with other embodiments described herein, optical inspection also requires that within the transfer chamber 75 when it is necessary to control the patterning quality after deposition. In the transfer chamber 77, or in any transfer chamber following the processing chamber.

[0059] 유리하게, 증착 파라미터, 예컨대 오프셋 마스크 값을 조정하기 위한 피드백은, 감소된 지연 시간으로, 프로세싱 챔버에 다시(back) 전송될 수 있다. 프로세싱된 기판의 품질은, 예컨대, 유기 층의 증착으로부터 5분 이내에 체크될 수 있다. 증착 파라미터는 결국, 제품의 완전한 프로세싱을 기다리지 않고서 조정될 수 있다. 또한, 광학 검사는 기판 상의 각각의 층의 증착 후에 수행될 수 있다. 이러한 방식으로, 각각의 단일의 증착된 층에 대한 패터닝 품질을 제어하는 것이 또한 가능하다. 결과적으로, 상이한 그리고 별개의 프로세싱 챔버들에 대한 오프셋 마스크 값들이 식별될 수 있다.[0059] Advantageously, feedback for adjusting deposition parameters, such as offset mask values, may be sent back to the processing chamber with reduced delay time. The quality of the processed substrate can be checked, for example, within 5 minutes from the deposition of the organic layer. Deposition parameters can eventually be adjusted without waiting for complete processing of the product. In addition, optical inspection can be performed after the deposition of each layer on the substrate. In this way, it is also possible to control the patterning quality for each single deposited layer. As a result, offset mask values for different and separate processing chambers can be identified.

[0060] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 광학 검사는 2회의 프로세싱 동작들 후에 그리고 또 다른(제3) 프로세싱 동작 전에 수행될 수 있다. 예컨대, 광학 검사는 2회의 이전 프로세싱 동작들의 품질을 평가할 수 있다. 그러한 실시예에 있어서, "실시간으로"라는 용어는, 광학 검사가 기판(10)의 제1 및 제2 프로세싱 직후에 수행될 수 있는 것으로 본원에서 의도된다. 예컨대, 피드백은 기판 상의 유기 층의 증착으로부터 대략 2분 내지 10분 후에 프로세싱 챔버에 전송될 수 있다.[0060] According to some embodiments, which can be combined with other embodiments described herein, the optical inspection can be performed after two processing operations and before another (third) processing operation. For example, optical inspection can evaluate the quality of two previous processing operations. In such embodiments, the term “in real time” is intended herein as optical inspection may be performed immediately after the first and second processing of the substrate 10. For example, feedback can be sent to the processing chamber approximately 2 to 10 minutes after deposition of the organic layer on the substrate.

[0061] 도 8은 본 개시내용의 실시예에 따른, 프로세싱된 기판(10)의 인-라인 광학 검사를 위한 방법(100)을 흐름도로 도시한다. 방법(100)은, 프로세싱된 기판(10)을 제1 프로세싱 챔버(51)로부터 수용하는 단계(102), 증착 파라미터들에 따라 제1 프로세싱 챔버(51) 내에서 프로세싱된 기판(10)에 대한 광학 검사를 수행하는 단계(104), 프로세싱된 기판(10)의 품질에 대한 정보 데이터를 획득하는 단계(106), 상기 정보 데이터를 제1 프로세싱 챔버(51)에 다시(back) 전송하는 단계(108), 및 제1 프로세싱 챔버(51) 내에서 후속적인 기판을 프로세싱하기 위해 증착 파라미터들을 적응시키는 단계(110)를 포함한다. 특히, 본 개시내용에 따른 인-라인 광학 검사는 기판(10)의 제1 프로세싱과 제2 프로세싱 사이에서 수행될 수 있다.[0061] 8 shows in a flow diagram a method 100 for in-line optical inspection of a processed substrate 10, in accordance with an embodiment of the present disclosure. The method 100 includes receiving 102 the processed substrate 10 from the first processing chamber 51, for a substrate 10 processed in the first processing chamber 51 in accordance with deposition parameters. Performing an optical inspection (104), obtaining information data on the quality of the processed substrate (106), and transmitting the information data back to the first processing chamber (51) ( 108, and adapting the deposition parameters 110 to process subsequent substrates in the first processing chamber 51. In particular, in-line optical inspection according to the present disclosure can be performed between the first and second processing of the substrate 10.

[0062] 광학 검사를 수행함으로써, 본 개시내용에 따른 방법(100)은 프로세싱된 기판(10) 바로 위의 백플레인(또는 기판)과 증착 층들 사이의 정렬을 체크할 수 있다. 결과적으로, 프로세싱 챔버 내에서의 증착 동안의 기판(10)에 대한 마스크 엘리먼트(20)의 정렬의 간접적인 제어가 수행된다. 따라서, 프로세싱된 기판(10)의 품질, 즉, 증착된 층의 품질에 관한 정보 데이터가 획득된다. 정렬 체크가, 증착된 층이 결정된 허용오차 값 미만의 품질 레벨을 갖는다는 것을 결정한 경우, 정보 데이터는 프로세싱 챔버에 피드백되고, 여기서 후속적인 기판의 프로세싱을 위해 증착 파라미터들이 조정된다.[0062] By performing an optical inspection, the method 100 according to the present disclosure may check the alignment between the deposition layers and the backplane (or substrate) directly above the processed substrate 10. As a result, indirect control of the alignment of the mask element 20 with respect to the substrate 10 during deposition in the processing chamber is performed. Thus, information data concerning the quality of the processed substrate 10, ie the quality of the deposited layer, is obtained. If the alignment check determines that the deposited layer has a quality level below the determined tolerance value, the information data is fed back to the processing chamber, where the deposition parameters are adjusted for subsequent processing of the substrate.

[0063] "증착 파라미터들"은 기판 상에서의 유기 층의 증착 또는 증발 동안에 수반되는 프로세싱 파라미터들로 의도된다. 예컨대, 증착 파라미터들은, 기판(10)에 대한 마스크(10)의 포지션을 변경하도록 구성된 정렬 액추에이터들에 작용함으로써 수정 또는 조정될 수 있는, 기판(10)과 마스크 엘리먼트(20)의 상대적 정렬을 포함할 수 있다. 정렬 액추에이터들은 마스크 캐리어(21) 및/또는 기판 캐리어(11)에 커플링될 수 있다.[0063] “Deposition parameters” are intended as processing parameters involved during the deposition or evaporation of an organic layer on a substrate. For example, deposition parameters may include relative alignment of the substrate 10 and the mask element 20, which may be modified or adjusted by acting on alignment actuators configured to change the position of the mask 10 relative to the substrate 10. Can be. Alignment actuators may be coupled to the mask carrier 21 and / or the substrate carrier 11.

[0064] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는, 본 개시내용의 일부 실시예들에 따르면, 광학 검사를 수행하는 단계(104)는 프로세싱된 기판(10)을 일루미네이팅하는 단계(112), 프로세싱된 기판(10)의 적어도 일부의 이미지들을 캡처하는 단계(114), 및 상이한 조명 컨디션(lighting condition)들에서 취해진 프로세싱된 기판(10)의 이미지들을 프로세싱하는 단계(116)를 포함할 수 있다.[0064] According to some embodiments of the present disclosure, which may be combined with other embodiments described herein, performing 104 an optical inspection comprises illuminating the processed substrate 10 112. Capturing 114 images of at least a portion of the processed substrate 10, and processing 116 images of the processed substrate 10 taken in different lighting conditions. have.

[0065] 상이한 조명 컨디션들에서 취해진 캡처된 이미지들을 프로세싱(116)함으로써, 프로세싱된 기판(10)의 상이한 부분들, 예컨대, 백플레인 또는 그 상부에 증착된 단일 유기 층들을 식별하는 것이 가능하다. 패터닝 품질 체크는, 예컨대, 상이한 조명 컨디션들 하에서 캡처된 이미지들을 상관시킴으로써 수행될 수 있다. 이러한 목적을 위해, 상이한 포지션들에 공간적으로 로케이팅되고 그리고 상이한 성질들의 조명원들을 사용하는 복수의 광원들(62)을 사용하여 조명이 수행될 수 있다.[0065] By processing 116 captured images taken at different illumination conditions, it is possible to identify different portions of the processed substrate 10, such as a backplane or single organic layers deposited thereon. The patterning quality check can be performed, for example, by correlating images captured under different lighting conditions. For this purpose, illumination can be performed using a plurality of light sources 62 spatially located at different positions and using illumination sources of different properties.

[0066] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는, 본 개시내용의 일부 실시예들에 따르면, 프로세싱된 기판(10)의 검사되는 부분은 디바이스 픽셀 및/또는 제어 픽셀을 포함할 수 있다.[0066] According to some embodiments of the present disclosure, which may be combined with other embodiments described herein, the inspected portion of the processed substrate 10 may include a device pixel and / or a control pixel.

[0067] 이러한 방식으로, 패터닝 품질을 상이한 레벨들로, 즉, 식별된 백플레인의 이미지들을 식별된 픽셀 디바이스들의 이미지들과 상관시킴으로써 디바이스 픽셀 레벨로 그리고/또는 프로세싱된 기판 상의 제어 구조를 테스트 픽셀(예컨대, 기점)과 상관시킴으로써 제어 픽셀 레벨로 제어하는 것이 가능하다.[0067] In this manner, test pixels (eg, origins) at the device pixel level and / or the control structure on the processed substrate by correlating the patterning quality at different levels, ie, the images of the identified backplane with the images of the identified pixel devices. Can be controlled at the control pixel level.

[0068] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는, 본 개시내용의 일부 실시예들에 따르면, 정보 데이터를 획득하는 단계(106)는 오프셋 마스크 값을 계산하는 단계를 포함할 수 있고, 상기 오프셋 마스크 값은 상기 기판(10)과 증착 소스(30) 사이에 로케이팅된 마스크 엘리먼트(20)에 대한 기판(10)의 상대적 포지션에 대응한다.[0068] According to some embodiments of the present disclosure, which may be combined with other embodiments described herein, obtaining 106 the information data may include calculating an offset mask value, the offset The mask value corresponds to the relative position of the substrate 10 relative to the mask element 20 located between the substrate 10 and the deposition source 30.

[0069] 결과적으로, 계산된 오프셋 마스크 값은, 프로세싱 챔버 내에서의 유기 층의 증착 동안에 기판(10)에 대한 마스크(20)의 정렬을 조정하기 위한 피드백 데이터로서 사용될 수 있다.[0069] As a result, the calculated offset mask value can be used as feedback data to adjust the alignment of the mask 20 with respect to the substrate 10 during the deposition of the organic layer in the processing chamber.

[0070] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는, 본 개시내용의 일부 실시예들에 따르면, 방법(100)은, 프로세싱된 기판(10)의 복수의 부분들에 대한 그리고 복수의 이미지 캡처 디바이스들(64)에 의해 취해진 캡처된 이미지들로부터의 정보 데이터를 평균함으로써, 기판(10)의 평균 오프셋 마스크 값을 계산하는 단계를 더 포함할 수 있다.[0070] According to some embodiments of the present disclosure, which may be combined with other embodiments described herein, the method 100 includes a plurality of image capture devices and for a plurality of portions of the processed substrate 10. Computing the average offset mask value of the substrate 10 by averaging the information data from the captured images taken by the fields 64.

[0071] 이러한 방식으로, 증착된 층의 품질에 관한 더 정확한 정보를 획득하는 것이 가능하다. 실제로, 프로세싱된 기판(10) 상의 상이한 부분들(예컨대, 프로세싱된 기판 상의 상이한 포지션들의 상이한 픽셀 디바이스들)의 이미지들을 캡처하고 그리고 상이한 이미지 캡처 디바이스들(64)(예컨대, 4개)을 사용하는 것으로부터 초래된 데이터를 평균함으로써, 증착 층과 백플레인 사이의 정렬의 완전한 체크가 획득될 수 있다.[0071] In this way, it is possible to obtain more accurate information about the quality of the deposited layer. Indeed, capturing images of different portions on the processed substrate 10 (eg, different pixel devices in different positions on the processed substrate) and using different image capture devices 64 (eg, four) By averaging the data resulting from it, a complete check of the alignment between the deposition layer and the backplane can be obtained.

[0072] 복수의 이미지 캡처 디바이스들(64)을 사용하는 것은, 동시에, 예컨대, 동일한 관점으로, 프로세싱된 기판(10)의 상이한 부분들의 이미지들을 수집하는 장점을 가져올 수 있다. 이는, 예컨대, 이미지 캡처 디바이스들(64)이, 동일한 시야로(field of view), 프로세싱된 기판(10)으로부터 동일한 거리에 로케이팅되는 경우에 획득될 수 있다. 대안적으로, 복수의 이미지 캡처 디바이스들(64)은, 상이한 관점들에서, 프로세싱된 기판(10) 또는 프로세싱된 기판(10)의 부분을 캡처하기 위해, 상이한 시야들로, 기판(10)으로부터 상이한 거리들에 로케이팅될 수 있다. 유사한 결과들은, 프로세싱된 기판(10) 상에서, 예컨대 기계적 아암을 통해 이동가능한 단일 이미지 캡처 디바이스(64)를 이용하여 획득될 수 있다. 또한, 추가로, 광 신호는 광섬유 또는 광섬유 어레이를 통해 이미지 캡처 디바이스로 안내될 수 있다.[0072] Using a plurality of image capture devices 64 may bring the advantage of collecting images of different portions of the processed substrate 10 at the same time, for example, in the same view. This can be obtained, for example, when the image capture devices 64 are located at the same distance from the processed substrate 10 in the same field of view. Alternatively, the plurality of image capture devices 64 may, from different views, from the substrate 10 with different fields of view to capture the processed substrate 10 or a portion of the processed substrate 10. It can be located at different distances. Similar results may be obtained using a single image capture device 64 that is movable on the processed substrate 10, such as through a mechanical arm. In addition, the optical signal may be directed to an image capture device through an optical fiber or optical fiber array.

[0073] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는, 본 개시내용의 일부 실시예들에 따르면, 광학 검사를 수행하는 단계(104)는, 적어도, 프로세싱된 기판(10)의 이미지를 형광성 일루미네이션 하에서 취하는 단계를 포함할 수 있다.[0073] According to some embodiments of the present disclosure, which may be combined with other embodiments described herein, performing 104 an optical inspection may comprise at least an image of the processed substrate 10 under fluorescent illumination. Taking steps.

[0074] 예컨대, 백플레인은 정상(백색) 일루미네이션을 사용하여 식별될 수 있고, 픽셀 디바이스는 형광성 일루미네이션을 사용하여 식별될 수 있다. 결과적으로, 프로세싱된 기판(10)의 동일한 부분의 2개의 이미지들을, 그러나 2개의 상이한 일루미네이션들(예컨대, 정상 일루미네이션 및 형광성 일루미네이션)을 사용하여 캡처함으로써, 서로 상관될 수 있는 프로세싱된 기판(10)의 상이한 엘리먼트들을 식별하여 패터닝 품질에 대한 정보를 획득하는 것이 가능하다.[0074] For example, the backplane can be identified using normal (white) illumination, and the pixel device can be identified using fluorescent illumination. As a result, the processed substrate 10 that can be correlated with each other by capturing two images of the same portion of the processed substrate 10, but using two different illuminations (eg, normal illumination and fluorescent illumination). It is possible to identify different elements of to obtain information about the patterning quality.

[0075] 도 9는 기판(10)에 커플링된 마스크 엘리먼트(20)에 대한 상기 기판(10)의 포지션을 정렬하기 위한 시스템(80)을 도시하며, 기판(10) 및 마스크 엘리먼트(20)는 본질적으로 수직 포지션에 있다.[0075] 9 shows a system 80 for aligning the position of the substrate 10 relative to the mask element 20 coupled to the substrate 10, wherein the substrate 10 and the mask element 20 are essentially It is in the vertical position.

[0076] 시스템(80)은 기판(10)에 대한 마스크 엘리먼트(20)의 상대적 포지션을 광학적으로 검사하기 위한 검사 디바이스(82)를 포함하며, 마스크 엘리먼트(20)는 프로세싱 챔버(51) 내에서 기판(10)을 프로세싱하는 데 사용되고, 검사 디바이스(82)는 상기 프로세싱 챔버(51) 다음에 로케이팅된다. 게다가, 시스템은, 대응하는 오프셋 마스크 값을 계산하기 위한 프로세싱 디바이스(84), 및 상기 계산된 오프셋 마스크 값에 대한 응답으로, 기판(10)에 대한 마스크 엘리먼트(20)의 포지션을 조정하기 위한 조정 디바이스(86)를 포함한다. 특히, 시스템(80)은 후속적인 프로세싱 챔버(도면에 도시되지 않음)에 선행하여 로케이팅될 수 있다.[0076] The system 80 includes an inspection device 82 for optically inspecting the relative position of the mask element 20 relative to the substrate 10, which mask element 20 is disposed within the processing chamber 51. ) And an inspection device 82 is located after the processing chamber 51. In addition, the system can adjust the processing device 84 to calculate a corresponding offset mask value, and an adjustment to adjust the position of the mask element 20 relative to the substrate 10 in response to the calculated offset mask value. Device 86. In particular, the system 80 may be located prior to subsequent processing chambers (not shown in the figure).

[0077] 조정 디바이스(86)는, 마스크(20)에 대한 기판(10)의 포지션을 제어 및 변경하기 위해, 기판 캐리어(11)의 정렬 액추에이터들(41, 42)에 커플링될 수 있다. 도 9는, 기판 캐리어(11)의 정렬 액추에이터들(41, 42)에 의해 조정 디바이스(86)가 분리되는 것을 도시한다. 그러나, 본 개시내용의 대안적인 실시예에 따르면, 조정 디바이스(86)는 정렬 액추에이터들(41, 42) 중 하나 또는 모두에 통합될 수 있으며, 상기 액추에이터들(41, 42)은 프로세싱 디바이스(84)에 의해 직접적으로 제어된다.[0077] The adjustment device 86 may be coupled to the alignment actuators 41, 42 of the substrate carrier 11 to control and change the position of the substrate 10 relative to the mask 20. 9 shows that the adjustment device 86 is separated by the alignment actuators 41, 42 of the substrate carrier 11. However, according to an alternative embodiment of the present disclosure, the adjustment device 86 may be integrated into one or both of the alignment actuators 41, 42, wherein the actuators 41, 42 may be processed by the processing device 84. Directly controlled by

[0078] 시스템(80)이 프로세싱 챔버(51) 외부에 로케이팅되는 것이 주목된다. 프로세싱 챔버(51) 내에서, 증착은 화살표의 방향으로 발생한다. 재료, 예컨대 유기 재료는, 예컨대 증발되고 기판(10) 상에 증착된다. 재료가 마스크(20)의 특정 패턴을 통해 기판(10)의 원하는 부분들에 전달되어, 예컨대 OLED 디바이스들(또는 OLED 디바이스들의 부분들)을 형성한다. 마스크(20)는 마스크 캐리어(21)에 의해 홀딩되고, 기판(10)은 기판 캐리어(11)에 의해 홀딩된다. 프로세싱 챔버(51) 내에서 증착이 수행된 후에 그리고 기판(10)이 추가의 프로세싱 챔버로 전달되기 전에, 프로세싱된 기판(10)을 검사함으로써, 오프셋 마스크 값이 계산되며, 프로세싱된 기판(10)은 항상 진공 컨디션들 하에서 유지된다. 도 9는, 프로세싱 챔버(51) 내에서의 증착 및 광학 검사 둘 모두 동안, 기판(10)이 동일한 포지션, 즉, 본질적으로 수직 포지션(방향(Y))으로 배향되는 것을 도시한다.[0078] It is noted that system 80 is located outside of processing chamber 51. Within the processing chamber 51, deposition occurs in the direction of the arrow. A material, such as an organic material, is for example evaporated and deposited on the substrate 10. Material is transferred to the desired portions of the substrate 10 through a particular pattern of mask 20 to form, for example, OLED devices (or portions of OLED devices). The mask 20 is held by the mask carrier 21, and the substrate 10 is held by the substrate carrier 11. After the deposition is performed in the processing chamber 51 and before the substrate 10 is transferred to the further processing chamber, by inspecting the processed substrate 10, an offset mask value is calculated and the processed substrate 10 Is always maintained under vacuum conditions. 9 shows that the substrate 10 is oriented in the same position, ie essentially vertical position (direction Y), during both deposition and optical inspection in the processing chamber 51.

[0079] 시스템(80)의 검사 디바이스(82)는 도 5 및 도 6에서 설명된 검사 디바이스(60)로서 동작할 수 있다. 결과적으로, 위에서 설명된 검사 디바이스(60)(및 장치(50))의 피처들 및 장점들은 또한, 시스템(80)의 검사 디바이스(82)에 적용된다. 특히, 도 9의 시스템(80)은 유기 층의 증착을 위한 제조 시스템, 이를테면, 도 1의 시스템(1000) 또는 도 7의 시스템(70)의 부분일 수 있다. 특히, 기판(10)에 커플링된 마스크 엘리먼트(20)에 대한 상기 기판(10)의 포지션을 정렬하기 위한 시스템(80)은, 상기 기판(10)을 프로세싱하기 위한 챔버 다음의 또는 바로 다음의 전달 챔버 내부에 로케이팅될 수 있다. 특히, 시스템(80)은 2개의 프로세싱 챔버들 사이에 로케이팅될 수 있다.[0079] The inspection device 82 of the system 80 may operate as the inspection device 60 described in FIGS. 5 and 6. As a result, the features and advantages of inspection device 60 (and apparatus 50) described above also apply to inspection device 82 of system 80. In particular, system 80 of FIG. 9 may be part of a manufacturing system for deposition of an organic layer, such as system 1000 of FIG. 1 or system 70 of FIG. 7. In particular, the system 80 for aligning the position of the substrate 10 with respect to the mask element 20 coupled to the substrate 10 may be located after or immediately following a chamber for processing the substrate 10. It can be located inside the delivery chamber. In particular, system 80 may be located between two processing chambers.

[0080] 이러한 방식으로, 결국, 프로세싱 챔버(51) 내에서 프로세싱되는 후속적인 기판에 대한 증착 파라미터들을 조정하기 위해, 종래의 시스템들과 비교하여, 실시간 기반으로, 즉, 예컨대 20분 또는 그 미만 또는 심지어 5분 또는 그 미만의 감소된 지연 시간으로, 마스크(20) 및/또는 기판(10)의 정렬 액추에이터들에 직접적으로 작용하는 것이 가능하다.[0080] In this way, eventually, in order to adjust the deposition parameters for subsequent substrates processed in the processing chamber 51, on a real-time basis, ie for example 20 minutes or less or even 5, compared to conventional systems. With a reduced delay time of minutes or less, it is possible to act directly on the alignment actuators of the mask 20 and / or the substrate 10.

[0081] 본 개시내용의 상이한 실시예들에 따르면, 적어도 제1 프로세싱 챔버 및 제2 프로세싱 챔버 내에서 프로세싱된 기판의 광학 검사를 위한 장치는, 진공 프로세싱 시스템 내의 다양한 포지션들, 즉, 제1 프로세싱 챔버와 제2 프로세싱 챔버 사이의 다양한 포지션들에서 제공될 수 있다.[0081] According to different embodiments of the present disclosure, an apparatus for optical inspection of a substrate processed in at least a first processing chamber and a second processing chamber may comprise various positions within a vacuum processing system, namely, a first processing chamber and a first processing chamber. It can be provided in various positions between the two processing chambers.

[0082] 도 10a는 본 개시내용의 실시예들에 따른 진공 프로세싱 시스템(1100)을 도시한다. 진공 프로세싱 시스템(1100)은 클러스터 어레인지먼트와 인-라인 어레인지먼트의 조합을 제공한다. 복수의 프로세싱 챔버들(1120)이 제공된다. 프로세싱 챔버들(1120)은 진공 회전 챔버들(1130)에 연결될 수 있다. 진공 회전 챔버들(1130)은 인-라인 어레인지먼트 내에 제공된다. 진공 회전 챔버들(1130)은, 프로세싱 챔버들(1120) 내로 그리고 프로세싱 챔버들(1120) 밖으로 이동되도록 기판들을 회전시킬 수 있다. 클러스터 어레인지먼트와 인-라인 어레인지먼트의 조합은 하이브리드 어레인지먼트로 고려될 수 있다. 하이브리드 어레인지먼트를 갖는 진공 프로세싱 시스템(1100)은 복수의 프로세싱 챔버들(1120)을 가능하게 한다. 진공 프로세싱 시스템의 길이는 여전히 소정의 한도를 초과하지 않는다.[0082] 10A illustrates a vacuum processing system 1100 in accordance with embodiments of the present disclosure. The vacuum processing system 1100 provides a combination of cluster arrangements and in-line arrangements. A plurality of processing chambers 1120 is provided. Processing chambers 1120 may be connected to vacuum rotating chambers 1130. Vacuum rotating chambers 1130 are provided in the in-line arrangement. Vacuum rotating chambers 1130 may rotate the substrates to be moved into and out of the processing chambers 1120. The combination of cluster arrangement and in-line arrangement can be considered as a hybrid arrangement. Vacuum processing system 1100 with a hybrid arrangement enables a plurality of processing chambers 1120. The length of the vacuum processing system still does not exceed the predetermined limit.

[0083] 본 개시내용의 실시예들에 따르면, 클러스터 챔버 또는 진공 클러스터 챔버는, 자신에 연결된 2개 이상의 프로세싱 챔버들을 갖도록 구성된 챔버, 예컨대 전달 챔버이다. 따라서, 진공 회전 챔버들(1130)은 클러스터 챔버의 예들이다. 클러스터 챔버들은 하이브리드 어레인지먼트의 인-라인 어레인지먼트 내에 제공될 수 있다.[0083] According to embodiments of the present disclosure, a cluster chamber or vacuum cluster chamber is a chamber configured to have two or more processing chambers connected thereto, such as a transfer chamber. Thus, vacuum rotating chambers 1130 are examples of cluster chambers. Cluster chambers may be provided within the in-line arrangement of the hybrid arrangement.

[0084] 진공 회전 챔버 또는 회전 모듈(본원에서 "라우팅 모듈" 또는 "라우팅 챔버"로 또한 지칭됨)은, 회전 모듈 내의 트랙들 상에 로케이팅된 하나 이상의 캐리어들을 회전시킴으로써 변경될 수 있는, 하나 이상의 캐리어들의 이송 방향을 변경하도록 구성된 진공 챔버로서 이해될 수 있다. 예컨대, 진공 회전 챔버는 회전 축, 예컨대 수직 회전 축을 중심으로, 캐리어들을 지지하도록 구성된 트랙들을 회전시키도록 구성된 회전 디바이스를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 회전 모듈은 회전 축을 중심으로 회전될 수 있는 적어도 2개의 트랙들을 포함한다. 제1 트랙, 구체적으로, 제1 기판 캐리어 트랙은, 회전 축의 제1 면 상에 배열될 수 있고, 제2 트랙, 구체적으로 제2 기판 캐리어 트랙은 회전 축의 제2 면 상에 배열될 수 있다.[0084] A vacuum rotating chamber or rotating module (also referred to herein as a "routing module" or "routing chamber") is one of one or more carriers that can be changed by rotating one or more carriers located on tracks in the rotating module. It can be understood as a vacuum chamber configured to change the conveying direction. For example, the vacuum rotation chamber may comprise a rotation device configured to rotate tracks configured to support carriers about an axis of rotation, eg a vertical axis of rotation. In some embodiments, the rotation module includes at least two tracks that can be rotated about an axis of rotation. The first track, specifically the first substrate carrier track, may be arranged on a first side of the axis of rotation, and the second track, specifically the second substrate carrier track, may be arranged on the second side of the axis of rotation.

[0085] 일부 실시예들에서, 회전 모듈은, 회전 축을 중심으로 회전될 수 있는 4개의 트랙들, 구체적으로 2개의 마스크 캐리어 트랙들 및 2개의 기판 캐리어 트랙들을 포함한다.[0085] In some embodiments, the rotation module includes four tracks that can be rotated about an axis of rotation, specifically two mask carrier tracks and two substrate carrier tracks.

[0086] 회전 모듈이 x°, 예컨대 90°의 각도만큼 회전될 때, 트랙들 상에 배열된 하나 이상의 캐리어들의 이송 방향은 x°, 예컨대 90°의 각도만큼 변경될 수 있다. 180°의 각도만큼의 회전 모듈의 회전은 트랙 스위치에 대응할 수 있는데, 즉, 회전 모듈의 제1 기판 캐리어 트랙의 포지션과 회전 모듈의 제2 기판 캐리어 트랙의 포지션이 교환 또는 스와핑될 수 있고 그리고/또는 회전 모듈의 제1 마스크 캐리어 트랙의 포지션과 회전 모듈의 제2 마스크 캐리어 트랙의 포지션이 교환 또는 스와핑될 수 있다.[0086] When the rotation module is rotated by an angle of x °, for example 90 °, the conveying direction of one or more carriers arranged on the tracks can be changed by an angle of x °, for example 90 °. Rotation of the rotation module by an angle of 180 ° may correspond to the track switch, ie the position of the first substrate carrier track of the rotation module and the position of the second substrate carrier track of the rotation module may be exchanged or swapped and / or Alternatively, the position of the first mask carrier track of the rotation module and the position of the second mask carrier track of the rotation module can be exchanged or swapped.

[0087] 본 개시내용 내에서, 서로 연결되는 챔버들이 참조된다. 연결되는 챔버들은 직접적으로 연결될 수 있는데, 예컨대, 하나의 챔버의 플랜지가 인접한 챔버의 플랜지에 연결된다. 대안적으로, 챔버들은, 예컨대 진공 밀봉들 또는 다른 연결 엘리먼트들을 제공하는 또는 2개의 인접한 챔버들 사이에 제공되는 슬릿 밸브들 또는 다른 엘리먼트들을 제공하는 연결 유닛에 의해 서로 연결될 수 있다. 연결 유닛은 대면적 기판의 길이에 비해 매우 짧으며, 진공 챔버와 구분될 수 있다. 예컨대, 연결 챔버는 기판의 길이의 20% 또는 그 미만의 길이를 갖는다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 제2 챔버에 연결되어 있는 제1 챔버는, 예컨대 중간 챔버 없이, 제1 챔버가 제2 챔버에 인접한 것으로 이해될 수 있다. 위에서 설명된 바와 같이, 제1 챔버는 연결 유닛을 통해 또는 제2 챔버에 직접 연결될 수 있다.[0087] Within the present disclosure, reference is made to chambers that are connected to each other. The chambers to be connected can be connected directly, for example a flange of one chamber is connected to a flange of an adjacent chamber. Alternatively, the chambers can be connected to one another, for example by means of a connecting unit providing vacuum seals or other connecting elements or providing slit valves or other elements provided between two adjacent chambers. The connection unit is very short compared to the length of the large area substrate and can be distinguished from the vacuum chamber. For example, the connection chamber has a length of 20% or less of the length of the substrate. According to embodiments, which can be combined with other embodiments described herein, a first chamber connected to a second chamber can be understood as the first chamber being adjacent to the second chamber, for example without an intermediate chamber. . As described above, the first chamber may be connected via a connection unit or directly to the second chamber.

[0088] 도 10a는 진공 프로세싱 시스템(1100)을 도시하고, 도 10b는 진공 프로세싱 시스템 내에서의 기판 트래픽을 예시한다. 기판은, 예컨대 진공 스윙 모듈(1110)에서 진공 프로세싱 시스템(1100)에 진입한다. 추가의 수정들에 따르면, 기판들을 진공 프로세싱 시스템 내로 로딩 및 언로딩하기 위해, 로드 록 챔버가 진공 스윙 모듈에 연결될 수 있다. 진공 스윙 모듈은 전형적으로, 디바이스 제조 팩토리의 인터페이스로부터 로드 록 챔버를 통해 또는 직접적으로 기판을 수용한다. 전형적으로, 인터페이스는 기판, 예컨대 대면적 기판을 수평 배향으로 제공한다. 진공 스윙 모듈은 기판을, 팩토리 인터페이스에 의해 제공된 배향으로부터 본질적으로 수직 배향으로 이동시킨다. 기판의 본질적으로 수직 배향은, 기판이 예컨대 다시(back) 수평 배향으로 이동될 때까지, 진공 프로세싱 시스템(1100) 내에서의 기판의 프로세싱 동안에 유지된다. 기판을 스윙하는 것, 일정 각도만큼 이동시키는 것, 또는 회전시키는 것은 도 10b에서 화살표(1191)에 의해 예시된다.[0088] 10A illustrates a vacuum processing system 1100, and FIG. 10B illustrates substrate traffic within a vacuum processing system. The substrate enters the vacuum processing system 1100, for example, in the vacuum swing module 1110. According to further modifications, a load lock chamber can be connected to the vacuum swing module to load and unload substrates into the vacuum processing system. The vacuum swing module typically receives the substrate through the load lock chamber or directly from the interface of the device manufacturing factory. Typically, the interface provides a substrate, such as a large area substrate, in a horizontal orientation. The vacuum swing module moves the substrate from an orientation provided by the factory interface to an essentially vertical orientation. The essentially vertical orientation of the substrate is maintained during processing of the substrate in the vacuum processing system 1100 until the substrate is moved to, for example, a back horizontal orientation. Swinging, moving, or rotating the substrate by an angle is illustrated by arrow 1191 in FIG. 10B.

[0089] 본 개시내용의 실시예들에 따르면, 진공 스윙 모듈은 제1 기판 배향으로부터 제2 기판 배향으로의 이동을 위한 진공 챔버일 수 있다. 예컨대, 제1 기판 배향은 비-수직 배향, 이를테면, 수평 배향일 수 있고, 제2 기판 배향은 비-수평 배향, 이를테면, 수직 배향 또는 본질적으로 수직 배향일 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 진공 스윙 모듈은, 수평 배향에 대한 제1 배향 및 수평 배향에 대한 제2 배향으로 내부에 기판을 선택적으로 포지셔닝하도록 구성된 기판 재포지셔닝 챔버(substrate repositioning chamber)일 수 있다.[0089] According to embodiments of the present disclosure, the vacuum swing module may be a vacuum chamber for movement from the first substrate orientation to the second substrate orientation. For example, the first substrate orientation can be a non-vertical orientation, such as a horizontal orientation, and the second substrate orientation can be a non-horizontal orientation, such as a vertical orientation or an essentially vertical orientation. According to some embodiments, which can be combined with other embodiments described herein, the vacuum swing module is configured to selectively position a substrate therein with a first orientation for a horizontal orientation and a second orientation for a horizontal orientation. It may be a substrate repositioning chamber.

[0090] 기판은, 예컨대 화살표(1192)에 의해 표시된 바와 같이, 버퍼 챔버(1112)(도 10a 참조)를 통해 이동된다. 기판은 추가로, 클러스터 챔버, 이를테면, 진공 회전 챔버(1130)를 통해 프로세싱 챔버(1120) 내로 이동된다. 도 10a 및 10b와 관련하여 설명되는 일부 실시예들에서, 기판은 프로세싱 챔버(1120-I) 내로 이동된다. 예컨대, 정공 검사 층(HIL; hole inspection layer)이 프로세싱 챔버(1120-I) 내에서 기판 상에 증착될 수 있다.[0090] The substrate is moved through a buffer chamber 1112 (see FIG. 10A), for example, as indicated by arrow 1192. The substrate is further moved into the processing chamber 1120 through a cluster chamber, such as a vacuum rotating chamber 1130. In some embodiments described in connection with FIGS. 10A and 10B, the substrate is moved into the processing chamber 1120-I. For example, a hole inspection layer (HIL) may be deposited on the substrate in the processing chamber 1120-I.

[0091] 본 개시내용에서, 특히 모바일 디바이스들을 위한 OLED 평판 디스플레이의 제조가 참조된다. 그러나, 유사한 고려사항, 예들, 실시예들 및 양상들은 또한, 다른 기판 프로세싱 애플리케이션들에 제공될 수 있다. OLED 모바일 디스플레이의 예의 경우, 공통 금속 마스크(CMM; common metal mask)가 프로세싱 챔버(1120-I) 내에서 제공된다. CMM은 각각의 모바일 디스플레이에 대한 에지 배제 마스크를 제공한다. 각각의 모바일 디스플레이는 하나의 개구로 마스킹되고, 디스플레이들 사이의 영역들에 대응하는 기판 상의 영역들은 주로 CMM에 의해 커버된다.[0091] In this disclosure, reference is made in particular to the manufacture of OLED flat panel displays for mobile devices. However, similar considerations, examples, embodiments, and aspects may also be provided for other substrate processing applications. In the case of an OLED mobile display, a common metal mask (CMM) is provided within the processing chamber 1120-I. The CMM provides an edge exclusion mask for each mobile display. Each mobile display is masked with one opening and the areas on the substrate corresponding to the areas between the displays are mainly covered by the CMM.

[0092] 이어서, 기판은 프로세싱 챔버(1120)로부터 인접한 클러스터 챔버, 예컨대 진공 회전 챔버(1130) 내로, 그리고 제1 전달 챔버(1182)를 통해, 그리고 추가의 클러스터 챔버를 통해, 그리고 프로세싱 챔버(1120-II) 내로 이동된다. 이는 도 10b에서 화살표(1194)에 의해 표시된다. 프로세싱 챔버(1120-II) 내에서, 정공 수송 층(HTL; hole transfer layer)이 기판 상에 증착된다. 정공 주입 층과 유사하게, 정공 수송 층은 모바일 디스플레이 당 하나의 개구를 갖는 공통 금속 마스크로 제조된다. 또한, 기판은 프로세싱 챔버(1120-II)로부터 인접한 클러스터 챔버, 예컨대 진공 회전 챔버(1130) 내로, 그리고 제2 전달 챔버(1184)를 통해, 그리고 추가의 클러스터 챔버를 통해, 그리고 프로세싱 챔버(1120-III) 내로 이동된다. 이는 도 10b에서 추가의 화살표(1194)에 의해 표시된다.[0092] Subsequently, the substrate is then transferred from the processing chamber 1120 into an adjacent cluster chamber, such as the vacuum rotating chamber 1130, through the first transfer chamber 1182, and through an additional cluster chamber, and the processing chamber 1120-II. Is moved into. This is indicated by arrow 1194 in FIG. 10B. In the processing chamber 1120-II, a hole transfer layer (HTL) is deposited on the substrate. Similar to the hole injection layer, the hole transport layer is made of a common metal mask with one opening per mobile display. In addition, the substrate is from the processing chamber 1120-II into an adjacent cluster chamber, such as the vacuum rotating chamber 1130, and through the second transfer chamber 1184, and through an additional cluster chamber, and the processing chamber 1120-1. III) are moved into. This is indicated by an additional arrow 1194 in FIG. 10B.

[0093] 전달 챔버 또는 전이 모듈은, 적어도 2개의 다른 진공 모듈들 또는 진공 챔버들 사이에, 예컨대 진공 회전 챔버들 사이에 삽입될 수 있는 진공 모듈 또는 진공 챔버로서 이해될 수 있다. 캐리어들, 예컨대 마스크 캐리어들 및/또는 기판 캐리어들은 전달 챔버의 길이 방향으로 전달 챔버를 통해 이송될 수 있다. 전달 챔버의 길이 방향은 진공 프로세싱 시스템의 메인 이송 방향, 즉, 클러스터 챔버들의 인-라인 어레인지먼트에 대응할 수 있다.[0093] A transfer chamber or transition module can be understood as a vacuum module or vacuum chamber that can be inserted between at least two other vacuum modules or vacuum chambers, for example between vacuum rotating chambers. Carriers, such as mask carriers and / or substrate carriers, may be transported through the transfer chamber in the longitudinal direction of the transfer chamber. The longitudinal direction of the transfer chamber may correspond to the main conveying direction of the vacuum processing system, ie the in-line arrangement of the cluster chambers.

[0094] 프로세싱 챔버(1120-III) 내에서, 전자 차단 층(EB; electron blocking layer)이 기판 상에 증착된다. 전자 차단 층은 미세 금속 마스크(FFM; fine metal mask)로 증착될 수 있다. 미세 금속 마스크는, 예컨대 미크론 범위로 사이즈가 정해진 복수의 개구들을 갖는다. 복수의 미세 개구들은 모바일 디스플레이의 픽셀 또는 모바일 디스플레이의 픽셀의 컬러에 대응한다. 따라서, FFM 및 기판은 유익하게, 디스플레이 상의 픽셀들의 정렬을 미크론 범위로 갖기 위해, 서로에 대해 매우 정확하게 정렬된다.[0094] Within the processing chamber 1120-III, an electron blocking layer (EB) is deposited on the substrate. The electron blocking layer may be deposited with a fine metal mask (FFM). The fine metal mask has a plurality of openings sized, for example, in the micron range. The plurality of micro apertures corresponds to the color of the pixel of the mobile display or the pixel of the mobile display. Thus, the FFM and the substrate are advantageously aligned very precisely with respect to each other in order to have the alignment of the pixels on the display in the micron range.

[0095] 기판은 프로세싱 챔버(1120-III)로부터 프로세싱 챔버(1120-IV)로, 이어서, 프로세싱 챔버(1120-V)로 그리고 프로세싱 챔버(1120-VI)로 이동된다. 이송 경로들 각각에 대해, 기판은 프로세싱 챔버로부터, 예컨대 진공 회전 챔버 내로, 그리고 전달 챔버를 통해, 그리고 진공 회전 챔버를 통해, 그리고 다음 프로세싱 챔버 내로 이동된다. 예컨대, 적색 픽셀들을 위한 OLED 층은 챔버(1120-IV) 내에서 증착될 수 있고, 녹색 픽셀들을 위한 OLED 층은 챔버(1120-V) 내에서 증착될 수 있고, 청색 픽셀들을 위한 OLED 층은 챔버(1120-VI) 내에서 증착될 수 있다. 컬러 픽셀들에 대한 층들 각각은 미세 금속 마스크로 증착된다. 하나의 픽셀의 외관(appearance)을 제공하기 위해, 상이한 컬러의 픽셀 도트들이 기판 상에서 서로 인접하도록, 개개의 미세 금속 마스크들은 상이하다. 프로세싱 챔버(1120-VI)로부터 프로세싱 챔버(1120-VII)로 연장되는 추가의 화살표(1194)에 의해 표시되는 바와 같이, 기판은 프로세싱 챔버로부터 클러스터 챔버 내로, 그리고 전달 챔버를 통해, 그리고 추가의 클러스터 챔버를 통해, 그리고 후속적인 프로세싱 챔버 내로 이동될 수 있다. 프로세싱 챔버(1120-VII) 내에서, 전자 수송 층(ETL; electron transfer layer)은 공통 금속 마스크(CMM)로 증착될 수 있다.[0095] The substrate is moved from processing chamber 1120-III to processing chamber 1120-IV, then to processing chamber 1120-V and to processing chamber 1120-VI. For each of the transfer paths, the substrate is moved from the processing chamber, such as into the vacuum rotating chamber and through the transfer chamber, and through the vacuum rotating chamber, and into the next processing chamber. For example, an OLED layer for red pixels can be deposited in chamber 1120-IV, an OLED layer for green pixels can be deposited in chamber 1120 -V, and an OLED layer for blue pixels is chamber May be deposited within (1120-VI). Each of the layers for the color pixels is deposited with a fine metal mask. In order to provide the appearance of one pixel, the individual fine metal masks are different so that pixel dots of different color are adjacent to each other on the substrate. As indicated by an additional arrow 1194 extending from the processing chamber 1120-VI to the processing chamber 1120-VII, the substrate is from the processing chamber into the cluster chamber and through the transfer chamber, and the additional cluster. It can be moved through the chamber and into the subsequent processing chamber. Within the processing chamber 1120-VII, an electron transfer layer (ETL) may be deposited with a common metal mask (CMM).

[0096] 하나의 기판에 대해 위에서 설명된 기판 트래픽은, 진공 프로세싱 시스템(1100) 내에서 동시적으로 프로세싱되는 복수의 기판들에 대해 유사하다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 시스템의 택트 시간(tact time), 즉, 시간 기간은 180초 또는 그 미만, 예컨대 60초 내지 180초일 수 있다. 따라서, 기판은 이러한 시간 기간, 즉, 제1 예시적 시간 기간(T) 내에 프로세싱된다. 위에서 설명된 프로세싱 챔버들 및 아래에서 설명되는 후속적인 프로세싱 챔버들 내에서, 하나의 기판이 제1 시간 기간(T) 내에 프로세싱되고, 방금 프로세싱된 다른 기판은 제1 시간 기간(T) 내에 프로세싱 챔버 밖으로 이동되고, 그리고 프로세싱될 또 다른 기판은 제1 시간 기간(T) 내에 프로세싱 챔버 내로 이동된다. 하나의 기판은 프로세싱 챔버들 각각 내에서 프로세싱될 수 있는 한편, 2개의 추가의 기판들은 이러한 프로세싱 챔버에 대한 기판 트래픽에 참여하는데, 즉, 제1 시간 기간(T) 동안에 하나의 추가의 기판은 개개의 프로세싱 챔버로부터 언로딩되고 그리고 하나의 기판은 개개의 프로세싱 챔버 내로 로딩된다.[0096] The substrate traffic described above for one substrate is similar for a plurality of substrates processed simultaneously in the vacuum processing system 1100. According to some embodiments, which may be combined with other embodiments described herein, the tact time, ie, time period, of the system may be 180 seconds or less, such as 60 seconds to 180 seconds. Thus, the substrate is processed within this time period, ie, the first exemplary time period T. In the processing chambers described above and subsequent processing chambers described below, one substrate is processed within the first time period T, and the other substrate just processed is processed within the first time period T. Another substrate to be moved out and to be processed is moved into the processing chamber within the first time period T. One substrate can be processed in each of the processing chambers, while two additional substrates participate in substrate traffic for this processing chamber, ie, during the first time period T, one additional substrate is individually Unloaded from the processing chamber and one substrate is loaded into the respective processing chamber.

[0097] 프로세싱 챔버(1120-I)로부터 프로세싱 챔버(1120-VII)로의 예시적인 기판의 위에서 설명된 루트(route)는 진공 프로세싱 시스템(1100)의 프로세싱 챔버들의 로우(row), 예컨대, 도 10a 및 도 10b의 하부 로우에서 제공된다. 진공 프로세싱 시스템의 로우 또는 하부 부분은 도 10b에서 화살표(1032)에 의해 표시된다.[0097] The above described route of an exemplary substrate from processing chamber 1120-I to processing chamber 1120-VII is a row of processing chambers of vacuum processing system 1100, eg, FIGS. 10A and 10B. Is provided in the lower row of. The row or bottom portion of the vacuum processing system is indicated by arrow 1032 in FIG. 10B.

[0098] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 기판들은, 진공 프로세싱 시스템의 하나의 로우 또는 하나의 부분에서, 진공 프로세싱 시스템의 클러스터 챔버들의 인-라인 어레인지먼트의 일 종단으로부터 클러스터 챔버들의 인-라인 어레인지먼트의 반대편 종단까지 라우팅될 수 있다. 인-라인 어레인지먼트, 예컨대 도 10a의 우측의, 진공 회전 챔버(1130)의 반대편 종단에서, 기판은 진공 프로세싱 시스템의 다른 로우 또는 다른 부분으로 전달된다. 이는 도 10b에서 화살표(1195)에 의해 표시된다. 도 10b에서 화살표(1034)에 의해 표시되는, 진공 프로세싱 시스템의 다른 로우 상에서 또는 다른 부분 내에서, 클러스터 챔버들의 인-라인 어레인지먼트의 반대편 종단으로부터 클러스터 챔버들의 인-라인 어레인지먼트의 일 종단, 즉, 시작 종단으로 이동하는 동안, 기판은 후속적인 프로세싱 챔버들 내에서 프로세싱된다.[0098] According to some embodiments, which may be combined with other embodiments described herein, the substrates may, in one row or part of the vacuum processing system, end one of the in-line arrangement of the cluster chambers of the vacuum processing system. From to the opposite end of the in-line arrangement of the cluster chambers. At the opposite end of the in-line arrangement, such as the vacuum rotation chamber 1130, on the right side of FIG. 10A, the substrate is transferred to another row or other portion of the vacuum processing system. This is indicated by arrow 1195 in FIG. 10B. One end of the in-line arrangement of the cluster chambers, i.e., from the opposite end of the in-line arrangement of the cluster chambers, on another row or in another portion of the vacuum processing system, indicated by arrow 1034 in FIG. 10B. While moving to the end, the substrate is processed in subsequent processing chambers.

[0099] 도 10a에 도시된 예에서, 예시적인 기판은 프로세싱 챔버(1120-VIII)로, 그리고 이어서, 프로세싱 챔버(1120-IX)로 이동된다. 예컨대, 금속화 층 ― 금속화 층은 예시적으로 OLED 디바이스의 캐소드를 형성할 수 있음 ― 은, 예컨대, 위에서 설명된 바와 같은 공통 금속 마스크로 프로세싱 챔버(1120-VIII) 내에서 증착될 수 있다. 예컨대, 다음의 금속들: Al, Au, Ag, Cu 중 하나 이상이 증착 모듈들 중 일부 내에서 증착될 수 있다. 적어도 하나의 재료는 투명 전도성 옥사이드 재료, 예컨대, ITO일 수 있다. 적어도 하나의 재료는 투명한 재료일 수 있다. 그 후에, 캡핑 층(CPL; capping layer)이, 예컨대 공통 금속 마스크로, 프로세싱 챔버(1120-IX) 내에서 증착된다.[0099] In the example shown in FIG. 10A, the example substrate is moved to processing chamber 1120-VIII and then to processing chamber 1120-IX. For example, the metallization layer, where the metallization layer may illustratively form the cathode of the OLED device, may be deposited in the processing chamber 1120-VIII with, for example, a common metal mask as described above. For example, one or more of the following metals: Al, Au, Ag, Cu may be deposited in some of the deposition modules. At least one material may be a transparent conductive oxide material, such as ITO. At least one material may be a transparent material. Thereafter, a capping layer (CPL) is deposited in the processing chamber 1120-IX, such as with a common metal mask.

[00100] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 추가의 프로세싱 챔버(1120-X)가 제공될 수 있다. 예컨대, 이러한 프로세싱 챔버는, 다른 프로세싱 챔버들 중 하나가 유지보수되는 동안에 그 다른 프로세싱 챔버를 대체하는 대체 프로세싱 챔버일 수 있다.[00100] According to some embodiments, which may be combined with other embodiments described herein, an additional processing chamber 1120-X may be provided. For example, such a processing chamber may be an alternate processing chamber that replaces that other processing chamber while one of the other processing chambers is being maintained.

[00101] 최종 프로세싱 후에, 기판은 버퍼 챔버(1112)를 통해 진공 스윙 모듈(1110), 즉, 기판 재포지셔닝 챔버로 이동될 수 있다. 이는 도 10b에서 화살표(1193)에 의해 표시된다. 진공 스윙 모듈 내에서, 기판은 프로세싱 배향, 즉, 본질적으로 수직 배향으로부터, 팩토리와의 인터페이스에 대응하는 기판 배향, 예컨대 수평 배향으로 이동된다.[00101] After final processing, the substrate may be moved through the buffer chamber 1112 to the vacuum swing module 1110, ie, the substrate repositioning chamber. This is indicated by arrow 1193 in FIG. 10B. Within the vacuum swing module, the substrate is moved from the processing orientation, ie essentially vertical orientation, to a substrate orientation corresponding to the interface with the factory, such as a horizontal orientation.

[00102] 도 10a는, 예컨대 클러스터 챔버들, 이를테면, 회전시키는 챔버(making rotation chamber)들 사이에 제공되는 전달 챔버들을 도시한다. 도 10a는 제1 전달 챔버들(1182) 및 제2 전달 챔버(1184)를 도시한다. 인접한 또는 후속적인 프로세싱 챔버들 사이의 거리를 감소시키는 것뿐만 아니라 진공 프로세싱 시스템의 풋프린트(footprint)를 감소시키는 것은 전달 챔버들의 길이들의 감소를 제안하는 것으로 여겨진다. 놀랍게도, 전달 챔버들의 길이들의 부분적인 증가는 진공 프로세싱 시스템(1100)의 택트 시간을 개선시킨다는 것이 밝혀졌다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 진공 프로세싱 시스템은 적어도, 제1 길이의 제1 타입의 전달 챔버, 즉, 제1 전달 챔버(1182) 및 제1 길이와 상이한 제2 길이를 갖는 제2 타입의 전달 챔버, 즉, 제2 전달 챔버(1184)를 포함한다.[00102] FIG. 10A shows transfer chambers provided between, for example, cluster chambers, such as making rotation chambers. 10A shows first transfer chambers 1182 and second transfer chamber 1184. Reducing the footprint of the vacuum processing system as well as reducing the distance between adjacent or subsequent processing chambers is believed to suggest a reduction in the lengths of the transfer chambers. Surprisingly, it has been found that a partial increase in the lengths of the transfer chambers improves the tact time of the vacuum processing system 1100. According to embodiments described herein, a vacuum processing system is at least a first type of transfer chamber of a first length, that is, a first type of transfer chamber 1182 and a second type having a second length different from the first length. Delivery chamber, ie, second delivery chamber 1184.

[00103] 본 개시내용의 실시예에 따르면, 기판 상에 복수의 층들을 증착하기 위한 진공 프로세싱 시스템이 제공될 수 있다. 진공 프로세싱 시스템은, 제1 길이를 갖고 진공 챔버에 연결되는 제1 전달 챔버; 및 진공 챔버에 연결되는 제2 전달 챔버를 포함하며, 제2 전달 챔버는 제1 길이보다 더 작은 제2 길이를 갖는다.[00103] According to embodiments of the present disclosure, a vacuum processing system may be provided for depositing a plurality of layers on a substrate. The vacuum processing system includes a first transfer chamber having a first length and connected to a vacuum chamber; And a second transfer chamber coupled to the vacuum chamber, the second transfer chamber having a second length that is less than the first length.

[00104] 예컨대, 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 추가의 실시예들에 따르면, 기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템은, 제1 클러스터 챔버에 연결된 제1 프로세싱 챔버; 제1 프로세싱 챔버 내에서 기판을 프로세싱하기 위한 제1 프로세싱 스테이션; 제2 클러스터 챔버에 연결된 제2 프로세싱 챔버; 제1 클러스터 챔버 및 제2 클러스터 챔버에 연결된 제1 전달 챔버 ― 제1 전달 챔버는 제1 클러스터 챔버와 제2 클러스터 챔버 사이에서 연장되는 제1 길이를 갖고, 제1 전달 챔버는 기판을 수용하도록 사이즈가 정해짐 ―; 제2 클러스터 챔버에 연결된 제2 전달 챔버 ― 제2 전달 챔버는 제1 길이보다 더 작은 제2 길이를 가짐 ―; 제1 프로세싱 챔버, 제2 프로세싱 챔버, 제1 클러스터 챔버, 제2 클러스터 챔버, 제1 전달 챔버, 및 제2 전달 챔버를 통해 수직으로부터 15° 또는 그 미만만큼 편향된 배향으로 기판을 라우팅하기 위해 제공된 기판 이송 어레인지먼트를 포함한다.[00104] For example, according to further embodiments, which may be combined with other embodiments described herein, a vacuum processing system for processing a substrate may include a first processing chamber connected to a first cluster chamber; A first processing station for processing a substrate in a first processing chamber; A second processing chamber coupled to the second cluster chamber; A first transfer chamber coupled to the first cluster chamber and the second cluster chamber, the first transfer chamber having a first length extending between the first cluster chamber and the second cluster chamber, the first transfer chamber being sized to receive a substrate; Is determined; A second transfer chamber coupled to a second cluster chamber, the second transfer chamber having a second length less than the first length; A substrate provided for routing a substrate in an orientation biased by 15 ° or less from vertical through a first processing chamber, a second processing chamber, a first cluster chamber, a second cluster chamber, a first transfer chamber, and a second transfer chamber. Includes a transfer arrangement.

[00105] 제1 길이를 갖는 제1 전달 챔버는 기판을 수용하는 것을 가능하게 한다. 기판은 제1 전달 챔버 내에 파킹될 수 있다. 기판을 파킹하는 것은 기판이 용이하게 이용가능해지는 것을 가능하게 한다. 이는 전체적인 택트 시간을 감소시킬 수 있다. 제1 길이보다 더 작은 제2 길이를 갖는 제2 전달 챔버는 인접한 또는 후속적인 프로세싱 챔버들 사이의 거리를 감소시킨다. 제1 길이보다 더 작은 제2 길이를 갖는 제2 전달 챔버는 부가적으로 또는 대안적으로, 진공 프로세싱 시스템의 풋프린트를 감소시킨다.[00105] The first transfer chamber having the first length makes it possible to receive the substrate. The substrate may be parked in the first transfer chamber. Parking the substrate allows the substrate to be readily available. This can reduce the overall tact time. The second transfer chamber having a second length smaller than the first length reduces the distance between adjacent or subsequent processing chambers. The second transfer chamber having a second length smaller than the first length additionally or alternatively reduces the footprint of the vacuum processing system.

[00106] 상기 내용 외에, 상이한 길이들을 갖는 2가지 타입들의 전달 챔버들을 갖는 것은, 전형적으로 미리 결정된 환경일 수 있는 팩토리 홀의 구조에 대한 풋프린트의 적응을 가능하게 한다. 도 10a 및 도 10b는 필라들(1020)을 도시한다. 필라들은 제조 홀에 의해 제공되는 경계 컨디션이며, 예컨대 구조적 엔지니어링 계산들을 고려하여 정의된다. 상이한 길이들을 갖는 2가지 타입들의 전달 챔버들을 갖는 것은 추가로, 제조 홀에 대한 진공 프로세싱 시스템의 적응을 가능하게 한다. 전달 챔버의 길이를 연장시키는 것은, 하나의 로우에서 인접한 2개의 프로세싱 챔버들 사이에 필라(1020)를 갖는 것을 가능하게 하며, 파킹된 포지션을 제공하는 것을 가능하게 한다.[00106] In addition to the above, having two types of transfer chambers with different lengths enables adaptation of the footprint to the structure of the factory hole, which may typically be a predetermined environment. 10A and 10B show pillars 1020. The pillars are boundary conditions provided by the manufacturing hole and are defined, for example, taking into account structural engineering calculations. Having two types of transfer chambers with different lengths further enables adaptation of the vacuum processing system to the manufacturing hole. Extending the length of the transfer chamber makes it possible to have a pillar 1020 between two adjacent processing chambers in one row, and to provide a parked position.

[00107] 본 개시내용의 실시예들은 놀랍게도, 풋프린트의 감소, 택트 시간의 감소뿐만 아니라 제조 홀의 구조적 컨디션들에 대한 적응을 포함한 장점들의 조합을 가져온다.[00107] Embodiments of the present disclosure surprisingly bring a combination of advantages, including a reduction in footprint, a reduction in tact time as well as adaptation to the structural conditions of the fabrication hole.

[00108] 본 개시내용의 또 다른 추가의 특징들, 수정들, 및 실시예들에 따르면, 진공 프로세싱 시스템, 특히 하나의 시스템 내에서 5개 이상의 또는 심지어 10개 이상의 층들을 제공하는 진공 프로세싱 시스템의 풋프린트는, 본질적으로 수직 배향의 기판들, 특히 대면적 기판들을 가짐으로써 감소될 수 있다.[00108] According to still further features, modifications, and embodiments of the present disclosure, a footprint of a vacuum processing system, in particular a vacuum processing system that provides five or more or even ten or more layers within one system, Can be reduced by having substrates of essentially vertical orientation, in particular large area substrates.

[00109] 본 개시내용에 따른 실시예들은, 본질적으로 수직 포지션으로 유지되는 프로세싱된 기판에 대해 자동 광학 검사를 사용함으로써, 유기 층의 증착 동안에 마스크 엘리먼트, 이를테면, 미세 금속 마스크와 기판 사이의 정렬을 효율적인 방식으로 체크할 가능성을 포함한 몇몇 장점들을 갖는다. 게다가, 본 개시내용에 따른 실시예들은, 생산 라인을 방해함이 없이 그리고 유기 층의 증착 동안에 존재하는 동일한 컨디션들(예컨대, 기판 배향 및 압력) 하에서, 프로세싱된 기판의 광학 검사를 수행하는 장점을 갖는다. 또한, 본 개시내용에 따른 실시예들은, 라인의 종단에서의 검사와 비교하여 감소된 지연 시간으로, 증착된 층의 패터닝 품질에 관한 피드백을 프로세싱 챔버에 전송하는 장점을 갖는다. 또한, 본 개시내용에 따른 실시예들은, 피드백이, 결정된 프로세싱 챔버 내에서의 특정 층의 증착과 관련된다는 장점을 갖는다. 감소된 피드백 지연 시간뿐만 아니라 특정 증착된 층들의 패터닝 품질을 체크할 가능성은 프로세싱 시스템 및 방법의 개선된 수율을 가져온다.[00109] Embodiments in accordance with the present disclosure use automatic optical inspection on a processed substrate that remains essentially in a vertical position, thereby providing an efficient way to align the mask element, such as a micro metal mask, with the substrate during deposition of the organic layer. It has several advantages, including the possibility to check. Moreover, embodiments according to the present disclosure provide the advantage of performing optical inspection of the processed substrate without disturbing the production line and under the same conditions (eg, substrate orientation and pressure) present during deposition of the organic layer. Have In addition, embodiments in accordance with the present disclosure have the advantage of transmitting feedback to the processing chamber regarding the patterning quality of the deposited layer, with a reduced delay compared to inspection at the end of the line. In addition, embodiments in accordance with the present disclosure have the advantage that the feedback is related to the deposition of a particular layer in the determined processing chamber. The possibility of checking the patterning quality of certain deposited layers as well as the reduced feedback delay time results in improved yields of processing systems and methods.

[00110] 전술한 바가 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 그리고 추가적인 실시예들이, 본 개시내용의 기본적인 범위를 벗어나지 않으면서 고안될 수 있고, 본 개시내용의 범위는 다음의 청구항들에 의해 결정된다.[00110] While the foregoing is directed to embodiments of the present disclosure, other and further embodiments of the present disclosure may be devised without departing from the basic scope of the present disclosure, the scope of the present disclosure being set forth in the following claims Determined by

Claims (15)

적어도 제1 프로세싱 챔버 및 제2 프로세싱 챔버 내에서 프로세싱된 기판의 광학 검사를 위한 장치로서,
상기 제1 프로세싱 챔버와 상기 제2 프로세싱 챔버 사이에서, 상기 제1 프로세싱 챔버 내에서 프로세싱된 기판에 대해 광학 검사를 수행하기 위한 검사 디바이스를 포함하는,
기판의 광학 검사를 위한 장치.
An apparatus for optical inspection of a substrate processed in at least a first processing chamber and a second processing chamber,
An inspection device between the first processing chamber and the second processing chamber, for performing an optical inspection on a substrate processed in the first processing chamber,
Device for optical inspection of substrates.
제1 항에 있어서,
상기 디바이스는, 본질적으로 수직 포지션의 기판의 광학 검사를 위해 구성되는,
기판의 광학 검사를 위한 장치.
The method of claim 1,
The device is configured for optical inspection of the substrate in an essentially vertical position,
Device for optical inspection of substrates.
제1 항 또는 제2 항에 있어서,
상기 검사 디바이스는 오프셋 마스크 값(offset mask value)을 검출하며, 상기 오프셋 마스크 값은 마스크 엘리먼트에 대한 상기 기판의 상대적 포지션에 대응하는,
기판의 광학 검사를 위한 장치.
The method according to claim 1 or 2,
The inspection device detects an offset mask value, the offset mask value corresponding to a relative position of the substrate relative to a mask element,
Device for optical inspection of substrates.
제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 검사 디바이스는 적어도,
상기 기판을 일루미네이팅(illuminating)하기 위한 광원;
상기 기판의 적어도 일부의 하나 이상의 이미지들을 취하기 위한 하나 이상의 이미지 캡처 디바이스들; 및
캡처된 이미지들을 프로세싱하기 위한 프로세싱 디바이스를 포함하는,
기판의 광학 검사를 위한 장치.
The method according to any one of claims 1 to 3,
The inspection device is at least,
A light source for illuminating the substrate;
One or more image capture devices for taking one or more images of at least a portion of the substrate; And
A processing device for processing the captured images,
Device for optical inspection of substrates.
제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 검사 디바이스는 적어도, 형광성 광(fluorescence light)을 검출하기 위한 옵틱스(optics)(68)를 더 포함하는,
기판의 광학 검사를 위한 장치.
The method according to any one of claims 1 to 4,
The inspection device further comprises at least optics 68 for detecting fluorescence light,
Device for optical inspection of substrates.
제1 항 내지 제5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 검사 디바이스는, 진공 컨디션들 하에서 유지되는 상기 기판을 검사하도록 포지셔닝되는,
기판의 광학 검사를 위한 장치.
The method according to any one of claims 1 to 5,
The inspection device is positioned to inspect the substrate held under vacuum conditions,
Device for optical inspection of substrates.
제1 항 내지 제6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 검사 디바이스는 인-라인 검사 시스템(in-line inspection system)인,
기판의 광학 검사를 위한 장치.
The method according to any one of claims 1 to 6,
The inspection device is an in-line inspection system,
Device for optical inspection of substrates.
기판의 광학 검사를 위한 시스템으로서,
적어도 제1 프로세싱 챔버 및 제2 프로세싱 챔버; 및
적어도, 상기 제1 프로세싱 챔버로부터 상기 기판을 수용하고 그리고 상기 기판을 상기 제2 프로세싱 챔버로 전달하기 위한 전달 챔버(transfer chamber)를 포함하며,
상기 전달 챔버에는, 상기 제1 프로세싱 챔버 내에서 프로세싱된 기판에 대한 광학 검사를 수행하기 위한 검사 디바이스가 제공되는,
기판의 광학 검사를 위한 시스템.
A system for optical inspection of a substrate,
At least a first processing chamber and a second processing chamber; And
At least a transfer chamber for receiving the substrate from the first processing chamber and for transferring the substrate to the second processing chamber,
The transfer chamber is provided with an inspection device for performing an optical inspection on the substrate processed in the first processing chamber,
System for optical inspection of substrates.
기판의 인-라인 광학 검사를 위한 방법으로서,
상기 기판을 제1 프로세싱 챔버로부터 수용하는 단계;
증착 파라미터들에 따라 상기 제1 프로세싱 챔버 내에서 프로세싱된 상기 기판에 대한 광학 검사를 수행하는 단계;
상기 기판의 품질에 대한 정보 데이터를 획득하는 단계;
상기 정보 데이터를 상기 제1 프로세싱 챔버에 다시(back) 전송하는 단계; 및
상기 제1 프로세싱 챔버 내에서 후속적인 기판을 프로세싱하기 위해 상기 증착 파라미터들을 적응시키는 단계를 포함하는,
기판의 인-라인 광학 검사를 위한 방법.
A method for in-line optical inspection of a substrate,
Receiving the substrate from a first processing chamber;
Performing an optical inspection on the substrate processed in the first processing chamber in accordance with deposition parameters;
Obtaining information data about the quality of the substrate;
Sending the information data back to the first processing chamber; And
Adapting the deposition parameters for processing a subsequent substrate in the first processing chamber,
Method for in-line optical inspection of a substrate.
제9 항에 있어서,
상기 광학 검사를 수행하는 단계는,
상기 기판을 조명(lighting)하는 단계;
상기 기판의 적어도 일부분의 이미지들을 캡처하는 단계; 및
상이한 조명 컨디션들에서 취해진 상기 기판의 이미지들을 프로세싱하는 단계를 포함하는,
기판의 인-라인 광학 검사를 위한 방법.
The method of claim 9,
Performing the optical inspection,
Lighting the substrate;
Capturing images of at least a portion of the substrate; And
Processing images of the substrate taken in different lighting conditions,
Method for in-line optical inspection of a substrate.
제10 항에 있어서,
상기 기판의 일부분은 디바이스 픽셀 및/또는 제어 픽셀을 포함하는,
기판의 인-라인 광학 검사를 위한 방법.
The method of claim 10,
A portion of the substrate comprises a device pixel and / or a control pixel,
Method for in-line optical inspection of a substrate.
제9 항 내지 제11 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 정보 데이터를 획득하는 단계는 오프셋 마스크 값을 계산하는 단계를 포함하며,
상기 오프셋 마스크 값은 상기 기판과 증착 소스 사이에 로케이팅된 마스크 엘리먼트에 대한 상기 기판의 상대적 포지션에 대응하는,
기판의 인-라인 광학 검사를 위한 방법.
The method according to any one of claims 9 to 11,
Acquiring the information data includes calculating an offset mask value,
The offset mask value corresponds to a relative position of the substrate relative to a mask element located between the substrate and the deposition source,
Method for in-line optical inspection of a substrate.
제12 항에 있어서,
상기 기판의 복수의 부분들에 대한 그리고 복수의 이미지 캡처 디바이스들에 의해 취해진 캡처된 이미지들로부터의 정보 데이터를 평균함으로써, 상기 기판의 오프셋 마스크 값을 계산하는 단계를 더 포함하는,
기판의 인-라인 광학 검사를 위한 방법.
The method of claim 12,
Calculating an offset mask value of the substrate by averaging information data for the plurality of portions of the substrate and from captured images taken by the plurality of image capture devices,
Method for in-line optical inspection of a substrate.
제9 항 내지 제13 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 광학 검사를 수행하는 단계는, 적어도, 형광성 일루미네이션(fluorescence illumination) 하에서 상기 기판의 이미지를 취하는 단계를 포함하는,
기판의 인-라인 광학 검사를 위한 방법.
The method according to any one of claims 9 to 13,
Performing the optical inspection includes taking an image of the substrate under at least fluorescence illumination,
Method for in-line optical inspection of a substrate.
기판에 커플링된 마스크 엘리먼트에 대한 상기 기판의 포지션을 정렬하기 위한 시스템으로서,
상기 기판 및 상기 마스크 엘리먼트는, 본질적으로 수직 포지션에 있고,
상기 시스템은,
상기 기판에 대한 상기 마스크 엘리먼트의 상대적 포지션을 광학적으로 검사하기 위한 검사 디바이스 ― 상기 마스크 엘리먼트는 프로세싱 챔버 내에서 상기 기판을 프로세싱하는 데 사용되고, 그리고 상기 검사 디바이스는 상기 프로세싱 챔버 다음에 로케이팅됨 ―,
대응하는 오프셋 마스크 값을 계산하기 위한 프로세싱 디바이스, 및
상기 계산된 오프셋 마스크 값에 대한 응답으로, 상기 기판에 대한 상기 마스크 엘리먼트의 포지션을 조정하기 위한 조정 디바이스를 포함하는,
시스템.
A system for aligning a position of a substrate relative to a mask element coupled to a substrate, the system comprising:
The substrate and the mask element are essentially in a vertical position,
The system,
An inspection device for optically inspecting the relative position of the mask element relative to the substrate, wherein the mask element is used to process the substrate in a processing chamber, and the inspection device is located after the processing chamber;
A processing device for calculating a corresponding offset mask value, and
An adjustment device for adjusting the position of the mask element relative to the substrate in response to the calculated offset mask value,
system.
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