KR20190108372A - 이미지 센서용 픽셀, 포토 다이오드 및 이미지 센서의 구동 방법 - Google Patents

이미지 센서용 픽셀, 포토 다이오드 및 이미지 센서의 구동 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서용 픽셀은 리셋 신호에 기초하여 포토 다이오드에 전원전압을 공급하는 리셋 트랜지스터; 전달제어신호에 기초하여 상기 포토 다이오드와 플로팅 확산 영역을 연결하는 전달 트랜지스터; 상기 플로팅 확산 영역의 전압을 출력하는 변환 트랜지스터; 및 상기 변환 트랜지스터를 구동하는 선택 트랜지스터를 포함한다.

Description

이미지 센서용 픽셀, 포토 다이오드 및 이미지 센서의 구동 방법{PIXEL FOR IMAGE SENSOR, PHOTODIODE AND DRIVING METHOD FOR IMAGE SENSOR}
본 발명은 이미지 센서에 관한 것으로, 보다 상세하게는 이미지 센서용 픽셀의 구조, 이미지 센서에 사용되는 포토 다이오드 및 이미지 센서의 구동 방법에 관한 것이다.
이미지 센서는 광학 영상을 전기 신호로 변환시키는 소자이다. 최근 들어, 컴퓨터 산업과 통신 산업의 발달에 따라 디지털 카메라, 캠코더, PCS(Personal Communication System), 게임 기기, 경비용 카메라, 의료용 마이크로 카메라, 로보트 등 다양한 분야에서 성능이 향상된 이미지 센서의 수요가 증대되고 있다.
이미지 센서 내의 픽셀에 저장된 전하는 누설될 수 있으며, 이에 따라 데이터가 손실될 수 있다. 특히, 글로벌 셔터 방식으로 동작하는 이미지 센서에서는 노출 시간이 종료하고 일정 시간이 경과한 후에 리드아웃 동작이 수행되기 때문에, 데이터의 손실 가능성이 높아진다.
또한, 픽셀에 저장된 전하는 포토 다이오드뿐만 아니라 픽셀에 포함된 트랜지스터 등의 다른 영역에서도 발생할 수 있으며, 이는 데이터의 정확도를 떨어뜨릴 수 있다.
이와 같이 여러 요인으로 인해 데이터의 손실 또는 변형이 발생할 수 있으며, 이는 FPN(Fixed-Pattern Noise)이나 이미지의 그라데이션을 초래할 수 있다.
본 발명의 실시예들은 데이터의 손실 또는 변형을 감소시킴으로써 FPN(Fixed-Pattern Noise) 및 그라데이션을 감소시킬 수 있는 이미지 센서용 픽셀 구조, 포토 다이오드 및 이미지 센서의 구동 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서용 픽셀은, 리셋 신호에 기초하여 포토 다이오드에 전원전압을 공급하는 리셋 트랜지스터; 전달제어신호에 기초하여 상기 포토 다이오드와 플로팅 확산 영역을 연결하는 전달 트랜지스터; 상기 플로팅 확산 영역의 전압을 출력하는 변환 트랜지스터; 및 상기 변환 트랜지스터를 구동하는 선택 트랜지스터를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따른 포토 다이오드는, 제1 PDN(Photo Diode N-type) 영역; 상기 제1 PDN 영역보다 높은 도핑 농도를 갖는 제2 PDN 영역; 및 상기 제2 PDN 영역에 접촉하는 콘택트를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서의 구동 방법은, 리셋 신호에 기초하여 포토 다이오드에 전원전압을 공급하는 리셋 트랜지스터; 전달제어신호에 기초하여 상기 포토 다이오드와 플로팅 확산 영역을 연결하는 전달 트랜지스터; 상기 플로팅 확산 영역의 전압을 출력하는 변환 트랜지스터; 및 선택 신호에 기초하여 상기 변환 트랜지스터를 구동하는 선택 트랜지스터를 포함하는 픽셀을 갖는 이미지 센서의 구동 방법으로서, 상기 리셋 신호 및 상기 전달제어신호를 활성화하는 리셋 단계; 상기 리셋 신호를 비활성화하는 축적 단계; 및 상기 선택 신호를 활성화하는 리드 아웃 단계를 포함한다.
본 발명의 실시예에 의하면 데이터의 손실 및 변형을 감소시킴으로써 FPN 및 그라데이션을 감소시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 픽셀의 구조를 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1의 구동 신호들의 타이밍도의 일 예이다.
도 3는 도 1의 구동 신호들의 타이밍도의 일 예이다.
도 4는 도 1의 구동 신호들의 타이밍도의 일 예이다.
도 5는 도 1의 구동 신호들의 타이밍도의 일 예이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 픽셀의 구조를 나타내는 도면이다.
도 7은 도 6의 아이솔레이션 트랜지스터의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 포토 다이오드의 구조 및 동작을 나타내는 도면이다.
도 9는 도 8의 포토 다이오드의 구조에서 축적 시간과 출력 전압의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 픽셀의 구조를 나타내는 도면이다.
도 11은 본 발명의 실시예에 따른 픽셀 구조가 적용된 휴대폰을 나타내는 도면이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 픽셀(1)의 구조를 나타내는 도면이다.
도 1을 참조하면, 이미지 센서(1)는 포토 다이오드(PD), 리셋 트랜지스터(P1), 전달 트랜지스터(P2), 플로팅 확산 영역(FD), 선택 트랜지스터(P3), 변환 트랜지스터(N1) 및 전류원(Is)을 포함할 수 있다. 포토 다이오드(PD)는 그라운드와 노드 ND1의 사이에 연결되고, 리셋 트랜지스터(P1)는 전원전압 공급라인(VDD)과 노드 ND1의 사이에 연결되고, 전달 트랜지스터(P2)는 노드 ND1와 노드 ND2의 사이에 연결되고, 플로팅 확산 영역(FD)는 노드 ND2와 그라운드 사이에 연결된다. 선택 트랜지스터(P3), 변환 트랜지스터(N1) 및 전류원(Is)는 전원전압 공급라인(VDD)와 그라운드의 사이에 직렬로 연결되고, 변환 트랜지스터(N1)의 게이트는 노드 ND2에 연결된다. 변환 트랜지스터(N1)와 전류원(Is)이 연결되는 노드 ND3의 전압이 출력 전압 Vout이 된다.
포토 다이오드(PD)는 광 신호를 전기 신호로 변환함으로써 영상 신호를 검출한다. 포토 다이오드(PD)는 광전 변환 소자의 예시이며, 포토 트랜지스터(photo transistor), 포토 게이트(photo gate) 및 핀드 포토다이오드(pinned photo diode(PPD) 중에서 적어도 하나로 구성될 수 있다.
플로팅 확산 영역(FD)는 포토 다이오드(PD)에서 발생한 전하를 축적한다. 플로팅 확산 영역(FD)는 도 1에 도시된 바와 같이, 정션(junction) 캐패시터(Cj)와 추가 캐패시터(Cm)를 포함할 수 있다. 정션 캐패시터(Cj)는 PN 정션 구조를 갖는 캐패시터를 나타낸다. 추가 캐패시터(Cm)는 정션 캐패시터(Cj) 외에 추가적으로 연결하는 캐패시터로서, 예를 들어 MIM(Metal-Insulator-Metal) 또는 MOS 캐패시터일 수 있다.
글로벌 셔터 방식의 경우, 나중에 리드아웃되는 로우, 예를 들어 아래쪽 로우에 해당하는 픽셀일수록 플로팅 확산 영역(FD)에 오랫동안 전하를 저장해야 하기 때문에, 전하 누설이 발생할 가능성이 커진다. 이에 따라, 아래쪽 로우에 해당하는 픽셀의 출력 전압이 떨어져 이미지에 그라데이션이 발생하거나 FPN이 발생할 수 있다. MIM 캐패시터는 전하 누설이 적기 때문에 그라데이션 또는 FPN을 감소시킬 수 있다. 또한, MIM 캐패시터는 전하 누설이 적기 때문에 프레임 버퍼로서 이용될 수 있다.
리셋 트랜지스터(P1)는 리셋 신호(RX/)에 기초하여 포토 다이오드(PD)의 전압, 즉 노드 ND1의 전압을 초기화하며, 후술하는 전달 트랜지스터(P2)와 함께 플로팅 확산 영역(FD)의 전압, 즉 노드 ND2의 전압을 초기화한다. 본 실시예에서 리셋 트랜지스터(P1)는 PMOS 트랜지스터일 수 있으며, 리셋 신호(RX/)가 로우 레벨일 때 턴온되어 포토 다이오드(PD)의 전압을 전원전압 VDD으로 리셋할 수 있다. 이에 따라, 리셋 트랜지스터(P1)의 게이트-소스 간 전압 강하가 발생하지 않기 때문에, 노드 ND1을 전원전압 VDD로 리셋할 수 있어 FPN을 감소시킬 수 있다.
전달 트랜지스터(P2)는 전달제어신호(TX/)에 기초하여 포토 다이오드(PD)와 플로팅 확산 영역(FD)을 연결한다. 이에 따라, 리셋 동작 시에는 노드 ND2의 전압이, 전원전압 VDD로 리셋된 노드 ND1의 전압과 동일해진다. 또한, 포토 다이오드(PD)에서 전하 축적이 진행되는 동안 또는 전하 축적이 종료한 후에는, 포토 다이오드(PD)와 플로팅 확산 영역(FD) 간에 전하 셰어링이 발생한다. 본 실시예에서 전달 트랜지스터(P2)는 PMOS 트랜지스터일 수 있으며, 전달제어신호(TX/)가 로우 레벨일 때 턴온되어 포토 다이오드(PD)에 축적된 전하를 플로팅 확산 영역(FD)으로 전달할 수 있다. 전달 트랜지스터(P2)의 게이트-소스 간 전압 강하가 발생하지 않기 때문에, 노드 ND1의 전압을 노드 ND2의 전압과 동일하게 할 수 있어, FPN을 감소시킬 수 있다.
선택 트랜지스터(P3)는 선택제어신호(LS/)에 기초하여 변환 트랜지스터(N1)를 구동한다. 본 실시예에서 선택 트랜지스터(P3)는 PMOS 트랜지스터일 수 있으며, 리셋 트랜지스터(P1), 전달 트랜지스터(P2)와 마찬가지로 FPN을 감소시킬 수 있다.
변환 트랜지스터(N1)는 노드 ND2의 전하량에 따라 노드 ND3에서 출력 전압 Vout을 생성한다. 출력 전압 Vout은 CDS(Correlated Double Sampling) 유닛에서 영상 신호로서 출력될 수 있다.
도 2는 도 1의 구동 신호들의 타이밍도의 일 예이다. 도 2에서 구동신호들(RX/, TX/, LS/)의 오른쪽 괄호 안의 값은 구동신호들(RX/, TX/, LS/)이 인가되는 픽셀의 로우를 나타낸다. 예를 들어, RX/(n)은 n번째 로우에 해당하는 픽셀에 인가되는 리셋 신호(RX/)를 나타내고, RX/(n+1)은 n+1번째 로우에 해당하는 픽셀에 인가되는 리셋 신호(RX/)를 나타낸다. 또한, 본 실시예에 따른 리셋 신호(RX/), 전달제어신호(TX/), 선택 신호(LS/)는 로우 레벨일 때 인에이블되는 로우 인에이블 신호인 것으로 가정한다.
먼저 n번째 로우에 해당하는 픽셀에 인가되는 구동신호들에 대해 설명한다.
도 1 및 도 2를 참조하면, T0~T1 동안 n번째 로우의 리셋 신호(RX/(n)) 및 n번째 로우의 전달제어신호(TX/(n))가 로우 레벨이 된다. 이에 따라, 리셋 트랜지스터(P1) 및 전달 트랜지스터(P2)가 턴온되어, 노드 ND1 및 노드 ND2의 전압이 전원전압(VDD)으로 리셋된다.
T2~T3에서 n번째 로우의 리셋 신호(RX/(n)) 및 n번째 로우의 전달제어신호(TX/(n))가 다시 로우 레벨이 된다. T1 이후, 포토 다이오드(PD)에서 전하의 축적이 발생하는 T3까지 시간 간격이 있기 때문에, 노드 ND1 또는 노드 ND2의 전압에 변동이 발생할 수 있다. 노출 시간 T3 이전에 리셋 동작을 한번 더 수행함으로써 노드 ND1 및 노드 ND2의 전압이 전원전압 VDD가 되도록 보장할 수 있다.
T3~T5는 포토 다이오드(PD)의 노출 시간이다. 이에 따라, 포토 다이오드(PD)에서 광전 변환에 따른 전하가 발생하여 포토 다이오드(PD) 내부에 축적된다.
T5에서 포토 다이오드(PD)의 노출이 종료하고, T4~T5 동안 전달제어신호(TX/(n))가 로우 레벨이 된다. 이에 따라, 전달 트랜지스터(P2)가 턴온되어, 포토 다이오드(PD)에 축적된 전하가 플로팅 확산 영역(FD)에 공유된다.
T5에서 전달제어신호(TX/(n))가 하이 레벨로 천이하여 전하 셰어링이 종료된다.
T6에서 선택 신호(LS/(n))가 로우 레벨이 되고, 이에 따라, 선택 트랜지스터(P3) 및 변환 트랜지스터(N1)가 구동되어 출력 전압 Vout이 출력된다. 이때의 출력 전압 Vout을 신호 전압 Vsig라고 표시한다.
T7에서 CDS에 의해 출력 전압 Vout이 리드아웃되며, 이때 리드아웃된 출력 전압 Vout을 신호 전압 Vsig(n)이라고 표시한다.
T8~T9 동안 리셋 신호(RX/(n)) 및 전달제어신호(TX/(n))가 로우 레벨이 되어 노드 ND1 및 노드 ND2의 전압을 전원전압 VDD으로 리셋한다.
T9에서 리셋 신호(RX/(n)) 및 전달제어신호(TX/(n))를 하이 레벨로 천이시켜 리셋 트랜지스터(P1) 및 전달 트랜지스터(P2)을 턴 오프한다.
T10에서 CDS에 의해 출력 전압 Vout이 리드아웃되며, 이때 리드아웃된 출력 전압 Vout을 기준 전압 Vref(n)이라고 표시한다.
도시하지는 않았지만, CDS는 신호 전압 Vsig(n) 및 기준 전압 Vref(n)의 차이에 기초하여 n번째 로우에 대한 영상 신호를 생성한다.
다음으로 n+1번째 로우에 해당하는 픽셀에 인가되는 구동신호들에 대해 설명한다.
T0~T5 동안 인가되는 n+1번째 로우에 해당하는 픽셀에 인가되는 구동신호들의 타이밍도는, n번째 로우에 해당하는 픽셀에 인가되는 구동신호들의 타이밍도와 동일하다.
도 1 및 도 2를 참조하면, T0~T1 및 T2~T3 동안 n+1번째 로우의 리셋 신호(RX/(n+1)) 및 n+1번째 로우의 전달제어신호(TX/(n+1))가 로우 레벨이 되어 리셋 동작이 수행되고, T4~T5 동안 전달제어신호(TX/(n+1))가 로우 레벨이 되어 전하 셰어링 동작이 수행된다.
T6~T11 동안 n번째 로우에 대한 리드 동작이 종료한 후에, T12에서 선택 신호(LS/(n+1))가 로우 레벨이 되고, 이에 따라, n+1번째 로우에 해당하는 픽셀의 선택 트랜지스터(P3) 및 변환 트랜지스터(N1)가 구동되어 출력 전압 Vout이 출력된다.
T13에서 CDS에 의해 n+1번째 로우에 해당하는 픽셀의 출력 전압 Vout이 리드아웃되며, 이때의 출력 전압 Vout을 Vsig(n+1)이라고 표시한다.
T14~T15 동안 n+1번째 로우에 해당하는 픽셀의 리셋 신호(RX/(n+1)) 및 전달제어신호(TX/(n+1))가 로우 레벨이 되어 노드 ND1 및 노드 ND2의 전압이 전원전압 VDD으로 리셋된다.
T15에서 리셋 신호(RX/(n+1)) 및 전달제어신호(TX/(n+1))를 하이 레벨로 천이시켜 n+1번째 로우에 해당하는 픽셀의 리셋 트랜지스터(P1) 및 전달 트랜지스터(P2)을 턴 오프한다.
T16에서 CDS에 의해 출력 전압 Vout이 리드아웃되며, 이때의 출력 전압을 기준 전압 Vref(n+1)이라고 표시한다.
T17에서 선택신호(LS/(n+1))을 하이 레벨로 천이함으로써, n+1번째 로우에 해당하는 픽셀에 대한 리드 동작을 종료한다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서는 T0~T5 동안의 동작, 즉 포토 다이오드(PD)의 리셋 동작, 포토 다이오드의 노출 동작 및 전하 셰어링 동작은 모든 로우에 대해 동시에 수행된다. 그리고, 각 로우에 대한 리드 동작은 순차적으로 수행된다. 즉, T6~T11 동안 n번째 로우에 대한 리드 동작이 수행되고, T12~T17 동안 n+1번째 로우에 대한 리드 동작이 수행된다. 다시 말해, 본 실시예에 따른 이미지 센서는 글로벌 셔터 방식으로 동작한다.
글로벌 셔터 방식의 경우, 동시에 노출 동작이 수행된 후에, 리드 동작이 앞의 로우부터 뒤의 로우로 순차적으로 수행되기 때문에, 뒤의 로우에 해당하는 픽셀에서는 전하의 누설(leakage)이 발생하여 FPN 및 그라데이션이 발생할 수 있다. 본 발명의 실시예에 의하면, 전하의 누설이 적은 MIM 캐패시터를 사용하기 때문에, 글로벌 셔터 방식을 이용하더라도 FPN을 감소시킬 수 있다.
도 3은 도 1의 구동 신호들의 타이밍도의 일 실시예이다.
도 3을 참조하면, T0~T1 동안 리셋 신호 RX/(n), RX/(n+1)와 전달제어신호 TX/(n), TX/(n+1)가 로우 레벨로 되었다가, T1에서 하이 레벨로 천이한 후 리셋 구간 동안 하이 레벨을 유지한다. 즉, 도 2의 T2~T3 동안의 동작이 생략되었다.
도 4는 도 1의 구동 신호들의 타이밍도의 일 실시예이다.
도 4를 참조하면, T0~T3 동안 n번째 로우에 해당하는 픽셀에 인가되는 리셋 신호(RX/(n)), 전달제어신호(TX/(n)) 및 n+1번째 로우에 해당하는 픽셀에 인가되는 리셋 신호(RX/(n)), 전달제어신호(TX/(n))가 로우 레벨이 된다. 즉, 도 3에서 리셋 시간이 T0~T1 이었던 것에 비해 리셋 시간이 T0~T3으로 증가한다.
도 5는 도 1의 구동 신호들의 타이밍도의 일 실시예이다.
도 5를 참조하면, T0~T3의 동작은 도 4와 동일하다.
T3에서 리셋 신호(RX/(n), RX/(n+1))가 하이 레벨로 천이하고, 전달제어신호(TX/(n), TX/(n+1))는 로우 레벨을 유지한다. 이에 따라, T3~T4의 노출 시간 동안, n번째 로우와 n+1번째 로우의 전달 트랜지스터(P2)가 턴온되고, 포토다이오드(PD)와 플로팅 확산 영역(FD)의 사이에 전하 셰어링이 발생한다. 이는 도 4에서 T3~T4 동안 포토 다이오드(PD)의 노출 동작을 수행하고, 그 이후인 T4~T5 동안 전하 셰어링을 수행한 것과 상이하다. 도 5에는 도 4의 리셋 동작을 수행하는 경우에 전달제어신호(TX/(n), TX/(n+1))를 상이하게 하는 것으로 도시하였으나, 도 2 및 도 3의 리셋 동작을 수행하는 경우에도 적용될 수 있다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 픽셀(2)의 구조를 나타내는 도면이다.
도 6을 참조하면, 픽셀(2)은 도 1의 픽셀(1)에 비해 노드 ND1와 포토 다이오드(PD)가 연결된 노드 ND4의 사이에 아이솔레이션 트랜지스터(N2)를 더 포함한다. 아이솔레이션 트랜지스터(N2)의 게이트는 전원전압 공급라인 VDD이 연결된다. 아이솔레이션 트랜지스터(N2)가 포토 다이오드(PD)와 노드 ND1의 사이에 연결되어 있기 때문에, 예를 들어 포토 다이오드(PD)와 노드 ND1가 메탈라인으로 연결되어 있는 경우와 같이 포토 다이오드(PD)와 노드 ND1 사이의 기생 캐패시턴스를 감소시킬 수 있다.
도 7은 도 6의 아이솔레이션 트랜지스터(N2)의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다. 도 7에서 리셋 신호(RX/) 및 전달제어신호(TX/)는 도 5의 실시예에 따라 인가된다. 도 7에서 V1은 노드 ND1의 전압을 나타내고, V4는 노드 ND4의 전압을 나타낸다.
도 6 및 도 7을 참조하면, T3 이전에 로우 레벨의 리셋 신호(RX/)와 전달제어신호(TX/)가 인가된다. 이에 따라, 리셋 트랜지스터(P1)가 턴온되어 노드 ND1의 전압 V1이 전원전압 VDD으로 리셋된다. 아이솔레이션 트랜지스터(N2)의 게이트-소스간 전압차를 Vth라 할 때, 노드 ND4의 전압 V4은 VDD-Vth가 된다.
T3에서 포토 다이오드(PD)의 노출이 시작됨에 따라 노드 ND4에 전하가 축적된다. 이때, 아이솔레이션 트랜지스터(N2)는 포화 모드로 동작한다. 따라서, 아이솔레이션 트랜지스터(N2)의 소스에 축적된 전하는 아이솔레이션 트랜지스터(N2)의 드레인으로 이동하여 노드 ND1의 전압 V1을 감소시킨다.
Ta에서 노드 ND1의 전압 V1이 VDD-Vth가 되어 노드 ND4의 전압 V4과 동일해지면, 아이솔레이션 트랜지스터(N2)는 리니어 모드로 동작하기 시작한다. 따라서, 노드 ND4에 축적되는 전하에 의해 노드 ND4 및 노드 ND1의 전위가 함께 감소한다.
이후의 리드아웃 동작은 도 5와 동일하므로 생략한다.
이와 같이, 아이솔레이션 트랜지스터(N2)가 삽입되더라도, 노출 시간이 어느 정도 경과하면(즉 Ta 이후) 노드 ND1의 전압 V1은 포토 다이오드(PD)의 전압, 즉 노드 ND4의 전압 V4를 반영한다. 한편, 포토 다이오드(PD)가 연결되는 노드 ND4와, 노드 ND1의 사이가 메탈 라인으로 연결되는 이유 등으로 인하여, 기생 캐패시턴스가 발생할 수 있다. 본 실시예에 의하면, 노드 ND4와 노드 ND1의 사이에 아이솔레이션 트랜지스터(N2)를 삽입함으로써, 이러한 기생 캐패시턴스를 감소시킬 수 있다.
도 8의 (A)는 도 1의 픽셀(1) 또는 도 6의 픽셀(2)의 포토 다이오드(PD)의 단면을 나타내는 도면이다.
도 8의 (A)를 참조하면, 포토 다이오드(PD)는 P형 기판(810), P형 기판(810) 상에 형성되는 제1 PDN(Photo Diode N-type) 영역(820) 및 제2 PDN 영역(830), PDP(Photo Diode P-type) 영역(840) 및 콘택트(850)를 포함할 수 있다. 콘택트(850)는 메탈 라인을 통해 리셋 트랜지스터(P1) 및 전달 트랜지스터(P2)가 연결되는 노드 ND1에 연결될 수 있다.
본 실시예에서, 제2 PDN 영역(830)은 제1 PDN 영역(820)에 비해 도핑 농도가 높은 영역, 즉 n+ 영역일 수 있다. 예를 들어, 제2 PDN 영역(830)의 도핑 농도는 1E15 수준이고, 제1 PDN 영역(820)의 도핑 농도는 1E12 수준일 수 있다. 이와 같이 제1 PDN 영역(820)과 제2 PDN 영역(830)의 도핑 농도를 조절함으로써 제1 PDN 영역(820)과 제2 PDN 영역(830)의 핀 전압을 각각 설정할 수 있다. 예를 들어, 제1 PDN 영역(820)의 핀 전압은 전원전압보다 낮고, 제2 PDN 영역(830)의 핀 전압은 전원전압 VDD이상일 수 있다.
본 실시예에서, 제2 PDN 영역(830)의 면적은 제1 PDN 영역(820)의 면적보다 작을 수 있다. 예를 들어 포토 다이오드(PD)는 50㎛Х50㎛의 면적을 갖고, 제2 PDN 영역(830)은 1㎛Х1㎛의 면적을 가질 수 있다. 이때, 제1 PDN 영역(820)의 면적은 포토 다이오드(PD)의 면적에서 제2 PDN 영역(830)의 면적을 제외한 값이 된다.
도 8의 (B) 및 (C)는 포토 다이오드(PD)의 동작을 설명하기 위한 도면이다. 도 8의 (B) 및 (C)에서 제1 PDN 영역(820)의 핀 전압 Vpin1은 0.5V이고, 전원전압 VDD은 3.0V이고, 제2 PDN 영역(830)의 핀 전압 Vpin2은 3.0V 이상이라고 가정한다.
리셋 상태에서 콘택트(850)에 3.0V의 전원전압 VDD이 인가되면, 제1 PDN 영역(820)의 전압은 핀 전압 Vpin1인 0.5V이고, 제2 PDN 영역(830)의 전압은 전원전압 VDD인 3.0V가 된다.
포토 다이오드(PD)에서 발생한 전하는, 도 8의 (B)의 회색 영역에 표시된 바와 같이, 전압이 높은 제2 PDN 영역(830)에 축적되고, 이에 따라 제2 PDN 영역(830)의 전압이 점차 낮아진다. 제2 PDN 영역(830)의 전압이 제1 PDN 영역(820)의 핀 전압 Vpin1, 즉 0.5V에 도달한 이후, 발생한 전하는 도 8의 (C)의 회색 영역으로 표시된 바와 같이 제1 PDN 영역(820) 및 제2 PDN 영역(830) 전체에 축적된다.
이와 같이, 포토 다이오드(PD)의 출력 전압이 VDD~Vpin1인 구간 (1)에서는 제2 PDN 영역(830)의 면적에 해당하는 커패시턴스로 동작하다가, Vpin1~0V의 구간 (2)에서는 제1 PDN 영역(820) 및 제2 PDN 영역(830)의 면적, 즉 포토 다이오드(PD)의 전체 면적에 해당하는 커패시턴스로 동작한다. 따라서, 본 실시예에 따른 포토 다이오드(PD)는 제1 PDN 영역(820)의 도핑 농도를 조절함으로써 제1 PDN 영역(820)의 핀 전압 Vpin1을 조절하고, 이에 따라 포토 다이오드(PD)의 캐패시턴스를 조절할 수 있다.
도 9는 축적 시간에 따른 출력 전압 Vout을 나타내는 그래프이다. 도 9에서 구간 (1)은 도 8의 (B)의 구간 (1), 즉 포토다이오드의 전압이 3.0~0.5V인 구간에 대응하고, 도 9에서 구간 (2)는 도 8의 (C)의 구간 (2), 즉 포토다이오드의 전압이 0.5~0V인 구간에 대응한다.
도 9를 참조하면, 포토 다이오드(PD)의 출력 전압이 VDD~Vpin1인 구간 (1)의 기울기는 포토 다이오드(PD)의 출력 전압이 Vpin1~0V의 구간 (2)에서의 기울기보다 크다. 즉, 구간 (1)의 커패시턴스는 구간 (2)의 커패시턴스보다 작음을 알 수 있다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 메탈 월 및 메탈 쉴딩을 나타내는 도면이다.
도 10을 참조하면, 픽셀(3)은 리셋 트랜지스터(P1), 전달 트랜지스터(P2), 플로팅 확산 영역(FD), 선택 트랜지스터(P3), 변환 트랜지스터(N1), 전류원(Is), 포토 다이오드(PD), 메탈 월 및 메탈 쉴딩을 포함한다. 픽셀(3)에서 리셋 트랜지스터(P1), 전달 트랜지스터(P2), 플로팅 확산 영역(FD), 선택 트랜지스터(P3), 변환 트랜지스터(N1) 및 전류원(Is)은 도 1과 동일하고, 포토 다이오드(PD)의 구조는 도 8의 (A)와 동일하므로 이에 대한 설명은 생략한다.
메탈 월은 포토 다이오드(PD)의 주위를 둘러싸는 구조를 갖는다. 이에 의해 측면에서 들어오는 빛을 차단하고, 옵티컬 크로스토크를 개선할 수 있다.
메탈 쉴딩은 포토 다이오드(PD)를 제외한 부분, 즉 리셋 트랜지스터(P1), 전달 트랜지스터(P2), 선택 트랜지스터(P3), 변환 트랜지스터(N1) 및 플로팅 확산 영역(FD)의 측면과 상면을 둘러싸는 구조를 갖는다. 이에 따라 글로벌 셔터 방식으로 동작시 플로팅 확산 영역(FD)에 전하가 저장되어 있는 시간이 길더라도, 트랜지스터들(P1, P2, P3, N1)의 접합 영역이 빛에 반응하지 않도록 함으로써, 데이터의 왜곡을 방지할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 픽셀(3)은 포토 다이오드(PD)와 노드 ND1을 연결하는 메탈라인을 포함한다. 다시 말해, 픽셀(3)은 메탈라인에 의해 포토 다이오드(PD)와 노드 ND1가 분리되어 있는 구조를 갖는다. 이에 따라, 메탈 월 및, 메탈 쉴딩의 측벽으로 메탈라인이 통과하는 구조를 가질 수 있다.
도 11은 본 발명의 실시예에 따른 픽셀 구조가 적용된 휴대폰을 나타내는 도면이다. 도 11의 (A)는 휴대폰의 측면을, 도 11의 (B)는 휴대폰의 전면을 나타낸다.
도 11을 참조하면, 휴대폰은 본체(1010), 이미지 센서(1020), OLED 패널(1030) 및 유리(1040)를 포함할 수 있다.
본체(1010)는 휴대폰을 지지하는 구조체이다. 이미지 센서(1020)는 도 1의 픽셀(1), 도 6의 픽셀(2) 또는 도 10의 픽셀(3)을 포함한다. OLED 패널(1030)은 휴대폰의 화면을 표시하며, 미세한 구멍이 형성되어 있다. 유리(1040)는 OLED 패널(1030)의 상측에 위치하여 OLED 패널(1030)을 보호한다.
이미지 센서(1020)는 OLED 패널(1030)의 하측에 부착된다. OLED 패널(1030)에는 미세한 구멍이 형성되어 있기 때문에, 지문에서 반사된 빛이 OLED 패널(1030)을 통과하여 이미지 센서(1020)에 도달할 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명이 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
참고적으로, 본 발명의 기술적 사상과는 직접 관련이 없는 부분이지만, 본 발명을 보다 자세히 설명하기 위하여 추가적인 구성을 포함할 수 있다. 또한, 신호 및 회로의 활성화 상태를 나타내기 위한 액티브 하이(Active High) 또는 액티브 로우(Active Low)의 구성은 실시예에 따라 달라질 수 있다. 이러한 회로의 변경은 너무 경우의 수가 많고, 이에 대한 변경은 통상의 전문가라면 누구나 쉽게 유추할 수 있기에 그에 대한 열거는 생략하기로 한다.

Claims (19)

  1. 리셋 신호에 기초하여 포토 다이오드에 전원전압을 공급하는 리셋 트랜지스터;
    전달제어신호에 기초하여 상기 포토 다이오드와 플로팅 확산 영역을 연결하는 전달 트랜지스터;
    상기 플로팅 확산 영역의 전압을 출력하는 변환 트랜지스터; 및
    상기 변환 트랜지스터를 구동하는 선택 트랜지스터
    를 포함하는 이미지 센서용 픽셀.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 리셋 트랜지스터, 상기 전달 트랜지스터 및 상기 선택 트랜지스터 중 적어도 하나는 PMOS 트랜지스터인 이미지 센서용 픽셀.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 리셋 트랜지스터는 전원전압 공급라인과, 상기 포토 다이오드가 연결된 제1 노드의 사이에 연결되고,
    상기 전달 트랜지스터는 상기 제1 노드와, 상기 플로팅 확산 영역이 연결된 제2 노드의 사이에 연결되고,
    상기 변환 트랜지스터의 게이트는 상기 제2 노드에 연결되는 이미지 센서용 픽셀.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 포토 다이오드와 상기 제1 노드는 메탈 라인을 통해 연결되는 이미지 센서용 픽셀.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 포토 다이오드의 주위를 둘러싸는 메탈 월
    을 더 포함하고,
    상기 메탈 라인은 상기 메탈 월을 관통하는 이미지 센서용 픽셀.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 리셋 트랜지스터, 상기 전달 트랜지스터, 상기 변환 트랜지스터 및 상기 선택 트랜지스터의 측면과 상면 메탈 쉴딩
    을 더 포함하고,
    상기 메탈 라인은 상기 메탈 쉴딩을 관통하는 이미지 센서용 픽셀.
  7. 제3항에 있어서,
    상기 포토 다이오드와 상기 제1 노드의 사이에 연결되고, 게이트는 상기 전원전압 공급라인에 연결되는 아이솔레이션 트랜지스터
    를 더 포함하는 이미지 센서용 픽셀.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 플로팅 확산 영역은 MIM(Metal-Insulator-Metal) 캐패시터 또는 MOS 캐패시터를 포함하는 이미지 센서용 픽셀.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 MIM 캐패시터는 프레임 버퍼로서 이용되는 이미지 센서용 픽셀.
  10. 제1 PDN(Photo Diode N-type) 영역;
    상기 제1 PDN 영역보다 높은 도핑 농도를 갖는 제2 PDN 영역; 및
    상기 제2 PDN 영역에 접촉하는 콘택트
    를 포함하는 포토 다이오드.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제1 PDN 영역의 핀 전압은 전원전압보다 낮은 포토 다이오드.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 제2 PDN 영역의 핀 전압은 상기 전원전압 이상인 포토 다이오드.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 제1 PDN 영역 및 상기 제2 PDN 영역 상에 형성된 PDP(Photo Diode P-type) 영역
    을 더 포함하는 포토 다이오드.
  14. 리셋 신호에 기초하여 포토 다이오드에 전원전압을 공급하는 리셋 트랜지스터; 전달제어신호에 기초하여 상기 포토 다이오드와 플로팅 확산 영역을 연결하는 전달 트랜지스터; 상기 플로팅 확산 영역의 전압을 출력하는 변환 트랜지스터; 및 선택 신호에 기초하여 상기 변환 트랜지스터를 구동하는 선택 트랜지스터를 포함하는 픽셀을 갖는 이미지 센서의 구동 방법으로서,
    상기 리셋 신호 및 상기 전달제어신호를 활성화하는 리셋 단계;
    상기 리셋 신호를 비활성화하는 축적 단계; 및
    상기 선택 신호를 활성화하는 리드 아웃 단계
    를 포함하는 이미지 센서의 구동 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 리셋 단계는,
    제1 구간 동안 상기 리셋 신호 및 상기 전달제어신호를 활성화하는 단계;
    상기 제1 구간 후, 제2 구간 동안 상기 리셋 신호 및 상기 전달제어신호를 비활성화하는 단계; 및
    상기 제2 구간 후, 제3 구간 동안 상기 리셋 신호 및 상기 전달제어신호를 활성화하는 단계;
    를 포함하는 이미지 센서의 구동 방법.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 축적 단계에서 상기 전달제어신호는 활성화되는 이미지 센서의 구동 방법.
  17. 제14항에 있어서,
    상기 축적 단계에서 상기 전달제어신호는 비활성화되는 이미지 센서의 구동 방법.
  18. 제14항에 있어서,
    상기 리드아웃 단계는,
    상기 선택 신호가 활성화된 상태에서 상기 변환 트랜지스터의 출력 전압을 리드아웃하는 신호-리드아웃 단계;
    상기 선택 신호가 활성화된 상태에서 소정 시간 동안 상기 리셋 신호 및 상기 전달제어신호를 활성화하는 출력-리셋 단계; 및
    상기 출력-리셋 단계 후, 상기 리셋 신호 및 상기 전달제어신호가 비활성화된 상태에서 상기 변환 트랜지스터의 출력 전압을 리드아웃하는 기준-리드아웃 단계;
    를 포함하는 이미지 센서의 구동 방법.
  19. 제14항에 있어서,
    복수의 로우에 해당하는 픽셀들에 대해, 상기 리셋 단계 및 상기 축적 단계가 동시에 수행되고, 상기 리드 아웃 단계는 순차적으로 수행되는 이미지 센서의 구동 방법.


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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112805993A (zh) * 2019-12-31 2021-05-14 深圳市大疆创新科技有限公司 图像传感器及搭载图像传感器的成像装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020027021A (ko) * 2000-10-04 2002-04-13 박용 씨모스 이미지 센서
US20020140009A1 (en) * 2000-04-28 2002-10-03 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. CMOS image sensor and a fabrication method for the same
US20050269488A1 (en) * 2004-06-04 2005-12-08 Via Technologies Inc. Image sensor and operating method thereof
JP2007110134A (ja) * 2005-10-13 2007-04-26 Dongbu Electronics Co Ltd Ｃｍｏｓイメージセンサとその製造方法
KR20110025376A (ko) * 2009-09-04 2011-03-10 (주) 지안 다중 플로팅 확산 영역을 갖는 단위 픽셀 및 이를 포함한 이미지 센서
KR20160044879A (ko) * 2014-10-16 2016-04-26 삼성전자주식회사 픽셀, 상기 픽셀을 포함하는 이미지 센서, 및 상기 픽셀을 포함하는 이미지 처리 시스템

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020140009A1 (en) * 2000-04-28 2002-10-03 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. CMOS image sensor and a fabrication method for the same
KR20020027021A (ko) * 2000-10-04 2002-04-13 박용 씨모스 이미지 센서
US20050269488A1 (en) * 2004-06-04 2005-12-08 Via Technologies Inc. Image sensor and operating method thereof
JP2007110134A (ja) * 2005-10-13 2007-04-26 Dongbu Electronics Co Ltd Ｃｍｏｓイメージセンサとその製造方法
KR20110025376A (ko) * 2009-09-04 2011-03-10 (주) 지안 다중 플로팅 확산 영역을 갖는 단위 픽셀 및 이를 포함한 이미지 센서
KR20160044879A (ko) * 2014-10-16 2016-04-26 삼성전자주식회사 픽셀, 상기 픽셀을 포함하는 이미지 센서, 및 상기 픽셀을 포함하는 이미지 처리 시스템

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102421707B1 (ko) 2022-05-23 2022-07-15 주식회사 동우이엔티 입자상 및 가스상 오염물질이 혼합된 복합가스 처리를 위한 습식 스크러버장치

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