KR20190105103A - 유리 시트 엣지 파티클들을 감소시키기 위한 방법들 - Google Patents

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KR20190105103A
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시바 벤카타칼람
쎈 젠 첸
지아 리우
휘 치엔 우
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코닝 인코포레이티드
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    • C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • Y02P40/50—Glass production, e.g. reusing waste heat during processing or shaping
    • Y02P40/57—Improving the yield, e-g- reduction of reject rates

Abstract

유리 물품의 제조 방법이 상기 물품의 엣지 표면에 식각 용액을 적용하는 단계를 포함한다. 상기 식각 용액의 적용은 엣지 표면 상의 파티클들의 밀도를 0.1 제곱밀리미터당 약 200 미만으로 감소시킬 수 있다. 예를 들면, 상기 식각 용액은 예컨대 불산 및 염산을 포함할 수 있다.

Description

유리 시트 엣지 파티클들을 감소시키기 위한 방법들
본 출원은 2017년 1월 31일에 출원된 미국 가출원 제62/452,689호의 35 U.S.C. §119 하의 우선권의 이익을 주장하며, 상기 출원의 내용에 의존하여 그 전체가 참조에 의해 본 명세서에 결합된다.
본 개시 내용은 대체로 유리 물품들의 제조 방법들에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 유리 물품들의 제조에서 유리 시트 엣지 파티클들을 감소시키기 위한 방법들에 관한 것이다.
전화 및 태블릿과 같은 핸드 헬드 장치들 및 텔레비전들을 포함하여 디스플레이 응용을 위한 유리 시트들과 같은 유리 물품들의 제조에 있어서, 상기 유리 물품들은 표면 오염에 관한 더욱 엄격한 요구 사항들을 특히 상기 물품들의 표면들 상에서 예를 들면 현저히 낮은 수준의 유기 얼룩 먼지, 및 유리 파티클들을 만족시켜야 한다. 이러한 더욱 엄격한 요구 사항들은, 예를 들면, 디스플레이 장치들의 증가하는 해상도 수준들에 의하여 구동되어 왔으며, 이는 계속적으로 픽셀 크기들이 감소함에 따라 파티클들에 대한 민감도가 증가하는 결과를 가져온다.
유리 물품들을 제조하는 동안, 많은 처리 단계들이 존재하며, 그 동안 예를 들면, 유리 및 먼지 파티클들이 표면들에 부착될 뿐만 아니라 유리 시트들의 엣지들에도 부착될 수 있다. 유리 시트들의 표면 상의 파티클들의 수를 감소시키기 위하여는 많은 주의가 기울여졌지만, 유리 시트들의 엣지들 상의 파티클들의 수를 감소시키는 데는 비교적 낮은 주의가 기울여졌다.
유리 시트들의 엣지들로부터 표면들로 파티클들이 이동할 수 있기 때문에, 엣지 세정 휠들과 같이 엣지 파티클들을 감소시키기 위한 기계적인 방법들에 최근의 노력들이 모아져왔다. 그러나, 이러한 기계적 방법들은 기존의 파티클들을 제거하는 데 불과할 수 있고, 한편 엣지 표면의 지형 상에서의 하류 처리 단계들의 효과들로 인해 추가적인 파티클들이 생성될 수 있다. 따라서, 기존의 파티클들의 제거를 처리할 뿐만 아니라 하류 처리 단계들의 결과로서 추가 생성되는 파티클들도 줄일 수 있는 엣지 세정 방법들을 개발하는 것이 바람직할 것이다.
여기에 개시된 실시예들은 유리 물품의 제조 방법을 포함한다. 상기 방법은 상기 유리 물품을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 유리 물품은 제 1 주표면, 상기 제 1 주표면에 평행한 제 2 주표면, 및 상기 제 1 주표면과 상기 제 2 주표면 사이에서 상기 제 1 주표면 및 상기 제 2 주표면에 수직인 방향으로 연장되는 엣지 표면을 포함한다. 또한 상기 방법은 상기 유리 물품의 상기 엣지 표면에 식각 용액을 적용하는 단계를 포함하고, 상기 식각 용액의 적용은 상기 엣지 표면 상의 파티클들의 밀도를 0.1 제곱밀리미터당 약 200 미만으로 감소시킨다.
여기 개시된 실시예들의 추가적인 특징들 및 이점들이 뒤따르는 상세한 설명에서 제시될 것이며, 부분적으로는 상세한 설명으로부터 해당 기술의 당업자들에게 즉각적으로 명백해지거나 첨부한 도면들뿐만 아니라 뒤따르는 상세한 설명, 청구항들을 포함하여 여기에서 설명되는 방법들을 실행함에 의해 인식될 것이다.
전술한 일반적인 설명 및 뒤따르는 상세한 설명은 모두 본 개시의 실시예들을 설명하며, 이들이 설명되고 청구화되는 바와 같이 여기에 개시된 실시예들의 속성 및 특성을 이해하기 위한 개요 또는 윤곽을 제공하기 위하여 의도되는 것임이 이해되어야 할 것이다. 첨부하는 도면들은 더 나아간 이해를 제공하기 위하여 포함되며, 본 명세서의 일부분 내에서 병합되고 일부분을 구성한다. 도면들은 본 개시의 다양한 실시예들을 도시하며, 상세한 설명과 함께 다양한 실시예들의 원리들 및 동작을 설명하도록 역할을 한다.
도 1은 예시적인 퓨전 다운 드로우 유리 제조 장치 및 공정의 개략도이다.
도 2는 유리 시트의 사시도이다.
도 3은 유리 시트의 엣지 표면의 베벨링 공정의 적어도 일부를 나타낸 사시도이다.
도 4는 다양한 시간 길이 동안 식각 용액으로 처리된 유리 샘플 단면들의 주사 전자 현미경(scanning electron microscope, SEM) 이미지들을 나타낸다.
도 5는 식각 용액으로 처리된 유리 샘플 단면의 SEM이미지를 나타낸다.
도 6은 식각 용액으로 처리된 유리 샘플의 겔-택(gel-tack) 광학 현미경 이미지를 나타낸다.
도 7은 식각 용액으로 처리된 유리 샘플의 겔-택 광학 현미경 이미지를 나타낸다.
본 개시의 바람직한 본 실시예들에 대하여, 이들의 예시들이 도시되는 첨부하는 도면들을 참조하여 아래에서 더욱 완전히 설명될 것이다. 가능하다면, 도면들을 통들어 동일한 참조 부호들이 동일하거나 유사한 부분들을 인용하도록 사용된다. 그러나, 본 개시는 많은 다른 형태들로 구체화될 수 있고, 여기에 제시된 실시예들로 제한되는 것으로 이해되어서는 안 된다.
범위들은 여기에서 "약" 하나의 특정한 값으로부터, 및/또는 "약" 다른 특정한 값까지로서 표현될 수 있다. 이러한 범위가 표현될 때, 실시예들은 하나의 특정한 값으로부터, 및/또는 다른 특정한 값까지를 포함할 수 있다. 유사하게, 값들이 "약"의 선행어구 사용에 의해 근사치들로서 표현될 때, 특정한 값은 다른 실시예를 형성한다는 것이 이해될 것이다. 이러한 범위들의 각각의 종료점들이 다른 종료점과 연관되어, 그리고 다른 종료점과 독립적으로 모두 중요하다는 점이 더 이해될 것이다.
여기 사용된 바와 같은 방향 용어들-예를 들어, 상부, 하부, 우측, 좌측, 전방, 후방, 상측, 바닥-은 도시된 도면들을 참조로 하여 설명되고, 절대적인 방향을 함축하도록 의도되지 않는다.
다르게 강조하여 설명되지 않는 한, 여기 제시된 임의의 방법들이 특정한 순서로 수행되는 것을 요구하거나 특정한 방향들의 임의의 장치들이 요구되는 것으로 해석될 것이 전혀 의도되지 않는다. 따라서, 방법 청구항이 실제로 그 단계들에 의해 뒤따르는 순서를 한정하지 않는 경우 또는 단계들이 특정한 순서에 제한된다는 점이 청구항들 또는 상세한 설명에서 구체적으로 언급되지 않는 경우에, 또는 장치의 성분들의 특정한 순서 또는 방향이 제한되지 않는 경우에, 어느 측면에서나 임의의 순서 또는 방향이 추론되는 것이 전혀 의도되지 않는다. 이는 단계들의 배열, 구동 흐름, 성분들의 순서, 또는 성분들의 방향과 관련한 논리 문제들; 문법적 구성 또는 구두법으로부터 유도되는 일반적인 의미; 및 명세서 내에서 설명되는 실시예들의 수 또는 유형을 포함하여, 해석을 위한 임의의 가능한 비-표현적인 기초를 유지한다.
또한 여기에서 사용되는 바와 같이 용어들 "일", "하나의", 또는 "상기"는 문맥이 명확하게 다르게 지시하지 않는 한 복수의 참조들을 포함한다. 따라서, "하나의" 성분에 대한 참조는 문맥이 명확하게 다르게 지시하지 않는 한 둘 또는 그 이상의 이러한 성분들을 구비하는 태양을 포함한다.
도 1에 도시된 것은 예시적인 유리 제조 장치(10)이다. 일부 예시들에서, 유리 제조 장치(10)는 용융 베셀(14)을 포함할 수 있는 유리 용융 퍼니스(12)를 포함할 수 있다. 용융 베셀(14)에 더하여, 유리 용융 퍼니스(12)는 원재료 물질들을 가열하고 원재료 물질들을 용융 유리로 변환하는 히팅 성분들(예를 들어 연소 버너들 또는 전극들)과 같은 하나 이상의 추가적인 성분들을 선택적으로 포함할 수 있다. 추가적인 예시들에서, 유리 용융 퍼니스(12)는 용융 베셀의 인접부로부터 손실되는 열을 감소시키는 열 관리 소자들(예를 들어, 절연 성분들)을 포함할 수 있다. 더 추가적인 예시들에서, 유리 용융 퍼니스(12)는 원재료 물질들의 유리 멜트로의 용융을 용이하게 하는 전자 소자들 및/또는 전기기계 소자들을 포함할 수 있다. 더 추가적으로, 유리 용융 퍼니스(12)는 지지 구조물들(예를 들어, 지지 섀시, 지지 부재, 등) 또는 다른 성분들을 포함할 수 있다.
유리 용융 베셀(14)은 난연성 세라믹 물질, 예를 들어 알루미나 또는 지르코니아와 같은 통상적으로 난연성 물질로 구성된다. 일부 예시들에서, 유리 용융 베셀(14)은 난연성 세라믹 브릭들로부터 구성될 수 있다. 유리 용융 베셀(13)의 특정한 실시예들은 아래에서 더욱 상세하게 설명될 것이다.
일부 예시들에서, 유리 용융 퍼니스는 유리 기판, 예를 들어 연속적 길이의 유리 리본을 제조하기 위한 유리 제조 장치의 일 성분으로서 통합될 수 있다. 일부 예시들에서, 본 개시의 유리 용융 퍼니스는 슬롯 드로우 장치, 플롯 배스 장치, 퓨전 공정과 같은 다운-드로우 장치, 업-드로우 장치, 프레스-롤링 장치, 튜브 드로우 장치, 또는 여기에 개시된 태양들로부터 이점을 가질 것인 임의의 다른 유리 제조 장치를 포함하는 유리 제조 장치의 일 성분으로서 통합될 수 있다. 예시의 방법으로서, 도 1은 개별적인 유리 시트들로의 후속 공정을 위하여, 유리 리본을 퓨전 드로우하기 위한 퓨전 다운-드로우 유리 제조 장치(10)의 일 성분으로서의 유리 용융 퍼니스(12)를 개략적으로 도시한다.
유리 제조 장치(10)(예를 들어, 퓨전 다운-드로우 장치(10))는 유리 용융 베셀(14)에 대하여 상류에 위치하는 상류 유리 제조 장치(16)를 선택적으로 포함할 수 있다. 일부 예시들에서, 상류 유리 제조 장치(16)의 일부분 또는 전체가 유리 용융 퍼니스(12)의 일부분으로서 통합될 수 있다.
도시된 예시에서 보여지는 바와 같이, 상류 유리 제조 장치(16)는 저장 용기(16), 원재료 물질 이송 장치(20), 및 원재료 물질 이송 장치에 연결되는 모터(22)를 포함할 수 있다. 저장 용기(18)는 화살표(26)에 의해 지시되는 바와 같이 유리 용융 퍼니스(12)의 용융 베셀(14) 내로 투입될 수 있는 다량의 원재료 물질들(24)을 저장하도록 구성될 수 있다. 원재료 물질들(24)은 통상적으로 하나 이상의 유리 형성 금속 산화물들 및 하나 이상의 개질제들을 포함한다. 일부 예시들에서, 원재료 물질 이송 장치(20)가 소정양의 원재료 물질(24)을 저장 용기(18)로부터 용융 베셀(14)까지 이송하도록 원재료 물질 이송 장치(20)는 모터(22)에 의해 구동될 수 있다. 추가적인 예시들에서, 모터(22)는 용융 베셀(14)의 하류에서 감지되는 용융 유리의 레벨에 기초하여 조절된 속도로 원재료 물질(24)을 도입하도록 원재료 물질 이송 장치(20)를 구동할 수 있다. 용융 베셀(14) 내의 원재료 물질들(24)은 용융 유리(28)를 형성하기 위하여 이후 가열될 수 있다.
유리 제조 장치(10)는 유리 용융 퍼니스(12)에 대하여 하류에 위치하는 하류 유리 제조 장치(30)를 또한 선택적으로 포함할 수 있다. 일부 예시들에서, 하류 유리 제조 장치(30)의 일부분이 유리 용융 퍼니스(12)의 일부분으로서 통합될 수 있다. 일부 경우들에서, 아래에서 논의되는 제1 연결 도관(32) 또는 하류 유리 제조 장치(30)의 다른 부분들이 유리 용융 퍼니스(12)의 일부분으로서 통합될 수 있다. 제1 연결 도관(32)을 포함하는 하류 유리 제조 장치의 성분들은 귀금속으로부터 형성될 수 있다. 적합한 귀금속들은 백금, 이리듐, 로듐, 오스뮴, 루테늄, 및 팔라듐 또는 이들의 합금들로 구성되는 금속들의 그룹으로부터 선택되는 백금군 금속들을 포함한다. 예를 들어, 유리 제조 장치의 하류 성분들은 약 70 내지 90 중량%의 백금 및 약 10 내지 30 중량%의 로듐을 포함하는 백금-로듐 합금으로부터 형성될 수 있다. 그러나 다른 적합한 금속들은 몰리브덴, 팔라듐, 레늄, 탄탈륨, 티타늄, 텅스텐, 및 이들의 합금들을 포함할 수 있다.
하류 유리 제조 장치(30)는 청징 베셀(34)과 같은, 용융 베셀(14)로부터 하류에 위치하고 위에서 언급한 제1 연결 도관(32)에 의해 용융 베셀(14)에 커플링되는 제1 컨디셔닝(즉, 처리) 베셀을 포함할 수 있다. 일부 예시들에서, 용융 유리(28)는 제1 연결 도관(32)에 의해 용융 베셀(14)로부터 청징 베셀(34)까지 중력 투입될 수 있다. 예를 들어, 중력은 용융 유리(28)가 용융 베셀(14)로부터 청징 베셀(34)까지 제1 연결 도관(32)의 내부 경로를 통해 통과하도록 유발할 수 있다. 그러나 다른 처리 베셀들이 용융 베셀(14)의 하류에, 예를 들어 용융 베셀(14)과 청징 베셀(34) 사이에 위치할 수 있다는 점이 이해되어야 한다. 일부 실시예들에서, 처리 베셀은 용융 베셀과 청징 베셀 사이에 채용될 수 있고, 일차적 용융 베셀로부터의 용융 유리가 용융 공정을 계속하기 위하여 더욱 가열되거나, 또는 청징 베셀로 들어가기 전에 용융 베셀 내에서 용융 유리의 온도보다 더 낮은 온도까지 냉각될 수 있다.
버블들은 다양한 기술들에 의해 청징 베셀(34) 내에서 용융 유리(28)로부터 제거될 수 있다. 예를 들어, 원재료 물질들(24)은 가열될 때 화학적 환원 반응을 겪으며 산소를 방출하는 주석 산화물과 같은 다가의 화합물들(즉, 청징제들)을 포함할 수 있다. 다른 적합한 청징제들은 제한 없이 비소, 안티몬, 철 및 세륨 등을 포함한다. 청징 베셀(34)은 용융 베셀 온도보다 더 높은 온도까지 가열되고, 이에 의해 용융 유리 및 청징제를 가열한다. 청징제(들)의 온도-유도된 화학적 환원에 의해 생성되는 산소 버블들은 청징 베셀 내에서 용융 유리를 통해 떠오르고, 용융 퍼니스 내에서 생성되는 용융 유리 내의 가스들이 청징제에 의해 생성되는 산소 버블들 내로 확산되거나 합병된다. 확대된 가스 버블들은 이후 청징 베셀 내에서 용융 유리의 자유 표면까지 상승할 수 있고, 이후 청징 베셀 외부로 배기될 수 있다. 산소 버블들은 청징 베셀 내의 용융 유리의 기계적 혼합을 더욱 유도할 수 있다.
하류 유리 제조 장치(30)는 용융 유리를 혼합하기 위한 혼합 베셀(36)과 같은 다른 처리 베셀을 더 포함할 수 있다. 혼합 베셀(36)은 청징 베셀(34)로부터 하류에 위치할 수 있다. 혼합 베셀(36)은 균질한 유리 멜트 조성을 제공하기 위하여 사용될 수 있고, 이에 의해 그렇지 않으면 청징 베셀을 나오는 청징된 용융 유리 내에서 존재할 수 있는 화학적 또는 열적 불균질물의 코드들(cords)을 감소시킨다. 도시된 바와 같이, 청징 베셀(34)은 제2 연결 도관(38)에 의해 혼합 베셀(36)에 커플링될 수 있다. 일부 예시들에서, 용융 유리(28)는 제2 연결 도관(38)에 의해 청징 베셀(34)로부터 혼합 베셀(36)까지 중력 투입될 수 있다. 예를 들어, 중력은 용융 유리(28)가 청징 베셀(34)로부터 혼합 베셀(36)까지 제2 연결 도관(38)의 내부 경로를 통해 통과하도록 유발할 수 있다. 혼합 베셀(36)이 청징 베셀(34)의 하류에 위치한 것으로 도시된 한편, 혼합 베셀(36)은 청징 베셀(34)로부터 상류에 위치할 수 있다. 일부 실시예들에서, 하류 유리 제조 장치(30)는 다수의 혼합 베셀들, 예를 들어 청징 베셀(34)로부터 상류의 혼합 베셀 및 청징 베셀(34)로부터 하류의 혼합 베셀을 포함할 수 있다. 이러한 다수의 혼합 베셀들은 동일한 설계들로 형성되거나, 또는 다른 설계들로 형성될 수 있다.
하류 유리 제조 장치(30)는 혼합 베셀(36)로부터 하류에 위치할 수 있는 이송 베셀(40)과 같은 다른 처리 베셀을 더 포함할 수 있다. 이송 베셀(40)은 하류의 포밍 장치 내부로 투입될 용융 유리(28)를 처리할 수 있다. 예를 들어, 이송 베셀(40)은 출구 도관(44)에 의해 포밍 바디(42)까지 용융 유리(28)의 일정한 흐름을 조절하거나 및/또는 제공하기 위한 축적기, 및/또는 흐름 조절기로 작용할 수 있다. 도시된 바와 같이, 혼합 베셀(36)은 제3 연결 도관(46)에 의해 이송 베셀(40)에 커플링될 수 있다. 일부 예시들에서, 용융 유리(28)는 제3 연결 도관(46)에 의해 혼합 베셀(36)로부터 이송 베셀(40)까지 중력 투입될 수 있다. 예를 들어, 중력은 혼합 베셀(36)로부터 이송 베셀(40)까지 제3 연결 도관(46)의 내부 경로를 통해 용융 유리(28)를 추진할 수 있다.
하류 유리 제조 장치(30)는 위에서 언급한 포밍 바디(42) 및 인렛 도관(50)을 포함하는 포밍 장치(48)를 더 포함할 수 있다. 출구 도관(44)은 이송 베셀(40)로부터 포밍 장치(48)의 인렛 도관(50)까지 용융 유리(28)를 이송하기 위하여 위치할 수 있다. 예를 들어, 예시들에서, 출구 도관(44)은 인렛 도관(50)의 내측 표면으로부터 이격되어 내부에 안착할 수 있고, 이에 의해 출구 도관(44)의 외측 표면과 인렛 도관(50)의 내측 표면 사이에 용융 유리의 자유 표면이 위치하도록 제공한다. 퓨전 다운 드로우 유리 형성 장치에서의 포밍 바디(42)는 포밍 바디의 상부 표면 내에 위치하는 홈통(52) 및 포밍 바디의 바닥 에지(56)를 따라 드로우 방향으로 수렴하는 수렴 포밍 표면들(54)을 포함할 수 있다. 이송 베셀(40), 출구 도관(44), 및 인렛 도관(50)을 통해 포밍 바디 홈통에 이송된 용융 유리는, 홈통의 측벽들을 범람하고, 용융 유리의 분리된 흐름들로서 수렴 포밍 표면들(54)을 따라 하강한다. 유리가 냉각되고 유리의 점도가 증가함에 따라 유리 리본의 치수를 조절하기 위하여 중력, 에지 롤들(72) 및 풀링 롤들(82)에 의해서와 같이 유리 리본에 장력을 인가함에 의해 바닥 에지(56)로부터 드로우 또는 흐름 방향(60)으로 드로우되는 유리의 단일 리본(58)을 생성하도록 용융 유리의 분리된 흐름들은 바닥 에지(56) 아래에서 이를 따라 접합한다. 따라서 유리 리본(58)은 점-탄성 전이(visco-elastic transition)을 겪고 유리 리본(58)에 안정된 치수 특성들을 부여하는 기계적 특성들을 얻는다. 일부 실시예들에서, 유리 리본(58)은 유리 리본의 탄성 영역 내에서 유리 분리 장치(100)에 의해 개별적인 유리 시트들(62)로 분리될 수 있다. 이후 로봇(64)이 개별적인 유리 시트들(62)을 그리핑 툴(65)을 사용하여 이송 시스템으로 전달할 수 있고, 여기에서 개별적인 유리 시트들이 더욱 처리될 수 있다.
도 2는 유리 시트(62)의 사시도로서 제 1 주표면(162), (상기 유리 시트(62)의 반대쪽 위에 상기 제 1 주표면과 같이) 상기 제 1 주표면에 대체로 평행한 방향으로 연장되는 제 2 주표면(164), 및 상기 제 1 주표면과 상기 제 2 주표면 사이에서 연장되고 상기 제 1 주표면(162) 및 상기 제 2 주표면(164)에 대체로 수직인 방향으로 연장되는 엣지 표면(166)을 갖는 유리 시트(62)의 사시도를 나타낸다.
도 3은 유리 시트(62)의 엣지 표면(166)의 베벨링 공정의 적어도 일부를 나타낸 사시도이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 베벨링(beveling) 공정은 엣지 표면(166)에 그라인딩 휠(200)을 적용하는 단계를 포함하고, 상기 그라인딩 휠(200)은 화살표(300)로 표시된 방향으로 엣지 표면(166)을 따라 이동한다. 베벨링 공정은 엣지 표면(166)에 적어도 하나의 연마 휠(미도시)을 적용하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이러한 베벨링 공정은 잇지 표면(166) 상에 표면 손상 및 표면하(sub-surface) 손상(즉, 불규칙한 지형(topography))뿐만 아니라 수많은 유리 파티클들의 생성으로 이어질 수 있다.
유리 시트(62)의 다운스트림 공정은 엣지 표면(166)에 대하여 기계적 또는 화학적 처리들을 적용하는 것을 수반할 수 있으며, 이는 불규칙한 엣지 표면 지형의 존재에 기인하는 추가적인 파티클 생성을 가져올 수 있다. 이러한 파티클들은 유리 시트들(62)의 적어도 하나의 표면으로 이동할 수 있다. 따라서, 여기에 개시된 실시예들은 불규칙한 엣지 표면 지형을 제거하는 한편, 상기 불규칙한 엣지 표면 지형을 제거할 때 형성될 수 있는 반응 부산물들을 제거할 뿐만 아니라 상기 엣지 표면(166) 상에 존재하는 엣지 파티클들을 함께 제거하는 실시예들을 포함한다.
여기에 개시된 실시예들은 유리 시트(62)의 엣지 표면(166)에 식각 용액이 적용되는 실시예들을 포함하고, 상기 식각 용액의 적용에 앞서 상기 엣지 표면(166)에 대하여 도 3에 도시된 바와 같은 베벨링 공정을 수행하는 실시예들을 포함한다. 상기 식각 용액의 적용은 상기 엣지 표면 상의 파티클들의 밀도를 0.1 제곱밀리미터당 약 150 미만과 같이, 나아가 0.1 제곱밀리미터당 약 100 미만과 같이, 그리고 더욱 나아가 0.1 제곱밀리미터당 약 50 미만과 같이 0.1 제곱밀리미터당 약 200 미만으로 감소시킬 수 있고, 0.1 제곱밀리미터당 약 1 내지 약 200의 범위를 포함하고, 나아가 0.1 제곱밀리미터당 약 10 내지 약 150의 범위를 포함하고, 그리고 더욱 나아가 0.1 제곱밀리미터당 약 20 내지 약 100의 범위를 포함한다.
특정 예시적인 실시예들에서, 상기 식각 용액은 불산 및 염산을 포함할 수 있다. 예를 들면, 특정 예시적인 실시예들에서, 상기 식각 용액은 불산 및 염산을 포함하는 수계 용액일 수 있다.
특정 예시적인 실시예들에서, 상기 식각 용액은 불산과 염산을 필수적으로 포함하여 구성될 수 있다. 예를 들면, 특정 예시적인 실시예들에서, 상기 식각 용액은 물, 불산, 및 염산을 필수적으로 포함하여 구성되는 수계 용액일 수 있다.
특정 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 식각 용액은 유기산들과 같은 유기 성분들이 실질적으로 부존재할 수 있다.
상기 식각 용액이 불산 및 염산을 포함할 때, 상기 식각 용액 내의 염산의 농도는 예를 들면 상기 식각 용액 내의 불산의 농도의 적어도 약 2배와 같이, 나아가 상기 식각 용액 내의 불산의 농도의 적어도 약 3배와 같이, 그리고 더욱 나아가 상기 식각 용액 내의 불산의 농도의 적어도 약 4배와 같이, 그리고 더더욱 나아가 상기 식각 용액 내의 불산의 농도의 적어도 약 5배와 같이, 상기 식각 용액 내의 불산의 농도보다 크거나 같을 수 있다. 예를 들면, 상기 식각 용액 내의 염산의 불산에 대한 농도의 비는 약 2:1 내지 약 5:1과 같이 약 1:1 내지 약 6:1의 범위일 수 있다.
이러한 실시예들에서, 상기 식각 용액 내의 불산의 농도는 적어도 약 2 몰농도와 같이, 그리고 나아가 적어도 약 2.5 몰농도와 같이, 그리고 더욱 나아가 적어도 3 몰농도와 같이 적어도 약 1.5 몰농도(molar)일 수 있다. 예를 들면, 상기 식각 용액 내의 불산의 농도는 약 2 몰농도 내지 약 4 몰농도와 같이, 약 1.5 몰농도 내지 약 6 몰농도의 범위일 수 있다.
여기에 개시된 실시예들은 상기 식각 용액 내의 염산의 농도가 적어도 약 3 몰농도와 같이, 그리고 나아가 적어도 약 4.5 몰농도와 같이, 그리고 더욱 나아가 적어도 약 6 몰농도와 같이, 그리고 더더욱 나아가 적어도 약 7.5 몰농도와 같이 적어도 약 1.5 몰농도일 수 있는 실시예들을 포함한다. 예를 들면, 상기 식각 용액 내의 염산의 농도는 약 3 몰농도 내지 약 12 몰농도, 나아가 약 4.5 몰농도 내지 약 9 몰농도와 같이 약 1.5 몰농도 내지 약 12 몰농도의 범위일 수 있다.
따라서, 여기에 개시된 실시예들은 상기 식각 용액 내의 불산의 농도가 적어도 약 1.5 몰농도이고, 상기 식각 용액 내의 염산의 농도가 적어도 약 1.5 몰농도인 실시예들을 포함한다.
또한, 여기에 개시된 실시예들은 상기 식각 용액 내의 불산의 농도가 적어도 약 1.5 몰농도이고, 상기 식각 용액 내의 염산의 농도가 적어도 약 3 몰농도인 실시예들을 포함한다.
또한, 여기에 개시된 실시예들은 상기 식각 용액 내의 불산의 농도가 적어도 약 1.5 몰농도이고, 상기 식각 용액 내의 염산의 농도가 적어도 약 4.5 몰농도인 실시예들을 포함한다.
또한, 여기에 개시된 실시예들은 상기 식각 용액 내의 불산의 농도가 적어도 약 1.5 몰농도이고, 상기 식각 용액 내의 염산의 농도가 적어도 약 6 몰농도인 실시예들을 포함한다.
또한, 여기에 개시된 실시예들은 상기 식각 용액 내의 불산의 농도가 적어도 약 1.5 몰농도이고, 상기 식각 용액 내의 염산의 농도가 적어도 약 7.5 몰농도인 실시예들을 포함한다.
또한, 여기에 개시된 실시예들은 상기 식각 용액 내의 불산의 농도가 적어도 약 3 몰농도이고, 상기 식각 용액 내의 염산의 농도가 적어도 약 3 몰농도인 실시예들을 포함한다.
또한, 여기에 개시된 실시예들은 상기 식각 용액 내의 불산의 농도가 적어도 약 3 몰농도이고, 상기 식각 용액 내의 염산의 농도가 적어도 약 6 몰농도인 실시예들을 포함한다.
또한, 여기에 개시된 실시예들은 상기 식각 용액 내의 불산의 농도가 약 1.5 몰농도 내지 약 6 몰농도이고, 상기 식각 용액 내의 염산의 농도가 약 1.5 몰농도 내지 약 12 몰농도인 실시예들을 포함한다.
또한, 여기에 개시된 실시예들은 상기 식각 용액 내의 불산의 농도가 약 1.5 몰농도 내지 약 6 몰농도이고, 상기 식각 용액 내의 염산의 농도가 약 3 몰농도 내지 약 12 몰농도인 실시예들을 포함한다.
또한, 여기에 개시된 실시예들은 상기 식각 용액 내의 불산의 농도가 약 1.5 몰농도 내지 약 6 몰농도이고, 상기 식각 용액 내의 염산의 농도가 약 4.5 몰농도 내지 약 9 몰농도인 실시예들을 포함한다.
위에서 설명된 실시예들을 포함하여 여기에 개시된 특정 예시적인 실시예들에서, 상기 식각 용액은 적어도 약 50℃와 같이, 나아가 적어도 약 55℃와 같이 적어도 약 45℃의 용액 온도에서 유리 시트(62)의 엣지 표면(166)에 적용될 수 있다. 예를 들면 상기 식각 용액은 약 50℃ 내지 약 55℃와 같이 약 45℃ 내지 약 60℃ 범위의 용액 온도에서 유리 시트(62)의 엣지 표면(166)에 적용될 수 있다.
위에서 설명된 실시예들을 포함하여 여기에 개시된 특정 예시적인 실시예들에서, 상기 식각 용액은 적어도 약 60초와 같이, 나아가 적어도 약 90초와 같이, 약 120초를 포함하여 적어도 약 30초의 시간 동안 유리 시트(62)의 엣지 표면(166)에 적용될 수 있다. 예를 들면 상기 식각 용액은 약 30초 내지 약 60초와 같이 약 30초 내지 약 120초 범위의 시간 동안 유리 시트(62)의 엣지 표면(166)에 적용될 수 있다.
따라서, 여기에 개시된 실시예들은 상기 식각 용액이 불산 및 염산을 포함하고, 상기 식각 용액 내의 상기 불산의 농도는 적어도 약 1.5 몰농도이고, 상기 식각 용액 내의 상기 염산의 농도는 적어도 약 1.5 몰농도이고, 적어도 약 45℃의 용액 온도에서 적어도 약 30초의 시간 동안 상기 식각 용액이 유리 시트의 엣지 표면에 적용되는 실시예들을 포함한다.
또한, 여기에 개시된 실시예들은 상기 식각 용액이 불산 및 염산을 포함하고, 상기 식각 용액 내의 상기 불산의 농도는 적어도 약 1.5 몰농도이고, 상기 식각 용액 내의 상기 염산의 농도는 상기 식각 용액 내의 상기 불산의 농도의 적어도 약 두 배이고, 적어도 약 45℃의 용액 온도에서 적어도 약 30초의 시간 동안 상기 식각 용액이 유리 시트의 엣지 표면에 적용되는 실시예들을 포함한다.
또한, 여기에 개시된 실시예들은 상기 식각 용액이 불산 및 염산을 포함하고, 상기 식각 용액 내의 상기 불산의 농도는 적어도 약 1.5 몰농도이고, 상기 식각 용액 내의 상기 염산의 농도는 상기 식각 용액 내의 상기 불산의 농도의 적어도 약 세 배이고, 적어도 약 45℃의 용액 온도에서 적어도 약 30초의 시간 동안 상기 식각 용액이 유리 시트의 엣지 표면에 적용되는 실시예들을 포함한다.
또한, 여기에 개시된 실시예들은 상기 식각 용액이 불산 및 염산을 포함하고, 상기 식각 용액 내의 상기 불산의 농도는 적어도 약 1.5 몰농도이고, 상기 식각 용액 내의 상기 염산의 농도는 상기 식각 용액 내의 상기 불산의 농도의 적어도 약 네 배이고, 적어도 약 45℃의 용액 온도에서 적어도 약 30초의 시간 동안 상기 식각 용액이 유리 시트의 엣지 표면에 적용되는 실시예들을 포함한다.
또한, 여기에 개시된 실시예들은 상기 식각 용액이 불산 및 염산을 포함하고, 상기 식각 용액 내의 상기 불산의 농도는 적어도 약 1.5 몰농도이고, 상기 식각 용액 내의 상기 염산의 농도는 상기 식각 용액 내의 상기 불산의 농도의 적어도 약 다섯 배이고, 적어도 약 45℃의 용액 온도에서 적어도 약 30초의 시간 동안 상기 식각 용액이 유리 시트의 엣지 표면에 적용되는 실시예들을 포함한다.
또한, 여기에 개시된 실시예들은 상기 식각 용액이 불산 및 염산을 포함하고, 상기 식각 용액 내의 상기 불산의 농도는 적어도 약 3 몰농도이고, 상기 식각 용액 내의 상기 염산의 농도는 상기 식각 용액 내의 상기 불산의 농도의 적어도 약 두 배이고, 적어도 약 45℃의 용액 온도에서 적어도 약 30초의 시간 동안 상기 식각 용액이 유리 시트의 엣지 표면에 적용되는 실시예들을 포함한다.
또한, 여기에 개시된 실시예들은 상기 식각 용액이 불산 및 염산을 포함하고, 상기 식각 용액 내의 상기 불산의 농도는 적어도 약 1.5 몰농도이고, 상기 식각 용액 내의 상기 염산의 농도는 적어도 약 7.5 몰농도이고, 적어도 약 45℃의 용액 온도에서 적어도 약 30초의 시간 동안 상기 식각 용액이 유리 시트의 엣지 표면에 적용되는 실시예들을 포함한다.
또한, 여기에 개시된 실시예들은 상기 식각 용액이 불산 및 염산을 포함하고, 상기 식각 용액 내의 상기 불산의 농도는 적어도 약 3 몰농도이고, 상기 식각 용액 내의 상기 염산의 농도는 적어도 약 6 몰농도이고, 적어도 약 45℃의 용액 온도에서 적어도 약 30초의 시간 동안 상기 식각 용액이 유리 시트의 엣지 표면에 적용되는 실시예들을 포함한다.
또한, 여기에 개시된 실시예들은 상기 식각 용액이 불산 및 염산을 포함하고, 상기 식각 용액 내의 상기 불산의 농도는 약 1.5 몰농도 내지 약 6 몰농도 범위이고, 상기 식각 용액 내의 상기 염산의 농도는 약 7.5 몰농도 내지 약 12 몰농도 범위이고, 약 45℃ 내지 약 60℃ 범위의 용액 온도에서 약 30초 내지 약 120초 범위의 시간 동안 상기 식각 용액이 유리 시트의 엣지 표면에 적용되는 실시예들을 포함한다.
또한, 여기에 개시된 실시예들은 상기 식각 용액이 불산 및 염산을 포함하고, 상기 식각 용액 내의 상기 불산의 농도는 약 3 몰농도 내지 약 6 몰농도 범위이고, 상기 식각 용액 내의 상기 염산의 농도는 약 6 몰농도 내지 약 12 몰농도 범위이고, 약 45℃ 내지 약 60℃ 범위의 용액 온도에서 약 30초 내지 약 120초 범위의 시간 동안 상기 식각 용액이 유리 시트의 엣지 표면에 적용되는 실시예들을 포함한다.
위에서 설명된 실시예들을 포함하여 여기에 개시된 특정 예시적인 실시예들에서, 상기 식각 용액의 적용에 대한 상기 엣지 표면의 식각 속도는 분당 적어도 약 3 마이크로미터와 같이, 나아가 분당 적어도 약 4 마이크로미터와 같이, 그리고 더욱 나아가 분당 적어도 약 5 마이크로미터와 같이 분당 적어도 약 2 마이크로미터일 수 있다. 예를 들면, 상기 식각 용액의 적용에 대한 상기 엣지 표면의 식각 속도는 분당 약 4 마이크로미터 내지 분당 약 10 마이크로미터의 범위를 포함하여 분당 약 2 마이크로미터 내지 분당 약 20 마이크로미터의 범위일 수 있다.
특정 예시적인 실시예들에서, 상기 식각 용액의 적용의 결과로서 식각되는 상기 엣지 표면의 깊이는 적어도 2 마이크로미터, 나아가 적어도 3 마이크로미터, 더욱 나아가 적어도 4 마이크로미터, 그리고 더더욱 나아가 적어도 5 마이크로미터와 같이 적어도 1 마이크로미터이며 약 1 마이크로미터 내지 약 5 마이크로미터의 범위를 포함한다.
상기 식각 용액은, 예를 들면, 스프레이법(spraying), 미스트법(misting), 디핑(dipping), 롤링(rolling), 및 브러싱(brushing)을 포함하는 수많은 방법들 중 적어도 하나에 의하여 상기 엣지 표면(166)에 적용될 수 있다.
특정 예시적인 실시예들에서, 식각 용액은 상기 유리 물품의 제 1 주표면(162) 및 제 2 주표면(164)에는 실질적으로 적용되지 않는다. 특히 그러한 실시예들에서, 상기 식각 용액은 유리 시트와 같은 유리 물품의 엣지 표면들에만 적용되고 어느 주표면에도 적용되지 않는다. 따라서, 여기에 개시된 실시예들은 식각 용액이 유리 물품의 상기 엣지 표면들에 적용되지만 유리 시트와 같은 상기 유리 물품은 화학적 식각에 의하여 얇아지지 않는 실시예들을 포함한다.
여기에 개시된 실시예들은 다음의 비제한적인 실시예들에 의하여 추가적으로 예시된다. 본 실시예들에서, "겔-택"(gel-tack) 방법을 써서 유리 물품들의 엣지 표면들 상에서의 파티클 밀도를 결정하였다. 이 방법은 파티클들이 점착성의 겔 위로 전달되도록 상기 유리의 상기 엣지 표면을 상기 점착성의 겔의 조각 위로 누르는 단계, 광학 현미경으로 상기 겔의 임프린트된 영역의 이미지들을 취하는 단계, 및 그런 다음 파티클 밀도를 결정하기 위하여 상기 이미지들을 분석하는 단계를 수반한다.
실시예 1
일련의 코닝사 LotusTM NXT 유리 샘플들을 45℃의 온도에서 5초 내지 120초 범위의 다양한 시간 동안 1.5 몰농도 불산 및 1.5 몰농도 염산의 수계 용액 내에 디핑하였다. 이어서 상기 샘플들을 탈이온수 내에 30초 동안 디핑하고, 탈이온수 내에서 30초 동안 초음파 처리하고, pH가 중성이 될 때까지 탈이온수 내에서 반복적으로 린스하고, 최종적으로는 질소 흐름 내에서 건조시켰다. 그 후 위에서 설명한 "겔-택" 방법에 따라 파티클 밀도가 결정되었으며 그 결과를 표 1에 나타내었다. 표 1에서 알 수 있는 바와 같이, 상기 처리 시간이 증가할수록 엣지 파티클 밀도는 점진적으로 감소하였다. 나아가, 도 4에 도시된 바와 같이, SEM 단면 이미지들은 식각 시간이 증가함에 따라 엣지의 모폴로지가 더 매끄러워졌고 표면 및 표면하(sub-surface) 손상들이 점진적으로 제거되었음을 나타낸다. 특히 120초 동안 처리된 샘플은 바람직한 엣지 모폴로지를 보였다.
실시예 2
일련의 코닝사 LotusTM NXT 유리 샘플들을 다양한 염산 농도들을 갖는 1.5 몰농도 불산 용액들 내에 디핑하였다. 표 1은 주표면의 식각 속도가 염산 농도에 대하여 거의 선형적으로 증가하는 것을 보여준다. 상기 식각 속도는 화학 처리를 하기 이전에 유리의 평탄한 표면 위에 내산성의 마스킹 테이프 조각을 부착하고, 화학 처리된 후의 단차를 Zygo(R) NewViewTM 광학 표면 프로파일러(Optical Surface Profiler)를 이용하여 측정함으로써 결정되었다. 상기 주표면 위에서의 식각 속도는 상기 엣지 위에서의 식각 속도와 상이하지만, 상기 주표면 위에서의 식각 속도는 식각 배합비의 화학적 강도를 측정하기 위한 일관된 측정 기준을 제공하는 반면 상기 엣지 위에서의 식각 속도는 화학적 배합비(formulation) 뿐만 아니라 엣지의 모폴로지에도 의존한다. 표 1은 염산 농도를 증가시킴에 따라 엣지 파티클 밀도가 감소하는 것을 보여준다. 특히, 45℃에서 30초 동안 1.5 몰농도 불산 및 7.5 몰농도 염산으로 처리된 엣지는 가장 낮은 파티클 밀도를 가졌고, 도 5에 보인 바와 같이 바람직한 엣지 모폴로지를 보였다.
실시예 3
본 실시예에서, 코닝사 LotusTM NXT 유리 샘플들을 45℃의 온도에서 30초 동안 3 몰농도 불산 및 3 몰농도 염산의 용액 내에 디핑하였다. 이 때의 식각 속도는 45℃에서 1.5 몰농도 불산 및 1.5 몰농도 염산의 용액의 식각 속도의 약 3배이었지만, 도 6에 도시된 겔-택 광학 현미경 이미지의 검정색 띠로 표시한 바와 같은 반응 부산물들로 엣지가 두텁게 피복되었다. 따라서, 이 샘플에 대해서는 파티클 밀도 측정 결과를 얻을 수 없었다.
실시예 4
본 실시예에서, 코닝사 LotusTM NXT 유리 샘플들을 45℃의 온도에서 30초 동안 3 몰농도 불산 및 6 몰농도 염산의 용액 내에 디핑하였다. 이 때의 식각 속도는 45℃에서 1.5 몰농도 불산 및 1.5 몰농도 염산의 용액의 식각 속도의 거의 5배이었다. 도 7의 겔-택 광학 현미경 이미지에 보인 바와 같이, 엣지는 반응 부산물이 실질적으로 없었고, 비교적 낮은 파티클 수 및 바람직한 모폴로지를 가졌다.
실시예 5
본 실시예에서, 코닝사 LotusTM NXT 유리 샘플들을 상이한 세 식각 용액들에, 구체적으로 1.5 몰농도 불산 및 1.5 몰농도 염산, 1.5 몰농도 불산 및 7.5 몰농도 염산, 및 3 몰농도 불산 및 6 몰농도 염산에 각각 상이한 세 온도들(약 23℃, 45℃, 및 60℃)에서 디핑하였다. 표 1에서 알 수 있는 바와 같이, 45℃ 및 60℃에서 1.5 몰농도 불산 및 7.5 몰농도 염산을 함유하는 식각 용액들 및 3 몰농도 불산 및 6 몰농도 염산을 함유하는 식각 용액들에 대하여 비교적 더 낮은 엣지 파티클 밀도들이 달성되었다.
표 1
Figure pct00001
여기에 개시된 실시예들은 상기 식각 용액이 상기 엣지 표면에 적용된 이후에 상기 엣지 표면으로부터 세정될 수 있는 실시예들을 포함한다. 예를 들면, 상기 엣지 표면은 적어도 하나의 세정 용액으로 세정될 수 있고, 상기 적어도 하나의 세정 용액은 물(예컨대 탈이온수)과 같은 액체를 포함할 수 있고, 세제나 계면활성제와 같은 적어도 하나의 성분을 포함할 수도 있고 포함하지 않을 수도 있다.
특정 예시적인 실시예들에서, 상기 유리 물품은 예컨대 초음파 에너지로 혼합된 세정 용액과 같은 세정 용액 내에 디핑(dipping)될 수 있다. 또한 상기 유리 물품은 브러시와 같은 기계적인 액션으로 적용된 세정 용액으로 세정될 수 있다.
여기에 개시된 실시예들은 0.1 제곱밀리미터당 약 200 미만과 같이 감소된 파티클 밀도들을 갖는 한편, 동시에 예컨대 베벨링 공정들에 의해 야기된 표면하 손상을 상당히 제거하여 바람직하게 매끈한 표면 모폴로지들을 갖는 엣지 표면들을 갖는, 유리 시트들을 포함하는, 유리 물품들을 가능하게 할 수 있다. 따라서, 여기에 개시된 실시예들은 비교적 낮은 엣지 파티클 밀도들을 장점을 제공할 수 있을 뿐만 아니라 다운스트림 처리 단계들의 결과로서의 추가적인 파티클 생성을 덜 허용하는 비교적 매끈한 표면들이라는 추가적인 장점도 제공할 수 있다. 또한, 여기에 개시된 실시예들은 상기 식각 용액의 적용에 의해 생성된 반응 부산물들이 제거되는 실시예들도 포함한다.
위의 실시예들이 퓨전 다운 드로우 공정을 참조로 설명되었지만, 이러한 실시예들이 플롯 공정들, 슬롯 드로우 공정들, 업-드로우 공정들 및 프레스-롤링 공정들과 같은 다른 유리 형성 공정들에 또한 적용 가능하다는 점이 이해되어야 한다.
본 개시의 범위와 정신으로부터 벗어남이 없이 본 개시의 실시예에 다양한 변형과 변용들이 이루어질 수 있음은 통상의 기술자에게 명백할 것이다. 따라서 본 개시는 첨부된 청구항의 권리범위 및 그의 균등물의 범위 내에 속한다면 이러한 변형들 및 변용들까지 커버하는 것이 의도된다.

Claims (17)

  1. 유리 물품의 제조 방법으로서,
    제 1 주표면, 상기 제 1 주표면에 평행한 제 2 주표면, 및 상기 제 1 주표면과 상기 제 2 주표면 사이에서 상기 제 1 주표면 및 상기 제 2 주표면에 수직인 방향으로 연장되는 엣지 표면을 포함하는 상기 유리 물품을 형성하는 단계;
    상기 유리 물품의 상기 엣지 표면에 식각 용액(etch solution)을 적용하는 단계;
    를 포함하고, 상기 식각 용액의 적용은 상기 엣지 표면 상의 파티클들의 밀도를 0.1 제곱밀리미터당 약 200 미만으로 감소시키는 유리 물품의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 식각 용액은 불산(hydrofluoric acid) 및 염산(hydrochloric acid)을 포함하는 것을 특징으로 하는 유리 물품의 제조 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 식각 용액 내의 염산의 농도는 상기 식각 용액 내의 불산의 농도의 적어도 약 2배인 것을 특징으로 하는 유리 물품의 제조 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 식각 용액 내의 불산의 상기 농도는 적어도 약 1.5 몰농도(molar)인 것을 특징으로 하는 유리 물품의 제조 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 식각 용액 내의 불산의 상기 농도는 약 1.5 몰농도 내지 약 6 몰농도인 것을 특징으로 하는 유리 물품의 제조 방법.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 식각 용액 내의 염산의 상기 농도는 약 3 몰농도 내지 약 12 몰농도인 것을 특징으로 하는 유리 물품의 제조 방법.
  7. 제 3 항에 있어서,
    상기 식각 용액 내에서 염산이 불산에 대하여 갖는 농도비가 약 2:1 내지 약 6:1인 것을 특징으로 하는 유리 물품의 제조 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 식각 용액을 적용하였을 때 상기 엣지 표면의 식각 속도가 적어도 약 2 마이크로미터/분인 것을 특징으로 하는 유리 물품의 제조 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 식각 용액을 적용하였을 때 상기 엣지 표면의 식각 속도가 약 2 마이크로미터/분 내지 약 20 마이크로미터/분인 것을 특징으로 하는 유리 물품의 제조 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 적용하는 단계가 상기 식각 용액을 적어도 약 45℃의 온도에서 적용하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유리 물품의 제조 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 적용하는 단계가 약 45℃ 내지 약 60℃ 범위의 온도에서 상기 식각 용액을 적용하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유리 물품의 제조 방법.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 식각 용액을 적용하는 단계의 이전에 상기 엣지 표면에 대하여 베벨링(beveling) 공정을 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유리 물품의 제조 방법.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 적용하는 단계가 스프레이법(spraying), 미스트법(misting), 디핑(dipping), 롤링(rolling), 및 브러싱(brushing)으로 구성되는 군으로부터 선택된 적어도 하나의 방법에 의하여 상기 식각 용액을 적용하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유리 물품의 제조 방법.
  14. 제 4 항에 있어서,
    상기 식각 용액 내의 염산의 상기 농도는 적어도 약 7.5 몰농도인 것을 특징으로 하는 유리 물품의 제조 방법.
  15. 제 4 항에 있어서,
    상기 식각 용액 내의 불산의 상기 농도는 적어도 약 3 몰농도인 것을 특징으로 하는 유리 물품의 제조 방법.
  16. 제 1 항의 방법에 의하여 제조된 유리 물품.
  17. 제 16 항의 유리 물품을 포함하는 전자 장치.
KR1020197024990A 2017-01-31 2018-01-31 유리 시트 엣지 파티클들을 감소시키기 위한 방법들 KR20190105103A (ko)

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