KR20190103551A - 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 패널, 그리고 상기 표시 패널과 중첩하는 반사 방지층을 포함하고, 상기 반사 방지층은 복수의 나노 구조체를 포함하는 나노 패턴층, 그리고 상기 복수의 나노 구조체를 덮는 저굴절층을 포함하며 상기 복수의 나노 구조체는 불규칙한 형태로 배치된다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 개시는 표시 장치에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 두 개의 전기장 생성 전극과 액정층, 색필터, 그리고 편광층을 포함할 수 있다. 광원에서 발생한 광은 액정층, 색필터 및 편광층을 통과하여 시청자에게 도달하게 되는데, 편광층과 색필터 등에서 광손실이 발생하는 문제가 있다. 액정 표시 장치뿐만 아니라 발광 표시 장치 등의 표시 장치에서도 이와 같은 광손실이 발생할 수 있다.
광손실을 줄이고 높은 색재현율을 가지는 표시 장치를 구현하기 위하여 반도체 나노 결정을 사용한 색변환 표시판을 포함하는 표시 장치가 제안되고 있다.
실시예들은 출광 효율 및 표시 품질이 향상된 표시 장치에 대한 것이다.
일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 패널, 그리고 상기 표시 패널과 중첩하는 반사 방지층을 포함하고, 상기 반사 방지층은 복수의 나노 구조체를 포함하는 나노 패턴층, 그리고 상기 복수의 나노 구조체를 덮는 저굴절층을 포함하며 상기 복수의 나노 구조체는 불규칙한 형태로 배치된다.
상기 복수의 나노 구조체 각각의 지름은 300 nm 내지 800 nm 일 수 있다.
상기 복수의 나노 구조체 각각의 지름 대비 높이는 0.4 내지 0.6일 수 있다.
상기 나노 패턴층의 굴절률은 1.4 내지 1.7이고, 상기 저굴절층의 굴절률은 1.2 내지 1.4일 수 있다.
상기 반사 방지층의 굴절률은 상기 표시 패널에 인접할수록 점진적으로 커질 수 있다.
상기 저굴절층은 다공성 물질을 포함하거나 탄화수소가 포함하는 적어도 하나의 수소가 불소로 치환된 고분자 물질을 포함할 수 있다.
상기 나노 패턴층은 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA), 폴리카보네이트(PC), 폴리우레탄(PU), 2 관능기 이상 9 관능기 이하를 가지는 아크릴레이트계 단분자 또는 올리고머, 2 관능기 이상을 가지는 우레탄 아크릴레이트계 올리고머, 아크릴레이트 또는 에폭시기를 반응기로 포함하는 오르가노실란(organosilane), 아크릴레이트기 또는 비닐기를 반응기로 포함하는 포스파젠(Phosphazene) 화합물, 아크릴레이트기 또는 비닐기를 반응기로 포함하는 아다만탄(Adamantane) 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 복수의 나노 구조체 각각은 나노 파이버 형태 및 나노 파티클 형태 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 표시 패널에서 방출되는 광은 램버시안 방출 형태를 가질 수 있다.
상기 표시 패널은 반도체 나노 결정을 포함하는 색변환층, 그리고 투과층을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 패널, 그리고 상기 표시 패널과 중첩하는 반사 방지층을 포함하고, 상기 반사 방지층은, 상기 표시 패널 위에 위치하며 복수의 나노 구조체를 포함하는 나노 패턴층, 그리고 상기 복수의 나노 구조체를 덮는 저굴절층을 포함하고, 상기 나노 패턴층의 굴절률은 상기 저굴절층의 굴절률보다 크고 상기 반사 방지층의 굴절률은 상기 표시 패널에 인접할수록 커진다.
실시예들에 따르면 출광 효율 및 표시 품질이 향상된 표시 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 2는 도 1의 반사 방지층의 A 부분에 대한 확대도이다.
도 3은 도 2의 영역별 굴절률을 나타낸 그래프이다.
도 4는 일 실시예에 따른 표시 장치가 포함하는 복수의 화소에 대한 개략적인 평면도이다.
도 5는 도 4의 V-V'선을 따라 자른 단면도이다.
도 6은 일 실시예에 따른 표시 장치가 포함하는 복수의 화소에 대한 개략적인 평면도이다.
도 7은 도 6의 VII-VII'선을 따라 자른 단면도이다.
도 8은 일 실시예에 따른 전기방사 방법을 나타낸 개략도이다.
도 9는 전기방사 방법에 따라 제조된 나노 패턴층의 확대 이미지이다.
도 10은 일 실시예에 따른 전기분사 방법을 나타낸 개략도이다.
도 11은 전기분사 방법에 따라 제조된 나노 패턴층의 확대 이미지이다.
도 12는 실시예 및 비교예에 따른 외부 양자 효율(EQE)에 대한 그래프이다.
도 13은 비교예에 따른 표시 장치의 이미지이고 도 14는 실시예에 따른 표시 장치의 이미지이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.
또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 기준이 되는 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 것은 기준이 되는 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것이고, 반드시 중력 반대 방향 쪽으로 "위에" 또는 "상에" 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.
또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
또한, 명세서 전체에서, "평면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 위에서 보았을 때를 의미하며, "단면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 수직으로 자른 단면을 옆에서 보았을 때를 의미한다.
이하에서는 도 1 내지 도 3을 참조하여 일 실시예에 따른 표시 장치에 대해 설명한다. 도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 단면도이고, 도 2는 도 1의 반사 방지층의 A 부분에 대한 확대도이고 , 도 3은 도 2의 영역별 굴절률을 나타낸 그래프이다.
도 1을 참조하면 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 패널(10) 및 표시 패널(10) 위에 위치하는 반사 방지층(40)을 포함한다. 본 명세서는 표시 패널(10)과 반사 방지층(40)이 직접 접촉하는 구성을 도시하였으나 이에 제한되지 않는다. 표시 패널(10)과 반사 방지층(40) 사이에는 별도의 접착층이 위치하거나 터치 패널 또는 윈도우 등이 위치할 수 있으며 이들에 제한되지 않는다.
일 실시예에 따른 표시 패널(10)은 수직 전계를 형성하는 액정 표시 패널, 수평 전계를 형성하는 액정 표시 패널, 플라즈마 표시 패널(Plasma Display Panel, PDP), 발광 표시 장치(Light Emitting Diode Display, LED), 표면 전도형 전자 방출 소자 표시 장치(Surface conduction Electron-emitter Display, SED), 전계 방출 표시 장치(Field Emission Display, FED), 진공 형광 표시 장치(Vacuum Fluorescent Display, VFD), 전자 페이퍼(E-Paper) 등과 같은 표시 패널일 수 있으며 이에 제한되지 않는다. 일 실시예에 따른 표시 패널(10)에 대해서는 후술하기로 한다.
반사 방지층(40)은 표시 패널(10) 위에 위치한다. 반사 방지층(40)은 표시 패널(10) 위에 위치하는 나노 패턴층(410) 및 나노 패턴층(410) 위에 위치하는 저굴절층(420)을 포함한다.
반사 방지층(40)은 표시 패널(10)에서 외측을 향해 방출되는 광이 표시 패널(10)과 공기 사이의 굴절률 차이에 의해 전반사되어 출광 효율이 낮아지는 것을 방지하고자 한다.
반사 방지층(40)은 표시 패널(10)과 공기 사이의 굴절률을 가질 수 있다. 반사 방지층(40)의 굴절률은 표시 패널(10)에 인접할수록 커질 수 있으며, 일 예로 표시 패널(10)에 인접할수록 점진적으로 커질 수 있다.
나노 패턴층(410)은 표시 패널(10) 위에 위치하는 복수의 나노 구조체(410a)를 포함할 수 있다. 복수의 나노 구조체(410a)는 반구 형태이거나 유사 반구 형태일 수 있다. 본 명세서에서 유사 반구 형태란 반구 형태에서 일부 영역이 함몰되거나 돌출된 형태를 지칭한다.
복수의 나노 구조체(410a) 각각의 지름(R0)은 약 300 nm 내지 약 800 nm 일 수 있으며 일 예로 약 450 nm 일 수 있다. 나노 구조체(410a)의 지름이 약 800 nm 초과인 경우 사용자에 의해 일정 패턴이 시인되거나 전반사 방지 효과가 미미할 수 있다.
나노 구조체(410a)의 종횡비(aspect ratio)는 약 0.4 내지 약 0.6일 수 있다. 구체적으로 나노 구조체(410a)의 지름(R0) 대비 높이(h0)는 약 0.4 내지 약 0.6일 수 있으며 일 예로 0.5일 수 있다.
복수의 나노 구조체(410a)는 표시 패널(10) 상에 불규칙한 형태로 배치될 수 있다. 불규칙하게 배치된 복수의 나노 구조체(410a)에 의해 반사 방지층(40)에 의한 회절 현상을 방지할 수 있다. 일정한 규칙을 가지고 배열된 복수의 나노 구조체를 포함하는 경우 표시 패널(10)에서 방출되는 광에 의해 회절 패턴이 시인될 수 있다. 그러나 본 발명의 실시예에 따른 경우 불규칙하게 배치된 나노 구조체(410a)를 포함함으로써 회절 패턴이 시인되는 현상을 방지할 수 있다.
나노 패턴층(410)의 굴절률은 약 1.4 내지 약 1.7일 수 있으며, 일 예로 약 1.5 내지 1.6일 수 있으며 인접한 표시 패널(10)의 일 구성요소의 굴절률 보다 낮은 굴절률을 가질 수 있다.
나노 패턴층(410)은 투명한 고분자 물질을 포함할 수 있다. 나노 패턴층(410)은 열경화 공정 또는 광경화 공정에 의해 중합된 물질을 포함할 수 있다. 나노 패턴층(410)은 일 예로 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA), 폴리카보네이트(PC), 폴리우레탄(PU), 2 관능기 이상 9 관능기 이하를 가지는 아크릴레이트계 단분자 또는 올리고머, 2 관능기 이상을 가지는 우레탄 아크릴레이트계 올리고머, 아크릴레이트 또는 에폭시기를 반응기로 포함하는 오르가노실란(organosilane), 아크릴레이트기 또는 비닐기를 반응기로 포함하는 포스파젠(Phosphazene) 화합물, 아크릴레이트기 또는 비닐기를 반응기로 포함하는 아다만탄(Adamantane) 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
나노 패턴층(410)은 일 예에 따라 전기분사 방식 또는 전기방사 방식으로 제조될 수 있다. 나노 패턴층(410)은 전기분사 방식 또는 전기방사 방식으로 나노 구조체(410a)를 형성할 수 있는 어떠한 물질도 포함할 수 있음은 물론이다.
나노 구조체(410a)는 나노 파이버(nano fiber) 형태를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따라 나노 파이버 형태를 포함하는 나노 구조체(410a)는 전기방사 방식으로 형성될 수 있다.
또한 나노 구조체(410a)는 나노 파티클(nano particle) 형태를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따라 나노 파티클 형태를 포함하는 나노 구조체(410a)는 전기분사 방식으로 형성될 수 있다.
저굴절층(420)은 나노 패턴층(410)과 표시 패널(10) 위에 위치할 수 있다. 저굴절층(420)은 복수의 나노 구조체(410a)를 완전히 덮는 형태일 수 있으며 표시 패널(10)의 평면과 중첩하는 형태일 수 있다.
나노 패턴층(410)을 덮는 저굴절층(420)의 굴절률은 나노 패턴층(410)의 굴절률 보다 작을 수 있으며, 일 예로 약 1.2 내지 1.4일 수 있다.
저굴절층(420)은 전술한 굴절률을 만족하는 어떠한 투명한 물질도 포함할 수 있다. 일 예로 저굴절층(420)은 폴리머 매트릭스에 다공성 실리카가 분산된 물질을 포함하거나 다공성 폴리머를 포함하거나 탄화수소가 포함하는 적어도 하나의 수소가 불소로 치환된 고분자 물질을 포함할 수 있으며 이에 제한되는 것은 아니다.
나노 패턴층(410) 및 저굴절층(420)을 포함하는 반사 방지층(40)은 굴절률이 점진적으로 변하는 구조를 가질 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이 반사 방지층(40)에서 표시 패널(10)에 인접한 제1 영역(R1)은 상대적으로 굴절률이 높은 나노 구조체(410a)가 차지하는 면적이 크다. 다음 제2 영역(R2)에서는 나노 구조체(410a)가 차지하는 면적이 제1 영역(R1) 대비 다소 감소하고 저굴절층(420)이 차지하는 면적이 다소 증가한다. 제2 영역(R2)은 제1 영역(R1) 대비 낮은 굴절률을 가질 수 있다. 제3 영역(R3) 역시 제2 영역(R2) 대비 나노 구조체(410a)가 차지하는 면적이 다소 감소하고 저굴절층(420)이 차지하는 면적이 증가한다. 제3 영역(R3)은 제2 영역(R2) 대비 낮은 굴절률을 가지며 동일한 원리에 의해 제4 영역(R4)은 제3 영역(R3) 보다 낮은 굴절률을 가질 수 있다. 제5 영역(R5)은 상대적으로 낮은 굴절률을 가지는 저굴절층(420)만이 위치하므로 상대적으로 높은 굴절률을 가지는 나노 구조체(410a)가 위치하는 제4 영역(R4) 대비 낮은 굴절률을 가질 수 있다.
이러한 원리에 의해 반사 방지층(40)은 도 3에 도시된 바와 같은 굴절률을 가질 수 있다. 반사 방지층(40)의 굴절률은 표시 패널(10)에 인접한 영역으로부터 표시 장치 외측을 향하는 방향(제3 방향)을 따라 점진적으로 감소할 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 패널(10)에서 방출되는 광은 램버시안(Lambertian) 방출 형태를 가진다. 표시 패널(10)에서 방출되는 광은 다양한 방향으로 방출될 수 있다.
방출되는 광은 표시 패널(10)과 공기 사이의 굴절률 차이에 의해 표시 패널(10) 외측으로 방출되지 못하고 표시 패널(10) 내측으로 다시 전반사될 수 있다. 표시 패널(10)의 출광 효율이 감소한다.
그러나 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 패널(10) 외측에 위치하는 반사 방지층(40)을 포함한다. 반사 방지층(40)은 표시 패널(10)에서 표시 장치의 외측을 향하는 방향을 따라 굴절률이 점진적으로 감소하는 구조를 가질 수 있다. 이에 따라 표시 패널(10)과 공기 사이의 계면에서 발생하는 전반사를 감소시키고 표시 장치의 출광 효율을 증가시킬 수 있다.
이하에서는 도 4 내지 도 7을 참조하여 일 실시예에 따른 표시 장치를 구체적으로 설명한다. 도 4는 일 실시예에 따른 표시 장치가 포함하는 복수의 화소에 대한 개략적인 평면도이고, 도 5는 도 4의 V-V'을 따라 자른 단면도이고, 도 6은 일 실시예에 따른 표시 장치가 포함하는 복수의 화소에 대한 개략적인 평면도이고, 도 7은 도 6의 VII-VII'을 따라 자른 단면도이다.
일 실시예에 따른 표시 장치는 라이트 유닛(500), 표시 패널(10) 및 표시 패널(10)과 중첩하는 반사 방지층(40)을 포함한다. 표시 패널(10)은 박막 트랜지스터 표시판(100) 및 박막 트랜지스터 표시판(100)과 이격되어 중첩하는 색변환 표시판(300) 및 박막 트랜지스터 표시판(100)과 색변환 표시판(300) 사이에 위치하는 액정층(3)을 포함한다.
일 실시예에 따른 반사 방지층(40)은 앞서 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 반사 방지층(40)과 동일하므로 이하에서 설명을 생략하기로 한다.
라이트 유닛(500)은 제3 방향을 따라 박막 트랜지스터 표시판(100)의 배면에 위치한다. 라이트 유닛(500)은 광을 발생하는 광원 및 상기 광을 수신하고 수신된 광을 박막 트랜지스터 표시판(100)을 향해 가이드하는 도광판(미도시)을 포함할 수 있다.
라이트 유닛(500)은 청색을 방출하는 어떠한 광원도 포함할 수 있으며 일 예로 발광 다이오드(light emitting diode)를 포함할 수 있다. 청색 광원을 포함하는 라이트 유닛(500) 대신에 화이트 광원이나 자외선 광원을 포함하는 라이트 유닛(500)으로 변형하여 사용할 수도 있다. 이하에서는 청색 광원을 포함하는 라이트 유닛(500)을 사용한 표시 장치에 대해 설명하기로 한다.
상기 광원은 도광판의 적어도 하나의 측면에 배치되는 에지형(edge type)이거나 도광판의 직하부에 위치하는 직하형일 수 있으나 이에 제한되지 않는다.
박막 트랜지스터 표시판(100)은 제1 기판(110)과 라이트 유닛(500) 사이에 위치하는 제1 편광층(12)을 포함한다. 제1 편광층(12)은 라이트 유닛(500)에서 제1 기판(110)으로 입사되는 광을 편광시킨다.
제1 편광층(12)은 도포형 편광층, 코팅형 편광층 및 와이어 그리드 편광층(wire grid polarizer) 중 적어도 하나일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 또한 제1 편광층(12)은 필름 형태, 도포 형태, 프린팅 형태 등 다양한 방법으로 제1 기판(110)의 일면에 형성될 수 있으며 이에 제한되지 않는다.
박막 트랜지스터 표시판(100)은 제1 기판(110)과 액정층(3) 사이에서 제1 방향으로 연장되며 게이트 전극(124)을 포함하는 게이트선(121), 게이트선(121)과 액정층(3) 사이에 위치하는 게이트 절연층(140), 게이트 절연층(140)과 액정층(3) 사이에 위치하는 반도체층(154), 반도체층(154)과 액정층(3) 사이에 위치하며 제2 방향으로 연장되는 데이터선(171), 데이터선(171)에 연결된 소스 전극(173) 및 소스 전극(173)과 이격된 드레인 전극(175), 그리고 데이터선(171)과 액정층(3) 사이에 위치하는 보호막(180)을 포함할 수 있다.
반도체층(154)은 소스 전극(173)과 드레인 전극(175)으로 덮이지 않은 부분에서 채널을 형성한다. 게이트 전극(124), 반도체층(154), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 하나의 박막 트랜지스터(Tr)를 이룬다.
보호막(180) 위에 화소 전극(191)이 위치한다. 화소 전극(191)은 보호막(180)이 가지는 접촉 구멍(185)을 통해 드레인 전극(175)과 물리적, 전기적으로 연결될 수 있다.
화소 전극(191)과 액정층(3) 사이에 제1 배향막(11)이 위치할 수 있다.
색변환 표시판(300)은 박막 트랜지스터 표시판(100)과 중첩하는 기판(310)을 포함한다. 기판(310)과 박막 트랜지스터 표시판(100) 사이에 차광 부재(320)가 위치한다. 보다 구체적으로 기판(310)과 후술할 색변환층(330R, 330G) 사이, 그리고 기판(310)과 후술할 투과층(330B) 사이에 차광 부재(320)가 위치한다.
차광 부재(320)는 제1 방향을 따라 적색 색변환층(330R)과 녹색 색변환층(330G) 사이, 녹색 색변환층(330G)과 투과층(330B) 사이, 그리고 투과층(330B)과 적색 색변환층(330R) 사이에 위치할 수 있다. 또한 차광 부재(320)는 인접한 적색 색변환층(330R)과 적색 색변환층(330R) 사이, 인접한 녹색 색변환층(330G)과 녹색 색변환층(330G) 사이, 그리고 인접한 투과층(330B)과 투과층(330B) 사이에도 위치할 수 있다. 차광 부재(320)는 평면 상 격자 또는 직선 형태를 가질 수 있다.
차광 부재(320)는 인접한 화소에서 방출되는 서로 다른 광의 혼색을 방지하고 적색 색변환층(330R), 녹색 색변환층(330G) 및 투과층(330B)이 배치되는 영역을 구획할 수 있다. 차광 부재(320)는 광을 차단(반사 또는 흡수)하기 위한 어떠한 재질도 가능할 수 있다.
기판(310) 및 차광 부재(320)와 박막 트랜지스터 표시판(100) 사이에 청색광 컷팅 필터(325)가 위치할 수 있다. 청색광 컷팅 필터(325)는 적색 색변환층(330R)과 기판(310) 사이 및 녹색 색변환층(330G)과 기판(310) 사이에 위치할 수 있다. 청색광 컷팅 필터(325)는 적색 및 녹색을 방출하는 영역과 중첩하며 청색을 방출하는 영역과는 중첩하지 않을 수 있다.
청색광 컷팅 필터(325)는 적색 색변환층(330R)과 중첩하는 제1 영역 및 녹색 색변환층(330G)과 중첩하는 제2 영역을 포함하고, 상기 영역들은 서로 이격될 수 있다. 그러나 이에 제한되지 않고 제1 영역 및 제2 영역이 서로 연결되도록 형성될 수도 있다.
청색광 컷팅 필터(325)는 라이트 유닛(500)으로부터 공급되는 청색광을 차단할 수 있다. 라이트 유닛(500)으로부터 적색 색변환층(330R) 및 녹색 색변환층(330G)에 입사되는 청색광은 반도체 나노 결정(331R, 331G)에 의해 적색 또는 녹색으로 변환되는데, 일부 청색 광은 변환되지 않고 출광될 수 있다. 변환없이 출광되는 청색광은 적색광 또는 녹색광과 혼색되어 색재현율을 저하시킬 수 있다. 청색광 컷팅 필터(325)는 라이트 유닛(500)으로부터 공급되는 청색광이 적색 색변환층(330R) 및 녹색 색변환층(330G)에서 흡수되지 않고 기판(310)을 통과하여 방출되는 것을 차단(흡수 또는 반사)할 수 있다.
청색광 컷팅 필터(325)는 전술한 효과를 수행하기 위한 어떠한 물질도 포함할 수 있으며, 일 예로 황색 색필터(Yellow color filter)를 포함할 수 있다. 청색광 컷팅 필터(325)는 단일층 또는 복수층으로 적층된 구조를 가질 수 있다.
한편 본 명세서는 기판(310)과 접촉하는 청색광 컷팅 필터(325)를 도시하였으나 이에 제한되지 않고 기판(310)과 청색광 컷팅 필터(325) 사이에 별도의 버퍼층(미도시)이 위치할 수 있다.
복수의 색변환층(330R, 330G) 및 투과층(330B)은 기판(310)과 박막 트랜지스터 표시판(100) 사이에 위치할 수 있다. 복수의 색변환층(330R, 330G) 및 투과층(330B)은 제1 방향을 따라 배열될 수 있다.
복수의 색변환층(330R, 330G)은 입사되는 광을 입사되는 광과 다른 파장을 가지는 광으로 변환하여 방출할 수 있다. 복수의 색변환층(330R, 330G)은 적색 색변환층(330R) 및 녹색 색변환층(330G)을 포함할 수 있다.
투과층(330B)에서는 입사되는 광의 변환이 없으며, 입사되는 광을 그대로 방출할 수 있다. 투과층(330B)에는 일 예로 청색광이 입사되고, 청색광이 그대로 방출될 수 있다.
적색 색변환층(330R)은 입사되는 청색광을 적색광으로 변환하는 제1 반도체 나노 결정(331R)을 포함할 수 있다. 제1 반도체 나노 결정(331R)은 형광체 및 양자점 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
녹색 색변환층(330G)은 입사되는 청색광을 녹색광으로 변환하는 제2 반도체 나노 결정(331G)을 포함할 수 있다. 제2 반도체 나노 결정(331G)은 형광체 및 양자점 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
제1 반도체 나노 결정(331R) 및 제2 반도체 나노 결정(331G)에 포함되는 양자점(Quantum Dot)은 서로 독립적으로 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.
II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, GaAlNP, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 원소로는 Si, Ge 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 화합물로는 SiC, SiGe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물일 수 있다.
이때, 이원소 화합물, 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물은 균일한 농도로 입자 내에 존재하거나, 농도 분포가 부분적으로 다른 상태로 나누어져 동일 입자 내에 존재하는 것일 수 있다. 또한 하나의 양자점이 다른 양자점을 둘러싸는 코어/쉘 구조를 가질 수도 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다.
양자점은 약 45nm 이하, 바람직하게는 약 40nm 이하, 더욱 바람직하게는 약 30nm 이하의 발광 파장 스펙트럼의 반치폭(full width of half maximum, FWHM)을 가질 수 있으며, 이 범위에서 색순도나 색재현율을 향상시킬 수 있다. 또한 이러한 양자점을 통해 발광되는 광은 램버시안 방출 형태를 가지고 전 방향으로 방출되는바 시야각이 향상될 수 있다.
제1 반도체 나노 결정(331R)이 적색 형광체를 포함하는 경우, 적색 형광체는 (Ca, Sr, Ba)S, (Ca, Sr, Ba)2Si5N8, CaAlSiN3, CaMoO4 및 Eu2Si5N8을 포함하는 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있으며 이에 제한되는 것은 아니다.
제2 반도체 나노 결정(331G)이 녹색 형광체를 포함하는 경우, 녹색 형광체는 이트륨 알루미늄 가닛(yttrium aluminum garnet, YAG), (Ca, Sr, Ba)2SiO4, SrGa2S4, 바리움마그네슘알루미네이트(BAM), 알파 사이알론(α-SiAlON), 베타 사이알론(β-SiAlON), Ca3Sc2Si3O12, Tb3Al5O12, BaSiO4, CaAlSiON 및 (Sr1 - xBax)Si2O2N2을 포함하는 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있으며 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 x는 0 내지 1 사이의 임의의 수일 수 있다.
투과층(330B)은 입사되는 광을 그대로 통과시킬 수 있다. 투과층(330B)은 청색광을 투과시키는 수지(resin)를 포함할 수 있다. 청색을 방출하는 영역에 위치하는 투과층(330B)은 별도의 반도체 나노 결정을 포함하지 않고 입사된 청색을 그대로 통과시킨다.
도시하지 않았으나 투과층(330B)은 염료 및 안료 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다. 염료 또는 안료를 포함하는 투과층(330B)은 외광 반사를 감소시키고 색순도가 향상된 청색광을 제공할 수 있다.
적색 색변환층(330R), 녹색 색변환층(330G) 및 투과층(330B) 중 적어도 하나는 산란체(332)를 더 포함할 수 있다. 적색 색변환층(330R), 녹색 색변환층(330G) 및 투과층(330B)이 포함하는 각각의 산란체(332)의 함량은 상이할 수 있다.
산란체(332)는 색변환층(330R, 330G) 및 투과층(330B)에서 변환되거나 통과하여 방출되는 광량을 증가시키고 정면 휘도와 측면 휘도를 균일하게 제공할 수 있다.
산란체(332)는 입사되는 광을 고르게 산란시키기 위한 어떠한 물질도 포함할 수 있다. 산란체(332)는 일 예로 TiO2, ZrO2, Al2O3, In2O3, ZnO, SnO2, Sb2O3 및 ITO 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
색변환층(330R, 330G)과 오버코팅막(350) 사이, 투과층(330B)과 오버코팅막(350) 사이에 광필터층(340)이 위치한다.
광필터층(340)은 특정 파장의 광을 투과시키고 상기 특정 파장의 광 이외의 광은 반사 또는 흡수하는 필터일 수 있다. 광필터층(340)은 고굴절률을 가지는 막과 저굴절률을 가지는 막이 복수회 교번하여 적층되며, 이들 사이의 보강 및/또는 상쇄 간섭을 이용하여 전술한 바와 같이 특정 파장을 투과 및/또는 반사시킬 수 있다.
광필터층(340)은 TiO2, SiNx, SiOy, TiN, AlN, Al2O3, SnO2, WO3, ZrO2 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 일 예로 SiNx와 SiOy가 교번하여 적층된 구조일 수 있다. SiNx, SiOy에서 x, y는 화학조성비를 결정하는 요소로서, 막을 형성하는 공정 조건에 따라 조절될 수 있다.
실시예에 따라 광필터층(340)은 생략될 수 있으며, 저굴절층 등으로 대체될 수 있다.
광필터층(340)과 박막 트랜지스터 표시판(100) 사이에 오버코팅막(350)이 위치한다. 오버코팅막(350)은 기판(310) 전면과 중첩할 수 있다.
오버코팅막(350)은 적색 색변환층(330R), 녹색 색변환층(330G) 및 투과층(330B)의 일면을 평탄화시킬 수 있다. 오버코팅막(350)은 유기 물질을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않고 평탄화 기능을 할 수 있는 어떠한 물질도 가능하다.
오버코팅막(350)과 액정층(3) 사이에 제2 편광층(22)이 위치할 수 있다. 제2 편광층(22)은 도포형 편광층, 코팅형 편광층, 와이어 그리드 편광층(wire grid polarizer) 중 하나 이상이 사용될 수 있으며, 일 예로 제2 편광층(22)은 금속 패턴을 포함하는 와이어 그리드 편광층일 수 있다. 제2 편광층(22)은 필름 형태, 도포 형태, 부착 형태, 프린팅 형태 등 다양한 방법으로 오버코팅막(350)과 액정층(3) 사이에 위치할 수 있다. 제2 편광층(22)이 와이어 그리드 편광층인 경우, 제2 편광층(22)은 수 나노미터의 폭을 가지는 복수의 바(bar)를 포함할 수 있다.
제2 편광층(22)과 액정층(3) 사이에 절연층(360), 공통 전극(370) 및 제2 배향막(21)이 차례로 위치한다.
절연층(360)은 금속 재질의 제2 편광층(22)과 공통 전극(370)을 절연시키는 층이다. 제2 편광층(22)이 금속 재질이 아닌 경우 생략될 수 있다. 공통 전압을 인가받는 공통 전극(370)은 전술한 화소 전극(191)과 전계를 형성할 수 있다. 본 명세서는 공통 전극(370)이 화소 전극(191)과 서로 다른 표시판에 위치하는 구성을 기재하였으나, 이에 제한되지 않고 동일한 표시판에 포함될 수 있다.
액정층(3)은 박막 트랜지스터 표시판(100)과 색변환 표시판(300) 사이에 위치하며 복수의 액정 분자(31)를 포함한다. 액정 분자(31)들의 움직임 정도 등에 따라 라이트 유닛(500)으로부터 수신된 광의 투과도를 제어할 수 있다.
이하에서는 도 6 내지 도 7을 참조하여 다른 일 실시예에 따른 표시 장치에 대해 설명한다.
일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 패널(10) 및 표시 패널(10) 위에 위치하는 반사 방지층(40)을 포함한다. 반사 방지층(40)는 앞서 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 반사 방지층(40)과 동일하므로 이하에서는 설명을 생략하기로 한다.
표시 패널(10)은 박막 트랜지스터 표시판(100) 및 박막 트랜지스터 표시판(100) 위에 위치하는 색변환 표시판(300)을 포함한다. 색변환 표시판(300)은 앞서 도 4 및 도 5를 참조하여 설명한 색변환 표시판(300)과 동일하므로 이하에서는 설명을 생략하기로 한다.
일 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판(100)은 제1 기판(110) 위에 위치하며 제1 게이트 전극(124a)을 포함하는 게이트선(121), 제2 게이트 전극(124b) 및 제2 게이트 전극(124b)으로부터 연장된 연장부(131)를 포함하는 게이트 도전체를 포함한다.
게이트 도전체(121, 124a, 124b, 131) 위에 질화규소(SiNx) 또는 산화규소(SiOx) 등을 포함하는 게이트 절연층(140)이 위치한다.
게이트 절연층(140) 위에는 비정질 규소, 다결정 규소, 또는 산화물 반도체 등을 포함하는 제1 반도체층(154a) 및 제2 반도체층(154b)이 위치한다. 제1 반도체층(154a) 및 제2 반도체층(154b)은 각각 제1 게이트 전극(124a) 및 제2 게이트 전극(124b)과 중첩한다.
제1 반도체층(154a) 및 제2 반도체층(154b) 위에는 저항성 접촉 부재(163, 165)가 위치한다. 실시예에 따라 저항성 접촉 부재는 생략될 수 있다.
저항성 접촉 부재(163, 165) 및 게이트 절연층(140) 위에는 제1 소스 전극(173a)을 포함하는 데이터선(171), 제2 소스 전극(173b)을 포함하는 구동 전압선(172), 제1 드레인 전극(175a) 및 제2 드레인 전극(175b)을 포함하는 데이터 도전체가 위치한다.
제1 소스 전극(173a)과 제1 드레인 전극(175a)은 제1 게이트 전극(124a)을 중심으로 서로 마주하고, 제2 소스 전극(173b)과 제2 드레인 전극(175b)은 제2 게이트 전극(124b)을 중심으로 서로 마주한다.
데이터 도전체(171, 172, 173a, 173b, 175a, 175b) 및 노출된 반도체층(154a, 154b) 위에는 보호막(180)이 위치한다.
보호막(180)은 제1 드레인 전극(175a) 및 제2 드레인 전극(175b)과 각각 중첩하는 접촉 구멍(185a, 185b)을 가진다. 보호막(180)과 게이트 절연층(140)은 제2 게이트 전극(124b)과 중첩하는 접촉 구멍(184)을 가진다.
보호막(180) 위에는 화소 전극(191) 및 연결 부재(85)가 위치한다. 화소 전극(191)은 접촉 구멍(185b)을 통하여 제2 드레인 전극(175b)과 물리적·전기적으로 연결되어 있으며, 연결 부재(85)는 접촉 구멍(184, 185a)을 통하여 제2 게이트 전극(124b) 및 제1 드레인 전극(175a)을 연결한다.
보호막(180) 위에는 격벽(460)이 위치한다. 격벽(460)은 화소 전극(191) 가장자리 주변을 둑(bank)처럼 둘러싸며 유기 절연물 또는 무기 절연물로 만들어진다.
화소 전극(191) 위에 발광층(470)이 위치한다. 본 실시예에 따른 발광 표시 장치의 발광층(470)은 청색광을 방출할 수 있다.
일반적인 발광 표시 장치의 경우 적색, 녹색, 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 어느 하나의 빛을 고유하게 내는 물질을 모두 포함하지만, 본 실시예에 따른 발광 표시 장치의 경우 발광 표시 장치 상부면에 색변환 표시판(300)이 위치하여 적색, 녹색, 청색의 각 색을 표현할 수 있기 때문에 청색의 빛을 내는 물질만을 포함할 수 있다.
본 명세서는 각 화소마다 서로 이격되게 위치하는 발광층(470)을 도시하였으나, 이에 제한되지 않고 인접한 화소에 위치하는 발광층(470)은 서로 연결될 수 있다. 적색 광을 방출하는 영역에 위치하는 발광층, 녹색 광을 방출하는 영역에 위치하는 발광층 및 청색 광을 방출하는 영역에 위치하는 발광층은 서로 연결될 수 있다.
발광층(470) 위에 공통 전극(270)이 위치한다.
이러한 발광 표시 장치에서, 게이트선(121)에 연결되어 있는 제1 게이트 전극(124a), 데이터선(171)에 연결되어 있는 제1 소스 전극(173a), 그리고 제1 드레인 전극(175a)은 제1 반도체층(154a)와 함께 스위칭 트랜지스터(Qs)를 이루며, 스위칭 트랜지스터(Qs)의 채널은 제1 소스 전극(173a)과 제1 드레인 전극(175a) 사이의 제1 반도체층(154a)에 형성된다. 제1 드레인 전극(175a)에 연결되어 있는 제2 게이트 전극(124b), 구동 전압선(172)에 연결되어 있는 제2 소스 전극(173b) 및 화소 전극(191)에 연결되어 있는 제2 드레인 전극(175b)은 제2 반도체층(154b)과 함께 구동 트랜지스터(Qd)를 이루며, 구동 트랜지스터(Qd)의 채널은 제2 소스 전극(173b)과 제2 드레인 전극(175b) 사이의 제2 반도체층(154b)에 형성된다. 화소 전극(191), 발광층(470) 및 공통 전극(270)은 발광 다이오드(OLED)를 이루며, 화소 전극(191)이 애노드(anode), 공통 전극(270)이 캐소드(cathode)가 되거나 반대로 화소 전극(191)이 캐소드, 공통 전극(270)이 애노드가 될 수 있다.
이러한 표시 장치는 제1 기판(110)의 위쪽 또는 아래쪽으로 빛을 내보내어 영상을 표시할 수 있으며 본 발명의 실시예에 따라 제1 기판(110)의 위쪽으로 빛을 내보내는 실시예를 설명한다.
이하에서는 도 8 내지 도 11을 참조하여 나노 패턴층의 개략적인 제조 방법을 설명한다. 도 8은 일 실시예에 따른 전기방사 방법을 나타낸 개략도이고, 도 9는 전기방사 방법에 따라 제조된 나노 패턴층의 확대 이미지이다. 도 10은 일 실시예에 따른 전기분사 방법을 나타낸 개략도이고 도 11은 전기분사 방법에 따라 제조된 나노 패턴층의 확대 이미지이다.
도 8을 참조하면 기판(collector) 상에 표시 패널(panel)을 위치시킨다. 이후 분사 노즐(B)과 기판(collector) 상에 전압을 인가하여 나노 파이버(nano fiber) 형태를 포함하는 나노 구조체를 제공한다. 이때 분사 노즐(B)과 기판(collector) 상에 인가되는 전압은 약 1 kV 내지 약 40 kV일 수 있다.
전기방사 방식으로 제조된 나노 구조체는 도 9에 나타난 이미지와 같이 보일 수 있다.
도 10을 참조하면 기판(collector) 상에 표시 패널(panel)을 위치시킨다. 그리고 나서 분사 노즐(B)과 기판(collector) 상에 전압을 인가하여 나노 파티클(nano particle) 형태를 포함하는 나노 구조체를 제공한다. 분사 노즐(B)과 기판(collector) 상에 인가되는 전압은 약 1 kV 내지 약 40 kV일 수 있다.
전기분사 방식으로 제조된 나노 구조체는 도 11에 도시된 바와 같은 이미지로 보일 수 있다.
이와 같은 방식으로 제조된 나노 구조체는 열경화 공정 또는 광경화 공정을 통해 경화될 수 있다. 이후 나노 구조체를 덮도록 저굴절 물질을 도포하여 저굴절층을 형성할 수 있다. 그러나 일 실시예에 따른 반사 방지층은 어떠한 방법에 의해서도 제조될 수 있으며 전술한 방법에 제한되는 것은 아니다.
이하에서는 도 12 내지 도 14를 참조하여 실시예 및 비교예에 대해 설명한다. 도 12는 실시예 및 비교예에 따른 외부 양자 효율(EQE) 그래프이고, 도 13은 비교예에 따른 표시 장치의 이미지이고 도 14는 실시예에 따른 표시 장치의 이미지이다.
도 12를 참조하면 표시 패널 상에 위치하는 반사 방지층을 포함하는 실시예의 경우 외부 양자 효율(EQE)이 약 30.4%로 나타났다. 반면 반사 방지층 없이 표시 패널만을 포함하는 비교예의 경우 외부 양자 효율이 약 22.3%로 나타났다. 실시예에 따라 반사 방지층을 포함하는 경우 비교예 대비 약 8% 가까이 외부 양자 효율이 증가함을 알 수 있다.
도 13은 비교예에 따라 반사 방지층을 포함하지 않는 표시 장치의 표면 이미지이고 도 14는 실시예에 따른 반사 방지층을 포함하는 표시 장치의 표면 이미지이다. 도 13과 도 14를 비교하면 비교예에 따른 표시 장치는 블러(blur) 현상이 상당함을 알 수 있다. 실시예에 따른 표시 장치는 블러 현상이 없는 표면을 제공할 수 있다.
전술한 실시예에 따른 경우 외부로 출광되는 효율이 증가할 수 있으며 블러 현상 및 회절 현상 등을 저감시킬 수 있어 표시 품질이 향상된 표시 장치를 제공할 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
10: 표시 패널
40: 반사 방지층
410: 나노 패턴층
410a: 나노 구조체
420: 저굴절층

Claims (20)

  1. 표시 패널, 그리고
    상기 표시 패널과 중첩하는 반사 방지층을 포함하고,
    상기 반사 방지층은,
    복수의 나노 구조체를 포함하는 나노 패턴층, 그리고
    상기 복수의 나노 구조체를 덮는 저굴절층을 포함하며
    상기 복수의 나노 구조체는 불규칙한 형태로 배치되는 표시 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 복수의 나노 구조체 각각의 지름은 300 nm 내지 800 nm 인 표시 장치.
  3. 제1항에서,
    상기 복수의 나노 구조체 각각의 지름 대비 높이는 0.4 내지 0.6인 표시 장치.
  4. 제1항에서,
    상기 나노 패턴층의 굴절률은 1.4 내지 1.7이고, 상기 저굴절층의 굴절률은 1.2 내지 1.4인 표시 장치.
  5. 제4항에서,
    상기 반사 방지층의 굴절률은 상기 표시 패널에 인접할수록 점진적으로 커지는 표시 장치.
  6. 제4항에서,
    상기 저굴절층은 다공성 물질 및 불소로 치환된 탄화수소를 포함하는 고분자 물질 중 적어도 하나를 포함하는 표시 장치.
  7. 제4항에서,
    상기 나노 패턴층은 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA), 폴리카보네이트(PC), 폴리우레탄(PU), 2 관능기 이상 9 관능기 이하를 가지는 아크릴레이트계 단분자 또는 올리고머, 2 관능기 이상을 가지는 우레탄 아크릴레이트계 올리고머, 아크릴레이트 또는 에폭시기를 반응기로 포함하는 오르가노실란(organosilane), 아크릴레이트기 또는 비닐기를 반응기로 포함하는 포스파젠(Phosphazene) 화합물, 아크릴레이트기 또는 비닐기를 반응기로 포함하는 아다만탄(Adamantane) 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 표시 장치.
  8. 제1항에서,
    상기 복수의 나노 구조체 각각은 나노 파이버 형태 및 나노 파티클 형태 중 적어도 하나를 포함하는 표시 장치.
  9. 제1항에서,
    상기 표시 패널에서 방출되는 광은 램버시안 방출 형태를 가지는 표시 장치.
  10. 제9항에서,
    상기 표시 패널은
    반도체 나노 결정을 포함하는 색변환층, 그리고 투과층을 포함하는 표시 장치.
  11. 표시 패널, 그리고
    상기 표시 패널과 중첩하는 반사 방지층을 포함하고,
    상기 반사 방지층은,
    상기 표시 패널 위에 위치하며 복수의 나노 구조체를 포함하는 나노 패턴층, 그리고
    상기 복수의 나노 구조체를 덮는 저굴절층을 포함하고,
    상기 나노 패턴층의 굴절률은 상기 저굴절층의 굴절률보다 크고 상기 반사 방지층의 굴절률은 상기 표시 패널에 인접할수록 커지는 표시 장치.
  12. 제11항에서,
    상기 복수의 나노 구조체 각각의 지름은 300 nm 내지 800 nm 인 표시 장치.
  13. 제11항에서,
    상기 복수의 나노 구조체 각각의 지름 대비 높이는 0.4 내지 0.6인 표시 장치.
  14. 제11항에서,
    상기 나노 패턴층의 굴절률은 1.4 내지 1.7이고, 상기 저굴절층의 굴절률은 1.2 내지 1.4인 표시 장치.
  15. 제14항에서,
    상기 저굴절층은 다공성 물질을 포함하거나 탄화수소가 포함하는 적어도 하나의 수소가 불소로 치환된 고분자 물질을 포함하는 표시 장치.
  16. 제14항에서,
    상기 나노 패턴층은 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA), 폴리카보네이트(PC), 폴리우레탄(PU), 2 관능기 이상 9 관능기 이하를 가지는 아크릴레이트계 단분자 또는 올리고머, 2 관능기 이상을 가지는 우레탄 아크릴레이트계 올리고머, 아크릴레이트 또는 에폭시기를 반응기로 포함하는 오르가노실란(organosilane), 아크릴레이트기 또는 비닐기를 반응기로 포함하는 포스파젠(Phosphazene) 화합물, 아크릴레이트기 또는 비닐기를 반응기로 포함하는 아다만탄(Adamantane) 중 적어도 하나를 포함하는 표시 장치.
  17. 제11항에서,
    상기 복수의 나노 구조체는 불규칙하게 배치된 표시 장치.
  18. 제11항에서,
    상기 복수의 나노 구조체 각각은 나노 파이버 형태 및 나노 파티클 형태 중 적어도 하나를 포함하는 표시 장치.
  19. 제11항에서,
    상기 표시 패널에서 방출되는 광은 램버시안 방출 형태를 가지는 표시 장치.
  20. 제19항에서,
    상기 표시 패널은,
    반도체 나노 결정을 포함하는 색변환층, 그리고 투과층을 포함하는 표시 장치.
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