KR20190102947A - 광 집적 회로 패키지 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시예에 따른 광 집적 회로 패키지는, 기판, 기판 상의 제1 절연층, 제1 절연층 상에 배치되며, 광 커플링 소자가 배치된 광 코어층, 광 코어층 상에 적층되는 제2 절연층, 및 적어도 제2 절연층을 리세스하여 배치되는 오목 미러(concave mirror)를 포함한다.

Description

광 집적 회로 패키지 및 그 제조 방법{PHOTONIC INTEGRATED CIRCUIT PACKAGES AND MANUFACTURING METHODS OF THE SAME}
본 발명은 광 집적 회로 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
전자 장치에서 대용량의 데이터에 대한 고속 송수신에 대한 요구가 점점 증가하고 있다. 이에 따라, 기존의 금속 배선을 통한 신호 전달을 광 신호를 이용한 방식으로 대체하기 위한 연구가 활발히 진행되고 있다. 광 신호를 이용한 신호 전달 방식에서는 광원, 광 커플링 소자 등이 집적된 광 집적 회로 패키지가 필요하다. 이러한 광 집적 회로 패키지 내에서 각 구성 요소들 사이에서의 광의 정확한 전달을 위한 효율적인 배치가 요구된다.
본 발명의 기술적 사상이 이루고자 하는 기술적 과제 중 하나는, 집적성이 향상된 광 집적 회로 패키지 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
예시적인 실시예들에 따른 광 집적 회로 패키지는, 기판, 상기 기판 상의 제1 절연층, 상기 제1 절연층 상에 배치되며, 광 커플링 소자가 배치된 광 코어층, 상기 광 코어층 상에 적층되는 제2 절연층, 및 적어도 상기 제2 절연층을 리세스하여 배치되는 오목 미러(concave mirror)를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따른 광 집적 회로 패키지는, 절연층 및 광 커플링 소자가 배치된 광 코어층을 포함하는 광 집적 회로 기판, 및 상기 광 집적 회로 기판의 일 면으로부터 상기 광 집적 회로 기판을 일부 리세스하여 배치되며, 상기 광 커플링 소자로부터 일 측으로 이격되어 배치되는 반사부를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따른 광 집적 회로 패키지는, 순차적으로 적층된 베이스 기판, 제1 절연층, 광 커플링 소자가 배치된 광 코어층, 및 제2 절연층을 포함하는 광 집적 회로 기판, 상기 광 집적 회로 기판 상에 배치되는 전광 변환 소자, 및 상기 광 집적 회로 기판의 상면으로부터 적어도 상기 제2 절연층을 리세스하여 배치되는 오목 미러를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따른 광 집적 회로 패키지의 제조 방법은, 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 순차적으로 적층된 제1 절연층 및 반도체 물질을 포함하는 광 코어층의 적층 구조물을 준비하는 단계, 상기 광 코어층에 광 커플링 소자를 포함하는 광 소자들을 형성하는 단계, 상기 광 코어층 상에 제2 절연층을 형성함으로써, 광 집적 회로 기판을 형성하는 단계, 상기 광 커플링 소자로부터 일측으로 이격된 영역에서 상기 제2 절연층의 일부를 제거하여 리세스 영역을 형성하는 단계, 상기 광 코어층 상에 상기 광 소자들 중 적어도 하나와 전기적으로 연결되는 배선층을 형성하는 단계, 및 상기 리세스 영역에 반사층을 형성하여 반사부를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
광 집적 회로 기판에서 광 커플링 소자 및 반사부를 효율적으로 배치함으로써, 집적성이 향상된 광 집적 회로 패키지가 제공될 수 있다.
또한, 광 소자들의 제조 공정과 반사부의 제조 공정을 결합함으로써, 효율성이 향상된 광 집적 회로 패키지의 제조 방법이 제공될 수 있다.
본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시예를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 예시적인 실시예들에 따른 광 집적 회로 패키지의 개략적인 블록 다이어그램이다.
도 2는 예시적인 실시예들에 따른 광 집적 회로 패키지의 개략적인 평면도이다.
도 3은 예시적인 실시예들에 따른 광 집적 회로 패키지의 개략적인 단면도이다.
도 4는 예시적인 실시예들에 따른 광 집적 회로 패키지의 부분 확대도이다.
도 5는 예시적인 실시예들에 따른 광 집적 회로 패키지의 일부를 나타내는 단면도이다.
도 6a 내지 도 6c는 예시적인 실시예들에 따른 광 집적 회로 패키지의 반사부를 나타내는 단면도들이다.
도 7 및 도 8은 예시적인 실시예들에 따른 광 집적 회로 패키지의 개략적인 평면도들이다.
도 9 내지 도 12는 예시적인 실시예들에 따른 광 집적 회로 패키지의 일부를 나타내는 단면도들이다.
도 13 및 도 14는 예시적인 실시예들에 따른 광 집적 회로 패키지의 일부를 나타내는 단면도들이다.
도 15a 내지 도 15e는 예시적인 실시예들에 따른 광 집적 회로 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 16은 예시적인 실시예들에 따른 광 집적 회로 패키지를 포함하는 광 집적 회로 시스템을 설명하기 위한 도면이다.
도 17은 예시적인 실시예들에 따른 광 집적 회로 패키지를 포함하는 컴퓨터 시스템을 설명하기 위한 블록도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 다음과 같이 설명한다.
도 1은 예시적인 실시예들에 따른 광 집적 회로 패키지의 개략적인 블록 다이어그램이다.
도 1을 참조하면, 광 집적 회로 패키지(10)는 광 신호의 송수신 장치일 수 있으며, 광 집적 회로(30) 및 광 파이버 어레이(40)를 포함할 수 있다. 광 집적 회로 패키지(10)에서, 광 집적 회로(30)은 광 신호를 전기 신호로 변환하거나 전기 신호를 광 신호로 변환할 수 있으며, 광 신호는 광 파이버 어레이(40)를 통해 출력되거나 입력될 수 있다.
광 집적 회로(30)은 광 소자들을 포함할 수 있으며, 구체적으로 레이저 다이오드(laser diode, LD)(32), 광 변조기(modulator)(34), 및 광 검출기(photodetector)(36)를 포함할 수 있다. 광 집적 회로(30)은 전기 집적 회로 소자(38)를 더 포함할 수 있다. 광 집적 회로(30)은 이외에도 파장 분할 다중(Wavelength Division Multiplexing, WDM) 소자와 같은 능동 광 소자, 및/또는 광 도파로, 그레이팅 커플러, 반사기(reflector) 등과 같은 수동 광 소자들을 더 포함할 수 있다.
레이저 다이오드(32)는 광을 생성하는 광원의 일 예일 수 있으며, 실시예들에 따라, 발광 다이오드(light emitting diode, LED)와 같은 다양한 형태의 전광 변환 소자로 대체될 수 있다.
광 변조기(34)는 레이저 다이오드(32)로부터 수신받은 광 신호를 변조하며, 예를 들어, 전계 흡수형 변조기 또는 간섭형 변조기일 수 있다. 예를 들어, 광 변조기(34)는 광을 두 개 이상의 경로로 분리하고 그 중 적어도 하나의 경로에서 빛의 위상을 변조하며, 위상이 변조된 빛과 위상이 그대로 유지된 빛 사이의 상쇄 및 보강 간섭을 이용하여 빛을 변조하는 마흐-젠더(Mach-Zehnder) 간섭계형 변조기일 수 있다.
광 검출기(36)는 광 신호를 전기 신호로 변환하는 광전 변환 소자일 수 있다. 광 검출기(36)는 광 신호를 변환하여 생성한 전기 신호를 출력하여 전기 집적 회로 소자(38)에 전달할 수 있다.
전기 집적 회로 소자(38)는 외부 장치로부터의 데이터(DATA)를 입력받아서 이를 바탕으로 광 변조기(34)에 전기적 신호를 전달할 수 있다. 전기 집적 회로 소자(38)는 광 검출기(36)로부터 광 신호를 변환한 전기 신호를 입력받을 수 있으며, 이를 외부로 출력할 수도 있다.
광 파이버 어레이(40)는 적어도 하나의 광 파이버(fiber)를 포함할 수 있있다. 광 파이버 어레이(40)는 광 집적 회로(30) 내의 광 소자들과 광학적으로 연결될 수 있다.
광 집적 회로 패키지(10)에서 광 신호의 전달 과정은 다음과 같다. 레이저 다이오드(32)에서 발생된 광 신호는 광 도파로를 통하여 전송되어 광 변조기(34)를 거쳐 광 파이버 어레이(40)를 통해 외부로 전송될 수 있다. 한편, 외부에서 광 파이버 어레이(40)를 통해 수신되는 광 신호는 광 검출기(36)로 전달될 수 있으며, 광 검출기(36)에서 전기 신호로 변환되어 전기 집적 회로 소자(38)를 통해 외부로 전달될 수 있다.
광 집적 회로(30)을 이루는 레이저 다이오드(32), 광 변조기(34), 광 검출기(36), 및 전기 집적 회로 소자(38)는 하나의 기판에 배치될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 레이저 다이오드(32) 및/또는 전기 집적 회로 소자(38)는 그 외의 구성 요소들과 다른 기판에 배치될 수 있다. 실시예들에 따라, 레이저 다이오드(32)를 포함하는 광 송신부와 광 검출기(36)를 포함하는 광 수신부가 분리되어 각각의 광 집적 회로를 이루는 것도 가능할 것이다. 광 파이버 어레이(40)은 광 집적 회로(30)의 일면 또는 일측에 배치되거나 결합될 수 있다.
도 2는 예시적인 실시예들에 따른 광 집적 회로 패키지의 개략적인 평면도이다.
도 3은 예시적인 실시예들에 따른 광 집적 회로 패키지의 개략적인 단면도이다. 도 3에서는 도 2의 X-X'를 따른 단면을 도시한다.
도 4는 예시적인 실시예들에 따른 광 집적 회로 패키지의 부분 확대도이다. 도 4에서는 도 3의 'A' 영역을 확대하여 도시한다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 광 집적 회로 패키지(100)은 광 집적 회로 기판(110), 광원(120), 전기 집적 회로 소자(130), 및 반사부(150)를 포함할 수 있다. 광 집적 회로 패키지(100)에서, 광 집적 회로 기판(110)은 패키지 기판(190) 상에 실장될 수 있으며, 광원(120) 및 전기 집적 회로 소자(130)는 광 집적 회로 기판(110) 상에 실장될 수 있다. 광 집적 회로 패키지(100)는 광 집적 회로 기판(110) 상의 적어도 일 영역에 위치하는 얼라인 마크(170) 및 패키지 기판(190)의 하면에 배치된 접속 단자들(195)을 더 포함할 수 있다.
광 집적 회로 기판(110)은 순서대로 적층된 베이스 기판(111), 제1 절연층(112), 광 소자들이 배치된 광 코어층(113), 및 제2 절연층(116)을 포함할 수 있다. 광 집적 회로 기판(110)은 와이어(180)를 통하여 패키지 기판(190)과 전기적으로 연결될 수 있으며, 전기적 신호를 주고 받을 수 있다.
베이스 기판(111) 및 광 코어층(113)은 반도체 물질, 예컨대 실리콘, 게르마늄 또는 실리콘-게르마늄과 같은 Ⅳ족 반도체를 포함할 수 있다. 베이스 기판(111)은 벌크 웨이퍼 또는 에피택셜층으로 제공될 수도 있으며, 광 코어층(113)도 에피택셜층으로 제공될 수 있다. 제1 및 제2 절연층들(112, 114)은 절연성 물질로 이루어질 수 있으며, 예를 들어, 실리콘 산화물로 이루어질 수 있다. 특히, 제2 절연층(114)은 광 코어층(113)보다 굴절률이 낮은 물질로 이루어질 수 있다. 예시적인 실시예에서, 베이스 기판(111), 제1 절연층(112), 및 광 코어층(113)은 SOI(silicon-on-insulator) 기판을 구성할 수 있다.
광 코어층(113)에는 광 커플링 소자들을 포함하는 다양한 광 소자들이 배치될 수 있다. 구체적으로, 광 코어층(113)에는 광 도파로(118), 및 광 도파로(118)에 의해 연결되는 제1 및 제2 그레이팅 커플러들(115A, 115B)과 광 변조기(116)가 배치될 수 있다. 제1 및 제2 그레이팅 커플러들(115A, 115B)은 각각 광의 입력 및 출력에 사용될 수 있다. 제1 및 제2 그레이팅 커플러들(115A, 115B)은 광 집적 회로 기판(110)에서 수평 방향으로 진행하는 광을 상부를 향하는 수직한 방향 또는 수직한 방향에서 소정 각도로 틸팅된 방향으로 커플링할 수 있다. 따라서, 특히 제1 및 제2 그레이팅 커플러들(115A, 115B)은, 하기에 설명하는 광 검출기(160)(도 13 참조)와 함께 본 명세서에서 광 커플링 소자로 지칭될 수 있다. 광 변조기(116)는 제1 및 제2 그레이팅 커플러들(115A, 115B)의 사이에 위치하며, 광의 세기, 위상 등을 변경하여 광 신호를 생성할 수 있다. 광 도파로(118)는 제1 및 제2 그레이팅 커플러들(115A, 115B) 및 광 변조기(116)의 사이에서 이들을 연결하며, 광이 진행하는 통로일 수 있다. 실시예들에 따라, 도시되지 않은 영역에서, 광 코어층(113)에는 광 검출기와 같은 광전 변환 소자가 더 배치될 수 있다.
광원(120)은 광 집적 회로 기판(110)의 상면에 실장되며, 광 코어층(113), 특히 제1 그레이팅 커플러(115A)를 향하여 광을 전달할 수 있다. 광원(120)은 전광 변환 소자일 수 있으며, 예를 들어, 레이저 다이오드 또는 발광 다이오드일 수 있다. 실시예들에 따라, 광원(120)은 광 집적 회로 기판(110) 상에 실장되지 않고, 상부의 구조물에 배치될 수도 있다.
전기 집적 회로 소자(130)는 광 집적 회로 기판(110)의 상면에 실장되며, 광 변조기(116) 및/또는 도시되지 않은 광 검출기에 전기적 신호를 전달할 수 있다.
반사부(150)는 상부로부터 전달된 광 신호를 다시 상부로 반사시킬 수 있다. 따라서, 반사부(150)의 상부에는 반사기를 포함하는 광 구조물이 결합될 수 있다. 상기 광 구조물은, 예를 들어, 도 1의 광 파이버 어레이(40)와 같이 광 파이버를 포함하는 광 인터페이스일 수 있다. 상기 광 구조물의 결합 방식은 실시예들에 따라 다양할 수 있으며, 예를 들어, 광 집적 회로 기판(110)의 상면에 직접 결합되거나, 광 집적 회로 기판(110)의 상면으로부터 이격되어 상부에 결합되거나, 광 집적 회로 기판(110)의 일측 상에 배치되는 방식일 수 있다. 상기 광 구조물은 반사기를 포함하여, 제2 그레이팅 커플러(115B)로부터 상부로 전달된 광 신호를 다시 반사부(150)를 향하여 전달할 수 있으며, 반사부(150)는 광 신호를 다시 반사시켜 상기 광 구조물로 전달할 수 있다.
도 4를 참조하면, 반사부(150)는 제2 절연층(116)의 리세스 영역(R)에 배치될 수 있으며, 오목 미러일 수 있다. 반사부(150)는 제2 절연층(116)의 리세스된 표면에 배치된 반사층(RL)으로 금속층(155)을 포함할 수 있다. 금속층(155)은 고반사율 특성을 갖는 금속을 포함할 수 있으며, 예를 들어, 알루미늄(Al), 구리(Cu), 금(Au), 및 은(Ag) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
반사부(150)는 광 코어층(113)에 배치된 광 커플링 소자들, 예를 들어, 제2 그레이팅 커플러(115B)로부터 일측으로(laterally) 제1 거리(D1)로 이격되도록 배치될 수 있다. 제1 거리(D1)는 예를 들어, 수 마이크로 미터 내지 수십 마이크로 미터일 수 있다. 반사부(150)의 하부로 연장되는 광 코어층(113)에는 광 커플링 소자가 배치되지 않을 수 있으며, 광 커플링 소자 이외의 광 소자들만 배치되거나, 광 소자들이 배치되지 않은 더미 광 코어층일 수 있다. 반사부(150)의 지름(D2)은 예를 들어, 50 ㎛ 내지 200 ㎛의 범위일 수 있다. 반사부(150)가 광 집적 회로 기판(110)의 상면으로부터 리세스된 깊이(D3)는 수 마이크로 미터 내지 수십 마이크로 미터일 수 있으며, 제2 절연층(114)의 두께, 반사부(150)의 곡률 등에 따라 변경될 수 있다. 반사부(150)의 다양한 구조에 대해서는 하기에 도 5 내지 도 8을 참조하여 설명한다.
얼라인 마크(170)는, 도 2에 도시된 것과 같이, 광 집적 회로 기판(110)의 적어도 일 영역에서 광 집적 회로 기판(110)의 상면에 배치될 수 있다. 얼라인 마크(170)는 상술한 광 구조물의 결합 시에 상기 광 구조물과 광 집적 회로 기판(110)의 정렬을 위한 마크일 수 있다. 예를 들어, 얼라인 마크(170)를 이용하여, 반사부(150)의 중심으로부터의 거리로 표현되는 좌표값으로 위치를 정의함으로써, 상기 광 구조물과 광 집적 회로 기판(110)이 정렬될 수 있다.
패키지 기판(190)은 하면에 배치된 도전성의 접속 단자들(195)을 통해 보드 레벨의 장치에 실장될 수 있으며, 외부 장치와 전기적으로 연결될 수 있다.
도 3에 화살표를 이용하여 도시된 것과 같이, 광원(120)에서 생성된 광 신호는 광 집적 회로 기판(110) 내의 광 코어층(113)으로 전달될 수 있다. 제1 그레이팅 커플러(115A)는 광원(120)으로부터의 광 신호를 수신하고, 수신한 광 신호를 광 도파로(118)를 통해 수평한 방향, 예를 들어 x 방향으로 전송하여 광 변조기(116)로 전달할 수 있다. 광 변조기(116)는 전기 집적 회로 소자(130)로부터 전기 신호를 수신하고, 상기 전기 신호에 기초하여 광 신호를 변조 생성할 수 있다. 생성된 광 신호는 반사부(150)를 통해 광 인터페이스와 같은 상기 광 구조물을 거쳐 외부로 출력될 수 있다.
도 2에 도시된 것과 같이, 예시적인 실시예에서 광원(120)은 서로 다른 파장의 빛을 내는 복수의 광원들을 포함할 수 있으며, 광 변조기(116) 및 전기 집적 회로 소자(130)도 각각의 광원들(120)로부터의 광의 세기, 위상 등을 변경하도록 복수개로 어레이 형태로 배치될 수 있다. 반사부(150)도 각각의 광원들(120)에 대응되도록 복수개로 배치될 수 있다.
복수의 광원들(120)로부터 복수의 광 변조기들(116) 각각에 전달되어 생성된 복수의 광 신호들은 서로 다른 데이터, 정보 들을 전송할 수 있다. 또한, 상기 광 구조물은 복수의 광 섬유들을 포함할 수 있으며, 상기 광 신호들은 서로 간섭 및 중첩없이 상기 복수의 광 섬유들을 통해 출력될 수 있다. 다만, 광원(120), 광 변조기(116), 전기 집적 회로 소자(130), 및 반사부(150)의 개수 및 배치 형태는 실시예들에 따라 다양하게 변형될 수 있다.
도 5는 예시적인 실시예들에 따른 광 집적 회로 패키지의 일부를 나타내는 단면도이다. 도 5에서는 도 4에 대응되는 영역을 도시한다.
도 5를 참조하면, 반사부(150a)는 광 집적 회로 기판(110a)에서 제2 절연층(116)뿐 아니라 제1 절연층(112)도 리세스 하는 리세스 영역(R)에 배치될 수 있다. 이 경우, 광 코어층(113a)은 반사부(150a)의 하부로 연장되지 않고, 반사부(150a)에서 이격된 영역까지만 연장되도록 배치될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다. 실시예들에 따라, 광 코어층(113a)은 반사부(150a)의 하부로 일부 연장될 수도 있으며, 이에 따라 광 코어층(113a)과 반사부(150a)은 적어도 일 영역에서 상하로 중첩(overlap)되도록 배치될 수 있다.
반사부(150a)의 하부에 잔존하는 제1 절연층(112)의 두께(D4)는 영보다 클 수 있다. 반사부(150a)의 중심부는 베이스 기판(111)의 상면과 동일하거나 높은 레벨에 위치할 수 있으며, 예를 들어, 반사부(150a)가 가장 깊게 배치되는 경우, 반사부(150a)는 베이스 기판(111)과 접할 수 있다.
도 6a 내지 도 6c는 예시적인 실시예들에 따른 광 집적 회로 패키지의 반사부를 나타내는 단면도들이다.
도 6a를 참조하면, 반사부(150b)는 표면에 계단 형상의 미세 단차들을 가질 수 있다.
도시된 것과 같이, 반사부(150b)는 상면 및 하면에 단차들을 가질 수 있다. 상기 단차들은 반사부(150b)의 상면과 하면에서 동일하거나 다른 깊이 및 각도를 가질 수 있다. 상기 단차들은, 도 4와 같이 광 집적 회로 패키지 기판(110)에 리세스 영역(R)를 형성할 때, 그레이스케일(grayscale) 리소그래피 방식에 의해 마스크층을 형성하고 식각함으로써 리세스 영역(R)의 표면에 단차들이 형성되고, 리세스 영역(R) 상에 금속층(155)을 형성할 때 이러한 단차들을 따라 금속층(155)이 증착됨으로써 형성될 수 있다.
도 6b를 참조하면, 반사부(150c)는 반사층(RLa)으로 금속층(155) 및 금속층(155) 상의 유전층(157)을 포함할 수 있다.
유전층(157)은 금속층(155)의 산화로부터 방지하고 금속층(155)을 보호하는 층일 수 있다. 유전층(157)은 반사시키는 파장대역의 광에 대하여 광 손실이 적은 유전 물질로 이루어질 수 있다. 유전층(157)은 예를 들어, 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(Si3N4), 실리콘 산질화물(SiON), 고유전율(high-k) 유전 물질 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
도 6c를 참조하면, 반사부(150d)는 반사층(RLb)으로 교대로 적층되며 서로 다른 굴절률을 갖는 제1 및 제2 브래그층(151, 152)을 포함할 수 있다.
제1 및 제2 브래그층(151, 152)은 분산 브래그 반사기(Distributed Bragg Reflector, DBR)를 이룰 수 있다. 예를 들어, 제1 브래그층(151)은 저굴절률층을 포함하고, 제2 브래그층(152)은 고굴절률층을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 브래그층(151, 152)은 유전물질로 이루어질 수 있다. 제1 브래그층(151)은 예를 들어, SiO2(굴절률: 약 1.46), Al2O3(굴절률: 약 1.68) 및 MgO(굴절률: 약 1.7) 중 어느 하나의 물질을 포함할 수 있으며, 제2 브래그층(152)은 예를 들어, TiO2(굴절률: 약 2.3), Ta2O5(굴절률: 약 1.8), ITO(굴절률: 약 2.0), ZrO2(굴절률: 약 2.05) 및 Si3N4(굴절률: 약 2.02) 중 어느 하나의 물질을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 브래그층(151, 152)은 서로 동일하거나 다른 두께를 가질 수 있다.
도 7 및 도 8은 예시적인 실시예들에 따른 광 집적 회로 패키지의 개략적인 평면도들이다.
도 7을 참조하면, 광 집적 회로 패키지(100b)에서, 반사부(150)를 이루는 반사층(155a)은 반사부(150)보다 넓게 확장되어 배치될 수 있다. 예를 들어, 반사층(155a)은 도 4의 리세스 영역(R)에서 외측으로 확장되어 오목 미러 형태의 반사부(150)를 둘러싸도록 배치될 수 있다. 반사층(155a)은 도 7에 도시된 것과 같이 평면 상에서 사각형으로 배치될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
도 8을 참조하면, 광 집적 회로 패키지(100c)에서, 반사부(150)는 반사층(155b)을 포함하며 반사층(155b)은 반사부(150)보다 넓게 확장되어 배치될 수 있다. 반사층(155b)은 평면 상에서 광 소자들이 배치된 영역을 제외한 영역에 배치될 수 있다. 특히, 반사층(155b)은 제1 및 제2 그레이팅 커플러들(115A, 115B)과 같은 광 커플링 소자를 덮지 않도록 배치될 수 있다. 실시예들에서, 반사층(155b)은 광 경로를 제외한 영역과 같이, 광 신호의 전달을 방해하지 않는 영역 상으로 더욱 배치될 수도 있으며, 반사층(155b)이 형성된 영역은 실시예들에서 다양하게 변경될 수 있다.
도 9 내지 도 12는 예시적인 실시예들에 따른 광 집적 회로 패키지의 일부를 나타내는 단면도들이다.
도 9를 참조하면, 광 집적 회로 기판(110b)에서 광 변조기(116), 제2 그레이팅 커플러(115B), 광 도파로(118), 및 반사부(150)가 도시된다. 광 변조기(116)는 확대도에 y 방향으로 절단하여 도시된 것과 같이, 광 코어층(113)에서 광 도파로(118) 또는 이로부터 연장되는 광 신호 전달 영역을 사이에 두고 양 측에 배치되며 서로 다른 도전형의 불순물들을 갖는 두 개의 불순물 영역들(116D)을 가질 수 있다. 광 집적 회로 기판(110b)은 불순물 영역들(116D) 상에서 불순물 영역들(116D)과 연결되는 콘택 플러그들(CP) 및 콘택 플러그들(CP) 상의 배선층들(ML)을 더 포함할 수 있다.
반사부(150)를 이루는 반사층(RL)인 금속층(155)은 적어도 일 영역에서 배선층들(ML)과 동일한 높이 레벨에 위치할 수 있다. 예를 들어, 금속층(155)은 가장자리 영역에서의 높이가 배선층들(ML)과 실질적으로 동일하거나 유사할 수 있다. 실시예들에 따라, 금속층(155)은 적어도 일 영역에서 배선층들(ML)과 동일한 두께를 가질 수도 있다. 이러한 구조는 배선층들(ML)과 금속층(155)이 동일한 공정에서 함께 형성됨으로써 얻어지는 구조일 수 있다.
도 10을 참조하면, 광 집적 회로 기판(110c)에서 광 변조기(116), 제2 그레이팅 커플러(115B), 광 도파로(118), 및 반사부(150a)가 도시된다. 광 변조기(116)는 도 9를 참조하여 상술한 것과 같은 구조를 가질 수 있다. 다만, 광 변조기(116) 상에는 복수의 제1 내지 제3 배선층들(MLa, MLb, MLc)이 서로 다른 레벨로 배치될 수 있다. 하부의 제1 배선층(MLa)은 콘택 플러그들(CP) 상에 배치될 수 있으며, 상부의 제2 배선층(MLb)과 비아 플러그(VA)에 의해 연결될 수 있다. 제2 배선층(MLb)과 제3 배선층(MLc)도 비아 플러그(VA)에 의해 연결될 수 있다.
반사부(150a)를 이루는 반사층(RL)인 금속층(155)은 적어도 일 영역에서 배선층들(ML) 중 적어도 하나의 층과 동일한 높이 레벨에 위치할 수 있다. 예를 들어, 금속층(155)은 가장자리 영역에서의 높이가 제1 배선층(MLa)과 실질적으로 동일하거나 유사할 수 있다. 또는, 금속층(155)은 가장자리 영역에서의 높이가 제2 또는 제3 배선층(MLb, MLc)과 실질적으로 동일하거나 유사할 수 있다. 실시예들에 따라, 금속층(155)은 적어도 일 영역에서 배선층들(ML) 중 적어도 하나의 층과 동일한 두께를 가질 수도 있다. 이러한 구조는 배선층들(ML) 중 하나의 층과 금속층(155)이 동일한 공정에서 함께 형성됨으로써 얻어지는 구조일 수 있다.
도 11을 참조하면, 광 집적 회로 기판(110d)에서 광 변조기(116), 제2 그레이팅 커플러(115B), 광 도파로(118), 및 반사부(150e)가 도시된다. 반사부(150e)를 이루는 반사층(RL)인 금속층(155)은 적어도 일 영역에서 배선층들(ML)과 동일한 높이 레벨에 위치할 수 있다. 광 집적 회로 기판(110d)은 제1 절연층(112)으로부터 베이스 기판(111) 내로 연장되는 절연 영역(112')을 더 포함할 수 있다.
절연 영역(112')은 반사부(150e)의 중심부를 포함하는 영역에 위치하며, 베이스 기판(111) 내에 캐비티를 형성하고 이를 절연 물질로 매립함으로써 형성될 수 있다. 반사부(150e)는 상부로부터 제2 절연층(114), 제1 절연층(112), 및 절연 영역(112')을 리세스하여 형성된 리세스 영역(R)에 위치할 수 있다.
예시적인 실시예들에서, 배선층들(ML)이 상대적으로 낮은 높이에 배치되어, 반사부(150e)가 제1 절연층(112)의 하부까지 리세스된 리세스 영역(R)에 배치되어야 하는 경우, 이와 같이 베이스 기판(111) 내에 절연 영역(112')을 형성한 후, 반사부(150e)를 형성할 수 있을 것이다.
도 12를 참조하면, 광 집적 회로 기판(110e)에서 광 변조기(116), 제2 그레이팅 커플러(115B), 광 도파로(118), 및 반사부(150f)가 도시된다. 반사부(150f)는 광 집적 회로 기판(110e)의 후면에 위치할 수 있다. 구체적으로, 반사부(150f)는 베이스 기판(111)을 기준으로 광 소자들이 배치된 광 코어층(113)이 위치하는 면과 반대되는 면에 배치될 수 있다. 반사부(150g)는 베이스 기판(111)을 리세스하여 형성된 리세스 영역(R)에 위치할 수 있다. 이 경우에도, 반사부(150g)는 제2 그레이팅 커플러(115B)와 같은 광 커플링 소자로부터 일측으로 이격되어 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에서, 광 집적 회로 기판(110e)의 하부에 배치되는 별도의 광 구조물과 제2 그레이팅 커플러(115B) 및 반사부(150g)의 사이에서 베이스 기판(111)을 관통하여 광 신호가 송수신될 수 있다. 실시예들에 따라, 광 신호 또는 광이 베이스 기판(111)을 통과하는 영역에서 베이스 기판(111) 내에는 반사 방지층이 더 배치될 수도 있다.
도 13 및 도 14는 예시적인 실시예들에 따른 광 집적 회로 패키지의 일부를 나타내는 단면도들이다.
도 13을 참조하면, 광 집적 회로 기판(110f)에서 광 검출기(160), 그레이팅 커플러(115), 광 도파로(118), 및 반사부(150a)가 도시된다. 광 검출기(160)는 반사부(150a)로부터 일측으로 이격되어 배치될 수 있다.
광 검출기(160)는 확대도에 y 방향으로 절단하여 도시된 것과 같이, 광 코어층(113)에 배치되며 광 도파로(118) 또는 이로부터 연장되는 광 신호가 전송되는 영역의 상하에 서로 다른 도전형의 불순물들을 갖는 두 개의 불순물 영역들(160D)을 가질 수 있다. 광 집적 회로 기판(110f)은 불순물 영역들(160D) 상에서 불순물 영역들(160D)과 연결되는 콘택 플러그들(CP) 및 콘택 플러그들(CP) 상의 배선층들(ML)을 더 포함할 수 있다.
반사부(150a)를 이루는 반사층(RL)인 금속층(155)은 적어도 일 영역에서 배선층들(ML)과 동일한 높이 레벨에 위치할 수 있다. 예를 들어, 금속층(155)은 가장자리 영역에서의 높이가 배선층들(ML)과 실질적으로 동일하거나 유사할 수 있다. 실시예들에 따라, 금속층(155)은 적어도 일 영역에서 배선층들(ML)과 동일한 두께를 가질 수도 있다. 이러한 구조는 배선층들(ML)과 금속층(155)이 동일한 공정에서 함께 형성됨으로써 얻어지는 구조일 수 있다.
도 14를 참조하면, 광 집적 회로 기판(110g)에서 광 검출기(160a) 및 반사부(150a)가 도시된다. 광 검출기(160a)는 도 13의 실시예에서와 달리, 광 코어층(113)이 아니라 베이스 기판(111) 상에 위치할 수 있다. 이 경우에도, 광 검출기(160a)는 반사부(150a)로부터 일측으로 이격되어 배치될 수 있다.
또한, 광 검출기(160a)는 그레이팅 커플러(115)에 의하지 않고 반사부(150a)로부터 상부로 반사된 후 상부에서 다시 전송되는 광 신호를 직접 전송받을 수 있다.
도 15a 내지 도 15e는 예시적인 실시예들에 따른 광 집적 회로 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다. 도 15a 내지 도 15e에서는 도 9의 광 집적 회로 기판(110b)을 포함하는 광 집적 회로 패키지의 제조 방법 중 주요 공정들을 도시한다.
도 15a를 참조하면, 베이스 기판(111), 제1 절연층(112), 및 반도체 물질을 포함하는 광 코어층(113)을 순서대로 적층한 적층 구조물을 준비할 수 있다. 상기 적층 구조물은 SOI 기판을 이용하여 준비될 수도 있다.
도 15b를 참조하면, 광 코어층(113)에 광 변조기(116), 광 도파로(118), 및 제2 그레이팅 커플러(115B)와 같은 광 소자들을 형성하고, 광 코어층(113) 상에 제2 절연층(114)을 형성할 수 있다.
이에 의해, 베이스 기판(111), 제1 절연층(112), 광 소자들이 배치된 광 코어층(113), 및 제2 절연층(114)을 포함하는 광 집적 회로 기판(110b)이 제조될 수 있다.
본 단계에서, 광 변조기(116), 광 도파로(118), 및 제2 그레이팅 커플러(115B) 외에도, 광 검출기, 파장 분할 다중 소자 등과 같이 다양한 광 소자들이 광 코어층(113)에 형성될 수 있다. 상기 광소자들은 포토 리소그래피 공정, 이온 주입 공정, 식각 공정, 증착 공정 등과 같은 반도체 공정들을 수행하여 형성할 수 있다.
도 5의 실시예에서와 같이 반사부(150a)가 제2 절연층(114)의 하부로 연장되는 경우, 본 단계에서, 반사부(150a)가 형성될 영역에서 광 코어층(113)의 일부가 먼저 제거된 후 제2 절연층(114)이 형성될 수 있다.
도 15c를 참조하면, 광 집적 회로 기판(110b) 상에 식각 공정을 위한 마스크층(GM)을 형성할 수 있다.
리세스 영역(R)이 형성될 영역에서 제2 절연층(114)은 평탄한 상면을 가질 수 있다. 만약, 리세스 영역(R)이 형성될 영역에서 제2 절연층(114)이 평탄하지 않은 경우, 마스크층(GM)의 형성 전에 평탄화 공정이 더 수행될 수 있다.
마스크층(GM)은 포토 레지스트층일 수 있으며, 그레이스케일 광학 마스크를 이용하여 포토 리소그래피 공정을 수행하여, 도시된 것과 같이, 리세스 영역(R)이 형성될 영역에서 오목한 형태를 갖는 3차원 패턴층으로 형성될 수 있다. 다만, 리세스 영역(R)을 형성하기 위한 마스크층(GM)의 형태는 이에 한정되지 않으며, 후속의 식각 공정의 종류에 따라, 리세스 영역(R)이 형성될 영역을 노출하는 형태의 마스크층도 적용 가능하다.
도 15d를 참조하면, 제2 절연층(114)을 일부 제거하여 오목한 형태의 리세스 영역(R)을 형성할 수 있다.
리세스 영역(R)은 후속에서 반사부(150)가 형성되는 오목 미러에 대응되는 영역일 수 있다. 리세스 영역(R)은 도 15c의 마스크층(GM) 및 제2 절연층(114)에 대하여 식각 공정을 수행함으로써, 마스크층(GM)의 형상이 전사된 형태로 형성될 수 있다.
광 변조기(116) 상에서는 제2 절연층(114)을 일부 제거하여 콘택 플러그들(CP)을 형성하기 위한 콘택 홀들(CH)을 형성할 수 있다. 실시예들에 따라, 콘택 홀들(CH)의 형성을 위한 식각 공정과 리세스 영역(R)을 형성하기 위한 식각 공정은 적어도 일부가 함께 수행될 수도 있다.
예시적인 실시예들에서, 그레이스케일 마스크층 대신 리세스 영역(R)이 형성될 영역을 노출하는 형태의 마스크층을 이용하여 리세스 영역(R)을 형성할 경우, 상기 마스크층의 하부로 언더컷 영역이 형성되도록 습식 식각 공정 등을 수행함으로써 오목한 형태의 리세스 영역(R)이 형성될 수 있다.
도 15e를 참조하면, 광 변조기(116)와 전기적으로 연결되는 배선층들(ML) 및 반사층(RL)을 형성할 수 있다.
먼저, 광 변조기(116) 상에서 콘택 홀들(CH)에 도전성 물질을 매립하여 콘택 플러그들(CP)을 형성할 수 있다.
다음으로, 제2 절연층(114)의 상면 상에 금속 물질을 증착하고, 증착된 상기 금속 물질을 패터닝함으로써, 배선층들(ML) 및 반사층(RL)이 형성될 수 있다. 즉, 광 변조기(116)와 같은 광 소자들과 연결되는 배선층들(ML)과 반사부(150)를 이루는 금속층(155)은 단일 공정에서 함께 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에서, 상기 금속 물질의 증착 공정 및 상기 패터닝 공정 중 적어도 하나의 공정이 단일 공정으로 수행될 수 있다. 상기 패터닝 공정에서, 제거되는 상기 금속 물질의 범위에 따라, 도 7 및 도 8의 실시예들에서와 같은 금속층들(155a, 155b)이 형성될 수 있다.
얼라인 마크(170)(도 2 참조)도 제2 절연층(114)의 상면 상에 형성될 수 있으며, 예를 들어, 배선층들(ML) 및/또는 반사층(RL)을 형성하기 위한 패터닝 공정을 이용할 수 있다.
도 16은 예시적인 실시예들에 따른 광 집적 회로 패키지를 포함하는 광 집적 회로 시스템을 설명하기 위한 도면이다.
도 16을 참조하면, 광 집적 회로 시스템(10A)은 도 2 내지 도 14를 참조하여 상술한 광 집적 회로 패키지 또는 광 집적 회로 기판을 포함할 수 있다. 광 집적 회로 시스템(10A)은 복수의 전기 집적 회로 소자들(39_1 내지 39_n), 복수의 광 변조기들(34_1 내지 34_n), 복수의 광전 변환 소자들(36_1 내지 36_n), 정렬 소자(51, 52), 및 리셉터클 커넥터들(61, 62)을 포함할 수 있다. 광 집적 회로 시스템(10A)에서 설명의 편의를 위하여 전광 변환 소자는 도시하지 않는다.
정렬 소자(51, 52)는 광 신호 다중화기(51), 및 광 신호 역다중화기(52)를 포함할 수 있다. 복수의 광 변조기들(34_1 내지 34_n)은 복수의 전기 집적 회로 소자(39_1 내지 39_n)로부터 입력 받은 송신 전기 신호들(MI_1 내지 MI_n)을 각각 기초로 하여 변조된 송신 광 신호들(LT_1 내지 LT_n)을 각각 생성할 수 있다. 이때, 변조된 송신 광 신호들(LT_1 내지 LT_n) 각각은 서로 다른 파장을 가지는 광 신호일 수 있다.
정렬 소자(51, 52)에 포함된 광 신호 다중화기(51)는 변조된 송신 광 신호들(LT_1 내지 LT_n)을 이용하여 다중화된 광 신호를 생성하고, 리셉터클 커넥터들(61, 62)을 통하여 다중화된 광 신호를 외부 장치 또는 패키지 회로 기판으로 송신할 수 있다.
외부 장치로부터 리셉터클 커넥터들(61, 62)을 통하여 송신된 다중화된 광 신호는 정렬 소자(51, 52)에 포함된 광 신호 역다중화기(52)에 제공될 수 있다. 광 신호 역다중화기(52)는 리셉터클 커넥터들(61, 62)로부터 입력 받은 다중화된 광 신호를 변조된 수신 광 신호들(LR_1 내지 LR_n)로 역 다중화할 수 있다. 이때, 변조된 수신 광 신호들(LR_1 내지 LR_n) 각각은 서로 다른 파장을 가지는 광 신호일 수 있다.
복수의 광전 변환 소자들(36_1 내지 36_n)은 변조된 수신 광 신호들(LR_1 내지 LR_n)을 각각 기초로 하여 변조된 수신 전기 신호들(MO_1 내지 MO_n)을 각각 생성하여 복수의 전기 집적 회로 소자(39_1 내지 39_n)로 제공할 수 있다.
도 17은 예시적인 실시예들에 따른 광 집적 회로 패키지를 포함하는 컴퓨터 시스템을 설명하기 위한 블록도이다.
도 17을 참조하면, 컴퓨터 시스템(1000)은 신호 처리 시스템, 디스플레이(display) 시스템, 통신(communication) 시스템, 또는 신호가 광적으로 전송될 수 있는 시스템을 포함할 수 있다. 컴퓨터 시스템(1000)은 프로세서(1100), 반도체 메모리 장치(1200), 사용자 인터페이스(1300), 전원 공급 장치(1400), 및 광 버스(1500)를 포함할 수 있다.
프로세서(1100)는 광 버스(1500)에 의해 다른 요소와 통신할 수 있다. 프로세서(1100)는 도 2 내지 도 14를 참조하여 상술한 광 집적 회로 패키지 또는 광 집적 회로 기판을 포함할 수 있다.
반도체 메모리 장치(1200)는 광 버스(1500)에 커플링되어 있을 수 있다. 반도체 메모리 장치(1200)는 도 2 내지 도 14를 참조하여 상술한 광 집적 회로 패키지 또는 광 집적 회로 기판을 포함할 수 있다. 이에 따라, 반도체 메모리 장치(1200)는 광 버스(1500)에 의해 다른 요소와 통신할 수 있다.
전원 공급 장치(1400)는 광 버스(1500)에 의해 다른 요소와 통신할 수 있다.
사용자 인터페이스(1300)는 사용자쪽으로 및 그로부터 입력/출력을 제공할 수 있다.
본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
100: 광 집적 회로 패키지 110: 광 집적 회로 기판
111: 베이스 기판 112: 제1 절연층
113: 광 코어층 114: 제2 절연층
115: 그레이팅 커플러 116: 광 변조기
118: 광 도파로 120: 광원
130: 전기 집적 회로 소자 150: 반사부
155: 금속층 157: 유전층
160: 광 검출기 170: 얼라인 마크
180: 와이어 190: 패키지 기판
195: 접속 단자

Claims (20)

  1. 기판;
    상기 기판 상의 제1 절연층;
    상기 제1 절연층 상에 배치되며, 광 커플링 소자가 배치된 광 코어층;
    상기 광 코어층 상에 적층되는 제2 절연층; 및
    적어도 상기 제2 절연층을 리세스하여 배치되는 오목 미러(concave mirror)를 포함하는 광 집적 회로 패키지.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 오목 미러는 상기 광 커플링 소자로부터 일측으로 이격되어 배치되는 광 집적 회로 패키지.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 오목 미러는 상기 제2 절연층을 리세스하고, 상기 제1 절연층의 적어도 일부를 리세스하여 배치되는 광 집적 회로 패키지.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 광 코어층은 상기 오목 미러와 적어도 일 영역에서 상하로 중첩되어 배치되는 광 집적 회로 패키지.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 오목 미러의 중심부는 상기 기판의 상면과 동일하거나 높은 레벨에 위치하는 광 집적 회로 패키지.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 오목 미러는 표면에 코팅된 반사층을 포함하는 광 집적 회로 패키지.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 반사층은 금속층을 포함하는 광 집적 회로 패키지.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 광 커플링 소자와 전기적으로 연결되는 적어도 하나의 배선층을 더 포함하고,
    상기 반사층은 적어도 일부가 상기 배선층과 동일한 높이 레벨에 위치하는 광 집적 회로 패키지.
  9. 제6 항에 있어서,
    상기 반사층은 평면 상에서 상기 오목 미러의 외측으로 확장되어 배치되는 광 집적 회로 패키지.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 광 커플링 소자는 그레이팅 그레이팅 커플러 및 광 검출기 중 적어도 하나를 포함하는 광 집적 회로 패키지.
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 절연층 상에 배치되며, 상기 광 코어층으로 광을 조사하는 전광 변환 소자를 더 포함하는 광 집적 회로 패키지.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 전광 변환 소자로부터 생성되어 상기 광 코어층을 따라 전송되는 광 신호는, 상기 광 커플링 소자에 의해 상기 제2 절연층의 상부로 전송되고, 다시 상기 오목 미러로 전달된 후 상기 오목 미러에 의해 다시 상기 제2 절연층의 상부로 전송되는 광 집적 회로 패키지.
  13. 절연층 및 광 커플링 소자가 배치된 광 코어층을 포함하는 광 집적 회로 기판; 및
    상기 광 집적 회로 기판의 일 면으로부터 상기 광 집적 회로 기판을 일부 리세스하여 배치되며, 상기 광 커플링 소자로부터 일 측으로 이격되어 배치되는 반사부를 포함하는 광 집적 회로 패키지.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 반사부는 상기 광 집적 회로 기판의 상기 절연층만을 리세스하도록 배치되는 광 집적 회로 패키지.
  15. 제13 항에 있어서,
    상기 반사부는 상기 광 집적 회로 기판에서 상기 광 코어층이 배치되는 면과 대향하는 일 면으로부터 상기 광 집적 회로 기판을 리세스하여 배치되는 광 집적 회로 패키지.
  16. 순차적으로 적층된 베이스 기판, 제1 절연층, 광 커플링 소자가 배치된 광 코어층, 및 제2 절연층을 포함하는 광 집적 회로 기판;
    상기 광 집적 회로 기판 상에 배치되는 전광 변환 소자; 및
    상기 광 집적 회로 기판의 상면으로부터 적어도 상기 제2 절연층을 리세스하여 배치되는 오목 미러를 포함하는 광 집적 회로 패키지.
  17. 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 순차적으로 적층된 제1 절연층 및 반도체 물질을 포함하는 광 코어층의 적층 구조물을 준비하는 단계;
    상기 광 코어층에 광 커플링 소자를 포함하는 광 소자들을 형성하는 단계;
    상기 광 코어층 상에 제2 절연층을 형성함으로써, 광 집적 회로 기판을 형성하는 단계;
    상기 광 커플링 소자로부터 일측으로 이격된 영역에서 상기 제2 절연층의 일부를 제거하여 리세스 영역을 형성하는 단계;
    상기 광 코어층 상에 상기 광 소자들 중 적어도 하나와 전기적으로 연결되는 배선층을 형성하는 단계; 및
    상기 리세스 영역에 반사층을 형성하여 반사부를 형성하는 단계를 포함하는 광 집적 회로 패키지의 제조 방법.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 배선층 및 상기 반사층은 단일 증착 공정에서 함께 증착되어 형성되는 광 집적 회로 패키지의 제조 방법.
  19. 제17 항에 있어서,
    상기 배선층 및 상기 반사층은 단일 패터닝 공정에서 함께 패터닝되어 형성되는 광 집적 회로 패키지의 제조 방법.
  20. 제17 항에 있어서,
    상기 광 소자들의 일부가 노출되도록 상기 제2 절연층을 식각하여 콘택 홀들을 형성하는 단계를 더 포함하고,
    상기 콘택 홀들 및 상기 리세스 영역은 단일 식각 공정에서 함께 식각되어 형성되는 광 집적 회로 패키지의 제조 방법.
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