KR20190094288A - 박막 태양 전지 - Google Patents

박막 태양 전지 Download PDF

Info

Publication number
KR20190094288A
KR20190094288A KR1020187030617A KR20187030617A KR20190094288A KR 20190094288 A KR20190094288 A KR 20190094288A KR 1020187030617 A KR1020187030617 A KR 1020187030617A KR 20187030617 A KR20187030617 A KR 20187030617A KR 20190094288 A KR20190094288 A KR 20190094288A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
groove
electrode layer
layer
battery unit
upper electrode
Prior art date
Application number
KR1020187030617A
Other languages
English (en)
Inventor
슈리 자오
리다 구오
신리안 리
타오 첸
리홍 양
Original Assignee
베이징 아폴로 딩 롱 솔라 테크놀로지 컴퍼니 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 베이징 아폴로 딩 롱 솔라 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 filed Critical 베이징 아폴로 딩 롱 솔라 테크놀로지 컴퍼니 리미티드
Publication of KR20190094288A publication Critical patent/KR20190094288A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/03529—Shape of the potential jump barrier or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
    • H01L31/0465—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate comprising particular structures for the electrical interconnection of adjacent PV cells in the module
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
    • H01L31/0463—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate characterised by special patterning methods to connect the PV cells in a module, e.g. laser cutting of the conductive or active layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022433—Particular geometry of the grid contacts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
    • H01L31/0322—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 comprising only AIBIIICVI chalcopyrite compounds, e.g. Cu In Se2, Cu Ga Se2, Cu In Ga Se2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H01L31/0516—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module specially adapted for interconnection of back-contact solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0749—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type including a AIBIIICVI compound, e.g. CdS/CulnSe2 [CIS] heterojunction solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

박막 태양 전지는, 기판과 상기 기판 상에 설치된 복수의 전지 유닛을 포함하고, 각 전지 유닛은 순차적으로 설치된 배면 전극층, 광흡수층, 버퍼층 및 상부 전극층을 포함한다. 임의의 인접한 2개의 전지 유닛의 배면 전극층 사이에는 상기 배면 전극층을 관통하는 제1 그루브가 마련되고, 상기 제1 그루브 내에는 절연부가 충전된다. 각 전지 유닛에는 상기 광흡수층과 상기 버퍼층을 관통하는 제2 그루브가 마련되고, 상기 전지 유닛의 상부 전극층은 상기 전지 유닛의 상기 제2 그루브 내로 연장되어 상기 인접한 2개 전지 유닛 중의 다른 하나의 배면 전극층과 접촉한다. 상기 인접한 2개의 전지 유닛 사이에는 제 3 그루브가 마련되고, 상기 제3 그루브는 상기 인접한 2개의 전지 유닛의 상부 전극층을 절연되게 이격시킨다.

Description

박막 태양 전지
본 발명은 태양 전지 기술 분야와 관련되며, 특히 박막 태양 전지와 관련된다.
본 출원은 2018년 2월 1일에 중국 국가지식재산권국에 제출되고, 출원번호가 201810102076.3이며, 발명의 명칭이 "박막 태양 전지 모듈"인 중국 특허출원의 우선권을 주장하며, 상기 출원의 전체 내용은 본 출원에 인용 방식으로 결합된다.
태양 박막 전지는 "솔라 셀" 또는 "광전지"라고도 칭하며, 태양광을 이용하여 직접 발전하는 광전자 반도체 컴포넌트이다.
박막 태양 전지의 제조 과정에서 하나의 단계는 최소한 3 회의 레이저 / 기계 스크라이빙 공정(스크라이빙의 선후 순서에 따라, P1 스크라이빙, P2 스크라이빙, P3 스크라이빙으로 명명함)을 이용하여, 전체 박막 태양 전지를 복수의 전지 유닛으로 분할하고, 또한 상기 복수의 전지 유닛 간의 직렬 또는 병렬 연결을 실현하는 것이다.
본 발명의 일부 실시예는 박막 태양 전지를 제공하며, 상기 박막 태양 전지는: 기판과 상기 기판 상에 설치된 복수의 전지 유닛을 포함하고, 상기 복수의 전지 유닛 중의 각 전지 유닛은 순차적으로 설치된 배면 전극층, 광흡수층, 버퍼층 및 상부 전극층을 포함하며, 상기 복수의 전지 유닛 중의 임의의 인접한 2개의 전지 유닛의 배면 전극층 사이에는 상기 배면 전극층을 관통하는 제1 그루브가 마련되고, 상기 제1 그루브 내에는 절연부가 충전되어, 상기 인접한 전지 유닛의 배면 전극층 사이를 절연되게 이격시키며; 상기 복수의 전지 유닛 중의 각 전지 유닛에는 상기 광흡수층과 상기 버퍼층을 관통하는 제2 그루브가 마련되고, 상기 인접한 2 개의 전지 유닛의 어느 하나의 전지 유닛의 상기 상부 전극층은 상기 전지 유닛의 상기 버퍼층을 덮고 또한 상기 전지 유닛의 상기 제2 그루브 내로 연장되어 상기 인접한 2개의 전지 유닛 중의 다른 하나의 전지 유닛의 배면 전극층과 접촉하여, 상기 인접한 2개의 전지 유닛을 직렬로 연결하며; 상기 인접한 2개의 전지 유닛 사이에는 제 3 그루브가 마련되고, 상기 제3 그루브는 상기 인접한 2개의 전지 유닛의 상부 전극층을 절연되게 이격시킨다.
본 발명의 일부 실시예는 또한 박막 태양 전지의 제조 방법을 제공하며, 상기 제조 방법은: 기판에 배면 전극층을 형성하며; 제1 스크라이빙 공정을 진행하여, 상기 배면 전극층 상에 제1 그루브를 형성하며; 상기 제1 그루브 내에 절연부를 형성하며; 상기 절연부가 형성된 상기 배면 전극층의 표면에 광흡수층과 버퍼층을 순차적으로 형성하고, 또한 상기 광흡수층과 버퍼층에 대해 제2 스크라이빙 공정을 진행하여 상기 광흡수층과 버퍼층을 관통하는 제2 그루브를 형성하며; 상기 버퍼층의 표면에 상부 전극층을 형성하고, 또한 상기 상부 전극층을 제2 그루브로 연장되게 하여, 상기 인접한 2 개의 전지 유닛 중의 어느 하나의 전지 유닛의 상기 상부 전극층이 상기 인접한 2개의 전지 유닛 중의 다른 하나의 인접한 상기 전지 유닛의 배면 전극층과 접촉하게 하며; 상기 상부 전극층, 버퍼층 및 광흡수층에 대해 제3 스크라이빙 공정을 진행하여 상기 상부 전극층, 버퍼층 및 광흡수층을 관통하는 제 3 그루브를 형성하는 것을 포함한다.
여기서 설명되는 도면은 본 발명의 추가적인 이해를 제공하기 위한 것이고, 본 발명의 일부를 구성하며, 본 발명의 예시적인 실시예 및 그 설명은 본 발명을 해석하는데 사용되며, 본 발명에 대한 부당한 한정을 구성하지 않는다.
도 1은 본 발명에 따른 상기 박막 태양 전지의 개략적인 구조도이다.
도 2는 본 발명의 상기 박막 태양 전지의 제조 공정의 개략도이다.
다음은 본 발명의 실시 방식의 기술 방안에 대해 명확하고 완전하게 설명을 진행한다. 명백하게, 설명되는 실시 방식은 단지 본 발명의 실시방식의 일부분이며, 모든 실시 방식이 아니다. 본 발명의 실시 방식에 기초하여, 본 분야의 보통 기술자에 의해 창조적인 노동 없이 획득되는 모든 다른 실시 방식은, 본 발명의 보호 범위에 속한다.
P1, P2 및 P3 스크라이빙 공정은 직렬 / 병렬로 연결된 복수의 전지 유닛을 형성할 수 있지만, 동시에 박막 태양 전지 상에 광전 변환을 행할 수 없는 영역(P1 ~ P3 스크라이빙 라인의 위치와 인접한 스크라이빙 간의 간격 영역), 즉 박막 태양 전지 중의 소위 "데드 존"을 생성한다.
P1, P2, P3 스크라이빙 과정은 레이저 스크라이빙 또는 기계 스크라이빙으로 구현되며, 현재의 스크라이빙 공정 기술 수준 및 원가 제어 요소로 인해, P1 ~ P3 스크라이빙 라인의 폭과 정확도가 현저하게 개선되기 어려워, 데드 존 면적을 효과적으로 감소시킬 수 없어, 궁극적으로 박막 태양 전지의 광 변환 효율에 영향을 미친다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일부 실시예에서, 박막 태양 전지가 제공된다. 상기 박막 태양 전지는 기판(10)과, 상기 기판(10) 상에 설치된 복수의 전지 유닛을 포함한다. 복수의 전지 유닛 중의 각 상기 전지 유닛은 순차적으로 설치된 배면 전극층(20), 광흡수층(30), 버퍼층(40) 및 상부 전극층(50)을 포함한다. 인접한 2개의 상기 전지 유닛의 배면 전극층(20) 사이에는 상기 배면 전극층(20)을 관통하는 제1 그루브(60)가 마련된다. 상기 제1 그루브(60) 내에는 절연부(70)가 충전되어, 인접한 2 개의 전지 유닛의 배면 전극층(20) 사이가 절연되게 이격시킨다. 각 상기 전지 유닛에는 상기 광흡수층(30)과 상기 버퍼층(40)을 관통하는 제2 그루브(80)가 마련된다. 상기 상부 전극층(50)은 상기 버퍼층(40)을 덮고 또한 상기 제2 그루브(80)로 연장되어 인접한 다른 상기 전지 유닛의 배면 전극층(20)과 접촉하여, 상기 인접한 다른 전지 유닛과 직렬로 연결된다. 인접한 2개의 전지 유닛 사이에는 제 3 그루브(90)가 마련되며, 상기 제3 그루브(90)는 상기 인접한 2개의 전지 유닛의 상부 전극층(50)을 절연되게 이격시킨다.
상기 박막 태양 전지는 다음과 같은 장점을 갖는다. 즉, 제1 그루브 내에 절연부가 설치되므로, 즉 복수의 전지 유닛의 배면 전극층이 절연부를 통해 이격되게 설치되므로, 절연부의 표면 일부분의 상방에 제2 그루브가 형성될 수 있으며, 상기 절연부는 상기 제2 그루브를 통해 부분적으로 노출될 수 있고, 상기 제2 그루브의 위치와 제1 그루브의 위치 사이의 간격이 감소되어, 상기 데드 존의 면적을 크게 감소시킴으로써, 박막 태양 전지 모듈의 변환 효율이 크게 향상된다.
본 발명의 일부 실시예에서, 박막 태양 전지의 제1 스크라이빙 라인 (즉, P1 스크라이빙)의 위치에 절연부가 설치된다. 즉, 복수의 전지 유닛의 배면 전극층은 절연부를 통해 이격 설치되어, 절연부의 표면 일부분 상에서 제2 스크라이빙(즉, P2 스크라이빙)이 진행되어, 데드 존의 면적이 감소될 수 있다.
상기 박막 태양 전지에 대응하는 제조 방법에 있어서, 제1 스크라이빙 공정을 통해 제1 그루브를 형성할 수 있고, 마스크를 통해 상기 제1 그루브 내에 절연부를 형성하여, 상기 절연부의 표면 일부분에서 상기 제2 스크라이빙 공정을 진행할 수 있다. 제1 스크라이빙 라인의 위치와 제2 스크라이빙 라인의 위치의 간격이 감소되므로, 데드 존의 면적이 크게 감소된다. 이 방법은 또한 공정이 간단하고, 효율이 높고 제어 가능한 장점을 갖는다.
도 1에 도시된 바와 같이, 다음은 박막 태양 전지의 구조에서 서로 인접한 제1 전지 유닛(100)과 제2 전지 유닛(200)을 예로 들어 상기 박막 태양 전지의 구조에 대해 설명을 진행한다.
상기 제1 전지 유닛(100)과 상기 제2 전지 유닛(200)은 인접하고 또한 동일한 구조를 갖는다. 즉, 제1 전지 유닛(100)과 제2 전지 유닛(200)은 실제로 구조가 일치하는 동일한 전지 유닛이며, 단지 인접한 2개의 전지 유닛의 각 구성 요소의 관계를 보다 잘 설명하기 위해 상이하게 명명된 것이다. 상기 제1 전지 유닛(100)은 순차적으로 설치된 제1 배면 전극층(21), 제1 광흡수층(31), 제1 버퍼층(41) 및 제1 상부 전극층(51)을 포함한다. 상기 제2 전지 유닛(200)은 순차적으로 설치된 제2 배면 전극층(22), 제2 광흡수층(32), 제2 버퍼층(42) 및 제2 상부 전극층(52)을 포함한다. 상기 제1 전지 유닛(100)과 제2 전지 유닛(200)은 상기 기판(10)을 공유한다. 제1 배면 전극층(21)과 제2 배면 전극층(22)은 절연부(70)를 통해 서로 이격된다. 도 2를 참조하면, 상기 제1 광흡수층(31) 및 제1 버퍼층(41)은 제1 광흡수층(31) 및 제1 버퍼층(41)의 두께 방향에 따라 제1 광흡수층(31) 및 제1 버퍼층(41)을 관통하는 제2 그루브(80)를 갖는다. 상기 제1 상부 전극층(51)은 제1 버퍼층(41)을 덮고 또한 상기 제2 그루브(80) 내로 연장되어 상기 제2 배면 전극층(22)의 일부분을 덮어, 제2 배면 전극층(22)과 전기적으로 연결된다. 즉, 제2 그루브(80)의 저부는 제2 배면 전극층(22)의 일부분을 노출시키고, 상기 제2 그루브(80) 저부로 연장되는 제1 상부 전극층(51)은 상기 제2 배면 전극층(22)의 일부분을 덮어 접촉하므로, 제1 전지 유닛(100)과 제2 전지 유닛(200)은 전기적으로 연결되고 또한 직렬 연결을 실현한다.
본 발명의 일부 실시예에서, 제2 그루브(80) 내로 연장되는 상기 제1 상부 전극층(51)의 일부분은 상기 절연부(70)를 덮고; 본 발명의 다른 실시예에서, 제2 그루브(80) 내로 연장되는 제1 상부 전극층(51)의 일부분은 상기 절연부(70)를 덮지 않는다. 즉, 본 발명의 일부 실시예에서, 상기 제2 그루브(80)는 제1 스크라이빙(P1 스크라이빙)에 의해 형성된 제1 그루브(60)와 중첩될 수도 있고, 중첩되지 않을 수도 있다.
본 발명의 일부 실시예에서, 상기 제2 그루브(80)의 저부는 상기 절연부(70) 및 인접한 다른 전지 유닛의 배면 전극층의 경계에 위치하며, 상기 제2 그루브(80) 내에 위치하는 상부 전극층은 절연부의 일부분 및 인접한 다른 전지 유닛의 배면 전극층의 일부분을 덮는다. 도 1을 참조하면, 즉, 상기 제1 상부 전극층(51)은 상기 제1 버퍼층(41)을 덮고 또한 상기 제2 그루브(80)로 연장되어 제2 배면 전극층(22)의 일부분과 절연부(70)의 일부분을 덮는다. 이 때, 상기 제2 그루브(80)로 연장되는 상기 제1 상부 전극층(51)의 일부분과 상기 절연부(70)가 서로 겹치는 영역의 폭을 d1로 표시한다. 상기 절연부의 폭은 m으로 표시한다. 본 발명의 일부 실시예에서, m 및 d1은 m>d1>0의 조건을 만족한다. 그 중, m>d1로 한정하는 이유는, 상기 제2 그루브(80)로 연장되는 상기 제1 상부 전극층(51)의 일부분이 제1 배면 전극층(21)과 서로 접촉하여 단락되는 것을 방지하기 위해서이다. 일부 실시예에서, m 및 d1은 m-d1≥30㎛의 조건을 만족하여, 이러한 단락을 더 잘 회피할 수 있다.
상기 절연부(70)는 상기 제1 배면 전극층(21)과 상기 제2 배면 전극층(22)을 이격시켜 절연함으로써, 상기 제1 전지 유닛(100)과 상기 제2 전지 유닛(200) 간의 상대적인 독립성을 실현한다. 본 발명의 일부 실시예에서, 상기 절연부(70)의 폭 m은 30㎛≤m≤60㎛의 조건을 만족시켜, 절연 효과를 보다 양호하게 실현한다. 본 발명의 일부 실시예에서, 상기 절연부(70)의 폭 m은, 약 30㎛ 보다 크거나 같으며, 약 60㎛ 보다 작거나 같은 조건을 만족한다.
본 발명의 일부 실시예에서, 상기 절연부(70)는 마스크 증착 방식을 사용하여 상기 제1 그루브(60)를 충전한다.
본 발명의 일부 실시예에서, 상기 절연부(70)의 재료는 Si3N4, AlN, SiO2 및 Al2O3 중 적어도 하나를 포함한다. 예를 들면, 상기 절연부(70)의 재료는 Si3N4이다. 본 발명의 다른 일부 실시예에서, 상기 절연부(70)의 재료는 Si3N4, AlN, SiO2 및 Al2O3 중 적어도 복수를 포함한다. 예를 들면, 상기 절연부(70)의 재료는 Si3N4 및 SiO2의 복합 막층이다.
상기 제2 그루브(80)의 폭은 임의의 크기이다. 본 발명의 일부 실시예에서, 제2 그루브(80)의 폭은 50㎛ ~ 80㎛이며, 이는 전극과 더 잘 연결을 하고 또한 데드 존의 크기를 축소시킬 수 있다. 본 발명의 일부 실시예에서, 제2 그루브(80)의 폭은 약 50 ㎛ ~ 약 80 ㎛이다.
본 발명의 일부 실시예에서, 상기 제1 전지 유닛(100)과 제2 전지 유닛(200)은 제 3 그루브(90)에 의해 이격된다. 상기 제 3 그루브(90)는 제1 상부 전극층(51)과 제2 상부 전극층(52)을 이격시키고, 제1 버퍼층(41)과 제2 버퍼층(42)을 이격시키고, 또한 제1 광흡수층(31)과 제2 광흡수층(32)을 이격시킨다.
본 발명의 일부 실시예에서, 제3 그루브(90)의 폭은 50 μm ~ 80 μm, 또는 약 50 μm ~ 약 80 μm이다.
상기 제 3 그루브(90)는 상기 절연부(70)와 협력하여, 상기 제1 전지 유닛(100)과 제2 전지 유닛(200) 간의 "상대적 독립"을 실현한다. "상대적 독립"이라고 말하는 이유는, 상기 제2 그루브(80) 내의 제1 상부 전극층(51)이 상기 제1 전지 유닛(100)과 제2 전지 유닛(200) 간의 직렬 연결을 실현할 수 있기 때문이다.
기판(10)의 재질은 특별히 한정되지 않으며, 유리, 스테인리스 강 또는 가요성 재료일 수 있다. 상기 기판(10)의 두께도 한정되지 않는다. 상기 기판(10)은 태양 전지를 적재하는 작용을 한다.
상기 배면 전극층(20)의 재료는 금속 Mo, Ti, Cr, Cu 또는 투명 전도층일 수 있다. 투명 전도층은 알루미늄 도핑 산화 아연(AZO), 붕소 도핑 산화 아연(BZO) 및 인듐 도핑 산화 주석(ITO) 중 하나 또는 복수를 포함한다. 상기 배면 전극층(20)의 두께는 한정되지 않는다. 본 발명의 일부 실시예에서, 상기 배면 전극층(20)의 두께는 200 nm ~ 800 nm이다. 본 발명의 일부 실시예에서, 상기 절연부(70)의 두께는 상기 배면 전극층(20)의 두께와 동일하다. 본 발명의 다른 일부 실시예에서, 절연부(70)의 두께는 배면 전극층(20)의 두께보다 커서, 단락의 형성을 효과적으로 방지할 수 있다.
상기 광흡수층(30)의 재료는 구리 인듐 갈륨 셀레늄, 구리 인듐 셀레늄 및 구리 인듐 갈륨 황화물 중의 하나이다. 상기 광흡수층(30)의 두께는 한정되지 않는다. 본 발명의 일부 실시예에서, 상기 광흡수층(30)의 두께는 0.5㎛ ~ 3㎛이다.
상기 버퍼층(40)의 재료는 황화 아연, 황화 카드뮴 및 황화 인듐 중의 하나이다. 상기 버퍼층(40)의 두께는 한정되지 않는다. 본 발명의 일부 실시예에서, 상기 버퍼층(40)의 두께는 30 nm ~ 100 nm이다.
상기 상부 전극층(50)의 재료는 투명 전도층 AZO, BZO 및 ITO 중의 하나이다. 상기 상부 전극층(50)의 두께는 한정되지 않는다. 본 발명의 일부 실시예에서, 상기 상부 전극층(50)의 두께는 100nm ~ 1㎛이다.
본 발명의 일부 실시예에서, 전극층, 광흡수층, 버퍼층 및 상부 전극층 중의 임의의 2 개 층 사이에 산화 아연층 및 산화 아연 마그네슘층 등과 같은 다른 기능층이 추가되어, 층과 층 간의 친밀한 결합과 광 흡수 및 변환을 용이하게 한다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예는 박막 태양 전지의 제조 방법을 더 제공한다. 상기 제조 방법은 다음 단계를 포함한다:
a) 기판(10)을 제공하고, 또한 상기 기판(10) 상에 배면 전극층(20)을 형성하고, 상기 배면 전극층(20)에 대해 제1 스크라이빙을 진행하여, 상기 배면 전극층(20) 상에 상기 배면 전극층(20)을 관통하는 복수의 제1 그루브(60)를 형성한다;
b) 상기 제1 그루브(60) 내에 절연부(70)를 형성한다;
c) 절연부(70)가 형성된 배면 전극층(20)의 표면에 광흡수층(30)과 버퍼층(40)을 순차적으로 형성하고, 또한 상기 광흡수층(30)과 버퍼층(40)에 대해 제2 스크라이빙을 진행하여 상기 광흡수층(30)과 버퍼층(40)을 관통하는 제2 그루브(80)를 형성한다;
d) 버퍼층(40)의 표면에 상부 전극층(50)을 형성하여, 상기 상부 전극층(50)을 상기 제2 그루브(80)로 연장되게 하고, 또한 상기 상부 전극층(50), 버퍼층(40) 및 광흡수층에 대해 제3 스크라이빙을 진행하여 상기 상부 전극층(50), 버퍼층(40) 및 광흡수층(30) 을 관통하는 제 3 그루브(90)를 형성하여, 직렬로 연결된 복수의 전지 유닛을 취득한다.
상기 a) 단계에서, 상기 배면 전극층(20)을 형성하는 방법은 화학 기상 증착법, 마그네트론 스퍼터링법, 원자 층 증착법 등일 수 있다. 상기 배면 전극층(20)에는 제1 스크라이빙을 통해 제1 배면 전극층(21) 및 제2 배면 전극층(22) 등과 유사한 복수의 상호 이격된 "서브 배면 전극층"이 형성될 수 있다. 상기 "서브 배면 전극층"은 도 1에 도시된 제1 배면 전극층(21) 및 제2 배면 전극층(22)이다. c) 단계 및 d) 단계의 제2 스크라이빙 및 제 3 스크라이빙은, 광흡수층(30), 버퍼층(40) 및 상부 전극층(50)에 대해 스크라이빙을 진행하여 상대적으로 독립되고 또한 직렬로 연결된 전지 유닛을 형성하는 것이다. 도 1에 도시된 제1 전지 유닛(100)과 제2 전지 유닛(200)은 인접한 2개의 전지 유닛의 각 구성 요소 간의 관계를 보다 잘 설명하기 위해 구체적으로 명명된 것으로, 사실상, 제1 전지 유닛(100)과 제2 전지 유닛(200), 및 그 내부의 대응하는 구성 요소는 동일한 구조를 갖는다.
이하에서, 상기 광흡수층(30)에 대한 설명은 전술한 제1 광흡수층(31) 및 제2 광흡수층(32)의 설명을 참조할 수 있다. 상기 버퍼층(40)의 설명은 전술한 제1 버퍼층(41) 및 제2 버퍼층(42)의 설명을 참조할 수 있다. 상기 상부 전극층(50)의 설명은 전술한 제1 상부 전극층(51) 및 제2 상부 전극층(52)의 설명을 참조할 수 있다. 이에 여기에서 반복하지 않는다.
b) 단계에서, 마스크(도시되지 않음)가 제공되고, 상기 마스크를 통해 상기 제1 그루브(60) 내에 절연부(70)를 형성한다. 절연부(70)를 형성하는 방법은 마그네트론 스퍼터링법, 스핀 코팅법, 스프레이 코팅법 또는 화학 기상 증착법 중의 어느 하나일 수 있다. 그 중, 스핀 코팅법 및 스프레이 코팅법은 절연 재료를 에탄올, 물 등과 같은 용매와 혼합하여 혼합물을 얻은 후, 그 혼합물로 스핀 코팅 또는 스프레이 코팅 공정을 진행하고, 건조시켜 절연부(70)를 얻는다. 일부 실시예에서, 마그네트론 스퍼터링법을 사용하여 상기 절연부(70)를 형성한다.
c) 단계에서, 상기 광흡수층(30) 및 버퍼층(40)에 대해 제2 스크라이빙을 진행하여 상기 제2 그루브(80)를 형성한다. 상기 제2 스크라이빙에 의해 형성된 제2 그루브(80)는 제1 스크라이빙에 의해 형성된 상기 제1 그루브(60)의 일부분과 겹치거나; 제1 그루브(60)와 이격될 수도 있다. 즉, 양자가 겹치지 않는다. 본 발명의 일부 실시예에서, 상기 제2 그루브(80)는 제1 그루브(60)와 부분적으로 겹친다. 즉, 제2 그루브(80)를 통해 상기 절연부(70)의 표면 일부분이 노출되게 된다.
상기 절연부(70)의 폭은 m으로 표시한다. 상기 제2 그루브(80)를 통해 부분적으로 노출되는 상기 절연부(70)의 영역의 폭은 d1로 표시되며, 본 발명의 일부 실시예에서, 상기 절연부(70)의 폭 m은 d1보다 크다. 예시적으로, m-d1≥30μm이다.
a) 단계, c) 단계 및 d) 단계에서, 제1 스크라이빙, 제2 스크라이빙 및 제 3 스크라이빙은 기계 스크라이빙 또는 레이저 스크라이빙을 통해 실현될 수 있다. 본 발명의 일부 실시예에서, 상기 제1 스크라이빙의 방법은 레이저 스크라이빙이고; 제2 스크라이빙 및 제 3 스크라이빙은 기계 스크라이빙이다. 형성된 상기 제1 그루브(60), 제2 그루브(80) 및 제 3 그루브(90)의 개구부의 폭은 한정되지 않는다. 본 발명의 일부 실시예에서, 상기 제2 그루브(80) 및 제 3 그루브(90)의 폭은 60㎛ ~ 80㎛일 수 있다. 예시적으로, 상기 제2 그루브(80)와 제 3 그루브(90) 사이의 간격은 30㎛ 보다 크거나 같다.
상기 박막 태양 전지 및 그 제조 방법은 다음과 같은 장점을 갖는다:
제1 스크라이빙에 의해 형성된 제1 그루브(60) 내에 절연부(70)가 구비되므로, 즉 복수의 전지 유닛중의 배면 전극층이 절연부(70)를 통해 이격되게 설치되므로, 절연부(70)의 표면 일부분의 상방에서 제2 스크라이빙을 진행할 수 있다. 제2 스크라이빙은 제2 그루브(80)를 형성하고, 상기 절연부는 상기 제2 그루브(80)를 통해 부분적으로 노출되며, 제2 스크라이빙의 위치와 제1 스크라이빙의 위치의 간격이 감소되므로, 데드 존의 면적이 크게 감소되어, 박막 태양 전지의 변환 효율이 크게 향상된다.
상기 제조 방법에서, 마스크를 통해 제1 그루브(60) 내에 절연부(70)를 형성하고, 상기 절연부(70)의 표면 일부분에서 제2 스크라이빙을 진행할 수 있다. 상기 방법은 공정이 간단하고, 효율이 높고 제어 가능한 장점을 갖는다.
다음은, 박막 태양 전지 및 그 제조 방법을 아래의 실시예를 통해 더 상세히 설명한다.
실시예 1
본 실시예 1은 박막 태양 전지를 제공한다. 상기 박막 태양 전지의 제조 방법은 다음과 같다:
a) 기판을 제공하고, 또한 기판 상에 마그네트론 스퍼터링법을 통해 배면 전극층을 형성한다. 그런 다음, 상기 배면 전극층에 대해 제1 스크라이빙을 진행하여, 상기 배면 전극층에 상기 배면 전극층을 관통하는 복수의 제1 그루브를 형성한다.
일부 실시예에서, 상기 기판의 재료는 유리이고, 상기 배면 전극층은 금속 Mo 층이며, 마그네트론 스퍼터링법의 파라미터로서: 가스 소스는 아르곤, 타겟 재료는 금속 Mo, 진공도는 0.1Pa ~ 0.7Pa이며; 상기 제1 스크라이빙은 레이저 스크라이빙이고, 상기 제1 그루브의 폭은 약 60㎛이다.
b) 마스크를 제공하고, 마그네트론 스퍼터링법을 통해 상기 제1 그루브 내에 재료가 Si3N4인 절연부를 형성한다.
c) 절연부가 형성된 배면 전극층의 표면에 광흡수층 및 버퍼층을 순차적으로 형성하고, 또한 상기 광흡수층 및 버퍼층에 대해 제2 스크라이빙을 진행하여 상기 광흡수층 및 버퍼층을 관통하는 제2 그루브를 형성하며, 그 중, 상기 제2 스크라이빙은 기계 스크라이빙이고, 상기 제2 그루브의 폭은 약 50㎛이다. 상기 제2 그루브를 통해 부분적으로 노출되는 상기 절연부의 영역의 폭 d1은 약 30㎛이다. 상기 광흡수층은 두께가 약 3㎛인 구리 인듐 갈륨 셀렌화물이다. 상기 버퍼층은 두께가 약 80nm인 황화 카드뮴이다.
d) 버퍼층의 표면에 상부 전극층을 형성하여, 상기 상부 전극층을 제2 그루브로 연장되게 하고, 또한 상기 상부 전극층, 버퍼층 및 광흡수층에 대해 제 3 스크라이빙을 진행하여 상기 상부 전극층, 버퍼층 및 광흡수층을 관통하는 제 3 그루브를 형성하여, 직렬로 연결된 복수의 전지 유닛을 얻는다. 그 중, 상기 제3 스크라이빙은 기계 스크라이빙이다. 제 3 그루브와 제2 그루브의 간격(즉, 도 1에서, 제2 그루브(80)의 우측 에지와 제 3 그루브(90)의 좌측 에지 간의 거리)은 40㎛이고, 상기 상부 전극층은 두께가 약 800nm인 AZO 투명 전도성 박막이고, 상기 제 3 그루브의 폭은 약 60㎛이다.
얻어진 박막 태양 전지의 제1 그루브와 제 3 그루브 간의 폭(즉, 도 1에서, 제1 그루브(60)의 좌측 에지에서 제 3 그루브(90)의 우측 에지 간의 폭, 이하 동일)은 약 180μm이다.
실시예 2
본 실시예 2는 박막 태양 전지를 제공한다. 상기 박막 태양 전지의 제조 방법은 다음과 같다:
a) 기판을 제공하고, 또한 기판 상에 마그네트론 스퍼터링법을 통해 배면 전극층을 형성한다. 그런 다음, 상기 배면 전극층에 대해 제1 스크라이빙을 진행하여, 상기 배면 전극층에 상기 배면 전극층을 관통하는 복수의 제1 그루브를 형성한다.
그 중, 상기 기판의 재료는 유리이고, 상기 배면 전극층은 금속 Mo 층이며, 마그네트론 스퍼터링법의 파라미터로서: 가스 소스는 아르곤, 타겟 재료는 금속 Mo, 진공도는 0.1Pa ~ 0.7Pa이다. 상기 제1 스크라이빙은 레이저 스크라이빙이고, 상기 제1 그루브의 폭은 약 50㎛이다.
b) 마스크를 제공하고, 마그네트론 스퍼터링법을 통해 상기 제1 그루브 내에 재료가 Si3N4인 절연부를 형성한다.
c) 절연부가 형성된 배면 전극층의 표면에 광흡수층 및 버퍼층을 순차적으로 형성하고, 또한 상기 광흡수층 및 버퍼층에 대해 제2 스크라이빙을 진행하여 상기 광흡수층 및 버퍼층을 관통하는 제2 그루브를 형성한다. 그 중, 상기 제2 스크라이빙은 기계 스크라이빙이고, 상기 제2 그루브의 폭은 약 70㎛이다. 상기 제2 그루브를 통해 부분적으로 노출되는 상기 절연부의 영역의 폭 d1은 약 15㎛이다. 상기 광흡수층은 두께가 약 3㎛인 구리 인듐 갈륨 셀렌화물이다. 상기 버퍼층은 두께가 약 80nm인 황화 카드뮴이다.
d) 버퍼층의 표면에 상부 전극층을 형성하여, 상기 상부 전극층을 제2 그루브로 연장되게 하고, 또한 상기 상부 전극층, 버퍼층 및 광흡수층에 대해 제 3 스크라이빙을 진행하여 상기 상부 전극층, 버퍼층 및 광흡수층을 관통하는 제 3 그루브를 형성하여, 직렬로 연결된 복수의 전지 유닛을 얻는다. 그 중, 상기 제3 스크라이빙은 기계 스크라이빙이다. 제 3 그루브와 제2 그루브의 간격은 40㎛이다. 상기 상부 전극층은 두께가 약 30㎛인 AZO 투명 전도성 박막이다. 상기 제 3 그루브의 폭은 약 70㎛이다.
실시예 2의 박막 태양 전지의 제조 방법은 실시예 1과 기본적으로 동일하다. 차이점은, 상기 제2 그루브를 통해 부분적으로 노출되는 상기 절연부의 영역의 폭 d1; 및 제1 그루브, 제2 그루브 및 제 3 그루브의 폭이 다르다는 점이다.
얻어진 박막 태양 전지의 제1 그루브와 제 3 그루브 간의 폭은 약 215μm이다.
실시예 3
본 실시예 3은 박막 태양 전지를 제공한다. 상기 박막 태양 전지의 제조 방법은 다음과 같다:
a) 기판을 제공하고, 또한 기판 상에 마그네트론 스퍼터링법을 통해 배면 전극층을 형성한다. 그런 다음, 상기 배면 전극층에 대해 제1 스크라이빙을 진행하여, 상기 배면 전극층에 상기 배면 전극층을 관통하는 복수의 제1 그루브를 형성한다.
그 중, 상기 기판의 재료는 유리이고, 상기 배면 전극층은 금속 Mo 층이다. 마그네트론 스퍼터링법의 파라미터로서: 가스 소스는 아르곤, 타겟 재료는 금속 Mo, 진공도는 0.1Pa ~ 0.7Pa이다. 상기 제1 스크라이빙은 레이저 스크라이빙이고, 상기 제1 그루브의 폭은 약 40㎛이다.
b) 마스크를 제공하고, 마그네트론 스퍼터링법을 통해 상기 제1 그루브 내에 재료가 Si3N4인 절연부를 형성한다.
c) 절연부가 형성된 배면 전극층의 표면에 광흡수층 및 버퍼층을 순차적으로 형성하고, 또한 상기 광흡수층 및 버퍼층에 대해 제2 스크라이빙을 진행하여 상기 광흡수층 및 버퍼층을 관통하는 제2 그루브를 형성한다. 그 중, 상기 제2 스크라이빙은 기계 스크라이빙이다. 상기 제2 그루브의 폭은 약 80㎛이다. 상기 제2 그루브를 통해 부분적으로 노출되는 상기 절연부의 영역의 폭 d1은 약 5㎛이다. 상기 광흡수층은 두께가 약 3㎛인 구리 인듐 갈륨 셀렌화물이다. 상기 버퍼층은 두께가 약 80nm인 황화 카드뮴이다.
d) 버퍼층의 표면에 상부 전극층을 형성하여, 상기 상부 전극층을 제2 그루브로 연장되게 하고, 또한 상기 상부 전극층, 버퍼층 및 광흡수층에 대해 제 3 스크라이빙을 진행하여 상기 상부 전극층, 버퍼층 및 광흡수층을 관통하는 제 3 그루브를 형성하여, 직렬로 연결된 복수의 전지 유닛을 얻는다. 그 중, 상기 제3 스크라이빙은 기계 스크라이빙이다. 제 3 그루브와 제2 그루브의 간격은 40㎛이다. 상기 상부 전극층은 두께가 약 30㎛인 AZO 투명 전도성 박막이다. 상기 제 3 그루브의 폭은 약 80㎛이다.
실시예 3의 박막 태양 전지의 제조 방법은 실시예 1과 기본적으로 동일하다. 차이점은, 상기 제2 그루브를 통해 부분적으로 노출되는 상기 절연부의 영역의 폭 d1; 및 제1 그루브, 제2 그루브 및 제 3 그루브의 폭이 다르다는 점이다.
얻어진 박막 태양 전지의 제1 그루브와 제 3 그루브 간의 폭은 약 235μm이다.
실시예 4
본 실시예 4는 박막 태양 전지를 제공한다. 상기 박막 태양 전지의 제조 방법은 다음과 같다:
a) 기판을 제공하고, 또한 기판 상에 마그네트론 스퍼터링법을 통해 배면 전극층을 형성한다. 그런 다음, 상기 배면 전극층에 대해 제1 스크라이빙을 진행하여, 상기 배면 전극층에 상기 배면 전극층을 관통하는 복수의 제1 그루브를 형성한다.
그 중, 상기 기판의 재료는 유리이고, 상기 배면 전극층은 금속 Mo 층이다. 마그네트론 스퍼터링법의 파라미터로서: 가스 소스는 아르곤, 타겟 재료는 금속 Mo, 진공도는 0.1Pa ~ 0.7Pa이다. 상기 제1 스크라이빙은 레이저 스크라이빙이고, 상기 제1 그루브의 폭은 약 40㎛이다.
b) 마스크를 제공하고, 마그네트론 스퍼터링법을 통해 상기 제1 그루브 내에 재료가 Si3N4인 절연부를 형성한다.
c) 절연부가 형성된 배면 전극층의 표면에 광흡수층 및 버퍼층을 순차적으로 형성하고, 또한 상기 광흡수층 및 버퍼층에 대해 제2 스크라이빙을 진행하여 상기 광흡수층 및 버퍼층을 관통하는 제2 그루브를 형성한다. 그 중, 상기 제2 스크라이빙은 기계 스크라이빙이다. 상기 제2 그루브의 폭은 약 60㎛이다. 상기 절연부는 상기 제2 그루브를 통해 노출되지 않는다(즉, 상기 제2 그루브를 통해 부분적으로 노출되는 상기 절연부의 영역의 폭 d1은 0이다). 상기 제2 그루브와 제1 그루브의 간격은 10㎛이다. 상기 광흡수층은 두께가 약 3㎛인 구리 인듐 갈륨 셀렌화물이다. 상기 버퍼층은 두께가 약 80nm인 황화 카드뮴이다.
d) 버퍼층의 표면에 상부 전극층을 형성하여, 상기 상부 전극층을 제2 그루브로 연장되게 하고, 또한 상기 상부 전극층, 버퍼층 및 광흡수층에 대해 제 3 스크라이빙을 진행하여 상기 상부 전극층, 버퍼층 및 광흡수층을 관통하는 제 3 그루브를 형성하여, 직렬로 연결된 복수의 전지 유닛을 얻는다. 그 중, 상기 제3 스크라이빙은 기계 스크라이빙이고, 제 3 그루브와 제2 그루브의 간격은 40㎛이다. 상기 상부 전극층은 두께가 약 30㎛인 AZO 투명 전도성 박막이다. 상기 제 3 그루브의 폭은 약 60㎛이다.
실시예 4의 박막 태양 전지의 제조 방법은 실시예 1과 기본적으로 동일하다. 차이점은, 상기 제1 스크라이빙의 위치와 제2스크라이빙의 위치가 이격되어 있다는 점, 즉 c) 단계에서 제2 스크라이빙 후, 상기 절연부가 상기 제2 그루브를 통해 노출되지 않는다는 점과; 제1 그루브의 폭이 다르다는 점이다.
얻어진 박막 태양 전지의 제1 그루브와 제 3 그루브 간의 폭은 약 210μm이다.
본 발명의 박막 태양 전지의 우수한 성능을 보다 잘 설명하기 위해, 하나의 비교예가 또한 제공된다.
비교예
본 비교예는 박막 태양 전지를 제공한다. 상기 박막 태양 전지의 제조 방법은 다음과 같다:
a) 기판을 제공하고, 또한 기판 상에 마그네트론 스퍼터링법을 통해 배면 전극층을 형성한다. 그런 다음, 상기 배면 전극층에 대해 제1 스크라이빙을 진행하여, 상기 배면 전극층에 상기 배면 전극층을 관통하는 복수의 제1 그루브를 형성한다.
그 중, 상기 기판의 재료는 유리이고, 상기 배면 전극층은 금속 Mo 층이다. 마그네트론 스퍼터링법의 파라미터로서: 가스 소스는 아르곤, 타겟 재료는 금속 Mo, 진공도는 0.1Pa ~ 0.7Pa이다. 상기 제1 스크라이빙은 레이저 스크라이빙이고, 상기 제1 그루브의 폭은 약 60㎛이다.
b) 제1 그루브가 형성된 배면 전극층의 표면에 광흡수층 및 버퍼층을 순차적으로 형성하고, 또한 상기 광흡수층 및 버퍼층에 대해 제2 스크라이빙을 진행하여 상기 광흡수층 및 버퍼층을 관통하는 제2 그루브를 형성한다. 그 중, 상기 제2 스크라이빙은 기계 스크라이빙이고, 상기 제2 그루브의 폭은 약 60㎛이다. 제2 그루브와 제1 그루브의 간격은 40㎛이다. 상기 광흡수층은 두께가 약 3㎛인 구리 인듐 갈륨 셀렌화물이다. 상기 버퍼층은 두께가 약 80nm인 황화 카드뮴이다.
c) 버퍼층의 표면에 상부 전극층을 형성하여, 상기 상부 전극층을 제2 그루브로 연장되게 하고, 또한 상기 상부 전극층, 버퍼층 및 광흡수층에 대해 제 3 스크라이빙을 진행하여 상기 상부 전극층, 버퍼층 및 광흡수층을 관통하는 제 3 그루브를 형성하여, 직렬로 연결된 복수의 전지 유닛을 얻는다. 그 중, 상기 제3 스크라이빙은 기계 스크라이빙이다. 상기 상부 전극층은 두께가 약 800nm인 AZO 투명 전도성 박막이다. 상기 제 3 그루브의 폭은 약 60㎛이다. 제 3 그루브와 제2 그루브의 간격은 40㎛이다.
본 비교예의 박막 태양 전지의 제조 방법은 실시예 4와 기본적으로 동일하다. 차이점은, 제1 그루브 내에 절연부를 형성하는 단계가 없고, 직접 상기 배면 전극층 상에 광흡수층을 형성한다는 점이 다르다. 즉, 제1 그루브 내에는 광흡수층이 충전된다.
얻어진 박막 태양 전지의 제1 그루브와 제 3 그루브 간의 폭(이는 데드 존의 폭을 나타낼 수 있음)은 약 260㎛이다. 실시예 1과 비교하여, 비교예의 데드 존 부분의 면적이 큰 것을 알 수 있다. 상기 실시예 1 내지 실시예 4에서 알 수 있듯이, 박막 태양 전지의 데드 존 면적을 대폭 감소시킬 수 있으므로, 적용 시, 박막 태양 전지의 광전 변환 효율을 크게 향상시킬 수 있다.
전술한 3 개 그루브의 폭은 실시 공정에 따라 조정될 수 있고, 상기 크기에 한정되지 않으며, 또한 전술한 상기 실시예의 기술적 특징은 임의로 조합될 수 있다. 설명의 간략화를 위해, 상기 실시예의 다양한 기술적 특징의 모든 가능한 조합에 대해 설명을 진행하지는 않았지만, 이들 기술적 특징의 조합에 모순이 없는 한, 본 명세서에 기재된 범위로 고려되어야 한다.
전술한 실시예는 단지 본 발명의 일부 실시 방식을 설명하기 위한 것이며, 그 설명이 보다 구체적이고 상세하지만, 본 발명의 특허 범위를 한정하는 것으로 이해해서는 안 된다. 본 분야의 기술자는, 본 발명의 사상을 벗어나지 않고, 다양한 변형 및 수정을 행할 수 있으며, 이러한 것은 모두 본 발명의 보호 범위에 속함을 알아야 한다. 그러므로, 본 발명의 보호 범위는 청구 범위를 기준으로 결정되어야 한다.

Claims (15)

  1. 기판과 상기 기판 상에 설치된 복수의 전지 유닛을 포함하는 박막 태양 전지에 있어서,
    상기 복수의 전지 유닛 중의 각 전지 유닛은 순차적으로 설치된 배면 전극층, 광흡수층, 버퍼층 및 상부 전극층을 포함하며,
    상기 복수의 전지 유닛 중의 임의의 인접한 2개의 전지 유닛의 배면 전극층 사이에는 상기 배면 전극층을 관통하는 제1 그루브가 마련되고, 상기 제1 그루브 내에는 절연부가 충전되어, 상기 인접한 2 개의 전지 유닛의 배면 전극층 사이를 절연되게 이격시키며;
    상기 복수의 전지 유닛 중의 각 전지 유닛에는 상기 광흡수층과 상기 버퍼층을 관통하는 제2 그루브가 마련되고, 상기 인접한 2 개의 전지 유닛의 어느 하나의 전지 유닛의 상기 상부 전극층은 상기 전지 유닛의 상기 버퍼층을 덮고 또한 상기 전지 유닛의 상기 제2 그루브 내로 연장되어 상기 인접한 2개 전지 유닛 중의 다른 하나의 전지 유닛의 배면 전극층과 접촉하여, 상기 인접한 2개의 전지 유닛을 직렬로 연결하며; 그리고,
    상기 인접한 2개의 전지 유닛 사이에는 제 3 그루브가 마련되고, 상기 제3 그루브는 상기 인접한 2개의 전지 유닛의 상부 전극층을 절연되게 이격시키는, 박막 태양 전지.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제3 그루브는 상기 인접한 2개의 상기 전지 유닛의 상부 전극층, 버퍼층 및 광흡수층을 관통하고 또한 이격시키는, 박막 태양 전지.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 절연부은 마스크 증착 방식을 사용하여 상기 제1 그루브를 충전하는, 박막 태양 전지.
  4. 청구항 1 또는 청구항 3에 있어서,
    상기 절연부의 재료는 Si3N4, AlN, SiO2 및 Al2O3 중 적어도 하나 또는 복수인, 박막 태양 전지.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 인접한 2개의 전지 유닛은 제1 전지 유닛과 제2 전지 유닛을 포함하고, 상기 제1 전지 유닛과 상기 제2 전지 유닛 사이의 제1 그루브 내에는 제1 절연부가 충전되며;
    상기 제1 전지 유닛에는 상기 제1 전지 유닛의 광흡수층 및 상기 버퍼층을 관통하는 제2 그루브가 마련되고, 상기 제1 절연부의 일부분 및 상기 제2 전지 유닛의 배면 전극층의 일부분은 상기 제1 전지 유닛의 제2 그루브의 저부로부터 노출되며,
    상기 제1 전지 유닛의 제2 그루브 내에 위치하는 상부 전극층은 상기 제1 절연부의 일부분 및 상기 제2 전지 유닛의 배면 전극층의 일부분을 덮는, 박막 태양 전지.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 제1 전지 유닛의 제2 그루브로 연장되는 상기 제1 전지 유닛의 상부 전극층의 일부분과 상기 제1 절연부가 서로 겹치는 영역의 폭을 d1로 정의하고, 상기 제1 절연부의 폭을 m로 정의하며, m 및 d1은 m>d1>0의 조건을 만족하는, 박막 태양 전지.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 박막 태양 전지는 적어도 하나의 산화 아연층을 더 포함하며, 상기 산화 아연층은 상기 배면 전극층과 광흡수층의 사이, 또는 광흡수층과 버퍼층의 사이, 또는 버퍼층과 상부 전극층의 사이에 설치되는, 박막 태양 전지.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 제2 그루브와 제3 그루브의 폭은 모두 50㎛ ~ 80㎛이며, 또는,
    상기 제2 그루브와 제3 그루브의 폭은 모두 약 50㎛ ~ 약 80㎛인, 박막 태양 전지.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 절연부의 두께는 상기 배면 전극층의 두께보다 크거나 같은, 박막 태양 전지.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 광흡수층의 재료는 구리 인듐 갈륨 셀레늄, 구리 인듐 셀레늄 및 구리 인듐 갈륨 황화물 중의 어느 하나인, 박막 태양 전지.
  11. 기판에 배면 전극층을 형성하며;
    제1 스크라이빙 공정을 진행하여, 상기 배면 전극층 상에 제1 그루브를 형성하며;
    상기 제1 그루브 내에 절연부를 형성하며;
    상기 절연부가 형성된 상기 배면 전극층의 표면에 광흡수층과 버퍼층을 순차적으로 형성하고, 또한 상기 광흡수층과 버퍼층에 대해 제2 스크라이빙 공정을 진행하여 상기 광흡수층과 버퍼층을 관통하는 제2 그루브를 형성하며;
    상기 버퍼층의 표면에 상부 전극층을 형성하고, 또한 상기 상부 전극층을 제2 그루브로 연장되게 하여, 상기 인접한 2 개의 전지 유닛 중의 어느 하나의 전지 유닛의 상기 상부 전극층이 상기 인접한 2개의 전지 유닛 중의 다른 하나의 인접한 상기 전지 유닛의 배면 전극층과 접촉하게 하며;
    상기 상부 전극층, 버퍼층 및 광흡수층에 대해 제3 스크라이빙 공정을 진행하여 상기 상부 전극층, 버퍼층 및 광흡수층을 관통하는 제 3 그루브를 형성하는 것을 포함하는, 박막 태양 전지의 제조 방법.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 제2 스크라이빙 공정에 의해 형성된 제2 그루브는 상기 제1 스크라이빙 공정에 의해 형성된 상기 제1 그루브의 일부분과 겹치는, 박막 태양 전지의 제조 방법.
  13. 청구항 11에 있어서,
    상기 제1 스크라이빙 공정은 레이저 스크라이빙이고; 제2 스크라이빙 공정 및 제 3 스크라이빙 공정은 기계 스크라이빙인, 박막 태양 전지의 제조 방법.
  14. 청구항 11에 있어서,
    상기 절연부는 마그네트론 스퍼터링법, 스핀 코팅법, 스프레이 코팅법 또는 화학 기상 증착법 중의 어느 하나를 통해 형성되는, 박막 태양 전지의 제조 방법.
  15. 청구항 11에 있어서,
    상기 절연부는 마스크 증착 방식을 사용하여 상기 제1 그루브 내에 형성되는, 박막 태양 전지의 제조 방법.
KR1020187030617A 2018-02-01 2018-06-11 박막 태양 전지 KR20190094288A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810102076.3 2018-02-01
CN201810102076.3A CN108565303A (zh) 2018-02-01 2018-02-01 薄膜太阳能电池组件
PCT/CN2018/090710 WO2019148733A1 (zh) 2018-02-01 2018-06-11 薄膜太阳能电池

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20190094288A true KR20190094288A (ko) 2019-08-13

Family

ID=63530145

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187030617A KR20190094288A (ko) 2018-02-01 2018-06-11 박막 태양 전지

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20200303572A1 (ko)
EP (1) EP3748696A1 (ko)
JP (1) JP2020508559A (ko)
KR (1) KR20190094288A (ko)
CN (1) CN108565303A (ko)
WO (1) WO2019148733A1 (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111403544A (zh) * 2018-12-27 2020-07-10 北京汉能光伏投资有限公司 受损太阳能电池芯片回收方法及装置
JP2022085070A (ja) * 2020-11-27 2022-06-08 株式会社リコー 光電変換モジュール、電子機器、及び電源モジュール
CN112786737A (zh) * 2021-01-26 2021-05-11 凯盛光伏材料有限公司 Cigs薄膜太阳能电池组件及其刻划方法
WO2023084571A1 (ja) 2021-11-09 2023-05-19 株式会社 東芝 太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽電池発電システム
CN114335360B (zh) * 2022-01-10 2023-05-05 华能新能源股份有限公司 一种免划刻大面积钙钛矿太阳能电池的制备方法
CN117981093A (zh) 2022-08-31 2024-05-03 株式会社东芝 太阳能电池、多结型太阳能电池、太阳能电池模块以及太阳能电池发电系统

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4804611B2 (ja) * 2000-04-24 2011-11-02 株式会社カネカ 集積型ハイブリッド薄膜太陽電池の製造方法
EP2073269A1 (en) * 2007-12-21 2009-06-24 Helianthos B.V. Method for providing a series connection in a solar cell system
JP2010062185A (ja) * 2008-09-01 2010-03-18 Mitsubishi Electric Corp 光電変換装置およびその製造方法
US20120186634A1 (en) * 2009-03-31 2012-07-26 Lg Innotek Co.,Ltd Solar cell apparatus and method of fabricating the same
KR101091475B1 (ko) * 2009-06-30 2011-12-07 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
JP2012204617A (ja) * 2011-03-25 2012-10-22 Idemitsu Kosan Co Ltd 光起電力素子、及び当該光起電力素子の製造方法
KR101189309B1 (ko) * 2011-10-11 2012-10-09 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 태양전지 모듈
KR101283072B1 (ko) * 2011-10-18 2013-07-05 엘지이노텍 주식회사 태양광 발전장치 및 이의 제조방법
JP2013149698A (ja) * 2012-01-18 2013-08-01 Fujifilm Corp 集積化太陽電池の製造方法
CN103378106A (zh) * 2012-04-28 2013-10-30 杜邦太阳能有限公司 太阳能电池及其制造方法
US20150263195A1 (en) * 2014-03-14 2015-09-17 Tsmc Solar Ltd. Solar cell and method of fabricating same
NL2014041B1 (en) * 2014-12-23 2016-10-12 Stichting Energieonderzoek Centrum Nederland Method for manufacturing a thin film solar cell arrangement and such a thin film solar cell arrangement.
CN106229353B (zh) * 2016-08-19 2017-11-24 中山瑞科新能源有限公司 一种先并联再串联的薄膜电池组件制备方法
CN208256689U (zh) * 2018-02-01 2018-12-18 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 薄膜太阳能电池组件

Also Published As

Publication number Publication date
JP2020508559A (ja) 2020-03-19
CN108565303A (zh) 2018-09-21
US20200303572A1 (en) 2020-09-24
EP3748696A1 (en) 2020-12-09
WO2019148733A1 (zh) 2019-08-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20190094288A (ko) 박막 태양 전지
KR102098100B1 (ko) 태양전지 및 이의 제조 방법
EP3748692A1 (en) Manufacturing method of thin film solar cell
US8962984B2 (en) Solar cell apparatus and manufacturing method thereof
US8779282B2 (en) Solar cell apparatus and method for manufacturing the same
US9818897B2 (en) Device for generating solar power and method for manufacturing same
US20170330984A1 (en) Photovoltaic module and a method for producing the same
KR20130109330A (ko) 태양전지 및 이의 제조 방법
KR101283072B1 (ko) 태양광 발전장치 및 이의 제조방법
KR101295547B1 (ko) 박막 태양 전지 모듈 및 그 제조 방법
KR102042026B1 (ko) 태양전지
AU2018101195A4 (en) Solar cell and manufacturing method therefor
CN208256689U (zh) 薄膜太阳能电池组件
US20150144182A1 (en) Solar cell and method for manufacturing same
KR20120035514A (ko) 태양광 발전장치 및 이의 제조방법
KR101306529B1 (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
KR101934434B1 (ko) 태양전지 및 이의 제조 방법
CN113488593B (zh) 薄膜光伏结构
KR20130119072A (ko) 태양광 발전장치
KR101210162B1 (ko) 태양광 발전장치 및 이의 제조방법
US20130008504A1 (en) Solar power generating apparatus and method for manufacturing same
KR101241521B1 (ko) 탠덤형 태양전지 및 그의 제조방법
KR20150057807A (ko) 태양 전지 및 그 제조 방법
KR20150031974A (ko) 태양전지
KR20150082978A (ko) 태양전지 및 이의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application