KR20190091245A - 파이버 상에 형성된 저항성 메모리 소자 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
파이버 상에 형성된 메모리 소자 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 메모리 소자의 제조방법은 파이버의 표면을 평탄화 시키며, 하부 전극을 형성하는 과정과, 상기 하부 전극 상에 메모리 저항층을 형성하는 과정과, 상기 메모리 저항층 상에 상부 전극을 형성하는 과정을 포함하고, 상기 파이버 표면의 평탄화와 상기 하부전극의 형성은 동시에 진행된다.
Description
본 개시는 파이버 메모리 소자에 관한 것으로, 보다 자세하게는 파이버 상에 형성된 저항성 메모리 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
전자소자의 응용 분야가 넓어지면서 종래의 실리콘 또는 글래스 등의 기판 위에 존재하는 전자소자의 한계를 극복할 수 있는 구조를 지닌 전자소자에 대한 요구가 커지고 있다. 특히 스마트 의복, 유전체 엘라스토머 액츄에이터(dielectric elastomer actuator: DEA), 생체적합성 전극, 생체 내 전기적 신호 감지 등과 같은 분야에 대한 관심이 증가하고 있다. 직물 플랫폼(platform) 상에 형성된 센서를 통하여 얻어진 정보를 외부 기기에 전송하는 과정에서, 에너지 효율 측면에서 센서와 함께 메모리 소자를 포함하여 일정 시간 데이터를 저장하는 것이 유리하며, 특히 스테틱 파워(static power) 소모 최소화를 위해 비휘발성 메모리 소자가 요구된다.
일반적으로 반도체 메모리 소자는 회로적으로 연결된 많은 메모리 셀들을 포함하고 있다. 대표적인 반도체 메모리인 DRAM(Dynamic Random Access Memory)의 경우, 단위 메모리 셀은 한 개의 스위치와 한 개의 커패시터로 구성된다. DRAM은 집적도가 높고 동작 속도가 빠른 이점이 있다. 그러나, 전원이 꺼진 후에는 저장된 데이타가 모두 소실되는 단점이 있다. 전원이 꺼진 후에도 저장된 데이타가 보존될 수 있는 비휘발성 메모리 소자의 대표적인 예가 플래쉬 메모리이다. 플래쉬 메모리는 휘발성 메모리와 달리 비휘발성의 특성을 지니고 있으나 DRAM에 비해 집적도가 낮고 동작 속도가 느린 단점이 있다.
현재, 많은 연구가 진행되고 있는 비휘발성 메모리 소자로, MRAM(Magnetic Random Access Memory), FRAM(Ferroelectric Random Access Memory), PRAM(Phase-change Random Access Memory) 및 RRAM(resistance random access memory) 등이 있다.
본 발명의 일 측면은 파이버 상에 형성된 저항성 메모리 소자에 관한 것이다.
본 발명의 다른 측면은 파이버 상에 형성된 저항성 메모리 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 실시예에서는,
파이버;
상기 파이버 상에 형성된 하부 전극;
상기 하부 전극 상에 형성된 메모리 저항층; 및
상기 메모리 저항층 상에 형성된 상부 전극;을 포함하는 파이버 상에 형성된 저항성 메모리 소자를 제공할 수 있다.
상기 메모리 저항층 및 상기 상부 전극 사이에 형성된 중간 전극 및 스위칭층을 더 포함할 수 있다.
상기 파이버는 천연 섬유, 화학 섬유 또는 이들의 혼합물로 형성된 것일 수 있다.
상기 파이버는 폴리스티렌(polystyrene), 폴리에스터(polyester) 또는 폴리 우레탄(polyurethane)을 포함할 수 있다.
상기 파이버는 20nm 내지 150㎛의 직경을 지닌 것일 수 있다.
상기 파이버는 단방향 직물, 준단방향 직물, 편평사 또는 나노 파이버로 형성된 것일 수 있다.
상기 파이버는 그 표면에 전도성 물질로 형성된 코팅층을 더 포함할 수 있다.
상기 코팅층은 100nm 내지 10㎛의 두께로 형성된 것일 수 있다.
상기 메모리 저항층은 Si 산화물, WO 산화물, Nb 산화물, Ge2Sb2Te5, Zr 산화물, Hf 산화물, SiC, Ti 산화물, Ta 산화물, PrCaMnO, Polyfourene based Organic Material, Zn 산화물, Al 산화물, Nb-doped SrTiO3, V 산화물, Al-Nb co-doped PbZrTiO, LaAlO3, Cu-doped Mo 산화물, Gd 산화물, Ln 산화물, Pr 산화물, Dy 산화물, Eu 산화물, Zn 산화물 또는 CuC로 형성된 것일 수 있다.
상기 저항성 메모리 소자는 직물 기반의 센서 시스템과 연결된 것일 수 있다.
상기 파이버 및 상기 하부 전극 사이에 형성된 절연층을 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에서는,
파이버의 표면을 평탄화 시키며, 하부 전극을 형성하는 단계;
상기 하부 전극 상에 메모리 저항층을 형성하는 단계; 및
상기 메모리 저항층 상에 상부 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 파이버 상에 형성된 저항성 메모리 소자 제조 방법을 제공한다.
상기 파이버 표면을 평탄화시키기 위하여, 상기 파이버 표면에 무전해 도금 또는 스퍼터링 공정에 의해 전도성 물질층을 형성하는 것을 포함할 수 있다.
상기 메모리 저항층 상에 중간 전극 및 스위칭층을 형성하고, 상기 스위칭층 상에 상부 전극을 형성하는 공정을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 하나 또는 다수의 파이버 상에 형성되며, 안정된 메모리 특성을 지닌 저항성 메모리 소자를 제공할 수 있다. 또한, 하나 또는 다수의 파이버 상에 저항성 메모리 소자를 용이하게 제조할 수 있는 박막 트랜지스터의 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 파이버 상에 형성된 저항성 메모리 소자의 구조를 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 파이버 상에 형성된 저항성 메모리 소자에 관한 것으로, 문턱 스위칭(threshold switching) 특성을 지닌 물질층을 더 포함하는 구조를 나타낸 도면이다.
도 3a 및 도 3b는 평탄한 표면을 지닌 파이버 상에 형성된 저항성 메모리 소자를 나타낸 도면이다.
도 4a 및 도 4b는 나노 사이즈의 직경을 지닌 파이버 상에 형성된 저항성 메모리 소자를 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 파이버 상에 형성된 저항성 메모리 소자의 인가 전압에 따른 전류 값의 변화를 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 파이버 상에 형성된 저항성 메모리 소자의 endurance 특성을 나타낸 그래프이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 파이버 상에 형성된 저항성 메모리 소자의 리텐션(retention) 특성을 나타낸 그래프이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 파이버 상에 형성된 저항성 메모리 소자에 관한 것으로, 문턱 스위칭(threshold switching) 특성을 지닌 물질층을 더 포함하는 구조를 나타낸 도면이다.
도 3a 및 도 3b는 평탄한 표면을 지닌 파이버 상에 형성된 저항성 메모리 소자를 나타낸 도면이다.
도 4a 및 도 4b는 나노 사이즈의 직경을 지닌 파이버 상에 형성된 저항성 메모리 소자를 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 파이버 상에 형성된 저항성 메모리 소자의 인가 전압에 따른 전류 값의 변화를 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 파이버 상에 형성된 저항성 메모리 소자의 endurance 특성을 나타낸 그래프이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 파이버 상에 형성된 저항성 메모리 소자의 리텐션(retention) 특성을 나타낸 그래프이다.
이하에서는 본 발명의 실시예에 따른 파이버 상에 형성된 저항성 메모리 소자에 대해 상세히 설명하고자 한다. 이 과정에서 도면에 도시된 층이나 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위해 과장되게 도시된 것이다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 파이버 상에 형성된 저항성 메모리 소자의 구조를 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 파이버 상에 형성된 저항성 메모리 소자는 파이버(10) 상에 형성된 하부 전극(12), 하부 전극(12) 상에 형성된 메모리 저항층(14) 및 메모리 저항층(14) 상에 형성된 상부 전극(16)을 포함할 수 있다.
그리고, 도 2를 참조하면, 파이버(20) 상에 형성된 하부 전극(22), 하부 전극(22) 상에 순차적으로 형성된 메모리 저항층(24), 중간 전극(25), 스위칭층(26) 및 상부 전극(27)을 포함할 수 있다.
이하, 도 1 및 도 2에 나타낸 파이버 상에 형성된 저항성 메모리 소자의 각 층을 형성하는 물질들에 대해 설명한다.
파이버(10, 20)는 기판 역할을 할 수 있는 것으로 유연한 재질을 지닌 다수의 직물 섬유 가닥들이 소정의 패턴으로 짜여진 2차원 형상을 가진 것일 수 있다. 그리고, 파이버(10, 20)의 표면에는 코팅된 도전성 물질을 포함할 수 있다. 파이버(10, 20)는 그 단면의 폭(width)에 비해 길이가 수배 또는 수백배 이상, 예를 들어 100 내지 1000배인 월등히 긴 것일 수 있다. 파이버(10, 20)는 가요성을 지닌 천연 섬유, 화학 섬유 또는 이들의 혼합물로 형성된 것일 수 있으며, 평활성, 내수성, 인장 강도 등이 우수한 것이다. 예를 들어, 파이버(10, 20)는 폴리스티렌(polystyrene), 폴리에스터(polyester) 또는 폴리 우레탄(polyurethane) 등과 같은 폴리머를 포함할 수 있다. 파이버(10, 20)의 종류는 이에 한정되는 것이 아니라, 목재 펄프, 마, 라미, 삼베, 또는 모로부터 생성된 천연 섬유일 수 있으며, 비닐론, 나일론, 아크릴, 레이온, 또는 아스베스토 섬유로부터 생성된 화학 섬유일 수 있다. 그리고, 파이버(10, 20)는 단일 또는 다수의 섬유 가닥으로 형성된 것일 수 있으며, 그 단면의 형상은 제한이 없으며, 원형, 타원형 또는 사각형을 포함하는 다각형 등 다양한 형태로 형성된 것일 수 있다. 파이버(10, 20)의 직경은 필요에 따라 다양하게 조절될 수 있으며, 예를 들어 20nm 내지 150㎛의 직경을 지닐 수 있다. 또한, 수 내지 수백 nm 단위의 나노 사이즈의 직경을 지닌 것일 수 있다.
저항성 메모리 소자가 형성되는 파이버의 직경, 단면 형상, 표면 평탄도 등은 제한되지 않음은 상술한 바와 같다. 따라서, 파이버가 일방향으로 형성된 단방향 직물(unidirectional fabric) 또는 준단방향 직물(Quasi-unidirectional fabric)도 포함하며, 그 표면이 비교적 평탄한 편평사(flat yarn)나 매우 작은 직경을 지닌 나노 파이버도 사용 가능하다.
파이버(10, 20)의 표면은 선택적으로 전도성 물질로 형성된 코팅층을 포함할 수 있으며, 코팅층은 하부 전극(12, 22)의 형성 과정에서 하부 전극(12, 22)과 동일한 물질로 형성된 것일 수 있다. 예를 들어, 코팅층은 Ni, Cu 또는 Au와 같은 물질로 형성된 것일 수 있으며, 무전해 도금 또는 스퍼터링 공정으로 형성될 수 있다. 코팅층은 100nm 내지 10㎛의 두께로 형성된 것일 수 있으며 이에 한정되지 않는다.
하부 전극(12, 22), 중간 전극(25) 및 상부 전극(16, 27)은 전도성 물질로 형성된 것일 수 있으며, 예를 들어 금속, 금속 합금, 전도성 금속 산화물, 전도성 금속 질화물 또는 전도성 고분자 중 적어도 하나의 물질을 포함하여 형성된 것일 수 있다. 예를 들어, Na, Mg, Al, Si, K, Ca, Sc, Titanium, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Rb, Sr, Y, Zr, Nb, Mo, Tc, RU, RH, Pd, Ag, Cd, In, Sn, Sb, Cs, Ba, Hf, Ta, W, Re, Ir, Pt, Au, Hg, Pb, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, EU, DY, HO, Er, TM, Yb, Lu 또는 그래핀(graphene) 등의 물질로 형성될 수 있다.
하부 전극(12, 22), 중간 전극(25) 및 상부 전극(16, 27)은 단일층 또는 서로 다른 물질의 다층 구조로 형성된 것일 수 있다. 도 1 및 도 2에서는 파이버(10, 20) 상에 형성된 메모리 셀 구조를 나타내었으나, 제 1방향으로 형성된 다수의 하부 전극(12, 22) 및 제 2방향으로 형성된 다수의 상부 전극(16, 27)이 교차하는 영역에 형성된 메모리 저항층(14, 24)을 포함하는 어레이 구조로 형성된 것일 수 있다.
파이버(10, 20) 및 하부 전극(12, 22) 사이에는 선택적으로 절연 물질을 포함하는 절연층이 더 형성될 수 있다. 파이버(10, 20) 상에 하부 전극이 직접 형성된 경우에는 하부 전극(12, 22)이 파이버(10, 20) 표면 평탄화의 역할을 할 수 있다. 만일 파이버(10, 20) 및 하부 전극(12, 22) 사이에 추가적으로 원하는 두께의 절연층이 형성된 경우, 절연층은 파이버(10, 20) 표면의 평탄화 또는 아이솔레이션(isolation) 등의 기능을 지닐 수 있다.
메모리 저항층(14, 24)은 인가 전압에 따른 저항 특성이 변하는 가변 저항(variable resistance) 특성을 지닌 물질로 형성된 것일 수 있다. 메모리 저항층(14, 24)은 가변 저항 특성을 지닌 전이금속 산화물(transition metal oxide: TMO), 페로브스카이트(perovskite) 및 기타 가변저항 특성을 지닌 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 메모리 저항층(14, 24)은 Si 산화물, WO 산화물, Nb 산화물, Ge2Sb2Te5, Zr 산화물, Hf 산화물, SiC, Ti 산화물, Ta 산화물, PrCaMnO, Polyfourene based Organic Material, Zn 산화물, Al 산화물, Nb-doped SrTiO3, V 산화물, Al-Nb co-doped PbZrTiO, LaAlO3, Cu-doped Mo 산화물, Gd 산화물, Ln 산화물, Pr 산화물, Dy 산화물, Eu 산화물, Zn 산화물 또는 CuC 등으로 형성된 것일 수 있다.
본 발명의 실시예에 의한 파이버 상에 형성된 저항성 메모리 소자는 스위치 구조체와 연결된 것일 수 있으며, 트랜지스터 또는 다이오드 등과 전기적으로 연결된 것일 수 있다. 도 2에 나타낸 스위칭층(26)은 pn접합 실리콘 다이오드 또는 산화물 다이오드로 형성된 것일 수 있다.
도 3a 및 도 3b는 평탄한 표면을 지닌 파이버 상에 형성된 저항성 메모리 소자를 나타낸 도면이다.
도 3a를 참조하면, 저항성 메모리 소자는 평탄한 표면을 지닌 파이버(30) 상에 순차적으로 형성된 하부 전극(31), 메모리 저항층(32) 및 상부 전극(35)을 포함한다. 그리고, 도 3b를 참조하면, 평탄한 표면을 지닌 파이버(30) 상에 순차적으로 형성된 하부 전극(31), 메모리 저항층(32), 중간 전극(33), 스위칭층(34) 및 상부 전극(35)을 포함한다.
도 3a 및 도 3b에 나타낸 파이버(30)는 단면이 직사각형(rectangular) 형태를 지닌 것으로, 비교적 평탄한 표면을 지니고 있다. 이러한 평탄한 표면을 지닌 직물 섬유로는 예를 들어 편평사(flat yarn)가 있으며, 다른 직물 섬유에 비해 우수한 표면 거칠기(roughness) 특성을 지닐 수 있다.
도 4a 및 도 4b는 나노 사이즈의 직경을 지닌 파이버 상에 형성된 저항성 메모리 소자를 나타낸 도면이다.
도 4a를 참조하면, 나노미터 사이즈를 지닌 파이버(40) 상에 순차적으로 형성된 하부 전극(41), 메모리 저항층(42) 및 상부 전극(45)을 포함한다. 그리고, 도 4b를 참조하면, 나노미터 사이즈를 지닌 파이버(40) 상부에 순차적으로 형성된 하부 전극(41), 메모리 저항층(42), 중간 전극(43), 스위칭층(44) 및 상부 전극(45)을 포함한다.
도 4a 및 도 4b는 매우 얇은 두께, 예를 들어 약 50nm 전후의 두께를 지닌 나노 파이버를 이용하여 그 상부에 저항성 메모리 소자를 형성시킨 것으로, 예를 들어 전기방사(electrospinning)를 이용하여 만들어진 것일 수 있으며, 표면 요철이 낮기 때문에 평탄화가 용이할 수 있다.
본 발명의 실시예에 의한 저항성 메모리 소자의 제조 방법에 대해 설명하면 다음과 같다. 먼저, 적어도 하나 이상의 직물 섬유를 포함하는 파이버를 마련하고 이를 평탄화 공정을 진행한다. 파이버의 표면은 요철 또는 요곡 구조를 지닐 수 있으며, 저항성 메모리 소자를 형성하기 위하여 그 표면을 평판화하는 작업이 요구된다. 상술한 바와 같이, 편평사 또는 나노 파이버의 경우에는 표면 거칠기 특성이 우수하기 때문에 비교적 얇은 두께의 전도성 물질층을 형성할 수 있다. 반면 표면 거칠기 특성이 나빠 요철이 심하게 형성된 파이버의 경우, 비교적 두꺼운 두께의 전도성 물질층을 형성할 수 있다. 이와 같은 평탄화 공정은 하부 전극을 형성하는 공정과 동시에 진행할 수 있다. 파이버의 표면 평탄화를 위하여, 무전해 도금 또는 스퍼터링 공정 등의 제조 공정을 이용할 수 있으며, 이에 한정된 것은 아니다.
파이버 및 하부 전극 사이에 절연 물질로 형성된 절연층이 더 포함될 수 있음은 상술한 바와 같다. 이 때 절연층은 파이버의 표면 평탄화 또는 아이솔레이션 등의 목적으로 형성시킬 수 있으며, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 각종 산화물 또는 질화물, 광경화형 절연 물질, 폴리머 실리콘 러버(silicon rubber) 등의 재료로 형성될 수 있다. 절연층의 형성 방법은 물질에 따라 다양한 방법으로 형성될 수 있으며, 화학 기상증착법, 물리 기상증착법, 스핀 코팅 등 제한되지 않는다. 예를 들어, 파이버 상에 실리콘 러버, 유기물, 솔벤트(solvent) 등을 스핀 코팅으로 도포한 뒤 자외선 경화 공정을 실시할 수 있다.
파이버의 표면을 평탄화하도록 원하는 두께를 지닌 하부 전극을 형성한 뒤에는 메모리 저항층 및 상부 전극을 순차적으로 형성할 수 있으며, 선택적으로 메모리 저항층 상에 중간 전극, 스위칭층 및 상부 전극을 순차적으로 형성할 수 있다. 이러한 층들은 물리 기상증착 또는 화학 기상증착 공정에 의하여 형성할 수 있다.
본 발명의 실시예에 의한 파이버 상에 형성된 저항성 메모리 소자는 직물 기반의 센서 시스템과 연결될 수 있으며, 어레이 구조로 형성된 것일 수 있다. 센서 시스템은 바이오, 광, 가스, 터치, 촉각, 압력, 온도 등 각종 센서를 포함할 수 있다. 그리고, 센서 시스템은 로직 소자를 포함할 수 있으며, 이러한 로직 소자는 본 발명의 실시예에 의한 파이버 상에 형성된 저항성 메모리 소자와 연결될 수 있다. 센서 시스템의 각 센서에서 감지된 정보를 저항성 메모리 소자에 저장한 뒤, 외부로 전송할 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 파이버 상에 형성된 저항성 메모리 소자의 인가 전압에 따른 전류 값의 변화를 나타낸 도면이다. 도 5는 파이버 기판 상에 약 100nm 두께로 형성된 Au 하부 전극, 약 100nm 두께로 형성된 SiC 메모리 저항층 및 약 100nm의 두께로 형성된 Cu 상부전극을 포함하는 저항성 메모리 소자를 제조한 뒤, 인가 전압을 변화시키면서 메모리 저항층에 흐르는 전류 값을 측정한 결과를 나타낸 것이다.
도 5를 참조하면, SiC는 바이 폴라(Bi-polar) 특성을 지닌 저항 변화 물질인 것을 알 수 있다. 하부 전극인 Au층에 그라운드(ground) 전압을 인가한 상태에서, Cu 상부 전극에 전압을 0V로부터 서서히 증가시키면, 특정의 전압에서 전류가 커지는, 저항상태가 작아지는 지점에 도달하게 되며, 이때의 전압을 셋 전압(set voltage)이라 한다. 이 상태에서 Cu 상부 전극에 인가하는 전압을 감소시켜 특정의 음전압에 도달하게 되면, 전류가 감소하는, 즉 저항 상태가 커지는 지점에 도달하게 되며, 이 때의 전압을 리셋 전압(reset voltage)라 한다. 이처럼 셋 전압과 리셋 전압은 메모리 저항층의 저항 상태를 변화시킬 수 있음을 나타낸다. 특정한 전압, 예를 들어, 0.2V에서 메모리 저항층의 저항 상태를 읽은 경우, 셋 또는 리셋 동작에 따라 저항 값이 서로 다르기 때문에 메모리 소자로 사용될 수 있다. 참고로, 메모리 저항층에 사용되는 물질의 종류에 따라 바이 폴라 또는 유니 폴라 특성을 얻을 수 있다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 파이버 상에 형성된 저항성 메모리 소자의 endurance 특성을 나타낸 그래프이다. 도 6은 파이버 기판 상에 약 100nm 두께로 형성된 Au 하부 전극, 약 100nm 두께로 형성된 SiC 메모리 저항층 및 약 100nm의 두께로 형성된 Cu 상부전극을 포함하는 저항성 메모리 소자를 제조한 뒤, 셋 및 리셋 동작을 약 400번에 걸쳐 실시하여 얻어진 결과를 나타낸 것이다.
도 6을 참조하면, 약 400번의 동작에 걸쳐 메모리 저항층의 높은 저항 상태 및 낮은 저항 상태가 큰 편차 없이 유지됨을 알 수 있다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 파이버 상에 형성된 저항성 메모리 소자의 리텐션(retention) 특성을 나타낸 그래프이다. 도 7은 파이버 기판 상에 약 100nm 두께로 형성된 Au 하부 전극, 약 100nm 두께로 형성된 SiC 메모리 저항층 및 약 100nm의 두께로 형성된 Cu 상부전극을 포함하는 저항성 메모리 소자를 제조한 뒤, 약 85℃에서 리텐션 특성을 평가한 결과로서, 약 10000초까지 메모리 저항층의 높은 저항 상태 및 낮은 저항 상태가 유지됨을 알 수 있다.
상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다, 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 따라서, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.
10, 20, 30, 40: 파이버 12, 22, 31, 41: 하부 전극
14, 24, 32, 42: 메모리 저항층 16, 27, 35, 45: 상부 전극
26, 34, 44: 스위칭층
14, 24, 32, 42: 메모리 저항층 16, 27, 35, 45: 상부 전극
26, 34, 44: 스위칭층
Claims (3)
- 파이버의 표면을 평탄화시키며, 하부전극을 형성하는 단계;
상기 하부전극 상에 메모리 저항층을 형성하는 단계; 및
상기 메모리 저항층 상에 상부전극을 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 파이버 표면의 평탄화와 상기 하부전극의 형성은 동시에 진행되는 파이버 상에 형성된 저항성 메모리 소자 제조방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 파이버 표면을 평탄화시키기 위하여, 상기 파이버 표면에 무전해 도금 또는 스퍼터링 공정에 의해 전도성 물질층을 형성하는 것을 포함하는 파이버 상에 형성된 저항성 메모리 소자 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 메모리 저항층 상에 중간 전극 및 스위칭층을 형성하고, 상기 스위칭층 상에 상부 전극을 형성하는 공정을 더 포함하는 파이버 상에 형성된 저항성 메모리 소자 제조 방법.
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