KR20190085077A - 2 layer photosensitive layer roll - Google Patents

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아사히 가세이 가부시키가이샤
아사히 가세이 가부시키가이샤
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Abstract

감광층 롤이, 지지체 필름과, 지지체 필름 상에 형성된 감광성 수지 조성물을 포함하는 감광층을 갖고, 감광성 수지 조성물은, 페놀 수지, 폴리이미드 전구체, 폴리벤즈옥사졸 전구체, 및 가용성 폴리이미드로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 개의 수지를 포함하고, 그리고 감광층은, 용융 점도가 500 Pa·s 이하가 되는 온도점을 갖는 층이다.Wherein the photosensitive layer roll comprises a support film and a photosensitive layer comprising a photosensitive resin composition formed on a support film, wherein the photosensitive resin composition comprises a phenol resin, a polyimide precursor, a polybenzoxazole precursor, and a soluble polyimide group And the photosensitive layer is a layer having a temperature point at which the melt viscosity is 500 Pa · s or less.

Description

2 층 감광층 롤2 layer photosensitive layer roll

본 발명은, 감광층 롤에 관한 것이다. The present invention relates to a photosensitive layer roll.

종래, 반도체 장치, 액정 표시 소자, 프린트 배선판 등의 패터닝에 이용되는 화상 형성 방법으로서, 일반적으로는 포토리소그래피법이 알려져 있었다. 포토리소그래피법에 있어서는, 통상, 감광성 수지 조성물의 용액을 구리 피복 적층판 등의 기판 상에 도포하여 건조시키는 방법, 또는 지지체, 감광성 수지 조성물로 이루어지는 층 (이하, 「감광층」이라고도 한다.), 및 필요에 따라 커버 필름을 순차 적층한 감광성 수지 적층체 (이하, 「드라이 필름 레지스트」라고도 한다.) 를 기판에 적층하는 방법 중 어느 것이 사용된다. 프린트 배선판의 제조에 있어서는, 후자가 다용된다.Conventionally, photolithography has been known as an image forming method used for patterning semiconductor devices, liquid crystal display elements, printed wiring boards, and the like. In the photolithography method, usually, a method of applying a solution of a photosensitive resin composition onto a substrate such as a copper clad laminate or the like and drying, or a method of forming a layer comprising a support, a photosensitive resin composition (hereinafter also referred to as a "photosensitive layer" And a method of laminating a photosensitive resin laminate (hereinafter also referred to as a " dry film resist ") in which cover films are sequentially laminated as needed, is laminated on a substrate. In the production of a printed wiring board, the latter is commonly used.

드라이 필름 레지스트는, 롤의 형태로 보관되는 경우가 있다 (특허문헌 1 참조). 특허문헌 1 에는, 드라이 필름 레지스트의 롤로부터 커버 필름을 생략하여 제조 비용을 삭감하기 위해서, 감광층과, 감광층의 두께의 5 분의 1 이하의 두께를 갖는 비점착성 외층을 순서대로 포함하는 감광성 복합체가 제안되어 있다.The dry film resist may be stored in the form of a roll (see Patent Document 1). Patent Document 1 discloses a photosensitive film comprising a photosensitive layer and a photosensitive layer containing a non-tacky outer layer having a thickness of not more than 1/5 of the thickness of the photosensitive layer in order to reduce the manufacturing cost by omitting the cover film from the roll of the dry film resist Complexes have been proposed.

드라이 필름 레지스트의 취급의 관점에서, 실온에서는 드라이 필름 레지스트에 점착성이 없고, 드라이 필름 레지스트를 기판 등에 열압착할 때 (즉, 라미네이트 시) 에 유동성을 발현할 것이 요구되고 있다 (특허문헌 2 참조). 특허문헌 2 에는, 기판 온도 20 ℃ 에서는 점착성이 없고, 또한 기판 상에 놓여도 위치 수정이 용이한 감광성 커버레이 필름이 제안되어 있다.From the viewpoint of handling of a dry film resist, there is no tackiness to a dry film resist at room temperature, and it is required to exhibit fluidity when a dry film resist is thermocompression bonded to a substrate or the like (that is, when laminating) (see Patent Document 2) . Patent Document 2 proposes a photosensitive coverlay film which has no tackiness at a substrate temperature of 20 ° C and is easy to position even when placed on a substrate.

또, 특허문헌 3 에는, 감광성 수지 조성물에 있어서 특정 구조를 갖는 페놀 수지를 비이온성 계면 활성제와 조합하여 사용함으로써, 저온 경화성과 경화막의 내약품성의 양립이 확인되어 있다. In Patent Document 3, both of low temperature curability and chemical resistance of a cured film are confirmed by using a phenolic resin having a specific structure in combination with a nonionic surface active agent in a photosensitive resin composition.

일본 공개특허공보 2001-175000호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2001-175000 일본 공개특허공보 2003-149803호Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-149803 일본 공개특허공보 2013-190697호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2013-190697

통상, 감광성 수지 적층체는 롤의 형태로 제조되고, 필요한 폭으로 슬릿되어 사용된다. 그러나, 감광층이 페놀 수지, 폴리이미드 전구체, 폴리벤즈옥사졸 전구체, 및 가용성 폴리이미드로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 개의 수지로 형성되는 종래의 감광성 수지 적층체의 경우, 슬릿했을 때에 주름 또는 크랙이 발생하여, 단면 (斷面) 이 평활하게 되도록 슬릿하는 것이 어렵다는 문제가 있었다. Usually, the photosensitive resin laminate is prepared in the form of a roll, and is slit into a required width. However, in the case of a conventional photosensitive resin laminate in which the photosensitive layer is formed of at least one resin selected from the group consisting of a phenol resin, a polyimide precursor, a polybenzoxazole precursor, and a soluble polyimide, And there is a problem that it is difficult to slit so that the cross section becomes smooth.

본 발명자들은, 감광층의 용융 점도를 조정하거나, 또는 커버 필름을 제거함으로써 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 알아내어, 본 발명을 완성시켰다. 즉, 본 발명은 이하와 같다.The present inventors have found out that the above problems can be solved by adjusting the melt viscosity of the photosensitive layer or by removing the cover film, thereby completing the present invention. That is, the present invention is as follows.

[1] [One]

지지체 필름과, A support film,

상기 지지체 필름 상에 형성된, 감광성 수지 조성물을 포함하는 감광층 A photosensitive layer formed on the support film and including a photosensitive resin composition,

을 갖는 감광층 롤로서, As a photosensitive layer roll,

상기 감광성 수지 조성물이 페놀 수지, 폴리이미드 전구체, 폴리벤즈옥사졸 전구체, 및 가용성 폴리이미드로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 개의 수지를 포함하고, 또한 상기 감광층은, 용융 점도가 500 Pa·s 이하가 되는 온도점을 갖는 층인, 감광층 롤.Wherein the photosensitive resin composition contains at least one resin selected from the group consisting of a phenol resin, a polyimide precursor, a polybenzoxazole precursor, and a soluble polyimide, and the photosensitive layer has a melt viscosity of 500 Pa s or less The photosensitive layer being a layer having a temperature point at which the photosensitive layer is exposed.

[2] [2]

상기 감광층은, 용융 점도가 350 Pa·s 이하가 되는 온도점을 갖는 층인, [1] 에 기재된 감광층 롤.The photosensitive layer roll according to [1], wherein the photosensitive layer is a layer having a temperature point at which a melt viscosity is 350 Pa · s or less.

[3][3]

상기 감광층은, 100 ℃ 에 있어서의 용융 점도가 500 Pa·s 이하인, [1] 또는 [2] 에 기재된 감광층 롤.The photosensitive layer roll according to [1] or [2], wherein the photosensitive layer has a melt viscosity at 100 캜 of 500 Pa s or less.

[4] [4]

상기 감광층은, 100 ℃ 에 있어서의 용융 점도가 350 Pa·s 이하인, [3] 에 기재된 감광층 롤.The photosensitive layer roll according to [3], wherein the photosensitive layer has a melt viscosity at 100 캜 of 350 Pa s or less.

[5] [5]

상기 감광층의 상기 지지체 필름이 형성된 측과는 반대측에 커버 필름을 갖고, 또한 상기 커버 필름의 연화 온도가 90 ℃ 이상인, [1] ∼ [4] 중 어느 1 항에 기재된 감광층 롤.The photosensitive layer roll according to any one of [1] to [4], wherein the photosensitive layer has a cover film on the side opposite to the side where the support film is formed, and the softening temperature of the cover film is 90 deg.

[6] [6]

상기 커버 필름의 연화 온도가, 110 ℃ 이상인, [5] 에 기재된 감광층 롤.The photosensitive layer roll according to [5], wherein the softening temperature of the cover film is 110 占 폚 or higher.

[7] [7]

상기 감광층 중에 포함되는 유기 용매의 양이, 상기 감광층의 총량에 대해 0.1 질량% 이상 15 질량% 이하인, [1] ∼ [6] 중 어느 1 항에 기재된 감광층 롤.The photosensitive layer roll according to any one of [1] to [6], wherein the amount of the organic solvent contained in the photosensitive layer is 0.1% by mass or more and 15% by mass or less based on the total amount of the photosensitive layer.

[8] [8]

상기 감광층 중에 포함되는 유기 용매의 양이, 상기 감광층의 총량에 대해 1 질량% 이상 15 질량% 이하인, [7] 에 기재된 감광층 롤.The photosensitive layer roll according to [7], wherein the amount of the organic solvent contained in the photosensitive layer is 1% by mass or more and 15% by mass or less based on the total amount of the photosensitive layer.

[9] [9]

상기 유기 용매가, γ-부티로락톤, 아세톤, 메틸에틸케톤, N-메틸-2-피롤리돈, 디메틸술폭사이드, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, tert-부틸알코올 및 테트라하이드로푸르푸릴알코올로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 개를 포함하는, [7] 또는 [8] 에 기재된 감광층 롤.Wherein the organic solvent is at least one selected from the group consisting of? -Butyrolactone, acetone, methyl ethyl ketone, N-methyl-2-pyrrolidone, dimethylsulfoxide, propylene glycol monomethyl ether, tert-butyl alcohol and tetrahydrofurfuryl alcohol The photosensitive layer roll according to [7] or [8], further comprising at least one selected from the group consisting of

[10] [10]

상기 유기 용매가, γ-부티로락톤, 아세톤, 메틸에틸케톤, N-메틸-2-피롤리돈 및 디메틸술폭사이드로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 개를 포함하는, [9] 에 기재된 감광층 롤.The photosensitive layer according to [9], wherein the organic solvent comprises at least one selected from the group consisting of? -Butyrolactone, acetone, methyl ethyl ketone, N-methyl- role.

[11] [11]

상기 감광성 수지 조성물이 상기 폴리이미드 전구체를 포함하는, [1] ∼ [10] 중 어느 1 항에 기재된 감광층 롤.The photosensitive layer roll according to any one of [1] to [10], wherein the photosensitive resin composition comprises the polyimide precursor.

[12] [12]

상기 감광성 수지 조성물이 상기 폴리벤즈옥사졸 전구체를 포함하는, [1] ∼ [10] 중 어느 1 항에 기재된 감광층 롤.The photosensitive layer roll according to any one of [1] to [10], wherein the photosensitive resin composition comprises the polybenzoxazole precursor.

[13] [13]

상기 감광성 수지 조성물이 상기 가용성 폴리이미드를 포함하는, [1] ∼ [10] 중 어느 1 항에 기재된 감광층 롤.The photosensitive layer roll according to any one of [1] to [10], wherein the photosensitive resin composition comprises the soluble polyimide.

[14] [14]

상기 감광성 수지 조성물이 상기 페놀 수지를 포함하는, [1] ∼ [10] 중 어느 1 항에 기재된 감광층 롤.The photosensitive layer roll according to any one of [1] to [10], wherein the photosensitive resin composition comprises the phenol resin.

[15] [15]

상기 페놀 수지가, 하기 일반식 (1) : Wherein the phenol resin is represented by the following general formula (1):

[화학식 1] [Chemical Formula 1]

Figure pct00001
Figure pct00001

{식 (1) 중, a 는, 1 ∼ 3 의 정수이고, b 는, 0 ∼ 3 의 정수이고, 1 ≤ (a + b) ≤ 4 이고, R1 은, 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기, 할로겐 원자, 니트로기 및 시아노기로 이루어지는 군에서 선택되는 1 가의 치환기를 나타내고, b 가 2 또는 3 인 경우의 복수의 R1 은, 각각 동일해도 되고 상이해도 되고, 또한 X 는, 불포화 결합을 가지고 있어도 되는 탄소수 2 ∼ 10 의 2 가의 사슬형 지방족기, 탄소수 3 ∼ 20 의 2 가의 지환형기, 하기 일반식 (2) : (1) wherein a is an integer of 1 to 3, b is an integer of 0 to 3, 1? (A + b)? 4, and R 1 is a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms A halogen atom, a nitro group and a cyano group, and a plurality of R 1 s when b is 2 or 3 may be the same or different and X is an unsaturated bond A bivalent aliphatic group having 2 to 10 carbon atoms and a bivalent alicyclic group having 3 to 20 carbon atoms,

[화학식 2] (2)

Figure pct00002
Figure pct00002

(식 (2) 중, p 는, 1 ∼ 10 의 정수이다.) 로 나타내는 2 가의 알킬렌옥사이드기, 및 방향족 고리를 갖는 2 가의 유기기로 이루어지는 군에서 선택되는 2 가의 유기기를 나타낸다.}A divalent organic group selected from the group consisting of a divalent alkylene oxide group represented by the formula (2) wherein p is an integer of 1 to 10, and a divalent organic group having an aromatic ring.

로 나타내는 구조를 반복 단위로서 갖는, [14] 에 기재된 감광층 롤.As a repeating unit, a structure represented by the following formula (1).

[16] [16]

상기 일반식 (1) 중의 X 가, 하기 일반식 (3) : Wherein X in the general formula (1) is a group represented by the following general formula (3):

[화학식 3] (3)

Figure pct00003
Figure pct00003

{식 (3) 중, R2, R3, R4 및 R5 는, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 10 의 1 가의 지방족기, 또는 수소 원자의 일부 혹은 전부가 불소 원자로 치환되어 이루어지는 탄소수 1 ∼ 10 의 1 가의 지방족기이고, n1 은 0 ∼ 4 의 정수이고, n1 이 1 ∼ 4 의 정수인 경우의 R6 은, 할로겐 원자, 수산기, 또는 1 가의 유기기이고, 적어도 1 개의 R6 은 수산기이고, n1 이 2 ∼ 4 의 정수인 경우의 복수의 R6 은 각각 동일해도 되고 상이해도 된다.} (In the formula (3), R 2 , R 3 , R 4 and R 5 are each independently a hydrogen atom, a monovalent aliphatic group having 1 to 10 carbon atoms, or a carbon number formed by substituting a part or all of hydrogen atoms with a fluorine atom and 1-10 aliphatic monovalent, n1 is an integer of 0 ~ 4, n1 is the case of 1 to 4 integer, R 6 is a halogen atom, a hydroxyl group, or a monovalent organic group, at least one R 6 is A plurality of R < 6 > s may be the same or different when n1 is an integer of 2 to 4,

으로 나타내는 2 가의 기, 및 하기 일반식 (4) : And a divalent group represented by the following general formula (4):

[화학식 4] [Chemical Formula 4]

Figure pct00004
Figure pct00004

{식 (4) 중, R7, R8, R9 및 R10 은, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 10 의 1 가의 지방족기, 또는 수소 원자의 일부 혹은 전부가 불소 원자로 치환되어 이루어지는 탄소수 1 ∼ 10 의 1 가의 지방족기를 나타내고, 또한 W 는, 단결합, 불소 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 10 의 사슬형 지방족기, 불소 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 3 ∼ 20 의 지환형기, 하기 일반식 (2) : Wherein R 7 , R 8 , R 9 and R 10 are each independently a hydrogen atom, a monovalent aliphatic group having 1 to 10 carbon atoms, or a carbon number of a hydrogen atom partially or entirely substituted with a fluorine atom W represents a single bond, a chain aliphatic group having 1 to 10 carbon atoms which may be substituted with a fluorine atom, an alicyclic group having 3 to 20 carbon atoms which may be substituted with a fluorine atom, a monovalent aliphatic group having 1 to 10 carbon atoms, (2) :

[화학식 5] [Chemical Formula 5]

Figure pct00005
Figure pct00005

(식 (2) 중, p 는, 1 ∼ 10 의 정수이다.) 로 나타내는 2 가의 알킬렌옥사이드기, 및 하기 식 (5) : (In the formula (2), p is an integer of 1 to 10), and a divalent alkylene oxide group represented by the following formula (5):

[화학식 6] [Chemical Formula 6]

Figure pct00006
Figure pct00006

로 나타내는 2 가의 기로 이루어지는 군에서 선택되는 2 가의 유기기이다.}Is a divalent organic group selected from the group consisting of a divalent group represented by the formula:

로 나타내는 2 가의 기로 이루어지는 군에서 선택되는 2 가의 유기기인, [15] 에 기재된 감광층 롤.Is a divalent organic group selected from the group consisting of a divalent group represented by the following formula (1).

[17] [17]

상기 일반식 (1) 중의 X 가, 하기 식 (6) : Wherein X in the general formula (1) is a group represented by the following formula (6):

[화학식 7] (7)

Figure pct00007
Figure pct00007

으로 나타내는 2 가의 유기기인, [15] 또는 [16] 에 기재된 감광층 롤.Is a divalent organic group represented by the following formula (15).

[18] [18]

상기 일반식 (1) 중의 X 가, 하기 식 (7) : Wherein X in the general formula (1) is a group represented by the following formula (7):

[화학식 8] [Chemical Formula 8]

Figure pct00008
Figure pct00008

로 나타내는 2 가의 유기기인, [17] 에 기재된 감광층 롤.Is a divalent organic group represented by the following formula (1).

[19] [19]

상기 페놀 수지가, 하기 일반식 (8) : Wherein the phenolic resin is represented by the following general formula (8):

[화학식 9] [Chemical Formula 9]

Figure pct00009
Figure pct00009

{식 (8) 중, R11 은, 탄화수소기 및 알콕시기로 이루어지는 군에서 선택되는 탄소수 1 ∼ 10 의 1 가의 기이고, n2 는 1 ∼ 3 의 정수이고, n3 은 0 ∼ 2 의 정수이고, m1 은 1 ∼ 500 의 정수이고, 2 ≤ (n2 + n3) ≤ 4 이고, n3 이 2 인 경우의 R11 은 각각 동일해도 되고 상이해도 된다.} 로 나타내는 반복 단위, 및 하기 일반식 (9) : (In the formula (8), R 11 is a monovalent group having 1 to 10 carbon atoms selected from the group consisting of a hydrocarbon group and an alkoxy group, n2 is an integer of 1 to 3, n3 is an integer of 0 to 2, m1 . is an integer of 1 ~ 500, 2 ≤ (n2 + n3) ≤ 4 , and, R 11 may be the same in each case of n3 is 2 and or different} repeat shown in units, and the following general formula (9):

[화학식 10] [Chemical formula 10]

Figure pct00010
Figure pct00010

{식 (9) 중, R12 및 R13 은, 각각 독립적으로 탄화수소기 및 알콕시기로 이루어지는 군에서 선택되는 탄소수 1 ∼ 10 의 1 가의 기이고, n4 는 1 ∼ 3 의 정수이고, n5 는 0 ∼ 2 의 정수이고, n6 은 0 ∼ 3 의 정수이고, m2 는 1 ∼ 500 의 정수이고, 2 ≤ (n4 + n5) ≤ 4 이고, n5 가 2 인 경우의 R12 는 각각 동일해도 되고 상이해도 되고, n6 이 2 또는 3 인 경우의 R13 은 각각 동일해도 되고 상이해도 된다.} (In the formula (9), R 12 and R 13 are each independently a monovalent group having 1 to 10 carbon atoms selected from the group consisting of a hydrocarbon group and an alkoxy group, n 4 is an integer of 1 to 3, is an integer of 2, n6 is an integer of 0 ~ 3, m2 is an integer of 1 ~ 500, 2 ≤ (n4 + n5) ≤ 4 , and, R 12 in the case where n5 is 2 and may be the or different in the same respectively , and R < 13 > when n6 is 2 or 3 may be the same or different.

로 나타내는 반복 단위의 양방을 동일 수지 골격 내에 갖는, [15] ∼ [18] 중 어느 1 항에 기재된 감광층 롤.The photosensitive layer roll according to any one of the above-mentioned items [15] to [18], wherein both of the repeating units represented by the following formulas are within the same resin framework.

[20] [20]

지지체 필름과,A support film,

상기 지지체 필름 상에 형성된, 감광성 수지 조성물을 포함하는 감광층 A photosensitive layer formed on the support film and including a photosensitive resin composition,

을 갖는 감광층 롤로서, As a photosensitive layer roll,

상기 감광성 수지 조성물이 페놀 수지, 폴리이미드 전구체, 폴리벤즈옥사졸 전구체, 및 가용성 폴리이미드로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 개의 수지를 포함하고, 또한 상기 지지체 필름의 양면은, 상기 감광층과 접하고 있는, 감광층 롤.Wherein the photosensitive resin composition comprises at least one resin selected from the group consisting of a phenol resin, a polyimide precursor, a polybenzoxazole precursor, and a soluble polyimide, and both surfaces of the support film are in contact with the photosensitive layer , Photosensitive layer roll.

[21] [21]

상기 감광층 중에 포함되는 유기 용매의 양이, 상기 감광층의 총량에 대해 0.1 질량% 이상 15 질량% 이하인, [20] 에 기재된 감광층 롤.The photosensitive layer roll according to [20], wherein the amount of the organic solvent contained in the photosensitive layer is 0.1% by mass or more and 15% by mass or less based on the total amount of the photosensitive layer.

[22] [22]

상기 감광층 중에 포함되는 유기 용매의 양이, 상기 감광층의 총량에 대해 1 질량% 이상 15 질량% 이하인, [21] 에 기재된 감광층 롤.The photosensitive layer roll according to [21], wherein the amount of the organic solvent contained in the photosensitive layer is 1% by mass or more and 15% by mass or less based on the total amount of the photosensitive layer.

[23] [23]

상기 감광성 수지 조성물이 상기 페놀 수지를 포함하는, [21] 또는 [22] 에 기재된 감광층 롤.The photosensitive layer roll according to [21] or [22], wherein the photosensitive resin composition comprises the phenolic resin.

[24] [24]

상기 유기 용매가, γ-부티로락톤, 아세톤, 메틸에틸케톤, N-메틸-2-피롤리돈, 디메틸술폭사이드, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, tert-부틸알코올 및 테트라하이드로푸르푸릴알코올로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 개를 포함하는, [21] ∼ [23] 중 어느 1 항에 기재된 감광층 롤.Wherein the organic solvent is at least one selected from the group consisting of? -Butyrolactone, acetone, methyl ethyl ketone, N-methyl-2-pyrrolidone, dimethylsulfoxide, propylene glycol monomethyl ether, tert-butyl alcohol and tetrahydrofurfuryl alcohol , Wherein the photosensitive layer roll comprises at least one selected from the group consisting of the following. [21] to [23].

[25] [25]

상기 유기 용매가, γ-부티로락톤, 아세톤, 메틸에틸케톤, N-메틸-2-피롤리돈 및 디메틸술폭사이드로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 개를 포함하는, [24] 에 기재된 감광층 롤.The photosensitive layer according to [24], wherein the organic solvent comprises at least one selected from the group consisting of? -Butyrolactone, acetone, methyl ethyl ketone, N-methyl- role.

[26] [26]

상기 감광성 수지 조성물이 상기 폴리이미드 전구체를 포함하는, [20] ∼ [25] 중 어느 1 항에 기재된 감광층 롤.The photosensitive layer roll according to any one of [20] to [25], wherein the photosensitive resin composition comprises the polyimide precursor.

[27] [27]

상기 감광성 수지 조성물이 상기 폴리벤즈옥사졸 전구체를 포함하는, [20] ∼ [25] 중 어느 1 항에 기재된 감광층 롤.The photosensitive layer roll according to any one of the items [20] to [25], wherein the photosensitive resin composition comprises the polybenzoxazole precursor.

[28] [28]

상기 감광성 수지 조성물이 상기 가용성 폴리이미드를 포함하는, [20] ∼ [25] 중 어느 1 항에 기재된 감광층 롤.The photosensitive layer roll according to any one of the items [20] to [25], wherein the photosensitive resin composition comprises the soluble polyimide.

[29] [29]

상기 감광성 수지 조성물이 페놀 수지를 포함하는, [20] ∼ [25] 중 어느 1 항에 기재된 감광층 롤.The photosensitive layer roll according to any one of the items [20] to [25], wherein the photosensitive resin composition comprises a phenol resin.

[30] [30]

상기 페놀 수지가, 하기 일반식 (1) :  Wherein the phenol resin is represented by the following general formula (1):

[화학식 11] (11)

Figure pct00011
Figure pct00011

{식 (1) 중, a 는, 1 ∼ 3 의 정수이고, b 는, 0 ∼ 3 의 정수이고, 1 ≤ (a + b) ≤ 4 이고, R1 은, 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기, 할로겐 원자, 니트로기 및 시아노기로 이루어지는 군에서 선택되는 1 가의 치환기를 나타내고, b 가 2 또는 3 인 경우의 복수의 R1 은, 각각 동일해도 되고 상이해도 되고, 또한 X 는, 불포화 결합을 가지고 있어도 되는 탄소수 2 ∼ 10 의 2 가의 사슬형 지방족기, 탄소수 3 ∼ 20 의 2 가의 지환형기, 하기 일반식 (2) : (1) wherein a is an integer of 1 to 3, b is an integer of 0 to 3, 1? (A + b)? 4, and R 1 is a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms A halogen atom, a nitro group and a cyano group, and a plurality of R 1 s when b is 2 or 3 may be the same or different and X is an unsaturated bond A bivalent aliphatic group having 2 to 10 carbon atoms and a bivalent alicyclic group having 3 to 20 carbon atoms,

[화학식 12] [Chemical Formula 12]

Figure pct00012
Figure pct00012

(식 (2) 중, p 는, 1 ∼ 10 의 정수이다.) 로 나타내는 2 가의 알킬렌옥사이드기, 및 방향족 고리를 갖는 2 가의 유기기로 이루어지는 군에서 선택되는 2 가의 유기기를 나타낸다.} A divalent organic group selected from the group consisting of a divalent alkylene oxide group represented by the formula (2) wherein p is an integer of 1 to 10, and a divalent organic group having an aromatic ring.

로 나타내는 구조를 반복 단위로서 갖는, [29] 에 기재된 감광층 롤.As a repeating unit, a structure represented by the following formula (1).

[31] [31]

상기 일반식 (1) 중의 X 가, 하기 일반식 (3) : Wherein X in the general formula (1) is a group represented by the following general formula (3):

[화학식 13] [Chemical Formula 13]

Figure pct00013
Figure pct00013

{식 (3) 중, R2, R3, R4 및 R5 는, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 10 의 1 가의 지방족기, 또는 수소 원자의 일부 혹은 전부가 불소 원자로 치환되어 이루어지는 탄소수 1 ∼ 10 의 1 가의 지방족기이고, n1 은 0 ∼ 4 의 정수이고, n1 이 1 ∼ 4 의 정수인 경우의 R6 은, 할로겐 원자, 수산기, 또는 1 가의 유기기이고, 적어도 1 개의 R6 은 수산기이고, n1 이 2 ∼ 4 의 정수인 경우의 복수의 R6 은 각각 동일해도 되고 상이해도 된다.} (In the formula (3), R 2 , R 3 , R 4 and R 5 are each independently a hydrogen atom, a monovalent aliphatic group having 1 to 10 carbon atoms, or a carbon number formed by substituting a part or all of hydrogen atoms with a fluorine atom and 1-10 aliphatic monovalent, n1 is an integer of 0 ~ 4, n1 is the case of 1 to 4 integer, R 6 is a halogen atom, a hydroxyl group, or a monovalent organic group, at least one R 6 is A plurality of R < 6 > s may be the same or different when n1 is an integer of 2 to 4,

으로 나타내는 2 가의 기, 및 하기 일반식 (4) : And a divalent group represented by the following general formula (4):

[화학식 14] [Chemical Formula 14]

Figure pct00014
Figure pct00014

{식 (4) 중, R7, R8, R9 및 R10 은, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 10 의 1 가의 지방족기, 또는 수소 원자의 일부 혹은 전부가 불소 원자로 치환되어 이루어지는 탄소수 1 ∼ 10 의 1 가의 지방족기를 나타내고, 또한 W 는, 단결합, 불소 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 10 의 사슬형 지방족기, 불소 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 3 ∼ 20 의 지환형기, 하기 일반식 (2) : Wherein R 7 , R 8 , R 9 and R 10 are each independently a hydrogen atom, a monovalent aliphatic group having 1 to 10 carbon atoms, or a carbon number of a hydrogen atom partially or entirely substituted with a fluorine atom W represents a single bond, a chain aliphatic group having 1 to 10 carbon atoms which may be substituted with a fluorine atom, an alicyclic group having 3 to 20 carbon atoms which may be substituted with a fluorine atom, a monovalent aliphatic group having 1 to 10 carbon atoms, (2) :

[화학식 15] [Chemical Formula 15]

Figure pct00015
Figure pct00015

(식 (2) 중, p 는, 1 ∼ 10 의 정수이다.) (In the formula (2), p is an integer of 1 to 10.)

로 나타내는 2 가의 알킬렌옥사이드기, 및 하기 식 (5) : And a divalent alkylene oxide group represented by the following formula (5):

[화학식 16] [Chemical Formula 16]

Figure pct00016
Figure pct00016

로 나타내는 2 가의 기로 이루어지는 군에서 선택되는 2 가의 유기기이다.}Is a divalent organic group selected from the group consisting of a divalent group represented by the formula:

로 나타내는 2 가의 기로 이루어지는 군에서 선택되는 2 가의 유기기인, [30] 에 기재된 감광층 롤.Is a divalent organic group selected from the group consisting of a divalent group represented by the following formula (1).

[32] [32]

상기 일반식 (1) 중의 X 가, 하기 식 (6) : Wherein X in the general formula (1) is a group represented by the following formula (6):

[화학식 17] [Chemical Formula 17]

Figure pct00017
Figure pct00017

으로 나타내는 2 가의 유기기인, [30] 또는 [31] 에 기재된 감광층 롤.Is a divalent organic group represented by the following formula (1).

[33] [33]

상기 일반식 (1) 중의 X 가, 하기 식 (7) : Wherein X in the general formula (1) is a group represented by the following formula (7):

[화학식 18] [Chemical Formula 18]

Figure pct00018
Figure pct00018

로 나타내는 2 가의 유기기인, [32] 에 기재된 감광층 롤.Is a divalent organic group represented by the following formula (1).

[34] [34]

상기 페놀 수지가, 하기 일반식 (8) : Wherein the phenolic resin is represented by the following general formula (8):

[화학식 19] [Chemical Formula 19]

Figure pct00019
Figure pct00019

{식 (8) 중, R11 은, 탄화수소기 및 알콕시기로 이루어지는 군에서 선택되는 탄소수 1 ∼ 10 의 1 가의 기이고, n2 는 1 ∼ 3 의 정수이고, n3 은 0 ∼ 2 의 정수이고, m1 은 1 ∼ 500 의 정수이고, 2 ≤ (n2 + n3) ≤ 4 이고, n3 이 2 인 경우의 R11 은 각각 동일해도 되고 상이해도 된다.} (In the formula (8), R 11 is a monovalent group having 1 to 10 carbon atoms selected from the group consisting of a hydrocarbon group and an alkoxy group, n2 is an integer of 1 to 3, n3 is an integer of 0 to 2, m1 is an integer from 1 to 500, and 2 ≤ (n2 + n3) ≤ 4 , is R 11 may be the same or is different from each of the case where n3 is 2.}

로 나타내는 반복 단위, 및 하기 일반식 (9) : And a repeating unit represented by the following general formula (9):

[화학식 20] [Chemical Formula 20]

Figure pct00020
Figure pct00020

{식 (9) 중, R12 및 R13 은, 각각 독립적으로 탄화수소기 및 알콕시기로 이루어지는 군에서 선택되는 탄소수 1 ∼ 10 의 1 가의 기이고, n4 는 1 ∼ 3 의 정수이고, n5 는 0 ∼ 2 의 정수이고, n6 은 0 ∼ 3 의 정수이고, m2 는 1 ∼ 500 의 정수이고, 2 ≤ (n4 + n5) ≤ 4 이고, n5 가 2 인 경우의 R12 는 각각 동일해도 되고 상이해도 되고, n6 이 2 또는 3 인 경우의 R13 은 각각 동일해도 되고 상이해도 된다.} 로 나타내는 반복 단위의 양방을 동일 수지 골격 내에 갖는, [30] ∼ [33] 중 어느 1 항에 기재된 감광층 롤.(In the formula (9), R 12 and R 13 are each independently a monovalent group having 1 to 10 carbon atoms selected from the group consisting of a hydrocarbon group and an alkoxy group, n 4 is an integer of 1 to 3, is an integer of 2, n6 is an integer of 0 ~ 3, m2 is an integer of 1 ~ 500, 2 ≤ (n4 + n5) ≤ 4 , and, R 12 in the case where n5 is 2 and may be the or different in the same respectively , and R < 13 > in the case of n6 being 2 or 3 may be the same or different, both of which are contained in the same resin skeleton, in the photosensitive layer rolls of any of [30] to [33] .

[35] [35]

[1] ∼ [34] 중 어느 1 항에 기재된 감광층 롤을 슬리터로 슬릿하여 슬릿 감광층 롤을 제조하는 슬릿 감광층 롤의 제조 방법.A process for producing a slit photosensitive layer roll, wherein the photosensitive layer roll according to any one of [1] to [34] is slit into a slit to produce a slit photosensitive layer roll.

[36] [36]

상기 슬리터의 톱니가 가열되고 있는, [35] 에 기재된 슬릿 감광층 롤의 제조 방법.And the teeth of the slitter are heated. The method of producing a slit photosensitive layer roll as set forth in [35].

[37] [37]

상기 슬리터의 톱니가 100 ℃ 이상으로 가열되고 있는, [36] 에 기재된 슬릿 감광층 롤의 제조 방법.And the teeth of the slitter are heated to 100 DEG C or higher.

[38] [38]

이하의 공정 : The following steps:

[1] ∼ [34] 중 어느 1 항에 기재된 감광층 롤이, 상기 감광층의 상기 지지체 필름이 형성된 측과는 반대측에 커버 필름을 갖는 경우에는, 상기 커버 필름을 박리하는 공정과,When the photosensitive layer roll described in any one of [1] to [34] has a cover film on the side opposite to the side where the support film of the photosensitive layer is formed, the step of peeling the cover film,

상기 커버 필름을 갖지 않는 상기 감광층 롤을 슬리터로 슬릿하는 공정과,A step of slitting the photosensitive layer roll having no cover film with a slitter,

슬릿된 상기 감광층 롤에, 상기 박리한 커버 필름 또는 상기 박리한 커버 필름과는 다른 커버 필름을 부착하는 공정A step of attaching the peeled cover film or a cover film different from the peeled cover film to the slit photosensitive layer roll

을 포함하는 슬릿 감광층 롤의 제조 방법.Wherein the slit photosensitive layer roll is formed by a method comprising the steps of:

[39] [39]

상기 슬리터의 톱니가 가열되고 있는, [38] 에 기재된 슬릿 감광층 롤의 제조 방법.And the teeth of the slitter are heated. The method of producing a slit photosensitive layer roll as set forth in [38].

[40] [40]

상기 슬리터의 톱니가 100 ℃ 이상으로 가열되고 있는, [39] 에 기재된 슬릿 감광층 롤의 제조 방법. The method of manufacturing a roll of a slit photosensitive layer according to [39], wherein the teeth of the slitter are heated to 100 DEG C or more.

본 발명에 의하면, 슬릿 시에 주름 또는 크랙이 발생하기 어려워, 단면이 평활하게 되도록 슬릿하는 것이 가능한 감광층 롤을 제공하는 것이 가능해진다. According to the present invention, it is possible to provide a photosensitive layer roll which is less susceptible to wrinkles or cracks at the time of slitting and can be slit so that the cross section becomes smooth.

<제 1 실시형태 : 2 층 감광층 롤> ≪ First Embodiment: Second layer photosensitive layer roll >

본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 감광층 롤은, 지지체 필름과, 페놀 수지, 폴리이미드 전구체, 폴리벤즈옥사졸 전구체, 및 가용성 폴리이미드로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 개의 수지를 함유하는 감광성 수지 조성물로 형성되는 감광층의 2 층을 순서대로 적층함으로써 형성된다.The photosensitive layer roll according to the first embodiment of the present invention comprises a support film and a photosensitive resin containing at least one resin selected from the group consisting of a phenol resin, a polyimide precursor, a polybenzoxazole precursor, and a soluble polyimide And two layers of a photosensitive layer formed of a composition.

본 실시형태에서는, 감광층 롤은, 커버 필름을 포함하지 않는다. 지지체 필름의 편면에 감광층이 적층되어 있고, 지지체 필름의 다른 일방의 면 (즉, 지지체 이면 또는 감광층이 적층되어 있지 않은 면) 이 노출되어 있으므로, 지지체 필름의 양면이 감광층과 접하게 된다.In the present embodiment, the photosensitive layer roll does not include a cover film. Both sides of the support film come in contact with the photosensitive layer since the photosensitive layer is laminated on one side of the support film and the other side of the support film (that is, the back side or the side where the photosensitive layer is not laminated) is exposed.

이하, 커버 필름을 포함하지 않고, 지지체 필름의 양면이 감광층과 접하는 감광층 롤을 2 층 감광층 롤로서 설명한다.Hereinafter, the photosensitive layer roll in which both surfaces of the support film are in contact with the photosensitive layer without including a cover film will be described as a two-layer photosensitive layer roll.

종래의 감광층 롤은, 커버 필름을 구비하고 있으므로, 슬릿 시에 커버 필름에서 주름이 발생하기 쉽고, 특히 슬리터의 톱니를 가열하여 슬릿하는 경우에는, 커버 필름에서 큰 주름이 발생하기 쉽다는 문제가 있었다.Since the conventional photosensitive layer roll is provided with a cover film, wrinkles are likely to occur in the cover film at the time of slitting, and in particular, when slits are formed by heating the teeth of the slitter, a large wrinkle easily occurs in the cover film .

상기 과제를 해결하기 위해서, 제 1 실시형태에 관련된 2 층 감광층 롤은 커버 필름을 포함하지 않는 점을 특징으로 하고 있다.In order to solve the above problems, the two-layer photosensitive layer roll according to the first embodiment does not include a cover film.

<지지체 필름> ≪ Support film >

본 실시형태에 관련된 지지체 필름으로는, 표면이 평활하면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 폴리에스테르 등의 중합체 필름을 사용할 수 있고, 그 중에서도, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (이하, 「PET 필름」이라고 한다) 이 바람직하다.The support film according to the present embodiment is not particularly limited as long as the surface is smooth. For example, a polymer film such as polyethylene terephthalate, polypropylene, polyethylene, or polyester can be used. Among them, a polyethylene terephthalate film Hereinafter referred to as " PET film ").

포토리소그래피법을 실시할 때에 2 층 감광층 롤로부터 감광층을 기재에 전사한다는 관점에서, 지지체 필름은, 적어도 일방의 면에 이형 처리가 실시되어 있는 것이 바람직하다. 본 실시형태에 있어서의 이형 처리란, 실리콘계 계면 활성제, 실리콘 수지 등의 실리콘계 화합물, 불소계 계면 활성제, 불소 수지 등의 불소 함유 화합물, 알키드 수지 등의 이형제로 지지체 필름의 표면을 얇게 코트하는 화학 처리, 또는 지지체 필름을 코로나 처리하는 등의 물리 처리를 가리킨다.From the viewpoint of transferring the photosensitive layer from the two-layer photosensitive layer roll to the base material when the photolithography method is carried out, it is preferable that at least one surface of the base film is subjected to the releasing treatment. The mold releasing treatment in the present embodiment is a chemical treatment in which the surface of a support film is thinly coated with a releasing agent such as a silicone compound such as a silicone surfactant or a silicone resin, a fluorine-containing compound such as a fluorine surfactant or a fluorine resin, Or a physical treatment such as corona treatment of a support film.

지지체 필름에 이형제를 코트하는 경우에는, 이형의 효과가 얻어지는 한도에서 얇게 코트하는 것이 바람직하다. 코트 후에는, 열 또는 UV 처리에 의해 이형제를 지지체 필름에 정착시켜도 된다. 이형제를 코트하기 전에, 지지체 필름에 하도층을 실시하는 것이 보다 바람직하다.When the releasing agent is coated on the support film, it is preferable to thinly coat the releasing agent to the extent that the effect of release is obtained. After the coating, the releasing agent may be fixed to the support film by heat or UV treatment. It is more preferable to apply a primer layer to the support film before coating the release agent.

<감광층> <Photosensitive Layer>

감광층은, 지지체 필름에, 바람직하게는 지지체 필름의 이형 처리된 면에, 페놀 수지, 폴리이미드 전구체, 폴리벤즈옥사졸 전구체, 및 가용성 폴리이미드로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 개의 수지를 포함하는 감광성 수지 조성물을 도포함으로써 형성된다.The photosensitive layer contains at least one resin selected from the group consisting of a phenol resin, a polyimide precursor, a polybenzoxazole precursor, and a soluble polyimide on the support film, preferably on the release-treated surface of the support film Is formed by applying a photosensitive resin composition.

이하, 감광성 수지 조성물에 포함되는 성분에 대해 설명한다.Hereinafter, the components contained in the photosensitive resin composition will be described.

[페놀 수지를 포함하는 감광성 수지 조성물] [(A) 성분 : 페놀 수지] [Photosensitive resin composition containing phenol resin] [Component (A): phenol resin]

일반적으로, 페놀 수지는, 페놀 화합물과 알데하이드 화합물로 형성되는 열경화성 수지이다.Generally, phenolic resins are thermosetting resins formed from phenolic compounds and aldehyde compounds.

본 실시형태에서는, 감광층의 열 용융성의 관점에서, 페놀 수지 (A) 는, 하기 일반식 (1) : In the present embodiment, from the viewpoint of thermal fusibility of the photosensitive layer, the phenol resin (A) is represented by the following general formula (1):

[화학식 21] [Chemical Formula 21]

Figure pct00021
Figure pct00021

{식 (1) 중, a 는, 1 ∼ 3 의 정수이고, b 는, 0 ∼ 3 의 정수이고, 1 ≤ (a + b) ≤ 4 이고, R1 은, 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기, 할로겐 원자, 니트로기 및 시아노기로 이루어지는 군에서 선택되는 1 가의 치환기를 나타내고, b 가 2 또는 3 인 경우의 복수의 R1 은, 각각 동일해도 되고 상이해도 되고, 또한 X 는, 불포화 결합을 가지고 있어도 되는 탄소수 2 ∼ 10 의 2 가의 사슬형 지방족기, 탄소수 3 ∼ 20 의 2 가의 지환형기, 하기 일반식 (2) : (1) wherein a is an integer of 1 to 3, b is an integer of 0 to 3, 1? (A + b)? 4, and R 1 is a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms A halogen atom, a nitro group and a cyano group, and a plurality of R 1 s when b is 2 or 3 may be the same or different and X is an unsaturated bond A bivalent aliphatic group having 2 to 10 carbon atoms and a bivalent alicyclic group having 3 to 20 carbon atoms,

[화학식 22] [Chemical Formula 22]

Figure pct00022
Figure pct00022

(식 (2) 중, p 는, 1 ∼ 10 의 정수이다.) 로 나타내는 2 가의 알킬렌옥사이드기, 및 방향족 고리를 갖는 2 가의 유기기로 이루어지는 군에서 선택되는 2 가의 유기기를 나타낸다.} 로 나타내는 구조를 반복 단위로서 갖는 것이 바람직하다.(Wherein p is an integer of 1 to 10), and a divalent organic group selected from the group consisting of a divalent organic group having an aromatic ring. Structure as a repeating unit.

식 (1) 로 나타내는 구조의 반복 단위를 갖는 페놀 수지 (A) 는, 예를 들어 폴리이미드 수지 및 폴리벤즈옥사졸 수지와 비교해, 저온에서의 경화가 가능하고, 또한 양호한 신도를 갖는 경화막의 형성이 가능하고, 나아가서는 감광층의 열 용융성에 기여한다.The phenol resin (A) having a repeating unit having the structure represented by the formula (1) is a phenol resin having a repeating unit represented by the following formula (1), which can be cured at a low temperature as compared with, for example, a polyimide resin and a polybenzoxazole resin, And further contributes to the heat melting property of the photosensitive layer.

열 용융성이 우수한 감광층은, 슬릿 시, 특히 슬리터의 톱니를 가열하여 슬릿했을 때에, 절단면에 크랙이 발생하기 어려워, 단면이 평활하게 되도록 슬릿할 수 있기 때문에 바람직하다.The photosensitive layer having excellent heat melting property is preferable because it is difficult for cracks to be generated in the cut surface when the slit is heated, particularly when the slit is heated and slit, so that the cross section can be slit smoothly.

상기 일반식 (1) 에 있어서, R1 은, 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기, 할로겐 원자, 니트로기 및 시아노기로 이루어지는 군에서 선택되는 1 가의 치환기이고, 알칼리 용해성의 관점에서, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 불포화 결합을 가지고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 10 의 지방족기, 탄소수 6 ∼ 20 의 방향족기, 및 하기 일반식 (10) : In the general formula (1), R 1 is a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms, a monovalent organic group selected from the group consisting of a halogen atom, a nitro group and a cyano group, and from the viewpoint of alkali solubility, , A nitro group, a cyano group, an aliphatic group having 1 to 10 carbon atoms which may have an unsaturated bond, an aromatic group having 6 to 20 carbon atoms,

[화학식 23] (23)

Figure pct00023
Figure pct00023

{식 (10) 중, R14, R15 및 R16 은, 각각 독립적으로 수소 원자, 불포화 결합을 가지고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 10 의 사슬형 지방족기, 탄소수 3 ∼ 20 의 지환형기, 또는 탄소수 6 ∼ 20 의 방향족기를 나타내고, 그리고 R17 은, 불포화 결합을 가지고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 10 의 2 가의 사슬형 지방족기, 탄소수 3 ∼ 20 의 2 가의 지환형기, 또는 탄소수 6 ∼ 20 의 2 가의 방향족기를 나타낸다.} 으로 나타내는 4 개의 기로 이루어지는 군에서 선택되는 1 가의 치환기인 것이 바람직하다.(In the formula (10), R 14 , R 15 and R 16 each independently represent a hydrogen atom, a chain aliphatic group having 1 to 10 carbon atoms which may have an unsaturated bond, an alicyclic group having 3 to 20 carbon atoms, And R 17 represents a divalent chain aliphatic group having 1 to 10 carbon atoms, a divalent aliphatic group having 3 to 20 carbon atoms, or a divalent aromatic group having 6 to 20 carbon atoms, which may have an unsaturated bond, Is a monovalent substituent selected from the group consisting of four groups represented by the following formula:

본 실시형태에서는, 상기 일반식 (1) 에 있어서, a 는, 1 ∼ 3 의 정수이고, 알칼리 용해성 및 신도의 관점에서 2 가 바람직하다. a 가 2 인 경우에는, 수산기끼리의 치환 위치는, 오르토, 메타 및 파라 위치의 어디여도 된다. a 가 3 인 경우에는, 수산기끼리의 치환 위치는, 1,2,3- 위치, 1,2,4- 위치 및 1,3,5- 위치 등, 어디여도 된다.In the present embodiment, in Formula (1), a is an integer of 1 to 3, and preferably 2 from the viewpoint of alkali solubility and elongation. When a is 2, substitution positions between hydroxyl groups may be any of ortho, meta and para positions. When a is 3, substitution positions of the hydroxyl groups may be any of 1,2,3-position, 1,2,4-position and 1,3,5-position.

본 실시형태에서는, 상기 일반식 (1) 에 있어서, b 는, 0 ∼ 3 의 정수이고, 알칼리 용해성 및 신도의 관점에서, 0 또는 1 인 것이 바람직하다. b 가 2 또는 3 인 경우에는, 복수의 R1 은, 동일해도 되고 상이해도 된다.In the present embodiment, in the general formula (1), b is an integer of 0 to 3, and from the viewpoint of alkali solubility and elongation, 0 or 1 is preferable. When b is 2 or 3, plural R 1 s may be the same or different.

또한, 본 실시형태에서는, 상기 일반식 (1) 에 있어서, a 및 b 는, 1 ≤ (a + b) ≤ 4 의 관계를 만족한다.In the present embodiment, in the general formula (1), a and b satisfy the relationship 1? (A + b)? 4.

본 실시형태에서는, 상기 일반식 (1) 에 있어서, X 는, 불포화 결합을 가지고 있어도 되는 탄소수 2 ∼ 10 의 2 가의 사슬형 지방족기, 탄소수 3 ∼ 20 의 2 가의 지환형기, 상기 일반식 (2) 로 나타내는 알킬렌옥사이드기, 및 방향족 고리를 갖는 2 가의 유기기로 이루어지는 군에서 선택되는 2 가의 유기기이다. 이들 2 가의 유기기 중에서, 경화 후의 막의 강인성의 관점 및 열 용융성의 관점에서, X 는, 하기 일반식 (3) : In the present embodiment, in the general formula (1), X represents a divalent chain aliphatic group having 2 to 10 carbon atoms which may have an unsaturated bond, a bivalent alicyclic group having 3 to 20 carbon atoms, ), And a divalent organic group having an aromatic ring. The divalent organic group is preferably a divalent organic group selected from the group consisting of an alkylene oxide group represented by the formula Among these divalent organic groups, from the viewpoint of the toughness of the film after curing and the heat melting property, X is represented by the following general formula (3):

[화학식 24] &Lt; EMI ID =

Figure pct00024
Figure pct00024

{식 (3) 중, R2, R3, R4 및 R5 는, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 10 의 1 가의 지방족기, 또는 수소 원자의 일부 혹은 전부가 불소 원자로 치환되어 이루어지는 탄소수 1 ∼ 10 의 1 가의 지방족기이고, n1 은 0 ∼ 4 의 정수이고, n1 이 1 ∼ 4 의 정수인 경우의 R6 은, 할로겐 원자, 수산기, 또는 1 가의 유기기이고, 적어도 1 개의 R6 은 수산기이고, n1 이 2 ∼ 4 의 정수인 경우의 복수의 R6 은 각각 동일해도 되고 상이해도 된다.} 으로 나타내는 기, 및 하기 일반식 (4) : (In the formula (3), R 2 , R 3 , R 4 and R 5 are each independently a hydrogen atom, a monovalent aliphatic group having 1 to 10 carbon atoms, or a carbon number formed by substituting a part or all of hydrogen atoms with a fluorine atom and 1-10 aliphatic monovalent, n1 is an integer of 0 ~ 4, n1 is the case of 1 to 4 integer, R 6 is a halogen atom, a hydroxyl group, or a monovalent organic group, at least one R 6 is A plurality of R &lt; 6 &gt; s may be identical to or different from each other when n1 is an integer of 2 to 4, and a group represented by the following general formula (4):

[화학식 25] (25)

Figure pct00025
Figure pct00025

{식 (4) 중, R7, R8, R9 및 R10 은, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 10 의 1 가의 지방족기, 또는 수소 원자의 일부 혹은 전부가 불소 원자로 치환되어 이루어지는 탄소수 1 ∼ 10 의 1 가의 지방족기를 나타내고, 또한 W 는, 단결합, 불소 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 10 의 사슬형 지방족기, 불소 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 3 ∼ 20 의 지환형기, 하기 일반식 (2) : Wherein R 7 , R 8 , R 9 and R 10 are each independently a hydrogen atom, a monovalent aliphatic group having 1 to 10 carbon atoms, or a carbon number of a hydrogen atom partially or entirely substituted with a fluorine atom W represents a single bond, a chain aliphatic group having 1 to 10 carbon atoms which may be substituted with a fluorine atom, an alicyclic group having 3 to 20 carbon atoms which may be substituted with a fluorine atom, a monovalent aliphatic group having 1 to 10 carbon atoms, (2) :

[화학식 26] (26)

Figure pct00026
Figure pct00026

(식 (2) 중, p 는, 1 ∼ 10 의 정수이다.) 로 나타내는 2 가의 알킬렌옥사이드기, 및 하기 식 (5) : (In the formula (2), p is an integer of 1 to 10), and a divalent alkylene oxide group represented by the following formula (5):

[화학식 27] (27)

Figure pct00027
Figure pct00027

로 나타내는 2 가의 기로 이루어지는 군에서 선택되는 2 가의 유기기이다.} 로 나타내는 2 가의 기로 이루어지는 군에서 선택되는 유기기인 것이 바람직하다.Is a divalent organic group selected from the group consisting of a divalent group represented by the following formula (1).

식 (4) 중의 W 로는, 경화막의 신도 및 열 용융성의 관점에서, 단결합, 상기 일반식 (2) 로 나타내는 알킬렌옥사이드기, 그리고 상기 식 (5) 중 에스테르기, 아미드기 및 술포닐기로 이루어지는 군에서 선택되는 2 가의 유기기가 바람직하다.The W in the formula (4) is preferably a single bond, an alkylene oxide group represented by the general formula (2), and an ester group, an amide group and a sulfonyl group in the formula (5) from the viewpoint of elongation of the cured film and heat melting property Is preferably a divalent organic group selected from the group consisting of

본 실시형태에서는, 상기 일반식 (1) 에 있어서, X 는, 상기 일반식 (3) 또는 (4) 로 나타내는 2 가의 유기기인 것이 바람직하고, 그리고 상기 일반식 (4) 로 나타내는 2 가의 유기기는, 수지 조성물의 패턴 형성성이 양호하다는 관점, 및 경화 후의 경화막의 신도 및 열 용융성의 관점에서, 하기 식 (6) : In the present embodiment, in the general formula (1), X is preferably a divalent organic group represented by the general formula (3) or (4), and the divalent organic group represented by the general formula (4) From the viewpoint of good pattern forming property of the resin composition and from the viewpoint of elongation of the cured film after curing and thermal fusibility,

[화학식 28] (28)

Figure pct00028
Figure pct00028

으로 나타내는 2 가의 유기기인 것이 보다 바람직하며, 하기 식 (7) : , More preferably a divalent organic group represented by the following formula (7):

[화학식 29] [Chemical Formula 29]

Figure pct00029
Figure pct00029

로 나타내는 2 가의 유기기인 것이 특히 바람직하다.Is particularly preferably a divalent organic group represented by the following formula

일반식 (1) 에 있어서의 페놀성 수산기를 함유하는 부위와 X 로 나타내는 부위의 비율에 관하여, 특히 신도의 관점에서, 일반식 (1) 로 나타내는 구조 중의 X 로 나타내는 부위의 비율은, 20 질량% 이상인 것이 바람직하고, 30 질량% 이상인 것이 보다 바람직하다.Regarding the ratio of the portion containing a phenolic hydroxyl group to the portion represented by X in the general formula (1), the proportion of the portion represented by X in the structure represented by the general formula (1) is preferably 20 mass% Or more, more preferably 30 mass% or more.

상기 비율은, 알칼리 가용성의 관점에서, 바람직하게는 80 질량% 이하, 보다 바람직하게는 70 질량% 이하이다. 또, 감광층의 열 용융성 및 알칼리 가용성의 관점에서, 페놀 수지 (A) 는, 하기 일반식 (8) : The above ratio is preferably 80 mass% or less, more preferably 70 mass% or less, from the viewpoint of alkali solubility. From the viewpoints of the heat melting property and the alkali solubility of the photosensitive layer, the phenol resin (A) preferably has the following general formula (8):

[화학식 30] (30)

Figure pct00030
Figure pct00030

{식 (8) 중, R11 은, 탄화수소기 및 알콕시기로 이루어지는 군에서 선택되는 탄소수 1 ∼ 10 의 1 가의 기이고, n2 는 1 ∼ 3 의 정수이고, n3 은 0 ∼ 2 의 정수이고, m1 은 1 ∼ 500 의 정수이고, 2 ≤ (n2 + n3) ≤ 4 이고, n3 이 2 인 경우의 R11 은 각각 동일해도 되고 상이해도 된다.} (In the formula (8), R 11 is a monovalent group having 1 to 10 carbon atoms selected from the group consisting of a hydrocarbon group and an alkoxy group, n2 is an integer of 1 to 3, n3 is an integer of 0 to 2, m1 is an integer from 1 to 500, and 2 ≤ (n2 + n3) ≤ 4 , is R 11 may be the same or is different from each of the case where n3 is 2.}

로 나타내는 반복 단위, 및 하기 일반식 (9) : And a repeating unit represented by the following general formula (9):

[화학식 31] (31)

Figure pct00031
Figure pct00031

{식 (9) 중, R12 및 R13 은, 각각 독립적으로 탄화수소기 및 알콕시기로 이루어지는 군에서 선택되는 탄소수 1 ∼ 10 의 1 가의 기이고, n4 는 1 ∼ 3 의 정수이고, n5 는 0 ∼ 2 의 정수이고, n6 은 0 ∼ 3 의 정수이고, m2 는 1 ∼ 500 의 정수이고, 2 ≤ (n4 + n5) ≤ 4 이고, n5 가 2 인 경우의 R12 는 각각 동일해도 되고 상이해도 되고, n6 이 2 또는 3 인 경우의 R13 은 각각 동일해도 되고 상이해도 된다.} (In the formula (9), R 12 and R 13 are each independently a monovalent group having 1 to 10 carbon atoms selected from the group consisting of a hydrocarbon group and an alkoxy group, n 4 is an integer of 1 to 3, is an integer of 2, n6 is an integer of 0 ~ 3, m2 is an integer of 1 ~ 500, 2 ≤ (n4 + n5) ≤ 4 , and, R 12 in the case where n5 is 2 and may be the or different in the same respectively , and R &lt; 13 &gt; when n6 is 2 or 3 may be the same or different.

로 나타내는 반복 단위의 양방을 동일 수지 골격 내에 갖는 것이 특히 바람직하다.Is contained in the same resin skeleton.

일반식 (8) 의 m1 및 상기 일반식 (9) 의 m2 는, 페놀 수지 (A) 의 주사슬에 있어서의 각각의 반복 단위의 총수를 나타낸다. 즉, 페놀 수지 (A) 에 있어서, 일반식 (8) 로 나타내는 구조에 있어서의 괄호 안의 반복 단위와 일반식 (9) 로 나타내는 구조에 있어서의 괄호 안의 반복 단위는, 랜덤, 블록 또는 이들의 조합으로 배열되어 있을 수 있다. m1 및 m2 는, 알칼리 용해성 및 경화물의 신도의 관점에서, 각각 독립적으로 1 ∼ 500 의 정수이고, 하한값은, 바람직하게는 2, 보다 바람직하게는 3 이며, 상한값은, 바람직하게는 450, 보다 바람직하게는 400, 더욱 바람직하게는 350 이다. m1 및 m2 는, 각각 독립적으로 경화 후의 막의 강인성 및 열 용융성의 관점에서, 2 이상인 것이 바람직하고, 알칼리 수용액 중에서의 용해성의 관점에서, 450 이하인 것이 바람직하다.M1 in the general formula (8) and m2 in the general formula (9) represent the total number of each repeating unit in the main chain of the phenol resin (A). That is, in the phenol resin (A), the repeating units in the parentheses in the structure represented by the general formula (8) and the repeating units in the parentheses in the structure represented by the general formula (9) are random, As shown in FIG. m1 and m2 are each independently an integer of 1 to 500 from the viewpoints of alkali solubility and elongation of the cured product, and the lower limit value is preferably 2, more preferably 3, and the upper limit value is preferably 450, 400, and more preferably 350. From the viewpoints of the toughness of the film after curing and the heat melting property, m1 and m2 are preferably independently from each other, and from the viewpoint of solubility in an aqueous alkali solution, it is preferable that m1 and m2 are 450 or less.

일반식 (8) 로 나타내는 구조 및 일반식 (9) 로 나타내는 구조의 양방을 동일 수지 골격 내에 갖는 페놀 수지 (A) 에 있어서, 일반식 (8) 로 나타내는 구조의 몰비율이 높을수록, 경화 후의 막 물성이 양호하고, 내열성 및 열 용융성도 우수하고, 일반식 (9) 로 나타내는 구조의 몰비율이 높을수록, 알칼리 용해성이 양호하고, 경화 후의 패턴 형상이 우수하다. 따라서, 일반식 (8) 로 나타내는 구조와 일반식 (9) 로 나타내는 구조의 비율의 범위로는 m1 : m2 = 90 : 10 ∼ 20 : 80 이 경화 후의 막 물성의 관점에서 바람직하고, m1 : m2 = 80 : 20 ∼ 40 : 60 이, 경화 후의 막 물성, 알칼리 용해성 및 열 용융성의 관점에서 보다 바람직하며, m1 : m2 = 70 : 30 ∼ 50 : 50 이, 경화 후의 막 물성, 패턴 형상, 알칼리 용해성 및 열 용융성의 관점에서 특히 바람직하다.In the phenol resin (A) having both the structure represented by the general formula (8) and the structure represented by the general formula (9) in the same resin skeleton, the higher the molar ratio of the structure represented by the general formula (8) The film has good physical properties, is excellent in heat resistance and heat melting property, and the higher the molar ratio of the structure represented by formula (9), the better the alkali solubility and the better the pattern shape after curing. Accordingly, m 1 : m 2 = 90: 10 to 20: 80 is preferable in view of the physical properties of the film after curing, and m (m 2 ) is preferably within the range of the ratio of the structure represented by formula (8) 1 : m 2 = 80: 20 to 40:60 are more preferable from the viewpoints of physical properties of the film after curing, alkali solubility and heat melting property, and m 1 : m 2 = 70:30 to 50:50, , Pattern shape, alkali solubility and heat melting property.

페놀 수지 (A) 는, 전형적으로는, 페놀 화합물과, 공중합 성분, 구체적으로는, 알데하이드기를 갖는 화합물 (트리옥산과 같이 분해하여 알데하이드 화합물을 생성하는 화합물도 포함한다), 케톤기를 갖는 화합물, 메틸올기를 분자 내에 2 개 갖는 화합물, 알콕시메틸기를 분자 내에 2 개 갖는 화합물, 및 할로알킬기를 분자 내에 2 개 갖는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종류 이상의 화합물을 포함하고, 보다 전형적으로는 이들의 모노머 성분을, 중합 반응시킴으로써 합성할 수 있다. 예를 들어, 하기에 나타내는 바와 같은 페놀 및/또는 페놀 유도체 (이하, 총칭하여 「페놀 화합물」이라고도 한다.) 에 대해, 알데하이드 화합물, 케톤 화합물, 메틸올 화합물, 알콕시메틸 화합물, 디엔 화합물, 또는 할로알킬 화합물 등의 공중합 성분을 중합시켜 페놀 수지 (A) 를 얻을 수 있다. 이 경우, 상기 일반식 (1) 중, OH 기 및 임의의 R1 기가 방향 고리에 결합하고 있는 구조로 나타내는 부분은 상기 페놀 화합물에서 유래하고, X 로 나타내는 부분은 상기 공중합 성분에서 유래하게 된다. 반응 제어, 그리고 얻어진 페놀 수지 (A) 및 감광성 수지 조성물의 안정성의 관점에서, 페놀 화합물과 상기 공중합 성분의 주입 몰비 (페놀 화합물 : 공중합 성분) 는, 5 : 1 ∼ 1.01 : 1 인 것이 바람직하고, 2.5 : 1 ∼ 1.1 : 1 인 것이 보다 바람직하다. 본 실시형태에서는, 페놀 수지 (A) 의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 700 ∼ 100,000 이고, 보다 바람직하게는 1,500 ∼ 80,000 이며, 더욱 바람직하게는 2,000 ∼ 50,000 이다. 중량 평균 분자량은, 경화막의 신도의 관점에서, 700 이상인 것이 바람직하고, 한편으로, 중량 평균 분자량은, 감광성 수지 조성물의 알칼리 용해성의 관점에서, 100,000 이하인 것이 바람직하다.Typically, the phenol resin (A) is a compound having a phenol compound and a copolymerization component, specifically, a compound having an aldehyde group (including a compound that decomposes to produce an aldehyde compound such as trioxane), a compound having a ketone group, One or more compounds selected from the group consisting of a compound having two ortho groups in the molecule, a compound having two alkoxymethyl groups in the molecule, and a compound having two haloalkyl groups in the molecule, and more typically, Can be synthesized by polymerization reaction. For example, an aldehyde compound, a ketone compound, a methylol compound, an alkoxymethyl compound, a diene compound, or a halo (meth) acrylate compound may be added to a phenol and / or phenol derivative (hereinafter collectively referred to as "phenol compound" A phenol resin (A) can be obtained by polymerizing a copolymerizable component such as an alkyl compound. In this case, in the general formula (1), the moiety represented by the structure in which the OH group and any R 1 group are bonded to the aromatic ring is derived from the phenol compound, and the moiety represented by X is derived from the copolymerization component. From the viewpoint of reaction control and stability of the obtained phenol resin (A) and photosensitive resin composition, the injection molar ratio (phenol compound: copolymer component) of the phenol compound and the copolymer component is preferably 5: 1 to 1.01: 1, More preferably 2.5: 1 to 1.1: 1. In the present embodiment, the weight average molecular weight of the phenol resin (A) is preferably 700 to 100,000, more preferably 1,500 to 80,000, and even more preferably 2,000 to 50,000. From the viewpoint of elongation of the cured film, the weight average molecular weight is preferably 700 or more. On the other hand, the weight average molecular weight is preferably 100,000 or less from the viewpoint of alkali solubility of the photosensitive resin composition.

중량 평균 분자량은, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC) 에 의해 측정하고, 표준 폴리스티렌을 사용하여 작성한 검량선에 의해 산출할 수 있다.The weight average molecular weight can be calculated by a gel permeation chromatography (GPC) and a calibration curve prepared using standard polystyrene.

본 실시형태에서는, 페놀 수지 (A) 를 얻기 위해서 사용할 수 있는 페놀 화합물로는, 예를 들어 크레졸, 에틸페놀, 프로필페놀, 부틸페놀, 아밀페놀, 시클로헥실페놀, 하이드록시비페닐, 벤질페놀, 니트로벤질페놀, 시아노벤질페놀, 아다만탄페놀, 니트로페놀, 플루오로페놀, 클로로페놀, 브로모페놀, 트리플루오로메틸페놀, N-(하이드록시페닐)-5-노르보르넨-2,3-디카르복시이미드, N-(하이드록시페닐)-5-메틸-5-노르보르넨-2,3-디카르복시이미드, 트리플루오로메틸페놀, 하이드록시벤조산, 하이드록시벤조산메틸, 하이드록시벤조산에틸, 하이드록시벤조산벤질, 하이드록시벤즈아미드, 하이드록시벤즈알데하이드, 하이드록시아세토페논, 하이드록시벤조페논, 하이드록시벤조니트릴, 레조르시놀, 자일레놀, 카테콜, 메틸카테콜, 에틸카테콜, 헥실카테콜, 벤질카테콜, 니트로벤질카테콜, 메틸레조르시놀, 에틸레조르시놀, 헥실레조르시놀, 벤질레조르시놀, 니트로벤질레조르시놀, 하이드로퀴논, 카페인산, 디하이드록시벤조산, 디하이드록시벤조산메틸, 디하이드록시벤조산에틸, 디하이드록시벤조산부틸, 디하이드록시벤조산프로필, 디하이드록시벤조산벤질, 디하이드록시벤즈아미드, 디하이드록시벤즈알데하이드, 디하이드록시아세토페논, 디하이드록시벤조페논, 디하이드록시벤조니트릴, N-(디하이드록시페닐)-5-노르보르넨-2,3-디카르복시이미드, N-(디하이드록시페닐)-5-메틸-5-노르보르넨-2,3-디카르복시이미드, 니트로카테콜, 플루오로카테콜, 클로로카테콜, 브로모카테콜, 트리플루오로메틸카테콜, 니트로레조르시놀, 플루오로레조르시놀, 클로로레조르시놀, 브로모레조르시놀, 트리플루오로메틸레조르시놀, 피로갈롤, 플로로글루시놀, 1,2,4-트리하이드록시벤젠, 트리하이드록시벤조산, 트리하이드록시벤조산메틸, 트리하이드록시벤조산에틸, 트리하이드록시벤조산부틸, 트리하이드록시벤조산프로필, 트리하이드록시벤조산벤질, 트리하이드록시벤즈아미드, 트리하이드록시벤즈알데하이드, 트리하이드록시아세토페논, 트리하이드록시벤조페논, 트리하이드록시벤조니트릴 등을 들 수 있다.In the present embodiment, examples of the phenol compound which can be used for obtaining the phenol resin (A) include cresol, ethyl phenol, propyl phenol, butyl phenol, amyl phenol, cyclohexyl phenol, Nitrophenol, chlorophenol, bromophenol, trifluoromethylphenol, N- (hydroxyphenyl) -5-norbornene-2, nitrophenol, 3-dicarboxyimide, N- (hydroxyphenyl) -5-methyl-5-norbornene-2,3-dicarboxyimide, trifluoromethylphenol, hydroxybenzoic acid, methyl hydroxybenzoate, hydroxybenzoic acid Ethyl benzoate, ethyl benzoate, hydroxy benzoate benzoate, hydroxybenzamide, hydroxybenzaldehyde, hydroxyacetophenone, hydroxybenzophenone, hydroxybenzonitrile, resorcinol, xylenol, catechol, , Hexylcatechol, benzyl But are not limited to, catechol, nitrobenzyl catechol, methyl resorcinol, ethyl resorcinol, hexyl resorcinol, benzyl resorcinol, nitrobenzyl resorcinol, hydroquinone, caffeic acid, dihydroxybenzoic acid, methyl dihydroxybenzoate , Dihydroxybenzoic acid ethyl, dihydroxybenzoic acid butyl, dihydroxybenzoic acid propyl, dihydroxybenzoic acid benzyl, dihydroxybenzamide, dihydroxybenzaldehyde, dihydroxyacetophenone, dihydroxybenzophenone, di (Dihydroxyphenyl) -5-norbornene-2,3-dicarboxyimide, N- (dihydroxyphenyl) -5-methyl-5-norbornene-2,3 And a pharmaceutically acceptable salt thereof selected from the group consisting of -dicarboximide, nitrocatechol, fluorocatechol, chlorocatechol, bromocatechol, trifluoromethylcatechol, nitroresorcinol, fluororesorcinol, chlororesorcinol, bromoresorcinol , Trifluoromethylreso But are not limited to, benzoic acid, cyano, pyrogallol, fluoroglucinol, 1,2,4-trihydroxybenzene, trihydroxybenzoic acid, methyl trihydroxybenzoate, ethyl trihydroxybenzoate, butyl trihydroxybenzoate, Benzyl trihydroxybenzoate, trihydroxybenzamide, trihydroxybenzaldehyde, trihydroxyacetophenone, trihydroxybenzophenone, trihydroxybenzonitrile, and the like.

상기 알데하이드 화합물로는, 예를 들어 아세트알데하이드, 프로피온알데하이드, 피발알데하이드, 부틸알데하이드, 펜타날, 헥사날, 트리옥산, 글리옥살, 시클로헥실알데하이드, 디페닐아세트알데하이드, 에틸부틸알데하이드, 벤즈알데하이드, 글리옥실산, 5-노르보르넨-2-카르복시알데하이드, 말론디알데하이드, 숙신디알데하이드, 글루타르알데하이드, 살리실알데하이드, 나프트알데하이드, 테레프탈알데하이드 등을 들 수 있다.The aldehyde compounds include, for example, acetaldehyde, propionaldehyde, pivalaldehyde, butylaldehyde, pentanal, hexanal, trioxane, glyoxal, cyclohexylaldehyde, diphenylacetaldehyde, ethylbutylaldehyde, benzaldehyde, Oxalic acid, 5-norbornene-2-carboxyaldehyde, malonaldialdehyde, succinodialdehyde, glutaraldehyde, salicylaldehyde, naphthaldehyde, terephthalaldehyde and the like.

상기 케톤 화합물로는, 예를 들어 아세톤, 메틸에틸케톤, 디에틸케톤, 디프로필케톤, 디시클로헥실케톤, 디벤질케톤, 시클로펜탄온, 시클로헥산온, 비시클로헥산온, 시클로헥산디온, 3-부틴-2-온, 2-노르보르나논, 아다만타논, 2,2-비스(4-옥소시클로헥실)프로판 등을 들 수 있다.Examples of the ketone compound include acetone, methyl ethyl ketone, diethyl ketone, dipropyl ketone, dicyclohexyl ketone, dibenzyl ketone, cyclopentanone, cyclohexanone, bicyclohexanone, cyclohexanedione, 3 -Butyn-2-one, 2-norbornanone, adamantanone, and 2,2-bis (4-oxocyclohexyl) propane.

상기 메틸올 화합물로는, 예를 들어 2,6-비스(하이드록시메틸)-p-크레졸, 2,6-비스(하이드록시메틸)-4-에틸페놀, 2,6-비스(하이드록시메틸)-4-프로필페놀, 2,6-비스(하이드록시메틸)-4-n-부틸페놀, 2,6-비스(하이드록시메틸)-4-t-부틸페놀, 2,6-비스(하이드록시메틸)-4-메톡시페놀, 2,6-비스(하이드록시메틸)-4-에톡시페놀, 2,6-비스(하이드록시메틸)-4-프로폭시페놀, 2,6-비스(하이드록시메틸)-4-n-부톡시페놀, 2,6-비스(하이드록시메틸)-4-t-부톡시페놀, 1,3-비스(하이드록시메틸)우레아, 리비톨, 아라비톨, 알리톨, 2,2-비스(하이드록시메틸)부티르산, 2-벤질옥시-1,3-프로판디올, 2,2-디메틸-1,3-프로판디올, 2,2-디에틸-1,3-프로판디올, 모노아세틴, 2-메틸-2-니트로-1,3-프로판디올, 5-노르보르넨-2,2-디메탄올, 5-노르보르넨-2,3-디메탄올, 펜타에리트리톨, 2-페닐-1,3-프로판디올, 트리메틸올에탄, 트리메틸올프로판, 3,6-비스(하이드록시메틸)듀렌, 2-니트로-p-자일릴렌글리콜, 1,10-디하이드록시데칸, 1,12-디하이드록시도데칸, 1,4-비스(하이드록시메틸)시클로헥산, 1,4-비스(하이드록시메틸)시클로헥센, 1,6-비스(하이드록시메틸)아다만탄, 1,4-벤젠디메탄올, 1,3-벤젠디메탄올, 2,6-비스(하이드록시메틸)-1,4-디메톡시벤젠, 2,3-비스(하이드록시메틸)나프탈렌, 2,6-비스(하이드록시메틸)나프탈렌, 1,8-비스(하이드록시메틸)안트라센, 2,2'-비스(하이드록시메틸)디페닐에테르, 4,4'-비스(하이드록시메틸)디페닐에테르, 4,4'-비스(하이드록시메틸)디페닐티오에테르, 4,4'-비스(하이드록시메틸)벤조페논, 4-하이드록시메틸벤조산-4'-하이드록시메틸페닐, 4-하이드록시메틸벤조산-4'-하이드록시메틸아닐리드, 4,4'-비스(하이드록시메틸)페닐우레아, 4,4'-비스(하이드록시메틸)페닐우레탄, 1,8-비스(하이드록시메틸)안트라센, 4,4'-비스(하이드록시메틸)비페닐, 2,2'-디메틸-4,4-'비스(하이드록시메틸)비페닐, 2,2-비스(4-하이드록시메틸페닐)프로판, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 테트라에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 트리프로필렌글리콜, 테트라프로필렌글리콜 등을 들 수 있다.Examples of the methylol compound include 2,6-bis (hydroxymethyl) -p-cresol, 2,6-bis (hydroxymethyl) -4-ethylphenol, 2,6- Butylphenol, 2,6-bis (hydroxymethyl) -4-t-butylphenol, 2,6-bis (hydroxymethyl) Bis (hydroxymethyl) -4-methoxyphenol, 2,6-bis (hydroxymethyl) -4-ethoxyphenol, 2,6- (Hydroxymethyl) -4-n-butoxyphenol, 2,6-bis (hydroxymethyl) -4-t-butoxyphenol, 1,3-bis (hydroxymethyl) urea, ribitol, (Hydroxymethyl) butyric acid, 2-benzyloxy-1,3-propanediol, 2,2-dimethyl-1,3-propanediol, 2,2- 2-nitro-1,3-propanediol, 5-norbornene-2,2-dimethanol, 5-norbornene-2,3-dimethanol, penta Erythritol, 2-phenyl-1,3-propanediol, trimethylene Dihydroxydecane, 1,12-dihydroxydodecane, 1, 2-nitro-p-xylylene glycol, Bis (hydroxymethyl) cyclohexane, 1,4-bis (hydroxymethyl) cyclohexene, 1,6-bis (Hydroxymethyl) naphthalene, 2,6-bis (hydroxymethyl) -1,4-dimethoxybenzene, 2,3-bis (Hydroxymethyl) anthracene, 2,2'-bis (hydroxymethyl) diphenyl ether, 4,4'-bis (hydroxymethyl) diphenyl ether, (Hydroxymethyl) benzophenone, 4-hydroxymethylbenzoic acid-4'-hydroxymethylphenyl, 4-hydroxymethylbenzoic acid-4'-hydroxymethylanilide, 4, 4'-bis (hydroxymethyl) phenylurea, 4,4'-bis (Hydroxymethyl) aniline, 4,4'-bis (hydroxymethyl) biphenyl, 2,2'-dimethyl-4,4'-bis Diethylene glycol, triethylene glycol, tetraethylene glycol, propylene glycol, dipropylene glycol, tripropylene glycol, tetrapropylene glycol, and the like can be given as examples of the polyhydric alcohols such as 2,2-bis (4-hydroxymethylphenyl) propane, ethylene glycol, have.

상기 알콕시메틸 화합물로는, 예를 들어 2,6-비스(메톡시메틸)-p-크레졸, 2,6-비스(메톡시메틸)-4-에틸페놀, 2,6-비스(메톡시메틸)-4-프로필페놀, 2,6-비스(메톡시메틸)-4-n-부틸페놀, 2,6-비스(메톡시메틸)-4-t-부틸페놀, 2,6-비스(메톡시메틸)-4-메톡시페놀, 2,6-비스(메톡시메틸)-4-에톡시페놀, 2,6-비스(메톡시메틸)-4-프로폭시페놀, 2,6-비스(메톡시메틸)-4-n-부톡시페놀, 2,6-비스(메톡시메틸)-4-t-부톡시페놀, 1,3-비스(메톡시메틸)우레아, 2,2-비스(메톡시메틸)부티르산, 2,2-비스(메톡시메틸)-5-노르보르넨, 2,3-비스(메톡시메틸)-5-노르보르넨, 1,4-비스(메톡시메틸)시클로헥산, 1,4-비스(메톡시메틸)시클로헥센, 1,6-비스(메톡시메틸)아다만탄, 1,4-비스(메톡시메틸)벤젠, 1,3-비스(메톡시메틸)벤젠, 2,6-비스(메톡시메틸)-1,4-디메톡시벤젠, 2,3-비스(메톡시메틸)나프탈렌, 2,6-비스(메톡시메틸)나프탈렌, 1,8-비스(메톡시메틸)안트라센, 2,2'-비스(메톡시메틸)디페닐에테르, 4,4'-비스(메톡시메틸)디페닐에테르, 4,4'-비스(메톡시메틸)디페닐티오에테르, 4,4'-비스(메톡시메틸)벤조페논, 4-메톡시메틸벤조산-4'-메톡시메틸페닐, 4-메톡시메틸벤조산-4'-메톡시메틸아닐리드, 4,4'-비스(메톡시메틸)페닐우레아, 4,4'-비스(메톡시메틸)페닐우레탄, 1,8-비스(메톡시메틸)안트라센, 4,4'-비스(메톡시메틸)비페닐, 2,2'-디메틸-4,4'-비스(메톡시메틸)비페닐, 2,2-비스(4-메톡시메틸페닐)프로판, 에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 트리에틸렌글리콜디메틸에테르, 테트라에틸렌글리콜디메틸에테르, 프로필렌글리콜디메틸에테르, 디프로필렌글리콜디메틸에테르, 트리프로필렌글리콜디메틸에테르, 테트라프로필렌글리콜디메틸에테르 등을 들 수 있다.Examples of the alkoxymethyl compound include 2,6-bis (methoxymethyl) -p-cresol, 2,6-bis (methoxymethyl) -4-ethylphenol, 2,6- Butylphenol, 2,6-bis (methoxymethyl) -4-t-butylphenol, 2,6-bis (methoxymethyl) Bis (methoxymethyl) -4-methoxyphenol, 2,6-bis (methoxymethyl) -4-ethoxyphenol, 2,6- Methoxymethyl) -4-n-butoxyphenol, 2,6-bis (methoxymethyl) -4-t-butoxyphenol, 1,3-bis (methoxymethyl) urea, 2,2- Bis (methoxymethyl) butyrate, 2,2-bis (methoxymethyl) -5-norbornene, 2,3- Bis (methoxymethyl) cyclohexane, 1,4-bis (methoxymethyl) benzene, 1,3-bis (methoxy) Methyl) benzene, 2,6-bis (methoxymethyl) -1,4-dimethoxybenzene, 2,3-bis (methoxymethyl) naphthalene, 2,6- Bis (methoxymethyl) diphenyl ether, 4,4'-bis (methoxymethyl) diphenyl ether, 4,4'-bis 4-methoxymethylbenzophenone, 4'-methoxymethylbenzophenone, 4'-methoxymethylbenzophenone, 4'-methoxymethylbenzophenone, 4'- Bis (methoxymethyl) anthracene, 4,4'-bis (methoxymethyl) phenylurea, 4,4'- (Methoxymethyl) biphenyl, 2,2-bis (4-methoxymethylphenyl) propane, ethylene glycol dimethyl ether, Diethylene glycol dimethyl ether, triethylene glycol dimethyl ether, tetraethylene glycol dimethyl ether, propylene glycol dimethyl ether, dipropylene glycol dimethyl ether, tripropylene glycol dimethyl ether, and tetrapropylene glycol dimethyl ether. Can.

상기 디엔 화합물로는, 예를 들어 부타디엔, 펜타디엔, 헥사디엔, 헵타디엔, 옥타디엔, 3-메틸-1,3-부타디엔, 1,3-부탄디올-디메타크릴레이트, 2,4-헥사디엔-1-올, 메틸시클로헥사디엔, 시클로펜타디엔, 시클로헥사디엔, 시클로헵타디엔, 시클로옥타디엔, 디시클로펜타디엔, 1-하이드록시디시클로펜타디엔, 1-메틸시클로펜타디엔, 메틸디시클로펜타디엔, 디알릴에테르, 디알릴술파이드, 아디프산디알릴, 2,5-노르보르나디엔, 테트라하이드로인덴, 5-에틸리덴-2-노르보르넨, 5-비닐-2-노르보르넨, 시아누르산트리알릴, 이소시아누르산디알릴, 이소시아누르산트리알릴, 이소시아누르산디알릴프로필 등을 들 수 있다.Examples of the diene compound include butadiene, pentadiene, hexadiene, heptadiene, octadiene, 3-methyl-1,3-butadiene, 1,3-butanediol-dimethacrylate, Cyclohexadiene, cycloheptadiene, cyclooctadiene, dicyclopentadiene, 1-hydroxydicyclopentadiene, 1-methylcyclopentadiene, methyldicyclopentadiene, methylcyclohexadiene, cyclohexadiene, cyclohexadiene, cyclohexadiene, Norbornene, 5-vinylidene-2-norbornene, 5-ethylidene-2-norbornene, 5-vinylidene-2-norbornene, Norbornene, cyanuric acid triallyl, isocyanuric acid diallyl, isocyanuric acid triallyl, isocyanuric acid diallylpropionate and the like.

상기 할로알킬 화합물로는, 예를 들어 자일렌디클로라이드, 비스클로로메틸디메톡시벤젠, 비스클로로메틸듀렌, 비스클로로메틸비페닐, 비스클로로메틸-비페닐카르복실산, 비스클로로메틸-비페닐디카르복실산, 비스클로로메틸-메틸비페닐, 비스클로로메틸-디메틸비페닐, 비스클로로메틸안트라센, 에틸렌글리콜비스(클로로에틸)에테르, 디에틸렌글리콜비스(클로로에틸)에테르, 트리에틸렌글리콜비스(클로로에틸)에테르, 테트라에틸렌글리콜비스(클로로에틸)에테르 등을 들 수 있다.The haloalkyl compounds include, for example, xylylene dichloride, bischloromethyldimethoxybenzene, bischloromethylduren, bischloromethylbiphenyl, bischloromethyl-biphenylcarboxylic acid, bischloromethyl-biphenyldicar (Chloroethyl) ether, diethyleneglycol bis (chloroethyl) ether, triethylene glycol bis (chloroethyl) ether, diethyleneglycol bis ) Ether, tetraethylene glycol bis (chloroethyl) ether, and the like.

상기 서술한 페놀 화합물과 공중합 성분을, 탈수, 탈할로겐화수소, 혹은 탈알코올에 의해 축합시키거나, 또는 불포화 결합을 개열시키면서 중합시킴으로써, 페놀 수지 (A) 를 얻을 수 있다. 페놀 화합물과 공중합 성분의 중합 시에 촉매를 사용해도 된다.The phenol resin (A) can be obtained by condensing the above-described phenol compound and the copolymerization component with dehydration, dehydrohalogenation, or alcohols, or polymerizing the unsaturated bond while cleavage. A catalyst may be used in the polymerization of the phenol compound and the copolymerization component.

산성의 촉매로는, 예를 들어 염산, 황산, 질산, 인산, 아인산, 메탄술폰산, p-톨루엔술폰산, 디메틸황산, 디에틸황산, 아세트산, 옥살산, 1-하이드록시에틸리덴-1,1'-디포스폰산, 아세트산아연, 삼불화붕소, 삼불화붕소·페놀 착물, 삼불화붕소·에테르 착물 등을 들 수 있다.Examples of the acidic catalyst include inorganic acids such as hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, phosphoric acid, phosphorous acid, methanesulfonic acid, p-toluenesulfonic acid, dimethylsulfuric acid, diethylsulfuric acid, acetic acid, oxalic acid, -Diphosphonic acid, zinc acetate, boron trifluoride, boron trifluoride-phenol complex, boron trifluoride-ether complex, and the like.

알칼리성의 촉매로는, 예를 들어 수산화리튬, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 수산화칼슘, 수산화바륨, 탄산나트륨, 트리에틸아민, 피리딘, 4-N,N-디메틸아미노피리딘, 피페리딘, 피페라진, 1,4-디아자비시클로[2.2.2]옥탄, 1,8-디아자비시클로[5.4.0]-7-운데센, 1,5-디아자비시클로[4.3.0]-5-노넨, 암모니아, 헥사메틸렌테트라민 등을 들 수 있다.Examples of the alkaline catalyst include alkali metal hydroxides such as lithium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide, calcium hydroxide, barium hydroxide, sodium carbonate, triethylamine, pyridine, 4-N, N-dimethylaminopyridine, piperidine, Diazabicyclo [2.2.2] octane, 1,8-diazabicyclo [5.4.0] -7-undecene, 1,5-diazabicyclo [4.3.0] Methylene tetramine and the like.

본 실시형태에서는, 페놀 수지 (A) 를 얻기 위해서 사용되는 촉매의 양은, 공중합 성분의 합계 몰수, 바람직하게는 알데하이드 화합물, 케톤 화합물, 메틸올 화합물, 알콕시메틸 화합물, 디엔 화합물 및 할로알킬 화합물의 합계 몰수 100 몰% 에 대해, 0.01 몰% ∼ 100 몰% 의 범위인 것이 바람직하다.In the present embodiment, the amount of the catalyst used for obtaining the phenol resin (A) is preferably the total number of moles of the copolymerizable components, preferably the total number of moles of the copolymerizable components, But it is preferably in the range of 0.01 mol% to 100 mol% with respect to 100 mol% of the molar amount.

페놀 수지 (A) 의 합성 반응을 실시할 때에는, 필요에 따라 유기 용제를 사용할 수 있다. 사용할 수 있는 유기 용제의 구체예로는, 한정되는 것은 아니지만, 비스(2-메톡시에틸)에테르, 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디프로필렌글리콜디메틸에테르, 시클로헥산온, 시클로펜탄온, 톨루엔, 자일렌, γ-부티로락톤, N-메틸-2-피롤리돈 등을 들 수 있다. 이들 유기 용제의 사용량은, 주입 원료의 총질량을 100 질량부로 했을 때에, 통상 10 질량부 ∼ 1000 질량부이고, 바람직하게는 20 질량부 ∼ 500 질량부이다. 또, 페놀 수지 (A) 의 합성 반응에 있어서, 반응 온도는, 40 ℃ ∼ 250 ℃ 인 것이 바람직하고, 100 ℃ ∼ 200 ℃ 의 범위인 것이 보다 바람직하며, 그리고 반응 시간은, 대략 1 시간 ∼ 10 시간인 것이 바람직하다.When the synthesis reaction of the phenol resin (A) is carried out, an organic solvent may be used if necessary. Specific examples of the organic solvent that can be used include, but are not limited to, bis (2-methoxyethyl) ether, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, Ethylene glycol dimethyl ether, dipropylene glycol dimethyl ether, cyclohexanone, cyclopentanone, toluene, xylene,? -Butyrolactone, N-methyl-2-pyrrolidone and the like. The amount of these organic solvents to be used is generally 10 parts by mass to 1000 parts by mass, preferably 20 parts by mass to 500 parts by mass, when the total mass of the raw material for injection is 100 parts by mass. In the synthesis reaction of the phenol resin (A), the reaction temperature is preferably from 40 to 250 ° C, more preferably from 100 to 200 ° C, and the reaction time is from about 1 to 10 Hour.

또한, 페놀 수지 (A) 는, 상기 일반식 (1) 의 구조의 원료로는 되지 않는 페놀 화합물을, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서, 예를 들어 페놀 수지 (A) 의 원료가 되는 페놀 화합물 전체 몰수의 30 % 이하로, 추가로 사용하여 중합시킨 것이어도 된다.The phenol resin (A) can be obtained by copolymerizing a phenol compound which is not a raw material of the structure of the general formula (1) within the range that does not impair the effect of the present invention, Or 30% or less of the total number of moles of the phenol compound.

본 실시형태에서는, 상기 일반식 (1) 에 있어서, a 가 1 인 경우에는, 알칼리 용해성을 향상시키기 위해, 노볼락 수지 및 폴리하이드록시스티렌 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 페놀 수지 (이하, 페놀 수지 (A') 라고도 한다) 를 페놀 수지 (A) 와 혼합할 수 있다.In the present embodiment, when a is 1 in the general formula (1), a phenol resin selected from the group consisting of a novolac resin and a polyhydroxystyrene resin (hereinafter referred to as phenol resin (A ') may be mixed with the phenol resin (A).

페놀 수지 (A) 와 페놀 수지 (A') 의 혼합비는, 질량비로 (A)/(A') = 10/90 ∼ 90/10 의 범위인 것이 바람직하다. 이 혼합비는, 알칼리 수용액 중에서의 용해성, 및 경화막의 신도의 관점에서, (A)/(A') = 10/90 ∼ 90/10 인 것이 바람직하고, (A)/(A') = 20/80 ∼ 80/20 인 것이 보다 바람직하며, (A)/(A') = 30/70 ∼ 70/30 인 것이 더욱 바람직하다.The mixing ratio of the phenol resin (A) to the phenol resin (A ') is preferably in the range of (A) / (A') = 10/90 to 90/10 by mass ratio. (A) / (A ') = 10/90 to 90/10 in view of the solubility in an aqueous alkali solution and the elongation of the cured film, and (A) / (A') = 20 / More preferably 80 to 80/20, and still more preferably (A) / (A ') = 30/70 to 70/30.

상기 노볼락 수지는, 페놀류와 포름알데하이드를 산성 촉매의 존재하에서 축합시킴으로써 얻을 수 있다. 상기 페놀류로는, 예를 들어 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, o-에틸페놀, m-에틸페놀, p-에틸페놀, o-부틸페놀, m-부틸페놀, p-부틸페놀, 2,3-자일레놀, 2,4-자일레놀, 2,5-자일레놀, 2,6-자일레놀, 3,4-자일레놀, 3,5-자일레놀, 2,3,5-트리메틸페놀, 3,4,5-트리메틸페놀, 카테콜, 레조르시놀, 피로갈롤, α-나프톨, β-나프톨 등을 들 수 있다. 구체적인 노볼락 수지로는, 예를 들어 페놀/포름알데하이드 축합 노볼락 수지, 크레졸/포름알데하이드 축합 노볼락 수지, 페놀-나프톨/포름알데하이드 축합 노볼락 수지 등을 들 수 있다.The novolac resin can be obtained by condensation of phenols and formaldehyde in the presence of an acidic catalyst. Examples of the phenol include phenol, o-cresol, m-cresol, p-cresol, o-ethylphenol, m-ethylphenol, p-ethylphenol, Phenol, 2,3-xylenol, 2,4-xylenol, 2,5-xylenol, 2,6-xylenol, 3,4-xylenol, 3,5- 2,3,5-trimethylphenol, 3,4,5-trimethylphenol, catechol, resorcinol, pyrogallol, alpha -naphthol, beta -naphthol and the like. Specific examples of the novolak resin include phenol / formaldehyde condensed novolak resin, cresol / formaldehyde condensed novolak resin, phenol-naphthol / formaldehyde condensed novolac resin, and the like.

상기 폴리하이드록시스티렌 수지로는 폴리파라비닐페놀이 바람직하다. 폴리파라비닐페놀은, 파라비닐페놀을 중합 단위로서 함유하는 폴리머이면 특별히 한정되는 것은 아니다. 폴리파라비닐페놀을 구성할 수 있는, 파라비닐페놀 이외의 중합 단위는, 본 발명의 목적에 반하지 않는 한은, 파라비닐페놀과 공중합 가능한 임의의 화합물이어도 된다. 파라비닐페놀과 공중합 가능한 화합물은, 예를 들어 메틸아크릴레이트, 메틸메타아크릴레이트, 하이드록시에틸아크릴레이트, 부틸메타아크릴레이트, 옥틸아크릴레이트, 2-에톡시에틸메타아크릴레이트, t-부틸아크릴레이트, 1,5-펜탄디올디아크릴레이트, N,N-디에틸아미노에틸아크릴레이트, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,3-프로판디올디아크릴레이트, 데카메틸렌글리콜디아크릴레이트, 데카메틸렌글리콜디메타아크릴레이트, 1,4-시클로헥산디올디아크릴레이트, 2,2-디메틸올프로판디아크릴레이트, 글리세롤디아크릴레이트, 트리프로필렌글리콜디아크릴레이트, 글리세롤트리아크릴레이트, 2,2-디(p-하이드록시페닐)-프로판디메타아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 폴리옥시에틸-2-2-디(p-하이드록시페닐)-프로판디메타아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디메타아크릴레이트, 폴리옥시프로필트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 에틸렌글리콜디메타아크릴레이트, 부틸렌글리콜디메타아크릴레이트, 1,3-프로판디올디메타아크릴레이트, 부틸렌글리콜디메타아크릴레이트, 1,3-프로판디올디메타아크릴레이트, 1,2,4-부탄트리올트리메타아크릴레이트, 2,2,4-트리메틸-1,3-펜탄디올디메타아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리메타아크릴레이트, 1-페닐에틸렌-1,2-디메타아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라메타아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리메타아크릴레이트, 1,5-펜탄디올디메타아크릴레이트 및 1,4-벤젠디올디메타아크릴레이트와 같은, 아크릴산의 에스테르 ; 스티렌, 그리고, 예를 들어 2-메틸스티렌 및 비닐톨루엔과 같은 치환 스티렌 ; 비닐아크릴레이트 및 비닐메타아크릴레이트와 같은 비닐에스테르 ; 오르토비닐페놀 및 메타비닐페놀과 같은, 파라비닐페놀 이외의 비닐페놀 ; 등의 모노머를 들 수 있지만, 이들로 한정되는 것은 아니다.As the polyhydroxystyrene resin, polyparabinyl phenol is preferable. The polyparabinylphenol is not particularly limited as long as it is a polymer containing parabinol phenol as a polymerization unit. The polymerization unit other than the paravinylphenol which can form the polyparabinylphenol may be any compound copolymerizable with the para-vinylphenol, as long as it is against the object of the present invention. Examples of the compound copolymerizable with para-vinylphenol include methyl acrylate, methyl methacrylate, hydroxyethyl acrylate, butyl methacrylate, octyl acrylate, 2-ethoxyethyl methacrylate, t-butyl acrylate , 1,5-pentanediol diacrylate, N, N-diethylaminoethyl acrylate, ethylene glycol diacrylate, 1,3-propanediol diacrylate, decamethylene glycol diacrylate, decamethylene glycol dimethacrylate Acrylate, 1,4-cyclohexanediol diacrylate, 2,2-dimethylol propane diacrylate, glycerol diacrylate, tripropylene glycol diacrylate, glycerol triacrylate, 2,2- Hydroxyphenyl) -propanedimethacrylate, triethylene glycol diacrylate, polyoxyethyl-2-2-di (p-hydroxyphenyl) -propane dimethacrylate, Ethylene glycol dimethacrylate, ethylene glycol dimethacrylate, polyoxypropyl trimethylol propane triacrylate, ethylene glycol dimethacrylate, butylene glycol dimethacrylate, 1,3-propanediol dimethacrylate, butylene glycol dimethacrylate , 1,3-propanediol dimethacrylate, 1,2,4-butanetriol trimethacrylate, 2,2,4-trimethyl-1,3-pentanediol dimethacrylate, pentaerythritol trimethacrylate Acrylate, 1-phenylethylene-1,2-dimethacrylate, pentaerythritol tetramethacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate, 1,5-pentanediol dimethacrylate and 1,4-benzenediol Esters of acrylic acid, such as dimethacrylate; Styrene and substituted styrenes such as, for example, 2-methylstyrene and vinyltoluene; Vinyl esters such as vinyl acrylate and vinyl methacrylate; Vinyl phenols other than para-vinyl phenol, such as orthovinyl phenol and methvinyl phenol; , And the like, but are not limited thereto.

페놀 수지 (A') (즉, 노볼락 수지 및 폴리하이드록시스티렌 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 페놀 수지) 의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 700 ∼ 100,000 이고, 보다 바람직하게는 1,500 ∼ 80,000 이며, 더욱 바람직하게는 2,000 ∼ 50,000 이다. 중량 평균 분자량은, 경화막의 신도의 관점에서, 700 이상인 것이 바람직하고, 한편으로, 감광성 수지 조성물의 알칼리 용해성의 관점에서, 100,000 이하인 것이 바람직하다.The weight average molecular weight of the phenol resin (A ') (that is, the phenol resin selected from the group consisting of the novolac resin and the polyhydroxystyrene resin) is preferably 700 to 100,000, more preferably 1,500 to 80,000, More preferably 2,000 to 50,000. The weight average molecular weight is preferably 700 or more from the viewpoint of elongation of the cured film, and is preferably 100,000 or less from the viewpoint of alkali solubility of the photosensitive resin composition.

또한, 노볼락 수지 및 폴리하이드록시스티렌 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 페놀 수지는, 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 혼합하여 사용해도 된다.The phenolic resins selected from the group consisting of novolac resins and polyhydroxystyrene resins may be used alone or in combination of two or more.

[광산 발생제 (B)] [Photo acid generator (B)]

본 실시형태에서는, 감광성 수지 조성물은, 자외선, 전자선, X 선 등으로 대표되는 활성 광선 (즉 방사선) 에 감응하여 수지 패턴을 형성할 수 있는 조성물이다. 감광성 수지 조성물은, 네거티브형 (즉 미조사부가 현상에 의해 용출되는 것) 또는 포지티브형 (즉 조사부가 현상에 의해 용출되는 것) 의 어느 것이어도 된다.In the present embodiment, the photosensitive resin composition is a composition capable of forming a resin pattern by being sensitive to an actinic ray (i.e., radiation) typified by ultraviolet rays, electron rays, X-rays and the like. The photosensitive resin composition may be either of a negative type (that is, a non-irradiated portion is eluted by development) or a positive type (that is, an irradiated portion is eluted by development).

본 실시형태에서는, 감광성 수지 조성물이 네거티브형의 감광성 수지 조성물로서 사용되는 경우, 광산 발생제 (B) 가 방사선 조사를 받아 산을 발생하고, 발생한 산이 상기 페놀 수지 (A) 와 가교제의 가교 반응을 일으킴으로써, 방사선 조사부가 현상액에 불용이 된다. 네거티브형에 사용할 수 있는 광산 발생제 (B) 로는, 예를 들어 이하의 화합물을 들 수 있다 : In the present embodiment, when the photosensitive resin composition is used as a negative-type photosensitive resin composition, the photoacid generator (B) is irradiated with radiation to generate an acid, and the resulting acid undergoes a crosslinking reaction between the phenol resin (A) Thereby causing the irradiation part to become insoluble in the developer. Examples of the photoacid generator (B) usable in the negative type include the following compounds:

(i) 트리클로로메틸-s-트리아진류 (i) trichloromethyl-s-triazine

트리스(2,4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-페닐-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(3-클로로페닐)-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(2-클로로페닐)-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메톡시페닐)-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(3-메톡시페닐)-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(2-메톡시페닐)-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메틸티오페닐)-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(3-메틸티오페닐)비스(4,6-트리클로로메틸-s-트리아진, 2-(2-메틸티오페닐)-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메톡시나프틸)-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(3-메톡시나프틸)-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(2-메톡시나프틸)-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(3,4,5-트리메톡시-β-스티릴)-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메틸티오-β-스티릴)-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(3-메틸티오-β-스티릴)-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(2-메틸티오-β-스티릴)-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진 등 ; Bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2- (3-chlorophenyl) -bis (4,6-trichloromethyl) Triazine, 2- (4-methoxyphenyl) -bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2- Trichloromethyl) -s-triazine, 2- (2-methoxyphenyl) -bis (4,6-trichloromethyl) Bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2- (3-methylthiophenyl) -bis ) Bis (4,6-trichloromethyl-s-triazine, 2- (2-methylthiophenyl) -bis (4,6-trichloromethyl) (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2- (3-methoxynaphthyl) -bis -Methoxynaphthyl) -bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2- (3,4,5-trimethoxy- beta -styryl) -bis (4,6-trichloro Methyl) -s- (4-methylthio-β-styryl) -bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2- , 6-trichloromethyl) -s-triazine, 2- (2-methylthio-β-styryl) -bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine and the like;

(ii) 디아릴요오드늄염류 (ii) diaryl iodonium salts

디페닐요오드늄테트라플루오로보레이트, 디페닐요오드늄테트라플루오로포스페이트, 디페닐요오드늄테트라플루오로아르세네이트, 디페닐요오드늄트리플루오로메탄술포네이트, 디페닐요오드늄트리플루오로아세테이트, 디페닐요오드늄-p-톨루엔술포네이트, 4-메톡시페닐페닐요오드늄테트라플루오로보레이트, 4-메톡시페닐페닐요오드늄헥사플루오로포스포네이트, 4-메톡시페닐페닐요오드늄헥사플루오로아르세네이트, 4-메톡시페닐페닐요오드늄트리플루오로메탄술포네이트, 4-메톡시페닐페닐요오드늄트리플루오로아세테이트, 4-메톡시페닐페닐요오드늄-p-톨루엔술포네이트, 비스(4-tert-부틸페닐)요오드늄테트라플루오로보레이트, 비스(4-tert-부틸페닐)요오드늄헥사플루오로아르세네이트, 비스(4-tert-부틸페닐)요오드늄트리플루오로메탄술포네이트, 비스(4-tert-부틸페닐)요오드늄트리플루오로아세테이트, 비스(4-tert-부틸페닐)요오드늄-p-톨루엔술포네이트 등 ; Diphenyl iodonium tetrafluoroborate, diphenyl iodonium tetrafluoroborate, diphenyl iodonium tetrafluoroarsenate, diphenyl iodonium trifluoromethanesulfonate, diphenyl iodonium trifluoroacetate, diphenyl iodonium tetrafluoroborate, diphenyl iodonium tetrafluoroborate, Phenyl iodonium p-toluenesulfonate, 4-methoxyphenyl phenyliodonium tetrafluoroborate, 4-methoxyphenyl phenyliodonium hexafluorophosphonate, 4-methoxyphenylphenyl iodonium hexafluoroarsenate 4-methoxyphenyl iodonium trifluoromethanesulfonate, 4-methoxyphenylphenyliodonium trifluoroacetate, 4-methoxyphenylphenyliodonium-p-toluenesulfonate, bis (4- iodonium tetrafluoroborate, bis (4-tert-butylphenyl) iodonium hexafluoroarsenate, bis (4-tert-butylphenyl) iodonium trifluoromethanesulfonate , Bis (4-tert-butylphenyl) iodonium trifluoroacetate, bis (4-tert-butylphenyl) iodonium-p-toluenesulfonate and the like;

(iii) 트리아릴술포늄염류 (iii) triarylsulfonium salts

트리페닐술포늄테트라플루오로보레이트, 트리페닐술포늄헥사플루오로포스포네이트, 트리페닐술포늄헥사플루오로아르세네이트, 트리페닐술포늄메탄술포네이트, 트리페닐술포늄트리플루오로아세테이트, 트리페닐술포늄-p-톨루엔술포네이트, 4-메톡시페닐디페닐술포늄테트라플루오로보레이트, 4-메톡시페닐디페닐술포늄헥사플루오로포스포네이트, 4-메톡시페닐디페닐술포늄헥사플루오로아르세네이트, 4-메톡시페닐디페닐술포늄메탄술포네이트, 4-메톡시페닐디페닐술포늄트리플루오로아세테이트, 4-메톡시페닐디페닐술포늄-p-톨루엔술포네이트, 4-페닐티오페닐디페닐테트라플루오로보레이트, 4-페닐티오페닐디페닐헥사플루오로포스포네이트, 4-페닐티오페닐디페닐헥사플루오로아르세네이트, 4-페닐티오페닐디페닐트리플루오로메탄술포네이트, 4-페닐티오페닐디페닐트리플루오로아세테이트, 4-페닐티오페닐디페닐-p-톨루엔술포네이트 등.Triphenylsulfonium tetrafluoroborate, triphenylsulfonium tetrafluoroborate, triphenylsulfonium hexafluorophosphate, triphenylsulfonium hexafluoroarsenate, triphenylsulfonium methanesulfonate, triphenylsulfonium trifluoroacetate, triphenylsulfonium hexafluorophosphate, Methoxyphenyldiphenylsulfonium hexafluorophosphate, 4-methoxyphenyldiphenylsulfonium tetrafluoroborate, 4-methoxyphenyldiphenylsulfonium hexafluorophosphonate, 4-methoxyphenyldiphenylsulfonium hexafluoro 4-methoxyphenyldiphenylsulfonium methanesulfonate, 4-methoxyphenyldiphenylsulfonium trifluoroacetate, 4-methoxyphenyldiphenylsulfonium-p-toluenesulfonate, 4- Phenylthiophenyldiphenyl tetrafluoroborate, 4-phenylthiophenyldiphenyl hexafluorophosphate, 4-phenylthiophenyldiphenyl hexafluoroarsenate, 4-phenylthiophenyldiphenyltrifluoromethanesulfo Nate, 4-phenylthiophenyldiphenyltrifluoroacetate, 4-phenylthiophenyldiphenyl-p-toluenesulfonate, and the like.

이들 화합물 중, 트리클로로메틸-s-트리아진류로는, 2-(3-클로로페닐)-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-클로로페닐)-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메틸티오페닐)-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메톡시-β-스티릴)-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메톡시나프틸)-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진 등이 바람직하다.Among these compounds, trichloromethyl-s-triazine derivatives include 2- (3-chlorophenyl) -bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2- (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2- (4-methoxy-.beta.- -Styryl) -bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine and 2- (4-methoxynaphthyl) -bis (4,6-trichloromethyl) Do.

디아릴요오드늄염류로는, 디페닐요오드늄트리플루오로아세테이트, 디페닐요오드늄트리플루오로메탄술포네이트, 4-메톡시페닐페닐요오드늄트리플루오로메탄술포네이트, 4-메톡시페닐페닐요오드늄트리플루오로아세테이트 등이 바람직하다.Examples of diaryliodonium salts include diphenyliodonium trifluoroacetate, diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, 4-methoxyphenylphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, 4-methoxyphenylphenyl iodide Trifluoroacetic acid and the like are preferable.

트리아릴술포늄염류로는, 트리페닐술포늄메탄술포네이트, 트리페닐술포늄트리플루오로아세테이트, 4-메톡시페닐디페닐술포늄메탄술포네이트, 4-메톡시페닐디페닐술포늄트리플루오로아세테이트, 4-페닐티오페닐디페닐트리플루오로메탄술포네이트, 4-페닐티오페닐디페닐트리플루오로아세테이트 등이 바람직하다.Examples of the triarylsulfonium salts include triphenylsulfonium methanesulfonate, triphenylsulfonium trifluoroacetate, 4-methoxyphenyldiphenylsulfonium methanesulfonate, 4-methoxyphenyldiphenylsulfoniumtrifluoro Acetate, 4-phenylthiophenyldiphenyltrifluoromethanesulfonate, 4-phenylthiophenyldiphenyltrifluoroacetate, and the like are preferable.

이 외에도, 광산 발생제 (B) 로서, 이하에 나타내는 화합물을 사용할 수도 있다.In addition, as the photo acid generator (B), the following compounds may be used.

(1) 디아조케톤 화합물 (1) diazoketone compound

디아조케톤 화합물로서, 예를 들어 1,3-디케토-2-디아조 화합물, 디아조벤조퀴논 화합물, 디아조나프토퀴논 화합물 등을 들 수 있다. 구체예로는 페놀류의 1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산에스테르 화합물을 들 수 있다.Examples of the diazoketone compound include a 1,3-diketo-2-diazo compound, a diazobenzoquinone compound, and a diazonaphthoquinone compound. Specific examples thereof include 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester compounds of phenols.

(2) 술폰 화합물 (2) Sulfone compound

술폰 화합물로서, 예를 들어 β-케토술폰 화합물, β-술포닐술폰 화합물 및 이들 화합물의 α-디아조 화합물을 들 수 있다. 구체예로서, 4-트리스페나실술폰, 메시틸페나실술폰, 비스(페나실술포닐)메탄 등을 들 수 있다.Examples of the sulfone compound include? -Ketosulfone compounds,? -Sulfonyl sulfone compounds, and? -Diazo compounds of these compounds. Specific examples include 4-trisphenacylsulfone, mesitylphenacylsulfone, bis (phenacylsulfonyl) methane, and the like.

(3) 술폰산 화합물 (3) Sulfonic acid compound

술폰산 화합물로서, 예를 들어 알킬술폰산에스테르류, 할로알킬술폰산에스테르류, 아릴술폰산에스테르류, 이미노술포네이트류 등을 들 수 있다. 술폰산 화합물의 바람직한 구체예로는, 벤조인토실레이트, 피로갈롤트리스트리플루오로메탄술포네이트, o-니트로벤질트리플루오로메탄술포네이트, o-니트로벤질-p-톨루엔술포네이트 등을 들 수 있다.As the sulfonic acid compound, for example, alkylsulfonic acid esters, haloalkylsulfonic acid esters, arylsulfonic acid esters, iminosulfonates and the like can be given. Specific preferred examples of the sulfonic acid compound include benzoin tosylate, pyrogallol tris trifluoromethanesulfonate, o-nitrobenzyltrifluoromethanesulfonate, o-nitrobenzyl-p-toluenesulfonate, and the like .

(4) 술폰이미드 화합물 (4) Sulfonimide compound

술폰이미드 화합물로서, 예를 들어 N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)숙신이미드, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)프탈이미드, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)디페닐말레이미드, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)비시클로[2.2.1]헵트-5-엔-2,3-디카르복시이미드, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)나프틸이미드 등을 들 수 있다.As sulfonimide compounds, for example, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) succinimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) phthalimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) Diphenylmaleimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxyimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) Imide, and the like.

(5) 옥심에스테르 화합물 (5) Oxime ester compound

옥심에스테르 화합물로서, 구체적으로는 2-[2-(4-메틸페닐술포닐옥시이미노)]-2,3-디하이드로티오펜-3-일리덴]-2-(2-메틸페닐)아세토니트릴 (시바 스페셜티 케미컬즈사 상품명 「이르가큐어 PAG121」), [2-(프로필술포닐옥시이미노)-2,3-디하이드로티오펜-3-일리덴]-2-(2-메틸페닐)아세토니트릴 (시바 스페셜티 케미컬즈사 상품명 「이르가큐어 PAG103」), [2-(n-옥탄술포닐옥시이미노)-2,3-디하이드로티오펜-3-일리덴]-2-(2-메틸페닐)아세토니트릴 (시바 스페셜티 케미컬즈사 상품명 「이르가큐어 PAG108」), α-(n-옥탄술포닐옥시이미노)-4-메톡시벤질시아니드 (시바 스페셜티 케미컬즈사 상품명 「CGI725」) 등을 들 수 있다.Specific examples of the oxime ester compound include 2- [2- (4-methylphenylsulfonyloxyimino)] - 2,3-dihydrothiophene-3-ylidene] -2- (2-methylphenyl) acetonitrile (Propylsulfonyloxyimino) -2,3-dihydrothiophene-3-ylidene] -2- (2-methylphenyl) acetonitrile (Ciba Specialty Chemicals Inc., trade name "Irgacure PAG121" 2- (2-methylphenyl) acetonitrile (available from Ciba Specialty Chemicals, Inc. under the trade designation "Irgacure PAG103" (Irgacure PAG108 &quot; by Specialty Chemicals Inc.) and? - (n-octanesulfonyloxyimino) -4-methoxybenzyl cyanide (CGI725 by Ciba Specialty Chemicals).

(6) 디아조메탄 화합물(6) Diazomethane compound

디아조메탄 화합물로서, 구체적으로는 비스(트리플루오로메틸술포닐)디아조메탄, 비스(시클로헥실술포닐)디아조메탄, 비스(페닐술포닐)디아조메탄 등을 들 수 있다.Specific examples of the diazomethane compound include bis (trifluoromethylsulfonyl) diazomethane, bis (cyclohexylsulfonyl) diazomethane, bis (phenylsulfonyl) diazomethane and the like.

감도의 관점에서, 특히, 상기 (5) 옥심에스테르 화합물이 바람직하다.From the viewpoint of sensitivity, the oxime ester compound (5) is particularly preferable.

본 실시형태에서는, 감광성 수지 조성물이 네거티브형인 경우에는, 페놀 수지 (A) 100 질량부에 대한 광산 발생제 (B) 의 배합량은, 0.1 ∼ 50 질량부인 것이 바람직하고, 1 ∼ 40 질량부인 것이 보다 바람직하다. 그 배합량이 0.1 질량부 이상이면 감도의 향상 효과를 양호하게 얻을 수 있고, 그 배합량이 50 질량부 이하이면 경화막의 기계 물성이 양호하다.In the present embodiment, when the photosensitive resin composition is a negative type, the compounding amount of the photoacid generator (B) relative to 100 parts by mass of the phenol resin (A) is preferably 0.1 to 50 parts by mass, more preferably 1 to 40 parts by mass desirable. When the amount is less than 0.1 part by mass, the effect of improving the sensitivity can be satisfactorily obtained. When the amount is less than 50 parts by mass, the mechanical properties of the cured film are good.

본 실시형태에서는, 감광성 수지 조성물은 포지티브형의 감광성 수지 조성물로서 사용할 수도 있다. 이 경우, 상기 (i) ∼ (iii), 그리고 (1) ∼ (6) 으로 나타내는 광산 발생제 및/또는 퀴논디아지드 화합물이 사용된다. 그 중에서도 경화 후의 물성의 관점에서 퀴논디아지드 화합물이 바람직하다. 이것은 퀴논디아지드 화합물이 경화 시에 열분해하여, 경화 후의 막 중에 잔존하는 양이 매우 낮기 때문이다. 따라서, 포지티브형의 광산 발생제 (B) 는, 퀴논디아지드 화합물인 것이 바람직하다.In the present embodiment, the photosensitive resin composition may be used as a positive photosensitive resin composition. In this case, photoacid generators and / or quinone diazide compounds represented by the above (i) to (iii) and (1) to (6) are used. Among them, a quinone diazide compound is preferable from the viewpoint of physical properties after curing. This is because the quinone diazide compound is pyrolyzed at the time of curing and the amount remaining in the film after curing is very low. Therefore, the positive-type photo acid generator (B) is preferably a quinone diazide compound.

퀴논디아지드 화합물로는, 1,2-벤조퀴논디아지드 구조 또는 1,2-나프토퀴논디아지드 구조 (후자의 구조를 갖는 화합물을, 이하 「NQD 화합물」이라고도 한다.) 를 갖는 화합물을 들 수 있다. 이들 화합물은, 예를 들어 미국 특허 제2,772,972호 명세서, 미국 특허 제2,797,213호 명세서, 미국 특허 제3,669,658호 명세서 등에 기술되어 있다. 그 NQD 화합물은, 이하 상세히 서술하는 복수의 페놀성 수산기를 갖는 화합물 (이하 「폴리하이드록시 화합물」이라고도 한다.) 의 1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산에스테르, 및 그 폴리하이드록시 화합물의 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산에스테르로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 화합물이다.As the quinone diazide compound, a compound having a 1,2-benzoquinone diazide structure or a 1,2-naphthoquinone diazide structure (a compound having the latter structure, hereinafter also referred to as an "NQD compound" . These compounds are described in, for example, U.S. Patent No. 2,772,972, U.S. Patent No. 2,797,213, U.S. Patent No. 3,669,658, and the like. The NQD compound is a 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester of a compound having a plurality of phenolic hydroxyl groups (hereinafter also referred to as &quot; polyhydroxy compound &quot; And 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester of the compound.

NQD 화합물은, 통상적인 방법에 따라, 나프토퀴논디아지드술폰산을, 클로르술폰산 또는 염화티오닐 등으로 술포닐클로라이드로 바꾸고, 얻어진 나프토퀴논디아지드술포닐클로라이드와, 폴리하이드록시 화합물을 축합 반응시킴으로써 얻어진다. 예를 들어, 폴리하이드록시 화합물과, 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술포닐클로라이드 또는 1,2-나프토퀴논디아지드-4-술포닐클로라이드의 소정량을, 디옥산, 아세톤, 또는 테트라하이드로푸란 등의 용매 중, 트리에틸아민 등의 염기성 촉매의 존재하에서 반응시켜 에스테르화를 실시하고, 얻어진 생성물을 수세하고, 건조시킴으로써 얻을 수 있다.The NQD compound can be obtained by converting naphthoquinone diazidesulfonic acid with sulfonyl chloride with chlorosulfonic acid or thionyl chloride according to a conventional method and then condensing the resulting naphthoquinonediazide sulfonyl chloride with a polyhydroxy compound . For example, a predetermined amount of a polyhydroxy compound and 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl chloride or 1,2-naphthoquinone diazide-4-sulfonyl chloride is dissolved in dioxane, acetone , Or tetrahydrofuran in the presence of a basic catalyst such as triethylamine to effect esterification, washing the obtained product with water and drying.

감도 및 신도 등의 경화막 물성의 관점에서 바람직한 NQD 화합물의 예로는, 하기 일반식군 : Examples of the NQD compound preferable from the viewpoint of physical properties of the cured film such as sensitivity and elongation are the following general groups:

[화학식 32] (32)

Figure pct00032
Figure pct00032

{식 중, Q 는, 수소 원자, 또는 하기 식 군 : (Wherein Q represents a hydrogen atom or a group represented by the following formula:

[화학식 33] (33)

Figure pct00033
Figure pct00033

의 어느 것으로 나타내는 나프토퀴논디아지드술폰산에스테르기이지만, 모든 Q 가 동시에 수소 원자인 경우는 없다.} , All Q's may not be hydrogen atoms at the same time. &Lt; tb &gt; &lt; TABLE &gt;

으로 나타내는 것을 들 수 있다..

또, NQD 화합물로서, 동일 분자 중에 4-나프토퀴논디아지드술포닐기 및 5-나프토퀴논디아지드술포닐기를 갖는 나프토퀴논디아지드술포닐에스테르 화합물을 사용할 수도 있고, 4-나프토퀴논디아지드술포닐에스테르 화합물과 5-나프토퀴논디아지드술포닐에스테르 화합물을 혼합하여 사용할 수도 있다.As the NQD compound, a naphthoquinone diazide sulfonyl ester compound having a 4-naphthoquinone diazide sulfonyl group and a 5-naphthoquinone diazide sulfonyl group in the same molecule may be used, or 4-naphthoquinone di A zidosulfonyl ester compound and a 5-naphthoquinone diazide sulfonyl ester compound may be mixed and used.

상기 NQD 화합물은, 단독으로 사용하여도 되고 2 종류 이상 혼합하여 사용하여도 된다.The NQD compounds may be used alone or in combination of two or more.

본 실시형태에서는, 감광성 수지 조성물이 포지티브형인 경우의 광산 발생제 (B) 의 사용량은, 본 조성물의 페놀 수지 (A) 100 질량부에 대해, 바람직하게는 0.1 ∼ 70 질량부, 보다 바람직하게는 1 ∼ 40 질량부, 더욱 바람직하게는 5 ∼ 30 질량부이다. 이 사용량이 0.1 질량부 이상이면 양호한 감도가 얻어지고, 70 질량부 이하이면 경화막의 기계 물성이 양호하다.In the present embodiment, the amount of the photoacid generator (B) used when the photosensitive resin composition is a positive type is preferably 0.1 to 70 parts by mass, more preferably 0.1 to 70 parts by mass, per 100 parts by mass of the phenol resin (A) 1 to 40 parts by mass, and more preferably 5 to 30 parts by mass. When the amount is 0.1 part by mass or more, good sensitivity is obtained, and when it is 70 parts by mass or less, the mechanical properties of the cured film are good.

[용제 (C)] [Solvent (C)]

용제 (C) 로는, 아미드류, 술폭사이드류, 우레아류, 케톤류, 에스테르류, 락톤류, 에테르류, 할로겐화탄화수소류, 탄화수소류 등을 들 수 있고, 예를 들어 N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, 디메틸술폭사이드, 테트라메틸우레아, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로펜탄온, 시클로헥산온, 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 옥살산디에틸, 락트산에틸, 락트산메틸, 락트산부틸, γ-부티로락톤, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 벤질알코올, 페닐글리콜, 테트라하이드로푸르푸릴알코올, tert-부틸알코올, 에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 테트라하이드로푸란, 모르폴린, 디클로로메탄, 1,2-디클로로에탄, 1,4-디클로로부탄, 클로로벤젠, o-디클로로벤젠, 아니솔, 헥산, 헵탄, 벤젠, 톨루엔, 자일렌, 메시틸렌 등을 사용할 수 있다. 그 중에서도, 수지의 용해성, 수지 조성물의 안정성, 기판에의 접착성, 열 용융성, 보존 안정성, 및 블로킹성의 관점에서, γ-부티로락톤, 아세톤, 메틸에틸케톤, N-메틸-2-피롤리돈, 디메틸술폭사이드, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, tert-부틸알코올 및 테트라하이드로푸르푸릴알코올이 바람직하고, 이 중에서도, γ-부티로락톤, 아세톤, 메틸에틸케톤, N-메틸-2-피롤리돈, 및 디메틸술폭사이드가 특히 바람직하다.Examples of the solvent (C) include amides, sulfoxides, ureas, ketones, esters, lactones, ethers, halogenated hydrocarbons and hydrocarbons, and examples thereof include N-methyl- The solvent is preferably selected from the group consisting of N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, dimethylsulfoxide, tetramethylurea, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclopentanone, cyclohexanone, , Butyl acetate, diethyl oxalate, ethyl lactate, methyl lactate, butyl lactate,? -Butyrolactone, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, benzyl alcohol, phenyl glycol, tetrahydrofurfuryl alcohol, tert- Butyl alcohol, ethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, tetrahydrofuran, morpholine, dichloromethane, 1,2-dichloroethane, 1,4-dichlorobutane, chlorobenzene, o-dichlorobenzene, anisole, hexane, heptane, benzene, toluene, xylene, mesitylene and the like can be used. Among them, gamma -butyrolactone, acetone, methyl ethyl ketone, N-methyl-2-pyrrolidone, and the like are preferable from the viewpoints of solubility of the resin, stability of the resin composition, adhesion to the substrate, thermal melting property, storage stability, Among them, gamma -butyrolactone, acetone, methyl ethyl ketone, N-methyl-2-pyrrolidone, and the like are preferable. Don, and dimethylsulfoxide are particularly preferred.

[실리콘형 계면 활성제 (D)] [Silicone-type Surfactant (D)]

실리콘형 계면 활성제란, 실록산 결합 및 규소-탄소 결합을 분자 내에 가지고 있는 계면 활성제이다. 예를 들어 디메틸실록산에틸렌옥시 그래프트 화합물, 디메틸실록산프로필렌옥시 그래프트 화합물, (하이드록시에틸렌옥시프로필)메틸실록산-디메틸실록산 화합물 등을 들 수 있다.The silicon type surfactant is a surfactant having in its molecule a siloxane bond and a silicon-carbon bond. Examples thereof include dimethylsiloxane ethyleneoxy graft compounds, dimethylsiloxane propylene oxide graft compounds, (hydroxyethylene oxypropyl) methylsiloxane-dimethylsiloxane compounds, and the like.

실리콘형 계면 활성제의 구체예로는, 오르가노실록산 폴리머 KF-640, 642, 643, KP341, X-70-092, X-70-093 (이상, 상품명, 신에츠 화학 공업사 제조), SH-28PA, SH-190, SH-193, SZ-6032, SF-8428, DC-57, DC-190 (이상, 상품명, 토오레·다우코닝·실리콘사 제조), SILWET L-77, L-7001, FZ-2105, FZ-2120, FZ-2154, FZ-2164, FZ-2166, L-7604 (이상, 상품명, 닛폰 유니카사 제조), DBE-814, DBE-224, DBE-621, CMS-626, CMS-222, KF-352A, KF-354L, KF-355A, KF-6020, DBE-821, DBE-712 (Gelest), BYK-307, BYK-310, BYK-378, BYK-333 (이상, 상품명, 빅케미·재팬 제조), 글라놀 (상품명, 쿄에이샤 화학사 제조) 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 조성물 바니시의 도포성의 관점에서, 디메틸실록산에틸렌옥시 그래프트 화합물, 및 디메틸실록산프로필렌옥시 그래프트 화합물이 바람직하다. 이들 실리콘형 계면 활성제는, 1 종을 단독으로 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Specific examples of the silicone type surfactant include organosiloxane polymers KF-640, 642, 643, KP341, X-70-092, X-70-093 (trade name, SILWET L-77, L-7001, FZ-190, SH-190, SH-193, SZ-6032, SF-8428, DC- DBE-814, DBE-224, DBE-621, CMS-626, CMS-625, FZ-2164, FZ-2164, FZ- KF-355A, KF-6020, DBE-821, DBE-712 (Gelest), BYK-307, BYK-310, BYK-378 and BYK-333 (Trade name, manufactured by Chemie Japan), and Glanol (trade name, manufactured by Kyowa Chemical Industry Co., Ltd.). Among these, dimethylsiloxane ethyleneoxy graft compound and dimethylsiloxane propyleneoxy graft compound are preferable from the viewpoint of coating property of the composition varnish. These silicone surfactants may be used singly or in combination of two or more.

실리콘형 계면 활성제 (D) 의 사용량은, 조성물 바니시의 지지체에의 도포성의 관점에서, 페놀 수지 (A) 100 질량부에 대해, 0.01 ∼ 30 질량부인 것이 바람직하고, 0.02 ∼ 10 질량부인 것이 보다 바람직하다. 실리콘형 계면 활성제 (D) 의 사용량이 30 질량부 이하이면, 현상 시의 잔류물 및 패턴 들뜸을 억제할 수 있다.The amount of the silicone type surfactant (D) to be used is preferably 0.01 to 30 parts by mass, more preferably 0.02 to 10 parts by mass, per 100 parts by mass of the phenol resin (A) from the viewpoint of the applicability of the composition varnish to the support Do. When the amount of the silicone type surfactant (D) used is less than 30 parts by mass, it is possible to suppress residue at the time of developing and pattern peeling.

[기타 성분] [Other ingredients]

본 실시형태에 관련된 감광성 수지 조성물에는, 필요에 따라 가교제 (E), 열산 발생제, 실란 커플링제, 염료, 용해 촉진제 등을 함유시키는 것이 가능하다.The photosensitive resin composition according to the present embodiment can contain a crosslinking agent (E), a thermal acid generator, a silane coupling agent, a dye, a dissolution promoter, and the like, if necessary.

가교제 (E) 는, 본 실시형태에 관련된 감광성 수지 조성물을 사용하여 형성된 릴리프 패턴을 가열 경화할 때에, 페놀 수지 (A) 와 가교할 수 있거나, 또는 가교제 자체가 가교 네트워크를 형성하는 화합물이다. 가교제 (E) 는, 열가교 가능한 화합물이면 한정되지 않는다. 일반적으로, 가교제는, 분자 내에 가교기를 2 개 이상 갖고, 또한 감광성 수지 조성물로 형성된 경화막의 열 특성, 기계 특성, 및 내약품성을 더욱 향상시킬 수 있다.The crosslinking agent (E) is a compound capable of crosslinking with the phenol resin (A) when heat-curing a relief pattern formed using the photosensitive resin composition according to the present embodiment, or the crosslinking agent itself forms a crosslinking network. The crosslinking agent (E) is not limited as long as it is a thermally crosslinkable compound. Generally, the crosslinking agent can further improve thermal characteristics, mechanical properties, and chemical resistance of a cured film formed of a photosensitive resin composition, having two or more crosslinking groups in the molecule.

가교제 (E) 로는, 예를 들어 메틸올기 및/또는 알콕시메틸기를 함유하는 화합물인, 사이멜 (등록상표) 300, 301, 303, 370, 325, 327, 701, 266, 267, 238, 1141, 272, 202, 1156, 1158, 1123, 1170, 1174, UFR65, 300, 마이코트 102, 105 (이상, 미츠이 사이텍사 제조), 니카락 (등록상표) MX-270, -280, -290, 니카락 MS-11, 니카락 MW-30, -100, -300, -390, -750 (이상, 산와 케미컬사 제조), DML-OCHP, DML-MBPC, DML-BPC, DML-PEP, DML-34X, DML-PSBP, DML-PTBP, DMLPCHP, DML-POP, DML-PFP, DML-MBOC, BisCMP-F, DML-BisOC-Z, DML-BisOCHP-Z, DML-BisOC-P, DMOM-PTBT, TMOM-BP, TMOM-BPA, TML-BPAF-MF (이상, 혼슈 화학 공업사 제조), 벤젠디메탄올, 비스(하이드록시메틸)크레졸, 비스(하이드록시메틸)디메톡시벤젠, 비스(하이드록시메틸)디페닐에테르, 비스(하이드록시메틸)벤조페논, 하이드록시메틸벤조산하이드록시메틸페닐, 비스(하이드록시메틸)비페닐, 디메틸비스(하이드록시메틸)비페닐, 비스(메톡시메틸)벤젠, 비스(메톡시메틸)크레졸, 비스(메톡시메틸)디메톡시벤젠, 비스(메톡시메틸)디페닐에테르, 비스(메톡시메틸)벤조페논, 메톡시메틸벤조산메톡시메틸페닐, 비스(메톡시메틸)비페닐, 디메틸비스(메톡시메틸)비페닐 등을 들 수 있다.Examples of the crosslinking agent (E) include Cymel (registered trademark) 300, 301, 303, 370, 325, 327, 701, 266, 267, 238, 1141, 272, 202, 1156, 1158, 1123, 1170, 1174, UFR65, 300, Mycot 102, 105 (manufactured by Mitsui Cytec), NIKARAK (registered trademark) MX-270, -280, -290, DML-OPC, DML-MBPC, DML-BPC, DML-PEP, DML-34X, DML-OXP, MS-11, NIKARAK MW-30, -100, -300, -390, DML-PSBP, DML-PTBP, DMLPCHP, DML-POP, DML-PFP, DML-MBOC, BisCMP-F, DML-BisOC- BP, TMOM-BPA and TML-BPAF-MF (all manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.), benzene dimethanol, bis (hydroxymethyl) cresol, bis (hydroxymethyl) dimethoxybenzene, bis (hydroxymethyl) Ether, bis (hydroxymethyl) benzophenone, hydroxymethylbenzyl hydroxymethylbenzoate, bis (hydroxymethyl) biphenyl, dimethyl bis (Methoxymethyl) benzene, bis (methoxymethyl) cresol, bis (methoxymethyl) dimethoxybenzene, bis (methoxymethyl) diphenyl ether, bis Phenol, methoxymethylbenzyl methoxymethylbenzoate, bis (methoxymethyl) biphenyl, dimethylbis (methoxymethyl) biphenyl, and the like.

또, 가교제 (E) 로는, 옥시란 화합물인 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 테트라페놀형 에폭시 수지, 페놀-자일릴렌형 에폭시 수지, 나프톨-자일릴렌형 에폭시 수지, 페놀-나프톨형 에폭시 수지, 페놀-디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 지환형 에폭시 수지, 지방족 에폭시 수지, 디에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 소르비톨폴리글리시딜에테르, 프로필렌글리콜디글리시딜에테르, 트리메틸올프로판폴리글리시딜에테르, 1,1,2,2-테트라(p-하이드록시페닐)에탄테트라글리시딜에테르, 글리세롤트리글리시딜에테르, 오르토세컨더리부틸페닐글리시딜에테르, 1,6-비스(2,3-에폭시프로폭시)나프탈렌, 디글리세롤폴리글리시딜에테르, 폴리에틸렌글리콜글리시딜에테르, YDB-340, YDB-412, YDF-2001, YDF-2004 (이상, 상품명, 신닛테츠 화학 (주) 제조), NC-3000-H, EPPN-501H, EOCN-1020, NC-7000L, EPPN-201L, XD-1000, EOCN-4600 (이상, 상품명, 닛폰 카야쿠 (주) 제조), 에피코트 (등록상표) 1001, 에피코트 1007, 에피코트 1009, 에피코트 5050, 에피코트 5051, 에피코트 1031S, 에피코트 180S65, 에피코트 157H70, YX-315-75 (이상, 상품명, 재팬 에폭시 레진 (주) 제조), EHPE3150, 플락셀 G402, PUE101, PUE105 (이상, 상품명, 다이셀 화학 공업 (주) 제조), 에피클론 (등록상표) 830, 850, 1050, N-680, N-690, N-695, N-770, HP-7200, HP-820, EXA-4850-1000 (이상, 상품명, DIC 사 제조), 데나콜 (등록상표) EX-201, EX-251, EX-203, EX-313, EX-314, EX-321, EX-411, EX-511, EX-512, EX-612, EX-614, EX-614B, EX-711, EX-731, EX-810, EX-911, EM-150 (이상, 상품명, 나가세 켐텍스사 제조), 에포라이트 (등록상표) 70P, 에포라이트 100MF (이상, 상품명, 교에이샤 화학 제조) 등을 들 수 있다.Examples of the crosslinking agent (E) include oxirane compounds such as phenol novolak type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, bisphenol type epoxy resin, trisphenol type epoxy resin, tetraphenol type epoxy resin, phenol-xylaniline type epoxy resin , Naphthol-xylylene type epoxy resin, phenol-naphthol type epoxy resin, phenol-dicyclopentadiene type epoxy resin, alicyclic epoxy resin, aliphatic epoxy resin, diethylene glycol diglycidyl ether, sorbitol polyglycidyl ether , Propylene glycol diglycidyl ether, trimethylolpropane polyglycidyl ether, 1,1,2,2-tetra (p-hydroxyphenyl) ethane tetraglycidyl ether, glycerol triglycidyl ether, ortho-secondary butyl (2,3-epoxypropoxy) naphthalene, diglycerol polyglycidyl ether, polyethylene glycol glycidyl ether, YDB-340, YDB-412, YDF-2001 , NC-3000H, EPPN-501H, EOCN-1020, NC-7000L, EPPN-201L, XD-1000 and EOCN-4600 (trade names, Epikote (registered trademark) 1001, Epikote 1007, Epikote 1009, Epikote 5050, Epikote 5051, Epikote 1031S, Epikote 180S65, Epikote 157H70, and YX-315 manufactured by Nippon Kayaku Co., (Trade names, manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.), Epiclon (registered trademark) 830, 850, and 850 available from Japan Epoxy Resin Co., Ltd., EHPE3150, Fraxel G402, PUE101, and PUE105 EX-201, N-680, N-690, N-695, N-770, HP-7200, HP-820 and EXA-4850-1000 (trade names, , EX-251, EX-203, EX-313, EX-314, EX-321, EX-411, EX-511, EX-512, EX-612, EX- (Trade name, manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.), and the like, and the like can be used.Can.

또, 가교제 (E) 로는, 이소시아네이트기 함유 화합물인, 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 톨릴렌디이소시아네이트, 1,3-페닐렌비스메틸렌디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄-4,4'-디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 타케네이트 (등록상표) 500, 600, 코스모네이트 (등록상표) NBDI, ND (이상, 상품명, 미츠이 화학사 제조) 듀라네이트 (등록상표) 17B-60PX, TPA-B80E, MF-B60X, MF-K60X, E402-B80T (이상, 상품명, 아사히 화성 케미컬즈사 제조) 등을 들 수 있다.Examples of the crosslinking agent (E) include 4,4'-diphenylmethane diisocyanate, tolylene diisocyanate, 1,3-phenylene bismethylene diisocyanate, dicyclohexylmethane-4,4'- (Registered trademark) 17B-60PX (trade name, manufactured by Mitsui Chemicals), N-methylpyrrolidone (trade name) manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.), isophorone diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, , TPA-B80E, MF-B60X, MF-K60X and E402-B80T (all trade names, manufactured by Asahi Chemical Industry Co., Ltd.).

또, 가교제 (E) 로는, 비스말레이미드 화합물인, 4,4'-디페닐메탄비스말레이미드, 페닐메탄말레이미드, m-페닐렌비스말레이미드, 비스페놀 A 디페닐에테르비스말레이미드, 3,3'-디메틸-5,5'-디에틸-4,4'-디페닐메탄비스말레이미드, 4-메틸-1,3-페닐렌비스말레이미드, 1,6'-비스말레이미드-(2,2,4-트리메틸)헥산, 4,4'-디페닐에테르비스말레이미드, 4,4'-디페닐술폰비스말레이미드, 1,3-비스(3-말레이미드페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-말레이미드페녹시)벤젠, BMI-1000, BMI-1100, BMI-2000, BMI-2300, BMI-3000, BMI-4000, BMI-5100, BMI-7000, BMI-TMH, BMI-6000, BMI-8000 (이상, 상품명, 오와 화성 공업 (주) 제조) 등을 들 수 있다.Examples of the crosslinking agent (E) include 4,4'-diphenylmethane bismaleimide, phenylmethane maleimide, m-phenylene bismaleimide, bisphenol A diphenyl ether bismaleimide, 3, Dimethyl-5,5'-diethyl-4,4'-diphenylmethane bismaleimide, 4-methyl-1,3-phenylene bismaleimide, 1,6'-bismaleimide- (2 , 2,4-trimethylhexane, 4,4'-diphenyl ether bismaleimide, 4,4'-diphenylsulfone bismaleimide, 1,3-bis (3-maleimidophenoxy) benzene, BMI-1000, BMI-1100, BMI-2000, BMI-2300, BMI-3000, BMI-4000, BMI-5100, BMI-7000, BMI-TMH, BMI -6000 and BMI-8000 (all trade names, manufactured by OWA Chemical Industry Co., Ltd.).

가교제 (E) 를 사용하는 경우의 배합량으로는, 페놀 수지 (A) 100 질량부에 대해, 0.1 ∼ 40 질량부가 바람직하고, 1 ∼ 30 질량부가 보다 바람직하다. 그 배합량이 0.1 질량부 이상이면 열 경화막의 열물성 및 기계 강도가 양호하고, 40 질량부 이하이면 조성물의 바니시 상태에서의 안정성 및 열 경화막의 신도가 양호하다.When the crosslinking agent (E) is used, the blending amount is preferably 0.1 to 40 parts by mass, more preferably 1 to 30 parts by mass, per 100 parts by mass of the phenol resin (A). When the blending amount is 0.1 parts by mass or more, the thermosetting film has good thermal properties and mechanical strength, and when it is 40 parts by mass or less, the stability of the composition in the varnish state and elongation of the thermosetting film are good.

열산 발생제는, 경화 온도를 낮춘 경우여도, 양호한 경화물의 열물성 및 기계적 물성을 발현시킨다는 관점에서, 수지 조성물에 배합하는 것이 바람직하다.The thermal acid generator is preferably incorporated in the resin composition from the viewpoint of exhibiting thermal properties and mechanical properties of a good cured product even when the curing temperature is lowered.

열산 발생제로는, 열에 의해 산이 발생하는 화합물이면 한정되지 않지만, 예를 들어 클로로아세트산알릴, 클로로아세트산 n-부틸, 클로로아세트산 t-부틸, 클로로아세트산에틸, 클로로아세트산메틸, 클로로아세트산벤질, 클로로아세트산이소프로필, 클로로아세트산 2-메톡시에틸, 디클로로아세트산메틸, 트리클로로아세트산메틸, 트리클로로아세트산에틸, 트리클로로아세트산 2-에톡시에틸, 시아노아세트산 t-부틸, 메타크릴산 t-부틸, 트리플루오로아세트산에틸, 트리플루오로아세트산메틸, 트리플루오로아세트산페닐, 트리플루오로아세트산비닐, 트리플루오로아세트산이소프로필, 트리플루오로아세트산알릴, 벤조산에틸, 벤조산메틸, 벤조산 t-부틸, 2-클로로벤조산메틸, 2-클로로벤조산에틸, 4-클로로벤조산에틸, 2,5-디클로로벤조산에틸, 2,4-디클로로벤조산메틸, p-플루오로벤조산에틸, p-플루오로벤조산메틸, 펜타클로로페닐카르복실산 t-부틸, 펜타플루오로프로피온산메틸, 펜타플루오로프로피온산에틸, 크로톤산 t-부틸 등의 카르복실산에스테르류 ; 페놀프탈레인, 티몰프탈레인 등의 고리형 카르복실산에스테르류 ; 메탄술폰산에틸, 메탄술폰산메틸, 메탄술폰산 2-메톡시에틸, 메탄술폰산 2-이소프로폭시에틸, p-톨루엔술폰산페닐, p-톨루엔술폰산에틸, p-톨루엔술폰산메틸, p-톨루엔술폰산 2-페닐에틸, p-톨루엔술폰산 n-프로필, p-톨루엔술폰산 n-부틸, p-톨루엔술폰산 t-부틸, p-톨루엔술폰산 n-헥실, p-톨루엔술폰산 n-헵틸, p-톨루엔술폰산 n-옥틸, p-톨루엔술폰산 2-메톡시에틸, p-톨루엔술폰산프로파르길, p-톨루엔술폰산 3-부티닐, 트리플루오로메탄술폰산에틸, 트리플루오로메탄술폰산 n-부틸, 퍼플루오로부탄술폰산에틸, 퍼플루오로부탄술폰산메틸, 벤질(4-하이드록시페닐)메틸술포늄헥사플루오로안티모네이트, 벤질(4-하이드록시페닐)메틸술포늄헥사플루오로포스페이트, 트리메틸술포늄메틸술페이트, 트리-p-술포늄트리플루오로메탄술포네이트, 트리메틸술포늄트리플루오로메탄술포네이트, 피리디늄-p-톨루엔술포네이트, 퍼플루오로옥탄술폰산에틸 등의 술폰산에스테르류 ; 1,4-부탄술톤, 2,4-부탄술톤, 1,3-프로판술톤, 페놀 레드, 브로모크레졸 그린, 브로모크레졸 퍼플 등의 고리형 술폰산에스테르류 ; 2-술포벤조산 무수물, p-톨루엔술폰산 무수물, 프탈산 무수물 등의 방향족 카르복실산 무수물 등을 들 수 있다.Examples of the thermal acid generator include, but are not limited to, allyl chloroacetate, n-butyl chloroacetate, t-butyl chloroacetate, ethyl chloroacetate, methyl chloroacetate, benzoyl chloroacetate, Propyl chloroformate, 2-methoxyethyl chloroacetate, methyl dichloroacetate, methyl trichloroacetate, ethyl trichloroacetate, 2-ethoxyethyl trichloroacetate, t-butyl cyanoacetate, t-butyl methacrylate, Butyl acetate, methyl trifluoroacetate, phenyl trifluoroacetate, vinyl trifluoroacetate, isopropyl trifluoroacetate, allyl trifluoroacetate, ethyl benzoate, methyl benzoate, t-butyl benzoate, methyl 2-chlorobenzoate , Ethyl 2-chlorobenzoate, ethyl 4-chlorobenzoate, ethyl 2,5-dichlorobenzoate, 2,4-dichloro A carboxylic acid ester such as methyl benzoate, ethyl p-fluorobenzoate, methyl p-fluorobenzoate, t-butyl pentachlorophenylcarboxylate, methyl pentafluoropropionate, ethyl pentafluoropropionate and t- Ryu; Cyclic carboxylic acid esters such as phenolphthalein and thymolphthalein; Methyl methanesulfonate, methyl methanesulfonate, 2-methoxyethyl methanesulfonate, 2-isopropoxyethyl methanesulfonate, phenyl p-toluenesulfonate, ethyl p-toluenesulfonate, methyl p-toluenesulfonate, Propyl p-toluenesulfonate, n-butyl p-toluenesulfonate, n-hexyl p-toluenesulfonate, n-heptyl p-toluenesulfonate, n-octyl p- 2-methoxyethyl p-toluenesulfonate, propargyl p-toluenesulfonate, 3-butynyl p-toluenesulfonate, ethyl trifluoromethanesulfonate, n-butyl trifluoromethanesulfonate, ethyl perfluorobutanesulfonate, (4-hydroxyphenyl) methylsulfonium hexafluoroantimonate, benzyl (4-hydroxyphenyl) methylsulfonium hexafluorophosphate, trimethylsulfonium methylsulfate, tri- p-sulfonium trifluoromethanesulfonate, trimethylsulfonium tri A perfluoro methane sulfonate, pyridinium -p--toluenesulfonate, sulfonic acid esters such as ethyl perfluoro octane sulfonic acid and the like; Cyclic sulfonic acid esters such as 1,4-butane sultone, 2,4-butane sultone, 1,3-propane sultone, phenol red, bromocresol green and bromocresol purple; Aromatic carboxylic acid anhydrides such as 2-sulfobenzoic acid anhydride, p-toluenesulfonic acid anhydride, and phthalic anhydride.

열산 발생제를 사용하는 경우의 배합량으로는, (A) 페놀 수지 100 질량부에 대해, 0.1 ∼ 30 질량부가 바람직하고, 0.5 ∼ 10 질량부가 보다 바람직하며, 1 ∼ 5 질량부가 더욱 바람직하다. 배합량이 0.1 질량부 이상이면 열 경화 후의 패턴 형상을 유지하는 효과가 양호하고, 한편 배합량이 30 질량부 이하이면 리소그래피 성능에 악영향이 없고, 또한 조성물의 안정성이 양호하다.When the thermal acid generator is used, the amount is preferably from 0.1 to 30 parts by mass, more preferably from 0.5 to 10 parts by mass, further preferably from 1 to 5 parts by mass, per 100 parts by mass of the phenol resin (A). When the blending amount is 0.1 parts by mass or more, the effect of maintaining the pattern shape after heat curing is good. On the other hand, when the blending amount is 30 parts by mass or less, there is no adverse effect on the lithography performance and the stability of the composition is good.

실란 커플링제로는, 예를 들어 3-메르캅토프로필트리메톡시실란 (신에츠 화학 공업 주식회사 제조 : 상품명 KBM803, 칫소 주식회사 제조 : 상품명 사일라에이스 S810), 3-메르캅토프로필트리에톡시실란 (아즈맥스 주식회사 제조 : 상품명 SIM6475.0), 3-메르캅토프로필메틸디메톡시실란 (신에츠 화학 공업 주식회사 제조 : 상품명 LS1375, 아즈맥스 주식회사 제조 : 상품명 SIM6474.0), 메르캅토메틸트리메톡시실란 (아즈맥스 주식회사 제조 : 상품명 SIM6473.5C), 메르캅토메틸메틸 디메톡시실란 (아즈맥스 주식회사 제조 : 상품명 SIM6473.0), 3-메르캅토프로필디에톡시메톡시실란, 3-메르캅토프로필에톡시디메톡시실란, 3-메르캅토프로필트리프로폭시실란, 3-메르캅토프로필디에톡시프로폭시실란, 3-메르캅토프로필에톡시디프로폭시실란, 3-메르캅토프로필디메톡시프로폭시실란, 3-메르캅토프로필메톡시디프로폭시실란, 2-메르캅토에틸트리메톡시실란, 2-메르캅토에틸디에톡시메톡시실란, 2-메르캅토에틸에톡시디메톡시실란, 2-메르캅토에틸트리프로폭시실란, 2-메르캅토에틸트리프로폭시실란, 2-메르캅토에틸에톡시디프로폭시실란, 2-메르캅토에틸디메톡시프로폭시실란, 2-메르캅토에틸메톡시디프로폭시실란, 4-메르캅토부틸트리메톡시실란, 4-메르캅토부틸트리에톡시실란, 4-메르캅토부틸트리프로폭시실란, N-(3-트리에톡시실릴프로필)우레아 (신에츠 화학 공업 주식회사 제조 : 상품명 LS3610, 아즈맥스 주식회사 제조 : 상품명 SIU9055.0), N-(3-트리메톡시실릴프로필)우레아 (아즈맥스 주식회사 제조 : 상품명 SIU9058.0), N-(3-디에톡시메톡시실릴프로필)우레아, N-(3-에톡시디메톡시실릴프로필)우레아, N-(3-트리프로폭시실릴프로필)우레아, N-(3-디에톡시프로폭시실릴프로필)우레아, N-(3-에톡시디프로폭시실릴프로필)우레아, N-(3-디메톡시프로폭시실릴프로필)우레아, N-(3-메톡시디프로폭시실릴프로필)우레아, N-(3-트리메톡시실릴에틸)우레아, N-(3-에톡시디메톡시실릴에틸)우레아, N-(3-트리프로폭시실릴에틸)우레아, N-(3-트리프로폭시실릴에틸)우레아, N-(3-에톡시디프로폭시실릴에틸)우레아, N-(3-디메톡시프로폭시실릴에틸)우레아, N-(3-메톡시디프로폭시실릴에틸)우레아, N-(3-트리메톡시실릴부틸)우레아, N-(3-트리에톡시실릴부틸)우레아, N-(3-트리프로폭시실릴부틸)우레아, 3-(m-아미노페녹시)프로필트리메톡시실란 (아즈맥스 주식회사 제조 : 상품명 SLA0598.0), m-아미노페닐트리메톡시실란 (아즈맥스 주식회사 제조 : 상품명 SLA0599.0), p-아미노페닐트리메톡시실란 (아즈맥스 주식회사 제조 : 상품명 SLA0599.1) 아미노페닐트리메톡시실란 (아즈맥스 주식회사 제조 : 상품명 SLA0599.2), 2-(트리메톡시실릴에틸)피리딘 (아즈맥스 주식회사 제조 : 상품명 SIT8396.0), 2-(트리에톡시실릴에틸)피리딘, 2-(디메톡시실릴메틸에틸)피리딘, 2-(디에톡시실릴메틸에틸)피리딘, (3-트리에톡시실릴프로필)-t-부틸카르바메이트, (3-글리시독시프로필)트리에톡시실란, 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 테트라-n-프로폭시실란, 테트라-i-프로폭시실란, 테트라-n-부톡시실란, 테트라-i-부톡시실란, 테트라-t-부톡시실란, 테트라키스(메톡시에톡시실란), 테트라키스(메톡시-n-프로폭시실란), 테트라키스(에톡시에톡시실란), 테트라키스(메톡시에톡시에톡시실란), 비스(트리메톡시실릴)에탄, 비스(트리메톡시실릴)헥산, 비스(트리에톡시실릴)메탄, 비스(트리에톡시실릴)에탄, 비스(트리에톡시실릴)에틸렌, 비스(트리에톡시실릴)옥탄, 비스(트리에톡시실릴)옥타디엔, 비스[3-(트리에톡시실릴)프로필]디술파이드, 비스[3-(트리에톡시실릴)프로필]테트라술파이드, 디-t-부톡시디아세톡시실란, 디-i-부톡시알루미녹시트리에톡시실란, 비스(펜타디오네이트)티탄-O,O'-비스(옥시에틸)-아미노프로필트리에톡시실란, 페닐실란트리올, 메틸페닐실란디올, 에틸페닐실란디올, n-프로필페닐실란디올, 이소프로필페닐실란디올, n-부틸페닐실란디올, 이소부틸페닐실란디올, tert-부틸페닐실란디올, 디페닐실란디올, 디메톡시디페닐실란, 디에톡시디페닐실란, 디메톡시디-p-톨릴실란, 에틸메틸페닐실란올, n-프로필메틸페닐실란올, 이소프로필메틸페닐실란올, n-부틸메틸페닐실란올, 이소부틸메틸페닐실란올, tert-부틸메틸페닐실란올, 에틸 n-프로필페닐실란올, 에틸이소프로필페닐실란올, n-부틸에틸페닐실란올, 이소부틸에틸페닐실란올, tert-부틸에틸페닐실란올, 메틸디페닐실란올, 에틸디페닐실란올, n-프로필디페닐실란올, 이소프로필디페닐실란올, n-부틸디페닐실란올, 이소부틸디페닐실란올, tert-부틸디페닐실란올, 트리페닐실란올 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로도 복수 조합하여 사용해도 된다.Examples of the silane coupling agent include 3-mercaptopropyltrimethoxysilane (trade name: KBM803, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., trade name: Syllace S810 manufactured by Chisso Co., Ltd.), 3-mercaptopropyltriethoxysilane 3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane (trade name: LS1375, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., trade name: SIM6474.0, manufactured by Ajax Co., Ltd.), mercaptomethyltrimethoxysilane (Trade name: SIM6473.5C), mercaptomethyl methyldimethoxysilane (trade name: SIM6473.0, manufactured by Ajax Co., Ltd.), 3-mercaptopropyldiethoxymethoxysilane, 3-mercaptopropylethoxydimethoxysilane , 3-mercaptopropyltripropoxysilane, 3-mercaptopropyldiethoxypropoxysilane, 3-mercaptopropylethoxydipropoxysilane, 3-mercaptopropyldimethoxypropoxy Silane, 3-mercaptopropylmethoxydipropoxysilane, 2-mercaptoethyltrimethoxysilane, 2-mercaptoethyldiethoxymethoxysilane, 2-mercaptoethylethoxydimethoxysilane, 2-mercapto Mercaptoethyltrimethoxypropyltrimethoxysilane, ethyltripropoxysilane, 2-mercaptoethyltripropoxysilane, 2-mercaptoethylethoxydipropoxysilane, 2-mercaptoethyldimethoxypropoxysilane, 2-mercaptoethylmethoxydipropoxysilane, 4-mercaptobutyltriethoxysilane, 4-mercaptobutyltripropoxysilane, N- (3-triethoxysilylpropyl) urea (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., (3-trimethoxysilylpropyl) urea (manufactured by Ajax Co., Ltd .: SIU9058.0), N- (3-diethoxymethoxysilylpropyl) urea , N- (3-ethoxydimethoxysilylpropyl) urea, N- (3-tripropoxysilylpropyl) ) Urea, N- (3-diethoxypropoxysilylpropyl) urea, N- (3-ethoxydipropoxysilylpropyl) urea, N- N- (3-trimethoxysilylethyl) urea, N- (3-trimethoxysilylethyl) urea, N- N- (3-methoxydipropoxysilylethyl) urea, N- (3-ethoxydipropoxysilylethyl) urea, N- N- (3-triethoxysilylbutyl) urea, N- (3-triethoxysilylbutyl) urea, 3- Aminophenyltrimethoxysilane (trade name: SLA0599.0, manufactured by Asmax Co., Ltd.), p-aminophenyltrimethoxysilane (manufactured by Asmax Co., Ltd., trade name: SLA0598.0) Manufacture (Trimethoxysilylethyl) pyridine (trade name: SIT8396.0, manufactured by Ajax Co., Ltd.), 2- (trimethylsilylethyl) pyridine (trade name: SLA0599.1), aminophenyltrimethoxysilane (trade name: SLA0599.2, (3-triethoxysilylmethyl) pyridine, 2- (dimethoxysilylmethylethyl) pyridine, 2- (diethoxysilylmethylethyl) pyridine, N-propoxysilane, tetra-n-butoxysilane, tetra-i-butoxysilane, tetra-n-butoxysilane, tetraisopropylsilane, , Tetra-t-butoxy silane, tetrakis (methoxyethoxy silane), tetrakis (methoxy n-propoxy silane), tetrakis (ethoxyethoxy silane), tetrakis (methoxyethoxy (Trimethoxysilyl) ethane, bis (trimethoxysilyl) hexane, bis (triethoxysilyl) methane, bis (triethoxysilyl) Bis (triethoxysilyl) octadiene, bis [3- (triethoxysilyl) propyl] disulfide, bis [3- (tri (Pentadionate) titanium-O, O'-bis (oxy) silane, di-t-butoxy diacetoxysilane, di- Ethyl) -aminopropyltriethoxysilane, phenylsilanetriol, methylphenylsilanediol, ethylphenylsilanediol, n-propylphenylsilanediol, isopropylphenylsilanediol, n-butylphenylsilanediol, isobutylphenylsilanediol, tert-butylphenylsilane diol, diphenylsilanediol, dimethoxydiphenylsilane, diethoxydiphenylsilane, dimethoxydi-p-tolylsilane, ethylmethylphenylsilanol, n-propylmethylphenylsilanol, isopropylmethylphenylsilanol , n-butylmethylphenylsilanol, isobutylmethylphenylsilanol, tert-butylmethylphenylsilanol, ethyl n-propyl Butylphenylsilane, methylphenylsilanol, phenylphenylsilanol, ethylphenylphenylsilanol, phenylphenylsilanol, ethylisopropylphenylsilanol, n-butylethylphenylsilanol, isobutylethylphenylsilanol, tert-butylethylphenylsilanol, methyldiphenylsilanol, Diphenylsilanol, isopropyldiphenylsilanol, n-butyldiphenylsilanol, isobutyldiphenylsilanol, tert-butyldiphenylsilanol, triphenylsilanol and the like. These may be used singly or in combination.

실란 커플링제로는, 상기한 실란 커플링제 중에서도, 보존 안정성의 관점에서, 페닐실란트리올, 트리메톡시페닐실란, 트리메톡시(p-톨릴)실란, 디페닐실란디올, 디메톡시디페닐실란, 디에톡시디페닐실란, 디메톡시디-p-톨릴실란, 트리페닐실란올, 및 하기 식 : As the silane coupling agent, from the viewpoint of storage stability, among the above-mentioned silane coupling agents, phenylsilanetriol, trimethoxyphenylsilane, trimethoxy (p-tolyl) silane, diphenylsilanediol, dimethoxydiphenylsilane , Diethoxydiphenylsilane, dimethoxydi-p-tolylsilane, triphenylsilanol, and the following formula:

[화학식 34] (34)

Figure pct00034
Figure pct00034

으로 나타내는 화합물이 바람직하다.Are preferred.

실란 커플링제를 사용하는 경우의 배합량으로는, 페놀 수지 (A) 100 질량부에 대해, 0.01 ∼ 20 질량부가 바람직하다.When the silane coupling agent is used, the blending amount is preferably 0.01 to 20 parts by mass relative to 100 parts by mass of the phenol resin (A).

염료로는, 예를 들어 메틸 바이올렛, 크리스탈 바이올렛, 말라카이트 그린 등을 들 수 있다. 염료의 배합량으로는, 페놀 수지 (A) 100 질량부에 대해, 0.1 ∼ 30 질량부가 바람직하다.Examples of the dye include methyl violet, crystal violet, and malachite green. The blending amount of the dye is preferably 0.1 to 30 parts by mass relative to 100 parts by mass of the phenol resin (A).

용해 촉진제로는, 수산기 또는 카르복실기를 갖는 화합물이 바람직하다. 수산기를 갖는 화합물의 예로는, 전술한 나프토퀴논디아지드 화합물에 사용하고 있는 밸러스트제, 그리고 파라쿠밀페놀, 비스페놀류, 레조르시놀류, 및 MtrisPC, MtetraPC 등의 직사슬형 페놀 화합물, TrisP-HAP, TrisP-PHBA, TrisP-PA 등의 비직사슬형 페놀 화합물 (모두 혼슈 화학 공업사 제조), 디페닐메탄의 2 ∼ 5 개의 페놀 치환체, 3,3-디페닐프로판의 1 ∼ 5 개의 페놀 치환체, 2,2-비스-(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로판과 5-노르보르넨-2,3-디카르복실산 무수물을 몰비 1 대 2 로 반응시켜 얻어지는 화합물, 비스-(3-아미노-4-하이드록시페닐)술폰과 1,2-시클로헥실디카르복실산 무수물을 몰비 1 대 2 로 반응시켜 얻어지는 화합물, N-하이드록시숙신산이미드, N-하이드록시프탈산이미드, N-하이드록시5-노르보르넨-2,3-디카르복실산이미드 등을 들 수 있다. 카르복실기를 갖는 화합물의 예로는, 3-페닐락트산, 4-하이드록시페닐락트산, 4-하이드록시만델산, 3,4-디하이드록시만델산, 4-하이드록시-3-메톡시만델산, 2-메톡시-2-(1-나프틸)프로피온산, 만델산, 아트로락트산, α-메톡시페닐아세트산, O-아세틸만델산, 이타콘산 등을 들 수 있다.As the dissolution promoting agent, a compound having a hydroxyl group or a carboxyl group is preferable. Examples of the compound having a hydroxyl group include a ballast agent used in the naphthoquinone diazide compound described above and a cyclic phenol compound such as para-cumylphenol, bisphenol, resorcinol, and MtrisPC, MtetraPC, TrisP-HAP (All manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.) such as TrisP-PHBA and TrisP-PA, 2 to 5 phenol substituents of diphenylmethane, 1 to 5 phenol substituents of 3,3-diphenylpropane, 2 , A compound obtained by reacting 2-bis- (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane with 5-norbornene-2,3-dicarboxylic anhydride in a molar ratio of 1: 2, Amino-4-hydroxyphenyl) sulfone and 1,2-cyclohexyldicarboxylic anhydride in a molar ratio of 1: 2, a compound obtained by reacting N-hydroxysuccinic acid imide, N-hydroxyphthalic acid imide, N-hydroxy-5-norbornene-2,3-dicarboxylic acid imide, and the like. Examples of the compound having a carboxyl group include 3-phenyllactic acid, 4-hydroxyphenyllactic acid, 4-hydroxymandelic acid, 3,4-dihydroxymandelic acid, 4-hydroxy- -Methoxy-2- (1-naphthyl) propionic acid, mandelic acid, atrolactic acid,? -Methoxyphenylacetic acid, O-acetylmandelic acid and itaconic acid.

용해 촉진제를 사용하는 경우의 배합량으로는, (A) 페놀 수지 100 질량부에 대해, 0.1 ∼ 30 질량부가 바람직하다.When the dissolution promoter is used, the blending amount is preferably 0.1 to 30 parts by mass relative to 100 parts by mass of the phenol resin (A).

[폴리이미드 전구체 및/또는 알칼리 가용성 폴리이미드를 포함하는 감광성 수지 조성물] [Photosensitive resin composition comprising polyimide precursor and / or alkali-soluble polyimide]

(A) 폴리이미드 전구체 (A) a polyimide precursor

폴리이미드 전구체 조성물에 사용하는 감광성 수지로는, 폴리아미드, 폴리아미드산에스테르 등을 들 수 있다. 예를 들어, 폴리아미드산에스테르로는, 하기 일반식 (11) : Examples of the photosensitive resin used in the polyimide precursor composition include polyamide, polyamide acid ester, and the like. For example, as the polyamide acid ester, a compound represented by the following general formula (11):

[화학식 35] (35)

Figure pct00035
Figure pct00035

{식 (11) 중, R1 및 R2 는, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 30 의 포화 지방족기, 방향족기, 탄소-탄소 불포화 이중 결합을 갖는 1 가의 유기기, 또는 탄소-탄소 불포화 이중 결합을 갖는 1 가의 이온이고, X1 은 4 가의 유기기이고, Y1 은 2 가의 유기기이고, m 은 1 이상의 정수이고, 그리고 m 은 2 이상이 바람직하고, 5 이상이 보다 바람직하다.} (In the formula (11), R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom, a saturated aliphatic group having 1 to 30 carbon atoms, an aromatic group, a monovalent organic group having a carbon-carbon unsaturated double bond, X 1 is a tetravalent organic group; Y 1 is a divalent organic group; m is an integer of 1 or more; and m is preferably 2 or more, and more preferably 5 or more. }

로 나타내는 반복 단위를 포함하는 폴리아미드산에스테르를 사용할 수 있다.A polyamide acid ester containing a repeating unit represented by the following general formula (1) can be used.

상기 일반식 (11) 의, R1 및 R2 가 1 가의 양이온으로서 존재할 때, O 는, 부 (負) 의 전하를 띤다 (즉, -O- 로서 존재한다). 또, X1 과 Y1 은, 수산기를 포함하고 있어도 된다.When R 1 and R 2 in the general formula (11) exist as a monovalent cation, O has a negative charge (that is, exists as -O-). X 1 and Y 1 may contain a hydroxyl group.

일반식 (11) 중의 R1 및 R2 는, 보다 바람직하게는, 하기 일반식 (12) : R 1 and R 2 in the general formula (11) are more preferably those represented by the following general formula (12):

[화학식 36] (36)

Figure pct00036
Figure pct00036

{일반식 (12) 중, R3, R4 및 R5 는, 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 유기기이고, 그리고 m1 은, 1 ∼ 20 의 정수이다.} (In the general formula (12), R 3 , R 4 and R 5 are each independently a hydrogen atom or an organic group having 1 to 5 carbon atoms, and m 1 is an integer of 1 to 20.

로 나타내는 1 가의 유기기, 또는 하기 일반식 (13) : Or a monovalent organic group represented by the following general formula (13):

[화학식 37] (37)

Figure pct00037
Figure pct00037

{일반식 (13) 중, R6, R7 및 R8 은, 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 유기기이고, 그리고 m2 는, 1 ∼ 20 의 정수이다.} (In the general formula (13), R 6 , R 7 and R 8 are each independently a hydrogen atom or an organic group having 1 to 5 carbon atoms, and m 2 is an integer of 1 to 20.

으로 나타내는 1 가의 유기기의 말단에 암모늄 이온을 갖는 구조이다.Is a structure having an ammonium ion at the end of a monovalent organic group represented by the formula

일반식 (11) 로 나타내는 폴리아미드산에스테르를 복수 혼합해도 된다. 또, 일반식 (11) 로 나타내는 폴리아미드산에스테르끼리를 공중합시킨 폴리아미드산에스테르를 사용해도 된다.A plurality of polyamic acid esters represented by the general formula (11) may be mixed. Polyamide acid esters obtained by copolymerizing polyamide acid esters represented by the general formula (11) may also be used.

식 (11) 중의 X1 은, 열 용융성의 관점에서는 방향족기를 포함하는 4 가의 유기기인 것이 바람직하다. 구체적으로는, X1 은, 하기 일반식 (2) ∼ (4) : X 1 in the formula (11) is preferably a tetravalent organic group containing an aromatic group from the viewpoint of heat melting property. Specifically, X 1 is a group represented by any one of the following formulas (2) to (4):

[화학식 38] (38)

Figure pct00038
Figure pct00038

[화학식 39] [Chemical Formula 39]

Figure pct00039
Figure pct00039

[화학식 40] (40)

Figure pct00040
Figure pct00040

{식 (4) 중, R9 는 산소 원자, 황 원자, 2 가의 유기기 중 어느 것이다.} (In the formula (4), R 9 represents an oxygen atom, a sulfur atom or a divalent organic group.)

로 나타내는 적어도 1 개의 구조를 포함하는 4 가의 유기기인 것이 바람직하다.Is a tetravalent organic group containing at least one structure represented by the formula

일반식 (4) 중의 R9 는, 예를 들어 탄소수 1 ∼ 40 의 2 가의 유기기 또는 할로겐 원자이다. R9 는, 수산기를 포함해도 된다.R 9 in the general formula (4) is, for example, a divalent organic group having 1 to 40 carbon atoms or a halogen atom. R 9 may contain a hydroxyl group.

열 용융성의 관점에서, X1 은, 하기 일반식 (5) : From the viewpoint of heat melting property, X 1 is represented by the following general formula (5):

[화학식 41] (41)

Figure pct00041
Figure pct00041

로 나타내는 구조를 포함하는 4 가의 유기기가 특히 바람직하다.Is a tetravalent organic group containing a structure represented by the formula

식 (11) 중의 Y1 은, 층간 절연막과 봉지재의 밀착성의 관점에서, 방향족기를 포함하는 2 가의 유기기인 것이 바람직하다. 구체적으로는, Y1 은, 하기 일반식 (6) ∼ (8) : Y 1 in the formula (11) is preferably a divalent organic group containing an aromatic group from the viewpoint of adhesion between the interlayer insulating film and the sealing material. Specifically, Y 1 is a group represented by the following general formulas (6) to (8):

[화학식 42] (42)

Figure pct00042
Figure pct00042

{식 (6) 중, R10, R11, R12 및 R13 은, 수소 원자, 탄소수가 1 ∼ 5 의 1 가의 지방족기이고, 동일해도 되고 상이해도 된다.} (In the formula (6), R 10 , R 11 , R 12 and R 13 are a hydrogen atom or a monovalent aliphatic group having 1 to 5 carbon atoms, and may be the same or different.}

[화학식 43] (43)

Figure pct00043
Figure pct00043

{식 (7) 중, R14 ∼ R21 은, 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수가 1 ∼ 5 의 1 가의 유기기이고, 서로 상이해도 되고, 동일해도 된다.} (In the formula (7), R 14 to R 21 are each a hydrogen atom, a halogen atom, or a monovalent organic group having 1 to 5 carbon atoms, and may be the same or different.}

[화학식 44] (44)

Figure pct00044
Figure pct00044

{식 (8) 중, R22 는 2 가의 기이고, R23 ∼ R30 은, 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수가 1 ∼ 5 의 1 가의 지방족기이고, 동일해도 되고 상이해도 된다.} (In the formula (8), R 22 is a divalent group, and R 23 to R 30 are a hydrogen atom, a halogen atom and a monovalent aliphatic group having 1 to 5 carbon atoms, which may be the same or different.}

로 나타내는 적어도 1 개의 구조를 포함하는 2 가의 유기기인 것이 바람직하다.Is a divalent organic group containing at least one structure represented by the formula

일반식 (8) 중의 R22 는, 예를 들어 탄소수 1 ∼ 40 의 2 가의 유기기나 할로겐 원자이다.R 22 in the general formula (8) is, for example, a divalent organic group having 1 to 40 carbon atoms or a halogen atom.

열 용융성의 관점에서, Y1 로는, 하기 일반식 (9) : From the viewpoint of heat melting property, Y 1 is preferably a compound represented by the following general formula (9):

[화학식 45] [Chemical Formula 45]

Figure pct00045
Figure pct00045

로 나타내는 구조를 포함하는 2 가의 유기기가 특히 바람직하다.Is particularly preferably a divalent organic group containing a structure represented by the formula

상기 폴리아미드산에스테르에 있어서, 그 반복 단위 중의 X1 은, 원료로서 사용하는 테트라카르복실산 이무수물에서 유래하고, Y1 은 원료로서 사용하는 디아민에서 유래한다.In the polyamide acid ester, X 1 in the repeating unit is derived from a tetracarboxylic dianhydride used as a raw material, and Y 1 is derived from a diamine used as a raw material.

원료로서 사용하는 테트라카르복실산 이무수물로는, 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 무수 피로멜리트산, 디페닐에테르-3,3',4,4'-테트라카르복실산 이무수물, 벤조페논-3,3',4,4'-테트라카르복실산 이무수물, 비페닐-3,3',4,4'-테트라카르복실산 이무수물, 디페닐술폰-3,3',4,4'-테트라카르복실산 이무수물, 디페닐메탄-3,3',4,4'-테트라카르복실산 이무수물, 2,2-비스(3,4-무수 프탈산)프로판, 2,2-비스(3,4-무수 프탈산)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판 등을 들 수 있다. 또, 이들은 단독으로도, 2 종 이상을 혼합하여 사용해도 된다.Examples of the tetracarboxylic acid dianhydride used as the raw material include, but are not limited to, anhydrous pyromellitic acid, diphenyl ether-3,3 ', 4,4'-tetracarboxylic dianhydride, benzophenone- 3,3 ', 4,4'-tetracarboxylic dianhydride, biphenyl-3,3', 4,4'-tetracarboxylic dianhydride, diphenylsulfone-3,3 ', 4,4' -Tetracarboxylic dianhydride, diphenylmethane-3,3 ', 4,4'-tetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis (3,4-anhydrophthalic acid) propane, 2,2-bis 3,4-anhydrophthalic acid) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

원료로서 사용하는 디아민으로는, 예를 들어 p-페닐렌디아민, m-페닐렌디아민, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐술파이드, 3,4'-디아미노디페닐술파이드, 3,3'-디아미노디페닐술파이드, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 3,4'-디아미노디페닐술폰, 3,3'-디아미노디페닐술폰, 4,4'-디아미노비페닐, 3,4'-디아미노비페닐, 3,3'-디아미노비페닐, 4,4'-디아미노벤조페논, 3,4'-디아미노벤조페논, 3,3'-디아미노벤조페논, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3'-디아미노디페닐메탄, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술폰, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]술폰, 4,4-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 4,4-비스(3-아미노페녹시)비페닐, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]에테르, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]에테르, 1,4-비스(4-아미노페닐)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페닐)벤젠, 9,10-비스(4-아미노페닐)안트라센, 2,2-비스(4-아미노페닐)프로판, 2,2-비스(4-아미노페닐)헥사플루오로프로판, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐)프로판, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐)헥사플루오로프로판, 1,4-비스(3-아미노프로필디메틸실릴)벤젠, 오르토-톨리딘술폰, 9,9-비스(4-아미노페닐)플루오렌 등을 들 수 있다. 이들 벤젠 고리 상의 수소 원자의 일부가 치환된 것이어도 된다. 또, 이들은 단독으로도, 2 종 이상을 혼합하여 사용해도 된다.Examples of the diamine used as the raw material include p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'- Diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,3'-diaminodiphenyl sulfide, 4,4'-diamino di Phenyl sulfone, 3,4'-diaminodiphenyl sulfone, 3,3'-diaminodiphenyl sulfone, 4,4'-diaminobiphenyl, 3,4'-diaminobiphenyl, 3,3'- Diaminobiphenyl, 4,4'-diaminobenzophenone, 3,4'-diaminobenzophenone, 3,3'-diaminobenzophenone, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,4 ' Diaminodiphenylmethane, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,3- Bis (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4- (4-aminophenoxy) Biphenyl, 4,4-bis (3-aminophenoxy ) Biphenyl, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ether, bis [4- Bis (4-aminophenyl) benzene, 9,10-bis (4-aminophenyl) anthracene, 2,2- Propane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl) propane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl) hexafluoropropane, 1,4- -Aminopropyldimethylsilyl) benzene, ortho-toluidine sulfone, and 9,9-bis (4-aminophenyl) fluorene. Or a part of the hydrogen atoms on these benzene rings may be substituted. These may be used alone or in combination of two or more.

폴리아미드산에스테르 (A) 의 합성에 있어서는, 통상, 후술하는 테트라카르복실산 이무수물의 에스테르화 반응을 실시하여 얻어진 테트라카르복실산디에스테르를, 그대로 디아민과의 축합 반응에 제공하는 방법을 바람직하게 사용할 수 있다.In the synthesis of the polyamic acid ester (A), a method in which a tetracarboxylic acid diester obtained by subjecting an esterification reaction of a tetracarboxylic acid dianhydride described later to a condensation reaction with a diamine is used .

상기 테트라카르복실산 이무수물의 에스테르화 반응에 사용하는 알코올류는, 올레핀성 이중 결합을 갖는 알코올이고, 구체적으로는 2-하이드록시에틸메타크릴레이트, 2-메타크릴로일옥시에틸알코올, 글리세린디아크릴레이트, 글리세린디메타크릴레이트 등을 들 수 있고, 이들로 한정되는 것은 아니다. 이들 알코올류는, 단독 또는 2 종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.The alcohols used in the esterification reaction of the tetracarboxylic dianhydride are alcohols having an olefinic double bond and specifically include 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-methacryloyloxyethyl alcohol, glycerin di Acrylate, glycerin dimethacrylate, and the like, but are not limited thereto. These alcohols may be used alone or in combination of two or more.

본 실시형태에 사용하는 폴리아미드산에스테르 (A) 의 구체적인 합성 방법에 관해서는, 종래 공지된 방법을 채용할 수 있다. 합성 방법에 대해서는, 예를 들어 국제 공개 제00/43439호 팜플렛에 나타나 있는 방법을 들 수 있다. 즉, 테트라카르복실산디에스테르를, 일단 테트라카르복실산디에스테르디산염화물로 변환하고, 그 테트라카르복실산디에스테르디산염화물과 디아민을 염기성 화합물의 존재하에서 축합 반응에 제공하여, 폴리아미드산에스테르 (A) 를 제조한다. 또, 합성 방법으로는, 테트라카르복실산디에스테르와 디아민을 유기 탈수제의 존재하에서 축합 반응에 제공하는 방법에 의해 폴리아미드산에스테르 (A) 를 제조하는 방법을 들 수 있다.As a specific method for synthesizing the polyamide acid ester (A) used in the present embodiment, conventionally known methods can be employed. As for the synthesis method, for example, the method described in WO 00/43439 pamphlet can be mentioned. That is, the tetracarboxylic acid diester is converted into a tetracarboxylic acid diester dicarboxylic acid salt, the tetracarboxylic acid diester dicarboxylic acid salt and diamine are subjected to condensation reaction in the presence of a basic compound to obtain a polyamic acid ester (A) . As a synthesis method, a method of producing a polyamide acid ester (A) by a method in which a tetracarboxylic acid diester and a diamine are provided in a condensation reaction in the presence of an organic dehydrating agent.

유기 탈수제의 예로는, 디시클로헥실카르보디이미드 (DCC), 디에틸카르보디이미드, 디이소프로필카르보디이미드, 에틸시클로헥실카르보디이미드, 디페닐카르보디이미드, 1-에틸-3-(3-디메틸아미노프로필)카르보디이미드, 1-시클로헥실-3-(3-디메틸아미노프로필)카르보디이미드염산염 등을 들 수 있다.Examples of the organic dehydrating agent include dicyclohexylcarbodiimide (DCC), diethylcarbodiimide, diisopropylcarbodiimide, ethylcyclohexylcarbodiimide, diphenylcarbodiimide, 1-ethyl-3- -Dimethylaminopropyl) carbodiimide, 1-cyclohexyl-3- (3-dimethylaminopropyl) carbodiimide hydrochloride, and the like.

본 실시형태에 사용하는 폴리아미드산에스테르 (A) 의 중량 평균 분자량은, 6,000 ∼ 150,000 인 것이 바람직하고, 7,000 ∼ 50,000 인 것이 보다 바람직하며, 7,000 ∼ 20,000 인 것이 보다 바람직하다.The weight average molecular weight of the polyamic acid ester (A) used in the present embodiment is preferably 6,000 to 150,000, more preferably 7,000 to 50,000, and even more preferably 7,000 to 20,000.

(B1) 광 개시제 (B1) Photoinitiator

네거티브형의 감광성 수지의 경우, 수지 조성물에 광 개시제를 첨가한다. 광 개시제로는, 예를 들어 벤조페논, o-벤조일벤조산메틸, 4-벤조일-4'-메틸디페닐케톤, 디벤질케톤, 및 플루오레논 등의 벤조페논 유도체 ; 2,2'-디에톡시아세토페논, 및 2-하이드록시-2-메틸프로피오페논 등의 아세토페논 유도체 ; 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤, 티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2-이소프로필티오크산톤, 및 디에틸티오크산톤 등의 티오크산톤 유도체 ; 벤질, 벤질디메틸케탈, 벤질-β-메톡시에틸아세탈 등의 벤질 유도체 ; 벤조인메틸에테르 등의 벤조인 유도체 ; 2,6-디(4'-디아지도벤잘)-4-메틸시클로헥산온, 및 2,6'-디(4'-디아지도벤잘)시클로헥산온 등의 아지드류 ; 1-페닐-1,2-부탄디온-2-(O-메톡시카르보닐)옥심, 1-페닐프로판디온-2-(O-메톡시카르보닐)옥심, 1-페닐프로판디온-2-(O-에톡시카르보닐)옥심, 1-페닐프로판디온-2-(O-벤조일)옥심, 1,3-디페닐프로판트리온-2-(O-에톡시카르보닐)옥심, 1-페닐-3-에톡시프로판트리온-2-(O-벤조일)옥심 등의 옥심류 ; N-페닐글리신 등의 N-아릴글리신류 ; 벤조일퍼옥사이드 등의 과산화물류 ; 방향족 비이미다졸류 ; 그리고 티타노센류 등이 사용된다. 이들 중, 광감도의 점에서 상기 옥심류가 바람직하다.In the case of a negative type photosensitive resin, a photoinitiator is added to the resin composition. Examples of photoinitiators include benzophenone derivatives such as benzophenone, methyl o-benzoylbenzoate, 4-benzoyl-4'-methyldiphenyl ketone, dibenzyl ketone, and fluorenone; Acetophenone derivatives such as 2,2'-diethoxyacetophenone, and 2-hydroxy-2-methylpropiophenone; Thioxanthone derivatives such as 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, thioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2-isopropylthioxanthone, and diethylthioxanthone; Benzyl derivatives such as benzyl, benzyldimethyl ketal and benzyl- beta -methoxyethyl acetal; Benzoin derivatives such as benzoin methyl ether; Azide such as 2,6-di (4'-diazobenzal) -4-methylcyclohexanone, and 2,6'-di (4'-diazidobenzal) cyclohexanone; 2- (O-methoxycarbonyl) oxime, 1-phenylpropanedione-2- ( (O-ethoxycarbonyl) oxime, 1-phenylpropanedione-2- (O-benzoyl) oxime, Oximes such as 3-ethoxypropanetri-on-2- (O-benzoyl) oxime; N-aryl glycines such as N-phenylglycine; Peroxides such as benzoyl peroxide; Aromatic biimidazoles; And titanocenes are used. Of these, oximes are preferred from the viewpoint of photosensitivity.

광 개시제의 첨가량은, 폴리아미드산에스테르 (A) 100 질량부에 대해, 1 ∼ 40 질량부가 바람직하고, 2 ∼ 20 질량부가 보다 바람직하다. 광 개시제를 폴리 아미드산에스테르 (A) 100 질량부에 대해 1 질량부 이상 첨가함으로써, 광 감도가 우수하다. 또, 광 개시제를 40 질량부 이하 첨가함으로써 후막 경화성이 우수하다.The amount of the photoinitiator to be added is preferably from 1 to 40 parts by mass, more preferably from 2 to 20 parts by mass, per 100 parts by mass of the polyamide acid ester (A). When the photoinitiator is added in an amount of 1 part by mass or more based on 100 parts by mass of the polyamide acid ester (A), the photosensitivity is excellent. Also, the addition of 40 parts by mass or less of the photoinitiator is excellent in the thick film curability.

(B2) 광산 발생제 (B2)

포지티브형의 감광성 수지의 경우, 수지 조성물에 광산 발생제를 첨가한다. 수지 조성물이 광산 발생제를 함유함으로써, 자외선 노광부에 산이 발생하여, 노광부의 알칼리 수용액에 대한 용해성이 증대한다. 이로써, 수지를 포지티브형 감광성 수지 조성물로서 사용할 수 있다.In the case of a positive photosensitive resin, a photoacid generator is added to the resin composition. When the resin composition contains a photoacid generator, an acid is generated in the ultraviolet ray exposure portion, and the solubility of the exposed portion in an aqueous alkali solution is increased. As a result, the resin can be used as the positive photosensitive resin composition.

광산 발생제로는, 예를 들어 퀴논디아지드 화합물, 술포늄염, 포스포늄염, 디아조늄염, 요오드늄염 등을 들 수 있다. 이 중에서도, 우수한 용해 억제 효과를 발현하여, 고감도의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻을 수 있다는 관점에서, 퀴논디아지드 화합물이 바람직하게 사용된다. 또, 광산 발생제를 2 종 이상 함유해도 된다.Examples of the photoacid generator include quinonediazide compounds, sulfonium salts, phosphonium salts, diazonium salts, iodonium salts, and the like. Among them, a quinone diazide compound is preferably used from the viewpoint of exhibiting an excellent dissolution inhibiting effect and obtaining a positive-working positive photosensitive resin composition. Two or more kinds of photoacid generators may be contained.

(C) 용제 (C) Solvent

(C) 용제는, 상기 항목 [페놀 수지를 포함하는 감광성 수지 조성물] 에서 설명된 용제와 동일하다. 바람직한 용매의 종류 및 양에 대해서도, 상기 항목 [페놀 수지를 포함하는 감광성 수지 조성물] 에서 설명된 종류 및 양과 동일하다.(C) The solvent is the same as the solvent described in the item [photosensitive resin composition containing phenol resin]. The kind and amount of the desired solvent are also the same as those described in the item [photosensitive resin composition containing phenol resin].

<폴리이미드> <Polyimide>

상기 폴리이미드 전구체 조성물로 형성되는 경화 릴리프 패턴의 구조는, 하기 일반식 (1) : The structure of the cured relief pattern formed of the polyimide precursor composition is represented by the following general formula (1):

[화학식 46] (46)

Figure pct00046
Figure pct00046

{식 (1) 중, X1, Y1, 및 m 은, 상기 일반식 (11) 중에서 정의된 X1, Y1, 및 m 과 동일해도 되고, 예를 들어 X1 은 4 가의 유기기이고, Y1 은 2 가의 유기기이고, m 은 1 이상의 정수이다.} (In the formula (1), X 1 , Y 1 , and m may be the same as X 1 , Y 1 , and m defined in the formula (11), and for example, X 1 is a tetravalent organic group , Y 1 is a divalent organic group, and m is an integer of 1 or more.

로 나타낸다.Respectively.

일반식 (11) 중의 바람직한 X1, Y1, 및 m 은, 일반식 (11) 에 대해 설명된 이유와 동일한 이유에 의해, 일반식 (1) 로 나타내는 폴리이미드에 있어서도 바람직하다.Preferred X 1 , Y 1 , and m in the general formula (11) are also preferable for the polyimide represented by the general formula (1) for the same reason as described for the general formula (11).

알칼리 가용성 폴리이미드의 경우는, 폴리이미드의 말단을 수산기로 치환해도 된다.In the case of an alkali-soluble polyimide, the terminal of the polyimide may be substituted with a hydroxyl group.

[폴리벤즈옥사졸 전구체를 포함하는 감광성 수지 조성물] [Photosensitive resin composition containing polybenzoxazole precursor]

(A) 폴리벤즈옥사졸 전구체 (A) a polybenzoxazole precursor

폴리벤즈옥사졸 전구체 조성물에 사용하는 감광성 수지로는, 하기 일반식 (14) : As the photosensitive resin used in the polybenzoxazole precursor composition, a compound represented by the following general formula (14):

[화학식 47] (47)

Figure pct00047
Figure pct00047

{식 (14) 중, U 와 V 는, 각각 독립적으로 2 가의 유기기이다.} (In the formula (14), U and V are each independently a divalent organic group.)

로 나타내는 반복 단위를 포함하는 폴리(o-하이드록시아미드) 를 사용할 수 있다.(O-hydroxyamide) containing a repeating unit represented by the following formula (1) can be used.

열 용융성의 관점에서, 식 (14) 중의 U 는, 탄소수 1 ∼ 30 의 2 가의 유기기인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 15 의 사슬형 알킬렌기 (단, 사슬형 알킬렌의 수소 원자는 할로겐 원자로 치환되어 있어도 된다) 가 보다 바람직하며, 탄소수 1 ∼ 8 이고 또한 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소 원자로 치환된 사슬형 알킬렌기가 특히 바람직하다.From the viewpoint of heat melting property, U in the formula (14) is preferably a divalent organic group having 1 to 30 carbon atoms, more preferably a chain alkylene group having 1 to 15 carbon atoms, provided that the hydrogen atom of the chain alkylene is substituted with a halogen atom More preferably a chained alkylene group having 1 to 8 carbon atoms and partially or wholly substituted with a fluorine atom.

또, 열 용융성의 관점에서, 식 (14) 중의 V 는, 방향족기를 포함하는 2 가의 유기기인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 하기 일반식 (6) ∼ (8) : From the viewpoint of heat melting property, V in the formula (14) is preferably a divalent organic group containing an aromatic group, more preferably a group represented by any one of the following formulas (6) to (8):

[화학식 48] (48)

Figure pct00048
Figure pct00048

{식 (6) 중, R10, R11, R12 및 R13 은, 수소 원자, 탄소수가 1 ∼ 5 의 1 가의 지방족기이고, 동일해도 되고 상이해도 된다.} (In the formula (6), R 10 , R 11 , R 12 and R 13 are a hydrogen atom or a monovalent aliphatic group having 1 to 5 carbon atoms, and may be the same or different.}

[화학식 49] (49)

Figure pct00049
Figure pct00049

{식 (7) 중, R14 ∼ R21 은, 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수가 1 ∼ 5 의 1 가의 유기기이고, 서로 상이해도 되고, 동일해도 된다.} (In the formula (7), R 14 to R 21 are each a hydrogen atom, a halogen atom, or a monovalent organic group having 1 to 5 carbon atoms, and may be the same or different.}

[화학식 50] (50)

Figure pct00050
Figure pct00050

{식 (8) 중, R22 는 2 가의 기이고, R23 ∼ R30 은, 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수가 1 ∼ 5 의 1 가의 지방족기이고, 동일해도 되고 상이해도 된다.} (In the formula (8), R 22 is a divalent group, and R 23 to R 30 are a hydrogen atom, a halogen atom and a monovalent aliphatic group having 1 to 5 carbon atoms, which may be the same or different.}

로 나타내는 적어도 1 개의 구조를 포함하는 2 가의 유기기이다.Lt; 2 &gt;

일반식 (8) 중의 R22 는, 예를 들어 탄소수 1 ∼ 40 의 2 가의 유기기 또는 할로겐 원자이다.R 22 in the general formula (8) is, for example, a divalent organic group having 1 to 40 carbon atoms or a halogen atom.

열 용융성의 관점에서, V 는, 하기 일반식 (9) : From the viewpoint of heat melting property, V is represented by the following general formula (9):

[화학식 51] (51)

Figure pct00051
Figure pct00051

로 나타내는 구조를 포함하는 2 가의 유기기가 특히 바람직하다.Is particularly preferably a divalent organic group containing a structure represented by the formula

열 용융성의 관점에서, V 로는, 탄소수 1 ∼ 40 의 2 가의 유기기가 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 40 의 2 가의 사슬형 지방족기가 보다 바람직하며, 탄소수 1 ∼ 20 의 2 가의 사슬형 지방족기가 특히 바람직하다.From the viewpoint of heat melting property, V is preferably a divalent organic group having 1 to 40 carbon atoms, more preferably a divalent chain aliphatic group having 1 to 40 carbon atoms, particularly preferably a divalent chain aliphatic group having 1 to 20 carbon atoms .

폴리벤즈옥사졸 전구체는, 일반적으로 디카르복실산 유도체와 하이드록시기 함유 디아민류로부터 합성할 수 있다. 구체적으로는, 디카르복실산 유도체를 디할라이드 유도체로 변환한 후, 디아민류와의 반응을 실시함으로써 폴리벤즈옥사졸 전구체를 합성할 수 있다. 디할라이드 유도체로는, 디클로라이드 유도체가 바람직하다.The polybenzoxazole precursor can be generally synthesized from a dicarboxylic acid derivative and a hydroxyl group-containing diamine. Specifically, a polybenzoxazole precursor can be synthesized by converting a dicarboxylic acid derivative into a dihalide derivative and then carrying out a reaction with a diamine. As the dihalide derivative, a dichloride derivative is preferable.

디클로라이드 유도체는, 디카르복실산 유도체에 할로겐화제를 작용시켜 합성할 수 있다. 할로겐화제로는, 통상적인 카르복실산의 산클로라이드화 반응에 사용되는, 염화티오닐, 염화포스포릴, 옥시염화인, 오염화인 등을 사용할 수 있다.The dichloride derivative can be synthesized by reacting a dicarboxylic acid derivative with a halogenating agent. As the halogenating agent, thionyl chloride, phosphoryl chloride, phosphorus oxychloride, phosphorus pentachloride, and the like which are used in the acid chloride-forming reaction of a common carboxylic acid can be used.

디클로라이드 유도체를 합성하는 방법으로는, 디카르복실산 유도체와 상기 할로겐화제를 용매 중에서 반응시키는 방법, 과잉의 할로겐화제 중에서 반응을 실시한 후, 과잉분을 증류 제거하는 방법 등이 있다.As a method of synthesizing a dichloride derivative, there are a method of reacting a dicarboxylic acid derivative with the halogenating agent in a solvent, a method of reacting in an excess of a halogenating agent, followed by distilling off an excess portion.

디카르복실산 유도체에 사용하는 디카르복실산으로는, 예를 들어 이소프탈산, 테레프탈산, 2,2-비스(4-카르복시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 4,4'-디카르복시비페닐, 4,4'-디카르복시디페닐에테르, 4,4'-디카르복시테트라페닐실란, 비스(4-카르복시페닐)술폰, 2,2-비스(p-카르복시페닐)프로판, 5-tert-부틸이소프탈산, 5-브로모이소프탈산, 5-플루오로이소프탈산, 5-클로로이소프탈산, 2,6-나프탈렌디카르복실산, 말론산, 디메틸말론산, 에틸말론산, 이소프로필말론산, 디-n-부틸말론산, 숙신산, 테트라플루오로숙신산, 메틸숙신산, 2,2-디메틸숙신산, 2,3-디메틸숙신산, 디메틸메틸숙신산, 글루타르산, 헥사플루오로글루타르산, 2-메틸글루타르산, 3-메틸글루타르산, 2,2-디메틸글루타르산, 3,3-디메틸글루타르산, 3-에틸-3-메틸글루타르산, 아디프산, 옥타플루오로아디프산, 3-메틸아디프산, 옥타플루오로아디프산, 피멜산, 2,2,6,6-테트라메틸피멜산, 수베르산, 도데카플루오로수베르산, 아젤라산, 세바크산, 헥사데카플루오로세바크산, 1,9-노난이산, 도데칸이산, 트리데칸이산, 테트라데칸이산, 펜타데칸이산, 헥사데칸이산, 헵타데칸이산, 옥타데칸이산, 노나데칸이산, 에이코산이산, 헨에이코산이산, 도코산이산, 트리코산이산, 테트라코산이산, 펜타코산이산, 헥사코산이산, 헵타코산이산, 옥타코산이산, 노나코산이산, 트리아콘탄이산, 헨트리아콘탄이산, 도트리아콘탄이산, 디글리콜산 등을 들 수 있다. 이들을 혼합하여 사용하여도 된다.Examples of the dicarboxylic acid used for the dicarboxylic acid derivative include isophthalic acid, terephthalic acid, 2,2-bis (4-carboxyphenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoro Propane, 4,4'-dicarboxybiphenyl, 4,4'-dicarboxy diphenyl ether, 4,4'-dicarboxytetraphenylsilane, bis (4-carboxyphenyl) sulfone, 2,2-bis -Carboxyphenyl) propane, 5-tert-butylisophthalic acid, 5-bromoisophthalic acid, 5-fluoroisophthalic acid, 5-chloroisophthalic acid, 2,6- Ethylmalonic acid, isopropylmalonic acid, di-n-butylmalonic acid, succinic acid, tetrafluorosuccinic acid, methylsuccinic acid, 2,2-dimethylsuccinic acid, 2,3-dimethylsuccinic acid, dimethylmethylsuccinic acid, glutaric acid, 2-methylglutaric acid, 3-methylglutaric acid, 3-methylglutaric acid, 3-ethylglutaric acid, 3-methylglutaric acid, Adipic acid, octafluoro Adipic acid, 3-methyladipic acid, octafluoroadipic acid, pimelic acid, 2,2,6,6-tetramethylpimelic acid, suberic acid, dodecafluorosuveric acid, azelaic acid, But are not limited to, acid, hexadecafluorosevac acid, 1,9-nonanedic acid, dodecanedioic acid, tridecanedioic acid, tetradecanedioic acid, pentadecanedioic acid, hexadecanedioic acid, heptadecanedioic acid, octadecanedioic acid, There may be mentioned acetic acid, acetic acid, hexanoic acid, hexanoic acid, hexanoic acid, hexanoic acid, heptanoic acid, heptanoic acid, heptanoic acid, heptanoic acid, Dodecanedioic acid, diglycolic acid, and the like. These may be mixed and used.

하이드록시기 함유 디아민으로는, 예를 들어 3,3'-디아미노-4,4'-디하이드록시비페닐, 4,4'-디아미노-3,3'-디하이드록시비페닐, 비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)프로판, 비스(4-아미노-3-하이드록시페닐)프로판, 비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)술폰, 비스(4-아미노-3-하이드록시페닐)술폰, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-하이드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판 등을 들 수 있다. 이들을 혼합하여 사용하여도 된다.Examples of the hydroxyl group-containing diamine include 3,3'-diamino-4,4'-dihydroxybiphenyl, 4,4'-diamino-3,3'-dihydroxybiphenyl, bis Amino-4-hydroxyphenyl) propane, bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) propane, bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis (4-amino-3 -Hydroxyphenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, and the like. These may be mixed and used.

(B2) 광산 발생제 (B2)

광산 발생제는, 광 조사부의 알칼리 수용액 가용성을 증대시키는 기능을 갖는 것이다. 광산 발생제로는, 예를 들어 디아조나프토퀴논 화합물, 아릴디아조늄염, 디아릴요오드늄염, 트리아릴술포늄염 등을 들 수 있다. 이 중, 디아조나프토퀴논 화합물은, 감도가 높아 바람직하다.The photoacid generator has a function of increasing the solubility of the alkali aqueous solution in the light irradiation portion. Examples of the photoacid generator include diazonaphthoquinone compounds, aryldiazonium salts, diaryliodonium salts, triarylsulfonium salts, and the like. Among them, diazonaphthoquinone compounds are preferable because of their high sensitivity.

(C) 용제 (C) Solvent

(C) 용제는, 상기 항목 [페놀 수지를 포함하는 감광성 수지 조성물] 에서 설명된 용제와 동일하다. 바람직한 용매의 종류 및 양에 대해서도, 상기 항목 [페놀 수지를 포함하는 감광성 수지 조성물] 에서 설명된 종류 및 양과 동일하다.(C) The solvent is the same as the solvent described in the item [photosensitive resin composition containing phenol resin]. The kind and amount of the desired solvent are also the same as those described in the item [photosensitive resin composition containing phenol resin].

<폴리벤즈옥사졸> <Polybenzoxazole>

상기 폴리벤즈옥사졸 전구체 조성물로 형성되는 경화 릴리프 패턴의 구조는, 하기 일반식 (10) : The structure of the cured relief pattern formed of the polybenzoxazole precursor composition is represented by the following general formula (10):

[화학식 52] (52)

Figure pct00052
Figure pct00052

{식 (10) 중, U 및 V 는, 상기 일반식 (14) 중에서 정의된 U 및 V 와 동일하다.} (In the formula (10), U and V are the same as U and V defined in the general formula (14).

으로 나타낸다. 일반식 (14) 중의 바람직한 U 및 V 는, 일반식 (14) 에 대해 설명된 이유와 동일한 이유에 의해, 일반식 (10) 의 폴리벤즈옥사졸에 있어서도 바람직하다.Respectively. Preferred U and V in the general formula (14) are also preferable for the polybenzoxazole of the general formula (10) for the same reason as described for the general formula (14).

제 1 실시형태에 관련된 감광성 수지 조성물은, 페놀 수지, 폴리이미드 전구체, 폴리벤즈옥사졸 전구체, 및 가용성 폴리이미드로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 개를 포함해도 되고, 열 용융성의 관점에서 페놀 수지를 포함하는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition according to the first embodiment may contain at least one selected from the group consisting of a phenol resin, a polyimide precursor, a polybenzoxazole precursor, and a soluble polyimide, and may contain a phenol resin .

<제 2 실시형태 : 저용융 점도 감광층 롤> &Lt; Second Embodiment: Low-melt viscosity photosensitive layer roll &gt;

본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 감광층 롤은, In the photosensitive layer roll according to the second embodiment of the present invention,

지지체 필름과,A support film,

상기 지지체 필름 상에 형성된 감광성 수지 조성물을 포함하는 감광층 A photosensitive layer containing the photosensitive resin composition formed on the support film

을 갖고, 상기 감광성 수지 조성물이 페놀 수지, 폴리이미드 전구체, 폴리벤즈옥사졸 전구체, 및 가용성 폴리이미드로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 개의 수지를 포함하고, 또한 상기 감광층은 용융 점도가 500 Pa·s 이하가 되는 온도점을 갖는 층이다.Wherein the photosensitive resin composition comprises at least one resin selected from the group consisting of a phenol resin, a polyimide precursor, a polybenzoxazole precursor, and a soluble polyimide, and the photosensitive layer has a melt viscosity of 500 Pa · s or less.

종래의 감광층 롤은 감광층의 용융 점도가 높기 때문에, 슬릿 시에 슬리터의 톱니를 가열하여 슬릿한 경우여도 크랙이 발생하기 쉽다는 문제가 있었다.Since the conventional photosensitive layer roll has a high melt viscosity of the photosensitive layer, cracks tend to occur even when slits are formed by heating the teeth of the slitter at the time of slitting.

상기 과제를 해결하기 위해서, 제 2 실시형태에 관련된 감광층 롤은, 감광층이, 용융 점도 500 Pa·s 이하가 되는 온도점을 갖는 층인 것을 특징으로 한다.In order to solve the above problems, the photosensitive layer roll according to the second embodiment is characterized in that the photosensitive layer is a layer having a temperature point at which the melt viscosity is 500 Pa · s or less.

본 실시형태에 관련된 감광층은, 용융 점도가 500 Pa·s 이하가 되는 온도점을 갖는 층이다. 감광층은, 용융 점도가 450 Pa·s 이하가 되는 온도점을 갖는 층인 것이 바람직하고, 400 Pa·s 이하가 되는 온도점을 갖는 층인 것이 바람직하고, 350 Pa·s 이하가 되는 온도점을 갖는 층인 것이 바람직하고, 300 Pa·s 이하가 되는 온도점을 갖는 층인 것이 바람직하고, 250 Pa·s 이하가 되는 온도점을 갖는 층인 것이 바람직하고, 200 Pa·s 이하가 되는 온도점을 갖는 층인 것이 바람직하다. 감광층의 용융 점도를 낮게 함으로써, 슬릿, 특히 슬리터의 톱니를 가열하여 슬릿한 경우에, 크랙의 발생을 억제하는 것이 가능해진다.The photosensitive layer related to this embodiment is a layer having a temperature point at which the melt viscosity is 500 Pa · s or less. The photosensitive layer is preferably a layer having a temperature point at which the melt viscosity is 450 Pa · s or less, preferably a layer having a temperature point at which the melt viscosity is 400 Pa · s or less, and has a temperature point at 350 Pa · s or less Layer is preferably a layer having a temperature point of 300 Pa · s or less, preferably a layer having a temperature point of 250 Pa · s or less, and a layer having a temperature point of 200 Pa · s or less desirable. By lowering the melt viscosity of the photosensitive layer, it is possible to suppress the occurrence of cracks when the slits, particularly the teeth of the slitter, are slit by heating.

본 실시형태의 감광층은, 100 ℃ 에 있어서의 용융 점도가, 500 Pa·s 이하인 것이 바람직하고, 450 Pa·s 이하인 것이 바람직하고, 400 Pa·s 이하인 것이 바람직하고, 350 Pa·s 이하인 것이 바람직하고, 300 Pa·s 이하인 것이 바람직하고, 250 Pa·s 이하인 것이 바람직하고, 200 Pa·s 이하인 것이 바람직하고, 150 Pa·s 이하인 것이 바람직하고, 100 Pa·s 이하인 것이 바람직하다.The photosensitive layer of the present embodiment preferably has a melt viscosity at 100 ° C of 500 Pa · s or less, preferably 450 Pa · s or less, preferably 400 Pa · s or less, and more preferably 350 Pa · s or less And is preferably 300 Pa · s or less, more preferably 250 Pa · s or less, more preferably 200 Pa · s or less, preferably 150 Pa · s or less, and preferably 100 Pa · s or less.

제 2 실시형태에 관련된 감광층 롤은, 감광층의 상기 지지체 필름이 형성된 측과는 반대측에 커버 필름을 가지고 있어도 된다.The photosensitive layer roll according to the second embodiment may have a cover film on the side opposite to the side where the support film is formed on the photosensitive layer.

커버 필름을 구비하고 있으면, 슬릿 시, 특히 슬리터의 톱니를 가열하여 슬릿하는 경우에, 주름이 발생할 가능성이 있기 때문에, 커버 필름은 구비하지 않거나, 또는 연화 온도가 높은 커버 필름을 사용하는 것이 바람직하다.If a cover film is provided, a cover film is not provided or a cover film having a high softening temperature is preferably used because slits may be formed when the slits are heated and slit, particularly when the slits are heated Do.

커버 필름의 연화점 온도는 90 ℃ 이상인 것이 바람직하고, 100 ℃ 이상인 것이 바람직하고, 110 ℃ 이상인 것이 바람직하고, 120 ℃ 이상인 것이 바람직하고, 130 ℃ 이상인 것이 바람직하다. 커버 필름의 재질은 상기 연화점 온도를 만족하는 것이면 특별히 한정은 없다.The softening point temperature of the cover film is preferably 90 占 폚 or higher, more preferably 100 占 폚 or higher, 110 占 폚 or higher, 120 占 폚 or higher, and 130 占 폚 or higher. The material of the cover film is not particularly limited as long as it meets the softening point temperature.

감광층의 용융 점도는, 감광층 중에 포함되는 유기 용매의 종류 및/또는 양으로 조정하는 것이 가능하다. 그 자세한 것은 이후에 기재한다. 그 밖의 점에 대해서는, 상기 항목 <제 1 실시형태 : 2 층 감광층 롤> 에서 설명된 구성과 동일하다.The melt viscosity of the photosensitive layer can be adjusted by the type and / or amount of the organic solvent contained in the photosensitive layer. The details will be described later. The other points are the same as those described in the above item <First embodiment: two-layer photosensitive layer roll>.

<감광층 롤의 제작 및 사용> &Lt; Preparation and use of photosensitive layer roll &gt;

본 실시형태에 관련된 감광성 필름의 제작 방법에 대해 설명한다.A method of manufacturing the photosensitive film according to this embodiment will be described.

감광층은, 상기 감광성 수지 조성물을 액상 감광성 수지 조성물로서 지지체 필름 상에 도포함으로써 형성할 수 있다.The photosensitive layer can be formed by applying the above photosensitive resin composition as a liquid photosensitive resin composition on a support film.

도포의 방법으로는, 예를 들어 롤 코터, 콤마 코터, 그라비어 코터, 에어나이프 코터, 다이 코터, 바 코터 등의 방법을 들 수 있다. 또, 용제 (C) 의 제거는, 예를 들어 가열에 의해 실시할 수 있다. 감광층 중의 유기 용매의 잔량의 관점에서, 유기 용매를 제거할 때에, 가열 온도가, 바람직하게는 약 70 ∼ 150 ℃, 보다 바람직하게는 100 ∼ 140 ℃ 이고, 또한/또는 가열 시간이, 바람직하게는 약 1 분간 ∼ 30 분간, 보다 바람직하게는 약 3 분간 ∼ 20 분간, 더욱 바람직하게는 약 4 분간 ∼ 10 분간이다.Examples of the application method include a roll coater, a comma coater, a gravure coater, an air knife coater, a die coater, and a bar coater. The removal of the solvent (C) can be carried out, for example, by heating. From the viewpoint of the residual amount of the organic solvent in the photosensitive layer, the heating temperature is preferably about 70 to 150 占 폚, more preferably 100 to 140 占 폚, and / or the heating time is preferably Is about 1 minute to 30 minutes, more preferably about 3 minutes to 20 minutes, and more preferably about 4 minutes to 10 minutes.

또, 감광층의 두께는, 용도에 따라 상이하지만, 용제를 제거한 후의 두께가 1 ∼ 30 ㎛ 정도인 것이 바람직하다. 감광성 필름은, 지지체 필름과 감광층 사이에, 쿠션층, 접착층, 광 흡수층, 가스 배리어층 등의 중간층 또는 커버 필름을 추가로 구비하고 있어도 된다.The thickness of the photosensitive layer differs depending on the use, but it is preferable that the thickness after removal of the solvent is about 1 to 30 占 퐉. The photosensitive film may further include an intermediate layer or a cover film such as a cushion layer, an adhesive layer, a light absorbing layer, or a gas barrier layer between the support film and the photosensitive layer.

감광성 필름은, 예를 들어 원통상 등의 형태를 갖는 권심에 권취하여, 감광층 롤로서, 롤상의 형태로 저장할 수 있다. 권심으로는, 종래 이용되고 있는 것이면 특별히 한정되지 않고, 그 재료로는, 예를 들어 폴리에틸렌 수지, 폴리프로필렌 수지, 폴리스티렌 수지, 폴리염화비닐 수지, ABS 수지 (아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 공중합체) 등의 플라스틱 등을 들 수 있다. 저장 시에는, 지지체 필름이 가장 외측이 되도록 권취되는 것이 바람직하다. 또, 롤상으로 권취된 감광성 필름 (감광성 필름 롤) 의 단면 (端面) 에는, 단면 보호의 관점에서 단면 세퍼레이터를 설치하는 것이 바람직하고, 또한 내에지 퓨전의 관점에서, 방습 단면 세퍼레이터를 설치하는 것이 바람직하다. 또, 감광성 필름 또는 감광층 롤을 곤포할 때에는, 투습성이 작은 블랙 시트에 싸서 포장하는 것이 바람직하다.The photosensitive film can be stored in the form of a roll as a photosensitive layer roll, for example, by winding it on a core having a shape such as a cylindrical shape. The core is not particularly limited as long as it is conventionally used and examples of the core include polyethylene resin, polypropylene resin, polystyrene resin, polyvinyl chloride resin, ABS resin (acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer) And the like. At the time of storage, it is preferable that the support film is wound to be the outermost side. It is preferable that a cross-section separator is provided on the end face of the photosensitive film (photosensitive film roll) rolled up in a rolled manner from the viewpoint of the cross-sectional protection, and it is preferable to provide the cross- Do. When wrapping the photosensitive film or the photosensitive layer roll, it is preferable to wrap the photosensitive film or the photosensitive layer roll in a black sheet having low moisture permeability.

<감광층 롤의 슬릿> <Slit of photosensitive layer roll>

제작한 감광층 롤을 슬리터로 원하는 폭으로 슬릿함으로써 슬릿 감광층 롤을 제조할 수 있다.The slit photosensitive layer roll can be produced by slitting the produced photosensitive layer roll with a desired width by a slitter.

슬리터의 절단면에서 주름 또는 크랙을 억제한다는 관점에서, 슬리터의 톱니는 가열되고 있는 것이 바람직하다. 슬리터의 톱니의 가열 온도는, 80 ℃ 이상이어도 되고, 90 ℃ 이상이어도 되고, 100 ℃ 이상이어도 되고, 110 ℃ 이상이어도 되고, 120 ℃ 이상이어도 되고, 130 ℃ 이상이어도 된다.From the viewpoint of suppressing wrinkles or cracks at the cut surface of the slitter, the teeth of the slitter are preferably heated. The heating temperature of the teeth of the slitter may be 80 ° C or higher, 90 ° C or higher, 100 ° C or higher, 110 ° C or higher, 120 ° C or 130 ° C or higher.

감광층 롤이 커버 필름을 구비하고 있는 경우, 슬릿 시에 커버 필름에서 주름이 발생할 가능성이 있고, 특히 슬리터의 톱니를 가열하여 슬릿하는 경우에는, 커버 필름에서 큰 주름이 발생할 가능성이 있다. 슬릿 시에 발생하는 커버 필름의 주름을 억제한다는 관점에서, 슬릿 감광층 롤의 제조 방법은, 이하의 공정 :When the photosensitive layer roll is provided with a cover film, wrinkles may occur in the cover film at the time of slitting. In particular, when slits are formed by heating the teeth of the slitter, large wrinkles may occur in the cover film. From the viewpoint of suppressing the wrinkles of the cover film that occurs at the time of slitting, the method of manufacturing the slit photosensitive layer roll includes the following steps:

상기 감광층 롤이 상기 감광층의 상기 지지체 필름이 형성된 측과는 반대측에 커버 필름을 갖는 경우에는, 상기 커버 필름을 박리하는 공정과,Peeling the cover film when the photosensitive layer roll has a cover film on the side opposite to the side of the photosensitive layer on which the support film is formed,

상기 커버 필름을 갖지 않는 상기 감광층 롤을 슬리터로 슬릿하는 공정과,A step of slitting the photosensitive layer roll having no cover film with a slitter,

상기 슬릿된 상기 감광층 롤에, 상기 박리한 커버 필름 또는 상기 박리한 커버 필름과는 다른 커버 필름을 부착하는 공정 A step of attaching the peeled cover film or a cover film different from the peeled cover film to the slit sensitive layer roll

을 포함하는 것이 바람직하다..

<기재에의 감광층 적층> &Lt; Lamination of Photosensitive Layer on Substrate &gt;

슬릿 감광층 롤의 감광층을 기재 상에 적층하는 방법으로는, 감광층을 70 ∼ 130 ℃ 정도로 가열하면서 기재에 0.1 ∼ 1 MPa 정도 (즉, 1 ∼ 10 kgf/㎠ 정도) 의 압력으로 라미네이터 등을 사용하여 압착하는 방법 등을 들 수 있다. 적층 공정은 감압하에서 실시해도 된다. 감광층이 적층되는 기재의 표면은, 특별히 제한되지 않는다.As a method for laminating the photosensitive layer of the slit photosensitive layer roll on the substrate, a method of laminating the substrate with a pressure of about 0.1 to 1 MPa (i.e., about 1 to 10 kgf / cm 2) to the substrate while heating the photosensitive layer to about 70 to 130 캜 And a method of pressing them by using a press. The lamination step may be carried out under reduced pressure. The surface of the substrate on which the photosensitive layer is laminated is not particularly limited.

제 1 실시형태에 관련된 2 층 감광층 롤의 경우, 커버 필름을 갖지 않기 때문에, 감광층이 지지체 필름에 첩부 (貼付) 될 우려 (블로킹의 우려) 가 있다. 한편, 감광층의 점착성을 낮게 하면, 감광층을 기재 상에 적층할 때에, 밀착하지 않을 우려가 있다. 즉, 제 1 실시형태에 관련된 2 층 감광층 롤은, 보관 상태인 실온하에서는 점착성이 낮고, 기재 상에 적층할 때의 가열 시에는 높은 밀착성을 발휘하는 것이 바람직하다.In the case of the two-layer photosensitive layer roll according to the first embodiment, since there is no cover film, the photosensitive layer is likely to be stuck to the support film (there is a fear of blocking). On the other hand, when the tackiness of the photosensitive layer is lowered, there is a fear that the photosensitive layer is not closely contacted when the photosensitive layer is laminated on a substrate. That is, it is preferable that the two-layer photosensitive layer roll according to the first embodiment exhibits low adhesiveness at room temperature in a storage state and exhibits high adhesiveness at the time of heating when laminated on a substrate.

감광층 중의 잔존 유기 용제량은, 실온에서의 점착성 및 열에 의해 용융하기 쉬운 감광성 필름의 형성을 양립시킨다는 관점에서, 감광층의 총량에 대해, 0.1 질량% 이상 15 질량% 이하인 것이 바람직하고, 0.3 질량% 이상 15 질량% 이하인 것이 바람직하고, 0.5 질량% 이상 15 질량% 이하인 것이 바람직하고, 0.8 질량% 이상 15 질량% 이하인 것이 바람직하고, 1 질량% 이상 15 질량% 이하인 것이 바람직하고, 3 질량% 이상 14 질량% 이하인 것이 바람직하고, 3 질량% 이상 13 질량% 이하인 것이 바람직하고, 5 질량% 이상 13 질량% 이하가 보다 바람직하다. 감광층 중의 잔존 유기 용제량이 상기 범위이면, 실온에서는 점착성이 낮아 감광층 롤을 제작했을 때에 감광층이 지지체 필름에 첩부되는 일이 적고, 감광층을 가열하여 기재 상에 적층할 때에는 높은 용융성을 나타내고, 높은 밀착성을 발휘한다.The amount of the residual organic solvent in the photosensitive layer is preferably from 0.1 mass% to 15 mass% with respect to the total amount of the photosensitive layer, more preferably from 0.3 mass% By mass to 15% by mass or more, more preferably 0.5% by mass or more and 15% by mass or less, more preferably 0.8% by mass or more and 15% Is preferably 14 mass% or less, more preferably 3 mass% or more and 13 mass% or less, and still more preferably 5 mass% or more and 13 mass% or less. When the amount of the residual organic solvent in the photosensitive layer is in the above range, the photosensitive layer is less likely to adhere to the support film when the photosensitive layer roll is manufactured because the adhesiveness at room temperature is low, and when the photosensitive layer is laminated on the substrate, And exhibits high adhesiveness.

감광층 중에 잔존하는 유기 용제는, 상기에서 설명된 용제 (C) 여도 되고, 수지의 용해성, 수지 조성물의 안정성, 기판에의 접착성, 열 용융성, 보존 안정성, 및 블로킹성의 관점에서, γ-부티로락톤, 아세톤, 메틸에틸케톤, N-메틸-2-피롤리돈, 디메틸술폭사이드, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, tert-부틸알코올 및 테트라하이드로푸르푸릴알코올이 바람직하고, 이 중에서도, γ-부티로락톤, 아세톤, 메틸에틸케톤, N-메틸-2-피롤리돈, 디메틸술폭사이드가 특히 바람직하다.The organic solvent remaining in the photosensitive layer may be the above-described solvent (C), and from the viewpoints of the solubility of the resin, the stability of the resin composition, the adhesion to the substrate, the heat melting property, the storage stability, Butyrolactone, acetone, methyl ethyl ketone, N-methyl-2-pyrrolidone, dimethyl sulfoxide, propylene glycol monomethyl ether, tert-butyl alcohol and tetrahydrofurfuryl alcohol are preferable. Of these, Lactone, acetone, methyl ethyl ketone, N-methyl-2-pyrrolidone, dimethylsulfoxide are particularly preferable.

제 2 실시형태에 관련된 저용융 점도 감광층 롤의 경우도 동일하게, 실온 시에서는 높은 용융 점도를 갖고, 감광층의 점착성이 낮고, 슬릿, 특히 슬리터의 톱니를 가열하여 슬릿하는 경우에는, 낮은 용융 점도이고 크랙이 발생하기 어려울 것이 요망된다. 바람직한 감광층 중의 잔존 유기 용제량은, 상기 범위와 동일하다. 감광층의 용융 점도는, 감광층 중에 포함되는 유기 용매의 양으로 조정하는 것이 가능하다. 감광층 중에 포함되는 유기 용매의 양이 많을수록 감광층의 용융 점도는 낮아진다. 감광층 중의 유기 용매의 양은, 유기 용매를 제거하기 위한 가열 온도 및/또는 가열 시간을 조정함으로써, 제어될 수 있다. 이 밖에, 폴리머 분자량을 낮추는 방법, 열 경화하지 않는 가소제 등의 저분자 성분을 증가시키는 방법 등으로도 감광층의 용융 점도의 조정은 가능하다.Similarly, the low-melt viscosity photosensitive layer roll according to the second embodiment has a high melt viscosity at room temperature, low adhesiveness to the photosensitive layer, and low slit, particularly when the slits are heated and slit, It is desired to have a melt viscosity and hardly cause a crack. The amount of the residual organic solvent in the preferable photosensitive layer is the same as the above range. The melt viscosity of the photosensitive layer can be adjusted by the amount of the organic solvent contained in the photosensitive layer. The higher the amount of the organic solvent contained in the photosensitive layer, the lower the melt viscosity of the photosensitive layer. The amount of the organic solvent in the photosensitive layer can be controlled by adjusting the heating temperature and / or the heating time for removing the organic solvent. In addition, it is also possible to adjust the melt viscosity of the photosensitive layer by a method of lowering the molecular weight of the polymer, a method of increasing a low molecular weight component such as a plasticizer that does not harden, and the like.

이와 같이 하여 기재 상에 적층된 감광층에 대해, 네거티브 또는 포지티브 마스크 패턴을 통해 활성 광선을 화상상으로 조사하여 노광부를 형성시킨다. 이때, 감광층 상에 존재하는 지지체가 활성 광선에 대해 투명인 경우에는, 지지체를 통해 활성 광선을 조사할 수 있고, 지지체가 활성 광선에 대해 차광성을 나타내는 경우에는, 지지체를 제거한 후에 감광층에 활성 광선을 조사한다.In this manner, the photosensitive layer laminated on the substrate is irradiated with actinic ray through the negative or positive mask pattern to form an exposed portion. At this time, when the support existing on the photosensitive layer is transparent to the active ray, it is possible to irradiate the active ray through the support. If the support shows a light shielding property to the active ray, The active ray is irradiated.

활성 광선의 광원으로는, X 선, 전자선, 자외선, 가시광선 등을 사용할 수 있지만, 200 ∼ 500 nm 의 파장의 것이 바람직하다. 패턴의 해상도 및 취급성의 점에서, 광원 파장은, 수은 램프의 g 선, h 선 또는 i 선의 영역인 것이 바람직하고, 단독이어도 되고 2 개 이상의 화학선을 혼합하고 있어도 된다. 노광 장치로는, 얼라이너, 평행 노광기, 미러 프로젝션, 및 스테퍼가 바람직하다. 노광 후, 필요에 따라 재차 80 ∼ 140 ℃ 에서 도막을 가열해도 된다.X-rays, electron rays, ultraviolet rays, visible rays and the like can be used as the light source of the active ray, but those having a wavelength of 200 to 500 nm are preferable. From the viewpoint of the resolution and handleability of the pattern, the light source wavelength is preferably a region of g-line, h-line or i-line of the mercury lamp, and may be singly or two or more chemical lines may be mixed. As the exposure apparatus, an aligner, a parallel exposure apparatus, a mirror projection, and a stepper are preferable. After the exposure, the coating film may be heated again at 80 to 140 캜, if necessary.

다음으로, 현상을, 현상액을 이용하여 침지법, 퍼들법, 스프레이법 등의 방법에서 선택하여 실시할 수 있다. 현상에 의해, 도포된 감광성 수지층으로부터, 노광부 (포지티브형의 경우) 또는 미노광부 (네거티브형의 경우) 를 용출 제거하여, 릴리프 패턴을 얻을 수 있다.Next, the development can be carried out by a method such as a dipping method, a puddle method, and a spray method using a developing solution. By the development, a relief pattern can be obtained by eluting and removing the exposed portion (in the case of the positive type) or the unexposed portion (in the case of the negative type) from the applied photosensitive resin layer.

현상액으로는, 예를 들어 수산화나트륨, 탄산나트륨, 규산나트륨, 암모니아수 등의 무기 알칼리류, 에틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 트리에탄올아민 등의 유기 아민류, 테트라메틸암모늄하이드록사이드, 테트라부틸암모늄하이드록사이드 등의 4 급 암모늄염류 등의 수용액, 및 필요에 따라 메탄올, 에탄올 등의 수용성 유기 용매, 또는 계면 활성제를 적당량 첨가한 수용액을 사용할 수 있다. 이들 중에서, 테트라메틸암모늄하이드록사이드 수용액이 바람직하다. 테트라메틸암모늄하이드록사이드의 농도는, 바람직하게는 0.5 ∼ 10 질량% 이고, 보다 바람직하게는 1 ∼ 5 질량% 이다.Examples of the developer include inorganic alkalis such as sodium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate and aqueous ammonia, organic amines such as ethylamine, diethylamine, triethylamine and triethanolamine, organic amines such as tetramethylammonium hydroxide, tetrabutylammonium Quaternary ammonium salts such as hydroxides and hydroxides, and if necessary, a water-soluble organic solvent such as methanol and ethanol, or an aqueous solution containing an appropriate amount of a surfactant. Among these, tetramethylammonium hydroxide aqueous solution is preferable. The concentration of tetramethylammonium hydroxide is preferably 0.5 to 10 mass%, more preferably 1 to 5 mass%.

현상 후, 린스액에 의해 세정을 실시하여, 현상액을 제거함으로써, 릴리프 패턴이 형성된 기판을 얻을 수 있다. 린스액으로는, 예를 들어 증류수, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올 등을 사용할 수 있고, 이들을 단독으로 또는 2 종 이상 조합하여 사용할 수 있다.After development, the substrate is cleaned with a rinsing liquid to remove the developer, thereby obtaining a substrate having a relief pattern formed thereon. As the rinsing liquid, for example, distilled water, methanol, ethanol, isopropanol and the like can be used, and they can be used alone or in combination of two or more kinds.

마지막으로, 이와 같이 하여 얻어진 릴리프 패턴을 가열함으로써 경화 릴리프 패턴을 얻을 수 있다. 가열 온도는, 150 ℃ 이상 300 ℃ 이하가 바람직하고, 250 ℃ 이하가 보다 바람직하다.Finally, the cured relief pattern can be obtained by heating the thus obtained relief pattern. The heating temperature is preferably 150 占 폚 or higher and 300 占 폚 or lower, and more preferably 250 占 폚 or lower.

제 1 또는 제 2 실시형태에 관련된 감광층 롤을 사용하는 경화 릴리프 패턴의 제조 방법은, 반도체 장치, 표시체 장치 및 발광 장치의 표면 보호막, 층간 절연막, 재배선용 절연막, 팬 아웃형 웨이퍼 레벨 패키지 (FOWLP) 를 위한 재배선층, 플립칩 장치용 보호막, 고밀도 기판, 범프 구조를 갖는 장치의 보호막, 다층 회로의 층간 절연막, 플렉시블 구리 피복판의 커버 코트, 솔더 레지스트막, 그리고 액정 배향막 등의 제작에 바람직하게 이용될 수 있다.A method of manufacturing a cured relief pattern using the photosensitive layer roll according to the first or second embodiment is applicable to a semiconductor device, a display body device, a surface protective film of a light emitting device, an interlayer insulating film, an insulating film for rewiring, A protective film for a flip chip device, a protective film for a device having a bump structure, an interlayer insulating film for a multilayer circuit, a cover coat for a flexible copper clad, a solder resist film, a liquid crystal alignment film and the like Lt; / RTI &gt;

이상, 본 발명의 바람직한 실시형태에 대해 설명했지만, 본 발명은 상기 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 본 발명은, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지 변형이 가능하다.The preferred embodiments of the present invention have been described above, but the present invention is not limited to the above embodiments. The present invention can be modified in various ways without departing from the gist of the invention.

실시예Example

이하, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.

[합성예 1] [Synthesis Example 1]

<페놀 수지 (A-1) 의 합성>&Lt; Synthesis of phenol resin (A-1) &gt;

용량 0.5 리터의 딘·스타크 장치가 장착된 세퍼러블 플라스크 중에서, 플로로글루시놀 100.9 g (0.8 mol), 4,4'-비스(메톡시메틸)비페닐 (이하 「BMMB」라고도 한다.) 121.2 g (0.5 mol), 디에틸황산 3.9 g (0.025 mol), 및 디에틸렌글리콜디메틸에테르 140 g 을 70 ℃ 에서 혼합 교반하여, 고형물을 용해시켰다.(0.8 mol) of fluoroglucinol and 4,4'-bis (methoxymethyl) biphenyl (hereinafter also referred to as &quot; BMMB &quot;) were added in a separable flask equipped with a dean- g (0.5 mol), 3.9 g (0.025 mol) of diethylsulfuric acid, and 140 g of diethylene glycol dimethyl ether were mixed and stirred at 70 DEG C to dissolve the solids.

혼합 용액을 오일 배스에 의해 140 ℃ 로 가온하고, 반응액으로부터 메탄올의 발생을 확인하고, 그대로 140 ℃ 에서 반응액을 2 시간 교반하였다.The mixed solution was heated to 140 DEG C by an oil bath, the generation of methanol was confirmed from the reaction solution, and the reaction solution was stirred at 140 DEG C for 2 hours.

다음으로 반응 용기를 대기중에서 냉각하고, 이것에 별도 100 g 의 테트라하이드로푸란을 첨가하여 교반하였다. 반응 희석액을 4 L 의 물에 고속 교반하에서 적하하고, 수지를 분산 석출시키고, 이것을 회수하고, 적절히 수세, 탈수 후에, 진공 건조를 실시하여, 플로로글루시놀/BMMB 로 이루어지는 공중합체 (페놀 수지 (A-1)) 를 수율 70 % 로 얻었다.Next, the reaction vessel was cooled in the atmosphere, and another 100 g of tetrahydrofuran was added thereto and stirred. The reaction dilution was added dropwise to 4 L of water under high-speed stirring, and the resin was dispersed and precipitated. The resin was recovered, washed with water and dewatered appropriately, and vacuum dried to obtain a copolymer (phenol resin A-1)) was obtained in a yield of 70%.

[합성예 2] [Synthesis Example 2]

<페놀 수지 (A-2) 의 합성>&Lt; Synthesis of phenol resin (A-2) &gt;

합성예 1 의 플로로글루시놀 대신에, 3,5-디하이드록시벤조산메틸 128.3 g (0.76 mol) 을 사용한 것 이외에는 합성예 1 과 마찬가지로 합성을 실시하여, 3,5-디하이드록시벤조산메틸/BMMB 로 이루어지는 공중합체 (페놀 수지 (A-2)) 를 수율 65 % 로 얻었다.Synthesis was carried out in the same manner as in Synthesis Example 1 except that 128.3 g (0.76 mol) of methyl 3,5-dihydroxybenzoate was used instead of the fluoroglucinol in Synthesis Example 1 to obtain methyl 3,5-dihydroxybenzoate / A copolymer (phenol resin (A-2)) comprising BMMB was obtained in a yield of 65%.

[합성예 3] [Synthesis Example 3]

<페놀 수지 (A-3) 의 합성>&Lt; Synthesis of phenol resin (A-3) &gt;

용량 1.0 L 의 딘·스타크 장치가 장착된 세퍼러블 플라스크를 질소 치환하고, 그 후 세퍼러블 플라스크 중에서, 레조르시놀 81.3 g (0.738 mol), BMMB 84.8 g (0.35 mol), p-톨루엔술폰산 3.81 g (0.02 mol), 및 프로필렌글리콜모노메틸에테르 (이하 「PGME」라고도 한다.) 116 g 을 50 ℃ 에서 혼합 교반하여, 고형물을 용해시켰다.A separable flask equipped with a 1.0 L dean-stark apparatus was purged with nitrogen. Then, 81.3 g (0.738 mol) of resorcinol, 84.8 g (0.35 mol) of BMMB and 3.81 g (0.02 mol) and propylene glycol monomethyl ether (hereinafter also referred to as "PGME") (116 g) were mixed and stirred at 50 ° C to dissolve the solids.

혼합 용액을 오일 배스에 의해 120 ℃ 로 가온하고, 반응액으로부터 메탄올의 발생을 확인하고, 그대로 120 ℃ 에서 반응액을 3 시간 교반하였다.The mixed solution was heated to 120 DEG C by an oil bath, the generation of methanol was confirmed from the reaction solution, and the reaction solution was stirred at 120 DEG C for 3 hours.

다음으로, 다른 용기에서 2,6-비스(하이드록시메틸)-p-크레졸 24.9 g (0.150 mol), 및 PGME 249 g 을 혼합 교반하고, 균일하게 용해시킨 용액을, 적하 깔때기를 사용하여, 상기 세퍼러블 플라스크에 1 시간에 걸쳐 적하하고, 적하 후, 추가로 2 시간 교반하였다.Next, in another container, 24.9 g (0.150 mol) of 2,6-bis (hydroxymethyl) -p-cresol and 249 g of PGME were mixed and stirred and dissolved homogeneously, And the mixture was added dropwise to the separable flask over one hour. After dropwise addition, the mixture was further stirred for 2 hours.

반응 종료 후에는 합성예 1 과 동일한 처리를 실시하여, 레조르시놀/BMMB/2,6-비스(하이드록시메틸)-p-크레졸로 이루어지는 공중합체 (페놀 수지 (A-3)) 를 수율 77 % 로 얻었다.After completion of the reaction, the same treatment as in Synthesis Example 1 was carried out to obtain a copolymer (phenol resin (A-3)) consisting of resorcinol / BMMB / 2,6-bis (hydroxymethyl) %.

[합성예 4] [Synthesis Example 4]

<폴리이미드 전구체 (A-5) 의 합성>&Lt; Synthesis of polyimide precursor (A-5) &gt;

용량 2 L 의 세퍼러블 플라스크 중에서, 피로멜리트산 이무수물 87.2 g (0.4 mol), 이소부틸알코올 59.3 g (0.8 mol), 및 γ-부티로락톤 (이하 「GBL」이라고도 한다.) 320 g 을 실온 (25 ℃) 에서 혼합 교반하고, 용해시키고, 빙랭하에서 교반하면서 피리딘 63.3 g (0.8 mol) 을 첨가하고, 발열 종료 후, 실온까지 방랭하고, 16 시간 방치하였다.In a separable flask having a capacity of 2 L, 87.2 g (0.4 mol) of pyromellitic dianhydride, 59.3 g (0.8 mol) of isobutyl alcohol and 320 g of? -Butyrolactone (hereinafter also referred to as "GBL" (25 占 폚), dissolved, and 63.3 g (0.8 mol) of pyridine was added thereto while stirring under ice-cooling. After exothermic heating, the mixture was cooled to room temperature and allowed to stand for 16 hours.

다음으로, 디시클로헥실카르보디이미드 165 g (0.8 mol) 을 GBL 120 g 에 용해한 용액을, 빙랭하에서 교반하면서 상기 세퍼러블 플라스크에 40 분간으로 첨가하였다. 계속해서, 4,4'-디아미노디페닐에테르 74.5 g (0.37 mol) 을 GBL 150 g 에 현탁시킨 현탁물을 빙랭하에서 교반하면서 상기 세퍼러블 플라스크에 60 분간으로 첨가하였다. 실온에서 2 시간의 교반 후, 에틸알코올 30 ml 를 상기 세퍼러블 플라스크에 첨가하고, 1 시간 교반하고, 또한 디메틸아세트아미드 (이하 「DMAc」라고 한다.) 250 ml 와 테트라하이드로푸란 (THF) 400 ml 를 첨가한 후, 침전을 흡인 여과에 의해 제거하여, 반응액을 얻었다. 얻어진 반응액을 15 L 의 에틸알코올에 첨가하고, 생성된 침전을 여과 분리한 후, 진공 건조시켜 폴리이미드 전구체 (A-5) 를 얻었다.Next, a solution of 165 g (0.8 mol) of dicyclohexylcarbodiimide in 120 g of GBL was added to the separable flask for 40 minutes while stirring under ice-cooling. Subsequently, a suspension in which 74.5 g (0.37 mol) of 4,4'-diaminodiphenyl ether was suspended in 150 g of GBL was added to the separable flask for 60 minutes with stirring under ice-cooling. After stirring for 2 hours at room temperature, 30 ml of ethyl alcohol was added to the separable flask and stirred for 1 hour. Further, 250 ml of dimethylacetamide (hereinafter referred to as "DMAc") and 400 ml of tetrahydrofuran (THF) After the addition, the precipitate was removed by suction filtration to obtain a reaction solution. The obtained reaction solution was added to 15 L of ethyl alcohol, and the resulting precipitate was separated by filtration, followed by vacuum drying to obtain a polyimide precursor (A-5).

[합성예 5] [Synthesis Example 5]

<폴리벤즈옥사졸 전구체 (A-6) 의 합성>&Lt; Synthesis of polybenzoxazole precursor (A-6) &gt;

용량 2 L 의 세퍼러블 플라스크 중에서, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)-헥사플루오로프로판 197.8 g (0.54 mol), 피리딘 75.9 g (0.96 mol), 및 DMAc 692 g 을 실온 (25 ℃) 에서 혼합 교반하여 용해시켰다.197.8 g (0.54 mol) of 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) -hexafluoropropane, 75.9 g (0.96 mol) of pyridine and 692 g of DMAc were added to a separable flask having a capacity of 2 L The mixture was stirred and dissolved at room temperature (25 DEG C).

얻어진 혼합 용액에, 별도 디메틸디글리콜 (이하 「DMDG」라고도 한다) 88 g 중에 5-노르보르넨-2,3-디카르복실산 무수물 19.7 g (0.12 mol) 을 용해시킨 용액을, 적하 깔때기로부터 적하하였다. 적하에 필요로 한 시간은 40 분, 반응 액온은 최대로 28 ℃ 였다.A solution obtained by dissolving 19.7 g (0.12 mol) of 5-norbornene-2,3-dicarboxylic acid anhydride in 88 g of a separate dimethyldiglycol (hereinafter also referred to as "DMDG") was added to the obtained mixed solution from a dropping funnel . The time required for the dropping was 40 minutes, and the reaction temperature was 28 ° C at the maximum.

적하 종료 후, 반응액을 탕욕에 의해 50 ℃ 로 가온하고, 18 시간 교반한 후, 반응액의 IR 스펙트럼의 측정을 실시하여, 1385 cm-1 및 1772 cm-1 의 이미드기의 특성 흡수가 나타난 것을 확인하였다.After the addition was completed, the reaction mixture by heating to 50 ℃ tangyok and, after stirring for 18 hours, subjected to the measurement of IR spectrum of the reaction solution, a characteristic absorption of deugi already in 1385 cm -1 and 1772 cm -1 indicated Respectively.

다음으로, 반응액을 수욕에 의해 8 ℃ 로 냉각하고, 이 반응액에, 별도 DMDG 398 g 중에 4,4'-디페닐에테르디카르복실산디클로라이드 142.3 g (0.48 mol) 을 용해시킨 용액을, 적하 깔때기로부터 적하하였다. 적하에 필요로 한 시간은 80 분, 반응 액온은 최대로 12 ℃ 였다.Next, the reaction solution was cooled to 8 캜 by water bath, and a solution prepared by dissolving 142.3 g (0.48 mol) of 4,4'-diphenyl ether dicarboxylic acid dichloride in 398 g of DMDG was added to this reaction solution, Was added dropwise from a dropping funnel. The time required for the dropping was 80 minutes, and the reaction temperature was 12 ° C at the maximum.

적하 종료로부터 3 시간 후, 상기 반응액을 12 L 의 물에 고속 교반하에서 적하하고, 중합체를 분산 석출시키고, 이것을 회수하고, 적절히 수세, 탈수 후에, 진공 건조를 실시하여, 폴리벤즈옥사졸 전구체 (A-6) 을 얻었다.After 3 hours from the completion of the dropwise addition, the reaction solution was added dropwise to 12 L of water under high-speed stirring to disperse and precipitate the polymer. The polymer was recovered, washed with water appropriately and dehydrated and vacuum dried to obtain polybenzoxazole precursor A-6).

<수지 (A) 및 (A')> &Lt; Resins (A) and (A ') &gt;

A-1 : 플로로글루시놀/BMMB 로 이루어지는 공중합체, 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량 (Mw) = 15,000 A-1: Copolymer composed of fluoroglucinol / BMMB, polystyrene reduced weight average molecular weight (Mw) = 15,000

A-2 : 3,5-디하이드록시벤조산메틸/BMMB 로 이루어지는 공중합체, 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량 (Mw) = 21,000 A-2: Copolymer of methyl 3,5-dihydroxybenzoate / BMMB, weight average molecular weight (Mw) in terms of polystyrene = 21,000

A-3 : 레조르시놀/BMMB/2,6-비스(하이드록시메틸)-p-크레졸로 이루어지는 공중합체, 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량 (Mw) = 9,900 A-3: Copolymer composed of resorcinol / BMMB / 2,6-bis (hydroxymethyl) -p-cresol, weight average molecular weight (Mw) in terms of polystyrene = 9,900

A-4 : 노볼락 수지, 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량 (Mw) = 10,600 (아사히 유기재사 제조, 제품명 EP-4080G) A-4: Novolak resin, weight average molecular weight (Mw) in terms of polystyrene = 10,600 (product name: EP-4080G,

A-5 : 폴리이미드 전구체 A-5: Polyimide precursor

A-6 : 폴리벤즈옥사졸 전구체 A-6: polybenzoxazole precursor

<광산 발생제 (B)> &Lt; Photo acid generator (B) &gt;

B-1 : 하기 식으로 나타내는 광산 발생제 : B-1: photoacid generator represented by the following formula:

[화학식 53] (53)

Figure pct00053
Figure pct00053

{식 중, Q 중 83 % 가 이하의 : {Wherein, 83% of Q is:

[화학식 54] (54)

Figure pct00054
Figure pct00054

로 나타내는 구조이고, 잔여가 수소 원자이다.} And the remainder is a hydrogen atom.

<용제 (C)> &Lt; Solvent (C) &gt;

C-1 : γ-부티로락톤 (GBL) C-1:? -Butyrolactone (GBL)

C-2 : 메틸에틸케톤 C-2: methyl ethyl ketone

C-3 : 아세톤 C-3: Acetone

C-4 : N,N-디메틸포름아미드 C-4: N, N-dimethylformamide

<계면 활성제 (D)> &Lt; Surfactant (D) &gt;

D-1 : 실리콘형 계면 활성제 DBE821 (상품명, Gelest 사 제조) D-1: silicone type surfactant DBE821 (trade name, manufactured by Gelest)

D-2 : 실리콘형 계면 활성제 DBE224 (상품명, Gelest 사 제조) D-2: silicone type surfactant DBE224 (trade name, manufactured by Gelest)

<가교제 (E)> <Cross-linking agent (E)>

E-1 : 1,3,4,6-테트라키스(메톡시메틸)글리콜우릴 (산와 케미컬 제조, 상품명 ; 니카락 MX-270) E-1: 1,3,4,6-tetrakis (methoxymethyl) glycoluril (NIKARAK MX-270, manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.)

[감광성 수지 조성물의 조제] [Preparation of Photosensitive Resin Composition]

하기 표 1 에 나타내는 조성과 같이, 수지 (A), 광산 발생제 (B), 계면 활성제 (D), 및 가교제 (E) 를, 용제 (C) 에 용해시키고, 0.1 ㎛ 의 필터로 여과하여, 포지티브형 감광성 수지 조성물을 조제하였다.The resin (A), the photoacid generator (B), the surfactant (D) and the crosslinking agent (E) were dissolved in the solvent (C) and filtered with a filter of 0.1 탆, Thereby preparing a positive photosensitive resin composition.

Figure pct00055
Figure pct00055

[지지체 필름] [Support film]

지지체 필름으로서, 실리콘계 화합물로 이형 처리된 PET 필름 「PET25X」(린텍 주식회사 제조, 폭 290 mm, 두께 25 ㎛) 를 준비하였다.As a support film, a PET film &quot; PET25X &quot; (manufactured by LINTEC CORPORATION, width 290 mm, thickness 25 mu m) subjected to release treatment with a silicone compound was prepared.

[감광성 필름의 제작] [Production of Photosensitive Film]

(실시예 1) (Example 1)

지지체 필름으로서, 이형 처리 PET 필름인 「PET25X」를 이용하여, 이형 처리면 상에, 상기 표 1 에 나타내는 조성을 갖는 감광성 수지 조성물의 용액을 도포하였다. 이어서, 감광성 수지 조성물의 용액을 도포한 PET 필름을 120 ℃ 의 열풍으로 5 분간에 걸쳐 건조시켜, 감광층을 형성시켰다. 그때, 가열 후의 감광층의 두께가 10 ㎛ 가 되도록 하였다. 상기 조성의 폭 300 mm 의 감광성 필름을, 외경 3.5 인치의 원통상 플라스틱관에, 권축 폭 방향에 대해 평행으로 배치된 가압 롤을 사용하여, 플라스틱관에 대해 선상으로 압력을 가하고, 7 kg 의 장력으로 1000 m 권취하여, 감광성 필름 롤을 얻었다.As the support film, a solution of the photosensitive resin composition having the composition shown in Table 1 was applied on the releasably treated surface by using &quot; PET25X &quot; Subsequently, the PET film coated with the solution of the photosensitive resin composition was dried by hot air at 120 캜 for 5 minutes to form a photosensitive layer. At that time, the thickness of the photosensitive layer after heating was made to be 10 占 퐉. A photosensitive film having a width of 300 mm in the above composition was applied to a cylindrical plastic tube having an outer diameter of 3.5 inches and a pressure roll placed parallel to the crimp width direction so as to apply a linear pressure to the plastic tube, To obtain a photosensitive film roll.

(실시예 2 ∼ 13) (Examples 2 to 13)

상기 표 1 에 나타내는 성분, 조성물 및 건조 조건을 이용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일한 순서에 따라, 각 감광성 필름 롤을 제작하였다.Each of the photosensitive film rolls was produced in the same manner as in Example 1, except that the components, composition, and drying conditions shown in Table 1 were used.

(비교예 1 ∼ 3) (Comparative Examples 1 to 3)

상기 표 1 에 나타내는 성분, 조성물 및 건조 조건을 이용한 것, 그리고 감광성 필름 롤을 얻을 때에 감광층 상에 연화 온도가 90 ℃ 인 커버 필름을 형성한 것 이외에는 실시예 1 과 동일한 순서에 따라, 각 감광성 필름 롤을 제작하였다.Except that the components, the composition and the drying conditions shown in Table 1 were used, and a cover film having a softening temperature of 90 ° C was formed on the photosensitive layer at the time of obtaining the photosensitive film roll, A film roll was produced.

<잔용매량> <Amount of residual solvent>

실시예 및 비교예에서 각각 제작한 감광성 필름 롤로부터 감광성 필름을 권출하고, 감광층을 지지체 필름으로부터 박리하고, 박리한 감광층을 가스 크로마토그래피 (애질런트·테크놀로지 주식회사 제조, 상품명 「6890N」) 로 분석하여, 페놀 수지 100 질량부에 대한 잔 (殘) 용매량 (질량부) 을 측정하였다.The photosensitive film was taken out from the photosensitive film roll prepared in each of Examples and Comparative Examples, and the photosensitive layer was peeled off from the support film. The peeled photosensitive layer was analyzed by gas chromatography (trade name &quot; 6890N &quot;, manufactured by Agilent Technologies Inc.) , And the amount of residual solvent (parts by mass) relative to 100 parts by mass of the phenol resin was measured.

<용융 점도> <Melt viscosity>

실시예 및 비교예에서 각각 제작한 감광성 필름 롤로부터 감광성 필름을 권출하고, 감광층을 지지체 필름으로부터 박리하고, 박리한 감광층을 용융 점도 측정 장치 (티·에이·인스트루먼트·재팬 주식회사 제조, 제품명 「DHR-2」) 를 사용하여, 이하의 조건으로 측정하였다. 온도 100 ℃ 에 있어서의 용융 점도를 표 1 에 나타낸다.The photosensitive film was taken out from the photosensitive film roll prepared in each of Examples and Comparative Examples, the photosensitive layer was peeled from the support film, and the peeled photosensitive layer was measured with a melt viscosity measuring apparatus (trade name &quot; &Quot; DHR-2 &quot;). Table 1 shows the melt viscosity at a temperature of 100 캜.

·샘플 형상 · Sample shape

막두께 : 0.5 mmt    Film thickness: 0.5 mmt

직경 : 25 mm 원판    Diameter: 25 mm Disc

·측정 조건 ·Measuring conditions

개시 온도 : 50 ℃    Starting temperature: 50 ° C

승온 속도 : 5 ℃/분    Heating rate: 5 ° C / min

종료 온도 : 220 ℃    End temperature: 220 ℃

변형 : 0.1 %    Variation: 0.1%

주파수 : 1 Hz   Frequency: 1 Hz

하중 : 0.5 N (±0.1 N)    Load: 0.5 N (± 0.1 N)

<보존 안정성> <Storage stability>

실시예 및 비교예에서 각각 제작한 감광성 필름 롤을 실온 (25 ℃) 에서 1 개월 이상 보관한 후에, 롤의 권출을 육안으로 관찰하고, 하기 기준에 의해 평가하였다.After each of the photosensitive film rolls prepared in Examples and Comparative Examples was stored at room temperature (25 DEG C) for 1 month or more, the rolls were visually observed and evaluated according to the following criteria.

S (현저하게 양호) : 롤 형태로, 1 개월 이상 실온에서 보존해도, 지지체 필름 이면에 감광층이 부착되지 않는다.S (remarkably good): Even if stored at room temperature for one month or longer in the form of a roll, the photosensitive layer does not adhere to the back surface of the support film.

A (양호) : 롤 형태로, 1 개월 실온에서 보존하면, 지지체 필름 이면에 감광층의 일부가 부착된다.A (good): When stored at room temperature for one month in the form of a roll, a part of the photosensitive layer adheres to the back surface of the support film.

<지지체 필름의 박리성> <Peelability of Support Film>

실시예 및 비교예에서 각각 제작한 감광성 필름 롤로부터 감광성 필름을 권출하고, 감광층을 130 ℃ 로 가열하면서 유리판 상에 적층하여, 감광층을 전사한 특성 평가용 샘플을 제작하였다. 이어서, 특성 평가용 샘플로부터 지지체 필름을 박리 제거하고, 감광층의 전사 상태를 육안에 의해 평가하였다.A photosensitive film was taken out from the photosensitive film roll prepared in each of Examples and Comparative Examples, and the photosensitive layer was laminated on a glass plate while being heated to 130 캜 to transfer a photosensitive layer. Then, the support film was peeled off from the sample for property evaluation, and the transfer state of the photosensitive layer was visually evaluated.

S (현저하게 양호) : 지지체 필름에 감광층이 부착되는 일 없이, 박리 제거가 가능.S (remarkably good): Peeling can be removed without attaching the photosensitive layer to the support film.

A (양호) : 감광층의 일부에서, 지지체 필름에 감광층이 부착된 상태로 박리.A (good): In a part of the photosensitive layer, the photosensitive film is peeled off with the photosensitive layer adhered to the support film.

B (불량) : 감광층의 전체면에서, 지지체 필름에 감광층이 부착된 상태로 박리.B (defective): The photosensitive layer is peeled from the entire surface of the photosensitive layer with the photosensitive layer adhered to the support film.

<슬릿 시의 크랙> <Crack at slit>

실시예 및 비교예에서 각각 제작한 감광성 필름 롤을, 톱니를 100 ℃ 로 가열한 슬리터로 슬릿하였다. 슬릿했을 때의 크랙의 발생 및 절단면의 미관을 육안에 의해 평가하였다.The photosensitive film roll prepared in each of Examples and Comparative Examples was slit with a slitter heated to 100 ° C. The occurrence of cracks at the time of slitting and the aesthetics of the cut surfaces were visually evaluated.

S (현저하게 양호) : 크랙은 발생하지 않고, 절단면도 평활하다.S (remarkably good): No cracks occur and the cut surface is smooth.

A (양호) : 크랙은 발생하여 있지 않지만, 절단면에 조금 요철이 있다.A (good): There is no crack, but the cut surface is slightly irregular.

B (불량) : 크랙은 발생하였다.B (poor): Cracks occurred.

<커버 필름의 주름> <Wrinkles of cover film>

비교예에서 제작한 감광성 필름 롤을, 100 ℃ 로 가열한 톱니를 갖는 슬리터로 슬릿하고, 커버 필름에 발생한 주름을 육안으로 평가하였다.The photosensitive film roll produced in the comparative example was slit with a slitter having teeth heated to 100 DEG C and wrinkles generated in the cover film were visually evaluated.

A (양호) : 커버 필름에 주름이 발생하지 않는다.A (Good): No wrinkles occur in the cover film.

B (불량) : 커버 필름에 주름이 발생하였다.B (poor): The cover film was wrinkled.

<평가 결과> &Lt; Evaluation result &gt;

각 실시예 및 비교예에 대해, 각 특성 평가 결과를 상기 표 1 에 나타냈다.For each of the examples and comparative examples, the evaluation results of the respective characteristics are shown in Table 1 above.

산업상 이용가능성Industrial availability

본 발명의 감광층 롤은, 반도체 장치, 표시체 장치 및 발광 장치의 표면 보호막, 층간 절연막, 재배선용 절연막, 웨이퍼 레벨 패키지를 위한 재배선층, 플립칩 장치용 보호막, 고밀도 기판, 범프 구조를 갖는 장치의 보호막, 다층 회로의 층간 절연막, 플렉시블 구리 피복판의 커버 코트, 솔더 레지스트막, 그리고 액정 배향막 등으로서 바람직하게 이용할 수 있다. The photosensitive layer roll of the present invention can be applied to a semiconductor device, a display body device, and a surface protective film of a light emitting device, an interlayer insulating film, an insulating film for rewiring, a rewiring layer for a wafer level package, a protective film for a flip chip device, An interlayer insulating film of a multilayer circuit, a cover coat of a flexible copper clad, a solder resist film, a liquid crystal alignment film, and the like.

Claims (40)

지지체 필름과,
상기 지지체 필름 상에 형성된, 감광성 수지 조성물을 포함하는 감광층
을 갖는 감광층 롤로서,
상기 감광성 수지 조성물이 페놀 수지, 폴리이미드 전구체, 폴리벤즈옥사졸 전구체, 및 가용성 폴리이미드로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 개의 수지를 포함하고, 또한 상기 감광층은, 용융 점도가 500 Pa·s 이하가 되는 온도점을 갖는 층인, 감광층 롤.
A support film,
A photosensitive layer formed on the support film and including a photosensitive resin composition,
As a photosensitive layer roll,
Wherein the photosensitive resin composition contains at least one resin selected from the group consisting of a phenol resin, a polyimide precursor, a polybenzoxazole precursor, and a soluble polyimide, and the photosensitive layer has a melt viscosity of 500 Pa s or less The photosensitive layer being a layer having a temperature point at which the photosensitive layer is exposed.
제 1 항에 있어서,
상기 감광층은, 용융 점도가 350 Pa·s 이하가 되는 온도점을 갖는 층인, 감광층 롤.
The method according to claim 1,
Wherein the photosensitive layer is a layer having a temperature point at which a melt viscosity is 350 Pa · s or less.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 감광층은, 100 ℃ 에 있어서의 용융 점도가 500 Pa·s 이하인, 감광층 롤.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the photosensitive layer has a melt viscosity at 100 캜 of 500 Pa s or less.
제 3 항에 있어서,
상기 감광층은, 100 ℃ 에 있어서의 용융 점도가 350 Pa·s 이하인, 감광층 롤.
The method of claim 3,
Wherein the photosensitive layer has a melt viscosity at 100 캜 of 350 Pa s or less.
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 감광층의 상기 지지체 필름이 형성된 측과는 반대측에 커버 필름을 갖고, 또한 상기 커버 필름의 연화 온도가 90 ℃ 이상인, 감광층 롤.
5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein the cover film has a cover film on the side opposite to the side where the support film is formed of the photosensitive layer and the softening temperature of the cover film is 90 DEG C or more.
제 5 항에 있어서,
상기 커버 필름의 연화 온도가, 110 ℃ 이상인, 감광층 롤.
6. The method of claim 5,
Wherein the softening temperature of the cover film is 110 DEG C or higher.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 감광층 중에 포함되는 유기 용매의 양이, 상기 감광층의 총량에 대해 0.1 질량% 이상 15 질량% 이하인, 감광층 롤.
7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein the amount of the organic solvent contained in the photosensitive layer is 0.1% by mass or more and 15% by mass or less based on the total amount of the photosensitive layer.
제 7 항에 있어서,
상기 감광층 중에 포함되는 유기 용매의 양이, 상기 감광층의 총량에 대해 1 질량% 이상 15 질량% 이하인, 감광층 롤.
8. The method of claim 7,
Wherein the amount of the organic solvent contained in the photosensitive layer is 1% by mass or more and 15% by mass or less based on the total amount of the photosensitive layer.
제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
상기 유기 용매가, γ-부티로락톤, 아세톤, 메틸에틸케톤, N-메틸-2-피롤리돈, 디메틸술폭사이드, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, tert-부틸알코올 및 테트라하이드로푸르푸릴알코올로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 개를 포함하는, 감광층 롤.
9. The method according to claim 7 or 8,
Wherein the organic solvent is at least one selected from the group consisting of? -Butyrolactone, acetone, methyl ethyl ketone, N-methyl-2-pyrrolidone, dimethylsulfoxide, propylene glycol monomethyl ether, tert-butyl alcohol and tetrahydrofurfuryl alcohol And at least one selected from the group consisting of the following.
제 9 항에 있어서,
상기 유기 용매가, γ-부티로락톤, 아세톤, 메틸에틸케톤, N-메틸-2-피롤리돈 및 디메틸술폭사이드로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 개를 포함하는, 감광층 롤.
10. The method of claim 9,
Wherein the organic solvent comprises at least one selected from the group consisting of? -Butyrolactone, acetone, methyl ethyl ketone, N-methyl-2-pyrrolidone and dimethylsulfoxide.
제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 감광성 수지 조성물이 상기 폴리이미드 전구체를 포함하는, 감광층 롤.
11. The method according to any one of claims 1 to 10,
Wherein the photosensitive resin composition comprises the polyimide precursor.
제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 감광성 수지 조성물이 상기 폴리벤즈옥사졸 전구체를 포함하는, 감광층 롤.
11. The method according to any one of claims 1 to 10,
Wherein the photosensitive resin composition comprises the polybenzoxazole precursor.
제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 감광성 수지 조성물이 상기 가용성 폴리이미드를 포함하는, 감광층 롤.
11. The method according to any one of claims 1 to 10,
Wherein the photosensitive resin composition comprises the soluble polyimide.
제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 감광성 수지 조성물이 상기 페놀 수지를 포함하는, 감광층 롤.
11. The method according to any one of claims 1 to 10,
Wherein the photosensitive resin composition comprises the phenolic resin.
제 14 항에 있어서,
상기 페놀 수지가, 하기 일반식 (1) :
Figure pct00056

{식 (1) 중, a 는, 1 ∼ 3 의 정수이고, b 는, 0 ∼ 3 의 정수이고, 1 ≤ (a + b) ≤ 4 이고, R1 은, 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기, 할로겐 원자, 니트로기 및 시아노기로 이루어지는 군에서 선택되는 1 가의 치환기를 나타내고, b 가 2 또는 3 인 경우의 복수의 R1 은, 각각 동일해도 되고 상이해도 되고, 또한 X 는, 불포화 결합을 가지고 있어도 되는 탄소수 2 ∼ 10 의 2 가의 사슬형 지방족기, 탄소수 3 ∼ 20 의 2 가의 지환형기, 하기 일반식 (2) :
Figure pct00057

(식 (2) 중, p 는, 1 ∼ 10 의 정수이다.) 로 나타내는 2 가의 알킬렌옥사이드기, 및 방향족 고리를 갖는 2 가의 유기기로 이루어지는 군에서 선택되는 2 가의 유기기를 나타낸다.}
로 나타내는 구조를 반복 단위로서 갖는, 감광층 롤.
15. The method of claim 14,
Wherein the phenol resin is represented by the following general formula (1):
Figure pct00056

(1) wherein a is an integer of 1 to 3, b is an integer of 0 to 3, 1? (A + b)? 4, and R 1 is a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms A halogen atom, a nitro group and a cyano group, and a plurality of R 1 s when b is 2 or 3 may be the same or different and X is an unsaturated bond A bivalent aliphatic group having 2 to 10 carbon atoms and a bivalent alicyclic group having 3 to 20 carbon atoms,
Figure pct00057

A divalent organic group selected from the group consisting of a divalent alkylene oxide group represented by the formula (2) wherein p is an integer of 1 to 10, and a divalent organic group having an aromatic ring.
As a repeating unit.
제 15 항에 있어서,
상기 일반식 (1) 중의 X 가, 하기 일반식 (3) :
Figure pct00058

{식 (3) 중, R2, R3, R4 및 R5 는, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 10 의 1 가의 지방족기, 또는 수소 원자의 일부 혹은 전부가 불소 원자로 치환되어 이루어지는 탄소수 1 ∼ 10 의 1 가의 지방족기이고, n1 은 0 ∼ 4 의 정수이고, n1 이 1 ∼ 4 의 정수인 경우의 R6 은, 할로겐 원자, 수산기, 또는 1 가의 유기기이고, 적어도 1 개의 R6 은 수산기이고, n1 이 2 ∼ 4 의 정수인 경우의 복수의 R6 은 각각 동일해도 되고 상이해도 된다.}
으로 나타내는 2 가의 기, 및 하기 일반식 (4) :
Figure pct00059

{식 (4) 중, R7, R8, R9 및 R10 은, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 10 의 1 가의 지방족기, 또는 수소 원자의 일부 혹은 전부가 불소 원자로 치환되어 이루어지는 탄소수 1 ∼ 10 의 1 가의 지방족기를 나타내고, 또한 W 는, 단결합, 불소 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 10 의 사슬형 지방족기, 불소 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 3 ∼ 20 의 지환형기, 하기 일반식 (2) :
Figure pct00060

(식 (2) 중, p 는, 1 ∼ 10 의 정수이다.) 로 나타내는 2 가의 알킬렌옥사이드기, 및 하기 식 (5) :
Figure pct00061

로 나타내는 2 가의 기로 이루어지는 군에서 선택되는 2 가의 유기기이다.}
로 나타내는 2 가의 기로 이루어지는 군에서 선택되는 2 가의 유기기인, 감광층 롤.
16. The method of claim 15,
Wherein X in the general formula (1) is a group represented by the following general formula (3):
Figure pct00058

(In the formula (3), R 2 , R 3 , R 4 and R 5 are each independently a hydrogen atom, a monovalent aliphatic group having 1 to 10 carbon atoms, or a carbon number formed by substituting a part or all of hydrogen atoms with a fluorine atom and 1-10 aliphatic monovalent, n1 is an integer of 0 ~ 4, n1 is the case of 1 to 4 integer, R 6 is a halogen atom, a hydroxyl group, or a monovalent organic group, at least one R 6 is A plurality of R &lt; 6 &gt; s may be the same or different when n1 is an integer of 2 to 4,
And a divalent group represented by the following general formula (4):
Figure pct00059

Wherein R 7 , R 8 , R 9 and R 10 are each independently a hydrogen atom, a monovalent aliphatic group having 1 to 10 carbon atoms, or a carbon number of a hydrogen atom partially or entirely substituted with a fluorine atom W represents a single bond, a chain aliphatic group having 1 to 10 carbon atoms which may be substituted with a fluorine atom, an alicyclic group having 3 to 20 carbon atoms which may be substituted with a fluorine atom, a monovalent aliphatic group having 1 to 10 carbon atoms, (2) :
Figure pct00060

(In the formula (2), p is an integer of 1 to 10), and a divalent alkylene oxide group represented by the following formula (5):
Figure pct00061

Is a divalent organic group selected from the group consisting of a divalent group represented by the formula:
Is a divalent organic group selected from the group consisting of a divalent group represented by the following formula:
제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,
상기 일반식 (1) 중의 X 가, 하기 식 (6) :
Figure pct00062

으로 나타내는 2 가의 유기기인, 감광층 롤.
17. The method according to claim 15 or 16,
Wherein X in the general formula (1) is a group represented by the following formula (6):
Figure pct00062

Is a divalent organic group represented by the following formula (1).
제 17 항에 있어서,
상기 일반식 (1) 중의 X 가, 하기 식 (7) :
Figure pct00063

로 나타내는 2 가의 유기기인, 감광층 롤.
18. The method of claim 17,
Wherein X in the general formula (1) is a group represented by the following formula (7):
Figure pct00063

Is a divalent organic group represented by the following formula (1).
제 15 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 페놀 수지가, 하기 일반식 (8) :
Figure pct00064

{식 (8) 중, R11 은, 탄화수소기 및 알콕시기로 이루어지는 군에서 선택되는 탄소수 1 ∼ 10 의 1 가의 기이고, n2 는 1 ∼ 3 의 정수이고, n3 은 0 ∼ 2 의 정수이고, m1 은 1 ∼ 500 의 정수이고, 2 ≤ (n2 + n3) ≤ 4 이고, n3 이 2 인 경우의 R11 은 각각 동일해도 되고 상이해도 된다.} 로 나타내는 반복 단위, 및 하기 일반식 (9) :
Figure pct00065

{식 (9) 중, R12 및 R13 은, 각각 독립적으로 탄화수소기 및 알콕시기로 이루어지는 군에서 선택되는 탄소수 1 ∼ 10 의 1 가의 기이고, n4 는 1 ∼ 3 의 정수이고, n5 는 0 ∼ 2 의 정수이고, n6 은 0 ∼ 3 의 정수이고, m2 는 1 ∼ 500 의 정수이고, 2 ≤ (n4 + n5) ≤ 4 이고, n5 가 2 인 경우의 R12 는 각각 동일해도 되고 상이해도 되고, n6 이 2 또는 3 인 경우의 R13 은 각각 동일해도 되고 상이해도 된다.}
로 나타내는 반복 단위의 양방을 동일 수지 골격 내에 갖는, 감광층 롤.
19. The method according to any one of claims 15 to 18,
Wherein the phenolic resin is represented by the following general formula (8):
Figure pct00064

(In the formula (8), R 11 is a monovalent group having 1 to 10 carbon atoms selected from the group consisting of a hydrocarbon group and an alkoxy group, n2 is an integer of 1 to 3, n3 is an integer of 0 to 2, m1 . is an integer of 1 ~ 500, 2 ≤ (n2 + n3) ≤ 4 , and, R 11 may be the same in each case of n3 is 2 and or different} repeat shown in units, and the following general formula (9):
Figure pct00065

(In the formula (9), R 12 and R 13 are each independently a monovalent group having 1 to 10 carbon atoms selected from the group consisting of a hydrocarbon group and an alkoxy group, n 4 is an integer of 1 to 3, is an integer of 2, n6 is an integer of 0 ~ 3, m2 is an integer of 1 ~ 500, 2 ≤ (n4 + n5) ≤ 4 , and, R 12 in the case where n5 is 2 and may be the or different in the same respectively , and R &lt; 13 &gt; when n6 is 2 or 3 may be the same or different.
Is contained in the same resin skeleton.
지지체 필름과,
상기 지지체 필름 상에 형성된, 감광성 수지 조성물을 포함하는 감광층
을 갖는 감광층 롤로서,
상기 감광성 수지 조성물이 페놀 수지, 폴리이미드 전구체, 폴리벤즈옥사졸 전구체, 및 가용성 폴리이미드로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 개의 수지를 포함하고, 또한 상기 지지체 필름의 양면은, 상기 감광층과 접하고 있는, 감광층 롤.
A support film,
A photosensitive layer formed on the support film and including a photosensitive resin composition,
As a photosensitive layer roll,
Wherein the photosensitive resin composition comprises at least one resin selected from the group consisting of a phenol resin, a polyimide precursor, a polybenzoxazole precursor, and a soluble polyimide, and both surfaces of the support film are in contact with the photosensitive layer , Photosensitive layer roll.
제 20 항에 있어서,
상기 감광층 중에 포함되는 유기 용매의 양이, 상기 감광층의 총량에 대해 0.1 질량% 이상 15 질량% 이하인, 감광층 롤.
21. The method of claim 20,
Wherein the amount of the organic solvent contained in the photosensitive layer is 0.1% by mass or more and 15% by mass or less based on the total amount of the photosensitive layer.
제 21 항에 있어서,
상기 감광층 중에 포함되는 유기 용매의 양이, 상기 감광층의 총량에 대해 1 질량% 이상 15 질량% 이하인, 감광층 롤.
22. The method of claim 21,
Wherein the amount of the organic solvent contained in the photosensitive layer is 1% by mass or more and 15% by mass or less based on the total amount of the photosensitive layer.
제 21 항 또는 제 22 항에 있어서,
상기 감광성 수지 조성물이 상기 페놀 수지를 포함하는, 감광층 롤.
23. The method of claim 21 or 22,
Wherein the photosensitive resin composition comprises the phenolic resin.
제 21 항 내지 제 23 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유기 용매가, γ-부티로락톤, 아세톤, 메틸에틸케톤, N-메틸-2-피롤리돈, 디메틸술폭사이드, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, tert-부틸알코올 및 테트라하이드로푸르푸릴알코올로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 개를 포함하는, 감광층 롤.
24. The method according to any one of claims 21 to 23,
Wherein the organic solvent is at least one selected from the group consisting of? -Butyrolactone, acetone, methyl ethyl ketone, N-methyl-2-pyrrolidone, dimethylsulfoxide, propylene glycol monomethyl ether, tert-butyl alcohol and tetrahydrofurfuryl alcohol And at least one selected from the group consisting of the following.
제 24 항에 있어서,
상기 유기 용매가, γ-부티로락톤, 아세톤, 메틸에틸케톤, N-메틸-2-피롤리돈 및 디메틸술폭사이드로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 개를 포함하는, 감광층 롤.
25. The method of claim 24,
Wherein the organic solvent comprises at least one selected from the group consisting of? -Butyrolactone, acetone, methyl ethyl ketone, N-methyl-2-pyrrolidone and dimethylsulfoxide.
제 20 항 내지 제 25 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 감광성 수지 조성물이 상기 폴리이미드 전구체를 포함하는, 감광층 롤.
26. The method according to any one of claims 20 to 25,
Wherein the photosensitive resin composition comprises the polyimide precursor.
제 20 항 내지 제 25 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 감광성 수지 조성물이 상기 폴리벤즈옥사졸 전구체를 포함하는, 감광층 롤.
26. The method according to any one of claims 20 to 25,
Wherein the photosensitive resin composition comprises the polybenzoxazole precursor.
제 20 항 내지 제 25 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 감광성 수지 조성물이 상기 가용성 폴리이미드를 포함하는, 감광층 롤.
26. The method according to any one of claims 20 to 25,
Wherein the photosensitive resin composition comprises the soluble polyimide.
제 20 항 내지 제 25 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 감광성 수지 조성물이 페놀 수지를 포함하는, 감광층 롤.
26. The method according to any one of claims 20 to 25,
Wherein the photosensitive resin composition comprises a phenol resin.
제 29 항에 있어서,
상기 페놀 수지가, 하기 일반식 (1) :
Figure pct00066

{식 (1) 중, a 는, 1 ∼ 3 의 정수이고, b 는, 0 ∼ 3 의 정수이고, 1 ≤ (a + b) ≤ 4 이고, R1 은, 탄소수 1 ∼ 20 의 1 가의 유기기, 할로겐 원자, 니트로기 및 시아노기로 이루어지는 군에서 선택되는 1 가의 치환기를 나타내고, b 가 2 또는 3 인 경우의 복수의 R1 은, 각각 동일해도 되고 상이해도 되고, 또한 X 는, 불포화 결합을 가지고 있어도 되는 탄소수 2 ∼ 10 의 2 가의 사슬형 지방족기, 탄소수 3 ∼ 20 의 2 가의 지환형기, 하기 일반식 (2) :
Figure pct00067

(식 (2) 중, p 는, 1 ∼ 10 의 정수이다.) 로 나타내는 2 가의 알킬렌옥사이드기, 및 방향족 고리를 갖는 2 가의 유기기로 이루어지는 군에서 선택되는 2 가의 유기기를 나타낸다.}
로 나타내는 구조를 반복 단위로서 갖는, 감광층 롤.
30. The method of claim 29,
Wherein the phenol resin is represented by the following general formula (1):
Figure pct00066

(1) wherein a is an integer of 1 to 3, b is an integer of 0 to 3, 1? (A + b)? 4, and R 1 is a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms A halogen atom, a nitro group and a cyano group, and a plurality of R 1 s when b is 2 or 3 may be the same or different and X is an unsaturated bond A bivalent aliphatic group having 2 to 10 carbon atoms and a bivalent alicyclic group having 3 to 20 carbon atoms,
Figure pct00067

A divalent organic group selected from the group consisting of a divalent alkylene oxide group represented by the formula (2) wherein p is an integer of 1 to 10, and a divalent organic group having an aromatic ring.
As a repeating unit.
제 30 항에 있어서,
상기 일반식 (1) 중의 X 가, 하기 일반식 (3) :
Figure pct00068

{식 (3) 중, R2, R3, R4 및 R5 는, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 10 의 1 가의 지방족기, 또는 수소 원자의 일부 혹은 전부가 불소 원자로 치환되어 이루어지는 탄소수 1 ∼ 10 의 1 가의 지방족기이고, n1 은 0 ∼ 4 의 정수이고, n1 이 1 ∼ 4 의 정수인 경우의 R6 은, 할로겐 원자, 수산기, 또는 1 가의 유기기이고, 적어도 1 개의 R6 은 수산기이고, n1 이 2 ∼ 4 의 정수인 경우의 복수의 R6 은 각각 동일해도 되고 상이해도 된다.}
으로 나타내는 2 가의 기, 및 하기 일반식 (4) :
Figure pct00069

{식 (4) 중, R7, R8, R9 및 R10 은, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 10 의 1 가의 지방족기, 또는 수소 원자의 일부 혹은 전부가 불소 원자로 치환되어 이루어지는 탄소수 1 ∼ 10 의 1 가의 지방족기를 나타내고, 또한 W 는, 단결합, 불소 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 10 의 사슬형 지방족기, 불소 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 3 ∼ 20 의 지환형기, 하기 일반식 (2) :
Figure pct00070

(식 (2) 중, p 는, 1 ∼ 10 의 정수이다.)
로 나타내는 2 가의 알킬렌옥사이드기, 및 하기 식 (5) :
Figure pct00071

로 나타내는 2 가의 기로 이루어지는 군에서 선택되는 2 가의 유기기이다.}
로 나타내는 2 가의 기로 이루어지는 군에서 선택되는 2 가의 유기기인, 감광층 롤.
31. The method of claim 30,
Wherein X in the general formula (1) is a group represented by the following general formula (3):
Figure pct00068

(In the formula (3), R 2 , R 3 , R 4 and R 5 are each independently a hydrogen atom, a monovalent aliphatic group having 1 to 10 carbon atoms, or a carbon number formed by substituting a part or all of hydrogen atoms with a fluorine atom and 1-10 aliphatic monovalent, n1 is an integer of 0 ~ 4, n1 is the case of 1 to 4 integer, R 6 is a halogen atom, a hydroxyl group, or a monovalent organic group, at least one R 6 is A plurality of R &lt; 6 &gt; s may be the same or different when n1 is an integer of 2 to 4,
And a divalent group represented by the following general formula (4):
Figure pct00069

Wherein R 7 , R 8 , R 9 and R 10 are each independently a hydrogen atom, a monovalent aliphatic group having 1 to 10 carbon atoms, or a carbon number of a hydrogen atom partially or entirely substituted with a fluorine atom W represents a single bond, a chain aliphatic group having 1 to 10 carbon atoms which may be substituted with a fluorine atom, an alicyclic group having 3 to 20 carbon atoms which may be substituted with a fluorine atom, a monovalent aliphatic group having 1 to 10 carbon atoms, (2) :
Figure pct00070

(In the formula (2), p is an integer of 1 to 10.)
And a divalent alkylene oxide group represented by the following formula (5):
Figure pct00071

Is a divalent organic group selected from the group consisting of a divalent group represented by the formula:
Is a divalent organic group selected from the group consisting of a divalent group represented by the following formula:
제 30 항 또는 제 31 항에 있어서,
상기 일반식 (1) 중의 X 가, 하기 식 (6) :
Figure pct00072

으로 나타내는 2 가의 유기기인, 감광층 롤.
32. The method according to claim 30 or 31,
Wherein X in the general formula (1) is a group represented by the following formula (6):
Figure pct00072

Is a divalent organic group represented by the following formula (1).
제 32 항에 있어서
상기 일반식 (1) 중의 X 가, 하기 식 (7) :
Figure pct00073

로 나타내는 2 가의 유기기인, 감광층 롤.
32. The method of claim 32, wherein
Wherein X in the general formula (1) is a group represented by the following formula (7):
Figure pct00073

Is a divalent organic group represented by the following formula (1).
제 30 항 내지 제 33 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 페놀 수지가, 하기 일반식 (8) :
Figure pct00074

{식 (8) 중, R11 은, 탄화수소기 및 알콕시기로 이루어지는 군에서 선택되는 탄소수 1 ∼ 10 의 1 가의 기이고, n2 는 1 ∼ 3 의 정수이고, n3 은 0 ∼ 2 의 정수이고, m1 은 1 ∼ 500 의 정수이고, 2 ≤ (n2 + n3) ≤ 4 이고, n3 이 2 인 경우의 R11 은 각각 동일해도 되고 상이해도 된다.}
로 나타내는 반복 단위, 및 하기 일반식 (9) :
Figure pct00075

{식 (9) 중, R12 및 R13 은, 각각 독립적으로 탄화수소기 및 알콕시기로 이루어지는 군에서 선택되는 탄소수 1 ∼ 10 의 1 가의 기이고, n4 는 1 ∼ 3 의 정수이고, n5 는 0 ∼ 2 의 정수이고, n6 은 0 ∼ 3 의 정수이고, m2 는 1 ∼ 500 의 정수이고, 2 ≤ (n4 + n5) ≤ 4 이고, n5 가 2 인 경우의 R12 는 각각 동일해도 되고 상이해도 되고, n6 이 2 또는 3 인 경우의 R13 은 각각 동일해도 되고 상이해도 된다.} 로 나타내는 반복 단위의 양방을 동일 수지 골격 내에 갖는, 감광층 롤.
34. The method according to any one of claims 30 to 33,
Wherein the phenolic resin is represented by the following general formula (8):
Figure pct00074

(In the formula (8), R 11 is a monovalent group having 1 to 10 carbon atoms selected from the group consisting of a hydrocarbon group and an alkoxy group, n2 is an integer of 1 to 3, n3 is an integer of 0 to 2, m1 is an integer from 1 to 500, and 2 ≤ (n2 + n3) ≤ 4 , is R 11 may be the same or is different from each of the case where n3 is 2.}
And a repeating unit represented by the following general formula (9):
Figure pct00075

(In the formula (9), R 12 and R 13 are each independently a monovalent group having 1 to 10 carbon atoms selected from the group consisting of a hydrocarbon group and an alkoxy group, n 4 is an integer of 1 to 3, is an integer of 2, n6 is an integer of 0 ~ 3, m2 is an integer of 1 ~ 500, 2 ≤ (n4 + n5) ≤ 4 , and, R 12 in the case where n5 is 2 and may be the or different in the same respectively , and R &lt; 13 &gt; when n6 is 2 or 3 may be the same or different, both of which are within the same resin skeleton.
제 1 항 내지 제 34 항 중 어느 한 항에 기재된 감광층 롤을 슬리터로 슬릿하여 슬릿 감광층 롤을 제조하는 슬릿 감광층 롤의 제조 방법.A process for producing a slit photosensitive layer roll, wherein the photosensitive layer roll according to any one of claims 1 to 34 is slit into a slit to produce a slit photosensitive layer roll. 제 35 항에 있어서,
상기 슬리터의 톱니가 가열되고 있는, 슬릿 감광층 롤의 제조 방법.
36. The method of claim 35,
Wherein the teeth of the slitter are heated.
제 36 항에 있어서,
상기 슬리터의 톱니가 100 ℃ 이상으로 가열되고 있는, 슬릿 감광층 롤의 제조 방법.
37. The method of claim 36,
Wherein the teeth of the slitter are heated to 100 DEG C or higher.
이하의 공정 :
제 1 항 내지 제 34 항 중 어느 한 항에 기재된 감광층 롤이, 상기 감광층의 상기 지지체 필름이 형성된 측과는 반대측에 커버 필름을 갖는 경우에는, 상기 커버 필름을 박리하는 공정과,
상기 커버 필름을 갖지 않는 상기 감광층 롤을 슬리터로 슬릿하는 공정과,
슬릿된 상기 감광층 롤에, 상기 박리한 커버 필름 또는 상기 박리한 커버 필름과는 다른 커버 필름을 부착하는 공정
을 포함하는 슬릿 감광층 롤의 제조 방법.
The following steps:
34. A process for producing a photosensitive film comprising the steps of peeling the cover film when the photosensitive layer roll according to any one of claims 1 to 34 has a cover film on the side opposite to the side on which the support film is formed of the photosensitive layer,
A step of slitting the photosensitive layer roll having no cover film with a slitter,
A step of attaching the peeled cover film or a cover film different from the peeled cover film to the slit photosensitive layer roll
Wherein the slit photosensitive layer roll is formed by a method comprising the steps of:
제 38 항에 있어서,
상기 슬리터의 톱니가 가열되고 있는, 슬릿 감광층 롤의 제조 방법.
39. The method of claim 38,
Wherein the teeth of the slitter are heated.
제 39 항에 있어서,
상기 슬리터의 톱니가 100 ℃ 이상으로 가열되고 있는, 슬릿 감광층 롤의 제조 방법.
40. The method of claim 39,
Wherein the teeth of the slitter are heated to 100 DEG C or higher.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7260264B2 (en) * 2018-08-16 2023-04-18 旭化成株式会社 Photosensitive resin laminate, pattern manufacturing method and apparatus using photosensitive resin laminate
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JP7335217B2 (en) * 2020-09-24 2023-08-29 信越化学工業株式会社 Photosensitive resin composition, pattern forming method, cured film forming method, interlayer insulating film, surface protective film, and electronic component

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001175000A (en) 1999-10-12 2001-06-29 E I Du Pont De Nemours & Co Composite photosensitive element
JP2003149803A (en) 2001-11-13 2003-05-21 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd Photosensitive dry film resist
KR20070022850A (en) * 2004-07-30 2007-02-27 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 Photosensitive film, photosensitive film laminate and photosensitive film roll
WO2009125752A1 (en) * 2008-04-10 2009-10-15 旭化成イーマテリアルズ株式会社 Photosensitive resin composition, and photosensitive resin laminate comprising the same
JP2011042775A (en) * 2009-07-22 2011-03-03 Hitachi Chem Co Ltd Photosensitive adhesive composition, photosensitive element, method for manufacturing resist pattern, and method for manufacturing adhered body
KR20120068923A (en) * 2009-11-16 2012-06-27 아사히 가세이 이-매터리얼즈 가부시키가이샤 Polyimide precursor and photosensitive resin composition containing the polyimide precursor
JP2013190697A (en) 2012-03-14 2013-09-26 Asahi Kasei E-Materials Corp Photosensitive resin composition, cured relief pattern-manufacturing method, and semiconductor device
JP2015196709A (en) * 2014-03-31 2015-11-09 独立行政法人国立高等専門学校機構 Novolac type phenolic resin and production method thereof, photoresist composition, epoxidized novolac type phenolic resin, epoxy resin composition and cured product

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1092313A (en) * 1996-02-28 1998-04-10 Hitachi Chem Co Ltd Manufacture of phosphor pattern, photosensitive element used for the same, phosphor pattern, and rear face panel for plasma display panel
US6057079A (en) * 1997-09-24 2000-05-02 Shipley Company, L.L.C. Dry film photoresist construction suitable for rolling up on itself
JP2005221726A (en) * 2004-02-05 2005-08-18 Fuji Photo Film Co Ltd Photosensitive transfer material, protrusion for liquid crystal alignment control and method for forming the same, and liquid crystal display
JPWO2006011548A1 (en) * 2004-07-30 2008-05-01 日立化成工業株式会社 Photosensitive film, photosensitive film laminate, and photosensitive film roll
JP2008009030A (en) * 2006-06-28 2008-01-17 Fujifilm Corp Photosensitive transfer material, laminate and method for producing the same, substrate for liquid crystal display device, liquid crystal display element, and liquid crystal display device
JP2009009110A (en) * 2007-05-30 2009-01-15 Sumitomo Bakelite Co Ltd Photosensitive adhesive resin composition, adhesive film and light-receiving device
CN103053016A (en) * 2010-08-03 2013-04-17 日立化成株式会社 Method for manufacturing semiconductor wafer provided with adhesive layer, photosensitive adhesive, and semiconductor device
JP6209035B2 (en) * 2013-09-25 2017-10-04 旭化成株式会社 Photosensitive resin composition, method for producing cured relief pattern, and method for producing semiconductor device
JP2018517168A (en) * 2015-04-21 2018-06-28 フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー.エス.エー., インコーポレイテッド Photosensitive polyimide composition

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001175000A (en) 1999-10-12 2001-06-29 E I Du Pont De Nemours & Co Composite photosensitive element
JP2003149803A (en) 2001-11-13 2003-05-21 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd Photosensitive dry film resist
KR20070022850A (en) * 2004-07-30 2007-02-27 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 Photosensitive film, photosensitive film laminate and photosensitive film roll
WO2009125752A1 (en) * 2008-04-10 2009-10-15 旭化成イーマテリアルズ株式会社 Photosensitive resin composition, and photosensitive resin laminate comprising the same
JP2011042775A (en) * 2009-07-22 2011-03-03 Hitachi Chem Co Ltd Photosensitive adhesive composition, photosensitive element, method for manufacturing resist pattern, and method for manufacturing adhered body
KR20120068923A (en) * 2009-11-16 2012-06-27 아사히 가세이 이-매터리얼즈 가부시키가이샤 Polyimide precursor and photosensitive resin composition containing the polyimide precursor
JP2013190697A (en) 2012-03-14 2013-09-26 Asahi Kasei E-Materials Corp Photosensitive resin composition, cured relief pattern-manufacturing method, and semiconductor device
JP2015196709A (en) * 2014-03-31 2015-11-09 独立行政法人国立高等専門学校機構 Novolac type phenolic resin and production method thereof, photoresist composition, epoxidized novolac type phenolic resin, epoxy resin composition and cured product

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