KR20190083620A - 가공 장치 - Google Patents

가공 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20190083620A
KR20190083620A KR1020190000771A KR20190000771A KR20190083620A KR 20190083620 A KR20190083620 A KR 20190083620A KR 1020190000771 A KR1020190000771 A KR 1020190000771A KR 20190000771 A KR20190000771 A KR 20190000771A KR 20190083620 A KR20190083620 A KR 20190083620A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ring frame
unit
holding
wafer
frame
Prior art date
Application number
KR1020190000771A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102659790B1 (ko
Inventor
히로토 요시다
Original Assignee
가부시기가이샤 디스코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시기가이샤 디스코 filed Critical 가부시기가이샤 디스코
Publication of KR20190083620A publication Critical patent/KR20190083620A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102659790B1 publication Critical patent/KR102659790B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/002—Processes for applying liquids or other fluent materials the substrate being rotated
    • B05D1/005—Spin coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02076—Cleaning after the substrates have been singulated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

본 발명의 과제는 유지 수단에 있어서의 링 프레임의 가로 어긋남을 방지함과 더불어 유지 수단 회전 시의 난기류의 발생을 억제하는 것이다.
본 발명의 가공 장치(1)는, 웨이퍼(W)를 수용하는 개구를 갖는 플레이트의 외주에 90도 간격으로 4개의 변을 형성한 링 프레임(F)에 점착 테이프(T)를 통해 웨이퍼와 일체화한 프레임 유닛(U)을 유지하는 유지 수단(97)을 구비한다. 유지 수단은 링 프레임의 4개의 변에 대응한 4개의 후크부(96)를 포함한다. 4개의 후크부 각각은, 마주보는 2개의 간격이 링 프레임의 마주보는 2개의 변 사이의 거리보다 크며, 링 프레임의 최외주의 직경보다 작게 형성된 선단부(96b)와, 링 프레임을 지지하는 기초부(96a)를 갖는다. 기초부에는 프레임 유닛을 유지 수단이 회전하는 방향과 역방향으로 회전시켜 링 프레임이 고정되는 고정 홈(96c)이 형성되어 있다.

Description

가공 장치{MACHINING APPARATUS}
본 발명은 웨이퍼를 가공하는 가공 장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스 제조 프로세스에서는, 절삭 장치에 의해, 복수의 디바이스가 형성된 반도체 웨이퍼를 분할 예정 라인을 따라서 분할함으로써 반도체 칩이 형성된다. 웨이퍼는, 개구를 막도록 링 프레임에 점착된 테이프를 통해 링 프레임에 지지되어 절삭 장치에 반입된다. 그리고, 이 링 프레임과 웨이퍼가 일체화된 프레임 유닛이 유지 테이블에 유지된 상태에서 절삭 블레이드에 의해 웨이퍼가 절삭된다.
절삭 가공 후, 프레임 유닛은 세정 기구에 반송되어 스피너 테이블에 유지된다. 그리고, 웨이퍼에 세정수가 공급되면서 스피너 테이블이 스핀 회전함으로써 웨이퍼가 세정된다. 그 후, 스피너 테이블의 스핀 회전이 계속되면서 웨이퍼에의 세정수의 공급이 에어로 전환됨으로써, 웨이퍼로부터 세정수를 불어 날려버려 웨이퍼가 건조된다.
스피너 테이블의 스핀 회전은 고속이기 때문에, 스핀 회전 중에 스피너 테이블에 유지되는 프레임 유닛이 가로로 어긋나지 않도록 스피너 테이블의 외주에 배치되는 원심 클램프로 링 프레임이 파지된다(예컨대, 특허문헌 1 참조). 원심 클램프는, 스피너 테이블의 사방에 연결된 진자형의 클램프이며, 스피너 테이블의 스핀 회전 시에는 원심력에 의해 방추부가 튀어 올라가 링 프레임을 클램프한다.
일본 특허공개 2013-115234호 공보
그러나, 스피너 테이블이 스핀 회전함으로써 원심 클램프도 회전하기 때문에, 단면적이 큰 방추부의 회전에 의해서 세정 기구 내에 난기류가 발생한다. 난기류에 의해, 건조 시에 웨이퍼로부터 불어 날려버린 세정수가 웨이퍼에 다시 부착되어 웨이퍼를 더럽힌다고 하는 문제가 있다.
또한, 웨이퍼 상면에 스핀코트로 보호막을 형성하는 보호막 피복 장치에 있어서도 스피너 테이블이 이용된다. 스피너 테이블이 유지한 웨이퍼의 상면 중심에 액상 수지를 공급하여 스피너 테이블이 스핀 회전되고, 원심력으로 액상 수지를 웨이퍼의 외주로 향해서 이동시켜, 웨이퍼의 상면에 보호막이 형성된다. 이 때, 원심 클램프의 회전으로 생기는 난기류에 의해, 웨이퍼로부터 불어 날려버린 필요 이상의 액상 수지가 웨이퍼에 다시 부착되기 때문에, 보호막 두께가 균일하게 되지 않는다고 하는 문제가 있다.
따라서 본 발명의 목적은, 유지 수단에 있어서의 링 프레임의 가로 어긋남이 방지됨과 더불어, 유지 수단 회전 시의 난기류의 발생이 억제되는 가공 장치를 제공하는 것이다.
본 발명에 의하면, 웨이퍼를 수용하는 개구를 갖는 환상형 플레이트의 외주에 90도 간격으로 4개의 변을 형성한 링 프레임에 웨이퍼를 수용하여 점착 테이프를 통해 일체화한 프레임 유닛을 유지하는 유지 수단을 구비하고, 이 유지 수단을 회전시켜 웨이퍼에 액체를 공급하여 미리 정해진 처리를 실시하는 가공 장치로서, 상기 유지 수단은, 웨이퍼 영역을 흡인 유지하는 웨이퍼 유지부와, 상기 링 프레임의 상기 4개의 변에 대응한 4개의 후크부를 구비하고, 상기 4개의 후크부 각각은, 마주보는 2개의 상기 후크부의 간격이 상기 링 프레임의 마주보는 2개의 변 사이의 거리보다 크며 또한 상기 링 프레임의 최외주의 직경보다 작게 형성된 선단부와, 상기 링 프레임을 지지하는 기초부를 포함하고, 이 기초부에는, 수용된 상기 프레임 유닛을 상기 유지 수단이 회전하는 방향과 역방향으로 회전시켜 상기 링 프레임이 고정되는 고정 홈이 형성되어 있는 가공 장치가 제공된다.
이 구성에 의하면, 후크부에 있어서의 마주보는 2개의 선단부의 간격이, 링 프레임의 마주보는 2개의 변의 사이의 거리보다 크고, 링 프레임의 최외주의 직경보다 작아지도록 형성되어 있다. 이에 따라, 링 프레임의 4개의 변과 4개의 후크부의 위치를 맞춤으로써, 링 프레임과 선단부가 부딪치는 일 없이 프레임 유닛을 유지 수단에 배치할 수 있다. 또한, 기초부에 지지된 프레임 유닛을 유지 수단이 회전하는 방향과 역방향으로 회전시켜 후크부에 링 프레임의 최외주를 맞닿게 하고, 이 상태에서 유지 수단이 회전되면, 유지 수단의 회전 방향과 역방향으로 링 프레임에 관성력이 생겨, 링 프레임의 최외주가 후크부에 계속해서 맞닿는다. 이 때문에, 고정 홈에 링 프레임을 고정할 수 있어, 유지 수단에 있어서의 프레임 유닛의 가로 어긋남을 방지할 수 있다. 이와 같이, 원심 클램프에 있어서 단면적이 큰 방추부를 이용하여 원심력에 의해 링 프레임을 클램프할 필요가 없기 때문에, 유지 수단의 회전 시에 난기류 발생이 억제되어, 웨이퍼에 공급되는 액체의 난기류에 의한 비산이 방지된다. 이 때문에, 비산된 액체에 의한 웨이퍼의 오염을 방지할 수 있다.
바람직하게는, 가공 장치는, 링 프레임 상면을 흡인 유지하여 상기 유지 수단으로 프레임 유닛을 반송하는 반송 유닛과, 이 반송 유닛을 상기 웨이퍼 유지부의 유지면에 대하여 직교하는 방향에서 승강하는 승강 수단과, 상기 유지 수단의 동작을 제어하는 제어부를 추가로 구비하고, 상기 제어부는, 상기 반송 유닛에 의해 링 프레임을 유지하고, 상기 승강 수단으로 상기 유지 수단의 위쪽에서 하강시키고, 상기 유지 수단을 상기 유지면의 중심을 축으로 미리 정해진 처리를 행하는 방향으로 회전시켜 상기 고정 홈이 링 프레임을 고정했음을 인식하는 고정 인식부를 구비한다.
바람직하게는, 반송 유닛은 유지면 방향으로 이동시키는 이동 유닛을 포함하고, 고정 홈이 상기 링 프레임을 고정했을 때 상기 프레임 유닛의 중심과 유지면의 중심을 일치시킨다.
본 발명에 의하면, 유지 수단에 있어서의 링 프레임의 가로 어긋남이 방지됨과 더불어 유지 수단 회전 시의 난기류의 발생이 억제된다.
도 1은 본 실시형태에 따른 절삭 장치의 사시도이다.
도 2는 본 실시형태에 따른 제2 반송 유닛의 사시도이다.
도 3은 본 실시형태에 따른 스피너 테이블의 사시도이다.
도 4는 본 실시형태에 따른 유지 수단의 평면도이다.
도 5는 본 실시형태에 따른 후크부의 측면도이다.
도 6은 본 실시형태에 따른 후크부에 있어서의 링 프레임의 고정 동작을 설명하는 평면도이다.
도 7은 본 실시형태에 따른 이동 유닛의 중심 위치 맞춤 동작을 설명하는 측면도이다.
도 8은 링 프레임의 고정 기구의 단면도 및 이것을 이용하여 스핀 테이블을 스핀 회전시켰을 때의 기류를 설명하는 평면도이다.
도 9는 본 실시형태에 따른 회전이 자유로운 유닛을 설명하는 사시도이다.
도 10은 본 실시형태에 따른 회전이 자유로운 유닛의 동작을 설명하는 모식도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 실시형태에 따른 절삭 장치에 관해서 설명한다. 도 1은 본 실시형태에 따른 절삭 장치의 사시도이다. 또한, 본 실시형태에서는 가공 장치로서 절삭 장치를 예시하여 설명하지만, 가공 장치는 스피너 테이블을 갖추고 있으면 특별히 한정되지 않는다.
도 1에 도시한 것과 같이, 절삭 장치(1)는, 절삭 블레이드(62)를 갖는 한 쌍의 절삭 유닛(6)과 웨이퍼(W)를 유지한 유지 테이블(3)을 상대 이동시켜 웨이퍼(W)를 절삭하도록 구성되어 있다. 절삭 후의 웨이퍼(W)는, 스피너 세정 기구(9)의 스피너 테이블(92)에 유지되고, 회전하는 스피너 테이블(92)에 세정수가 분사되어 세정된다.
웨이퍼(W)는 점착 테이프(T)를 통해 링 프레임(F)에 지지된 상태에서 절삭 장치(1)에 반입된다(도 3 참조). 링 프레임(F)의 외주에는 90도 간격으로 4개의 변(직선부)이 형성되고, 중심에는 웨이퍼(W)를 수용하는 개구가 형성되어 있다. 이 개구를 막도록 점착 테이프(T)가 점착되어 있다. 웨이퍼(W)는 링 프레임(F)의 개구에 수용되고, 점착 테이프(T) 위에 점착되어 링 프레임(F)과 일체화된 프레임 유닛(U)을 형성한다.
또한, 웨이퍼(W)는 대략 원판형이며, 반도체 기판, 무기 재료 기판, 패키지 기판 등의 각종 웨이퍼가 이용되어도 좋다. 반도체 기판으로서는, 실리콘, 비화갈륨, 질화갈륨, 실리콘카바이드 등의 각종 기판이 이용되어도 좋다. 무기 재료 기판으로서는, 사파이어, 세라믹스, 유리 등의 각종 기판이 이용되어도 좋다. 반도체 기판 및 무기 재료 기판은 디바이스가 형성되어 있어도 좋고, 디바이스가 형성되어 있지 않아도 좋다. 패키지 기판으로서는, CSP(Chip Size Package), WLCSP(Wafer Level Chip Size Package), EMI(Electro Magnetic Interference), SIP(System In Package, FOWLP(Fan Out Wafer Level Package)용의 각종 기판이 이용되어도 좋다. 또한 웨이퍼(W)로서, 디바이스 형성 후 또는 디바이스 형성 전의 리튬탄탈레이트, 리튬니오베이트, 또한 생세라믹스, 압전 소자가 이용되어도 좋다.
절삭 장치(1)의 베이스(2)의 상면 중앙은 X축 방향으로 연장되도록 직사각형으로 개구되어 있고, 이 개구를 덮도록 이동판(31) 및 방수 커버(32)가 마련되어 있다. 이동판(31) 상에는 Z축 둘레로 회전 가능한 유지 테이블(3)이 마련되어 있다. 방수 커버(32) 및 이동판(31)의 아래쪽에는 유지 테이블(3)을 X축 방향으로 이동시키는 가공 이송 수단(도시되지 않음)이 마련되어 있다. 유지 테이블(3)의 상면에는 다공성 세라믹재에 의해서 유지면(33)이 형성되고, 이 유지면(33)에 생기는 부압에 의해서 웨이퍼(W)가 흡인 유지된다. 유지 테이블(3)의 주위에는 에어 구동식의 4개의 클램프(34)가 마련되어 있으며, 각 클램프(34)에 의해서 웨이퍼(W) 주위의 링 프레임(F)이 사방에서 협지 고정된다. 유지 테이블(3)의 위쪽에는 Y축 방향으로 연장되는 한 쌍의 센터링 가이드(51)가 마련되어 있다. 한 쌍의 센터링 가이드(51)의 X축 방향의 이격 접근에 의해서, 유지 테이블(3)에 대하여 웨이퍼(W)의 X축 방향이 위치 결정된다.
베이스(2)에는, 유지 테이블(3)의 이웃에 카세트(도시되지 않음)가 배치되는 엘리베이터 유닛(4)이 마련되어 있다. 엘리베이터 유닛(4)에서는, 카세트가 승강되어, 카세트 내의 프레임 유닛(U)의 출납 위치가 높이 방향에서 조정된다.
엘리베이터 유닛(4)의 이웃에는, 한 쌍의 센터링 가이드(51)에 링 프레임(F)을 가이드시키면서 카세트에 프레임 유닛(U)을 출납하는 푸시풀 아암(55)이 마련되어 있다. 푸시풀 아암(55)은 베이스(2)의 측면에 배치된 수평 이동 기구로 구동된다. 수평 이동 기구는, 베이스(2)의 측면에 배치된 Y축 방향으로 평행한 가이드 레일(56)과, 가이드 레일(56)에 슬라이드 가능하게 설치된 모터 구동의 슬라이더(57)를 갖고 있다. 슬라이더(57)에는 너트부가 형성되고, 이 너트부에 볼나사(58)가 나사 결합되어 있다. 볼나사(58)의 일단부에 연결된 구동 모터(59)가 회전 구동됨으로써, 푸시풀 아암(55)이 가이드 레일(56)을 따라서 Y축 방향으로 푸시풀 동작을 실시한다.
또한, 베이스(2)의 상면에는, X축 방향으로 연장되는 개구를 걸치는 식으로 세워 설치한 문 형태의 기둥부(21)가 마련되어 있다. 문 형태의 기둥부(21)에는, 한 쌍의 절삭 유닛(6)을 Y축 방향으로 이동시키는 인덱스 이송 수단(7)과, 한 쌍의 절삭 유닛(6)을 Z축 방향으로 이동시키는 절입 이송 수단(8)이 마련되어 있다. 인덱스 이송 수단(7)은, 기둥부(21)의 앞면에 배치된 Y축 방향으로 평행한 한 쌍의 가이드 레일(71)과, 한 쌍의 가이드 레일(71)에 슬라이드 가능하게 설치된 모터 구동의 한 쌍의 Y축 테이블(72)을 갖고 있다. 절입 이송 수단(8)은, 각 Y축 테이블(72)의 앞면에 배치된 Z축 방향으로 평행한 한 쌍의 가이드 레일(81)과, 한 쌍의 가이드 레일(81)에 슬라이드 가능하게 설치된 모터 구동의 Z축 테이블(82)을 갖고 있다.
각 Z축 테이블(82)의 하부에는 워크(W)를 절삭하는 절삭 유닛(6)이 마련되어 있다. 또한, 각 Y축 테이블(72)의 배면 측에는 도시하지 않는 너트부가 형성되고, 이들 너트부에 볼나사(73)가 나사 결합되어 있다. 또한, 각 Z축 테이블(82)의 배면 측에는 도시하지 않는 너트부가 형성되고, 이들 너트부에 볼나사(83)가 나사 결합되어 있다. Y축 테이블(72)용의 볼나사(73), Z축 테이블(82)용의 볼나사(83)의 일단부에는 각각 구동 모터(74, 84)가 연결되어 있다. 이들 구동 모터(74, 84)에 의해 볼나사(73, 83)가 회전 구동됨으로써, 한 쌍의 절삭 유닛(6)이 가이드 레일(71, 81)을 따라서 Y축 방향 및 Z축 방향으로 이동된다.
한 쌍의 절삭 유닛(6)은, 하우징(61)으로부터 돌출된 스핀들(도시되지 않음)의 선단에 절삭 블레이드(62)를 회전 가능하게 장착하여 구성된다. 절삭 블레이드(62)는, 예컨대 다이아몬드 지립을 레진 본드로 굳혀 원판형으로 성형되어 있다. 또한, 절삭 유닛(6)의 하우징(61)에는, 워크(W)의 상면을 촬상하는 촬상 유닛(63)이 마련되어 있고, 촬상 유닛(63)의 촬상 화상에 기초하여 워크(W)에 대하여 절삭 블레이드(62)가 얼라인먼트된다. 한 쌍의 절삭 유닛(6)은, 절삭 노즐(도시되지 않음)로부터 워크(W)에 절삭수를 분사하면서 절삭 블레이드(62)로 웨이퍼(W)를 절삭한다.
또한, 베이스(2)의 개구를 사이에 두고서 엘리베이터 유닛(4)의 반대쪽에는 스피너 세정 기구(9)가 마련되어 있다. 스피너 세정 기구(9)에는, 프레임 유닛(U)을 유지하여 회전하는 스피너 테이블(92)이 수용되어 있다. 스피너 테이블(92)은 프레임 유닛(U)을 유지하는 유지 수단(도 3 참조)을 구비하고 있다. 스피너 세정 기구(9)에서는, 회전하는 스피너 테이블(92)로 향해서 세정수가 분사되어 웨이퍼(W)가 세정된 후, 세정수 대신에 건조 에어가 분무되어 웨이퍼(W)가 건조된다.
베이스(2)의 위쪽에는 제1 반송 유닛(30) 및 제2 반송 유닛(40)이 마련되어 있다. 제1 반송 유닛(30)은, 푸시풀 아암(55)에 의해서 카세트로부터 빼내어져, 한 쌍의 센터링 가이드(51)에 설치된 프레임 유닛(U)의 링 프레임(F)의 상면을 흡인 유지하여, 프레임 유닛(U)을 유지 테이블(3)에 반송한다. 제2 반송 유닛(40)은, 절삭 유닛(6)에 의해서 웨이퍼(W)가 절삭된 후, 유지 테이블(3)에 유지되는 프레임 유닛(U)의 링 프레임(F)의 상면을 흡인 유지하여, 프레임 유닛(U)을 스피너 테이블(92)에 반송한다. 제1 반송 유닛(30)은, 수평 이동 기구(도시되지 않음)로 구동되어 Y축 방향으로 반송 이동되고, 승강 수단(301)으로 유지 테이블(3)의 유지면(33)에 대하여 이격하는 방향으로 승강된다. 제2 반송 유닛(40)은, 수평 이동 기구(도시되지 않음)로 구동되어 Y축 방향으로 반송 이동되고, 승강 수단(401)으로 스피너 테이블(92)의 유지면(94)(도 2 및 도 3 참조)에 대하여 이격하는 방향으로 승강된다.
또한, 절삭 장치(1)에는 장치 각 부를 통괄 제어하는 제어부(50)가 마련되어 있다. 또한, 제어부(50)에는 후술하는 고정 인식부(501) 및 각도 인식부(502)가 구비되어 있다. 제어부(50)는 각종 처리를 실행하는 프로세서나 메모리 등에 의해서 구성되어 있다. 메모리는 용도에 따라서 ROM(Read Only Memory), RAM(Random Access Memory) 등의 하나 또는 복수의 기억 매체로 구성되어 있다.
여기서, 일반적으로 스피너 테이블의 외주에는 원심 클램프가 배치되어 있고, 프레임 유닛이 스핀 회전 중에 가로로 어긋나지 않도록 원심 클램프로 링 프레임을 클램프하고 있다. 원심 클램프는, 상부에 후크부, 하부에 방추부가 형성되어 있고, 스핀 회전 중에 생기는 원심력으로 방추부가 튀어 오름으로써, 후크부로 링 프레임을 눌러 링 프레임의 가로 어긋남을 억제하고 있다(도 8의 B 참조). 그러나, 단면적이 큰 방추부가 회전함으로써 스피너 세정 기구 내에 난기류가 발생하여, 건조 시에 웨이퍼로부터 불어 날려버린 세정수가 난기류에 의해서 웨이퍼에 재부착되어 웨이퍼를 더럽히는 문제가 있었다. 그래서 본 실시형태에서는, 링 프레임을 고정하는 기구를 간략화하여, 방추부를 이용하지 않고서 프레임 유닛을 고정할 수 있는 구성으로 하여, 난기류의 발생을 억제하고 있다.
이하, 도 2 내지 도 5를 참조하여 링 프레임의 고정 기구에 관해서 설명한다. 우선 도 2를 참조하여 제2 반송 유닛(40)의 구성에 관해서 상세히 설명한다. 도 2는 본 실시형태에 따른 제2 반송 유닛의 사시도이다.
도 2에 도시한 것과 같이, 제2 반송 유닛(40)은, 프레임 유닛(U)(도 3 참조)의 링 프레임(F)의 상면을 흡인 유지한 상태에서, 승강 수단(401)에 의해 스피너 테이블(92)의 유지면(94)에 대하여 직교하는 방향으로 승강되어, 프레임 유닛(U)을 유지면(94)에 배치한다. 제2 반송 유닛(40)의 하부에는, 유지면(94) 방향, 즉 유지면(94)에 평행한 방향으로 프레임 유닛(U)의 이동을 허용하는 이동 유닛(410)이 구비되어 있다.
이동 유닛(410)은, 상단의 고정 테이블(411)에 대하여, 중단의 X축 테이블(421)의 X축 방향으로의 이동을 허용하고, 하단의 Y축 테이블(431)의 Y축 방향으로의 이동을 허용하도록 형성되어 있다. Y축 테이블(431)의 측면에는 각각 링 프레임 지지부(441, 442)가 마련되어 있고, 링 프레임 지지부(441, 442)에 구비되는 흡반으로 링 프레임(F)이 흡인 유지된다.
X축 테이블(421)의 상면에는, Y축 방향으로 평행한 한 쌍의 가이드 레일(422)이 배치되고, 한 쌍의 가이드 레일(422)을 통해 슬라이드 가능하게 고정 테이블(411)이 설치되어 있다. 고정 테이블(411)은 제2 반송 유닛(40)의 이동 유닛 지지부(402)에 연결되어 있다. 한 쌍의 가이드 레일(422)의 사이에는 한 쌍의 스프링 지지부(423)가 설치되고, 각 스프링 지지부(423)와 고정 테이블(411)의 사이에는 스프링 부재(424, 425)가 마련되어 있다. 각 스프링 부재(424, 425)의 일단은 스프링 지지부(423)에 지지되고, 타단은 고정 테이블(411)의 측면에 연결되어 있다.
또한, Y축 테이블(431)의 상면에는, X축 방향으로 평행한 한 쌍의 가이드 레일(432)이 배치되고, 한 쌍의 가이드 레일(432)을 통해 슬라이드 가능하게 X축 테이블(421)이 설치되어 있다. 한 쌍의 가이드 레일(432)의 사이에는 한 쌍의 스프링 지지부(433)가 설치되고, 각 스프링 지지부(433)와 X축 테이블(421)의 사이에는 스프링 부재(434, 435)가 마련되어 있다. 각 스프링 부재(434, 435)의 일단은 스프링 지지부(433)에 지지되고, 타단은 X축 테이블(421)의 측면에 연결되어 있다.
스프링 부재(434, 435)가 X축 방향으로 신축함으로써, 고정 테이블(411)에 대하여 X축 테이블(421)이 X축 방향으로 이동이 허용된다. 스프링 부재(424, 425)가 Y축 방향으로 신축함으로써, 고정 테이블(411)에 대하여 Y축 테이블(431)이 Y축 방향으로 이동이 허용된다. 이와 같이, 이동 유닛(410)에 의해, 이동 유닛 지지부(402)로부터 링 프레임 지지부(441, 442)의 X축 방향 및 Y축 방향으로의 이동이 허용되기 때문에, 링 프레임 지지부(441, 442)에 흡인 유지되는 링 프레임(F)의 X축 방향 및 Y축 방향으로의 이동이 허용된다. 이에 따라, 제2 반송 유닛(40)에 의해 프레임 유닛(U)이 유지면(94)으로 하강된 후, 링 프레임(F)이 후술하는 후크부(96)에 맞닿게 됨으로써, 유지면(94)의 중심에 대한 프레임 유닛(U)의 중심 위치가 조정되어, 프레임 유닛(U)의 중심을 유지면(94)의 중심에 일치시킬 수 있다.
이어서, 도 3 내지 도 5를 참조하여 스피너 테이블에 있어서의 프레임 유닛의 유지 수단의 구성에 관해서 상세히 설명한다. 도 3은 본 실시형태에 따른 스피너 테이블의 사시도이다. 도 4는 본 실시형태에 따른 유지 수단의 평면도이다. 도 5는 본 실시형태에 따른 후크부의 측면도이다. 도 4에 있어서 파선은 링 프레임(F)의 최외주의 직경을 나타내고 있다. 또한, 2점쇄선은 스피너 테이블(92)에 배치된 프레임 유닛(U)에 있어서의 링 프레임(F)을 나타내고 있다. 도 6 및 도 8에 있어서도 마찬가지이다.
도 3에 도시한 것과 같이, 스피너 세정 기구(9)의 세정 케이스(91)는, 원통형의 주벽부를 갖는 바닥을 지닌 통 형상으로 형성되어 있다. 또한, 세정 케이스(91) 내에는, 웨이퍼(W)를 유지하여 회전하는 스피너 테이블(92)이 수용되어 있다. 스피너 테이블(92)의 위쪽에는, 스피너 테이블(92)이 유지하는 프레임 유닛(U)에 세정수를 공급하는 세정수 공급 노즐(101) 및 에어를 공급하는 에어 공급 노즐(103)이 마련되어 있다.
스피너 테이블(92)의 상면은 프레임 유닛(U)을 흡인 유지하는 웨이퍼 유지부(93)로 되어 있다. 웨이퍼 유지부(93)의 중앙에는, 프레임 유닛(U)의 웨이퍼(W) 영역을 흡인 유지하는 유지면(94)이 형성되고, 웨이퍼 유지부(93)의 외주에는, 점착 테이프(T)를 흡인 유지하는 점착 테이프 흡인면(95)이 형성되어 있다. 또한, 웨이퍼 유지부(93)에는 후크부(96)가 마련되어 있고, 웨이퍼 유지부(93)와 후크부(96)로 프레임 유닛(U)을 유지하는 유지 수단(97)을 형성하고 있다. 스피너 테이블(92)은, 회전 수단(98)에 의해, 웨이퍼 유지부(93)의 유지면(94)의 중심을 축으로 회전 가능하게 구성된다.
유지면(94)은 웨이퍼(W)의 면적에 상당하는 면적을 갖고 있다. 또한, 유지면(94)은 다공성 세라믹재에 의해서 형성되어 있으며, 유지면(94)에 생기는 부압에 의해서 점착 테이프(T)를 통해 웨이퍼(W)를 흡인 유지한다. 유지면(94)의 외주에 형성되는 점착 테이프 흡인면(95)에는 흡인 홈이 형성되어 있고, 흡인 홈은 유지면(94)의 다공성 세라믹재에 연통되어 있어 유지면(94)의 부압에 의해 흡인 홈에 부압이 생겨, 링 프레임(F)과 웨이퍼(W) 사이의 점착 테이프(T) 영역이 흡인 유지된다.
웨이퍼 유지부(93)의 사방에는 4개의 후크부(96)가 연결되어 있다. 4개의 후크부(96)는, 웨이퍼 유지부(93)에 프레임 유닛(U)이 배치될 때의 링 프레임(F)의 4개의 변의 위치에 대응하고 있다. 후크부(96)는 유지면(94)의 중심으로 향하여 절곡되어 형성되어 있고, 후크부(96)에는 링 프레임(F)을 지지하는 기초부(96a)와 절곡된 선단부(96b)가 형성되어 있다.
도 4의 A에 도시한 것과 같이, 선단부(96b)에서는, 4개의 후크부(96) 중 마주보는 2개의 후크부(96)의 선단부(96b)의 간격(L)이, 링 프레임(F)의 마주보는 2개의 변의 거리(D1)보다 크고, 링 프레임(F)의 최외주의 직경(D2)보다 작게 형성되어 있다. 이에 따라, 프레임 유닛(U)을 웨이퍼 유지부(93)에 배치할 때에, 링 프레임(F)의 4개의 변과 4개의 후크부(96)의 위치를 맞춤으로써, 링 프레임(F)과 선단부(96b)가 부딪치는 일 없이 링 프레임(F)을 후크부(96)의 내측에 수용할 수 있다.
또한, 후크부(96)에는 절곡된 내측에 고정 홈(96c)이 형성되어 있다(도 5의 A). 고정 홈(96c)은, 도 4의 B에 도시한 것과 같이, 링 프레임(F)이 후크부(96)에 수용된 후, 링 프레임(F)을 스피너 테이블(92)이 회전하는 방향(긴 화살표)과 역방향(짧은 화살표)으로 회전시키면, 고정 홈(96c)에 링 프레임(F)의 최외주가 맞닿게 형성된다. 이에 따라, 링 프레임(F)이 고정 홈(96c)에 고정되기 때문에, 유지 수단(97)에 있어서의 프레임 유닛(U)의 가로 어긋남을 방지할 수 있다.
또한, 후크부(96)에 링 프레임(F)의 최외주가 맞닿을 때, 후크부(96)와 링 프레임(F)의 최외주의 접촉점과 프레임 유닛(U)의 중심(O)과의 거리가 각 후크부(96)에 있어서 전부 같아져, 프레임 유닛(U)의 중심(O)과 웨이퍼 유지부(93)의 중심이 일치한다. 이에 따라, 프레임 유닛(U)은 스피너 테이블(92)의 유지 수단(97)에 위치 결정된 상태에서 유지되기 때문에, 스피너 테이블(92)의 스핀 회전 시에 프레임 유닛(U)의 편심이 방지되어, 프레임 유닛(U)이 안정적으로 유지 수단(97)에 유지된다.
후크부(96)의 형상은, 마주보는 2개의 선단부(96b)의 간격(L)이 링 프레임(F)의 마주보는 2개의 변의 거리(D1)보다 크고, 링 프레임(F)의 최외주의 직경(D2)보다 작게 형성되어, 링 프레임(F)의 최외주를 고정 홈(96c)에 고정할 수 있으면, 특별히 한정되지 않는다. 도 5의 B에 도시한 것과 같이 후크부(99)는, 스피너 테이블(92)에 연결되는 기초부(99a)가 위쪽으로 절곡되고, 또한 유지면(94)의 중심으로 향하여 절곡됨으로써, 선단부(99b), 고정 홈(99c)이 형성되어 있어도 좋다.
스피너 테이블(92)은 고정 인식부(501) 및 각도 인식부(502)에 접속되어 있다. 고정 인식부(501)는, 스피너 테이블(92)을 회전 구동하는 회전 수단(98)으로서의 모터의 부하 전류치를 측정하여, 회전 수단(98)에 의해 스피너 테이블(92)이 회전될 때에 발생하는 부하에 따라서 변화되는 부하 전류치를 인식한다. 즉, 유지 수단(97)이 회전되어, 고정 홈(96c)에 링 프레임(F)이 고정되었을 때에 모터의 부하전류치가 상승하므로, 고정 인식부(501)는 후크부(96)에 링 프레임(F)이 유지되었음을 인식한다.
또한, 각도 인식부(502)는 인코더로 구성되어, 회전 수단(98)으로서의 모터의 회전 각도를 인식한다. 이에 따라, 유지 수단(97)의 회전 시작에서부터 고정 인식부(501)가 고정 홈(96c)에 링 프레임(F)이 고정되었음을 인식하기까지의 유지 수단(97)의 회전 각도(θ)가 인식된다(도 6의 B 참조).
세정수 공급 노즐(101)은, 스피너 테이블(92)의 외주에서 세워 설치하는 선회축(100)의 상단으로부터 수평으로 연장되는 수평관(102)의 선단에 마련되어 있다. 세정수 공급 노즐(101)은, 아래쪽으로 향해서 세정수를 분사함과 더불어, 선회축(100)에 의해서 스피너 테이블(92)의 위쪽을 선회할 수 있게 구성된다. 수평관(102)은, 세정수 공급 노즐(101)이 선회할 때에 선단이 스피너 테이블(92)의 중심에 도달하는 길이를 갖고 있다. 수평관(102)에는 도시하지 않는 세정수 공급원이 접속되어 있다. 또한, 에어 공급 노즐(103)은, 선회축(100의) 상단으로부터 수평으로 연장되는 수평관(104)의 선단에 마련되어, 아래쪽으로 향해서 에어를 분사함과 더불어, 선회축(100)에 의해서 스피너 테이블(92)의 위쪽을 선회한다. 수평관(104)에는 도시하지 않는 에어 공급원이 접속되어 있다.
이와 같이 구성되는 스피너 세정 기구(9)에서는, 스피너 테이블(92)이 고속 회전할 때, 프레임 유닛(U)의 링 프레임(F)이 유지 수단(97)의 후크부(96)에 고정된다. 그리고, 스피너 테이블(92)을 스핀 회전시키면서 세정수를 세정수 공급 노즐(101)로부터 분사하고, 세정수 공급 노즐(101)을 직경 방향으로 선회시킴으로써, 웨이퍼(W) 전면이 세정된다. 세정 후에는, 스피너 테이블(92)의 스핀 회전을 계속하게 하면서 세정수 공급 노즐(101)로부터의 세정수의 공급을 정지하고, 에어 공급 노즐(103)로부터 에어를 공급하여 세정수를 웨이퍼(W)로부터 불어서 날려버림으로써 웨이퍼(W)가 건조된다.
유지 수단(97)의 후크부(96)에 있어서 링 프레임(F)을 고정하여 프레임 유닛(U)을 유지할 수 있기 때문에, 원심 클램프에 있어서 단면적이 큰 방추부를 이용하여 링 프레임(F)을 클램프할 필요가 없다. 이에 따라, 스피너 테이블(92)의 스핀 회전 시에 세정 케이스(91) 내에 난기류가 발생하는 것이 억제된다.
이어서, 도 6을 참조하여 후크부(96)에 있어서의 링 프레임(F)의 고정 동작에 관해서 상세히 설명한다. 도 6은 본 실시형태에 따른 후크부에 있어서의 링 프레임의 고정 동작 설명도이다.
도 6의 A에 도시한 것과 같이, 웨이퍼(W)의 절삭 가공 후, 제2 반송 유닛(40)(도 1 및 도 2 참조)은, 유지 테이블(3)에 유지되는 프레임 유닛(U)의 링 프레임(F)의 상면을 흡인 유지하여, 프레임 유닛(U)을 스피너 테이블(92)로 반송한다. 그리고, 승강 수단(401)이 스피너 테이블(92)의 유지면(94)에 대하여 직교하는 방향으로 제2 반송 유닛(40)을 하강함으로써, 프레임 유닛(U)이 스피너 테이블(92)의 위쪽에서 유지면(94)으로 하강된다.
이 때, 링 프레임(F)의 4개의 변과 4개의 후크부(96)의 위치가 맞은 상태에서 프레임 유닛(U)이 하강된다. 각 후크부(96)의 선단부(96b)에 있어서, 마주보는 2개의 선단부(96b)의 간격(L)은 링 프레임(F)의 마주보는 2개의 변의 거리(D1)보다 크고, 링 프레임(F)의 최외주의 직경(D2)보다 작게 형성되어 있다(도 4의 A 참조). 이 때문에, 링 프레임(F)과 선단부(96b)가 부딪치는 일 없이 프레임 유닛(U)이 유지면(94)까지 하강되어 후크부(96)의 내측에 수용된다.
이어서, 도 6의 B에 도시한 것과 같이, 링 프레임(F)이 제2 반송 유닛(40)에 흡인 유지된 상태에서, 회전 수단(98)(도 3 참조)에 의해 스피너 테이블(92)이 회전되어, 링 프레임(F)의 최외주가 후크부(96)에 맞닿게 된다. 이 때, 고정 인식부(501)는, 회전 수단(98)의 부하에 따라서 변화되는 부하 전류치로부터, 후크부(96)에 링 프레임(F)이 고정되었음을 인식한다. 또한 각도 인식부(502)는, 고정 인식부(501)가 후크부(96)에 있어서의 링 프레임(F)의 고정을 인식할 때까지, 즉, 스피너 테이블(92)의 회전 시작에서부터 링 프레임(F)이 후크부(96)에 맞닿아 스피너 테이블(92)의 회전이 정지하기까지의 스피너 테이블(92)의 회전 각도(θ)를 인식한다. 각도 인식부(502)가 인식한 회전 각도(θ)가 90도 이상이면, 제어부(50)는 후크부(96)로 링 프레임(F)을 고정할 수 없다고 판단하여, 표시부(도시되지 않음)에 에러를 표시하게 한다.
고정 인식부(501)에 의해 후크부(96)에 링 프레임(F)이 고정되었음이 인식되면, 제2 반송 유닛(40)에 의한 링 프레임(F)의 흡인 유지가 해제되고, 프레임 유닛(U)이 웨이퍼 유지부(93)에 배치된다. 프레임 유닛(U)의 웨이퍼(W) 영역은 점착 테이프(T)를 통해 유지면(94)에 흡인 유지되고, 링 프레임(F)과 웨이퍼(W) 사이의 점착 테이프(T) 영역은 점착 테이프 흡인면(95)에 흡인 유지된다.
그리고, 후크부(96)에 링 프레임(F)의 최외주가 맞닿은 상태에서 스피너 테이블(92)이 스핀 회전된다. 이 때, 스피너 테이블(92)의 회전 방향(화살표)과 역방향으로 링 프레임(F)에 관성력이 생겨, 링 프레임(F)의 최외주는 후크부(96)에 계속해서 맞닿는다. 이 때문에, 후크부(96)에 링 프레임(F)이 고정된 상태를 유지할 수 있어, 유지 수단(97)에 있어서의 프레임 유닛(U)의 가로 어긋남을 방지할 수 있다.
이와 같이, 링 프레임(F)의 최외주가 4개의 후크부(96)에 맞닿게 되었을 때, 후크부(96)와 링 프레임(F)의 최외주의 접촉점과 프레임 유닛(U)의 중심(O)과의 거리가 각 후크부(96)에 있어서 전부 같아진다(도 4의 B 참조). 이에 따라, 프레임 유닛(U)이 유지 수단(97)에 위치 결정된 상태에서 유지되기 때문에, 스피너 테이블(92)의 스핀 회전 시에 프레임 유닛(U)의 편심이 방지되어, 프레임 유닛(U)을 안정적으로 유지 수단(97)에 유지할 수 있다.
그리고, 웨이퍼(W) 위쪽의 세정수 공급 노즐(101)(도 3 참조)로부터 세정수가 분사됨으로써 웨이퍼(W) 전면이 세정된다. 세정 후에는, 스피너 테이블(92)의 스핀 회전이 계속되면서 세정수의 공급이 정지되고, 에어 공급 노즐(103)로부터 에어가 공급됨으로써, 웨이퍼(W)로부터 세정수가 불어 날려버리게 되어, 웨이퍼(W)가 건조된다. 또한, 웨이퍼(W)의 세정 시 및 건조 시의 스피너 테이블(92)의 스핀 회전 방향은, 후크부(96)가 링 프레임(F)을 유지할 때에 스피너 테이블(92)이 회전한 방향이다.
후크부(96)의 링 프레임(F)의 고정에서, 선행의 프레임 유닛(U)과 사이즈가 같은 링 프레임(F)이 이용되는 경우, 후행의 링 프레임(F)을 후크부(96)로 고정할 때는, 선행의 링 프레임(F)에 있어서 각도 인식부(502)에서 인식된 회전 각도(θ)를 이용한다. 이에 따라, 후행의 링 프레임(F)에 있어서, 도 6의 B의 후크부(96)를 링 프레임(F)에 맞대어, 고정 인식부(501)가 후크부(96)에서의 링 프레임(F)의 고정을 인식할 때까지의 스피너 테이블(92)의 회전 각도(θ)를 각도 인식부(502)로 인식하는 공정을 생략할 수 있다.
또한, 스피너 테이블(92)의 유지면(94)의 중심과 프레임 유닛(U)의 중심이 맞지 않은 경우는, 제2 반송 유닛(40)의 이동 유닛(410)(도 2 참조)에 의해 중심끼리를 맞춘다. 도 7은 본 실시형태에 따른 이동 유닛의 중심 위치 맞춤 동작의 설명도이다.
도 7의 A에 도시한 것과 같이, 프레임 유닛(U)은, 제2 반송 유닛(40)의 링 프레임 지지부(441, 442)에 의해서 링 프레임(F)의 상면이 흡인 유지된 상태에서 유지면(94)에 하강되어, 후크부(96)의 내측에 수용된다. 이 때, 프레임 유닛(U)의 중심과 유지면(94)의 중심은 틀어져 있다. 또한, X축 테이블(421)의 양측에 배치되는 스프링 부재(434, 435)는 신축하고 있지 않다.
도 7의 B에 도시한 것과 같이, 링 프레임(F)이 제2 반송 유닛(40)에 흡인 유지된 상태에서, 회전 수단(98)에 의해 스피너 테이블(92)이 회전되어, 링 프레임(F)의 최외주가 후크부(96)의 고정 홈(96c)에 맞닿게 된다. 이 때, 프레임 유닛(U)의 중심과 유지면(94)의 중심이 틀어져 있기 때문에, 4개의 후크부(96)에 링 프레임(F)이 균등하게 맞닿지 않고, 일부의 후크부(96)에 링 프레임(F)이 맞닿는다.
후크부(96)에 링 프레임(F)이 맞닿으면, 링 프레임 지지부(441)가 후크부(96)에 눌리어, 고정 테이블(411)에 대하여 X축 테이블(421)이 X축 방향으로 이동된다. 이에 따라, 맞닿은 링 프레임(F) 근처에 배치되는 스프링 부재(434)가 줄어들고, X축 테이블(421)을 사이에 두고서 반대쪽에 배치되는 스프링 부재(435)가 신장한다. 그리고, 후크부(96)와 링 프레임(F)이 맞닿은 위치와 역방향으로 링 프레임(F)의 이동이 허용된다.
이에 따라, 도 7의 C에 도시한 것과 같이, 4개의 후크부(96)에 링 프레임(F)이 균등하게 맞닿기 때문에, 고정 홈(96c)과 링 프레임(F)의 최외주의 접촉점과 프레임 유닛(U)의 중심과의 거리가 4개의 후크부(96)에 있어서 전부 같아진다(도 4의 B 참조). 이에 따라, 프레임 유닛(U)의 중심과 유지면(94)의 중심이 일치한다. 이와 같이, 프레임 유닛(U)의 중심과 유지면(94)의 중심이 틀어진 상태에서 프레임 유닛(U)이 스피너 테이블(92)에 반송된 경우라도, 이동 유닛(410)에 의해서, 프레임 유닛(U)은 유지 수단(97)에 정확하게 위치 결정된 상태로 유지된다. 이 때문에, 프레임 유닛(U)의 웨이퍼(W) 영역이 유지면(94)의 위치에 배치되고, 링 프레임(F)과 웨이퍼(W) 사이의 점착 테이프(T) 영역이 점착 테이프 흡인면(95)의 위치에 배치되어, 프레임 유닛(U)을 스피너 테이블(92)로 안정적으로 흡인 유지할 수 있다.
이하 실시예에 기초하여 상세히 설명하지만, 이들은 설명을 위해 기술되는 것이며, 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
프레임 유닛(U)의 링 프레임(F)을, 후크부(96)를 이용하여 고정한 경우와, 원심 클램프를 이용하여 클램프한 경우의, 스피너 테이블(92)의 스핀 회전에 의한 기류의 발생을 비교했다. 결과를 도 8에 나타낸다.
도 8은 링 프레임의 고정 기구의 단면도 및 이것을 이용하여 스피너 테이블을 스핀 회전시켰을 때의 기류를 설명하는 도면이다. 도 8의 A는 실시예의 후크부가 이용되는 경우를 도시한 도면이다. 도 8의 B는 비교예의 원심 클램프가 이용되는 경우를 도시한 도면이다.
(실시예)
도 8의 A의 좌측 도면은, 스피너 테이블(92)이 회전되어, 링 프레임(F)이 후크부(96)의 고정 홈(96c)에 고정된 상태를 도시하고 있다. 후크부(96)의 단면적은 후술하는 방추부(198a)가 형성되는 원심 클램프(196)보다도 작게 되어 있다. 도 8의 A의 우측 도면은, 스피너 테이블(92)이 스핀 회전됨으로써, 링 프레임(F)을 고정하는 후크부(96)가 회전되는 모습을 도시하고 있다. 후크부(96)의 회전에 의해 기류(A1)가 발생하지만, 후크부(96)를 이용하기 때문에, 원심 클램프(196)의 단면적이 큰 방추부(198a)를 이용하여 링 프레임(F)을 고정할 필요가 없어, 후크부(96)의 회전에 의해 난기류(A3)(도 8의 B 참조)가 발생하는 것이 억제된다. 이에 따라, 건조 시에 웨이퍼(W)로부터 불어 날려진 세정수가 난기류(A3)에 의해서 비산되는 것이 방지되어, 웨이퍼(W)에 재부착하는 것이 없기 때문에, 웨이퍼(W) 상면의 건조 상태를 유지할 수 있다.
(비교예)
도 8의 B의 좌측 도면은 링 프레임(F)이 원심 클램프(196)에 클램프된 상태를 도시하고 있다. 원심 클램프(196)는, 스피너 테이블(92)의 외주에 연결되어, 스피너 테이블(92)로부터 연장되는 지지판(197)에, 진자형의 클램프부(198)를 요동 가능하게 지지하여 구성된다. 원심 클램프(196)는, 스피너 테이블(92)의 스핀 회전 시에, 클램프부(198) 외측의 방추부(198a)가 원심력으로 튀어 올라가게 되고, 클램프부(198) 내측의 후크부(198b)와 지지판(197)의 사이에 링 프레임(F)을 클램프한다.
원심 클램프(196)에는 단면적이 큰 방추부(198a)가 형성되어 있기 때문에, 원심 클램프(196)의 단면적은 도 8의 A의 후크부(96)의 단면적보다도 크게 되어 있다. 이 때문에, 도 8의 B의 우측 도면에 도시한 것과 같이, 스피너 테이블(92)이 스핀 회전되어 원심 클램프(196)가 회전됨으로써 기류(A2)가 발생한다. 또한, 단면적이 큰 방추부(198a)가 회전됨으로써, 원심 클램프(196) 근방에 난기류(A3)가 발생한다. 이 난기류(A3)에 의해, 웨이퍼(W)로부터 불어 날아간 세정수가 비산되어 웨이퍼(W)에 낙하하여 재부착된다.
이상과 같이, 본 실시형태에 따른 절삭 장치(1)에서는, 후크부(96)에 있어서의 마주보는 2개의 선단부(96b)의 간격(L)이 링 프레임(F)의 마주보는 2개의 변의 거리(D1)보다 크고, 링 프레임(F)의 최외주의 직경(D2)보다 작게 되도록 형성되어 있다. 이에 따라, 링 프레임(F)의 4개의 변과 4개의 후크부(96)의 위치를 맞춤으로써, 링 프레임(F)과 선단부(96b)가 부딪치는 일 없이 프레임 유닛(U)을 유지 수단(97)에 배치할 수 있다. 또한, 기초부(96a)에 지지된 프레임 유닛(U)을 유지 수단(97)이 회전하는 방향과 역방향으로 회전시켜 후크부(96)에 링 프레임(F)의 최외주를 맞대고, 이 상태에서 유지 수단(97)이 회전되면, 유지 수단(97)의 회전 방향과 역방향으로 링 프레임(F)에 관성력이 생겨, 링 프레임(F)의 최외주가 후크부(96)에 계속해서 맞닿는다. 이 때문에, 고정 홈(96c)에 링 프레임(F)을 고정할 수 있어, 유지 수단(97)에 있어서의 프레임 유닛(U)의 가로 어긋남을 방지할 수 있다. 이와 같이, 원심 클램프(196)에 있어서 단면적이 큰 방추부(198a)를 이용하여 원심력에 의해 링 프레임(F)을 클램프할 필요가 없기 때문에, 유지 수단(97)의 회전 시에 난기류(A3)의 발생이 억제되어, 웨이퍼(W)에 공급되는 액체의 난기류(A3)에 의한 비산이 방지된다. 이 때문에, 비산된 액체에 의한 웨이퍼(W)의 오염을 방지할 수 있다.
상기 실시형태에서는, 고정 인식부(501)는, 회전 수단(98)으로서의 모터가 회전될 때에 발생하는 부하에 따라서 변화되는 전류치를 인식함으로써, 후크부(96)에 링 프레임(F)이 고정되었음을 인식하지만, 이 구성에 한정되지 않는다. 후크부(96)에 프레임 유닛(U)이 고정되었음이 인식되면, 제2 반송 유닛(40)이 링 프레임(F)을 흡인 유지할 때의 부압의 변화를 인식하는 구성으로 하여도 좋다. 후크부(96)에 링 프레임(F)이 고정되면, 제2 반송 유닛(40)으로부터 링 프레임(F)이 박리되는 방향으로 힘이 작용하여, 제2 반송 유닛(40)이 링 프레임(F)을 흡인 유지할 때의 부압이 약해진다. 이에 따라, 링 프레임(F)이 고정되었음이 인식된다.
또한, 상기 실시형태에서는, 선행의 프레임 유닛(U)과 후행의 프레임 유닛(U)에서 동일한 사이즈의 링 프레임(F)을 이용하고 있는 경우, 후행의 프레임 유닛(U)을 후크부(96)로 고정할 때는, 선행의 프레임 유닛(U)에 있어서 미리 회전 각도(θ)를 설정하면 된다. 그러나, 제2 반송 유닛(40)의 프레임 유닛(U)을 흡인 유지하는 위치가 선행의 프레임 유닛(U)과 후행의 프레임 유닛(U)에서 다른 경우가 있다. 이 때문에, 후행의 프레임 유닛(U)은, 설정되어 있는 회전 각도(θ)로 회전하더라도 후크부(96)로 링 프레임(F)을 고정할 수 있다고는 할 수 없다. 이 경우, 회전 각도(θ)에 각도(θ2)를 추가하여 스피너 테이블(92)을 더욱 회전시켜, 후크부(96)를 링 프레임(F)에 맞댈 필요가 있다. 선행의 프레임 유닛(U)의 회전 각도(θ)에 대하여 각도(θ2)만큼 각도를 추가하여 스피너 테이블(92)을 회전시키면, 필요 이상의 회전 각도(도 10(c)의 θ4 참조)가 생기기 때문에, 제2 반송 유닛(40)에 마련되는 회전이 자유로운 유닛을 이용하여, 필요 이상으로 회전된 각도에 대응시키면 된다.
이하, 도 9를 참조하여 회전이 자유로운 유닛의 구성에 관해서 상세히 설명한다. 도 9는 본 실시형태에 따른 회전이 자유로운 유닛의 설명도이다.
도 9의 A에 도시한 것과 같이, 제2 반송 유닛(40)의 하부에는, 회전이 자유로운 유닛(450)을 통해 이동 유닛(410)이 마련되어 있어도 좋다. 이 때, 고정 테이블(411) 대신에 회전 테이블(471)이 마련되어 있어도 좋다. 회전 테이블(471)의 중앙에는 환상형 지지부(451)(베어링)가 마련되어 있다. 환상형 지지부(451)의 내측에는 고정부(452)가 배치되어 있고, 고정부(452)에 대하여 환상형 지지부(451)가 회전이 자유롭게 연결되어 있다. 고정부(452)의 외주면으로부터는 아암(453)이 돌출되어 있다. 회전 테이블(471)의 바깥 가장자리에는 스프링 지지부(455)가 세워져 설치되어 있고, 스프링 지지부(455)와 아암(453)의 대향면에는 각각 스프링 부재(456)의 양끝이 연결되어 있다. 또한, 환상형 지지부(451)의 근방에는 스토퍼(458)가 세워져 설치되어 있다. 아암(453)의 선단에는 스프링 지지부(455) 측으로 가까이 당기는 스프링력이 작용하고 있지만, 회전 테이블(471)로부터 세워 설치한 스토퍼(458)에 의해서, 아암(453)과 스프링 지지부(455)의 접근이 규제되고 있다.
도 9의 B에 도시한 것과 같이, 스피너 테이블(92)(도 2 참조)이 크게 회전되면, 이동 유닛(410)도 스토퍼(458)와 함께 회전하여 회전 테이블(471)이 회전한다. 이 때, 스프링 부재(456)의 반력에 대항하면서 스프링 지지부(455)가 아암(453)으로부터 이격되는 방향으로 선회하고 있다. 이에 따라, 이동 유닛(410)의 회전이 허용된다. 또한, 회전이 자유로운 유닛(450)은, 스프링 부재(456)에 의해 회전 방향으로 밀어붙여져, 회전 방향에 있어서 원점 위치에 유지된다(도 9의 A).
이어서, 도 10을 참조하여, 회전이 자유로운 유닛(450)을 이용한 경우에 있어서의, 스피너 테이블(92)의 유지면(94)의 중심과 프레임 유닛(U)의 중심(O)의 위치 맞춤 동작에 관해서 상세히 설명한다. 도 10은 본 실시형태에 따른 회전이 자유로운 유닛의 동작 설명도이다.
도 10의 A에 도시한 것과 같이, 프레임 유닛(U)은, 제2 반송 유닛(40)(도 7 참조)에 의해서 링 프레임(F)의 상면이 흡인 유지된 상태에서 유지면(94)으로 하강되어, 후크부(96)의 내측에 수용된다. 이 때, 제2 반송 유닛(40)이 링 프레임(F)을 흡인 유지하는 위치가 선행의 프레임 유닛(U)과 다른 경우, 유지면(94)에 대한 웨이퍼(W)의 위치가 선행의 프레임 유닛(U)과는 다르다. 이 때문에, 프레임 유닛(U)의 웨이퍼(W)의 중심(O)과 유지면(94)의 중심(C)은 틀어져 있다.
도 10의 B에 도시한 것과 같이, 링 프레임(F)의 최외주를 후크부(96)에 맞대기 위해서, 링 프레임(F)이 제2 반송 유닛(40)에 흡인 유지된 상태에서 스피너 테이블(92)이 회전된다. 이 때, 선행의 프레임 유닛(U)에 있어서 미리 설정된 회전 각도(θ1)를 이용하더라도 후크부(96)에 링 프레임(F)을 고정할 수 없다. 이 경우, 회전 각도(θ1)에 또 각도(θ2)를 추가하여 스피너 테이블(92)이 회전된다.
각도(θ1)에 추가로 각도(θ2)만큼 스피너 테이블(92)이 회전되는 도중의 각도(θ3)로, 일부의 후크부(96)에 링 프레임(F)이 맞닿는다(도 7의 B 참조). 그리고, 이동 유닛(410)에 의해 링 프레임(F)의 X축 방향 및 Y축 방향의 이동이 허용됨으로써, 프레임 유닛(U)의 웨이퍼(W)의 중심(O)과 유지면(94)의 중심(C)이 일치한다(도 7의 C 참조). 따라서, 각도(θ2)까지의 회전 도중의 각도(θ3)로, 후크부(96)와 링 프레임(F)의 최외주의 접촉점과 프레임 유닛(U)의 웨이퍼(W)의 중심(O)과의 거리가 4개의 후크부(96)에 있어서 전부 같아지고(도 4의 B 참조), 웨이퍼(W)가 유지면(94)에 대하여 위치 결정된다. 이 때문에, 이동 유닛(410)에 의한 링 프레임(F)의 X축 방향 및 Y축 방향의 이동은 허용되지 않게 되고, 각도(θ2)까지의 나머지 회전 각도(θ4)를 이동 유닛(410)에서는 허용할 수 없다.
도 10(c)에 도시한 것과 같이, 스피너 테이블(92)은, 각도(θ3)에서 추가로 각도(θ4)만큼 회전하여, 합계 각도(θ2)만큼 회전한다. 이 때, 회전이 자유로운 유닛(450)이, 후크부(96)가 링 프레임(F)을 고정한 후 더욱 회전함으로써, 이동 유닛(410)이 스피너 테이블(92)의 회전 방향으로 종동된다. 이에 따라, 회전 각도(θ3)로, 웨이퍼(W)의 중심(O)과 유지면(94)의 중심(C)이 일치한 후, 필요 이상의 각도(θ4)의 스피너 테이블(92)의 회전을, 회전이 자유로운 유닛(450) 측으로 밀어낼 수 있다. 즉, 회전이 자유로운 유닛(450)에 의해서, 프레임 유닛(U)의 각도(θ4)의 회전이 허용된다. 그 후, 제2 반송 유닛(40)에 의한 링 프레임(F)의 흡인 유지가 해제되어, 프레임 유닛(U)이 제2 반송 유닛(40)으로부터 스피너 테이블(92)에 전달된다.
또한, 상기 실시형태에서는, 본 발명이 절삭 장치(1)에 구비되는 스피너 테이블(92)에 있어서 이용되는 구성으로 했지만, 이 구성에 한정되지 않는다. 본 발명은, 스피너 테이블을 회전시키면서 웨이퍼(W)에 액체를 공급하는 다른 가공 장치에 적용할 수 있다. 예컨대, 액상 수지를 공급하면서 스피너 테이블(92)을 스핀 회전시키는 보호막 피복 장치에 있어서도 이용할 수 있다. 이 경우, 스피너 테이블(92)의 스핀 회전 시에 난기류의 발생이 억제됨으로써, 웨이퍼(W)로부터 불어 날려버린 액상 수지가 웨이퍼(W)에 재부착되는 일이 없기 때문에, 두께가 균일한 보호막을 웨이퍼(W)에 형성할 수 있다. 또한, 예컨대 레이저 가공 장치, 익스팬드 장치 등의 다른 가공 장치에 적용되어도 좋다.
또한, 본 발명의 각 실시형태를 설명했지만, 본 발명의 다른 실시형태로서 상기 각 실시형태를 전체적 또는 부분적으로 조합한 것이라도 좋다.
또한, 본 발명의 실시형태는 상기한 각 실시형태에 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 기술적 사상의 취지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지로 변경, 치환, 변형되어도 좋다. 나아가서는, 기술의 진보 또는 파생되는 다른 기술에 의해서, 본 발명의 기술적 사상을 다른 방법으로 실현할 수 있으면 그 방법을 이용하여 실시되어도 좋다. 따라서, 청구범위는 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에 포함될 수 있는 모든 실시양태를 커버하고 있다.
이상 설명한 것과 같이, 본 발명은, 유지 수단에 있어서의 링 프레임의 가로 어긋남이 방지됨과 더불어, 유지 수단 회전 시의 난기류의 발생이 억제된다고 하는 효과를 가지고, 특히 액체가 공급되면서 스핀 회전되는 스피너 테이블에 유용하다.
1: 절삭 장치, 92: 스피너 테이블, 93: 웨이퍼 유지부, 94: 유지면, 96: 후크부, 96a: 기초부, 96b: 선단부, 96c: 고정 홈, 97: 유지 수단, F: 링 프레임, T: 점착 테이프, U: 프레임 유닛, W: 웨이퍼

Claims (3)

  1. 웨이퍼를 수용하는 개구를 갖는 환상형 플레이트의 외주에 90도 간격으로 4개의 변을 형성한 링 프레임에 웨이퍼를 수용하여 점착 테이프를 통해 일체화한 프레임 유닛을 유지하는 유지 수단을 포함하고, 이 유지 수단을 회전시켜 웨이퍼에 액체를 공급하여 미리 정해진 처리를 실시하는 가공 장치로서,
    상기 유지 수단은, 웨이퍼 영역을 흡인 유지하는 웨이퍼 유지부와,
    상기 링 프레임의 상기 4개의 변에 대응한 4개의 후크부를 포함하고,
    상기 4개의 후크부 각각은, 마주보는 2개의 상기 후크부의 간격이 상기 링 프레임의 마주보는 2개의 변 사이의 거리보다 크며 상기 링 프레임의 최외주의 직경보다 작게 형성된 선단부와, 상기 링 프레임을 지지하는 기초부를 포함하고,
    상기 기초부에는, 수용된 상기 프레임 유닛을 상기 유지 수단이 회전하는 방향과 역방향으로 회전시켜 상기 링 프레임이 고정되는 고정 홈이 형성되어 있는 것인 가공 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 링 프레임 상면을 흡인 유지하여 상기 유지 수단에 상기 프레임 유닛을 반송하는 반송 유닛과,
    상기 반송 유닛을 상기 웨이퍼 유지부의 유지면에 대하여 직교하는 방향에서 승강하는 승강 수단과,
    상기 유지 수단의 동작을 제어하는 제어부를 더 포함하고,
    상기 제어부는, 상기 반송 유닛에 의해 상기 링 프레임을 유지하고, 상기 승강 수단으로 상기 유지 수단의 위쪽에서 하강시키고, 상기 유지 수단을 상기 유지면의 중심을 축으로 미리 정해진 처리를 행하는 방향으로 회전시켜 상기 고정 홈이 상기 링 프레임을 고정했음을 인식하는 고정 인식부를 포함하는 것인 가공 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 반송 유닛은, 상기 유지면 방향으로 이동시키는 이동 유닛을 포함하고,
    상기 고정 홈이 상기 링 프레임을 고정했을 때, 상기 프레임 유닛의 중심과 상기 유지면의 중심을 일치시키는 가공 장치.
KR1020190000771A 2018-01-04 2019-01-03 가공 장치 KR102659790B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018000227A JP7057673B2 (ja) 2018-01-04 2018-01-04 加工装置
JPJP-P-2018-000227 2018-01-04

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190083620A true KR20190083620A (ko) 2019-07-12
KR102659790B1 KR102659790B1 (ko) 2024-04-22

Family

ID=67058877

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190000771A KR102659790B1 (ko) 2018-01-04 2019-01-03 가공 장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20190206715A1 (ko)
JP (1) JP7057673B2 (ko)
KR (1) KR102659790B1 (ko)
CN (1) CN110034046B (ko)
SG (1) SG10201811385SA (ko)
TW (1) TWI797226B (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7504573B2 (ja) 2019-09-30 2024-06-24 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
TW202134774A (zh) * 2019-12-05 2021-09-16 美商應用材料股份有限公司 光標處理系統
JP7439376B2 (ja) 2020-06-24 2024-02-28 株式会社東京精密 ワーク処理システム

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05326699A (ja) * 1992-05-25 1993-12-10 Fujitsu Ltd ダイシング方法
JP2004082319A (ja) * 2002-06-27 2004-03-18 Disco Abrasive Syst Ltd チップの研削方法及びリングフレーム固定機構
JP2008246276A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Disco Abrasive Syst Ltd 樹脂被覆装置及びレーザー加工装置
JP2011135026A (ja) * 2009-11-27 2011-07-07 Disco Abrasive Syst Ltd ワークユニットの保持方法および保持機構
JP2012084792A (ja) * 2010-10-14 2012-04-26 Tokyo Seimitsu Co Ltd スピンナ洗浄装置及びスピンナ洗浄方法
JP2013115234A (ja) 2011-11-29 2013-06-10 Disco Abrasive Syst Ltd 洗浄装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100933975B1 (ko) * 2003-12-31 2009-12-28 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 제조용 스퍼터의 투명기판 파지를 위한클램프어셈블리
KR100526901B1 (ko) * 2004-02-12 2005-11-09 삼성전자주식회사 차세대 망에서 가입자 서비스 프로파일 공유 장치 및 방법
JP5461104B2 (ja) * 2009-08-20 2014-04-02 株式会社ディスコ 保持テーブルおよび研削装置
CN102194732A (zh) * 2010-02-02 2011-09-21 株式会社迪思科 工件单元的保持方法和保持机构
JP2014027007A (ja) * 2012-07-24 2014-02-06 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法及び環状凸部除去装置
JP2016147342A (ja) * 2015-02-12 2016-08-18 株式会社ディスコ 加工装置のチャックテーブル
JP6695102B2 (ja) * 2015-05-26 2020-05-20 株式会社ディスコ 加工システム

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05326699A (ja) * 1992-05-25 1993-12-10 Fujitsu Ltd ダイシング方法
JP2004082319A (ja) * 2002-06-27 2004-03-18 Disco Abrasive Syst Ltd チップの研削方法及びリングフレーム固定機構
JP2008246276A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Disco Abrasive Syst Ltd 樹脂被覆装置及びレーザー加工装置
JP2011135026A (ja) * 2009-11-27 2011-07-07 Disco Abrasive Syst Ltd ワークユニットの保持方法および保持機構
JP2012084792A (ja) * 2010-10-14 2012-04-26 Tokyo Seimitsu Co Ltd スピンナ洗浄装置及びスピンナ洗浄方法
JP2013115234A (ja) 2011-11-29 2013-06-10 Disco Abrasive Syst Ltd 洗浄装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2019121675A (ja) 2019-07-22
KR102659790B1 (ko) 2024-04-22
TWI797226B (zh) 2023-04-01
US20190206715A1 (en) 2019-07-04
TW201931460A (zh) 2019-08-01
JP7057673B2 (ja) 2022-04-20
CN110034046A (zh) 2019-07-19
SG10201811385SA (en) 2019-08-27
CN110034046B (zh) 2024-05-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6014477B2 (ja) 剥離装置、剥離システムおよび剥離方法
JP5196709B2 (ja) 半導体ウエハ周縁研磨装置及び方法
JP5993731B2 (ja) 剥離装置、剥離システムおよび剥離方法
JP5009254B2 (ja) 樹脂被覆装置
US8997821B2 (en) Delamination system
US10155294B2 (en) Polishing apparatus and polishing method
KR102659790B1 (ko) 가공 장치
CN107887313B (zh) 加工装置
CN111386598B (zh) 基板输送装置、基板处理系统、基板处理方法以及计算机存储介质
JP6064015B2 (ja) 剥離装置、剥離システムおよび剥離方法
JP2014165281A (ja) 洗浄装置、洗浄方法および剥離システム
WO2013035731A1 (ja) 基板液処理装置、及び基板液処理装置の制御方法
KR20160022834A (ko) 반도체 기판 상에 접착 필름을 테이핑하기 위한 장치 및 방법
JP2004140058A (ja) ウエハ搬送装置およびウエハ処理装置
KR20030081453A (ko) 처리 도구내 기판상의 입자 오염물질의 저감 장치 및 방법
JP2018117014A (ja) 搬出機構
JP2023003507A (ja) 加工装置
JP2002075943A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JPH06267916A (ja) 半導体ウェーハの接着装置
JP6983311B2 (ja) 基板処理システム及び基板処理方法
JP2015170719A (ja) 板状物の搬送装置および切削装置
JP2023142824A (ja) 搬送装置
JP6118922B2 (ja) 剥離装置、剥離システムおよび剥離方法
JP6122790B2 (ja) 剥離装置および剥離システム
JP2024148312A (ja) 加工装置、及び加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant