KR20190080738A - Method of cutting workpiece and chuck table of cutting apparatus - Google Patents

Method of cutting workpiece and chuck table of cutting apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR20190080738A
KR20190080738A KR1020180154198A KR20180154198A KR20190080738A KR 20190080738 A KR20190080738 A KR 20190080738A KR 1020180154198 A KR1020180154198 A KR 1020180154198A KR 20180154198 A KR20180154198 A KR 20180154198A KR 20190080738 A KR20190080738 A KR 20190080738A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
workpiece
chuck table
cutting
suction
fine grooves
Prior art date
Application number
KR1020180154198A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
세츠오 야마모토
다카시 오카무라
Original Assignee
가부시기가이샤 디스코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시기가이샤 디스코 filed Critical 가부시기가이샤 디스코
Publication of KR20190080738A publication Critical patent/KR20190080738A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices

Abstract

Provided are a method for cutting a workpiece which is to suppress generation of defects on a backside or corner cracks of a workpiece by a simple configuration even in a thin workpiece or a small chip-sized workpiece, and to a chuck table used therefor. The method for cutting a workpiece maintains a workpiece attached to a dicing tape fixed to an annular frame to block an opening of the annular frame, and formed with a device in each region divided by a plurality of scheduled division lines in which surfaces cross each other, as an adsorption surface of a chuck table by interposing the dicing tape thereon, and cuts the workpiece by a cutting blade, wherein a plurality of fine grooves crossing each other and communicating with a suction source with a suction path are formed on the adsorption surface of the chuck table. The method of the present invention comprises: a suction maintaining step of sucking and maintaining a workpiece placed on an absorption surface of a chuck table in a direction in which a scheduled division line and an extension direction of a fine groove cross each other, to the chuck table; and a division step of cutting and dividing the workpiece by a cut blade after performing the suction maintaining step.

Description

피가공물의 절삭 방법 및 절삭 장치의 척 테이블{METHOD OF CUTTING WORKPIECE AND CHUCK TABLE OF CUTTING APPARATUS}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a cutting method of a workpiece and a chuck table of a cutting apparatus,

본 발명은, 피가공물의 절삭 방법 및 그 절삭 방법에 사용하는 절삭 장치의 척 테이블에 관한 것이다.The present invention relates to a cutting method of a workpiece and a chuck table of a cutting device used in the cutting method.

반도체 디바이스나 광 디바이스, SAW 필터 디바이스 등 각종 디바이스가 형성된 웨이퍼나, 세라믹스나 유리, 패키지 웨이퍼 등의 피가공물을 절삭하여 분할하는 절삭 장치 (다이싱 소) 가 알려져 있다.BACKGROUND ART There is known a cutting apparatus (dicing spot) for cutting and dividing a wafer on which various devices such as a semiconductor device, an optical device, and a SAW filter device are formed, and a workpiece such as a ceramic, glass, or package wafer.

절삭 장치는, 다이싱 테이프를 개재하여 척 테이블에 흡인 유지된 피가공물을 고속 회전하는 절삭 블레이드로 절삭하여 가공한다. 절삭할 때에는, 피가공물이 진동하지 않고 강고하게 고정됨으로써 절삭에 의한 결손, 특히 피가공물의 이면측에 발생하는 결손 (치핑) 이나 코너 크랙을 억제할 수 있는 것이 알려져 있으며, 종래에는, 피가공물 전체면에 흡착력을 발생시키기 위해, 포러스 세라믹스를 흡착판으로서 사용하고 있다 (예를 들어, 일본 공개특허공보 2000-323440호 공보 참조).The cutting apparatus cuts and processes the workpiece held by the chuck table through a dicing tape with a cutting blade rotating at a high speed. In machining, it is known that the workpiece is firmly fixed without vibrating, so that defects due to cutting, in particular, defects (chipping) and corner cracks occurring on the back surface of the workpiece can be suppressed. Conventionally, Porous ceramics are used as attracting plates to generate attraction force on the surface (see, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-323440).

포러스 세라믹스는, 전체면에 흡착력을 발생시킬 수 있는 반면, 흡착면 전체면에 미세한 통기공이 있기 때문에, 통기공에 대응하는 위치에서는 피가공물을 지지하고 있지 않으므로, 통기공의 부분은 결손이 발생하기 쉽다는 과제가 있었다.Porous ceramics can generate an adsorption force on the whole surface, but since there is a minute ventilation hole on the entire surface of the adsorption surface, the workpiece is not supported at the position corresponding to the ventilation hole. There is a problem that it is easy to do.

그래서, 피가공물을 재치 (載置) 하는 재치면에 개구되는 복수의 흡인공이 형성된 피가공물 유지 플레이트를 척 테이블 상에 재치하고, 피가공물 유지 플레이트로 다이싱 테이프를 개재하여 피가공물을 흡인 유지한다는 방법이, 일본 공개특허공보 2004-356357호 공보에서 제안되어 있다.Thus, a workpiece holding plate on which a plurality of suction holes are formed, the workpiece holding plate having a plurality of suction holes formed on a surface on which a workpiece is mounted, is placed on a chuck table, and the workpiece is sucked and held by a workpiece holding plate via a dicing tape A method is proposed in Japanese Patent Laid-Open No. 2004-356357.

일본 공개특허공보 2000-323440호Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-323440 일본 공개특허공보 2004-356357호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2004-356357

그러나, 특허문헌 2 에 기재된 피가공물 유지 플레이트를 통하여 피가공물을 흡인 유지하는 형태에서는, 도 7 에 나타내는 바와 같이, 칩 (5) 의 이면의 결손 (7) 이나 코너 크랙 (9) 이 발생하기 쉬운 얇은 피가공물 (1) 이나 작은 칩 사이즈의 피가공물의 경우, 흡착력이 극단적으로 약해지기 때문에, 피가공물의 이면에 발생하는 결손이나 코너 크랙이 악화된다는 결과가 된다. 도 7 에서 3 은 분할 홈이다.However, in the configuration in which the workpiece is sucked and retained through the workpiece holding plate described in Patent Document 2, as shown in Fig. 7, the defects 7 and the corner cracks 9 of the back surface of the chip 5 are likely to occur In the case of the thin workpiece 1 or the workpiece having a small chip size, the adsorption force is extremely weakened, and consequently, defects and corner cracks on the back surface of the workpiece are deteriorated. In Fig. 7, 3 is a dividing groove.

본 발명은 이와 같은 점을 감안하여 이루어진 것으로서, 그 목적으로 하는 바는, 얇은 피가공물이나 작은 칩 사이즈의 피가공물이어도, 간단한 구성으로 피가공물의 이면의 결손이나 코너 크랙의 발생을 억제할 수 있는 피가공물의 절삭 방법 및 그 절삭 방법에 사용하는 척 테이블을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above, and it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a semiconductor device which can suppress the occurrence of defects on the back surface of a workpiece and corner cracks, And a chuck table used for a cutting method of the work and a method of cutting the same.

청구항 1 에 기재된 발명에 의하면, 환상 프레임의 개구를 막도록 그 환상 프레임에 고정된 다이싱 테이프에 첩착되고, 표면이 교차하는 복수의 분할 예정 라인으로 구획된 각 영역에 각각 디바이스가 형성된 피가공물을, 그 다이싱 테이프를 개재하여 척 테이블의 흡착면으로 유지하고, 절삭 블레이드로 피가공물을 절삭하는 피가공물의 절삭 방법으로서, 그 척 테이블의 그 흡착면에는, 흡인원과 흡인로로 연통된 교차하는 복수의 미세홈이 형성되어 있고, 그 분할 예정 라인과 그 미세홈의 연장 방향이 서로 교차하는 방향으로 그 척 테이블의 그 흡착면에 재치된 피가공물을 그 척 테이블로 흡인 유지하는 흡인 유지 스텝과, 그 흡인 유지 스텝을 실시한 후, 그 피가공물을 절삭 블레이드로 절삭하여 분할하는 분할 스텝을 구비한 것을 특징으로 하는 피가공물의 절삭 방법이 제공된다.According to the invention as set forth in claim 1, there is provided a workpiece which is attached to a dicing tape fixed to an annular frame so as to close an opening of an annular frame and in which devices are formed in respective regions partitioned by a plurality of lines to be divided, And a cutting blade for cutting a workpiece with the cutting blade held on the chuck table through the dicing tape, wherein the chuck table has, on its chuck table, an intersection communicating with the suction source by a suction path A suction holding step of sucking and holding the workpiece placed on the suction surface of the chuck table in the direction in which the line along which the division is to be made and the extending direction of the fine groove intersect with each other is sucked and held by the chuck table, And a dividing step of dividing the workpiece by cutting with a cutting blade after performing the suction holding step. A method of cutting a workpiece is provided.

청구항 2 에 기재된 발명에 의하면, 청구항 1 에 기재된 피가공물의 절삭 방법에 사용하는 절삭 장치의 척 테이블로서, 피가공물의 이면에 첩착된 다이싱 테이프를 개재하여 그 피가공물을 지지하는 그 척 테이블의 흡착면에는, 흡인원과 연통로로 연통된 교차하는 복수의 미세홈이 형성되어 있는 절삭 장치의 척 테이블이 제공된다.According to a second aspect of the present invention, there is provided a chuck table of a cutting apparatus for use in a cutting method of a workpiece according to claim 1, wherein the chuck table supports the workpiece with a dicing tape adhered to the back surface of the workpiece The chuck table of the cutting apparatus is provided with an adsorption surface on which a plurality of intersecting fine grooves communicated with the suction source are formed.

본 발명의 절삭 방법에서 사용하는 척 테이블의 흡착면에는, 흡인원과 흡인로로 연통된 교차하는 복수의 미세홈이 형성되어 있고, 피가공물을 척 테이블로 흡인 유지할 때에는, 피가공물의 분할 예정 라인과 척 테이블의 흡착면에 형성된 미세홈의 연장 방향이 서로 교차하는 방향으로 피가공물을 흡착면에 재치하여 흡인 유지하기 때문에, 피가공물을 지지하는 충분한 면적을 확보하면서, 미세홈에 의한 피가공물의 흡착력 상승을 달성할 수 있어, 피가공물의 이면의 결손이나 코너 크랙의 발생을 억제할 수 있다.The suction surface of the chuck table used in the cutting method of the present invention is provided with a plurality of intersecting fine grooves communicating with the suction source by a suction path. When the workpiece is sucked and held by the chuck table, And the workpiece is placed on the attracting surface in the direction in which the extending direction of the fine grooves formed on the attracting surface of the chuck table intersects with each other to attract and hold the workpiece. Therefore, while ensuring a sufficient area for supporting the workpiece, It is possible to achieve an increase in the attraction force, and it is possible to suppress the occurrence of defects on the back surface of the work and the occurrence of corner cracks.

도 1 은 본 발명의 척 테이블을 구비한 절삭 장치의 사시도이다.
도 2 는 척 테이블 기구의 사시도이다.
도 3 은 피가공물인 웨이퍼 (11) 의 이면이 외주부가 환상 프레임 (F) 에 장착된 다이싱 테이프 (T) 에 첩착된 형태의 프레임 유닛 (17) 의 사시도이다.
도 4 는 제 1 실시형태의 척 테이블의 종단면도이다.
도 5(A) 는 제 1 실시형태의 척 테이블을 사용한 피가공물의 절삭 가공 중의 척 테이블의 일부 확대 종단면도, 도 5(B) 는 제 2 실시형태의 척 테이블을 사용한 피가공물의 절삭 가공 중의 척 테이블의 종단면도이다.
도 6(A) 는 제 1 실시형태의 척 테이블의 흡착면에 피가공물을 재치할 때에 피가공물의 분할 예정 라인과 흡착면에 형성된 미세홈의 관계를 나타내는 모식적 평면도, 도 6(B) 는 제 2 실시형태의 척 테이블의 흡착면에 피가공물을 재치할 때에 피가공물의 분할 예정 라인과 흡착면에 형성된 미세홈의 관계를 나타내는 모식적 평면도이다.
도 7 은 디바이스의 이면에 형성된 결손과 코너 크랙을 나타내는 모식적 이면도이다.1 is a perspective view of a cutting apparatus having a chuck table according to the present invention.
2 is a perspective view of a chuck table mechanism.
3 is a perspective view of the frame unit 17 in which the outer surface of the back surface of the wafer 11 to be processed is adhered to the dicing tape T mounted on the annular frame F. Fig.
4 is a longitudinal sectional view of the chuck table of the first embodiment.
Fig. 5 (A) is a partially enlarged longitudinal sectional view of the chuck table during cutting processing of the workpiece using the chuck table of the first embodiment, Fig. 5 (B) Fig. 5 is a longitudinal sectional view of the chuck table.
6 (A) is a schematic plan view showing a relationship between a line to be divided of a workpiece to be processed and a fine groove formed on the adsorption face when the workpiece is mounted on the adsorption face of the chuck table according to the first embodiment, and Fig. 6 (B) Fig. 7 is a schematic plan view showing the relationship between the line to be divided of the workpiece and the fine grooves formed on the adsorption surface when the workpiece is placed on the adsorption surface of the chuck table of the second embodiment.
7 is a schematic rear view showing defects and corner cracks formed on the back surface of the device.

이하, 본 발명의 실시형태를 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 도 1 을 참조하면, 본 발명 실시형태의 척 테이블을 구비하고, 반도체 웨이퍼를 다이싱하여 개개의 디바이스 칩으로 분할할 수 있는 절삭 장치 (2) 의 사시도가 도시되어 있다.BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. 1, there is shown a perspective view of a cutting apparatus 2 having a chuck table according to an embodiment of the present invention and capable of dividing a semiconductor wafer into individual device chips by dicing.

도 1 에 나타내는 바와 같이, 절삭 장치 (2) 는, 절삭 장치의 각 기구부를 지지하는 장치 기대 (4) 를 구비하고 있다. 장치 기대 (4) 의 상면에는, X 축 방향 (가공 이송 방향) 으로 긴 사각형상의 개구 (4a) 가 형성되어 있다.As shown in Fig. 1, the cutting apparatus 2 is provided with a device base 4 for supporting each mechanism portion of the cutting apparatus. On the upper surface of the apparatus base 4, an opening 4a having a rectangular shape elongated in the X-axis direction (processing feed direction) is formed.

이 개구 (4a) 내에는, 척 테이블 기구 (6) 가 X 축 방향으로 왕복동 가능하게 형성되어 있다. 척 테이블 기구 (6) 는, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 지지 기대 (48) 상에 탑재된 흡인 유지부 (54) 를 갖는 척 테이블 (50) 을 구비하고 있고, 척 테이블 (50) 의 주위에는 워터 커버 (8) 가 배치 형성되어 있다. 워터 커버 (8) 와 지지 기대 (48) 사이에는 벨로즈 (10) 가 연결되어 있다. 척 테이블 (50) 의 주위에는 4 개의 클램프 (56) 가 배치 형성되어 있다.In the opening 4a, a chuck table mechanism 6 is formed so as to be capable of reciprocating in the X-axis direction. 2, the chuck table mechanism 6 is provided with a chuck table 50 having a suction holding section 54 mounted on a support base 48. A chuck table 50 is provided around the chuck table 50, A water cover 8 is disposed. A bellows 10 is connected between the water cover 8 and the support base 48. Four clamps 56 are disposed around the chuck table 50. [

척 테이블 기구 (6) 는, 도시되지 않은 볼 나사와 펄스 모터로 구성된 X 축 방향 이동 기구에 의해 X 축 방향으로 이동 가능하게 배치 형성되어 있다. 도 2 에 나타내는 바와 같이, 척 테이블 기구 (6) 의 지지 기대 (48) 상에는, 척 테이블 (50) 이 탑재되어 있고, 척 테이블 (50) 은 지지 기대 (48) 중에 수용된 모터에 의해 회전 가능하게 탑재되어 있다.The chuck table mechanism 6 is formed movably in the X-axis direction by an X-axis direction moving mechanism composed of a ball screw and a pulse motor (not shown). 2, a chuck table 50 is mounted on a support base 48 of a chuck table mechanism 6, and the chuck table 50 is rotatably supported by a motor accommodated in a support base 48 .

척 테이블 (50) 은 환상의 프레임체 (52) 와, 프레임체 (52) 의 도 4 에 나타내는 끼워맞춤 오목부 (51) 중에 끼워 맞춰진 포러스 세라믹스로 형성된 흡인 유지부 (54) 를 갖고 있다. 프레임체 (52) 의 중심부에는 도 4 에 나타내는 흡인원 (70) 에 전자 전환 밸브 (72) 를 개재하여 접속된 흡인로 (52a) 가 형성되어 있고, 전자 전환 밸브 (72) 를 도 4 에 나타내는 연통 위치로 전환시켜 흡인원 (70) 을 작동시킴으로써, 척 테이블 (50) 이 흡인 유지부 (54) 의 흡착면 (54a) 으로 피가공물을 흡인 유지한다.The chuck table 50 has an annular frame 52 and a suction holding portion 54 formed of porous ceramics sandwiched between the engaging concave portions 51 of the frame body 52 shown in Fig. A suction path 52a connected to the suction source 70 via an electromagnetic switching valve 72 is formed at the center of the frame body 52 and the electromagnetic switching valve 72 is connected to the suction source 70 shown in Fig. The chuck table 50 sucks and holds the workpiece on the attracting surface 54a of the suction holding section 54 by switching to the communicating position and operating the suction source 70. [

지지 기대 (48) 에는, 원주 방향으로 90°이간되어 4 개의 클램프 (56) 가 장착되어 있다. 각 클램프 (56) 는, 지지 기대 (48) 에 고정된 도시되지 않은 1 쌍의 에어 실린더를 갖고 있다. 에어 실린더의 피스톤 로드 (58) 는 지지 부재 (60) 에 연결되어 있다. 지지 부재 (60) 에는 에어 액추에이터 (62) 가 고정되어 있고, 에어 액추에이터 (62) 가 90°회전되는 회전축 (64) 을 갖고 있다.In the support base 48, four clamps 56 are mounted at intervals of 90 degrees in the circumferential direction. Each of the clamps 56 has a pair of air cylinders (not shown) fixed to the support base 48. The piston rod (58) of the air cylinder is connected to the support member (60). An air actuator 62 is fixed to the support member 60 and has a rotary shaft 64 that rotates the air actuator 62 by 90 degrees.

회전축 (64) 에 L 형상의 클램프 클로 (누름 부재) (66) 가 고정되어 있다. 에어 액추에이터 (62) 에 의해 회전축 (64) 을 회전시킴으로써, 클램프 클로 (66) 는, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프를 개재하여 피가공물인 웨이퍼 (11) 를 지지하는 환상 프레임 (F) 을 클램프하는 클램프 위치와, 클램프 위치에 대하여 세워 형성된 해방 위치 사이에서 회동 (回動) 된다.And an L-shaped clamping claw (pressing member) 66 is fixed to the rotating shaft 64. [ 3, the clamp claw 66 rotates the rotary shaft 64 by the air actuator 62 to rotate the annular frame F which supports the wafer 11 as the workpiece via the dicing tape, Between the clamp position for clamping the clamp position and the release position formed so as to stand against the clamp position.

도 3 에 나타내는 바와 같이, 피가공물인 웨이퍼 (11) 는, 격자상으로 형성된 복수의 분할 예정 라인 (13) 으로 구획된 각 영역에 디바이스 (15) 를 갖는 표면을 갖고 있다. 웨이퍼 (11) 의 이면은 외주부가 환상 프레임 (F) 에 장착된 다이싱 테이프 (T) 에 첩착되고, 프레임 유닛 (17) 의 형태로 절삭 장치 (2) 에 투입된다.As shown in Fig. 3, the wafer 11, which is a workpiece, has a surface having a device 15 in each region defined by a plurality of lines to be divided 13 formed in a lattice pattern. The outer peripheral portion of the back surface of the wafer 11 is adhered to the dicing tape T mounted on the annular frame F and put into the cutting device 2 in the form of a frame unit 17. [

도 1 을 다시 참조하면, 장치 기대 (4) 의 상면에는, 피가공물을 절삭하는 절삭 유닛 (14) 을 지지하는 지지 구조 (20) 가, 개구 (4a) 의 상방으로 돌출되도록 배치되어 있다. 지지 구조 (20) 의 전면 (前面) 상부에는, 절삭 유닛 (14) 을 Y 축 방향 (산출 이송 방향) 및 Z 축 방향 (상하 방향) 으로 이동시키는 절삭 유닛 이동 기구 (22) 가 형성되어 있다.Referring back to Fig. 1, on the upper surface of the apparatus base 4, a supporting structure 20 for supporting a cutting unit 14 for cutting a workpiece is arranged so as to protrude above the opening 4a. A cutting unit moving mechanism 22 for moving the cutting unit 14 in the Y-axis direction (calculated feeding direction) and the Z-axis direction (vertical direction) is formed on the front surface of the supporting structure 20.

절삭 유닛 이동 기구 (22) 는, 지지 구조 (20) 의 전면에 배치되고 Y 축 방향에 평행한 1 쌍의 Y 축 가이드 레일 (24) 을 구비하고 있다. Y 축 가이드 레일 (24) 에는, 절삭 유닛 이동 기구 (22) 를 구성하는 Y 축 이동 플레이트 (26) 가 슬라이드 가능하게 장착되어 있다. Y 축 이동 플레이트 (26) 의 이면측 (후면측) 에는, 너트부 (도시 생략) 가 형성되어 있고, 이 너트부에는, Y 축 가이드 레일 (24) 에 평행한 Y 축 볼 나사 (28) 가 나사 결합되어 있다.The cutting unit moving mechanism 22 has a pair of Y-axis guide rails 24 disposed on the front surface of the support structure 20 and parallel to the Y-axis direction. A Y-axis moving plate 26 constituting a cutting unit moving mechanism 22 is slidably mounted on the Y-axis guide rail 24. A nut portion (not shown) is formed on the back side (rear side) of the Y-axis moving plate 26. A Y-axis ball screw 28 parallel to the Y-axis guide rail 24 Threaded.

Y 축 볼 나사 (28) 의 일단부에는, Y 축 펄스 모터 (도시 생략) 가 연결되어 있다. Y 축 펄스 모터로 Y 축 볼 나사 (28) 를 회전시키면, Y 축 이동 플레이트 (26) 는, Y 축 가이드 레일 (24) 을 따라 Y 축 방향으로 이동한다. Y 축 이동 플레이트 (26) 의 표면 (전면) 에는, Z 축 방향에 평행한 1 쌍의 Z 축 가이드 레일 (30) 이 형성되어 있다. Z 축 가이드 레일 (30) 에는, Z 축 이동 플레이트 (32) 가 슬라이드 가능하게 장착되어 있다.A Y-axis pulse motor (not shown) is connected to one end of the Y-axis ball screw 28. When the Y-axis ball screw 28 is rotated by the Y-axis pulse motor, the Y-axis moving plate 26 moves along the Y-axis guide rail 24 in the Y-axis direction. On the surface (front surface) of the Y-axis moving plate 26, a pair of Z-axis guide rails 30 parallel to the Z-axis direction is formed. On the Z-axis guide rail 30, a Z-axis moving plate 32 is slidably mounted.

Z 축 이동 플레이트 (32) 의 이면측 (후면측) 에는, 너트부 (도시 생략) 가 형성되어 있고, 이 너트부에는, Z 축 가이드 레일 (30) 에 평행한 Z 축 볼 나사 (34) 가 나사 결합되어 있다. Z 축 볼 나사 (34) 의 일단부에는, Z 축 펄스 모터 (36) 가 연결되어 있다. Z 축 펄스 모터 (36) 로 Z 축 볼 나사 (34) 를 회전시키면, Z 축 이동 플레이트 (32) 는, Z 축 가이드 레일 (30) 을 따라 Z 축 방향으로 이동한다.A Z-axis ball screw 34 (parallel to the Z-axis guide rail 30) is provided on the rear side (rear side) of the Z-axis moving plate 32, Threaded. A Z-axis pulse motor 36 is connected to one end of the Z-axis ball screw 34. When the Z axis ball screw 34 is rotated by the Z axis pulse motor 36, the Z axis movement plate 32 moves in the Z axis direction along the Z axis guide rail 30.

Z 축 이동 플레이트 (32) 의 하부에는, 피가공물을 가공하는 절삭 유닛 (14) 과, 촬상 유닛 (38) 이 고정되어 있다. 절삭 유닛 이동 기구 (22) 로 Y 축 이동 플레이트 (26) 를 Y 축 방향으로 이동시키면, 절삭 유닛 (14) 및 촬상 유닛 (38) 은 산출 이송되고, Z 축 이동 플레이트 (32) 를 Z 축 방향으로 이동시키면, 절삭 유닛 (14) 및 촬상 유닛 (38) 은 승강한다.At a lower portion of the Z-axis moving plate 32, a cutting unit 14 for processing a workpiece and an image pickup unit 38 are fixed. When the Y-axis moving plate 26 is moved in the Y-axis direction by the cutting unit moving mechanism 22, the cutting unit 14 and the image pickup unit 38 are calculated and fed, and the Z-axis moving plate 32 is moved in the Z- The cutting unit 14 and the image pickup unit 38 are raised and lowered.

40 은 세정 유닛이며, 절삭 유닛 (14) 에 의해 절삭 가공이 실시된 피가공물은, 반송 기구 (도시 생략) 에 의해 척 테이블 (50) 로부터 세정 유닛 (40) 에 반송된다. 세정 유닛 (40) 은, 통상 (筒狀) 의 세정 공간 내에서 피가공물을 흡인 유지하는 스피너 테이블 (42) 을 구비하고 있다. 스피너 테이블 (42) 의 하부에는, 스피너 테이블 (42) 을 소정의 속도로 회전시키는 모터 등의 회전 구동원이 연결되어 있다.Reference numeral 40 denotes a cleaning unit. The workpiece subjected to the cutting process by the cutting unit 14 is transported from the chuck table 50 to the cleaning unit 40 by a transport mechanism (not shown). The cleaning unit 40 is provided with a spinner table 42 for sucking and holding a workpiece in a cylindrical cleaning space. A rotation driving source such as a motor for rotating the spinner table 42 at a predetermined speed is connected to the lower portion of the spinner table 42. [

스피너 테이블 (42) 의 상방에는, 피가공물을 향하여 세정용의 유체 (대표적으로는, 물과 에어를 혼합한 이류체) 를 분사하는 분사 노즐 (44) 이 배치 형성되어 있다. 피가공물을 유지한 스피너 테이블 (42) 을 회전시키면서 분사 노즐 (44) 로부터 세정용의 유체를 분사하면, 절삭 가공 후의 피가공물을 세정할 수 있다. 세정 유닛 (40) 으로 세정된 피가공물은, 반송 기구 (도시 생략) 에 의해 카세트 (18) 내에 수용된다.Above the spinner table 42, an injection nozzle 44 for spraying a cleaning fluid (representatively, a mixed body of water and air) toward the workpiece is disposed. When the cleaning fluid is sprayed from the spray nozzle 44 while rotating the spinner table 42 holding the workpiece, the workpiece after the cutting can be cleaned. The workpiece cleaned by the cleaning unit 40 is received in the cassette 18 by a transport mechanism (not shown).

다시 도 2 를 참조하면, 척 테이블 (50) 의 흡인 유지부 (54) 의 흡착면 (54a) 에는, 동그라미 A 부분의 확대도에 나타내는 바와 같이, 서로 직교하는 복수의 미세홈 (68) 이 형성되어 있다. 미세홈 (68) 의 폭은 25 ㎛ 이하가 바람직하고, 본 실시형태에서는 폭 18 ㎛ 의 미세홈 (68) 을 형성하였다.2, a plurality of fine grooves 68 orthogonal to each other are formed on the attracting surface 54a of the suction holding portion 54 of the chuck table 50, as shown in an enlarged view of a portion of a circle A . The width of the fine grooves 68 is preferably 25 占 퐉 or less, and in this embodiment, the fine grooves 68 having a width of 18 占 퐉 are formed.

도 4 의 B 부분의 확대도에 나타내는 바와 같이, 포러스 세라믹스제 흡인 유지부 (54) 의 흡착면 (54a) 의 통기공 면적률은 60 ％ 이하이고, 흡착면 (54a) 에는 복수의 통기공 (54b) 이 개구되어 있다. 본 실시형태에서는 또한, 흡착면 (54a) 에 복수의 미세홈 (68) 이 형성되어 있다.As shown in the enlarged view of the portion B in Fig. 4, the air hole area ratio of the adsorption face 54a of the suction holding portion 54 made of porous ceramics is 60% or less, and the adsorption face 54a has a plurality of air holes 54b are opened. In this embodiment, a plurality of fine grooves 68 are formed on the attracting surface 54a.

다음으로, 도 4 에 나타내는 흡인 유지부 (54) 로서 포러스 세라믹스를 채용한 척 테이블 (50) 에 대해, 통기공 면적률, 홈 폭, 홈 피치를 변경하며 압력계가 충분한 부압인 -0.7 ㎫ 가 될 때까지의 시간을 계측하는 실험을 실시하여 표 1 에 나타내는 결과를 얻었다.Next, with respect to the chuck table 50 using porous ceramics as the suction holding section 54 shown in Fig. 4, the ventilation hole area ratio, groove width and groove pitch are changed, and the pressure gauge becomes negative pressure of -0.7 MPa And the results shown in Table 1 were obtained.

이 실험에서는, 100 ㎜ × 100 ㎜ 의 구멍을 뚫은 다이싱 테이프를 흡착면 (54a) 에 첩부하여 척 테이블 (50) 의 노출면을 100 ㎜ × 100 ㎜ 의 영역으로 조정하고, 2 ㏄ 의 물을 흡착면 (54a) 의 노출 영역에 공급한 후, 척 테이블 (50) 에 접속된 흡인원 (70) 을 작동시켜, 통기공 면적률 및 홈 피치를 변화시키면서 흡인로 (52a) 에 접속된 압력계가 -0.7 ㎫ 의 부압이 될 때까지의 시간을 측정하였다. 또한, 미세홈 (68) 의 폭은 20 ㎛ 로 고정시켰다.In this experiment, a dicing tape punched with a hole of 100 mm x 100 mm was attached to the adsorption surface 54a, the exposed surface of the chuck table 50 was adjusted to a region of 100 mm x 100 mm, and 2 cc of water The suction source 70 connected to the chuck table 50 is operated to change the air hole area ratio and the groove pitch so that the pressure gauge connected to the suction path 52a And the time until negative pressure of -0.7 MPa was reached was measured. Further, the width of the fine grooves 68 was fixed to 20 탆.

Figure pat00001
Figure pat00001

테스트 NO1 은 흡착면 (54a) 의 통기공 면적률이 75 ％ 인 종래의 척 테이블로서, 흡착면 (54a) 에는 미세홈이 형성되어 있지 않다. 테스트 NO2 는 흡착면 (54a) 의 통기공 면적률이 60 ％ 이고 미세홈이 형성되어 있지 않은 척 테이블로서, 흡인 시간은 4 초로, 긴 흡인 시간을 필요로 하였다.The test NO1 is a conventional chuck table having a vent hole area ratio of 75% on the adsorption surface 54a. No fine grooves are formed on the adsorption surface 54a. The test NO2 was a chuck table having an air hole area ratio of 60% on the adsorption surface 54a and no fine grooves formed, requiring a suction time of 4 seconds and a long suction time.

테스트 NO3 은 흡착면 (54a) 의 통기공 면적률이 60 ％ 이고 1 ㎜ 의 간격으로 20 ㎛ 의 복수의 미세홈을 형성한 경우로서, 흡인 시간은 2.5 초로 단축되었다. 테스트 NO4 ∼ 테스트 NO7 은 흡착면 (54a) 의 통기공 면적률이 45 ％ 인 경우로서, 미세홈 (68) 이 형성되어 있지 않은 테스트 NO4 의 케이스에서는 흡인 시간은 6.68 초가 되어, 매우 긴 시간을 필요로 하였다.Test No. 3 was a case where a plurality of fine grooves of 20 탆 were formed at intervals of 1 mm with the air hole area ratio of the adsorption surface 54a being 60%, and the suction time was shortened to 2.5 seconds. Test Nos. 4 to 7 show the case where the air hole area ratio of the adsorption face 54a is 45%. In the case of the test No. 4 in which the fine grooves 68 are not formed, the suction time is 6.68 seconds, Respectively.

테스트 NO5 ∼ 테스트 NO7 은, 폭 20 ㎛ 의 미세홈 (68) 을 홈 피치 1 ㎜, 0.5 ㎜, 0.25 ㎜ 로 형성한 케이스로서, 홈 피치를 작게 함에 따라 흡인 시간이 짧아진 것이 관찰된다.Test Nos. 5 to 7 are cases in which fine grooves 68 having a width of 20 占 퐉 are formed at groove pitches of 1 mm, 0.5 mm, and 0.25 mm. As the groove pitch is reduced, the suction time is observed to be shortened.

이 실험 결과로부터, 흡착면 (54a) 의 통기공 면적률이 60 ％ 인 경우에는, 폭 20 ㎛ 의 미세홈 (68) 을 1 ㎜ 의 피치 간격으로 형성하면 흡인 시간을 충분히 짧게 할 수 있음이 관찰된다.It can be seen from the results of this experiment that when the air hole area ratio of the adsorption surface 54a is 60%, it is possible to sufficiently shorten the suction time by forming the fine grooves 68 having a width of 20 탆 at pitch intervals of 1 mm do.

흡착면 (54a) 의 통기공 면적률이 45 ％ 인 경우에는, 폭 20 ㎛ 의 미세홈 (68) 을 1 ㎜ 의 피치 간격으로 형성한 케이스에서는, 흡인 시간이 상당히 길게 걸리기 때문에, 홈 피치는 0.5 ㎜ 간격으로 할 필요가 있음을 간파할 수 있다.In the case where the air hole area ratio of the adsorption surface 54a is 45%, the suction time is considerably long in the case where fine grooves 68 having a width of 20 占 퐉 are formed at pitch intervals of 1 mm, so that the groove pitch is 0.5 It is necessary to arrange it at intervals of several millimeters.

이 실험 결과로부터, 흡착면 (54a) 의 통기공 면적률이 60 ％ 이하이고, 또한 폭 20 ㎛ 의 미세홈 (68) 을 1 ㎜ 의 피치 이하로 형성한 경우, 충분히 짧은 시간에 원하는 흡인력이 얻어짐이 판명되었다.From the results of this experiment, it was found that when the air hole area ratio of the adsorption face 54a was 60% or less and the fine grooves 68 having a width of 20 m were formed at a pitch of 1 mm or less, The baggage was confirmed.

다음으로, 통기공 면적률을 45 ％, 홈 피치 0.5 ㎜ 로 고정시키고, 미세홈 (68) 의 폭을 30 ㎛, 25 ㎛, 20 ㎛, 15 ㎛ 로 변화시킨 경우의 가로 세로 0.5 ㎜ 로 실리콘 웨이퍼를 다이싱한 칩의 이면 치핑 및 크랙 (코너 크랙) 의 발생 정도에 대해 고찰하여, 표 2 의 결과를 얻었다.Next, the air hole area ratio was fixed to 45% and the groove pitch was set to 0.5 mm, and the width of the fine grooves 68 was changed to 30 탆, 25 탆, 20 탆 and 15 탆, And the degree of occurrence of cracks (cracks in the corner) of the backside chipping of a chip diced with the result of Table 2 were obtained.

표 2 에서 이면 치핑에 대해서는, ○ 표시는 치핑 없음, △ 표시는 근소한 치핑 있음, × 표시는 분명한 치핑 발생을 나타내고 있다. 또, 크랙에 대해서는, 테스트 NO1 ∼ 테스트 NO4 에 걸쳐서 크랙이 발생하지 않았음을 나타내고 있다.In Table 2, with respect to the backside chipping, a circle indicates no chipping, a mark Δ indicates slight chipping, and a mark X indicates a clear chipping occurrence. As for the cracks, it is shown that no cracks have occurred over the test NO1 to the test NO4.

Figure pat00002
Figure pat00002

표 2 의 실험 결과로부터, 흡착면 (54a) 의 통기공 면적률이 45 ％ 인 포러스 세라믹스로 흡인 유지부 (54) 를 형성하고, 또한 미세홈 (68) 의 폭을 25 ㎛ 이하로 설정하면, 이면 치핑 및 크랙에 대해서도 충분히 양호한 결과가 얻어짐이 판명되었다.From the experimental results in Table 2, it is found that when the suction holding section 54 is formed of porous ceramics having the air hole area ratio of the adsorption surface 54a of 45% and the width of the fine grooves 68 is set to 25 占 퐉 or less, It has been found that a satisfactory result can be obtained for the backside chipping and cracks.

도 5(A) 를 참조하면, 포러스 세라믹스로 형성된 흡인 유지부 (54) 로 다이싱 테이프 (T) 를 개재하여 피가공물인 웨이퍼 (11) 를 흡인 유지하고 절삭 유닛 (14) 의 절삭 블레이드 (76) 로 웨이퍼 (11) 를 절삭 가공하고 있는 상태의 일부 확대 종단면도가 도시되어 있다.5A, a suction holding unit 54 formed of porous ceramics sucks and holds a wafer 11 to be a workpiece via a dicing tape T, and the cutting blade 76 In a state where the wafer 11 is cut with a cutting tool (not shown).

절삭 유닛 (14) 은, 고속 회전하는 스핀들 (74) 의 선단에 장착된 절삭 블레이드 (76) 를 갖고 있다. 웨이퍼 (11) 를 절삭 블레이드 (76) 로 절삭 가공할 때에는, 도 6(A) 에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 (11) 의 격자상으로 형성된 복수의 분할 예정 라인 (13) 을 흡착면 (54a) 에 형성된 미세홈 (68) 의 연장 방향과 교차하도록 웨이퍼 (11) 를 흡착면 (54a) 상에 재치한다.The cutting unit 14 has a cutting blade 76 mounted on the tip of a spindle 74 rotating at a high speed. 6 (A), when the wafer 11 is cut with the cutting blade 76, a plurality of lines to be divided 13, which are formed in a lattice pattern of the wafer 11, are held on the attracting surface 54a The wafer 11 is placed on the attracting surface 54a so as to cross the extending direction of the fine grooves 68 formed.

바람직하게는, 웨이퍼 (11) 의 분할 예정 라인 (13) 이 미세홈 (68) 의 연장 방향과 개략 45°로 교차하도록 웨이퍼 (11) 를 흡착면 (54a) 상에 재치한다. 교차하는 분할 예정 라인 (13) 에 의해 구획된 영역에는 디바이스 (15) 가 형성되어 있다.The wafer 11 is placed on the attracting surface 54a so that the line along which the dividing line 13 of the wafer 11 intersects the extending direction of the fine grooves 68 at an angle of about 45 degrees. A device 15 is formed in an area defined by intersecting scheduled lines 13 to be divided.

웨이퍼 (11) 를 흡착면 (54a) 상에 도 6(A) 에 나타내는 바와 같은 상태로 재치한 후, 도 5(A) 에 나타내는 바와 같이, 전자 전환 밸브 (72) 를 연통 위치로 전환시켜 흡인원 (70) 을 작동시키면, 흡인 유지부 (54) 의 흡착면 (54a) 에 형성된 통기공 (54b) 및 미세홈 (68) 을 통하여 다이싱 테이프 (T) 에 흡인력이 작용하고, 웨이퍼 (11) 는 다이싱 테이프 (T) 를 개재하여 척 테이블 (50) 에 흡인 유지된다.The wafer 11 is placed on the attracting surface 54a in the state shown in Figure 6A and then the electromagnetic switching valve 72 is switched to the communicating position as shown in Figure 5A, A suction force acts on the dicing tape T through the vent hole 54b and the fine grooves 68 formed in the attracting surface 54a of the suction holding portion 54 and the wafer 11 Is suction-held by the chuck table 50 via the dicing tape T.

절삭 블레이드 (76) 는 웨이퍼 (11) 의 분할 예정 라인 (13) 에 다이싱 테이프 (T) 에 이를 때까지 절입하여 분할 예정 라인 (13) 을 절삭하는데, 분할 예정 라인 (13) 이 흡착면 (54a) 에 형성된 미세홈 (68) 의 연장 방향과 교차하도록 웨이퍼 (11) 는 흡착면 (54a) 에 흡인 유지되어 있기 때문에, 흡착면 (54a) 의 통기공률이 60 ％ 이하여도, 미세홈 (68) 에 의한 흡착력의 향상을 도모할 수 있어, 절삭된 디바이스 칩의 이면의 결손이나 코너 크랙의 발생을 억제할 수 있다.The cutting blade 76 cuts the line to be divided 13 along the dividing line 13 of the wafer 11 until it reaches the dicing tape T so that the line to be divided 13 reaches the suction surface The wafer 11 is attracted and held on the attracting surface 54a so as to intersect the extending direction of the fine grooves 68 formed in the fine grooves 68a and 54a so that even if the air permeability of the attracting surface 54a is 60% ) Can be improved, and it is possible to suppress the occurrence of defects on the back surface of the cut device chip and the generation of corner cracks.

본 실시형태에서는, 흡착면 (54a) 의 통기공률을 60 ％ 이하로 설정하였기 때문에, 웨이퍼 (11) 를 지지하는 흡착면 (54a) 의 면적을 충분히 확보할 수 있다. 흡착면 (54a) 에 미세홈 (68) 이 형성되어 있지 않은 경우에는, 흡착면 (54a) 에 의한 흡착력은 충분하지 않지만, 흡착력 부족을 미세홈 (68) 으로 보충할 수 있다. 따라서, 디바이스 칩의 이면의 결손이나 코너 크랙의 발생을 억제할 수 있다.In this embodiment, since the air permeability of the adsorption face 54a is set to 60% or less, the area of the adsorption face 54a for supporting the wafer 11 can be sufficiently secured. In the case where the fine grooves 68 are not formed on the adsorption face 54a, the adsorption force by the adsorption face 54a is not sufficient, but the lack of adsorption force can be supplemented by the fine grooves 68. [ Therefore, it is possible to suppress defects on the back surface of the device chip and occurrence of corner cracks.

도 5(B) 를 참조하면, 본 발명 제 2 실시형태의 척 테이블 (50A) 을 사용하여 웨이퍼 (11) 를 절삭 가공할 때의 종단면도가 도시되어 있다. 본 실시형태의 척 테이블 (50A) 은 스테인리스강 (SUS) 등의 금속으로 형성된 유지 플레이트 (78) 로 구성된다.Referring to Fig. 5 (B), there is shown a longitudinal sectional view at the time of cutting the wafer 11 by using the chuck table 50A of the second embodiment of the present invention. The chuck table 50A of the present embodiment is composed of a holding plate 78 formed of a metal such as stainless steel (SUS).

유지 플레이트 (78) 의 흡착면 (78a) 에는 서로 직교하는 방향으로 형성된 복수의 미세홈 (80) 이 형성되어 있다. 직교하는 미세홈 (80) 의 교차점의 몇 개인가에는, 도 6(B) 에 나타내는 바와 같이, 흡인공 (82) 이 개구되어 있고, 이들 흡인공 (82) 은 도 5(B) 에 나타내는 흡인로 (84) 에 접속되어 있다.On the attracting surface 78a of the retaining plate 78, a plurality of fine grooves 80 formed in directions perpendicular to each other are formed. As shown in Fig. 6 (B), a suction hole 82 is opened for some of the intersections of the orthogonal fine grooves 80. These suction holes 82 are connected to suction ports 82 as shown in Fig. 5 (B) (Not shown).

따라서, 전자 전환 밸브 (72) 를 도 5(B) 에 나타내는 연통 위치로 전환시키면, 흡인원 (70) 의 부압이 유지 플레이트 (78) 의 흡착면 (78a) 에 형성된 미세홈 (80) 에 전달되고, 웨이퍼 (11) 가 다이싱 테이프 (T) 를 개재하여 유지 플레이트 (78) 에 흡인 유지된다.5 (B), the negative pressure of the suction source 70 is transmitted to the fine grooves 80 formed on the suction surface 78a of the holding plate 78 And the wafer 11 is sucked and held by the holding plate 78 via the dicing tape T.

본 실시형태의 척 테이블 (50A) 에서는, 폭 20 ㎛ 의 미세홈 (80) 이 0.25 ㎜ 의 피치로 형성되어 있기 때문에, 미세홈 (80) 에 약 -0.7 ㎫ 의 부압을 발생시킬 수 있고, 다이싱 테이프 (T) 를 개재하여 웨이퍼 (11) 를 충분한 흡인력으로 유지할 수 있다.In the chuck table 50A of the present embodiment, since the fine grooves 80 having a width of 20 mu m are formed at a pitch of 0.25 mm, a negative pressure of about -0.7 MPa can be generated in the fine grooves 80, The wafer 11 can be maintained at a sufficient suction force via the single tape T.

본 실시형태의 척 테이블 (50A) 에서도, 도 6(B) 에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 (11) 의 분할 예정 라인 (13) 이 유지 플레이트 (78) 의 흡착면 (78a) 에 형성된 미세홈 (80) 의 연장 방향과 개략 45°로 교차하도록 웨이퍼 (11) 를 유지 플레이트 (78) 상에 재치하고 나서, 흡인원 (70) 의 부압을 미세홈 (80) 에 작용시킨다.The chuck table 50A of the present embodiment is configured so that the line along which the wafer 11 is to be divided of the wafer 11 is separated from the fine grooves 80 formed on the attracting surface 78a of the holding plate 78 The negative pressure of the suction source 70 is applied to the fine grooves 80 after the wafer 11 is placed on the holding plate 78 so as to intersect at an angle of about 45 degrees with respect to the extending direction of the suction source 70. [

본 실시형태의 척 테이블 (50A) 은 무구 (無垢) 의 유지 플레이트 (78) 로 웨이퍼 (11) 를 지지하기 때문에, 충분한 지지 면적을 확보할 수 있고, 흡착면 (78a) 에 형성된 미세홈 (80) 의 부압에 의해 다이싱 테이프 (T) 를 개재하여 웨이퍼 (11) 를 충분히 흡인 유지할 수 있다. 따라서, 다이싱된 디바이스 칩의 이면의 결손이나 크랙 (코너 크랙) 의 발생을 억제할 수 있다.Since the chuck table 50A of the present embodiment supports the wafer 11 by the solid holding plate 78, a sufficient supporting area can be secured, and the fine grooves 80 The wafer 11 can be sucked sufficiently through the dicing tape T. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of defects or cracks (corner cracks) on the back surface of the diced device chip.

6 : 척 테이블 기구
11 : 웨이퍼
13 : 분할 예정 라인
15 : 디바이스
50 : 척 테이블
52 : 프레임체
54 : 흡인 유지부
54a : 흡착면
68, 80 : 미세홈
70 : 흡인원
76 : 절삭 블레이드
78 : 유지 플레이트
78a : 흡착면
82 : 흡인공
T : 다이싱 테이프6: chuck table mechanism
11: wafer
13: Line to be divided
15: Device
50: chuck table
52: frame body
54:
54a: absorption surface
68, 80: fine groove
70: suction source
76: cutting blade
78: Retaining plate
78a: adsorption surface
82: suction ball
T: Dicing tape

Claims (4)

환상 프레임의 개구를 막도록 그 환상 프레임에 고정된 다이싱 테이프에 첩착되고, 표면이 교차하는 복수의 분할 예정 라인으로 구획된 각 영역에 각각 디바이스가 형성된 피가공물을, 그 다이싱 테이프를 개재하여 척 테이블의 흡착면으로 유지하고, 절삭 블레이드로 피가공물을 절삭하는 피가공물의 절삭 방법으로서,
그 척 테이블의 그 흡착면에는, 흡인원과 흡인로로 연통된 교차하는 복수의 미세홈이 형성되어 있고,
그 분할 예정 라인과 그 미세홈의 연장 방향이 서로 교차하는 방향으로 그 척 테이블의 그 흡착면에 재치된 피가공물을 그 척 테이블로 흡인 유지하는 흡인 유지 스텝과,
그 흡인 유지 스텝을 실시한 후, 그 피가공물을 절삭 블레이드로 절삭하여 분할하는 분할 스텝을 구비한 것을 특징으로 하는 피가공물의 절삭 방법. A workpiece bonded to a dicing tape fixed to the annular frame so as to cover the opening of the annular frame and each having a device formed on each of the areas divided by a plurality of lines to be divided with their surfaces intersecting, A cutting method of a workpiece holding a workpiece with a cutting blade while holding the workpiece with an adsorption surface of a chuck table,
On the chuck table, a plurality of intersecting fine grooves communicating with the suction source by a suction path are formed on the adsorption surface of the chuck table,
A suction holding step of sucking and holding the workpiece placed on the suction surface of the chuck table in a direction in which the line to be divided and the extending direction of the fine grooves intersect with each other,
And a dividing step of dividing the workpiece by cutting with a cutting blade after performing the suction holding step. 제 1 항에 기재된 피가공물의 절삭 방법에 사용하는 절삭 장치의 척 테이블로서,
피가공물의 이면에 첩착된 다이싱 테이프를 개재하여 그 피가공물을 지지하는 그 척 테이블의 흡착면에는, 흡인원과 연통로로 연통된 교차하는 복수의 미세홈이 형성되어 있는, 절삭 장치의 척 테이블.A chuck table of a cutting device used in a cutting method of a workpiece according to claim 1,
Wherein a chuck table supporting the workpiece with a dicing tape adhered to the back surface of the workpiece is provided with a plurality of intersecting fine grooves communicating with the suction source through a communication path, table. 제 2 항에 있어서,
그 척 테이블의 그 흡착면의 통기공 면적이 60 ％ 이하인, 절삭 장치의 척 테이블.3. The method of claim 2,
Wherein a vent hole area of an adsorbing surface of the chuck table is 60% or less. 제 3 항에 있어서,
그 척 테이블의 그 흡착면은 포러스 세라믹스에 의해 형성되어 있는, 절삭 장치의 척 테이블.The method of claim 3,
And the attracting surface of the chuck table is formed by porous ceramics.
KR1020180154198A 2017-12-28 2018-12-04 Method of cutting workpiece and chuck table of cutting apparatus KR20190080738A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017254124A JP2019118982A (en) 2017-12-28 2017-12-28 Work-piece cutting method and chuck table of cutting device
JPJP-P-2017-254124 2017-12-28

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20190080738A true KR20190080738A (en) 2019-07-08

Family

ID=67165210

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180154198A KR20190080738A (en) 2017-12-28 2018-12-04 Method of cutting workpiece and chuck table of cutting apparatus

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2019118982A (en)
KR (1) KR20190080738A (en)
CN (1) CN110010541A (en)
TW (1) TWI789474B (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI758826B (en) * 2020-08-19 2022-03-21 萬潤科技股份有限公司 Cutting method, cutting equipment and auxiliary components used in the cutting method

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000323440A (en) 1999-05-10 2000-11-24 Disco Abrasive Syst Ltd Chuck table
JP2004356357A (en) 2003-05-29 2004-12-16 Disco Abrasive Syst Ltd Cutting method

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5029418A (en) * 1990-03-05 1991-07-09 Eastman Kodak Company Sawing method for substrate cutting operations
JPH03261162A (en) * 1990-03-12 1991-11-21 Fujitsu Ltd Manufacture of semiconductor device
JPH11307619A (en) * 1998-04-20 1999-11-05 Yamatake Corp Wafer fixing device
JP6173173B2 (en) * 2013-11-11 2017-08-02 株式会社ディスコ Cutting equipment
JP6389755B2 (en) * 2014-12-22 2018-09-12 株式会社ディスコ Cutting apparatus and cutting method
JP6636737B2 (en) * 2015-07-13 2020-01-29 株式会社ＳｔｏＭ Magnesium reduction furnace
JP6976710B2 (en) * 2016-04-28 2021-12-08 京セラ株式会社 Porous ceramic body, adsorption member and method for manufacturing the porous ceramic body

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000323440A (en) 1999-05-10 2000-11-24 Disco Abrasive Syst Ltd Chuck table
JP2004356357A (en) 2003-05-29 2004-12-16 Disco Abrasive Syst Ltd Cutting method

Also Published As

Publication number Publication date
TWI789474B (en) 2023-01-11
CN110010541A (en) 2019-07-12
JP2019118982A (en) 2019-07-22
TW201931452A (en) 2019-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7608523B2 (en) Wafer processing method and adhesive tape used in the wafer processing method
JP4731241B2 (en) Wafer division method
JP6214901B2 (en) Cutting equipment
JP4874602B2 (en) Adhesive tape used for wafer processing method and wafer processing method
JP5436917B2 (en) Laser processing equipment
JP5604186B2 (en) Processing equipment
KR20170107383A (en) Workpiece cutting method
JP2017054956A (en) Support tool for workpiece
JP2007088361A (en) Cutting device
JP2010278052A (en) Chuck table of cutting device
JP7043346B2 (en) Cutting equipment
KR20190080738A (en) Method of cutting workpiece and chuck table of cutting apparatus
JP2007059802A (en) Machining method of wafer, and pressure-sensitive adhesive tape used for the same
JP5244548B2 (en) Holding table and processing device
JP2015093341A (en) Dresser board and dressing method
JP6043595B2 (en) Cutting equipment
KR102034318B1 (en) Machining apparatus
JP6850569B2 (en) Polishing method
JP5657935B2 (en) Cutting equipment
JP6084144B2 (en) Cutting method
JP2018134723A (en) Cutting device
JP7312058B2 (en) Measurement jig and method of measuring water pressure distribution
JP2009032867A (en) Dividing device
JP2019186426A (en) Chip manufacturing method
JP2019036682A (en) Chip manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application