JP2019118982A - Work-piece cutting method and chuck table of cutting device - Google Patents
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Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 9
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 7
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 abstract description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 29
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 12
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000000274 adsorptive effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
Abstract
Description
本発明は、被加工物の切削方法及び該切削方法に用いる切削装置のチャックテーブルに関する。 The present invention relates to a method of cutting a workpiece and a chuck table of a cutting device used for the cutting method.
半導体デバイスや光デバイス、ＳＡＷフィルターデバイス等各種デバイスが形成されたウェーハや、セラミックスやガラス、パッケージウェーハ等の被加工物を切削して分割する切削装置（ダイシングソー）が知られている。 BACKGROUND A cutting device (dicing saw) is known that cuts and divides a workpiece such as a wafer on which various devices such as semiconductor devices, optical devices, and SAW filter devices are formed, ceramics, glass, and package wafers.
切削装置は、ダイシングテープを介してチャックテーブルに吸引保持された被加工物を高速回転する切削ブレードで切削して加工する。切削する際には、被加工物が振動することなく強固に固定されることで切削による欠け、特に被加工物の裏面側に発生する欠け（チッピング）やコーナークラックを抑制することができることが知られており、従来は、被加工物全面に吸着力を発生させるため、ポーラスセラミックスを吸着板として用いている（例えば、特開２０００−３２３４４０号広報参照）。 The cutting device cuts and processes the workpiece held by suction on the chuck table via the dicing tape with a high-speed rotating cutting blade. When cutting, it is known that chipping by cutting, in particular chipping (chipping) and corner cracks generated on the back side of the workpiece can be suppressed by firmly fixing the workpiece without vibration. Conventionally, porous ceramics are used as an adsorption plate in order to generate an adsorption force on the entire surface of a workpiece (for example, see JP-A-2000-323440).
ポーラスセラミックスは、全面に吸着力を発生させることができる反面、吸着面全面に微細な通気孔があるため、通気孔に対応する位置では被加工物を支持していないので、通気孔の部分は欠けが発生し易いという課題があった。 While porous ceramics can generate an adsorption force on the entire surface, they have fine air holes on the entire surface of the suction surface, and therefore the workpiece is not supported at the position corresponding to the air holes. There is a problem that chipping is likely to occur.
そこで、被加工物を載置する載置面に開口する複数の吸引孔が形成された被加工物保持プレートをチャックテーブル上に載置し、被加工物保持プレートでダイシングテープを介して被加工物を吸引保持するという方法が、特開２００４−３５６３５７号広報で提案されている。 Therefore, the workpiece holding plate having a plurality of suction holes formed in the placement surface on which the workpiece is placed is placed on the chuck table, and the workpiece holding plate is processed via the dicing tape Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-356357 proposes a method of sucking and holding an object.
しかし、特許文献２に記載された被加工物保持プレートを介して被加工物を吸引保持する形態では、図７に示すように、チップ５の裏面の欠け７やコーナークラック９が発生し易い薄い被加工物１や小さいチップサイズの被加工物の場合、吸着力が極端に弱くなるため、被加工物の裏面に発生する欠けやコーナークラックが悪化するという結果になってしまう。図７で３は分割溝である。 However, in the configuration in which the workpiece is suctioned and held via the workpiece holding plate described in Patent Document 2, as shown in FIG. 7, the chipping 7 on the back surface of the chip 5 and the corner crack 9 are easily thin. In the case of the workpiece 1 or a workpiece with a small chip size, the adsorption force is extremely weak, resulting in deterioration of chipping and corner cracks generated on the back surface of the workpiece. In FIG. 7, 3 is a dividing groove.
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、薄い被加工物や小さいチップサイズの被加工物でも、簡単な構成で被加工物の裏面の欠けやコーナークラックの発生を抑制できる被加工物の切削方法及び該切削方法に使用するチャックテーブルを提供することである。 The present invention has been made in view of such a point, and the object of the present invention is to make a chip or a corner of the back surface of a workpiece with a simple configuration even with a thin workpiece or a small chip size workpiece. Abstract: A method of cutting a workpiece capable of suppressing the occurrence of a crack, and a chuck table used for the cutting method.
請求項１記載の発明によると、環状フレームの開口を塞ぐように該環状フレームに固定されたダイシングテープに貼着され、表面が交差する複数の分割予定ラインで区画された各領域にそれぞれデバイスが形成された被加工物を、該ダイシングテープを介してチャックテーブルの吸着面で保持し、切削ブレードで被加工物を切削する被加工物の切削方法であって、該チャックテーブルの該吸着面には、吸引源と吸引路で連通した交差する複数の細溝が形成されており、該分割予定ラインと該細溝の延在方向が互いに交差する向きに該チャックテーブルの該吸着面に載置した被加工物を該チャックテーブルで吸引保持する吸引保持ステップと、該吸引保持ステップを実施した後、該被加工物を切削ブレードで切削して分割する分割ステップと、を備えたことを特徴とする被加工物の切削方法が提供される。 According to the invention as set forth in claim 1, the device is attached to each region which is adhered to the dicing tape fixed to the annular frame so as to close the opening of the annular frame, and is divided by a plurality of planned dividing lines whose surfaces intersect. A method of cutting a workpiece, wherein the formed workpiece is held on the suction surface of the chuck table via the dicing tape, and the workpiece is cut with a cutting blade, the suction surface of the chuck table A plurality of intersecting narrow grooves in communication with the suction source and the suction path are formed, and the plurality of dividing grooves are placed on the suction surface of the chuck table in a direction in which the division lines and the extending directions of the narrow grooves intersect with each other. A sucking and holding step of sucking and holding the workpiece on the chuck table; and a dividing step of cutting and dividing the workpiece with a cutting blade after the suction and holding step is performed; Cutting method of the workpiece, characterized in that it comprises is provided.
請求項２記載の発明によると、請求項１記載の被加工物の切削方法に用いる切削装置のチャックテーブルであって、被加工物の裏面に貼着されたダイシングテープを介して該被加工物を支持する該チャックテーブルの吸着面には、吸引源と連通路で連通した交差する複数の細溝が形成されている切削装置のチャックテーブルが提供される。 According to the second aspect of the present invention, there is provided a chuck table of a cutting device used in the method of cutting a workpiece according to the first aspect, wherein the workpiece is processed via a dicing tape attached to the back surface of the workpiece. The chuck table of the cutting device is provided with a plurality of intersecting narrow grooves in communication with the suction source in the communication path on the suction surface of the chuck table supporting the chuck table.
本発明の切削方法で使用するチャックテーブルの吸着面には、吸引源と吸引路で連通した交差する複数の細溝が形成されており、被加工物をチャックテーブルで吸引保持する際には、被加工物の分割予定ラインとチャックテーブルの吸着面に形成された細溝の延在方向が互いに交差する向きに被加工物を吸着面に載置して吸引保持するため、被加工物を支持する十分な面積を確保しつつ、細溝による被加工物の吸着力のアップを達成でき、被加工物の裏面の欠けやコーナークラックの発生を抑制できる。 On the suction surface of the chuck table used in the cutting method of the present invention, a plurality of intersecting narrow grooves communicated with a suction source and a suction path are formed, and when a workpiece is suctioned and held by the chuck table, The work piece is supported because the work piece is placed on the suction face and held by suction in such a direction that the extension lines of the intended dividing line of the work piece and the narrow grooves formed on the suction face of the chuck table intersect with each other. It is possible to achieve an increase in the adsorptive power of the workpiece by the fine groove while securing a sufficient area for the formation of the chipping and the generation of a corner crack on the back surface of the workpiece.
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１を参照すると、本発明実施形態のチャックテーブルを具備し、半導体ウェーハをダイシングして個々のデバイスチップに分割することのできる切削装置２の斜視図が示されている。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Referring to FIG. 1, there is shown a perspective view of a cutting apparatus 2 equipped with the chuck table of the present invention and capable of dicing a semiconductor wafer and dividing it into individual device chips.
図１に示すように、切削装置２は、切削装置の各機構部を支持する装置基台４を備えている。装置基台４の上面には、Ｘ軸方向（加工送り方向）に長い矩形状の開口４ａが形成されている。 As shown in FIG. 1, the cutting device 2 is provided with a device base 4 that supports each mechanism of the cutting device. A rectangular opening 4 a which is long in the X-axis direction (processing feed direction) is formed on the upper surface of the apparatus base 4.
この開口４ａ内には、チャックテーブル機構６がＸ軸方向に往復動可能に設けられている。チャックテーブル機構６は、図２に示すように、支持基台４８上に搭載された吸引保持部５４を有するチャックテーブル５０を備えており、チャックテーブル５０の周囲にはウォーターカバー８が配設されている。ウォーターカバー８と支持基台４との間には蛇腹１０が連結されている。チャックテーブル５０の周囲には４個のクランプ５６が配設されている。 A chuck table mechanism 6 is provided in the opening 4 a so as to be capable of reciprocating in the X-axis direction. As shown in FIG. 2, the chuck table mechanism 6 includes a chuck table 50 having a suction holding portion 54 mounted on a support base 48, and a water cover 8 is disposed around the chuck table 50. ing. A bellows 10 is connected between the water cover 8 and the support base 4. Four clamps 56 are disposed around the chuck table 50.
チャックテーブル機構６は、図示しないボールねじとパルスモータとから構成されたＸ軸方向移動機構によりＸ軸方向に移動可能に配設されている。図２に示すように、チャックテーブル機構６の支持基台４８上には、チャックテーブル５０が搭載されており、チャックテーブル５０は支持基台４８中に収容されたモータにより回転可能に搭載されている。 The chuck table mechanism 6 is disposed movably in the X-axis direction by an X-axis direction moving mechanism composed of a ball screw and a pulse motor (not shown). As shown in FIG. 2, the chuck table 50 is mounted on the support base 48 of the chuck table mechanism 6, and the chuck table 50 is rotatably mounted by a motor housed in the support base 48. There is.
チャックテーブル５０は環状の枠体５２と、枠体５２の図３に示す嵌合凹部５１中に嵌合されたポーラスセラミックスから形成された吸引保持部５４を有している。枠体５２の中心部には図３に示す吸引源７０に電磁切換弁７２を介して接続された吸引路５２ａが形成されており、電磁切換弁７２を図３に示す連通位置に切り替えて吸引源７０を作動することにより、チャックテーブル５０が吸引保持部５４の吸着面５４ａで被加工物を吸引保持する。 The chuck table 50 has an annular frame 52 and a suction holding portion 54 formed of porous ceramics fitted in a fitting recess 51 shown in FIG. 3 of the frame 52. A suction passage 52a connected to the suction source 70 shown in FIG. 3 via the electromagnetic switching valve 72 is formed at the center of the frame 52, and the electromagnetic switching valve 72 is switched to the communication position shown in FIG. By activating the source 70, the chuck table 50 sucks and holds the workpiece on the suction surface 54 a of the suction holding unit 54.
支持基台４８には、円周方向に９０°離間して４個のクランプ５６が取り付けられている。各クランプ５６は、支持基台４８に固定された図示しない一対のエアシリンダを有している。エアシリンダのピストンロッド５８は支持部材６０に連結されている。支持部材６０にはエアアクチュエータ６２が固定されており、エアアクチュエータ６２が９０°回転される回転軸６４を有している。 Four clamps 56 are attached to the support base 48 at intervals of 90 ° in the circumferential direction. Each clamp 56 has a pair of air cylinders (not shown) fixed to the support base 48. The piston rod 58 of the air cylinder is connected to the support member 60. An air actuator 62 is fixed to the support member 60, and the air actuator 62 has a rotation shaft 64 rotated by 90 degrees.
回転軸６４にＬ形状のクランプ爪（押さえ部材）６６が固定されている。エアアクチュエータ６２により回転軸６４を回転することにより、クランプ爪６６は、図３に示すように、ダイシングテープを介して被加工物であるウェーハ１１を支持する環状フレームＦをクランプするクランプ位置と、クランプ位置に対して立設した解放位置との間で回動される。 An L-shaped clamp claw (pressing member) 66 is fixed to the rotating shaft 64. By rotating the rotation shaft 64 by the air actuator 62, as shown in FIG. 3, the clamp claw 66 clamps the annular frame F supporting the wafer 11 as the workpiece via the dicing tape; It is pivoted between a release position erected relative to the clamp position.
図３に示すように、被加工物であるウェーハ１１は、格子状に形成された複数の分割予定ライン１３で区画された各領域にデバイス１５を有する表面を有している。ウェーハ１１の裏面は外周部が環状フレームＦに装着されたダイシングテープＴに貼着され、フレームユニット１７の形態で切削装置２に投入される。 As shown in FIG. 3, the wafer 11 which is a workpiece has a surface having the device 15 in each area divided by a plurality of planned dividing lines 13 formed in a lattice shape. The back surface of the wafer 11 is attached to a dicing tape T whose outer peripheral portion is mounted on an annular frame F, and is introduced into the cutting apparatus 2 in the form of a frame unit 17.
図１を再び参照すると、装置基台４の上面には、被加工物を切削する切削ユニット１４を支持する支持構造２０が、開口４ａの上方に張り出すように配置されている。支持構造２０の前面上部には、切削ユニット１４をＹ軸方向（割り出し送り方向）及びＺ軸方向（上下方向）に移動させる切削ユニット移動機構２２が設けられている。 Referring back to FIG. 1, a support structure 20 for supporting a cutting unit 14 for cutting a workpiece is disposed on the upper surface of the apparatus base 4 so as to project above the opening 4 a. A cutting unit moving mechanism 22 for moving the cutting unit 14 in the Y-axis direction (indexing feed direction) and the Z-axis direction (vertical direction) is provided at the upper front of the support structure 20.
切削ユニット移動機構２２は、支持構造２０の前面に配置されＹ軸方向に平行な一対のＹ軸ガイドレール２４を備えている。Ｙ軸ガイドレール２４には、切削ユニット移動機構２２を構成するＹ軸移動プレート２６がスライド可能に取り付けられている。Ｙ軸移動プレート２６の裏面側（後面側）には、ナット部（不図示）が設けられており、このナット部には、Ｙ軸ガイドレール２４に平行なＹ軸ボールねじ２８が螺合されている。 The cutting unit moving mechanism 22 includes a pair of Y axis guide rails 24 disposed on the front surface of the support structure 20 and parallel to the Y axis direction. A Y-axis moving plate 26 constituting the cutting unit moving mechanism 22 is slidably attached to the Y-axis guide rail 24. A nut portion (not shown) is provided on the back surface side (rear surface side) of the Y-axis movement plate 26, and a Y-axis ball screw 28 parallel to the Y-axis guide rail 24 is screwed into this nut portion. ing.
Ｙ軸ボールねじ２８の一端部には、Ｙ軸パルスモータ（不図示）が連結されている。Ｙ軸パルスモータでＹ軸ボールねじ２８を回転させると、Ｙ軸移動プレート２６は、Ｙ軸ガイドレール２４に沿ってＹ軸方向に移動する。Ｙ軸移動プレート２６の表面（前面）には、Ｚ軸方向に平行な一対のＺ軸ガイドレール３０が設けられている。Ｚ軸ガイドレール３０には、Ｚ軸移動プレート３２がスライド可能に取り付けられている。 A Y-axis pulse motor (not shown) is connected to one end of the Y-axis ball screw 28. When the Y-axis ball screw 28 is rotated by the Y-axis pulse motor, the Y-axis moving plate 26 moves in the Y-axis direction along the Y-axis guide rail 24. A pair of Z-axis guide rails 30 parallel to the Z-axis direction are provided on the surface (front surface) of the Y-axis moving plate 26. A Z-axis moving plate 32 is slidably attached to the Z-axis guide rail 30.
Ｚ軸移動プレート３２の裏面側（後面側）には、ナット部（不図示）が設けられており、このナット部には、Ｚ軸ガイドレール３０に平行なＺ軸ボールねじ３４が螺合されている。Ｚ軸ボールねじ３４の一端部には、Ｚ軸パルスモータ３６が連結されている。Ｚ軸パルスモータ３６でＺ軸ボールねじ３４を回転させれば、Ｚ軸移動プレート３２は、Ｚ軸ガイドレール３０に沿ってＺ軸方向に移動する。 A nut portion (not shown) is provided on the back surface side (rear surface side) of the Z-axis moving plate 32, and a Z-axis ball screw 34 parallel to the Z-axis guide rail 30 is screwed into this nut portion. ing. A Z-axis pulse motor 36 is connected to one end of the Z-axis ball screw 34. When the Z-axis ball screw 34 is rotated by the Z-axis pulse motor 36, the Z-axis moving plate 32 moves in the Z-axis direction along the Z-axis guide rail 30.
Ｚ軸移動プレート３２の下部には、被加工物を加工する切削ユニット１４と、撮像ユニット３８が固定されている。切削ユニット移動機構２２で、Ｙ軸移動プレート２６をＹ軸方向に移動させれば、切削ユニット１４及び撮像ユニット３８は割り出し送りされ、Ｚ軸移動プレート３２をＺ軸方向に移動させれば、切削ユニット１４及び撮像ユニット３８は昇降する。 A cutting unit 14 for processing a workpiece and an imaging unit 38 are fixed to a lower portion of the Z-axis moving plate 32. When the Y-axis moving plate 26 is moved in the Y-axis direction by the cutting unit moving mechanism 22, the cutting unit 14 and the imaging unit 38 are index-feeded, and when the Z-axis moving plate 32 is moved in the Z-axis direction, cutting is performed. The unit 14 and the imaging unit 38 move up and down.
４０は洗浄ユニットであり、切削ユニット１４により切削加工の施された被加工物は、搬送機構（不図示）によってチャックテーブル１０から洗浄ユニット４０へと搬送される。洗浄ユニット４０は、筒状の洗浄空間内で被加工物を吸引保持するスピンナーテーブル４２を備えている。スピンナーテーブル４２の下部には、スピンナーテーブル４２を所定の速さで回転させるモータ等の回転駆動源が連結されている。 Reference numeral 40 denotes a cleaning unit, and a workpiece subjected to cutting processing by the cutting unit 14 is transported from the chuck table 10 to the cleaning unit 40 by a transport mechanism (not shown). The cleaning unit 40 includes a spinner table 42 for sucking and holding a workpiece in a cylindrical cleaning space. At the lower part of the spinner table 42, a rotational drive source such as a motor for rotating the spinner table 42 at a predetermined speed is connected.
スピンナーテーブル４２の上方には、被加工物に向けて洗浄用の流体（代表的には、水とエアーとを混合した二流体）を噴射する噴射ノズル４４が配設されている。被加工物を保持したスピンナーテーブル４２を回転させながら噴射ノズル４４から洗浄用の流体を噴射すると、切削加工後の被加工物を洗浄できる。洗浄ユニット４０で洗浄された被加工物は、搬送機構（不図示）でカセット１８内に収容される。 Disposed above the spinner table 42 is an injection nozzle 44 for injecting a cleaning fluid (typically, two fluids obtained by mixing water and air) toward the workpiece. When the cleaning fluid is sprayed from the spray nozzle 44 while rotating the spinner table 42 holding the workpiece, the workpiece after cutting can be cleaned. The workpieces cleaned by the cleaning unit 40 are accommodated in the cassette 18 by a transport mechanism (not shown).
再び図２を参照すると、チャックテーブル５０の吸引保持部５４の吸着面５４ａには、丸Ａ部分の拡大図に示すように、互いに直交する複数の細溝６８が形成されている。細溝６８の幅は２５μｍ以下が好ましく、本実施形態では幅１８μｍの細溝６８を形成した。 Referring again to FIG. 2, on the suction surface 54a of the suction holding unit 54 of the chuck table 50, as shown in the enlarged view of the circle A, a plurality of narrow grooves 68 are formed orthogonal to each other. The width of the narrow groove 68 is preferably 25 μm or less. In the present embodiment, the narrow groove 68 having a width of 18 μm is formed.
図４のＢ部分の拡大図に示すように、ポーラスセラミックス製吸引保持部５４の吸着面５４ａの通気孔面積率は６０％以下であり、吸着面５４ａには複数の通気孔５４ｂが開口している。本実施形態では更に、吸着面５４ａに複数の細溝６８が形成されている。 As shown in the enlarged view of part B of FIG. 4, the air vent area ratio of the suction surface 54a of the porous ceramic suction and holding portion 54 is 60% or less, and a plurality of air holes 54b are opened in the suction surface 54a. There is. Further, in the present embodiment, a plurality of narrow grooves 68 are formed in the suction surface 54a.
次に、図４に示す吸引保持部５４としてポーラスセラミックスを採用したチャックテーブル５０について、通気孔面積率、溝幅、溝ピッチを変えて圧力計が十分な負圧である−０．７ＭＰａになるまでの時間を計測する実験を実施して表１に示す結果を得た。 Next, for the chuck table 50 employing porous ceramics as the suction holding portion 54 shown in FIG. 4, the pressure gauge has a sufficient negative pressure of −0.7 MPa by changing the vent hole area ratio, groove width, and groove pitch. The experiment shown in Table 1 was performed to measure the time until the measurement.
この実験では、１００ｍｍ×１００ｍｍの穴を開けたダイシングテープを吸着面５４ａに貼り付けてチャックテーブル５０の露出面を１００ｍｍ×１００ｍｍの領域に調整し、２ｃｃの水を吸着面５４ａの露出領域に供給した後、チャックテーブル５０に接続した吸引源７０を作動させ、通気孔面積率及び溝ピッチを変化させながら吸引路５２ａに接続した圧力計が−０．７ＭＰａの負圧になるまでの時間を測定した。尚、細溝６８の幅は２０μｍに固定した。 In this experiment, a dicing tape with a 100 mm × 100 mm hole is attached to the suction surface 54a to adjust the exposed surface of the chuck table 50 to a 100 mm × 100 mm area, and 2 cc of water is supplied to the exposed area of the suction surface 54a. After that, the suction source 70 connected to the chuck table 50 is operated, and the time until the pressure gauge connected to the suction passage 52a becomes negative pressure of -0.7 MPa is measured while changing the vent hole area ratio and the groove pitch did. The width of the narrow groove 68 was fixed at 20 μm.
テストＮＯ３は吸着面５４ａの通気孔面積率が６０％で１ｍｍの間隔で２０μｍの複数の細溝を形成した場合であり、吸引時間は２．５秒に短縮された。テストＮＯ４〜テストＮＯ７は吸着面５４ａの通気孔面積率が４５％の場合であり、細溝６８が形成されていないテストＮＯ４のケースでは吸引時間は６．６８秒となり、非常に長い時間を要した。 The test NO3 is a case where the vent hole area ratio of the suction surface 54a is 60% and a plurality of narrow grooves of 20 μm are formed at an interval of 1 mm, and the suction time is shortened to 2.5 seconds. Tests NO4 to NO7 are cases where the air vent area ratio of the suction surface 54a is 45%, and in the case of test NO4 in which the narrow groove 68 is not formed, the suction time is 6.68 seconds, which requires a very long time. did.
テストＮＯ５〜テストＮＯ７は、幅２０μｍの細溝６８を溝ピッチ１ｍｍ、０．５ｍｍ、０．２５ｍｍで形成したケースであり、溝ピッチを小さくするのにつれて吸引時間が短くなっていることが観察される。 Tests NO5 to NO7 are cases in which narrow grooves 68 with a width of 20 μm are formed at a groove pitch of 1 mm, 0.5 mm, and 0.25 mm, and it is observed that the suction time becomes shorter as the groove pitch is reduced. Ru.
この実験結果から、吸着面５４ａの通気孔面積率が６０％の場合には、幅２０μｍの細溝６８を１ｍｍのピッチ間隔で形成すると吸引時間を十分短くすることができることが観察される。 From this experimental result, it is observed that when the vent hole area ratio of the suction surface 54a is 60%, the suction time can be sufficiently shortened if the narrow grooves 68 with a width of 20 μm are formed at a pitch of 1 mm.
吸着面５４ａの通気孔面積率が４５％の場合には、幅２０μｍの細溝６８を１ｍｍのピッチ間隔で形成したケースでは、吸引時間が相当長く掛かるため、溝ピッチは０．５ｍｍ間隔にする必要があることが見て取れる。 When the air vent area ratio of the suction surface 54a is 45%, in the case where the narrow grooves 68 with a width of 20 μm are formed at a pitch of 1 mm, the suction time is considerably long, so the groove pitch is 0.5 mm. You can see what you need.
この実験結果から、吸着面５４ａの通気孔面積率が６０％以下で、且つ、幅２０μｍの細溝６８を１ｍｍのピッチ以下で形成した場合に、十分短い時間に所望の吸引力が得られることが判明した。 From this experimental result, when the vent hole area ratio of the suction surface 54a is 60% or less and the narrow groove 68 having a width of 20 μm is formed at a pitch of 1 mm or less, a desired suction force can be obtained in a sufficiently short time. There was found.
次に、通気孔面積率を４５％、溝ピッチ０．５ｍｍに固定し、細溝６８の幅を３０μｍ、２５μｍ、２０μｍ、１５μｍと変化させた場合の、０．５ｍｍ角にシリコンウェーハをダイシングしたチップの裏面チッピング及びクラック（コーナークラック）の発生具合について考察し、表２の結果を得た。 Next, the air hole area ratio was fixed at 45%, groove pitch 0.5 mm, and the silicon wafer was diced into 0.5 mm square when the width of the narrow groove 68 was changed to 30 μm, 25 μm, 20 μm, 15 μm The occurrence of chipping on the back surface of the chip and the occurrence of cracks (corner cracks) were considered, and the results in Table 2 were obtained.
表２で裏面チッピングについては、〇印はチッピングなし、△印は僅かなチッピングあり、×印は明らかなチッピング発生を示している。また、クラックについては、テストＮＯ１〜テストＮＯ４にわたりクラックが発生していないことを示している。 In Table 2, with respect to backside chipping, 〇 indicates no chipping, Δ indicates slight chipping, and x indicates obvious chipping. Further, with regard to the crack, it is indicated that the crack does not occur over the test NO1 to the test NO4.
図５（Ａ）を参照すると、ポーラスセラミックスから形成された吸引保持部５４でダイシングテープＴを介して被加工物であるウェーハ１１を吸引保持して切削ユニット１４の切削ブレード７６でウェーハ１１を切削加工している状態の一部拡大縦断面図が示されている。 Referring to FIG. 5A, the suction holding unit 54 formed of porous ceramic sucks and holds the wafer 11 as the workpiece via the dicing tape T and cuts the wafer 11 with the cutting blade 76 of the cutting unit 14 A partially enlarged longitudinal sectional view of the processing state is shown.
切削ユニット１４は、高速回転するスピンドル７４の先端に装着された切削ブレード７６を有している。ウェーハ１１を切削ブレード７６で切削加工する際には、図６（Ａ）に示すように、ウェーハ１１の格子状に形成された複数の分割予定ライン１３を吸着面５４ａに形成された細溝６８の延在方向と交差するようにウェーハ１１を吸着面５４ａ上に載置する。 The cutting unit 14 has a cutting blade 76 mounted at the tip of a spindle 74 rotating at high speed. When cutting the wafer 11 with the cutting blade 76, as shown in FIG. 6 (A), a plurality of division planned lines 13 formed in a lattice of the wafer 11 are formed into narrow grooves 68 formed in the adsorption surface 54a. The wafer 11 is placed on the suction surface 54 a so as to intersect with the extending direction of the wafer.
好ましくは、ウェーハ１１の分割予定ライン１３が細溝６８の延在方向と概略４５°で交差するようにウェーハ１１を吸着面５４ａ上に載置する。交差する分割予定ライン１３により区画された領域にはデバイス１５が形成されている。 Preferably, the wafer 11 is placed on the suction surface 54 a so that the planned dividing line 13 of the wafer 11 intersects with the extending direction of the narrow groove 68 at approximately 45 °. A device 15 is formed in the area divided by the intersecting dividing lines 13.
ウェーハ１１を吸着面５４ａ上に図６（Ａ）に示すような状態で載置した後、図５（Ａ）に示すように、電磁切換弁７２を連通位置に切り替えて吸引源７０を作動させると、吸引保持部５４の吸着面５４ａに形成された通気孔５４ｂ及び細溝６８を介してダイシングテープＴに吸引力が作用し、ウェーハ１１はダイシングテープＴを介してチャックテーブル５０に吸引保持される。 After the wafer 11 is placed on the suction surface 54a in the state shown in FIG. 6A, as shown in FIG. 5A, the electromagnetic switching valve 72 is switched to the communication position to operate the suction source 70. The suction force is applied to the dicing tape T through the air holes 54b and the narrow grooves 68 formed in the suction surface 54a of the suction holding unit 54, and the wafer 11 is held by suction on the chuck table 50 through the dicing tape T. Ru.
切削ブレード７６はウェーハ１１の分割予定ライン１３にダイシングテープＴに至るまで切り込み分割予定ライン１３を切削するが、分割予定ライン１３が吸着面５４ａに形成された細溝６８の延在方向と交差するようにウェーハ１１は吸着面５４ａに吸引保持されているため、吸着面５４ａの通気孔率が６０％以下であっても、細溝６８による吸着力の向上を図ることができ、切削されたデバイスチップの裏面の欠けやコーナークラックの発生を抑制することができる。 The cutting blade 76 cuts the dividing dividing line 13 up to the dicing tape T in the dividing dividing line 13 of the wafer 11, but the dividing dividing line 13 intersects the extending direction of the narrow groove 68 formed in the suction surface 54a. As described above, since the wafer 11 is held by suction on the suction surface 54a, the suction force by the narrow groove 68 can be improved even if the air hole ratio of the suction surface 54a is 60% or less, and the cut device It is possible to suppress the occurrence of chipping and corner cracks on the back surface of the chip.
本実施形態では、吸着面５４ａの通気孔率を６０％以下に設定したため、ウェーハ１１を支持する吸着面５４ａの面積を十分確保することができる。吸着面５４ａに細溝６８が形成されていない場合には、吸着面５４ａによる吸着力は十分ではないが、吸着力不足を細溝６８で補うことができる。従って、デバイスチップの裏面の欠けやコーナークラックの発生を抑制することができる。 In the present embodiment, since the air vent ratio of the suction surface 54 a is set to 60% or less, the area of the suction surface 54 a supporting the wafer 11 can be sufficiently secured. When the narrow groove 68 is not formed on the suction surface 54a, although the suction force by the suction surface 54a is not sufficient, the short groove 68 can compensate for the suction force deficiency. Therefore, the occurrence of chipping and corner cracks on the back surface of the device chip can be suppressed.
図５（Ｂ）を参照すると、本発明第２実施形態のチャックテーブル５０Ａを使用してウェーハ１１を切削加工する際の縦断面図が示されている。本実施形態のチャックテーブル５０Ａはステンレス鋼（ＳＵＳ）等の金属から形成された保持プレート７８から構成される。 Referring to FIG. 5B, there is shown a longitudinal sectional view when cutting the wafer 11 using the chuck table 50A of the second embodiment of the present invention. The chuck table 50A of the present embodiment is composed of a holding plate 78 formed of a metal such as stainless steel (SUS).
保持プレート７８の吸着面７８ａには互いに直交する方向に形成された複数の細溝８０が形成されている。直交する細溝８０の交差点のいくつかには、図６（Ｂ）に示すように、吸引孔８２が開口しており、これらの吸引孔８２は図５（Ｂ）に示す吸引路８４に接続されている。 On the suction surface 78a of the holding plate 78, a plurality of narrow grooves 80 formed in directions orthogonal to each other are formed. As shown in FIG. 6B, suction holes 82 are opened at some of the intersections of the orthogonal narrow grooves 80, and these suction holes 82 are connected to the suction path 84 shown in FIG. 5B. It is done.
従って、電磁切換弁７２を図５（Ｂ）に示す連通位置に切り替えると、吸引源７０の負圧が保持プレート７８の吸着面７８ａに形成された細溝８０に伝達され、ウェーハ１１がダイシングテープＴを介して保持プレート７８に吸引保持される。 Therefore, when the electromagnetic switching valve 72 is switched to the communication position shown in FIG. 5B, the negative pressure of the suction source 70 is transmitted to the narrow groove 80 formed on the suction surface 78a of the holding plate 78, and the wafer 11 is dicing tape It is held by suction on the holding plate 78 via T.
本実施形態のチャックテーブル５０Ａでは、幅２０μｍの細溝８０が０．２５ｍｍのピッチで形成されているため、細溝８０に約−０．７ＭＰａの負圧を発生することができ、ダイシングテープＴを介してウェーハ１１を十分な吸引力で保持することができる。 In the chuck table 50A of the present embodiment, since the narrow grooves 80 with a width of 20 μm are formed at a pitch of 0.25 mm, a negative pressure of about -0.7 MPa can be generated in the narrow grooves 80. Can hold the wafer 11 with a sufficient suction force.
本実施形態のチャックテーブル５０Ａでも、図６（Ｂ）に示すように、ウェーハ１１の分割予定ライン１３が保持プレート７８の吸着面７８ａに形成された細溝８０の延在方向と概略４５°で交差するようにウェーハ１１を保持プレート７８上に載置してから、吸引源７０の負圧を細溝８０に作用させる。 Also in the chuck table 50A of the present embodiment, as shown in FIG. 6B, the dividing line 13 of the wafer 11 is approximately 45 ° in the extending direction of the narrow groove 80 formed on the suction surface 78a of the holding plate 78. After the wafers 11 are placed on the holding plate 78 so as to cross each other, the negative pressure of the suction source 70 is applied to the narrow groove 80.
本実施形態のチャックテーブル５０Ａは無垢の保持プレート７８でウェーハ１１を支持するため、十分な支持面積を確保することができ、吸着面７８ａに形成された細溝８０の負圧によりダイシングテープＴを介してウェーハ１１を十分吸引保持することができる。従って、ダイシングされたデバイスチップの裏面の欠けやクラック（コーナークラック）の発生を抑制することができる。 The chuck table 50A of the present embodiment supports the wafer 11 by the solid holding plate 78, so that a sufficient support area can be secured, and the dicing tape T can be obtained by the negative pressure of the narrow groove 80 formed on the suction surface 78a. The wafer 11 can be sufficiently held by suction via the through holes. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of chipping and cracks (corner cracks) on the back surface of the diced device chip.
６ チャックテーブル機構
１１ ウェーハ
１３ 分割予定ライン
１５ デバイス
５０ チャックテーブル
５２ 枠体
５４ 吸引保持部
５４ａ 吸着面
６８，８０ 細溝
７０ 吸引源
７６ 切削ブレード
７８ 保持プレート
７８ａ 吸着面
８２ 吸引孔
Ｔ ダイシングテープ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 6 chuck table mechanism 11 wafer 13 division scheduled line 15 device 50 chuck table 52 frame 54 suction holding part 54a suction surface 68, 80 narrow groove 70 suction source 76 cutting blade 78 holding plate 78a suction surface 82 suction hole T dicing tape
Claims (4)
該チャックテーブルの該吸着面には、吸引源と吸引路で連通した交差する複数の細溝が形成されており、
該分割予定ラインと該細溝の延在方向が互いに交差する向きに該チャックテーブルの該吸着面に載置した被加工物を該チャックテーブルで吸引保持する吸引保持ステップと、
該吸引保持ステップを実施した後、該被加工物を切削ブレードで切削して分割する分割ステップと、を備えたことを特徴とする被加工物の切削方法。 A workpiece is attached to a dicing tape fixed to the annular frame so as to close the opening of the annular frame, and a device is formed on each area partitioned by a plurality of planned dividing lines whose surfaces intersect with each other, A method of cutting a workpiece, which is held by a suction surface of a chuck table through a dicing tape and cuts the workpiece with a cutting blade,
The suction surface of the chuck table is formed with a plurality of intersecting narrow grooves communicating with a suction source through a suction passage,
A suction holding step of suction-holding, with the chuck table, a workpiece placed on the suction surface of the chuck table in a direction in which the division lines and the extending directions of the narrow grooves intersect with each other;
A cutting step of cutting and dividing the workpiece with a cutting blade after performing the suction and holding step; and a cutting method of the workpiece.
被加工物の裏面に貼着されたダイシングテープを介して該被加工物を支持する該チャックテーブルの吸着面には、吸引源と連通路で連通した交差する複数の細溝が形成されている切削装置のチャックテーブル。 A chuck table of a cutting device used in the method of cutting a workpiece according to claim 1, wherein
On the suction surface of the chuck table that supports the workpiece via a dicing tape attached to the back surface of the workpiece, a plurality of intersecting narrow grooves communicating with a suction source in a communication path are formed Chuck table of cutting device.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017254124A JP2019118982A (en) | 2017-12-28 | 2017-12-28 | Work-piece cutting method and chuck table of cutting device |
| KR1020180154198A KR20190080738A (en) | 2017-12-28 | 2018-12-04 | Method of cutting workpiece and chuck table of cutting apparatus |
| CN201811588801.9A CN110010541A (en) | 2017-12-28 | 2018-12-25 | The cutting process of machined object and the chuck table of cutting apparatus |
| TW107147007A TWI789474B (en) | 2017-12-28 | 2018-12-25 | Workpiece cutting method and chuck table of cutting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017254124A JP2019118982A (en) | 2017-12-28 | 2017-12-28 | Work-piece cutting method and chuck table of cutting device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2019118982A true JP2019118982A (en) | 2019-07-22 |
Family
ID=67165210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017254124A Pending JP2019118982A (en) | 2017-12-28 | 2017-12-28 | Work-piece cutting method and chuck table of cutting device |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2019118982A (en) |
| KR (1) | KR20190080738A (en) |
| CN (1) | CN110010541A (en) |
| TW (1) | TWI789474B (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI758826B (en) * | 2020-08-19 | 2022-03-21 | 萬潤科技股份有限公司 | Cutting method, cutting equipment and auxiliary components used in the cutting method |
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| JP2016119399A (en) * | 2014-12-22 | 2016-06-30 | 株式会社ディスコ | Cutting device and cutting method |
| JP2017200872A (en) * | 2016-04-28 | 2017-11-09 | 京セラ株式会社 | Porous ceramic body, member for adsorption and method for producing porous ceramic body |
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| JP2000323440A (en) | 1999-05-10 | 2000-11-24 | Disco Abrasive Syst Ltd | Chuck table |
| JP4373711B2 (en) | 2003-05-29 | 2009-11-25 | 株式会社ディスコ | Cutting method |
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| JP6636737B2 (en) * | 2015-07-13 | 2020-01-29 | 株式会社ＳｔｏＭ | Magnesium reduction furnace |
-
2017
- 2017-12-28 JP JP2017254124A patent/JP2019118982A/en active Pending
-
2018
- 2018-12-04 KR KR1020180154198A patent/KR20190080738A/en not_active Application Discontinuation
- 2018-12-25 TW TW107147007A patent/TWI789474B/en active
- 2018-12-25 CN CN201811588801.9A patent/CN110010541A/en active Pending
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201931452A (en) | 2019-08-01 |
| TWI789474B (en) | 2023-01-11 |
| KR20190080738A (en) | 2019-07-08 |
| CN110010541A (en) | 2019-07-12 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A621 | Written request for application examination |
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|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20211013 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A02 | Decision of refusal |
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