KR102034318B1

KR102034318B1 - Machining apparatus

Info

Publication number: KR102034318B1
Application number: KR1020130116275A
Authority: KR
Inventors: 료고 마지
Original assignee: 가부시기가이샤 디스코
Priority date: 2012-10-31
Filing date: 2013-09-30
Publication date: 2019-10-18
Also published as: JP2014090105A; CN103786270A; TW201416161A; KR20140055984A; JP6078297B2; TWI599434B; CN103786270B

Abstract

본 발명은 경량이며 착탈이 용이한 유지 테이블을 갖는 유지 수단을 구비한 가공 장치를 제공하는 것을 과제로 한다.
피가공물을 유지하는 유지 수단과, 유지 수단에 유지된 피가공물에 가공을 실시하는 가공 수단과, 유지 수단과 가공 수단을 상대적으로 가공 이송 방향으로 가공 이송하는 가공 이송 수단을 구비하는 가공 장치로서, 유지 수단은, 피가공물을 흡인 유지하는 흡인 영역과 흡인 영역을 위요하는 외주 영역을 갖는 유지 테이블과, 유지 테이블을 착탈 가능하게 지지하여 상기 흡인 영역에 흡인력을 전달하는 지지 베이스로 구성되어 있고, 유지 테이블은 다공성 세라믹스에 의해 구성되며, 흡인 영역을 제외한 영역에 도금층이 가공되어 있다.This invention makes it a subject to provide the processing apparatus provided with the holding means which has a holding table which is lightweight and easy to attach or detach.
A processing apparatus comprising a holding means for holding a workpiece, a processing means for processing a workpiece held in the holding means, and a processing feed means for processing and conveying the holding means and the processing means in a processing feed direction relatively, The holding means comprises a holding table having a suction area for suction-holding the workpiece and a peripheral area for the suction area, and a support base for detachably supporting the holding table to transfer suction to the suction area. The table is made of porous ceramics, and a plating layer is processed in a region excluding the suction region.

Description

Processing equipment {MACHINING APPARATUS}

본 발명은 웨이퍼 등의 피가공물을 가공하기 위한 절삭 장치, 레이저 가공 장치나 연삭 장치 등의 가공 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a processing device such as a cutting device, a laser processing device, a grinding device for processing a workpiece such as a wafer.

반도체 디바이스 제조 공정에서는, 대략 원판 형상인 반도체 웨이퍼의 표면에 격자형으로 배열된 스트리트라고 불리는 분할 예정 라인에 의해 복수의 영역이 구획되고, 이 구획된 영역에 IC, LSI 등의 디바이스를 형성한다. 그리고, 반도체 웨이퍼를 스트리트를 따라 절삭 장치나 레이저 가공 장치 등의 가공 장치에 의해 다이싱함으로써 개개의 반도체 디바이스를 제조하고 있다. 또한, 반도체 디바이스의 소형화 및 경량화를 도모하기 위해, 반도체 웨이퍼를 스트리트를 따라 절단하여 개개의 디바이스로 분할하기에 앞서, 연삭 장치에 의해 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하여 정해진 두께로 형성하고 있다.In the semiconductor device manufacturing process, a plurality of regions are partitioned by a division scheduled line called streets arranged in a lattice shape on the surface of a semiconductor wafer having a substantially disk shape, and devices such as IC and LSI are formed in the partitioned region. And individual semiconductor devices are manufactured by dicing a semiconductor wafer along the street with processing apparatuses, such as a cutting apparatus and a laser processing apparatus. In addition, in order to reduce the size and weight of the semiconductor device, the back surface of the semiconductor wafer is ground to a predetermined thickness by a grinding apparatus before the semiconductor wafer is cut along the street and divided into individual devices.

예컨대, 절삭 장치나 레이저 가공 장치 등의 가공 장치는, 웨이퍼 등의 피가공물을 유지하는 유지 테이블을 구비한 유지 수단과, 이 유지 수단에 유지된 피가공물에 가공을 실시하는 가공 수단과, 유지 수단과 가공 수단을 상대적으로 가공 이송 방향으로 가공 이송하는 가공 이송 수단을 구비하고 있다. 이러한 가공 장치에 있어서의 피가공물을 유지하는 유지 수단을 구성하는 유지 테이블은, 피가공물을 흡인 유지하는 유지 영역과, 이 유지 영역을 위요하는 외주 영역을 갖는 프레임을 포함한다.For example, processing apparatuses, such as a cutting apparatus and a laser processing apparatus, are the holding means provided with the holding table which hold | maintains to-be-processed objects, such as a wafer, the processing means which processes the to-be-processed object hold | maintained by this holding means, and a holding means. And a processing feed means for processing the processing means in a processing feed direction relatively. The holding table which comprises the holding means which hold | maintains a to-be-processed object in such a processing apparatus includes the holding | maintenance area | region which suction-holds a to-be-processed object, and the frame which has an outer periphery area | region which serves this holding area.

이와 같이 구성된 유지 테이블을 구성하는 프레임은 절삭 장치의 절삭 수단을 구성하는 절삭 블레이드와의 전기적 도통에 의해 원점 위치를 설정하기 때문에, 스테인리스강 등의 금속재에 의해 형성되어 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조).The frame constituting the holding table configured as described above is formed of a metal material such as stainless steel because the origin position is set by electrical conduction with the cutting blades constituting the cutting means of the cutting device (see Patent Document 1, for example). ).

일본 특허 공개 제2005-142202호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2005-142202

그런데, 최근, 반도체 디바이스 제조에 있어서의 생산성을 향상시키기 위해, 웨이퍼의 직경이 300 ㎜ 내지 450 ㎜로 대구경화의 경향이 있으며, 이에 대응하여 웨이퍼를 유지하는 유지 테이블도 대구경화할 필요가 있다. 직경 300 ㎜의 웨이퍼에 대응하는 유지 테이블의 중량은 10 ㎏ 정도이지만, 직경 450 ㎜의 웨이퍼에 대응하는 유지 테이블의 중량은 20 ㎏을 넘는 무게가 된다. 웨이퍼를 가공할 때에는 웨이퍼의 종류에 대응하여 최적의 유지 테이블로 교환하지만, 전술한 바와 같이 유지 테이블의 중량이 20 ㎏을 넘으면, 혼자서 유지 테이블을 착탈하는 것이 곤란해진다고 하는 문제가 있다.By the way, in recent years, in order to improve the productivity in semiconductor device manufacture, the diameter of a wafer tends to be large diameter by 300 mm-450 mm, and the holding table which hold | maintains a wafer also needs to be large diameter correspondingly. While the weight of the holding table corresponding to the wafer having a diameter of 300 mm is about 10 kg, the weight of the holding table corresponding to the wafer having a diameter of 450 mm has a weight of more than 20 kg. When the wafer is processed, it is replaced with an optimum holding table corresponding to the type of wafer. However, as described above, when the weight of the holding table exceeds 20 kg, it is difficult to detach the holding table by itself.

본 발명은 상기 사실을 감안하여 이루어진 것으로, 그 주된 기술적 과제는, 경량이며 착탈이 용이한 유지 테이블을 갖는 유지 수단을 구비한 가공 장치를 제공하는 것이다.This invention is made | formed in view of the said fact, The main technical subject is providing the processing apparatus provided with the holding means which has a holding table which is lightweight and easy to attach or detach.

상기 주된 기술 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 따르면, 피가공물을 유지하는 유지 수단과, 이 유지 수단에 유지된 피가공물에 가공을 실시하는 가공 수단과, 상기 유지 수단과 상기 가공 수단을 상대적으로 가공 이송 방향으로 가공 이송하는 가공 이송 수단을 구비하는 가공 장치에 있어서,MEANS TO SOLVE THE PROBLEM In order to solve the said main technical subject, according to this invention, the holding means which hold | maintains a to-be-processed object, the processing means which processes the to-be-processed object hold | maintained by this holding means, and the said holding means and the said processing means relatively In the processing apparatus provided with the process feed means which carries out process feed to a process feed direction,

상기 유지 수단은, 피가공물을 흡인 유지하는 흡인 영역과 이 흡인 영역을 위요하는 외주 영역을 갖는 유지 테이블과, 상기 유지 테이블을 착탈 가능하게 지지하여 상기 흡인 영역에 흡인력을 전달하는 지지 베이스로 구성되어 있고,The holding means comprises a holding table having a suction area for suction-holding the workpiece, a holding table having an outer circumferential area for the suction area, and a support base for detachably supporting the holding table to transfer suction to the suction area. There is,

상기 유지 테이블은 다공성(poros) 세라믹스에 의해 구성되며, 상기 흡인 영역을 제외한 영역에 도금층이 가공되어 있는 것을 특징으로 하는 가공 장치가 제공된다.The holding table is made of porous ceramics, and a processing apparatus is provided, wherein a plating layer is processed in a region other than the suction region.

상기 외주 영역의 상면은 흡인 영역의 상면으로부터 정해진 단차를 갖고 형성되어 있고, 이 단차에 상당하는 두께를 가지며 흡인 영역의 외주에 감합하는 금속링이 외주 영역의 도금층의 상면에 배치되어 있다.The upper surface of the outer circumferential region is formed with a predetermined step from the upper surface of the suction region, and a metal ring having a thickness corresponding to this step and fitting to the outer circumference of the suction region is disposed on the upper surface of the plating layer of the outer circumferential region.

본 발명에 따른 가공 장치에 있어서의 피가공물을 유지하는 유지 수단을 구성하는 유지 테이블은 다공성 세라믹스에 의해 구성되어 있으므로, 종래 이용되고 있는 스테인리스강의 유지 테이블과 비교하여 매우 경량이기 때문에, 1인 작업자라도 용이하게 착탈 작업을 실시할 수 있다.Since the holding table constituting the holding means for holding the workpiece in the processing apparatus according to the present invention is made of porous ceramics, it is very light in comparison with the holding table of stainless steel conventionally used. Desorption work can be performed easily.

또한, 유지 테이블은, 흡인 영역을 제외한 영역에 도금층이 형성되어 있고, 흡인 영역의 외주 영역의 상면은 흡인 영역의 상면으로부터 정해진 단차를 갖고 형성되어 있고, 이 단차에 상당하는 두께를 가지며 흡인 영역의 외주에 감합하는 금속링이 외주 영역의 도금층의 상면에 배치되어 있기 때문에, 절삭 장치에 적용한 경우에는, 절삭 수단을 구성하는 절삭 블레이드와의 전기적 통전에 의한 원점 위치를 설정할 수 있다.In the holding table, a plating layer is formed in a region other than the suction region, and the upper surface of the outer peripheral region of the suction region is formed with a predetermined step from the upper surface of the suction region, and has a thickness corresponding to the step and has a thickness of the suction region. Since the metal ring fitted to the outer circumference is disposed on the upper surface of the plating layer of the outer circumference region, when applied to the cutting device, the origin position by electrical energization with the cutting blades constituting the cutting means can be set.

도 1은 본 발명에 따라 구성된 가공 장치로서의 절삭 장치의 사시도이다.
도 2는 도 1에 나타내는 절삭 장치에 장비되는 유지 수단의 유지 테이블을 분해하여 나타내는 사시도이다.
도 3은 도 1에 나타내는 절삭 장치에 장비되는 유지 수단의 단면도이다.
도 4는 도 2 및 도 3에 나타내는 유지 수단을 구성하는 유지 테이블의 흡인 영역을 제외한 영역에 도금층을 피복하는 방법의 설명도이다.
도 5는 도 2 및 도 3에 나타내는 유지 수단을 구성하는 유지 테이블의 흡인 영역을 제외한 영역에 도금층을 피복하는 다른 방법을 나타내는 설명도이다.
도 6은 피가공물로서의 반도체 웨이퍼를 환형의 프레임에 장착된 다이싱 테이프의 표면에 점착한 상태를 나타내는 사시도이다.1 is a perspective view of a cutting device as a processing device constructed in accordance with the present invention.
It is a perspective view which decomposes and shows the holding table of the holding means equipped with the cutting device shown in FIG.
3 is a cross-sectional view of the holding means equipped in the cutting device shown in FIG. 1.
It is explanatory drawing of the method of coating a plating layer in the area | region except the suction area | region of the holding table which comprises the holding means shown in FIG. 2 and FIG.
FIG. 5: is explanatory drawing which shows the other method of coating a plating layer in the area | region except the suction area | region of the holding table which comprises the holding means shown in FIG. 2 and FIG.
It is a perspective view which shows the state which stuck the semiconductor wafer as a to-be-processed object to the surface of the dicing tape attached to the annular frame.

이하, 본 발명에 따라 구성된 가공 장치의 적합한 실시형태에 대해서, 첨부 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, preferred embodiment of the processing apparatus comprised in accordance with this invention is described in detail with reference to an accompanying drawing.

도 1에는, 본 발명에 따라 구성된 가공 장치로서의 절삭 장치의 사시도가 도시되어 있다.1 is a perspective view of a cutting device as a processing device constructed in accordance with the present invention.

도 1에 도시된 절삭 장치는, 정지 베이스(2)와, 이 정지 베이스(2)에 가공 이송 방향인 화살표(X)로 나타내는 방향으로 이동 가능하게 배치되며 피가공물인 웨이퍼를 유지하는 피가공물 유지 기구(3)와, 정지 베이스(2)에 인덱싱 이송 방향인 화살표(Y)로 나타내는 방향[가공 이송 방향인 화살표(X)로 나타내는 방향에 직교하는 방향]으로 이동 가능하게 배치된 스핀들 지지 기구(6)와, 이 스핀들 지지 기구(6)에 절입 이송 방향인 화살표(Z)로 나타내는 방향으로 이동 가능하게 배치된 절삭 수단(가공 수단)으로서의 스핀들 유닛(7)이 배치되어 있다.The cutting device shown in FIG. 1 is arranged to be movable in a direction indicated by an arrow X which is a machining feed direction in the stationary base 2 and the stationary base 2, and the workpiece holding holding the wafer which is the workpiece. Spindle support mechanism disposed on the mechanism 3 and the stationary base 2 so as to be movable in a direction indicated by an arrow Y which is an indexing conveyance direction (a direction orthogonal to the direction indicated by an arrow X which is a machining conveyance direction) ( 6) and the spindle unit 7 as cutting means (machining means) arrange | positioned to this spindle support mechanism 6 so that the movement to the direction shown by the arrow Z which is the infeed direction is possible.

상기 피가공물 유지 기구(3)는, 피가공물로서의 웨이퍼를 유지하는 유지 수단(4)과, 이 유지 수단(4)을 지지하여 화살표(X)로 나타내는 가공 이송 방향으로 이동시키는 유지 테이블 지지 기구(5)를 포함한다. 또한, 유지 수단(4)에 대해서는, 뒤에 상세하게 설명한다.The workpiece holding mechanism 3 includes a holding means 4 for holding a wafer as a workpiece, and a holding table support mechanism for supporting the holding means 4 and moving it in the processing feed direction indicated by an arrow X ( 5) is included. In addition, the holding means 4 is demonstrated in detail later.

도 1을 참조하여 설명을 계속하면, 유지 테이블 지지 기구(5)는, 정지 베이스(2) 상에 화살표(X)로 나타내는 가공 이송 방향을 따라 평행하게 배치된 한쌍의 안내 레일(51, 51)과, 이 안내 레일(51, 51) 상에 화살표(X)로 나타내는 가공 이송 방향으로 이동 가능하게 배치되며 상기 유지 수단(4)을 지지하는 이동 베이스(52)와, 이 이동 베이스(52)를 한쌍의 안내 레일(51, 51)을 따라 이동시키는 가공 이송 수단(53)을 구비하고 있다.With continued description with reference to FIG. 1, the holding table support mechanism 5 is a pair of guide rails 51, 51 arranged in parallel along the machining feed direction indicated by the arrow X on the stationary base 2. And a movable base 52 which is arranged on the guide rails 51 and 51 so as to be movable in the machining feed direction indicated by the arrow X, and supports the holding means 4, and the movable base 52. The processing conveying means 53 which moves along a pair of guide rails 51 and 51 is provided.

상기 이동 베이스(52)는 직사각 형상으로 형성되고, 그 하면에는 상기 한쌍의 안내 레일(51, 51)과 감합하는 피안내홈(521, 521)이 형성되어 있다. 이 피안내홈(521, 521)을 한쌍의 안내 레일(51, 51)에 감합함으로써, 이동 베이스(52)는 한쌍의 안내 레일(51, 51)을 따라 이동 가능하게 배치된다.The movable base 52 is formed in a rectangular shape, and the guide base grooves 521 and 521 fitting with the pair of guide rails 51 and 51 are formed on the bottom surface thereof. By fitting the guide grooves 521 and 521 to the pair of guide rails 51 and 51, the movable base 52 is arranged to be movable along the pair of guide rails 51 and 51.

상기 가공 이송 수단(53)은, 상기 한쌍의 안내 레일(51과 51) 사이에 평행하게 배치된 수나사 로드(531)와, 이 수나사 로드(531)를 회전 구동시키기 위해 서보 모터(532) 등의 구동원을 포함하고 있다. 수나사 로드(531)는, 그 일단이 상기 정지 베이스(2)에 고정된 베어링 블록(533)에 회전 가능하게 지지되어 있고, 그 타단이 상기 서보 모터(532)의 출력축에 연결되어 있다. 또한, 수나사 로드(531)는 이동 베이스(52)의 중앙부에 형성된 암나사(522)에 나사 결합되어 있다. 따라서, 서보 모터(532)에 의해 수나사 로드(531)를 정회전 및 역회전 구동시킴으로써, 이동 베이스(52)는 안내 레일(51, 51)을 따라 화살표(X)로 나타내는 가공 이송 방향으로 이동하게 된다.The processing conveying means 53 includes a male screw rod 531 disposed in parallel between the pair of guide rails 51 and 51, and a servo motor 532 or the like for rotationally driving the male screw rod 531. It includes a drive source. One end of the male screw rod 531 is rotatably supported by a bearing block 533 fixed to the stationary base 2, and the other end thereof is connected to an output shaft of the servo motor 532. In addition, the male screw rod 531 is screwed to the female screw 522 formed at the center of the movable base 52. Therefore, by driving the external thread rod 531 forward and reverse rotation by the servo motor 532, the movement base 52 moves along the guide rails 51 and 51 in the machining feed direction indicated by the arrow X. do.

다음에, 상기 유지 수단(4)에 대해서, 도 2 내지 도 3을 참조하여 설명한다.Next, the holding means 4 will be described with reference to FIGS. 2 to 3.

도 2 및 도 3에 나타내는 유지 수단(4)은, 이동 베이스(52)의 상면에 배치된 원통형의 지지 통체(55)에 도 3에 나타내는 바와 같이 베어링(56)을 통해 회전 가능하게 지지되어 있다. 이와 같이 지지 통체(55)에 회전 가능하게 지지되는 유지 수단(4)은, 도 2 및 도 3에 나타내는 바와 같이 원기둥형의 지지 베이스(41)와, 이 지지 베이스(41)의 상면에 배치된 유지 테이블(42)을 포함한다. 지지 베이스(41)는 스테인리스강 등의 금속재에 의해 형성되어 있고, 그 상면에는 원형의 감합 오목부(411)가 마련되어 있다. 이 지지 베이스(41)에는, 도 3에 나타내는 바와 같이 감합 오목부(411)에 개구되는 흡인 통로(413)가 마련되어 있고, 이 흡인 통로(413)는 도시하지 않는 흡인 수단에 연통되어 있다. 따라서, 도시하지 않는 흡인 수단이 작동하면, 흡인 통로(413)를 통해 부압이 작용하게 된다.As shown in FIG. 3, the holding means 4 shown in FIG.2 and FIG.3 is rotatably supported by the cylindrical support cylinder 55 arrange | positioned on the upper surface of the movement base 52 via the bearing 56. As shown in FIG. . Thus, the holding means 4 rotatably supported by the support cylinder 55 is arrange | positioned at the cylindrical support base 41 and the upper surface of this support base 41, as shown to FIG. 2 and FIG. The holding table 42 is included. The support base 41 is formed of metal materials, such as stainless steel, and the circular fitting recessed part 411 is provided in the upper surface. As shown in FIG. 3, the support base 41 is provided with a suction passage 413 that is opened in the fitting recess 411, and the suction passage 413 communicates with a suction means (not shown). Therefore, when the suction means (not shown) operates, negative pressure acts through the suction passage 413.

도 2 내지 도 3을 참조하여 설명을 계속하면, 유지 수단(4)을 구성하는 유지 테이블(42)은, 전체적으로 원반형으로 형성되고, 피가공물을 흡인 유지하는 흡인 영역(421)과, 이 흡인 영역(421)을 위요하는 외주 영역(422)을 가지며, 하부 중앙에 하방으로 돌출하여 마련되고 상기 지지 베이스(41)에 마련된 감합 오목부(411)에 감합하는 원통형 바닥부(423)를 구비하고 있다. 이 유지 테이블(42)을 구성하는 원통형 바닥부(423)에는, 상기 지지 베이스(41)에 마련된 감합 오목부(411)에 감합한 상태로 지지 베이스(41)에 마련된 흡인 통로(413)와 연통하는 연통로(424)가 형성되어 있다. 또한, 유지 테이블(42)에는, 원통형 바닥부(423)에 형성된 연통로(424)에 일단이 연통하여 반경 방향으로 연장되는 방사형 흡인로(425)와, 흡인 통로(413)와 동심 원형으로 형성되며 방사형 흡인로(425)와 교차하여 형성된 복수의 원형 흡인로(426)를 구비하고 있다.2 and 3, the holding table 42 constituting the holding means 4 is formed in a disk shape as a whole, and a suction area 421 for suction-holding the workpiece, and this suction area. It has an outer periphery area 422 which defines 421, and is provided with the cylindrical bottom part 423 which protrudes downward in the lower center, and fits into the fitting recess 411 provided in the said support base 41. . The cylindrical bottom portion 423 constituting the holding table 42 communicates with the suction passage 413 provided in the support base 41 in a state of being fitted into the fitting recess 411 provided in the support base 41. A communication path 424 is formed. In addition, the holding table 42 is formed in a concentric circle with a radial suction path 425 and a suction passage 413 extending in a radial direction with one end communicating with a communication path 424 formed in the cylindrical bottom portion 423. And a plurality of circular suction paths 426 formed to intersect the radial suction path 425.

전술한 바와 같이 구성된 유지 테이블(42)은, 도시하는 실시형태에 있어서는 기공의 크기가 10 ㎛∼30 ㎛이며 기공률이 40％인 다공성 세라믹스에 의해 형성되어 있다. 이 다공성 세라믹스에 의해 형성되는 유지 테이블(42)의 제작 방법으로서는, 입자 직경이 30 ㎛∼60 ㎛이며 체적비 70％의 알루미나 세라믹스와, 입자 직경이 5 ㎛ 이하이며 체적비 15％의 프릿과, 체적비 15％의 유기 접착제를 혼련하여 성형하고, 1100℃에서 5시간 소성함으로써 제작할 수 있다. 이와 같이 하여 형성된 유지 테이블(42)은, 종래 이용되고 있는 스테인리스강의 비중 7과 비교하여 비중이 3.9로 작은 알루미나 세라믹스에 의해 기공률 40％의 다공성 세라믹스로 이루어져 있기 때문에, 중량이 스테인리스강에 의한 유지 테이블의 1/3 정도가 된다.In the illustrated embodiment, the holding table 42 configured as described above is formed of porous ceramics having a pore size of 10 μm to 30 μm and a porosity of 40%. As a method for producing the holding table 42 formed of the porous ceramics, alumina ceramics having a particle diameter of 30 µm to 60 µm and a volume ratio of 70%, a frit having a particle diameter of 5 µm or less and a volume ratio of 15%, and a volume ratio 15 It can manufacture by kneading and shape | molding% organic adhesives, and baking at 1100 degreeC for 5 hours. Since the holding table 42 formed as described above is made of porous ceramics having a porosity of 40% by alumina ceramics having a specific gravity of 3.9 which is smaller than the specific gravity 7 of stainless steels conventionally used, the holding table made of stainless steel 1/3 of the time.

상기한 바와 같이 형성된 유지 테이블(42)에는, 상기 흡인 영역(421)을 제외한 영역에 도금층(427)이 가공되어 있다. 여기서, 유지 테이블(42)의 흡인 영역(421)을 제외한 영역에 도금층(427)을 피복하는 방법에 대해서, 도 4를 참조하여 설명한다.In the holding table 42 formed as mentioned above, the plating layer 427 is processed in the area | region except the said suction area | region 421. FIG. Here, the method of covering the plating layer 427 in the area | region except the suction area | region 421 of the holding table 42 is demonstrated with reference to FIG.

도 4의 (a)에 나타내는 유지 테이블(42)의 흡인 영역(421)에 도 4의 (b)에 나타내는 바와 같이 마스킹 테이프(428)를 점착한다. 이때 상기 원통형 바닥부(423)에 형성된 연통로(424)에도 마스킹한다. 이와 같이 흡인 영역(421) 및 연통로(424)가 마스킹된 유지 테이블(42)에 무전해 니켈 도금을 실시함으로써, 도 4의 (c)에 나타내는 바와 같이 흡인 영역(421)을 제외한 영역에, 니켈에 의한 도금층(427)이 형성된다. 또한, 도금층(427)은, 특히 외주 영역(422)에 있어서 1 ㎜ 정도 침투하여 형성하는 것이 바람직하다.The masking tape 428 is affixed to the suction area | region 421 of the holding table 42 shown to Fig.4 (a) as shown to Fig.4 (b). At this time, it also masks the communication path 424 formed in the cylindrical bottom portion 423. Thus, electroless nickel plating is performed on the holding table 42 to which the suction area | region 421 and the communication path 424 were masked, and as shown in FIG.4 (c), in the area | region except the suction area | region 421, A plating layer 427 made of nickel is formed. In addition, it is preferable that the plating layer 427 penetrates about 1 mm especially in the outer peripheral area 422, and is formed.

다음에, 유지 테이블(42)의 다른 실시형태에 대해서, 도 5를 참조하여 설명한다.Next, another embodiment of the holding table 42 will be described with reference to FIG. 5.

도 5에 나타내는 실시형태에 있어서의 유지 테이블(42)은, 도 5의 (a)에 나타내는 바와 같이 외주 영역(422)의 상면은 흡인 영역(421)의 상면으로부터 정해진 단차(422a)를 갖고 형성되어 있다. 그리고, 흡인 영역(421)에, 도 5의 (b)에 나타내는 바와 같이 마스킹 테이프(428)를 점착한다. 이때 상기 원통형 바닥부(423)에 형성된 연통로(424)에도 마스킹한다. 이와 같이 흡인 영역(421) 및 연통로(424)가마스킹된 유지 테이블(42)에 무전해 니켈 도금을 실시함으로써, 도 5의 (c)에 나타내는 바와 같이 흡인 영역(421)을 제외한 영역에, 니켈에 의한 도금층(427)이 형성된다. 그리고, 도 5의 (c) 및 도 5의 (d)에 나타내는 바와 같이, 상기 단차(422a)에 상당하는 두께를 가지며 흡인 영역의 외주에 감합하는 스테인리스강 등으로 이루어지는 금속링(429)을 외주 영역(422)에 배치한다.In the holding table 42 in the embodiment shown in FIG. 5, as shown in FIG. 5A, the upper surface of the outer circumferential region 422 has a step 422a determined from the upper surface of the suction region 421. It is. Then, the masking tape 428 is attached to the suction region 421 as shown in FIG. 5B. At this time, it also masks the communication path 424 formed in the cylindrical bottom portion 423. Thus, electroless nickel plating is performed on the holding table 42 to which the suction area | region 421 and the communication path 424 were masked, and as shown to FIG. 5 (c), in the area | region except the suction area | region 421, A plating layer 427 made of nickel is formed. As shown in FIGS. 5C and 5D, the metal ring 429 made of stainless steel or the like having a thickness corresponding to the step 422a and fitted to the outer circumference of the suction region is circumscribed. It is located in the area 422.

이상과 같이 구성된 유지 테이블(42)이 지지 베이스(41)에 장착된 유지 수단(4)은, 도시하지 않는 회전 구동 수단에 의해 적절하게 회동하게 되도록 구성되어 있다. 또한, 유지 수단(4)을 구성하는 지지 베이스(41)의 외주부 상면에는, 2개의 클램프(43)의 기초부가 적절한 고정 수단에 의해 부착되어 있다. 또한, 유지 수단(4)을 구성하는 지지 베이스(41)를 회전 가능하게 지지하는 지지 통체(55)의 상단에는, 커버 테이블(57)이 배치되어 있다.The holding means 4 with which the holding table 42 comprised as mentioned above is attached to the support base 41 is comprised so that it may rotate suitably by the rotation drive means not shown. Moreover, the base part of the two clamps 43 is attached to the upper surface of the outer peripheral part of the support base 41 which comprises the holding means 4 by appropriate fixing means. Moreover, the cover table 57 is arrange | positioned at the upper end of the support cylinder 55 which rotatably supports the support base 41 which comprises the holding means 4.

도 1로 되돌아가서 설명을 계속하면, 상기 스핀들 지지 기구(6)는, 정지 베이스(2) 상에 화살표(Y)로 나타내는 인덱싱 이송 방향을 따라 평행하게 배치된 한쌍의 안내 레일(61, 61)과, 이 안내 레일(61, 61) 상에 화살표(Y)로 나타내는 방향으로 이동 가능하게 배치된 가동 지지 베이스(62)를 구비하고 있다. 이 가동 지지 베이스(62)는, 안내 레일(61, 61) 상에 이동 가능하게 배치된 이동 지지부(621)와, 이 이동 지지부(621)에 부착된 장착부(622)를 포함한다. 이동 지지부(621)의 하면에는 안내 레일(61, 61)과 감합하는 한쌍의 피안내홈(621a, 621a)이 형성되어 있고, 이 피안내홈(621a, 621a)을 안내 레일(61, 61)에 감합함으로써, 가동 지지 베이스(62)는 안내 레일(61, 61)을 따라 이동 가능하게 구성된다. 또한, 장착부(622)는 일측면에 화살표(Z)로 나타내는 방향으로 연장되는 한쌍의 안내 레일(622a, 622a)이 평행하게 마련되어 있다.Returning to FIG. 1 and continuing description, the said spindle support mechanism 6 is a pair of guide rails 61 and 61 arrange | positioned in parallel along the indexing feed direction shown by the arrow Y on the stationary base 2. And the movable support base 62 arranged on the guide rails 61 and 61 so as to be movable in the direction indicated by the arrow Y. The movable support base 62 includes a movable support part 621 disposed on the guide rails 61 and 61 so as to be movable, and a mounting part 622 attached to the movable support part 621. A pair of guide grooves 621a and 621a fitted to the guide rails 61 and 61 are formed on the lower surface of the movable support 621, and the guide grooves 621a and 621a are guide rails 61 and 61. By fitting in, the movable support base 62 is configured to be movable along the guide rails 61 and 61. Moreover, as for the mounting part 622, the pair of guide rails 622a and 622a extended in the direction shown by the arrow Z are provided in one side surface in parallel.

도시된 실시형태에 있어서의 스핀들 지지 기구(6)는, 가동 지지 베이스(62)를 한쌍의 안내 레일(61, 61)을 따라 화살표(Y)로 나타내는 인덱싱 이송 방향으로 이동시키기 위한 인덱싱 이송 수단(63)을 구비하고 있다. 인덱싱 이송 수단(63)은, 상기 한쌍의 안내 레일(61, 61) 사이에 평행하게 배치된 수나사 로드(631)와, 이 수나사 로드(631)를 회전 구동시키기 위한 펄스 모터(632) 등의 구동원을 포함하고 있다. 수나사 로드(631)는 그 일단이, 상기 정지 베이스(2)에 고정된 도시하지 않는 베어링 블록에 회전 가능하게 지지되어 있고, 그 타단이 상기 펄스 모터(632)의 출력축에 연결되어 있다. 또한, 수나사 로드(631)는 가동 지지 베이스(62)를 구성하는 이동 지지부(621)의 중앙부 하면에 돌출하여 마련된 도시하지 않는 암나사 블록에 형성된 암나사 구멍에 나사 결합되어 있다. 이 때문에, 펄스 모터(632)에 의해 수나사 로드(631)를 정회전 및 역회전 구동시킴으로써, 가동 지지 베이스(62)는 안내 레일(61, 61)을 따라 화살표(Y)로 나타내는 인덱싱 이송 방향으로 이동하게 된다.The spindle support mechanism 6 in the illustrated embodiment is an indexing feed means for moving the movable support base 62 along the pair of guide rails 61, 61 in the indexing feed direction indicated by the arrow Y ( 63). The indexing feed means 63 is a drive source such as a male screw rod 631 disposed in parallel between the pair of guide rails 61 and 61 and a pulse motor 632 for rotationally driving the male screw rod 631. It includes. One end of the male screw rod 631 is rotatably supported by a bearing block (not shown) fixed to the stop base 2, and the other end thereof is connected to an output shaft of the pulse motor 632. The male screw rod 631 is screwed into a female screw hole formed in a female screw block (not shown) provided to protrude from the lower surface of the central portion of the movable support portion 621 constituting the movable support base 62. For this reason, by driving the external thread rod 631 forward and reverse rotation by the pulse motor 632, the movable support base 62 moves along the guide rails 61 and 61 in the indexing feed direction shown by the arrow Y. Will move.

도시된 실시형태에 있어서의 스핀들 유닛(7)은, 유닛 홀더(71)와, 이 유닛 홀더(71)에 부착된 스핀들 하우징(72)과, 이 스핀들 하우징(72)에 회전 가능하게 지지된 회전 스핀들(73)을 구비하고 있다. 유닛 홀더(71)는, 상기 장착부(622)에 마련된 한쌍의 안내 레일(622a, 622a)에 미끄럼 이동 가능하게 감합하는 한쌍의 피안내홈(71a, 71a)이 마련되어 있고, 이 피안내홈(71a, 71a)을 상기 안내 레일(622a, 622a)에 감합함으로써, 화살표(Z)로 나타내는 절입 이송 방향으로 이동 가능하게 지지된다. 상기 회전 스핀들(73)은 스핀들 하우징(72)의 선단으로부터 돌출하여 배치되어 있고, 이 회전 스핀들(73)의 선단부에 절삭 블레이드(74)가 장착되어 있다. 절삭 블레이드(74)는, 알루미늄에 의해 형성된 원반형의 베이스의 외주부 측면에 다이아몬드 지립을 니켈 도금으로 굳혀 두께 15 ㎛∼30 ㎛로 형성된 원환형의 날을 구비하고 있다. 이 절삭 블레이드(74)를 장착한 회전 스핀들(73)은 서보 모터(75) 등의 구동원에 의해 회전 구동된다. 또한, 절삭 블레이드(74)의 양측에는, 절삭 블레이드(74)에 의한 절삭부에 절삭수를 공급하는 절삭수 공급 노즐(76)이 배치되어 있다. 상기 스핀들 하우징(72)의 선단부에는, 상기 유지 테이블(42) 상에 유지된 피가공물을 촬상하고, 상기 절삭 블레이드(74)에 의해 절삭하여야 할 영역을 검출하기 위한 촬상 수단(77)을 구비하고 있다. 이 촬상 수단(77)은 현미경이나 CCD 카메라 등의 광학 수단을 포함하며, 촬상된 화상 신호를 도시하지 않는 제어 수단에 보낸다.The spindle unit 7 in the illustrated embodiment includes a unit holder 71, a spindle housing 72 attached to the unit holder 71, and a rotation rotatably supported by the spindle housing 72. The spindle 73 is provided. The unit holder 71 is provided with a pair of guide grooves 71a and 71a which are slidably fitted to the pair of guide rails 622a and 622a provided in the mounting portion 622, and this guide groove 71a is provided. And 71a are fitted to the guide rails 622a and 622a so as to be movable in the infeed direction indicated by the arrow Z. The rotary spindle 73 protrudes from the tip of the spindle housing 72, and the cutting blade 74 is attached to the tip of the rotary spindle 73. The cutting blade 74 has an annular blade formed on the outer circumferential side surface of a disk-shaped base formed of aluminum by nickel plating to form a diamond abrasive grain with a thickness of 15 µm to 30 µm. The rotary spindle 73 equipped with this cutting blade 74 is rotationally driven by a drive source such as a servo motor 75. Moreover, the cutting water supply nozzle 76 which supplies cutting water to the cutting part by the cutting blade 74 is arrange | positioned at the both sides of the cutting blade 74. As shown in FIG. At the distal end of the spindle housing 72, an imaging means 77 for imaging the workpiece held on the holding table 42 and detecting an area to be cut by the cutting blade 74 is provided. have. This imaging means 77 includes optical means such as a microscope and a CCD camera, and sends the captured image signal to control means (not shown).

도시된 실시형태에 있어서의 스핀들 유닛(7)은 유닛 홀더(71)를 한쌍의 안내 레일(622a, 622a)을 따라 화살표(Z)로 나타내는 방향으로 이동시키기 위한 절입 이송 수단(78)을 구비하고 있다. 절입 이송 수단(78)은, 상기 가공 이송 수단(53) 및 인덱싱 이송 수단(63)과 마찬가지로 안내 레일(622a, 622a) 사이에 배치된 수나사 로드(도시하지 않음)와, 이 수나사 로드를 회전 구동시키기 위한 펄스 모터(782) 등의 구동원을 포함하고 있고, 펄스 모터(782)에 의해 도시하지 않는 수나사 로드를 정회전 및 역회전 구동시킴으로써, 유닛 홀더(71)와 스핀들 하우징(72) 및 회전 스핀들(73)을 안내 레일(622a, 622a)을 따라 화살표(Z)로 나타내는 절입 이송 방향으로 이동시킨다.The spindle unit 7 in the illustrated embodiment is provided with an infeed feed means 78 for moving the unit holder 71 along the pair of guide rails 622a, 622a in the direction indicated by the arrow Z. have. The infeed conveying means 78 rotates a male screw rod (not shown) disposed between the guide rails 622a and 622a in the same manner as the processing conveying means 53 and the indexing conveying means 63, and rotates the male screw rod. And a drive source such as a pulse motor 782 to drive the male screw rod (not shown) by forward and reverse rotation by the pulse motor 782, so that the unit holder 71, the spindle housing 72, and the rotary spindle are rotated. The 73 is moved along the guide rails 622a and 622a in the infeed direction indicated by the arrow Z.

도시된 실시형태에 있어서의 절삭 장치는 이상과 같이 구성되어 있고, 이하 그 작용에 대해서 설명한다.The cutting device in the illustrated embodiment is configured as described above, and the operation thereof will be described below.

도 6에는, 전술한 절삭 장치에 의해 절삭 가공되는 피가공물인 웨이퍼로서의 반도체 웨이퍼가 도시되어 있다. 도 6에 나타내는 반도체 웨이퍼(10)는 실리콘 웨이퍼로 이루어져 있고, 표면(10a)에는 격자형의 스트리트(101)가 형성되어 있으며, 이 격자형의 스트리트(101)에 의해 구획된 복수의 영역에 디바이스(102)가 형성되어 있다. 이와 같이 구성된 반도체 웨이퍼(10)는 이면(10b)이 환형의 프레임(F)에 장착된 다이싱 테이프(T)의 표면에 점착된다.FIG. 6 shows a semiconductor wafer as a wafer which is a workpiece to be cut by the cutting device described above. The semiconductor wafer 10 shown in FIG. 6 is made of a silicon wafer, and a lattice street 101 is formed on the surface 10a, and the device is arranged in a plurality of regions partitioned by the lattice street 101. 102 is formed. In the semiconductor wafer 10 configured as described above, the back surface 10b adheres to the surface of the dicing tape T mounted on the annular frame F. As shown in FIG.

전술한 반도체 웨이퍼(10)를 스트리트(101)를 따라 절삭하는 데 있어서는, 실리콘 웨이퍼로 이루어지는 반도체 웨이퍼(10)의 절삭 가공에 적합한 유지 테이블(42)을 선택하고, 도 3에 나타내는 바와 같이 원통형 바닥부(423)를 지지 베이스(41)에 마련된 감합 오목부(411)에 감합하여 장착한다. 이때, 유지 테이블(42)은 전술한 바와 같이 다공성 세라믹스에 의해 형성되어 있으므로, 종래 이용되고 있는 스테인리스강의 유지 테이블과 비교하여 중량이 1/3 정도이기 때문에, 1인 작업자라도 용이하게 착탈 작업을 실시할 수 있다.In cutting the above-mentioned semiconductor wafer 10 along the street 101, the holding table 42 suitable for cutting of the semiconductor wafer 10 which consists of a silicon wafer is selected, and a cylindrical bottom is shown in FIG. The part 423 is fitted to the fitting recess 411 provided in the support base 41. At this time, since the holding table 42 is formed of porous ceramics as described above, the weight of the holding table 42 is about one third of that of the holding table of stainless steel, which is conventionally used. can do.

이와 같이 하여, 실리콘 웨이퍼로 이루어지는 반도체 웨이퍼(10)의 절삭 가공에 적합한 유지 테이블(42)을 지지 베이스(41)에 장착하였다면, 절삭 블레이드(74)의 원점 위치를 설정하는 셋업 공정을 실시한다. 이 셋업 공정은, 유지 수단(4)을 구성하는 유지 테이블(42)을 절삭 블레이드(74)에 의한 절삭 가공 영역으로 이동시켜, 유지 테이블(42)의 외주 영역(422)을 절삭 블레이드(74)의 바로 아래에 위치시킨다. 그리고, 절입 이송 수단(78)을 작동시켜 절삭 블레이드(74)를 하강시키고, 절삭 블레이드(74)의 날의 외주가 유지 테이블(42)의 외주 영역(422)에 접촉한 시점을 검출하여, 그때의 절삭 블레이드(74)의 위치를 원점으로서 설정한다. 이때, 유지 테이블(42)에는 흡인 영역(421)을 제외한 영역에 니켈에 의한 도금층(427)이 형성되어 있기 때문에, 외주 영역(422)에 피복된 도금층(427)에 절삭 블레이드(74)가 접촉함으로써 검출 전류가 통전하기 때문에, 유지 테이블(42)의 상면과 절삭 블레이드(74)의 접촉을 검출할 수 있다.Thus, if the holding base 42 suitable for cutting of the semiconductor wafer 10 which consists of a silicon wafer is attached to the support base 41, the setup process which sets the origin position of the cutting blade 74 is implemented. This set-up process moves the holding table 42 which comprises the holding means 4 to the cutting area by the cutting blade 74, and moves the outer peripheral area 422 of the holding table 42 to the cutting blade 74. FIG. Place it just below. Then, the infeed and transfer means 78 is operated to lower the cutting blade 74, and a time point at which the outer circumference of the blade of the cutting blade 74 contacts the outer circumferential region 422 of the holding table 42 is detected. The position of the cutting blade 74 is set as the origin. At this time, since the plating layer 427 made of nickel is formed in the holding table 42 in the region other than the suction region 421, the cutting blade 74 contacts the plating layer 427 coated on the outer circumferential region 422. Since the detection current is energized by this, the contact between the upper surface of the holding table 42 and the cutting blade 74 can be detected.

또한, 유지 테이블(42)로서 도 5에 나타내는 바와 같이 외주 영역(422)을 흡인 영역(421)과 정해진 단차(422a)를 갖고 형성하고, 전술한 바와 같이 흡인 영역(421)을 제외한 영역에 니켈에 의한 도금층(427)이 형성된 후에, 단차(422a)에 상당하는 두께를 가지며 흡인 영역의 외주에 감합하는 금속링(429)을 외주 영역(422)에 배치한 구성의 것에 있어서는, 장기간에 걸쳐 사용할 수 있다.As the holding table 42, as shown in FIG. 5, an outer circumferential region 422 is formed having a suction region 421 and a predetermined step 422a, and nickel is formed in the region except the suction region 421 as described above. After the plating layer 427 is formed, the metal ring 429 having a thickness corresponding to the step 422a and fitted to the outer circumference of the suction region is disposed in the outer circumferential region 422 for a long time. Can be.

다음에, 상기 도 6에 나타내는 바와 같이 환형의 프레임(F)에 장착된 다이싱 테이프(T)에 점착된 반도체 웨이퍼(10)의 다이싱 테이프(T)측을 유지 수단(4)을 구성하는 유지 테이블(42) 상에 배치하며, 환형의 프레임(F)을 클램프(43)에 의해 고정한다. 그리고, 도시하지 않는 흡인 수단을 작동시키면, 지지 베이스(41)에 마련된 흡인 통로(413), 유지 테이블(42)에 마련된 연통로(424)와 방사형 흡인로(425) 및 원형 흡인로(426)에 부압이 작용한다(도 3 참조). 이 결과, 유지 테이블(42)은 전술한 바와 같이 다공성 세라믹스에 의해 형성되어 있으며 흡인 영역(421)을 제외한 영역에 니켈에 의한 도금층(427)이 형성되어 있기 때문에, 흡인 영역(421)에 흡인력이 작용하여, 다이싱 테이프(T)를 통해 반도체 웨이퍼(10)가 흡인 유지된다(웨이퍼 유지 공정).Next, as shown in FIG. 6, the holding means 4 constitutes the dicing tape T side of the semiconductor wafer 10 adhered to the dicing tape T attached to the annular frame F. As shown in FIG. It arrange | positions on the holding table 42, and fixes the annular frame F with the clamp 43. As shown in FIG. When the suction means (not shown) is operated, the suction passage 413 provided in the support base 41, the communication passage 424 provided in the holding table 42, the radial suction passage 425, and the circular suction passage 426 are provided. Negative pressure acts on it (see FIG. 3). As a result, the holding table 42 is formed of porous ceramics as described above, and since the plating layer 427 made of nickel is formed in the region except the suction region 421, the suction force is applied to the suction region 421. In operation, the semiconductor wafer 10 is sucked and held through the dicing tape T (wafer holding step).

전술한 웨이퍼 유지 공정을 실시하였다면, 가공 이송 수단(53)을 작동시켜 유지 수단(4)을 촬상 수단(77)의 바로 아래까지 이동시킨다. 유지 수단(4)이 촬상 수단(77)의 바로 아래에 위치하게 되면, 촬상 수단(77) 및 도시하지 않는 제어 수단에 의해 반도체 웨이퍼(10)의 절삭 가공하여야 할 가공 영역을 검출하는 얼라인먼트 작업을 실행한다. 즉, 촬상 수단(77) 및 도시하지 않는 제어 수단은, 반도체 웨이퍼(10)의 정해진 방향으로 형성되어 있는 스트리트(101)와, 스트리트(101)를 따라 절삭하는 절삭 블레이드(74)와의 위치 맞춤을 행하기 위한 패턴 매칭 등의 화상 처리를 실행하고, 절삭 가공하여야 할 가공 영역의 얼라인먼트를 수행한다. 또한, 반도체 웨이퍼(10)에 형성되어 있는 상기 정해진 방향에 대하여 직교하는 방향으로 연장되는 스트리트(101)에 대해서도, 마찬가지로 절삭 가공하여야 할 가공 영역의 얼라인먼트가 수행된다(얼라인먼트 공정).If the above-described wafer holding step has been performed, the processing transfer means 53 is operated to move the holding means 4 to just below the imaging means 77. When the holding means 4 is located directly under the imaging means 77, the alignment operation for detecting the machining area to be cut of the semiconductor wafer 10 is performed by the imaging means 77 and a control means (not shown). Run In other words, the imaging means 77 and the control means (not shown) adjust the alignment between the street 101 formed in the predetermined direction of the semiconductor wafer 10 and the cutting blade 74 cut along the street 101. Image processing such as pattern matching to be performed is executed, and alignment of the machining area to be cut is performed. In addition, the alignment of the processing area to be cut is similarly performed on the street 101 extending in the direction orthogonal to the predetermined direction formed on the semiconductor wafer 10 (alignment process).

그 후, 유지 수단(4)을 절삭 블레이드(74)의 하방인 절삭 가공 영역으로 이동시키고, 절삭 블레이드(74)를 정해진 방향으로 회전시키며, 화살표(Z)로 나타내는 방향으로 정해진 양만큼 절입 이송하여, 절삭 블레이드(74)의 최하단이 다이싱 테이프(T)에 도달하는 위치에 위치시킨다. 그리고, 반도체 웨이퍼(10)를 흡인 유지한 유지 수단(4)을 절삭 이송 방향인 화살표(X)로 나타내는 방향으로 정해진 절삭 이송 속도로 이동시킨다. 이 결과, 유지 수단(4)을 구성하는 유지 테이블(42) 상에 유지된 반도체 웨이퍼(10)는 절삭 블레이드(74)에 의해 정해진 스트리트(101)를 따라 절단된다(절삭 공정). 이 절삭 공정을 실시할 때에는, 절삭수 공급 노즐(76)로부터 절삭수가 절삭 블레이드(74)의 측면을 향하여 분사된다.Thereafter, the holding means 4 is moved to the cutting area, which is below the cutting blade 74, the cutting blade 74 is rotated in a predetermined direction, and it is cut in a predetermined amount in the direction indicated by the arrow Z, The lower end of the cutting blade 74 is positioned at the position where the dicing tape T is reached. Then, the holding means 4 which sucks and holds the semiconductor wafer 10 is moved at the cutting feed rate determined in the direction indicated by the arrow X which is the cutting feed direction. As a result, the semiconductor wafer 10 held on the holding table 42 constituting the holding means 4 is cut along the street 101 defined by the cutting blade 74 (cutting process). When performing this cutting process, cutting water is injected from the cutting water supply nozzle 76 toward the side surface of the cutting blade 74.

이상과 같이 하여, 반도체 웨이퍼(10)를 정해진 스트리트(101)를 따라 절단하였다면, 유지 수단(4)을 도 1에 있어서 화살표(Y)로 나타내는 방향으로 스트리트(101)의 간격만큼 인덱싱 이송하고, 상기 절삭 공정을 실시한다. 그리고, 반도체 웨이퍼(10)의 정해진 방향으로 연장되는 스트리트의 전부를 따라 절삭 공정을 실시하였다면, 유지 수단(4)을 90도 회전시켜, 반도체 웨이퍼(10)의 정해진 방향과 직교하는 방향으로 연장되는 스트리트(101)를 따라 절삭 공정을 실행함으로써, 반도체 웨이퍼(10)에 격자형으로 형성된 모든 스트리트(101)가 절삭되어 개개의 디바이스(102)로 분할된다. 또한, 분할된 개개의 디바이스(102)는 다이싱 테이프(T)의 작용에 의해 따로따로 흩어지지 않고, 환형의 프레임(F)에 지지된 웨이퍼의 상태가 유지되어 있다. 이와 같이 하여 분할된 개개의 반도체 칩은 환형의 프레임(F)에 장착된 다이싱 테이프(T)에 점착된 상태로 다음 공정에 반송된다.As described above, if the semiconductor wafer 10 is cut along the predetermined street 101, the holding means 4 is indexed and transferred by the distance of the street 101 in the direction indicated by the arrow Y in FIG. 1, The cutting process is performed. If the cutting process is performed along the entirety of the street extending in the predetermined direction of the semiconductor wafer 10, the holding means 4 is rotated 90 degrees to extend in the direction orthogonal to the predetermined direction of the semiconductor wafer 10. By executing the cutting process along the street 101, all the streets 101 formed in a lattice shape on the semiconductor wafer 10 are cut and divided into individual devices 102. In addition, the divided devices 102 are not scattered separately by the action of the dicing tape T, and the state of the wafer supported by the annular frame F is maintained. The individual semiconductor chips divided in this manner are conveyed to the next step in a state of being adhered to the dicing tape T attached to the annular frame F. FIG.

이상, 본 발명을 도시된 실시형태에 기초하여 설명하였지만, 본 발명은 실시형태에만 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 취지의 범위에서 여러가지 변형이 가능하다. 예컨대, 전술한 실시형태에서는 반도체 웨이퍼(10)를 스트리트(101)를 따라 절삭하는 절삭 장치에 본 발명을 적용한 예를 도시하였지만, 본 발명은 레이저 가공 장치나 연삭 장치 등의 가공 장치에 널리 적용될 수 있다.As mentioned above, although this invention was demonstrated based on embodiment shown, this invention is not limited only to embodiment, A various deformation | transformation is possible in the range of the meaning of this invention. For example, in the above-described embodiment, the present invention is applied to a cutting device for cutting the semiconductor wafer 10 along the street 101, but the present invention can be widely applied to a processing device such as a laser processing device or a grinding device. have.

2: 정지 베이스 3: 피가공물 유지 기구
4: 유지 수단 41: 지지 베이스
42: 유지 테이블 5: 유지 테이블 지지 기구
53: 가공 이송 수단 6: 스핀들 지지 기구
63: 인덱싱 이송 수단 7: 스핀들 유닛
72: 스핀들 하우징 73: 회전 스핀들
74: 절삭 블레이드 77: 촬상 수단
78: 절입 이송 수단 10: 반도체 웨이퍼
F: 환형의 프레임 T: 다이싱 테이프2: stop base 3: workpiece holding mechanism
4: holding means 41: support base
42: holding table 5: holding table support mechanism
53: processing feed means 6: spindle support mechanism
63: indexing transfer means 7: spindle unit
72: spindle housing 73: rotating spindle
74: cutting blade 77: imaging means
78: infeed transfer means 10: semiconductor wafer
F: annular frame T: dicing tape

Claims

Processing comprising a holding means for holding the workpiece, a processing means for processing the workpiece held by the holding means, and a processing feed means for processing the holding means and the processing means in a processing feed direction relatively. In the apparatus,
The holding means comprises a holding table having a suction area for suction-holding the workpiece, a holding table having an outer circumferential area for the suction area, and a support base for detachably supporting the holding table and transferring a suction force to the suction area. There is,
The holding table is made of porous ceramics, the plating layer is processed in the region except the suction region,
The upper surface of the outer circumferential region is formed with a predetermined step from the upper surface of the suction region, and a metal ring having a thickness corresponding to this step and fitting to the outer circumference of the suction region is disposed on the upper surface of the plating layer of the outer circumferential region. Processing apparatus.

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