KR20190079122A - Substrate support unit and substrate polishing apparatus comprsing the same - Google Patents

Substrate support unit and substrate polishing apparatus comprsing the same Download PDF

Info

Publication number
KR20190079122A
KR20190079122A KR1020170181097A KR20170181097A KR20190079122A KR 20190079122 A KR20190079122 A KR 20190079122A KR 1020170181097 A KR1020170181097 A KR 1020170181097A KR 20170181097 A KR20170181097 A KR 20170181097A KR 20190079122 A KR20190079122 A KR 20190079122A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
slurry
polishing
unit
polished
Prior art date
Application number
KR1020170181097A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102050975B1 (en
Inventor
이해성
Original Assignee
주식회사 케이씨텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 케이씨텍 filed Critical 주식회사 케이씨텍
Priority to KR1020170181097A priority Critical patent/KR102050975B1/en
Publication of KR20190079122A publication Critical patent/KR20190079122A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102050975B1 publication Critical patent/KR102050975B1/en

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
    • B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27—Work carriers
    • B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
    • B24B37/32—Retaining rings
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

Disclosed are a substrate support unit and a substrate polishing apparatus comprising the same. According to an embodiment, the substrate support unit comprises: a platen; a substrate mounting portion provided in an upper portion of the platen and on which a substrate is mounted; a retainer portion connected to the platen to surround an external side of the mounted substrate; and a slurry supply unit connected to the platen and supplying slurry to the mounted substrate.

Description

기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 연마 장치{SUBSTRATE SUPPORT UNIT AND SUBSTRATE POLISHING APPARATUS COMPRSING THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a substrate supporting unit and a substrate polishing apparatus including the substrate supporting unit.

아래의 실시예는 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 연마 장치에 관한 것이다.The following embodiments relate to a substrate supporting unit and a substrate polishing apparatus including the same.

기판의 제조에는, 연마와 버핑(buffing) 및 세정을 포함하는 CMP(chemical mechanical polishing) 작업이 필요하다. 기판의 CMP 작업에는, 연마패드를 통해 기판의 피연마면을 연마하는 공정이 요구된다. CMP 장치는 기판의 일면 또는 양면을 연마와 버핑 및 세정하기 위한 구성요소로서, 벨트, 연마패드 또는 브러시를 구비하는 벨트를 구비한다. 슬러리는 CMP 작업을 촉진 및 강화시키기 위해 사용된다. The fabrication of the substrate requires chemical mechanical polishing (CMP) operations including polishing, buffing and cleaning. In the CMP work of the substrate, a step of polishing the polished surface of the substrate through the polishing pad is required. The CMP apparatus includes a belt, a polishing pad, or a belt having a brush, as components for polishing and buffing and cleaning one or both surfaces of the substrate. The slurry is used to promote and strengthen the CMP operation.

기판을 연마하는 경우, 일반적으로 연마패드의 크기는 기판의 크기보다 작게 된다. 따라서, 기판의 피연마면을 연마하기 위해서는, 연마패드가 수평으로 이동하면서 기판을 연마할 필요가 있다.When the substrate is polished, the size of the polishing pad generally becomes smaller than the size of the substrate. Therefore, in order to polish the polished surface of the substrate, it is necessary to polish the substrate while moving the polishing pad horizontally.

한편, 일반적인 기판 연마 장치는, 즉 반도체에 사용하는 원형 기판의 연마장치는, 원형 기판과 원형 연마패드 사이의 상대 회전속도에 의해서 연마가 이루어지고, 연마용 슬러리를 제공하기 위한 다수의 분사 노즐이 구비된다. 그런데 이와 같은 기존의 분사 노즐을 기판 및 연마패드에 적용하기 위해서는 다수의 노즐이 필요하고, 각 노즐마다 슬러리 분사량이 과도하여 슬러리의 소모량이 많아지고, 대면적의 연마패드의 전면에 슬러리를 균일하기 도포하는 것이 매우 어렵기 때문에 연마균일도가 현저히 저하될 수 있다.On the other hand, in a general substrate polishing apparatus, that is, a polishing apparatus for a circular substrate used in a semiconductor, polishing is performed at a relative rotational speed between the circular substrate and the circular polishing pad, and a plurality of spray nozzles Respectively. However, in order to apply such a conventional spray nozzle to a substrate and a polishing pad, a large number of nozzles are required, the amount of slurry injected is too large for each nozzle, the amount of slurry consumed increases, and the slurry is uniformly distributed over the entire surface of the polishing pad It is very difficult to apply and polishing uniformity can be significantly lowered.

일반적으로, 기판을 지지하는 캐리어를 회전시킴으로써, 기판 전체에 슬러리를 도포하는 방법이 사용된다. 그러나, 기판의 크기가 커질수록, 기판을 회전시키기가 어렵기 때문에, 슬러리가 기판 전체에 도포되지 않는 문제가 발생할 수 있다. 따라서, 기판의 크기에 관계 없이, 기판 전체에 슬러리를 분사하는 장치가 요구되는 실정이다.Generally, a method of applying slurry to the entire substrate by rotating the carrier supporting the substrate is used. However, the larger the size of the substrate, the more difficult it is to rotate the substrate, so that the problem that the slurry is not applied to the entire substrate may occur. Therefore, a device for spraying slurry over the entire substrate is required regardless of the size of the substrate.

일 실시 예에 따른 목적은, 기판의 크기에 관계없이, 기판 전체에 슬러리를 도포할 수 있는 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 연마 장치를 제공하기 위한 것이다.An object according to an embodiment is to provide a substrate holding unit capable of applying slurry to the entire substrate regardless of the size of the substrate and a substrate polishing apparatus including the same.

일 실시 예에 따른 목적은, 다양한 방향에서 기판을 향해 슬러리를 분사할 수 있는 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 연마 장치를 제공하기 위한 것이다.An object according to an embodiment is to provide a substrate holding unit capable of spraying a slurry toward a substrate in various directions and a substrate polishing apparatus including the same.

일 실시 예에 따른 기판 지지 유닛은, 플레이튼; 상기 플레이튼의 상부에 구비되고, 기판이 안착되는 기판 안착부; 안착된 상기 기판의 외측을 감싸도록, 상기 플레이튼에 연결되는 리테이너부; 및 상기 플레이튼에 연결되고, 상기 안착된 기판에 슬러리를 공급하는 슬러리 공급부를 포함할 수 있다.A substrate support unit according to an embodiment includes: a platen; A substrate seating part provided on the platen and on which the substrate is placed; A retainer portion connected to the platen so as to surround the outside of the mounted substrate; And a slurry supply unit connected to the platen and supplying the slurry to the mounted substrate.

일 측에 있어서, 상기 슬러리 공급부는, 상기 리테이너부에 배치되고, 슬러리를 분사하는 슬러리 분사구를 포함할 수 있다.In one aspect of the present invention, the slurry supply unit may include a slurry jet orifice disposed in the retainer to jet the slurry.

일 측에 있어서, 상기 슬러리 분사구는, 상기 리테니어부의 내측에 매립될 수 있다.In one aspect, the slurry ejection port may be embedded inside the retainer portion.

일 측에 있어서, 상기 슬러리 분사구는, 상기 슬러리의 분사 각도가 조절될 수 있다.On one side, the spray angle of the slurry can be adjusted in the slurry jetting port.

일 측에 있어서, 상기 슬러리 분사구는 복수개가 구비되고, 상기 복수의 슬러리 분사구는, 상기 기판의 외측을 따라 일정 간격만큼 이격 배치될 수 있다.In one aspect, a plurality of the slurry ejection openings may be provided, and the plurality of slurry ejection openings may be spaced apart from each other by a predetermined distance along the outer side of the substrate.

일 측에 있어서, 상기 슬러리 공급부는, 상기 리테이너부에 배치되고, 공기를 분사하는 공기 분사구를 더 포함할 수 있다.In one aspect of the present invention, the slurry supply unit may further include an air ejection port disposed in the retainer and ejecting air.

일 측에 있어서, 상기 공기 분사구는, 상기 슬러리 분사구를 통해 분사되는 슬러리에 공기를 분사하여, 상기 슬러리를 퍼뜨릴 수 있다.In one aspect of the present invention, the air ejection port can spread air by spraying the slurry injected through the slurry ejection port to disperse the slurry.

일 측에 있어서, 상기 공기 분사구는, 분사하는 공기의 압력을 조절 할 수 있다.On one side, the air injection port can regulate the pressure of the air to be sprayed.

일 측에 있어서, 상기 기판 지지 유닛은, 상기 리테이너부에 구비되고, 진공압을 발생시키는 흡입부를 더 포함할 수 있다.In one aspect of the present invention, the substrate supporting unit may further include a suction part provided in the retainer part and generating a vacuum pressure.

일 측에 있어서, 상기 흡입부는, 상기 기판의 둘레를 감싸도록, 상기 리테이너부를 따라 복수개가 배치될 수 있다.In one side, a plurality of suction portions may be arranged along the retainer portion so as to surround the periphery of the substrate.

일 측에 있어서, 상기 기판 안착부에 구비되고, 상기 안착된 기판을 디척킹(dechucking)시키기 위한, 디척킹부를 더 포함할 수 있다.And a dechucking unit provided on the substrate mounting part for dechucking the mounted substrate.

일 측에 있어서, 상기 디처킹부는, 상기 기판의 하면을 향해 순수(DIW)를 분사할 수 있다.On one side, the dechucking unit may inject pure water (DIW) toward the lower surface of the substrate.

일 실시 예에 따른 기판 연마 장치는, 피연마면이 상부를 향하도록 기판을 지지하고, 상기 기판으로 슬러리가 공급되는 기판 지지 유닛; 및 상기 피연마면을 연마하기 위한 연마패드를 포함하고, 상기 연마패드가 연마하는 부위로 슬러리를 공급하는 기판 연마 유닛을 포함할 수 있다.A substrate polishing apparatus according to an embodiment includes: a substrate holding unit that supports a substrate such that a surface to be polished faces upward; and a slurry is supplied to the substrate; And a polishing pad for polishing the surface to be polished, and for supplying the slurry to a portion to be polished by the polishing pad.

일 측에 있어서, 상기 기판 지지 유닛은, 상기 기판이 안착되는 기판 안착부; 상기 안착된 기판의 위치를 고정하도록, 상기 기판 안착부의 둘레를 감싸도록 배치되는 리테이너부; 및 상기 리테이너부에 형성되고, 상기 기판의 피연마면을 향해 슬러리를 공급하는 슬러리 공급부를 포함할 수 있다.The substrate supporting unit may include: a substrate mounting part on which the substrate is mounted; A retainer portion disposed to surround the periphery of the substrate seating portion so as to fix the position of the seating substrate; And a slurry supply part formed in the retainer part and supplying the slurry toward the surface to be polished of the substrate.

일 측에 있어서, 상기 리테이너부는, 상기 안착된 기판에 단차지지 않는 두께를 가질 수 있다.In one side, the retainer portion may have a thickness that is not stepped on the seated substrate.

일 측에 있어서, 상기 슬러리 공급부는, 상기 리테이너부의 내측에 매립되고, 상기 슬러리를 분사하기 위한 슬러리 분사구; 및 상기 리테이너부의 내측에 매립되고, 상기 슬러리 분사구를 통해 분사된 슬러리에 공기압을 제공하기 위한 공기 분사구를 포함할 수 있다.The slurry supply portion includes a slurry injection port embedded in the inside of the retainer portion for spraying the slurry; And an air ejection hole embedded in the inside of the retainer portion and for supplying air pressure to the slurry injected through the slurry ejection opening.

일 측에 있어서, 상기 기판 연마 유닛은, 상하로 이동 가능한 연마 플레이튼; 상기 연마 플레이튼에 회전 가능하게 연결되고, 상기 연마패드가 부착되는 연마 헤드; 및 상기 연마 헤드에 형성되고, 상기 연마패드를 향해 슬러리를 공급하는 연마 슬러리 공급부를 포함할 수 있다.In one aspect, the substrate polishing unit includes: a polishing platen movable up and down; A polishing head rotatably connected to the polishing platen and to which the polishing pad is attached; And a polishing slurry supply portion formed on the polishing head and supplying the slurry toward the polishing pad.

일 측에 있어서, 상기 기판 연마 장치는, 상기 피연마면의 상태를 센싱하는 센싱부; 및 상기 기판 지지 유닛 및 기판 연마 유닛 각각의 슬러리 공급을 제어하는 제어부를 더 포함할 수 있다.In one aspect of the present invention, the substrate polishing apparatus includes a sensing unit configured to sense a state of the surface to be polished; And a control unit for controlling the slurry supply of each of the substrate supporting unit and the substrate polishing unit.

일 측에 있어서, 상기 센싱부는, 상기 피연마면을 복수의 영역으로 구획하고, 각 영역에 대한 연마도를 검출하고, 상기 제어부는, 상기 검출된 연마도에 따라 기판에 대한 슬러리 공급을 조절할 수 있다.Wherein the sensing section is configured to divide the surface to be polished into a plurality of regions and detect the degree of polishing for each region, and the control section controls the slurry supply to the substrate in accordance with the detected degree of polishing have.

일 측에 있어서, 상기 센싱부는, 상기 피연마면의 슬러리 양을 검출하고, 상기 제어부는, 상기 검출된 슬러리 양이 설정값 미만인 기판영역을 향해 슬러리를 공급하도록, 상기 기판 지지 유닛 및 기판 연마 유닛을 제어할 수 있다.Wherein the sensing unit detects the amount of slurry on the surface to be polished and the control unit controls the substrate holding unit and the substrate polishing unit so as to supply the slurry toward the substrate area where the detected amount of slurry is less than the set value, Can be controlled.

일 실시예에 따른 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 연마 장치는, 기판의 크기에 관계없이 기판 전체에 슬러리를 균일하게 도포할 수 있다.The substrate supporting unit and the substrate polishing apparatus including the same according to the embodiment can uniformly apply the slurry to the entire substrate regardless of the size of the substrate.

일 실시 예에 따른 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 연마 장치는, 슬러리 분사를 조절함으로써, 기판의 연마도를 향상시킬 수 있다.The substrate holding unit and the substrate polishing apparatus including the same according to an embodiment can improve the degree of polishing of the substrate by controlling the slurry injection.

일 실시예에 따른 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 연마 장치는 의 효과는 이상에서 언급된 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 효과들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the substrate holding unit and the substrate polishing apparatus including the same according to the embodiment are not limited to those mentioned above, and other effects not mentioned can be clearly understood to those skilled in the art from the following description .

본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 일 실시예를 예시하는 것이며, 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술적 사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석 되어서는 아니 된다.
도 1은 일 실시 예에 따른 기판 연마 장치의 모식도이다.
도 2는 일 실시 예에 따른 기판 지지 유닛의 단면도이다.
도 3은 일 실시 예에 따른 기판 지지 유닛의 상면도이다.
도 4는 일 실시 예에 따른 기판 연마 장치의 블록도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The accompanying drawings, which are incorporated in and constitute a part of the specification, illustrate preferred embodiments of the invention and, together with the description, serve to further the understanding of the technical idea of the invention, It should not be construed as limited.
1 is a schematic view of a substrate polishing apparatus according to an embodiment.
2 is a cross-sectional view of a substrate support unit according to one embodiment.
3 is a top view of a substrate support unit according to one embodiment.
4 is a block diagram of a substrate polishing apparatus according to one embodiment.

이하, 실시 예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 실시 예를 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 실시 예에 대한 이해를 방해한다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다. Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to exemplary drawings. It should be noted that, in adding reference numerals to the constituent elements of the drawings, the same constituent elements are denoted by the same reference symbols as possible even if they are shown in different drawings. In the following description of the embodiments, detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the best of an understanding clear.

또한, 실시 예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. In describing the components of the embodiment, terms such as first, second, A, B, (a), and (b) may be used. These terms are intended to distinguish the constituent elements from other constituent elements, and the terms do not limit the nature, order or order of the constituent elements. When a component is described as being "connected", "coupled", or "connected" to another component, the component may be directly connected or connected to the other component, Quot; may be "connected," "coupled," or "connected. &Quot;

어느 하나의 실시 예에 포함된 구성요소와, 공통적인 기능을 포함하는 구성요소는, 다른 실시 예에서 동일한 명칭을 사용하여 설명하기로 한다. 반대되는 기재가 없는 이상, 어느 하나의 실시 예에 기재한 설명은 다른 실시 예에도 적용될 수 있으며, 중복되는 범위에서 구체적인 설명은 생략하기로 한다.The components included in any one embodiment and the components including common functions will be described using the same names in other embodiments. Unless otherwise stated, the description of any one embodiment may be applied to other embodiments, and a detailed description thereof will be omitted in the overlapping scope.

도 1은 일 실시 예에 따른 기판 연마 장치의 모식도이고, 도 2는 일 실시 예에 따른 기판 지지 유닛의 단면도이며, 도 3은 일 실시 예에 따른 기판 지지 유닛의 상면도이다.FIG. 1 is a schematic view of a substrate polishing apparatus according to an embodiment, FIG. 2 is a cross-sectional view of a substrate holding unit according to an embodiment, and FIG. 3 is a top view of a substrate holding unit according to an embodiment.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 일 실시 예에 따른 기판 연마 장치(1)는, 기판(W)의 연마 균일도를 향상시키도록, 기판(W) 전체에 대하여 다방향으로 슬러리를 분사할 수 있다. 기판 연마 장치(1)는, 기판(W)의 크기에 관계없이 기판(W) 전체에 슬러리를 공급할 수 있다. 1 to 3, the substrate polishing apparatus 1 according to the embodiment can spray slurry in multiple directions with respect to the entire substrate W so as to improve the polishing uniformity of the substrate W . The substrate polishing apparatus 1 can supply slurry to the entire substrate W irrespective of the size of the substrate W. [

기판(W)은 LCD(liquid crystal display), PDP(plasma display panel)와 같은 평판 디스플레이 장치(flat panel display device, FPD)용 글라스를 포함할 수 있다. 그러나, 기판(W)의 종류가 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 기판(W)은, 반도체 장치(semiconductor) 제조용 실리콘 웨이퍼(silicon wafer)일 수도 있다. 또한, 도면에서는 기판(W)(W)이 사각형 형상을 가지는 것으로 도시하였으나, 이는 설명의 편의를 위한 예시에 불과하며, 기판(W)의 형상이 이에 한정되는 것은 아니다.The substrate W may include a glass for a flat panel display device (FPD) such as a liquid crystal display (LCD) or a plasma display panel (PDP). However, the type of the substrate W is not limited thereto. For example, the substrate W may be a silicon wafer for manufacturing a semiconductor device. Although the substrate W has a rectangular shape in the drawing, this is only an example for convenience of explanation, and the shape of the substrate W is not limited thereto.

일 실시 예에 따른 기판 연마 장치(1)는, 기판 지지 유닛(110) 및 기판 연마 유닛(120)을 포함할 수 있다.The substrate polishing apparatus 1 according to one embodiment may include a substrate holding unit 110 and a substrate polishing unit 120.

기판 지지 유닛(110)은 기판(W)의 연마를 위해, 기판(W)을 지지할 수 있다. 기판 지지 유닛(110)은, 예를 들어, 기판(W)의 피연마면이 상부를 향하도록 기판(W)을 지지할 수 있다. 기판 지지 유닛(110)은 지지된 기판(W)을 향해 슬러리를 공급할 수 있다. 기판 지지 유닛(110)은, 플레이튼(111), 기판 안착부(113), 리테이너부(112), 슬러리 공급부(114), 흡입부(115) 및 디척킹부를 포함할 수 있다.The substrate supporting unit 110 can support the substrate W for polishing the substrate W. [ The substrate supporting unit 110 can support the substrate W such that the polished surface of the substrate W faces upward, for example. The substrate support unit 110 can supply the slurry toward the supported substrate W. [ The substrate support unit 110 may include a platen 111, a substrate seating portion 113, a retainer portion 112, a slurry supply portion 114, a suction portion 115, and a dechucking portion.

플레이튼(111)은 기판(W)을 지지할 수 있다. 예를 들어, 플레이튼(111)은 기판(W)의 피연마면이 상부를 향하도록, 기판(W)을 하측에서 지지할 수 있다. 플레이튼(111)은 기판(W)을 지지한 상태로 지면에 평행한 방향을 따라 이동함으로써, 기판(W)을 이동시킬 수 있다. 예를 들어, 플레이튼(111)은 설정된 경로를 가지는 가이드 레일에 연결되고, 가이드 레일을 따라 이동함으로써, 기판(W)을 연마위치로 이동시킬 수 있다. 플레이튼(111)은 상하로 승강함으로써, 지지된 기판(W)의 높이를 조절할 수 있다.The platen (111) can support the substrate (W). For example, the platen 111 can support the substrate W from the lower side such that the polished surface of the substrate W faces upward. The platen 111 can move the substrate W by moving along the direction parallel to the paper surface while supporting the substrate W. [ For example, the platen 111 is connected to a guide rail having a set path, and by moving along the guide rail, the substrate W can be moved to the polishing position. The platen 111 can move up and down to adjust the height of the supported substrate W.

기판 안착부(113)는 플레이튼(111)에 구비되고, 기판(W)이 안착되는 공간을 제공할 수 있다. 기판 안착부(113)는, 예를 들어, 플레이튼(111)의 상부에 구비되고, 기판(W)의 비연마면에 접촉함으로써, 기판(W)을 지지할 수 있다. 기판(W)이 안착된 상태를 기준으로, 기판 안착부(113)는 기판(W) 및 리테이너부(112) 사이에 틈이 생기지 않도록, 기판(W)에 대응되는 크기로 형성될 수 있다. 기판 안착부(113)는, 내측에 구비되는 멤브레인(membrane)을 포함할 수 있다. 멤브레인은 기판(W)의 비 연마면을 지지하고, 기판(W)을 외부 방향, 예를 들어, 상부방향으로 가압할 수 있다. 이 경우, 기판(W)은 연마과정에서 멤브레인에 의해 가압됨으로써, 연마패드(123)에 밀착될 수 있다. 멤브레인은 탄성력을 가지는 가요성 재질을 포함할 수 있다.The substrate seating portion 113 is provided in the platen 111 and can provide a space in which the substrate W is seated. The substrate seating portion 113 is provided on the upper portion of the platen 111 and can support the substrate W by contacting the non-polished surface of the substrate W. [ The substrate seating part 113 may be formed to have a size corresponding to the substrate W so that no gap is formed between the substrate W and the retainer part 112 based on the state where the substrate W is seated. The substrate seating part 113 may include a membrane provided inside. The membrane supports the non-polished surface of the substrate W and can press the substrate W outwardly, e.g., upwardly. In this case, the substrate W can be brought into close contact with the polishing pad 123 by being pressed by the membrane in the polishing process. The membrane may comprise a flexible material having an elastic force.

리테이너부(112)는 안착된 기판(W)의 외측을 감싸도록, 플레이튼(111)에 연결될 수 있다. 다시 말하면, 리테이너부(112)는 기판 안착부(113)에 안착된 기판(W)의 테두리를 지지함으로써, 기판(W)이 기판 안착부(113)에서 이탈하는 것을 방지할 수 있다. 리테이너부(112)는, 안착된 기판(W)의 피연마면과 동일한 높이, 다시 말해, 단차지지 않는 두께를 가질 수 있다.The retainer portion 112 may be connected to the platen 111 so as to surround the outside of the mounted substrate W. In other words, the retainer portion 112 can support the edge of the substrate W that is seated on the substrate seating portion 113, thereby preventing the substrate W from separating from the substrate seating portion 113. The retainer portion 112 may have the same height as the surface to be polished of the mounted substrate W, that is, a thickness that does not abrade.

슬러리 공급부(114)는 플레이튼(111)에 연결되고, 기판 안착부(113)에 안착된 기판(W)에 슬러리(slurry)를 공급할 수 있다. 슬러리는 기판(W) 및 연마패드(123) 사이로 유동되어, 슬러리 입자와 패드의 표면 돌기에 의한 기계적 마찰을 통해 기판(W)의 연마를 수행하는 동시에, 슬러리를 구성하는 조성물에 의한 화학반응을 통해 기판(W) 표면을 연마할 수 있다. 슬러리 공급부(114)가 제공하는 슬러리의 종류는 연마되는 기판(W)의 종류, 특성에 따라 다양할 수 있으며, 한정되는 것은 아니다.The slurry supply unit 114 is connected to the platen 111 and is capable of supplying slurry to the substrate W placed on the substrate seating unit 113. The slurry flows between the substrate W and the polishing pad 123 to perform the polishing of the substrate W through mechanical friction by the surface protrusions of the slurry particles and the pad and to remove the chemical reaction by the composition constituting the slurry The surface of the substrate W can be polished. The kind of slurry provided by the slurry supply unit 114 may vary depending on the type and characteristics of the substrate W to be polished, but is not limited thereto.

슬러리 공급부(114)는 리테이너부(112)에 형성될 수 있다. 슬러리 공급부(114)는, 리테이너부(112)로부터 기판 안착부(113)를 향해 슬러리를 분사함으로써, 안착된 기판(W)의 피연마면에 슬러리를 공급할 수 있다. 슬러리 공급부(114)는 리테이너부(112)의 내측에 매립될 수 있다. 다시 말해, 슬러리 공급부(114)는 리테이너부(112)의 상부면에 돌출되지 않도록, 리테이너부(112)에 설치될 수 있다. 일반적으로, 연마패드(123)가 기판(W)의 엣지(edge)영역을 연마하는 과정에서, 연마패드(123)가 기판(W) 외측에 배치된 리테이너부(112)를 함께 연마하게 된다. 따라서, 슬러리 공급부(114)가 리테이너부(112)에 매립되는 경우, 연마패드(123) 및 슬러리 공급부(114)가 접촉하는 것을 방지하고, 연마패드(123)의 손상 및 기판(W)의 연마도 저하를 방지할 수 있다. 슬러리 공급부(114)는, 슬러리를 분사하는 슬러리 분사구(1141) 및, 공기를 분사하는 공기 분사구(1142)를 포함할 수 있다. The slurry supply part 114 may be formed in the retainer part 112. The slurry supply section 114 can supply the slurry to the surface to be polished of the substrate W that has been seated by spraying the slurry from the retainer section 112 toward the substrate seating section 113. [ The slurry supply portion 114 may be embedded inside the retainer portion 112. In other words, the slurry supply portion 114 can be installed in the retainer portion 112 so as not to protrude from the upper surface of the retainer portion 112. The polishing pad 123 abrades the retainer portion 112 disposed outside the substrate W in the process of polishing the edge region of the substrate W. [ Therefore, when the slurry supply portion 114 is embedded in the retainer portion 112, the polishing pad 123 and the slurry supply portion 114 are prevented from coming into contact with each other and damage to the polishing pad 123 and polishing of the substrate W Can be prevented. The slurry supply unit 114 may include a slurry ejection opening 1141 for ejecting slurry and an air ejection opening 1142 for ejecting air.

슬러리 분사구(1141)는 리테이너부(112)에 매립 설치되고, 기판 안착부(113) 방향을 향해 슬러리를 분사할 수 있다. 슬러리 분사구(1141)는, 노즐 형태로 구비됨으로써, 외부로부터 공급된 슬러리를 분사할 수 있다. 슬러리 분사구(1141)는 분사되는 슬러리의 분사 각도를 조절할 수 있다. 예를 들어, 리테이너부(112) 상에는 중공이 형성되고, 슬러리 분사구(1141)는 경사가 조절되도록 중공 내에 설치될 수 있다. 슬러리 분사구(1141)는 슬러리의 분사 속도가 조절됨으로써, 기판(W)에 대한 슬러리의 분사 위치를 조절할 수 있다.The slurry jetting port 1141 is embedded in the retainer portion 112 and is capable of jetting the slurry toward the substrate seating portion 113. The slurry jetting ports 1141 are provided in the form of a nozzle, so that the slurry supplied from outside can be jetted. The slurry jetting port 1141 can control the jetting angle of the slurry to be jetted. For example, a hollow may be formed on the retainer portion 112, and the slurry ejection opening 1141 may be provided in the hollow to adjust the inclination. The slurry jetting port 1141 can control the jetting position of the slurry on the substrate W by adjusting the jetting speed of the slurry.

슬러리 분사구(1141)는 복수개가 구비될 수 있다. 복수의 슬러리 분사구(1141)는 기판(W)의 외측을 따라 일정 간격만큼 이격 배치되도록 리테이너부(112) 상에 설치될 수 있다. 복수의 슬러리 분사구(1141)는 선택적으로 슬러리를 분사함으로써, 기판(W)의 피연마면 전체에 대해 슬러리를 공급할 수 있다. A plurality of slurry jetting ports 1141 may be provided. The plurality of slurry ejection openings 1141 may be provided on the retainer 112 such that the slurry ejection openings 1141 are spaced apart from each other by a predetermined distance along the outer side of the substrate W. The plurality of slurry ejection openings 1141 can selectively supply the slurry to the entire surface to be polished of the substrate W by spraying the slurry.

공기 분사구(1142)는 리테이너부(112)에 배치되고, 공기를 분사할 수 있다. 공기 분사구(1142)는 리테이너부(112)에 매립 설치되고, 슬러리 분사구(1141)를 통해 분사되는 슬러리를 향해 공기를 분사할 수 있다. 예를 들어, 공기 분사구(1142)는 슬러리 분사구(1141)에 인접하게 설치되어, 슬러리 분사구(1141)와 함께 작동할 수 있다. 슬러리 분사구(1141)가 복수개 구비되는 경우, 공기 분사구(1142)는 각각의 슬러리 분사구(1141)에 대응하도록 복수개 구비되어, 각각의 슬러리 분사구(1141)를 통해 분사되는 슬러리에 공기를 분사할 수 있다. 이 경우, 공기 분사구(1142)는 분사되는 공기의 압력을 조절함으로써, 슬러리의 분산 정도를 조절할 수 있다.The air jet opening 1142 is disposed in the retainer portion 112 and is capable of jetting air. The air jet opening 1142 is embedded in the retainer portion 112 and is capable of jetting air toward the slurry injected through the slurry jet opening 1141. For example, an air jet opening 1142 may be provided adjacent to the slurry ejection opening 1141 to operate together with the slurry ejection opening 1141. When a plurality of slurry jetting openings 1141 are provided, a plurality of air jetting openings 1142 corresponding to the respective slurry jetting openings 1141 can jet air to the slurry jetted through the respective slurry jetting openings 1141 . In this case, the air injection port 1142 can control the degree of dispersion of the slurry by controlling the pressure of the air to be sprayed.

이와 같은 구조에 의하면, 공기 분사구(1142)를 통해 분사되는 공기가 슬러리 분사구(1141)를 통해 분사되는 슬러리를 분산시킬 수 있다. 다시 말하면, 공기 분사구(1142)의 작동에 의해 분사되는 슬러리가 퍼뜨려(spread)짐으로써, 기판(W) 전체에 균일하게 분사될 수 있다. 기판(W)의 크기가 커지면, 플레이튼(111)의 회전에 제약이 생기기 때문에, 기판(W)의 특정부분에 과도량의 슬러리가 분사되면, 슬러리를 균일하게 도포하기 어려울 수 있다. 따라서, 슬러리 공급부(114)는 공기 분사구(1142)의 작동을 통해, 슬러리를 분산시켜 기판(W) 전체에 균일하게 도포함으로써, 기판(W)의 특정부분에 슬러리가 과도하게 집중되는 것을 방지할 수 있다. According to this structure, the air injected through the air jet opening 1142 can disperse the slurry injected through the slurry jet opening 1141. In other words, the slurry injected by the operation of the air jet opening 1142 spreads, so that it can be uniformly sprayed over the entire surface of the substrate W. [ When the size of the substrate W is large, there is a restriction on the rotation of the platen 111, so that it may be difficult to uniformly apply the slurry if an excessive amount of slurry is sprayed on a specific portion of the substrate W. Accordingly, the slurry supply unit 114 distributes the slurry uniformly over the entire surface of the substrate W through the operation of the air injection port 1142, thereby preventing excessive concentration of slurry in a specific portion of the substrate W .

흡입부(115)는, 리테이너부(112)에 구비되고, 진공압을 발생시킬 수 있다. 흡입부(115)는, 기판(W)의 둘레를 감싸도록 리테이너부(112)의 길이 방향을 따라 복수개가 배치될 수 있다. 흡입부(115)는, 리테이너부(112)에 홀(hole) 형태로 형성되고, 진공압을 발생시킴으로써, 기판(W)의 연마 과정에서 발생하는 파티클(particle), 슬러리, 잔여물 및, 순수(DIW)를 흡입(suction)하는 역할을 수행할 수 있다. 이와 같은 구조에 의하면, 연마패드(123)가 기판(W)의 엣지 영역을 연마하는 과정에서, 리테이너부(112) 상에 잔류하는 잔여물에 의해 손상되거나, 기판(W)의 연마도가 저하되는 것을 방지할 수 있다.The suction portion 115 is provided in the retainer portion 112 and can generate a vacuum pressure. A plurality of suction portions 115 may be disposed along the longitudinal direction of the retainer portion 112 so as to surround the periphery of the substrate W. [ The suction part 115 is formed in the form of a hole in the retainer part 112 and generates a vacuum pressure so that particles, slurry, residue, and pure water generated in the polishing process of the substrate W (DIW) to the suction port. According to such a structure, when the polishing pad 123 is damaged by the residue remaining on the retainer portion 112 in the process of polishing the edge region of the substrate W, or when the degree of polishing of the substrate W is lowered Can be prevented.

디처킹부(116)는, 기판 안착부(113)에 구비되고, 기판 안착부(113)에 안착된 기판(W)을 디처킹(dechucking)할 수 있다. 예를 들어, 디처킹부(116)는 기판(W)의 연마가 완료되면, 기판(W)을 외측으로 밀어냄으로써, 기판(W)을 기판 안착부(113)로부터 이탈시킬 수 있다. 예를 들어, 디처킹부(116)는, 기판(W)의 하면, 즉, 비연마면을 향해 순수(DIW, De-Ionized Water)를 분사할 수 있다. 따라서, 기판(W)을 이탈시키기 위한 압력을 제공하는 동시에, 기판(W)의 비연마면을 세척하는 효과를 달성할 수 있다. 반면, 디처킹부(116)는, 기판(W)을 향해 공기를 분사할 수도 있다. 디처킹부(116)가 분사하는 유체의 종류는 한정되지 않는다. 디처킹부(116)는, 기판 안착부(113)에 형성되는 복수개의 홀을 포함하고, 각각의 홀은 유체를 분사함으로써, 기판(W)의 각 부위를 가압할 수 있다.The deferring part 116 is provided on the substrate seating part 113 and can dechuck the substrate W placed on the substrate seating part 113. [ For example, when polishing of the substrate W is completed, the wafer W can be released from the substrate seating portion 113 by pushing the substrate W outwardly. For example, the dequantizing portion 116 can jet DIW (de-ionized water) toward the lower surface of the substrate W, that is, the non-polished surface. Therefore, it is possible to achieve the effect of cleaning the non-polished surface of the substrate W while at the same time providing the pressure for releasing the substrate W. [ On the other hand, the deferring portion 116 may blow air toward the substrate W. [ The kind of the fluid jetted by the dichroic portion 116 is not limited. The deferring part 116 includes a plurality of holes formed in the substrate seating part 113, and each hole can press each part of the substrate W by jetting a fluid.

기판 연마 유닛(120)은, 기판 안착부(113)에 안착된 기판(W)을 연마할 수 있다. 기판 연마 유닛(120)은, 기판(W)을 연마하는 동시에 기판(W)의 연마부위를 향해 슬러리를 공급할 수 있다. 기판 연마 유닛(120)은, 연마 플레이튼(121), 연마헤드(122), 연마패드(123) 및 슬러리 공급부(114)를 포함할 수 있다.The substrate polishing unit 120 can polish the substrate W that is seated on the substrate seating portion 113. The substrate polishing unit 120 can polish the substrate W and simultaneously supply the slurry toward the polishing region of the substrate W. [ The substrate polishing unit 120 may include a polishing platen 121, a polishing head 122, a polishing pad 123, and a slurry supply unit 114.

연마 플레이튼(121)은, 기판 지지 유닛(110)의 상부, 다시 말해, 기판(W)의 상부에 위치할 수 있다. 연마 플레이튼(121)은 기판(W)의 피연마면에 평행한 평면상에서 선형 이동할 수 있다. 따라서, 연마 플레이튼(121)은 기판(W)의 전 부위를 따라 이동하면서, 연마패드(123)를 기판(W) 피연마면을 따라 이동시킬 수 있다. 연마 플레이튼(121)은, 기판(W)에 대하여 상하로 움직임으로써, 기판(W) 및 연마패드(123)의 접촉 압력을 조절할 수 있다. 따라서, 연마패드(123)에 의한 기판(W)의 연마정도를 조절할 수 있다.The polishing platen 121 may be located on the top of the substrate support unit 110, that is, above the substrate W. [ The polishing platen 121 can move linearly on a plane parallel to the surface to be polished of the substrate W. [ The polishing platen 121 can move the polishing pad 123 along the entire surface of the substrate W while moving the polishing pad 123 along the polishing surface to be polished. The polishing platen 121 can adjust the contact pressure of the substrate W and the polishing pad 123 by moving up and down with respect to the substrate W. [ Therefore, the degree of polishing of the substrate W by the polishing pad 123 can be controlled.

연마헤드(122)는 연마 플레이튼(121)에 회전 가능하게 연결될 수 있다. 연마헤드(122)는, 기판(W)의 피연마면에 수직한 축을 중심으로 회전할 수 있다. 연마헤드(122)는 연마 플레이튼(121)의 움직임에 따라 기판(W)의 피연마면의 상부를 회전하면서 이동할 수 있다. The polishing head 122 may be rotatably connected to the polishing platen 121. The polishing head 122 can rotate about an axis perpendicular to the surface to be polished of the substrate W. [ The polishing head 122 can move while rotating on the upper surface of the polishing surface of the substrate W in accordance with the movement of the polishing platen 121. [

연마패드(123)는 연마헤드(122)에 연결될 수 있다. 예를 들어, 연마패드(123)는 연마헤드(122)의 하측에 교체 가능하게 부착되고, 기판(W)의 피연마면에 접촉하면서 기판(W)을 연마할 수 있다. 연마패드(123)는 연마 플레이튼(121) 및 연마헤드(122)의 작동에 따라 기판(W)의 전 부위를 이동하면서 기판(W)을 연마할 수 있다.The polishing pad 123 may be connected to the polishing head 122. For example, the polishing pad 123 is replaceably attached to the lower side of the polishing head 122, and the substrate W can be polished while being in contact with the polished surface of the substrate W. [ The polishing pad 123 can polish the substrate W while moving the entire portion of the substrate W in accordance with the operation of the polishing platen 121 and the polishing head 122. [

연마 슬러리 공급부(124)(114)는 연마패드(123)를 향해 슬러리를 공급할 수 있다. 연마 슬러리 공급부(124)(114)는, 예를 들어, 연마패드(123)에서 슬러리가 분사되도록 연마헤드(122) 내부에 구비될 수 있다. 한편, 연마 슬러리 공급부(124)(114)는 도 1과 같이, 연마패드(123)의 외측에 연결되어 연마패드(123) 및 기판(W)의 접촉부위로 슬러리를 공급할 수 있다. 다시 말해, 연마 슬러리 공급부(124)(114)의 구조는 제한되지 않으며, 연마패드(123)를 통한 기판(W)의 연마부위로 슬러리를 공급할 수 있는 다양한 구조가 적용될 수 있다.The polishing slurry supply units 124 and 114 can supply the slurry toward the polishing pad 123. [ The polishing slurry supply units 124 and 114 may be provided inside the polishing head 122 such that slurry is sprayed from the polishing pad 123, for example. 1, the polishing slurry supply units 124 and 114 may be connected to the outside of the polishing pad 123 to supply the slurry onto the contact portions of the polishing pad 123 and the substrate W. [ In other words, the structure of the polishing slurry supply units 124 and 114 is not limited, and various structures capable of supplying the slurry to the polishing region of the substrate W through the polishing pad 123 can be applied.

정리하면, 일 실시 예에 따른 기판 연마 장치(1)는, 기판 지지 유닛(110) 및 기판 연마 유닛(120)을 통해 동시에 슬러리를 공급함으로써, 기판(W) 전체에 대해 슬러리를 공급할 수 있다. 특히, 기판(W)의 크기가 커지는 경우에도, 기판 지지 유닛(110) 자체에서 제공되는 슬러리를 통해 기판(W) 전체에 슬러리를 분사하고, 기판 연마 유닛(120)을 통해 기판(W)의 연마 부위에 슬러리를 집중적으로 분사함으로써, 기판(W) 전체의 슬러리 도포 정도를 조절하고, 기판(W)의 연마 균일도를 향상시킬 수 있다.In summary, the substrate polishing apparatus 1 according to one embodiment can simultaneously supply slurry to the entire substrate W by supplying the slurry through the substrate holding unit 110 and the substrate polishing unit 120 at the same time. Particularly, even when the size of the substrate W is large, the slurry is sprayed to the entire substrate W through the slurry provided in the substrate holding unit 110 itself, By uniformly spraying the slurry to the polishing region, it is possible to control the degree of coating of the entire slurry on the substrate W and improve the polishing uniformity of the substrate W.

도 4는 일 실시 예에 따른 기판 연마 장치의 블록도이다.4 is a block diagram of a substrate polishing apparatus according to one embodiment.

도 4를 참조하면, 일 실시 예에 따른 기판 연마 장치(1)는, 기판 지지 유닛(110), 기판 연마 유닛(120), 센싱부(130) 및 제어부(140)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4, a substrate polishing apparatus 1 according to an embodiment may include a substrate holding unit 110, a substrate polishing unit 120, a sensing unit 130, and a control unit 140.

센싱부(130)는, 기판 지지 유닛(110)에 위치한 기판(W)의 피연마면의 상태를 센싱할 수 있다. 예를 들어, 센싱부(130)는 기판(W)의 연마정도, 표면의 연마 상태, 슬러리의 도포 정도등의 상태를 센싱할 수 있다. The sensing unit 130 can sense the state of the surface to be polished of the substrate W placed on the substrate supporting unit 110. [ For example, the sensing unit 130 can sense the state of polishing the substrate W, polishing the surface, and coating the slurry.

제어부(140)는, 기판 지지 유닛(110) 및 기판 연마 유닛(120) 각각의 슬러리 공급을 제어할 수 있다. 제어부(140)는, 센싱부(130)에 의해 센싱된 정보에 기초하여, 기판(W)에 공급되는 슬러리 분사 정도, 분사 위치등을 조절할 수 있다.The control unit 140 can control the slurry supply of the substrate supporting unit 110 and the substrate polishing unit 120, respectively. The control unit 140 can adjust the degree of spraying of the slurry and the spraying position to be supplied to the substrate W based on the information sensed by the sensing unit 130. [

예를 들어, 센싱부(130)는 피연마면을 복수의 영역으로 구획하고, 각 영역에 대한 연마도를 검출하고, 제어부(140)는 검출된 연마도에 따라 기판(W) 각 영역에 대한 슬러리 공급을 조절하여, 기판(W) 각 영역에 대한 연마도를 균일하게 조절할 수 있다.For example, the sensing unit 130 divides the surface to be polished into a plurality of regions, detects the degree of polishing for each region, and the control unit 140 calculates the degree of polishing for each region of the substrate W By adjusting the slurry supply, the degree of polishing for each region of the substrate W can be uniformly controlled.

한편, 센싱부(130)는 피연마면의 슬러리 양을 검출하고, 제어부(140)는 검출된 슬러리 양을 설정값과 비교하여, 슬러리 양이 설정값 미만인 기판(W)영역을 향해 슬러리가 공급되도록 기판 지지 유닛(110) 및 기판 연마 유닛(120)을 제어할 수 있다.On the other hand, the sensing unit 130 detects the amount of slurry on the surface to be polished, and the control unit 140 compares the detected amount of slurry with the set value, and the slurry is supplied toward the substrate W region where the amount of slurry is less than the set value It is possible to control the substrate holding unit 110 and the substrate polishing unit 120 as much as possible.

이상과 같이 비록 한정된 도면에 의해 실시 예들이 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 구조, 장치 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.Although the preferred embodiments of the present invention have been disclosed for illustrative purposes, those skilled in the art will appreciate that various modifications, additions and substitutions are possible, without departing from the scope and spirit of the invention as disclosed in the accompanying claims. For example, it is contemplated that the techniques described may be performed in a different order than the described methods, and / or that components of the described structures, devices, and the like may be combined or combined in other ways than the described methods, Appropriate results can be achieved even if they are replaced or replaced.

1: 기판 연마 장치
110: 기판 지지 유닛
120: 기판 연마 유닛
130: 센싱부
140: 제어부1: substrate polishing apparatus
110: substrate support unit
120: substrate polishing unit
130: sensing unit
140:

Claims (20)

플레이튼;
상기 플레이튼의 상부에 구비되고, 기판이 안착되는 기판 안착부;
안착된 상기 기판의 외측을 감싸도록, 상기 플레이튼에 연결되는 리테이너부; 및
상기 플레이튼에 연결되고, 상기 안착된 기판에 슬러리를 공급하는 슬러리 공급부를 포함하는, 기판 지지 유닛.
Platton;
A substrate seating part provided on the platen and on which the substrate is placed;
A retainer portion connected to the platen so as to surround the outside of the mounted substrate; And
And a slurry supply unit connected to the platen and supplying the slurry to the seating substrate.
제1항에 있어서,
상기 슬러리 공급부는,
상기 리테이너부에 배치되고, 슬러리를 분사하는 슬러리 분사구를 포함하는, 기판 지지 유닛.
The method according to claim 1,
The slurry supply unit includes:
And a slurry ejection port disposed in the retainer portion for ejecting the slurry.
제2항에 있어서,
상기 슬러리 분사구는, 상기 리테이너부의 내측에 매립되는, 기판 지지 유닛.
3. The method of claim 2,
And the slurry ejection port is buried inside the retainer portion.
제2항에 있어서,
상기 슬러리 분사구는, 상기 슬러리의 분사 각도가 조절되는, 기판 지지 유닛.
3. The method of claim 2,
Wherein the slurry ejection opening adjusts an angle of ejection of the slurry.
제2항에 있어서,
상기 슬러리 분사구는 복수개가 구비되고,
상기 복수의 슬러리 분사구는, 상기 기판의 외측을 따라 일정 간격만큼 이격 배치되는, 기판 지지 유닛.
3. The method of claim 2,
A plurality of the slurry jetting ports are provided,
Wherein the plurality of slurry ejection openings are spaced apart from each other by an interval along an outer side of the substrate.
제2항에 있어서,
상기 슬러리 공급부는,
상기 리테이너부에 배치되고, 공기를 분사하는 공기 분사구를 더 포함하는, 기판 지지 유닛.
3. The method of claim 2,
The slurry supply unit includes:
Further comprising: an air ejection port disposed in the retainer portion for ejecting air.
제6항에 있어서,
상기 공기 분사구는, 상기 슬러리 분사구를 통해 분사되는 슬러리에 공기를 분사하여, 상기 슬러리를 퍼뜨리는(spread), 기판 지지 유닛.
The method according to claim 6,
Wherein the air ejection opening sprays air into the slurry injected through the slurry ejection opening to spread the slurry.
제6항에 있어서,
상기 공기 분사구는, 분사하는 공기의 압력을 조절 가능한, 기판 지지 유닛.
The method according to claim 6,
Wherein the air ejection port adjusts the pressure of air to be ejected.
제1항에 있어서,
상기 리테이너부에 구비되고, 진공압을 발생시키는 흡입부를 더 포함하는, 기판 지지 유닛.
The method according to claim 1,
And a suction portion provided in the retainer portion and generating a vacuum pressure.
제9항에 있어서,
상기 흡입부는,
상기 기판의 둘레를 감싸도록, 상기 리테이너부를 따라 복수개가 배치되는, 기판 지지 유닛.
10. The method of claim 9,
The suction unit
Wherein a plurality of the support members are disposed along the retainer portion so as to surround the periphery of the substrate.
제1항에 있어서,
상기 기판 안착부에 구비되고, 상기 안착된 기판을 디척킹(dechucking)시키기 위한, 디척킹부를 더 포함하는, 기판 지지 유닛.
The method according to claim 1,
And a dechucking portion provided on the substrate seating portion for dechucking the seating substrate.
제11항에 있어서,
상기 디척킹부는, 상기 기판의 하면을 향해 순수(DIW)를 분사하는, 기판 지지 유닛.
12. The method of claim 11,
Wherein the dechucking portion ejects pure water (DIW) toward the lower surface of the substrate.
피연마면이 상부를 향하도록 기판을 지지하고, 상기 기판으로 슬러리가 공급되는 기판 지지 유닛; 및
상기 피연마면을 연마하기 위한 연마패드를 포함하고, 상기 연마패드가 연마하는 부위로 슬러리를 공급하는 기판 연마 유닛을 포함하는, 기판 연마 장치.
A substrate supporting unit for supporting the substrate such that the surface to be polished faces upward, and supplying the slurry to the substrate; And
And a substrate polishing unit including a polishing pad for polishing the surface to be polished and supplying the slurry to a portion to be polished by the polishing pad.
제13항에 있어서,
상기 기판 지지 유닛은,
상기 기판이 안착되는 기판 안착부;
상기 안착된 기판의 위치를 고정하도록, 상기 기판 안착부의 둘레를 감싸도록 배치되는 리테이너부; 및
상기 리테이너부에 형성되고, 상기 기판의 피연마면을 향해 슬러리를 공급하는 슬러리 공급부를 포함하는, 기판 지지 유닛.
14. The method of claim 13,
Wherein the substrate supporting unit comprises:
A substrate seating part on which the substrate is placed;
A retainer portion disposed to surround the periphery of the substrate seating portion so as to fix the position of the seating substrate; And
And a slurry supply portion formed in the retainer portion and supplying the slurry toward the surface to be polished of the substrate.
제14항에 있어서,
상기 리테이너부는, 상기 안착된 기판에 단차지지 않는 두께를 가지는, 기판 연마 장치.
15. The method of claim 14,
Wherein the retainer portion has a thickness that does not abruptly abut on the mounted substrate.
제14항에 있어서,
상기 슬러리 공급부는,
상기 리테이너부의 내측에 매립되고, 상기 슬러리를 분사하기 위한 슬러리 분사구; 및
상기 리테이너부의 내측에 매립되고, 상기 슬러리 분사구를 통해 분사된 슬러리에 공기압을 제공하기 위한 공기 분사구를 포함하는, 기판 연마 장치.
15. The method of claim 14,
The slurry supply unit includes:
A slurry injection port embedded in the retainer portion for spraying the slurry; And
And an air ejection port embedded in the inside of the retainer portion for providing air pressure to the slurry injected through the slurry ejection port.
제13항에 있어서,
상기 기판 연마 유닛은,
상하로 이동 가능한 연마 플레이튼;
상기 연마 플레이튼에 회전 가능하게 연결되고, 상기 연마패드가 부착되는 연마 헤드; 및
상기 연마패드를 향해 슬러리를 공급하는 연마 슬러리 공급부를 포함하는, 기판 연마 장치.
14. The method of claim 13,
Wherein the substrate polishing unit comprises:
Abrasive platens movable up and down;
A polishing head rotatably connected to the polishing platen and to which the polishing pad is attached; And
And a polishing slurry supply unit for supplying the slurry toward the polishing pad.
제13항에 있어서,
상기 피연마면의 상태를 센싱하는 센싱부; 및
상기 기판 지지 유닛 및 기판 연마 유닛 각각의 슬러리 공급을 제어하는 제어부를 더 포함하는, 기판 연마 장치.
14. The method of claim 13,
A sensing unit sensing a state of the surface to be polished; And
And a control unit for controlling the slurry supply of each of the substrate supporting unit and the substrate polishing unit.
제18항에 있어서,
상기 센싱부는, 상기 피연마면을 복수의 영역으로 구획하고, 각 영역에 대한 연마도를 검출하고,
상기 제어부는, 상기 검출된 연마도에 따라 기판에 대한 슬러리 공급을 조절하는, 기판 연마 장치.
19. The method of claim 18,
Wherein the sensing unit is configured to divide the surface to be polished into a plurality of regions, detect the degree of polishing for each region,
And the control section controls the slurry supply to the substrate according to the detected polishing degree.
제18항에 있어서,
상기 센싱부는, 상기 피연마면의 슬러리 양을 검출하고,
상기 제어부는, 상기 검출된 슬러리 양이 설정값 미만인 기판영역을 향해 슬러리를 공급하도록, 상기 기판 지지 유닛 및 기판 연마 유닛을 제어하는, 기판 연마 장치.
19. The method of claim 18,
The sensing unit detects the amount of slurry on the surface to be polished,
Wherein the control unit controls the substrate holding unit and the substrate polishing unit such that the slurry is supplied toward the substrate area where the detected amount of slurry is less than the set value.
KR1020170181097A 2017-12-27 2017-12-27 Substrate support unit and substrate polishing apparatus comprsing the same KR102050975B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170181097A KR102050975B1 (en) 2017-12-27 2017-12-27 Substrate support unit and substrate polishing apparatus comprsing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170181097A KR102050975B1 (en) 2017-12-27 2017-12-27 Substrate support unit and substrate polishing apparatus comprsing the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190079122A true KR20190079122A (en) 2019-07-05
KR102050975B1 KR102050975B1 (en) 2020-01-08

Family

ID=67225516

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170181097A KR102050975B1 (en) 2017-12-27 2017-12-27 Substrate support unit and substrate polishing apparatus comprsing the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102050975B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220019931A (en) * 2020-08-11 2022-02-18 에스씨플랫 주식회사 Polishing Apparatus For Substrate Of Display Device

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0896859A2 (en) * 1997-08-11 1999-02-17 Tokyo Seimitsu Co.,Ltd. Wafer polishing apparatus
EP0916452A2 (en) * 1997-11-12 1999-05-19 LAM Research Corporation Method and apparatus for polishing semiconductor wafers
KR100229058B1 (en) * 1995-10-25 1999-11-01 가네꼬 히사시 Polishing device having a pad which has groves and holes
US20030060143A1 (en) * 1999-02-04 2003-03-27 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus with rotating belt
JP2005271111A (en) * 2004-03-23 2005-10-06 Ebara Corp Substrate polishing device and substrate polishing method

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100229058B1 (en) * 1995-10-25 1999-11-01 가네꼬 히사시 Polishing device having a pad which has groves and holes
EP0896859A2 (en) * 1997-08-11 1999-02-17 Tokyo Seimitsu Co.,Ltd. Wafer polishing apparatus
EP0916452A2 (en) * 1997-11-12 1999-05-19 LAM Research Corporation Method and apparatus for polishing semiconductor wafers
US20030060143A1 (en) * 1999-02-04 2003-03-27 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus with rotating belt
JP2005271111A (en) * 2004-03-23 2005-10-06 Ebara Corp Substrate polishing device and substrate polishing method

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220019931A (en) * 2020-08-11 2022-02-18 에스씨플랫 주식회사 Polishing Apparatus For Substrate Of Display Device
CN114074287A (en) * 2020-08-11 2022-02-22 平坦标准技术有限公司 Grinding equipment for display device substrate

Also Published As

Publication number Publication date
KR102050975B1 (en) 2020-01-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11986926B2 (en) Slurry distribution device for chemical mechanical polishing
KR100301646B1 (en) Slurry injection technique for chemical-mechanical polishing
KR20150114926A (en) Polishing device and method
KR102330997B1 (en) Table for holding workpiece and processing apparatus with the table
JP5775797B2 (en) Polishing apparatus and method
TWI733849B (en) Grinding device
JP5791987B2 (en) Polishing apparatus and method
JP5392483B2 (en) Polishing equipment
JP2016221668A (en) Table for holding processing object and processing device having the table
KR20190079122A (en) Substrate support unit and substrate polishing apparatus comprsing the same
KR101966952B1 (en) Slurry supply unit and apparatus for polishing substrate having the slurry supply device
KR100807046B1 (en) Chemical mechanical polishing apparatus
KR20170079740A (en) Chemical mechanical polishing apparatus and control method thereof
KR101210297B1 (en) Cleaning device of chemical mechanical polishing apparatus
JP6858543B2 (en) Method of forming a holding surface of a holding table
JP2021181157A (en) CMP device and method
CN114952603A (en) Substrate grinding device
KR101554815B1 (en) Manufacturing method for Through silicon via wafer
KR20190132829A (en) Substrate support unit and apparatus for polishing substrate having the same
JP2001096461A (en) Dressing method and device for grinding wheel
JPH0929617A (en) Polishing device
US11701750B2 (en) Top ring for holding a substrate and substrate processing apparatus
JP2002170795A (en) Wafer polishing apparatus
KR101848166B1 (en) Apparatus for Cleaning CMP Pad and CMP Apparatus consisting of the same
JP2002217146A (en) Wafer polishing apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant