KR102050975B1 - Substrate support unit and substrate polishing apparatus comprsing the same - Google Patents

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Abstract

기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 연마 장치를 개시한다. 일 실시 예에 따른 기판 지지 유닛은, 플레이튼; 상기 플레이튼의 상부에 구비되고, 기판이 안착되는 기판 안착부; 안착된 상기 기판의 외측을 감싸도록, 상기 플레이튼에 연결되는 리테이너부; 및 상기 플레이튼에 연결되고, 상기 안착된 기판에 슬러리를 공급하는 슬러리 공급부를 포함할 수 있다.A substrate support unit and a substrate polishing apparatus comprising the same are disclosed. In one embodiment, a substrate support unit includes a platen; A substrate seating portion provided on an upper portion of the platen and on which a substrate is mounted; A retainer portion connected to the platen to surround the outside of the seated substrate; And a slurry supply unit connected to the platen and supplying a slurry to the seated substrate.

Description

기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 연마 장치{SUBSTRATE SUPPORT UNIT AND SUBSTRATE POLISHING APPARATUS COMPRSING THE SAME}SUBSTRATE SUPPORT UNIT AND SUBSTRATE POLISHING APPARATUS COMPRSING THE SAME

아래의 실시예는 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 연마 장치에 관한 것이다.The following embodiment relates to a substrate support unit and a substrate polishing apparatus including the same.

기판의 제조에는, 연마와 버핑(buffing) 및 세정을 포함하는 CMP(chemical mechanical polishing) 작업이 필요하다. 기판의 CMP 작업에는, 연마패드를 통해 기판의 피연마면을 연마하는 공정이 요구된다. CMP 장치는 기판의 일면 또는 양면을 연마와 버핑 및 세정하기 위한 구성요소로서, 벨트, 연마패드 또는 브러시를 구비하는 벨트를 구비한다. 슬러리는 CMP 작업을 촉진 및 강화시키기 위해 사용된다. The manufacture of substrates requires chemical mechanical polishing (CMP) operations, including polishing, buffing and cleaning. In the CMP operation of the substrate, a step of polishing the surface to be polished of the substrate through the polishing pad is required. The CMP apparatus is a component for polishing, buffing and cleaning one or both sides of a substrate, comprising a belt having a belt, a polishing pad or a brush. The slurry is used to accelerate and enhance the CMP operation.

기판을 연마하는 경우, 일반적으로 연마패드의 크기는 기판의 크기보다 작게 된다. 따라서, 기판의 피연마면을 연마하기 위해서는, 연마패드가 수평으로 이동하면서 기판을 연마할 필요가 있다.When polishing a substrate, the size of the polishing pad is generally smaller than the size of the substrate. Therefore, in order to polish the to-be-polished surface of a board | substrate, it is necessary to polish a board | substrate, moving a polishing pad horizontally.

한편, 일반적인 기판 연마 장치는, 즉 반도체에 사용하는 원형 기판의 연마장치는, 원형 기판과 원형 연마패드 사이의 상대 회전속도에 의해서 연마가 이루어지고, 연마용 슬러리를 제공하기 위한 다수의 분사 노즐이 구비된다. 그런데 이와 같은 기존의 분사 노즐을 기판 및 연마패드에 적용하기 위해서는 다수의 노즐이 필요하고, 각 노즐마다 슬러리 분사량이 과도하여 슬러리의 소모량이 많아지고, 대면적의 연마패드의 전면에 슬러리를 균일하기 도포하는 것이 매우 어렵기 때문에 연마균일도가 현저히 저하될 수 있다.On the other hand, in the general substrate polishing apparatus, that is, the polishing apparatus of the circular substrate used for the semiconductor, polishing is performed by the relative rotational speed between the circular substrate and the circular polishing pad, and a plurality of spray nozzles for providing the polishing slurry are provided. It is provided. However, in order to apply such a conventional spray nozzle to a substrate and a polishing pad, a plurality of nozzles are required, and the slurry spray amount is excessive for each nozzle to increase the consumption of the slurry, and to uniform the slurry on the entire surface of the polishing pad. Since it is very difficult to apply, the polishing uniformity can be significantly reduced.

일반적으로, 기판을 지지하는 캐리어를 회전시킴으로써, 기판 전체에 슬러리를 도포하는 방법이 사용된다. 그러나, 기판의 크기가 커질수록, 기판을 회전시키기가 어렵기 때문에, 슬러리가 기판 전체에 도포되지 않는 문제가 발생할 수 있다. 따라서, 기판의 크기에 관계 없이, 기판 전체에 슬러리를 분사하는 장치가 요구되는 실정이다.Generally, the method of apply | coating a slurry to the whole board | substrate is used by rotating the carrier which supports a board | substrate. However, as the size of the substrate increases, it is difficult to rotate the substrate, which may cause a problem that the slurry is not applied to the entire substrate. Therefore, regardless of the size of the substrate, there is a need for an apparatus for spraying a slurry over the entire substrate.

일 실시 예에 따른 목적은, 기판의 크기에 관계없이, 기판 전체에 슬러리를 도포할 수 있는 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 연마 장치를 제공하기 위한 것이다.An object according to an embodiment is to provide a substrate support unit capable of applying a slurry to an entire substrate, regardless of the size of the substrate, and a substrate polishing apparatus including the same.

일 실시 예에 따른 목적은, 다양한 방향에서 기판을 향해 슬러리를 분사할 수 있는 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 연마 장치를 제공하기 위한 것이다.An object according to an embodiment is to provide a substrate support unit capable of spraying a slurry toward a substrate in various directions and a substrate polishing apparatus including the same.

일 실시 예에 따른 기판 지지 유닛은, 플레이튼; 상기 플레이튼의 상부에 구비되고, 기판이 안착되는 기판 안착부; 안착된 상기 기판의 외측을 감싸도록, 상기 플레이튼에 연결되는 리테이너부; 및 상기 플레이튼에 연결되고, 상기 안착된 기판에 슬러리를 공급하는 슬러리 공급부를 포함할 수 있다.In one embodiment, a substrate support unit includes a platen; A substrate seating portion provided on an upper portion of the platen and on which a substrate is seated; A retainer portion connected to the platen to surround the outside of the seated substrate; And a slurry supply unit connected to the platen and supplying a slurry to the seated substrate.

일 측에 있어서, 상기 슬러리 공급부는, 상기 리테이너부에 배치되고, 슬러리를 분사하는 슬러리 분사구를 포함할 수 있다.In one side, the slurry supply unit may be disposed in the retainer, and may include a slurry injection port for injecting a slurry.

일 측에 있어서, 상기 슬러리 분사구는, 상기 리테니어부의 내측에 매립될 수 있다.In one side, the slurry injection port, may be embedded in the inside of the retainer.

일 측에 있어서, 상기 슬러리 분사구는, 상기 슬러리의 분사 각도가 조절될 수 있다.In one side, the slurry injection port, the injection angle of the slurry can be adjusted.

일 측에 있어서, 상기 슬러리 분사구는 복수개가 구비되고, 상기 복수의 슬러리 분사구는, 상기 기판의 외측을 따라 일정 간격만큼 이격 배치될 수 있다.In one side, the slurry injection port is provided with a plurality, the plurality of slurry injection holes, may be arranged spaced apart by a predetermined interval along the outside of the substrate.

일 측에 있어서, 상기 슬러리 공급부는, 상기 리테이너부에 배치되고, 공기를 분사하는 공기 분사구를 더 포함할 수 있다.In one side, the slurry supply unit may be disposed in the retainer portion, and may further include an air injection port for injecting air.

일 측에 있어서, 상기 공기 분사구는, 상기 슬러리 분사구를 통해 분사되는 슬러리에 공기를 분사하여, 상기 슬러리를 퍼뜨릴 수 있다.In one side, the air injection port, by spraying air to the slurry injected through the slurry injection port, it can spread the slurry.

일 측에 있어서, 상기 공기 분사구는, 분사하는 공기의 압력을 조절 할 수 있다.In one side, the air injection port, it is possible to adjust the pressure of the air to be injected.

일 측에 있어서, 상기 기판 지지 유닛은, 상기 리테이너부에 구비되고, 진공압을 발생시키는 흡입부를 더 포함할 수 있다.In one side, the substrate support unit may further include a suction unit provided in the retainer unit to generate a vacuum pressure.

일 측에 있어서, 상기 흡입부는, 상기 기판의 둘레를 감싸도록, 상기 리테이너부를 따라 복수개가 배치될 수 있다.In one side, a plurality of suction portions may be disposed along the retainer portion to surround the substrate.

일 측에 있어서, 상기 기판 안착부에 구비되고, 상기 안착된 기판을 디척킹(dechucking)시키기 위한, 디척킹부를 더 포함할 수 있다.In one side, provided on the substrate seating portion, may further include a dechucking unit for dechucking the seated substrate.

일 측에 있어서, 상기 디처킹부는, 상기 기판의 하면을 향해 순수(DIW)를 분사할 수 있다.In one side, the dechucking unit may spray pure water (DIW) toward the lower surface of the substrate.

일 실시 예에 따른 기판 연마 장치는, 피연마면이 상부를 향하도록 기판을 지지하고, 상기 기판으로 슬러리가 공급되는 기판 지지 유닛; 및 상기 피연마면을 연마하기 위한 연마패드를 포함하고, 상기 연마패드가 연마하는 부위로 슬러리를 공급하는 기판 연마 유닛을 포함할 수 있다.According to one or more exemplary embodiments, a substrate polishing apparatus includes a substrate support unit configured to support a substrate such that a surface to be polished faces upward, and supply a slurry to the substrate; And a polishing pad for polishing the to-be-polished surface, the substrate polishing unit supplying a slurry to a portion to be polished by the polishing pad.

일 측에 있어서, 상기 기판 지지 유닛은, 상기 기판이 안착되는 기판 안착부; 상기 안착된 기판의 위치를 고정하도록, 상기 기판 안착부의 둘레를 감싸도록 배치되는 리테이너부; 및 상기 리테이너부에 형성되고, 상기 기판의 피연마면을 향해 슬러리를 공급하는 슬러리 공급부를 포함할 수 있다.The substrate support unit may include: a substrate seating part on which the substrate is seated; A retainer portion disposed to surround the substrate mounting portion to fix a position of the seated substrate; And a slurry supply part formed in the retainer part and supplying the slurry toward the surface to be polished of the substrate.

일 측에 있어서, 상기 리테이너부는, 상기 안착된 기판에 단차지지 않는 두께를 가질 수 있다.In one side, the retainer portion may have a thickness that does not step on the seated substrate.

일 측에 있어서, 상기 슬러리 공급부는, 상기 리테이너부의 내측에 매립되고, 상기 슬러리를 분사하기 위한 슬러리 분사구; 및 상기 리테이너부의 내측에 매립되고, 상기 슬러리 분사구를 통해 분사된 슬러리에 공기압을 제공하기 위한 공기 분사구를 포함할 수 있다.In one side, the slurry supply unit is embedded in the retainer, the slurry injection port for injecting the slurry; And an air injection hole embedded in the retainer portion to provide air pressure to the slurry injected through the slurry injection hole.

일 측에 있어서, 상기 기판 연마 유닛은, 상하로 이동 가능한 연마 플레이튼; 상기 연마 플레이튼에 회전 가능하게 연결되고, 상기 연마패드가 부착되는 연마 헤드; 및 상기 연마 헤드에 형성되고, 상기 연마패드를 향해 슬러리를 공급하는 연마 슬러리 공급부를 포함할 수 있다.In one aspect, the substrate polishing unit, the polishing platen movable up and down; A polishing head rotatably connected to the polishing platen and to which the polishing pad is attached; And a polishing slurry supply unit formed in the polishing head and supplying a slurry toward the polishing pad.

일 측에 있어서, 상기 기판 연마 장치는, 상기 피연마면의 상태를 센싱하는 센싱부; 및 상기 기판 지지 유닛 및 기판 연마 유닛 각각의 슬러리 공급을 제어하는 제어부를 더 포함할 수 있다.The substrate polishing apparatus of claim 1, further comprising: a sensing unit configured to sense a state of the surface to be polished; And a controller for controlling a slurry supply of each of the substrate support unit and the substrate polishing unit.

일 측에 있어서, 상기 센싱부는, 상기 피연마면을 복수의 영역으로 구획하고, 각 영역에 대한 연마도를 검출하고, 상기 제어부는, 상기 검출된 연마도에 따라 기판에 대한 슬러리 공급을 조절할 수 있다.In one embodiment, the sensing unit partitions the surface to be polished into a plurality of areas, detects a degree of polishing for each area, and the controller may adjust a slurry supply to a substrate according to the detected degree of polishing. have.

일 측에 있어서, 상기 센싱부는, 상기 피연마면의 슬러리 양을 검출하고, 상기 제어부는, 상기 검출된 슬러리 양이 설정값 미만인 기판영역을 향해 슬러리를 공급하도록, 상기 기판 지지 유닛 및 기판 연마 유닛을 제어할 수 있다.The substrate support unit and the substrate polishing unit according to one side, wherein the sensing unit detects the amount of slurry on the surface to be polished, and the control unit supplies the slurry toward the substrate region in which the detected amount of slurry is less than a set value. Can be controlled.

일 실시예에 따른 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 연마 장치는, 기판의 크기에 관계없이 기판 전체에 슬러리를 균일하게 도포할 수 있다.The substrate supporting unit and the substrate polishing apparatus including the same may uniformly apply the slurry to the entire substrate regardless of the size of the substrate.

일 실시 예에 따른 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 연마 장치는, 슬러리 분사를 조절함으로써, 기판의 연마도를 향상시킬 수 있다.The substrate support unit and the substrate polishing apparatus including the same according to an embodiment may improve the degree of polishing of the substrate by controlling slurry injection.

일 실시예에 따른 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 연마 장치는 의 효과는 이상에서 언급된 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 효과들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The substrate support unit and the substrate polishing apparatus including the same according to an embodiment are not limited to those mentioned above, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description. .

본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 일 실시예를 예시하는 것이며, 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술적 사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석 되어서는 아니 된다.
도 1은 일 실시 예에 따른 기판 연마 장치의 모식도이다.
도 2는 일 실시 예에 따른 기판 지지 유닛의 단면도이다.
도 3은 일 실시 예에 따른 기판 지지 유닛의 상면도이다.
도 4는 일 실시 예에 따른 기판 연마 장치의 블록도이다.The following drawings, which are attached to this specification, illustrate one preferred embodiment of the present invention, and together with the detailed description thereof, serve to further understand the technical idea of the present invention. It should not be construed as limited.
1 is a schematic view of a substrate polishing apparatus according to an embodiment.
2 is a cross-sectional view of a substrate support unit according to an embodiment.
3 is a top view of a substrate support unit according to an embodiment.
4 is a block diagram of a substrate polishing apparatus according to an embodiment.

이하, 실시 예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 실시 예를 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 실시 예에 대한 이해를 방해한다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다. Hereinafter, exemplary embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In adding reference numerals to the components of each drawing, it should be noted that the same reference numerals are assigned to the same components as much as possible even though they are shown in different drawings. In addition, in describing the embodiment, when it is determined that the detailed description of the related known configuration or function is to interfere with the understanding of the embodiment, the detailed description thereof will be omitted.

또한, 실시 예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. In addition, in describing the components of the embodiment, terms such as first, second, A, B, (a), and (b) may be used. These terms are only for distinguishing the components from other components, and the nature, order or order of the components are not limited by the terms. If a component is described as being "connected", "coupled" or "connected" to another component, that component may be directly connected or connected to that other component, but between components It will be understood that may be "connected", "coupled" or "connected".

어느 하나의 실시 예에 포함된 구성요소와, 공통적인 기능을 포함하는 구성요소는, 다른 실시 예에서 동일한 명칭을 사용하여 설명하기로 한다. 반대되는 기재가 없는 이상, 어느 하나의 실시 예에 기재한 설명은 다른 실시 예에도 적용될 수 있으며, 중복되는 범위에서 구체적인 설명은 생략하기로 한다.Components included in any one embodiment and components including common functions will be described using the same names in other embodiments. Unless stated to the contrary, the description in any one embodiment may be applied to other embodiments, and detailed descriptions thereof will be omitted in the overlapping range.

도 1은 일 실시 예에 따른 기판 연마 장치의 모식도이고, 도 2는 일 실시 예에 따른 기판 지지 유닛의 단면도이며, 도 3은 일 실시 예에 따른 기판 지지 유닛의 상면도이다.1 is a schematic view of a substrate polishing apparatus according to an embodiment, FIG. 2 is a cross-sectional view of a substrate support unit according to an embodiment, and FIG. 3 is a top view of the substrate support unit according to an embodiment.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 일 실시 예에 따른 기판 연마 장치(1)는, 기판(W)의 연마 균일도를 향상시키도록, 기판(W) 전체에 대하여 다방향으로 슬러리를 분사할 수 있다. 기판 연마 장치(1)는, 기판(W)의 크기에 관계없이 기판(W) 전체에 슬러리를 공급할 수 있다. 1 to 3, the substrate polishing apparatus 1 according to an exemplary embodiment may inject a slurry in multiple directions with respect to the entire substrate W so as to improve polishing uniformity of the substrate W. FIG. . The substrate polishing apparatus 1 can supply the slurry to the entire substrate W regardless of the size of the substrate W. As shown in FIG.

기판(W)은 LCD(liquid crystal display), PDP(plasma display panel)와 같은 평판 디스플레이 장치(flat panel display device, FPD)용 글라스를 포함할 수 있다. 그러나, 기판(W)의 종류가 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 기판(W)은, 반도체 장치(semiconductor) 제조용 실리콘 웨이퍼(silicon wafer)일 수도 있다. 또한, 도면에서는 기판(W)(W)이 사각형 형상을 가지는 것으로 도시하였으나, 이는 설명의 편의를 위한 예시에 불과하며, 기판(W)의 형상이 이에 한정되는 것은 아니다.The substrate W may include a glass for a flat panel display device (FPD) such as a liquid crystal display (LCD) and a plasma display panel (PDP). However, the type of substrate W is not limited thereto. For example, the substrate W may be a silicon wafer for manufacturing a semiconductor device. In addition, in the drawings, the substrate (W) (W) is shown as having a rectangular shape, but this is only an example for convenience of description, the shape of the substrate (W) is not limited thereto.

일 실시 예에 따른 기판 연마 장치(1)는, 기판 지지 유닛(110) 및 기판 연마 유닛(120)을 포함할 수 있다.The substrate polishing apparatus 1 according to an embodiment may include a substrate support unit 110 and a substrate polishing unit 120.

기판 지지 유닛(110)은 기판(W)의 연마를 위해, 기판(W)을 지지할 수 있다. 기판 지지 유닛(110)은, 예를 들어, 기판(W)의 피연마면이 상부를 향하도록 기판(W)을 지지할 수 있다. 기판 지지 유닛(110)은 지지된 기판(W)을 향해 슬러리를 공급할 수 있다. 기판 지지 유닛(110)은, 플레이튼(111), 기판 안착부(113), 리테이너부(112), 슬러리 공급부(114), 흡입부(115) 및 디척킹부를 포함할 수 있다.The substrate support unit 110 may support the substrate W to polish the substrate W. FIG. For example, the substrate support unit 110 may support the substrate W such that the surface to be polished of the substrate W faces upward. The substrate support unit 110 may supply a slurry toward the supported substrate W. The substrate support unit 110 may include a platen 111, a substrate seating part 113, a retainer part 112, a slurry supply part 114, a suction part 115, and a dechucking part.

플레이튼(111)은 기판(W)을 지지할 수 있다. 예를 들어, 플레이튼(111)은 기판(W)의 피연마면이 상부를 향하도록, 기판(W)을 하측에서 지지할 수 있다. 플레이튼(111)은 기판(W)을 지지한 상태로 지면에 평행한 방향을 따라 이동함으로써, 기판(W)을 이동시킬 수 있다. 예를 들어, 플레이튼(111)은 설정된 경로를 가지는 가이드 레일에 연결되고, 가이드 레일을 따라 이동함으로써, 기판(W)을 연마위치로 이동시킬 수 있다. 플레이튼(111)은 상하로 승강함으로써, 지지된 기판(W)의 높이를 조절할 수 있다.The platen 111 may support the substrate (W). For example, the platen 111 may support the substrate W from below so that the surface to be polished of the substrate W faces upward. The platen 111 can move the substrate W by moving in a direction parallel to the ground while supporting the substrate W. As shown in FIG. For example, the platen 111 may be connected to a guide rail having a set path and move along the guide rail to move the substrate W to the polishing position. By raising and lowering the platen 111, the height of the supported substrate W can be adjusted.

기판 안착부(113)는 플레이튼(111)에 구비되고, 기판(W)이 안착되는 공간을 제공할 수 있다. 기판 안착부(113)는, 예를 들어, 플레이튼(111)의 상부에 구비되고, 기판(W)의 비연마면에 접촉함으로써, 기판(W)을 지지할 수 있다. 기판(W)이 안착된 상태를 기준으로, 기판 안착부(113)는 기판(W) 및 리테이너부(112) 사이에 틈이 생기지 않도록, 기판(W)에 대응되는 크기로 형성될 수 있다. 기판 안착부(113)는, 내측에 구비되는 멤브레인(membrane)을 포함할 수 있다. 멤브레인은 기판(W)의 비 연마면을 지지하고, 기판(W)을 외부 방향, 예를 들어, 상부방향으로 가압할 수 있다. 이 경우, 기판(W)은 연마과정에서 멤브레인에 의해 가압됨으로써, 연마패드(123)에 밀착될 수 있다. 멤브레인은 탄성력을 가지는 가요성 재질을 포함할 수 있다.The substrate seating unit 113 may be provided in the platen 111 and may provide a space in which the substrate W is seated. The substrate mounting portion 113 is provided on the platen 111, for example, and can support the substrate W by contacting the non-polishing surface of the substrate W. Based on the state in which the substrate W is seated, the substrate seating portion 113 may be formed to have a size corresponding to the substrate W so that no gap is formed between the substrate W and the retainer portion 112. The substrate seating unit 113 may include a membrane provided inside. The membrane supports the non-abrasive surface of the substrate W and can press the substrate W in an outward direction, for example in an upward direction. In this case, the substrate W may be pressed against the polishing pad 123 by being pressed by the membrane in the polishing process. The membrane may comprise a flexible material having elasticity.

리테이너부(112)는 안착된 기판(W)의 외측을 감싸도록, 플레이튼(111)에 연결될 수 있다. 다시 말하면, 리테이너부(112)는 기판 안착부(113)에 안착된 기판(W)의 테두리를 지지함으로써, 기판(W)이 기판 안착부(113)에서 이탈하는 것을 방지할 수 있다. 리테이너부(112)는, 안착된 기판(W)의 피연마면과 동일한 높이, 다시 말해, 단차지지 않는 두께를 가질 수 있다.The retainer portion 112 may be connected to the platen 111 to surround the outside of the seated substrate W. FIG. In other words, the retainer part 112 supports the edge of the substrate W seated on the substrate seating part 113, thereby preventing the substrate W from being separated from the substrate seating part 113. The retainer portion 112 may have the same height as the surface to be polished of the seated substrate W, that is, a thickness that does not step.

슬러리 공급부(114)는 플레이튼(111)에 연결되고, 기판 안착부(113)에 안착된 기판(W)에 슬러리(slurry)를 공급할 수 있다. 슬러리는 기판(W) 및 연마패드(123) 사이로 유동되어, 슬러리 입자와 패드의 표면 돌기에 의한 기계적 마찰을 통해 기판(W)의 연마를 수행하는 동시에, 슬러리를 구성하는 조성물에 의한 화학반응을 통해 기판(W) 표면을 연마할 수 있다. 슬러리 공급부(114)가 제공하는 슬러리의 종류는 연마되는 기판(W)의 종류, 특성에 따라 다양할 수 있으며, 한정되는 것은 아니다.The slurry supply part 114 may be connected to the platen 111, and supply a slurry to the substrate W seated on the substrate seating part 113. The slurry is flowed between the substrate W and the polishing pad 123 to perform polishing of the substrate W through mechanical friction caused by the surface projections of the slurry particles and the pad, and at the same time, chemical reaction by the composition constituting the slurry is performed. Through the surface of the substrate W can be polished. The type of slurry provided by the slurry supply unit 114 may vary depending on the type and characteristics of the substrate W to be polished, but is not limited thereto.

슬러리 공급부(114)는 리테이너부(112)에 형성될 수 있다. 슬러리 공급부(114)는, 리테이너부(112)로부터 기판 안착부(113)를 향해 슬러리를 분사함으로써, 안착된 기판(W)의 피연마면에 슬러리를 공급할 수 있다. 슬러리 공급부(114)는 리테이너부(112)의 내측에 매립될 수 있다. 다시 말해, 슬러리 공급부(114)는 리테이너부(112)의 상부면에 돌출되지 않도록, 리테이너부(112)에 설치될 수 있다. 일반적으로, 연마패드(123)가 기판(W)의 엣지(edge)영역을 연마하는 과정에서, 연마패드(123)가 기판(W) 외측에 배치된 리테이너부(112)를 함께 연마하게 된다. 따라서, 슬러리 공급부(114)가 리테이너부(112)에 매립되는 경우, 연마패드(123) 및 슬러리 공급부(114)가 접촉하는 것을 방지하고, 연마패드(123)의 손상 및 기판(W)의 연마도 저하를 방지할 수 있다. 슬러리 공급부(114)는, 슬러리를 분사하는 슬러리 분사구(1141) 및, 공기를 분사하는 공기 분사구(1142)를 포함할 수 있다. The slurry supply part 114 may be formed in the retainer part 112. The slurry supply part 114 can supply a slurry to the to-be-polished surface of the board | substrate W on which the slurry was sprayed from the retainer part 112 toward the board | substrate seating part 113. FIG. The slurry supply part 114 may be embedded inside the retainer part 112. In other words, the slurry supply part 114 may be installed in the retainer part 112 so as not to protrude from the upper surface of the retainer part 112. In general, while the polishing pad 123 polishes the edge area of the substrate W, the polishing pad 123 polishes the retainer portion 112 disposed outside the substrate W together. Therefore, when the slurry supply part 114 is embedded in the retainer part 112, the polishing pad 123 and the slurry supply part 114 are prevented from contacting each other, and the polishing pad 123 is damaged and the substrate W is polished. The fall of the degree can be prevented. The slurry supply part 114 may include the slurry injection hole 1141 which injects a slurry, and the air injection hole 1142 which injects air.

슬러리 분사구(1141)는 리테이너부(112)에 매립 설치되고, 기판 안착부(113) 방향을 향해 슬러리를 분사할 수 있다. 슬러리 분사구(1141)는, 노즐 형태로 구비됨으로써, 외부로부터 공급된 슬러리를 분사할 수 있다. 슬러리 분사구(1141)는 분사되는 슬러리의 분사 각도를 조절할 수 있다. 예를 들어, 리테이너부(112) 상에는 중공이 형성되고, 슬러리 분사구(1141)는 경사가 조절되도록 중공 내에 설치될 수 있다. 슬러리 분사구(1141)는 슬러리의 분사 속도가 조절됨으로써, 기판(W)에 대한 슬러리의 분사 위치를 조절할 수 있다.The slurry injection port 1141 is embedded in the retainer portion 112, and may spray the slurry toward the substrate seating portion 113 direction. The slurry injection port 1141 is provided in the form of a nozzle, and can spray the slurry supplied from the outside. The slurry injection hole 1141 may adjust the injection angle of the slurry is injected. For example, a hollow is formed on the retainer portion 112, and the slurry injection hole 1141 may be installed in the hollow so that the inclination is adjusted. The slurry injection hole 1141 may adjust the injection position of the slurry on the substrate W by controlling the injection speed of the slurry.

슬러리 분사구(1141)는 복수개가 구비될 수 있다. 복수의 슬러리 분사구(1141)는 기판(W)의 외측을 따라 일정 간격만큼 이격 배치되도록 리테이너부(112) 상에 설치될 수 있다. 복수의 슬러리 분사구(1141)는 선택적으로 슬러리를 분사함으로써, 기판(W)의 피연마면 전체에 대해 슬러리를 공급할 수 있다. A plurality of slurry injection holes 1141 may be provided. The plurality of slurry injection holes 1141 may be installed on the retainer part 112 to be spaced apart by a predetermined interval along the outer side of the substrate (W). The plurality of slurry injection ports 1141 can supply the slurry to the entire surface to be polished of the substrate W by selectively spraying the slurry.

공기 분사구(1142)는 리테이너부(112)에 배치되고, 공기를 분사할 수 있다. 공기 분사구(1142)는 리테이너부(112)에 매립 설치되고, 슬러리 분사구(1141)를 통해 분사되는 슬러리를 향해 공기를 분사할 수 있다. 예를 들어, 공기 분사구(1142)는 슬러리 분사구(1141)에 인접하게 설치되어, 슬러리 분사구(1141)와 함께 작동할 수 있다. 슬러리 분사구(1141)가 복수개 구비되는 경우, 공기 분사구(1142)는 각각의 슬러리 분사구(1141)에 대응하도록 복수개 구비되어, 각각의 슬러리 분사구(1141)를 통해 분사되는 슬러리에 공기를 분사할 수 있다. 이 경우, 공기 분사구(1142)는 분사되는 공기의 압력을 조절함으로써, 슬러리의 분산 정도를 조절할 수 있다.The air injection port 1142 is disposed in the retainer portion 112 and can inject air. The air injection port 1142 is embedded in the retainer portion 112, and may inject air toward the slurry injected through the slurry injection port 1141. For example, the air injection port 1142 may be installed adjacent to the slurry injection port 1141 to operate together with the slurry injection port 1141. When a plurality of slurry injection holes 1141 are provided, a plurality of air injection holes 1142 may be provided to correspond to the respective slurry injection holes 1141, and the air may be injected to the slurry injected through the respective slurry injection holes 1141. . In this case, the air injection port 1142 can adjust the degree of dispersion of the slurry by adjusting the pressure of the air to be injected.

이와 같은 구조에 의하면, 공기 분사구(1142)를 통해 분사되는 공기가 슬러리 분사구(1141)를 통해 분사되는 슬러리를 분산시킬 수 있다. 다시 말하면, 공기 분사구(1142)의 작동에 의해 분사되는 슬러리가 퍼뜨려(spread)짐으로써, 기판(W) 전체에 균일하게 분사될 수 있다. 기판(W)의 크기가 커지면, 플레이튼(111)의 회전에 제약이 생기기 때문에, 기판(W)의 특정부분에 과도량의 슬러리가 분사되면, 슬러리를 균일하게 도포하기 어려울 수 있다. 따라서, 슬러리 공급부(114)는 공기 분사구(1142)의 작동을 통해, 슬러리를 분산시켜 기판(W) 전체에 균일하게 도포함으로써, 기판(W)의 특정부분에 슬러리가 과도하게 집중되는 것을 방지할 수 있다. According to such a structure, the air injected through the air injection port 1142 can disperse the slurry injected through the slurry injection port 1141. In other words, the slurry injected by the operation of the air injection port 1142 can be spread, and thus can be uniformly sprayed on the entire substrate W. FIG. When the size of the substrate W is increased, the rotation of the platen 111 is restricted, and when an excessive amount of slurry is injected to a specific portion of the substrate W, it may be difficult to uniformly apply the slurry. Accordingly, the slurry supply unit 114 distributes the slurry uniformly through the operation of the air injection port 1142 and uniformly spreads the entirety of the substrate W, thereby preventing excessive concentration of the slurry on a specific portion of the substrate W. Can be.

흡입부(115)는, 리테이너부(112)에 구비되고, 진공압을 발생시킬 수 있다. 흡입부(115)는, 기판(W)의 둘레를 감싸도록 리테이너부(112)의 길이 방향을 따라 복수개가 배치될 수 있다. 흡입부(115)는, 리테이너부(112)에 홀(hole) 형태로 형성되고, 진공압을 발생시킴으로써, 기판(W)의 연마 과정에서 발생하는 파티클(particle), 슬러리, 잔여물 및, 순수(DIW)를 흡입(suction)하는 역할을 수행할 수 있다. 이와 같은 구조에 의하면, 연마패드(123)가 기판(W)의 엣지 영역을 연마하는 과정에서, 리테이너부(112) 상에 잔류하는 잔여물에 의해 손상되거나, 기판(W)의 연마도가 저하되는 것을 방지할 수 있다.The suction part 115 is provided in the retainer part 112, and can generate a vacuum pressure. The suction part 115 may be provided in plurality along the longitudinal direction of the retainer part 112 so as to surround the circumference of the substrate W. As shown in FIG. The suction part 115 is formed in the shape of a hole in the retainer part 112, and generates a vacuum pressure, so that particles, slurry, residues and pure water generated during the polishing process of the substrate W are generated. It can serve to suction (DIW). According to this structure, the polishing pad 123 is damaged by the residue remaining on the retainer portion 112 in the process of polishing the edge region of the substrate W, or the polishing degree of the substrate W is lowered. Can be prevented.

디처킹부(116)는, 기판 안착부(113)에 구비되고, 기판 안착부(113)에 안착된 기판(W)을 디처킹(dechucking)할 수 있다. 예를 들어, 디처킹부(116)는 기판(W)의 연마가 완료되면, 기판(W)을 외측으로 밀어냄으로써, 기판(W)을 기판 안착부(113)로부터 이탈시킬 수 있다. 예를 들어, 디처킹부(116)는, 기판(W)의 하면, 즉, 비연마면을 향해 순수(DIW, De-Ionized Water)를 분사할 수 있다. 따라서, 기판(W)을 이탈시키기 위한 압력을 제공하는 동시에, 기판(W)의 비연마면을 세척하는 효과를 달성할 수 있다. 반면, 디처킹부(116)는, 기판(W)을 향해 공기를 분사할 수도 있다. 디처킹부(116)가 분사하는 유체의 종류는 한정되지 않는다. 디처킹부(116)는, 기판 안착부(113)에 형성되는 복수개의 홀을 포함하고, 각각의 홀은 유체를 분사함으로써, 기판(W)의 각 부위를 가압할 수 있다.The dechucking unit 116 may be provided in the substrate mounting unit 113 and may dechuck the substrate W mounted on the substrate mounting unit 113. For example, when the polishing of the substrate W is completed, the dechucking unit 116 may detach the substrate W from the substrate mounting unit 113 by pushing the substrate W outward. For example, the dechucking unit 116 may spray pure water (DIW, De-Ionized Water) toward the lower surface of the substrate W, that is, the non-abrasive surface. Therefore, the effect of providing the pressure for detaching the substrate W and washing the non-abrasive surface of the substrate W can be achieved. On the other hand, the dechucking unit 116 may spray air toward the substrate W. FIG. The kind of fluid sprayed by the dechucking unit 116 is not limited. The dechucking portion 116 includes a plurality of holes formed in the substrate mounting portion 113, and each hole may press each part of the substrate W by spraying a fluid.

기판 연마 유닛(120)은, 기판 안착부(113)에 안착된 기판(W)을 연마할 수 있다. 기판 연마 유닛(120)은, 기판(W)을 연마하는 동시에 기판(W)의 연마부위를 향해 슬러리를 공급할 수 있다. 기판 연마 유닛(120)은, 연마 플레이튼(121), 연마헤드(122), 연마패드(123) 및 슬러리 공급부(114)를 포함할 수 있다.The substrate polishing unit 120 may polish the substrate W seated on the substrate seating portion 113. The substrate polishing unit 120 may supply the slurry toward the polishing portion of the substrate W while polishing the substrate W. As shown in FIG. The substrate polishing unit 120 may include a polishing platen 121, a polishing head 122, a polishing pad 123, and a slurry supply unit 114.

연마 플레이튼(121)은, 기판 지지 유닛(110)의 상부, 다시 말해, 기판(W)의 상부에 위치할 수 있다. 연마 플레이튼(121)은 기판(W)의 피연마면에 평행한 평면상에서 선형 이동할 수 있다. 따라서, 연마 플레이튼(121)은 기판(W)의 전 부위를 따라 이동하면서, 연마패드(123)를 기판(W) 피연마면을 따라 이동시킬 수 있다. 연마 플레이튼(121)은, 기판(W)에 대하여 상하로 움직임으로써, 기판(W) 및 연마패드(123)의 접촉 압력을 조절할 수 있다. 따라서, 연마패드(123)에 의한 기판(W)의 연마정도를 조절할 수 있다.The polishing platen 121 may be positioned above the substrate support unit 110, that is, above the substrate W. The abrasive platen 121 may linearly move in a plane parallel to the surface to be polished of the substrate W. As shown in FIG. Accordingly, the polishing platen 121 may move the polishing pad 123 along the substrate W surface to be polished while moving along the entire portion of the substrate W. FIG. The polishing platen 121 may adjust the contact pressure between the substrate W and the polishing pad 123 by moving up and down with respect to the substrate W. FIG. Therefore, the polishing degree of the substrate W by the polishing pad 123 can be adjusted.

연마헤드(122)는 연마 플레이튼(121)에 회전 가능하게 연결될 수 있다. 연마헤드(122)는, 기판(W)의 피연마면에 수직한 축을 중심으로 회전할 수 있다. 연마헤드(122)는 연마 플레이튼(121)의 움직임에 따라 기판(W)의 피연마면의 상부를 회전하면서 이동할 수 있다. The polishing head 122 may be rotatably connected to the polishing platen 121. The polishing head 122 may rotate about an axis perpendicular to the surface to be polished of the substrate W. FIG. The polishing head 122 may move while rotating the upper portion of the surface to be polished of the substrate W according to the movement of the polishing platen 121.

연마패드(123)는 연마헤드(122)에 연결될 수 있다. 예를 들어, 연마패드(123)는 연마헤드(122)의 하측에 교체 가능하게 부착되고, 기판(W)의 피연마면에 접촉하면서 기판(W)을 연마할 수 있다. 연마패드(123)는 연마 플레이튼(121) 및 연마헤드(122)의 작동에 따라 기판(W)의 전 부위를 이동하면서 기판(W)을 연마할 수 있다.The polishing pad 123 may be connected to the polishing head 122. For example, the polishing pad 123 is replaceably attached to the lower side of the polishing head 122 and may polish the substrate W while contacting the surface to be polished of the substrate W. The polishing pad 123 may polish the substrate W while moving the entire portion of the substrate W according to the operations of the polishing platen 121 and the polishing head 122.

연마 슬러리 공급부(124)(114)는 연마패드(123)를 향해 슬러리를 공급할 수 있다. 연마 슬러리 공급부(124)(114)는, 예를 들어, 연마패드(123)에서 슬러리가 분사되도록 연마헤드(122) 내부에 구비될 수 있다. 한편, 연마 슬러리 공급부(124)(114)는 도 1과 같이, 연마패드(123)의 외측에 연결되어 연마패드(123) 및 기판(W)의 접촉부위로 슬러리를 공급할 수 있다. 다시 말해, 연마 슬러리 공급부(124)(114)의 구조는 제한되지 않으며, 연마패드(123)를 통한 기판(W)의 연마부위로 슬러리를 공급할 수 있는 다양한 구조가 적용될 수 있다.The polishing slurry supply units 124 and 114 may supply the slurry toward the polishing pad 123. For example, the polishing slurry supplying parts 124 and 114 may be provided in the polishing head 122 such that the slurry is injected from the polishing pad 123. Meanwhile, as illustrated in FIG. 1, the polishing slurry supply parts 124 and 114 may be connected to the outside of the polishing pad 123 to supply the slurry to the contact portion between the polishing pad 123 and the substrate W. As illustrated in FIG. In other words, the structure of the polishing slurry supplying portions 124 and 114 is not limited, and various structures capable of supplying the slurry to the polishing portion of the substrate W through the polishing pad 123 may be applied.

정리하면, 일 실시 예에 따른 기판 연마 장치(1)는, 기판 지지 유닛(110) 및 기판 연마 유닛(120)을 통해 동시에 슬러리를 공급함으로써, 기판(W) 전체에 대해 슬러리를 공급할 수 있다. 특히, 기판(W)의 크기가 커지는 경우에도, 기판 지지 유닛(110) 자체에서 제공되는 슬러리를 통해 기판(W) 전체에 슬러리를 분사하고, 기판 연마 유닛(120)을 통해 기판(W)의 연마 부위에 슬러리를 집중적으로 분사함으로써, 기판(W) 전체의 슬러리 도포 정도를 조절하고, 기판(W)의 연마 균일도를 향상시킬 수 있다.In summary, the substrate polishing apparatus 1 according to the embodiment may supply the slurry to the entire substrate W by simultaneously supplying the slurry through the substrate support unit 110 and the substrate polishing unit 120. In particular, even when the size of the substrate W is increased, the slurry is sprayed on the entire substrate W through the slurry provided in the substrate supporting unit 110 itself, and the substrate W is transferred through the substrate polishing unit 120. By intensively spraying the slurry on the polishing site, the degree of slurry application of the entire substrate W can be adjusted, and the polishing uniformity of the substrate W can be improved.

도 4는 일 실시 예에 따른 기판 연마 장치의 블록도이다.4 is a block diagram of a substrate polishing apparatus according to an embodiment.

도 4를 참조하면, 일 실시 예에 따른 기판 연마 장치(1)는, 기판 지지 유닛(110), 기판 연마 유닛(120), 센싱부(130) 및 제어부(140)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4, the substrate polishing apparatus 1 according to an embodiment may include a substrate support unit 110, a substrate polishing unit 120, a sensing unit 130, and a controller 140.

센싱부(130)는, 기판 지지 유닛(110)에 위치한 기판(W)의 피연마면의 상태를 센싱할 수 있다. 예를 들어, 센싱부(130)는 기판(W)의 연마정도, 표면의 연마 상태, 슬러리의 도포 정도등의 상태를 센싱할 수 있다. The sensing unit 130 may sense a state of the to-be-polished surface of the substrate W located in the substrate support unit 110. For example, the sensing unit 130 may sense a state of polishing of the substrate W, a polishing state of the surface, and a coating degree of the slurry.

제어부(140)는, 기판 지지 유닛(110) 및 기판 연마 유닛(120) 각각의 슬러리 공급을 제어할 수 있다. 제어부(140)는, 센싱부(130)에 의해 센싱된 정보에 기초하여, 기판(W)에 공급되는 슬러리 분사 정도, 분사 위치등을 조절할 수 있다.The controller 140 may control the slurry supply of each of the substrate support unit 110 and the substrate polishing unit 120. The controller 140 may adjust the slurry spraying degree, the spraying position, and the like supplied to the substrate W based on the information sensed by the sensing unit 130.

예를 들어, 센싱부(130)는 피연마면을 복수의 영역으로 구획하고, 각 영역에 대한 연마도를 검출하고, 제어부(140)는 검출된 연마도에 따라 기판(W) 각 영역에 대한 슬러리 공급을 조절하여, 기판(W) 각 영역에 대한 연마도를 균일하게 조절할 수 있다.For example, the sensing unit 130 divides the surface to be polished into a plurality of areas, detects the degree of polishing for each area, and the controller 140 controls each area of the substrate W according to the detected degree of polishing. By adjusting the slurry supply, it is possible to uniformly adjust the degree of polishing for each region of the substrate (W).

한편, 센싱부(130)는 피연마면의 슬러리 양을 검출하고, 제어부(140)는 검출된 슬러리 양을 설정값과 비교하여, 슬러리 양이 설정값 미만인 기판(W)영역을 향해 슬러리가 공급되도록 기판 지지 유닛(110) 및 기판 연마 유닛(120)을 제어할 수 있다.On the other hand, the sensing unit 130 detects the amount of slurry on the surface to be polished, and the control unit 140 compares the detected amount of slurry with a set value, and supplies the slurry toward the substrate W area where the amount of slurry is less than the set value. The substrate support unit 110 and the substrate polishing unit 120 may be controlled to be able to control the substrate support unit 110 and the substrate polishing unit 120.

이상과 같이 비록 한정된 도면에 의해 실시 예들이 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 구조, 장치 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.Although embodiments have been described with reference to the accompanying drawings as described above, various modifications and variations are possible to those skilled in the art from the above description. For example, the described techniques may be performed in a different order than the described method, and / or components of the described structure, apparatus, etc. may be combined or combined in a different form than the described method, or may be combined with other components or equivalents. Appropriate results can be achieved even if they are replaced or substituted.

1: 기판 연마 장치
110: 기판 지지 유닛
120: 기판 연마 유닛
130: 센싱부
140: 제어부1: substrate polishing apparatus
110: substrate support unit
120: substrate polishing unit
130: sensing unit
140: control unit

Claims (20)

플레이튼;
상기 플레이튼의 상부에 구비되고, 기판이 안착되는 기판 안착부;
안착된 상기 기판의 외측을 감싸도록, 상기 플레이튼에 연결되는 리테이너부; 및
상기 기판의 외측을 따라 배치되도록 상기 리테이너부에 형성되고, 상기 기판 안착부 방향으로 슬러리를 분사하는 복수의 슬러리 분사구와, 상기 기판의 외측을 따라 배치되도록 상기 리테이너부에 형성되고 상기 슬러리 분사구를 통해 분사되는 슬러리에 공기를 분사하여 상기 슬러리를 상기 기판 전체에 분산시키는 복수의 공기 분사구를 포함하는 슬러리 공급부;
를 포함하는 기판 지지 유닛.
Platen;
A substrate seating portion provided on an upper portion of the platen and on which a substrate is seated;
A retainer portion connected to the platen to surround the outside of the seated substrate; And
A plurality of slurry injection holes formed in the retainer part to be disposed along the outer side of the substrate, and a plurality of slurry injection holes for injecting slurry toward the substrate seating part, and formed in the retainer part to be disposed along the outer side of the substrate and through the slurry injection holes; A slurry supply unit including a plurality of air injection holes for injecting air into the sprayed slurry to disperse the slurry throughout the substrate;
Substrate support unit comprising a.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 슬러리 분사구는, 상기 리테이너부의 내측에 매립되는, 기판 지지 유닛.
The method of claim 1,
The said slurry injection port is embedded in the said retainer part, The board | substrate support unit.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 복수의 슬러리 분사구는, 상기 기판의 외측을 따라 일정 간격만큼 이격 배치되는, 기판 지지 유닛.
The method of claim 1,
The plurality of slurry injection holes are arranged spaced apart by a predetermined interval along the outside of the substrate.
삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 공기 분사구는, 상기 리테이너부에 매립 설치되는, 기판 지지 유닛.
The method of claim 1,
The said air injection port is a board | substrate support unit provided in the said retainer part.
제1항에 있어서,
상기 리테이너부에 구비되고, 진공압을 발생시키는 흡입부를 더 포함하는, 기판 지지 유닛.
The method of claim 1,
And a suction part provided in the retainer part and generating a vacuum pressure.
제9항에 있어서,
상기 흡입부는,
상기 기판의 둘레를 감싸도록, 상기 리테이너부를 따라 복수개가 배치되는, 기판 지지 유닛.
The method of claim 9,
The suction unit,
A plurality of substrate support units are disposed along the retainer portion to surround the substrate.
제1항에 있어서,
상기 기판 안착부에 구비되고, 상기 안착된 기판을 디척킹(dechucking)시키기 위한, 디척킹부를 더 포함하는, 기판 지지 유닛.
The method of claim 1,
And a dechucking portion, provided on the substrate seating portion, for dechucking the seated substrate.
제11항에 있어서,
상기 디척킹부는, 상기 기판의 하면을 향해 순수(DIW)를 분사하는, 기판 지지 유닛.
The method of claim 11,
And the dechucking unit sprays pure water (DIW) toward the lower surface of the substrate.
피연마면이 상부를 향하도록 기판을 지지하고, 상기 기판으로 슬러리가 공급되는 기판 지지 유닛; 및
상기 피연마면을 연마하기 위한 연마패드와, 상기 연마패드를 향해 슬러리를 공급하는 연마 슬러리 공급부를 포함하는 기판 연마 유닛을 포함하고,
상기 기판 지지 유닛은,
상기 기판이 안착되는 기판 안착부;
상기 안착된 기판의 위치를 고정하도록, 상기 기판 안착부의 둘레를 감싸는 리테이너부; 및
상기 리테이너부에 형성되고, 상기 기판의 피연마면을 향해 슬러리를 분사하는 슬러리 분사구와, 상기 슬러리 분사구를 통해 분사된 슬러리에 공기압을 제공하기 위한 공기 분사구를 포함하는 슬러리 공급부를 포함하는, 기판 연마 장치.
A substrate support unit which supports a substrate so that the surface to be polished faces upward, and the slurry is supplied to the substrate; And
A substrate polishing unit including a polishing pad for polishing the surface to be polished, and a polishing slurry supply portion for supplying a slurry toward the polishing pad,
The substrate support unit,
A substrate mounting part on which the substrate is mounted;
A retainer portion surrounding the substrate mounting portion to fix a position of the seated substrate; And
A slurry supply portion formed in the retainer portion, the slurry supply portion including a slurry injection port for injecting a slurry toward the to-be-polished surface of the substrate and an air injection port for providing air pressure to the slurry injected through the slurry injection port; Device.
제13항에 있어서,
상기 기판 지지 유닛은,
상기 기판이 안착되는 기판 안착부;
상기 안착된 기판의 위치를 고정하도록, 상기 기판 안착부의 둘레를 감싸도록 배치되는 리테이너부; 및
상기 리테이너부에 형성되고, 상기 기판의 피연마면을 향해 슬러리를 공급하는 슬러리 공급부를 포함하는, 기판 연마 장치.
The method of claim 13,
The substrate support unit,
A substrate mounting part on which the substrate is mounted;
A retainer portion disposed to surround the substrate mounting portion to fix a position of the seated substrate; And
And a slurry supply portion formed in the retainer portion and supplying the slurry toward the surface to be polished of the substrate.
제14항에 있어서,
상기 리테이너부는, 상기 안착된 기판에 단차지지 않는 두께를 가지는, 기판 연마 장치.
The method of claim 14,
The said retainer part is a board | substrate grinding apparatus which has the thickness which does not step on the seated board | substrate.
삭제delete 제13항에 있어서,
상기 기판 연마 유닛은,
상하로 이동 가능한 연마 플레이튼; 및
상기 연마 플레이튼에 회전 가능하게 연결되고, 상기 연마패드가 부착되는 연마 헤드를 포함하고,
상기 연마 슬러리 공급부는 상기 연마헤드 내부에 구비되고, 상기 연마패드를 향해 슬러리를 공급하는, 기판 연마 장치.
The method of claim 13,
The substrate polishing unit,
An abrasive platen movable up and down; And
A polishing head rotatably connected to the polishing platen and to which the polishing pad is attached;
The polishing slurry supply unit is provided inside the polishing head, and supplies a slurry toward the polishing pad.
제13항에 있어서,
상기 피연마면의 상태를 센싱하는 센싱부; 및
상기 기판 지지 유닛 및 기판 연마 유닛 각각의 슬러리 공급을 제어하는 제어부를 더 포함하는, 기판 연마 장치.
The method of claim 13,
Sensing unit for sensing the state of the surface to be polished; And
And a control unit for controlling the slurry supply of each of the substrate support unit and the substrate polishing unit.
제18항에 있어서,
상기 센싱부는, 상기 피연마면을 복수의 영역으로 구획하고, 각 영역에 대한 연마도를 검출하고,
상기 제어부는, 상기 검출된 연마도에 따라 기판에 대한 슬러리 공급을 조절하는, 기판 연마 장치.
The method of claim 18,
The sensing unit divides the surface to be polished into a plurality of regions, and detects the degree of polishing for each region,
And the controller controls the slurry supply to the substrate in accordance with the detected degree of polishing.
제18항에 있어서,
상기 센싱부는, 상기 피연마면의 슬러리 양을 검출하고,
상기 제어부는, 상기 검출된 슬러리 양이 설정값 미만인 기판영역을 향해 슬러리를 공급하도록, 상기 기판 지지 유닛 및 기판 연마 유닛을 제어하는, 기판 연마 장치.
The method of claim 18,
The sensing unit detects the amount of slurry on the surface to be polished,
And the control unit controls the substrate support unit and the substrate polishing unit to supply the slurry toward the substrate region where the detected amount of slurry is less than a set value.
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