KR20190060783A - 멤리스트 기반의 센서 - Google Patents

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에우제니오 마르티넬리
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옥스퍼드 브룩스 유니버시티
유니버시티 오브 로마 토르 베르가타
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Abstract

센서는 어레이로 배열된 복수의 센서 요소를 포함한다. 각 센서 소자는 멤리스티브(memristive)이며, 감지될 종의 노출과 관련된 전기 저항 특성을 갖는다. 상기 센서 소자들은 적어도 하나의 센서 소자가 적어도 하나의 다른 센서 소자와 병렬로 연결될 수 있도록 배열된다. 적정한 접속부들을 사용하므로, 센서 소자들의 상기 어레이는 판독될 수 있다.

Description

멤리스트 기반의 센서
본 발명은 화학 종을 감지하는 것과 같은 멤리스티브(memristive) 센서 소자들의 어레이를 포함하는 센서에 관한 것이다.
가스 센서로서 단일 멤리스터(memristor)('메모리-저항기(memory-resistor)'의 약자)를 사용하는 것이 제안되었다. 측정 오류는 동일한 센서 또는 여러 독립 센서에서 여러 번 측정하여 통계적으로 줄일 수 있다. 그러나 측정의 신뢰성은 단일 센서에서 여러 번 측정하여 확인할 수 없다. 여러 센서에서 중복 샘플을 측정하면 신뢰성을 보장할 수 있다.
멤리스터 어레이는 디지털 메모리 구조로서 제안되었다. 그러나, 하나의 센서로 동작할 때 어레이내에서 하나의 멤리스터의 저항을 판독하는 것은 멤리스티브 소자들이 통상적으로 양방향 전도체(종래의 반도체 메모리 구조와 달리)이기 때문에 문제가 있다. 이러한 전도적 특성은 어레이 내에서 상기 선택된 멤리스터 소자의 저항값을 잘못 탐지할 수 있는 '스니크-패스(sneak-paths)'(즉, 어레이를 통과하는 의도하지 않은 도전 경로)가 존재함을 의미한다. 하나의 장치가 메모리로 사용될 때, 1과 0을 나타내기 위해 크게 다른 저항값을 가질 수 있는 멤리스터의 두 가지 이진 상태를 구별하기만 하면 된다; 결과적으로 스니크-패스의 존재는 크게 문제 되지 않는다(그래도 여전히 문제가 될수 있어, 저장된 정보가 궁극적으로 소실될 수 있다). 그러나, 화학적 센싱 값을 측정하기 위해서는, 연속적으로 저항값을 감지해야 하며, 스니크-패스의 존재로 인해 감지 마진이 심각하게 저하된다. 스니크-패스가 존재하는 경우 어레이 크기가 증가함에 따라 판독 마진이 심각하게 저하되기 때문에 스니크-패스에 의하여 최대 어레이 크기 또한 제한된다.
본 발명은 상기 문제점들 때문에 고안됐다.
따라서, 본 발명의 일 양태에 의한 센서는 어레이 내에 배열된 복수의 센서 소자들을 포함하며,
각 센서 소자는 멤리스티브이며 감지될 화학 종의 노출과 관련된 전기적 저항 특성을 가지며,
상기 센서 소자들은 적어도 하나의 센서 소자가 적어도 하나의 다른 센서 소자와 병렬로 연결되도록 연결 가능하게 배열된다.
본 발명의 또 다른 양태는 센서를 판독하는 방법을 제공하며, 상기 센서는 어레이 내에 배열된 복수의 센서 소자들이며, 각 센서 소자는 멤리스티브이며 감지될 종의 노출과 관련된 전기적 저항 특성을 가지며,
상기 방법은 적어도 하나의 센서 소자가 적어도 하나의 다른 센서 소자와 병렬로 연결되도록 상기 센서 소자들을 연결하는 단계를 포함한다.
본 발명의 다른 양태는 종속항에 정의된다.
본 발명의 실시 형태들은 첨부된 도면들을 참조하여 단지 예로서만 기술된다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 크로스바 어레이 내의 멤리스티브 센서 소자의 확대된 개요도;
도 2는 상이한 가스 농도에 대한 본 발명의 일 실시 형태에 사용된 멤리스티브 센서 소자의 IV 특성 그래프;
도 3은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 멤리스티브 소자들의 2차원 어레이를 포함하는 센서의 간략화된 회로도;
도 4는 도 3의 등가 회로 개략도;
도 5는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 멤리스티브 소자들의 2차원 어레이를 포함하는 센서의 간략화된 회로도;
도 6은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 멤리스티브 소자들의 1차원 어레이를 포함하는 센서의 간략화된 회로도; 및
도 7은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 상이한 종을 감지하기 위한 각각의 어레이를 갖는 복수의 1차원 어레이의 멤리스티브 소자들을 포함하는 센서의 간략화된 회로도.
멤리스터는 당해 기술 분야에서 장치를 통해 흐르는 상기 전류에 의해 전기 저항이 변화되는 장치로 알려져 있다. 상기 저항은 최솟값 RON 및 최댓값 ROFF를 갖는다. 상기 저항은 적절한 전압 또는 전류의 인가에 의해 스위칭될 수 있고, 비휘발성(저항값은 '기억'됨)이므로, 멤리스터는 메모리 소자로 사용될 수 있다.
멤리스터는 아래와 같은 다양한 재료로 만들 수 있다: TiO2 (예를 들어 도핑 및 비 도핑 영역 및 Pt 전극을 갖는); Ag/Ag5In5Sb60Te30/Ta; Ag-a-LSMO-Pt (무정형 망간 박막 내 Ag 나노 필라멘트); 알루미늄 산화물, 구리 산화물, 실리콘 산화물, 아연 산화물, 탄탈 산화물, 하프늄 산화물과 같은 기타 금속 산화물 반도체; 무정형 페로브스카이트(perovskite) 산화물 (예컨대, a-SrTiO3); 뿐만 아니라 기타 강유전성 및 도핑된 고분자 재료, 및 또한 그래핀(graphene) 산화물. 본 발명의 실시 형태는 멤리스티브 특성이 존재하는 한 임의의 특정 물질로 제한되지 않는다. 멤리스터(memristor)로서 동작하는 하나의 구성 소자는 멤리스티브(memristive)로 기술된다.
본 발명의 일 실시 형태는 메모리 칩(집적 회로, IC)을 제조하는 것과 같은 마이크로 전자에서 사용되는 리소그래피 기술에 의해 제조된 나노 스케일 멤리스터의 고밀도 어레이를 포함한다. 상기 어레이는 제1 세트에 수직으로 달린 다른 병렬 나노 와이어 세트 위에 위치한 평행 나노 와이어 세트로 구성된 크로스바 아키텍처를 사용하여 제조된다. 하나의 멤리스터는 와이어의 모든 교차점에 위치한다. 행과 열은 평행한 와이어 세트(디지털 전자 메모리에서 비트-라인 및 워드-라인이라고도 함)로 정의되며 각 멤리스터는 한 행과 한 열의 와이어 사이에 연결된다. 상기 어레이 내의 각 멤리스터는 전체 센서 장치의 하나의 센서 소자로 작동할 수 있다.
도 1은 하나의 멤리스터가 어레이 내의 하나의 교차점에 있는 것을 도시한다. 상부 와이어(10)는 하부 와이어(12)에 수직인 한 방향으로 연장되며, 이들 와이어는 멤리스터(14)의 전극을 형성하며, 예를 들어, 백금으로 제조될 수 있다. 이 실시 형태에서 멤리스터(14)는 도핑 벽(20)을 사이에 둔 상부(16) 및 하부(18)를 포함하는 티타늄 산화물 박막을 포함한다. 상부(16)는 TiO2-x과 같은 비-화학량론적 화합물(non-stoichiometric)이고 하부는 티타늄 이산화물(TiO2)이다. 박막의 상부 표면(22)은 감지된 환경과 멤리스터(14) 사이의 용이한 상호 작용을 허용하기 위해 상부 와이어(10)의 양 측면으로 노출된 채로 남는다.
상기 멤리스터, 또는 칩 상의 멤리스터의 전체 어레이에는 히터(도시되지 않음)가 제공되어 화학 종을 감지하는 데 필요한 적절한 온도로 온도를 상승시킬 수 있다. 상기 히터는 일관된 측정을 위해 온도를 일정한 값으로 안정화시킬 수 있다.
티타늄 산화물 막의 표면(22) 상의 분자의 흡착은 멤리스터의 전기 저항 특성을 변화시킨다. 도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 사용된 멤리스터의 전류 대 전압(Ⅳ) 특성 그래프이다. 전체 모양은 높은 저항 상태(낮은 기울기, 약 200 킬로 옴) 및 낮은 저항 상태(높은 기울기, 약 100 옴)를 갖는 멤리스터의 특성이며, 이 둘 사이에서 전환 가능하다. 지시된 바와 같이, 0 ppm 내지 1000 ppm 범위의 상이한 가스 농도에 대해 다수의 상이한 그래프들이 도 2에 중첩되어 있다. 도시된 바와 같이, 가스 농도의 존재는 멤리스터의 전기 저항 특성을 변화시킨다. 이러한 방식으로, 멤리스터는 가스 센서 소자로서 작용할 수 있다. 사용된 특정 '특성'은 최대 저항 또는 기울기 또는 높은 저항과 낮은 저항 간의 차이 등과 같은 단일 값일 수 있다; 또는 이러한 여러 값의 조합 일 수 있다.
가스 농도는 상황에 따라 다양한 방식으로 감지되거나 측정될 수 있으며, 상황에 따라서, 예를 들어: 멤리스터의 절대 저항(높거나 낮은 저항 상태, 또는 둘 다); 높은 저항과 낮은 저항의 비율; 피크 전류; 미분 저항 등이다. 저항 특성 측정은 DC 및/또는 AC 기술을 사용하며, 바이어스 전압을 사용하거나 사용하지 않고 수행될 수 있다. 저항값은 알려진 가스 농도에 대해 보정될 수 있으며, 전기적 측정을 가스 농도로 변환하기 위하여 상기 센서에 대한 룩업 테이블 또는 방정식이 제공될 수 있다.
일반적으로, 타깃 화학 종과 멤리스터의 표면과의 상호 작용은 저항률의 변화를 가져오고 연관된 판독 회로(미도시)의 출력을 변화시킨다. 위에서 언급한 산화물 및 폴리머 또는 포르피린과 같은 멤리스터의 재료 선택은 상기 센서의 상기 타깃 종과 감도 패턴을 선택할 수 있다는 것을 의미한다. 상기 멤리스터는 또한 단지 하나의 종 또는 특정 그룹의 종을 감지하기 위해 선택적으로 만들어질 수 있지만, 다른 것들은 감지할 수 없다. 예를 들어, 본 발명을 구현화한 센서는 질소 산화물, 일산화탄소, 알코올, 아민, 테르펜, 탄화수소 또는 케톤 및/또는 다양한 상이한 가스(산화 또는 환원)와 같은 휘발성 화합물 및 가스를 검출하는데 사용될 수 있다. 상기 실시 형태가 상기 가스내의 종을 감지하는 것을 언급하였지만, 그것은 본 발명의 필수적인 것은 아니며; 본 발명의 실시 형태는 또한 액체 또는 액체내의 종(예를 들어, Hg, Ca, Pb, Cr의 이온), 및 바이오센서(예를 들어, 살충제, 특정 단백질, 아미노산 또는 DNA를 검출하기위한)를 감지하는데 사용될 수 있다. 여기에 기술된 센서의 구조 및 측정 기술은, 원칙적으로, 화학 종 대신에 물리적 특성을 감지하기 위해 다른 실시 형태로 사용될 수 있다: 예를 들어, 온도를 감지하기 위한 서미스터, 또는 빛을 감지하기 위한 광전도체(photoconductor) 등등.
도 3은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 크로스바 어레이 센서의 회로를 도시한다. 배열은 열 와이어 X1, X2, ... Xn 및 행 와이어 Y1, Y2, ... Ym을 갖는 n x m이다. 멤리스터는 각 행/열 교차점에 연결된다. 이 실시 형태에서, 하나의 특정 멤리스터는 판독 전압 Vread를 관련 행에 연결하고, 상응하는 열 와이어와 접지 사이에 부하 저항 RL을 연결함으로써, 감지를 위해 판독되도록 선택된다(이 경우, X1, Y1에서, 그러나 그것은 어레이에서 임의의 하나 일 수 있음). 그러나, 도 3에서 볼 수 있듯이, Vread가 인가되는 단자와 부하 저항 RL 사이에는 다른 멤리스터들을 통해 다수의 스니크-패스가 존재하며(어느 방향으로도 전도될 수 있기 때문에), 뿐만 아니라 X1, Y1에 선택된 멤리스터를 통해 간단하게 전도된다. 도 3과 함께 고려했을 때, 이는 도 4에 도시된 등가 회로에서 분석된다. 선택된 멤리스터(30a)는 저항값 RX1Y1를 갖는 저항(30)으로 표시된다. 스니크-패스 저항은 저항(30)과 병렬이고 3개의 직렬 구성 요소를 포함한다: (i) 행 Y1에 연결된 멤리스터의 저항(32)(도 3의 점선으로 표시된 박스(32a)에 도시); (ii) 박스(34a)에 표시된 멤리스터 네트워크의 저항(34); 및 (iii) 열 X1에 연결된 멤리스터의 저항(36)(도 3의 점선으로 표시된 박스(36a)에 도시). 선택되지 않은 모든 멤리스터가 동일한 저항(R)을 갖는다면, 저항(32)은 병렬의 n-1 멤리스터들, 즉
Figure pct00001
이다; 저항(34)은
Figure pct00002
이고; 저항(36)은
Figure pct00003
이다. 총 스니크-패스 저항 Rsneak은 직렬로 연결된 3 개의 저항(32, 34, 36)의 합이다:
Figure pct00004
Vread와 고정된 부하 저항 RL 사이의 배열의 총 저항은 선택된 멤리스터와 나머지 어레이 스니크-패스의 병렬 조합이다:
Figure pct00005
이러한 총 저항 Rtotal과 부하 저항 RL은 분압기(potential divider)를 형성하며, 상기 부하 저항 RL 값과 상기 Vread의 값(또는 등가의, 상기 어레이의 상기 전체 IV 특성은 Vread의 변화에 의하여 얻어질 수 있음)을 알고 있으므로 상기 Rtotal 값은 상기 Vout 단자의 전압을 측정하여 결정될 수 있다.
상기 Rtotal 값은 단일 지점에서 단일 판독 주기의 배열에 있는 모든 멤리스터에 대한 정보를 갈무리하므로, 감지되는 상기 종의 상기 농도를 결정하는 데 사용될 수 있다. 이러한 방식으로, 스니크-패스 저항은 감지에 기여하도록 실제로 활용된다. 상기 구조는 상기 스니크-패스를 이용하여 전체 배열을 단일 센서처럼 사용한다.
이 실시 형태에서, 선택되지 않은 행 및 열 와이어는 접속부(40)에 의해 단락된다. 이것은 상기 전류가 상기 어레이로 단지 하나의 진입 점과 출구만을 갖는 것을 보장하는데 도움을 줄 수 있다. 바람직하게는 이들 접속부(40)는, 선택적으로 스위치 또는 스위칭 구성 요소를 통한, 낮은 저항 와이어링 경로와 같은, 직접 접속이다. 이상적인 회로에서, 이러한 선택되지 않은 행과 열은 같은 전위에 있으므로 접속부(40)는 불필요하지만, 실용적인 매우 큰 배열에서, 이러한 접속부는 전류를 균일하게 분배하는 데 도움이 될 수 있다.
일반적으로 어레이에 있는 멤리스터는 모두 동일한 상태(높거나 낮은 저항)로 설정되지만, 이러한 요구가 상기 경우는 아니다. 예를 들어 '선택된' 멤리스터는 나머지 배열과 다른 상태로 설정될 수 있다. 각 멤리스터는 개별적으로 어드레싱이 가능하다.
측정 정확도를 높이고 측정 신뢰도를 확인하기 위해 매 순간 다른 선택된 멤리스터를 사용하여 일련의 측정을 수행할 수 있다. 선택된 멤리스터는 배열에서 임의의 순서로 선택되거나, 체계적인 순서로 순환될 수 있다.
모순되는 측정값이 얻어진 경우, 해당 측정을 위해 선택된 멤리스터가 결함이 있음을 나타낼 수 있다. 이 경우, 특정한 행 또는 열 또는 멤리스터는 특정한 접속부(40)를 만들지 않고 및/또는 특정 인접한 멤리스터를 높은 저항 상태로 설정함으로써 선택 해제될 수 있다.
모든 실시 형태에서, 어레이를 어드레싱하기 위한 회로들(원하는 행 또는 열에 전압 Vread를 인가하고, 부하 저항 RL을 연결하는 등과 같은) 및 행 및 열 와이어들 사이의 접속부(40)를 만들고 Vout 감지 단자를 제공하는 회로들은 하드-와이어드(hard-wired) 될 수 있지만, 메모리 칩과 관련하여 당 업계에 공지된 바와 같이, 예를 들어 칩 주변 둘레상에, 바람직하게는 칩 상에 집적된 논리 회로로 모두 제조된다.
대안적인 실시 형태가 도 5에 도시된다. 모든 열 와이어는 접속부(50)에 의해 서로 연결되고, 모든 행 와이어는 접속부(52)에 의해 서로 연결된다. 이는 어레이 내의 모든 멤리스터는 단순히 서로 평행하므로 모든 멤리스터가 저항 R을 갖는다고 가정하면 전체 저항 Rtotal은
Figure pct00006
이 된다.
멤리스터(1 × n 어레이)의 1차원 어레이를 포함하는 또 다른 실시 형태가 도 6에 도시된다. 이 경우, 모든 열 와이어는 로드 저항 RL이 연결된 출력 라인에 연결되어, 멤리스터가 단순히 병렬로 배열된다.
도 6의 구조는 복수의 1차원 어레이를 제공함으로써 또 다른 실시 형태로 확장될 수 있다. 이것은 도 7에 도시된 바와 같은 2차원 어레이를 연결함으로써 성취될 수 있으며, 이 예에서, 열 와이어들은 함께 단락 되지만, 행 배선은 개별적이며, 각각에 독립적으로 인가된 판독 전압을 가질 수 있다. 바람직한 변형 양태에서, 각 1차원 어레이는 상이한 타깃 종(예를 들어, 감지 될 가스 내의 성분)에 민감하다; 이는 어레이 또는 어레이와 관련된 구조물의 멤리스터의 물리적 또는 화학적 변형에 의해 달성될 수 있다. 행들은 각각의 저항 R1, R2,... Rm을 갖는다. 단자 Gc1 에 판독 전압을 인가함으로써 제1 종(a first species)의 농도를 감지할 수 있고, 단자 Gc2 내지 Gcm에 대해 다른 종(the other species)을 감지하기 위한 과정이 순차적으로 반복된다. 모든 행들이 고유한 종들을 감지하기 위해 적용되어야 하는 것은 아니다; 동일한 종의 여러 판독 값을 제공하기 위해 일부 행들은 복제될 수 있다. 이 예제에서 1차원 배열은 행들로 표시되지만, 등가 적으로 열들로 구성될 수 있다.
상기 모든 실시 형태는 필요한 전압을 인가하고, 필요한 접속부를 만들고, 출력을 측정하고, 전기 측정값을 가스 농도 값 또는 값들로 변환하는 것과 같은 감지 기능을 제공하기 위한 제어 회로(도시되지 않음)를 포함할 수 있다. 제어 회로는 전용 로직 및 하드웨어 일 수 있고 및/또는 적합한 소프트웨어를 실행하는 마이크로 프로세서와 같은 범용 회로를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 형태들은 예를 들어 마이크로 칩 상에 멤리스티브 센서 요소들의 고밀도 어레이를 활용할 수 있다. 어레이는 수십 또는 수백 개의 요소들을 포함할 수 있지만, 1024 x 1024 요소들 또는 한층 더 큰 요소들 일 수 있다. 이러한 것은 상기 센서를 콤팩트하고 강력하며 저전력으로 만든다. 상기 센서는 특히 스마트 폰, 태블릿 컴퓨터 또는 휴대용 센서에 통합되어 휴대용 장치에 사용하기에 적합하다.

Claims (17)

  1. 센서로서,
    어레이 내에 배열된 복수의 센서 소자들을 포함하며,
    각 센서 소자는 멤리스티브(memristive)이며 감지될 종의 노출과 관련된 전기적 저항 특성을 가지며,
    상기 센서 소자들은 적어도 하나의 센서 소자가 적어도 하나의 다른 센서 소자와 병렬로 연결되도록 연결 가능하게 배열된, 센서.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 어레이는 2차원 어레이인, 센서.
  3. 제2항에 있어서,
    각 전도성 행 와이어와 각 전도성 열 와이어 사이에 연결된 센서 소자를 가진, 다수의 전도성 행 와이어들과 다수의 전도성 열 와이어들을 포함하는, 센서.
  4. 제3항에 있어서,
    전기적으로 다수의 전도성 행 와이어들과 서로 연결되어 있는 접속부들 및/또는 전기적으로 다수의 전도성 열 와이어들과 서로 연결되어 있는 접속부들을 포함하는, 센서.
  5. 제4항에 있어서,
    선택된 하나의 와이어를 제외하고 모든 전도성 행 와이어들은 서로 연결되어 있고, 선택된 하나의 와이어를 제외하고 모든 전도성 열 와이어들은 서로 연결되어 있는, 센서.
  6. 제4항에 있어서,
    모든 전도성 행 와이어들은 서로 연결되어 있고, 모든 전도성 열 와이어들은 서로 연결되어 있는, 센서.
  7. 제4항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 접속부들은 논리 회로에 의하여 스위칭 가능하고 제어되는, 센서.
  8. 제4항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    각 전도성 행 와이어와 각 전도성 열 와이어는 개별적으로 어드레싱될 수 있는, 센서.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 어레이는 1차원 어레이이며,
    상기 어레이 내에 있는 모든 상기 센서 요소들은 병렬로 서로 연결되어 있는, 센서.
  10. 제9항에 있어서,
    복수개의 상기 1차원 어레이를 포함하는, 센서
  11. 제10항에 있어서,
    상기 1차원 어레인들 중 상이한 하나는 감지될 다른 종류의 종에 민감하도록 적용된, 센서.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    어레이 내에 배열된 상기 복수의 센서 소자들은 마이크로-전자(micro-electronic) 구조 형태인, 센서.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    어레이 내에 배열되어 있는 상기 센서 소자들을 연결하기 위하여 크로스바(crossbar) 아키텍처를 더 포함하는, 센서.
  14. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
    하나의 칩상에 제공되는, 센서.
  15. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 센서는 가스 센서, 액체 센서, 및 액체 내에 존재하는 종을 센싱 하는 센서 중 적어도 하나인, 센서.
  16. 센서를 판독하는 방법에 있어서,
    상기 센서는,
    어레이 내에 배열되어 있는 다수의 센서 소자들을 포함하고,
    각 센서 소자는 멤리스티브(memristive)이고 감지될 종의 노출과 관련된 전기적인 저항 특성을 가지며,
    상기 방법은,
    적어도 하나의 센서 소자가 적어도 다른 센서 소자와 병렬로 연결되도록 상기 센서 소자들을 연결하는 단계;를 포함하는, 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 어레이는 2차원 어레이로서,
    각 전도성 행 와이어와 각 전도성 열 와이어 사이에 연결되어 있는 센서를 갖는 다수의 전도성 행 와이어들과 다수의 전도성 열 와이어들을 포함하고,
    전기적으로 복수의 전도성 행 와이어들과 서로 연결되어 있는 접속부들과 전기적으로 복수의 전도성 열 와이어들과 서로 연결되어 있는 접속부들을 더 포함하며,
    상기 방법은:
    선택된 하나의 와이어를 제외하고 모든 전도성 행 와이어들을 서로 연결하는 단계와 선택된 하나의 와이어를 제외하고 모든 전도성 열 와이어들을 서로 연결하는 단계; 및
    상기 선택된 행 와이어와 상기 선택된 열 와이어를 통하여 상기 센서 어레이의 전기적인 속성을 측정하는 단계;를 포함하는, 방법.
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