KR20190060129A - Tray for transferring substrate and manufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

One embodiment of a tray for transferring a substrate includes: a light transmission base mounting a plurality of substrates thereon and made of a heat-resistant glass material; and a coating layer formed on a surface of the base and having light transmission and etching resistance, thereby suppressing damage to the coating layer and prominently improving durability of the tray.

Description

기판 이송용 트레이 및 그 제조방법{Tray for transferring substrate and manufacturing method thereof}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a tray for transferring a substrate,

실시예는, 내구성이 높은 구조를 가진 기판 이송용 트레이 및 그 제조방법에 관한 것이다.The embodiments relate to a substrate transfer tray having a highly durable structure and a manufacturing method thereof.

이 부분에 기술된 내용은 단순히 실시예에 대한 배경 정보를 제공할 뿐 종래기술을 구성하는 것은 아니다.The contents described in this section merely provide background information on the embodiment and do not constitute the prior art.

태양전지는 일반적으로 패널형태로 제작된다. 이러한 태양전지는 베이스기판에 가열, 냉각, 증착, 식각 및 클리닝공정을 반복하여 진행하는 방식으로 제작될 수 있다.Solar cells are generally manufactured in the form of panels. Such a solar cell can be manufactured by repeating heating, cooling, deposition, etching, and cleaning processes on a base substrate.

따라서, 가열, 냉각, 증착, 식각 및 클리닝공정을 용이하게 진행할 수 있는 챔버에 베이스기판을 배치하여 태양전지를 제조할 수 있다.Therefore, a solar cell can be manufactured by disposing a base substrate in a chamber in which heating, cooling, deposition, etching, and cleaning processes can be easily performed.

베이스기판이 기판 이송용 트레이 상에 배치된 상태에서 챔버 내부로 인입되고, 챔버 내부의 서셉터 상에 기판 이송용 트레이가 배치된 상태에서 태양전지 제조공정이 진행될 수 있다.The solar cell manufacturing process can be performed in a state in which the base substrate is placed in the chamber while being placed on the substrate transfer tray and the substrate transfer tray is disposed on the susceptor inside the chamber.

상기 트레이는 특히 식각 및 클리닝공정이 반복적으로 진행됨에 따라 식각이 발생할 수 있다. 따라서, 상기 트레이는 이러한 식각 및 클리닝공정이 반복되어도 식각이 잘 발생하지 않는 내구성이 높은 구조로 제작될 필요가 있다.The tray may be etched as the etching and cleaning processes are repeatedly performed. Therefore, the tray needs to be made of a highly durable structure that does not generate an etch even if the etching and cleaning processes are repeated.

따라서, 실시예는, 내구성이 높은 구조를 가진 기판 이송용 트레이 및 그 제조방법에 관한 것이다.Therefore, the embodiment relates to a substrate transfer tray having a highly durable structure and a method of manufacturing the same.

실시예가 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 실시예가 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description are exemplary and explanatory and are intended to provide further explanation of the invention as claimed.

기판 이송용 트레이의 일 실시예는, 복수의 기판을 안치하는 내열유리 재질의 광투과성 베이스; 및 상기 베이스의 표면에 형성되고, 광투과성과 내식각성을 가지는 코팅층을 포함할 수 있다.One embodiment of the substrate transfer tray includes a light-permeable base made of a heat-resistant glass material to house a plurality of substrates; And a coating layer formed on the surface of the base and having light transmittance and corrosion resistance.

상기 코팅층은 Al2O3 재질인 것일 수 있다.The coating layer may include Al 2 O 3 It may be a material.

상기 코팅층은 Y2O3 재질인 것일 수 있다.The coating layer comprises Y 2 O 3 It may be a material.

상기 코팅층은 원자층 증착(Atomic Layer Deposition, ALD)방식으로 형성되는 것일 수 있다.The coating layer may be formed by an Atomic Layer Deposition (ALD) method.

상기 코팅층의 두께는 50 내지 300나노미터인 것일 수 있다.The thickness of the coating layer may be 50 to 300 nanometers.

상기 코팅층의 투과도는 90 내지 98%인 것일 수 있다.The permeability of the coating layer may be 90 to 98%.

상기 코팅층은, 상기 베이스의 상면, 하면 및 측면에 형성되는 것일 수 있다.The coating layer may be formed on the upper surface, the lower surface and the side surface of the base.

기판 이송용 트레이 제조방법의 일 실시예는, 챔버 내부에 베이스를 배치하는 베이스 배치단계; 상기 베이스를 가열하는 가열단계; 및 상기 베이스 표면에 원자층 증착 방식으로 코팅층을 형성하는 코팅층 형성단계를 포함하고, 상기 베이스는 내열유리 재질로 구비되고, 상기 코팅층은, Al2O3 또는 Y2O3 재질로 구비되며, 50 내지 300나노미터의 두께로 형성되는 것일 수 있다.One embodiment of a method of manufacturing a tray for transferring a substrate includes: a base positioning step of positioning a base in a chamber; A heating step of heating the base; And forming a coating layer on the base surface by an atomic layer deposition method, wherein the base is made of heat-resistant glass, and the coating layer is made of Al 2 O 3 Or Y 2 O 3 , and may be formed to a thickness of 50 to 300 nanometers.

상기 코팅층 형성단계는, 상기 챔버 내부에 플라즈마가 인가되는 것일 수 있다.The forming of the coating layer may include applying plasma to the inside of the chamber.

상기 코팅층은, 광투과성 재질로 구비되고, 상기 베이스의 상면, 하면 및 측면에 형성되는 것일 수 있다.The coating layer may be formed of a light transmitting material, and may be formed on the top, bottom, and side surfaces of the base.

실시예에서 베이스의 재질을 내열유리로 구비함으로써, 가열 및 냉각에 의한 열팽창과 수축, 열응력의 발생을 현저히 줄임으로써, 이로인한 상기 코팅층의 파손을 억제할 수 있고, 결과적으로 트레이의 내구성을 현저히 향상시킬 수 있다.By providing the material of the base as the heat-resistant glass in the embodiment, thermal expansion and contraction due to heating and cooling, and generation of thermal stress are remarkably reduced, so that breakage of the coating layer can be suppressed. As a result, the durability Can be improved.

실시예에서 상기 코팅층은 내식각성 재질로 형성됨으로써, 태양전지 제조공정에서 반복적으로 진행되는 식각 또는 클리닝공정에 의해 코팅층이 식각되는 것을 효과적으로 억제하여 트레이의 내구성을 현저히 향상시킬 수 있다.In the embodiment, the coating layer is formed of an erosion-inducing material, thereby effectively preventing the coating layer from being etched by an etching or cleaning process repeatedly performed in the solar cell manufacturing process, thereby significantly improving the durability of the tray.

실시예에서 상기 코팅층을 원자층 증착방식으로 형성하므로, 상기 베이스의 표면에 매우 얇고 균일하며 스텝커버리지가 매우 우수한 내식각성 코팅층을 형성할 수 있다.In the embodiment, since the coating layer is formed by the atomic layer deposition method, the anti-corrosion coating layer can be formed on the surface of the base very thin, uniform, and excellent in step coverage.

실시예에서는 용사코팅에 비해 현저히 얇은 두께로 상기 코팅층을 형성할 수 있다. 상기 코팅층이 현저히 얇으므로, 열변형이 발생하더라도 이로인한 열응력이 발생하지 않거나, 매우 작은 열응력이 발생하여, 결과적으로 트레이의 내구성을 현저히 높일 수 있다.In this embodiment, the coating layer can be formed with a significantly thinner thickness than the spray coating. Since the coating layer is remarkably thin, thermal stress due to the thermal deformation does not occur, or very little thermal stress is generated. As a result, the durability of the tray can be remarkably increased.

도 1은 일 실시예의 트레이 제조를 위한 챔버를 나타낸 개략도이다.
도 2는 일 실시예의 트레이를 나타낸 단면도이다.
도 3은 일 실시예의 트레이 제조방법을 나타낸 순서도이다.
도 4는 일 실시예의 트레이에 대한 내식각성 실험결과를 나타낸 그래프이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Figure 1 is a schematic view of a chamber for tray manufacture in one embodiment.
2 is a sectional view showing a tray of one embodiment.
3 is a flowchart showing a tray manufacturing method of one embodiment.
FIG. 4 is a graph showing the corrosion resistance test results of the tray of the embodiment. FIG.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 실시예를 상세히 설명한다. 실시예는 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 실시예를 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 실시예의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments are to be considered in all aspects as illustrative and not restrictive, and the invention is not limited thereto. It is to be understood, however, that the embodiments are not intended to be limited to the particular forms disclosed, but are to include all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the embodiments.

"제1", "제2" 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는 데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로 사용된다. 또한, 실시예의 구성 및 작용을 고려하여 특별히 정의된 용어들은 실시예를 설명하기 위한 것일 뿐이고, 실시예의 범위를 한정하는 것이 아니다.The terms " first ", " second ", and the like can be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used for the purpose of distinguishing one component from another. In addition, terms specifically defined in consideration of the constitution and operation of the embodiment are only intended to illustrate the embodiments and do not limit the scope of the embodiments.

실시예의 설명에 있어서, 각 element의 "상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)”로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiments, when it is described as being formed on the "upper" or "on or under" of each element, the upper or lower (on or under Quot; includes both that the two elements are in direct contact with each other or that one or more other elements are indirectly formed between the two elements. Also, when expressed as "on" or "on or under", it may include not only an upward direction but also a downward direction with respect to one element.

또한, 이하에서 이용되는 "상/상부/위" 및 "하/하부/아래" 등과 같은 관계적 용어들은, 그런 실체 또는 요소들 간의 어떠한 물리적 또는 논리적 관계 또는 순서를 반드시 요구하거나 내포하지는 않으면서, 어느 한 실체 또는 요소를 다른 실체 또는 요소와 구별하기 위해서 이용될 수도 있다.It is also to be understood that the terms "top / top / top" and "bottom / bottom / bottom", as used below, do not necessarily imply nor imply any physical or logical relationship or order between such entities or elements, And may be used to distinguish one entity or element from another entity or element.

도 1은 일 실시예의 트레이(100) 제조를 위한 챔버(10)를 나타낸 개략도이다. 실시예에서 챔버(10)는 두가지 역할을 할 수 있다.1 is a schematic diagram illustrating a chamber 10 for manufacturing a tray 100 of one embodiment. In an embodiment, the chamber 10 can serve two functions.

첫째로, 챔버(10)는 실시예의 트레이(100)를 제조하는데 사용될 수 있다. 둘째로, 챔버(10)는 실시예의 트레이(100)를 내부에 배치하고, 상기 트레이(100)에 기판을 배치하여 상기 기판을 가공하여 태양전지를 제작하는데 사용될 수 있다.First, the chamber 10 can be used to manufacture the tray 100 of the embodiment. Secondly, the chamber 10 can be used to manufacture the solar cell by disposing the tray 100 of the embodiment inside and arranging the substrate in the tray 100 to process the substrate.

실시예의 챔버(10)는 상부판(11), 샤워헤드(12), 가스유입구(13), 서셉터(14), 승강장치(15), RF전원(16) 및 배기구(17)를 포함할 수 있다.The chamber 10 of the embodiment includes a top plate 11, a showerhead 12, a gas inlet 13, a susceptor 14, a lifting device 15, an RF power source 16 and an exhaust port 17 .

상부판(11)은 샤워헤드(12)와 함께 상기 상부판(11)으로 유입되는 공정가스 즉, 소스가스, 반응가스 또는 클리닝가스가 확산되는 확산공간을 형성할 수 있다. 또한, 상기 상부판(11)은 RF전원(16)과 전기적으로 연결되어 플라즈마를 발생시키는 전극의 역할을 할 수도 있다.The top plate 11 together with the showerhead 12 may form a diffusion space through which the process gas, that is, the source gas, the reactive gas, or the cleaning gas, which is introduced into the top plate 11, is diffused. The top plate 11 may be electrically connected to the RF power source 16 to serve as an electrode for generating plasma.

샤워헤드(12)는 상기 상부판(11)과 상하방향으로 일정거리 이격되어 배치되고, 도 1에 도시된 바와 같이, 복수의 분사홀이 형성될 수 있다.The shower head 12 is spaced apart from the top plate 11 by a predetermined distance in the vertical direction, and as shown in FIG. 1, a plurality of spray holes may be formed.

상기 샤워헤드(12)는 서셉터(14)와 상하방향으로 대향되도록 배치됨으로써, 상기 상부판(11)으로 유입되는 상기 소스가스는, 상기 복수의 분사홀을 통해 상기 서셉터(14) 상에 배치되는 기판 또는 실시예의 베이스(110)에 분사될 수 있다.The shower head 12 is disposed so as to face the susceptor 14 in the vertical direction so that the source gas introduced into the top plate 11 is supplied onto the susceptor 14 through the plurality of injection holes To the base 110 of the substrate or embodiment being deployed.

가스유입구(13)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 상부판(11)을 관통하여 형성되고, 상기 공정가스를 공급하는 가스공급부(미도시)와 배관을 통해 연결될 수 있다.As shown in FIG. 1, the gas inlet 13 is formed through the top plate 11 and may be connected to a gas supply unit (not shown) for supplying the process gas through a pipe.

따라서, 상기 공정가스는 가스공급부로부터 가스유입구(13)를 통해 가스유입구(13)와 샤워헤드(12)가 형성하는 확산공간으로 유입되고, 또한 상기 복수의 분사홀을 통해 챔버(10)내부로 분사될 수 있다.Therefore, the process gas is introduced into the diffusion space formed by the gas inlet 13 and the showerhead 12 from the gas supply unit through the gas inlet 13, and further flows into the chamber 10 through the plurality of injection holes Can be sprayed.

서셉터(14)는 챔버(10)의 하부에 구비되고, 상기 서셉터(14) 상에는 가공의 대상인 기판 또는 실시예의 베이스(110)가 안착될 수 있다. 이러한 서셉터(14)는 상기 샤워헤드(12)와 상하방향으로 대향되도록 배치될 수 있다.The susceptor 14 is provided in the lower portion of the chamber 10 and the substrate 110 or the base 110 of the embodiment to be processed can be seated on the susceptor 14. The susceptor 14 may be arranged to face the shower head 12 in the vertical direction.

이때, 서셉터(14)에는 기판을 가열하기 위한 가열장치가 표면 또는 내부에 구비될 수 있다. 한편, 기판을 가열하기 위한 가열장치는 챔버(10) 내부에 별도로 구비되는 복사형 가열장치일 수도 있다.At this time, a heater for heating the substrate may be provided on the surface or inside of the susceptor 14. Meanwhile, the heating device for heating the substrate may be a radiative heating device separately provided in the chamber 10. [

승강장치(15)는 서셉터(14) 하부에 구비되어, 상기 서셉터(14)를 상하로 이동시킬 수 있다. 또한, 상기 승강장치(15)는 회전하도록 구비되어 상기 서셉터(14) 및 상기 서셉터(14) 상에 배치되는 기판을 회전시킬 수도 있다.The elevating device 15 is provided below the susceptor 14 so that the susceptor 14 can be moved up and down. The elevating device 15 may be provided to rotate so as to rotate the substrate disposed on the susceptor 14 and the susceptor 14. [

상기 승강장치(15)는 서셉터(14)의 적어도 일 영역, 예를 들어 중앙부를 지지하도록 구비되고, 서셉터(14) 상에 기판이 안착되면 서셉터(14)를 샤워헤드(12)와 근접하도록 이동시킬 수 있다.The lifting device 15 is provided to support at least one region of the susceptor 14, for example, a central portion thereof. When the substrate is placed on the susceptor 14, the susceptor 14 is moved to the showerhead 12 It is possible to move them closer to each other.

한편, 실시예에서는 가공의 대상이 베이스(110)이므로, 도 1에서는 서셉터(14) 상에 베이스(110)가 배치된 상태를 도시하였다.On the other hand, in the embodiment, since the object to be processed is the base 110, the state in which the base 110 is disposed on the susceptor 14 is shown in Fig.

RF전원(16)은, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 가스유입구(13)를 통해 상기 상부판(11)과 전기적으로 연결되도록 배치될 수 있고, 챔버(10)에 RF전력을 공급할 수 있다. RF전원(16)을 통해 상기 챔버(10)에 RF전력이 공급되면 상기 챔버(10) 내부에는 플라즈마가 인가될 수 있다.The RF power supply 16 may be arranged to be electrically connected to the top plate 11 through the gas inlet 13 and to supply RF power to the chamber 10, . When RF power is supplied to the chamber 10 through the RF power source 16, plasma may be applied to the chamber 10.

한편, 도시되지는 않았으나. 상기 상부판(11)과 상기 RF전원(16) 사이에는 최대 전력이 인가될 수 있도록 임피던스를 매칭하는 임피던스 매칭박스가 배치될 수도 있다.On the other hand, although not shown. An impedance matching box may be disposed between the top plate 11 and the RF power source 16 to match the impedance so that maximum power may be applied.

또한, 도시되지는 않았으나, 상기 가스유입구(13)를 통해 유입되는 공정가스를 미리 플라즈마 상태로 만들기 위한 리모트 플라즈마 발생장치가 구비될 수 있다. 상기 리모트 플라즈마 발생장치는 예를 들어, 상기 챔버(10)의 외부에 상기 공정가스가 통과하는 경로에 구비될 수 있다.Also, although not shown, a remote plasma generator for converting the process gas introduced through the gas inlet 13 into a plasma state may be provided. The remote plasma generator may be provided in a path through which the process gas passes, for example, outside the chamber 10.

상기 리모트 플라즈마 발생장치는 공정가스의 적어도 일부를 플라즈마 상태로 만들고, 공정챔버(10) 내부에서 다시 RF전원(16)에 의해 상기 공정가스가 한번더 플라즈마 상태로 만들어서 공정챔버(10) 내부에 플라즈마의 활성도를 현저히 높일 수 있다.The remote plasma generator generates at least a portion of the process gas into a plasma state and causes the process gas to be once again turned into a plasma state by the RF power supply 16 inside the process chamber 10, Can be significantly increased.

배기구(17)는 공청챔버(10)의 내부 압력을 조절하거나, 상기 챔버(10) 내부의 이물질을 배기하기 위해 구비될 수 있다.The exhaust port 17 may be provided to regulate the internal pressure of the air hole chamber 10 or to exhaust foreign substances in the chamber 10.

상기 배기구(17)는 배기를 용이하게 하기위해, 예를 들어, 상기 서셉터(14)보다 낮은 위치에서 상기 챔버(10)의 측벽 또는 하부벽을 관통하여 구비될 수 있다. 또한, 상기 배기구(17)에는 배기를 위한 진공펌프 등이 구비될 수 있다.The exhaust port 17 may be provided through the side wall or the bottom wall of the chamber 10 at a position lower than the susceptor 14, for example, to facilitate the evacuation. The exhaust port 17 may be provided with a vacuum pump for exhausting the exhaust gas.

도 2는 일 실시예의 트레이(100)를 나타낸 단면도이다. 실시예의 트레이(100)는 태양전지 제조용으로 사용될 수 있다. 예를 들어, 트레이(100)를 서셉터(14) 상에 배치하고, 트레이(100) 상에 태양전지 제조용 기판을 배치하여, 챔버(10)를 작동시켜 챔버(10) 내부에서 증착, 식각 또는 클리닝공정을 진행하여 태양전지를 제조할 수 있다.2 is a sectional view showing the tray 100 of one embodiment. The tray 100 of the embodiment can be used for manufacturing solar cells. For example, a tray 100 is placed on a susceptor 14, a substrate for manufacturing solar cells is placed on a tray 100, and the chamber 10 is operated to deposit, The solar cell can be manufactured through the cleaning process.

태양전지의 제조시 식각 또는 클리닝공정이 진행되므로 상기 트레이(100)는 내식각성을 가지도록 제조되어야 내구성을 높일 수 있다.Since the etching or cleaning process is performed during the manufacture of the solar cell, the tray 100 must be manufactured to have corrosion-resistance, so that the durability can be improved.

종래에는 태양전지 제조용 기판을 배치하는 수단(이하, 실시예인 트레이(100)와 구별하기 위해 '배치판'이라 함.) 즉, 배치판의 표면은 그라파이트(graphite) 또는 카본 컴포지트(carbon composite) 재질로 구비되었다.The surface of the arrangement plate is made of graphite or a carbon composite material (hereinafter, referred to as " substrate plate " .

그러나, 이러한 그라파이트 또는 카본 컴포지트는 식각에 취약하므로 상기 배치판의 내구성이 낮은 문제점이 있었다. 또한, 종래에는, 이러한 문제점을 해결하기 위해, 내식각성이 높은 재질의 파우더를 상기 배치판 표면에 용사(thermal spraying) 코팅을 하였다.However, since such graphite or carbon composite is vulnerable to etching, the durability of the batch plate is low. Further, in order to solve such a problem, conventionally, thermal spray coating is applied to the surface of the disposing plate in order to solve this problem.

그러나, 파우더의 지름이 큰 관계로 용사 코팅은 두껍게 형성될 수 밖에 없고, 용사 코팅의 두께가 증가함으로 인해 열변형 및 이에 기인한 열응력에 취약하게 되어, 상기 배치판의 내구성이 크게 증가하지 못하는 문제점이 있었다.However, since the diameter of the powder is large, the spray coating is inevitably formed to be thick and is vulnerable to thermal deformation and thermal stress due to an increase in the thickness of the spray coating, There was a problem.

이하에서는 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위한 실시예의 특징에 대하여 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the features of the embodiments for solving the above-mentioned conventional problems will be described in detail.

실시예의 트레이(100)는 베이스(110) 및 코팅층(120)을 포함할 수 있다. 트레이(100) 제조공정에서 처음에는 서셉터(14) 상에 베이스(110)가 배치될 수 있다.The tray 100 of the embodiment may include a base 110 and a coating layer 120. In the tray 100 manufacturing process, the base 110 may be initially disposed on the susceptor 14.

상기 베이스(110)는 광투과성 내열유리 재질로 구비될 수 있다. 이러한 내열유리는 예를 들어, 석영유리, 고규산유리, 붕규산유리 등이 있다.The base 110 may be made of a light-transmitting heat-resistant glass. Such heat-resistant glasses include, for example, quartz glass, high silica glass, borosilicate glass and the like.

내열유리는 열팽창율 및 열수축율이 작고, 온도의 급변에 잘 견디고, 연화온도가 높은 특성을 가진다. 일반적으로 내열유리는 400℃까지 열팽창율이 거의 0에 가깝다.Heat-resistant glass has a low coefficient of thermal expansion and a low heat shrinkage, is resistant to sudden temperature changes, and has a high softening temperature. Generally, heat-resistant glass has a thermal expansion rate close to zero up to 400 ° C.

따라서, 실시예에서 베이스(110)의 재질을 내열유리로 구비함으로써, 가열 및 냉각에 의한 열팽창과 수축, 열응력의 발생을 현저히 줄임으로써, 이로인한 상기 코팅층(120)의 파손을 억제할 수 있고, 결과적으로 트레이(100)의 내구성을 현저히 향상시킬 수 있다.Therefore, by providing the base 110 as the material of the heat-resistant glass in the embodiment, generation of thermal expansion, contraction and thermal stress due to heating and cooling can be remarkably reduced, so that breakage of the coating layer 120 can be suppressed As a result, the durability of the tray 100 can be remarkably improved.

트레이(100) 제조를 위해 소스가스 및 반응가스가 상기 베이스(110) 상에 분사되면, 베이스(110) 표면에 코팅층(120)이 형성될 수 있다. 이때, 상기 코팅층(120)은 내식각성 및 광투과성을 가지는 재질일 수 있다.When the source gas and the reactive gas are injected onto the base 110 for the manufacture of the tray 100, the coating layer 120 may be formed on the surface of the base 110. At this time, the coating layer 120 may be a material having corrosion resistance and light transmittance.

상기 코팅층(120)은 내식각성을 가짐으로써, 코팅층(120)이 형성된 트레이(100)의 내구성을 향상시킬 수 있다. 이러한 내식각성이 큰 코팅층(120)의 재질은 예를 들어, AlxOx 또는 Y2O3일 수 있다. AlxOx는 산화알루미늄 계열의 물질일 수 있고, 예를 들어, Al2O3일 수 있다.The coating layer 120 has corrosion resistance, so that the durability of the tray 100 on which the coating layer 120 is formed can be improved. The material of such a large etch resistant coating layer 120 may be, for example, AlxOx or Y 2 O 3. AlxOx can be an aluminum oxide-based material, for example, Al 2 O 3 .

실시예에서 상기 코팅층(120)은 내식각성 재질로 형성됨으로써, 태양전지 제조공정에서 반복적으로 진행되는 식각 또는 클리닝공정에 의해 코팅층(120)이 식각되는 것을 효과적으로 억제하여 트레이(100)의 내구성을 현저히 향상시킬 수 있다.The coating layer 120 is formed of an erosion-inducing material so that the coating layer 120 can be effectively prevented from being etched by an etching or cleaning process repeatedly performed in a solar cell manufacturing process, so that the durability of the tray 100 is remarkably improved Can be improved.

실시예에서, 상기 코팅층(120)은 상기 베이스(110)의 표면에 원자층 증착(Atomic Layer Deposition, ALD) 방식으로 형성될 수 있다.In an embodiment, the coating layer 120 may be formed on the surface of the base 110 by atomic layer deposition (ALD).

원자층 증착방식은 베이스(110)에 소스가스, 반응가스 및 클리닝가스를 번갈아가며 반복적으로 분사하여, 상기 베이스(110) 표면에서 증착되는 물질의 분자의 흡착과 치환을 번갈아가며 반복적으로 진행함으로써, 매우 미세한 두께를 가진 원자층을 복수로 적층(layer by layer)할 수 있다.The atomic layer deposition method repeatedly injects a source gas, a reactive gas, and a cleaning gas into the base 110 repeatedly to repeatedly perform adsorption and substitution of molecules of a substance deposited on the surface of the base 110, A plurality of atomic layers having a very fine thickness can be layer-by-layered.

이러한 원자층 증착방식은 산화물 또는 금속을 매우 미세한 층으로 겹겹이 쌓을 수 있다.These atomic layer deposition schemes can stack oxide or metal into very fine layers.

원자층 증착방식과 대비되는 것으로 화학기상 증착(chemical vapor deposition, CVD) 방식이 있다. 화학기상 증착방식은 소스가스의 화학반응으로 형성된 입자들을 기판표면에 증착시키는 방식이다.Compared with the atomic layer deposition method, there is a chemical vapor deposition (CVD) method. The chemical vapor deposition method is a method of depositing the particles formed by the chemical reaction of the source gas on the substrate surface.

원자층 증착방식은 화학기상 증착방식과 비교하여 다음과 같은 유리한 점이 있다.The atomic layer deposition method has the following advantages in comparison with the chemical vapor deposition method.

원자층 증착방식은 화학기상 증착방식에 비해 낮은 온도 예를 들어, 500℃이하에서 진행할 수 있으므로, 화학기상 증착방식과 비교하여, 기판가공의 시간, 비용 및 노력을 절약할 수 있다.The atomic layer deposition method can proceed at a lower temperature than, for example, 500 ° C as compared with the chemical vapor deposition method, so that it is possible to save time, cost, and labor for processing the substrate as compared with the chemical vapor deposition method.

원자층 증착방식은 매우 얇은 원자층을 겹겹히 적층하는 방식으로 진행되므로, 화학기상 증착방식과 비교하여, 기판에 매우 균일한 박막층을 얻을 수 있다. 또한, 동일한 이유로 박막층의 스텝커버리지(step coverage)가 매우 우수하므로, 기판의 표면에 요철이 있더라도 균일한 박막층을 얻을 수 있다.Since the atomic layer deposition method is carried out by stacking very thin atomic layers in layers, a very uniform thin film layer can be obtained on the substrate as compared with the chemical vapor deposition method. In addition, since the step coverage of the thin film layer is very good for the same reason, a uniform thin film layer can be obtained even if there is irregularity on the surface of the substrate.

실시예에서 상기 코팅층(120)을 원자층 증착방식으로 형성하므로, 상기 베이스(110)의 표면에 매우 얇고 균일하며 스텝커버리지가 매우 우수한 내식각성 코팅층(120)을 형성할 수 있다.In the embodiment, the coating layer 120 is formed by an atomic layer deposition method, so that the corrosion-resisting coating layer 120 having a very thin, uniform, and excellent step coverage on the surface of the base 110 can be formed.

상기 코팅층(120)은 광투과성 재질 즉, 투명한 재질로 구비될 수 있다. 즉, 상기 코팅층(120)을 구성하는 AlxOx, Y2O3 또는 Al2O3는 광투과성 재질이다.The coating layer 120 may be formed of a light-transmitting material, that is, a transparent material. That is, AlxOx, Y 2 O 3, or Al 2 O 3 constituting the coating layer 120 is a light-transmitting material.

상기 코팅층(120)은 광투과성 재질로 구비되어 트레이(100)의 가열효율을 높일 수 있다. 즉, 태양전지 제조를 위해 챔버(10)에 배치된 트레이(100)는 가열이 되는데, 상기 코팅층(120)이 광투과성 재질이므로 복사열이 상기 코팅층(120)에서의 반사율이 적어 상기 트레이(100)가 효과적으로 가열될 수 있다.The coating layer 120 may be made of a light-transmitting material to increase the heating efficiency of the tray 100. That is, the tray 100 disposed in the chamber 10 is heated to produce a solar cell. Since the coating layer 120 is a light-transmitting material, the radiation heat has a low reflectance in the coating layer 120, Can be effectively heated.

또한, 상기 코팅층(120)의 굴절율은 1.3 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 코팅층(120)의 굴절율은 공기의 굴절율보다 크고 유리의 굴절율보다 작을 수 있다. 일반적으로 공기의 굴절율은 1.0이고 유리의 굴절율은 1.4 내지 1.5이다.In addition, the refractive index of the coating layer 120 may be 1.3 or less. In particular, the refractive index of the coating layer 120 may be greater than the refractive index of air and less than the refractive index of glass. In general, the refractive index of air is 1.0 and the refractive index of glass is 1.4 to 1.5.

굴절율이 클수록 반사율도 증가한다. 따라서, 실시예에서는 상기 코팅층(120)의 굴절율을 유리보다 작게하여 유리보다 반사율을 줄이고, 전자기파의 형태로 전달되는 복사열의 반사율을 낮추고 반대로 투과율을 증가시켜 복사열에 의해 상기 트레이(100)가 효과적으로 가열될 수 있다.The larger the refractive index, the greater the reflectance. Therefore, in the embodiment, the refractive index of the coating layer 120 is made smaller than that of glass, the reflectance is lower than that of glass, the reflectance of the radiant heat transmitted in the form of electromagnetic waves is lowered, and the transmittance is increased, .

상기 코팅층(120)은 50 내지 300나노미터의 두께로 형성될 수 있다. 상기 용사코팅을 적용할 경우, 예를 들어 용사코팅은 50 내지 200마이크로미터의 두께로 형성된다.The coating layer 120 may be formed to a thickness of 50 to 300 nanometers. When the spray coating is applied, for example, the spray coating is formed to a thickness of 50 to 200 micrometers.

따라서, 실시예에서는 용사코팅에 비해 현저히 얇은 두께로 상기 코팅층(120)을 형성할 수 있다. 상기 코팅층(120)이 현저히 얇으므로, 열변형이 발생하더라도 이로인한 열응력이 발생하지 않거나, 매우 작은 열응력이 발생하여, 결과적으로 트레이(100)의 내구성을 현저히 높일 수 있다.Therefore, in the embodiment, the coating layer 120 can be formed to have a significantly thinner thickness than the spray coating. Since the coating layer 120 is extremely thin, thermal stress due to the thermal deformation does not occur, or a very small thermal stress is generated. As a result, the durability of the tray 100 can be remarkably increased.

한편, 베이스(110)는 제작 후 세정공정 등을 거치지만, 접착력이 강한 미세한 이물질이 표면에 남아있을 수 있다. 따라서, 상기 코팅층(120)은 이러한 이물질을 완전히 덮을 필요가 있다.On the other hand, although the base 110 is subjected to a cleaning process and the like after its fabrication, fine foreign matter with strong adhesive force may remain on the surface. Therefore, the coating layer 120 needs to completely cover such foreign matter.

만약, 상기 코팅층(120)의 두께가 50나노미터 미만인 경우, 베이스(110) 표면에 흡착된 이물질을 완전히 덮을 수 없어, 이러한 이물질이 흡착된 부위에서 식각이 발생할 수 있다. 또한, 상기 코팅층(120)의 두께가 50나노미터 미만인 경우, 식각물질이 상기 코팅층(120)을 뚫고 베이스(110) 표면으로 침투하여, 베이스(110)가 식각될 수도 있다. 따라서, 상기 코팅층(120)의 두께는 50나노미터 이상으로 형성하는 것이 적절하다.If the thickness of the coating layer 120 is less than 50 nanometers, the foreign matter adsorbed on the surface of the base 110 can not be completely covered, and the etching may occur at the site where the foreign matter is adsorbed. When the thickness of the coating layer 120 is less than 50 nanometers, the etching material penetrates the coating layer 120 and penetrates the surface of the base 110 to etch the base 110. Therefore, it is appropriate that the thickness of the coating layer 120 is 50 nm or more.

한편, 상기 코팅층(120)의 두께가 과도하게 두꺼울 경우, 외부로부터 상기 코팅층(120)을 통과하여 상기 베이스(110)으로 열전달이 원활히 발생하지 않아, 베이스(110) 및 코팅층(120)을 포함하는 트레이(100) 전체가 원활하게 가열되지 않을 수 있다.When the thickness of the coating layer 120 is excessively large, heat transfer from the outside through the coating layer 120 to the base 110 is not smoothly generated, and the coating layer 120 including the base 110, The entire tray 100 may not be heated smoothly.

또한, 상기 코팅층(120)의 두께가 과도하게 두꺼울 경우, 두꺼운 코팅층(120)은 얇은 코팅층(120)에 비해 열팽창에 기인한 열응력을 크게 받을 수 있고, 코팅층(120)과 베이스(110)의 열팽창율이 다르므로 이로인한 열응력이 베이스(110)에 발생할 수 있다.If the thickness of the coating layer 120 is excessively large, the thick coating layer 120 may have a greater thermal stress due to thermal expansion than the thin coating layer 120, Since the thermal expansion rate is different, thermal stress due to this may occur in the base 110.

따라서, 트레이(100)로 열전달이 원활히 일어나게 하고, 코팅층(120)과 베이스(110)에 과도한 열응력이 발생하는 것을 억제하기 위해, 상기 코팅층(120)의 두께는 300나노미터 이하로 형성하는 것이 적절하다.Therefore, in order to smoothly transfer heat to the tray 100 and to prevent excessive thermal stress from being generated in the coating layer 120 and the base 110, the thickness of the coating layer 120 is preferably 300 nm or less proper.

상기 코팅층(120)의 투과도는 높을수록 유리할 수 있다. 코팅층(120)의 투과도가 높을수록 외부로부터 전달되는 복사열이 상기 코팅층(120)을 용이하게 투과하여 상기 베이스(110)을 가열할 수 있기 때문이다.The higher the transmittance of the coating layer 120, the better. The higher the transmittance of the coating layer 120 is, the more radiant heat transmitted from the outside can easily transmit the coating layer 120 to heat the base 110.

다만, 상기 코팅층(120)의 재질 즉, AlxOx, Y2O3또는 Al2O3의 특성으로 인해, 상기 코팅층(120)의 투과도는 예를 들어, 90 내지 98%일 수 있다.However, due to the characteristics of the material of the coating layer 120, that is, the characteristics of AlxOx, Y 2 O 3 or Al 2 O 3 , the permeability of the coating layer 120 may be, for example, 90 to 98%.

상기 코팅층(120)은 상기 베이스(110)의 상면, 하면 및 측면에 형성될 수 있다. 태양전지 제조공정에서는 플라즈마를 사용하여 식각 또는 클리닝공정을 진행할 수 있다.The coating layer 120 may be formed on the upper surface, the lower surface, and the side surface of the base 110. In the solar cell manufacturing process, the etching or cleaning process can be performed using plasma.

챔버(10) 내부에 발생하는 플라즈마는 방향성이 없으므로, 트레이(100)의 식각을 억제하기 위해 상기 코팅층(120)은 상기 베이스(110)의 상면, 하면 및 측면 즉, 모든 표면에 형성함이 적절하다.The plasma generated in the chamber 10 is not directional so that the coating layer 120 is formed on the upper surface, the lower surface and the side surfaces of the base 110 in order to suppress the etching of the tray 100 Do.

예를 들어, 상기 베이스(110)이 상면에 상기 코팅층(120)을 형성한 후, 상기 베이스(110)를 서셉터(14) 상에 뒤집어 그 하면에 코팅층(120) 형성공정을 반복하여 진행할 수 있다.For example, after forming the coating layer 120 on the upper surface of the base 110, the process of forming the coating layer 120 on the lower surface of the susceptor 14 may be repeated by reversing the base 110 have.

이때, 상기 베이스(110)의 측면은 상기 코팅층(120)의 상면 및 하면에 코팅층(120)을 형성하는 공정에서 노출되므로, 코팅층(120)이 형성될 수 있다. 따라서, 측면에 코팅층(120)을 형성하는 별도의 공정이 필요하지 않을 수 있다.At this time, since the side surface of the base 110 is exposed in the process of forming the coating layer 120 on the upper and lower surfaces of the coating layer 120, the coating layer 120 may be formed. Therefore, a separate process of forming the coating layer 120 on the side surface may not be necessary.

상기 코팅층(120)은 400℃이하의 온도분위기에서 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 코팅층(120)은 80℃ 내지 300℃의 온도분위기에서 상기 베이스(110)에 증착될 수 있다. 이는 코팅층(120) 형성공정에서 상기 코팅층(120) 및 베이스(110)에 열변형 및 열응력 발생을 최대한 억제하기 위함이다.The coating layer 120 may be formed at a temperature of 400 ° C or lower. For example, the coating layer 120 may be deposited on the base 110 at a temperature of 80 ° C to 300 ° C. This is to minimize the occurrence of thermal deformation and thermal stress in the coating layer 120 and the base 110 in the process of forming the coating layer 120.

상기한 바와 같이, 내열유리 재질의 베이스(110)는 400℃까지 열변형이 거의 없으므로, 이보다 낮은 온도 예를 들어, 300℃이하에서 상기 코팅층(120)을 형성하는 것이 적절하다. 한편, 80℃미만이면, 원자층 증착이 잘 일어나지 않을 수 있다.As described above, since the base 110 made of heat-resistant glass has little thermal deformation to 400 ° C, it is appropriate to form the coating layer 120 at a temperature lower than 300 ° C, for example. On the other hand, if it is less than 80 캜, atomic layer deposition may not occur well.

도 3은 일 실시예의 트레이(100) 제조방법을 나타낸 순서도이다. 이하에서 트레이(100) 제조방법에 관하여 이미 상술한 바와 중복되는 내용의 반복설명은 생략한다.3 is a flowchart showing a method of manufacturing the tray 100 of one embodiment. Hereinafter, repetitive description of the contents overlapping with those already described with respect to the manufacturing method of the tray 100 will be omitted.

도 3에 도시된 바와 같이, 트레이(100) 제조방법은 베이스(110) 배치단계(S110), 가열단계(S120) 및 코팅층(120) 형성단계(S130)를 포함할 수 있다.3, the method of manufacturing the tray 100 may include a base 110 placing step S110, a heating step S120, and a coating layer 120 forming step S130.

베이스(110) 배치단계(S110)에서는, 챔버(10) 내부의 서셉터(14) 상에 가공의 대상인 베이스(110)를 배치할 수 있다. 상기한 바와 같이, 베이스(110)는 내열유리 재질로 구비될 수 있다.In the step of arranging the base 110 (S110), the base 110 to be processed can be disposed on the susceptor 14 inside the chamber 10. As described above, the base 110 may be made of heat-resistant glass.

가열단계(S120)에서는, 상기 베이스(110)를 가열할 수 있다. 이때, 가열수단은 서셉터(14)에 구비되는 가열장치 및/또는 챔버(10) 내부에 별도로 구비되는 복사형 가열장치일 수 있다.In the heating step S120, the base 110 can be heated. At this time, the heating means may be a heating device provided in the susceptor 14 and / or a radiative heating device separately provided in the chamber 10.

상기 가열단계(S120)에서는 상기 베이스(110) 및 상기 챔버(10) 내부를 예를 들어, 상기한 80℃ 내지 300℃의 온도분위기를 형성할 수 있다. 이후 코팅층(120) 형성이 완료될 때까지 상기 온도분위기를 유지할 수 있다.In the heating step (S120), for example, the above-described temperature atmosphere of 80 ° C to 300 ° C may be formed in the base 110 and the chamber 10. The temperature atmosphere can be maintained until formation of the coating layer 120 is completed.

코팅층(120) 형성단계(S130)에서는, 상기 베이스(110) 표면에 원자층 증착 방식으로 코팅층(120)을 형성할 수 있다. 원자층 증착 방식과 상기 코팅층(120)의 구체적인 구조는 이미 전술한 바와 같다.In the coating layer formation step S130, the coating layer 120 may be formed on the surface of the base 110 by atomic layer deposition. The atomic layer deposition method and the specific structure of the coating layer 120 are already described above.

한편, 상기 코팅층(120) 형성단계(S130)에서는, 상기 챔버(10) 내부에 플라즈마가 인가될 수 있다. 즉, 실시예에서는 플라즈마를 이용한 원자층 증착방식을 사용하여 상기 코팅층(120)을 형성할 수 있다.Meanwhile, in the step of forming the coating layer 120 (S130), plasma may be applied to the chamber 10. That is, in the embodiment, the coating layer 120 may be formed using an atomic layer deposition method using plasma.

이때, 상기 플라즈마는 전술한 리모트 플라즈마 발생장치 및/또는 RF전력이 공급되어 챔버(10) 내부에 플라즈마를 발생시키는 챔버(10) 플라즈마 발생장치에 의해 챔버(10) 내부에 인가될 수 있다.At this time, the plasma may be applied to the interior of the chamber 10 by the above-described remote plasma generator and / or a plasma generator generating a plasma in the chamber 10 by supplying RF power thereto.

도 4는 일 실시예의 트레이(100)에 대한 내식각성 실험결과를 나타낸 그래프이다. 도 4에 도시된 그래프는, 베이스(110)에 두께가 각각 573옹스트롬(Å) 및 543옹스트롬인 코팅층(120)이 형성된 2개의 실시예의 트레이(100)를 태양전지 제조를 위한 챔버(10)에 배치하여 얻은 결과값이다.4 is a graph showing the corrosion resistance test results of the tray 100 according to an embodiment of the present invention. The graph shown in FIG. 4 shows that the tray 100 of the two embodiments in which the coating layer 120 having the thickness of 573 angstroms (Å) and 543 angstroms is formed on the base 110 is placed in the chamber 10 for manufacturing the solar cell This is the result obtained by placing.

실험에서, 상기 코팅층(120)은 Al2O3재질로 형성되었다. 한편, 상기 챔버(10)는 태양전지 제조를 위한 것이고, 실험에서는 실시예의 트레이(100)를 제조하기 위한 챔버(10)와 동일한 것을 사용하였다.In the experiment, the coating layer 120 was formed of Al 2 O 3 material. On the other hand, the chamber 10 is for producing solar cells, and the same chamber 10 as used for manufacturing the tray 100 of the embodiment is used in the experiment.

물론, 태양전지 제조를 위한 챔버는 실시예의 트레이(100) 제조를 위한 챔버(10)와 동일한 것일 수도 있고, 다른 것일 수도 있다.Of course, the chamber for manufacturing the solar cell may be the same as or different from the chamber 10 for manufacturing the tray 100 of the embodiment.

그래프에서 세로축은 실험에 사용된 트레이(100)의 Al2O3재질의 코팅층(120)의 두께변화 추이를 나타낸다. 그래프에서 가로축은 플라즈마 상태의 클리닝가스가 트레이(100)에 가해진 경우, 코팅층(120)의 식각에 의한 두께변화 추이를 나타낸다. 가로축에 기재된 내용은 다음과 같다.In the graph, the vertical axis represents the change in the thickness of the coating layer 120 of the Al 2 O 3 material of the tray 100 used in the experiment. In the graph, the abscissa indicates the change in thickness due to the etching of the coating layer 120 when a cleaning gas in a plasma state is applied to the tray 100. The contents on the horizontal axis are as follows.

Initial은 두께가 서로다른 코팅층(120)이 형성된 2개 트레이(100)에서 상기 코팅층(120)의 초기두께 즉, 식각되지 않은 상태의 코팅층(120)의 두께를 각각 나타낸다. 코팅층(120)의 초기두께는 각각 573옹스트롬(57.3나노미터) 및 543옹스트롬(54.3나노미터)이다.Initial represents the initial thickness of the coating layer 120, that is, the thickness of the coating layer 120 in an unetched state, in the two trays 100 in which the coating layers 120 having different thicknesses are formed. The initial thickness of the coating layer 120 is 573 angstroms (57.3 nanometers) and 543 angstroms (54.3 nanometers), respectively.

RPSC(remote plasma source cleaning) 10min은 리모트 플라즈마 발생장치를 사용하여 플라즈마로 활성화된 클리닝가스를 실시예의 트레이(100)에 10분간 분사한 후의 코팅층(120)의 두께를 각각 나타낸다.RPSC (Remote Plasma Source Cleaning) 10 min represents the thickness of the coating layer 120 after spraying the cleaning gas activated by the plasma using the remote plasma generator in the tray 100 of the embodiment for 10 minutes.

RPSC+RF 10min은 리모트 플라즈마 발생장치와 RF전력을 사용한 챔버(10) 플라즈마 발생장치를 동시에 가동하여 플라즈마로 활성화된 클리닝가스를 실시예의 트레이(100)에 10분간 분사한 후의 코팅층(120)의 두께를 각각 나타낸다.RPSC + RF 10 min is the thickness of the coating layer 120 after simultaneously operating the remote plasma generator and the chamber 10 plasma generator using RF power to spray the plasma activated cleaning gas to the tray 100 of the embodiment for 10 minutes. Respectively.

270℃와 80℃는 실험온도를 의미한다. 즉, 초기두께 573옹스트롬의 코팅층(120)이 형성된 트레이(100)는 챔버(10) 내부온도가 270℃인 상태에서 실험을 진행하였고, 초기두께 543옹스트롬의 코팅층(120)이 형성된 트레이(100)는 챔버(10) 내부온도가 80℃인 상태에서 실험을 진행하였다.270 ° C and 80 ° C refer to the experimental temperature. That is, the tray 100 in which the coating layer 120 having the initial thickness of 573 angstroms was formed was tested in a state in which the inside temperature of the chamber 10 was 270 ° C. and the tray 100 having the coating layer 120 having the initial thickness of 543 angstroms. The experiment was carried out with the internal temperature of the chamber 10 at 80 캜.

실험결과에서 알 수 있듯이, 플라즈마로 활성화된 클리닝가스를 트레이(100)에 분사하여도 코팅층(120)의 두께는 변화가 없음을 알 수 있다. 따라서, 실험결과에서, 실시예의 코팅층(120)은 클리닝가스 및 플라즈마에 매우 강한 내식각성을 가짐을 알수 있다.As can be seen from the experimental results, even when the cleaning gas activated by the plasma is sprayed onto the tray 100, the thickness of the coating layer 120 does not change. Thus, from the experimental results, it can be seen that the coating layer 120 of the embodiment has very strong corrosion resistance to the cleaning gas and the plasma.

실시예와 관련하여 전술한 바와 같이 몇 가지만을 기술하였지만, 이외에도 다양한 형태의 실시가 가능하다. 앞서 설명한 실시예들의 기술적 내용들은 서로 양립할 수 없는 기술이 아닌 이상은 다양한 형태로 조합될 수 있으며, 이를 통해 새로운 실시형태로 구현될 수도 있다.While only a few have been described above with respect to the embodiments, various other forms of implementation are possible. The technical contents of the embodiments described above may be combined in various forms other than the mutually incompatible technologies, and may be implemented in a new embodiment through the same.

10: 챔버
11: 상부판
12: 샤워헤드
13: 가스유입구
14: 서셉터
15: 승강장치
16: RF전원
17: 배기구
100: 트레이
110: 베이스
120: 코팅층10: chamber
11: Top plate
12: Shower head
13: Gas inlet
14: susceptor
15: lifting device
16: RF power supply
17: Exhaust
100: Tray
110: Base
120: Coating layer

Claims (10)

복수의 기판을 안치하는 내열유리 재질의 광투과성 베이스; 및
상기 베이스의 표면에 형성되고, 광투과성과 내식각성을 가지는 코팅층
을 포함하는 기판 이송용 트레이.A light-transmissive base made of a heat-resistant glass material to house a plurality of substrates; And
A coating layer formed on a surface of the base and having light transmittance and corrosion-
And a substrate transfer tray. 제1항에 있어서,
상기 코팅층은 Al2O3 재질인 것을 특징으로 하는 기판 이송용 트레이.The method according to claim 1,
The coating layer may include Al 2 O 3 Wherein the substrate is a sheet material. 제1항에 있어서,
상기 코팅층은 Y2O3 재질인 것을 특징으로 하는 기판 이송용 트레이.The method according to claim 1,
The coating layer comprises Y 2 O 3 Wherein the substrate is a sheet material. 제1항에 있어서,
상기 코팅층은 원자층 증착(Atomic Layer Deposition, ALD)방식으로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 이송용 트레이.The method according to claim 1,
Wherein the coating layer is formed by an Atomic Layer Deposition (ALD) method. 제1항에 있어서,
상기 코팅층의 두께는 50 내지 300나노미터인 것을 특징으로 하는 기판 이송용 트레이.The method according to claim 1,
Wherein the thickness of the coating layer is 50 to 300 nanometers. 제1항에 있어서,
상기 코팅층의 투과도는 90 내지 98%인 것을 특징으로 하는 기판 이송용 트레이.The method according to claim 1,
Wherein the coating layer has a transmittance of 90 to 98%. 제1항에 있어서,
상기 코팅층은,
상기 베이스의 상면, 하면 및 측면에 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 이송용 트레이.The method according to claim 1,
Wherein the coating layer comprises:
Wherein the base is formed on the upper surface, the lower surface, and the side surface of the base. 챔버 내부에 베이스를 배치하는 베이스 배치단계;
상기 베이스를 가열하는 가열단계; 및
상기 베이스 표면에 원자층 증착 방식으로 코팅층을 형성하는 코팅층 형성단계
를 포함하고,
상기 베이스는 내열유리 재질로 구비되고,
상기 코팅층은,
Al2O3 또는 Y2O3 재질로 구비되며, 50 내지 300나노미터의 두께로 형성되는 기판 이송용 트레이 제조방법.A base placement step of placing a base in a chamber;
A heating step of heating the base; And
A coating layer forming step of forming a coating layer on the base surface by atomic layer deposition
Lt; / RTI >
The base is made of heat-resistant glass,
Wherein the coating layer comprises:
Al 2 O 3 Or Y 2 O 3 , and is formed to a thickness of 50 to 300 nanometers. 제8항에 있어서,
상기 코팅층 형성단계는,
상기 챔버 내부에 플라즈마가 인가되는 것을 특징으로 하는 기판 이송용 트레이 제조방법.9. The method of claim 8,
In the coating layer formation step,
Wherein a plasma is applied to the interior of the chamber. 제8항에 있어서,
상기 코팅층은,
광투과성 재질로 구비되고, 상기 베이스의 상면, 하면 및 측면에 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 이송용 트레이 제조방법.9. The method of claim 8,
Wherein the coating layer comprises:
Wherein the base is formed of a light transmitting material and is formed on the top, bottom and side surfaces of the base.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100452927B1 (en) * 1995-11-20 2005-01-05 꼼미사리아 아 레네르지 아토미끄 Storage box for preventing physical and chemical pollution
KR20120042383A (en) * 2010-10-25 2012-05-03 주식회사 원익아이피에스 Substrate tray and substrate processing equipment using the substrate tray
KR20120053155A (en) * 2010-11-17 2012-05-25 주성엔지니어링(주) Tray, substrate processing apparatus using the same, and manufacturing method of tray
KR20130066865A (en) * 2011-12-13 2013-06-21 주식회사 테스 Tray for substrate processing apparatus

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100452927B1 (en) * 1995-11-20 2005-01-05 꼼미사리아 아 레네르지 아토미끄 Storage box for preventing physical and chemical pollution
KR20120042383A (en) * 2010-10-25 2012-05-03 주식회사 원익아이피에스 Substrate tray and substrate processing equipment using the substrate tray
KR20120053155A (en) * 2010-11-17 2012-05-25 주성엔지니어링(주) Tray, substrate processing apparatus using the same, and manufacturing method of tray
KR20130066865A (en) * 2011-12-13 2013-06-21 주식회사 테스 Tray for substrate processing apparatus

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