KR20200020753A - Tray for transferring substrate and manufacturing method thereof - Google Patents

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KR20200020753A
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tray
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substrate
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KR1020200017451A
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임경진
김용현
민선기
박창균
서정호
신원석
신현교
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주성엔지니어링(주)
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Abstract

One embodiment of a tray for transferring a substrate includes: a light transmission base mounting a plurality of substrates and made of a heat-resistant glass material; and a coating layer formed on a surface of the base and having light transmission and etching resistance properties. Therefore, damage to the coating layer can be suppressed, and durability of the tray can be prominently improved.

Description

기판 이송용 트레이 및 그 제조방법{Tray for transferring substrate and manufacturing method thereof}Tray for transferring substrate and manufacturing method

실시예는, 내구성이 높은 구조를 가진 기판 이송용 트레이 및 그 제조방법에 관한 것이다.An embodiment relates to a substrate transfer tray having a highly durable structure and a method of manufacturing the same.

이 부분에 기술된 내용은 단순히 실시예에 대한 배경 정보를 제공할 뿐 종래기술을 구성하는 것은 아니다.The content described in this section merely provides background information on the embodiments and does not constitute a prior art.

태양전지는 일반적으로 패널형태로 제작된다. 이러한 태양전지는 베이스기판에 가열, 냉각, 증착, 식각 및 클리닝공정을 반복하여 진행하는 방식으로 제작될 수 있다.Solar cells are generally manufactured in the form of panels. Such a solar cell may be manufactured by repeating heating, cooling, deposition, etching, and cleaning processes on a base substrate.

따라서, 가열, 냉각, 증착, 식각 및 클리닝공정을 용이하게 진행할 수 있는 챔버에 베이스기판을 배치하여 태양전지를 제조할 수 있다.Accordingly, the solar cell may be manufactured by disposing a base substrate in a chamber in which heating, cooling, deposition, etching, and cleaning processes can be easily performed.

베이스기판이 기판 이송용 트레이 상에 배치된 상태에서 챔버 내부로 인입되고, 챔버 내부의 서셉터 상에 기판 이송용 트레이가 배치된 상태에서 태양전지 제조공정이 진행될 수 있다.The base substrate may be drawn into the chamber in a state where the base substrate is disposed on the substrate transfer tray, and the solar cell manufacturing process may be performed while the substrate transfer tray is disposed on the susceptor in the chamber.

상기 트레이는 특히 식각 및 클리닝공정이 반복적으로 진행됨에 따라 식각이 발생할 수 있다. 따라서, 상기 트레이는 이러한 식각 및 클리닝공정이 반복되어도 식각이 잘 발생하지 않는 내구성이 높은 구조로 제작될 필요가 있다.In particular, the tray may be etched as the etching and cleaning processes are repeatedly performed. Therefore, the tray needs to be manufactured with a highly durable structure in which etching is difficult to occur even if the etching and cleaning processes are repeated.

따라서, 실시예는, 내구성이 높은 구조를 가진 기판 이송용 트레이 및 그 제조방법에 관한 것이다.Accordingly, the embodiment relates to a substrate transfer tray having a highly durable structure and a method of manufacturing the same.

실시예가 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 실시예가 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Embodiments of the present invention are not limited to the above-mentioned technical problems, and other technical problems not mentioned above may be clearly understood by those skilled in the art to which the embodiments belong.

기판 이송용 트레이의 일 실시예는, 복수의 기판을 안치하는 내열유리 재질의 광투과성 베이스; 및 상기 베이스의 표면에 형성되고, 광투과성과 내식각성을 가지는 코팅층을 포함할 수 있다.One embodiment of the substrate transfer tray, the light-transmissive base of the heat-resistant glass material for placing a plurality of substrates; And a coating layer formed on a surface of the base and having light transmittance and etching resistance.

상기 코팅층은 Al2O3 재질인 것일 수 있다.The coating layer is Al 2 O 3 It may be a material.

상기 코팅층은 Y2O3 재질인 것일 수 있다.The coating layer is Y 2 O 3 It may be a material.

상기 코팅층은 원자층 증착(Atomic Layer Deposition, ALD)방식으로 형성되는 것일 수 있다.The coating layer may be formed by atomic layer deposition (ALD).

상기 코팅층의 두께는 50 내지 300나노미터인 것일 수 있다.The coating layer may have a thickness of 50 to 300 nanometers.

상기 코팅층의 투과도는 90 내지 98%인 것일 수 있다.Permeability of the coating layer may be 90 to 98%.

상기 코팅층은, 상기 베이스의 상면, 하면 및 측면에 형성되는 것일 수 있다.The coating layer may be formed on the top, bottom and side surfaces of the base.

기판 이송용 트레이 제조방법의 일 실시예는, 챔버 내부에 베이스를 배치하는 베이스 배치단계; 상기 베이스를 가열하는 가열단계; 및 상기 베이스 표면에 원자층 증착 방식으로 코팅층을 형성하는 코팅층 형성단계를 포함하고, 상기 베이스는 내열유리 재질로 구비되고, 상기 코팅층은, Al2O3 또는 Y2O3 재질로 구비되며, 50 내지 300나노미터의 두께로 형성되는 것일 수 있다.One embodiment of the method for manufacturing a tray for transporting a substrate includes a base arrangement step of placing a base in a chamber; A heating step of heating the base; And a coating layer forming step of forming a coating layer on the base surface by an atomic layer deposition method, wherein the base is formed of a heat-resistant glass material, and the coating layer is Al 2 O 3. Or it is provided with a Y 2 O 3 material, it may be formed to a thickness of 50 to 300 nanometers.

상기 코팅층 형성단계는, 상기 챔버 내부에 플라즈마가 인가되는 것일 수 있다.The coating layer forming step may be a plasma is applied inside the chamber.

상기 코팅층은, 광투과성 재질로 구비되고, 상기 베이스의 상면, 하면 및 측면에 형성되는 것일 수 있다.The coating layer may be formed of a light transmissive material and formed on the top, bottom and side surfaces of the base.

실시예에서 베이스의 재질을 내열유리로 구비함으로써, 가열 및 냉각에 의한 열팽창과 수축, 열응력의 발생을 현저히 줄임으로써, 이로인한 상기 코팅층의 파손을 억제할 수 있고, 결과적으로 트레이의 내구성을 현저히 향상시킬 수 있다.By providing the base material with heat-resistant glass in the embodiment, by significantly reducing the occurrence of thermal expansion and contraction and thermal stress due to heating and cooling, it is possible to suppress the breakage of the coating layer due to this, resulting in a remarkable durability of the tray Can be improved.

실시예에서 상기 코팅층은 내식각성 재질로 형성됨으로써, 태양전지 제조공정에서 반복적으로 진행되는 식각 또는 클리닝공정에 의해 코팅층이 식각되는 것을 효과적으로 억제하여 트레이의 내구성을 현저히 향상시킬 수 있다.In an embodiment, the coating layer is formed of an etch resistant material, thereby effectively suppressing the coating layer from being etched by an etching or cleaning process repeatedly performed in a solar cell manufacturing process, thereby significantly improving the durability of the tray.

실시예에서 상기 코팅층을 원자층 증착방식으로 형성하므로, 상기 베이스의 표면에 매우 얇고 균일하며 스텝커버리지가 매우 우수한 내식각성 코팅층을 형성할 수 있다.In the embodiment, since the coating layer is formed by an atomic layer deposition method, it is possible to form an etch resistant coating layer which is very thin and uniform on the surface of the base and has excellent step coverage.

실시예에서는 용사코팅에 비해 현저히 얇은 두께로 상기 코팅층을 형성할 수 있다. 상기 코팅층이 현저히 얇으므로, 열변형이 발생하더라도 이로인한 열응력이 발생하지 않거나, 매우 작은 열응력이 발생하여, 결과적으로 트레이의 내구성을 현저히 높일 수 있다.In an embodiment, the coating layer may be formed to a significantly thinner thickness than the thermal spray coating. Since the coating layer is remarkably thin, even if thermal deformation occurs, no thermal stress is generated due to this, or very small thermal stress is generated, and as a result, the durability of the tray can be significantly increased.

도 1은 일 실시예의 트레이 제조를 위한 챔버를 나타낸 개략도이다.
도 2는 일 실시예의 트레이를 나타낸 단면도이다.
도 3은 일 실시예의 트레이 제조방법을 나타낸 순서도이다.
도 4는 일 실시예의 트레이에 대한 내식각성 실험결과를 나타낸 그래프이다.1 is a schematic diagram illustrating a chamber for tray manufacture in one embodiment.
2 is a cross-sectional view showing a tray of one embodiment.
3 is a flowchart illustrating a tray manufacturing method according to an embodiment.
Figure 4 is a graph showing the results of the etching resistance test for the tray of one embodiment.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 실시예를 상세히 설명한다. 실시예는 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 실시예를 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 실시예의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Hereinafter, exemplary embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments may be variously modified and may have various forms, and specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the text. However, this is not intended to limit the embodiments to the specific forms disclosed, it should be understood to include all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the embodiments.

"제1", "제2" 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는 데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로 사용된다. 또한, 실시예의 구성 및 작용을 고려하여 특별히 정의된 용어들은 실시예를 설명하기 위한 것일 뿐이고, 실시예의 범위를 한정하는 것이 아니다.Terms such as "first" and "second" may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used to distinguish one component from another. In addition, terms that are specifically defined in consideration of the configuration and operation of the embodiments are only intended to describe the embodiments and do not limit the scope of the embodiments.

실시예의 설명에 있어서, 각 element의 "상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)”로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiments, when described as being formed at "on" or "on" or "under" of each element, it is on or under. ) Includes both elements that are in direct contact with each other or one or more other elements are formed indirectly between the two elements. In addition, when expressed as "up" or "on (under)", it may include the meaning of the downward direction as well as the upward direction based on one element.

또한, 이하에서 이용되는 "상/상부/위" 및 "하/하부/아래" 등과 같은 관계적 용어들은, 그런 실체 또는 요소들 간의 어떠한 물리적 또는 논리적 관계 또는 순서를 반드시 요구하거나 내포하지는 않으면서, 어느 한 실체 또는 요소를 다른 실체 또는 요소와 구별하기 위해서 이용될 수도 있다.Furthermore, the relational terms used below, such as "upper / upper / up" and "lower / lower / lower", etc., do not necessarily require or imply any physical or logical relationship or order between such entities or elements, It may be used to distinguish one entity or element from another entity or element.

도 1은 일 실시예의 트레이(100) 제조를 위한 챔버(10)를 나타낸 개략도이다. 실시예에서 챔버(10)는 두가지 역할을 할 수 있다.1 is a schematic diagram illustrating a chamber 10 for manufacturing a tray 100 in one embodiment. In an embodiment the chamber 10 can serve two roles.

첫째로, 챔버(10)는 실시예의 트레이(100)를 제조하는데 사용될 수 있다. 둘째로, 챔버(10)는 실시예의 트레이(100)를 내부에 배치하고, 상기 트레이(100)에 기판을 배치하여 상기 기판을 가공하여 태양전지를 제작하는데 사용될 수 있다.First, the chamber 10 can be used to manufacture the tray 100 of the embodiment. Second, the chamber 10 may be used to arrange the tray 100 therein, and to arrange the substrate in the tray 100 to process the substrate to manufacture a solar cell.

실시예의 챔버(10)는 상부판(11), 샤워헤드(12), 가스유입구(13), 서셉터(14), 승강장치(15), RF전원(16) 및 배기구(17)를 포함할 수 있다.The chamber 10 of the embodiment may include a top plate 11, a showerhead 12, a gas inlet 13, a susceptor 14, a lifting device 15, an RF power source 16 and an exhaust port 17. Can be.

상부판(11)은 샤워헤드(12)와 함께 상기 상부판(11)으로 유입되는 공정가스 즉, 소스가스, 반응가스 또는 클리닝가스가 확산되는 확산공간을 형성할 수 있다. 또한, 상기 상부판(11)은 RF전원(16)과 전기적으로 연결되어 플라즈마를 발생시키는 전극의 역할을 할 수도 있다.The upper plate 11 may form a diffusion space in which process gas, ie, source gas, reaction gas, or cleaning gas, which flows into the upper plate 11 together with the shower head 12 is diffused. In addition, the upper plate 11 may be electrically connected to the RF power source 16 to serve as an electrode for generating a plasma.

샤워헤드(12)는 상기 상부판(11)과 상하방향으로 일정거리 이격되어 배치되고, 도 1에 도시된 바와 같이, 복수의 분사홀이 형성될 수 있다.The shower head 12 is disposed to be spaced apart from the upper plate 11 in a vertical distance by a predetermined distance, and as illustrated in FIG. 1, a plurality of injection holes may be formed.

상기 샤워헤드(12)는 서셉터(14)와 상하방향으로 대향되도록 배치됨으로써, 상기 상부판(11)으로 유입되는 상기 소스가스는, 상기 복수의 분사홀을 통해 상기 서셉터(14) 상에 배치되는 기판 또는 실시예의 베이스(110)에 분사될 수 있다.The shower head 12 is disposed to face the susceptor 14 in the vertical direction, so that the source gas flowing into the upper plate 11 is formed on the susceptor 14 through the plurality of injection holes. It can be sprayed on the substrate 110 or the base 110 of the embodiment disposed.

가스유입구(13)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 상부판(11)을 관통하여 형성되고, 상기 공정가스를 공급하는 가스공급부(미도시)와 배관을 통해 연결될 수 있다.As shown in FIG. 1, the gas inlet 13 may be formed through the upper plate 11 and may be connected to a gas supply unit (not shown) for supplying the process gas through a pipe.

따라서, 상기 공정가스는 가스공급부로부터 가스유입구(13)를 통해 가스유입구(13)와 샤워헤드(12)가 형성하는 확산공간으로 유입되고, 또한 상기 복수의 분사홀을 통해 챔버(10)내부로 분사될 수 있다.Therefore, the process gas is introduced into the diffusion space formed by the gas inlet 13 and the shower head 12 through the gas inlet 13 from the gas supply unit, and also into the chamber 10 through the plurality of injection holes. Can be sprayed.

서셉터(14)는 챔버(10)의 하부에 구비되고, 상기 서셉터(14) 상에는 가공의 대상인 기판 또는 실시예의 베이스(110)가 안착될 수 있다. 이러한 서셉터(14)는 상기 샤워헤드(12)와 상하방향으로 대향되도록 배치될 수 있다.The susceptor 14 is provided at the bottom of the chamber 10, and a substrate or a base 110 of an embodiment may be mounted on the susceptor 14. The susceptor 14 may be disposed to face the shower head 12 in the vertical direction.

이때, 서셉터(14)에는 기판을 가열하기 위한 가열장치가 표면 또는 내부에 구비될 수 있다. 한편, 기판을 가열하기 위한 가열장치는 챔버(10) 내부에 별도로 구비되는 복사형 가열장치일 수도 있다.At this time, the susceptor 14 may be provided with a heating device for heating the substrate on the surface or inside. On the other hand, the heating device for heating the substrate may be a radiant heating device provided separately in the chamber (10).

승강장치(15)는 서셉터(14) 하부에 구비되어, 상기 서셉터(14)를 상하로 이동시킬 수 있다. 또한, 상기 승강장치(15)는 회전하도록 구비되어 상기 서셉터(14) 및 상기 서셉터(14) 상에 배치되는 기판을 회전시킬 수도 있다.The elevating device 15 may be provided below the susceptor 14 to move the susceptor 14 up and down. In addition, the elevating device 15 may be provided to rotate to rotate the susceptor 14 and the substrate disposed on the susceptor 14.

상기 승강장치(15)는 서셉터(14)의 적어도 일 영역, 예를 들어 중앙부를 지지하도록 구비되고, 서셉터(14) 상에 기판이 안착되면 서셉터(14)를 샤워헤드(12)와 근접하도록 이동시킬 수 있다.The elevating device 15 is provided to support at least one region, for example, a central portion of the susceptor 14, and when the substrate is seated on the susceptor 14, the susceptor 14 is connected to the shower head 12. You can move it closer.

한편, 실시예에서는 가공의 대상이 베이스(110)이므로, 도 1에서는 서셉터(14) 상에 베이스(110)가 배치된 상태를 도시하였다.Meanwhile, in the embodiment, since the object to be processed is the base 110, in FIG. 1, the base 110 is disposed on the susceptor 14.

RF전원(16)은, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 가스유입구(13)를 통해 상기 상부판(11)과 전기적으로 연결되도록 배치될 수 있고, 챔버(10)에 RF전력을 공급할 수 있다. RF전원(16)을 통해 상기 챔버(10)에 RF전력이 공급되면 상기 챔버(10) 내부에는 플라즈마가 인가될 수 있다.As shown in FIG. 1, the RF power source 16 may be arranged to be electrically connected to the upper plate 11 through the gas inlet 13, and may supply RF power to the chamber 10. . When RF power is supplied to the chamber 10 through the RF power source 16, plasma may be applied to the inside of the chamber 10.

한편, 도시되지는 않았으나. 상기 상부판(11)과 상기 RF전원(16) 사이에는 최대 전력이 인가될 수 있도록 임피던스를 매칭하는 임피던스 매칭박스가 배치될 수도 있다.On the other hand, although not shown. An impedance matching box may be disposed between the top plate 11 and the RF power source 16 to match impedance so that maximum power can be applied.

또한, 도시되지는 않았으나, 상기 가스유입구(13)를 통해 유입되는 공정가스를 미리 플라즈마 상태로 만들기 위한 리모트 플라즈마 발생장치가 구비될 수 있다. 상기 리모트 플라즈마 발생장치는 예를 들어, 상기 챔버(10)의 외부에 상기 공정가스가 통과하는 경로에 구비될 수 있다.In addition, although not shown, a remote plasma generator may be provided to make the process gas introduced through the gas inlet 13 into a plasma state in advance. The remote plasma generator may be provided in, for example, a path through which the process gas passes outside the chamber 10.

상기 리모트 플라즈마 발생장치는 공정가스의 적어도 일부를 플라즈마 상태로 만들고, 공정챔버(10) 내부에서 다시 RF전원(16)에 의해 상기 공정가스가 한번더 플라즈마 상태로 만들어서 공정챔버(10) 내부에 플라즈마의 활성도를 현저히 높일 수 있다.The remote plasma generating apparatus makes at least a portion of the process gas into a plasma state, and the process gas is once again plasma-processed by the RF power source 16 in the process chamber 10 and the plasma inside the process chamber 10. Can significantly increase the activity.

배기구(17)는 공청챔버(10)의 내부 압력을 조절하거나, 상기 챔버(10) 내부의 이물질을 배기하기 위해 구비될 수 있다.The exhaust port 17 may be provided to adjust the internal pressure of the hearing chamber 10 or to exhaust the foreign matter inside the chamber 10.

상기 배기구(17)는 배기를 용이하게 하기위해, 예를 들어, 상기 서셉터(14)보다 낮은 위치에서 상기 챔버(10)의 측벽 또는 하부벽을 관통하여 구비될 수 있다. 또한, 상기 배기구(17)에는 배기를 위한 진공펌프 등이 구비될 수 있다.The exhaust port 17 may be provided through the side wall or the lower wall of the chamber 10 at a position lower than the susceptor 14, for example, to facilitate the exhaust. In addition, the exhaust port 17 may be provided with a vacuum pump for exhaust.

도 2는 일 실시예의 트레이(100)를 나타낸 단면도이다. 실시예의 트레이(100)는 태양전지 제조용으로 사용될 수 있다. 예를 들어, 트레이(100)를 서셉터(14) 상에 배치하고, 트레이(100) 상에 태양전지 제조용 기판을 배치하여, 챔버(10)를 작동시켜 챔버(10) 내부에서 증착, 식각 또는 클리닝공정을 진행하여 태양전지를 제조할 수 있다.2 is a cross-sectional view showing the tray 100 of one embodiment. The tray 100 of the embodiment can be used for solar cell manufacturing. For example, the tray 100 is disposed on the susceptor 14, and the solar cell manufacturing substrate is disposed on the tray 100, and the chamber 10 is operated to deposit, etch, or etch inside the chamber 10. The solar cell may be manufactured by performing the cleaning process.

태양전지의 제조시 식각 또는 클리닝공정이 진행되므로 상기 트레이(100)는 내식각성을 가지도록 제조되어야 내구성을 높일 수 있다.Since the etching or cleaning process is performed during manufacturing of the solar cell, the tray 100 may be manufactured to have etching resistance to increase durability.

종래에는 태양전지 제조용 기판을 배치하는 수단(이하, 실시예인 트레이(100)와 구별하기 위해 '배치판'이라 함.) 즉, 배치판의 표면은 그라파이트(graphite) 또는 카본 컴포지트(carbon composite) 재질로 구비되었다.Conventionally, a means for disposing a substrate for manufacturing a solar cell (hereinafter, referred to as a 'distribution plate' to distinguish it from the tray 100 as an embodiment), that is, the surface of the disposition plate is made of graphite or carbon composite material. It was provided with.

그러나, 이러한 그라파이트 또는 카본 컴포지트는 식각에 취약하므로 상기 배치판의 내구성이 낮은 문제점이 있었다. 또한, 종래에는, 이러한 문제점을 해결하기 위해, 내식각성이 높은 재질의 파우더를 상기 배치판 표면에 용사(thermal spraying) 코팅을 하였다.However, such a graphite or carbon composite has a problem of low durability of the mounting plate because it is vulnerable to etching. In addition, conventionally, in order to solve this problem, a powder of high etching resistance material was sprayed on the surface of the mounting plate (thermal spraying).

그러나, 파우더의 지름이 큰 관계로 용사 코팅은 두껍게 형성될 수 밖에 없고, 용사 코팅의 두께가 증가함으로 인해 열변형 및 이에 기인한 열응력에 취약하게 되어, 상기 배치판의 내구성이 크게 증가하지 못하는 문제점이 있었다.However, due to the large diameter of the powder, the thermal spray coating is inevitably formed, and due to the increase in the thickness of the thermal spray coating, the thermal coating and the thermal stress caused by the thermal spray coating are vulnerable, so that the durability of the mounting plate may not be greatly increased. There was a problem.

이하에서는 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위한 실시예의 특징에 대하여 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the features of the embodiments for solving the above-described conventional problems will be described in detail.

실시예의 트레이(100)는 베이스(110) 및 코팅층(120)을 포함할 수 있다. 트레이(100) 제조공정에서 처음에는 서셉터(14) 상에 베이스(110)가 배치될 수 있다.The tray 100 of the embodiment may include a base 110 and a coating layer 120. In the manufacturing process of the tray 100, the base 110 may be initially disposed on the susceptor 14.

상기 베이스(110)는 광투과성 내열유리 재질로 구비될 수 있다. 이러한 내열유리는 예를 들어, 석영유리, 고규산유리, 붕규산유리 등이 있다.The base 110 may be made of a light-transmissive heat-resistant glass material. Such heat-resistant glass is, for example, quartz glass, high silica glass, borosilicate glass and the like.

내열유리는 열팽창율 및 열수축율이 작고, 온도의 급변에 잘 견디고, 연화온도가 높은 특성을 가진다. 일반적으로 내열유리는 400℃까지 열팽창율이 거의 0에 가깝다.Heat-resistant glass has the characteristics of small thermal expansion rate and thermal contraction rate, good resistance to sudden change in temperature, and high softening temperature. In general, heat-resistant glass has a coefficient of thermal expansion of nearly zero up to 400 ° C.

따라서, 실시예에서 베이스(110)의 재질을 내열유리로 구비함으로써, 가열 및 냉각에 의한 열팽창과 수축, 열응력의 발생을 현저히 줄임으로써, 이로인한 상기 코팅층(120)의 파손을 억제할 수 있고, 결과적으로 트레이(100)의 내구성을 현저히 향상시킬 수 있다.Therefore, in the embodiment by providing the material of the base 110 as a heat-resistant glass, by significantly reducing the occurrence of thermal expansion and contraction, thermal stress caused by heating and cooling, it is possible to suppress the breakage of the coating layer 120 due to this As a result, the durability of the tray 100 can be remarkably improved.

트레이(100) 제조를 위해 소스가스 및 반응가스가 상기 베이스(110) 상에 분사되면, 베이스(110) 표면에 코팅층(120)이 형성될 수 있다. 이때, 상기 코팅층(120)은 내식각성 및 광투과성을 가지는 재질일 수 있다.When the source gas and the reaction gas are injected onto the base 110 to manufacture the tray 100, a coating layer 120 may be formed on the surface of the base 110. In this case, the coating layer 120 may be a material having an etch resistance and light transmittance.

상기 코팅층(120)은 내식각성을 가짐으로써, 코팅층(120)이 형성된 트레이(100)의 내구성을 향상시킬 수 있다. 이러한 내식각성이 큰 코팅층(120)의 재질은 예를 들어, AlxOx 또는 Y2O3일 수 있다. AlxOx는 산화알루미늄 계열의 물질일 수 있고, 예를 들어, Al2O3일 수 있다.The coating layer 120 has an etching resistance, thereby improving durability of the tray 100 in which the coating layer 120 is formed. The material of such a high corrosion resistance coating layer 120 may be, for example, AlxOx or Y 2 O 3 . AlxOx may be an aluminum oxide-based material, for example, Al 2 O 3 .

실시예에서 상기 코팅층(120)은 내식각성 재질로 형성됨으로써, 태양전지 제조공정에서 반복적으로 진행되는 식각 또는 클리닝공정에 의해 코팅층(120)이 식각되는 것을 효과적으로 억제하여 트레이(100)의 내구성을 현저히 향상시킬 수 있다.In the embodiment, the coating layer 120 is formed of an etching resistant material, thereby effectively inhibiting the coating layer 120 from being etched by an etching or cleaning process that is repeatedly performed in the solar cell manufacturing process, thereby significantly reducing the durability of the tray 100. Can be improved.

실시예에서, 상기 코팅층(120)은 상기 베이스(110)의 표면에 원자층 증착(Atomic Layer Deposition, ALD) 방식으로 형성될 수 있다.In an embodiment, the coating layer 120 may be formed on the surface of the base 110 by atomic layer deposition (ALD).

원자층 증착방식은 베이스(110)에 소스가스, 반응가스 및 클리닝가스를 번갈아가며 반복적으로 분사하여, 상기 베이스(110) 표면에서 증착되는 물질의 분자의 흡착과 치환을 번갈아가며 반복적으로 진행함으로써, 매우 미세한 두께를 가진 원자층을 복수로 적층(layer by layer)할 수 있다.In the atomic layer deposition method, the source gas, the reaction gas, and the cleaning gas are repeatedly sprayed alternately on the base 110 to alternately adsorb and substitute molecules of a material deposited on the surface of the base 110. A plurality of atomic layers with very fine thickness can be layered.

이러한 원자층 증착방식은 산화물 또는 금속을 매우 미세한 층으로 겹겹이 쌓을 수 있다.In this atomic layer deposition method, oxides or metals can be stacked in very fine layers.

원자층 증착방식과 대비되는 것으로 화학기상 증착(chemical vapor deposition, CVD) 방식이 있다. 화학기상 증착방식은 소스가스의 화학반응으로 형성된 입자들을 기판표면에 증착시키는 방식이다.In contrast to atomic layer deposition, there is a chemical vapor deposition (CVD) method. Chemical vapor deposition is a method of depositing the particles formed on the substrate surface by the chemical reaction of the source gas.

원자층 증착방식은 화학기상 증착방식과 비교하여 다음과 같은 유리한 점이 있다.The atomic layer deposition method has the following advantages compared to the chemical vapor deposition method.

원자층 증착방식은 화학기상 증착방식에 비해 낮은 온도 예를 들어, 500℃이하에서 진행할 수 있으므로, 화학기상 증착방식과 비교하여, 기판가공의 시간, 비용 및 노력을 절약할 수 있다.Since the atomic layer deposition method can proceed at a lower temperature than the chemical vapor deposition method, for example, 500 ℃ or less, compared to the chemical vapor deposition method, it is possible to save the time, cost and effort of substrate processing.

원자층 증착방식은 매우 얇은 원자층을 겹겹히 적층하는 방식으로 진행되므로, 화학기상 증착방식과 비교하여, 기판에 매우 균일한 박막층을 얻을 수 있다. 또한, 동일한 이유로 박막층의 스텝커버리지(step coverage)가 매우 우수하므로, 기판의 표면에 요철이 있더라도 균일한 박막층을 얻을 수 있다.Since the atomic layer deposition method proceeds by stacking very thin atomic layers in a stack, it is possible to obtain a very uniform thin film layer on the substrate as compared with the chemical vapor deposition method. In addition, since the step coverage of the thin film layer is very excellent for the same reason, a uniform thin film layer can be obtained even if the surface of the substrate has irregularities.

실시예에서 상기 코팅층(120)을 원자층 증착방식으로 형성하므로, 상기 베이스(110)의 표면에 매우 얇고 균일하며 스텝커버리지가 매우 우수한 내식각성 코팅층(120)을 형성할 수 있다.In the embodiment, since the coating layer 120 is formed by an atomic layer deposition method, an etch resistant coating layer 120 may be formed on the surface of the base 110 with a very thin, uniform, and excellent step coverage.

상기 코팅층(120)은 광투과성 재질 즉, 투명한 재질로 구비될 수 있다. 즉, 상기 코팅층(120)을 구성하는 AlxOx, Y2O3 또는 Al2O3는 광투과성 재질이다.The coating layer 120 may be provided with a light transmissive material, that is, a transparent material. That is, AlxOx, Y 2 O 3 or Al 2 O 3 constituting the coating layer 120 is a light transmissive material.

상기 코팅층(120)은 광투과성 재질로 구비되어 트레이(100)의 가열효율을 높일 수 있다. 즉, 태양전지 제조를 위해 챔버(10)에 배치된 트레이(100)는 가열이 되는데, 상기 코팅층(120)이 광투과성 재질이므로 복사열이 상기 코팅층(120)에서의 반사율이 적어 상기 트레이(100)가 효과적으로 가열될 수 있다.The coating layer 120 may be made of a light transmissive material to increase the heating efficiency of the tray 100. That is, the tray 100 disposed in the chamber 10 for manufacturing a solar cell is heated, and since the coating layer 120 is a light-transmissive material, the heat radiation is less reflectance in the coating layer 120, the tray 100 Can be heated effectively.

또한, 상기 코팅층(120)의 굴절율은 1.3 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 코팅층(120)의 굴절율은 공기의 굴절율보다 크고 유리의 굴절율보다 작을 수 있다. 일반적으로 공기의 굴절율은 1.0이고 유리의 굴절율은 1.4 내지 1.5이다.In addition, the refractive index of the coating layer 120 may be 1.3 or less. Specifically, the refractive index of the coating layer 120 may be larger than the refractive index of the air and smaller than the refractive index of the glass. Generally the refractive index of air is 1.0 and the refractive index of glass is 1.4 to 1.5.

굴절율이 클수록 반사율도 증가한다. 따라서, 실시예에서는 상기 코팅층(120)의 굴절율을 유리보다 작게하여 유리보다 반사율을 줄이고, 전자기파의 형태로 전달되는 복사열의 반사율을 낮추고 반대로 투과율을 증가시켜 복사열에 의해 상기 트레이(100)가 효과적으로 가열될 수 있다.The larger the refractive index, the higher the reflectance. Therefore, in the embodiment, the refractive index of the coating layer 120 is smaller than the glass to reduce the reflectance than the glass, lower the reflectance of the radiant heat transmitted in the form of electromagnetic waves, and on the contrary, increase the transmittance to effectively heat the tray 100 by radiant heat. Can be.

상기 코팅층(120)은 50 내지 300나노미터의 두께로 형성될 수 있다. 상기 용사코팅을 적용할 경우, 예를 들어 용사코팅은 50 내지 200마이크로미터의 두께로 형성된다.The coating layer 120 may be formed to a thickness of 50 to 300 nanometers. When applying the thermal spray coating, for example, the thermal spray coating is formed to a thickness of 50 to 200 micrometers.

따라서, 실시예에서는 용사코팅에 비해 현저히 얇은 두께로 상기 코팅층(120)을 형성할 수 있다. 상기 코팅층(120)이 현저히 얇으므로, 열변형이 발생하더라도 이로인한 열응력이 발생하지 않거나, 매우 작은 열응력이 발생하여, 결과적으로 트레이(100)의 내구성을 현저히 높일 수 있다.Therefore, in the embodiment, the coating layer 120 may be formed to a significantly thinner thickness than the thermal spray coating. Since the coating layer 120 is remarkably thin, the thermal stress does not occur even if thermal deformation occurs, or very small thermal stress is generated, and as a result, the durability of the tray 100 may be significantly increased.

한편, 베이스(110)는 제작 후 세정공정 등을 거치지만, 접착력이 강한 미세한 이물질이 표면에 남아있을 수 있다. 따라서, 상기 코팅층(120)은 이러한 이물질을 완전히 덮을 필요가 있다.On the other hand, the base 110 undergoes a cleaning process after manufacturing, etc., the fine foreign matter with strong adhesion may remain on the surface. Therefore, the coating layer 120 needs to completely cover such foreign matter.

만약, 상기 코팅층(120)의 두께가 50나노미터 미만인 경우, 베이스(110) 표면에 흡착된 이물질을 완전히 덮을 수 없어, 이러한 이물질이 흡착된 부위에서 식각이 발생할 수 있다. 또한, 상기 코팅층(120)의 두께가 50나노미터 미만인 경우, 식각물질이 상기 코팅층(120)을 뚫고 베이스(110) 표면으로 침투하여, 베이스(110)가 식각될 수도 있다. 따라서, 상기 코팅층(120)의 두께는 50나노미터 이상으로 형성하는 것이 적절하다.If the thickness of the coating layer 120 is less than 50 nanometers, the foreign material adsorbed on the surface of the base 110 may not be completely covered, and etching may occur at a site where the foreign material is adsorbed. In addition, when the thickness of the coating layer 120 is less than 50 nanometers, the etching material penetrates the surface of the base 110 through the coating layer 120, the base 110 may be etched. Therefore, the thickness of the coating layer 120 is appropriate to form more than 50 nanometers.

한편, 상기 코팅층(120)의 두께가 과도하게 두꺼울 경우, 외부로부터 상기 코팅층(120)을 통과하여 상기 베이스(110)으로 열전달이 원활히 발생하지 않아, 베이스(110) 및 코팅층(120)을 포함하는 트레이(100) 전체가 원활하게 가열되지 않을 수 있다.On the other hand, when the thickness of the coating layer 120 is excessively thick, heat transfer to the base 110 does not occur smoothly through the coating layer 120 from the outside, including the base 110 and the coating layer 120 The entire tray 100 may not be heated smoothly.

또한, 상기 코팅층(120)의 두께가 과도하게 두꺼울 경우, 두꺼운 코팅층(120)은 얇은 코팅층(120)에 비해 열팽창에 기인한 열응력을 크게 받을 수 있고, 코팅층(120)과 베이스(110)의 열팽창율이 다르므로 이로인한 열응력이 베이스(110)에 발생할 수 있다.In addition, when the thickness of the coating layer 120 is excessively thick, the thick coating layer 120 may receive a large thermal stress due to thermal expansion compared to the thin coating layer 120, the coating layer 120 and the base 110 Since thermal expansion coefficients are different, thermal stresses may occur in the base 110.

따라서, 트레이(100)로 열전달이 원활히 일어나게 하고, 코팅층(120)과 베이스(110)에 과도한 열응력이 발생하는 것을 억제하기 위해, 상기 코팅층(120)의 두께는 300나노미터 이하로 형성하는 것이 적절하다.Therefore, in order to facilitate the heat transfer to the tray 100, and to suppress the excessive heat stress generated in the coating layer 120 and the base 110, the thickness of the coating layer 120 is formed to be less than 300 nanometers It is appropriate.

상기 코팅층(120)의 투과도는 높을수록 유리할 수 있다. 코팅층(120)의 투과도가 높을수록 외부로부터 전달되는 복사열이 상기 코팅층(120)을 용이하게 투과하여 상기 베이스(110)을 가열할 수 있기 때문이다.The higher the transmittance of the coating layer 120 may be advantageous. This is because the higher the transmittance of the coating layer 120, the radiant heat transmitted from the outside can easily pass through the coating layer 120 to heat the base 110.

다만, 상기 코팅층(120)의 재질 즉, AlxOx, Y2O3또는 Al2O3의 특성으로 인해, 상기 코팅층(120)의 투과도는 예를 들어, 90 내지 98%일 수 있다.However, due to the material of the coating layer 120, that is, the characteristics of AlxOx, Y 2 O 3 or Al 2 O 3 , the transmittance of the coating layer 120 may be, for example, 90 to 98%.

상기 코팅층(120)은 상기 베이스(110)의 상면, 하면 및 측면에 형성될 수 있다. 태양전지 제조공정에서는 플라즈마를 사용하여 식각 또는 클리닝공정을 진행할 수 있다.The coating layer 120 may be formed on the top, bottom and side surfaces of the base 110. In the solar cell manufacturing process, the plasma may be etched or cleaned.

챔버(10) 내부에 발생하는 플라즈마는 방향성이 없으므로, 트레이(100)의 식각을 억제하기 위해 상기 코팅층(120)은 상기 베이스(110)의 상면, 하면 및 측면 즉, 모든 표면에 형성함이 적절하다.Since the plasma generated inside the chamber 10 is not directional, the coating layer 120 may be formed on the top, bottom, and side surfaces of the base 110, that is, all surfaces, to suppress etching of the tray 100. Do.

예를 들어, 상기 베이스(110)이 상면에 상기 코팅층(120)을 형성한 후, 상기 베이스(110)를 서셉터(14) 상에 뒤집어 그 하면에 코팅층(120) 형성공정을 반복하여 진행할 수 있다.For example, after the base 110 forms the coating layer 120 on the upper surface, the base 110 may be turned over on the susceptor 14 and the coating layer 120 may be repeatedly formed on the lower surface of the base 110. have.

이때, 상기 베이스(110)의 측면은 상기 코팅층(120)의 상면 및 하면에 코팅층(120)을 형성하는 공정에서 노출되므로, 코팅층(120)이 형성될 수 있다. 따라서, 측면에 코팅층(120)을 형성하는 별도의 공정이 필요하지 않을 수 있다.In this case, the side of the base 110 is exposed in the process of forming the coating layer 120 on the upper and lower surfaces of the coating layer 120, the coating layer 120 may be formed. Therefore, a separate process of forming the coating layer 120 on the side may not be necessary.

상기 코팅층(120)은 400℃이하의 온도분위기에서 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 코팅층(120)은 80℃ 내지 300℃의 온도분위기에서 상기 베이스(110)에 증착될 수 있다. 이는 코팅층(120) 형성공정에서 상기 코팅층(120) 및 베이스(110)에 열변형 및 열응력 발생을 최대한 억제하기 위함이다.The coating layer 120 may be formed at a temperature of less than 400 ℃. For example, the coating layer 120 may be deposited on the base 110 in a temperature atmosphere of 80 ℃ to 300 ℃. This is to suppress the generation of heat deformation and thermal stress to the coating layer 120 and the base 110 in the coating layer 120 forming process.

상기한 바와 같이, 내열유리 재질의 베이스(110)는 400℃까지 열변형이 거의 없으므로, 이보다 낮은 온도 예를 들어, 300℃이하에서 상기 코팅층(120)을 형성하는 것이 적절하다. 한편, 80℃미만이면, 원자층 증착이 잘 일어나지 않을 수 있다.As described above, since the base 110 of the heat resistant glass material has almost no heat deformation up to 400 ° C., it is appropriate to form the coating layer 120 at a temperature lower than this, for example, 300 ° C. or less. On the other hand, atomic temperature deposition may be less than 80 ℃.

도 3은 일 실시예의 트레이(100) 제조방법을 나타낸 순서도이다. 이하에서 트레이(100) 제조방법에 관하여 이미 상술한 바와 중복되는 내용의 반복설명은 생략한다.3 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a tray 100 according to an embodiment. Hereinafter, the repeated description of the contents overlapping with the above-described method for manufacturing the tray 100 will be omitted.

도 3에 도시된 바와 같이, 트레이(100) 제조방법은 베이스(110) 배치단계(S110), 가열단계(S120) 및 코팅층(120) 형성단계(S130)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 3, the tray 100 manufacturing method may include a base 110 arrangement step S110, a heating step S120, and a coating layer 120 forming step S130.

베이스(110) 배치단계(S110)에서는, 챔버(10) 내부의 서셉터(14) 상에 가공의 대상인 베이스(110)를 배치할 수 있다. 상기한 바와 같이, 베이스(110)는 내열유리 재질로 구비될 수 있다.In the base 110 arrangement step (S110), the base 110, which is the object of processing, may be disposed on the susceptor 14 inside the chamber 10. As described above, the base 110 may be provided of a heat resistant glass material.

가열단계(S120)에서는, 상기 베이스(110)를 가열할 수 있다. 이때, 가열수단은 서셉터(14)에 구비되는 가열장치 및/또는 챔버(10) 내부에 별도로 구비되는 복사형 가열장치일 수 있다.In the heating step S120, the base 110 may be heated. In this case, the heating means may be a heating apparatus provided in the susceptor 14 and / or a radiation type heating apparatus provided separately in the chamber 10.

상기 가열단계(S120)에서는 상기 베이스(110) 및 상기 챔버(10) 내부를 예를 들어, 상기한 80℃ 내지 300℃의 온도분위기를 형성할 수 있다. 이후 코팅층(120) 형성이 완료될 때까지 상기 온도분위기를 유지할 수 있다.In the heating step (S120), for example, the base 110 and the inside of the chamber 10 may form the temperature atmosphere of the above 80 ℃ to 300 ℃. Thereafter, the temperature atmosphere may be maintained until the formation of the coating layer 120 is completed.

코팅층(120) 형성단계(S130)에서는, 상기 베이스(110) 표면에 원자층 증착 방식으로 코팅층(120)을 형성할 수 있다. 원자층 증착 방식과 상기 코팅층(120)의 구체적인 구조는 이미 전술한 바와 같다.In the forming of the coating layer 120 (S130), the coating layer 120 may be formed on the surface of the base 110 by atomic layer deposition. The atomic layer deposition method and the specific structure of the coating layer 120 have already been described above.

한편, 상기 코팅층(120) 형성단계(S130)에서는, 상기 챔버(10) 내부에 플라즈마가 인가될 수 있다. 즉, 실시예에서는 플라즈마를 이용한 원자층 증착방식을 사용하여 상기 코팅층(120)을 형성할 수 있다.Meanwhile, in the forming of the coating layer 120 (S130), plasma may be applied to the inside of the chamber 10. That is, in the embodiment, the coating layer 120 may be formed using an atomic layer deposition method using plasma.

이때, 상기 플라즈마는 전술한 리모트 플라즈마 발생장치 및/또는 RF전력이 공급되어 챔버(10) 내부에 플라즈마를 발생시키는 챔버(10) 플라즈마 발생장치에 의해 챔버(10) 내부에 인가될 수 있다.In this case, the plasma may be applied to the inside of the chamber 10 by the above-mentioned remote plasma generator and / or the RF power supplying chamber 10 to generate the plasma in the chamber 10.

도 4는 일 실시예의 트레이(100)에 대한 내식각성 실험결과를 나타낸 그래프이다. 도 4에 도시된 그래프는, 베이스(110)에 두께가 각각 573옹스트롬(Å) 및 543옹스트롬인 코팅층(120)이 형성된 2개의 실시예의 트레이(100)를 태양전지 제조를 위한 챔버(10)에 배치하여 얻은 결과값이다.Figure 4 is a graph showing the results of the etching resistance test for the tray 100 of one embodiment. The graph shown in FIG. 4 shows a tray 100 of two embodiments in which a coating layer 120 having a thickness of 573 angstroms and 543 angstroms is formed on a base 110 to a chamber 10 for manufacturing a solar cell. The result obtained by placing.

실험에서, 상기 코팅층(120)은 Al2O3재질로 형성되었다. 한편, 상기 챔버(10)는 태양전지 제조를 위한 것이고, 실험에서는 실시예의 트레이(100)를 제조하기 위한 챔버(10)와 동일한 것을 사용하였다.In the experiment, the coating layer 120 was formed of Al 2 O 3 material. On the other hand, the chamber 10 is for manufacturing a solar cell, in the experiment was used the same as the chamber 10 for manufacturing the tray 100 of the embodiment.

물론, 태양전지 제조를 위한 챔버는 실시예의 트레이(100) 제조를 위한 챔버(10)와 동일한 것일 수도 있고, 다른 것일 수도 있다.Of course, the chamber for manufacturing the solar cell may be the same as or different from the chamber 10 for manufacturing the tray 100 of the embodiment.

그래프에서 세로축은 실험에 사용된 트레이(100)의 Al2O3재질의 코팅층(120)의 두께변화 추이를 나타낸다. 그래프에서 가로축은 플라즈마 상태의 클리닝가스가 트레이(100)에 가해진 경우, 코팅층(120)의 식각에 의한 두께변화 추이를 나타낸다. 가로축에 기재된 내용은 다음과 같다.In the graph, the vertical axis represents the thickness change trend of the coating layer 120 of Al 2 O 3 material of the tray 100 used in the experiment. In the graph, the horizontal axis shows the change in thickness due to the etching of the coating layer 120 when the cleaning gas in the plasma state is applied to the tray 100. The description on the horizontal axis is as follows.

Initial은 두께가 서로다른 코팅층(120)이 형성된 2개 트레이(100)에서 상기 코팅층(120)의 초기두께 즉, 식각되지 않은 상태의 코팅층(120)의 두께를 각각 나타낸다. 코팅층(120)의 초기두께는 각각 573옹스트롬(57.3나노미터) 및 543옹스트롬(54.3나노미터)이다.Initial represents the initial thickness of the coating layer 120, that is, the thickness of the coating layer 120 in an unetched state in the two trays 100 on which coating layers 120 having different thicknesses are formed. The initial thickness of the coating layer 120 is 573 angstroms (57.3 nanometers) and 543 angstroms (54.3 nanometers), respectively.

RPSC(remote plasma source cleaning) 10min은 리모트 플라즈마 발생장치를 사용하여 플라즈마로 활성화된 클리닝가스를 실시예의 트레이(100)에 10분간 분사한 후의 코팅층(120)의 두께를 각각 나타낸다.RPSC (remote plasma source cleaning) 10min represents the thickness of the coating layer 120 after spraying the cleaning gas activated by plasma to the tray 100 of the embodiment for 10 minutes using a remote plasma generator.

RPSC+RF 10min은 리모트 플라즈마 발생장치와 RF전력을 사용한 챔버(10) 플라즈마 발생장치를 동시에 가동하여 플라즈마로 활성화된 클리닝가스를 실시예의 트레이(100)에 10분간 분사한 후의 코팅층(120)의 두께를 각각 나타낸다.RPSC + RF 10min is the thickness of the coating layer 120 after simultaneously operating the remote plasma generator and the chamber 10 plasma generator using RF power and spraying the plasma-activated cleaning gas into the tray 100 of the embodiment for 10 minutes. Respectively.

270℃와 80℃는 실험온도를 의미한다. 즉, 초기두께 573옹스트롬의 코팅층(120)이 형성된 트레이(100)는 챔버(10) 내부온도가 270℃인 상태에서 실험을 진행하였고, 초기두께 543옹스트롬의 코팅층(120)이 형성된 트레이(100)는 챔버(10) 내부온도가 80℃인 상태에서 실험을 진행하였다.270 ° C and 80 ° C means the test temperature. That is, the tray 100 in which the coating layer 120 of the initial thickness 573 angstrom was formed was conducted in a state where the internal temperature of the chamber 10 was 270 ° C., and the tray 100 in which the coating layer 120 of the initial thickness 543 angstrom was formed. The experiment was conducted in a state where the internal temperature of the chamber 10 is 80 ° C.

실험결과에서 알 수 있듯이, 플라즈마로 활성화된 클리닝가스를 트레이(100)에 분사하여도 코팅층(120)의 두께는 변화가 없음을 알 수 있다. 따라서, 실험결과에서, 실시예의 코팅층(120)은 클리닝가스 및 플라즈마에 매우 강한 내식각성을 가짐을 알수 있다.As can be seen from the experimental results, it can be seen that the thickness of the coating layer 120 does not change even when the cleaning gas activated by plasma is sprayed on the tray 100. Therefore, in the experimental results, it can be seen that the coating layer 120 of the embodiment has a very strong corrosion resistance to the cleaning gas and plasma.

실시예와 관련하여 전술한 바와 같이 몇 가지만을 기술하였지만, 이외에도 다양한 형태의 실시가 가능하다. 앞서 설명한 실시예들의 기술적 내용들은 서로 양립할 수 없는 기술이 아닌 이상은 다양한 형태로 조합될 수 있으며, 이를 통해 새로운 실시형태로 구현될 수도 있다.As described above in connection with the embodiment, only a few are described, but other forms of implementation are possible. Technical contents of the above-described embodiments may be combined in various forms, unless the technology is incompatible with each other, and may be implemented in a new embodiment.

10: 챔버
11: 상부판
12: 샤워헤드
13: 가스유입구
14: 서셉터
15: 승강장치
16: RF전원
17: 배기구
100: 트레이
110: 베이스
120: 코팅층10: chamber
11: top panel
12: showerhead
13: gas inlet
14: susceptor
15: lifting device
16: RF power
17: air vent
100: tray
110: base
120: coating layer

Claims (10)

복수의 기판을 안치하는 내열유리 재질의 광투과성 베이스; 및
상기 베이스의 표면에 형성되고, 광투과성과 내식각성을 가지는 코팅층;을 포함하고,
상기 코팅층의 굴절률은 상기 베이스의 굴절률보다 작은 것을 특징으로 하는 기판 배치 장치.A light transmissive base made of a heat-resistant glass for housing a plurality of substrates; And
It is formed on the surface of the base, the coating layer having a light transmittance and etching resistance; includes;
And the refractive index of the coating layer is smaller than the refractive index of the base. 제1 항에 있어서,
상기 코팅층은 Al2O3 재질인 것을 특징으로 하는 기판 배치 장치.According to claim 1,
The coating layer is Al 2 O 3 Substrate arrangement apparatus, characterized in that the material. 제1 항에 있어서,
상기 코팅층은 Y2O3 재질인 것을 특징으로 하는 기판 배치 장치.According to claim 1,
The coating layer is Y 2 O 3 Substrate arrangement apparatus, characterized in that the material. 제1 항에 있어서,
상기 코팅층의 투과도는 90% 내지 98%인 것을 특징으로 하는 기판 배치 장치.According to claim 1,
Substrate placement apparatus, characterized in that the transmittance of the coating layer is 90% to 98%. 제1 항에 있어서,
상기 코팅층은,
상기 베이스의 상면, 하면 및 측면에 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 배치 장치.According to claim 1,
The coating layer,
And an upper surface, a lower surface, and a side surface of the base. 챔버 내부에 베이스를 배치하는 베이스 배치단계;
상기 베이스를 가열하는 가열단계; 및
상기 베이스 표면에 원자층 증착(Atomic Layer Deposition, ALD) 방식으로 코팅층을 형성하는 코팅층 형성단계;를 포함하고,
상기 코팅층의 굴절률은 상기 베이스의 굴절률보다 작은 것을 특징으로 하는 기판 배치 장치 제조방법.A base disposing step of disposing a base inside the chamber;
A heating step of heating the base; And
And a coating layer forming step of forming a coating layer on the base surface by atomic layer deposition (ALD).
And the refractive index of the coating layer is smaller than the refractive index of the base. 제6 항에 있어서,
상기 베이스는 내열유리 재질로 구비되고,
상기 코팅층은 내식각성 재질로 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 배치 장치 제조방법.The method of claim 6,
The base is provided of a heat-resistant glass material,
The coating layer is a substrate placement apparatus manufacturing method, characterized in that provided with an etching resistant material. 제6 항에 있어서,
상기 가열단계는,
상기 챔버 내부를 80℃ 내지 300℃의 온도분위기로 형성하는 것을 특징으로 하는 기판 배치 장치 제조방법.The method of claim 6,
The heating step,
The method of claim 1, wherein the inside of the chamber is formed at a temperature of 80 ° C to 300 ° C. 제6 항에 있어서,
상기 코팅층 형성단계는,
상기 챔버 내부에 플라즈마가 인가되는 것을 특징으로 하는 기판 배치 장치 제조방법.The method of claim 6,
The coating layer forming step,
And a plasma is applied to the chamber. 제6 항에 있어서,
상기 코팅층은,
광투과성 재질로 구비되고, 상기 베이스의 상면, 하면 및 측면에 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 배치 장치 제조방법.The method of claim 6,
The coating layer,
It is provided with a light transmissive material, the substrate placing apparatus manufacturing method, characterized in that formed on the upper surface, the lower surface and the side.
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