KR20120053155A - Tray, substrate processing apparatus using the same, and manufacturing method of tray - Google Patents

Tray, substrate processing apparatus using the same, and manufacturing method of tray Download PDF

Info

Publication number
KR20120053155A
KR20120053155A KR1020100114260A KR20100114260A KR20120053155A KR 20120053155 A KR20120053155 A KR 20120053155A KR 1020100114260 A KR1020100114260 A KR 1020100114260A KR 20100114260 A KR20100114260 A KR 20100114260A KR 20120053155 A KR20120053155 A KR 20120053155A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
tray
coating layer
base plate
substrate
pin insertion
Prior art date
Application number
KR1020100114260A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101691066B1 (en
Inventor
최종용
Original Assignee
주성엔지니어링(주)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주성엔지니어링(주) filed Critical 주성엔지니어링(주)
Priority to KR1020100114260A priority Critical patent/KR101691066B1/en
Priority to TW099141107A priority patent/TWI563589B/en
Priority to PCT/KR2010/008444 priority patent/WO2011065776A2/en
Publication of KR20120053155A publication Critical patent/KR20120053155A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101691066B1 publication Critical patent/KR101691066B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67333—Trays for chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67356—Closed carriers specially adapted for containing chips, dies or ICs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/6773—Conveying cassettes, containers or carriers

Abstract

PURPOSE: A tray, a substrate processing device using the same, and a method for manufacturing the same are provided to improve durability of the tray against cleaning gas by forming a coating layer on a base plate made of heat resistant materials. CONSTITUTION: A process chamber(210) provides a reaction space for plasma process. A gas spray unit(220) is connected to a gas supply tube(222) which supplies process gas or cleaning gas. A gas supply pipe is electrically connected to an RF power source(224). A plurality of tray transferring rollers(240) are installed on both sidewalls of the process chamber. A substrate holding unit(250) includes a support plate(252) and a shaft(254).

Description

트레이와 이를 이용한 기판 처리 장치, 및 트레이의 제조 방법{TRAY, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS USING THE SAME, AND MANUFACTURING METHOD OF TRAY}Tray, substrate processing apparatus using same, and manufacturing method of tray {TRAY, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS USING THE SAME, AND MANUFACTURING METHOD OF TRAY}

본 발명은 트레이 및 이를 이용한 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 내열 유리 재질로 이루어진 트레이와 이를 이용한 기판 처리 장치, 및 트레이의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a tray and a substrate processing apparatus using the same, and more particularly, to a tray made of a heat-resistant glass material, a substrate processing apparatus using the same, and a manufacturing method of the tray.

일반적으로, 반도체 소자, 표시 장치 및 태양전지를 제조하기 위해서는 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 박막 증착 공정, 감광성 물질을 사용하여 이들 박막 중 선택된 영역을 노출 또는 은폐시키는 포토 공정, 선택된 영역의 박막을 제거하여 패터닝하는 식각 공정 등을 거치게 된다. 이들 공정 중 박막 증착 공정 및 식각 공정 등은 진공 상태로 최적화된 기판 처리 장치에서 진행한다.In general, to manufacture a semiconductor device, a display device, and a solar cell, a thin film deposition process for depositing a thin film of a specific material on a substrate, a photo process using a photosensitive material to expose or conceal a selected region of the thin film, and a thin film of the selected region It is subjected to an etching process and the like to remove and pattern. Among these processes, a thin film deposition process and an etching process are performed in a substrate processing apparatus optimized in a vacuum state.

한편, 대면적의 기판을 사용하는 표시 장치를 가공하는 경우, 기판 처리 장치에서 하나의 기판을 처리하지만, 상대적으로 작은 면적의 기판을 가공하는 태양전지의 경우, 생산성을 높이기 위하여 다수의 기판을 적재한 트레이를 기판 처리 장치의 반응 공간에 반입하여 기판 처리 공정을 일괄적으로 수행한다.On the other hand, when processing a display device using a large-area substrate, a substrate processing apparatus processes one substrate, but in the case of a solar cell processing a substrate having a relatively small area, a plurality of substrates are loaded to increase productivity. A tray is carried into the reaction space of a substrate processing apparatus, and a substrate processing process is performed collectively.

태양전지는 실리콘 웨이퍼를 식각하는 텍스처링(Texturing) 공정, 반도체층 형성 공정, 및 전극 형성 공정 등을 거쳐 제조된다. 이러한, 태양전지의 생산성을 높이기 위해서는 실리콘 웨이퍼가 다수 적재되는 대면적의 트레이와 대면적의 트레이를 수용할 수 있는 기판 처리 장치가 필요하다.The solar cell is manufactured through a texturing process of etching a silicon wafer, a semiconductor layer forming process, an electrode forming process, and the like. In order to increase the productivity of such solar cells, a substrate processing apparatus capable of accommodating a large area tray and a large area tray on which a large number of silicon wafers are loaded is required.

도 1은 종래 기술에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 단면도이고, 도 2는 종래 기술에 따른 트레이의 사시도이다.1 is a schematic cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to the prior art, and FIG. 2 is a perspective view of a tray according to the prior art.

도 1을 참조하면, 종래 기술에 따른 기판 처리 장치(10)는 반응 공간을 제공하는 공정 챔버(14), 반응 공간에 공정 가스를 공급하기 위한 가스 분사수단(20), 다수의 기판(12)이 적재되는 트레이(26), 트레이(26)를 반응 공간의 내부 및 외부로 이송시키기 위한 이송 장치(15), 및 반응 공간에 배치되어 트레이(26)를 승강시키는 기판 안치 수단(28)을 포함하여 구성된다.Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 10 according to the related art includes a process chamber 14 providing a reaction space, a gas injection means 20 for supplying a process gas to the reaction space, and a plurality of substrates 12. A tray 26 to be loaded, a transfer device 15 for transferring the tray 26 into and out of the reaction space, and a substrate placing means 28 disposed in the reaction space to elevate the tray 26. It is configured by.

기판 처리 장치(10)는 트레이(26)가 반응 공간에 반입 또는 반응 공간으로부터 반출되는 게이트 밸브(29), 및 반응 공간의 공정 가스 및 부산물이 배기되는 배기구(30)를 더 포함하여 구성된다.The substrate processing apparatus 10 further includes a gate valve 29 through which the tray 26 is carried in or out of the reaction space, and an exhaust port 30 through which process gases and by-products of the reaction space are exhausted.

가스 분사 수단(20)은 공정 가스 또는 세정 가스가 공급되는 가스 공급관(18)에 연결된다. 가스 분사 수단(20)은 플라즈마 소스 전극으로 사용되고, 가스 공급관(18)은 RF 전원(24)에 전기적으로 접속된다.The gas injection means 20 is connected to the gas supply line 18 to which process gas or cleaning gas is supplied. The gas injection means 20 is used as a plasma source electrode, and the gas supply pipe 18 is electrically connected to the RF power supply 24.

가스 분사 수단(20)과 RF 전원(24) 사이에는 임피던스 정합을 위한 매처(25)가 설치된다.A matcher 25 for impedance matching is installed between the gas injection means 20 and the RF power supply 24.

기판 안치 수단(28)은 기판처리위치로 트레이(26)를 상승시킬 때 트레이(26)를 지지하기 위한 지지판(38), 지지판(38)의 배면 중앙부에 연결되고 지지판(38)을 승강시키는 샤프트(40)를 포함하여 구성된다.The substrate placing means 28 has a support plate 38 for supporting the tray 26 when the tray 26 is raised to the substrate processing position, and a shaft which is connected to the rear center portion of the support plate 38 and lifts the support plate 38. 40 is comprised.

공정 챔버(14)의 내부에는 트레이(26)가 게이트 밸브(29)를 통해 반응 공간으로 반입되는 트레이(26)를 이송시키기 위한 다수의 제 1 롤러(32)가 설치된다. In the process chamber 14, a plurality of first rollers 32 are provided to transfer the tray 26 into which the tray 26 is carried into the reaction space through the gate valve 29.

다수의 제 1 롤러(32)는 게이트 밸브(29)의 양측과 대응되는 공정 챔버(14)의 양측벽에 설치된다.The plurality of first rollers 32 are provided on both side walls of the process chamber 14 corresponding to both sides of the gate valve 29.

이송 장치(15)는 공정 챔버(14)의 게이트 밸브(29)와 인접하도록 설치되어 트레이(26)를 반응 공간의 내부 및 외부로 이송시킨다. 이송 장치(15)는 트레이(26)를 지지함과 아울러 이송시키는 컨베이어 벨트(40), 및 컨베이어 벨트(40)를 구동시키는 다수의 제 2 롤러(44)를 포함한다.The transfer device 15 is installed to be adjacent to the gate valve 29 of the process chamber 14 to transfer the tray 26 into and out of the reaction space. The conveying device 15 includes a conveyor belt 40 for supporting and conveying a tray 26 and a plurality of second rollers 44 for driving the conveyor belt 40.

기판 처리 장치(10)에서 사용되는 트레이(26)는 낮은 열팽창율 및 우수한 기계적 강도를 가지는 재질로 제작된다.The tray 26 used in the substrate processing apparatus 10 is made of a material having low thermal expansion rate and excellent mechanical strength.

도 1과 같은 기판 처리 장치(10)에서, 박막의 증착 또는 박막의 식각과 같은 기판 처리 공정은 300 내지 500도의 고온에서 이루어지므로, 트레이(26)가 공정 챔버(14)의 내부에서 공정 챔버(14)의 외부로 이송되었을 때, 급격한 온도 변화가 일어난다. 따라서, 트레이(26)는 급격한 온도 변화에 의한 열충격에도 변형 및 파손되지 않는 재질로 제작되어야 한다.In the substrate processing apparatus 10 as shown in FIG. 1, since a substrate processing process such as deposition of a thin film or etching of a thin film is performed at a high temperature of 300 to 500 degrees, the tray 26 is formed inside the process chamber 14. When transported outside of 14), a sudden temperature change occurs. Therefore, the tray 26 should be made of a material that does not deform or break even under thermal shock due to a sudden temperature change.

또한, 트레이(26)는 다수의 기판(12)이 적재되기 위해 대면적으로 제작되지만, 이송을 고려하여 면적대비 매우 얇은 두께를 제작된다. 결과적으로, 트레이(26)는 기판 처리 과정에서 고온에서 처짐이 발생하지 않을 정도의 우수한 기계적 강도를 가져야 한다.In addition, although the tray 26 is manufactured in a large area in order to load a plurality of substrates 12, the tray 26 has a very thin thickness compared to the area in consideration of the transfer. As a result, the tray 26 should have a good mechanical strength such that no sagging occurs at high temperatures during substrate processing.

종래 기술에서는 낮은 열팽창율 및 우수한 기계적 강도를 만족시키는 재질로 그래파이트(Graphite)를 사용하여 트레이(26)를 제작한다. 그런데, 그래파이트의 모재는 매우 고가이므로 제작 비용을 상승시킨다. 또한, 생산성 개선을 위하여, 보다 많은 기판(12)을 적재할 수 있는 대면적의 트레이(26)가 필요하게 되었다.In the prior art, the tray 26 is manufactured by using graphite as a material satisfying low thermal expansion and excellent mechanical strength. However, the graphite base material is very expensive, thereby increasing the production cost. In addition, in order to improve productivity, a large area tray 26 capable of stacking more substrates 12 is required.

그러나, 그래파이트의 재질로 가공할 수 있는 모재의 크기가 제한되면서, 대면적의 트레이(26)는, 도 2와 같이, 2개의 모재가 결합되어 제작된다.However, while the size of the base material that can be processed in the material of graphite is limited, the large-area tray 26, as shown in Figure 2, is produced by combining the two base materials.

도 2에 도시된 바와 같이, 종래 기술의 트레이(26)는 제 1 및 제 2 플레이트(26a, 26b), 제 1 및 제 2 플레이트(26a, 26b)를 결합시키는 프레임(50)을 포함하여 구성된다.As shown in FIG. 2, the prior art tray 26 comprises a frame 50 which couples the first and second plates 26a and 26b and the first and second plates 26a and 26b. do.

제 1 및 제 2 플레이트(26a, 26b)가 서로 결합하는 측면에는 각각 상부 및 하부 단차부(52a, 52b)가 형성된다. 상부 및 하부 단차부(52a, 52b)가 서로 치합되어 제 1 및 제 2 플레이트(26a, 26b)가 연결되고, 제 1 및 제 2 플레이트(26a, 26b)와 프레임(50)은 다수의 볼트(미도시)에 의해 결합된다.Upper and lower stepped portions 52a and 52b are formed on side surfaces of the first and second plates 26a and 26b that are coupled to each other. The upper and lower stepped portions 52a and 52b are engaged with each other so that the first and second plates 26a and 26b are connected to each other, and the first and second plates 26a and 26b and the frame 50 have a plurality of bolts ( (Not shown).

상술한 종래 기술의 트레이 및 이를 이용한 기판 처리 장치는 다음과 같은 문제점이 있다.The above-described tray of the prior art and a substrate processing apparatus using the same have the following problems.

첫째, 그래파이트 재질로 트레이를 제작함으로써 트레이의 제작 비용이 높다는 문제점이 있다.First, there is a problem that the production cost of the tray is high by manufacturing the tray made of graphite material.

둘째, 대면적의 트레이를 제작하기 위해서는 그래파이트 재질로 이루어진 다수의 플레이트를 결합시켜야만 한다는 문제점이 있다.Second, in order to manufacture a large area tray, there is a problem in that a plurality of plates made of graphite material must be combined.

셋째, 세정 가스를 이용한 공정 챔버의 세정시 세정 가스에 의해 트레이가 손상됨으로써 트레이의 수명이 단축되어 생산성이 저하된다는 문제점이 있다.Third, when the tray is damaged by the cleaning gas during cleaning of the process chamber using the cleaning gas, the life of the tray is shortened and productivity is lowered.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 제작 비용을 절감시킬 수 있도록 한 트레이와 이를 이용한 기판 처리 장치, 및 트레이의 제조 방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-described problems, and it is an object of the present invention to provide a tray, a substrate processing apparatus using the same, and a manufacturing method of the tray, which can reduce manufacturing costs.

또한, 공정 챔버의 세정 공정시 세정 가스에 의해 손상되지 않고 긴 수명을 가지는 트레이와 이를 이용한 기판 처리 장치, 및 트레이의 제조 방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.Another object of the present invention is to provide a tray having a long lifetime without being damaged by a cleaning gas during a cleaning process of the process chamber, a substrate processing apparatus using the same, and a method of manufacturing the tray.

상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 트레이의 제조 방법은 베이스 플레이트를 마련하는 공정; 상기 베이스 플레이트의 가장자리를 감싸도록 제 1 코팅층을 형성하는 공정; 및 상기 제 1 코팅층을 포함하도록 상기 베이스 플레이트의 전면 전체에 기상 증착 공정을 이용하여 제 2 코팅층을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.The manufacturing method of the tray according to the present invention for achieving the above technical problem is a step of providing a base plate; Forming a first coating layer to surround the edge of the base plate; And forming a second coating layer using a vapor deposition process on the entire front surface of the base plate to include the first coating layer.

상기 트레이의 제조 방법은 상기 제 1 코팅층을 형성하는 공정 이전에, 상기 베이스 플레이트에 요철 패턴을 형성하는 공정을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.The tray manufacturing method may further include a step of forming an uneven pattern on the base plate before the step of forming the first coating layer.

상기 트레이의 제조 방법은 상기 제 1 코팅층을 형성하는 공정 이전에, 상기 기판이 적재되는 기판 적재 영역에 인접한 상기 베이스 플레이트에 다수의 핀 삽입 홈을 형성하는 공정을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.The manufacturing method of the tray may further include a step of forming a plurality of pin insertion grooves in the base plate adjacent to the substrate loading region on which the substrate is loaded, before the process of forming the first coating layer.

상기 트레이의 제조 방법은 상기 제 1 코팅층을 형성하는 공정 이전에, 상기 다수의 핀 삽입 홈과 상기 베이스 플레이트에 요철 패턴을 형성하는 공정을 더 포함하여 이루어지며, 상기 제 1 코팅층 및 상기 제 2 코팅층은 상기 요철 패턴 상에 형성되는 것을 특징으로 한다.The manufacturing method of the tray further comprises a step of forming a concave-convex pattern in the plurality of pin insertion grooves and the base plate before the process of forming the first coating layer, the first coating layer and the second coating layer Is formed on the uneven pattern.

상기 트레이의 제조 방법은 상기 기판 적재 영역에 적재된 기판의 슬라이딩을 방지하는 다수의 기판 가이드 핀을 상기 다수의 핀 삽입 홈 각각에 삽입하여 고정시키는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.The manufacturing method of the tray may further include inserting and fixing a plurality of substrate guide pins to prevent sliding of the substrate loaded in the substrate loading area into each of the plurality of pin insertion grooves.

상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 트레이는 다수의 기판이 적재되는 베이스 플레이트; 상기 베이스 플레이트의 가장자리를 감싸도록 형성된 제 1 코팅층; 및 상기 제 1 코팅층을 포함하도록 상기 베이스 플레이트의 전면 전체에 형성된 투명 재질의 제 2 코팅층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.The tray according to the present invention for achieving the above technical problem is a base plate on which a plurality of substrates are loaded; A first coating layer formed to surround an edge of the base plate; And a second coating layer of a transparent material formed on the entire front surface of the base plate to include the first coating layer.

상기 트레이는 상기 베이스 플레이트에 형성되어 상기 제 1 및 제 2 코팅층 각각과 상기 베이스 플레이트 간의 접착력을 향상시키는 요철 패턴을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.The tray is characterized in that it further comprises a concave-convex pattern formed on the base plate to improve the adhesive force between each of the first and second coating layer and the base plate.

상기 트레이는 상기 기판이 적재되는 기판 적재 영역에 인접하도록 상기 베이스 플레이트에 형성된 다수의 핀 삽입 홈; 및 상기 다수의 핀 삽입 홈 각각에 삽입되어 상기 기판 적재 영역에 적재된 기판의 슬라이딩을 방지하는 다수의 기판 가이드 핀을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.The tray includes a plurality of pin insertion grooves formed in the base plate so as to be adjacent to a substrate loading region in which the substrate is loaded; And a plurality of substrate guide pins inserted into each of the plurality of pin insertion grooves to prevent sliding of the substrate loaded in the substrate loading region.

상기 트레이는 상기 다수의 핀 삽입 홈과 상기 베이스 플레이트에 형성되어 상기 제 1 및 제 2 코팅층 각각과 상기 베이스 플레이트 간의 접착력을 향상시키는 요철 패턴을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.The tray may further include a concave-convex pattern formed in the plurality of pin insertion grooves and the base plate to improve adhesion between each of the first and second coating layers and the base plate.

상기 다수의 핀 삽입 홈 각각은 사각 형태, 계단 형태, 및 경사면을 가지는 계단 형태 중 어느 한 형태의 단면을 가지는 것을 특징으로 한다.Each of the plurality of pin insertion grooves may have a cross section of any one of a quadrangular shape, a step shape, and a step shape having an inclined surface.

상기 다수의 가이드 핀 각각은 상기 핀 삽입 홈에 대응되는 형태를 가지도록 형성되어 상기 핀 삽입 홈에 삽입되는 삽입부; 및 상기 삽입부의 상면에 일체화되어 상기 기판의 슬라이딩을 방지하는 기판 가이더를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.Each of the plurality of guide pins is formed to have a shape corresponding to the pin insertion groove is inserted into the pin insertion groove; And a substrate guider integrated with an upper surface of the insert to prevent sliding of the substrate.

상기 기판 가이더는 아랫변이 윗변보다 넓은 사다리꼴 형태의 단면을 가지는 것을 특징으로 한다.The substrate guider is characterized in that the lower side has a trapezoidal cross section wider than the upper side.

상기 기판 가이더의 아랫변은 상기 핀 삽입 홈을 덮는 것을 특징으로 한다.The lower side of the substrate guider is characterized in that it covers the pin insertion groove.

상기 다수의 핀 삽입 홈 각각은 사각 형태의 단면을 가지도록 형성된 제 1 홈과, 상기 제 1 홈의 양측에 사각 형태의 단면을 가지도록 형성된 제 2 홈을 포함하며, 상기 다수의 가이드 핀 각각은 상기 제 1 홈에 삽입되는 제 1 삽입부, 상기 제 2 홈에 삽입되는 제 2 삽입부, 상기 제 1 및 제 2 삽입부 각각의 상면에 일체화되어 상기 기판의 슬라이딩을 방지하는 기판 가이더를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.Each of the plurality of pin insertion grooves includes a first groove formed to have a square cross section, and a second groove formed on both sides of the first groove to have a square cross section. A substrate guider integrated into an upper surface of each of the first inserting portion inserted into the first groove, the second inserting portion inserted into the second groove, and the first and second inserting portions to prevent sliding of the substrate; It is characterized in that the configuration.

상기 베이스 플레이트는 내열유리, 그래파이트 재질, 또는 고강도 탄소 복합 재료(CC Composite)로 이루어지는 것을 특징으로 한다.The base plate is made of heat-resistant glass, graphite material, or high strength carbon composite material (CC Composite).

상기 제 1 코팅층은 상기 제 2 코팅층보다 강한 강성을 가진 재질로 이루어지는 것을 특징으로 한다.The first coating layer is characterized in that made of a material having a stronger rigidity than the second coating layer.

상기 제 1 코팅층은 상기 베이스 플레이트의 전면 가장자리, 측면, 및 배면 가장자리를 감싸도록 형성된 것을 특징으로 한다.The first coating layer is formed to surround the front edge, side, and rear edge of the base plate.

상기 제 1 코팅층의 재질은 Al2O3 또는 Y2O3인 것을 특징으로 한다.The material of the first coating layer is characterized in that Al 2 O 3 or Y 2 O 3 .

상기 제 1 코팅층의 두께는 50 ~ 200㎛ 정도인 것을 특징으로 한다.The thickness of the first coating layer is characterized in that about 50 ~ 200㎛.

상기 제 2 코팅층은 상기 베이스 플레이트의 배면 전체에 더 형성된 것을 특징으로 한다.The second coating layer is characterized in that further formed on the entire back surface of the base plate.

상기 제 2 코팅층은 기상 증착 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 한다.The second coating layer is characterized in that formed by a vapor deposition process.

상기 제 2 코팅층의 재질은 ZnO인 것을 특징으로 한다.The material of the second coating layer is characterized in that the ZnO.

상기 베이스 플레이트의 전면 전체에 형성된 제 2 코팅층의 재질은 증착 공정에 의해 형성되는 Al2O3인 것을 특징으로 한다.The material of the second coating layer formed on the entire front surface of the base plate is characterized in that the Al 2 O 3 formed by a deposition process.

상기 제 2 코팅층의 두께는 2 ~ 50㎛ 정도인 것을 특징으로 한다.The thickness of the second coating layer is characterized in that about 2 to 50㎛.

상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 반응 공간을 제공하는 공정 챔버; 상기 반응 공간에 위치하고 공정 가스 또는 세정 가스를 분사하는 가스 분사 수단; 다수의 기판을 적재하여 상기 공정 챔버의 내부 및 외부로 이송되는 트레이; 및 상기 트레이를 승강시키는 기판 안치 수단을 포함하여 구성되며, 상기 트레이는 다수의 기판이 적재되는 베이스 플레이트; 상기 베이스 플레이트의 가장자리를 감싸도록 형성된 제 1 코팅층; 및 상기 제 1 코팅층을 포함하도록 상기 베이스 플레이트의 전면 전체에 형성된 투명 재질의 제 2 코팅층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.A substrate processing apparatus according to the present invention for achieving the above technical problem is a process chamber for providing a reaction space; Gas injection means located in the reaction space and injecting a process gas or cleaning gas; A tray which loads a plurality of substrates and is transported into and out of the process chamber; And a substrate placing means for elevating the tray, the tray comprising: a base plate on which a plurality of substrates are loaded; A first coating layer formed to surround an edge of the base plate; And a second coating layer of a transparent material formed on the entire front surface of the base plate to include the first coating layer.

상기 기판 처리 장치는 상기 기판 안치 수단을 사이에 두고 상기 공정 챔버의 양측벽에 설치되어 상기 트레이를 상기 공정 챔버의 내부 및 외부로 이송시키는 다수의 트레이 이송 롤러를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.The substrate processing apparatus may further include a plurality of tray transfer rollers installed on both side walls of the process chamber with the substrate setter interposed therebetween to transfer the tray into and out of the process chamber. .

상술한 바와 같이 본 발명은 다음과 같은 효과가 있다.As described above, the present invention has the following effects.

첫째, 내열 유리를 이용함으로써 낮은 제작 비용과 대면적화를 가능한 트레이를 제공할 수 있다.First, by using heat-resistant glass, it is possible to provide a tray capable of low manufacturing cost and large area.

둘째, 내열 유리 재질의 베이스 플레이트의 가장자리에 제 1 코팅층을 형성하고, 제 1 코팅층과 베이스 플레이트에 제 2 코팅층을 형성함으로써 인-시츄(In-Situ) 세정 공정시 세정 가스에 대한 트레이의 내구성을 향상시키고, 수명을 연장시킬 수 있다.Second, by forming a first coating layer on the edge of the heat-resistant glass base plate, and a second coating layer on the first coating layer and the base plate to improve the durability of the tray to the cleaning gas during the in-situ cleaning process It can improve and prolong life.

셋째, 트레이의 낮은 제작 비용, 내구성 향상, 및 긴 수명으로 인하여 생산 단가 및 생산성을 향상시킬 수 있다.Third, the production cost and productivity can be improved due to the low production cost, durability improvement, and long life of the tray.

도 1은 종래 기술에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 단면도이다.
도 2는 종래 기술에 따른 트레이의 사시도이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 도 3에 도시된 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 트레이를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 5는 도 4에 도시된 Ⅰ-Ⅰ' 선의 단면을 나타내는 단면도이다.
도 6은 도 4에 도시된 Ⅰ-Ⅰ' 선의 단면을 나타내는 단면도로써 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 트레이를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 7 내지 도 13은 도 4 내지 도 6에 도시된 핀 삽입 홈과 가이드 핀 각각의 다른 실시 예들을 개략적으로 나타내는 도면들이다.
도 14는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 트레이의 제조 방법을 단계적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 15는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 트레이의 제조 방법을 단계적으로 설명하기 위한 도면이다.1 is a schematic cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to the prior art.
2 is a perspective view of a tray according to the prior art.
3 is a diagram schematically illustrating a substrate processing apparatus according to an exemplary embodiment of the present disclosure.
4 is a perspective view schematically illustrating a tray according to a first embodiment of the present invention illustrated in FIG. 3.
FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a cross section taken along line II ′ of FIG. 4.
FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a cross section taken along the line II ′ of FIG. 4 and schematically illustrating a tray according to a second embodiment of the present disclosure.
7 to 13 are schematic views illustrating other embodiments of the pin insertion groove and the guide pin illustrated in FIGS. 4 to 6, respectively.
FIG. 14 is a view for explaining step by step a method of manufacturing a tray according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 15 is a view for explaining step by step a method of manufacturing a tray according to a second embodiment of the present invention.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.3 is a diagram schematically illustrating a substrate processing apparatus according to an exemplary embodiment of the present disclosure.

도 3을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치(200)는 공정 챔버(210), 가스 분사 수단(220), 트레이(230), 다수의 트레이 이송 롤러(240), 및 기판 안치 수단(250)을 포함하여 구성된다.Referring to FIG. 3, a substrate processing apparatus 200 according to an exemplary embodiment of the present invention may include a process chamber 210, a gas ejection means 220, a tray 230, a plurality of tray transfer rollers 240, and a substrate settled. And means 250.

공정 챔버(210)는 플라즈마 처리(증착, 식각, 또는 세정)를 위한 밀폐된 반응 공간을 제공한다. 이러한, 공정 챔버(210)는 트레이(230)가 반응 공간에 반입되거나 반응 공간으로부터 외부로 반출되는 게이트 밸브(212), 및 반응 공간의 공정 가스 및 부산물을 배기시키기 위한 배기구(214)를 더 포함하여 구성된다.Process chamber 210 provides a closed reaction space for plasma processing (deposition, etching, or cleaning). The process chamber 210 further includes a gate valve 212 into which the tray 230 enters or exits from the reaction space, and an exhaust port 214 for exhausting process gases and by-products of the reaction space. It is configured by.

한편, 공정 챔버(110)는 하부 챔버, 및 상부 챔버로 분리될 수 있다. 하부 챔버는 기판 안치 수단(250)을 지지한다. 이러한, 하부 챔버는 반응 공간의 공정 잔류 가스를 배기시키기 위한 배기구(214)를 포함하며, 상부 챔버는 절연재질로 이루어져 하부 챔버의 상면을 덮도록 설치된다.The process chamber 110 may be divided into a lower chamber and an upper chamber. The lower chamber supports the substrate placing means 250. The lower chamber includes an exhaust port 214 for exhausting the process residual gas in the reaction space, and the upper chamber is made of an insulating material to cover the upper surface of the lower chamber.

가스 분사 수단(220)은 공정 가스 또는 세정 가스가 공급되는 가스 공급관(222)에 연결된다. 가스 분사 수단(220)은 플라즈마 소스 전극으로 사용되고, 가스 공급관(222)은 RF 전원(224)에 전기적으로 접속된다.The gas injection means 220 is connected to the gas supply pipe 222 to which the process gas or the cleaning gas is supplied. The gas injection means 220 is used as a plasma source electrode, and the gas supply pipe 222 is electrically connected to the RF power source 224.

한편, 가스 공급관(222)과 RF 전원(224) 사이에는 매처(226)가 설치된다. 메처(226)는 RF 전력의 부하 임피던스와 소스 임피던스를 정합시키는 역할을 한다.Meanwhile, a matcher 226 is installed between the gas supply pipe 222 and the RF power source 224. The matcher 226 serves to match the load impedance and the source impedance of the RF power.

트레이(230)는 외부의 트레이 이송 장치(미도시)의 구동에 의해 게이트 밸브(212)를 통해 반응 공간으로 반입되어 다수의 트레이 이송 롤러(240)에 안착되거나, 다수의 트레이 이송 롤러(240)의 구동에 의해 공정 챔버(210)로부터 외부의 트레이 이송 장치로 반출된다. 이러한, 트레이(230)에는 외부의 기판 적재 장치에 의해 다수의 기판(S)이 일정한 간격으로 적재된다. 이와 같은, 트레이(230)에 대한 구체적인 설명은 후술하기로 한다.The tray 230 is carried into the reaction space through the gate valve 212 by the drive of an external tray feeder (not shown), and is seated on the plurality of tray feed rollers 240, or the plurality of tray feed rollers 240. It is carried out from the process chamber 210 to the external tray transfer apparatus by the drive of. Such a plurality of substrates (S) are stacked in the tray 230 at regular intervals by an external substrate loading apparatus. Such a detailed description of the tray 230 will be described later.

트레이 이송 장치는 공정 챔버(210)의 게이트 밸브(212)에 인접하도록 설치되어 트레이(230)를 반응 공간으로 반입시키거나 반응 공간으로부터 외부로 반출시킨다. 이를 위해, 일 실시 예에 따른 트레이 이송 장치는 트레이(230)를 지지함과 아울러 이송시키는 다수의 구동 롤러(미도시)를 포함하여 구성될 수 있다. 또한, 다른 실시 예에 따른 트레이 이송 장치는 트레이(230)를 지지함과 아울러 이송시키는 컨베이어 벨트(미도시), 및 컨베이어 벨트(미도시)를 회전시키기 위한 다수의 구동 롤러(미도시)를 포함하여 구성될 수도 있다.The tray transfer device is installed to be adjacent to the gate valve 212 of the process chamber 210 to bring the tray 230 into or out of the reaction space. To this end, the tray transport apparatus according to an embodiment may include a plurality of driving rollers (not shown) for supporting and transporting the tray 230. In addition, the tray transfer apparatus according to another embodiment includes a conveyor belt (not shown) for supporting and transferring the tray 230, and a plurality of driving rollers (not shown) for rotating the conveyor belt (not shown). It may be configured.

다수의 트레이 이송 롤러(240) 각각은 공정 챔버(210)의 마련된 게이트 밸브(212)에 대응되는 공정 챔버(210)의 양측벽에 일정한 간격으로 설치된다. 이러한, 다수의 트레이 이송 롤러(240) 각각은 트레이 이송 장치(미도시)의 구동에 의해 게이트 밸브(212)를 통해 반응 공간으로 반입되는 트레이(230)를 지지하고, 기판 처리 공정이 완료되면, 롤러 구동 장치(미도시)에 의해 구동되어 지지된 트레이(230)를 트레이 이송 장치, 다른 공정 챔버, 또는 로드락 챔버로 반출시킨다.Each of the plurality of tray feed rollers 240 is installed at both side walls of the process chamber 210 corresponding to the provided gate valve 212 of the process chamber 210 at regular intervals. Each of the plurality of tray feed rollers 240 supports the tray 230 carried into the reaction space through the gate valve 212 by driving the tray feed apparatus (not shown), and when the substrate processing process is completed, The tray 230 driven and supported by a roller driving device (not shown) is carried out to a tray conveying device, another process chamber, or a load lock chamber.

기판 안치 수단(250)은 지지판(252), 및 샤프트(254)를 포함하여 구성되는 것으로, 플라즈마 접지전극으로 사용된다.The substrate placing means 250 includes a support plate 252 and a shaft 254, and is used as a plasma ground electrode.

지지판(252)은 다수의 트레이 이송 롤러(240) 사이에 배치된다.The support plate 252 is disposed between the plurality of tray feed rollers 240.

샤프트(254)의 일측은 지지판(252)을 지지하고, 타측은 공정 챔버(210)의 바닥면을 관통하여 외부의 승강 장치(미도시)에 접속된다. 상기의 샤프트(254)는 벨로우즈(Bellows)(256)에 의해 감싸여진다. 한편, 샤프트(254)는 승강 장치의 구동에 따라 지지판(252)을 승강시킨다.One side of the shaft 254 supports the support plate 252, and the other side passes through the bottom surface of the process chamber 210 and is connected to an external elevating device (not shown). The shaft 254 is wrapped by bellows 256. On the other hand, the shaft 254 raises and lowers the support plate 252 according to the driving of the lifting device.

이러한, 기판 안치 수단(250)은 샤프트(254)의 승강에 따라 지지판(252)을 승강시킴으로써 다수의 트레이 이송 롤러(240)에 안착된 트레이(230)를 기판 처리 위치로 상승시키거나, 기판 처리 위치에 있는 트레이(230)를 하강시켜 다수의 트레이 이송 롤러(240)에 안착시킨다.The substrate placing means 250 raises the tray 230 seated on the plurality of tray feed rollers 240 to the substrate processing position by raising and lowering the support plate 252 in accordance with the lifting and lowering of the shaft 254. Lower the tray 230 in position to seat on the plurality of tray feed rollers 240.

이와 같은, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치(200)는 다수의 기판(S)이 적재된 트레이(230)를 공정 챔버(210)의 반응 공간에 반입시켜 다수의 트레이 이송 롤러(240)에 안착시킨 다음, 기판 안치 수단(250)의 구동에 의해 트레이(230)를 기판 처리 위치로 상승시킨 후, 반응 공간에 공정 가스를 분사함과 아울러 가스 분사 수단(220)에 RF 전력을 공급함으로써 반응 공간에 플라즈마를 형성하여 기판(S)에 대한 기판 처리 공정을 수행한다.As described above, the substrate processing apparatus 200 according to the embodiment of the present invention carries a plurality of tray transfer rollers 240 into the reaction space of the process chamber 210 by loading the trays 230 in which the plurality of substrates S are loaded. And then raise the tray 230 to the substrate processing position by driving the substrate placing means 250, and then spraying the process gas into the reaction space and supplying RF power to the gas injection means 220. Plasma is formed in the reaction space to perform a substrate treatment process on the substrate (S).

한편, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치(200)는 기판(S)에 대한 기판 처리 공정을 반복적으로 수행할 경우, 공정 챔버(210)의 내벽 및 트레이(230) 등에 원하지 않는 박막 등이 증착되므로 이를 제거하기 위해 주기적으로 세정 가스를 이용한 인-시츄(In-Situ) 세정 공정을 수행하게 된다. 즉, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치(200)는 기판(S)이 적재되지 않은 트레이(230)를 공정 챔버(210)의 반응 공간에 반입시켜 다수의 트레이 이송 롤러(240)에 안착시킨 다음, 기판 안치 수단(250)의 구동에 의해 트레이(230)를 기판 처리 위치로 상승시킨 후, 반응 공간에 세정 가스를 분사함과 아울러 가스 분사 수단(220)에 RF 전력을 공급함으로써 반응 공간에 플라즈마를 형성하여 트레이(230) 및 공정 챔버(210)의 내부를 세정한다.On the other hand, when the substrate processing apparatus 200 according to the embodiment of the present invention repeatedly performs a substrate processing process for the substrate (S), an unwanted thin film or the like may be formed on the inner wall of the process chamber 210 and the tray 230. As it is deposited, an in-situ cleaning process using a cleaning gas is periodically performed to remove it. That is, the substrate processing apparatus 200 according to an exemplary embodiment of the present invention carries a tray 230 in which the substrate S is not loaded into the reaction space of the process chamber 210 and mounts the tray 230 onto the plurality of tray transfer rollers 240. After raising the tray 230 to the substrate processing position by driving the substrate placing means 250, the cleaning gas is injected into the reaction space and RF power is supplied to the gas injection means 220. Plasma is formed on the inside of the tray 230 and the process chamber 210.

도 4는 도 3에 도시된 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 트레이를 개략적으로 나타내는 사시도이고, 도 5는 도 4에 도시된 Ⅰ-Ⅰ' 선의 단면을 나타내는 단면도이다.4 is a perspective view schematically illustrating a tray according to the first embodiment of the present invention illustrated in FIG. 3, and FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a cross-sectional view of the line II ′ of FIG. 4.

도 4 및 도 5를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 트레이(230)는 베이스 플레이트(231), 다수의 핀 삽입 홈(233), 제 1 코팅층(235), 제 2 코팅층(237), 및 다수의 가이드 핀(239)을 포함하여 구성된다.4 and 5, the tray 230 according to the first embodiment of the present invention includes a base plate 231, a plurality of pin insertion grooves 233, a first coating layer 235, and a second coating layer 237. ), And a plurality of guide pins 239.

베이스 플레이트(231)는 내열 유리로 제작된다. 이때, 베이스 플레이트(231)는 3 내지 10mm 정도의 두께를 가질 수 있으나, 이에 한정되지 않고 기판 처리 공정 및/또는 크기에 따라 변경될 수 있다. 상기의 내열 유리는 일반 유리에 비하여 다음과 같은 특징이 있다.The base plate 231 is made of heat resistant glass. In this case, the base plate 231 may have a thickness of about 3 to 10 mm, but is not limited thereto and may be changed according to a substrate processing process and / or size. The heat-resistant glass has the following characteristics as compared with general glass.

첫째, 일반 규산염 유리는 SiO2-CaO-Na2O 재질로 이루어져 1400 내지 1500℃에서 유리화하지만, 내열 유리는 산화붕소(B3O3)를 다량 포함하도록 이루어져 1600℃ 정도에서 유리화한다.First, general silicate glass is made of SiO 2 -CaO-Na 2 O material and vitrified at 1400 to 1500 ℃, but the heat-resistant glass is made to contain a large amount of boron oxide (B 3 O 3 ) is vitrified at about 1600 ℃.

둘째, 내열 유리는 그래파이트와 비교하여 매우 저가이고, 대면적화에 유리한다.Second, heat resistant glass is very inexpensive compared to graphite and is advantageous for large area.

셋째, 일반 유리는 온도 1℃ 당 전체 길이의 0.0009% 증가하지만, 내열 유리는 온도 1℃ 당 전체 길이의 0.00007% 증가한다. 따라서, 내열 유리는 일반 유리에 비교하여 열팽창율이 극히 낮아 큰 온도차에 위한 열충격에서 잘 견딜 수 있는 소재이다.Third, ordinary glass increases 0.0009% of the total length per 1 ° C., while heat resistant glass increases 0.00007% of the total length per 1 ° C. Therefore, the heat-resistant glass is a material that is extremely low in thermal expansion compared with ordinary glass and can withstand thermal shock for a large temperature difference.

따라서, 내열 유리는 일반 유리보다 월등하게 높은 기계적 강도, 화학적 내구성 및 낮은 열팽창률을 가지기 때문에, 트레이(230)의 모재로써 매우 적합하다.Therefore, the heat-resistant glass has a much higher mechanical strength, chemical durability and lower thermal expansion rate than ordinary glass, and thus is very suitable as a base material of the tray 230.

한편, 상기의 베이스 플레이트(231)는 내열 유리 이외에도 그래파이트 재질, 또는 고강도 탄소 복합 재료(CC Composite)로 이루어질 수도 있다.In addition to the heat-resistant glass, the base plate 231 may be made of a graphite material or a high strength carbon composite material.

수의 핀 삽입 홈(233) 각각은 다수의 기판(S) 각각이 적재되는 베이스 플레이트(231)의 기판 적재 영역(SLA)의 각 모서리 부분의 각 변에 인접하도록 형성된다. 이때, 다수의 핀 삽입 홈(233) 각각은 원통 형태를 가질 수 있으나, 이에 한정되지 않고, 다양한 형태를 가지도록 형성될 수 있다. 상기 핀 삽입 홈(233)의 다양한 형태에 대해서는 후술하기로 한다.Each of the number of pin insertion grooves 233 is formed to be adjacent to each side of each corner portion of the substrate loading region SLA of the base plate 231 on which each of the plurality of substrates S is loaded. In this case, each of the plurality of pin insertion grooves 233 may have a cylindrical shape, but is not limited thereto, and may be formed to have various shapes. Various forms of the pin insertion groove 233 will be described later.

제 1 코팅층(235)은 베이스 플레이트(231)의 전면 가장자리, 측면, 및 배면 가장자리를 감싸도록 코팅된다.The first coating layer 235 is coated to surround the front edge, side, and back edge of the base plate 231.

상기 제 1 코팅층(235)은 Al2O3 또는 Y2O3 재질로 이루어질 수 있다. Al2O3 또는 Y2O3 재질은 다른 재질보다 가스에 의한 식각이나 오랜 사용에 의한 마모, 트레이 이동에 의한 긁힘 등의 외부 자극에 강한 특징을 갖는다. 이에 따라, 제 1 코팅층(235)은 용사 코팅에 의해 50 ~ 200㎛ 정도의 두께를 가지도록 형성되는 것이 바람직하다. 이때, 제 1 코팅층(235)의 두께가 50㎛ 이하일 경우에는 가스에 의한 식각이나 트레이 이동 시에 긁힘 현상에 의한 마모가 될 수 있고, 200㎛이상이 될 경우에는 코팅층이 너무 두껍고 코팅층의 접착력이 낮아져서 쉽게 벗겨지는 현상이 발생된다.The first coating layer 235 may be made of Al 2 O 3 or Y 2 O 3 material. Al 2 O 3 or Y 2 O 3 material is more resistant to external stimuli, such as etching by gas, wear by long use, scratches by tray movement, than other materials. Accordingly, the first coating layer 235 is preferably formed to have a thickness of about 50 ~ 200㎛ by spray coating. In this case, when the thickness of the first coating layer 235 is 50 μm or less, wear may occur due to scratching during etching or tray movement by gas, and when the thickness of the first coating layer 235 is 200 μm or more, the coating layer is too thick and the adhesion of the coating layer It is lowered and peels off easily.

한편, 베이스 플레이트(231)의 전면 및 배면 가장자리에 형성되는 제 1 코팅층(235)은 상술한 다수의 트레이 이송 롤러(240)에 접촉하는 부분으로써 30 ~ 70mm 정도의 폭을 가지도록 형성되는 것이 바람직하다.On the other hand, the first coating layer 235 formed on the front and rear edges of the base plate 231 is in contact with the plurality of tray transfer roller 240 described above is preferably formed to have a width of about 30 ~ 70mm. Do.

상술한 제 1 코팅층(235)은 반응 공간에 형성되는 플라즈마에 의한 베이스 플레이트(231)의 손상을 방지하는 플라즈마 저항층의 역할을 수행함과 동시에, 다수의 트레이 이송 롤러(240)에 접촉되는 베이스 플레이트(231)의 가장자리 부분의 내구성을 향상시킨다.The first coating layer 235 described above serves as a plasma resistance layer that prevents damage to the base plate 231 by plasma formed in the reaction space, and at the same time, the base plate contacting the plurality of tray transfer rollers 240. Improve the durability of the edge portion of 231.

제 2 코팅층(237)은 다수의 핀 삽입 홈(233)과 제 1 코팅층(235)이 형성된 베이스 플레이트(231)의 전면 또는 베이스 플레이트(231)의 전면 및 배면 전체에 형성된다. 이때, 제 2 코팅층(237)은 ZnO 또는 ITO 등의 투명 재질로 이루어지거나 Al2O3 등의 불투명 재질로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않고 세정 가스에 내성이 강한 재질로 이루어질 수 있다. 이러한, 제 2 코팅층(237)은 재질에 따라 화학 기상 증착(CVD) 공정(예를 들어, PECVD 공정, MOCVD 공정) 또는 스퍼터링 증착 공정에 의해 2 ~ 50㎛ 정도의 두께를 가지도록 형성된다.The second coating layer 237 is formed on the front of the base plate 231 on which the plurality of pin insertion grooves 233 and the first coating layer 235 are formed, or the entire front and rear surfaces of the base plate 231. In this case, the second coating layer 237 may be made of a transparent material such as ZnO or ITO, or may be made of an opaque material such as Al 2 O 3 , but is not limited thereto. The second coating layer 237 is formed to have a thickness of about 2 to 50 μm by chemical vapor deposition (CVD) process (eg, PECVD process, MOCVD process) or sputtering deposition process depending on the material.

화학 기상 증착 공정과 스퍼터링 증착 공정을 사용하여 제 2 코팅층(237)을 형성할 경우에는 기존에 사용하였던 용사 코팅 방법보다 트레이 전체에 균일하고 얇은 막을 형성할 수 있고, 홈의 내부에도 균일하고 얇은 막을 형성할 수 있다.When the second coating layer 237 is formed by using a chemical vapor deposition process and a sputtering deposition process, a uniform and thin film may be formed on the entire tray than a conventional spray coating method, and a uniform and thin film may be formed inside the groove. Can be formed.

예를 들어, 다수의 핀 삽입 홈(233) 내부와 제 1 코팅층(235)의 전면 가장자리를 포함하도록 베이스 플레이트(231)의 전면에 형성되는 제 2 코팅층(237)은 5㎛ 정도의 두께를 가질 수 있으며, 제 1 코팅층(235)의 전면 가장자리를 포함하도록 베이스 플레이트(231)의 배면에 형성되는 제 2 코팅층(237)은 2㎛ 정도의 두께를 가질 수 있다. 이때, 제 2 코팅층(237)이 2㎛ 미만의 두께를 가질 경우에는 플라즈마에 의한 손상 또는 외부적인 충격을 받아 쉽게 벗겨질 수 있고, 제 2 코팅층(237)이 50㎛ 이상의 두께를 가질 경우에는 너무 두꺼워서 불투명 재질에 가깝게 되어 트레이로부터 기판으로 전달되는 열전도율이 낮아져서 기판의 열균일도가 떨어질 수 있다. 이에 따라, 제 2 코팅층(237)은 기판의 열전도율을 원활하게 하기 위하여, 제 1 코팅층(235)에 비해 얇은 두께를 가지도록 형성되는 것이 바람직하다.For example, the second coating layer 237 formed on the front surface of the base plate 231 to include the inside of the plurality of pin insertion grooves 233 and the front edge of the first coating layer 235 may have a thickness of about 5 μm. The second coating layer 237 formed on the rear surface of the base plate 231 to include the front edge of the first coating layer 235 may have a thickness of about 2 μm. In this case, when the second coating layer 237 has a thickness of less than 2 μm, the second coating layer 237 may be easily peeled off due to damage or external impact by plasma, and when the second coating layer 237 has a thickness of 50 μm or more, too much. The thicker, closer to the opaque material, the lower the thermal conductivity transferred from the tray to the substrate, resulting in poor thermal uniformity of the substrate. Accordingly, in order to smooth the thermal conductivity of the substrate, the second coating layer 237 is preferably formed to have a thickness thinner than that of the first coating layer 235.

상술한 제 2 코팅층(237)은 반응 공간에 형성되는 플라즈마에 의한 베이스 플레이트(231)의 손상을 방지하는 플라즈마 저항층의 역할을 수행함으로써 트레이(230)의 수명을 연장시킨다.The second coating layer 237 described above extends the life of the tray 230 by acting as a plasma resistance layer that prevents damage of the base plate 231 by plasma formed in the reaction space.

한편, 트레이(230)가 기판(S)을 기판 처리 온도 이상 또는 기판 처리 온도에 대응되는 온도로 가열하는 히팅 챔버(미도시)에 반입되고, 히팅 챔버에 마련된 램프 히터(미도시)가 트레이(230)의 하부에 설치된 경우, 베이스 플레이트(231)의 배면에 형성되는 제 2 코팅층(237)은 램프 히터로부터의 광이 기판(S)이 원활하게 전달될 수 있도록 투명 재질로 형성되는 것이 바람직하다.On the other hand, the tray 230 is carried in a heating chamber (not shown) for heating the substrate S to a temperature higher than or equal to the substrate processing temperature or the substrate processing temperature, the lamp heater (not shown) provided in the heating chamber is a tray ( When installed under the 230, the second coating layer 237 formed on the rear surface of the base plate 231 is preferably formed of a transparent material so that the light from the lamp heater can be smoothly transmitted to the substrate S. .

상기의 베이스 플레이트(231)의 배면에 형성되는 제 2 코팅층(237)은 트레이(230)에 축적된 전하가 플라즈마 접지전극으로 기능하는 기판 안치 수단(250)을 통해 배출되도록 하는 접지 전극의 역할을 수행한다.The second coating layer 237 formed on the rear surface of the base plate 231 serves as a ground electrode for discharging the charge accumulated in the tray 230 through the substrate setter 250 serving as the plasma ground electrode. To perform.

다수의 가이드 핀(239) 각각은 제 2 코팅층(237)이 형성된 다수의 핀 삽입 홈(233) 각각에 삽입되어 트레이(230)의 기판 적재 영역(SLA)의 각 변에 수직하게 설치된다. 이때, 다수의 가이드 핀(239) 각각은 내열 유리 또는 세라믹 등의 재질로 이루어질 수 있다. 여기서, 가이드 핀(239)은 핀 삽입 홈(233)의 형태에 대응되는 형태를 가질 수 있으며, 가이드 핀(239)의 형태에 대해서는 후술하기로 한다.Each of the plurality of guide pins 239 is inserted into each of the plurality of pin insertion grooves 233 on which the second coating layer 237 is formed, and is installed perpendicular to each side of the substrate loading area SLA of the tray 230. In this case, each of the plurality of guide pins 239 may be made of a material such as heat resistant glass or ceramic. Here, the guide pin 239 may have a shape corresponding to the shape of the pin insertion groove 233, and the shape of the guide pin 239 will be described later.

상기 다수의 가이드 핀(239) 각각은 기판 적재 영역(SLA)에 적재된 기판(S)의 위치를 정렬시킴과 아울러 트레이(230)의 이송의 기판(S)이 인접한 적재 영역으로 슬라이딩되는 것을 방지한다. Each of the plurality of guide pins 239 aligns the position of the substrate S loaded in the substrate loading area SLA and prevents the substrate S of the transfer of the tray 230 from sliding to an adjacent loading area. do.

한편, 다수의 가이드 핀(239) 각각은 기판(S)이 기판 적재 영역(SLA)에 원활하게 적재될 수 있도록 기판(S)의 적재시 기판(S)을 기판 적재 영역(SLA)으로 슬라이딩시키는 경사면(239t)을 포함하여 구성될 수 있다. 경사면(239t)은 베이스 플레이트(231)의 전면으로 노출된 가이드 핀(239)의 외부면에 소정의 기울기를 가지도록 형성된다.Meanwhile, each of the plurality of guide pins 239 slides the substrate S into the substrate loading area SLA when the substrate S is loaded so that the substrate S can be smoothly loaded in the substrate loading area SLA. It may be configured to include an inclined surface 239t. The inclined surface 239t is formed to have a predetermined slope on the outer surface of the guide pin 239 exposed to the front surface of the base plate 231.

한편, 상술한 트레이(230)에서 제 2 코팅층(237)을 상기의 증착 공정 대신에 용사 코팅 공정을 통해 베이스 플레이트(231)의 전면에 제 1 코팅층(235)을 형성할 수도 있다. 그러나, 용사 코팅 공정에 의해 다수의 핀 삽입 홈(233) 주변에 형성되는 제 1 코팅층(235)은 용사 코팅 공정의 한계로 인하여 균일도가 치밀하지 못하기 때문에 세정 가스에 의한 손상되거나 박리된다는 문제점이 있다.Meanwhile, in the tray 230, the first coating layer 235 may be formed on the entire surface of the base plate 231 through the thermal spray coating process instead of the deposition process of the second coating layer 237. However, since the uniformity of the first coating layer 235 formed around the plurality of pin insertion grooves 233 by the thermal spray coating process is not dense due to the limitation of the thermal spray coating process, there is a problem of being damaged or peeled off by the cleaning gas. have.

또한, 상술한 트레이(230)에서 제 1 코팅층(235)을 생략하고, 증착 공정을 통해 베이스 플레이트(231)의 전면에 제 2 코팅층(237)만을 형성할 경우, 베이스 플레이트(231)의 가장자리 부분에 형성되는 제 2 코팅층(237)이 불균일하기 때문에 베이스 플레이트(231)의 가장자리 부분에 형성된 제 2 코팅층(237)이 세정 가스에 의해 손상된다는 문제점이 있다.In addition, when the first coating layer 235 is omitted from the above-described tray 230, and only the second coating layer 237 is formed on the front surface of the base plate 231 through the deposition process, an edge portion of the base plate 231 is formed. Since the second coating layer 237 is formed in the non-uniform, there is a problem that the second coating layer 237 formed on the edge portion of the base plate 231 is damaged by the cleaning gas.

따라서, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 트레이(230)는 용사 코팅 공정을 통해 베이스 플레이트(231)의 전면 가장자리, 측면, 및 배면 가장자리를 감싸도록 형성된 제 1 코팅층(235), 및 증착 공정을 통해 베이스 플레이트(231)의 전면과 배면 전체에 형성된 제 2 코팅층(237)을 포함하여 구성된다. 이에 따라, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 트레이(230)는 세정 가스에 의한 손상이 방지됨과 아울러 내구성이 향상됨으로써 긴 수명을 가지게 되고, 내열 유리 재질로 이루어진 베이스 플레이트(231)로 인하여 낮은 제작 비용으로 대면적화를 가능하게 한다.Accordingly, the tray 230 according to the first embodiment of the present invention may include a first coating layer 235 formed to surround the front edge, the side surface, and the rear edge of the base plate 231 through a thermal spray coating process, and a deposition process. It is configured to include a second coating layer 237 formed on the front and rear of the base plate 231 through. Accordingly, the tray 230 according to the first embodiment of the present invention has a long life by preventing damage due to cleaning gas and improving durability, and has a low fabrication due to the base plate 231 made of a heat resistant glass material. Enables large area at cost.

결과적으로, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치(200)는 상술한 제 1 실시 예의 트레이(230)의 낮은 제작 비용, 내구성 향상, 및 긴 수명으로 인하여 생산 단가 및 생산성을 향상시킬 수 있다.As a result, the substrate processing apparatus 200 according to the embodiment of the present invention can improve the production cost and productivity due to the low manufacturing cost, durability improvement, and long life of the tray 230 of the first embodiment described above.

도 6은 도 4에 도시된 Ⅰ-Ⅰ' 선의 단면을 나타내는 단면도로써 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 트레이를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a cross section taken along the line II ′ of FIG. 4 and schematically illustrating a tray according to a second embodiment of the present disclosure.

도 6을 도 5와 결부하면, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 트레이(230)는 베이스 플레이트(231), 다수의 핀 삽입 홈(233), 요철 패턴(234), 제 1 코팅층(235), 제 2 코팅층(237), 및 다수의 가이드 핀(239)을 포함하여 구성된다. 이러한 구성을 가지는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 트레이(230)는 요철 패턴(234)을 더 포함하여 구성되는 것을 제외하고는 상술한 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 트레이(230)와 동일한 구성을 갖는다. 이에 따라, 요철 패턴(234)과 관련된 구성을 제외한 나머지 구성에 대한 설명은 상술한 설명으로 대신하기로 한다.6 and 5, the tray 230 according to the second embodiment of the present invention may include a base plate 231, a plurality of pin insertion grooves 233, an uneven pattern 234, and a first coating layer 235. , A second coating layer 237, and a plurality of guide pins 239. The tray 230 according to the second embodiment of the present invention having such a configuration is the same as the tray 230 according to the first embodiment of the present invention, except that the tray 230 further includes an uneven pattern 234. Has a configuration. Accordingly, the description of the rest of the configuration except for the configuration associated with the uneven pattern 234 will be replaced with the above description.

요철 패턴(234)은 다수의 핀 삽입 홈(233)이 형성된 베이스 플레이트(231)의 전면 전체에 형성되거나, 베이스 플레이트(231)의 전면 및 배면 전체에 형성된다. 이때, 요철 패턴(234)은 비드(Bead) 또는 샌드(Sand) 등을 이용한 블래스터(Blaster) 공정에 의해 3 ~ 6㎛ 정도의 표면 조도(Surface Roughness)를 가지도록 형성된다. 이러한, 요철 패턴(234)은 상술한 제 1 및 제 2 코팅층(235, 237) 각각과 베이스 플레이트(231) 간의 접착력을 향상시킨다.The uneven pattern 234 is formed on the entire front surface of the base plate 231 in which the plurality of pin insertion grooves 233 is formed, or is formed on the entire front and rear surfaces of the base plate 231. In this case, the uneven pattern 234 is formed to have a surface roughness of about 3 to 6 μm by a blaster process using beads or sand. The uneven pattern 234 improves the adhesive force between each of the first and second coating layers 235 and 237 and the base plate 231 described above.

본 발명의 제 2 실시 예에 따른 트레이(230)는 상술한 요철 패턴(234)에 의해 제 1 및 제 2 코팅층(235, 237) 각각과 베이스 플레이트(231) 간의 접착력이 향상됨으로써 내구성이 더욱 향상되고, 더 긴 수명을 갖게 된다.The tray 230 according to the second embodiment of the present invention further improves durability by improving adhesion between the first and second coating layers 235 and 237 and the base plate 231 by the above-mentioned uneven pattern 234. And longer life.

따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치(200)는 상술한 제 2 실시 예의 트레이(230)로 인하여 내구성 향상, 및 긴 수명으로 인하여 생산 단가 및 생산성을 더욱 향상시킬 수 있다.Accordingly, the substrate processing apparatus 200 according to the embodiment of the present invention may further improve the production cost and productivity due to the durability improvement and the long life due to the tray 230 of the second embodiment.

도 7 내지 도 13은 도 4 내지 도 6에 도시된 핀 삽입 홈과 가이드 핀 각각의 다른 실시 예들을 개략적으로 나타내는 도면들이다.7 to 13 are schematic views illustrating other embodiments of the pin insertion groove and the guide pin illustrated in FIGS. 4 to 6, respectively.

도 7을 참조하여 본 발명의 제 1 및 제 2 실시 예에 따른 트레이에 있어서, 핀 삽입 홈과 가이드 핀 각각의 다른 실시 예를 개략적으로 설명하면 다음과 같다.In the trays according to the first and second embodiments of the present invention with reference to FIG. 7, another embodiment of each of the pin insertion groove and the guide pin will be described as follows.

도 7의 (a)에 도시된 바와 같이, 다른 실시 예에 따른 핀 삽입 홈(233)은 사각 형태의 단면을 가지도록 베이스 플레이트(231)의 표면으로부터 소정 깊이로 형성된다.As shown in FIG. 7A, the pin insertion groove 233 according to another embodiment is formed to have a predetermined depth from the surface of the base plate 231 to have a square cross section.

다른 실시 예에 따른 가이드 핀(239)은 삽입부(239a), 및 기판 가이더(239b)를 포함하여 구성된다.The guide pin 239 according to another embodiment includes an inserting portion 239a and a substrate guider 239b.

삽입부(239a)는 핀 삽입 홈(233)에 대응되는 형태를 가지도록 소정 높이로 형성되어, 도 7의 (b)에 도시된 바와 같이, 상술한 제 2 코팅층(237)이 형성된 핀 삽입 홈(233)에 삽입된다.The insertion part 239a is formed at a predetermined height to have a shape corresponding to the pin insertion groove 233, and as shown in FIG. 7B, the pin insertion groove in which the above-described second coating layer 237 is formed. 233 is inserted.

기판 가이더(239b)는 아랫변이 윗변보다 넓은 사다리꼴 형태의 단면을 가지도록 형성되어 삽입부(239a)의 상부에 일체화된다. 이러한, 기판 가이더(239b)의 아랫변은 핀 삽입 홈(233) 주변의 제 2 코팅층(237)을 덮음으로써 세정 가스에 의해 핀 삽입 홈(233)의 단턱부에 형성된 제 2 코팅층(237)의 박리를 방지한다.The substrate guider 239b is formed so that the lower side has a trapezoidal cross section wider than the upper side and is integrated with the upper portion of the insertion part 239a. The lower side of the substrate guider 239b covers the second coating layer 237 around the pin insertion groove 233 so that the second coating layer 237 formed on the stepped portion of the pin insertion groove 233 by the cleaning gas. Prevent peeling.

도 8을 참조하여 본 발명의 제 1 및 제 2 실시 예에 따른 트레이에 있어서, 핀 삽입 홈과 가이드 핀 각각의 또 다른 실시 예를 개략적으로 설명하면 다음과 같다.In the trays according to the first and second embodiments of the present invention with reference to FIG. 8, another embodiment of each of the pin insertion groove and the guide pin is schematically described.

도 8의 (a)에 도시된 바와 같이, 또 다른 실시 예에 따른 핀 삽입 홈(233)은 베이스 플레이트(231)의 표면으로부터 소정 깊이로 형성되는 사각 단면의 홈(1233a)과, 베이스 플레이트(231)의 표면과 사각 단면의 홈(1233a)의 상부에 의한 모서리 부분에 소정의 기울기를 가지도록 형성된 경사면(1233b)를 포함하여 구성된다. 즉, 핀 삽입 홈(233)은 "Y"자 형태 또는 경사면을 가지는 계단 형태의 단면을 가지도록 베이스 플레이트(231)의 표면으로부터 소정 깊이로 형성된다. 이때, 핀 삽입 홈(233)의 사면(1233b)은 제 2 코팅층(237)의 코팅 물질이 핀 삽입 홈(233) 내에 균일하게 형성되도록 하는 역할을 한다.As shown in FIG. 8A, the pin insertion groove 233 according to another embodiment may include a groove 1233a having a rectangular cross section formed at a predetermined depth from the surface of the base plate 231, and the base plate ( And an inclined surface 1233b formed to have a predetermined inclination at a corner portion of the surface of the 231 and an upper portion of the groove 1233a of the rectangular cross section. That is, the pin insertion groove 233 is formed to a predetermined depth from the surface of the base plate 231 to have a cross section in the form of a step having a “Y” shape or an inclined surface. At this time, the slope 1233b of the pin insertion groove 233 serves to uniformly form the coating material of the second coating layer 237 in the pin insertion groove 233.

또 다른 실시 예에 따른 가이드 핀(239)은 삽입부(1239a), 및 기판 가이더(1239b)를 포함하여 구성된다.According to another embodiment, the guide pin 239 includes an insertion part 1239a and a substrate guider 1239b.

삽입부(1239a)는 핀 삽입 홈(1233)에 대응되는 "Y"자 형태 또는 경사면을 가지는 계단 형태의 단면을 가지도록 소정 높이로 형성되어, 도 8의 (b)에 도시된 바와 같이, 상술한 제 2 코팅층(237)이 형성된 핀 삽입 홈(233)에 삽입된다.Insertion portion 1239a is formed at a predetermined height to have a stepped cross-section having a “Y” shape or an inclined surface corresponding to pin insertion groove 1233, as shown in FIG. One second coating layer 237 is inserted into the formed pin insertion groove 233.

기판 가이더(1239b)는 아랫변이 윗변보다 넓은 사다리꼴 형태의 단면을 가지도록 형성되어 삽입부(1239a)의 상부에 일체화된다. 이러한, 기판 가이더(1239b)의 아랫변은 핀 삽입 홈(233) 주변의 제 2 코팅층(237)을 덮음으로써 세정 가스에 의해 핀 삽입 홈(233)의 단턱부에 형성된 제 2 코팅층(237)의 박리를 방지한다.The substrate guider 1239b is formed so that the lower side has a trapezoidal cross section wider than the upper side and is integrated with the upper portion of the insertion part 1239a. The lower side of the substrate guider 1239b covers the second coating layer 237 around the pin insertion groove 233 so that the second coating layer 237 formed on the stepped portion of the pin insertion groove 233 by the cleaning gas. Prevent peeling.

도 9를 참조하여 본 발명의 제 1 및 제 2 실시 예에 따른 트레이에 있어서, 핀 삽입 홈과 가이드 핀 각각의 또 다른 실시 예를 개략적으로 설명하면 다음과 같다.Referring to FIG. 9, another embodiment of each of the pin insertion groove and the guide pin in the tray according to the first and second embodiments of the present invention will be described below.

도 9의 (a)에 도시된 바와 같이, 또 다른 실시 예에 따른 핀 삽입 홈(233)은 베이스 플레이트(231)의 표면으로부터 소정 깊이로 형성되는 사각 단면의 제 1 홈(2233a)과, 사각 단면의 제 1 홈(2233a)의 중앙부로부터 소정 깊이로 형성되는 사각 단면의 제 2 홈(2233b)을 포함하여 구성된다. 즉, 핀 삽입 홈(233)은 "T"자 형태 또는 계단 형태의 단면을 가지도록 베이스 플레이트(231)의 표면으로부터 소정 깊이로 형성된다. 이때, 사각 단면의 제 1 홈(2233a)은 제 2 코팅층(237)의 코팅 물질이 핀 삽입 홈(233) 내에 균일하게 형성되도록 하는 역할을 한다.As shown in FIG. 9A, the pin insertion groove 233 according to another embodiment may include a first groove 2233a having a rectangular cross section formed at a predetermined depth from the surface of the base plate 231, and a rectangular groove. It is comprised including the 2nd groove 2233b of the square cross section formed in the predetermined depth from the center part of the 1st groove 2233a of the cross section. That is, the pin insertion groove 233 is formed to have a predetermined depth from the surface of the base plate 231 so as to have a cross section of a “T” shape or a step shape. In this case, the first groove 2233a having a rectangular cross section serves to uniformly form the coating material of the second coating layer 237 in the pin insertion groove 233.

또 다른 실시 예에 따른 가이드 핀(239)은 삽입부(2239a), 및 기판 가이더(2239b)를 포함하여 구성된다.According to another embodiment, the guide pin 239 includes an inserting portion 2239a and a substrate guider 2239b.

삽입부(2239a)는 핀 삽입 홈(233)에 대응되는 "T"자 형태 또는 계단 형태의 단면을 가지도록 소정 높이로 형성되어, 도 9의 (b)에 도시된 바와 같이, 상술한 제 2 코팅층(237)이 형성된 핀 삽입 홈(233)에 삽입된다.The insertion part 2239a is formed at a predetermined height to have a cross section of a “T” shape or a step shape corresponding to the pin insertion groove 233, and as shown in FIG. The coating layer 237 is inserted into the formed pin insertion groove 233.

기판 가이더(2239b)는 아랫변이 윗변보다 넓은 사다리꼴 형태의 단면을 가지도록 형성되어 삽입부(2239a)의 상부에 일체화된다. 이때, 기판 가이더(2239b)의 아랫변은 삽입부(2239a)의 상면과 동일한 크기로 형성되거나, 도 10에 도시된 바와 같이, 삽입부(2239a)의 상면보다 넓은 크기로 형성될 수 있다. 기판 가이더(2239b)의 아랫변이 삽입부(2239a)의 상면보다 넓을 경우, 기판 가이더(2239b)의 아랫변은 핀 삽입 홈(233) 주변의 제 2 코팅층(237)을 덮음으로써 세정 가스에 의해 핀 삽입 홈(233)의 단턱부에 형성된 제 2 코팅층(237)의 박리를 방지한다.The substrate guider 2239b is formed so that the lower side has a trapezoidal cross section wider than the upper side and is integrated with the upper portion of the insertion part 2239a. In this case, the lower side of the substrate guider 2239b may be formed to have the same size as the upper surface of the inserting portion 2239a or may be formed to have a larger size than the upper surface of the inserting portion 2239a as shown in FIG. 10. When the lower side of the substrate guider 2239b is wider than the upper surface of the inserting portion 2239a, the lower side of the substrate guider 2239b covers the second coating layer 237 around the pin insertion groove 233, thereby fining by the cleaning gas. The peeling of the second coating layer 237 formed on the stepped portion of the insertion groove 233 is prevented.

도 11을 참조하여 본 발명의 제 1 및 제 2 실시 예에 따른 트레이에 있어서, 핀 삽입 홈과 가이드 핀 각각의 또 다른 실시 예를 개략적으로 설명하면 다음과 같다.In the trays according to the first and second embodiments of the present invention with reference to FIG. 11, another embodiment of each of the pin insertion groove and the guide pin is schematically described as follows.

도 11의 (a)에 도시된 바와 같이, 또 다른 실시 예에 따른 핀 삽입 홈(233)은 역사다리꼴 단면의 제 1 홈(3233a), 및 사각 단면의 제 2 홈(3233b)을 포함하여 구성된다. 즉, 상기 핀 삽입 홈(233)은 경사면을 가지는 계단 형태의 단면을 가지도록 형성된다.As shown in FIG. 11A, the pin insertion groove 233 according to another embodiment includes a first groove 3233a having a trapezoidal cross section and a second groove 3233b having a square cross section. do. That is, the pin insertion groove 233 is formed to have a stepped cross section having an inclined surface.

역사다리꼴 단면의 제 1 홈(3233a)은 아랫변이 윗변보다 좁은 역사다리꼴 형태의 단면을 가지도록 베이스 플레이트(231)의 표면으로부터 소정 깊이로 형성된다. 이러한, 역사다리꼴 단면의 제 1 홈(3233a)은 제 2 코팅층(237)의 코팅 물질이 핀 삽입 홈(233) 내에 균일하게 형성되도록 하는 역할을 한다.The first groove 3333a of the inverted trapezoid cross section is formed to a predetermined depth from the surface of the base plate 231 so that the lower side has a cross section of the inverted trapezoidal shape than the upper side. The first groove 3233a having an inverted trapezoidal cross section serves to uniformly form the coating material of the second coating layer 237 in the pin insertion groove 233.

사각 단면의 제 2 홈(3233b)은 사다리꼴 단면을 가지는 제 1 홈(3233a)의 중앙부로부터 소정 깊이로 가지도록 형성된다.The second groove 3233b having a rectangular cross section is formed to have a predetermined depth from the center of the first groove 3233a having a trapezoidal cross section.

또 다른 실시 예에 따른 가이드 핀(239)은 삽입부(3239a), 및 기판 가이더(3239b)를 포함하여 구성된다.The guide pin 239 according to another embodiment includes an inserting portion 339a and a substrate guider 3239b.

삽입부(3239a)는 핀 삽입 홈(233)에 대응되는 형태를 가지도록 소정 높이로 형성되어, 도 11의 (b)에 도시된 바와 같이, 상술한 제 2 코팅층(237)이 형성된 핀 삽입 홈(233)에 삽입된다.The insertion part 3239a is formed at a predetermined height to have a shape corresponding to the pin insertion groove 233, and as shown in FIG. 11B, the pin insertion groove in which the second coating layer 237 described above is formed. 233 is inserted.

기판 가이더(3239b)는 아랫변이 윗변보다 넓은 사다리꼴 형태의 단면을 가지도록 형성되어 삽입부(3239a)의 상부에 일체화된다. 이때, 기판 가이더(3239b)의 아랫변은 삽입부(3239a)의 상면과 동일한 크기로 형성되거나, 도 12에 도시된 바와 같이, 삽입부(3239a)의 상면보다 넓은 크기로 형성될 수 있다. 기판 가이더(3239b)의 아랫변이 삽입부(3239a)의 상면보다 넓을 경우, 기판 가이더(3239b)의 아랫변은 핀 삽입 홈(233) 주변의 제 2 코팅층(237)을 덮음으로써 세정 가스에 의해 핀 삽입 홈(233)의 단턱부에 형성된 제 2 코팅층(237)의 박리를 방지한다.The substrate guider 3239b is formed so that the lower side has a trapezoidal cross section wider than the upper side and is integrated with the upper portion of the insertion part 3239a. In this case, the lower side of the substrate guider 3239b may be formed to have the same size as the top surface of the insertion portion 3239a or may be formed to have a size larger than the top surface of the insertion portion 3239a as shown in FIG. 12. When the lower side of the substrate guider 3239b is wider than the upper surface of the inserting portion 3239a, the lower side of the substrate guider 3239b covers the second coating layer 237 around the pin insertion groove 233, thereby fining by the cleaning gas. The peeling of the second coating layer 237 formed on the stepped portion of the insertion groove 233 is prevented.

도 13을 참조하여 본 발명의 제 1 및 제 2 실시 예에 따른 트레이에 있어서, 핀 삽입 홈과 가이드 핀 각각의 또 다른 실시 예를 개략적으로 설명하면 다음과 같다.In the trays according to the first and second embodiments of the present invention with reference to FIG. 13, another embodiment of each of the pin insertion groove and the guide pin is schematically described as follows.

도 13의 (a)에 도시된 바와 같이, 또 다른 실시 예에 따른 핀 삽입 홈(233)은 사각 단면의 제 1 및 제 2 홈(4233a, 4233b)을 포함하여 구성된다.As shown in FIG. 13A, the pin insertion groove 233 according to still another embodiment includes first and second grooves 4333a and 4233b having a rectangular cross section.

사각 단면의 제 1 홈(4233a)은 사각 형태의 단면을 가지도록 베이스 플레이트(231)의 표면으로부터 소정 깊이로 형성된다.The first groove 4333a having a square cross section is formed to have a predetermined depth from the surface of the base plate 231 to have a square cross section.

사각 단면의 제 2 홈(4233b)은 사각 형태의 단면을 가지도록 사각 단면의 제 1 홈(4233a)의 양측에 인접한 베이스 플레이트(231)의 표면으로부터 소정 깊이로 형성된다. 이때, 사각 단면의 제 2 홈(4233b)의 단면 넓이는 사각 단면의 제 1 홈(4233a)보다 좁으며, 사각 단면의 제 2 홈(4233b)의 단면 높이는 사각 단면의 제 1 홈(4233a)보다 낮게 형성된다.The second groove 4333b of the rectangular cross section is formed to have a predetermined depth from the surface of the base plate 231 adjacent to both sides of the first groove 4333a of the rectangular cross section so as to have a rectangular cross section. At this time, the cross-sectional area of the second groove 4333b of the rectangular cross section is narrower than the first groove 4333a of the rectangular cross section, and the cross-sectional height of the second groove 4333b of the rectangular cross section is greater than that of the first groove 4333a of the rectangular cross section. Formed low.

또 다른 실시 예에 따른 가이드 핀(239)은 제 1 및 제 2 삽입부(4239a1, 4239a2), 및 기판 가이더(4239b)를 포함하여 구성된다.According to another exemplary embodiment, the guide pin 239 includes first and second insertion parts 4239a1 and 4239a2, and a substrate guider 4239b.

제 1 삽입부(4239a1)는 핀 삽입 홈(233)의 사각 단면의 제 1 홈(4233a)에 대응되는 형태를 가지도록 소정 높이로 형성되어, 도 13의 (b)에 도시된 바와 같이, 상술한 제 2 코팅층(237)이 형성된 핀 삽입 홈(233)의 사각 단면의 제 1 홈(4233a)에 삽입된다.The first insertion portion 4239a1 is formed at a predetermined height to have a shape corresponding to the first groove 4333a of the square cross section of the pin insertion groove 233, as shown in FIG. A second coating layer 237 is inserted into the first groove 4333a of the rectangular cross section of the pin insertion groove 233.

제 2 삽입부(4239a2)는 핀 삽입 홈(233)의 사각 단면의 제 2 홈(4233b)에 대응되는 형태를 가지도록 소정 높이로 형성되어 상술한 제 2 코팅층(237)이 형성된 핀 삽입 홈(233)의 사각 단면의 제 2 홈(4233b)에 삽입된다.The second insertion part 4239a2 is formed at a predetermined height so as to have a shape corresponding to the second groove 4333b of the square cross section of the pin insertion groove 233, and the pin insertion groove having the above-described second coating layer 237 ( 233 is inserted into the second groove 4333b of the rectangular cross section.

기판 가이더(4239b)는 아랫변이 윗변보다 넓은 사다리꼴 형태의 단면을 가지도록 형성되어 제 1 및 제 2 삽입부(4239a1, 4239a2)의 상부에 일체화된다. 이때, 제 1 삽입부(4239a1)는 기판 가이더(4239b)의 배면 중앙 부분을 지지하고, 제 2 삽입부(4239a2)는 기판 가이더(4239b)의 배면 가장자리 부분을 지지한다. 이러한, 기판 가이더(3239b)의 아랫변은 핀 삽입 홈(233) 주변의 제 2 코팅층(237)을 덮음으로써 세정 가스에 의해 핀 삽입 홈(233)의 단턱부에 형성된 제 2 코팅층(237)의 박리를 방지한다.The substrate guider 4239b is formed so that the lower side has a trapezoidal cross section wider than the upper side and is integrated on the upper portions of the first and second insertion parts 4239a1 and 4239a2. At this time, the first inserting portion 4239a1 supports the rear center portion of the substrate guider 4239b, and the second inserting portion 4239a2 supports the rear edge portion of the substrate guider 4239b. The lower side of the substrate guider 3239b covers the second coating layer 237 around the pin insertion groove 233 so that the second coating layer 237 formed on the stepped portion of the pin insertion groove 233 by the cleaning gas. Prevent peeling.

도 14는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 트레이의 제조 방법을 단계적으로 설명하기 위한 도면이다.FIG. 14 is a view for explaining step by step a method of manufacturing a tray according to the first embodiment of the present invention.

도 14를 참조하여 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 트레이의 제조 방법을 단계적으로 설명하면 다음과 같다.Referring to Figure 14 step by step the manufacturing method of the tray according to the first embodiment of the present invention.

먼저, 도 14의 (a)에 도시된 바와 같이, 내열 유리 재질로 이루어진 베이스 플레이트(231)에 다수의 핀 삽입 홈(233)을 형성한다. 이때, 다수의 핀 삽입 홈(233)은 베이스 플레이트(231)의 제작시 형성될 수도 있다. 이러한, 다수의 핀 삽입 홈(233) 각각의 형태는 도 7 내지 도 13 중 어느 하나의 도면에 도시된 형태를 가지도록 형성될 수 있다.First, as shown in FIG. 14A, a plurality of pin insertion grooves 233 are formed in the base plate 231 made of a heat resistant glass material. In this case, the plurality of pin insertion grooves 233 may be formed when the base plate 231 is manufactured. Each of the plurality of pin insertion grooves 233 may be formed to have the shape shown in any one of FIGS. 7 to 13.

그런 다음, 도 14의 (b)에 도시된 바와 같이, 용사 코팅 공정을 이용하여 베이스 플레이트(231)의 전면 가장자리, 측면, 및 배면 가장자리를 감싸도록 제 1 코팅층(235)을 형성한다. 이때, 제 1 코팅층(235)은 Al2O3 또는 Y2O3 재질로 이루어질 수 있다. 이러한, 제 1 코팅층(235)은 용사 코팅에 의해 50 ~ 200㎛ 정도의 두께를 가지도록 형성된다. 여기서, 베이스 플레이트(231)의 전면 및 배면 가장자리에 형성되는 제 1 코팅층(235)은 상술한 다수의 트레이 이송 롤러(240)에 접촉하는 부분으로써 30 ~ 70mm 정도의 폭을 가지도록 형성되는 것이 바람직하다.Then, as shown in FIG. 14B, the first coating layer 235 is formed to surround the front edge, side surface, and back edge of the base plate 231 using a thermal spray coating process. In this case, the first coating layer 235 may be made of Al 2 O 3 or Y 2 O 3 material. This, the first coating layer 235 is formed to have a thickness of about 50 ~ 200㎛ by thermal spray coating. Here, the first coating layer 235 formed on the front and rear edges of the base plate 231 is in contact with the plurality of tray feed rollers 240 described above, and is preferably formed to have a width of about 30 to 70 mm. Do.

그런 다음, 도 14의 (c)에 도시된 바와 같이, 화학 기상 증착(CVD) 공정(예를 들어, PECVD 공정, MOCVD 공정) 또는 스퍼터링 증착 공정을 이용하여 다수의 핀 삽입 홈(233)과 제 1 코팅층(235)이 형성된 베이스 플레이트(231)의 전면 및 배면 전체에 제 2 코팅층(237)을 형성한다. 이때, 제 2 코팅층(237)은 ZnO 또는 ITO 등의 투명 재질로 이루어지거나 Al2O3 등의 불투명 재질로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않고 세정 가스에 내성이 강한 재질로 이루어질 수 있다. 이러한, 제 2 코팅층(237)은 재질에 따라 화학 기상 증착(CVD) 공정(예를 들어, MOCVD 공정) 또는 스퍼터링 증착 공정에 의해 2 ~ 50㎛ 정도의 두께를 가지도록 형성된다.Then, as illustrated in FIG. 14C, the plurality of pin insertion grooves 233 and the first and second fins are formed using a chemical vapor deposition (CVD) process (eg, PECVD process, MOCVD process) or a sputtering deposition process. The second coating layer 237 is formed on the front and rear surfaces of the base plate 231 on which the first coating layer 235 is formed. In this case, the second coating layer 237 may be made of a transparent material such as ZnO or ITO, or may be made of an opaque material such as Al 2 O 3 , but is not limited thereto. The second coating layer 237 is formed to have a thickness of about 2 to 50 μm by a chemical vapor deposition (CVD) process (eg, a MOCVD process) or a sputtering deposition process, depending on the material.

그런 다음, 도 14의 (d)에 도시된 바와 같이, 제 2 코팅층(237)이 형성된 다수의 핀 삽입 홈(233) 각각에 가이드 핀(239)을 삽입한다. 이때, 다수의 가이드 핀(239) 각각은 내열 유리 또는 세라믹 등의 재질로 이루어질 수 있다. 이러한, 다수의 가이드 핀(239) 각각은 핀 삽입 홈(233)에 대응되는 형태를 가지며, 그 형태는 도 7 내지 도 13 중 어느 하나의 도면에 도시된 형태를 가질 수 있다.Then, as shown in (d) of FIG. 14, the guide pin 239 is inserted into each of the plurality of pin insertion grooves 233 in which the second coating layer 237 is formed. In this case, each of the plurality of guide pins 239 may be made of a material such as heat resistant glass or ceramic. Each of the plurality of guide pins 239 may have a shape corresponding to the pin insertion groove 233, and the shape of the plurality of guide pins 239 may be the shape shown in any one of FIGS. 7 to 13.

이와 같은, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 트레이의 제조 방법은 내열 유리를 이용함으로써 트레이(230)의 제작 비용을 절감할 수 있으며, 제 1 및 제 2 코팅층(235, 237)을 통해 트레이(230)의 내구성을 향상시킬 수 있으며, 수명을 길게 연장시킬 수 있다.As such, the manufacturing method of the tray according to the first embodiment of the present invention can reduce the manufacturing cost of the tray 230 by using the heat-resistant glass, the tray (through the first and second coating layers 235, 237) 230) can improve the durability, and can extend the life.

도 15는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 트레이의 제조 방법을 단계적으로 설명하기 위한 도면이다.FIG. 15 is a view for explaining step by step a method of manufacturing a tray according to a second embodiment of the present invention.

도 15를 참조하여 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 트레이의 제조 방법을 단계적으로 설명하면 다음과 같다.A manufacturing method of a tray according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 15 as follows.

먼저, 도 15의 (a)에 도시된 바와 같이, 내열 유리 재질로 이루어진 베이스 플레이트(231)에 다수의 핀 삽입 홈(233)을 형성한다. 이때, 다수의 핀 삽입 홈(233)은 베이스 플레이트(231)의 제작시 형성될 수도 있다. 이러한, 다수의 핀 삽입 홈(233) 각각의 형태는 도 7 내지 도 13 중 어느 하나의 도면에 도시된 형태를 가지도록 형성될 수 있다.First, as shown in FIG. 15A, a plurality of pin insertion grooves 233 are formed in the base plate 231 made of a heat resistant glass material. In this case, the plurality of pin insertion grooves 233 may be formed when the base plate 231 is manufactured. Each of the plurality of pin insertion grooves 233 may be formed to have the shape shown in any one of FIGS. 7 to 13.

그런 다음, 도 15의 (b)에 도시된 바와 같이, 비드(Bead) 또는 샌드(Sand) 등을 이용한 블래스터(Blaster) 공정을 이용하여 다수의 핀 삽입 홈(233)이 형성된 베이스 플레이트(231)의 전면 전체에 요철 패턴(234)을 형성하거나, 베이스 플레이트(231)의 전면 및 배면 전체에 요철 패턴(234)을 형성된다. 이때, 요철 패턴(234)은 3 ~ 6㎛ 정도의 표면 조도(Surface Roughness)를 가지도록 형성된다.Then, as illustrated in FIG. 15B, the base plate 231 having the plurality of pin insertion grooves 233 formed by using a blaster process using beads, sand, or the like. Concave-convex pattern 234 is formed on the entire front surface of the concave-convex pattern 234 is formed on the entire surface of the front and back of the base plate 231. At this time, the uneven pattern 234 is formed to have a surface roughness (Surface Roughness) of about 3 ~ 6㎛.

그런 다음, 도 15의 (c)에 도시된 바와 같이, 용사 코팅 공정을 이용하여 요철 패턴(234)이 형성된 베이스 플레이트(231)의 전면 가장자리, 측면, 및 배면 가장자리를 감싸도록 제 1 코팅층(235)을 형성한다. 이때, 제 1 코팅층(235)은 Al2O3 또는 Y2O3 재질로 이루어질 수 있다. 이러한, 제 1 코팅층(235)은 용사 코팅에 의해 50 ~ 200㎛ 정도의 두께를 가지도록 형성된다. 여기서, 베이스 플레이트(231)의 전면 및 배면 가장자리에 형성되는 제 1 코팅층(235)은 상술한 다수의 트레이 이송 롤러(240)에 접촉하는 부분으로써 30 ~ 70mm 정도의 폭을 가지도록 형성되는 것이 바람직하다. 한편, 제 1 코팅층(235)과 베이스 플레이트(231) 간의 접착력은 요철 패턴(234)에 의해 향상된다.Then, as illustrated in FIG. 15C, the first coating layer 235 surrounds the front edge, side surface, and back edge of the base plate 231 on which the uneven pattern 234 is formed using the thermal spray coating process. ). In this case, the first coating layer 235 may be made of Al 2 O 3 or Y 2 O 3 material. This, the first coating layer 235 is formed to have a thickness of about 50 ~ 200㎛ by thermal spray coating. Here, the first coating layer 235 formed on the front and rear edges of the base plate 231 is in contact with the plurality of tray feed rollers 240 described above, and is preferably formed to have a width of about 30 to 70 mm. Do. Meanwhile, the adhesion between the first coating layer 235 and the base plate 231 is improved by the uneven pattern 234.

그런 다음, 도 15의 (d)에 도시된 바와 같이, 화학 기상 증착(CVD) 공정(예를 들어, PECVD 공정, MOCVD 공정) 또는 스퍼터링 증착 공정을 이용하여 다수의 핀 삽입 홈(233)과 요철 패턴(234) 및 제 1 코팅층(235)이 형성된 베이스 플레이트(231)의 전면 및 배면 전체에 제 2 코팅층(237)을 형성한다. 이때, 제 2 코팅층(237)은 ZnO 또는 ITO 등의 투명 재질로 이루어지거나 Al2O3 등의 불투명 재질로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않고 세정 가스에 내성이 강한 재질로 이루어질 수 있다. 이러한, 제 2 코팅층(237)은 재질에 따라 화학 기상 증착(CVD) 공정(예를 들어, MOCVD 공정) 또는 스퍼터링 증착 공정에 의해 2 ~ 50㎛ 정도의 두께를 가지도록 형성된다.Then, as shown in (d) of FIG. 15, the plurality of pin insertion grooves 233 and the unevenness using a chemical vapor deposition (CVD) process (eg, PECVD process, MOCVD process) or a sputtering deposition process. The second coating layer 237 is formed on the front and rear surfaces of the base plate 231 on which the pattern 234 and the first coating layer 235 are formed. In this case, the second coating layer 237 may be made of a transparent material such as ZnO or ITO, or may be made of an opaque material such as Al 2 O 3 , but is not limited thereto. The second coating layer 237 is formed to have a thickness of about 2 to 50 μm by a chemical vapor deposition (CVD) process (eg, a MOCVD process) or a sputtering deposition process, depending on the material.

한편, 제 2 코팅층(237)과 베이스 플레이트(231) 간의 접착력은 요철 패턴(234)에 의해 향상된다. Meanwhile, the adhesion between the second coating layer 237 and the base plate 231 is improved by the uneven pattern 234.

그런 다음, 도 15의 (e)에 도시된 바와 같이, 제 2 코팅층(237)이 형성된 다수의 핀 삽입 홈(233) 각각에 가이드 핀(239)을 삽입한다. 이때, 다수의 가이드 핀(239) 각각은 내열 유리 또는 세라믹 등의 재질로 이루어질 수 있다. 이러한, 다수의 가이드 핀(239) 각각은 핀 삽입 홈(233)에 대응되는 형태를 가지며, 그 형태는 도 7 내지 도 13 중 어느 하나의 도면에 도시된 형태를 가질 수 있다.Then, as shown in FIG. 15E, the guide pin 239 is inserted into each of the plurality of pin insertion grooves 233 on which the second coating layer 237 is formed. In this case, each of the plurality of guide pins 239 may be made of a material such as heat resistant glass or ceramic. Each of the plurality of guide pins 239 may have a shape corresponding to the pin insertion groove 233, and the shape of the plurality of guide pins 239 may be the shape shown in any one of FIGS. 7 to 13.

이와 같은, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 트레이의 제조 방법은 내열 유리를 이용함으로써 트레이(230)의 제작 비용을 절감할 수 있으며, 제 1 및 제 2 코팅층(235, 237)을 통해 트레이(230)의 내구성을 향상시킬 수 있으며, 수명을 길게 연장시킬 수 있고, 요철 패턴(234)을 통해 제 1 및 제 2 코팅층(235, 237)을 접착력을 향상시켜 트레이(230)의 내구성을 더욱 향상시킬 수 있다.As such, the manufacturing method of the tray according to the second embodiment of the present invention can reduce the manufacturing cost of the tray 230 by using the heat-resistant glass, the tray (through the first and second coating layers 235, 237) The durability of the 230 may be improved, the life may be extended, and the first and second coating layers 235 and 237 may be improved through the uneven pattern 234 to further improve the durability of the tray 230. You can.

본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.It will be understood by those skilled in the art that the present invention may be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. Therefore, it is to be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are to be construed as being included within the scope of the present invention do.

200: 기판 처리 장치 210: 공정 챔버
220: 가스 분사 수단 230: 트레이
231: 베이스 플레이트 233: 핀 삽입 홈
234: 요철 패턴 235: 제 1 코팅층
237: 제 2 코팅층 239: 가이드 핀
240: 트레이 이송 롤러 250: 기판 안치 수단200: substrate processing apparatus 210: process chamber
220: gas injection means 230: tray
231: base plate 233: pin insertion groove
234: uneven pattern 235: first coating layer
237: second coating layer 239: guide pin
240: tray feed roller 250: substrate placing means

Claims (41)

베이스 플레이트를 마련하는 공정;
상기 베이스 플레이트의 가장자리를 감싸도록 제 1 코팅층을 형성하는 공정; 및
상기 제 1 코팅층을 포함하도록 상기 베이스 플레이트의 전면 전체에 기상 증착 공정을 이용하여 제 2 코팅층을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 트레이의 제조 방법.Providing a base plate;
Forming a first coating layer to surround the edge of the base plate; And
And forming a second coating layer on the entire front surface of the base plate by using a vapor deposition process so as to include the first coating layer. 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 코팅층을 형성하는 공정 이전에, 상기 베이스 플레이트에 요철 패턴을 형성하는 공정을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 트레이의 제조 방법.The method of claim 1,
Before the step of forming the first coating layer, the manufacturing method of the tray, characterized in that further comprising the step of forming a concave-convex pattern on the base plate. 제 1 항에 있어서,
상기 베이스 플레이트는 내열유리, 그래파이트 재질, 또는 고강도 탄소 복합 재료(CC Composite)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 트레이의 제조 방법.The method of claim 1,
The base plate is a manufacturing method of the tray, characterized in that made of heat-resistant glass, graphite material, or high-strength carbon composite material (CC Composite). 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 코팅층은 상기 제 2 코팅층보다 강한 강성을 가진 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 트레이의 제조 방법.The method of claim 1,
The first coating layer is a manufacturing method of the tray, characterized in that made of a material having a stronger rigidity than the second coating layer. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 코팅층은 상기 베이스 플레이트의 전면 가장자리, 측면, 및 배면 가장자리를 감싸도록 형성된 것을 특징으로 하는 트레이의 제조 방법.The method according to any one of claims 1 to 4,
The first coating layer is a manufacturing method of the tray, characterized in that formed to surround the front edge, side, and rear edge of the base plate. 제 5 항에 있어서,
상기 제 1 코팅층의 재질은 Al2O3 또는 Y2O3인 것을 특징으로 하는 트레이의 제조 방법.The method of claim 5, wherein
The material of the first coating layer is a manufacturing method of the tray, characterized in that Al 2 O 3 or Y 2 O 3 . 제 5 항에 있어서,
상기 제 1 코팅층의 두께는 50 ~ 200㎛ 정도인 것을 특징으로 하는 트레이의 제조 방법.The method of claim 5, wherein
The thickness of the first coating layer is a manufacturing method of the tray, characterized in that about 50 ~ 200㎛. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 2 코팅층은 상기 베이스 플레이트의 배면 전체에 더 형성된 것을 특징으로 하는 트레이의 제조 방법.The method according to any one of claims 1 to 4,
The second coating layer is a manufacturing method of the tray, characterized in that further formed on the entire back surface of the base plate. 제 8 항에 있어서,
상기 제 2 코팅층은 투명 재질인 것을 특징으로 하는 트레이의 제조 방법.The method of claim 8,
The second coating layer is a manufacturing method of the tray, characterized in that the transparent material. 제 9 항에 있어서,
상기 제 2 코팅층의 재질은 ZnO인 것을 특징으로 하는 트레이의 제조 방법.The method of claim 9,
The material of the second coating layer is a manufacturing method of the tray, characterized in that ZnO. 제 8 항에 있어서,
상기 베이스 플레이트의 전면 전체에 형성된 제 2 코팅층의 재질은 증착 공정에 의해 형성되는 Al2O3인 것을 특징으로 하는 트레이의 제조 방법.The method of claim 8,
The material of the second coating layer formed on the entire front surface of the base plate is a manufacturing method of the tray, characterized in that Al 2 O 3 formed by a deposition process. 제 8 항에 있어서,
상기 제 2 코팅층의 두께는 2 ~ 50㎛ 정도인 것을 특징으로 하는 트레이의 제조 방법.The method of claim 8,
The thickness of the second coating layer is a manufacturing method of the tray, characterized in that about 2 to 50㎛. 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 코팅층을 형성하는 공정 이전에, 상기 기판이 적재되는 기판 적재 영역에 인접한 상기 베이스 플레이트에 다수의 핀 삽입 홈을 형성하는 공정을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 트레이의 제조 방법.The method of claim 1,
And before forming the first coating layer, forming a plurality of pin insertion grooves in the base plate adjacent to the substrate loading region on which the substrate is loaded. 제 13 항에 있어서,
상기 제 1 코팅층을 형성하는 공정 이전에, 상기 다수의 핀 삽입 홈과 상기 베이스 플레이트에 요철 패턴을 형성하는 공정을 더 포함하여 이루어지며,
상기 제 1 코팅층 및 상기 제 2 코팅층은 상기 요철 패턴 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 트레이의 제조 방법.The method of claim 13,
Before the process of forming the first coating layer, and further comprising the step of forming an uneven pattern in the plurality of pin insertion groove and the base plate,
The first coating layer and the second coating layer is a manufacturing method of the tray, characterized in that formed on the uneven pattern. 제 13 항 또는 제 14 항에 있어서,
상기 기판 적재 영역에 적재된 기판의 슬라이딩을 방지하는 다수의 기판 가이드 핀을 상기 다수의 핀 삽입 홈 각각에 삽입하여 고정시키는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 트레이의 제조 방법.The method according to claim 13 or 14,
And inserting and fixing a plurality of substrate guide pins to prevent sliding of the substrate loaded in the substrate loading region into each of the plurality of pin insertion grooves. 다수의 기판이 적재되는 베이스 플레이트;
상기 베이스 플레이트의 가장자리를 감싸도록 형성된 제 1 코팅층; 및
상기 제 1 코팅층을 포함하도록 상기 베이스 플레이트의 전면 전체에 형성된 투명 재질의 제 2 코팅층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 트레이.A base plate on which a plurality of substrates are loaded;
A first coating layer formed to surround an edge of the base plate; And
Tray comprising a second coating layer of a transparent material formed on the entire front surface of the base plate to include the first coating layer. 제 16 항에 있어서,
상기 베이스 플레이트에 형성되어 상기 제 1 및 제 2 코팅층 각각과 상기 베이스 플레이트 간의 접착력을 향상시키는 요철 패턴을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 트레이.17. The method of claim 16,
And a concave-convex pattern formed on the base plate to improve adhesion between each of the first and second coating layers and the base plate. 제 16 항에 있어서,
상기 베이스 플레이트는 내열유리, 그래파이트 재질, 또는 고강도 탄소 복합 재료(CC Composite)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 트레이.17. The method of claim 16,
The base plate is a tray, characterized in that made of heat-resistant glass, graphite material, or high-strength carbon composite material (CC Composite). 제 16 항에 있어서,
상기 제 1 코팅층은 상기 제 2 코팅층보다 강한 강성을 가진 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 트레이.17. The method of claim 16,
The first coating layer is a tray, characterized in that made of a material having a stronger rigidity than the second coating layer. 제 16 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 코팅층은 상기 베이스 플레이트의 전면 가장자리, 측면, 및 배면 가장자리를 감싸도록 형성된 것을 특징으로 하는 트레이.20. The method according to any one of claims 16 to 19,
The first coating layer is a tray, characterized in that formed to surround the front edge, side, and rear edge of the base plate. 제 20 항에 있어서,
상기 제 1 코팅층의 재질은 Al2O3 또는 Y2O3인 것을 특징으로 하는 트레이.21. The method of claim 20,
Tray of the first coating layer is characterized in that the Al 2 O 3 or Y 2 O 3 . 제 20 항에 있어서,
상기 제 1 코팅층의 두께는 50 ~ 200㎛ 정도인 것을 특징으로 하는 트레이.21. The method of claim 20,
The thickness of the first coating layer is characterized in that the tray is about 50 ~ 200㎛. 제 16 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 2 코팅층은 상기 베이스 플레이트의 배면 전체에 더 형성된 것을 특징으로 하는 트레이.20. The method according to any one of claims 16 to 19,
The second coating layer is a tray, characterized in that further formed on the entire back surface of the base plate. 제 23 항에 있어서,
상기 제 2 코팅층은 기상 증착 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 트레이.The method of claim 23,
And the second coating layer is formed by a vapor deposition process. 제 24 항에 있어서,
상기 제 2 코팅층의 재질은 ZnO인 것을 특징으로 하는 트레이.The method of claim 24,
Tray of the second coating layer is characterized in that the ZnO. 제 23 항에 있어서,
상기 베이스 플레이트의 전면 전체에 형성된 제 2 코팅층의 재질은 증착 공정에 의해 형성되는 Al2O3인 것을 특징으로 하는 트레이.The method of claim 23,
And a material of the second coating layer formed on the entire front surface of the base plate is Al 2 O 3 formed by a deposition process. 제 23 항에 있어서,
상기 제 2 코팅층의 두께는 2 ~ 50㎛ 정도인 것을 특징으로 하는 트레이.The method of claim 23,
The thickness of the second coating layer is a tray, characterized in that about 2 to 50㎛. 제 16 항에 있어서,
상기 기판이 적재되는 기판 적재 영역에 인접하도록 상기 베이스 플레이트에 형성된 다수의 핀 삽입 홈; 및
상기 다수의 핀 삽입 홈 각각에 삽입되어 상기 기판 적재 영역에 적재된 기판의 슬라이딩을 방지하는 다수의 기판 가이드 핀을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 트레이.17. The method of claim 16,
A plurality of pin insertion grooves formed in the base plate to be adjacent to the substrate loading region in which the substrate is loaded; And
And a plurality of substrate guide pins inserted into each of the plurality of pin insertion grooves to prevent sliding of the substrate loaded in the substrate loading area. 제 28 항에 있어서,
상기 다수의 핀 삽입 홈과 상기 베이스 플레이트에 형성되어 상기 제 1 및 제 2 코팅층 각각과 상기 베이스 플레이트 간의 접착력을 향상시키는 요철 패턴을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 트레이.29. The method of claim 28,
And a concave-convex pattern formed in the plurality of pin insertion grooves and the base plate to improve adhesion between each of the first and second coating layers and the base plate. 제 28 항 또는 제 29 항에 있어서,
상기 다수의 핀 삽입 홈 각각은 사각 형태, 계단 형태, 및 경사면을 가지는 계단 형태 중 어느 한 형태의 단면을 가지는 것을 특징으로 하는 트레이.The method of claim 28 or 29,
Each of the plurality of pin insertion grooves has a cross section of any one of a rectangular shape, a step shape, and a step shape having an inclined surface. 제 30 항에 있어서,
상기 다수의 가이드 핀 각각은,
상기 핀 삽입 홈에 대응되는 형태를 가지도록 형성되어 상기 핀 삽입 홈에 삽입되는 삽입부; 및
상기 삽입부의 상면에 일체화되어 상기 기판의 슬라이딩을 방지하는 기판 가이더를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 트레이.31. The method of claim 30,
Each of the plurality of guide pins,
An insertion part formed to have a shape corresponding to the pin insertion groove and inserted into the pin insertion groove; And
And a substrate guider integrated with an upper surface of the insert to prevent sliding of the substrate. 제 31 항에 있어서,
상기 기판 가이더는 아랫변이 윗변보다 넓은 사다리꼴 형태의 단면을 가지는 것을 특징으로 하는 트레이.The method of claim 31, wherein
The substrate guider is a tray, characterized in that the lower side has a trapezoidal cross section wider than the upper side. 제 31 항에 있어서,
상기 기판 가이더의 아랫변은 상기 핀 삽입 홈을 덮는 것을 특징으로 하는 트레이.The method of claim 31, wherein
And a lower side of the substrate guider covers the pin insertion groove. 제 28 항 또는 제 29 항에 있어서,
상기 다수의 핀 삽입 홈 각각은 사각 형태의 단면을 가지도록 형성된 제 1 홈과, 상기 제 1 홈의 양측에 사각 형태의 단면을 가지도록 형성된 제 2 홈을 포함하며,
상기 다수의 가이드 핀 각각은 상기 제 1 홈에 삽입되는 제 1 삽입부, 상기 제 2 홈에 삽입되는 제 2 삽입부, 상기 제 1 및 제 2 삽입부 각각의 상면에 일체화되어 상기 기판의 슬라이딩을 방지하는 기판 가이더를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 트레이.The method of claim 28 or 29,
Each of the plurality of pin insertion grooves includes a first groove formed to have a square cross section, and a second groove formed to have a square cross section on both sides of the first groove,
Each of the plurality of guide pins may be integrated on an upper surface of each of the first inserting portion inserted into the first groove, the second inserting portion inserted into the second groove, and the first and second inserting portions to slide the substrate. A tray comprising a substrate guider to prevent. 반응 공간을 제공하는 공정 챔버;
상기 반응 공간에 위치하고 공정 가스 또는 세정 가스를 분사하는 가스 분사 수단;
다수의 기판을 적재하여 상기 공정 챔버의 내부 및 외부로 이송되는 트레이; 및
상기 트레이를 승강시키는 기판 안치 수단을 포함하여 구성되며,
상기 트레이는,
다수의 기판이 적재되는 베이스 플레이트;
상기 베이스 플레이트의 가장자리를 감싸도록 형성된 제 1 코팅층; 및
상기 제 1 코팅층을 포함하도록 상기 베이스 플레이트의 전면 전체에 형성된 투명 재질의 제 2 코팅층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.A process chamber providing a reaction space;
Gas injection means located in the reaction space and injecting a process gas or cleaning gas;
A tray which loads a plurality of substrates and is transported into and out of the process chamber; And
And a substrate settling means for elevating the tray,
The tray,
A base plate on which a plurality of substrates are loaded;
A first coating layer formed to surround an edge of the base plate; And
Substrate processing apparatus comprising a second coating layer of a transparent material formed on the entire front surface of the base plate to include the first coating layer. 제 35 항에 있어서,
상기 기판 안치 수단을 사이에 두고 상기 공정 챔버의 양측벽에 설치되어 상기 트레이를 상기 공정 챔버의 내부 및 외부로 이송시키는 다수의 트레이 이송 롤러를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.36. The method of claim 35 wherein
And a plurality of tray transfer rollers installed on both side walls of the process chamber with the substrate placing means interposed therebetween to transfer the trays into and out of the process chamber. 제 35 항에 있어서,
상기 트레이는 상기 베이스 플레이트에 형성되어 상기 제 1 및 제 2 코팅층 각각과 상기 베이스 플레이트 간의 접착력을 향상시키는 요철 패턴을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.36. The method of claim 35 wherein
The tray is formed on the base plate substrate processing apparatus further comprises a concave-convex pattern for improving the adhesive force between each of the first and second coating layer and the base plate. 제 35 항 또는 제 37 항에 있어서,
상기 제 1 코팅층은 상기 베이스 플레이트의 전면 가장자리, 측면, 및 배면 가장자리를 감싸도록 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.38. The method of claim 35 or 37,
The first coating layer is substrate processing apparatus, characterized in that formed to surround the front edge, side, and back edge of the base plate. 제 35 항 또는 제 37 항에 있어서,
상기 제 2 코팅층은 상기 베이스 플레이트의 배면 전체에 더 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.38. The method of claim 35 or 37,
And the second coating layer is further formed on the entire rear surface of the base plate. 제 35 항에 있어서,
상기 트레이는,
상기 기판이 적재되는 기판 적재 영역에 인접하도록 상기 베이스 플레이트에 형성된 다수의 핀 삽입 홈; 및
상기 다수의 핀 삽입 홈 각각에 삽입되어 상기 기판 적재 영역에 적재된 기판의 슬라이딩을 방지하는 다수의 기판 가이드 핀을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 트레이.36. The method of claim 35 wherein
The tray,
A plurality of pin insertion grooves formed in the base plate to be adjacent to the substrate loading region in which the substrate is loaded; And
And a plurality of substrate guide pins inserted into each of the plurality of pin insertion grooves to prevent sliding of the substrate loaded in the substrate loading area. 제 40 항에 있어서,
상기 트레이는 상기 다수의 핀 삽입 홈과 상기 베이스 플레이트에 형성되어 상기 제 1 및 제 2 코팅층 각각과 상기 베이스 플레이트 간의 접착력을 향상시키는 요철 패턴을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 40,
The tray further comprises a concave-convex pattern formed in the plurality of pin insertion grooves and the base plate to improve adhesion between each of the first and second coating layers and the base plate.
KR1020100114260A 2009-11-27 2010-11-17 Tray, substrate processing apparatus using the same, and manufacturing method of tray KR101691066B1 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100114260A KR101691066B1 (en) 2010-11-17 2010-11-17 Tray, substrate processing apparatus using the same, and manufacturing method of tray
TW099141107A TWI563589B (en) 2009-11-27 2010-11-26 Tray, substrate processing apparatus using the same, and manufacturing method of tray
PCT/KR2010/008444 WO2011065776A2 (en) 2009-11-27 2010-11-26 Tray and substrate processing apparatus using same and method for manufacturing tray

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100114260A KR101691066B1 (en) 2010-11-17 2010-11-17 Tray, substrate processing apparatus using the same, and manufacturing method of tray

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120053155A true KR20120053155A (en) 2012-05-25
KR101691066B1 KR101691066B1 (en) 2016-12-29

Family

ID=46269436

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100114260A KR101691066B1 (en) 2009-11-27 2010-11-17 Tray, substrate processing apparatus using the same, and manufacturing method of tray

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101691066B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190060129A (en) * 2017-11-24 2019-06-03 주성엔지니어링(주) Tray for transferring substrate and manufacturing method thereof

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102625409B1 (en) * 2016-05-19 2024-01-16 주성엔지니어링(주) Tray and substrate processing apparatus using the same
FR3131078A1 (en) * 2021-12-16 2023-06-23 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives SUBSTRATE SUPPORT PLATE FOR DEPOSITING MATERIAL ON EDGES OF ONE SIDE OF THE SUBSTRATE

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030094493A (en) * 2002-06-04 2003-12-12 삼성전자주식회사 Chuck for supporting a substrate
JP2006100297A (en) * 2004-09-28 2006-04-13 Renesas Technology Corp Semiconductor device carrying method and semiconductor device manufacturing method
JP2006179687A (en) * 2004-12-22 2006-07-06 Murata Mach Ltd Tray for sheet transfer and transfer system
KR20060083410A (en) * 2003-08-01 2006-07-20 에스지엘 카본 악티엔게젤샤프트 Holder for supporting wafers during semiconductor manufacture

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030094493A (en) * 2002-06-04 2003-12-12 삼성전자주식회사 Chuck for supporting a substrate
KR20060083410A (en) * 2003-08-01 2006-07-20 에스지엘 카본 악티엔게젤샤프트 Holder for supporting wafers during semiconductor manufacture
JP2006100297A (en) * 2004-09-28 2006-04-13 Renesas Technology Corp Semiconductor device carrying method and semiconductor device manufacturing method
JP2006179687A (en) * 2004-12-22 2006-07-06 Murata Mach Ltd Tray for sheet transfer and transfer system

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190060129A (en) * 2017-11-24 2019-06-03 주성엔지니어링(주) Tray for transferring substrate and manufacturing method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
KR101691066B1 (en) 2016-12-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101150698B1 (en) Substrate placing means, and Appratus and Module for treating substrate including the same
KR100939588B1 (en) Plasma reactor substrate mounting surface texturing
WO2021218760A1 (en) Conveying carrier plate, vacuum coating device, and vacuum coating method
KR20170077013A (en) Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium
KR101760667B1 (en) The system for depositing a atomic layer
KR101478151B1 (en) Atommic layer deposition apparatus
KR101691066B1 (en) Tray, substrate processing apparatus using the same, and manufacturing method of tray
JP6282983B2 (en) Substrate processing equipment
KR101669913B1 (en) Tray and Apparatus for treatmenting substrate using the same
TW201131686A (en) Tray, substrate processing apparatus using the same, and manufacturing method of tray
TWI673815B (en) Substrate processing system, substrate transfer device, and transfer method
KR20110072354A (en) Substrate processing system and cleaning module for the same
KR101612502B1 (en) Method and apparatus for manufacturing semiconductor device
CN109423626B (en) Film forming apparatus, film forming tray, film forming method, and method for manufacturing film forming tray
JP4850762B2 (en) Deposition method
KR101651164B1 (en) Substrate process system, and process module therefor
US8476108B2 (en) Method and apparatus for manufacturing semiconductor device
KR101753079B1 (en) Tray, substrate processing apparatus using the same
KR101049897B1 (en) Apparatus for treating substrate and module including the same
KR101288038B1 (en) Substrate placing means, and Appratus and Module for treating substrate including the same
JP2015137415A (en) Large-area atomic layer deposition apparatus
JPH03212932A (en) Vacuum processing apparatus
KR20120074851A (en) Method of depositing thin film and apparatus module used for the same
TW202317806A (en) Substrate processing system and substrate processing method
KR101955214B1 (en) A Vacuum Evaporation Apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190923

Year of fee payment: 4